2021/04/28 更新

写真a

ウサミ ノリタカ
宇佐美 徳隆
USAMI Noritaka
所属
大学院工学研究科 物質プロセス工学専攻 物質創成工学 教授
職名
教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(工学) ( 1998年1月   東京大学 ) 

研究キーワード 4

  1. 太陽電池

  2. 結晶成長

  3. 多結晶材料情報学

  4. 欠陥制御

研究分野 3

  1. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  2. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  3. ナノテク・材料 / 結晶工学

現在の研究課題とSDGs 4

  1. 多結晶材料情報学の学理構築と高品質多結晶材料創製

  2. 脱炭素社会の早期実現に向けた次世代太陽電池に関する研究

  3. 非真空プロセスによるシリコン系多元混晶材料のエピタキシャル成長

  4. 量子計算機用高品質半導体基板創製に関する研究

経歴 8

  1. 内閣府   政策統括官(科学技術・イノベーション担当)付 総合科学技術・イノベーション会議事務局   上席科学技術政策フェロー

    2018年4月 - 2020年3月

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    国名:日本国

  2. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター   教授

    2017年4月 - 2027年3月

  3. 筑波大学大学院数理物質科学研究科非常勤講師

    2015年10月 - 2016年3月

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    国名:日本国

  4. 東北大学流体科学研究所客員教授

    2013年5月 - 2017年3月

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    国名:日本国

  5. 東北大学金属材料研究所准教授

    2007年4月 - 2013年3月

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    国名:日本国

  6. 東北大学金属材料研究所助教授

    2000年2月 - 2007年3月

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    国名:日本国

  7. ドレスデン工大応用光物理研究所客員研究員

    1998年3月 - 1999年1月

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    国名:ドイツ連邦共和国

  8. 東京大学先端科学技術研究センター助手

    1994年7月 - 2000年1月

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    国名:日本国

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学歴 3

  1. 東京大学   工学系研究科   物理工学専攻

    1993年4月 - 1994年7月

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    国名: 日本国

  2. 東京大学   工学系研究科   物理工学専攻

    1991年4月 - 1993年3月

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    国名: 日本国

  3. 東京大学   工学部   物理工学科

    1987年4月 - 1991年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 4

  1. 日本太陽光発電学会   会長

    2020年10月 - 現在

  2. 応用物理学会   元理事

    1991年3月 - 現在

  3. 日本金属学会   東海支部理事

  4. 日本結晶成長学会   会員

委員歴 13

  1. 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces   International Program Committee  

    2021年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  2. 新エネルギー・産業技術総合開発機構   技術委員  

    2021年1月 - 現在   

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    団体区分:その他

  3. 日本太陽光発電学会次世代セル・モジュール分科会   幹事  

    2020年10月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  4. 次世代の太陽光発電シンポジウム   プログラム委員  

    2020年10月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  5. International Advisory Committee of the International Photovoltaic Science and Engineering Conference   member  

    2020年8月 - 現在   

  6. International Advisory Committee of World Conference on Photovoltaic Energy Conversion   member  

    2020年8月 - 現在   

  7. The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology   Co-Chair of Program and Award Selection Committee  

    2019年 - 2021年3月   

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    団体区分:その他

  8. The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference   General Chair of Organizing Committee  

    2018年12月 - 現在   

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    団体区分:その他

  9. The 10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells   Co-Chair of the organizing committee  

    2016年4月 - 2016年8月   

  10. 日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会   幹事  

    2013年 - 現在   

  11. 日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会   副委員長  

    2009年 - 2020年3月   

  12. International Advisory Committee of the International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells   member  

    2006年10月 - 現在   

  13. 日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会   幹事長代理  

    2000年 - 現在   

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受賞 9

  1. Photo & Illustration Contest 最優秀賞

    2018年9月   応用物理学会   Semicondoctor Nanoflower

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  2. SiliconPV Award

    2018年3月   SiliconPV 2018   3D Visualization and Analysis of Dislocation Clusters in Multicrystalline Si Ingot by Approach of Data Science

    Y. Hayama, T. Muramatsu, T. Matsumoto, K. Kutsukake, H. Kudo, N. Usami

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:スイス連邦

  3. イノベイティブPV論文賞

    2017年7月   独立行政法人日本学術振興会   多結晶材料情報学によるスマートシリコンインゴットの創製に向けて

    "宇佐美徳隆、羽山優介、髙橋勲、松本哲也、工藤博章、横井達矢、松永克志、沓掛健太朗、大野裕 "

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  4. The best poster award

    2012年6月  

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    受賞国:アメリカ合衆国

  5. The best paper award

    2009年11月  

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    受賞国:大韓民国

  6. インテリジェント・コスモス奨励賞

    2008年8月   財団法人インテリジェント・コスモス学術振興財団  

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    受賞国:日本国

  7. 安藤博記念学術奨励賞

    2000年7月   一般財団法人安藤研究所  

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    受賞国:日本国

  8. Engineering Conference Foundation Fellowship on Silicon Heterostructrues

    1997年9月  

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    受賞国:アメリカ合衆国

  9. Young Researcher Award of International Conference on Solid State Devices and Materials

    1993年8月  

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    受賞国:日本国

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論文 503

  1. Passivation mechanism of the high-performance titanium oxide carrier-selective contacts on crystalline silicon studied by spectroscopic ellipsometry 査読有り 国際誌

    Gotoh Kazuhiro, Miura Hiroyuki, Shimizu Ayako, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abd6dd

    Web of Science

  2. Mechanisms of carrier lifetime enhancement and conductivity-type switching on hydrogen-incorporated arsenic-doped BaSi2 査読有り

    S. Aonuki, Z. Xu, Y. Yamashita, K. Gotoh, K. Toko, N. Usami, A.B. Filonov, S.A. Nikitsiuk, D.B. Migas, D.A. Shohonov, and T. Suemasu

    Thin Solid Films   724 巻   頁: 138629   2021年3月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  3. Application of Bayesian optimization for improved passivation performance in TiOx/SiOy/c-Si heterostructure by hydrogen plasma treatment 査読有り 国際誌

    Miyagawa Shinsuke, Gotoh Kazuhiro, Kutsukake Kentaro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 2 )   2021年2月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/abd869

    Web of Science

  4. Simulation study on lateral minority carrier transport in the surface inversion layer of the p-aSi:H/i-aSi:H/cSi heterojunction solar cell 査読有り 国際誌

    Kamioka Takefumi, Hayashi Yutaka, Gotoh Kazuhiro, Hara Tomohiko, Ozaki Ryo, Morimura Motoo, Shimizu Ayako, Nakamura Kyotaro, Usami Noritaka, Ogura Atsushi, Ohshita Yoshio

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 2 )   2021年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abdd02

    Web of Science

  5. Propagation of Crystal Defects during Directional Solidification of Silicon via Induction of Functional Defects 査読有り 国際共著 国際誌

    Krenckel Patricia, Hayama Yusuke, Schindler Florian, Troetschler Theresa, Riepe Stephan, Usami Noritaka

    CRYSTALS   11 巻 ( 2 ) 頁: 1 - 10   2021年2月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/cryst11020090

    Web of Science

  6. Origin of recombination activity of non-coherent sigma 3{111} grain boundaries with a positive deviation in the tilt angle in cast-grown silicon ingots 査読有り 国際誌

    Ohno Yutaka, Tamaoka Takehiro, Yoshida Hideto, Shimizu Yasuo, Kutsukake Kentaro, Nagai Yasuyoshi, Usami Noritaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 1 ) 頁: .   2021年1月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  7. Activation energy of hydrogen desorption from high-performance titanium oxide carrier-selective contacts with silicon oxide interlayers 査読有り 国際誌

    Gotoh Kazuhiro, Mochizuki Takeya, Hojo Tomohiko, Shibayama Yuki, Kurokawa Yasuyoshi, Akiyama Eiji, Usami Noritaka

    CURRENT APPLIED PHYSICS   21 巻   頁: 36 - 42   2021年1月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cap.2020.10.002

    Web of Science

  8. The impact of highly excessive PbI2 on the correlation of MAPbI(3) perovskite morphology and carrier lifetimes 査読有り 国際共著 国際誌

    Van Hoang Nguyen, Hoang Tuan K. A., Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C   8 巻 ( 41 ) 頁: 14481 - 14489   2020年11月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d0tc04071a

    Web of Science

  9. Generation of dislocation clusters at triple junctions of random angle grain boundaries during cast growth of silicon ingots 査読有り 国際誌

    Ohno Yutaka, Tajima Kazuya, Kutsukake Kentaro, Usami Noritaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 10 )   2020年10月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/abbb1c

    Web of Science

  10. Determination of carrier recombination velocity at inclined grain boundaries in multicrystalline silicon through photoluminescence imaging and carrier simulation 査読有り 国際誌

    Mitamura Kazuki, Kutsukake Kentaro, Kojima Takuto, Usami Noritaka

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   128 巻 ( 12 )   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0017823

    Web of Science

  11. Impact of Ge deposition temperature on parameters of c-Si solar cells with surface texture formed by etching of Si using SiGe islands as a mask 査読有り 国際共著 国際誌

    Nguyen V. H., Novikov A., Shaleev M., Yurasov D., Semma M., Gotoh K., Kurokawa Y., Usami N.

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   114 巻   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105065

    Web of Science

  12. Reactive deposition growth of highly (001)-oriented BaSi2 films by close-spaced evaporation 査読有り 国際誌

    Hara Kosuke O., Takizawa Shuhei, Yamanaka Junji, Usami Noritaka, Arimoto Keisuke

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   113 巻   2020年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105044

    Web of Science

  13. Atomic hydrogen passivation for photoresponsivity enhancement of boron-doped p-BaSi2 films and performance improvement of boron-doped p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells 査読有り 国際共著 国際誌

    Xu Zhihao, Sato Takuma, Benincasa Louise, Yamashita Yudai, Deng Tianguo, Gotoh Kazuhiro, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Filonov Andrew B., Migas Dmitri B., Shohonov Denis A., Suemasu Takashi

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   127 巻 ( 23 )   2020年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0005763

    Web of Science

  14. Impact of deposition of indium tin oxide double layers on hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterojunction 査読有り

    Semma Masanori, Gotoh Kazuhiro, Wilde Markus, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka

    AIP ADVANCES   10 巻 ( 6 )   2020年6月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0009994

    Web of Science

  15. Significant enhancement of photoresponsivity in As-doped n-BaSi2 epitaxial films by atomic hydrogen passivation 査読有り 国際誌

    Aonuki Sho, Yamashita Yudai, Sato Takuma, Xu Zhihao, Gotoh Kazuhiro, Toko Kaoru, Terai Yoshikazu, Usami Noritaka, Suemasu Takashi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 5 ) 頁: .   2020年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  16. Undoped p-type BaSi2 emitter prepared by thermal evaporation and post-annealing for crystalline silicon heterojunction solar cells 査読有り 国際誌

    Kimura Yuki, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 5 )   2020年5月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ab8727

    Web of Science

  17. Scalable fabrication of GaN on amorphous substrates via MOCVD on highly oriented silicon seed layers 査読有り 国際共著 国際誌

    Hainey Mel Jr., Robin Yoann, Avit Geoffrey, Amano Hiroshi, Usami Noritaka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   535 巻   2020年4月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125522

    Web of Science

  18. 3D visualization of growth interfaces in cast Si ingot using inclusions distribution 査読有り 国際共著 国際誌

    Kamibeppu Soichiro, Krenckel Patricia, Troetschler Theresa, Hess Adam, Riepe Stephan, Usami Noritaka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   535 巻   2020年4月

     詳細を見る

    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125535

    Web of Science

  19. Drastic enhancement of photoresponsivity in C-doped BaSi2 films formed by radio-frequency sputtering 査読有り 国際誌

    Nemoto T., Matsuno S., Sato T., Gotoh K., Mesuda M., Kuramochi H., Toko K., Usami N., Suemasu T.

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab69dc

    Web of Science

  20. Synthesis of Mg2Si thin film by thermal treatment under inert gas atmosphere and evaluation of film quality

    Horiba Issei, Fujiwara Michinobu, Nakagawa Yoshihiko, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Itoh Takashi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6b79

    Web of Science

  21. Surface inversion layer effective minority carrier mobility as one of the measures of surface quality of the p-aSi:H/i-aSi:H/cSi heterojunction solar cell

    Kamioka Takefumi, Hayashi Yutaka, Gotoh Kazuhiro, Ozaki Ryo, Nakamura Kyotaro, Morimura Motoo, Naitou Shimako, Usami Noritaka, Ogura Atsushi, Ohshita Yoshio

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab70a0

    Web of Science

  22. Preparation and thermoelectric characterization of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers

    Kobayashi Hisayoshi, Akaishi Ryushiro, Kato Shinya, Kurosawa Masashi, Usami Noritaka, Kurokawa Yasuyoshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab6346

    Web of Science

  23. Influence of the time-dependent vapor composition on structural properties of the BaSi2 thin films fabricated by vacuum evaporation

    Yoshino Takamasa, Nakagawa Yoshihiko, Kimura Yuki, Fujiwara Michinobu, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6b78

    Web of Science

  24. Fabrication of group IV semiconductor alloys on Si substrate applying Al paste with screen-printing

    Nakahara Masahiro, Matsubara Moeko, Suzuki Shota, Dhamrin Marwan, Miyamoto Satoru, Hainey Mel Forrest Jr., Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6e0b

    Web of Science

  25. Effects of evaporation vapor composition and post-annealing conditions on carrier density of undoped BaSi2 evaporated films 査読有り 国際誌

    Kimura Yuki, Fujiwara Michinobu, Nakagawa Yoshihiko, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

     詳細を見る

    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab6418

    Web of Science

  26. Effect of Si substrate modification on improving the crystalline quality, optical and electrical properties of thermally-evaporated BaSi2 thin-films for solar cell applications 査読有り 国際共著 国際誌

    Mai Thi Kieu Lien, Usami Noritaka

    INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B   34 巻 ( 8 )   2020年3月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1142/S021797922050068X

    Web of Science

  27. Surface-orientation control of silicon thin films via aluminum-induced crystallization on monocrystalline cubic substrates 国際共著

    Hainey Mel Jr., Zhou Eddie (Chenhui), Viguerie Loic, Usami Noritaka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   533 巻   2020年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125441

    Web of Science

  28. Effect of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiOx on crystalline silicon prepared by atomic layer deposition 査読有り 国際誌

    Miyagawa Shinsuke, Gotoh Kazuhiro, Ogura Shohei, Wilde Markus, Kurokawa Yasuyoshi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   38 巻 ( 2 )   2020年3月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.5134720

    Web of Science

  29. Effect of forming gas annealing on hydrogen content and surface morphology of titanium oxide coated crystalline silicon heterocontacts 査読有り 国際誌

    Nakagawa Yuta, Gotoh Kazuhiro, Wilde Markus, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   38 巻 ( 2 )   2020年3月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.5134719

    Web of Science

  30. Point defects in BaSi2 thin films for photovoltaic applications studied by positron annihilation spectroscopy 国際共著

    Montes A., Eijt S. W. H., Tian Y., Gram R., Schut H., Suemasu T., Usami N., Zeman M., Serra J., Isabella O.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   127 巻 ( 8 )   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5126264

    Web of Science

  31. Effect of the Niobium-Doped Titanium Oxide Thickness and Thermal Oxide Layer for Silicon Quantum Dot Solar Cells as a Dopant-Blocking Layer 査読有り 国際誌

    Akaishi Ryushiro, Kitazawa Kohei, Gotoh Kazuhiro, Kato Shinya, Usami Noritaka, Kurokawa Yasuyoshi

    NANOSCALE RESEARCH LETTERS   15 巻 ( 1 )   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1186/s11671-020-3272-8

    Web of Science

  32. Application of artificial neural network to optimize sensor positions for accurate monitoring: an example with thermocouples in a crystal growth furnace 査読有り 国際誌

    Boucetta Abderahmane, Kutsukake Kentaro, Kojima Takuto, Kudo Hiroaki, Matsumoto Tetsuya, Usami Noritaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 12 )   2019年12月

     詳細を見る

    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/ab52a9

    Web of Science

  33. Tuning the Electrical Properties of Titanium Oxide Bilayers Prepared by Atomic Layer Deposition at Different Temperatures

    Gotoh Kazuhiro, Mochizuki Takeya, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   216 巻 ( 22 )   2019年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201900495

    Web of Science

  34. Mossbauer spectroscopic microscope study on diffusion and segregation of Fe impurities in mc-Si wafer 査読有り

    Yoshida Yutaka, Watanabe Tomio, Ino Yuji, Kobayashi Masashi, Takahashi Isao, Usami Noritaka

    HYPERFINE INTERACTIONS   240 巻 ( 1 )   2019年9月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s10751-019-1651-2

    Web of Science

  35. Hydrogen concentration at a-Si:H/c-Si heterointerfaces-The impact of deposition temperature on passivation performance

    Gotoh Kazuhiro, Wilde Markus, Kato Shinya, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka

    AIP ADVANCES   9 巻 ( 7 )   2019年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5100086

    Web of Science

  36. Marked enhancement of the photoresponsivity and minority-carrier lifetime of BaSi2 passivated with atomic hydrogen 国際共著

    Xu Zhihao, Shohonov Denis A., Filonov Andrew B., Gotoh Kazuhiro, Deng Tianguo, Honda Syuta, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Migas Dmitri B., Borisenko Victor E., Suemasu Takashi

    PHYSICAL REVIEW MATERIALS   3 巻 ( 6 )   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.3.065403

    Web of Science

  37. Evidence of solute PEDOT:PSS as an efficient passivation material for fabrication of hybrid c-Si solar cells 査読有り 国際誌

    Van Hoang Nguyen, Kato Shinya, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    SUSTAINABLE ENERGY & FUELS   3 巻 ( 6 ) 頁: 1448 - 1454   2019年6月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c9se00093c

    Web of Science

  38. Impact of size distributions of Ge islands as etching masks for anisotropic etching on formation of anti-reflection structures 国際共著

    Ota Yushi, Yurasov Dmitry, Novikov Alexey, Shaleev Mikhail, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 4 )   2019年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab003b

    Web of Science

  39. Epitaxial growth of SiGe on Si substrate by printing and firing of Al-Ge mixed paste 査読有り 国際誌

    Fukami Shogo, Nakagawa Yoshihiko, Hainey Mel E. Jr., Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Nakahara Masahiro, Dhamrin Marwan, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 4 )   2019年4月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab00e5

    Web of Science

  40. Local Structure of High Performance TiOx Electron-Selective Contact Revealed by Electron Energy Loss Spectroscopy 査読有り

    Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Yamamoto Takahisa, Usami Noritaka

    ADVANCED MATERIALS INTERFACES   6 巻 ( 3 )   2019年2月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/admi.201801645

    Web of Science

  41. Pole figure analysis from electron backscatter diffraction-an effective method of evaluating fiber-textured silicon thin films as seed layers for epitaxy 査読有り

    Hainey Mel Jr., Robin Yoann, Amano Hiroshi, Usami Noritaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 2 )   2019年2月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/aafb26

    Web of Science

  42. 3D visualization and analysis of dislocation clusters in multicrystalline silicon ingot by approach of data science 査読有り

    Hayama Yusuke, Matsumoto Tetsuya, Muramatsu Tetsuro, Kutsukake Kentaro, Kudo Hiroaki, Usami Noritaka

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   189 巻   頁: 239-244   2019年1月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.solmat.2018.06.008

    Web of Science

  43. Fabrication of Si1-xGex layer on Si substrate by Screen-Printing 査読有り

    Nakahara Masahiro, Matsubara Moeko, Suzuki Shota, Fukami Shogo, Dhamrin Manvan, Usami Noritaka

    MRS ADVANCES   4 巻 ( 13 ) 頁: 749-754   2019年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2019.15

    Web of Science

  44. Effects of Surface Doping of Si Absorbers on the Band Alignment and Electrical Performance of TiO2-Based Electron-Selective Contacts 査読有り

    Lee Hyunju, Kamioka Takefumi, Usami Noritaka, Ohshita Yoshio

    MRS ADVANCES   4 巻 ( 13 ) 頁: 769-775   2019年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2019.164

    Web of Science

  45. Significant improvement on electrical properties of BaSi2 due to atomic H passivation by radio-frequency plasma 査読有り

    Xu Zhihao, Gotoh Kazuhiro, Deng Tianguo, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Suemasu Takashi

    2019 IEEE 46TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)     頁: 12-14   2019年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  46. Fine Line Al Printing on Narrow Point Contact Opening for Front Side Metallization 査読有り

    Tsuji Kosuke, Suzuki Shota, Morishita Naoya, Kuroki Takashi, Nakahara Masahiro, Dhamrin Marwan, Peng Zih-Wei, Buck Thomas, Usami Noritaka

    9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON CRYSTALLINE SILICON PHOTOVOLTAICS (SILICONPV 2019)   2147 巻   2019年

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5123846

    Web of Science

  47. Optimized electrical control of a Si/SiGe spin qubit in the presence of an induced frequency shift 査読有り 国際共著

    Takeda K., Yoneda J., Otsuka T., Nakajima T., Delbecq M. R., Allison G., Hoshi Y., Usami N., Itoh K. M., Oda S., Kodera T., Tarucha S.

    NPJ QUANTUM INFORMATION   4 巻   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41534-018-0105-z

    Web of Science

  48. Application of weighted Voronoi diagrams to analyze nucleation sites of multicrystalline silicon ingots 査読有り

    Muramatsu Tetsuro, Hayama Yusuke, Kutsukake Kentaro, Maeda Kensaku, Matsumoto Tetsuya, Kudo Hiroaki, Fujiwara Kozo, Usami Noritaka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   499 巻   頁: 62-66   2018年10月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.07.028

    Web of Science

  49. Fabrication and properties characterization of BaSi2 thin-films thermally-evaporated on Ge (100) modified substrates 査読有り

    Mai Thi Kieu Lien, Nakagawa Yoshihiko, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    THIN SOLID FILMS   663 巻   頁: 14-20   2018年10月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2018.08.004

    Web of Science

  50. Activation mechanism of TiOx passivating layer on crystalline Si

    Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Ohta Akio, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Miyazaki Seiichi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 10 )   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.102301

    Web of Science

  51. Fabrication of light-trapping structure by selective etching of thin Si substrates masked with a Ge dot layer and nanomasks 査読有り

    Hombe Atsushi, Kurokawa Yasuyoshi, Gotoh Kazuhiro, Akagi Seimei, Yamamoto Yuzo, Yurasov Dmitry, Novikov Alexey, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 8 )   2018年8月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.08RF09

    Web of Science

  52. Investigation of effective near-infrared light-trapping structure with submicron diameter for crystalline silicon thin film solar cells

    Sei Miki, Kurokawa Yasuyoshi, Kato Shinya, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 8 )   2018年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.08RB21

    Web of Science

  53. Influence of barrier layer's height on the performance of Si quantum dot solar cells 査読有り

    Kitazawa Kouhei, Akaishi Ryushiro, Ono Satoshi, Takahashi Isao, Usami Noritaka, Kurokawa Yasuyoshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 8 )   2018年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.08RF08

    Web of Science

  54. Impact of boron incorporation on properties of silicon solar cells employing p-type polycrystalline silicon grown by aluminum-induced crystallization

    Masuda Shota, Gotoh Kazuhiro, Takahashi Isao, Nakamura Kyotaro, Ohshita Yoshio, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 8 )   2018年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.08RB12

    Web of Science

  55. Formation of light-trapping structure using Ge islands grown by gas-source molecular beam epitaxy as etching masks

    Ota Yushi, Hombe Atsushi, Nezasa Ryota, Yurasov Dmitry, Novikov Alexey, Shaleev Mikhail, Baidakova Natalie, Morozova Elena, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 8 )   2018年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.08RB04

    Web of Science

  56. Photovoltaic Science and Engineering FOREWORD

    Matsubara Koji, Yamada Akira, Minemoto Takashi, Itoh Takashi, Arafune Koji, Fujiwara Hiroyuki, Hayase Shuzi, Hiramoto Masahiro, Hishikawa Yoshihiro, Imaizumi Mitsuru, Ito Masakazu, Kaizuka Izumi, Kato Takuya, Komoto Keiichi, Kubo Takaya, Maitani Masato, Masuda Atsushi, Miyajima Shinsuke, Morita Kengo, Negami Takayuki, Ogimoto Kazuhiko, Ohdaira Keisuke, Ohshita Yoshio, Okada Yoshitaka, Okamoto Tamotsu, Osaka Itaru, Sai Hitoshi, Sakurai Takeaki, Shen Qing, Shibata Hajima, Sugaya Takeyoshi, Sugiyama Mutsumi, Takamoto Tatsuya, Tanaka Tooru, Terakawa Akira, Ueda Yuzuru, Usami Noritaka, Wakao Shinji, Yagi Shuhei, Yamanaka Sanshiro, Yoshida Yuji, Yoshita Masahiro

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 8 )   2018年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.08R001

    Web of Science

  57. Effect of substrate type on the electrical and structural properties of TiO2 thin films deposited by reactive DC sputtering

    Cheng Xuemei, Gotoh Kazuhiro, Nakagawa Yoshihiko, Usami Noritaka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   491 巻   頁: 120-125   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.04.001

    Web of Science

  58. Improving the photoresponse spectra of BaSi2 layers by capping with hydrogenated amorphous Si layers prepared by radio-frequency hydrogen plasma

    Xu Zhihao, Gotoh Kazuhiro, Deng Tianguo, Sato Takuma, Takabe Ryota, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Suemasu Takashi

    AIP ADVANCES   8 巻 ( 5 )   2018年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5025021

    Web of Science

  59. BaSi2 formation mechanism in thermally evaporated films and its application to reducing oxygen impurity concentration

    Hara Kosuke O., Yamamoto Chiaya, Yamanaka Junji, Arimoto Keisuke, Nakagawa Kiyokazu, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FS01

    Web of Science

  60. Simple method for significant improvement of minority-carrier lifetime of evaporated BaSi2 thin film by sputtered-AlOx passivation

    N.M. Shaalan, K.O. Hara, C.T. Trinh, Y. Nakagawa, and N. Usami

    Materials Science in Semiconductor Processing   76 巻   頁: 37-41   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  61. Simple method for significant improvement of minority-carrier lifetime of evaporated BaSi2 thin film by sputtered-AlOx passivation

    Shaalan N. M., Hara K. O., Trinh C. T., Nakagawa Y., Usami N.

