2021/10/14 更新

写真a

イシカワ ケンジ
石川 健治
ISHIKAWA, Kenji
所属
低温プラズマ科学研究センター プラズマ科学部門 教授
大学院担当
大学院工学研究科
職名
教授
外部リンク

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2006年3月   東北大学 ) 

研究分野 1

  1. その他 / その他  / プラズマナノ科学・ナノ工学

現在の研究課題とSDGs 2

  1. プラズマ生物学

  2. プラズマ物質科学

経歴 3

  1. 名古屋大学   プラズマ科学部門   教授

    2021年4月 - 現在

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    国名:日本国

  2. 九州大学   プラズマナノ界面工学センター

    2021年4月

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    国名:日本国

  3. 名古屋大学   低温プラズマ科学研究センター   特任教授

    2020年2月 - 2021年3月

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    国名:日本国

所属学協会 3

  1. 応用物理学会

  2. 日本酸化ストレス学会

  3. プラズマ核融合学会

受賞 7

  1. ISPlasma 2016/IC-PLANTS 2016 Excellent Presentation Award

    2016年3月   ISPlasma 2016/IC-PLANTS 2016  

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    受賞国:日本国

  2. 第37回(2015年度)応用物理学会論文賞

    2015年9月   応用物理学会  

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    受賞国:日本国

  3. 第11回プラズマエレクトロニクス賞

    2013年3月   応用物理学会  

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    受賞国:日本国

  4. 第11回アジア太平洋プラズマ科学会議(APCPST&SPSM) Plasma Science Award

    2012年10月   APCPST&SPSM  

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    受賞国:日本国

  5. 第72回半導体・集積回路技術シンポジウムアワード

    2009年   電気化学会  

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    受賞国:日本国

  6. ASET 優秀研究員“SiO2およびポリマーのプラズマエッチング表面反応の研究”

    2003年   技術研究組合 超先端電子技術開発機構(ASET)  

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    受賞国:日本国

  7. 2003 spring MRS best poster award: E3.28 VAPOR TREATMENT OF COPPER SURFACE USING ORGANIC ACIDS

    2003年   Material Research Society  

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論文 251

  1. Plasma-activated Ringer's lactate solution inhibits the cellular respiratory system in HeLa cells 査読有り

    Tanaka Hiromasa, Maeda Shogo, Nakamura Kae, Hashizume Hiroshi, Ishikawa Kenji, Ito Mikako, Ohno Kinji, Mizuno Masaaki, Motooka Yashiro, Okazaki Yasumasa, Toyokuni Shinya, Kajiyama Hiroaki, Kikkawa Fumitaka, Hori Masaru

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS   18 巻 ( 10 )   2021年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.202100056

    Web of Science

  2. Effects of hydrogen content in films on the etching of LPCVD and PECVD SiN films using CF4/H-2 plasma at different substrate temperatures 査読有り

    Hsiao Shih-Nan, Britun Nikolay, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Tsutsumi Takayoshi, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS     2021年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.202100078

    Web of Science

  3. Lysosomal nitric oxide determines transition from autophagy to ferroptosis after exposure to plasma-activated Ringer's lactate 査読有り

    Jiang Li, Zheng Hao, Lyu Qinying, Hayashi Shotaro, Sato Kotaro, Sekido Yoshitaka, Nakamura Kae, Tanaka Hiromasa, Ishikawa Kenji, Kajiyama Hiroaki, Mizuno Masaaki, Hori Masaru, Toyokuni Shinya

    REDOX BIOLOGY   43 巻   2021年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.redox.2021.101989

    Web of Science

  4. Brain cell proliferation in adult rats after irradiation with nonequilibrium atmospheric pressure plasma 査読有り

    Yamato Masanori, Tamura Yasuhisa, Tanaka Hiromasa, Ishikawa Kenji, Ikehara Yuzuru, Hori Masaru, Kataoka Yosky

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 6 )   2021年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac03c1

    Web of Science

  5. Hydrogen peroxide in lactate solutions irradiated by non-equilibrium atmospheric pressure plasma 査読有り

    Liu Yang, Ishikawa Kenji, Miron Camelia, Hashizume Hiroshi, Tanaka Hiromasa, Hori Masaru

    PLASMA SOURCES SCIENCE & TECHNOLOGY   30 巻 ( 4 )   2021年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6595/abbbd4

    Web of Science

  6. Influences of substrate temperatures on etch rates of PECVD-SiN thin films with a CF4/H-2 plasma 査読有り

    Hsiao Shih-Nan, Nakane Kazuya, Tsutsumi Takayoshi, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    APPLIED SURFACE SCIENCE   542 巻   2021年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.148550

    Web of Science

  7. Selective etching of SiN against SiO2 and poly-Si films in hydrofluoroethane chemistry with a mixture of CH2FCHF2, O-2, and Ar 査読有り

    Hsiao Shih-Nan, Ishikawa Kenji, Hayashi Toshio, Ni Jiwei, Tsutsumi Takayoshi, Sekine Makoto, Hori Masaru

    APPLIED SURFACE SCIENCE   541 巻   2021年3月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.148439

    Web of Science

  8. FOREWORD Mechanistic understanding of cold atmospheric plasma applications 査読有り

    Kurihara Kazuaki, Ishikawa Kenji, Takaki Koichi, Shiratani Masaharu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 2 )   2021年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abd871

    Web of Science

  9. Growth inhibition effect on Trypanosoma brucei gambiense by the oxidative stress supplied from low-temperature plasma at atmospheric pressure 査読有り

    Yokoyama Naoaki, Sivakumar Thillaiampalam, Ikehara Sanae, Akimoto Yoshihiro, Yamaguchi Takashi, Wakai Ken, Ishikawa Kenji, Hori Masaru, Shimizu Tetsuji, Sakakita Hajime, Ikehara Yuzuru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 2 )   2021年2月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abd464

    Web of Science

  10. Effects of Carbon Nanowalls (CNWs) Substrates on Soft Ionization of Low-Molecular-Weight Organic Compounds in Surface-Assisted Laser Desorption/Ionization Mass Spectrometry (SALDI-MS) 査読有り

    Sakai Ryusei, Ichikawa Tomonori, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Shimizu Naohiro, Ohta Takayuki, Hiramatsu Mineo, Hori Masaru

    NANOMATERIALS   11 巻 ( 2 )   2021年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/nano11020262

    Web of Science

  11. Impact of seed color and storage time on the radish seed germination and sprout growth in plasma agriculture 査読有り

    Attri Pankaj, Ishikawa Kenji, Okumura Takamasa, Koga Kazunori, Shiratani Masaharu, Mildaziene Vida

    SCIENTIFIC REPORTS   11 巻 ( 1 )   2021年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-021-81175-x

    Web of Science

  12. Inactivation mechanism of fungal spores through oxygen radicals in atmospheric-pressure plasma 査読有り

    Ito Masafumi, Hashizume Hiroshi, Oh Jun-Seok, Ishikawa Kenji, Ohta Takayuki, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 1 )   2021年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  13. Reduction in photon-induced interface defects by optimal pulse repetition rate in the pulse-modulated inductively coupled plasma 査読有り

    Miyoshi Yasufumi, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru, Tatsumi Tetsuya

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 1 )   2021年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  14. Insights into normothermic treatment with direct irradiation of atmospheric pressure plasma for biological applications 査読有り

    Yoshimura Shinji, Otsubo Yoko, Yamashita Akira, Ishikawa Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 1 )   2021年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  15. Improvement of yield and grain quality by periodic cold plasma treatment with rice plants in a paddy field 査読有り

    Hashizume Hiroshi, Kitano Hidemi, Mizuno Hiroko, Abe Akiko, Yuasa Genki, Tohno Satoe, Tanaka Hiromasa, Ishikawa Kenji, Matsumoto Shogo, Sakakibara Hitoshi, Nikawa Susumu, Maeshima Masayoshi, Mizuno Masaaki, Hori Masaru

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS   18 巻 ( 1 )   2021年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.202000181

    Web of Science

  16. Reaction science of layer-by-layer thinning of graphene with oxygen neutrals at room temperature 査読有り

    Sugiura Hirotsugu, Kondo Hiroki, Higuchi Kimitaka, Arai Shigeo, Hamaji Ryo, Tsutsumi Takayoshi, Ishikawa Kenji, Hori Masaru

    CARBON   170 巻   頁: 93 - 99   2020年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.carbon.2020.07.052

    Web of Science

  17. Influence of chamber pressure on the crystal quality of homo-epitaxial GaN grown by radical-enhanced MOCVD (REMOCVD) 査読有り

    Amalraj Frank Wilson, Shimizu Naohiro, Oda Osamu, Ishikawa Kenji, Hori Masaru

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   549 巻   2020年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125863

    Web of Science

  18. Steering of surface discharges on through-glass-vias combined with high-density nonequilibrium atmospheric pressure plasma generation 査読有り

    Sato Yoichiro, Katsuno Kaede, Odaka Hidefumi, Imajyo Nobuhiko, Ishikawa Kenji, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 43 )   2020年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aba1ad

    Web of Science

  19. Formation of spherical Sn particles by reducing SnO2 film in floating wire-assisted H-2/Ar plasma at atmospheric pressure 査読有り

    Thi-Thuy-Nga Nguyen, Sasaki Minoru, Tsutsumi Takayoshi, Ishikawa Kenji, Hori Masaru

    SCIENTIFIC REPORTS   10 巻 ( 1 )   2020年10月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-020-74663-z

    Web of Science

  20. Roles of Atomic Nitrogen/Hydrogen in GaN Film Growth by Chemically Assisted Sputtering with Dual Plasma Sources 査読有り

    Tanide Atsushi, Nakamura Shohei, Horikoshi Akira, Takatsuji Shigeru, Kimura Takahiro, Kinose Kazuo, Nadahara Soichi, Nishikawa Masazumi, Ebe Akinori, Ishikawa Kenji, Oda Osamu, Hori Masaru

    ACS OMEGA   5 巻 ( 41 ) 頁: 26776 - 26785   2020年10月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsomega.0c03865

    Web of Science

  21. Laser-induced-plasma-activated medium enables killing of HeLa cells 査読有り

    Kurokawa Yukihiro, Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Tanaka Hiromasa, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 10 )   2020年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  22. Adjusted multiple gases in the plasma flow induce differential antitumor potentials of plasma-activated solutions 査読有り

    Nakamura Kae, Yoshikawa Nobuhisa, Yoshihara Masato, Ikeda Yoshiki, Higashida Akihiro, Niwa Akihiro, Jindo Takahiro, Tanaka Hiromasa, Ishikawa Kenji, Mizuno Masaaki, Toyokuni Shinya, Hori Masaru, Kikkawa Fumitaka, Kajiyama Hiroaki

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS   17 巻 ( 10 )   2020年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.201900259

    Web of Science

  23. Small size gold nanoparticles enhance apoptosis-induced by cold atmospheric plasma via depletion of intracellular GSH and modification of oxidative stress 査読有り

    Jawaid Paras, Rehman Mati Ur, Zhao Qing-Li, Misawa Masaki, Ishikawa Kenji, Hori Masaru, Shimizu Tadamichi, Saitoh Jun-ichi, Noguchi Kyo, Kondo Takashi

    CELL DEATH DISCOVERY   6 巻 ( 1 )   2020年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41420-020-00314-x

    Web of Science

  24. Numerical analysis of coaxial dielectric barrier helium discharges: three-stage mode transitions and internal bullet propagation 査読有り

    Sato Yosuke, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 8 )   2020年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  25. Plasma Agriculture from Laboratory to Farm: A Review 査読有り

    Attri Pankaj, Ishikawa Kenji, Okumura Takamasa, Koga Kazunori, Shiratani Masaharu

    PROCESSES   8 巻 ( 8 )   2020年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/pr8081002

    Web of Science

  26. Non-thermal plasma-activated lactate solution kills U251SP glioblastoma cells in an innate reductive manner with altered metabolism 査読有り

    Ishikawa Kenji, Hosoi Yugo, Tanaka Hiromasa, Jiang Li, Toyokuni Shinya, Nakamura Kae, Kajiyama Hiroaki, Kikkawa Fumitaka, Mizuno Masaaki, Hori Masaru

    ARCHIVES OF BIOCHEMISTRY AND BIOPHYSICS   688 巻   2020年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.abb.2020.108414

    Web of Science

  27. In situ surface analysis of an ion-energy-dependent chlorination layer on GaN during cyclic etching using Ar+ ions and Cl radicals 査読有り

    Hasegawa Masaki, Tsutsumi Takayoshi, Tanide Atsushi, Nakamura Shohei, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   38 巻 ( 4 )   2020年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/6.0000124

    Web of Science

  28. Numerical simulations of stable, high-electron-density atmospheric pressure argon plasma under pin-to-plane electrode geometry: effects of applied voltage polarity 査読有り

    Sato Yosuke, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Ui Akio, Akita Masato, Oka Shotaro, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 26 )   2020年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/ab7df0

    Web of Science

  29. In-plane modification of hexagonal boron nitride particles via plasma in solution 査読有り

    Ito Tsuyohito, Goto Taku, Inoue Kenichi, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Hori Masaru, Shimizu Yoshiki, Hakuta Yukiya, Terashima Kazuo

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 6 )   2020年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  30. Electronic properties and primary dissociation channels of fluoromethane compounds 査読有り

    Hayashi Toshio, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab7e3f

    Web of Science

  31. Electron spin resonance as a tool to monitor the influence of novel processing technologies on food properties 査読有り

    Barba Francisco J., Roohinejad Shahin, Ishikawa Kenji, Leong Sze Ying, Bekhit Alaa El-Din A., Saraiva Jorge A., Lebovka Nikolai

    TRENDS IN FOOD SCIENCE & TECHNOLOGY   100 巻   頁: 77 - 87   2020年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tifs.2020.03.032

    Web of Science

  32. Dry Process FOREWORD 査読有り

    Shirafuji Tatsuru, Kinoshita Keizo, Akatsuka Hiroshi, Eriguchi Koji, Ichikawa Takashi, Ichiki Takanori, Ishijima Tatsuo, Ishikawa Kenji, Karahashi Kazuhiro, Kurihara Kazuaki, Sekine Makoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab8acf

    Web of Science

  33. Characterization of a microsecond pulsed non-equilibrium atmospheric pressure Ar plasma using laser scattering and optical emission spectroscopy 査読有り

    Jia Fengdong, Wu Yong, Min Qi, Su Maogen, Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru, Zhong Zhiping

    PLASMA SCIENCE & TECHNOLOGY   22 巻 ( 6 )   2020年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/2058-6272/ab84e2

    Web of Science

  34. Synthesis of isolated carbon nanowalls via high-voltage nanosecond pulses in conjunction with CH4/H-2 plasma enhanced chemical vapor deposition 査読有り

    Ichikawa Tomonori, Shimizu Naohiro, Ishikawa Kenji, Hiramatsu Mineo, Hori Masaru

    CARBON   161 巻   頁: 403 - 412   2020年5月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.carbon.2020.01.064

    Web of Science

  35. Gas-phase and film analysis of hydrogenated amorphous carbon films: Effect of ion bombardment energy flux on sp(2) carbon structures 査読有り

    Sugiura Hirotsugu, Ohashi Yasuyuki, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Kato Toshiaki, Kaneko Toshiro, Takeda Keigo, Tsutsumi Takayoshi, Hayashi Toshio, Sekine Makoto, Hori Masaru

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS   104 巻   2020年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.diamond.2019.107651

    Web of Science

  36. In-Liquid Plasma Synthesis of Nanographene with a Mixture of Methanol and 1-Butanol 査読有り

    Ando Atsushi, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Hiramatsu Mineo, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    CHEMNANOMAT   6 巻 ( 4 ) 頁: 604 - 609   2020年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/cnma.201900676

    Web of Science

  37. Interaction of oxygen with polystyrene and polyethylene polymer films: A mechanistic study 査読有り

    Fukunaga Yusuke, Longo Roberto C., Ventzek Peter L. G., Lane Barton, Ranjan Alok, Hwang Gyeong S., Hartmann Greg, Tsutsumi Takayoshi, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   127 巻 ( 2 )   2020年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5127863

    Web of Science

  38. Rapid thermal-cyclic atomic-layer etching of titanium nitride in CHF3/O-2 downstream plasma 査読有り

    Shinoda Kazunori, Miyoshi Nobuya, Kobayashi Hiroyuki, Izawa Masaru, Ishikawa Kenji, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 47 )   2019年11月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/ab3cf3

    Web of Science

  39. Simulation-aided design of very-high-frequency excited nitrogen plasma confinement using a shield plate 査読有り

    Isobe Yasuhiro, Sakai Takayuki, Suguro Kyoichi, Miyashita Naoto, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Wilson Amalraj Frank, Shimizu Naohiro, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   37 巻 ( 6 )   2019年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.5114831

    Web of Science

  40. Oxidative stress-dependent and -independent death of glioblastoma cells induced by non-thermal plasma-exposed solutions 査読有り

