2024/10/04 更新

写真a

タブチ マサオ
田渕 雅夫
TABUCHI, Masao
所属
シンクロトロン光研究センター シンクロトロン光利用研究部門 教授
大学院担当
大学院工学研究科
職名
教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 工学博士 ( 名古屋大学 ) 

研究キーワード 5

  1. 材料評価技術

  2. 半導体結晶成長

  3. 物質科学

  4. XAFS計測

  5. 放射光応用計測

研究分野 4

  1. その他 / その他  / 応用物性・結晶工学

  2. その他 / その他  / 電子材料

  3. その他 / その他  / 放射光応用計測

  4. ナノテク・材料 / 結晶工学

現在の研究課題とSDGs 4

  1. 放射光を用いた蛍光EXAFS法による半導体微細構造の解析

  2. 放射光を用いたIII-V族化合物半導体界面構造のX線CTR散乱による解析

  3. 放射光を用いた材料計測に関する研究

  4. 放射光を用いたXAFS計測の高度化

経歴 10

  1. 名古屋大学   シンクロトロン光研究センター シンクロトロン光利用研究部門   教授

    2016年4月 - 現在

  2. 名古屋大学   工学研究科物質科学専攻   教授

    2021年 - 現在

  3. 名古屋大学   工学部物理工学科   教授

    2021年 - 現在

  4. 名古屋大学   シンクロトロン光研究センター   特任教授

    2011年8月 - 2016年3月

  5. 名古屋大学准教授(大学院工学研究科)

    2007年4月

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    国名:日本国

  6. 名古屋大学助教授(大学院工学研究科)

    2004年4月 - 2007年3月

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    国名:日本国

  7. 名古屋大学助教授(工学部)

    2003年4月 - 2004年3月

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    国名:日本国

  8. 名古屋大学講師(大学院工学研究科)

    2000年4月 - 2003年3月

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    国名:日本国

  9. 名古屋大学講師(工学部)

    1997年1月 - 2000年3月

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    国名:日本国

  10. 名古屋大学助手(工学部)

    1992年4月 - 1996年12月

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    国名:日本国

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学歴 2

  1. 京都大学   工学研究科   電気工学

    - 1992年

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    国名: 日本国

  2. 京都大学   工学部   電気工学

    - 1987年

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    国名: 日本国

所属学協会 4

  1. 日本結晶成長学会

  2. 日本放射光学会

  3. 応用物理学会

  4. 日本XAFS研究会

委員歴 39

  1. 応用物理学   論文賞審査委員  

    2021年 - 現在   

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    団体区分:学協会

  2. あいちSR   成果公開無償利用事業課題審査委員会  

    2021年   

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    団体区分:その他

  3. 佐賀LS   他機関BL評価委員会評価委員  

    2021年   

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    団体区分:その他

  4. 日本結晶成長学会   理事  

    2016年4月 - 2019年3月   

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    団体区分:学協会

  5. InPと関連材料国際会議論文委員会   委員  

    2016年   

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    団体区分:学協会

  6. 高エネルギー加速器研究機構 放射光減ビーム利用検討委員会   委員  

    2016年   

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    団体区分:学協会

  7. 高エネルギー加速器研究機構 放射光減ビームライン検討委員会   分野とりまとめ  

    2016年   

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    団体区分:学協会

  8. 高エネルギー加速器研究機構 放射光源運営形態検討委員会   委員  

    2016年   

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    団体区分:学協会

  9. XAFS討論会実行委員会   実行委員長  

    2016年   

  10. 高エネルギー加速器研究機構放射光共同利用実験審査委員会   委員, 分科会委員長(2017.4~)  

    2015年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  11. 応用物理学会代議員   委員  

    2014年2月 - 2018年1月   

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    団体区分:学協会

  12. 日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム論文委員会   委員  

    2014年 - 2015年   

  13. 国際結晶学会マイクロシンポジウム   Co-Chair  

    2014年   

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    団体区分:学協会

  14. 日本XAFS研究会光源検討委員会   委員  

    2013年 - 2017年   

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    団体区分:学協会

  15. 化合物半導体国際会議論文委員会   委員  

    2013年   

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    団体区分:学協会

  16. 日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム実行委員会   委員  

    2013年   

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    団体区分:学協会

  17. 高エネルギー加速器研究機構 Photon Factory User Association運営委員会   委員  

    2012年 - 現在   

  18. 電子材料シンポジウム実行委員会   委員  

    2012年 - 2013年   

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    団体区分:学協会

  19. MBE国際会議論文委員会   委員  

    2012年   

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    団体区分:学協会

  20. 国際結晶学会コミッション   XAFS分野委員  

    2011年 - 2017年   

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    団体区分:学協会

  21. PFシンポジウム運営委員   委員  

    2010年   

  22. 高輝度光科学研究センター利用研究課題選定委員会   査読委員  

    2009年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  23. XAFS討論会論文委員   委員  

    2009年 - 現在   

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    団体区分:学協会

    2016年は委員長

  24. 日本XAFS研究会   XAFS討論会プログラム委員  

    2009年 - 現在   

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    団体区分:学協会

  25. 日本XAFS研究会   XAFS討論会論文委員  

    2009年 - 現在   

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    団体区分:学協会

  26. 応用物理学会 結晶工学分科会   幹事、副幹事長(2018, 2019)、幹事長(2020-)  

    2008年 - 現在   

  27. InPと関連材料国際会議実行委員会   委員  

    2007年   

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    団体区分:学協会

  28. PF懇談会運営委員会   委員  

    2006年 - 2011年   

  29. PFシンポジウム運営委員   委員  

    2006年   

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    団体区分:学協会

  30. 日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム実行委員会   委員  

    2006年   

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    団体区分:学協会

  31. PF XAFSユーザーグループ   代表  

    2005年 - 現在   

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    団体区分:学協会

  32. 高輝度光科学研究センター利用研究課題選定委員会   査読委員  

    2003年4月 - 2006年3月   

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    団体区分:学協会

  33. 第5回窒化物半導体国際会議実行委員会   委員  

    2003年   

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    団体区分:学協会

  34. 高エネルギー加速器研究機構放射光共同利用実験審査委員会   査読委員  

    2001年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  35. 高エネルギー加速器研究機構放射光共同利用実験審査委員会   委員  

    2001年4月 - 2005年3月   

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    団体区分:学協会

  36. 超小型放射光源とその産業応用に関する研究会   委員  

    2000年4月 - 2002年3月   

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    団体区分:自治体

  37. 窒化物半導体国際ワークショップ現地実行委員会   委員  

    2000年   

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    団体区分:学協会

  38. XAFS討論会実行委員   委員  

    2000年   

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    団体区分:学協会

  39. 日本金属学会・日本鉄鋼協会秋季講演大会現地実行委員会   委員  

    2000年   

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    団体区分:学協会

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論文 103

  1. Structures of Se chains encapsulated in single-walled carbon nanotubes

    Ikemoto, H; Fujimori, T; Miyanaga, T; Kawaguchi, R; Urita, K; Tabuchi, M

    JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS   185 巻   2024年2月

  2. Nanoclusters in stacking faults in Mg-Y-Zn alloys examined by small-angle X-ray scattering and extended X-ray absorption fine structure analysis

    Okuda, H; Kintsu, K; Kurokawa, S; Tabuchi, M; Nitani, H; Kimizuka, H; Inoue, S; Yamasaki, M; Kawamura, Y

    ACTA MATERIALIA   253 巻   2023年7月

  3. 高フライアッシュ含有シリカフュームセメントの低アルカリ性からの最適配合に関する検討 査読有り

    新杉匡史, 人見尚, 渡辺義夫, 田渕雅夫

    セメント・コンクリート論文集   76 巻 ( 1 ) 頁: 570 - 575   2023年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  4. Spectroscopic studies for identifying the chemical states of the periostracum of the<i> Corbicula</i> species in Lake Biwa

    Takemoto, K; Murakami, M; Tabuchi, M; Ohta, T

    JOURNAL OF STRUCTURAL BIOLOGY   215 巻 ( 1 )   2023年3月

  5. Spectroscopic studies for identifying the chemical states of the periostracum of the Corbicula species in Lake Biwa 査読有り

    K. Takemoto, M. Murakami, M. Tabuchi, T. Ohta,

    J. Structural Biology   215 巻 ( 1 ) 頁: 107944   2023年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  6. Enhanced oxygen reduction activity of size-selected platinum subnanocluster catalysts: Pt<sub><i>n</i></sub> (<i>n</i>=3-9)

    Ohnuma, A; Takahashi, K; Tsunoyama, H; Inoue, T; Zhao, P; Velloth, A; Ehara, M; Ichikuni, N; Tabuchi, M; Nakajima, A

