2021/03/31 更新

写真a

ホンダ ヨシオ
本田 善央
HONDA, Yoshio
所属
名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 准教授
職名
准教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2003年3月   名古屋大学 ) 

研究キーワード 2

  1. 電子材料

  2. 電子材料

研究分野 1

  1. その他 / その他  / 工学@電気電子工学@電子・電気材料工学

現在の研究課題とSDGs 3

  1. Si基板上半極性GaNの積層欠陥、点欠陥抑制による光学的特性の改善

  2. 加工Si基板を用いた半極性GaN上InGaN結晶に関する研究

  3. ハライド気相成長法によるシリコン基板上への窒化物半導体の厚膜結晶成長に関する研究

経歴 9

  1. 青山学院大学   非常勤講師

    2016年4月 - 現在

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    国名:日本国

  2. 青山学院大学   非常勤講師

    2016年4月 - 現在

  3. 名古屋大学   未来材料システム研究所   准教授

    2015年10月 - 現在

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    国名:日本国

  4. 名古屋大学   大学院工学研究科 電子情報システム専攻   高等研究院 准教授

    2014年12月 - 現在

  5. 名古屋大学大学院   工学研究科電子情報システム専攻   准教授

    2014年4月 - 2015年9月

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    国名:日本国

  6. 中部大学   非常勤講師

    2013年9月 - 2017年3月

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    国名:日本国

  7. スウェーデン王国・リンショピン大学   客員研究員

    2007年8月 - 2008年3月

  8. 名古屋大学大学院   工学研究科電子情報システム専攻   助教授

    2007年4月 - 2014年3月

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    国名:日本国

  9. 名古屋大学大学院   工学研究科電子情報システム専攻   助教授

    2003年4月 - 2007年3月

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    国名:日本国

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学歴 3

  1. 名古屋大学   工学研究科   電子工学専攻

    - 2003年

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    国名: 日本国

  2. 名古屋大学   工学研究科   電子工学専攻

    - 2003年

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    国名: 日本国

  3. 名古屋大学   工学部   電子工学科

    - 1998年

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    国名: 日本国

所属学協会 3

  1. 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会

  2. 応用物理学会

  3. 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会

委員歴 27

  1. LEDIA19   プログラム委員長  

    2019年4月 - 2020年3月   

  2. ICNS14   実行副委員長  

    2019年3月 - 2021年10月   

  3. APWS2019   展示委員  

    2018年11月 - 2019年10月   

  4. LEDIA18   庶務委員  

    2018年4月 - 2019年3月   

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    団体区分:学協会

  5. ICMOVPE2018   財務委員  

    2017年4月 - 2018年12月   

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    団体区分:学協会

  6. ISPLASMA2018   プログラム委員  

    2017年4月 - 2018年3月   

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    団体区分:学協会

  7. LEDIA18   プログラム委員  

    2017年4月 - 2018年3月   

  8. 庶務委員  

    2016年8月 - 2019年3月   

  9. 庶務委員  

    2016年6月 - 2017年5月   

  10. プログラム委員  

    2016年4月 - 2017年3月   

  11. 副実行委員長  

    2016年4月 - 2017年3月   

  12. ISPLASMA2015   実行委員  

    2015年4月 - 2016年3月   

  13. ISGN-6   総務幹事  

    2014年7月 - 2016年3月   

  14. LEDIA15   総務委員  

    2014年4月 - 2015年3月   

  15. 学振162委員会   研究会企画幹事  

    2013年4月 - 現在   

  16. 学振162委員会   研究会企画幹事  

    2013年4月 - 現在   

  17. ICCGE2016   現地実行委員  

    2013年4月 - 2016年3月   

  18. ISPLASMA2014   広報委員  

    2013年4月 - 2014年3月   

  19. LEDIA14   庶務・プログラム・現地委員  

    2013年4月 - 2014年3月   

  20. LEDIA13   プログラム・現地委員  

    2012年11月 - 2013年3月   

  21. ISPLASMA2013   現地実行委員  

    2012年4月 - 2013年3月   

  22. IWN2012   庶務委員  

    2011年2月 - 2012年10月   

  23. EMS30-31   会場委員  

    2010年10月 - 2012年7月   

  24. APWS2011   現地実行委員  

    2010年6月 - 2011年6月   

  25. IWBNS-7   現地実行委員  

    2010年4月 - 2011年3月   

  26. ISGN-2   現地実行委員  

    2007年8月 - 2008年8月   

  27. IWN2006   現地実行委員  

    2005年10月 - 2006年10月   

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受賞 2

  1. 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞

    2009年5月   日本結晶成長学会  

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    受賞国:日本国

  2. 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞

    2009年5月   日本結晶成長学会  

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    受賞国:日本国

 

論文 338

  1. Etching-induced damage in heavily Mg-doped p-type GaN and its suppression by low-bias-power inductively coupled plasma-reactive ion etching 査読有り

    Kumabe Takeru, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Deki Manato, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abd538

    Web of Science

  2. Electrical properties of GaN metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal Ga-polar and nonpolar surfaces 査読有り

    Ando Yuto, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Taoka Noriyuki, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Nakamura Tohru, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 24 )   2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0028516

    Web of Science

  3. Detailed analysis of Ga-rich current pathways created in an n-Al0.7Ga0.3N layer grown on an AlN template with dense macrosteps 査読有り

    Nagasawa Yosuke, Hirano Akira, Ippommatsu Masamichi, Sako Hideki, Hashimoto Ai, Sugie Ryuichi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu, Kojima Kazunobu, Chichibu Shigefusa F.

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 12 )   2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/abcb49

    Web of Science

  4. Epitaxial Combination of Two-Dimensional Hexagonal Boron Nitride with Single-Crystalline Diamond Substrate. 査読有り

    Yang X, Pristovsek M, Nitta S, Liu Y, Honda Y, Koide Y, Kawarada H, Amano H

    ACS applied materials & interfaces   12 巻 ( 41 ) 頁: 46466 - 46475   2020年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsami.0c11883

    Web of Science

    PubMed

  5. Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride 査読有り

    Sato Shin-Ichiro, Deki Manato, Watanabe Hirotaka, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Nishimura Tomoaki, Gibson Brant C., Greentree Andrew D., Amano Hiroshi, Ohshima Takeshi

    OPTICAL MATERIALS EXPRESS   10 巻 ( 10 ) 頁: 2614 - 2623   2020年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1364/OME.401765

    Web of Science

  6. Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures 査読有り

    Sato Shin-ichiro, Deki Manato, Nishimura Tomoaki, Okada Hiroshi, Watanabe Hirotaka, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Ohshima Takeshi

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   479 巻   頁: 7 - 12   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2020.06.007

    Web of Science

  7. Low interface state densities at Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal polar and non-polar surfaces 査読有り

    Ando Yuto, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Taoka Noriyuki, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Nakamura Tohru, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 10 )   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0010774

    Web of Science

  8. Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO 査読有り

    Kimura Tomoya, Ohnishi Kazuki, Amano Yuki, Fujimoto Naoki, Araidai Masaaki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 8 )   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  9. Pulsed-flow growth of polar, semipolar and nonpolar AlGaN 査読有り

    Dinh Duc V, Hu Nan, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C   8 巻 ( 25 ) 頁: 8668 - 8675   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d0tc01369b

    Web of Science

  10. Change of high-voltage conduction mechanism in vertical GaN-on-GaN Schottky diodes at elevated temperatures 査読有り 国際誌

    Sandupatla Abhinay, Arulkumaran Subramaniam, Ng Geok Ing, Ranjan Kumud, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 7 ) 頁: .   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  11. Change of high-voltage conduction mechanism in vertical GaN-on-GaN Schottky diodes at elevated temperatures 査読有り

    Sandupatla Abhinay, Arulkumaran Subramaniam, Ng Geok Ing, Ranjan Kumud, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 7 ) 頁: .   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  12. Halide vapor phase epitaxy of p-type Mg-doped GaN utilizing MgO 査読有り 国際誌

    Ohnishi Kazuki, Amano Yuki, Fujimoto Naoki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 6 ) 頁: .   2020年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  13. Lattice bow in thick, homoepitaxial GaN layers for vertical power devices 査読有り

    Liu Qiang, Fujimoto Naoki, Shen Jian, Nitta Shugo, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Sitar Zlatko, Bockowski Michal, Kumagai Yoshinao, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   539 巻   頁: .   2020年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  14. Halide vapor phase epitaxy of p-type Mg-doped GaN utilizing MgO 査読有り

    Ohnishi Kazuki, Amano Yuki, Fujimoto Naoki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 6 ) 頁: .   2020年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  15. Lattice bow in thick, homoepitaxial GaN layers for vertical power devices 査読有り

    Liu Qiang, Fujimoto Naoki, Shen Jian, Nitta Shugo, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Sitar Zlatko, Bockowski Michal, Kumagai Yoshinao, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   539 巻   頁: .   2020年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  16. Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN 査読有り 国際誌

    Takahashi Masahiro, Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Shima Kohei, Kojima Kazunobu, Chichibu Shigefusa F., Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 5 ) 頁: .   2020年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Web of Science

  17. Suppression of Green Luminescence of Mg-Ion-Implanted GaN by Subsequent Implantation of Fluorine Ions at High Temperature 査読有り

    Takahashi Masahiro, Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Shima Kohei, Kojima Kazunobu, Chichibu Shigefusa F., Chen Kevin J., Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201900554

    Web of Science

  18. On-wafer fabrication of etched-mirror UV-C laser diodes with the ALD-deposited DBR

    Sakai Tadayoshi, Kushimoto Maki, Zhang Ziyi, Sugiyama Naoharu, Schowalter Leo J, Honda Yoshio, Sasaoka Chiaki, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   116 巻 ( 12 )   2020年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5145017

    Web of Science

  19. Indium incorporation and optical properties of polar, semipolar and nonpolar InAlN

    Dinh Duc V, Hu Nan, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   35 巻 ( 3 )   2020年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/ab63f1

    Web of Science

  20. Optimization of InGaN thickness for high-quantum-efficiency Cs/O-activated InGaN photocathode

    Sato Daiki, Honda Anna, Koizumi Atsushi, Nishitani Tomohiro, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    MICROELECTRONIC ENGINEERING   223 巻   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mee.2020.111229

    Web of Science

  21. Analysis of trimethylgallium decomposition by high-resolution mass spectrometry

    Ye Zheng, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 2 )   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6fb0

    Web of Science

  22. Visualization of different carrier concentrations in n-type-GaN semiconductors by phase-shifting electron holography with multiple electron biprisms

    Yamamoto Kazuo, Nakano Kiyotaka, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Ando Yuto, Ogura Masaya, Matsumoto Miko, Anada Satoshi, Ishikawa Yukari, Amano Hiroshi, Hirayama Tsukasa

    MICROSCOPY   69 巻 ( 1 ) 頁: 1 - 10   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/jmicro/dfz037

    Web of Science

    PubMed

  23. Effect of Annealing on the Electrical and Optical Properties of MgZnO Films Deposited by Radio Frequency Magnetron Sputtering

    Kushimoto Maki, Sakai Tadayoshi, Ueoka Yoshihiro, Tomai Shigekazu, Katsumata Satoshi, Deki Manato, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   217 巻 ( 14 )   2020年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201900955

    Web of Science

  24. Scalable synthesis of multilayer h-BN on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy: nucleation and growth mechanism

    Yang Xu, Nitta Shugo, Pristovsek Markus, Liu Yuhuai, Liao Yaqiang, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    2D MATERIALS   7 巻 ( 1 )   2020年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/2053-1583/ab46e6

    Web of Science

  25. Recovery of quantum efficiency on Cs/O-activated GaN and GaAs photocathodes by thermal annealing in vacuum

    Sato Daiki, Nishitani Tomohiro, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   38 巻 ( 1 )   2020年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.5120417

    Web of Science

  26. マクロステップを持つ<i>c</i>面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価

    小島 一信, 長澤 陽祐, 平野 光, 一本松 正道, 杉江 隆一, 本田 善央, 天野 浩, 赤﨑 勇, 秩父 重英

    日本結晶成長学会誌   47 巻 ( 3 )   2020年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    <p>  The microscopic structural and optical characteristics of AlGaN light-emitting diodes (LEDs) fabricated on the AlN templates with dense macrosteps are shown to clarify the origin of their high internal quantum efficiency of radiation (IQE). The cross-sectional transmission electron microscopy observations under the high-angle annular dark field scanning mode and microscopic energy dispersive X-ray spectroscopy revealed that the AlGaN cladding layer under the AlGaN quantum well (QW) layer had a microscopic compositional modulation, which originates from the macrosteps at the AlN template surface. Moreover, Ga-rich portions in the cladding layer behaved as current micropaths, and the micropaths are connected with the carrier localization structure formed in QWs. The in-plane cathodoluminescence (CL) spectroscopy showed a significant inhomogeneity of the CL characteristics. The gentle slopes at the sample surface showed brighter emissions with a lower peak photon energy, confirming the carrier localization. This carrier localization structure in the QWs combined with the current micropaths in the cladding layer can increase the IQE as well as external quantum efficiency of the AlGaN LEDs.</p>

    DOI: 10.19009/jjacg.47-3-04

    CiNii Article

  27. Demonstration of Observation of Dislocations in GaN by Novel Birefringence Method

    Tanaka Atsushi, Inotsume Syo, Harada Shunta, Hanada Kenji, Honda Yoshio, Ujihara Toru, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201900553

    Web of Science

  28. Two-dimensional analysis of the nonuniform quantum yields of multiple quantum wells for AlGaN-based deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates with dense macrosteps using cathodoluminescence spectroscopy

    Nagasawa Yosuke, Sugie Ryuichi, Kojima Kazunobu, Hirano Akira, Ippommatsu Masamichi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu, Chichibu Shigefusa F.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   126 巻 ( 21 )   2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5125623

    Web of Science

  29. Untwinned semipolar (10(1)over-bar3) AlxGa1-xN layers grown on m-plane sapphire

    Dinh Duc V., Hu Nan, Amano Hiroshi, Honda Yoshio, Pristovsek Markus

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   34 巻 ( 12 )   2019年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/ab4d2c

    Web of Science

  30. Low Voltage High-Energy α-Particle Detectors by GaN-on-GaN Schottky Diodes with Record-High Charge Collection Efficiency.

      19 巻 ( 23 )   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/s19235107

    PubMed

  31. Aluminium incorporation in polar, semi- and non-polar AlGaN layers: a comparative study of x-ray diffraction and optical properties

    Duc V Dinh, Hu Nan, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    SCIENTIFIC REPORTS   9 巻 ( 1 ) 頁: 15802   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-019-52067-y

    Web of Science

    PubMed

  32. V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate

    Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Usami Shigeyoshi, Kushimoto Maki, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Bockowski Michal, Amano Hiroshi

    AIP ADVANCES   9 巻 ( 9 )   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5114866

    Web of Science

  33. Origin of acceptor diffusion into silicon substrate during GaN growth by metal organic chemical vapor deposition

    Matsumoto Koji, Ono Toshiaki, Honda Yoshio, Torigoe Kazuhisa, Kushimoto Maki, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 7 )   2019年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab2657

    Web of Science

  34. Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III - Nitride epitaxial growth

    Ye Zheng, Nitta Shugo, Nagamatsu Kentaro, Fujimoto Naoki, Kushimoto Maki, Deki Manato, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   516 巻   頁: 63 - 66   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.03.025

    Web of Science

  35. Direct evidence of Mg diffusion through threading mixed dislocations in GaN p-n diodes and its effect on reverse leakage current 国際誌

    Usami Shigeyoshi, Mayama Norihito, Toda Kazuya, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   114 巻 ( 23 )   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1063/1.5097767

    Web of Science

  36. Computational fluid dynamics simulation study of the gas flow balance in a vertical HVPE reactor with a showerhead for low cost bulk GaN crystal growth

    Liu Qiang, Fujimoto Naoki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab124e

    Web of Science

  37. Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD

    Chichibu Shigefusa F, Kumagai Yoshinao, Kojima Kazunobu, Deura Momoko, Akiyama Toru, Arita Munetaka, Fujioka Hiroshi, Fujiwara Yasufumi, Hara Naoki, Hashizume Tamotsu, Hirayama Hideki, Holmes Mark, Honda Yoshio, Imura Masataka, Ishii Ryota, Ishitani Yoshihiro, Iwaya Motoaki, Kamiyama Satoshi, Kangawa Yoshihiro, Katayama Ryuji, Kawakami Yoichi, Kawamura Takahiro, Kobayashi Atsushi, Kuzuhara Masaaki, Matsumoto Koh, Mori Yusuke, Mukai Takashi, Murakami Hisashi, Murotani Hideaki, Nakazawa Satoshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab1411

    Web of Science

  38. Effect of photoelectrochemical etching and post-metallization annealing on gate controllability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 国際誌

    Uemura Keisuke, Deki Manato, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Sato Taketomo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab06b9

    Web of Science

  39. Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p-n diode with avalanche capability 国際誌

    Fukushima Hayata, Usami Shigeyoshi, Ogura Masaya, Ando Yuto, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab106c

    Web of Science

  40. Correlation between nanopipes formed from screw dislocations during homoepitaxial growth by metal-organic vapor-phase epitaxy and reverse leakage current in vertical p-n diodes on a free-standing GaN substrates 国際誌

    Usami Shigeyoshi, Tanaka Atsushi, Fukushima Hayata, Ando Yuto, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab1250

    Web of Science

  41. Controlling the orientations of directional sputtered non- and semi-polar GaN/AlN layers

    Nan Hu, Dinh Duc V., Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab1252

    Web of Science

  42. Comparison of AlxGa1-xN multiple quantum wells designed for 265 and 285nm deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates having macrosteps

    Nagasawa Yosuke, Kojima Kazunobu, Hirano Akira, Ipponmatsu Masamichi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu, Chichibu Shigefusa F

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 6 )   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/ab21a9

    Web of Science

  43. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation (vol 508, pg 58, 2019)

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Sitar Zlatko, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   514 巻   頁: 13 - 13   2019年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.058

    Web of Science

  44. Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE

    Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Kono Tsukasa, Cheong Heajeong, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   512 巻   頁: 78 - 83   2019年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.013

    Web of Science

  45. Transfer-free fabrication of a graphene transparent electrode on a GaN-based light-emitting diode using the direct precipitation method

    Yamada Jumpei, Usami Shigeyoshi, Ueda Yuki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Maruyama Takahiro, Naritsuka Shigeya

    Jpn. J. Appl. Phys.   58 巻 ( 4 )   2019年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aafe70

    CiNii Article

  46. Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Usami Shigeyoshi, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   509 巻   頁: 50 - 53   2019年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.007

    Web of Science

  47. Fully Ion Implanted Normally-Off GaN DMOSFETs with ALD-Al₂O₃ Gate Dielectrics.

    Yoshino M, Ando Y, Deki M, Toyabe T, Kuriyama K, Honda Y, Nishimura T, Amano H, Kachi T, Nakamura T

    Materials (Basel, Switzerland)   12 巻 ( 5 )   2019年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/ma12050689

    Web of Science

    PubMed

  48. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   508 巻   頁: 58 - 65   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.028

    Web of Science

  49. How to obtain metal-polar untwinned high-quality (10-13) GaN on m-plane sapphire

    Hu Nan, Dinh Duc V., Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   507 巻   頁: 205 - 208   2019年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.11.013

    Web of Science

  50. Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown

    Fukushima Hayata, Usami Shigeyoshi, Ogura Masaya, Ando Yuto, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 2 )   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    A simple structure with high breakdown voltage and a low leakage current of a vertical GaN p–n diode on a GaN free-standing substrate is demonstrated. We describe a vertical p–n diode with a simple edge termination that has a drift layer etched deeply and vertically. A device simulation revealed that the electric field was more relaxed at the device edge and applied uniformly in the entire device with increasing etching depth. We fabricated the simulated structure and succeeded in reducing the leakage current and improving the breakdown voltage. With this structure, a stable avalanche breakdown can be observed.

