スウェーデン王国・リンショピン大学   客員研究員

2007年8月 - 2008年3月

名古屋大学   工学研究科電子情報システム専攻   助教

2007年4月 - 2014年3月

名古屋大学大学院   工学研究科電子情報システム専攻   助教

2007年4月 - 2014年3月

名古屋大学   大学院工学研究科 電子情報システム専攻   助手

2007年3月

名古屋大学大学院   工学研究科電子情報システム専攻   助教授

2003年4月 - 2007年3月

名古屋大学大学院   工学研究科電子情報システム専攻   助手

2003年4月 - 2007年3月

名古屋大学大学院   工学研究科電子情報システム専攻   助手

2003年4月 - 2007年3月

LEDIA18   庶務委員  

2018年4月 - 2019年3月   

ICMOVPE2018   財務委員  

2017年4月 - 2018年12月   

ICMOVPE2018   財務委員  

2017年4月 - 2018年12月   

ISPLASMA2018   プログラム委員  

2017年4月 - 2018年3月   

LEDIA18   プログラム委員  

2017年4月 - 2018年3月   

ISPLASMA2018   プログラム委員  

2017年4月 - 2018年3月   

庶務委員  

2016年8月 - 2019年3月   

IWN2018   庶務委員  

2016年8月 - 2019年3月   

庶務委員  

2016年6月 - 2017年5月   

LEDIA17   庶務委員  

2016年6月 - 2017年5月   

プログラム委員  

2016年4月 - 2017年3月   

IWUMD2017   副実行委員長  

2016年4月 - 2017年3月   

ISPLASMA2016   プログラム委員  

2016年4月 - 2017年3月   

ISPLASMA2015   実行委員  

2015年4月 - 2016年3月   

ISPLASMA2015   実行委員  

2015年4月 - 2016年3月   

ISGN-6   総務幹事  

2014年7月 - 2016年3月   

ISGN-6   総務幹事  

2014年7月 - 2016年3月   

LEDIA15   総務委員  

2014年4月 - 2015年3月   

LEDIA15   総務委員  

2014年4月 - 2015年3月   

学振162委員会   研究会企画幹事  

2013年4月 - 現在   

学振162委員会   研究会企画幹事  

2013年4月 - 2021年3月   

ICCGE2016   現地実行委員  

2013年4月 - 2016年3月   

ICCGE2016   現地実行委員  

2013年4月 - 2016年3月   

ISPLASMA2014   広報委員  

2013年4月 - 2014年3月   

LEDIA14   庶務・プログラム・現地委員  

2013年4月 - 2014年3月   

ISPLASMA2014   広報委員  

2013年4月 - 2014年3月   

LEDIA13   プログラム・現地委員  

2012年11月 - 2013年3月   

LEDIA13   プログラム・現地委員  

2012年11月 - 2013年3月   

ISPLASMA2013   現地実行委員  

2012年4月 - 2013年3月   

ISPLASMA2013   現地実行委員  

2012年4月 - 2013年3月   

IWN2012   庶務委員  

2011年2月 - 2012年10月   

IWN2012   庶務委員  

2011年2月 - 2012年10月   

EMS30-31   会場委員  

2010年10月 - 2012年7月   

EMS30-31   会場委員  

2010年10月 - 2012年7月   

APWS2011   現地実行委員  

2010年6月 - 2011年6月   

APWS2011   現地実行委員  

2010年6月 - 2011年6月   

IWBNS-7   現地実行委員  

2010年4月 - 2011年3月   

IWBNS-7   現地実行委員  

2010年4月 - 2011年3月   

ISGN-2   現地実行委員  

2007年8月 - 2008年8月   

ISGN-2   現地実行委員  

2007年8月 - 2008年8月   

IWN2006   現地実行委員  

2005年10月 - 2006年10月   

IWN2006   現地実行委員  

2005年10月 - 2006年10月   

Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm-3 grown by halide vapor phase epitaxy 査読有り

Hamasaki, K; Ohnishi, K; Nitta, S; Fujimoto, N; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   628 巻   2024年2月

Impacts of off-angle and off-direction on surface morphology of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) GaN substrate 査読有り

Watanabe, H; Nitta, S; Ando, Y; Ohnishi, K; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   628 巻   2024年2月

Optical activation of praseodymium ions implanted in gallium nitride after ultra-high pressure annealing

Ito, S; Sato, S; Bockowski, M; Deki, M; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Yoshida, K; Minagawa, H; Hagura, N

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   547 巻   2024年2月

Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering 査読有り

Kobayashi, A; Honda, Y; Maeda, T; Okuda, T; Ueno, K; Fujioka, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   17 巻 ( 1 )   2024年1月

SEM imaging of high aspect ratio trench by selectively controlling the electron beam irradiation using photocathode

Arakawa, Y; Niimi, K; Otsuka, Y; Sato, D; Koizumi, A; Shikano, H; Iijima, H; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

METROLOGY, INSPECTION, AND PROCESS CONTROL XXXVIII   12955 巻   2024年

Temperature Dependence of α-Particle Detection Performance of GaN PIN Diode Detector 査読有り

Nakagawa, H; Hayashi, K; Miyazawa, A; Honda, Y; Amano, H; Aoki, T; Nakano, T

SENSORS AND MATERIALS   36 巻 ( 1 ) 頁： 169 - 176   2024年

Local voltage contrast changes in MOSFET using scanning electron microscopy with photoelectron beam technology 査読有り

Sato, D; Arakawa, Y; Niimi, K; Fukuroi, K; Tajiri, Y; Koizumi, A; Shikano, H; Iijima, H; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

METROLOGY, INSPECTION, AND PROCESS CONTROL XXXVIII   12955 巻   2024年

Anisotropic hole transport along [0001] and [1120] direction in p-doped (1010) GaN 査読有り

Lin, YY; Wang, J; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   134 巻 ( 23 )   2023年12月

Electron lifetime and diffusion coefficient in dopant-free p-type distributed polarization doped AlGaN 査読有り

Kumabe, T; Kawasaki, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   123 巻 ( 25 )   2023年12月

Investigation of Electrical Properties of N-Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field-Effect Transistors 査読有り

Inahara, D; Matsuda, S; Matsumura, W; Okuno, R; Hanasaku, K; Kowaki, T; Miyamoto, M; Yao, YZ; Ishikawa, Y; Tanaka, A; Honda, Y; Nitta, S; Amano, H; Kurai, S; Okada, N; Yamada, Y

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   220 巻 ( 16 )   2023年8月

Junction Diameter Dependence of Oscillation Frequency of GaN IMPATT Diode Up to 21 GHz 査読有り

Kawasaki, S; Kumabe, T; Ando, Y; Deki, M; Watanabe, H; Tanaka, A; Honda, Y; Arai, M; Amano, H

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   44 巻 ( 8 ) 頁： 1328 - 1331   2023年8月

Reverse Leakage Mechanism of Dislocation-Free GaN Vertical p-n Diodes 査読有り

Kwon, W; Kawasaki, S; Watanabe, H; Tanaka, A; Honda, Y; Ikeda, H; Iso, K; Amano, H

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   44 巻 ( 7 ) 頁： 1172 - 1175   2023年7月

Hole mobility limiting factors in dopant-free p-type distributed polarization-doped AlGaN 査読有り

Kumabe, T; Kawasaki, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   122 巻 ( 25 )   2023年6月

Stress relaxation of AlGaN on nonpolar m-plane GaN substrate 査読有り

Lin, YY; Sena, H; Frentrup, M; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   133 巻 ( 22 )   2023年6月

Lateral p-type GaN Schottky barrier diode with annealed Mg ohmic contact layer demonstrating ideal current-voltage characteristic 査読有り

Lu, S; Deki, M; Kumabe, T; Wang, J; Ohnishi, K; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   122 巻 ( 14 )   2023年4月

Temperature Field, Flow Field, and Temporal Fluctuations Thereof in Ammonothermal Growth of Bulk GaN-Transition from Dissolution Stage to Growth Stage Conditions 査読有り

Schimmel, S; Tomida, D; Ishiguro, T; Honda, Y; Chichibu, SE; Amano, H

MATERIALS   16 巻 ( 5 )   2023年3月

A Review on the Progress of AlGaN Tunnel Homojunction Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes 査読有り

Nagata, K; Matsubara, T; Saito, Y; Kataoka, K; Narita, T; Horibuchi, K; Kushimoto, M; Tomai, S; Katsumata, S; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

CRYSTALS   13 巻 ( 3 )   2023年3月

Red emission from InGaN active layer grown on nanoscale InGaN pseudosubstrates 査読有り

Cai, WT; Wang, J; Park, JH; Furusawa, Y; Cheong, HJ; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 巻 ( 2 )   2023年2月

Investigation on Applying an InGaN Photocathode with Negative Electron Affinity for Electric Propulsion 査読有り

Inoue, Y; Nishitani, T; Honda, A; Sato, D; Shikano, H; Koizumi, A; Honda, Y; Ichihara, D; Sasoh, A

TRANSACTIONS OF THE JAPAN SOCIETY FOR AERONAUTICAL AND SPACE SCIENCES   66 巻 ( 1 ) 頁： 10 - 13   2023年

Novel Electron Beam Technology using InGaN Photocathode for High-Throughput Scanning Electron Microscope Imaging 査読有り

Sato, D; Koizumi, A; Shikano, H; Noda, S; Otsuka, Y; Yasufuku, D; Mori, K; Iijima, H; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

METROLOGY, INSPECTION, AND PROCESS CONTROL XXXVII   12496 巻   2023年

Photon extraction enhancement of praseodymium ions in gallium nitride nanopillars 査読有り

