2023/01/03 更新

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ハラダ シュンタ
原田 俊太
HARADA Shunta
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 准教授
大学院担当
大学院工学研究科
職名
准教授
連絡先
メールアドレス
プロフィール
結晶欠陥の研究を軸に、製造プロセスや材料計測の高度化、ピコスケールの構造制御(ピコテクノロジー)に立脚した、熱振動の干渉を利用したコヒーレント熱伝導制御、パワーデバイス劣化抑制の研究を行っています。
「スペクトル超解像による分光分析の高度化」についてはこちらのwebサイトをご覧ください。→ https://spectralsr.com/
外部リンク

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2011年3月   京都大学 ) 

研究キーワード 11

  1. パワー半導体

  2. 原子構造制御

  3. 熱伝導

  4. 結晶成長

  5. 結晶欠陥

  6. 製造プロセスへの機械学習応用

  7. 熱伝導

  8. 結晶欠陥

  9. 結晶成長

  10. 機械学習

  11. スペクトル超解像

研究分野 3

  1. ナノテク・材料 / 構造材料、機能材料  / 結晶欠陥制御

  2. ナノテク・材料 / 結晶工学  / 結晶成長、結晶評価

  3. ナノテク・材料 / 金属生産、資源生産  / 材料製造プロセス

現在の研究課題とSDGs 5

  1. ピコスケール構造制御による新奇熱輸送制御

  2. スペクトル超解像による分光分析の高精度化

  3. パワーデバイスSiC結晶の欠陥制御によるデバイス信頼性の向上

  4. 計測技術と数理解析技術の連動による半導体検査の高度化

  5. in-situ観察による材料製造の高効率化・自動化技術の開発

経歴 12

  1. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター   准教授

    2020年6月 - 現在

  2. 国立研究開発法人科学技術振興機構   さきがけ研究員

    2018年10月 - 2022年3月

  3. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部   講師

    2017年4月 - 2020年5月

  4. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター   講師

    2017年4月 - 2020年5月

  5. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部   助教

    2015年10月 - 2017年3月

  6. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター   助教

    2015年10月 - 2017年3月

  7. 名古屋大学   グリーンモビリティ連携研究センター グリーンモビリティ連携研究センター運営統括室   助教

    2014年4月 - 2015年9月

  8. 名古屋大学   グリーンモビリティ連携研究センター   助教

    2014年4月 - 2015年9月

  9. 名古屋大学   大学院工学研究科マテリアル工学専攻   助教

    2011年4月 - 2014年4月

  10. 名古屋大学   大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻 材料プロセス創成工学   助教

    2011年4月 - 2014年3月

  11. 京都大学   大学院工学研究科材料工学専攻   研究員

    2008年4月 - 2011年3月

  12. 京都大学   大学院工学研究科材料工学専攻   研究員

    2008年4月 - 2011年3月

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学歴 2

  1. 京都大学   工学研究科   材料工学専攻

    2006年4月 - 2011年3月

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    国名: 日本国

  2. 京都大学   工学部

    2002年4月 - 2006年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 6

  1. 応用物理学会   会員

    2011年7月 - 現在

  2. 日本結晶成長学会   会員

    2011年11月 - 現在

  3. 日本金属学会   会員

    2005年11月 - 現在

  4. 応用物理学会

  5. 日本結晶成長学会

  6. 日本金属学会

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委員歴 16

  1. 応用物理学会 先進パワー半導体分科会   幹事  

    2016年4月 - 現在   

  2. 応用物理学会インフォマティクス応用研究グループ   幹事  

    2020年4月 - 現在   

  3. ICSCRM組織委員会   委員  

    2020年12月 - 現在   

  4. SSDM2017 論文委員会   Area 14 vice-chair  

    2017年1月 - 2017年12月   

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    団体区分:学協会

  5. SSDM2017 論文委員会   Area 14 vice-chair  

    2017年1月 - 2017年12月   

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    団体区分:学協会

  6. 応用物理学会 先進パワー半導体分科会   幹事  

    2016年4月 - 現在   

  7. SSDM2016 論文委員会   編集委員  

    2016年1月 - 2016年12月   

  8. SSDM2016 論文委員会   編集委員  

    2016年1月 - 2016年12月   

  9. ICCGE-18 現地実行委員会   実行委員  

    2015年9月 - 2016年12月   

  10. ICCGE-18 現地実行委員会   実行委員  

    2015年9月 - 2016年12月   

  11. SSDM2015 論文委員会   編集委員  

    2015年1月 - 2015年12月   

  12. ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015   現地実行委員  

    2015年1月 - 2015年12月   

  13. SSDM2015 論文委員会   編集委員  

    2015年1月 - 2015年12月   

  14. ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015   現地実行委員  

    2015年1月 - 2015年12月   

  15. SSDM2014 論文委員会   委員  

    2014年1月 - 2014年12月   

  16. SSDM2014 論文委員会   委員  

    2014年1月 - 2014年12月   

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受賞 14

  1. Young Researcher Award

    2022年9月   DRIP XIX Executive Committee   Identifying edge-component Burgers vector of threading dislocations in SiC crystals by birefringence imaging

    Shunta Harada, Kenta Murayama

  2. 2022年春季講演大会 第38回ポスターセッション 優秀ポスター賞

    2022年3月   日本金属学会   Cr添加酸化チタンにおける面欠陥不規則配列の形成

    位田 麻衣, 杉本 峻也, 服部 泰河, 田川 美穂, 宇治原, 徹, 原田 俊太

  3. 優秀ポスター賞

    2021年7月   第5回フォノンエンジニアリング研究会   Control of an Ordered Arrangement of Coherent Interfaces to Phoons in Titanium-Chromium Oxide Natural Superlattices

    杉本 峻也, 原田俊太

  4. 第14回奨励賞

    2016年   日本結晶成長学会  

  5. 第14回奨励賞

    2016年   1. 日本結晶成長学会  

  6. ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015 Best presentation award

    2015年3月   ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015  

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    受賞国:日本国

  7. 愛知県若手研究者イノベーション創出奨励事業第9回「わかしゃち奨励賞」最優秀賞

    2015年1月   愛知県  

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    受賞国:日本国

  8. 愛知県若手研究者イノベーション創出奨励事業第9回「わかしゃち奨励賞」最優秀賞

    2015年1月   愛知県  

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    受賞国:日本国

  9. Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014

    2014年10月   MRS-J  

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    受賞国:日本国

  10. Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014

    2014年10月   MRS-J  

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    受賞国:日本国

  11. 2010 International Metallographic Contest (IMC) class 3 (Transmission and Analytical), Third place

    2010年8月   The International Metallographic Society  

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    受賞国:アメリカ合衆国

  12. 2010 International Metallographic Contest (IMC) class 3 (Transmission and Analytical), Third place

    2010年8月   The International Metallographic Society  

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    受賞国:アメリカ合衆国

  13. 第60回日本金属学会金属組織写真賞優秀賞

    2010年3月   日本金属学会  

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    受賞国:日本国

  14. 第60回日本金属学会金属組織写真賞優秀賞

    2010年3月   日本金属学会  

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    受賞国:日本国

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論文 176

  1. Thermal conduction in titanium-chromium oxide natural superlattices with an ordered arrangement of nearly pristine interfaces

    Sugimoto Shunya, Kim Gareoung, Takeuchi Tsunehiro, Tagawa Miho, Ujihara Toru, Harada Shunta

    JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS   934 巻   2023年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Alloys and Compounds  

    Thermal conduction was investigated in titanium-chromium oxide natural superlattices with an ordered arrangement of crystallographic shear planes, which were nearly pristine interfaces for thermal phonons. Thermal conductivity exhibited a clear maximum value at around 50 K, which indicates interface roughness as small as 20 pm based on the calculation of thermal conductivity by a modified Debye-Callaway model. With an ordered arrangement of nearly pristine interfaces at nanoscale, the wave contribution to phonon transport was estimated to be predominant at lower temperatures (less than 100 K) and as much as 30 % even at room temperature. We found that the interface roughness greatly influences the thermal conduction in natural superlattice systems, which may lead to variations in the reported value of thermal conductivity. We have demonstrated that the wave contribution of thermal conductivity become apparent in bulk crystal having nano scale periodic structure with pristine interfaces.

    DOI: 10.1016/j.jallcom.2022.167915

    Web of Science

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  2. Analysis of carrier lifetime in a drift layer of 1.2-kV class 4H-SiC devices toward complete suppression of bipolar degradation

    Mii Toshiki, Sakane Hitoshi, Harada Shunta, Kato Masashi

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   153 巻   2023年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science in Semiconductor Processing  

    We analyzed the carrier lifetime in a drift layer of 1.2 kV-class SiC p-n diodes to suppress bipolar degradation. According to the device simulation results, the required carrier lifetime in the drift layer was estimated to be shorter than 10 ns with a current density of 300 A/cm2 if the threshold hole density for the expansion of the stacking fault at the interface of the drift layer and substrate was 2 × 1016 cm−3. Numerical analysis revealed that to ensure a carrier lifetime shorter than 10 ns, the 1/e2 lifetime obtained by microwave photoconductivity decay (μ-PCD) measurements should be shorter than 7.2 ns. Experimental μ-PCD measurements showed that 1/e2 lifetimes obtained from the as-received epiwafer were much longer than 7.2 ns, and even after H+ implantation, high-temperature annealing, or electron irradiation, 1/e2 lifetimes were still long. Therefore, carrier lifetime control in the drift layer is not sufficient to suppress bipolar degradation, and a combination of carrier lifetime control with other methods is necessary for the fabrication of 1.2 kV-class SiC p-n diodes for the complete suppression of bipolar degradation at a current capacity of 300 A/cm2.

    DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107126

    Web of Science

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  3. Prediction of operating dynamics in floating-zone crystal growth using Gaussian mixture model 査読有り

    R. Omae, S. Sumitani, Y. Tosa, S. Harada

    Science and Technology of Advanced Materials: Methods   2 巻 ( 1 ) 頁: 294 - 301   2022年12月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Informa UK Limited  

    DOI: 10.1080/27660400.2022.2107884

  4. 非弾性X線散乱によるルチル型酸化チタンのフォノン分散測定 査読有り

    原田 俊太, 小坂 直輝, 筒井 智嗣, 田中 克志, 田川 美穂, 宇治原 徹

      10 巻 ( 6 ) 頁: 521 - 523   2022年12月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  5. Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC PiN diodes using proton implantation to solve bipolar degradation

    Kato Masashi, Watanabe Ohga, Mii Toshiki, Sakane Hitoshi, Harada Shunta

    SCIENTIFIC REPORTS   12 巻 ( 1 )   2022年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Scientific Reports  

    4H-SiC has been commercialized as a material for power semiconductor devices. However, the long-term reliability of 4H-SiC devices is a barrier to their widespread application, and the most important reliability issue in 4H-SiC devices is bipolar degradation. This degradation is caused by the expansion of single Shockley stacking-faults (1SSFs) from basal plane dislocations in the 4H-SiC crystal. Here, we present a method for suppressing the 1SSF expansion by proton implantation on a 4H-SiC epitaxial wafer. PiN diodes fabricated on a proton-implanted wafer show current–voltage characteristics similar to those of PiN diodes without proton implantation. In contrast, the expansion of 1SSFs is effectively suppressed in PiN diodes with proton implantation. Therefore, proton implantation into 4H-SiC epitaxial wafers is an effective method for suppressing bipolar degradation in 4H-SiC power-semiconductor devices while maintaining device performance. This result contributes to the development of highly reliable 4H-SiC devices.

    DOI: 10.1038/s41598-022-23691-y

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  6. Optimization of Flow Distribution by Topological Description and Machine Learning in Solution Growth of SiC 査読有り

    Isono Masaru, Harada Shunta, Kutsukake Kentaro, Yokoyama Tomoo, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ADVANCED THEORY AND SIMULATIONS   5 巻 ( 9 ) 頁: 2200302   2022年9月

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    担当区分:責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Advanced Theory and Simulations  

    The macroscopic distribution of fluid flows, which affect the quality of final products for various kinds of materials, is often difficult to describe in mathematical formulae and hinders the implementation of empirical knowledge in scaling up. In the present study, the characteristics of the flow distribution in silicon carbide (SiC) solution growth are described by using the position of the saddle point and the solution growth conditions are optimized by computational fluid dynamics simulation, machine learning, and a genetic algorithm. As a result, the candidates of the optimal condition for the solution growth of 6-in. SiC crystals are successfully obtained from the empirical knowledge gained from 3-in. crystal growth, by adding the topological description to the objective function. The present design of the objective function using the topological description can possibly be applied to other crystal growth or materials processing problems and to overcome scale-up difficulties, which can facilitate the rapid development of functional materials such as SiC wafers for power device applications.

    DOI: 10.1002/adts.202200302

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  7. A Transfer Learning-Based Method for Facilitating the Prediction of Unsteady Crystal Growth 査読有り

    Dang Yifan, Kutsukake Kentaro, Liu Xin, Inoue Yoshiki, Liu Xinbo, Seki Shota, Zhu Can, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ADVANCED THEORY AND SIMULATIONS   5 巻 ( 9 ) 頁: 2200204   2022年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Advanced Theory and Simulations  

    Real-time prediction and dynamic control systems that can adapt to an unsteady environment are necessary for material fabrication processes, especially crystal growth. Recent studies have demonstrated the effectiveness of machine learning in predicting an unsteady crystal growth process, but its wider application is hindered by the large amount of training data required for sufficient accuracy. To address this problem, this study investigates the capability of transfer learning to predict geometric evolution in an unsteady silicon carbide (SiC) solution growth system based on a small amount of data. The performance of transferred models is discussed regarding the effect of the transfer learning method, training data amount, and time step length. The transfer learning strategy yields the same accuracy as that of training from scratch but requires only 20% of the training data. The accuracy is stably inherited through successive time steps, which demonstrates the effectiveness of transfer learning in reducing the required amount of training data for predicting evolution in an unsteady crystal growth process. Moreover, the transferred models trained with relatively more data (no more than 100%) further improve the accuracy inherited from the source model through multiple time steps, which broadens the application scope of transfer learning.

    DOI: 10.1002/adts.202200204

    Web of Science

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  8. Suppression of stacking fault expansion in a 4H-SiC epitaxial layer by proton irradiation 査読有り

    Harada Shunta, Mii Toshiki, Sakane Hitoshi, Kato Masashi

    SCIENTIFIC REPORTS   12 巻 ( 1 ) 頁: 13542   2022年8月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Scientific Reports  

    SiC bipolar degradation, which is caused by stacking fault expansion from basal plane dislocations in a SiC epitaxial layer or near the interface between the epitaxial layer and the substrate, is one of the critical problems inhibiting widespread usage of high-voltage SiC bipolar devices. In the present study, we investigated the stacking fault expansion behavior under UV illumination in a 4H-SiC epitaxial layer subjected to proton irradiation. X-ray topography observations revealed that proton irradiation suppressed stacking fault expansion. Excess carrier lifetime measurements showed that stacking fault expansion was suppressed in 4H-SiC epitaxial layers with proton irradiation at a fluence of 1 × 1011 cm−2 without evident reduction of the excess carrier lifetime. Furthermore, stacking fault expansion was also suppressed even after high-temperature annealing to recover the excess carrier lifetime. These results implied that passivation of dislocation cores by protons hinders recombination-enhanced dislocation glide motion under UV illumination.

    DOI: 10.1038/s41598-022-17060-y

    Web of Science

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    PubMed

  9. Observation of in-plane shear stress fields in off-axis SiC waters by birefringence imaging 査読有り

    Harada Shunta, Murayama Kenta

    JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY   55 巻   頁: 1029 - 1032   2022年8月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Crystallography  

    For the nondestructive characterization of SiC wafers for power device application, birefringence imaging is one of the promising methods. In the present study, it is demonstrated that birefringence image contrast variation in off-axis SiC wafers corresponds to the in-plane shear stress under conditions slightly deviating from crossed Nicols according to both theoretical consideration and experimental observation. The current results indicate that the characterization of defects in SiC wafers is possible to achieve by birefringence imaging.

    DOI: 10.1107/S1600576722006483

    Web of Science

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  10. 「スペクトル超解像」による分光分析の高精度化 招待有り

    原田俊太

    OplusE   44 巻 ( 3 ) 頁: 217 - 217   2022年5月

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    担当区分:筆頭著者, 最終著者, 責任著者   記述言語:日本語  

  11. 品質管理へのAI活用の現状と展望—外観検査・棚卸しの自動化を例に 招待有り 査読有り

    炭谷翔悟、西田陽良、原田俊太

    システム/制御/情報   66 巻 ( 5 ) 頁: 161 - 167   2022年5月

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    担当区分:最終著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  12. Designing a High-Crystallinity Nano-Gapped Particle Superlattice via DNA-Guided Colloidal Crystallization and Dehydration 査読有り

    Sumi Hayato, Ohta Noboru, Sekiguchi Hiroshi, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tsukamoto Katsuo, Tagawa Miho

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   22 巻 ( 6 ) 頁: 3708 - 3718   2022年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    For the emergence of quantum effects such as plasmonic enhancement, we successfully assembled high-crystallinity nano-gapped particle superlattices composed of sub-10 nm nanoparticles into the solid state through the self-assembly of DNA-programmed nanoparticles (DNA-NPs) in solution followed by dynamic isotropic contraction during dehydration. By this method of isotropic contraction, the crystal symmetry of the self-assembled DNA-NP superlattice in solution was inherited into a dehydrated and contracted one. The optimal isotropic contraction during dehydration was achieved by minimizing the g-factor, which is the index value of the degree of crystallinity. The g-factor was calculated using small-angle X-ray scattering and scanning electron microscopy data for self-assembled DNA-NP superlattices before and after dehydration. The experimental success was driven by our theoretical prediction based on the geometrical calculation regarding the spatial restriction of the nearest-neighbor particle arrangement in a three-dimensional crystal lattice, which was quantified as the particle volume fraction in the lattice, φ. By reducing the nanogap to less than 4 nm through DNA-programmed sub-10 nm nanoparticle crystallization, nanofabrication on a scale exhibiting quantum effects in a bottom-up manner would be feasible.

    DOI: 10.1021/acs.cgd.2c00075

    Web of Science

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  13. Crossover from incoherent to coherent thermal conduction in bulk titanium oxide natural superlattices 査読有り

    Harada Shunta, Kosaka Naoki, Yagi Takashi, Sugimoto Shunya, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    SCRIPTA MATERIALIA   208 巻   2022年2月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Scripta Materialia  

    We have investigated thermal conduction in bulk titanium oxide natural superlattices with crystallographic shear (CS) structures, in which dense planar faults are introduced with different periodicities, prepared by reductive annealing of rutile TiO2 and crystal growth by the floating zone method. High-angle annular dark-field (HAADF) scanning transmission electron microscopy (STEM) revealed that (132)rutile and (121)rutile CS planes with interspacings of 2.7 and 1.0 nm were introduced in the mother rutile structure. Time-domain thermoreflectance (TDTR) revealed that the thermal conductivity decreased by the introduction of CS planes, but that the decrease is not monotonic with increasing density of CS planes. Calculation of the thermal conductivity and the mean free path for phonons revealed that a crossover from incoherent to coherent thermal conduction took place, and coherent interfaces with nanoscale periodicity were formed as thermodynamically stable phases in bulk titanium oxide natural superlattices.

    DOI: 10.1016/j.scriptamat.2021.114326

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  14. Numerical investigation of solute evaporation in crystal growth from solution: A case study of SiC growth by TSSG method 査読有り

    Dang Y., Zhu C., Liu X., Yu W., Liu X., Suzuki K., Furusho T., Harada S., Tagawa M., Ujihara T.

    Journal of Crystal Growth   579 巻   2022年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    Evaporation of the volatile solute from the liquid phase is a common problem for the crystal grown from solution, especially for the growth under high temperature. In the present study, a numerical model was constructed to quantitatively investigate the evaporation process in crystal growth. This model was applied in top-seeded solution growth (TSSG) of SiC crystal to simulate the transport of aluminum (Al), which is important for crystal surface morphology but easy to vaporize. The transport path of Al in the growth system was determined by analyzing the possible reactions on different boundaries. Accordingly, an improved structure was proposed to suppress the evaporation loss of Al during long-term growth, and was compared with the original case both numerically and experimentally. The simulation results showed that the improved structure could effectively decrease the Al loss by over 70%, and meanwhile had almost no influence on the thermal and flow environment in the solution. For the experimental results, the improved case presented much lower spontaneous nucleation possibilities and higher step height on the crystal surface, which matched well with the features of high Al addition in literatures. Therefore, the improved structure proposed in the present study was proven to be effective to enhance the composition stability of solution during long-term SiC solution growth, and this numerical method could be applied in the growth of other crystals facing the similar problem.

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126448

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  15. Application of Bayesian Super-Resolution to Spectroscopic Data for Precise Characterization of Spectral Peak Shape 査読有り

    Tsujimori Kota, Hirotani Jun, Harada Shunta

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   51 巻 ( 2 ) 頁: 712 - 717   2022年2月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Electronic Materials  

    The number of data points of digitally recorded spectra have been limited by the number of multichannel detectors employed, which sometimes impedes the precise characterization of spectral peak shape. Here we describe a methodology to increase the number of data points as well as the signal-to-noise (S/N) ratio by applying Bayesian super-resolution in the analysis of spectroscopic data. In our present method, first, the hyperparameters for the Bayesian super-resolution are determined by a virtual experiment imitating actual experimental data, and the precision of the super-resolution reconstruction is confirmed by the calculation of errors from the ideal values. For validation of the super-resolution reconstruction of spectroscopic data, we applied this method to the analysis of Raman spectra. From 200 Raman spectra of a reference Si substrate with a data interval of about 0.8 cm−1, super-resolution reconstruction with a data interval of 0.01 cm−1 was successfully achieved with the promised precision. From the super-resolution spectrum, the Raman scattering peak of the reference Si substrate was estimated as 520.55 (+0.12, −0.09) cm−1, which is comparable to the precisely determined value reported in previous works. The present methodology can be applied to various kinds of spectroscopic analysis, leading to increased precision in the analysis of spectroscopic data and the ability to detect slight differences in spectral peak positions and shapes.

    DOI: 10.1007/s11664-021-09326-4

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  16. Solvent design aiming at solution property induced surface stability: A case study using SiC solution growth 査読有り

    Liu Xinbo, Dang Yifan, Suzuki Koki, Zhu Can, Yu Wancheng, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   578 巻   2022年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    For solution growth of silicon carbide, it is significant to understanding the evolutionary mechanism of step bunching. This study infers that solute's incorporation into steps and transport together determines step bunching progress. The occurrence of step bunching is due to the depletion of solute in the region with high step density, caused by a high step kinetic coefficient. On the other hand, by promoting the transport of the solute in the solution, the step speed becomes uniform, thereby the step bunching can be prevented. Furthermore, we proposed a non-dimensional Damköhler number for crystal growth in step-flow mode. It correlates incorporation rates with bulk diffusion rates and can build a phase map of growth rates and step bunching stability. Several solvents are located in the phase map, demonstrating the possible usage of the phase map as a pointer for solvent designing.

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126425

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  17. Automatic Detection of Basal Plane Dislocations in a 150-mm SiC Epitaxial Wafer by Photoluminescence Imaging and Template-matching Algorithm 査読有り

    Harada Shunta, Tsujimori Kota, Matsushita Yosuke

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   51 巻 ( 1 ) 頁: 243 - 248   2022年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Electronic Materials  

    In this study, an algorithm was constructed for the automatic detection of basal plane dislocations (BPDs) propagating in SiC epitaxial layers in photoluminescence images, and its performance was evaluated. The BPDs are the origin of the degradation of SiC bipolar devices caused by the expansion of stacking faults. The present automatic detection algorithm, based on the template-matching method, was confirmed to have high accuracy and precision, and we succeeded in visualizing the BPD density in 150-mm SiC epitaxial wafers. We confirmed that the template-matching method is applicable for the detection of crystalline defects with geometrically fixed shapes such as BPDs in SiC epitaxial layers.

    DOI: 10.1007/s11664-021-09284-x

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  18. High fracture toughness AlN achieved by addition of AlN whiskers and tape-casting 査読有り

    Shimizu Hiroki, Kondo Naoki, Shimamura Akihiro, Hotta Mikinori, Harada Shunta, Ujihara Toru, Ohnishi Yoshihiro

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   130 巻 ( 1 ) 頁: 195 - 198   2022年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of the Ceramic Society of Japan  

    Aluminum nitride (AlN) possesses excellent thermal conductivity and electrical resistivity, which makes it an ideal candidate for high-power, high-speed integrated circuit substrates. Its low fracture toughness requires the manufacturing of thicker substrates. However, this leads to degraded heat dissipation performance. Herein, we investigated a new strategy, combining the addition of AlN whiskers and tape-casting, to overcome the low fracture toughness disadvantage. The sintered AlN with AlN whiskers addition induced the formation of a highly anisotropic microstructure with aligned rod-like grains, effectively enhancing the fracture toughness to 6.7MPam1/2, while maintaining thermal conductivity but degrading strength.