    Tanaka Hiromasa, Mizuno Masaaki, Katsumata Yuko, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Hashizume Hiroshi, Okazaki Yasumasa, Toyokuni Shinya, Nakamura Kae, Yoshikawa Nobuhisa, Kajiyama Hiroaki, Kikkawa Fumitaka, Hori Masaru

    SCIENTIFIC REPORTS   9 巻   2019年9月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-019-50136-w

    Web of Science

  41. Self-limiting reactions of ammonium salt in CHF3/O-2 downstream plasma for thermal-cyclic atomic layer etching of silicon nitride 査読有り

    Shinoda Kazunori, Miyoshi Nobuya, Kobayashi Hiroyuki, Izawa Masaru, Saeki Tomonori, Ishikawa Kenji, Hori Masaru

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   37 巻 ( 5 )   2019年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.5111663

    Web of Science

  42. Review of methods for the mitigation of plasma-induced damage to low-dielectric-constant interlayer dielectrics used for semiconductor logic device interconnects 査読有り

    Miyajima Hideshi, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS   16 巻 ( 9 )   2019年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.201900039

    Web of Science

  43. Atmospheric Pressure Plasma-Treated Carbon Nanowalls' Surface-Assisted Laser Desorption/Ionization Time-of-Flight Mass Spectrometry (CNW-SALDI-MS) 査読有り

    Ohta Takayuki, Ito Hironori, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Hiramatsu Mineo, Hori Masaru

    C-JOURNAL OF CARBON RESEARCH   5 巻 ( 3 )   2019年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/c5030040

    Web of Science

  44. Simultaneous achievement of antimicrobial property and plant growth promotion using plasma-activated benzoic compound solution 査読有り

    Iwata Naoyuki, Gamaleev Vladislav, Hashizume Hiroshi, Oh Jun-Seok, Ohta Takayuki, Ishikawa Kenji, Hori Masaru, Ito Masafumi

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS   16 巻 ( 8 )   2019年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.201900023

    Web of Science

  45. Gene Expression of Osteoblast-like Cells on Carbon-Nanowall as Scaffolds during Incubation with Electrical Stimulation 査読有り

    Ichikawa Tomonori, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Tanaka Hiromasa, Sekine Makoto, Hori Masaru

    ACS APPLIED BIO MATERIALS   2 巻 ( 7 ) 頁: 2698 - 2702   2019年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsabm.9b00178

    Web of Science

  46. Plasma-activated solution alters the morphological dynamics of supported lipid bilayers observed by high-speed atomic force microscopy 査読有り

    Yamaoka Sotaro, Kondo Hiroki, Hashizume Hiroshi, Ishikawa Kenji, Tanaka Hiromasa, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 6 )   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/ab1a58

    Web of Science

  47. Progress and perspectives in dry processes for emerging multidisciplinary applications: how can we improve our use of dry processes? 査読有り

    Iwase Taku, Kamaji Yoshito, Kang Song Yun, Koga Kazunori, Kuboi Nobuyuki, Nakamura Moritaka, Negishi Nobuyuki, Nozaki Tomohiro, Nunomura Shota, Ogawa Daisuke, Omura Mitsuhiro, Shimizu Tetsuji, Shinoda Kazunori, Sonoda Yasushi, Suzuki Haruka, Takahashi Kazuo, Tsutsumi Takayoshi, Yoshikawa Kenichi, Ishijima Tatsuo, Ishikawa Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab163a

    Web of Science

  48. Progress and perspectives in dry processes for leading-edge manufacturing of devices: toward intelligent processes and virtual product development 査読有り

    Iwase Taku, Kamaji Yoshito, Kang Song Yun, Koga Kazunori, Kuboi Nobuyuki, Nakamura Moritaka, Negishi Nobuyuki, Nozaki Tomohiro, Nunomura Shota, Ogawa Daisuke, Omura Mitsuhiro, Shimizu Tetsuji, Shinoda Kazunori, Sonoda Yasushi, Suzuki Haruka, Takahashi Kazuo, Tsutsumi Takayoshi, Yoshikawa Kenichi, Ishijima Tatsuo, Ishikawa Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab163b

    Web of Science

  49. Progress and perspectives in dry processes for nanoscale feature fabrication: fine pattern transfer and high-aspect-ratio feature formation 査読有り

    Iwase Taku, Kamaji Yoshito, Kang Song Yun, Koga Kazunori, Kuboi Nobuyuki, Nakamura Moritaka, Negishi Nobuyuki, Nozaki Tomohiro, Nunomura Shota, Ogawa Daisuke, Omura Mitsuhiro, Shimizu Tetsuji, Shinoda Kazunori, Sonoda Yasushi, Suzuki Haruka, Takahashi Kazuo, Tsutsumi Takayoshi, Yoshikawa Kenichi, Ishijima Tatsuo, Ishikawa Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab1638

    Web of Science

  50. Rethinking surface reactions in nanoscale dry processes toward atomic precision and beyond: a physics and chemistry perspective 査読有り

    Ishikawa Kenji, Ishijima Tatsuo, Shirafuji Tatsuru, Armini Silvia, Despiau-Pujo Emilie, Gottscho Richard A., Kanarik Keren J., Leusink Gert J., Marchack Nathan, Murayama Takahide, Morikawa Yasuhiro, Oehrlein Gottlieb S., Park Sangwuk, Hayashi Hisataka, Kinoshita Keizo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab163e

    Web of Science

  51. Electronic properties and primarily dissociation channels of fluoroethane compounds 査読有り

    Hayashi Toshio, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab09ca

    Web of Science

  52. Polyethylene terephthalate (PET) surface modification by VUV and neutral active species in remote oxygen or hydrogen plasmas 査読有り

    Zhang Yan, Ishikawa Kenji, Mozetic Miran, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS   16 巻 ( 6 )   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.201800175

    Web of Science

  53. Laser-drilling formation of through-glass-via (TGV) on polymer-laminated glass 査読有り

    Sato Yoichiro, Imajyo Nobuhiko, Ishikawa Kenji, Tummala Rao, Hori Masaru

    JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS   30 巻 ( 11 ) 頁: 10183 - 10190   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s10854-019-01354-5

    Web of Science

  54. Effects of plasma shield plate design on epitaxial GaN films grown for large-sized wafers in radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition 査読有り

    Isobe Yasuhiro, Sakai Takayuki, Sugiyama Naoharu, Mizushima Ichiro, Suguro Kyoichi, Miyashita Naoto, Lu Yi, Wilson Amalraj Frank, Kumar Dhasiyan Arun, Ikarashi Nobuyuki, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Shimizu Naohiro, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   37 巻 ( 3 )   2019年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.5083970

    Web of Science

  55. Chemical bonding structure in porous SiOC films (k < 2.4) with high plasma-induced damage resistance (vol 3, pg 1, 2019) 査読有り

    Miyajima Hideshi, Masuda Hideaki, Watanabe Kei, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    MICRO AND NANO ENGINEERING   3 巻   頁: 92 - 92   2019年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mne.2019.05.004

    Web of Science

  56. Chemical bonding structure in porous SiOC films (k < 2.4) with high plasma-induced damage resistance 査読有り

    Miyajima Hideshi, Masuda Hideaki, Watanabe Kei, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    MICRO AND NANO ENGINEERING   3 巻   頁: 1 - 6   2019年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mne.2019.02.005

    Web of Science

  57. Facile synthesis of SnO2-graphene composites employing nonthermal plasma and SnO2 nanoparticles-dispersed ethanol 査読有り

    Borude Ranjit R., Sugiura Hirotsugu, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 17 )   2019年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/ab03c4

    Web of Science

  58. Systematic diagnostics of the electrical, optical, and physicochemical characteristics of low-temperature atmospheric-pressure helium plasma sources 査読有り

    Takeda Keigo, Yamada Hiromasa, Ishikawa Kenji, Sakakita Hajime, Kim Jaeho, Ueda Masashi, Ikeda Jun-ichiro, Akimoto Yoshihiro, Kataoka Yosky, Yokoyama Naoaki, Ikehara Yuzuru, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 16 )   2019年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aaff44

    Web of Science

  59. A 65-nm CMOS Fully Integrated Analysis Platform Using an On-Chip Vector Network Analyzer and a Transmission-Line-Based Detection Window for Analyzing Circulating Tumor Cell and Exosome 査読有り

    Niitsu Kiichi, Nakanishi Taiki, Murakami Shunya, Matsunaga Maya, Kobayashi Atsuki, Karim Nissar Mohammad, Ito Jun, Ozawa Naoya, Hase Tetsunari, Tanaka Hiromasa, Sato Mitsuo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Odaka Hidefumi, Hasegawa Yoshinori, Hori Masaru, Nakazato Kazuo

    IEEE TRANSACTIONS ON BIOMEDICAL CIRCUITS AND SYSTEMS   13 巻 ( 2 ) 頁: 470 - 479   2019年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TBCAS.2018.2882472

    Web of Science

  60. Effects of 3D structure on electrochemical oxygen reduction characteristics of Pt- nanoparticle-supported carbon nanowalls 査読有り

    Imai Shun, Naito Kenichi, Kondo Hiroki, Cho Hyung Jun, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Sekine Makoto, Hiramatsu Mineo, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 10 )   2019年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aaf8e0

    Web of Science

  61. Control of sp(2)-C cluster incorporation of amorphous carbon films grown by H-radical-injection CH4/H-2 plasma-enhanced chemical vapor deposition 査読有り

    Sugiura Hirotsugu, Jia Lingyun, Ohashi Yasuyuki, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Hayashi Toshio, Takeda Keigo, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 3 )   2019年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aafd49

    Web of Science

  62. Effects of BCl3 addition to Cl-2 gas on etching characteristics of GaN at high temperature 査読有り

    Tanide Atsushi, Nakamura Shohei, Horikoshi Akira, Takatsuji Shigeru, Kohno Motohiro, Kinose Kazuo, Nadahara Soichi, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   37 巻 ( 2 )   2019年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.5082345

    Web of Science

  63. Effects of Ion Bombardment Energy Flux on Chemical Compositions and Structures of Hydrogenated Amorphous Carbon Films Grown by a Radical-Injection Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り

    Sugiura Hirotsugu, Kondo Hiroki, Tsutsumi Takayoshi, Ishikawa Kenji, Hori Masaru

    C-JOURNAL OF CARBON RESEARCH   5 巻 ( 1 )   2019年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/c5010008

    Web of Science

  64. Electrochemical Reaction in Hydrogen Peroxide and Structural Change of Platinum Nanoparticle-Supported Carbon Nanowalls Grown Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り

    Tomatsu Masakazu, Hiramatsu Mineo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Sekine Makoto, Hori Masaru

    C-JOURNAL OF CARBON RESEARCH   5 巻 ( 1 )   2019年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/c5010007

    Web of Science

  65. Non-thermal plasma-activated medium modified metabolomic profiles in the glycolysis of U251SP glioblastoma 査読有り

    Kurake Naoyuki, Ishikawa Kenji, Tanaka Hiromasa, Hashizume Hiroshi, Nakamura Kae, Kajiyama Hiroaki, Toyokuni Shinya, Kikkawa Fumitaka, Mizuno Masaaki, Hori Masaru

    ARCHIVES OF BIOCHEMISTRY AND BIOPHYSICS   662 巻   頁: 83-92   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.abb.2018.12.001

    Web of Science

  66. Remotely floating wire-assisted generation of high-density atmospheric pressure plasma and SF6-added plasma etching of quartz glass 査読有り

    Thi-Thuy-Nga Nguyen, Sasaki Minoru, Odaka Hidefumi, Tsutsumi Takayoshi, Ishikawa Kenji, Hori Masaru

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   125 巻 ( 6 )   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5081875

    Web of Science

  67. Liquid dynamics in response to an impinging low-temperature plasma jet 査読有り

    Brubaker T. R., Ishikawa K., Kondo H., Tsutsumi T., Hashizume H., Tanaka H., Knecht S. D., Bilen S. G., Hori M.

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 7 )   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aaf460

    Web of Science

  68. Effect of electrical stimulation on proliferation and bone-formation by osteoblast-like cells cultured on carbon nanowalls scaffolds 査読有り

    Ichikawa Tomonori, Tanaka Suiki, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Sekine Makoto, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 2 )   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/aaf469

    Web of Science

  69. Adhesion enhancement and amine reduction using film redeposited at the interface of a stack of plasma-enhanced CVD dielectrics for Cu/low-k interconnects 査読有り

    Miyajima Hideshi, Watanabe Kei, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 2 )   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aafb5b

    Web of Science

  70. Narrow free-standing features fabricated by top-down self-limited trimming of organic materials using precisely temperature-controlled plasma etching system 査読有り

    Fukunaga Yusuke, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 2 )   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aaf92a

    Web of Science

  71. Hetero-epitaxial growth of a GaN film by the combination of magnetron sputtering with Ar/Cl-2 gas mixtures and a separate supply of nitrogen precursors from a high density radical source 査読有り

    Tanide Atsushi, Nakamura Shohei, Horikoshi Akira, Takatsuji Shigeru, Kohno Motohiro, Kinose Kazuo, Nadahara Soichi, Nishikawa Masazumi, Ebe Akinori, Ishikawa Kenji, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SA )   2019年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aaeb39

    Web of Science

  72. Modifications of surface and bulk properties of magnetron-sputtered carbon films employing a post-treatment of atmospheric pressure plasma 査読有り

    Borude Ranjit R., Sugiura Hirotsugu, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Han Jeon Geon, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SA )   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aaec87

    Web of Science

  73. Single-Step, Low-Temperature Simultaneous Formations and in Situ Binding of Tin Oxide Nanoparticles to Graphene Nanosheets by In-Liquid Plasma for Potential Applications in Gas Sensing and Lithium-Ion Batteries 査読有り

    Borude Ranjit R., Sugiura Hirotsugu, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Ikarashi Nobuyuki, Hori Masaru

    ACS APPLIED NANO MATERIALS   2 巻 ( 2 ) 頁: 649 - 654   2019年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsanm.8b02201

    Web of Science

  74. Pt nanoparticle-supported carbon nanowalls electrode with improved durability for fuel cell applications using C2F6/H-2 plasma-enhanced chemical vapor deposition 査読有り

    Imai Shun, Kondo Hiroki, Hyungjun Cho, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Sekine Makoto, Hiramatsu Mineo, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 1 )   2019年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/aaf0ab

    Web of Science

  75. Molecular mechanisms of non-thermal plasmainduced effects in cancer cells 査読有り

    Tanaka Hiromasa, Mizuno Masaaki, Ishikawa Kenji, Toyokuni Shinya, Kajiyama Hiroaki, Kikkawa Fumitaka, Hori Masaru

    BIOLOGICAL CHEMISTRY   400 巻 ( 1 ) 頁: 87-91   2019年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1515/hsz-2018-0199

    Web of Science

  76. Effect of N-2/H-2 plasma on GaN substrate cleaning for homoepitaxial GaN growth by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) 査読有り

    Amalraj Frank Wilson, Dhasiyan Arun Kumar, Lu Yi, Shimizu Naohiro, Oda Osamu, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Ikarashi Nobuyuki, Hori Masaru

    AIP ADVANCES   8 巻 ( 11 )   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5050819

    Web of Science

  77. Reaction mechanisms between chlorine plasma and a spin-on-type polymer mask for high-temperature plasma etching 査読有り

    Zhang Yan, Imamura Masato, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 10 )   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.106502

    Web of Science

  78. Elevated-temperature etching of gallium nitride (GaN) in dual-frequency capacitively coupled plasma of CH4/H-2 at 300-500 degrees C 査読有り

    Kako Takashi, Liu Zecheng, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hori Masaru

    VACUUM   156 巻   頁: 219-223   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.vacuum.2018.07.040

    Web of Science

  79. Cytotoxic effects of plasma-irradiated fullerenol 査読有り

    Kanno Daiki, Tanaka Hiromasa, Ishikawa Kenji, Hashizume Hiroshi, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 37 )   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aad510

    Web of Science

  80. Effects of gas residence time of CH4/H-2 on sp(2) fraction of amorphous carbon films and dissociated methyl density during radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition 査読有り

    Sugiura Hirotsugu, Jia Lingyun, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Hayashi Toshio, Takeda Keigo, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06JE03

    Web of Science

  81. Dry Process FOREWORD 査読有り

    Karahashi Kazuhiro, Kinoshita Keizo, Higashi Seiichiro, Ishikawa Kenji, Ishijima Tatsuo, Kuboi Nobuyuki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06J001

    Web of Science

  82. Dissociative properties of 1,1,1,2-tetrafluoroethane obtained by computational chemistry 査読有り

    Hayashi Toshio, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06JC02

    Web of Science

  83. Impact of helium pressure in arc plasma synthesis on crystallinity of single-walled carbon nanotubes 査読有り

    Ando Atsushi, Takeda Keigo, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Hiramatsu Mineo, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Suzuki Tomoko, Inoue Sakae, Ando Yoshinori, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06JF01

    Web of Science

  84. Temperature dependence on plasma-induced damage and chemical reactions in GaN etching processes using chlorine plasma 査読有り