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   76 巻   頁: 37 - 41   2018年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2017.12.015

    Web of Science

  62. Formation of black silicon using SiGe self-assembled islands as a mask for selective anisotropic etching of silicon

    D. V. Yurasov, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, N. A. Baidakova, E. E. Morozova, E. V. Skorokhodov, Y. Ota, A. Hombe, Y. Kurokawa, and N. Usami

    Materials Science in Semiconductor Processing   ( 75 ) 頁: 143-148   2018年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  63. Formation of black silicon using SiGe self-assembled islands as a mask for selective anisotropic etching of silicon

    Yurasov D. V., Novikov A. V., Shaleev M. V., Baidakova N. A., Morozova E. E., Skorokhodov E. V., Ota Y., Hombe A., Kurokawa Y., Usami N.

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   75 巻   頁: 143 - 148   2018年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2017.11.032

    Web of Science

  64. BaSi2 formation mechanism in thermally-evaporated films and its application to reducing oxygen impurity concentration

    K.O. Hara, C. Yamamoto, J. Yamanaka, K. Arimoto, K. Nakagawa, and N. Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   ( 57 ) 頁: 04FS01   2018年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  65. A quantum-dot spin qubit with coherence limited by charge noise and fidelity higher than 99.9%

    Yoneda Jun, Takeda Kenta, Otsuka Tomohiro, Nakajima Takashi, Delbecq Matthieu R., Allison Giles, Honda Takumu, Kodera Tetsuo, Oda Shunri, Hoshi Yusuke, Usami Noritaka, Itoh Kohei M., Tarucha Seigo

    NATURE NANOTECHNOLOGY   13 巻 ( 2 ) 頁: 102 - +   2018年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41565-017-0014-x

    Web of Science

  66. Alternative simple method to realize p-type BaSi2 thin films for Si heterojunction solar cell applications

    Takahashi Kazuma, Nakagawa Yoshihiko, Hara Kosuke O., Takahashi Isao, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    MRS ADVANCES   3 巻 ( 25 ) 頁: 1435-1442   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2018.191

    Web of Science

  67. Suppression of Near-interface Oxidation in Thermally-evaporated BaSi2 Films and Its Effects on Preferred Orientation and the Rectification Behavior of n-BaSi2/p(+)-Si Diodes

    Hara Kosuke O., Arimoto Keisuke, Yamanaka Junji, Nakagawa Kiyokazu, Usami Noritaka

    MRS ADVANCES   3 巻 ( 25 ) 頁: 1387-1392   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2018.31

    Web of Science

  68. Fabrication of silicon nanowire based solar cells using TiO2/Al2O3 stack thin films

    Kurokawa Yasuyoshi, Nezasa Ryota, Kato Shinya, Miyazaki Hisashi, Takahashi Isao, Usami Noritaka

    MRS ADVANCES   3 巻 ( 25 ) 頁: 1419-1426   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2018.40

    Web of Science

  69. Local Structure of High Performance TiOx Passivating Layer Revealed by Electron Energy Loss Spectroscopy

    Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Ohta Akio, Kurokawa Yasuyoshi, Miyazaki Seiichi, Yamamoto Takahisa, Usami Noritaka

    2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC)     頁: 3896-3899   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  70. Photoresponsivity improvement of BaSi2 epitaxial films by capping with hydrogenated amorphous Si layers by radio-frequency H-2 plasma

    Xu Zhihao, Gotoh Kazuhiro, Deng Tianguo, Sato Takuma, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Suemasu Takashi

    2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC)     頁: 1871-1873   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  71. Evaluation of Si Nanowire MOS Capacitor Using High-k Dielectric Materials

    Nezasa R., Kurokawa Y., Usami N.

    2018 IEEE 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE-NANO)     頁: .   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  72. Development of the Passivation Layer For P-type CuI Thin Film Fabricated by the 2-step Method as the Novel Hole Selective Contact of Silicon Heterojunction Solar Cells

    Cui Min, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC)     頁: 2118-2120   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  73. Deposition and Characterization of Si Quantum Dot Multilayers Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition using SiH4 and CO2 Gases

    Akaishi Ryushiro, Kitazawa Kouhei, Ono Satoshi, Gotoh Kazuhiro, Ichihara Eiji, Kato Shinya, Usami Noritaka, Kurokawa Yasuyoshi

    2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC)     頁: 2852-2856   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  74. Controllable Optical and Electrical Properties of Nb Doped TiO2 Films by RF Sputtering

    Cheng Xuemei, Gotoh Kazuhiro, Mochizuki Takeya, Usami Noritaka

    2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC)     頁: 1986-1990   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  75. Application of light trapping structure using Ge dot mask by alkaline etching to heterojunction solar cell

    Hombe Atsushi, Kurokawa Yasuyoshi, Gotoh Kazuhiro, Usami Noritaka

    2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC)     頁: 3097-3101   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  76. Investigation on the origin of preferred a-axis orientation of BaSi2 films deposited on Si(100) by thermal evaporation

    Hara Kosuke O., Yamamoto Chiaya, Yamanaka Junji, Arimoto Keisuke, Nakagawa Kiyokazu, Usami Noritaka

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   72 巻   頁: 93-98   2017年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2017.09.020

    Web of Science

  77. Selective etching of Si, SiGe, Ge and its usage for increasing the efficiency of silicon solar cells

    Baidakova N. A., Verbus V. A., Morozova E. E., Novikov A. V., Skorohodov E. V., Shaleev M. V., Yurasov D. V., Hombe A., Kurokawa Y., Usami N.

    SEMICONDUCTORS   51 巻 ( 12 ) 頁: 1542 - 1546   2017年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1134/S1063782617120028

    Web of Science

  78. Thermal stability of compressively strained Si/relaxed Si1-xCx heterostructures formed on Ar ion implanted Si (100) substrates

    Y. Arisawa, Y. Hoshi, K. Sawano, J. Yamanaka, K. Arimoto, C. Yamamoto, and N. Usami

    Materials Science in Semiconductor Processing   ( 70 ) 頁: 127-132   2017年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  79. Thermal stability of compressively strained Si/relaxed Si1-xCx heterostructures formed on Ar ion implanted Si (100) substrates

    Arisawa You, Hoshi Yusuke, Sawano Kentarou, Yamanaka Junji, Arimoto Keisuke, Yamamoto Chiaya, Usami Noritaka

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   70 巻   頁: 127 - 132   2017年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2016.11.024

    Web of Science

  80. Growth of strained Si/relaxed SiGe heterostructures on Si(110) substrates using solid-source molecular beam epitaxy

    Arimoto Keisuke, Nakazawa Hiroki, Mitsui Shohei, Utsuyama Naoto, Yamanaka Junji, Hara Kosuke O., Usami Noritaka, Nakagawa Kiyokazu

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   32 巻 ( 11 )   2017年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/aa8a87

    Web of Science

  81. Investigation on the origin of preferred a-axis orientation of BaSi2 films deposited on Si(100) by thermal evaporation

    K. O. Hara, C. Yamamoto, J. Yamanaka, K. Arimoto, K. Nakagawa, and N. Usami

    Materials Science in Semiconductor Processing   ( 72 ) 頁: 93-98   2017年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  82. Boron-doped p-BaSi2/n-Si solar cells formed on textured n-Si(001) with a pyramid structure consisting of {111} facets

    Deng Tianguo, Gotoh Kazuhiro, Takabe Ryota, Xu Zhihao, Yachi Suguru, Yamashita Yudai, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Suemasu Takashi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   475 巻   頁: 186-191   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.06.017

    Web of Science

  83. Formation of metastable cubic phase in SnS thin films fabricated by thermal evaporation

    Hara Kosuke O., Suzuki Shintaro, Usami Noritaka

    THIN SOLID FILMS   639 巻   頁: 7 - 11   2017年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2017.08.025

    Web of Science

  84. Growth of strained Si/relaxed SiGe heterostructures on Si(110) substrates using solid-source molecular beam epitaxy

    K. Arimoto, H. Nakazawa, S. Mitsui, N. Utsuyama, J. Yamanaka, K. O. Hara, N. Usami, and K. Nakagawa

    Semiconductor Science and Technology   ( 32 ) 頁: 114002   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  85. Fabrication of BaSi2 thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source

    Hara Kosuke O., Cham Thi Trinh, Kurokawa Yasuyoshi, Arimoto Keisuke, Yamanaka Junji, Nakagawa Kiyokazu, Usami Noritaka

    THIN SOLID FILMS   636 巻   頁: 546-551   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2017.06.055

    Web of Science

  86. Formation of metastable cubic phase in SnS thin films fabricated by thermal evaporation

    K. O. Hara, S. Suzuki, N. Usami

    Thin Solid Films   ( 639 ) 頁: 7-11   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  87. Effects of surface morphology randomness on optical properties of Si-based photonic nanostructures

    Kurokawa Yasuyoshi, Aonuma Osamu, Tayagaki Takeshi, Takahashi Isao, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 8 )   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.08MA02

    Web of Science

  88. Effect of Surface Morphology Randomness on Optical Properties of Si-based Photonic Nanostructures 査読有り

    Y. Kurokawa, O. Aonuma, T. Tayagaki ,I. Takahashi, and N. Usami

    Jpn. J. Appl. Phys.   ( 56 ) 頁: 08MA02   2017年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  89. Effect of ALD-Al2O3 Passivated Silicon Quantum Dot Superlattices on p/i/n+ Solar Cells

    M. M. Rahman, Yi-Chia Tsai, Ming-Yi Lee, A. Higo, Yiming Li, Y. Hoshi, N. Usami, and S. Samukawa

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   64 巻   頁: 7   2017年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  90. Effect of ALD-Al2O3 Passivated Silicon Quantum Dot Superlattices on p/i/n(+) Solar Cells

    Rahman Mohammad Maksudur, Tsai Yi-Chia, Lee Ming-Yi, Higo Akio, Li Yiming, Hoshi Yusuke, Usami Noritaka, Samukawa Seiji

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   64 巻 ( 7 ) 頁: 2886-2892   2017年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TED.2017.2704294

    Web of Science

  91. On the growth mechanism of multicrystalline silicon ingots with small grains fabricated using single-layer silicon beads

    Muramatsu Tetsurou, Takahashi Isao, Babu G. Anandha, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 7 )   2017年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.075502

    Web of Science

  92. Effects of grain boundary structure controlled by artificially designed seeds on dislocation generation 査読有り 国際誌

    Iwata Taisho, Takahashi Isao, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 7 )   2017年7月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.075501

    Web of Science

  93. Impact of anodic aluminum oxide fabrication and post-deposition anneal on the effective carrier lifetime of vertical silicon nanowires

    Van Hoang Nguyen, Sichanugrist Porponth, Kato Shinya, Usami Noritaka

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   166 巻   頁: 39 - 44   2017年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.solmat.2017.03.013

    Web of Science

  94. Fabrication of BaSi2 thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source

    K. O. Hara, C. T. Trinh. Y. Kurokawa; K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, and N. Usami

    Thin Solid Films   ( 646 ) 頁: 546-551   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  95. Boron-doped p-BaSi2/n-Si solar cells formed on textured n-Si(001) with a pyramid structure consisting of {111} facets

    T. Deng, K. Gotoh, R. Takabe, Z. Xu, S. Yachi, Y. Yamashita, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu

    Journal of Crystal Growth   ( 475 ) 頁: 186-191   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  96. Study on ion implantation conditions in fabricating compressively strained Si/relaxed Si1-xCx heterostructures using the defect control by ion implantation technique

    Y. Arisawa, K. Sawano, and N. Usami

    Journal of Crystal Growth   468 巻   頁: 601-604   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  97. Controlling impurity distributions in crystalline Si for solar cells by using artificial designed defects

    Hayama Yusuke, Takahashi Isao, Usami Noritaka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 610 - 613   2017年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.092

    Web of Science

  98. Towards optimized nucleation control in multicrystalline silicon ingot for solar cells

    G.A.Babu, I.Takahashi, T.Muramatsu, and N.Usami

    Journal of Crystal Growth   468 巻   頁: 620-624   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  99. Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si(110) grown by gas source MBE

    K.Arimoto, S.Yagi, J.Yamanaka, K.O.Hara, K.Sawano, N.Usami, and K.Nakagawa

    Journal of Crystal Growth   468 巻   頁: 625-629   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  100. Controlling Impurity Distribution in Quasi-mono Crystalline Si Ingot by Seed Manipulation for Artificially Controlled Defect Technique

    Y. Hayama, I. Takahashi, and N. Usami

    Energy Procedia   127 巻   頁: 610-613   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  101. Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si(110) grown by gas source MBE

    Arimoto Keisuke, Yagi Sosuke, Yamanaka Junji, Hara Kosuke O., Sawano Kentarou, Usami Noritaka, Nakagawa Kiyokazu

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 625 - 629   2017年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.076

    Web of Science

  102. Towards optimized nucleation control in multicrystalline silicon ingot for solar cells

    Babu G. Anandha, Takahashi Isao, Muramatsu Tetsurou, Usami Noritaka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 620 - 624   2017年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.066

    Web of Science

  103. Study on ion implantation conditions in fabricating compressively strained Si/relaxed Si1-xCx heterostructures using the defect control by ion implantation technique

    Arisawa You, Sawano Kentarou, Usami Noritaka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 601 - 604   2017年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.065

    Web of Science

  104. On the growth mechanism of multicrystalline silicon ingots with small grains by using single layer silicon beads

    T. Muramatsu, I. Takahashi, G. Anandha babu, and N. Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   ( 56 ) 頁: 075502   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  105. Effects of grain boundary structure controlled by artificially designed seeds on dislocation generation

    T. Iwata, I. Takahashi, and N. Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   ( 56 ) 頁: 075501   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  106. Minority-carrier lifetime and photoresponse properties of B-doped p-BaSi2, a potential light absorber for solar cells

    Bayu M. Emha, Cham Thi Trinh, Takabe Ryota, Yachi Suguru, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Suemasu Takashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 5 )   2017年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.05DB01

    Web of Science

  107. Growth of BaSi2 film on Ge(100) by vacuum evaporation and its photoresponse properties

    Cham Thi Trinh, Nakagawa Yoshihiko, Hara Kosuke O., Kurokawa Yasuyoshi, Takabe Ryota, Suemasu Takashi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 5 )   2017年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.05DB06

    Web of Science

  108. Investigation of p-type emitter layer materials for heterojunction barium disilicide thin film solar cells

    Takahashi Kazuma, Nakagawa Yoshihiko, Hara Kosuke O., Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 5 )   2017年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.05DB04

    Web of Science

  109. Postannealing effects on undoped BaSi2 evaporated films grown on Si substrates

    Suhara Takamichi, Murata Koichi, Navabi Aryan, Hara Kosuke O., Nakagawa Yoshihiko, Cham Thi Trinh, Kurokawa Yasuyoshi, Suemasu Takashi, Wang Kang L., Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 5 )   2017年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.05DB05

    Web of Science

  110. Growth of BaSi2 film on Ge(100) by vacuum evaporation and its photoresponse properties 査読有り

    C. T. Trinh, Y. Nakagawa, K. O. Hara, Y. Kurokawa, R. Takabe, T. Suemasu, and N. Usami

    Jpn. J. Appl. Phys.   ( 56 ) 頁: 05DB06   2017年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  111. Postannealing effects on undoped BaSi2 evaporated films grown on Si substrates 査読有り

    T. Suhara, K. Murata, A. Navabi, K. O. Hara, Y. Nakagawa, C. T. Trinh, Y. Kurokawa, T. Suemasu, K. L. Wang, and N. Usami

    Jpn. J. Appl. Phys.   ( 56 ) 頁: 05DB05   2017年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  112. Investigation of p-type emitter layer materials for heterojunction barium disilicide thin film solar cells 査読有り

    K. Takahashi, Y. Nakagawa, K. O. Hara, Y. Kurokawa, and N. Usami

    Jpn. J. Appl. Phys.   ( 56 ) 頁: 05DB04   2017年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  113. Post-annealing effects on the surface structure and carrier lifetime of evaporated BaSi2 films

    Hara Kosuke O., Cham Thi Trinh, Kurokawa Yasuyoshi, Arimoto Keisuke, Yamanaka Junji, Nakagawa Kiyokazu, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 4 )   2017年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.04CS07

    Web of Science

  114. Optical characterization of double-side-textured silicon wafer based on photonic nanostructures for thin-wafer crystalline silicon solar cells

    Tayagaki Takeshi, Furuta Daichi, Aonuma Osamu, Takahashi Isao, Hoshi Yusuke, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 4 )   2017年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.04CS01

    Web of Science

  115. Impact of anodic aluminum oxide fabrication and post-deposition anneal on the effective carrier lifetime of vertical silicon nanowires

    V. H. Nguyen, P. Sichanugrist, S. Kato, and N. Usami

    Solar Energy Materials and Solar Cells   166 巻   頁: 39-44   2017年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  116. Post-annealing effects on the surface structure and carrier lifetime of evaporated BaSi2 films 査読有り

    K. O. Hara, C. T. Trinh, Y. Kurokawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, and N. Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   56 巻   頁: 04CS07   2017年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  117. Minority-carrier lifetime and photoresponse properties of B-doped p-BaSi2, a potential light absorber for solar cells 査読有り

    M. E. Bayu, C. T. Trinh, R. Takabe, S. Yachi, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu

    Jpn. J. Appl. Phys.   ( 56 ) 頁: 05DB01   2017年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  118. Optical characterization of double-side-textured silicon wafer based on photonic nanostructures for thin-wafer crystalline silicon solar cells 査読有り

    T.Tayagaki, D.Furuta, O.Aonuma, I.Takahashi, Y.Hoshi, Y.Kurokawa, and N.Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   56 巻   頁: 04CS01   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  119. Exploring the potential of semiconducting BaSi2 for thin-film solar cell applications

    Suemasu Takashi, Usami Noritaka

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 2 ) 頁: 1-18   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/50/2/023001

    Web of Science

  120. TEM and STEM Observations of a Flat Continuous Silicon-Germanium Thin Film Epitaxially Grown on Porous Silicon 査読有り

    J. Yamanaka, N. Usami, S. Amtablian, A. Fave, M. Lemiti, C. Yamamoto, and K. Nakagawa

    Journal of Materials Science and Chemical Engineering   5 巻   頁: 26-34   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  121. Preferred Orientation of BaSi2 Thin Films Fabricated by Thermal Evaporation

    K. O. Hara, C. T. Trinh, Y. Nakagawa, Y. Kurokawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, and N. Usami

    JJAP Conference Proceedings   ( 5 ) 頁: 11202   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  122. Realization of Crystalline BaSi2 Thin Films by Vacuum Evaporation on (111)-oriented Si Layers Fabricated by Aluminum Induced Crystallization

    J. A. Wibowo, I. Takahashi, K. O. Hara, and N. Usami

    JJAP Conference Proceedings   ( 5 ) 頁: 11201   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  123. Controlling impurity distributions in crystalline Si for solar cells by using artificial designed defects

    Y.Hayama, I.Takahashi, and N.Usami

    Journal of Crystal Growth   468 巻   頁: 625-629   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  124. Selective Etching of Si, SiGe, Ge and Its Usage for Increasing the Efficiency of Silicon Solar Cells

    N.A. Baidakova, V.A. Verbus, E.E. Morozova, A.V. Novikov, E.V. Skorohodov, M.V. Shaleev, D.V. Yurasov, A. Hombe, Y. Kurokawa, and N. Usami

    Semiconductors   51 巻 ( 12 ) 頁: 1542-1546   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  125. Development of Spin-coated Copper Iodide Film on Silicon for Use in Hole-selective Contacts

    K. Gotoh, M. Cui, I. Takahashi, Y. Kurokawa, and N. Usami

    Energy Procedia   124 巻   頁: 598-603   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  126. Controlling impurity distribution in quasi-mono crystalline Si ingot by seed manipulation for artificially controlled defects technique

    Hayama Yusuke, Takahashi Isao, Usami Noritaka

    7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON PHOTOVOLTAICS, SILICONPV 2017   124 巻   頁: 734-739   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.egypro.2017.09.088

    Web of Science

  127. Development of spin-coated copper iodide on silicon for use in hole-selective contacts

    Gotoh Kazuhiro, Cui Min, Takahashi Isao, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON PHOTOVOLTAICS, SILICONPV 2017   124 巻   頁: 598-603   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.egypro.2017.09.081

    Web of Science

  128. Fabrication of CuI/a-Si:H/c-Si Structure for Application to Hole-selective Contacts of Heterojunction Si Solar Cells

    Gotoh Kazuhiro, Cui Min, Thanh Nguyen Cong, Koyama Koichi, Takahashi Isao, Kurokawa Yasuyoshi, Matsumura Hideki, Usami Noritaka

    2017 IEEE 44TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)     頁: 1765-1768   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  129. Solar Cells Application of p-type poly-Si Thin Film by Aluminum Induced Crystallization

    Masuda Shota, Gotoh Kazuhiro, Takahashi Isao, Nakamura Kyotaro, Ohshita Yoshio, Usami Noritaka

    2017 IEEE 44TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)     頁: 1794-1796   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  130. Exploring the Potential of Semiconducting BaSi2 for Thin-Film Solar Cell Applications 査読有り

    T. Suemasu and N. Usami

    Journal of Physics D: Applied Physics   50 巻   頁: 023001   2016年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  131. Effects of the Si/Al layer thickness on the continuity, crystalline orientation and the growth kinetics of the poly-Si thin films formed by aluminum-induced crystallization

    S.Tutashkonko, N.Usami

    Thin Solid Films   616 巻   頁: 213-219   2016年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  132. Growth direction control of dendrite crystals in parallel direction to realize high-quality multicrystalline silicon ingot

    T.Hiramatsu, I.Takahashi, S.Matsushima, and N.Usami

    Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻   頁: 091302   2016年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  133. Light-induced recovery of effective carier lifetime in boron-doped Czochralski silicon at room temperature 査読有り

    H.Ichikawaa, I.Takahashi, N.Usami, K.Shirasawa, H.Takato

    Energy Procedia   92 巻   頁: 801-807   2016年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  134. Photoresponse properties of BaSi2 film grown on Si (100) by vacuum evaporation .