    DOI: 10.2109/jcersj2.21143

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  19. シミュレーションに基づく結晶成長プロセスインフォマティクス

    沓掛 健太朗, 角岡 洋介, 郁 万成, 黨 一帆, 原田 俊太, 宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌   49 巻 ( 1 ) 頁: n/a   2022年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    DOI: 10.19009/jjacg.49-1-06

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  20. Immobilization of partial dislocations bounding double Shockley stacking faults in 4H-SiC observed by in situ synchrotron X-ray topography 査読有り

    Fujie Fumihiro, Harada Shunta, Suo Hiromasa, Raghothamachar Balaji, Dudley Michael, Hanada Kenji, Koizumi Haruhiko, Kato Tomohisa, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    MATERIALIA   20 巻   2021年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materialia  

    The expansion of double Shockley stacking faults (DSFs) in an n-type 4H-SiC substrate with a nitrogen concentration of 3.9 × 1019 cm−3 was investigated using in situ synchrotron X-ray topography. DSF expansion was observed to be suppressed and immobilized above 1590 K, along with the partial dislocation (PD) shape being changed from a straight to zig-zag configuration. For a different heating process (higher heating rate), the PDs could continue to expand, even above 1590 K. Ex situ topography experiments revealed that the DSFs close to the specimen surface expanded widely, although those expanding toward the specimen interior became immobile. One possible mechanism for this immobilization was proposed, where the core structural changes from a Si-core to the C-core by non-conservative motion induced by the interaction between the PDs and point defects (C interstitials).

    DOI: 10.1016/j.mtla.2021.101246

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  21. Surface relaxation and photoelectric absorption effects on synchrotron X-ray topographic images of dislocations lying on the basal plane in off-axis 4H-SiC crystals 査読有り

    Ailihumaer Tuerxun, Peng Hongyu, Fujie Fumihiro, Raghothamachar Balaji, Dudley Michael, Harada Shunta, Ujihara Toru

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS   271 巻   2021年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology  

    A more sophisticated simulation model is developed based on the principle of ray-tracing to simulate the grazing-incidence synchrotron X-ray topographic contrast of dislocations lying on the basal plane including basal plane dislocations and deflected threading screw and mixed dislocations in off-axis 4H-SiC crystals. The model incorporates effects of surface relaxation as well as the photoelectric absorption to predict dislocation contrast. Compared to conventional ray-tracing images, surface relaxation effects dominate dislocation contrast for diffraction near the crystal surface. The simulated dislocation contrast gradually weakens with increasing depth of the diffracted beam position within the crystal due to photoelectric absorption. The distinctive features of the net simulated dislocation images obtained by aggregating through the effective penetration depth correlate well with contrast features observed on the experimental topographic images. Depth analysis reveals that in some cases the diffracted X-rays from regions below the dislocation can contribute additional contrast features previously not considered.

    DOI: 10.1016/j.mseb.2021.115281

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  22. Two-Step Nanoparticle Crystallization via DNA-Guided Self-Assembly and the Nonequilibrium Dehydration Process 査読有り

    Sumi Hayato, Ohta Noboru, Sekiguchi Hiroshi, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tsukamoto Katsuo, Tagawa Miho

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   21 巻 ( 8 ) 頁: 4506 - 4515   2021年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DNA strands are powerful tools as ligand molecules that bind nanoparticles to each other via programmable self-assembly for colloidal crystallization. We found that hydrated DNA-functionalized nanoparticle (DNA-NP) superlattices with a properly controlled volume fraction and spatial arrangement of nanoparticles successfully maintained their crystallinity even after dehydration, which involves drastic contraction. A detailed study of the structural changes was performed for the self-assembled DNA-NP sample using small-angle X-ray scattering (SAXS) after dehydration. Then, an optimal volume fraction of nanoparticles in the superlattice, φ, which minimized the level of distortion of the dehydrated superlattice, was found for each bcc and fcc structure. By acquiring clear SAXS diffraction patterns showing crystal symmetries for dehydrated DNA-NP superlattices, their lattice distortion was evaluated using our analysis technique, which is based on Hosemann's paracrystalline theory and involves SAXS and scanning electron microscopy data. Geometrical calculations substantiated the ease of movement of a nanoparticle under the influence of repulsions from adjacent particles that mainly affect the dehydration stability. These results suggest that it is possible to design the crystal structure of solid nanoparticle superlattices via DNA-guided nanoparticle assembly under a near-equilibrium state in solution as the first step, followed by dehydration under nonequilibrium conditions as the second step.

    DOI: 10.1021/acs.cgd.1c00398

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  23. Y Local Atomic Structures for Tunable Ordered Arrangements of Crystallographic Shear Planes in Titanium-Chromium Oxide Natural Superlattices 査読有り

    Harada Shunta, Sugimoto Shunya, Kosaka Naoki, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   125 巻 ( 28 ) 頁: 15730 - 15736   2021年7月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Physical Chemistry C  

    The atomic structure of titanium-chromium oxide natural superlattices with different compositions having an ordered arrangement of crystallographic shear (CS) planes was investigated by high-angle annular dark-field (HAADF) scanning transmission electron microscopy (STEM) and electron diffraction, using polycrystalline ceramics prepared by arc-melting and heat treatment. Analysis of the electron diffraction patterns revealed that not only the interspacing but also the direction of planar faults changed depending on the chromium concentration. HAADF-STEM observations showed that the atomic arrangements of CS planes deviating from (121)rutile are random arrangements of (121)rutile CS planes and (011)rutile antiphase boundaries. Using a random walk model and by calculating the specularity parameter, we found that the CS planes in titanium-chromium oxides behave as coherent interfaces for phonons based on the estimation of interface roughness.

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c04516

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  24. Ordered Arrangement of Planar Faults with Picoscale Perfection in Titanium Oxide Natural Superlattices 査読有り

    The Journal of Physical Chemistry C   125 巻 ( 20 ) 頁: 11175 - 11181   2021年5月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c01831

  25. Design of automatic detection algorithm for dislocation contrasts in birefringence images of SiC wafers 査読有り

    Kawata Akira, Murayama Kenta, Sumitani Shogo, Harada Shunta

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abde29

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  26. Synchrotron X-ray topographic image contrast variation of screw-type basal plane dislocations located at different depths below the crystal surface in 4H-SiC 査読有り 国際共著

    Fujie Fumihiro, Peng Hongyu, Ailihumaer Tuerxun, Raghothamachar Balaji, Dudley Michael, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ACTA MATERIALIA   208 巻   2021年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Acta Materialia  

    DOI: 10.1016/j.actamat.2021.116746

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  27. Geometrical design of a crystal growth system guided by a machine learning algorithm 査読有り

    Wancheng Yu, Can Zhu, Wei Huang, Dang Yifan, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    CrystEngComm   23 巻 ( 14 ) 頁: 2695 - 2702   2021年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:CrystEngComm  

    DOI: 10.1039/d1ce00106j

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  28. Adaptive process control for crystal growth using machine learning for high-speed prediction: application to SiC solution growth

    Dang Yifan, Zhu Can, Ikumi Motoki, Takaishi Masaki, Yu Wancheng, Huang Wei, Liu Xinbo, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CrystEngComm   23 巻 ( 9 ) 頁: 1982 - 1990   2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:CrystEngComm  

    DOI: 10.1039/d0ce01824d

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  29. Analysis of dislocation line tilt in GaN single crystal by Raman spectroscopy

    Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Inotsume Sho, Fujie Fumihiro, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SA )   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abc7a1

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  30. 大口径SiCバルク結晶成長における主要技術とプロセス・インフォマティクスの活用

    宇治原 徹, 朱 燦, 角岡 洋介, 古庄 智明, 鈴木 皓己, 沓掛 健太朗, 高石 将輝, 郁 万成, 黨 一帆, 磯野 優, 竹内 一郎, 田川 美穂, 原田 俊太

    日本結晶成長学会誌   48 巻 ( 3 ) 頁: n/a   2021年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    <p>  We have been developing a SiC crystal growth technique using the solution method. As a result, we have achieved the growth of ultra-high quality crystals with extremely low dislocation density. The key to this is the reduction of dislocation density by utilizing the macro-step dislocation conversion phenomenon and the suppression of surface morphology roughness by controlling the flow in the solution. In order to put these technologies to practical use, we have developed a new machine learning technique for optimizing crystal growth conditions for large-diameter crystals. In this method, a model is constructed in the computer that reproduces the actual experiment quickly and accurately, and then hundreds of thousands or millions of trials are performed using the model to derive the experimental conditions with high efficiency. This means that optimization by surrogate models, which is one of the methods of process informatics, has been realized in crystal growth. By using these techniques, we were able to achieve 6-inch crystal growth in a very short time.</p>

    DOI: 10.19009/jjacg.48-3-04

    CiNii Research

  31. Numerical investigation and optimization of time evolution in the solution during solution growth for SiC crystal

    Dang Yifan, Zhu Can, Yu Wancheng, Huang Wei, Ikumi Motoki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2020.2 巻 ( 0 ) 頁: 2128 - 2128   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_2128

    CiNii Research

  32. Temperature dependence of double Shockley stacking fault behavior in nitrogen-doped 4H-SiC studied by in-situ synchrotron X-ray topography

    Fujie Fumihiro, Harada Shunta, Hanada Kenji, Suo Hiromasa, Koizumi Haruhiko, Kato Tomohisa, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ACTA MATERIALIA   194 巻   頁: 387 - 393   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Acta Materialia  

    DOI: 10.1016/j.actamat.2020.04.019

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  33. Behavior of Threading Dislocations from GaN Substrate to Epitaxial Layer

    Inotsume Sho, Kokubo Nobuhiko, Yamada Hisashi, Onda Shoichi, Kojima Jun, Ohara Junji, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physica Status Solidi (B) Basic Research  

    DOI: 10.1002/pssb.201900527

    Web of Science

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  34. Demonstration of Observation of Dislocations in GaN by Novel Birefringence Method

    Tanaka Atsushi, Inotsume Syo, Harada Shunta, Hanada Kenji, Honda Yoshio, Ujihara Toru, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physica Status Solidi (B) Basic Research  

    DOI: 10.1002/pssb.201900553

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  35. 機械学習を活用した SiC 高品質結晶成長条件のデザイン 招待有り 査読有り

    原田俊太, 林宏益, 角岡洋介, 朱燦, 鳴海大翔, 沓掛健太朗, 宇治原徹

    まてりあ   59 巻 ( 3 ) 頁: 145 - 152   2020年3月

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    担当区分:筆頭著者, 最終著者  

  36. Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collectors on Cycling Stability of Li Metal Anodes

    Ishikawa Kohei, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   12 巻 ( 8 ) 頁: 9341 - 9346   2020年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ACS Applied Materials and Interfaces  

    DOI: 10.1021/acsami.9b22157

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  37. Application of C-face dislocation conversion to 2 inch SiC crystal growth on an off-axis seed crystal

    Liu Xinbo, Zhu Can, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTENGCOMM   21 巻 ( 47 ) 頁: 7260 - 7265   2019年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:CrystEngComm  

    DOI: 10.1039/c9ce01338e

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  38. Nondestructive visualization of threading dislocations in GaN by micro raman mapping

    Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Fujie Fumihiro, Ohara Junji, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SC )   2019年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab0acf

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  39. SiC溶液成長による高品質化と機械学習の応用 招待有り 査読有り

    原田俊太, 朱燦, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 宇治原徹

      14 巻 ( 1 ) 頁: 13 - 18   2019年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者  

  40. SiC溶液成長による高品質化と機械学習の応用 招待有り 査読有り

    原田俊太, 朱燦, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 宇治原徹

      14 巻 ( 1 ) 頁: 13 - 18   2019年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  41. Evaluation of basal plane dislocation behavior in the epitaxial layer on a 4H-SiC wafer fabricated by the solution growth method

    Seki K.

    Materials Science Forum   963 MSF 巻   頁: 80 - 84   2019年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.963.80

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  42. 結晶成長学的見地による金属負極の析出形態と結晶方位の相関解明

    石川 晃平, 三橋 貴仁, 伊藤 靖仁, 竹内 幸久, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌   46 巻 ( 1 ) 頁: 136-140   2019年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    <p>  Metal anodes are promising materials for rechargeable batteries because of the higher capacity. However, low cycle efficiency due to non-uniform deposition prevents them from realization. In this review, we report the crystal orientation dependence of the deposition shape of Li and Zn, which are known as attractive materials for anodes. The result shows that the both of Li and Zn morphology has crystal orientation dependence.</p>

    DOI: 10.19009/jjacg.46-1-08

  43. 機械学習を用いた結晶成長予測モデルの構築とその応用

    宇治原 徹, 角岡 洋介, 畑佐 豪記, 沓掛 健太朗, 石黒 祥生, 村山 健太, 鳴海 大翔, 原田 俊太, 田川 美穂

    表面と真空   62 巻 ( 3 ) 頁: 136 - 140   2019年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面真空学会  

    <p>The prediction model of the result of computed fluid dynamics simulation in SiC solution growth was constructed on neural network using machine learning. Utilizing the prediction model, we can optimize quickly crystal growth conditions. In addition, the real-time visualization system was also made using the prediction model.</p>

    DOI: 10.1380/vss.62.136

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  44. Machine learning for SiC top-seeded solution growth - Prediction, optimization and visualization 査読有り

    Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Goki Hatasa, Can Zhu, Kentaro Kutsukake, Taka Narumi, Shunta Harada, Miho Tagawa

    CS MANTECH 2019 - 2019 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, Digest of Papers     2019年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    © 2019 CS Mantech. All rights reserved. We are developing solution growth technique for high-quality SiC bulk crystal. In actual, we have achieved high-quality crystal with very-low-density of threading dislocations grown by controlling the surface morphology. In order to apply this technique to large-scale crystal growth, it is necessary to control supersaturation at growth surface, flow rate and flow direction of solvent in detail. However, there are many growth parameters which should be optimized. Simulation technique based on computational fluid dynamics (CFD) is often used. However, it is still difficult to optimize growth condition by utilizing simulation technique since the calculation speed of CFD simulation is not enough to optimize the growth conditions, exhaustively. In recent, informatics including machine learning is applied to various fields including materials science. In this study, we tried to apply machine learning to the analysis of the results of CFD. We could make the model to optimize the crystal growth parameters based on a neural network model. Using the model, the optimization time became 10000 times faster. This is just a trial of “Process Informatics”.

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  45. Machine learning for SiC top-seeded solution growth - Prediction, optimization and visualization

    Ujihara T.

    CS MANTECH 2019 - 2019 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, Digest of Papers     2019年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:CS MANTECH 2019 - 2019 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, Digest of Papers  

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  46. Improvement mechanism of sputtered AlN films by high-temperature annealing

    Xiao Shiyu, Suzuki Ryoya, Miyake Hideto, Harada Shunta, Ujihara Toru

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   502 巻   頁: 41 - 44   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.002

    Web of Science

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  47. High-speed prediction of computational fluid dynamics simulation in crystal growth

    Tsunooka Yosuke, Kokubo Nobuhiko, Hatasa Goki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTENGCOMM   20 巻 ( 41 ) 頁: 6546 - 6550   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:CrystEngComm  

    DOI: 10.1039/c8ce00977e

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  48. Determination of edge-component Burgers vector of threading dislocations in GaN crystal by using Raman mapping

    Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Fujie Fumihiro, Ohara Junji, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 11 )   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.11.111001

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  49. Observation of carrier recombination in single Shockley stacking faults and at partial dislocations in 4H-SiC

    Kato Masashi, Katahira Shinya, Ichikawa Yoshihito, Harada Shunta, Kimoto Tsunenobu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   124 巻 ( 9 )   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.5042561

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  50. GaN基板からエピタキシャル膜へ伝播する転位の分類と挙動の解明

    井爪 将, 小久保 信彦, 山田 永, 恩田 正一, 大原 淳士, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2 巻 ( 0 ) 頁: 3248 - 3248   2018年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3248

    CiNii Research

  51. In Situ Observation of Chiral Symmetry Breaking in NaClO3 Chiral Crystallization Realized by Thermoplasmonic Micro-Stirring

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Tagawa Miho, Harada Shunta, Ujihara Tom, Uda Satoshi, Miyamoto Katsuhiko, Omatsu Takashige

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   18 巻 ( 8 ) 頁: 4230 - 4239   2018年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.8b00420

    Web of Science

    Scopus

  52. Direct observation of stacking fault shrinkage in 4H-SiC at high temperatures by in-situ X-ray topography using monochromatic synchrotron radiation

    Fujie Fumihiro, Harada Shunta, Koizumi Haruhiko, Murayama Kenta, Hanada Kenji, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    APPLIED PHYSICS LETTERS   113 巻 ( 1 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5038189

    Web of Science

    Scopus

  53. Development of angle-resolved spectroscopy system of electrons emitted from a surface with negative electron affinity state

    Ichihashi Fumiaki, Dong Xinyu, Inoue Akito, Kawaguchi Takahiko, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS   89 巻 ( 7 )   2018年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Review of Scientific Instruments  

    DOI: 10.1063/1.5021116

    Web of Science

    Scopus

  54. Detection of edge component of threading dislocations in GaN by Raman spectroscopy

    Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Fujie Fumihiro, Ohara Junji, Hara Kazukuni, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.11.061002

    Web of Science

    Scopus

  55. Dislocation behavior in bulk crystals grown by TSSG method

    Seki K.

    Materials Science Forum   924 巻   頁: 39 - 42   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.39

    Scopus

  56. Suppression of polytype transformation with extremely low-dislocation-density 4H-SiC crystal in two-step solution method

    Murayama K.

    Materials Science Forum   924 巻   頁: 60 - 63   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.60

    Scopus

  57. Temperature dependence of carrier relaxation time in gallium phosphide evaluated by photoemission measurements

    Ichihashi Fumiaki, Kawaguchi Takahiko, Dong Xinyu, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    AIP ADVANCES   7 巻 ( 11 )   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Advances  

    DOI: 10.1063/1.4997800

    Web of Science

    Scopus

  58. 機械学習を用いたSiC結晶成長実験条件の最適化

    村井 良多, 畑佐 豪記, 角岡 洋介, 林 宏益, 村山 健太, 朱 燦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2 巻 ( 0 ) 頁: 3506 - 3506   2017年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3506

    CiNii Research

  59. Investigation of high-temperature annealing process of sputtered AlN films

    Xiao Shiyu, Liu Yikang, Suzuki Ryoya, Miyake Hideto, Hiramatsu Kazumasa, Harada Shunta, Ujihara Toru

    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2017.2 巻 ( 0 ) 頁: 3378 - 3378   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3378

    CiNii Research

  60. Morphology of AlN whiskers grown by reacting N<inf>2</inf> gas and Al vapor

    Matsumoto M.

    Journal of Crystal Growth   468 巻   頁: 576 - 580   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.127

    Web of Science

    Scopus

  61. Two-step SiC solution growth for dislocation reduction

    Murayama K.

    Journal of Crystal Growth   468 巻   頁: 874 - 878   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.100

    Web of Science

    Scopus

  62. Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer

    Isogai Takumi, Nakada Sakiko, Yoshida Naoya, Sumi Hayato, Tero Ryugo, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tagawa Miho

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 88 - 92   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.09.063

    Web of Science

    Scopus

  63. SiC solution growth on Si face with extremely low density of threading screw dislocations for suppression of polytype transformation

    "K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara"

    Mater. Sci. Forum   897 巻   頁: 24-27   2017年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: DOI:10.4028/www.scientific.net/MSF.897.24

  64. Solvent design for high-purity SiC solution growth

    "S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara"

    Mater. Sci. Forum   897 巻   頁: 32-35   2017年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.32

  65. Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during SiC solution growth

    "T. Hori, K. Murayama, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara"

    Mater. Sci. Forum   897 巻   頁: 28-31   2017年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.28

  66. Crystal Orientation Dependence of Precipitate Structure of Electrodeposited Li Metal on Cu Current Collectors

    Ishikawa Kohei, Ito Yasumasa, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   17 巻 ( 5 ) 頁: 2379 - 2385   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01710

    Web of Science

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  67. DNA修飾ナノ粒子超格子を前駆体としたウルフ多面体型コロイド結晶の形成

    鷲見 隼人, 磯貝 卓巳, 吉田 直矢, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.1 巻 ( 0 ) 頁: 2741 - 2741   2017年3月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_2741

    CiNii Research

  68. Modification of the surface morphology of 4H-SiC by addition of Sn and Al in solution growth with SiCr solvents

    Komatsu Naoyoshi, Mitani Takeshi, Hayashi Yuichiro, Kato Tomohisa, Harada Shunta, Ujihara Toru, Okumura Hajime

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   458 巻   頁: 37 - 43   2017年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.10.045

    Web of Science

    Scopus

  69. Modification of the surface morphology of 4H-SiC by addition of Sn and Al in solution growth with SiCr solvents

    "N. Komatsu, T. Mitani, Y Hayashi, T Kato, S. Harada, T. Ujihara, H. Okumura"

    J. Cryst. Growth   458 巻   頁: 37-43   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.10.045

  70. Crystal Orientation Dependence of Precipitate Structure of Electrodeposited Li Metal on Cu Current Collectors

    "K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara"

    Cryst. Growth Des.   17 巻   頁: 2379-2385   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01710

  71. Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer

    "T. Isogai, S. Nakada, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa"

    J. Cryst. Growth   468 巻   頁: 88-92   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.09.063

  72. Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during sic solution growth

    Hori T.

    Materials Science Forum   897 巻   頁: 28 - 31   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.28

    Scopus

  73. Solvent design for high-purity SiC solution growth

    Harada S.

    Materials Science Forum   897 巻   頁: 32 - 35   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.32

    Scopus

  74. Sic solution growth on si face with extremely low density of threading screw dislocations for suppression of polytype transformation

    Murayama K.

    Materials Science Forum   897 巻   頁: 24 - 27   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.24

    Scopus

  75. Plasmonic Heating-Assisted Laser-Induced Crystallization from a NaClO3 Unsaturated Mother Solution

    "H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, T. Ujihara, T. Omatsu, Y. Mori"

    Cryst. Growth Des.     2016年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1021/acs.cgd.6b01657

  76. Plasmonic Heating-Assisted Laser-Induced Crystallization from a NaClO3 Unsaturated Mother Solution

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, T. Ujihara, T. Omatsu, Y. Mori

    Cryst. Growth Des.     2016年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01657

  77. Analysis of the carbon transport near the growth interface with respect to the rotational speed of the seed crystal during top-seeded solution growth of SiC

    Umezaki Tomonori, Koike Daiki, Harada Shunta, Ujihara Toru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 12 ) 頁: 125601   2016年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.125601

    Web of Science

    Scopus

  78. Conversion Behavior of Threading Screw Dislocations on C Face with Different Surface Morphology During 4H-SiC Solution Growth

    Xiao Shiyu, Harada Shunta, Murayama Kenta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   16 巻 ( 11 ) 頁: 6436 - 6439   2016年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01107

    Web of Science

    Scopus

  79. Conversion behavior of threading screw dislocations on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth

    "S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, M. Tagawa, T. Ujihara"

    Cryst. Growth Des.     頁: 6436–6439   2016年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1021 / acs.cgd.6b01107

  80. Conversion behavior of threading screw dislocations on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth

    S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, M. Tagawa, T. Ujihara

    Cryst. Growth Des.     頁: 6436–6439   2016年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  81. Characterization of V-Shaped Defects Formed during the 4H-SiC Solution Growth by Transmission Electron Microscopy and X-ray Topography Analysis

    Xiao Shiyu, Harada Shunta, Murayama Kenta, Ujihara Toni

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   16 巻 ( 9 ) 頁: 5136 - 5140   2016年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.6b00711

    Web of Science

    Scopus

  82. Characterization of V-shaped defects formed during the 4H-SiC solution growth by transmission electron microscopy and X-ray topography analysis

    "S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, T. Ujihara"

    Cryst. Growth Des.   16 巻 ( 9 ) 頁: 5136-5140   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  83. Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO 3 solution containing Ag nanoparticles

    "H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, K. Murayama, S. Harada, T. Ujihara"

    CrystEngComm   18 巻 ( 39 ) 頁: 7441-7448   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi: 10.1039/c6ce01464j

  84. Characterization of V-shaped defects formed during the 4H-SiC solution growth by transmission electron microscopy and X-ray topography analysis

    S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, T. Ujihara

    Cryst. Growth Des.   16 巻 ( 9 ) 頁: 5136-5140   2016年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  85. Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO 3 solution containing Ag nanoparticles

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, K. Murayama, S. Harada, T. Ujihara

    CrystEngComm   18 巻 ( 39 ) 頁: 7441-7448   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  86. Spatial Distribution of Carrier Concentration in 4H-SiC Crystal Grown by Solution Method 査読有り

    Zhen Jiang Wang, Takahiko Kawaguchi, Kenta Murayama, Kenta Aoyagi, S. Harada, Miho Tagawa, Takenobu Sakai, Tomohisa Kato, Toru Ujihara

    Materials Science Forum   858 巻   頁: 57-60   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.858.57

  87. High-Speed Solution Growth of Single Crystal AlN from Cr-Co-Al Solvent 査読有り

    Shota Watanabe, Masashi Nagaya, Yukihisa Takeuchi, Kenta Aoyagi, S. Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Materials Science Forum   858 巻   頁: 1210-1213   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.858.1210

  88. Effect of magnesium ion concentration on two-dimensional structure of DNA-functionalized nanoparticles on supported lipid bilayer 査読有り

    Isogai Takumi, Akada Eri, Nakada Sakiko, Yoshida Naoya, Tero Ryugo, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tagawa Miho

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 3 ) 頁: 03DF11   2016年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.03DF11

    Web of Science

    Scopus

  89. Polytype control by activity ratio of silicon to carbon during SiC solution growth using multicomponent solvents 査読有り

    Horio Atsushi, Harada Shunta, Koike Daiki, Murayama Kenta, Aoyagi Kenta, Sakai Takenobu, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 1 ) 頁: 01AC01   2016年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.01AC01

    Web of Science

    Scopus

  90. Thin film growth of CaFe2As2 by molecular beam epitaxy 査読有り

    Hatano T., Kawaguchi T., Fujimoto R., Nakamura I., Mori Y., Harada S., Ujihara T., Ikuta H.

    SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY   29 巻 ( 1 ) 頁: 015013   2016年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Superconductor Science and Technology  

    DOI: 10.1088/0953-2048/29/1/015013

    Web of Science

    Scopus

  91. Polytype control by activity ratio of silicon to carbon during SiC solution growth using multicomponent solvents 査読有り

    A. Horio, S. Harada, D. Koike, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁: 01AC01   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.7567/JJAP.55.01AC01

  92. Effect of magnesium ion concentration on two-dimensional structure of DNA-functionalized nanoparticles on supported lipid bilayer 査読有り

    T.Isogai, E. Akada, S. Nakada, N. YOshida, R. Tero,S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁: 03DF11   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.7567/JJAP.55.03DF11

  93. Analysis of the carbon transport near the growth interface with respect to the rotational speed of the seed crystal during top-seeded solution growth of SiC

    "T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara"

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 12 ) 頁: 125601   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  94. Two-step SiC solution growth for dislocation reduction

    "K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara"

    J. Cryst. Growth     2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.100

  95. Morphology of AlN whiskers grown by reacting N 2 gas and Al vapor

    "M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara"

    J. Cryst. Growth     2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1016/j.jcrysgro.2016.11.127

  96. Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO3 solution containing Ag nanoparticles

    "H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, S. Harada, T. Ujihara"

    CrystEngComm   18 巻   頁: 7441-7448   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  97. Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO3 solution containing Ag nanoparticles

    Niinomi H., Sugiyama T., Tagawa M., Murayama K., Harada S., Ujihara T.

    CRYSTENGCOMM   18 巻 ( 39 ) 頁: 7441 - 7448   2016年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:CrystEngComm  

    DOI: 10.1039/c6ce01464j

    Web of Science

    Scopus

  98. 半導体伝導帯構造を明らかにする可視光電子光電子分光法の提案

    宇治原 徹, 市橋 史朗, 董 キン宇, 井上 明人, 川口 昂彦, 桑原 真人, 伊藤 孝寛, 原田 俊太, 田川 美穂

    表面科学学術講演会要旨集   36 巻 ( 0 ) 頁: 338 - 338   2016年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    我々は負の電子親和力(NEA)状態を半導体表面に形成することで、伝導帯を伝導する電子を直接真空に取り出し分光する手法を開発した。本手法では、通常の光電子分光では評価が困難な伝導帯のバンド分散を明らかにすることができる。本講演では、この手法より高効率太陽電池の構造として期待されるナノ超格子構造によるミニバンドの評価を行った。また、これはまさに可視光照射時の半導体内の電子のオペランド評価と言える。

    DOI: 10.14886/sssj2008.36.0_338

    CiNii Research

  99. Spatial distribution of carrier concentration in 4H-SiC crystal grown by solution method 査読有り

    Wang Z.J.

    Materials Science Forum   858 巻   頁: 57 - 60   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.57

    Scopus

  100. High-speed solution growth of single crystal AlN from Cr-Co-Al solvent 査読有り

    Watanabe S.

    Materials Science Forum   858 巻   頁: 1210 - 1213   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.1210

    Scopus

  101. Measurement of energy distribution of conduction electrons in superlattice by visible-light photoemission spectroscopy

    Ichihashi F.

    2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015     2015年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015  

    DOI: 10.1109/PVSC.2015.7356192

    Scopus

  102. Non-uniform electrodeposition of zinc on the (0001) plane

    Mitsuhashi Takato, Ito Yasumasa, Takeuchi Yukihisa, Harada Shunta, Ujihara Toru

    THIN SOLID FILMS   590 巻   頁: 207 - 213   2015年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Thin Solid Films  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2015.07.068

    Web of Science

    Scopus

  103. Effect of aluminum addition on the surface step morphology of 4H-SiC grown from Si-Cr-C solution

    Mitani Takeshi, Komatsu Naoyoshi, Takahashi Tetsuo, Kato Tomohisa, Harada Shunta, Ujihara Toru, Matsumoto Yuji, Kurashige Kazuhisa, Okumura Hajime

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   423 巻   頁: 45 - 49   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.04.032

    Web of Science

    Scopus

  104. "Effect of aluminum addition on the surface step morphology of 4H-SiC grown from Si-Cr-C solution" 査読有り

    Takeshi Mitani, Naoyoshi Komatsu, Tetsuo Takahashi, Tomohisa Kato, Shunta Harada, Toru Ujihara, Yuji Matsumoto, Kazuhisa Kurashige, Hajime Okumura

    Journal of Crystal Growth   423 巻   頁: 45–49   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1016/j.jcrysgro.2015.04.032

  105. Non-uniform electrodeposition of zinc on the (0001) plane 査読有り

    T. Mitsuhashi, Y. Ito, Y. Takeuchi, S. Harada,T. Ujihara

    Thin Solid Films   590 巻   頁: 207-213   2015年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  106. Non-uniform electrodeposition of zinc on the (0001) plane 査読有り

    T. Mitsuhashi, Y. Ito, Y. Takeuchi, S. Harada, T. Ujihara

    Thin Solid Films   590 巻   頁: 207-213   2015年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  107. Dislocation conversion during sic solution growth for high-quality crystals 査読有り

    Harada S.

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 3 - 8   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.3

    Scopus

  108. Control of interface shape by non-axisymmetric solution convection in top-seeded solution growth of SiC crystal 査読有り

    Koike D.

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 18 - 21   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.18

    Scopus

  109. Improvement of surface morphology by solution flow control in solution growth of SiC on off-axis seeds 査読有り

    Umezaki T.

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 31 - 34   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.31

    Scopus

  110. Research on solvent composition for different surface morphology on C face during 4H-SiC solution growth 査読有り

    Xiao S.Y.

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 39 - 42   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.39

    Scopus

  111. 3C-SiC crystal on sapphire by solution growth method 査読有り

    Shibata K.

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 185 - 188   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.185

    Scopus

  112. Thin film growth of CaFe2As2 by molecular beam epitaxy 査読有り

    T. Hatano, T. Kawaguchi, R. Fujimoto, I. Nakamura, Y. Mori, S. Harada, T. Ujihara and H. Ikuta

    Superconductor Science and Technology   29 巻   頁: 015013   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1088/0953-2048/29/1/015013

  113. Measurement of Energy Distribution of Conduction Electrons in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy

    Ichihashi Fumiaki, Nishitani Kenji, Dong Xinyu, Kawaguchi Takahiko, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Tofu

    2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)     2015年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  114. Measurement of Energy Distribution of Conduction Electrons in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy 査読有り

    Fumiaki Ichihashi, Kenji Nishitani, Xinyu Dong, Takahiko Kawaguchi, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Shunta Harada, Miho Tagawa, Tofu Ujihara

    2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)     2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IEEE  

    Visible-light photoemission spectroscopy (VPS) is a novel angle-resolved photoemission spectroscopy developed by us for measuring conduction electrons emitted from a surface with negative electron affinity state. In this study, InGaAs/GaAsP quantum well superlattice was analyzed by the VPS method with changing the excitation photon energy. By comparing with comparison of the energy distribution curves obtained by different excitation energy, the first and second conduction mini-band structures were directly clarified.

    Web of Science

  115. Dislocation Conversion during SiC Solution Growth for High-quality Crystals 査読有り

    原田 俊太

    Materials Forum   N/A 巻   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Research

  116. Different behavior of threading edge dislocation conversion during the solution growth of 4H-SiC depending on the Burgers vector

    Harada Shunta, Yamamoto Yuji, Seki Kazuaki, Horio Atsushi, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ACTA MATERIALIA   81 巻   頁: 284 - 290   2014年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Acta Materialia  

    DOI: 10.1016/j.actamat.2014.08.027

    Web of Science

    Scopus

  117. Electrostatic acceleration of helicon plasma using a cusped magnetic field

    Harada S., Baba T., Uchigashima A., Yokota S., Iwakawa A., Sasoh A., Yamazaki T., Shimizu H.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   105 巻 ( 19 )   2014年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.4900423

    Web of Science

    Scopus

  118. Forming two-dimensional structure of DNA-functionalized Au nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers

    Isogai Takumi, Piednoir Agnes, Akada Eri, Akahoshi Yuki, Tero Ryugo, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tagawa Miho

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   401 巻   頁: 494 - 498   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.01.032

    Web of Science

    Scopus

  119. Defect evolution in high-quality 4H-SiC grown by solution method

    Harada S., Tagawa M., Ujihara T.

    ACTA CRYSTALLOGRAPHICA A-FOUNDATION AND ADVANCES   70 巻   頁: C1415 - C1415   2014年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  120. Defect evolution in high-quality 4H-SiC grown by solution method

    Harada S, Tagawa M, Ujihara T

    ACTA CRYSTALLOGRAPHICA A-FOUNDATION AND ADVANCES   70 巻   頁: C1415 - C1415   2014年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  121. Emergence and Amplification of Chirality via Achiral-Chiral Polymorphic Transformation in Sodium Chlorate Solution Growth

    Niinomi Hiromasa, Miura Hitoshi, Kimura Yuki, Uwaha Makio, Katsuno Hiroyasu, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tsukamoto Katsuo

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   14 巻 ( 7 ) 頁: 3596 - 3602   2014年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/cg500527t

    Web of Science

    Scopus

  122. Low-dislocation-density 4H-SiC crystal growth utilizing dislocation conversion during solution method 査読有り

    Yamamoto Yuji, Harada Shunta, Seki Kazuaki, Horio Atsushi, Mitsuhashi Takato, Koike Daiki, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   7 巻 ( 6 ) 頁: 065501   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.7.065501

    Web of Science

    Scopus

  123. Solubility measurement of a metastable achiral crystal of sodium chlorate in solution growth

    Niinomi Hiromasa, Horio Atsushi, Harada Shunta, Ujihara Toru, Miura Hitoshi, Kimura Yuki, Tsukamoto Katsuo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   394 巻   頁: 106 - 111   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.02.034

    Web of Science

    Scopus

  124. Nitrogen doping of 4H-SiC by the top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent

    Kusunoki Kazuhiko, Kamei Kazuhito, Seki Kazuaki, Harada Shunta, Ujihara Toru

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   392 巻   頁: 60 - 65   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.01.044

    Web of Science

    Scopus

  125. Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at High Speed during the Solution Growth of SiC 査読有り

    T. Umezaki, D. Koike, A. Horio, S. Harada, and T. Ujihara

    Materials Science Forum   778-780 巻   頁: 63-66   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.63

  126. Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion Behavior during Solution Growth of 4H-SiC Using Al-Si Solvent 査読有り

    S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, M. Tagawa, and T. Ujihara

    Materials Science Forum   778-780 巻   頁: 67-70   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.67

  127. "Direct measurement of conduction miniband structure in superlattice by visible-light photoemission spectroscopy"

    F. Ichihashi, D. Shimura, K. Nishitani, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, H. Katsuno, M. Tagawa, T.Ujihara

    Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th , 8-13 June 2014     頁: 2882-2885   2014年

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    記述言語:英語  

    DOI: DOI:10.1109/PVSC.2014.6925534

  128. Different behavior of threading edge dislocation conversion during the solution growth of 4H-SiC depending on the Burgers vector 査読有り

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, M. Tagawa, T. Ujihara

    Acta Materialia   81 巻   頁: pp. 284-290   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: DOI: 10.1016/j.actamat.2014.08.027

  129. Direct Measurement of Conduction Miniband Structure in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy

    Ichihashi Fumiaki, Shimura Daiki, Nishitani Kenji, Kawaguchi Takahiko, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Katsuno Hiroyasu, Tagawa Miho, Ujihara Tofu

    2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)     頁: 2882 - 2885   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  130. SiC結晶成長における多形制御 : 速度論的多形制御法の提案(3C-SiC溶液成長を例に)(<特集>準安定相の形成と結晶成長)

    関 和明, 原田 俊太, 宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌   40 巻 ( 4 ) 頁: 253 - 260   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    Silicon carbide forms polytypes due to different stacking arrangements of Si and C. For the use of semiconductor materials, it is necessary to fabricate a single polytype material. In this paper, firstly, determination factors of polytypes are introduced from both experimental and theoretical viewpoints, and the difficulty of the polytype control based on thermal stability is shown. Next, the actual control techniques in sublimation growth method and CVD method are shown to be based on the concept that the polytype sequence of seed crystal continues to the grown crystal. Finally, we propose the kinetic polytype control method based on the growth speed difference among polytypes in SiC solution growth.

    DOI: 10.19009/jjacg.40.4_253

  131. Direct measurement of conduction miniband structure in superlattice by visible-light photoemission spectroscopy

    Ichihashi F.

    2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014     頁: 2882 - 2885   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014  

    DOI: 10.1109/PVSC.2014.6925534

    Web of Science

    Scopus

  132. Achiral Metastable Crystals of Sodium Chlorate Forming Prior to Chiral Crystals in Solution Growth

    Niinomi Hiromasa, Yamazaki Tomoya, Harada Shunta, Ujihara Toru, Miura Hitoshi, Kimura Yuki, Kuribayashi Takahiro, Uwaha Makio, Tsukamoto Katsuo

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   13 巻 ( 12 ) 頁: 5188 - 5192   2013年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/cg401324f

    Web of Science

    Scopus

  133. SiC 結晶成長における多形制御 ~速度論的多形制御法の提案(3C-SiC 溶液成長を例に)~

    関 和明、原田 俊太、宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌,   40 巻 ( 4 ) 頁: 253   2013年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  134. SiC 結晶成長における多形制御 ~速度論的多形制御法の提案(3C-SiC 溶液成長を例に)~

    関 和明, 原田 俊太, 宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌,   40 巻 ( 4 ) 頁: 253   2013年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  135. Direct Growth of AlN Single Crystal on Sapphire by Solution Growth Method

    Matsubara Hiroaki, Mizuno Kohei, Takeuchi Yukihisa, Harada Shunta, Kitou Yasuo, Okuno Eiichi, Ujihara Toru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 ) 頁: 08JE17   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JE17

    Web of Science

    Scopus

  136. Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC 査読有り

    Harada S., Yamamoto Y., Seki K., Horio A., Mitsuhashi T., Tagawa M., Ujihara T.

    APL MATERIALS   1 巻 ( 2 ) 頁: 022109   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:APL Materials  

    DOI: 10.1063/1.4818357

    Web of Science

    Scopus

  137. Influence of Solution Flow on Step Bunching in Solution Growth of SiC Crystals

    Zhu Can, Harada Shunta, Seki Kazuaki, Zhang Huayu, Niinomi Hiromasa, Tagawa Miho, Ujihara Toni

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   13 巻 ( 8 ) 頁: 3691 - 3696   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/cg400706u

    Web of Science

    Scopus

  138. 超高品質SiC溶液成長

    宇治原 徹, 原田 俊太, 山本 祐治, 関 和明

    應用物理   82 巻 ( 4 ) 頁: 326 - 329   2013年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    <p>パワーデバイス用材料として現在盛んに研究開発が行われているSiCにおいては,基板結晶の高品質化が極めて重要である.溶液成長法はそれを実現する手法として注目を集めつつある.我々はSiC溶液成長過程において,結晶に含まれる貫通転位が基底面内の転位やフランク型欠陥へ頻繁に変換することを見いだし,さらにこの現象を利用して多くの貫通転位を結晶外部に放出させることで,高品質結晶が実現されることを示してきた.最近では,ほかのグループから結晶成長速度の向上や結晶口径の拡大に関する報告もなされている.本格的な高品質バルク結晶成長技術として確立されるまで,あと少しのところにきている.</p>

    DOI: 10.11470/oubutsu.82.4_326

  139. 超高品質SiC溶液成長 招待有り 査読有り

    宇治原 徹、原田 俊太、山本 祐治、関 和明

    応用物理   82 巻   頁: 326-329   2013年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  140. SiC溶液成長の最近の展開

    原田 俊太、山本 祐治、関 和明、宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌,   40 巻   頁: 25   2013年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  141. SiC溶液成長の最近の展開

    原田 俊太, 山本 祐治, 関 和明, 宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌,   40 巻   頁: 25   2013年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  142. 超高品質SiC溶液成長 招待有り 査読有り

    宇治原 徹, 原田 俊太, 山本 祐治, 関 和明

    応用物理   82 巻   頁: 326-329   2013年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  143. Effect of Surface Polarity on the Conversion of Threading Dislocations in Solution Growth 査読有り

    Y. Yamamoto, S. Harada, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara

    Materials Science Forum   740-742 巻   頁: 15-18   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.15

  144. Reduction of Threading Screw Dislocation Utilizing Defect Conversion during Solution Growth of 4H-SiC 査読有り

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, T. Ujihara

    Materials Science Forum   740-742 巻   頁: 189-192   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.189

  145. Bulk 3C-SiC Crystal by Top Seeded Solution Growth Method 査読有り

    K. Seki, S. Harada, T. Ujihara

    Materials Science Forum   740-742 巻   頁: 311-314   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.311

  146. Electron Spectroscopy of Conduction Electrons Excited by Visible Light Utilizing NEA Surface

    Ichihashi Fumiaki, Shimura Daiki, Nishitani Kenji, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)     頁: 288 - 291   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  147. Ultrahigh-resolution direct observation of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs superlattice

    Shimura D.

    Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference     頁: 306 - 310   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  

    DOI: 10.1109/PVSC.2013.6744154

    Scopus

  148. Ultrahigh-resolution direct observation of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs superlattice 査読有り

    Daiki Shimura, Fumiaki Ichihashi, Kenji Nishitani, Shunta Harada, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Masaharu Matsunami, Shin-ichi Kimura, Takenobu Sakai, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)     頁: 306 - 310   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IEEE  

    Mini-bands formed in superlattice structures are often used for an intermediate-band solar cell. In order to design an optimized structure, it is important to measure the mini-band dispersions which influence transport properties and solar-energy conversion efficiency. In this study, we directly observed the dispersions of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs quantum-well superlattices by angle-resolved photoemission spectroscopy with synchrotron radiation light. The short-period energy dispersions due to the mini-bands around the X-valley were clearly obtained. In addition, the effective mass coefficient of each mini-band could be individually evaluated.

    Web of Science

  149. Ultrahigh-resolution direct observation of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs superlattice

    Shimura Daiki, Ichihashi Fumiaki, Nishitani Kenji, Harada Shunta, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Matsunami Masaharu, Kimura Shin-ichi, Sakai Takenobu, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)     頁: 306 - 310   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  150. SiC溶液成長の最近の展開(<特集>SiCの現状と今後の展開)

    原田 俊太, 山本 祐治, 関 和明, 宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌   40 巻 ( 1 ) 頁: 25 - 32   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    Solution growth has a potential to achieve high quality bulk SiC growth. In this paper we review current advances in SiC solution growth specially focusing on the crystal quality. During the solution growth, threading dislocations tend to be converted to basal plane defects by the step-flow of macrosteps. This phenomenon implies that all dislocations can be excluded from the lateral face of the crystal in principle. Actually, high quality SiC crystal with very low threading dislocation density was obtained applying the dislocation conversion during the solution growth.

    DOI: 10.19009/jjacg.40.1_25

  151. Electron spectroscopy of conduction electrons excited by visible light utilizing NEA surface 査読有り

    Ichihashi F.

    Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference     頁: 288 - 291   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  

    DOI: 10.1109/PVSC.2013.6744149

    Scopus

  152. 2SBA-03 DNAセルフアセンブリによるナノ粒子超構造制御(2SBA 反応場デザインによる生命現象の再構成-創って知る生物物理-,シンポジウム,日本生物物理学会第51回年会(2013年度))

    田川 美穂, 磯貝 卓巳, 赤田 英里, 原田 俊太, 宇治原 徹, ヤンガー ケビン, ガング オレグ

    生物物理   53 巻 ( 1 ) 頁: S92   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本生物物理学会  

    DOI: 10.2142/biophys.53.S92_5

  153. Polytype-selective growth of SiC by supersaturation control in solution growth

    Seki Kazuaki, Alexander, Kozawa Shigeta, Harada Shunta, Ujihara Toru, Takeda Yoshikazu

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   360 巻 ( 1 ) 頁: 176 - 180   2012年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.11.041

    Web of Science

    Scopus

  154. High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth

    Yamamoto Yuji, Harada Shunta, Seki Kazuaki

    Applied physics express   5 巻 ( 11 ) 頁: "115501 - 1"-"115501-3"   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    CiNii Research

  155. High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth 査読有り

    Yamamoto Yuji, Harada Shunta, Seki Kazuaki, Horio Atsushi, Mitsuhashi Takato, Ujihara Toru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   5 巻 ( 11 ) 頁: 115501   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.5.115501

    Web of Science

    Scopus

  156. Polytype Transformation by Replication of Stacking Faults Formed by Two-Dimensional Nucleation on Spiral Steps during SiC Solution Growth 査読有り

    Harada Shunta, Alexander, Seki Kazuaki, Yamamoto Yuji, Zhu Can, Yamamoto Yuta, Arai Shigeo, Yamasaki Jun, Tanaka Nobuo, Ujihara Toru

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   12 巻 ( 6 ) 頁: 3209 - 3214   2012年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    DOI: 10.1021/cg300360h

    Web of Science

    Scopus

  157. Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth 査読有り

    Y. Yamamoto, K. Seki, S. Kozawa, Alexander, S. Harada, T. Ujihara

    Materials Science Forum   717-720 巻   頁: 53-56   2012年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  158. Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth

    T. Ujihara, S. Kozawa, K. Seki, Alexander, Y. Yamamoto, S. Harada

    Materials Science Forum   717-720 巻   頁: 351-354   2012年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  159. Anisotropy of Lattice Thermal Conduction in TiO2-x with High Density of Planar Defects by Atomistic Simulations

    Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui

    AMTC Letters   3 巻   頁: 242-243   2012年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  160. Anisotropy of Lattice Thermal Conduction in TiO2-x with High Density of Planar Defects by Atomistic Simulations

    Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui

    AMTC Letters   3 巻   頁: 242-243   2012年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  161. CT-2-2 高品質SiC溶液成長(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)

    宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 山本 祐治

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2012 巻 ( 2 ) 頁: "SS - 19"-"SS-21"   2012年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    CiNii Research

  162. CT-2-2 高品質SiC溶液成長(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)

    宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 山本 祐治

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2012 巻 ( 2 ) 頁: "SS - 19"-"SS-21"   2012年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

  163. Direct Observation of Vacancies and Local Thermal Vibration in Thermoelectric Rhenium Silicide

    Harada Shunta, Tanaka Katsushi, Kishida Kyosuke, Okamoto Norihiko L., Endo Noriaki, Okunishi Eiji, Inui Haruyuki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   5 巻 ( 3 ) 頁: 035203   2012年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.5.035203

    Web of Science

    Scopus

  164. Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth

    Ujihara Toru, Kozawa Shigeta, Seki Kazuaki, Alexander, Yamamoto Yuji, Harada Shunta

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2   717-720 巻   頁: 351 - +   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.351

    Web of Science

    Scopus

  165. Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth 査読有り

    Yamamoto Yuji, Seki Kazuaki, Kozawa Shigeta, Alexander, Harada Shunta, Ujihara Toru

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2   717-720 巻   頁: 53 - 56   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.53

    Web of Science

    Scopus

  166. Acoustic Design Shape and Topology Sensitivity Formulations Based on Adjoint Method and BEM

    Matsumoto T., Yamada T., Takahashi T., Zheng C. J., Harada S.

