2021/06/11 更新

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シライシ ケンジ
白石 賢二
SHIRAISHI Kenji
所属
名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター マルチフィジックスシミュレーション部 教授
職名
教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 理学博士 ( 1988年3月   東京大学 ) 

経歴 7

  1. 名古屋大学   未来材料・システム研究所    教授

    2015年10月 - 現在

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    国名:日本国

  2. 名古屋大学大学院工学研究科 計算理工学専攻 教授

    2013年5月 - 2015年9月

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    国名:日本国

  3. 筑波大学 教授 大学院数理物質科学研究科

    2007年10月 - 2013年5月

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    国名:日本国

  4. 筑波大学 准教授 大学院数理物質科学研究科

    2007年4月 - 2007年10月

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    国名:日本国

  5. 筑波大学 助教授 大学院数理物質科学研究科

    2004年4月 - 2007年3月

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    国名:日本国

  6. 筑波大学 助教授 物理学系

    2001年1月 - 2004年3月

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    国名:日本国

  7. 日本電信電話株式会社

    1988年4月 - 2000年12月

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    国名:日本国

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学歴 1

  1. 東京大学   理学系研究科

    1978年4月 - 1988年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 6

  1. 日本表面科学会   認証事業委員会委員

    2012年4月 - 現在

  2. 日本物理学会   領域4領域代表

    2011年10月 - 現在

  3. 日本物理学会   領域4領域副代表

    2010年10月 - 2011年9月

  4. 日本表面科学会   日本表面科学会フェロー会員

    2010年5月 - 現在

  5. 応用物理学会   JJAP編集委員

    2007年4月 - 2010年3月

  6. 応用物理学会   応用物理編集委員

    2000年4月 - 2002年3月

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論文 110

  1. Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO2 interface: an ab initio study for the effect of NO annealing after dry oxidation

    Shimizu Tsunashi, Akiyama Toru, Nakamura Kohji, Ito Tomonori, Kageshima Hiroyuki, Uematsu Masashi, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

  2. Theoretical study on the effect of H-2 and NH3 on trimethylgallium decomposition process in GaN MOVPE

    Sakakibara Soma, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Kusaba Akira, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 4 )   2021年4月

  3. Effects of the Compressibility of Turbulence on the Dust Coagulation Process in Protoplanetary Disks

    Sakurai Yoshiki, Ishihara Takashi, Furuya Hitomi, Umemura Masayuki, Shiraishi Kenji

    ASTROPHYSICAL JOURNAL   911 巻 ( 2 )   2021年4月

  4. Progress in Modeling Compound Semiconductor Epitaxy: Unintentional Doping in GaN MOVPE

    Kangawa Yoshihiro, Kusaba Akira, Kempisty Pawel, Shiraishi Kenji, Nitta Shugo, Amano Hiroshi

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   21 巻 ( 3 ) 頁: 1878 - 1890   2021年3月

  5. First-Principles Calculation of Copper Oxide Superconductors That Supports the Kamimura-Suwa Model

    Kamimura Hiroshi, Araidai Masaaki, Ishida Kunio, Matsuno Shunichi, Sakata Hideaki, Shiraishi Kenji, Sugino Osamu, Tsai Jaw-Shen

    CONDENSED MATTER   5 巻 ( 4 )   2020年12月

  6. Negative-charge-storing mechanism of potassium-ion SiO2-based electrets for vibration-powered generators

    Nakanishi Toru, Miyajima Takeshi, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Toshiyoshi Hiroshi, Sugiyama Tatsuhiko, Hashiguchi Gen, Shiraishi Kenji

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 19 )   2020年11月

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  7. Hydrogen desorption from silicane and germanane crystals: Toward creation of free-standing monolayer silicene and germanene

    Araidai Masaaki, Itoh Mai, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   128 巻 ( 12 )   2020年9月

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  8. Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO

    Kimura Tomoya, Ohnishi Kazuki, Amano Yuki, Fujimoto Naoki, Araidai Masaaki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 8 ) 頁: .   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  9. Absence of Oxygen-Vacancy-Related Deep Levels in the Amorphous Mixed Oxide (Al2O3)(1-x)(SiO2)(x): First-Principles Exploration of Gate Oxides in GaN-Based Power Devices

    Chokawa Kenta, Narita Tetsuo, Kikuta Daigo, Shiozaki Koji, Kachi Tetsu, Oshiyama Atsushi, Shiraishi Kenji

    PHYSICAL REVIEW APPLIED   14 巻 ( 1 )   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevApplied.14.014034

    Web of Science

  10. Screw dislocation that converts p-type GaN to n-type: Microscopic study on Mg condensation and leakage current in p-n diodes

    Nakano T., Harashima Y., Chokawa K., Shiraishi K., Oshiyama A., Kangawa Y., Usami S., Mayama N., Toda K., Tanaka A., Honda Y., Amano H.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 1 )   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0010664

