未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 教授

2021/04/06 更新
博士(工学) ( 1998年1月 東京大学 )
結晶成長
多結晶材料情報学
欠陥制御
太陽電池
ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学
ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性
ナノテク・材料 / 結晶工学
多結晶材料情報学の学理構築と高品質多結晶材料創製
脱炭素社会の早期実現に向けた次世代太陽電池に関する研究
非真空プロセスによるシリコン系多元混晶材料のエピタキシャル成長
量子計算機用高品質半導体基板創製に関する研究
内閣府 政策統括官(科学技術・イノベーション担当)付 総合科学技術・イノベーション会議事務局 上席科学技術政策フェロー
2018年4月 - 2020年3月
国名:日本国
名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 教授
2017年4月 - 2027年3月
筑波大学大学院数理物質科学研究科非常勤講師
2015年10月 - 2016年3月
国名:日本国
東北大学流体科学研究所客員教授
2013年5月 - 2017年3月
国名:日本国
東北大学金属材料研究所准教授
2007年4月 - 2013年3月
国名:日本国
東北大学金属材料研究所助教授
2000年2月 - 2007年3月
国名:日本国
ドレスデン工大応用光物理研究所客員研究員
1998年3月 - 1999年1月
国名:ドイツ連邦共和国
東京大学先端科学技術研究センター助手
1994年7月 - 2000年1月
国名:日本国
東京大学 工学系研究科 物理工学専攻
1993年4月 - 1994年7月
国名: 日本国
東京大学 工学系研究科 物理工学専攻
1991年4月 - 1993年3月
国名: 日本国
東京大学 工学部 物理工学科
1987年4月 - 1991年3月
国名: 日本国
日本太陽光発電学会 会長
2020年10月 - 現在
応用物理学会 元理事
1991年3月 - 現在
日本金属学会 東海支部理事
日本結晶成長学会 会員
新エネルギー・産業技術総合開発機構 技術委員
2021年1月 - 現在
団体区分:その他
International Advisory Committee of the International Photovoltaic Science and Engineering Conference member
2020年8月 - 現在
International Advisory Committee of World Conference on Photovoltaic Energy Conversion member
2020年8月 - 現在
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology Co-Chair of Program and Award Selection Committee
2019年 - 2021年3月
団体区分:その他
The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference General Chair of Organizing Committee
2018年12月 - 現在
団体区分:その他
The 10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells Co-Chair of the organizing committee
2016年4月 - 2016年8月
日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会 幹事
2013年 - 現在
日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会 副委員長
2009年 - 2020年3月
International Advisory Committee of the International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells member
2006年10月 - 現在
日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会 幹事長代理
2000年 - 現在
Photo & Illustration Contest 最優秀賞
2018年9月 応用物理学会 Semicondoctor Nanoflower
SiliconPV Award
2018年3月 SiliconPV 2018 3D Visualization and Analysis of Dislocation Clusters in Multicrystalline Si Ingot by Approach of Data Science
Y. Hayama, T. Muramatsu, T. Matsumoto, K. Kutsukake, H. Kudo, N. Usami
イノベイティブPV論文賞
2017年7月 独立行政法人日本学術振興会 多結晶材料情報学によるスマートシリコンインゴットの創製に向けて
"宇佐美徳隆、羽山優介、髙橋勲、松本哲也、工藤博章、横井達矢、松永克志、沓掛健太朗、大野裕 "
The best poster award
2012年6月
The best paper award
2009年11月
インテリジェント・コスモス奨励賞
2008年8月 財団法人インテリジェント・コスモス学術振興財団
安藤博記念学術奨励賞
2000年7月 一般財団法人安藤研究所
Engineering Conference Foundation Fellowship on Silicon Heterostructrues
1997年9月
Young Researcher Award of International Conference on Solid State Devices and Materials
1993年8月
Passivation mechanism of the high-performance titanium oxide carrier-selective contacts on crystalline silicon studied by spectroscopic ellipsometry 査読有り
Gotoh Kazuhiro, Miura Hiroyuki, Shimizu Ayako, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60 巻 ( SB ) 2021年5月
Application of Bayesian optimization for improved passivation performance in TiOx/SiOy/c-Si heterostructure by hydrogen plasma treatment 査読有り
Miyagawa Shinsuke, Gotoh Kazuhiro, Kutsukake Kentaro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
APPLIED PHYSICS EXPRESS 14 巻 ( 2 ) 2021年2月
Simulation study on lateral minority carrier transport in the surface inversion layer of the p-aSi:H/i-aSi:H/cSi heterojunction solar cell 査読有り
Kamioka Takefumi, Hayashi Yutaka, Gotoh Kazuhiro, Hara Tomohiko, Ozaki Ryo, Morimura Motoo, Shimizu Ayako, Nakamura Kyotaro, Usami Noritaka, Ogura Atsushi, Ohshita Yoshio
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60 巻 ( 2 ) 2021年2月
Propagation of Crystal Defects during Directional Solidification of Silicon via Induction of Functional Defects 査読有り 国際共著
Patricia Krenckel , Yusuke Hayama, Florian Schindler, Theresa Trötschler, Stephan Riepe and Noritaka Usami
Crystals 11 巻 ( 2 ) 頁: 1 - 10 2021年1月
Origin of recombination activity of non-coherent sigma 3{111} grain boundaries with a positive deviation in the tilt angle in cast-grown silicon ingots 査読有り
Ohno Yutaka, Tamaoka Takehiro, Yoshida Hideto, Shimizu Yasuo, Kutsukake Kentaro, Nagai Yasuyoshi, Usami Noritaka
APPLIED PHYSICS EXPRESS 14 巻 ( 1 ) 頁: . 2021年1月
The impact of highly excessive PbI2 on the correlation of MAPbI(3) perovskite morphology and carrier lifetimes 査読有り 国際共著
Van Hoang Nguyen, Hoang Tuan K. A., Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C 8 巻 ( 41 ) 頁: 14481 - 14489 2020年11月
Activation energy of hydrogen desorption from high-performance titanium oxide carrier-selective contacts with silicon oxide interlayers 査読有り
Gotoh Kazuhiro, Mochizuki Takeya, Hojo Tomohiko, Shibayama Yuki, Kurokawa Yasuyoshi, Akiyama Eiji, Usami Noritaka
CURRENT APPLIED PHYSICS 21 巻 頁: 36 - 42 2020年10月
Generation of dislocation clusters at triple junctions of random angle grain boundaries during cast growth of silicon ingots 査読有り
Ohno Yutaka, Tajima Kazuya, Kutsukake Kentaro, Usami Noritaka
APPLIED PHYSICS EXPRESS 13 巻 ( 10 ) 2020年10月
Determination of carrier recombination velocity at inclined grain boundaries in multicrystalline silicon through photoluminescence imaging and carrier simulation 査読有り
Mitamura Kazuki, Kutsukake Kentaro, Kojima Takuto, Usami Noritaka
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 128 巻 ( 12 ) 2020年9月
Impact of Ge deposition temperature on parameters of c-Si solar cells with surface texture formed by etching of Si using SiGe islands as a mask 査読有り 国際共著
Nguyen V. H., Novikov A., Shaleev M., Yurasov D., Semma M., Gotoh K., Kurokawa Y., Usami N.
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 114 巻 2020年8月
Reactive deposition growth of highly (001)-oriented BaSi2 films by close-spaced evaporation 査読有り
Hara Kosuke O., Takizawa Shuhei, Yamanaka Junji, Usami Noritaka, Arimoto Keisuke
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 113 巻 2020年7月
Atomic hydrogen passivation for photoresponsivity enhancement of boron-doped p-BaSi2 films and performance improvement of boron-doped p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells 査読有り 国際共著
Z. Xu, T. Sato, L. Benincasa, Y. Yamashita, T. Deng, K. Gotoh, K. Toko, N. Usami, A. B. Filonov, D. B. Migas, D. A. Shohonov, and T. Suemasu
Jounal of Applied Physics 127 巻 頁: 233104 2020年6月
Impact of deposition of indium tin oxide double layers on hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterojunction 査読有り
Semma Masanori, Gotoh Kazuhiro, Wilde Markus, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka
AIP ADVANCES 10 巻 ( 6 ) 2020年6月
Significant enhancement of photoresponsivity in As-doped n-BaSi2 epitaxial films by atomic hydrogen passivation 査読有り
Aonuki Sho, Yamashita Yudai, Sato Takuma, Xu Zhihao, Gotoh Kazuhiro, Toko Kaoru, Terai Yoshikazu, Usami Noritaka, Suemasu Takashi
APPLIED PHYSICS EXPRESS 13 巻 ( 5 ) 頁: . 2020年5月
Undoped p-type BaSi2 emitter prepared by thermal evaporation and post-annealing for crystalline silicon heterojunction solar cells 査読有り
Kimura Yuki, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
APPLIED PHYSICS EXPRESS 13 巻 ( 5 ) 2020年5月
Drastic enhancement of photoresponsivity in C-doped BaSi2 films formed by radio-frequency sputtering 査読有り
Nemoto T., Matsuno S., Sato T., Gotoh K., Mesuda M., Kuramochi H., Toko K., Usami N., Suemasu T.
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 巻 2020年4月
Effects of evaporation vapor composition and post-annealing conditions on carrier density of undoped BaSi2 evaporated films 査読有り
Kimura Yuki, Fujiwara Michinobu, Nakagawa Yoshihiko, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 巻 2020年4月
Fabrication of group IV semiconductor alloys on Si substrate applying Al paste with screen-printing 査読有り
Nakahara Masahiro, Matsubara Moeko, Suzuki Shota, Dhamrin Marwan, Miyamoto Satoru, Hainey Mel Forrest Jr., Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 巻 2020年4月
Synthesis of Mg2Si thin film by thermal treatment under inert gas atmosphere and evaluation of film quality 査読有り
Horiba Issei, Fujiwara Michinobu, Nakagawa Yoshihiko, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Itoh Takashi, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 巻 2020年4月
Surface inversion layer effective minority carrier mobility as one of the measures of surface quality of the p-aSi:H/i-aSi:H/cSi heterojunction solar cell 査読有り
Kamioka Takefumi, Hayashi Yutaka, Gotoh Kazuhiro, Ozaki Ryo, Nakamura Kyotaro, Morimura Motoo, Naitou Shimako, Usami Noritaka, Ogura Atsushi, Ohshita Yoshio
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 巻 2020年4月
Preparation and thermoelectric characterization of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り
Kobayashi Hisayoshi, Akaishi Ryushiro, Kato Shinya, Kurosawa Masashi, Usami Noritaka, Kurokawa Yasuyoshi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 巻 2020年4月
Influence of the time-dependent vapor composition on structural properties of the BaSi2 thin films fabricated by vacuum evaporation 査読有り
Yoshino Takamasa, Nakagawa Yoshihiko, Kimura Yuki, Fujiwara Michinobu, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 巻 2020年4月
Effect of Si substrate modification on improving the crystalline quality, optical and electrical properties of thermally-evaporated BaSi2 thin-films for solar cell applications 査読有り 国際共著
Mai Thi Kieu Lien, Usami Noritaka
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B 34 巻 ( 8 ) 2020年3月
Surface-orientation control of silicon thin films via aluminum-induced crystallization on monocrystalline cubic substrates 査読有り 国際共著
Hainey Mel Jr., Zhou Eddie (Chenhui), Viguerie Loic, Usami Noritaka
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 533 巻 2020年3月
Point defects in BaSi2 thin films for photovoltaic applications studied by positron annihilation spectroscopy 査読有り 国際共著
Montes A., Eijt S. W. H., Tian Y., Gram R., Schut H., Suemasu T., Usami N., Zeman M., Serra J., Isabella O.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 127 巻 ( 8 ) 2020年2月
Effect of forming gas annealing on hydrogen content and surface morphology of titanium oxide coated crystalline silicon heterocontacts 査読有り
Nakagawa Yuta, Gotoh Kazuhiro, Wilde Markus, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 38 巻 ( 2 ) 2020年2月
Effect of the Niobium-Doped Titanium Oxide Thickness and Thermal Oxide Layer for Silicon Quantum Dot Solar Cells as a Dopant-Blocking Layer 査読有り
Akaishi Ryushiro, Kitazawa Kohei, Gotoh Kazuhiro, Kato Shinya, Usami Noritaka, Kurokawa Yasuyoshi
NANOSCALE RESEARCH LETTERS 15 巻 ( 1 ) 2020年2月
Scalable fabrication of GaN on amorphous substrates via MOCVD on highly oriented silicon seed layers 査読有り 国際共著
Hainey Mel Jr., Robin Yoann, Avit Geoffrey, Amano Hiroshi, Usami Noritaka
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 535 巻 2020年2月
3D visualization of growth interfaces in cast Si ingot using inclusions distribution 査読有り 国際共著
Kamibeppu Soichiro, Krenckel Patricia, Troetschler Theresa, Hess Adam, Riepe Stephan, Usami Noritaka
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 535 巻 2020年1月
Effect of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiOx on crystalline silicon prepared by atomic layer deposition 査読有り
Miyagawa Shinsuke, Gotoh Kazuhiro, Ogura Shohei, Wilde Markus, Kurokawa Yasuyoshi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 38 巻 ( 2 ) 2020年1月
Application of artificial neural network to optimize sensor positions for accurate monitoring: an example with thermocouples in a crystal growth furnace 査読有り
Boucetta Abderahmane, Kutsukake Kentaro, Kojima Takuto, Kudo Hiroaki, Matsumoto Tetsuya, Usami Noritaka
APPLIED PHYSICS EXPRESS 12 巻 ( 12 ) 2019年12月
Tuning the Electrical Properties of Titanium Oxide Bilayers Prepared by Atomic Layer Deposition at Different Temperatures 査読有り
Gotoh Kazuhiro, Mochizuki Takeya, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 216 巻 ( 22 ) 2019年11月
Mossbauer spectroscopic microscope study on diffusion and segregation of Fe impurities in mc-Si wafer 査読有り
Yoshida Yutaka, Watanabe Tomio, Ino Yuji, Kobayashi Masashi, Takahashi Isao, Usami Noritaka
HYPERFINE INTERACTIONS 240 巻 ( 1 ) 2019年9月
Hydrogen concentration at a-Si:H/c-Si heterointerfaces-The impact of deposition temperature on passivation performance 査読有り
Gotoh Kazuhiro, Wilde Markus, Kato Shinya, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka
AIP ADVANCES 9 巻 ( 7 ) 2019年7月
Marked enhancement of the photoresponsivity and minority-carrier lifetime of BaSi2 passivated with atomic hydrogen 査読有り 国際共著
Xu Zhihao, Shohonov Denis A., Filonov Andrew B., Gotoh Kazuhiro, Deng Tianguo, Honda Syuta, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Migas Dmitri B., Borisenko Victor E., Suemasu Takashi
PHYSICAL REVIEW MATERIALS 3 巻 ( 6 ) 2019年6月
Evidence of solute PEDOT:PSS as an efficient passivation material for fabrication of hybrid c-Si solar cells 査読有り
Van Hoang Nguyen, Kato Shinya, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
SUSTAINABLE ENERGY & FUELS 3 巻 ( 6 ) 頁: 1448 - 1454 2019年6月
Impact of size distributions of Ge islands as etching masks for anisotropic etching on formation of anti-reflection structures 査読有り 国際共著
Ota Yushi, Yurasov Dmitry, Novikov Alexey, Shaleev Mikhail, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 ( 4 ) 2019年4月
Epitaxial growth of SiGe on Si substrate by printing and firing of Al-Ge mixed paste 査読有り
Fukami Shogo, Nakagawa Yoshihiko, Hainey Mel E. Jr., Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Nakahara Masahiro, Dhamrin Marwan, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 ( 4 ) 2019年4月
Local Structure of High Performance TiOx Electron-Selective Contact Revealed by Electron Energy Loss Spectroscopy 査読有り
Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Yamamoto Takahisa, Usami Noritaka
ADVANCED MATERIALS INTERFACES 6 巻 ( 3 ) 2019年2月
Pole figure analysis from electron backscatter diffraction-an effective method of evaluating fiber-textured silicon thin films as seed layers for epitaxy 査読有り
Hainey Mel Jr., Robin Yoann, Amano Hiroshi, Usami Noritaka
APPLIED PHYSICS EXPRESS 12 巻 ( 2 ) 2019年2月
3D visualization and analysis of dislocation clusters in multicrystalline silicon ingot by approach of data science 査読有り
Hayama Yusuke, Matsumoto Tetsuya, Muramatsu Tetsuro, Kutsukake Kentaro, Kudo Hiroaki, Usami Noritaka
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 189 巻 頁: 239-244 2019年1月
Fabrication of Si1-xGex layer on Si substrate by Screen-Printing 査読有り
Nakahara Masahiro, Matsubara Moeko, Suzuki Shota, Fukami Shogo, Dhamrin Manvan, Usami Noritaka
MRS ADVANCES 4 巻 ( 13 ) 頁: 749-754 2019年
Effects of Surface Doping of Si Absorbers on the Band Alignment and Electrical Performance of TiO2-Based Electron-Selective Contacts 査読有り
Lee Hyunju, Kamioka Takefumi, Usami Noritaka, Ohshita Yoshio
MRS ADVANCES 4 巻 ( 13 ) 頁: 769-775 2019年
Significant improvement on electrical properties of BaSi2 due to atomic H passivation by radio-frequency plasma 査読有り
Xu Zhihao, Gotoh Kazuhiro, Deng Tianguo, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Suemasu Takashi
2019 IEEE 46TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 頁: 12-14 2019年
Fine Line Al Printing on Narrow Point Contact Opening for Front Side Metallization 査読有り
Tsuji Kosuke, Suzuki Shota, Morishita Naoya, Kuroki Takashi, Nakahara Masahiro, Dhamrin Marwan, Peng Zih-Wei, Buck Thomas, Usami Noritaka
9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON CRYSTALLINE SILICON PHOTOVOLTAICS (SILICONPV 2019) 2147 巻 2019年
Optimized electrical control of a Si/SiGe spin qubit in the presence of an induced frequency shift 査読有り 国際共著
Takeda K., Yoneda J., Otsuka T., Nakajima T., Delbecq M. R., Allison G., Hoshi Y., Usami N., Itoh K. M., Oda S., Kodera T., Tarucha S.
NPJ QUANTUM INFORMATION 4 巻 2018年10月
Application of weighted Voronoi diagrams to analyze nucleation sites of multicrystalline silicon ingots 査読有り
Muramatsu Tetsuro, Hayama Yusuke, Kutsukake Kentaro, Maeda Kensaku, Matsumoto Tetsuya, Kudo Hiroaki, Fujiwara Kozo, Usami Noritaka
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 499 巻 頁: 62-66 2018年10月
Fabrication and properties characterization of BaSi2 thin-films thermally-evaporated on Ge (100) modified substrates 査読有り
Mai Thi Kieu Lien, Nakagawa Yoshihiko, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
THIN SOLID FILMS 663 巻 頁: 14-20 2018年10月
Activation mechanism of TiOx passivating layer on crystalline Si
Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Ohta Akio, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Miyazaki Seiichi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka
APPLIED PHYSICS EXPRESS 11 巻 ( 10 ) 2018年10月
Fabrication of light-trapping structure by selective etching of thin Si substrates masked with a Ge dot layer and nanomasks 査読有り
Hombe Atsushi, Kurokawa Yasuyoshi, Gotoh Kazuhiro, Akagi Seimei, Yamamoto Yuzo, Yurasov Dmitry, Novikov Alexey, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 8 ) 2018年8月
Investigation of effective near-infrared light-trapping structure with submicron diameter for crystalline silicon thin film solar cells
Sei Miki, Kurokawa Yasuyoshi, Kato Shinya, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 8 ) 2018年8月
Influence of barrier layer's height on the performance of Si quantum dot solar cells 査読有り
Kitazawa Kouhei, Akaishi Ryushiro, Ono Satoshi, Takahashi Isao, Usami Noritaka, Kurokawa Yasuyoshi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 8 ) 2018年8月
Impact of boron incorporation on properties of silicon solar cells employing p-type polycrystalline silicon grown by aluminum-induced crystallization
Masuda Shota, Gotoh Kazuhiro, Takahashi Isao, Nakamura Kyotaro, Ohshita Yoshio, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 8 ) 2018年8月
Formation of light-trapping structure using Ge islands grown by gas-source molecular beam epitaxy as etching masks
Ota Yushi, Hombe Atsushi, Nezasa Ryota, Yurasov Dmitry, Novikov Alexey, Shaleev Mikhail, Baidakova Natalie, Morozova Elena, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 8 ) 2018年8月
Effect of substrate type on the electrical and structural properties of TiO2 thin films deposited by reactive DC sputtering
Cheng Xuemei, Gotoh Kazuhiro, Nakagawa Yoshihiko, Usami Noritaka
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 491 巻 頁: 120-125 2018年6月
Improving the photoresponse spectra of BaSi2 layers by capping with hydrogenated amorphous Si layers prepared by radio-frequency hydrogen plasma
Xu Zhihao, Gotoh Kazuhiro, Deng Tianguo, Sato Takuma, Takabe Ryota, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Suemasu Takashi
AIP ADVANCES 8 巻 ( 5 ) 2018年5月
BaSi2 formation mechanism in thermally evaporated films and its application to reducing oxygen impurity concentration
Hara Kosuke O., Yamamoto Chiaya, Yamanaka Junji, Arimoto Keisuke, Nakagawa Kiyokazu, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 4 ) 2018年4月
Simple method for significant improvement of minority-carrier lifetime of evaporated BaSi2 thin film by sputtered-AlOx passivation
N.M. Shaalan, K.O. Hara, C.T. Trinh, Y. Nakagawa, and N. Usami
Materials Science in Semiconductor Processing 76 巻 頁: 37-41 2018年3月
Formation of black silicon using SiGe self-assembled islands as a mask for selective anisotropic etching of silicon
D. V. Yurasov, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, N. A. Baidakova, E. E. Morozova, E. V. Skorokhodov, Y. Ota, A. Hombe, Y. Kurokawa, and N. Usami
Materials Science in Semiconductor Processing ( 75 ) 頁: 143-148 2018年3月
BaSi2 formation mechanism in thermally-evaporated films and its application to reducing oxygen impurity concentration
K.O. Hara, C. Yamamoto, J. Yamanaka, K. Arimoto, K. Nakagawa, and N. Usami
Japanese Journal of Applied Physics ( 57 ) 頁: 04FS01 2018年2月
A quantum-dot spin qubit with coherence limited by charge noise and fidelity higher than 99.9%
Yoneda Jun, Takeda Kenta, Otsuka Tomohiro, Nakajima Takashi, Delbecq Matthieu R., Allison Giles, Honda Takumu, Kodera Tetsuo, Oda Shunri, Hoshi Yusuke, Usami Noritaka, Itoh Kohei M., Tarucha Seigo
NATURE NANOTECHNOLOGY 13 巻 ( 2 ) 頁: 102 - + 2018年2月
Alternative simple method to realize p-type BaSi2 thin films for Si heterojunction solar cell applications
Takahashi Kazuma, Nakagawa Yoshihiko, Hara Kosuke O., Takahashi Isao, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
MRS ADVANCES 3 巻 ( 25 ) 頁: 1435-1442 2018年
Fabrication of silicon nanowire based solar cells using TiO2/Al2O3 stack thin films
Kurokawa Yasuyoshi, Nezasa Ryota, Kato Shinya, Miyazaki Hisashi, Takahashi Isao, Usami Noritaka
MRS ADVANCES 3 巻 ( 25 ) 頁: 1419-1426 2018年
Suppression of Near-interface Oxidation in Thermally-evaporated BaSi2 Films and Its Effects on Preferred Orientation and the Rectification Behavior of n-BaSi2/p(+)-Si Diodes
Hara Kosuke O., Arimoto Keisuke, Yamanaka Junji, Nakagawa Kiyokazu, Usami Noritaka
MRS ADVANCES 3 巻 ( 25 ) 頁: 1387-1392 2018年
Local Structure of High Performance TiOx Passivating Layer Revealed by Electron Energy Loss Spectroscopy
Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Ohta Akio, Kurokawa Yasuyoshi, Miyazaki Seiichi, Yamamoto Takahisa, Usami Noritaka
2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC) 頁: 3896-3899 2018年
Photoresponsivity improvement of BaSi2 epitaxial films by capping with hydrogenated amorphous Si layers by radio-frequency H-2 plasma
Xu Zhihao, Gotoh Kazuhiro, Deng Tianguo, Sato Takuma, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Suemasu Takashi
2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC) 頁: 1871-1873 2018年
Evaluation of Si Nanowire MOS Capacitor Using High-k Dielectric Materials
Nezasa R., Kurokawa Y., Usami N.
