2022/03/31 更新

写真a

オオノ ユタカ
大野 雄高
OHNO, Yutaka
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 教授
大学院担当
大学院工学研究科
職名
教授
ホームページ

学位 2

  1. 工学修士

  2. 工学博士

研究キーワード 13

  1. 電子物性

  2. 光物性

  3. カーボンナノチューブ

  4. 窒化ガリウム

  5. 半導体

  6. 表界面

  7. 微細加工

  8. 半導体プロセス

  9. 光デバイス

  10. ナノデバイス

  11. トランジスタ

  12. 半導体デバイス

  13. 微細加工

研究分野 2

  1. その他 / その他  / ナノ材料・ナノバイオサイエンス

  2. その他 / その他  / 電子デバイス・電子機器

現在の研究課題とSDGs 2

  1. ナノカーボン材料に基づくフレキシブルエレクトロニクスの創製

  2. ナノ材料に基づくエネルギーハーベスティング技術の創出

経歴 7

  1. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部   教授

    2015年10月 - 現在

  2. アールト大学客員教授(併任)

    2012年7月 - 2013年6月

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    国名:フィンランド共和国

  3. 名古屋大学工学研究科准教授

    2008年4月 - 現在

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    国名:日本国

  4. 名古屋大学工学研究科 助教

    2007年4月 - 2008年3月

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    国名:日本国

  5. 科学技術振興機構 戦略的創造研究事業 さきがけ研究員(併任)

    2003年10月 - 2007年3月

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    国名:日本国

  6. 名古屋大学工学研究科 助手

    2000年4月 - 2007年3月

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    国名:日本国

  7. 日本学術振興会 特別研究員

    1999年1月 - 2000年3月

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    国名:日本国

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学歴 1

  1. 名古屋大学   工学研究科   量子工学専攻

    - 2000年

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    国名: 日本国

所属学協会 5

  1. 応用物理学会

  2. アメリカ化学会

  3. フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会

  4. 日本物理学会

  5. 電子情報通信学会

委員歴 2

  1. フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会   会長  

    2020年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  2. International Microprocesses and Nanotechnology Conference   Section sub-head  

    2005年11月 - 2008年10月   

受賞 5

  1. APEX/JJAP編集貢献賞受賞

    2013年4月   応用物理学会  

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    受賞国:日本国

  2. 講演奨励賞

    2003年11月   応用物理学会  

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    受賞国:日本国

  3. Nanoscale Horizons Presentation Prize

    2021年3月   Royal Society of Chemistry   Self-aligned hybrid quantum structure of diamond nitrogen-vacancy center and carbon nanotube for electrical control of quantum states

    H. Uchiyama

  4. 第60回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム 若手奨励賞

    2021年3月   フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会   Self-aligned hybrid quantum structure of diamond nitrogen-vacancy center and carbon nanotube for electrical control of quantum states

    内山晴貴

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞 

  5. 永井科学技術財団財団賞 学術賞

    2016年3月   永井科学技術財団   立体形状に成形可能な全カーボン電子デバイスの研究開発

    大野雄高

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    受賞区分:出版社・新聞社・財団等の賞  受賞国:日本国

 

論文 335

  1. In situ monitoring of the electrical property of carbon nanotube thin film in floating catalyst chemical vapor deposition 査読有り

    Oshima H., Iwase K., Ohno Y.

    Japanese Journal of Applied Physics   61 巻 ( 3 )   2022年3月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    In floating catalyst chemical vapor deposition (FCCVD), when a carbon nanotube (CNT) network film is produced by filter collection, the film thickness is adjusted by controlling the collection time. However, even with consistent synthesis parameters, the synthesis condition in FCCVD changes constantly depending on the carbon and catalyst adhesion to the inner wall of the reaction tube. Thus, the rate of synthesis changes, making it difficult to obtain the target film thickness repeatedly and stably. We propose a method of monitoring CNT film thickness and percolation threshold by the in situ measurement of the electrical impedance during the deposition. The time evolution of the measured impedance is reproducible by an equivalent electrical circuit simulation.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac4a5e

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  2. PMMA/Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>bilayer passivation for suppression of hysteresis in chemically doped carbon nanotube thin-film transistors 査読有り

    Tan F.W., Hirotani J., Kishimoto S., Ohno Y.

    Japanese Journal of Applied Physics   61 巻 ( 3 )   2022年3月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Hysteresis is usually present in carbon nanotube thin-film transistors exposed to air due to adsorbed water and oxygen molecules. Thus, it is desirable to passivate the device from these environmental effects and provide an air-stable platform for chemical doping to tune the threshold voltages. Here, we demonstrate p- and n-doped carbon nanotube transistors with suppressed hysteresis using bilayer stacking of poly(methyl methacrylate) and aluminum oxide (Al2O3) passivation layers using a low-temperature process suitable for flexible substrates. The results show that the bilayer passivation layers achieved reduced hysteresis to be 2.25% of applied gate voltage at low operation voltage as 2 V.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac5264

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  3. Temperature dependence of Raman shift in defective single-walled carbon nanotubes 査読有り

    Endo Masanori, Uchiyama Haruki, Ohno Yutaka, Hirotani Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 2 )   2022年2月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    Raman scatterings of both pristine and defective single-walled carbon nanotubes were measured. Defects on carbon nanotubes (CNTs) were induced by UV/O3 treatment, and the correlation between the temperature dependence of the Raman shift of the G-band and the crystallinity of CNTs was investigated. In the temperature range of 250-600 K, a gradual negative change in the slope was observed; the linear shift of the Raman G-band frequency with respect to temperature increased as the crystallinity deteriorated. This phenomenon is attributed to the increase in the fourth-order phonon-phonon scattering interaction resulting from the induced defects.

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac4678

    Web of Science

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  4. In-plane dual-electrode triboelectric nanogenerator based on differential surface functionalization 査読有り

    Matsunaga M., Hirotani J., Ohno Y.

    Applied Physics Express   15 巻 ( 2 )   2022年2月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    Stretchable triboelectric nanogenerators (s-TENGs) are promising power sources for self-powered wearable electronics. Conventional single-electrode s-TENGs require an external ground electrode to form a closed circuit. We propose an in-plane dual-electrode s-TENG based on differential surface functionalization to eliminate the external ground electrode. The s-TENG comprises fully stretchable materials such as carbon nanotube thin films and elastomers. The top surface of the elastomer was functionalized to produce a difference in electronegativity between the two electrode regions. A high output power density of 3.5 W m-2 was obtained by tapping the two electrode regions by hand.

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac4d07

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  5. Carbon Nanotube-Based Nanomechanical Receiver for Digital Data Transfer 査読有り

    Funayama K., Tanaka H., Hirotani J., Shimaoka K., Ohno Y., Tadokoro Y.

    ACS Applied Nano Materials   4 巻 ( 12 )   2021年12月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ACS Applied Nano Materials  

    The evolution of carbon nanomaterials can provide tremendous advantages in sensing, computation, and functional materials. A carbon nanotube (CNT) has outstanding thermal and electrical conductivity features and is one of the most promising nanoscale carbon materials. It has a hardness of up to 1 TPa. Exploiting these features, nanomechanical systems with CNTs have been reported to achieve ultrasensitive sensors for mass, force, and electromagnetic waves owing to their outstanding elastic and electric properties. Some research groups have attempted to achieve digital data transfer in potential nanoscale wireless terminals with carbon nanomaterials. Although conceptual demonstrations have been reported, the fundamental capability of the transfer, particularly in the presence of noise, is yet to be explained. Here, we experimentally demonstrate for the first time that an ultrasmall digital receiver with a nanomechanical nanoantenna can transfer a vast amount of digital data, up to 1 Mbit, even in the presence of noise. We successfully transfer a digital image data with 393 216 bits. This demonstration proves that the data-transfer capability is close to the theoretical limit established in information theory and channel capacity. This small but robust nanomechanical receiver will contribute to the forthcoming data-oriented age of Internet of things (IoT)- and artificial intelligence (AI)-based systems.

    DOI: 10.1021/acsanm.1c02563

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  6. カーボンナノチューブを用いた柔軟性に富む摩擦帯電型エネルギーハーベスタ 招待有り 査読有り

    松永 正広, 川口 敦司, 大野 雄高

    応用物理   90 巻 ( 11 ) 頁: 684 - 688   2021年11月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    <p>摩擦帯電型エネルギーハーベスタは人体の動作などの低周波の運動から発電することが可能であり,自己給電型ウェアラブルデバイスの電源として期待されている.ウェアラブルデバイスにおいては人体の動的な3次元表面に追従する必要があり,高い伸縮性が要求される.本研究では,カーボンナノチューブ薄膜電極を用いることにより,高出力(8W/m<sup>2</sup>)かつ高伸縮性(35%)をもつシート状の摩擦帯電型エネルギーハーベスタを実現している.誘電体層表面にフッ素プラズマ処理を施すことにより高出力を得た.作製したハーベスタの特徴を生かし,自己発電型信号送信デバイスやLEDを埋め込んだ手袋を実証する.さらに,微小な電力を蓄積して機能デバイスの駆動に有効な電力を実現するための高効率な間欠動作回路の提案と実証も行う.本研究はウェアラブルデバイスの課題である電源の問題に解決の糸口を与えると期待される.</p>

    DOI: 10.11470/oubutsu.90.11_684

    CiNii Research

  7. Dynamic Range Enhancement Via Linearized Output in Nanoelectromechanical Systems by Combining High-Order Harmonics 査読有り 国際誌

    Funayama Keita, Tanaka Hiroya, Hirotani Jun, Shimaoka Keiichi, Ohno Yutaka, Tadokoro Yukihiro

    IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS   68 巻 ( 10 ) 頁: 3251 - 3255   2021年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs  

    There is a strong non-linearity between the field-emission current amplitude and field intensity. This nonlinearity degrades the dynamic range of digital signal processing in a mechanical oscillator composed of a cantilever. To solve this issue, we propose a linearization method by combining the harmonics of the field-emission current. The proposed method significantly increases the dynamic range. The nonlinearity error is 8.94× 10-3 %FS for the proposed method, whereas it is 14.1%FS for the conventional method given by the 2nd harmonic current detection. In addition, the proposed method enables to rake up energy of the higher-order harmonics by utilizing our design framework for combining weights, thereby providing a constant derivative of the output current of the input electric field.

    DOI: 10.1109/TCSII.2021.3062390

    Web of Science

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  8. Special issue on Carbon-based Electronics 招待有り 査読有り

    Das Saptarshi, Ohno Yutaka, Kawarada Hiroshi

    CARBON   182 巻   頁: 856 - 856   2021年9月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Carbon  

    DOI: 10.1016/j.carbon.2021.07.001

    Web of Science

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  9. Tunable carbon nanotube diode with varying asymmetric geometry 査読有り

    Funayama Keita, Hirotani Jun, Miura Atsushi, Tanaka Hiroya, Ohno Yutaka, Tadokoro Yukihiro

    AIP ADVANCES   11 巻 ( 7 ) 頁: 075212   2021年7月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:AIP Advances  

    We propose and demonstrate a carbon nanotube (CNT)-based field emission nanoscale diode to realize a fully integrated nanoscale system, namely, a true nanosystem. To the best of our knowledge, this is the first time a nanodiode simultaneously achieves ease of fabrication and individual tunability of multiple CNT diodes on the nanoscale on the same substrate in a one-time process. A nanodiode comprises a single-wall CNT cathode placed on a substrate, layered insulator, and metal anode. The proposed nanodiode allows us to adjust the turn-on voltage from 1 to 2.4 V by varying the surface area of the anode. Furthermore, as an example of a basic nano-electronic system, nanodiode-based fundamental logic gates (OR and NAND) are demonstrated on a CNT. We propose a theoretical model that derives the theoretical I-V characteristics based on the image-charge method to design the nanodiode quickly. The results in this study contribute to the development of carbon-based nanoelectronic systems.

    DOI: 10.1063/5.0058300

    Web of Science

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  10. Effect of electrochemical functionalization of single-walled carbon nanotube electrodes in flexible enzymatic biofuel cells 査読有り

    Momaya Divyang, Ohno Yutaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 6 ) 頁: 068002   2021年6月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    We report a flexible enzymatic biofuel cell based on electrochemically functionalized single-walled carbon nanotube (SWNT) electrodes. Comparative studies on the impact of the electrochemical functionalization of the SWNT electrodes on the device performance revealed a 40%-110% increase in power density as compared to that of the device with as-fabricated SWNT electrodes, with an observed maximum power density of 7.2 μW cm-2. This improvement in performance can be attributed to the increase in the amount of enzymes adsorbed on the SWNT surface and the enhanced electron transfer rate owing to the SWNT functionalization. Our findings can aid improve the performance of flexible and high-power-density biofuel cells.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac0261

    Web of Science

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  11. Simple and highly efficient intermittent operation circuit for triboelectric nanogenerator toward wearable electronic applications 査読有り 国際誌

    Kawaguchi A., Uchiyama H., Matsunaga M., Ohno Y.

    Applied Physics Express   14 巻 ( 5 )   2021年5月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    Triboelectric nanogenerator (TENG) is a promising power source toward the realization of self-powered wearable electronics. However, because of its pulsed output, a power management circuit, such as an intermittent operation circuit and AC-DC converter, is required to drive electronic devices. In this study, we propose a simple and highly efficient intermittent operation circuit composed of a programmable unijunction transistor. The energy transfer efficiency from the storage capacitor to the load reached 89%. We demonstrated that the intermittent circuit can be used to drive electronic devices such as stopwatches and wristwatches using the electricity generated by a carbon-nanotube-based stretchable TENG. &copy; 2021 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.35848/1882-0786/abf405

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  12. Low-voltage carbon nanotube complementary electronics using chemical doping to tune the threshold voltage 査読有り 国際誌

    Tan F.W., Hirotani J., Nonoguchi Y., Kishimoto S., Kataura H., Ohno Y.

    Applied Physics Express   14 巻 ( 4 ) 頁: 045002   2021年4月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    Simultaneous controlling of the threshold voltage of both p- and n-type transistors, comprising complementary integrated circuits, is required to develop low-voltage and low-power flexible electronics. In this study, we report tuning the threshold voltage of carbon nanotube thin-film transistors with organic and metal-ion complex salts as dopants, and using device passivation to secure air-stability. Chemical doping affords simple yet precise control of the dopant level and enables the threshold voltages to be finely tuned. Complementary inverters were fabricated on a plastic substrate. Operation at a low supply voltage of 0.5 V was achieved with fairly high gain and noise margins.

    DOI: 10.35848/1882-0786/abe8aa

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  13. ZnO Nanostructures Application in Electrochemistry: Influence of Morphology 査読有り 国際共著 国際誌

    Sulciute Agne, Nishimura Keita, Gilshtein Evgeniia, Cesano Federico, Viscardi Guido, Nasibulin Albert G., Ohno Yutaka, Rackauskas Simas

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   125 巻 ( 2 ) 頁: 1472 - 1482   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Physical Chemistry C  

    The aim of this work was to investigate the influence of morphology on its electrochemical properties by comparing ZnO nanostructures in the forms of tetrapods of different sizes, nanorods, and nanoparticles. ZnO tetrapods were prepared by the combustion method and separated into two fractions by size, ruling out the influence of synthesis conditions. Structural and morphological properties of different ZnO nanostructure morphologies were identified by using various characterization techniques: scanning and transmission electron microscopies (SEM and TEM), X-ray powder diffraction (XRD), nitrogen adsorption/desorption measurements at 77 K, and UV-vis spectroscopy (UV-vis). Analysis of electrochemical properties showed the highest active surface area of 0.095 cm2 and the lowest peak separation value of 61.7 mV for large ZnO tetrapods, which are close to the theoretical values. The correlation between the pore size in different ZnO nanostructures because of packing and their electrochemical properties is established. We expect that the detailed analysis of ZnO nanostructures conducted in this study will be advantageous for future electrochemical and biosensing applications of these materials.

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c08459

    Web of Science

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  14. Cross-linking gelation of isomaltodextrin for the chromatographic separation of semiconducting carbon nanotubes 査読有り 国際誌

    Matsunaga Y., Hirotani J., Ohno Y., Omachi H.

    Applied Physics Express   14 巻 ( 1 )   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    The gel column chromatographic separation technique is one of the most rapid and reliable methods to prepare high-purity semiconducting single-wall carbon nanotubes (SWCNTs). However, the use of the expensive dextran-based gels limits the utility and scalability of this technique. Herein, we report the cross-linking gelation of a cost-efficient polysaccharide isomaltodextrin (IMD) for the high-purity separation of s-SWCNTs by column chromatography. The cross-linking reaction with epichlorohydrin under precisely controlled basic conditions gave the sub-micrometer porous IMD gels, which was important for achieving gel chromatographic SWCNT separation. Furthermore, the thin-film transistors prepared from the separated s-SWCNTs exhibited excellent on/off ratios.

    DOI: 10.35848/1882-0786/abd28b

    Web of Science

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  15. Low-Voltage Operable and Strain-Insensitive Stretchable All-Carbon Nanotube Integrated Circuits with Local Strain Suppression Layer 査読有り 国際誌

    Nishio Yuya, Hirotani Jun, Kishimoto Shigeru, Kataura Hiromichi, Ohno Yutaka

    ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS   7 巻 ( 1 )   2021年1月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Advanced Electronic Materials  

    Stretchable devices, which can intimately contact dynamic free-form surfaces, show great promise for wearable and implantable devices for human beings and multifunctional electronic skins for soft robotics. Although some successful stretchable devices have been reported, there are still remaining issues; in particular, the fundamental requirements for wearable devices, including low-voltage operation, operation speed, mechanical stretchability and robustness, and easy circuit design, are needed to be satisfied simultaneously. Here, a local strain suppression layer (L-SSL) is introduced into all-carbon nanotube (CNT) stretchable thin-film transistors (TFTs) and integrated circuits (ICs) to address these issues. The L-SSL, which has a high Young's modulus, is placed on top of the active channel region to suppress the induced local strain. The resulting CNT TFTs show no drain current degradation under externally applied tensile strain of up to 35%. Furthermore, stretchable all-CNT ICs, such as inverters and ring oscillators, can operate at low supply voltage as 0.7 V, because high-k material can be used underneath the L-SSL. Biaxial stretching, an indispensable ability for wearable devices on 3D deformable surfaces such as the human body, is also achieved. The all-CNT devices, equipped with an L-SSL, demonstrate potential for strain-insensitive stretchable devices with low-voltage operation.

    DOI: 10.1002/aelm.202000674

    Web of Science

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  16. Effect of metal electrodes on optically detected magnetic resonance of nitrogen vacancy centers in diamond 査読有り 国際誌

    Uchiyama H., Kishimoto S., Ishi-Hayase J., Ohno Y.

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻 ( 12 )   2020年12月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Operando detection of various physical quantities in electronic devices under operation has been demonstrated by optically detected magnetic resonance (ODMR) using nitrogen vacancy (NV) centers in diamond. However, the ODMR spectrum may also be affected by the existence of the metal electrodes and wirings of the electronic device, which limits the accurate measurement of the objective physical quantity. In this paper, we report the effect of metal electrodes on the ODMR spectrum of NV centers. It was found that the ODMR contrast increased in the vicinity of the metal electrode fabricated on diamond with NV centers. The microwave concentration at the edge of the metal electrode is a plausible cause for the increase in the ODMR contrast. Our results suggest that it is necessary to recognize that the ODMR spectrum may change near the metal electrode and wirings in the ODMR-based operand analysis of electronic devices.

    DOI: 10.35848/1347-4065/abc3d7

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  17. Fabrication of Carbon Nanotube Thin Films for Flexible Transistors by Using a Cross-Linked Amine Polymer 査読有り 国際誌

    Matsumoto Kaisei, Ueno Kazuki, Hirotani Jun, Ohno Yutaka, Omachi Haruka

    CHEMISTRY-A EUROPEAN JOURNAL   26 巻 ( 28 ) 頁: 6118 - 6121   2020年5月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Chemistry - A European Journal  

    Owing to their remarkable properties, single-walled carbon nanotube thin-film transistors (SWCNT-TFTs) are expected to be used in various flexible electronics applications. To fabricate SWCNT channel layers for TFTs, solution-based film formation on a self-assembled monolayer (SAM) covered with amino groups is commonly used. However, this method uses highly oxidized surfaces, which is not suitable for flexible polymeric substrates. In this work, a solution-based SWCNT film fabrication using methoxycarbonyl polyallylamine (Moc-PAA) is reported. The NH2-terminated surface of the cross-linked Moc-PAA layer enables the formation of highly dense and uniform SWCNT networks on both rigid and flexible substrates. TFTs that use the fabricated SWCNT thin film exhibited excellent performance with small variations. The presented simple method to access SWCNT thin film accelerates the realization of flexible nanoelectronics.

    DOI: 10.1002/chem.202000228

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    PubMed

  18. High output voltage generation of over 5 V from liquid motion on single-layer MoS2 査読有り 国際誌

    Aji Adha Sukma, Nishi Ryohei, Ago Hiroki, Ohno Yutaka

    NANO ENERGY   68 巻   2020年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nano Energy  

    Water stores a large amount of clean energy in its dynamic forms. Owing to the wide availability of water and the rising demand for clean energy sources, the direct electricity generation from liquid motion by low-dimensional materials such as graphene has gained much interest. Electricity generation is induced by the motion of an electric double layer at the interface between the liquid droplet and solid surface. However, the output voltage with materials such as graphene is still limited to several hundred millivolts. In this report, we present a large-area single-layer MoS2 film grown by chemical vapor deposition as a nanogenerator, which is capable of generating a large output voltage of more than 5 V from the motion of an aqueous NaCl droplet. Our findings indicate that the high shunt resistance of MoS2 results in a large generated voltage. Furthermore, we demonstrate the possibility to scale up the MoS2 nanogenerator by arranging them in series and parallel connections, which respectively increase the output voltage and current, with a three-times increase with an array of three MoS2 nanogenerators. Our work opens the application of single-layer MoS2 for harvesting electricity from the dynamic movement of liquid, such as the capability to harvest ocean wave energy, which is also demonstrated here.

    DOI: 10.1016/j.nanoen.2019.104370

    Web of Science

    Scopus

  19. High-output, transparent, stretchable triboelectric nanogenerator based on carbon nanotube thin film toward wearable energy harvesters

    Matsunaga Masahiro, Hirotani Jun, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka

    NANO ENERGY   67 巻   2020年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nano Energy  

    Self-powered electronics can improve wearable health monitoring systems. Triboelectric generation, a type of energy harvesting technology, is a promising candidate as power source for wearable devices by generating electricity from body motion. For wearable energy harvesters, stretching is required for adaptation to dynamic three-dimensional body motions, and sufficient output power should be delivered for driving electronic devices. However, the currently demonstrated output power remains insufficient for using stretchable triboelectric generation in practice. We propose high-output (8 W/m2), stretchable triboelectric generators based on transparent carbon nanotube thin films. We realize high output by the surface treatment with fluorine plasma as well as stretchability by scalable and cost-effective spray coated carbon nanotube thin films. The carbon nanotube films also provide excellent scalability, optical transparency (95% transmittance), and durability under large deformations of tensile strain up to 80%. We also demonstrate applications to self-powered optical wireless communication sheets and gloves, where blue light emitting diodes are embedded in the triboelectric nanogenerator sheet and wired using stretchable carbon nanotube films. Our stretchable energy harvesting sheets can contribute to solve major problems in wearable electronics (i.e., power source limitations) at low cost.

    DOI: 10.1016/j.nanoen.2019.104297

    Web of Science

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  20. Fast and Ultraclean Approach for Measuring the Transport Properties of Carbon Nanotubes

    Wei Nan, Laiho Patrik, Khan Abu Taher, Hussain Aqeel, Lyuleeva Alina, Ahmed Saeed, Zhang Qiang, Liao Yongping, Tian Ying, Ding Er-Xiong, Ohno Yutaka, Kauppinen Esko I.

    ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS   30 巻 ( 5 )   2020年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Advanced Functional Materials  

    In this work, a fast approach for the fabrication of hundreds of ultraclean field-effect transistors (FETs) is introduced, using single-walled carbon nanotubes (SWCNTs). The synthesis of the nanomaterial is performed by floating-catalyst chemical vapor deposition, which is employed to fabricate high-performance thin-film transistors. Combined with palladium metal bottom contacts, the transport properties of individual SWCNTs are directly unveiled. The resulting SWCNT-based FETs exhibit a mean field-effect mobility, which is 3.3 times higher than that of high-quality solution-processed CNTs. This demonstrates that the hereby used SWCNTs are superior to comparable materials in terms of their transport properties. In particular, the on–off current ratios reach over 30 million. Thus, this method enables a fast, detailed, and reliable characterization of intrinsic properties of nanomaterials. The obtained ultraclean SWCNT-based FETs shed light on further study of contamination-free SWCNTs on various metal contacts and substrates.

    DOI: 10.1002/adfm.201907150

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  21. Dependence of enhancement factor on electrode size for field emission current from carbon nanotube on silicon wafer

    Funayama Keita, Tanaka Hiroya, Hirotani Jun, Shimaoka Keiichi, Ohno Yutaka, Tadokoro Yukihiro

    NANOTECHNOLOGY   30 巻 ( 42 ) 頁: 425201   2019年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nanotechnology  

    This work studies the enhancement factor associated with a current emitted from a multi-wall carbon nanotube to an extremely small counter electrode. The experimental data show that the field enhancement factor increases by 1.15 times when the width of the counter electrode increases from 50 to 200 nm. To better understand this enhancement effect, field intensities at the emitter surface are numerically simulated. The experimental work and simulations demonstrate that the observed field enhancement results from increases in the capacitance between the emitter and counter electrode. In addition, corrugated counter electrodes are found to greatly affect both the capacitance and enhancement factor. This is because the corrugation of the anode surface raises the capacitance and thus provides a higher current. We experimentally show that an effective surface area enlargement of 1.67 times due to the corrugation provides a 1.06-fold increase of the enhancement factor. These results should assist in the future development of field emission devices based on semiconductor fabrication processes.

    DOI: 10.1088/1361-6528/ab33c8

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  22. Aqueous two-phase extraction of semiconducting single-wall carbon nanotubes with isomaltodextrin and thin-film transistor applications

    Omachi Haruka, Komuro Tomohiko, Matsumoto Kaisei, Nakajima Minako, Watanabe Hikaru, Hirotani Jun, Ohno Yutaka, Shinohara Hisanori

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 9 )   2019年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    Semiconducting single-wall carbon nanotubes (s-SWCNTs) are promising materials with potential applications in thin-film transistors (TFTs). However, separation techniques are required to obtain highly enriched s-SWCNTs since conventional as-grown SWCNTs are a mixture of 70% semiconducting and 30% metallic SWCNTs. Here, we developed a rapid single-step aqueous two-phase extraction of high-purity s-SWCNTs using isomaltodextrin, which is a cost-effective polysaccharide that contains a large amount of α-1,6-glucosidic linkages. We also succeeded in fabricating high-density uniform films directly from the high-purity s-SWCNT extract. Fabricated TFTs exhibited an excellent on/off ratio, carrier mobility, and on-current density.

    DOI: 10.7567/1882-0786/ab369e

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  23. Effects of HLA mismatch on cytomegalovirus reactivation in cord blood transplantation

    Yokoyama H., Kanda J., Kato S., Kondo E., Maeda Y., Saji H., Takahashi S., Onizuka M., Onishi Y., Ozawa Y., Kanamori H., Ishikawa J., Ohno Y., Ichinohe T., Takanashi M., Kato K., Atsuta Y., Kanda Y.

    Bone Marrow Transplantation   54 巻 ( 7 ) 頁: 1004 - 1012   2019年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Bone Marrow Transplantation  

    Although human leukocyte antigen (HLA) mismatch is often thought to be associated with a high incidence of cytomegalovirus (CMV) reactivation, it is not clear whether this process is mediated by HLA mismatch or other factors, such as acute graft-versus-host disease (aGVHD). Here we focused on cord blood transplantation (CBT) and examined the effects of HLA mismatch on the incidence of CMV reactivation while minimizing the effects of aGVHD. In a multivariate analysis considering aGVHD as a time-dependent covariate, a significant effect on the incidence of CMV reactivation was noted for HLA disparity (hazard ratio [HR]: 0.54 for 8/8 match compared with 3-allele mismatch) and development of aGVHD (HR: 1.26). Next, in an analysis excluding cases that developed aGVHD, the incidences of CMV reactivation for 8/8 match and 1-allele mismatch were low compared with those for other mismatches. These findings were supported by the multivariate analysis (HR: 0.49 for 8/8 match and 0.64 for 1-allele mismatch compared with 3-allele mismatch). Together, these results suggested that HLA mismatch was involved in CMV reactivation and was associated with high morbidity of opportunistic infection after CBT.

    DOI: 10.1038/s41409-018-0369-0

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  24. Electrical property measurement of two-dimensional hole-gas layer on hydrogen-terminated diamond surface in vacuum-gap-gate structure

    Inaba Masafumi, Kawarada Hiroshi, Ohno Yutaka

    APPLIED PHYSICS LETTERS   114 巻 ( 25 ) 頁: 253504   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    Hydrogen-terminated diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistors are candidates for power devices that require a high breakdown field and stable, high-frequency operation. A two-dimensional hole-gas layer can form on H-terminated diamond surfaces. To understand the electrical properties of bare H-terminated diamond surfaces, we investigate the surface impurities on a H-terminated diamond surface in a vacuum-gap gate structure, which uses a H-terminated diamond channel and a vacuum gap as gate dielectrics. To obtain a bare surface without surface adsorbate, the device is annealed in a vacuum. The transconductance is increased by removing adsorbates. The mobility and interface-state density at the H-terminated diamond surface with no adsorbates are 25 cm2 V-1 s-1 and 1 × 1012 cm-2 eV-1, respectively.

    DOI: 10.1063/1.5099395

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    CiNii Research

  25. Operando Analysis of Electron Devices Using Nanodiamond Thin Films Containing Nitrogen-Vacancy Centers

    Uchiyama Haruki, Saijo Soya, Kishimoto Shigeru, Ishi-Hayase Junko, Ohno Yutaka

    ACS OMEGA   4 巻 ( 4 ) 頁: 7459 - 7466   2019年4月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:ACS Omega  

    Operando analysis of electron devices provides key information regarding their performance enhancement, reliability, thermal management, etc. For versatile operando analysis of devices, the nitrogen-vacancy (NV) centers in diamonds are potentially useful media owing to their excellent sensitivity to multiple physical parameters. However, in single crystal diamond substrates often used for sensing applications, placing NV centers in contiguity with the active channel is difficult. This study proposes an operando analysis method using a nanodiamond thin film that can be directly formed onto various electron devices by a simple solution-based process. The results of noise analysis of luminescence of the NV centers in nanodiamonds show that the signal-to-noise ratio in optically detected magnetic resonance can be drastically improved by excluding the large 1/f noise of nanodiamonds. Consequently, the magnetic field and increase in temperature caused by the device current could be simultaneously measured in a lithographically fabricated metal microwire as a test device. Moreover, the spatial mapping measurement is demonstrated and shows a similar profile with the numerical calculation.

    DOI: 10.1021/acsomega.9b00344

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    PubMed

  26. Graft-versus-MDS effect after unrelated cord blood transplantation: a retrospective analysis of 752 patients registered at the Japanese Data Center for Hematopoietic Cell Transplantation

    Ishiyama K., Aoki J., Itonaga H., Uchida N., Takahashi S., Ohno Y., Matsuhashi Y., Sakura T., Onizuka M., Miyakoshi S., Takanashi M., Fukuda T., Atsuta Y., Nakao S., Miyazaki Y.