    Web of Science

  11. Ab initio calculations for the effect of wet oxidation condition on the reaction mechanism at 4H-SiC/SiO2 interface

    Shimizu Tsunashi, Akiyama Toru, Pradipto Abdul-Muizz, Nakamura Kohji, Ito Tomonori, Kageshima Hiroyuki, Uematsu Masashi, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab85dd

    Web of Science

  12. Oxygen Incorporation Kinetics in Vicinal m(10-10) Gallium Nitride Growth by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

    Yosho Daichi, Shintaku Fumiya, Inatomi Yuya, Kangawa Yoshihiro, Iwata Jun-Ichi, Oshiyama Atsushi, Shiraishi Kenji, Tanaka Atsushi, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   14 巻 ( 6 )   2020年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssr.202000142

    Web of Science

  13. Computational study of oxygen stability in vicinal m(10-10)-GaN growth by MOVPE

    Shintaku Fumiya, Yosho Daichi, Kangawa Yoshihiro, Iwata Jun-Ichi, Oshiyama Atsushi, Shiraishi Kenji, Tanaka Atsushi, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 5 ) 頁: .   2020年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  14. A two-dimensional liquid-like phase on Ga-rich GaN (0001) surfaces evidenced by first principles molecular dynamics

    Bui Kieu My, Boero Mauro, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab650b

    Web of Science

  15. Computics Approach toward Clarification of Atomic Reactions during Epitaxial Growth of GaN

    Oshiyama Atsushi, Bui Kieu My, Boero Mauro, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji

    2020 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD 2020)     頁: 11 - 14   2020年

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  16. Chemical vapor deposition condition dependence of reconstructed surfaces on 4H-SiC (0001), (000(1)over-bar), and (1(1)over-bar00) surfaces

    Chokawa Kenta, Makino Emi, Hosokawa Norikazu, Onda Shoichi, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 11 )   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab4c21

    Web of Science

  17. First-principles study of pressure and SiO-incorporation effect on dynamical properties of silicon oxide

    Kageshima Hiroyuki, Yajima Yuji, Shiraishi Kenji, Endoh Tetsuo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 11 )   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab4977

    Web of Science

  18. Effect of long-range Coulomb interactions on electron transport in a nanoscale one-dimensional ring

    Shiokawa Taro, Muraguchi Masakazu, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 11 )   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab49aa

    Web of Science

  19. Theoretical studies on the switching mechanism of VMCO memories

    Nakanishi T., Chokawa K., Araidai M., Nakayama T., Shiraishi K.

    MICROELECTRONIC ENGINEERING   215 巻   2019年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mee.2019.110997

    Web of Science

  20. Self-forming and self-decomposing gallium oxide layers at the GaN/Al2O3 interfaces

    Chokawa Kenta, Shiraishi Kenji

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 6 )   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/ab21b4

    Web of Science

  21. Influence of edge magnetization and electric fields on zigzag silicene, germanene and stanene nanoribbons

    Hattori Ayami, Yada Keiji, Araidai Masaaki, Sato Masatoshi, Shiraishi Kenji, Tanaka Yukio

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   31 巻 ( 10 )   2019年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-648X/aaf8ce

    Web of Science

  22. First-principle study of ammonia decomposition and nitrogen incorporation on the GaN surface in metal organic vapor phase epitaxy

    Bui Kieu My, Iwata Jun-Ichi, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji, Shigeta Yasuteru, Oshiyama Atsushi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   507 巻   頁: 421-424   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.11.031

    Web of Science

  23. Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN

    Nakano Takashi, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi, Kusaba Akira, Kangawa Yoshihiro, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)     頁: .   2019年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  24. Physical Origin of Excellent Data Retention over 10years at sub-mu A Operation in AgW-Alloy Ionic Memory

    Yamaguchi Marina, Fujii Shosuke, Yoshimura Yoko, Nagasawa Riki, Asayama Yoshihiro, Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji, Nakayama Takashi, Saitoh Masumi

    2019 IEEE 11TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW 2019)     頁: 1 - 3   2019年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/IMW.2019.8739678

    Web of Science

  25. Atomistic study of SiN based ReRAM with high program/erase cycle endurance

    Yamaguchi Keita, Shirakawa Hiroki, Shiraishi Kenji

    IEICE ELECTRONICS EXPRESS   15 巻 ( 23 )   2018年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1587/elex.15.20180868

    Web of Science

  26. Reaction Pathway of Surface-Catalyzed Ammonia Decomposition and Nitrogen Incorporation in Epitaxial Growth of Gallium Nitride

    Bui Kieu My, Iwata Jun-Ichi, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji, Shigeta Yasuteru, Oshiyama Atsushi

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   122 巻 ( 43 ) 頁: 24665-24671   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b05682

