Updated on 2021/03/29

写真a

 
ARAIDAI Masaaki
 
Organization
Institute of Materials and Systems for Sustainability Center for Integrated Research of Future Electronics Multiphysics Simulation Section Assistant Professor
Title
Assistant Professor

Degree 1

  1. 博士(理学) ( 2007.9   東京理科大学 ) 

Research Interests 2

  1. Computational Material Science

  2. 表面・界面電子物性

Research Areas 2

  1. Nanotechnology/Materials / Thin film/surface and interfacial physical properties  / 表面・界面電子物性

  2. Nanotechnology/Materials / Nanomaterials  / 計算物質科学

Research History 5

  1. 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター   助教

    2015.10

      More details

    Country:Japan

  2. 名古屋大学 大学院工学研究科 量子工学専攻   助教

    2013.8 - 2015.9

      More details

    Country:Japan

  3. 筑波大学 計算科学研究センター 研究員

    2012.8 - 2013.7

      More details

    Country:Japan

  4. 東北大学 原子分子材料科学高等研究機構 産学官連携研究員

    2009.4 - 2012.7

      More details

    Country:Japan

  5. 早稲田大学 ナノ理工学研究機構 客員講師(専任扱い)

    2007.11 - 2009.3

      More details

    Country:Japan

Education 3

  1. Tokyo University of Science   Graduate School, Division of Natural Science

    2004.4 - 2007.9

      More details

    Country: Japan

  2. Tokyo University of Science   Graduate School, Division of Natural Science

    2002.4 - 2004.3

      More details

    Country: Japan

  3. Tokyo University of Science   Faculty of Science

    1998.4 - 2002.3

      More details

    Country: Japan

Professional Memberships 4

  1. 日本物理学会

  2. 応用物理学会

  3. 日本表面科学会

  4. 日本磁気学会

Awards 4

  1. MNC 2017 Award for Outstanding Paper

    2018.11   Growth of Two-Dimensional Ge Crystal by Annealing of Heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N<sub>2</sub> Ambient

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

     More details

    Award type:International academic award (Japan or overseas)  Country:Japan

  2. 日本磁気学会論文賞

    2016.9  

    高橋秀和,洗平昌晃,岡田晋,白石賢二

     More details

    Award type:Honored in official journal of a scientific society, scientific journal  Country:Japan

  3. IWDTF Young Paper Award

    2015.11   Evaluation of Energy Band Structure of Si#D1-x#DRSn#Dx#DR by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy

    Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

     More details

    Award type:Award from international society, conference, symposium, etc.  Country:Japan

  4. The 62nd JSAP Spring Meeting, 2015 Poster Award

    2015.3   First principles stucy on atomic defects in insulators of MONOS memory

    Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi

     More details

    Award type:Award from Japanese society, conference, symposium, etc.  Country:Japan

 

Papers 77

  1. カリウムイオンエレクトレットにおける負電荷蓄積機構の第一原理計算による検討 Reviewed

    電気学会論文誌E   Vol. 141 ( 8 )   2021.8

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  2. Theoretical study on the effect of H2 and NH3 on trimethylgalliumdecomposition process in GaN MOVPE Reviewed

    S. Sakakibara, K. Chokawa, M. Araidai, A. Kusaba, Y. Kangawa, and K. Shiraishi

    Japanese Journal of Applied Physics     page: in press   2021.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  3. First-Principles Calculation of Copper Oxide Superconductors That Supports the Kamimura-Suwa Model Reviewed

    Kamimura Hiroshi, Araidai Masaaki, Ishida Kunio, Matsuno Shunichi, Sakata Hideaki, Shiraishi Kenji, Sugino Osamu, Tsai Jaw-Shen

    CONDENSED MATTER   Vol. 5 ( 4 )   2020.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.3390/condmat5040069

    Web of Science

  4. Negative-charge-storing mechanism of potassium-ion SiO2-based electrets for vibration-powered generators Reviewed

    Nakanishi Toru, Miyajima Takeshi, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Toshiyoshi Hiroshi, Sugiyama Tatsuhiko, Hashiguchi Gen, Shiraishi Kenji

    APPLIED PHYSICS LETTERS   Vol. 117 ( 19 )   2020.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1063/5.0029012

    Web of Science

  5. Hydrogen desorption from silicane and germanane crystals: Toward creation of free-standing monolayer silicene and germanene Invited Reviewed

    Araidai Masaaki, Itoh Mai, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 128 ( 12 )   2020.9

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1063/5.0018855

    Web of Science

  6. Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO Reviewed

    Kimura Tomoya, Ohnishi Kazuki, Amano Yuki, Fujimoto Naoki, Araidai Masaaki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 59 ( 8 )   2020.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Web of Science

  7. Epitaxial growth of honeycomb-like stanene on Au(111) Reviewed International coauthorship

    Pang Wenhui, Nishinoa Kazuki, Ogikuboa Tsuyoshi, Araidai Masaaki, Nakatake Masashi D., Le Lay Guy, Yuhara Junji

    APPLIED SURFACE SCIENCE   Vol. 517   2020.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.146224

    Web of Science

  8. Continuous Growth of Germanene and Stanene Lateral Heterostructures Reviewed International coauthorship

    Ogikubo Tsuyoshi, Shimazu Hiroki, Fujii Yuya, Ito Koichi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Le Lay Guy, Yuhara Junji

    ADVANCED MATERIALS INTERFACES   Vol. 7 ( 10 )   2020.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1002/admi.201902132

    Web of Science

  9. Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface Reviewed

    Kobayashi Masato, Ohta Akio, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Taoka Noriyuki, Simizu Tomohiro, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 59   2020.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab69de

    Web of Science

  10. Morphology and Electronic Structure of Sn-Intercalated TiS2(0001) Layers Reviewed International coauthorship

    Yuhara Junji, Isobe Naoki, Nishino Kazuki, Fujii Yuya, Lap Hong Chan, Araidai Masaaki, Nakatake Masashi

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   Vol. 123 ( 36 ) page: 22293 - 22298   2019.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.9b05492

    Web of Science

  11. Theoretical studies on the switching mechanism of VMCO memories Reviewed

    Nakanishi T., Chokawa K., Araidai M., Nakayama T., Shiraishi K.

    MICROELECTRONIC ENGINEERING   Vol. 215   page: 110997(1)-(4)   2019.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.mee.2019.110997

    Web of Science

  12. Influence of edge magnetization and electric fields on zigzag silicene, germanene and stanene nanoribbons Reviewed

    Hattori Ayami, Yada Keiji, Araidai Masaaki, Sato Masatoshi, Shiraishi Kenji, Tanaka Yukio

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   Vol. 31 ( 10 ) page: 105302(1)-(15)   2019.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1088/1361-648X/aaf8ce

    Web of Science

  13. Physical Origin of Excellent Data Retention over 10years at sub-mu A Operation in AgW-Alloy Ionic Memory Reviewed

    Yamaguchi Marina, Fujii Shosuke, Yoshimura Yoko, Nagasawa Riki, Asayama Yoshihiro, Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji, Nakayama Takashi, Saitoh Masumi

    2019 IEEE 11TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW 2019)     page: 1 - 3   2019

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1109/IMW.2019.8739678

    Web of Science

  14. Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN

    Nakano Takashi, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi, Kusaba Akira, Kangawa Yoshihiro, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)     2019

     More details

    Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Web of Science

  15. Effect of incorporating Hf atoms in AlON gate dielectrics on hole leakage current Reviewed

    T. Nagura, K. Chokawa, M. Araidai, T. Hosoi, H. Watanabe, A. Oshiyama, K. Shiraishi

        2018.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  16. Germanene Epitaxial Growth by Segregation through Ag(111) Thin Films on Ge(111) Reviewed

    Yuhara Junji, Shimazu Hiroki, Ito Kouichi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Nakatake Masashi, Le Lay Guy

    ACS NANO   Vol. 12 ( 11 ) page: 11632-11637   2018.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acsnano.8b07006

    Web of Science

  17. Effects of annealing with CO and CO2 molecules on oxygen vacancy defect density in amorphous SiO2 formed by thermal oxidation of SIC

    Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 124 ( 13 ) page: 135701(1)-(5)   2018.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1063/1.5041794

    Web of Science

  18. First-principles calculations of the effect of incorporating Hf atoms in AlON gate dielectrics of wide-bandgap-semiconductor power devices on the hole leakage current Reviewed

    Takuya Nagura, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi

        2018.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  19. Theoretical study of the atomistic behavior of O vacancy complexes with N and H atoms in the SiO2 layer of a metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor memory: Physical origin of the irreversible threshold voltage shift observed in metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor memories Reviewed

    Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Kamiya Katsumasa, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 57 ( 8 ) page: 081101(1)-(7)   2018.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.081101

    Web of Science

  20. Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N-2 ambient Reviewed

    Ito Koichi, Ohta Akio, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 57 ( 6 ) page: 06HD08(1)-(5)   2018.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06HD08

    Web of Science

  21. Effect of incorporation of nitrogen atoms in Al2O3 gate dielectric of wide-bandgap-semiconductor MOSFET on gate leakage current and negative fixed charge Reviewed

    Kojima Eiji, Chokawa Kenta, Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Hosoi Takuji, Watanabe Heiji, Shiraishi Kenji

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   Vol. 11 ( 6 ) page: 061501(1)-(4)   2018.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.061501

    Web of Science

  22. First principles investigation of the unipolar resistive switching mechanism in an interfacial phase change memory based on a GeTe/Sb2Te3 superlattice Reviewed

    Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 57 ( 4 ) page: 04FE08(1)-(5)   2018.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FE08

    Web of Science

  23. Investigation of the GaN/Al2O3 Interface by First Principles Calculations Reviewed

    Chokawa Kenta, Kojima Eiji, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   Vol. 255 ( 4 ) page: 1700323 (1)-(4)   2018.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1002/pssb.201700323

    Web of Science

  24. Thermodynamic analysis of trimethylgallium decomposition during GaN metal organic vapor phase epitaxy Reviewed

    Sekiguchi Kazuki, Shirakawa Hiroki, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Kangawa Yoshihiro, Kakimoto Koichi, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 57 ( 4 ) page: 04FJ03(1)-(4)   2018.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FJ03

    Web of Science

  25. Segregated SiGe ultrathin layer formation and surface planarization on epitaxial Ag(111) by annealing of Ag/SiGe(111) with different Ge/(Si plus Ge) compositions Reviewed

    Ito Koichi, Ohta Akio, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 57 ( 4 ) page: 04FJ05(1)-(6)   2018.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FJ05

    Web of Science

  26. First-principles calculations of orientation dependence of Si thermal oxidation based on Si emission model Reviewed

    Nagura Takuya, Kawachi Shingo, Chokawa Kenta, Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Kageshima Hiroyuki, Endoh Tetsuo, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 57 ( 4 ) page: 04FB06(1)-(5)   2018.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FB06

    Web of Science

  27. Theoretical Study of the Electronic Structure of Threading Edge Dislocations in GaN

    Nakano Takashi, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    GALLIUM NITRIDE AND SILICON CARBIDE POWER TECHNOLOGIES 8   Vol. 86 ( 12 ) page: 41 - 49   2018

     More details

    Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1149/08612.0041ecst

    Web of Science

  28. Possibility of Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories for Long Lifespan Archive Memories Reviewed

    Shirakawa Hiroki, Yamaguchi Keita, Araidai Masaaki, Kamiya Katsumasa, Shiraishi Kenji

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   Vol. E100C ( 10 ) page: 928-933   2017.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1587/transele.E100.C.928

    Web of Science

  29. First-principles study on adsorption structure and electronic state of stanene on α-alumina surface

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 56 ( 9 ) page: 095701   2017.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.095701

    Web of Science

  30. First principles investigation of SiC/AlGaN(0001) band offset

    E. Kojima, K. Endo, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Ebihara, T. Kanemura, S. Onda, K. Shiraishi

    Journal of Crystal Growth   Vol. 468 ( 15 ) page: 758 - 760   2017.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.066

    Web of Science

  31. First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN

    K. Sekiguchi, H. Shirakawa, Y. Yamamoto, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi

    Journal of Crystal Growth   Vol. 468 ( 15 ) page: 950 - 953   2017.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.044

    Web of Science

  32. Defect formation in SiO<inf>2</inf> formed by thermal oxidation of SiC Reviewed

    Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi

    2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2017 - Proceedings     page: 242 - 243   2017.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    © 2017 IEEE. In general, an insulating film of SiC MOSFET is SiO2 formed by thermal oxidation of SiC. This SiO2 film has many defect structures which induce much larger threshold voltage shift. In this paper, we investigated the defect formation of an oxygen vacancy in SiO2 by SiC thermal oxidation, using the first-principles calculations, and we found that the oxygen vacancy defect can be generated in the amorphous SiO2 at high temperature.

    DOI: 10.1109/EDTM.2017.7947582

    Scopus

  33. エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

    伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    電子情報通信学会 信学技報     page: Vol. 117, No. 101, pp. 43-48   2017.6

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  34. Evaluation of energy band offset of Si1-xSnx semiconductors by numerical calculation using density functional theory

    Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 56 ( 4 ) page: 04CR10   2017.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.04CR10

    Web of Science

  35. Thermodynamic considerations of the vapor phase reactions in III-nitride metal organic vapor phase epitaxy

    K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, and K. Shiraishi

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 56 ( 4 ) page: 04CJ04   2017.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.04CJ04

    Web of Science

  36. Edge states of hydrogen terminated monolayer materials: silicene, germanene and stanene ribbons

    A. Hattori, S. Tanaya, K. Yada, M. Araidai, M. Sato, Y. Hatsugai, K. Shiraishi, Y. Tanaka

    Journal of Physics: Condensed Matter   Vol. 29 ( 11 ) page: 115302   2017.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1088/1361-648X/aa57e0

    Web of Science

  37. First Principles and Themodynamical Studies on Matel Organic Vaper Phase Epitaxy of GaN

    Shiraishi Kenji, Sekiguchi Kazuki, Shirakawa Hiroki, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Kangawa Yoshihiro, Kakimoto Koichi

    SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR   Vol. 80 ( 1 ) page: 295-301   2017

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1149/08001.0295ecst

    Web of Science

  38. Defect Formation in SiO2 Formed by Thermal Oxidation of SiC

    Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji

    2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)     page: 242-243   2017

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Web of Science

  39. 金属誘起層交換法によるAg上Si,Ge極薄膜の形成-シリセン,ゲルマネンの創製を目指して- Reviewed

    黒澤昌志,大田晃生,洗平昌晃,財満鎭明

    表面科学   Vol. 37 ( 8 ) page: 374-379   2016.8

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  40. Surface-segregated Si and Ge ultrathin films formed by Ag-induced layer exchange process

    Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 55 ( 8 )   2016.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.08NB07

    Web of Science

  41. Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys Reviewed

    Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 55 ( 8 ) page: 08PE04   2016.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.08PE04

  42. Surface-segregated Si and Ge ultrathin films formed by Ag-induced layer exchange process Reviewed

    Masashi Kurosawa, Akio Ohta, Masaaki Araidai, Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 55 ( 8 ) page: 08NB07   2016.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.08PE04

  43. Origin of the unidentified positive mobile ions causing the bias temperature instability in SiC MOSFETs and their diffusion process

    H. Shirakawa, K. Kamiya, M. Araidai, H. Watanabe, K. Shiraishi

    Applied Physics Express   Vol. 9 ( 6 ) page: 064301   2016.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/APEX.9.064301

    Web of Science

  44. Si1–xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

    長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回)     page: pp. 17-20   2016.1

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  45. Theoretical Investigation on Electronic and Magnetic Structures of FeRh Reviewed

    Hidekazu Takahashi, Masaaki Araidai, Susumu Okada, Kenji Shiraishi

    Journal of the Magnetics Society of Japan   Vol. 40   page: 77-80   2016

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.3379/msjmag.1605L011

  46. First principles study on the strain dependence of thermal oxidation and hydrogen an nealing effect at Si/SiO2 interface in V-MOSFET

    S. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, and K. Shiraishi

    ECS Transactions   Vol. 75 ( 5 ) page: 293 - 299   2016

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1149/07505.0293ecst

    Web of Science

  47. Ultrathin Si or Ge Films on Ag Formed by Metal-Induced Layer Exchange Method:&mdash;A First Step Towards Creation of Silicene and Germanene&mdash; Invited Reviewed

    KUROSAWA Masashi, OHTA Akio, ARAIDAI Masaaki, ZAIMA Shigeaki

    Hyomen Kagaku   Vol. 37 ( 8 ) page: 374 - 379   2016

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)   Publisher:The Surface Science Society of Japan  

    <p>Two-dimensional (2D) honeycomb sheet of Si and Ge, known as silicene and germanene, respectively, is a promising material for next-generation group-IV electronics. Most researchers have synthesized them by deposition of Si or Ge atoms on metal substrates. On the other hand, this paper proposes a unique technique for synthesizing these 2D honeycomb sheets on Ag-covered Si or Ge substrate by using Ag-induced layer exchange (ALEX) process. Our method enables surface segregation of Si or Ge atoms from the underlying substrate by tuning annealing condition during ALEX. We believe that the present study is a first step towards creation of 2D honeycomb sheets on a Si chip.</p>

    DOI: 10.1380/jsssj.37.374

    CiNii Article

  48. First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO2 Interface by Thermal Oxidation Reviewed

    S. Kawachi, H. Hiroki, M. Araidai, H. Kageshima, T.Endoh, K.Shiraishi

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)   Vol. PS-1-17   page: 40 - 41   2015.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  49. A 50-nm 1.2-V GexTe1-x/Sb2Te3 superlattice topological-switching random-access memory (TRAM) Reviewed

    M. Tai, T. Ohyanagi, M. Kinoshita, T. Morikawa, K. Akita, M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi, N. Takaura

    2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology)     page: T96-T97   2015.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1109/VLSIT.2015.7223707

  50. A 50-nm 1.2-V GexTe1-x/Sb2Te3 superlattice topological-switching random-access memory (TRAM)

    Tai M., Ohyanagi T., Kinoshita M., Morikawa T., Akita K., Takato M., Shirakawa H., Araidai M., Shiraishi K., Takaura N.