    Blood Cancer Journal   9 巻 ( 3 )   2019年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Blood Cancer Journal  

    Allogeneic hematopoietic stem cell transplantation is the sole curative therapy for myelodysplastic syndrome (MDS). However, there is concern regarding graft failure and relapse in patients who undergo cord blood transplantation (CBT). We conducted a retrospective study of the CBT outcomes in MDS patients using the Japanese Data Center for Hematopoietic Cell Transplantation database. Seven hundred fifty-two de novo MDS patients of ≥18 years of age (median, 58 years) undergoing their first CBT between 2001 and 2015 were examined. Two-thirds of the patients were male, and were RAEB. The cumulative incidences of neutrophil and platelet engraftment at day 100 were 77 and 59%, respectively. The 3-year overall survival (OS) was 41% and the median survival of the patients was 1.25 years. A multivariate analysis of pre-transplant variables showed that the age, gender, cytogenetic subgroups, number of RBC transfusions, HCT-CI and year of CBT significantly influenced the outcome. The cumulative incidence of acute graft-versus-host disease (aGVHD) and chronic GVHD (cGVHD) was 32 and 21%, respectively. A survival benefit was observed in patients who developed cGVHD, but not aGVHD. Our results suggest that CBT is an acceptable alternative graft and that a graft-versus-MDS effect can be expected, especially in patients who develop cGVHD.

    DOI: 10.1038/s41408-019-0192-x

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  27. Highly Uniform, Flexible Microelectrodes Based on the Clean Single-Walled Carbon Nanotube Thin Film with High Electrochemical Activity

    Nguyen Xuan Viet, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka

    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   11 巻 ( 6 ) 頁: 6389 - 6395   2019年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ACS Applied Materials and Interfaces  

    Electrochemical sensors based on carbon nanotubes (CNTs) have great potential for use in wearable or implantable biomedical sensor applications because of their excellent mechanical flexibility and biocompatibility. However, the main challenge associated with CNT-based sensors is their uniform and reproducible fabrication on the flexible plastic film. Here, we introduce and demonstrate a highly reliable technique to fabricate flexible CNT microelectrodes on a plastic film. The technique involves a process whereby the CNT film is formed by the dry transfer process based on the floating-catalyst chemical vapor deposition. An oxide protection layer, which is used to cover the CNT thin film during the fabrication process, minimizes contamination of the surface. The fabricated flexible CNT microelectrodes show almost ideal electrochemical characteristics for microelectrodes with the average value of the quartile potentials, ΔE = |E 3/4 - E 1/4 |, being 60.4 ± 2.9 mV for the 28 electrodes, while the ideal value of ΔE = 56.4 mV. The CNT microelectrodes also showed enhanced resistance to surface fouling during dopamine oxidation in comparison to carbon fiber and gold microelectrodes; the degradation of the oxidation current after 10 consecutive cycles were 1.8, 8.3, and 13.9% for CNT, carbon fiber, and gold microelectrodes, respectively. The high-sensitivity detection of dopamine is also demonstrated with differential-pulse voltammetry, with a resulting limit of detection of ∼50 nM. The reliability, uniformity, and sensitivity of the present CNT microelectrodes provide a platform for flexible electrochemical sensors.

    DOI: 10.1021/acsami.8b19252

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  28. Enhancement of the electron transfer rate in carbon nanotube flexible electrochemical sensors by surface functionalization

    Nishimura Keita, Ushiyama Takuya, Viet Nguyen Xuan, Inaba Masafumi, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka

    ELECTROCHIMICA ACTA   295 巻   頁: 157 - 163   2019年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Electrochimica Acta  

    Thin films of single-walled carbon nanotubes (SWNTs) possess high potential for use in flexible electrochemical sensors in wearable medical devices. However, the electrochemical activity of such materials is not yet fully understood. We studied the enhancement in electrochemical activity of SWNT-based flexible electrochemical sensors. To exclude the effect of surface contaminations from the fabrication processes on the electrochemical activity, we introduced the dry process for high-quality and clean SWNT film formation and the clean device fabrication process with a protective layer. So-fabricated SWNT electrodes exhibited a low electron transfer rate. Electrochemical functionalization with an H2SO4 solution successfully enhanced the electrochemical activity of the SWNT electrode for the inner sphere probes such as [Fe(CN)6]4−/3−. This method is quite gentle and controllable, but also effective at increasing the electron transfer rate without either degrading the potential window. We found out that there was a correlation between the electron transfer rate and the amount of defects evaluated from Raman scattering spectroscopy. XPS analysis showed that the functionalization process introduced C–O and C[dbnd]O species, suggesting that these species constituted active sites for inner sphere probes. The electrochemical functionalization was also effective for enhancing the limit of detection in dopamine detection with the flexible SWNT electrode. The limit of detection was ∼100 nM for functionalized electrode whereas it was ∼1 μM for as-fabricated electrodes.

    DOI: 10.1016/j.electacta.2018.10.147

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  29. Origins of the variability of the electrical characteristics of solution-processed carbon nanotube thin-film transistors and integrated circuits

    Hirotani Jun, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka

    NANOSCALE ADVANCES   1 巻 ( 2 ) 頁: 636 - 642   2019年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nanoscale Advances  

    Carbon nanotube (CNT) thin-film transistors based on solution processing have great potential for use in future flexible and wearable device technologies. However, the considerable variability of their electrical characteristics remains a significant obstacle to their practical use. In this work, we investigated the origins of the variability of these electrical characteristics by performing statistical analysis based on spatial autocorrelation and Monte Carlo simulation. The spatial autocorrelation of the on-current decreased with increasing distance on the order of millimetres, showing that macroscopic non-uniformity of the CNT density was one of the causes of the characteristic variability. In addition, even in the local regime where the macroscopic variability is negligible, the variability was greater than that expected based on the Monte Carlo simulation. The CNT aggregation could be attributed to microscopic variability. We also investigated the variability of the properties of integrated circuits such as inverters and ring oscillators fabricated on flexible plastic film. All of the inverters worked well, and their threshold voltage variations were fairly small. As the number of stages in the ring oscillator increased, the yield decreased, although the oscillation frequency variability improved.

    DOI: 10.1039/c8na00184g

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  30. Carbon Nanotube Thin Films for High-Performance Flexible Electronics Applications

    Hirotani Jun, Ohno Yutaka

    TOPICS IN CURRENT CHEMISTRY   377 巻 ( 1 ) 頁: 3   2019年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Topics in Current Chemistry  

    Carbon nanotube thin films have attracted considerable attention because of their potential use in flexible/stretchable electronics applications, such as flexible displays and wearable health monitoring devices. Due to recent progress in the post-purification processes of carbon nanotubes, high-purity semiconducting carbon nanotubes can be obtained for thin-film transistor applications. One of the key challenges for the practical use of carbon nanotube thin-film transistors is the thin-film formation technology, which is required for achieving not only high performance but also uniform device characteristics. In this paper, after describing the fundamental thin-film formation techniques, we review the recent progress of thin-film formation technologies for carbon nanotube-based flexible electronics.

    DOI: 10.1007/s41061-018-0227-y

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  31. Noise Modeling in Field Emission and Evaluation of the Nano-Receiver in Terms of Temperature

    Funayama Keita, Tanaka Hiroya, Hirotani Jun, Shimaoka Keiichi, Ohno Yutaka, Tadokoro Yukihiro

    IEEE ACCESS   7 巻   頁: 57820 - 57828   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:IEEE Access  

    The field-emission phenomenon is exploited in a broad variety of applications and systems. Previous studies have reported that the current induced by field emission strongly and inherently depend on the temperature. This dependence enhances the noise in the current, which results in performance degradation in, for example, signal detection and communications in nanoscale receivers. In this paper, a mathematical model is presented for the suppression of the noise based on its probability density. Our experiment and analysis revealed that the density follows a Gaussian distribution, and the dependence on temperature is observed to be exponential. This result is intriguing because in the field of signal processing and communication, the influence of temperature is often considered with a noiseerature model, namely, linear dependence. Using our derived model, we theoretically evaluated the communication performance of a nanoscale receiver; owing to the exponential dependence on temperature, severe performance degradation was found with increasing temperature. This means that, as field-emission technology continues to be developed, the temperature should be kept low, for example, at room temperature, to secure the reliability of nanoscale communication devices.

    DOI: 10.1109/ACCESS.2019.2913692

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  32. Stochastic Optimal Control to Minimize the Impact of Manufacturing Variations on Nanomechanical Systems

    Ito Yuji, Funayama Keita, Hirotani Jun, Ohno Yutaka, Tadokoro Yukihiro

    IEEE ACCESS   7 巻   頁: 171195 - 171205   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:IEEE Access  

    This paper presents a control method intended to suppress the effects of manufacturing variations on nanomechanical systems. Often, the resonance characteristics of nanoscale devices are inconsistent, due to unavoidable variations in the fabrication process. This is important because resonant vibrations enhance the sensitivities of the devices. As such, the sensitivities of these systems can be degraded if the device characteristics are not identified. To address this fundamental problem, this paper presents a multidisciplinary method based on control theory, nanotechnology, and communication technology. A stochastic optimal feedback controller is employed to enhance an average sensitivity by regarding the variations as stochastic parameters. This method is applied to nanoscale receivers that detect transmitted binary data based on binary phase-shift keying in communication systems. The proposed method controls the vibrations of carbon nanotubes (CNTs) that serve as the antennas of the receiver. The proposed method is demonstrated via a numerical simulation using nanoscale receivers with the manufacturing variation. The simulation based on experimental data obtained from CNTs shows that the average performance of the devices is enhanced.

    DOI: 10.1109/ACCESS.2019.2955697

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  33. An interdigitated electrode with dense carbon nanotube forests on conductive supports for electrochemical biosensors

    Sugime Hisashi, Ushiyama Takuya, Nishimura Keita, Ohno Yutaka, Noda Suguru

    ANALYST   143 巻 ( 15 ) 頁: 3635 - 3642   2018年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Analyst  

    A highly sensitive interdigitated electrode (IDE) with vertically aligned dense carbon nanotube forests directly grown on conductive supports was demonstrated by combining UV lithography and a low temperature chemical vapor deposition process (470 °C). The cyclic voltammetry (CV) measurements of K4[Fe(CN)6] showed that the redox current of the IDE with CNT forests (CNTF-IDE) reached the steady state much more quickly compared to that of conventional gold IDE (Au-IDE). The performance of the CNTF-IDE largely depended on the geometry of the electrodes (e.g. width and gap). With the optimum three-dimensional electrode structure, the anodic current was amplified by a factor of ∼18 and ∼67 in the CV and the chronoamperometry measurements, respectively. The collection efficiency, defined as the ratio of the cathodic current to the anodic current at steady state, was improved up to 97.3%. The selective detection of dopamine (DA) under the coexistence of l-ascorbic acid with high concentration (100 μM) was achieved with a linear range of 100 nM-100 μM, a sensitivity of 14.3 mA mol-1 L, and a limit of detection (LOD, S/N = 3) of 42 nM. Compared to the conventional carbon electrodes, the CNTF-IDE showed superior anti-fouling property, which is of significant importance for practical applications, with a negligible shift of the half-wave potential (ΔE1/2 < 1.4 mV) for repeated CV measurements of DA at high concentration (100 μM).

    DOI: 10.1039/c8an00528a

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  34. Non-coherent detection of digitally phase-modulated signals with carbon nanotube cantilever vibration

    Tadokoro Y., Ohno Y., Tanaka H.

    ELECTRONICS LETTERS   54 巻 ( 13 ) 頁: 840 - +   2018年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Electronics Letters  

    Towards the realisation of reliable communication systems using simple nanoscale transceivers, this Letter presents a method for the non-coherent detection of digitally phase-modulated signals. Without the synchronisation of the phases of the transmitted and received carrier signals, data transmission cannot be reliably achieved. To address this issue, the proposed method is developed using a nanoscale receiver that receives the binary phase-modulated signal through the mechanical vibration of a carbon nanotube cantilever. The present analysis reveals that this receiver has an interesting characteristic: the two decision statistics available in the receiver have a phase difference of p/2, which means that at least one of the statistics is fairly reliable regardless of the synchronisation error. Through the selection of the more reliable of the two statistics, the proposed method achieves low error in the estimation of the transmitted data even without carrier phase synchronisation. This Letter presents the derivation of the proposed rule for selecting the statistic and numerical results that demonstrate the effectiveness of the proposed method. This Letter is expected to contribute to the realisation of future communication applications using nanoscale transceivers.

    DOI: 10.1049/el.2018.0475

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  35. Detection of Digitally Phase-Modulated Signals Utilizing Mechanical Vibration of CNT Cantilever

    Tadokoro Yukihiro, Ohno Yutaka, Tanaka Hiroya

    IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY   17 巻 ( 1 ) 頁: 84 - 92   2018年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Nanotechnology  

    Communication between tiny sensor nodes is an important function in future sensing applications and services. This paper contributes to the design of both the front end and the demodulator of nanoscale receivers. A nanoscale phase detector is proposed that provides two important functions at nanoscale: Reception of an incoming carrier signal in the megahertz band, and detection of the carrier phase which contains the information of the transmitted digital data. These two functions are achieved by the mechanical vibration of the tip of a carbon nanotube. The proposed detector was theoretically analyzed in terms of its communication aspects; although a digitally phase-modulated signal could be detected in nanoscale, the effective received signal power showed to be strongly reduced in a key performance measure in communication systems, bit error rate. However, the present analysis reveals that the output of the proposed detector has two frequency components, which describe the transmitted data. To take the advantage of this characteristic, a demodulator using maximum-ratio combining is introduced in this paper. The optimal weights used to combine the components were analytically derived to improve the bit error rate performance. The effectiveness of the nanoscale phase detector is numerically demonstrated, and the gain relative to the demodulation achieved using a conventional simple correlator is established.

    DOI: 10.1109/TNANO.2017.2765310

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  36. Phase shifter tuned by varying the spring constant of a nanomechanical cantilever

    Tanaka H., Ozaki T., Ohno Y., Tadokoro Y.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   122 巻 ( 23 )   2017年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    This paper presents a theoretical study of an adaptive microwave phase shifter based on a nanomechanical resonator. The phase shifter can be tuned to provide an arbitrary phase rotation in the range between -90° and 90° by adjusting the bias voltage applied to the resonator. An analytical model is developed to reveal the underlying mechanism of the phase shifter. It is also analytically demonstrated that the operating frequency can be selected by adjusting the bias voltage. In addition, it is found that the bandwidth is tunable via the quality factor for the cantilever.

    DOI: 10.1063/1.4992040

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  37. Dry and Direct Deposition of Aerosol-Synthesized Single-Walled Carbon Nanotubes by Thermophoresis

    Laiho Patrik, Mustonen Kimmo, Ohno Yutaka, Maruyama Shigeo, Kauppinen Esko I.

    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   9 巻 ( 24 ) 頁: 20738 - 20747   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ACS Applied Materials and Interfaces  

    Single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) show great potential as an active material in electronic and photonic devices, but their applicability is currently limited by shortcomings in existing deposition methods. SWCNTs can be dispersed from liquid solutions; however, their poor solubility requires the use of surfactants and ultrasonication, causing defects and degradation in device performance. Likewise, the high temperatures required by their chemical vapor deposition growth limit substrates on which SWCNTs can be directly grown. Here, we present a systematic study of the direct deposition of pristine, aerosol-synthesized SWCNTs by thermophoresis. The density of the deposited nanotube film can be continuously adjusted from individual, separated nanotubes to multilayer thin films by changing the deposition time. Depending on the lateral flow inside the thermophoretic precipitator, the angular distribution of the deposited SWCNT film can be changed from uniform to nonuniform. Because the substrate is kept at nearly ambient temperature, deposition can be thus carried out on practically any flat substrate with high efficiencies close to unity. The thermophoretic terminal velocity of SWCNTs, determined by aerosol loss measurements, is found to be approximately one-third of the usual prediction in the free molecular regime and shows a weak dependence on the nanotube diameter. As a demonstration of the applicability of our technique, we have used thermophoretic deposition in the fabrication of carbon nanotube thin-film transistors with uniform electrical properties and a high, over 99.5%, yield.

    DOI: 10.1021/acsami.7b03151

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  38. Purification of 1.9-nm-diameter semiconducting single-wall carbon nanotubes by temperature-controlled gel-column chromatography and its application to thin-film transistor devices

    Thendie Boanerges, Omachi Haruka, Hirotani Jun, Ohno Yutaka, Miyata Yasumitsu, Shinohara Hisanori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 6 )   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Large-diameter semiconductor single-wall carbon nanotubes (s-SWCNTs) have superior mobility and conductivity to small-diameter s-SWCNTs. However, the purification of s-SWCNTs with diameters larger than 1.6 nm by gel filtration has been difficult owing to the low selectivity of the conventional purification method in these large-diameter regions. We report a combination of temperature-controlled gel filtration and the gradient elution technique that we developed to enrich a high-purity s-SWCNT with a diameter as large as 1.9nm. The thin-film transistor (TFT) device using the 1.9-nm-diameter SWCNT shows an average channel mobility of 23.7 cm2V%1 s%1, which is much higher than those of conventional SWCNTTFTs with smaller-diameters of 1.5 and 1.4 nm.

    DOI: 10.7567/JJAP.56.065102

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  39. Adaptive Control of Angular Sensitivity for VHF-Band Nano-Antenna Using CNT Mechanical Resonator

    Tanaka H., Ohno Y., Tadokoro Y.

    IEEE Transactions on Molecular, Biological, and Multi-Scale Communications   3 巻 ( 1 ) 頁: 24 - 32   2017年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:IEEE Transactions on Molecular, Biological, and Multi-Scale Communications  

    An adaptive control method of angular sensitivity for a VHF-band nano-antenna is presented. This antenna is composed of a single carbon nanotube cantilever immersed in a DC electric field. The behavior of the antenna is analytically described using a singly clamped metallic sphere model and the image charge method. We derive design guidelines for the direction and shape of angular sensitivity; the amplitude of the DC electric field is a key parameter for controlling the sensitivity. The analysis reveals that the most sensitive direction is tunable in the range of -π/2 to π/2. The shape of sensitivity can be manipulated to be omnidirectional or to correspond to a Hertzian-dipole-like antenna. This investigation is useful for adaptive control to suppress interference signals in nanoscale communication systems.

    DOI: 10.1109/TMBMC.2016.2640282

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  40. Angular Sensitivity Steering in CNT Electromagnetic Wave Detector

    Nobunaga Tatsuya, Tadokoro Yukihiro, Ohno Yutaka, Tanaka Hiroya

    IEEE ANTENNAS AND WIRELESS PROPAGATION LETTERS   16 巻   頁: 1405 - 1408   2017年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters  

    Angular sensitivity steering is demonstrated using the mechanical vibration of a carbon nanotube (CNT) cantilever. We propose a linear array of electromagnetic wave detectors based on the mechanical CNT resonator. The proposed linear array allows angular sensitivity design in terms of the geometrical properties of the cantilevers, i.e., the array factor is tuned using the resonant frequency of the cantilever and the distance between the electrode and the tip of the cantilever. We analytically investigate the underlying mechanism of the linear array and provide clear design guidelines for the array factor.

    DOI: 10.1109/LAWP.2016.2640272

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  41. Origin of residual particles on transferred graphene grown by CVD 査読有り

    Yasunishi Tomohiro, Takabayashi Yuya, Kishimoto Shigeru, Kitaura Ryo, Shinohara Hisanori, Ohno Yutaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 8 )   2016年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Large-area single-layer graphene can be grown on Cu foil by CVD, but for device applications, the layer must to be transferred onto an insulating substrate. As residual particles are often observed on transferred graphene, we investigated their origin using scanning electron microscopy and energy-dispersive X-ray spectrometry (EDX). The results show that these residual particles are composed either of silicon or an alloy of a few metals, and hence, likely originate from the quartz tube of the CVD furnace and the impurities contained in the Cu foil.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.080305

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  42. Highly individual SWCNTs for high performance thin film electronics

    Kaskela Antti, Laiho Patrik, Fukaya Norihiro, Mustonen Kimmo, Susi Toma, Jiang Hua, Houbenov Nikolay, Ohno Yutaka, Kauppinen Esko I.

    CARBON   103 巻   頁: 228 - 234   2016年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Carbon  

    We report a continuous floating catalyst chemical vapor deposition synthesis of highly individual single-walled carbon nanotubes (SWCNT) for high performance transparent conducting films (TCF). Active feedback dilution of ferrocene-based catalyst vapor leads to an almost complete elimination of SWCNT bundling and a substantial increase in SWCNT lengths via the suppression of bundling-induced growth termination. The fabricated uniform TCFs exhibit sheet resistances of 89 Ω/sq. at 90% transmittance. This was further improved by micro-patterning, resulting in a sheet resistance of 69 Ω/sq. at 97% transmittance - the highest reported for any carbon nanotube TCF - and highly competitive with commercial indium-tin-oxide-TCFs. Furthermore, we demonstrate that thin film transistors fabricated from these highly individual SWCNTs reach charge carrier mobilities up to 100 cm2 V-1s-1 and ON/OFF-ratios up to 106.

    DOI: 10.1016/j.carbon.2016.02.099

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  43. Highly stable perovskite solar cells with an all-carbon hole transport layer

    Wang Feijiu, Endo Masaru, Mouri Shinichiro, Miyauchi Yuhei, Ohno Yutaka, Wakamiya Atsushi, Murata Yasujiro, Matsuda Kazunari

    NANOSCALE   8 巻 ( 23 ) 頁: 11882 - 11888   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nanoscale  

    Nano-carbon materials (carbon nanotubes, graphene, and graphene oxide) have potential application for photovoltaics because of their excellent optical and electronic properties. Here, we demonstrate that a single-walled carbon nanotubes/graphene oxide buffer layer greatly improves the photovoltaic performance of organo-lead iodide perovskite solar cells. The carbon nanotubes/graphene oxide buffer layer works as an efficient hole transport/electron blocking layer. The photovoltaic conversion efficiency of 13.3% was achieved in the organo-lead iodide perovskite solar cell due to the complementary properties of carbon nanotubes and graphene oxide. Furthermore, the great improvement of photovoltaic performance stability in the perovskite solar cells using carbon nanotubes/graphene oxide/polymethyl methacrylate was demonstrated in comparison with that using a typical organic hole transport layer of 2,2′,7,7′-tetrakis-(N,N-di-4-methoxyphenylamino)-9,9′-spirobifluorene.

    DOI: 10.1039/c6nr01152g

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  44. Toward the Limits of Uniformity of Mixed Metallicity SWCNT TFT Arrays with Spark-Synthesized and Surface-Density-Controlled Nanotube Networks 査読有り

    Kaskela Antti, Mustonen Kimmo, Laiho Patrik, Ohno Yutaka, Kauppinen Esko I.

    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   7 巻 ( 51 ) 頁: 28134 - 28141   2015年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ACS Applied Materials and Interfaces  

    We report the fabrication of thin film transistors (TFTs) from networks of nonbundled single-walled carbon nanotubes with controlled surface densities. Individual nanotubes were synthesized by using a spark generator-based floating catalyst CVD process. High uniformity and the control of SWCNT surface density were realized by mixing of the SWCNT aerosol in a turbulent flow mixer and monitoring the online number concentration with a condensation particle counter at the reactor outlet in real time. The networks consist of predominantly nonbundled SWCNTs with diameters of 1.0-1.3 nm, mean length of 3.97 μm, and metallic to semiconducting tube ratio of 1:2. The ON/OFF ratio and charge carrier mobility of SWCNT TFTs were simultaneously optimized through fabrication of devices with SWCNT surface densities ranging from 0.36 to 1.8 μm-2 and channel lengths and widths from 5 to 100 μm and from 100 to 500 μm, respectively. The density optimized TFTs exhibited excellent performance figures with charge carrier mobilities up to 100 cm2 V-1 s-1 and ON/OFF current ratios exceeding 1 × 106, combined with high uniformity and more than 99% of devices working as theoretically expected.

    DOI: 10.1021/acsami.5b10439

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  45. Angular Sensitivity of VHF-Band CNT Antenna 査読有り

    Tanaka Hiroya, Ohno Yutaka, Tadokoro Yukihiro

    IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY   14 巻 ( 6 ) 頁: 1112 - 1116   2015年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Nanotechnology  

    A carbon nanotube (CNT)-based antenna detects incoming electromagnetic waves based on electrically induced mechanical vibration. In this study, we perform an analysis of the angular sensitivity of a CNT-based antenna. To analyze the mechanical vibration, we introduce a simple model using the image charge method. The analysis shows that the angular sensitivity depends on |sin2 θ|, where θ is the angle of arrival. This is clearly different from the traditional Hertzian dipole detector, whose sensitivity varies with |sinθ|. In addition, the full width at half maximum of the angular sensitivity distribution for the CNT-based antenna is 0.36 π, which is smaller than the value of 0.5 π for a Hertzian dipole detector.

    DOI: 10.1109/TNANO.2015.2477813

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  46. Overcoming the quality-quantity tradeoff in dispersion and printing of carbon nanotubes by a repetitive dispersion-extraction process 査読有り

    Shirae Hiroyuki, Kim Dong Young, Hasegawa Kei, Takenobu Taishi, Ohno Yutaka, Noda Suguru

    CARBON   91 巻   頁: 20 - 29   2015年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Carbon  

    Dispersion-printing processes are essential for the fabrication of various devices using carbon nanotubes (CNTs). Insufficient dispersion results in CNT aggregates, while excessive dispersion results in the shortening of individual CNTs. To overcome this tradeoff, we propose here a repetitive dispersion-extraction process for CNTs. Long-duration ultrasonication (for 100 min) produced an aqueous dispersion of CNTs with sodium dodecylbenzene sulfonate with a high yield of 64%, but with short CNT lengths (a few μm), and poor conductivity in the printed films (∼450 S cm<sup>-1</sup>). Short-duration ultrasonication (for 3 min) yielded a CNT dispersion with a very small yield of 2.4%, but with long CNTs (up to 20-40 μm), and improved conductivity in the printed films (2200 S cm<sup>-1</sup>). The remaining sediment was used for the next cycle after the addition of the surfactant solution. 90% of the CNT aggregates were converted into conductive CNT films within 13 cycles (i.e., within 39 min), demonstrating the improved conductivity and reduced energy/time requirements for ultrasonication. CNT lines with conductivities of 1400-2300 S cm<sup>-1</sup> without doping and sub-100 μm width, and uniform CNT films with 80% optical transmittance and 50 Ω/sq sheet resistance with nitric acid doping were obtained on polyethylene terephthalate films.

    DOI: 10.1016/j.carbon.2015.04.033

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  47. Printed, short-channel, top-gate carbon nanotube thin-film transistors on flexible plastic film

    Maeda Michihiko, Hirotani Jun, Matsui Ryotaro, Higuchi Kentaro, Kishimoto Shigeru, Tomura Takuya, Takesue Masafumi, Hata Katsuhiko, Ohno Yutaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   8 巻 ( 4 )   2015年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    We fabricated sub-10-μm-class short-channel, top-gate carbon nanotube thin-film transistors using a flexographic printing technique, which is a high-speed printing technique that uses a flexible polymer plate. This device fabrication process is completely photolithography-free and vacuum-free as a result of the printing technique. The printing resolution was improved by using micro-flexo plates fabricated by a microprocessing technique. The fabricated device, with a channel length of 9.5 μm, exhibited a high on-current of 0.94 mA/mm. Hysteresis was suppressed by introducing a top-gate structure.

    DOI: 10.7567/APEX.8.045102

    Web of Science

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  48. 透明で柔軟なオールカーボン電子デバイス 査読有り

    大野 雄高

    応用物理   84 巻 ( 2 ) 頁: 142 - 145   2015年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    <p>カーボンナノチューブ(CNT)薄膜は優れた電気的・光学的・機械的特性に加え,多機能性を兼ね備えたまれな材料である.本稿では,半導体層と電極・配線をCNT薄膜で実現したオールカーボンデバイスについて紹介する.柔軟性と透明性を併せもち,またさまざまな立体形状に加熱成形することもできる.これらの特長を生かすと,透明で存在を感じさせないデバイスや,立体的でデザイン性に富んだデバイスなどの実現につながる.</p>

    DOI: 10.11470/oubutsu.84.2_142

    CiNii Research

  49. Electroluminescence from an Electrostatically Doped Carbon Nanotube Field-Effect Transistor

    Hughes M. A., Ohno Y., Mizutani T.

    NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS   6 巻 ( 10 ) 頁: 881 - 886   2014年10月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nanoscience and Nanotechnology Letters  

    We report electroluminescence (EL) from a carbon nanotube field-effect transistor with split-gates. EL is generated by the electrostatic doping technique. Six EL bands could be observed, with the strongest band peaking between 0.867 and 0.850 eV with a full width at half maximum (FWHM) of 64 to 120 meV, depending on the bias conditions. From the EL peak position we estimate a CNT diameter of ∼ 1.05 nm. We also estimate the power and quantum efficiency of the EL to be around 1 × 10-6and 1 × 10-5 respectively. With a fixed drain voltage, increasing the opposite split gate bias caused the EL to increase monotonically from zero, indicating an ambipolar emission mechanism. With a fixed opposite split gate bias the dependence of EL on drain voltage displays a threshold. Drain current is significantly higher when using equal, rather than opposite split gate biases, which we attribute to the trapping of carries by band bending when using opposite split gate bias.

    DOI: 10.1166/nnl.2014.1831

    Web of Science

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  50. Photocurrent from a carbon nanotube diode with split-gate and asymmetric contact geometry

    Hughes M. A., Homewood K. P., Curry R. J., Ohno Y., Mizutani T.

    MATERIALS RESEARCH EXPRESS   1 巻 ( 2 )   2014年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Materials Research Express  

    We fabricated a Ti/Pd asymmetrically contacted single carbon nanotube (CNT) field-effect transistor (FET) with split-gates. Transfer characteristics can be explained if the Schottky barrier for electrons is lower at the Pd contact than it is at the Ti contact. Strong rectification is observed when the gates are unbiased, and the rectification direction can be inverted with the appropriate gate bias. When operated as an FET the device has an on/off ratio of 1 × 107. Under illumination, photocurrent can only be observed with opposite split-gate bias. Open circuit voltage (VOC) and short circuit current (ISC) increase with increasing opposite polarity split-gate bias, representing the first demonstration of the modulation of VOC and ISC in an asymmetric contact CNT FET.

    DOI: 10.1088/2053-1591/1/2/026304

    Web of Science

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  51. Effect of ambient air on n-type carbon nanotube thin-film transistors chemically doped with poly(ethylene imine)

    Yasunishi Tomohiro, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 5 )   2014年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Chemical doping with poly(ethylene imine) (PEI) is often used to produce n-type carbon nanotube thin-film transistors (CNT TFTs) with stability in air. However, the effect of air on the device characteristics has not yet been fully investigated. In this study, we performed a detailed investigation on how the oxygen and water present in air affect stability issues, including hysteresis, current collapse, and ambipolar properties of PEI-doped n-type CNT TFTs fabricated on a transparent plastic film. We found that current collapse and hysteresis are predominantly caused by the combination of water and oxygen, suggesting that a water/oxygen redox reaction is responsible for the instability of PEI-doped devices. Water vapor has a rather more severe impact in the case of PEI-doped devices than in the case of undoped CNT TFTs because of the hygroscopicity of PEI. Surface passivation with Al2O3, deposited by a low-temperature atomic layer deposition technique, notably improved the stability of the device properties in ambient air. © 2014 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.7567/JJAP.53.05FD01

    Web of Science

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  52. Fabrication of Single-Walled Carbon Nanotube/Si Heterojunction Solar Cells with High Photovoltaic Performance

    Wang Feijiu, Kozawa Daichi, Miyauchi Yuhei, Hiraoka Kazushi, Mouri Shinichiro, Ohno Yutaka, Matsuda Kazunari

    ACS PHOTONICS   1 巻 ( 4 ) 頁: 360 - 364   2014年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ACS Photonics  

    The photovoltaic properties of carbon nanotube/Si heterojunction solar cells were investigated using network films of high-quality single-walled carbon nanotubes (SWNTs) grown by atmospheric-pressure floating-catalyst chemical vapor deposition. Because of the optimization of the device window size and the utilization of SWNT thin films with both low resistivity and high transparency, a high photovoltaic conversion efficiency of greater than 12% was achieved for SWNT/Si heterojunction solar cells without any postprocessing, such as carrier doping treatment. In addition, the high reproducibility of the photovoltaic performance of these devices in air was demonstrated. (Graph Presented).

