2022/03/31 更新

写真a

タバタ アキモリ
田畑 彰守
TABATA, Akimori
所属
大学院工学研究科 電気工学専攻 電気エネルギー 准教授
大学院担当
大学院工学研究科
学部担当
工学部 電気電子情報工学科
職名
准教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(工学) ( 名古屋大学 ) 

研究キーワード 5

  1. アモルファスおよび微結晶シリコン

  2. ナノ結晶炭化シリコン

  3. ホットワイヤーCVD

  4. マグネトロンスパッタリング

  5. 窒化シリコン

研究分野 2

  1. その他 / その他  / 電子・電気材料工学

  2. その他 / その他  / 薄膜・表面界面物性

現在の研究課題とSDGs 3

  1. アモルファスおよびナノ結晶半導体薄膜の開発とその応用

  2. 絶縁薄膜の開発とその応用

  3. 薄膜成長技術の開発

学歴 2

  1. 名古屋大学   工学研究科   結晶材料工学

    - 1990年

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    国名: 日本国

  2. 名古屋大学   理学部   物理学

    - 1985年

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    国名: 日本国

所属学協会 3

  1. 応用物理学会

  2. 日本物理学会

  3. 電気学会

受賞 1

  1. 日本素材物性学会山崎賞

    1992年  

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    受賞国:日本国

 

論文 59

  1. Temperature dependences of current density-voltage and capacitance-frequency characteristics of hydrogenated nanocrystalline cubic SiC/crystalline Si heterojunction diodes 査読有り

    Akimori, Tabata

    Thin Solid Films   619 巻   頁: 323 - 327   2016年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  2. Current density-voltage and admittance characteristics of hydrogenated nanocrystalline cubic SiC/crystalline Si heterojunction diodes prepared with varying H2 gas flow rates 査読有り

    A. Tabata, Y. Imori

    Solid-State Electronics   104 巻   頁: 33-38   2015年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  3. N2 post-deposition treatment on silicon thin films with a hot-wire chemical vapor method at a low wire-temperature 査読有り

    Y. Omori, A. Tabata, A. Kondo

    Thin Solid Films   519 巻 ( 14 ) 頁: 4535 – 4537   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  4. Structural changes in tungsten wire and their effect on the properties of hydrogenated nanocrystalline silicon carbide thin films 査読有り

    A. Tabata, A. Naito

    Thin Solid Films   519 巻 ( 14 ) 頁: 4451 – 4454   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  5. Enhancement of Crystal Growth in Si Thin Film Deposition by H-Radical-Assisted Magnetron Sputtering 査読有り

    K. Fukaya, A. Tabata, K. Sasaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻 ( 1 ) 頁: 015501   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  6. * Highly-conductive nitrogen-doped hydrogenated nanocrystalline cubic silicon carbide thin films prepared by hot-wire chemical vapor deposition 査読有り

    A. Tabata, Y. Hoshide, A. Kondo

    Material Science and Engineering B   175 巻   頁: 201-206   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  7. * Influence of hydrogen addition and gas pressure on silicon nitride layer formation on microcrystalline silicon thin films by a hot-wire chemical vapor method using nitrogen gas 査読有り

    A. Tabata, K. Mazaki, A. Kondo

    Surf. Coat. Technol.   204 巻 ( 16-17 ) 頁: 2559- 2563   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  8. * Film-thickness dependence of structural and electrical properties of boron-doped hydrogenated microcrystalline silicon prepared by radiofrequency magnetron sputtering 査読有り

    A. Tabata, J. Nakano, K. Mazaki, K. Fukaya,

    J. Non-Cryst. Solids   356 巻   頁: 1131-1134   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  9. Mechanism of hydrogenated microcrystalline Si film deposition by magnetron sputtering employing a Si target and H2/Ar gas mixture 査読有り

    K. Fukaya, A. Tabata, K. Sasaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   48 巻 ( 3 ) 頁: 035507   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  10. Preparation of n-type nanocrystalline 3C-SiC films by hot-wire CVD using N2 as doping gas 査読有り

    Y. Hoshide, A. Tabata, A. Kitagawa A. Kondo

    Thin Solids Films   517 巻   頁: 3524-3527   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  11. Importance of H2 gas for growth of hot-wire CVD nanocrystalline 3C-SiC from SiH4/CH4/H2 査読有り