    2015 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY (VLSI TECHNOLOGY)     page: .   2015

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Web of Science

  51. XRD analysis of TRAM composed from [Sb<inf>2</inf>Te3/GeTe] superlattice film and its switching characteristics Reviewed

    T. Ohyanagi, M. Kitamura, S. Kato, M. Araidai, N. Takaura, K. Shiraishi

    Materials Research Society Symposium Proceedings   Vol. 1729   page: 41 - 45   2015

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    © 2015 Materials Research Society. We studied GeTe structures in topological switching random access memories (TRAMs) with a [GeTe/Sb2Te3] superlattice by using X-ray diffraction (XRD) analysis. We examined the electrical characteristics of the TRAMs deposited at different temperatures. We found that XRD spectra differed between the films deposited at 200 and 240°C and that the differences corresponded to the differences in the GeTe sequences in the films.

    DOI: 10.1557/opl.2015.170

    Scopus

  52. First Principles Study of SiC/SiO2 Interfaces towards Future Power Devices Reviewed

    K. Shiraishi, K. Chokawa, H. Shirakawa, K. Endo, M. Araidai, K. Kamiya, H. Watanabe

    2014 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     page: 21.3.1-21.3.4   2014.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1109/IEDM.2014.7047095

  53. 55-μA GexTe1-x/Sb2Te3 superlattice topological-switching random access memory (TRAM) and study of atomic arrangement in Ge-Te and Sb-Te structures Reviewed

    N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi, Y. Saito, J. Tominaga

    2014 IEEE International Electron Devices Meeting     page: 29.2.1-29.2.4   2014.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1109/IEDM.2014.7047132

  54. GeTe sequences in superlattice phase change memories and their electrical characteristics

    T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Araidai, S. Kato, N. Takaura, K. Shiraishi

    Applied Physics Letters   Vol. 104 ( 25 ) page: 252106(1)-(3)   2014.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1063/1.4886119

    Web of Science

  55. 1T-1R pillar-type topological-switching random access memory (TRAM) and data retention of GeTe/Sb2Te3 super-lattice films Reviewed

    M. Tai, T. Ohyanagi, M. Kinoshita, T. Morikawa, K. Akita, S. Kato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi, N. Takaura

    2014 Symposium on VLSI Technology (VLSI-Technology): Digest of Technical Papers     page: 1-2   2014.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1109/VLSIT.2014.6894436

  56. Asymmetric behavior of current-induced magnetization switching in a magnetic tunnel junction: Non-equilibrium first-principles calculations

    Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi

    Applied Physics Express   Vol. 7 ( 4 ) page: 045202(1)-(3)   2014.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/APEX.7.045202

    Web of Science

  57. Understanding the switching mechanism of charge-injection GeTe/Sb2Te3 phase change memory through electrical measurement and analysis of 1R test structure

    N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    2014 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS)     page: 32-37   2014.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1109/ICMTS.2014.6841464

  58. 55-mu A GexTe1-x/Sb2Te3 superlattice topological-switching random access memory ( TRAM) and study of atomic arrangement in Ge-Te and Sb-Te structures

    Takaura N., Ohyanagi T., Tai M., Kinoshita M., Akita K., Morikawa T., Shirakawa H., Araidai M., Shiraishi K., Saito Y., Tominaga J.

    2014 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     page: .   2014

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Web of Science

  59. First Principles Study of SiC/SiO2 Interfaces towards Future Power Devices

    Shiraishi K., Chokawa K., Shirakawa H., Endo K., Araidai M., Kamiya K., Watanabe H.

    2014 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     page: .   2014

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Web of Science

  60. 1T-1R Pillar-Type Topological-switching Random Access Memory (TRAM) and Data Retention of GeTe/Sb2Te3 Super-Lattice Films

    Tai M., Ohyanagi T., Kinoshita M., Morikawa T., Akita K., Kato S., Shirakawa H., Araidai M., Shiraishi K., Takaura N.

    2014 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY (VLSI-TECHNOLOGY): DIGEST OF TECHNICAL PAPERS     2014

     More details

    Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Web of Science

  61. Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb2Te3 superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations Reviewed

    T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    2013 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     page: 30.5.1-30.5.4   2013.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1109/IEDM.2013.6724725

  62. Charge-Injection Phase Change Memory with High-Quality GeTe/Sb2Te3 Super lattice Featuring 70-mu A RESET, 10-ns SET and 100M Endurance Cycles Operations

    Ohyanagi T., Takaura N., Tai M., Kitamura M., Kinoshita M., Akita K., Morikawa T., Kato S., Araidai M., Kamiya K., Yamamoto T., Shiraishi K.

    2013 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     2013

     More details

    Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Web of Science

  63. Single-atom electromigration in atomic-scale conductors Reviewed

    Araidai, M., Tsukada, M.

    Fundamentals of Picoscience     page: 529 - 540   2013

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    © 2014 by Taylor & Francis Group, LLC. Electromigration is the directed migration of atoms caused by electric currents, and it is well known as a major failure mechanism in the operation of electronic devices. So far, many researches have been done both experimentally and theoretically [1,2]. Traditionally, the origin of electromigration has been discussed in terms of electrostatic forces and momentum transfers by electrons to atoms in current flow. The latter is often called as “electron wind force,” which is a characteristic force in electromigration. Joule heating around the migrating atoms is also one of the most important factors because it facilitates the atomic diffusions.

    DOI: 10.1201/b15523

    Scopus

  64. Origin of nanomechanical motion in a single-C60 transistor Reviewed

    Ikutaro Hamada, Masaaki Araidai, Masaru Tsukada

    Physical Review B   Vol. 85 ( 12 ) page: 121401(1)-121401(4)   2012.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.85.121401

  65. Nonadiabatic electromigration along a one-dimensional gold chain Reviewed

    Masaaki Araidai, Masaru Tsukada

    Physical Review B   Vol. 84 ( 19 ) page: 195461(1)-195461(5)   2011.11

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.84.195461

  66. Composition dependence of magnetoresistance effect and its annealing endurance in tunnel junctions having Mn-Ga electrode with high perpendicular magnetic anisotropy Reviewed

    T. Kubota, M. Araidai, S. Mizukami, X. Zhang, Q. Ma, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, M. Tsukada, T. Miyazaki

    Applied Physics Letters   Vol. 99 ( 19 ) page: 192509(1)-192509(3)   2011.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1063/1.3659484

  67. Theoretical calculations of electron transport in molecular junctions: Inflection behavior in Fowler-Nordheim plot and its origin Reviewed

    Masaaki Araidai, Masaru Tsukada

    Physical Review B   Vol. 81 ( 23 ) page: 235114(1)-235114(7)   2010.6

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.81.235114

  68. Field Emission from Graphitic Nanostructures Reviewed

    Watanabe, K., Araidai, M.