    DOI: 10.7567/1882-0786/aafdb9

    Web of Science

    CiNii Article

  51. Carrier localization structure combined with current micropaths in AlGaN quantum wells grown on an AIN template with macrosteps

    Kojima K, Nagasawa Y, Hirano A, Ippommatsu M, Honda Y, Amano H, Akasaki I, Chichibu S. F

    APPLIED PHYSICS LETTERS   114 巻 ( 1 )   2019年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5063735

    Web of Science

  52. 高感度電子線ホログラフィーによるGaN系半導体のドーパント濃度分布の観察

    仲野 靖孝, 本田 善央, 天野 浩, 松本 実子, 穴田 智史, 山本 和生, 石川 由加里, 平山 司, 安藤 悠人, 小倉 昌也, 田中 敦之

    まてりあ   58 巻 ( 2 ) 頁: 103-103 - 103   2019年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本金属学会  

    DOI: 10.2320/materia.58.103

    CiNii Article

  53. Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN

    Nakano Takashi, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi, Kusaba Akira, Kangawa Yoshihiro, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)     頁: .   2019年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  54. Analysis of negative electron affinity InGaN photocathode by temperature-programed desorption method

    Kashima Masahiro, Sato Daiki, Koizumi Atsushi, Nishitani Tomohiro, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Iijima Hokuto, Meguro Takashi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   36 巻 ( 6 )   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.5048061

    Web of Science

  55. Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy

    Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Ye Zheng, Barry Ousmane, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 10 )   2018年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.105501

    Web of Science

  56. High-temperature thermal annealing of nonpolar (10(1)over-bar0) AlN layers sputtered on (1 0(1)over-bar0) sapphire

    Dinh Duc V, Hu Nan, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   498 巻   頁: 377 - 380   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.07.015

    Web of Science

  57. Detailed study of effects of duration of pre-AIN-growth trimethylaluminum step on morphologies of GaN layers grown on silicon substrate by metal organic chemical vapor deposition

    Matsumoto Koji, Ono Toshiaki, Honda Yoshio, Murakami Satoshi, Kushimoto Maki, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 9 )   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.091001

    Web of Science

  58. Reduction of Residual Impurities in Homoepitaxial m-Plane (10(1)over-bar0) GaN by Using N-2 Carrier Gas in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Barry Ousmane I, Lekhal Kaddour, Bae Si-Young, Lee Ho-Jun, Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   12 巻 ( 8 )   2018年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssr.201800124

    Web of Science

  59. Improvement of breakdown voltage of vertical GaN p-n junction diode with Ga2O3 passivated by sputtering

    Ueoka Yoshihiro, Deki Meneto, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.070302

    Web of Science

  60. Study on the Main-Chain Structure of Amorphous Fluorine Resins for Encapsulating AlGaN-Based DUV-LEDs

    Yamada Kiho, Nagasawa Yosuke, Nagai Shoko, Hirano Akira, Ippommatsu Masamichi, Aosaki Ko, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 10 )   2018年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201700525

    Web of Science

    Scopus

  61. m-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle m-Plane GaN Substrates

    Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Cheong Heajeong, Ousmane Barry, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 9 )   2018年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201700645

    Web of Science

    Scopus

  62. Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Yang Xu, Nitta Shugo, Pristovsek Markus, Liu Yuhuai, Nagamatsu Kentaro, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 5 )   2018年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.051002

    Web of Science

  63. Reduction of Dislocations in GaN on Silicon Substrate Using In Situ Etching

    Matsumoto Koji, Ono Toshiaki, Honda Yoshio, Yamamoto Tetsuya, Usami Shigeyoshi, Kushimoto Maki, Murakami Satoshi, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   255 巻 ( 5 )   2018年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201700387

    Web of Science

  64. Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate

    Usami Shigeyoshi, Ando Yuto, Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Sugawara Yoshihiro, Yao Yong-Zhao, Ishikawa Yukari

    APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 18 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5024704

    Web of Science

  65. Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metalorganic vapor phase epitaxy 国際誌

    Yang Xu, Nitta Shugo, Nagamatsu Kentaro, Bae Si-Young, Lee Ho-Jun, Liu Yuhuai, Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   482 巻   頁: 1 - 8   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.10.036

    Web of Science

  66. Electrical and Thermal Analysis of Vertical GaN-on-GaN PN Diodes

    Yates Luke, Pavlidis Georges, Graham Samuel, Usami Shigeyoshi, Nagamatsu Kentaro, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PROCEEDINGS OF THE 17TH IEEE INTERSOCIETY CONFERENCE ON THERMAL AND THERMOMECHANICAL PHENOMENA IN ELECTRONIC SYSTEMS (ITHERM 2018)     頁: 831-837   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  67. Theoretical Study of the Electronic Structure of Threading Edge Dislocations in GaN

    Nakano Takashi, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    GALLIUM NITRIDE AND SILICON CARBIDE POWER TECHNOLOGIES 8   86 巻 ( 12 ) 頁: 41 - 49   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/08612.0041ecst

    Web of Science

  68. Electrical and Thermal Analysis of Vertical GaN-on-GaN PN Diodes

    Yates Luke, Pavlidis Georges, Graham Samuel, Usami Shigeyoshi, Nagamatsu Kentaro, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PROCEEDINGS OF THE 17TH IEEE INTERSOCIETY CONFERENCE ON THERMAL AND THERMOMECHANICAL PHENOMENA IN ELECTRONIC SYSTEMS (ITHERM 2018)     頁: 831-837   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  69. Charge-to-time converting leading-edge discriminator for plastic-scintillator signals 国際誌

    T. Ishikawa, Y. Takeda, Y. Honda, Y. Inoue, H. Kanda, S. Kido, Y. Matsumura, M. Miyabe, I. Nagasawa, H. Shimizu, T. Takeda, A. O. Tokiyasu, Y. Tsuchikawa, H. Yamazaki

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT   875 巻   頁: 193 - 200   2017年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    We have developed a charge-to-time converting (QTC) leading-edge discriminator for plastic-scintillator signals, which is packaged in a NIM-standard double-width module. The pulse width of the discriminator output is approximately proportional to the charge integration of input signals up to 40-50 pC. The non-linearity is 20%, 10%, 4%, and 2% at maximum for the input charges below 7 pC, for 7-10 pC, for 10-20 pC, and above 20 pC, respectively, for the minimum input charges larger than 2 pC. The discriminator could be suitable in the measurement of the timing and charge of plastic-scintillator signals together with a multi-hit time-to-digital converter (TDC) module. (C) 2017 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.nima.2017.09.040

    Web of Science

  70. Initial leakage current paths in the vertical-type GaN-on-GaN Schottky barrier diodes 国際誌

    Sang Liwen, Ren Bing, Sumiya Masatomo, Liao Meiyong, Koide Yasuo, Tanaka Atsushi, Cho Yujin, Harada Yoshitomo, Nabatame Toshihide, Sekiguchi Takashi, Usami Shigeyoshi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   111 巻 ( 12 )   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4994627

    Web of Science

  71. Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations 国際誌

    Tanikawa Tomoyuki, Shojiki Kanako, Katayama Ryuji, Kuboya Shigeyuki, Matsuoka Takashi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   10 巻 ( 8 )   2017年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.10.082101

    Web of Science

  72. Decomposition of trimethylgallium and adduct formation in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor analyzed by high-resolution gas monitoring system 国際誌

    Nagamatsu Kentaro, Nitta Shugo, Ye Zheng, Nagao Hirofumi, Miki Shinichi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   254 巻 ( 8 )   2017年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201600737

    Web of Science

  73. Selective-area growth of doped GaN nanorods by pulsed-mode MOCVD: Effect of Si and Mg dopants

    Bae Si-Young, Lekhal Kaddour, Lee Ho-Jun, Min Jung-Wook, Lee Dong-Seon, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   254 巻 ( 8 )   2017年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201600722

    Web of Science

  74. Facet dependence of leakage current and carrier concentration in m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE 国際誌

    Tanaka Atsushi, Barry Ousmane, Nagamatsu Kentaro, Matsushita Junya, Deki Manato, Ando Yuto, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201600829

    Web of Science

  75. Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and on the characteristics of p-n diodes 国際誌

    Usami Shigeyoshi, Miyagoshi Ryosuke, Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Kushimoto Maki, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201600837

    Web of Science

  76. A-plane GaN growth on (11-20) 4H-SiC substrate with an ultrathin interlayer 国際誌

    Sun Zheng, Song Peifeng, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 866 - 869   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.01.031

    Web of Science

  77. Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (10(1)over-bar0) GaN homoepitaxial layers 国際誌

    Barry Ousmane I., Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Bae Si-Young, Lekhal Kaddour, Matsushita Junya, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 552 - 556   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.012

    Web of Science

  78. Orientation-controlled epitaxial lateral overgrowth of semipolar GaN on Si(001) with a directionally sputtered AlN buffer layer 国際誌

    Lee Ho-Jun, Bae Si-Young, Lekhal Kaddour, Tamura Akira, Suzuki Takafumi, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 547 - 551   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.116

    Web of Science

  79. Annealing effect on threading dislocations in a GaN grown on Si substrate 国際誌

    H. Iwata, H. Kobayashi, T. Kamiya, R. Kamei, H. Saka, N. Sawaki, M. Irie, Y. Honda, H. Amano

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 835 - 838   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    Effect of rapid thermal annealing (RTA) on crystal defects in a GaN layer grown on a (111) Si substrate was investigated by photoluminescence (PL) and transmission electron microscopy (TEM) analyses. The PL spectra suggested that the density of gallium vacancy is not changed by the heat treatment up to 700 degrees C. In the TEM specimen, we had dislocation half loops generated by off-axis propagation of the threading dislocation. We found that the half-loop of c-type dislocation shrinks/moves by a repetitive RTA at 600-700 degrees C. In contrast, we could find no remarkable changes in the a-type or a+c-type dislocations.

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.01.001

    Web of Science

  80. Uneven AlGaN multiple quantum well for deep-ultraviolet LEDs grown on macrosteps and impact on electroluminescence spectral output

    Kaneda Michiko, Pernot Cyril, Nagasawa Yosuke, Hirano Akira, Ippommatsu Masamichi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 6 )   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.061002

    Web of Science

  81. Selective-area growth of vertically oriented GaN nanostructures with a hafnium pre-orienting layer 国際誌

    S. -Y. Bae, K. Lekhal, H. -J. Lee, T. Mitsunari, J. -W. Min, D. -S. Lee, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 110 - 113   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    Severe melt-back etching has forced the epitaxy of GaN on Si to use an AlN buffer layer for growing high-quality two-dimensional layers, despite its high resistivity. Herein, we report a metal-based pre-orienting layer (POL) for growing GaN nanostructures (NSs) to replace the traditional AlN buffer layer. Two metals, titanium (Ti) and hafnium (Hf), were evaluated as POLs. We succeeded in fabricating arrays of GaN NSs with highly preferred orientation using selective-area growth. The crystallographic phase of the POLs critically affected the evolved orientation of the crystals. Photoluminescence measurements revealed that GaN NSs with Hf-based POLs were of reasonably high quality. We believe that this result will facilitate broader III-V semiconductor applications using alternative substrates moving beyond conventional Si-based optoelectronics.

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.10.032

    Web of Science

  82. III-nitride core-shell nanorod array on quartz substrates

    Bae Si-Young, Min Jung-Wook, Hwang Hyeong-Yong, Lekhal Kaddour, Lee Ho-Jun, Jho Young-Dahl, Lee Dong-Seon, Lee Yong-Tak, Ikarashi Nobuyuki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    SCIENTIFIC REPORTS   7 巻   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep45345

    Web of Science

  83. AlN and AlGaN layers grown on Si(111) substrate by mixed-source hydride vapor phase epitaxy method 国際誌

    Hunsoo Jeon, Injun Jeon, Gang Seok Lee, Sung Geun Bae, Hyung Soo Ahn, Min Yang, Sam Nyung Yi, Young Moon Yu, Yoshio Honda, Nobuhiko Sawaki, Suck-Whan Kim

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    High Al-composition AlGaN and AlN epilayers were grown directly on Si(111) substrate by a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method with a melted mixed source in a graphite boat set in a source zone with high temperatures of T = 700 and 800 degrees C, respectively. The presence of the Ga material in the mixed source of Ga and Al promoted the growth of AlN and AlGaN epilayers in the growth zone. When the temperature in the source zone was 800 degrees C, the crystalline quality of the AlN and AlGaN epilayers increased as the ratio of Ga to Al increased, and the optimum mix ratio of Ga to Al for the growth of AlN epilayers was approximately 0.35-0.42, obtained from a numerical fitting analysis of the X-ray diffraction (XRD) data for these epilayers. It appears that they can be grown directly by our melted-mixed-source HVPE method in a high-temperature source zone. (C) 2017 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.7567/JJAP.56.01AD07

    Web of Science

  84. Mechanism of light emission and manufacturing process of vertical-type light-emitting diode grown by hydride vapor phase epitaxy 国際誌

    Gang Seok Lee, Hunsoo Jeon, Hyung Soo Ahn, Min Yang, Sam Nyung Yi, Young Moon Yu, Sang Chil Lee, Yoshio Honda, Nobuhiko Sawaki, Suck-Whan Kim

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    We developed a vertical-type light-emitting diode (LED) in which the substrate is removed using a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) apparatus consisting of a multi-graphite boat filled with a mixed source and a high-temperature (T approximate to 900 degrees C) RF heating coil outside the source zone. The new chip-growth process with a significant reduction in the number of production steps is completed in only four steps, namely, photolithography, epitaxial layer growth, sorting, and metallization. We analyze the emission mechanism of these lights from measurement results to validate the characteristics of the light emitted from these vertical-type blue LEDs and white LEDs (WLEDs) without substrates, and propose that this mixed-source HVPE method may be a promising production technique for LEDs. (C) 2017 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.7567/JJAP.56.01AD03

    Web of Science

  85. Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics

    Ogura M., Ando Y., Usami S., Nagamatsu K., Kushimoto M., Deki M., Tanaka A., Nitta S., Honda Y., Pristovsek M., Kawai H., Yagi S., Amano H.

    2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     頁: .   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  86. Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics

    Ogura M, Ando Y, Usami S, Nagamatsu K, Kushimoto M, Deki M, Tanaka A, Nitta S, Honda Y, Pristovsek M, Kawai H, Yagi S, Amano H

    2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     頁: .   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  87. Emission Characteristics of InGaN/GaN Core-Shell Nanorods Embedded in a 3D Light-Emitting Diode. 国際誌

    Jung BO, Bae SY, Lee S, Kim SY, Lee JY, Honda Y, Amano H

    Nanoscale research letters   11 巻 ( 1 ) 頁: 215   2016年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1186/s11671-016-1441-6

    Web of Science

    PubMed

  88. Improved crystal quality of semipolar (10(1)over-bar3) GaN on Si(001) substrates using AlN/GaN superlattice interlayer 国際誌

    Lee Ho-Jun, Bae Si-Young, Lekhal Kaddour, Mitsunari Tadashi, Tamura Akira, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   454 巻   頁: 114 - 120   2016年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.09.004

    Web of Science

  89. Controlled morphology of regular GaN microrod arrays by a selective area growth with HVPE 国際誌

    Lekhal Kaddour, Bae Si-Young, Lee Ho-Jun, Mitsunari Tadashi, Tamura Akira, Deki Manato, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   447 巻   頁: 55 - 61   2016年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.05.008

    Web of Science

  90. Development of highly durable deep-ultraviolet AlGaN-based LED multichip array with hemispherical encapsulated structures using a selected resin through a detailed feasibility study 国際誌

    Nagai Shoko, Yamada Kiho, Hirano Akira, Ippommatsu Masamichi, Ito Masahiro, Morishima Naoki, Aosaki Ko, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 8 )   2016年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    To replace mercury lamps with AlGaN-based deep-ultraviolet (DUV) LEDs, a simple and low-cost package with increased light extraction efficiency (LEE) is indispensable. Therefore, resin encapsulation is considered to be a key technology. However, the photochemical reactions induced by DUV light cause serious problems, and conventional resins cannot be used. In the former part of this study, a comparison of a silicone resin and fluorine polymers was carried out in terms of their suitability for encapsulation, and we concluded that only one of the fluorine polymers can be used for encapsulation. In the latter part, the endurance of encapsulation using the selected fluorine polymer was investigated, and we confirmed that the selected fluorine polymer can guarantee a lifetime of over 6,000 h at a wavelength of 265 nm. Furthermore, a 3 × 4 array module of encapsulated dies on a simple AlN submount was fabricated, demonstrating the possibility of W/cm<sup>2</sup>-class lighting.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.082101

    Web of Science

    CiNii Article

  91. Evaluation of excess In during metal organic vapor-phase epitaxy growth of InGaN by monitoring via in situ laser scattering 国際誌

    Yamamoto Tetsuya, Tamura Akira, Usami Shigeyoshi, Mitsunari Tadashi, Nagamatsu Kentaro, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Using an in situ laser absorption and scattering method, the surface roughness and incorporation of In in InGaN layers grown by metal organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) were monitored. We observed that the laser light with energy higher than the GaN bandgap was fully absorbed in a GaN layer with a smooth film surface. On the other hand, we observed that the scattering laser light from the surface when the roughness of the InGaN surface increased owing to the formation of In droplets. Laser light with energy lower than the GaN bandgap was weakly absorbed by the GaN layer and was scattered at the back surface of the wafer. Furthermore, laser light intensity decreased during InGaN growth because of In incorporation. The threshold of trimethyl-In (TMIn) for the formation of In droplets as a function of growth temperature was determined using our in situ system. Moreover, we observed that the In droplets were removed by thermal or H<inf>2</inf>treatment. The results indicate that multiwavelength laser absorption and scattering enable the optimization of the growth conditions for In-rich InGaN.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FD03

    Web of Science

    CiNii Article

  92. Growth of semipolar (1(1)over-bar01) high-indium-content InGaN quantum wells using InGaN tilting layer on Si(001) 国際誌

    Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Low-toxity high-In-content InGaN is an attractive option for short-distance communications through plastic optical fibers because its performance is only slightly affected by temperature. However, its fabrication on the c-plane is impaired by In droplets and V pits, which form at low-growth temperature. On the other hand, unlike the c-plane, [Formula: see text] InGaN relaxes with tilting. Therefore, in this study, we first grew a high-In-content InGaN single layer, and then we fabricated an InGaN tilting layer between [Formula: see text] InGaN-based multiple quantum wells (MQWs) and GaN stripes/(001)Si. The emission wavelength increased with the InGaN tilting layer’s growth time because the strain was relaxed by misfit dislocations at the heterointerface. This layer also extended the emission peak of InGaN/GaN MQWs and increased the photoluminescence intensity with respect to that of a single-layered InGaN. Therefore, the InGaN tilting layer is effective for growing high-In-content [Formula: see text] InGaN MQWs.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FA10

    Web of Science

    CiNii Article

  93. Growth of AlN layer on patterned sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy 国際誌

    Gang Seok Lee, Chanmi Lee, Hunsoo Jeon, Chanbin Lee, Sung Geun Bae, Hyung Soo Ahn, Min Yang, Sam Nyung Yi, Young Moon Yu, Jae Hak Lee, Yoshio Honda, Nobuhiko Sawaki, Suck-Whan Kim

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    Even though a patterned sapphire substrate (PSS) has been used for the growth of a high-quality epilayer because of its many advantages, it has not been successfully used to grow an AlN epilayer for ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs) on a PSS up to now. We report the growth of a high-quality AlN epilayer on a PSS, as a substrate for the manufacture of UV LEDs, by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The X-ray diffraction (XRD) peaks for the AlN epilayer grown on the PSS indicate that crystalline AlN with a wurtzite structure was grown successfully on the PSS. Furthermore, HVPE combining both in situ HVPE technology and liquid-phase epitaxy (LPE) using a mixed source is proposed as a novel method for the growth of a flat AlN epilayer on a PSS. (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FC02

    Web of Science

  94. Observation of relaxation time of surface charge limit for InGaN photocathodes with negative electron affinity 国際誌

    Sato Daiki, Nishitani Tomohiro, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    A thin p-type InGaN with a negative electron affinity (NEA) surface was used to measure the relaxation time of a surface charge limit (SCL) by irradiating rectangular laser beam pulses at changing time interval. The p-type InGaN film was grown by metal organic vapor phase epitaxy and the NEA activation was performed after the sample was heat cleaned. 13 nC per pulse with 10 ms width was obtained from the InGaN photocathode. The current decreased exponentially from the beginning of the pulse. The initial current value after the laser irradiation decreased with the time interval. As a result, the SCL relaxation time was estimated through the InGaN photocathode measurements at 100 ms.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FH05

    Web of Science

    CiNii Article

  95. Theoretical approach to surface reconstruction of InN(0001) during raised-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy

    Kusaba Akira, Kangawa Yoshihiro, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Kakimoto Koichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FM01

    Web of Science

  96. Study of radiation detection properties of GaN pn diode

    Sugiura Mutsuhito, Kushimoto Maki, Mitsunari Tadashi, Yamashita Kohei, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Inoue Yoku, Mimura Hidenori, Aoki Toru, Nakano Takayuki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FJ02