    Liu Zecheng, Ishikawa Kenji, Imamura Masato, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06JD01

    Web of Science

  85. Progress in nanoscale dry processes for fabrication of high-aspect-ratio features: How can we control critical dimension uniformity at the bottom? 査読有り

    Ishikawa Kenji, Karahashi Kazuhiro, Ishijima Tatsuo, Cho Sung Il, Elliott Simon, Hausmann Dennis, Mocuta Dan, Wilson Aaron, Kinoshita Keizo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06JA01

    Web of Science

  86. Low-autofluorescence fluoropolymer membrane filters for cell filtration 査読有り

    Kihara Naoto, Kuboyama Daiki, Onoshima Daisuke, Ishikawa Kenji, Tanaka Hiromasa, Ozawa Naoya, Hase Tetsunari, Koguchi Ryohei, Yukawa Hiroshi, Odaka Hidefumi, Hasegawa Yoshinori, Baba Yoshinobu, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06JF03

    Web of Science

  87. Cell Deposition Microchip with Micropipette Control over Liquid Interface Motion 査読有り

    Onoshima Daisuke, Hattori Yuya, Yukawa Hiroshi, Ishikawa Kenji, Hori Masaru, Baba Yoshinobu

    CELL MEDICINE   10 巻   2018年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1177/2155179017733152

    Web of Science

  88. Oxygen reduction reaction properties of nitrogen-incorporated nanographenes synthesized using in-liquid plasma from mixture of ethanol and iron phthalocyanine

    Amano Tomoki, Kondo Hiroki, Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Hiramatsu Mineo, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.040303

    Web of Science

  89. Nanographene synthesized in triple-phase plasmas as a highly durable support of catalysts for polymer electrolyte fuel cells 査読有り

    Amano Tomoki, Kondo Hiroki, Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Hiramatsu Mineo, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.045101

    Web of Science

  90. Cytotoxicity of cancer HeLa cells sensitivity to normal MCF10A cells in cultivations with cell culture medium treated by microwave-excited atmospheric pressure plasmas

    Takahashi Yohei, Taki Yusuke, Takeda Keigo, Hashizume Hiroshi, Tanaka Hiromasa, Ishikawa Kenji, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 11 )   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aaab09

    Web of Science

  91. Free radical generation by non-equilibrium atmospheric pressure plasma in alcohol-water mixtures: an EPR-spin trapping study

    Uchiyama Hidefumi, Ishikawa Kenji, Zhao Qing-Li, Andocs Gabor, Nojima Nobuyuki, Takeda Keigo, Krishna Murali C., Ishijima Tatsuo, Matsuya Yuji, Hori Masaru, Noguchi Kyo, Kondo Takashi

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 9 )   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aaa885

    Web of Science

  92. Facile fabrication of a poly(ethylene terephthalate) membrane filter with precise arrangement of through-holes

    Kihara Naoto, Odaka Hidefumi, Kuboyama Daiki, Onoshima Daisuke, Ishikawa Kenji, Baba Yoshinobu, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 3 )   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.037001

    Web of Science

  93. Reduced HeLa cell viability in methionine-containing cell culture medium irradiated with microwave-excited atmospheric-pressure plasma

    Takahashi Yohei, Taki Yusuke, Takeda Keigo, Hashizume Hiroshi, Tanaka Hiromasa, Ishikawa Kenji, Hori Masaru

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS   15 巻 ( 3 )   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.201700200

    Web of Science

  94. Glioblastoma Cell Lines Display Different Sensitivities to Plasma-Activated Medium 査読有り

    Tanaka Hiromasa, Mizuno Masaaki, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Hashizume Hiroshi, Nakamura Kae, Utsumi Fumi, Kajiyama Hiroaki, Okazaki Yasumasa, Toyokuni Shinya, Akiyama Shinichi, Maruyama Shoichi, Kikkawa Fumitaka, Hori Masaru

    IEEE TRANSACTIONS ON RADIATION AND PLASMA MEDICAL SCIENCES   2 巻 ( 2 ) 頁: 99-102   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TRPMS.2017.2721973

    Web of Science

  95. Nanographene synthesis employing in-liquid plasmas with alcohols or hydrocarbons

    Ando Atsushi, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Tsutsumi Takayoshi, Takeda Keigo, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Hiramatsu Mineo, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 2 )   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.026201

    Web of Science

  96. Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials FOREWORD

    Naritsuka Shigeya, Miyazaki Seiichi, Fujiwara Yasufumi, Hiramatsu Mineo, Inoue Yasushi, Ishikawa Kenji, Ito Masafumi, Itoh Takashi, Kasu Makoto, Miyake Hideto, Sasaki Minoru, Shirafuji Tatsuru, Suda Yoshiyuki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.01A001

    Web of Science

  97. Selective production of reactive oxygen and nitrogen species in the plasma-treated water by using a nonthermal high-frequency plasma jet

    Uchida Giichiro, Takenaka Kosuke, Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Hori Masaru, Setsuhara Yuichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.0102B4

    Web of Science

  98. Rapid growth of micron-sized graphene flakes using in-liquid plasma employing iron phthalocyanine-added ethanol

    Amano Tomoki, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Takeda Keigo, Hiramatsu Mineo, Sekine Makoto, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.015102

    Web of Science

  99. Plasma-activated medium (PAM) kills human cancer-initiating cells

    Ikeda Jun-ichiro, Tanaka Hiromasa, Ishikawa Kenji, Sakakita Hajime, Ikehara Yuzuru, Hori Masaru

    PATHOLOGY INTERNATIONAL   68 巻 ( 1 ) 頁: 23-30   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1111/pin.12617

    Web of Science

  100. Electron impact ionization of perfluoro-methyl-vinyl-ether C3F6O

    Kondo Yusuke, Ishikawa Kenji, Hayashi Toshio, Sekine Makoto, Hori Masaru

    PLASMA SOURCES SCIENCE & TECHNOLOGY   27 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6595/aaa22e

    Web of Science

  101. Isotropic atomic level etching of tungsten using formation and desorption of tungsten fluoride 査読有り

    Shinoda Kazunori, Miyoshi Nobuya, Kobayashi Hiroyuki, Hanaoka Yuko, Kawamura Kohei, Izawa Masaru, Ishikawa Kenji, Hori Masaru

    ADVANCED ETCH TECHNOLOGY FOR NANOPATTERNING VII   10589 巻   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1117/12.2297241

    Web of Science

  102. Real-time control of a wafer temperature for uniform plasma process 査読有り

    Tsutsumi T., Fuknaga Y., Ishikawa K., Kondo H., Sekine M., Hori M.

    2018 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING (ISSM)     2018年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  103. Dynamic analysis of reactive oxygen nitrogen species in plasma-activated culture medium by UV absorption spectroscopy

    Brubaker Timothy R., Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Oh Jun-Seok, Kondo Hiroki, Hashizume Hiroshi, Tanaka Hiromasa, Knecht Sean D., Bilen Sven G., Hori Masaru

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   122 巻 ( 21 )   2017年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4999256

    Web of Science

  104. Dependence of absolute photon flux on infrared absorbance alteration and surface roughness on photoresist polymers irradiated with vacuum ultraviolet photons emitted from HBr plasma

    Zhang Yan, Takeuchi Takuya, Ishikawa Kenji, Hayashi Toshio, Takeda Keigo, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 12 )   2017年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.126503

    Web of Science

  105. Intracellular responses to reactive oxygen and nitrogen species, and lipid peroxidation in apoptotic cells cultivated in plasma-activated medium

    Furuta Ryo, Kurake Naoyuki, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Hashizume Hiroshi, Tanaka Hiromasa, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS   14 巻 ( 11 )   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.201700123

    Web of Science

  106. Surface roughening of photoresist after change of the photon/radical and ion treatment sequence

    Zhang Yan, Takeuchi Takuya, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   35 巻 ( 6 )   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.4994218

    Web of Science

  107. Crystallization of calcium oxalate dihydrate in a buffered calcium-containing glucose solution by irradiation with non-equilibrium atmospheric pressure plasma

    Kurake Naoyuki, Tanaka Hiromasa, Ishikawa Kenji, Nakamura Kae, Kajiyama Hiroaki, Kikkawa Fumitaka, Mizuno Masaaki, Ikehara Yuzuru, Hori Masaru

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   122 巻 ( 14 )   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5006598

    Web of Science

  108. High-durability catalytic electrode composed of Pt nanoparticle-supported carbon nanowalls synthesized by radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition

    Imai Shun, Kondo Hiroki, Cho Hyungjun, Kano Hiroyuki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hiramatsu Mineo, Ito Masafumi, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 40 )   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aa8131

    Web of Science

  109. Cold atmospheric helium plasma causes synergistic enhancement in cell death with hyperthermia and an additive enhancement with radiation

    Moniruzzaman Rohan, Rehman Mati Ur, Zhao Qing-Li, Jawaid Paras, Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Hori Masaru, Tomihara Kei, Noguchi Kyo, Kondo Takashi, Noguchi Makoto

    SCIENTIFIC REPORTS   7 巻   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-017-11877-8

    Web of Science

  110. Lipid droplets exhaustion with caspases activation in HeLa cells cultured in plasma-activated medium observed by multiplex coherent anti-Stokes Raman scattering microscopy

    Furuta Ryo, Kurake Naoyuki, Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Hashizume Hiroshi, Tanaka Hiromasa, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    BIOINTERPHASES   12 巻 ( 3 )   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.4997170

    Web of Science

  111. Reduction of chlorine radical chemical etching of GaN under simultaneous plasma-emitted photon irradiation

    Liu Zecheng, Imamura Masato, Asano Atsuki, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   10 巻 ( 8 )   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.10.086502

    Web of Science

  112. Temperature dependence of protection layer formation on organic trench sidewall in H-2/N-2 plasma etching with control of substrate temperature

    Fukunaga Yusuke, Tsutsumi Takayoshi, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 7 )   2017年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.076202

    Web of Science

  113. Intracellular-molecular changes in plasma-irradiated budding yeast cells studied using multiplex coherent anti-Stokes Raman scattering microscopy

    Furuta Ryo, Kurake Naoyuki, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Hashizume Hiroshi, Kondo Hiroki, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Sekine Makoto, Hori Masaru

    PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS   19 巻 ( 21 ) 頁: 13438-13442   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c7cp00489c

    Web of Science

  114. Dry Process FOREWORD

    Ishikawa Kenji, Kinoshita Keizo, Higashi Seiichiro, Ichiki Takanori, Karahashi Kazuhiro, Kuboi Nobuyuki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 6 )   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.06H001

    Web of Science

  115. Progress and prospects in nanoscale dry processes: How can we control atomic layer reactions?

    Ishikawa Kenji, Karahashi Kazuhiro, Ichiki Takanori, Chang Jane P., George Steven M., Kessels W. M. M., Lee Hae June, Tinck Stefan, Um Jung Hwan, Kinoshita Keizo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 6 )   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.06HA02

    Web of Science

  116. Hydrogen peroxide sensor based on carbon nanowalls grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition

    Tomatsu Masakazu, Hiramatsu Mineo, Foord John S., Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Takeda Keigo, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 6 )   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.06HF03

    Web of Science

  117. Growth of InN films by radical-enhanced metal organic chemical vapor deposition at a low temperature of 200 degrees C

    Takai Shinnosuke, Lu Yi, Oda Osamu, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 6 )   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.06HE08

    Web of Science

  118. Electron behaviors in afterglow of synchronized dc-imposed pulsed fluorocarbon-based plasmas

    Ueyama Toshinari, Fukunaga Yusuke, Tsutsumi Takayoshi, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Iwata Manabu, Ohya Yoshinobu, Sugai Hideo, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 6 )   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.06HC03

    Web of Science

  119. Selective atomic-level etching using two heating procedures, infrared irradiation and ion bombardment, for next-generation semiconductor device manufacturing

    Shinoda K., Miyoshi N., Kobayashi H., Miura M., Kurihara M., Maeda K., Negishi N., Sonoda Y., Tanaka M., Yasui N., Izawa M., Ishii Y., Okuma K., Saldana T., Manos J., Ishikawa K., Hori M.

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 19 )   2017年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aa6874

    Web of Science

  120. Spatial distributions of O, N, NO, OH and vacuum ultraviolet light along gas flow direction in an AC-excited atmospheric pressure Ar plasma jet generated in open air

    Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Tanaka Hiromasa, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 19 )   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aa6555

    Web of Science

  121. Bactericidal pathway of Escherichia coli in buffered saline treated with oxygen radicals

    Kobayashi Tsuyoshi, Iwata Natsumi, Oh Jun-Seok, Hahizume Hiroshi, Ohta Takayuki, Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Hori Masaru, Ito Masafumi

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 15 )   2017年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aa61d7

    Web of Science

  122. Effects of center dot OH and center dot NO radicals in the aqueous phase on H2O2 and NO2- generated in plasma-activated medium

    Kurake Naoyuki, Tanaka Hiromasa, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Hashizume Hiroshi, Nakamura Kae, Kajiyama Hiroaki, Kondo Takashi, Kikkawa Fumitaka, Mizuno Masaaki, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 15 )   2017年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aa5f1d

    Web of Science

  123. Spatial profiles of interelectrode electron density in direct current superposed dual-frequency capacitively coupled plasmas

    Ohya Yoshinobu, Ishikawa Kenji, Komuro Tatsuya, Yamaguchi Tsuyoshi, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 15 )   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aa60f7

    Web of Science

  124. Behavior of absolute densities of atomic oxygen in the gas phase near an object surface in an AC-excited atmospheric pressure He plasma jet

    Takeda Keigo, Kumakura Takumi, Ishikawa Kenji, Tanaka Hiromasa, Sekine Makoto, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   10 巻 ( 3 )   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.10.036201

    Web of Science

  125. Fabrication of superconductor-ferromagnet-insulator-superconductor Josephson junctions with critical current uniformity applicable to integrated circuits

    Ito Hiroshi, Taniguchi Soya, Ishikawa Kouta, Akaike Hiroyuki, Fujimaki Akira

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   10 巻 ( 3 )   2017年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.10.033101

    Web of Science

  126. Characteristics of optical emissions of arc plasma processing for high-rate synthesis of highly crystalline single-walled carbon nanotubes

    Ando Atsushi, Takeda Keigo, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Hiramatsu Mineo, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Suzuki Tomoko, Inoue Sakae, Ando Yoshinori, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 3 )   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.035101

    Web of Science

  127. Investigation of effects of ion energies on both plasma-induced damage and surface morphologies and optimization of high-temperature Cl-2 plasma etching of GaN

    Liu Zecheng, Pan Jialin, Asano Atsuki, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 2 )   2017年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.026502

    Web of Science

  128. Absolute density of precursor SiH3 radicals and H atoms in H-2-diluted SiH4 gas plasma for deposition of microcrystalline silicon films

    Abe Yusuke, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Tsutsumi Takayoshi, Fukushima Atsushi, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS LETTERS   110 巻 ( 4 )   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4974821

    Web of Science

  129. Thermal Cyclic Atomic-Level Etching of Nitride Films: A Novel Way for Atomic-Scale Nanofabrication

    Shinoda K., Miyoshi N., Kobayashi H., Kurihara M., Izawa M., Ishikawa K., Hori M.