    Carbon Nanotube and Related Field Emitters: Fundamentals and Applications     page: 55 - 66   2010

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1002/9783527630615.ch5

    Scopus

  69. Diffusion processes in single-atom electromigration along a gold chain: First-principles calculations Reviewed

    Masaaki Araidai, Masaru Tsukada

    Physical Review B   Vol. 80 ( 4 ) page: 045417(1)-045417(5)   2009.7

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.80.045417

  70. Ab Initio Calculation of Surface Atom Evaporation in Electron Field Emission Reviewed

    Masaaki Araidai, Kazuyuki Watanabe

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   Vol. 5   page: 106-109   2007.5

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1380/ejssnt.2007.106

  71. Comparative Study of Time-Dependent and Scattering-State Ab Initio Calculations for Field Emission Reviewed

    Masaaki Araidai, Satofumi Souma, Kazuyuki Watanabe

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   Vol. 3   page: 457-460   2005.12

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1380/ejssnt.2005.457

  72. Field emission mechanisms of graphitic nanostructures Reviewed

    Masaaki Araidai, Yasuhiro Nakamura, Kazuyuki Watanabe

    Physical Review B   Vol. 70 ( 24 ) page: 245410(1)-245410(5)   2004.12

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.70.245410

  73. Ab initio study of field emission from hydrogen defects in diamond subsurfaces Reviewed

    Masaaki Araidai, Kazuyuki Watanabe

    Applied Surface Science   Vol. 237 ( 1-4 ) page: 482-487   2004.10

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.07.029

  74. Field emission and electronic structures of carbon allotropes Reviewed

    Kazuyuki Watanabe, Masaaki Araidai, and Kazuhiro Tada

    Thin Solid Films   Vol. 464-465   page: 354-359   2004.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2004.06.048

  75. Time-Dependent Density-Functional Calculations of Field Emissions from Carbon Allotropes Invited Reviewed

    Kazuyuki Watanabe, Masaaki Araidai, Kazuhiro Tada, Akihiro Yamauchi

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   Vol. 29 ( 6 ) page: 3681-3685   2004.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  76. Electronic states origin of field emission of silicon clusters Reviewed

    Masaaki Araidai, Akihiro Yamauchi, Kazuyuki Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 42 ( 10 ) page: 6502-6503   2003.10

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1143/JJAP.42.6502

  77. Field emission of diamond surfaces by time-dependent density-functional calculations Reviewed

    Masaaki Araidai, Kazuyuki Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 42 ( 6B ) page: L666-L668   2003.6

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1143/JJAP.42.L666

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Books 1

  1. ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線 ~二次元ナノシートの物性評価、構造解析、合成、成膜プロセス技術、応用展開~

    洗平昌晃( Role: Contributor)

    (株)エヌ・ティー・エス  2020.4  ( ISBN:978-4-86043-657-5

     More details

    Total pages:448   Responsible for pages:51-58   Language:Japanese Book type:Scholarly book

Presentations 84

  1. Multicanonical simulations with physically informed neural network potentials on chemical reactions in gas phase International conference

    Masaaki Araidai

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2021.3.2 

     More details

    Event date: 2021.3.1 - 2021.3.3

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  2. ab initio計算を用いたGaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH2とNH3による効果の理論的考察

    榊原聡真,長川健太,洗平昌晃,草場 彰,寒川 義裕,白石賢二

    第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会  2021.1.23 

     More details

    Event date: 2021.1.22 - 2021.1.23

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  3. K イオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討

    中西徹, 長川健太, 洗平昌晃, 年吉洋, 杉山達彦, 橋口原, 白石賢二

    第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会  2021.1.23 

     More details

    Event date: 2021.1.22 - 2021.1.23

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  4. Fe/MgO 界面への窒素不純物が磁気異方性と TMR に与える影響について

    小川湧太郎, 洗平昌晃, 遠藤哲郎, 白石賢二

    第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会  2021.1.22 

     More details

    Event date: 2021.1.22 - 2021.1.23

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  5. Theoretical study of the effects of H2 and NH3 on the TMG decomposition process in GaN crystal growth International conference

    S. Sakakibara, K. Chokawa, M. Araidai, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Shiraishi

    The International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021  2021.1.20 

     More details

    Event date: 2021.1.19 - 2021.1.21

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

  6. Effect of Nitrogen Impurity Atoms at Fe/MgO Interface on Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy International conference

    Y. Ogawa, M. Araidai, T. Endoh, and K. Shiraishi

    51st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference  2020.12.18 

     More details

    Event date: 2020.12.16 - 2020.12.18

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

  7. GaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH2とNH3による効果の理論的考察

    榊原聡真, 長川健太, 洗平昌晃, 草場 彰, 寒川義裕, 白石賢二

    第49回日本結晶成長国内学会  2020.11.9 

     More details

    Event date: 2020.11.9 - 2020.11.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  8. カリウムイオンエレクトレットにおける負電荷蓄積機構の第一原理計算による検討

    中⻄徹, 宮島岳史, ⻑川健太, 洗平昌晃, 杉山達彦, 橋口原, 白石賢二

    第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  2020.10.27 

     More details

    Event date: 2020.10.26 - 2020.10.28

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  9. 帯電が誘起する強誘電直方晶HfO2薄膜の安定性:第一原理計算による検討

    新井千慧, 白石悠人, 洗平昌晃, 白石賢二, 中山隆史

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020.9.10 

     More details

    Event date: 2020.9.10 - 2020.9.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  10. 多層ゲルマナンフレークからの水素脱離

    伊藤麻維, 洗平昌晃, 大田晃生, 中塚理, 黒澤昌志

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020.9.9 

     More details

    Event date: 2020.9.8 - 2020.9.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  11. ab initio計算を用いたGaN MOVPE成長におけるTMGa分解反応の探索

    榊原聡真, 洗平昌晃, 叶正, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 白石賢二

    第81回 応用物理学会秋季学術講演会  2020.9.8 

     More details

    Event date: 2020.9.8 - 2020.9.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  12. MgOを用いたMgドープGaNのHVPE成長における気相反応の熱力学的解析

    木村友哉, 大西一生, 天野裕己, 藤元直樹, 洗平昌晃, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 寒川義裕, 白石賢二

    日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」  2020.7.31 

     More details

    Event date: 2020.7.30 - 2020.7.31

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  13. 超格子GeTe/Sb₂Te₃メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション

    小川 湧太郎, 野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二

    電子情報通信学会 

     More details

    Event date: 2019.6.21

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  14. Formation of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface by Thermal Annealing

     More details

    Event date: 2019.6.21

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  15. Neural network potential for Si/SiO<sub>2</sub> interface

    Mataka M., Araidai M., Nagura T., Shiraishi K.

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2018.9.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  16. The electric field effect and the dependence of nanoribbon width in monolayer nanoribbons of IV group materials

    Hattori Ayami, Yada Keiji, Araidai Masaaki, Tanaka Yukio

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2018.9.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  17. Two-dimensional structure of Ge atoms segregated on Ag(111)

    Shimazu Hiroki, Yuhara Junji, Nakatake Masashi, Ito Kouichi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2018.9.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  18. 第一原理計算による超格子GeTe/Sb₂Te₃相変化メモリの理論的検討

    野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二

    電子情報通信学会 

     More details

    Event date: 2018.6.25

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  19. First-principles study on hydrogen absorption and desorption of germanene

    Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2018.3.24

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  20. Edge magnetization and an electric field effect in monolayer nanoribbons of IV group materials

    Hattori Ayami, Araidai Masaaki, Tanaka Yukio

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2018.3.22

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  21. Multi-Physics Simulation of GaN MOVPE Growth

     More details

    Event date: 2017.11.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  22. エピタキシャルAg(111)上の極薄Ⅳ族結晶形成

    伊藤 公一, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一

    電子情報通信学会 

     More details

    Event date: 2017.6.20

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  23. Electronic states of two-dimensional crystals of group IV element on amorphous insulating films

    Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2017.3.17 - 2017.3.20

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  24. Control of Chemical Reaction between Ag Thin Film and Group-IV Semiconductors

    Ito Koichi, Akio Ohta, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    The Surface Science Society of Japan 

     More details

    Event date: 2016.11.29 - 2016.12.1

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  25. Chemical synthesis of group-IV nanosheets from layered compounds

    Asaeda Shungo, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Zaima Shigeaki

    The Surface Science Society of Japan 

     More details

    Event date: 2016.11.29 - 2016.12.1

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  26. Electronic states of germanene and stanene on Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> surfaces

    Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2016.9.14

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  27. Electric conduction properties in edge hydrogenated monolayer nanoribbons of group-IV materials

    Hattori Ayami, Araidai Masaaki, Tanaka Yukio

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2016.9.14

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  28. Theoretical Studies on Electronic Structures of Silicene Ribbon and Silicene on Insulator International conference

    K. Shiraishi, A. Hattori, S. Tanaya, M. Araidai, A. Ohta, M. Kurosawa, Y. Hatsugai, M. Sato, and Y. Tanaka

    International Symposium on 2D Layered Materials and Art: Two Worlds Meet 

     More details

    Event date: 2016.3.23 - 2016.3.25

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:France  

  29. Edge states in hydrogenated silicene, germanene, stanene ribbons

    Hattori A., Araidai M., Hatsugai Y., Yada K., Shiraishi K., Sato M., Tanaka Y.