    Web of Science

  27. Effects of annealing with CO and CO2 molecules on oxygen vacancy defect density in amorphous SiO2 formed by thermal oxidation of SIC

    Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   124 巻 ( 13 )   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5041794

    Web of Science

  28. Theoretical study of the atomistic behavior of O vacancy complexes with N and H atoms in the SiO2 layer of a metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor memory: Physical origin of the irreversible threshold voltage shift observed in metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor memories

    Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Kamiya Katsumasa, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 8 )   2018年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.081101

    Web of Science

  29. Theoretical study of strain-induced modulation of the bandgap in SiC

    Chokawa Kenta, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.071301

    Web of Science

  30. Effect of incorporation of nitrogen atoms in Al2O3 gate dielectric of wide-bandgap-semiconductor MOSFET on gate leakage current and negative fixed charge

    Kojima Eiji, Chokawa Kenta, Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Hosoi Takuji, Watanabe Heiji, Shiraishi Kenji

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.061501

    Web of Science

  31. Oxygen concentration dependence of silicon oxide dynamical properties

    Yajima Yuji, Shiraishi Kenji, Endoh Tetsuo, Kageshima Hiroyuki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06KD01

    Web of Science

  32. Theoretical prediction of a self-forming gallium oxide layer at an n-type GaN/SiO2 interface (vol 11, 031002, 2018)

    Chokawa Kenta, Narita Tetsuo, Kikuta Daigo, Kachi Tetsu, Shiozaki Koji, Shiraishi Kenji

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.069202

    Web of Science

  33. Reconsideration of Si pillar thermal oxidation mechanism

    Kageshima Hiroyuki, Shiraishi Kenji, Endoh Tetsuo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06KD02

    Web of Science

  34. Thermodynamic analysis of trimethylgallium decomposition during GaN metal organic vapor phase epitaxy

    Sekiguchi Kazuki, Shirakawa Hiroki, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Kangawa Yoshihiro, Kakimoto Koichi, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FJ03

    Web of Science

  35. First-principles calculations of orientation dependence of Si thermal oxidation based on Si emission model

    Nagura Takuya, Kawachi Shingo, Chokawa Kenta, Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Kageshima Hiroyuki, Endoh Tetsuo, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FB06

    Web of Science

  36. First principles study of the effect of hydrogen annealing on SiC MOSFETs

    Chokawa Kenta, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FR05

    Web of Science

  37. First principles investigation of the unipolar resistive switching mechanism in an interfacial phase change memory based on a GeTe/Sb2Te3 superlattice

    Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FE08

    Web of Science

  38. Investigation of the GaN/ Al2O3 Interface by First Principles Calculations

    Chokawa Kenta, Kojima Eiji, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   255 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201700323

    Web of Science

  39. Reaction mechanisms at 4H-SiC/SiO2 interface during wet SiC oxidation

    Akiyama Toru, Hori Shinsuke, Nakamura Kohji, Ito Tomonori, Kageshima Hiroyuki, Uematsu Masashi, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FR08

    Web of Science

  40. Theoretical prediction of a self-forming gallium oxide layer at an n-type GaN/SiO2 interface

    Chokawa Kenta, Narita Tetsuo, Kikuta Daigo, Kachi Tetsu, Shiozaki Koji, Shiraishi Kenji

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 3 )   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.031002

    Web of Science

  41. Dust Coagulation Regulated by Turbulent Clustering in Protoplanetary Disks

    Ishihara Takashi, Kobayashi Naoki, Enohata Kei, Umemura Masayuki, Shiraishi Kenji

    ASTROPHYSICAL JOURNAL   854 巻 ( 2 )   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3847/1538-4357/aaa976

    Web of Science

  42. Theoretical Study of the Electronic Structure of Threading Edge Dislocations in GaN

    Nakano Takashi, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    GALLIUM NITRIDE AND SILICON CARBIDE POWER TECHNOLOGIES 8   86 巻 ( 12 ) 頁: 41-49   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/08612.0041ecst

    Web of Science

  43. DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000(1)over-bar) metalorganic vapor phase epitaxy

    Kempisty Pawel, Kangawa Yoshihiro, Kusaba Akira, Shiraishi Kenji, Krukowski Stanislaw, Bockowski Michal, Kakimoto Koichi, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   111 巻 ( 14 )   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4991608

    Web of Science

  44. Possibility of Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories for Long Lifespan Archive Memories

    Shirakawa Hiroki, Yamaguchi Keita, Araidai Masaaki, Kamiya Katsumasa, Shiraishi Kenji

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E100C 巻 ( 10 ) 頁: 928-933   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1587/transele.E100.C.928

    Web of Science

  45. First-principles study on adsorption structure and electronic state of stanene on alpha-alumina surface

    Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 9 )   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.095701