    ATOMIC LAYER DEPOSITION APPLICATIONS 13   80 巻 ( 3 ) 頁: 3-14   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/08003.0003ecst

    Web of Science

  130. TIME EVOLUTION OF REACTIVE OXYGEN NITROGEN SPECIES IN PLASMA-ACTIVATED ESSENTIAL MEDIA AND WATER 査読有り

    Brubaker Timothy, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Hashizume Hiroshi, Tanaka Hiromasa, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    2017 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON PLASMA SCIENCE (ICOPS)     頁: .   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  131. Formation of a SiOF reaction intermixing layer on SiO2 etching using C4F6/O2/Ar plasmas 査読有り

    Yoshinobu Ohya, Maju Tomura, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Journal of Vacuum Science and Technology A Letters   34 巻 ( 4 ) 頁: 040602   2016年5月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.4949570

  132. Effects of nitrogen on apoptosis and changes in gene expression in human lymphoma U937 cells exposed to argon-cold atmospheric pressure plasma 査読有り

    Yoshiaki Tabuchi, Hidefumi Uchiyama, Qing-li Zhao, Tatsuya Yunoki, Qabor Andocs, Nobuyuki Nojima, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Masaru Hori and Takashi Kondo

    International Journal of Molecular Medicine   37 巻   頁: 1706-1714   2016年5月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3892/ijmm.2016.2574

  133. Red Blood Cell Coagulation Induced by Low-temperature Plasma Treatment 査読有り

    Kenji Miyamoto, Sanae Ikehara, Hikaru Takei, Yoshihiro Akimoto, Hajime Sakakita, Kenji Ishikawa, Masashi Ueda, Jun-ichiro Ikeda, Masahiro Yamagishi, Jaeho Kim, Takashi Yamaguchi, Hayao Nakanishi, Nobuyuki Shimizu, Masaru Hori, and Yuzuru Ikehara

    Archives of Biochemistry and Biophysics     2016年4月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.abb.2016.03.023

  134. Hierarchical regrowth of flowerlike nanographene sheets on oxygen-plasma-treated carbon nanowalls

    Hironao Shimoeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Appl. Phys. Express   7 巻   頁: 046201   2016年3月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.7.046201

  135. Effects of Radical Species on Structural and Electronic Properties of Amorphous Carbon Films Deposited by Radical-injection Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り

    Lingyun Jia, Hirotsugu Sugiura, Hiroki Kondo, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Osamu Oda, Makoto Sekine, Mineo Hiramatsu, Masaru Hori

    Plasma Process Polym.     2016年2月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.201500229

  136. Cell survival of glioblastoma grown in medium containing hydrogen peroxide and/or nitrite, or in plasma-activated medium 査読有り

    Naoyuki Kurake, Hiromasa Tanaka, Kenji Ishikawa, Takashi Kondo, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Kae Nakamura, Hiroaki Kajiyama, Fumitaka Kikkawa, Masaaki Mizuno, Masaru Hori

    Archives of Biochemistry and Biophysics     2016年1月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.abb.2016.01.011

  137. Cover Picture: Plasma Process. Polym. 12∕2015 (page 1329) 査読有り

    Masashi Ueda, Daiki Yamagami, Keiko Watanabe, Asami Mori, Hiroyuki Kimura, Kohei Sano, Hideo Saji, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, Hajime Sakakita, Yuzuru Ikehara and Shuichi Enomoto

    Plasma Processes and Polymers   12 巻 ( 12 ) 頁: 1329   2015年12月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.201570043

  138. Plasma Blood Coagulation Without Involving the Activation of Platelets and Coagulation Factors 査読有り

    Sanae Ikehara, Hajime Sakakita, Kenji Ishikawa, Yoshihiro Akimoto, Takashi Yamaguchi, Masahiro Yamagishi, Jaeho Kim, Masashi Ueda, Jun-ichiro Ikeda, Hayao Nakanishi, Nobuyuki Shimizu, Masaru Hori, and Yuzuru Ikehara

    Plasma Processes and Polymers   12 巻 ( 12 ) 頁: 1348–1353   2015年12月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.201500132

  139. Real-time temperature-monitoring of Si substrate during plasma processing and its heat-flux analysis 査読有り

    Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Japan. J. Appl. Phys.   55 巻   頁: 01AB04   2015年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.01AB04

  140. Superhydrophilic glass membrane device with open-microhole array for filtering and counting rare tumor cells 査読有り

    Akihiro Yonese, Daisuke Onoshima, Hiroshi Yukawa, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, and Yoshinobu Baba

    Micro Total Analysis Systems 2015     頁: 493-495   2015年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  141. Histological and nuclear medical comparison of inflammation after haemostasis with non-thermal plasma and thermal coagulation 査読有り

    Masashi Ueda, Daiki Yamagami, Keiko Watanabe, Asami Mori, Hiroyuki Kimura, Kohei Sano, Hideo Saji, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, Hajime Sakakita, Yuzuru Ikehara, and Shuichi Enomoto

    Plasma Processes and Polymers   12 巻 ( 12 ) 頁: 1338–1342   2015年9月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.201500099

  142. Plasma with high electron density and plasma-activated medium for cancer treatment 査読有り

    Hiromasa Tanaka, Masaaki Mizuno, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Keigo Takeda, Hiroshi Hashizume, Kae Nakamura, Fumi Utsumi, Hiroaki Kajiyama, Hiroyuki Kano, Yasumasa Okazaki, Shinya Toyokuni, Shin’ichi Akiyama, Shoichi Maruyama, Suguru Yamada, Yasuhiro Kodera, Hiroki Kaneko, Hiroko Terasaki, Hirokazu Hara, Tetsuo Adachi, Machiko Iida, Ichiro Yajima, Masashi Kato, Fumitaka Kikkawa, and Masaru Hori

    Clinical Plasma Medicine   3 巻   頁: 72-76   2015年9月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cpme.2015.09.001

  143. EPR-Spin Trapping and Flow cytometric Studies of Free Radicals Generated using Cold Atmospheric Argon Plasma and X-ray irradiation in Aqueous Solutions and Intracellular Milieu 査読有り

    Hidefumi Uchiyama, Qing-Li Zhao, Mariame Ali Hassan, Gabor Andocs, Nobuyuki Nojima, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, and Takashi Kondo

    PLoS One   10 巻 ( 8 ) 頁: e0136956   2015年8月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1371/journal.pone.0136956

  144. Feedback Control System of Wafer Temperature for Advanced Plasma Processing and its Application to Organic Film Etching 査読有り

    Takayoshi Tsutsumi, Yusuke Fukunaga, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    IEEE Trans Semiconductor manufacturing   28 巻 ( 4 ) 頁: 515-520   2015年8月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TSM.2015.2470554

  145. Decreased expression levels of cell cycle regulators and matrix metalloproteinases in melanoma from RET-transgenic mice by single irradiation of non-equilibrium atmospheric pressure plasmas 査読有り

    Machiko Iida, Ichiro Yajima, Nobutaka Ohgami, Li Xiang, Cunchao Zou, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, and Masashi Kato

    International Journal of Clinical and Experimental Pathology   8 巻 ( 8 ) 頁: 9326-9331   2015年8月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  146. Suppression of plasma-induced damage on GaN etched by a Cl2 plasma at high temperatures 査読有り

    Zecheng Liu, Jialin Pan, Takashi Kako Kenji Ishikawa, Osamu Oda, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Japan. J. Appl. Phys.   54 巻   頁: 06GB04   2015年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.06GB04

  147. Electronic properties of HBr, O2 and Cl2 used in Si etching 査読有り

    Toshio Hayashi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Japan. J. Appl. Phys.   54 巻   頁: 06GA03   2015年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.06GA03

  148. Effect of gas residence time on near-edge X-ray absorption fine structures of hydrogenated amorphous carbon films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition 査読有り

    Lingyun Jia, Hirotsugu Sugiura, Hiroki Kondo, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Osamu Oda, Makoto Sekine, Mineo Hiramatsu and Masaru Hori

    Japan. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 4 ) 頁: 040305   2015年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.040305

  149. Silicon nitride (SiN) etch performance of CH2F2 plasmas diluted with argon or krypton 査読有り

    Yusuke Kondo, Kenji Ishikawa, Toshio Hayashi, Yudai Miyawaki, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Japan. J. Appl. Phys.   54 巻 ( 4 ) 頁: 040303   2015年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.040303

  150. Plasma diagnostic approach for high rate nanocrystalline Si synthesis in RF/UHF hybrid plasmas using a PECVD process 査読有り

    Bibhuti Bhusan Sahu, Jeon G. Han, Kyung-Sik Shin, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, and Yudai Miyawaki

    Plasma Sources Sci. Technol.   24 巻 ( 2 ) 頁: 025019   2015年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0963-0252/24/2/025019

  151. CF3+ fragmentation by electron impact ionization of perfluoro-propyl-vinyl-ethers, C5F10O, in gas phase 査読有り

    Yusuke Kondo, Kenji Ishikawa, Toshio Hayashi, Yudai Miyawaki, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Japan. J. Appl. Phys.   54 巻 ( 4 ) 頁: 040301   2015年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.040301

  152. Study of the decomposition mechanism of PMMA-type polymers by hydrogen radicals 査読有り

    Yu Arai, Yusuke Noto, Yousuke Goto, Seiji Takahashi, Masashi Yamamoto, Akihiko Kono, Tatsuo Ishijima, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, and Hideo Horibe

    Thin Solid Film   575 巻   頁: 12-16   2015年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2014.10.021

  153. Estimation of activation energies for decomposition reaction of polymer by hydrogen radicals generated using hot-wire catalyzer 査読有り

    Akihiko Kono, Yu Arai, Yousuke Goto, Masashi Yamamoto, Seiji Takahashi, Tadaaki Yamagishi, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, and Hideo Horibe

    Thin Solid Film   575 巻   頁: 17-20   2015年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2014.10.020

  154. Experimental evidence of warm electron populations in magnetron sputtering plasmas 査読有り

    B. B. Sahu, Jeon G. Han, Hye R. Kim, Kenji Ishikawa, and Masaru Hori

    J. Appl. Phys.   117 巻   頁: 033301   2015年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4905901

  155. Hydrofluorocarbon ion density of argon- or krypton-diluted CH2F2 plasmas: Generation of CH2F+ and CHF2+ by dissociative-ionization in charge exchange collisions 査読有り

    Yusuke Kondo, Yudai Miyawaki, Kenji Ishikawa, Toshio Hayashi, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    J. Phys. D: Appl. Phys.   48 巻 ( 4 ) 頁: 045202   2015年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/48/4/045202

  156. Plasma Medical Science for Cancer Therapy: Toward Cancer Therapy Using Nonthermal Atmospheric Pressure Plasma 招待有り 査読有り

    Hiromasa Tanaka, Masaaki Mizuno, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Kae Nakamura, Fumi Utsumi, Hiroaki Kajiyama, Hiroyuki Kano, Yasumasa Okazaki, Shinnya Toyokuni, Shoichi Maruyama, Fumitaka Kikkawa, and Masaru Hori

    IEEE Trans. on Plasma Sci.   42 巻 ( 12 ) 頁: 3760-3763   2014年12月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TPS.2014.2353659

  157. Quantitative Clarification of Inactivation Mechanism of Penicillium digitatum Spores Treated with Neutral Oxygen Radicals 査読有り

    Hiroshi Hashizume, Takayuki Ohta, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, and Masafumi Ito

    Jpn. J. Appl. Phys.   54 巻   頁: 01AG05   2014年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.01AG05

  158. Robust characteristics of semiconductor-substrate temperature-measurement method using auto-correlation type frequency-domain low-coherence interferometry 査読有り

    Takayoshi Tsutsumi, Takayuki Ohta, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori, and Masafumi Ito

    Jpn. J. Appl. Phys.   54 巻   頁: 01AB03   2014年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.01AB03

  159. Effectiveness of plasma diagnostic in ultra high frequency and radio frequency hybrid plasmas for synthesis of silicon nitride film at low temperature 査読有り

    Bibhuti Bhusan Sahu, Kyung-Sik Shin, Su-Bong Jin, Jeon G. Han, Kenji Ishikawa and Masaru Hori

    J. Appl. Phys.   116 巻   頁: 134903   2014年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4896833

  160. Recovery of Atom Density Drift Caused by Change in Reactor Wall Conditions by Real-time Autonomous Control 査読有り

    Toshiya Suzuki, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Journal of Physics D: Applied Physics   47 巻   頁: 422002   2014年9月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/47/42/422002

  161. Diagnostics of plasma-biological surface interactions in low pressure and atmospheric pressure plasmas 招待有り 査読有り

    Kenji Ishikawa, and Masaru Hori

    International Journal of Modern Physics: Conference Series   32 巻   頁: 1460318   2014年8月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1142/S2010194514603184

  162. Cell survival and proliferation signaling pathways are downregulated by plasma-activated medium in glioblastoma brain tumor cells 査読有り

    Hiromasa Tanaka, Masaaki Mizuno, Kenji Ishikawa, Kae Nakamura, Fumi Utsumi, Hiroaki Kajiyama, Hiroyuki Kano, Shoichi Maruyama, Fumitaka Kikkawa, and Masaru Hori

    Plasma Medicine   4 巻   頁: 1   2014年7月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  163. Temporal Changes of Absolute Densities of Atoms in H2 and N2 Mixture Gas Plasmas by Surface Modifications of Reactor Wall 査読有り

    Toshiya Suzuki, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻   頁: 050301   2014年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.050301

  164. Epitaxial Growth of GaN by Radical-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition (REMOCVD) in the Downflow of a Very High Frequency (VHF) N2/H2 Excited Plasma– Effect of TMG Flow Rate and VHF Power 査読有り

    Yi Lu, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Osamu Oda, Keigo Takeda, Makoto Sekine, Hiroshi Amano, and Masaru Hori

    J. Cryst. Growth   391 巻   頁: 97-103   2014年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.01.014

  165. Effects of nitrogen plasma post-treatment on electrical conduction of carbon nanowalls 査読有り

    Hyung Jun Cho, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Mineo Hiramatsu, and Masaru Hori

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻   頁: 040307   2014年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.040307

  166. Nanostructure modification to carbon nanowall surface employing hydrogen peroxide solution 査読有り

    Hironao Shimoeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻   頁: 040305   2014年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.040305

  167. Spatial distribution of absolute atomic oxygen density of a non-equilibrium atmospheric pressure planar plasma jet 査読有り

    Fengdong Jia, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroyuki Kano, Jagath Kularatne, Hiroki Kondo, Makoto Sekine and Masaru Hori

    Plasma Source Sci Technol.   23 巻   頁: 025004   2014年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0963-0252/23/2/025004

  168. Chemical Reactions during Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition of SiO2 Films employing aminosilane and O2/Ar plasma at 50 C 査読有り

    Lu Yi, Akiko Kobayashi, H. Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻   2013年12月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.

  169. Density Control of Carbon Nanowalls Grown by CH4/H2 plasma and Their Electrical Properties 査読有り

    Hyung Jun Cho, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Mineo Hiramatsu, and Masaru Hori

    Carbon   66 巻   2013年12月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.carbon.2013.11.014

  170. Effect of Indirect Nonequilibrium Atmospheric Pressure Plasma on Anti-proliferative Activity against Chronic Chemo-resistant Ovarian Cancer Cells in vitro and in vivo 査読有り

    Fumi Utsumi, Hiroaki Kajiyama, Kae Nakamura, Hiromasa Tanaka, Masaaki Mizuno, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Hiroyuki Kano, Masaru Hori, and Fumitaka Kikkawa

    PLOS One   8 巻   頁: e81576   2013年12月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1371/journal.pone.0081576

  171. Oxidation mechanism of Penicillium digitatum spores through neutral oxygen radicals 査読有り

    Hiroshi Hashizume, Takayuki Ohta, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, Masafumi Ito

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻   頁: 010209   2013年12月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.010209

  172. High H Radical Density Produced by 1-m-Long Atmospheric Pressure Microwave Plasma System 査読有り

    Hitoshi Itoh, Yusuke Kubota, Yusaku Kashiwagi, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Hirotaka Toyoda, and Masaru Hori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻   頁: 11NE01   2013年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.11NE01

  173. Field emission of nano-organic-rods armored with metal nanoparticles 査読有り

    Toshiya Suzuki, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, and Masaru Hori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻   頁: 120203   2013年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.120203

  174. Effect of gas flow on atomic radical transportation in AC Excited Non-equilibrium Atmospheric Pressure Plasma jet 査読有り

    Keigo Takeda, Masanori Kato, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Hiroyuki Kano, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   46 巻   頁: 464006   2013年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/46/46/464006

  175. Highly Precise and Rapid Measurements on Substrate Temperature Using Frequency Domain Low Coherence Interferometer 査読有り

    Takayoshi Tsutsumi, Takayuki Ohta, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori, and Masafumi Ito

    APPLIED PHYSICS LETTERS   101 巻   頁: 182102   2013年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4827426

  176. Inactivation effects of neutral reactive-oxygen species on Penicillium digitatum spores using non-equilibrium atmospheric-pressure oxygen radical source 査読有り

    Hiroshi Hashizume, Takayuki Ohta, Jia Fengdong, Keigo Takeda,Kenji Ishikawa,Masaru Hori, and Masafumi Ito

    APPLIED PHYSICS LETTERS   101 巻   頁: 53708   2013年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4824892

  177. Formation of Nanoporous Features, Flat Surfaces, or Crystallographically Oriented Etched Profiles by the Si Chemical Dry Etching Using the Reaction of F2 + NO -> F + FNO at an Elevated Temperature 査読有り

    Satomi Tajima, Toshio Hayashi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   117 巻 ( 40 ) 頁: 20810-20818   2013年9月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/jp4084794

  178. Atomic Oxygen Etching from the Top Edges of Carbon Nanowalls 査読有り

    Hironao Shimoeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   6 巻   頁: 095201   2013年8月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.6.095201

  179. A Development of Atmospheric Pressure Plasma Equipment and Its Applications for Treatment of Ag Films Formed from Nano-Particle Ink 査読有り

    Hitoshi Itoh, Y. Kubota, Y. Kashiwagi, K. Takeda, Kenji Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine, H. Toyoda, and M. Hori

    J. Phys.: Conf. Ser.   441 巻   頁: 12019   2013年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/441/1/012019

  180. A novel fast and flexible technique of radical kinetic behavior investigation based on pallet for plasma evaluation structure and numerical analysis 査読有り

    Malinowski, Arkadiusz; Takeuchi, Takuya; Chen, Shang; Suzuki, Toshiya; Ishikawa, Kenji; Sekine, Makoto; Hori, Masaru; Lukasiak, Lidia; Jakubowski, Andrzej

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   46 巻   頁: 265201   2013年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/46/26/265201