    C.T.Trinh, Y.Nakagawa, K.O.Hara, R.Takabe, T.Suemasu, and N.Usami

    Materials Research Express   3 巻 ( 7 ) 頁: 076204   2016年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  135. Evidence for efficient passivation of vertical silicon nanowires by anodic aluminum oxide

    V.H.Nguyen, S.Kato, and N.Usami

    Solar Energy Materials and Solar Cells   157 巻   頁: 393-398   2016年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  136. Effect of grain boundary character of multicrystalline Si on external and internal (phosphorus) gettering of impurities 査読有り

    S.Joonwichien, I.Takahashi, K.Kutsukake, and N.Usami

    PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS: RESEARCH AND APPLICATIONS     2016年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: DOI: 10.1002/pip.2795

  137. p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells with conversion efficiency reaching 9.0%

    D.Tsukahara, S.Yachi, H.Takeuchi, R.Takabe, W.Du, M.Baba, Y.Li, K.Toko, N.Usami, and T.Suemasu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   108 巻   頁: 152101   2016年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  138. Modulated surface nanostructures for enhanced light trapping and reduced surface reflection of crystalline silicon solar cells 査読有り

    T.Tayagaki, Y.Hoshi, Y.Hirai, Y.Matsuo, and N.Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   ( 55 ) 頁: 52302   2016年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  139. Simple vacuum evaporation route to BaSi2 thin films for solar cell applications 査読有り

    K.O.Hara, Y.Nakagawa, T.Suemasu, and N. Usami

    Energy Procedia   141 巻   頁: 27-31   2016年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  140. On the mechanism of BaSi2 thin film formation on Si substrate by vacuum evaporation 査読有り

    Y.Nakagawaa, K.O.Hara, T.Suemasu, and N.Usami

    Energy Procedia   141 巻   頁: 23-26   2016年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  141. Improved multicrystalline silicon ingot quality using single layer silicon beads coated with silicon nitride as seed layer

    G.Anandha babu, I.Takahashi, S.Matsushima, and N.Usami

    Journal of Crystal Growth   441 巻   頁: 124-130   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  142. Effect of passivation layer grown by atomic layer deposition and sputtering processes on Si quantum dot superlattice to generate high photocurrent for high-efficiency solar cells

    M.M.Rahman, A.Higo, H.Sekhar, M.E.Syazwan, Y.Hoshi, N.Usami, and S.Samukawa

    Japanese Journal of Applied Physics   ( 55 ) 頁: 032303   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  143. Control of electrical properties of BaSi2 thin films by alkali-metal doping using alkali-metal fluorides 査読有り

    K.O.Hara, W.Du, K.Arimoto, J.Yamanaka, K.Nakagawa, K.Toko, T. Suemasu, and N.Usami

    Thin Solid Films   603 巻   頁: 218-223   2016年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  144. Compressively strained Si/Si1_xCx heterostructures formed on Ar ion implanted Si(100) substrates 査読有り

    Y.Hoshi, Y.Arisawa, K. Arimoto, J.Yamanaka, K.Nakagawa, K.Sawano, and N.Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁: 031302   2016年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  145. Impact of silicon quantum dot super lattice and quantum well structure as intermediate layer on p-i-n silicon solar cells

    M.M.Rahman, M-Y, Lee, Y-C,Tsai, A. Higo, H.Sekhar, M.Igarashi, M.E.Syazwan, Y.Hoshi, K.Sawano, N.Usami, Y.Li, and S.Samukawa

    PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS   ( 28 ) 頁: 774-780   2015年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pip.2726

  146. Structural and electrical characterizations of crack-free BaSi2 thin filmsfabricated by thermal evaporation

    K.O.Hara, J.Yamanaka, K. Arimoto, K.Nakagawa, T.Suemasu, N.Usami

    Thin Solid Films   595 巻   頁: 68-72   2015年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  147. Seed manipulation for artificially controlled defect technique in new growth method for quasi-monocrystalline Si ingot based on casting 査読有り

    I.Takahashi, S.Joonwichien, T.Iwata, and N.Usami

    Applied Physics Express   8 巻   頁: 105501   2015年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  148. Selective growth of vertical silicon nanowire array guided by anodic aluminum oxide template 査読有り

    V.H.Nguyen, Y.Hoshi, N.Usami, M.Konagai

    Japanese Journal of Applied Physics   54 巻   頁: 095003   2015年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  149. Comparison of phosphorus gettering effect in faceted dendrite and small grain of multicrystalline silicon wafers grown by floating cast method 査読有り

    S.Joonwichien, I.Takahashi, S.Matsushima, N.Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   54 巻   頁: 08KD11   2015年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  150. Application of heterojunction to Si-based solar cells using photonic nanostructures coupled with vertically aligned Ge quantum dots 査読有り

    I.Takahashi, Y.Hoshi, T.Tayagaki, T.Oikawa, K.Ohdaira, N.Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   54 巻   頁: 08KA06   2015年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  151. Fabrication of single-phase BaSi2 thin films on silicon substrates by vacuumevaporation for solar cell applications 査読有り

    Y.Nakagawa, K.O.Hara, T.Suemasu, N.Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   54 巻   頁: 08KC03   2015年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  152. Effect of Anodization Process of Aluminum Oxide Template on Selective Growth of Si Nanowires 査読有り

    V.H.Nguyen, S.Tutashkonko, Y.Hoshi, N.Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   54 巻   頁: 08KA02   2015年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  153. Geometry in Si-based photonic nanostructures coupled with Ge quantum dot multilayers and its impact on optical properties 査読有り

    O.Aonuma, Y.Hoshi, T.Tayagaki, A.Novikov, D.Yurasov, N.Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   54 巻   頁: 08KA01   2015年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  154. Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (0001¯) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    K.Shojiki, J-H.Choi, T.Iwabuchi, N.Usami, T.Tanikawa, S.Kuboya, T.Hanada, R.Katayama, T.Matsuoka

    Applied Physics Letters   106 巻   頁: 222102   2015年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  155. Relationship between dislocation density and contact angle of dendrite crystals in practical size silicon ingot

    I.Takahashi, S.Joonwichien, S.Matsushima, N.Usami

    Journal of Applied Physics   ( 117 ) 頁: 095701   2015年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  156. Realization of single-phase BaSi2 films by vacuum evaporation with suitable optical properties and carrier lifetime for solar cell applications 査読有り

    K.O.Hara, Y.Nakagawa, T.Suemasu, N.Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   54 巻   頁: 07JE02   2015年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  157. Cross-sectional potential profile across a BaSi2 pn junction by Kelvin probe force microscopy

    D.Tsukahara, M.Baba, K.Watanabe, T.Kimura, K.O.Hara, W.Du, N.Usami, K.Toko, T.Sekiguchi, T.Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   54 巻 ( 3 ) 頁: 030306   2015年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  158. Cross-sectional potential profile across a BaSi2 pn junction by Kelvin probe force microscopy 査読有り

    D.Tsukahara, M.Baba, K.Watanabe, T.Kimura, K.O.Hara, W.Du, N.Usami, K.Toko, T.Sekiguchi, T.Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   54 巻   頁: 030306   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  159. Absorption enhancement in nanotextured solar cells with Ge/Si heterostructures

    T.Tayagaki, Y.Kishimoto, Y.Hoshi, N.Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   ( 54 ) 頁: 04DR03   2015年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  160. Influence of Substrate on Crystal Orientation of Large-Grained Si Thin Films Formed by Metal-Induced Crystallization 査読有り

    K.Toko, M.Nakata, A.Okada, M.Sasase, N.Usami, T.Suemasu

    INTERNATIONAL JOURNAL OF PHOTOENERGY   ( 2015 ) 頁: 790242   2015年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  161. バルク結晶成長のこの10年 査読有り

    宇治原 徹, 島村清史, 宇佐美 徳隆, 太子 敏則, 樋口 幹雄, 吉村 政志

      42 巻 ( 1 ) 頁: pp.64-68   2015年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  162. Light trapping by direction-dependent light transmission in front-surface photonic nanostructures

    T.Tayagaki, Y.Kishimoto, Y.Hoshi, N.Usami

    Applied Physics Express   7 巻   頁: 122301   2014年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  163. Simulation study of Ge/Si heterostructured solar cells yielding improved open-circuit voltage and quantum efficiency

    T.Tayagaki, Y.Kishimoto, Y.Hoshi, I.Takahashi, N.Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   ( 53 ) 頁: 110312   2014年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  164. Potential variations around grain boundaries in impurity-doped BaSi2 epitaxial films evaluated by Kelvin probe force microscopy

    D.Tsukahara, M.Baba, S.Honda, Y.Imai, K.O.Hara, N.Usami, K.Toko, J.H.Werner, T.Suemasu

    D.Tsukahara, M.Baba, S.Honda, Y.Imai, K.O.Hara, N.Usami, K.Toko, J.H.Werner, T.Suemasu   116 巻   頁: 123709   2014年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  165. Towards implementation of floating cast method for growing large-scale high-quality multicrystalline silicon ingot using designed double crucibles

    S.Joonwichien, I.Takahashi, S.Matsushima, N.Usami

    PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS: RESEARCH AND APPLICATIONS   ( 22 ) 頁: 726-732   2014年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  166. Evaluation of minority carrier diffusion length of undoped n-BaSi2 epitaxial thin films on Si(001) substrates by electron-beam-induced-current technique

    M.Baba, K.Watanabe, K.O.Hara, K.Toko, T.Sekiguchi, N.Usami, T.Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   ( 53 ) 頁: 078004   2014年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  167. Analysis of the electrical properties of Cr/n-BaSi2 Schottky junction and n-BaSi2/p-Si heterojunction diodes for solar cell applications

    W.D, M.Baba, K.Toko, K.Kosuke, K.Watanabe, T.Sekiguchi, N.Usami, T.Suemasu

    Journal of Applied Physics   115 巻   頁: 223701   2014年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  168. Analysis of the electrical properties of Cr/n-BaSi2 Schottky junction and n-BaSi2/p-Si heterojunction diodes for solar cell applications

    W.Du, M.Baba, K.Toko, K.O.Hara, K.Watanabe, T.Sekiguchi, N.Usami, T.Suemasu

    Journal of Applied Physics   115 巻   頁: 223701   2014年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  169. Influence of grain size and surface condition on minority-carrier lifetime in undoped n-BaSi2 on Si(111) 査読有り

    R.Takabe, K.O.Hara, M.Baba, W.Du, N.Shimada, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu

      ( 115 ) 頁: 193510   2014年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  170. Carrier extraction dynamics from Ge/Si quantum wells in Si solar cells

    T.Tayagaki, Y.Hoshi, K.Ooi, T.Kiguchi, N.Usami

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 368-371   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.08.042

  171. Control of geometry in Si-based photonic nanostructures formed by maskless wet etching process and its impact on optical properties

    Y.Hoshi, T.Tayagaki, T.Kiguchi, N.Usami

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 338-341   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.066

  172. Large-grained (111)-oriented Si/Al/SiO2 structures formed by diffusion-controlled Al-induced layer exchange

    R.Numata, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 147-150   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.08.044

  173. Growth promotion of Al-induced crystallized Ge films on insulators by insertion of a Ge membrane below the Al layer

    R.Numata, K.Toko, K.Nakazawa, N.Usami, T.Suemasu

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 143-146   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.08.040

  174. N-type doping of BaSi2 epitaxial films by phosphorus ion implantation and thermal annealing

    K.O.Hara, Y.Hoshi, N.Usami, Y.Shiraki, K.Nakamura, K.Toko, T.Suemasu

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 90-93   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.08.038

  175. Selective formation of large-grained, (100)- or (111)-oriented Si on glass by Al-induced layer exchange

    K.Toko, R.Numata, N.Saitoh, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu

    Journal of Applied Physics   115 巻 ( 9 ) 頁: 094301   2014年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4867218

  176. Formation process of Si3N4 particles on surface of Si ingots grown using silica crucibles with Si3N4 coating by noncontact crucible method

    K.Nakajima, K.Morishita, R.Murai, N.Usami

    Journal of Crystal Growth   389 巻   頁: 112-119   2014年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.12.006

  177. Orientation control of Ge thin films by underlayer-selected Al-induced crystallization

    K.Toko, K.Nakazawa, N.Saitoh, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu

    CrystEngComm   16 巻 ( 13 ) 頁: 2578-2583   2014年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c3ce42057d

  178. Structural characterization of polycrystalline Ge thin films on insulators formed by diffusion-enhanced Al-induced layer exchange

    R.Numata, K.Toko, N.Oya, N.Usami and T.Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   53 巻   頁: 04EH03   2014年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  179. Al-induced crystallization of amorphous Ge thin films on conducting layer coated glass substrates

    K.Nakazawa, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   53 巻   頁: 04EH01   2014年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  180. Fabrication and characterization of BaSi2 epitaxial films over 1 mu m in thickness on Si(111) 査読有り

    R.Takabe, K.Nakamura, M.Baba, W.Du, M.A.Khan, K.Toko, M.Sasase, K.Hara, N.Usami, T.Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   53 巻   頁: 04ER04   2014年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  181. Enhanced photocarrier generation in large-scale photonic nanostructures fabricated from vertically aligned quantum dots

    T.Tayagaki, Y.Hoshi, Y.Kishimoto, and N.Usami

    Optics Express   22 巻 ( 52 ) 頁: A225-A232   2014年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1364/oe.22.00a225

  182. Low-temperature (180 degrees C) formation of large-grained Ge (111) thin film on insulator using accelerated metal-induced crystallization

    K.Toko, R.Numata, N.Oya, N.Fukata, N.Usami, T.Suemasu

    Applied Physics Letters   104 巻 ( 2 ) 頁: 022106   2014年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4861890

  183. Grazing-incidence small-angle X-ray scattering from Ge nanodots self-organized on Si(001) examined with soft X-rays

    T.Yamamoto, H.Okuda, K.Takeshita, N.Usami, Y.Kitajima, H.Ogawa

    Journal of Synchrotron Radiation   21 巻   頁: 161-164   2014年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1107/s1600577513026088

  184. Mono-Like Silicon Growth Using Functional Grain Boundaries to Limit Area of Multicrystalline Grains

    K.kutsukake, N.Usami, Y.Ohno,Y.Tokumoto, I.Yonenaga

    Ieee Journal of Photovoltaics   4 巻 ( 1 ) 頁: 84-87   2014年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/jphotov.2013.2281730

  185. Effect of Ge/Al thickness on Al-induced crystallization of amorphous Ge layers on glass substrates

    K.Nakazawa, K.Toko, N.Saitoh, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu

    physica status solidi ©   10 巻   頁: 1781-1784   2013年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  186. Epitaxial growth of BaSi2 films with large grains using vicinal Si(111) substrates

    M.Baba, K.O.Hara, K.Toko, N.Saito, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu

    physica status solidi ©   10 巻   頁: 1756-1768   2013年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  187. Investigation of the tunneling properties and surface morphologies of BaSi2/Si tunnel junctions for BaSi2 solar cell applications

    W.Du, M.Baba, R.Takabe, N.Zhang, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu

    physica status solidi ©   10 巻   頁: 1765-1768   2013年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  188. Fabrication of BaSi2 films on (111)-oriented Si layers formed by inverted Al-induced crystallization method on glass structure

    R.Numata, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu

    physica status solidi ©   10 巻   頁: 1769-1772   2013年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  189. Fabrication and characterizations of phosphorus-doped n-type BaSi2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy

    R.Takabe, M.Baba, K.Nakamura, W.Du, M.A.Khan, S.Koike, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, T.Suemasu

    physica status solidi ©   10 巻   頁: 1753-1755   2013年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  190. Mechanism of strain relaxation in BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates during post-growth annealing and application for film exfoliation

    K.O.Hara, N.Usami, K.Nakamura, R.Takabe, M.Baba, K.Toko, T.Suemasu

    physica status solidi ©   10 巻   頁: 1677-1680   2013年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  191. Determination of Bulk Minority-Carrier Lifetime in BaSi2 Earth-Abundant-Absorber Films by Utilizing a Drastic Enhancement of Carrier Lifetime by Post-Growth Annealing

    K.O.Hara, N.Usami, K.Nakamura, R.Takabe, M.Baba, K.Toko, T.Suemasu

    Applied Physics Express   6 巻   頁: 112302   2013年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  192. Determination of Bulk Minority-Carrier Lifetime in BaSi2 Earth-Abundant Absorber Films by Utilizing a Drastic Enhancement of Carrier Lifetime by Post-Growth Annealing

    K.O.Hara, N.Usami, K.Nakamura, R.Takabe, M.Baba, K.Toko, T.Suemasu

    Applied Physics Express   6 巻 ( 11 ) 頁: 112302   2013年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/apex.6.112302

  193. Theory of open-circuit voltage and the driving force of charge separation in pn-junction solar cells

    K.O.Hara, N.Usami

    Journal of Applied Physics   114 巻   頁: 153101   2013年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  194. Evaluation of potential variations around grain boundaries in BaSi2 epitaxial films by Kelvin probe force microscopy

    M.Baba, S.Tsurekawa, K.Watanabe, W.Du, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, T.Sekiguchi, T.Suemasu

    Applied Physics Letters   103 巻   頁: 142113   2013年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  195. Investigation of the open-circuit voltage in solar cells doped with quantum dots

    T.Tayagaki, Y.Hoshi, N.Usami

    Scientific Reports   3 巻   頁: 2703   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep02703

  196. Control of Grain Boundary Propagation in Mono-Like Si: Utilization of Functional Grain Boundaries

    K.Kutsukake, N.Usami, Y.Ohno, Y.Tokumoto, I.Yonenaga

    Applied Physics Express   6 巻   頁: 025505   2013年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  197. Effect of atomic-hydrogen irradiation on reduction of residual carrier concentration in β-FeSi2 films grown on Si substrates by atomic-hydrogen-assisted molecular beam epitaxy

    Y.Funase, M.Suzuno, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, N.Saito, N.Yoshizawa, T.Suemasu

    Journal of Crystal Growth   378 巻   頁: 365-367   2013年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  198. Enhancement of light emission from Ge quantum dots by photonic crystal nanocavities at room-temperature

    XJ.Xu, N.Usami, T.Maruizumi, Y.Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   378 巻   頁: 636-639   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.11.002

  199. On the origin of the uniaxial strain induced in Si/Ge heterostructures with selective ion implantation technique

    K.Sawano, Y.Hoshi, S.Nagakura, K.Arimoto, K.Nakagawa, N.Usami, Y.Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   378 巻   頁: 251-253   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.100

  200. Molecular beam epitaxy of boron doped p-type BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates for thin-film solar cells

    M.A.Khan, K.O.Hara, K.Nakamura, W.J.Du, M.Baba, K.Toh, M.Suzuno, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   378 巻   頁: 201-204   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.153

  201. Large photoresponsivity in semiconducting BaSi2 epitaxial films grown on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy

    S.Koike, K.Toh, M.Baba, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, N.Saito, N.Yoshizawa, T.Suemasu

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   378 巻   頁: 198-200   2013年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.052

  202. Gas-source MBE growth of strain-relaxed Si1-xCx on Si(100) substrates

    K.Arimoto, S.Sakai, H.Furukawa, J.Yamanaka, K.Nakagawa, N.Usami, Y.Hoshi, K.Sawano, Y.Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   378 巻   頁: 212-217   2013年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.152

  203. Formation of large-grain-sized BaSi2 epitaxial layers grown on Si(111) by molecular beam epitaxy

    M.Baba, K.Toh, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, N.Saito, N.Yoshizawa, T.Suemasu

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   378 巻   頁: 193-197   2013年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.176

  204. Large-Grained Polycrystalline (111) Ge Films on Insulators by Thickness-Controlled Al-Induced Crystallization

    K. Nakazawa, K. Toko, N. Saitoh, N.Usami and T. Suemasu

    Ecs Journal of Solid State Science and Technology   2 巻 ( 11 ) 頁: Q195-Q199   2013年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/2.007311jss

  205. Control of Dip Shape in Photonic Nanostructures by Maskless Wet-Etching Process and Its Impact on Optical Properties

    Y.Hoshi, WG.Pan, T.Kiguchi, K.Ooi, T.Tayagaki, N.Usami

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 ) 頁: UNSP 080202   2013年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.080202

  206. Double-Layered Ge Thin Films on Insulators Formed by an Al-Induced Layer-Exchange Process

    K.Toko, K.Nakazawa, N.Saitoh, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu

    Crystal Growth & Design   13 巻 ( 9 ) 頁: 3908-3912   2013年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/cg4005533

  207. Temperature dependent Al-induced crystallization of amorphous Ge thin films on SiO2 substrates

    K.Toko, N.Fukata, K.Nakazawa, M.Kurosawa, N.Usami, M.Miyao, T.Suemasu

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   372 巻   頁: 189-192   2013年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.03.031

  208. Effect of Ga content and growth temperature on Cu(In,Ga)Se2 thin film deposited on heat-resistant glass substrates

    T.Higuchi, N.Usami, T.Minemoto

    Phys.Status Solidi C   10 巻   頁: 1035-1037   2013年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  209. Generation of high photocurrent in three-dimensional silicon quantum dot superlattice fabricated by combining bio-template and neutral beam etching for quantum dot solar cells

    M.Igarashi, WG.Hu, M.M.Rahman, N.Usami, S.Samukawa

    NANOSCALE RESEARCH LETTERS   8 巻   頁: 228   2013年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1186/1556-276X-8-228

  210. Structural study on phosphorus doping of BaSi2 epitaxial films by ion implantation

    K.O.Hara, Y.Hoshi, N.Usami, Y.Shiraki, K.Nakamura, K.Toko, T.Suemasu,

    THIN SOLID FILMS   534 巻   頁: 470-473   2013年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.02.014

  211. Effects of crystal defects and their interactions with impurities on electrical properties of multicrystalline Si

    S.Joonwichien, S.Matsushima, N.Usami

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   113 巻 ( 13 ) 頁: 133503   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4798600

  212. Orientation Control of Large-Grained Si Films on Insulators by Thickness-Modulated Al-Induced Crystallization

    R.Numata, K.Toko, N.Saitoh, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   13 巻 ( 4 ) 頁: 1767-1770   2013年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/cg4000878

  213. In-situ heavily p-type doping of over 10(20) cm(-3) in semiconducting BaSi2 thin films for solar cells applications

    M.A.Khan, K.O.Hara, W.Du, M.Baba, K.Nakamura, M.Suzuno, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   102 巻 ( 11 ) 頁: 112107   2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4796142

  214. Lattice and grain-boundary diffusions of boron atoms in BaSi2 epitaxial films on Si(111)

    K. Nakamura, M. Baba, M. A. Khan, W. Du, M. Sasase, K. O. Hara, N. Usami, K. Toko and T. Suemasu

    Journal of Applied Physics   113 巻 ( 5 )   2013年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4790597

  215. Control of Grain Boundary Propagation in Mono-Like Si: Utilization of Functional Grain Boundaries

    K. Kutsukake, N. Usami, Y. Ohno, Y. Tokumoto and I. Yonenaga

    Applied Physics Express   6 巻 ( 2 )   2013年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.6.025505

  216. On the growth mechanism of polycrystalline silicon thin film by Al-induced layer exchange process

    N. Usami, M. N. Jung and T. Suemasu

    Journal of Crystal Growth   362 巻   頁: 16-19   2013年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  217. Effects of formation of mini-bands in two-dimensional array of silicon nanodisks with SiC interlayer for quantum dot solar cells

    M. Igarashi, M. F. Budiman, W. G. Pan, W. G. Hu, Y. Tamura, M. E. Syazwan, N. Usami and S. Samukawa

    Nanotechnology   24 巻 ( 1 )   2013年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0957-4484/24/1/015301

  218. Formation of compressively strained Si/S1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy

    K. Arimoto, H. Furukawa, J. Yamanaka, C. Yamamoto, K. Nakagawa, N. Usami, K. Sawano and Y. Shiraki

    Journal of Crystal Growth   362 巻   頁: 276-281   2013年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  219. Reflectance anisotropies of compressively strained Si grown on vicinal Si1-xCx(001)

    R. E. Balderas-Navarro, N. A. Ulloa-Castillo, K. Arimoto, G. Ramirez-Melendez, L. F. Lastras-Martinez, H. Furukawa, J. Yamanaka, A. Lastras-Martinez, J. M. Flores-Camacho, N. Usami, D. Stifter and K. Hingerl

    Applied Physics Letters   102 巻 ( 1 )   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4773560

  220. Evaluation of potential variations around grain boundaries in BaSi2 epitaxial films by Kelvin probe force microscopy

    M.Baba, S.Tsurekawa, K.Watanabe, W.Du, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, T.Sekiguchi and T.Suemasu

    Applied Physics Letters   103 巻   頁: 142113   2013年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4824335

  221. Theory of open-circuit voltage and the driving force of charge separation in pn-junction solar cells

    K.O. Hara, N.Usami

    Journal of Applied Physics   114 巻 ( 15 ) 頁: 153101   2013年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4825046

  222. Silicon-Based Light-Emitting Devices Based on Ge Self-Assembled Quantum Dots Embedded in Optical Cavities

    X. J. Xu, S. Narusawa, T. Chiba, T. Tsuboi, J. S. Xia, N. Usami, T. Maruizumi and Y. Shiraki

    Ieee Journal of Selected Topics in Quantum Electronics   18 巻 ( 6 ) 頁: 1830-1838   2012年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  223. Influence of Thermal Annealing on the Carrier Extraction in Ge/Si Quantum Dot Solar Cells

    T. Tayagaki, N. Usami and Y. Kanemitsu

    Japanese Journal of Applied Physics   51 巻 ( 10 )   2012年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.10NE24

  224. Dependence of crystal orientation in Al-induced crystallized poly-Si layers on SiO2 insertion layer thickness

    A. Okada, K. Toko, K. O. Hara, N. Usami and T. Suemasu

    Journal of Crystal Growth   356 巻   頁: 65-69   2012年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  225. Large-Grain Polycrystalline Silicon Films Formed through Flash-Lamp-Induced Explosive Crystallization

    K. Ohdaira, K. Sawada, N. Usami, S. Varlamov and H. Matsumura

    Japanese Journal of Applied Physics   51 巻 ( 10 )   2012年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.10NB15

  226. Realization of Large-Domain Barium Disilicide Epitaxial Thin Film by Introduction of Miscut to Si(111) Substrate

    K. O. Hara, N. Usami, K. Toh, K. Toko and T. Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   51 巻 ( 10 )   2012年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.10NB06

  227. Growth velocity and grain size of multicrystalline solar cell silicon

    I. Brynjulfsen, K. Fujiwara, N. Usami and L. Amberg

    Journal of Crystal Growth   356 巻   頁: 17-21   2012年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  228. Investigation of the recombination mechanism of excess carriers in undoped BaSi2 films on silicon

    K. O. Hara, N. Usami, K. Toh, M. Baba, K. Toko and T. Suemasu

    Journal of Applied Physics   112 巻 ( 8 )   2012年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4759246

  229. Epitaxy of Orthorhombic BaSi2 with Preferential In-Plane Crystal Orientation on Si(001): Effects of Vicinal Substrate and Annealing Temperature

    K. Toh, K. O. Hara, N. Usami, N. Saito, N. Yoshizawa, K. Toko and T. Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   51 巻 ( 9 )   2012年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.095501

  230. Enhanced carrier extraction from Ge quantum dots in Si solar cells under strong photoexcitation

    T. Tayagaki, N. Usami, W. G. Pan, Y. Hoshi, K. Ooi and Y. Kanemitsu

    Applied Physics Letters   101 巻 ( 13 )   2012年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4756895

  231. Molecular Beam Epitaxy of BaSi2 Films with Grain Size over 4 mu m on Si(111)

    M. Baba, K. Nakamura, W. J. Du, M. A. Khan, S. Koike, K. Toko, N. Usami, N. Saito, N. Yoshizawa and T. Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   51 巻 ( 9 )   2012年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.098003

  232. Highly (111)-oriented Ge thin films on insulators formed by Al-induced crystallization

    K. Toko, M. Kurosawa, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, M. Miyao and T. Suemasu

    Applied Physics Letters   101 巻 ( 7 )   2012年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4744962

  233. Quantum dot solar cells using 2-dimensional array of 6.4-nm-diameter silicon nanodisks fabricated using bio-templates and neutral beam etching

    M. Igarashi, M. F. Budiman, W. G. Pan, W. G. Hu, N. Usami and S. Samukawa

    Applied Physics Letters   101 巻 ( 6 )   2012年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4745195

  234. Silicon-based current-injected light emitting diodes with Ge self-assembled quantum dots embedded in photonic crystal nanocavities

    X. J. Xu, T. Tsuboi, T. Chiba, N. Usami, T. Maruizumi and Y. Shiraki

    Optics Express   20 巻 ( 13 ) 頁: 14714-14721   2012年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  235. Investigation of grain boundaries in BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates using transmission electron microscopy and electron-beam-induced current technique

    M. Baba, K. Toh, K. Toko, N. Saito, N. Yoshizawa, K. Jiptner, T. Sekiguchi, K. O. Hara, N. Usami and T. Suemasu

    Journal of Crystal Growth   348 巻 ( 1 ) 頁: 75-79   2012年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  236. Simultaneous enhanced photon capture and carrier generation in Si solar cells using Ge quantum dot photonic nanocrystals

    N. Usami, W. G. Pan, T. Tayagaki, S. T. Chu, J. S. Li, T. H. Feng, Y. Hoshi and T. Kiguchi

    Nanotechnology   23 巻 ( 18 )   2012年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0957-4484/23/18/185401