    CATALYSIS SCIENCE & TECHNOLOGY   12 巻 ( 5 ) 頁: 1400 - 1407   2022年3月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1039/d1cy00573a

    Web of Science

  7. Enhanced oxygen reduction activity of platinum subnanocluster catalysts through charge redistribution 招待有り 国際共著

    Hironori Tsunoyama, Akira Ohnuma, Koki Takahashi, Archana Velloth, Masahiro Ehara, Nobuyuki Ichikuni, Masao Tabuchi, Atsushi Nakajima

    Toyota Boshoku Technical Review   16 巻   頁: 30 - 35   2022年

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    記述言語:英語   掲載種別:論文集(書籍)内論文  

  8. Controllable CaF<sub>2</sub> Nanosized Stripe Arrays on Si(001) Studied by X-ray and Electron Diffraction

    Suturin, SM; Fedorov, VV; Korovin, AM; Valkovskiy, GA; Tabuchi, M; Sokolov, NS

    SURFACES   4 巻 ( 2 ) 頁: 97 - 105   2021年6月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    DOI: 10.3390/surfaces4020012

    Web of Science

  9. AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency

    Morita, I; Ishikawa, F; Honda, A; Sato, D; Koizumi, A; Nishitani, T; Tabuchi, M

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abd6e0

    Web of Science

  10. CT XAFS による価数の三次元可視化へのアプローチ : 修正線型結合フィッティング 招待有り 査読有り

    田渕雅夫

    X線分析研究の進歩   52 巻   頁: 15 - 23   2021年3月

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    担当区分:筆頭著者, 最終著者  

  11. Correlation between crystal structure and magnetism in PLD grown epitaxial films of ε-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub> on GaN

    Suturin, SM; Korovin, AM; Sitnikova, AA; Kirilenko, DA; Volkov, MP; Dvortsova, PA; Ukleev, VA; Tabuchi, M; Sokolov, NS

    SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS   22 巻 ( 1 ) 頁: 85 - 99   2021年2月

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  12. Correlation between crystal structure and magnetism in PLD grown epitaxial films of ε-Fe2O3 on GaN 査読有り

    S. Suturin, A. Korovin, A. Sitnikova, D. Kirilenko, M. Volkov, P. Dvortsova, V. Ukleev, M. Tabuchi, N. Sokolov

    Sci. Tech. Adv. Mat.   22 巻   頁: 85 - 99   2021年

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  13. AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency 招待有り 査読有り

    I. Morita, F. Ishikawa, A. Honda, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, M. Tabuchi

    Jpn. J. Appl. Phys.   60 巻   頁: SBBK02   2021年

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    担当区分:最終著者  

  14. Modified linear combination fitting for large-area two-dimensional chemical state mapping

    Tabuchi, M; Sakamoto, R; Takeda, S; Konishi, S; Suzuki, T; Nagami, T

    RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY   175 巻   2020年10月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1016/j.radphyschem.2019.04.007

    Web of Science

  15. Chemical State Analysis of the Periostracum in the Corbicula Clam Hatched in Lake Biwa 査読有り

    Kuniko Takemoto, Kei Mitsuhara, Masao Tabuchi, Yuka Segawa, Daiya Bamba, Toshiaki Ohta

    J. Water and Environment Technology   18 巻 ( 1 ) 頁: 62-69   2020年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  16. Enhanced oxygen reduction activity of platinum subnanocluster catalysts through charge redistribution

    Tsunoyama, H; Ohnuma, A; Takahashi, K; Velloth, A; Ehara, M; Ichikuni, N; Tabuchi, M; Nakajima, A

    CHEMICAL COMMUNICATIONS   55 巻 ( 84 ) 頁: 12603 - 12606   2019年10月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c9cc06327g

    Web of Science

    PubMed

  17. Modified linear combination fitting for large-area two-dimensional chemical state mapping 査読有り

    Masao Tabuchi, Ren Sakamoto, Shingo Takeda, Shunsuke Konishi, Toshimasa Suzuki, Tetsuo Nagami

    Radiation Physics and Chemistry     頁: 108257 (web)   2019年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  18. Tunable polymorphism of epitaxial iron oxides in the four-in-one ferroic-on-GaN system with magnetically ordered α-, γ-, ε-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, and Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub> layers

    Suturin, SM; Korovin, AM; Gastev, SV; Volkov, MP; Sitnikova, AA; Kirilenko, DA; Tabuchi, M; Sokolov, NS

    PHYSICAL REVIEW MATERIALS   2 巻 ( 7 )   2018年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.2.073403

    Web of Science

  19. Laser MBE-grown CoFeB epitaxial layers on MgO: Surface morphology, crystal structure, and magnetic properties

    Kaveev, AK; Bursian, VE; Krichevtsov, BB; Mashkov, KV; Suturin, SM; Volkov, MP; Tabuchi, M; Sokolov, NS

    PHYSICAL REVIEW MATERIALS   2 巻 ( 1 )   2018年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.2.014411

    Web of Science

  20. Laser MBE-grown CoFeB epitaxial layers on MgO: Surface morphology, crystal structure, and magnetic properties 査読有り

    A.K. Kaveev, V.E. Bursian, B.B. Krichevtsov, K.V. Mashkov, S.M. Suturin, M.P. Volkov, M. Tabuchi, and N.S. Sokolov

    Phys. Rev. Materials     頁: 014411   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  21. Tunable polymorphism of epitaxial iron oxides in the four-in-one ferroic-on-GaN system with magnetically ordered α-, γ-, ɛ−Fe2O3, and Fe3O4 layers 査読有り

        頁: 073403   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  22. Role of threading dislocations in strain relaxation during GaInN growth monitored by real-time X-ray reflectivity

    Ju, GX; Tabuchi, M; Takeda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   110 巻 ( 26 )   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4990687

    Web of Science

  23. Epitaxial Ni nanoparticles on CaF<sub>2</sub>(001), (110) and (111) surfaces studied by three-dimensional RHEED, GIXD and GISAXS reciprocal-space mapping techniques

    Suturin, SM; Fedorov, VV; Korovin, AM; Sokolov, NS; Nashchekin, AV; Tabuchi, M

    JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY   50 巻   頁: 830 - 839   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1107/S160057671700512X

    Web of Science

  24. Magnetization reversal in YIG/GGG(111) nanoheterostructures grown by laser molecular beam epitaxy

    Krichevtsov, BB; Gastev, SV; Suturin, SM; Fedorov, VV; Korovin, AM; Bursian, VE; Banshchikov, AG; Volkov, MP; Tabuchi, M; Sokolov, NS

    SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS   18 巻 ( 1 ) 頁: 351 - 363   2017年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/14686996.2017.1316422

    Web of Science

    PubMed

  25. Translocation of 133Cs administered to Cryptomeria japonica wood 査読有り

    D. Aoki, R. Asai, R. Tomioka, Y. Matsushita, H. Asakura, M. Tabuchi, K. Fukushima

    Science of The Total Environment   584-585 巻   頁: 88-95   2017年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  26. Translocation of <SUP>133</SUP>Cs administered to <i>Cryptomeria japonica</i> wood

    Aoki, D; Asai, R; Tomioka, R; Matsushita, Y; Asakura, H; Tabuchi, M; Fukushima, K

    SCIENCE OF THE TOTAL ENVIRONMENT   584 巻   頁: 88 - 95   2017年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.scitotenv.2017.01.159

    Web of Science

    PubMed

  27. Magnetization reversal in YIG/GGG(111) nanoheterostructures grown by laser molecular beam epitaxy 査読有り

    B.B. Krichevtsov, S.V. Gastev, S.M. Suturin, V.V. Fedorov, A.M. Korovin, V.E. Bursian, A.G. Banshchikov, M.P. Volkov, M. Tabuchi, and N.S. Sokolov

    Science and Technology of Advanced Materials     頁: 1-27   2017年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  28. Protein crystallography beamline BL2S1 at the Aichi synchrotron

    Watanabe, N; Nagae, T; Yamada, Y; Tomita, A; Matsugaki, N; Tabuchi, M

    JOURNAL OF SYNCHROTRON RADIATION   24 巻   頁: 338 - 343   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1107/S1600577516018579

    Web of Science

    PubMed

  29. Thin yttrium iron garnet films grown by pulsed laser deposition: Crystal structure, static, and dynamic magnetic properties 査読有り

    N.S. Sokolov, V.V. Fedorov, A.M. Korovin, S.M. Suturin, D.A. Baranov, S.V. Gastev, B.B. Krichevtsov, K.Yu. Maksimova, A.I. Grunin, V.E. Bursian, L.V. Lutsev, M. Tabuchi

    J. Appl. Phys.   119 巻   頁: 023903   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  30. Hard X-ray XAFS beamline, BL5S1, at AichiSR 査読有り

