2021/03/30 更新

写真a

ハラダ シュンタ
原田 俊太
HARADA Shunta
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 准教授
職名
准教授
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学位 1

  1. 博士(工学) ( 2011年3月   京都大学 ) 

研究キーワード 4

  1. 熱伝導

  2. 結晶欠陥

  3. 結晶成長

  4. 機械学習

研究分野 1

  1. ナノテク・材料 / 構造材料、機能材料

現在の研究課題とSDGs 4

  1. ピコスケール構造制御による熱輸送制御

  2. パワーデバイスSiC結晶の欠陥制御

  3. 半導体検査への機械学習・AI応用

  4. 半導体/材料製造プロセスへの機械学習・AI応用

経歴 6

  1. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター   准教授

    2020年6月 - 現在

  2. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター   講師

    2017年4月 - 2020年5月

  3. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター   助教

    2015年10月 - 2017年3月

  4. 名古屋大学   グリーンモビリティ連携研究センター   助教

    2014年4月 - 2015年9月

  5. 名古屋大学   大学院工学研究科マテリアル工学専攻   助教

    2011年4月 - 2014年4月

  6. 京都大学   大学院工学研究科材料工学専攻   研究員

    2008年4月 - 2011年3月

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学歴 2

  1. 京都大学   工学研究科   材料工学専攻

    2006年4月 - 2011年3月

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    国名: 日本国

  2. 京都大学   工学部

    2002年4月 - 2006年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 3

  1. 応用物理学会   会員

    2011年7月 - 現在

  2. 日本結晶成長学会   会員

    2011年11月 - 現在

  3. 日本金属学会   会員

    2005年11月 - 現在

委員歴 9

  1. 応用物理学会 先進パワー半導体分科会   幹事  

    2016年4月 - 現在   

  2. 応用物理学会インフォマティクス応用研究グループ   幹事  

    2020年4月 - 現在   

  3. ICSCRM組織委員会   委員  

    2020年12月 - 現在   

  4. SSDM2017 論文委員会   Area 14 vice-chair  

    2017年1月 - 2017年12月   

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    団体区分:学協会

  5. SSDM2016 論文委員会   編集委員  

    2016年1月 - 2016年12月   

  6. ICCGE-18 現地実行委員会   実行委員  

    2015年9月 - 2016年12月   

  7. SSDM2015 論文委員会   編集委員  

    2015年1月 - 2015年12月   

  8. ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015   現地実行委員  

    2015年1月 - 2015年12月   

  9. SSDM2014 論文委員会   委員  

    2014年1月 - 2014年12月   

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受賞 6

  1. 第14回奨励賞

    2016年   1. 日本結晶成長学会  

  2. ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015 Best presentation award

    2015年3月   ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015  

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    受賞国:日本国

  3. 愛知県若手研究者イノベーション創出奨励事業第9回「わかしゃち奨励賞」最優秀賞

    2015年1月   愛知県  

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    受賞国:日本国

  4. Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014

    2014年10月   MRS-J  

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    受賞国:日本国

  5. 2010 International Metallographic Contest (IMC) class 3 (Transmission and Analytical), Third place

    2010年8月   The International Metallographic Society  

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    受賞国:アメリカ合衆国

  6. 第60回日本金属学会金属組織写真賞優秀賞

    2010年3月   日本金属学会  

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    受賞国:日本国

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論文 140

  1. Design of automatic detection algorithm for dislocation contrasts in birefringence images of SiC wafers 査読有り

    Kawata Akira, Murayama Kenta, Sumitani Shogo, Harada Shunta

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abde29

    Web of Science

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  2. Synchrotron X-ray topographic image contrast variation of screw-type basal plane dislocations located at different depths below the crystal surface in 4H-SiC 査読有り 国際共著

    Acta Materialia   208 巻   2021年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Acta Materialia  

    DOI: 10.1016/j.actamat.2021.116746

    Scopus

  3. Adaptive process control for crystal growth using machine learning for high-speed prediction: application to SiC solution growth 査読有り

      23 巻 ( 9 ) 頁: 1982 - 1990   2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:CrystEngComm  

    DOI: 10.1039/d0ce01824d

    Scopus

  4. Geometrical design of a crystal growth system guided by a amachine learning algorithm 査読有り

    Wancheng Yu, Can Zhu, Wei Huang, Dang Yifan, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    CrystEngComm     2021年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/D1CE00106J

  5. Analysis of dislocation line tilt in GaN single crystal by Raman spectroscopy 査読有り

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SA )   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abc7a1

    Web of Science

    Scopus

  6. Temperature dependence of double Shockley stacking fault behavior in nitrogen-doped 4H-SiC studied by in-situ synchrotron X-ray topography 査読有り

    Fujie Fumihiro, Harada Shunta, Hanada Kenji, Suo Hiromasa, Koizumi Haruhiko, Kato Tomohisa, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ACTA MATERIALIA   194 巻   頁: 387 - 393   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.actamat.2020.04.019

    Web of Science

    Scopus

  7. Behavior of Threading Dislocations from GaN Substrate to Epitaxial Layer 査読有り

    Inotsume Sho, Kokubo Nobuhiko, Yamada Hisashi, Onda Shoichi, Kojima Jun, Ohara Junji, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201900527

    Web of Science

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  8. Demonstration of Observation of Dislocations in GaN by Novel Birefringence Method 査読有り

    Tanaka Atsushi, Inotsume Syo, Harada Shunta, Hanada Kenji, Honda Yoshio, Ujihara Toru, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201900553

    Web of Science

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  9. 機械学習を活用した SiC 高品質結晶成長条件のデザイン 招待有り 査読有り

    原田俊太, 林宏益, 角岡洋介, 朱燦, 鳴海大翔, 沓掛健太朗, 宇治原徹

    まてりあ   59 巻 ( 3 ) 頁: 145 - 152   2020年3月

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    担当区分:筆頭著者, 最終著者  

  10. Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collectors on Cycling Stability of Li Metal Anodes

    Ishikawa Kohei, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   12 巻 ( 8 ) 頁: 9341 - 9346   2020年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ACS Applied Materials and Interfaces  

    DOI: 10.1021/acsami.9b22157

    Web of Science

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  11. Application of C-face dislocation conversion to 2 inch SiC crystal growth on an off-axis seed crystal

    Liu Xinbo, Zhu Can, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTENGCOMM   21 巻 ( 47 ) 頁: 7260 - 7265   2019年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:CrystEngComm  

    DOI: 10.1039/c9ce01338e

    Web of Science

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  12. Nondestructive visualization of threading dislocations in GaN by micro raman mapping

    Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Fujie Fumihiro, Ohara Junji, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SC )   2019年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab0acf

    Web of Science

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  13. SiC溶液成長による高品質化と機械学習の応用 招待有り 査読有り

    原田俊太, 朱燦, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 宇治原徹

      14 巻 ( 1 ) 頁: 13 - 18   2019年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者  

  14. Evaluation of basal plane dislocation behavior in the epitaxial layer on a 4H-SiC wafer fabricated by the solution growth method

    Seki K.

    Materials Science Forum   963 MSF 巻   頁: 80 - 84   2019年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.963.80

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  15. 結晶成長学的見地による金属負極の析出形態と結晶方位の相関解明

    石川 晃平, 三橋 貴仁, 伊藤 靖仁, 竹内 幸久, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌   46 巻 ( 1 ) 頁: 136-140   2019年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    <p>  Metal anodes are promising materials for rechargeable batteries because of the higher capacity. However, low cycle efficiency due to non-uniform deposition prevents them from realization. In this review, we report the crystal orientation dependence of the deposition shape of Li and Zn, which are known as attractive materials for anodes. The result shows that the both of Li and Zn morphology has crystal orientation dependence.</p>

    DOI: 10.19009/jjacg.46-1-08

    CiNii Article

  16. 機械学習を用いた結晶成長予測モデルの構築とその応用

    宇治原 徹, 角岡 洋介, 畑佐 豪記, 沓掛 健太朗, 石黒 祥生, 村山 健太, 鳴海 大翔, 原田 俊太, 田川 美穂

    表面と真空   62 巻 ( 3 ) 頁: 136 - 140   2019年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面真空学会  

    <p>The prediction model of the result of computed fluid dynamics simulation in SiC solution growth was constructed on neural network using machine learning. Utilizing the prediction model, we can optimize quickly crystal growth conditions. In addition, the real-time visualization system was also made using the prediction model.</p>

    DOI: 10.1380/vss.62.136

    CiNii Article

  17. Machine learning for SiC top-seeded solution growth - Prediction, optimization and visualization 査読有り

    Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Goki Hatasa, Can Zhu, Kentaro Kutsukake, Taka Narumi, Shunta Harada, Miho Tagawa

    CS MANTECH 2019 - 2019 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, Digest of Papers     2019年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    © 2019 CS Mantech. All rights reserved. We are developing solution growth technique for high-quality SiC bulk crystal. In actual, we have achieved high-quality crystal with very-low-density of threading dislocations grown by controlling the surface morphology. In order to apply this technique to large-scale crystal growth, it is necessary to control supersaturation at growth surface, flow rate and flow direction of solvent in detail. However, there are many growth parameters which should be optimized. Simulation technique based on computational fluid dynamics (CFD) is often used. However, it is still difficult to optimize growth condition by utilizing simulation technique since the calculation speed of CFD simulation is not enough to optimize the growth conditions, exhaustively. In recent, informatics including machine learning is applied to various fields including materials science. In this study, we tried to apply machine learning to the analysis of the results of CFD. We could make the model to optimize the crystal growth parameters based on a neural network model. Using the model, the optimization time became 10000 times faster. This is just a trial of “Process Informatics”.

    Scopus

  18. Machine learning for SiC top-seeded solution growth - Prediction, optimization and visualization

    Ujihara T.

    CS MANTECH 2019 - 2019 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, Digest of Papers     2019年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:CS MANTECH 2019 - 2019 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, Digest of Papers  

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  19. Improvement mechanism of sputtered AlN films by high-temperature annealing

    Xiao Shiyu, Suzuki Ryoya, Miyake Hideto, Harada Shunta, Ujihara Toru

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   502 巻   頁: 41 - 44   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.002

    Web of Science

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  20. High-speed prediction of computational fluid dynamics simulation in crystal growth

    Tsunooka Yosuke, Kokubo Nobuhiko, Hatasa Goki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTENGCOMM   20 巻 ( 41 ) 頁: 6546 - 6550   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:CrystEngComm  

    DOI: 10.1039/c8ce00977e

    Web of Science

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  21. Determination of edge-component Burgers vector of threading dislocations in GaN crystal by using Raman mapping

    Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Fujie Fumihiro, Ohara Junji, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 11 )   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.11.111001

    Web of Science

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  22. Observation of carrier recombination in single Shockley stacking faults and at partial dislocations in 4H-SiC

    Kato Masashi, Katahira Shinya, Ichikawa Yoshihito, Harada Shunta, Kimoto Tsunenobu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   124 巻 ( 9 )   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.5042561

    Web of Science

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  23. In Situ Observation of Chiral Symmetry Breaking in NaClO3 Chiral Crystallization Realized by Thermoplasmonic Micro-Stirring

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Tagawa Miho, Harada Shunta, Ujihara Tom, Uda Satoshi, Miyamoto Katsuhiko, Omatsu Takashige

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   18 巻 ( 8 ) 頁: 4230 - 4239   2018年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.8b00420

    Web of Science

    Scopus

  24. Direct observation of stacking fault shrinkage in 4H-SiC at high temperatures by in-situ X-ray topography using monochromatic synchrotron radiation

    Fujie Fumihiro, Harada Shunta, Koizumi Haruhiko, Murayama Kenta, Hanada Kenji, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    APPLIED PHYSICS LETTERS   113 巻 ( 1 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5038189

    Web of Science

    Scopus

  25. Development of angle-resolved spectroscopy system of electrons emitted from a surface with negative electron affinity state

    Ichihashi Fumiaki, Dong Xinyu, Inoue Akito, Kawaguchi Takahiko, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS   89 巻 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Review of Scientific Instruments  

    DOI: 10.1063/1.5021116

    Web of Science

    Scopus

  26. Detection of edge component of threading dislocations in GaN by Raman spectroscopy

    Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Fujie Fumihiro, Ohara Junji, Hara Kazukuni, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.11.061002

    Web of Science

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  27. Dislocation behavior in bulk crystals grown by TSSG method

    Seki K.

    Materials Science Forum   924 巻   頁: 39 - 42   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.39

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  28. Suppression of polytype transformation with extremely low-dislocation-density 4H-SiC crystal in two-step solution method

    Murayama K.

    Materials Science Forum   924 巻   頁: 60 - 63   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.60

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  29. Temperature dependence of carrier relaxation time in gallium phosphide evaluated by photoemission measurements

    Ichihashi Fumiaki, Kawaguchi Takahiko, Dong Xinyu, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    AIP ADVANCES   7 巻 ( 11 )   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Advances  

    DOI: 10.1063/1.4997800

    Web of Science

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  30. Morphology of AlN whiskers grown by reacting N<inf>2</inf> gas and Al vapor

    Matsumoto M.

    Journal of Crystal Growth   468 巻   頁: 576 - 580   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.127

    Web of Science

    Scopus

  31. Two-step SiC solution growth for dislocation reduction

    Murayama K.

    Journal of Crystal Growth   468 巻   頁: 874 - 878   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.100

    Web of Science

    Scopus

  32. Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer

    Isogai T.

    Journal of Crystal Growth   468 巻   頁: 88 - 92   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.09.063

    Web of Science

    Scopus

  33. Crystal Orientation Dependence of Precipitate Structure of Electrodeposited Li Metal on Cu Current Collectors

    Ishikawa K.

    Crystal Growth and Design   17 巻 ( 5 ) 頁: 2379 - 2385   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01710

    Web of Science

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  34. SiC solution growth on Si face with extremely low density of threading screw dislocations for suppression of polytype transformation

    "K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara"

    Mater. Sci. Forum   897 巻   頁: 24-27   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: DOI:10.4028/www.scientific.net/MSF.897.24

  35. Solvent design for high-purity SiC solution growth

    "S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara"

    Mater. Sci. Forum   897 巻   頁: 32-35   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.32

  36. Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during SiC solution growth

    "T. Hori, K. Murayama, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara"

    Mater. Sci. Forum   897 巻   頁: 28-31   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.28

  37. Modification of the surface morphology of 4H-SiC by addition of Sn and Al in solution growth with SiCr solvents

    Komatsu N.

    Journal of Crystal Growth   458 巻   頁: 37 - 43   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.10.045

    Web of Science

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  38. Crystal Orientation Dependence of Precipitate Structure of Electrodeposited Li Metal on Cu Current Collectors

    "K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara"

    Cryst. Growth Des.   17 巻   頁: 2379-2385   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01710

  39. Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer

    "T. Isogai, S. Nakada, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa"

    J. Cryst. Growth   468 巻   頁: 88-92   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.09.063

  40. Modification of the surface morphology of 4H-SiC by addition of Sn and Al in solution growth with SiCr solvents

    "N. Komatsu, T. Mitani, Y Hayashi, T Kato, S. Harada, T. Ujihara, H. Okumura"

    J. Cryst. Growth   458 巻   頁: 37-43   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.10.045

  41. Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during sic solution growth

    Hori T.

    Materials Science Forum   897 巻   頁: 28 - 31   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.28

    Scopus

  42. Solvent design for high-purity SiC solution growth

    Harada S.

    Materials Science Forum   897 巻   頁: 32 - 35   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.32

    Scopus

  43. Sic solution growth on si face with extremely low density of threading screw dislocations for suppression of polytype transformation

    Murayama K.