  181. Surface morphology on high-temperature plasma-etched gallium nitride 査読有り

    Ryosuke Kometani, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   38 巻   頁: 325   2013年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  182. Dissociations of C5F8 and C5HF7 in Etching Plasma 査読有り

    Toshio Hayashi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   5 巻   頁: 05EB02   2013年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.05EB02

  183. Wavelength dependence of photon-induced interface defects in hydrogenated silicon nitride/Si structure during plasma etching processes 査読有り

    Masanaga Fukasawa, Hiroyasu Matsugai, Takayoshi Honda, Yudai Miyawaki, Yusuke Kondo, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Kazunori Nagahata, Fumikatsu Uesawa, Masaru Hori, Tetsuya Tatsumi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   5 巻   頁: 05ED01   2013年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.05ED01

  184. Surface analysis of gallium nitride (GaN) at elevated substrate temperature 査読有り

    Ryosuke Kometani, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   6 巻   頁: 056201   2013年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.6.056201

  185. Supercritical Fluid Deposition of High-Density Nanoparticles of Photo-Catalytic TiO2 on Carbon Nanowalls 査読有り

    Takeyoshi Horibe, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Hiroyuki Kano, Makoto Sekine, Mineo Hiramatsu, and Masaru Hori

    Appl. Phys. Express   6 巻   頁: 045103   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.6.045103

  186. A Room Temperature Si Etching in NO/F2 Gas Chemistry and Its Reaction Mechanism 査読有り

    Satomi Tajima, Toshio Hayashi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    J. Phys. Chem. C   117 巻 ( 10 ) 頁: 5118–5125   2013年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/jp3119132

  187. Plasma-activated medium selectively kills glioblastoma brain tumor cells by downregulating a survival signaling molecule, AKT kinase 査読有り

    Hiromasa Tanaka, Masaaki Mizuno, Kenji Ishikawa, Kae Nakamura, Hiroaki Kajiyama, Hiroyuki Kano, Fumitaka Kikkawa, and Masaru Hori

    Plasma Medicine   3 巻   頁: 1   2013年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1615/PlasmaMed.2012006275

  188. Surface roughness development on ArF-photoresist studied by beam-irradiation of CF4 plasma 査読有り

    Takuya Takeuchi, Kenji Ishikawa, Yuichi Setsuhara, Hiroki Kondo, Keigo Takeda, Makoto Sekine, Masaru Hori

    J. Phys. D: Appl. Phys.   46 巻   頁: 102001   2013年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/46/10/102001

  189. Etching-Enhancement Followed by Nitridation on Low-k SiOCH Film in Ar/C5F10O Plasma 査読有り

    Yudai Miyawaki, Emi Shibata, Yusuke Kondo, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Hidekazu Okamoto, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Jpn. J. Appl. Phys.   52 巻 ( 2 ) 頁: 1   2013年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  190. Impact of hydrogen radical injection plasma on fabrication of microcrystalline silicon thin film for solar cells 査読有り

    Yusuke Abe, Sho Kawashima, Atsushi Fukushima, Ya Lu, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    J. Appl. Phys.   113 巻 ( 2 ) 頁: 033304   2013年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4778608

  191. Highly selective etching of SiO2 over Si3N4 and Si in capacitivlly coupled plasma employing C5HF7 gas 査読有り

    Yudai Miyawaki, Yusuke Kondo, Makoto Sekine, Kenji Ishikawa, Toshio Hayashi, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, and Masaru Hori

    Jpn. J. Appl. Phys.   52 巻 ( 1 ) 頁: 016201   2013年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.016201

  192. Development of high-density nitrogen radical source for low mosaicity and high rate growth of InGaN films in molecular beam epitaxy 査読有り

    Shang Chen, Yohjiro Kawai, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroyuki Kano, Makoto Sekine, Hiroshi Amano, and Masaru Hori

    Jpn. J. Appl. Phys.   52 巻 ( 1 ) 頁: 021001   2013年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.021001

  193. Development of the sputtering yields of ArF photoresist after the onset of argon ion bombardment 査読有り

    Takuya Takeuchi, Carles Corbella, Simon Grosse-Kreul, Achim von Keudell, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    J. Appl. Phys.   113 巻 ( 1 ) 頁: 014306   2013年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4772996

  194. Surface loss probability of H radicals on silicon thin films in SiH4/H2 plasma 査読有り

    Yusuke Abe, Atsushi Fukushima, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    J. Appl. Phys.   113 巻 ( 1 ) 頁: 013303   2013年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4773104

  195. Individual roles for atoms and ions during hydrogen atom passivation of surface-defects on GaN created by plasma-etching 査読有り

    Shang Chen, Kenji Ishikawa, Yi Lu, Ryosuke Kometani, Hiroki Kondo, Yutaka Tokuda, Takashi Egawa, Hiroshi Amano, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻 ( 11 ) 頁: 111002-1:6   2012年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.111002

  196. Critical flux ratio of hydrogen radical to fi lm precursor in microcrystalline silicon deposition for solar cells 査読有り

    Yusuke Abe, Atsushi Fukushima, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Appl. Phys. Lett.   101 巻 ( 17 ) 頁: 172109-1:4   2012年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4764065

  197. タングステン加熱触媒体により生成した水素ラジカルによるレジスト用ベースポリマーの分解除去 査読有り

    新井 祐, 渡邉 誠, 河野 昭彦, 山岸 忠明, 石川 健治, 堀 勝, 堀邊 英夫

    高分子論文集   69 巻 ( 6 ) 頁: 266-273   2012年9月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  198. As-grown deep-level defects in n-GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition on freestanding GaN 査読有り

    Shang Chen, Unhi Honda, Tatsunari Shibata, Toshiya Matumura, Yutaka Tokuda, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, Hiroyuki Ueda, Tsutomu Uesugi, and Tetsu Kachi

    J. Appl. Phys.   112 巻 ( 5 ) 頁: 053513-1:4   2012年9月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4748170

  199. Real-time In Situ Electron Spin Resonance Measurements on Fungal Spores of Penicillium digitatum during Exposure of Oxygen Plasmas 査読有り

    Kenji Ishikawa, Hiroko Moriyama, Hiromasa Tanaka, Kazuhiro Tamiya, Hiroshi Hashizume, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Sachiko Iseki, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Appl. Phys. Lett.   101 巻 ( 1 ) 頁: 013704-1:4   2012年7月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4733387

  200. Photoluminescence recovery by in-situ exposure of plasma-damaged n-GaN to atomic hydrogen at room temperature 査読有り

    Shang Chen, Yi Lu, Ryosuke Kometani, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Yutaka Tokuda, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    AIP advance   2 巻 ( 2 ) 頁: 022149-1:6   2012年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4729448

  201. Ultrahigh-Speed Synthesis of Nanographene Using Alcohol In-Liquid Plasma 査読有り

    Tatsuya Hagino, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Hiroyuki Kano, Makoto Sekine, Masaru Hori

    Appl. Phys. Express   5 巻 ( 3 ) 頁: 035101-1:3   2012年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.5.035101

  202. Quantum Chemical Investigation of Si Chemical Dry Etching by Flowing NF3 into N2 Downflow Plasma 査読有り

    Toshio Hayashi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori, Akihiro Kono, and Koukou Suu

    Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻 ( 2 ) 頁: 026505-1:5   2012年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.026505

  203. Direct current superposed dual-frequency capacitively-coupled-plasma in selective etch of SiOCH over SiC 査読有り

    Tsuyoshi Yamaguchi, Tetsuya Komuro, Chishio Koshimizu, Seigo Takashima, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    J. Phys. D: Appl. Phys.   45 巻 ( 2 ) 頁: 025203-1:7   2012年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/45/2/025203

  204. Vacuum Ultraviolet and Ultraviolet Radiation-Induced Effect of Hydrogenated Silicon Nitride Etching: Surface Reaction Enhancement and Damage Generation 査読有り

    Masanaga Fukasawa, Yudai Miyawaki, Yusuke Kondo, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Hiroyasu Matsugai, Takayoshi Honda, Masaki Minami, Fumikatsu Uesawa, Masaru Hori, and Tetsuya Tatsumi

    Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻 ( 2 ) 頁: 026201-1:7   2012年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.026201

  205. Feature Profiles on Plasma Etch of Organic Films by a Temporal Control of Radical Densities and Real-Time Monitoring of Substrate Temperature 査読有り

    Hiroshi Yamamoto, Hiroki Kuroda, Masafumi Ito, Takayuki Ohta, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

      51 巻 ( 1 ) 頁: 016202-1:6   2012年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.016202

  206. Quantum Chemical Investigation for Chemical Dry Etching of SiO2 by Flowing NF3 into H2 Downflow Plasma 査読有り

    Toshio Hayashi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori, Akihiro Kono, and Koukou Suu

    Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻 ( 1 ) 頁: 016201-1:6   2012年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.016201

  207. Electron Spin Resonance (ESR) Observation of Radicals on Biological Organism Interacted with Plasmas 査読有り

    Kenji Ishikawa, Hiroko Moriyama, Kazuhiro Tamiya, Hiroshi Hashizume, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Sachiko Iseki, Hiromasa Tanaka, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine and Masaru Hori

    MRS Online Proceedings Library   1469 巻   2012年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/opl.2012.928

  208. Chemical Bond Modification in Porous SiOCH Films by H2 and H2/N2 Plasmas Investigated by in situ Infrared Reflection Absorption Spectroscopy (IR-RAS) 査読有り

    Hiroshi Yamamoto, Kohei Asano, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Hisataka Hayashi, Itsuko Sakai, Tokuhisa Ohiwa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, and Masaru Hori

    J. Appl. Phys.   111 巻 ( 12 ) 頁: 1   2011年12月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  209. Inactivation of Penicillium digitatum Spores by a High-Density Ground-State Atomic Oxygen-Radical Source Employing an Atmospheric-Pressure Plasma 査読有り

    Sachiko Iseki, Hiroshi Hashizume, Fengdong Jia, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, and Masaru Hori

    Appl. Phys. Express   4 巻   頁: 116201   2011年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.4.116201

  210. Impacts of CF+, CF2+, CF3+ and Ar Ion Beam Bombardment with energies from 100eV and 400eV on Surface Modification of Photoresist

    Takuya Takeuchi, Shinpei Amasaki, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Hirotaka Toyoda, Makoto Sekine, Song-Yun Kang, Ikuo Sawada, and Masaru Hori

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 8 ) 頁: 08JE05-1:5   2011年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.08JE05

  211. Analysis of GaN Damage Induced by Cl2/SiCl4/Ar Plasma 査読有り

    Masaki Minami, Shigetaka Tomiya, Kenji Ishikawa, Ryosuke Matsumoto, Shang Chen, Masanaga Fukasawa, Fumikatsu Uesawa, Makoto Sekine, Masaru Hori, and Tetsuya Tatsumi

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 8 ) 頁: 08JE03-1:4   2011年8月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.08JE03

  212. Spatial Distributions of Electron, CF, CF2 Radical Densities and Gas Temperature in dc-Superposed Dual- Frequency- Capacitively-Coupled Plasma Etch Reactor Employing c-C4F8/N2/Ar gas

    Tsuyoshi Yamaguchi, Tetsuya Kimura, Chishio Koshimizu, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine and Masaru Hori

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 5 ) 頁: 0   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/45/2/025203

  213. Synergistic Formation of Radicals with Irradiation with both Vacuum Ultraviolet and Atomic Hydrogen: a Real time in situ Electron-Spin-Resonance Study 査読有り

    Kenji Ishikawa, Naoya Sumi, Akihiko Kono, Hideo Horibe, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    J. Phys. Chem. Lett.   2 巻   頁: 1278-1281   2011年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/jz2002937

  214. H2/N2 Plasma Damage on Porous Dielectric SiOCH Film Evaluated by In-situ Film Characterization and Plasma Diagnostics 査読有り

    Hiroshi Yamamoto, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Masafumi Ito, Makoto Sekine, Masaru Hori, Takeshi Kaminatsui, Hisataka Hayashi, Itsuko Sakai, and Tokuhisa Ohiwa

    J. Appl. Phys.   109 巻   頁: 084112:1-8   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3562161

  215. Dissociation Channels of c-C4F8 to CF2 Radical in Reactive Plasma 査読有り

    Toshio Hayashi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori, Akihiro Kono, and Koukou Suu

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁: 036203:1-4   2011年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.036203

  216. Laser Scattering Diagnosis of a 60-Hz Non-Equilibrium Atmospheric Pressure Plasma Jet 査読有り

    Fengdong Jia, Naoya Sumi, Kenji Ishikawa, Hiroyuki Kano, Hirotoshi Inui, Jagath Kularatne, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Akihiro Kono, and Masaru Hori

    Appl. Phys. Express   4 巻   頁: 026101:1-3   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.4.026101

  217. Behaviors of Absolute Densities of N, H and NH3 at Remote Region of High Density Radical Source Employing N2-H2 Mixture Plasmas 査読有り

    Shang Chen, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Makoto Sekine, Hiroyuki Kano, Shoji Den and Masaru Hori

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁: 01AE03:1-4   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.01AE03

  218. Hydrophobic Treatment of Organics against Glass Employing nonequilibrium Atmospheric Pressure Pulsed Plasmas with a Mixture of CF4 and N2 Gases 査読有り

    Hirotoshi Inui, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Takuya Yara, Tsuyoshi Uehara, Makoto Sekine and Masaru Hori

    J. Appl. Phys.   109 巻   頁: 013310:1-6   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3525246

  219. Measurement of Hydrogen Radical Density and its Impact on Reduction of Copper Oxide in Atmospheric-Pressure Remote Plasma Using H2 and Ar Mixture Gases

    Hirotoshi Inui, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Sekine Makoto, Hiroyuki Kano, Naofumi Yoshida, and Masaru Hori

    Appl. Phys. Express   3 巻   頁: 126101:1-3   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.3.126101

  220. Etching Damage in Diamond Studied Using an Energy-Controlled Oxygen Ion Beam 査読有り

    Yuuichi Yamazaki, Kenji Ishikawa, Norikazu Mizuochi, and Satoshi Yamasaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻 ( 1 ) 頁: 60-64   2007年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.46.60

  221. Defect creation in diamond by hydrogen plasma treatment at room temperature 査読有り

    Yuuichi Yamazaki, Kenji Ishikawa, Seiji Samukawa, and Satoshi Yamasaki

    Physica B   376/377 巻   頁: 327-330   2006年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.physb.2005.12.084

  222. Structure of diamond surface defective layer damaged by hydrogen ion beam exposure 査読有り

    Yuuichi Yamazaki, Kenji Ishikawa, Norikazu Mizuochi, and Satoshi Yamasaki

    Diamond Related Mater.   15 巻 ( 4-8 ) 頁: 703-706   2006年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.diamond.2005.12.021

  223. Surface Reactions During Etching of Organic Low-k Films by Plasma of N2 and H2 査読有り

    Kenji Ishikawa, Yoshikazu Yamaoka, Moritaka Nakamura, Yuichi Yamazaki, Satoshi Yamasaki, Yasushi Ishikawa, and Seiji Samukawa

    J. Appl. Phys.   99 巻 ( 8 ) 頁: 083305:1-6   2006年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2191567

  224. Effcient Reduction of Standby Leakage Current in LSIs for Use in Mobile Devices 査読有り

    Hiroshi Kudo, Kenji Ishikawa, Yasuyoshi Mishima, et al.

