筑波大学　助教授　物理学系

2001年1月 - 2004年3月

日本電信電話株式会社

1988年4月 - 2000年12月

応用物理学会   応用物理編集委員

2000年4月 - 2002年3月

Comparative study of the gas phase reaction of SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, and SiH3Cl by thermodynamic analysis

Nagahashi Tomoya, Karasawa Hajime, Horiike Ryota, Kimura Tomoya, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 巻 ( 4 )   2023年4月

Effect of hydrogen atoms on potassium-ion electrets used in vibration-powered generators 査読有り

Yoshiki Ohata, Masaaki Araidai, Takuma Ishiguro, Hiroyuki Mitsuya, Hiroshi Toshiyoshi, Yasushi Shibata, Gen Hashiguchi, Kenji Shiraishi

Materials Science in Semiconductor Processing   157 巻   頁： 107306   2023年4月

Microscopic physical origin of charge traps in 3D NAND flash memories

Nanataki Fugo, Iwata Jun-Ichi, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Oshiyama Atsushi, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 巻 ( SC )   2023年4月

Effect of hydrogen atoms on potassium-ion electrets used in vibration-powered generators

Ohata Yoshiki, Araidai Masaaki, Ishiguro Takuma, Mitsuya Hiroyuki, Toshiyoshi Hiroshi, Shibata Yasushi, Hashiguchi Gen, Shiraishi Kenji

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   157 巻   2023年4月

Insight into the step flow growth of gallium nitride based on density functional theory

Bui Kieu My, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi

APPLIED SURFACE SCIENCE   613 巻   2023年3月

Effect of MgO Grain Boundaries on the Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy in Spin-transfer torque Magnetic Random-Access Memory: A First-Principles Study 査読有り

K. Morishita, Y. Harashima, M. Araidai, T. Endoh, K. Shiraishi

IEEE Transactions on Magnetics   59 巻 ( 4 )   2023年2月

Atomic and electronic structures of interfaces between amorphous (Al2O3)(1-x)(SiO2)(x) and GaN polar surfaces revealed by first-principles simulated annealing technique

Chokawa Kenta, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   133 巻 ( 6 )   2023年2月

Improvement of the reliability of potassium-ion electrets thorough an additional oxidation process 査読有り

Yoshiki Ohata, Toru Nakanishi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Takuma Ishiguro, Hiroyuki Mitsuya, Hiroshi Toshiyoshi, Yasushi Shibata, Gen Hashiguchi, Kenji Shiraishi

Applied Physics Letters   121 巻 ( 24 ) 頁： 243903   2022年12月

Improvement of the reliability of potassium-ion electrets thorough an additional oxidation process

Ohata Yoshiki, Nakanishi Toru, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Ishiguro Takuma, Mitsuya Hiroyuki, Toshiyoshi Hiroshi, Shibata Yasushi, Hashiguchi Gen, Shiraishi Kenji

APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 24 )   2022年12月

Effect of interfacial nitrogen defects on tunnel magnetoresistance in an Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junction

Ogawa Yutaro, Araidai Masaaki, Endoh Tetsuo, Shiraishi Kenji

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   132 巻 ( 21 )   2022年12月

Atomic and electronic structures of nitrogen vacancies in silicon nitride: Emergence of floating gap states

Nanataki Fugo, Shiraishi Kenji, Iwata Jun-ichi, Matsushita Yu-ichiro, Oshiyama Atsushi

PHYSICAL REVIEW B   106 巻 ( 15 )   2022年10月

Beyond ab initio reaction simulator: An application to GaN metalorganic vapor phase epitaxy

Kusaba A., Nitta S., Shiraishi K., Kuboyama T., Kangawa Y.

APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 16 )   2022年10月

An atomistic insight into reactions and free-energy profiles of NH3 and Ga on GaN surfaces during the epitaxial growth

Boero Mauro, Bui Kieu My, Shiraishi Kenji, Ishisone Kana, Kangawa Yoshihiro, Oshiyama Atsushi

APPLIED SURFACE SCIENCE   599 巻   2022年10月

Reaction of nitrous oxide and ammonia molecules at 4H-SiC/SiO2 interface: An ab initio study

Akiyama Toru, Shimizu Tsunashi, Ito Tomonori, Kageshima Hiroyuki, Shiraishi Kenji

SURFACE SCIENCE   723 巻   2022年9月

Microscopic identification of stepped SiC(0001) and the reaction site of hydrogen-rich epitaxial growth

Kimura Tomoya, Chokawa Kenta, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi

PHYSICAL REVIEW B   106 巻 ( 3 )   2022年7月

Ab initio study for orientation dependence of nitrogen incorporation at 4H-SiC/SiO2 interfaces

Akiyama Toru, Shimizu Tsunashi, Ito Tomonori, Kageshima Hiroyuki, Chokawa Kenta, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SH )   2022年7月

Effect of carbon atoms on the reliability of potassium-ion electrets used in vibration-powered generators

Ohata Yoshiki, Araidai Masaaki, Shibata Yasushi, Hashiguchi Gen, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SH )   2022年7月

Ab initio-based approach for the oxidation mechanisms at SiO2/4H-SiC interface: Interplay of dry and wet oxidants during interfacial reaction 査読有り

Tsunashi Shimizu, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, and Kenji Shiraishi

Physical Review Materials   5 巻 ( 11 ) 頁： 114601-1 - 114601-12   2021年11月

Ab initio-based approach for the oxidation mechanisms at SiO2/4H-SiC interface: Interplay of dry and wet oxidants during interfacial reaction

Shimizu Tsunashi, Akiyama Toru, Ito Tomonori, Kageshima Hiroyuki, Uematsu Masashi, Shiraishi Kenji

PHYSICAL REVIEW MATERIALS   5 巻 ( 11 )   2021年11月

Gallium-gallium weak bond that incorporates nitrogen at atomic steps during GaN epitaxial growth

Bui Kieu My, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi

APPLIED SURFACE SCIENCE   557 巻   2021年8月

First-principles and thermodynamic analysis for gas phase reactions and structures of the SiC(0001) surface under conventional CVD and Halide CVD environments

Chokawa Kenta, Daigo Yoshiaki, Mizushima Ichiro, Yoda Takashi, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 8 )   2021年8月

カリウムイオンエレクトレットにおける負電荷蓄積機構の第一原理計算による検討 招待有り 査読有り

中西 徹, 宮島 岳史, 長川 健太, 洗平 昌晃, 杉山 達彦, 橋口 原, 白石 賢二

電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌）   141 巻 ( 8 ) 頁： 292 - 298   2021年8月

Defect-free interface between amorphous (Al2O3)(1-x)(SiO2)(x) and GaN(0001) revealed by first-principles simulated annealing technique