    M. Tabuchi, H. Asakura, H. Morimoto1 N. Watanabe, and Y. Takeda

    Journal of Physics: Conference Series   712 巻   頁: 012027   2016年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  31. An advanced three-dimensional RHEED mapping approach to the diffraction study of Co/MnF2/CaF2/Si(001) epitaxial heterostructures 査読有り

    S. M. Suturin, A. M. Korovin, V. V. Fedorov, G. A. Valkovsky, M. Tabuchi and N. S. Sokolov

    J. Appl. Cryst.   49 巻   頁: 1532-1543   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  32. Anomalous structural behavior in the metamagnetic transition of FeRh thin films from a local viewpoint 査読有り

    Y. Wakisaka, Y. Uemura, T. Yokoyama, H. Asakura, H. Morimoto, M. Tabuchi, D. Ohshima, T. Kato, and S. Iwata

    Phys. Rev. B   92 巻   頁: 184408   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  33. Photocathode electron beam sources using GaN and InGaN with NEA surface 査読有り

    T. Nishitani, T. Maekawa, M. Tabuchi, T. Meguro, Y. Honda, H. Amano

    SPIE Proceedings   9363 巻   頁: 10.1117/12.2076681   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  34. Nanoclusters first: a hierarchical phase transformation in a novel Mg alloy 査読有り

    H. Okuda, M. Yamasaki, Y. Kawamura, M. Tabuchi, H. Kimizuka

    Sci Rep.   5 巻   頁: 14186   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  35. Epitaxial layers of nickel fluoride on Si(111): Growth and stabilization of the orthorhombic phase 査読有り

    A.G. Banshchikov, I.V. Golosovskii, A.V. Krupin, K.V. Koshmak, N.S. Sokolov, Yu.P. Chernenkov, M.A. Yagovkina, V.P. Ulin, M. Tabuchi

    Low-Dim. Sys. Phys. Solid State   57 巻   頁: 1647-1652   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  36. Continuous in situ X-ray reflectivity investigation on epitaxial growth of InGaN by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Guangxu Ju, Shingo Fuchi, Masao Tabuchi, Hiroshi Amano, Yoshikazu Takeda

    Journal of Crystal Growth   407 巻   頁: 6873   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  37. In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Guangxu Ju, Yoshio Honda, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Amano

    J. Appl. Phys.   115 巻   頁: 094906   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  38. Photoemission lifetime of a negative electron affinity gallium nitride photocathode 査読有り

    T. Nishitani, M. Tabuchi, H. Amano, T. Maekawa, M. Kuwahara, and T. Meguro

    J. Vac. Sci. Technol. B   32 巻   頁: 06F901   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  39. Mean transverse energy and response time measurements of GaInP based photocathodes 査読有り

    Xiuguang Jin, Masahiro Yamamoto, Tsukasa Miyajima, Yosuke Honda, Takashi Uchiyama, Masao Tabuchi, and Yoshikazu Takeda

    Journal of Applied Physics   116 巻   頁: 064501   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  40. X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Guangxu Ju, Yoshihiro Kato, Yoshio Honda, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Amano

    Physica State Solidi C   11 巻   頁: 393-396   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  41. The strain effect on the superconducting properties of BaFe2(As, P)2 thin films grown by molecular beam epitaxy 査読有り

    T Kawaguchi, A Sakagami, Y Mori, M Tabuchi, T Ujihara, Y Takeda, and H Ikuta

    Supercond. Sci. Technol.   27 巻   頁: 065005   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  42. Analysis of Cs/GaAs NEA surface by XAFS 査読有り

    K. Tsubota, M. Tabuchi, T. Nishitani, A. Era, Y. Takeda

    J. Phys.: Conf. Ser.   430 巻   頁: 012079   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  43. Critical current density and grain boundary property of BaFe2(As,P)2 thin films 査読有り

    A. Sakagami, T. Kawaguchi, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, H. Ikuta

    Physica C   494 巻   頁: 181-184   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  44. In situ X-ray reflectivity of indium supplied on GaN templates by metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

    G. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    J. Appl. Phys.   114 巻   頁: 124906   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  45. Proximity effects and exchange bias in Co/MnF2(111) heterostructures studied by x-ray magnetic circular dichroism 査読有り

    S. Suturin, V. Fedorov, A. Banshchikov, D. Baranov, K. Koshmak, P. Torelli, J. Fujii, G. Panaccione, K. Amemiya, M. Sakamaki, T. Nakamura, M. Tabuchi, L. Pasquali, N. Sokolov

    J. Phys.: Condens. Matter   25 巻   頁: 046002   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  46. In-situ X-ray measurements of MOVPE growth of InGaN single quantum wells 査読有り

    G. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda

    J. Cryst. Growth   370 巻   頁: 36-41   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  47. In situ X-ray Reflectivity Measurements on Annealed InxGa1-xN Epilayer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Guangxu Ju, Shingo Fuchi, Masao Tabuchi, and Yoshikazu Takeda

    Jpn. J. Appl. Phys.   52 巻   頁: 08JB12   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  48. Substrate dependence of the superconducting properties of NdFeAs(O,F) thin films

    H. Uemura, T. Kawaguchi, T. Ohno, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, H. Ikuta

    Solid State Communications   152 巻   頁: 735-739   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  49. Composition fluctuations in InP/GaInAs/InP heterostructures -- X-ray CTR scattering and cross-sectional STM measurement

    Y. Takeda, M. Masuda, M. Tabuchi, and A. Nakamura

    IOP Conf. Ser.   24 巻   頁: 012004   2011年

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    記述言語:英語  

  50. X-ray characterization of GaN and related materials at growth temperatures -- system design and measurements

    Y. Takeda, K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, T. Mizuno, S. Fuchi, and M. Tabuchi

    IOP Conf. Ser.   24 巻   頁: 012003   2011年

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    記述言語:英語  

  51. Evaluation of newly developed X-ray diffractometer equipped with Johansson monochromator

    M. Tabuchi, H. Tameoka, T. Kawase, and Y. Takeda

    IOP Conf. Ser.   24 巻   頁: 012007   2011年

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    記述言語:英語  

  52. Initial Stages of High-Temperature CaF2/Si(001) Epitaxial Growth Studied by Surface X-Ray Diffraction

    S. Suturin, N. Sokolov, A. Banshchikov, R. Kyutt, O. Sakata, T. Shimura, J. Harada, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    J. Nanoscience and Nanotechnology   11 巻 ( 4 ) 頁: 2990-2996   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  53. Molecular Beam Epitaxy Growth of Superconducting NdFeAs(O,F) Thin Films Using a F-Getter and a Novel F-Doping Method

    T. Kawaguchi, H. Uemura, T. Ohno, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, and H. Ikuta

    Appl. Phys. Express   4 巻   頁: 083102   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  54. A study of an electron affinity of cesium telluride thin film

    H. Sugiyama, K. Ogawa, J. Azuma, K. Takahashi, M. Kamada, T. NishitaniM. Tabuchi, T. Motoki, K. Takashima, A. Era, and Y. Takeda,,

    Journal of Physics:ConferenceSeries   298 巻   頁: 012014   2011年

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    記述言語:英語  

  55. Superlattice Photocathode for High Brightness and Long NEA-surface lifetime

    T. Nishitani, M. Tabuchi, K. Motoki, T. Takashima, A. Era, and Y. Takeda

    Journal of Physics:ConferenceSeries   298 巻   頁: 012010   2011年

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    記述言語:英語  

  56. A study on EXAFS analysis of Cs/GaAs NEA surface

    A. Era, M. Tabuchi, T. Nishitani, and Y. Takeda

    Journal of Physics:ConferenceSeries   298 巻   頁: 012012   2011年

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    記述言語:英語  

  57. X-ray characterization at growth temperatures of InxGa1-xN growth by MOVPE

    G. Ju , K. Ninoi, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    Journal of Crystal Growth   318 巻   頁: 1143-1146   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  58. Novel system for X-ray CTR scattering measurement on in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures

    K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    Journal of Crystal Growth   318 巻   頁: 1139-1142   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  59. Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator 査読有り

    H. Tameoka, T. Kawase, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    Physica Status Solidi C   8 巻 ( 2 ) 頁: 294-296   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  60. Ga and As composition profiles in InP/GaInAs/InP heterostructures -- x-ray CTR scattering and cross-sectional STM measurements

    Y. Takeda, M. Tabuchi, and A. Nakamura

    J. Phys.: Cond. Mat.   22 巻   頁: 474011   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  61. In situ growth of superconducting NdFeAs(O,F) thin films by molecular beam epitaxy 査読有り