    Web of Science

  46. Thermodynamic analysis of (0001) and (000(1)over-bar) GaN metalorganic vapor phase epitaxy

    Kusaba Akira, Kangawa Yoshihiro, Kempisty Pawel, Valencia Hubert, Shiraishi Kenji, Kumagai Yoshinao, Kakimoto Koichi, Koukitu Akinori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 7 )   2017年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.070304

    Web of Science

  47. First principles investigation of SiC/AlGaN(0001) band offset

    Kojima E., Endo K., Shirakawa H., Chokawa K., Araidai M., Ebihara Y., Kanemura T., Onda S., Shiraishi K.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 758-760   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.066

    Web of Science

  48. First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN

    Sekiguchi K., Shirakawa H., Yamamoto Y., Araidai M., Kangawa Y., Kakimoto K., Shiraishi K.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 950-953   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.044

    Web of Science

  49. Thermodynamic considerations of the vapor phase reactions in III-nitride metal organic vapor phase epitaxy

    Sekiguchi Kazuki, Shirakawa Hiroki, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Kangawa Yoshihiro, Kakimoto Koichi, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 4 )   2017年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.04CJ04

    Web of Science

  50. Evaluation of energy band offset of Si 1-xSnx semiconductors by numerical calculation using density functional theory

    Nagae Yuki, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Nakatsuka Osamu, Shiraishi Kenji, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 4 )   2017年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.04CR10

    Web of Science

  51. Edge states of hydrogen terminated monolayer materials: silicene, germanene and stanene ribbons

    Hattori Ayami, Tanaya Sho, Yada Keiji, Araidai Masaaki, Sato Masatoshi, Hatsugai Yasuhiro, Shiraishi Kenji, Tanaka Yukio

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   29 巻 ( 11 )   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-648X/aa57e0

    Web of Science

  52. DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000-1) metalorganic Vaporphase epitaxy

    Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Kenji Shiraishi, Stanislaw Krukowski, Michal Bockowski, Koichi Kakimoto, and Hiroshi Amano

    Appl. Phys.Lett.   ( 111 ) 頁: 141602   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  53. Defect Formation in SiO2 Formed by Thermal Oxidation of SiC

    Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji

    2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)     頁: 242-243   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  54. First Principles and Themodynamical Studies on Matel Organic Vaper Phase Epitaxy of GaN

    Shiraishi Kenji, Sekiguchi Kazuki, Shirakawa Hiroki, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Kangawa Yoshihiro, Kakimoto Koichi

    SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR   80 巻 ( 1 ) 頁: 295-301   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/08001.0295ecst

    Web of Science

  55. Silicon Emission Mechanism for Oxidation Process of Non-Planar Silocon

    H.Kagechima, K.Shiraishi, T.Endoh

    ECS Transactions   75 巻 ( 5 ) 頁: 216-226   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  56. Shape effects of GeSbTe nanodots on the near-field interaction with a silver triangle antenna 査読有り

    N Kojima, N Ota, K Asakawa, K Shiraishi, K Yamada

    Japanese Journal of Applied Physics   54(4) 巻   頁: 025009   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  57. First-principles calculations for initial oxidation processes of SiC surfaces: Effect of crystalline surface orientations 査読有り

    A Ito, T Akiyama, K Nakamura, T Ito, H Kageshima, M Uematsu, and Kenji Shiraishi

    Japanese Journal of Applied Physics   54(10) 巻   頁: 101301   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  58. First-principles investigations for oxidation reaction processes at 4H-SiC/SiO2 interface and its orientation dependence 査読有り

    T Akiyama, A Ito, K Nakamura, T Ito, H Kageshima, M Uematsu, and Kenji Shiraishi

    Surface Science   641 巻   頁: 174-179   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  59. Asymmetric Behavior of Current-induced magnetization swyching in a magnetic tunnel juction: Non-equilibrium first-principles Calculations 査読有り

    Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraisi

    Applied Physics Express   ( 7 ) 頁: 045202.1-3   2014年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  60. A QM/MM study of nitric oxide reductase-catalysed N2O formation 査読有り

    M. Shoji, K, Hanaoka, D. Kondo, A. Sato, H, Umeda, K. Kamiya, K. Shiraishi

    Molecular Physics: An International Journal at the Interface Between Chemistry and Physics   ( 112 ) 頁: 393-397   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  61. A QM/MM study of nitric oxide reductase-catalysed N2O formation 査読有り

    M. Shoji, K, Hanaoka, D. Kondo, A. Sato, H, Umeda, K. Kamiya, K. Shiraishi

    International Journal of Quantum Chemistry,   ( 112 ) 頁: 393-397   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  62. Photoluminescence characterization in silicon nanowire fabricated by thermal oxidation of nano-scale Si fin structure 査読有り

    Y. Sakurai, K. Kakushima, K. Ohmori, K. Yamada, H. Iwai, K. Shiraishi, S. Nomura

    Optics Express   ( 22 ) 頁: 1997-2006   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  63. Asymmetric behavior of current-induced magnetization switching in a magnetic tunnel junction: Non-equilibrium first-principles calculations 査読有り