Chokawa Kenta, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi

APPLIED PHYSICS LETTERS   119 巻 ( 1 )   2021年7月

Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO2 interface: an ab initio study for the effect of NO annealing after dry oxidation

Shimizu Tsunashi, Akiyama Toru, Nakamura Kohji, Ito Tomonori, Kageshima Hiroyuki, Uematsu Masashi, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

Theoretical study on the effect of H-2 and NH3 on trimethylgallium decomposition process in GaN MOVPE

Sakakibara Soma, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Kusaba Akira, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 4 )   2021年4月

Effects of the Compressibility of Turbulence on the Dust Coagulation Process in Protoplanetary Disks

Sakurai Yoshiki, Ishihara Takashi, Furuya Hitomi, Umemura Masayuki, Shiraishi Kenji

ASTROPHYSICAL JOURNAL   911 巻 ( 2 )   2021年4月

Progress in Modeling Compound Semiconductor Epitaxy: Unintentional Doping in GaN MOVPE

Kangawa Yoshihiro, Kusaba Akira, Kempisty Pawel, Shiraishi Kenji, Nitta Shugo, Amano Hiroshi

CRYSTAL GROWTH & DESIGN   21 巻 ( 3 ) 頁： 1878 - 1890   2021年3月

First-Principles Calculation of Copper Oxide Superconductors That Supports the Kamimura-Suwa Model

Kamimura Hiroshi, Araidai Masaaki, Ishida Kunio, Matsuno Shunichi, Sakata Hideaki, Shiraishi Kenji, Sugino Osamu, Tsai Jaw-Shen

CONDENSED MATTER   5 巻 ( 4 )   2020年12月

Negative-charge-storing mechanism of potassium-ion SiO2-based electrets for vibration-powered generators

Nakanishi Toru, Miyajima Takeshi, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Toshiyoshi Hiroshi, Sugiyama Tatsuhiko, Hashiguchi Gen, Shiraishi Kenji

APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 19 )   2020年11月

カリウムイオンエレクトレットにおける負電荷蓄積機構の第一原理計算による検討 招待有り 査読有り

中西徹， 宮島岳史， 長川健太， 洗平昌晃， 白石賢二， 杉山達彦， 橋口原

「センサ・マイクロマシンと応用システム」 シンポジウム論文集 電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編]   37 巻   頁： 6   2020年10月

Hydrogen desorption from silicane and germanane crystals: Toward creation of free-standing monolayer silicene and germanene

Araidai Masaaki, Itoh Mai, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   128 巻 ( 12 )   2020年9月

Effects of Wet Ambient on Dry Oxidation Processes at 4H-SiC/SiO2 Interface: An Ab Initio Study 招待有り 査読有り

Tsunashi Shimizu, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, Kenji Shiraishi

ECS Transactions   98 巻 ( 3 ) 頁： 37   2020年9月

Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO

Kimura Tomoya, Ohnishi Kazuki, Amano Yuki, Fujimoto Naoki, Araidai Masaaki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 8 ) 頁： .   2020年8月

Absence of Oxygen-Vacancy-Related Deep Levels in the Amorphous Mixed Oxide (Al₂O₃)_1-x(SiO₂)_x: First-Principles Exploration of Gate Oxides in GaN-Based Power Devices

Chokawa Kenta, Narita Tetsuo, Kikuta Daigo, Shiozaki Koji, Kachi Tetsu, Oshiyama Atsushi, Shiraishi Kenji

PHYSICAL REVIEW APPLIED   14 巻 ( 1 )   2020年7月

Screw dislocation that converts p-type GaN to n-type: Microscopic study on Mg condensation and leakage current in p-n diodes

Nakano T., Harashima Y., Chokawa K., Shiraishi K., Oshiyama A., Kangawa Y., Usami S., Mayama N., Toda K., Tanaka A., Honda Y., Amano H.

APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 1 )   2020年7月

Ab initio calculations for the effect of wet oxidation condition on the reaction mechanism at 4H-SiC/SiO₂ interface

Shimizu Tsunashi, Akiyama Toru, Pradipto Abdul-Muizz, Nakamura Kohji, Ito Tomonori, Kageshima Hiroyuki, Uematsu Masashi, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年7月

Oxygen Incorporation Kinetics in Vicinal m(10-10) Gallium Nitride Growth by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

Yosho Daichi, Shintaku Fumiya, Inatomi Yuya, Kangawa Yoshihiro, Iwata Jun-Ichi, Oshiyama Atsushi, Shiraishi Kenji, Tanaka Atsushi, Amano Hiroshi

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   14 巻 ( 6 )   2020年6月

Computational study of oxygen stability in vicinal m(10-10)-GaN growth by MOVPE

Shintaku Fumiya, Yosho Daichi, Kangawa Yoshihiro, Iwata Jun-Ichi, Oshiyama Atsushi, Shiraishi Kenji, Tanaka Atsushi, Amano Hiroshi

APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 5 ) 頁： .   2020年5月

iop.org の [HTML] Full View Ab initio calculations for the effect of wet oxidation condition on the reaction mechanism at 4H–SiC/SiO2 interface 招待有り 査読有り

Tsunashi Shimizu, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics   59 巻 ( SM ) 頁： SMMD01   2020年4月

Computational study of oxygen stability in vicinal m (10− 10)-GaN growth by MOVPE 招待有り 査読有り

Fumiya Shintaku, Daichi Yosho, Yoshihiro Kangawa, Jun-Ichi Iwata, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi, Atsushi Tanaka, Hiroshi Amano

Applied Physics Express   13 巻 ( 5 ) 頁： 055507   2020年4月

A two-dimensional liquid-like phase on Ga-rich GaN (0001) surfaces evidenced by first principles molecular dynamics

Bui Kieu My, Boero Mauro, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

A two-dimensional liquid-like phase on Ga-rich GaN (0001) surfaces evidenced by first principles molecular dynamics 招待有り 査読有り

Kieu My Bui, Mauro Boero, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama

Japanese Journal of Applied Physics   59 巻 ( SG ) 頁： SGGK04   2020年2月

Computics Approach toward Clarification of Atomic Reactions during Epitaxial Growth of GaN

Oshiyama Atsushi, Bui Kieu My, Boero Mauro, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji

2020 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD 2020)     頁： 11 - 14   2020年

Chemical vapor deposition condition dependence of reconstructed surfaces on 4H-SiC (0001), (000(1)over-bar), and (1(1)over-bar00) surfaces

Chokawa Kenta, Makino Emi, Hosokawa Norikazu, Onda Shoichi, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 11 )   2019年11月

First-principles study of pressure and SiO-incorporation effect on dynamical properties of silicon oxide

Kageshima Hiroyuki, Yajima Yuji, Shiraishi Kenji, Endoh Tetsuo

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 11 )   2019年11月

Effect of long-range Coulomb interactions on electron transport in a nanoscale one-dimensional ring

Shiokawa Taro, Muraguchi Masakazu, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 11 )   2019年11月

Theoretical studies on the switching mechanism of VMCO memories

Nakanishi T., Chokawa K., Araidai M., Nakayama T., Shiraishi K.