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 4B ) 頁: 3150-3153   2006年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.45.3150

  225. 理想的な界面形成を追求 半導体のドライ洗浄技術 招待有り

    石川健治、安立なつ美

    工業材料   54 巻   頁: 1   2006年

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    記述言語:日本語  

  226. Structural change in diamond by hydrogen plasma treatment at room temperature 査読有り

    Yuuichi Yamazaki, Kenji Ishikawa, Norikazu Mizuochi, and Satoshi Yamasaki

    Diamond Related Mater.   14 巻 ( 11-12 ) 頁: 1939-1942   2005年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.diamond.2005.09.011

  227. In vacuo measurements of dangling bonds created during Ar-diluted fluorocarbon plasma etching of silicon dioxide films 査読有り

    Kenji Ishikawa, Mitsuru Okigawa, Yasushi Ishikawa, Seiji Samukawa, and Satoshi Yamasaki

    Appl. Phys. Lett.   86 巻   頁: 264104:1-3   2005年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1978982

  228. Mass-analyzed CFx+ (x=1,2,3) ion beam study on selectivity of SiO2-to-SiN etching and a-C:F film deposition 査読有り

    Ken-ichi Yanai, Kazuhiro Karahashi, Kenji Ishikawa, and Moritaka Nakamura

    J. Appl. Phys.   97 巻 ( 5 ) 頁: 053302:1-6   2005年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1854726

  229. Etching yield of SiO2 irradiated by F+ CFx+ (x=1,2,3) ion with energies from 250 to 2000 eV 査読有り

    Kazuhiro Karahashi, Ken-ichi Yanai, Kenji Ishikawa, Hideo Tsuboi, Kazuaki Kurihara, and Moritaka Nakamura

    J. Vac. Sci. Technol. A   22 巻 ( 4 ) 頁: 1166   2004年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.1761119

  230. ドライ洗浄技術-半導体製造- 査読有り

    伊藤隆司、杉野林志、石川健治

    精密工学会誌   70 巻   頁: 894   2004年

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.2493/jjspe.70.894

  231. Transitional change to amorphous fluorinated carbon film deposition under energetic irradiation of mass-analyzed carbon mono-fluoride ions on silicon dioxide surfaces 査読有り

    Kenji Ishikawa, Kazuhiro Karahashi, Hideo Tsuboi, Ken-ichi Yanai, and Moritaka Nakamura

    J. Vac. Sci. Technol. A   21 巻   頁: L1-L3   2003年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.1578653

  232. Surface and gas-phase observations of Ar diluted c-C4F8 plasma by using real-time infrared spectroscopy and planar laser-induced fluorescence 査読有り

    Kenji Ishikawa, Shigenori Hayashi, and Makoto Sekine

    J. Appl. Phys.   93 巻 ( 3 ) 頁: 1403-1408   2003年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1536740

  233. Vapor Treatment of Copper Surface Using Organic Acids 査読有り

    Kenji Ishikawa, Teruo Yagishita and Moritaka Nakamura

    MRS Proceedings   766 巻   2003年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/PROC-766-E3.28

  234. In-vacuo electron spin resonance study on amorphous fluorinated carbon films for understanding of surface chemical reactions in plasma etching 査読有り

    Kenji Ishikawa, Shoji Kobayashi, Mitsuru Okigawa, Makoto Sekine, Satoshi Yamasaki, Tetsuji Yasuda, and Junichi Isoya

    Appl. Phys. Lett.   81 巻 ( 10 ) 頁: 1773-1775   2002年9月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1505121

  235. Planar laser-induced fluorescence of fluorocarbon radicals in oxide etch process plasma 査読有り

    Shigenori Hayashi, Kenji Ishikawa, and Makoto Sekine

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 巻 ( 4A ) 頁: 2207-2212   2002年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.41.2207

  236. Direct observation of surface dangling bonds during plasma process: chemical reactions during H2 and Ar plasma treatments 査読有り

    Satoshi Yamasaki, Ujjwal Das, and Kenji Ishikawa

    Thin Solid Films   407 巻 ( 1-2 ) 頁: 139-143   2002年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0040-6090(02)00028-7

  237. Early-stage modification of a silicon oxide surface in fluorocarbon plasma for selective etching over silicon 査読有り

    Kenji Ishikawa, and Makoto Sekine

    J. Appl. Phys.   91 巻 ( 3 ) 頁: 1661-1666   2002年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1430882

  238. In-situ time-resolved infrared spectroscopic study of silicon-oxide surface during selective etching over silicon in fluorocarbon plasma 査読有り

    Kenji Ishikawa, and Makoto Sekine

    Jpn. J. Appl. Phys.   39 巻   頁: 6990-6995   2000年12月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.39.6990

  239. Asymmetric peak line shape on infrared dielectric function spectra of thermally grown silicon dioxide films 査読有り

    Kenji Ishikawa, Kunihiro Suzuki, and Shigeru Okamura

    J. Appl. Phys.   88 巻   頁: 7150-7156   2000年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1325377

  240. Thickness-deconvolved structural properties of thermally grown silicon dioxide films 査読有り

    Kenji Ishikawa, Hiroki Ogawa, and Shuzo Fujimura

    J. Appl. Phys.   86 巻   頁: 3472-3474   1999年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.371232

  241. Contribution of interface roughness to infrared spectra of thermally grown silicon dioxide films 査読有り

    Kenji Ishikawa, Hiroki Ogawa, and Shuzo Fujimura

    J. Appl. Phys.   85 巻   頁: 4076-4082   1999年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.370313

  242. Analysis of native oxide growth process on an atomically flattened and hydrogen terminated Si(111) surface in pure water using fourier transformed infrared reflection absorption spectroscopy 査読有り

    Shuzo Fujimura, Kenji Ishikawa, and Hiroki Ogawa

    J. Vac. Sci. Technol. A   16 巻 ( 1 ) 頁: 375-381   1998年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.581008

  243. Dependence of TO and LO mode frequency of thermally grown silicon dioxide films on annealing temperature 査読有り

    Kenji Ishikawa, Yuji Uchiyama, Hiroki Ogawa, and Shuzo Fujimura

    Appl. Surf. Sci.   117/118 巻   頁: 212-215   1997年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0169-4332(97)80081-5

  244. Infrared spectroscopy study of the RCA standard clean chemical oxides and their sequencing 査読有り

    Carlos Inomata, Hiroki Ogawa, Kenji Ishikawa, and Shuzo Fujimura

    J. Electrochem. Soc.   143 巻 ( 9 ) 頁: 2995-3000   1996年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/1.1837138

  245. Initial stage of native oxide growth on hydrogen terminated silicon (111) surfaces 査読有り

    Hiroki Ogawa, Kenji Ishikawa, Carlos Inomata, and Shuzo Fujimura

    J. Appl. Phys.   79 巻 ( 1 ) 頁: 472-477   1996年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.360853

  246. Observation of Oxygen Exposed Hydrogen Terminated Silicon Surface 査読有り

    Hiroki Ogawa, Kenji Ishikawa, M. Aoki, Shuzo Fujimura, N. Ueno, Yasuhiro Horiike, Y. Harada

    The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 3, edited by H.Z. Massoud, E.H. Poindexter, and C.R. Helms, (The Electrochemical Society, NJ)     頁: 428   1996年

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    記述言語:英語  

  247. Effects of Dissolved Oxygen in HF Solution on Silicon Surface Morphology 査読有り

    Hiroki Ogawa, Kenji Ishikawa, Miki T. Suzuki, Yuka Hayami, and Shuzo Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys.   34 巻 ( 2B ) 頁: 732-736   1995年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.34.732

  248. FT-IR-RAS analysis of the structure of the SiO2/Si interface 査読有り

    Kenji Ishikawa, Hiroki Ogawa, Carlos Inomata, Shuzo Fujimura, and Haruhisa Mori

    Control of Semiconductor Interfaces, edited by I. Ohdomari, M. Oshima and A. Hiraki, (Elsevier Science B.V.)     頁: 447   1994年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  249. Native Oxide Characterization on Silicon Surfaces 査読有り

    Hiroki Ogawa, Carlos Inomata, Kenji Ishikawa, Shuzo Fujimura, and Haruhisa Mori

    Control of Semiconductor Interfaces, edited by I. Ohdomari, M. Oshima and A. Hiraki, (Elsevier Science B.V.)     頁: 383   1994年

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    記述言語:英語  

  250. Observation of Thin SiO2 Films using IR-RAS 査読有り

    Shuzo Fujimura, Kenji Ishikawa, and Haruhisa Mori

    The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2, edited by C. R. Helms and B. E. Deal, (Plenum Press)     頁: 91   1993年

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    記述言語:英語  

  251. New Analytical Method of SiO2 Structure by Infrared Reflection Absorption Spectroscopy (IR-RAS) 査読有り

    Kenji Ishikawa, Hiroki Ogawa, Carlos Inomata, Shuzo Fujimura and Haruhisa Mori

    MRS Proceedings   318 巻   頁: 425-431   1993年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/PROC-318-425

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書籍等出版物 10

  1. Chapter 2. Physical and chemical basis of non-thermal plasma. In: "Plasma Medical Science"

    Kenji Ishikawa( 担当: 分担執筆 ,  範囲: Chapter 2-1, 2-4, 2-5, 2-6, and 2-8. )

    Academic Press  2018年7月  ( ISBN:9780128150054

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    総ページ数:485   記述言語:英語 著書種別:学術書

    Plasma Medical Science describes the progress that has been made in the field over the past five years, illustrating what readers must know to be successful. As non-thermal, atmospheric pressure plasma has been applied for a wide variety of medical fields, including wound healing, blood coagulation, and cancer therapy, this book is a timely resource on the topics discussed.

    その他リンク: https://www.amazon.co.jp/gp/product/0128150041

  2. Chapter 5. "Plasma Diagnostics" In: "Cold Plasma in Food and Agriculture, Fundamentals and Applications"

    Kenji Ishikawa( 担当: 分担執筆)

    Academic Press  2016年8月  ( ISBN: 9780128013656

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    記述言語:日本語

    Cold Plasma in Food and Agriculture: Fundamentals and Applications is an essential reference offering a broad perspective on a new, exciting, and growing field for the food industry. Written for researchers, industry personnel, and students interested in nonthermal food technology, this reference will lay the groundwork of plasma physics, chemistry, and technology, and their biological applications.

    その他リンク: https://www.amazon.co.jp/gp/product/0128013656

  3. 7.2節 表面計測法 In: プラズマプロセス技術

    石川健治,堀勝( 担当: 分担執筆)

    森北出版  2016年5月  ( ISBN:978-4-627-77561-9

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    記述言語:日本語

    その他リンク: https://www.amazon.co.jp/gp/product/462777561X

  4. 化学便覧 応用化学編 第7版 7.5.2「ドライエッチング」

    堀勝、石川健治( 担当: 単著)

    丸善  2014年1月  ( ISBN:978-4-621-08759-6

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    記述言語:日本語

  5. ArFフォトレジストのプラズマエッチング技術

    石川健治,堀勝( 担当: 共著)

    技術情報協会  2013年7月 

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    記述言語:日本語

  6. ドライエッチング In: 「ドライプロセスによる表面処理・薄膜形成(表面技術協会編)」

    石川健治,堀勝( 担当: 共著)

    丸善  2013年5月  ( ISBN:978-4-339-04631-1

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    記述言語:日本語

    その他リンク: https://www.amazon.co.jp/gp/product/4339046310

  7. 層間絶縁膜の成膜とエッチング

    石川健治,堀勝( 担当: 共著)

    エヌティエス出版  2012年7月  ( ISBN:978-4-86469-039-3

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    記述言語:日本語

  8. エッチング工程の手法およびレジスト・レジストパターンへの影響

    石川健治,堀勝( 担当: 共著)

    情報機構  2011年9月  ( ISBN:978-4-904080-90-0

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    記述言語:日本語

  9. 半導体プロセス洗浄方法とその効果

    石川健治( 担当: 共著)

    有機汚染物質/アウトガスの発生メカニズムとトラブル対策事例集(技術情報協会)  2008年 

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    記述言語:日本語

  10. シリコン基板の洗浄

    石川健治( 担当: 共著)

    エレクトロニクス洗浄技術(技術情報協会)  2007年 

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    記述言語:日本語

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講演・口頭発表等 137

  1. (Coburn Winters Finalist) Mechanism of Generating Ions and Radicals in Fluorocarbon Plasma Investigated by Reaction Model Analysis 国際会議

    Yusuke Kondo, Kenji Ishikawa,

    American Vacuum Society (AVS) 

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    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  2. Subsequent Temporal Change of Gaseous H and N Radical Density in Plasma after Different Processes 国際会議

    Toshiya Suzuki, Kenji Ishikawa,

    American Vacuum Society (AVS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  3. Control of Surface Properties on Plasma-Etched Gallium Nitride (GaN) 国際会議

    Makoto Sekine, Ryosuke Kometani, Kenji Ishikawa,

    American Vacuum Society (AVS) 

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    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  4. Evaluation of Surface Chemical Bonding State and Surface Roughness of Chemical Dry Etched Si using NO and F2 Gas Mixture 国際会議

    Satomi Tajima, Toshio Hayashi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    American Vacuum Society (AVS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  5. Investigation of Plasma-Surface Interactions Between Hydrogen Radical and Chemically Amplified Photoresist 国際会議

    Arkadiusz Malinowski, Makoto Sekine, Kenji Ishikawa,

    American Vacuum Society (AVS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  6. (Invited) Healing Process of Plasma Damaged Gallium Nitride (GaN) 国際会議

    Kenji Ishikawa, Shang Chen,

    International conference on emerging advanced nanomaterials (ICEAN) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  7. Measurement of activated species generated by 60 Hz excited atmospheric pressure Ar plasma in atmospheric gas 国際会議

    Keigo Takeda, Jerome Jolibois, Kenji Ishikawa, Hiromasa Tanaka, Hiroyuki Kano, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    65th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  8. Temperature measurement of substrate with a thin film using low-coherence interference 国際会議

    Takayoshi Tsutsumi, Takehiro Hiraoka, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    65th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  9. Precise plasma process control based on combinatorial plasma etching 国際会議

    Makoto Sekine, Toshiya Suzuki, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Yuichi Setsuhara, Masaharu Shiratani, and Masaru Hori

    65th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  10. Study on synthesis processes and crystallinity changes of nanographene materials synthesized by alcohol liquid-plasma 国際会議

    Hiroki Kondo, Tatusya Hagino, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiroyuki Kano, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    65th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  11. Reaction model for etching surface interacted with hydrofluorocarbon plasmas 国際会議

    Kenji Ishikawa, Yusuke Kondo, Yudai Miyawaki, Toshio Hayashi, Makoto Sekine, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, and Masaru Hori

    65th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  12. Study of the decomposition mechanism of PMMA-type polymers by hydrogen radicals 国際会議

    Yu Arai, Yusuke Noto, Yousuke Goto, Seiji Takahashi, Akihiko Kono, Tatsuo Ishijima, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, and Hideo Horibe

    7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition (HWCVD-7) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  13. Estimation of activation energies for decomposition reaction of polymer by hydrogen radicals generated using hot-wire catalyzer 国際会議

    Akihiko Kono, Yu Arai, Yousuke Goto, Seiji Takahashi, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, and Hideo Horibe

    7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition (HWCVD-7) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  14. Real-time electron-spin-resonance measurement of plasma induced surface interactions 国際会議

    Naoya Sumi, Kenji Ishikawa, Akihiko Kono, Hideo Horibe, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine and Masaru Hori

    3rd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  15. (INVITED) Surface analysis of chemical reactions during plasma etching

    Kenji Ishikawa, et al.

    133th Workshop on Silicon Technology 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  16. (INVITED) Real-time Electron-Spin-Resonance Study of Plasma-Surface interaction 国際会議

    Kenji Ishikawa, Naoya Sumi, Akihiko Kono, Hideo Horibe, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine and Masaru Hori

    12th International Workshop of Advanced Plasma Processing and Diagnostics Joint Workshop 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  17. (INVITED) In line Electron Spin Resonance Study of Plasma-Surface Interaction for plasma etching

    Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori

    20th MRS-Japan Academic Symposium, Session A: Frontier of Nano-Materials Based on Advanced Plasma Technologies 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  18. Polymer Surface Modification: Vibrational Sum Frequency Generation Study for Plasma Etching 国際会議

    Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  19. (INVITED) In line electron spin resonance observation of surface reactions during plasma etching

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  20. 和周波振動分光(SFG)によるポリフッ化ビニリデンの分極配向特性評価

    石川健治,河野昭彦,堀邊英夫,竹田圭吾,近藤博基,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 14a-K-2" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  21. リアルタイム電子スピン共鳴によるプラズマ誘起表面反応の解析

    鷲見直也,石川健冶,河野昭彦,堀邊英夫,竹田圭吾,近藤博基,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16p-ZA-13" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  22. 高精度Cl2プラズマビームを用いたGaNエッチング表面反応の解明

    米谷亮祐,陳尚,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,江川孝志,節原裕一,天野浩,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 17a-ZA-2" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  23. プラズマによるGaNエッチング損傷と反応機構の解析

    陳尚,米谷亮祐,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,加納浩之,徳田豊,関根誠,節原裕一,江川孝志,天野浩,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 17a-ZA-3" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  24. ラジカルが発生し易いエッチングガスと分子構造

    林俊雄,石川健治,関根誠,堀勝,河野明廣,鄒弘綱

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16p-ZA-2" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  25. サブナノメーター形状揺らぎ制御有機膜エッチングのための主要因子の解明

    鈴木俊哉,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,関根 誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16p-ZA-8" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  26. C5HF7/O2/ArプラズマによるArFレジスト表面ラフネス発生抑制機構

    山本洋,宮脇雄大,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,堀勝,伊東安曇,松本裕一

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16p-ZA-6" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  27. ガスデザインに基づいたSiO2膜エッチングとその機構解明(III)

    宮脇雄大,近藤祐介,竹田圭吾,伊東安曇,松本裕一,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16p-ZA-5" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  28. C3F6O代替ガスを用いた絶縁膜の高速エッチングとその機構解明

    近藤祐介,宮脇雄大,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,林俊雄,関根誠,岡本秀一,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16p-ZA-1" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  29. フルオロカーボンプラズマビームによるフォトレジスト表面改質層の解析

    竹内拓,尼崎新平,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,豊田浩孝,関根誠,堀勝,康松潤,沢田郁夫

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16p-ZA-4" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  30. O2プラズマ曝露によるポーラスSiOCH 膜へのダメージ発生メカニズム