2018 IEEE 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE-NANO) 頁: . 2018年
Development of the Passivation Layer For P-type CuI Thin Film Fabricated by the 2-step Method as the Novel Hole Selective Contact of Silicon Heterojunction Solar Cells
Cui Min, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC) 頁: 2118-2120 2018年
Deposition and Characterization of Si Quantum Dot Multilayers Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition using SiH4 and CO2 Gases
Akaishi Ryushiro, Kitazawa Kouhei, Ono Satoshi, Gotoh Kazuhiro, Ichihara Eiji, Kato Shinya, Usami Noritaka, Kurokawa Yasuyoshi
2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC) 頁: 2852-2856 2018年
Controllable Optical and Electrical Properties of Nb Doped TiO2 Films by RF Sputtering
Cheng Xuemei, Gotoh Kazuhiro, Mochizuki Takeya, Usami Noritaka
2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC) 頁: 1986-1990 2018年
Application of light trapping structure using Ge dot mask by alkaline etching to heterojunction solar cell
Hombe Atsushi, Kurokawa Yasuyoshi, Gotoh Kazuhiro, Usami Noritaka
2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC) 頁: 3097-3101 2018年
Investigation on the origin of preferred a-axis orientation of BaSi2 films deposited on Si(100) by thermal evaporation
Hara Kosuke O., Yamamoto Chiaya, Yamanaka Junji, Arimoto Keisuke, Nakagawa Kiyokazu, Usami Noritaka
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 72 巻 頁: 93-98 2017年12月
Thermal stability of compressively strained Si/relaxed Si1-xCx heterostructures formed on Ar ion implanted Si (100) substrates
Y. Arisawa, Y. Hoshi, K. Sawano, J. Yamanaka, K. Arimoto, C. Yamamoto, and N. Usami
Materials Science in Semiconductor Processing ( 70 ) 頁: 127-132 2017年11月
Investigation on the origin of preferred a-axis orientation of BaSi2 films deposited on Si(100) by thermal evaporation
K. O. Hara, C. Yamamoto, J. Yamanaka, K. Arimoto, K. Nakagawa, and N. Usami
Materials Science in Semiconductor Processing ( 72 ) 頁: 93-98 2017年10月
Boron-doped p-BaSi2/n-Si solar cells formed on textured n-Si(001) with a pyramid structure consisting of {111} facets
Deng Tianguo, Gotoh Kazuhiro, Takabe Ryota, Xu Zhihao, Yachi Suguru, Yamashita Yudai, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Suemasu Takashi
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 475 巻 頁: 186-191 2017年10月
Growth of strained Si/relaxed SiGe heterostructures on Si(110) substrates using solid-source molecular beam epitaxy
K. Arimoto, H. Nakazawa, S. Mitsui, N. Utsuyama, J. Yamanaka, K. O. Hara, N. Usami, and K. Nakagawa
Semiconductor Science and Technology ( 32 ) 頁: 114002 2017年9月
Fabrication of BaSi2 thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source
Hara Kosuke O., Cham Thi Trinh, Kurokawa Yasuyoshi, Arimoto Keisuke, Yamanaka Junji, Nakagawa Kiyokazu, Usami Noritaka
THIN SOLID FILMS 636 巻 頁: 546-551 2017年8月
Formation of metastable cubic phase in SnS thin films fabricated by thermal evaporation
K. O. Hara, S. Suzuki, N. Usami
Thin Solid Films ( 639 ) 頁: 7-11 2017年8月
Effects of surface morphology randomness on optical properties of Si-based photonic nanostructures
Kurokawa Yasuyoshi, Aonuma Osamu, Tayagaki Takeshi, Takahashi Isao, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 8 ) 2017年8月
Effect of Surface Morphology Randomness on Optical Properties of Si-based Photonic Nanostructures 査読有り
Y. Kurokawa, O. Aonuma, T. Tayagaki ,I. Takahashi, and N. Usami
Jpn. J. Appl. Phys. ( 56 ) 頁: 08MA02 2017年7月
Effect of ALD-Al2O3 Passivated Silicon Quantum Dot Superlattices on p/i/n+ Solar Cells
M. M. Rahman, Yi-Chia Tsai, Ming-Yi Lee, A. Higo, Yiming Li, Y. Hoshi, N. Usami, and S. Samukawa
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 64 巻 頁: 7 2017年7月
Effect of ALD-Al2O3 Passivated Silicon Quantum Dot Superlattices on p/i/n(+) Solar Cells
Rahman Mohammad Maksudur, Tsai Yi-Chia, Lee Ming-Yi, Higo Akio, Li Yiming, Hoshi Yusuke, Usami Noritaka, Samukawa Seiji
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 64 巻 ( 7 ) 頁: 2886-2892 2017年7月
On the growth mechanism of multicrystalline silicon ingots with small grains fabricated using single-layer silicon beads
Muramatsu Tetsurou, Takahashi Isao, Babu G. Anandha, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 7 ) 2017年7月
Fabrication of BaSi2 thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source
K. O. Hara, C. T. Trinh. Y. Kurokawa; K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, and N. Usami
Thin Solid Films ( 646 ) 頁: 546-551 2017年6月
Boron-doped p-BaSi2/n-Si solar cells formed on textured n-Si(001) with a pyramid structure consisting of {111} facets
T. Deng, K. Gotoh, R. Takabe, Z. Xu, S. Yachi, Y. Yamashita, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu
Journal of Crystal Growth ( 475 ) 頁: 186-191 2017年6月
Study on ion implantation conditions in fabricating compressively strained Si/relaxed Si1-xCx heterostructures using the defect control by ion implantation technique
Y. Arisawa, K. Sawano, and N. Usami
Journal of Crystal Growth 468 巻 頁: 601-604 2017年6月
Controlling impurity distributions in crystalline Si for solar cells by using artificial designed defects
Hayama Yusuke, Takahashi Isao, Usami Noritaka
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 468 巻 頁: 610 - 613 2017年6月
Towards optimized nucleation control in multicrystalline silicon ingot for solar cells
G.A.Babu, I.Takahashi, T.Muramatsu, and N.Usami
Journal of Crystal Growth 468 巻 頁: 620-624 2017年6月
Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si(110) grown by gas source MBE
K.Arimoto, S.Yagi, J.Yamanaka, K.O.Hara, K.Sawano, N.Usami, and K.Nakagawa
Journal of Crystal Growth 468 巻 頁: 625-629 2017年6月
Controlling Impurity Distribution in Quasi-mono Crystalline Si Ingot by Seed Manipulation for Artificially Controlled Defect Technique
Y. Hayama, I. Takahashi, and N. Usami
Energy Procedia 127 巻 頁: 610-613 2017年6月
On the growth mechanism of multicrystalline silicon ingots with small grains by using single layer silicon beads
T. Muramatsu, I. Takahashi, G. Anandha babu, and N. Usami
Japanese Journal of Applied Physics ( 56 ) 頁: 075502 2017年6月
Effects of grain boundary structure controlled by artificially designed seeds on dislocation generation
T. Iwata, I. Takahashi, and N. Usami
Japanese Journal of Applied Physics ( 56 ) 頁: 075501 2017年6月
Minority-carrier lifetime and photoresponse properties of B-doped p-BaSi2, a potential light absorber for solar cells
Bayu M. Emha, Cham Thi Trinh, Takabe Ryota, Yachi Suguru, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Suemasu Takashi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 5 ) 2017年5月
Growth of BaSi2 film on Ge(100) by vacuum evaporation and its photoresponse properties
Cham Thi Trinh, Nakagawa Yoshihiko, Hara Kosuke O., Kurokawa Yasuyoshi, Takabe Ryota, Suemasu Takashi, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 5 ) 2017年5月
Growth of BaSi2 film on Ge(100) by vacuum evaporation and its photoresponse properties 査読有り
C. T. Trinh, Y. Nakagawa, K. O. Hara, Y. Kurokawa, R. Takabe, T. Suemasu, and N. Usami
Jpn. J. Appl. Phys. ( 56 ) 頁: 05DB06 2017年4月
Postannealing effects on undoped BaSi2 evaporated films grown on Si substrates 査読有り
T. Suhara, K. Murata, A. Navabi, K. O. Hara, Y. Nakagawa, C. T. Trinh, Y. Kurokawa, T. Suemasu, K. L. Wang, and N. Usami
Jpn. J. Appl. Phys. ( 56 ) 頁: 05DB05 2017年4月
Investigation of p-type emitter layer materials for heterojunction barium disilicide thin film solar cells 査読有り
K. Takahashi, Y. Nakagawa, K. O. Hara, Y. Kurokawa, and N. Usami
Jpn. J. Appl. Phys. ( 56 ) 頁: 05DB04 2017年4月
Post-annealing effects on the surface structure and carrier lifetime of evaporated BaSi2 films
Hara Kosuke O., Cham Thi Trinh, Kurokawa Yasuyoshi, Arimoto Keisuke, Yamanaka Junji, Nakagawa Kiyokazu, Usami Noritaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 4 ) 2017年4月
Impact of anodic aluminum oxide fabrication and post-deposition anneal on the effective carrier lifetime of vertical silicon nanowires
V. H. Nguyen, P. Sichanugrist, S. Kato, and N. Usami
Solar Energy Materials and Solar Cells 166 巻 頁: 39-44 2017年3月
Post-annealing effects on the surface structure and carrier lifetime of evaporated BaSi2 films 査読有り
K. O. Hara, C. T. Trinh, Y. Kurokawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, and N. Usami
Japanese Journal of Applied Physics 56 巻 頁: 04CS07 2017年3月
Minority-carrier lifetime and photoresponse properties of B-doped p-BaSi2, a potential light absorber for solar cells 査読有り
M. E. Bayu, C. T. Trinh, R. Takabe, S. Yachi, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu
Jpn. J. Appl. Phys. ( 56 ) 頁: 05DB01 2017年2月
Optical characterization of double-side-textured silicon wafer based on photonic nanostructures for thin-wafer crystalline silicon solar cells 査読有り
T.Tayagaki, D.Furuta, O.Aonuma, I.Takahashi, Y.Hoshi, Y.Kurokawa, and N.Usami
Japanese Journal of Applied Physics 56 巻 頁: 04CS01 2017年1月
Exploring the potential of semiconducting BaSi2 for thin-film solar cell applications
Suemasu Takashi, Usami Noritaka
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 50 巻 ( 2 ) 頁: 1-18 2017年1月
TEM and STEM Observations of a Flat Continuous Silicon-Germanium Thin Film Epitaxially Grown on Porous Silicon 査読有り
J. Yamanaka, N. Usami, S. Amtablian, A. Fave, M. Lemiti, C. Yamamoto, and K. Nakagawa
Journal of Materials Science and Chemical Engineering 5 巻 頁: 26-34 2017年1月
Preferred Orientation of BaSi2 Thin Films Fabricated by Thermal Evaporation
K. O. Hara, C. T. Trinh, Y. Nakagawa, Y. Kurokawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, and N. Usami
JJAP Conference Proceedings ( 5 ) 頁: 11202 2017年
Realization of Crystalline BaSi2 Thin Films by Vacuum Evaporation on (111)-oriented Si Layers Fabricated by Aluminum Induced Crystallization
J. A. Wibowo, I. Takahashi, K. O. Hara, and N. Usami
JJAP Conference Proceedings ( 5 ) 頁: 11201 2017年
Controlling impurity distributions in crystalline Si for solar cells by using artificial designed defects
Y.Hayama, I.Takahashi, and N.Usami
Journal of Crystal Growth 468 巻 頁: 625-629 2017年
Selective Etching of Si, SiGe, Ge and Its Usage for Increasing the Efficiency of Silicon Solar Cells
N.A. Baidakova, V.A. Verbus, E.E. Morozova, A.V. Novikov, E.V. Skorohodov, M.V. Shaleev, D.V. Yurasov, A. Hombe, Y. Kurokawa, and N. Usami
Semiconductors 51 巻 ( 12 ) 頁: 1542-1546 2017年
Development of Spin-coated Copper Iodide Film on Silicon for Use in Hole-selective Contacts
K. Gotoh, M. Cui, I. Takahashi, Y. Kurokawa, and N. Usami
Energy Procedia 124 巻 頁: 598-603 2017年
Controlling impurity distribution in quasi-mono crystalline Si ingot by seed manipulation for artificially controlled defects technique
Hayama Yusuke, Takahashi Isao, Usami Noritaka
7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON PHOTOVOLTAICS, SILICONPV 2017 124 巻 頁: 734-739 2017年
Development of spin-coated copper iodide on silicon for use in hole-selective contacts
Gotoh Kazuhiro, Cui Min, Takahashi Isao, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka
7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON PHOTOVOLTAICS, SILICONPV 2017 124 巻 頁: 598-603 2017年
Fabrication of CuI/a-Si:H/c-Si Structure for Application to Hole-selective Contacts of Heterojunction Si Solar Cells
Gotoh Kazuhiro, Cui Min, Thanh Nguyen Cong, Koyama Koichi, Takahashi Isao, Kurokawa Yasuyoshi, Matsumura Hideki, Usami Noritaka
2017 IEEE 44TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC) 頁: 1765-1768 2017年
Solar Cells Application of p-type poly-Si Thin Film by Aluminum Induced Crystallization
Masuda Shota, Gotoh Kazuhiro, Takahashi Isao, Nakamura Kyotaro, Ohshita Yoshio, Usami Noritaka
2017 IEEE 44TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC) 頁: 1794-1796 2017年
Exploring the Potential of Semiconducting BaSi2 for Thin-Film Solar Cell Applications 査読有り
T. Suemasu and N. Usami
Journal of Physics D: Applied Physics 50 巻 頁: 023001 2016年11月
Effects of the Si/Al layer thickness on the continuity, crystalline orientation and the growth kinetics of the poly-Si thin films formed by aluminum-induced crystallization
S.Tutashkonko, N.Usami
Thin Solid Films 616 巻 頁: 213-219 2016年10月
Growth direction control of dendrite crystals in parallel direction to realize high-quality multicrystalline silicon ingot
T.Hiramatsu, I.Takahashi, S.Matsushima, and N.Usami
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 頁: 091302 2016年8月
Light-induced recovery of effective carier lifetime in boron-doped Czochralski silicon at room temperature 査読有り
H.Ichikawaa, I.Takahashi, N.Usami, K.Shirasawa, H.Takato
Energy Procedia 92 巻 頁: 801-807 2016年8月
Photoresponse properties of BaSi2 film grown on Si (100) by vacuum evaporation .
C.T.Trinh, Y.Nakagawa, K.O.Hara, R.Takabe, T.Suemasu, and N.Usami
Materials Research Express 3 巻 ( 7 ) 頁: 076204 2016年7月
Evidence for efficient passivation of vertical silicon nanowires by anodic aluminum oxide
V.H.Nguyen, S.Kato, and N.Usami
Solar Energy Materials and Solar Cells 157 巻 頁: 393-398 2016年7月
Effect of grain boundary character of multicrystalline Si on external and internal (phosphorus) gettering of impurities 査読有り
S.Joonwichien, I.Takahashi, K.Kutsukake, and N.Usami
PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS: RESEARCH AND APPLICATIONS 2016年5月
p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells with conversion efficiency reaching 9.0%
D.Tsukahara, S.Yachi, H.Takeuchi, R.Takabe, W.Du, M.Baba, Y.Li, K.Toko, N.Usami, and T.Suemasu
APPLIED PHYSICS LETTERS 108 巻 頁: 152101 2016年4月
Modulated surface nanostructures for enhanced light trapping and reduced surface reflection of crystalline silicon solar cells 査読有り
T.Tayagaki, Y.Hoshi, Y.Hirai, Y.Matsuo, and N.Usami
Japanese Journal of Applied Physics ( 55 ) 頁: 52302 2016年4月
Simple vacuum evaporation route to BaSi2 thin films for solar cell applications 査読有り
K.O.Hara, Y.Nakagawa, T.Suemasu, and N. Usami
Energy Procedia 141 巻 頁: 27-31 2016年3月
On the mechanism of BaSi2 thin film formation on Si substrate by vacuum evaporation 査読有り
Y.Nakagawaa, K.O.Hara, T.Suemasu, and N.Usami
Energy Procedia 141 巻 頁: 23-26 2016年3月
Improved multicrystalline silicon ingot quality using single layer silicon beads coated with silicon nitride as seed layer
G.Anandha babu, I.Takahashi, S.Matsushima, and N.Usami
Journal of Crystal Growth 441 巻 頁: 124-130 2016年2月
Effect of passivation layer grown by atomic layer deposition and sputtering processes on Si quantum dot superlattice to generate high photocurrent for high-efficiency solar cells
M.M.Rahman, A.Higo, H.Sekhar, M.E.Syazwan, Y.Hoshi, N.Usami, and S.Samukawa
Japanese Journal of Applied Physics ( 55 ) 頁: 032303 2016年2月
Control of electrical properties of BaSi2 thin films by alkali-metal doping using alkali-metal fluorides 査読有り
K.O.Hara, W.Du, K.Arimoto, J.Yamanaka, K.Nakagawa, K.Toko, T. Suemasu, and N.Usami
Thin Solid Films 603 巻 頁: 218-223 2016年2月
Compressively strained Si/Si1_xCx heterostructures formed on Ar ion implanted Si(100) substrates 査読有り
Y.Hoshi, Y.Arisawa, K. Arimoto, J.Yamanaka, K.Nakagawa, K.Sawano, and N.Usami
Japanese Journal of Applied Physics 55 巻 頁: 031302 2016年2月
Impact of silicon quantum dot super lattice and quantum well structure as intermediate layer on p-i-n silicon solar cells
M.M.Rahman, M-Y, Lee, Y-C,Tsai, A. Higo, H.Sekhar, M.Igarashi, M.E.Syazwan, Y.Hoshi, K.Sawano, N.Usami, Y.Li, and S.Samukawa
PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS ( 28 ) 頁: 774-780 2015年12月
Structural and electrical characterizations of crack-free BaSi2 thin filmsfabricated by thermal evaporation
K.O.Hara, J.Yamanaka, K. Arimoto, K.Nakagawa, T.Suemasu, N.Usami
Thin Solid Films 595 巻 頁: 68-72 2015年10月
Seed manipulation for artificially controlled defect technique in new growth method for quasi-monocrystalline Si ingot based on casting 査読有り
I.Takahashi, S.Joonwichien, T.Iwata, and N.Usami
Applied Physics Express 8 巻 頁: 105501 2015年9月
Selective growth of vertical silicon nanowire array guided by anodic aluminum oxide template 査読有り
V.H.Nguyen, Y.Hoshi, N.Usami, M.Konagai
Japanese Journal of Applied Physics 54 巻 頁: 095003 2015年8月
Comparison of phosphorus gettering effect in faceted dendrite and small grain of multicrystalline silicon wafers grown by floating cast method 査読有り
S.Joonwichien, I.Takahashi, S.Matsushima, N.Usami
Japanese Journal of Applied Physics 54 巻 頁: 08KD11 2015年7月
Application of heterojunction to Si-based solar cells using photonic nanostructures coupled with vertically aligned Ge quantum dots 査読有り
I.Takahashi, Y.Hoshi, T.Tayagaki, T.Oikawa, K.Ohdaira, N.Usami
Japanese Journal of Applied Physics 54 巻 頁: 08KA06 2015年7月
Fabrication of single-phase BaSi2 thin films on silicon substrates by vacuumevaporation for solar cell applications 査読有り
Y.Nakagawa, K.O.Hara, T.Suemasu, N.Usami
Japanese Journal of Applied Physics 54 巻 頁: 08KC03 2015年7月
Effect of Anodization Process of Aluminum Oxide Template on Selective Growth of Si Nanowires 査読有り
V.H.Nguyen, S.Tutashkonko, Y.Hoshi, N.Usami
Japanese Journal of Applied Physics 54 巻 頁: 08KA02 2015年6月
Geometry in Si-based photonic nanostructures coupled with Ge quantum dot multilayers and its impact on optical properties 査読有り
O.Aonuma, Y.Hoshi, T.Tayagaki, A.Novikov, D.Yurasov, N.Usami
Japanese Journal of Applied Physics 54 巻 頁: 08KA01 2015年6月
Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (0001¯) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
K.Shojiki, J-H.Choi, T.Iwabuchi, N.Usami, T.Tanikawa, S.Kuboya, T.Hanada, R.Katayama, T.Matsuoka
Applied Physics Letters 106 巻 頁: 222102 2015年6月
Relationship between dislocation density and contact angle of dendrite crystals in practical size silicon ingot
I.Takahashi, S.Joonwichien, S.Matsushima, N.Usami
Journal of Applied Physics ( 117 ) 頁: 095701 2015年3月
Realization of single-phase BaSi2 films by vacuum evaporation with suitable optical properties and carrier lifetime for solar cell applications 査読有り
K.O.Hara, Y.Nakagawa, T.Suemasu, N.Usami
Japanese Journal of Applied Physics 54 巻 頁: 07JE02 2015年3月
Cross-sectional potential profile across a BaSi2 pn junction by Kelvin probe force microscopy
D.Tsukahara, M.Baba, K.Watanabe, T.Kimura, K.O.Hara, W.Du, N.Usami, K.Toko, T.Sekiguchi, T.Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 54 巻 ( 3 ) 頁: 030306 2015年3月
Cross-sectional potential profile across a BaSi2 pn junction by Kelvin probe force microscopy 査読有り
D.Tsukahara, M.Baba, K.Watanabe, T.Kimura, K.O.Hara, W.Du, N.Usami, K.Toko, T.Sekiguchi, T.Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 54 巻 頁: 030306 2015年2月
Absorption enhancement in nanotextured solar cells with Ge/Si heterostructures
T.Tayagaki, Y.Kishimoto, Y.Hoshi, N.Usami
Japanese Journal of Applied Physics ( 54 ) 頁: 04DR03 2015年1月
Influence of Substrate on Crystal Orientation of Large-Grained Si Thin Films Formed by Metal-Induced Crystallization 査読有り
K.Toko, M.Nakata, A.Okada, M.Sasase, N.Usami, T.Suemasu
INTERNATIONAL JOURNAL OF PHOTOENERGY ( 2015 ) 頁: 790242 2015年1月
バルク結晶成長のこの10年 査読有り
宇治原 徹, 島村清史, 宇佐美 徳隆, 太子 敏則, 樋口 幹雄, 吉村 政志
42 巻 ( 1 ) 頁: pp.64-68 2015年
Light trapping by direction-dependent light transmission in front-surface photonic nanostructures
T.Tayagaki, Y.Kishimoto, Y.Hoshi, N.Usami
Applied Physics Express 7 巻 頁: 122301 2014年11月
Simulation study of Ge/Si heterostructured solar cells yielding improved open-circuit voltage and quantum efficiency
T.Tayagaki, Y.Kishimoto, Y.Hoshi, I.Takahashi, N.Usami
Japanese Journal of Applied Physics ( 53 ) 頁: 110312 2014年10月
Potential variations around grain boundaries in impurity-doped BaSi2 epitaxial films evaluated by Kelvin probe force microscopy
D.Tsukahara, M.Baba, S.Honda, Y.Imai, K.O.Hara, N.Usami, K.Toko, J.H.Werner, T.Suemasu
D.Tsukahara, M.Baba, S.Honda, Y.Imai, K.O.Hara, N.Usami, K.Toko, J.H.Werner, T.Suemasu 116 巻 頁: 123709 2014年9月
Towards implementation of floating cast method for growing large-scale high-quality multicrystalline silicon ingot using designed double crucibles
S.Joonwichien, I.Takahashi, S.Matsushima, N.Usami
PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS: RESEARCH AND APPLICATIONS ( 22 ) 頁: 726-732 2014年7月
Evaluation of minority carrier diffusion length of undoped n-BaSi2 epitaxial thin films on Si(001) substrates by electron-beam-induced-current technique
M.Baba, K.Watanabe, K.O.Hara, K.Toko, T.Sekiguchi, N.Usami, T.Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics ( 53 ) 頁: 078004 2014年6月
Analysis of the electrical properties of Cr/n-BaSi2 Schottky junction and n-BaSi2/p-Si heterojunction diodes for solar cell applications
W.D, M.Baba, K.Toko, K.Kosuke, K.Watanabe, T.Sekiguchi, N.Usami, T.Suemasu
Journal of Applied Physics 115 巻 頁: 223701 2014年6月
Analysis of the electrical properties of Cr/n-BaSi2 Schottky junction and n-BaSi2/p-Si heterojunction diodes for solar cell applications
W.Du, M.Baba, K.Toko, K.O.Hara, K.Watanabe, T.Sekiguchi, N.Usami, T.Suemasu
Journal of Applied Physics 115 巻 頁: 223701 2014年6月