MICROELECTRONIC ENGINEERING   215 巻   2019年7月

Self-forming and self-decomposing gallium oxide layers at the GaN/Al₂O₃ interfaces

Chokawa Kenta, Shiraishi Kenji

APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 6 )   2019年6月

Influence of edge magnetization and electric fields on zigzag silicene, germanene and stanene nanoribbons

Hattori Ayami, Yada Keiji, Araidai Masaaki, Sato Masatoshi, Shiraishi Kenji, Tanaka Yukio

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   31 巻 ( 10 )   2019年3月

First-principle study of ammonia decomposition and nitrogen incorporation on the GaN surface in metal organic vapor phase epitaxy

Bui Kieu My, Iwata Jun-Ichi, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji, Shigeta Yasuteru, Oshiyama Atsushi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   507 巻   頁： 421-424   2019年2月

Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN

Nakano Takashi, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi, Kusaba Akira, Kangawa Yoshihiro, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)     頁： .   2019年

Physical Origin of Excellent Data Retention over 10years at sub-mu A Operation in AgW-Alloy Ionic Memory

Yamaguchi Marina, Fujii Shosuke, Yoshimura Yoko, Nagasawa Riki, Asayama Yoshihiro, Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji, Nakayama Takashi, Saitoh Masumi

2019 IEEE 11TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW 2019)     頁： 1 - 3   2019年

Atomistic study of SiN based ReRAM with high program/erase cycle endurance

Yamaguchi Keita, Shirakawa Hiroki, Shiraishi Kenji

IEICE ELECTRONICS EXPRESS   15 巻 ( 23 )   2018年12月

Reaction Pathway of Surface-Catalyzed Ammonia Decomposition and Nitrogen Incorporation in Epitaxial Growth of Gallium Nitride

Bui Kieu My, Iwata Jun-Ichi, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji, Shigeta Yasuteru, Oshiyama Atsushi

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   122 巻 ( 43 ) 頁： 24665-24671   2018年11月

Effects of annealing with CO and CO₂ molecules on oxygen vacancy defect density in amorphous SiO₂ formed by thermal oxidation of SIC

Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   124 巻 ( 13 )   2018年10月

Theoretical study of the atomistic behavior of O vacancy complexes with N and H atoms in the SiO₂ layer of a metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor memory: Physical origin of the irreversible threshold voltage shift observed in metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor memories

Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Kamiya Katsumasa, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 8 )   2018年8月

Theoretical study of strain-induced modulation of the bandgap in SiC

Chokawa Kenta, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 7 )   2018年7月

Effect of incorporation of nitrogen atoms in Al₂O₃ gate dielectric of wide-bandgap-semiconductor MOSFET on gate leakage current and negative fixed charge

Kojima Eiji, Chokawa Kenta, Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Hosoi Takuji, Watanabe Heiji, Shiraishi Kenji

APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 6 )   2018年6月

Reconsideration of Si pillar thermal oxidation mechanism

Kageshima Hiroyuki, Shiraishi Kenji, Endoh Tetsuo

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

Oxygen concentration dependence of silicon oxide dynamical properties

Yajima Yuji, Shiraishi Kenji, Endoh Tetsuo, Kageshima Hiroyuki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

Theoretical prediction of a self-forming gallium oxide layer at an n-type GaN/SiO₂ interface (vol 11, 031002, 2018)

Chokawa Kenta, Narita Tetsuo, Kikuta Daigo, Kachi Tetsu, Shiozaki Koji, Shiraishi Kenji

APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 6 )   2018年6月

Thermodynamic analysis of trimethylgallium decomposition during GaN metal organic vapor phase epitaxy

Sekiguchi Kazuki, Shirakawa Hiroki, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Kangawa Yoshihiro, Kakimoto Koichi, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

Reaction mechanisms at 4H-SiC/SiO₂ interface during wet SiC oxidation

Akiyama Toru, Hori Shinsuke, Nakamura Kohji, Ito Tomonori, Kageshima Hiroyuki, Uematsu Masashi, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

Investigation of the GaN/ Al₂O₃ Interface by First Principles Calculations

Chokawa Kenta, Kojima Eiji, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   255 巻 ( 4 )   2018年4月

First-principles calculations of orientation dependence of Si thermal oxidation based on Si emission model

Nagura Takuya, Kawachi Shingo, Chokawa Kenta, Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Kageshima Hiroyuki, Endoh Tetsuo, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

First principles study of the effect of hydrogen annealing on SiC MOSFETs

Chokawa Kenta, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

First principles investigation of the unipolar resistive switching mechanism in an interfacial phase change memory based on a GeTe/Sb₂Te₃ superlattice

Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

Theoretical prediction of a self-forming gallium oxide layer at an n-type GaN/SiO₂ interface

Chokawa Kenta, Narita Tetsuo, Kikuta Daigo, Kachi Tetsu, Shiozaki Koji, Shiraishi Kenji

APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 3 )   2018年3月

Dust Coagulation Regulated by Turbulent Clustering in Protoplanetary Disks

Ishihara Takashi, Kobayashi Naoki, Enohata Kei, Umemura Masayuki, Shiraishi Kenji

ASTROPHYSICAL JOURNAL   854 巻 ( 2 )   2018年2月

Theoretical Study of the Electronic Structure of Threading Edge Dislocations in GaN

Nakano Takashi, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

GALLIUM NITRIDE AND SILICON CARBIDE POWER TECHNOLOGIES 8   86 巻 ( 12 ) 頁： 41-49   2018年

DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000(1)over-bar) metalorganic vapor phase epitaxy

Kempisty Pawel, Kangawa Yoshihiro, Kusaba Akira, Shiraishi Kenji, Krukowski Stanislaw, Bockowski Michal, Kakimoto Koichi, Amano Hiroshi

APPLIED PHYSICS LETTERS   111 巻 ( 14 )   2017年10月

Possibility of Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories for Long Lifespan Archive Memories

Shirakawa Hiroki, Yamaguchi Keita, Araidai Masaaki, Kamiya Katsumasa, Shiraishi Kenji

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E100C 巻 ( 10 ) 頁： 928-933   2017年10月

First-principles study on adsorption structure and electronic state of stanene on alpha-alumina surface

Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 9 )   2017年9月

Thermodynamic analysis of (0001) and (000(1)over-bar) GaN metalorganic vapor phase epitaxy

Kusaba Akira, Kangawa Yoshihiro, Kempisty Pawel, Valencia Hubert, Shiraishi Kenji, Kumagai Yoshinao, Kakimoto Koichi, Koukitu Akinori

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 7 )   2017年7月

First principles investigation of SiC/AlGaN(0001) band offset

Kojima E., Endo K., Shirakawa H., Chokawa K., Araidai M., Ebihara Y., Kanemura T., Onda S., Shiraishi K.