    Web of Science

  97. Structural and optical study of core-shell InGaN layers of nanorod arrays with multiple stacks of InGaN/GaN superlattices for absorption of longer solar spectrum 国際誌

    Bae Si-Young, Jung Byung Oh, Lekhal Kaddour, Lee Dong-Seon, Deki Manato, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We report on the material and optical properties of core–shell InGaN layers grown on GaN nanorod arrays. The core–shell InGaN layers were well grown on polarization-reduced surfaces such as semipolar pyramids and nonpolar sidewalls. In addition, to compensate the biaxial strain between GaN and InGaN layers, we grew interlayers underneath a thick InGaN layer. Here, the interlayers were composed of multiple superlattice structures. We could observe that the indium composition of core–shell InGaN structures increased with the number of interlayers. This indicates that the absorption energy band of InGaN alloys can be better matched to the spectral irradiance of the solar spectrum in nature. We also implemented a simulation of Ga-polar and nonpolar InGaN-based solar cells based on the indium composition obtained from the experiments. The result showed that nonpolar InGaN solar cells had a much higher efficiency than Ga-polar InGaN solar cells with the same thickness of the absorption layer.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FG03

    Web of Science

    CiNii Article

  98. Selective-area growth of GaN microrods on strain-induced templates by hydride vapor phase epitaxy 国際誌

    Lekhal Kaddour, Bae Si-Young, Lee Ho-Jun, Mitsunari Tadashi, Tamura Akira, Deki Manato, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    In this paper, we discuss the influence of parameters such as type of carrier gas and NH<inf>3</inf>/HCl flow ratio on the growth of vertical GaN microstructures by selective-area growth (SAG) hydride vapor phase epitaxy (HVPE). On various strain-induced templates such as GaN/sapphire, GaN/Si, and AlN/Si, regular arrays of Ga-polar GaN microrods were properly achieved by adjusting the growth parameters. The photoluminescence and micro-Raman measurements reveal not only the crystal quality of the GaN microrods but also strain distribution. These results will give insight into the control of the morphology of GaN microrods in terms of the strain induced from templates in SAG-HVPE. The precisely controlled arrays of GaN microrods can be used for next-generation light-emitting diodes (LEDs) by realizing InGaN/GaN multi–quantum wells (MQWs) with a radial structure.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FF03

    Web of Science

    CiNii Article

  99. Preflow trimethylaluminum treatment effect on GaN growth on SiC with an ultrathin interlayer 国際誌

    Sun Zheng, Nagamatsu Kentaro, Olsson Marc, Song Peifeng, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Previously, we reported a growth method for GaN on SiC by metalorganic vapor phase epitaxy. By using a preflow trimethylaluminum treatment, the poor wetting problem of gallium on the SiC surface was alleviated, resulting in a 1.2-µm-thick crack-free GaN grown on an on-axis 6H-SiC(0001) substrate via an ultrathin AlGaN interlayer. In this study, the impact of the preflow trimethylaluminum treatment time is investigated to understand why a crack-free epilayer was realized. To demonstrate the electrical performance of devices formed by our technique, GaN/SiC vertical Schottky barrier diodes were fabricated and compared with GaN/AlN/SiC and GaN/GaN vertical Schottky barrier diodes. Compared with diodes including a high-resistance AlN interlayer, the series resistance of GaN/SiC Schottky barrier diodes incorporating the ultrathin interlayer with 5 s of TMAl treatment showed a marked reduction from 4.0 × 10<sup>7</sup>to 2.0 × 10<sup>−1</sup>Ω·cm<sup>2</sup>. The ultrathin interlayer growth technique is expected to be applied in future GaN/SiC hybrid high-power and high-frequency devices.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FB06

    Web of Science

    CiNii Article

  100. Study of enhanced photovoltaic behavior in InGaN-based solar cells by using SiNx insertion layer: Influence of dislocations

    Lee Seunga, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Jang Jongjin, Nam Okhyun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 3 )   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Using a SiN<inf>x</inf>insertion layer to reduce dislocations, enhanced photovoltaic properties could be obtained in p–i–n InGaN/GaN heterojunction solar cell. To investigate the influence of the dislocations on the photovoltaic behaviors, a sample grown without SiN<inf>x</inf>insertion layer was identically prepared for comparison. From optical properties measurements, the reduction in the number of non-radiative centers and a stronger In localization effect was shown in the sample with SiN<inf>x</inf>insertion layer. However, the quantum confined stark effect was almost negligible in both the samples. Electrical properties measurement showed reduced saturation current and increased shunt resistance in the sample with SiN<inf>x</inf>insertion layer due to the reduced dislocation density. By comparing these results and using a numerical model, the influence of the dislocation density on the different photovoltaic properties such as open-circuit voltage and fill factor has been confirmed.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.030306

    Web of Science

    CiNii Article

  101. Effect of piezoelectric field on carrier dynamics in InGaN-based solar cells 国際誌

    Lee Seunga, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   49 巻 ( 2 )   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/49/2/025103

    Web of Science

  102. The interface analysis of GaN grown on 0 degrees off 6H-SiC with an ultra-thin buffer layer

    Sun Zheng, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi, Nagamatsu Kentaro, Lee Hojun, Olsson Marc, Ye Zheng, Deki Manato, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 1 )   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Previously, we reported a growth method by metalorganic vapor phase epitaxy using a single two-dimensional growth step, resulting in 1.2-µm crack-free GaN directly grown on 6H-SiC substrate. The introduction of Al-treatment prior to the standard GaN growth step resulted in improved surface wetting of gallium on the SiC substrate. Transmission electron microscope and energy dispersive spectrometer analysis of the epitaxial interface to the SiC determined that an ultra-thin AlGaN interlayer had formed measuring around 2–3 nm. We expect our growth technique can be applied to the fabrication of GaN/SiC high frequency and high power devices.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.010303

    Web of Science

    CiNii Article

  103. Development of AlGaN-based deep-ultraviolet (DUV) LEDs focusing on the fluorine resin encapsulation and the prospect of the practical applications 国際誌

    Hirano Akira, Nagasawa Yosuke, Iypommatsu Masamichi, Aosaki Ko, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu

    UV AND HIGHER ENERGY PHOTONICS: FROM MATERIALS TO APPLICATIONS   9926 巻   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.2235398

    Web of Science

  104. Highly elongated vertical GaN nanorod arrays on Si substrates with an AlN seed layer by pulsed-mode metal-organic vapor deposition 国際誌

    Bae Si-Young, Jung Byung Oh, Lekhal Kaddour, Kim Sang Yun, Lee Jeong Yong, Lee Dong-Seon, Deki Manato, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    CRYSTENGCOMM   18 巻 ( 9 ) 頁: 1505 - 1514   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c5ce02056e

    Web of Science

  105. Excitation density dependence of radiative and nonradiative recombination lifetimes in InGaN/GaN multiple quantum wells 国際誌

    Murotani Hideaki, Yamada Yoichi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   252 巻 ( 5 ) 頁: 940 - 945   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201451491

    Web of Science

  106. Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multiquantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates

    Maki Kushimoto, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Applied Physics Express   8 巻 ( 2 ) 頁: 022702   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  107. Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multiquantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates

    Maki Kushimoto, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Applied Physics Express   8 巻 ( 2 ) 頁: 022702   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  108. Optically pumped lasing properties of (1(1)over-bar01) InGaN/GaN stripe multiquantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates 国際誌

    Kushimoto Maki, Tanikawa Tomoyuki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   8 巻 ( 2 )   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We demonstrated lasing action and investigated the optical properties of [Formula: see text] multiquantum-well (MQW) stripe crystals on patterned (001) Si substrates. Longitudinal and higher order transverse modes were observed from a ridge waveguide structure. These results strongly suggest the possibility of fabricating [Formula: see text] InGaN MQW laser diodes on (001) Si.

    DOI: 10.7567/APEX.8.022702

    Web of Science

    CiNii Article

  109. Highly ordered catalyst-free InGaN/GaN core-shell architecture arrays with expanded active area region 国際誌

    Byung Oh Jung, Si-Young Bae, Sang Yun Kim, Seunga Lee, Jeong Yong Lee, Dong-Seon Lee, Yoshihiro Kato, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    NANO ENERGY   11 巻   頁: 294 - 303   2015年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    Highly ordered, position-controlled gallium nitride (GaN) nanowire based multiple-quantum-wells (MQWs) core-shell architecture arrays are synthesized by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). We investigate the possibility of using GaN nanowire arrays as a basal template for the growth of InxGa1-xN/GaN MQWs. The MQWs on three different crystal facets (c(-), m(-), and semipolar-plane) of GaN nanowire exhibit dissimilar structural properties. The structural characteristics of InGaN/GaN core-shell arrays are inspected by cross-sectional high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM). We also investigate the optical properties of MQW core-shell structure nanoarrays. The luminescent characteristics of InGaN/GaN core-shell structure arrays are determined by photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) measurements. The monochromatic CL images clearly show the light emission behavior of InGaN/GaN MQW coaxial structure. Two distinguishable light emission peaks were observed in the GaN nanowire based core-shell structure. The characteristic of light emission mainly depends on the properties of MQWs, which are generated from different crystal facets of GaN. In addition, the light emission intensity shows different behaviors depending on the area of the GaN nanowire m-plane. The results of this study suggest that GaN nanowire arrays can be used as a good alternative basal template for next-generation light-emitting diodes (LEDs). (C) 2014 Elsevier Ltd. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.nanoen.2014.11.003

    Web of Science

  110. Nature of yellow luminescence band in GaN grown on Si substrate 国際誌

    Ito Shogo, Nakagita Taihei, Sawaki Nobuhiko, Ahn Hyung Soo, Irie Masashi, Hikosaka Toshiki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 11 )   2014年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.11RC02

    Web of Science

  111. NEA半導体フォトカソードへの応用を目指したGaN系半導体の量子効率および耐久性の研究 (電子部品・材料) 国際誌

    佐藤 大樹, 西谷 智博, 前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 巻 ( 202 ) 頁: 49 - 54   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    負の電子親和力(Negative Electron Affinity:NEA)状態の表面を持つ半導体(NEA半導体フォトカソード)は、高性能電子ビーム源として素粒子実験分野に貢献してきたが、産業利用上、NEA表面の寿命問題を抱える。我々は、半導体のバンドギャップに着目し、NEA表面が得られた際の表面の電子親和力をより小さくすることでこの寿命問題の改善が可能であると考えた。そこで、NEA半導体フォトカソードに用いる半導体として、従来技術のp-GaAsに比べてバンドギャップの大きいp-GaN及びp-InGaNを作製した。作製したp-GaN及びp-InGaNサンプルによるNEA表面活性化実験では、セシウムの供給のみで表面のNEA状態が得られる可能性が示唆され、量子効率の寿命測定では、従来技術のp-GaAsに比べ、p-GaNで17倍、p-InGaNで7倍の長寿命化に成功した。

    CiNii Article

  112. P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications (シリコン材料・デバイス) 国際誌

    SUN Zheng, Olsson Marc, NAGAYAMA Tsutomu, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 巻 ( 58 ) 頁: 109-112 - 112   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    We realized p-GaN by high temperature Mg ion implantation with pre-sputter(PS) technique. Due to the new PS technique and high temperature implantation, ion implantation damage was greatly reduced. This soft implantation made the post anneal more effectively to recover the implantation damage and activate the implanted Mg ions. We believe this p-GaN by Mg ion implantation will contribute to GaN to enter high output power device application field.

    CiNii Article

  113. Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask 国際誌

    Son Ji-Su, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 5 )   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.05FL01

    Web of Science

    CiNii Article

  114. Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 国際誌

    Miao Cao, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 3 )   2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.030306

    Web of Science

    CiNii Article

  115. In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 国際誌

    Ju Guangxu, Honda Yoshio, Tabuchi Masao, Takeda Yoshikazu, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   115 巻 ( 9 )   2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4867640

    Web of Science

  116. Novel activation process for Mg-implanted GaN 国際誌

    Hashimoto Shin, Nakamura Takao, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   388 巻   頁: 112 - 115   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.07.011

    Web of Science

  117. Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH3 interrupted etching 国際誌

    Son Ji-Su, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    OPTICS EXPRESS   22 巻 ( 3 ) 頁: 3585 - 3592   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1364/OE.22.003585

    Web of Science

    PubMed

  118. Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate

    Yamashita, Kouhei; Sugiyama, Tomohiko; Iwai, Makoto; Honda, Yoshio; Yoshino, Takashi; Amano, Hiroshi;

    SPIE OPTO     頁: 90030E-90030E-6   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  119. Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask

    Son, Ji-Su; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   53 巻 ( 5S1 ) 頁: 05FL01   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  120. Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH< sub> 3</sub> interrupted etching

    Son, Ji-Su; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi;

    Optics express   22 巻 ( 3 ) 頁: 3585-3592   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  121. Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate

    Okuno, Koji; Oshio, Takahide; Shibata, Naoki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    physica status solidi (c)   11 巻 ( 3‐4 ) 頁: 722-725   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  122. Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays

    Miao, Cao; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   53 巻 ( 3 ) 頁: 30306   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  123. Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique

    Jung, Byung Oh; Bae, Si-Young; Kato, Yoshihiro; Imura, Masataka; Lee, Dong-Seon; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi;

    CrystEngComm   16 巻 ( 11 ) 頁: 2273-2282   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  124. X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy

    Ju, Guangxu; Kato, Yoshihiro; Honda, Yoshio; Tabuchi, Masao; Takeda, Yoshikazu; Amano, Hiroshi;

    physica status solidi (c)   11 巻 ( 3‐4 ) 頁: 393-396   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  125. In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy

    Ju, Guangxu; Honda, Yoshio; Tabuchi, Masao; Takeda, Yoshikazu; Amano, Hiroshi;

    Journal of Applied Physics   115 巻 ( 9 ) 頁: 94906   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  126. Novel activation process for Mg-implanted GaN

    Hashimoto, Shin; Nakamura, Takao; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi;

    Journal of Crystal Growth   388 巻   頁: 112-115   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  127. Recombination dynamics and internal quantum efficiency in InGaN nanowires

    Murotani Hideaki, Andoh Hiroya, Tsukamoto Takehiko, Sugiura Toko, Yamada Yoichi, Tabata Takuya, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 11, NO 3-4   11 巻 ( 3-4 ) 頁: 652-655   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201300437

    Web of Science

  128. Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 国際誌

    Yamashita Kouhei, Sugiyama Tomohiko, Iwai Makoto, Honda Yoshio, Yoshino Takashi, Amano Hiroshi

    LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XVIII   9003 巻   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.2038764

    Web of Science

  129. Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 国際誌

    Jung Byung Oh, Bae Si-Young, Kato Yoshihiro, Imura Masataka, Lee Dong-Seon, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    CRYSTENGCOMM   16 巻 ( 11 ) 頁: 2273 - 2282   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c3ce42266f

    Web of Science

  130. Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 国際誌

    Okuno Koji, Oshio Takahide, Shibata Naoki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 11, NO 3-4   11 巻 ( 3-4 ) 頁: 722 - 725   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1002/pssc.201300470

    Web of Science

  131. X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy

    Ju Guangxu, Kato Yoshihiro, Honda Yoshio, Tabuchi Masao, Takeda Yoshikazu, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 11, NO 3-4   11 巻 ( 3-4 ) 頁: 393-396   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201300670

    Web of Science

  132. MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (レーザ・量子エレクトロニクス)

    若杉 侑矢, 本田 善央, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 331 ) 頁: 47 - 50   2013年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC_2H_2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのδドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時δドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。

    CiNii Article

  133. 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (レーザ・量子エレクトロニクス)

    前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩, 西谷 智博

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 331 ) 頁: 43 - 46   2013年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。

    CiNii Article

  134. MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子部品・材料)

    若杉 侑矢, 本田 善央, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 330 ) 頁: 47 - 50   2013年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC_2H_2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのδドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時δドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。

    CiNii Article

  135. MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子デバイス)

    若杉 侑矢, 本田 善央, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 329 ) 頁: 47 - 50   2013年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC_2H_2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのδドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時δドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。

    CiNii Article

  136. 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子デバイス)

    前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩, 西谷 智博

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 329 ) 頁: 43 - 46   2013年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。

    CiNii Article

  137. 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子部品・材料)

    前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩, 西谷 智博

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 330 ) 頁: 43 - 46   2013年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。

    CiNii Article

  138. Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1(1)over-bar01) GaN

    Tanikawa Tomoyuki, Sano Tomotaka, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JC05

    Web of Science

  139. GaN Nanowires Grown on a Graphite Substrate by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy

    Nakagawa Shinta, Tabata Takuya, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JE07

    Web of Science

  140. Thick InGaN Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with Sputtered InGaN Buffer Layer

    Ohata Toshiya, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JB11

    Web of Science

  141. Strain-Compensated Effect on the Growth of InGaN/AlGaN Multi-Quantum Well by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Doi Tomohiro, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JB14

    Web of Science

  142. Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires

    Tabata Takuya, Paek Jihyun, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JE06

    Web of Science

  143. High Internal Quantum Efficiency Blue-Green Light-Emitting Diode with Small Efficiency Droop Fabricated on Low Dislocation Density GaN Substrate

    Sano Tomotaka, Doi Tomohiro, Inada Shunko Albano, Sugiyama Tomohiko, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Yoshino Takashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JK09

    Web of Science

  144. Growth of GaN on Si(111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer

    Yamada Takaya, Tanikawa Tomoyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JB16

    Web of Science

  145. Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   10 巻 ( 3 ) 頁: 369-372   2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  146. Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   10 巻 ( 3 ) 頁: 369-372   2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  147. Growth of GaN on Si (111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer

    Yamada, Takaya; Tanikawa, Tomoyuki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁: 08JB16   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  148. Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1bar 101) GaN

    Tanikawa, Tomoyuki; Sano, Tomotaka; Kushimoto, Maki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁: 08JC05   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  149. Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires

    Tabata, Takuya; Paek, Jihyun; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁: 08JE06   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  150. Effects of nano-and microscale SiO2 masks on the growth of a-plane GaN layers on r-plane sapphire

    Son, Ji-Su; Miao, Cao; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi; Seo, Yong Gon; Hwang, Sung-Min; Baik, Kwang Hyeon;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁: 08JC04   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  151. Characteristics of< i> a</i>-plane GaN films grown on optimized silicon-dioxide-patterned< i> r</i>-plane sapphire substrates

    Son, Ji-Su; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi; Baik, Kwang Hyeon; Seo, Yong Gon; Hwang, Sung-Min;

    Thin Solid Films   546 巻   頁: 108-113   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  152. Defects generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate

    Sawaki, N; Ito, S; Nakagita, T; Iwata, H; Tanikawa, T; Irie, M; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H;

    SPIE OPTO     頁: 86250K-86250K-6   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  153. High internal quantum efficiency blue-green light-emitting diode with small efficiency droop fabricated on low dislocation density GaN substrate

    Sano, Tomotaka; Doi, Tomohiro; Inada, Shunko Albano; Sugiyama, Tomohiko; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Yoshino, Takashi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁: 08JK09   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  154. Growth mode and threading dislocation behavior of GaN films grown on patterned sapphire substrate with radial stripe pattern

    Okuno, Koji; Oshio, Takahide; Shibata, Naoki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁: 08JB09   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  155. Thick InGaN Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with Sputtered InGaN Buffer Layer

    Ohata, Toshiya; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁: 08JB11   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  156. GaN Nanowires Grown on a Graphite Substrate by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy

    Nakagawa, Shinta; Tabata, Takuya; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁: 08JE07   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  157. Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires

    Murotani, Hideaki; Yamada, Yoichi; Tabata, Takuya; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Journal of Applied Physics   114 巻 ( 15 ) 頁: 153506   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  158. GaN Overgrowth on Thermally Etched Nanoporous GaN Template

    Miao, Cao; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁: 08JB03   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  159. Strain-Compensated Effect on the Growth of InGaN/AlGaN Multi-Quantum Well by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Doi, Tomohiro; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁: 08JB14   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  160. Progress and Prospect of the Growth of Wide-Band-Gap Group III Nitrides: Development of the Growth Method for Single-Crystal Bulk GaN

    Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 5R ) 頁: 50001   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  161. I-1-2 高密度ラジカル源を用いた分子線エピタキシー法によるIII族窒化物エピタキシャル成長(窒化物半導体デバイスの精密加工プロセス-窒化物LEDに関わる先端デバイスプロセシング-,口頭発表)

    河合 洋次郎, 堀 勝, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 近藤 博基, 平松 美根男, 加納 浩之, 山川 晃司, 田 昭治

    IIP情報・知能・精密機器部門講演会講演論文集   2013 巻 ( 0 ) 頁: 5 - 7   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本機械学会  

    Although plasma-assisted molecular beam epitaxy(PA-MBE) is a promising technique for GaN growth,the growth rate obtained by this technique is lower than that obtained by metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE).In order to improve the growth rate of the technique,high density radical source(HDRS) was developed.By vacuum ultraviolet absorption spectroscopy(VUVAS) measurement,two orders of magnitude higher radical density was confirmed in a comparison of the HDRS and a conventional radical source(CRS).While faster growth rate of 1.4μm/h in GaN homoepitaxy was achieved,better crystalline quality of InxGa_<(1-x)>N(x=0.03〜0.16) epilayers with approximately 1.4μm thickness were also achieved by introducing the HDRS in PA-MBE.