    T. Kawaguchi, H. Uemura1, T. Ohno, M. Tabuchi, T. Ujihara, K. Takenaka, Y. Takeda, and H. Ikuta

    Appl. Phys. Lett.   97 巻   頁: 042509   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  62. High-Brightness Spin-Polarized Electron Source Using Semiconductor Photocathodes 査読有り

    Tomohiro Nishitani, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, Yuji Suzuki, Kazuya Motoki, and Takashi Meguro

      48 巻   頁: 06FF02-1-3   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  63. Measurement of X-ray CTR Signals from GaN/GaInN/GaN at High Temperatures Using Newly Developed Measurement System, 査読有り

    Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, K. Ninoi, and M. Tabuchi

    Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.   34 巻   頁: 585-588   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  64. Superlattice Photocathode with High Brightness and Long NEA-Surface Lifetime 査読有り

    Tomohiro Nishitani, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, Yuji Suzuki, Kazuya Motoki, and Takashi Meguro,

    AIP Conf. Proc.   1149 巻   頁: 1047-1051   2009年

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    記述言語:英語  

  65. Study on Accumulation process of As atoms in InP/GaInAs/InP hetero-structures, 査読有り

    M. Tabuchi, A. Mori, H. Tameoka, K. Fujii, and Y. Takeda

    Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.   34 巻   頁: 593-595   2009年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  66. *Development of New X-ray CTR Scattering Measurement System Using Johansson Monochromator 査読有り

    M. Tabuchi, H. Tameoka, T. Kawase, and Y. Takeda

    Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.   34 巻   頁: 589-591   2009年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    A new X-ray CTR scattering measurement system was reported that was equipped with a Johansson monocromator to focus X-rays at a sample position. Using the focused X-rays and a two-dimensional detector, X-ray CTR scattering measurement was able to be carried out without moving any component of the measurement system. The results of the X-ray CTR scattering measurement using the new system successfully demonstrated that the CTR scattering profiles were comparable to that measured at PF using synchrotron radiation even when the measurement time was 10 minutes or longer. The results suggested that the new measurement system is useful for quick and in-situ X-ray CTR scattering measurements.

  67. Fluorescence EXAFS study of residual Ga in b-FeSi2 grownfrom Ga solvent 査読有り

    H. Yamada, M. Tabuchi, Y. Takeda, and H. Udono

    J. Phys., Conf. Ser.   190 巻   頁: 012069   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  68. Effect of Ln-site disorder on Tc of oxypnictide superconductor LnFeAsOF (Ln=Nd, Cd-Gd, and La-Dy) 査読有り

    Koshi Takenaka, Ryotaro Watanabe, Hiroomi Yamada, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Ikuta

    J. Phys. Soc. Jpn.   78 巻   頁: 073701-1-4   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  69. Epitaxial Growth of NdFeAsO Thin Films by Molecular Beam Epitaxy 査読有り

    Takahiko Kawaguchi, Hiroki Uemura, Toshiya Ohno, Ryotaro Watanabe, Masao Tabuchi, Toru Ujihara, Koshi Takenaka, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Ikuta

    Applied Physics Express   2 巻   頁: 093002   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  70. X-ray CTR scattering measurements using conventional X-ray source to study semiconductor hetero-interfaces 査読有り

    Y. Maeda, T. Mizuno, A. Mori, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.   33 巻   頁: 591-594   2008年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  71. Buried Heterostructure of Nitride Semiconductors Revealed by Laboratory Level X-ray CTR Scattering 査読有り

    Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno, and M. Tabuchi

    Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.   33 巻   頁: 547-550   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  72. Surface X-ray diffraction studies of CaF2(110)/Si(001) interface formation 査読有り

    T. Shimura, S.M. Suturin, N.S. Sokolov, A.G. Banshchikov, R.N. Kyutt, O. Sakata, J. Harada, M. Tabuchi, Y. Takeda

    {Acta Cryst.   A64 巻   頁: C556   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  73. *"Formation of patterned GaInAs/GaAs hetero-structures using amorphous arsenic mask" 査読有り

    Y. Noritake, T. Yamada, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    J. Cryst. Growth   301-302 巻   頁: 876-879   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  74. X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface 査読有り

    M. Tabuchi, A. Mori, Y. Ohtake, and Y. Takeda

    J. Phys.: Conference Series   83 巻   頁: 012031   2007年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    It has been successfully shown that X-ray CTR scattering measurement is a good tool to study the formation process of the InP/GaInAs interfaces grown by OMVPE even when the measurement is conducted after the growth. Using the X-ray CTR scattering measurement, the contributions of effects, i.e., surface roughness, adsorption of atoms, and exchange of
    atoms, on the formation process of InP/GaInAs interface were able to be discussed. The adsorption of As atoms on the GaInAs surface was shown to have the largest contribution on
    the abruptness of the interface.

  75. The importance to reveal buried interfaces in the semiconductor heterostructure devices 査読有り

    Y. Takeda, and M. Tabuchi

    J. Phys.: Conference Series   83 巻   頁: 012002   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  76. *"Atomic scale analysis of MOVPE grown heterostructures by X-ray crystal truncation rod scattering measurement" 査読有り

    M. Tabuchi, and Y. Takeda

    J. Cryst. Growth   298 巻   頁: 12-17   2007年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  77. "Measurement of Compositional Grading at InP/GaInAs/InP Hetero-interfaces by X-ray CTR Scattering Using Synchrotron Radiation" 査読有り

    Y. Ohtake, T. Eguchi, S. Miyake, W.S. Lee, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    AIP Conference Proceedings   879 巻   頁: 1619-1622   2007年

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    記述言語:英語  

  78. "Analysis of In Distribution in GaInN/GaN Multilayer Structures by X-ray CTR Scattering" 査読有り

    M. Tabuchi, Y. Ohtake, and Y. Takeda

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   32 巻 ( 9 ) 頁: 219-222   2007年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  79. "Study on Buried Interfaces in Semiconductor Heterostructures by X-ray Reflectivity" 査読有り

    Y. Takeda, and M. Tabuchi

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   32 巻 ( 1 ) 頁: 187-192   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  80. Structure and surface morphology of MnF2 epitaxial layers grown on grooved and ridged CaF2 (110) surface 査読有り

    R.N. Kyutt, A.K. Kaveev, N.S. Sokolov, A.A. Lomov, Y. Ohtake, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    J. Phys. D: Appl   40 巻   頁: 4896-4901   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  81. "Fluorescence EXAFS study on local structures around Eu atoms implanted in AlxGa1-xN" 査読有り

    H. Ofuchi, T. Nishiwaki, K. Takaba, K. Ogawa, M. Tabuchi, Y. Takeda, A. Wakahara, A. Yoshida, T. Ohshima, and H. Itoe

    Physica B   376 巻   頁: 496-498   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  82. "Surface morphology of ErP layers on InP and Ga0.52In0.48P" 査読有り

    A. Koizumi, H. Ohnishi, T. Inoue, T. Yamauchi, I. Yamakawa, H. Ofuchi, M. Tabuchi, A. Nakamura, Y. Takeda

    Thin Solid Films   515 巻   頁: 543-546   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  83. "Perturbation method of analysis of crystal truncation rod data" 査読有り

    I. K. Robinson, M. Tabuchi, S. Hisadome, R. Oga, and Y. Takeda

    J. Appl. Cryst.   38 巻   頁: 299-305   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  84. "Lowest limit for detection of impurity concentration in semiconductors by fluorescence XAFS: resonant Raman scattering and angle depende 査読有り

    Y. Takeda, H. Ofuchi, H. Kyouzu, R. Takahashi and M. Tabuchi

    J. Synchrotron. Radiat.   12 巻   頁: 494-498   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  85. "Applications ofstatistical X-ray diffraction theory for characterisation of multilayer systems" 査読有り

    K.M. Pavlov, V.I. Punegov, L. Kirste, N. Herres, Y. Takeda, M. Tabuchi, M. Morgan, S. Mudie, and J. Hester

    Izvestiya Akademii Nauk. Seriya fizicheskaya.   68 巻   頁: 573-577   2004年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  86. "Collection of reciprocal space maps using imaging plates at the Australian National Beamline Facility at the Photon Factory" 査読有り

    S.T. Mudie, K.M. Pavlov, M.J. Morgan, J.R. Hester, M. Tabuchi, and Y. Takeda

    J. Synchrotron Radiation   11 巻   頁: 406-413   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  87. "Crystalline structure and the role of low-temperature-deposited AlN and GaN on sapphire revealed by X-ray CTR scattering and X-ray reflectivity measurements" 査読有り

    Y. Takeda, M. Tabuchi, H. Amano, and I. Akasaki

    Surf. Rev. Lett.   10 巻   頁: 537-541   2003年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  88. "High-resolution X-ray diffractometry investigation of interface layers in GaN/AlN structures grown on sapphire substrates" 査読有り