    DOI: 10.1021/ph400133k

    Web of Science

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  53. One-Step Sub-10 mu m patterning of Carbon-Nanotube Thin Films for Transparent Conductor Applications

    Fukaya Norihiro, Kim Dong Young, Kishimoto Shigeru, Noda Suguru, Ohno Yutaka

    ACS NANO   8 巻 ( 4 ) 頁: 3285 - 3293   2014年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ACS Nano  

    We propose a technique for one-step micropatterning of as-grown carbon-nanotube films on a plastic substrate with sub-10 μm resolution on the basis of the dry transfer process. By utilizing this technique, we demonstrated the novel high-performance flexible carbon-nanotube transparent conductive film with a microgrid structure, which enabled improvement of the performance over the trade-off between the sheet resistance and transmittance of a conventional uniform carbon-nanotube film. The sheet resistance was reduced by 46% at its maximum by adding the microgrid, leading to a value of 53 ω/sq at a transmittance of 80%. We also demonstrated easy fabrication of multitouch projected capacitive sensors with 12 × 12 electrodes. The technique is quite promising for energy-saving production of transparent conductor devices with 100% material utilization. © 2014 American Chemical Society.

    DOI: 10.1021/nn4041975

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    PubMed

  54. Split gate and asymmetric contact carbon nanotube optical devices

    Hughes M. A., Homewood K. P., Curry R. J., Ohno Y., Mizutani T.

    OPTICAL COMPONENTS AND MATERIALS XI   8982 巻   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering  

    Asymmetric contacts or split gate geometries can be used to obtain rectification, electroluminescence (EL) and photocurrent from carbon nanotube field effect transistors. Here, we report devices with both split gates and asymmetric contacts and show that device parameters can be optimised with an appropriate split gate bias, giving the ability to select the rectification direction, modify the reverse bias saturation current and the ideality factor. When operated as a photodiode, the short circuit current and open circuit voltage can be modified by the split gate bias, and the estimated power conversion efficiency was 1×10-6. When using split gates and symmetric contacts, strong EL peaking at 0.86 eV was observed with a full width at half maximum varying between 64 and 120 meV, depending on the bias configuration. The power and quantum efficiency of the EL was estimated to be around 1×10-6 and 1×10-5 respectively.

    DOI: 10.1117/12.2036962

    Web of Science

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  55. True Nanoの世界:カーボンナノチューブ:特異な物性を活かした電子デバイス 査読有り

    大野 雄高

    パリティ   29 巻   頁: 18 - 21   2014年

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  56. Carbon nanotube-based thin-film transistors on plastic film

    Ohno Y.

    Proceedings of the 20th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2013     頁: 243 - 246   2013年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Proceedings of the 20th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2013  

    Among various kinds of semiconductor materials, carbon nanotubes can provide high-mobility, low-operation voltage, flexible devices on plastic films at low cost. High-mobility thin-film transistors (TFTs) and functional integrated circuits (ICs) have been fabricated by simple transfer process on a transparent plastic substrate. All-carbon ICs have also been realized for the first time, which has better transparency, flexibility, and stretchability. We also demonstrate high-throughput printing fabrication of high-mobility TFT arrays with flexographic printing technique. © 2013 JSAP.

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  57. An ultra-low leakage current single carbon nanotube diode with split-gate and asymmetric contact geometry

    Hughes M. A., Homewood K. P., Curry R. J., Ohno Y., Mizutani T.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   103 巻 ( 13 )   2013年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    A single carbon nanotube diode is reported, with Ti and Pd contacts, and split gates. Without gate bias the device displays strong rectification, with a leakage current (I0) of 6 × 10-16 A, and an ideality factor (η) of 1.38. When the gate above the Ti contact is biased negatively the diode inverts. When positive bias is then applied to the gate above the Pd contact minority carrier injection is suppressed. Configured such I0 and η were 2 × 10-14 A and 2.01, respectively. Electrical characterization indicates that the Schottky barrier height for electrons is lower for the Pd contact than the Ti contact. © 2013 AIP Publishing LLC.

    DOI: 10.1063/1.4823602

    Web of Science

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  58. High-Mobility, Flexible Carbon Nanotube Thin-Film Transistors Fabricated by Transfer and High-Speed Flexographic Printing Techniques

    Higuchi Kentaro, Kishimoto Shigeru, Nakajima Yuta, Tomura Takuya, Takesue Masafumi, Hata Katsuhiko, Kauppinen Esko I., Ohno Yutaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   6 巻 ( 8 )   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    A lack of high-mobility transistors has been one of the most crucial challenges facing the development of printable electronics. In this work, we report on the fabrication of high-mobility carbon nanotube thin-film transistors using a combination of transfer and high-speed flexographic printing techniques. Based on lithography-free nonvacuum processes, a high mobility of 157 cm2 V-1 s-1 with an ON/OFF ratio of 104 was achieved. Our ambient fabrication technique provides not only a promising platform for printed flexible devices but also demonstrates the realistic potential of low-cost manufacturing technology. © 2013 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.7567/APEX.6.085101

    Web of Science

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  59. Mouldable all-carbon integrated circuits

    Sun Dong-Ming, Timmermans Marina Y., Kaskela Antti, Nasibulin Albert G., Kishimoto Shigeru, Mizutani Takashi, Kauppinen Esko I., Ohno Yutaka

    NATURE COMMUNICATIONS   4 巻   頁: 2302   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nature Communications  

    A variety of plastic products, ranging from those for daily necessities to electronics products and medical devices, are produced by moulding techniques. The incorporation of electronic circuits into various plastic products is limited by the brittle nature of silicon wafers. Here we report mouldable integrated circuits for the first time. The devices are composed entirely of carbon-based materials, that is, their active channels and passive elements are all fabricated from stretchable and thermostable assemblies of carbon nanotubes, with plastic polymer dielectric layers and substrates. The all-carbon thin-film transistors exhibit a mobility of 1,027 cm 2 V -1 s -1 and an ON/OFF ratio of 10 5. The devices also exhibit extreme biaxial stretchability of up to 18% when subjected to thermopressure forming. We demonstrate functional integrated circuits that can be moulded into a three-dimensional dome. Such mouldable electronics open new possibilities by allowing for the addition of electronic/plastic-like functionalities to plastic/electronic products, improving their designability. © 2013 Macmillan Publishers Limited.

    DOI: 10.1038/ncomms3302

    Web of Science

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  60. Spatially Resolved Transport Properties of Pristine and Doped Single-Walled Carbon Nanotube Networks

    Znidarsic Andrej, Kaskela Antti, Laiho Patrik, Gaberscek Miran, Ohno Yutaka, Nasibulin Albert G., Kauppinen Esko I., Hassanien Abdou

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   117 巻 ( 25 ) 頁: 13324 - 13330   2013年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Journal of Physical Chemistry C  

    We use noninvasive atomic force microscopy to probe the spatial electrical conductivity of isolated junctions of pristine and nitric acid treated single-walled carbon nanotube networks (SWCNT-N). By analyzing the local IV curves of SWCNTs and bundles with various diameters, the resistance per unit length and the contact resistance of their junctions are estimated to be 3-16 kΩ/μm and 29-532 kΩ, respectively. We find that the contact resistance decreases with increasing SWCNT or bundle diameter and depends on the contact morphology, reaching a value of 29 kΩ at a diameter of 10 nm. A nitric acid treatment moderately dopes SWCNTs and reduces their average contact resistance by a factor of 3 while the resistance of the nanotubes remains largely unaltered. Remarkably, the same treatment on an SWCNT-N shows similar reduction in the sheet resistance by a factor of 4. These results suggest that the resistance reduction mechanism is related to the contact modulation with no major impact on conductance of SWCNTs. © 2013 American Chemical Society.

    DOI: 10.1021/jp403983y

    Web of Science

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  61. Investigation of Interface Charges of High-k Gate Dielectrics and Their Effects on Carbon Nanotube Field-Effect Transistors

    Suzuki Kosuke, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Mizutani Takashi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   6 巻 ( 2 )   2013年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    We have investigated the interface charges generated at the interfaces of the high-k gate insulator by Kelvin probe force microscopy, as well as their effects on the properties of carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs). It was found that positive charges are concentrated near the interfaces of the gate insulator with Au electrodes and a SiO2 substrate. The device simulation results show that the charges at the interfaces of the gate insulator with the Au electrodes are responsible for the change in the polarity of the conduction carriers in the CNFETs. Copyright © 2013 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.7567/APEX.6.024002

    Web of Science

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  62. Carbon nanotube-based thin-film transistors on plastic film

    Ohno Yutaka

    PROCEEDINGS OF 2013 TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD 13): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS     頁: 243 - 246   2013年

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  63. Fabrication of high-mobility n-type carbon nanotube thin-film transistors on plastic film

    Yasunishi Tomohiro, Kishimoto Shigeru, Kauppinen Esko I., Ohno Yutaka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 11   10 巻 ( 11 ) 頁: 1612 - 1615   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics  

    We fabricated flexible n -type carbon nanotube thin-film transistors on a plastic film by a simple transfer process and a solution-based chemical doping technique with polyethyleneimine (PEI). There exists an optimal PEI concentration, which is determined by doping level and charge accumulation in the PEI layer. A high electron mobility of 70 cm2/Vs was achieved with an on/off ratio of 105 in ambient air. © 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

    DOI: 10.1002/pssc.201300231

    Web of Science

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  64. カーボンナノチューブ薄膜のフレキシブルエレクトロニクス応用

    大野 雄高

    バンドーテクニカルレポート(特別寄稿)   17 巻   頁: 41680   2013年

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  65. カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの金属電極における大気の影響

    石井 聡, 岸本 茂, 大野 雄高, 水谷 孝

    まてりあ   52 巻 ( 6 ) 頁: 266 - 272   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本金属学会  

    DOI: 10.2320/materia.52.266

    CiNii Research

  66. Electrical properties of the graphitic carbon contacts on carbon nanotube field effect transistors

    Tamaoki Masato, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka, Mizutani Takashi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   101 巻 ( 3 )   2012年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    Carbon nanotube field effect transistors (CNT-FETs) with graphitic carbon (G-C) contacts were fabricated and the electrical properties of the G-C contacts were studied. The CNT-FETs showed p-type conduction in air. However, the conduction type has changed to ambipolar in vacuum after annealing at 200 °C. This suggests that the p-type conduction in air is attributed to the adsorbed oxygen. The barrier heights at the G-C/CNT contacts in vacuum were ∼400 meV for electrons and ∼310 meV for holes. These values suggest that the Fermi level of G-C contacts is located at slightly below the midgap of the CNTs in vacuum. © 2012 American Institute of Physics.

    DOI: 10.1063/1.4737169

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  67. Effect of Carbon Nanotube Network Morphology on Thin Film Transistor Performance

    Timmermans Marina Y., Estrada David, Nasibulin Albert G., Wood Joshua D., Behnam Ashkan, Sun Dong-ming, Ohno Yutaka, Lyding Joseph W., Hassanien Abdou, Pop Eric, Kauppinen Esko I.

    NANO RESEARCH   5 巻 ( 5 ) 頁: 307 - 319   2012年5月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nano Research  

    The properties of electronic devices based on carbon nanotube networks (CNTNs) depend on the carbon nanotube (CNT) deposition method used, which can yield a range of network morphologies. Here, we synthesize single-walled CNTs using an aerosol (floating catalyst) chemical vapor deposition process and deposit CNTs at room temperature onto substrates as random networks with various morphologies. We use four CNT deposition techniques: electrostatic or thermal precipitation, and filtration through a filter followed by press transfer or dissolving the filter. We study the mobility using pulsed measurements to avoid hysteresis, the on/off ratio, and the electrical noise properties of the CNTNs, and correlate them to the network morphology through careful imaging. Among the four deposition methods thermal precipitation is found to be a novel approach to prepare high-performance, partially aligned CNTNs that are dry-deposited directly after their synthesis. Our results provide new insight into the role of the network morphologies and offer paths towards tunable transport properties in CNT thin film transistors. © 2012 Tsinghua University Press and Springer-Verlag Berlin Heidelberg.

    DOI: 10.1007/s12274-012-0211-8

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  68. Estimation of Height of Barrier Formed in Metallic Carbon Nanotube

    Okigawa Yuki, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Mizutani Takashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 2 )   2012年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    We have estimated the height of barriers against carriers formed in the metallic carbon nanotube (m-CNT) grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition. The result shows that the heights of the barriers against both electrons and holes are about 300 meV. The existence of the barrier in the m-CNT was confirmed by local current modulation using scanning gate microscopy and by the potential drop obtained by Kelvin probe force microscopy. © 2012 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.51.02BN01

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  69. Observation of n-Type Conduction in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors with Au Contacts in Vacuum

    Imaeda Hideki, Ishii Satoshi, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka, Mizutani Takashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 2 )   2012年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    The change in the conduction type of carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) with Au contacts from p-type to n-type by annealing in vacuum was observed. The result was explained by the local work function change of the Au contacts based on the measurement of the surface potential of the Au/CNT contact by Kelvin probe force microscopy (KFM). This work function change became prominent due to the desorption of oxygen by annealing. The degree of the conduction-type change was found to be dependent on the devices. The CNT-FETs with small OFF current showed clear conduction-type change. However, the devices with large OFF current did not show clear conduction-type change. This device dependent behavior was explained by the energy gap difference among devices, in which suppression of OFF current is not sufficient for the devices with thick CNTs with small bandgap. © 2012 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.51.02BN06

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  70. Air-Free Fabrication and Investigation of Effect of Air Exposure on Carbon Nanotube Field-Effect Transistors

    Ishii Satoshi, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka, Mizutani Takashi

    MATERIALS EXPRESS   1 巻 ( 4 ) 頁: 285 - 290   2011年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Materials Express  

    An air-free system which enables experiments from carbon nanotube (CNT) growth to device characterization without an effect of ambient air was constructed. It was clarified by using the system that an origin of instability of n-type conduction of carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs) with Al contacts in air was not attributed to oxidation of the Al contacts, but attributed to adsorption of oxygen. The present system was shown to be useful for investigating the effect of air on intrinsic electrical properties of CNTFETs with Al contacts, investigating the effect of passivation, and fabricating CNT p-n junction with Au(p)/Al(n) asymmetric electrodes. © 2011 by American Scientific Publishers.

    DOI: 10.1166/mex.2011.1037

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  71. Length-Sorted Semiconducting Carbon Nanotubes for High-Mobility Thin Film Transistors

    Miyata Yasumitsu, Shiozawa Kazunari, Asada Yuki, Ohno Yutaka, Kitaura Ryo, Mizutani Takashi, Shinohara Hisanori

    NANO RESEARCH   4 巻 ( 10 ) 頁: 963 - 970   2011年10月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nano Research  

    We have developed a process for chemical purification of carbon nanotubes for solution-processable thin-film transistors (TFTs) having high mobility. Films of the purified carbon nanotubes fabricated by simple drop coating showed carrier mobilities as high as 164 cm2V-1s-1, normalized transconductances of 0.78 Sm-1, and on/off current ratios of 106. Such high performance requires the preparation of a suspension of micrometer-long and highly purified semiconducting single-walled carbon nanotubes (SWCNTs). Our purification process includes length and electronic-type selective trapping of SWCNTs using recycling gel filtration with a mixture of surfactants. The results provide an important milestone toward printed high-speed and large-area electronics with roll-to-roll and ink-jet device fabrication. © 2011 Tsinghua University Press and Springer-Verlag Berlin Heidelberg.

    DOI: 10.1007/s12274-011-0152-7

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  72. Carbon nanotubes for VLSI: Interconnect and transistor applications

    Awano Y., Sato S., Nihei M., Sakai T., Ohno Y., Mizutani T.

    International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, Proceedings     頁: 10 - 11   2011年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, Proceedings  

    We report the present status of Carbon Nanotube (CNT) CVD material technologies and their applications for via interconnects and FETs for VLSI. We succeeded in growing multi-walled CNTs (MWNTs) with the highest shell density (as high as 1013/cm2) and in fabricating via interconnects with high robustness against a high current density. We also report a Si-process compatible technique to control carrier polarity of Single-walled CNT (SWNT) FETs by utilizing fixed charges introduced by the gate oxide. High-performance p- and n-type CNT-FETs and CMOS inverters with stability in air have been realized. © 2011 IEEE.

    DOI: 10.1109/VTSA.2011.5872210

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  73. Electrical properties of carbon nanotube thin-film transistors fabricated using plasma-enhanced chemical vapor deposition measured by scanning probe microscopy

    Okigawa Yuki, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka, Mizutani Takashi

    NANOTECHNOLOGY   22 巻 ( 19 ) 頁: 195202   2011年5月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nanotechnology  

    The electrical properties of carbon nanotube thin-film transistors (CNT-FETs) fabricated using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) were studied by scanning probe microscopy. The measured results suggest the formation of an island structure in the subthreshold regime and the disappearance of the island structure at the ON state. These results were explained by the change in the effective number of CNTs that contributed to the electrical conduction due to the gate-bias-dependent resistance of the semiconducting CNTs. The results obtained by Monte Carlo simulation revealed similar results. The effects of metallic CNTs with defects and the scatter of the drain current in the subthreshold regime were also examined. © 2011 IOP Publishing Ltd.

    DOI: 10.1088/0957-4484/22/19/195202

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  74. Flexible high-performance carbon nanotube integrated circuits

    Sun Dong-ming, Timmermans Marina Y., Tian Ying, Nasibulin Albert G., Kauppinen Esko I., Kishimoto Shigeru, Mizutani Takashi, Ohno Yutaka

    NATURE NANOTECHNOLOGY   6 巻 ( 3 ) 頁: 156 - 161   2011年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nature Nanotechnology  

    Carbon nanotube thin-film transistors are expected to enable the fabrication of high-performance, flexible and transparent devices using relatively simple techniques. However, as-grown nanotube networks usually contain both metallic and semiconducting nanotubes, which leads to a trade-off between charge-carrier mobility (which increases with greater metallic tube content) and on/off ratio (which decreases). Many approaches to separating metallic nanotubes from semiconducting nanotubes have been investigated, but most lead to contamination and shortening of the nanotubes, thus reducing performance. Here, we report the fabrication of high-performance thin-film transistors and integrated circuits on flexible and transparent substrates using floating-catalyst chemical vapour deposition followed by a simple gas-phase filtration and transfer process. The resulting nanotube network has a well-controlled density and a unique morphology, consisting of long (∼10 μm) nanotubes connected by low-resistance Y-shaped junctions. The transistors simultaneously demonstrate a mobility of 35 cm 2 V-1 s-1 and an on/off ratio of 6 × 106. We also demonstrate flexible integrated circuits, including a 21-stage ring oscillator and master-slave delay flip-flops that are capable of sequential logic. Our fabrication procedure should prove to be scalable, for example, by using high-throughput printing techniques. © 2011 Macmillan Publishers Limited. All rights reserved.

    DOI: 10.1038/NNANO.2011.1

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  75. Thin-Film Transistors with Length-Sorted DNA-Wrapped Single-Wall Carbon Nanotubes

    Asada Yuki, Miyata Yasumitsu, Shiozawa Kazunari, Ohno Yutaka, Kitaura Ryo, Mizutani Takashi, Shinohara Hisanori

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   115 巻 ( 1 ) 頁: 270 - 273   2011年1月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Journal of Physical Chemistry C  

    The present experimental study provides a detailed characterization of the single-wall carbon nanotube (SWNT) length effect on the device characteristics of DNA-wrapped SWNT-network thin-film transistors (TFTs). DNA-assisted dispersion and length separation by high-performance liquid chromatography are used to prepare the SWNTs with average lengths of 400 and 200 nm. The TFTs of both SWNTs exhibit high on/off current ratios of 104-106 and mobilities of 0.4-1.3 cm2/(V s) by optimizing the film density of SWNTs. The optimized density of 200 nm SWNTs is found to be higher than that of 400 nm SWNTs as expected by the percolation theory of two-dimensional random networks, where shorter length SWNTs can maintain high on current despite increasing in the number of SWNT junctions. The present result is an important indicator for realizing high-performance TFTs constructed from SWNTs having desired length. © 2010 American Chemical Society.

    DOI: 10.1021/jp107361n

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  76. Thin Single-Walled Carbon Nanotubes with Narrow Diameter Distribution Grown by Cold-Wall Chemical Vapor Deposition Combined with Co Nanoparticle Deposition

    Ishii Satoshi, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Mizutani Takashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 1 )   2011年1月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    We have grown thin single-walled carbon nanotubes (SWNTs) with a narrow diameter distribution using the arc-discharge plasma (ADP) technique for Co catalyst metal deposition and a cold-wall chemical vapor deposition (CVD) system for SWNT growth. The diameters of the SWNTs ranged from 0.79 to 1.07 nm. In addition to depositing small and uniform-sized metal catalyst nanoparticles by the ADP technique, decreasing the growth temperature using the cold-wall CVD system seemed to suppress the aggregation of the metal catalyst nanoparitcles leading to SWNTs with small diameters of narrow distribution. © 2011 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.50.015102

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  77. Impact of fixed charges at interfaces on the operation of top-gate carbon nanotube field-effect transistors

    Ohno Yutaka, Moriyama Naoki, Kishimoto Shigeru, Mizutani Takashi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2   8 巻 ( 2 ) 頁: 567 - 569   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics  

    To control the properties of carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs), it is important to understand the properties of various interfaces in the devices and their effects on device characteristics. Here, we studied the influence of interface fixed charges introduced between the gate insulator and the substrate on the operation of a top-gate CNFET, using device simulation. The simulation results suggest that with the existence of interface charges, the current modulation mechanism of the CNFET changes from Schottky barrier modulation to channel potential modulation. The minority carrier injection in the OFF state is suppressed by the high-potential region formed near the contact electrodes by the interface charges. © 2011 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

    DOI: 10.1002/pssc.201000571

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  78. Improvement in alignment of single-walled carbon nanotubes grown on quartz substrate

    Hata Kensuke, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Mizutani Takashi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2   8 巻 ( 2 ) 頁: 561 - 563   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics  

    Aligned growth of single-walled carbon nanotubes (SWNTs), which can be realized on a quartz substrate, is important for electron device applications such as high-frequency transistors. In order to improve the alignment of the SWNTs, we studied pretreatments of the substrate before SWNT growth. When the surface of the quartz substrate was etched using hydrofluoric acid, the alignment and linearity of the grown SWNTs improved. This suggests that it is important to remove the uppermost layer on the surface of as-received substrates, which is damaged due to the polishing process. We also studied an etching process to remove the damaged layer without increasing surface roughness. © 2011 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

    DOI: 10.1002/pssc.201000551

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  79. Carbon Nanotubes for VLSI: Interconnect and Transistor Applications

    Awano Yuji, Sato Shintaro, Nihei Mizuhisa, Sakai Tadashi, Ohno Yutaka, Mizutani Takashi

    PROCEEDINGS OF THE IEEE   98 巻 ( 12 ) 頁: 2015 - 2031   2010年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Proceedings of the IEEE  

    Carbon nanotubes (CNTs) offer unique properties such as the highest current density, ballistic transport, ultrahigh thermal conductivity, and extremely high mechanical strength. Because of these remarkable properties, they have been expected for use as wiring materials and as alternate channel materials for extending complementary metal oxide semiconductor (CMOS) performance in future very large scale integration (VLSI) technologies. In this paper, we report the present status of CNT growth technologies and the applications for via interconnects (vertical wiring) and field-effect transistors (FETs). We fabricated CNT via and evaluated its robustness over a high-density current. In our technology, multiwalled carbon nanotubes (MWNTs) were successfully grown at temperatures as low as 365 C using Co catalyst nanoparticles, which were formed and deposited by a custom-designed particle generation and deposition system. The density of MWNTs grown at 450 C reaches more than MWNTs were grown in via holes with a diameter as small as 40 nm. The resistance of CNT vias with a diameter of 160 nm was found to be of the same order as that of tungsten plugs. The CNT via was able to sustain a current density as high as at 105 C for 100 h without any deterioration in its properties. We propose a Si-process compatible technique to control carrier polarity of CNFETs by utilizing fixed charges introduced by the gate oxide. High-performance - and type CNFETs and CMOS inverters with stability in air have been realized. © 2006 IEEE.

    DOI: 10.1109/JPROC.2010.2068030

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  80. Electrical breakdown of individual Si nanochains and silicide nanochains.

    Kohno H, Nogami T, Takeda S, Ohno Y, Yonenaga I, Ichikawa S

    Journal of nanoscience and nanotechnology   10 巻 ( 10 ) 頁: 6655 - 8   2010年10月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1166/jnn.2010.3144

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  81. High-Performance Thin-Film Transistors with DNA-Assisted Solution Processing of Isolated Single-Walled Carbon Nanotubes

    Asada Yuki, Miyata Yasumitsu, Ohno Yutaka, Kitaura Ryo, Sugai Toshiki, Mizutani Takashi, Shinohara Hisanori

    ADVANCED MATERIALS   22 巻 ( 24 ) 頁: 2698 - +   2010年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Advanced Materials  

    [Figure Presented] Controlling the morphology of single-walled carbon nanotubes (SWNTs) is essential to realize their excellent device characteristics in electronics. DNA-wrapped SWNTs provides an effective, scalable way to fabricate the super-uniform networks of highly isolated, structure-sorted SWNTs for thin-film transistors (TFTs). The DNASWNTs are easily formed into uniform, desired-density networks of individual nanotubes. © 2010 WILEY-VCH Verlag GmbH &, Co. KCaA, Weinheim.

    DOI: 10.1002/adma.200904006

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  82. Fabrication Process of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Atomic Layer Deposition Passivation for Biosensors

    Nakashima Yasuhiro, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Okochi Mina, Honda Hiroyuki, Mizutani Takashi

    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY   10 巻 ( 6 ) 頁: 3805 - 3809   2010年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Journal of Nanoscience and Nanotechnology  

    Fabrication process of the carbon nanotube (CNT) field effect transistors (FETs) for biosensors was studied. Atomic layer deposition (ALD) of HfO 2 was applied to the deposition of the passivation/gate insulator film. The CNT-FETs did not show the drain current degradation after ALD passivation even though the passivation by Si 3N 4 deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) resulted in a significant drain current decrease. This indicates the advantage of the present ALD technique in terms of the damage suppression. The biosensing operation was confirmed using thus fabricated CNT-FETs. Copyright © 2010 American Scientific Publishers All rights reserved.

    DOI: 10.1166/jnn.2010.1983

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  83. Thin film transistors using PECVD-grown carbon nanotubes

    Ono Yuki, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka, Mizutani Takashi

    NANOTECHNOLOGY   21 巻 ( 20 ) 頁: 205202   2010年5月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nanotechnology  

    Thin film transistors with a carbon nanotube(CNT) network as a channel have been fabricated using grid-inserted plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD) which has the advantage of preferential growth of the CNTs with semiconducting behavior in the I-V characteristics of CNT field effect transistors (CNT-FETs). Taking advantage of the preferential growth and suppression of bundle formation, a large ON current of 170 μ Amm -1, which is among the largest in these kinds of devices with a large ON/OFF current ratio of about 105, has been realized in the relatively short channel length of 10μm. The field effect mobility of the device was 5.8cm2V-1s-1. © 2010 IOP Publishing Ltd.

    DOI: 10.1088/0957-4484/21/20/205202

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  84. Change in carrier type in high-k gate carbon nanotube field-effect transistors by interface fixed charges

    Moriyama N., Ohno Y., Kitamura T., Kishimoto S., Mizutani T.

    NANOTECHNOLOGY   21 巻 ( 16 )   2010年4月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nanotechnology  

    We study the phenomenon of change in carrier type in carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) caused by the atomic layer deposition (ALD) of a HfO2 gate insulator. When a HfO2 layer is deposited on a CNFET, the type of carrier changes from p-type to n-type. The so-obtained n-type device has good performance and stability in air. The conductivity of such a device with a channel length of 0.7νm is 11% of the quantum conductance 4e2/h. The contact resistance for electron current is estimated to be 14 kΩ. The n-type conduction of this CNFET is maintained for more than 100 days. The change in carrier type is attributed to positive fixed charges introduced at the interface between the HfO2 and SiO2 layers. We also propose a novel technique to control the type of conduction by utilizing interface fixed charges; this technique is compatible with Si CMOS process technology. © 2010 IOP Publishing Ltd.

    DOI: 10.1088/0957-4484/21/16/165201

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  85. Electrical Properties of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors with Multiple Channels Measured by Scanning Gate Microscopy

    Okigawa Yuki, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka, Mizutani Takashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 巻 ( 2 )   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Electrical properties of a carbon nanotube field-effect transistor (CNT-FET) with multiple CNT channels were studied by scanning gate microscopy (SGM), in which the scanning probe tip was used as a local gate. It was possible to distinguish the difference in electrical properties of individual CNT channels by SGM. Spot like SGM images were attributed to the barrier against carriers formed in the metallic CNT, resulting in a current modulation of the CNT-FET. It has also been shown that the barrier in the metallic CNT results in an ambipolar behavior of the CNTFETs. © 2010 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.49.02BD02

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  86. Environmental effects on photoluminescence of single-walled carbon nanotubes

    Ohno Yutaka, Maruyama Shigeo, Mizutani Takashi

    CARBON NANOTUBES     頁: 109 - 121   2010年

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    記述言語:日本語  

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  87. Medium Scale Integrated Circuits Using Carbon Nanotube Thin Film Transistors

    Mizutani Takashi, Okigawa Yuki, Ono Yuki, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   3 巻 ( 11 )   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    Medium scale integrated circuits with more than 100 carbon nanotube (CNT) thin-film transistors (TFTs) have been successfully fabricated. These are the largest CNT-based integrated circuits reported so far. Our fabrication technology features a buried back-gate architecture made by CNT growth using plasma-enhanced chemical vapor deposition, chemical doping and enhancement/depletion mode logic gates. High-speed operation with a switching time of 0.51 μs/gate demonstrated by a 53-stage ring oscillator, which has about two orders of magnitude higher switching speed than previous TFT integrated circuits, confirms the suitability of the present TFT technology for implementing CNT-TFT integrated circuits with various functions. © 2010 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/APEX.3.115101

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  88. High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges

    Moriyama Naoki, Ohno Yutaka, Suzuki Kosuke, Kishimoto Shigeru, Mizutani Takashi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   3 巻 ( 10 )   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    We have realized high-performance p- and n-type top-gate carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) by controlling the charges introduced at the interface between the gate insulator and the substrate. We also fabricated a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) inverter on an individual single-walled carbon nanotube (SWNT). This CMOS inverter exhibited a high voltage gain of 26 and a large noise margin of ̃70% of Vdd=2. The proposed technique provides air-stable and high-performance carbon nanotube CMOS devices that are compatible with the Si CMOS process. The effects of interface charges on the mechanisms of CNFET operation have also been investigated on the basis of potential calculations. © 2010 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/APEX.3.105102

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  89. Carrier type conversion in carbon nanotube field-effect transistors caused by interface fixed charges

    Ohno Y., Moriyama N., Kitamura T., Suzuki K., Kishimoto S., Mizutani T.

    2009 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS '09     2009年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:2009 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS '09  

    DOI: 10.1109/ISDRS.2009.5378006

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  90. A study of preferential growth of carbon nanotubes with semiconducting behavior grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition

    Mizutani Takashi, Ohnaka Hirofumi, Okigawa Yuki, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   106 巻 ( 7 )   2009年10月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    The electrical properties of carbon nanotubes (CNTs) grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) have been studied by measuring the I-V characteristics of many CNT-field effect transistors. The ratio of modulation current to total current was as high as 97%, with a small nondepletable OFF current component. This suggests that CNTs with semiconducting behavior were preferentially grown in the PECVD process. Raman scattering spectroscopy of the PECVD-grown CNTs, however, revealed several peaks of the radial breezing mode, which correspond to the presence of metallic CNTs. Scanning gate microscopy measurement of the CNT-FET with an ON/OFF ratio of 100 revealed the existence of a potential barrier in the metallic CNTs. These results suggest that observation of the preferential growth of CNTs with semiconducting behavior in the CNT-FETs fabricated via the present PECVD process results from the opening of the band gap due to defects caused by irradiation damage during the PECVD growth. © 2009 American Institute of Physics.

    DOI: 10.1063/1.3234389

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  91. Is vacuum annealing converts p-type single wall carbon nanotube field effect transistor (in air) to n-type (in vacuum) is universally true (?)

    Somani P., Kobayashi A., Ohno Y., Kishimoto S., Mizutani T.