    浅野高平,山本洋,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16p-ZA-12" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  31. 二周波容量結合型エッチングプラズマにおける上部電極へのDCバイアス印加効果(III)

    山口剛,竹田圭吾,輿水地塩,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16p-ZA-9" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  32. Radical Transport Simulation under Roof on Substrate in Processing Plasma

    アルカディウス マリノフスキ,堀勝,関根誠,石川健治,近藤博基,山本洋,竹内拓也,鈴木俊哉,宮脇雄大,リディア ルカシャック,アンジェイ ヤクボフスキ,ダニエル トマシェフスキ

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16a-ZA-7" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  33. SF6/O2プラズマを用いたSiエッチング機構

    尼崎新平,竹内拓也,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,堀勝,櫻井典子,林久貴,酒井伊都子,大岩徳久

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学),16a-ZA-3" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  34. アモルファスカーボン膜の結晶構造に対する成長温度の効果

    木野徳重,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16p-ZF-3" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  35. N原子注入によるアモルファスカーボン膜の結晶性制御

    九鬼淳,木野徳重,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16p-ZF-2" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  36. 太陽電池用シリコン薄膜プラズマプロセスにおける水素原子表面損失確率(II)

    阿部祐介,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 15p-D-11" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  37. 水素ラジカル注入型プラズマ源を用いた微結晶シリコン薄膜の成膜

    川嶋翔,阿部祐介,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16a-ZF-8" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  38. エタノールを用いた気液プラズマによるカーボンナノ材料の作製

    萩野達也,乾裕俊,加納浩之,石川建治,竹田圭吾,近藤博基,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 14a-ZK-6" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  39. Spatial distribution measurement of the electron temperature and density of 60 Hz nonequilibrium atmospheric pressure plasma by laser Thomson scattering

    賈鳳東,鷲見直也,石川健治,加納浩之,乾裕俊,竹田圭吾,近藤博基,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 15p-D-4" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  40. H2/Ar大気圧プラズマによる酸化銅還元反応の検討

    乾裕俊,吉田直史,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学),16p-ZF-10" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  41. 非平衡大気圧プラズマにおける原子状ラジカルの挙動に関する研究

    加藤正規,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 15p-D-16" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  42. 非平衡大気圧プラズマによるミドリカビ殺菌速度の酸素ラジカル密度依存性

    井関紗千子,太田貴之,伊藤昌文,加納浩之,東島康裕,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 15p-D-17" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  43. 単一カーボンナノウォールの電気特性

    神田貴幸,山川晃司,竹田圭吾,石川健冶,近藤博基,平松美根男,関根誠,堀勝

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16a-ZQ-6" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  44. カーボンナノウォールの成長に対する基板形状の効果

    渡邊均,近藤博基,石川健治,竹田圭吾,関根誠,堀勝,平松美根男

    "2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会(長崎大学), 16p-ZM-3" 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  45. Modification of Si-O-Si Structure in Porous SiOCH Films by O2 plasma 国際会議

    Hiroshi Yamamoto, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori

    The 11th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics, Ramada Jeju Hotel, Jeju, Korea 

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    開催年月日: 2010年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  46. Control in optical properties of amorphous carbon films synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition for solar cell applications

    International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  47. 和周波振動分光によるプラズマ処理表面の解析

    石川健治,竹田圭吾,近藤博基,関根誠,堀勝

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会(東海大学), 19a-R-14 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  48. 反応性プラズマ中におけるc-C4F8の解離過程

    林俊雄,石川健治,関根誠,堀勝,河野明廣,鄒弘綱

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会(東海大学), 18a-ZD-10 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語  

  49. 反応性プラズマ中におけるC2F4の解離過程

    林俊雄,石川健治,関根誠,堀勝,河野明廣,鄒弘綱

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会(東海大学), 19a-ZB-11 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  50. イオン照射誘起深い準位欠陥の水素ラジカルによる不活性化

    陳尚,永江陽一,石川健治,中井雅文,加納浩之,竹田圭吾,近藤博基,徳田豊,関根誠,堀勝

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会(東海大学), 17p-D-7 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  51. ガスデザインに基づいたSiO2膜エッチングとその機構解明(II)

    宮脇雄大,竹田圭吾,伊東安曇,中村昌洋,石川健治,関根誠,堀勝

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会(東海大学), 18p-ZD-9 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  52. 誘導結合型H2/N2プラズマによる有機low-k薄膜のための小型コンビナトリアルプラズマエッチングプロセス

    堀勝,チャンソン ムン,竹田圭吾,関根誠,節原裕一,白谷正治,石川健治,近藤博基

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会(東海大学), 18p-ZD-18 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  53. ポーラスSiOCH low-k膜へのH2/N2プラズマアッシングダメージ発生機構の解明(II)

    山本洋,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,堀勝,上夏井健,林久貴,酒井伊都子,大岩徳久

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会(東海大学), 18a-ZD-8 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  54. ポーラスSiOCH膜プラズマ処理後の大気曝露の影響(II)

    鈴木俊哉,山本洋,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会(東海大学), 18p-ZD-10 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  55. SF6/O2プラズマによるフォトレジスト表面改質層の解析

    竹内拓也,尼崎新平,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,堀勝

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会(東海大学), 18p-ZD-3 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  56. プラズマCVD法における微結晶シリコン薄膜形成のメカニズム解明

    川嶋翔,阿部祐介,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,堀  勝

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会(東海大学), 19a-ZB-8 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  57. O2プラズマおよびCO2プラズマによるレジストアッシング機構

    阿部祐介,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,堀勝

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会(東海大学), 18p-ZD-2 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  58. Quasi-Bragg grating with sub-wavelength particles

    The 3rd International Conference on PLAsma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  59. Dissociation channel of c-C4F8 to CF2 radical in reactive plasma

    The 3rd International Conference on PLAsma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  60. Siloxane Polymer Surface Modifications by Exposure of Plasma-Beams: A Vibrational Sum-Frequency Generation Spectroscopy (SFG) Study

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  61. Radical Kinetics in N2-H2 Plasma Generated by Novel High Density Radical Source

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  62. Deep-Level Defect Passivation by High Density Hydrogen Radical Exposure on Ion Irradiated Si

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  63. A Well-Established Compact Combinatorial Etching Process Employing Inductively Coupled H2/N2 Plasma

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  64. Porous SiOCH Low-k Film Etch Process and its Surface Reactions Employing an Alternative Fluorocarbon Gas C5F10O

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  65. SiO2 Cotact Hole Etch Mechanism Using Environment-Friendly New Gas, C5F7H

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  66. Analysis of ArF Photoresist Modified by Fluorocarbon Ion Bombardment

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  67. Measurement of Si Wafer Temperature with Metal Thin Film during Plasma Process Using Low-Coherence Interferometer

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  68. Modeling of Radical Tranformation under `PAPE' Structure and Method of Estimation for Surface Loss Probabilities of Radicals

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  69. Fabrication of carbon nanomaterials synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition for solar cell applications

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  70. Effect of Ion Irradiation on Carbon Nanowalls Growth

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  71. Effect of Plasma Surface Treatments on Supporting of Platinum Nanoparticles to Graphite Materials in Supercritical Carbon Dioxide

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  72. Low-Temperature Treatment Using High-Density Non-Equilibrium Atmospheric of Pressure Plasma

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  73. Synthesis of Amorphous Carbon Films using Nonequilibrium Atmosperic-Pressure Plasma

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  74. Effect of Oxygen Etching on the Morphologies of Carbon Nanowalls

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  75. Initial Nucleation in Carbon Nnowalls Growth on Si and SiO2 Surface

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  76. Surface Loss Probabilities of H Atom on Various Silicon Thin Films

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  77. Measurement of H Radical Density in H2/Ar Nonequilibrium Atmospheric Pressure Plasma

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  78. Diagnostics in High Pressure SiH4/H2 Plasma for Deposition of Microcrystalline Si

    The 2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application (ISPlasma2010), Meijo University, Nagoya Japan 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  79. Nanoscale engineering for plasma etching of future device fabrication 国際会議

    The 10th International Workshop of Advanced Plasma Processing and Diagnostics 

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    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  80. A new framework for performance prediction of advanced MOSFETs with plasma-induced recess structure and latent defect site 国際会議

    2008 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), (San Francisco, U.S.A., December 15-17, 2008), 18-2, pp. 443-447. 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  81. Enhancing Yield and Reliability by Applying Dry Organic Acid Vapor Cleaning to Copper Contact Via-Bottom for 32-nm Nodes and Beyond 国際会議

    The 11th International Interconnect Technology Conference (IITC) 2008, (San Francisco, June 10-12, 2008), pp. 93-96. 

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    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  82. Reaction mechanism of low-temperature damageless cleaning of Cu2O by HCOOH 国際会議

    Advanced Metallization Conference (AMC) 2006: 16th Asian Session, (Tokyo, September 25-27, 2006), No. 3-6, pp. 111-116. 

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    開催年月日: 2006年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  83. Large Reduction in Standby Power Consumption Achieved with Stress-controlled SRAM Cell Layout 国際会議

    Ext. Abst. the 2006 International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (Yokohama, Japan, September 12-15, 2006), H-2-2, pp. 172-173. 

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    開催年月日: 2006年9月

    記述言語:英語  

    国名:日本国  

  84. Reduction of Copper Surface with Formic Acid for 32-nm-Node ULSI Metallization: Surface Kinetics Study 国際会議

    The 209th Electrochemical Society Spring Meeting (ECS) (Colorado, U.S.A., May 7-12, 2006), vol. 601, p. 828. 

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  85. Plasma emission irradiation effects on etching surface reactions: Analysis using in-vacuo electron-spin-resonance technique 国際会議

    International conference on reactive plasmas and Symposium on Plasma processing (ICRP 6/SPP 23), (Sendai, Japan, January 24-27, 2006), P-2A-38, p. 467. 

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    開催年月日: 2006年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  86. Structural damage of diamond by oxygen ion beam exposure 国際会議

    International conference on reactive plasmas and Symposium on Plasma processing (ICRP 6/SPP 23), (Sendai, Japan, January 24-27, 2006), G-3A-5, p. 91. 

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    開催年月日: 2006年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  87. Vacuum-ultraviolet photon irradiation effects in fluorocarbon plasmas on SiO2 etching surface reactions using In vacuo electron-spin-resonance

    AVS 52nd International Symposium American Vacuum Society (AVS), (Boston, MA, U. S. A., October 31-November 4, 2005), PS-TuA6, p.97. 

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    開催年月日: 2005年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  88. Low temperature dry cleaning technology using formic acid in Cu/Low-k multilecel interconnects for 45 nm node and beyond 国際会議

    Advanced Metallization Conference (AMC) 2005, (Colorado, U. S. A., September 27-29, 2005), pp. 569-574. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  89. Efficient reduction of standby leakage current in LSIs for use in mobile devices 国際会議

    Ext. Abst. the 2005 International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (Kobe, September 13-15, 2005), pp. 878-879. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  90. Defect creation in diamond by hydrogen plasma treatment at room temperature 国際会議

    23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23), (Hyogo, Japan, July 24 -29, 2005), Th-P17, p. 290. 

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    開催年月日: 2005年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  91. Structural change in diamond by hydrogen plasma treatment at room temperature 国際会議

    10th International Conference New Diamond Science and Technology (ICNDST-10), (Tsukuba, Japan, May 11-14, 2005), P5-3, p. 21. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2005年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  92. Using In-vacuo Electron-spin-resonance and infrared spectroscopy technique in the analysis of surface reactions of Low-k films during/after plasma processes

    AVS 51th International Symposium American Vacuum Society (AVS), (Anaheim, CA, U. S. A., November 14-17, 2004), PS1-MoM6, p. 62. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2004年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  93. Dangling bond creation and annihilation during plasma processes studied by in-situ ESR technique 国際会議

    AVS 51st International Symposium American Vacuum Society (AVS), (Anaheim, CA, U. S. A., November 14-17, 2004), PS-ThA4, p. 140. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2004年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  94. Cleaning of copper surface using vapor-phase organic acids 国際会議

    2nd EU-Japan Joint Symposium on Plasma processing, (February 17-19, 2004), P-06, p. 322. 

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    開催年月日: 2004年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  95. Incident angular dependence of SiO2 and Si3N4 etching with mass-analyzed CFx+ ion beam irradiation 国際会議

    2nd EU-Japan Joint Symposium on Plasma processing, (February 17-19, 2004), P-03, p. 295. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2004年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  96. Incident angular dependence of SiO2 and Si3N4 etching with mass-analyzed CFx+ ion beam irradiation 国際会議

    4th International Symposium on Dry Process, (Hongoh, Tokyo, November 14-15, 2003), 7-3, pp. 271-276. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2003年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  97. Study of SiO2 plasma etching with off-normal mass-analyzed CFx+ ion beam irradiation 国際会議

    AVS 50th International Symposium American Vacuum Society (AVS), (Baltimore, MD, U. S. A., November 2-7, 2003), PS1-WeA9, p. 171. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2003年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  98. Mechanisms of vapor cleaning of copper surface using organic acids 国際会議

    204th Meeting of the Electrochemical Society (ECS), (Orlando, Florida, U. S. A., October 12-17, 2003), G1-613, pp. 259-263. 

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    開催年月日: 2003年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  99. Study of fluorocarbon plasma etching and film deposition with mass separated CFx+ ion beam irradiation 国際会議

    16th International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC16), (Taorumina, Italy, June 22-27, 2003), p. 307. 

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    開催年月日: 2003年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  100. Cleaning of copper surface using vapor-phase organic acids 国際会議

    203rd Meeting of the Electrochemical Society (ECS), (Paris, France, April 27 – May 2, 2003), F2-425, pp. 320-323. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2003年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  101. Vapor treatment of copper surface using organic acids 国際会議

    2003 Spring meeting of the Material Research Society (MRS), (San Francisco, April 21–25, 2003), E3-28, pp. 459-464. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2003年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  102. Study of selective etching of SiO2-to-Si3N4 and a-C:F film deposition with mass-analyzed CFx+ ion beam irradiation 国際会議

    4th International Conference on Microelectronics and Interfaces (ICMI'03), (Santa Clara, CA, March 3-6, 2003), pp. . 

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  103. Measurements of Desorbed Products and Etching Yield by CFx+(x=1,2,3) Ion Irradiation 国際会議

    AVS 49th International Symposium American Vacuum Society (AVS), (Denver Colorado, November 3-8, 2002), PS-FrM2, p.137. 

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    開催年月日: 2002年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  104. Using Real-time Infrared Spectroscopy and In-vacuo Electron-Spin-Resonance Technique in the Analysis of Surface Reactions during Etching of Organic Low-k Film by a Plasma of N2 and H2 国際会議

    2nd International Symposium on Dry Process, (Hongoh, Tokyo, October 11-12, 2002), I-7, pp. 39-44. 

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    開催年月日: 2002年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  105. Study of SiO2 plasma etching and fluorocarbon film deposition with mass separated CFx+ ion beam irradiation 国際会議

    2nd International Symposium on Dry Process, (Hongoh, Tokyo, October 11-12, 2002), VII-3, pp. 269-274. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  106. Decomposition Mechanism of c-C4F8 in Plasma Assisted Catalytic Technology (PACT) 国際会議

    2nd International Symposium on Dry Process, (Hongoh, Tokyo, October 11-12, 2002). VI-22, pp. 243-248. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  107. Dangling Bond Observation during Plasma Etching Processes Using In-vacuo Electron-Spin-Resonance Technique 国際会議

    16th European Conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases (ESCAMPIG) and 5th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP), (Grenoble, France, July 15-18, 2002), P1-65, pp.169-170. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  108. Measurements of desorbed products and etching yield by CFx+ (x=1,2,3) ion irradiation on SiO2 国際会議

    16th European Conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases (ESCAMPIG) and 5th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP), (Grenoble, France, July 15-18, 2002), P1-80, pp. 199-200. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  109. Measurements of SiO2 Etch Yields under F+ and CFx+ Ion Irradiation 国際会議

    3rd International Conference on Microelectronics and Interfaces (ICMI'02), (Santa Clara, CA, February 11-15, 2002), pp. . 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  110. Dangling Bond Observation during Fluorocarbon Plasma Etching Processes Using In-vacuo Electron-Spin-Resonance Technique 国際会議

    1st International Symposium on Dry Process, (Waseda, Tokyo, November 20-21, 2001), VII-6, pp. 301-306. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  111. In-vacuo Electron-Spin-Resonance Study on Fluorocarbon Films for SiO2 Plasma Etching 国際会議

    AVS 48th International Symposium American Vacuum Society (AVS), (San Francisco, CA, October 28-November 2, 2001), PS1-MoA2, p.64. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  112. Early-stage modification of Silicon dioxide surface during fluorocarbon plasma etching 国際会議

    25th Intern. Conf. on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG), (Nagoya, July 17-22, 2001), 18a35, p. 89. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  113. Time-Resolved Planer Laser-Induced Fluorescence of Fluorocarbon Radicals in Oxide Etch Process Plasma 国際会議

    25th International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG), (Nagoya, July 17-22, 2001), 18a36, p. 91. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  114. Electron-Spin-Resonance Investigation on Solid Surfaces Irradiated by Fluorocarbon Plasma 国際会議

    25th International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG), (Nagoya, July 17-22, 2001), 18a34, p. 87. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  115. Early-stage modification of silicon oxide surface in fluorocarbon plasma for selective etching over silicon 国際会議

    47th International Symposium American Vacuum Society (AVS), (Boston, MA, October 2-6, 2000), PS-MoM4, p. 6. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  116. (Plenary) Plasma-surface interactions in plasma etching of future device fabrication 国際会議

    Kenji Ishikawa, Y. Miyawaki, T. Takeuchi, K. Takeda, S. Tajima, H. Kondo, T. Hayashi, M. Sekine, and M. Hori

    The 16th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  117. An in-situ time-resolved infrared spectroscopic study of silicon dioxide surface during selective etching over silicon using fluorocarbon plasma 国際会議

    Microprocess and Nanotechnology Conference (MNC), (Tokyo, July 11-13, 2000), 13B-9-3, pp. 270-271. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  118. Early Stage of Native Oxide Growth on an Atomically Flat Hydrogen Terminated Si(111) Surface 国際会議

    Proc. 3rd Intern. Symp. Ultra Clean Processing of Silicon Surface (UCPSS 96), edited by M. Heyns, (Acco Leuven/Amersfoort, 1996), pp. 273-278. 