    S. Mudie, K. Pavlov, M. Morgan, M. Tabuchi, Y. Takeda, and H. Hester

    Surf. Rev. Lett.   10 巻   頁: 513-517   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  89. "Local structures around Er atoms doped in GaAs by low-temperature molecular beam exitaxy" 査読有り

    K. Ogawa, H. Ofuchi, H. Maki, T. Sonoyama, D. Inoue, M.Tabuchi, and Y. Takeda

    Materials Science in Semiconductor Processing   6 巻   頁: 425-427   2003年

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    記述言語:英語  

  90. "Fluorescence EXAFS analysis for ErP grown on by organometallic vapor phase epitaxy using a new organometal Er(EtCp)3" 査読有り

    H. Ofuchi, T. Akane, S. Jinno, Y. Yang, N. Kuno, T. Hirata, M. Tabuchi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda

    Materials Science in Semiconductor Processing   6 巻   頁: 469-472   2003年

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    記述言語:英語  

  91. "Composition dependences of InP/InGaAsP/InP interface structures analyzed by X-ray CTR scattering measurements" 査読有り

    M. Tabuchi, H. Kyouzu, M. Takemi, and Y. Takeda

    Appl. Surf. Sci   216 巻   頁: 526-531   2003年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  92. "Atomic scale characterization of GaInN/GaN layers grown on sapphire substrates with low-temperature deposited AlN buffer layers" 査読有り

    M. Tabuchi, H. Kyouzu, Y. Takeda, S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki

    J. Cryst. Growth   237-239 巻   頁: 1133-1138   2002年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  93. "X-ray CTR scattering and interference for atomic-scale characterization of semiconductor heterostructures" 査読有り

    Y. Takeda, and M. Tabuchi

    J. Cryst. Growth   237-239 巻   頁: 330-337   2002年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  94. "Characterization of local structures around In atoms in GaInN layers by fluorescence EXAFS measurements" 査読有り

    M. Tabuchi, D. Katou, H. Kyouzu, Y. Takeda, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki

    J. Cryst. Growth   237-239 巻   頁: 1139-1142   2002年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  95. "Observation of composition in surface monolayers by X-ray scattering spectra caused by crystal truncation and interferences"

    Journal of Synchrotron Radiation   5 巻   頁: 899   1998年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  96. "Determination of composition in InP/InGaAs/InP quantum-well structures by X-ray crystal truncation rod scattering and quantum levels"

    Journal of Crystal Growth   186 巻   頁: 48   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  97. "Thermal diffusion of Er atomsδ-doped in Inp"

    Applied Surface Science   130-132 巻   頁: 393   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  98. "Crystal quality and surface structure of sapphire and buffer layers on sapphire revealed by crystal truncation rod scattering"

    Journal of Crystal Growth   189 巻 ( 190/ ) 頁: 291   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  99. Fe/Cu多層構造中のFe原子周辺局所構造の蛍光EXAFS法による解析

    日本応用磁気学会誌   21 巻   頁: 82   1997年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  100. Distribution of As atoms in InP/InPAs(1ML)/InP heterostructures measured by X-ray CTR scattering

    Journal of Applied Physics   81 巻   頁: 112   1997年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  101. Occupation site and distribution of δ-doped Er in InP measured by X-ray CTR csattering

    Applied Surface Science   117 巻 ( 118/ ) 頁: 785   1997年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  102. Atomic configuration study of δ-doped Er in InP by fluorescence EXAFS

    Applied Surface Science   117 巻 ( 118/ ) 頁: 781   1997年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  103. EXAFS measurement on local structures around erbium atoms doped in GaAs with oxgen co-doping

    Defectin Semiconductors ICDS-19, Trans Tech Pub. LTD.     頁: 1571   1997年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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講演・口頭発表等 79

  1. MDR XAFS DBの現状と展望

    石井真史, 松本崇博, 稲田康宏, 木村正雄, 田渕雅夫, 小林英一, 朝倉清高

    第37回日本放射光学会放射光科学合同シンポジウム  2024年1月11日 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクリエひめじ   国名:日本国  

  2. 蛍光X線イメージ測定系による蛍光2次元X線分光測定の試み

    鈴木啓斗, 田渕雅夫

    第37回日本放射光学会放射光科学合同シンポジウム  2024年1月11日 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:アクリエひめじ   国名:日本国  

  3. 0時間化学状態分析システム実現のための多波長X線透過像同時撮像系の構築

    岩井由宇賀, 田渕雅夫, 森下賢一, 小野泰輔

    第37回日本放射光学会放射光科学合同シンポジウム  2024年1月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:アクリエひめじ   国名:日本国  

  4. XAFSスペクトル品質チェックシステムの構築

    城戸大貴, 斉藤耕太郎, 田渕雅夫, 丹羽尉博, 仁谷浩明, 阿部仁, 木村正雄

    第37回日本放射光学会放射光科学合同シンポジウム  2024年1月11日 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:日本語  

    開催地:アクリエひめじ   国名:日本国  

  5. CT-XAFS解析で見られる構造の真偽性と判断方法の検討

    林韵立, 田渕雅夫

    第37回日本放射光学会放射光科学合同シンポジウム  2024年1月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:アクリエひめじ   国名:日本国  

  6. Integration of XAFS databases to accelerate data-driven materials research 国際会議

    M. Ishii, T. Matsumoto, Y. Inada, M. Kimura, M. Tabuchi, E. Kobayashi, K. Asakura

    NRM2023/IUMRS-ICA2023 Grand Meeting  2023年12月11日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto, Japan  

  7. Integration of XAFS databases to accelerate data-driven materials research 国際会議

    M. Ishii, T. Matsumoto, Y. Inada, M. Kimura, M. Tabuchi, E. Kobayashi, K. Asakura

    MRM2023/IUMRS-ICA2023 Grand Meeting  2023年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地: Kyoto, Japan   国名:日本国  

  8. 統合XAFSデータベースとその触媒研究への展開

    朝倉清高, 石井真史, 松本崇博, 稲田康宏, 田渕雅夫, 木村正雄, 小林英一

    触媒討論会  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  9. 蛍光法2次元X線吸収分光測定を実現する蛍光X線イメージング測定系の開発

    鈴木啓斗、田渕雅夫

    XAFS討論会  2023年9月5日  日本XAFS研究会

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:立命館大学   国名:日本国  

  10. XAFSデータベースの環境整備 招待有り

    木村正雄, 石井真史, 松本崇博, 田渕雅夫, 小林英一, 稲田康宏, 朝倉清高

    XAFS討論会  2023年9月5日  日本XAFS研究会

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:立命館大学   国名:日本国  

  11. 統合型XAFSデータベースプレヒストリ 招待有り

    朝倉清高,石井真史,松本崇博,田渕雅夫,小林英一, 稲田康宏, 木村正雄

    XAFS討論会  2023年9月5日  日本XAFS研究会

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:立命館大学   国名:日本国  

  12. イメージングXAFSにおけるスペクトルの歪の検出

    鈴木凌介、田渕雅夫

    XAFS討論会  2023年9月5日  日本XAFS研究会

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:立命館大学   国名:日本国  

  13. 0時間化学状態分析システム実現のための多波長X線透過像同時撮像系の構築

    岩井由宇賀、田渕雅夫

    XAFS討論会  2023年9月5日  日本XAFS研究会

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:立命館大学   国名:日本国  

  14. 金属箔の試料配置とXAFSスペクトルの関係

    須田耕平、加藤弘泰、野本豊和、廣友稔樹、田渕雅夫、國枝秀世

    XAFS討論会  2023年9月5日  日本XAFS研究会

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:立命館大学   国名:日本国  

  15. 電子収量法での観察深さの検討

    田渕雅夫、原碧生、柴山茂久、中塚理

    XAFS討論会  2023年9月6日  日本XAFS研究会

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:立命館大学   国名:日本国  

  16. Characterization of the Iron Metallome of Corbicula Species in Lake Biwa

    K. Takemoto, M. Murakami, M. Tabuchi, D. Bamba, T Ohta

    Goldschmidt2023  2023年7月9日 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Lyon Congress Center, Lyon, France  

  17. Characterization of the Iron Metallome of Corbicula Species in Lake Biwa 国際会議

    K. Takemoto, M. Murakami, M. Tabuchi, D. Bamba, T. Ohta

    Goldschmidt conference 2023  2023年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  18. 分光法によるシジミの殻の色を決める因子の解明

    竹本邦子, 村上昌孝, 田渕雅夫, 馬場大哉, 太田俊明

    日本貝類学会  2023年6月 

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    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  19. Imaging of Fluorescence X-rays with Multilayer Optics 国際会議