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 758-760   2017年6月

First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN

Sekiguchi K., Shirakawa H., Yamamoto Y., Araidai M., Kangawa Y., Kakimoto K., Shiraishi K.

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 950-953   2017年6月

Thermodynamic considerations of the vapor phase reactions in III-nitride metal organic vapor phase epitaxy

Sekiguchi Kazuki, Shirakawa Hiroki, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Kangawa Yoshihiro, Kakimoto Koichi, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 4 )   2017年4月

Evaluation of energy band offset of Si _1-xSn_x semiconductors by numerical calculation using density functional theory

Nagae Yuki, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Nakatsuka Osamu, Shiraishi Kenji, Zaima Shigeaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 4 )   2017年4月

Edge states of hydrogen terminated monolayer materials: silicene, germanene and stanene ribbons

Hattori Ayami, Tanaya Sho, Yada Keiji, Araidai Masaaki, Sato Masatoshi, Hatsugai Yasuhiro, Shiraishi Kenji, Tanaka Yukio

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   29 巻 ( 11 )   2017年3月

DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000-1) metalorganic Vaporphase epitaxy

Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Kenji Shiraishi, Stanislaw Krukowski, Michal Bockowski, Koichi Kakimoto, and Hiroshi Amano

Appl. Phys.Lett.   ( 111 ) 頁： 141602   2017年

Defect Formation in SiO2 Formed by Thermal Oxidation of SiC

Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji

2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)     頁： 242-243   2017年

First Principles and Themodynamical Studies on Matel Organic Vaper Phase Epitaxy of GaN

Shiraishi Kenji, Sekiguchi Kazuki, Shirakawa Hiroki, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Kangawa Yoshihiro, Kakimoto Koichi

SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR   80 巻 ( 1 ) 頁： 295-301   2017年

Silicon Emission Mechanism for Oxidation Process of Non-Planar Silocon

H.Kagechima, K.Shiraishi, T.Endoh

ECS Transactions   75 巻 ( 5 ) 頁： 216-226   2016年

Shape effects of GeSbTe nanodots on the near-field interaction with a silver triangle antenna 査読有り

N Kojima, N Ota, K Asakawa, K Shiraishi, K Yamada

Japanese Journal of Applied Physics   54(4) 巻   頁： 025009   2015年

First-principles calculations for initial oxidation processes of SiC surfaces: Effect of crystalline surface orientations 査読有り

A Ito, T Akiyama, K Nakamura, T Ito, H Kageshima, M Uematsu, and Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics   54(10) 巻   頁： 101301   2015年

First-principles investigations for oxidation reaction processes at 4H-SiC/SiO₂ interface and its orientation dependence 査読有り

T Akiyama, A Ito, K Nakamura, T Ito, H Kageshima, M Uematsu, and Kenji Shiraishi

Surface Science   641 巻   頁： 174-179   2015年

Asymmetric Behavior of Current-induced magnetization swyching in a magnetic tunnel juction: Non-equilibrium first-principles Calculations 査読有り

Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraisi

Applied Physics Express   ( 7 ) 頁： 045202.1-3   2014年3月

A QM/MM study of nitric oxide reductase-catalysed N₂O formation 査読有り

M. Shoji, K, Hanaoka, D. Kondo, A. Sato, H, Umeda, K. Kamiya, K. Shiraishi

Molecular Physics: An International Journal at the Interface Between Chemistry and Physics   ( 112 ) 頁： 393-397   2014年2月

Photoluminescence characterization in silicon nanowire fabricated by thermal oxidation of nano-scale Si fin structure 査読有り

Y. Sakurai, K. Kakushima, K. Ohmori, K. Yamada, H. Iwai, K. Shiraishi, S. Nomura

Optics Express   ( 22 ) 頁： 1997-2006   2014年1月

A QM/MM study of nitric oxide reductase-catalysed N₂O formation 査読有り

M. Shoji, K, Hanaoka, D. Kondo, A. Sato, H, Umeda, K. Kamiya, K. Shiraishi

International Journal of Quantum Chemistry,   ( 112 ) 頁： 393-397   2014年1月

Role of nitrogen incorporation into Al₂O₃-based resistive random-access memory 査読有り

40. Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya, Hiroki Shirakawa, Blanka Magyari-Köpe, Yoshio Nishi, Kenji Shiraishi

Appl. Phys. Exp.   ( 7 ) 頁： 074202-074205   2014年

GeTe sequences in superlattice phase change memories and their electrical characteristics 査読有り

39. T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Araidai, S. Kato, N. Takaura, K. Shiraishi,

Appl. Phys. Lett.   ( 104 ) 頁： 252106-252108   2014年

Asymmetric behavior of current-induced magnetization switching in a magnetic tunnel junction: Non-equilibrium first-principles calculations 査読有り

38. Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi,

Appl. Phys. Exp.   ( 7 ) 頁： 045202-045204   2014年

Surface Stability and Growth Kinetics of Compound Semiconductors: An Ab Initio-Based Approach 査読有り

Y. Kangawa, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, T. Nakayama

Materials   ( 6 ) 頁： 3309-3360   2013年12月

Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb₂Te₃ superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations 査読有り

T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, K. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

Tech. Digest of 2013 International Electron Devices Meeting     頁： P.30.5.1-P.30.5.4   2013年12月

Nanoscale (-10nm) 3D vertical ReRAM and NbO₂ threshold selector with TiN electrode 査読有り

E. Cha, J. Woo, D. Lee, S. Lee, J. Song, Y. Koo, J. Lee, C. G. Park. M. Y. Yang, K. Kamiya, K. Shiraishi, B. Magyari-Köpe, Y. Nishi, H, Hwang

Tech. Digest of 2013 International Electron Devices Meeting     頁： P10.5.1-P10.5.4   2013年12月

Vacancy Cohesion-Isolation Phase Transition Upon Charge Injection and Removal in Binary Oxide-Based RRAM Filamentary-Type Switching 査読有り

K. Kamiya, M. Y. Yang, B. Magyari-Köpe, M. Niwa, Y. Nishi, K. Shiraishi

IEEE Transactions on Electron Devices   ( 60 ) 頁： 3400-3406   2013年11月

Charge-dependent oxygen vacancy diffusion in Al₂O₃-based resistive-random-access-memories 査読有り

M. Y. Yang, K. Kamiya, B. Magyari-Köpe, M. Niwa, Y. Nishi, K. Shiraishi

Appl. Phys. Lett.   ( 103 ) 頁： 93504   2013年10月

Theoretical Design of Desirable Stack Structure for Resistive Random Access Memories 査読有り