    DOI: 10.1299/jsmeiip.2013.5

    CiNii Article

  162. Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Okuno Koji, Oshio Takahide, Shibata Naoki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Tanaka Shigeyasu, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3   10 巻 ( 3 ) 頁: 369 - 372   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201200587

    Web of Science

  163. Effects of low energy e-beam irradiation on cathodoluminescence from GaN 査読有り

    S. Suihkonen, H. Nykänen, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, Y. Honda, and H. Amano

    phys. stat. sol. (a)   210 巻 ( 2 ) 頁: 383-385   2012年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  164. Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

    久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   112 巻 ( 32 ) 頁: 15 - 18   2012年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上に室温発光波長435nm〜590nm、井戸幅2nm〜9nmのInGaN/GaN多重量子井戸構造(MQW)を作製し、偏光特性を測定した。表面からの発光の偏光特性を測定したところ、発光波長が短波長で量子井戸幅が薄い場合、発光の偏光方向はc軸と垂直であった。一方発光波長が長くなる、あるいは井戸幅が厚くなるほど、偏光が平行方向へシフトしていくことが明らかとなった。また、発光波長が短波長である試料の端面(11-22)からの発光特性を測定したところ、ナローイングが観測されるとともに、井戸幅が広くなるにつれてc軸と平行な偏光成分の増加が観測された。このことから、井戸幅とIn組成の制御により偏光の制御が可能であり、任意のLD構造設計への応用が期待される。

    CiNii Article

  165. Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

    久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   112 巻 ( 33 ) 頁: 15 - 18   2012年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上に室温発光波長435nm〜590nm、井戸幅2nm〜9nmのInGaN/GaN多重量子井戸構造(MQW)を作製し、偏光特性を測定した。表面からの発光の偏光特性を測定したところ、発光波長が短波長で量子井戸幅が薄い場合、発光の偏光方向はc軸と垂直であった。一方発光波長が長くなる、あるいは井戸幅が厚くなるほど、偏光が平行方向へシフトしていくことが明らかとなった。また、発光波長が短波長である試料の端面(11-22)からの発光特性を測定したところ、ナローイングが観測されるとともに、井戸幅が広くなるにつれてc軸と平行な偏光成分の増加が観測された。このことから、井戸幅とIn組成の制御により偏光の制御が可能であり、任意のLD構造設計への応用が期待される。

    CiNii Article

  166. Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

    久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   112 巻 ( 33 ) 頁: 15 - 18   2012年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Article

  167. Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

    久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   112 巻 ( 34 ) 頁: 15 - 18   2012年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上に室温発光波長435nm〜590nm、井戸幅2nm〜9nmのInGaN/GaN多重量子井戸構造(MQW)を作製し、偏光特性を測定した。表面からの発光の偏光特性を測定したところ、発光波長が短波長で量子井戸幅が薄い場合、発光の偏光方向はc軸と垂直であった。一方発光波長が長くなる、あるいは井戸幅が厚くなるほど、偏光が平行方向へシフトしていくことが明らかとなった。また、発光波長が短波長である試料の端面(11-22)からの発光特性を測定したところ、ナローイングが観測されるとともに、井戸幅が広くなるにつれてc軸と平行な偏光成分の増加が観測された。このことから、井戸幅とIn組成の制御により偏光の制御が可能であり、任意のLD構造設計への応用が期待される。

    CiNii Article

  168. Strain relaxation in thick (1-101)InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り

    T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (b)   249 巻 ( 3 ) 頁: 468–471   2012年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  169. Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り

    T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁: 646–649   2012年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  170. Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrate 査読有り

    T. Sugiyama, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori

    phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁: 875–878   2012年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  171. In-situ void formation technique using an AlN shell structure grown on GaN stripes on Si(111) and c-plane sapphire substrates 査読有り

    T. Mitsunari, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁: 480–483   2012年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  172. A local vibration mode in a carbon doped (1-101)AlGaN

    N. Sawaki, K. Hagiwara, K. Yamashita, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    SPIE   8262 巻   頁: 82620D   2012年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  173. Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE

    T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁: 646–649   2012年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  174. Strain relaxation in thick ($1{\bar {1}}01$) InGaN grown on GaN/Si substrate

    Tanikawa Tomoyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi, Sawaki Nobuhiko

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   249 巻 ( 3 ) 頁: 468 - 471   2012年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201100445

    Web of Science

  175. Impurity incorporation in semipolar (1-1 0 1) GaN grown on an Si substrate

    Sawaki Nobuhiko, Hagiwara Kiyotaka, Hikosaka Toshiki, Honda Yoshio

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   27 巻 ( 2 )   2012年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0268-1242/27/2/024006

    Web of Science

  176. Impurity incorporation in semipolar (1-101) GaN grown on an Si substrate

    N. Sawaki, K. Hagiwara, T. Hikosaka, and Y. Honda

    Semicond. Sci. Technol.   27 巻   頁: 024006_1-024006_5   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  177. Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE

    Tabata Takuya, Paek Jihyun, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4   9 巻 ( 3-4 ) 頁: 646 - 649   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201100446

    Web of Science

  178. Si基板上半極性窒化物半導体の結晶成長(<特集>次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)

    本田 善央

    日本結晶成長学会誌   38 巻 ( 4 ) 頁: 241 - 248   2012年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    加工Si基板へ有機金属気相成長法選択成長を試み半極性(1-101)GaN,(11-22)GaNを作製した.半極性面における光学的特性,電気的特性及び不純物濃度等の特性について各結晶面での評価を行った.さらに,半極性GaN上へヘテロ成長したInGaNのIn取り込み及び転位導入過程を,(1-101)GaN面を中心に評価を行ったので本報にて報告する.

    DOI: 10.19009/jjacg.38.4_241

    CiNii Article

  179. In-situ void formation technique using an AlN shell structure grown on GaN stripes on Si(111) and c-plane sapphire substrates

    Mitsunari Tadashi, Tanikawa Tomoyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4   9 巻 ( 3-4 ) 頁: 480 - 483   2012年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201100502

    Web of Science

  180. Improvement of Light Extraction Efficiency for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes 査読有り

    T. Inazu, S. Fukahori, C. Pernot, M. H. Kim, T. Fujita, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, and I. Akasaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 12 ) 頁: 122101_1-122101_3   2011年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  181. Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

    T. Sugiura, E.H. Kim, Y. Honda, H. Takagi, T. Tsukamoto, H. Andoh, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    AIP Conf. Proc.   1399 巻   頁: 503-504   2011年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  182. Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

    T. Sugiura, E.H. Kim, Y. Honda, H. Takagi, T. Tsukamoto, H. Andoh, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    AIP Conf. Proc.   1399 巻   頁: 503-504   2011年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  183. Improvement of Light Extraction Efficiency for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes

    Inazu Tetsuhiko, Fukahori Shinya, Pernot Cyril, Kim Myung Hee, Fujita Takehiko, Nagasawa Yosuke, Hirano Akira, Ippommatsu Masamichi, Iwaya Motoaki, Takeuchi Tetsuya, Kamiyama Satoshi, Yamaguchi Masahito, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 12 )   2011年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.122101

    Web of Science

  184. AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates

    Kim Myunghee, Fujita Takehiko, Fukahori Shinya, INAZU Tetsuhiko, PERNOT Cyril, NAGASAWA Yosuke, HIRANO Akira, IPPOMMATSU Masamichi, IWAYA Motoaki, TAKEUCHI Tetsuya, KAMIYAMA Satoshi, YAMAGUCHI Masahito, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi, AKASAKI Isamu

    Applied physics express   4 巻 ( 9 ) 頁: "092102 - 1"-"092102-3"   2011年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    CiNii Article

  185. AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates

    Kim Myunghee, Fujita Takehiko, Fukahori Shinya, Inazu Tetsuhiko, Pernot Cyril, Nagasawa Yosuke, Hirano Akira, Ippommatsu Masamichi, Iwaya Motoaki, Takeuchi Tetsuya, Kamiyama Satoshi, Yamaguchi Masahito, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 巻 ( 9 )   2011年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.4.092102

    Web of Science

  186. AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

    M.H. Kim, T. Fujita, S. Fukahori, T. Inazu, C. Pernot, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, and I. Akasaki

    Appl. Phys. Express   4 巻 ( 9 ) 頁: 092102_1-092102_3   2011年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  187. AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

    M.H. Kim, T. Fujita, S. Fukahori, T. Inazu, C. Pernot, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, and I. Akasaki

    Appl. Phys. Express   4 巻 ( 9 ) 頁: 092102_1-092102_3   2011年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  188. (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長

    谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   111 巻 ( 44 ) 頁: 63 - 66   2011年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    MOVPE法により(1-101)GaN/Si上にInGaN厚膜の成長を試みた。InGaNを成長するとGaNにみられた原子ステップは消失し、三次元成長が促進されていることを確認したが、c面によくみられるV字ピットは現れず、10nm以下の平均粗さを有する平坦性の比較的優れた結晶であることが分かった。X線逆格子マッピング測定よりInGaN結晶の格子緩和課程を観察すると、2段階の緩和課程が観察された。低In組成ではコヒーレント成長していたのに対し、In組成が増大するにつれまずc軸方向へのチルトが見られた。これは格子不整合により界面にミスフィット転位が導入されることに起因すると思われる。In組成が高くなるについてミスフィット転位の間隔が狭くなりチルト角度が増大した。<11-20>方向においては面内の格子緩和のみ発生した。

    CiNii Article

  189. AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム

    朴 貴珍, 杉山 貴之, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 稲津 哲彦, 藤田 武彦, ペルノー シリル, 平野 光

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   111 巻 ( 46 ) 頁: 123 - 126   2011年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    長時間・大電流駆動によるAlGaN系紫外発光素子の通電特性の変化から発光効率とリーク電流成分の増大の関連性、また、発光層への注入効率とリーク成分の関係性を調べた.劣化初期、通電時間が経つとともにリーク電流は増大、IQEは一定であった.しかし、駆動時間400時間目の結果からIQEの低下が観測された.その原因はリーク電流によるジュール熱であると考えられる.

    CiNii Article

  190. AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム

    朴 貴珍, 杉山 貴之, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 稲津 哲彦, 藤田 武彦, ペルノー シリル, 平野 光

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   111 巻 ( 45 ) 頁: 123 - 126   2011年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    長時間・大電流駆動によるAlGaN系紫外発光素子の通電特性の変化から発光効率とリーク電流成分の増大の関連性、また、発光層への注入効率とリーク成分の関係性を調べた.劣化初期、通電時間が経つとともにリーク電流は増大、IQEは一定であった.しかし、駆動時間400時間目の結果からIQEの低下が観測された.その原因はリーク電流によるジュール熱であると考えられる.

    CiNii Article

  191. AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム

    朴 貴珍, 杉山 貴之, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 稲津 哲彦, 藤田 武彦, ペルノー シリル, 平野 光

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   111 巻 ( 44 ) 頁: 123 - 126   2011年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    長時間・大電流駆動によるAlGaN系紫外発光素子の通電特性の変化から発光効率とリーク電流成分の増大の関連性、また、発光層への注入効率とリーク成分の関係性を調べた.劣化初期、通電時間が経つとともにリーク電流は増大、IQEは一定であった.しかし、駆動時間400時間目の結果からIQEの低下が観測された.その原因はリーク電流によるジュール熱であると考えられる.

    CiNii Article

  192. (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長

    谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   111 巻 ( 46 ) 頁: 63 - 66   2011年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    MOVPE法により(1-101)GaN/Si上にInGaN厚膜の成長を試みた。InGaNを成長するとGaNにみられた原子ステップは消失し、三次元成長が促進されていることを確認したが、c面によくみられるV字ピットは現れず、10nm以下の平均粗さを有する平坦性の比較的優れた結晶であることが分かった。X線逆格子マッピング測定よりInGaN結晶の格子緩和過程を観察すると、2段階の緩和過程が観察された。低In組成ではコヒーレント成長していたのに対し、In組成が増大するにつれまずc軸方向へのチルトが見られた。これは格子不整合により界面にミスフィット転位が導入されることに起因すると思われる。In組成が高くなるについてミスフィット転位の間隔が狭くなりチルト角度が増大した。<11-20>方向においては面内の格子緩和のみ発生した。

    CiNii Article

  193. (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長

    谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   111 巻 ( 45 ) 頁: 63 - 66   2011年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    MOVPE法により(1-101)GaN/Si上にInGaN厚膜の成長を試みた。InGaNを成長するとGaNにみられた原子ステップは消失し、三次元成長が促進されていることを確認したが、c面によくみられるV字ピットは現れず、10nm以下の平均粗さを有する平坦性の比較的優れた結晶であることが分かった。X線逆格子マッピング測定よりInGaN結晶の格子緩和過程を観察すると、2段階の緩和過程が観察された。低In組成ではコヒーレント成長していたのに対し、In組成が増大するにつれまずc軸方向へのチルトが見られた。これは格子不整合により界面にミスフィット転位が導入されることに起因すると思われる。In組成が高くなるについてミスフィット転位の間隔が狭くなりチルト角度が増大した。<11-20>方向においては面内の格子緩和のみ発生した。

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  194. GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET

    杉山 貴之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 磯部 康裕, 押村 吉徳, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤崎 勇, 今出 完, 北岡 康夫, 森 勇介

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   111 巻 ( 44 ) 頁: 175 - 178   2011年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。a-HFETはc面上のHFETsに比べ高い閾値電圧と電流コラプス耐性の両立に優れることを実証した。また、p-GaNゲートを用いたc面ノーマリーオフ型JHFETについても電流コラプスの測定を行った、ドライエッチングによって露出されたAlGaN表面のデバイスでは電流コラプスが極めて大きいが、SiNパッシベーションによって、as-grownで同じ組成・膜厚を有するAlGaNバリアのノーマリーオフ型HFETsと同程度まで電流コラプス耐性が向上した。

    CiNii Article

  195. RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長

    田畑 拓也, 白 知鉉, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   111 巻 ( 46 ) 頁: 45 - 48   2011年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    従来のプレーナ型量子井戸構造と比較してInGaNナノワイヤは可視光長波長領域において、より優れた発光特性を示すと予想される。本研究では、RF-MBE法により(111)Si基板上にIn/(In+Ga)フラックス比および成長温度を変化させてInGaNナノワイヤの成長を行った。成長温度を固定した場合、Inフラックス比が大きくなるほどナノワイヤにおけるIn組成の増大とともにフォトルミネッセンス(PL)ピーク波長は長波長側へシフトした。また、成長温度が高くなるにつれて、PLピーク波長は短波長側へシフトし、PL強度は大きくなった。これは成長温度が高くなるにつれてInの脱離が多くなったこと、およびInGaNナノワイヤの結晶性が向上したことが原因として考えられる。しかし、PLスペクトルの温度依存性からInGaNナノワイヤの内部量子効率を見積もると18%程度であった。これはSTEM像において確認された積層欠陥が原因の1つに挙げられる。

    CiNii Article

  196. RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長

    田畑 拓也, 白 知鉉, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   111 巻 ( 44 ) 頁: 45 - 48   2011年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    従来のプレーナ型量子井戸構造と比較してInGaNナノワイヤは可視光長波長領域において、より優れた発光特性を示すと予想される。本研究では、RF-MBE法により(111)Si基板上にIn/(In+Ga)フラックス比および成長温度を変化させてInGaNナノワイヤの成長を行った。成長温度を固定した場合、Inフラックス比が大きくなるほどナノワイヤにおけるIn組成の増大とともにフォトルミネッセンス(PL)ピーク波長は長波長側へシフトした。また、成長温度が高くなるにつれて、PLピーク波長は短波長側へシフトし、PL強度は大きくなった。これは成長温度が高くなるにつれてInの脱離が多くなったこと、およびInGaNナノワイヤの結晶性が向上したことが原因として考えられる。しかし、PLスペクトルの温度依存性からInGaNナノワイヤの内部量子効率を見積もると18%程度であった。これはSTEM像において確認された積層欠陥が原因の1つに挙げられる。

    CiNii Article

  197. RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長

    田畑 拓也, 白 知鉉, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   111 巻 ( 45 ) 頁: 45 - 48   2011年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    従来のプレーナ型量子井戸構造と比較してInGaNナノワイヤは可視光長波長領域において、より優れた発光特性を示すと予想される。本研究では、RF-MBE法により(111)Si基板上にIn/(In+Ga)フラックス比および成長温度を変化させてInGaNナノワイヤの成長を行った。成長温度を固定した場合、Inフラックス比が大きくなるほどナノワイヤにおけるIn組成の増大とともにフォトルミネッセンス(PL)ピーク波長は長波長側へシフトした。また、成長温度が高くなるにつれて、PLピーク波長は短波長側へシフトし、PL強度は大きくなった。これは成長温度が高くなるにつれてInの脱離が多くなったこと、およびInGaNナノワイヤの結晶性が向上したことが原因として考えられる。しかし、PLスペクトルの温度依存性からInGaNナノワイヤの内部量子効率を見積もると18%程度であった。これはSTEM像において確認された積層欠陥が原因の1つに挙げられる。

    CiNii Article

  198. GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET

    杉山 貴之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 磯部 康裕, 押村 吉徳, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤崎 勇, 今出 完, 北岡 康夫, 森 勇介

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   111 巻 ( 46 ) 頁: 175 - 178   2011年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。a-HFETはc面上のHFETsに比べ高い閾値電圧と電流コラプス耐性の両立に優れることを実証した。また、p-GaNゲートを用いたc面ノーマリーオフ型JHFETについても電流コラプスの測定を行った、ドライエッチングによって露出されたAlGaN表面のデバイスでは電流コラプスが極めて大きいが、SiNパッシベーションによって、as-grownで同じ組成・膜厚を有するAlGaNバリアのノーマリーオン型HFETsと同程度まで電流コラプス耐性が向上した。

    CiNii Article

  199. GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET

    杉山 貴之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 磯部 康裕, 押村 吉徳, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤崎 勇, 今出 完, 北岡 康夫, 森 勇介

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   111 巻 ( 45 ) 頁: 175 - 178   2011年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。a-HFETはc面上のHFETsに比べ高い閾値電圧と電流コラプス耐性の両立に優れることを実証した。また、p-GaNゲートを用いたc面ノーマリーオフ型JHFETについても電流コラプスの測定を行った、ドライエッチングによって露出されたAlGaN表面のデバイスでは電流コラプスが極めて大きいが、SiNパッシベーションによって、as-grownで同じ組成・膜厚を有するAlGaNバリアのノーマリーオン型HFETsと同程度まで電流コラプス耐性が向上した。

    CiNii Article

  200. Effect of lateral vapor-phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semi-polar and non-polar GaN stripes 査読有り

    T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    phys. stat. sol. (a)   208 巻 ( 5 ) 頁: 1175-1178   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  201. Optical properties of (1-101)semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

    C.H. Chiu, D.W. Lin, C.C. Lin, Z.Y. Li, Y.C. Chen, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   318 巻 ( 1 ) 頁: 500-504   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  202. Effect of lateral vapor-phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semi-polar and non-polar GaN stripes 査読有り

    T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    phys. stat. sol. (a)   208 巻 ( 5 ) 頁: 1175-1178   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  203. Effect of lateral vapor phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semipolar and nonpolar GaN stripes

    Tanikawa Tomoyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   208 巻 ( 5 ) 頁: 1175 - 1178   2011年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201000907

    Web of Science

  204. Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy 査読有り

    Z. H. Wu, Y. Kawai, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, H. Kondo, M. Hori, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    Appl. Phys. Lett.   98 巻 ( 14 ) 頁: 141905   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  205. Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

    N. Sawaki and Y. Honda

    SCIENCE CHINA Technological Sciences   54 巻 ( 1 ) 頁: 38-41   2011年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  206. Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy 査読有り