    CMES-COMPUTER MODELING IN ENGINEERING & SCIENCES   78 巻 ( 2 ) 頁: 77 - 94   2011年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  167. Direct observation of an ordered arrangement of vacancies and large local thermal vibration in rhenium silicide by Cs-corrected STEM 査読有り

    Shunta Harada', Katsushi Tanaka, Kyosuke Kishida, Norihiko L. Okamoto', Noriaki Endo, Eiji Okunishi, Haruyuki Inui

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1295 巻   頁: 397 - 402   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    The crystal structure of thermoelectric rhenium silicide with an ordered arrangement of vacancies is investigated by utilizing spherical aberration (Cs) corrected scanning transmission electron microscopy (STEM) combined with synchrotron X-ray diffraction and conventional transmission electron microscopy. By STEM Cs corrected imaging, we can clearly observe Si vacancies in rhenium silicide, which is impossible without Cs correction. In addition, significantly reduced contrast levels are noted in STEM images for particular Si sites near vacancies. From the STEM image simulation, the reduced contrast levels are concluded to be due to anomalously large local thermal vibration of these Si atoms. The crystal structure of rhenium silicide can be successfully refined by the synchrotron X-ray diffraction starting with the deduced structure model from the STEM images and the occurrence of large local thermal vibration can be qualitatively confirmed. Furthermore, we confirm the validity of the refined crystal structure of rhenium silicide by comparing experimental images with simulated image generating with the refined crystal structure parameters. © 2011 Materials Research Society.

    DOI: 10.1557/opl.2011.43

    Scopus

  168. Crystal structure refinement of ReSi1.75 with an ordered arrangement of silicon vacancies 査読有り

    Shunta Harada, Hiroaki Hoshikawa, Kosuke Kuwabara, Katsushi Tanaka, Eiji Okunishi, Haruyuki Inui

    PHILOSOPHICAL MAGAZINE   91 巻 ( 23 ) 頁: 3108 - 3127   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:TAYLOR & FRANCIS LTD  

    The crystal structure and microstructure of ReSi1.75 were investigated by synchrotron X-ray diffraction combined with scanning transmission electron microscopy. ReSi1.75 contains an ordered arrangement of vacancies in Si sites in the underlying tetragonal C11(b) lattice of the MoSi2-type and the crystal structure is monoclinic with the space group Cm. Atomic positions of Si atoms near vacancies are considerably displaced from the corresponding positions in the parent C11(b) structure, and they exhibit anomalously large local thermal vibration accompanied by large values of atomic displacement parameter. There are four differently-oriented domains with two of them being related to each other by the 90 degrees rotation about the c-axis of the underlying C11(b) lattice and the other two being their respective twins. The habit planes for domain boundaries observed experimentally are consistent with those predicted with ferroelastic theory.

    DOI: 10.1080/14786435.2011.570278

    Web of Science

    Scopus

  169. Al融液窒化法における高密度AlN形成メカニズム

    水野 恒平, 松原 弘明, 竹内 幸久, 原田 俊太, 宇治原 徹, 青木 祐一, 小原 公和

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011 巻 ( 0 ) 頁: 761 - 761   2011年

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    AlNは高熱伝導絶縁体で、パワーデバイス用放熱基板として期待されている。我々は、焼結法に代わる手法として、Al融液と窒素からAlNを成長する融液窒化法に着目し、これまでに、Mg蒸気と窒素ガスを同時に外部から供給する手法で、完全にAl融液をAlNへと変換させることに成功している。しかし、得られたAlNには高密度な部分とポーラス部分が混在していた。そこで、高密度AlNの形成メカニズムを解明するために、原料をAl板に変更し、Mg蒸気の供給時間を制御して実験を行った。窒化は原料表面のみで生じており、Mg蒸気が融液表面の酸化膜と反応して、酸化膜が破れ、そこからAl融液が酸化膜上にしみ出し、しみ出した融液と窒素が反応し、AlNを生成するというメカニズムが示唆された。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011F.0.761.0

    CiNii Research

  170. シア構造内包magneli相TiO<sub>2-x</sub>の原子レベル熱伝導機構解析

    吉矢 真人, 宮内 洋平, 多田 昌浩, 原田 俊太, 田中 克志, 安田 秀幸, 乾 晴行

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011 巻 ( 0 ) 頁: 759 - 759   2011年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    熱電材料としても注目される、ナノメートルオーダーの面間隔のシア構造を内包するTiO<sub>2-x</sub>の熱伝導機構の解析を摂動分子動力学法により行った。得られた熱伝導度は大きな方位依存性を示し、シア面垂直方向についてはシア面間隔の減少と共に熱伝導度減少が見られたが、面間隔が数Åの範囲では、シア面平行方向の熱伝導度の面間隔依存性は非常に小さなものでありほぼ一定であった。また直感に反して、シア面に垂直方向の熱伝導度がシア面平行方向の熱伝導度よりも低いことがわかった。これはシア面に沿った原子の配位環境の乱れに起因するものであると考えられる。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011F.0.759.0

    CiNii Research

  171. Thermoelectric properties and crystallographic shear structures in titanium oxides of the Magneli phases 査読有り

    Shunta Harada, Katsushi Tanaka, Haruyuki Inui

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   108 巻 ( 8 )   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    The thermoelectric properties of Magneli phase titanium oxides TinO2n-1 (n=2,3,...) have been investigated, paying special attention to how the thermoelectric performance can be altered by changing the microstructure. Dense polycrystalline specimens with nominal composition of TiO2-x (x=0.05, 0.10, 0.15, and 0.20) prepared by conventional hot-pressing are all identified to be one of the Magneli phases, in which crystallographic shear planes are regularly introduced according to the oxygen deficiency. Electrical conduction is n-type for all specimens and the carrier concentration increases with the increase in the oxygen deficiency. The values of lattice thermal conductivity, on the other hand, decrease with the increase in the oxygen deficiency, which can be attributed to phonon scattering at the crystallographic shear plane. The largest value of thermoelectric figure of merit Z, 1.6 X 10(-4) K-1 was obtained at 773 K for the hot-pressed specimen of TiO1.90. (C) 2010 American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3498801]

    DOI: 10.1063/1.3498801

    Web of Science

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  172. Reduction in the Thermal Conductivity of Thermoelectric Titanium Oxide by Introduction of Planar Defects

    S. Harada, K. Tanaka, H. Inui

    Material Research Society Symposium Proceedings   1218 巻   2010年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)  

    DOI: 10.1557/PROC-1218-Z01-04

  173. Soft X-ray photoelectron spectroscopy of heusler-type thermoelectric alloys Fe<inf>2-x-y</inf>lr<inf>y</inf>v<inf>1+x</inf>Al

    Harada S.

    Funtai Oyobi Fummatsu Yakin/Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy   57 巻 ( 4 ) 頁: 213 - 217   2010年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Funtai Oyobi Fummatsu Yakin/Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy  

    DOI: 10.2497/jjspm.57.213

    Scopus

  174. Thermoelectric properties of ternary and Al-containing quaternary Ru1-xRexSiy chimney-ladder compound 査読有り

    K. Kishida, A. Ishida, T. Koyama, S. Harada, N. L. Okamoto, K. Tanaka, H. Inui

    Acta Materialia   57 巻 ( 6 ) 頁: 2010-2019   2009年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  175. Change in the thermoelectric properties with the variation in the defect structure of ReSi1.75 査読有り

    S. Harada, K. Tanaka, K. Kishida, N. L. Okamoto, H. Inui

    Material Research Society Symposium Proceedings   1128 巻   頁: 9-14   2009年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  176. Improvement of Grain-Boundary Conductivity of Trivalent Cation-Doped Barium Zirconate Sintered at 1600°C by Co-Doping Scandium and Yttrium

    S. Imashuku, T. Uda, Y. Nose, K. Kishida, S. Harada, H. Inui and Y. Awakura

    Journal of Electrochemical Society   155 巻 ( 6 ) 頁: B581-B586   2008年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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書籍等出版物 1

  1. 【一枚の写真】「スペクトル超解像」による分光分析の高精度化

    原田俊太( 担当: 単著)

    アドコム・メディア  2022年5月 

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    記述言語:日本語 著書種別:学術書

MISC 33

  1. 品質管理へのAI活用の現状と展望 : 外観検査・棚卸しの自動化を例に—「AIによる品質管理とAIの品質保証」特集号

    炭谷 翔悟, 西田 陽良, 原田 俊太  

    システム・制御・情報 = Systems, control and information : システム制御情報学会誌66 巻 ( 5 ) 頁: 161 - 166   2022年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 システム制御情報学会  

    DOI: 10.11509/isciesci.66.5_161

    CiNii Books

    CiNii Research

  2. シミュレーションに基づく結晶成長プロセスインフォマティクス : 溶液法SiCを例に—Process informatics using simulation data for crystal growth : Application to solution growth of SiC—特集 機械学習・AIは結晶成長研究をいかに変えるか?

    沓掛 健太朗, 角岡 洋介, 郁 万成, 黨 一帆, 原田 俊太, 宇治原 徹  

    日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth49 巻 ( 1 ) 頁: 1 - 8   2022年

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    CiNii Books

  3. 大口径SiCバルク結晶成長における主要技術とプロセス・インフォマティクスの活用—Technologies for large-diameter SiC crystal growth and application of process informatics—特集 ワイドバンドギャップ材料の結晶成長の最前線

    宇治原 徹, 朱 燦, 角岡 洋介, 古庄 智明, 鈴木 皓己, 沓掛 健太朗, 高石 将輝, 郁 万成, 黨 一帆, 磯野 優, 竹内 一郎, 田川 美穂, 原田 俊太  

    日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth48 巻 ( 3 ) 頁: 1 - 8   2021年

     詳細を見る

    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    CiNii Books

  4. 機械学習を活用したSiC高品質結晶成長条件のデザイン

    原田 俊太, 林 宏益, 角岡 洋介, 朱 燦, 鳴海 大翔, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹  

    まてりあ59 巻 ( 3 ) 頁: 145 - 152   2020年

     詳細を見る

    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本金属学会  

    DOI: 10.2320/materia.59.145

    CiNii Books

    CiNii Research

  5. 機械学習を用いたSiC溶液成長法の熱流動の高速予測と育成条件の最適化に関する基礎検討

    鳴海大翔, 林宏益, 角岡洋介, 角岡洋介, 安藤圭理, 朱燦, 沓掛健太朗, 原田俊太, 原田俊太, 宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹  

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)164th 巻   頁: ROMBUNNO.S2.10   2019年3月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

  6. SiC溶液成長過程における転位変換現象を利用した高品質結晶成長

    原田俊太, 原田俊太, 朱燦, 遠藤友樹, 小泉晴比古, 鳴海大翔, 田川美穂, 田川美穂, 宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹  

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)164th 巻   頁: ROMBUNNO.S2.7   2019年3月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

  7. 機械学習を用いた昇華法SiC結晶成長シミュレーションの高速予測

    JIANG Yiqun, JIANG Yiqun, 角岡洋介, 角岡洋介, 角岡洋介, 畑佐豪記, 畑佐豪記, 鳴海大翔, 沓掛健太朗, 原田俊太, 原田俊太, 田川美穂, 田川美穂, 宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹  

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)66th 巻   頁: ROMBUNNO.11p‐70A‐5   2019年2月

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    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

  8. 制約付きバッチベイズ最適化を用いたSiC研削条件の探索

    長田圭一, 長田圭一, 角岡洋介, 角岡洋介, 角岡洋介, 成田潔, 小泉晴比古, 沓掛健太朗, 原田俊太, 原田俊太, 田川美穂, 田川美穂, 宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹  

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)66th 巻   頁: ROMBUNNO.10a‐W321‐7   2019年2月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

  9. 大口径化にむけた機械学習によるSiC溶液成長の最適成長条件の決定

    宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹, 角岡洋介, 角岡洋介, 遠藤友樹, ZHU Can, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 三谷武志, 加藤智久, 田川美穂, 田川美穂, 原田俊太, 原田俊太  

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)66th 巻   頁: ROMBUNNO.11p‐70A‐4   2019年2月

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    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

  10. 機械学習によって構築した温度分布予測モデルによる熱伝導率推定

    樋口雄介, 角岡洋介, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 原田俊太, 原田俊太, 田川美穂, 田川美穂, 宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹  

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)66th 巻   頁: ROMBUNNO.9p‐W321‐8   2019年2月

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    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

  11. 機械学習による結晶成長シミュレーション回帰モデルの構築とその応用(結晶成長におけるCPS実現を目指して)

    宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹, 角岡洋介, 角岡洋介, ZHU Can, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 田川美穂, 田川美穂, 原田俊太, 原田俊太  

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)66th 巻   頁: ROMBUNNO.9p‐W321‐6   2019年2月

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    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

  12. 3インチ4度オフ種結晶上へのSiC溶液成長における貫通転位変換とインクルージョン抑制の両立

    海野高天, ZHU Can, 原田俊太, 小泉晴比古, 田川美穂, 宇治原徹, 宇治原徹  

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)66th 巻   頁: ROMBUNNO.11p‐70A‐2   2019年2月

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    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

  13. 機械学習モデルと実験結果の比較による物性値推定手法のSiC溶液成長における融液物性への適用

    安藤圭理, 林宏益, 角岡洋介, 角岡洋介, 鳴海大翔, 朱燦, 沓掛健太朗, 原田俊太, 原田俊太, 松井孝太, 竹内一郎, 竹内一郎, 小山幸典, 宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹  

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)164th 巻   2019年

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  14. SiC溶液成長における機械学習を用いた成長条件の最適化

    角岡洋介, 鳴海大翔, 安藤圭理, 沓掛健太朗, 朱燦, 林宏益, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹  

    先進パワー半導体分科会 第5回講演会   2018年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  15. ベイズ最適化を用いたSiC研削条件の探索

    長田圭一, 長田圭一, 角岡洋介, 角岡洋介, 角岡洋介, 成田潔, 小泉晴比古, 小泉晴比古, 沓掛健太朗, 原田俊太, 原田俊太, 田川美穂, 田川美穂, 宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹  

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)79th 巻   頁: ROMBUNNO.20p‐221C‐10   2018年9月

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    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

  16. SiC溶液成長における熱流体解析の機械学習を用いたパラメータ影響の可視化

    沓掛健太朗, 角岡洋介, 角岡洋介, 角岡洋介, 長田圭一, 長田圭一, 安藤圭理, 安藤圭理, LIN Hongyi, LIN Hongyi, ZHU Can, ZHU Can, 鳴海大翔, 鳴海大翔, 原田俊太, 原田俊太, 田川美穂, 田川美穂, 宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹  

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)79th 巻   頁: ROMBUNNO.20p‐221C‐9   2018年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

    J-GLOBAL

  17. 機械学習により最適化されたSiCウエハのX線侵入深さに着眼した深さ方向の歪み分布の定量化

    小泉晴比古, 花田賢志, 長田圭一, 長田圭一, 成田潔, 原田俊太, 原田俊太, 田川美穂, 田川美穂, 宇治原徹, 宇治原徹  

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)47th 巻   頁: ROMBUNNO.01p‐P31   2018年

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

  18. Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO3 solution containing Ag nanoparticles

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, S. Harada, T. Ujihara  

    CrystEngComm18 巻 ( 39 ) 頁: 7441-7448   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

  19. 溶液法による4H-SiCバルク結晶成長と結晶品質評価

    楠一彦, 関和明, 岸田豊, 海藤宏志, 森口晃治, 岡田信宏, 大黒寛典, 加渡幹尚, 土井雅喜, 旦野克典, 関章憲, 佐藤和明, 別所毅, 原田俊太, 宇治原徹  

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)63rd 巻   2016年

     詳細を見る

  20. 27pAQ-5 可視光励起光電子分光法による半導体中の伝導電子の直接観察(27pAQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面・結晶成長))

    市橋 史朗, 志村 大樹, 西谷 健治, 桑原 真人, 伊藤 孝寛, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹  

    日本物理学会講演概要集69 巻 ( 1 ) 頁: 874 - 874   2014年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    CiNii Books

  21. SiC 結晶成長における多形制御 ~速度論的多形制御法の提案(3C-SiC 溶液成長を例に)~

    関 和明, 原田 俊太, 宇治原 徹  

    日本結晶成長学会誌,40 巻 ( 4 ) 頁: 253   2013年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

  22. 超高品質SiC溶液成長 招待有り 査読有り

    宇治原 徹, 原田 俊太, 山本 祐治, 関 和明  

    応用物理82 巻   頁: 326-329   2013年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

  23. SiC溶液成長の最近の展開

    原田 俊太, 山本 祐治, 関 和明, 宇治原 徹  

    日本結晶成長学会誌,40 巻   頁: 25   2013年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

  24. AlGaAs/InGaAs超格子構造におけるミニバンドの超高分解能直接観察

    志村大樹, 市橋史朗, 原田俊太, 桑原真人, 伊藤孝寛, 松波雅治, 木村真一, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹  

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)60th 巻   頁: ROMBUNNO.29A-G4-7   2013年3月

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    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

  25. NaClO<sub>3</sub>溶液成長におけるアキラルな準安定相を介したキラル結晶形成過程

    新家寛正, 原田俊太, 宇治原徹, 三浦均, 木村勇気, 栗林貴弘, 上羽牧夫, 塚本勝男  

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)43rd 巻   頁: ROMBUNNO.08AC11   2013年

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    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

  26. NaClO<sub>3</sub>溶液成長におけるアキラルな準安定相の溶解度測定

    新家寛正, 原田俊太, 宇治原徹, 三浦均, 木村勇気, 上羽牧夫, 塚本勝男  

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)43rd 巻   頁: ROMBUNNO.07PS29   2013年

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

  27. Anisotropy of Lattice Thermal Conduction in TiO2-x with High Density of Planar Defects by Atomistic Simulations

    Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui  

    AMTC Letters3 巻   頁: 242-243   2012年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

  28. Direct Observation of Vacancies and Local Thermal Vibration in Thermoelectric Rhenium Silicide 査読有り

    Shunta Harada, Katsushi Tanaka, Kyosuke Kishida, Norihiko L. Okamoto, Noriaki Endo, Eiji Okunishi, Haruyuki Inui  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS5 巻 ( 3 ) 頁: 035203   2012年3月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS  

    The crystal structure of rhenium silicide with an anomalous ordered arrangement of vacancies has been investigated by utilizing spherical-aberration (C-s)-corrected scanning transmission electron microscopy (STEM). Using C-s-corrected STEM imaging, we directly observe for the first time ordered silicon vacancies in thermoelectric rhenium silicide accompanied by anomalously large local thermal vibration ("rattling" motion) of silicon atoms in their adjacent sites. (C) 2012 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.1143/APEX.5.035203

    Web of Science

    Scopus

  29. 空孔規則配列相を有するReSi<sub>1.75</sub>の異方的な熱電特性

    原田俊太, 田中克志, 岡本範彦, 乾晴行  

    日本金属学会講演概要148th 巻   2011年

     詳細を見る

  30. Direct observation of an ordered arrangement of vacancies and large local thermal vibration in rhenium silicide by Cs-corrected STEM 査読有り

    Shunta Harada', Katsushi Tanaka, Kyosuke Kishida, Norihiko L. Okamoto', Noriaki Endo, Eiji Okunishi, Haruyuki Inui  

    Materials Research Society Symposium Proceedings1295 巻   頁: 397 - 402   2011年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    The crystal structure of thermoelectric rhenium silicide with an ordered arrangement of vacancies is investigated by utilizing spherical aberration (Cs) corrected scanning transmission electron microscopy (STEM) combined with synchrotron X-ray diffraction and conventional transmission electron microscopy. By STEM Cs corrected imaging, we can clearly observe Si vacancies in rhenium silicide, which is impossible without Cs correction. In addition, significantly reduced contrast levels are noted in STEM images for particular Si sites near vacancies. From the STEM image simulation, the reduced contrast levels are concluded to be due to anomalously large local thermal vibration of these Si atoms. The crystal structure of rhenium silicide can be successfully refined by the synchrotron X-ray diffraction starting with the deduced structure model from the STEM images and the occurrence of large local thermal vibration can be qualitatively confirmed. Furthermore, we confirm the validity of the refined crystal structure of rhenium silicide by comparing experimental images with simulated image generating with the refined crystal structure parameters. © 2011 Materials Research Society.

    DOI: 10.1557/opl.2011.43

    Scopus

  31. Crystal structure refinement of ReSi1.75 with an ordered arrangement of silicon vacancies 査読有り

    Shunta Harada, Hiroaki Hoshikawa, Kosuke Kuwabara, Katsushi Tanaka, Eiji Okunishi, Haruyuki Inui  

    PHILOSOPHICAL MAGAZINE91 巻 ( 23 ) 頁: 3108 - 3127   2011年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:TAYLOR & FRANCIS LTD  

    The crystal structure and microstructure of ReSi1.75 were investigated by synchrotron X-ray diffraction combined with scanning transmission electron microscopy. ReSi1.75 contains an ordered arrangement of vacancies in Si sites in the underlying tetragonal C11(b) lattice of the MoSi2-type and the crystal structure is monoclinic with the space group Cm. Atomic positions of Si atoms near vacancies are considerably displaced from the corresponding positions in the parent C11(b) structure, and they exhibit anomalously large local thermal vibration accompanied by large values of atomic displacement parameter. There are four differently-oriented domains with two of them being related to each other by the 90 degrees rotation about the c-axis of the underlying C11(b) lattice and the other two being their respective twins. The habit planes for domain boundaries observed experimentally are consistent with those predicted with ferroelastic theory.