K. Kamiya, M. Y. Yang, B. Magyari-Köpe, M. Niwa, Y. Nishi, K. Shiraishi,

ECS Trans. 58     頁： 181-188   2013年10月

Interstitial oxygen induced Fermi level pinning in the Al₂O₃-based high-k MISFET with heavy-doped n-type poly-Si gates 査読有り

M. Y. Yang, K. Kamiya, K. Shiraishi

AIP Advances   ( 3 ) 頁： 102113   2013年10月

Generalized Mechanism of the Resistance Switching in Binary-Oxide=Based Resistive Random-Access Memories 査読有り

Katsumasa Kamiy, Moon Young Yang, Takahiro Nagata, Seong-Geon Park, Blanka Magyari-Köpe, Toyohiro Chikyow,Keisaku Yamada, Masaaki NIwa, Yoshio Nishi,Kenji Shiraisi

Physical Review B   ( 87 ) 頁： 155201   2013年8月

Physical origins of ON-OFF switching in ReRAM via VO based conducting channels 査読有り

K. Kamiya, M. Y. Yang, S-G. Park, B. Magyari-Köpe, Y. Nishi, M. Niwa, K. Shiraishi

AIP Conf. Proc.   ( 1566 ) 頁： 11-12   2013年8月

Effect of Coulomb interaction on multi-electronwave packet dynamics 査読有り

T. Shiokawa, Y. Takada, S. Konabe, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Hatsugai, K. Shiraishi

AIP Conf. Proc.   ( 1566 ) 頁： 421-422   2013年8月

Energetics and electron states of Au/Ag incorporated into crystalline/amorphous silicon 査読有り

M. Y. Yang, K. Kamiya, T. Yamauchi, T. Nakayama, K. Shiraishi

J. Appl. Phys.   ( 114 ) 頁： 63701   2013年8月

Substrate-mediated proton relay mechanism for the religation reaction in topoisomerase II 査読有り

K. Hanaoka, M. Shoji, D. Kondo, A. Sato, M. Y. Yang, K. Kamiya, K. Shiraishi

Journal of Biomolecular Structure and Dynamics   ( 31 ) 頁： 1-7   2013年7月

Charge injection Super-lattice Phase Change Memory for low power and high density storage device applications 査読有り

N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi,

Tech. Digest of 2013 Symposium on VLSI Tech.     頁： T130-T131   2013年6月

Dynamical Study of Multi-Election Wave Packet in Nanoscale Structure 査読有り

Kenji Shiraisi, Taro Shiokawa, Genki Fujita

Jpn. J. Appl. Phys   ( 52 ) 頁： 04CJ06   2013年4月

Physical Guiding Principles for High Quality Resistive Random Access Memory Stack with Al2O3 Insertion Layer

M. Y. Yang, K. Kamiya, B. Magyari-Köpe, H. Momida, T. Ohno, M. Niwa, Y. Nishi, K. Shiraishi

Jpn. J. Appl. Phys   ( 52 ) 頁： 04CD11   2013年4月

On the important role of the anti-Jahn-Teller effect in underdoped cuprate superconductors 査読有り

H. Kamimura, S. Matsuno, T. Mizokawa, K. Sasaoka, K. Shiraishi, H. Ushio

J. Phys.: Conf. Ser.   ( 429 ) 頁： 12043   2013年4月

Interacting Electron Wave Packet Dynamics in a Two-Dimensional Nanochannel 査読有り

C. M. Puetter, S. Konabe, Y. Hatsugai, K. Ohmori, K. Shiraishi

Appl. Phys. Exp.   ( 6 ) 頁： 65201   2013年4月

The dissociation modes of threading screw dislocations in 4H-SiC 査読有り

S. Onda, H. Watanabe, Y. Kito, H. Kondo, H. Uehigashi, Y. Hisada, K. Shiraishi, H. Saka

Phil. Mag. Lett.   ( 93 ) 頁： 591-600   2013年

Transmission electron microscope study of a threading dislocation with and its effect on leakage in a 4H-SiC MOSFET 査読有り

S. Onda, H. Watanabe, Y. Kito, H. Kondo, H. Uehigashi, N. Hosokawa, Y. Hisada, K. Shiraishi, H. Saka

Phil. Mag. Lett.   ( 93 ) 頁： 439-447   2013年

Calculation of the electron transfer coupling matrix element in diabatic reactions 査読有り

M. Shoji, K. Hanaoka, A. Sato, Daiki Kondo, M. Y. Yang, K. Kamiya, K. Shiraishi,

International Journal of Quantum Chemistry   ( 13 ) 頁： 342-347   2013年

Mechanism of hole doping into hydrogen terminated diamond by the adsorption of inorganic molecule 査読有り

Y. Takagi, K. Shiraishi, M. Kasu H. Sato,

Surface Science,     頁： 203?206   2013年

Theoretical Study of N incorporation Effect during SiC Oxidation 査読有り

21. Shigenori Kato, Kenta Chokawa, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi,

Materials Science Forum,     頁： 740-742, 455-458   2013年

A New-Type of Defect Generation at a 4H-SiC/SiO2 interface by Oxidation Induced Compressive Strain 査読有り

20. Kenta Chokawa, Shigenori Kato, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi,

Materials Science Forum,     頁： 740-742, 469-472   2013年

Origins of Negative Fixed Charge in Wet Oxidation for SiC 査読有り

19. Katsumasa Kamiya, Yasuhiro Ebihara, Kenta Chokawa, Shigenori Kato, Kenji Shiraishi,

Materials Science Forum     頁： 740-742, 409-412   2013年

Evaluation of Growth and Cleaning Rates of Chamber-Wall Deposition during Silicon Gate Etching 査読有り

18. J. Tanaka K. Shiraishi

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology,   ( 11 ) 頁： 1-7   2013年

Intrinsic origin of the breakdown of quasi-cubic approximation in nitride semiconductors 査読有り

5. Y. Ebihara, K. Kamiya, K. Shiraishi . A. Yamaguchi,

physica status solidi (c)   ( 8 ) 頁： 2279-2281   2012年

Physics in Designing Desirable ReRAM Stack Structure -Atomistic Recipes Based on Oxygen Chemical Potential Control and Charge Injection/Removal

4. Katsumasa Kamiya, Moon Young Yang, Blanka Magyari-Köpe, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi, Kenji Shiraishi,

Technical Digest of 2012 International Electron Devices Meeting,     頁： 478-481   2012年

Theoretical study of Si-based ionic switch 査読有り

15. Takashi Yamauchi, Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama,

Applied Physics Letters   ( 100 ) 頁： 203506-203509   2012年

Intrinsic origin of negative fixed charge in wet oxidation for silicon carbide 査読有り