    38. Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi,

    Appl. Phys. Exp.   ( 7 ) 頁: 045202-045204   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  64. Role of nitrogen incorporation into Al2O3-based resistive random-access memory 査読有り

    40. Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya, Hiroki Shirakawa, Blanka Magyari-Köpe, Yoshio Nishi, Kenji Shiraishi

    Appl. Phys. Exp.   ( 7 ) 頁: 074202-074205   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  65. GeTe sequences in superlattice phase change memories and their electrical characteristics 査読有り

    39. T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Araidai, S. Kato, N. Takaura, K. Shiraishi,

    Appl. Phys. Lett.   ( 104 ) 頁: 252106-252108   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  66. Surface Stability and Growth Kinetics of Compound Semiconductors: An Ab Initio-Based Approach 査読有り

    Y. Kangawa, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, T. Nakayama

    Materials   ( 6 ) 頁: 3309-3360   2013年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  67. Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb2Te3 superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations 査読有り

    T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, K. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    Tech. Digest of 2013 International Electron Devices Meeting     頁: P.30.5.1-P.30.5.4   2013年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  68. Nanoscale (-10nm) 3D vertical ReRAM and NbO2 threshold selector with TiN electrode 査読有り

    E. Cha, J. Woo, D. Lee, S. Lee, J. Song, Y. Koo, J. Lee, C. G. Park. M. Y. Yang, K. Kamiya, K. Shiraishi, B. Magyari-Köpe, Y. Nishi, H, Hwang

    Tech. Digest of 2013 International Electron Devices Meeting     頁: P10.5.1-P10.5.4   2013年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  69. Vacancy Cohesion-Isolation Phase Transition Upon Charge Injection and Removal in Binary Oxide-Based RRAM Filamentary-Type Switching 査読有り

    K. Kamiya, M. Y. Yang, B. Magyari-Köpe, M. Niwa, Y. Nishi, K. Shiraishi

    IEEE Transactions on Electron Devices   ( 60 ) 頁: 3400-3406   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  70. Charge-dependent oxygen vacancy diffusion in Al2O3-based resistive-random-access-memories 査読有り

    M. Y. Yang, K. Kamiya, B. Magyari-Köpe, M. Niwa, Y. Nishi, K. Shiraishi

    Appl. Phys. Lett.   ( 103 ) 頁: 93504   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  71. Interstitial oxygen induced Fermi level pinning in the Al2O3-based high-k MISFET with heavy-doped n-type poly-Si gates 査読有り

    M. Y. Yang, K. Kamiya, K. Shiraishi

    AIP Advances   ( 3 ) 頁: 102113   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  72. Theoretical Design of Desirable Stack Structure for Resistive Random Access Memories 査読有り

    K. Kamiya, M. Y. Yang, B. Magyari-Köpe, M. Niwa, Y. Nishi, K. Shiraishi,

    ECS Trans. 58     頁: 181-188   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  73. Energetics and electron states of Au/Ag incorporated into crystalline/amorphous silicon 査読有り

    M. Y. Yang, K. Kamiya, T. Yamauchi, T. Nakayama, K. Shiraishi

    J. Appl. Phys.   ( 114 ) 頁: 63701   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  74. Generalized Mechanism of the Resistance Switching in Binary-Oxide=Based Resistive Random-Access Memories 査読有り

    Katsumasa Kamiy, Moon Young Yang, Takahiro Nagata, Seong-Geon Park, Blanka Magyari-Köpe, Toyohiro Chikyow,Keisaku Yamada, Masaaki NIwa, Yoshio Nishi,Kenji Shiraisi

    Physical Review B   ( 87 ) 頁: 155201   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  75. Effect of Coulomb interaction on multi-electronwave packet dynamics 査読有り

    T. Shiokawa, Y. Takada, S. Konabe, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Hatsugai, K. Shiraishi

    AIP Conf. Proc.   ( 1566 ) 頁: 421-422   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  76. Physical origins of ON-OFF switching in ReRAM via VO based conducting channels 査読有り

    K. Kamiya, M. Y. Yang, S-G. Park, B. Magyari-Köpe, Y. Nishi, M. Niwa, K. Shiraishi

    AIP Conf. Proc.   ( 1566 ) 頁: 11-12   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  77. Substrate-mediated proton relay mechanism for the religation reaction in topoisomerase II 査読有り

    K. Hanaoka, M. Shoji, D. Kondo, A. Sato, M. Y. Yang, K. Kamiya, K. Shiraishi

    Journal of Biomolecular Structure and Dynamics   ( 31 ) 頁: 1-7   2013年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  78. Charge injection Super-lattice Phase Change Memory for low power and high density storage device applications 査読有り