    DOI: 10.1080/14786435.2011.570278

    Web of Science

  32. Thermoelectric properties and crystallographic shear structures in titanium oxides of the Magneli phases 査読有り

    Shunta Harada, Katsushi Tanaka, Haruyuki Inui  

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS108 巻 ( 8 )   2010年10月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    The thermoelectric properties of Magneli phase titanium oxides TinO2n-1 (n=2,3,...) have been investigated, paying special attention to how the thermoelectric performance can be altered by changing the microstructure. Dense polycrystalline specimens with nominal composition of TiO2-x (x=0.05, 0.10, 0.15, and 0.20) prepared by conventional hot-pressing are all identified to be one of the Magneli phases, in which crystallographic shear planes are regularly introduced according to the oxygen deficiency. Electrical conduction is n-type for all specimens and the carrier concentration increases with the increase in the oxygen deficiency. The values of lattice thermal conductivity, on the other hand, decrease with the increase in the oxygen deficiency, which can be attributed to phonon scattering at the crystallographic shear plane. The largest value of thermoelectric figure of merit Z, 1.6 X 10(-4) K-1 was obtained at 773 K for the hot-pressed specimen of TiO1.90. (C) 2010 American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3498801]

    DOI: 10.1063/1.3498801

    Web of Science

    Scopus

  33. Reduction in the Thermal Conductivity of Thermoelectric Titanium Oxide by Introduction of Planar Defects

    S. Harada, K. Tanaka, H. Inui  

    Material Research Society Symposium Proceedings1218 巻   頁: 1 - 6   2010年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1557/PROC-1218-Z01-04

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講演・口頭発表等 618

  1. パワーデバイス SiC 基板の結晶欠陥評価 招待有り

    原田俊太

    先進パワー半導体分科会 第9回講演会  2022年12月21日 

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    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  2. 混合ガウスモデルと強化学習による浮遊 帯域溶融法による結晶育成自動化の検 討

    原田俊太, 土佐祐介, 大前遼, 松本遼平, 炭谷翔悟

    第51回結晶成長国内会議  2022年10月31日 

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    開催年月日: 2022年10月 - 2022年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  3. DNA修飾ナノ粒子の結晶成⾧における 重水の影響

    張力東, 横森真麻, 太田昇, 関口博, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第51回結晶成長国内会議  2022年11月1日 

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    開催年月日: 2022年10月 - 2022年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  4. SiC溶液成⾧における溶液の拡散がス テップ成⾧に及ぼす影響の解明

    竹本玖生, 周恵琴, 深見勇馬, 沓掛健太郎, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第51回結晶成長国内会議  2022年10月31日 

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    開催年月日: 2022年10月 - 2022年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  5. SiC溶液法における添加元素の溶液局 所構造への影響の第一原理計算による 解明

    関翔太, 河村貴宏, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第51回結晶成長国内会議  2022年10月31日 

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    開催年月日: 2022年10月 - 2022年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  6. 偏光顕微鏡法によるSiC基板中の転位 の観察

    原田俊太, 松原康高, 村山健太

    第51回結晶成長国内会議  2022年10月31日 

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    開催年月日: 2022年10月 - 2022年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  7. ベイズ超解像による分光分析の高精度化と応用展開 招待有り

    原田俊太

    顕微鏡計測インフォマティックス研究部会 第4回研究会  2022年10月22日 

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    開催年月日: 2022年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  8. H+注入によるSiC PiNダイオード内積層欠陥拡張の抑制

    渡邉 王雅, 三井 俊樹, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月20日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  9. 機械学習を用いたSiC結晶の転位増殖抑制に向けた降温条件の探索

    熊谷 尚純, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月22日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  10. 専門家の知識を入れたものづくりのためのデータ同化(ii) -SiC溶液成長シミュレーションへの適用-

    太田 壮音, 沓掛 健太朗, 竹野 思温, 烏山 昌幸, 竹内 一郎, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月22日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  11. 大口径SiC溶液成長の現状と課題

    宇治原 徹, 鈴木 皓己, 古庄 智明, 沓掛 健太朗, 黨 一帆, 劉 欣博, 朱 燦, 周 惠琴, 深見 勇馬, 太田 壮音, 関 翔太, 霜田 大貴, 中西 祐貴, 島 颯一, 布野 日奈子, 上松 浩, 原田 俊太, 田川 美穂

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月20日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  12. 多段プロセスに対するベイズ最適化の提案 -太陽電池プロセスを例に-

    沓掛 健太朗, 中野 高志, 草川 隼也, 竹内 一郎, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月22日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  13. 偏光観察による次世代パワーデバイス半導体基板の欠陥解析 招待有り

    原田俊太, 松原康高, 村山健太

    日本金属学会2022年秋期(第171回)講演大会  2022年9月22日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(基調)  

  14. プロトン注入によるSiCエピタキシャル層の基底面部分転位の運動抑制

    原田 俊太, 坂根 仁, 三井 俊樹, 加藤 正史

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  15. SiC溶液法における溶媒への添加元素効果の第一原理計算による解析

    関 翔太, 河村 貴宏, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  16. SiC溶液成長法における中間メルトバックによる表面平坦性の改善

    馬 叔陽, 朱 燦, 党 一帆, 劉 欣博, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  17. Analysis of effect of additives in solution growth of SiC by first-principles molecular dynamics calculation

    SHOTA SEKI, Takahiro Kawamura, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials  2022年9月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  18. Mechanism of defect contrast formation in off-axis SiC wafers by polarized light microscopy

    SHUNTA HARADA, Kenta Murayama

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials  2022年9月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  19. Suppression of stacking fault expansion in SiC PiN diodes by H+ implantation

    MASASHI KATO, Ohga Watanabe, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Shunta Harada

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials  2022年9月15日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  20. Suppression of recombination enhanced dislocation glide motion in 4H-SiC by hydrogen ion implantation

    SHUNTA HARADA, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Masashi Kato

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials  2022年9月15日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  21. Defect Recognition and Evaluation of SiC Wafers for Power Device Application

    Shunta Harada

    9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  22. ベイズ超解像によるラマン散乱スペクトルの高精度化

    長坂 野乃子, 辻森 皓太, 原田 俊太, 廣谷 潤

    第59回炭素材料夏季セミナー  2022年9月1日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  23. Designing automated defect detection algorithm for characterization of semiconductor wafers

    Shunta Harada, Kota Tsujimori

    19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors  2022年8月30日 

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    開催年月日: 2022年8月 - 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  24. Development of a high-resolution nuclear emulsion plate for X-ray topography observation of large-size semiconductor wafers

    Shunta Harada, Kunihiro Morishima, Nobuko Kitagawa, Atsushi Tanaka, Kenji Hanada, Kotaro Ishiji

    19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors  2022年8月31日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年8月 - 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  25. Identifying edge-component Burgers vector of threading dislocations in SiC crystals by birefringence imaging

    Shunta Harada, Kenta Murayama

    19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors  2022年8月31日 

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    開催年月日: 2022年8月 - 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  26. ベイズ超解像による分光分析の高精度化 招待有り

    原田俊太

    応用物理学会 インフォマティクス応用研究会 第4回研究会「計測インフォマティクス」  2022年5月4日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  27. SiC基板の偏光観察における欠陥コントラスト生成メカニズム

    原田 俊太, 村山 健太

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月25日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  28. 強化学習を用いた浮遊帯域溶融法による結晶成長の自動制御モデルの構築

    土佐 祐介, 炭谷 翔悟, 大前 遼, 原田 俊太

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  29. 面欠陥周期配列を含む酸化チタン自然超格子の熱輸送における フォノンの粒子性と波動性の定量化

    杉本 峻也, 田川 美穂, 宇治原 徹, 原田 俊太

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  30. Cr添加酸化チタンにおける面欠陥不規則配列の形成

    位田 麻衣, 杉本 峻也, 服部 泰河, 田川 美穂, 宇治原 徹, 原田 俊太

    日本金属学会第170回講演大会  2022年3月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  31. 完全性の高い周期界面を含む自然超格子酸化チタンの構造制御と熱輸送特性

    原田 俊太, 小坂 直輝, 杉本 峻也, 八木 貴志, 田川 美穂, 宇治原 徹

    日本金属学会第170回講演大会  2022年3月16日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  32. 偏光観察によるパワーデバイス SiC 基板中の貫通刃状転位の観察

    原田 俊太, 村山 健太

    日本金属学会第170回講演大会  2022年3月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  33. Thermal conduction in titanium oxide natural superlattice with an ordered arrangement of coherent interfaces 国際会議

    Shunta Harada, Naoki Kosaka, Shunya Sugimoto, Takashi Yagi, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021  2021年11月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  34. Thermal conduction in titanium oxide natural superlattice with an ordered arrangement of planar faults with pico-scale structural perfection 国際会議

    S. Harada, N.Kosaka, S.Sugimoto, T.Yagi, M.Tagawa, T.Ujihara

    The 2nd Asian Conference on Thermal Sciences  2021年10月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  35. Cr添加酸化チタン自然超格子における 面欠陥不規則配列

    服部泰河, 杉本峻也, 田川美穂, 宇治原徹, 原田俊太

    第50回結晶成長国内会議  2021年10月27日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  36. 完全性の高い界面を周期的に含む自然 超格子酸化チタン結晶の構造制御

    原田俊太, 杉本峻也, 小坂直輝, 田川美穂, 宇治原徹

    第50回結晶成長国内会議  2021年10月27日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  37. Coherent thermal conduction in titanium-chrome oxide natural superlattices with an ordered arrangement of planar faults 国際会議

    S.Sugimoto, G.Kim, T.Takeuchi, M.Tagawa, T.Ujihara, S.Harada

    The 2nd Asian Conference on Thermal Sciences  2021年10月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  38. 混合ガウスモデルを用いた浮遊帯域溶融法における融液状態のダイナミクス推定

    大前 遼, 炭谷 翔悟, 土佐 祐介, 原田 俊太

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  39. ベイズ超解像のラマン散乱スペクトルへの応用

    原田 俊太, 辻森 皓太, 廣谷 潤

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  40. Control of an Ordered Arrangement of Coherent Interfaces to Phoons in Titanium-Chromium Oxide Natural Superlattices

    杉本峻也, 原田俊太

    第5回フォノンエンジニアリング研究会  2021年7月3日 

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    開催年月日: 2021年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  41. 機能性バルク結晶における原子スケール欠陥構造制御 招待有り

    原田俊太

    日本地球惑星科学連合2021年大会  2021年6月5日 

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    開催年月日: 2021年5月 - 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  42. Control of periodic structure in a homologous series of titanium oxide bulk crystals in atomic scale

    S. Harada, S. Sugimoto, M. Tagawa, T. Ujihara

    2021 Virtual MRS Spring Meteting  2021年4月18日 

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    開催年月日: 2021年4月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  43. 放射光トポグラフィーによるSiC中の基底面転位の深さ評価

    藤榮 文博, Hongyu Peng, Tuerxun Ailihumaer, Balaji Raghothamachar, Michael Dudley, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021年3月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  44. 面欠陥周期配列を含む自然超格子酸化チタンの構造制御と熱輸送特性

    原田 俊太, 小坂 直輝, 杉本 峻也, 八木 貴志, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021年3月16日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  45. 面欠陥周期配列を含むCr添加酸化チタン多結晶の熱伝導率の温度依存性

    杉本 峻也, 金 柯怜, 竹内 恒博, 田川 美穂, 宇治原 徹, 原田 俊太

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021年3月16日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  46. 放射光トポグラフィーによるSiC中の基底面転位の深さ評価

    藤榮 文博, Hongyu Peng, Tuerxun Ailihumaer, Balaji Raghothamachar, Michael Dudley, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021年3月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  47. 面欠陥周期配列を含む自然超格子酸化チタンの構造制御と熱輸送特性

    原田 俊太, 小坂 直輝, 杉本 峻也, 八木 貴志, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021年3月16日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  48. 面欠陥周期配列を含むCr添加酸化チタン多結晶の熱伝導率の温度依存性

    杉本 峻也, 金 柯怜, 竹内 恒博, 田川 美穂, 宇治原 徹, 原田 俊太

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021年3月16日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  49. DNAガイドのナノ粒子結晶化:構造制御と結晶対称性を維持した収縮制御 招待有り

    田川美穂, 鷲見隼人, 横森真麻,  前田勇士, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹

    日本物理学会第76回年次大会(領域9結晶成長)  2021年3月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  50. DNAガイドのナノ粒子結晶化:構造制御と結晶対称性を維持した収縮制御 招待有り

    田川美穂, 鷲見隼人, 横森真麻, 前田勇士, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹

    日本物理学会第76回年次大会(領域9結晶成長)  2021年3月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  51. 顕微ラマン分光法によるGaN結晶中の貫通転位のひずみイメージング 招待有り

    小久保 信彦,角岡 洋介, 藤榮文博,恩田正一,山田永,清水三聡,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第7回講演会  2020年12月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  52. 顕微ラマン分光法によるGaN結晶中の貫通転位のひずみイメージング 招待有り

    小久保 信彦, 角岡 洋介, 藤榮文博, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第7回講演会  2020年12月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  53. Prediction system of CFD simulation in solution growth constructed by machine learning - Application for SiC top-seeded solution growth – 招待有り 国際会議

    Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Tomoki Endo, Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa

    17th China International Forum on Solid State Lighting & 2020 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA&IFWS 2020)  2020年11月24日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:中華人民共和国  

  54. Prediction system of CFD simulation in solution growth constructed by machine learning - Application for SiC top-seeded solution growth – 招待有り 国際会議

    Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Tomoki Endo, Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa

    17th China International Forum on Solid State Lighting & 2020 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA&IFWS 2020)  2020年11月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:中華人民共和国  

  55. 分子線エピタキシーによるBAs薄膜の成長条件の検討

    蔡沛陽, 畑野敬史, 原田俊太, 生田博志, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  56. DNA修飾ナノ粒子コロイド結晶化における結晶性に及ぼす塩濃度の影響

    鷲見隼人, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  57. DNA修飾ナノ粒子超格子のサイズ・結晶性に及ぼす修飾DNA鎖長の影響

    鈴木康平, 太田昂, 関口博史, 鷲見隼人, 横森真麻, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  58. DNA修飾ナノ粒子超格子結晶化における塩濃度が粒子間相互作用に与える影響

    楊冰琦, 鷲見隼人, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  59. CFDによるステップバンチング挙動シミュレーション

    劉欣博, 党一帆, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  60. Cr添加酸化チタン結晶における面欠陥周期構造の制御

    杉本峻也, 田川美穂, 宇治原徹, 原田俊太

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月10日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  61. 長時間安定SiC溶液成長における経時変化のシミュレーションと最適化

    党一帆, 朱燦, 幾見基希, 郁万成,黄威, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  62. SiC溶液成長における機械学習を用いた固-液界面形状の時間変化の推定

    高石将輝, 党一帆, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  63. 放射光トポグラフィー高温その場観察による窒素添加4H-SiC結晶における積層欠陥エネルギーの定量化

    藤榮文博, 原田俊太, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  64. SiC溶液成長における境界層とステップバンチングの関係

    海野高天, 朱燦, 原田俊太, 劉欣博, 幾見基希, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  65. Si-Y溶媒を用いたSiC溶液成長中の自然核生成による多結晶析出の抑制

    幾見基希, 朱燦, 原田俊太, 党一帆, 海野高天, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  66. 溶液法によるBPDフリー3インチSiC結晶の成長

    朱燦, 郁万成, 黄威, 幾見基希, 党一帆, 海野高天, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  67. 機械学習支援による溶液成長法を用いた6インチSiC作製手法の確立

    郁万成, 朱燦, 角岡洋介, 黄威, 党一帆, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  68. 機械学習を用いたSiC溶液法の温度・流速分布の次元削減とロバスト性評価

    磯野優, 小山幸典, 沓掛健太郎, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  69. SiC昇華法におけるベイズ最適化を用いた高品質・高速成長条件の探索

    井上凱喜, 沓掛健太郎, 原田俊太,田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  70. 高温環境下におけるGaN基板中の貫通転位の構造変化の解明

    水野竜太郎, 藤榮文博, 山田永, 原田俊太, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  71. 時間的な温度差により熱エネルギーを電気に変換する熱電池の構築

    陳曄, 石川晃平, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  72. CFDによるステップバンチング挙動シミュレーション

    劉欣博, 党一帆, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  73. 高温環境下におけるGaN基板中の貫通転位の構造変化の解明

    水野竜太郎, 藤榮文博, 山田永, 原田俊太, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  74. 長時間安定SiC溶液成長における経時変化のシミュレーションと最適化

    党一帆, 朱燦, 幾見基希, 郁万成, 黄威, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  75. 溶液法によるBPDフリー3インチSiC結晶の成長

    朱燦, 郁万成, 黄威, 幾見基希, 党一帆, 海野高天, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  76. 機械学習支援による溶液成長法を用いた6インチSiC作製手法の確立

    郁万成, 朱燦, 角岡洋介, 黄威, 党一帆, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  77. 機械学習を用いたSiC溶液法の温度・流速分布の次元削減とロバスト性評価

    磯野優, 小山幸典, 沓掛健太郎, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  78. 時間的な温度差により熱エネルギーを電気に変換する熱電池の構築

    陳曄, 石川晃平, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  79. 放射光トポグラフィー高温その場観察による窒素添加4H-SiC結晶における積層欠陥エネルギーの定量化

    藤榮文博, 原田俊太, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  80. 分子線エピタキシーによるBAs薄膜の成長条件の検討

    蔡沛陽, 畑野敬史, 原田俊太, 生田博志, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  81. SiC溶液成長における機械学習を用いた固-液界面形状の時間変化の推定

    高石将輝, 党一帆, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  82. SiC溶液成長における境界層とステップバンチングの関係

    海野高天, 朱燦, 原田俊太, 劉欣博, 幾見基希, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  83. SiC昇華法におけるベイズ最適化を用いた高品質・高速成長条件の探索

    井上凱喜, 沓掛健太郎, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  84. Si-Y溶媒を用いたSiC溶液成長中の自然核生成による多結晶析出の抑制

    幾見基希, 朱燦, 原田俊太, 党一帆, 海野高天, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  85. DNA修飾ナノ粒子超格子結晶化における塩濃度が粒子間相互作用に与える影響

    楊冰琦, 鷲見隼人, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  86. DNA修飾ナノ粒子超格子のサイズ・結晶性に及ぼす修飾DNA鎖長の影響

    鈴木康平, 太田昂, 関口博史, 鷲見隼人, 横森真麻, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  87. DNA修飾ナノ粒子コロイド結晶化における結晶性に及ぼす塩濃度の影響

    鷲見隼人, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  88. Cr添加酸化チタン結晶における面欠陥周期構造の制御

    杉本峻也, 田川美穂, 宇治原徹, 原田俊太

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月10日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  89. Automatic Detection of Dislocation contrasts in Birefringence Image of SiC Wafers Using Variance Filter Method 国際会議

    Akira Kawata, Kenta Murayama, Shogo Sumitani, Shunta Harada

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)  2020年9月29日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  90. Automatic Detection of Dislocation contrasts in Birefringence Image of SiC Wafers Using Variance Filter Method 国際会議

    Akira Kawata, Kenta Murayama, Shogo Sumitani, Shunta Harada

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)  2020年9月29日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  91. イオン注入シミュレーションに対する機械学習の適用

    蜂谷涼太, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  92. イオン注入シミュレーションに対する機械学習の適用

    蜂谷涼太, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  93. SiC溶液成長過程における転位伝播方向制御による高品質化

    原田俊太, 村山健太, 村井良多, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  94. 4H-SiC溶液成長法二段階成長における異種多形の析出抑制

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  95. SiC溶液成長におけるプロセス・インフォマティクス

    宇治原徹,角岡洋介,畑佐豪記,村山健太,村井良多,朱燦,原田俊太,田川美穂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  96. 気相法AlNウィスカー成長における形状変化メカニズムの解明

    齊藤廣志, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  97. 機械学習による結晶成長条件の予測を用いたSiC溶液成長

    林宏益, 村井良多, 朱燦, 村山健太, 角岡洋介, 畑佐豪記, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  98. 機械学習を活用したSiC溶液成長プロセス・ビュジュアライゼーション

    宇治原徹, 畑佐豪記, 角岡洋介, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  99. 機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度

    畑佐豪記, 角岡洋介, 村井良多, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  100. 溶液法 SiC 基板を用いて作製した MOS キャパシタの評価

    古庄智明, 川畑直之, 古橋壮之, 渡辺友勝, 渡邊寛, 山川聡, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  101. 貫通らせん転位が極めて少ない 4H-SiC の溶液成長における多形安定化手法

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  102. 溶液成長における溶液状態の高速予測と 網羅的探索により最適化した条件での結晶成長

    村井良多, 村山健太, 原田俊太, 畑佐豪記, 角岡洋介, 林宏益, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  103. SiC 溶液成長法における溶媒中の Cr 組成に対する 成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価

    鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  104. ラマン分光法による GaN 単結晶における貫通転位の刃状成分の解析

    小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 原一都, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  105. X 線トポグラフィーその場観察による 4H-SiC 積層欠陥挙動の窒素濃度依存性評価

    藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  106. Smooth Li Electrodeposition on Single Crystal Cu Current Collectors 国際会議

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The Electrochemical Society (232nd ECS Meeting) 

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    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  107. High-Quality SiC Solution Growth Using Dislocation Conversion on C Face 国際会議

    S. Xiao, S. Harada, X. Liu, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  108. Two-Step Sic Solution Growth with Extremely Low-Dislocation-Density 4h-SiC Crystal for Suppression of Polytype Transformation 国際会議

    K. Murayama, S. Harada, F. Fujie, X. Liu, R. Murai, C. Zhu, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  109. High-Speed Prediction Model for Supersaturation and Flow Distribution by CFD Simulation and Machine Learning in SiC Solution Growth 国際会議

    Y. Tsunooka, N. Kokubo, G. Hatasa, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  110. Real-Time Visualization System for Temperature and Fluid Flow Distributions in SiC Solution Growth Using Prediction Model Constructed by Machine Learning 国際会議

    G. Hatasa, Y. Tsunooka, S. Lee, K. Murayama, R. Murai, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  111. Direct Observation of Stacking Faults Expansion in 4H-SiC at High Temperatures by In Situ X-Ray Topography 国際会議

    F. Fujie, S. Harada, K. Murayama, K. Hanada, P. Chen, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  112. Evaluation of 2-Inch Wafer by Solution Growth Method Using Synchrotron X-Ray Topography 国際会議

    K. Seki, K. Kusunoki, Y. Kishida, H. Kaido, K. Moriguchi, M. Kado, H. Daikoku, T. Shirai, M. Akita, A. Seki, H. Saito, S. Harada, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  113. 単結晶Cu集電体を用いた金属Li負極の不均一析出抑制

    石川 晃平, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    日本金属学会 2017年秋期講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  114. SiCにおける積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察

    藤榮 文博, 原田 俊太, 花田 賢志, 村山 健太, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹

    日本金属学会 2017年秋期講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  115. 溶液成長SiC基板上に作製した酸化膜の評価

    古庄 智明, 川畑 直之, 古橋 壮之, 渡辺 友勝, 渡邊 寛, 山川 聡, 村山 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  116. DNA被覆ナノ粒子によるDDAB脂質二重膜の指組みゲル相形成の促進

    磯貝 卓巳, 鷲見 隼人, 手老 龍吾, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  117. Investigation of high-temperature annealing process ofsputtered AlN films

    S. Xiao, Y. Liu, R. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu, S. Harada,T. Ujihara

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  118. 機械学習を用いたSiC結晶成長実験条件の最適化

    村井 良多, 畑佐 豪記, 角岡 洋介, 林 宏益, 村山 健太, 朱 燦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  119. SiC溶液法C面成長における貫通らせん転位の低減

    劉 欣博, 原田 俊太, 村山 健太, 村井 良多, 肖 世玉, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  120. 4H-SiC 溶液成長における積層欠陥との相互作用により生じる貫通らせん転位の変換挙動

    加渡 幹尚, 原田 俊太, 関 和明, 大黒 寛典, 楠 一彦, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  121. X線その場観察によりメニスカス高さ制御したSiC溶液成長

    酒井 武信, 秋田 光俊, 加度 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  122. Li挿入によるWO3薄膜の熱伝導率の変化

    小林 竜大, 中村 彩乃, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  123. SiC溶液成長における機械学習を用いた閉鎖空間の溶液温度・流速分布の予

    畑佐 豪記, 角岡 洋介, 村山 健太, 村井 良太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第40回結晶成長討論会 

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    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:浜名湖ロイヤルホテル   国名:日本国  

  124. Hydrogen-Induced Thermal Conductivity Change across Metal-Insulator Transition in Amorphous WO3 Film 国際会議

    A. Nakamura, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    2017 MRS Spring Meeting 

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    開催年月日: 2017年4月

    記述言語:英語  

    国名:アメリカ合衆国  

  125. 後方反射X線トポグラフィによる4H-SiC積層欠陥拡張挙動のその場観察

    藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳鵬磊, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  126. DNA修飾ナノ粒子超格子を前駆体としたウルフ多面体型コロイド結晶の形成

    鷲見 隼人, 磯貝 卓巳, 吉田 直矢, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  127. SiC溶液成長における最適条件高速探索手法の提案

    角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂,宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  128. 水素挿入・脱離によるWO3薄膜の熱伝導率制御

    中村 彩乃, 小林 竜太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  129. 酸化タングステンの酸化還元による可逆的熱伝導率制御

    原田 俊太, 弓削 勇輔, 田川 美穂, 宇治原徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  130. 4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性

    片平 真哉, 市川 義人, 原田 俊太, 木本 恒暢, 加藤 正史

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  131. X線透過法により溶液形状制御したSiC溶液成長

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  132. 半導体伝導帯構造を明らかにする可視光電子光電子分光法の提案

    宇治原 徹, 市橋 史朗, 董 キン宇, 井上 明人, 川口 昂彦, 桑原 真人, 伊藤 孝寛, 原田 俊太, 田川 美穂

    2016年真空・表面科学合同講演会 第 36 回表面科学学術講演会 第 57 回真空に関する連合講演会 

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    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  133. 金属 Li 負極における Cu 集電体の結晶方位と析出形状の関係

    石川 晃平, 伊藤 靖仁, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第57回電池討論会 

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    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:幕張メッセ国際会議場   国名:日本国  

  134. Optically induced crystallization of NaClO3 metastable phase on plasmonic gold nanostructures immersed in unsaturated mother solution

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, Y. Mori, S. Harada, K. Murayama, K. Miyamoto, T. Omatsu

    Institute for Global Prominent Research Kickoff Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  135. X線透過法による SiC 溶液成長の溶液流れと溶液形状のその場観察

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  136. 窒素添加した 4H-SiC における積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察

    藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳 鵬磊, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  137. 透過電子顕微鏡による窒素添加 SiC 積層欠陥の高温その場観察

    陳 鵬磊, 原田 俊太, 荒井 重勇, 藤榮 文博, 肖 世玉, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  138. SiC 溶液成長においてルツボ口径が多結晶析出に及ぼす影響

    岡島 鎮記, 村井 良多, 村山 健太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  139. 溶液成長法二段階成長による SiC 結晶内の欠陥密度の低減

    村山 健太, 堀 司紗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  140. Crystallization of NaClO3 metastable phase from unsaturated mother solution achieved by excitation of plasmonic Au nanoarray

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, Y. Mori, S. Harada, K. Murayama, K. Miyamoto, T. Omatsu

    Optics & Photonics Japan 2016 

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    開催年月日: 2016年10月 - 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  141. Trial of Process Informatics in SiC Solution Growth 国際会議

    T. Ujihara, S. Harada, Y. Tsunooka, N. Kokubo, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa

    The 3rd International Conference on Universal Village (UV 2016) 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  142. Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collector on Morphology of Li Electrodeposition 国際会議

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Nucleation and Growth Research Conference (NGRC 2016) 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  143. Formation Mechanism of AlN Whiskers by Reacting N2 Gas and Al Vapor 国際会議

    M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Nucleation and Growth Research Conference (NGRC 2016) 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  144. Reduction of all types of dislocation in 4H-SiC crystal by two-step solution growth 国際会議

    K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ギリシャ共和国  

  145. In-situ observation during solution growth of SiC by X-ray transmission method 国際会議

    T. Sakai, M. Kado, H. Daikoku, S. Harada, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ギリシャ共和国  

  146. Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during SiC solution growth 国際会議