14. Yasuhiro Ebihara, Kenta Chokawa, Shigenori Kato, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi,

Applied Physics Letters   ( 100 ) 頁： 212110-212112   2012年

Role of Synthetic Ferrimagnets in Magnetic Tunnel Junctions from Wave Packet Dynamics 査読有り

13. M. Arikawa, M. Muraguchi, Y. Hatsugai, K. Shiraishi, T. Endoh,

,Jpn. J. Appl. Phys. 51, Art.     頁： 02BM03   2012年

Efficient Structure for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes with High Emission Efficiency: A First-Principles Study of AlN/GaN Superlattice 査読有り

12. K. Kamiya, Y. Ebihara, M. Kasu, K. Shiraishi,

Jpn. J. Appl. Phys. 51, Art.     頁： 02BJ11   2012年

Multi-Electron Wave Packet Dynamics in Applied Electric Field 査読有り

11. Y. Takada, Y. T. Yoon, T. Shiokawa, S. Konabe, M. Arikawa, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Hatsugai, K. Shiraishi,

Jpn. J. Appl. Phys. 51, Art.     頁： 02BJ01   2012年

ON-OFF switching mechanism of resistive-random-access-memories based on the formation and disruption of oxygen vacancy conducting channels 査読有り

10. K. Kamiya, M. Y. Yang, S.-G. Park,B. Magyari-Köpe,Y. Nishi, M. Niwa, K. Shiraishi

Appl. Phys. Lett. 100, Art.     頁： 073502   2012年

Theoretical model for artificial structure modulation of HfO2/SiOx/Si interface by deposition of a dopant material 査読有り

N. Umezawa K. Shiraishi,,

Appl. Phys. Lett. 100, Art.     頁： 092904   2012年

Role of Synthetic Ferrimagnets in Magnetic Tunnel Junctions from Wave Packet Dynamics 査読有り

8. M. Arikawa, M. Muraguchi, Y. Hatsugai, K. Shiraishi, T. Endoh,

Jpn. J. Appl. Phys. 51, Art.     頁： 02BM03   2012年

Efficient Structure for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes with High Emission Efficiency: A First-Principles Study of AlN/GaN Superlattice 査読有り

7. K. Kamiya, Y. Ebihara, M. Kasu, K. Shiraishi,

Jpn. J. Appl. Phys. 51, Art.     頁： 02BJ11   2012年

Multi-Electron Wave Packet Dynamics in Applied Electric Field 査読有り

6. Y. Takada, Y. T. Yoon, T. Shiokawa, S. Konabe, M. Arikawa, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Hatsugai, K. Shiraishi,

Jpn. J. Appl. Phys. 51, Art.     頁： 02BJ01   2012年

Atomistic Design of Guiding Principles for High Quality Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories:First Principles Study of H and O Incorporation Effects for N Vacancies in SiN Charge Trap Layers 査読有り

1. K. Yamguchi, A. Otake, K. Kamiya, Y. Shigeta, K. Shiraishi,

Jpn. J. Appl. Phys. 50 Art.     頁： 04DD05   2011年

First Principle Study of the Stability of H Atoms in SiN Layers on MONOS-Type Memories During Program/Erase Operations

3. K. Yamaguchi, A. Otake, K. Kamiya, Y. Shigeta, K. Shiraishi,

Proceeding of 2011 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices     頁： 215-217   2011年

Fundamental origin of excellent low-noise property in 3D Si-MOSFETs -Impact of charge-centroid in the channel due to quantum effect on 1/f noise-

2. W. Feng, R. Hettiarachchi, Y. Lee, S. Sato, K. Kakushima, M. Sato, K. Fukuda, M. Niwa, K. Yamabe, K. Shiraishi, H. Iwai, K. Ohmori,

2011 Technical Digest of 2011 International Electron Devices Meetings   ( 27 ) 頁： 7-1-4   2011年

Guiding Principle of Highly Scalable MONOS-Type Memory

1. K. Shiraishi, K. Yamaguchi, K. Kamiya, A. Otake, Y. Shigeta,

ESC Transaction,   ( 41-7 ) 頁： 71-78   2011年

Calculation of the Electron Transfer Coupling Matrix Element in Diabatic Reactions 査読有り

16. Mitsuo Shoji, Kyohei Hanaoka, Akimasa Sato, Daiki Kondo, Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi,

International Journal of Quantum Chemistry, DOI: 10.1002/qua.     頁： 24074   2011年

An atomistic study on hydrogenation effects toward quality improvement of program/erase cycle of MONOS- type memory 査読有り

4. Akira Otake, Keita Yamaguchi, Katsumasa Kamiya, Yasuteru Shigeta, Kenji Shiraishi,

IEICE Transactions   ( E94-C ) 頁： 693-698   2011年

Structural design of AlN/GaN superlattices for deep-ultraviolet light-emitting diodes with high emission efficiency 査読有り

3. K. Kamiya, Y. Ebihara, K. Shiraishi, M. Kasu,

Appl. Phys. Lett. 99, Art.     頁： 151108   2011年

Collective Tunneling Model in Charge-Trap-Type Nonvolatile Memory Cell 査読有り

2. M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, S. Nomura, K. Shiraishi, T. Endoh,

Jpn. J. Appl. Phys. 50 Art.     頁： 04DD04   2011年

カリウムイオンエレクトレット帯電劣化メカニズムの第一原理計算による研究

大畑慶記, 洗平昌晃, 石黒巧真, 三屋裕幸, 年吉洋, 芝田 泰, 橋口原, 白石賢二

第８４回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月23日 

物質内包空間に存在するfloating電子状態とそのメモリー機能発現の第一原理計算による解明：フラッシュメモリーSiNの場合

七瀧風五, 白石賢二, 押山淳

日本物理学会 第７８回年次大会  2023年9月19日 

第一原理計算によるゲルマニウム極薄膜結晶の磁性に関する研究

石原大樹, 洗平昌晃, 山影相, 白石賢二

日本物理学会 第７８回年次大会  2023年9月16日 

First Principles Studies on the Defect States in the Gate Dielectrics in GaN MOSFET 招待有り 国際会議

Kenji Shiraishi

The 32nd ICDS  2023年9月14日 

First Principles Studies on Mg Impurity Incorporation into GaN during MOVPE Growth 国際会議

Takashi Kuroda, Lisa Mizuno, Shuto Hattori, Kenji Shiraishi

ssdm 2023  2023年9月7日 

Theoretical Study of the Gas-Phase Reaction of Hexachlorodisilane by Thermodynamic Analysis and Kinetics Calculation 国際会議