    Z. H. Wu, Y. Kawai, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, H. Kondo, M. Hori, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    Appl. Phys. Lett.   98 巻 ( 14 ) 頁: 141905   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  207. Optical properties of (1-101)semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

    C.H. Chiu, D.W. Lin, C.C. Lin, Z.Y. Li, Y.C. Chen, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   318 巻 ( 1 ) 頁: 500-504   2011年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  208. Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate 査読有り

    C.H. Chiu, D.W. Lin, Z.Y. Li, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    SPIE   7939 巻   頁: 79391X   2011年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  209. Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate 査読有り

    C.H. Chiu, D.W. Lin, Z.Y. Li, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    SPIE   7939 巻   頁: 79391X   2011年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  210. Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1101) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates

    Chiu Ching-Hsueh, Lin Da-Wei, Lin Chien-Chung, LI Zhen-Yu, CHANG Wei-Ting, HSU Hung-Wen, KUO Hao-Chung, LU Tien-Chang, WANG Shing-Chung, LIAO Wei-Tsai, TANIKAWA Tomoyuki, HONDA Yoshio, YAMAGUCHI Masahito, SAWAKI Nobuhiko

    Applied physics express   4 巻 ( 1 ) 頁: "012105 - 1"-"012105-3"   2011年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    CiNii Article

  211. Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

    N. Sawaki and Y. Honda

    SCIENCE CHINA Technological Sciences   54 巻 ( 1 ) 頁: 38-41   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  212. Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1-101) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

    C.-H. Chiu, D.-W. Lin, C.-C. Lin, Z.-Y. Li, W.-T. Chang, H.-W. Hsu, H.-C. Kuo, T.-C. Lu, S.-C. Wang, W.-T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Appl. Phys. Express   4 巻 ( 1 ) 頁: 01210_1-012105_3   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  213. Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11-22) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    T. Murase, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 1 ) 頁: 01AD04_1-01AD04_3   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  214. Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1-101) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

    C.-H. Chiu, D.-W. Lin, C.-C. Lin, Z.-Y. Li, W.-T. Chang, H.-W. Hsu, H.-C. Kuo, T.-C. Lu, S.-C. Wang, W.-T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Appl. Phys. Express   4 巻 ( 1 ) 頁: 01210_1-012105_3   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  215. Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (11-01) semipolar GaN 査読有り

    Z. H. Wu, T. Tanikawa, T. Murase, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

    Appl. Phys. Lett.   98 巻 ( 5 ) 頁: 051902_1-051902_3   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  216. Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11-22) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    T. Murase, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 1 ) 頁: 01AD04_1-01AD04_3   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  217. Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (11-01) semipolar GaN 査読有り

    Z. H. Wu, T. Tanikawa, T. Murase, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

    Appl. Phys. Lett.   98 巻 ( 5 ) 頁: 051902_1-051902_3   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  218. Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11(2)over-bar2) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

    Murase Tasuku, Tanikawa Tomoyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi, Sawaki Nobuhiko

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 1 )   2011年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.01AD04

    Web of Science

  219. Semi-polar GaN LEDs on Si substrate

    Sawaki Nobuhiko, Honda Yoshio

    SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES   54 巻 ( 1 ) 頁: 38 - 41   2011年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s11431-010-4182-2

    Web of Science

  220. Drain bias stress and memory effects in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with p-GaN gate

    Sugiyama Takayuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi, Oshimura Yoshinori, Iida Daisuke, Iwaya Motoaki, Akasaki Isamu

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8   8 巻 ( 7-8 )   2011年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201001081

    Web of Science

  221. Optical properties of (1-101) InGaN/GaN MQW stripe laser structure on Si substrate

    Murase Tasuku, Tanikawa Tomoyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8   8 巻 ( 7-8 )   2011年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201000990

    Web of Science

  222. Selective MOVPE growth of InGaN/GaN MQW on microfacet GaN stripes

    Tanikawa Tomoyuki, Murase Tasuku, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8   8 巻 ( 7-8 )   2011年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201000995

    Web of Science

  223. Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (111)Si and stimulated emission under photo-excitation 査読有り

    B.-J. Kim, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Physica E   42 巻 ( 10 ) 頁: 2575-2578   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  224. Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (111)Si and stimulated emission under photo-excitation 査読有り

    B.-J. Kim, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Physica E   42 巻 ( 10 ) 頁: 2575-2578   2010年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  225. HVPE growth of a -plane GaN on a GaN template (110)Si substrate 査読有り

    T. Tanikawa, N. Suzuki, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   7 巻 ( 7-8 ) 頁: 1760–1763   2010年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  226. 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製

    谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   109 巻 ( 422 ) 頁: 23 - 28   2010年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    選択MOVPE法により非極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の膜厚分布および発光の空間分布について検討を行った。無極性面上では膜厚はエッジ部にいくほど厚くなる傾向を示したが、半極性面上では面内で平坦な結晶が得られた。拡散方程式を用いて数値解析を行い、気相における実効的な拡散長に相当する値を各面において求めた結果、膜厚分布を気相場の影響として解釈することができた。一方、CL測定からみられるInGaN発光は半値幅が広いものの、位置による違いは見られなかった。これらより、立体構造の選択成長における膜厚・組成不均一は気相拡散の影響が最も支配的であるといえる。

    CiNii Article

  227. 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製

    谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   109 巻 ( 423 ) 頁: 23 - 28   2010年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    選択MOVPE法により非極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の膜厚分布および発光の空間分布について検討を行った。無極性面上では膜厚はエッジ部にいくほど厚くなる傾向を示したが、半極性面上では面内で平坦な結晶が得られた。拡散方程式を用いて数値解析を行い、気相における実効的な拡散長に相当する値を各面において求めた結果、膜厚分布を気相場の影響として解釈することができた。一方、CL測定からみられるInGaN発光は半値幅が広いものの、位置による違いは見られなかった。これらより、立体構造の選択成長における膜厚・組成不均一は気相拡散の影響が最も支配的であるといえる。

    CiNii Article

  228. HVPE growth of a-plane GaN on a GaN template (110)Si substrate

    Tanikawa Tomoyuki, Suzuki Noriyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8   7 巻 ( 7-8 )   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.200983563

    Web of Science

  229. ラマン分光法を用いたCaN/Siの残留歪みの評価に関する研究

    杉浦 藤虎, 本田 善央, 岡本 明大, 高木 宏幸, 塚本 武彦, 安藤 浩哉

    豊田工業高等専門学校研究紀要   42 巻 ( 0 ) 頁: 19 - 22   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:独立行政法人 国立高等専門学校機構豊田工業高等専門学校  

    We have studied the residual strain and stress in semi-polar (1-101)GaN and conventional (0001)GaN grown on Si by means of Raman spectroscopy. By adopting the stress coefficients reported in the references, the residual strain of samples were deduced from the frequency shifts of the phonon modes in Raman spectra. As the results, it was found that the strain tensor of (1-101) GaN/Si was smaller than that of the (0001)GaN/Si in good agreement with the results obtained from the X-ray diffraction measurements.

    DOI: 10.20692/toyotakosenkiyo.KJ00005889042

    CiNii Article

  230. Percolation transport in an AlGaN/GaN heterostructure 招待有り 査読有り

    N. Sawaki, X. X. Han, Y. Honda, and M. Yamaguchi

    Journal of Physics: Conference Series   193 巻   頁: 012012_1-012012_4   2009年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  231. Influence of a SiO2 Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates 査読有り

    M. Yang, H. S. Ahn, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Korean Phys. Soc.   54 巻 ( 6 ) 頁: 2363   2009年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  232. Influence of a SiO2 Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates

    Yang Min, Ahn Hyung Soo, Tanikawa Tomoyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko

    JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY   54 巻 ( 6 ) 頁: 2363 - 2366   2009年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  233. Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate

    Sawaki Nobuhiko, Hikosaka Toshiki, Koide Norikatsu, Tanaka Shigeyasu, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   311 巻 ( 10 ) 頁: 2867 - 2874   2009年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2009.01.032

    Web of Science

  234. Maskless selective growth of semi-polar (11(2)over-bar2) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy

    Yang Min, Ahn Hyung Soo, Tanikawa Tomoyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   311 巻 ( 10 ) 頁: 2914 - 2918   2009年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2009.01.064

    Web of Science

  235. *DAP emission band in a carbon doped (1-101)GaN grown on (001)Si substrate 査読有り

    Y. Honda, T. Hikosaka, M. Yamaguchi, N. Sawaki, G. Pozina, F. Karlsson, V. Darakchieva, P. Paskov, and B. Monemar

    phys. stat. sol. (c)   6 巻 ( S2 ) 頁: S772   2009年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  236. *Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate 査読有り

    N. Sawaki, T. Hikosaka, N. Koide, S. Tanaka, Y. Honda, and M. Yamaguchi

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁: 2867   2009年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  237. Maskless selective growth of semi-polar (11-22) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

    M. Yang, H. S. Ahn, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁: 2914   2009年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  238. MOVPE growth and properties of GaN on (111)Si using an AlInN intermediate layer 査読有り

    M. Irie, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁: 2891   2009年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  239. *Reduction of dislocations in a (11-22)GaN grown by selective MOVPE on (113)Si 査読有り

    T. Tanikawa, Y. Kagohashi, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁: 2879   2009年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  240. *HVPE growth of semi-polar (11-22)GaN on GaN template (113)Si substrate 査読有り

    N. Suzuki, T. Uchida, T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁: 2875   2009年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  241. Scattering times in the two-dimensional electron gas of AlxGa1-xN/AlN/GaN heterostructures

    Han Xiuxun, Honda Yoshio, Narita Tetsuo, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko, Tanaka Tooru, Guo Qixin, Nishio Mitsushiro

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   42 巻 ( 4 )   2009年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/42/4/045112

    Web of Science

  242. Scattering times in the two-dimensional electron gas of AlxGa1-xN/AlN/GaN heterostructures 査読有り

    X.X. Han XX, T. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. Nishio

    J. Phys. D   42 巻 ( 4 ) 頁: 045112-1   2009年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  243. DAP emission band in a carbon doped (1-101)GaN grown on (001)Si substrate

    Honda Yoshio, Hikosaka Toshiki, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko, Pozina Galia, Karlsson Fredrik, Darakchieva Vanya, Paskov Plamen, Monemar Bo

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2   6 巻   頁: S772 - S775   2009年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.200880932

    Web of Science

  244. Time-resolved spectroscopy in an undoped GaN (1-101) 査読有り

    E.H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 1 ) 頁: 367-369   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  245. Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 9 ) 頁: 2966-2968   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  246. *Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates 査読有り

    T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 6 ) 頁: 2234?2237   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  247. Energy relaxation processes of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN 査読有り

    J. Saida, E. H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 6 ) 頁: 1746?1749   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  248. Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長

    中島 由樹, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   107 巻 ( 252 ) 頁: 97 - 102   2007年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上にInGaN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を試みた。InGaN混晶薄膜の膜厚は各々のファセット面上で一様でなく、顕著なリッジ成長が見られた。CLスペクトルから組成均一性を評価したところ、(0001)面上ではスペクトルの中央値(ピーク値)は面上で一様であったが、リッジ部でスペクトル半値幅が増加し組成揺らぎが増強されることが分かった。これらの結果は気相中あるいはファセット表面上での化学種の拡散現象だけでは説明できなかった。

    CiNii Article

  249. Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長

    中島 由樹, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   107 巻 ( 253 ) 頁: 97 - 102   2007年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上にInGaN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を試みた。InGaN混晶薄膜の膜厚は各々のファセット面上で一様でなく、顕著なリッジ成長が見られた。CLスペクトルから組成均一性を評価したところ、(0001)面上ではスペクトルの中央値(ピーク値)は面上で一様であったが、リッジ部でスペクトル半値幅が増加し組成揺らぎが増強されることが分かった。これらの結果は気相中あるいはファセット表面上での化学種の拡散現象だけでは説明できなかった。

    CiNii Article

  250. Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長

    中島 由樹, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   107 巻 ( 251 ) 頁: 97 - 102   2007年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上にInGaN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を試みた。InGaN混晶薄膜の膜厚は各々のファセット面上で一様でなく、顕著なリッジ成長が見られた。CLスペクトルから組成均一性を評価したところ、(0001)面上ではスペクトルの中央値(ピーク値)は面上で一様であったが、リッジ部でスペクトル半値幅が増加し組成揺らぎが増強されることが分かった。これらの結果は気相中あるいはファセット表面上での化学種の拡散現象だけでは説明できなかった。

    CiNii Article

  251. Electron-beam-induced-current investigation of GaN/AlGaN/Si heterostructures using scanning transmission electron microscopy

    TANAKA Shigeyasu, AOYAMA Kentaro, ICHIHASHI Mikio, ARAI Shigeo, HONDA Yoshio, SAWAKI Nobuhiko

    Journal of electron microscopy   56 巻 ( 4 ) 頁: 141 - 144   2007年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Article

  252. Electron-beam-induced-current investigation of GaN/AlGaN/Si heterostructures using scanning transmission electron microscopy

    Tanaka Shigeyasu, Aoyama Kentaro, Ichihashi Mikio, Arai Shigeo, Honda Yoshio, Sawaki Nobuhiko

    JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY   56 巻 ( 4 ) 頁: 141 - 144   2007年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/jmicro/dfm016

    Web of Science

    PubMed

  253. Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AlGaN/AlN/Si heterostructure

    TANAKA Shigeyasu, NAITO Akiyuki, HONDA Yoshio, SAWAKI Nobuhiko, ICHIHASHI Mikio

    Journal of electron microscopy   56 巻 ( 2 ) 頁: 37 - 42   2007年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Article

  254. Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AIGaN/AIN/Si heterostructure

    Tanaka Shigeyasu, Naito Akiyuki, Honda Yoshio, Sawaki Nobuhiko, Ichihashi Mikio

    JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY   56 巻 ( 2 ) 頁: 37 - 42   2007年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/jmicro/dfm013

    Web of Science

    PubMed

  255. Transport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures

    Han Xiuxun, Honda Yoshio, Narita Tetsuo, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   19 巻 ( 4 )   2007年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0953-8984/19/4/046204

    Web of Science

  256. Mg doping in (1(1)over-bar01)GaN grown on a 7 degrees off-axis (001)Si substrate by selective MOVPE

    Hikosaka Toshiki, Koide Norikatsu, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   298 巻   頁: 207 - 210   2007年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.229

    Web of Science

  257. Mg doping in (1-101)GaN grown on a 7o off-axis (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   298 巻   頁: 207-210   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  258. Transport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1?xN/GaN heterostructures 査読有り

    X. Han, Y. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi and N. Sawaki

    J. Phys.: Condens. Matter   19 巻 ( 4 ) 頁: 046204_1-046204_11   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  259. Characterization of AlGaN, Te-doped GaN and Mg-doped GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 査読有り

    K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, W. J. Choi, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 1 ) 頁: 133?136   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  260. Growth of InGaN layer on GaN templated Al2O3 (0001) and Si (111) substrates by mixed-source HVPE 査読有り

    S. L. Hwang, K. S. Jang, K. H. Kim, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 1 ) 頁: 125?128   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  261. Fabrication of SAG-AlGaN/InGaN/AlGaN LEDs by mixed-source HVPE with multi-sliding boat system 査読有り

    K. H. Kim, K. S. Jang, S. L. Hwang, H. S. Jeon, W. J. Choi, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 1 ) 頁: 29?32   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  262. MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GAN microcrystal co-doped with Zn and Si 査読有り

    Y. Honda, Y. Yanase, M. Tsuji, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   300 巻 ( 1 ) 頁: 110-113   2007年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  263. Electron-Beam-Induced-Current Investigation of GaN/AlGaN/Si Heterostructures Using Scanning Transmission Electron Microscopy 査読有り

    S. Tanaka, K. Aoyama, M. Ichihashi, S. Arai, Y. Honda, and N. Sawaki

    J. Electron Microsc.   56 巻 ( 4 ) 頁: 141-144   2007年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  264. Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AIGaN/AIN/Si heterostructure 査読有り

    S. Tanaka, A. Naito, Y. Honda, N. Sawaki, and M. Ichihashi

    J. Electron Microsc.   56 巻 ( 2 ) 頁: 37-42   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  265. Characterization of AlGaN/InGaN/AlGaN heterostructure with selective area growth of Te-doped AlGaN cladding layer grown by mixed-source HVPE 査読有り

    K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, S. H. Jang, S. M. Lee, and M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁: 2240-2243   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  266. Subband structure and transport properties of two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 査読有り

    X. Han, Y. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁: 2334-2337   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  267. The surface diffusion of Ga species on an AlGaN facet structure in low pressure MOVPE 査読有り

    T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁: 2506-2509   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  268. Series resistance in a GaN/AlGaN/n-Si structure grown by MOVPE 査読有り

    Y. Honda, S. Kato, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁: 2740-2743   2007年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  269. Time-resolved photoluminescence spectroscopy in a GaN/AlGaN SQW structure grown on a (111) Si substrate 査読有り

    E.H. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁: 2838-2841   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  270. Acceptor Level due to Carbon in a (1?101)AlGaN 査読有り

    N. Sawaki, N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, and M. Yamaguchi

    AIP Conf. Proc.   893 巻   頁: 281-282   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  271. Al doping in (1?101) GaN films grown on patterned (001) Si substrate 査読有り

    T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Appl. Phys.   101 巻 ( 10 ) 頁: 103513-1-103513-5   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  272. Carbon incorporation on (1101) facet of AlGaN in metal organic vapor phase epitaxy

    Koide Norikatsu, Hikosaka Toshiki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 巻 ( 10A ) 頁: 7655 - 7660   2006年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.45.7655

    Web of Science

  273. The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE

    Narita Tetsuo, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   243 巻 ( 7 ) 頁: 1665 - 1668   2006年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.200565115

    Web of Science

  274. Series resistance in n-GaN/AIN/n-Si heterojunction structure

    Kondo Hiroyuki, Koide Norikatsu, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 巻 ( 5A ) 頁: 4015 - 4017   2006年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.45.4015

    Web of Science

  275. Growth and doping of AlGaN and electroluminescence of SAG-InGaN/AlGaN heterostructure by mixed-source HVPE 査読有り

    K. H. Kim, H. S. Ahn, M. Yang, K. S. Jang, S. L. Hwang, W. J. Choi, C. R. Cho, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   3 巻 ( 6 ) 頁: 1461?1465   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  276. Carbon Incorporation on (1-101) Facet of AlGaN in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 10A ) 頁: 7655-7660   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  277. Series Resistance in n-GaN/AlN/n-Si Heterojunction Structure 査読有り

    H. Kondo, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 5A ) 頁: 4015?4017   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  278. Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 査読有り

    E. H. Kim, T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   3 巻 ( 6 ) 頁: 1992?1996   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  279. p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   3 巻 ( 6 ) 頁: 1425?1428   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  280. Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si 査読有り

    Y. Honda, Y. Yanase, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   3 巻 ( 6 ) 頁: 1915?1918   2006年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  281. The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE 査読有り

    T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (b)   243 巻 ( 7 ) 頁: 1665?1668   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  282. (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

    彦坂 年輝, 小出 典克, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   105 巻 ( 90 ) 頁: 69 - 74   2005年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    (001)Si傾斜基板上への常圧選択MOVPE成長法により、(1-101)面を表面とするGaNが作製できる。この方法で得られるGaN(1-101)面は窒素面となり、ガリウムを最表面とする(0001)面とは、成長モードや不純物の取り込みが異なると予想される。実際、この(1-101)GaNはノンドーピングでp型伝導性を示した。この試料にSiドーピングを行った結果、p型伝導からn型伝導へと変化した。一方、Cドーピングでは試料はすべてp型伝導を示し、ドーピングによる正孔濃度の増加が確認された。これは(1-101)面においてSiはドナー不純物、Cはアクセプター不純物として働くことを示唆しており、p型伝導はCの窒素原子との置換によるものであると考えられる。

    CiNii Article

  283. (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

    彦坂 年輝, 小出 典克, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   105 巻 ( 94 ) 頁: 69 - 74   2005年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    (001)Si傾斜基板上への常圧選択MOVPE成長法により、(1-101)面を表面とするGaNが作製できる。この方法で得られるGaN(1-101)面は窒素面となり、ガリウムを最表面とする(0001)面とは、成長モードや不純物の取り込みが異なると予想される。実際、この(1-101)GaNはノンドーピングでp型伝導性を示した。この試料にSiドーピングを行った結果、p型伝導からn型伝導へと変化した。一方、Cドーピングでは試料はすべてp型伝導を示し、ドーピングによる正孔濃度の増加が確認された。これは(1-101)面においてSiはドナー不純物、Cはアクセプター不純物として働くことを示唆しており、p型伝導はCの窒素原子との置換によるものであると考えられる。