    H. Kunieda, T. Okajima, M. Tabuchi, Y. Takeda

    XOPT2023(Inter. Conf. X-ray Optics and Applications)  2023年4月  XOPT2023

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年4月

    記述言語:英語  

    開催地:Minato-Mirai, Yokohama, Japan   国名:日本国  

  20. シジミの貝殻の色を決定する殻皮の分光学的手法による分析

    竹本邦子, 村上昌孝, 田渕雅夫, 馬場大哉, 太田俊明

    第57回日本水環境学会年会  2023年3月15日 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学   国名:日本国  

  21. XAFS法による琵琶湖産シジミの殻中の黒色物質の同定

    竹本邦子、田渕雅夫、太田俊明

    放射光学会  2023年1月7日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:立命館大学   国名:日本国  

  22. Imaging of Fluorescence X-rays with Multilayer Optics 国際会議

    H. Kunieda, T. Okajima, M. Tabuchi, Y. Takeda

    AO-SRI 2022 (Asia-Oceania Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation 2022)  2022年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tohoku University, Sendai, Japan   国名:日本国  

  23. ノンコリニア磁気抵抗効果による磁気スキルミオンの電気的検出

    森一将, 強博文, 深澤健留, 羽尻哲也, 伊藤考寛, 田渕雅夫, 浅野秀文

    第83回 応用物理学会 秋季学術講演会  2022年9月21日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学川内北キャンパス   国名:日本国  

  24. 高フライアッシュ含有シリカフュームセメントの低アルカリ性からの最適配合に関する基礎的検討

    新杉匡史, 人見尚, 渡辺義夫, 田渕雅夫

    第76回セメント技術大会  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:日本語  

    開催地:赤坂インターシティコンファレンス   国名:日本国  

  25. CT XAFS による価数の三次元可視化へのアプローチ:修正線形結合フィッティング 招待有り

    田渕雅夫

    X線分析研究懇談会  2020年9月18日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  26. Size-selected platinum nanocluster catalysts: catalystic activity for oxygen reduction reaction and structure characterization 国際会議

    K. Takahashi, H. Tsunoyama, A. Ohnuma, A. Velloth, M. Ehara, N. Ichikuni, M. Tabuchi, A. Nakajima

    Symposium on Size Selected Clusters  2020年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年2月

    記述言語:英語  

    開催地:Davos, Switzerland   国名:スイス連邦  

  27. AichiSR BL8S2 イメージング XAFS 測定システムの開発

    桜井郁也, 花田賢志, 永見哲夫, 田渕雅夫, 竹田普吾, 加藤弘泰

    第33回日本放射光学会/放射光科学合同シンポジウム 

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    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウィンク愛知, 名古屋   国名:日本国  

  28. AichiSR テンダーX 線ビームライン BL6N1 の最新状況

    陰地宏, 柴田佳孝, 須田耕平, 田渕雅夫, 渡辺義夫, 竹田美和

    第33回日本放射光学会/放射光科学合同シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウィンク愛知, 名古屋   国名:日本国  

  29. あいちSR BL11S2 での LabVIEW と STARS の連携

    加藤弘泰, 竹田晋吾, 田渕雅夫, 竹田美和

    第33回日本放射光学会/放射光科学合同シンポジウム 

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    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウィンク愛知, 名古屋   国名:日本国  

  30. XAFS 測定用ペレット作製効率化のためのダンシングミルを用いた粉末の自動混合方法

    髙濵謙太朗, 廣友稔樹, 塚田千恵, 福岡修, 田渕雅夫

    第33回日本放射光学会/放射光科学合同シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウィンク愛知, 名古屋   国名:日本国  

  31. MLCF法による2D/3D XAFSの計測時間短縮 招待有り

    田渕雅夫

    PF研究会「XAFS・X線顕微鏡分光分析分野でのIMSS, PF戦略的利用に関する研究会」 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:高エネルギー加速器研究所 小林ホール   国名:日本国  

  32. CT XAFSへのMLCF法の応用

    田渕雅夫, 桜井郁也, 花田賢志, 竹田晋吾, 加藤弘泰, 小野泰輔, 森下賢一, 永見哲夫

    第22回XAFS討論会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学   国名:日本国  

  33. LPSO構造形成過程におけるクラスター構造変化

    伊藤樹人, 近都康平, 奥田浩司, 田渕雅夫, 君塚肇, 山崎倫昭, 河村能人

    第22回XAFS討論会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:京都大学   国名:日本国  

  34. XAFS測定とFDMNESによる液中プラズマ法で作製した金ナノ粒子の分散要因の解明

    塚田千恵, 廣友稔樹, 髙濵謙太朗, 小川智史, 八木伸也, 田渕雅夫

    第22回XAFS討論会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:京都大学   国名:日本国  

  35. Elemental Characterization of the Periostracum in the Corbicula Clam Hatched in Lake Biwa 国際会議

    Water and Environment Technology Conference 2019 

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  36. 液中プラズマ法で作製した金ナノ粒子の水環境中における化学状態と局所構造

    塚田千恵, 廣友稔樹, 髙濱謙太朗, 小川智史, 八木伸也, 田渕雅夫

    第32回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  37. BL6N1 における二結晶分光器更新によるビーム性能向上及び最新整備状況

    村井崇章, 陰地宏, 柴田佳孝, 田渕雅夫, 渡辺義夫, 竹田美和

    第32回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  38. LPSO 構造形成過程におけるクラスター局所構造変化

    近都康平, 伊藤樹人, 杉野智裕, 奥田浩司, 田渕雅夫, 君塚肇, 山崎倫昭, 河村能人

    第32回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  39. マッピング XAFS 新規手法 MLCF 法を用いた NiMH 正極の反応分布可視化

    坂本廉, 田渕雅夫, 竹田晋吾, 小西俊輔, 鈴木俊正, 加藤真樹, 坂本弘之, 永見哲夫

    第59回電池討論会 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪府立国際会議場   国名:日本国  

  40. 琵琶湖産シジミの殻皮中の硫黄と鉄の化学状態分析

    竹本邦子, 馬場大哉, 吉村真史, 瀬川有香, 田渕雅夫, 渡辺義夫, 太田俊明

    日本陸水学会 

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    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡山大学   国名:日本国  

  41. Characterizations of the gold nanoparticle prepared by solution plasma method in CsCl aqueous solution by means of XAFS measurements 国際会議

    C. Tsukada, S. Ogawa, S. Yagi, M. Tabuchi

    17th International Conference on X-Ray Absorption Fine Structure 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Krakow, Poland   国名:ポーランド共和国  

  42. Modified linear combination fitting for large-area two dimensional chemical state mapping 国際会議

    M. Tabuchi, R. Sakamoto, S. Takeda, S. Konishi, T. Suzuki, and T. Nagami

    17th International Conference on X-Ray Absorption Fine Structure 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Krakow, Poland   国名:ポーランド共和国  

  43. CHARACTERIZATION AND THE PHYSICAL PROPERTIES OF MBE GROWN NdFeAsO THIN FILMS 国際会議

    The International Symposium on Superconductivity (ISS2009) 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  44. MBE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF NdFeAsO THIN FILMS 国際会議

    The International Symposium on Superconductivity (ISS2009) 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  45. High Brightness Electron Source Using Semiconductor Photocathodes with Negative Electron Affinity Surface for Pulse Electron Gun 国際会議

    The Twelfth Frontiers of Electron Microscopy in Materials Science(FEMMS2009) 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  46. *Fluorescence EXAFS study of residual Ga in β-FeSi2 grown from Ga solvent 国際会議

    The 14th International Conference on X-ray Absorption Fine Structure (XAFS14) 

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    開催年月日: 2009年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  47. *Influence of Growth Rate and Temperature on InP/GaInAs Interface Structure Analyzed by X-ray CTR Scattering Measurement 国際会議

    2009 Indium Posphide and Related Materials (IPRM2009) 

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    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  48. MOVPE reactor and X-ray CTR measurement system for GaN and related compounds

    8th Akasaki Research Center Symp. 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  49. Formation of patterned GaInAs/GaAs hetero-structures using amorphous arsenic mask in molecular-beam epitaxy 国際会議

    14th Inter. Conf. Thin Films and Reactive Sputter Deposition 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  50. Superlattice Photocathode With High Brightness And Long NEA-surface Lifetime 国際会議

    Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams(PESP2008) 

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    開催年月日: 2008年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  51. Surface X-ray diffraction studies of CaF2(110)/Si(001) interface formation, 国際会議

    XXI Congress and General Assembly of the International Union of Crystallography 

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  52. Co Epitaxial Nanoparticles on CaF2/Si(111): MBE Growth, GIXRD and X-ray Reflectometr 国際会議

    Meeting Booklet of International Conference on Surface X-ray and Neutron Scattering 

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    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  53. Atomic structure of CaF2(110)/Si(001) interface studied byby surface X-ray diffraction 国際会議

    10th International Conference on Surface X-ray and Neutron Scattering SXNS-10 

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    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  54. X-ray CTR scattering analysis of as accumulation on GaInAs surface and growth temperature effects 国際会議

    Indium Posphide and Related Materials 2008 

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    開催年月日: 2008年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  55. "X-ray CTR scattering measurements to reveal the effect of the growth interruption processes on the InP/InGaAs interface structures " 国際会議

    The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15) 

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  56. "Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE " 国際会議

    The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  57. "Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering " 国際会議

    Indium Posphide and Related Materials 2007 (IPRM2007) 

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    開催年月日: 2007年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  58. " Analysis of In distribution in GaInN/GaN multilayer structures by X-ray CTR scattering"

    6th Akasaki Research Center Symp. 