    N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi,

    Tech. Digest of 2013 Symposium on VLSI Tech.     頁: T130-T131   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  79. Dynamical Study of Multi-Election Wave Packet in Nanoscale Structure 査読有り

    Kenji Shiraisi, Taro Shiokawa, Genki Fujita

    Jpn. J. Appl. Phys   ( 52 ) 頁: 04CJ06   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  80. Physical Guiding Principles for High Quality Resistive Random Access Memory Stack with Al2O3 Insertion Layer

    M. Y. Yang, K. Kamiya, B. Magyari-Köpe, H. Momida, T. Ohno, M. Niwa, Y. Nishi, K. Shiraishi

    Jpn. J. Appl. Phys   ( 52 ) 頁: 04CD11   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  81. On the important role of the anti-Jahn-Teller effect in underdoped cuprate superconductors 査読有り

    H. Kamimura, S. Matsuno, T. Mizokawa, K. Sasaoka, K. Shiraishi, H. Ushio

    J. Phys.: Conf. Ser.   ( 429 ) 頁: 12043   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  82. Interacting Electron Wave Packet Dynamics in a Two-Dimensional Nanochannel 査読有り

    C. M. Puetter, S. Konabe, Y. Hatsugai, K. Ohmori, K. Shiraishi

    Appl. Phys. Exp.   ( 6 ) 頁: 65201   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  83. Calculation of the electron transfer coupling matrix element in diabatic reactions 査読有り

    M. Shoji, K. Hanaoka, A. Sato, Daiki Kondo, M. Y. Yang, K. Kamiya, K. Shiraishi,

    International Journal of Quantum Chemistry   ( 13 ) 頁: 342-347   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  84. The dissociation modes of threading screw dislocations in 4H-SiC 査読有り

    S. Onda, H. Watanabe, Y. Kito, H. Kondo, H. Uehigashi, Y. Hisada, K. Shiraishi, H. Saka

    Phil. Mag. Lett.   ( 93 ) 頁: 591-600   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  85. Transmission electron microscope study of a threading dislocation with and its effect on leakage in a 4H-SiC MOSFET 査読有り

    S. Onda, H. Watanabe, Y. Kito, H. Kondo, H. Uehigashi, N. Hosokawa, Y. Hisada, K. Shiraishi, H. Saka

    Phil. Mag. Lett.   ( 93 ) 頁: 439-447   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  86. Mechanism of hole doping into hydrogen terminated diamond by the adsorption of inorganic molecule 査読有り

    Y. Takagi, K. Shiraishi, M. Kasu H. Sato,

    Surface Science,     頁: 203?206   2013年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  87. Theoretical Study of N incorporation Effect during SiC Oxidation 査読有り

    21. Shigenori Kato, Kenta Chokawa, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi,

    Materials Science Forum,     頁: 740-742, 455-458   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  88. A New-Type of Defect Generation at a 4H-SiC/SiO2 interface by Oxidation Induced Compressive Strain 査読有り

    20. Kenta Chokawa, Shigenori Kato, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi,

    Materials Science Forum,     頁: 740-742, 469-472   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  89. Origins of Negative Fixed Charge in Wet Oxidation for SiC 査読有り

    19. Katsumasa Kamiya, Yasuhiro Ebihara, Kenta Chokawa, Shigenori Kato, Kenji Shiraishi,

    Materials Science Forum     頁: 740-742, 409-412   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  90. Evaluation of Growth and Cleaning Rates of Chamber-Wall Deposition during Silicon Gate Etching 査読有り

    18. J. Tanaka K. Shiraishi

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology,   ( 11 ) 頁: 1-7   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  91. Intrinsic origin of the breakdown of quasi-cubic approximation in nitride semiconductors 査読有り

    5. Y. Ebihara, K. Kamiya, K. Shiraishi . A. Yamaguchi,

    physica status solidi (c)   ( 8 ) 頁: 2279-2281   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  92. Physics in Designing Desirable ReRAM Stack Structure -Atomistic Recipes Based on Oxygen Chemical Potential Control and Charge Injection/Removal

    4. Katsumasa Kamiya, Moon Young Yang, Blanka Magyari-Köpe, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi, Kenji Shiraishi,

    Technical Digest of 2012 International Electron Devices Meeting,     頁: 478-481   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  93. Theoretical study of Si-based ionic switch 査読有り

    15. Takashi Yamauchi, Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama,

    Applied Physics Letters   ( 100 ) 頁: 203506-203509   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  94. Intrinsic origin of negative fixed charge in wet oxidation for silicon carbide 査読有り

    14. Yasuhiro Ebihara, Kenta Chokawa, Shigenori Kato, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi,

    Applied Physics Letters   ( 100 ) 頁: 212110-212112   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  95. Role of Synthetic Ferrimagnets in Magnetic Tunnel Junctions from Wave Packet Dynamics 査読有り