Influence of grain size and surface condition on minority-carrier lifetime in undoped n-BaSi2 on Si(111) 査読有り
R.Takabe, K.O.Hara, M.Baba, W.Du, N.Shimada, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu
( 115 ) 頁: 193510 2014年5月
Carrier extraction dynamics from Ge/Si quantum wells in Si solar cells
T.Tayagaki, Y.Hoshi, K.Ooi, T.Kiguchi, N.Usami
Thin Solid Films 557 巻 頁: 368-371 2014年4月
Control of geometry in Si-based photonic nanostructures formed by maskless wet etching process and its impact on optical properties
Y.Hoshi, T.Tayagaki, T.Kiguchi, N.Usami
Thin Solid Films 557 巻 頁: 338-341 2014年4月
Large-grained (111)-oriented Si/Al/SiO2 structures formed by diffusion-controlled Al-induced layer exchange
R.Numata, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu
Thin Solid Films 557 巻 頁: 147-150 2014年4月
Growth promotion of Al-induced crystallized Ge films on insulators by insertion of a Ge membrane below the Al layer
R.Numata, K.Toko, K.Nakazawa, N.Usami, T.Suemasu
Thin Solid Films 557 巻 頁: 143-146 2014年4月
N-type doping of BaSi2 epitaxial films by phosphorus ion implantation and thermal annealing
K.O.Hara, Y.Hoshi, N.Usami, Y.Shiraki, K.Nakamura, K.Toko, T.Suemasu
Thin Solid Films 557 巻 頁: 90-93 2014年4月
Selective formation of large-grained, (100)- or (111)-oriented Si on glass by Al-induced layer exchange
K.Toko, R.Numata, N.Saitoh, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu
Journal of Applied Physics 115 巻 ( 9 ) 頁: 094301 2014年3月
Formation process of Si3N4 particles on surface of Si ingots grown using silica crucibles with Si3N4 coating by noncontact crucible method
K.Nakajima, K.Morishita, R.Murai, N.Usami
Journal of Crystal Growth 389 巻 頁: 112-119 2014年3月
Orientation control of Ge thin films by underlayer-selected Al-induced crystallization
K.Toko, K.Nakazawa, N.Saitoh, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu
CrystEngComm 16 巻 ( 13 ) 頁: 2578-2583 2014年2月
Structural characterization of polycrystalline Ge thin films on insulators formed by diffusion-enhanced Al-induced layer exchange
R.Numata, K.Toko, N.Oya, N.Usami and T.Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 53 巻 頁: 04EH03 2014年2月
Al-induced crystallization of amorphous Ge thin films on conducting layer coated glass substrates
K.Nakazawa, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 53 巻 頁: 04EH01 2014年2月
Fabrication and characterization of BaSi2 epitaxial films over 1 mu m in thickness on Si(111) 査読有り
R.Takabe, K.Nakamura, M.Baba, W.Du, M.A.Khan, K.Toko, M.Sasase, K.Hara, N.Usami, T.Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 53 巻 頁: 04ER04 2014年2月
Enhanced photocarrier generation in large-scale photonic nanostructures fabricated from vertically aligned quantum dots
T.Tayagaki, Y.Hoshi, Y.Kishimoto, and N.Usami
Optics Express 22 巻 ( 52 ) 頁: A225-A232 2014年1月
Low-temperature (180 degrees C) formation of large-grained Ge (111) thin film on insulator using accelerated metal-induced crystallization
K.Toko, R.Numata, N.Oya, N.Fukata, N.Usami, T.Suemasu
Applied Physics Letters 104 巻 ( 2 ) 頁: 022106 2014年1月
Grazing-incidence small-angle X-ray scattering from Ge nanodots self-organized on Si(001) examined with soft X-rays
T.Yamamoto, H.Okuda, K.Takeshita, N.Usami, Y.Kitajima, H.Ogawa
Journal of Synchrotron Radiation 21 巻 頁: 161-164 2014年1月
Mono-Like Silicon Growth Using Functional Grain Boundaries to Limit Area of Multicrystalline Grains
K.kutsukake, N.Usami, Y.Ohno,Y.Tokumoto, I.Yonenaga
Ieee Journal of Photovoltaics 4 巻 ( 1 ) 頁: 84-87 2014年1月
Effect of Ge/Al thickness on Al-induced crystallization of amorphous Ge layers on glass substrates
K.Nakazawa, K.Toko, N.Saitoh, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu
physica status solidi © 10 巻 頁: 1781-1784 2013年12月
Epitaxial growth of BaSi2 films with large grains using vicinal Si(111) substrates
M.Baba, K.O.Hara, K.Toko, N.Saito, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu
physica status solidi © 10 巻 頁: 1756-1768 2013年12月
Investigation of the tunneling properties and surface morphologies of BaSi2/Si tunnel junctions for BaSi2 solar cell applications
W.Du, M.Baba, R.Takabe, N.Zhang, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu
physica status solidi © 10 巻 頁: 1765-1768 2013年12月
Fabrication of BaSi2 films on (111)-oriented Si layers formed by inverted Al-induced crystallization method on glass structure
R.Numata, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu
physica status solidi © 10 巻 頁: 1769-1772 2013年12月
Fabrication and characterizations of phosphorus-doped n-type BaSi2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy
R.Takabe, M.Baba, K.Nakamura, W.Du, M.A.Khan, S.Koike, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, T.Suemasu
physica status solidi © 10 巻 頁: 1753-1755 2013年12月
Mechanism of strain relaxation in BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates during post-growth annealing and application for film exfoliation
K.O.Hara, N.Usami, K.Nakamura, R.Takabe, M.Baba, K.Toko, T.Suemasu
physica status solidi © 10 巻 頁: 1677-1680 2013年11月
Determination of Bulk Minority-Carrier Lifetime in BaSi2 Earth-Abundant-Absorber Films by Utilizing a Drastic Enhancement of Carrier Lifetime by Post-Growth Annealing
K.O.Hara, N.Usami, K.Nakamura, R.Takabe, M.Baba, K.Toko, T.Suemasu
Applied Physics Express 6 巻 頁: 112302 2013年11月
Determination of Bulk Minority-Carrier Lifetime in BaSi2 Earth-Abundant Absorber Films by Utilizing a Drastic Enhancement of Carrier Lifetime by Post-Growth Annealing
K.O.Hara, N.Usami, K.Nakamura, R.Takabe, M.Baba, K.Toko, T.Suemasu
Applied Physics Express 6 巻 ( 11 ) 頁: 112302 2013年10月
Theory of open-circuit voltage and the driving force of charge separation in pn-junction solar cells
K.O.Hara, N.Usami
Journal of Applied Physics 114 巻 頁: 153101 2013年10月
Evaluation of potential variations around grain boundaries in BaSi2 epitaxial films by Kelvin probe force microscopy
M.Baba, S.Tsurekawa, K.Watanabe, W.Du, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, T.Sekiguchi, T.Suemasu
Applied Physics Letters 103 巻 頁: 142113 2013年9月
Investigation of the open-circuit voltage in solar cells doped with quantum dots
T.Tayagaki, Y.Hoshi, N.Usami
Scientific Reports 3 巻 頁: 2703 2013年9月
Control of Grain Boundary Propagation in Mono-Like Si: Utilization of Functional Grain Boundaries
K.Kutsukake, N.Usami, Y.Ohno, Y.Tokumoto, I.Yonenaga
Applied Physics Express 6 巻 頁: 025505 2013年9月
Effect of atomic-hydrogen irradiation on reduction of residual carrier concentration in β-FeSi2 films grown on Si substrates by atomic-hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
Y.Funase, M.Suzuno, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, N.Saito, N.Yoshizawa, T.Suemasu
Journal of Crystal Growth 378 巻 頁: 365-367 2013年9月
Enhancement of light emission from Ge quantum dots by photonic crystal nanocavities at room-temperature
XJ.Xu, N.Usami, T.Maruizumi, Y.Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 378 巻 頁: 636-639 2013年9月
On the origin of the uniaxial strain induced in Si/Ge heterostructures with selective ion implantation technique
K.Sawano, Y.Hoshi, S.Nagakura, K.Arimoto, K.Nakagawa, N.Usami, Y.Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 378 巻 頁: 251-253 2013年9月
Molecular beam epitaxy of boron doped p-type BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates for thin-film solar cells
M.A.Khan, K.O.Hara, K.Nakamura, W.J.Du, M.Baba, K.Toh, M.Suzuno, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 378 巻 頁: 201-204 2013年9月
Large photoresponsivity in semiconducting BaSi2 epitaxial films grown on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy
S.Koike, K.Toh, M.Baba, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, N.Saito, N.Yoshizawa, T.Suemasu
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 378 巻 頁: 198-200 2013年9月
Gas-source MBE growth of strain-relaxed Si1-xCx on Si(100) substrates
K.Arimoto, S.Sakai, H.Furukawa, J.Yamanaka, K.Nakagawa, N.Usami, Y.Hoshi, K.Sawano, Y.Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 378 巻 頁: 212-217 2013年9月
Formation of large-grain-sized BaSi2 epitaxial layers grown on Si(111) by molecular beam epitaxy
M.Baba, K.Toh, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, N.Saito, N.Yoshizawa, T.Suemasu
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 378 巻 頁: 193-197 2013年9月
Large-Grained Polycrystalline (111) Ge Films on Insulators by Thickness-Controlled Al-Induced Crystallization
K. Nakazawa, K. Toko, N. Saitoh, N.Usami and T. Suemasu
Ecs Journal of Solid State Science and Technology 2 巻 ( 11 ) 頁: Q195-Q199 2013年8月
Control of Dip Shape in Photonic Nanostructures by Maskless Wet-Etching Process and Its Impact on Optical Properties
Y.Hoshi, WG.Pan, T.Kiguchi, K.Ooi, T.Tayagaki, N.Usami
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 頁: UNSP 080202 2013年8月
Double-Layered Ge Thin Films on Insulators Formed by an Al-Induced Layer-Exchange Process
K.Toko, K.Nakazawa, N.Saitoh, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu
Crystal Growth & Design 13 巻 ( 9 ) 頁: 3908-3912 2013年7月
Temperature dependent Al-induced crystallization of amorphous Ge thin films on SiO2 substrates
K.Toko, N.Fukata, K.Nakazawa, M.Kurosawa, N.Usami, M.Miyao, T.Suemasu
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 372 巻 頁: 189-192 2013年6月
Effect of Ga content and growth temperature on Cu(In,Ga)Se2 thin film deposited on heat-resistant glass substrates
T.Higuchi, N.Usami, T.Minemoto
Phys.Status Solidi C 10 巻 頁: 1035-1037 2013年5月
Generation of high photocurrent in three-dimensional silicon quantum dot superlattice fabricated by combining bio-template and neutral beam etching for quantum dot solar cells
M.Igarashi, WG.Hu, M.M.Rahman, N.Usami, S.Samukawa
NANOSCALE RESEARCH LETTERS 8 巻 頁: 228 2013年5月
Structural study on phosphorus doping of BaSi2 epitaxial films by ion implantation
K.O.Hara, Y.Hoshi, N.Usami, Y.Shiraki, K.Nakamura, K.Toko, T.Suemasu,
THIN SOLID FILMS 534 巻 頁: 470-473 2013年5月
Effects of crystal defects and their interactions with impurities on electrical properties of multicrystalline Si
S.Joonwichien, S.Matsushima, N.Usami
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 113 巻 ( 13 ) 頁: 133503 2013年4月
Orientation Control of Large-Grained Si Films on Insulators by Thickness-Modulated Al-Induced Crystallization
R.Numata, K.Toko, N.Saitoh, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu
CRYSTAL GROWTH & DESIGN 13 巻 ( 4 ) 頁: 1767-1770 2013年4月
In-situ heavily p-type doping of over 10(20) cm(-3) in semiconducting BaSi2 thin films for solar cells applications
M.A.Khan, K.O.Hara, W.Du, M.Baba, K.Nakamura, M.Suzuno, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu
APPLIED PHYSICS LETTERS 102 巻 ( 11 ) 頁: 112107 2013年3月
Lattice and grain-boundary diffusions of boron atoms in BaSi2 epitaxial films on Si(111)
K. Nakamura, M. Baba, M. A. Khan, W. Du, M. Sasase, K. O. Hara, N. Usami, K. Toko and T. Suemasu
Journal of Applied Physics 113 巻 ( 5 ) 2013年2月
Control of Grain Boundary Propagation in Mono-Like Si: Utilization of Functional Grain Boundaries
K. Kutsukake, N. Usami, Y. Ohno, Y. Tokumoto and I. Yonenaga
Applied Physics Express 6 巻 ( 2 ) 2013年2月
On the growth mechanism of polycrystalline silicon thin film by Al-induced layer exchange process
N. Usami, M. N. Jung and T. Suemasu
Journal of Crystal Growth 362 巻 頁: 16-19 2013年1月
Effects of formation of mini-bands in two-dimensional array of silicon nanodisks with SiC interlayer for quantum dot solar cells
M. Igarashi, M. F. Budiman, W. G. Pan, W. G. Hu, Y. Tamura, M. E. Syazwan, N. Usami and S. Samukawa
Nanotechnology 24 巻 ( 1 ) 2013年1月
Formation of compressively strained Si/S1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy
K. Arimoto, H. Furukawa, J. Yamanaka, C. Yamamoto, K. Nakagawa, N. Usami, K. Sawano and Y. Shiraki
Journal of Crystal Growth 362 巻 頁: 276-281 2013年1月
Reflectance anisotropies of compressively strained Si grown on vicinal Si1-xCx(001)
R. E. Balderas-Navarro, N. A. Ulloa-Castillo, K. Arimoto, G. Ramirez-Melendez, L. F. Lastras-Martinez, H. Furukawa, J. Yamanaka, A. Lastras-Martinez, J. M. Flores-Camacho, N. Usami, D. Stifter and K. Hingerl
Applied Physics Letters 102 巻 ( 1 ) 2013年1月
Theory of open-circuit voltage and the driving force of charge separation in pn-junction solar cells
K.O. Hara, N.Usami
Journal of Applied Physics 114 巻 ( 15 ) 頁: 153101 2013年
Evaluation of potential variations around grain boundaries in BaSi2 epitaxial films by Kelvin probe force microscopy
M.Baba, S.Tsurekawa, K.Watanabe, W.Du, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, T.Sekiguchi and T.Suemasu
Applied Physics Letters 103 巻 頁: 142113 2013年
Silicon-Based Light-Emitting Devices Based on Ge Self-Assembled Quantum Dots Embedded in Optical Cavities
X. J. Xu, S. Narusawa, T. Chiba, T. Tsuboi, J. S. Xia, N. Usami, T. Maruizumi and Y. Shiraki
Ieee Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 18 巻 ( 6 ) 頁: 1830-1838 2012年12月
Influence of Thermal Annealing on the Carrier Extraction in Ge/Si Quantum Dot Solar Cells
T. Tayagaki, N. Usami and Y. Kanemitsu
Japanese Journal of Applied Physics 51 巻 ( 10 ) 2012年10月
Dependence of crystal orientation in Al-induced crystallized poly-Si layers on SiO2 insertion layer thickness
A. Okada, K. Toko, K. O. Hara, N. Usami and T. Suemasu
Journal of Crystal Growth 356 巻 頁: 65-69 2012年10月
Large-Grain Polycrystalline Silicon Films Formed through Flash-Lamp-Induced Explosive Crystallization
K. Ohdaira, K. Sawada, N. Usami, S. Varlamov and H. Matsumura
Japanese Journal of Applied Physics 51 巻 ( 10 ) 2012年10月
Realization of Large-Domain Barium Disilicide Epitaxial Thin Film by Introduction of Miscut to Si(111) Substrate
K. O. Hara, N. Usami, K. Toh, K. Toko and T. Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 51 巻 ( 10 ) 2012年10月
Investigation of the recombination mechanism of excess carriers in undoped BaSi2 films on silicon
K. O. Hara, N. Usami, K. Toh, M. Baba, K. Toko and T. Suemasu
Journal of Applied Physics 112 巻 ( 8 ) 2012年10月
Growth velocity and grain size of multicrystalline solar cell silicon
I. Brynjulfsen, K. Fujiwara, N. Usami and L. Amberg
Journal of Crystal Growth 356 巻 頁: 17-21 2012年10月
Epitaxy of Orthorhombic BaSi2 with Preferential In-Plane Crystal Orientation on Si(001): Effects of Vicinal Substrate and Annealing Temperature
K. Toh, K. O. Hara, N. Usami, N. Saito, N. Yoshizawa, K. Toko and T. Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 51 巻 ( 9 ) 2012年9月
Enhanced carrier extraction from Ge quantum dots in Si solar cells under strong photoexcitation
T. Tayagaki, N. Usami, W. G. Pan, Y. Hoshi, K. Ooi and Y. Kanemitsu
Applied Physics Letters 101 巻 ( 13 ) 2012年9月
Molecular Beam Epitaxy of BaSi2 Films with Grain Size over 4 mu m on Si(111)
M. Baba, K. Nakamura, W. J. Du, M. A. Khan, S. Koike, K. Toko, N. Usami, N. Saito, N. Yoshizawa and T. Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 51 巻 ( 9 ) 2012年9月
Highly (111)-oriented Ge thin films on insulators formed by Al-induced crystallization
K. Toko, M. Kurosawa, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, M. Miyao and T. Suemasu
Applied Physics Letters 101 巻 ( 7 ) 2012年8月
Quantum dot solar cells using 2-dimensional array of 6.4-nm-diameter silicon nanodisks fabricated using bio-templates and neutral beam etching
M. Igarashi, M. F. Budiman, W. G. Pan, W. G. Hu, N. Usami and S. Samukawa
Applied Physics Letters 101 巻 ( 6 ) 2012年8月
Silicon-based current-injected light emitting diodes with Ge self-assembled quantum dots embedded in photonic crystal nanocavities
X. J. Xu, T. Tsuboi, T. Chiba, N. Usami, T. Maruizumi and Y. Shiraki
Optics Express 20 巻 ( 13 ) 頁: 14714-14721 2012年6月
Investigation of grain boundaries in BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates using transmission electron microscopy and electron-beam-induced current technique
M. Baba, K. Toh, K. Toko, N. Saito, N. Yoshizawa, K. Jiptner, T. Sekiguchi, K. O. Hara, N. Usami and T. Suemasu
Journal of Crystal Growth 348 巻 ( 1 ) 頁: 75-79 2012年6月
Simultaneous enhanced photon capture and carrier generation in Si solar cells using Ge quantum dot photonic nanocrystals
N. Usami, W. G. Pan, T. Tayagaki, S. T. Chu, J. S. Li, T. H. Feng, Y. Hoshi and T. Kiguchi
Nanotechnology 23 巻 ( 18 ) 2012年5月
Room-Temperature Electroluminescence from Ge Quantum Dots Embedded in Photonic Crystal Microcavities
T. Tsuboi, X. J. Xu, J. S. Xia, N. Usami, T. Maruizumi and Y. Shiraki
Applied Physics Express 5 巻 ( 5 ) 2012年5月
Upper limit of two-dimensional hole gas mobility in strained Ge/SiGe heterostructures
T. Tanaka, Y. Hoshi, K. Sawano, N. Usami, Y. Shiraki and K. M. Itoh
Applied Physics Letters 100 巻 ( 22 ) 2012年5月
Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substrates
K. Toh, K. O. Hara, N. Usami, N. Saito, N. Yoshizawa, K. Toko and T. Suemasu
Journal of Crystal Growth 345 巻 ( 1 ) 頁: 16-21 2012年4月
Growth of multicrystalline Si ingots using noncontact crucible method for reduction of stress
K. Nakajima, R. Murai, K. Morishita, K. Kutsukake and N. Usami
Journal of Crystal Growth 344 巻 ( 1 ) 2012年4月
Effect of Phase Purity on Dislocation Density of Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Grown InN
T. Iwabuchi, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, H. Watanabe, N. Usami, R. Katayama and T. Matsuoka
Japanese Journal of Applied Physics 51 巻 ( 4 ) 2012年4月
Effect of Solid-Phase-Epitaxy Si Layers on Suppression of Sb Diffusion from Sb-Doped n(+)-BaSi2/p(+)-Si Tunnel Junction to Undoped BaSi2 Overlayers
W. J. Du, T. Saito, M. A. Khan, K. Toko, N. Usami and T. Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 51 巻 ( 4 ) 2012年4月
Improved photoresponsivity of semiconducting BaSi2 epitaxial films grown on a tunnel junction for thin-film solar cells
W. J. Du, M. Suzuno, M. A. Khan, K. Toh, M. Baba, K. Nakamura, K. Toko, N. Usami and T. Suemasu
Applied Physics Letters 100 巻 ( 15 ) 2012年4月
Structural Study of BF2 Ion Implantation and Post Annealing of BaSi2 Epitaxial Films
K. O. Hara, N. Usami, Y. Hoshi, Y. Shiraki, M. Suzuno, K. Toko and T. Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 50 巻 ( 12 ) 2011年12月
The effect of the presence of an Al-doped ZnO layer on the preferential crystal orientation of polycrystalline silicon thin films grown by an Al-induced layer exchange method
M. Jung, A. Okada, T. Saito, T. Suemasu and N. Usami
Journal of Ceramic Processing Research 12 巻 頁: S187-S192 2011年11月
Generation mechanism of dislocations and their clusters in multicrystalline silicon during two-dimensional growth
K. Kutsukake, T. Abe, N. Usami, K. Fujiwara, I. Yonenaga, K. Morishita and K. Nakajima
Journal of Applied Physics 110 巻 ( 8 ) 2011年10月
Formation mechanism of twin boundaries during crystal growth of silicon
K. Kutsukake, T. Abe, N. Usami, K. Fujiwara, K. Morishita and K. Nakajima
Scripta Materialia 65 巻 ( 6 ) 頁: 556-559 2011年9月
Line Width Dependence of Anisotropic Strain State in SiGe Films Induced by Selective Ion Implantation
Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, S. Nagakura, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki
Applied Physics Express 4 巻 ( 9 ) 2011年9月
Configuration and local elastic interaction of ferroelectric domains and misfit dislocation in PbTiO3/SrTiO3 epitaxial thin films
T. Kiguchi, K. Aoyagi, Y. Ehara, H. Funakubo, T. Yamada, N. Usami and T. J. Konno
Science and Technology of Advanced Materials 12 巻 ( 3 ) 2011年6月
Implementation of faceted dendrite growth on floating cast method to realize high-quality multicrsytalline Si ingot for solar cells
N. Usami, I. Takahashi, K. Kutsukake, K. Fujiwara and K. Nakajima
Journal of Applied Physics 109 巻 ( 8 ) 2011年4月
Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channels
K. Sawano, K. Toyama, R. Masutomi, T. Okamoto, K. Arimoto, K. Nakagawa, N. Usami and Y. Shiraki
Microelectronic Engineering 88 巻 頁: 465-468 2011年4月
In situ Observation of Polycrystalline Silicon Thin Films Grown Using Aluminum-Doped Zinc Oxide on Glass Substrate by the Aluminum-Induced Crystallization
M. Jung, A. Okada, T. Saito, T. Suemasu, C. Y. Chung, Y. Kawazoe and N. Usami
Japanese Journal of Applied Physics 50 巻 ( 4 ) 2011年4月
Impact of type of crystal defects in multicrystalline Si on electrical properties and interaction with impurities
I. Takahashi, N. Usami, H. Mizuseki, Y. Kawazoe, G. Stokkan and K. Nakajima
Journal of Applied Physics 109 巻 ( 3 ) 2011年2月
Pattern formation mechanism of a periodically faceted interface during crystallization of Si
M. Tokairin, K. Fujiwara, K. Kutsukake, H. Kodama, N. Usami and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 312 巻 ( 24 ) 頁: 3670-3674 2010年12月
A grazing incidence small-angle x-ray scattering analysis on capped Ge nanodots in layer structures
H. Okuda, M. Kato, K. Kuno, S. Ochiai, N. Usami, K. Nakajima and O. Sakata
Journal of Physics-Condensed Matter 22 巻 ( 47 ) 2010年12月
Impact of amorphous Ge thin layer at the amorphous Si/Al interface on Al-induced crystallization