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    開催年月日: 2006年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  59. " Formation of patterned GaInAs/GaAs hetero-structures using amorphous arsenic mask" 国際会議

    14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy 

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    開催年月日: 2006年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  60. "JAEA photocathode DC-gun for an ERL injector" 国際会議

    28th Inter. Free Electron Laser Conf. 

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  61. " Measurement of composition grading at InP/GaInAs/InP hetero-interfaces by X-ray CTR scattering using synchrotron radiation" 国際会議

    9 International conference on Synchrotron Radiation Instrumentation 

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語  

  62. " Atomic scale analysis of MOVPE grown heterostructures by X-ray crystal truncation rod scattering measurement" 国際会議

    13 International conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XIII) 

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  63. " Investigation of hetero-interfaces formed in InP/GaInAs/InP structures with different growth rates" 国際会議

    Indium Posphide and Related Materials 2006 (IPRM2006) 

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  64. " Challenge to analyze In distributions in GaInN/GaN multilayer structures at atomic-scale by X-ray CTR scattering measurement"

    5th Akasaki Research Center Symp. 

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    開催年月日: 2005年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  65. " Fluorescence EXAFS study on local structures around Eu atoms implanted in Al_xGa_1-xN" 国際会議

    The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS23) 

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    開催年月日: 2005年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  66. " Surface morphology of ErP layers on InP and GaInP" 国際会議

    13th International Conference on Thin Films/8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ICTF13/ACSIN8) 

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    開催年月日: 2005年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  67. " Realization of flat ErAs layers in GaAs/AlAs/ErAs/AlAs/GaAs RTD structure using an interface control layer" 国際会議

    13th International Conference on Thin Films/8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ICTF13/ACSIN8) 

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    開催年月日: 2005年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  68. " Realization of square quantum-well structure InP/GaInAs/InP by organometallic vapor phase epitaxy" 国際会議

    2005 Inter. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2005) 

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    開催年月日: 2005年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  69. " X-ray non-invasive characterization of GaN/GaInN/GaN quantum-well structures "

    4th Akasaki Research Center Symp. 

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    開催年月日: 2004年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  70. " How thin can we make square profiles in InP/GaInAs/InP wells by organometallic vapor phase epitaxy? --- X-ray CTR scattering measurements --- " 国際会議

    2004 Inter. Conf. Indium Phosphide and Related Materials 

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    開催年月日: 2004年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  71. " Control of group-III atoms distribution in thin quantum wells analyzed by X-ray CTR scattering measurement " 国際会議

    2004 Inter. Conf. Indium Phosphide and Related Materials 

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    開催年月日: 2004年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  72. "Coherent and diffuse scattering of synchrotronradiation by ultrathin InGaP and InGaAs layers" 国際会議

    Modern analysis methods of diffraction data (topography, diffractometry, electron microscopy)/ II International scientific Seminar 

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    開催年月日: 2004年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  73. "Synchrotron x-ray scattering from planar nanostructures " 国際会議

    Experiment and numerical modeling X-ray optics-2004 Conference 

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    開催年月日: 2004年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  74. " Investigation of InGaN nanostructures bymethods of synchrotron radiation " 国際会議

    Proceedings of “Nanosizesystems" Conference 

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    開催年月日: 2004年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  75. " Interface structures of OMVPE-grown GaAs/GaInP/GaAs studied by X-ray CTR scattering measurement" 国際会議

    2003 Inter. Conf. Indium Phosphede and Related Materials 

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    開催年月日: 2003年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  76. " Local structures around Er atoms doped in GaAs by low-temperature molecular beam epitaxy" 国際会議

    1st Int. Symp. Point Defect and Nonstoichiometry 2003 (ISPN 2003) 

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  77. " Fluorescence EXAFS analysis for ErP grown on InP by organometallic vapor phase epitaxy using a new organometal Er(EtCp)3 " 国際会議

    1st Int. Symp. Point Defect and Nonstoichiometry 2003 (ISPN 2003) 

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  78. " Composition dependences of InP/InGaAsP/InP interface structures analyzed by X-ray CTR scattering measurements "

    4th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces 

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    開催年月日: 2002年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  79. " High-resolution X-ray diffractometry investigation of interface layers in GaN/AlN structures grwon on sapphire substrates" 国際会議

    7th International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS) 

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    開催年月日: 2002年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 4

  1. モノづくり産業プラットフォームの形成

    2022年8月 - 2025年3月

    知の拠点あいち重点研究プロジェクト 

    田渕雅夫

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  2. モノづくり産業プラットフォームの形成

    2019年8月 - 2022年3月

    知の拠点あいち重点研究プロジェクト 

    田渕雅夫

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    資金種別:競争的資金

  3. XAFS測定に関連した技術開発

    2015年 - 現在

    企業からの受託研究 

  4. 半導体結晶成長評価のための新しい回折計の開発

    2008年 - 2009年

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    結晶成長その場観察に利用可能な、結晶を動かさないX線回折装置の開発。

科研費 4

  1. ダイヤモンド結晶中の遷移金属不純物と転位のインタラクション

    研究課題/研究課題番号:20K04573  2020年4月 - 2024年3月

    科学研究費助成事業  基盤研究(C)

    花田 賢志, 有元 圭介, 田渕 雅夫

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    担当区分:研究分担者 

    ダイヤモンドは物質中最高の熱伝導率,高いキャリア移動度など優れたデバイス特性を有し,エレクトロニクス応用が期待されている.大型ウェハ開発が進んでいるが,大型化に伴い,デバイス特性の劣化を引き起こす結晶欠陥の密度は増加する.産総研の大曲らは,結晶成長中の金属不純物添加により,貫通転位の伝搬を抑制する金属援用終端(MAT)法を提案した.MAT法は面積制約がなく,数um厚の結晶成長で転位伝搬を抑制できる.MAT法を用いて作製したショットキーバリアダイオードは,リーク電流の抑制と耐圧向上が確認された.一方,金属不純物と転位の相互作用は未解明であり,そのメカニズム解明は学術的・工学的に重要である.
    本研究では、金属援用終端法によるダイヤモンド単結晶の低転位密度化のメカニズム解明を目標に、ダイヤモンド中に添加されたタングステン金属と転位との相互作用を解明することを目的としている。タングステン原子の局所微細構造・ドーパントサイトの評価、転位種別・分布の解析、歪み状態・分布の評価を行う。これらの解析結果をもとに、タングステン金属不純物による転位形態の変態機構をモデル化し、タングステン金属不純物と転位の相互作用について学術的に解明することを目的としている。
    2020年度は、高温高圧合成法により作製されたダイヤモンド単結晶基板上に、化学気相成長法を用いて、タングステンをin-situドーピングしつつダイヤモンド単結晶を成長させた。作製した試料の蛍光X線測定により、タングステンドープが確認された。ダイヤモンド単結晶中のタングステンの蛍光X線吸収微細構造(XAFS)スペクトルを取得し、得られたXAFSスペクトルの広域X線吸収微細構造(EXAFS)解析により、タングステン原子からの第1・第2・第3隣接原子間距離を見積もった。タングステン原子のダイヤモンド結晶構造中の局所微細構造は、転位との相関を明らかにする上で重要な情報となる。
    2021年度に、タングステン添加ダイヤモンド単結晶膜試料の歪み・転位測定、顕微ラマンマッピング測定、逆格子空間マッピング測定を行った。
    2022年度は状態の異なる複数のタングステン添加ダイヤモンド単結晶膜試料を作製し、蛍光X線吸収微細構造(XAFS)測定を行った。放射光施設実験装置の故障により予定していた転位・歪み測定を行うことができなかった。今後、複数試料のXAFSスペクトルを用いた局所微細構造解析を進めるとともに、前年度で実行できなかった転位・歪み測定解析を行う予定である。
    放射光実験装置の故障により、転位・歪み測定ができなかったため研究がやや遅れている。2022年度はタングステン金属を添加したダイヤモンド単結晶膜試料の蛍光X線吸収微細構造(XAFS)等の測定・解析を進めた。2023年度は、複数試料のXAFSスペクトルを用いた局所微細構造解析を進めるとともに、前年度で実行できなかった転位・歪み測定解析を行う予定である。
    ダイヤモンド結晶構造中のタングステン金属原子不純物・歪み・転位の関連性を考察するために、複数の異なる試料をもとに実験を行い微細構造情報・転位情報・歪み情報を取得していき解析を行う。解析結果をもとに、タングステン金属添加による、ダイヤモンド結晶の転位構造の変態機構の解明にアプローチする。