    13. M. Arikawa, M. Muraguchi, Y. Hatsugai, K. Shiraishi, T. Endoh,

    ,Jpn. J. Appl. Phys. 51, Art.     頁: 02BM03   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  96. Efficient Structure for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes with High Emission Efficiency: A First-Principles Study of AlN/GaN Superlattice 査読有り

    12. K. Kamiya, Y. Ebihara, M. Kasu, K. Shiraishi,

    Jpn. J. Appl. Phys. 51, Art.     頁: 02BJ11   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  97. Multi-Electron Wave Packet Dynamics in Applied Electric Field 査読有り

    11. Y. Takada, Y. T. Yoon, T. Shiokawa, S. Konabe, M. Arikawa, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Hatsugai, K. Shiraishi,

    Jpn. J. Appl. Phys. 51, Art.     頁: 02BJ01   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  98. ON-OFF switching mechanism of resistive-random-access-memories based on the formation and disruption of oxygen vacancy conducting channels 査読有り

    10. K. Kamiya, M. Y. Yang, S.-G. Park,B. Magyari-Köpe,Y. Nishi, M. Niwa, K. Shiraishi

    Appl. Phys. Lett. 100, Art.     頁: 073502   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  99. Theoretical model for artificial structure modulation of HfO2/SiOx/Si interface by deposition of a dopant material 査読有り

    N. Umezawa K. Shiraishi,,

    Appl. Phys. Lett. 100, Art.     頁: 092904   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  100. Role of Synthetic Ferrimagnets in Magnetic Tunnel Junctions from Wave Packet Dynamics 査読有り

    8. M. Arikawa, M. Muraguchi, Y. Hatsugai, K. Shiraishi, T. Endoh,

    Jpn. J. Appl. Phys. 51, Art.     頁: 02BM03   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  101. Efficient Structure for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes with High Emission Efficiency: A First-Principles Study of AlN/GaN Superlattice 査読有り

    7. K. Kamiya, Y. Ebihara, M. Kasu, K. Shiraishi,

    Jpn. J. Appl. Phys. 51, Art.     頁: 02BJ11   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  102. Multi-Electron Wave Packet Dynamics in Applied Electric Field 査読有り

    6. Y. Takada, Y. T. Yoon, T. Shiokawa, S. Konabe, M. Arikawa, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Hatsugai, K. Shiraishi,

    Jpn. J. Appl. Phys. 51, Art.     頁: 02BJ01   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  103. An atomistic study on hydrogenation effects toward quality improvement of program/erase cycle of MONOS- type memory 査読有り

    4. Akira Otake, Keita Yamaguchi, Katsumasa Kamiya, Yasuteru Shigeta, Kenji Shiraishi,

    IEICE Transactions   ( E94-C ) 頁: 693-698   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  104. Structural design of AlN/GaN superlattices for deep-ultraviolet light-emitting diodes with high emission efficiency 査読有り

    3. K. Kamiya, Y. Ebihara, K. Shiraishi, M. Kasu,

    Appl. Phys. Lett. 99, Art.     頁: 151108   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  105. Collective Tunneling Model in Charge-Trap-Type Nonvolatile Memory Cell 査読有り

    2. M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, S. Nomura, K. Shiraishi, T. Endoh,

    Jpn. J. Appl. Phys. 50 Art.     頁: 04DD04   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  106. Atomistic Design of Guiding Principles for High Quality Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories:First Principles Study of H and O Incorporation Effects for N Vacancies in SiN Charge Trap Layers 査読有り

    1. K. Yamguchi, A. Otake, K. Kamiya, Y. Shigeta, K. Shiraishi,

    Jpn. J. Appl. Phys. 50 Art.     頁: 04DD05   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  107. Calculation of the Electron Transfer Coupling Matrix Element in Diabatic Reactions 査読有り

    16. Mitsuo Shoji, Kyohei Hanaoka, Akimasa Sato, Daiki Kondo, Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi,

    International Journal of Quantum Chemistry, DOI: 10.1002/qua.     頁: 24074   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  108. First Principle Study of the Stability of H Atoms in SiN Layers on MONOS-Type Memories During Program/Erase Operations

    3. K. Yamaguchi, A. Otake, K. Kamiya, Y. Shigeta, K. Shiraishi,

    Proceeding of 2011 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices     頁: 215-217   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  109. Fundamental origin of excellent low-noise property in 3D Si-MOSFETs -Impact of charge-centroid in the channel due to quantum effect on 1/f noise-

    2. W. Feng, R. Hettiarachchi, Y. Lee, S. Sato, K. Kakushima, M. Sato, K. Fukuda, M. Niwa, K. Yamabe, K. Shiraishi, H. Iwai, K. Ohmori,

    2011 Technical Digest of 2011 International Electron Devices Meetings   ( 27 ) 頁: 7-1-4   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  110. Guiding Principle of Highly Scalable MONOS-Type Memory