  237. Room-Temperature Electroluminescence from Ge Quantum Dots Embedded in Photonic Crystal Microcavities

    T. Tsuboi, X. J. Xu, J. S. Xia, N. Usami, T. Maruizumi and Y. Shiraki

    Applied Physics Express   5 巻 ( 5 )   2012年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.5.052101

  238. Upper limit of two-dimensional hole gas mobility in strained Ge/SiGe heterostructures

    T. Tanaka, Y. Hoshi, K. Sawano, N. Usami, Y. Shiraki and K. M. Itoh

    Applied Physics Letters   100 巻 ( 22 )   2012年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4723690

  239. Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substrates

    K. Toh, K. O. Hara, N. Usami, N. Saito, N. Yoshizawa, K. Toko and T. Suemasu

    Journal of Crystal Growth   345 巻 ( 1 ) 頁: 16-21   2012年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  240. Growth of multicrystalline Si ingots using noncontact crucible method for reduction of stress

    K. Nakajima, R. Murai, K. Morishita, K. Kutsukake and N. Usami

    Journal of Crystal Growth   344 巻 ( 1 )   2012年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.01.051

  241. Effect of Phase Purity on Dislocation Density of Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Grown InN

    T. Iwabuchi, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, H. Watanabe, N. Usami, R. Katayama and T. Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics   51 巻 ( 4 )   2012年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.04DH02

  242. Effect of Solid-Phase-Epitaxy Si Layers on Suppression of Sb Diffusion from Sb-Doped n(+)-BaSi2/p(+)-Si Tunnel Junction to Undoped BaSi2 Overlayers

    W. J. Du, T. Saito, M. A. Khan, K. Toko, N. Usami and T. Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   51 巻 ( 4 )   2012年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.04DP01

  243. Improved photoresponsivity of semiconducting BaSi2 epitaxial films grown on a tunnel junction for thin-film solar cells

    W. J. Du, M. Suzuno, M. A. Khan, K. Toh, M. Baba, K. Nakamura, K. Toko, N. Usami and T. Suemasu

    Applied Physics Letters   100 巻 ( 15 )   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3703585

  244. Structural Study of BF2 Ion Implantation and Post Annealing of BaSi2 Epitaxial Films

    K. O. Hara, N. Usami, Y. Hoshi, Y. Shiraki, M. Suzuno, K. Toko and T. Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 12 )   2011年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.121202

  245. The effect of the presence of an Al-doped ZnO layer on the preferential crystal orientation of polycrystalline silicon thin films grown by an Al-induced layer exchange method

    M. Jung, A. Okada, T. Saito, T. Suemasu and N. Usami

    Journal of Ceramic Processing Research   12 巻   頁: S187-S192   2011年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  246. Generation mechanism of dislocations and their clusters in multicrystalline silicon during two-dimensional growth

    K. Kutsukake, T. Abe, N. Usami, K. Fujiwara, I. Yonenaga, K. Morishita and K. Nakajima

    Journal of Applied Physics   110 巻 ( 8 )   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3652891

  247. Formation mechanism of twin boundaries during crystal growth of silicon

    K. Kutsukake, T. Abe, N. Usami, K. Fujiwara, K. Morishita and K. Nakajima

    Scripta Materialia   65 巻 ( 6 ) 頁: 556-559   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  248. Line Width Dependence of Anisotropic Strain State in SiGe Films Induced by Selective Ion Implantation

    Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, S. Nagakura, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    Applied Physics Express   4 巻 ( 9 )   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.4.095701

  249. Configuration and local elastic interaction of ferroelectric domains and misfit dislocation in PbTiO3/SrTiO3 epitaxial thin films

    T. Kiguchi, K. Aoyagi, Y. Ehara, H. Funakubo, T. Yamada, N. Usami and T. J. Konno

    Science and Technology of Advanced Materials   12 巻 ( 3 )   2011年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1468-6996/12/3/034413

  250. Implementation of faceted dendrite growth on floating cast method to realize high-quality multicrsytalline Si ingot for solar cells

    N. Usami, I. Takahashi, K. Kutsukake, K. Fujiwara and K. Nakajima

    Journal of Applied Physics   109 巻 ( 8 )   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3576108

  251. Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channels

    K. Sawano, K. Toyama, R. Masutomi, T. Okamoto, K. Arimoto, K. Nakagawa, N. Usami and Y. Shiraki

    Microelectronic Engineering   88 巻   頁: 465-468   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  252. In situ Observation of Polycrystalline Silicon Thin Films Grown Using Aluminum-Doped Zinc Oxide on Glass Substrate by the Aluminum-Induced Crystallization

    M. Jung, A. Okada, T. Saito, T. Suemasu, C. Y. Chung, Y. Kawazoe and N. Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 4 )   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.04DP02

  253. Impact of type of crystal defects in multicrystalline Si on electrical properties and interaction with impurities

    I. Takahashi, N. Usami, H. Mizuseki, Y. Kawazoe, G. Stokkan and K. Nakajima

    Journal of Applied Physics   109 巻 ( 3 )   2011年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3544208

  254. Pattern formation mechanism of a periodically faceted interface during crystallization of Si

    M. Tokairin, K. Fujiwara, K. Kutsukake, H. Kodama, N. Usami and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   312 巻 ( 24 ) 頁: 3670-3674   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  255. A grazing incidence small-angle x-ray scattering analysis on capped Ge nanodots in layer structures

    H. Okuda, M. Kato, K. Kuno, S. Ochiai, N. Usami, K. Nakajima and O. Sakata

    Journal of Physics-Condensed Matter   22 巻 ( 47 )   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0953-8984/22/47/474003

  256. Impact of amorphous Ge thin layer at the amorphous Si/Al interface on Al-induced crystallization

    H. Suzuki, N. Usami, A. Nomura, T. Shishido, K. Nakajima and T. Suemasu

    Journal of Crystal Growth   312 巻 ( 22 ) 頁: 3257-3260   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  257. Direct bandgap measurements in a three-dimensionally macroporous silicon 9R polytype using monochromated transmission electron microscope

    L. Gu, Y. Yu, W. Sigle, N. Usami, S. Tsukimoto, J. Maier, Y. Ikuhara and P. A. van Aken

    Applied Physics Letters   97 巻 ( 21 )   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3518703

  258. Room-temperature electroluminescence from Si microdisks with Ge quantum dots

    J. S. Xia, Y. Takeda, N. Usami, T. Maruizumi and Y. Shiraki

    Optics Express   18 巻 ( 13 ) 頁: 13945-13950   2010年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  259. Growth mechanism of the Si < 110 > faceted dendrite

    K. Fujiwara, H. Fukuda, N. Usami, K. Nakajima and S. Uda

    Physical Review B   81 巻 ( 22 )   2010年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.81.224106

  260. Generation mechanism of dislocations during directional solidification of multicrystalline silicon using artificially designed seed

    I. Takahashi, N. Usami, K. Kutsukake, G. Stokkan, K. Morishita and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   312 巻 ( 7 ) 頁: 897-901   2010年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  261. Ion dose, energy, and species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique

    Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    Journal of Applied Physics   107 巻 ( 10 )   2010年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3374688

  262. Optical anisotropies of Si grown on step-graded SiGe(110) layers

    R. E. Balderas-Navarro, L. F. Lastras-Martinez, K. Arimoto, R. Castro-Garcia, O. Villalobos-Aguilar, A. Lastras-Martinez, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima

    Applied Physics Letters   96 巻 ( 9 )   2010年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3339881

  263. Formation of uniaxially strained SiGe by selective ion implantation technique

    K. Sawano, Y. Hoshi, A. Yamada, Y. Hiraoka, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    Thin Solid Films   518 巻 ( 9 ) 頁: 2454-2457   2010年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  264. Relationship between grain boundary structures in Si multicrystals and generation of dislocations during crystal growth

    N. Usami, R. Yokoyama, I. Takahashi, K. Kutsukake, K. Fujiwara and K. Nakajima

    Journal of Applied Physics   107 巻 ( 1 )   2010年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3276219

  265. Ion energy and dose dependence of strain relaxation for thin SiGe buffer layers using Si+ implantation

    Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, K. Arimoto, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    Thin Solid Films   518 巻   頁: S162-S164   2010年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  266. Computational Investigation of Relationship between Shear Stress and Multicrystalline Structure in Silicon

    I. Takahashi, N. Usami, K. Kutsukake, K. Morishita and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics   49 巻 ( 4 )   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.04DP01

  267. Fabrication of n(+)-BaSi2/p(+)-Si Tunnel Junction on Si(111) Surface by Molecular Beam Epitaxy for Photovoltaic Applications

    T. Saito, Y. Matsumoto, M. Suzuno, M. Takeishi, R. Sasaki, T. Suemasu and N. Usami

    Applied Physics Express   3 巻 ( 2 )   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.3.021301

  268. Lattice-Latching Effect in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth of InGaAsN Film Lattice-Matched to Bulk InGaAs Substrate

    S. Sanorpim, R. Katayama, K. Onabe, N. Usami and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics   49 巻 ( 4 )   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.040202

  269. Epitaxial Growth and Photoresponse Properties of BaSi2 Layers toward Si-Based High-Efficiency Solar Cells

    Y. Matsumoto, D. Tsukada, R. Sasaki, M. Takeishi, T. Saito, T. Suemasu, N. Usami and M. Sasase

    Japanese Journal of Applied Physics   49 巻   2010年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.04DP05

  270. On the Controlling Mechanism of Preferential Orientation of Polycrystalline-Silicon Thin Films Grown by Aluminum-Induced Crystallization

    M. Jung, A. Okada, T. Saito, T. Suemasu and N. Usami

    Applied Physics Express   3 巻 ( 9 )   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.3.095803

  271. Growth behavior of faceted Si crystals at grain boundary formation

    K. Fujiwara, S. Tsumura, M. Tokairin, K. Kutsukake, N. Usami, S. Uda and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   312 巻 ( 1 ) 頁: 19-23   2009年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  272. Formation mechanism of a faceted interface: In situ observation of the Si(100) crystal-melt interface during crystal growth

    M. Tokairin, K. Fujiwara, K. Kutsukake, N. Usami and K. Nakajima

    Physical Review B   80 巻 ( 17 )   2009年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.80.174108

  273. Growth of Compositionally Graded SiGe Bulk Crystal and Its Application As Substrate with Lateral Variation in Ge Content

    R. Nihei, N. Usami and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics   48 巻 ( 11 )   2009年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.48.115507

  274. Strain relaxation mechanisms in compositionally uniform and step-graded SiGe films grown on Si(110) substrates

    K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima

    Solid-State Electronics   53 巻 ( 10 ) 頁: 1135-1143   2009年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  275. Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures

    K. Sawano, K. Toyama, R. Masutomi, T. Okamoto, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   95 巻   2009年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3229998

  276. Fabrication of (111)-oriented Si layers on SiO2 substrates by an aluminum-induced crystallization method and subsequent growth of semiconducting BaSi2 layers for photovoltaic application

    D. Tsukada, Y. Matsumoto, R. Sasaki, M. Takeishi, T. Saito, N. Usami and T. Suemasu

    Journal of Crystal Growth   311 巻 ( 14 ) 頁: 3581-3586   2009年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  277. Microstructures of Si multicrystals and their impact on minority carrier diffusion length

    H. Y. Wang, N. Usami, K. Fujiwara, K. Kutsukake and K. Nakajima

    Acta Materialia   57 巻 ( 11 ) 頁: 3268-3276   2009年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  278. Photoresponse Properties of Polycrystalline BaSi2 Films Grown on SiO2 Substrates Using (111)-Oriented Si Layers by an Aluminum-Induced Crystallization Method

    D. Tsukada, Y. Matsumoto, R. Sasaki, M. Takeishi, T. Saito, N. Usami and T. Suemasu

    Applied Physics Express   2 巻 ( 5 )   2009年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.2.051601

  279. Generation and Wavelength Control of Resonant Luminescence from Silicon Photonic Crystal Microcavities with Ge Dots

    J. Xia, R. Tominaga, S. Fukamitsu, N. Usami and Y. Shiraki

    Japanese Journal of Applied Physics   48 巻 ( 2 )   2009年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.48.022102

  280. Quantitative analysis of subgrain boundaries in Si multicrystals and their impact on electrical properties and solar cell performance

    K. Kutsukake, N. Usami, T. Ohtaniuchi, K. Fujiwara and K. Nakajima

    Journal of Applied Physics   105 巻 ( 4 )   2009年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3079504

  281. Floating cast method to realize high-quality Si bulk multicrystals for solar cells

    Y. Nose, I. Takahashi, W. Pan, N. Usami, K. Fujiwara and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   311 巻 ( 2 ) 頁: 228-231   2009年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  282. Resonant photoluminescence from Ge self-assembled dots in optical microcavities

    J. S. Xia, R. Tominaga, N. Usami, S. Iwamoto, Y. Ikegami, K. Nemoto, Y. Arakawa and Y. Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   311 巻   頁: 883-887   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  283. Local control of strain in SiGe by ion-implantation technique

    K. Sawano, Y. Hoshi, Y. Hiraoka, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   311 巻 ( 3 ) 頁: 806-808   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  284. Fabrication of thin strain-relaxed SiGe buffer layers with high Ge composition by ion implantation method

    Y. Hoshi, K. Sawano, Y. Hiraoka, Y. Sato, Y. Ogawa, A. Yamada, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   311 巻 ( 3 ) 頁: 825-828   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  285. Strain relaxation mechanisms in step-graded SiGe/Si(110) heterostructures grown by gas-source MBE at high temperatures

    K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami, K. Nakajima, K. Sawano and Y. Shiraki

    J. Cryst. Growth   311 巻   頁: 819-824   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  286. Crystalline morphologies of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (110) Si substrates

    K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima

    J. Cryst. Growth   311 巻   頁: 809-813   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  287. Structural and transport properties of strained SiGe grown on V-groove patterned Si(110) substrates

    K. Arimoto, G. Kawaguchi, K. Shimizu, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami, K. Nakajima, K. Sawano and Y. Shiraki

    J. Cryst. Growth   311 巻   頁: 814-818   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  288. Influence of growth temperature and cooling rate on the growth of Si epitaxial layer by dropping-type liquid phase epitaxy from the pure Si melt

    Z. M. Wang, K. Kutsukake, H. Kodama, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Nose and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   310 巻 ( 24 ) 頁: 5248-5251   2008年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  289. Impact of Defect Density in Si Bulk Multicrystals on Gettering Effect of Impurities

    I. Takahashi, N. Usami, R. Yokoyama, Y. Nose, K. Kutuskake, K. Fuilwara and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics   47 巻 ( 12 ) 頁: 8790-8792   2008年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  290. Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation

    K. Sawano, Y. Hoshi, A. Yamada, Y. Hiraoka, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    Applied Physics Express   1 巻 ( 12 )   2008年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.1.121401

  291. Room-temperature light-emission from Ge quantum dots in photonic crystals

    J. Xia, K. Nemoto, Y. Ikegami, N. Usami, Y. Nakata and Y. Shiraki

    Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁: 125-127   2008年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  292. Application of SiGe bulk crystal as a substrate for strain-controlled heterostructure materials

    N. Usami, R. Nihei, Y. Azuma, I. Yonenaga, K. Nakajima, K. Sawano and Y. Shiraki

    Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁: 14-16   2008年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  293. Characterizations of polycrystalline SiGe films on SiO2 grown by gas-source molecular beam deposition

    M. Mitsui, M. Tamoto, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, T. Sato, N. Usami, K. Sawano and Y. Shiraki

    Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁: 254-256   2008年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  294. Growth temperature dependence of the crystalline morphology of SiGe films grown on Si(110) substrates with compositionally step-graded buffer

    K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima

    Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁: 235-238   2008年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  295. Vacancy formation during oxidation of silicon crystal surface

    M. Suezawa, Y. Yamamoto, M. Suemitsu, N. Usami and I. Yonenaga

    Applied Physics Letters   93 巻 ( 10 )   2008年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2979708

  296. Development of thin SiGe relaxed layers with high-Ge composition by ion implantation method and application to strained Ge channels

    Y. Hoshi, K. Sawano, Y. Hiraoka, Y. Satoh, Y. Ogawa, A. Yamada, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    Applied Physics Express   1 巻 ( 8 )   2008年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.1.081401

  297. Growth mechanism of Si-faceted dendrites

    K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami and K. Nakajima

    Physical Review Letters   101 巻 ( 5 )   2008年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.101.055503

  298. Structural origin of a cluster of bright spots in reverse bias electroluminescence image of solar cells based on Si multicrystals

    N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, I. Yonenaga and K. Nakajima

    Applied Physics Express   1 巻 ( 7 )   2008年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.1.075001

  299. Acceptorlike behavior of defects in SiGe alloys grown by molecular beam epitaxy

    M. Satoh, K. Arimoto, K. Nakagawa, S. Koh, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics   47 巻 ( 6 ) 頁: 4630-4633   2008年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  300. In situ observation of Si faceted dendrite growth from low-degree-of-undercooling melts

    K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, G. Sazaki, Y. Nose, A. Nomura, T. Shishido and K. Nakajima

    Acta Materialia   56 巻 ( 11 ) 頁: 2663-2668   2008年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  301. On effects of gate bias on hole effective mass and mobility in strained-Ge channel structures

    K. Sawano, Y. Kunishi, Y. Satoh, K. Toyama, K. Arimoto, T. Okamoto, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    Applied Physics Express   1 巻 ( 1 )   2008年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.1.011401

  302. Hole density and strain dependencies of hole effective mass in compressively strained Ge channel structures

    K. Sawano, Y. Kunishi, K. Toyama, T. Okamoto, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES   40 巻 ( 6 ) 頁: 2122-2124   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  303. Poly-Si films with long carrier lifetime prepared by rapid thermal annealing of Cat-CVD amorphous silicon thin films

    K. Ohdaira, Y. Abe, M. Fukuda, S. Nishizaki, N. Usami, K. Nakajima, T. Karasawa, T. Torikai and H. Matsumura

    THIN SOLID FILMS   516 巻 ( 5 ) 頁: 600-603   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  304. Functional enhancement of metal-semiconductor-metal infrared photodetectors on heteroepitaxial SiGe-on-Si using the anodic oxidation/passivation method

    R. W. Chuang, Z. L. Liao, H. T. Chiang and N. Usami

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻   頁: 2927-2931   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  305. Modification of local structures in multicrystals revealed by spatially resolved x-ray rocking curve analysis

    N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara and K. Nakajima

    Journal of Applied Physics   102 巻 ( 10 )   2007年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2816207

  306. High-quality polycrystalline silicon films with minority carrier lifetimes over 5 mu s formed by flash lamp annealing of precursor amorphous silicon films prepared by catalytic chemical vapor deposition

    K. Ohdaira, S. Nishizaki, Y. Endo, T. Fujiwara, N. Usami, K. Nakajima and H. Matsumura

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers   46 巻 ( 11 ) 頁: 7198-7203   2007年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  307. Silicon-based light emitters fabricated by embedding Ge self-assembled quantum dots in microdisks

    J. S. Xia, K. Nemoto, Y. Ikegami, Y. Shiraki and N. Usami

    Applied Physics Letters   91 巻 ( 1 )   2007年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2754356

  308. SiGe double barrier resonant tunneling diodes on bulk SiGe substrates with high peak-to-valley current ratio

    S. Tsujino, N. Usami, A. Weber, G. Mussler, V. Shushunova, D. Grutzmacher, Y. Azuma and K. Nakajima

    Applied Physics Letters   91 巻   2007年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2756363

  309. Formation mechanism of parallel twins related to Si-facetted dendrite growth

    K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, G. Sazaki, Y. Nose and K. Nakajima

    Scripta Materialia   57 巻 ( 2 ) 頁: 81-84   2007年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  310. Application of Czochralski-grown SiGe bulk crystal as a substrate for luminescent strained quantum wells

    N. Usami, R. Nihei, I. Yonenaga, Y. Nose and K. Nakajima

    Applied Physics Letters   90 巻 ( 18 )   2007年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2735286

  311. Improvement in the conversion efficiency of single-junction SiGe solar cells by intentional introduction of the compositional distribution

    M. Tayanagi, N. Usami, W. Pan, K. Ohdaira, K. Fujiwara, Y. Nose and K. Nakajima

    Journal of Applied Physics   101 巻 ( 5 )   2007年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2709575

  312. Influence of structural imperfection of Sigma 5 grain boundaries in bulk multicrystalline Si on their electrical activities

    K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Nose and K. Nakajima

    Journal of Applied Physics   101 巻 ( 6 )   2007年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2710348

  313. Step-induced anisotropic growth of pentacene thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) surface

    S. Nishikata, G. Sazaki, T. Takeuchi, N. Usami, S. Suto and K. Nakajima

    Crystal Growth & Design   7 巻 ( 2 ) 頁: 439-444   2007年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  314. Modification of local structure and its influence on electrical activity of near (310) Sigma 5 grain boundary in bulk silicon

    K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Nose, T. Sugawara, T. Shishido and K. Nakajima

    Materials Transactions   48 巻 ( 2 ) 頁: 143-147   2007年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  315. Effect of the compositional distribution on the photovoltaic power conversion of SiGe solar cells

    N. Usami, W. Pan, K. Fujiwara, M. Tayanagi, K. Ohdaira and K. Nakajima

    Solar Energy Materials and Solar Cells   91 巻   頁: 123-128   2007年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  316. Control of strain status in SiGe thin film by epitaxial growth on Si with buried porous layer

    N. Usami, K. Kutsukake, N. Kazuo, S. Amtablian, A. Fave and M. Lemiti

    Applied Physics Letters   90 巻 ( 3 )   2007年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2433025

  317. Fabrication of Ge channels with extremely high compressive strain and their magnetotransport properties

    K. Sawano, Y. Kunishi, K. Toyama, T. Okamoto, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   301 巻   頁: 339-342   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  318. Growth temperature dependence of lattice structures of SiGe/graded buffer structures grown on Si(110) substrates by gas-source MBE

    K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima

    J. Cryst. Growth   301 巻   頁: 343-348   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  319. Annihilation of acceptor-hydrogen pairs in Si crystals due to electron irradiation

    M. Suezawa, K. Koilma, A. Kasuya, I. Yonenaga and N. Usami

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers   45 巻 ( 12 ) 頁: 9162-9166   2006年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  320. Strong resonant luminescence from Ge quantum dots in photonic crystal microcavity at room temperature

    J. S. Xia, Y. Ikegami, Y. Shiraki, N. Usami and Y. Nakata

    Applied Physics Letters   89 巻 ( 20 )   2006年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2386915

  321. Magnetotransport properties of Ge channels with extremely high compressive strain

    K. Sawano, Y. Kunishi, Y. Shiraki, K. Toyama, T. Okamoto, N. Usami and K. Nakagawa

    Applied Physics Letters   89 巻 ( 16 )   2006年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2354467

  322. Growth of structure-controlled polycrystalline silicon ingots for solar cells by casting

    K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami, K. Sawada, M. Tokairin, Y. Nose, A. Nomura, T. Shishido and K. Nakajima

    Acta Materialia   54 巻 ( 12 ) 頁: 3191-3197   2006年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  323. High sensitive imaging of atomic arrangement of Ge clusters buried in a Si crystal by X-ray fluorescence holography

    S. Kusano, S. Nakatani, K. Sumitani, T. Takahashi, Y. Yoda, N. Usami and Y. Shiraki

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers   45 巻 ( 6A ) 頁: 5248-5253   2006年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  324. Suppression of structural imperfection in strained Si by utilizing SiGe bulk substrate

    N. Usami, Y. Nose, K. Fujiwara and K. Nakajima

    Applied Physics Letters   88 巻   2006年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2735286

  325. Realization of bulk multicrystalline silicon with controlled grain boundaries by utilizing spontaneous modification of grain boundary configuration

    N. Usami, K. Kutsukake, T. Sugawara, K. Fujwara, W. Pan, Y. Nose, T. Shishido and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers   45 巻 ( 3A ) 頁: 1734-1737   2006年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  326. High-efficiency concave and conventional solar cell integration system using focused reflected light

    K. Ohdaira, K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami and K. Nakajiima

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers   45 巻 ( 3A ) 頁: 1664-1667   2006年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  327. Intermixing of Ge and Si during exposure of GeH4 on Si

    G. Watari, N. Usami, Y. Nose, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima

    THIN SOLID FILMS   508 巻   頁: 163-165   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  328. Strain field and related roughness formation in SiGe relaxed buffer layers

    K. Sawano, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    THIN SOLID FILMS   508 巻 ( 1-2 ) 頁: 117-119   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  329. Influence of stacked Ge islands on the dark current-voltage characteristics and the conversion efficiency of the solar cells

    A. Alguno, N. Usami, K. Ohdaira, W. G. Pan, M. Tayanagi and K. Nakajima

    Thin Solid Films   508 巻   頁: 402-405   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  330. Directional growth method to obtain high quality polycrystalline silicon from its melt

    K. Fujiwara, W. Pan, K. Sawada, M. Tokairin, N. Usami, Y. Nose, A. Nomura, T. Shishido and K. Nakajima

    J. Cryst. Growth   292 巻   頁: 282-285   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  331. Determination of lattice parameters of SiGe/Si(110) heterostructures

    K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, S. Koh and N. Usami

    Thin Solid Films   508 巻   頁: 132-135   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  332. Thickness dependence of strain field distribution in SiGe relaxed buffer layers

    K. Sawano, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers   44 巻   頁: 8445-8447   2005年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  333. Analysis of the dark-current density in solar cells based on multicrystalline SiGe

    K. Ohdaira, N. Usami, W. G. Pan, K. Fujiwara and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers   44 巻 ( 11 ) 頁: 8019-8022   2005年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  334. Floating zone growth of Si-rich SiGe bulk crystal using pre-synthesized SiGe feed rod with uniform composition

    N. Usami, M. Kitamura, K. Obara, Y. Nose, T. Shishido and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   284 巻   頁: 57-64   2005年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  335. Influence of growth temperature on minority-carrier lifetime of Si layer grown by liquid phase epitaxy using Ga solvent

    Y. Satoh, N. Usami, W. Pan, K. Fujiwara, K. Nakajima and T. Ujihara

    Journal of Applied Physics   98 巻 ( 7 )   2005年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2061891