H. Suzuki, N. Usami, A. Nomura, T. Shishido, K. Nakajima and T. Suemasu
Journal of Crystal Growth 312 巻 ( 22 ) 頁: 3257-3260 2010年11月
Direct bandgap measurements in a three-dimensionally macroporous silicon 9R polytype using monochromated transmission electron microscope
L. Gu, Y. Yu, W. Sigle, N. Usami, S. Tsukimoto, J. Maier, Y. Ikuhara and P. A. van Aken
Applied Physics Letters 97 巻 ( 21 ) 2010年11月
Room-temperature electroluminescence from Si microdisks with Ge quantum dots
J. S. Xia, Y. Takeda, N. Usami, T. Maruizumi and Y. Shiraki
Optics Express 18 巻 ( 13 ) 頁: 13945-13950 2010年6月
Growth mechanism of the Si < 110 > faceted dendrite
K. Fujiwara, H. Fukuda, N. Usami, K. Nakajima and S. Uda
Physical Review B 81 巻 ( 22 ) 2010年6月
Generation mechanism of dislocations during directional solidification of multicrystalline silicon using artificially designed seed
I. Takahashi, N. Usami, K. Kutsukake, G. Stokkan, K. Morishita and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 312 巻 ( 7 ) 頁: 897-901 2010年3月
Ion dose, energy, and species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique
Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki
Journal of Applied Physics 107 巻 ( 10 ) 2010年3月
Optical anisotropies of Si grown on step-graded SiGe(110) layers
R. E. Balderas-Navarro, L. F. Lastras-Martinez, K. Arimoto, R. Castro-Garcia, O. Villalobos-Aguilar, A. Lastras-Martinez, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima
Applied Physics Letters 96 巻 ( 9 ) 2010年3月
Formation of uniaxially strained SiGe by selective ion implantation technique
K. Sawano, Y. Hoshi, A. Yamada, Y. Hiraoka, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki
Thin Solid Films 518 巻 ( 9 ) 頁: 2454-2457 2010年2月
Relationship between grain boundary structures in Si multicrystals and generation of dislocations during crystal growth
N. Usami, R. Yokoyama, I. Takahashi, K. Kutsukake, K. Fujiwara and K. Nakajima
Journal of Applied Physics 107 巻 ( 1 ) 2010年1月
Ion energy and dose dependence of strain relaxation for thin SiGe buffer layers using Si+ implantation
Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, K. Arimoto, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki
Thin Solid Films 518 巻 頁: S162-S164 2010年1月
Computational Investigation of Relationship between Shear Stress and Multicrystalline Structure in Silicon
I. Takahashi, N. Usami, K. Kutsukake, K. Morishita and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics 49 巻 ( 4 ) 2010年
Lattice-Latching Effect in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth of InGaAsN Film Lattice-Matched to Bulk InGaAs Substrate
S. Sanorpim, R. Katayama, K. Onabe, N. Usami and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics 49 巻 ( 4 ) 2010年
Fabrication of n(+)-BaSi2/p(+)-Si Tunnel Junction on Si(111) Surface by Molecular Beam Epitaxy for Photovoltaic Applications
T. Saito, Y. Matsumoto, M. Suzuno, M. Takeishi, R. Sasaki, T. Suemasu and N. Usami
Applied Physics Express 3 巻 ( 2 ) 2010年
Epitaxial Growth and Photoresponse Properties of BaSi2 Layers toward Si-Based High-Efficiency Solar Cells
Y. Matsumoto, D. Tsukada, R. Sasaki, M. Takeishi, T. Saito, T. Suemasu, N. Usami and M. Sasase
Japanese Journal of Applied Physics 49 巻 2010年
On the Controlling Mechanism of Preferential Orientation of Polycrystalline-Silicon Thin Films Grown by Aluminum-Induced Crystallization
M. Jung, A. Okada, T. Saito, T. Suemasu and N. Usami
Applied Physics Express 3 巻 ( 9 ) 2010年
Growth behavior of faceted Si crystals at grain boundary formation
K. Fujiwara, S. Tsumura, M. Tokairin, K. Kutsukake, N. Usami, S. Uda and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 312 巻 ( 1 ) 頁: 19-23 2009年12月
Formation mechanism of a faceted interface: In situ observation of the Si(100) crystal-melt interface during crystal growth
M. Tokairin, K. Fujiwara, K. Kutsukake, N. Usami and K. Nakajima
Physical Review B 80 巻 ( 17 ) 2009年11月
Growth of Compositionally Graded SiGe Bulk Crystal and Its Application As Substrate with Lateral Variation in Ge Content
R. Nihei, N. Usami and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics 48 巻 ( 11 ) 2009年11月
Strain relaxation mechanisms in compositionally uniform and step-graded SiGe films grown on Si(110) substrates
K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima
Solid-State Electronics 53 巻 ( 10 ) 頁: 1135-1143 2009年10月
Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures
K. Sawano, K. Toyama, R. Masutomi, T. Okamoto, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 95 巻 2009年9月
Fabrication of (111)-oriented Si layers on SiO2 substrates by an aluminum-induced crystallization method and subsequent growth of semiconducting BaSi2 layers for photovoltaic application
D. Tsukada, Y. Matsumoto, R. Sasaki, M. Takeishi, T. Saito, N. Usami and T. Suemasu
Journal of Crystal Growth 311 巻 ( 14 ) 頁: 3581-3586 2009年7月
Microstructures of Si multicrystals and their impact on minority carrier diffusion length
H. Y. Wang, N. Usami, K. Fujiwara, K. Kutsukake and K. Nakajima
Acta Materialia 57 巻 ( 11 ) 頁: 3268-3276 2009年6月
Photoresponse Properties of Polycrystalline BaSi2 Films Grown on SiO2 Substrates Using (111)-Oriented Si Layers by an Aluminum-Induced Crystallization Method
D. Tsukada, Y. Matsumoto, R. Sasaki, M. Takeishi, T. Saito, N. Usami and T. Suemasu
Applied Physics Express 2 巻 ( 5 ) 2009年5月
Generation and Wavelength Control of Resonant Luminescence from Silicon Photonic Crystal Microcavities with Ge Dots
J. Xia, R. Tominaga, S. Fukamitsu, N. Usami and Y. Shiraki
Japanese Journal of Applied Physics 48 巻 ( 2 ) 2009年2月
Quantitative analysis of subgrain boundaries in Si multicrystals and their impact on electrical properties and solar cell performance
K. Kutsukake, N. Usami, T. Ohtaniuchi, K. Fujiwara and K. Nakajima
Journal of Applied Physics 105 巻 ( 4 ) 2009年2月
Floating cast method to realize high-quality Si bulk multicrystals for solar cells
Y. Nose, I. Takahashi, W. Pan, N. Usami, K. Fujiwara and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 311 巻 ( 2 ) 頁: 228-231 2009年1月
Resonant photoluminescence from Ge self-assembled dots in optical microcavities
J. S. Xia, R. Tominaga, N. Usami, S. Iwamoto, Y. Ikegami, K. Nemoto, Y. Arakawa and Y. Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311 巻 頁: 883-887 2009年
Local control of strain in SiGe by ion-implantation technique
K. Sawano, Y. Hoshi, Y. Hiraoka, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311 巻 ( 3 ) 頁: 806-808 2009年
Fabrication of thin strain-relaxed SiGe buffer layers with high Ge composition by ion implantation method
Y. Hoshi, K. Sawano, Y. Hiraoka, Y. Sato, Y. Ogawa, A. Yamada, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311 巻 ( 3 ) 頁: 825-828 2009年
Structural and transport properties of strained SiGe grown on V-groove patterned Si(110) substrates
K. Arimoto, G. Kawaguchi, K. Shimizu, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami, K. Nakajima, K. Sawano and Y. Shiraki
J. Cryst. Growth 311 巻 頁: 814-818 2009年
Strain relaxation mechanisms in step-graded SiGe/Si(110) heterostructures grown by gas-source MBE at high temperatures
K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami, K. Nakajima, K. Sawano and Y. Shiraki
J. Cryst. Growth 311 巻 頁: 819-824 2009年
Crystalline morphologies of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (110) Si substrates
K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima
J. Cryst. Growth 311 巻 頁: 809-813 2009年
Influence of growth temperature and cooling rate on the growth of Si epitaxial layer by dropping-type liquid phase epitaxy from the pure Si melt
Z. M. Wang, K. Kutsukake, H. Kodama, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Nose and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 310 巻 ( 24 ) 頁: 5248-5251 2008年12月
Impact of Defect Density in Si Bulk Multicrystals on Gettering Effect of Impurities
I. Takahashi, N. Usami, R. Yokoyama, Y. Nose, K. Kutuskake, K. Fuilwara and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics 47 巻 ( 12 ) 頁: 8790-8792 2008年12月
Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation
K. Sawano, Y. Hoshi, A. Yamada, Y. Hiraoka, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki
Applied Physics Express 1 巻 ( 12 ) 2008年12月
Room-temperature light-emission from Ge quantum dots in photonic crystals
J. Xia, K. Nemoto, Y. Ikegami, N. Usami, Y. Nakata and Y. Shiraki
Thin Solid Films 517 巻 ( 1 ) 頁: 125-127 2008年11月
Application of SiGe bulk crystal as a substrate for strain-controlled heterostructure materials
N. Usami, R. Nihei, Y. Azuma, I. Yonenaga, K. Nakajima, K. Sawano and Y. Shiraki
Thin Solid Films 517 巻 ( 1 ) 頁: 14-16 2008年11月
Characterizations of polycrystalline SiGe films on SiO2 grown by gas-source molecular beam deposition
M. Mitsui, M. Tamoto, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, T. Sato, N. Usami, K. Sawano and Y. Shiraki
Thin Solid Films 517 巻 ( 1 ) 頁: 254-256 2008年11月
Growth temperature dependence of the crystalline morphology of SiGe films grown on Si(110) substrates with compositionally step-graded buffer
K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima
Thin Solid Films 517 巻 ( 1 ) 頁: 235-238 2008年11月
Vacancy formation during oxidation of silicon crystal surface
M. Suezawa, Y. Yamamoto, M. Suemitsu, N. Usami and I. Yonenaga
Applied Physics Letters 93 巻 ( 10 ) 2008年9月
Development of thin SiGe relaxed layers with high-Ge composition by ion implantation method and application to strained Ge channels
Y. Hoshi, K. Sawano, Y. Hiraoka, Y. Satoh, Y. Ogawa, A. Yamada, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki
Applied Physics Express 1 巻 ( 8 ) 2008年8月
Growth mechanism of Si-faceted dendrites
K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami and K. Nakajima
Physical Review Letters 101 巻 ( 5 ) 2008年8月
Structural origin of a cluster of bright spots in reverse bias electroluminescence image of solar cells based on Si multicrystals
N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, I. Yonenaga and K. Nakajima
Applied Physics Express 1 巻 ( 7 ) 2008年7月
Acceptorlike behavior of defects in SiGe alloys grown by molecular beam epitaxy
M. Satoh, K. Arimoto, K. Nakagawa, S. Koh, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics 47 巻 ( 6 ) 頁: 4630-4633 2008年6月
In situ observation of Si faceted dendrite growth from low-degree-of-undercooling melts
K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, G. Sazaki, Y. Nose, A. Nomura, T. Shishido and K. Nakajima
Acta Materialia 56 巻 ( 11 ) 頁: 2663-2668 2008年6月
On effects of gate bias on hole effective mass and mobility in strained-Ge channel structures
K. Sawano, Y. Kunishi, Y. Satoh, K. Toyama, K. Arimoto, T. Okamoto, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki
Applied Physics Express 1 巻 ( 1 ) 2008年1月
Hole density and strain dependencies of hole effective mass in compressively strained Ge channel structures
K. Sawano, Y. Kunishi, K. Toyama, T. Okamoto, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES 40 巻 ( 6 ) 頁: 2122-2124 2008年
Poly-Si films with long carrier lifetime prepared by rapid thermal annealing of Cat-CVD amorphous silicon thin films
K. Ohdaira, Y. Abe, M. Fukuda, S. Nishizaki, N. Usami, K. Nakajima, T. Karasawa, T. Torikai and H. Matsumura
THIN SOLID FILMS 516 巻 ( 5 ) 頁: 600-603 2008年
Functional enhancement of metal-semiconductor-metal infrared photodetectors on heteroepitaxial SiGe-on-Si using the anodic oxidation/passivation method
R. W. Chuang, Z. L. Liao, H. T. Chiang and N. Usami
Jpn. J. Appl. Phys. 47 巻 頁: 2927-2931 2008年
Modification of local structures in multicrystals revealed by spatially resolved x-ray rocking curve analysis
N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara and K. Nakajima
Journal of Applied Physics 102 巻 ( 10 ) 2007年11月
High-quality polycrystalline silicon films with minority carrier lifetimes over 5 mu s formed by flash lamp annealing of precursor amorphous silicon films prepared by catalytic chemical vapor deposition
K. Ohdaira, S. Nishizaki, Y. Endo, T. Fujiwara, N. Usami, K. Nakajima and H. Matsumura
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers 46 巻 ( 11 ) 頁: 7198-7203 2007年11月
Silicon-based light emitters fabricated by embedding Ge self-assembled quantum dots in microdisks
J. S. Xia, K. Nemoto, Y. Ikegami, Y. Shiraki and N. Usami
Applied Physics Letters 91 巻 ( 1 ) 2007年7月
SiGe double barrier resonant tunneling diodes on bulk SiGe substrates with high peak-to-valley current ratio
S. Tsujino, N. Usami, A. Weber, G. Mussler, V. Shushunova, D. Grutzmacher, Y. Azuma and K. Nakajima
Applied Physics Letters 91 巻 2007年7月
Formation mechanism of parallel twins related to Si-facetted dendrite growth
K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, G. Sazaki, Y. Nose and K. Nakajima
Scripta Materialia 57 巻 ( 2 ) 頁: 81-84 2007年7月
Application of Czochralski-grown SiGe bulk crystal as a substrate for luminescent strained quantum wells
N. Usami, R. Nihei, I. Yonenaga, Y. Nose and K. Nakajima
Applied Physics Letters 90 巻 ( 18 ) 2007年4月
Improvement in the conversion efficiency of single-junction SiGe solar cells by intentional introduction of the compositional distribution
M. Tayanagi, N. Usami, W. Pan, K. Ohdaira, K. Fujiwara, Y. Nose and K. Nakajima
Journal of Applied Physics 101 巻 ( 5 ) 2007年3月
Influence of structural imperfection of Sigma 5 grain boundaries in bulk multicrystalline Si on their electrical activities
K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Nose and K. Nakajima
Journal of Applied Physics 101 巻 ( 6 ) 2007年3月
Step-induced anisotropic growth of pentacene thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) surface
S. Nishikata, G. Sazaki, T. Takeuchi, N. Usami, S. Suto and K. Nakajima
Crystal Growth & Design 7 巻 ( 2 ) 頁: 439-444 2007年2月
Modification of local structure and its influence on electrical activity of near (310) Sigma 5 grain boundary in bulk silicon
K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Nose, T. Sugawara, T. Shishido and K. Nakajima
Materials Transactions 48 巻 ( 2 ) 頁: 143-147 2007年2月
Effect of the compositional distribution on the photovoltaic power conversion of SiGe solar cells
N. Usami, W. Pan, K. Fujiwara, M. Tayanagi, K. Ohdaira and K. Nakajima
Solar Energy Materials and Solar Cells 91 巻 頁: 123-128 2007年1月
Control of strain status in SiGe thin film by epitaxial growth on Si with buried porous layer
N. Usami, K. Kutsukake, N. Kazuo, S. Amtablian, A. Fave and M. Lemiti
Applied Physics Letters 90 巻 ( 3 ) 2007年1月
Fabrication of Ge channels with extremely high compressive strain and their magnetotransport properties
K. Sawano, Y. Kunishi, K. Toyama, T. Okamoto, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 301 巻 頁: 339-342 2007年
Growth temperature dependence of lattice structures of SiGe/graded buffer structures grown on Si(110) substrates by gas-source MBE
K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima
J. Cryst. Growth 301 巻 頁: 343-348 2007年
Annihilation of acceptor-hydrogen pairs in Si crystals due to electron irradiation
M. Suezawa, K. Koilma, A. Kasuya, I. Yonenaga and N. Usami
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers 45 巻 ( 12 ) 頁: 9162-9166 2006年12月
Strong resonant luminescence from Ge quantum dots in photonic crystal microcavity at room temperature
J. S. Xia, Y. Ikegami, Y. Shiraki, N. Usami and Y. Nakata
Applied Physics Letters 89 巻 ( 20 ) 2006年11月
Magnetotransport properties of Ge channels with extremely high compressive strain
K. Sawano, Y. Kunishi, Y. Shiraki, K. Toyama, T. Okamoto, N. Usami and K. Nakagawa
Applied Physics Letters 89 巻 ( 16 ) 2006年10月
Growth of structure-controlled polycrystalline silicon ingots for solar cells by casting
K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami, K. Sawada, M. Tokairin, Y. Nose, A. Nomura, T. Shishido and K. Nakajima
Acta Materialia 54 巻 ( 12 ) 頁: 3191-3197 2006年7月
High sensitive imaging of atomic arrangement of Ge clusters buried in a Si crystal by X-ray fluorescence holography
S. Kusano, S. Nakatani, K. Sumitani, T. Takahashi, Y. Yoda, N. Usami and Y. Shiraki
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers 45 巻 ( 6A ) 頁: 5248-5253 2006年6月
Suppression of structural imperfection in strained Si by utilizing SiGe bulk substrate
N. Usami, Y. Nose, K. Fujiwara and K. Nakajima
Applied Physics Letters 88 巻 2006年5月
Realization of bulk multicrystalline silicon with controlled grain boundaries by utilizing spontaneous modification of grain boundary configuration
N. Usami, K. Kutsukake, T. Sugawara, K. Fujwara, W. Pan, Y. Nose, T. Shishido and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers 45 巻 ( 3A ) 頁: 1734-1737 2006年3月
High-efficiency concave and conventional solar cell integration system using focused reflected light
K. Ohdaira, K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami and K. Nakajiima
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers 45 巻 ( 3A ) 頁: 1664-1667 2006年3月
Intermixing of Ge and Si during exposure of GeH4 on Si
G. Watari, N. Usami, Y. Nose, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima
THIN SOLID FILMS 508 巻 頁: 163-165 2006年
Strain field and related roughness formation in SiGe relaxed buffer layers
K. Sawano, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki
THIN SOLID FILMS 508 巻 ( 1-2 ) 頁: 117-119 2006年
Influence of stacked Ge islands on the dark current-voltage characteristics and the conversion efficiency of the solar cells
A. Alguno, N. Usami, K. Ohdaira, W. G. Pan, M. Tayanagi and K. Nakajima
Thin Solid Films 508 巻 頁: 402-405 2006年
Determination of lattice parameters of SiGe/Si(110) heterostructures
K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, S. Koh and N. Usami
Thin Solid Films 508 巻 頁: 132-135 2006年
Directional growth method to obtain high quality polycrystalline silicon from its melt
K. Fujiwara, W. Pan, K. Sawada, M. Tokairin, N. Usami, Y. Nose, A. Nomura, T. Shishido and K. Nakajima
J. Cryst. Growth 292 巻 頁: 282-285 2006年
Thickness dependence of strain field distribution in SiGe relaxed buffer layers
K. Sawano, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers 44 巻 頁: 8445-8447 2005年12月
Analysis of the dark-current density in solar cells based on multicrystalline SiGe
K. Ohdaira, N. Usami, W. G. Pan, K. Fujiwara and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers 44 巻 ( 11 ) 頁: 8019-8022 2005年11月
Floating zone growth of Si-rich SiGe bulk crystal using pre-synthesized SiGe feed rod with uniform composition
N. Usami, M. Kitamura, K. Obara, Y. Nose, T. Shishido and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 284 巻 頁: 57-64 2005年10月
Influence of growth temperature on minority-carrier lifetime of Si layer grown by liquid phase epitaxy using Ga solvent
Y. Satoh, N. Usami, W. Pan, K. Fujiwara, K. Nakajima and T. Ujihara
Journal of Applied Physics 98 巻 ( 7 ) 2005年10月
Changes in elastic deformation of strained si by microfabrication (vol 8, pg 181, 2005)
K. Arimoto, D. Furukawa, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki and N. Usami
Materials Science in Semiconductor Processing 8 巻 ( 6 ) 頁: 652-652 2005年10月
Liquid phase epitaxial growth of Si layers on Si thin substrates from Si pure melts under near-equilibrium conditions
K. Nakajima, K. Fujiwara, Y. Nose and N. Usami
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers 44 巻 ( 7A ) 頁: 5092-5095 2005年7月
Growth of multicrystalline Si with controlled grain boundary configuration by the floating zone technique
M. Kitamura, N. Usami, T. Sugawara, K. Kutsukake, K. Fujiwara, Y. Nose, T. Shishido and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 280 巻 頁: 419-424 2005年7月
Crystal quality of a 6H-SiC layer grown over macrodefects by liquid-phase epitaxy: a Raman spectroscopic study
T. Ujihara, S. Munetoh, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima
Thin Solid Films 476 巻 ( 1 ) 頁: 206-209 2005年4月
A simple approach to determine preferential growth orientation using multiple seed crystals with random orientations and its utilization for seed optimization to restrain polycrystallization of SiGe bulk crystal
Y. Azuma, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 276 巻 頁: 393-400 2005年4月
Structural properties of directionally grown polycrystalline SiGe for solar cells
K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami, K. Sawada, A. Nomura, T. Ujihara, T. Shishido and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 275 巻 頁: 467-473 2005年3月
On the origin of improved conversion efficiency of solar cells based on SiGe with compositional distribution
N. Usami, K. Fujiwara, W. G. Pan and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers 44 巻 ( 2 ) 頁: 857-860 2005年2月
Growth of ZnO/MgZnO quantum wells on sapphire substrates and observation of the two-dimensional confinement effect
B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, C. Y. Liu and Y. Segawa and N. Usami
Applied Physics Letters 86 巻 ( 3 ) 2005年1月