    Materials Science Forum   897 巻   頁: 24 - 27   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.24

    Scopus

  44. Plasmonic Heating-Assisted Laser-Induced Crystallization from a NaClO3 Unsaturated Mother Solution

    "H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, T. Ujihara, T. Omatsu, Y. Mori"

    Cryst. Growth Des.     2016年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1021/acs.cgd.6b01657

  45. Plasmonic Heating-Assisted Laser-Induced Crystallization from a NaClO3 Unsaturated Mother Solution

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, T. Ujihara, T. Omatsu, Y. Mori

    Cryst. Growth Des.     2016年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01657

  46. Analysis of the carbon transport near the growth interface with respect to the rotational speed of the seed crystal during top-seeded solution growth of SiC

    Umezaki Tomonori, Koike Daiki, Harada Shunta, Ujihara Toru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 12 ) 頁: 125601   2016年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.125601

    Web of Science

    Scopus

  47. Conversion Behavior of Threading Screw Dislocations on C Face with Different Surface Morphology During 4H-SiC Solution Growth

    Xiao Shiyu, Harada Shunta, Murayama Kenta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   16 巻 ( 11 ) 頁: 6436 - 6439   2016年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01107

    Web of Science

    Scopus

  48. Conversion behavior of threading screw dislocations on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth

    "S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, M. Tagawa, T. Ujihara"

    Cryst. Growth Des.     頁: 6436–6439   2016年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1021 / acs.cgd.6b01107

  49. Conversion behavior of threading screw dislocations on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth

    S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, M. Tagawa, T. Ujihara

    Cryst. Growth Des.     頁: 6436–6439   2016年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  50. Characterization of V-Shaped Defects Formed during the 4H-SiC Solution Growth by Transmission Electron Microscopy and X-ray Topography Analysis

    Xiao Shiyu, Harada Shunta, Murayama Kenta, Ujihara Toni

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   16 巻 ( 9 ) 頁: 5136 - 5140   2016年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.6b00711

    Web of Science

    Scopus

  51. Characterization of V-shaped defects formed during the 4H-SiC solution growth by transmission electron microscopy and X-ray topography analysis

    "S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, T. Ujihara"

    Cryst. Growth Des.   16 巻 ( 9 ) 頁: 5136-5140   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  52. Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO 3 solution containing Ag nanoparticles

    "H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, K. Murayama, S. Harada, T. Ujihara"

    CrystEngComm   18 巻 ( 39 ) 頁: 7441-7448   2016年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi: 10.1039/c6ce01464j

  53. Characterization of V-shaped defects formed during the 4H-SiC solution growth by transmission electron microscopy and X-ray topography analysis

    S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, T. Ujihara

    Cryst. Growth Des.   16 巻 ( 9 ) 頁: 5136-5140   2016年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  54. Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO 3 solution containing Ag nanoparticles

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, K. Murayama, S. Harada, T. Ujihara

    CrystEngComm   18 巻 ( 39 ) 頁: 7441-7448   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  55. Spatial Distribution of Carrier Concentration in 4H-SiC Crystal Grown by Solution Method 査読有り

    Zhen Jiang Wang, Takahiko Kawaguchi, Kenta Murayama, Kenta Aoyagi, S. Harada, Miho Tagawa, Takenobu Sakai, Tomohisa Kato, Toru Ujihara

    Materials Science Forum   858 巻   頁: 57-60   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.858.57

  56. High-Speed Solution Growth of Single Crystal AlN from Cr-Co-Al Solvent 査読有り

    Shota Watanabe, Masashi Nagaya, Yukihisa Takeuchi, Kenta Aoyagi, S. Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Materials Science Forum   858 巻   頁: 1210-1213   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.858.1210

  57. Effect of magnesium ion concentration on two-dimensional structure of DNA-functionalized nanoparticles on supported lipid bilayer 査読有り

    Isogai Takumi, Akada Eri, Nakada Sakiko, Yoshida Naoya, Tero Ryugo, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tagawa Miho

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 3 ) 頁: 03DF11   2016年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.03DF11

    Web of Science

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  58. Polytype control by activity ratio of silicon to carbon during SiC solution growth using multicomponent solvents 査読有り

    Horio Atsushi, Harada Shunta, Koike Daiki, Murayama Kenta, Aoyagi Kenta, Sakai Takenobu, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 1 ) 頁: 01AC01   2016年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.01AC01

    Web of Science

    Scopus

  59. Thin film growth of CaFe2As2 by molecular beam epitaxy 査読有り

    Hatano T., Kawaguchi T., Fujimoto R., Nakamura I., Mori Y., Harada S., Ujihara T., Ikuta H.

    SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY   29 巻 ( 1 ) 頁: 015013   2016年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Superconductor Science and Technology  

    DOI: 10.1088/0953-2048/29/1/015013

    Web of Science

    Scopus

  60. Polytype control by activity ratio of silicon to carbon during SiC solution growth using multicomponent solvents 査読有り

    A. Horio, S. Harada, D. Koike, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁: 01AC01   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.7567/JJAP.55.01AC01

  61. Effect of magnesium ion concentration on two-dimensional structure of DNA-functionalized nanoparticles on supported lipid bilayer 査読有り

    T.Isogai, E. Akada, S. Nakada, N. YOshida, R. Tero,S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁: 03DF11   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.7567/JJAP.55.03DF11

  62. Analysis of the carbon transport near the growth interface with respect to the rotational speed of the seed crystal during top-seeded solution growth of SiC

    "T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara"

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 12 ) 頁: 125601   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  63. Two-step SiC solution growth for dislocation reduction

    "K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara"

    J. Cryst. Growth     2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.100

  64. Morphology of AlN whiskers grown by reacting N 2 gas and Al vapor

    "M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara"

    J. Cryst. Growth     2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1016/j.jcrysgro.2016.11.127

  65. Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO3 solution containing Ag nanoparticles

    "H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, S. Harada, T. Ujihara"

    CrystEngComm   18 巻   頁: 7441-7448   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  66. Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO3 solution containing Ag nanoparticles

    Niinomi H., Sugiyama T., Tagawa M., Murayama K., Harada S., Ujihara T.

    CRYSTENGCOMM   18 巻 ( 39 ) 頁: 7441 - 7448   2016年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:CrystEngComm  

    DOI: 10.1039/c6ce01464j

    Web of Science

    Scopus

  67. 半導体伝導帯構造を明らかにする可視光電子光電子分光法の提案

    宇治原 徹, 市橋 史朗, 董 キン宇, 井上 明人, 川口 昂彦, 桑原 真人, 伊藤 孝寛, 原田 俊太, 田川 美穂

    表面科学学術講演会要旨集   36 巻 ( 0 )   2016年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    我々は負の電子親和力(NEA)状態を半導体表面に形成することで、伝導帯を伝導する電子を直接真空に取り出し分光する手法を開発した。本手法では、通常の光電子分光では評価が困難な伝導帯のバンド分散を明らかにすることができる。本講演では、この手法より高効率太陽電池の構造として期待されるナノ超格子構造によるミニバンドの評価を行った。また、これはまさに可視光照射時の半導体内の電子のオペランド評価と言える。

    DOI: 10.14886/sssj2008.36.0_338

    CiNii Article

  68. Spatial distribution of carrier concentration in 4H-SiC crystal grown by solution method 査読有り

    Wang Z.J.

    Materials Science Forum   858 巻   頁: 57 - 60   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.57

    Scopus

  69. High-speed solution growth of single crystal AlN from Cr-Co-Al solvent 査読有り

    Watanabe S.

    Materials Science Forum   858 巻   頁: 1210 - 1213   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.1210

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  70. Measurement of energy distribution of conduction electrons in superlattice by visible-light photoemission spectroscopy

    Ichihashi F.

    2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015     2015年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015  

    DOI: 10.1109/PVSC.2015.7356192

    Scopus

  71. Non-uniform electrodeposition of zinc on the (0001) plane

    Mitsuhashi Takato, Ito Yasumasa, Takeuchi Yukihisa, Harada Shunta, Ujihara Toru

    THIN SOLID FILMS   590 巻   頁: 207 - 213   2015年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Thin Solid Films  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2015.07.068

    Web of Science

    Scopus

  72. "Effect of aluminum addition on the surface step morphology of 4H-SiC grown from Si-Cr-C solution" 査読有り

    Takeshi Mitani, Naoyoshi Komatsu, Tetsuo Takahashi, Tomohisa Kato, Shunta Harada, Toru Ujihara, Yuji Matsumoto, Kazuhisa Kurashige, Hajime Okumura

    Journal of Crystal Growth   423 巻   頁: 45–49   2015年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1016/j.jcrysgro.2015.04.032

  73. Effect of aluminum addition on the surface step morphology of 4H-SiC grown from Si-Cr-C solution 査読有り

    Mitani Takeshi, Komatsu Naoyoshi, Takahashi Tetsuo, Kato Tomohisa, Harada Shunta, Ujihara Toru, Matsumoto Yuji, Kurashige Kazuhisa, Okumura Hajime

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   423 巻   頁: 45 - 49   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.04.032

    Web of Science

    Scopus

  74. Non-uniform electrodeposition of zinc on the (0001) plane 査読有り

    T. Mitsuhashi, Y. Ito, Y. Takeuchi, S. Harada,T. Ujihara

    Thin Solid Films   590 巻   頁: 207-213   2015年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  75. Non-uniform electrodeposition of zinc on the (0001) plane 査読有り

    T. Mitsuhashi, Y. Ito, Y. Takeuchi, S. Harada, T. Ujihara

    Thin Solid Films   590 巻   頁: 207-213   2015年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  76. 3C-SiC crystal on sapphire by solution growth method 査読有り

    Shibata K.

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 185 - 188   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.185

    Scopus

  77. Research on solvent composition for different surface morphology on C face during 4H-SiC solution growth 査読有り

    Xiao S.Y.

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 39 - 42   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.39

    Scopus

  78. Dislocation conversion during sic solution growth for high-quality crystals 査読有り

    Harada S.

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 3 - 8   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.3

    Scopus

  79. Control of interface shape by non-axisymmetric solution convection in top-seeded solution growth of SiC crystal 査読有り

    Koike D.

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 18 - 21   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.18

    Scopus

  80. Improvement of surface morphology by solution flow control in solution growth of SiC on off-axis seeds 査読有り

    Umezaki T.

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 31 - 34   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.31

    Scopus

  81. Thin film growth of CaFe2As2 by molecular beam epitaxy 査読有り

    T. Hatano, T. Kawaguchi, R. Fujimoto, I. Nakamura, Y. Mori, S. Harada, T. Ujihara and H. Ikuta

    Superconductor Science and Technology   29 巻   頁: 015013   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1088/0953-2048/29/1/015013

  82. Measurement of Energy Distribution of Conduction Electrons in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy

    Ichihashi Fumiaki, Nishitani Kenji, Dong Xinyu, Kawaguchi Takahiko, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Tofu

    2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)     2015年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  83. Measurement of Energy Distribution of Conduction Electrons in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy 査読有り

    Fumiaki Ichihashi, Kenji Nishitani, Xinyu Dong, Takahiko Kawaguchi, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Shunta Harada, Miho Tagawa, Tofu Ujihara

    2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)     2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IEEE  

    Visible-light photoemission spectroscopy (VPS) is a novel angle-resolved photoemission spectroscopy developed by us for measuring conduction electrons emitted from a surface with negative electron affinity state. In this study, InGaAs/GaAsP quantum well superlattice was analyzed by the VPS method with changing the excitation photon energy. By comparing with comparison of the energy distribution curves obtained by different excitation energy, the first and second conduction mini-band structures were directly clarified.

    Web of Science

  84. Different behavior of threading edge dislocation conversion during the solution growth of 4H-SiC depending on the Burgers vector 査読有り

    Harada Shunta, Yamamoto Yuji, Seki Kazuaki, Horio Atsushi, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ACTA MATERIALIA   81 巻   頁: 284 - 290   2014年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Acta Materialia  

    DOI: 10.1016/j.actamat.2014.08.027

    Web of Science

    Scopus

  85. Electrostatic acceleration of helicon plasma using a cusped magnetic field

    Harada S., Baba T., Uchigashima A., Yokota S., Iwakawa A., Sasoh A., Yamazaki T., Shimizu H.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   105 巻 ( 19 )   2014年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.4900423

    Web of Science

    Scopus

  86. Forming two-dimensional structure of DNA-functionalized Au nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers

    Isogai Takumi, Piednoir Agnes, Akada Eri, Akahoshi Yuki, Tero Ryugo, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tagawa Miho

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   401 巻   頁: 494 - 498   2014年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.01.032

    Web of Science

    Scopus

  87. Defect evolution in high-quality 4H-SiC grown by solution method

    Harada S., Tagawa M., Ujihara T.

    ACTA CRYSTALLOGRAPHICA A-FOUNDATION AND ADVANCES   70 巻   頁: C1415 - C1415   2014年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  88. Emergence and Amplification of Chirality via Achiral-Chiral Polymorphic Transformation in Sodium Chlorate Solution Growth

    Niinomi Hiromasa, Miura Hitoshi, Kimura Yuki, Uwaha Makio, Katsuno Hiroyasu, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tsukamoto Katsuo

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   14 巻 ( 7 ) 頁: 3596 - 3602   2014年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/cg500527t

    Web of Science

    Scopus

  89. Low-dislocation-density 4H-SiC crystal growth utilizing dislocation conversion during solution method 査読有り

    Yamamoto Yuji, Harada Shunta, Seki Kazuaki, Horio Atsushi, Mitsuhashi Takato, Koike Daiki, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   7 巻 ( 6 ) 頁: 065501   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.7.065501

    Web of Science

    Scopus

  90. Solubility measurement of a metastable achiral crystal of sodium chlorate in solution growth

    Niinomi Hiromasa, Horio Atsushi, Harada Shunta, Ujihara Toru, Miura Hitoshi, Kimura Yuki, Tsukamoto Katsuo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   394 巻   頁: 106 - 111   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.02.034

    Web of Science

    Scopus

  91. Nitrogen doping of 4H-SiC by the top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent

    Kusunoki Kazuhiko, Kamei Kazuhito, Seki Kazuaki, Harada Shunta, Ujihara Toru

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   392 巻   頁: 60 - 65   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.01.044

    Web of Science

    Scopus

  92. Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion Behavior during Solution Growth of 4H-SiC Using Al-Si Solvent 査読有り

    S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, M. Tagawa, and T. Ujihara

    Materials Science Forum   778-780 巻   頁: 67-70   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.67

  93. Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at High Speed during the Solution Growth of SiC 査読有り

    T. Umezaki, D. Koike, A. Horio, S. Harada, and T. Ujihara

    Materials Science Forum   778-780 巻   頁: 63-66   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.63

  94. Different behavior of threading edge dislocation conversion during the solution growth of 4H-SiC depending on the Burgers vector 査読有り

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, M. Tagawa, T. Ujihara

    Acta Materialia   81 巻   頁: pp. 284-290   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: DOI: 10.1016/j.actamat.2014.08.027

  95. "Direct measurement of conduction miniband structure in superlattice by visible-light photoemission spectroscopy"

    F. Ichihashi, D. Shimura, K. Nishitani, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, H. Katsuno, M. Tagawa, T.Ujihara

    Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th , 8-13 June 2014     頁: 2882-2885   2014年

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    記述言語:英語  

    DOI: DOI:10.1109/PVSC.2014.6925534

  96. Direct Measurement of Conduction Miniband Structure in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy

    Ichihashi Fumiaki, Shimura Daiki, Nishitani Kenji, Kawaguchi Takahiko, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Katsuno Hiroyasu, Tagawa Miho, Ujihara Tofu

    2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)     頁: 2882 - 2885   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  97. SiC結晶成長における多形制御 : 速度論的多形制御法の提案(3C-SiC溶液成長を例に)(<特集>準安定相の形成と結晶成長)

    関 和明, 原田 俊太, 宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌   40 巻 ( 4 ) 頁: 253 - 260   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    Silicon carbide forms polytypes due to different stacking arrangements of Si and C. For the use of semiconductor materials, it is necessary to fabricate a single polytype material. In this paper, firstly, determination factors of polytypes are introduced from both experimental and theoretical viewpoints, and the difficulty of the polytype control based on thermal stability is shown. Next, the actual control techniques in sublimation growth method and CVD method are shown to be based on the concept that the polytype sequence of seed crystal continues to the grown crystal. Finally, we propose the kinetic polytype control method based on the growth speed difference among polytypes in SiC solution growth.

    DOI: 10.19009/jjacg.40.4_253

    CiNii Article

  98. Direct measurement of conduction miniband structure in superlattice by visible-light photoemission spectroscopy

    Ichihashi F.

    2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014     頁: 2882 - 2885   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014  

    DOI: 10.1109/PVSC.2014.6925534

    Web of Science

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  99. Achiral Metastable Crystals of Sodium Chlorate Forming Prior to Chiral Crystals in Solution Growth

    Niinomi Hiromasa, Yamazaki Tomoya, Harada Shunta, Ujihara Toru, Miura Hitoshi, Kimura Yuki, Kuribayashi Takahiro, Uwaha Makio, Tsukamoto Katsuo

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   13 巻 ( 12 ) 頁: 5188 - 5192   2013年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/cg401324f

    Web of Science

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  100. SiC 結晶成長における多形制御 ~速度論的多形制御法の提案(3C-SiC 溶液成長を例に)~

    関 和明、原田 俊太、宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌,   40 巻 ( 4 ) 頁: 253   2013年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  101. SiC 結晶成長における多形制御 ~速度論的多形制御法の提案(3C-SiC 溶液成長を例に)~

    関 和明, 原田 俊太, 宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌,   40 巻 ( 4 ) 頁: 253   2013年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  102. Direct Growth of AlN Single Crystal on Sapphire by Solution Growth Method

    Matsubara Hiroaki, Mizuno Kohei, Takeuchi Yukihisa, Harada Shunta, Kitou Yasuo, Okuno Eiichi, Ujihara Toru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 ) 頁: 08JE17   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JE17

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  103. Influence of Solution Flow on Step Bunching in Solution Growth of SiC Crystals

    Zhu Can, Harada Shunta, Seki Kazuaki, Zhang Huayu, Niinomi Hiromasa, Tagawa Miho, Ujihara Toni

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   13 巻 ( 8 ) 頁: 3691 - 3696   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/cg400706u

    Web of Science

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  104. Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC 査読有り

    Harada S., Yamamoto Y., Seki K., Horio A., Mitsuhashi T., Tagawa M., Ujihara T.

