2022/03/24 更新

写真a

タブチ マサオ
田渕 雅夫
TABUCHI, Masao
所属
シンクロトロン光研究センター シンクロトロン光利用研究部門 教授
大学院担当
大学院工学研究科
職名
教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 工学博士 ( 名古屋大学 ) 

研究キーワード 5

  1. 材料評価技術

  2. 半導体結晶成長

  3. 物質科学

  4. XAFS計測

  5. 放射光応用計測

研究分野 4

  1. その他 / その他  / 応用物性・結晶工学

  2. その他 / その他  / 電子材料

  3. その他 / その他  / 放射光応用計測

  4. ナノテク・材料 / 結晶工学

現在の研究課題とSDGs 4

  1. 放射光を用いた蛍光EXAFS法による半導体微細構造の解析

  2. 放射光を用いたIII-V族化合物半導体界面構造のX線CTR散乱による解析

  3. 放射光を用いた材料計測に関する研究

  4. 放射光を用いたXAFS計測の高度化

経歴 8

  1. 名古屋大学   シンクロトロン光研究センター シンクロトロン光利用研究部門   教授

    2016年4月 - 現在

  2. 名古屋大学   シンクロトロン光研究センター   特任教授

    2011年8月 - 2016年3月

  3. 名古屋大学准教授(大学院工学研究科)

    2007年4月

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    国名:日本国

  4. 名古屋大学助教授(大学院工学研究科)

    2004年4月 - 2007年3月

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    国名:日本国

  5. 名古屋大学助教授(工学部)

    2003年4月 - 2004年3月

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    国名:日本国

  6. 名古屋大学講師(大学院工学研究科)

    2000年4月 - 2003年3月

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    国名:日本国

  7. 名古屋大学講師(工学部)

    1997年1月 - 2000年3月

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    国名:日本国

  8. 名古屋大学助手(工学部)

    1992年4月 - 1996年12月

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    国名:日本国

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学歴 2

  1. 京都大学   工学研究科   電気工学

    - 1992年

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    国名: 日本国

  2. 京都大学   工学部   電気工学

    - 1987年

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    国名: 日本国

所属学協会 3

  1. 日本結晶成長学会

  2. 日本放射光学会

  3. 応用物理学会

委員歴 39

  1. 応用物理学   論文賞審査委員  

    2021年 - 現在   

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    団体区分:学協会

  2. あいちSR   成果公開無償利用事業課題審査委員会  

    2021年   

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    団体区分:その他

  3. 佐賀LS   他機関BL評価委員会評価委員  

    2021年   

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    団体区分:その他

  4. 日本結晶成長学会   理事  

    2016年4月 - 2019年3月   

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    団体区分:学協会

  5. InPと関連材料国際会議論文委員会   委員  

    2016年   

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    団体区分:学協会

  6. 高エネルギー加速器研究機構 放射光減ビーム利用検討委員会   委員  

    2016年   

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    団体区分:学協会

  7. 高エネルギー加速器研究機構 放射光減ビームライン検討委員会   分野とりまとめ  

    2016年   

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    団体区分:学協会

  8. 高エネルギー加速器研究機構 放射光源運営形態検討委員会   委員  

    2016年   

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    団体区分:学協会

  9. XAFS討論会実行委員会   実行委員長  

    2016年   

  10. 高エネルギー加速器研究機構放射光共同利用実験審査委員会   委員, 分科会委員長(2017.4~)  

    2015年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  11. 応用物理学会代議員   委員  

    2014年2月 - 2018年1月   

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    団体区分:学協会

  12. 日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム論文委員会   委員  

    2014年 - 2015年   

  13. 国際結晶学会マイクロシンポジウム   Co-Chair  

    2014年   

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    団体区分:学協会

  14. 日本XAFS研究会光源検討委員会   委員  

    2013年 - 2017年   

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    団体区分:学協会

  15. 化合物半導体国際会議論文委員会   委員  

    2013年   

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    団体区分:学協会

  16. 日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム実行委員会   委員  

    2013年   

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    団体区分:学協会

  17. 高エネルギー加速器研究機構 Photon Factory User Association運営委員会   委員  

    2012年 - 現在   

  18. 電子材料シンポジウム実行委員会   委員  

    2012年 - 2013年   

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    団体区分:学協会

  19. MBE国際会議論文委員会   委員  

    2012年   

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    団体区分:学協会

  20. 国際結晶学会コミッション   XAFS分野委員  

    2011年 - 2017年   

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    団体区分:学協会

  21. PFシンポジウム運営委員   委員  

    2010年   

  22. 高輝度光科学研究センター利用研究課題選定委員会   査読委員  

    2009年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  23. XAFS討論会論文委員   委員  

    2009年 - 現在   

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    団体区分:学協会

    2016年は委員長

  24. 日本XAFS研究会   XAFS討論会プログラム委員  

    2009年 - 現在   

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    団体区分:学協会

  25. 日本XAFS研究会   XAFS討論会論文委員  

    2009年 - 現在   

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    団体区分:学協会

  26. 応用物理学会 結晶工学分科会   幹事、副幹事長(2018, 2019)、幹事長(2020-)  

    2008年 - 現在   

  27. InPと関連材料国際会議実行委員会   委員  

    2007年   

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    団体区分:学協会

  28. PF懇談会運営委員会   委員  

    2006年 - 2011年   

  29. PFシンポジウム運営委員   委員  

    2006年   

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    団体区分:学協会

  30. 日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム実行委員会   委員  

    2006年   

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    団体区分:学協会

  31. PF XAFSユーザーグループ   代表  

    2005年 - 現在   

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    団体区分:学協会

  32. 高輝度光科学研究センター利用研究課題選定委員会   査読委員  

    2003年4月 - 2006年3月   

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    団体区分:学協会

  33. 第5回窒化物半導体国際会議実行委員会   委員  

    2003年   

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    団体区分:学協会

  34. 高エネルギー加速器研究機構放射光共同利用実験審査委員会   査読委員  

    2001年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  35. 高エネルギー加速器研究機構放射光共同利用実験審査委員会   委員  

    2001年4月 - 2005年3月   

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    団体区分:学協会

  36. 超小型放射光源とその産業応用に関する研究会   委員  

    2000年4月 - 2002年3月   

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    団体区分:自治体

  37. 窒化物半導体国際ワークショップ現地実行委員会   委員  

    2000年   

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    団体区分:学協会

  38. XAFS討論会実行委員   委員  

    2000年   

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    団体区分:学協会

  39. 日本金属学会・日本鉄鋼協会秋季講演大会現地実行委員会   委員  

    2000年   

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    団体区分:学協会

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論文 98

  1. Enhanced oxygen reduction activity of size-selected platinum subnanocluster catalysts: Pt-n (n=3-9)

    Ohnuma Akira, Takahashi Koki, Tsunoyama Hironori, Inoue Tomoya, Zhao Pei, Velloth Archana, Ehara Masahiro, Ichikuni Nobuyuki, Tabuchi Masao, Nakajima Atsushi

    CATALYSIS SCIENCE & TECHNOLOGY   12 巻 ( 5 ) 頁: 1400 - 1407   2022年3月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1039/d1cy00573a

    Web of Science

  2. Enhanced oxygen reduction activity of platinum subnanocluster catalysts through charge redistribution 招待有り 国際共著

    Hironori Tsunoyama, Akira Ohnuma, Koki Takahashi, Archana Velloth, Masahiro Ehara, Nobuyuki Ichikuni, Masao Tabuchi, Atsushi Nakajima

    Toyota Boshoku Technical Review   16 巻   頁: 30 - 35   2022年

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    記述言語:英語   掲載種別:論文集(書籍)内論文  

  3. Controllable CaF2 Nanosized Stripe Arrays on Si(001) Studied by X-ray and Electron Diffraction

    Suturin Sergey M., Fedorov Vladimir V., Korovin Alexander M., Valkovskiy Gleb A., Tabuchi Masao, Sokolov Nikolai S.