    Carbon - Science and Technology   2 巻 ( 2 ) 頁: 98 - 102   2009年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Carbon - Science and Technology  

    Our study on nickel silicide and gold contacted single-wall-carbon-nanotube field effect transistors (SWCN-FETs) is in sharp contrast to earlier published reports of type conversion in SWCN-FETs (from p- to n-) when cycled between air and vacuum, and indicates that (1) band gap of SWCN (2) the extent to which Fermi level of the metal contact gets shifted due to adsorption/desorption of oxygen and (3) relative position of the Fermi level of the metal contact with respect to the top of the valance band of SWCN (in an oxygen-free environment) are some of the important factors that governs such phenomena. © Applied Science Innovations Pvt. Ltd., India.

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  92. Electrical properties of carbon nanotube FETs

    Mizutani T., Ohno Y., Kishimoto S.

    ASDAM 2008 - Conference Proceedings of the 7th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems     頁: 1 - 8   2008年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:ASDAM 2008 - Conference Proceedings of the 7th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems  

    The electrical properties of carbon nanotube FETs (CNTFETs) have been studied in detail. The conduction type of the CNTFETs was dependent on the work function of the contact metal, which suggests that Fermi level pinning at the metal/nanotube interface is not strong. Chemical doping using F4TCNQ was found to be effective in reducing not only the channel resistance but also the contact resistance. In the CNTFETs fabricated using PECVD-grown nanotubes, the drain current of the most of the devices could be modulated by the gate voltage with small OFF current suggesting the preferential growth of the nanotubes with semiconducting behavior. Multichannel top-gate CNTFETs with horizontally-aligned nanotubes have been successfully fabricated using CNT growth on the ST-cut quartz substrate. CNTFETs with nanotube network have also been fabricated by using grid-inserted PECVD and catalysts formed on the channel area of the FETs. The uniformity of the electrical properties of the network channel CNTFETs was very good. © 2008 IEEE.

    DOI: 10.1109/ASDAM.2008.4743290

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  93. Electrical properties of carbon nanotube FETs

    Mizutani T., Ohno Y., Kishimoto S.

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering   7037 巻   2008年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering  

    The electrical properties of carbon nanotube FETs (CNTFETs) have been studied in detail. The conduction type of the CNTFETs was dependent on the work function of the contact metal, which suggests that Fermi level pinning at the metal/nanotube interface is not strong. Based on the two-probe and four-probe resistance measurements, it has been shown that the carrier transport at the contact is explained by the edge contact model even in the diffusive regime. The chemical doping using F4TCNQ was effective in reducing not only the channel resistance but also the contact resistance. In the CNTFETs fabricated using plasma-enhanced (PE) CVD-grown nanotubes, the drain current of the most of the devices could be modulated by the gate voltage with small OFF current suggesting the preferential growth of the nanotubes with semiconducting behavior. Multichannel top-gate CNTFETs with horizontally-aligned nanotubes as channels have been successfully fabricated using CNT growth on the ST-cut quartz substrate, arc-discharge plasma deposition of the catalyst metal, and ALD gate insulator deposition. The devices show normally-on and n-type conduction property with a relatively-high ON current of 13 mA/mm. CNTFETs with nanotube network have also been fabricated by direct growth on the SiO2/Si substrate using grid-inserted PECVD and using catalyst formed on the channel area of the FETs. The uniformity of the electrical properties of the network channel CNTFETs were very good. Finally, it has been shown that the surface potential profile measurement based on the electrostatic force detection in the scanning probe microscopy was effective in studying the behavior of the CNTFETs such as the transient behavior and the effect of the defects.

    DOI: 10.1117/12.794695

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  94. High-density horizontally aligned growth of carbon nanotubes with Co nanoparticles deposited by arc-discharge plasma method

    Phokharatkul D., Ohno Y., Nakano H., Kishimoto S., Mizutani T.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   93 巻 ( 5 )   2008年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    High-density horizontally aligned single-walled carbon nanotubes are grown on a quartz substrate using Co nanoparticles deposited by arc-discharge plasma method. The Co nanoparticles with a density as high as 6.0× 1010 cm-2 are formed by a single pulse of arc discharge at room temperature. The density of the aligned nanotubes is ∼8 μ m-1 in average. Multichannel nanotube field-effect transistors with a high- k top-gate structure are fabricated with aligned nanotubes. The devices show high-performance, normally on, and n -type conduction property without any doping process. A high on current of 1.3 mA and a large transconductance of 0.23 mS for a channel width of 100 μm are obtained. The normally on and n -type property is attributed to fixed positive charges in the Hf O2 gate insulator and at the interfaces. © 2008 American Institute of Physics.

    DOI: 10.1063/1.2969290

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  95. Fabrication of carbon nanotubes by slot-excited microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition

    Il Shim Gyu, Kojima Yoshihiro, Kono Satoshi, Ohno Yutaka, Ishijima Tatsuo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 巻 ( 7 ) 頁: 5652 - 5655   2008年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Carbon nanotubes (CNTs) are fabricated by adopting plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) with a planar microwave plasma source. Plasma is produced by a slot antenna at 2.45-GHz microwave injection in CH 4/H2 mixture. In this study, it is shown that avoiding the exposure of the substrate to the plasma drastically improves the CNT growth. Furthermore, it is found that the CNT quality can be controlled with the optimization of one of the steps in the catalyst treatment, such as the preheating procedure; the treated catalyst is considered to be unaffected by the heating in the high-density microwave plasma treatment during the CNT growth. © 2008 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.47.5652

    Web of Science

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  96. カーボンナノチューブのフォトルミネッセンスにおける励起子遷移と周辺環境効果 査読有り

    大野 雄高

    応用物理   77 巻 ( 6 ) 頁: 656 - 661   2008年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    <p>カーボンナノチューブ(CNT)は電子デバイスから医療器具まで幅広く応用が期待され,安定した品質の得られる大量合成技術とともに,CNT材料の評価技術の確立・標準化が望まれている.フォトルミネッセンス(PL)分光はラマン分光と並んで重要な評価技術である.CNTの光学特性は周辺の環境により敏感に変化する.PL分光法を評価技術として確立するためには,PLの基礎的物理に加え,環境効果を理解する必要がある.この環境効果は,主にキャリア間に働くクーロン相互作用の遮〔しや〕蔽〔へい〕効果に起因する.それに加え,周辺材料との力学的相互作用や界面特性も影響する.環境に敏感なことを利用したナノスケールのセンシング技術も提案され,環境効果は応用面も興味深い.</p>

    DOI: 10.11470/oubutsu.77.6_656

    CiNii Research

  97. Electrical properties of carbon nanotube FETs

    Mizutani T., Nosho Y., Ohno Y.

    Journal of Physics: Conference Series   109 巻 ( 1 )   2008年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Journal of Physics: Conference Series  

    The electrical properties of carbon nanotube FETs (CNTFETs) have been studied in detail. The conduction type of the CNTFETs was dependent on the work function of the contact metal, which suggests that Fermi level pinning at the metal/nanotube interface does not happen. Based on the two-probe and four-probe resistance measurements, it was shown that the carrier transport at the contact is explained by the edge contact model even in the diffusive regime. The chemical doping using F4TCNQ was effective to reduce not only the channel resistance but also the contact resistance. It has also been shown that the surface potential measurement based on the electrostatic force detection in the scanning probe microscopy was effective in studying the behavior of the CNTFETs such as the transient behavior and the effect of the defects. Finally, in the CNTFETs fabricated using plasma-enhanced (PE) CVD-grown nanotubes, most of the drain current could be modulated by the gate voltage with little non-depletable drain current suggesting the preferential growth of the nanotubes with semiconducting behavior. © 2008 IOP Publishing Ltd.

    DOI: 10.1088/1742-6596/109/1/012002

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  98. Potential profile measurement of carbon nanotube FETs based on the electrostatic force detection

    Okigawa Yuki, Umesaka Takeo, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Mizutani Takashi

    NANO   3 巻 ( 1 ) 頁: 51 - 54   2008年2月

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  99. Potential profile measurement of carbon nanotube FETs based on the electrostatic force detection

    Okigawa Y., Umesaka T., Ohno Y., Kishimoto S., Mizutani T.

    Nano   3 巻 ( 1 ) 頁: 51 - 54   2008年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nano  

    We have measured the potential distribution on carbon nanotube (CNT) field-effect transistors (FETs) using electrostatic force microscopy (EFM) and Kelvin probe force microscopy (KFM). Clearer potential profiles were obtained by EFM than by KFM. When the CNT-FET is in the ON state, the EFM image shows uniform potential distribution along the CNT. In contrast, when the CNT-FET is in the OFF state, nonuniform potential image with dark spots are obtained. The dark spots can be attributed to the defects in the CNTs. © 2008 World Scientific Publishing Company.

    DOI: 10.1142/S1793292008000812

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  100. Electrical properties of carbon nanotube FETs

    Mizutania T., Ohno Y., Kishimoto S.

    ASDAM 2008, CONFERENCE PROCEEDINGS     頁: 1 - 8   2008年

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  101. AlGaN/GaN MIS-HEMTs with HfO<inf>2</inf> gate insulator

    Kawano A., Kishimoto S., Ohno Y., Maezawa K., Mizutani T., Ueno H., Ueda T., Tanaka T.

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   4 巻 ( 7 ) 頁: 2700 - 2703   2007年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics  

    AlGaN/GaN MIS-HEMTs using HfO2 gate insulator with a large dielectric constant have been fabricated. HfO2 gate insulator was deposited by pulsed laser deposition at room temperature. It has been demonstrated that the HfO2 gate insulator is effective in suppressing the gate leakage current keeping a large transconductance. © 2007 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA.

    DOI: 10.1002/pssc.200674769

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  102. Enhanced 1520 nm photoluminescence from Er3+ ions in di-erbium-carbide metallofullerenes (Er2C2)@C-82 (isomers I, II, and III)

    Ito Yasuhiro, Okazaki Toshiya, Okubo Shingo, Akachi Masahiro, Ohno Yutaka, Mizutani Takashi, Nakamura Tetsuya, Kitaura Ryo, Sugai Toshiki, Shinohara Hisanori

    ACS NANO   1 巻 ( 5 ) 頁: 456 - 462   2007年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:ACS Nano  

    Di-erbium and di-erbium-carbide endohedral metallofullerenes with a C 82 cage such as Er2@C82 (isomers I, II, and III) and (Er2C2)@C82 (isomers I, II, and III) have been synthesized and chromatographically isolated (99%). The structures of Er2@C82 (I, II, III) and (Er2C 2)@C82 (I, II, III) metallofullerenes are characterized by comparison with the UV-vis-NIR absorption spectra of (Y2C 2)@C82 (I, II, III), where molecular symmetries of the structures are determined to be Cs, C2v and C 3v, respectively. Furthermore, enhanced near-infrared photoluminescence (PL) at 1520 nm from Er3+ ions in Er 2@C82 (I, III) and (Er2C2)@C 82 (I, III) have been observed at room temperature. The PL intensities have been shown to depend on the symmetry of the C82 cage. In particular, the PL intensity of (Er2C2)@C 82 (III) has been the strongest among the isomers of Er 2@C82 and (Er2C2)@C82. Optical measurements indicate that the PL properties of Er2@C 82 (I, II, III) and (Er2C2)@C82 (I, II, III) correlate strongly with the absorbance at 1520 nm and the HOMO-LUMO energy gap of the C82 cage. © 2007 American Chemical Society.

    DOI: 10.1021/nn700235z

    Web of Science

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    PubMed

  103. Excitonic transition energies in single-walled carbon nanotubes: Dependence on environmental dielectric constant

    Ohno Yutaka, Iwasaki Shinya, Murakami Yoichi, Kishimoto Shigeru, Maruyama Shigeo, Mizutani Takashi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   244 巻 ( 11 ) 頁: 4002 - 4005   2007年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Physica Status Solidi (B) Basic Research  

    The dependence of optical transition energies in single-walled carbon nanotubes (SWNTs) on environmental dielectric constant (εenv) have been investigated in the range of εenv from 1.0 to 37, by immersing SWNTs bridged overtrenches in various organic solvents by means of photoluminescence (PL) and the excitation spectroscopies. With increasing εenv, both E11 and E22 exhibited a redshift by several tens meV and a tendency to saturate at a εenv ∼ 5 without an indication of significant (n,m) dependence. The redshifts can be explained by dielectric screening of the repulsive electron-electron interaction. We have also investigated the time-resolved PL in air and in solvent, respectively, utilizing the excitation intensity correlation technique. When the sample was immersed in solvent, the correlation signal collapsed, and the decay time decrease as compared to in air. © 2007 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA.

    DOI: 10.1002/pssb.200776124

    Web of Science

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  104. The effects of chemical doping with F(4)TCNQ in carbon nanotube field-effect transistors studied by the transmission-line-model technique

    Nosho Y., Ohno Y., Kishimoto S., Mizutani T.

    NANOTECHNOLOGY   18 巻 ( 41 )   2007年10月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nanotechnology  

    We have studied the effects of p-type chemical doping with F 4TCNQ (tetrafluorotetracyano-p-quinodimethane) in carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs). The transmission-line-model technique using multi-probe CNFETs has been employed to investigate the effects of chemical doping on the channel resistance and contact resistance. It has been found that chemical doping is effective in the reduction of the contact resistance as well as the channel resistance. The device performances of top-gate CNFETs such as transconductance, on-resistance, and on/off ratio were improved by the F 4TCNQ chemical doping on the access regions. © IOP Publishing Ltd.

    DOI: 10.1088/0957-4484/18/41/415202

    Web of Science

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  105. Dependence of exciton transition energy of single-walled carbon nanotubes on surrounding dielectric materials

    Miyauchi Y., Saito R., Sato K., Ohno Y., Iwasaki S., Mizutani T., Jiang J., Maruyama S.

    CHEMICAL PHYSICS LETTERS   442 巻 ( 4-6 ) 頁: 394 - 399   2007年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Chemical Physics Letters  

    We theoretically investigate the environmental effect for optical transition energies of single-walled carbon nanotubes (SWNTs), by calculating the exciton transition energies of SWNTs. The static dielectric constants used in the exciton calculation can be expressed as a function of the dielectric constants of the surrounding material and that of the SWNT, in which the static and dynamic dielectric constants of the SWNT represent the screening effect of core electrons and the valence π electrons, respectively. The calculated results reproduce the environmental effect of the experimental transition energies for various surrounding materials and for various diameters of SWNTs. © 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.cplett.2007.06.018

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  106. Evidence of edge conduction at nanotube/metal contact in carbon nanotube devices

    Nosho Yosuke, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Mizutani Takashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   46 巻 ( 17-19 ) 頁: L474 - L476   2007年5月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters  

    We have investigated the current flow path between the nanotube and the contact electrode in carbon nanotube devices using multiprobe devices. The contact and channel resistances have been evaluated by two methods; transmission-line-model technique and four-probe measurement. By comparing the results, we have found that channel resistance evaluated by the four-probe measurement includes contact resistance. This indicates that the widely used four-probe measurement is not applicable to nanotube devices for the evaluation of channel resistance excluding contact resistance. This finding also implies that electron transport between the nanotube and the contact metal occurs at the edge of the contact electrode. ©2007 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.46.L474

    Web of Science

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  107. Surface potential measurement of carbon nanotube field-effect transistors using Kelvin probe force microscopy

    Umesaka Takeo, Ohnaka Hirofumi, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Maezawa Koichi, Mizutani Takashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   46 巻 ( 4B ) 頁: 2496 - 2500   2007年4月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers  

    The surface potential of carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) was measured using Kelvin probe force microscopy (KFM). A clear potential image of the CNT channel with a diameter of 1.1 nm was obtained by measurement in air. The measured potential image was dependent on the sequence of the gate bias, and showed transient behavior with a time constant of several tens of minutes. These behaviors were consistent with the drain current transient and the hysteresis of the current-voltage characteristic of the CNT-FETs. © 2007 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.46.2496

    Web of Science

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  108. (解説)カーボンナノチューブの光電子機能デバイス応用

    大野 雄高

    マテリアルステージ 7     頁: 33   2007年

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  109. (解説)カーボンナノチューブトランジスタにおける電極界面の特性 査読有り

    大野 雄高

    表面科学 28     頁: 40   2007年

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  110. Fabrication process of carbon nanotube FETs using ALD passivation for biosensors

    Nakashima Y., Ohno Y., Kishimoto S., Okochi M., Honda H., Mizutani T.

    MICROPROCESSES AND NANOTECHNOLOGY 2007, DIGEST OF PAPERS     頁: 488 - +   2007年

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  111. カーボンナノチューブトランジスタにおける電極界面の特性

    大野 雄高, 能生 陽介, 水谷 孝

    表面科学   28 巻 ( 1 ) 頁: 40 - 45   2007年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    DOI: 10.1380/jsssj.28.40

    CiNii Research

  112. Relation between conduction property and work function of contact metal in carbon nanotube field-effect transistors

    Nosho Y., Ohno Y., Kishimoto S., Mizutani T.

    NANOTECHNOLOGY   17 巻 ( 14 ) 頁: 3412 - 3415   2006年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nanotechnology  

    We have investigated the relation between the conduction property and the work function of the contact metal in carbon nanotube field-effect transistors (NTFETs). The conduction type and the drain current are dependent on the work function. In contrast to NTFETs with Ti and Pd contact electrodes, which showed p-type conduction behaviour, devices with Mg contact electrodes showed ambipolar characteristics and most of the devices with Ca contact electrodes showed n-type conduction behaviour. This indicates that the barrier height of the metal/nanotube contact is dependent on the work function of the contact metal, which suggests that the Fermi-level pinning is weak at the interface, in contrast to conventional semiconductors such as Si and GaAs. We have also demonstrated nonlinear rectification current-voltage characteristics in a nanotube quasi-pn diode with no impurity doping, in which different contact metals with different work functions are used for the anode and the cathode. © 2006 IOP Publishing Ltd.

    DOI: 10.1088/0957-4484/17/14/011

    Web of Science

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  113. Chirality-dependent environmental effects in photoluminescence of single-walled carbon nanotubes

    Ohno Yutaka, Iwasaki Shinya, Murakami Yoichi, Kishimoto Shigeru, Maruyama Shigeo, Mizutani Takashi

    PHYSICAL REVIEW B   73 巻 ( 23 )   2006年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics  

    The optical transition energies, E11 and E22, of single-walled carbon nanotubes (SWNTs) suspended in air have been investigated for 20 species by photoluminescence and excitation spectroscopies. We have studied the environmental effects in photoluminescence by comparing our results with those for the SWNTs wrapped by sodium-dodecyl-sulfate (SDS), as reported by Weisman and Bachilo [Nano Lett. 3, 1235 (2003)]. The energy differences between air-suspended and SDS-wrapped SWNTs, Δ Eii = E ii air - E ii SDS, depends on the chiral vector (n,m), specifically on the chiral angle and type of SWNT (type I or type II). The Δ E11 and Δ E22 mostly blueshifted, with the exception of the Δ E22 of some type II SWNTs (that have a small chiral angle), which redshifted. With an increase in the chiral angle, the Δ E11 increased in type I SWNTs and decreased in type II SWNTs. In contrast, the Δ E22 demonstrated opposite dependence on the chiral angle. The differences in Δ E11 and Δ E22 between type I and type II disappeared in the SWNTs with chiral angles close to 30° (near armchair). The (n,m) dependence of the environmental effect on the transition energies can be explained by the difference in the effective mass, which contributes to the energy of Coulomb interactions between carriers. © 2006 The American Physical Society.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.73.235427

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  114. Fabrication of antigen sensors using carbon nanotube field effect transistors

    Tani Kentaro, Ito Hiroshi, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Okochi Mina, Honda Hiroyuki, Mizutani Takashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 巻 ( 6B ) 頁: 5481 - 5484   2006年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers  

    Antigen sensors using carbon nanotube field effect transistors (CNT-FETs) were fabricated. In order to avoid the problem of exposing source and drain electrodes directly to the phosphate buffered saline (PBS) solution, source and drain electrodes were covered with evaporated SiO film. The immobilization of antibodies on the device surface was confirmed by the observation of fluorescence. Drain current in the sensor device was decreased by the antibody-antigen binding, which suggests a potential use of CNT-FETs as antigen sensors. © 2006 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.45.5481

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  115. Fabrication of carbon nanotube field effect transistors using plasma-enhanced chemical vapor deposition grown nanotubes

    Ohnaka Hirofumi, Kojima Yoshihiro, Kishimoto Shigeru, Ohno Yutaka, Mizutani Takashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 巻 ( 6B ) 頁: 5485 - 5489   2006年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers  

    Single-walled carbon nanotubes are grown using grid-inserted plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The field effect transistor operation was confirmed using the PECVD grown carbon nanotubes (CNTs). The preferential growth of the semiconducting nanotubes was confirmed in the grid-inserted PECVD by measuring current-voltage (1-V) characteristics of the devices. Based on the measurement of the electrical breakdown of the metallic CNTs, the probability of growing the semiconducting nanotubes has been estimated to be more than 90%. © 2006 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.45.5485

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  116. Suppression of hysteresis in carbon nanotube field-effect transistors: Effect of contamination induced by device fabrication process

    Shimauchi Hideki, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Mizutani Takashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 巻 ( 6B ) 頁: 5501 - 5503   2006年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers  

    We have statistically studied the suppression of hysteresis in carbon nanotube field-effect transistors. The effect of the device fabrication process on the hysteresis has been investigated. The results show that contamination induced by the fabrication process impedes the suppression of hysteresis in device passivation. To remove the contamination, we have introduced a cleaning process as a treatment before passivation. The effectiveness of passivation with polymethylmetacrylate has been improved by the cleaning process using H 2SO4/H2O2 solution. © 2006 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.45.5501

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  117. AIGaN/GaN high electron mobility transistors with inclined-gate-recess structure

    Aoi Y., Ohno Y., Kishimoto S., Maezawa K., Mizutani T.

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers   45 巻 ( 4 B ) 頁: 3368 - 3371   2006年4月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers  

    We have studied an inclined-gate-recess structure in order to clarify the effect of increasing the electric field in the channel. Two-dimensional device simulation has revealed that the electric field and the electron velocity in the channel have increased by the inclined-gate-recess structure, which leads to an improvement of gm. AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with inclined-gate-recess have been fabricated. Improved gm and fT have been obtained, which confirms the importance of increasing the electric field in the channel. © 2006 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.45.3368

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  118. AlGaN/GaN high electron mobility transistors with inclined-gate-recess structure

    Aoi Yuma, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Maezawa Koichi, Mizutani Takashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 巻 ( 4B ) 頁: 3368 - 3371   2006年4月

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  119. Photoluminescence of single-walled carbon nanotubes in field-effect transistors

    Ohno Y, Kishimoto S, Mizutani T

    NANOTECHNOLOGY   17 巻 ( 2 ) 頁: 549 - 555   2006年1月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Nanotechnology  

    We have studied the photoluminescence (PL) of individual single-walled carbon nanotubes (SWNTs) placed in field-effect transistor structures. The SWNTs were suspended in the air so that strong PL was obtained. When an external bias voltage was applied to the device, no spectral changes could be detected, but the intensity drastically increased or decreased. This behaviour is explained by the injection/extraction of carriers from/to the electrodes by the electric field. In the case of p-type FETs in the air, PL intensity increased due to hole injection by applying a small negative gate bias. After the device was heated in vacuum, the maximum PL intensity was obtained at zero gate bias. This can be explained by the change in the interface between the SWNT and contact electrodes. The drain field dependence of the PL intensity shows a monotonic decrease, which is explained by a competition between the recombination lifetime and transit time of photo-excited carriers in the SWNT. Using analytical steady-state rate equations on carrier density in the SWNT, the relation between the recombination lifetime and carrier transit time has been evaluated. The carrier saturation velocity has also been estimated. © 2006 IOP Publishing Ltd.

    DOI: 10.1088/0957-4484/17/2/035

    Web of Science

    Scopus

  120. (解説)カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス

    大野 雄高

    ナノ学会会報 4     頁: 67   2006年

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  121. 27aUA-1 カーボンナノチューブの蛍光の環境効果 : カイラリティ依存性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))

    大野 雄高, 岩崎 慎也, 村上 陽一, 岸本 茂, 丸山 茂夫, 水谷 孝

    日本物理学会講演概要集   61.1.4 巻 ( 0 ) 頁: 805   2006年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.61.1.4.0_805_3

    CiNii Research

  122. AlGaN/GaN MIS-HEMTs with ZrO<inf>2</inf> gate insulator

    Sugimoto T., Ohno Y., Kishimoto S., Maezawa K., Osaka J., Mizutani T.

    Institute of Physics Conference Series   184 巻   頁: 279 - 282   2005年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Institute of Physics Conference Series  

    AlGaN/GaN MIS-HEMTs using ZrO2 gate insulator with a large dielectric constant have been successfully fabricated. The gate leakage current decreased by more than three orders of magnitude compared to that of the conventional AlGaN/GaN HEMTs without the ZrO2 gate insulator. Current collapse has also been suppressed in the MIS-HEMTs. The decrease in g mmax, which was observed in the case of Si3N4 MIS-HEMTs, was suppressed in the present MIS-HEMTs demonstrating the effectiveness of the ZrO2 gate insulator. © 2005 IOP Publishing Ltd.

    Scopus

  123. Electron traps in AlGaN/GaN MIS-HEMTs observed by drain current DLTS

    Okino T., Ohno Y., Kishimoto S., Maezawa K., Osaka J., Mizutani T.

    Institute of Physics Conference Series   184 巻   頁: 271 - 274   2005年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Institute of Physics Conference Series  

    The transient behavior of AlGaN/GaN MIS-HEMTs was studied by drain current DLTS. Two negative peaks with activation energies of 0.49 eV and 0.62 eV were observed in the DLTS spectrum. The location where these levels existed was studied in detail. © 2005 IOP Publishing Ltd.

    Scopus

  124. Surface potential transient of AlGaN/GaN HEMTs measured by Kelvin probe force microscopy

    Nakagami K., Ohno Y., Kishimoto S., Maezawa K., Mizutani T.

    Institute of Physics Conference Series   184 巻   頁: 275 - 278   2005年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Institute of Physics Conference Series  

    Surface potential of the AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors was measured by Kelvin probe force microscopy to study the mechanism of the drain current collapse. The potential after the gate bias stress increased due to the emission of trapped electrons from the surface states. The time constant of the potential increase was 75 s, which was comparable to that of the drain current recovery from the collapsed level. © 2005 IOP Publishing Ltd.

    Scopus

  125. Deep levels in n-type AlGaN grown by hydride vapor-phase epitaxy on sapphire characterized by deep-level transient spectroscopy

    Osaka J, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    APPLIED PHYSICS LETTERS   87 巻 ( 22 ) 頁: 1 - 3   2005年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    Deep levels in unintentionally doped n -type Al0.09 Ga0.91 N and Al0.17 Ga0.83 N films grown on sapphire by hydride vapor-phase epitaxy were characterized using capacitance deep-level transient spectroscopy and were compared to the reported electron traps in GaN grown by various techniques. It was shown that at least three dominant deep levels exist in each sample. The Al mole fraction dependence of their activation energy suggested that each of these three levels has the same origin as the three dominant well known point-defect-related deep levels in GaN, respectively. It is thought that deep levels in GaN change their electric characteristics in low Al content AlGaN. © 2005 American Institute of Physics.

    DOI: 10.1063/1.2137901

    Web of Science

    Scopus

  126. Direct integration of GaAsHEMTs on AlN ceramic substrates using fluidic self-assembly

    Soga I, Hayashi S, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    ELECTRONICS LETTERS   41 巻 ( 23 ) 頁: 1275 - 1276   2005年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Electronics Letters  

    Direct integration of AlGaAs/GaAs HEMTs on AlN ceramic substrates has been demonstrated based on the fluidic self-assembly (FSA) technology. The FSA is a unique technology to arrange small device blocks (around a few tens of microns) onto the other substrates. With this technology the core part of the HEMT having no pad can be mounted on the ceramic substrate. The HEMT core can then be connected electrically with the circuit on a ceramic substrate using a planar wiring process. This eliminates large stray capacitance and inductance in the conventional technology. It has been demonstrated that the good FET characteristics are obtained even after FSA process. © IEE 2005.