Sato, SI; Li, S; Greentree, AD; Deki, M; Nishimura, T; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Gibson, BC; Ohshima, T

SCIENTIFIC REPORTS   12 巻 ( 1 ) 頁： 21208   2022年12月

Scanning electron microscope imaging by selective e-beaming using photoelectron beams from semiconductor photocathodes 査読有り

Nishitani, T; Arakawa, Y; Noda, S; Koizumi, A; Sato, D; Shikano, H; Iijima, H; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   40 巻 ( 6 )   2022年12月

Local stress control to suppress dislocation generation for pseudomorphically grown AlGaN UV-C laser diodes 査読有り

Kushimoto, M; Zhang, ZY; Yoshikawa, A; Aoto, K; Honda, Y; Sasaoka, C; Schowalter, LJ; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 22 )   2022年11月

High In content nitride sub-micrometer platelet arrays for long wavelength optical applications 査読有り

Cai, WT; Furusawa, Y; Wang, J; Park, JH; Liao, YQ; Cheong, HJ; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 21 )   2022年11月

Substitutional diffusion of Mg into GaN from GaN/Mg mixture 査読有り

Itoh, Y; Lu, S; Watanabe, H; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Tanaka, A; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 11 )   2022年11月

The photoemission characteristics of a NEA InGaN photocathode by simultaneously supplying Cs and O2 査読有り

Kashima, M; Itokawa, Y; Kanai, T; Sato, D; Koizumi, A; Iijima, H; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H; Meguro, T

APPLIED SURFACE SCIENCE   599 巻   2022年10月

Tuning the p-type doping of GaN over three orders of magnitude via efficient Mg doping during halide vapor phase epitaxy 査読有り

Ohnishi, K; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Lu, S; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   132 巻 ( 14 )   2022年10月

High-Energy Computed Tomography as a Prospective Tool for In Situ Monitoring of Mass Transfer Processes inside High-Pressure Reactors-A Case Study on Ammonothermal Bulk Crystal Growth of Nitrides including GaN 査読有り

Schimmel, S; Salamon, M; Tomida, D; Neumeier, S; Ishiguro, T; Honda, Y; Chichibu, SF; Amano, H

MATERIALS   15 巻 ( 17 )   2022年9月

Understanding indium incorporation of InGaN grown on polar, semi-polar, and non-polar orientation by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

Hu, N; Avit, G; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 8 )   2022年8月

Surface kinetics in halide vapor phase epitaxial growth of GaN layers on GaN (0001) freestanding substrates 査読有り

Ohnishi, K; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   592 巻   2022年8月

Weak metastability of Al<i> _x </i>Ga_1-<i>x</i>N (<i>x</i>=13/24, 15/24, 17/24) shown by analyzing AlGaN grown on AlN with dense macrosteps 査読有り

Hirano, A; Nagasawa, Y; Ippommatsu, M; Sako, H; Hashimoto, A; Sugie, R; Honda, Y; Amano, H; Kojima, K; Chichibu, SF

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 7 )   2022年7月

Space-Charge Profiles and Carrier Transport Properties in Dopant-Free GaN-Based p-n Junction Formed by Distributed Polarization Doping 査読有り

Kumabe, T; Kawasaki, S; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   16 巻 ( 7 )   2022年7月

Dual-peak electroluminescence spectra generated from Al <i>_n</i> _/12Ga_{1-<i>n</i>/12}N (<i>n</i>=2, 3, 4) for AlGaN-based LEDs with nonflat quantum wells 査読有り

Nagasawa, Y; Kojima, K; Hirano, A; Ippommatsu, M; Honda, Y; Amano, H; Chichibu, SF

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 25 )   2022年6月

Author Correction: Laser slice thinning of GaN-on-GaN high electron mobility transistors. 査読有り

Tanaka A, Sugiura R, Kawaguchi D, Wani Y, Watanabe H, Sena H, Ando Y, Honda Y, Igasaki Y, Wakejima A, Ando Y, Amano H

Scientific reports   12 巻 ( 1 ) 頁： 8175   2022年5月

Laser slice thinning of GaN-on-GaN high electron mobility transistors 査読有り

Tanaka, A; Sugiura, R; Kawaguchi, D; Wani, Y; Watanabe, H; Sena, H; Ando, Y; Honda, Y; Igasaki, Y; Wakejima, A; Ando, Y; Amano, H

SCIENTIFIC REPORTS   12 巻 ( 1 ) 頁： 7363   2022年5月

The effect of dry etching condition on the performance of blue micro light-emitting diodes with reduced quantum confined Stark effect epitaxial layer 査読有り

Park, JH; Cai, W; Cheong, H; Ushida, Y; Lee, DH; Ando, Y; Furusawa, Y; Honda, Y; Lee, DS; Seong, TY; Amano, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   131 巻 ( 15 )   2022年4月

"Regrowth-free" fabrication of high-current-gain AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor with N-p-n configuration 査読有り

Kumabe, T; Watanabe, H; Ando, Y; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 4 )   2022年4月

Sputtered polycrystalline MgZnO/Al reflective electrodes for enhanced light emission in AlGaN-based homojunction tunnel junction DUV-LED 査読有り

Matsubara, T; Nagatat, K; Kushimoto, M; Tomai, S; Katsumata, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 4 )   2022年4月

Structural design optimization of 279 nm wavelength AlGaN homojunction tunnel junction deep-UV light-emitting diode 査読有り

Nagata, K; Anada, S; Miwa, H; Matsui, S; Boyama, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 4 )   2022年4月

Improved device performance of vertical GaN-on-GaN nanorod Schottky barrier diodes with wet-etching process 査読有り

Liao, YQ; Chen, T; Wang, J; Cai, WT; Ando, YT; Yang, X; Watanabe, H; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Chen, KJ; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   120 巻 ( 12 )   2022年3月

Visualization of depletion layer in AlGaN homojunction p-n junction 査読有り

Nagata, K; Anada, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Yamamoto, K; Hirayama, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 3 )   2022年3月

Effect of beam current on defect formation by high-temperature implantation of Mg ions into GaN 査読有り

Itoh, Y; Watanabe, H; Ando, Y; Kano, E; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Tanaka, A; Ikarashi, N; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 2 )   2022年2月

Threshold increase and lasing inhibition due to hexagonal-pyramid-shaped hillocks in AlGaN-based DUV laser diodes on single-crystal AlN substrate 査読有り

Kushimoto, M; Zhang, ZY; Honda, Y; Schowalter, LJ; Sasaoka, C; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( 1 )   2022年1月

Ohmic Contact to <i>p</i>-Type GaN Enabled by Post-Growth Diffusion of Magnesium 査読有り

Wang, J; Lu, S; Cai, WT; Kumabe, T; Ando, Y; Liao, YQ; Honda, Y; Xie, YH; Amano, H

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   43 巻 ( 1 ) 頁： 150 - 153   2022年1月

An Accurate Approach to Develop Small Signal Circuit Models for AlGaN/GaN HEMTs Using Rational Functions and Dependent Current Sources 査読有り

Jadhav, A; Ozawa, T; Baratov, A; Asubar, JT; Kuzuhara, M; Wakejima, A; Yamashita, S; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Roy, S; Sarkar, B

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   10 巻   頁： 797 - 807   2022年

Ohmic contact on low-doping-density p-type GaN with nitrogen-annealed Mg 査読有り

Lu, S; Deki, M; Wang, J; Ohnishi, K; Ando, Y; Kumabe, T; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   119 巻 ( 24 )   2021年12月

Discrete wavelengths observed in electroluminescence originating from Al_1/2Ga_1/2N and Al_1/3Ga_2/3N created in nonflat AlGaN quantum wells 査読有り

Nagasawa, Y; Kojima, K; Hirano, A; Sako, H; Hashimoto, A; Sugie, R; Ippommatsu, M; Honda, Y; Amano, H; Chichibu, SF

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   54 巻 ( 48 )   2021年12月

Modified Small Signal Circuit of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Rational Functions 査読有り

Jadhav, A; Ozawa, T; Baratov, A; Asubar, JT; Kuzuhara, M; Wakejima, A; Yamashita, S; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Roy, S; Sarkar, B

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   68 巻 ( 12 ) 頁： 6059 - 6064   2021年12月

Multiple electron beam generation from InGaN photocathode 査読有り

Sato, D; Shikano, H; Koizumi, A; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   39 巻 ( 6 )   2021年12月

Cyclotron production of ²²⁵Ac from an electroplated ²²⁶Ra target. 査読有り

Nagatsu K, Suzuki H, Fukada M, Ito T, Ichinose J, Honda Y, Minegishi K, Higashi T, Zhang MR

European journal of nuclear medicine and molecular imaging   49 巻 ( 1 ) 頁： 279 - 289   2021年12月

Vertical GaN p<SUP>+</SUP>-n junction diode with ideal avalanche capability grown by halide vapor phase epitaxy (vol 119, 152102, 2021) 査読有り

Ohnishi, K; Kawasaki, S; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   119 巻 ( 20 )   2021年11月

Vertical GaN p<SUP>+</SUP>-n junction diode with ideal avalanche capability grown by halide vapor phase epitaxy 査読有り

Ohnishi, K; Kawasaki, S; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   119 巻 ( 15 )   2021年10月

Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes 査読有り

Nakano, T; Mochizuki, K; Arikawa, T; Nakagawa, H; Usami, S; Honda, Y; Amano, H; Vogt, A; Schuett, S; Fiederle, M; Kojima, K; Chichibu, SF; Inoue, Y; Aoki, T