    APL MATERIALS   1 巻 ( 2 ) 頁: 022109   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:APL Materials  

    DOI: 10.1063/1.4818357

    Web of Science

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  105. 超高品質SiC溶液成長

    宇治原 徹, 原田 俊太, 山本 祐治, 関 和明

    應用物理   82 巻 ( 4 ) 頁: 326 - 329   2013年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    <p>パワーデバイス用材料として現在盛んに研究開発が行われているSiCにおいては,基板結晶の高品質化が極めて重要である.溶液成長法はそれを実現する手法として注目を集めつつある.我々はSiC溶液成長過程において,結晶に含まれる貫通転位が基底面内の転位やフランク型欠陥へ頻繁に変換することを見いだし,さらにこの現象を利用して多くの貫通転位を結晶外部に放出させることで,高品質結晶が実現されることを示してきた.最近では,ほかのグループから結晶成長速度の向上や結晶口径の拡大に関する報告もなされている.本格的な高品質バルク結晶成長技術として確立されるまで,あと少しのところにきている.</p>

    DOI: 10.11470/oubutsu.82.4_326

    CiNii Article

  106. 超高品質SiC溶液成長 招待有り 査読有り

    宇治原 徹、原田 俊太、山本 祐治、関 和明

    応用物理   82 巻   頁: 326-329   2013年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  107. SiC溶液成長の最近の展開

    原田 俊太、山本 祐治、関 和明、宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌,   40 巻   頁: 25   2013年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  108. SiC溶液成長の最近の展開

    原田 俊太, 山本 祐治, 関 和明, 宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌,   40 巻   頁: 25   2013年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  109. 超高品質SiC溶液成長 招待有り 査読有り

    宇治原 徹, 原田 俊太, 山本 祐治, 関 和明

    応用物理   82 巻   頁: 326-329   2013年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  110. Effect of Surface Polarity on the Conversion of Threading Dislocations in Solution Growth 査読有り

    Y. Yamamoto, S. Harada, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara

    Materials Science Forum   740-742 巻   頁: 15-18   2013年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.15

  111. Reduction of Threading Screw Dislocation Utilizing Defect Conversion during Solution Growth of 4H-SiC 査読有り

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, T. Ujihara

    Materials Science Forum   740-742 巻   頁: 189-192   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.189

  112. Bulk 3C-SiC Crystal by Top Seeded Solution Growth Method 査読有り

    K. Seki, S. Harada, T. Ujihara

    Materials Science Forum   740-742 巻   頁: 311-314   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.311

  113. Electron Spectroscopy of Conduction Electrons Excited by Visible Light Utilizing NEA Surface

    Ichihashi Fumiaki, Shimura Daiki, Nishitani Kenji, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)     頁: 288 - 291   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  114. Ultrahigh-resolution direct observation of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs superlattice

    Shimura D.

    Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference     頁: 306 - 310   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  

    DOI: 10.1109/PVSC.2013.6744154

    Scopus

  115. Ultrahigh-resolution direct observation of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs superlattice 査読有り

    Daiki Shimura, Fumiaki Ichihashi, Kenji Nishitani, Shunta Harada, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Masaharu Matsunami, Shin-ichi Kimura, Takenobu Sakai, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)     頁: 306 - 310   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IEEE  

    Mini-bands formed in superlattice structures are often used for an intermediate-band solar cell. In order to design an optimized structure, it is important to measure the mini-band dispersions which influence transport properties and solar-energy conversion efficiency. In this study, we directly observed the dispersions of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs quantum-well superlattices by angle-resolved photoemission spectroscopy with synchrotron radiation light. The short-period energy dispersions due to the mini-bands around the X-valley were clearly obtained. In addition, the effective mass coefficient of each mini-band could be individually evaluated.

    Web of Science

  116. Ultrahigh-resolution direct observation of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs superlattice

    Shimura Daiki, Ichihashi Fumiaki, Nishitani Kenji, Harada Shunta, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Matsunami Masaharu, Kimura Shin-ichi, Sakai Takenobu, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)     頁: 306 - 310   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  117. SiC溶液成長の最近の展開(<特集>SiCの現状と今後の展開)

    原田 俊太, 山本 祐治, 関 和明, 宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌   40 巻 ( 1 ) 頁: 25 - 32   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    Solution growth has a potential to achieve high quality bulk SiC growth. In this paper we review current advances in SiC solution growth specially focusing on the crystal quality. During the solution growth, threading dislocations tend to be converted to basal plane defects by the step-flow of macrosteps. This phenomenon implies that all dislocations can be excluded from the lateral face of the crystal in principle. Actually, high quality SiC crystal with very low threading dislocation density was obtained applying the dislocation conversion during the solution growth.

    DOI: 10.19009/jjacg.40.1_25

    CiNii Article

  118. Electron spectroscopy of conduction electrons excited by visible light utilizing NEA surface 査読有り

    Ichihashi F.

    Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference     頁: 288 - 291   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  

    DOI: 10.1109/PVSC.2013.6744149

    Scopus

  119. Polytype-selective growth of SiC by supersaturation control in solution growth

    Seki Kazuaki, Alexander, Kozawa Shigeta, Harada Shunta, Ujihara Toru, Takeda Yoshikazu

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   360 巻 ( 1 ) 頁: 176 - 180   2012年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.11.041

    Web of Science

    Scopus

  120. High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth

    Yamamoto Yuji, Harada Shunta, Seki Kazuaki, HORIO Atsushi, MITSUHASHI Takato, UJIHARA Toru

    Applied physics express   5 巻 ( 11 ) 頁: "115501 - 1"-"115501-3"   2012年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    CiNii Article

  121. High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth 査読有り

    Yamamoto Yuji, Harada Shunta, Seki Kazuaki, Horio Atsushi, Mitsuhashi Takato, Ujihara Toru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   5 巻 ( 11 ) 頁: 115501   2012年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.5.115501

    Web of Science

    Scopus

  122. Polytype Transformation by Replication of Stacking Faults Formed by Two-Dimensional Nucleation on Spiral Steps during SiC Solution Growth 査読有り

    Harada Shunta, Alexander, Seki Kazuaki, Yamamoto Yuji, Zhu Can, Yamamoto Yuta, Arai Shigeo, Yamasaki Jun, Tanaka Nobuo, Ujihara Toru

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   12 巻 ( 6 ) 頁: 3209 - 3214   2012年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/cg300360h

    Web of Science

    Scopus

  123. Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth

    T. Ujihara, S. Kozawa, K. Seki, Alexander, Y. Yamamoto, S. Harada

    Materials Science Forum   717-720 巻   頁: 351-354   2012年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  124. Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth 査読有り

    Y. Yamamoto, K. Seki, S. Kozawa, Alexander, S. Harada, T. Ujihara

    Materials Science Forum   717-720 巻   頁: 53-56   2012年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  125. Anisotropy of Lattice Thermal Conduction in TiO2-x with High Density of Planar Defects by Atomistic Simulations

    Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui

    AMTC Letters   3 巻   頁: 242-243   2012年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  126. Anisotropy of Lattice Thermal Conduction in TiO2-x with High Density of Planar Defects by Atomistic Simulations

    Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui

    AMTC Letters   3 巻   頁: 242-243   2012年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  127. CT-2-2 高品質SiC溶液成長(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)

    宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 山本 祐治

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2012 巻 ( 2 ) 頁: "SS - 19"-"SS-21"   2012年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    CiNii Article

  128. Direct Observation of Vacancies and Local Thermal Vibration in Thermoelectric Rhenium Silicide 査読有り

    Harada Shunta, Tanaka Katsushi, Kishida Kyosuke, Okamoto Norihiko L., Endo Noriaki, Okunishi Eiji, Inui Haruyuki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   5 巻 ( 3 ) 頁: 035203   2012年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.5.035203

    Web of Science

  129. Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth

    Ujihara Toru, Kozawa Shigeta, Seki Kazuaki, Alexander, Yamamoto Yuji, Harada Shunta

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2   717-720 巻   頁: 351 - +   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.351

    Web of Science

    Scopus

  130. Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth 査読有り

    Yamamoto Yuji, Seki Kazuaki, Kozawa Shigeta, Alexander, Harada Shunta, Ujihara Toru

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2   717-720 巻   頁: 53 - 56   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.53

    Web of Science

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  131. Crystal structure refinement of ReSi1.75 with an ordered arrangement of silicon vacancies 査読有り

    Shunta Harada, Hiroaki Hoshikawa, Kosuke Kuwabara, Katsushi Tanaka, Eiji Okunishi, Haruyuki Inui

    PHILOSOPHICAL MAGAZINE   91 巻 ( 23 ) 頁: 3108 - 3127   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:TAYLOR & FRANCIS LTD  

    The crystal structure and microstructure of ReSi1.75 were investigated by synchrotron X-ray diffraction combined with scanning transmission electron microscopy. ReSi1.75 contains an ordered arrangement of vacancies in Si sites in the underlying tetragonal C11(b) lattice of the MoSi2-type and the crystal structure is monoclinic with the space group Cm. Atomic positions of Si atoms near vacancies are considerably displaced from the corresponding positions in the parent C11(b) structure, and they exhibit anomalously large local thermal vibration accompanied by large values of atomic displacement parameter. There are four differently-oriented domains with two of them being related to each other by the 90 degrees rotation about the c-axis of the underlying C11(b) lattice and the other two being their respective twins. The habit planes for domain boundaries observed experimentally are consistent with those predicted with ferroelastic theory.

    DOI: 10.1080/14786435.2011.570278

    Web of Science

  132. Direct observation of an ordered arrangement of vacancies and large local thermal vibration in rhenium silicide by Cs-corrected STEM 査読有り

    Shunta Harada', Katsushi Tanaka, Kyosuke Kishida, Norihiko L. Okamoto', Noriaki Endo, Eiji Okunishi, Haruyuki Inui

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1295 巻   頁: 397 - 402   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    The crystal structure of thermoelectric rhenium silicide with an ordered arrangement of vacancies is investigated by utilizing spherical aberration (Cs) corrected scanning transmission electron microscopy (STEM) combined with synchrotron X-ray diffraction and conventional transmission electron microscopy. By STEM Cs corrected imaging, we can clearly observe Si vacancies in rhenium silicide, which is impossible without Cs correction. In addition, significantly reduced contrast levels are noted in STEM images for particular Si sites near vacancies. From the STEM image simulation, the reduced contrast levels are concluded to be due to anomalously large local thermal vibration of these Si atoms. The crystal structure of rhenium silicide can be successfully refined by the synchrotron X-ray diffraction starting with the deduced structure model from the STEM images and the occurrence of large local thermal vibration can be qualitatively confirmed. Furthermore, we confirm the validity of the refined crystal structure of rhenium silicide by comparing experimental images with simulated image generating with the refined crystal structure parameters. © 2011 Materials Research Society.

    DOI: 10.1557/opl.2011.43

    Scopus

  133. Al融液窒化法における高密度AlN形成メカニズム

    水野 恒平, 松原 弘明, 竹内 幸久, 原田 俊太, 宇治原 徹, 青木 祐一, 小原 公和

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011 巻 ( 0 ) 頁: 761 - 761   2011年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    AlNは高熱伝導絶縁体で、パワーデバイス用放熱基板として期待されている。我々は、焼結法に代わる手法として、Al融液と窒素からAlNを成長する融液窒化法に着目し、これまでに、Mg蒸気と窒素ガスを同時に外部から供給する手法で、完全にAl融液をAlNへと変換させることに成功している。しかし、得られたAlNには高密度な部分とポーラス部分が混在していた。そこで、高密度AlNの形成メカニズムを解明するために、原料をAl板に変更し、Mg蒸気の供給時間を制御して実験を行った。窒化は原料表面のみで生じており、Mg蒸気が融液表面の酸化膜と反応して、酸化膜が破れ、そこからAl融液が酸化膜上にしみ出し、しみ出した融液と窒素が反応し、AlNを生成するというメカニズムが示唆された。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011F.0.761.0

    CiNii Article

  134. シア構造内包magneli相TiO<sub>2-x</sub>の原子レベル熱伝導機構解析

    吉矢 真人, 宮内 洋平, 多田 昌浩, 原田 俊太, 田中 克志, 安田 秀幸, 乾 晴行

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011 巻 ( 0 ) 頁: 759 - 759   2011年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    熱電材料としても注目される、ナノメートルオーダーの面間隔のシア構造を内包するTiO<sub>2-x</sub>の熱伝導機構の解析を摂動分子動力学法により行った。得られた熱伝導度は大きな方位依存性を示し、シア面垂直方向についてはシア面間隔の減少と共に熱伝導度減少が見られたが、面間隔が数Åの範囲では、シア面平行方向の熱伝導度の面間隔依存性は非常に小さなものでありほぼ一定であった。また直感に反して、シア面に垂直方向の熱伝導度がシア面平行方向の熱伝導度よりも低いことがわかった。これはシア面に沿った原子の配位環境の乱れに起因するものであると考えられる。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011F.0.759.0

    CiNii Article

  135. Thermoelectric properties and crystallographic shear structures in titanium oxides of the Magneli phases 査読有り

    Shunta Harada, Katsushi Tanaka, Haruyuki Inui

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   108 巻 ( 8 )   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    The thermoelectric properties of Magneli phase titanium oxides TinO2n-1 (n=2,3,...) have been investigated, paying special attention to how the thermoelectric performance can be altered by changing the microstructure. Dense polycrystalline specimens with nominal composition of TiO2-x (x=0.05, 0.10, 0.15, and 0.20) prepared by conventional hot-pressing are all identified to be one of the Magneli phases, in which crystallographic shear planes are regularly introduced according to the oxygen deficiency. Electrical conduction is n-type for all specimens and the carrier concentration increases with the increase in the oxygen deficiency. The values of lattice thermal conductivity, on the other hand, decrease with the increase in the oxygen deficiency, which can be attributed to phonon scattering at the crystallographic shear plane. The largest value of thermoelectric figure of merit Z, 1.6 X 10(-4) K-1 was obtained at 773 K for the hot-pressed specimen of TiO1.90. (C) 2010 American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3498801]

    DOI: 10.1063/1.3498801

    Web of Science

  136. Reduction in the Thermal Conductivity of Thermoelectric Titanium Oxide by Introduction of Planar Defects

    S. Harada, K. Tanaka, H. Inui

    Material Research Society Symposium Proceedings   1218 巻   2010年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)  

    DOI: 10.1557/PROC-1218-Z01-04

  137. Soft X-ray photoelectron spectroscopy of heusler-type thermoelectric alloys Fe<inf>2-x-y</inf>lr<inf>y</inf>v<inf>1+x</inf>Al

    Harada S.

    Funtai Oyobi Fummatsu Yakin/Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy   57 巻 ( 4 ) 頁: 213 - 217   2010年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Funtai Oyobi Fummatsu Yakin/Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy  

    DOI: 10.2497/jjspm.57.213

    Scopus

  138. Thermoelectric properties of ternary and Al-containing quaternary Ru1-xRexSiy chimney-ladder compound 査読有り

    K. Kishida, A. Ishida, T. Koyama, S. Harada, N. L. Okamoto, K. Tanaka, H. Inui

    Acta Materialia   57 巻 ( 6 ) 頁: 2010-2019   2009年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  139. Change in the thermoelectric properties with the variation in the defect structure of ReSi1.75 査読有り

    S. Harada, K. Tanaka, K. Kishida, N. L. Okamoto, H. Inui

    Material Research Society Symposium Proceedings   1128 巻   頁: 9-14   2009年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  140. Improvement of Grain-Boundary Conductivity of Trivalent Cation-Doped Barium Zirconate Sintered at 1600°C by Co-Doping Scandium and Yttrium

    S. Imashuku, T. Uda, Y. Nose, K. Kishida, S. Harada, H. Inui and Y. Awakura

    Journal of Electrochemical Society   155 巻 ( 6 ) 頁: B581-B586   2008年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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講演・口頭発表等 306

  1. 放射光トポグラフィーによるSiC中の基底面転位の深さ評価

    藤榮 文博, Hongyu Peng, Tuerxun Ailihumaer, Balaji Raghothamachar, Michael Dudley, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021年3月18日 

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    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  2. 面欠陥周期配列を含む自然超格子酸化チタンの構造制御と熱輸送特性

    原田 俊太, 小坂 直輝, 杉本 峻也, 八木 貴志, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021年3月16日 

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    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  3. 面欠陥周期配列を含むCr添加酸化チタン多結晶の熱伝導率の温度依存性

    杉本 峻也, 金 柯怜, 竹内 恒博, 田川 美穂, 宇治原 徹, 原田 俊太

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021年3月16日 

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    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  4. DNAガイドのナノ粒子結晶化:構造制御と結晶対称性を維持した収縮制御 招待有り

    田川美穂, 鷲見隼人, 横森真麻,  前田勇士, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹

    日本物理学会第76回年次大会(領域9結晶成長)  2021年3月13日 

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    開催年月日: 2021年3月12日 - 2021年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  5. 顕微ラマン分光法によるGaN結晶中の貫通転位のひずみイメージング 招待有り

    小久保 信彦,角岡 洋介, 藤榮文博,恩田正一,山田永,清水三聡,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第7回講演会  2020年12月10日 

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    開催年月日: 2020年12月9日 - 2020年12月10日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  6. Prediction system of CFD simulation in solution growth constructed by machine learning - Application for SiC top-seeded solution growth – 招待有り 国際会議

    Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Tomoki Endo, Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa

    17th China International Forum on Solid State Lighting & 2020 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA&IFWS 2020)  2020年11月24日 

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    開催年月日: 2020年11月23日 - 2020年11月25日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:中華人民共和国  

  7. 分子線エピタキシーによるBAs薄膜の成長条件の検討

    蔡沛陽, 畑野敬史, 原田俊太, 生田博志, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  8. DNA修飾ナノ粒子コロイド結晶化における結晶性に及ぼす塩濃度の影響

    鷲見隼人, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  9. DNA修飾ナノ粒子超格子のサイズ・結晶性に及ぼす修飾DNA鎖長の影響

    鈴木康平, 太田昂, 関口博史, 鷲見隼人, 横森真麻, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  10. DNA修飾ナノ粒子超格子結晶化における塩濃度が粒子間相互作用に与える影響

    楊冰琦, 鷲見隼人, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  11. CFDによるステップバンチング挙動シミュレーション

    劉欣博, 党一帆, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  12. Cr添加酸化チタン結晶における面欠陥周期構造の制御

    杉本峻也, 田川美穂, 宇治原徹, 原田俊太

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月10日 

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  13. 長時間安定SiC溶液成長における経時変化のシミュレーションと最適化