    T. Hori, K. Murayama, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ギリシャ共和国  

  147. Solvent design for high-purity SiC solution growth 国際会議

    S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ギリシャ共和国  

  148. AlN 溶液成長における機械学習を用いた溶液流動の高効率予測

    小久保 信彦, 角岡 洋介, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2016年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  149. n 型 4H-SiC 中 SSF 起因フォトルミネッセンスの時間分解測定

    加藤 正史, 片平 真哉, 市川 義人, 市村 正也, 原田 俊太

    2016年第82回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  150. 機械学習を用いた溶液成長における過飽和度分布の予測

    角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2016年第81回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  151. X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長の溶液表面形状の経時変化の観察

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2016年第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  152. X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長のその場観察

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2016年第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  153. Controlling two-dimensional structuer of DNA-linked Au nanoparticle lattices on supported lipid bilayer 国際会議

    T. Isogai, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    The 22nd International Conference on DNA Computing and Molecular Programming (DNA22) 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  154. Control of Macrostep Structure for High-Quality SiC Grown by Liquid Phase Epitaxy 国際会議

    T. Ujihara, C. Zhu, K. Murayama, S. Harada, M.Tagawa

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  155. The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth 国際会議

    S. Y. Xiao, S. Harada, P. L. Chen, K. Murayama, T.Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  156. Effect of Crystal Shape on Solution Flow and Surface Morphology in Solution Growth of SiC 国際会議

    D. Koike, T. Umezaki, K. Murayama, K. Aoyagi, S.Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  157. Two-step growth of SiC solution growth for reduction of dislocations 国際会議

    K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M.Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  158. Threading Screw Dislocation Conversion by Macrosteps during SiC Solution Growth for High-quality Crystals 国際会議

    S. Harada, K. Murayama, S. Xiao, F. Fujie, T.Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  159. Morphology of AlN whiskers grown by reacting N2 gas and Al vapor 国際会議

    M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  160. Prediction of solution flow combined with computational fluid dynamics simulation and sparse modeling 国際会議

    N. Kokubo, Y. Tsunooka, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  161. Crystal orientation dependence of precipitate structure of electrodeposited Li metal on Cu current collectors 国際会議

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  162. Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer 国際会議

    T. Isogai, S. Nakada, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  163. 塩素酸ナトリウム水溶液中の銀ナノ粒子円偏光光学捕捉により誘起されるキラル結晶化におけるキラリティの偏り

    新家 寛正, 杉山 輝樹, 田川 美穂, 村山 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹

    日本地球惑星科学連合2016年大会 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:幕張メッセ   国名:日本国  

  164. Chiral bias on circularly polarized laser-induced chiral crystallization from NaClO3 solution containing plasmonic Ag nanoparticles 国際会議

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, K. Murayama, S. Harada, K. Miyamoto, T. Omatsu, T. Ujihara

    Optical manipulation and its satellite topics (OMC'16) 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  165. "溶液法による4H-SiCバルク結晶成長と結晶品質評価"

    楠一彦,関和明,岸田豊,海藤宏志,森口晃治,岡田信宏,大黒寛典,加渡幹尚,土井雅喜,旦野克典,関章憲,佐藤和明,別所毅,原田俊太,宇治原徹

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  166. "可視光励起光電子分光法を用いたGaPにおけるキャリア散乱の温度依存性評価"

    市橋史朗,川口昂彦,董キン宇,井上明人,桑原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  167. "強磁場スパッタ法によるマンガン窒化物薄膜の作製"

    松本利希,川口昂彦,畑野敬史,原田俊太,飯田和昌,宇治原徹,生田博志

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  168. "超格子構造中のDNA被覆金ナノ粒子の融合に向けた粒子間距離収縮とナノ粒子融合"

    鷲見隼人,磯貝卓巳,中田咲子,吉田直矢,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  169. "DDAB平面脂質二重膜の相転移過程の直接観察"

    磯貝卓巳,中田咲子,赤田英里,吉田直矢,鷲見隼人,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  170. "SiC溶液法における溶媒への金属添加による炭素溶解度変化の熱力学計算"

    畑佐豪記,原田俊太,田川美穂,村山健太,加藤智久,宇治原徹

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  171. "SiC溶液成長における基底面転位と表面モフォロジーの関係"

    堀司紗,村山健太,原田俊太,肖世玉,田川美穂,宇治原徹

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  172. "超高品質SiC溶液成長法の最前線"

    原田俊太,宇治原徹

    日本結晶成長学会・バルク成長分科会 第98回研究会「機能性単結晶材料の最新動向--パワーデバイスから光・圧電まで--」 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学 西早稲田キャンパス   国名:日本国  

  173. "Direct observation of electrons transported in second conduction mini-band of a semiconductor superlattice by visible-light photoemission spectroscopy" 国際会議

    Fumiaki Ichihashi, Keniji Nishitani, Xinyu Dong, Takahiko, Kawaguchi, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    SPIE Photonics West 2016 

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    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  174. "Thermal conductivity changes in WO3 films caused by hydrogen intercalation/deintercalation" 国際会議

    A. Nakamura, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    40th International Conference & Exposition on Advanced Ceramics & Composites(ICACC16) 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  175. “SiC溶液成長における溶媒不純物の取り込み Impurity incorporation during solution growth of SiC”

    原田俊太、村山健太、青柳健大、酒井武信、田川美穂、加藤智久、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第2回講演会 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪国際交流センター   国名:日本国  

  176. “4H-SiC溶液成長法Si面厚膜成長による貫通転位密度の低減 Growth of thick 4H-SiC crystal on Si face to reduce threading dislocation density by solution growth”

    村山健太、堀司紗、原田俊太、肖世玉、青柳健大、酒井武信、田川美穂、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第2回講演会 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪国際交流センター   国名:日本国  

  177. "Temperature Dependence of the Energy Distribution of the Conduction Electrons in GaP Single Crystal" 国際会議

    Fumiaki Ichihashi, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa and T. Ujihara

    10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices'15 (ALC '15) 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  178. “溶媒を用いたAlNウィスカーの直接窒化法における溶媒組成が生成量に与える影響”

    松本昌樹,渡邉将太,竹内幸久,青柳健大,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学学術交流会館   国名:日本国  

  179. “4H-SiCのSi面溶液成長における温度分布制御による異種多形混入の抑制”

    堀司紗,村山健太,肖世玉,青柳健大,原田俊太,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北海道大学学術交流会館   国名:日本国  

  180. “4H-SiC溶液成長法Si面厚膜化による低転位密度結晶成長の実現”

    村山健太,原田俊太,肖世玉,堀司紗,青柳健大,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学学術交流会館   国名:日本国  

  181. “脂質二重膜上のDNA被覆ナノ粒子の2次元配列に及ぼすマグネシウムおよび脂質膜形状の影響”

    磯貝卓巳,赤田英里,中田咲子,吉田直矢,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学学術交流会館   国名:日本国  

  182. “Agナノ粒子の光学捕捉により誘起されるNaClO3キラル結晶化過程その場観察”

    新家寛正,杉山輝樹,丸山美帆子,田川美穂,村山健太,原田俊太,宇治原徹,森勇介

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学学術交流会館   国名:日本国  

  183. "Distribution of nitrogen doping concentration in 4H-SiC grown by solution method" 国際会議

    Z. Wang, T. Kawaguchi, K. Murayama, K. Aoyagi, S. Harada, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:イタリア共和国  

  184. "Consideration of threading dislocation conversion phenomena during SiC solution growth based on the elastic strain energy" 国際会議

    S. Harada, S. Xiao, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:イタリア共和国  

  185. "High-speed solution growth of single crystal AlN from Cr-Co-Al solvent" 国際会議

    S. Watanabe, M. Nagaya, Y. Takeuchi, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:イタリア共和国  

  186. "Solution Growth of AlN Single Crystal on Sapphire using Multi-Component Solvent Designed by Thermodynamic Calculation" 国際会議

    S. Harada, M. Nagaya, S. Watanabe, M. Chen, Y. Takeuchi, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Ujihara

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  187. “金属絶縁体転移に伴う WO3薄膜の熱伝導率変化”

    中村彩乃, 青柳健大, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    公益社団法人日本セラミックス協会 第 28 回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:富山県, 富山大学(五福キャンパス)   国名:日本国  

  188. “脂質二重膜の性質が膜上のDNA被覆金ナノ粒子に及ぼす影響”

    中田咲子, 赤田英里, 磯貝卓巳, 吉田直矢, 手老龍吾, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知県, 名古屋国際会議場   国名:日本国  

  189. “2種のDNAを被覆したナノ粒子の構造体の粒子間距離分布”

    吉田直矢, 赤田絵里, 磯貝卓巳, 中田咲子, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知県, 名古屋国際会議場   国名:日本国  

  190. “溶液法により成長したn型4H-SiC結晶のキャリア濃度分布の評価”

    王 振江, 川口昂彦, 村山健太, 青柳健大, 原田俊太, 酒井武信, 宇治原徹

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:愛知県, 名古屋国際会議場   国名:日本国  

  191. “Agナノ粒子を含んだNaClO3溶液からの円偏光レーザー誘起キラル結晶化におけるエナンチオ選択的増幅”

    新家寛正, 杉山輝樹, 田川美穂, 村山健太, 原田俊太, 丸山美帆子, 森 勇介, 宇治原徹

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知県, 名古屋国際会議場   国名:日本国  

  192. Effect of Magnesium Ion Concentration on the Two-Dimensional Structure of DNA-Functionalized Nanoparticles on Supported Lipid Bilayer

    Takumi Isogai , Eri Akada, Sakiko Nakada, Naoya Yoshida, Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  193. Lipid diffusion and phase transition: Influence on DNA-functionalised nanoparticle adsorbates 国際会議

    S. Nakada, E. Akada, T. Isogai, N. Yoshida, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    5th International Colloids Conference 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オーストリア共和国  

  194. "Lipid diffusion and phase transition: Influence on DNA-functionalised nanoparticle adsorbates." 国際会議

    S. Nakada, E. Akada, T. Isogai, N. Yoshida, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    5th International Colloids Conference 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  195. Ultra high quality SiC crystal grown by solution method 国際会議

    T. Ujihara, S. Harada, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Sakai,

    CMCEE 2015 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:カナダ  

  196. Measurement of Energy Distribution of Conduction Electrons in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy 国際会議

    F. Ichihashi, K. Nishitani, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  197. "Ultra high quality SiC crystal grown by solution method" 国際会議

    T. Ujihara, S. Harada, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Sakai

    11th CMCEE 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:カナダ  

  198. "Measurement of Energy Distribution of Conduction Electrons in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy" 国際会議

    F. Ichihashi, K. Nishitani, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  199. "Correlation Between Grown Polytypes and Activity Ratio During Solution Growth of SiC with Multi-Component Solvent" 国際会議

    Atsushi Horio, Shunta Harada, Daiki Koike, Kenta Murayama, Kenta Aoyagi, Takenobu Sakai, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  200. Correlation Between Grown Polytypes and Activity Ratio During Solution Growth of SiC with Multi-Component Solvent

    A. Horio, S. Harada, D. Koike, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  201. "高熱伝導率AlNウィスカーの高効率合成"

    松本昌樹、陳鳴宇、永冶仁、渡邉将太、竹内幸久、原田俊太、田川美穂、宇治原徹、遠藤亮

    公益社団法人日本セラミックス協会 2015年 年会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:岡山大学 (津島キャンパス)、岡山県   国名:日本国  

  202. Synthesis of polycrystalline AlN with high thickness by an efficient method

    Pradip Ghosh, Kohei Mizuno, Makoto Hayashi, Yukihisa Takeuchi, Yuichi Aoki, Susumu Sobue, Yasuo Kitou, Jun Hasegawa, Makoto Kobashi, Toru Ujihara

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  203. 高熱伝導率AlNウィスカーの高効率合成

    松本昌樹,陳鳴宇,永冶仁,渡邉将太,竹内幸久,原田俊太,田川美穂,宇治原徹,遠藤亮

    公益社団法人日本セラミックス協会 2015年 年会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  204. "脂質二重膜上におけるDNA被覆金ナノ粒子のセルフアセンブリに対するイオンの効果"

    磯貝 卓巳、赤田 英理、中田 咲子、吉田 直矢、手老 龍吾、原田 俊太、宇治原 徹、田川 美穂

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  205. "可視光励起光電子分光法を用いた半導体超格子における伝導電子のエネルギー分布測定"

    市橋 史朗、西谷 健治、董 鑫宇、川口 昂彦、桑原 真人、原田 俊太、田川 美穂、伊藤 孝寛、宇治原 徹

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  206. "SiC溶液成長における貫通転位変換と成長表面のマクロステップの関係"

    原田 俊太、肖 世玉、青柳 健大、村山 健太、酒井 武信、田川 美穂、宇治原 徹

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  207. "AlN溶液成長における熱力学計算を用いた成長速度の向上"

    渡邉 将太、永冶 仁、陳 鳴宇、竹内 幸久、青柳 健大、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  208. SiC溶液成長における貫通転位変換と成長表面のマクロステップの関係

    原田俊太、肖世玉、青柳健大、村山健太、酒井武信、田川美穂、宇治原徹

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  209. 脂質二重膜上におけるDNA被覆金ナノ粒子のセルフアセンブリに対するイオンの効果

    磯貝卓巳,赤田英理,中田咲子,吉田直矢,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  210. AlN溶液成長における熱力学計算を用いた成長速度の向上

    渡邉将太,永冶仁,陳鳴宇,竹内幸久,青柳健大,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  211. シンクロトロン X 線トポグラフィによる溶液成長 SiC 結晶の欠陥評価と高品質化

    原田俊太

    第4回名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  212. SiC溶液成長における転位伝播挙動と高品質化

    原田俊太

    第2回グリーンエネルギー材料のマルチスケール創製研究会(松江)プログラム 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  213. "Microstructure Observation of CaFe2As2 Family Thin Films by Transmission Electron Microscopy" 国際会議

    T. Kawaguchi, S. Harada, R. Fujimoto, Y. Mori, I. Nakamura, T. Hatano, T. Ujihara, H. Ikuta

    27th International Symposium on Superconductivity (ISS2014) 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  214. Si-Al-Cu溶媒を用いた高Alドープ4H-SiC結晶の溶液成長

    楠一彦、関和明、亀井一人、原田俊太、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  215. SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の成長表面との相互作用による考察

    原田俊太、肖世玉、村山健太、青柳健大、酒井武信、田川美穂、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  216. 非対称温度分布下でのSiC溶液成長法におけるマランゴニ対流を考慮した3次元数値シミュレーションと表面形状の相関

    古池大輝、梅崎智典、村山健太、青柳健大、原田俊太、田川美穂、酒井武信、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  217. "Si-Al-Cu溶媒を用いた高Alドープ4H-SiC結晶の溶液成長 Heavily Al doped 4H-SiC growth by solution growth technique using Si-Al-Cu melt as a solvent"

    楠一彦、関和明、亀井一人、原田俊太、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウインクあいち、愛知県   国名:日本国  

  218. "SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の成長表面との相互作用による考察 Consideration of threading dislocation conversion phenomena during the solution growth of SiC based on the interaction between the growth surface and the dislocation"

    原田俊太、肖世玉、村山健太、青柳健大、酒井武信、田川美穂、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウインクあいち、愛知県   国名:日本国  

  219. "非対称温度分布下でのSiC溶液成長法におけるマランゴニ対流を考慮した3次元数値シミュレーションと表面形状の相関 Relationship between Surface Morphology and Numerical Simulation in Consideration of Marangoni Convection during SiC Solution Growth under a Non-Axisymmetric Temperature Distribution"

    古池大輝、梅崎智典、村山健太、青柳健大、原田俊太、田川美穂、酒井武信、宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウインクあいち、愛知県   国名:日本国  

  220. 円偏光レーザー誘起結晶化によるキラリティ制御の可能性

    新家寛正, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第44回 結晶成長国内会議 NCCG-44 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  221. SiC 溶液成長過程における貫通転位変換現象の弾性論的考察

    原田俊太、肖世玉、村山健太、青柳健大、酒井武信、田川美穂、宇治原徹

    第44回 結晶成長国内会議 NCCG-44 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  222. 化学平衡計算に基づいた過飽和領域の制御によるAlN 単結晶溶液成長

    永冶仁,陳鳴宇,渡邉将太,竹内幸久,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第44回 結晶成長国内会議 NCCG-44 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  223. "円偏光レーザー誘起結晶化によるキラリティ制御の可能性"

    新家寛正,村山健太,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:学習院創立百周年記念会館, 東京都   国名:日本国  

  224. "化学平衡計算に基づいた過飽和領域の制御によるAlN単結晶溶液成長"

    永冶仁,陳鳴宇,渡邉将太,竹内幸久,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:学習院創立百周年記念会館, 東京都   国名:日本国  

  225. "SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の弾性論的考察"

    原田俊太,肖世玉,村山健太,青柳健大,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:学習院創立百周年記念会館, 東京都   国名:日本国  

  226. Two-dimensional assembly of Au nanoparticles through DNA hybridization on supported lipid bilayer 国際会議

    T. Isogai, E. Akada, S. Nakada, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara and M. Tagawa

    20th International Conference on DNA Computing and Molecular Programming(DNA20) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  227. Improvement of surface morphology by solution flow control in solution growth of SiC on off-axis seeds 国際会議

    T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  228. Heavily Al doped 4H-SiC growth by the top-seeded solution growth technique using Si-Al-Cu melt as a solvent 国際会議

    K. Kusunoki , K. Kamei, K. Seki, Y. Kishida, K. Moriguchi, H. Kaidoh, S. Harada and T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  229. Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal 国際会議

    S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, N. HARA, D. Koike, T. Mutoh, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:フランス共和国  

  230. Threading screw dislocations conversion behavior on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth 国際会議

    S. Xiao, N. Hara, S. Harada, T. Sakai, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  231. Control of Interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth for SiC Crystal 国際会議

    D. Koike, T. Umezaki, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  232. 3C-SiC crystal on sapphire by solution growth method 国際会議

    K. Shibata, S. Harada, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  233. "Control of Interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth for SiC Crystal" 国際会議

    Daiki KOIKE, Tomonori UMEZAKI, Shunta HARADA, Miho TAGAWA, Takenobu SAKAI, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  234. "Improvement of surface morphology by solution flow control in solution growth of SiC on off-axis seeds" 国際会議

    Tomonori UMEZAKI, Daiki KOIKE, Shunta HARADA, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  235. "3C-SiC crystal on sapphire by solution growth method" 国際会議

    Kenji SHIBATA, Shunta HARADA, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  236. 高品質4H-SiC溶液成長における多形変化抑制メカニズム

    原田俊太,山本祐 治,村山健太,青柳健大,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  237. 脂質二重膜上におけるDNA被覆金ナノ粒子の拡散現象

    中田咲子,赤田英里, 磯貝卓巳,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  238. CaFe2As2系超伝導薄膜の透過電子顕微鏡観察

    川口昂彦,原田俊太,藤本亮 祐,森康博,中村伊吹,畑野敬史,宇治原徹,生田博志

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  239. AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定

    永冶仁,陳鳴 宇,渡邉将太,竹内幸久,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  240. 多元溶媒窒化法を用いた単結晶AlNウィスカーの合成

    陳鳴宇,永冶仁,渡邉 将太,竹内幸久,原田俊太,荒井重勇,田川美穂,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  241. SiC溶液成長法における種結晶形状の成長表面への影響と貫通らせん転位変換

    古池大輝,梅崎智典,原田俊太,田川美穂,酒井武信,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  242. The investigation of step structure with different TSDs conversion behavior during 4H-SiC solution growth

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  243. "高品質4H-SiC溶液成長における多形変化抑制メカニズム"

    原田俊太,山本祐治,村山健太,青柳健大,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  244. "脂質二重膜上におけるDNA被覆金ナノ粒子の拡散現象"

    中田咲子,赤田英里,磯貝卓巳,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  245. "CaFe2As2系超伝導薄膜の透過電子顕微鏡観察"

    川口昂彦,原田俊太,藤本亮祐,森康博,中村伊吹,畑野敬史,宇治原徹,生田博志

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  246. "SiCフラックス成長におけるSiC基板/フラックス界面の高温真空レーザー顕微鏡観察"

    小沼碧海,丸山伸伍,原田俊太,宇治原徹,加藤智久,蔵重和央,奥村元,松本祐司

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  247. "AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定"

    永冶仁,陳鳴宇,渡邉将太,竹内幸久,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  248. "多元溶媒窒化法を用いた単結晶AlNウィスカーの合成"

    陳鳴宇,永冶仁,渡邉将太,竹内幸久,原田俊太,荒井重勇,田川美穂,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  249. "SiC溶液成長法における種結晶形状の成長表面への影響と貫通らせん転位変換"

    古池大輝,梅崎智典,原田俊太,田川美穂,酒井武信,宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道   国名:日本国  

  250. "The investigation of step structure with different TSDs conversion behavior during 4H-SiC solution growth"

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  251. Structure of basal plane defects formed by the conversion of threading screw dislocation during solution growth of SiC 国際会議

    S. Harada, S.Y. Xiao, M. Tagawa, Y. Yamamoto, S. Arai, N. Tanaka and T. Ujihara

    Solid State Devices and Materials 2014 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  252. Correlation between Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion in Solution Growth of SiC 国際会議

    Shunta Harada, Shiyu Xiao, Natsumi Hara, Daiki Koike, Takuya Mutoh, Miho Tagawa and Toru Ujihara

    International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia 2014 

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  253. Characterization of Newly Generated Defects during Solution Growth of 4H-SiC 国際会議

    Shiyu Xiao, Shunta Harada, Natsumi Hara, Miho Tagawa and Toru Ujihara

    International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia 2014 

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  254. Defect evolution in high-qualit 4H-SiC grown by solution method 国際会議

    S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    International Union of Crystallography 2014 

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:カナダ  

  255. p型SiC溶液成長における欠陥変換挙動

    原田俊太

    高品質SiC結晶次世代成長法に関する研究会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  256. n型およびp型SiC溶液成長過程における欠陥挙動と高品質結晶成長

    原田俊太

    第91回バルク成長分科会研究会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  257. NaClO3 溶液成長におけるアキラル-キラル多形転移を介したキラリティの発生と増幅 国際会議

    新家寛正, 原田俊太, 宇治原徹, 三浦均, 木村勇気, 上羽牧夫, 塚本勝男

    日本地球惑星科学連合2014年大会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  258. 4H-SiC溶液成長法における凸形状成長による貫通らせん転位の変換挙動 国際会議

    古池大輝,梅崎智典,堀尾篤史,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  259. 可視光励起光電子分光法による半導体中の伝導電子の直接観察 国際会議

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治,桑原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    日本物理学会 第69回年次大会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  260. SiC溶液成長における貫通らせん転位変換の弾性エネルギーによる考察 国際会議

    原田俊太,肖世玉,原奈都美,勝野弘康,田川美穂,宇治原徹

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  261. 可視光励起光電子分光法による半導体超格子ミニバンド構造の有効質量評価 国際会議

    西谷健治,志村大樹,市橋史朗,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  262. SiC溶液法C面成長におけるTSD変換 国際会議

    原田俊太,肖世玉,原奈都美,原田俊太,宇治原徹

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  263. Direct Measurement of Conduction Miniband Structure in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy 国際会議

    F. Ichihashi, D. Shimura, K. Nishitani, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, H. Katsuno, M. Tagawa, T. Ujihara

    Photovoltaic Specialists Conference(The PVSC-40) 

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    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  264. Structure of basal plane defects formed by threading screw dislocation conversion during high quality SiC solution growth 国際会議

    S.Harada, R.Kunimatsu, Xiao Shiyu, Y.Yamamoto, M.Tagawa, Y.Yamamoto, S.Arai, N.Tanaka, T.Ujihara

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  265. Observation of basal plane dislocations generated during solution growth in 4H-silicon carbide 国際会議

    S.Y.Xiao, S.Harada, T.Ujihara

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  266. Two-dimensional crystallization of DNA-functionalized Au nanoparticles using lipid diffusion 国際会議

    T.Isogai, E.Akada, A.Piednoir, Y.Akahoshi, R.Tero, S.Harada, T.Ujihara, M.Tagawa

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  267. Direct Observation of Conduction Band Structure and Conduction Electron Distribution in Semiconductor for Intermediate-band Solar Cells 国際会議

    F.Ichihashi, D.Shimura, K.Nishitani, M.Kuwahara, S.Harada, T.Ito, M.Tagawa, T.Ujihara

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  268. Aluminum Nitride Whiskers with High Aspect Ratio Grown from Multi-Component Melt 国際会議

    M.Y.Chen, H.Matsubara, K.Mizuno, M.Nagaya, Y.Takeuchi, S.Harada, T.Ujihara, Y.Aoki, K.Kohara, T.Kano