    SURFACES   4 巻 ( 2 ) 頁: 97 - 105   2021年6月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.3390/surfaces4020012

    Web of Science

  4. AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency

    Morita Iori, Ishikawa Fumitaro, Honda Anna, Sato Daiki, Koizumi Atsushi, Nishitani Tomohiro, Tabuchi Masao

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abd6e0

    Web of Science

  5. CT XAFS による価数の三次元可視化へのアプローチ : 修正線型結合フィッティング 招待有り 査読有り

    田渕雅夫

    X線分析研究の進歩   52 巻   頁: 15 - 23   2021年3月

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    担当区分:筆頭著者, 最終著者  

  6. Correlation between crystal structure and magnetism in PLD grown epitaxial films of epsilon-Fe2O3 on GaN

    Suturin Sergey M., Korovin Alexander M., Sitnikova Alla A., Kirilenko Demid A., Volkov Mikhail P., Dvortsova Polina A., Ukleev Victor A., Tabuchi Masao, Sokolov Nikolai S.

    SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS   22 巻 ( 1 ) 頁: 85 - 99   2021年2月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1080/14686996.2020.1870870

    Web of Science

  7. Correlation between crystal structure and magnetism in PLD grown epitaxial films of ε-Fe2O3 on GaN 査読有り

    S. Suturin, A. Korovin, A. Sitnikova, D. Kirilenko, M. Volkov, P. Dvortsova, V. Ukleev, M. Tabuchi, N. Sokolov

    Sci. Tech. Adv. Mat.   22 巻   頁: 85 - 99   2021年

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  8. AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency 招待有り 査読有り

    I. Morita, F. Ishikawa, A. Honda, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, M. Tabuchi

    Jpn. J. Appl. Phys.   60 巻   頁: SBBK02   2021年

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    担当区分:最終著者  

  9. Modified linear combination fitting for large-area two-dimensional chemical state mapping

    Tabuchi Masao, Sakamoto Ren, Takeda Shingo, Konishi Shunsuke, Suzuki Toshimasa, Nagami Tetsuo

    RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY   175 巻   2020年10月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1016/j.radphyschem.2019.04.007

    Web of Science

  10. Chemical State Analysis of the Periostracum in the Corbicula Clam Hatched in Lake Biwa 査読有り

    Kuniko Takemoto, Kei Mitsuhara, Masao Tabuchi, Yuka Segawa, Daiya Bamba, Toshiaki Ohta

    J. Water and Environment Technology   18 巻 ( 1 ) 頁: 62-69   2020年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  11. Enhanced oxygen reduction activity of platinum subnanocluster catalysts through charge redistribution

    Tsunoyama Hironori, Ohnuma Akira, Takahashi Koki, Velloth Archana, Ehara Masahiro, Ichikuni Nobuyuki, Tabuchi Masao, Nakajima Atsushi

    CHEMICAL COMMUNICATIONS   55 巻 ( 84 ) 頁: 12603 - 12606   2019年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c9cc06327g

    Web of Science

  12. Modified linear combination fitting for large-area two-dimensional chemical state mapping 査読有り

    Masao Tabuchi, Ren Sakamoto, Shingo Takeda, Shunsuke Konishi, Toshimasa Suzuki, Tetsuo Nagami

    Radiation Physics and Chemistry     頁: 108257 (web)   2019年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  13. Tunable polymorphism of epitaxial iron oxides in the four-in-one ferroic-on-GaN system with magnetically ordered alpha-, gamma-, epsilon-Fe2O3, and Fe3O4 layers

    Suturin S. M., Korovin A. M., Gastev S. V, Volkov M. P., Sitnikova A. A., Kirilenko D. A., Tabuchi M., Sokolov N. S.

    PHYSICAL REVIEW MATERIALS   2 巻 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.2.073403

    Web of Science

  14. Laser MBE-grown CoFeB epitaxial layers on MgO: Surface morphology, crystal structure, and magnetic properties

    Kaveev Andrey K., Bursian Viktor E., Krichevtsov Boris B., Mashkov Konstantin V., Suturin Sergey M., Volkov Mikhail P., Tabuchi Masao, Sokolov Nikolai S.

    PHYSICAL REVIEW MATERIALS   2 巻 ( 1 )   2018年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.2.014411

    Web of Science

  15. Tunable polymorphism of epitaxial iron oxides in the four-in-one ferroic-on-GaN system with magnetically ordered α-, γ-, ɛ−Fe2O3, and Fe3O4 layers 査読有り

        頁: 073403   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  16. Laser MBE-grown CoFeB epitaxial layers on MgO: Surface morphology, crystal structure, and magnetic properties 査読有り

    A.K. Kaveev, V.E. Bursian, B.B. Krichevtsov, K.V. Mashkov, S.M. Suturin, M.P. Volkov, M. Tabuchi, and N.S. Sokolov

    Phys. Rev. Materials     頁: 014411   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  17. Role of threading dislocations in strain relaxation during GaInN growth monitored by real-time X-ray reflectivity

    Ju Guangxu, Tabuchi Masao, Takeda Yoshikazu, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   110 巻 ( 26 )   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4990687

    Web of Science

  18. Epitaxial Ni nanoparticles on CaF2(001), (110) and (111) surfaces studied by three-dimensional RHEED, GIXD and GISAXS reciprocal-space mapping techniques

    Suturin S. M., Fedorov V. V., Korovin A. M., Sokolov N. S., Nashchekin A. V., Tabuchi M.

    JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY   50 巻   頁: 830-839   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1107/S160057671700512X

    Web of Science

  19. Magnetization reversal in YIG/GGG(111) nanoheterostructures grown by laser molecular beam epitaxy

    Krichevtsov Boris B., Gastev Sergei V., Suturin Sergey M., Fedorov Vladimir V., Korovin Alexander M., Bursian Viktor E., Banshchikov Alexander G., Volkov Mikhail P., Tabuchi Masao, Sokolov Nikolai S.

    SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS   18 巻 ( 1 ) 頁: 351-363   2017年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/14686996.2017.1316422

    Web of Science

  20. Translocation of 133Cs administered to Cryptomeria japonica wood 査読有り

    D. Aoki, R. Asai, R. Tomioka, Y. Matsushita, H. Asakura, M. Tabuchi, K. Fukushima

    Science of The Total Environment   584-585 巻   頁: 88-95   2017年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  21. Translocation of Cs-133 administered to Cryptomeria japonica wood

    Aoki Dan, Asai Ryutaro, Tomioka Rie, Matsushita Yasuyuki, Asakura Hiroyuki, Tabuchi Masao, Fukushima Kazuhiko

    SCIENCE OF THE TOTAL ENVIRONMENT   584 巻   頁: 88-95   2017年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.scitotenv.2017.01.159

    Web of Science

  22. Magnetization reversal in YIG/GGG(111) nanoheterostructures grown by laser molecular beam epitaxy 査読有り

    B.B. Krichevtsov, S.V. Gastev, S.M. Suturin, V.V. Fedorov, A.M. Korovin, V.E. Bursian, A.G. Banshchikov, M.P. Volkov, M. Tabuchi, and N.S. Sokolov

    Science and Technology of Advanced Materials     頁: 1-27   2017年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  23. Protein crystallography beamline BL2S1 at the Aichi synchrotron

    Watanabe Nobuhisa, Nagae Takayuki, Yamada Yusuke, Tomita Ayana, Matsugaki Naohiro, Tabuchi Masao

    JOURNAL OF SYNCHROTRON RADIATION   24 巻   頁: 338-343   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1107/S1600577516018579

    Web of Science

  24. Thin yttrium iron garnet films grown by pulsed laser deposition: Crystal structure, static, and dynamic magnetic properties 査読有り