    Y. Hoshide, Y. Komura A. Tabata, A. Kitagawa A. Kondo

    Thin Solids Films   517 巻   頁: 3520-3523   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  12. Growth of silicon carbide thin films by hot-wire chemical vapor deposition form SiH4/CH4/H2. 査読有り

    A. Tabata, Y. Konura, T. Narita, A. Kondo

    Thin Solids Films   517 巻   頁: 3516-3519   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  13. Formation of silicon nitride layer on microcrystalline silicon thin films by hot-wire chemical vapor method using nitrogen and hydrogen gases 査読有り

    A. Tabata, K. Mazaki, A. Kondo

    ECS Transaction   25 巻 ( 8 ) 頁: 339-342   2009年

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    記述言語:英語  

  14. Influences of N2 and H2 gas flow rates on properties of n-type nanocrystalline 3C-SiC:H thin films prepared by hot-wire chemical vapor deposition 査読有り

    A. Tabata, Y. Hoshide, A. Kondo

    ECS Transaction   25 巻 ( 8 ) 頁: 207-212   2009年

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    記述言語:英語  

  15. N2 decomposition by hot wire and N2 post-deposition treatment on hydrogenated microcrystalline silicon thin films. 査読有り

    K. Mazaki A. Tabata, A. Kitagawa, A. Kondo

    Thin Solids Films   517 巻   頁: 3452-3455   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  16. Structural Changes of Hot-Wire CVD Silicon Carbide Thin Films Induced by Gas Flow Rates 査読有り

    A. Tabata, M. Mori

    Thin Solid Films   516, 巻 ( 5 ) 頁: 626-629   2008年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  17. Properties of nanocrystalline silicon carbide thin films prepared by hot-wire chemical vapor deposition using SiH4/CH4/H2 at various substrate temperatures 査読有り

    A. Tabata,Y. Komura, Y. Hoshide, T. Narita, A. Kondo

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻 ( 1 ) 頁: 561-565   2008年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  18. Influence of gas pressure on low-temperature preparation and film properties of nanocrystalline 3C-SiC thin films by HW-CVD using SiH4/CH4/H2 system 査読有り

    Y. Komura, A. Tabata, T. Narita, A. Kondo

    Thin Solid Films   516 巻 ( 516 ) 頁: 633-636   2008年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  19. Influence of ion bombardment on microcrystalline silicon growth during radio-frequency magnetron sputtering 査読有り

    A. Tabata, K. Fukaya, T. Mizutani

    Vacuum   82 巻   頁: 777-781   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  20. Film properties of nanocrystalline 3C-SiC thin films deposited on glass substrate by hot-wire chemical vapor deposition using CH4 as a carbon source 査読有り

    Y. Komura A. Tabata T. Narita M. Kanaya A. Kondo T. Mizutani

    Jpn J. Appl. Phys.   46 巻 ( 1 ) 頁: 45-50   2007年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  21. Preparation of nanocrystalline silicon carbide thin films by hot-wire CVD at various filament-to-substrate distances 査読有り

    A. Tabata, Y. Komura

    Surf. Coat. Technol.   201 巻   頁: 8986-8990   2007年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  22. Structure of amorphous and microcrystalline silicon thin films prepared at various gas pressures and gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition 査読有り

    T. Daimaru, A. Tabata, T. Mizutani

    Thin Solid Films   501 巻 ( 1-2 ) 頁: 102-106   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  23. Effect of hot-wire passivation on film properties of hydrogenated microcrystalline silicon films 査読有り

    S. Mitsuhashi, A. Tabata, T. Mizutani

    J. Non-Cryst. Solids   352 巻   頁: 2943-2946   2006年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  24. Nanocrystalline cubic silicon carbide prepared by hot-wire chemical vapor deposition using SiH4/CH4/H2 at a low substrate temperature 査読有り

    Y. Komura, A. Tabata, T. Narita, A. Kondo, T. Mizutani

    J. Non-Cryst. Solids   352 巻   頁: 1367-1370   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  25. Properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared at various hydrogen gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition 査読有り

    M. Mori, A. Tabata, T. Mizutani

    Thin Solid Film   501 巻 ( 1-2 ) 頁: 177-180   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  26. Influence of target direct current bias voltage on the film structure of hydrogenated microcrystalline silicon prepared by direct-current- radiofrequency coupled magnetron sputtering 査読有り