    党一帆, 朱燦, 幾見基希, 郁万成,黄威, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  14. SiC溶液成長における機械学習を用いた固-液界面形状の時間変化の推定

    高石将輝, 党一帆, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  15. 放射光トポグラフィー高温その場観察による窒素添加4H-SiC結晶における積層欠陥エネルギーの定量化

    藤榮文博, 原田俊太, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  16. SiC溶液成長における境界層とステップバンチングの関係

    海野高天, 朱燦, 原田俊太, 劉欣博, 幾見基希, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  17. Si-Y溶媒を用いたSiC溶液成長中の自然核生成による多結晶析出の抑制

    幾見基希, 朱燦, 原田俊太, 党一帆, 海野高天, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  18. 溶液法によるBPDフリー3インチSiC結晶の成長

    朱燦, 郁万成, 黄威, 幾見基希, 党一帆, 海野高天, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  19. 機械学習支援による溶液成長法を用いた6インチSiC作製手法の確立

    郁万成, 朱燦, 角岡洋介, 黄威, 党一帆, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  20. 機械学習を用いたSiC溶液法の温度・流速分布の次元削減とロバスト性評価

    磯野優, 小山幸典, 沓掛健太郎, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  21. SiC昇華法におけるベイズ最適化を用いた高品質・高速成長条件の探索

    井上凱喜, 沓掛健太郎, 原田俊太,田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  22. 高温環境下におけるGaN基板中の貫通転位の構造変化の解明

    水野竜太郎, 藤榮文博, 山田永, 原田俊太, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  23. 時間的な温度差により熱エネルギーを電気に変換する熱電池の構築

    陳曄, 石川晃平, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月9日 - 2020年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  24. Automatic Detection of Dislocation contrasts in Birefringence Image of SiC Wafers Using Variance Filter Method 国際会議

    Akira Kawata, Kenta Murayama, Shogo Sumitani, Shunta Harada

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)  2020年9月29日 

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    開催年月日: 2020年9月27日 - 2020年9月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  25. イオン注入シミュレーションに対する機械学習の適用

    蜂谷涼太, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  26. 機械学習を活用したSiC溶液成長プロセス・ビュジュアライゼーション

    宇治原徹, 畑佐豪記, 角岡洋介, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月27日 - 2017年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  27. SiC溶液成長過程における転位伝播方向制御による高品質化

    原田俊太, 村山健太, 村井良多, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月27日 - 2017年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  28. 4H-SiC溶液成長法二段階成長における異種多形の析出抑制

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月27日 - 2017年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  29. SiC溶液成長におけるプロセス・インフォマティクス

    宇治原徹,角岡洋介,畑佐豪記,村山健太,村井良多,朱燦,原田俊太,田川美穂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月27日 - 2017年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  30. 気相法AlNウィスカー成長における形状変化メカニズムの解明

    齊藤廣志, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月27日 - 2017年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  31. 機械学習による結晶成長条件の予測を用いたSiC溶液成長

    林宏益, 村井良多, 朱燦, 村山健太, 角岡洋介, 畑佐豪記, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月27日 - 2017年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  32. 機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度

    畑佐豪記, 角岡洋介, 村井良多, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月27日 - 2017年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  33. 溶液法 SiC 基板を用いて作製した MOS キャパシタの評価

    古庄智明, 川畑直之, 古橋壮之, 渡辺友勝, 渡邊寛, 山川聡, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月1日 - 2017年11月2日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  34. 貫通らせん転位が極めて少ない 4H-SiC の溶液成長における多形安定化手法

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月1日 - 2017年11月2日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  35. 溶液成長における溶液状態の高速予測と 網羅的探索により最適化した条件での結晶成長

    村井良多, 村山健太, 原田俊太, 畑佐豪記, 角岡洋介, 林宏益, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月1日 - 2017年11月2日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  36. SiC 溶液成長法における溶媒中の Cr 組成に対する 成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価

    鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月1日 - 2017年11月2日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  37. ラマン分光法による GaN 単結晶における貫通転位の刃状成分の解析

    小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 原一都, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月1日 - 2017年11月2日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  38. X 線トポグラフィーその場観察による 4H-SiC 積層欠陥挙動の窒素濃度依存性評価

    藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月1日 - 2017年11月2日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  39. Smooth Li Electrodeposition on Single Crystal Cu Current Collectors 国際会議

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The Electrochemical Society (232nd ECS Meeting) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月1日 - 2017年10月5日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  40. High-Quality SiC Solution Growth Using Dislocation Conversion on C Face 国際会議

    S. Xiao, S. Harada, X. Liu, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月17日 - 2017年9月22日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  41. Two-Step Sic Solution Growth with Extremely Low-Dislocation-Density 4h-SiC Crystal for Suppression of Polytype Transformation 国際会議

    K. Murayama, S. Harada, F. Fujie, X. Liu, R. Murai, C. Zhu, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月17日 - 2017年9月22日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  42. High-Speed Prediction Model for Supersaturation and Flow Distribution by CFD Simulation and Machine Learning in SiC Solution Growth 国際会議

    Y. Tsunooka, N. Kokubo, G. Hatasa, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月17日 - 2017年9月22日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  43. Real-Time Visualization System for Temperature and Fluid Flow Distributions in SiC Solution Growth Using Prediction Model Constructed by Machine Learning 国際会議

    G. Hatasa, Y. Tsunooka, S. Lee, K. Murayama, R. Murai, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月17日 - 2017年9月22日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  44. Direct Observation of Stacking Faults Expansion in 4H-SiC at High Temperatures by In Situ X-Ray Topography 国際会議

    F. Fujie, S. Harada, K. Murayama, K. Hanada, P. Chen, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月17日 - 2017年9月22日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  45. Evaluation of 2-Inch Wafer by Solution Growth Method Using Synchrotron X-Ray Topography 国際会議

    K. Seki, K. Kusunoki, Y. Kishida, H. Kaido, K. Moriguchi, M. Kado, H. Daikoku, T. Shirai, M. Akita, A. Seki, H. Saito, S. Harada, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月17日 - 2017年9月22日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  46. 単結晶Cu集電体を用いた金属Li負極の不均一析出抑制

    石川 晃平, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    日本金属学会 2017年秋期講演会 

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    開催年月日: 2017年9月6日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  47. SiCにおける積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察

    藤榮 文博, 原田 俊太, 花田 賢志, 村山 健太, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹

    日本金属学会 2017年秋期講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月6日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  48. 溶液成長SiC基板上に作製した酸化膜の評価

    古庄 智明, 川畑 直之, 古橋 壮之, 渡辺 友勝, 渡邊 寛, 山川 聡, 村山 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  49. Li挿入によるWO3薄膜の熱伝導率の変化

    小林 竜大, 中村 彩乃, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  50. DNA被覆ナノ粒子によるDDAB脂質二重膜の指組みゲル相形成の促進

    磯貝 卓巳, 鷲見 隼人, 手老 龍吾, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  51. Investigation of high-temperature annealing process ofsputtered AlN films

    S. Xiao, Y. Liu, R. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu, S. Harada,T. Ujihara

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  52. 機械学習を用いたSiC結晶成長実験条件の最適化

    村井 良多, 畑佐 豪記, 角岡 洋介, 林 宏益, 村山 健太, 朱 燦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  53. SiC溶液法C面成長における貫通らせん転位の低減

    劉 欣博, 原田 俊太, 村山 健太, 村井 良多, 肖 世玉, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  54. 4H-SiC 溶液成長における積層欠陥との相互作用により生じる貫通らせん転位の変換挙動

    加渡 幹尚, 原田 俊太, 関 和明, 大黒 寛典, 楠 一彦, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  55. X線その場観察によりメニスカス高さ制御したSiC溶液成長

    酒井 武信, 秋田 光俊, 加度 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  56. SiC溶液成長における機械学習を用いた閉鎖空間の溶液温度・流速分布の予

    畑佐 豪記, 角岡 洋介, 村山 健太, 村井 良太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第40回結晶成長討論会 

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    開催年月日: 2017年8月30日 - 2017年9月1日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:浜名湖ロイヤルホテル   国名:日本国  

  57. Hydrogen-Induced Thermal Conductivity Change across Metal-Insulator Transition in Amorphous WO3 Film 国際会議

    A. Nakamura, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    2017 MRS Spring Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年4月17日 - 2017年4月21日

    記述言語:英語  

    国名:アメリカ合衆国  

  58. 後方反射X線トポグラフィによる4H-SiC積層欠陥拡張挙動のその場観察

    藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳鵬磊, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  59. DNA修飾ナノ粒子超格子を前駆体としたウルフ多面体型コロイド結晶の形成

    鷲見 隼人, 磯貝 卓巳, 吉田 直矢, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  60. SiC溶液成長における最適条件高速探索手法の提案

    角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂,宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  61. 水素挿入・脱離によるWO3薄膜の熱伝導率制御

    中村 彩乃, 小林 竜太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  62. 酸化タングステンの酸化還元による可逆的熱伝導率制御

    原田 俊太, 弓削 勇輔, 田川 美穂, 宇治原徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  63. 4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性

    片平 真哉, 市川 義人, 原田 俊太, 木本 恒暢, 加藤 正史

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  64. X線透過法により溶液形状制御したSiC溶液成長

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  65. 半導体伝導帯構造を明らかにする可視光電子光電子分光法の提案

    宇治原 徹, 市橋 史朗, 董 キン宇, 井上 明人, 川口 昂彦, 桑原 真人, 伊藤 孝寛, 原田 俊太, 田川 美穂

    2016年真空・表面科学合同講演会 第 36 回表面科学学術講演会 第 57 回真空に関する連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月29日 - 2016年12月1日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  66. 金属 Li 負極における Cu 集電体の結晶方位と析出形状の関係

    石川 晃平, 伊藤 靖仁, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第57回電池討論会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月29日 - 2016年12月1日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:幕張メッセ国際会議場   国名:日本国  

  67. Optically induced crystallization of NaClO3 metastable phase on plasmonic gold nanostructures immersed in unsaturated mother solution

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, Y. Mori, S. Harada, K. Murayama, K. Miyamoto, T. Omatsu

    Institute for Global Prominent Research Kickoff Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  68. X線透過法による SiC 溶液成長の溶液流れと溶液形状のその場観察

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月8日 - 2016年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  69. 窒素添加した 4H-SiC における積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察

    藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳 鵬磊, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月8日 - 2016年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  70. 透過電子顕微鏡による窒素添加 SiC 積層欠陥の高温その場観察

    陳 鵬磊, 原田 俊太, 荒井 重勇, 藤榮 文博, 肖 世玉, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月8日 - 2016年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  71. SiC 溶液成長においてルツボ口径が多結晶析出に及ぼす影響

    岡島 鎮記, 村井 良多, 村山 健太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月8日 - 2016年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  72. 溶液成長法二段階成長による SiC 結晶内の欠陥密度の低減

    村山 健太, 堀 司紗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月8日 - 2016年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  73. Crystallization of NaClO3 metastable phase from unsaturated mother solution achieved by excitation of plasmonic Au nanoarray

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, Y. Mori, S. Harada, K. Murayama, K. Miyamoto, T. Omatsu

    Optics & Photonics Japan 2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月30日 - 2016年11月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  74. Trial of Process Informatics in SiC Solution Growth 国際会議

    T. Ujihara, S. Harada, Y. Tsunooka, N. Kokubo, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa

    The 3rd International Conference on Universal Village (UV 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月6日 - 2016年10月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  75. Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collector on Morphology of Li Electrodeposition 国際会議

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Nucleation and Growth Research Conference (NGRC 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月27日 - 2016年9月29日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  76. Formation Mechanism of AlN Whiskers by Reacting N2 Gas and Al Vapor 国際会議

    M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Nucleation and Growth Research Conference (NGRC 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月27日 - 2016年9月29日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  77. Reduction of all types of dislocation in 4H-SiC crystal by two-step solution growth 国際会議

    K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月25日 - 2016年9月29日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ギリシャ共和国  

  78. In-situ observation during solution growth of SiC by X-ray transmission method 国際会議

    T. Sakai, M. Kado, H. Daikoku, S. Harada, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月25日 - 2016年9月29日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ギリシャ共和国  

  79. Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during SiC solution growth 国際会議

    T. Hori, K. Murayama, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月25日 - 2016年9月29日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ギリシャ共和国  

  80. Solvent design for high-purity SiC solution growth 国際会議

    S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月25日 - 2016年9月29日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ギリシャ共和国  

  81. AlN 溶液成長における機械学習を用いた溶液流動の高効率予測

    小久保 信彦, 角岡 洋介, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2016年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月13日 - 2016年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  82. X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長のその場観察

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2016年第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月13日 - 2016年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  83. n 型 4H-SiC 中 SSF 起因フォトルミネッセンスの時間分解測定

    加藤 正史, 片平 真哉, 市川 義人, 市村 正也, 原田 俊太

    2016年第82回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月13日 - 2016年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  84. 機械学習を用いた溶液成長における過飽和度分布の予測

    角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2016年第81回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月13日 - 2016年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  85. X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長の溶液表面形状の経時変化の観察

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2016年第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月13日 - 2016年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  86. Controlling two-dimensional structuer of DNA-linked Au nanoparticle lattices on supported lipid bilayer 国際会議

    T. Isogai, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    The 22nd International Conference on DNA Computing and Molecular Programming (DNA22) 

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    開催年月日: 2016年9月4日 - 2016年9月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  87. Control of Macrostep Structure for High-Quality SiC Grown by Liquid Phase Epitaxy 国際会議

    T. Ujihara, C. Zhu, K. Murayama, S. Harada, M.Tagawa

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月7日 - 2016年8月12日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  88. The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth 国際会議

    S. Y. Xiao, S. Harada, P. L. Chen, K. Murayama, T.Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月7日 - 2016年8月12日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  89. Effect of Crystal Shape on Solution Flow and Surface Morphology in Solution Growth of SiC 国際会議

    D. Koike, T. Umezaki, K. Murayama, K. Aoyagi, S.Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月7日 - 2016年8月12日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  90. Two-step growth of SiC solution growth for reduction of dislocations 国際会議

    K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M.Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月7日 - 2016年8月12日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  91. Threading Screw Dislocation Conversion by Macrosteps during SiC Solution Growth for High-quality Crystals 国際会議

    S. Harada, K. Murayama, S. Xiao, F. Fujie, T.Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月7日 - 2016年8月12日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  92. Morphology of AlN whiskers grown by reacting N2 gas and Al vapor 国際会議

    M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月7日 - 2016年8月12日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  93. Prediction of solution flow combined with computational fluid dynamics simulation and sparse modeling 国際会議

    N. Kokubo, Y. Tsunooka, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月7日 - 2016年8月12日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  94. Crystal orientation dependence of precipitate structure of electrodeposited Li metal on Cu current collectors 国際会議

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月7日 - 2016年8月12日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  95. Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer 国際会議

    T. Isogai, S. Nakada, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月7日 - 2016年8月12日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  96. 塩素酸ナトリウム水溶液中の銀ナノ粒子円偏光光学捕捉により誘起されるキラル結晶化におけるキラリティの偏り

    新家 寛正, 杉山 輝樹, 田川 美穂, 村山 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹

    日本地球惑星科学連合2016年大会 

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    開催年月日: 2016年5月22日 - 2016年5月26日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:幕張メッセ   国名:日本国  

  97. Chiral bias on circularly polarized laser-induced chiral crystallization from NaClO3 solution containing plasmonic Ag nanoparticles 国際会議

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, K. Murayama, S. Harada, K. Miyamoto, T. Omatsu, T. Ujihara

    Optical manipulation and its satellite topics (OMC'16) 

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    開催年月日: 2016年5月18日 - 2016年5月20日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  98. "溶液法による4H-SiCバルク結晶成長と結晶品質評価"

    楠一彦,関和明,岸田豊,海藤宏志,森口晃治,岡田信宏,大黒寛典,加渡幹尚,土井雅喜,旦野克典,関章憲,佐藤和明,別所毅,原田俊太,宇治原徹

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月19日 - 2016年3月22日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  99. "可視光励起光電子分光法を用いたGaPにおけるキャリア散乱の温度依存性評価"

    市橋史朗,川口昂彦,董キン宇,井上明人,桑原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月19日 - 2016年3月22日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  100. "強磁場スパッタ法によるマンガン窒化物薄膜の作製"

    松本利希,川口昂彦,畑野敬史,原田俊太,飯田和昌,宇治原徹,生田博志

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月19日 - 2016年3月22日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  101. "超格子構造中のDNA被覆金ナノ粒子の融合に向けた粒子間距離収縮とナノ粒子融合"

    鷲見隼人,磯貝卓巳,中田咲子,吉田直矢,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月19日 - 2016年3月22日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  102. "DDAB平面脂質二重膜の相転移過程の直接観察"

    磯貝卓巳,中田咲子,赤田英里,吉田直矢,鷲見隼人,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月19日 - 2016年3月22日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  103. "SiC溶液法における溶媒への金属添加による炭素溶解度変化の熱力学計算"

    畑佐豪記,原田俊太,田川美穂,村山健太,加藤智久,宇治原徹

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月19日 - 2016年3月22日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  104. "SiC溶液成長における基底面転位と表面モフォロジーの関係"

    堀司紗,村山健太,原田俊太,肖世玉,田川美穂,宇治原徹

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月19日 - 2016年3月22日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  105. "超高品質SiC溶液成長法の最前線"

    原田俊太,宇治原徹

    日本結晶成長学会・バルク成長分科会 第98回研究会「機能性単結晶材料の最新動向--パワーデバイスから光・圧電まで--」 

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    開催年月日: 2016年3月4日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学 西早稲田キャンパス   国名:日本国  