    N.S. Sokolov, V.V. Fedorov, A.M. Korovin, S.M. Suturin, D.A. Baranov, S.V. Gastev, B.B. Krichevtsov, K.Yu. Maksimova, A.I. Grunin, V.E. Bursian, L.V. Lutsev, M. Tabuchi

    J. Appl. Phys.   119 巻   頁: 023903   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  25. An advanced three-dimensional RHEED mapping approach to the diffraction study of Co/MnF2/CaF2/Si(001) epitaxial heterostructures 査読有り

    S. M. Suturin, A. M. Korovin, V. V. Fedorov, G. A. Valkovsky, M. Tabuchi and N. S. Sokolov

    J. Appl. Cryst.   49 巻   頁: 1532-1543   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  26. Hard X-ray XAFS beamline, BL5S1, at AichiSR 査読有り

    M. Tabuchi, H. Asakura, H. Morimoto1 N. Watanabe, and Y. Takeda

    Journal of Physics: Conference Series   712 巻   頁: 012027   2016年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  27. Photocathode electron beam sources using GaN and InGaN with NEA surface 査読有り

    T. Nishitani, T. Maekawa, M. Tabuchi, T. Meguro, Y. Honda, H. Amano

    SPIE Proceedings   9363 巻   頁: 10.1117/12.2076681   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  28. Nanoclusters first: a hierarchical phase transformation in a novel Mg alloy 査読有り

    H. Okuda, M. Yamasaki, Y. Kawamura, M. Tabuchi, H. Kimizuka

    Sci Rep.   5 巻   頁: 14186   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  29. Epitaxial layers of nickel fluoride on Si(111): Growth and stabilization of the orthorhombic phase 査読有り

    A.G. Banshchikov, I.V. Golosovskii, A.V. Krupin, K.V. Koshmak, N.S. Sokolov, Yu.P. Chernenkov, M.A. Yagovkina, V.P. Ulin, M. Tabuchi

    Low-Dim. Sys. Phys. Solid State   57 巻   頁: 1647-1652   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  30. Anomalous structural behavior in the metamagnetic transition of FeRh thin films from a local viewpoint 査読有り

    Y. Wakisaka, Y. Uemura, T. Yokoyama, H. Asakura, H. Morimoto, M. Tabuchi, D. Ohshima, T. Kato, and S. Iwata

    Phys. Rev. B   92 巻   頁: 184408   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  31. Continuous in situ X-ray reflectivity investigation on epitaxial growth of InGaN by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Guangxu Ju, Shingo Fuchi, Masao Tabuchi, Hiroshi Amano, Yoshikazu Takeda

    Journal of Crystal Growth   407 巻   頁: 6873   2014年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  32. In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Guangxu Ju, Yoshio Honda, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Amano

    J. Appl. Phys.   115 巻   頁: 094906   2014年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  33. Photoemission lifetime of a negative electron affinity gallium nitride photocathode 査読有り

    T. Nishitani, M. Tabuchi, H. Amano, T. Maekawa, M. Kuwahara, and T. Meguro

    J. Vac. Sci. Technol. B   32 巻   頁: 06F901   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  34. Mean transverse energy and response time measurements of GaInP based photocathodes 査読有り

    Xiuguang Jin, Masahiro Yamamoto, Tsukasa Miyajima, Yosuke Honda, Takashi Uchiyama, Masao Tabuchi, and Yoshikazu Takeda

    Journal of Applied Physics   116 巻   頁: 064501   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  35. X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Guangxu Ju, Yoshihiro Kato, Yoshio Honda, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Amano

    Physica State Solidi C   11 巻   頁: 393-396   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  36. The strain effect on the superconducting properties of BaFe2(As, P)2 thin films grown by molecular beam epitaxy 査読有り

    T Kawaguchi, A Sakagami, Y Mori, M Tabuchi, T Ujihara, Y Takeda, and H Ikuta

    Supercond. Sci. Technol.   27 巻   頁: 065005   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  37. In-situ X-ray measurements of MOVPE growth of InGaN single quantum wells 査読有り

    G. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda

    J. Cryst. Growth   370 巻   頁: 36-41   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  38. In situ X-ray Reflectivity Measurements on Annealed InxGa1-xN Epilayer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Guangxu Ju, Shingo Fuchi, Masao Tabuchi, and Yoshikazu Takeda

    Jpn. J. Appl. Phys.   52 巻   頁: 08JB12   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  39. Analysis of Cs/GaAs NEA surface by XAFS 査読有り

    K. Tsubota, M. Tabuchi, T. Nishitani, A. Era, Y. Takeda

    J. Phys.: Conf. Ser.   430 巻   頁: 012079   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  40. Critical current density and grain boundary property of BaFe2(As,P)2 thin films 査読有り

    A. Sakagami, T. Kawaguchi, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, H. Ikuta

    Physica C   494 巻   頁: 181-184   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  41. In situ X-ray reflectivity of indium supplied on GaN templates by metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

    G. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    J. Appl. Phys.   114 巻   頁: 124906   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  42. Proximity effects and exchange bias in Co/MnF2(111) heterostructures studied by x-ray magnetic circular dichroism 査読有り

    S. Suturin, V. Fedorov, A. Banshchikov, D. Baranov, K. Koshmak, P. Torelli, J. Fujii, G. Panaccione, K. Amemiya, M. Sakamaki, T. Nakamura, M. Tabuchi, L. Pasquali, N. Sokolov

    J. Phys.: Condens. Matter   25 巻   頁: 046002   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  43. Substrate dependence of the superconducting properties of NdFeAs(O,F) thin films

    H. Uemura, T. Kawaguchi, T. Ohno, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, H. Ikuta

    Solid State Communications   152 巻   頁: 735-739   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  44. Composition fluctuations in InP/GaInAs/InP heterostructures -- X-ray CTR scattering and cross-sectional STM measurement

    Y. Takeda, M. Masuda, M. Tabuchi, and A. Nakamura

    IOP Conf. Ser.   24 巻   頁: 012004   2011年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  45. X-ray characterization of GaN and related materials at growth temperatures -- system design and measurements

    Y. Takeda, K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, T. Mizuno, S. Fuchi, and M. Tabuchi

    IOP Conf. Ser.   24 巻   頁: 012003   2011年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  46. Evaluation of newly developed X-ray diffractometer equipped with Johansson monochromator

    M. Tabuchi, H. Tameoka, T. Kawase, and Y. Takeda

    IOP Conf. Ser.   24 巻   頁: 012007   2011年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  47. Initial Stages of High-Temperature CaF2/Si(001) Epitaxial Growth Studied by Surface X-Ray Diffraction

    S. Suturin, N. Sokolov, A. Banshchikov, R. Kyutt, O. Sakata, T. Shimura, J. Harada, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    J. Nanoscience and Nanotechnology   11 巻 ( 4 ) 頁: 2990-2996   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  48. Molecular Beam Epitaxy Growth of Superconducting NdFeAs(O,F) Thin Films Using a F-Getter and a Novel F-Doping Method

    T. Kawaguchi, H. Uemura, T. Ohno, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, and H. Ikuta

    Appl. Phys. Express   4 巻   頁: 083102   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  49. A study of an electron affinity of cesium telluride thin film

    H. Sugiyama, K. Ogawa, J. Azuma, K. Takahashi, M. Kamada, T. NishitaniM. Tabuchi, T. Motoki, K. Takashima, A. Era, and Y. Takeda,,

    Journal of Physics:ConferenceSeries   298 巻   頁: 012014   2011年

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    記述言語:英語  

  50. Superlattice Photocathode for High Brightness and Long NEA-surface lifetime

    T. Nishitani, M. Tabuchi, K. Motoki, T. Takashima, A. Era, and Y. Takeda

    Journal of Physics:ConferenceSeries   298 巻   頁: 012010   2011年

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    記述言語:英語  

  51. A study on EXAFS analysis of Cs/GaAs NEA surface

    A. Era, M. Tabuchi, T. Nishitani, and Y. Takeda

    Journal of Physics:ConferenceSeries   298 巻   頁: 012012   2011年

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    記述言語:英語  

  52. X-ray characterization at growth temperatures of InxGa1-xN growth by MOVPE

    G. Ju , K. Ninoi, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    Journal of Crystal Growth   318 巻   頁: 1143-1146   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  53. Novel system for X-ray CTR scattering measurement on in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures

    K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    Journal of Crystal Growth   318 巻   頁: 1139-1142   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  54. Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator 査読有り

    H. Tameoka, T. Kawase, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    Physica Status Solidi C   8 巻 ( 2 ) 頁: 294-296   2011年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  55. In situ growth of superconducting NdFeAs(O,F) thin films by molecular beam epitaxy 査読有り

    T. Kawaguchi, H. Uemura1, T. Ohno, M. Tabuchi, T. Ujihara, K. Takenaka, Y. Takeda, and H. Ikuta

    Appl. Phys. Lett.   97 巻   頁: 042509   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  56. Ga and As composition profiles in InP/GaInAs/InP heterostructures -- x-ray CTR scattering and cross-sectional STM measurements

    Y. Takeda, M. Tabuchi, and A. Nakamura

    J. Phys.: Cond. Mat.   22 巻   頁: 474011   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  57. High-Brightness Spin-Polarized Electron Source Using Semiconductor Photocathodes 査読有り

    Tomohiro Nishitani, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, Yuji Suzuki, Kazuya Motoki, and Takashi Meguro

      48 巻   頁: 06FF02-1-3   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  58. Measurement of X-ray CTR Signals from GaN/GaInN/GaN at High Temperatures Using Newly Developed Measurement System, 査読有り

    Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, K. Ninoi, and M. Tabuchi

    Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.   34 巻   頁: 585-588   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  59. Superlattice Photocathode with High Brightness and Long NEA-Surface Lifetime 査読有り

    Tomohiro Nishitani, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, Yuji Suzuki, Kazuya Motoki, and Takashi Meguro,

    AIP Conf. Proc.   1149 巻   頁: 1047-1051   2009年

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    記述言語:英語  

  60. Study on Accumulation process of As atoms in InP/GaInAs/InP hetero-structures, 査読有り

    M. Tabuchi, A. Mori, H. Tameoka, K. Fujii, and Y. Takeda

    Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.   34 巻   頁: 593-595   2009年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  61. *Development of New X-ray CTR Scattering Measurement System Using Johansson Monochromator 査読有り

    M. Tabuchi, H. Tameoka, T. Kawase, and Y. Takeda

    Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.   34 巻   頁: 589-591   2009年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    A new X-ray CTR scattering measurement system was reported that was equipped with a Johansson monocromator to focus X-rays at a sample position. Using the focused X-rays and a two-dimensional detector, X-ray CTR scattering measurement was able to be carried out without moving any component of the measurement system. The results of the X-ray CTR scattering measurement using the new system successfully demonstrated that the CTR scattering profiles were comparable to that measured at PF using synchrotron radiation even when the measurement time was 10 minutes or longer. The results suggested that the new measurement system is useful for quick and in-situ X-ray CTR scattering measurements.

  62. Fluorescence EXAFS study of residual Ga in b-FeSi2 grownfrom Ga solvent 査読有り

    H. Yamada, M. Tabuchi, Y. Takeda, and H. Udono

    J. Phys., Conf. Ser.   190 巻   頁: 012069   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  63. Effect of Ln-site disorder on Tc of oxypnictide superconductor LnFeAsOF (Ln=Nd, Cd-Gd, and La-Dy) 査読有り

    Koshi Takenaka, Ryotaro Watanabe, Hiroomi Yamada, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Ikuta

    J. Phys. Soc. Jpn.   78 巻   頁: 073701-1-4   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  64. Epitaxial Growth of NdFeAsO Thin Films by Molecular Beam Epitaxy 査読有り

    Takahiko Kawaguchi, Hiroki Uemura, Toshiya Ohno, Ryotaro Watanabe, Masao Tabuchi, Toru Ujihara, Koshi Takenaka, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Ikuta

    Applied Physics Express   2 巻   頁: 093002   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  65. X-ray CTR scattering measurements using conventional X-ray source to study semiconductor hetero-interfaces 査読有り

    Y. Maeda, T. Mizuno, A. Mori, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.   33 巻   頁: 591-594   2008年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  66. Buried Heterostructure of Nitride Semiconductors Revealed by Laboratory Level X-ray CTR Scattering 査読有り

    Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno, and M. Tabuchi

    Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.   33 巻   頁: 547-550   2008年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  67. Surface X-ray diffraction studies of CaF2(110)/Si(001) interface formation 査読有り

    T. Shimura, S.M. Suturin, N.S. Sokolov, A.G. Banshchikov, R.N. Kyutt, O. Sakata, J. Harada, M. Tabuchi, Y. Takeda

    {Acta Cryst.   A64 巻   頁: C556   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  68. *"Formation of patterned GaInAs/GaAs hetero-structures using amorphous arsenic mask" 査読有り

    Y. Noritake, T. Yamada, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    J. Cryst. Growth   301-302 巻   頁: 876-879   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  69. X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface 査読有り

    M. Tabuchi, A. Mori, Y. Ohtake, and Y. Takeda

    J. Phys.: Conference Series   83 巻   頁: 012031   2007年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    It has been successfully shown that X-ray CTR scattering measurement is a good tool to study the formation process of the InP/GaInAs interfaces grown by OMVPE even when the measurement is conducted after the growth. Using the X-ray CTR scattering measurement, the contributions of effects, i.e., surface roughness, adsorption of atoms, and exchange of
    atoms, on the formation process of InP/GaInAs interface were able to be discussed. The adsorption of As atoms on the GaInAs surface was shown to have the largest contribution on
    the abruptness of the interface.

  70. The importance to reveal buried interfaces in the semiconductor heterostructure devices 査読有り

    Y. Takeda, and M. Tabuchi

    J. Phys.: Conference Series   83 巻   頁: 012002   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  71. *"Atomic scale analysis of MOVPE grown heterostructures by X-ray crystal truncation rod scattering measurement" 査読有り

    M. Tabuchi, and Y. Takeda

    J. Cryst. Growth   298 巻   頁: 12-17   2007年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  72. "Measurement of Compositional Grading at InP/GaInAs/InP Hetero-interfaces by X-ray CTR Scattering Using Synchrotron Radiation" 査読有り

    Y. Ohtake, T. Eguchi, S. Miyake, W.S. Lee, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    AIP Conference Proceedings   879 巻   頁: 1619-1622   2007年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  73. "Analysis of In Distribution in GaInN/GaN Multilayer Structures by X-ray CTR Scattering" 査読有り

    M. Tabuchi, Y. Ohtake, and Y. Takeda

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   32 巻 ( 9 ) 頁: 219-222   2007年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  74. "Study on Buried Interfaces in Semiconductor Heterostructures by X-ray Reflectivity" 査読有り

    Y. Takeda, and M. Tabuchi

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   32 巻 ( 1 ) 頁: 187-192   2007年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  75. Structure and surface morphology of MnF2 epitaxial layers grown on grooved and ridged CaF2 (110) surface 査読有り

    R.N. Kyutt, A.K. Kaveev, N.S. Sokolov, A.A. Lomov, Y. Ohtake, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    J. Phys. D: Appl   40 巻   頁: 4896-4901   2007年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  76. "Fluorescence EXAFS study on local structures around Eu atoms implanted in AlxGa1-xN" 査読有り

    H. Ofuchi, T. Nishiwaki, K. Takaba, K. Ogawa, M. Tabuchi, Y. Takeda, A. Wakahara, A. Yoshida, T. Ohshima, and H. Itoe

    Physica B   376 巻   頁: 496-498   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  77. "Surface morphology of ErP layers on InP and Ga0.52In0.48P" 査読有り