    DOI: 10.1049/el:20052840

    Web of Science

    Scopus

  127. Metamorphic resonant tunneling diodes and its application to chaos generator ICs

    Maezawa K, Iwase T, Ohno Y, Kishimoto S, Mizutani T, Sano K, Takakusaki M, Nakata H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 巻 ( 7A ) 頁: 4790 - 4794   2005年7月

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  128. Effects of fabrication process on current-voltage characteristics of carbon nanotube field effect transistors

    Mizutani T, Iwatsuki S, Ohno Y, Kishimoto S

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 巻 ( 4A ) 頁: 1599 - 1602   2005年4月

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  129. Growth of high-quality carbon nanotubes by grid-inserted plasma-enhanced chemical vapor deposition for field emitters

    Kojima Y, Kishimoto S, Ohno Y, Sakai A, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 巻 ( 4B ) 頁: 2600 - 2603   2005年4月

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  130. Photoresponse of carbon nanotube field-effect transistors

    Ohno Y, Kishimoto S, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 巻 ( 4A ) 頁: 1592 - 1595   2005年4月

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  131. Growth of mm-long carbon nanotubes by grid-inserted plasma-enhanced chemical vapor deposition

    Kishimoto S, Kojima Y, Ohno Y, Sugai T, Shinohara H, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 巻 ( 4A ) 頁: 1554 - 1557   2005年4月

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  132. n-Type carbon nanotube field-effect transistors fabricated by using Ca contact electrodes

    Nosho Y, Ohno Y, Kishimoto S, Mizutani T

    APPLIED PHYSICS LETTERS   86 巻 ( 7 )   2005年2月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1063/1.1865343

    Web of Science

  133. Synthesis of carbon nanotube peapods directly on Si substrates

    Ohno Y, Kurokawa Y, Kishimoto S, Mizutani T, Shimada T, Ishida M, Okazaki T, Shinohara H, Murakami Y, Maruyama S, Sakai A, Hiraga K

    APPLIED PHYSICS LETTERS   86 巻 ( 2 )   2005年1月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1063/1.1849835

    Web of Science

  134. Tunable field-effect transistor device with metallofullerene nanopeapods

    Shimada T, Ohno Y, Suenaga K, Okazaki T, Kishimoto S, Mizutani T, Taniguchi R, Kato H, Cao BP, Sugai T, Shinohara H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 巻 ( 1A ) 頁: 469 - 472   2005年1月

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  135. AlGaN/GaN MIS-HEMTs with ZrO2 gate insulator

    Sugimoto T, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Osaka J, Mizutani T

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS   184 巻   頁: 279 - 282   2005年

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  136. Electron traps in AlGaN/GaN MIS-HEMTs observed by drain current DLTS

    Okino T, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Osaka J, Mizutani T

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS   184 巻   頁: 271 - 274   2005年

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  137. Fabrication and characterization of carbon nanotube FETs

    Mizutani T, Ohno Y

    QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES II   5732 巻   頁: 28 - 36   2005年

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1117/12.580040

    Web of Science

  138. Origin of the 2450 cm(-1) Raman bands in HOPG, single-wall and double-wall carbon nanotubes

    Shimada T, Sugai T, Fantini C, Souza M, Cancado LG, Jorio A, Pimenta MA, Salto R, Gruneis A, Dresselhaus G, Dresselhaus MS, Ohno Y, Mizutani T, Shinohara H

    CARBON   43 巻 ( 5 ) 頁: 1049 - 1054   2005年

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1016/j.carbon.2004.11.044

    Web of Science

  139. Fabrication and characterization of peapod field-effect transistors using peapods synthesized directly on Si substrate

    Kurokawa Y, Ohno Y, Shimada T, Ishida M, Kishimoto S, Okazaki T, Shinohara H, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   44 巻 ( 42-45 ) 頁: L1341 - L1343   2005年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters  

    We have successfully fabricated carbon nanopeapod field-effect transistors (FETs) using peapods synthesized directly on a SiO2/Si substrate. Single-walled carbon nanotubes (SWNTs) for pods were synthesized on the substrate by utilizing position-controlled chemical vapor deposition. The end caps of the SWNTs were removed by oxidation by baking in air. Insertion of fullerenes into the cap-opened SWNTs was performed by the vapor phase doping method. Fabricated Gd@C82 peapod FETs showed ambipolar characteristics. We have estimated the bandgap of the Gd@C peapod to be ∼100meV from the temperature dependence of the drain current. © 2005 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.44.L1341

    Web of Science

    Scopus

    CiNii Research

  140. Surface potential transient of AlGaN/GaN HEMTs measured by Kelvin probe force microscopy

    Nakagami K, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS   184 巻   頁: 275 - 278   2005年

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  141. Surface potential measurements of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by Kelvin probe force microscopy

    Nakagami K, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    APPLIED PHYSICS LETTERS   85 巻 ( 24 ) 頁: 6028 - 6029   2004年12月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1063/1.1835551

    Web of Science

  142. Fluid dynamic assembly of semiconductor blocks for heterogeneous integration

    Soga I, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   43 巻 ( 9A ) 頁: 5951 - 5954   2004年9月

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  143. Direct observation of high-frequency chaos signals from the resonant tunneling chaos generator

    Maezawa K, Kawano Y, Ohno Y, Kishimoto S, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   43 巻 ( 8A ) 頁: 5235 - 5238   2004年8月

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  144. Drain current DLTS of AlGaN-GaN MIS-HEMTs

    Okino T, Ochiai A, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani I

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   25 巻 ( 8 ) 頁: 523 - 525   2004年8月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1109/LED.2004.832788

    Web of Science

  145. Fabrication technique for carbon nanotube single-electron transistors using focused ion beam

    Kurokawa Y, Ohno Y, Kishimoto S, Okazaki T, Shinohara H, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   43 巻 ( 8A ) 頁: 5669 - 5670   2004年8月

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  146. Double-wall carbon nanotube field-effect transistors: Ambipolar transport characteristics

    Shimada T, Sugai T, Ohno Y, Kishimoto S, Mizutani T, Yoshida H, Okazaki T, Shinohara H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   84 巻 ( 13 ) 頁: 2412 - 2414   2004年3月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1063/1.1689404

    Web of Science

  147. Effects of surface passivation on breakdown of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

    Ohno Y, Nakao T, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    APPLIED PHYSICS LETTERS   84 巻 ( 12 ) 頁: 2184 - 2186   2004年3月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1063/1.1687983

    Web of Science

  148. Transport properties of C-78, C-90 and Dy@C-82 fullerenes-nanopeapods by field effect transistors

    Shimada T, Ohno Y, Okazaki T, Sugai T, Suenaga K, Kishimoto S, Mizutani T, Inoue T, Taniguchi R, Fukui N, Okubo H, Shinohara H

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES   21 巻 ( 2-4 ) 頁: 1089 - 1092   2004年3月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1016/j.physe.2003.11.197

    Web of Science

  149. Chirality assignment of individual single-walled carbon nanotubes in carbon nanotube field-effect transistors by micro-photocurrent spectroscopy

    Ohno Y, Kishimoto S, Mizutani T, Okazaki T, Shinohara H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   84 巻 ( 8 ) 頁: 1368 - 1370   2004年2月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1063/1.1650554

    Web of Science

  150. Drain current DLTS of AlGaN/GaN HEMTs

    Mizutani T, Okino T, Kawada K, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   200 巻 ( 1 ) 頁: 195 - 198   2003年11月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1002/pssa.200303464

    Web of Science

  151. Experimental demonstration of capacitor-coupled resonant tunneling logic gates for ultra-short gate-delay operation

    Tanaka T, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   42 巻 ( 11 ) 頁: 6766 - 6771   2003年11月

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  152. Fabricated on a GaAs-based semiconductor-on-insulator substrate using a spin-on-low-k dielectric film

    Sato K, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 巻 ( 11 ) 頁: 6839 - 6840   2003年11月

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  153. 88 GHz dynamic 2 : 1 frequency divider using resonant tunnelling chaos circuit

    Kawano Y, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T, Sano K

    ELECTRONICS LETTERS   39 巻 ( 21 ) 頁: 1546 - 1548   2003年10月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1049/el:20030972

    Web of Science

  154. A study on current collapse in AlGaN/GaN HEMTs induced by bias stress

    Mizutani T, Ohno Y, Akita M, Kishimoto S, Maezawa K

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   50 巻 ( 10 ) 頁: 2015 - 2020   2003年10月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1109/TED.2003.816549

    Web of Science

  155. Position-controlled carbon nanotube field-effect transistors fabricated by chemical vapor deposition using patterned metal catalyst

    Ohno Y, Iwatsuki S, Hiraka T, Okazaki T, Kishimoto S, Maezawa K, Shinohara H, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 巻 ( 6B ) 頁: 4116 - 4119   2003年6月

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  156. AlGaN/GaN heterostructure metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors with Si3N4 gate insulator

    Ochiai M, Akita M, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 巻 ( 4B ) 頁: 2278 - 2280   2003年4月

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  157. Comparison of electrical characteristics of metamorphic HEMTs with InPHEMTs and PHEMTs

    Kawada K, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T, Takakusaki M, Nakata H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   42 巻 ( 4B ) 頁: 2219 - 2222   2003年4月

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  158. Characterization of electrical properties of micro-Schottky contacts on epitaxial lateral overgrowth GaN

    Kumada K, Murata T, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T, Sawaki N

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   42 巻 ( 4B ) 頁: 2250 - 2253   2003年4月

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  159. Fluidic assembly of thin GaAs blocks on Si substrates

    Soga I, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 巻 ( 4B ) 頁: 2226 - 2229   2003年4月

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  160. Electronic properties of Gd@C-82 metallofullerene peapods: (Gd @ C-82)(n)@SWNTs

    Okazaki T, Shimada T, Suenaga K, Ohno Y, Mizutani T, Lee J, Kuk Y, Shinohara H

    APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING   76 巻 ( 4 ) 頁: 475 - 478   2003年3月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1007/s00339-002-2039-7

    Web of Science

  161. Measurement of frequency dispersion of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

    Mizutani T, Makihara H, Akita M, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   42 巻 ( 2A ) 頁: 424 - 425   2003年2月

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  162. 23aXF-6 カーボンナノチューブ・ナノピーポットにおける輸送特性の温度依存性

    嶋田 行志, 大野 雄高, 岡崎 俊也, 菅井 俊樹, 岸本 茂, 水谷 孝, 篠原 久典

    日本物理学会講演概要集   58.2.4 巻 ( 0 ) 頁: 760   2003年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.58.2.4.0_760_3

    CiNii Research

  163. Experimental demonstration of a resonant tunneling delta-sigma modulator for high-speed, high-resolution analog-to-digital converter

    Yokoyama Y, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 2002   174 巻   頁: 243 - 246   2003年

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  164. Study on off-state breakdown in AlGaN/GaN HEMTs

    Nakao T, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS   0 巻 ( 7 ) 頁: 2335 - 2338   2003年

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1002/pssc.200303405

    Web of Science

  165. 歴代理事長座談会

    大野 豊, 片山 卓也, 米澤 明憲, 武市 正人, 阿草 清滋

    コンピュータ ソフトウェア   20 巻 ( 6 ) 頁: 537 - 548   2003年

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    出版者・発行元:日本ソフトウェア科学会  

    日本ソフトウェア科学会が創立20周年を迎えるに当たって,本年の大会の行われている会場をお借りして,歴代の理事長にお集まり頂き,これまでの歴史を振り返り,また将来について語って頂いた.

    DOI: 10.11309/jssst.20.537

    CiNii Research

  166. Current collapse in AlGaN/GaN HEMTs investigated by electrical and optical characterizations

    Mizutani T, Ohno Y, Akita M, Kishimoto S, Maezawa K

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH   194 巻 ( 2 ) 頁: 447 - 451   2002年12月

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  167. Ambipolar field-effect transistor behavior of Gd@C-82 metallofullerene peapods

    Shimada T, Okazaki T, Taniguchi R, Sugai T, Shinohara H, Suenaga K, Ohno Y, Mizuno S, Kishimoto S, Mizutani T

    APPLIED PHYSICS LETTERS   81 巻 ( 21 ) 頁: 4067 - 4069   2002年11月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1063/1.1522482

    Web of Science

  168. Effects of the HEMT parameters on the operation frequency of resonant tunneling logic gate MOBILE

    Aoyama T, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS   85 巻 ( 10 ) 頁: 1 - 6   2002年10月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1002/ecjb.10055

    Web of Science

  169. Large gate leakage current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors

    Mizuno S, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   41 巻 ( 8 ) 頁: 5125 - 5126   2002年8月

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  170. Temperature distribution measurement in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by micro-Raman scattering spectroscopy

    Ohno Y, Akita M, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   41 巻 ( 4B ) 頁: L452 - L454   2002年4月

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  171. Electroluminescence in AlGaN/GaN high electron mobility transistors under high bias voltage

    Nakao T, Ohno Y, Akita M, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   41 巻 ( 4A ) 頁: 1990 - 1991   2002年4月

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  172. 50 GHz frequency divider using resonant tunnelling chaos circuit

    Kawano Y, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    ELECTRONICS LETTERS   38 巻 ( 7 ) 頁: 305 - 306   2002年3月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1049/el:20020222

    Web of Science

  173. High-speed operation of a novel frequency divider using resonant tunneling chaos circuit

    Kawano Y, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   41 巻 ( 2B ) 頁: 1150 - 1153   2002年2月

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  174. Electroluminescence in AlGaN/GaN HEMTS

    Ohno Y, Nakao T, Akita M, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 2001   ( 170 ) 頁: 119 - 124   2002年

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  175. Low-frequency noise characteristics of AlGaN/GaN HEMT

    Makihara H, Akita M, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 2001   ( 170 ) 頁: 113 - 117   2002年

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  176. Temperature Distribution Measurement in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors by Micro-Raman Scattering Spectroscopy.

    Ohno Yutaka, Akita Mitsutoshi, Kishimoto Shigeru, Maezawa Koichi, Mizutani Takashi

    Japanese Journal of Applied Physics   41 巻 ( 4B ) 頁: L452 - L454   2002年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    Temperature distributions in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors under bias voltage have been measured by micro-Raman scattering spectroscopy. The temperature was estimated from the Raman shift of E<FONT SIZE="-1"><SUB>2</SUB></FONT> phonons of GaN. The spatial and temperature resolutions are 1 μm and 10 K, respectively. When the power dissipation was 248 mW at a drain voltage of 40 V, the peak temperature of 443 K was observed at the gate edge on the drain side at the center of the channel. This position corresponds to the high-field region at the gate edge.

    DOI: 10.1143/jjap.41.l452

    CiNii Research

  177. Temperature distributions in AlGaN/GaN HEMTs measured by micro-Raman scattering spectroscopy

    Ohno Y, Akita M, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS     頁: 57 - 60   2002年

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  178. A delta-sigma analog-to-digital converter using resonant tunneling diodes

    Yokoyama Y, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   40 巻 ( 10A ) 頁: L1005 - L1007   2001年10月

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  179. Resonant-tunneling-injection photoluminescence of single InAs self-assembled quantum dots embedded in a thin AlGaAs barrier

    Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   40 巻 ( 3B ) 頁: 2065 - 2068   2001年3月

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  180. A Delta-Sigma Analog-to-Digital Converter Using Resonant Tunneling Diodes.

    Yokoyama Yuji, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Maezawa Koichi, Mizutani Takashi

    Japanese Journal of Applied Physics   40 巻 ( 10A ) 頁: L1005 - L1007   2001年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    A novel delta-sigma (ΔΣ) analog-to-digital converter (ADC) using resonant tunneling diodes (RTDs) is proposed. A ΔΣ modulator circuit, which is the key element of the ΔΣ ADC, can be designed in a very simple form using a monostable-bistable transition logic element (MOBILE). The operation of this ΔΣ modulator circuit is confirmed by numerical simulation.

    DOI: 10.1143/jjap.40.l1005

    CiNii Research

  181. High-speed operation of a novel frequency divider using resonant tunneling chaos circuit

    Kawano Y, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    2001 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, CONFERENCE PROCEEDINGS     頁: 236 - 239   2001年

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  182. Resonant-Tunneling-Injection Photoluminescence of Single InAs Self-Assembled Quantum Dots Embedded in a Thin AlGaAs Barrier.

    Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Maezawa Koichi, Mizutani Takashi

    Japanese Journal of Applied Physics   40 巻 ( 3B ) 頁: 2065 - 2068   2001年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    We have investigated resonant-tunneling-injection photoluminescence (PL) of single InAs self-assembled quantum dots (QDs) which were embedded in the barrier layer of an n-GaAs/i-AlGaAs/n-GaAs tunneling diode. A triangular structure in the PL intensity-voltage characteristics of a single PL line was observed. This reflects the electron tunneling from a three-dimensional emitter to the zero-dimensional quantum level of the QD. In addition, three subpeaks and a broad bulge of the PL were superimposed on the triangular structure. The subpeaks were ascribed to the resonant tunneling of holes into valence quantum levels of the QD. The origin of the excess PL bulge which is obtained at off-resonance bias condition is also discussed.

    DOI: 10.1143/jjap.40.2065

    CiNii Research

  183. Observation of resonant tunneling through single self-assembled InAs quantum dots using electrophotoluminescence spectroscopy

    Ohno Y, Asaoka K, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   87 巻 ( 9 ) 頁: 4332 - 4336   2000年5月

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  184. Photoluminescence study of resonant tunneling transistor with p(+)/n-junction gate

    Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   39 巻 ( 1 ) 頁: 35 - 40   2000年1月

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  185. Photoluminescence Study of Resonant Tunneling Teansistor with p+/n-Junction Gate.

    Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Maezawa Koichi, Mizutani Takashi

    Japanese Journal of Applied Physics   39 巻 ( 1 ) 頁: 35 - 40   2000年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    We studied photoluminescence (PL) of a resonant tunneling transistor with a p<FONT SIZE="-1"><SUP>+</SUP></FONT>/n-junction gate. The excitation energy was selected to be close to the band-gap energy of the GaAs collector layer 1) so as not to excite the barrier layer and quantum well directly, and 2) in order to obtain a simple luminescence spectrum. The PL signal shows strong correlation with the resonant tunneling current. The PL peak position shows a redshift with increasing collector voltage, indicating the existence of the quantum-confined Stark effect. The collector voltage dependence of the PL linewidth suggests the existence of charge accumulation in the quantum well. The accumulated electron density and the charging time were estimated. It was also shown that the PL intensity could be controlled by the gate voltage without affecting the resonant tunneling behavior of electrons.

    DOI: 10.1143/jjap.39.35

    CiNii Research

  186. Optoelectronic flexible-function logic gate using monostable-bistable transition of serially connected resonant tunneling transistors

    Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T, Akeyoshi T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   38 巻 ( 4B ) 頁: 2586 - 2589   1999年4月

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  187. Measurements of electroluminescence intensity distribution in the direction of gate width of n(+) self-aligned gate GaAs metal-semiconductor field-effect transistors

    Niwa H, Ohno Y, Kishimoto S, Maezawa K, Mizutani T, Yamazaki H, Taniguchi T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   38 巻 ( 3A ) 頁: 1363 - 1364   1999年3月

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  188. Microscopic photoluminescence study of InAs single quantum dots grown on (100) GaAs

    Asaoka K, Ohno Y, Kishimoto S, Mizutani T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   38 巻 ( 1B ) 頁: 546 - 549   1999年1月

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  189. Photoluminescence intensity enhancement by electron beam irradiation into GaAs quantum wells

    Murata T, Ohno Y, Kishimoto S, Mizutani T

    SOLID-STATE ELECTRONICS   43 巻 ( 1 ) 頁: 147 - 152   1999年1月

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  190. Measurements of Electroluminescence Intensity Distribution in the Direction of Gate Width of n+ Self-Aligned Gate GaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors.

    Niwa Hiroyuki, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Maezawa Koichi, Mizutani Takashi, Yamazaki Hajime, Taniguchi Toru

    Japanese Journal of Applied Physics   38 巻 ( 3A ) 頁: 1363 - 1364   1999年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    We studied electroluminescence (EL) intensity distributions in the direction of gate width of n<SUP>+</SUP> self-aligned gate GaAs metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs). Nonuniform EL was observed along the gate-width direction, suggesting the nonuniform high-field formation in the direction of the gate. It has also been found that the EL at the source side shows gentler distribution than that at the drain side. These features suggest that the nonuniform hole distribution generated by impact ionization at the drain side becomes gradual during the process of their flow into the source and gate electrodes.

    DOI: 10.1143/jjap.38.1363

    CiNii Research

  191. Optoelectronic Flexible-Function Logic Gate Using Monostable-Bistable Transition of Serially Connected Resonant Tanneling Transitors.

    Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Maezawa Koichi, Mizutani Takashi, Akeyoshi Tomoyuki

    Japanese Journal of Applied Physics   38 巻 ( 4B ) 頁: 2586 - 2589   1999年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    A novel optoelectronic resonant tunneling logic gate, OE MOBILE, is proposed and its basic logic functions such as NOT, NOR, NAND, OR, and AND are confirmed for optical inputs. The fundamental idea is to use optical inputs to determine the logic level of the gate which consists of two serially connected resonant tunneling transistors (RTTs) with a p<sup>+</sup>/n-junction gate. The OE MOBILE is operated by oscillating bias voltage to employ monostable-bistable transition. At the time when the transition occurs, the optical inputs are applied by illuminating the RTTs to control their peak currents and consequently to determine the output logic levels. The power of an optical input for logic operations is as small as 5 µW owing to the operation based on monostable-bistable transition. It should be pointed out that the functions of an OE MOBILE can be changed between NOR and NAND by changing the control terminal voltage.

    DOI: 10.1143/jjap.38.2586

    CiNii Research

  192. Microscopic Photoluminescence Study of InAs Single Quantum Dots Grown on (100) GaAs.

    Asaoka Kazuya, Ohno Yutaka, Kishimoto Shigeru, Mizutani Takashi

    Japanese Journal of Applied Physics   38 巻 ( 1B ) 頁: 546 - 549   1999年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    We report ultranarrow (≤60 µeV) photoluminescence (PL) lines originating from single InAs quantum dots (QDs) sandwiched by Al<SUB>0.35</SUB>Ga<SUB>0.65</SUB>As barrier layers, demonstrating their δ-function-like density of states (DOS). The temperature dependence of the full-width at half maximum (FWHM) was studied between 10 and 90 K. It linearly increased with increasing temperature from 40 to 80 K (~7 µeV/K), suggesting the existence of an excitonic dephasing mechanism. Pure dephasing of excitons due to exciton-phonon interactions in acoustic phonon mode was suggested as a possible mechanism for the PL line broadening.

    DOI: 10.1143/jjap.38.546

    CiNii Research

  193. Feature Articles] MoS2 Nanogenerators: Harvesting Energy from Droplet Movement 招待有り 査読有り 国際誌

    A. S. Aji and Y. Ohno

    AAPPS Bulletin   30 巻 ( 4 ) 頁: 10 - 15   2020年8月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.22661/AAPPSBL.2020.30.4.10

  194. Clinical impact of the loss of chromosome 7q on outcomes of patients with myelodysplastic syndromes treated with allogeneic hematopoietic stem cell transplantation

    Itonaga Hidehiro, Ishiyama Ken, Aoki Kazunari, Aoki Jun, Ishikawa Takayuki, Ohashi Kazuteru, Fukuda Takayuki, Ozawa Yukiyasu, Ota Shuichi, Uchida Naoyuki, Eto Tetsuya, Iwato Koji, Ohno Yuju, Takanashi Minoko, Ichinohe Tatsuo, Atsuta Yoshiko, Miyazaki Yasushi

    BONE MARROW TRANSPLANTATION   54 巻 ( 9 ) 頁: 1471 - 1481   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41409-019-0469-5

    Web of Science

  195. Carbons for wearable devices - Commentary and introduction to the virtual special issue

    Chen Yuan, Dai Liming, Ohno Yutaka

    CARBON   126 巻   頁: 621 - 623   2018年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Carbon  

    DOI: 10.1016/j.carbon.2017.09.079

    Web of Science

    Scopus

  196. Biallelic Mutations in KDSR Disrupt Ceramide Synthesis and Result in a Spectrum of Keratinization Disorders Associated with Thrombocytopenia

    Takeichi Takuya, Torrelo Antonio, Lee John Y. W., Ohno Yusuke, Luisa Lozano Maria, Kihara Akio, Liu Lu, Yasuda Yuka, Ishikawa Junko, Murase Takatoshi, Belen Rodrigo Ana, Fernandez-Crehuet Pablo, Toi Yoichiro, Mellerio Jemima, Rivera Jose, Vicente Vicente, Kelsell David P., Nishimura Yutaka, Okuno Yusuke, Kojima Daiei, Ogawa Yasushi, Sugiura Kazumitsu, Simpson Michael A., McLean W. H. Irwin, Akiyama Masashi, McGrath John A.

    JOURNAL OF INVESTIGATIVE DERMATOLOGY   137 巻 ( 11 ) 頁: 2344-2353   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jid.2017.06.028

    Web of Science

  197. Chitin-deacetylase activity induces appressorium differentiation in the rice blast fungus Magnaporthe oryzae

    Kuroki Misa, Okauchi Kana, Yoshida Sho, Ohno Yuko, Murata Sayaka, Nakajima Yuichi, Nozaka Akihito, Tanaka Nobukiyo, Nakajima Masahiro, Taguchi Hayao, Saitoh Ken-ichiro, Teraoka Tohru, Narukawa Megumi, Kamakura Takashi

    SCIENTIFIC REPORTS   7 巻   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-017-10322-0

    Web of Science

  198. Highly stable perovskite solar cells with an all-carbon hole transport layer 査読有り

    F. Wang, M. Endo, S. Mouri. Y. Miyauchi, Y. Ohno, A. Wakamiya, Y. Murata, and K. Matsuda

    Nanoscale   8 巻 ( 23 ) 頁: 11882-11888   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  199. Highly individual SWCNTs for high performance thin film electronics 査読有り

    A. Kaskela, P. Laiho, N. Fukaya, K. Mustonen, T. Susi, H. Jiang, N. Houbenov, Y. Ohno, and E. I. Kauppinen

    Carbon   103 巻   頁: 228-234   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  200. Toward the Limits of Uniformity of Mixed Metallicity SWCNT TFT Arrays with Spark-Synthesized and Surface-Density-Controlled Nanotube Networks 査読有り

    A. Kaskela, K. Mustonen, P. Laiho, Y. Ohno, and E. I. Kauppinen

    ACS Appl. Mater. Interfaces   7 巻 ( 51 ) 頁: 28134-28141   2015年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  201. Angular Sensitivity of VHF-Band CNT Antenna 査読有り

    H. Tanaka, Y. Ohno, and Y. Tadokoro

    IEEE Trans. Nanotechnol.   14 巻 ( 6 ) 頁: 1112-1116   2015年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  202. Overcoming the quality quantity tradeoff in dispersion and printing of carbon nanotubes by a repetitive dispersion extraction process 査読有り

    H. Shirae, D. Y. Kim, K. Hasegawa, T. Takenobu, Y. Ohno, and S. Noda

    Carbon   91 巻 ( 20 ) 頁: 29   2015年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  203. Printed, short-channel, top-gate carbon nanotube thin-film transistors on flexible plastic film 査読有り

    M. Maeda, J. Hirotani, R. Matsui, K. Higuchi, S. Kishimoto, T. Tomura, M. Takesue, K. Hata, and Y. Ohno

    Appl. Phys. Exp.   8 巻 ( 4 ) 頁: 045102   2015年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  204. Considerably improved photovoltaic performance of carbon nanotube-based solar cells using metal oxide layers 査読有り

    F. Wang, D. Kozawa, Y. Miyauchi, K. Hiraoka, S. Mouri, Y. Ohno, and K. Matsuda

    Nature Commn.   6 巻   頁: 6305   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/ncomms7305

  205. Considerably improved photovoltaic performance of carbon nanotube-based solar cells using metal oxide layers

    Wang Feijiu, Kozawa Daichi, Miyauchi Yuhei, Hiraoka Kazushi, Mouri Shinichiro, Ohno Yutaka, Matsuda Kazunari

    NATURE COMMUNICATIONS   6 巻   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/ncomms7305

    Web of Science

  206. One-Step Sub-10 um Patterning of Carbon-Nanotube Thin Films for Transparent Conductor Applications

    N. Fukaya, D. Y. Kim, S. Kishimoto, S. Noda, and Y. Ohno

    ACS Nano   8 巻 ( 4 ) 頁: 3285-3293   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  207. Fabrication of Single-Walled Carbon Nanotube/Si Heterojunction Solar Cells with High Photovoltaic Performance

    F. Wang, D. Kozawa, Y. Miyauchi, K. Hiraoka, S. Mouri, Y. Ohno, and K. Matsuda

    ACS Photonics   1 巻   頁: 360-364   2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  208. Influence of ambient air on n-type carbon nanotube thin-film transistors chemically doped with polyethyleneimine

    T. Yasunishi, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻   頁: 05FD01   2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  209. Fabrication of high-mobility n-type carbon nanotube thin-film transistors on plastic film

    T. Yasunishi, S. Kishimoto, E. I. Kauppinen, and Y. Ohno

    phys. stat. sol (c)   10 巻 ( 11 ) 頁: 1612-1615   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  210. An ultra-low leakage current single carbon nanotube diode with split-gate and asymmetric contact geometry

    M. A. Hughes, K. P. Homewood, R. J. Curry, Y. Ohno, and T. Mizutani

    Appl. Phys. Lett.   103 巻 ( 10 ) 頁: 133508   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  211. Mouldable all-carbon integrated circuits 査読有り

    D.-M. Sun, M. Y. Timmermans, A. Kaskela, A. G. Nasibulin, S. Kishimoto, T. Mizutani, E. I. Kauppinen, and Y. Ohno

    Nature Commun.   4 巻   頁: 2302   2013年8月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  212. High-Mobility, Flexible Carbon Nanotube Thin-Film Transistors Fabricated by Transfer and High-Speed Flexographic Printing Techniques 査読有り

    K. Higuchi, S. Kishimoto, Y. Nakajima, T. Tomura, M. Takesue, K. Hata, E. I. Kauppinen, and Y. Ohno

    Appl. Phys. Exp.   6 巻 ( 8 ) 頁: 085101   2013年7月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  213. Spatially Resolved Transport Properties of Pristine and Doped Single-Walled Carbon Nanotube Networks 査読有り

    A. Znidarsic, A. Kaskela, P. Laiho, M. Gaberscek, Y. Ohno, A. G. Nasibulin, E. I. Kauppinen, and A. Hassanien

    J. Phys. Chem. C   117 巻 ( 25 ) 頁: 13324-13330   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  214. Investigation of Interface Charges of High-k Gate Dielectrics and Their Effects on Carbon Nanotube Field-Effect Transistors 査読有り

    K. Suzuki, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani

    Appl. Phys. Exp.   6 巻 ( 2 ) 頁: 024002   2013年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  215. Electrical properties of carbon nanotube thin-film transistors fabricated using plasma-enhanced chemical vapor deposition measured by scanning probe microscopy 査読有り

    Y. Okigawa, S. Kishimoto, Y. Ohno, and T. Mizutani

    Nanotechnol.   22 巻 ( 19 ) 頁: 195202   2011年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  216. Flexible high-performance carbon nanotube integrated circuits 査読有り

    D.-M. Sun, M. Y. Timmermans, Y. Tian, A. G. Nasibulin, E. I. Kauppinen, S. Kishimoto, T. Mizutani, and Y. Ohno

    Nature Nanotechnology   6 巻   頁: 156-161   2011年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  217. Thin Single-Walled Carbon Nanotubes with Narrow Diameter Distribution Grown by Cold-Wall Chemical Vapor Deposition Combined with Co Nanoparticle Deposition 査読有り

    S. Ishii, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁: 015102   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  218. Thin-Film Transistors with Length-Sorted DNA-Wrapped Single-Wall Carbon Nanotubes 査読有り

    Y. Asada, Y. Miyata, K. Shiozawa, Y. Ohno, R. Kitaura, T. Mizutani, and H. Shinohara

    J. Phys. Chem. C   115 巻 ( 1 ) 頁: 270-273   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  219. Impact of fixed charges at interfaces on the operation of top-gate carbon nanotube field-effect transistors 査読有り

    Y. Ohno, N. Moriyama, S. Kishimoto, and T. Mizutani

    phys. stat. sol (c)   8 巻 ( 2 ) 頁: 567-569   2011年1月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  220. Improvement in alignment of single-walled carbon nanotubes grown on quartz substrate 査読有り

    K. Hata, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani

    phys. stat. sol (c)   8 巻 ( 2 ) 頁: 561-563   2011年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  221. Carbon Nanotubes for VLSI: Interconnect and Transistor Applications 招待有り 査読有り

    Y. Awano, S. Sato, M. Nihei, T. Sakai, Y. Ohno, and T. Mizutani

    Proc. IEEE   98 巻 ( 12 ) 頁: 2015-2031   2010年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  222. Medium Scale Integrated Circuits Using Carbon Nanotube Thin Film Transistors 査読有り

    T. Mizutani, Y. Okigawa, Y. Ono, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    Appl. Phys. Exp.   3 巻   頁: 11510   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  223. High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges 査読有り

    N. Moriyama, Y. Ohno, K. Suzuki, S. Kishimoto, and T. Mizutani

    Appl. Phys. Exp.   3 巻 ( 10 ) 頁: 105102   2010年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  224. High-Performance Thin-Film Transistors with DNA-Assisted Solution Processing of Isolated Single-Walled Carbon Nanotubes 査読有り

    Y. Asada, Y. Miyata, Y. Ohno, R. Kitaura, T. Sugai, T. Mizutani, and H. Shinohara

    Adv. Mater.   22 巻   頁: 1-4   2010年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  225. Parametric Study of Alcohol Catalytic Chemical Vapor Deposition for Controlled Synthesis of Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes 査読有り

    R. Xiang, E. Einarsson, J. Okawa, T. Thurakitseree, Y. Murakami, J. Shiomi, Y. Ohno, and S. Maruyama

    J. Nanosci. and Nanotechnol.   10 巻   頁: 3901-3906   2010年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  226. Change in carrier type in high-k gate carbon nanotube field-effect transistors by interface fixed charges 査読有り

    N. Moriyama, Y. Ohno, T. Kitamura, S. Kishimoto, T. Mizutani

    Nanotechnol.   21 巻   頁: 165201   2010年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  227. Thin film transistors using PECVD-grown carbon nanotubes 査読有り

    Y. Ono, S. Kishimoto, Y. Ohno, T. Mizutani

    Nanotechnol.   21 巻   頁: 205202   2010年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  228. Parametric study of ACCVD for controlled synthesis of vartically aligned single-walled carbon nanotubes 査読有り

    R. Xiang, E. Einarsson, J. Okawa, T. Thurakitseree, Y. Murakami, J. Shiomi, Y. Ohno, S. Maruyama

    J. Nanoscience and Nanotechnology   10 巻 ( 6 ) 頁: 3901-3906   2010年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  229. Electrical Properties of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors with Multiple Channels Measured by Scanning Gate Microscopy 査読有り

    Y. Okigawa, S. Kishimoto, Y. Ohno, T. Mizutani

    Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   頁: 02BD02   2010年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  230. Fabrication Process of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Atomic Layer Deposition Passivation for Biosensors 査読有り

    Y. Nakashima, Y. Ohno, S. Kishimoto, M. Okochi, H. Honda, T. Mizutani

    J Nanosci Nanotechnol   10 巻   頁: 3805-3809   2010年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  231. A study of preferential growth of carbon nanotubes with semiconducting behavior grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition 査読有り

    T. Mizutani, H. Ohnaka, Y. Okigawa, S. Kishimoto, Y. Ohno

    J. Appl. Phys.   106 巻   頁: 073705   2009年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  232. カーボンナノチューブのフォトルミネッセンスにおける励起子遷移と周辺環境効果 招待有り 査読有り

    大野雄高

    応用物理   77 巻 ( 6 ) 頁: 656-661   2008年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  233. High-density horizontally aligned growth of carbon nanotubes with Co nanoparticles deposited by arc-discharge plasma method 査読有り

    D. Phokharatkul, Y. Ohno, H. Nakano, S. Kishimoto, T. Mizutani

    Appl. Phys. Lett.   93 巻   頁: 53112   2008年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  234. Electrical properties of carbon nanotube FETs 招待有り 査読有り