  336. Changes in elastic deformation of strained si by microfabrication (vol 8, pg 181, 2005)

    K. Arimoto, D. Furukawa, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki and N. Usami

    Materials Science in Semiconductor Processing   8 巻 ( 6 ) 頁: 652-652   2005年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  337. Liquid phase epitaxial growth of Si layers on Si thin substrates from Si pure melts under near-equilibrium conditions

    K. Nakajima, K. Fujiwara, Y. Nose and N. Usami

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers   44 巻 ( 7A ) 頁: 5092-5095   2005年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  338. Growth of multicrystalline Si with controlled grain boundary configuration by the floating zone technique

    M. Kitamura, N. Usami, T. Sugawara, K. Kutsukake, K. Fujiwara, Y. Nose, T. Shishido and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   280 巻   頁: 419-424   2005年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  339. Crystal quality of a 6H-SiC layer grown over macrodefects by liquid-phase epitaxy: a Raman spectroscopic study

    T. Ujihara, S. Munetoh, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima

    Thin Solid Films   476 巻 ( 1 ) 頁: 206-209   2005年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  340. A simple approach to determine preferential growth orientation using multiple seed crystals with random orientations and its utilization for seed optimization to restrain polycrystallization of SiGe bulk crystal

    Y. Azuma, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   276 巻   頁: 393-400   2005年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  341. Structural properties of directionally grown polycrystalline SiGe for solar cells

    K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami, K. Sawada, A. Nomura, T. Ujihara, T. Shishido and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   275 巻   頁: 467-473   2005年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  342. On the origin of improved conversion efficiency of solar cells based on SiGe with compositional distribution

    N. Usami, K. Fujiwara, W. G. Pan and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers   44 巻 ( 2 ) 頁: 857-860   2005年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  343. Growth of ZnO/MgZnO quantum wells on sapphire substrates and observation of the two-dimensional confinement effect

    B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, C. Y. Liu and Y. Segawa and N. Usami

    Applied Physics Letters   86 巻 ( 3 )   2005年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1850594

  344. Effects of vicinal steps on the island growth and orientation of epitaxially grown perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) substrate

    G. Sazaki, T. Fujino, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   273 巻   頁: 594-602   2005年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  345. Floating zone growth of Si bicrystals using seed crystals with artificially designed grain boundary configuration

    N. Usami, M. Kitamura, T. Sugawara, K. Kutsukake, K. Ohdaira, Y. Nose, K. Fujiwara, T. Shishido and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters   44 巻 ( 24-27 ) 頁: L778-L780   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  346. Observation of strain field fluctuation in SiGe-relaxed buffer layers and its influence on overgrown structures

    K. Sawano, N. Usami, K. Arimoto, S. Koh, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   8 巻 ( 1-3 ) 頁: 177-180   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  347. Strain-field evaluation of strain-relaxed thin SiGe layers fabricated by ion implantation method

    K. Sawano, Y. Ozawa, A. Fukuoto, N. Usami, J. Yamanaka, K. Suzuki, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters   44 巻 ( 42-45 ) 頁: L1316-L1319   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  348. Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams

    K. Nakajima, Y. Azuma, N. Usami, G. Sazaki, T. Ujihara, K. Fujiwara, T. Shishido, Y. Nishijima and T. Kusunoki

    International Journal of Materials & Product Technology   22 巻   頁: 185-212   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  349. Changes in elastic deformation of strained Si by microfabrication

    K. Arimoto, D. Furukawa, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki and N. Usami

    Materials Science in Semiconductor Processing   8 巻   頁: 181-185   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  350. Low-temperature growth of single-crystalline ZnO tubes on sapphire(0001) substrates

    B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, N. Usami and Y. Segawa

    Applied Physics a-Materials Science & Processing   79 巻 ( 7 ) 頁: 1711-1714   2004年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  351. Fabrication of high-quality strain-relaxed thin SiGe layers on ion-implanted Si substrates

    K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki, Y. Ozawa, T. Hattori, J. Yamanaka, K. Suzuki, K. Arimoto, K. Nakagawa and N. Usami

    Applied Physics Letters   85 巻 ( 13 ) 頁: 2514-2516   2004年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  352. On the origin of strain fluctuation in strained-Si grown on SiGe-on-insulator and SiGe virtual substrates

    K. Kutsukake, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima

    Applied Physics Letters   85 巻 ( 8 ) 頁: 1335-1337   2004年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  353. Low-temperature growth of ZnO nanostructure networks

    B. P. Zhang, K. Wakatsuki, N. T. Binh, Y. Segawa and N. Usami

    Journal of Applied Physics   96 巻 ( 1 ) 頁: 340-343   2004年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  354. Pressure-dependent ZnO nanocrsytal growth in a chemical vapor deposition process

    B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, Y. Segawa, Y. Yamada, N. Usami, M. Kawasaki and H. Koinuma

    Journal of Physical Chemistry B   108 巻   頁: 10899-10902   2004年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  355. Ge composition dependence of properties of solar cells based on multicrystalline SiGe with microscopic compositional distribution

    W. G. Pan, K. Fujiwara, N. Usami, T. Ujihara, K. Nakajima and R. Shimokawa

    Journal of Applied Physics   96 巻 ( 2 ) 頁: 1238-1241   2004年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  356. Successful growth of InxGa1-xAs (x > 0.18) single bulk crystal directly on GaAs seed crystal with preferential orientation

    Y. Azuma, Y. Nishijima, K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara and T. Ujihara

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters   43 巻 ( 7A ) 頁: L907-L909   2004年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  357. Structural and optical properties of ZnO epitaxial films grown on Al2O3 (1120) substrates by metalorganic chemical vapor deposition

    N. T. Binh, B. P. Zhang, C. Y. Liu, K. Wakatsuki, Y. Segawa, N. Usami, Y. Yamada, M. Kawasaki and H. Koinuma

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers   43 巻 ( 7A ) 頁: 4110-4113   2004年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  358. Effects of growth temperature on the surface morphology of silicon thin films on (111) silicon monocrystalline substrate by liquid phase epitaxy

    T. Ujihara, E. Kanda, K. Obara, K. Fujiwara, N. Usami, G. Sazaki, A. Alguno, T. Shishido and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   266 巻 ( 4 ) 頁: 467-474   2004年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  359. Grain growth behaviors of polycrystalline silicon during melt growth processes

    K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   266 巻 ( 4 ) 頁: 441-448   2004年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  360. Formation of highly aligned ZnO tubes on sapphire (0001) substrates

    B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, Y. Segawa, Y. Yamada, N. Usami, M. Kawasaki and H. Koinuma

    Applied Physics Letters   84 巻 ( 20 ) 頁: 4098-4100   2004年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  361. Effects of growth temperature on the characteristics of ZnO epitaxial films deposited by metalorganic chemical vapor deposition

    B. P. Zhang, K. Wakatsuki, N. T. Binh, N. Usami and Y. Segawa

    Thin Solid Films   449 巻   頁: 12-19   2004年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  362. Relationship between device performance and grain boundary structural configuration in a solar cell based on multicrystalline SiGe

    N. Usami, W. G. Pan, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters   43 巻 ( 2B ) 頁: L250-L252   2004年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  363. In situ observation of elementary growth steps on the surface of protein crystals by laser confocal microscopy

    G. Sazaki, T. Matsui, K. Tsukamoto, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   262 巻   頁: 536-542   2004年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  364. Epitaxial relation and island growth of perylene-3.4.9.10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) substrate

    G. Sazaki, T. Fujino, J. T. Sadowski, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, Y. Takahashi, E. Matsubara, T. Sakurai and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   262 巻   頁: 196-201   2004年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  365. In-situ observations of melt growth behavior of polycrystalline silicon

    K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujhara, N. Usami, G. Sazaki and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   262 巻   頁: 124-129   2004年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  366. Low-temperature growth of ZnO epitaxial films by metal organic chemical vapor deposition

    B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, N. Usami and Y. Segawa

    Applied Physics a-Materials Science & Processing   78 巻 ( 1 ) 頁: 25-28   2004年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  367. Phase diagram of growth mode for the SiGe/Si heterostructure system with misfit dislocations

    K. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki and T. Shishido

    Journal of Crystal Growth   260 巻   頁: 372-383   2004年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  368. Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime

    N. Usami, A. Alguno, K. Sawano, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, Y. Shiraki and K. Nakajima

    THIN SOLID FILMS   451 巻   頁: 604-607   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  369. Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy

    T. Ujihara, S. Munetoh, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima

    MATERIALS SCIENCE FORUM   457-460 巻   頁: 633-636   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  370. Molten metal flux growth and properties of CrSi2

    T. Shishido, S. Okada, Y. Ishizawa, K. Kudou, K. Iizumi, Y. Sawada, H. Horiuchi, K. Inaba, T. Sekiguchi, J. Ye, S. Miyashita, A. Nomura, T. Sugawara, K. Obara, M. Oku, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, N. Usami, S. Kohiki, Y. Kawazoe and K. Nakajima

    JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS   383 巻   頁: 319-321   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  371. Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate

    K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, B. P. Zhang and Y. Segawa

    Appl. Surf. Sci.   224 巻 ( 1-4 ) 頁: 95-98   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  372. Effects of spacer thickness on quantum efficiency of the solar cells with embedded Ge islands in the intrinsic layer

    A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima, K. Sawano and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   84 巻 ( 15 ) 頁: 2802-2804   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  373. High-temperature solution growth and characterization of chromium disilicide

    T. Shishido, S. Okada, Y. Ishizawa, K. Kudou, K. Iizumi, Y. Sawada, H. Horiuchi, K. Inaba, T. Sekiguchi, J. H. Ye, S. Miyashita, A. Nomura, T. Sugawara, K. Obara, Y. Murakami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, N. Usami, M. Oku, Y. Yokoyama, S. Kohiki, Y. Kawazoe and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers   42 巻 ( 12 ) 頁: 7292-7293   2003年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  374. In-plane strain fluctuation in strained-Si/SiGe heterostructures

    K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakagawa

    Applied Physics Letters   83 巻 ( 21 ) 頁: 4339-4341   2003年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  375. Optical properties of ZnO rods formed by metalorganic chemical vapor deposition

    B. P. Zhang, N. T. Binh, Y. Segawa, K. Wakatsuki and N. Usami

    Applied Physics Letters   83 巻 ( 8 ) 頁: 1635-1637   2003年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  376. Enhanced quantum efficiency of solar cells with self-assembled Ge dots stacked in multilayer structure

    A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   83 巻 ( 6 ) 頁: 1258-1260   2003年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  377. Influence of the elastic strain on the band structure of ellipsoidal SiGe coherently embedded in the Si matrix

    N. Usami, T. Ichitsubo, T. Ujihara, T. Takahashi, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima

    Journal of Applied Physics   94 巻 ( 2 ) 頁: 916-920   2003年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  378. Effects of high pressure on the growth kinetics of orthorhombic lysozyme crystals

    Y. Nagatoshi, G. Sazaki, Y. Suzuki, S. Miyashita, T. Matsui, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   254 巻   頁: 188-195   2003年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  379. Growth of SiGe bulk crystals with uniform composition by utilizing feedback control system of the crystal-melt interface position for precise control of the growth temperature

    Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, Y. Murakami and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   250 巻   頁: 298-304   2003年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  380. In-plane orientation and polarity of ZnO epitaxial films on As-polished sapphire (alpha-Al2O3) (0001) substrates grown by metal organic chemical vapor deposition

    B. P. Zhang, L. Manh, K. Wakatsuki, K. Tamura, T. Ohnishi, M. Lippma, N. Usami, M. Kawasaki, H. Koinuma and Y. Segawa

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters   42 巻 ( 3B ) 頁: L264-L266   2003年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  381. High-quality crystalline silicon layer grown by liquid phase epitaxy method at low growth temperature

    T. Ujihara, K. Obara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, T. Shishido and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters   42 巻 ( 3A ) 頁: L217-L219   2003年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  382. Fabrication of SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate

    K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, B. P. Zhang, Y. Segawa and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters   42 巻 ( 3A ) 頁: L232-L234   2003年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  383. Epitaxial growth and polarity of ZnO films on sapphire (0001) substrates by low-pressure metal organic chemical vapor deposition

    B. P. Zhang, L. H. Manh, K. Wakatsuki, T. Ohnishi, M. Lippmaa, N. Usami, M. Kawasaki and Y. Segawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 巻   頁: 2291-2295   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  384. Planarization of SiGe virtual substrates by CMP and its application to strained Si modulation-doped structures

    K. Sawano, K. Arimoto, Y. Hirose, S. Koh, N. Usami, K. Nakagawa, T. Hattori and Y. Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   251 巻 ( 1-4 ) 頁: 693-696   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  385. 3D atomic imaging of SiGe system by X-ray fluorescence holography

    K. Hayashi, Y. Takahashi, E. Matsubara, K. Nakajima and N. Usami

    J. Materials Science: Materials in Electronics   14 巻   頁: 459-462   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  386. Strain distribution of Si thin film grown on multicrystalline-SiGe with microscopic compositional distribution

    N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami and K. Nakajima

    Journal of Applied Physics   92 巻 ( 12 ) 頁: 7098-7101   2002年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  387. In situ observations of crystal growth behavior of silicon melt

    K. Fujiwara, K. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki, H. Hasegawa and S. Mizoguchi

    Journal of Crystal Growth   243 巻 ( 2 ) 頁: 275-282   2002年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  388. Evidence of the presence of built-in strain in multicrystalline SiGe with large compositional distribution

    N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers   41 巻 ( 7A ) 頁: 4462-4465   2002年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  389. Simultaneous in situ measurement of solute and temperature distributions in the alloy solutions

    T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   242 巻   頁: 313-320   2002年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  390. Preparation of a TiO2 film coated Si device for photo-decomposition of water by CVD method using Ti(OPri)(4)

    N. Sato, K. Nakajima, N. Usami, H. Takahashi, A. Muramatsu and E. Matsubara

    Materials Transactions   43 巻 ( 7 ) 頁: 1533-1536   2002年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  391. Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for high-efficiency solar cells

    K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Murakami, T. Ujihara, G. Sazaki and T. Shishido

    Solar Energy Materials and Solar Cells   73 巻 ( 3 ) 頁: 305-320   2002年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  392. New method for measurement of interdiffusion coefficient in high temperature solutions based on Fick's first law

    T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   241 巻 ( 3 ) 頁: 387-394   2002年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  393. Compositional variation in Si-rich SiGe single crystals grown by multi-component zone melting method using Si seed and source crystals

    K. Nakajima, T. Kusunoki, Y. Azuma, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki and T. Shishido

    Journal of Crystal Growth   240 巻   頁: 373-381   2002年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  394. Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications

    K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Murakami, T. Ujihara, G. Sazaki and T. Shishido

    Solar Energy Materials and Solar Cells   72 巻   頁: 93-100   2002年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  395. In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface

    G. Sazaki, Y. Azuma, S. Miyashita, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, Y. Murakami and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   236 巻   頁: 125-131   2002年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  396. Control of macroscopic absorption coefficient of multicrystalline SiGe by microscopic compositional distribution

    N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, H. Yaguchi, Y. Murakami and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters   41 巻 ( 1AB ) 頁: L37-L39   2002年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  397. In situ observation of the Marangoni convection in a NaCl aqueous solutions under microgravity

    G. Sazaki, S. Miyashita, M. Nokura, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   234 巻   頁: 516-522   2002年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  398. Raman scattering and x-ray absorption studies of Ge-Si nanocrystallization

    A. Kolobov, H. Oyanagi, N. Usami, S. Tokumitsu, T. Hattori, S. Yamasaki, K. Tanaka, S. Ohtake and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   80 巻 ( 3 ) 頁: 488-490   2002年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  399. Effect of Si diffusion on growth, parameters and photoluminescence of GeSi/Si(001) self-assembled islands

    M. Y. Valakh, N. V. Vostokov, S. A. Gusev, Y. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, D. N. Lobanov, L. D. Moldavskaya, A. V. Novikov, V. V. Postnikov, M. V. Stepikhova, N. Usami, Y. Shiraki and V. A. Yukhymchuk

    IZVESTIYA AKADEMII NAUK SERIYA FIZICHESKAYA   66 巻   頁: 161-164   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  400. Fabrication of SiGe bulk crystals with uniform composition as substrates for Si-based heterostructures

    N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, Y. Murakami and K. Nakajima

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   89 巻   頁: 364-367   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  401. Evaluation of the diffusion coefficients in liquid GaGe binary alloys using a novel method based on Fick's first law

    T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami and K. Nakajima

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   312 巻   頁: 196-202   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  402. Strain-driven alloying: effect on sizes, shape and photoluminescence of GeSi/Si(001) self-assembled islands

    A. V. Novikov, B. A. Andreev, N. V. Vostokov, Y. N. Drozdov, Z. F. Krasilnik, D. N. Lobanov, L. D. Moldavskaya, A. N. Yablonskiy, M. Miura, N. Usami, Y. Shiraki, M. Y. Valakh, N. Mestres and J. Pascual

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   89 巻   頁: 62-65   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  403. Molecular beam epitaxy of GaAs on nearly lattice-matched SiGe substrates grown by the multicomponent zone-melting method

    N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, Y. Yakabe, T. Kondo, K. Kawaguchi, S. Koh, Y. Shiraki, B. P. Zhang, Y. Segawa and S. Kodama

    Semiconductor Science and Technology   16 巻 ( 8 ) 頁: 699-703   2001年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  404. Physical model for the evaluation of solid-liquid interfacial tension in silicon

    T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, N. Usami and K. Nakajima

    Journal of Applied Physics   90 巻 ( 2 ) 頁: 750-755   2001年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  405. Fabrication of strain-balanced Si/Si1-xGex multiple quantum wells on Si1-yGey virtual substrates and their optical properties

    K. Kawaguchi, Y. Shiraki, N. Usami, J. Zhang, N. J. Woods, G. Breton and G. Parry

    Applied Physics Letters   79 巻 ( 3 ) 頁: 344-346   2001年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  406. Growth of SixGe1-x (x=0.15) bulk crystal with uniform composition utilizing in situ monitoring of the crystal-solution interface

    N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, S. Miyashita, Y. Murakami and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers   40 巻 ( 6A ) 頁: 4141-4144   2001年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  407. Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by directly controlling the growth temperature at the crystal-melt inter-face using in situ monitoring system

    Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, S. Miyashita, K. Fujiwara and K. Nakajima

    Journal of Crystal Growth   224 巻   頁: 204-211   2001年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  408. The relation between composition and sizes of GeSi/Si(001) islands grown at different temperatures

    N. V. Vostokov, S. A. Gusev, Y. N. Drozdov, Z. F. Krasilnik, D. N. Lobanov, N. Mesters, M. Miura, L. D. Moldavskaya, A. V. Novikov, J. Pascual, V. V. Postnikov, Y. Shiraki, V. A. Uakhimchuk, N. Usami and M. Y. Valakh

    PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES   41337 巻   頁: 295-301   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  409. Modification of the growth mode of Ge on Si(100) in the presence of buried Ge islands

    N. Usami, M. Miura, Y. Ito, Y. Araki, K. Nakajima and Y. Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   227 巻   頁: 782-785   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  410. Observation of negatively charged excitons and excited states of multi-excitons in quantum dots embedded in modulation doping structures

    K. Ohdaira, N. Usami, K. Ota and Y. Shiraki

    PHYSICA E   11 巻 ( 2-3 ) 頁: 68-71   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  411. Phase diagram calculation for epitaxial growth of GaInAs on InP considering the surface, interfacial and strain energies

    K. Nakajima, T. Ujihara, G. Sazaki and N. Usami

    Journal of Crystal Growth   220 巻 ( 4 ) 頁: 413-424   2000年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  412. SiGe bulk crystal as a lattice-matched substrate to GaAs for solar cell applications

    N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, Y. Yakabe, T. Kondo, S. Koh, Y. Shiraki, B. Zhang, Y. Segawa and S. Kodama

    Applied Physics Letters   77 巻 ( 22 ) 頁: 3565-3567   2000年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  413. In situ measurement of composition in high-temperature solutions by X-ray fluorescence spectrometry

    T. Ujihara, G. Sazaki, S. Miyashita, N. Usami and K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers   39 巻 ( 10 ) 頁: 5981-5982   2000年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  414. Drastic increase of the density of Ge islands by capping with a thin Si layer

    N. Usami, M. Miura, Y. Ito, Y. Araki and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   77 巻 ( 2 ) 頁: 217-219   2000年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  415. Modification of the growth mode of Ge on Si by buried Ge islands

    N. Usami, Y. Araki, Y. Ito, M. Miura and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   76 巻 ( 25 ) 頁: 3723-3725   2000年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  416. Optical investigation of modified Stranski-Krastanov growth mode in the stacking of self-assembled Ge islands

    N. Usami and Y. Shiraki

    THIN SOLID FILMS   369 巻   頁: 108-111   2000年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  417. Microscopic probing of localized excitons in quantum wells

    N. Usami, K. Ota, K. Ohdaira, Y. Shiraki, T. Hasche, V. Lyssenko and K. Leo

    INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES   ( 166 ) 頁: 99-102   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  418. Drastic modification of the growth mode of Ge quantum dots on Si by using boron adlayer

    H. Takamiya, M. Miura, N. Usami, T. Hattori and Y. Shiraki

    THIN SOLID FILMS   369 巻 ( 1-2 ) 頁: 84-87   2000年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  419. Growth and characterization of Ge-70(n)/Ge-74(n) isotope superlattices

    K. Morita, K. M. Itoh, J. Muto, K. Mizoguchi, N. Usami, Y. Shiraki and E. E. Haller

    THIN SOLID FILMS   369 巻 ( 1-2 ) 頁: 405-408   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  420. Formation of relaxed SiGe films on Si by selective epitaxial growth

    K. Kawaguchi, N. Usami and Y. Shiraki

    Thin Solid Films   369 巻   頁: 126-129   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  421. Correlation between electronic states and optical properties in indirect GaAsP/GaP quantum wells with insertion of an ultrathin AlP layer

    K. Arimoto, N. Usami and Y. Shiraki

    Physica E   8 巻   頁: 323-327   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  422. Effect of the insertion of an ultrathin AlP layer on the optical properties of GaAsP/GaP quantum wells

    K. Arimoto, T. Sugita, N. Usami and Y. Shiraki

    Physical Review B   60 巻 ( 19 ) 頁: 13735-13739   1999年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  423. Magnetophotoluminescence spectroscopy of AlGaP-based neighboring confinement structures

    N. Usami, T. Sugita, T. Ohta, F. Issiki, Y. Shiraki, K. Uchida and N. Miura

    Physical Review B   60 巻 ( 3 ) 頁: 1879-1883   1999年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  424. Study of a pure-Ge/Si short-period superlattice by x-ray double crystal diffraction

    Z. G. Ji, H. M. Lu, S. G. Zhang, D. L. Que, N. Usami, H. Sunamura and Y. Shiraki

    Journal of Materials Synthesis and Processing   7 巻 ( 3 ) 頁: 205-207   1999年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  425. Selective epitaxial growth of dot structures on patterned Si substrates by gas source molecular beam epitaxy

    E. S. Kim, N. Usami and Y. Shiraki

    Semiconductor Science and Technology   14 巻 ( 3 ) 頁: 257-265   1999年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  426. Optical characterization of strain-induced structural modification in SiGe-based heterostructures

    N. Usami, K. Leo and Y. Shiraki

    Journal of Applied Physics   85 巻 ( 4 ) 頁: 2363-2366   1999年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  427. Gas source molecular beam epitaxy grown strained-Si films on step-graded relaxed Si1-xGex for MOS applications

    L. K. Bera, S. K. Ray, D. K. Nayak, N. Usami, Y. Shiraki and C. K. Maiti

    Journal of Electronic Materials   28 巻 ( 2 ) 頁: 98-104   1999年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  428. Photoluminescence study of InP/GaP highly strained quantum wells

    T. Kimura, H. Yaguchi, N. Usami, K. Onabe and Y. Shiraki

    INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES   162 巻   頁: 511-516   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  429. Sublattice reversal in GaAs/Si/GaAs (100) heterostructures by molecular beam epitaxy

    S. J. Koh, T. Kondo, T. Ishiwada, C. Iwamoto, H. Ichinose, H. Yaguchi, T. Usami, Y. Shiraki and R. Ito

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters   37 巻 ( 12B ) 頁: L1493-L1496   1998年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  430. Epitaxial growth and photoluminescence of Si/pure-Ge/Si quantum structures on Si(311) substrates

    K. Amano, M. Kobayashi, A. Ohga, T. Hattori, N. Usami and Y. Shiraki

    Semiconductor Science and Technology   13 巻 ( 11 ) 頁: 1277-1283   1998年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  431. Wavy interface morphologies in strained Si1-xGex/Si multilayers on vicinal Si(111) substrates

    J. H. Li, Y. Yamaguchi, H. Hashizume, N. Usami and Y. Shiraki

    Journal of Physics-Condensed Matter   10 巻 ( 39 ) 頁: 8643-8652   1998年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  432. Photoluminescence and Raman scattering of pure germanium/silicon short period superlattice

    Z. G. Ji, N. Usami, H. Sunamura and Y. Shiraki

    Acta Physica Sinica-Overseas Edition   7 巻 ( 8 ) 頁: 608-612   1998年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  433. Electrical properties of N2O/NH3 plasma grown oxynitride on strained-Si

    L. K. Bera, S. K. Ray, M. Mukhopadhyay, D. K. Nayak, N. Usami, Y. Shiraki and C. K. Maiti

    Ieee Electron Device Letters   19 巻 ( 8 ) 頁: 273-275   1998年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  434. Control of Ge dots in dimension and position by selective epitaxial growth and their optical properties

    E. S. Kim, N. Usami and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   72 巻   頁: 1617-1619   1998年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  435. In-plane potential modulation in tensilely strained AlGaP-based neighboring confinement structure