Tomoya Nagahashi, Hajime Karasawa, Ryota Horiike, Kenji Shiraishi

ssdm 2023  2023年9月8日 

Atomic and Electronic Structures of Basal Plane Dislocations (BPDs) in 4H-SiC -Atomistic Origin of Bipolar Degradation of SiC Devices 国際会議

Masaki Sano, Jun Kojima, Shoichi Onda, Takashi Yoda, Takayuki Ohba, Kenji Shiraishi

ssdm 2023  2023年9月6日 

Theoretical Study of Nitrogen Incorporation at the Steps on SiC(0001) Surface during CVD Growth 国際会議

Souichiro Yamauchi, Ichiro Mizushima, Takashi Yoda, Atushi Oshiyama, Kenji Shiraishi

ssdm 2023  2023年9月6日 

First Principles Studies on the Defect States in the Gate Dielectrics in GaN MOSFET 国際会議

Kenji Shiraishi

WCAM2023  2023年5月9日 

カリウムイオンエレクトレット内への炭素混入の影響

桐越大貴,大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,芝田泰,橋口原,白石賢二

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月16日 

GaNにおけるMgアクセプターの拡散機構の理論的検討

制野かおり押山淳,櫻井亮介,白石賢二

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月17日 

STT-MRAMにおけるMgO薄膜中の粒界によるデータ保持性能への影響の第一原理計算による解析

森下佳祐,原嶋庸介,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二

第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会  2023年2月3日 

アモルファスSi3N4中のトラップ欠陥の第一原理計算による研究

七瀧風五,押山淳,岩田潤一,松下雄一郎,白石賢二

第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会  2023年2月4日 

帯電材料カリウムイオンエレクトレットの水素のよる劣化の第一原理計算による研究

大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,柴田泰,橋口原,白石賢二

第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会  2023年2月4日 

CVD成長環境におけるSiCステップ端でのN原子取り込み機構の理論研究

山内颯一郎,水島一郎,依田孝,押山淳,白石賢二

第22回日本表面真空学会中部支部学術講演会  2022年12月17日 

Charge Traps in H Incorporated SiN in 3D NAND Memories 国際会議

F. Nanataki, A. Oshiyama, K. Shiraishi

53rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference  2022年12月8日 

Physics in Very Shallow Trap Formation at SiC/SiO2 Interfaces 国際会議

K. Shiraishi, K. Chokawa

53rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference  2022年12月8日 

AlN・InN MOVPE成長におけるTMA・TMI分解経路の理論的解析

長嶋佑哉,赤石大地,新田州吾,草場彰,寒川義裕,白石賢二

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会  2022年11月24日 

MOVPE成長過程におけるTMAとTMI分解に関する第一原計算

長嶋佑哉,赤石大地,新田州吾,草場彰,寒川義裕,白石賢二

第41回電子材料シンポジウム  2022年10月21日 

レート方程式による GaN MOVPE の成長シミュレーション

佐野雅季,長嶋佑哉,草場彰,寒川義裕,白石賢二

第41回電子材料シンポジウム  2022年10月21日 

Microscopic Physical Origin of Charge Traps in 3D NAND Flash Memories 国際会議

F. Nanataki, J. Iwata, K. Chokawa, M. Araidai, A. Oshiyama, K. Shiraishi

International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022)  2022年9月28日 

Impact of Grain Boundaries in MgO Layer on Data Retention Performance of STT-MRAM 国際会議

K. Morishita, Y. Harashima, M. Araidai, T. Endoh, K. Shiraishi

International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022)  2022年9月29日 

Theoretical Study of the Influence of GaOx Layer on the SiO2/GaN Interface 国際会議

S. Hattori, A. Oshiyama, S. Miyazaki, H. Watanabe, K. Ueno, R. Tanaka, T. Kondo, S. Takashima, M. Edo, K. Shiraishi

International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022)  2022年9月28日 

カリウムイオンエレクトレット内での水素原子の拡散経路

大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,柴田泰,橋口原,白石賢二

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月21日 

磁気トンネル接合内のFe/MgO/Fe構造内の水素不純物が界面垂直磁気異方性に与える影響

名和卓哉,森下佳祐,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月21日 

第一原理計算によるSiO2/GaN界面の中間層の研究

服部柊人,押山淳,白石賢二,宮崎誠一,渡部平司,上野勝典,田中亮,近藤剣,高島信也,江戸雅晴

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月22日 

First-principles study of the effect of hydrogen on potassium-ion electrets 国際会議

Y. Ohata, M. Araidai, T. Ishiguro, H. Mitsuya, H. Toshiyoshi, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces  2022年9月6日 

First Principles Studies on the Effect of Grain Boundaries in MgO on Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy at Fe/MgO Interface in STT-MRAM

2022年3月24日 

カリウムイオンエレクトレットの高性能化の指針と水素の影響の理論検討

大畑慶記，中西徹，長川健太，洗平昌晃，石黒巧真，三屋裕幸，年吉洋，芝田泰，橋口原，白石賢二

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月26日 

熱力学的解析によるp型GaNのHVPE法におけるキャリアガスの特定

長嶋佑哉，木村友哉，洗平昌晃，長川健太，草場彰，寒川義裕，白石賢二

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月25日 

強誘電HfO2薄膜の安定性と誘電特性：第一原理計算による検討

牧芳和，新井千慧，洗平昌晃，白石賢二，中山隆史

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日 

4H-SiC/SiO2界面での窒素酸化物およびアンモニアの反応機構の理論的検討

秋山亨，清水紀志，伊藤智徳，影島博之，白石賢二

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日 

GaN/SiO2界面のホールトラップの原因の理論的究明とその対策

服部柊人，長川健太，押山淳，白石賢二

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日 

MgO中の粒界がSTT-MRAMのFe/MgOの界面垂直磁気異方性に与える影響の理論的研究

森下佳祐，原嶋庸介，洗平昌晃，遠藤哲郎，白石賢二

第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会  2022年1月28日 

CVD 成長環境下における SiC 微斜面への水素被覆の理論研究

木村友哉，長川健太，押山淳，白石賢二

第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会  2022年1月29日 

GaN複合空孔の電子構造の第一原理計算による研究

櫻井亮介，長川健太，押山淳，白石賢二

第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会  2022年1月29日 

AlN MOVPEにおけるトリメチルアルミニウム分解反応の理論的考察

赤石大地，洗平昌晃，白石賢二

第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会  2022年1月29日 

Ab initio-based approach for reaction process at 4H-SiC/SiO2 interfaces 国際会議

T. Akiyama, T. Shimizu, T. Ito, H. Kageshima, K. Shiraishi

The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022)  2022年1月11日 

First-principles study of two-dimensional materials of group IV elements 国際会議

M. Araidai, M. Itoh, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022)  2022年1月12日 

Density Functional Theory study of Step Flow Growth of Gallium Nitride 国際会議

K. M. Bui, K. Shiraishi, A. Oshiyama

The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022)  2022年1月12日 

First principles studies of the effects of carbon atoms on the potassium-ion electret used in vibration-powered generators 国際会議