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   130 巻 ( 12 )   2021年9月

Smart-cut-like laser slicing of GaN substrate using its own nitrogen 査読有り

Tanaka, A; Sugiura, R; Kawaguchi, D; Yui, T; Wani, Y; Aratani, T; Watanabe, H; Sena, H; Honda, Y; Igasaki, Y; Amano, H

SCIENTIFIC REPORTS   11 巻 ( 1 ) 頁： 17949   2021年9月

Gallium nitride wafer slicing by a sub-nanosecond laser: effect of pulse energy and laser shot spacing 査読有り

Sena, H; Tanaka, A; Wani, Y; Aratani, T; Yui, T; Kawaguchi, D; Sugiura, R; Honda, Y; Igasaki, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING   127 巻 ( 9 )   2021年9月

Reduction in operating voltage of AlGaN homojunction tunnel junction deep-UV light-emitting diodes by controlling impurity concentrations 査読有り

Nagata, K; Makino, H; Miwa, H; Matsui, S; Boyama, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 )   2021年8月

Impact of gate electrode formation process on Al₂O₃/GaN interface properties and channel mobility 査読有り

Ando, Y; Deki, M; Watanabe, H; Taoka, N; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Yamada, H; Shimizu, M; Nakamura, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 )   2021年8月

Improving light output power of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by optimizing the optical thickness of p-layers 査読有り

Matsukura, Y; Inazu, T; Pernot, C; Shibata, N; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 )   2021年8月

Electrical properties and structural defects of p-type GaN layers grown by halide vapor phase epitaxy 査読有り

Ohnishi, K; Amano, Y; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   566 巻   2021年7月

Vertical GaN-on-GaN nanowire Schottky barrier diodes by top-down fabrication approach 査読有り

Liao, YQ; Chen, T; Wang, J; Ando, Y; Cai, WT; Yang, X; Watanabe, H; Hirotani, J; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Chen, KJ; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 7 )   2021年7月

Etching-induced damage in heavily Mg-doped p-type GaN and its suppression by low-bias-power inductively coupled plasma-reactive ion etching 査読有り

Kumabe, T; Ando, Y; Watanabe, H; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

Impact of heat treatment process on threshold current density in AlGaN-based deep-ultraviolet laser diodes on AlN substrate 査読有り

Kushimoto, M; Zhang, ZY; Sugiyama, N; Honda, Y; Schowalter, LJ; Sasaoka, C; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 5 )   2021年5月

Discrete AlN mole fraction of <i>n</i>/12 (<i>n</i>=4-8) in Ga-rich zones functioning as electron pathways created in nonflat AlGaN layers grown on high-miscut sapphire substrates 査読有り

Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Sako, H; Hashimoto, A; Sugie, R; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I; Kojima, K; Chichibu, SF

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   129 巻 ( 16 )   2021年4月

Experimental demonstration of GaN IMPATT diode at X-band 査読有り

Kawasaki, S; Ando, Y; Deki, M; Watanabe, H; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Arai, M; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 4 )   2021年4月

Numerical Simulation of Ammonothermal Crystal Growth of GaN-Current State, Challenges, and Prospects 査読有り

Schimmel, S; Tomida, D; Ishiguro, T; Honda, Y; Chichibu, S; Amano, H

CRYSTALS   11 巻 ( 4 )   2021年4月

Fabrication of GaN cantilever on GaN substrate by photo-electrochemical etching 査読有り

Yamada, T; Ando, Y; Watanabe, H; Furusawa, Y; Tanaka, A; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Suda, J; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 3 )   2021年3月

Boundary Conditions for Simulations of Fluid Flow and Temperature Field during Ammonothermal Crystal Growth-A Machine-Learning Assisted Study of Autoclave Wall Temperature Distribution 査読有り

Schimmel, S; Tomida, D; Saito, M; Bao, QX; Ishiguro, T; Honda, Y; Chichibu, S; Amano, H

CRYSTALS   11 巻 ( 3 )   2021年3月

Development of Pulsed TEM Equipped with Nitride Semiconductor Photocathode for High-Speed Observation and Material Nanofabrication 査読有り

Yasuda, H; Nishitani, T; Ichikawa, S; Hatanaka, S; Honda, Y; Amano, H

QUANTUM BEAM SCIENCE   5 巻 ( 1 )   2021年3月

NEA活性化方法におけるInGaNフォトカソードの電子放出特性の違い 査読有り

鹿島 将央, 佐藤 大樹, 小泉 淳, 飯島 北斗, 西谷 智博, 本田 善央, 天野 浩, 目黒 多加志

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1 巻 ( 0 ) 頁： 1347 - 1347   2021年2月

Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride (vol 10, pg 2614, 2020) 査読有り

Sato, SI; Deki, M; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Nishimura, T; Gibson, BC; Greentree, AD; Amano, H; Ohshima, T

OPTICAL MATERIALS EXPRESS   11 巻 ( 2 ) 頁： 524 - 524   2021年2月

Generalized Frequency Dependent Small Signal Model for High Frequency Analysis of AlGaN/GaN MOS-HEMTs 査読有り

Jadhav, A; Ozawa, T; Baratov, A; Asubar, JT; Kuzuhara, M; Wakejima, A; Yamashita, S; Deki, M; Honda, Y; Roy, S; Amano, H; Sarkar, B

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   9 巻   頁： 570 - 581   2021年

Electrical properties of GaN metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with Al₂O₃/GaN interfaces formed on vicinal Ga-polar and nonpolar surfaces 査読有り

Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Taoka, N; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Nakamura, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 24 )   2020年12月

Detailed analysis of Ga-rich current pathways created in an n-Al_0.7Ga_0.3N layer grown on an AlN template with dense macrosteps 査読有り

Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Sako, H; Hashimoto, A; Sugie, R; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I; Kojima, K; Chichibu, SF

APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 12 )   2020年12月

Epitaxial Combination of Two-Dimensional Hexagonal Boron Nitride with Single-Crystalline Diamond Substrate 査読有り

Yang, X; Pristovsek, M; Nitta, S; Liu, YH; Honda, Y; Koide, Y; Kawarada, H; Amano, H

ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   12 巻 ( 41 ) 頁： 46466 - 46475   2020年10月

Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride 査読有り

Sato, SI; Deki, M; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Nishimura, T; Gibson, BC; Greentree, AD; Amano, H; Ohshima, T

OPTICAL MATERIALS EXPRESS   10 巻 ( 10 ) 頁： 2614 - 2623   2020年10月

Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures 査読有り

Sato, S; Deki, M; Nishimura, T; Okada, H; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Ohshima, T

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   479 巻   頁： 7 - 12   2020年9月

Low interface state densities at Al₂O₃/GaN interfaces formed on vicinal polar and non-polar surfaces 査読有り

Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Taoka, N; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Nakamura, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 10 )   2020年9月

Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO 査読有り

Kimura, T; Ohnishi, K; Amano, Y; Fujimoto, N; Araidai, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Kangawa, Y; Shiraishi, K

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 8 )   2020年8月

Change of high-voltage conduction mechanism in vertical GaN-on-GaN Schottky diodes at elevated temperatures 査読有り 国際誌

Sandupatla, A; Arulkumaran, S; Ng, GI; Ranjan, K; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 7 ) 頁： .   2020年7月

Halide vapor phase epitaxy of p-type Mg-doped GaN utilizing MgO 査読有り 国際誌

Ohnishi, K; Amano, Y; Fujimoto, N; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 6 ) 頁： .   2020年6月

Lattice bow in thick, homoepitaxial GaN layers for vertical power devices 査読有り

Liu, Q; Fujimoto, N; Shen, J; Nitta, S; Tanaka, A; Honda, Y; Sitar, Z; Bockowski, M; Kumagai, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   539 巻   頁： .   2020年6月

Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN 査読有り 国際誌

Takahashi, M; Tanaka, A; Ando, Y; Watanabe, H; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Shima, K; Kojima, K; Chichibu, SF; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 5 ) 頁： .   2020年5月

Suppression of Green Luminescence of Mg-Ion-Implanted GaN by Subsequent Implantation of Fluorine Ions at High Temperature 査読有り

Takahashi, M; Tanaka, A; Ando, Y; Watanabe, H; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Shima, K; Kojima, K; Chichibu, SF; Chen, KJ; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

Simultaneous Growth of Multi-Color Micro LEDs Based on Super Thin Micro-Platelets with Various Surface Areas 査読有り

Cai Wentao, Kushimoto Maki, Manato Deki, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2020.1 巻 ( 0 ) 頁： 3111 - 3111   2020年2月

Visualization of different carrier concentrations in <i>n</i>-type-GaN semiconductors by phase-shifting electron holography with multiple electron biprisms 査読有り

Yamamoto, K; Nakano, K; Tanaka, A; Honda, Y; Ando, Y; Ogura, M; Matsumoto, M; Anada, S; Ishikawa, Y; Amano, H; Hirayama, T

MICROSCOPY   69 巻 ( 1 ) 頁： 1 - 10   2020年2月

Recovery of quantum efficiency on Cs/O-activated GaN and GaAs photocathodes by thermal annealing in vacuum 査読有り

Sato, D; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   38 巻 ( 1 )   2020年1月

マクロステップを持つ<i>c</i>面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価

小島 一信, 長澤 陽祐, 平野 光, 一本松 正道, 杉江 隆一, 本田 善央, 天野 浩, 赤﨑 勇, 秩父 重英

日本結晶成長学会誌   47 巻 ( 3 ) 頁： n/a   2020年

Dielectric Ruduced Surface Field Effect on Vertical GaN-on-GaN Nanowire Schottky Barrier Diodes 査読有り