    A. Koizumi, H. Ohnishi, T. Inoue, T. Yamauchi, I. Yamakawa, H. Ofuchi, M. Tabuchi, A. Nakamura, Y. Takeda

    Thin Solid Films   515 巻   頁: 543-546   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  78. "Perturbation method of analysis of crystal truncation rod data" 査読有り

    I. K. Robinson, M. Tabuchi, S. Hisadome, R. Oga, and Y. Takeda

    J. Appl. Cryst.   38 巻   頁: 299-305   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  79. "Lowest limit for detection of impurity concentration in semiconductors by fluorescence XAFS: resonant Raman scattering and angle depende 査読有り

    Y. Takeda, H. Ofuchi, H. Kyouzu, R. Takahashi and M. Tabuchi

    J. Synchrotron. Radiat.   12 巻   頁: 494-498   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  80. "Applications ofstatistical X-ray diffraction theory for characterisation of multilayer systems" 査読有り

    K.M. Pavlov, V.I. Punegov, L. Kirste, N. Herres, Y. Takeda, M. Tabuchi, M. Morgan, S. Mudie, and J. Hester

    Izvestiya Akademii Nauk. Seriya fizicheskaya.   68 巻   頁: 573-577   2004年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  81. "Collection of reciprocal space maps using imaging plates at the Australian National Beamline Facility at the Photon Factory" 査読有り

    S.T. Mudie, K.M. Pavlov, M.J. Morgan, J.R. Hester, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    J. Synchrotron Radiation   11 巻   頁: 406-413   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  82. "Crystalline structure and the role of low-temperature-deposited AlN and GaN on sapphire revealed by X-ray CTR scattering and X-ray reflectivity measurements" 査読有り

    Y. Takeda, M. Tabuchi, H. Amano, and I. Akasaki

    Surf. Rev. Lett.   10 巻   頁: 537-541   2003年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  83. "High-resolution X-ray diffractometry investigation of interface layers in GaN/AlN structures grown on sapphire substrates" 査読有り

    S. Mudie, K. Pavlov, M. Morgan, M. Tabuchi, Y. Takeda, and H. Hester

    Surf. Rev. Lett.   10 巻   頁: 513-517   2003年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  84. "Local structures around Er atoms doped in GaAs by low-temperature molecular beam exitaxy" 査読有り

    K. Ogawa, H. Ofuchi, H. Maki, T. Sonoyama, D. Inoue, M.Tabuchi, and Y. Takeda

    Materials Science in Semiconductor Processing   6 巻   頁: 425-427   2003年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  85. "Fluorescence EXAFS analysis for ErP grown on by organometallic vapor phase epitaxy using a new organometal Er(EtCp)3" 査読有り

    H. Ofuchi, T. Akane, S. Jinno, Y. Yang, N. Kuno, T. Hirata, M. Tabuchi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda

    Materials Science in Semiconductor Processing   6 巻   頁: 469-472   2003年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  86. "Composition dependences of InP/InGaAsP/InP interface structures analyzed by X-ray CTR scattering measurements" 査読有り

    M. Tabuchi, H. Kyouzu, M. Takemi, and Y. Takeda

    Appl. Surf. Sci   216 巻   頁: 526-531   2003年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  87. "Characterization of local structures around In atoms in GaInN layers by fluorescence EXAFS measurements" 査読有り

    M. Tabuchi, D. Katou, H. Kyouzu, Y. Takeda, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki

    J. Cryst. Growth   237-239 巻   頁: 1139-1142   2002年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  88. "Atomic scale characterization of GaInN/GaN layers grown on sapphire substrates with low-temperature deposited AlN buffer layers" 査読有り

    M. Tabuchi, H. Kyouzu, Y. Takeda, S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki

    J. Cryst. Growth   237-239 巻   頁: 1133-1138   2002年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  89. "X-ray CTR scattering and interference for atomic-scale characterization of semiconductor heterostructures" 査読有り

    Y. Takeda, and M. Tabuchi

    J. Cryst. Growth   237-239 巻   頁: 330-337   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  90. "Observation of composition in surface monolayers by X-ray scattering spectra caused by crystal truncation and interferences"

    Journal of Synchrotron Radiation   5 巻   頁: 899   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  91. "Determination of composition in InP/InGaAs/InP quantum-well structures by X-ray crystal truncation rod scattering and quantum levels"

    Journal of Crystal Growth   186 巻   頁: 48   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  92. "Thermal diffusion of Er atomsδ-doped in Inp"

    Applied Surface Science   130-132 巻   頁: 393   1998年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  93. "Crystal quality and surface structure of sapphire and buffer layers on sapphire revealed by crystal truncation rod scattering"

    Journal of Crystal Growth   189 巻 ( 190/ ) 頁: 291   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  94. EXAFS measurement on local structures around erbium atoms doped in GaAs with oxgen co-doping

    Defectin Semiconductors ICDS-19, Trans Tech Pub. LTD.     頁: 1571   1997年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  95. Fe/Cu多層構造中のFe原子周辺局所構造の蛍光EXAFS法による解析

    日本応用磁気学会誌   21 巻   頁: 82   1997年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  96. Distribution of As atoms in InP/InPAs(1ML)/InP heterostructures measured by X-ray CTR scattering

    Journal of Applied Physics   81 巻   頁: 112   1997年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  97. Occupation site and distribution of δ-doped Er in InP measured by X-ray CTR csattering

    Applied Surface Science   117 巻 ( 118/ ) 頁: 785   1997年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  98. Atomic configuration study of δ-doped Er in InP by fluorescence EXAFS

    Applied Surface Science   117 巻 ( 118/ ) 頁: 781   1997年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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講演・口頭発表等 55

  1. CT XAFS による価数の三次元可視化へのアプローチ:修正線形結合フィッティング 招待有り

    田渕雅夫

    X線分析研究懇談会  2020年9月18日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  2. Size-selected platinum nanocluster catalysts: catalystic activity for oxygen reduction reaction and structure characterization 国際会議

    K. Takahashi, H. Tsunoyama, A. Ohnuma, A. Velloth, M. Ehara, N. Ichikuni, M. Tabuchi, A. Nakajima

    Symposium on Size Selected Clusters  2020年2月 

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    開催年月日: 2020年2月

    記述言語:英語  

    開催地:Davos, Switzerland   国名:スイス連邦  

  3. AichiSR BL8S2 イメージング XAFS 測定システムの開発

    桜井郁也, 花田賢志, 永見哲夫, 田渕雅夫, 竹田普吾, 加藤弘泰

    第33回日本放射光学会/放射光科学合同シンポジウム 

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    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウィンク愛知, 名古屋   国名:日本国  

  4. AichiSR テンダーX 線ビームライン BL6N1 の最新状況

    陰地宏, 柴田佳孝, 須田耕平, 田渕雅夫, 渡辺義夫, 竹田美和

    第33回日本放射光学会/放射光科学合同シンポジウム 

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    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウィンク愛知, 名古屋   国名:日本国  

  5. あいちSR BL11S2 での LabVIEW と STARS の連携

    加藤弘泰, 竹田晋吾, 田渕雅夫, 竹田美和

    第33回日本放射光学会/放射光科学合同シンポジウム 

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    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウィンク愛知, 名古屋   国名:日本国  

  6. XAFS 測定用ペレット作製効率化のためのダンシングミルを用いた粉末の自動混合方法

    髙濵謙太朗, 廣友稔樹, 塚田千恵, 福岡修, 田渕雅夫

    第33回日本放射光学会/放射光科学合同シンポジウム 

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    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウィンク愛知, 名古屋   国名:日本国  

  7. MLCF法による2D/3D XAFSの計測時間短縮 招待有り

    田渕雅夫

    PF研究会「XAFS・X線顕微鏡分光分析分野でのIMSS, PF戦略的利用に関する研究会」 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:高エネルギー加速器研究所 小林ホール   国名:日本国  