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2016.3.21

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  30. 水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態

    服部綾実, 洗平昌晃, 初貝安弘, 矢田圭司, 白石賢二, 佐藤昌利, 田仲由喜夫

    日本物理学会 第71回年次大会(2016年) 

     More details

    Event date: 2016.3.19 - 2016.3.22

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東北学院大学 泉キャンパス   Country:Japan  

  31. SiC/GaNの界面構造とバンドオフセットとの関係の理論的検討

    小嶋英嗣, 遠藤賢太郎, 白川裕規, 洗平昌晃, 海老原康裕, 金村高司, 恩田正一, 白石賢二

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.3.19 - 2016.3.22

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東工大 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  32. V-MOSFETにおけるSi/SiO2(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察

    川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.3.19 - 2016.3.22

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東工大 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  33. GaN結晶成長メカニズムの熱力学解析

    関口一樹, 白川裕規, 山本芳裕, 洗平昌晃, 白石賢二

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.3.19 - 2016.3.22

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:東工大 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  34. 絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析

    洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

    日本物理学会 第71回年次大会(2016年) 

     More details

    Event date: 2016.3.19 - 2016.3.22

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:東北学院大学 泉キャンパス   Country:Japan  

  35. First-principles study on two-dimensional crystals of group IV material on insulating film

    Araidai M., Kurosawa M., Ohta A., Shiraishi K.

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2016.3.19

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  36. Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method International conference

    A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, S. Miyazaki

    8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016/IC-PLANTS2016) 

     More details

    Event date: 2016.3.6 - 2016.3.10

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  37. Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

    長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回) 

     More details

    Event date: 2016.1.22 - 2016.1.23

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東レ研修センター(静岡県三島市)   Country:Japan  

  38. Si/SiO2(100)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の 歪み依存性に関する理論的研究

    川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島愽之, 遠藤哲郎, 白石賢二

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回) 

     More details

    Event date: 2016.1.22 - 2016.1.23

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:東レ研修センター(静岡県三島市)   Country:Japan  

  39. MONOSメモリにおけるSiO2膜中の窒素原子に起因する原子欠陥の理論的考察

    白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回) 

     More details

    Event date: 2016.1.22 - 2016.1.23

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東レ研修センター(静岡県三島市)   Country:Japan  

  40. Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth International conference

    M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Zaima

    23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 

     More details

    Event date: 2015.12.10 - 2015.12.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  41. First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film International conference

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

    23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 

     More details

    Event date: 2015.12.10 - 2015.12.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  42. First principles examination of the switching mechanism of the phase change memory (TRAM) using superlattice GeTe/Sb2Te3 International conference

    M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

    46th Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2015) 

     More details

    Event date: 2015.12.2 - 2015.12.5

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  43. Ag 誘起層交換成長法によるSi 極薄膜の形成

    黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

    日本表面科学会第35回表面科学学術講演会 

     More details

    Event date: 2015.12.1 - 2015.12.3

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:つくば国際会議場   Country:Japan  

  44. 絶縁膜上のIV 族系二次元結晶に関する第一原理計算

    洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

    日本表面科学会第35回表面科学学術講演会 

     More details

    Event date: 2015.12.1 - 2015.12.3

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:つくば国際会議場   Country:Japan  

  45. Theoretical Calculations of Electron Transport in Molecular Junction: Inflection Behavior in Fowler-Nordheim Plot and Its Origin International conference

    Masaaki Araidai

    International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015) 

     More details

    Event date: 2015.11.7

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  46. Evaluation of Energy Band Structure of Si1-xSnx by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy International conference

    Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima

    2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- (IWDTF) 

     More details

    Event date: 2015.11.2 - 2015.11.4

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  47. Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in Magnetic Tunnel Junction International conference

    M. Araidai, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 

     More details

    Event date: 2015.10.18 - 2015.10.23

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  48. First principles study on switching mechanism of superlattice(GeTe)2/Sb2Te3 phase change memory International conference

    M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

    AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 

     More details

    Event date: 2015.10.18 - 2015.10.23

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  49. Ab initio study on the atomic behavior of N, H atoms and O vacancy related defects in SiO2 layer of MONOS memories International conference

    H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, K. Shiraishi

    AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 

     More details

    Event date: 2015.10.18 - 2015.10.20

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  50. First principal calculation of electronic properties on 4H-AlN/4H-SiC(11-20) and 4H-SiC-4H-AlN(0001) interfaces International conference

    K. Endo, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

    16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

     More details

    Event date: 2015.10.4 - 2015.10.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Italy  

  51. Theoretical study on the identity of positive mobile ions in SiC-MOSFET and their diffusion process International conference

    H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, H. Watanabe, K. Shiraishi

    16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

     More details

    Event date: 2015.10.4 - 2015.10.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Italy  

  52. First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO2 Interface by Thermal Oxidation International conference

    S. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, K. Shiraishi

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials 

     More details

    Event date: 2015.9.27 - 2015.9.30

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  53. シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算

    川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

    シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) 

     More details

    Event date: 2015.6.19

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋大学   Country:Japan  

  54. 超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリのスイッチングメカニズムに関する第一原理計算

    高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

    日本物理学会 第70回年次大会(2015年) 

     More details

    Event date: 2015.3.21 - 2015.3.24

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:早稲田大学   Country:Japan  

  55. 電流誘起磁化反転における電子散乱過程に関する非平衡第一原理計算

    洗平昌晃,山本貴博,白石賢二

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2015.3.11 - 2015.3.14

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:東海大学   Country:Japan  

  56. MONOS型メモリにおける絶縁膜中の原子欠陥に関する第一原理計算

    白川裕規,洗平昌晃,神谷克政,白石賢二

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2015.3.11 - 2015.3.14

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:東海大学   Country:Japan  

  57. SiC-MOSFETにおけるSiO2絶縁膜中のプロトン拡散についての第一原理計算による検討

    白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 渡部平司, 白石賢二

    ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回) 

     More details

    Event date: 2015.1.24 - 2015.1.25

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東レ研修センター   Country:Japan  

  58. 第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリ(TRAM)のスイッチングメカニズムの検討

    高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

    ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回) 

     More details

    Event date: 2015.1.24 - 2015.1.25

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:東レ研修センター   Country:Japan  

  59. 電流誘起磁化反転における電子散乱過程の非平衡第一原理計算

    洗平昌晃,山本貴博,白石賢二

    第19回 半導体スピン工学の基礎と応用 

     More details

    Event date: 2014.12.15 - 2014.12.16

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:東京大学   Country:Japan  

  60. Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in MTJ International conference

    Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi

    2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS) 

     More details

    Event date: 2014.11.30 - 2014.12.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:United States  

  61. Sb2Te3/GeTe超格子膜からなるTRAMにおけるGeTe配列とスイッチング動作

    大柳孝純, 北村匡史, 加藤重徳, 洗平昌晃, 高浦則克, 白石賢二, 田井光春, 木下勝治, 森川貴博, 秋田憲二

    2014年電気化学秋季大会 

     More details

    Event date: 2014.9.27 - 2014.9.28

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  62. 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション

    洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

    電子情報通信学会 ED/CPM/SDM研究会 

     More details

    Event date: 2014.5.28 - 2014.5.29

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋大学   Country:Japan  

  63. GeSbTe相変化メモリ素子の電気伝導特性におけるスピン軌道相互作用の効果

    洗平昌晃, 加藤重徳, 山本貴博, 白石賢二

    日本物理学会 第69回年次大会 

     More details

    Event date: 2014.3.27 - 2014.3.30

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  64. Understanding the switching mechanism of charge-injection GeTe/Sb2Te3 phase change memory through electrical measurement and analysis of 1R test structure International conference

    N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    27th International Conference on Microelectronic Test Structures  

     More details

    Event date: 2014.3.25 - 2014.3.27

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Italy  

  65. Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb2Te3 superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations International conference

    T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    2013 IEEE International Electron Devices Meeting 

     More details

    Event date: 2013.12.9 - 2013.12.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  66. First principle calculation investigation for Si related defect induced by SiC oxidation

     More details

    Event date: 2013.12.9 - 2013.12.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  67. 磁気抵抗メモリの電流誘起磁化スイッチングに関する第一原理計算

    洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

    日本物理学会 2013年秋季大会 

     More details

    Event date: 2013.9.25 - 2013.9.28

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  68. First-Principles Study on Current-Induced Magnetization Switching in Magnetic Tunnel Junctions International conference

    Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi

    IVC-19/ICSS-15 and ICN+T 2013 

     More details

    Event date: 2013.9.9 - 2013.9.13

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  69. Charge injection Super-lattice Phase Change Memory for low power and high density storage device applications International conference

    N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits 

     More details

    Event date: 2013.6.11 - 2013.6.14

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  70. First-Principles Study on Structure and Electron Transport Properties of Phase-Change Memory Device

    Araidai M., Kato S., Yamamoto T., Shiraishi K.