Liao, YQ; Chen, T; Wang, J; Ando, Y; Yang, X; Watanabe, H; Hirotani, J; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Chen, KJ; Amano, H

PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020)     頁： 349 - 352   2020年

Two-dimensional analysis of the nonuniform quantum yields of multiple quantum wells for AlGaN-based deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates with dense macrosteps using cathodoluminescence spectroscopy 査読有り

Nagasawa, Y; Sugie, R; Kojima, K; Hirano, A; Ippommatsu, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I; Chichibu, SF

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   126 巻 ( 21 )   2019年12月

Direct evidence of Mg diffusion through threading mixed dislocations in GaN p-n diodes and its effect on reverse leakage current 査読有り 国際誌

Usami, S; Mayama, N; Toda, K; Tanaka, A; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   114 巻 ( 23 )   2019年6月

Correlation between nanopipes formed from screw dislocations during homoepitaxial growth by metal-organic vapor-phase epitaxy and reverse leakage current in vertical p-n diodes on a free-standing GaN substrates 査読有り 国際誌

Usami, S; Tanaka, A; Fukushima, H; Ando, Y; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

Effect of photoelectrochemical etching and post-metallization annealing on gate controllability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 査読有り 国際誌

Uemura, K; Deki, M; Honda, Y; Amano, H; Sato, T

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p-n diode with avalanche capability 査読有り 国際誌

Fukushima, H; Usami, S; Ogura, M; Ando, Y; Tanaka, A; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

GaN薄膜における貫通転位およびナノパイプm壁面の第一原理計算に基づく電子状態解析 査読有り

中野 崇志, 長川 健太, 洗平 昌晃, 白石 賢二, 押山 淳, 宇佐美 茂佳, 草場 彰, 寒川 義裕, 田中 敦之, 本田 善央, 天野 浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1 巻 ( 0 ) 頁： 3122 - 3122   2019年2月

Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN 査読有り

Nakano, T; Chokawa, K; Araidai, M; Shiraishi, K; Oshiyama, A; Kusaba, A; Kangawa, Y; Tanaka, A; Honda, Y; Amano, H

2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)     頁： .   2019年

昇温脱離法によるInGaN表面上のCs層の解析

鹿島 将央, 佐藤 大樹, 小泉 淳, 西谷 智博, 本田 善央, 天野 浩, 飯島 北斗, 目黒 多加志

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1 巻 ( 0 ) 頁： 1670 - 1670   2018年3月

Electrical and Thermal Analysis of Vertical GaN-on-GaN PN Diodes 査読有り

Yates, L; Pavlidis, G; Graham, S; Usami, S; Nagamatsu, K; Honda, Y; Amano, H

PROCEEDINGS OF THE 17TH IEEE INTERSOCIETY CONFERENCE ON THERMAL AND THERMOMECHANICAL PHENOMENA IN ELECTRONIC SYSTEMS (ITHERM 2018)     頁： 831 - 837   2018年

NEA-InGaNフォトカソードの量子効率に対する熱処理の効果

鹿島 将央, 飯島 北斗, 西谷 智博, 佐藤 大樹, 本田 善央, 天野 浩, 目黒 多加志

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.1 巻 ( 0 ) 頁： 1554 - 1554   2017年3月

フッ素系樹脂の深紫外発光ダイオード用封止樹脂としての耐久性とその劣化機構

長澤 陽祐, 山田 貴穂, 永井 祥子, 平野 光, 一本松 正道, 青崎 耕, 本田 善央, 天野 浩, 赤﨑 勇

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.1 巻 ( 0 ) 頁： 1136 - 1136   2017年3月

窒化ホウ素を用いたGaN-MISキャパシタの作製と電気特性評価

松下 淳矢, 永松 謙太郎, Yang Xu, 田中 敦之, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.2 巻 ( 0 ) 頁： 2888 - 2888   2016年9月

GaN自立基板上PINダイオードにおける順方向発光パターン解析

宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.2 巻 ( 0 ) 頁： 2867 - 2867   2016年9月

Evaluation of excess In during metal organic vapor-phase epitaxy growth of InGaN by monitoring via in situ laser scattering 査読有り

Honda Yoshio

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   2016年

Growth of semipolar (1-101) high-indium-content InGaN quantum wells using InGaN tilting layer on Si(001) 査読有り

Honda Yoshio

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   2016年

HVPE and VLS-HVPE synthesis of vertical and horizontal GaN nanowires

Lekhal Kaddour, Mitsunari Tadashi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2014.2 巻 ( 0 ) 頁： 1745 - 1745   2014年9月

Characteristics of <i>a</i>-plane GaN films grown on optimized silicon-dioxide-patterned <i>r</i>-plane sapphire substrates 査読有り

Son, JS; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Baik, KH; Seo, YG; Hwang, SM

THIN SOLID FILMS   546 巻   頁： 108 - 113   2013年11月

Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires 査読有り

Murotani, H; Yamada, Y; Tabata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   114 巻 ( 15 )   2013年10月

Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1(1)over-bar01) GaN 査読有り

Tanikawa, T; Sano, T; Kushimoto, M; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

High Internal Quantum Efficiency Blue-Green Light-Emitting Diode with Small Efficiency Droop Fabricated on Low Dislocation Density GaN Substrate 査読有り

Sano, T; Doi, T; Inada, SA; Sugiyama, T; Honda, Y; Amano, H; Yoshino, T

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

Growth of GaN on Si(111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer 査読有り

Yamada, T; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

GaN Nanowires Grown on a Graphite Substrate by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy 査読有り

Nakagawa, S; Tabata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires 査読有り

Tabata, T; Paek, J; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

Thick InGaN Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with Sputtered InGaN Buffer Layer 査読有り

Ohata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

Strain-Compensated Effect on the Growth of InGaN/AlGaN Multi-Quantum Well by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

Doi, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

Effects of Nano- and Microscale SiO₂ Masks on the Growth of <i>a</i>-Plane GaN Layers on <i>r</i>-Plane Sapphire 査読有り

Son, JS; Miao, C; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Seo, YG; Hwang, SM; Baik, KH

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

Growth Mode and Threading Dislocation Behavior of GaN Films Grown on Patterned Sapphire Substrate with Radial Stripe Pattern 査読有り

Okuno, K; Oshio, T; Shibata, N; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

Emission Wavelength Dependence of Internal Quantum Efficiency in InGaN Nanowires 査読有り

Murotani, H; Andoh, H; Tsukamoto, T; Sugiura, T; Yamada, Y; Tabata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

I-1-2 高密度ラジカル源を用いた分子線エピタキシー法によるIII族窒化物エピタキシャル成長(窒化物半導体デバイスの精密加工プロセス-窒化物LEDに関わる先端デバイスプロセシング-,口頭発表)

河合 洋次郎, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 近藤 博基, 平松 美根男, 加納 浩之, 山川 晃司, 田 昭治, 堀 勝

IIP情報・知能・精密機器部門講演会講演論文集   2013 巻 ( 0 ) 頁： 5 - 7   2013年

Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   112 巻 ( 33 ) 頁： 15 - 18   2012年5月

Strain relaxation in thick ($1{\bar {1}}01$) InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り

Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Sawaki, N

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   249 巻 ( 3 ) 頁： 468 - 471   2012年3月

Enhancement of two-dimensional electron gases in AlGaN-channel high-electron-mobility transistors with AlN barrier layers 査読有り

Hashimoto, S; Akita, K; Yamamoto, Y; Ueno, M; Nakamura, T; Takeda, K; Iwaya, M; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   209 巻 ( 3 ) 頁： 501 - 504   2012年3月

Impurity incorporation in semipolar (1-1 0 1) GaN grown on an Si substrate 査読有り

Sawaki, N; Hagiwara, K; Hikosaka, T; Honda, Y

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   27 巻 ( 2 )   2012年2月

Si基板上半極性窒化物半導体の結晶成長(<特集>次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)

本田 善央

日本結晶成長学会誌   38 巻 ( 4 ) 頁： 241 - 248   2012年

Improvement of Light Extraction Efficiency for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes 査読有り

Inazu, T; Fukahori, S; Pernot, C; Kim, MH; Fujita, T; Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Iwaya, M; Takeuchi, T; Kamiyama, S; Yamaguchi, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 12 )   2011年12月

AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

Kim, M; Fujita, T; Fukahori, S; Inazu, T; Pernot, C; Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Iwaya, M; Takeuchi, T; Kamiyama, S; Yamaguchi, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 巻 ( 9 )   2011年9月

Effect of lateral vapor phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semipolar and nonpolar GaN stripes 査読有り

Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   208 巻 ( 5 ) 頁： 1175 - 1178   2011年5月

Optical properties of (1 (1)over-bar 0 1) semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

Chiu, CH; Lin, DW; Lin, CC; Li, ZY; Chen, YC; Ling, SC; Kuo, HC; Lu, TC; Wang, SC; Liao, WT; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   318 巻 ( 1 ) 頁： 500 - 504   2011年3月

Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1(1)over-bar01) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates (vol 4, 012105, 2011) 査読有り

Chiu, CH; Lin, DW; Lin, CC; Li, ZY; Chang, WT; Hsu, HW; Kuo, HC; Lu, TC; Wang, SC; Liao, WT; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 巻 ( 3 )   2011年3月

Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11(2)over-bar2) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

Murase, T; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Sawaki, N

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 1 )   2011年1月

Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

Sawaki, N; Honda, Y

SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES   54 巻 ( 1 ) 頁： 38 - 41   2011年1月

Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1(1)over-bar01) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

Chiu, CH; Lin, DW; Lin, CC; Li, ZY; Chang, WT; Hsu, HW; Kuo, HC; Lu, TC; Wang, SC; Liao, WT; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 巻 ( 1 )   2011年1月

Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

Sugiura, T; Kim, EH; Honda, Y; Takagi, H; Tsukamoto, T; Andoh, H; Yamaguchi, M; Sawaki, N

PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS   1399 巻   2011年

Achieving high-growth-rate in GaN homoepitaxy using high-density nitrogen radical source 査読有り

Kawai Yohjiro, Chen Shang, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi, Kondo Hiroki, Hiramatsu Mineo, Kano Hiroyuki, Yamakawa Koji, Den Shoji, Hori Masaru

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8   8 巻 ( 7-8 )   2011年

ラマン分光法を用いたCaN/Siの残留歪みの評価に関する研究

杉浦 藤虎, 本田 善央, 岡本 明大, 高木 宏幸, 塚本 武彦, 安藤 浩哉

豊田工業高等専門学校研究紀要   42 巻 ( 0 ) 頁： 19 - 22   2010年

Influence of a SiO₂ Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates 査読有り

Yang, M; Ahn, HS; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY   54 巻 ( 6 ) 頁： 2363 - 2366   2009年6月

Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate 査読有り

Sawaki, N; Hikosaka, T; Koide, N; Tanaka, S; Honda, Y; Yamaguchi, M

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   311 巻 ( 10 ) 頁： 2867 - 2874   2009年5月

Maskless selective growth of semi-polar (11(2)over-bar2) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

Yang, M; Ahn, HS; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   311 巻 ( 10 ) 頁： 2914 - 2918   2009年5月

Scattering times in the two-dimensional electron gas of Al<i>_x</i>Ga_1-<i>x</i>N/AlN/GaN heterostructures 査読有り

Han, XX; Honda, Y; Narita, T; Yamaguchi, M; Sawaki, N; Tanaka, T; Guo, QX; Nishio, M

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   42 巻 ( 4 )   2009年2月

Electron-beam-induced-current investigation of GaN/AlGaN/Si heterostructures using scanning transmission electron microscopy 査読有り

TANAKA Shigeyasu, AOYAMA Kentaro, ICHIHASHI Mikio, ARAI Shigeo, HONDA Yoshio, SAWAKI Nobuhiko

Journal of electron microscopy   56 巻 ( 4 ) 頁： 141 - 144   2007年8月

Electron-beam-induced-current investigation of GaN/AlGaN/Si heterostructures using scanning transmission electron microscopy 査読有り

Tanaka, S; Aoyama, K; Ichihashi, M; Arai, S; Honda, Y; Sawaki, N

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY   56 巻 ( 4 ) 頁： 141 - 144   2007年8月

Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AlGaN/AlN/Si heterostructure 査読有り

TANAKA Shigeyasu, NAITO Akiyuki, HONDA Yoshio, SAWAKI Nobuhiko, ICHIHASHI Mikio

Journal of electron microscopy   56 巻 ( 2 ) 頁： 37 - 42   2007年4月

Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AIGaN/AIN/Si heterostructure 査読有り

Tanaka, S; Naito, A; Honda, Y; Sawaki, N; Ichihashi, M

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY   56 巻 ( 2 ) 頁： 37 - 42   2007年4月

Transport properties of the two-dimensional electron gas in Al<i>_x</i>Ga_1-<i>x</i>N/GaN heterostructures 査読有り

Han, XX; Honda, Y; Narita, T; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   19 巻 ( 4 )   2007年1月

Mg doping in (1(1)over-bar01)GaN grown on a 7° off-axis (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Hikosaka, T; Koide, N; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   298 巻   頁： 207 - 210   2007年1月

Carbon incorporation on (1101) facet of AlGaN in metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

Koide, N; Hikosaka, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 巻 ( 10A ) 頁： 7655 - 7660   2006年10月

The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE 査読有り

Narita, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   243 巻 ( 7 ) 頁： 1665 - 1668   2006年6月

Series resistance in n-GaN/AIN/n-Si heterojunction structure 査読有り

Kondo, H; Koide, N; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 巻 ( 5A ) 頁： 4015 - 4017   2006年5月

(001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

彦坂 年輝, 小出 典克, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   105 巻 ( 94 ) 頁： 69 - 74   2005年5月

[Congenital middle ear cholesteatoma: experience in 48 cases].

Kojima H, Miyazaki H, Tanaka Y, Shiwa M, Honda Y, Moriyama H

Nihon Jibiinkoka Gakkai kaiho   106 巻 ( 9 ) 頁： 856 - 65   2003年9月

Selective Growth of GaN/AlGaN Microstructures by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. 査読有り

Kato Tomonobu, Honda Yoshio, Kawaguchi Yasutoshi, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko

Japanese Journal of Applied Physics   40 巻 ( 3B ) 頁： 1896 - 1898   2001年

Selective Area Growth of GaN on Si Substrate Using SiO₂ Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

  37 巻 ( 8B ) 頁： L966 - L969   1998年

Pulsed-flow growth of polar, semipolar and nonpolar AlGaN 査読有り

Dinh, DV; Hu, N; Honda, Y; Amano, H; Pristovsek, M

JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C   8 巻 ( 25 ) 頁： 8668 - 8675   2020年7月

Change of high-voltage conduction mechanism in vertical GaN-on-GaN Schottky diodes at elevated temperatures 査読有り

Sandupatla Abhinay, Arulkumaran Subramaniam, Ng Geok Ing, Ranjan Kumud, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 7 ) 頁： .   2020年7月

Effect of Annealing on the Electrical and Optical Properties of MgZnO Films Deposited by Radio Frequency Magnetron Sputtering 査読有り

Kushimoto, M; Sakai, T; Ueoka, Y; Tomai, S; Katsumata, S; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   217 巻 ( 14 )   2020年7月

Halide vapor phase epitaxy of p-type Mg-doped GaN utilizing MgO 査読有り

Ohnishi Kazuki, Amano Yuki, Fujimoto Naoki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 6 ) 頁： .   2020年6月

Lattice bow in thick, homoepitaxial GaN layers for vertical power devices 査読有り

Liu Qiang, Fujimoto Naoki, Shen Jian, Nitta Shugo, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Sitar Zlatko, Bockowski Michal, Kumagai Yoshinao, Amano Hiroshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   539 巻   頁： .   2020年6月

Demonstration of Observation of Dislocations in GaN by Novel Birefringence Method 査読有り

Tanaka, A; Inotsume, S; Harada, S; Hanada, K; Honda, Y; Ujihara, T; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

On-wafer fabrication of etched-mirror UV-C laser diodes with the ALD-deposited DBR 査読有り

Sakai, T; Kushimoto, M; Zhang, ZY; Sugiyama, N; Schowalter, LJ; Honda, Y; Sasaoka, C; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   116 巻 ( 12 )   2020年3月

Indium incorporation and optical properties of polar, semipolar and nonpolar InAlN 査読有り

Dinh, DV; Hu, N; Honda, Y; Amano, H; Pristovsek, M

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   35 巻 ( 3 )   2020年3月

Optimization of InGaN thickness for high-quantum-efficiency Cs/O-activated InGaN photocathode 査読有り

Sato, D; Honda, A; Koizumi, A; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

MICROELECTRONIC ENGINEERING   223 巻   2020年2月

Analysis of trimethylgallium decomposition by high-resolution mass spectrometry 査読有り

Ye, Z; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 2 )   2020年2月

Scalable synthesis of multilayer h-BN on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy: nucleation and growth mechanism 査読有り

Yang, X; Nitta, S; Pristovsek, M; Liu, YH; Liao, YQ; Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

2D MATERIALS   7 巻 ( 1 )   2020年1月

Untwinned semipolar (10(1)over-bar3) Al<i>_x</i>Ga_1-<i>x</i>N layers grown on m-plane sapphire 査読有り

Dinh, DV; Hu, N; Amano, H; Honda, Y; Pristovsek, M

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   34 巻 ( 12 )   2019年12月

Low Voltage High-Energy α-Particle Detectors by GaN-on-GaN Schottky Diodes with Record-High Charge Collection Efficiency. 査読有り

Sandupatla A, Arulkumaran S, Ranjan K, Ng GI, Murmu PP, Kennedy J, Nitta S, Honda Y, Deki M, Amano H

Sensors (Basel, Switzerland)   19 巻 ( 23 )   2019年11月

Aluminium incorporation in polar, semi- and non-polar AlGaN layers: a comparative study of x-ray diffraction and optical properties 査読有り

Dinh, DV; Hu, N; Honda, Y; Amano, H; Pristovsek, M

SCIENTIFIC REPORTS   9 巻 ( 1 ) 頁： 15802   2019年11月

V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate 査読有り

Tanaka, A; Nagamatsu, K; Usami, S; Kushimoto, M; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Bockowski, M; Amano, H

AIP ADVANCES   9 巻 ( 9 )   2019年9月

Origin of acceptor diffusion into silicon substrate during GaN growth by metal organic chemical vapor deposition 査読有り

Matsumoto, K; Ono, T; Honda, Y; Torigoe, K; Kushimoto, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 7 )   2019年7月

Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III - Nitride epitaxial growth 査読有り

Ye, Z; Nitta, S; Nagamatsu, K; Fujimoto, N; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   516 巻   頁： 63 - 66   2019年6月

Computational fluid dynamics simulation study of the gas flow balance in a vertical HVPE reactor with a showerhead for low cost bulk GaN crystal growth 査読有り