  106. "Direct observation of electrons transported in second conduction mini-band of a semiconductor superlattice by visible-light photoemission spectroscopy" 国際会議

    Fumiaki Ichihashi, Keniji Nishitani, Xinyu Dong, Takahiko, Kawaguchi, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    SPIE Photonics West 2016 

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    開催年月日: 2016年2月13日 - 2016年2月18日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  107. "Thermal conductivity changes in WO3 films caused by hydrogen intercalation/deintercalation" 国際会議

    A. Nakamura, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    40th International Conference & Exposition on Advanced Ceramics & Composites(ICACC16) 

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    開催年月日: 2016年1月24日 - 2016年1月29日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  108. “SiC溶液成長における溶媒不純物の取り込み Impurity incorporation during solution growth of SiC”

    原田俊太、村山健太、青柳健大、酒井武信、田川美穂、加藤智久、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第2回講演会 

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    開催年月日: 2015年11月9日 - 2015年11月10日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪国際交流センター   国名:日本国  

  109. “4H-SiC溶液成長法Si面厚膜成長による貫通転位密度の低減 Growth of thick 4H-SiC crystal on Si face to reduce threading dislocation density by solution growth”

    村山健太、堀司紗、原田俊太、肖世玉、青柳健大、酒井武信、田川美穂、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第2回講演会 

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    開催年月日: 2015年11月9日 - 2015年11月10日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪国際交流センター   国名:日本国  

  110. "Temperature Dependence of the Energy Distribution of the Conduction Electrons in GaP Single Crystal" 国際会議

    Fumiaki Ichihashi, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa and T. Ujihara

    10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices'15 (ALC '15) 

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    開催年月日: 2015年10月25日 - 2015年10月30日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  111. “溶媒を用いたAlNウィスカーの直接窒化法における溶媒組成が生成量に与える影響”

    松本昌樹,渡邉将太,竹内幸久,青柳健大,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 

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    開催年月日: 2015年10月19日 - 2015年10月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学学術交流会館   国名:日本国  

  112. “4H-SiCのSi面溶液成長における温度分布制御による異種多形混入の抑制”

    堀司紗,村山健太,肖世玉,青柳健大,原田俊太,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 

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    開催年月日: 2015年10月19日 - 2015年10月21日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北海道大学学術交流会館   国名:日本国  

  113. “4H-SiC溶液成長法Si面厚膜化による低転位密度結晶成長の実現”

    村山健太,原田俊太,肖世玉,堀司紗,青柳健大,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 

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    開催年月日: 2015年10月19日 - 2015年10月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学学術交流会館   国名:日本国  

  114. “脂質二重膜上のDNA被覆ナノ粒子の2次元配列に及ぼすマグネシウムおよび脂質膜形状の影響”

    磯貝卓巳,赤田英里,中田咲子,吉田直矢,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 

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    開催年月日: 2015年10月19日 - 2015年10月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学学術交流会館   国名:日本国  

  115. “Agナノ粒子の光学捕捉により誘起されるNaClO3キラル結晶化過程その場観察”

    新家寛正,杉山輝樹,丸山美帆子,田川美穂,村山健太,原田俊太,宇治原徹,森勇介

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 

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    開催年月日: 2015年10月19日 - 2015年10月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学学術交流会館   国名:日本国  

  116. "Distribution of nitrogen doping concentration in 4H-SiC grown by solution method" 国際会議

    Z. Wang, T. Kawaguchi, K. Murayama, K. Aoyagi, S. Harada, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2015) 

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    開催年月日: 2015年10月4日 - 2015年10月9日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:イタリア共和国  

  117. "Consideration of threading dislocation conversion phenomena during SiC solution growth based on the elastic strain energy" 国際会議

    S. Harada, S. Xiao, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月4日 - 2015年10月9日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:イタリア共和国  

  118. "High-speed solution growth of single crystal AlN from Cr-Co-Al solvent" 国際会議

    S. Watanabe, M. Nagaya, Y. Takeuchi, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2015) 

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    開催年月日: 2015年10月4日 - 2015年10月9日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:イタリア共和国  

  119. "Solution Growth of AlN Single Crystal on Sapphire using Multi-Component Solvent Designed by Thermodynamic Calculation" 国際会議

    S. Harada, M. Nagaya, S. Watanabe, M. Chen, Y. Takeuchi, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Ujihara

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2015) 

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    開催年月日: 2015年9月27日 - 2015年9月30日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  120. “金属絶縁体転移に伴う WO3薄膜の熱伝導率変化”

    中村彩乃, 青柳健大, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    公益社団法人日本セラミックス協会 第 28 回秋季シンポジウム 

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    開催年月日: 2015年9月16日 - 2015年9月18日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:富山県, 富山大学(五福キャンパス)   国名:日本国  

  121. “脂質二重膜の性質が膜上のDNA被覆金ナノ粒子に及ぼす影響”

    中田咲子, 赤田英里, 磯貝卓巳, 吉田直矢, 手老龍吾, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月13日 - 2015年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知県, 名古屋国際会議場   国名:日本国  

  122. “2種のDNAを被覆したナノ粒子の構造体の粒子間距離分布”

    吉田直矢, 赤田絵里, 磯貝卓巳, 中田咲子, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月13日 - 2015年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知県, 名古屋国際会議場   国名:日本国  

  123. “溶液法により成長したn型4H-SiC結晶のキャリア濃度分布の評価”

    王 振江, 川口昂彦, 村山健太, 青柳健大, 原田俊太, 酒井武信, 宇治原徹

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月13日 - 2015年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:愛知県, 名古屋国際会議場   国名:日本国  

  124. “Agナノ粒子を含んだNaClO3溶液からの円偏光レーザー誘起キラル結晶化におけるエナンチオ選択的増幅”

    新家寛正, 杉山輝樹, 田川美穂, 村山健太, 原田俊太, 丸山美帆子, 森 勇介, 宇治原徹

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月13日 - 2015年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知県, 名古屋国際会議場   国名:日本国  

  125. Effect of Magnesium Ion Concentration on the Two-Dimensional Structure of DNA-Functionalized Nanoparticles on Supported Lipid Bilayer

    Takumi Isogai , Eri Akada, Sakiko Nakada, Naoya Yoshida, Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

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    開催年月日: 2015年6月22日 - 2015年6月24日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  126. Lipid diffusion and phase transition: Influence on DNA-functionalised nanoparticle adsorbates 国際会議

    S. Nakada, E. Akada, T. Isogai, N. Yoshida, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    5th International Colloids Conference 

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    開催年月日: 2015年6月21日 - 2015年6月24日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オーストリア共和国  

  127. "Lipid diffusion and phase transition: Influence on DNA-functionalised nanoparticle adsorbates." 国際会議

    S. Nakada, E. Akada, T. Isogai, N. Yoshida, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    5th International Colloids Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月21日 - 2015年6月24日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  128. Ultra high quality SiC crystal grown by solution method 国際会議

    T. Ujihara, S. Harada, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Sakai,

    CMCEE 2015 

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    開催年月日: 2015年6月14日 - 2015年6月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:カナダ  

  129. Measurement of Energy Distribution of Conduction Electrons in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy 国際会議

    F. Ichihashi, K. Nishitani, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference 

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    開催年月日: 2015年6月14日 - 2015年6月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  130. "Ultra high quality SiC crystal grown by solution method" 国際会議

    T. Ujihara, S. Harada, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Sakai

    11th CMCEE 

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    開催年月日: 2015年6月14日 - 2015年6月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:カナダ  

  131. "Measurement of Energy Distribution of Conduction Electrons in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy" 国際会議

    F. Ichihashi, K. Nishitani, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference 

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    開催年月日: 2015年6月14日 - 2015年6月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  132. "Correlation Between Grown Polytypes and Activity Ratio During Solution Growth of SiC with Multi-Component Solvent" 国際会議

    Atsushi Horio, Shunta Harada, Daiki Koike, Kenta Murayama, Kenta Aoyagi, Takenobu Sakai, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015 

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    開催年月日: 2015年3月26日 - 2015年3月31日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  133. Correlation Between Grown Polytypes and Activity Ratio During Solution Growth of SiC with Multi-Component Solvent

    A. Horio, S. Harada, D. Koike, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015 

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    開催年月日: 2015年3月26日 - 2015年3月31日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  134. "高熱伝導率AlNウィスカーの高効率合成"

    松本昌樹、陳鳴宇、永冶仁、渡邉将太、竹内幸久、原田俊太、田川美穂、宇治原徹、遠藤亮

    公益社団法人日本セラミックス協会 2015年 年会 

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    開催年月日: 2015年3月18日 - 2015年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:岡山大学 (津島キャンパス)、岡山県   国名:日本国  

  135. Synthesis of polycrystalline AlN with high thickness by an efficient method

    Pradip Ghosh, Kohei Mizuno, Makoto Hayashi, Yukihisa Takeuchi, Yuichi Aoki, Susumu Sobue, Yasuo Kitou, Jun Hasegawa, Makoto Kobashi, Toru Ujihara

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    開催年月日: 2015年3月18日 - 2015年3月20日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  136. 高熱伝導率AlNウィスカーの高効率合成

    松本昌樹,陳鳴宇,永冶仁,渡邉将太,竹内幸久,原田俊太,田川美穂,宇治原徹,遠藤亮

    公益社団法人日本セラミックス協会 2015年 年会 

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    開催年月日: 2015年3月18日 - 2015年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  137. "脂質二重膜上におけるDNA被覆金ナノ粒子のセルフアセンブリに対するイオンの効果"

    磯貝 卓巳、赤田 英理、中田 咲子、吉田 直矢、手老 龍吾、原田 俊太、宇治原 徹、田川 美穂

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  138. "可視光励起光電子分光法を用いた半導体超格子における伝導電子のエネルギー分布測定"

    市橋 史朗、西谷 健治、董 鑫宇、川口 昂彦、桑原 真人、原田 俊太、田川 美穂、伊藤 孝寛、宇治原 徹

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  139. "SiC溶液成長における貫通転位変換と成長表面のマクロステップの関係"

    原田 俊太、肖 世玉、青柳 健大、村山 健太、酒井 武信、田川 美穂、宇治原 徹

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  140. "AlN溶液成長における熱力学計算を用いた成長速度の向上"

    渡邉 将太、永冶 仁、陳 鳴宇、竹内 幸久、青柳 健大、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  141. SiC溶液成長における貫通転位変換と成長表面のマクロステップの関係

    原田俊太、肖世玉、青柳健大、村山健太、酒井武信、田川美穂、宇治原徹

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  142. 脂質二重膜上におけるDNA被覆金ナノ粒子のセルフアセンブリに対するイオンの効果

    磯貝卓巳,赤田英理,中田咲子,吉田直矢,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  143. AlN溶液成長における熱力学計算を用いた成長速度の向上

    渡邉将太,永冶仁,陳鳴宇,竹内幸久,青柳健大,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  144. シンクロトロン X 線トポグラフィによる溶液成長 SiC 結晶の欠陥評価と高品質化

    原田俊太

    第4回名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム 

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    開催年月日: 2015年1月22日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  145. SiC溶液成長における転位伝播挙動と高品質化

    原田俊太

    第2回グリーンエネルギー材料のマルチスケール創製研究会(松江)プログラム 

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    開催年月日: 2015年1月11日 - 2015年1月13日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  146. "Microstructure Observation of CaFe2As2 Family Thin Films by Transmission Electron Microscopy" 国際会議

    T. Kawaguchi, S. Harada, R. Fujimoto, Y. Mori, I. Nakamura, T. Hatano, T. Ujihara, H. Ikuta

    27th International Symposium on Superconductivity (ISS2014) 

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    開催年月日: 2014年11月25日 - 2014年11月27日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  147. Si-Al-Cu溶媒を用いた高Alドープ4H-SiC結晶の溶液成長

    楠一彦、関和明、亀井一人、原田俊太、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 

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    開催年月日: 2014年11月19日 - 2014年11月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  148. SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の成長表面との相互作用による考察

    原田俊太、肖世玉、村山健太、青柳健大、酒井武信、田川美穂、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 

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    開催年月日: 2014年11月19日 - 2014年11月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  149. 非対称温度分布下でのSiC溶液成長法におけるマランゴニ対流を考慮した3次元数値シミュレーションと表面形状の相関

    古池大輝、梅崎智典、村山健太、青柳健大、原田俊太、田川美穂、酒井武信、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 

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    開催年月日: 2014年11月19日 - 2014年11月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  150. "Si-Al-Cu溶媒を用いた高Alドープ4H-SiC結晶の溶液成長 Heavily Al doped 4H-SiC growth by solution growth technique using Si-Al-Cu melt as a solvent"

    楠一彦、関和明、亀井一人、原田俊太、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」 

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    開催年月日: 2014年11月19日 - 2014年11月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウインクあいち、愛知県   国名:日本国  

  151. "SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の成長表面との相互作用による考察 Consideration of threading dislocation conversion phenomena during the solution growth of SiC based on the interaction between the growth surface and the dislocation"

    原田俊太、肖世玉、村山健太、青柳健大、酒井武信、田川美穂、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」 

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    開催年月日: 2014年11月19日 - 2014年11月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウインクあいち、愛知県   国名:日本国  

  152. "非対称温度分布下でのSiC溶液成長法におけるマランゴニ対流を考慮した3次元数値シミュレーションと表面形状の相関 Relationship between Surface Morphology and Numerical Simulation in Consideration of Marangoni Convection during SiC Solution Growth under a Non-Axisymmetric Temperature Distribution"

    古池大輝、梅崎智典、村山健太、青柳健大、原田俊太、田川美穂、酒井武信、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月19日 - 2014年11月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウインクあいち、愛知県   国名:日本国  

  153. 円偏光レーザー誘起結晶化によるキラリティ制御の可能性

    新家寛正, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第44回 結晶成長国内会議 NCCG-44 

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    開催年月日: 2014年11月6日 - 2014年11月8日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  154. SiC 溶液成長過程における貫通転位変換現象の弾性論的考察

    原田俊太、肖世玉、村山健太、青柳健大、酒井武信、田川美穂、宇治原徹

    第44回 結晶成長国内会議 NCCG-44 

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    開催年月日: 2014年11月6日 - 2014年11月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  155. 化学平衡計算に基づいた過飽和領域の制御によるAlN 単結晶溶液成長

    永冶仁,陳鳴宇,渡邉将太,竹内幸久,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第44回 結晶成長国内会議 NCCG-44 

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    開催年月日: 2014年11月6日 - 2014年11月8日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  156. "円偏光レーザー誘起結晶化によるキラリティ制御の可能性"

    新家寛正,村山健太,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) 

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    開催年月日: 2014年11月6日 - 2014年11月8日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:学習院創立百周年記念会館, 東京都   国名:日本国  

  157. "化学平衡計算に基づいた過飽和領域の制御によるAlN単結晶溶液成長"

    永冶仁,陳鳴宇,渡邉将太,竹内幸久,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) 

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    開催年月日: 2014年11月6日 - 2014年11月8日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:学習院創立百周年記念会館, 東京都   国名:日本国  

  158. "SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の弾性論的考察"

    原田俊太,肖世玉,村山健太,青柳健大,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) 

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    開催年月日: 2014年11月6日 - 2014年11月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:学習院創立百周年記念会館, 東京都   国名:日本国  

  159. Two-dimensional assembly of Au nanoparticles through DNA hybridization on supported lipid bilayer 国際会議

    T. Isogai, E. Akada, S. Nakada, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara and M. Tagawa

    20th International Conference on DNA Computing and Molecular Programming(DNA20) 

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    開催年月日: 2014年9月22日 - 2014年9月26日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  160. Improvement of surface morphology by solution flow control in solution growth of SiC on off-axis seeds 国際会議

    T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

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    開催年月日: 2014年9月21日 - 2014年9月25日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  161. Heavily Al doped 4H-SiC growth by the top-seeded solution growth technique using Si-Al-Cu melt as a solvent 国際会議

    K. Kusunoki , K. Kamei, K. Seki, Y. Kishida, K. Moriguchi, H. Kaidoh, S. Harada and T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

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    開催年月日: 2014年9月21日 - 2014年9月25日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  162. Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal 国際会議

    S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, N. HARA, D. Koike, T. Mutoh, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月21日 - 2014年9月25日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:フランス共和国  

  163. Threading screw dislocations conversion behavior on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth 国際会議

    S. Xiao, N. Hara, S. Harada, T. Sakai, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

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    開催年月日: 2014年9月21日 - 2014年9月25日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  164. Control of Interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth for SiC Crystal 国際会議

    D. Koike, T. Umezaki, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月21日 - 2014年9月25日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  165. 3C-SiC crystal on sapphire by solution growth method 国際会議

    K. Shibata, S. Harada, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月21日 - 2014年9月25日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  166. "Control of Interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth for SiC Crystal" 国際会議

    Daiki KOIKE, Tomonori UMEZAKI, Shunta HARADA, Miho TAGAWA, Takenobu SAKAI, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月21日 - 2014年9月25日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  167. "Improvement of surface morphology by solution flow control in solution growth of SiC on off-axis seeds" 国際会議

    Tomonori UMEZAKI, Daiki KOIKE, Shunta HARADA, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月21日 - 2014年9月25日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  168. "3C-SiC crystal on sapphire by solution growth method" 国際会議

    Kenji SHIBATA, Shunta HARADA, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月21日 - 2014年9月25日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  169. 高品質4H-SiC溶液成長における多形変化抑制メカニズム

    原田俊太,山本祐 治,村山健太,青柳健大,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  170. 脂質二重膜上におけるDNA被覆金ナノ粒子の拡散現象