Effects of vicinal steps on the island growth and orientation of epitaxially grown perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) substrate
G. Sazaki, T. Fujino, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 273 巻 頁: 594-602 2005年1月
Floating zone growth of Si bicrystals using seed crystals with artificially designed grain boundary configuration
N. Usami, M. Kitamura, T. Sugawara, K. Kutsukake, K. Ohdaira, Y. Nose, K. Fujiwara, T. Shishido and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters 44 巻 ( 24-27 ) 頁: L778-L780 2005年
Observation of strain field fluctuation in SiGe-relaxed buffer layers and its influence on overgrown structures
K. Sawano, N. Usami, K. Arimoto, S. Koh, K. Nakagawa and Y. Shiraki
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 8 巻 ( 1-3 ) 頁: 177-180 2005年
Strain-field evaluation of strain-relaxed thin SiGe layers fabricated by ion implantation method
K. Sawano, Y. Ozawa, A. Fukuoto, N. Usami, J. Yamanaka, K. Suzuki, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters 44 巻 ( 42-45 ) 頁: L1316-L1319 2005年
Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams
K. Nakajima, Y. Azuma, N. Usami, G. Sazaki, T. Ujihara, K. Fujiwara, T. Shishido, Y. Nishijima and T. Kusunoki
International Journal of Materials & Product Technology 22 巻 頁: 185-212 2005年
Changes in elastic deformation of strained Si by microfabrication
K. Arimoto, D. Furukawa, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki and N. Usami
Materials Science in Semiconductor Processing 8 巻 頁: 181-185 2005年
Low-temperature growth of single-crystalline ZnO tubes on sapphire(0001) substrates
B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, N. Usami and Y. Segawa
Applied Physics a-Materials Science & Processing 79 巻 ( 7 ) 頁: 1711-1714 2004年11月
Fabrication of high-quality strain-relaxed thin SiGe layers on ion-implanted Si substrates
K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki, Y. Ozawa, T. Hattori, J. Yamanaka, K. Suzuki, K. Arimoto, K. Nakagawa and N. Usami
Applied Physics Letters 85 巻 ( 13 ) 頁: 2514-2516 2004年9月
On the origin of strain fluctuation in strained-Si grown on SiGe-on-insulator and SiGe virtual substrates
K. Kutsukake, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima
Applied Physics Letters 85 巻 ( 8 ) 頁: 1335-1337 2004年8月
Low-temperature growth of ZnO nanostructure networks
B. P. Zhang, K. Wakatsuki, N. T. Binh, Y. Segawa and N. Usami
Journal of Applied Physics 96 巻 ( 1 ) 頁: 340-343 2004年7月
Pressure-dependent ZnO nanocrsytal growth in a chemical vapor deposition process
B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, Y. Segawa, Y. Yamada, N. Usami, M. Kawasaki and H. Koinuma
Journal of Physical Chemistry B 108 巻 頁: 10899-10902 2004年7月
Ge composition dependence of properties of solar cells based on multicrystalline SiGe with microscopic compositional distribution
W. G. Pan, K. Fujiwara, N. Usami, T. Ujihara, K. Nakajima and R. Shimokawa
Journal of Applied Physics 96 巻 ( 2 ) 頁: 1238-1241 2004年7月
Successful growth of InxGa1-xAs (x > 0.18) single bulk crystal directly on GaAs seed crystal with preferential orientation
Y. Azuma, Y. Nishijima, K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara and T. Ujihara
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters 43 巻 ( 7A ) 頁: L907-L909 2004年7月
Structural and optical properties of ZnO epitaxial films grown on Al2O3 (1120) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
N. T. Binh, B. P. Zhang, C. Y. Liu, K. Wakatsuki, Y. Segawa, N. Usami, Y. Yamada, M. Kawasaki and H. Koinuma
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers 43 巻 ( 7A ) 頁: 4110-4113 2004年7月
Effects of growth temperature on the surface morphology of silicon thin films on (111) silicon monocrystalline substrate by liquid phase epitaxy
T. Ujihara, E. Kanda, K. Obara, K. Fujiwara, N. Usami, G. Sazaki, A. Alguno, T. Shishido and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 266 巻 ( 4 ) 頁: 467-474 2004年6月
Grain growth behaviors of polycrystalline silicon during melt growth processes
K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 266 巻 ( 4 ) 頁: 441-448 2004年6月
Formation of highly aligned ZnO tubes on sapphire (0001) substrates
B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, Y. Segawa, Y. Yamada, N. Usami, M. Kawasaki and H. Koinuma
Applied Physics Letters 84 巻 ( 20 ) 頁: 4098-4100 2004年3月
Effects of growth temperature on the characteristics of ZnO epitaxial films deposited by metalorganic chemical vapor deposition
B. P. Zhang, K. Wakatsuki, N. T. Binh, N. Usami and Y. Segawa
Thin Solid Films 449 巻 頁: 12-19 2004年2月
Relationship between device performance and grain boundary structural configuration in a solar cell based on multicrystalline SiGe
N. Usami, W. G. Pan, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters 43 巻 ( 2B ) 頁: L250-L252 2004年2月
In situ observation of elementary growth steps on the surface of protein crystals by laser confocal microscopy
G. Sazaki, T. Matsui, K. Tsukamoto, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 262 巻 頁: 536-542 2004年2月
Epitaxial relation and island growth of perylene-3.4.9.10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) substrate
G. Sazaki, T. Fujino, J. T. Sadowski, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, Y. Takahashi, E. Matsubara, T. Sakurai and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 262 巻 頁: 196-201 2004年2月
In-situ observations of melt growth behavior of polycrystalline silicon
K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujhara, N. Usami, G. Sazaki and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 262 巻 頁: 124-129 2004年2月
Low-temperature growth of ZnO epitaxial films by metal organic chemical vapor deposition
B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, N. Usami and Y. Segawa
Applied Physics a-Materials Science & Processing 78 巻 ( 1 ) 頁: 25-28 2004年1月
Phase diagram of growth mode for the SiGe/Si heterostructure system with misfit dislocations
K. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki and T. Shishido
Journal of Crystal Growth 260 巻 頁: 372-383 2004年1月
Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime
N. Usami, A. Alguno, K. Sawano, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, Y. Shiraki and K. Nakajima
THIN SOLID FILMS 451 巻 頁: 604-607 2004年
Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy
T. Ujihara, S. Munetoh, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima
MATERIALS SCIENCE FORUM 457-460 巻 頁: 633-636 2004年
Molten metal flux growth and properties of CrSi2
T. Shishido, S. Okada, Y. Ishizawa, K. Kudou, K. Iizumi, Y. Sawada, H. Horiuchi, K. Inaba, T. Sekiguchi, J. Ye, S. Miyashita, A. Nomura, T. Sugawara, K. Obara, M. Oku, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, N. Usami, S. Kohiki, Y. Kawazoe and K. Nakajima
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 383 巻 頁: 319-321 2004年
Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate
K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, B. P. Zhang and Y. Segawa
Appl. Surf. Sci. 224 巻 ( 1-4 ) 頁: 95-98 2004年
Effects of spacer thickness on quantum efficiency of the solar cells with embedded Ge islands in the intrinsic layer
A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima, K. Sawano and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 84 巻 ( 15 ) 頁: 2802-2804 2004年
High-temperature solution growth and characterization of chromium disilicide
T. Shishido, S. Okada, Y. Ishizawa, K. Kudou, K. Iizumi, Y. Sawada, H. Horiuchi, K. Inaba, T. Sekiguchi, J. H. Ye, S. Miyashita, A. Nomura, T. Sugawara, K. Obara, Y. Murakami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, N. Usami, M. Oku, Y. Yokoyama, S. Kohiki, Y. Kawazoe and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers 42 巻 ( 12 ) 頁: 7292-7293 2003年12月
In-plane strain fluctuation in strained-Si/SiGe heterostructures
K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakagawa
Applied Physics Letters 83 巻 ( 21 ) 頁: 4339-4341 2003年11月
Optical properties of ZnO rods formed by metalorganic chemical vapor deposition
B. P. Zhang, N. T. Binh, Y. Segawa, K. Wakatsuki and N. Usami
Applied Physics Letters 83 巻 ( 8 ) 頁: 1635-1637 2003年8月
Enhanced quantum efficiency of solar cells with self-assembled Ge dots stacked in multilayer structure
A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 83 巻 ( 6 ) 頁: 1258-1260 2003年8月
Influence of the elastic strain on the band structure of ellipsoidal SiGe coherently embedded in the Si matrix
N. Usami, T. Ichitsubo, T. Ujihara, T. Takahashi, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima
Journal of Applied Physics 94 巻 ( 2 ) 頁: 916-920 2003年7月
Effects of high pressure on the growth kinetics of orthorhombic lysozyme crystals
Y. Nagatoshi, G. Sazaki, Y. Suzuki, S. Miyashita, T. Matsui, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 254 巻 頁: 188-195 2003年6月
Growth of SiGe bulk crystals with uniform composition by utilizing feedback control system of the crystal-melt interface position for precise control of the growth temperature
Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, Y. Murakami and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 250 巻 頁: 298-304 2003年4月
In-plane orientation and polarity of ZnO epitaxial films on As-polished sapphire (alpha-Al2O3) (0001) substrates grown by metal organic chemical vapor deposition
B. P. Zhang, L. Manh, K. Wakatsuki, K. Tamura, T. Ohnishi, M. Lippma, N. Usami, M. Kawasaki, H. Koinuma and Y. Segawa
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters 42 巻 ( 3B ) 頁: L264-L266 2003年3月
High-quality crystalline silicon layer grown by liquid phase epitaxy method at low growth temperature
T. Ujihara, K. Obara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, T. Shishido and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters 42 巻 ( 3A ) 頁: L217-L219 2003年3月
Fabrication of SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate
K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, B. P. Zhang, Y. Segawa and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters 42 巻 ( 3A ) 頁: L232-L234 2003年3月
Epitaxial growth and polarity of ZnO films on sapphire (0001) substrates by low-pressure metal organic chemical vapor deposition
B. P. Zhang, L. H. Manh, K. Wakatsuki, T. Ohnishi, M. Lippmaa, N. Usami, M. Kawasaki and Y. Segawa
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 42 巻 頁: 2291-2295 2003年
Planarization of SiGe virtual substrates by CMP and its application to strained Si modulation-doped structures
K. Sawano, K. Arimoto, Y. Hirose, S. Koh, N. Usami, K. Nakagawa, T. Hattori and Y. Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 251 巻 ( 1-4 ) 頁: 693-696 2003年
3D atomic imaging of SiGe system by X-ray fluorescence holography
K. Hayashi, Y. Takahashi, E. Matsubara, K. Nakajima and N. Usami
J. Materials Science: Materials in Electronics 14 巻 頁: 459-462 2003年
Strain distribution of Si thin film grown on multicrystalline-SiGe with microscopic compositional distribution
N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami and K. Nakajima
Journal of Applied Physics 92 巻 ( 12 ) 頁: 7098-7101 2002年12月
In situ observations of crystal growth behavior of silicon melt
K. Fujiwara, K. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki, H. Hasegawa and S. Mizoguchi
Journal of Crystal Growth 243 巻 ( 2 ) 頁: 275-282 2002年8月
Evidence of the presence of built-in strain in multicrystalline SiGe with large compositional distribution
N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers 41 巻 ( 7A ) 頁: 4462-4465 2002年7月
Simultaneous in situ measurement of solute and temperature distributions in the alloy solutions
T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 242 巻 頁: 313-320 2002年7月
Preparation of a TiO2 film coated Si device for photo-decomposition of water by CVD method using Ti(OPri)(4)
N. Sato, K. Nakajima, N. Usami, H. Takahashi, A. Muramatsu and E. Matsubara
Materials Transactions 43 巻 ( 7 ) 頁: 1533-1536 2002年7月
Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for high-efficiency solar cells
K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Murakami, T. Ujihara, G. Sazaki and T. Shishido
Solar Energy Materials and Solar Cells 73 巻 ( 3 ) 頁: 305-320 2002年7月
New method for measurement of interdiffusion coefficient in high temperature solutions based on Fick's first law
T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 241 巻 ( 3 ) 頁: 387-394 2002年6月
Compositional variation in Si-rich SiGe single crystals grown by multi-component zone melting method using Si seed and source crystals
K. Nakajima, T. Kusunoki, Y. Azuma, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki and T. Shishido
Journal of Crystal Growth 240 巻 頁: 373-381 2002年5月
Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications
K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Murakami, T. Ujihara, G. Sazaki and T. Shishido
Solar Energy Materials and Solar Cells 72 巻 頁: 93-100 2002年4月
In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface
G. Sazaki, Y. Azuma, S. Miyashita, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, Y. Murakami and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 236 巻 頁: 125-131 2002年3月
Control of macroscopic absorption coefficient of multicrystalline SiGe by microscopic compositional distribution
N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, H. Yaguchi, Y. Murakami and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters 41 巻 ( 1AB ) 頁: L37-L39 2002年1月
In situ observation of the Marangoni convection in a NaCl aqueous solutions under microgravity
G. Sazaki, S. Miyashita, M. Nokura, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 234 巻 頁: 516-522 2002年1月
Raman scattering and x-ray absorption studies of Ge-Si nanocrystallization
A. Kolobov, H. Oyanagi, N. Usami, S. Tokumitsu, T. Hattori, S. Yamasaki, K. Tanaka, S. Ohtake and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 80 巻 ( 3 ) 頁: 488-490 2002年1月
Effect of Si diffusion on growth, parameters and photoluminescence of GeSi/Si(001) self-assembled islands
M. Y. Valakh, N. V. Vostokov, S. A. Gusev, Y. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, D. N. Lobanov, L. D. Moldavskaya, A. V. Novikov, V. V. Postnikov, M. V. Stepikhova, N. Usami, Y. Shiraki and V. A. Yukhymchuk
IZVESTIYA AKADEMII NAUK SERIYA FIZICHESKAYA 66 巻 頁: 161-164 2002年
Fabrication of SiGe bulk crystals with uniform composition as substrates for Si-based heterostructures
N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, Y. Murakami and K. Nakajima
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY 89 巻 頁: 364-367 2002年
Evaluation of the diffusion coefficients in liquid GaGe binary alloys using a novel method based on Fick's first law
T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami and K. Nakajima
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 312 巻 頁: 196-202 2002年
Strain-driven alloying: effect on sizes, shape and photoluminescence of GeSi/Si(001) self-assembled islands
A. V. Novikov, B. A. Andreev, N. V. Vostokov, Y. N. Drozdov, Z. F. Krasilnik, D. N. Lobanov, L. D. Moldavskaya, A. N. Yablonskiy, M. Miura, N. Usami, Y. Shiraki, M. Y. Valakh, N. Mestres and J. Pascual
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY 89 巻 頁: 62-65 2002年
Molecular beam epitaxy of GaAs on nearly lattice-matched SiGe substrates grown by the multicomponent zone-melting method
N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, Y. Yakabe, T. Kondo, K. Kawaguchi, S. Koh, Y. Shiraki, B. P. Zhang, Y. Segawa and S. Kodama
Semiconductor Science and Technology 16 巻 ( 8 ) 頁: 699-703 2001年8月
Physical model for the evaluation of solid-liquid interfacial tension in silicon
T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, N. Usami and K. Nakajima
Journal of Applied Physics 90 巻 ( 2 ) 頁: 750-755 2001年7月
Fabrication of strain-balanced Si/Si1-xGex multiple quantum wells on Si1-yGey virtual substrates and their optical properties
K. Kawaguchi, Y. Shiraki, N. Usami, J. Zhang, N. J. Woods, G. Breton and G. Parry
Applied Physics Letters 79 巻 ( 3 ) 頁: 344-346 2001年7月
Growth of SixGe1-x (x=0.15) bulk crystal with uniform composition utilizing in situ monitoring of the crystal-solution interface
N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, S. Miyashita, Y. Murakami and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers 40 巻 ( 6A ) 頁: 4141-4144 2001年6月
Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by directly controlling the growth temperature at the crystal-melt inter-face using in situ monitoring system
Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, S. Miyashita, K. Fujiwara and K. Nakajima
Journal of Crystal Growth 224 巻 頁: 204-211 2001年4月
The relation between composition and sizes of GeSi/Si(001) islands grown at different temperatures
N. V. Vostokov, S. A. Gusev, Y. N. Drozdov, Z. F. Krasilnik, D. N. Lobanov, N. Mesters, M. Miura, L. D. Moldavskaya, A. V. Novikov, J. Pascual, V. V. Postnikov, Y. Shiraki, V. A. Uakhimchuk, N. Usami and M. Y. Valakh
PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES 41337 巻 頁: 295-301 2001年
Modification of the growth mode of Ge on Si(100) in the presence of buried Ge islands
N. Usami, M. Miura, Y. Ito, Y. Araki, K. Nakajima and Y. Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 227 巻 頁: 782-785 2001年
Observation of negatively charged excitons and excited states of multi-excitons in quantum dots embedded in modulation doping structures
K. Ohdaira, N. Usami, K. Ota and Y. Shiraki
PHYSICA E 11 巻 ( 2-3 ) 頁: 68-71 2001年
Phase diagram calculation for epitaxial growth of GaInAs on InP considering the surface, interfacial and strain energies
K. Nakajima, T. Ujihara, G. Sazaki and N. Usami
Journal of Crystal Growth 220 巻 ( 4 ) 頁: 413-424 2000年12月
SiGe bulk crystal as a lattice-matched substrate to GaAs for solar cell applications
N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, Y. Yakabe, T. Kondo, S. Koh, Y. Shiraki, B. Zhang, Y. Segawa and S. Kodama
Applied Physics Letters 77 巻 ( 22 ) 頁: 3565-3567 2000年11月
In situ measurement of composition in high-temperature solutions by X-ray fluorescence spectrometry
T. Ujihara, G. Sazaki, S. Miyashita, N. Usami and K. Nakajima
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers 39 巻 ( 10 ) 頁: 5981-5982 2000年10月
Drastic increase of the density of Ge islands by capping with a thin Si layer
N. Usami, M. Miura, Y. Ito, Y. Araki and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 77 巻 ( 2 ) 頁: 217-219 2000年7月
Modification of the growth mode of Ge on Si by buried Ge islands
N. Usami, Y. Araki, Y. Ito, M. Miura and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 76 巻 ( 25 ) 頁: 3723-3725 2000年6月
Optical investigation of modified Stranski-Krastanov growth mode in the stacking of self-assembled Ge islands
N. Usami and Y. Shiraki
THIN SOLID FILMS 369 巻 頁: 108-111 2000年
Microscopic probing of localized excitons in quantum wells
N. Usami, K. Ota, K. Ohdaira, Y. Shiraki, T. Hasche, V. Lyssenko and K. Leo
INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES ( 166 ) 頁: 99-102 2000年
Drastic modification of the growth mode of Ge quantum dots on Si by using boron adlayer
H. Takamiya, M. Miura, N. Usami, T. Hattori and Y. Shiraki
THIN SOLID FILMS 369 巻 ( 1-2 ) 頁: 84-87 2000年
Growth and characterization of Ge-70(n)/Ge-74(n) isotope superlattices
K. Morita, K. M. Itoh, J. Muto, K. Mizoguchi, N. Usami, Y. Shiraki and E. E. Haller
THIN SOLID FILMS 369 巻 ( 1-2 ) 頁: 405-408 2000年
Formation of relaxed SiGe films on Si by selective epitaxial growth
K. Kawaguchi, N. Usami and Y. Shiraki
Thin Solid Films 369 巻 頁: 126-129 2000年
Correlation between electronic states and optical properties in indirect GaAsP/GaP quantum wells with insertion of an ultrathin AlP layer
K. Arimoto, N. Usami and Y. Shiraki
Physica E 8 巻 頁: 323-327 2000年
Effect of the insertion of an ultrathin AlP layer on the optical properties of GaAsP/GaP quantum wells
K. Arimoto, T. Sugita, N. Usami and Y. Shiraki
Physical Review B 60 巻 ( 19 ) 頁: 13735-13739 1999年11月
Magnetophotoluminescence spectroscopy of AlGaP-based neighboring confinement structures
N. Usami, T. Sugita, T. Ohta, F. Issiki, Y. Shiraki, K. Uchida and N. Miura
Physical Review B 60 巻 ( 3 ) 頁: 1879-1883 1999年7月
Study of a pure-Ge/Si short-period superlattice by x-ray double crystal diffraction
Z. G. Ji, H. M. Lu, S. G. Zhang, D. L. Que, N. Usami, H. Sunamura and Y. Shiraki
Journal of Materials Synthesis and Processing 7 巻 ( 3 ) 頁: 205-207 1999年5月
Selective epitaxial growth of dot structures on patterned Si substrates by gas source molecular beam epitaxy
E. S. Kim, N. Usami and Y. Shiraki
Semiconductor Science and Technology 14 巻 ( 3 ) 頁: 257-265 1999年3月
Optical characterization of strain-induced structural modification in SiGe-based heterostructures
N. Usami, K. Leo and Y. Shiraki
Journal of Applied Physics 85 巻 ( 4 ) 頁: 2363-2366 1999年2月
Gas source molecular beam epitaxy grown strained-Si films on step-graded relaxed Si1-xGex for MOS applications