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2013.3.26

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  71. Theoretical Calculations of Franck-Condon Blockade Phenomena

    Araidai M., Tsukada M.

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2012.9.26

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  72. Theoretical Calculations of Electron Transport in Molecular Junction : Inflection Behavior in Fowler-Nordheim Plot and Its Origin

    Araidai M., Tsukada M.

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2010.3.21

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  73. Atomic Structure and Surface Atom Migration in Gold Junction

    Araidai M., Tsukada M.

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2009.3.29

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  74. Ab Initio Study on Electromigration of Gold atom

    Araidai M., Tsukada M.

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2008.9.22

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  75. 20aPS-9 Ab Initio Calculation of Force on Tip Atoms under Field Emission II

    Araidai M., Watanabe K.

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2007

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  76. 25pPSB-7 Ab Initio Calculation of Force on Tip Atoms under Field Emission

    Araidai M., Watanabe K.

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2006

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  77. 30aPS-15 Ab-Initio Calculations of Field Emission from Carbon Nanostructures

    Araidai Masaaki, Souma Satofumi, Watanabe Kazuyuki

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2006

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  78. 21aPS-28 First-Principles Analysis of Field Emission by TD-DFT and RTM

    Araidai Masaaki, Souma Satofumi, Watanabe Kazuyuki

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2005

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  79. Time-dependent density-functional calculation of photoabsorption spectra of organic molecule

    Noguchi Tomoyuki, Nakaoka Noriyuki, Araidai Masaaki, Watanabe Kazuyuki

    The Surface Science Society of Japan 

     More details

    Event date: 2004

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  80. 15aPS-5 Time-dependent density-functional calculation of photoabsorption spectra of carbon nanostructure

    Noguchi T., Nakaoka N., Araidai M., Watanabe K.

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2004

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  81. 27pPSA-4 Field Emission Mechanism of Nanostructures

    Araidai M., Nakamura Y., Watanabe K.

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2004

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  82. Effect of hydrogen defects on field emission of diamond surfaces

    Araidai Masaaki, Watanabe Kazuyuki

    The Physical Society of Japan 

     More details

    Event date: 2003

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    CiNii Article

  83. Field Emission from Carbon Nanostructures : From Atom to Diamond

    ARAIDAI Masaaki, KANAI Chisato, TADA Kazuhiro, YAMAUCHI Akihiro, WATANABE Kazuyuki

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 

     More details

    Event date: 2002.12.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    Mechanism of field emission from carbon nanostructures is explored by the time-dependent density functional calculations. We determine the the emission current as a function of applied field, energy distribution of electrons emitted, and work functions of carbon atom, silicon atom and clusters, graphitic ribbons, and diamond C(100) surfaces. The present results enable us to stress an important role of the electronic structures, a and π orbitals in field emission from covalent bond materials as well as work functions.

    CiNii Article

  84. V-MOSFETにおけるSi/SiO<sub>2</sub>(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察 International conference

    川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016.3.19 

     More details

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東工大 大岡山キャンパス  

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Works 3

  1. プレスリリース「振動発電素子の帯電機構の微視的解明」

    2020.11

  2. プレスリリース「新型相変化デバイスのTRAMの熱安定化指針を世界ではじめて確立 -データセンター省電力化・低炭素化に期待-」

    2014.6

  3. プレスリリース「0.37Vで動作する超低電圧デバイスを開発 -IT機器の消費電力1/10などの実現に道-」

    2013.6

Research Project for Joint Research, Competitive Funding, etc. 2

  1. ナノスケール次世代電子デバイスの第一原理電子状態計算に基づく理論研究

    2015.10

    第31回海外派遣助成金 

      More details

    Grant type:Competitive

  2. カルコゲン化合物・超格子のトポロジカル相転移を利用した二次元マルチフェロイック機能デバイスの創製

    2014.10 - 2020.03

    戦略的創造研究推進事業 

    富永淳二

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s)  Grant type:Competitive

KAKENHI (Grants-in-Aid for Scientific Research) 12

  1. Formation of Ge two-dimensional crystals embedded into Si oxide and its device application

    Grant number:20K21142  2020.07 - 2022.03

    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s)  Grant type:Competitive

  2. 第一原理計算からの気液固複合相ヘテロ界面の実在系非平衡シミュレーション

    Grant number:19K22044  2019.06 - 2021.03

    挑戦的研究(萌芽)

    多田 朋史

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s)  Grant type:Competitive

    Grant amount:\2300000 ( Direct Cost: \2300000 )

    デバイス性能を議論する際、バルク材料と他相とのヘテロ接合界面の微視的情報の把握が重要であるが、これは大変困難な課題である。それは、原子、分子、イオンが各相に流れ込むことによる不定比組成状態の出現と、反応・拡散速度の違いによる非平衡性のため、ヘテロ界面の実態を微視的に決定することが極めて困難なためである。よって、本研究は第一原理計算を利用した網羅的素過程探索と、気液固複合相の非平衡状態を記述できる長時間ダイナミクス手法とを融合することで気液固複合相ヘテロ界面の実在系非平衡シミュレーションを達成し、新しい計算技術の潮流を生み出すことを目的としたものである。
    第一原理電子状態計算の進歩によりバルク材料物性の高精度予測が可能となったが、デバイスとしての性能を議論する際に重要であるバルク材料と他相(気相、液相、固相)との接合界面(ヘテロ界面)に関しては計算技術の飛躍的進展が必要とされている 。これは、原子、分子、イオンが各相に流れ込むことによる不定比組成状態がヘテロ界面に出現することに加え、各素過程に依存した反応・拡散速度の違いによる非平衡性のため 、ヘテロ界面の実態を微視的に決定することが極めて困難なためである。既存の第一原理分子動力学計算では到達不可能な時空間スケールの現象である。よって、ヘテロ界面の正確な微視的モデリングからデバイス設計への道筋を確立するためには、第一原理電子状態計算を利用した網羅的素過程探索と、気液固複合相の非平衡状態を記述できる長時間ダイナミクス手法との融合が必須である。本研究は、代表者開発の大規模開放系動的モンテカルロ法と分担者開発のマルチカノニカル法を発展的に融合することで気液固複合相ヘテロ界面の実在系非平衡シミュレーションを実現し、新しい計算技術の潮流を生み出すことを目的とした研究である。
    上記の目標を達成すべく、H31年度(令和元年度)は代表者による動的モンテカルロ用の液体状態の記述法確立と大規模開放系動的モンテカルロ法の更なる高速化、分担者による第一原理計算を用いた網羅的素過程探索と第一原理計算の高速化、を実行した。
    H31年度(令和元年度)は代表者による動的モンテカルロ用の液体状態の記述法確立と大規模開放系動的モンテカルロ法の更なる高速化、分担者による第一原理計算を用いた網羅的素過程探索と第一原理計算の高速化、を実行した。動的モンテカルロ用の液体状態の記述法としては、2つの手法について検討を行った。1:固体用動的モンテカルロ法のグリッド手法を採用、2:ニューラルネットワークポテンシャル分子動力学と動的モンテカルロ法との融合。いずれの手法も十分に実行性の高い手法であることを確認した。大規模開放系動的モンテカルロ法の更なる高速化としては、現状のプログラムにおけるホットスポットであるポアソンソルバー部分の高速化に成功した。第一原理計算を用いた網羅的素過程探索では、欠陥を含む酸化物を対象として、その系における網羅的素過程探索を実行し同手法の有効性を確認した。第一原理計算の高速化ではニューラルネットワークポテンシャルを導入することで、第一原理計算の精度をおとすことなく1000倍程度の高速化を達成した。以上の通り、H31年度(令和元年度)の計画を順調に達成し、最終目標に向けて研究は進展している。
    令和2年度(最終年度)は、高速化された液体用動的モンテカルロを用いて、複雑系をターゲットとした網羅的素過程探索実行後、巨視的な時間スケールにわたる動力学計算を実行する計画である。また、同目標を達成する上で、電子ダイナミクスを取り入れることの重要性も明らかとなり、当初の計画では含めていなかった動的モンテカルロ法による電子ダイナミクス記述法の構築も含めることとした。研究推進としては、本来であれば代表者と分担者それぞれの活動拠点で定期的な打ち合わせを行うことが望ましいが、昨年12月ごろから世界的に蔓延しだしたコロナウイルスの影響により、個々の拠点からは移動せず、電子メールやWeb会議等を用いて継続的に打ち合わせを行う予定である。代表者と分担者が開発している個々の技術の有機的な融合が望ましいが、目標達成においてはそれぞれの技術とそこで得られた情報をカスケード的に用いることで達成できるため、研究推進としては上記のもので十分であると考えている。