  8. CT XAFSへのMLCF法の応用

    田渕雅夫, 桜井郁也, 花田賢志, 竹田晋吾, 加藤弘泰, 小野泰輔, 森下賢一, 永見哲夫

    第22回XAFS討論会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学   国名:日本国  

  9. LPSO構造形成過程におけるクラスター構造変化

    伊藤樹人, 近都康平, 奥田浩司, 田渕雅夫, 君塚肇, 山崎倫昭, 河村能人

    第22回XAFS討論会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:京都大学   国名:日本国  

  10. XAFS測定とFDMNESによる液中プラズマ法で作製した金ナノ粒子の分散要因の解明

    塚田千恵, 廣友稔樹, 髙濵謙太朗, 小川智史, 八木伸也, 田渕雅夫

    第22回XAFS討論会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:京都大学   国名:日本国  

  11. Elemental Characterization of the Periostracum in the Corbicula Clam Hatched in Lake Biwa 国際会議

    Water and Environment Technology Conference 2019 

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  12. 液中プラズマ法で作製した金ナノ粒子の水環境中における化学状態と局所構造

    塚田千恵, 廣友稔樹, 髙濱謙太朗, 小川智史, 八木伸也, 田渕雅夫

    第32回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  13. BL6N1 における二結晶分光器更新によるビーム性能向上及び最新整備状況

    村井崇章, 陰地宏, 柴田佳孝, 田渕雅夫, 渡辺義夫, 竹田美和

    第32回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  14. LPSO 構造形成過程におけるクラスター局所構造変化

    近都康平, 伊藤樹人, 杉野智裕, 奥田浩司, 田渕雅夫, 君塚肇, 山崎倫昭, 河村能人

    第32回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  15. マッピング XAFS 新規手法 MLCF 法を用いた NiMH 正極の反応分布可視化

    坂本廉, 田渕雅夫, 竹田晋吾, 小西俊輔, 鈴木俊正, 加藤真樹, 坂本弘之, 永見哲夫

    第59回電池討論会 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪府立国際会議場   国名:日本国  

  16. 琵琶湖産シジミの殻皮中の硫黄と鉄の化学状態分析

    竹本邦子, 馬場大哉, 吉村真史, 瀬川有香, 田渕雅夫, 渡辺義夫, 太田俊明

    日本陸水学会 

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    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡山大学   国名:日本国  

  17. Characterizations of the gold nanoparticle prepared by solution plasma method in CsCl aqueous solution by means of XAFS measurements 国際会議

    C. Tsukada, S. Ogawa, S. Yagi, M. Tabuchi

    17th International Conference on X-Ray Absorption Fine Structure 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Krakow, Poland   国名:ポーランド共和国  

  18. Modified linear combination fitting for large-area two dimensional chemical state mapping 国際会議

    M. Tabuchi, R. Sakamoto, S. Takeda, S. Konishi, T. Suzuki, and T. Nagami

    17th International Conference on X-Ray Absorption Fine Structure 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Krakow, Poland   国名:ポーランド共和国  

  19. CHARACTERIZATION AND THE PHYSICAL PROPERTIES OF MBE GROWN NdFeAsO THIN FILMS 国際会議

    The International Symposium on Superconductivity (ISS2009) 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  20. MBE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF NdFeAsO THIN FILMS 国際会議

    The International Symposium on Superconductivity (ISS2009) 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  21. High Brightness Electron Source Using Semiconductor Photocathodes with Negative Electron Affinity Surface for Pulse Electron Gun 国際会議

    The Twelfth Frontiers of Electron Microscopy in Materials Science(FEMMS2009) 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  22. *Fluorescence EXAFS study of residual Ga in β-FeSi2 grown from Ga solvent 国際会議

    The 14th International Conference on X-ray Absorption Fine Structure (XAFS14) 

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    開催年月日: 2009年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  23. *Influence of Growth Rate and Temperature on InP/GaInAs Interface Structure Analyzed by X-ray CTR Scattering Measurement 国際会議

    2009 Indium Posphide and Related Materials (IPRM2009) 

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    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  24. MOVPE reactor and X-ray CTR measurement system for GaN and related compounds

    8th Akasaki Research Center Symp. 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  25. Formation of patterned GaInAs/GaAs hetero-structures using amorphous arsenic mask in molecular-beam epitaxy 国際会議

    14th Inter. Conf. Thin Films and Reactive Sputter Deposition 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  26. Superlattice Photocathode With High Brightness And Long NEA-surface Lifetime 国際会議

    Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams(PESP2008) 

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    開催年月日: 2008年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  27. Surface X-ray diffraction studies of CaF2(110)/Si(001) interface formation, 国際会議

    XXI Congress and General Assembly of the International Union of Crystallography 

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  28. Co Epitaxial Nanoparticles on CaF2/Si(111): MBE Growth, GIXRD and X-ray Reflectometr 国際会議

    Meeting Booklet of International Conference on Surface X-ray and Neutron Scattering 

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    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  29. Atomic structure of CaF2(110)/Si(001) interface studied byby surface X-ray diffraction 国際会議

    10th International Conference on Surface X-ray and Neutron Scattering SXNS-10 

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    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  30. X-ray CTR scattering analysis of as accumulation on GaInAs surface and growth temperature effects 国際会議

    Indium Posphide and Related Materials 2008 

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    開催年月日: 2008年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  31. "X-ray CTR scattering measurements to reveal the effect of the growth interruption processes on the InP/InGaAs interface structures " 国際会議

    The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15) 

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  32. "Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE " 国際会議

    The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15) 

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  33. "Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering " 国際会議

    Indium Posphide and Related Materials 2007 (IPRM2007) 

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    開催年月日: 2007年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  34. " Analysis of In distribution in GaInN/GaN multilayer structures by X-ray CTR scattering"

    6th Akasaki Research Center Symp. 

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    開催年月日: 2006年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  35. " Formation of patterned GaInAs/GaAs hetero-structures using amorphous arsenic mask" 国際会議

    14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy 

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    開催年月日: 2006年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  36. "JAEA photocathode DC-gun for an ERL injector" 国際会議

    28th Inter. Free Electron Laser Conf. 

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  37. " Measurement of composition grading at InP/GaInAs/InP hetero-interfaces by X-ray CTR scattering using synchrotron radiation" 国際会議

    9 International conference on Synchrotron Radiation Instrumentation 

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語  

  38. " Atomic scale analysis of MOVPE grown heterostructures by X-ray crystal truncation rod scattering measurement" 国際会議

    13 International conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XIII) 

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  39. " Investigation of hetero-interfaces formed in InP/GaInAs/InP structures with different growth rates" 国際会議

    Indium Posphide and Related Materials 2006 (IPRM2006) 

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  40. " Challenge to analyze In distributions in GaInN/GaN multilayer structures at atomic-scale by X-ray CTR scattering measurement"

    5th Akasaki Research Center Symp. 

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    開催年月日: 2005年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  41. " Fluorescence EXAFS study on local structures around Eu atoms implanted in Al_xGa_1-xN" 国際会議

    The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS23) 

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    開催年月日: 2005年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  42. " Surface morphology of ErP layers on InP and GaInP" 国際会議

    13th International Conference on Thin Films/8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ICTF13/ACSIN8) 

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    開催年月日: 2005年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  43. " Realization of flat ErAs layers in GaAs/AlAs/ErAs/AlAs/GaAs RTD structure using an interface control layer" 国際会議

    13th International Conference on Thin Films/8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ICTF13/ACSIN8) 

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    開催年月日: 2005年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  44. " Realization of square quantum-well structure InP/GaInAs/InP by organometallic vapor phase epitaxy" 国際会議

    2005 Inter. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2005) 

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    開催年月日: 2005年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  45. " X-ray non-invasive characterization of GaN/GaInN/GaN quantum-well structures "

    4th Akasaki Research Center Symp. 