    中田咲子,赤田英里, 磯貝卓巳,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  171. CaFe2As2系超伝導薄膜の透過電子顕微鏡観察

    川口昂彦,原田俊太,藤本亮 祐,森康博,中村伊吹,畑野敬史,宇治原徹,生田博志

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  172. AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定

    永冶仁,陳鳴 宇,渡邉将太,竹内幸久,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  173. 多元溶媒窒化法を用いた単結晶AlNウィスカーの合成

    陳鳴宇,永冶仁,渡邉 将太,竹内幸久,原田俊太,荒井重勇,田川美穂,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  174. SiC溶液成長法における種結晶形状の成長表面への影響と貫通らせん転位変換

    古池大輝,梅崎智典,原田俊太,田川美穂,酒井武信,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  175. The investigation of step structure with different TSDs conversion behavior during 4H-SiC solution growth

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  176. "高品質4H-SiC溶液成長における多形変化抑制メカニズム"

    原田俊太,山本祐治,村山健太,青柳健大,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  177. "The investigation of step structure with different TSDs conversion behavior during 4H-SiC solution growth"

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  178. "SiC溶液成長法における種結晶形状の成長表面への影響と貫通らせん転位変換"

    古池大輝,梅崎智典,原田俊太,田川美穂,酒井武信,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  179. "脂質二重膜上におけるDNA被覆金ナノ粒子の拡散現象"

    中田咲子,赤田英里,磯貝卓巳,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  180. "CaFe2As2系超伝導薄膜の透過電子顕微鏡観察"

    川口昂彦,原田俊太,藤本亮祐,森康博,中村伊吹,畑野敬史,宇治原徹,生田博志

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  181. "SiCフラックス成長におけるSiC基板/フラックス界面の高温真空レーザー顕微鏡観察"

    小沼碧海,丸山伸伍,原田俊太,宇治原徹,加藤智久,蔵重和央,奥村元,松本祐司

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  182. "AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定"

    永冶仁,陳鳴宇,渡邉将太,竹内幸久,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  183. "多元溶媒窒化法を用いた単結晶AlNウィスカーの合成"

    陳鳴宇,永冶仁,渡邉将太,竹内幸久,原田俊太,荒井重勇,田川美穂,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  184. Structure of basal plane defects formed by the conversion of threading screw dislocation during solution growth of SiC 国際会議

    S. Harada, S.Y. Xiao, M. Tagawa, Y. Yamamoto, S. Arai, N. Tanaka and T. Ujihara

    Solid State Devices and Materials 2014 

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    開催年月日: 2014年9月8日 - 2014年9月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  185. Correlation between Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion in Solution Growth of SiC 国際会議

    Shunta Harada, Shiyu Xiao, Natsumi Hara, Daiki Koike, Takuya Mutoh, Miho Tagawa and Toru Ujihara

    International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia 2014 

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    開催年月日: 2014年8月24日 - 2014年8月30日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  186. Characterization of Newly Generated Defects during Solution Growth of 4H-SiC 国際会議

    Shiyu Xiao, Shunta Harada, Natsumi Hara, Miho Tagawa and Toru Ujihara

    International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia 2014 

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    開催年月日: 2014年8月24日 - 2014年8月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  187. Defect evolution in high-qualit 4H-SiC grown by solution method 国際会議

    S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    International Union of Crystallography 2014 

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    開催年月日: 2014年8月5日 - 2014年8月12日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:カナダ  

  188. p型SiC溶液成長における欠陥変換挙動

    原田俊太

    高品質SiC結晶次世代成長法に関する研究会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  189. n型およびp型SiC溶液成長過程における欠陥挙動と高品質結晶成長

    原田俊太

    第91回バルク成長分科会研究会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  190. NaClO3 溶液成長におけるアキラル-キラル多形転移を介したキラリティの発生と増幅 国際会議

    新家寛正, 原田俊太, 宇治原徹, 三浦均, 木村勇気, 上羽牧夫, 塚本勝男

    日本地球惑星科学連合2014年大会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  191. 可視光励起光電子分光法による半導体超格子ミニバンド構造の有効質量評価 国際会議

    西谷健治,志村大樹,市橋史朗,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  192. SiC溶液法C面成長におけるTSD変換 国際会議

    原田俊太,肖世玉,原奈都美,原田俊太,宇治原徹

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  193. SiC溶液成長における貫通らせん転位変換の弾性エネルギーによる考察 国際会議

    原田俊太,肖世玉,原奈都美,勝野弘康,田川美穂,宇治原徹

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  194. 4H-SiC溶液成長法における凸形状成長による貫通らせん転位の変換挙動 国際会議

    古池大輝,梅崎智典,堀尾篤史,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  195. 可視光励起光電子分光法による半導体中の伝導電子の直接観察 国際会議

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治,桑原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    日本物理学会 第69回年次大会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  196. Direct Measurement of Conduction Miniband Structure in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy 国際会議

    F. Ichihashi, D. Shimura, K. Nishitani, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, H. Katsuno, M. Tagawa, T. Ujihara

    Photovoltaic Specialists Conference(The PVSC-40) 

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    開催年月日: 2014年1月8日 - 2014年1月13日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  197. Structure of basal plane defects formed by threading screw dislocation conversion during high quality SiC solution growth 国際会議

    S.Harada, R.Kunimatsu, Xiao Shiyu, Y.Yamamoto, M.Tagawa, Y.Yamamoto, S.Arai, N.Tanaka, T.Ujihara

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月13日 - 2013年12月15日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  198. Observation of basal plane dislocations generated during solution growth in 4H-silicon carbide 国際会議

    S.Y.Xiao, S.Harada, T.Ujihara

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月13日 - 2013年12月15日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  199. Two-dimensional crystallization of DNA-functionalized Au nanoparticles using lipid diffusion 国際会議

    T.Isogai, E.Akada, A.Piednoir, Y.Akahoshi, R.Tero, S.Harada, T.Ujihara, M.Tagawa

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月13日 - 2013年12月15日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  200. Direct Observation of Conduction Band Structure and Conduction Electron Distribution in Semiconductor for Intermediate-band Solar Cells 国際会議

    F.Ichihashi, D.Shimura, K.Nishitani, M.Kuwahara, S.Harada, T.Ito, M.Tagawa, T.Ujihara

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月13日 - 2013年12月15日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  201. Aluminum Nitride Whiskers with High Aspect Ratio Grown from Multi-Component Melt 国際会議

    M.Y.Chen, H.Matsubara, K.Mizuno, M.Nagaya, Y.Takeuchi, S.Harada, T.Ujihara, Y.Aoki, K.Kohara, T.Kano

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月13日 - 2013年12月15日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  202. Evaluation of Mini-Bands Formed in Superlattice Structure for Intermediate-Band Solar Cell 国際会議

    D.Shimura, F.Ichihashi, K.Nishitani, S.Harada, T.Ito, M.Kuwahara, M.Matsunami, S.Kimura, M.Tagawa, T.Ujihara

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月13日 - 2013年12月15日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  203. 多元溶媒SiC溶液成長における成長多形と活量比aSi/aCの相関 国際会議

    堀尾篤史、原田俊太、田川美穂、宇治原徹

    第22回SiC講演会 

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    開催年月日: 2013年12月9日 - 2013年12月10日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  204. SiC溶液成長過程における基底面転位の形成 国際会議

    肖 世玉、原田 俊太、宇治原 徹

    第22回SiC講演会 

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    開催年月日: 2013年12月9日 - 2013年12月10日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  205. SiC溶液成長における過飽和度制御による凸形状成長 国際会議

    古池大輝、梅崎智典、堀尾篤史、原田俊太、田川美穂、宇治原徹

    第22回SiC講演会 

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    開催年月日: 2013年12月9日 - 2013年12月10日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  206. 4H-SiC溶液成長における成長表面のステップ構造と貫通転位変換挙動の相関 国際会議

    原田俊太、山本祐治、肖世玉、堀尾篤史、田川美穂、宇治原徹

    第22回SiC講演会 

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    開催年月日: 2013年12月9日 - 2013年12月10日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  207. SiC溶液成長における欠陥変換挙動と高品質結晶成長 国際会議

    原田俊太

    表面技術協会 関東支部・第86回講演会「ひらめき・未来材料~進化する選択的物質貯蔵・輸送・分離・変換材料~ 

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    開催年月日: 2013年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  208. NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相を介したキラル結晶形成過程

    新家寛正,原田俊太,宇治原徹,三浦均,木村勇気,栗林貴弘上羽牧夫, 塚本勝男

    第43回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2013年11月6日 - 2013年11月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  209. 4H-SiC溶液成長過程における貫通転位変換挙動と成長表面モフォロジーの相関

    原田俊太,山本祐治,肖世玉,堀尾篤史、田川美穂,宇治原徹

    第43回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2013年11月6日 - 2013年11月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  210. 多元溶媒を用いたAlNウィスカーの成長

    陳鳴宇,松原弘明,水野恒平,永冶仁,竹内幸久,原田俊太,青木祐一,小原公和, 加納豊広,宇治原徹

    第43回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2013年11月6日 - 2013年11月8日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  211. NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相の溶解度測定

    新家寛正,原田俊太,宇治原徹,三浦均,木村勇気,上羽牧夫, 塚本勝男

    第43回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2013年11月6日 - 2013年11月8日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  212. DNAと脂質二重膜を用いたナノ粒子の2次元結晶化

    磯貝卓巳,赤田英里,Agnes Piednoir,赤星祐樹,手老龍吾,原田俊太,宇 治原徹,田川美穂

    第43回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2013年11月6日 - 2013年11月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  213. DNA-mediated Nanoparticle Assembly 国際会議

    M. Tagawa, T. Isogai, E. Akada, S. Harada, T. Ujihara

    DNA-mediated Nanoparticle Assembly 

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    開催年月日: 2013年10月7日 - 2013年10月9日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  214. Increase in the growth rate by rotating the seed crystal at a high speed during the solution growth of SiC 国際会議

    T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara

    ICSCRM 2013 

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    開催年月日: 2013年9月29日 - 2013年10月4日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  215. Control of dislocation conversion during solution growth by changing surface step structure 国際会議

    Shunta Harada , Yuji Yamamoto , Shiyu Xiao, Atsushi Horio , Miho Tagawa , Toru Ujihara

    ICSCRM 2013 

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    開催年月日: 2013年9月29日 - 2013年10月4日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  216. N-type doping of 4H-SiC by top-seeded solution growth technique 国際会議

    K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada, Toru Ujihara

    ICSCRM 2013 

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    開催年月日: 2013年9月29日 - 2013年10月4日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  217. The Suppression of the Trenches by the Control of Solution Flow above Growth Surface in the Solution Growth of SiC 国際会議

    C. Zhu, S. Harada, S. Xiao, K. Seki, M. Tagawa, Y. Matsumoto, T. Kato, K. Kurashige, H. Okamura, and T. Ujihara

    ICSCRM 2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月29日 - 2013年10月4日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  218. 角度分解光電子分光法を用いた半導体超格子のミニバンド評価

    志村大樹,市橋史朗,西谷健治,原田俊太,伊藤孝寛,桒原真人,松波雅治,木村真一,田川美穂,宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  219. SiCフラックス成長におけるSi-NiフラックスのAl添加効果

    小沼碧海,丸山伸伍,原田俊太,宇治原徹,加藤智久,蔵重和央,奥村元,松本祐司

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  220. SiC溶液成長過程における基底面転位の形成

    肖世玉,朱燦,原田俊太,宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  221. SiC溶液成長過程における貫通転位変換と成長表面のステップ構造

    原田俊太,山本祐治,肖世玉,堀尾篤史,田川美穂,宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  222. SiC 溶液成長における流れ制御によるトレンチ形成の抑制

    朱燦,原田俊太,関和明,肖世玉,田川美穂,松本祐司,加藤智久,蔵重和央,奥村元,宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  223. Fe 過剰BaFe2(As,P)2 薄膜の臨界電流密度増大の起源

    森康博,藤本亮祐,坂上彰啓,原田俊太,宇治原徹,田渕雅夫,生田博志

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  224. 脂質分子をキャリアとしたDNA被覆金ナノ粒子の2次元結晶化

    磯貝卓巳,Agnes Piednoir,赤田英里,赤星祐樹,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  225. 可視光励起光電子分光法による伝導電子の直接観察

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  226. 可視光励起光電子分光法による半導体超格子構造の伝導キャリア観察

    西谷健治,市橋史朗,志村大樹,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  227. 多元溶媒を用いた高アスペクト比AlN ウィスカーの成長

    陳鳴宇, 松原弘明, 水野恒平, 永冶仁, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和, 加納豊広

    公益社団法人日本セラミックス協会 第26回秋季シンポジウ 

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    開催年月日: 2013年9月4日 - 2013年9月6日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  228. Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC 国際会議

    Shunta Harada , Yuji Yamamoto , Kazuaki Seki , Atsushi Horio , Takato Mitsuhashi , Miho Tagawa , Toru Ujihara

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 

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    開催年月日: 2013年8月11日 - 2013年8月17日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  229. Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method utilizing the conversion from threading dislocations to basal plane defects 国際会議

    Toru Ujihara , Yuji Yamamoto , Shunta Harada , Shiyu Xiao , Kazuaki Seki

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 

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    開催年月日: 2013年8月11日 - 2013年8月17日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  230. Two Pathways Determining Chirality in NaClO3 Crystals Grown from Solution via Achiral Precursors 国際会議

    Hiromasa Niinomi, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Takahiro Kuribayashi 2, Makio Uwaha, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 

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    開催年月日: 2013年8月11日 - 2013年8月17日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  231. Forming two-dimensional structure of DNA-functionalized Au nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers 国際会議

    Takumi Isogai , Agnes Piednoir , Eri Akada, Yuki Akahoshi , Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 

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    開催年月日: 2013年8月11日 - 2013年8月17日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  232. Growth of high quality 3C-SiC on hexagonal SiC seed using TSSG method 国際会議

    Kazuaki Seki , Shota Yamamoto, Shunta Harada, Toru Ujihara

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 

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    開催年月日: 2013年8月11日 - 2013年8月17日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  233. Two-dimensional crystallization of DNA-functionalized nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers 国際会議

    Takumi Isogai , Agnes Piednoir , Eri Akada, Yuki Akahoshi , Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    15th Summer School on Crystal Growth 

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    開催年月日: 2013年8月11日 - 2013年8月17日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ポーランド共和国  

  234. Ultrahigh-resolution direct observation of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs superlattice 国際会議

    Daiki Shimura, Fumiaki Ichihashi, Kenji Nishitani, Shunta Harada, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Masaharu Matsunami, Shin-ichi Kimura, Takenobu Sakai, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Photovoltaic specialists conference 39th 

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    開催年月日: 2013年7月16日 - 2013年7月21日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  235. Electron Spectroscopy of Conduction Electrons Exited by Visible Light Utilizing NEA Surface 国際会議

    Fumiaki Ichihashi, Daiki Shimura, Kenji Nishitani, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Photovoltaic specialists conference 39th 

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    開催年月日: 2013年7月16日 - 2013年7月21日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  236. Nanoparticle Assembly mediated by Designed DNA Nanostructures 国際会議

    M. Tagawa, O. Gang, K. Yager, T. Isogai, E. Akada, S. Harada, T. Ujihara

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    開催年月日: 2013年6月30日 - 2013年7月2日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  237. Solution growth of high quality 3C-SiC on a vicinal 6H-SiC 国際会議

    T. Ujihara, K. Seki, S. Yamamoto, S. Harada, M. Tagawa

    HeteroSiC-WASMPE2013 

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    開催年月日: 2013年6月17日 - 2013年6月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  238. 高品質SiC溶液成長

    宇治原徹, 原田俊太,

    一般社団法人資源・素材学会 平成25年度春季大会 

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    開催年月日: 2013年3月28日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  239. SiC溶液成長において流速の変化が表面モフォロジーに与える影響

    朱燦,原田俊太,関和明,田川美穂,松本祐司,加藤智久,蔵重和央,奥村元,宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月27日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  240. 3C-SiC 溶液成長における多形制御と欠陥抑制

    関和明,山本翔太,原田俊太,宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月27日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  241. 酸化タングステンの酸素欠損に伴う熱伝導率の変化

    弓削勇輔,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月27日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  242. AlGaAs/InGaAs超格子構造におけるミニバンドの超高分解能直接観察

    志村大樹,市橋史朗,原田俊太,桒原真人,伊藤孝寛,松波雅治,木村真一,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月27日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  243. 脂質分子の拡散によるDNA被覆金ナノ粒子の2次元構造体形成

    磯貝卓巳,Agnes Piednoir,赤田英里,祐樹赤星,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月27日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  244. NEA表面を利用した伝導電子エネルギーの直接測定

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治,原田俊太,桑原真人,伊藤孝寛,田川美穂,宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月27日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  245. 4H-SiC溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する欠陥の微細構造

    原田俊太,國松亮太,田川美穂,山本悠太,荒井重勇,田中信夫,宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月27日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  246. Al融液窒化法を用いたAlN多結晶の作製におけるMgによる窒化促進効果の検証 国際会議

    水野恒平, 松原弘明, 永冶仁, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 加納豊広, 青木祐一, 小原公和

    日本セラミックス協会2013年 年会 

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    開催年月日: 2013年3月17日 - 2013年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  247. Observation of Conduction Electrons in Superlattice Structure by Visible Light Photoemission Spectroscopy 国際会議

    Kenji Nishitani, Fumiaki Ichihashi, Daiki Shimura, Shunta Harada, Makoto Kuwahara, Miho Tagawa, Takahiro Ito, Toru Ujihara

    the 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC-23) 