    N. Usami, T. Sugita, T. Ohta, H. Ito, K. Uchida, Y. Shiraki, F. Minami and N. Miura

    PHYSICA E   2 巻   頁: 883-886   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  436. Exciton diffusion dynamics in quantum nanostructures on V-groove patterned substrates

    N. Usami, Y. Shiraki, W. Pan, H. Yaguchi and K. Onabe

    Superlattices and Microstructures   23 巻 ( 2 ) 頁: 395-400   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  437. Magneto-photoluminescence spectra of GaP/AlP short-period superlattices in high magnetic fields and uniaxial pressures

    K. Uchida, N. Miura, T. Sugita, F. Issiki, N. Usami and Y. Shiraki

    PHYSICA B   251 巻   頁: 909-913   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  438. Control of island formation using overgrowth technique on cleaved edges of strained multiple quantum wells and selective epitaxy on patterned substrates

    N. Usami, J. Arai, E. S. Kim, K. Ota, T. Hattori and Y. Shiraki

    PHYSICA E   2 巻   頁: 137-141   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  439. Photoluminescence from pure-Ge/pure-Si neighboring confinement structure

    N. Usami, M. Miura, H. Sunamura and Y. Shiraki

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   16 巻   頁: 1710-1712   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  440. New strain-relieving microstructure in pure-Ge/Si short-period superlattices

    H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   16 巻 ( 3 ) 頁: 1595-1598   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  441. Effect of tensile strain on optical properties of AlGaP-based neighboring confinement structure

    T. Ohta, N. Usami, F. Issiki and Y. Shiraki

    Superlattices and Microstructures   23 巻 ( 1 ) 頁: 97-102   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  442. Temperature dependence of microscopic photoluminescence spectra of quantum dots and quantum wells

    K. Ota, N. Usami and Y. Shiraki

    PHYSICA E   2 巻 ( 1-4 ) 頁: 573-577   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  443. Enhanced no-phonon transition in indirect GaAsP/GaP quantum wells by insertion of monolayer AlP for electron localization

    T. Sugita, N. Usami and Y. Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   188 巻 ( 1-4 ) 頁: 323-327   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  444. Spectroscopic study of Si-based quantum wells with neighbouring confinement structure

    N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu

    Semiconductor Science and Technology   12 巻 ( 12 ) 頁: 1596-1602   1997年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  445. Optical investigation of growth mode of Ge thin films on Si(110) substrates

    J. Arai, A. Ohga, T. Hattori, N. Usami and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   71 巻 ( 6 ) 頁: 785-787   1997年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  446. Effects of tensile strain on the optical properties of an AlGaP-based neighbouring confinement structure

    T. Ohta, N. Usami, F. Issiki and Y. Shiraki

    Semiconductor Science and Technology   12 巻 ( 7 ) 頁: 881-887   1997年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  447. Interfacial roughness of Si1-xGex/Si multilayer structures on Si(111) probed by x-ray scattering

    P. M. Reimer, J. H. Li, Y. Yamaguchi, O. Sakata, H. Hashizume, N. Usami and Y. Shiraki

    Journal of Physics-Condensed Matter   9 巻 ( 22 ) 頁: 4521-4533   1997年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  448. Precise control of island formation using overgrowth technique on cleaved edges of strained multiple quantum wells

    J. Arai, N. Usami, K. Ota, Y. Shiraki, A. Ohga and T. Hattori

    Applied Physics Letters   70 巻 ( 22 ) 頁: 2981-2983   1997年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  449. Photoluminescence study of the optical properties of SiGe quantum wells on separation by implanted oxygen substrates

    D. K. Nayak, N. Usami, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    Journal of Applied Physics   81 巻 ( 8 ) 頁: 3484-3489   1997年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  450. Anomalous luminescence peak shift of SiGe/Si quantum well induced by self-assembled Ge islands

    E. S. Kim, N. Usami and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   70 巻 ( 3 ) 頁: 295-297   1997年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  451. Oxidation of strained Si in a microwave electron cyclotron resonance plasma

    L. K. Bera, M. Mukhopadhyay, S. K. Ray, D. K. Nayak, N. Usami, Y. Shiraki and C. K. Maiti

    Applied Physics Letters   70 巻 ( 2 ) 頁: 217-219   1997年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  452. Electrical properties of oxides grown on strained Si using microwave N2O plasma

    L. K. Bera, S. K. Ray, D. K. Nayak, N. Usami, Y. Shiraki and C. K. Maiti

    Applied Physics Letters   70 巻 ( 1 ) 頁: 66-68   1997年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  453. Anomalous photoluminescence of pure-Ge/Si type-II coupled quantum wells (II-CQWs)

    H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu

    THIN SOLID FILMS   294 巻 ( 1-2 ) 頁: 336-339   1997年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  454. Luminescence study on Ge islands as stressors on Si1-xGex/Si quantum well

    E. S. Kim, N. Usami, H. Sunamura, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   175 巻   頁: 519-523   1997年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  455. Time-resolved photoluminescence study on AlxGa1-xAs spontaneous vertical quantum well structures

    N. Usami, W. G. Pan, H. Yaguchi, R. Ito, K. Onabe, H. Akiyama and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   68 巻 ( 23 ) 頁: 3221-3223   1996年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  456. Ultrashort lifetime photocarriers in Ge thin films

    N. Sekine, K. Hirakawa, F. Sogawa, Y. Arakawa, N. Usami, Y. Shiraki and T. Katoda

    Applied Physics Letters   68 巻 ( 24 ) 頁: 3419-3421   1996年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  457. Role of heterointerface on enhancement of no-phonon luminescence in Si-based neighboring confinement structure

    N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu

    Applied Physics Letters   68 巻 ( 17 ) 頁: 2340-2342   1996年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  458. Observation of lateral confinement effect in Ge quantum wires self-aligned at step edges on Si(100)

    H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu

    Applied Physics Letters   68 巻 ( 13 ) 頁: 1847-1849   1996年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  459. Exciton diffusion dynamics in SiGe/Si quantum wells on a V-groove patterned Si substrate

    N. Usami, H. Akiyama, Y. Shiraki and S. Fukatsu

    SOLID-STATE ELECTRONICS   40 巻   頁: 733-736   1996年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  460. Formation and optical properties of SiGe/Si quantum structures

    Y. Shiraki, H. Sunamura, N. Usami and S. Fukatsu

    APPLIED SURFACE SCIENCE   102 巻   頁: 263-271   1996年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  461. Rectangular AlGaAs/AlAs quantum wires using spontaneous vertical quantum wells

    W. G. Pan, H. Yaguchi, K. Onabe, R. Ito, N. Usami and Y. Shiraki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   35 巻 ( 2B ) 頁: 1214-1216   1996年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  462. Polarization properties of GaAsP/AlGaAs tensilely strained quantum wire structures grown on V-grooved GaAs substrates

    W. Pan, H. Yaguchi, K. Onabe, R. Ito, N. Usami and Y. Shiraki

    INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES   145 巻   頁: 925-930   1996年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  463. Improved luminescence quality with an asymmetric confinement potential in Si-based type-II quantum wells grown on a graded SiGe relaxed buffer

    S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki

    J. Vac. Sci. Technol   14 巻   頁: 2387-2390   1996年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  464. CHARACTERIZATION OF SIGE QUANTUM-WIRE STRUCTURES BY CATHODOLUMINESCENCE IMAGING AND SPECTROSCOPY

    V. Higgs, E. C. Lightowlers, N. Usami, T. Mine, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   67 巻 ( 12 ) 頁: 1709-1711   1995年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  465. DYNAMICS OF EXCITON DIFFUSION IN SIGE QUANTUM-WELLS ON A V-GROOVE PATTERNED SI SUBSTRATE

    N. Usami, H. Akiyama, Y. Shiraki and S. Fukatsu

    Physical Review B   52 巻 ( 7 ) 頁: 5132-5135   1995年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  466. ENHANCEMENT OF RADIATIVE RECOMBINATION IN SI-BASED QUANTUM-WELLS WITH NEIGHBORING CONFINEMENT STRUCTURE

    N. Usami, F. Issiki, D. K. Nayak, Y. Shiraki and S. Fukatsu

    Applied Physics Letters   67 巻   頁: 524-526   1995年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  467. ISLAND FORMATION DURING GROWTH OF GE ON SI(100) - A STUDY USING PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY

    H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu

    Applied Physics Letters   66 巻 ( 22 ) 頁: 3024-3026   1995年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  468. STRAIN-INDUCED LATERAL BAND-GAP MODULATION IN SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELL AND QUANTUM-WIRE STRUCTURES

    N. Usami, H. Sunamura, T. Mine, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   150 巻   頁: 1065-1069   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  469. Intense photoluminescence from Si-based quantum well structures with neighboring confinement structure

    N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   157 巻   頁: 27-30   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  470. Photoluminescence investigation on growth mode changeover of Ge on Si(100)

    H. Sunamura, S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   157 巻 ( 1-4 ) 頁: 265-269   1995年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  471. Anomalous spectral shift of photoluminescence from MBE-grown strained Si1-xGex/Si quantum wells mediated by atomic hydrogen

    G. Ohta, S. Fukatsu, N. Usami, Y. Shiraki and T. Hattori

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   157 巻 ( 1-4 ) 頁: 36-39   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  472. CRUCIAL ROLE OF SI BUFFER LAYER QUALITY IN THE PHOTOLUMINESCENCE EFFICIENCY OF STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELLS

    T. Mine, N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu

    J. Cryst. Growth   150 巻 ( 1-4 ) 頁: 1033-1037   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  473. Field-driven blue shift of excitonic photoluminescence in Si-Ge quantum wells and superlattices

    J. Y. Kim, S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   157 巻 ( 1-4 ) 頁: 40-44   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  474. CATHODOLUMINESCENCE INVESTIGATION OF SIGE QUANTUM WIRES FABRICATED ON V-GROOVE PATTERNED SI SUBSTRATES

    V. Higgs, E. C. Lightowlers, N. Usami, Y. Shiraki, T. Mine and S. Fukatsu

    J. Cryst. Growth   150 巻   頁: 1070-1073   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  475. ABRUPT SI GE INTERFACE FORMATION USING ATOMIC-HYDROGEN IN SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    G. Ohta, S. Fukatsu, Y. Ebuchi, T. Hattori, N. Usami and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   65 巻 ( 23 ) 頁: 2975-2977   1994年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  476. PHOTOLUMINESCENCE OF SI/SIGE/SI QUANTUM-WELLS ON SEPARATION BY OXYGEN IMPLANTATION SUBSTRATE

    D. K. Nayak, N. Usami, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   64 巻 ( 18 ) 頁: 2373-2375   1994年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  477. OPTICAL ANISOTROPY IN WIRE-GEOMETRY SIGE LAYERS GROWN BY GAS-SOURCE SELECTIVE EPITAXIAL-GROWTH TECHNIQUE

    N. Usami, T. Mine, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   64 巻 ( 9 ) 頁: 1126-1128   1994年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  478. FABRICATION OF SIGE/SI QUANTUM-WIRE STRUCTURES ON A V-GROOVE PATTERNED SI SUBSTRATE BY GAS-SOURCE SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    N. Usami, T. Mine, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    SOLID-STATE ELECTRONICS   37 巻   頁: 539-541   1994年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  479. PHOTOLUMINESCENCE OF SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELLS WITH ABRUPT INTERFACES FORMED BY SEGREGANT-ASSISTED GROWTH

    N. Usami, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   33 巻 ( 4B ) 頁: 2304-2306   1994年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  480. OPTICAL-DETECTION OF INTERDIFFUSION IN STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELL STRUCTURES

    H. Sunamura, S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   33 巻 ( 4B ) 頁: 2344-2347   1994年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  481. BAND-EDGE PHOTOLUMINESCENCE OF SIGE/STRAINED-SI/SIGE TYPE-II QUANTUM-WELLS ON SI(100)

    D. K. Nayak, N. Usami, H. Sunamura, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    SOLID-STATE ELECTRONICS   37 巻 ( 4-6 ) 頁: 933-936   1994年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  482. A SI1-XGEX/SI SINGLE-QUANTUM-WELL P-I-N STRUCTURE GROWN BY SOLID-SOURCE AND GAS-SOURCE HYBRID SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    Y. Kato, S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   136 巻   頁: 355-360   1994年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  483. GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY AND LUMINESCENCE CHARACTERIZATION OF STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELLS

    S. Fukatsu, N. Usami, Y. Kato, H. Sunamura, Y. Shiraki, H. Oku, T. Ohnishi, Y. Ohmori and K. Okumura

    J. Cryst. Growth   136 巻   頁: 315-321   1994年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  484. BAND-EDGE PHOTOLUMINESCENCE OF SIGE STRAINED-SI/SIGE TYPE-II QUANTUM-WELLS ON SI(100)

    D. K. Nayak, N. Usami, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   63 巻 ( 25 ) 頁: 3509-3511   1993年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  485. REALIZATION OF CRESCENT-SHAPED SIGE QUANTUM-WIRE STRUCTURES ON A V-GROOVE PATTERNED SI SUBSTRATE BY GAS-SOURCE SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    N. Usami, T. Mine, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   63 巻 ( 20 ) 頁: 2789-2791   1993年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  486. BAND-EDGE PHOTOLUMINESCENCE OF SIGE STRAINED-SI SIGE TYPE-II QUANTUM-WELLS ON SI(100)

    D. K. Nayak, N. Usami, H. Sunamura, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters   32 巻 ( 10A ) 頁: L1391-L1393   1993年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  487. SELF-MODULATING SB INCORPORATION IN SI/SIGE SUPERLATTICES DURING MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH

    K. Fujita, S. Fukatsu, N. Usami, Y. Shiraki, H. Yaguchi, R. Ito and K. Nakagawa

    Surface Science   295 巻 ( 3 ) 頁: 335-339   1993年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  488. LUMINESCENCE STUDY ON INTERDIFFUSION IN STRAINED SI1-XGEX/SI SINGLE QUANTUM-WELLS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    H. Sunamura, S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   63 巻 ( 12 ) 頁: 1651-1653   1993年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  489. HYBRID SI MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL REGROWTH FOR A STRAINED SI1-XGEX/SI SINGLE-QUANTUM-WELL ELECTROLUMINESCENT DEVICE

    Y. Kato, S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   63 巻 ( 17 ) 頁: 2414-2416   1993年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  490. HIGH-TEMPERATURE OPERATION OF STRAINED SI0.65GE0.35/SI(111) P-TYPE MULTIPLE-QUANTUM-WELL LIGHT-EMITTING DIODE GROWN BY SOLID SOURCE SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    S. Fukatsu, N. Usami, Y. Shiraki, A. Nishida and K. Nakagawa

    Applied Physics Letters   63 巻 ( 7 ) 頁: 967-969   1993年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  491. ABRUPT COMPOSITIONAL TRANSITION IN LUMINESCENT SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELL STRUCTURES FABRICATED BY SEGREGANT ASSISTED GROWTH USING SB ADLAYER

    N. Usami, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   63 巻 ( 3 ) 頁: 388-390   1993年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  492. DISLOCATION GLIDE MOTION IN HETEROEPITAXIAL THIN-FILMS OF SI1-XGEX/SI(100)

    Y. Yamashita, K. Maeda, K. Fujita, N. Usami, K. Suzuki, S. Fukatsu, Y. Mera and Y. Shiraki

    Philosophical Magazine Letters   67 巻 ( 3 ) 頁: 165-171   1993年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  493. IS LOW-TEMPERATURE GROWTH THE SOLUTION TO ABRUPT SI/SI1-XGEX INTERFACE FORMATION

    S. Fukatsu, N. Usami, K. Fujita, H. Yaguchi, Y. Shiraki and R. Ito

    J. Cryst. Growth   127 巻   頁: 401-405   1993年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  494. LUMINESCENCE FROM SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELLS GROWN BY SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   11 巻 ( 3 ) 頁: 895-898   1993年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  495. LUMINESCENCE FROM STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELLS GROWN BY SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   32 巻 ( 3B ) 頁: 1502-1507   1993年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  496. INTENSE PHOTOLUMINESCENCE FROM STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELL STRUCTURES

    S. Fukatsu, N. Usami, H. Yoshida, A. Fujiwara, Y. Takahashi, Y. Shiraki and R. Ito

    J. Cryst. Growth   127 巻   頁: 489-493   1993年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  497. OBSERVATION OF ELECTROLUMINESCENCE ABOVE ROOM-TEMPERATURE IN STRAINED P-TYPE SI0.65GE0.35/SI(111) MULTIPLE-QUANTUM WELLS

    S. Fukatsu, N. Usami, Y. Shiraki, A. Nishida and K. Nakagawa

    J. Cryst. Growth   127 巻   頁: 1083-1087   1993年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  498. PHOTOGENERATION AND TRANSPORT OF CARRIERS IN STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELL STRUCTURES

    S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters   31 巻 ( 11A ) 頁: L1525-L1528   1992年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  499. QUANTUM SIZE EFFECT OF EXCITONIC BAND-EDGE LUMINESCENCE IN STRAINED SI1-XGEX/SI SINGLE QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN BY GAS-SOURCE SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    S. Fukatsu, H. Yoshida, N. Usami, A. Fujiwara, Y. Takahashi, Y. Shiraki and R. Ito

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters   31 巻 ( 9B ) 頁: L1319-L1321   1992年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  500. OBSERVATION OF DEEP-LEVEL-FREE BAND EDGE LUMINESCENCE AND QUANTUM CONFINEMENT IN STRAINED SI1-XGEX/SI SINGLE QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN BY SOLID SOURCE SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    N. Usami, S. Fukatsu and Y. Shiraki

    Applied Physics Letters   61 巻 ( 14 ) 頁: 1706-1708   1992年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  501. ELECTROLUMINESCENCE FROM STRAINED SIGE/SI QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN BY SOLID SOURCE SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    S. Fukatsu, N. Usami, T. Chinzei, Y. Shiraki, A. Nishida and K. Nakagawa

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters   31 巻 ( 8A ) 頁: L1015-L1017   1992年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  502. BAND-EDGE LUMINESCENCE OF STRAINED SIXGE1-X/SI SINGLE QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN ON SI(111) BY SI MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    S. Fukatsu, N. Usami and Y. Shiraki

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters   31 巻 ( 8A ) 頁: L1018-L1020   1992年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  503. SYSTEMATIC BLUE SHIFT OF EXCITON LUMINESCENCE IN STRAINED SI1-XGEX/SI QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN BY GAS SOURCE SILICON MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    S. Fukatsu, H. Yoshida, N. Usami, A. Fujiwara, Y. Takahashi, Y. Shiraki and R. Ito

    THIN SOLID FILMS   222 巻   1992年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/0040-6090(92)90025-7

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書籍等出版物 14

  1. 太陽電池とLEDの原理

    Adrian Kitai著 宇佐美 徳隆 監訳( 担当: 共著)

    丸善  2013年7月 

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    記述言語:日本語

  2. 太陽電池技術ハンドブック 4.2.3 シリコン多結晶の欠陥・組織と評価

    宇佐美 徳隆( 担当: 共著)

    オーム社  2013年5月 

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    記述言語:日本語

  3. "第2章第3節 SiGe量子ドット系", "量子ドット太陽電池の最前線"

    豊田太郎(監修)( 担当: 共著)

    シーエムシー出版  2012年 

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    記述言語:日本語

  4. "Chapter 4. Types of silicon-germanium (SiGe) bulk crystal growth methods and their applications" in "SiGe nanostructures: materials science, technology and applications"

    edited by Y. Shiraki, and N. Usami( 担当: 共著)

    Woodhead publishing  2011年 

     詳細を見る

    記述言語:英語

  5. "第3編第2章 太陽電池の基礎知識", "スマートハウスの発電・蓄電・給電技術の最前線"

    田路 和幸 (監修) ( 担当: 共著)

    シーエムシー出版  2011年 

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    記述言語:日本語

  6. "第1章第4節 SiGe量子ドットのエピタキシャル成長", "量子ドットエレクトロニクスの最前線"

    荒川泰彦 他41名( 担当: 共著)

    NTS社  2011年 

     詳細を見る

    記述言語:日本語

  7. 太陽電池の基礎と応用 シリコン太陽電池

    宇佐美 徳隆( 担当: 共著)

    培風館  2010年7月 

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    記述言語:日本語

  8. 「太陽電池の物理」

    Peter Würfel 著、宇佐美 徳隆、石原 照也、中嶋 一雄監訳( 担当: 共著)

    丸善  2010年 

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    記述言語:日本語

  9. "Chapter 6. Fundamental understanding of subgrain boundaries" in "Advances in Materials Research 14, Crystal Growth of Si for Solar Cells"

    Edited by K. Nakajima, and N. Usami( 担当: 共著)

    Springer  2009年 

     詳細を見る

    記述言語:英語

  10. "Chapter 10. High-quality Si multicrystals with same grain orientation and large grain size by the new dendritic casting method for high-efficiency soalr cell applications" in "Advances in Materials Research 10, Frontiers in Materials Research"

    Edited by Y. Fujikawa, K. Nakajima, and T. Sakurai( 担当: 共著)

    Springer  2008年 

     詳細を見る

    記述言語:英語

  11. "Chaper 12. Floating cast method as a new growth method of silicon bulk multicrystals for solar cells" in "Advances in Materials Research 10, Frontiers in Materials Research"

    Edited by Y. Fujikawa, K. Nakajima, and T. Sakurai( 担当: 共著)

    Springer  2008年 

     詳細を見る

    記述言語:英語

  12. "Chapter 11. Growth of high-quality polycrystalline Si ingot with same grain orientation using dendritic casting method" in "Advances in Materials Research 10, Frontiers in Materials Research"

    Edited by Y. Fujikawa, K. Nakajima, and T. Sakurai( 担当: 共著)

    Springer  2008年 

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    記述言語:英語

  13. "III/34C3. Single and coupled quantum wells:SiGe" in "Landolt-Börnstein New Series"

    Edited by E. Kasper and C. Klingshirn( 担当: 共著)

    Springer  2007年 

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    記述言語:英語

  14. "Chapter 6.6. SiGe quantum structures" in "Mesoscopic Physics and Electronics"

    Edited by T. Ando, Y. Arakawa, K. Furuya, S. Komiyama, and S. Nakashima( 担当: 共著)

    Springer-Verlag  1998年 

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    記述言語:英語

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MISC 1

  1. 太陽光発電へのインフォマティクス応用 招待有り 国際共著

    宇佐美 徳隆  

    太陽光発電協会会誌   2021年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(その他)  

講演・口頭発表等 613

  1. Materials and process informatics for research on photovoltaics 招待有り 国際会議

    Noritaka USAMI

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月8日 - 2020年11月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

    国名:大韓民国  

  2. Application of Machine Learning for High-Performance Multicrystalline Materials 招待有り 国際会議

    Noritaka USAMI

    239th ECS Meeting with the 18th International Meeting on Chemical Sensors (IMCS)  2021年5月 

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    開催年月日: 2021年5月30日 - 2021年6月3日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  3. 多結晶材料情報学の基盤技術 招待有り

    宇佐美徳隆

    第36回シリサイド系半導体研究会  2021年3月19日  応用物理学会シリサイド系半導体研究会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  4. 多結晶シリコンウェハの蛍光イメージ中の転位クラスター領域の画像変換による特定

    工藤博章, 松本哲也, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  5. As-doped n-BaSi2膜の水素パッシベーションによる分光感度向上と第一原理計算によるミクロ構造考察 国際共著

    青貫翔, 山下雄大, Xu Zhihao, 後藤和泰, 都甲薫, 宇佐美徳隆, Migas Dmitri, 末益崇

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  6. シリコンナノ結晶/酸化シリコン複合膜に対する水素化処理の検討

    松見優志, 後藤和泰, ビルデマーカス, 黒川康良, 福谷克之, 宇佐美徳隆

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  7. 多結晶シリコンの光反射特性による結晶方位推定モデル

    小島拓人, 原京花, 沓掛健太朗, 松本哲也, 工藤博章, 宇佐美徳隆

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日  応用物理学会

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    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  8. ベイズ最適化を援用した高性能パッシベーティングコンタクトの実現 ~TiOx/結晶Siヘテロ構造への適用~

    宮川晋輔, 後藤和泰, 沓掛健太朗, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  9. 三次元キャリアシミュレーションを用いた多結晶Si中三重点の電気的特性の評価

    三田村和樹, 沓掛健太朗, 小島拓人, 宇佐美徳隆

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  10. シリコンナノ結晶/酸化シリコンを複合化した導電性パッシベーション膜の太陽電池応用

    津幡亮平, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  11. 同位体制御 28Si/SiGe量子計算基板における微小結晶傾斜角イメージング 国際共著

    竹内公一, 宮本聡, 伊藤公平, 宇佐美徳隆

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月17日  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  12. 高性能多結晶材料創製に向けた多結晶材料情報学の開拓

    宇佐美徳隆

    日本物理学会第76回年次大会  2021年3月13日  日本物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月12日 - 2021年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  13. Prediction of Stress and Dislocations in Silicon Ingots using Artificial Neural Networks 国際会議

    A. Boucetta,Y. Fukuda, K. Kutsukake, T. Kojima, H. Kudo,T. Matsumoto, and N. Usami

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, CGCT-8, Virtual meeting  2021年3月1日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月1日 - 2021年3月4日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  14. Formation of SiGe alloyed films on Si substrate by screen-printing of Al-Ge pre-alloyed mixture pastes 国際会議

    M. Nakahara, M. Matsubara, S. Suzuki, M. Dhamrin, K. Fukuda, S. Miyamoto, K. Maeda, K. Fujiwara, and N. Usami

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, CGCT-8, Virtual meeting  2021年3月1日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月1日 - 2021年3月4日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  15. Signature of crystallographic tilting in isotopically enriched Si-28/SiGe 国際会議

    S. Miyamoto, K. Takeuchi, Kohei M. Itoh, and N. Usami

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, CGCT-8, Virtual meeting  2021年3月1日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月1日 - 2021年3月4日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  16. 蛍光イメージングと有限差分シミュレーションを用いた多結晶シリコン中傾斜粒界の電気的特性の定量評価