  3. Si-Ge系スーパーアトムの内部ポテンシャル変調による量子機能材料創成

    Grant number:19H00762  2019.04 - 2023.03

    牧原 克典

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s)  Grant type:Competitive

    本研究では、Si-Ge系スーパーアトム(コア/シェル量子ドット)において、電子および正孔の波動関数制御技術を確立し、均質ナノドットにない固有の物性・機能を実現する。具体的には、GeコアSi量子ドットにおいて、計算科学、半導体プロセスおよび物性評価の各研究者が、それぞれの分野の専門性を生かした相互・有機的連携による新しい視点からナノ構造界面を有する量子井戸に閉じ込めた電子・正孔の波動関数を深考し、スーパーアトム内での電子・正孔の結合・分離状態制御を実現する。これにより、真の量子力学に基づいた波動関数カップリングを実現し、高効率キャリア再結合を実現するSi系エレクトロルミネッセンス材料を創成する。
    初年度は、Si/Geスーパーアトム構造において、Geの選択成長温度が室温発光へ及ぼす影響を調べるとともに、Geコア内へのBデルタドーピングがPL特性に及ぼす影響を評価した。
    具体的には、n-Si(100)基板上に膜厚~3nmの酸化膜を形成し、pure-SiH4を用いたLPCVDによりSi量子ドットを高密度・一括形成した。続いて、H2希釈5%GeH4のLPCVDによりSi量子ドット上にGeを選択的に成長した。このとき、基板温度は450℃および500℃とし、ドット平均高さが~6-7nmとなるように成長時間を制御した。その後、H2希釈5%SiH4のLPCVDを用いた選択成長により、580℃でGeをSiで被覆することでGeコアSi量子ドットを形成した。形成した試料の室温PLを測定した結果、Geコアの成長温度に依らず、波長1700nm付近にGeコア中の量子化準位を介したブロード発光が認められるが、450℃でGeを選択成長した場合の発光強度は、500℃で成長したGeコアSi量子ドットに比べ、約1桁高いことが分かった。各々の試料のラマン散乱スペクトルを測定した結果、500℃でGeコアを形成した場合には、僅かながらSi-Geに起因するピークが認められるものの、450℃のGeコアでは殆ど認められなかった。これらの結果は、Geを低温で選択成長することで、下地Si量子ドットとGeコア界面のミキシングが抑制され、極めて組成急峻且つ低欠陥密度な界面が得られたことで、Geコア中での発光再結合レートが増大したとして解釈できる。また、Geコア形成時に1%He希釈B2H6ガスをパルス導入することでB添加を行った場合、PL強度が真正ドットに比べ1.4倍に増大することが分かった。これは、Geコアの深いポテンシャル井戸に閉じ込められた正孔数の増加により、発光再結合レートが増大した結果として解釈できる。
    本研究では、Si-Ge系スーパーアトム(コア/シェル量子ドット)において、電子および正孔の波動関数制御技術を確立し、均質ナノドットにない固有の物性・機能の実現による高効率キャリア再結合を実現するSi系エレクトロルミネッセンス材料の創成を目的としている。初年度では、高効率キャリア再結合を実現可能とする不純物添加や各プロセスを精査することで、発光強度の増大を実現しており、当初の予定通り進展していると言える。
    今後は、Geコア/Siシェル量子ドットの高密度形成と高効率発光素子の開発とともに、キャリアダイナミックスと光学特性に対する電界効果評価を実施する。具体的には、Geコアサイズ、Siシェル厚みを変化させた試料を作成し、コア/シェル界面のミキシング、歪、電子状態を評価し、発光特性に及ぼす影響を明らかにする。また、Geコア/Siシェル量子ドットを活性層とするダイオード構造を設計・作製し、電界印加が発光特性に与える効果を明らかにする。ダイオード構造においては、GeコアSi量子ドットの上部に厚い酸化膜層を形成して、その上部に形成した電極層とドット間でのキャリアの注入・放出を抑制した試料において、正負バイアスの連続パルス印加によって基板側からドットへ電子・正孔を交互に注入したときの発光特性を評価する。さらには、これらの実験と並行して「第一原理計算によるナノ構造界面の物性予測」の観点からGeコアSi量子ドットを探求し、得られる知見を体系的に整理・統合することで新たな概念に基づくSi系エレクトロルミネッセンス材料を創成する。

  4. Semiconductor electron beam source that brings fine-area dynamics observation technology to damage sensitive samples

    Grant number:19H00666  2019.04 - 2022.03

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s) 

  5. 一般化アンサンブル法を用いたGaN結晶成長の解析

    Grant number:19H04541  2019.04 - 2021.03

    新学術領域研究(研究領域提案型)

    洗平 昌晃

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Competitive

    Grant amount:\3770000 ( Direct Cost: \2900000 、 Indirect Cost:\870000 )

    本研究は申請者が開発している自由エネルギー解析手法(一般化アンサンブル法)を用いて,GaNの結晶成長の全貌を明らかにしようとする萌芽的研究である.GaNは次世代の電力用半導体素子(パワーデバイス)として盛んに研究されており,これが実現されると著しい省エネルギー社会が到来すると期待されている.本研究で用いる手法は,従来の電子状態計算手法が苦手とする熱力学的・統計力学的観点を表に出したものである.したがって,本研究終了の暁には,実験と理論の橋渡し役として確立してきた計算物質科学の分野により強固な一面をもたらすことが期待される.
    窒化ガリウム(GaN)の結晶成長における気相反応に対して,申請者が開発した自由エネルギー計算を適用した.第一原理電子状態計算手法をエネルギー計算器として計算を実行し,Ga(CH3)3がH2やNH3分子と反応する際の自由エネルギーランドスケープを得ることができた.しかしながら,得られた自由エネルギーランドスケープから速度論パラメータを得るためには,その精度がまだ不十分であった.その上,計算に要した時間は想像以上であり,この計算を複数回実行するのが厳しいことが分かった.この問題を解決するために,ニューラルネットワークによる古典ポテンシャルを作成し,それをエネルギー計算器として採用し自由エネルギー計算を実行したところ,その計算速度は今後研究を推進していくうえで非常に現実的なものであった.しかしながら,学習していない領域(外挿領域)の構造がたびたび出現したため、分子構造が不自然に分解してしまった.一般的に,非線形回帰に基づく機械学習のアルゴリズムは,外挿領域に対して予測精度が著しく低下することが知られている.従来のニューラルネットワークポテンシャルの作成方法では学習データの重複を排除することができず,これが学習データの収集に大きな制限をかけることになり、ひいてはニューラルネットワークポテンシャルの精度の悪化(外挿問題)と学習の非効率化をもたらしている.今後は原子ごとにニューラルネットワークポテンシャルを学習する方針に転換する.これにより,ニューラルネットワークの入力値の分布が均等となるように学習データを収集することができ効率の良い学習が可能となる.さらに,特徴的な環境にいる原子を漏らさず抽出することができるためニューラルネットワークの外挿問題に対しても改善が期待される.今後は,この方針でロバストなニューラルネットワークポテンシャルを作成し研究を推進する.
    窒化ガリウム(GaN)の結晶成長における気相反応では,様々なプロセスを経てGa(CH3)3からGaHに分解すると考えられている.これらのプロセスに対して申請者が開発した自由エネルギー計算を適用した.第一原理電子状態計算手法をエネルギー計算器として計算を実行し,Ga(CH3)3がH2やNH3分子と反応する際の自由エネルギーランドスケープを得ることができた.しかしながら,得られた自由エネルギーランドスケープから速度論パラメータ(活性化障壁高さや試行頻度)を得るためには,その精度がまだ不十分であった.その上,計算に要した時間は想像以上であり,この計算を複数回実行するのが厳しいことが分かった.この問題を解決するために,機械学習手法の一つであるニューラルネットワークによる古典ポテンシャルを作成し,それをエネルギー計算器として採用し自由エネルギー計算を実行した.第一原理電子状態計算手法をエネルギー計算器とした場合に比べて2000倍も速い計算速度が得られた.今後研究を推進していくうえで非常に現実的な計算速度である.しかしながら,学習していない領域(外挿領域)の構造がたびたび出現し、不自然な力が原子に加わったため分子構造が不自然に分解してしまった.今後はこの問題を解決し,ニューラルネットワークポテンシャルをエネルギー計算器とした自由エネルギー計算を実施していく.二年目には気相反応で生成されたGaH分子がGaN基板に吸着されるプロセス,ならびに吸着した分子にNH3分子が反応するプロセスに対して自由エネルギー計算を実施する予定であったが,気相反応の解析に今しばらく時間が必要である.
    計算手法である第一原理マルチカノニカルモンテカルロ法は,並列化効率は非常に高いものの,想像以上に計算時間を要することが判明した.この計算を実行しつつ,非常に高速なニューラルネットワークポテンシャルによる計算も実行していく.しかしながら,特に今回の様に非常に自由度の高い気体分子(気相)の反応に対して,ニューラルネットワークポテンシャルによる計算を安定に実行するためには解決すべき問題がある.実際にニューラルネットワークポテンシャルで計算を実行すると,学習していない領域(外挿領域)の構造がたびたび出現し、不自然な力が原子に加わったため分子構造が不自然に分解してしまう.一般的に,非線形回帰に基づく機械学習のアルゴリズムは,外挿領域に対して予測精度が著しく低下することが知られている.従来のニューラルネットワークポテンシャルの作成方法では学習データの重複を排除することができず,これが学習データの収集に大きな制限をかけることになり、ひいてはニューラルネットワークポテンシャルの精度の悪化(外挿問題)と学習の非効率化をもたらしている.今後は原子ごとにニューラルネットワークポテンシャルを学習する方針に転換する.これにより,ニューラルネットワークの入力値の分布が均等となるように学習データを収集することができ効率の良い学習が可能となる.さらに,特徴的な環境にいる原子を漏らさず抽出することができるためニューラルネットワークの外挿問題に対しても改善が期待される.今後は,この方針でロバストなニューラルネットワークポテンシャルを作成し研究を推進する.