    T. Mizutani, Y. Ohno, S. Kishimoto

      7037 巻   頁: 703703-1-10   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  235. Electrical properties of carbon nanotube FETs 査読有り

    T. Mizutani, Y. Nosho, and Y. Ohno

    J. Phys: Conf. Series   109 巻   頁: 012002   2008年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  236. Potential profile measurement of carbon nanotube FETs based on the electrostatic force detection 査読有り

    Y. Okigawa, T. Umesaka, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani

    NANO   3 巻   頁: 51-54   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  237. Fabrication of Carbon Nanotubes by Slot-Excited Microwave Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り

    G. I. Shim, Y. Kojima, S. Kono, Y. Ohno, and T. Ishijima

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻   頁: 5652   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  238. Enhanced 1,520 nm Photoluminescence from Er3+ Ions in Di-Erbium-Carbide Metallofullerenes (Er2C2)@C82 (I,II,III) 査読有り

    Y. Ito, T. Okazaki, S. Ohkubo, M. Akachi, Y. Ohno, T. Mizutani, T. Nakamura, R. Kitaura, T. Sugai, H. Shinohara

    ACS NANO   1 巻   頁: 456-462   2007年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  239. Excitonic transition energies in single-walled carbon nanotubes: Dependence on environmental dielectric constant 査読有り

    "Y. Ohno, S. Iwasaki, Y. Murakami, S. Kishimoto, S. Maruyama, and T. Mizutani"

      244 巻   頁: 4002-4005   2007年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  240. Effects of chemical doping with F$_4$TCNQ in carbon nanotube field-effect transistors studied by transmission-line-model technique 査読有り

    "Y. Nosho, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani"

      18 巻   頁: 415202   2007年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  241. カーボンナノチューブの光電子機能デバイス応用 査読有り

    大野雄高

    "マテリアルステージ,vol. 7, No. 4, pp. 33-36, 2007."   7 巻 ( 4 ) 頁: 33   2007年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  242. *カーボンナノチューブトランジスタにおける電極界面の特性 査読有り

    大野雄高、能生陽介、水谷孝

    "表面科学,vol. 28, No. 1, pp. 40-45, 2007."   28 巻 ( 1 ) 頁: 40   2007年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  243. Surface Potential Measurement of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors Using Kelvin Probe Force Microscopy 査読有り

    "T. Umesaka, H. Ohnaka, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani"

        2007年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  244. Evidencen of edge contact in carbon nanotube field-effect transistors 査読有り

    "Y. Nosho, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani"

        2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  245. Environmental dielectric screening effect on exciton transition energies in single-walled carbon nanotubes 査読有り

    "Y. Ohno, S. Iwasaki, Y. Murakami, S. Kishimoto, S. Maruyama, and T. Mizutani"

        2007年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  246. Dependence of exciton transition energy of single-walled carbon nanotubes on surrounding dielectric materials 査読有り

    "Y. Miyauchi, R. Saito, K. Sato, Y. Ohno, S. Iwasaki, T. Mizutani, J. Jiang, S. Maruyama"

        2007年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  247. カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス

    大野雄高、丸山茂夫、水谷孝

    "ナノ学会会報,vol. 4, No. 2, pp. 67-73, 2006."   4 巻 ( 2 ) 頁: 67   2006年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  248. カーボンナノチューブの光誘起電流分光とフォトルミネッセンス分光 ―光学的手法によるナノチューブFETの動作解析― 査読有り

    大野雄高

    "光技術コンタクト,vol. 44, No. 3, pp.152-157 (2006)."   44 巻 ( 3 ) 頁: 152   2006年3月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  249. *Chirality-dependent environmental effect in photoluminescence of single-walled carbon nanotubes 査読有り

    Y. Ohno, S. Iwasaki, Y. Murakami, S. Kishimoto, S. Maruyama, and T. Mizutani

      73 巻   頁: 235427   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  250. Suppression of hysteresis in carbon nanotube field-effect transistors: Effect of contamination induced by device fabrication process 査読有り

    "H. Shimauchi, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani"

        2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  251. Relation between conduction property and work function of contact metal in carbon nanotube field-effect transistors 査読有り

    Y. Nosho, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani

      17 巻   頁: 3412-3415   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  252. Fabrication of carbon nanotube field effect transistors using plasma-enhanced chemical vapor deposition grown nanotubes 査読有り

    "H. Ohnaka, Y. Kojima, S. Kishimoto, Y. Ohno, and T. Mizutani"

        2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  253. Photoluminescence of single-walled carbon nanotubes in field-effect transistors 査読有り

    "Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani"

        2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  254. Carrier transport property in single-walled carbon nanotubes studied by photoluminescence spectroscopy 査読有り

    "Y. Ohno, T. Shimada, S. Kishimoto, S. Maruyama, and T. Mizutani"

        2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  255. AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Inclined-Gate-Recess Structure 査読有り

    "Y. Aoi, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani"

        2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  256. Fabrication of antigen sensors using carbon nanotube field effect transistors 査読有り

    "K. Tani, H. Ito, Y. Ohno, S. Kishimoto, M. Okochi, H. Honda, and T. Mizutani"

        2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  257. カーボンナノチューブのトランジスタ応用 査読有り

    大野雄高

    "ニューダイアモンド vol. 21, No. 3, p. 18, 2005"   21 巻 ( 3 ) 頁: 18   2005年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  258. *n-type carbon nanotube field-effect transistors fabricated by using Ca contact electrodes 査読有り

    Y. Nosho, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani

      86 巻   頁: 073105   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  259. AlGaN/GaN MIS-HEMTs with ZrO2 gate insulator 査読有り

    "T. Sugimoto, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, J. Osaka, and T. Mizutani"

        2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  260. Surface potential transient of AlGaN/GaN HEMTs measured by Kelvin probe force microscopy 査読有り

    "K. Nakagami, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani"

        2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  261. Electron traps in AlGaN/GaN MIS-HEMTs observed by drain current DLTS 査読有り

    "T. Okino, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, J. Osaka, and T. Mizutani"

        2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  262. Tunable Field-Effect Transisitor Device with Metallofullerene Nanopeapods 査読有り

    "T. Shimada,Y. Ohno, K. Suenaga,T. Okazaki, S. Kishimoto, T. Mizutani, R. Taniguchi, H. Kato, B. Cao, T. Sugai, H. Shinohara"

        2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  263. Synthesis of carbon nanotube peapods directly on Si substrates 査読有り

    "Y. Ohno, Y. Kurokawa, S. Kishimoto, T. Mizutani, T. Shimada, M. Ishida, T. Okazaki, H. Shinohara, Y. Murakami, S. Maruyama, A. Sakai, and K. Hiraga"

        2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  264. Deep levels in n-type AlGaN grown by hydride vapor-phase epitaxy on sapphire characterized by deep-level transient spectroscopy 査読有り

    "J. Osaka, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani"

        2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  265. Growth of High-Quality Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Field Emitters 査読有り

    "Y. Kojima, S. Kishimoto, Y. Ohno, and T. Mizutani"

        2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  266. Effects of fabrication process on current-voltage characteristics of carbon nanotube field-effect transistors 査読有り

    "T. Mizutani, S. Iwatsuki, Y. Ohno, and S. Kishimoto"

        2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  267. Growth of mm-Long Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り

    "S. Kishimoto, Y. Kojima, Y. Ohno, T. Sugai, H. Shinohara, and T. Mizutani"

        2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  268. Photoresponse of carbon nanotube field-effect transistors 査読有り

    "Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani"

        2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  269. Metamorphic resonant tunneling diodes and its application to chaos generator ICs 査読有り

    "K. Maezawa, T. Iwase, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani"

        2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  270. Fabrication and characterization of carbon nanotube FETs 査読有り

    T. Mizutani and Y. Ohno

        2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  271. Fabrication and characterization of peapod field-effect transistors using peapods synthesized directly on Si substrate 査読有り

    "Y. Kurokawa, Y. Ohno, T. Shimada, M. Ishida, S. Kishimoto, T. Okazaki, H. Shinohara, and T. Mizutani"

        2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  272. Direct integration of GaAs HEMTs on AlN ceramic substrates using fluidic self-assembly 査読有り

    "I. Soga, S. Hayashi, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani"

        2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  273. Surface potential measurements of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by Kelvin probe force microscopy 査読有り

    "K. Nakagami, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani"

        2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  274. Chirality assignment of individual single-walled carbon nanotubes in carbon nanotube FETs by micro-photocurrent spectroscopy 査読有り

    "Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani, T. Okazaki, and H. Shinohara"

        2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  275. Effect of surface passivation on breakdown of AlGaN/GaN HEMTs 査読有り

    "Y. Ohno, T. Nakao, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani"

        2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  276. Double-wall carbon nanotube field-effect transistors: Ambipolar transport characteristics 査読有り

    "T. Shimada, T. Sugai, Y. Ohno, S. Iwatsuki, S. Kishimoto, T. Mizutani, H. Yoshida, T. Okazaki, and H. Shinohara"

        2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  277. "Transport properties of C78, C90 and Dy@C82 fullerenes-nanopeapods by field effect transistors" 査読有り

    "T. Shimada, Y. Ohno, T. Okazaki, T. Sugai, K. Suenaga, S. Iwatsuki, S. Kishimoto, T. Mizutani, T. Inoue, R. Taniguchi, N. Fukui, H. Okubo, H. Shinohara"

        2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  278. Direct Observation of High-Frequency Chaos Signal from the Resonant Tunneling Chaos Generator 査読有り

    "K. Maezawa, Y. Kawano, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani"

        2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  279. Fabrication Technique for Carbon Nanotube Single Electron Transistors Using Focused Ion Beam 査読有り

    "Y. Kurokawa, Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Okazaki, H. Shinohara, and T. Mizutani"

        2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  280. Drain Current DLTS of AlGaN-GaN MIS-HEMTs 査読有り

    "T. Okino, M. Ochiai, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani"

        2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  281. Fluid Dynamic Assembly of Semiconductor Blocks for Heterogeneous Integration 査読有り

    "I. Soga, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani"

        2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  282. 88 GHz dynamic 2:1 frequency divider using resonant tunnelling chaos circuit 査読有り

    "Y. Kawano, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani, and K. Sano"

        2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  283. カーボンナノチューブトランジスタの可能性 査読有り

    大野雄高、嶋田行志、岸本茂、岡崎俊也、篠原久典、水谷孝

    "ナノ学会会報 vol. 2, No. 1, pp. 17-21, Dec. 2003."   2 巻 ( 1 ) 頁: 17   2003年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  284. Experimental Demonstration of Capacitor-Coupled Resonant Tunneling Logic Gates for Ultra-short Gate-delay Operation 査読有り

    "T. Tanaka, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani"

        2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  285. Fabricated on a GaAs-based Semiconductor-on-Insulator Substrate Using a Spin-On Low-k Dielectric Film 査読有り

    "K. Sato, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani"

        2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  286. "Experimental demonstration of a resonant tunneling delta-sigma modulator for high-speed, high-resolution analog-to-digital converter" 査読有り

    "Y. Yokoyama, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani"

        2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  287. Electronic Properties of Gd@C82 Metallofullerene Peapods :(Gd@C82)n@SWNTs 査読有り

    "T. Okazaki, T. Shimada, K. Suenaga, Y. Ohno, T. Mizutani, J. Lee, Y. Kuk and H. Shinohara"

        2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  288. Measurement of Frequency Dispersion of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors 査読有り

    "T. Mizutani, H. Makihara, M. Akita, Y. Ohno, S. Kishimoto, and K. Maezawa"

        2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  289. *Position-Controlled Carbon Nanotube FETs Fabricated by CVD Synthesis Using Patterned Metal Catalyst 査読有り

    Y. Ohno, S. Iwatsuki, T. Hiraoka, T. Okazaki, S. Kishimoto, K. Maezawa, H. Shinohara, T. Mizutani

      42 巻 ( 6B ) 頁: 4116-4119   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  290. Comparison of Electrical Chracteristics of Metamorphic HEMTs with InP HEMTs and PHEMTs 査読有り

    "K. Kawada, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani, M. Takakusaki, H. Nakata"

        2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  291. Fluidic Assembly of Thin GaAs Blocks on Si Substrates 査読有り

    "I. Soga, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  292. Chracterization of Electrical Properties of Micro-Schottky Contacts on Epitaxial Lateral Overgrowth GaN 査読有り

    "K. Kumada, T. Murata, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani, N. Sawaki"

        2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  293. AlGaN/GaN Heterostructure Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors with Si3N4 Gate Insulator 査読有り

    "M. Ochiai, M. Akita, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  294. A Study on Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs Induced by Bias Stress 査読有り

    "T. Mizutani, Y. Ohno, M. Akita, S. Kishimoto, K. Maezawa"

        2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  295. Study on Off-State Breakdown of AlGaN/GaN HEMTs 査読有り

    "T. Nakao, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  296. Drain Current DLTS of AlGaN/GaN HEMTs 査読有り

    "T. Mizutani, T. Okino, K. Kawada, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa"

        2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  297. Temperature Distribution in AlGaN/GaN HEMTs Measured by Micro-Raman Scattering Spectroscopy 査読有り

    "Y. Ohno, M. Akita, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  298. Effects of the HEMT Parameters on the Operations Frequency of Resonant Tunneling Logic Gate MOBILE 査読有り

    "T. Aoyama, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  299. High-Speed Operation of a Novel Frequency Divider Using Resonant Tunneling Chaos Circuit 査読有り

    "Y. Kawano, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  300. 50 GHz Frequency Divider Using Resonant Tunneling Chaos Circuit 査読有り

    "Y. Kawano, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  301. Electroluminescence Distribution in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors under High Bias Votlage 査読有り

    "T. Nakao, Y. Ohno, M. Akta, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  302. Temperature Distribution Measurement in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors by Micro-Raman Scattering Spectroscopy 査読有り

    "Y. Ohno, M. Akta, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  303. Electroluminescence in AlGaN/GaN HEMTs 査読有り

    "Y. Ohno, T. Nakao, M. Akita, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  304. The Low-Frequency Noise Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs 査読有り

    "H. Makihara, M. Akita, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  305. Large Gate Leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors 査読有り

    "S. Mizuno, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa and T. Mizutani"

        2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  306. Ambipolar Field-Effect Transistor Behavior of Gd@C82 Metallofullerene Peapods 査読有り

    "T. Shimada, T. Okazaki, R. Taniguchi, T. Sugai, H. Shinohara, K. Suenaga, Y. Ohno, S. Mizuno, S. Kishimoto, and T. Mizutani"

        2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  307. Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs Investigated by Electrical and Optical Characterizations 査読有り

    "T. Mizutani, Y. Ohno, M. Akita, S. Kishimoto, K. Maezawa"

        2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  308. A delta-sigma modulator using resonant tunneling diodes 査読有り

    "Y. Yokoyama, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  309. Resonant-Tunneling-Injection Photoluminescence of Single InAs Self-Assembled Quantum Dots Embedded in Thin AlGaAs Barrier 査読有り

    "Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  310. Observation of Resonant Tunneling through Single Self-Assembled InAs Quantum Dots using Electro-Photoluminescence Spectroscopy

    Journal of Applied Physics   87 巻 ( 9 ) 頁: 4332   2000年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  311. Photoluminescence Study of Resonant Tunneling Transistor with p+/n-Junction Gate

    Japanese Journal of Applied Physics   39 巻 ( 1 ) 頁: 35   2000年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  312. Resonant-Tunneling-Injection Photoluminescence of Single InAs Self-Assembled Quantum Dots Embedded in Thin AlGaAs Barrier

        2000年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  313. Observation of Resonant Tunneling through Single Self-Assembled InAs Quantum Dots using Electro-Photoluminescence Spectroscopy 査読有り

    "Y. Ohno, K. Asaoka, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani"

        2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  314. Photoluminescence Study of Resonant Tunneling Transistor with p+/n-Junction Gate 査読有り

    "Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani, T. Akeyoshi"

        2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  315. Optoelectronic Flexible-Function Logic Gate Using Monostable-Bistable Transition of Serially Connected Resonant Tunneling Transistors

    Japanese Journal of Applied Physics   38 巻 ( 4 ) 頁: 2586   1999年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  316. Measurements of Electroluminescence Intensity Distribution in the Direction of Gate Width of n+ Self-Aligned Gate GaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors(共著)

    Japanese Journal of Applied Physics   38 巻 ( 3 ) 頁: 1363   1999年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  317. Obsevation of Resonant Tunneling through InAs Quantum Dots by Using Electro-Photoluminescence Spectroscopy

    11th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials     1999年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  318. Photoluminescence Intensity Enhancement by Electron Beam Irradiation into GaAs Quantum Wells(共著)

    Solid State Electronics   43 巻   頁: 147   1999年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  319. Microscopic Photoluminescence Study of InAs Single Quantum Dots Grown on (100) GaAs(共著)

    Japanese Journal of Applied Physics   38 巻 ( 1B ) 頁: 546   1999年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  320. Optoelectronic Flexible-Function Logic Gate Using Monostable-Bistable Transition of Serially Connected Resonant Tunneling Transistors 査読有り

    "Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani, T. Akeyoshi"

        1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  321. Microscopic Photoluminescence Study of InAs Single Quantum Dots Grown on (100) GaAs 査読有り

    "K. Asaoka, Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani"

        1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  322. Photoluminescence Intensity Enhancement by Electron Beam Irradiation into GaAs Quantum Wells 査読有り

    "T. Murata, Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani"

        1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  323. Measurements of Electroluminescence Intensity Distribution in the Direction of Gate Width of n+ Self-Aligned Gate GaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors 査読有り

    "H. Niwa, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani, H. Yamazaki, T. Taniguchi"

        1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  324. 共鳴トンネルトランジスタのフォトルミネッセンス解析

    1997IEEE化合物半導体会議   97TH 巻 ( 8272 ) 頁: 613   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  325. Photolumineseence Intensity Enhancement Caused by Electron Beam Irradiation into AlGaAs/GaAs Quantum Wells

    1998 International Symposium on Compaund Semiconductors     1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  326. Electroluminescence Measurement of n+-Self-Alighed Gate GaAs MESFETs

    Japanese Journal of Applied Physics   37 巻   頁: 1343   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  327. Ultranarrow Luminescence Lines from Single InAs Quantum Dots Grown on a GaAs Substrate

    1998 Microprocesses and Nanotechnology Conference     1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  328. Microscopic PL Study of InAs Single Quantem Dots Groun on(100)GaAs (共著)

    Second International Symposium on Formation, Physics and Deuce Application of Quantum Dots Structure, 1998     頁: 184   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  329. 共鳴トンネルトランジスタを用いた光入力論理素子

    エレクトロニクスレター   34 巻 ( 3 ) 頁: 250   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  330. 共鳴トンネルトランジスタを用いた機能可変光入力論理素子

    1998国際固体素子・材料会議     頁: 348   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  331. Logic Gate for Optical Input Using Monostable-Bistable Transition of Serially Connected Resonant Tunnelling Transistors 査読有り

    "Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani, T. Akeyoshi"

        1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  332. Electroluminescence Measurement of n+ Self-Aligned Gate GaAs MESFETs 査読有り

    "H. Niwa, Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani, H. Yamazaki, T. Taniguchi"

        1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  333. Electroluminescence Measuromeut of n+Self-Aligned GaAs MESFETs

    1997 International Conference on Solid State Devices and Materials     1997年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  334. Photoluminescence Study of Resonant-Tunneling Transistor 査読有り

    "Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani, T. Akeyoshi"

        1997年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  335. Operation Speed Consideration of Resonant Tunneling Logic Gate Based on Circuit Simulation 査読有り

    "Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani, K. Maezawa"

        1996年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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書籍等出版物 34

  1. High-mobility thin-film transistors for flexible electronics applications

    Ohno Y.

    Frontiers of Graphene and Carbon Nanotubes: Devices and Applications  2015年1月  ( ISBN:9784431553717

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    記述言語:日本語

    Flexible and stretchable electronics are attracting much attention because of the variety of potential applications from flexible e-papers though wearable healthcare devices. Among various kinds of electronic materials, carbon nanotube thin films have advantages in flexibility, stretchability, and performance because of the excellent electronic and mechanical properties. Low-cost manufacturing of flexible devices is also possible with good processability of carbon nanotube films. In this chapter, recent topics and progresses on flexible electronics based on carbon nanotube thin films are introduced, including high-mobility carbon nanotube thin-film transistors (TFTs) and integrated circuits (ICs) on a transparent plastic film, all-carbon ICs demonstrating excellent stretchability and moldability. The high-speed printing process to fabricate CNT TFTs, which enables low-cost manufacturing of large-area flexible devices, is also introduced.

    DOI: 10.1007/978-4-431-55372-4_18

    Scopus

  2. 共鳴トンネル論理素子の動作解析と共鳴トンネル構造の評価に関する研究

    大野 雄高

    [出版者不明]  2000年 

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    記述言語:日本語

    CiNii Books

  3. グラフェン から広がる二次元物質の新技術と応用:電解液流体による起電力の発生と応用

    Adha Sukma Aji, 大野雄高( 担当: 共著)

    エヌ・ティー・エス  2020年8月 

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    総ページ数:8   担当ページ:221-228  

  4. 原子層材料 - 原子一層の厚さをもつ新しい超薄膜材料 査読有り

    大野雄高

    学士会会報  2018年5月 

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    総ページ数:5   担当ページ:77-81  

  5. High-Mobility Thin-Film Transistors for Flexible Electronics Applications, Frontiers of Grapheme and Carbon Nanotubes, K. Matsumoto Ed.

    Y. Ohno( 担当: 単著)

    Springer  2015年5月 

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    記述言語:英語 著書種別:学術書

  6. High-Mobility Thin-Film Transistors for Flexible Electronics Applications, Frontiers of Grapheme and Carbon Nanotubes, K. Matsumoto Ed.

    Y. Ohno( 担当: 単著)

    Springer  2015年5月 

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    担当ページ:269-283   記述言語:英語 著書種別:学術書

  7. 透明で柔軟なオールカーボン電子デバイス

    大野雄高( 担当: 単著)

    応用物理  2015年4月 

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    総ページ数:5   記述言語:日本語

  8. 透明で柔軟なオールカーボン電子デバイス

    大野雄高( 担当: 単著)

    応用物理  2015年4月 

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    総ページ数:5   担当ページ:142-145   記述言語:日本語

  9. CNT薄膜による柔軟で透明な集積デバイスの開発

    大野雄高( 担当: 単著)

    カーボンナノチューブ応用最前線,シーエムシー出版  2014年6月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語

  10. CNT薄膜による柔軟で透明な集積デバイスの開発

    大野雄高( 担当: 単著)

    カーボンナノチューブ応用最前線,シーエムシー出版  2014年6月 

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    担当ページ:311-317   記述言語:日本語

  11. カーボンナノチューブ薄膜で実現した柔軟で透明な集積回路

    大野雄高( 担当: 単著)

    マテリアルステージ  2014年5月 

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    記述言語:日本語

  12. カーボンナノチューブ薄膜で実現した柔軟で透明な集積回路

    大野雄高( 担当: 単著)

    マテリアルステージ  2014年5月 

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    担当ページ:54-57   記述言語:日本語

  13. rue Nanoの世界:カーボンナノチューブ:特異な物性を活かした電子デバイス

    大野雄高( 担当: 単著)

    パリティ  2014年4月 

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    記述言語:日本語 著書種別:一般書・啓蒙書

  14. rue Nanoの世界:カーボンナノチューブ:特異な物性を活かした電子デバイス

    大野雄高( 担当: 単著)

    パリティ  2014年4月 

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    担当ページ:18-21   記述言語:日本語 著書種別:一般書・啓蒙書

  15. 極めて柔軟で透明な全カーボン集積回路

    大野雄高( 担当: 単著)

    ニューダイヤモンド  2014年1月 

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    記述言語:日本語

  16. 極めて柔軟で透明な全カーボン集積回路

    大野雄高( 担当: 単著)

    ニューダイヤモンド  2014年1月 

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    担当ページ:24-27   記述言語:日本語

  17. 透明で柔軟な全カーボン集積回路―任意の立体形状に加熱成形も可能―

    大野雄高( 担当: 単著)

    工業材料  2014年1月 

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    記述言語:日本語

  18. 透明で柔軟な全カーボン集積回路―任意の立体形状に加熱成形も可能―

    大野雄高( 担当: 単著)

    工業材料  2014年1月 

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    担当ページ:36-37   記述言語:日本語

  19. ナノ材料がもたらす革新的エレクトロニクスと省エネルギー製造技術

    大野雄高( 担当: 単著)

    名古屋大学 名大トピック  2013年12月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語

  20. ナノ材料がもたらす革新的エレクトロニクスと省エネルギー製造技術

    大野雄高( 担当: 単著)

    名古屋大学 名大トピック  2013年12月 

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    担当ページ:16-17   記述言語:日本語

  21. 新材料が築く電子デバイスの新しいスタイル

    大野雄高( 担当: 単著)

    名古屋大学 PRESS e  2013年12月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語

  22. 新材料が築く電子デバイスの新しいスタイル

    大野雄高( 担当: 単著)

    名古屋大学 PRESS e  2013年12月 

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    担当ページ:17   記述言語:日本語

  23. 特別寄稿)カーボンナノチューブ薄膜のフレキシブルエレクトロニクス応用

    大野雄高( 担当: 単著)

    バンドーテクニカルレポート  2013年3月 

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    記述言語:日本語

  24. 特別寄稿)カーボンナノチューブ薄膜のフレキシブルエレクトロニクス応用

    大野雄高( 担当: 単著)

    バンドーテクニカルレポート  2013年3月 

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    担当ページ:2-10   記述言語:日本語

  25. プラスチック基板上へのカーボンナノチューブ集積回路形成技術

    大野雄高( 担当: 単著)

    2013ナノカーボン技術大全 電子ジャーナル  2012年11月 

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    記述言語:日本語

  26. プラスチック基板上へのカーボンナノチューブ集積回路形成技術

    大野雄高( 担当: 単著)

    2013ナノカーボン技術大全 電子ジャーナル  2012年11月 

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    担当ページ:34-37   記述言語:日本語

  27. 12章 新しい機能材料(3) ナノ材料:微細構造で発現する機能と魅力, 新インターユニバーシティー 電気電子材料 鈴置保雄編

    大野雄高( 担当: 単著)

    オーム社  2010年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語

  28. 12章 新しい機能材料(3) ナノ材料:微細構造で発現する機能と魅力, 新インターユニバーシティー 電気電子材料 鈴置保雄編

    大野雄高( 担当: 単著)

    オーム社  2010年9月 

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    担当ページ:143-154   記述言語:日本語

  29. Environmental effects on photoluminescence of single-walled carbon nanotubes, Chapter 6 in "Carbon Nanotube" edited by J M Marulanda

    ( 担当: 共著)

    2010年3月 

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    記述言語:英語

  30. Environmental effects on photoluminescence of single-walled carbon nanotubes, Chapter 6 in "Carbon Nanotube" edited by J M Marulanda

    Yutaka Ohno, Shigeru Maruyama, Takashi Mizutani( 担当: 共著)

    In-Tech, Vukovar, Croatia  2010年3月 

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    担当ページ:109-121   記述言語:英語

  31. Carbon Nanotubes: Multifunctional Materials, Chapter 4 Carbon Nanotube Field Effect Transistors

    T. Mizutani, Y. Ohno, P. R. Somani( 担当: 共著)

    Applied Science Innovations Private Limited, India  2008年12月 

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    記述言語:英語

  32. Carbon Nanotubes: Multifunctional Materials, Chapter 4 Carbon Nanotube Field Effect Transistors

    T. Mizutani, Y. Ohno, P. R. Somani( 担当: 共著)

    Applied Science Innovations Private Limited, India  2008年12月 

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    担当ページ:116-180   記述言語:英語

  33. 金属内包フラーレン・ピーポットのデバイス応用

    大野雄高( 担当: 単著)

    "化学フロンティア「ナノカーボンの新展開」編集 篠原久典, 4章"  2005年 

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    記述言語:日本語

  34. 金属内包フラーレン・ピーポットのデバイス応用

    大野雄高( 担当: 単著)

    "化学フロンティア「ナノカーボンの新展開」編集 篠原久典, 4章"  2005年 

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    担当ページ:1   記述言語:日本語

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講演・口頭発表等 1042

  1. Carbon nanotube-based nanomechanical receiver for digital data transfer 招待有り 国際会議

    K. Funayama, H. Tanaka, J. Hirotani, K. Shimaoka, Y. Ohno, and Y. Tadokoro

    The 62nd Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2022年3月5日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Online  

  2. カーボンナノチューブのフレキシブル電子デバイス応用 招待有り

    大野雄高

    第15回ナノカーボン実用化WG 特別講演会  2021年4月16日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  3. カーボンナノチューブの半導体応用の展開 招待有り

    大野雄高

    日本物理学会2021年秋季大会  2021年9月21日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  4. カーボンナノチューブ関連の最近の動向について 招待有り

    大野雄高

    SDRJ 2021年度 第3回BC・MtM合同委員会  2021年9月28日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  5. CNT薄膜を用いた透明・伸縮性を有する摩擦帯電型発電シート  招待有り

    大野雄高

    新たな環境発電技術の研究開発動向  2021年10月20日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  6. Carbon nanotube-based stretchable and transparent triboelectric nanogenerator toward wearable electronics 招待有り

    松永正広,川口敦司,廣谷潤,大野雄高

    第31回日本MRS年次大会  2021年12月14日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  7. Carbon Nanotube-based Analog/Digital Mixed-signal Integrated Circuits for Flexible Sensors 招待有り 国際会議

    T. Kashima and Y. Ohno

    The 11th International Conference on Flexible and Printed Electronics  2021年9月30日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Online  

  8. Carbon nanotube technologies for flexible electronics 招待有り 国際会議

    Y. Ohno

    34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2021年10月27日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Online  

  9. Design and fabrication of flexible analog/digital mixed-signal circuits based on carbon nanotube thin film transistors 招待有り 国際会議

    T. Kashima and Y. Ohno

    The International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021  2021年11月5日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Online  

  10. Carbon nanotube-based flexible electronics 招待有り 国際会議

    Y. Ohno

    The 2021 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies  2021年12月18日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Online  

  11. Design and fabrication of flexible analog/digital mixed-signal circuits based on carbon nanotube thin film transistors 招待有り 国際会議

    Y. Ohno

    11th A3 Symposium on Emersing Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment  2021年2月15日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

    開催地:Online  

  12. CNT/HfO2/CNT memristor with high on-off ratio for neuromorphic computing 国際会議

    A. S. Aji, Y. Ohno

    The 60th Anniversary Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2021年3月3日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya, Japan  

  13. Self-aligned hybrid quantum structure of diamond nitrogen-vacancy center and carbon nanotube for electrical control of quantum states 国際会議

    H. Uchiyama, S. Kishimoto, J. Ishi-Hayase, and Y. Ohno

    The 60th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2021年3月2日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Online  

  14. Scattering parameter analysis of self-aligned flexible carbon nanotube thin-film transistors  国際会議

    S. Ishimaru, T. Kashima, H. Kataura, Y. Ohno

    The 60th Anniversary Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2021年3月1日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya, Japan  

  15. カーボンナノチューブ薄膜を用いたエネルギーハーベスティングデバイス  招待有り

    大野雄高

    システムナノ技術に関する特別研究専門委員会 第1回研究会「科学技術イノベーションを創成する先進システムナノ技術」  2021年1月29日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン  

  16. Linearization of output from nanoelectromechanical systems by optimally combined high-order harmonics 国際会議

    K. Funayama, H. Tanaka, J. Hirotani, K. Shimaoka, Y. Ohno, Y. Tadokoro

    The 34th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical systems (MEMS2021)  2021年1月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Online  

  17. MoS2 Nanogenerators: Harvesting Energy from Droplet Movement 招待有り 国際会議

    Y. Ohno

    AAPPSS Bulletin Lecture Series 2020  2020年12月4日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Online  

  18. Energy Harvesting Technologies Based on Low-Dimensional Materials for Self-Powered Sensing Devices 招待有り 国際会議

    Y. Ohno

    2020 MRS spring Meeting  2020年11月21日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Online  

  19. Simple and highly efficient intermittent operation circuit for triboelectric nanogenerator 国際会議

    A. Kawaguchi, M. Matsunaga, H. Uchiyama, J. Hirotani, Y. Ohno

    The 59th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2020年9月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Online  