    CiNii Article

  284. (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

    彦坂 年輝, 小出 典克, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   105 巻 ( 92 ) 頁: 69 - 74   2005年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    (001)Si傾斜基板上への常圧選択MOVPE成長法により、(1-101)面を表面とするGaNが作製できる。この方法で得られるGaN(1-101)面は窒素面となり、ガリウムを最表面とする(0001)面とは、成長モードや不純物の取り込みが異なると予想される。実際、この(1-101)GaNはノンドーピングでp型伝導性を示した。この試料にSiドーピングを行った結果、p型伝導からn型伝導へと変化した。一方、Cドーピングでは試料はすべてp型伝導を示し、ドーピングによる正孔濃度の増加が確認された。これは(1-101)面においてSiはドナー不純物、Cはアクセプター不純物として働くことを示唆しており、p型伝導はCの窒素原子との置換によるものであると考えられる。

    CiNii Article

  285. Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 査読有り

    Y. Honda, M. Okano, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   2 巻 ( 7 ) 頁: 2125? 2128   2005年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  286. Incorporation of carbon on a (1-101) facet of GaN by MOVPE 査読有り

    N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   284 巻 ( 3-4 ) 頁: 341?346   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  287. Characterization of AlGaN layer with high Al content grown by mixed-source HVPE 査読有り

    H. S. Ahn, K. H. Kim, M. Yang, J. Y. Yi, H. J. Lee, J. H. Chang, H. S. Kim, S. W. Kim, S. C. Lee, Y Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (a)   202 巻 ( 6 ) 頁: 1048?1052   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  288. Doping in GaN and AlGaN Grown by Mixed-Source Hydride Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    J. Y. Yi, Kyoung H. Kim, H. J. Lee, M.?Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   184 巻   頁: 373-376   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  289. Growth of AlGaN on Al2O3 substrates by Mixed-Source HVPE 査読有り

    K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   184 巻   頁: 361-364   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  290. Effect of Si doping to the (1-101)GaN grown on a 7 degree off oriented (001)Si by selective MOVPE 査読有り

    T. Hikosaka, Y. Honda, N. Koide, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   184 巻   頁: 251-254   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  291. Growth of thick AlGaN by mixed-source hydride vapor phase epitaxy 査読有り

    H.S. Ahn, K.H. Kim, M. Yang, J.Y. Yi, H.J. Lee, C.R. Cho, H.K. Cho, S.W. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Appl. Surf. Science   243 巻 ( 1-4 ) 頁: 178-182   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  292. Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet 査読有り

    T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   2 巻 ( 7 ) 頁: 2349?2352   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  293. MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製

    本田 善央, 中村 剛, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   104 巻 ( 43 ) 頁: 17 - 22   2004年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    我々はこれまでに、シリコン基板上へMOVPE選択成長によりGaN/AlN六角錐構造を作製してきた。しかしながら、形状の均一性について問題があり、これは中間層として用いたAlN成長核の不均一が原因であった。AlNの成長時間を変化させ、GaN/AlN六角錐構造の均一性を評価したところ、AlN中間層膜厚の薄いところでは比較的均一なGaN/AlN六角錐構造が得られた。中間層の薄膜化は同時に、Si-GaN界面での電流-電圧特性を改善させることが可能であり、フィールドエミッタデバイス等の応用に極めて有効であると考えられる。

    CiNii Article

  294. MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製

    本田 善央, 中村 剛, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   104 巻 ( 41 ) 頁: 17 - 22   2004年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    我々はこれまでに、シリコン基板上へMOVPE選択成長によりGaN/AlN六角錐構造を作製してきた。しかしながら、形状の均一性について問題があり、これは中間層として用いたAlN成長核の不均一が原因であった。AlNの成長時間を変化させ、GaN/AlN六角錐構造の均一性を評価したところ、AlN中間層膜厚の薄いところでは比較的均一なGaN/AlN六角錐構造が得られた。中間層の薄膜化は同時に、Si-GaN界面での電流-電圧特性を改善させることが可能であり、フィールドエミッタデバイス等の応用に極めて有効であると考えられる。

    CiNii Article

  295. MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製

    本田 善央, 中村 剛, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   104 巻 ( 39 ) 頁: 17 - 22   2004年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    我々はこれまでに、シリコン基板上へMOVPE選択成長によりGaN/AlN六角錐構造を作製してきた。しかしながら、形状の均一性について問題があり、これは中間層として用いたAlN成長核の不均一が原因であった。AlNの成長時間を変化させ、GaN/AlN六角錐構造の均一性を評価したところ、AlN中間層膜厚の薄いところでは比較的均一なGaN/AlN六角錐構造が得られた。中間層の薄膜化は同時に、Si-GaN界面での電流-電圧特性を改善させることが可能であり、フィールドエミッタデバイス等の応用に極めて有効であると考えられる。

    CiNii Article

  296. Photocurrent spectroscopy of a (0001) GaN/AlGaN/(111)Si heterostructure 査読有り

    Y. Kuroiwa, Y. Honda, N. Sawaki

    Physica E   21 巻 ( 2-4 ) 頁: 782-792   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  297. Fabrication and optical properties of GaN micro-prism array on an Si substrate 査読有り

    A. Nishioka, Y. Honda, and N. Sawaki

    Proc. of Int. Conf. on Electrical Engineering 2004   3-1 巻   頁: 297-300   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  298. Optical spectra of GaN/InGaN/GaN MQW structure grown on a (1?101) GaN facet 査読有り

    Eun-Hee Kim, Tetsuo Narita, Yoshio Honda, and Nobuhiko Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   1 巻 ( 10 ) 頁: 2512?2515   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  299. Transmission electron microscopy study of an AlN nucleation layer for the growth of GaN on a 7-degree off-oriented (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, T. Tanji, and M. Ichihashi

    J. Cryst. Growth   260 巻 ( 3-4 ) 頁: 360-365   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  300. Growth of thick AlGaN by metalorganic-hydride vapor phase epitaxy 査読有り

    K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. W. Kim, S. C. Lee, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   1 巻 ( 10 ) 頁: 2474?2477   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  301. Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7[degree] off-axis (001)Si substrate 査読有り

    T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Appl. Phys. Lett.   84 巻 ( 23 ) 頁: 4717-4719   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  302. HVPE growth of a thick GaN layer on a GaN templated (111) Si substrate 査読有り

    Y. Nishimura, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁: 2506-2510   2003年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  303. The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    Y. Honda, M. Torikai, T. Nakamura, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁: 2043-2046   2003年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  304. Infrared Reflectance in GaN/AlGaN Triangular Stripes Grown on Si(111) Substrates by MOVPE 査読有り

    M. Mizushima, T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Kor. Phys. Soc.   42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁: S750-S752   2003年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  305. Photoluminescence Properties of a Self-Doped GaN Layer Grown on Si Substrate 査読有り

    K. H. Kim, H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, N. Kameshiro, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Kor. Phys. Soc.   42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁: S219-S221   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  306. Optical Characteristics of the AlGaN/GaN/AlGaN Waveguide Grown on (111) Si Substrate 査読有り

    H. Kim, K. H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Kor. Phys. Soc.   42 巻   頁: S622-S624   2003年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  307. The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN facet structure in the MOVPE growth 査読有り

    T. Narita, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁: 2154-2158   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  308. Transmission Electron Microscopy Study of the Microstructure in Selective-Area-Grown GaN and an AlGaN/GaN Heterostructure on a 7-Degree Off-Oriented (001) Si Substrate

    Tanaka Shigeyasu, Honda Yoshio, Kameshiro Norifumi, IWASAKI Ryuta, SAWAKI Nobuhiko, TANJI Takayoshi

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters   41 巻 ( 7 ) 頁: L846 - L848   2002年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:社団法人応用物理学会  

    CiNii Article

  309. Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性

    成田 哲生, 加藤 友将, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   102 巻 ( 114 ) 頁: 25 - 28   2002年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    選択有機金属気層エピタキシャル成長(MOVPE)法によりSi(111)基板上GaN台形ストライプ構造上とGaN/AlGaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。ストライプ構造は(11^^-01)ファセットと(0001)面からなる。AlGaN混晶層の4.0KにおけるCLスペクトルには複数のDAP発光が観測された。その特性は混晶層の厚みによって変化し、ヘテロ界面の歪みが成長モードあるいは不純物の取り込みを変えていることを示唆した。

    CiNii Article

  310. Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性

    成田 哲生, 加藤 友将, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   102 巻 ( 117 ) 頁: 25 - 28   2002年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    選択有機金属気層エピタキシャル成長(MOVPE)法によりSi(111)基板上GaN台形ストライプ構造上とGaN/AlGaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。ストライプ構造は(1101)ファセットと(0001)面からなる。AlGaN混晶層の4.0KにおけるCLスペクトルには複数のDAP発光が観測された。その特性は混晶層の厚みによって変化し、ヘテロ界面の歪みが成長モードあるいは不純物の取り込みを変えていることを示唆した。

    CiNii Article

  311. Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長

    鳥飼 正幸, 加藤 友将, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   102 巻 ( 117 ) 頁: 21 - 24   2002年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    (111)Si基板上へのGaN/Al_xGa_1-xN六角錐ピラミッド列の選択MOVPE成長を行った。GaNピラミッド構造に混晶薄膜を堆積させたところ、Al_xGa_1-xNの組成はファセット上で異なり、ピラミッド構造の先端部分ではAl組成が高い傾向にあった。これは、ファセット上でのGaとAlの関する化学種の拡散長の差異によるものと解釈される。また堆積させる薄膜をAlNとした試料のC面における4.2KのCLスペクトルでは、波長218nmにAlNに起因すると考えられるピークが観測されたが、C面上には六角錐構造の幾何学的形状を反映するピット列が観測された。

    CiNii Article

  312. Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長

    鳥飼 正幸, 加藤 友将, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   102 巻 ( 114 ) 頁: 21 - 24   2002年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    (111)Si基板上へのGaN/Al_xGa_<1-x>N六角錐ピラミッド列の選択MOVPE成長を行った。GaNピラミッド構造に混晶薄膜を堆積させたところ、Al_xGa_<1-x>Nの組成はファセット上で異なり、ピラミッド構造の先端部分ではAl組成が高い傾向にあった。これは、ファセット上でのGaとAlの関する化学種の拡散長の差異によるものと解釈される。また堆積させる薄膜をAlNとした試料のC面における4.2KのCLスペクトルでは、波長218nmにAlNに起因すると考えられるピークが観測されたが、C面上には六角錐構造の幾何学的形状を反映するピット列が観測された。

    CiNii Article

  313. (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長

    亀代 典史, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   102 巻 ( 78 ) 頁: 27 - 31   2002年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    GaNはSi(111)面上への結晶成長が可能であるが、熱膨張係数差によるクラック等の問題がある。この熱膨張係数差の問題は結晶軸を傾けることによって軽減することが可能である。本研究では、(001)Si 7°off基板上にストライプ窓を設け、異方性エッチングにより(111)ファセットを作製した後、MOVPE法により GaN選択成長を行った。その結果、平坦な(1-101)面が基板表面と平行となる六方晶GaNが得られた。また、界面の平担性がヘテロ構造の特性に大きな影響を及ぼす為、平坦なGaN(1-101)面上にヘテロ構造を作製することによって特性の向上が期待される。そこでGaN(1-101)面上にAlGaN/GaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。

    CiNii Article

  314. (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長

    亀代 典史, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   102 巻 ( 76 ) 頁: 27 - 31   2002年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    GaNはSi(111)面上への結晶成長が可能であるが、熱膨張係数差によるクラック等の問題がある。この熱膨張係数差の問題は結晶軸を傾けることによって軽減することが可能である。本研究では、(001)Si 7°off基板上にストライプ窓を設け、異方性エッチングにより(111)ファセットを作製した後、MOVPE法により GaN選択成長を行った。その結果、平坦な(1-101)面が基板表面と平行となる六方晶GaNが得られた。また、界面の平担性がヘテロ構造の特性に大きな影響を及ぼす為、平坦なGaN(1-101)面上にヘテロ構造を作製することによって特性の向上が期待される。そこでGaN(1-101)面上にAlGaN/GaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。

    CiNii Article

  315. (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長

    亀代 典史, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   102 巻 ( 80 ) 頁: 27 - 31   2002年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    GaNはSi(111)面上への結晶成長が可能であるが、熱膨張係数差によるクラック等の問題がある。この熱膨張係数差の問題は結晶軸を傾けることによって軽減することが可能である。本研究では、(001)Si7° off基板上にストライプ窓を設け、異方性エッチングにより(111)ファセットを作製した後、MOVPE法によりGaN選択成長を行った。その結果、平坦な(1-101)面が基板表面と平行となる六方晶GaNが得られた。また、界面の平坦性がヘテロ構造の特性に大きな影響を及ぼす為、平坦なGaN(1-101)面上にヘテロ構造を作製することによって特性の向上が期待される。そこでGaN(1-101)面上にAlGaN/GaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。

    CiNii Article

  316. 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製

    黒岩 洋佑, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   102 巻 ( 78 ) 頁: 15 - 19   2002年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    格子型マスクパターンを用いた選択MOVPEにより(111)Si基板上へGaN単結晶の成長を行った。その結果、格子の端部ではリッジ成長が認められたが窓部にクラックフリーのGaNが作製可能であった。(0004)X線回折曲線の半値幅は388sec、77KにおけるPLのバンド端発光の半値幅は18.6meVと狭く、選択成長によりGaNの結晶性は大きく改善された。一方、GaN/A1GaN/Si界面のI-V特性は低抵抗のオーミック特性を示し、光電流スペクトルはA1GaN/Si界面付近にアモルファスSi層と思われる変成層が存在することを示唆していた。

    CiNii Article

  317. 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製

    黒岩 洋佑, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   102 巻 ( 76 ) 頁: 15 - 19   2002年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    格子型マスクパターンを用いた選択MOVPEにより(111)Si基板上へGaN単結晶の成長を行った。その結果、格子の端部ではリッジ成長が認められたが窓部にクラックフリーのGaNが作製可能であった。(0004)X線回折曲線の半値幅は388sec、77KにおけるPLのバンド端発光の半値幅は18.6meVと狭く、選択成長によりGaNの結晶性は大きく改善された。一方、GaN/A1GaN/Si界面のI-V特性は低抵抗のオーミック特性を示し、光電流スペクトルはA1GaN/Si界面付近にアモルファスSi層と思われる変成層が存在することを示唆していた。

    CiNii Article

  318. 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製

    黒岩 洋佑, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   102 巻 ( 80 ) 頁: 15 - 19   2002年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    格子型マスクパターンを用いた選択MOVPEにより(111)Si基板上へGaN単結晶の成長を行った。その結果、格子の端部ではリッジ成長が認められたが窓部にクラックフリーのGaNが作製可能であった。(0004)X線回折曲線の半値幅は388sec、77KにおけるPLのバンド端発光の半値幅は18.6meVと狭く、選択成長によりGaNの結晶性は大きく改善された。一方、GaN/AlGaN/Si界面のI-V特性は低抵抗のオーミック特性を示し、光電流スペクトルはAlGaN/Si界面付近にアモルファスSi層と思われる変成層が存在することを示唆していた。

    CiNii Article

  319. Growth of GaN free from cracks on a (111) Si substrate by selective metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り

    Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Appl. Phys. Lett   80 巻 ( 2 ) 頁: 222-224   2002年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  320. Transmission electron microscopy study of the microstructure in selective-area-grown GaN and an AlGaN/GaN heterostructure on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate 査読有り

    S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, and T. Tanji

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 巻 ( 7B ) 頁: L846-L848   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  321. HVPE Growth of GaN on a GaN Templated (111) Si Substrate 査読有り

    Y. Honda, T. Ishikawa, Y. Nishimura, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 1 ) 頁: 107-111   2002年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  322. Fabrication of GaN/AlGaN MQW on (1-101) facet of wurtzite GaN grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   170 巻   頁: 789-794   2002年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  323. Growth of (1-101) GaN on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    Y. Honda, N. Kameshiro, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   242 巻 ( 1-2 ) 頁: 82-86   2002年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  324. Growth of GaN crystal free from cracks on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   242 巻 ( 1-2 ) 頁: 77-81   2002年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  325. Fabrication of GaN/AlGaN heterostructures on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   237-239 巻 ( 2 ) 頁: 1099-1103   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  326. Transmission Electron Microscopy Study of the Microstructure in Selective-Area-Grown GaN and an AlGaN/GaN Heterostructure on a 7-Degree Off-Oriented (001) Si Substrate.

    Tanaka Shigeyasu, Honda Yoshio, Kameshiro Norifumi, Iwasaki Ryuta, Sawaki Nobuhiko, Tanji Takayoshi

    Japanese Journal of Applied Physics   41 巻 ( 7 ) 頁: L846 - L848   2002年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    We have studied the microstructure in a (1&macr;101) GaN triangular bar and an AlGaN/GaN heterostructure formed on top of it by means of transmission electron microscopy. The nitride triangular bar was selectively grown on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy. Convergent beam electron diffraction was used to determine the lattice polarity. Threading dislocations were generated near the interface between the unmasked (111) facet of the Si and the nitride. These dislocations bend towards either the (1&macr;101) facet or the interface between the GaN and masked (&macr;1&macr;11) Si, and thread through to the facet or the interface. Dislocations were observed at the AlGaN/GaN interface. It is shown that the growth proceeded predominantly in the [0001] direction of the nitride with Ga-terminated polarity.

    DOI: 10.1143/JJAP.41.L846

    CiNii Article

  327. Selective Growth of GaN/AlGaN Microstructures by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Kato Tomonobu, Honda Yoshio, Kawaguchi Yasutoshi, YAMAGUCHI Masahito, SAWAKI Nobuhiko

    Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes   40 巻 ( 3 ) 頁: 1896 - 1898   2001年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Publication Office, Japanese Journal of Applied Physics, Faculty of Science, University of Tokyo  

    A GaN/AlGaN double heterostructure was fabricated on the (1101) facets of a GaN triangular structure prepared by selective area growth by metalorganic vapor phase epitaxy. The photoluminescence (PL) and cathode luminescence (CL) spectra were investigated to characterize the structure. It was found that the PL peak wavelength due to the GaN quantum well is dependent on the well thickness. However, the Al composition of the AlGaN layer is dependent on the position on the (1101) facet. The anomalous gradient of the composition is attributed to the difference in the diffusion coefficients of Al and Ga on the surface.

    DOI: 10.1143/JJAP.40.1896

    CiNii Article

  328. 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製

    山口 雅史, 本田 善央, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   100 巻 ( 643 ) 頁: 25 - 30   2001年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    (111)Si基板上に電子線露光法によって直径250nm以下の大きさの円形窓列(周期350nm)を有するシリコン酸化膜を作製し, これをマスクとして, 有機金属気相成長(MOVPE)法によってGaNの選択成長を行った.窓部には, 底面の差し渡しが250nm程度の六角錐GaNドット列が得られた.六角錘GaNドットの頂上には極めて平坦なc面が得られ, その大きさは50nmとなった.サファイア基板上への成長した六角錐GaNドットに比べて, ファセットの形状が鮮明で, 光学的性質にも比較的優れ, GaN量子ドット列を得るのにSi基板上に作製した方がより都合がいいことが分かった.

    CiNii Article

  329. 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製

    山口 雅史, 本田 善央, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   100 巻 ( 641 ) 頁: 25 - 30   2001年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    (111)Si基板上に電子線露光法によって直径250nm以下の大きさの円形窓列(周期350nm)を有するシリコン酸化膜を作製し, これをマスクとして, 有機金属気相成長(MOVPE)法によってGaNの選択成長を行った.窓部には, 底面の差し渡しが250nm程度の六角錐GaNドット列が得られた.六角錐GaNドットの頂上には極めて平坦なc面が得られ, その大きさは50nmとなった.サファイア基板上への成長した六角錐GaNドットに比べて, ファセットの形状が鮮明で, 光学的性質にも比較的優れ, GaN量子ドット列を得るのにSi基板上に作製した方がより都合がいいことが分かった.