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  269. Evaluation of Mini-Bands Formed in Superlattice Structure for Intermediate-Band Solar Cell 国際会議

    D.Shimura, F.Ichihashi, K.Nishitani, S.Harada, T.Ito, M.Kuwahara, M.Matsunami, S.Kimura, M.Tagawa, T.Ujihara

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  270. 多元溶媒SiC溶液成長における成長多形と活量比aSi/aCの相関 国際会議

    堀尾篤史、原田俊太、田川美穂、宇治原徹

    第22回SiC講演会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  271. SiC溶液成長過程における基底面転位の形成 国際会議

    肖 世玉、原田 俊太、宇治原 徹

    第22回SiC講演会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  272. SiC溶液成長における過飽和度制御による凸形状成長 国際会議

    古池大輝、梅崎智典、堀尾篤史、原田俊太、田川美穂、宇治原徹

    第22回SiC講演会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  273. 4H-SiC溶液成長における成長表面のステップ構造と貫通転位変換挙動の相関 国際会議

    原田俊太、山本祐治、肖世玉、堀尾篤史、田川美穂、宇治原徹

    第22回SiC講演会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  274. SiC溶液成長における欠陥変換挙動と高品質結晶成長 国際会議

    原田俊太

    表面技術協会 関東支部・第86回講演会「ひらめき・未来材料~進化する選択的物質貯蔵・輸送・分離・変換材料~ 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  275. NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相を介したキラル結晶形成過程

    新家寛正,原田俊太,宇治原徹,三浦均,木村勇気,栗林貴弘上羽牧夫, 塚本勝男

    第43回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  276. 4H-SiC溶液成長過程における貫通転位変換挙動と成長表面モフォロジーの相関

    原田俊太,山本祐治,肖世玉,堀尾篤史、田川美穂,宇治原徹

    第43回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  277. 多元溶媒を用いたAlNウィスカーの成長

    陳鳴宇,松原弘明,水野恒平,永冶仁,竹内幸久,原田俊太,青木祐一,小原公和, 加納豊広,宇治原徹

    第43回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  278. NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相の溶解度測定

    新家寛正,原田俊太,宇治原徹,三浦均,木村勇気,上羽牧夫, 塚本勝男

    第43回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  279. DNAと脂質二重膜を用いたナノ粒子の2次元結晶化

    磯貝卓巳,赤田英里,Agnes Piednoir,赤星祐樹,手老龍吾,原田俊太,宇 治原徹,田川美穂

    第43回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  280. DNA-mediated Nanoparticle Assembly 国際会議

    M. Tagawa, T. Isogai, E. Akada, S. Harada, T. Ujihara

    DNA-mediated Nanoparticle Assembly 

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    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  281. Increase in the growth rate by rotating the seed crystal at a high speed during the solution growth of SiC 国際会議

    T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara

    ICSCRM 2013 

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    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  282. Control of dislocation conversion during solution growth by changing surface step structure 国際会議

    Shunta Harada , Yuji Yamamoto , Shiyu Xiao, Atsushi Horio , Miho Tagawa , Toru Ujihara

    ICSCRM 2013 

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    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  283. N-type doping of 4H-SiC by top-seeded solution growth technique 国際会議

    K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada, Toru Ujihara

    ICSCRM 2013 

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    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  284. The Suppression of the Trenches by the Control of Solution Flow above Growth Surface in the Solution Growth of SiC 国際会議

    C. Zhu, S. Harada, S. Xiao, K. Seki, M. Tagawa, Y. Matsumoto, T. Kato, K. Kurashige, H. Okamura, and T. Ujihara

    ICSCRM 2013 

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    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  285. 角度分解光電子分光法を用いた半導体超格子のミニバンド評価

    志村大樹,市橋史朗,西谷健治,原田俊太,伊藤孝寛,桒原真人,松波雅治,木村真一,田川美穂,宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  286. SiCフラックス成長におけるSi-NiフラックスのAl添加効果

    小沼碧海,丸山伸伍,原田俊太,宇治原徹,加藤智久,蔵重和央,奥村元,松本祐司

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  287. SiC溶液成長過程における基底面転位の形成

    肖世玉,朱燦,原田俊太,宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  288. SiC溶液成長過程における貫通転位変換と成長表面のステップ構造

    原田俊太,山本祐治,肖世玉,堀尾篤史,田川美穂,宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  289. SiC 溶液成長における流れ制御によるトレンチ形成の抑制

    朱燦,原田俊太,関和明,肖世玉,田川美穂,松本祐司,加藤智久,蔵重和央,奥村元,宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  290. Fe 過剰BaFe2(As,P)2 薄膜の臨界電流密度増大の起源

    森康博,藤本亮祐,坂上彰啓,原田俊太,宇治原徹,田渕雅夫,生田博志

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  291. 脂質分子をキャリアとしたDNA被覆金ナノ粒子の2次元結晶化

    磯貝卓巳,Agnes Piednoir,赤田英里,赤星祐樹,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  292. 可視光励起光電子分光法による伝導電子の直接観察

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  293. 可視光励起光電子分光法による半導体超格子構造の伝導キャリア観察

    西谷健治,市橋史朗,志村大樹,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  294. 多元溶媒を用いた高アスペクト比AlN ウィスカーの成長

    陳鳴宇, 松原弘明, 水野恒平, 永冶仁, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和, 加納豊広

    公益社団法人日本セラミックス協会 第26回秋季シンポジウ 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  295. Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC 国際会議

    Shunta Harada , Yuji Yamamoto , Kazuaki Seki , Atsushi Horio , Takato Mitsuhashi , Miho Tagawa , Toru Ujihara

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  296. Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method utilizing the conversion from threading dislocations to basal plane defects 国際会議

    Toru Ujihara , Yuji Yamamoto , Shunta Harada , Shiyu Xiao , Kazuaki Seki

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  297. Two Pathways Determining Chirality in NaClO3 Crystals Grown from Solution via Achiral Precursors 国際会議

    Hiromasa Niinomi, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Takahiro Kuribayashi 2, Makio Uwaha, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  298. Forming two-dimensional structure of DNA-functionalized Au nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers 国際会議

    Takumi Isogai , Agnes Piednoir , Eri Akada, Yuki Akahoshi , Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  299. Growth of high quality 3C-SiC on hexagonal SiC seed using TSSG method 国際会議

    Kazuaki Seki , Shota Yamamoto, Shunta Harada, Toru Ujihara

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  300. Two-dimensional crystallization of DNA-functionalized nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers 国際会議

    Takumi Isogai , Agnes Piednoir , Eri Akada, Yuki Akahoshi , Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    15th Summer School on Crystal Growth 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ポーランド共和国  

  301. Ultrahigh-resolution direct observation of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs superlattice 国際会議

    Daiki Shimura, Fumiaki Ichihashi, Kenji Nishitani, Shunta Harada, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Masaharu Matsunami, Shin-ichi Kimura, Takenobu Sakai, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Photovoltaic specialists conference 39th 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  302. Electron Spectroscopy of Conduction Electrons Exited by Visible Light Utilizing NEA Surface 国際会議

    Fumiaki Ichihashi, Daiki Shimura, Kenji Nishitani, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Photovoltaic specialists conference 39th 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  303. Nanoparticle Assembly mediated by Designed DNA Nanostructures 国際会議

    M. Tagawa, O. Gang, K. Yager, T. Isogai, E. Akada, S. Harada, T. Ujihara

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    開催年月日: 2013年6月 - 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  304. Solution growth of high quality 3C-SiC on a vicinal 6H-SiC 国際会議

    T. Ujihara, K. Seki, S. Yamamoto, S. Harada, M. Tagawa

    HeteroSiC-WASMPE2013 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  305. 高品質SiC溶液成長

    宇治原徹, 原田俊太,

    一般社団法人資源・素材学会 平成25年度春季大会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  306. SiC溶液成長において流速の変化が表面モフォロジーに与える影響

    朱燦,原田俊太,関和明,田川美穂,松本祐司,加藤智久,蔵重和央,奥村元,宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  307. NEA表面を利用した伝導電子エネルギーの直接測定

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治,原田俊太,桑原真人,伊藤孝寛,田川美穂,宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  308. 4H-SiC溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する欠陥の微細構造

    原田俊太,國松亮太,田川美穂,山本悠太,荒井重勇,田中信夫,宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  309. 脂質分子の拡散によるDNA被覆金ナノ粒子の2次元構造体形成

    磯貝卓巳,Agnes Piednoir,赤田英里,祐樹赤星,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  310. 3C-SiC 溶液成長における多形制御と欠陥抑制

    関和明,山本翔太,原田俊太,宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  311. 酸化タングステンの酸素欠損に伴う熱伝導率の変化

    弓削勇輔,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  312. AlGaAs/InGaAs超格子構造におけるミニバンドの超高分解能直接観察

    志村大樹,市橋史朗,原田俊太,桒原真人,伊藤孝寛,松波雅治,木村真一,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  313. Al融液窒化法を用いたAlN多結晶の作製におけるMgによる窒化促進効果の検証 国際会議

    水野恒平, 松原弘明, 永冶仁, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 加納豊広, 青木祐一, 小原公和

    日本セラミックス協会2013年 年会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  314. Observation of Conduction Electrons in Superlattice Structure by Visible Light Photoemission Spectroscopy 国際会議

    Kenji Nishitani, Fumiaki Ichihashi, Daiki Shimura, Shunta Harada, Makoto Kuwahara, Miho Tagawa, Takahiro Ito, Toru Ujihara

    the 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC-23) 

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    開催年月日: 2013年

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  315. 金属負極蓄電池の実現に向けた配向結晶集電体によるデンドライト抑制 国際会議

    三橋貴仁, 伊藤靖仁, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原 徹

    第54回電池討論会 

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    開催年月日: 2013年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  316. 溶液成長過程における貫通転位変換を利用した高品質4H-SiCの実現

    原田俊太、山本祐治、関 和明、田川美穂、宇治原徹

    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21 回講演会 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪市中央公会堂   国名:日本国  

  317. TSSG 法による高品質3C-SiC の成長

    関 和明,原田俊太,宇治原徹

    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21 回講演会 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪市中央公会堂   国名:日本国  

  318. Si-C-X溶媒を用いたSiC 溶液成長における結晶化多形の熱力学的考察

    堀尾篤史、原田俊太、宇治原徹

    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21 回講演会 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪市中央公会堂   国名:日本国  

  319. 透過電子顕微鏡法によるSiC 溶液成長における欠陥挙動解析

    原田俊太、國松亮太、田川美穂、山本悠太、荒井重勇、田中信夫、宇治原徹

    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21 回講演会 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪市中央公会堂   国名:日本国  

  320. 溶液法による3C-SiCバルク結晶成長

    関 和明,原田俊太,宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  321. 溶液法による高品質SiC結晶成長メカニズム

    原田俊太、山本祐治、関 和明、堀尾篤史、三橋貴仁、田川美穂、宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  322. SiC溶液成長における窒素ドープによる積層欠陥の形成

    原田俊太、関和明、楠一彦、田川美穂、宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  323. 3C-SiC溶液成長における双晶抑制

    関 和明,原田俊太,宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  324. 溶液法によるα-Al2O3上へのAlNヘテロエピタキシャル成長

    松原弘明,水野恒平,竹内幸久,原田俊太,木藤泰男,奥野英一,宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  325. 一方向の溶液流れ下におけるSiCのステップバンチングの挙動

    朱燦、原田俊太、関和明、新家寛正、田川美穂、宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  326. Evolution of Threading Edge Dislocation During Solution Growth of SiC 国際会議

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi and T. Ujihara

    SSDM2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  327. Direct Observation of Mini-bands in AlGaAs/GaAs Superlattice for Intermediate Band Solar Cell 国際会議

    D. Shimura, K. Hashimoto, F. Ichihashi, S. Harada, T. Ito, M. Kuwahara, M. Matsunami, S. Kimura, T. Sakai,T. Ujihara

    IUMRS-ICEM 2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  328. Direct Observation of Defect Evolution during Solution Growth of SiC by Synchrotron X-ray Topography 国際会議

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi and T. Ujihara

    IUMRS-ICEM 2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  329. Mechanisms behind low lattice thermal conduction of high density of planar defects containing TiO2-x by atomistic simulations 国際会議

    Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui

    IUMRS-ICEM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  330. Al 融液窒化法において成長温度がAlN組織形成に与える影響

    水野恒平,松原弘明,竹内幸久,原田俊太,宇治原徹,青木祐一,小原公和

    第25回セラミックス協会秋季シンポジウム 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  331. VS 法による高アスペクト比AlN ウィスカーの成長

    松原弘明,水野恒平,竹内幸久,原田俊太,宇治原徹,青木祐一,小原公和

    第25回セラミックス協会秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  332. 溶液法によるサファイア基板上へのAlN単結晶成長

    松原弘明,水野恒平,竹内幸久,原田俊太,木藤泰男,奥野英一,宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  333. SiC溶液成長における流れがステップバンチングに及ぼす影響

    Can Zhu,原田俊太,関 和明,新家寛正,宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  334. 4H-SiC溶液成長における貫通刃状転位の選択的変換

    原田俊太,山本祐治,関 和明,堀尾篤史,三橋貴仁,宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  335. DPBフリー3C-SiCの溶液成長

    関 和明,原田俊太,宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  336. TSSG法で育成した4H-SiC結晶の窒素ドーピング挙動

    楠 一彦,関 和明,原田俊太,亀井一人,矢代将斉,宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  337. Solution growth of DPB-free 3C-SiC 国際会議

    K. Seki, S. Harada, T. Ujihara

    ECSCRM 2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ロシア連邦  

  338. Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal: conversion of threading edge dislocations by solution growth 国際会議

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, C. Zhu, M. Tagawa, T. Ujihara

    ECSCRM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ロシア連邦  

  339. Influence of solution flow on step bunching in solution growth of SiC 国際会議

    C. Zhu, K. Seki, S. Harada, H. Niinomi, M. Tagawa, T. Ujihara

    ECSCRM 2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ロシア連邦  

  340. Reduction of threading screw dislocation density utilizing defect conversion during solution growth of 4H-SiC 国際会議

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, T. Ujihara

    ECSCRM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ロシア連邦  

  341. Effect of surface polarity on the conversion of threading dislocations in solution growth 国際会議

    Y. Yamamoto, S. Harada, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara

    ECSCRM 2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ロシア連邦  

  342. Anisotropy of Lattice Thermal Conduction in TiO2-x with High Density of Planar Defects by Atomistic Simulations 国際会議

    Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui

    The 3rd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations (AMTC3) 

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    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  343. Efficient process for ultrahigh quality 4H-SiC crystal utilizing solution growth on off-axis seed crystal 国際会議

    Shunta HARADA, Yuji YAMAMOTO, Kazuaki SEKI, Atsushi HORIO, Takato MITSUHASHI, Toru UJIHARA

    Materials research society 2012 spring meeting 

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    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  344. SiC溶液成長における貫通らせん転位低減の促進

    原田 俊太,山本 祐治,関 和明,堀尾 篤史,三橋貴仁,宇治原 徹

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学 早稲田キャンパス   国名:日本国  

  345. Reduction of Defects in SiC by Solution Growth for High Performance Power Device

    Shunta Harada, Yuji Yamamto, Kazuaki Seki, Toru Ujihara Yuta Yamamoto, Shigeo Arai, Jun Yamasaki and Nobuo Tanaka

    Interational symposium on role of electron microscopy in industry  

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    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  346. Formation of Different Polytypes during 4H-SiC Solution Growth 国際会議

    Shunta Harada, Alexander, Kazuaki Seki, Yuji Yamamoto, Toru Ujihara, Jun Yamasaki, Nobuo Tanaka

    ISETS '11 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  347. 溶液成長における4H-SiC上での多形変化挙動

    原田俊太,アレキサンダー,関和明,山本祐治,宇治原徹

    第41回結晶成長国内会議(NCCG-41) 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  348. Polytype transformation path on 4H-SiC during top-seeded solution growth 国際会議

    Shunta Harada, Alexander, Kazuaki Seki, Yuji Yamamoto, Toru Ujihara

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  349. Direct observation of an ordered arrangement of vacancies and large local thermal vibration in rhenium silicide by Cs corrected STEM 国際会議

    Shunta Harada, Katsushi Tanaka Kyosuke Kishida, Norihiko L Okamoto, Noriaki Endo, Eiji Okunishi and Haruyuki Inui

    Materials Research Society Fall Meeting 

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    開催年月日: 2010年11月 - 2010年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  350. 第三元素を添加したマグネリ相酸化チタンの熱電特性 国際会議

    原田 俊太,田中 克志,乾 晴行

    日本金属学会 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  351. Crystallographic shear structures and thermal conductivity of some thermoelectric Magnèli phase titanium oxides 国際会議

    Shunta Harada, Katsushi Tanaka and Haruyuki Inui

    International conference on intergranular and interphase boundaries in materials (iib2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年6月 - 2010年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  352. シアー構造を有するMagnèli相化合物の構造変化と熱電特性 国際会議

    原田 俊太,田中 克志,乾 晴行

    日本金属学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:筑波大学   国名:日本国  

  353. Reduction in the thermal conductivity of thermoelectric titanium oxide by introduction of planar defects 国際会議

    Shunta Harada, Katsushi Tanaka and Haruyuki Inui

    Materials Research Society Fall Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年11月 - 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  354. HAADF-STEM法によるRe4Si7の結晶構造解析 国際会議

    原田 俊太,田中 克志,岸田 恭輔,岡本 範彦,乾 晴行,遠藤 徳明,奥西 栄治

    日本金属学会 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学   国名:日本国  

  355. 高品質SiC溶液成長 国際会議

    宇治原徹, 原田俊太

    一般社団法人資源・素材学会 平成25年度春季大会  2013年3月28日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  356. 角度分解光電子分光法を用いた半導体超格子のミニバンド評価 国際会議

    志村大樹, 市橋史朗, 西谷健治, 原田俊太, 伊藤孝寛, 桒原真人, 松波雅治, 木村真一, 田川美穂, 宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月16日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  357. 透過電子顕微鏡法によるSiC 溶液成長における欠陥挙動解析 国際会議

    原田俊太, 國松亮太, 田川美穂, 山本悠太, 荒井重勇, 田中信夫, 宇治原徹

    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21 回講演会  2012年11月19日  応用物理学会「SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会」

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪市中央公会堂  

  358. 酸化タングステンの酸素欠損に伴う熱伝導率の変化 国際会議

    弓削勇輔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会  2013年3月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  359. 金属負極蓄電池の実現に向けた配向結晶集電体によるデンドライト抑制

    三橋貴仁, 伊藤靖仁, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原 徹

    第54回電池討論会  2013年 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  360. 非対称温度分布下でのSiC溶液成長法におけるマランゴニ対流を考慮した3次元数値シミュレーションと表面形状の相関 国際会議

    古池大輝, 梅崎智典, 村山健太, 青柳健大, 原田俊太, 田川美穂, 酒井武信, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会  2014年11月19日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  361. 高品質4H-SiC溶液成長における多形変化抑制メカニズム 国際会議

    原田俊太, 山本祐 治, 村山健太, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  362. 脂質分子をキャリアとしたDNA被覆金ナノ粒子の2次元結晶化 国際会議

    磯貝卓巳, Agnes Piednoir, 赤田英里, 赤星祐樹, 手老龍吾, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月16日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  363. 脂質分子の拡散によるDNA被覆金ナノ粒子の2次元構造体形成 国際会議

    磯貝卓巳, Agnes Piednoir, 赤田英里, 祐樹赤星, 手老龍吾, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会  2013年3月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  364. 脂質二重膜上におけるDNA被覆金ナノ粒子の拡散現象 国際会議

    中田咲子, 赤田英里, 磯貝卓巳, 手老龍吾, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  365. 第三元素を添加したマグネリ相酸化チタンの熱電特性

    原田 俊太, 田中 克志, 乾 晴行

    日本金属学会  2010年9月25日  日本金属学会

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学  

  366. 溶液法による高品質SiC結晶成長メカニズム 国際会議

    原田俊太, 山本祐治, 関 和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 田川美穂, 宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42  2012年11月9日  日本結晶成長学会

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学  

  367. 溶液成長における4H-SiC上での多形変化挙動 国際会議

    原田俊太, アレキサンダー, 関和明, 山本祐治, 宇治原徹

    第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)  2011年11月3日  日本結晶成長学会

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  368. 溶液成長過程における貫通転位変換を利用した高品質4H-SiCの実現 国際会議

    原田俊太, 山本祐治, 関 和明, 田川美穂, 宇治原徹

    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21 回講演会  2012年11月19日  応用物理学会「SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会」

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪市中央公会堂  

  369. 溶液法による3C-SiCバルク結晶成長 国際会議

    関 和明, 原田俊太, 宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42  2012年11月9日  日本結晶成長学会

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学  

  370. 溶液法によるα-Al2O3上へのAlNヘテロエピタキシャル成長 国際会議

    松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 木藤泰男, 奥野英一, 宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42  2012年11月9日  日本結晶成長学会

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学  

  371. 溶液法によるサファイア基板上へのAlN単結晶成長 国際会議

    松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 木藤泰男, 奥野英一, 宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会  2012年9月11日  応用物理学会

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:愛媛大学・松山大学  

  372. 多元溶媒窒化法を用いた単結晶AlNウィスカーの合成 国際会議

    陳鳴宇, 永冶仁, 渡邉 将太, 竹内幸久, 原田俊太, 荒井重勇, 田川美穂, 宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  373. 多元溶媒を用いたAlNウィスカーの成長 国際会議

    陳鳴宇, 松原弘明, 水野恒平, 永冶仁, 竹内幸久, 原田俊太, 青木祐一, 小原公和, 加納豊広, 宇治原徹

    第43回結晶成長国内会議  2013年11月6日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  374. 多元溶媒を用いた高アスペクト比AlN ウィスカーの成長 国際会議

    陳鳴宇, 松原弘明, 水野恒平, 永冶仁, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和, 加納豊広

    公益社団法人日本セラミックス協会 第26回秋季シンポジウ  2013年9月4日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  375. 多元溶媒SiC溶液成長における成長多形と活量比aSi/aCの相関

    堀尾篤史, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第22回SiC講演会  2013年12月9日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  376. 可視光励起光電子分光法による半導体超格子構造の伝導キャリア観察 国際会議

    西谷健治, 市橋史朗, 志村大樹, 桒原真人, 伊藤孝寛, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月16日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  377. 可視光励起光電子分光法による半導体超格子ミニバンド構造の有効質量評価

    西谷健治, 志村大樹, 市橋史朗, 桒原真人, 伊藤孝寛, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  378. 可視光励起光電子分光法による伝導電子の直接観察 国際会議

    市橋史朗, 志村大樹, 西谷健治, 桒原真人, 伊藤孝寛, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月16日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  379. 可視光励起光電子分光法による半導体中の伝導電子の直接観察

    市橋史朗, 志村大樹, 西谷健治, 桑原真人, 伊藤孝寛, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    日本物理学会 第69回年次大会  2014年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  380. 化学平衡計算に基づいた過飽和領域の制御によるAlN 単結晶溶液成長 国際会議

    永冶仁, 陳鳴宇, 渡邉将太, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第44回 結晶成長国内会議 NCCG-44  2014年11月6日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  381. 円偏光レーザー誘起結晶化によるキラリティ制御の可能性 国際会議

    新家寛正, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第44回 結晶成長国内会議 NCCG-44  2014年11月6日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  382. 一方向の溶液流れ下におけるSiCのステップバンチングの挙動 国際会議

    朱燦, 原田俊太, 関和明, 新家寛正, 田川美穂, 宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42  2012年11月9日  日本結晶成長学会

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:九州大学  

  383. シンクロトロン X 線トポグラフィによる溶液成長 SiC 結晶の欠陥評価と高品質化 国際会議

    原田俊太

    第4回名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム  2015年1月22日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  384. Ultrahigh-resolution direct observation of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs superlattice

    Daiki Shimura, Fumiaki Ichihashi, Kenji Nishitani, Shunta Harada, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Masaharu Matsunami, Shin-ichi Kimura, Takenobu Sakai, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Photovoltaic specialists conference 39th  2013年7月16日  IEEE

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tampa  

  385. VS 法による高アスペクト比AlN ウィスカーの成長 国際会議

    松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和

    第25回セラミックス協会秋季シンポジウム  2012年9月19日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  386. シアー構造を有するMagnèli相化合物の構造変化と熱電特性

    原田 俊太, 田中 克志, 乾 晴行

    日本金属学会  2010年3月27日  日本金属学会

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:筑波大学  

  387. Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method utilizing the conversion from threading dislocations to basal plane defects

    Toru Ujihara, Yuji Yamamoto, Shunta Harada, Shiyu Xiao, Kazuaki Seki

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy  2013年8月11日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Warsaw  