Y. Ohata, M. Araidai, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi

The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022)  2022年1月12日 

First-Principles Investigation of Hydrogen Adsorption on Stepped SiC Surface during CVD Growth 国際会議

T. Kimura, K. Chokawa, A. Oshiyama, K. Shiraishi

The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022)  2022年1月12日 

第一原理計算による4H-SiC(0001)表面近傍での炭素空孔の取り込みやすさに関する研究

中島響，醍醐佳明，長川健太，白石賢二

第 21 回 日本表面真空学会中部支部 学術講演会  2021年12月18日 

Effects of carbon atoms on the reliability of the potassium-ion electret used in vibration-powered generators 国際会議

Y. Ohata, M. Araidai, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi

International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (2021 IWDTF) 

Development of Physically Informed Neural Network Potential 国際会議

S. Ito, M. Araidai, K. Shiraishi

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 

First Principles Studies on Atomic and Electronic Structures of VGa-VN divacancies 国際会議

R. Sakurai, K. Chokawa, A. Oshiyama, K. Shiraishi

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 

First-principles studies on the effects of O atoms in the substrate on the oxidation of a vertical Si nanopillar 国際会議

F. Nanataki, M. Araidai, H. Kageshima, K. Shiraishi

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 

First-principles Calculations between Screw Dislocation with Mg, H Impurities on GaN 国際会議

N. Inoue, Y. Harashima, K. Chokawa, K. Shiraishi, A. Oshiyama

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 

本当のパワーデバイス材料をデータサイエンスで作るには？

白石賢二

複相機能開拓拠点ワークショップ  2021年11月2日 

ニューラルネットワークを用いた新規ペアポテンシャルの開発

伊藤匠哉，洗平昌晃，白石賢二

日本物理学会 2021年秋季大会  2021年9月21日 

CVD 成長における SiC 微斜面への水素被覆の理論研究

木村友哉，長川健太，押山淳，白石賢二

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月10日 

Kイオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討 招待有り

中西徹，長川健太，洗平昌晃，年吉洋，杉山達彦，橋口原，白石賢二

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

Fe/MgO界面への窒素不純物が磁気異方性とTMRに与える影響について 招待有り

小川湧太郎，洗平昌晃，遠藤哲郎，白石賢二

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

Theoretical Study of H Adsorption on Stepped SiC Surface during CVD Growth 国際会議

T. Kimura, K. Chokawa, A. Oshiyama and K. Shiraishi

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) 

First Principles Studies of Impurity Dislocation Complexes in GaN 国際会議

Kenji Shiraishi

THERMEC'2021 INTERNATIONAL CONFERENCE ON PROCESSING &MANUFACTURING OF ADVANCED MATERIALS 

Effect of Electric Field in Multi-Electron Wave Packet Dynamics in Channel of Nanoscale devices 国際会議

G.Fujita, T.shiokawa, Y.Takeda, S.Konabe, M.Muraguchi, T.Yamamoto, T.Endo, Y.Hatsugai, K.Shiraishi

ISANN 2013 

SiC酸化により引き起こされるSi欠陥への第一原理計算からの考察

長川健太、神谷克政、洗平昌晃、白石賢二

先進パワー半導体研究会 

Multi-Electron Wave Packets Dynamics under MOSFET-like Potentials 国際会議

T.Shiokawa, G.Fujita, Y.Takeda, S.Konabe, M.Muraguchi, T.Yamamoto, T.Endo, Y.Hatsugai, K.Shiraishi

ISANN 2013 

Theoretical Design of Desirable Stack Structure for Resistive Random Access Memories 国際会議

K. Kamiya, M. Y. Yang, B. Magyari-Köpe, M. Niwa, Y. Nishi and K. Shiraishi

224th Meeting of Electrochemical Society 

4Ｈ-Ｓｉｃの熱酸化速度の理論的研究-Ｓｉ面とＣ面の酸化速度の相違-

丸山翔太郎、遠藤賢太郎、長川健太、神谷克政、白石賢二

応用物理学会秋季学術講演会 

Intrinsic SiC Oxidation Problems Obtained by First Principle Calculations 国際会議

K. Shiraishi, K. Chokawa and K. Kamiya

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013) 

Physics in Charge Injection Induced On-Off Switching Mechanism of Oxide-Based Resistive Random Access Memory (ReRAM) and Superlattice GeTe/Sb2Te3 Phase Change Memory (PCM) 国際会議

K. Shiraishi, M.Y. Yang, S.Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Niwa, B. Magyari-Kope, and Y. Nishi

2013 International Conference on Solid State Devices and Materials 

超格子材料を用いた低電力動作相変化デバイス

森川貴博、大柳孝純、木下勝治、田井光春、秋田憲一、高浦則克、加藤重徳、洗平昌晃、神谷克政、山本貴博、白石賢二

応用物理学会秋季学術講演会 

4Ｈ-Ｓｉｃ表面のＮＯ初期酸化過程の理論的検討

遠藤賢太郎、丸山翔太郎、加藤重徳、神谷克政、白石賢二

応用物理学会秋季学術講演会 

First principles material design toward nano-scale memory functional devices triggered by carrier injection 国際会議

Kenji Shiraishi

BIT's 2nd Annual World Congress of Advanced Materials-2013 

First Principles Studies on the Atomistic Processes of GaN Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) 国際会議

Kenji Shiraishi

V-ASET2021 5th Edition of Applied Science, Engineering and Technology Virtual  2021年12月13日 

First Principles Guiding Principles for the Switching Process in Oxide ReRAM 国際会議

3. Kenji Shiraishi, Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya, Blanka Magyari-Köpe, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi,

2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology 

On-Off Switching Mechanism of Oxide Based ReRAM by Ab Initio Electronic Structure Calculations 国際会議

Kenji Shiraishi, Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya, Hiroyoshi Momida, Blanka Magyari-Köpe, Takahisa Ohno, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi

2nd International Workshop on Resistive RAM, 

Computational Study toward Micro Electronics Engineering 国際会議

5. Kenji Shiraishi, Keita Yamaguchi, Moon Young Yang, Seong-Geon Park, Katsumasa Kamiya, Yasuteru Shigeta, Blanka Magyari-Köpe, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi

2012 28th International Conference on Microelectronics, 

Computational Science Studies toward Future Nano-Devices 国際会議

K. Shiraishi

WIMNACT Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology 

Guiding Principle of Highly Scalable MONOS-Type Memory 国際会議

1. K. Shiraishi, K. Yamaguchi, K. Kamiya, A. Otake, Y. Shigeta,

220th Electrochemical Society Meeting,