Liu, Q; Fujimoto, N; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD 査読有り

Chichibu, SF; Kumagai, Y; Kojima, K; Deura, M; Akiyama, T; Arita, M; Fujioka, H; Fujiwara, Y; Hara, N; Hashizume, T; Hirayama, H; Holmes, M; Honda, Y; Imura, M; Ishii, R; Ishitani, Y; Iwaya, M; Kamiyama, S; Kangawa, Y; Katayama, R; Kawakami, Y; Kawamura, T; Kobayashi, A; Kuzuhara, M; Matsumoto, K; Mori, Y; Mukai, T; Murakami, H; Murotani, H; Nakazawa, S; Okada, N; Saito, Y; Sakai, A; Sekiguchi, H; Shiozaki, K; Shojiki, K; Suda, J; Takeuchi, T; Tanikawa, T; Tatebayashi, J; Tomiya, S; Yamada, Y

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

Controlling the orientations of directional sputtered non- and semi-polar GaN/AlN layers 査読有り

Nan, H; Dinh, DV; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

Comparison of Al<i>_x</i>Ga_1-<i>x</i>N multiple quantum wells designed for 265 and 285nm deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates having macrosteps 査読有り

Nagasawa, Y; Kojima, K; Hirano, A; Ipponmatsu, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I; Chichibu, SF

APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 6 )   2019年6月

Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation (vol 508, pg 58, 2019) 査読有り

Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Sitar, Z; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   514 巻   頁： 13 - 13   2019年5月

Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE 査読有り

Nagamatsu, K; Ando, Y; Kono, T; Cheong, H; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   512 巻   頁： 78 - 83   2019年4月

Transfer-free fabrication of a graphene transparent electrode on a GaN-based light-emitting diode using the direct precipitation method 査読有り

Yamada Jumpei, Usami Shigeyoshi, Ueda Yuki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Maruyama Takahiro, Naritsuka Shigeya

Jpn. J. Appl. Phys.   58 巻 ( 4 )   2019年3月

Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Liu, ZB; Nitta, S; Usami, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   509 巻   頁： 50 - 53   2019年3月

Fully Ion Implanted Normally-Off GaN DMOSFETs with ALD-Al₂O₃ Gate Dielectrics 査読有り

Yoshino, M; Ando, Y; Deki, M; Toyabe, T; Kuriyama, K; Honda, Y; Nishimura, T; Amano, H; Kachi, T; Nakamura, T

MATERIALS   12 巻 ( 5 )   2019年3月

Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation 査読有り

Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   508 巻   頁： 58 - 65   2019年2月

How to obtain metal-polar untwinned high-quality (10-13) GaN on m-plane sapphire 査読有り

Hu, N; Dinh, DV; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   507 巻   頁： 205 - 208   2019年2月

Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown 査読有り

Fukushima, H; Usami, S; Ogura, M; Ando, Y; Tanaka, A; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 2 )   2019年2月

Carrier localization structure combined with current micropaths in AlGaN quantum wells grown on an AIN template with macrosteps 査読有り

Kojima K, Nagasawa Y, Hirano A, Ippommatsu M, Honda Y, Amano H, Akasaki I, Chichibu S. F

APPLIED PHYSICS LETTERS   114 巻 ( 1 )   2019年1月

高感度電子線ホログラフィーによるGaN系半導体のドーパント濃度分布の観察 査読有り

仲野 靖孝, 本田 善央, 天野 浩, 松本 実子, 穴田 智史, 山本 和生, 石川 由加里, 平山 司, 安藤 悠人, 小倉 昌也, 田中 敦之

まてりあ   58 巻 ( 2 ) 頁： 103-103 - 103   2019年

Analysis of negative electron affinity InGaN photocathode by temperature-programed desorption method 査読有り

Kashima, M; Sato, D; Koizumi, A; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H; Iijima, H; Meguro, T

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   36 巻 ( 6 )   2018年11月

Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

  57 巻 ( 10 )   2018年10月

High-temperature thermal annealing of nonpolar (10(1)over-bar0) AlN layers sputtered on (1 0(1)over-bar0) sapphire 査読有り

Dinh, DV; Hu, N; Honda, Y; Amano, H; Pristovsek, M

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   498 巻   頁： 377 - 380   2018年9月

Detailed study of effects of duration of pre-AIN-growth trimethylaluminum step on morphologies of GaN layers grown on silicon substrate by metal organic chemical vapor deposition 査読有り

  57 巻 ( 9 )   2018年9月

Reduction of Residual Impurities in Homoepitaxial m-Plane (10(1)over-bar0) GaN by Using N₂ Carrier Gas in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

Barry, OI; Lekhal, K; Bae, SY; Lee, HJ; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   12 巻 ( 8 )   2018年8月

Improvement of breakdown voltage of vertical GaN p-n junction diode with Ga₂O₃ passivated by sputtering 査読有り

Ueoka, Y; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 7 )   2018年7月

Study on the Main-Chain Structure of Amorphous Fluorine Resins for Encapsulating AlGaN-Based DUV-LEDs 査読有り

Yamada, K; Nagasawa, Y; Nagai, S; Hirano, A; Ippommatsu, M; Aosaki, K; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 10 )   2018年5月

<i>m</i>-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle <i>m</i>-Plane GaN Substrates 査読有り

Tanaka, A; Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Cheong, H; Ousmane, B; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 9 )   2018年5月

Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

  11 巻 ( 5 )   2018年5月

Reduction of Dislocations in GaN on Silicon Substrate Using In Situ Etching 査読有り

Matsumoto, K; Ono, T; Honda, Y; Yamamoto, T; Usami, S; Kushimoto, M; Murakami, S; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   255 巻 ( 5 )   2018年5月

Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate 査読有り

Usami, S; Ando, Y; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Sugawara, Y; Yao, YZ; Ishikawa, Y

APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 18 )   2018年4月

Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り 国際誌

Yang, X; Nitta, S; Nagamatsu, K; Bae, SY; Lee, HJ; Liu, YH; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   482 巻   頁： 1 - 8   2018年1月

Theoretical Study of the Electronic Structure of Threading Edge Dislocations in GaN 査読有り

Nakano, T; Araidai, M; Shiraishi, K; Tanaka, A; Honda, Y; Amano, H

GALLIUM NITRIDE AND SILICON CARBIDE POWER TECHNOLOGIES 8   86 巻 ( 12 ) 頁： 41 - 49   2018年

Electrical and Thermal Analysis of Vertical GaN-on-GaN PN Diodes 査読有り

Yates Luke, Pavlidis Georges, Graham Samuel, Usami Shigeyoshi, Nagamatsu Kentaro, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

PROCEEDINGS OF THE 17TH IEEE INTERSOCIETY CONFERENCE ON THERMAL AND THERMOMECHANICAL PHENOMENA IN ELECTRONIC SYSTEMS (ITHERM 2018)     頁： 831-837   2018年

Charge-to-time converting leading-edge discriminator for plastic-scintillator signals 査読有り 国際誌

  875 巻   頁： 193 - 200   2017年12月

Initial leakage current paths in the vertical-type GaN-on-GaN Schottky barrier diodes 査読有り 国際誌

Sang, LW; Ren, B; Sumiya, M; Liao, MY; Koide, Y; Tanaka, A; Cho, YJ; Harada, Y; Nabatame, T; Sekiguchi, T; Usami, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   111 巻 ( 12 )   2017年9月

Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations 査読有り 国際誌

Tanikawa, T; Shojiki, K; Katayama, R; Kuboya, S; Matsuoka, T; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   10 巻 ( 8 )   2017年8月

Selective-area growth of doped GaN nanorods by pulsed-mode MOCVD: Effect of Si and Mg dopants 査読有り

Bae, SY; Lekhal, K; Lee, HJ; Min, JW; Lee, DS; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   254 巻 ( 8 )   2017年8月

Facet dependence of leakage current and carrier concentration in m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE 査読有り 国際誌

Tanaka, A; Barry, O; Nagamatsu, K; Matsushita, J; Deki, M; Ando, Y; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and on the characteristics of p-n diodes 査読有り 国際誌

Usami, S; Miyagoshi, R; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Kushimoto, M; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

Decomposition of trimethylgallium and adduct formation in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor analyzed by high-resolution gas monitoring system 査読有り 国際誌

Nagamatsu, K; Nitta, S; Ye, Z; Nagao, H; Miki, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   254 巻 ( 8 )   2017年8月

A-plane GaN growth on (11-20) 4H-SiC substrate with an ultrathin interlayer 査読有り 国際誌

Sun, Z; Song, PF; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 866 - 869   2017年6月

Orientation-controlled epitaxial lateral overgrowth of semipolar GaN on Si(001) with a directionally sputtered AlN buffer layer 査読有り 国際誌

Lee, HJ; Bae, SY; Lekhal, K; Tamura, A; Suzuki, T; Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 547 - 551   2017年6月

Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of <i>m</i>-plane (10(1)over-bar0) GaN homoepitaxial layers 査読有り 国際誌

Barry, OI; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Bae, SY; Lekhal, K; Matsushita, J; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 552 - 556   2017年6月

Uneven AlGaN multiple quantum well for deep-ultraviolet LEDs grown on macrosteps and impact on electroluminescence spectral output 査読有り

  56 巻 ( 6 )   2017年6月

Selective-area growth of vertically oriented GaN nanostructures with a hafnium pre-orienting layer 査読有り 国際誌

  468 巻   頁： 110 - 113   2017年6月

Annealing effect on threading dislocations in a GaN grown on Si substrate 査読有り 国際誌

  468 巻   頁： 835 - 838   2017年6月

III-nitride core-shell nanorod array on quartz substrates 査読有り

  7 巻   2017年3月

AlN and AlGaN layers grown on Si(111) substrate by mixed-source hydride vapor phase epitaxy method 査読有り 国際誌