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    開催年月日: 2013年

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  248. 金属負極蓄電池の実現に向けた配向結晶集電体によるデンドライト抑制 国際会議

    三橋貴仁, 伊藤靖仁, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原 徹

    第54回電池討論会 

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    開催年月日: 2013年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  249. 溶液成長過程における貫通転位変換を利用した高品質4H-SiCの実現

    原田俊太、山本祐治、関 和明、田川美穂、宇治原徹

    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21 回講演会 

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    開催年月日: 2012年11月19日 - 2012年11月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪市中央公会堂   国名:日本国  

  250. TSSG 法による高品質3C-SiC の成長

    関 和明,原田俊太,宇治原徹

    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21 回講演会 

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    開催年月日: 2012年11月19日 - 2012年11月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪市中央公会堂   国名:日本国  

  251. Si-C-X溶媒を用いたSiC 溶液成長における結晶化多形の熱力学的考察

    堀尾篤史、原田俊太、宇治原徹

    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21 回講演会 

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    開催年月日: 2012年11月19日 - 2012年11月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪市中央公会堂   国名:日本国  

  252. 透過電子顕微鏡法によるSiC 溶液成長における欠陥挙動解析

    原田俊太、國松亮太、田川美穂、山本悠太、荒井重勇、田中信夫、宇治原徹

    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21 回講演会 

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    開催年月日: 2012年11月19日 - 2012年11月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪市中央公会堂   国名:日本国  

  253. 溶液法による3C-SiCバルク結晶成長

    関 和明,原田俊太,宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42 

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    開催年月日: 2012年11月9日 - 2012年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  254. 溶液法による高品質SiC結晶成長メカニズム

    原田俊太、山本祐治、関 和明、堀尾篤史、三橋貴仁、田川美穂、宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42 

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    開催年月日: 2012年11月9日 - 2012年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  255. SiC溶液成長における窒素ドープによる積層欠陥の形成

    原田俊太、関和明、楠一彦、田川美穂、宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42 

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    開催年月日: 2012年11月9日 - 2012年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  256. 3C-SiC溶液成長における双晶抑制

    関 和明,原田俊太,宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月9日 - 2012年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  257. 溶液法によるα-Al2O3上へのAlNヘテロエピタキシャル成長

    松原弘明,水野恒平,竹内幸久,原田俊太,木藤泰男,奥野英一,宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42 

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    開催年月日: 2012年11月9日 - 2012年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  258. 一方向の溶液流れ下におけるSiCのステップバンチングの挙動

    朱燦、原田俊太、関和明、新家寛正、田川美穂、宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月9日 - 2012年11月11日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  259. Evolution of Threading Edge Dislocation During Solution Growth of SiC 国際会議

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi and T. Ujihara

    SSDM2012 

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    開催年月日: 2012年9月25日 - 2012年9月27日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  260. Direct Observation of Mini-bands in AlGaAs/GaAs Superlattice for Intermediate Band Solar Cell 国際会議

    D. Shimura, K. Hashimoto, F. Ichihashi, S. Harada, T. Ito, M. Kuwahara, M. Matsunami, S. Kimura, T. Sakai,T. Ujihara

    IUMRS-ICEM 2012 

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    開催年月日: 2012年9月23日 - 2012年9月28日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  261. Mechanisms behind low lattice thermal conduction of high density of planar defects containing TiO2-x by atomistic simulations 国際会議

    Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui

    IUMRS-ICEM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月23日 - 2012年9月28日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  262. Direct Observation of Defect Evolution during Solution Growth of SiC by Synchrotron X-ray Topography 国際会議

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi and T. Ujihara

    IUMRS-ICEM 2012 

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    開催年月日: 2012年9月23日 - 2012年9月28日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  263. VS 法による高アスペクト比AlN ウィスカーの成長

    松原弘明,水野恒平,竹内幸久,原田俊太,宇治原徹,青木祐一,小原公和

    第25回セラミックス協会秋季シンポジウム 

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    開催年月日: 2012年9月19日 - 2012年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  264. Al 融液窒化法において成長温度がAlN組織形成に与える影響

    水野恒平,松原弘明,竹内幸久,原田俊太,宇治原徹,青木祐一,小原公和

    第25回セラミックス協会秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月19日 - 2012年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  265. 溶液法によるサファイア基板上へのAlN単結晶成長

    松原弘明,水野恒平,竹内幸久,原田俊太,木藤泰男,奥野英一,宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月11日 - 2012年9月14日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  266. SiC溶液成長における流れがステップバンチングに及ぼす影響

    Can Zhu,原田俊太,関 和明,新家寛正,宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月11日 - 2012年9月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  267. 4H-SiC溶液成長における貫通刃状転位の選択的変換

    原田俊太,山本祐治,関 和明,堀尾篤史,三橋貴仁,宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月11日 - 2012年9月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  268. DPBフリー3C-SiCの溶液成長

    関 和明,原田俊太,宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月11日 - 2012年9月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  269. TSSG法で育成した4H-SiC結晶の窒素ドーピング挙動

    楠 一彦,関 和明,原田俊太,亀井一人,矢代将斉,宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月11日 - 2012年9月14日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  270. Solution growth of DPB-free 3C-SiC 国際会議

    K. Seki, S. Harada, T. Ujihara

    ECSCRM 2012 

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    開催年月日: 2012年9月2日 - 2012年9月6日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ロシア連邦  

  271. Reduction of threading screw dislocation density utilizing defect conversion during solution growth of 4H-SiC 国際会議

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, T. Ujihara

    ECSCRM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月2日 - 2012年9月6日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ロシア連邦  

  272. Influence of solution flow on step bunching in solution growth of SiC 国際会議

    C. Zhu, K. Seki, S. Harada, H. Niinomi, M. Tagawa, T. Ujihara

    ECSCRM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月2日 - 2012年9月6日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ロシア連邦  

  273. Effect of surface polarity on the conversion of threading dislocations in solution growth 国際会議

    Y. Yamamoto, S. Harada, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara

    ECSCRM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月2日 - 2012年9月6日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ロシア連邦  

  274. Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal: conversion of threading edge dislocations by solution growth 国際会議

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, C. Zhu, M. Tagawa, T. Ujihara

    ECSCRM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月2日 - 2012年9月6日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ロシア連邦  

  275. Anisotropy of Lattice Thermal Conduction in TiO2-x with High Density of Planar Defects by Atomistic Simulations 国際会議

    Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui

    The 3rd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations (AMTC3) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年5月9日 - 2012年5月11日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  276. Efficient process for ultrahigh quality 4H-SiC crystal utilizing solution growth on off-axis seed crystal 国際会議

    Shunta HARADA, Yuji YAMAMOTO, Kazuaki SEKI, Atsushi HORIO, Takato MITSUHASHI, Toru UJIHARA

    Materials research society 2012 spring meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年4月9日 - 2012年4月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  277. SiC溶液成長における貫通らせん転位低減の促進

    原田 俊太,山本 祐治,関 和明,堀尾 篤史,三橋貴仁,宇治原 徹

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2012年3月15日 - 2012年3月18日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学 早稲田キャンパス   国名:日本国  

  278. Reduction of Defects in SiC by Solution Growth for High Performance Power Device

    Shunta Harada, Yuji Yamamto, Kazuaki Seki, Toru Ujihara Yuta Yamamoto, Shigeo Arai, Jun Yamasaki and Nobuo Tanaka

    Interational symposium on role of electron microscopy in industry  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月19日 - 2012年1月20日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  279. Formation of Different Polytypes during 4H-SiC Solution Growth 国際会議

    Shunta Harada, Alexander, Kazuaki Seki, Yuji Yamamoto, Toru Ujihara, Jun Yamasaki, Nobuo Tanaka

    ISETS '11 

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    開催年月日: 2011年12月9日 - 2011年12月11日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  280. 溶液成長における4H-SiC上での多形変化挙動

    原田俊太,アレキサンダー,関和明,山本祐治,宇治原徹

    第41回結晶成長国内会議(NCCG-41) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月3日 - 2011年11月5日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  281. Polytype transformation path on 4H-SiC during top-seeded solution growth 国際会議

    Shunta Harada, Alexander, Kazuaki Seki, Yuji Yamamoto, Toru Ujihara

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月28日 - 2011年9月30日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  282. Direct observation of an ordered arrangement of vacancies and large local thermal vibration in rhenium silicide by Cs corrected STEM 国際会議

    Shunta Harada, Katsushi Tanaka Kyosuke Kishida, Norihiko L Okamoto, Noriaki Endo, Eiji Okunishi and Haruyuki Inui

    Materials Research Society Fall Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月29日 - 2010年12月3日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  283. 第三元素を添加したマグネリ相酸化チタンの熱電特性 国際会議

    原田 俊太,田中 克志,乾 晴行

    日本金属学会 

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    開催年月日: 2010年9月25日 - 2010年9月27日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  284. Crystallographic shear structures and thermal conductivity of some thermoelectric Magnèli phase titanium oxides 国際会議

    Shunta Harada, Katsushi Tanaka and Haruyuki Inui

    International conference on intergranular and interphase boundaries in materials (iib2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年6月27日 - 2010年7月2日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  285. シアー構造を有するMagnèli相化合物の構造変化と熱電特性 国際会議

    原田 俊太,田中 克志,乾 晴行

    日本金属学会 

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    開催年月日: 2010年3月27日 - 2010年3月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:筑波大学   国名:日本国  

  286. Reduction in the thermal conductivity of thermoelectric titanium oxide by introduction of planar defects 国際会議

    Shunta Harada, Katsushi Tanaka and Haruyuki Inui

    Materials Research Society Fall Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年11月29日 - 2009年12月3日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  287. HAADF-STEM法によるRe4Si7の結晶構造解析 国際会議

    原田 俊太,田中 克志,岸田 恭輔,岡本 範彦,乾 晴行,遠藤 徳明,奥西 栄治

    日本金属学会 

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    開催年月日: 2009年9月15日 - 2009年9月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学   国名:日本国  

  288. 4H-SiC溶液成長法二段階成長における異種多形の析出抑制 国際会議

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)  2017年11月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松  

  289. 貫通らせん転位が極めて少ない 4H-SiC の溶液成長における多形安定化手法 国際会議

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会  2017年11月1日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場  

  290. 溶液法 SiC 基板を用いて作製した MOS キャパシタの評価 国際会議

    古庄智明, 川畑直之, 古橋壮之, 渡辺友勝, 渡邊寛, 山川聡, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会  2017年11月1日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場  

  291. 溶液成長における溶液状態の高速予測と 網羅的探索により最適化した条件での結晶成長 国際会議

    村井良多, 村山健太, 原田俊太, 畑佐豪記, 角岡洋介, 林宏益, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会  2017年11月1日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場  

  292. 気相法AlNウィスカー成長における形状変化メカニズムの解明 国際会議

    齊藤廣志, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)  2017年11月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松  

  293. 機械学習を活用したSiC溶液成長プロセス・ビュジュアライゼーション 国際会議

    宇治原徹, 畑佐豪記, 角岡洋介, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)  2017年11月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松  

  294. 機械学習による結晶成長条件の予測を用いたSiC溶液成長 国際会議

    林宏益, 村井良多, 朱燦, 村山健太, 角岡洋介, 畑佐豪記, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)  2017年11月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松  

  295. 機械学習による結晶成長条件の予測を用いたSiC溶液成長 国際会議

    林宏益, 村井良多, 朱燦, 村山健太, 角岡洋介, 畑佐豪記, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)  2017年11月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松  

  296. 機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度 国際会議

    畑佐豪記, 角岡洋介, 村井良多, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)  2017年11月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松  

  297. ラマン分光法による GaN 単結晶における貫通転位の刃状成分の解析 国際会議

    小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 原一都, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会  2017年11月1日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場  

  298. X 線トポグラフィーその場観察による 4H-SiC 積層欠陥挙動の窒素濃度依存性評価 国際会議

    藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会  2017年11月1日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場  

  299. Two-Step Sic Solution Growth with Extremely Low-Dislocation-Density 4h-SiC Crystal for Suppression of Polytype Transformation

    K. Murayama, S. Harada, F. Fujie, X. Liu, R. Murai, C. Zhu, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)  2017年9月17日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.  

  300. Smooth Li Electrodeposition on Single Crystal Cu Current Collectors

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The Electrochemical Society (232nd ECS Meeting)  2017年10月1日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Gaylord National Resort & Convention Center, Washington  

  301. SiC溶液成長過程における転位伝播方向制御による高品質化 国際会議

    原田俊太, 村山健太, 村井良多, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)  2017年11月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松  

  302. SiC溶液成長におけるプロセス・インフォマティクス 国際会議

    宇治原徹, 角岡洋介, 畑佐豪記, 村山健太, 村井良多, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)  2017年11月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松  

  303. Real-Time Visualization System for Temperature and Fluid Flow Distributions in SiC Solution Growth Using Prediction Model Constructed by Machine Learning

    G. Hatasa, Y. Tsunooka, S. Lee, K. Murayama, R. Murai, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)  2017年9月17日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.  

  304. High-Speed Prediction Model for Supersaturation and Flow Distribution by CFD Simulation and Machine Learning in SiC Solution Growth

    Y. Tsunooka, N. Kokubo, G. Hatasa, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)  2017年9月17日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.  

  305. Direct Observation of Stacking Faults Expansion in 4H-SiC at High Temperatures by In Situ X-Ray Topography

    F. Fujie, S. Harada, K. Murayama, K. Hanada, P. Chen, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)  2017年9月17日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.  

  306. Automatic Detection of Dislocation contrasts in Birefringence Image of SiC Wafers Using Variance Filter Method

    Shunta Harada

    SSDM2020  2020年9月29日 

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Works(作品等) 2

  1. 日刊工業新聞30面 “拓く研究人”

    2015年9月

  2. 日刊工業新聞30面 “拓く研究人”

    2015年9月

共同研究・競争的資金等の研究課題 17

  1. 強化学習を利用した素形材製造プロセスの自動化

    2021年04月 - 2022年03月

    永井素形材融合分野奨励金 

  2. SiC積層欠陥制御によるパワーデバイス特性劣化の抑制

    2019年04月 - 2020年03月

    研究助成金 

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    資金種別:競争的資金

  3. 酸化物結晶の周期構造制御による熱伝導制御材料の創製

    2018年09月 - 2019年08月

    研究助成 

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    資金種別:競争的資金

  4. 自然超格子の構造変化を利用した熱伝導制御材料の創製

    2018年04月 - 2019年03月

    研究助成 

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    資金種別:競争的資金

  5. 偏光顕微鏡観察と深層学習によるSiC結晶中の転位の自動識別

    2017年12月 - 2018年12月

    研究助成金 

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    資金種別:競争的資金

  6. 機械学習による複屈折像における結晶欠陥の自動識別

    2017年06月 - 2018年06月

    研究助成金 

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    資金種別:競争的資金

  7. 複屈折イメージングによる窒化ガリウム結晶中の転位の自動識別

    2017年04月 - 2018年03月

    研究助成金 

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    資金種別:競争的資金

  8. ナノ構造制御による熱スイッチング材料の創製

    2016年01月 - 2016年12月

    研究助成金 

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    資金種別:競争的資金

  9. 多元系溶媒を用いたSiC溶液成長における活量比による多形制御

    2016年01月

    出版助成 

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    資金種別:競争的資金

  10. 溶液成長過程における貫通転位変換現象の弾性論的考察

    2015年10月

    海外派遣援助 

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    資金種別:競争的資金

  11. 積層欠陥を利用したバルク二次元伝導熱電半導体の実現

    2015年01月 - 2015年12月

    研究助成金 

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    資金種別:競争的資金

  12. 溶液成長過程におけるらせん転位変換による高品質結晶成長メカニズム

    2014年08月

    海外派遣援助 

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    資金種別:競争的資金

  13. シリコンカーバイト溶液成長における欠陥変換挙動

    2013年08月

    海外派遣援助 

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    資金種別:競争的資金

  14. 厚膜化によるらせん転位フリーSiC結晶成長

    2012年12月 - 2013年07月

    研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 

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    資金種別:競争的資金

  15. 積層欠陥を用いたバルク量子井戸型熱電半導体の作製

    2012年04月 - 2013年03月

    研究助成金 

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    資金種別:競争的資金

  16. 微傾斜種結晶を用いた高品質SiC溶液成長

    2012年04月 - 2013年03月

    研究助成金 

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    資金種別:競争的資金

  17. SiCパワーデバイスにおける通電劣化抑制法の開発

    研究助成金 

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科研費 9

  1. インターカレーションによる熱物性変化を活用した熱スイッチ素子の提案

    研究課題/研究課題番号:20K21081  2020年07月 - 2022年03月

    挑戦的研究(萌芽)

    宇治原 徹

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    担当区分:研究分担者 

    熱エネルギーは扱いにくいエネルギーである。最近、熱を制御するためのデバイスが提案され、熱スイッチもその一つである。本研究では、具体的には、非晶質酸化物をベースにイオンの挿入・脱離で熱伝導率が大きく変化する熱伝導可変物質を活用し、熱伝導可変物質とイオン供給層を積層させ、イオンが移動する程度に電圧を短時間印加する。それで高熱伝導状態(on)と断熱状態(off)を切り替える。

  2. 酸化物のマルチモルフィズムと特異な構造物性の材料科学

    研究課題/研究課題番号:18H01733  2018年04月 - 2021年03月

    原田 俊太

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:17550000円 ( 直接経費:13500000円 、 間接経費:4050000円 )