    CiNii Article

  330. Selective growth of GaN/AlGaN microstructures by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    T. Kato, Y. Honda, Y. Kawaguchi, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   40 巻 ( 3B ) 頁: 1896-1898   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  331. Structural characterization of GaN laterally overgrown on a (111)Si substrate 査読有り

    S. Tanaka, Y. Honda, N. Sawaki, and M. Hibino

    Appl. Phys. Lett   79 巻 ( 7 ) 頁: 955-957   2001年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  332. Selective area growth of GaN microstructures on petterned (111) and (001) Si substrate 査読有り

    Y. Honda, Y. Kawaguchi, Y. Ohtake, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   230 巻 ( 3-4 ) 頁: 346-350   2001年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  333. MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御

    本田 善央, 大竹 洋一, 川口 靖利, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   99 巻 ( 616 ) 頁: 21 - 28   2000年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    MOVPE選択成長法(SAG)によるシリコン基板上への六方晶GaNのストライプ構造、埋め込み構造、並びに六角錐ピラミッドの作製について述べた。(1-101)ファセットとC面で囲まれたこれらの結晶の品質は一面成長によるものより良質であること、GaN量子細線や量子ドットをSi基板上に形成することができることを明らかにした。高品質の結晶を得るためには成長初期の成長核の形成過程、すなわち、異種材料上へのヘテロエピタキシにおける緩衝層の形成条件を整えることが重要であることを示した。

    CiNii Article

  334. Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 査読有り

    Y. Honda, Y. Kawaguchi, T. Kato, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    IPAP Conf. Series   1 巻   頁: 304-307   2000年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  335. Selective Area Growth of GaN on Stripe-Patterned (111)Si Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Y. Kawaguchi, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, and K. Hiramatsu

    Phys. Stat. Sol. (a)   176 巻   頁: 553-556   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  336. Selective area growth (SAG) and epitaxial lateral overgrowth (ELO) of wurtzite GaN on (111) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Y. Kawaguchi, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, and N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   162 巻   頁: 687-692   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  337. Selective Area Growth of GaN on Si Substrate Using SiO_2 Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Kawaguchi Yasutoshi, Honda Yoshio, Matsushima Hidetaka, YAMAGUCHI Masahito, HIRAMATSU Kazumasa, SAWAKI Nobuhiko

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters   37 巻 ( 8 ) 頁: L966 - L969   1998年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:社団法人応用物理学会  

    Selective area growth (SAG) of GaN on (111) Si substrate was studied using AlGaN as an intermediate layer. A hexagonal dot with a (0001) plane on the top and of a 5 µm or a submicron size was obtained using a patterned dot structure of silicon dioxide (SiO<SUB>2</SUB>) mask. The facet structure revealed that the <11\=20> axis of hexagonal GaN is parallel to the <110> axis of the Si substrate. The cathodoluminescence (CL) spectrum at 133 K exhibited a strong near-band-edge emission band for the submicron dots, which suggests excellent crystallinity. Epitaxial lateral overgrowth (ELO) of GaN on the Si substrate is demonstrated.

    DOI: 10.1143/jjap.37.L966

    CiNii Article

  338. Selective area growth of GaN on Si substrate using SiO_2 mask by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Y. Kawaguchi, Y. Honda, H. Matsushima, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, and N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   37 巻 ( 8B ) 頁: L966-L969   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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書籍等出版物 1

  1. Si基板上への気相エピタキシャル成長法による窒化物半導体の結晶成長に関する研究

    本田 善央( 担当: 単著)

    [出版者不明]  2002年 

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講演・口頭発表等 47

  1. Photocurrent and Photoluminescence measurements for InGaN Based LED 招待有り 国際会議

    Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    LEDIA'17 

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    開催年月日: 2017年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Pacifico Yokohama   国名:日本国  

  2. In-situ monitoring of Laser absorption and scattering method during InGaN growth by MOVPE 招待有り 国際会議

    Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

    The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silocon Material 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  3. In-situ monitoring of InGaN growth by Laser absorption and scattering method 招待有り 国際会議

    Yoshio Honda , Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

    SPIE 

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    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  4. 世界を照らす青色LED

    本田善央

    第20回東海地区分析研究会講演会 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  5. 発光ダイオード

    本田善央

    応用物理学会 赤﨑・天野記念LEDスクール 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  6. InGaN growth mechanism evaluation by In-situ monitoring based on LAS 国際会議

    Yoshio Honda,Akira Tamura,Tetsuya Yamamoto, Maki Kushimoto,Hiroshi Amano

    2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  7. InGaN 系光デバイスの成長と特性評価

    本田善央,田村彰,山本哲也, 李 昇我, 久志本真希,天野浩

    STR 結晶成長 結晶成長 とデバイス 解析 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  8. 世界を照らす青色発光ダイオード

    本田善央

    第58回名大カフェ 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  9. InGaN成長中の光散乱を用いたin situ観察と成長機構

    本田善央,田村彰,山本哲也, 久志本真希,天野浩

    第23回シンポジウム「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  10. MOVPE法によるInGaN加圧成長とLAS法によるその場観察

    本田善央,田村彰,山本哲也, 久志本真希,天野浩

    日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2015年春季講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  11. Semi-polar GaN growth on patterned (001)Si substrate by MOVPE 国際会議

    Y. Honda, M. Kushimoto, and H. Amano

    2015 MRS Spring Meeting & Exhibit 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  12. Si基板上半極性面GaN上光デバイスとInGaN結晶成長のその場観察 国際会議

    本田善央,田村彰,宇佐美茂佳, 久志本真希,光成正,山口雅史,天野浩

    第5回フォトニックデバイス・応用技術研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  13. In-situ monitoring of InGaN MOVPE-growth by Laser Absorption and Scattering method 国際会議

    Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, AkiraTamura, Tadashi Mitsunari and Hiroshi Amano

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  14. GaN基板上GaN系パワーデバイス開発

    ○本田 善央,出来 真斗,天野浩

    JST懇話会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  15. Ⅲ族窒化物半導体の結晶成長技術とデバイス応用

    本田善央,久志本真希,光成正, 山下康平,山口雅史,天野浩

    第18回VBLシンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  16. Pressurized MOVPE of high-In-content InGaN 国際会議

    A.Tamura, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda and H. Amano

    ICMOVPE-17(Tue-Oral-1-1 ) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:スイス連邦  

  17. High pressure InGaN growth on Sapphire substrate by MOVPE 国際会議

    Yoshio Honda, Tomohiro Doi, Masahito Yamaguchi and Hiroshi Amano

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium J(18p-M6-1) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  18. 加圧MOVPEによるInGaN結晶成長

    坂倉誠也、土井友博、谷川智之、本田善央、山口雅史、天野浩

    第59回 応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  19. 加工Si基板上への非極性GaN選択成長

    本田善央,谷川智之,村瀬輔,光成正,山下康平,山口雅史

    第2回窒化物半導体結晶成長講演会 

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    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  20. 半極性,非極性GaN/Si基板の開発

    本田善央,澤木宣彦

    第6回窒化物半導体研究会 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  21. Si基板上半極性面GaNへのInGaNヘテロ成長

    本田善央

    第1回窒化物半導体結晶成長講演会 

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    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  22. (110)Si 基板を用いた無極性(11-20)GaN の結晶成長

    本田善央

    特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア -材料潜在能力の極限発現-」公開シンポジウム 

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  23. 加工Si 基板上(1-101)及び(11-22)GaN へのInGaN ヘテロ成長

    本田善央

    特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア -材料潜在能力の極限発現-」公開シンポジウム 

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  24. Series Resistance of s-Si/AlGaN/GaN Structure Grown by MOVPE 国際会議

    Series Resistance of s-Si/AlGaN/GaN Structure Grown by MOVPE 

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    開催年月日: 2006年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  25. MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GaN microcrystal co-doped with Zn and Si 国際会議

    MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GaN microcrystal co-doped with Zn and Si 

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    開催年月日: 2006年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  26. GaN micro-structure on Si substrate 国際会議

    GaN micro-structure on Si substrate 

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    開催年月日: 2005年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  27. Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 国際会議

    Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 

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    開催年月日: 2005年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  28. MOVPE選択成長法によるGaN微細構造の作製と評価

    本田善央,山口雅史,澤木宣彦

    第 9 回VBLシンポジウム 

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    開催年月日: 2005年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  29. Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si 国際会議

    Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si 

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    開催年月日: 2005年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  30. Surface morphology of (1-101) GaN/AlGaN/GaN heterostructure grown on (001)Si substrate by MOVPE

    Y. Honda, T. Hikosaka, E. H.Kim, M. Yamaguchi and N. Sawaki

    第24 回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS-24) 

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    開催年月日: 2005年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  31. MOVPE成長したGaN/AlN/Siの電流電圧特性(Ⅱ)

    近藤広幸,加藤智志,本田善央,山口雅史,澤木宣彦

    第52回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  32. Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 国際会議

    Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 

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    開催年月日: 2004年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  33. MOVPE 法による Si 基板上への GaN/AlN ピラミッド構造の作製

    本田善央,中村剛,山口雅史,澤木宣彦

    信学会電子デバイス(ED)研究会 

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    開催年月日: 2004年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  34. Defects in III-nitrides grown on patterned Si substrate 国際会議

    Defects in III-nitrides grown on patterned Si substrate 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  35. The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 国際会議

    The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 

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    開催年月日: 2003年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  36. 選択MOVPE法による(111)Si基板上へのAlN/GaNピラミッド構造の作製

    本田善央,鳥飼正幸,山口雅史,澤木宣彦

    第50回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  37. HVPE growth of GaN on a GaN templated (111) Si substrate 国際会議

    HVPE growth of GaN on a GaN templated (111) Si substrate 

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    開催年月日: 2002年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  38. Growth of a GaN crystal free from cracks on a (111)Si substrate by selective MOVPE 国際会議

    Growth of a GaN crystal free from cracks on a (111)Si substrate by selective MOVPE 

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    開催年月日: 2001年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  39. Growth of (1-101)GaN on a 7 degree off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 国際会議

    Growth of (1-101)GaN on a 7 degree off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 

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    開催年月日: 2001年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  40. MOVPE選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaNの作製

    本田善央,黒岩洋佑,山口雅史,澤木宣彦

    第48回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2001年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  41. MOVPE選択成長法によるSi(001)7度オフ基板上への(1-101)面GaNの成長

    本田善央,亀代典史,山口雅史,澤木宣彦

    第48回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2001年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  42. Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 国際会議

    Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 

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    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  43. Selective area growth and epitaxial lateral over growth of GaN on (111)Si by MOVPE 国際会議

    The 10th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 

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    開催年月日: 2000年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  44. MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御

    本田善央,大竹洋一,川口靖利,山口雅史,澤木宣彦

    信学会電子デバイス(ED)研究会 

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    開催年月日: 2000年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  45. MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長(2)

    本田善央,川口靖利,平松和政,澤木宣彦

    第46回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 1999年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  46. MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長

    本田善央,川口靖利,平松和政,澤木宣彦

    第59回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 1998年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  47. Photocurrent and Photoluminescence measurements for InGaN Based LED 招待有り

    Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    LEDIA'17  2017年4月19日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Pacifico Yokohama  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 7

  1. 戦略的国際共同研究プログラム V4プロジェクト

    2015年11月 - 2019年3月

    JST 

    天野浩

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    資金種別:競争的資金

    高In組成InGaNの高品質エピタキシャル成長と次世代ディスプレイ・照明及び通信用光源と高効率太陽電池

  2. 高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発

    2015年4月 - 2018年3月

    NEDO 

    天野浩

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    資金種別:競争的資金

    窒化物半導体を用いた、超高効率・低コストⅢ-Ⅴ化合物太陽電池モジュールの研究開発を行う。

  3. GaNに関する拠点型共通基盤技術開発/GaN縦型パワーデバイスの基盤技術開発

    2014年4月 - 2019年2月

    戦略的イノベーション創造プログラム 

    須田淳

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    資金種別:競争的資金

    GaNのm面上において不純物濃度の低減を行う。高温インプラによりMg注入P型伝導を実現する。

  4. Si基板上半極性GaN上InGaNの偏光制御によるLDの作製

    2011年12月 - 2012年3月

  5. Si基板上高品質GaNの開発

    2011年1月 - 現在

    国内共同研究 

  6. Si基板上半極性GaN基板を用いた高輝度LEDの開発

    2009年4月 - 2010年3月

    企業からの受託研究 

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    Si基板上に作製した半極性GaN上へLED構造を作製することで、ピエゾ電界の影響の少ない高輝度発光デバイ椅子の作製を行う。

  7. 高品質半極性・無極性GaN基板の作製

    2008年10月 - 2012年3月

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    資金種別:競争的資金

    GaN系発光デバイスの更なる高輝度化に向けて半極性・無極性基板の作製法の確立が望まれている。本研究では、Siを基材として用いGaNヘテロ成長を行うことで高品質GaNバルク作製を目指す。

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科研費 22

  1. 分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開

    2013年4月 - 2016年3月

    科学研究費補助金  特別推進研究

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    担当区分:研究分担者 

  2. 半極性GaN/Si上へのInGaN高圧成長及び歪制御によるLDの作製

    2012年4月 - 2015年3月

    科学研究費補助金  若手研究(A)

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    担当区分:研究代表者 

  3. Si基板上半極性GaNの積層欠陥、点欠陥抑制による光学的特性の改善

    2008年4月 - 2011年3月

    科学研究費補助金  若手研究(B)

    本田善央

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    担当区分:研究代表者 

  4. 加工Si基板上(1-101)及び(11-22)GaNへのInGaNヘテロ成長

    2007年4月 - 2009年3月

    科学研究費補助金  特定領域研究(公募,A01),課題番号:19032005

    本田 善央

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    担当区分:研究代表者 

  5. Si基板上A1Nテンプレートを用いたHVPE法による厚膜GaNバルク結晶の作製

    2004年4月 - 2007年3月

    科学研究費補助金  若手研究(B)

    本田 善央

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    担当区分:研究代表者 

  6. BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発

    研究課題/研究課題番号:19H04394  2019年4月 - 2022年3月

    中野 貴之

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    中性子イメージング技術は、新しい非破壊内部イメージング技術として期待されている。高解像度イメージングに期待される中性子半導体検出器は中性子捕獲元素を含む必要があるため、半導体材料の合成が困難であり実用化に至っていない。我々は、大きな中性子捕獲断面積を持つB原子に着目し、B原子を含んだIII族窒化物半導体であるBGaNを中性子検出半導体として提案している。本研究では、BGaN中性子イメージングセンサー実現に向けて、「BGaN結晶成長技術の開発」、「デバイスプロセス開発」、「信号処理技術の開発」を実施する。これらの要素技術開発により、中性子イメージングセンサーの実現を目指す。

  7. 実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源

    研究課題/研究課題番号:19H00666  2019年4月 - 2022年3月

    西谷 智博

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    次世代の電子顕微鏡技術には、電子線損傷に敏感な試料だけでなく、液中など実環境下でその動態や反応へ観測機能を拡張させることが求められている。このような要求に応えるには、従来を遥かに超える電流密度と単色性だけでなく、既存技術にはない高密度電子パルス特性が電子源に必要不可欠である。本課題では、既存とは異なる電子放出原理の光電効果を利用し半導体から電子ビームを取り出す半導体フォトカソードに着目し、半導体の材料・構造・表面の追求と半導体フォトカソードに適した電子銃装置の研究開発により、電子顕微鏡の観測機能の拡張に適した低単色・高密度のパルス電子ビーム生成の実現を目指す。
    本研究では、電子線による損傷が制御され、ドリフトやブラウン運動が原因の像ブレを解消するだけでなく、ナノ秒領域までの試料の動態や反応の時間分解能までの観測を実現するため、2019年度の実施研究は設定した目標に対して、半導体材料とその表面処理方法の追究、および電子銃・電子顕微鏡の整備と共に液中試料セルの開発と試料・溶液の条件追究を次の通り行った。
    半導体材料の追及:InGaN半導体では、量子効率の電子を生成する半導体層の膜厚との相関から最適化を行い、これまでの開発で最高となる量子効率20%を達成した。AlGaAs半導体では、量子効率を損なわず小さな電子エネルギー分散の実現が可能な超格子構造をエネルギーバンド計算から見積もり、超格子半導体を作成し、量子効率の励起エネルギー依存性の結果から量子閉じ込め効果を確認し、尚且つ生成した電子ビームをソレノイドスキャン法によるエミッタンス測定から最小で電子のエネルギー分散50meVの達成を確認した。表面処理方法の追究:あいちSR、理科大での表面観測を通して得た表面アニール・NEA処理過程に対する量子効率・仕事関数の相関の結果から表面機能がより長時間維持する高耐久化手法を見出した。電子銃・電子顕微鏡整備・液中試料ホルダー:要件を満たすために電子銃と電子顕微鏡との間に縮小ビームオプティクス・ビームシフト・真空作動排気を兼ねた取り合いを設計・作成を行った。かつ独自に考案した液中試料セルを用い、溶液条件最適化により水溶液中の金コロイドの観測に成功した。
    本年度は、半導体、表面、電子銃・電子顕微鏡の何も設計や整備、条件だし・最適化を計画し、次に詳細を示す通り“最終目標に対する達成度“が70%と概ね予定をクリアした。
    半導体材料(達成度70%):(1) AlGaAs系、GaN系半導体の結晶成長作成条件である成長層の膜厚、組成およびp型濃度をパラメータとした半導体構造の結晶成長した-達成度100%-。(2) 作成した半導体の表面にセシウムを蒸着することで負電子親和力表面処理を施し、量子効率とその寿命測定を評価した-達成度100%-。(3) (2)で得られた実験結果を半導体構造設計へフィードバックし、①②を行程として、高い量子効率と速い応答性、高耐久を兼ねる半導体フォトカソードを実現する-達成度50%-。(4) (3)までの行程で有望と判定した半導体フォトカソード素子を名古屋大学所有の半導体フォトカソード電子銃を搭載した透過型電子顕微鏡による像観測により、可干渉性を評価する-達成度50%-。(5) (4)で得られた評価結果を、更に各半導体構造の設計へとフィードバックし、より可干渉性の良い電子ビーム発生に優れた半導体を作成する-達成度50%-。
    表面処理方法(達成度70%): (1) NEA表面処理過程、表面劣化状態について表面観測を行い-達成度100%-、(2) 高量子効率かつ高耐久な表面処理方法を見出し-達成度60%-、また(3) 第一原理計算を用いた表面構造・ポテンシャルモデル追求を開始-達成度60%-した。
    電子銃・電子顕微鏡整備・液中試料セル(達成度70%):電子銃は電子ビームの縮小・シフトを行うビームオプティクスを設計・製作を行い-達成度80%-、名古屋大学および大阪大学所有の電子顕微鏡の設置およびカメラの整備-達成度80%-、独自考案した液中試料セルを製作し水溶液中の金ナノコロイドの観測まで至った-達成度50%-。
    本研究の最終目的である“電子線による損傷が制御され、ドリフトやブラウン運動が原因の像ブレを解消し、ナノ秒領域までの試料の動態や反応の時間分解能までの観測の実現“に向けた効率的推進策として、2019年度に得られた研究成果と進捗を利用して、従前のマイルストーン目標から次の通り焦点を更に絞り実施する。
    A)電界放出型電子源と同等の単色性と1000倍以上の高い電流引出し(>1mA)。
    B)凍結試料のドリフト(~10nm/s)に対しては1ミリ秒、液中試料のブラウン運動(~10μm/s)に対しては100ナノ秒以下の速い撮像が必要のため、パルス幅は100ナノ~1ミリ秒の範囲で調整可能であること。
    C)パルス繰返し周波数は最小1パルス生成から100マイクロ秒以下の間隔で生成し、かつ検出器やカメラと同期が可能であること。
    今後の実施研究は、A)~C)を満たす半導体とその表面処理の追究、A)~C)に対応した実験が可能な電子銃と電子顕微鏡の開発・整備を進め、最終目的に不可欠な試料セルと試料溶媒条件の追究を遂行していく。

  8. 多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明

    研究課題/研究課題番号:16H06416  2016年6月 - 2021年3月

    新学術領域研究(研究領域提案型)