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    開催年月日: 2004年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  46. " How thin can we make square profiles in InP/GaInAs/InP wells by organometallic vapor phase epitaxy? --- X-ray CTR scattering measurements --- " 国際会議

    2004 Inter. Conf. Indium Phosphide and Related Materials 

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    開催年月日: 2004年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  47. " Control of group-III atoms distribution in thin quantum wells analyzed by X-ray CTR scattering measurement " 国際会議

    2004 Inter. Conf. Indium Phosphide and Related Materials 

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    開催年月日: 2004年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  48. "Coherent and diffuse scattering of synchrotronradiation by ultrathin InGaP and InGaAs layers" 国際会議

    Modern analysis methods of diffraction data (topography, diffractometry, electron microscopy)/ II International scientific Seminar 

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    開催年月日: 2004年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  49. "Synchrotron x-ray scattering from planar nanostructures " 国際会議

    Experiment and numerical modeling X-ray optics-2004 Conference 

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    開催年月日: 2004年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  50. " Investigation of InGaN nanostructures bymethods of synchrotron radiation " 国際会議

    Proceedings of “Nanosizesystems" Conference 

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    開催年月日: 2004年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  51. " Interface structures of OMVPE-grown GaAs/GaInP/GaAs studied by X-ray CTR scattering measurement" 国際会議

    2003 Inter. Conf. Indium Phosphede and Related Materials 

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    開催年月日: 2003年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  52. " Local structures around Er atoms doped in GaAs by low-temperature molecular beam epitaxy" 国際会議

    1st Int. Symp. Point Defect and Nonstoichiometry 2003 (ISPN 2003) 

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  53. " Fluorescence EXAFS analysis for ErP grown on InP by organometallic vapor phase epitaxy using a new organometal Er(EtCp)3 " 国際会議

    1st Int. Symp. Point Defect and Nonstoichiometry 2003 (ISPN 2003) 

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  54. " Composition dependences of InP/InGaAsP/InP interface structures analyzed by X-ray CTR scattering measurements "

    4th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces 

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    開催年月日: 2002年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  55. " High-resolution X-ray diffractometry investigation of interface layers in GaN/AlN structures grwon on sapphire substrates" 国際会議

    7th International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS) 

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    開催年月日: 2002年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 3

  1. モノづくり産業プラットフォームの形成

    2019年8月 - 2022年3月

    知の拠点あいち重点研究プロジェクト 

    田渕雅夫

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    資金種別:競争的資金

  2. XAFS測定に関連した技術開発

    2015年 - 現在

    企業からの受託研究 

  3. 半導体結晶成長評価のための新しい回折計の開発

    2008年 - 2009年

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    結晶成長その場観察に利用可能な、結晶を動かさないX線回折装置の開発。

科研費 4

  1. ダイヤモンド結晶中の遷移金属不純物と転位のインタラクション

    研究課題/研究課題番号:20K04573  2020年4月 - 2023年3月

    科学研究費助成事業  基盤研究(C)

    花田 賢志, 有元 圭介, 田渕 雅夫

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    担当区分:研究分担者 

    ダイヤモンドは物質中最高の熱伝導率,高いキャリア移動度など優れたデバイス特性を有し,エレクトロニクス応用が期待されている.大型ウェハ開発が進んでいるが,大型化に伴い,デバイス特性の劣化を引き起こす結晶欠陥の密度は増加する.産総研の大曲らは,結晶成長中の金属不純物添加により,貫通転位の伝搬を抑制する金属援用終端(MAT)法を提案した.MAT法は面積制約がなく,数um厚の結晶成長で転位伝搬を抑制できる.MAT法を用いて作製したショットキーバリアダイオードは,リーク電流の抑制と耐圧向上が確認された.一方,金属不純物と転位の相互作用は未解明であり,そのメカニズム解明は学術的・工学的に重要である.
    本研究では,金属援用終端法によるダイヤモンド単結晶の低転位密度化のメカニズム解明を目標に,ダイヤモンド中に添加されたタングステン金属不純物と転位との相互作用を解明することを目的としている.タングステン原子の局所微細構造・ドーパントサイトの評価,転位種別・分布の解析,歪み状態・分布の評価を行う.これらの解析結果をもとに,タングステン金属不純物による転位形態の変態機構をモデル化し,タングステン金属不純物と転位の相互作用について学術的に解明する.
    初年度(2020年度)は,高温高圧合成法により作製されたダイヤモンド単結晶基板上に,高温フィラメントを用いた化学気相成長法を用いて,タングステンをin-situドーピングしつつダイヤモンド単結晶膜を成長させた.作製したダイヤモンド単結晶膜試料の蛍光X線測定により,タングステンドープが確認された.ダイヤモンド単結晶中のタングステンの蛍光X線吸収微細構造(XAFS)スペクトルを取得し,得られたXAFSスペクトルの広域X線吸収微細構造(EXAFS)解析により,タングステン原子からの第1・第2・第3隣接原子間距離を見積もった.見積もられた隣接原子間距離とXAFSスペクトル解析をもとにダイヤモンド結晶構造中のタングステン原子の配置と局所微細構造の特定を進めている.タングステン原子のダイヤモンド結晶構造中の配置と局所微細構造は,転位との相関を明らかにする上で重要な情報となる.また,顕微ラマンマッピング・逆格子空間マッピング測定による,ダイヤモンド単結晶膜試料の歪み解析を進めている.タングステン不純物と転位との相互作用と歪み状態は深く関連していると考えられるため,歪み状態が明らかになれば,不純物と転位との相関の解明に近づく.2021年度は初年度に得られたXAFSスペクトルデータの解析をさらに進めるとともに,歪み解析と転位解析を進める予定である.
    タングステン金属を添加したダイヤモンド単結晶膜試料の蛍光X線吸収微細構造(XAFS)スペクトル解析により,タングステン原子の隣接原子間距離を見積もることができた.また,ダイヤモンド単結晶膜試料内の歪み解析を進めている.次年度は,XAFSスペクトルを用いた局所微細構造解析,および,歪み解析をさらに進めるとともに,転位解析を行う予定である.
    ダイヤモンド結晶構造中のタングステン金属原子の配置と局所微細構造の解析,ダイヤモンド結晶の歪み状態・分布の評価を進める.また,ダイヤモンド結晶中の転位の種別・分布の測定・解析を行う.これらの評価結果をもとに,タングステン金属添加による,ダイヤモンド結晶の転位構造の変態機構の解明にアプローチする.

  2. 実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源

    研究課題/研究課題番号:19H00666  2019年4月 - 2022年3月

    科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    西谷 智博, 目黒 多加志, 洗平 昌晃, 成田 哲博, 本田 善央, 石川 史太郎, 田渕 雅夫, 市川 修平, 保田 英洋, 七井 靖