Jeon, H; Jeon, I; Lee, GS; Bae, SG; Ahn, HS; Yang, M; Yi, SN; Yu, YM; Honda, Y; Sawaki, N; Kim, SW

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

Mechanism of light emission and manufacturing process of vertical-type light-emitting diode grown by hydride vapor phase epitaxy 査読有り 国際誌

Lee, GS; Jeon, H; Ahn, HS; Yang, M; Yi, SN; Yu, YM; Lee, SC; Honda, Y; Sawaki, N; Kim, SW

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics 査読有り

    頁： .   2017年

Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics 査読有り

Ogura M, Ando Y, Usami S, Nagamatsu K, Kushimoto M, Deki M, Tanaka A, Nitta S, Honda Y, Pristovsek M, Kawai H, Yagi S, Amano H

2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     頁： .   2017年

Improved crystal quality of semipolar (10(1)over-bar3) GaN on Si(001) substrates using AlN/GaN superlattice interlayer 査読有り 国際誌

Lee, HJ; Bae, SY; Lekhal, K; Mitsunari, T; Tamura, A; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   454 巻   頁： 114 - 120   2016年11月

Controlled morphology of regular GaN microrod arrays by a selective area growth with HVPE 査読有り 国際誌

Lekhal, K; Bae, SY; Lee, HJ; Mitsunari, T; Tamura, A; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   447 巻   頁： 55 - 61   2016年8月

Development of highly durable deep-ultraviolet AlGaN-based LED multichip array with hemispherical encapsulated structures using a selected resin through a detailed feasibility study 査読有り 国際誌

Nagai, S; Yamada, K; Hirano, A; Ippommatsu, M; Ito, M; Morishima, N; Aosaki, K; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 8 )   2016年8月

Evaluation of excess In during metal organic vapor-phase epitaxy growth of InGaN by monitoring via in situ laser scattering 査読有り 国際誌

Yamamoto, T; Tamura, A; Usami, S; Mitsunari, T; Nagamatsu, K; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

Theoretical approach to surface reconstruction of InN(0001) during raised-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り

Kusaba, A; Kangawa, Y; Honda, Y; Amano, H; Kakimoto, K

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

Study of radiation detection properties of GaN pn diode 査読有り

Sugiura, M; Kushimoto, M; Mitsunari, T; Yamashita, K; Honda, Y; Amano, H; Inoue, Y; Mimura, H; Aoki, T; Nakano, T

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

Structural and optical study of core-shell InGaN layers of nanorod arrays with multiple stacks of InGaN/GaN superlattices for absorption of longer solar spectrum 査読有り 国際誌

Bae, SY; Jung, BO; Lekhal, K; Lee, DS; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

Selective-area growth of GaN microrods on strain-induced templates by hydride vapor phase epitaxy 査読有り 国際誌

Lekhal, K; Bae, SY; Lee, HJ; Mitsunari, T; Tamura, A; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

Preflow trimethylaluminum treatment effect on GaN growth on SiC with an ultrathin interlayer 査読有り 国際誌

Sun, Z; Nagamatsu, K; Olsson, M; Song, PF; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

Observation of relaxation time of surface charge limit for InGaN photocathodes with negative electron affinity 査読有り 国際誌

Sato, D; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

Growth of semipolar (1(1)over-bar01) high-indium-content InGaN quantum wells using InGaN tilting layer on Si(001) 査読有り 国際誌

Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

Growth of AlN layer on patterned sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy 査読有り 国際誌

Lee, GS; Lee, C; Jeon, H; Lee, C; Bae, SG; Ahn, HS; Yang, M; Yi, SN; Yu, YM; Lee, JH; Honda, Y; Sawaki, N; Kim, SW

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

Emission Characteristics of InGaN/GaN Core-Shell Nanorods Embedded in a 3D Light-Emitting Diode 査読有り 国際誌

Jung, BO; Bae, SY; Lee, S; Kim, SY; Lee, JY; Honda, Y; Amano, H

NANOSCALE RESEARCH LETTERS   11 巻 ( 1 ) 頁： 215   2016年4月

Study of enhanced photovoltaic behavior in InGaN-based solar cells by using SiN<i>_x</i> insertion layer: Influence of dislocations 査読有り

Lee, S; Honda, Y; Amano, H; Jang, J; Nam, O

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 3 )   2016年3月

Effect of piezoelectric field on carrier dynamics in InGaN-based solar cells 査読有り 国際誌

Lee, S; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   49 巻 ( 2 )   2016年1月

The interface analysis of GaN grown on 0° off 6H-SiC with an ultra-thin buffer layer 査読有り

Sun, Z; Ohta, A; Miyazaki, S; Nagamatsu, K; Lee, H; Olsson, M; Ye, Z; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 1 )   2016年1月

Development of AlGaN-based deep-ultraviolet (DUV) LEDs focusing on the fluorine resin encapsulation and the prospect of the practical applications 査読有り 国際誌

Hirano, A; Nagasawa, Y; Iypommatsu, M; Aosaki, K; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

UV AND HIGHER ENERGY PHOTONICS: FROM MATERIALS TO APPLICATIONS   9926 巻   2016年

Highly elongated vertical GaN nanorod arrays on Si substrates with an AlN seed layer by pulsed-mode metal-organic vapor deposition 査読有り 国際誌

Bae, SY; Jung, BO; Lekhal, K; Kim, SY; Lee, JY; Lee, DS; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

CRYSTENGCOMM   18 巻 ( 9 ) 頁： 1505 - 1514   2016年

Excitation density dependence of radiative and nonradiative recombination lifetimes in InGaN/GaN multiple quantum wells 査読有り 国際誌

Murotani, H; Yamada, Y; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   252 巻 ( 5 ) 頁： 940 - 945   2015年5月

Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multiquantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates 査読有り

  8 巻 ( 2 ) 頁： 022702   2015年2月

Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multiquantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates 査読有り

Maki Kushimoto, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Applied Physics Express   8 巻 ( 2 ) 頁： 022702   2015年2月

Optically pumped lasing properties of (1(1)over-bar01) InGaN/GaN stripe multiquantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates 査読有り 国際誌

Kushimoto, M; Tanikawa, T; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   8 巻 ( 2 )   2015年2月

Highly ordered catalyst-free InGaN/GaN core-shell architecture arrays with expanded active area region 査読有り 国際誌

Jung, BO; Bae, SY; Kim, SY; Lee, S; Lee, JY; Lee, DS; Kato, Y; Honda, Y; Amano, H

NANO ENERGY   11 巻   頁： 294 - 303   2015年1月

Nature of yellow luminescence band in GaN grown on Si substrate 査読有り 国際誌

Ito, S; Nakagita, T; Sawaki, N; Ahn, HS; Irie, M; Hikosaka, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 11 )   2014年11月

NEA半導体フォトカソードへの応用を目指したGaN系半導体の量子効率および耐久性の研究 (電子部品・材料) 査読有り 国際誌

佐藤 大樹, 西谷 智博, 前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 巻 ( 202 ) 頁： 49-54 - 54   2014年9月

P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications (シリコン材料・デバイス) 査読有り 国際誌

SUN Zheng, Olsson Marc, NAGAYAMA Tsutomu, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 巻 ( 58 ) 頁： 109-112 - 112   2014年5月

P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications (電子部品・材料) 査読有り

SUN Zheng, Olsson Marc, NAGAYAMA Tsutomu, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 巻 ( 57 ) 頁： 109-112 - 112   2014年5月

P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications (電子デバイス) 査読有り

SUN Zheng, Olsson Marc, NAGAYAMA Tsutomu, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 巻 ( 56 ) 頁： 109-112 - 112   2014年5月

Characterization of nonpolar <i>a</i>-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO₂ mask 査読有り 国際誌

Son, JS; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 5 )   2014年5月

<i>In situ</i> X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り 国際誌

Ju, GX; Honda, Y; Tabuchi, M; Takeda, Y; Amano, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   115 巻 ( 9 )   2014年3月

Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 査読有り 国際誌

Miao, C; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 3 )   2014年3月

Novel activation process for Mg-implanted GaN 査読有り 国際誌

Hashimoto, S; Nakamura, T; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   388 巻   頁： 112 - 115   2014年2月

Growth of low-defect-density nonpolar <i>a</i>-plane GaN on <i>r</i>-plane sapphire using pulse NH₃ interrupted etching 査読有り 国際誌

Son, JS; Honda, Y; Amano, H

OPTICS EXPRESS   22 巻 ( 3 ) 頁： 3585 - 3592   2014年2月

Novel activation process for Mg-implanted GaN 査読有り

  388 巻   頁： 112-115   2014年

In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

  115 巻 ( 9 ) 頁： 94906   2014年

Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 査読有り

    頁： 90030E-90030E-6   2014年

Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask 査読有り

  53 巻 ( 5S1 ) 頁： 05FL01   2014年

Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH< sub> 3</sub> interrupted etching 査読有り

  22 巻 ( 3 ) 頁： 3585-3592   2014年

Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り

  11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 722-725   2014年

Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 査読有り

  53 巻 ( 3 ) 頁： 30306   2014年

Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 査読有り

  16 巻 ( 11 ) 頁： 2273-2282   2014年

X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

  11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 393-396   2014年

Recombination dynamics and internal quantum efficiency in InGaN nanowires 査読有り

  11 巻 ( 3-4 ) 頁： 652 - 655   2014年

Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 査読有り 国際誌

Yamashita, K; Sugiyama, T; Iwai, M; Honda, Y; Yoshino, T; Amano, H

LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XVIII   9003 巻   2014年

Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 査読有り 国際誌

Jung, BO; Bae, SY; Kato, Y; Imura, M; Lee, DS; Honda, Y; Amano, H

CRYSTENGCOMM   16 巻 ( 11 ) 頁： 2273 - 2282   2014年

Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り 国際誌

  11 巻 ( 3-4 ) 頁： 722 - 725   2014年

X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

  11 巻 ( 3-4 ) 頁： 393 - 396   2014年

X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Ju, Guangxu, Kato, Yoshihiro, Honda, Yoshio, Tabuchi, Masao, Takeda, Yoshikazu, Amano, Hiroshi

physica status solidi (c)   11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 393-396   2014年

Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 査読有り

Yamashita, Kouhei, Sugiyama, Tomohiko, Iwai, Makoto, Honda, Yoshio, Yoshino, Takashi, Amano, Hiroshi

SPIE OPTO     頁： 90030E-90030E-6   2014年

Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask 査読有り

Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics   53 巻 ( 5S1 ) 頁： 05FL01   2014年

Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り

Okuno, Koji, Oshio, Takahide, Shibata, Naoki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

physica status solidi (c)   11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 722-725   2014年

Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 査読有り

Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics   53 巻 ( 3 ) 頁： 30306   2014年

Novel activation process for Mg-implanted GaN 査読有り

Hashimoto, Shin, Nakamura, Takao, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

Journal of Crystal Growth   388 巻   頁： 112-115   2014年

Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 査読有り

Jung, Byung Oh, Bae, Si-Young, Kato, Yoshihiro, Imura, Masataka, Lee, Dong-Seon, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

CrystEngComm   16 巻 ( 11 ) 頁： 2273-2282   2014年

In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

Ju, Guangxu, Honda, Yoshio, Tabuchi, Masao, Takeda, Yoshikazu, Amano, Hiroshi

Journal of Applied Physics   115 巻 ( 9 ) 頁： 94906   2014年

Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH< sub> 3</sub> interrupted etching 査読有り

Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

Optics express   22 巻 ( 3 ) 頁： 3585-3592   2014年

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (レーザ・量子エレクトロニクス)

若杉 侑矢, 本田 善央, 天野 浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 331 ) 頁： 47 - 50   2013年11月

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子部品・材料)

若杉 侑矢, 本田 善央, 天野 浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 330 ) 頁： 47 - 50   2013年11月

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子デバイス)

若杉 侑矢, 本田 善央, 天野 浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 329 ) 頁： 47 - 50   2013年11月

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (レーザ・量子エレクトロニクス)

前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩, 西谷 智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 331 ) 頁： 43 - 46   2013年11月

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子部品・材料)

前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩, 西谷 智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 330 ) 頁： 43 - 46   2013年11月

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子デバイス)

前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩, 西谷 智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 329 ) 頁： 43 - 46   2013年11月

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

phys. stat. sol. (c)   10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372   2013年3月

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

phys. stat. sol. (c)   10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372   2013年3月

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, H. Amano

phys. stat. sol. (c)   10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372   2013年3月

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, H. Amano

phys. stat. sol. (c)   10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372   2013年3月

Progress and Prospect of the Growth of Wide-Band-Gap Group III Nitrides: Development of the Growth Method for Single-Crystal Bulk GaN 査読有り

Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 5R ) 頁： 50001   2013年

Growth of GaN on Si (111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer 査読有り

Yamada, Takaya; Tanikawa, Tomoyuki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB16   2013年

Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1bar 101) GaN 査読有り

Tanikawa, Tomoyuki; Sano, Tomotaka; Kushimoto, Maki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC05   2013年

Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires 査読有り

Tabata, Takuya; Paek, Jihyun; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JE06   2013年

Effects of nano-and microscale SiO2 masks on the growth of a-plane GaN layers on r-plane sapphire 査読有り

Son, Ji-Su; Miao, Cao; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi; Seo, Yong Gon; Hwang, Sung-Min; Baik, Kwang Hyeon;

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC04   2013年

Characteristics of< i> a</i>-plane GaN films grown on optimized silicon-dioxide-patterned< i> r</i>-plane sapphire substrates 査読有り

Son, Ji-Su; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi; Baik, Kwang Hyeon; Seo, Yong Gon; Hwang, Sung-Min;

Thin Solid Films   546 巻   頁： 108-113   2013年

Defects generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate 査読有り

Sawaki, N; Ito, S; Nakagita, T; Iwata, H; Tanikawa, T; Irie, M; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H;

SPIE OPTO     頁： 86250K-86250K-6   2013年

High internal quantum efficiency blue-green light-emitting diode with small efficiency droop fabricated on low dislocation density GaN substrate 査読有り

Sano, Tomotaka; Doi, Tomohiro; Inada, Shunko Albano; Sugiyama, Tomohiko; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Yoshino, Takashi;

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JK09   2013年

Growth mode and threading dislocation behavior of GaN films grown on patterned sapphire substrate with radial stripe pattern 査読有り

Okuno, Koji; Oshio, Takahide; Shibata, Naoki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB09   2013年

Thick InGaN Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with Sputtered InGaN Buffer Layer 査読有り

Ohata, Toshiya; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB11   2013年

GaN Nanowires Grown on a Graphite Substrate by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy 査読有り

Nakagawa, Shinta; Tabata, Takuya; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JE07   2013年

Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires 査読有り

Murotani, Hideaki; Yamada, Yoichi; Tabata, Takuya; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Journal of Applied Physics   114 巻 ( 15 ) 頁： 153506   2013年

GaN Overgrowth on Thermally Etched Nanoporous GaN Template 査読有り

Miao, Cao; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB03   2013年

Strain-Compensated Effect on the Growth of InGaN/AlGaN Multi-Quantum Well by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

Doi, Tomohiro; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB14   2013年

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Okuno Koji, Oshio Takahide, Shibata Naoki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Tanaka Shigeyasu, Amano Hiroshi

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3   10 巻 ( 3 ) 頁： 369 - 372   2013年

Thick InGaN Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with Sputtered InGaN Buffer Layer 査読有り

Ohata, Toshiya, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB11   2013年

Progress and Prospect of the Growth of Wide-Band-Gap Group III Nitrides: Development of the Growth Method for Single-Crystal Bulk GaN 査読有り

Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 5R ) 頁： 50001   2013年

Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires 査読有り

Tabata, Takuya, Paek, Jihyun, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JE06   2013年

Strain-Compensated Effect on the Growth of InGaN/AlGaN Multi-Quantum Well by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

Doi, Tomohiro, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB14   2013年

Characteristics of< i> a</i>-plane GaN films grown on optimized silicon-dioxide-patterned< i> r</i>-plane sapphire substrates 査読有り

Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi, Baik, Kwang Hyeon, Seo, Yong Gon, Hwang, Sung-Min

Thin Solid Films   546 巻   頁： 108-113   2013年

Growth of GaN on Si (111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer 査読有り

Yamada, Takaya, Tanikawa, Tomoyuki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB16   2013年

Growth mode and threading dislocation behavior of GaN films grown on patterned sapphire substrate with radial stripe pattern 査読有り

Okuno, Koji, Oshio, Takahide, Shibata, Naoki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB09   2013年

GaN Overgrowth on Thermally Etched Nanoporous GaN Template 査読有り

Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB03   2013年

GaN Nanowires Grown on a Graphite Substrate by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy 査読有り

Nakagawa, Shinta, Tabata, Takuya, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JE07   2013年

Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1bar 101) GaN 査読有り

Tanikawa, Tomoyuki, Sano, Tomotaka, Kushimoto, Maki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC05   2013年

Effects of nano-and microscale SiO2 masks on the growth of a-plane GaN layers on r-plane sapphire 査読有り

Son, Ji-Su, Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi, Seo, Yong Gon, Hwang, Sung-Min, Baik, Kwang Hyeon

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC04   2013年

Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires 査読有り

Murotani, Hideaki, Yamada, Yoichi, Tabata, Takuya, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Journal of Applied Physics   114 巻 ( 15 ) 頁： 153506   2013年

Defects generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate 査読有り

Sawaki, N, Ito, S, Nakagita, T, Iwata, H, Tanikawa, T, Irie, M, Honda, Y, Yamaguchi, M, Amano, H

SPIE OPTO     頁： 86250K-86250K-6   2013年

High internal quantum efficiency blue-green light-emitting diode with small efficiency droop fabricated on low dislocation density GaN substrate 査読有り

Sano, Tomotaka, Doi, Tomohiro, Inada, Shunko Albano, Sugiyama, Tomohiko, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi, Yoshino, Takashi

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JK09   2013年

Effects of low energy e-beam irradiation on cathodoluminescence from GaN 査読有り

S. Suihkonen, H. Nykänen, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, Y. Honda, and H. Amano

phys. stat. sol. (a)   210 巻 ( 2 ) 頁： 383-385   2012年12月

Effects of low energy e-beam irradiation on cathodoluminescence from GaN 査読有り

S. Suihkonen, H. Nykänen, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano

phys. stat. sol. (a)   210 巻 ( 2 ) 頁： 383-385   2012年12月

Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   112 巻 ( 32 ) 頁： 15 - 18   2012年5月

Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   112 巻 ( 33 ) 頁： 15 - 18   2012年5月

Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   112 巻 ( 34 ) 頁： 15 - 18   2012年5月

Strain relaxation in thick (1-101)InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り

T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (b)   249 巻 ( 3 ) 頁： 468–471   2012年3月

Strain relaxation in thick (1-101)InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り

T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki

phys. stat. sol. (b)   249 巻 ( 3 ) 頁： 468–471   2012年3月

Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り

T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646–649   2012年3月

Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り

T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646–649   2012年3月