    三田村和樹, 沓掛健太朗, 小島拓人, 宇佐美徳隆

    第3回結晶工学×ISYSE合同研究会  2020年12月23日  応用物理学会結晶工学分科会

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月23日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  17. ベイズ最適化を用いたTiOx/SiOy結晶Siへテロ構造における水素プラズマ処理条件の最適化

    宮川晋輔, 後藤和泰, 沓掛健太朗, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第3回結晶工学×ISYSE合同研究会  2020年12月23日  応用物理学会結晶工学分科会

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月23日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン  

  18. 成長速度の二段階制御による真空蒸着BaSi2薄膜の高品質化

    吉野孝政, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第3回結晶工学×ISYSE合同研究会  2020年12月23日  応用物理学会結晶工学分科会

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    開催年月日: 2020年12月23日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  19. 蛍光イメージングと有限差分シミュレーションを用いた多結晶シリコン中傾斜粒界の電気的特性の定量評価

    三田村和樹, 宇佐美徳隆

    第30回学生による材料フォーラム  2020年11月13日  日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部

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    開催年月日: 2020年11月13日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  20. シリコン結晶における粒界の成長方向に対する粒界構造と固液界面形状の影響

    福田祐介, 宇佐美徳隆

    第30回学生による材料フォーラム  2020年11月13日  日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部

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    開催年月日: 2020年11月13日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  21. 多層光学イメージを利用した多結晶Si中の結晶粒形状の取得

    山腰健太, 宇佐美徳隆

    第30回学生による材料フォーラム  2020年11月13日  日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部

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    開催年月日: 2020年11月13日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  22. 結晶成長の機械学習のためのデータ取得:何をどこで計測するか 招待有り

    沓掛健太朗, B. Abderahmane, 宇佐美徳隆, 前田健作

    第49回結晶成長国内会議  2020年11月9日  日本結晶成長学会

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  23. シリコン結晶における粒界の成長方向に対する粒界構造と固液界面形状の影響

    福田祐介, 沓掛健太郎, 小島拓人, 宇佐美徳隆

    第49回結晶成長国内会議  2020年11月9日  日本結晶成長学会

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  24. バルク多結晶成長のプロセスサイエンス 招待有り

    宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 横井達矢, 大野裕

    第49回結晶成長国内会議  2020年11月9日  日本結晶成長学会

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  25. Triple Junctions of Random Angle Grain Boundaries Acting as Dislocation Sources in HP Mc-Silicon Ingots 国際会議

    Y. Ohno, K. Tajima, K. Kutsukake, and N. Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月8日 - 2020年11月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  26. Effect of forming gas annealing on hydrogen content and surface morphology of titanium oxide-coated crystalline silicon heterocontacts 国際会議

    Y. Nakagawa, K. Gotoh, M. Wilde, S. Ogura, Y. Kurokawa, K. Fukutani, and N. Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月8日 - 2020年11月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  27. Improvement of BaSi2 thin film quality by two-step growth rate control of vacuum evaporation 国際会議

    T. Yoshino, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月8日 - 2020年11月13日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  28. Impact of excess PbI2 on controlling one-dimensional MAPbI3 perovskites for high carrier lifetimes 国際会議

    V. H. Nguyen, Y. Kurokawa, and N. Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月8日 - 2020年11月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  29. Impact of Ge deposition temperature on fabrication of surface texture using SiGe islands as a mask 国際共著 国際会議

    V. H. Nguyen, A. Novikov, M. Shaleev, D. Yurasov, Y. Kurokawa, and N. Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月8日 - 2020年11月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  30. Impact of Misalignment of S3{111} Grain Boundaries on Photovoltaic Properties in Silicon 国際会議

    Y. Ohno, T. Tamaoka, H. Yoshida, Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Nagai, K. Kutsukake, and N. Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月8日 - 2020年11月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  31. Application of artificial neural network to predict distribution of dislocations in silicon ingots 国際会議

    A. Boucetta,Y. Fukuda, K. Kutsukake, T. Kojima, H. Kudo,T. Matsumoto, and N. Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月8日 - 2020年11月13日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  32. Fabrication of Si textures with low etching margin using Ag-assisted alkaline solution 国際会議

    Y. Li, V.H. Nguyen, and N. Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月8日 - 2020年11月13日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  33. Dependence of electrical properties of stacked Sn-doped In2O3 films on oxygen partial pressure 国際会議

    T. Inoue, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月8日 - 2020年11月13日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  34. Carbon dioxide/Silane gas flow rate dependency on electrical properties in silicon-nanocrystals-embedded silicon oxide passivating contacts 国際会議

    R. Tsubata, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月8日 - 2020年11月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

    国名:大韓民国  

  35. Impact of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiOx prepared on crystalline silicon by atomic layer deposition 国際会議

    S. Miyagawa, K. Gotoh, S. Ogura, M. Wilde, Y. Kurokawa, K. Fukutani, and N. Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月8日 - 2020年11月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  36. 日本太陽光発電学会の設立に寄せて 招待有り

    宇佐美徳隆

    第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2020年10月15日 

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    開催年月日: 2020年10月15日 - 2020年10月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(基調)  

  37. 積層Sn添加In2O3薄膜における電気的特性の酸素分圧依存性

    井上徹哉, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2020年10月15日 

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    開催年月日: 2020年10月15日 - 2020年10月16日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  38. シリコンナノ結晶/酸化シリコン復合膜における炭酸ガス/シランガス流量比依存性

    津幡亮平, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2020年10月15日 

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    開催年月日: 2020年10月15日 - 2020年10月16日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  39. ベイズ最適化を用いたTiOx/SiOy結晶Siへテロ構造における水素プラズマ処理条件の最適化

    宮川晋輔, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2020年10月15日 

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    開催年月日: 2020年10月15日 - 2020年10月16日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  40. Mg層を挿入したTiOx/SiOy/Si構造の接合特性のTiOx膜厚依存性

    中川裕太, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2020年10月15日 

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    開催年月日: 2020年10月15日 - 2020年10月16日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  41. 成長速度の二段階制御による真空蒸着BaSi2薄膜の高品質化

    吉野孝政, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2020年10月15日 

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    開催年月日: 2020年10月15日 - 2020年10月16日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  42. Atom probe tomography observation of diffusion behaviors in isotopically controlled silicon nanostructures 国際会議

    S. Miyamoto, R. Kiga, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Usami, and K. M. Itoh

    IMRT Joint International Symposium on Radiation Effects in Materials and Actinide Science (GIMRT-REMAS2020), Virtual meeting  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月30日 - 2020年10月3日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  43. Fabrication of TiOx thin film on Si using solution-based process and its passivation performance 国際会議

    H. Luo, V. H. Nguyen, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020), Virtual Conference  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月27日 - 2020年9月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  44. Passivation Mechanism of the High-performance Titanium Oxide Passivating Contacts on Crystalline Silicon Studied by Spectroscopic Ellipsometry 国際会議

    K. Gotoh, H. Miura, A. Shimizu, T. Kurokawa, and N. Usami

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020), Virtual Conference  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月27日 - 2020年9月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  45. Direct imaging of crystallographic tilting for valley-controlled Si/SiGe qubits 国際会議

    K. Takeuchi, S. Miyamoto, K. M. Itoh, and N. Usami

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020), Virtual Conference  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月27日 - 2020年9月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  46. Size effect of silicon nanocrystals on Seebeck coefficient of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議

    H. Kobayashi, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, N. Usami, and Y. Kurokawa

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020), Virtual Conference  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月27日 - 2020年9月30日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  47. ベイズ最適化を用いた酸化チタンパッシベーション膜における水素プラズマ処理条件の最適化

    宮川晋輔, 後藤和泰, 沓掛健太朗, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  48. 多層光学イメージを利用した多結晶Si中の結晶粒の3次元モデル化

    山腰健太, 沓掛健太朗, 小島拓人, 宇佐美徳隆

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  49. 多結晶材料情報学による粒界構造の解明と制御に向けて 招待有り

    宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 横井達矢, 大野裕

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  50. 多結晶シリコン組織の結晶方位の統計解析

    小島拓人, 松本哲也, 工藤博章, 宇佐美徳隆

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  51. Mg層挿入によるTiOx/Siヘテロ接合の接合特性の向上

    中川裕太, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  52. 有限差分シミュレーションを用いた粒界傾斜のキャリア分布への影響評価

    三田村和樹, 沓掛健太朗, 小島拓人, 宇佐美徳隆

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  53. 印刷と焼成で形成したSiGe混晶薄膜の顕微ラマン分析

    福田啓介, 宮本聡, 中原正博, 沓掛健太郎, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  54. シリコンナノ結晶/酸化シリコンを複合化した導電性パッシベーション膜の検討

    津幡亮, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  55. Solid-state heteroepitaxy of Si(111) by Aluminum- induced Crystallization

    M. Hainey, T. Yamamoto, E. Zhou, L. Viguerie, and N. Usami

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  56. ハイパフォーマンス多結晶シリコンにおける粒界3重点と転位発生の相関

    大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  57. 溶液プロセスによる酸化チタン薄膜の作製とパッシベーション性能の評価

    羅昊, Van Hoang Nguyen, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン開催 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  58. Formation of p-Type BaSi2 Thin Film and its Application to Silicon-Based Heterojunction Solar Cells 国際会議

    Y. Kimura, M. Fujiwara, K. Takahashi, Y. Nakagawa, T. Yoshino, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami

    37th European PV Solar Eneregy Conference and Exhibition 

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    開催年月日: 2020年9月7日 - 2020年9月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポルトガル共和国  

  59. What Is the Dislocation Sources in the Growth of High-Performance Multicrystalline Si Ingots? 国際会議

    Y. Ohno, K. Tajima, N. Usami, and K. Kutsukake

    37th European PV Solar Energy Conference and Exhibition, Virtual meeting  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月7日 - 2020年9月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポルトガル共和国  

  60. Effect of Hydrogen Plasma Treatment on Silicon Quantum Dot Multilayers Using Amorphous SiOx 国際会議

    R. Akaishi, K. Gotoh, N. Usami, and Y. Kurokawa

    37th European PV Solar Energy Conference and Exhibition, Virtual meeting  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月7日 - 2020年9月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポルトガル共和国  

  61. Fabrication of silicon-nanocrystals-embedded silicon oxide passivating contacts 国際会議

    R. Tsubata, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami

    47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 47) 

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    開催年月日: 2020年6月15日 - 2020年8月21日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  62. Work function of indium oxide thin films on p-type hydrogenated amorphous silicon 国際会議

    M. Semma, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami

    47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 47) 

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    開催年月日: 2020年6月15日 - 2020年8月21日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  63. Passivation Mechanism of the High Performance Titanium Oxide Passivating Contacts on Crystalline Silicon Studied by Spectroscopic Ellipsometry 国際会議

    K. Gotoh, H. Miura, A. Shimizu, S. Miyagawa, Y. Nakagawa, Y. Kurokawa, and N. Usami

    10th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics 2020 

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    開催年月日: 2020年6月1日 - 2020年6月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hangzhou, China   国名:中華人民共和国  

  64. High-performance TiOx/crystalline Si heterocontacts for solar cells 招待有り 国際会議

    Noritaka Usami

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    開催年月日: 2020年3月19日 - 2020年3月20日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Gwangju, Korea   国名:大韓民国  

  65. 畳み込みニューラルネットワークの転移学習に基づいた多結晶シリコ ンインゴット中の転位クラスター発⽣点の特徴

    工藤博章, 松本哲也, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆

    第67回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  66. 多結晶シリコンインゴット中の転位発⽣点近傍の構造特性

    小野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆

    第67回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  67. MoOx CSC/Si太陽電池のPDAによる特性変動 (3)-表面反転層をチャネルとするFET-TEGのS/Dコンダクタンスによる評価

    林豊, 神岡武文, 後藤和泰, 尾崎亮, 中村京太郎, 森村元勇, 宇佐美徳隆, 大下祥雄, 小椋厚志

    第67回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  68. 不活性ガス雰囲気下での熱処理を⽤いたクラックフリーMg2Si厚膜 の合成

    堀場一成, 後藤和泰, 黒川康良, 伊藤孝至, 宇佐美徳隆

    第67回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  69. 機械学習を用いた発光強度プロファイルからの欠陥の電気的特性の推定とイメージマッピング

    三田村和樹, 沓掛健太朗, 小島拓人, 宇佐美徳隆

    第67回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  70. ポストアニール処理を用いたアンドープp-BaSi2/n-Siヘテロ接合太陽電池の作製

    木村裕希, 吉野孝政, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第67回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  71. Marked photoresponsivity enhancement and minority carrier lifetime increase of boron-doped BaSi2 by atomic H passivation

    Z. Xu, K. Gotoh, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  72. 酸化チタン/結晶シリコンヘテロ構造における水素プラズマ処理の効果

    宮川晋輔, 後藤和泰, M. Wilde, 小倉正平, 黒川康良, 福谷克之, 宇佐美徳隆

    第67回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  73. 印刷と焼成によるシリコン系混晶半導体のエピタキシャル成長とその場観察

    福田啓介, 中原正博, 深見昌吾, 宮本聡, Dhamrin Marwan, 前田健作, 藤原航三, 宇佐美徳隆

    第67回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  74. 機械学習を応用した画像処理による 多結晶シリコンウエハの結晶粒界検出

    山腰健太, 田島和哉, 沓掛健太朗, 小島拓人, 宇佐美徳隆

    第67回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  75. 核反応解析法と原⼦間⼒顕微鏡を⽤いたTiOx/SiOx/Siヘテロ 構造におけるパッシベーション性能の支配要因

    中川裕太, 後藤和泰, ビルデ マーカス, 小倉正平, 黒川 康良, 福谷克之, 宇佐美徳隆

    第67回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  76. Fabrication of Si Textures with Low Etching Margin Using AgNO3-assisted Alkaline Solution

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  77. 多結晶材料情報学の現在地 招待有り

    宇佐美徳隆

    アモルファス・ナノ材料と応用 第147委員会、第147回研究会 「マテリアルズインフォマティクスの活用とその課題」 

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    開催年月日: 2020年1月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  78. Activation energy of hydrogen effusion of high performance TiOx/SiOx/c-Si heterocontacts 国際会議

    Kazuhiro Gotoh, Takeya Mochizuki, Tomohiko Hojo, Yasuyoshi Kurokawa, Eiji Akiyama, Noritaka Usami

    MRS-J The 30th Anniversary Material Research Meeting 2019 

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    開催年月日: 2019年12月10日 - 2019年12月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  79. Activation energy of hydrogen effusion of high performance TiOx/SiOx/c-Si heterocontacts 国際会議

    Kazuhiro Gotoh, Takeya Mochizuki, Tomohiko Hojo, Yasuyoshi Kurokawa, Eiji Akiyama, Noritaka Usami

    MRS-J The 30th Anniversary Material Research Meeting 2019 

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    開催年月日: 2019年12月10日 - 2019年12月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  80. Neural Network to Determine Appropriate Thermocouple Positions in Crystal Growth Furnace 国際会議

    Abderahmane Boucetta, Kentaro Kutsukake, Hiroaki Kudo, Tetsuya Matsumoto, Takuto Kojima, Noritaka Usami

    2019 MRS Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2019年12月1日 - 2019年12月6日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  81. Role of the Interlayer in Improving Passivating Contact with Atomic Layer Deposited TiOx on Crystalline Si 国際会議

    Takeya Mochizuki, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Takahisa Yamamoto, Tomohiko Hojo, Eiji Akiyama, Noritaka Usami

    2019 MRS Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2019年12月1日 - 2019年12月6日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  82. Impact of Growth Temperature of Ge Islands on Anti-Reflection Texture Formation 国際会議

    Van Hoang Nguyen, Yuki Kimura, Alexey Novikov, Mikhail V Shaleev, Satoru Miyamoto, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

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    開催年月日: 2019年11月27日 - 2019年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  83. Practical Growth Processes of Silicide and Germanite Thin Films for Photovoltaic and Electronic Applications 国際会議

    Kosuke O. Hara (invited), Shuhei Takizawa, Noritaka Usami, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

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    開催年月日: 2019年11月27日 - 2019年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  84. 酸化チタン/結晶シリコンヘテロ構造における水素プラズマ処理の影響

    宮川晋輔, 後藤和泰, Markus Wilde,小倉正平, 黒川康良, 福谷克之, 宇佐美徳隆

    第2回ハイドロジェノミクス研究会 

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    開催年月日: 2019年11月25日 - 2019年11月26日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  85. 分光エリプソメトリーを用いた酸化チタン パッシベーション膜のポストアニール効果に関する研究

    後藤和泰、 三浦裕之、 清水彩子、 宮川晋輔、 中川裕太、 黒川康良、 宇佐美徳隆

    第4回フロンティア太陽電池セミナー 

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    開催年月日: 2019年11月25日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  86. ポストアニール条件がアンドープBaSi2薄膜のキャリア密度に与える影響

    藤原道信, 中川慶彦, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第2回結晶工学×ISYSE合同研究会 

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    開催年月日: 2019年11月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  87. 不活性ガス雰囲気下での熱処理を用いたMg2Si薄膜の作製とその膜質評価

    堀場一成、 藤原道信、 中川慶彦、 後藤和泰、 黒川康良、 伊藤孝至、 宇佐美徳隆

    第2回結晶工学×ISYSE合同研究会 

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    開催年月日: 2019年11月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  88. データ科学を活用した多結晶シリコンの研究の進展 招待有り

    宇佐美 徳隆

    日本学術振興会 結晶成長の科学と技術第161委員会第112回研究会 

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    開催年月日: 2019年11月18日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  89. Quantitative evaluation of electrical characteristics of inclined grain boundaries in multicrystalline silicon by photoluminescence imaging and finite element simulation 国際会議

    Kazuki Mitamura, Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Noritaka Usami

    PVSEC-29, 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日: 2019年11月4日 - 2019年11月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  90. Characterization of Silicon Quantum Dot Solar Cell with the Phosphorus Blocking Layer 国際会議

    Ryushiro Akaishi, Kazuhiro Gotoh, Shinya Kato, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    PVSEC-29, 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日: 2019年11月4日 - 2019年11月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  91. Impact of indium tin oxide double layers deposition on the passivation performance of a-Si:H/c-Si heterocontact 国際会議

    Masanori Semma, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    PVSEC-29, 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日: 2019年11月4日 - 2019年11月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  92. New Analysis Method to Evaluate Amorphous/Crystalline Si Interface for High Efficiency Heterojunction Solar Cells 国際会議

    Takefumi Kamioka, Yutaka Hayashi, Kazuhiro Gotoh, Ryo Ozaki, Motoo Morimura, Ayako Shimizu, Kyotaro Nakamura, Noritaka Usami, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

    PVSEC-29, 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日: 2019年11月4日 - 2019年11月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  93. Close-spaced evaporation:Scalable technique for BaSi2 film deposition 国際会議

    Kosuke O. Hara, Shuhei Takizawa, Noritaka Usami, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto

    PVSEC-29, 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日: 2019年11月4日 - 2019年11月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  94. An universal approach to produce the passivation materials of c-Si substrate by alcoholic solute PEDOT:PSS 国際会議

    V.H. Nguyen, Y. Kurokawa, N. Usami

    National University of Singapore and Nagoya University Joint Seminar 

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    開催年月日: 2019年11月2日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  95. Fabrication of Tapered Si Nanowires for PEDOT: PSS Hybrid c-Si Solar Cells 国際会議

    Yuqing Li, Van Hoang Nguyen and Noritaka Usami

    National University of Singapore and Nagoya University Joint Seminar 

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    開催年月日: 2019年11月2日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  96. サブピクセルシフトによるPLイメージングの空間分解能 の向上

    竹内公一、 沓掛健太朗、 小島拓人、 工藤博章、 松本哲也、 宇佐美徳隆

    応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  97. 機械学習による発光強度プロファイルからの欠陥の電気特性の推定

    沓掛健太朗、三田村和樹、小島拓人、宇佐美徳隆

    応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  98. 四元数計算を用いた多結晶シリコンにおけるランダム粒界と Σ3n粒界の識別手法

    小島拓人、 田島和哉、 松本哲也、 工藤博章、 宇佐美徳隆

    応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  99. 機械学習を用いた多結晶シリコン基板の結晶粒検出と結晶方位推定

    加藤光、上別府颯一郎、小島拓人、沓掛健太朗、松本哲也、工藤博章、竹内義則、宇佐美徳隆

    応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  100. aSi:H/cSiヘテロ接合Si太陽電池の表面欠陥・トラップ準 位評価手段 -表面反転層ラテラル少数キャリア等価移動度

    神岡武文、林豊、後藤和泰、尾崎亮、森村元勇、内藤志麻子、宇佐美徳隆、大下祥雄、小椋厚志

    応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  101. 光学イメージによる多結晶Siウエハの結晶方位解析に向けた研究

    上別府颯一郎、松本哲也、加藤光、沓掛健太朗、工藤博章、宇佐美徳隆

    応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  102. 発光イメージング法と有限要素シミュレーションを用いた多結晶シリコン中傾斜粒界の電気的特性の定量評価

    三田村和樹、沓掛健太朗、小島拓人、宇佐美徳隆

    応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  103. 多結晶材料情報学による高性能シリコンイン ゴットの創製に向けて(注目講演) 招待有り

    宇佐美徳隆、沓掛健太朗、Boucetta Abderahmane、小島拓人、松本哲也、工藤博章、野田祐輔、横井達矢、清水康雄、大野裕

    応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  104. Evidence of Solute PEDOT:PSS as an Efficient Passivation Material 国際会議

    V.H. Nguyen, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami, S. Kato

    EU PVSEC 2019, The 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition 

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    開催年月日: 2019年9月9日 - 2019年9月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  105. Generation and Propagation of Dislocation Clusters Originated from Multicrystallization by S.3n Rotation and in Quasi-Monocrystalline Silicon 国際会議

    T. Kojima, K. Tajima, T. Matsumoto, H. Kudo, N. Usami, P. Krenckel, S. Riepe

    EU PVSEC 2019, The 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition 

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    開催年月日: 2019年9月9日 - 2019年9月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  106. Enhanced Material Quality in SMART mono-Si Block Cast Ingots by Introduction of Functional Defects 国際会議

    S. Riepe, P. Krenckel, A. Hess, T. Trötschler, Y. Hayama, K. Kutsukake, F. Schindler, N. Usami

    EU PVSEC 2019, The 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition 

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    開催年月日: 2019年9月9日 - 2019年9月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  107. On the Progress in Data Science Approaches for High-Quality Multicrystalline Silicon Ingot for Solar Cells 国際会議

    Noritaka Usami, Kazuya Tajima, Soichiro Kamibeppu, Abderahmane Boucetta, Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Tetsuya Matsumoto, Hiroaki Kudo, Yusuke Noda, Tatsuya Yokoi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno

    EU PVSEC 2019, The 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition 

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    開催年月日: 2019年9月9日 - 2019年9月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  108. Preparation and thermoelectric characterization of phosphorous-doped silicon nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議

    Hisayoshi Kobayashi, Ryushiro Akaishi, Shinya Kato, Masashi Kurosawa, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials 

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    開催年月日: 2019年9月2日 - 2019年9月5日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  109. Fabrication of Group Ⅳ Semiconductor Alloys on Si substrate by Screen-Printing 国際会議

    M. Nakahara, M. Matsubara, S. Suzuki, M. Dhamrin, S. Miyamoto, M.F. Hainey Jr., N. Usami

    SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials 

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    開催年月日: 2019年9月2日 - 2019年9月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  110. Fabrication of Group Ⅳ Semiconductor Alloys on Si substrate by Screen-Printing 国際会議

    M. Nakahara, M. Matsubara,S. Suzuki, M. Dhamrin, S. Miyamoto, M.F. Hainey Jr., N. Usami

    SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials 

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    開催年月日: 2019年9月2日 - 2019年9月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  111. Surface inversion layer effective minority carrier mobility as one of the measures of surface quality of the p-aSi:H/i-aSi:H/cSi heterojunction solar cell 国際会議

    Y. Hayashi, T. Kamioka, K. Gotoh, R. Ozaki, K. Nakamura, M. Morimura, S. Naitou, N. Usami, A. Ogura, Y. Ohshita

    SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月2日 - 2019年9月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  112. Solute PEDOT:PSS as an Excellent Passivation Material of Si Substrate 国際会議

    V.H. Nguyen, S. Kato, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami

    SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月2日 - 2019年9月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  113. Highly oriented Si(111) films on lattice-mismatched single-crystalline substrates via aluminum-induced crystallization 国際会議

    M.F. Hainey Jr., C. Zhou, N. Usami

    SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials 

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    開催年月日: 2019年9月2日 - 2019年9月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  114. Optical Investigation of Interstitial H2 Nuclear-Spin States in Isotopically Enriched Silicon

    新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール 

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    開催年月日: 2019年8月23日 - 2019年8月24日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  115. TiOx/SiOx/結晶Siヘテロ界面における水素の脱離エネルギー

    後藤 和泰、望月 健矢、北條 智彦、黒川 康良、秋山 英二、宇佐美 徳隆

    新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール 

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    開催年月日: 2019年8月23日 - 2019年8月24日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  116. 水素プラズマ処理によるシリコン量子ドット積層構造の欠陥密度低減と構造特性評価

    赤石 龍士郎、後藤 和泰、黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール 

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    開催年月日: 2019年8月23日 - 2019年8月24日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  117. 原子層堆積法による結晶Si/SiOx/TiOx構造の作製と熱処理の効果

    中川 裕太、後藤 和泰、宮本 聡、黒川 康良、宇佐美 徳隆

    新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年8月23日 - 2019年8月24日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  118. 酸化チタン/結晶シリコンヘテロ構造における水素プラズマ処理の検討

    宮川 晋輔、後藤 和泰、黒川 康良、宇佐美 徳隆

    新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール 

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    開催年月日: 2019年8月23日 - 2019年8月24日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  119. 太陽電池高性能化への材料科学的アプローチ:結晶シリコン太陽電池を中心に 招待有り

    宇佐美 徳隆

    物質科学研究会 第1回iMATERIA研究会 

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    開催年月日: 2019年8月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  120. 発光イメージング法と有限要素シミュレーションを用いた多結晶シリコン中傾斜粒界の電気的特性の定量評価