L. K. Bera, S. K. Ray, D. K. Nayak, N. Usami, Y. Shiraki and C. K. Maiti
Journal of Electronic Materials 28 巻 ( 2 ) 頁: 98-104 1999年2月
Photoluminescence study of InP/GaP highly strained quantum wells
T. Kimura, H. Yaguchi, N. Usami, K. Onabe and Y. Shiraki
INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 162 巻 頁: 511-516 1999年
Sublattice reversal in GaAs/Si/GaAs (100) heterostructures by molecular beam epitaxy
S. J. Koh, T. Kondo, T. Ishiwada, C. Iwamoto, H. Ichinose, H. Yaguchi, T. Usami, Y. Shiraki and R. Ito
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters 37 巻 ( 12B ) 頁: L1493-L1496 1998年12月
Epitaxial growth and photoluminescence of Si/pure-Ge/Si quantum structures on Si(311) substrates
K. Amano, M. Kobayashi, A. Ohga, T. Hattori, N. Usami and Y. Shiraki
Semiconductor Science and Technology 13 巻 ( 11 ) 頁: 1277-1283 1998年11月
Wavy interface morphologies in strained Si1-xGex/Si multilayers on vicinal Si(111) substrates
J. H. Li, Y. Yamaguchi, H. Hashizume, N. Usami and Y. Shiraki
Journal of Physics-Condensed Matter 10 巻 ( 39 ) 頁: 8643-8652 1998年10月
Photoluminescence and Raman scattering of pure germanium/silicon short period superlattice
Z. G. Ji, N. Usami, H. Sunamura and Y. Shiraki
Acta Physica Sinica-Overseas Edition 7 巻 ( 8 ) 頁: 608-612 1998年8月
Electrical properties of N2O/NH3 plasma grown oxynitride on strained-Si
L. K. Bera, S. K. Ray, M. Mukhopadhyay, D. K. Nayak, N. Usami, Y. Shiraki and C. K. Maiti
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Control of Ge dots in dimension and position by selective epitaxial growth and their optical properties
E. S. Kim, N. Usami and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 72 巻 頁: 1617-1619 1998年3月
In-plane potential modulation in tensilely strained AlGaP-based neighboring confinement structure
N. Usami, T. Sugita, T. Ohta, H. Ito, K. Uchida, Y. Shiraki, F. Minami and N. Miura
PHYSICA E 2 巻 頁: 883-886 1998年
Photoluminescence from pure-Ge/pure-Si neighboring confinement structure
N. Usami, M. Miura, H. Sunamura and Y. Shiraki
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 16 巻 頁: 1710-1712 1998年
Exciton diffusion dynamics in quantum nanostructures on V-groove patterned substrates
N. Usami, Y. Shiraki, W. Pan, H. Yaguchi and K. Onabe
Superlattices and Microstructures 23 巻 ( 2 ) 頁: 395-400 1998年
Control of island formation using overgrowth technique on cleaved edges of strained multiple quantum wells and selective epitaxy on patterned substrates
N. Usami, J. Arai, E. S. Kim, K. Ota, T. Hattori and Y. Shiraki
PHYSICA E 2 巻 頁: 137-141 1998年
New strain-relieving microstructure in pure-Ge/Si short-period superlattices
H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 16 巻 ( 3 ) 頁: 1595-1598 1998年
Magneto-photoluminescence spectra of GaP/AlP short-period superlattices in high magnetic fields and uniaxial pressures
K. Uchida, N. Miura, T. Sugita, F. Issiki, N. Usami and Y. Shiraki
PHYSICA B 251 巻 頁: 909-913 1998年
Enhanced no-phonon transition in indirect GaAsP/GaP quantum wells by insertion of monolayer AlP for electron localization
T. Sugita, N. Usami and Y. Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 188 巻 ( 1-4 ) 頁: 323-327 1998年
Effect of tensile strain on optical properties of AlGaP-based neighboring confinement structure
T. Ohta, N. Usami, F. Issiki and Y. Shiraki
Superlattices and Microstructures 23 巻 ( 1 ) 頁: 97-102 1998年
Temperature dependence of microscopic photoluminescence spectra of quantum dots and quantum wells
K. Ota, N. Usami and Y. Shiraki
PHYSICA E 2 巻 ( 1-4 ) 頁: 573-577 1998年
Spectroscopic study of Si-based quantum wells with neighbouring confinement structure
N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu
Semiconductor Science and Technology 12 巻 ( 12 ) 頁: 1596-1602 1997年12月
Optical investigation of growth mode of Ge thin films on Si(110) substrates
J. Arai, A. Ohga, T. Hattori, N. Usami and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 71 巻 ( 6 ) 頁: 785-787 1997年8月
Effects of tensile strain on the optical properties of an AlGaP-based neighbouring confinement structure
T. Ohta, N. Usami, F. Issiki and Y. Shiraki
Semiconductor Science and Technology 12 巻 ( 7 ) 頁: 881-887 1997年7月
Interfacial roughness of Si1-xGex/Si multilayer structures on Si(111) probed by x-ray scattering
P. M. Reimer, J. H. Li, Y. Yamaguchi, O. Sakata, H. Hashizume, N. Usami and Y. Shiraki
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Precise control of island formation using overgrowth technique on cleaved edges of strained multiple quantum wells
J. Arai, N. Usami, K. Ota, Y. Shiraki, A. Ohga and T. Hattori
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Photoluminescence study of the optical properties of SiGe quantum wells on separation by implanted oxygen substrates
D. K. Nayak, N. Usami, S. Fukatsu and Y. Shiraki
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Anomalous luminescence peak shift of SiGe/Si quantum well induced by self-assembled Ge islands
E. S. Kim, N. Usami and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 70 巻 ( 3 ) 頁: 295-297 1997年1月
Oxidation of strained Si in a microwave electron cyclotron resonance plasma
L. K. Bera, M. Mukhopadhyay, S. K. Ray, D. K. Nayak, N. Usami, Y. Shiraki and C. K. Maiti
Applied Physics Letters 70 巻 ( 2 ) 頁: 217-219 1997年1月
Electrical properties of oxides grown on strained Si using microwave N2O plasma
L. K. Bera, S. K. Ray, D. K. Nayak, N. Usami, Y. Shiraki and C. K. Maiti
Applied Physics Letters 70 巻 ( 1 ) 頁: 66-68 1997年1月
Anomalous photoluminescence of pure-Ge/Si type-II coupled quantum wells (II-CQWs)
H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu
THIN SOLID FILMS 294 巻 ( 1-2 ) 頁: 336-339 1997年
Luminescence study on Ge islands as stressors on Si1-xGex/Si quantum well
E. S. Kim, N. Usami, H. Sunamura, S. Fukatsu and Y. Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 175 巻 頁: 519-523 1997年
Time-resolved photoluminescence study on AlxGa1-xAs spontaneous vertical quantum well structures
N. Usami, W. G. Pan, H. Yaguchi, R. Ito, K. Onabe, H. Akiyama and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 68 巻 ( 23 ) 頁: 3221-3223 1996年6月
Ultrashort lifetime photocarriers in Ge thin films
N. Sekine, K. Hirakawa, F. Sogawa, Y. Arakawa, N. Usami, Y. Shiraki and T. Katoda
Applied Physics Letters 68 巻 ( 24 ) 頁: 3419-3421 1996年6月
Role of heterointerface on enhancement of no-phonon luminescence in Si-based neighboring confinement structure
N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu
Applied Physics Letters 68 巻 ( 17 ) 頁: 2340-2342 1996年4月
Observation of lateral confinement effect in Ge quantum wires self-aligned at step edges on Si(100)
H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu
Applied Physics Letters 68 巻 ( 13 ) 頁: 1847-1849 1996年3月
Exciton diffusion dynamics in SiGe/Si quantum wells on a V-groove patterned Si substrate
N. Usami, H. Akiyama, Y. Shiraki and S. Fukatsu
SOLID-STATE ELECTRONICS 40 巻 頁: 733-736 1996年
Formation and optical properties of SiGe/Si quantum structures
Y. Shiraki, H. Sunamura, N. Usami and S. Fukatsu
APPLIED SURFACE SCIENCE 102 巻 頁: 263-271 1996年
Rectangular AlGaAs/AlAs quantum wires using spontaneous vertical quantum wells
W. G. Pan, H. Yaguchi, K. Onabe, R. Ito, N. Usami and Y. Shiraki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 35 巻 ( 2B ) 頁: 1214-1216 1996年
Polarization properties of GaAsP/AlGaAs tensilely strained quantum wire structures grown on V-grooved GaAs substrates
W. Pan, H. Yaguchi, K. Onabe, R. Ito, N. Usami and Y. Shiraki
INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 145 巻 頁: 925-930 1996年
Improved luminescence quality with an asymmetric confinement potential in Si-based type-II quantum wells grown on a graded SiGe relaxed buffer
S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki
J. Vac. Sci. Technol 14 巻 頁: 2387-2390 1996年
CHARACTERIZATION OF SIGE QUANTUM-WIRE STRUCTURES BY CATHODOLUMINESCENCE IMAGING AND SPECTROSCOPY
V. Higgs, E. C. Lightowlers, N. Usami, T. Mine, S. Fukatsu and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 67 巻 ( 12 ) 頁: 1709-1711 1995年9月
DYNAMICS OF EXCITON DIFFUSION IN SIGE QUANTUM-WELLS ON A V-GROOVE PATTERNED SI SUBSTRATE
N. Usami, H. Akiyama, Y. Shiraki and S. Fukatsu
Physical Review B 52 巻 ( 7 ) 頁: 5132-5135 1995年8月
ENHANCEMENT OF RADIATIVE RECOMBINATION IN SI-BASED QUANTUM-WELLS WITH NEIGHBORING CONFINEMENT STRUCTURE
N. Usami, F. Issiki, D. K. Nayak, Y. Shiraki and S. Fukatsu
Applied Physics Letters 67 巻 頁: 524-526 1995年7月
ISLAND FORMATION DURING GROWTH OF GE ON SI(100) - A STUDY USING PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY
H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu
Applied Physics Letters 66 巻 ( 22 ) 頁: 3024-3026 1995年5月
Intense photoluminescence from Si-based quantum well structures with neighboring confinement structure
N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 157 巻 頁: 27-30 1995年
STRAIN-INDUCED LATERAL BAND-GAP MODULATION IN SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELL AND QUANTUM-WIRE STRUCTURES
N. Usami, H. Sunamura, T. Mine, S. Fukatsu and Y. Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 150 巻 頁: 1065-1069 1995年
Photoluminescence investigation on growth mode changeover of Ge on Si(100)
H. Sunamura, S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 157 巻 ( 1-4 ) 頁: 265-269 1995年
Anomalous spectral shift of photoluminescence from MBE-grown strained Si1-xGex/Si quantum wells mediated by atomic hydrogen
G. Ohta, S. Fukatsu, N. Usami, Y. Shiraki and T. Hattori
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 157 巻 ( 1-4 ) 頁: 36-39 1995年
CRUCIAL ROLE OF SI BUFFER LAYER QUALITY IN THE PHOTOLUMINESCENCE EFFICIENCY OF STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELLS
T. Mine, N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu
J. Cryst. Growth 150 巻 ( 1-4 ) 頁: 1033-1037 1995年
CATHODOLUMINESCENCE INVESTIGATION OF SIGE QUANTUM WIRES FABRICATED ON V-GROOVE PATTERNED SI SUBSTRATES
V. Higgs, E. C. Lightowlers, N. Usami, Y. Shiraki, T. Mine and S. Fukatsu
J. Cryst. Growth 150 巻 頁: 1070-1073 1995年
Field-driven blue shift of excitonic photoluminescence in Si-Ge quantum wells and superlattices
J. Y. Kim, S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 157 巻 ( 1-4 ) 頁: 40-44 1995年
ABRUPT SI GE INTERFACE FORMATION USING ATOMIC-HYDROGEN IN SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY
G. Ohta, S. Fukatsu, Y. Ebuchi, T. Hattori, N. Usami and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 65 巻 ( 23 ) 頁: 2975-2977 1994年12月
PHOTOLUMINESCENCE OF SI/SIGE/SI QUANTUM-WELLS ON SEPARATION BY OXYGEN IMPLANTATION SUBSTRATE
D. K. Nayak, N. Usami, S. Fukatsu and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 64 巻 ( 18 ) 頁: 2373-2375 1994年5月
OPTICAL ANISOTROPY IN WIRE-GEOMETRY SIGE LAYERS GROWN BY GAS-SOURCE SELECTIVE EPITAXIAL-GROWTH TECHNIQUE
N. Usami, T. Mine, S. Fukatsu and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 64 巻 ( 9 ) 頁: 1126-1128 1994年2月
FABRICATION OF SIGE/SI QUANTUM-WIRE STRUCTURES ON A V-GROOVE PATTERNED SI SUBSTRATE BY GAS-SOURCE SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY
N. Usami, T. Mine, S. Fukatsu and Y. Shiraki
SOLID-STATE ELECTRONICS 37 巻 頁: 539-541 1994年
PHOTOLUMINESCENCE OF SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELLS WITH ABRUPT INTERFACES FORMED BY SEGREGANT-ASSISTED GROWTH
N. Usami, S. Fukatsu and Y. Shiraki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 33 巻 ( 4B ) 頁: 2304-2306 1994年
OPTICAL-DETECTION OF INTERDIFFUSION IN STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELL STRUCTURES
H. Sunamura, S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 33 巻 ( 4B ) 頁: 2344-2347 1994年
BAND-EDGE PHOTOLUMINESCENCE OF SIGE/STRAINED-SI/SIGE TYPE-II QUANTUM-WELLS ON SI(100)
D. K. Nayak, N. Usami, H. Sunamura, S. Fukatsu and Y. Shiraki
SOLID-STATE ELECTRONICS 37 巻 ( 4-6 ) 頁: 933-936 1994年
A SI1-XGEX/SI SINGLE-QUANTUM-WELL P-I-N STRUCTURE GROWN BY SOLID-SOURCE AND GAS-SOURCE HYBRID SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Y. Kato, S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 136 巻 頁: 355-360 1994年
GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY AND LUMINESCENCE CHARACTERIZATION OF STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELLS
S. Fukatsu, N. Usami, Y. Kato, H. Sunamura, Y. Shiraki, H. Oku, T. Ohnishi, Y. Ohmori and K. Okumura
J. Cryst. Growth 136 巻 頁: 315-321 1994年
BAND-EDGE PHOTOLUMINESCENCE OF SIGE STRAINED-SI/SIGE TYPE-II QUANTUM-WELLS ON SI(100)
D. K. Nayak, N. Usami, S. Fukatsu and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 63 巻 ( 25 ) 頁: 3509-3511 1993年12月
REALIZATION OF CRESCENT-SHAPED SIGE QUANTUM-WIRE STRUCTURES ON A V-GROOVE PATTERNED SI SUBSTRATE BY GAS-SOURCE SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY
N. Usami, T. Mine, S. Fukatsu and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 63 巻 ( 20 ) 頁: 2789-2791 1993年11月
BAND-EDGE PHOTOLUMINESCENCE OF SIGE STRAINED-SI SIGE TYPE-II QUANTUM-WELLS ON SI(100)
D. K. Nayak, N. Usami, H. Sunamura, S. Fukatsu and Y. Shiraki
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters 32 巻 ( 10A ) 頁: L1391-L1393 1993年10月
SELF-MODULATING SB INCORPORATION IN SI/SIGE SUPERLATTICES DURING MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH
K. Fujita, S. Fukatsu, N. Usami, Y. Shiraki, H. Yaguchi, R. Ito and K. Nakagawa
Surface Science 295 巻 ( 3 ) 頁: 335-339 1993年10月
LUMINESCENCE STUDY ON INTERDIFFUSION IN STRAINED SI1-XGEX/SI SINGLE QUANTUM-WELLS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
H. Sunamura, S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 63 巻 ( 12 ) 頁: 1651-1653 1993年9月
HYBRID SI MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL REGROWTH FOR A STRAINED SI1-XGEX/SI SINGLE-QUANTUM-WELL ELECTROLUMINESCENT DEVICE
Y. Kato, S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 63 巻 ( 17 ) 頁: 2414-2416 1993年8月
HIGH-TEMPERATURE OPERATION OF STRAINED SI0.65GE0.35/SI(111) P-TYPE MULTIPLE-QUANTUM-WELL LIGHT-EMITTING DIODE GROWN BY SOLID SOURCE SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY
S. Fukatsu, N. Usami, Y. Shiraki, A. Nishida and K. Nakagawa
Applied Physics Letters 63 巻 ( 7 ) 頁: 967-969 1993年8月
ABRUPT COMPOSITIONAL TRANSITION IN LUMINESCENT SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELL STRUCTURES FABRICATED BY SEGREGANT ASSISTED GROWTH USING SB ADLAYER
N. Usami, S. Fukatsu and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 63 巻 ( 3 ) 頁: 388-390 1993年7月
DISLOCATION GLIDE MOTION IN HETEROEPITAXIAL THIN-FILMS OF SI1-XGEX/SI(100)
Y. Yamashita, K. Maeda, K. Fujita, N. Usami, K. Suzuki, S. Fukatsu, Y. Mera and Y. Shiraki
Philosophical Magazine Letters 67 巻 ( 3 ) 頁: 165-171 1993年3月
IS LOW-TEMPERATURE GROWTH THE SOLUTION TO ABRUPT SI/SI1-XGEX INTERFACE FORMATION
S. Fukatsu, N. Usami, K. Fujita, H. Yaguchi, Y. Shiraki and R. Ito
J. Cryst. Growth 127 巻 頁: 401-405 1993年
INTENSE PHOTOLUMINESCENCE FROM STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELL STRUCTURES
S. Fukatsu, N. Usami, H. Yoshida, A. Fujiwara, Y. Takahashi, Y. Shiraki and R. Ito
J. Cryst. Growth 127 巻 頁: 489-493 1993年
OBSERVATION OF ELECTROLUMINESCENCE ABOVE ROOM-TEMPERATURE IN STRAINED P-TYPE SI0.65GE0.35/SI(111) MULTIPLE-QUANTUM WELLS
S. Fukatsu, N. Usami, Y. Shiraki, A. Nishida and K. Nakagawa
J. Cryst. Growth 127 巻 頁: 1083-1087 1993年
LUMINESCENCE FROM STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELLS GROWN BY SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY
S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 32 巻 ( 3B ) 頁: 1502-1507 1993年
LUMINESCENCE FROM SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELLS GROWN BY SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY
S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 11 巻 ( 3 ) 頁: 895-898 1993年
PHOTOGENERATION AND TRANSPORT OF CARRIERS IN STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELL STRUCTURES
S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters 31 巻 ( 11A ) 頁: L1525-L1528 1992年11月
QUANTUM SIZE EFFECT OF EXCITONIC BAND-EDGE LUMINESCENCE IN STRAINED SI1-XGEX/SI SINGLE QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN BY GAS-SOURCE SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY
S. Fukatsu, H. Yoshida, N. Usami, A. Fujiwara, Y. Takahashi, Y. Shiraki and R. Ito
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters 31 巻 ( 9B ) 頁: L1319-L1321 1992年9月
OBSERVATION OF DEEP-LEVEL-FREE BAND EDGE LUMINESCENCE AND QUANTUM CONFINEMENT IN STRAINED SI1-XGEX/SI SINGLE QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN BY SOLID SOURCE SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY
N. Usami, S. Fukatsu and Y. Shiraki
Applied Physics Letters 61 巻 ( 14 ) 頁: 1706-1708 1992年8月
ELECTROLUMINESCENCE FROM STRAINED SIGE/SI QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN BY SOLID SOURCE SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY
S. Fukatsu, N. Usami, T. Chinzei, Y. Shiraki, A. Nishida and K. Nakagawa
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters 31 巻 ( 8A ) 頁: L1015-L1017 1992年8月
BAND-EDGE LUMINESCENCE OF STRAINED SIXGE1-X/SI SINGLE QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN ON SI(111) BY SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY
S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters 31 巻 ( 8A ) 頁: L1018-L1020 1992年8月
SYSTEMATIC BLUE SHIFT OF EXCITON LUMINESCENCE IN STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN BY GAS SOURCE SILICON MOLECULAR-BEAM EPITAXY
S. Fukatsu, H. Yoshida, N. Usami, A. Fujiwara, Y. Takahashi, Y. Shiraki and R. Ito
THIN SOLID FILMS 222 巻 1992年
太陽電池とLEDの原理
Adrian Kitai著 宇佐美 徳隆 監訳( 担当: 共著)
丸善 2013年7月
太陽電池技術ハンドブック 4.2.3 シリコン多結晶の欠陥・組織と評価
宇佐美 徳隆( 担当: 共著)
オーム社 2013年5月
"第2章第3節 SiGe量子ドット系", "量子ドット太陽電池の最前線"
豊田太郎(監修)( 担当: 共著)
シーエムシー出版 2012年
"第3編第2章 太陽電池の基礎知識", "スマートハウスの発電・蓄電・給電技術の最前線"
田路 和幸 (監修) ( 担当: 共著)
シーエムシー出版 2011年
"第1章第4節 SiGe量子ドットのエピタキシャル成長", "量子ドットエレクトロニクスの最前線"
荒川泰彦 他41名( 担当: 共著)
NTS社 2011年
"Chapter 4. Types of silicon-germanium (SiGe) bulk crystal growth methods and their applications" in "SiGe nanostructures: materials science, technology and applications"
edited by Y. Shiraki, and N. Usami( 担当: 共著)
Woodhead publishing 2011年
太陽電池の基礎と応用 シリコン太陽電池
宇佐美 徳隆( 担当: 共著)
培風館 2010年7月
「太陽電池の物理」
Peter Würfel 著、宇佐美 徳隆、石原 照也、中嶋 一雄監訳( 担当: 共著)
丸善 2010年
"Chapter 6. Fundamental understanding of subgrain boundaries" in "Advances in Materials Research 14, Crystal Growth of Si for Solar Cells"
Edited by K. Nakajima, and N. Usami( 担当: 共著)
Springer 2009年
"Chapter 10. High-quality Si multicrystals with same grain orientation and large grain size by the new dendritic casting method for high-efficiency soalr cell applications" in "Advances in Materials Research 10, Frontiers in Materials Research"
Edited by Y. Fujikawa, K. Nakajima, and T. Sakurai( 担当: 共著)
Springer 2008年
"Chaper 12. Floating cast method as a new growth method of silicon bulk multicrystals for solar cells" in "Advances in Materials Research 10, Frontiers in Materials Research"
Edited by Y. Fujikawa, K. Nakajima, and T. Sakurai( 担当: 共著)
Springer 2008年
"Chapter 11. Growth of high-quality polycrystalline Si ingot with same grain orientation using dendritic casting method" in "Advances in Materials Research 10, Frontiers in Materials Research"
Edited by Y. Fujikawa, K. Nakajima, and T. Sakurai( 担当: 共著)
Springer 2008年
"III/34C3. Single and coupled quantum wells:SiGe" in "Landolt-Börnstein New Series"
Edited by E. Kasper and C. Klingshirn( 担当: 共著)
Springer 2007年
"Chapter 6.6. SiGe quantum structures" in "Mesoscopic Physics and Electronics"
Edited by T. Ando, Y. Arakawa, K. Furuya, S. Komiyama, and S. Nakashima( 担当: 共著)
Springer-Verlag 1998年
太陽光発電へのインフォマティクス応用 招待有り 国際共著
宇佐美 徳隆
太陽光発電協会会誌 2021年4月
Materials and process informatics for research on photovoltaics 招待有り 国際会議
Noritaka USAMI
The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020) 2020年11月9日
Application of Machine Learning for High-Performance Multicrystalline Materials 招待有り 国際会議
Noritaka USAMI
239th ECS Meeting with the 18th International Meeting on Chemical Sensors (IMCS) 2021年5月
多結晶材料情報学の基盤技術 招待有り
宇佐美徳隆
第36回シリサイド系半導体研究会 2021年3月19日 応用物理学会シリサイド系半導体研究会
多結晶シリコンウェハの蛍光イメージ中の転位クラスター領域の画像変換による特定
工藤博章, 松本哲也, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月18日 応用物理学会
As-doped n-BaSi2膜の水素パッシベーションによる分光感度向上と第一原理計算によるミクロ構造考察 国際共著
青貫翔, 山下雄大, Xu Zhihao, 後藤和泰, 都甲薫, 宇佐美徳隆, Migas Dmitri, 末益崇
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
シリコンナノ結晶/酸化シリコン複合膜に対する水素化処理の検討
松見優志, 後藤和泰, ビルデマーカス, 黒川康良, 福谷克之, 宇佐美徳隆
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月18日 応用物理学会
多結晶シリコンの光反射特性による結晶方位推定モデル
小島拓人, 原京花, 沓掛健太朗, 松本哲也, 工藤博章, 宇佐美徳隆
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月18日 応用物理学会
ベイズ最適化を援用した高性能パッシベーティングコンタクトの実現 ~TiOx/結晶Siヘテロ構造への適用~
宮川晋輔, 後藤和泰, 沓掛健太朗, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月18日 応用物理学会
三次元キャリアシミュレーションを用いた多結晶Si中三重点の電気的特性の評価
三田村和樹, 沓掛健太朗, 小島拓人, 宇佐美徳隆
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月18日 応用物理学会