  6. Self-organized Formation of Ge-based Two-dimensional Crystals and Control of Crystalline Structure and Electronic State

    Grant number:18K19020  2018.06 - 2020.03

    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    Ohta Akio

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s)  Grant type:Competitive

    Grant amount:\1400000 ( Direct Cost: \1400000 )

    We have studied the chemical and crystallographic structures of vacuum evaporated Al/Ge(111) before and after the thermal annealing to form the germenium (Ge) two dimensional (2D) crystals on the surface by the control of Ge segregation from Al. Hetero-epitaxial Al layer was found to be grown on Ge(111) substrate by controls of the Al thickness and deposition rate during the vacuum evaporation, which Al surface becomes the template of crystallographic structure of segregated Ge layer. The surface flattening and Ge segregation on Al/Ge(111) structure by the annealing have been systematically investigated, and the sub-nm-thick ultrathin segragated-Ge crystalline can be formed on the hetero-epitaxial Al surface.

  7. Clarification of interface formation and electronic properties of power semiconductors through quantum theoretical computics

    Grant number:18H03873  2018.04 - 2022.03

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s)  Grant type:Competitive

  8. Development of free-energy calculation method based on the first-principles electronic-structure calculations and its application

    Grant number:16K17551  2016.04 - 2019.03

    Araidai Masaaki

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Competitive

    Grant amount:\4420000 ( Direct Cost: \3400000 、 Indirect Cost:\1020000 )

    The operating mechanism of energy-saving devices and next-generation battery is based on complex phenomena mediated by a huge variety of electronic states between a lot of atoms or molecules. In order to analyze such phenomena, I developed the free-energy calculation method, which describe statistical-mechanical properties of a system, coupled with the first-principles electronic-structure calculations. However, the developed calculation method is unexpectedly demanding to obtain realistic sampling. Therefore, I have also developed highly accurate interatomic potential based on artificial neural network. I investigated oxygen vacancy diffusion in ferroelectric BaTiO3 and gas generation in electrolyte solution by decomposition of the solution molecules by the calculation method developed in this research subject to obtain the valuable results for understanding these phenomena.

  9. Synthesis of New Group IV Two Dimensional Materials

    Grant number:15H03564  2015.04 - 2018.03

    Shiraishi Kenji

      More details

    Authorship:Collaborating Investigator(s) (not designated on Grant-in-Aid) 

    We performed first principles calculations of of silicene and germanene and clarified the atomic and electronic structures. First, we performed electronic structure of silicene and germanene on Al2O3 insulators. As a result, band structures of silicene and germanene keep dirac cone characteristic at K point even after it is adsorbed on Al2O3. However, band structures are slightly modified dependeng of the adsorbed structures of silicene and gemanene.

  10. Growth and Characterization of Silicon-based Two-Dimensional Materials

    Grant number:15K13943  2015.04 - 2017.03

    Ohta Akio

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s)  Grant type:Competitive

    Grant amount:\1000000 ( Direct Cost: \1000000 )

    We have studied a new growth technique of Si- or Ge-based two-dimentional crystal. An epitaxial Ag(111) layer was grown on Si(111) (or Ge(111)) substrate, and a segregation of Si (or Ge) on the epitaxial Ag(111) by the annealing in nitrogen ambience was found to be detected. In addition, the amount of the segregated Si (or Ge) could be controlled by the annealing condition such as time and temperature. As a highlight, a periodic structure of bi-layer Ge atom corresponding to a two-dimensional crystal on the atomically flat Ag surface were clearly observed from the high resolution cross section TEM image of the Ag/Ge structure after the annealing at 450 degree.

  11. Theoretical study on property of aqueous solution and electrochemical process at nano-space

    Grant number:21244045  2009 - 2012

    TSUKADA Masaru

      More details

    Authorship:Collaborating Investigator(s) (not designated on Grant-in-Aid) 

    Structure and dynamics of aqueous electrolyte solution at the solid-liquid interface was investigated based on various molecular simulation methods. Microscopic understanding on typical space and time scale of interfacial systems, behavior of ionic species in a hydrogen-bond network and the origin of electric double layer structure were given. Hydrogen evolution processes at an “acid solution / Pt electrode" interface were quantitatively evaluated taking account of the effect of electrode potential. Theoretical frameworks to treat the electron transfer process across the interface induced by photo excitation or applied electric field were developed.

  12. 時間依存密度汎関数法による炭素系ナノ構造の非平衡電子状態の研究

    2004.04 - 2007.03

    科学研究費補助金 

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Competitive

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Teaching Experience (On-campus) 21

  1. Physical Science and Engineering Tutorial 2b

    2020

  2. Applied Physics Tutorial II a/II b

    2020

  3. フロンティア計算物理セミナー1A

    2020

     詳細を見る

    1年・春学期

  4. フロンティア計算物理セミナー1B

    2020

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    1年・秋学期

  5. フロンティア計算物理セミナー1C

    2020

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    2年・春学期

  6. フロンティア計算物理セミナー1D

    2020

     詳細を見る

    2年・秋学期

  7. フロンティア計算物理特別実験及び演習A

    2020

     詳細を見る

    2年・秋学期

  8. フロンティア計算物理特別実験及び演習B

    2020

  9. Physical Science and Engineering Tutorial 2b

    2019

  10. Applied Physics Tutorial II a/II b

    2019

  11. Physical Science and Engineering Tutorial 2b

    2018

  12. Applied Physics Tutorial II

    2018

  13. 応用物理学演習第1

    2017

     詳細を見る

    学部2年生の演習(電磁気学)

  14. Applied Physics Tutorial II

    2017

  15. Applied Physics Tutorial II

    2016

  16. 応用物理学演習第1

    2016

     詳細を見る

    学部2年生の演習(電磁気学)

  17. 応用物理学演習第1

    2015

     詳細を見る

    学部2年生の演習(電磁気学)

  18. Applied Physics Tutorial II

    2015

  19. 応用物理学演習第1

    2014

     詳細を見る

    学部2年生の演習(電磁気学)

  20. Applied Physics Tutorial II

    2014

  21. 応用物理学演習第2

    2013

     詳細を見る

    学部2年生の演習(熱力学)

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Academic Activities 4

  1. EXECUTIVE COMMITTEE of ICMaSS2021 International contribution

    Planning, management, etc.

    Institute of Materials and Systems for Sustainability  2020.12 - Now

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

  2. 日本物理学会第75回年次大会実行委員会

    Planning, management, etc.

    日本物理学会  2018.12 - 2020.3

     More details

    Type:Academic society, research group, etc. 

  3. EXECUTIVE COMMITTEE of ICMaSS2019 International contribution

    Planning, management, etc.

    Institute of Materials and Systems for Sustainability  2018.11 - 2019.12

     More details

    Type:Academic society, research group, etc. 

  4. EXECUTIVE COMMITTEE of ICMaSS2017 International contribution

    Planning, management, etc.

    Institute of Materials and Systems for Sustainability  2016.6 - 2017.12

     More details

    Type:Competition, symposium, etc.