    複数の価数をとる遷移金属酸化物の中には、酸素量の変化を構造的に緩和し、組成によって連続的に結晶構造が変化する、マルチモルフを呈する物質群が存在する。本研究では結晶学的せん断構造と呼ばれる、面欠陥の周期配列を含む酸化物に着目し、酸素量の変化によって、ナノスケールの面欠陥の周期配列を制御する手法を確立することを目指している。また、バルク結晶中に含まれるナノスケールの周期構造による特異な構造物性に関する知見を得ることを目的としている。
    2019年度は、二酸化チタンを真空中で焼鈍することにより、酸素欠損を生じさせた結晶の周期構造の評価を行った。走査型透過電子顕微鏡法により観察した結果、ルチル構造の(132)に周期的な面欠陥が含まれておりその周期は2.9 nmであった。広範囲の観察結果から、面欠陥の周期の標準偏差は50 pm以下 (N = 173)と極めて小さいことが明らかとなった。また、走査型透過電子顕微鏡法による面欠陥の詳細な構造評価を行ったところ、面欠陥周期界面の完全性を評価したところ、界面粗さは5 pm以下となった。これらの値を基に周期界面のコヒーレンスを評価するために、鏡面反射パラメータ p(specularity parameter)を計算したところ、16 THz以下の振動に対してコヒーレンスな界面であることが明らかとなった。これはルチル型二酸化チタンにおける、ほとんど全ての格子振動に対してコヒーレントであることを示しており、熱伝導など格子振動が関わる物理的な性質に対して、波動の干渉により特異な効果が発現することが予想される。
    酸化チタンのマルチモルフィズムを利用して、ナノスケール周期構造をピコスケールで制御することに成功しており、マルチモルフィズムに起因する特異な構造物性の発現が期待できることを確認している。
    2019年度までに構築した熱物性評価装置を利用して、周期構造に起因する特異な構造物性の発現を確認する。

  3. 結晶成長インフォマティクスの方法論の構築

    研究課題/研究課題番号:18H03839  2018年04月 - 2021年03月

    宇治原 徹

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    担当区分:研究分担者 

    当該年度は、次のことを行った。
    (1)成長表面のマクロステップ構造を予測するためにKineticモンテカルロシミュレーションによるステップのダイナミクスの計算手法について確立した。また、溶液の流れを成長界面沖合の原子の進行方向にバイアスをかけることで実現した。さらに、成長速度などを予測することも実現できるようになった。
    (2)熱流体計算と実験によって、結晶成長界面近傍の温度分布・組成分布・流れ分布とステップ高さとの相関を明らかにした。その結果、溶液の流れ分布がステップ高さに大きな影響を与えることが分かった。さらに、ステップの進行方向と溶液流れとの角度とステップ高さの発展との相関を得ることも行った。その結果、ステップ高さが時間に対して発展する場合と、時間に対して減少する場合があることが明らかになった。
    (3)ステップ高さを適度なサイズに維持するためには、(2)の結果によるとステップの進行方向に対する流れ方向を時間に対して変化させる必要がある。しかし、時々刻々と変化する成長条件を実験だけで最適化することは困難である。そこで、結晶表面近傍の流れ方向を予測するモデルを機械学習で構築し、最適な流れ分布の時間変化を実現するための成長条件を半自動的に求めることを行った。その結果、平坦性を維持しつつ成長することが可能となった。最終的には、当初予定の2インチ径を大きく上回る85mm口径の結晶成長にも成功した。
    当初予定では、モンテカルロシミュレーションによって、ステップ高さの時間発展を明らかにし、それをも考慮した予測モデルを構築してから、次年度以降に大口径化に進む予定であったが、モンテカルロシミュレーションによる予測モデルの構築を待たずして、実験と熱流体計算によるマクロステップ高さの予測を可能とし、その結果、最終的に実現する予定であった2インチ以上の結晶成長を前倒しに実現することに成功した。(実際は3インチ以上)しかしながら、モンテカルロシミュレーションの結果のモデル化が、最終的には必要となるため、引き続き開発は行う。また、当初予定を超えた更なる大口径化も推進する。
    今後は以下の3つについて行う。
    (1)Kineticモンテカルロシミュレーションによるマクロステップの予測: 当該年度は基礎技術に関しては構築したので、実際に計算を行う。
    (2)6インチに向けた結晶成長条件の最適化: 当該年度までで、機械学習による予測モデルの構築方法を確立し、最適化のための目的関数も設定できるようになった。今後は、さらに大口径化のための目的関数を構築し、最終的には6インチの結晶成長を目指す。
    (3)マクロステップの予測も含めた機械学習モデルの構築: モンテカルロシミュレーションと実際の実験から、実験条件からステップ高さを予測するモデルを構築する。

  4. バルクSiC結晶中の積層欠陥のアクティブ制御

    研究課題/研究課題番号:17H05331  2017年04月 - 2019年03月

    新学術領域研究(研究領域提案型)

    原田 俊太

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:4030000円 ( 直接経費:3100000円 、 間接経費:930000円 )

    SiC(炭化ケイ素)はSiに代わる次世代パワーデバイス材料として注目されている。SiC中の転位や積層欠陥は、パワーデバイスの性能や信頼性に影響を与えるため、欠陥密度の低減が求められている。SiCパワーデバイスにおいては、積層欠陥の形成が問題になっている。バイポーラデバイスにおいて、順方向動作時に基底面転位からショックレー型積層欠陥(SSF)が拡張し、順方向電圧が降下する現象が報告されている。同様の積層欠陥の拡張は、紫外線照射によっても生じるため、キャリアの再結合が関与していると考えられている。しかしながら、積層欠陥の拡張メカニズムは未だ不明である。
    本研究では、パワーデバイスにおける劣化現象を逆手に取り、SiC結晶中の積層欠陥を外部からのシグナル(紫外光の照射、電圧印加)によってアクティブに積層欠陥を制御することを目指す。このために、本研究では、紫外光照射その場X線トポグラフィ観察と、キャリアライフタイムの測定により、積層欠陥拡張現象を定量化し、転位論と半導体物理をブリッジングする物理モデルを構築することを目的としている。
    2017年度に構築したその場観察システムを活用し、2018年度は積層欠陥の拡張収縮条件の明確化を行った。その結果、100℃以上の比較的低温においても、紫外光照射により、部分転位の運動により、積層欠陥が拡張することが明らかとなった。また、照射強度を低く、温度を高くすることにより、積層欠陥は拡張から収縮に変化することも明らかとなった。温度と紫外光照射強度を系統的に変化させ、積層欠陥の拡張・収縮挙動を観察とキャリアライフタイム測定の結果から、紫外光照射により励起されたキャリアが積層欠陥と部分転位において選択的に再結合をするが、紫外光照射や電圧印加による積層欠陥挙動の駆動力となっていることが示唆された。
    平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
    平成30年度が最終年度であるため、記入しない。

  5. 高品質化の鍵となるSiC貫通転位変換過程のその場観察

    研究課題/研究課題番号:26246019  2014年04月 - 2017年03月

    宇治原 徹

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    担当区分:研究分担者 

    SiCは、シリコンパワーデバイスの性能を遙かに凌ぐ材料として世界中で研究開発が進んでいる。しかし、SiC基板には未だ貫通転位、基底面転位などが含まれており、これらの低減がSiCデバイスの大幅な性能・信頼性向上の鍵となる。本研究では、高温環境での結晶欠陥の挙動を知るために、成長表面その場観察とその場X線トポグラフィーを実現する装置を開発し、実際に観察を行った。

  6. 高品質・低抵抗SiC結晶の実現

    研究課題/研究課題番号:25249034  2013年04月 - 2017年03月

    亀井 一人

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    担当区分:研究分担者 

    SiCは次世代パワーデバイス用材料として期待されている。パワーデバイスの低損失化においては、半導体材料の低抵抗化は不可欠であり、ドーピング濃度を高くする必要がある。SiCでは窒素やアルミニウムをドーパントとして用いるが、ドーピング濃度を高くすると積層欠陥が導入されてしまう.本研究では、高品質結晶成長として有用な溶液成長法において、ドーパント濃度の制御法を確立しつつ、積層欠陥抑制の条件取得を行った。その結果、ドーピング濃度の閾値を明らかにし、さらには、ドーパント取り込みメカニズムも明らかにした。

  7. SiC積層欠陥制御によるバルク量子井戸熱電半導体の実現

    研究課題/研究課題番号:24686078  2012年04月 - 2015年03月

    原田 俊太

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:26000000円 ( 直接経費:20000000円 、 間接経費:6000000円 )

    熱エネルギーと、電気エネルギーの相互変換を可能にする熱電変換材料は、エネルギー有効利用の観点から、注目を集めている。最近の研究で、量子井戸構造による電子の閉じ込めによって、飛躍的に熱電変換特性が向上する事が理論的に予測されている。本研究ではSiC結晶の積層欠陥形成を制御することにより、バルク半導体中に量子井戸構造を形成することを目的としている。
    窒素ドーピングによる結晶成長により、六方晶SiC結晶中に立方晶型の積層欠陥が導入された。立方晶SiCは六方晶SiCよりもバンドギャップが小さいため、形成した積層欠陥は量子井戸となり、バルク結晶中に量子井戸構造を形成することに成功した。

  8. 溶液成長法によるSiC結晶の欠陥自己修復メカニズムの解明

    研究課題/研究課題番号:23860025  2011年08月 - 2013年03月

    原田 俊太

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:3250000円 ( 直接経費:2500000円 、 間接経費:750000円 )

    低損失、高耐圧のSiCパワーデバイス実現の『カギ』を握るのが、SiC単結晶の高品質化である。現在、市販されているSiC単結晶には、高密度の欠陥が含まれている。特に貫通らせん転位(TSD)は、電流のリーク源となり、デバイス特性、信頼性の大幅な低下をもたらす事が知られている。本研究では、溶液成長法における、貫通らせん転位の低減に関する研究を実施した。
    本年度は、溶液法によって成長したSiC結晶中の欠陥のキャラクタリゼーションおよび、欠陥低減メカニズムに関する研究を実施した。
    X線トポグラフィー法および、透過電子顕微鏡法を複合的に用いて、SiC結晶中の欠陥評価を行った結果、溶液成長中に貫通らせん転位が基底面の欠陥に変換していることが明らかとなった。また、貫通らせん転位は、積層欠陥をはさんで複数の部分転位に分解していた。
    表面モフォロジーと貫通らせん転位の変換率を比較すると、ステップバンチングによって生じたマクロステップのステップフロー成長によって、効果的に貫通らせん転位が変換することが明らかとなった。また、微傾斜を設けた種結晶を用いて、ステップフロー成長をエンハンスすることによって、貫通らせん転位の変換率を飛躍的に向上させることに成功した。さらに、種結晶の傾斜角度を変化させることによって、貫通らせん転位の変換率を99%以上にまで向上させ、溶液成長法による、貫通らせん転位フリーの、高品質SiC結晶成長の可能性を示した。

  9. 無転位SiC結晶の実現

    研究課題/研究課題番号:23246004  2011年04月 - 2014年03月

    宇治原 徹

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    担当区分:研究分担者 

    パワーデバイス用材料として現在盛んに研究開発が行われているSiCにおいては、基板結晶の高品質化が極めて重要である。本研究では、溶液成長法によって超高品質結晶の実現を目指した。本研究において我々は結晶成長表面のマクロステップの影響で貫通転位が基底面内の転位やフランク型欠陥へ頻繁に変換することを見いだした。これらの現象は、マクロステップの高さや構造に大きく依存することも明らかにした。この現象を利用することで多くの貫通転位を結晶外部に放出させることができ、実際に、マクロステップを利用することで、高品質結晶を実現した。

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産業財産権 15

  1. 炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

    宇治原徹,原田俊太,古池大輝,梅崎智典

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    出願人:国立大学法人名古屋大学,セントラル硝子

    出願番号:2014-184978  出願日:2014年9月11日

    公開番号:2016-056071  公開日:2016年4月21日

    出願国:国内  

  2. 太陽光で励起された電子のエネルギーの測定方法と測定装置

    宇治原徹,桑原真人,原田俊太,志村大樹,市橋史朗

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2014-554458  出願日:2013年12月24日

    特許番号/登録番号:特許第5991556号  登録日:2016年8月26日 

    出願国:国内  

  3. 3C-SiC単結晶およびその製造方法

    宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明

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    出願人:名古屋大学

    出願番号:2014-532782  出願日:2013年8月26日

    出願国:国内  

  4. 結晶製造装置、SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶

    宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 朱 燦, 長岡 美津也

     詳細を見る

    出願人:名古屋大学

    出願番号:PCT/JP2013/005017  出願日:2013年8月26日

    公開番号:WO 2014/034081 

    出願国:外国  

  5. 結晶製造装置、SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶

    宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 朱 燦, 長岡 美津也

     詳細を見る

    出願人:名古屋大学

    出願番号:14/630,607  出願日:2013年8月26日

    出願国:外国  

  6. 結晶製造装置、SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶

    宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 朱 燦, 長岡 美津也

     詳細を見る

    出願人:名古屋大学

    出願番号:13832154.2  出願日:2013年8月26日

    公開番号:2889397 

    出願国:外国  

  7. 3C-SiC単結晶およびその製造方法

    宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明

     詳細を見る

    出願人:名古屋大学

    出願番号:PCT/JP2013/005016  出願日:2013年8月26日

    公開番号:WO 2014/034080 

    出願国:外国  

  8. SiC結晶の成長方法

    柴田顕次、市川慎一郎、宇治原徹、原田俊太、関和明

     詳細を見る

    出願人:株式会社豊田自動織機

    出願番号:TW101147316  出願日:2012年12月14日

    公開番号:WO2013/088947 

    出願国:外国  

  9. SiC結晶の結晶成長方法およびSiC結晶基板

    柴田顕次、市川慎一郎、宇治原徹、原田俊太、関和明

     詳細を見る

    出願人:株式会社豊田自動織機

    出願番号:TW101147322  出願日:2012年12月14日

    公開番号:WO2013/088948 

    出願国:外国  

  10. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹,原田俊太,朱燦

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2012-185975  出願日:2012年8月26日

    公開番号:2014-043369  公開日:2014年3月13日

    特許番号/登録番号:特許第6069758号  登録日:2017年1月13日 

    出願国:国内  

  11. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹,原田俊太,朱燦

     詳細を見る

    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2012-185973  出願日:2012年8月26日

    公開番号:2014-043367  公開日:2014年3月13日

    特許番号/登録番号:特許第5975482号  登録日:2016年7月29日 

    出願国:国内  

  12. SiC結晶の成長方法

    柴田顕次、市川慎一郎、宇治原徹、原田俊太、関和明

     詳細を見る

    出願番号:2011-275588(JP)  出願日:2011年12月16日

    公開番号:2013‐124214 

    出願国:国内  

  13. SiC結晶の結晶成長方法およびSiC結晶基板

    柴田顕次、市川慎一郎、宇治原徹、原田俊太、関和明

     詳細を見る

    出願番号:2011-275589(JP)  出願日:2011年12月16日

    公開番号:2013‐124215 

    出願国:国内  

  14. SiC結晶の成長方法およびSiC結晶の製造装置

    宇治原徹,原田俊太,関和明,柴田顕次,市川慎一郎,今岡功

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    出願人:豊田自動織機,国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2011-275588  出願日:2011年12月16日

    公開番号:2013-124214  公開日:2013年6月24日

    特許番号/登録番号:特許第5936344号  登録日:2016年5月20日 

    出願国:国内  

  15. SiC結晶の成長方法、SiC結晶の製造装置、および結晶基板

    宇治原徹,原田俊太,関和明,柴田顕次,市川慎一郎

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    出願人:豊田自動織機,国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2011-275587  出願日:2011年12月16日

    公開番号:2013-124213  公開日:2013年6月24日

    特許番号/登録番号:特許第5936343号  登録日:2016年5月20日 

    出願国:国内  

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担当経験のある科目 (本学) 32

  1. 先端プロセス工学セミナー

    2020

  2. 学生実験2

    2020

  3. 学生実験1

    2020

  4. 力学II

    2020

  5. 材料工学実験第1

    2018

  6. 数値解析演習

    2018

  7. 電磁気学II

    2018

  8. 力学II

    2017

  9. 数値解析演習

    2017

  10. 材料工学基礎実験

    2017

  11. 材料工学実験第1

    2017

  12. 材料工学実験第1

    2016

  13. 物理工学科概論

    2016

  14. 材料工学基礎実験

    2016

  15. 材料工学実験第1

    2015

  16. 材料工学基礎実験

    2015

  17. 材料工学実験第2

    2015

  18. 物理工学科概論

    2015

  19. 材料工学基礎実験

    2014

  20. 材料工学実験第1

    2014

  21. 材料工学実験第2

    2014

  22. 物理工学科概論

    2014

  23. 材料工学実験第1

    2013

  24. 材料工学実験第2

    2013

  25. 物理工学科概論

    2013

  26. 材料工学基礎実験

    2013

  27. 材料工学実験第2

    2012

  28. 材料工学実験第1

    2012

  29. 物理工学科概論

    2012

  30. 材料工学基礎実験

    2012

  31. 物理工学科概論

    2011

  32. 材料工学実験第1

    2011

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担当経験のある科目 (本学以外) 1

  1. 材料工学基礎実験

    名古屋大学)

 

社会貢献活動 1

  1. 基盤産業支援セミナー

    講師

    あいち産業科学技術総合センター  「結晶の分析・評価」 ~シンクロトロン光によって見えるもの~  2017年12月

     詳細を見る

    対象: 研究者, 企業, 行政機関

    種別:セミナー・ワークショップ