    上山 智

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    本研究課題では,本研究グループがこれまで開拓を行ってきた窒化物半導体によるマルチスケール特異構造の作製機構を理解し学問的に発展させ、さらには新機能デ バイスの創出を目指す。現在、窒化物系量子殻・ナノワイヤ結晶の作製と成長機構の理解、サブナノスケールのポーラスSiC結晶の作製と不純物レベル間の光物性評価、X線その場観 察を利用したヘテロ接合形成時の界面特異構造の形成機構解明、GaN基板内のグロースピット等、多次元かつマルチスケールの特異構造の作製と その形成メカニズ ムの解明、また光物性制御に関する研究を推進中である。現在までに、2019年度には、ナノワイヤ上に成長したGaInN系量子殻にAlGaN下地殻を挿入することによる、点欠陥のトラップと量子殻の発光効率の明確な向上の実現、p-GaN殻の形状制御、さらに量子殻への均一な電流注入を可能とするトンネル接合、n-GaN電流拡散層による埋め込み成長が可能となった。以上の結晶成長技術の進展によって、量子殻LEDにおいて電流リークのない電流―電圧特性が初めて実現できたことが大きな成果である。他方、未だp-GaN殻中のアクセプタの再不活性化により、低電圧動作が実現していないという課題が残されており、2020年度にこれを解決しなければならない。ポーラスSiCにおいては、高濃度のNおよびBをドープした蛍光SiCの陽極酸化条件を見直し、ポーラス層からの短波長発光が確認できるところまで進展が見られた。X線その場観察とGaN基板については、現在中断中で、2020年度の再開を目指している。
    GaN系ナノワイヤ・量子殻の結晶成長に関する研究において、多くの結晶メカニズムへの理解、デバイス応用による性能確認が進み、高性能デバイスへの応用の可能性が見えてきた。また、ナノワイヤに関する10編の論文掲載等、多くの研究成果を挙げることができた。
    ナノワイヤ・量子殻に関しては、p-GaN殻中のアクセプタの再不活性化を抑制できる手法を見出し、低抵抗で均一な電流注入を実現する。トンネル接合・n-GaN埋め込み成長初期の最適な結晶条件(例えば極低温成長など)を再検討して、この目標を達成する予定である。ポーラスSiCに関しては、高濃度不純物を持つ蛍光SiCを用いて高効率、高演色の白色光生成を実現する。陽極酸化プロセスとパッシベーション技術の検討を行いたい。X線その晩観察は、高品質AlGaNテンプレート上低転位AlGaN層成長機構解明に応用し、初期三次元成長プロセスの理解を進める。

  9. 中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発

    研究課題/研究課題番号:16H03899  2016年4月 - 2019年3月

    中野 貴之

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    近年、中性子の利用用途が拡大しており、中性子イメージング技術が多くの分野で期待されている。本研究では、III族窒化物半導体材料であるBGaNを中性子半導体検出器として利用することを提案し、開発を行った。結晶成長技術では、従来B有機金属原料として用いられていたトリエチルボロン(TEB)が気相中でアンモニアと気相反応を起こしアダクトを形成することで結晶品質の劣化が起こることを明らかにし、新規有機金属原料としてトリメチルボロン(TMB)を利用することで気相反応を抑制した厚膜結晶成長技術を確立した。作製した厚膜BGaN結晶を用いて、放射線検出器の作製を実現し、中性子捕獲による信号検出を得るに至った。
    本研究で提案しているBGaN中性子半導体検出器は、中性子を半導体有感層中で捕獲し、更に検出まで行う機構であり、これまでのコンバーターなどを用いた検出器とは検出原理が異なっており、全α壊変エネルギーを検出可能なシステムである。従って、中性子検出信号のエネルギー弁別が可能であり高いn/γ比の中性子検出が可能である。本研究成果により、新しい中性子検出器の可能性を示唆しており、今後の開発により中性子イメージングなどにおける新技術として利用可能な基礎技術の構築を実現しており、中性子検出技術の新しい展開が期待される結果を得た。

  10. 戦略的国際共同研究プログラム V4プロジェクト

    2015年11月 - 2019年3月

    JST  JST 

    天野浩

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    資金種別:競争的資金

    高In組成InGaNの高品質エピタキシャル成長と次世代ディスプレイ・照明及び通信用光源と高効率太陽電池

  11. 分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開

    研究課題/研究課題番号:25000011  2013年 - 2015年

    天野 浩

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    AlGaNを用いた深紫外LEDの内部量子効率改善のため、昇華法による基板用AlN結晶の作製において二段階成長による高再現性成長技術を構築した。また熱処理によるサファイア上のAlN薄膜の高品質化に成功、さらに光取出効率改善のため、超薄膜グラフェン電極の直接成長、またカーボンナノチューブの仕事関数制御による動作電圧の大幅な低減に世界で初めて成功した。また分極ドーピング理論を構築し、その原理に基づき正孔注入効率の向上に成功した。以上の結果、ワットクラス深紫外LED実現のための要素技術は構築できた。

  12. 半極性GaN/Si上へのInGaN高圧成長及び歪制御によるLDの作製

    研究課題/研究課題番号:24686041  2012年4月 - 2015年3月

    本田 善央

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:27170000円 ( 直接経費:20900000円 、 間接経費:6270000円 )

    本研究では,窒化物半導体中で発光を抑制する内部電界(ピエゾ電界)を抑制可能な半極性面を成長面とし,InGaNを用いた青色~緑色領域のLD作製を目指した.Siの加工基板を用いることで半極性面を得る手法を用いた.GaN結晶はストライプ状に作製している.Si基板から熱膨張係数に起因する大きな引っ張り応力を受るが,ストライプに沿った引っ張り歪となり,一方でストライプに垂直方向に対しては,圧縮歪となる.この歪が原因となり,InGaN発光の偏光方向がc軸と水平になることが分かった.レーザ構造を作製し,強励起で発光測定を行った結果,c軸と水平方向で大きなゲインを得られ,レーザ発振を確認した.

  13. 電界効果形窒化物半導体太陽電池の高効率化

    研究課題/研究課題番号:24656019  2012年4月 - 2015年3月

    澤木 宣彦

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    担当区分:連携研究者  資金種別:競争的資金

    太陽電池の高効率化とプロセスコストの低減を両立させるため電界効果を取り入れた窒化物半導体単一pn接合セルを提案・検討した。p形トップ層の混晶組成を徐々に変化させることで光吸収の窓効果と内部電界の発生を促し、光励起キャリアにドリフト効果を付与することでセルの変換効率が60倍に増強できることが分かった。シミュレーションによりp形トップ層の最適厚さはキャリア拡散長の3分の1程度であった。(0001)面トップ層をp形とするためには、分極電界等による自己補償効果に対処するため、Ga空孔の低減が必須であることを明らかにした。

  14. シリコン基板上架橋窒化物半導体ナノワイヤLEDの開発

    研究課題/研究課題番号:23651146  2011年 - 2012年

    本田 善央

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:3640000円 ( 直接経費:2800000円 、 間接経費:840000円 )

    トレンチ構造を有する Si 基板のトレンチ側壁に垂直に,RF-MBE 法を用いることで,GaN ナノワイヤを成長することに成功した。また,デバイスに応用した際に分極電場やバッファー層等による悪影響を少なくするために,バッファー層を介さずに InGaN ナノワイヤを直接 Si 基板上に成長することに成功した。ただし,InGaN ナノワイヤの場合 GaN と比較すると光学特性に影響が出ると予測される双晶が発生することがわかり,双晶の発生と光学特性との関係を調べた。最後に,今後の応用デバイスのためにグラフェン上への GaN ナノワイヤ成長の検討を行い,高配向性グラフェン基板上にも GaN ナノワイヤの成長を確認した。

  15. パルス状窒素ラジカル供給による超高品質InGaN超格子PAMBE成長

    研究課題/研究課題番号:23656015  2011年

    天野 浩

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    担当区分:研究分担者 

    プラズマ援用分子線エピタキシー法を用いて、高発光効率高In組成InGaNの成長を試みた。その結果、超格子構造の形成により、結晶欠陥の少ない高In組成InGaN成長が可能であること、及びInGaNナノワイヤの発光効率は積層欠陥密度と強い依存性があり、より高温、高Inフラックス比での成長が高発光効率InGaNナノワイヤ実現に必要であることが明らかとなった。

  16. Si基板上半極性GaNの高品質化に関する研究

    研究課題/研究課題番号:22360009  2010年 - 2012年

    澤木 宣彦

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    担当区分:連携研究者 

    Si基板上へのGaNヘテロエピタキシにおける成長層の高品質化のためAlInN緩衝層とIn添加AlN成長核形成層の効果を検討した。断面TEM像の観察からGaN成長層の貫通転位密度の低減が図られることを明らかにした。さらに炭素ドープ半極性面AlGaNの遠赤外吸収スペクトルにAl-Cボンドによる局在振動モードを見いだし、p型伝導の起源が窒素サイトを置換した炭素によるものであることを明らかにした。

  17. 圧力印加MOVPEによる高品質InGaN厚膜成長

    研究課題/研究課題番号:22246004  2010年 - 2012年

    天野 浩

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    担当区分:研究分担者 

    10 気圧まで加圧可能な有機金属化合物気相成長(MOVPE)装置を設計、 外注し、その装置を用いて InGaN 成長を行った。炉内圧力増加と共にキャリアガスの熱伝導率が上昇し、原料が基板手前で分解してしまい輸送されない問題が実験開始当初生じた。そのためフローチャネル部材をグラファイトから熱伝導率の低い石英に変更するなどの改造を行った。結果、基板への原料供給問題は解決し、当初の目的である InGaN の MOVPE 成長における加圧効果を確かめることができた。圧力 6 気圧において高温で量子井戸を作製したところ 1 気圧と比べ 120 nm 長波長で発光することがわかった。

  18. Si基板上半極性GaNの積層欠陥、点欠陥抑制による光学的特性の改善

    研究課題/研究課題番号:20760012  2008年 - 2010年

    本田 善央

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:4290000円 ( 直接経費:3300000円 、 間接経費:990000円 )

    加工Si基板上へGaNを選択成長し半極性GaNを作製した。(11-22)GaNを成長する場合、2段階成長を用いることで、転位密度を10^5/cm^2以下にすることに成功しほぼ無転位に近い高品質な半極性GaNを得ることに成功した。また、(1-101)GaNにおいては、転位が成長初期に曲がるため、上部に転位が伝搬しにくく、同様に転位密度を10^5/cm^2以下を達成することが可能であった。この結晶を用いて(1-101)GaNストライプ上にInGaN/GaN MQWを用いた導波路を作製し、光励起による光学特性を測定したところ、端面より誘導放出光を得ることに成功した。これはSi基板上では世界初となる結果であり、高品質結晶が得られたことを証明していると考えている。

  19. 加工Si基板上(1-101)及び(11-22)GaNへのInGaNヘテロ成長

    研究課題/研究課題番号:19032005  2007年 - 2008年

    本田 善央

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:6800000円 ( 直接経費:6800000円 )

    昨年度は低In組成領域のInGaNにおいて、(1-101)、(11-22)、(0001)各面でのIn取り込み効率の検討を行った。本年度はこれに加えて緑〜赤色程度までの高組成領域で検討を試みた。(1-101)面においては、Inの取り込み効率が高く、特に低V/III比の条件下で顕著な差がみられた。(0001)、(11-22)面では低In組成領域では同様なIn取り込み効率であった。そこで、Inの供給量を変化してPLピークよりIn取り込み効率を考察した。(11-22)面においては、In供給量に対応して発光ピークがレッドシフトしており、黄色領域の発光まで変化することが可能であった。一方(0001)面では、In供給量が70%程度を超えるあたりで、発光ピーク波長が飽和しており、温度による組成制御が必要であった。この結果から、(11-22)面では高温において高組成InのInGaN成長が可能であり、InGaN結晶品質の向上が期待される。さらに、PLの励起強度依存性を調べた結果、半極性面においてはピークシフトがほとんど見られず、発光強度も線形に変化していた。(0001)面ではQCSEにより励起強度を下げるに従って、レッドシフトと発光強度の著しい減少がみられた。このことから、半極性GaN上へのInGaN結晶を成長することで(1)高品質結晶を得られる可能性があること、(2)ピエゾ電界の影響を大幅に抑制可能であることが明らかとなった。

  20. 加工シリコン基板上への窒化物半導体の選択再成長法によるナノヘテロ構造の創製

    研究課題/研究課題番号:16106001  2004年 - 2008年

    澤木 宣彦

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    担当区分:研究分担者 

    加工Si基板上への選択MOVPE法により、(0001)、(1-101)、(11-22)ならびに(11-20)面を有するAlGaN/GaN、GaN/InGaN微細ヘテロ構造を作製した。この構造は自然形成原理に従って形成されるため、表面平坦性、結晶性に優れることを明らかにした。特に、窒素を最表面とする(1-101)半極性面GaNは不純物ドーピング特性に優れ、Mgドーピングで高い正孔濃度が得られ、炭素ドーピングでもp形伝導が得られることを明らかにした。Si基板上に半極性GaN-LEDとストライプレーザ構造を作製し、光集積デバイスのためのナノへテロエピタキシの有効性を実証した

  21. Si基板上A1Nテンプレートを用いたHVPE法による厚膜GaNバルク結晶の作製

    研究課題/研究課題番号:16760252  2004年 - 2006年

    本田 善央

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:3700000円 ( 直接経費:3700000円 )

    前年度までに、Si基板を用いてGaN厚膜単結晶の成長を試み、200nm程度のAlN中間層を介してHVPEによりGaN結晶成長を行うと、Si基板のメルトバックエッチングを抑制することが可能であることを見出した。その結果100μm以上の厚膜GaNを得ることに成功している。しかしながら長時間成長においては基板界面からGaNへ向かい変質層が確認された。変質層には20%を超えるSiが含まれ、依然として耐性が完全ではなく、ゆっくりではあるがメルトバックエッチングが起きていることが分かった。昨年度は、AlNテンプレートの成長条件の検討しメルトバックエッチングの抑制を図った。今年度この結果を用い、HVPE成長条件及び選択成長改善により更なるメルトバックエッチングの抑制を試みた。
    成長用基板にはSi(111)を用い、MOVPE法により150nmのAlN上に200nmのGaN薄膜を成長させた。この基板上へSiO_2をマスクとした3/3μmのドットパターンを形成した。この基板をテンプレートとして、HVPE-GaNを成長した。まず、HVPE成長温度を1000〜1100℃と変化させ成長を行った。1100℃の場合、マスクの有無に関わらず全面がメルトバックエッチングをおこしていた。成長温度を1025〜1075℃程度の領域では、マスク無ではメルトバックを起こしていたが、マスクが有る場合メルトバックはほとんど起きなかった。1000℃の場合、どちらの場合もメルトバックエッチングは起こらなかった。これらの結果から、メルトバックの反応は温度に対して非常に敏感であり1000℃付近で急激に抑制できること、選択成長がメルトバック抑制に効果的であることが確認された。以上の実験を踏まえて、厚膜の作製を試みた。選択成長用マスクを施した基板を成長用基板し、1000℃にて5時間行った。得られた結晶は400μm程度の膜厚があり、基板として利用可能な膜厚を満たしていた。そこで、フッ硝酸にてSiをエッチングすることでGaN自立基板を得ることに成功した。XRDにより(0004)のロッキングカーブを測定した結果、半値幅は390arcsecであり、同時に成長したサファイア基板の240arcsecと比較してもそれほど変わらずC軸配向性は良好であった。本研究ではSi基板のAlN結晶品質、HVPEの成長長条件の改善により初めてSi基板を持ちいてGaN自立基板を作製することを可能とした。

  22. 選択成長法によるシリコン基板上への集積形窒化物半導体デバイスの作製に関する研究

    研究課題/研究課題番号:13305023  2001年 - 2003年

    沢木 宣彦

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    担当区分:研究分担者 

    1.(111)シリコン基板上へMOVPE成長について、特にAlN緩衝層の役割と選択成長法による単位胞の縮小効果について検討し、200-500ミクロン角のクラックフリー結晶を得た。また、その電気的・光学的特性を測定し、界面ポテンシャルと電気抵抗の緩衝層厚さとの関係を評価するとともに、縦型デバイスの作製条件を明らかにした。
    2.ファセット上へのMOVPE選択成長における混晶薄膜の組成と厚さを測定し、化学種の拡散現象(気相拡散と表面拡散)の役割を明らかにするとともに、ファセット上での拡散長を評価した。
    3.MOVPE選択成長法による加工(001)シリコン傾斜基板上への結晶成長を試み、(1-101)面を有する窒化物結晶膜を始めて実現した。結晶軸を傾けることによるクラックフリー結晶の実現と新結晶面による超平坦ヘテロ界面を達成した。
    4.HVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への結晶成長をこころみ、AlN緩衝層を用いることによる厚膜結晶の作製手法を提案した。
    5.GaNストライプ、GaAsドット上に量子井戸あるいは結合量子ドット構造を作製し、その光学的特性を測定し、フアセット上に得られた量子井戸構造の導波路としての優れた特性を明らかにするとともに、ドットにおける励起子の寿命がサイズにより長くなることを明らかにした。

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産業財産権 11

  1. 発光層形成用基材、発光体及び発光物質

    本田 善央、澤木 宣彦、柳瀬 康行、一柳 昌幸、稲岡 宏弥、森 連太郎、木山 明

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    出願人:国立大学法人名古屋大学、トヨタ自動車株式会社

    出願番号:特許出願2005-244354  出願日:2005年8月

    公開番号:特許公開2007-56164 

    出願国:国内  

  2. 発光層形成用基材、発光体及び発光物質

    本田 善央, 澤木 宣彦, 柳瀬 康行, 一柳 昌幸, 稲岡 宏弥, 森 連太郎, 木山 明

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    出願人:国立大学法人名古屋大学、トヨタ自動車株式会社

    出願番号:特許出願2005-244354  出願日:2005年8月

    公開番号:特許公開2007-56164 

  3. カーボンドープ半導体膜、半導体素子、及びこれらの製造方法

    澤木 宣彦、山口 雅史、本田 善央、彦坂 年輝、小出 典克、真部 勝英

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    出願人:北川工業株式会社

    出願番号:特許出願2004-92289  出願日:2004年3月

    公開番号:特許公開2005-277342 

    出願国:国内  

  4. 窒化物半導体結晶層の作製方法、窒化物半導体結晶層、及び窒化物半導体結晶層作製用の基材

    澤木 宣彦、本田 善央、西村 慶之

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特許出願2003-370790  出願日:2003年10月

    公開番号:特許公開2005-136200 

    出願国:国内  

  5. 半導体素子構造、電子エミッタ、及び半導体素子構造の作製方法

    澤木 宣彦、本田 善央

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    出願人:名古屋大学長

    出願番号:特許出願2002-280182  出願日:2002年9月

    公開番号:特許公開2004-119168 

    出願国:国内  

  6. 半導体発光素子およびその製造方法

    澤木 宣彦、本田 善央、亀代 典史、山口 雅史、田中 成泰、小出 典克

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    出願人:澤木 宣彦、シャープ株式会社

    出願番号:特許出願2002-38263  出願日:2002年2月

    公開番号:特許公開2003-243702 

    出願国:国内  

  7. 半導体発光素子の製造方法

    小出 典克、山本 淳次、堂北 剛、澤木 宣彦、本田 善央、黒岩 洋佑、山口 雅史

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    出願人:シャープ株式会社、澤木 宣彦

    出願番号:特許出願2001-338536  出願日:2001年11月

    公開番号:特許公開2003-142728 

    出願国:国内  

  8. 半導体レーザ素子およびその製造方法

    澤木 宣彦、本田 善央、亀代 典史、山口 雅史、小出 典克、伊藤 茂稔、大野 智輝、古川 勝紀

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    出願人:澤木 宣彦、シャープ株式会社

    出願番号:特許出願2001-240413  出願日:2001年8月

    公開番号:特許公開2002-246697 

    出願国:国内  

  9. 窒化物半導体の製造方法

    澤木 宣彦、本田 善央、小出 典克

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    出願人:澤木 宣彦、シャープ株式会社

    出願番号:特許出願2001-191227  出願日:2001年6月

    公開番号:特許公開2003-8061 

    出願国:国内  

  10. 化合物半導体単結晶の製造方法およびその利用

    澤木 宣彦、山口 雅史、本田 善央

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    出願人:三菱化学株式会社

    出願番号:特許出願2001-46837  出願日:2001年2月

    公開番号:特許公開2002-249400 

    出願国:国内  

  11. 半導体素子

    澤木 宣彦、本田 善央、小出 典克

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    出願人:澤木 宣彦、シャープ株式会社

    出願番号:特許出願2000-382164  出願日:2000年12月

    公開番号:特許公開2002-185041 

    出願国:国内  

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担当経験のある科目 (本学) 10

  1. 電気電子情報工学学生実験

    2013

  2. 電気回路論および演習

    2013

  3. 電気電子情報工学学生実験

    2013

  4. 電気電子情報工学学生実験

    2012

  5. 電気電子情報工学学生実験

    2012

  6. 電気回路論および演習

    2012

  7. 電気電子情報工学学生実験

    2011

  8. 電気電子情報工学学生実験

    2011

  9. 電気回路論および演習

    2011

  10. 電気回路論演習

    2004

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