    三田村 和樹、小島 拓人、宇佐美 徳隆

    応用物理学会 若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会 

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    開催年月日: 2019年8月5日 - 2019年8月6日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  121. キャリア輸送径路にナノドットを用いたパッシベーション膜の作製と評価

    津幡 亮平、後藤 和泰、黒川 康良、宇佐美 徳隆

    応用物理学会 若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会 

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    開催年月日: 2019年8月5日 - 2019年8月6日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  122. TiOx/結晶Siの電気的特性における光照射効果

    宮川 晋輔、後藤 和泰、黒川 康良、宇佐美 徳隆

    応用物理学会 若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年8月5日 - 2019年8月6日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  123. Influence of Post Annealing Conditions on Carrier Density of Undoped Evaporated BaSi2 Films 国際会議

    Yuki Kimura, Michinobu Fujiwara, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    APAC Silicide 2019, The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 

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    開催年月日: 2019年7月20日 - 2019年7月23日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  124. Influence of Ba to Si rate ratio on the properties of B-doped BaSi2 epitaxial films 国際会議

    S. Sugiyama, Y. Kimura, Y. Yamashita, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu

    APAC Silicide 2019, The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月20日 - 2019年7月23日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  125. Significant improvement on photoresponsivity and minority carrier lifetime of atomic H passivated BaSi2 epitaxial films 国際会議

    Z. Xu, K. Gotoh, T. Deng, K. Toko, N. Usami, D. Migas, T. Suemasu

    APAC Silicide 2019, The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月20日 - 2019年7月23日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  126. Synthesis of Mg2Si thin film by thermal treatment under inert gas atmosphere and evaluation of film quality 国際会議

    Issei Horiba, Michinobu Fujiwara, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Itoh, Noritaka Usami

    APAC Silicide 2019, The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 

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    開催年月日: 2019年7月20日 - 2019年7月23日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  127. Influence of the time-dependent vapor composition on structural properties of the BaSi2 thin films fabricated by vacuum evaporation 国際会議

    Takamasa Yoshino, Yuki Kimura, Michinobu Fujiwara, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    APAC Silicide 2019, The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 

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    開催年月日: 2019年7月20日 - 2019年7月23日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  128. a-Si:H/c-Siヘテロ構造のパッシベーション性能と水素分布における製膜温度の影響

    後藤 和泰,ビルデ マーカス, 加藤 慎也, 小倉 正平, 黒川 康良, 福谷 克之, 宇佐美 徳隆

    学振175委員会 第16回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日: 2019年7月4日 - 2019年7月5日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  129. 書誌情報データベースを利用した175委員会の研究力分析

    宇佐美 徳隆

    学振175委員会 第16回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月4日 - 2019年7月5日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  130. ITO積層化のa-Si:H/c-Si界面パッシベーション性能に及ぼす影響

    扇間 政典, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    学振175委員会 第16回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月4日 - 2019年7月5日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  131. ハイパフォーマンス多結晶シリコンにおける転位クラスター発生機構

    田島和哉, 沓掛健太朗, 大野裕, 松本哲也, 工藤博章, 宇佐美徳隆

    学振175委員会 第16回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月4日 - 2019年7月5日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  132. Electrical properties of TiOx bilayer prepared by atomic layer deposition at different temperatures 国際会議

    Takeya Mochizuki, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    The 64th IEEE Photovoltaics Specialist Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月16日 - 2019年6月21日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  133. Significant improvement of optical properties of BaSi2 due to atomic H passivation by radio-frequency plasma 国際会議

    Zhihao Xu, Kazuhiro Gotoh, Tianguo Deng, Kaoru Toko, Noritaka Usami, Takashi Suemasu

    The 64th IEEE Photovoltaics Specialist Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月16日 - 2019年6月21日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  134. Fabrication of Si1-xSnx layer on Si substrate by Screen-Printing of Al-Sn paste 国際会議

    Masahiro Nakahara, Moeko Matsubara, Kosuke Tsuji, Shota Suzuki, Marwan Dhamrin, Noritaka Usami

    2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference 

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    開催年月日: 2019年6月2日 - 2019年6月6日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  135. Silicon Seed Layers Fabricated by Aluminum-induced Crystallization: Guidelines for Heteroepitaxy 国際会議

    Mel Hainey, Jr, Yoann Robin, Geoffrey Avit, Loic Viguerie, Hiroshi Amano, Noritaka Usami

    2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月2日 - 2019年6月6日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  136. Pathways to high-performance silicon-based solar cells: Overview of photovoltaic research at Nagoya University 国際会議

    Noritaka Usami

    Instituts-Kolloquium, Institut fuer Solarenergieforschung in Hameln (ISFH) 

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    開催年月日: 2019年4月12日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  137. Impact of pre-oxidation on hydrogen depth profiles around a-Si:H/c-Si heterointerface 国際会議

    Kazuhiro Gotoh, Shohei Ogura, Yasuyoshi Kurokawa, Markus Wilde, Katsuyuki Fukutani, Noritaka Usami

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年4月8日 - 2019年4月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ベルギー王国  

  138. Surface passivation of low temperature processed titanium oxide/alluminium oxide for silicon substrate 国際会議

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    開催年月日: 2019年3月13日 - 2019年3月15日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  139. Pathways to high-performance silicon-based heterojunction solar cells 招待有り 国際会議

    Noritaka Usami

    XXIII International symposium "Nanophysics & Nanoelectronic 

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    開催年月日: 2019年3月11日 - 2019年3月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:ロシア連邦  

  140. Using Ge (Si) islands to increase the efficiency of thin crystalline solar cells 招待有り 国際会議

    Mv Shaleev, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, N.A. Baidakova, E.E. Morozova, Y. Ota, V.H. Nguyen, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami

    XXIII International symposium "Nanophysics & Nanoelectronic 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月11日 - 2019年3月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ロシア連邦  

  141. Impact of textured structure on performance of PEDOT:PSS hybrid Si solar cells 招待有り 国際会議

    V.H. Nguyen , Y. Ota, A. Novikov, M. Shaleev, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami

    XXIII International symposium "Nanophysics & Nanoelectronic 

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    開催年月日: 2019年3月11日 - 2019年3月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ロシア連邦  

  142. ALD 法で作製したTiOx 電子選択層の積層化による電気的特性の制御

    望月 健矢, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  143. 3 次元PLイメージング法で同定したハイパフォーマンス多結晶シリコンイ ンゴット中の転位発⽣点近傍の透過電⼦顕微鏡解析

    大野 裕, 田島 和哉, 沓掛 健太朗, 清水 康雄, 海老澤 直樹, 永井 康介, 宇佐美 徳隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  144. ハイパフォーマンス多結晶Siインゴットにおける析出物分布の3次元可視化

    上別府 颯⼀郎, Krenckel Patricia, Troetschler Theresa, Hess Adam, Riepe Stephan, 宇佐美 徳隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  145. Ba/Si堆積レート比がB-doped BaSi2膜の少数キャリア寿命に与える影響

    杉山 周, 木村 裕希, 山下 雄大, 都甲 薫, 宇佐美 徳隆, 末益 崇

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  146. 薄型基板上へのGeドットマスクを用いた光閉じ込め構造の作製と太陽電池への応用

    太田 湧士,後藤 和泰,黒川 康良,宇佐美 徳隆, Dmitrij Yurasov, Alexey Novikov, Mikhail Shaleev

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  147. 多結晶シリコンインゴット内における転位クラスターのサイズと伝搬方向の関係

    田島和哉, 松本哲也, 沓掛健太朗, 工藤博章, 宇佐美徳隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  148. ポストアニール条件がBaSi2薄膜のキャリア密度に与える影響

    木村 裕希, 藤原 道信, 中川 慶彦, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  149. 印刷と焼成によるSi基板上へのSiGe層のエピタキシャル成長におけるSi基板方位の影響 国際会議

    中原 正博、深見 昌吾、Mel F. Hainey, Jr.、中川 慶彦、有元 圭介、後藤 和泰、 黒川 康良、前田 健作、藤原 航三、ダムリン マルワン、宇佐美 徳隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  150. ALD法で作製した法で作製したTiOx/SiOx/結晶Siヘテロ界面のパッシベーョン効果発現メカニズム〜水素原子脱離の影響〜

    望月 健矢, 後藤 和泰, 北條 智彦, 黒川 康良, 秋山 英二, 宇佐美 徳隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学大岡山キャンパス   国名:日本国  

  151. 擬単結晶シリコンにおけるΣ3結晶粒の発達と転位クラスターの生成の関係

    小島 拓人, 田島 和哉, 松本 哲也, 工藤 博章, 宇佐美 徳隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  152. Aluminum-induced crystallization of Si (111) on highly mismatched crystalline substrates

    Mel Hainey, Eddie (Chenhui) Zhou, Noritaka Usami

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    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  153. Combination of Simulations and Data Science to Determine Appropriate Thermocouple Positions in a Crystal Growth Furnace

    Abderahmane BOUCETTA, Kentaro KUTSUKAKE, Hiroaki KUDO, Tetsuya MATSUMOTO, Noritaka USAMI

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  154. 放射光X線回折パターンの特徴抽出と空間マッピング

    沓掛 健太朗, 神岡 武文, 井上 憲⼀, 深見 昌吾, 宇佐美 徳 隆, 中原 正博, ダムリン マルワン, 佐々木 拓生, 藤川 誠司, 高橋 正光

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  155. SiOxを障壁層としたSi量子ドット太陽電池の作製

    赤石 龍士郎, 北沢 宏平, 加藤 慎也, 後藤 和泰, 宇佐美 徳 隆, 黒川 康良

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月9日 - 2019年3月12日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  156. Multicrystalline informatics for silicon ingot with ideal microstructures 招待有り 国際会議

    Noritaka Usami

    European Materials Modeling Council International Workshop 2019 

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    開催年月日: 2019年2月25日 - 2019年2月27日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オーストリア共和国  

  157. Silicon Quantum Dot Superlattice Structure for Next Generation Solar Cell Application 国際会議

    Ryushiro Akaishi, Kohei Kitazawa, Kazuhiro Gotoh, Shinya Kato, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University 

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    開催年月日: 2019年2月18日 - 2019年2月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  158. Thin PEDOT:PSS: An Excellent Passivation Material 国際会議

    Van Hoang Nguyen, Shinya Kato, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, and Noritaka Usami

    Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年2月18日 - 2019年2月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  159. Aluminum Induced Crystallization for Heterointegration of Electronic Materials 国際会議

    Mel Hainey, Jr., Yoann Robin, Eddie Zhou, Hiroshi Amano, Noritaka Usami

    Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年2月18日 - 2019年2月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  160. Formation of Light-trapping Structure using Ge Islands Grown by Gas-source Molecular Beam Epitaxy as Etching Masks on a Si Thin Substrate 国際会議

    Yushi Ota, Dmitry Yurasov, Alexey Novikov, Mikhail Shaleev, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University 

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    開催年月日: 2019年2月18日 - 2019年2月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  161. Establishment of Quantitative Evaluation Method of Electrical Characteristics of Defects in Silicon Crystals for Solar Cells by Photoluminescence Imaging Method using Finite Element Method 国際会議

    Kazuki Mitamura, Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami

    Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University 

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    開催年月日: 2019年2月18日 - 2019年2月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  162. Preparation of Silicon Nanocrystals Embedded in SiOx for Application to Next Generation Thermoelectric Devices 国際会議

    Hisayoshi Kobayashi, Ryushiro Akaishi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University 

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    開催年月日: 2019年2月18日 - 2019年2月19日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  163. Application of p-type Transparent Conductive Thin Film Copper Iodine to Silicon Heterojunction Solar Cells 国際会議

    Min Cui, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa and Noritaka Usami

    Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University 

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    開催年月日: 2019年2月18日 - 2019年2月19日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  164. High Spatial Resolution of Multicrystalline Imaging by Subpixel Shift 国際会議

    Koichi Takeuchi, Kazuya Tajima, Yusuke Hayama, Kentaro Kutsukake, Tetsuya Matsumoto, Hiroaki Kudo, Noritaka Usami

    Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年2月18日 - 2019年2月19日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  165. Influence of Light Soaking on c-Si Surface Passivation by Atomic Layer Deposited Titanium Oxide 国際会議

    Shinsuke Miyagawa, Takeya Mochizuki, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, and Noritaka Usami

    Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年2月18日 - 2019年2月19日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  166. Explorative Studies of Novel Structures as Carrier Selective Contacts 国際会議

    Ryohei Tsubata, Yuta Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年2月18日 - 2019年2月19日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  167. Passivation Performance of Crystalline Silicon Solar Cells Employing Stacks of Ultrathin Oxide and Polycrystalline Si Formed by Aluminum Induced Crystallization 国際会議

    Yuqing Li, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年2月18日 - 2019年2月19日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  168. BaSi2: Novel Si-Based Material for High Efficiency Thin Film Solar Cells 国際会議

    Yuki Kimura, Takamasa Yoshino, Michinobu Fujiwara, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年2月18日 - 2019年2月19日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  169. Effective Near-Infrared Light-Trapping Silicon Nanowire Structure for Crystalline Silicon Thin Film Solar Cells 国際会議

    Yasuyoshi Kurokawa, Shinya Kato, Noritaka Usami

    Japan-Korea PV Joint Student Seminar, Nagoya University 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年2月18日 - 2019年2月19日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  170. シリコン酸化膜を用いたシリコン量子ドット積層構造における構造・電気的特性評価

    赤石 龍士郎, 北沢 宏平, 後藤 和泰, 加藤 慎也, 宇佐美 徳隆, 黒川 康良

    第3回フロンティア太陽電池セミナー 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月13日 - 2018年12月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:宮崎市   国名:日本国  

  171. 超薄膜TiOx/結晶Si界面における酸素・水素原子の挙動

    望月健矢,後藤和泰,黒川康良,山本剛久,宇佐美徳隆

    第12回 物性科学領域横断研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月30日 - 2018年12月1日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  172. Effect of slow-speed evaporation of BaSi2 on the performance of p-type BaSi2/n-type crystalline Si solar cells 国際会議

    Michinobu Fujiwara, Kazuma Takahashi, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月25日 - 2018年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  173. Multicrystalline Informatics for Silicon Ingot with Ideal Microstructures 招待有り 国際会議

    Noritaka Usami, Kazuya Tajima, Soichiro Kamibeppu, Yusuke Hayama, Kentaro Kutsukake, Tetsuya Matsumoto, Hiroaki Kudo

    Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月25日 - 2018年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  174. Effects of Tunnel Layers and Light Illumination on the Performance of Electron-Selective TiO2 Contacts 国際会議

    Hyunju Lee, Changhyun Lee, Yoonmook Kang, Hae-Seok Lee, Donghwan Kim, Noritaka Usami, Yoshio Ohshita

    Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2018年11月25日 - 2018年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  175. Recombination Activity of Inclined Σ3{111} Grain Boundaries in High-Performance Si Ingots 国際会議

    Yutaka Ohno, Kentaro Kutsukake, Takehiro Tamaoka, Seiji Takeda, Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Noritaka Usami

    Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2018年11月25日 - 2018年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  176. Effects of Surface Doping of Si Absorbers on the Performance of Carrier-Selective Contacts 国際会議

    Yoshio Ohshita, Hyunju Lee, Takefumi Kamioka, Noritaka Usami

    Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2018年11月25日 - 2018年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  177. Fabrication of SiGe Layer on Si Substrate by Screen-Printing 国際会議

    Masahiro Nakahara, Moeko Matsubara, Shota Suzuki, Shogo Fukami, Marwan Dhamrin, Noritaka Usami

    Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2018年11月25日 - 2018年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  178. Annealing Effects on the Layer Structure in BaSi2 Thin Films Studied by DB-PAS 国際会議

    Ana Montes,Yilei Tian, Daan Schopmeijer, Stephan Eijt, Hendrik Schut, Takashi Suemasu, Noritaka Usami, Joao Serra, Olindo Isabella, Miro Zeman

    Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2018年11月25日 - 2018年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  179. Coalesced, Centimeter-scale GaN Films on Amorphous Substrates via MOCVD Growth on a Silicon Seed Layer Fabricated by Aluminum-induced Crystallization 国際会議

    Mel Hainey,Yoann Robin,Hiroshi Amano,Noritaka Usami

    Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2018年11月25日 - 2018年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  180. Epitaxial growth of SiGe on Si substrate by printing and firing of Al-Ge mixed paste 国際会議

    Shogo Fukami, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Masahiro Nakahara, Marwan Dhamrin, Noritaka Usami

    Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2018年11月25日 - 2018年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  181. Degradation of passivation performance of crystalline silicon solar cells employing stacksof ultrathin oxide and polycrystalline Si formed by aluminum induced crystallization

    Yuqing Li, Kazuhiro Gotoh, Takeya Mochizuki, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

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    開催年月日: 2018年11月25日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  182. ポストアニール温度によるBaSi2薄膜のキャリア密度への影響

    木村 裕希, 藤原 道信, 中川 慶彦, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第6回応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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    開催年月日: 2018年11月25日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  183. 3D visualization and numerical information extraction of crystal defects in multicrystalline silicon ingot by processing PL images 国際会議

    Kazuya Tajima, Tetsuya Matsumoto, Kentaro Kutsukake, Hiroaki Kudo, Noritaka Usami

    The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 

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    開催年月日: 2018年11月18日 - 2018年11月21日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  184. Local analysis of TiOx/SiOx stack with excellent electrical properties for carrier selective contact 国際会議

    Takeya Mochizuki,Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Takahisa Yamamoto, Noritaka Usami

    The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 

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    開催年月日: 2018年11月18日 - 2018年11月21日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  185. Development of detection method of dislocation clusters from photoluminescence images by data science approach 国際会議

    Kazuya Tajima, Tetsuya Matsumoto, Kentaro Kutsukake, Hiroaki Kudo, Noritaka Usami

    The 7th Korea-Japan Joint Seminar on PV 

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    開催年月日: 2018年11月15日 - 2018年11月17日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  186. Diffusion suppression of phosphorus into a Si quantum dots absorption layer using Nb-doped TiO2 国際会議

    Kouhei Kitazawa, Ryushiro Akaishi, Shinya Kato, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    The 7th Korea-Japan Joint Seminar on PV 

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    開催年月日: 2018年11月15日 - 2018年11月17日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  187. Influence of illumination during ITO sputtering on passivation performance at a-Si:H/c-Si interface 国際会議

    Masanori Semma, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    The 7th Korea-Japan Joint Seminar on PV 

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    開催年月日: 2018年11月15日 - 2018年11月17日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  188. Coalesced, Centimeter-scale GaN Films on Amorphous Substrates via MOCVD Growth on a Silicon Seed Layer Fabricated by Aluminum-induced Crystallization 国際会議

    Mel Hainey,Yoann Robin,Hiroshi Amano,Noritaka Usami

    International Workshop on Nitride Semiconductors 

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    開催年月日: 2018年11月11日 - 2018年11月16日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  189. Transparent conductive Nb doped titanium oxide thin film deposited under low temperature by RF magnetron sputtering 国際会議

    Xuemei Cheng, Kazuhiro Gotoh, Hyunju Lee, Noritaka Usami

    14th China SoG Silicon and PV Power Conference 

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    開催年月日: 2018年11月8日 - 2018年11月10日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  190. Enhancing conductivity of PEDOT:PSS thin film for fabrication of c-Si solar cell 国際会議

    Hoang Van Nguyen, Shinya Kato, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    Emerging Material Technologies Summit 

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    開催年月日: 2018年11月4日 - 2018年11月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ベトナム社会主義共和国  

  191. データ科学手法による結晶成長炉内の最適温度測定位置の検討

    沓掛健太朗, Boucetta Abderahmane, 工藤博章, 松本哲也, 宇佐美徳隆

    第47回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2018年10月31日 - 2018年11月2日

    記述言語:日本語  

    開催地:宮城県,仙台市   国名:日本国  

  192. Multicrystalline silicon informatics: A novel methodology to realize high-quality multicrystalline materials 招待有り 国際会議

    Noritaka Usami

    The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology 

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    開催年月日: 2018年10月21日 - 2018年10月25日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  193. 多層パーセプトロンによる多結晶シリコンPL 像中の転位領域の推定における次元数に関する検討

    工藤博章,松本哲也,沓掛健太朗,宇佐美徳隆

    電子情報通信学会 イメージ・メディア・クオリティ研究会 

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    開催年月日: 2018年10月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  194. Stacks of a-SiOx:H/a-Si:H Passivation Layer for Low Parasitic Absorption and High Passivation in Silicon Heterojunction Solar Cells 国際会議

    K. Gotoh, M, Cui, R. Akaishi, Y. Kurokawa, and N. Usami

    EU PVSEC 2018 

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    開催年月日: 2018年9月24日 - 2018年9月28日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Brussel   国名:ベルギー王国  

  195. Multicrystalline Informatics to Realize Ideal Crystalline Silicon for Solar Cells 国際会議

    N. Usami, Y. Hayama, T. Muramatsu, K. Tajima, S. Kamibeppu, K. Kutsukake, T. Matsumoto, and H. Kudo

    EU PVSEC 2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月24日 - 2018年9月28日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Brussel   国名:ベルギー王国  

  196. 電子エネルギー損失分光法を用いた高パッシベーション性能TiOx/Sixヘテロ界面の局所構造の解明

    望月健矢,後藤和泰,黒川康良,山本剛久,宇佐美徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  197. 多結晶シリコンPL像中の転位領域の多層パーセプトロンによる推定

    工藤博章,松本哲也,沓掛健太朗,宇佐美徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  198. Σ3{111}対称傾角粒界の不純物偏析能とキャリア再結合速度に対する傾角のずれの影響

    大野 裕、沓掛 健太朗、玉岡 武泰、竹田 精治, 清水 康雄, 海老澤 直樹, 井上 耕治, 永井 康介, 宇佐美 徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  199. The influence of Ge substrate modification on photoresponse properties of evaporated BaSi2 films for thin-film solar cells application

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  200. Conductivity enhancement of PEDOT:PSS thin film for ITO-free hybrid c-Si solar cell

    Hoang Van Nguyen, Shinya Kato, Kazuhiro Goto, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  201. Pole figures as tools for understanding film misorientation in Group IV thin films fabricated by aluminum-induced crystallization 国際会議

    Mel Hainey, Yoann Robin, Hiroshi Amano, Noritaka Usami

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  202. Effect of Heaters Fluctuations on the Temperature for High Quality Si Ingots 国際会議

    Abderahmane BOUCETTA, Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  203. データ科学的手法を用いた 多結晶Siと反射特性の相関の解明

    上別府颯一郎, 松本哲也, 沓掛健太朗, 工藤博章, 宇佐美徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  204. 画像処理を用いた多結晶シリコンのマクロPL画像における転位クラスター検出とキャリア再結合の関係

    田島和哉、沓掛健太朗、松本哲也、工藤博章、宇佐美徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  205. 印刷と焼成によるSi基板上へのSiGe層のエピタキシャル成長における熱処理条件の効果

    深見 昌吾、中川 慶彦、後藤 和泰、黒川 康良、中原 正博、ダムリン マルワン、宇佐美 徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  206. ITO製膜時の光照射がa-Si:H/c-Si界面におけるパッシベーション性能に及ぼす影響

    扇間政典, 後藤和泰, 黒川康良, 山本剛久, 宇佐美徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  207. Geドットマスクを用いた光閉じ込め構造の作製とa-Si:Hパッシベーション:Ge成長温度の効果

    太田 湧士,後藤 和泰,黒川 康良,宇佐美 徳隆, Dmitrij Yurasov, Alexey Novikov, Mikhail Shaleev

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  208. p型BaSi2/n型結晶Siヘテロ接合形成におけるBaSi2低速蒸着の効果

    藤原 道信,高橋 一真,中川 慶彦,後藤 和泰,黒川 康良,伊藤 孝至,宇佐美 徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  209. Low temperature processed high conductive Nb doped titanium oxide thin film deposited by RF magnetron sputtering

    Xuemei Cheng, Kazuhiro Gotoh and Noritaka Usami

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  210. 不活性ガス雰囲気下での熱処理を用いたMg2Si薄膜の合成と膜質評価

    堀場 一成, 藤原 道信, 中川 慶彦, 後藤 和泰, 黒川 康良, 伊藤 孝至, 宇佐美 徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  211. 真空蒸着法による透明導電膜上へのBaSi2 薄膜作製と評価

    中川 慶彦, 望月 健矢,後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    中川 慶彦, 望月 健矢,後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  212. データ科学を活用した高品質多結晶材料創製に向けて 招待有り

    宇佐美 徳隆,沓掛 健太朗,松本 哲也,工藤 博章,横井 達 矢,清水 康雄,大野 裕

    日本セラミックス協会 第 31 回秋季シンポジウム 

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    開催年月日: 2018年9月5日 - 2018年9月7日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋工業大学   国名:日本国  

  213. Evaluation of Si Nanowire MOS Capacitor Using High-k Dielectric Materials 国際会議

    R. Nezasa, Y. Kurokawa, N. Usami

    IEEE NANO 2018 

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    開催年月日: 2018年7月23日 - 2018年7月26日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  214. FORMATION OF BLACK-Si FOR SOLAR CELLS BY SELECTIVE ETCHING STRUCTURES WITH GeSi ISLANDS

    M.V. Shaleev, A.V. Novikov, N.A. Baydakova, D.V. Yurasov, E.E. Morozova, V.A. Verbus, E.V. Skorokhodov, Y. Ota, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami

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    開催年月日: 2018年7月12日 - 2018年7月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  215. 薄型 Rib-Si 太陽電池の特性分布測定

    岩田 龍門,石河 泰明,黒川 康良,小長井 誠

    第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  

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    開催年月日: 2018年7月12日 - 2018年7月13日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  216. データ科学的手法を用いた多結晶Siの結晶方位解析に関する研究

    上別府颯一郎、松本哲也、沓掛健太朗、工藤博章、宇佐美徳隆

    第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  

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    開催年月日: 2018年7月12日 - 2018年7月13日

    記述言語:日本語