  20. Operation speed enhancement in carbon nanotube thin film transistors by self-aligned process 国際会議

    S. Ishimaru, T. Kashima, H. Kataura, Y. Ohno

    The 59th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2020年9月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Online  

  21. Temperature dependence of Raman G-band shift in defective single-walled carbon nanotubes 国際会議

    M. Endo, H. Uchiyama, Y. Ohno, J. Hirotani

    The 59th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2020年9月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Online  

  22. カーボンナノチューブに基づく柔軟なアナログ/デジタル集積回路 招待有り

    大野雄高

    第84回半導体・集積回路技術シンポジウム  2020年9月15日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン  

  23. 自己整合プロセスにより作製したカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの動作速度評価

    石丸紗椰,鹿嶋大雅,片浦弘道,大野雄高

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  24. カーボンナノチューブの半導体応用 招待有り

    大野雄高

    FNTGウェビナー  2020年7月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン  

  25. カーボンナノチューブのフレキシブルエレクトロニクス応用 招待有り

    大野雄高

    電気化学会第87回大会  2020年3月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋工業大学  

  26. 低次元材料による微小エネルギーの利用と超低消費電力センサシステムの検討 招待有り

    大野雄高

    ナノカーボン研究会  2020年2月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:福島  

  27. カーボンナノチューブ薄膜を利用したフレキシブルセンサの開発 招待有り

    大野雄高

    技術情報協会セミナー「伸縮性導電材料」  2020年1月8日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京  

  28. Contrast enhancement in optically-detected magnetic resonance of diamond nitrogen-vacancy centers in the vicinity of electrode 国際会議

    H. Uchiyama, S. Saijo, S. Kishimoto, J. Ishi-Hayase, and Y. Ohno

    International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2019  2019年12月2日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    開催地:Matsue, Japan  

  29. Suppression of Hysteresis in Flexible Carbon Nanotube Thin-film Transistors 国際会議

    Y. Shimasaki, J. Hirotani, S. Kishimoto, Y. Ohno

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability  2019年11月2日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    開催地:Nagoya University  

  30. Enhancement in electrochemical activity of (1179) carbon nanotube electrodes of voltage generator based on streaming potential 国際会議

    Y.Ando, R.Nishi, S.Kishimoto and Y.Ohno

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability  2019年11月2日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    開催地:Nagoya University  

  31. Effect of surface layer on charge state control of diamond NV centers 国際会議

    A.Osaki, H. Uchiyama, M. Inaba, S. Kishimoto and Y Ohno

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability  2019年11月2日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    開催地:Nagoya University  

  32. Higly-strechable low-voltage carbon nanotube thin film transistors and integrated circuits 国際会議

    Y. Ohno

    The 10th A3 Symposium on Emerging Materials : Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment  2019年10月27日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Sungkyunkwan University, Korea  

  33. フレキシブルなエレクトレット/摩擦帯電ハイブリッド発電シート

    松永正広,廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月21日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    開催地:北海道大学  

  34. カーボンナノチューブ電子デバイスの進展と将来展望

    大野雄高

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:北海道大学  

  35. フレキシブルカーボンナノチューブ薄膜トランジスタのヒステリシス抑制

    嶋﨑悠斗、廣谷潤、岸本茂、大野雄高

    第80回応用物理学会 秋季学術講演会  2019年9月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    開催地:北海道大学  

  36. Simultaneous operando measurement of magnetic field and temperature of electron devices under operation using nitrogen-vacancy centers 国際会議

    H. Uchiyama, S. Saijo, S. Kishimoto, J. Ishi-Hayase, and Y. Ohno

    30th International Conference on Diamond and Carbon Materials  2019年9月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    開催地:Seville, Spain  

  37. Self-powered wireless optical transmitter based on triboelectric generator with carbon nanotube thin film 国際会議

    M. Matsunaga, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    The 57th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2019年9月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    開催地:Nagoya, Japan  

  38. Low-voltage operable, ultra-stretchable carbon nanotube thin film transistors and integrated circuits 国際会議

    Y. Ohno

    2019 International Meeting on Information Display  2019年8月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年8月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Gyeongju, Korea  

  39. Threshold voltage tuning by controlled doping for low-voltage complementary carbon nanotube integrated circuits on flexible substrate 国際会議

    FW. Tan, J. Hirotani, Y. Nonoguchi, S. Kishimoto, Y. Ohno

    20th International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-Dimensional Materials  2019年7月25日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    開催地:Wurzburg, Germany  

  40. Carbon nanotubes for wearable electronics applications 国際会議

    Y. Ohno

    14th International Conference on Advanced Carbon Nano Structures  2019年7月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Saint-Petersburg, Russia  

  41. Carbon Nanotube-Based Stretchable Devices for Wearable Electronics 国際会議

    Y. Ohno

    International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-Dimensional Materials  2019年6月26日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Wurzburg, Germany  

  42. Flexible Free-Standing-Mode Triboelectric Generator Realized by Surface Modification 国際会議

    M. Matsunaga, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    20th International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-Dimensional Materials  2019年6月23日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    開催地:Wurzburg, Germany  

  43. 接地電極の不要なカーボンナノチューブ摩擦帯電型発電シート

    松永正広,廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月11日 

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    開催年月日: 2019年3月

    開催地:東京工業大学  

  44. 低電圧駆動かつ伸縮可能なカーボンナノチューブ集積回路

    西尾祐哉,鹿嶋大雅,廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    開催地:東京工業大学  

  45. Large voltage generator from water movement by single-layer MoS2

    Aji Adha Sukma,  西涼平,  吾郷浩樹, 大野雄高

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    開催地:東京工業大学  

  46. カーボンナノチューブ薄膜を用いた柔軟なエネルギーハーベスティングデバイス

    大野雄高

    化学工学会・反応工学部会・CVD反応分科会 第30回シンポジウム「熱電・圧電関係エネルギーハーベスティング技術の最新動向」  2019年3月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京大学  

  47. Low-voltage operable and stretchable carbon nanotube integrated circuits 国際会議

    Y. Nishio, T. Kashima, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    The 56th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2019年3月4日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    開催地:Tokyo, Japan  

  48. Low-voltage operable complementary carbon nanotube thin-film transistors with threshold tuning by controlled doping on plastic substrate 国際会議

    F-W. Tan, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    The 56th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2019年3月4日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    開催地:Tokyo, Japan  

  49. Single-layer MoS 2 as large voltage generator driven by liquid motion 国際会議

    A. Aji, R. Nishi, H. Ago, Y. Ohno

    The 56th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2019年3月3日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    開催地:Tokyo, Japan  

  50. Free-standing mode triboelectric generators with carbon nanotube thin film 国際会議

    M. Matsunaga, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    The 56th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2019年3月3日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    開催地:東京大学  

  51. Carbon nanotube thin films for wearable electronics application 国際会議

    Y. Ohno

    1&2DM  2019年1月29日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年1月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Tokyo  

  52. An interdigitated electrode with dense carbon nanotube forests on conductive supports for electrochemical biosensors 国際会議

    H. Sugime, T. Ushiyama, K. Nishimura, Y. Ohno, and S. Noda

    1&2DM  2019年1月29日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年1月

    開催地:Tokyo  

  53. カーボンナノチューブ導電膜の特徴とフレキシブルデバイス応用の可能性

    大野雄高

    新化学技術推進協会 電子情報技術部会 エレクトロニクス交流会 講演会「フレキシブルデバイスの要素技術最新動向」  2019年1月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年1月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京大学  

  54. Tailoring of electronic properties of SWCNT films 国際会議

    O. Zaremba, Y. Nishio, A. Goldt, A. Tsapenko, Y. Ohno, and A. Nasibulin

    III International Workshop on Electromagnetic Properties of Novel Materials  2018年12月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    開催地:Moscow, Russia  

  55. Flexible Carbon Nanotube ICs for Wearable Electronics: Transistor technologies, Circuit Design Tools, and Analog IC design and Fabrication 国際会議

    Y. Ohno

    MRS Fall Meeting  2018年11月30日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Boston, USA  

  56. Low-voltage Operable, Highly-stretchable Carbon Nanotube Thin-Film Transistors with Novel Local Strain Control Structure 国際会議

    Y. Nishio, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    MRS Fall Meeting  2018年11月29日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    開催地:Boston, USA  

  57. 真空ギャップゲート構造による2次元正孔ガスダイヤモンドデバイスの評価

    稲葉優文、川原田洋、大野雄高

    第32回ダイヤモンドシンポジウム  2018年11月15日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    開催地:電気通信大学  

  58. ダイヤモンドの表面終端処理における表面層の影響

    大﨑朗,内山晴貴,稲葉優文,岸本茂,大野雄高

    第32回ダイヤモンドシンポジウム  2018年11月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    開催地:電気通信大学  

  59. Wearable Triboelectric Generator Based on Carbon Nanotube Thin Film 国際会議

    M. Matsunaga, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    9th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy, and Environment  2018年10月30日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    開催地:Kyoto, Japan  

  60. Carbon Nanotube-Based Flexible Devices for Wearable Sensor System 国際会議

    Y. Ohno

    9th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy, and Environment  2018年10月30日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Kyoto, Japan  

  61. Design and fabrication of carbon nanotube flexible analog ICs 国際会議

    T. Kashima, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    9th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy, and Environment  2018年10月30日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    開催地:Kyoto, Japan  

  62. Carbon Nanotube-Based Flexible Devices for Wearable Sensor System 国際会議

    Y. Ohno

    AsiaNano 2018  2018年10月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Qingdao, China  

  63. Carbon Nanotube-Based Flexible Electronics: Transistors, Integrated Circuits, Biosensors, and Energy harvesters for Wearable Devices 国際会議

    Y. Ohno

    International Conference on Innovative Research in Science, Technology and Management  2018年9月29日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Singapore  

  64. カーボンナノチューブ薄膜上を移動する電解液滴からの発電: 大面積半導体薄膜を用いた高出力化

    西涼平、廣谷潤、岸本茂、片浦弘道、大野雄高

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月21日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    開催地:名古屋国際会議場  

  65. カーボンナノチューブ薄膜表面を流れる連続流体による発電現象の考察

    安藤優月、西涼平、岸本茂、片浦弘道、大野雄高

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月21日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    開催地:名古屋国際会議場  

  66. 局所歪み制御層を有する低電圧駆動かつ大伸縮可能なカーボンナノチューブ薄膜トランジスタ

    西尾祐哉、西村圭太、廣谷潤、岸本茂、大野雄高

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    開催地:名古屋国際会議場  

  67. カーボンナノチューブ薄膜を電極として用いた透明で伸縮性のある 摩擦帯電型発電シート

    松永正広,廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    開催地:名古屋国際会議場  

  68. 鹿嶋大雅、廣谷潤、岸本茂、大野雄高

    カーボンナノチューブアナログ集積回路の設計と試作

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    開催地:名古屋国際会議場  

  69. Flexible and transparent energy harvesters with carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    The 55th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2018年9月13日 

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    開催年月日: 2018年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Sendai, Japan  

  70. Investigation on mechanism of voltage generation by continuous flow of fluid on surface of carbon nanotube thin film 国際会議

    Y. Ando, R. Nishi, J. Hirotani, S. Kishimoto, H, Kataura, and Y. Ohno

    The 55th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2018年9月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    開催地:Sendai, Japan  

  71. Design and fabrication of carbon nanotube analog integrated circuits 国際会議

    T. Kashima, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    The 55th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2018年9月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    開催地:Sendai, Japan  

  72. Passivation with Parylene-C in Carbon Nanotube Thin-film Transistors 国際会議

    Y. Shimasaki, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    The 55th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2018年9月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    開催地:Sendai, Japan  

  73. Local strain control for realization of low-voltage operable, highly-stretchable carbon nanotube thin-film transistors 国際会議

    Y. Nishio, J. Hirotani, S. Kishimoto, Y. Ohno

    The 55th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2018年9月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    開催地:Sendai, Japan  

  74. Triboelectric generator with carbon nanotube thin film for wearable electronics 国際会議

    M. Matsunaga, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    The 55th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2018年9月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    開催地:Sendai, Japan  

  75. Enhancement of breakdown voltage of H-terminated diamond FETs with field-plate structure 国際会議

    T. Okamura, M. Inaba, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    International Conference on Diamond and Carbon Materials  2018年9月4日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    開催地:Dubrovnik, Croatia  

  76. Carbon nanotube-based analog circuits for wearable sensor applications: Device modeling, circuit desing and fabrication 国際会議

    Y. Ohno

    International Workshop on Nanocarbon Photonics and Optoelectronics  2018年8月9日 

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    開催年月日: 2018年8月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Savonlinna, Finland  

  77. High-output, transparent and stretchable triboelectric generator with carbon nanotube thin film 国際会議

    M. Matsunaga, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    Zao 18 meeting  2018年8月1日 

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    開催年月日: 2018年8月

    開催地:Yamagata, Japan  

  78. High-Performance, Transparent and Stretchable Triboelectric Generator with Carbon Nanotube Thin Film 国際会議

    M. Matsunaga, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    19th International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-dimentional Materials  2018年7月19日 

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    開催年月日: 2018年7月

    開催地:Beijing, China  

  79. Voltage generation of sub-1V from raindrops with transparent, flexible semiconducting carbon nanotube sheet 国際会議

    R. Nishi, J. Hirotani, S. Kishimoto, H. Kataura, Y. Ohno

    19th International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-dimentional Materials  2018年7月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年7月

    開催地:Peking University  

  80. Self-align process with backside exposure to minimize parasitic capacitance of CNT TFTs on transparent flexible film 国際会議

    T. Kashima, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    19th International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-dimentional Materials  2018年7月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年7月

    開催地:Beijing, China  

  81. Carbon nanotube TFTs, ICs, energy harversters for wearable sensor devices: Device modeling, circuit design tools, and fabrication 国際会議

    Y. Ohno

    19th International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-dimensional Materials  2018年7月15日 

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    開催年月日: 2018年7月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Peking, China  

  82. カーボンナノチューブ薄膜のエレクトロニクス応用

    大野雄高

    グラフェンコンソーシアム第17回研究講演会  2018年7月10日 

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    開催年月日: 2018年7月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:秋葉原コンベンションホール  

  83. Effect of surface functionalization in carbon-nanotube electrochemical sensors on plastic substrate 国際会議

    K. Nishimura, S. Kishimoto and Y. Ohno

    28th Anniversary World Congress on Biosensors  2018年6月13日 

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    開催年月日: 2018年6月

    開催地:Miami, USA  

  84. CNT薄膜による透明で柔軟な集積デバイス

    大野雄高

    学振第186委員会・第27回研究会  2018年5月9日 

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    開催年月日: 2018年5月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋大学  

  85. Carbon nanotube-based flexible electronics for wearable devices 国際会議

    Y. Ohno

    2018 International Forum on Graphene  2018年4月14日 

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    開催年月日: 2018年4月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Shenzhen, China  

  86. カーボンナノチューブ分散液中の水溶性ポリマー迅速除去法の開発

    上野和樹、大町遼、小室智彦、廣谷潤、大野雄高、篠原久典

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月19日 

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    開催年月日: 2018年3月

    開催地:早稲田大学  

  87. 自己整合プロセスによるカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製と評価

    鹿嶋大雅,松浦智紀,廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月17日 

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    開催年月日: 2018年3月

    開催地:早稲田大学 西早稲田キャンパス  

  88. カーボンナノチューブ薄膜を用いた流体からの発電 : 出力のキャリア密度依存性

    西涼平、廣谷潤、岸本茂、片浦弘道、大野雄高

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    開催地:早稲田大学  

  89. 高密度カーボンナノチューブフォレストを用いた櫛型電極の開発と電気化学バイオセンサへの応用

    杉目恒志、牛山拓也、西村圭太、大野雄高、野田優

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    開催地:早稲田大学  

  90. カーボンナノチューブ薄膜を用いた透明でフレキシブルな摩擦帯電型発電シート

    松永正広,廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    開催地:早稲田大学  

  91. Fabrication and characterization of self-aligned carbon nanotube thin film transistors

    鹿嶋大雅,松浦智紀,廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    第54回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2018年3月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    開催地:東京大学  

  92. カーボンナノチューブ分散液中の水溶性ポリマー迅速除去法の開発

    上野和樹, 大町遼, 小室智彦, 廣谷潤, 大野雄高, 篠原久典

    第54回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2018年3月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    開催地:東京大学  

  93. Voltage generation by electrolyte droplet on carbon nanotube thin film: Dependence of output power on carrier density

    西涼平、廣谷潤、岸本茂、片浦弘道、大野雄高

    第54回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2018年3月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    開催地:東京大学  

  94. Fast characterization of FC-CVD nanotubes using an array of transistors 国際会議

    N. Wei, P. Laiho, S. Ahmed, A. Hussain, Q. Zhang, T. Khan, Y. Liao, Y. Tian, E.-X. Ding, Y. Ohno, E. I. Kauppinen

    The 54th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2018年3月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    開催地:Tokyo, Japan  

  95. Carbon-nanotube differential amplifier on flexible substrate 国際会議

    T. Matsuura, T. Kashima, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    The 54th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2018年3月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    開催地:Tokyo, Japan  

  96. Transparent and flexible triboelectric generator based on carbon nanotube

    松永正広,廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    第54回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2018年3月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    開催地:東京大学  

  97. 高密度カーボンナノチューブフォレストを用いた櫛型電極の開発と電気化学バイオセンサへの応用

    杉目恒志, 牛山拓也, 西村圭太, 大野雄高, 野田優

    第54回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2018年3月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    開催地:東京大学  

  98. フレキシブル基板上カーボンナノチューブアナログ集積回路の設計と作製

    松浦 智紀, 鹿嶋 大雅, 廣谷 潤, 岸本 茂, 大野 雄高

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2018年2月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年2月

    開催地:北海道大学 百年記念会館 大会議室  

  99. カーボンナノチューブを用いた流体発電の発電機構の理解と高出力化

    西涼平、岸本茂、片浦弘道、大野雄高

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2018年2月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年2月

    開催地:北海道大学百年記念会館大会議室  

  100. ウェアラブルセンサの実現に向けた柔軟なカーボンナノチューブアナログ集積回路の設計と試作

    大野雄高

    ATI第2回ナノカーボン研究会  2018年2月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年2月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:野地温泉ホテル  

  101. Carbon nanotube-based flexible electronics: TFTs, ICs, and biosensors 国際会議

    Y. Ohno

    Nanomaterials for biomedical applications: Magnetic nanoparticles and carbon nanotubes as enhancers for targeted RNA delivery in vivo  2017年12月4日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Moscow, Russia  

  102. リモートプラズマCVDによる高均一吸着ナノダイヤモンドからのダイヤモンド膜の形成

    稲葉優文,内山春貴,星野晴華,費文茜,川原田洋,大野雄高

    第31回ダイヤモンドシンポジウム  2017年11月21日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    開催地:関西学院大学  

  103. カーボンナノチューブ薄膜によるフレキシブルデバイス

    大野雄高

    応用物理学会関西支部 平成29年度第2回講演会  2017年11月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:京都大学桂キャンパス  

  104. Highly-sensitive, flexible electrochemical biosensor based on carbon nanotube thin film 国際会議

    Y. Ohno

    The 12th Asian Conference on Chemical Sensors  2017年11月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Hanoi, Vietnam  

  105. Large voltage generation by movement of electrolyte droplet on carbon nanotube thin film 国際会議

    Y. Ohno

    Japan-India Joint Seminar  2017年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Nagoya, Japan  

  106. Flexible devices based on carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    India-Japan Joint Symposium  2017年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Nagoya, Japan  

  107. カーボンナノチューブに基づくフレキシブルデバイス

    大野雄高

    「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」第6回研究会  2017年11月7日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:ウインクあいち  

  108. Carbon Nanotubes for Wearable Electronics: Transistors, Circuits, Sensors, and Energy Harvesting Devices 国際会議

    Y. Ohno

    The 8th A3 Symposium on Emerging Materials  2017年10月27日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Suzhou, China  

  109. Flexible voltage generator based on movement of electrolyte droplet on carbon nanotube thin film 国際会議

    Y. Ohno

    JSAP-KPS Joint Symposium  2017年10月26日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Gyeongju, Korea  

  110. Measurement of current distribution in electron devices with nitrogen-vacancy centers in nanodiamond thin film 国際会議

    H. Uchiyama, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    8th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Energy and Electronics  2017年10月26日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    開催地:Suzhou, China  

  111. Carbon Nanotube-based Flexible/Stretchable Devices on Polymer Films for Wearable Electronics 国際会議

    Y. Ohno

    The 25th Annual World Forum on Advanced Materials (POLYCHAR 25)  2017年10月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Kuala Lumpur, Malaysia  

  112. Enhancement of Hole Injection in AlGaN-based DUV LEDs with Carbon Nanotube Electrode by Electrostatic Doping 国際会議

    M. Soda, S. Kishimoto, H. Amano, and Y. Ohno

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017  2017年9月30日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    開催地:Nagoya, Japan  

  113. Flexible bio-electronics based on carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy  2017年9月21日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Tomsk, Russia  

  114. Effect of surface functionalization in carbon nanotube electrochemical sensors

    西村圭太,岸本茂,大野雄高

    第53回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2017年9月15日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    開催地:京都大学 宇治おうばくプラザ  

  115. Voltage generation by electrolyte droplet on carbon nanotube thin film: Significant enhamcement of voltage

    西涼平、安西智洋、岸本茂、片浦弘道、大野雄高

    第53回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2017年9月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    開催地:京都大学 宇治おうばくプラザ  

  116. Modeling of carbon nanotube thin film transistors and its application for circuit design including characteristic variations

    鹿嶋大雅,松浦智紀,廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    第53回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2017年9月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    開催地:京都大学 宇治おうばくプラザ  

  117. 官能基修飾によるカーボンナノチューブ電気化学センサの電子交換速度の向上

    西村圭太,岸本茂,大野雄高

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月7日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    開催地:福岡国際会議場  

  118. ナノダイヤモンド薄膜を用いた電流センシング

    内山晴貴,岸本茂,大野雄高

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    開催地:福岡国際会議場  

  119. カーボンナノチューブ薄膜を用いた流体からの発電:シャント抵抗の増大による起電力の向上

    西涼平、安西智洋、岸本茂、片浦弘道、大野雄高

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    開催地:福岡国際会議場  

  120. カーボンナノチューブ薄膜トランジスタのモデル化とその集積回路設計への適応

    鹿嶋大雅,松浦智紀,廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    開催地:福岡国際会議場  

  121. Flexible thin-film transistors and biosensors based on carbon nanotubes for wearable health monitoring devices 国際会議

    Y. Ohno

    International Symposium on Nanocarbon Materials  2017年9月1日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Espoo, Finland  

  122. High-yield fabrication of stable n-type carbon nanotube thin-film transistors on flexible substrate 国際会議

    FW. Tan, J. Hirotani, T. Yasunishi, S. Kishimoto, Y. Ohno

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability  2017年8月30日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年8月

    開催地:Nagoya, Japan  

  123. Enhancement of hole injection by electrostatically-doped carbon nanotube electrode in AlGaN-based DUV LEDs 国際会議

    M. Soda, S. Kishimoto, H. Amano, and Y. Ohno

    12th International Conference on Nitride Semiconductors  2017年7月25日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    開催地:Strasbourg, France  

  124. Carbon nanotube thin film devices for wearable electronics 国際会議

    Y. Ohno

    Japan-India Joint Seminar  2017年7月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Geyongju, Korea  

  125. Large-scale fabrication of p- an n-CNT TFTs and their modeling for integration 国際会議

    F.-W. Tan, T. Kashima, T. Matsuura, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    5th Carbon Nanotube Thin Film Electronics and Applications Satelite Symposium  2017年6月30日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年6月

    開催地:Belo Horizonte, Brazil  

  126. Selective detection of neurotransmitters by adsorption voltammetry with carbon nanotube thin film 国際会議

    T. Ushiyama, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    18th International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-dimentional Materi  2017年6月29日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年6月

    開催地:Belo Horizonte, Brazil  

  127. Modeling of flexible carbon nanotube thin-film transistors 国際会議

    T. Kashima, T. Matsuura, J. Hirotani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    18th International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-dimentional Materials  2017年6月29日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年6月

    開催地:Belo Horizonte, Brazil  

  128. カーボンナノチューブの電子デバイス応用

    大野雄高

    電子情報通信学会総合大会  2017年3月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋  

  129. カーボンナノチューブ薄膜電極をもつ深紫外LEDの作製と評価-電界効果ドーピングによる正孔注入効率の向上-

    曽田充俊, 岸本茂,天野浩,大野雄高 

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月16日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    開催地:パシフィコ横浜  

  130. カーボンナノチューブ薄膜トランジスタのモデル化と回路シミュレーション

    松浦 智紀, 鹿嶋 大雅, 廣谷 潤, 岸本 茂, 大野 雄高

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月15日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    開催地:パシフィコ横浜  

  131. フィールドプレート構造の導入による水素終端表面ダイヤモンド電界効果型トランジスタの高耐圧化の検討

    岡村卓弥,岸本茂,大野雄高

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    開催地:パシフィコ横浜  

  132. Modeling of carbon nanotube thin-film transistor on flexible plastic film

    鹿嶋大雅,松浦智紀,廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    第52回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2017年3月3日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    開催地:東京大学  

  133. Yields of carbon nanotube integrated circuits on flexible plastic film

    J. Hirotani, S. Kishimoto and Y. Ohno

    第52回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2017年3月3日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    開催地:東京大学  

  134. Selective detection of neurotransmitters by adsorption voltammetry with carbon nanotube film

    T. Ushiyama, S. Kishimoto and Y. Ohno

    第52回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2017年3月3日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    開催地:東京大学  

  135. Doping effect of electrolyte droplet on carbon nanotube thin film

    Tomohiro Yasunishi, Shigeru Kishimoto, Yutaka Ohno

    第52回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2017年3月1日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    開催地:東京大学  

  136. カーボンナノチューブ薄膜/電解質液体界面の相互作用を用いた発電素子の評価

    安西 智洋, 岸本 茂, 大野 雄高

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2017年2月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年2月

    開催地:北海道大学  

  137. カーボンナノチューブ薄膜を用いた神経伝達物質の高感度な電気化学的検出

    牛山拓也, Nguyen Xuan Viet, 岸本茂, 大野雄高

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2017年2月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年2月

    開催地:北海道大学  

  138. カーボンナノチューブに基づくフレキシブルデバイス

    大野雄高

    応用電子物性分科会  2017年1月30日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年1月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:大阪  

  139. Flexible/stretchable devices based on carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    IDW/AD'16  2016年12月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年12月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Fukuoka, Japan  

  140. Flexible/stretchable devices based on carbon nanotubes for wearable electronics 国際会議

    Y. Ohno

    MRS Fall Meeting  2016年12月1日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年12月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Boston, USA  

  141. Flexible electronics applications of carbon nanotubes 国際会議

    Y. Ohno

    International Symposium on Carbon Nanotube in Commemoration of its Quarter-Century Anniversary  2016年11月15日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Tokyo, Japan  

  142. Bio-electronics applications of carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    7th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment  2016年11月2日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Buyeo, Korea  

  143. Voltage generation of carbon nanotube thin film by movement of electrolyte solution 国際会議

    T. Yasunishi, R. Nishi, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    The 7th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment  2016年10月31日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月

    開催地:Buyeo, Korea  

  144. All-Carbon Integrated Circuits for Flexible/Stretchable Electronics 国際会議

    Y. Ohno

    PRiME2016  2016年10月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Honolulu, USA  

  145. High-Yield Fabrication of n-Type Carbon Nanotube Thin-Film Transistors on Plastic Substrate 国際会議

    F.-W. Tan, J. Hirotani, T. Yasunishi, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    2016 International Conference on Solid State Devices and Materials  2016年9月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    開催地:Tsukuba, Japan  

  146. High-yield fabrication of n-type carbon nanotube thin-film transistors on flexible plastic film

    F.-W. Tan, J. Hirotani, T. Yasunishi, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月15日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    開催地:朱鷺メッセ  

  147. カーボンナノチューブのフレキシブルデバイス応用

    大野雄高

    半導体・集積回路シンポジウム  2016年9月15日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:い  

  148. カーボンナノチューブのフレキシブルデバイス応用

    大野雄高

    高分子討論会  2016年9月15日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:神奈川大学  

  149. カーボンナノチューブ電極を用いた新規吸着ボルタンメトリーによるドーパミンの高感度検出

    牛山拓也,岸本茂,大野雄高

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    開催地:朱鷺メッセ  

  150. バイオセンシグに向けたカーボンナノチュ-ブ薄膜トラジスタの評価

    長谷川加奈, Nguyen Xuan Viet, 牛山拓也, 岸本茂, 大野雄高

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    開催地:朱鷺メッセ  

  151. High-yield fabrication of n-type carbon nanotube thin-film transistors on flexible plastic substrate 国際会議

    FW. Tan, J. Hirotani, T. Yasunishi, S. Kishimoto, Y. Ohno

    51st Fullerenes-Nanotube-Graphene General Symposium  2016年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    開催地:Sapporo, Japan  

  152. Response to pH of carbon nanotube thin-film transistors for sensor applications

    K. Hasegawa, Nguyen Xuan Viet, T. Ushiyama, S. Kishimoto and Y. Ohno

    第51回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2016年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    開催地:北海道立道民活動センター かでる2・7  

  153. High-yield fabrication of n-type carbon nanotube thin-film transistors on flexible plastic substrate

    F.-W. Tan, J. Hirotani, T. Yasunishi, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    第51回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2016年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    開催地:北海道立道民活動センター かでる2・7  

  154. Novel method to detect dopamine with high sensitivity based on adsorption onto carbon nanotube surface

    T. Ushiyama, S. Kishimoto and Y. Ohno

    第51回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2016年9月8日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    開催地:北海道立道民活動センター かでる2・7  

  155. カーボンナノチューブ電気化学センサを用いたドーパミンの高感度検出

    牛山拓也, Nguyen Xuan Viet, 岸本茂, 大野雄高

    第5回ナノカーボンバイオシンポジウム  2016年9月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    開催地:北海道立道民活動センター かでる2・7  

  156. ウェアラブルエレクトロニクスを目指した柔軟性/伸縮性を持つカーボンナノチューブ集積回路

    大野雄高

    半導体・集積回路シンポジウム  2016年8月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京理科大学  

  157. Flexible carbon nanotube interdigitated electrode for electrochemical biosensors 国際会議

    T. Ushiyama, N. X. Viet, S. Kishimoto and Y. Ohno

    7th Symposium on Carbon Nanomaterials Biology, Medicine & Toxicology  2016年8月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    開催地:University of Vienna, Austria  

  158. The voltage generation by movement of electrolyte solution on carbon nanotube thin film 国際会議

    T. Yasunishi, S. Kishimoto and Y. Ohno

    4th Carbon Nanotube Thin Film Electronics and Applications Satellite  2016年8月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    開催地:University of Vienna, Austria  

  159. Transparent and stretchable all-carbon nanotube thin-film transistors for wearable electronics 国際会議

    Takeo Onishi, Jun Hirotani, Shigeru Kishimoto, and Yutaka Ohno

    4th Carbon Nanotube Thin Film Electronics and Applications Satellite  2016年8月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    開催地:University of Vienna, Austria  

  160. Wearable bio-electronics applications of carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    Seventeenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-dimensional Materials  2016年8月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Vienna, Austria  

  161. Flexible carbon nanotube interdigitated electrode for electrochemical biosensors 国際会議

    T. Ushiyama, N. X. Viet, S. Kishimoto and Y. Ohno

    The Seventeenth International Conference on the Science and Applications of Nanotubes and Low-dimensional Materials  2016年8月8日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    開催地:University of Vienna, Austria  

  162. Fabrication and characterization of all-carbon nanotube thin-film transistors on stretchable substrates 国際会議

    Takeo Onishi, Jun Hirotani, Shigeru Kishimoto, and Yutaka Ohno

    The Seventeenth International Conference on the Science and Applications of Nanotubes and Low-dimensional Materials  2016年8月8日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    開催地:University of Vienna, Austria  