    1. K. Shiraishi, K. Yamaguchi, K. Kamiya, A. Otake, Y. Shigeta,

    ESC Transaction,   ( 41-7 ) 頁: 71-78   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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講演・口頭発表等 15

  1. Effect of Electric Field in Multi-Electron Wave Packet Dynamics in Channel of Nanoscale devices 国際会議

    G.Fujita, T.shiokawa, Y.Takeda, S.Konabe, M.Muraguchi, T.Yamamoto, T.Endo, Y.Hatsugai, K.Shiraishi

    ISANN 2013 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  2. SiC酸化により引き起こされるSi欠陥への第一原理計算からの考察

    長川健太、神谷克政、洗平昌晃、白石賢二

    先進パワー半導体研究会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉会館   国名:日本国  

  3. Multi-Electron Wave Packets Dynamics under MOSFET-like Potentials 国際会議

    T.Shiokawa, G.Fujita, Y.Takeda, S.Konabe, M.Muraguchi, T.Yamamoto, T.Endo, Y.Hatsugai, K.Shiraishi

    ISANN 2013 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  4. Theoretical Design of Desirable Stack Structure for Resistive Random Access Memories 国際会議

    K. Kamiya, M. Y. Yang, B. Magyari-Köpe, M. Niwa, Y. Nishi and K. Shiraishi

    224th Meeting of Electrochemical Society 

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    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  5. 4H-Sicの熱酸化速度の理論的研究-Si面とC面の酸化速度の相違-

    丸山翔太郎、遠藤賢太郎、長川健太、神谷克政、白石賢二

    応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  6. Intrinsic SiC Oxidation Problems Obtained by First Principle Calculations 国際会議

    K. Shiraishi, K. Chokawa and K. Kamiya

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013) 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  7. Physics in Charge Injection Induced On-Off Switching Mechanism of Oxide-Based Resistive Random Access Memory (ReRAM) and Superlattice GeTe/Sb2Te3 Phase Change Memory (PCM) 国際会議

    K. Shiraishi, M.Y. Yang, S.Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Niwa, B. Magyari-Kope, and Y. Nishi

    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  8. 超格子材料を用いた低電力動作相変化デバイス

    森川貴博、大柳孝純、木下勝治、田井光春、秋田憲一、高浦則克、加藤重徳、洗平昌晃、神谷克政、山本貴博、白石賢二

    応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  9. 4H-Sic表面のNO初期酸化過程の理論的検討

    遠藤賢太郎、丸山翔太郎、加藤重徳、神谷克政、白石賢二

    応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  10. First principles material design toward nano-scale memory functional devices triggered by carrier injection 国際会議

    Kenji Shiraishi

    BIT's 2nd Annual World Congress of Advanced Materials-2013 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  11. First Principles Guiding Principles for the Switching Process in Oxide ReRAM 国際会議

    3. Kenji Shiraishi, Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya, Blanka Magyari-Köpe, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi,

    2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology 

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    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:中華人民共和国  

  12. On-Off Switching Mechanism of Oxide Based ReRAM by Ab Initio Electronic Structure Calculations 国際会議

    Kenji Shiraishi, Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya, Hiroyoshi Momida, Blanka Magyari-Köpe, Takahisa Ohno, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi

    2nd International Workshop on Resistive RAM, 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  13. Computational Study toward Micro Electronics Engineering 国際会議

    5. Kenji Shiraishi, Keita Yamaguchi, Moon Young Yang, Seong-Geon Park, Katsumasa Kamiya, Yasuteru Shigeta, Blanka Magyari-Köpe, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi

    2012 28th International Conference on Microelectronics, 

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    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

    国名:セルビア共和国  

  14. Computational Science Studies toward Future Nano-Devices 国際会議

    K. Shiraishi

    WIMNACT Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology 

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    開催年月日: 2012年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  15. Guiding Principle of Highly Scalable MONOS-Type Memory 国際会議

    1. K. Shiraishi, K. Yamaguchi, K. Kamiya, A. Otake, Y. Shigeta,

    220th Electrochemical Society Meeting, 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

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科研費 1

  1. 新規IV族系二次元物質の創製

    研究課題/研究課題番号:15H03564  2015年4月 - 2018年3月

    白石 賢二

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:17420000円 ( 直接経費:13400000円 、 間接経費:4020000円 )

    シリセン、ゲルマネンの電子構造と原子構造を第一原理計算で行った。まず、絶縁体であるAl2O3上のシリセンとゲルマネンの電子構造を計算した。その結果、バンド構造はK点でディラックコーンを持つフリースタンディングのシリセン、ゲルマネンのバンド構造を保存することがわかった。しかし、細かく見ると表面への吸着構造に依存してシリセン、ゲルマネンのバンド構造が微妙に変わることを明らかにした。