シリコンナノ結晶/酸化シリコンを複合化した導電性パッシベーション膜の太陽電池応用
津幡亮平, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月18日 応用物理学会
同位体制御 28Si/SiGe量子計算基板における微小結晶傾斜角イメージング 国際共著
竹内公一, 宮本聡, 伊藤公平, 宇佐美徳隆
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月17日 応用物理学会
高性能多結晶材料創製に向けた多結晶材料情報学の開拓
宇佐美徳隆
日本物理学会第76回年次大会 2021年3月13日 日本物理学会
蛍光イメージングと有限差分シミュレーションを用いた多結晶シリコン中傾斜粒界の電気的特性の定量評価
三田村和樹, 沓掛健太朗, 小島拓人, 宇佐美徳隆
第3回結晶工学×ISYSE合同研究会 2020年12月23日 応用物理学会結晶工学分科会
ベイズ最適化を用いたTiOx/SiOy結晶Siへテロ構造における水素プラズマ処理条件の最適化
宮川晋輔, 後藤和泰, 沓掛健太朗, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第3回結晶工学×ISYSE合同研究会 2020年12月23日 応用物理学会結晶工学分科会
成長速度の二段階制御による真空蒸着BaSi2薄膜の高品質化
吉野孝政, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第3回結晶工学×ISYSE合同研究会 2020年12月23日 応用物理学会結晶工学分科会
蛍光イメージングと有限差分シミュレーションを用いた多結晶シリコン中傾斜粒界の電気的特性の定量評価
三田村和樹, 宇佐美徳隆
第30回学生による材料フォーラム 2020年11月13日 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部
シリコン結晶における粒界の成長方向に対する粒界構造と固液界面形状の影響
福田祐介, 宇佐美徳隆
第30回学生による材料フォーラム 2020年11月13日 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部
多層光学イメージを利用した多結晶Si中の結晶粒形状の取得
山腰健太, 宇佐美徳隆
第30回学生による材料フォーラム 2020年11月13日 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部
結晶成長の機械学習のためのデータ取得:何をどこで計測するか 招待有り
沓掛健太朗, B. Abderahmane, 宇佐美徳隆, 前田健作
第49回結晶成長国内会議 2020年11月9日 日本結晶成長学会
シリコン結晶における粒界の成長方向に対する粒界構造と固液界面形状の影響
福田祐介, 沓掛健太郎, 小島拓人, 宇佐美徳隆
第49回結晶成長国内会議 2020年11月9日 日本結晶成長学会
バルク多結晶成長のプロセスサイエンス 招待有り
宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 横井達矢, 大野裕
第49回結晶成長国内会議 2020年11月9日 日本結晶成長学会
Triple Junctions of Random Angle Grain Boundaries Acting as Dislocation Sources in HP Mc-Silicon Ingots 国際会議
Y. Ohno, K. Tajima, K. Kutsukake, and N. Usami
The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020) 2020年11月
Effect of forming gas annealing on hydrogen content and surface morphology of titanium oxide-coated crystalline silicon heterocontacts 国際会議
Y. Nakagawa, K. Gotoh, M. Wilde, S. Ogura, Y. Kurokawa, K. Fukutani, and N. Usami
The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020) 2020年11月
Improvement of BaSi2 thin film quality by two-step growth rate control of vacuum evaporation 国際会議
T. Yoshino, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami
The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020) 2020年11月
Impact of excess PbI2 on controlling one-dimensional MAPbI3 perovskites for high carrier lifetimes 国際会議
V. H. Nguyen, Y. Kurokawa, and N. Usami
The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020) 2020年11月
Impact of Ge deposition temperature on fabrication of surface texture using SiGe islands as a mask 国際共著 国際会議
V. H. Nguyen, A. Novikov, M. Shaleev, D. Yurasov, Y. Kurokawa, and N. Usami
The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020) 2020年11月
Impact of Misalignment of S3{111} Grain Boundaries on Photovoltaic Properties in Silicon 国際会議
Y. Ohno, T. Tamaoka, H. Yoshida, Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Nagai, K. Kutsukake, and N. Usami
The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020) 2020年11月
Application of artificial neural network to predict distribution of dislocations in silicon ingots 国際会議
A. Boucetta,Y. Fukuda, K. Kutsukake, T. Kojima, H. Kudo,T. Matsumoto, and N. Usami
The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020) 2020年11月
Fabrication of Si textures with low etching margin using Ag-assisted alkaline solution 国際会議
Y. Li, V.H. Nguyen, and N. Usami
The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020) 2020年11月
Dependence of electrical properties of stacked Sn-doped In2O3 films on oxygen partial pressure 国際会議
T. Inoue, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami
The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020) 2020年11月
Carbon dioxide/Silane gas flow rate dependency on electrical properties in silicon-nanocrystals-embedded silicon oxide passivating contacts 国際会議
R. Tsubata, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami
The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020) 2020年11月
Impact of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiOx prepared on crystalline silicon by atomic layer deposition 国際会議
S. Miyagawa, K. Gotoh, S. Ogura, M. Wilde, Y. Kurokawa, K. Fukutani, and N. Usami
The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020) 2020年11月
日本太陽光発電学会の設立に寄せて 招待有り
宇佐美徳隆
第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 2020年10月15日
積層Sn添加In2O3薄膜における電気的特性の酸素分圧依存性
井上徹哉, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 2020年10月15日
シリコンナノ結晶/酸化シリコン復合膜における炭酸ガス/シランガス流量比依存性
津幡亮平, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 2020年10月15日
ベイズ最適化を用いたTiOx/SiOy結晶Siへテロ構造における水素プラズマ処理条件の最適化
宮川晋輔, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 2020年10月15日
Mg層を挿入したTiOx/SiOy/Si構造の接合特性のTiOx膜厚依存性
中川裕太, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 2020年10月15日
成長速度の二段階制御による真空蒸着BaSi2薄膜の高品質化
吉野孝政, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 2020年10月15日
Atom probe tomography observation of diffusion behaviors in isotopically controlled silicon nanostructures 国際会議
S. Miyamoto, R. Kiga, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Usami, and K. M. Itoh
IMRT Joint International Symposium on Radiation Effects in Materials and Actinide Science (GIMRT-REMAS2020), Virtual meeting 2020年9月
Fabrication of TiOx thin film on Si using solution-based process and its passivation performance 国際会議
H. Luo, V. H. Nguyen, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020), Virtual Conference 2020年9月
Passivation Mechanism of the High-performance Titanium Oxide Passivating Contacts on Crystalline Silicon Studied by Spectroscopic Ellipsometry 国際会議
K. Gotoh, H. Miura, A. Shimizu, T. Kurokawa, and N. Usami
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020), Virtual Conference 2020年9月
Direct imaging of crystallographic tilting for valley-controlled Si/SiGe qubits 国際会議
K. Takeuchi, S. Miyamoto, K. M. Itoh, and N. Usami
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020), Virtual Conference 2020年9月
Size effect of silicon nanocrystals on Seebeck coefficient of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議
H. Kobayashi, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, N. Usami, and Y. Kurokawa
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020), Virtual Conference 2020年9月
ベイズ最適化を用いた酸化チタンパッシベーション膜における水素プラズマ処理条件の最適化
宮川晋輔, 後藤和泰, 沓掛健太朗, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催
多層光学イメージを利用した多結晶Si中の結晶粒の3次元モデル化
山腰健太, 沓掛健太朗, 小島拓人, 宇佐美徳隆
第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催
多結晶材料情報学による粒界構造の解明と制御に向けて 招待有り
宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 横井達矢, 大野裕
第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催
多結晶シリコン組織の結晶方位の統計解析
小島拓人, 松本哲也, 工藤博章, 宇佐美徳隆
第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催
Mg層挿入によるTiOx/Siヘテロ接合の接合特性の向上
中川裕太, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催
有限差分シミュレーションを用いた粒界傾斜のキャリア分布への影響評価
三田村和樹, 沓掛健太朗, 小島拓人, 宇佐美徳隆
第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催
印刷と焼成で形成したSiGe混晶薄膜の顕微ラマン分析
福田啓介, 宮本聡, 中原正博, 沓掛健太郎, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆
第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催
シリコンナノ結晶/酸化シリコンを複合化した導電性パッシベーション膜の検討
津幡亮, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催
Solid-state heteroepitaxy of Si(111) by Aluminum- induced Crystallization
M. Hainey, T. Yamamoto, E. Zhou, L. Viguerie, and N. Usami
ハイパフォーマンス多結晶シリコンにおける粒界3重点と転位発生の相関
大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆
第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催
溶液プロセスによる酸化チタン薄膜の作製とパッシベーション性能の評価
羅昊, Van Hoang Nguyen, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催
Formation of p-Type BaSi2 Thin Film and its Application to Silicon-Based Heterojunction Solar Cells 国際会議
Y. Kimura, M. Fujiwara, K. Takahashi, Y. Nakagawa, T. Yoshino, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami
37th European PV Solar Eneregy Conference and Exhibition
What Is the Dislocation Sources in the Growth of High-Performance Multicrystalline Si Ingots? 国際会議
Y. Ohno, K. Tajima, N. Usami, and K. Kutsukake
37th European PV Solar Energy Conference and Exhibition, Virtual meeting 2020年9月
Effect of Hydrogen Plasma Treatment on Silicon Quantum Dot Multilayers Using Amorphous SiOx 国際会議
R. Akaishi, K. Gotoh, N. Usami, and Y. Kurokawa
37th European PV Solar Energy Conference and Exhibition, Virtual meeting 2020年9月
Fabrication of silicon-nanocrystals-embedded silicon oxide passivating contacts 国際会議
R. Tsubata, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami
47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 47)
Work function of indium oxide thin films on p-type hydrogenated amorphous silicon 国際会議
M. Semma, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami
47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 47)
Passivation Mechanism of the High Performance Titanium Oxide Passivating Contacts on Crystalline Silicon Studied by Spectroscopic Ellipsometry 国際会議
K. Gotoh, H. Miura, A. Shimizu, S. Miyagawa, Y. Nakagawa, Y. Kurokawa, and N. Usami
10th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics 2020
High-performance TiOx/crystalline Si heterocontacts for solar cells 招待有り 国際会議
Noritaka Usami
畳み込みニューラルネットワークの転移学習に基づいた多結晶シリコ ンインゴット中の転位クラスター発⽣点の特徴
工藤博章, 松本哲也, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆
第67回 応用物理学会春季学術講演会
多結晶シリコンインゴット中の転位発⽣点近傍の構造特性
小野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆
第67回 応用物理学会春季学術講演会
MoOx CSC/Si太陽電池のPDAによる特性変動 (3)-表面反転層をチャネルとするFET-TEGのS/Dコンダクタンスによる評価
林豊, 神岡武文, 後藤和泰, 尾崎亮, 中村京太郎, 森村元勇, 宇佐美徳隆, 大下祥雄, 小椋厚志
第67回 応用物理学会春季学術講演会
不活性ガス雰囲気下での熱処理を⽤いたクラックフリーMg2Si厚膜 の合成
堀場一成, 後藤和泰, 黒川康良, 伊藤孝至, 宇佐美徳隆
第67回 応用物理学会春季学術講演会
機械学習を用いた発光強度プロファイルからの欠陥の電気的特性の推定とイメージマッピング
三田村和樹, 沓掛健太朗, 小島拓人, 宇佐美徳隆
第67回 応用物理学会春季学術講演会
ポストアニール処理を用いたアンドープp-BaSi2/n-Siヘテロ接合太陽電池の作製
木村裕希, 吉野孝政, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第67回 応用物理学会春季学術講演会
Marked photoresponsivity enhancement and minority carrier lifetime increase of boron-doped BaSi2 by atomic H passivation
Z. Xu, K. Gotoh, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu
酸化チタン/結晶シリコンヘテロ構造における水素プラズマ処理の効果
宮川晋輔, 後藤和泰, M. Wilde, 小倉正平, 黒川康良, 福谷克之, 宇佐美徳隆
第67回 応用物理学会春季学術講演会
印刷と焼成によるシリコン系混晶半導体のエピタキシャル成長とその場観察
福田啓介, 中原正博, 深見昌吾, 宮本聡, Dhamrin Marwan, 前田健作, 藤原航三, 宇佐美徳隆
第67回 応用物理学会春季学術講演会
機械学習を応用した画像処理による 多結晶シリコンウエハの結晶粒界検出
山腰健太, 田島和哉, 沓掛健太朗, 小島拓人, 宇佐美徳隆
第67回 応用物理学会春季学術講演会
核反応解析法と原⼦間⼒顕微鏡を⽤いたTiOx/SiOx/Siヘテロ 構造におけるパッシベーション性能の支配要因
中川裕太, 後藤和泰, ビルデ マーカス, 小倉正平, 黒川 康良, 福谷克之, 宇佐美徳隆
第67回 応用物理学会春季学術講演会
Fabrication of Si Textures with Low Etching Margin Using AgNO3-assisted Alkaline Solution
多結晶材料情報学の現在地 招待有り
宇佐美徳隆
アモルファス・ナノ材料と応用 第147委員会、第147回研究会 「マテリアルズインフォマティクスの活用とその課題」
Activation energy of hydrogen effusion of high performance TiOx/SiOx/c-Si heterocontacts 国際会議
Kazuhiro Gotoh, Takeya Mochizuki, Tomohiko Hojo, Yasuyoshi Kurokawa, Eiji Akiyama, Noritaka Usami
MRS-J The 30th Anniversary Material Research Meeting 2019
Activation energy of hydrogen effusion of high performance TiOx/SiOx/c-Si heterocontacts 国際会議
Kazuhiro Gotoh, Takeya Mochizuki, Tomohiko Hojo, Yasuyoshi Kurokawa, Eiji Akiyama, Noritaka Usami
MRS-J The 30th Anniversary Material Research Meeting 2019
Neural Network to Determine Appropriate Thermocouple Positions in Crystal Growth Furnace 国際会議
Abderahmane Boucetta, Kentaro Kutsukake, Hiroaki Kudo, Tetsuya Matsumoto, Takuto Kojima, Noritaka Usami
2019 MRS Fall Meeting & Exhibit
Role of the Interlayer in Improving Passivating Contact with Atomic Layer Deposited TiOx on Crystalline Si 国際会議
Takeya Mochizuki, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Takahisa Yamamoto, Tomohiko Hojo, Eiji Akiyama, Noritaka Usami
2019 MRS Fall Meeting & Exhibit
Impact of Growth Temperature of Ge Islands on Anti-Reflection Texture Formation 国際会議
Van Hoang Nguyen, Yuki Kimura, Alexey Novikov, Mikhail V Shaleev, Satoru Miyamoto, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
Practical Growth Processes of Silicide and Germanite Thin Films for Photovoltaic and Electronic Applications 国際会議
Kosuke O. Hara (invited), Shuhei Takizawa, Noritaka Usami, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
酸化チタン/結晶シリコンヘテロ構造における水素プラズマ処理の影響
宮川晋輔, 後藤和泰, Markus Wilde,小倉正平, 黒川康良, 福谷克之, 宇佐美徳隆
第2回ハイドロジェノミクス研究会
分光エリプソメトリーを用いた酸化チタン パッシベーション膜のポストアニール効果に関する研究
後藤和泰、 三浦裕之、 清水彩子、 宮川晋輔、 中川裕太、 黒川康良、 宇佐美徳隆
第4回フロンティア太陽電池セミナー
ポストアニール条件がアンドープBaSi2薄膜のキャリア密度に与える影響
藤原道信, 中川慶彦, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第2回結晶工学×ISYSE合同研究会
不活性ガス雰囲気下での熱処理を用いたMg2Si薄膜の作製とその膜質評価
堀場一成、 藤原道信、 中川慶彦、 後藤和泰、 黒川康良、 伊藤孝至、 宇佐美徳隆
第2回結晶工学×ISYSE合同研究会
データ科学を活用した多結晶シリコンの研究の進展 招待有り
宇佐美 徳隆
日本学術振興会 結晶成長の科学と技術第161委員会第112回研究会
Quantitative evaluation of electrical characteristics of inclined grain boundaries in multicrystalline silicon by photoluminescence imaging and finite element simulation 国際会議
Kazuki Mitamura, Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Noritaka Usami
PVSEC-29, 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
Characterization of Silicon Quantum Dot Solar Cell with the Phosphorus Blocking Layer 国際会議
Ryushiro Akaishi, Kazuhiro Gotoh, Shinya Kato, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa
PVSEC-29, 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
Impact of indium tin oxide double layers deposition on the passivation performance of a-Si:H/c-Si heterocontact 国際会議
Masanori Semma, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
PVSEC-29, 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
New Analysis Method to Evaluate Amorphous/Crystalline Si Interface for High Efficiency Heterojunction Solar Cells 国際会議
Takefumi Kamioka, Yutaka Hayashi, Kazuhiro Gotoh, Ryo Ozaki, Motoo Morimura, Ayako Shimizu, Kyotaro Nakamura, Noritaka Usami, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura
PVSEC-29, 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
Close-spaced evaporation:Scalable technique for BaSi2 film deposition 国際会議
Kosuke O. Hara, Shuhei Takizawa, Noritaka Usami, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto
PVSEC-29, 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
An universal approach to produce the passivation materials of c-Si substrate by alcoholic solute PEDOT:PSS 国際会議
V.H. Nguyen, Y. Kurokawa, N. Usami
National University of Singapore and Nagoya University Joint Seminar
Fabrication of Tapered Si Nanowires for PEDOT: PSS Hybrid c-Si Solar Cells 国際会議
Yuqing Li, Van Hoang Nguyen and Noritaka Usami
National University of Singapore and Nagoya University Joint Seminar
光学イメージによる多結晶Siウエハの結晶方位解析に向けた研究
上別府颯一郎、松本哲也、加藤光、沓掛健太朗、工藤博章、宇佐美徳隆
応用物理学会秋季学術講演会
発光イメージング法と有限要素シミュレーションを用いた多結晶シリコン中傾斜粒界の電気的特性の定量評価
三田村和樹、沓掛健太朗、小島拓人、宇佐美徳隆
応用物理学会秋季学術講演会
多結晶材料情報学による高性能シリコンイン ゴットの創製に向けて(注目講演) 招待有り
宇佐美徳隆、沓掛健太朗、Boucetta Abderahmane、小島拓人、松本哲也、工藤博章、野田祐輔、横井達矢、清水康雄、大野裕
応用物理学会秋季学術講演会
aSi:H/cSiヘテロ接合Si太陽電池の表面欠陥・トラップ準 位評価手段 -表面反転層ラテラル少数キャリア等価移動度
神岡武文、林豊、後藤和泰、尾崎亮、森村元勇、内藤志麻子、宇佐美徳隆、大下祥雄、小椋厚志
応用物理学会秋季学術講演会
サブピクセルシフトによるPLイメージングの空間分解能 の向上
竹内公一、 沓掛健太朗、 小島拓人、 工藤博章、 松本哲也、 宇佐美徳隆
応用物理学会秋季学術講演会
機械学習による発光強度プロファイルからの欠陥の電気特性の推定
沓掛健太朗、三田村和樹、小島拓人、宇佐美徳隆
応用物理学会秋季学術講演会
四元数計算を用いた多結晶シリコンにおけるランダム粒界と Σ3n粒界の識別手法
小島拓人、 田島和哉、 松本哲也、 工藤博章、 宇佐美徳隆
応用物理学会秋季学術講演会
機械学習を用いた多結晶シリコン基板の結晶粒検出と結晶方位推定
加藤光、上別府颯一郎、小島拓人、沓掛健太朗、松本哲也、工藤博章、竹内義則、宇佐美徳隆
応用物理学会秋季学術講演会
Evidence of Solute PEDOT:PSS as an Efficient Passivation Material 国際会議
V.H. Nguyen, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami, S. Kato
EU PVSEC 2019, The 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
Generation and Propagation of Dislocation Clusters Originated from Multicrystallization by S.3n Rotation and in Quasi-Monocrystalline Silicon 国際会議
T. Kojima, K. Tajima, T. Matsumoto, H. Kudo, N. Usami, P. Krenckel, S. Riepe
EU PVSEC 2019, The 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
Enhanced Material Quality in SMART mono-Si Block Cast Ingots by Introduction of Functional Defects 国際会議
S. Riepe, P. Krenckel, A. Hess, T. Trötschler, Y. Hayama, K. Kutsukake, F. Schindler, N. Usami
EU PVSEC 2019, The 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
On the Progress in Data Science Approaches for High-Quality Multicrystalline Silicon Ingot for Solar Cells 国際会議
Noritaka Usami, Kazuya Tajima, Soichiro Kamibeppu, Abderahmane Boucetta, Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Tetsuya Matsumoto, Hiroaki Kudo, Yusuke Noda, Tatsuya Yokoi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno
EU PVSEC 2019, The 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
Preparation and thermoelectric characterization of phosphorous-doped silicon nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議
Hisayoshi Kobayashi, Ryushiro Akaishi, Shinya Kato, Masashi Kurosawa, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa
SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials
Fabrication of Group Ⅳ Semiconductor Alloys on Si substrate by Screen-Printing 国際会議
M. Nakahara, M. Matsubara, S. Suzuki, M. Dhamrin, S. Miyamoto, M.F. Hainey Jr., N. Usami
SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials
Fabrication of Group Ⅳ Semiconductor Alloys on Si substrate by Screen-Printing 国際会議
M. Nakahara, M. Matsubara,S. Suzuki, M. Dhamrin, S. Miyamoto, M.F. Hainey Jr., N. Usami
SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials
Surface inversion layer effective minority carrier mobility as one of the measures of surface quality of the p-aSi:H/i-aSi:H/cSi heterojunction solar cell 国際会議
Y. Hayashi, T. Kamioka, K. Gotoh, R. Ozaki, K. Nakamura, M. Morimura, S. Naitou, N. Usami, A. Ogura, Y. Ohshita
SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials
Solute PEDOT:PSS as an Excellent Passivation Material of Si Substrate 国際会議
V.H. Nguyen, S. Kato, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami
SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials
Highly oriented Si(111) films on lattice-mismatched single-crystalline substrates via aluminum-induced crystallization 国際会議
M.F. Hainey Jr., C. Zhou, N. Usami
SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials
Optical Investigation of Interstitial H2 Nuclear-Spin States in Isotopically Enriched Silicon
新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール
TiOx/SiOx/結晶Siヘテロ界面における水素の脱離エネルギー
後藤 和泰、望月 健矢、北條 智彦、黒川 康良、秋山 英二、宇佐美 徳隆
新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール
水素プラズマ処理によるシリコン量子ドット積層構造の欠陥密度低減と構造特性評価
赤石 龍士郎、後藤 和泰、黒川 康良, 宇佐美 徳隆
新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール
原子層堆積法による結晶Si/SiOx/TiOx構造の作製と熱処理の効果
中川 裕太、後藤 和泰、宮本 聡、黒川 康良、宇佐美 徳隆
新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール
酸化チタン/結晶シリコンヘテロ構造における水素プラズマ処理の検討
宮川 晋輔、後藤 和泰、黒川 康良、宇佐美 徳隆
新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール
太陽電池高性能化への材料科学的アプローチ:結晶シリコン太陽電池を中心に 招待有り
宇佐美 徳隆
物質科学研究会 第1回iMATERIA研究会
発光イメージング法と有限要素シミュレーションを用いた多結晶シリコン中傾斜粒界の電気的特性の定量評価
三田村 和樹、小島 拓人、宇佐美 徳隆
応用物理学会 若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会
キャリア輸送径路にナノドットを用いたパッシベーション膜の作製と評価
津幡 亮平、後藤 和泰、黒川 康良、宇佐美 徳隆
応用物理学会 若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会
TiOx/結晶Siの電気的特性における光照射効果
宮川 晋輔、後藤 和泰、黒川 康良、宇佐美 徳隆
応用物理学会 若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会
Influence of Post Annealing Conditions on Carrier Density of Undoped Evaporated BaSi2 Films 国際会議
Yuki Kimura, Michinobu Fujiwara, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
APAC Silicide 2019, The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials
Influence of Ba to Si rate ratio on the properties of B-doped BaSi2 epitaxial films 国際会議
S. Sugiyama, Y. Kimura, Y. Yamashita, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu
APAC Silicide 2019, The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials
Significant improvement on photoresponsivity and minority carrier lifetime of atomic H passivated BaSi2 epitaxial films 国際会議
Z. Xu, K. Gotoh, T. Deng, K. Toko, N. Usami, D. Migas, T. Suemasu
APAC Silicide 2019, The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials
Synthesis of Mg2Si thin film by thermal treatment under inert gas atmosphere and evaluation of film quality 国際会議
Issei Horiba, Michinobu Fujiwara, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Itoh, Noritaka Usami
APAC Silicide 2019, The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials
Influence of the time-dependent vapor composition on structural properties of the BaSi2 thin films fabricated by vacuum evaporation 国際会議
Takamasa Yoshino, Yuki Kimura, Michinobu Fujiwara, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
APAC Silicide 2019, The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials
a-Si:H/c-Siヘテロ構造のパッシベーション性能と水素分布における製膜温度の影響
後藤 和泰,ビルデ マーカス, 加藤 慎也, 小倉 正平, 黒川 康良, 福谷 克之, 宇佐美 徳隆
学振175委員会 第16回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
書誌情報データベースを利用した175委員会の研究力分析
宇佐美 徳隆
学振175委員会 第16回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
ITO積層化のa-Si:H/c-Si界面パッシベーション性能に及ぼす影響
扇間 政典, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆
学振175委員会 第16回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
ハイパフォーマンス多結晶シリコンにおける転位クラスター発生機構
田島和哉, 沓掛健太朗, 大野裕, 松本哲也, 工藤博章, 宇佐美徳隆
学振175委員会 第16回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