  163. The voltage generation by movement of electrolyte solution on carbon nanotube thin film 国際会議

    T. Yasunishi, S. Kishimoto and Y. Ohno

    The Seventeenth International Conference on the Science and Applications of Nanotubes and Low-dimensional Materials  2016年8月8日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    開催地:University of Vienna, Austria  

  164. Wearable bio-electronics applications of carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    The Fifth International Workshop on Nanocarbon Photonics and Optoelectronics  2016年8月4日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Imatra, Finland  

  165. Characteristic variation of carbon nanotube thin-film transistors

    J. Hirotani, F.-W. Tan, T. Yasunishi, S. Kishimoto and Y. Ohno

    蔵王16研究会  2016年7月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年7月

    開催地:タカミヤ瑠璃倶楽リゾート  

  166. Characteristic variation of carbon nanotube thin-film transistors

    J. Hirotani, F.-W. Tan, T. Yasunishi, S. Kishimoto and Y. Ohno

    蔵王16研究会  2016年7月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年7月

    開催地:タカミヤ瑠璃倶楽リゾート  

  167. Enhancement in sensitivity of CNT thin-film electrochemical biosensors

    Y. Ohno

    蔵王16研究会  2016年7月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年7月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:タカミヤ瑠璃倶楽リゾート  

  168. 透明で伸縮可能な全カーボン薄膜トランジスタの作製と評価

    大西健夫,廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月21日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    開催地:東京工業大学  

  169. 清浄表面を持つカーボンナノチューブ櫛形電極の作製と評価

    牛山拓也, Nguyen Xuan Viet, 岸本茂, 大野雄高

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    開催地:東京工業大学  

  170. プラスチックフィルム上に作製した カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの大規模特性評価

    廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2016年3月4日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    開催地:北海道大学  

  171. Characterization of carbon nanotube interdigitated electrode for electrochemical biosensors

    T. Ushiyama, N. X. Viet, S. Kishimoto and Y. Ohno

    第50回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2016年2月21日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年2月

    開催地:東京大学伊藤国際学術研究センター  

  172. Transparent, stretchable all-carbon nanotube thin-film transistors for wearable electronics

    Takeo Onishi, Jun Hirotani, Shigeru Kishimoto, and Yutaka Ohno

    第50回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2016年2月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年2月

    開催地:東京大学伊藤国際学術研究センター  

  173. 電気化学バイオセンサのためのカーボンナノチューブ櫛形電極の作製と評価

    牛山拓也, Nguyen Xuan Viet, 岸本茂, 大野雄高

    第4回ナノカーボンバイオシンポジウム  2016年2月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年2月

    開催地:東京大学伊藤国際学術研究センター  

  174. Bio-electronics applications of carbon nanotube thin film 国際会議

    Y. Ohno

    The International Chemical Congress of Pacific Basin Societies, PACIFICHEM  2015年12月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Honolulu, USA  

  175. Statistical Characterization of Carbon Nanotube Thin-Film Transistors Based on Solution Process 国際会議

    J. Hirotani, S. Kishimoto and Y. Ohno

    International Symposium on EcoTopia Science 2015  2015年11月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    開催地:Nagoya, Japan  

  176. Fabrication and electrochemical characterization of carbon nanotube microelectrode for biosensors 国際会議

    T. Ushiyama, N. X. Viet, S. Kishimoto and Y. Ohno

    International Symposium on EcoTopia Science 2015  2015年11月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    開催地:Nagoya, Japan  

  177. Residues on Transferred CVD Graphen 国際会議

    T. Yasunishi, Y. Takabayashi, S. Kishimoto, R. Kitaura, H. Shinohara, and Y. Ohno

    International Symposium on EcoTopia Science 2015  2015年11月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    開催地:Nagoya, Japan  

  178. Carbon nanotube flexible devices for wearable healthcare electronics 国際会議

    Y. Ohno

    5th International Conference on Nanotek & Expo  2015年11月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:San Antonio, USA  

  179. Carbon nanotube thin film-based transistors and biosensors for flexible healthcare devices 国際会議

    Y. Ohno

    The 6th A3 Symposium on Emerging Materials Nanomaterials for Electronics, Energy, and Environment  2015年11月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Fukuoka, Japan  

  180. Investigation of residues on transferred CVD graphene 国際会議

    T. Yasunishi, Y. Takabayashi, S. Kishimoto, R. Kitaura, H. Shinohara, and Y. Ohno

    The 6th A3 Symposium on Emerging Materials Nanomaterials for Electronics, Energy, and Environment  2015年11月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    開催地:Fukuoka, Japan  

  181. Wafer-scale characterization of carbon nanotube thin-film transistors on flexible plastic substrates 国際会議

    J. Hirotani, S. Kishimoto and Y. Ohno

    The 6th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy, and Environment  2015年11月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    開催地:Fukuoka, Japan  

  182. Enhancement of signal current based on redox cycling in carbon nanotube electrochemical sensors 国際会議

    T. Ushiyama, N. X. Viet, S. Kishimoto and Y. Ohno

    The 6th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy, and Environment  2015年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    開催地:Fukuoka, Japan  

  183. Flexible bio-electronics applications of carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    The International Conference on Small Science  2015年11月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Phuket, Thailand  

  184. Wafer-Scale Statistical Characterization of Carbon Nanotube Thin-Film Transistors 国際会議

    J. Hirotani, S. Kishimoto and Y. Ohno

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年9月29日 

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    開催年月日: 2015年9月

    開催地:Hokkaido, japan  

  185. カーボンナノチューブ薄膜を用いた柔軟で透明なエレクトロニクス

    大野雄高

    技術情報協会セミナー「伸縮性導電材料の開発とフレキシブルデバイスへの応用」  2015年9月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京  

  186. Carbon nanotube thin films for flexible and formable electronics 国際会議

    Y. Ohno

    4th International Conference and Exhibition on Materials Science and Engineering  2015年9月15日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Orlando, USA  

  187. CVD合成グラフェンの転写における残渣の評価

    安西 智洋,高林 裕也, 岸本 茂,北浦 良, 篠原 久典, 大野 雄高

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月15日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    開催地:名古屋国際会議場  

  188. カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの特性ばらつき評価

    廣谷潤,岸本茂,大野雄高

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    開催地:名古屋国際会議場  

  189. Flexible biosensors based on carbon nanotube thin-film transistors

    N.X. Viet, S. Kishimoto and Y. Ohno

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月14日 

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    開催年月日: 2015年9月

    開催地:名古屋国際会議場  

  190. Channel length dependence of characteristic variations in carbon nanotube thin-film transistors

    J. Hirotani, S. Kishimoto and Y. Ohno

    第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2015年9月9日 

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    開催年月日: 2015年9月

    開催地:北九州国際会議場  

  191. Carbon nanotube thin-film transistor for flexible biosensor applications

    N.X. Viet, S. Kishimoto and Y. Ohno

    第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2015年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    開催地:北九州国際会議場  

  192. Residual particles on transferred CVD graphene

    T. Yasunishi, Y. Takabayashi, S. Kishimoto, R. Kitaura, H. Shinohara, and Y. Ohno

    第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2015年9月8日 

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    開催年月日: 2015年9月

    開催地:北九州国際会議場  

  193. Ultra-high sensitivity carbon nanotube biosensors based on redox cycle process 

    T. Ushiyama, N. X. Viet, S. Kishimoto and Y. Ohno

    第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2015年9月7日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    開催地:北九州国際会議場  

  194. カーボンナノチューブ薄膜のエレクトロニクス応用

    大野雄高

    第5回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン若手研究会  2015年9月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:北九州国際会議場  

  195. カーボンナノチューブの電子デバイス応用

    大野雄高

    ナノ材料応用技術セミナー  2015年9月4日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:京都  

  196. カーボンナノチューブによる柔軟で透明なエレクトロニクスとその展望

    大野雄高

    新産業技術促進検討会(モノづくり日本会議主催、NEDO共催)  2015年7月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年7月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京  

  197. Statistic investigation of characteristic variation in carbon nanotube thin-film transistors

    J. Hirotani, R. Matsui, S. Kishimoto and Y. Ohno

    第34回電子材料シンポジウム  2015年7月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年7月

    開催地:ラフォーレ琵琶湖  

  198. Investigation of residual particles on CVD graphene in transfer process

    T. Yasunishi, Y. Takabayashi, S. Kishimoto, R. Kitaura, H. Shinohara, and Y. Ohno

    第34回電子材料シンポジウム  2015年7月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年7月

    開催地:ラフォーレ琵琶湖  

  199. Assessment of characteristic variation in carbon nanotube thin film transistors 国際会議

    J. Hirotani, R. Matsui, S. Kishimoto and Y. Ohno

    The Sixteenth International Conference on the Science and Applications of Nanotubes  2015年7月2日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年7月

    開催地:Nagoya, Japan  

  200. Flexible microelectrode based on CNT thin film and its electrochemical sensor applications 国際会議

    N. X. Viet, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    The Sixteenth International Conference on the Science and Applications of Nanotubes  2015年7月2日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年7月

    開催地:Nagoya, Japan  

  201. Large-scale characterization of carbon nanotube thin-film transistors 国際会議

    J. Hirotani, R. Matsui, S. Kishimoto and Y. Ohno

    NT15 Satellite Symposia (Third Carbon Nanotube Thin Film Electronics and Applications Satellite)   2015年6月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    開催地:Nagoya, Japan  

  202. Flexible microelectrode based on CNT thin film and its electrochemical sensor applications 国際会議

    N. X. Viet, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    NT15 Satellite Symposia (Third Carbon Nanotube Thin Film Electronics and Applications Satellite)  2015年6月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    開催地:Nagoya, Japan  

  203. カーボンナノチューブ薄膜の電子デバイス応用

    大野雄高

    新無機膜研究会第76回研究会  2015年6月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:龍谷大学大阪梅田キャンパス  

  204. Wafer-scale investigation of electrical characteristics of carbon nanotube thin-film transistors 国際会議

    Y. Ohno

    Pre-NT15 Workshop of Carbon Nanotubes and Graphene at U Tokyo  2015年5月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Tokyo, Japan  

  205. Electronic and optoelectronic device applications of carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    Nanotechnology-2015  2015年4月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年4月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Dubai, UAE  

  206. Directly Dry Deposited SWCNTs for Record High Performance Transparent Conductive Films  国際会議

    A. Kaskela, N. Fukaya, P. Laiho, K. A. Mustonen, H. Jiang,Y. Ohno, E. I. Kauppinen

    2015 MRS Spring Meeting  2015年4月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年4月

    開催地:San Francisco, USA  

  207. Floating Catalyst CVD Synthesized SWCNTs for High Performance Thin Film Transistors  国際会議

    A. Kaskela, K. Mustonen, P. Laiho, H. Jiang,Y. Ohno, and E. I. Kauppinen

    2015 MRS Spring Meeting  2015年4月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年4月

    開催地:San Francisco, USA  

  208. Fabrication and characterization of thin film transistors based on semiconductor-enriched carbon nanotubes 国際会議

    J. Hirotani, R. Matsui, S. Kishimoto and Y. Ohno

    29th International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials (IWEPNM2015)  2015年3月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    開催地:Kirchberg, Austria  

  209. カーボンナノチューブ薄膜によるフレキシブルエレクトロニクス

    大野雄高

    附置研究所間アライアンスG1分科会  2015年3月5日 

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    開催年月日: 2015年3月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋  

  210. Characteristic variation of thin-film transistors based on purified semiconducting carbon nanotubes

    J. Hirotani, R. Matsui, S. Kishimoto and Y. Ohno

    第48回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2015年2月23日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年2月

    開催地:東京大学  

  211. 高速印刷技術を用いた微細トップゲート型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製

    前田迪彦、樋口健太郎、岸本茂、外村卓也、武居正史、畑克彦、大野雄高

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2015年2月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年2月

    開催地:北海道大学  

  212. フレキシブルカーボンナノチューブ集積回路の動作速度改善

    三善利忠、カスケラ アンティ、ライホ パトリック、ナシブリン アルバート、岸本茂、カウピネン エスコ、大野雄高

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2015年2月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年2月

    開催地:北海道大学  

  213. カーボンナノチューブ薄膜への電界集中効果によるOLEDのキャリア注入増強

    山田竜也、岸本茂、大野雄高

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2015年2月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年2月

    開催地:北海道大学  

  214. カーボンナノチューブ薄膜のウェアラブルセンサーデバイス応用

    大野雄高

    環境調和セラミックス材料研究会  2015年1月15日 

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    開催年月日: 2015年1月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋工業大学  

  215. CNT Microelectrodes for Flexible Electrochemical Sensor Applications 国際会議

    N. X. Viet, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    2014 MRS Fall Meeting and Exhibition  2014年12月4日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年12月

    開催地:Boston, USA  

  216. Highly Individual SWCNTS with a Narrow Chirality Distribution for High Performance Thin Film Electronics 国際会議

    A. Kaskela, P. Laiho, H. Jiang, K. Mustonen, A. G. Nasibulin, Y. Ohno, and E. I. Kauppinen

    2014 MRS Fall Meeting and Exhibition  2014年12月3日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年12月

    開催地:Boston, USA  

  217. Carbon nanotube thin films for transparent and flexible electronics 国際会議

    Y. Ohno

    US JSPS Alumni Association 5th Multidisciplinary Science Forum  2014年11月7日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Gainesville, USA  

  218. Distribution of threshold voltages in chemically-doped n-type carbon nanotube thin-film transistors on plastic film 国際会議

    T. Yasunishi, S. Kishimoto and Y. Ohno 

    The 5th A3 Symposium on Emerging Materials  2014年10月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月

    開催地:Tianjin, China  

  219. Fabrication of flexible CNT microelectrode and its application for electrochemical sensors 国際会議

    N.X. Viet, S. Kishimoto and Y. Ohno

    The 5th A3 Symposium on Emerging Materials  2014年10月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月

    開催地:Tianjin, China  

  220. Electronic/optoelectronic device applications of carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    5th A3 Symposium of Emerging Materials  2014年10月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Tianjin, China  

  221. Carbon nanotube thin films for transparent and flexible electronics 国際会議

    Y. Ohno

    1st Annual Bis-Ocean Carbon Nanotube International Workshop  2014年9月26日 

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    開催年月日: 2014年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Seoul, Korea  

  222. n型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタのしきい値ばらつきの評価

    安西 智洋、岸本 茂、大野 雄高

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月19日 

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    開催年月日: 2014年9月

    開催地:北海道大学  

  223. CNT microelectrodes for flexible electrochemical sensor applications

    N.X. Viet, S. Kishimoto and Y. Ohno

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    開催地:北海道大学  

  224. Carbon nanotube thin-film devices for transparent and flexible electronics 国際会議

    Y. Ohno

    Japan-Korea Joint Symposium on Semiconductor Physics and Technology – Nano-carbon materials including graphene –  2014年9月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Sapporo, Japan  

  225. Enhancement of Carrier Injection in OLEDs Utilizing Field Concentration to Carbon Nanotubes 国際会議

    T. Yamada, S. Kishimoto, Y. Ohno

    2014 International Conference on Solid State Devices and Materials  2014年9月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    開催地:Tukuba, Japan  

  226. Sub-10 μm Top-Gate Carbon Nanotube Thin-Film Transistors Fabricated by Flexographic Printing Process  国際会議

    M. Maeda, K. Higuchi, S. Kishimoto, T. Tomura, M. Takesue, K. Hata, and Y. Ohno 

    2014 International Conference on Solid State Devices and Materials  2014年9月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    開催地:Tukuba, Japan  

  227. Threshold voltage distribution of chemically doped n-type carbon nanotube thin-film transistors

    安西 智洋、岸本 茂、大野 雄高

    第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2014年9月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    開催地:名古屋大学  

  228. Flexible microelectrode based on CNT thin film for electrochemical sensor applications

    N.X. Viet, S. Kishimoto and Y. Ohno

    第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2014年9月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    開催地:名古屋大学  

  229. Electron injection in organic light-emitting diodes by carbon nanotube thin film

    山田竜也、岸本茂、大野雄高

    第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2014年9月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    開催地:名古屋大学  

  230. Flexible electronics applications of carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    The Fourth International Workshop on Nanocarbon Photonics and Optoelectronics  2014年8月1日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Polvijarvi, Finland  

  231. Flexible electronics applications of carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  232. カーボンナノチューブ薄膜の形成とデバイス応用

    大野雄高

    第6回窒化物半導体研究会  2014年7月25日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名城大学  

  233. Flexible electronics applications of carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    CARBON2014 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:大韓民国  

  234. Flexible electronics applications of carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    The Fifteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  235. Flexible electronics applications of carbon nanotube thin films 国際会議

    Y. Ohno

    The 41st International Symposium on Compound Semiconductor 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:フランス共和国  

  236. Flexible devices based on carbon nanotube thin 国際会議

    Y. Ohno

    International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:オーストリア共和国  

  237. Carbon nanotube thin films for flexbile electronics application 国際会議

    Y. Ohno

    International Conference on Small Science 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  238. Carbon nanotube thin films for flexbile electronics application 国際会議

    Y. Ohno

    The 8th International Conference on Advanced Materials and Devices 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  239. Carbon nanotube thin films for flexbile electronics application 国際会議

    Y. Ohno

    A3 Symposium of Emerging Materials: Nanomaterials for Energy and Environments 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  240. カーボンナノチューブ薄膜のフレキシブルエレクトロニクス応用

    大野雄高

    薄膜材料デバイス研究会 第10回研究集会「薄膜デバイスの応用展開」 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  241. 印刷型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの微細化に向けたフレキソ印刷技術の高解像度化の検討

    前田迪彦、樋口健太郎、中嶋勇太、外村卓也、武居正史、岸本茂、畑克彦、大野雄高

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  242. Fully-transparent, flexible and stretchable, all-carbon thin-film transistors and integrated circuits 国際会議

    Yutaka Ohno

    2013 JSAP-MRS Joint Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  243. Printed, flexible carbon nanotube thin-film transistors based on flexography 国際会議

    K. Higuchi, Y. Nakajima, T. Tomura, M. Takesue, S. Kishimoto, K. Hata, and Y. Ohno

    10th Tpical Workshop on Heterostructure Microelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  244. Flexible and stretchable electronics based on carbon nanotube thin films 国際会議

    Yutaka Ohno

    10th Tpical Workshop on Heterostructure Microelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  245. Flexible and stretchable carbon nanotube thin-film transistors and integrated circuits

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  246. Measurement of inter-tube contact resistances in carbon nanotube network by nanoprobes 国際会議

    N. Fukaya, D. Kim, K. Hasegawa, S. Kishimoto, T. Mizutani, S. Noda, and Y. Ohno

    The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  247. Measurement of inter-tube contact resistances in carbon nanotube network by nanoprobes 国際会議

    N. Fukaya, D.Kim, K. Hasegawa, S. Kishimoto, T. Mizutani, S. Noda, and Y. Ohno

    The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  248. Simple technique for patterning of carbon nanotubes on plastic film based on filtration transfer process 国際会議

    N. Fukaya, H. Shiraea, D. Kim, K. Hasegawa, S. Kishimoto, S. Noda, and Y. Ohno

    The 12th Asia Pacific Physics Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  249. All-Carbon Thin-Film Transistors and Integrated Circuits for Flexible and Transparent Electronics 国際会議

    Y. Ohno, D.-M. Sun, M. Y. Timmermansa, A. Kaskela, A. G. Nasibulin, S. Kishimoto, and E. I. Kauppinen

    The 12th Asia Pacific Physics Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  250. カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの研究動向

    大野雄高

    高分子学会有機エレクトロニクス研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  251. Carbon nanotube-based thin-film transistors on plastic film 国際会議

    Yutaka Ohno

    The 20th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays -TFT Technologies and FPD Materials- 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  252. High performance aerosol-CVD SWCNT network electrodesGate voltage dependent transport mechanism in carbon nanotube thin film transistors 国際会議

    A. Kaskela, P. Laiho, A. G. Nasibulin, Y. Ohno, and E. I. Kauppinen

    1st Carbon Nanotube Thin Film Applications Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  253. Rapid and easy patterning of carbon nanotube films and its application to transparent conductive films 国際会議

    N. Fukaya, D. Kim, S. Kishimoto, S. Noda, and Y. Ohno

    1st Carbon Nanotube Thin Film Applications Symposium  

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  254. Study on stability of chemically-doped n-type carbon nanotube thin film transistors 国際会議

    T. Yasunishi, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    1st Carbon Nanotube Thin Film Applications Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  255. High-mobility carbon nanotube thin-film transistors based on transfer and printing techniques 国際会議

    Y. Ohno, K. Higuchi, S. Kishimoto, Y. Nakajima, T. Tomura, M. Takesue, K. Hata, A. Kaskela, A. G. Nasibulin, and E. I. Kauppinen

    1st Carbon Nanotube Thin Film Applications Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  256. Spatially resolved transport properties of pristine and doped single-walled carbon nanotube networks 国際会議

    A. Znidarsic, A. Kaskela, P. Laiho, M. Gaberscek, Y. Ohno, A. G. Nasibulin, E. I. Kauppinen, and A. Hassanien

    1st Carbon Nanotube Thin Film Applications Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  257. High-mobility carbon nanotube thin-film transistors based on transfer and printing techniques 国際会議

    K. Higuchi, S. Kishimoto, Y. Nakajima, T. Tomura, M. Takesue, K. Hata, A. Kaskela, A. G. Nasibulin, E. I. Kauppinen, and Y. Ohno

    The Fourteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  258. Study on stability of chemically-doped n-type carbon nanotube thin film transistors 国際会議

    T. Yasunishi, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    The Fourteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes  

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  259. Rapid and easy patterning of carbon nanotube films and its application to transparent conductive films 国際会議

    N. Fukaya, D. Kim, S. Kishimoto, S. Noda, and Y. Ohno

    The Fourteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  260. Gate voltage dependent transport mechanism in carbon nanotube thin film transistors 国際会議

    M. Y. Timmermans, Y. Ohno, D.-M. Sun, K. Grigoras, A. Nasibulin, T. Mizutani, and E. I. Kauppinen

    The Fourteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  261. High-mobility n-type carbon nanotube thin film transistors on plastic film 国際会議

    T. Yasunishi, S. Kishimoto, T. Mizutani, E. I. Kauppinen, and Y. Ohno

    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  262. 液相ろ過・転写によるプラスチック 基板上へのナノチューブ配線の形成

    深谷徳宏、片岡佑介、金東榮、長谷川馨、岸本茂、水谷孝、野田優、大野雄高

    第60回春季応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  263. High-performance, flexible carbon nanotube transparent conductive films of double layered structure

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  264. High-mobility, flexible, n-type carbon nanotube thin film transistors on plastic film

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  265. High-mobility carbon nanotube thin-film transistors fabricated on transparent plastic film by flexographic printing technique

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  266. Flexible and stretchable electron devices based on carbon nanotube thin flms 国際会議

    Y. Ohno

    27th International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  267. High-mobility carbon nanotube thin-film transistors fabricated on plastic film with flexographic printing technique 国際会議

    K. Higuchi, Y. Nakajima, T. Tomura, M. Takesue, S. Kishimoto, T. Mizutani, K. Hata, and Y. Ohno

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  268. S-parameter characterization of radio-frequency FETs with high-purity semiconductor carbon nanotubes 国際会議

    M. Inagaki, K. Hata, K. Shiozawa, Y. Miyata, Y. Ohno, S. Kishimoto, H. Shinohara, and T. Mizutani

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  269. High-performance, flexible, grid-structured carbon nanotube transparent conductive films 国際会議

    N. Fukaya, Y. Kataoka, D. Kim, S. Kishimoto, T. Mizutani, S. Noda, and Y. Ohno

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  270. Carbon nanotube TFTs and ICs for flexible and printable electronics 国際会議

    Y. Ohno

    A3 Symposium of Emerging Materials: Nanomaterials for Energy and Environments 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  271. Carbon nanotube transparent conductive film with grid wirings 国際会議

    Norihiro Fukaya, Yusuke Kataoka, Dong Young Kim, Shigeru Kishimoto, Takashi Mizutani, Suguru Noda, and Yutaka Ohno

    A3 Symposium of Emerging Materials: Nanomaterials for Energy and Environments 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  272. SWCNTs and plastic electronics 国際会議

    Y. Ohno

    Tekniikka - Technology 2012, Workshop on Nanotechnology 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  273. Carbon-nanotube-based plastic electronics 国際会議

    Y. Ohno

    2012 International Conference on Solid State Devices and Materials 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  274. 高純度半導体カーボンナノチューブを用いた高周波FETの特性評価

    稲垣正己、畑謙佑、塩沢一成、宮田耕充、大野雄高、岸本茂、篠原久典、水谷孝

    第73回秋季応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  275. グリッド配線によるCNT 透明導電膜の低抵抗化

    深谷徳宏、片岡佑介、金東榮、岸本茂、水谷孝、野田優、大野雄高

    第73回秋季応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  276. 高速転写・フレキソ印刷技術を用いた高移動度カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製

    樋口健太郎、中嶋勇太、外村卓也、武居正史、岸本茂、水谷孝、畑克彦、大野雄高

    第73回秋季応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  277. CNT FET−ゲート絶縁膜界面と特性制御−

    大野雄高

    固体材料における電界効果の物理と応用の進展 -第4回若手ミニワークショップ- 

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    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  278. Carbon-nanotube-based plastic electronics 国際会議

    Y. Ohno

    The Third International Workshop on Nanocarbon Photonics and Optoelectronics 

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    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  279. Carbon nanotube-based plastic electronics 国際会議

    Y. Ohno

    International Conference of Young Researchers on Advanced Materials 

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    開催年月日: 2012年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

  280. Carbon-nanotube-based plastic electronics 国際会議

    Y. Ohno

    2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 

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    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  281. Solution-based high-frequency field-effect transistors with purified semiconductor carbon nanotubes 国際会議

    M. Inagaki, K. Hata, K. Shiozawa, Y. Miyata, Y. Ohno, S. Kishimoto, H. Shinohara, and T. Mizutani

    2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  282. Flexible and transparent all-carbon thin-film transistors and integrated circuits 国際会議

    D.M. Sun, M. Y. Timmermans, A. Kaskela, A. G. Nasibulin, S. Kishimoto, T. Mizutani, E. I. Kauppinen, and Y. Ohno

    Thirteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes 

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    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  283. High-mobility carbon nanotube thin-film transistors on plastic fabricated by high-throughput transfer and flexo printing technique 国際会議

    K. Higuchi, Y. Nakajima, T. Tomura, M. Takesue, S. Kishimoto, T. Mizutani, K. Hata, and Y. Ohno

    Thirteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  284. Observation of n-type conduction in CNTFETs with Au contacts in vacuum 国際会議

    Hideki Imaeda, Satoshi Ishii, Shigeru Kishimoto, Yutaka Ohno and Takashi Mizutani

    International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  285. Carbon Nanotube TFTs and ICs for Flexible Electronics 国際会議

    D.M. Sun, M. Y. Timmermans, Y. Tian, A. G. Nasibulin, S. Kishimoto, T. Mizutani, E. I. Kauppinen, and Y. Ohno

    International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics 2012 

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    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  286. Resistance distribution meausurement of CNT network by conductive atomic force microscopy 国際会議

    K. Housayama, Y. Okigawa, Y. Ohno, S. Kishimoto and T. Mizutani

    International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  287. High-Mobility Carbon Nanotube Thin-Film Transistors on Plastic Fabricated by High-Throughput Transfer and Flexo Printing Technique 国際会議

    K. Highchi, Y. Nakajima, T. Tomura, M. Takesue, S. Kishimoto, T. Mizutani, K. Hata, and Y. Ohno

    International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics 2012 

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    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  288. High-frequency characterization of high-purity semiconductor carbon nanotube field-effect transistors 国際会議

    M. Inagaki, K. Hata, K. Shiozawa, Y. Miyata, Y. Ohno, S. Kishimoto, H. Shinohara, and T. Mizutani

    International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  289. Characterization of CNT-FETs with graphitic carbon interlayer electrodes 国際会議

    M. Tamaoki, S. Kishimoto, Y. Ohno and T. Mizutani

    International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics 2012 

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    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  290. Semiconducting Carbon Nanotubes for Thin-Film Transistors 国際会議

    Y. Miyata, B. Thendie, K. Shiozawa, Y. Ohno, R. Kitaura, T. Mizutani, and H. Shinohara

    International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  291. CNT Optoelectronic Devices and Thin-Film Transistors 国際会議

    T. Mizutani, S. Kishimoto, and Y. Ohno

    International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics 2012 

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    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  292. Carbon nanotube-based plastic electronics 国際会議

    Y. Ohno

    Berkeley Nanotechnology Forum 2012 

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    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

  293. All-carbon thin-film transistors and integrated circuits for flexible and transparent electronics 国際会議

    D.M. Sun, M. Y. Timmermans, A. Kaskela, A. G. Nasibulin, S. Kishimoto, T. Mizutani, E. I. Kauppinen, and Y. Ohno

    2012 MRS Spring Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  294. Physics and Devices of Nanocarbon Materials 国際会議

    Y. Ohno

    MRS Spring Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  295. Flexible and transparent all-carbon thin-film transistors

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  296. 嫌気環境システムを利用したAl-CNTFETにおけるn-型特性の評価

    石井聡、玉置聖人、岸本茂、大野雄高、水谷孝

    第59回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  297. 導電型原子間力顕微鏡を用いたCNTネットワークの抵抗分布測定

    柞山公佑、沖川侑揮、大野雄高、岸本茂、水谷孝

    第59回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  298. 導電型原子間力顕微鏡を用いたSi基板に直接成長させたCNTネットワークの抵抗分布測定

    柞山公佑、沖川侑揮、大野雄高、岸本茂、水谷孝

    第42回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  299. 電極下にグラフィティックカーボンを挿入したCNT-FETの障壁高さの見積もり

    玉置聖人、岸本茂、大野雄高、水谷孝

    第42回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  300. カーボンナノチューブ薄膜トランジスタおよび集積回路の作製と評価

    大野雄高

    仙台“プラズマフォーラム” 平成23年度 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会 「プラズマナノバイオトロニクスの基礎研究」 

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    開催年月日: 2012年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  301. CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響

    鈴木耕佑,大野雄高,岸本茂,水谷孝

    電子情報通信学会電子デバイス研究会 

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    開催年月日: 2012年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  302. カーボンナノチューブフレキシブルデバイス

    大野雄高

    日本学術振興会第151委員会研究会「フレキシブルエレクトロニクス・TFTの現状」 

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    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  303. プラスチック基板上に作製したカーボンナノチューブ薄膜トランジスタと集積

    大野雄高

    応用電子物性分科会研究例会「デバイス応用に向けたナノカーボン成長技術の新展開」 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  304. プラスチック基板上に高性能なCNT薄膜トランジスタおよび集積回路を作成−安価なフレキシブルエレクトロニクスの実現に向けて−

    大野雄高

    高分子学会高分子同友会 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  305. Carbon-nanotube-based high-performance flexible electronics 国際会議

    Y. Ohno

    The 1st Annual World Congress of Nano-S&T 

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    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  306. Charges in High-k Dielectric and Their Effects on Property of 1D Channel FETs 国際会議

    K. Suzuki, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani

    International Workshop on Quantum Nanostructure& Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  307. Carbon nanotube TFTs and ICs for plastic electronics 国際会議

    Y. Ohno

    International Workshop on Quantum Nanostructures and Nanoelectronics  

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  308. High-performance Carbon Nanotube Thin-film Transistors with >600 cm2V&#8211;1s&#8211;1 Mobility and >107 On/off Ratio 国際会議

    D.M. Sun, M. Y. Timmermans, Y. Tian, A. G. Nasibulin, E. I. Kauppinen, S. Kishimoto, T. Mizutani, and Y. Ohno

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  309. Observation of n-type conduction in CNTFETs with Au contacts in vacuum 国際会議

    H. Imaeda, S. Kishimoto, Y. Ohno, and T. Mizutani

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  310. Interfaces of High-k Gate Insulator in Carbon Nanotube FETs 国際会議

    K. Suzuki, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  311. Estimation of height of defect-induced barriers in metallic CNTs 国際会議

    Y. Okigawa, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  312. Resistance distribution of CNT network measured by conductive atomic force microscopy 国際会議

    K. Housayama, Y. Okigawa, Y. Ohno