  2. 実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源

    研究課題/研究課題番号:19H00666  2019年4月 - 2022年3月

    科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    西谷 智博, 目黒 多加志, 洗平 昌晃, 成田 哲博, 本田 善央, 石川 史太郎, 田渕 雅夫, 市川 修平, 保田 英洋, 七井 靖

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    担当区分:研究分担者 

    次世代の電子顕微鏡技術には、電子線損傷に敏感な試料だけでなく、液中など実環境下でその動態や反応へ観測機能を拡張させることが求められている。このような要求に応えるには、従来を遥かに超える電流密度と単色性だけでなく、既存技術にはない高密度電子パルス特性が電子源に必要不可欠である。本課題では、既存とは異なる電子放出原理の光電効果を利用し半導体から電子ビームを取り出す半導体フォトカソードに着目し、半導体の材料・構造・表面の追求と半導体フォトカソードに適した電子銃装置の研究開発により、電子顕微鏡の観測機能の拡張に適した低単色・高密度のパルス電子ビーム生成の実現を目指す。
    本研究では、電子顕微鏡などの電子ビーム源の技術革新を目指して、従来とは電子生成原理が異なる光電効果を半導体に用いたフォトカソード技術に着目し、その半導体の材料と構造の最適化により、これまでにない高性能かつ多彩な電子ビーム生成の達成を目標としてきた。本研究の結果、窒化ガリウムやガリウムヒ素などの半導体を用いたフォトカソードにより、ビーム内の電子の運動量のばらつきが従来技術よりも一桁低く、かつ従来技術では困難な極めて短いナノ秒の時間幅で高い電流値を持つパルス電子ビームの生成に成功した。
    本研究で達成した電子の運動量のばらつきが極少の電子ビームと従来困難であった極めて短い時間幅のパルス電子ビームの実現は、電子顕微鏡の核心技術である電子源の材料を金属から半導体へと刷新することで、実環境下のまま分子・原子レベルで試料を観測する新奇技術を創出する可能性を持つ。本研究でも示唆した水溶液中で動き回る生きた生体分子や電池材料が充放電する様子などを分子レベルで観測するような潜在的応用例などからも、本技術の社会実装により創薬だけでなくエネルギーなど幅広い分野で技術革新の源になると期待される。

  3. 結晶成長その場観察を可能とするX線回折測定装置の開発

    2011年4月 - 2014年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(B)

    田渕雅夫

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    担当区分:研究代表者 

  4. 半導体結晶成長その場観察のためのX線散乱測定装置の開発

    2007年

    科学研究費補助金  基盤研究(B)(一般),課題番号:19360006

    田渕 雅夫

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    担当区分:研究代表者 

 

担当経験のある科目 (本学) 13

  1. 物質科学特別講義

    2021

  2. 物理工学特別講義

    2021

  3. 物理工学セミナー

    2021

  4. 電磁気学Ⅱ

    2011

  5. 電磁気学II

    2011

  6. ベンチャービジネス特論I

    2011

  7. 最先端理工学実験

    2011

  8. 最先端理工学特論

    2011

  9. 半導体材料学

    2011

  10. ナノデバイス特論

    2010

  11. ベンチャービジネス特論I

    2010

  12. 最先端理工学実験

    2010

  13. 最先端理工学特論

    2010

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社会貢献活動 26

  1. 電子収量法での観察深さの検証

    役割:講師

    日本XAFS研究会  XAFS勉強会  2023年12月

  2. EXAFS解析

    役割:講師

    名古屋大学SR研究センター、あいちSR  2023年度EXAFS解析講習会  2023年11月

  3. XAFSの基礎

    役割:講師

    日本XAFS研究会  XAFS夏の学校2023  2023年9月

  4. XAFSの基礎

    役割:講師

    SPring-8  第7回 SPring-8 秋の学校  2023年9月

  5. XAFS入門

    役割:講師

    名古屋大学SR研究センター、あいちSR、あいち産科技センター 主催/共催, 2023年7月31日(月).  2023年度XAFS入門講習会,  2023年7月

  6. 回折結晶学の基礎

    役割:講師

    応用物理学会結晶工学分科会  2023年7月

  7. XAFSの基礎

    役割:講師

    SPring-8  第23回 SPring-8 夏の学校  2023年7月

  8. EXAFS解析 -EXAFSの原理から解析方法の考え方までをご説明いたします-

    役割:講師

    名古屋大学シンクロトロン光研究センター/あいちシンクロトロン光センター/あいち産業科学技術総合センター  2022年度 EXAFS解析講習会  2022年11月

  9. XAFSの計測および解析の基礎

    役割:講師

    「シンクロトロン光による計測・解析の基礎と応用~AIによるデータ解析と物性予測まで~  2022年10月

  10. 回折結晶学の基礎

    役割:講師, 企画

    結晶工学スクール, 応用物理学会結晶工学分科会  2022年7月

  11. XAFS入門

    役割:講師

    2022年度XAFS入門講習会  2022年7月

  12. 硬X線XAFSビームラインでの2D/3D XAFS測定環境の構築

    役割:講師

    あいちSR・デンソー合同シンポジウム  2022年6月

  13. 放射光をつかった分光 --なにそれ? 物質を科学するための武器なんです

    役割:講師

    2022年度 名大MIRAI GSC (グローバルサイエンスキャンパス)   2022年6月

  14. X線吸収分光

    役割:講師

    SPring-8/SACLA先端利用セミナー  2022年5月 - 2022年6月

  15. 硬X線XAFSビームライン

    役割:講師

    支援教員懇談会, 知の拠点あいち  2022年4月

  16. 2D/3D XAFS 技術とあいち SR における取り組み

    役割:講師

    東京理科大学 マテリアルズインフォマティクス懇談会  2022年3月

  17. XAFS夏の学校

    役割:講師

    日本XAFS研究会  2021年9月

  18. 結晶工学スクール

    役割:講師, 企画

    応用物理学会 結晶工学分科会  2021年8月

  19. 2020年度XAFS入門講習会

    役割:講師, 運営参加・支援

    名古屋大学シンクロトロン光研究センター  2020年12月

  20. 結晶工学スクール

    役割:講師, 企画, 運営参加・支援

    応用物理学会 結晶工学分科会主催  2020年9月

  21. 茨城県、人材育成事業 研修/応用コース 放射光実習

    役割:講師

    茨城県人材育成事業  2020年1月

     詳細を見る

    対象: 研究者, 行政機関

    種別:出前授業

  22. シンクロトン光利用者研究会(EXAFS解析講習会)

    役割:講師

    愛知県、科学技術交流財団、大学連合(名古屋大学)主催  2019年10月

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    対象: 大学院生, 研究者, 企業

    種別:出前授業

  23. 第22回XAFS討論会 ナイトセッション「XAFSビームラインの現状紹介」

    役割:講師, 情報提供

    第22回XAFS討論  2019年9月

     詳細を見る

    対象: 大学院生, 研究者, 学術団体

    種別:講演会

  24. 2019年度シンクロトン光利用者研究会(入門講習会)

    役割:講師

    愛知県、科学技術交流財団、大学連合(名古屋大学)主催  2019年6月

     詳細を見る

    対象: 大学院生, 研究者, 企業

    種別:講演会

  25. 結晶工学スクール

    役割:講師

    応用物理学会 結晶工学分科会  2002年 - 現在

     詳細を見る

    対象: 大学院生, 研究者, 企業

    種別:講演会

  26. 2021年度XAFS解析講習会

    役割:講師

    名古屋大学シンクロトロン光研究センター、あいちシンクロトロン光センター 

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メディア報道 1

  1. PF研究会「XAFS・X線顕微鏡分光分析分野でのIMSS, PF戦略的利用に関する研究会」

    高エネルギー加速器研究所  2019年12月

学術貢献活動 3

  1. 放射光共同利用実験審査委員会委員

    役割:審査・評価, 査読

    高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所  2014年 - 現在

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    種別:審査・学術的助言 

  2. XAFS討論会 論文委員

    役割:審査・評価

    日本XAFS研究会  2009年 - 現在

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    種別:審査・学術的助言 

  3. 利用研究課題選定委員会レフリー

    役割:査読

    (財)高輝度光科学研究センター  2003年 - 現在

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    種別:査読等