  388. Two-dimensional crystallization of DNA-functionalized Au nanoparticles using lipid diffusion

    T.Isogai, E.Akada, A.Piednoir, Y.Akahoshi, R.Tero, S.Harada, T.Ujihara, M.Tagawa

    ISETS '13  2013年12月13日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  389. Two-dimensional crystallization of DNA-functionalized nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers

    Takumi Isogai, Agnes Piednoir, Eri Akada, Yuki Akahoshi, Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    15th Summer School on Crystal Growth  2013年8月11日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  390. Two-dimensional assembly of Au nanoparticles through DNA hybridization on supported lipid bilayer

    T. Isogai, E. Akada, S. Nakada, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    20th International Conference on DNA Computing and Molecular Programming(DNA20)  2014年9月22日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  391. Two Pathways Determining Chirality in NaClO3 Crystals Grown from Solution via Achiral Precursors

    Hiromasa Niinomi, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Takahiro Kuribayashi, Makio Uwaha, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy  2013年8月11日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Warsaw  

  392. Threading screw dislocations conversion behavior on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth

    S. Xiao, N. Hara, S. Harada, T. Sakai, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials  2014年9月21日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  393. TSSG 法による高品質3C-SiC の成長 国際会議

    関 和明, 原田俊太, 宇治原徹

    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21 回講演会  2012年11月19日  応用物理学会「SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会」

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪市中央公会堂  

  394. TSSG法で育成した4H-SiC結晶の窒素ドーピング挙動 国際会議

    楠 一彦, 関 和明, 原田俊太, 亀井一人, 矢代将斉, 宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会  2012年9月11日  応用物理学会

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:愛媛大学・松山大学  

  395. The Suppression of the Trenches by the Control of Solution Flow above Growth Surface in the Solution Growth of SiC

    C. Zhu, S. Harada, S. Xiao, K. Seki, M. Tagawa, Y. Matsumoto, T. Kato, K. Kurashige, H. Okamura, T. Ujihara

    ICSCRM 2013  2013年9月29日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  396. Solution growth of DPB-free 3C-SiC

    K. Seki, S. Harada, T. Ujihara

    ECSCRM 2012  2012年9月2日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Saint-Petersburg, Russia  

  397. Solution growth of high quality 3C-SiC on a vicinal 6H-SiC

    T. Ujihara, K. Seki, S. Yamamoto, S. Harada, M. Tagawa

    HeteroSiC-WASMPE2013  2013年6月17日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  398. Structure of basal plane defects formed by the conversion of threading screw dislocation during solution growth of SiC

    S. Harada, S.Y. Xiao, M. Tagawa, Y. Yamamoto, S. Arai, N. Tanaka, T. Ujihara

    Solid State Devices and Materials 2014  2014年9月8日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  399. Structure of basal plane defects formed by threading screw dislocation conversion during high quality SiC solution growth

    S.Harada, R.Kunimatsu, Xiao Shiyu, Y.Yamamoto, M.Tagawa, Y.Yamamoto, S.Arai, N.Tanaka, T.Ujihara

    ISETS '13  2013年12月13日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  400. The investigation of step structure with different TSDs conversion behavior during 4H-SiC solution growth 国際会議

    肖世玉, 原奈都美, 原田俊太, 宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  401. SiC溶液法C面成長におけるTSD変換

    原田俊太, 肖世玉, 原奈都美, 原田俊太, 宇治原徹

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  402. SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の成長表面との相互作用による考察 国際会議

    原田俊太, 肖世玉, 村山健太, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会  2014年11月19日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  403. SiC溶液成長過程における基底面転位の形成 国際会議

    肖世玉, 朱燦, 原田俊太, 宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月16日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  404. SiC溶液成長過程における貫通転位変換と成長表面のステップ構造 国際会議

    原田俊太, 山本祐治, 肖世玉, 堀尾篤史, 田川美穂, 宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月16日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  405. SiC溶液成長過程における基底面転位の形成

    肖 世玉, 原田 俊太, 宇治原 徹

    第22回SiC講演会  2013年12月9日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  406. Si-C-X溶媒を用いたSiC 溶液成長における結晶化多形の熱力学的考察 国際会議

    堀尾篤史, 原田俊太, 宇治原徹

    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21 回講演会  2012年11月19日  応用物理学会「SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会」

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪市中央公会堂  

  407. SiC 溶液成長における流れ制御によるトレンチ形成の抑制 国際会議

    朱燦, 原田俊太, 関和明, 肖世玉, 田川美穂, 松本祐司, 加藤智久, 蔵重和央, 奥村元, 宇治原徹

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月16日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  408. SiC 溶液成長過程における貫通転位変換現象の弾性論的考察 国際会議

    原田俊太, 肖世玉, 村山健太, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹

    第44回 結晶成長国内会議 NCCG-44  2014年11月6日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  409. SiCフラックス成長におけるSi-NiフラックスのAl添加効果 国際会議

    小沼碧海, 丸山伸伍, 原田俊太, 宇治原徹, 加藤智久, 蔵重和央, 奥村元, 松本祐司

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月16日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  410. SiC溶液成長において流速の変化が表面モフォロジーに与える影響 国際会議

    朱燦, 原田俊太, 関和明, 田川美穂, 松本祐司, 加藤智久, 蔵重和央, 奥村元, 宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会  2013年3月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  411. SiC溶液成長における欠陥変換挙動と高品質結晶成長

    原田俊太

    表面技術協会 関東支部・第86回講演会「ひらめき・未来材料~進化する選択的物質貯蔵・輸送・分離・変換材料~  2013年11月29日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  412. SiC溶液成長における流れがステップバンチングに及ぼす影響 国際会議

    Can Zhu, 原田俊太, 関 和明, 新家寛正, 宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会  2012年9月11日  応用物理学会

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学  

  413. SiC溶液成長における窒素ドープによる積層欠陥の形成 国際会議

    原田俊太, 関和明, 楠一彦, 田川美穂, 宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42  2012年11月9日  日本結晶成長学会

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:九州大学  

  414. SiC溶液成長における貫通らせん転位低減の促進 国際会議

    原田 俊太, 山本 祐治, 関 和明, 堀尾 篤史, 三橋貴仁, 宇治原 徹

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年3月15日  応用物理学会

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学 早稲田キャンパス  

  415. SiC溶液成長における貫通らせん転位変換の弾性エネルギーによる考察

    原田俊太, 肖世玉, 原奈都美, 勝野弘康, 田川美穂, 宇治原徹

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  416. SiC溶液成長における転位伝播挙動と高品質化 国際会議

    原田俊太

    第2回グリーンエネルギー材料のマルチスケール創製研究会(松江)プログラム  2015年1月11日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  417. SiC溶液成長における過飽和度制御による凸形状成長

    古池大輝, 梅崎智典, 堀尾篤史, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第22回SiC講演会  2013年12月9日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  418. SiC溶液成長法における種結晶形状の成長表面への影響と貫通らせん転位変換 国際会議

    古池大輝, 梅崎智典, 原田俊太, 田川美穂, 酒井武信, 宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  419. Si-Al-Cu溶媒を用いた高Alドープ4H-SiC結晶の溶液成長 国際会議

    楠一彦, 関和明, 亀井一人, 原田俊太, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会  2014年11月19日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  420. Reduction of threading screw dislocation density utilizing defect conversion during solution growth of 4H-SiC

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, T. Ujihara

    ECSCRM 2012  2012年9月2日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Saint-Petersburg, Russia  

  421. Reduction of Defects in SiC by Solution Growth for High Performance Power Device 国際会議

    Shunta Harada, Yuji Yamamto, Kazuaki Seki, Toru Ujihara, Yuta Yamamoto, Shigeo Arai, Jun Yamasaki, Nobuo Tanaka

    Interational symposium on role of electron microscopy in industry  2012年1月19日  EcoTopia Science Institute, Nagoya University

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya University, Aichi, Japan  

  422. p型SiC溶液成長における欠陥変換挙動 国際会議

    原田俊太

    高品質SiC結晶次世代成長法に関する研究会  2014年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  423. Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal: conversion of threading edge dislocations by solution growth

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, C. Zhu, M. Tagawa, T. Ujihara

    ECSCRM 2012  2012年9月2日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Saint-Petersburg, Russia  

  424. NaClO3 溶液成長におけるアキラル-キラル多形転移を介したキラリティの発生と増幅

    新家寛正, 原田俊太, 宇治原徹, 三浦均, 木村勇気, 上羽牧夫, 塚本勝男

    日本地球惑星科学連合2014年大会  2014年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  425. NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相の溶解度測定 国際会議

    新家寛正, 原田俊太, 宇治原徹, 三浦均, 木村勇気, 上羽牧夫, 塚本勝男

    第43回結晶成長国内会議  2013年11月6日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  426. NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相を介したキラル結晶形成過程 国際会議

    新家寛正, 原田俊太, 宇治原徹, 三浦均, 木村勇気, 栗林貴弘上羽牧夫, 塚本勝男

    第43回結晶成長国内会議  2013年11月6日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  427. Nanoparticle Assembly mediated by Designed DNA Nanostructures

    M. Tagawa, O. Gang, K. Yager, T. Isogai, E. Akada, S. Harada, T. Ujihara

    Programmable Self-Assembly of Matter Conference 2013  2013年6月30日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  428. NEA表面を利用した伝導電子エネルギーの直接測定 国際会議

    市橋史朗, 志村大樹, 西谷健治, 原田俊太, 桑原真人, 伊藤孝寛, 田川美穂, 宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会  2013年3月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  429. n型およびp型SiC溶液成長過程における欠陥挙動と高品質結晶成長 国際会議

    原田俊太

    第91回バルク成長分科会研究会  2014年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  430. Observation of basal plane dislocations generated during solution growth in 4H-silicon carbide

    S.Y.Xiao, S.Harada, T.Ujihara

    ISETS '13  2013年12月13日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  431. Observation of Conduction Electrons in Superlattice Structure by Visible Light Photoemission Spectroscopy

    Kenji Nishitani, Fumiaki Ichihashi, Daiki Shimura, Shunta Harada, Makoto Kuwahara, Miho Tagawa, Takahiro Ito, Toru Ujihara

    the 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC-23)  2013年 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  432. Polytype transformation path on 4H-SiC during top-seeded solution growth

    Shunta Harada, Alexander, Kazuaki Seki, Yuji Yamamoto, Toru Ujihara

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)  2011年9月28日  THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:The Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan  

  433. N-type doping of 4H-SiC by top-seeded solution growth technique

    K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada, Toru Ujihara

    ICSCRM 2013  2013年9月29日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  434. Increase in the growth rate by rotating the seed crystal at a high speed during the solution growth of SiC

    T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara

    ICSCRM 2013  2013年9月29日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  435. Influence of solution flow on step bunching in solution growth of SiC

    C. Zhu, K. Seki, S. Harada, H. Niinomi, M. Tagawa, T. Ujihara

    ECSCRM 2012  2012年9月2日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Saint-Petersburg, Russia  

  436. Mechanisms behind low lattice thermal conduction of high density of planar defects containing TiO2-x by atomistic simulations

    Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui

    IUMRS-ICEM 2012  2012年9月23日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  437. Improvement of surface morphology by solution flow control in solution growth of SiC on off-axis seeds

    T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials  2014年9月21日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  438. Heavily Al doped 4H-SiC growth by the top-seeded solution growth technique using Si-Al-Cu melt as a solvent

    K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, Y. Kishida, K. Moriguchi, H. Kaidoh, S. Harada, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials  2014年9月21日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  439. Forming two-dimensional structure of DNA-functionalized Au nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers

    Takumi Isogai, Agnes Piednoir, Eri Akada, Yuki Akahoshi, Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy  2013年8月11日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  440. Growth of high quality 3C-SiC on hexagonal SiC seed using TSSG method

    Kazuaki Seki, Shota Yamamoto, Shunta Harada, Toru Ujihara

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy  2013年8月11日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Warsaw  

  441. Formation of Different Polytypes during 4H-SiC Solution Growth

    Shunta Harada, Alexander, Kazuaki Seki, Yuji Yamamoto, Toru Ujihara, Jun Yamasaki, Nobuo Tanaka

    ISETS '11  2011年12月9日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya University, Aichi, Japan  

  442. Fe 過剰BaFe2(As,P)2 薄膜の臨界電流密度増大の起源 国際会議

    森康博, 藤本亮祐, 坂上彰啓, 原田俊太, 宇治原徹, 田渕雅夫, 生田博志

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月16日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  443. Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC

    Shunta Harada, Yuji Yamamoto, Kazuaki Seki, Atsushi Horio, Takato Mitsuhashi, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy  2013年8月11日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Warsaw  

  444. Evolution of Threading Edge Dislocation During Solution Growth of SiC

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara

    SSDM2012  2012年9月25日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  445. Evaluation of Mini-Bands Formed in Superlattice Structure for Intermediate-Band Solar Cell

    D.Shimura, F.Ichihashi, K.Nishitani, S.Harada, T.Ito, M.Kuwahara, M.Matsunami, S.Kimura, M.Tagawa, T.Ujihara

    ISETS '13  2013年12月13日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  446. Electron Spectroscopy of Conduction Electrons Exited by Visible Light Utilizing NEA Surface

    Fumiaki Ichihashi, Daiki Shimura, Kenji Nishitani, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Photovoltaic specialists conference 39th  2013年7月16日  IEEE

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tampa  

  447. Efficient process for ultrahigh quality 4H-SiC crystal utilizing solution growth on off-axis seed crystal

    Shunta HARADA, Yuji YAMAMOTO, Kazuaki SEKI, Atsushi HORIO, Takato MITSUHASHI, Toru UJIHARA

    Materials research society 2012 spring meeting  2012年4月9日  Materials research society

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Moscone West Convention Center, San Francisco, California  

  448. Effect of surface polarity on the conversion of threading dislocations in solution growth

    Y. Yamamoto, S. Harada, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara

    ECSCRM 2012  2012年9月2日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Saint-Petersburg, Russia  

  449. DPBフリー3C-SiCの溶液成長 国際会議

    関 和明, 原田俊太, 宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会  2012年9月11日  応用物理学会

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学  

  450. DNAと脂質二重膜を用いたナノ粒子の2次元結晶化 国際会議

    磯貝卓巳, 赤田英里, Agnes Piednoir, 赤星祐樹, 手老龍吾, 原田俊太, 宇 治原徹, 田川美穂

    第43回結晶成長国内会議  2013年11月6日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  451. DNA-mediated Nanoparticle Assembly

    M. Tagawa, T. Isogai, E. Akada, S. Harada, T. Ujihara

    DNA-mediated Nanoparticle Assembly  2013年10月7日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  452. Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal

    S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, N. HARA, D. Koike, T. Mutoh, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials  2014年9月21日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  453. Direct Observation of Conduction Band Structure and Conduction Electron Distribution in Semiconductor for Intermediate-band Solar Cells

    F.Ichihashi, D.Shimura, K.Nishitani, M.Kuwahara, S.Harada, T.Ito, M.Tagawa, T.Ujihara

    ISETS '13  2013年12月13日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  454. Direct Observation of Defect Evolution during Solution Growth of SiC by Synchrotron X-ray Topography

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara

    IUMRS-ICEM 2012  2012年9月23日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  455. Direct Observation of Mini-bands in AlGaAs/GaAs Superlattice for Intermediate Band Solar Cell

    D. Shimura, K. Hashimoto, F. Ichihashi, S. Harada, T. Ito, M. Kuwahara, M. Matsunami, S. Kimura, T. Sakai, T. Ujihara

    IUMRS-ICEM 2012  2012年9月23日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  456. Direct observation of an ordered arrangement of vacancies and large local thermal vibration in rhenium silicide by Cs corrected STEM

    Shunta Harada, Katsushi Tanaka, Kyosuke Kishida, Norihiko L Okamoto, Noriaki Endo, Eiji Okunishi, Haruyuki Inui

    Materials Research Society Fall Meeting  2010年11月29日  Materials Research Society

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sheraton Hotel in Boston  

  457. Crystallographic shear structures and thermal conductivity of some thermoelectric Magnèli phase titanium oxides

    Shunta Harada, Katsushi Tanaka, Haruyuki Inui

    International conference on intergranular and interphase boundaries in materials (iib2010)  2010年6月27日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Shima Kanko Hotel, Japan  

  458. Defect evolution in high-qualit 4H-SiC grown by solution method

    S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    International Union of Crystallography 2014  2014年8月5日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  459. Direct Measurement of Conduction Miniband Structure in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy

    F. Ichihashi, D. Shimura, K. Nishitani, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, H. Katsuno, M. Tagawa, T. Ujihara

    Photovoltaic Specialists Conference(The PVSC-40)  2014年1月8日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  460. Characterization of Newly Generated Defects during Solution Growth of 4H-SiC

    Shiyu Xiao, Shunta Harada, Natsumi Hara, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia 2014  2014年8月24日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  461. Control of dislocation conversion during solution growth by changing surface step structure

    Shunta Harada, Yuji Yamamoto, Shiyu Xiao, Atsushi Horio, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICSCRM 2013  2013年9月29日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  462. Control of Interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth for SiC Crystal

    D. Koike, T. Umezaki, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials  2014年9月21日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  463. Correlation between Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion in Solution Growth of SiC

    Shunta Harada, Shiyu Xiao, Natsumi Hara, Daiki Koike, Takuya Mutoh, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia 2014  2014年8月24日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  464. CaFe2As2系超伝導薄膜の透過電子顕微鏡観察 国際会議

    川口昂彦, 原田俊太, 藤本亮 祐, 森康博, 中村伊吹, 畑野敬史, 宇治原徹, 生田博志

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  465. "非対称温度分布下でのSiC溶液成長法におけるマランゴニ対流を考慮した3次元数値シミュレーションと表面形状の相関 Relationship between Surface Morphology and Numerical Simulation in Consideration of Marangoni Convection during SiC Solution Growth under a Non-Axisymmetric Temperature Distribution" 国際会議

    古池大輝, 梅崎智典, 村山健太, 青柳健大, 原田俊太, 田川美穂, 酒井武信, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」  2014年11月19日  (公社)応用物理学会 先進パワー半導体分科会

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウインクあいち、愛知県  

  466. "高品質4H-SiC溶液成長における多形変化抑制メカニズム" 国際会議

    原田俊太, 山本祐治, 村山健太, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道  

  467. 3C-SiC crystal on sapphire by solution growth method

    K. Shibata, S. Harada, T. Ujihara

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials  2014年9月21日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  468. 3C-SiC 溶液成長における多形制御と欠陥抑制 国際会議

    関和明, 山本翔太, 原田俊太, 宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会  2013年3月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  469. 3C-SiC溶液成長における双晶抑制 国際会議

    関 和明, 原田俊太, 宇治原徹

    第42回日本結晶成長学会 NCCG-42  2012年11月9日  日本結晶成長学会

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:九州大学  

  470. 4H-SiC溶液成長における成長表面のステップ構造と貫通転位変換挙動の相関

    原田俊太, 山本祐治, 肖世玉, 堀尾篤史, 田川美穂, 宇治原徹

    第22回SiC講演会  2013年12月9日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  471. 4H-SiC溶液成長における貫通刃状転位の選択的変換 国際会議

    原田俊太, 山本祐治, 関 和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹

    第73回 応用物理学会学術講演会  2012年9月11日  応用物理学会

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学  

  472. 4H-SiC溶液成長法における凸形状成長による貫通らせん転位の変換挙動

    古池大輝, 梅崎智典, 堀尾篤史, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  473. 4H-SiC溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する欠陥の微細構造 国際会議

    原田俊太, 國松亮太, 田川美穂, 山本悠太, 荒井重勇, 田中信夫, 宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会  2013年3月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  474. 4H-SiC溶液成長過程における貫通転位変換挙動と成長表面モフォロジーの相関 国際会議

    原田俊太, 山本祐治, 肖世玉, 堀尾篤史, 田川美穂, 宇治原徹

    第43回結晶成長国内会議  2013年11月6日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  475. Al 融液窒化法において成長温度がAlN組織形成に与える影響 国際会議

    水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和

    第25回セラミックス協会秋季シンポジウム  2012年9月19日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  476. AlGaAs/InGaAs超格子構造におけるミニバンドの超高分解能直接観察 国際会議

    志村大樹, 市橋史朗, 原田俊太, 桒原真人, 伊藤孝寛, 松波雅治, 木村真一, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹

    2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会  2013年3月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  477. AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定 国際会議

    永冶仁, 陳鳴 宇, 渡邉将太, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  478. Aluminum Nitride Whiskers with High Aspect Ratio Grown from Multi-Component Melt

    M.Y.Chen, H.Matsubara, K.Mizuno, M.Nagaya, Y.Takeuchi, S.Harada, T.Ujihara, Y.Aoki, K.Kohara, T.Kano

    ISETS '13  2013年12月13日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  479. Al融液窒化法を用いたAlN多結晶の作製におけるMgによる窒化促進効果の検証

    水野恒平, 松原弘明, 永冶仁, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 加納豊広, 青木祐一, 小原公和

    日本セラミックス協会2013年 年会  2013年3月17日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  480. Anisotropy of Lattice Thermal Conduction in TiO2-x with High Density of Planar Defects by Atomistic Simulations

    Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui

    The 3rd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations (AMTC3)  2012年5月9日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  481. "脂質二重膜上におけるDNA被覆金ナノ粒子の拡散現象" 国際会議

    中田咲子, 赤田英里, 磯貝卓巳, 手老龍吾, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道  

  482. "3C-SiC crystal on sapphire by solution growth method"

    Kenji SHIBATA, Shunta HARADA, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014)  2014年9月21日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:the congress center of the World Trade Center, Grenoble, France  

  483. "AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定" 国際会議

    永冶仁, 陳鳴宇, 渡邉将太, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道  

  484. "CaFe2As2系超伝導薄膜の透過電子顕微鏡観察" 国際会議

    川口昂彦, 原田俊太, 藤本亮祐, 森康博, 中村伊吹, 畑野敬史, 宇治原徹, 生田博志

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道  

  485. "Control of Interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth for SiC Crystal"

    Daiki KOIKE, Tomonori UMEZAKI, Shunta HARADA, Miho TAGAWA, Takenobu SAKAI, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014)  2014年9月21日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:the congress center of the World Trade Center, Grenoble, France  

  486. "Improvement of surface morphology by solution flow control in solution growth of SiC on off-axis seeds"

    Tomonori UMEZAKI, Daiki KOIKE, Shunta HARADA, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014)  2014年9月21日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:the congress center of the World Trade Center, Grenoble, France  

  487. "Microstructure Observation of CaFe2As2 Family Thin Films by Transmission Electron Microscopy"

    T. Kawaguchi, S. Harada, R. Fujimoto, Y. Mori, I. Nakamura, T. Hatano, T. Ujihara, H. Ikuta

    27th International Symposium on Superconductivity (ISS2014)  2014年11月25日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tower Hall Funabori, Tokyo  

  488. "Si-Al-Cu溶媒を用いた高Alドープ4H-SiC結晶の溶液成長 Heavily Al doped 4H-SiC growth by solution growth technique using Si-Al-Cu melt as a solvent" 国際会議

    楠一彦, 関和明, 亀井一人, 原田俊太, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」  2014年11月19日  (公社)応用物理学会 先進パワー半導体分科会

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウインクあいち、愛知県  

  489. "SiCフラックス成長におけるSiC基板/フラックス界面の高温真空レーザー顕微鏡観察" 国際会議

    小沼碧海, 丸山伸伍, 原田俊太, 宇治原徹, 加藤智久, 蔵重和央, 奥村元, 松本祐司

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道  

  490. "SiC溶液成長法における種結晶形状の成長表面への影響と貫通らせん転位変換" 国際会議

    古池大輝, 梅崎智典, 原田俊太, 田川美穂, 酒井武信, 宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道  

  491. "SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の弾性論的考察" 国際会議

    原田俊太, 肖世玉, 村山健太, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)  2014年11月6日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:学習院創立百周年記念会館, 東京都  

  492. "SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の成長表面との相互作用による考察 Consideration of threading dislocation conversion phenomena during the solution growth of SiC based on the interaction between the growth surface and the dislocation" 国際会議

    原田俊太, 肖世玉, 村山健太, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」  2014年11月19日  (公社)応用物理学会 先進パワー半導体分科会

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウインクあいち、愛知県  

  493. "The investigation of step structure with different TSDs conversion behavior during 4H-SiC solution growth" 国際会議

    肖世玉, 原奈津美, 原田俊太, 宇治原徹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月17日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス、北海道  

  494. "円偏光レーザー誘起結晶化によるキラリティ制御の可能性" 国際会議

    新家寛正, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)  2014年11月6日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:学習院創立百周年記念会館, 東京都  

  495. "化学平衡計算に基づいた過飽和領域の制御によるAlN単結晶溶液成長" 国際会議

    永冶仁, 陳鳴宇, 渡邉将太, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)  2014年11月6日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:学習院創立百周年記念会館, 東京都  

  496. "多元溶媒窒化法を用いた単結晶AlNウィスカーの合成"