     詳細を見る

    開催年月日: 1996年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  119. Thickness-Deconvolved Structural Properties of Thermally Grown Silicon Dioxide Film 国際会議

    26th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conf. (SISC 95), (Charleston, South Carolina, December 7-9, 1995), P1.2. 

     詳細を見る

    開催年月日: 1995年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  120. Thickness-Deconvolved Structural Properties of Thermally Grown Silicon Dioxide Film 国際会議

    Ext. Abst. of the 1995 Intern. Conf. on Solid State Devices and Mater. (SSDM), (Osaka, August 21-24, 1995), PA-1-8, pp. 500-502. 

     詳細を見る

    開催年月日: 1995年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  121. In-situ Observation of Oxygen Exposed Hydrogen Terminated Silicon Surfaces 国際会議

    Ext. Abst. of the 1995 Intern. Conf. on Solid State Devices and Mater. (SSDM), (Osaka, August 21-24, 1995), S-1-1-2, pp.13-15. 

     詳細を見る

    開催年月日: 1995年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  122. Study on Reaction of Fluorine Radicals with Si(111) Surface Employing an In-situ Combinated of ATR and XPS 国際会議

    8th Intern. Micro Process Conf., (Sendai, July 17-20, 1995), pp. 170-171. 

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    開催年月日: 1995年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  123. Contribution of Si/SiO2 Interface Roughness in the Observation of Chemical Structure 国際会議

    Ext. Abst. of the 1994 Intern. Conf. on Solid State Devices and Mater.(SSDM), (Yokohama, August 23-26, 1994), C-8-5, pp. 850-852. 

     詳細を見る

    開催年月日: 1994年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  124. Effects of Dissolved Oxygen in HF solution on Silicon Surface Morphology 国際会議

    Ext. Abst. of the 1994 Intern. Conf. on Solid State Devices and Mater. (SSDM), (Yokohama, August 23-26, 1994), pp. 437-439. 

     詳細を見る

    開催年月日: 1994年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  125. New Analytical Method of SiO2 Structure by Infrared Reflection Absorption Spectorscopy (IR-RAS) 国際会議

    1993 Fall Meeting of the Material Research Society (MRS), Proc. 318 (Boston, November 28-December 5, 1993), pp. 425-430. 

     詳細を見る

    開催年月日: 1993年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  126. Plasma-Biological Surface Interaction for Food Hygiene: Real-time in situ electron spin resonance measurements 国際会議

    Kenji Ishikawa, H. Mizuno, H. Tanaka, H. Hashizume, T. Ohta, M. Ito, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, and M. Hori

    The 34th International Symposium on Dry Process (DPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  127. A High Temperature Plasma Etching of GaN and Its Reaction Mechanism 国際会議

    R. Kometani, S. Chen, M. Liu, Kenji Ishikawa, H. Kondo, K. Takeda, T. Egawa, H. Amano, M. Sekine, and M. Hori

    The 34th International Symposium on Dry Process (DPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  128. Studies on Plasma Etching of Si3N4 in Capacitively Coupled Plasma employing C5HF7 国際会議

    Y. Miyawaki, Y. Kondo, M. Sekine, Kenji Ishikawa, T. Hayashi, K. Takeda, A. Ito, H. Matsumoto, and M. Hori

    The 34th International Symposium on Dry Process (DPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  129. A reduction of degradation on ArF photoresist by C5HF7 plasma etching and its mechanism 国際会議

    K. Asano, Y. Miyawaki, Kenji Ishikawa, M. Sekine, K. Takeda, A. Ito, H. Matsumoto, H. Kondo, and M. Hori

    The 34th International Symposium on Dry Process (DPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  130. Quantum chemical investigations for excitation dissociations of C5F8 and C5HF7 etching gases 国際会議

    T. Hayashi, Kenji Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    The 34th International Symposium on Dry Process (DPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  131. Highly selective etching of gap-fill dielectrics over SiC and SiN by the dc-bias superposed dual-frequency CCP 国際会議

    T. Komuro, K. Takeda, Kenji Ishikawa, M. Sekine, Y. Ohya, H. Kondo, and M. Hori

    The 34th International Symposium on Dry Process (DPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  132. Photon-stimulated surface reaction and generation of damage to hydrogenated silicon nitride in fluorocarbon plasma 国際会議

    M. Fukasawa, H. Matsugai, T. Honda, Y. Miyawaki, Y. Kondo, K. Takeda, H. Kondo, Kenji Ishikawa, M. Sekine, K. Nagahata, F. Uesawa, M. Hori, and T. Tatsumi

    The 34th International Symposium on Dry Process (DPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  133. An in-situ sequential H and N radical exposure process for recovery of plasma-damaged GaN 国際会議

    Z. Liu, S. Chen, Y. Lu, R. Kometani, Kenji Ishikawa, H. Kano, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, T. Egawa, H. Amano, and M. Hori

    The 34th International Symposium on Dry Process (DPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  134. High performances of microcrystalline Si thin film formation for a solar cell by measurement and control of hydrogen radicals in the SiH4/H2 plasma 国際会議

    Y. Abe, A. Fukushima, Y. Lu, Y. Kim, K. Takeda, H. Kondo, Kenji Ishikawa, M. Sekine, and M. Hori

    The 34th International Symposium on Dry Process (DPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  135. Evaluation of gas-surface reaction dynamics during the plasmaless Si etching using NO/F2 gas mixture 国際会議

    S. Tajima, T. Hayashi, Kenji Ishikawa, M. Sekine, and M. Hori

    The 34th International Symposium on Dry Process (DPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  136. (INVITED) Real time In Situ Electron Spin Resonance (ESR) Study of Free Radicals on Materials Created by Plasmas 国際会議

    Kenji Ishikawa,

    American Vacuum Society (AVS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  137. FT-IR-RAS Analysis of Native Oxide Grown on Si(111) 国際会議

    Ext. Abst. of the 1993 Intern. Conf. on Solid State Devices and Mater. (SSDM), (Makuhari, August 29-September 1, 1993), pp.618-620. 

     詳細を見る

    開催年月日: 1993年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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科研費 8

  1. 低温プラズマ加工の理論-計算-計測の連携環境構築による一原子一分子制御工学の創成

    研究課題/研究課題番号:21H01073  2021年4月 - 2024年3月

    基盤研究(B) 分担 

    関根 誠, 堤 隆嘉, 石川 健治

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

    次代電子情報ナノシステムの作製において,微細加工・プラズマエッチングの1原子1分子レベルの反応プロセス制御『アトミックスケールエンジニアリング』が要求される.プラズマエッチングの反応過程をⅠ)気相中反応,Ⅱ)活性種輸送,Ⅲ)表面反応の3段階に階層化し,理論-計算-実験を統合した研究基盤を構築するアプローチを探索しながら,プラズマと表面の相互作用の『アトミックスケールエンジニアリング』を学問体系化し,次代イノベーション電子情報デバイスの創出に貢献する基盤技術を開拓する.

  2. プラズマ生成フリーラジカル非平衡反応場の液相時空間解析

    研究課題/研究課題番号:21H04451  2021年4月 - 2024年3月

    基盤研究(A) 代表 

    石川 健治, 田中 宏昌, 古閑 一憲

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    配分額:43030000円 ( 直接経費:33100000円 、 間接経費:9930000円 )

    放電プラズマによる抗腫瘍作用などのプラズマと生体との相互作用に関する新奇現象においては,プラズマが生成するラジカルが起点となり,逐次連鎖反応により次々と別のラジカルが生じ,それらの作用で細胞内代謝に変動が生じている.本研究は「プラズマ生成ラジカルが誘起する逐次連鎖反応はどのように進んでいるか?」に焦点を絞い,プラズマ生成ラジカルを起点とする逐次連鎖反応で生成する複数のラジカルをμs・mmの時空間分解能で検出・解析する.得られた結果を総括し,プラズマが誘起する液相に生じる非平衡反応場内のラジカルの反応と,逐次連鎖的に進行するラジカル誘起反応について体系的にまとめる.

  3. プラズマ中光捕捉微粒子を用いたシース電場の時空間構造揺らぎ形成機構の解明

    研究課題/研究課題番号:20H00142  2020年4月 - 2024年3月

    基盤研究(A)分担 

    白谷 正治, 小林 達哉, 布村 正太, 石川 健治, 鎌滝 晋礼, 富田 健太郎

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    担当区分:研究分担者 

    プラズマプロセスで形成するナノ構造揺らぎの抑制が、3次元集積回路の超高層化における最重要課題である。本研究では、超高層3次元集積回路の実現に最も重要なエッチング形状揺らぎとプラズマ揺らぎの関係に焦点を当てる。高アスペクト比エッチングでは、イオンの指向性揺らぎが問題である。イオンの運動エネルギーの異方性に関係する微弱な電場揺らぎは従来の電場計測法では検知できない。本研究では、光捕捉微粒子を用いた超高感電場計測法を用いて、シース電場構造の時空間揺らぎの形成機構を解明する。プラズマ・基板間のシース電場の時空間構造揺らぎを実測するとともに、その発生原因を同定する。

  4. プラズマで生成されたフリーラジカルの生物化学作用のメタボロミクスによる解析

    研究課題/研究課題番号:17H02805  2017年4月 - 2020年3月

    基盤研究(B) 

    石川 健治

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:18460000円 ( 直接経費:14200000円 、 間接経費:4260000円 )

    プラズマ活性溶液で培養された細胞内代謝物の変動を観察し,脳腫瘍細胞(U251SP)は1.細胞培養液ではグルコース摂取から異化作用により生体エネルギーとバイオマスの産生,2.プラズマ活性培養液では酸化ストレスにより糖代謝酵素の活性が減弱して生体エネルギーが不足し,3.乳酸含有溶液では細胞内は還元状態を維持しながら乳酸摂取等の同化作用が亢進,4.プラズマ活性乳酸溶液(PAL)ではグルタミン同化や脂肪代謝に,プラズマ活性有機物が阻害要因として働くことを明らかにした.特に,PALではプラズマが活性化した有機物を起因とした細胞内代謝が変動され,プラズマ誘起細胞死に至ることを発見した.
    大気圧下でガス温度の上昇を伴わない非平衡(低温)プラズマの生成が制御されて可能となり,液体や生体をはじめとする様々な対象にプラズマの照射効果が見いだされていた中,本研究は,プラズマ活性溶液中で培養された細胞内のメタボローム解析を世界で初めて実施した,研究開始当初はプラズマが生成するRONSの影響が生体作用の主要な因子であるといった見解から,溶液中の有機物の変性をプラズマが液体に作用した結果に生じており、その溶液中に産生された成分が細胞の恒常的応答を変動させ、代謝産物における明瞭な違いを世界で初めて明らかにした.

  5. アジアの飲用水元素汚染に対する健康リスク評価と浄化材の開発

    研究課題/研究課題番号:15H02588  2015年4月 - 2019年3月

    加藤 昌志

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    担当区分:研究分担者 

    アジアを中心に飲用井戸水の元素汚染が原因で数千万人以上の多種多様が発生している。本研究では、飲用水元素汚染に関する国際環境問題を迅速に解決することを目的として、以下に示す包括的環境研究を実施した。まず、アフガンニスタン等の情報の乏しい地域も含めて、飲用井戸水元素汚染の現状を把握した。次に、細胞・動物・ヒトの知見を組み合わせた多角的健康リスク評価システムにより、発癌及び感覚器(皮膚・耳)の疾患(黒皮症・難聴等)を誘発する可能性のある有害元素(ヒ素・バリウム・鉄・マンガン等)を選別し、井戸水から浄化すべき元素を特定した。最後に、有害元素を飲用井戸水からの除去できる新規の浄化技術の開発に成功した。
    学術的意義:慢性ヒ素中毒の指標の1つとなるヒ素性黒皮症のモデルマウスを作製することに初めて成功した。さらに、黒皮症の発症にエンドセリンが関与している可能性を細胞生物学実験で示した。また、内耳蝸牛に着目し、ヒ素・マンガン等の元素が、難聴を誘発する機序を一部解明した。
    社会的意義:アフガニスタンのカブールの飲用井戸水がヒ素やウランに汚染されていることを示した。さらに、有害元素(ヒ素・バリウム・鉄・マンガン)の曝露によって誘発されるヒトの難聴または黒皮症に対するリスクが、毛髪・爪・尿等の元素濃度を指標として評価できることを示した。また、ウラン・バリウム・モリブデン等を吸着できる浄化材候補を提案した。

  6. カーボンナノウォールシートエッジエレクトロニクスの創成と単一細胞の分化誘導制御

    研究課題/研究課題番号:15H02032  2015年4月 - 2018年3月

    堀 勝

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    担当区分:連携研究者 

    カーボンナノウォール(CNW)のシートナノエッジから発現する電子物性と細胞との相互作用の体系化な解明による、細胞の接着、形態と分化誘導制御が可能なバイオデバイスとプラズマバイオエレクトロニクスの開拓を目的に、CNW足場上での電気刺激重畳が骨芽細胞の増殖・分化(骨化)に及ぼす効果を解明した。周波数10 Hzの電気刺激を重畳した場合においてのみ、特異的に増殖促進と骨化の抑制が確認された。更に壁密度に対する依存性や、骨化を伴わない細胞塊の形成も見出された。これらはCNW表面のシートエッジと電気刺激とのシナジーによる細胞増殖と分化の変化を示唆し、多様な再生医療での新しい細胞制御技術の確立が期待される。

  7. プラズマで生成された生体内フリーラジカルの実時間計測とプラズマ滅菌処理の研究

    2014年4月 - 2017年3月

    基盤研究(B)  基盤研究(B)

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    担当区分:研究代表者 

  8. 実時間その場電子スピン共鳴分析によるプラズマの生体に及ぼす作用に関する研究

    2012年4月 - 2014年3月

    挑戦的萌芽 

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    担当区分:研究代表者 

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産業財産権 8

  1. Silicon oxide film evaluation method

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    出願日:1994年3月

    特許番号/登録番号:US 5,595,916  登録日:1997年1月 

    出願国:外国  

  2. 半導体装置の製造方法

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    出願日:2004年9月

    特許番号/登録番号:4283189  登録日:2009年3月 

    出願国:国内  

  3. シリコン酸化膜の評価方法及び装置並びに半導体装置の製造方法及び装置

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    出願日:2005年3月

    特許番号/登録番号:3844770  登録日:2006年8月 

    出願国:国内  

  4. シリコン酸化膜の評価方法及び半導体装置の製造方法

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    出願日:2002年12月

    特許番号/登録番号:3816440  登録日:2006年6月 

    出願国:国内  

  5. シリコン酸化膜の評価方法及び半導体装置の製造方法

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    出願日:1995年3月

    特許番号/登録番号:3670336  登録日:2005年4月 

    出願国:国内  

  6. シリコン酸化膜の評価方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法及び装置

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    出願日:1994年3月

    特許番号/登録番号:3452629  登録日:2003年7月 

    出願国:国内  

  7. 半導体装置の製造方法

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    出願日:1999年3月

    特許番号/登録番号:3326718  登録日:2002年7月 

    出願国:国内  

  8. 半導体装置の製造方法

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    出願日:1999年2月

    特許番号/登録番号:3326717  登録日:2002年7月 

    出願国:国内  

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担当経験のある科目 (本学) 7

  1. エレクトロニクスと物性科学

    2021

  2. ナノプロセス工学特論

    2020

  3. ナノプロセス工学特論

    2018

  4. ナノプロセス工学特論

    2017

  5. ナノプロセス工学特論

    2016

  6. ナノプロセス工学特論

    2014

  7. ナノプロセス工学特論

    2012

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