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    担当区分:研究分担者 

    次世代の電子顕微鏡技術には、電子線損傷に敏感な試料だけでなく、液中など実環境下でその動態や反応へ観測機能を拡張させることが求められている。このような要求に応えるには、従来を遥かに超える電流密度と単色性だけでなく、既存技術にはない高密度電子パルス特性が電子源に必要不可欠である。本課題では、既存とは異なる電子放出原理の光電効果を利用し半導体から電子ビームを取り出す半導体フォトカソードに着目し、半導体の材料・構造・表面の追求と半導体フォトカソードに適した電子銃装置の研究開発により、電子顕微鏡の観測機能の拡張に適した低単色・高密度のパルス電子ビーム生成の実現を目指す。
    本研究では、電子線による損傷が制御され、ドリフトやブラウン運動が原因の像ブレを解消するだけでなく、ナノ秒領域までの試料の動態や反応の時間分解能までの観測を実現するため、2019年度の実施研究は設定した目標に対して、半導体材料とその表面処理方法の追究、および電子銃・電子顕微鏡の整備と共に液中試料セルの開発と試料・溶液の条件追究を次の通り行った。
    半導体材料の追及:開発を進めるInGaN半導体では、Mgドーピング量と量子効率の相関から高い量子効率が得られる表面層のMgドーピング量の最適値を見いだした。また、InGaN半導体、AlGaAs半導体共に0.1W/cm2以上の励起レーザーのパワー密度に対して量子効率が下がっていく現象を捉え、引き出し電荷を制限する半導体フォトカソード特有の課題を見いだした。表面処理方法の追究:昨年度のあいちSR、理科大での表面観測を通して得た高耐久化手法の実証として、フォトカソード温度を130-160度程度にし電子ビーム生成したところ室温に比べて、2倍長い耐久性能を持つことを明らかにした。また従来のYoYo法とは異なる表面活性化として活性化中の光電流増大を一様に行う手法により従来より高耐久が得られることを確認した。電子銃・電子顕微鏡整備・液中試料ホルダー:要件を満たすために電子銃と電子顕微鏡との間に縮小ビームオプティクス・ビームシフト・真空作動排気を兼ねた取り合い系の作成を行い、基本仕様の評価を行った。他方で独自開発した液中試料セルを用いた水溶液中の金コロイドのブラウン運動の観測に成功し、従来の直流電子ビームでは捉えられない動きを持つ液中試料の条件出しが完了した。
    理由
    本年度は、半導体、表面、電子銃・電子顕微鏡の整備、条件だし・最適化を遂行し、次に示す通り“最終目標に対する達成度90%”の予定をクリアした。
    半導体材料(達成度90%):(1) AlGaAs系、GaN系半導体の結晶成長作成条件である成長層の膜厚、組成およびp型濃度をパラメータとした半導体構造の結晶成長した(達成度100%)。(2) 作成した半導体の表面にセシウムを蒸着することで負電子親和力表面処理を施し、量子効率とその寿命測定を評価した(達成度100%)。(3)(2)で得られた実験結果を半導体構造設計へフィードバックし、①②を行程として、高い量子効率と速い応答性、高耐久を兼ねる半導体フォトカソードを実現する(達成度80%)。(4) (3)までの行程で有望と判定した半導体フォトカソード素子を名古屋大学所有の半導体フォトカソード電子銃を搭載した透過型電子顕微鏡による像観測により、可干渉性を評価する(達成度90%)。(5) (4)で得られた評価結果を、更に各半導体構造の設計へとフィードバックし、より可干渉性の良い電子ビーム発生に優れた半導体を作成する(達成度80%)。
    表面処理方法(達成度90%): (1) NEA表面処理過程、表面劣化状態について表面観測を行い(達成度100%)、(2) 高量子効率かつ高耐久な表面処理方法を見出し(達成度100%)、また(3) 励起パワー密度の量子効率依存性観測から実験的に表面構造・ポテンシャルモデルを見い出した(達成度70%)。
    電子銃・電子顕微鏡整備・液中試料セル(達成度90%):電子銃は電子ビームの縮小・シフトを行うビームオプティクスを製作・評価を行い(達成度70%)、名古屋大学および大阪大学所有の電子顕微鏡の設置およびカメラの整備が完了し(達成度100%)、液中の金ナノコロイドのブラウン運動の観測まで至った(達成度100%)。
    本研究の最終目的である“電子線による損傷が制御され、ドリフトやブラウン運動が原因の像ブレを解消し、ナノ秒領域までの試料の動態や反応の時間分解能までの観測の実現“に向けた推進策として、20年度見いだした新たな課題を解決する半導体フォトカソード開発と共に、19年度のから引き続き焦点を絞った目標達成を次の通り実施する。
    ・顕在化した新たな課題である半導体フォトカソードの引き出し電荷の励起パワー密度依存性の解決策として、半導体表面のポテンシャル構造に着目した半導体を作成・評価する。
    ・A)~C)に対応した実験が可能な電子銃と電子顕微鏡の整備と観測を進める:A)電界放出型電子源と同等の単色性と1000倍以上の高い電流引出し(>1mA)。B)凍結試料を想定したドリフト(~10nm/s)に対しては1ミリ秒、液中試料のブラウン運動(~10μm/s)に対しては100ナノ秒以下の速い撮像が必要のため、パルス幅は100ナノ~1ミリ秒の範囲で調整可能であること。C)パルス繰返し周波数は最小1パルス生成から100マイクロ秒以下の間隔で生成し、かつ検出器やカメラと同期が可能であること。

  3. 結晶成長その場観察を可能とするX線回折測定装置の開発

    2011年4月 - 2014年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(B)

    田渕雅夫

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    担当区分:研究代表者 

  4. 半導体結晶成長その場観察のためのX線散乱測定装置の開発

    2007年

    科学研究費補助金  基盤研究(B)(一般),課題番号:19360006

    田渕 雅夫

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    担当区分:研究代表者 

 

担当経験のある科目 (本学) 13

  1. 物質科学特別講義

    2021

  2. 物理工学特別講義

    2021

  3. 物理工学セミナー

    2021

  4. 電磁気学Ⅱ

    2011

  5. 電磁気学II

    2011

  6. ベンチャービジネス特論I

    2011

  7. 最先端理工学実験

    2011

  8. 最先端理工学特論

    2011

  9. 半導体材料学

    2011

  10. ナノデバイス特論

    2010

  11. 最先端理工学特論

    2010

  12. ベンチャービジネス特論I

    2010

  13. 最先端理工学実験

    2010

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社会貢献活動 10

  1. XAFS夏の学校

    役割:講師

    日本XAFS研究会  2021年9月

  2. 結晶工学スクール

    役割:講師, 企画

    応用物理学会 結晶工学分科会  2021年8月

  3. 2020年度XAFS入門講習会

    役割:講師, 運営参加・支援

    名古屋大学シンクロトロン光研究センター  2020年12月

  4. 結晶工学スクール

    役割:講師, 企画, 運営参加・支援

    応用物理学会 結晶工学分科会主催  2020年9月

  5. 茨城県、人材育成事業 研修/応用コース 放射光実習

    役割:講師

    茨城県人材育成事業  2020年1月

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    対象: 研究者, 行政機関

    種別:出前授業

  6. シンクロトン光利用者研究会(EXAFS解析講習会)

    役割:講師

    愛知県、科学技術交流財団、大学連合(名古屋大学)主催  2019年10月

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    対象: 大学院生, 研究者, 企業

    種別:出前授業

  7. 第22回XAFS討論会 ナイトセッション「XAFSビームラインの現状紹介」

    役割:講師, 情報提供

    第22回XAFS討論  2019年9月

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    対象: 大学院生, 研究者, 学術団体

    種別:講演会

  8. 2019年度シンクロトン光利用者研究会(入門講習会)

    役割:講師

    愛知県、科学技術交流財団、大学連合(名古屋大学)主催  2019年6月

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    対象: 大学院生, 研究者, 企業

    種別:講演会

  9. 結晶工学スクール

    役割:講師

    応用物理学会 結晶工学分科会  2002年 - 現在

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    対象: 大学院生, 研究者, 企業

    種別:講演会

  10. 2021年度XAFS解析講習会

    役割:講師

    名古屋大学シンクロトロン光研究センター、あいちシンクロトロン光センター 

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メディア報道 1

  1. PF研究会「XAFS・X線顕微鏡分光分析分野でのIMSS, PF戦略的利用に関する研究会」

    高エネルギー加速器研究所  2019年12月

学術貢献活動 3

  1. 放射光共同利用実験審査委員会委員

    役割:審査・評価, 査読

    高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所  2014年 - 現在

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    種別:審査・学術的助言 

  2. XAFS討論会 論文委員

    役割:審査・評価

    日本XAFS研究会  2009年 - 現在

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    種別:審査・学術的助言 

  3. 利用研究課題選定委員会レフリー

    役割:査読

    (財)高輝度光科学研究センター  2003年 - 現在

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    種別:査読等