Electrical properties of TiOx bilayer prepared by atomic layer deposition at different temperatures 国際会議
Takeya Mochizuki, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
The 64th IEEE Photovoltaics Specialist Conference
Significant improvement of optical properties of BaSi2 due to atomic H passivation by radio-frequency plasma 国際会議
Zhihao Xu, Kazuhiro Gotoh, Tianguo Deng, Kaoru Toko, Noritaka Usami, Takashi Suemasu
The 64th IEEE Photovoltaics Specialist Conference
Fabrication of Si1-xSnx layer on Si substrate by Screen-Printing of Al-Sn paste 国際会議
Masahiro Nakahara, Moeko Matsubara, Kosuke Tsuji, Shota Suzuki, Marwan Dhamrin, Noritaka Usami
2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference
Silicon Seed Layers Fabricated by Aluminum-induced Crystallization: Guidelines for Heteroepitaxy 国際会議
Mel Hainey, Jr, Yoann Robin, Geoffrey Avit, Loic Viguerie, Hiroshi Amano, Noritaka Usami
2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference
Pathways to high-performance silicon-based solar cells: Overview of photovoltaic research at Nagoya University 国際会議
Noritaka Usami
Instituts-Kolloquium, Institut fuer Solarenergieforschung in Hameln (ISFH)
Impact of pre-oxidation on hydrogen depth profiles around a-Si:H/c-Si heterointerface 国際会議
Kazuhiro Gotoh, Shohei Ogura, Yasuyoshi Kurokawa, Markus Wilde, Katsuyuki Fukutani, Noritaka Usami
Surface passivation of low temperature processed titanium oxide/alluminium oxide for silicon substrate 国際会議
Pathways to high-performance silicon-based heterojunction solar cells 招待有り 国際会議
Noritaka Usami
XXIII International symposium "Nanophysics & Nanoelectronic
Using Ge (Si) islands to increase the efficiency of thin crystalline solar cells 招待有り 国際会議
Mv Shaleev, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, N.A. Baidakova, E.E. Morozova, Y. Ota, V.H. Nguyen, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami
XXIII International symposium "Nanophysics & Nanoelectronic
Impact of textured structure on performance of PEDOT:PSS hybrid Si solar cells 招待有り 国際会議
V.H. Nguyen , Y. Ota, A. Novikov, M. Shaleev, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami
XXIII International symposium "Nanophysics & Nanoelectronic
ALD 法で作製したTiOx 電子選択層の積層化による電気的特性の制御
望月 健矢, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆
第66回応用物理学会春季学術講演会
Aluminum-induced crystallization of Si (111) on highly mismatched crystalline substrates
Mel Hainey, Eddie (Chenhui) Zhou, Noritaka Usami
Combination of Simulations and Data Science to Determine Appropriate Thermocouple Positions in a Crystal Growth Furnace
Abderahmane BOUCETTA, Kentaro KUTSUKAKE, Hiroaki KUDO, Tetsuya MATSUMOTO, Noritaka USAMI
放射光X線回折パターンの特徴抽出と空間マッピング
沓掛 健太朗, 神岡 武文, 井上 憲⼀, 深見 昌吾, 宇佐美 徳 隆, 中原 正博, ダムリン マルワン, 佐々木 拓生, 藤川 誠司, 高橋 正光
第66回応用物理学会春季学術講演会
SiOxを障壁層としたSi量子ドット太陽電池の作製
赤石 龍士郎, 北沢 宏平, 加藤 慎也, 後藤 和泰, 宇佐美 徳 隆, 黒川 康良
第66回応用物理学会春季学術講演会
擬単結晶シリコンにおけるΣ3結晶粒の発達と転位クラスターの生成の関係
小島 拓人, 田島 和哉, 松本 哲也, 工藤 博章, 宇佐美 徳隆
第66回応用物理学会春季学術講演会
3 次元PLイメージング法で同定したハイパフォーマンス多結晶シリコンイ ンゴット中の転位発⽣点近傍の透過電⼦顕微鏡解析
大野 裕, 田島 和哉, 沓掛 健太朗, 清水 康雄, 海老澤 直樹, 永井 康介, 宇佐美 徳隆
第66回応用物理学会春季学術講演会
ハイパフォーマンス多結晶Siインゴットにおける析出物分布の3次元可視化
上別府 颯⼀郎, Krenckel Patricia, Troetschler Theresa, Hess Adam, Riepe Stephan, 宇佐美 徳隆
第66回応用物理学会春季学術講演会
Ba/Si堆積レート比がB-doped BaSi2膜の少数キャリア寿命に与える影響
杉山 周, 木村 裕希, 山下 雄大, 都甲 薫, 宇佐美 徳隆, 末益 崇
第66回応用物理学会春季学術講演会
薄型基板上へのGeドットマスクを用いた光閉じ込め構造の作製と太陽電池への応用
太田 湧士,後藤 和泰,黒川 康良,宇佐美 徳隆, Dmitrij Yurasov, Alexey Novikov, Mikhail Shaleev
第66回応用物理学会春季学術講演会
多結晶シリコンインゴット内における転位クラスターのサイズと伝搬方向の関係
田島和哉, 松本哲也, 沓掛健太朗, 工藤博章, 宇佐美徳隆
第66回応用物理学会春季学術講演会
ポストアニール条件がBaSi2薄膜のキャリア密度に与える影響
木村 裕希, 藤原 道信, 中川 慶彦, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆
第66回応用物理学会春季学術講演会
印刷と焼成によるSi基板上へのSiGe層のエピタキシャル成長におけるSi基板方位の影響 国際会議
中原 正博、深見 昌吾、Mel F. Hainey, Jr.、中川 慶彦、有元 圭介、後藤 和泰、 黒川 康良、前田 健作、藤原 航三、ダムリン マルワン、宇佐美 徳隆
第66回応用物理学会春季学術講演会
ALD法で作製した法で作製したTiOx/SiOx/結晶Siヘテロ界面のパッシベーョン効果発現メカニズム〜水素原子脱離の影響〜
望月 健矢, 後藤 和泰, 北條 智彦, 黒川 康良, 秋山 英二, 宇佐美 徳隆
第66回応用物理学会春季学術講演会
Multicrystalline informatics for silicon ingot with ideal microstructures 招待有り 国際会議
Noritaka Usami
European Materials Modeling Council International Workshop 2019
Silicon Quantum Dot Superlattice Structure for Next Generation Solar Cell Application 国際会議
Ryushiro Akaishi, Kohei Kitazawa, Kazuhiro Gotoh, Shinya Kato, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa
Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University
Establishment of Quantitative Evaluation Method of Electrical Characteristics of Defects in Silicon Crystals for Solar Cells by Photoluminescence Imaging Method using Finite Element Method 国際会議
Kazuki Mitamura, Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami
Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University
Preparation of Silicon Nanocrystals Embedded in SiOx for Application to Next Generation Thermoelectric Devices 国際会議
Hisayoshi Kobayashi, Ryushiro Akaishi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University
Application of p-type Transparent Conductive Thin Film Copper Iodine to Silicon Heterojunction Solar Cells 国際会議
Min Cui, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa and Noritaka Usami
Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University
High Spatial Resolution of Multicrystalline Imaging by Subpixel Shift 国際会議
Koichi Takeuchi, Kazuya Tajima, Yusuke Hayama, Kentaro Kutsukake, Tetsuya Matsumoto, Hiroaki Kudo, Noritaka Usami
Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University
Influence of Light Soaking on c-Si Surface Passivation by Atomic Layer Deposited Titanium Oxide 国際会議
Shinsuke Miyagawa, Takeya Mochizuki, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, and Noritaka Usami
Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University
Explorative Studies of Novel Structures as Carrier Selective Contacts 国際会議
Ryohei Tsubata, Yuta Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University
Passivation Performance of Crystalline Silicon Solar Cells Employing Stacks of Ultrathin Oxide and Polycrystalline Si Formed by Aluminum Induced Crystallization 国際会議
Yuqing Li, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University
BaSi2: Novel Si-Based Material for High Efficiency Thin Film Solar Cells 国際会議
Yuki Kimura, Takamasa Yoshino, Michinobu Fujiwara, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University
Effective Near-Infrared Light-Trapping Silicon Nanowire Structure for Crystalline Silicon Thin Film Solar Cells 国際会議
Yasuyoshi Kurokawa, Shinya Kato, Noritaka Usami
Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University
Formation of Light-trapping Structure using Ge Islands Grown by Gas-source Molecular Beam Epitaxy as Etching Masks on a Si Thin Substrate 国際会議
Yushi Ota, Dmitry Yurasov, Alexey Novikov, Mikhail Shaleev, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University
Thin PEDOT:PSS: An Excellent Passivation Material 国際会議
Van Hoang Nguyen, Shinya Kato, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, and Noritaka Usami
Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University
Aluminum Induced Crystallization for Heterointegration of Electronic Materials 国際会議
Mel Hainey, Jr., Yoann Robin, Eddie Zhou, Hiroshi Amano, Noritaka Usami
Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University
シリコン酸化膜を用いたシリコン量子ドット積層構造における構造・電気的特性評価
赤石 龍士郎, 北沢 宏平, 後藤 和泰, 加藤 慎也, 宇佐美 徳隆, 黒川 康良
第3回フロンティア太陽電池セミナー
超薄膜TiOx/結晶Si界面における酸素・水素原子の挙動
望月健矢,後藤和泰,黒川康良,山本剛久,宇佐美徳隆
第12回 物性科学領域横断研究会
Effect of slow-speed evaporation of BaSi2 on the performance of p-type BaSi2/n-type crystalline Si solar cells 国際会議
Michinobu Fujiwara, Kazuma Takahashi, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
Multicrystalline Informatics for Silicon Ingot with Ideal Microstructures 招待有り 国際会議
Noritaka Usami, Kazuya Tajima, Soichiro Kamibeppu, Yusuke Hayama, Kentaro Kutsukake, Tetsuya Matsumoto, Hiroaki Kudo
Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
Effects of Tunnel Layers and Light Illumination on the Performance of Electron-Selective TiO2 Contacts 国際会議
Hyunju Lee, Changhyun Lee, Yoonmook Kang, Hae-Seok Lee, Donghwan Kim, Noritaka Usami, Yoshio Ohshita
Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
Recombination Activity of Inclined Σ3{111} Grain Boundaries in High-Performance Si Ingots 国際会議
Yutaka Ohno, Kentaro Kutsukake, Takehiro Tamaoka, Seiji Takeda, Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Noritaka Usami
Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
Effects of Surface Doping of Si Absorbers on the Performance of Carrier-Selective Contacts 国際会議
Yoshio Ohshita, Hyunju Lee, Takefumi Kamioka, Noritaka Usami
Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
Fabrication of SiGe Layer on Si Substrate by Screen-Printing 国際会議
Masahiro Nakahara, Moeko Matsubara, Shota Suzuki, Shogo Fukami, Marwan Dhamrin, Noritaka Usami
Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
Annealing Effects on the Layer Structure in BaSi2 Thin Films Studied by DB-PAS 国際会議
Ana Montes,Yilei Tian, Daan Schopmeijer, Stephan Eijt, Hendrik Schut, Takashi Suemasu, Noritaka Usami, Joao Serra, Olindo Isabella, Miro Zeman
Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
Coalesced, Centimeter-scale GaN Films on Amorphous Substrates via MOCVD Growth on a Silicon Seed Layer Fabricated by Aluminum-induced Crystallization 国際会議
Mel Hainey,Yoann Robin,Hiroshi Amano,Noritaka Usami
Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
Epitaxial growth of SiGe on Si substrate by printing and firing of Al-Ge mixed paste 国際会議
Shogo Fukami, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Masahiro Nakahara, Marwan Dhamrin, Noritaka Usami
Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
Degradation of passivation performance of crystalline silicon solar cells employing stacksof ultrathin oxide and polycrystalline Si formed by aluminum induced crystallization
Yuqing Li, Kazuhiro Gotoh, Takeya Mochizuki, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
ポストアニール温度によるBaSi2薄膜のキャリア密度への影響
木村 裕希, 藤原 道信, 中川 慶彦, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆
第6回応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
3D visualization and numerical information extraction of crystal defects in multicrystalline silicon ingot by processing PL images 国際会議
Kazuya Tajima, Tetsuya Matsumoto, Kentaro Kutsukake, Hiroaki Kudo, Noritaka Usami
The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018
Local analysis of TiOx/SiOx stack with excellent electrical properties for carrier selective contact 国際会議
Takeya Mochizuki,Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Takahisa Yamamoto, Noritaka Usami
The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018
Development of detection method of dislocation clusters from photoluminescence images by data science approach 国際会議
Kazuya Tajima, Tetsuya Matsumoto, Kentaro Kutsukake, Hiroaki Kudo, Noritaka Usami
The 7th Korea-Japan Joint Seminar on PV
Diffusion suppression of phosphorus into a Si quantum dots absorption layer using Nb-doped TiO2 国際会議
Kouhei Kitazawa, Ryushiro Akaishi, Shinya Kato, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa
The 7th Korea-Japan Joint Seminar on PV
Influence of illumination during ITO sputtering on passivation performance at a-Si:H/c-Si interface 国際会議
Masanori Semma, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
The 7th Korea-Japan Joint Seminar on PV
Coalesced, Centimeter-scale GaN Films on Amorphous Substrates via MOCVD Growth on a Silicon Seed Layer Fabricated by Aluminum-induced Crystallization 国際会議
Mel Hainey,Yoann Robin,Hiroshi Amano,Noritaka Usami
International Workshop on Nitride Semiconductors
Transparent conductive Nb doped titanium oxide thin film deposited under low temperature by RF magnetron sputtering 国際会議
Xuemei Cheng, Kazuhiro Gotoh, Hyunju Lee, Noritaka Usami
14th China SoG Silicon and PV Power Conference
Enhancing conductivity of PEDOT:PSS thin film for fabrication of c-Si solar cell 国際会議
Hoang Van Nguyen, Shinya Kato, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Emerging Material Technologies Summit
データ科学手法による結晶成長炉内の最適温度測定位置の検討
沓掛健太朗, Boucetta Abderahmane, 工藤博章, 松本哲也, 宇佐美徳隆
第47回結晶成長国内会議
Multicrystalline silicon informatics: A novel methodology to realize high-quality multicrystalline materials 招待有り 国際会議
Noritaka Usami
The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology
多層パーセプトロンによる多結晶シリコンPL 像中の転位領域の推定における次元数に関する検討
工藤博章,松本哲也,沓掛健太朗,宇佐美徳隆
電子情報通信学会 イメージ・メディア・クオリティ研究会
Stacks of a-SiOx:H/a-Si:H Passivation Layer for Low Parasitic Absorption and High Passivation in Silicon Heterojunction Solar Cells 国際会議
K. Gotoh, M, Cui, R. Akaishi, Y. Kurokawa, and N. Usami
EU PVSEC 2018
Multicrystalline Informatics to Realize Ideal Crystalline Silicon for Solar Cells 国際会議
N. Usami, Y. Hayama, T. Muramatsu, K. Tajima, S. Kamibeppu, K. Kutsukake, T. Matsumoto, and H. Kudo
EU PVSEC 2018
電子エネルギー損失分光法を用いた高パッシベーション性能TiOx/Sixヘテロ界面の局所構造の解明
望月健矢,後藤和泰,黒川康良,山本剛久,宇佐美徳隆
第79回応用物理学会秋季学術講演会
多結晶シリコンPL像中の転位領域の多層パーセプトロンによる推定
工藤博章,松本哲也,沓掛健太朗,宇佐美徳隆
第79回応用物理学会秋季学術講演会
Σ3{111}対称傾角粒界の不純物偏析能とキャリア再結合速度に対する傾角のずれの影響
大野 裕、沓掛 健太朗、玉岡 武泰、竹田 精治, 清水 康雄, 海老澤 直樹, 井上 耕治, 永井 康介, 宇佐美 徳隆
第79回応用物理学会秋季学術講演会
The influence of Ge substrate modification on photoresponse properties of evaporated BaSi2 films for thin-film solar cells application
Conductivity enhancement of PEDOT:PSS thin film for ITO-free hybrid c-Si solar cell
Hoang Van Nguyen, Shinya Kato, Kazuhiro Goto, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Pole figures as tools for understanding film misorientation in Group IV thin films fabricated by aluminum-induced crystallization 国際会議
Mel Hainey, Yoann Robin, Hiroshi Amano, Noritaka Usami
Effect of Heaters Fluctuations on the Temperature for High Quality Si Ingots 国際会議
Abderahmane BOUCETTA, Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami
データ科学的手法を用いた 多結晶Siと反射特性の相関の解明
上別府颯一郎, 松本哲也, 沓掛健太朗, 工藤博章, 宇佐美徳隆
第79回応用物理学会秋季学術講演会
画像処理を用いた多結晶シリコンのマクロPL画像における転位クラスター検出とキャリア再結合の関係
田島和哉、沓掛健太朗、松本哲也、工藤博章、宇佐美徳隆
第79回応用物理学会秋季学術講演会
印刷と焼成によるSi基板上へのSiGe層のエピタキシャル成長における熱処理条件の効果
深見 昌吾、中川 慶彦、後藤 和泰、黒川 康良、中原 正博、ダムリン マルワン、宇佐美 徳隆
第79回応用物理学会秋季学術講演会
ITO製膜時の光照射がa-Si:H/c-Si界面におけるパッシベーション性能に及ぼす影響
扇間政典, 後藤和泰, 黒川康良, 山本剛久, 宇佐美徳隆
第79回応用物理学会秋季学術講演会
Geドットマスクを用いた光閉じ込め構造の作製とa-Si:Hパッシベーション:Ge成長温度の効果
太田 湧士,後藤 和泰,黒川 康良,宇佐美 徳隆, Dmitrij Yurasov, Alexey Novikov, Mikhail Shaleev
第79回応用物理学会秋季学術講演会
p型BaSi2/n型結晶Siヘテロ接合形成におけるBaSi2低速蒸着の効果
藤原 道信,高橋 一真,中川 慶彦,後藤 和泰,黒川 康良,伊藤 孝至,宇佐美 徳隆
第79回応用物理学会秋季学術講演会
Low temperature processed high conductive Nb doped titanium oxide thin film deposited by RF magnetron sputtering
Xuemei Cheng, Kazuhiro Gotoh and Noritaka Usami
不活性ガス雰囲気下での熱処理を用いたMg2Si薄膜の合成と膜質評価
堀場 一成, 藤原 道信, 中川 慶彦, 後藤 和泰, 黒川 康良, 伊藤 孝至, 宇佐美 徳隆
第79回応用物理学会秋季学術講演会
真空蒸着法による透明導電膜上へのBaSi2 薄膜作製と評価
中川 慶彦, 望月 健矢,後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆
中川 慶彦, 望月 健矢,後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆
データ科学を活用した高品質多結晶材料創製に向けて 招待有り
宇佐美 徳隆,沓掛 健太朗,松本 哲也,工藤 博章,横井 達 矢,清水 康雄,大野 裕
日本セラミックス協会 第 31 回秋季シンポジウム
Evaluation of Si Nanowire MOS Capacitor Using High-k Dielectric Materials 国際会議
R. Nezasa, Y. Kurokawa, N. Usami
IEEE NANO 2018
FORMATION OF BLACK-Si FOR SOLAR CELLS BY SELECTIVE ETCHING STRUCTURES WITH GeSi ISLANDS
M.V. Shaleev, A.V. Novikov, N.A. Baydakova, D.V. Yurasov, E.E. Morozova, V.A. Verbus, E.V. Skorokhodov, Y. Ota, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami
薄型 Rib-Si 太陽電池の特性分布測定
岩田 龍門,石河 泰明,黒川 康良,小長井 誠
第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
データ科学的手法を用いた多結晶Siの結晶方位解析に関する研究
上別府颯一郎、松本哲也、沓掛健太朗、工藤博章、宇佐美徳隆
第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
薄型結晶Si太陽電池応用に向けたサブミクロンSiナノワイヤ構造の作製と評価
根笹良太, 清美樹, 黒川康良, 宇佐美徳隆
第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
SiOxを障壁層としたSi量子ドット太陽電池構造作製のためのTiO2:NbによるP拡散抑制
北沢宏平, 赤石龍士郎, 小野聖, 加藤慎也, 後藤和泰, 宇佐美徳隆, 黒川康良
第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
EFFECT OF NOVEL SUB-MICRON STRUCTURE FABRICATED ONTO CRYSTALLINE SILICON ON OPTICAL PROPERITES AND MINORITY CARRIER LIFETIME 国際会議
Miki Sei, Yasuyoshi Kurokawa, Shinya Kato, Kazuhiro Gotoh, Noritaka Usami
Grand Renewable Energy 2018
Controllable optical and electrical properties of Nb doped TiO2 films by RF sputtering 国際会議
Xuemei Cheng, K. Gotoh, T. Mochizuki and N. Usami
World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)
Application of light-trapping structure using Ge dot mask by alkaline etching to heterojunction solar cell 国際会議
Atsushi Hombe, Yasuyoshi Kurokawa, Kazuhiro Gotoh, Noritaka Usami
World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)
Development of the Passivation Layer for p-type CuI Thin Film Fabricated by the 2-step Method as the Novel Hole Selective Contact of Silicon Heterojunction Solar Cells 国際会議
M. Cui, K. Gotoh, Y. Kurokawa and N. Usami
World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)
Deposition and Characterization of Si Quantum Dot Multilayers Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition using SiH4 and CO2 Gases 国際会議
R. Akaishi, K Kitazawa, . Ono, K. Gotoh, E. Ichihara, S. Kato, N. Usami and Y. Kurokawa
World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)
Local structure of high performance TiOx passivating layer revealed by electron energy loss spectroscopy 国際会議
T. Mochizuki, K. Gotoh, A. Ohta, Y. Kurokawa, S. Miyazaki, T. Yamamoto, N. Usami
World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)
3D visualization and analysis of defects distribution in multicrystalline silicon ingot 国際会議
Y. Hayama, K. Tajima, S. Kamibeppu, T. Matsuomoto, T. Muramatsu, K. Kutsukake, H. Kudo, and N. Usami
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
Estimation of dislocation regions in photoluminescence image using multi wafers of multicrystalline silicon by non-negative matrix factorization 国際会議
H. Kudo, Y. Hayama, T. Matsumoto, K. Kutsukake, and N. Usami
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
Characterization of hydrogen around a-Si:H/c-Si interface by resonance nuclear reaction analysis 国際会議
K. Gotoh, S. Ogura, S. Kato, Y. Kurokawa, K. Fukutani, and N. Usami
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
Application of weighted Voronoi diagrams to analysis on nucleation sites of multicrystalline silicon ingots 国際会議
T. Muramatsu, S. Kamibeppu, K. Tajima, Y. Hayama, K. Kutsukake, K. Maeda, T. Matsumoto, H. Kudo, K. Fujiwara, and N. Usami
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
Evaluation on detection of dislocation clusters in the photoluminescence image by approach of data science 国際会議
K. Tajima, Y. Hayama, T. Muramatsu, K. Kutsukake, T. Matsumoto, H. Kudo , and N. Usami
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
Grain classification of crystal orientation by approach of data science 国際会議
S. Kamibeppu, T. Muramatsu, Y. Hayama, T. Matsumoto, K. Kutsukake, H. Kudo, and N. Usami
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
Impact of interlayers on thermal stability of TiOx passivating layer deposited by atomic layer deposition 国際会議
T. Mochizuki, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
Investigation on the thermal stability of p-type CuI as hole selective contact for the silicon heterojunction solar cells 国際会議
Min Cui, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
Effect of substrate modification on the optical and electrical properties of thermally-evaporated barium disilicide thin-films for solar cell applications 国際会議
Lien T.K. Mai, Y. Nakagawa, R. Akaishi, Y. Kurokawa, and N. Usami
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
Surface Passivation Property of Ultra-thin Titanium Oxide/Aluminum Oxide stacks for Silicon Based Selective Contact 国際会議
X. Cheng, K. Gotoh, R. Nezasa, T. Mochizuki, and N. Usami
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
Nb-doped TiO2 for silicon quantum dot solar cells as a carrier selective contact layer 国際会議
Y. Kurokawa, K. Kitazawa, R. Akaishi, S. Ono, K. Gotoh, and N. Usami
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
Dislocation confinement by SMART approach in crystallization of G2 sized silicon ingots 国際会議
P. Krenckel, Y. Hayama, T. Trötschler, S. Riepe, K. Kutsukake, and N. Usami
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
データ科学を活用した材料創製・材料評価に向けて
沓掛健太朗、宇佐美徳隆、工藤博章、松本哲也、横井達矢、羽山優介、大野裕
日本金属学会2018年春期(第162回)講演大会
Impact of Growth Temperature on Passivation Performance and Hydrogen Profile Near the a-Si:H/c-Si Interface 国際会議
K. Gotoh, S. Ogura, S. Kato, Y. Kurokawa, K. Fukutani, and N. Usami
SiliconPV
3D Visualization and Analysis of Dislocation Clusters in Multicrystalline Si Ingot by Approach of Data Science 国際会議
Y. Hayama, T. Matsumoto, T. Muramatsu, K. Kutsukake, H. Kudo and N. Usami
SiliconPV
Surface passivation effect of RF-plasma processed a-Si:H layers on the optical properties of BaSi2 epitaxial films
Zhihao Xu, K. Gotoh, Tianguo Deng, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu
データ科学的手法を用いた多結晶Siインゴット中の転位クラスター生成点の解析
羽山優介、Krenckel Patricia、Trötschler Theresa、松本哲也、村松哲郎、沓掛健太朗、工藤博章、Riepe Stephan、宇佐美徳隆
第65回応用物理学会春季学術講演会
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