    K. Fukaya, A. Tabata, T. Mizutani

    Thin Solid Films   478 巻 ( 1-2 ) 頁: 132-136   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  27. Control of crystallinity and deposition rate of hydrogenated silicon thin films prepared by radio frequency magnetron sputtering using layer-by layer growth 査読有り

    A. Tabata, K. Okada, T. Mizutani, Y. Suzuoki

    Thin Solid Film   491 巻 ( 1-2 ) 頁: 148-152   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  28. Band-gap control of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by hot-wire chemical vapor deposition 査読有り

    A. Tabata, M. Kuroda, M. Mori, T. Mizutani, Y. Suzuoki

    Journal of Non-Crystalline Solids   338-340 巻   頁: 521-524   2004年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  29. Properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared at various hydrogen gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition

    M. Mori, A. Tabata, T. Mizutani

    3rd International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process     頁: 393-395   2004年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  30. Structure of amorphous and microcrystalline silicon thin films prepared at various gas pressures and gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition

    T. Daimaru, A. Tabata, T. Mizutani

    3rd International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process     頁: 389-392   2004年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  31. Dependence on gas pressure of μc-Si:H prepared by RF magnetron sputtering 査読有り

    K. Fukaya, A. Tabata, T. Mizutani

    Vacuum   74 巻 ( 3-4 ) 頁: 561-565   2004年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  32. 日射量の多地点同時観測結果に基づくPVシステム出力変動のLFCへの影響評価 査読有り

    柳川茂幸, 加藤丈佳, 田畑彰守, 鈴置保雄

    電気学会論文誌B   123 巻 ( 12 ) 頁: 1504-1511   2003年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  33. Effect of total gas pressure on hydrogenated amorphous silicon carbide films by hot-wire CVD

    A. Tabata, T. Nakajima, T. Mizutani, Y. Suzuoki

    3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 13th PV Science and Engineering Conference, 30th IEEE PV Specialists Conference, 18th European PV Solar Energy Conference     2003年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  34. Dependence on gas pressure of μc-Si:H prepared by RF magnetron sputtering

    7th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes     頁: 43-46   2003年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  35. Structure of amorphous and microcrystalline silicon films prepared at various gas pressure by hot-wire chemical vapor deposition

    T. Daimaru, A. Tabata, T. Mizutani, Y. Suzuoki

    20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors     頁: P-Tu-1/9   2003年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  36. Preparation of microcrystalline silicon by DC-RF coupled magnetron sputtering

    K. Fukaya, A. Tabata, T. Mizutani

    20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors     頁: P-Tu-1/5   2003年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  37. Band-gap control of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by hot-wire chemical vapor deposition

    A. Tabata, M. Kuroda, T. Mizutani, Y. Suzuoki

    20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors     頁: P-Th-5/5   2003年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  38. Preparation of wide-gap hydrogenated amorphous silicon carbide thin films by hot-wire chemical vapor deposition at a low tungsten temperature 査読有り

    A. Tabata, T. Nakajima, T. Mizutani, Y. Suzuoki

    Japanese Journal of Applied Physics   42 巻 ( 1AB ) 頁: L10-L12   2003年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  39. Dependence on substrate temperature of the film structure of μc-Si:H prepared by RF magnetron sputtering 査読有り

    J. Kondo, A. Tabata, T. Kawamura, T. Mizutani

    Vacuum   66 巻   頁: 409-413   2002年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  40. 電力需要および日射量の実績からみた太陽光発電システムのkW価値

    加藤丈佳, 長江宣久, 田畑彰守, 横水康伸, 岡本達生, 鈴置保雄

    電気学会論文誌B   122-B 巻 ( 1-2 ) 頁: 77-83   2002年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  41. 電力需要および日射量の実績からみた太陽光発電システムのkW価値 査読有り

    加藤丈佳, 長江宣久, 田畑彰守, 横水康伸, 岡本達生, 鈴置保雄

    電気学会論文誌B   122-B 巻 ( 1 ) 頁: 77-83   2002年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  42. Effect of Plasma Off Time on Structure and Electrical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Films 査読有り

    A. Tabata, M. Sekito, Y. Suzuoki, T. Mizutani

    Japanese Journal of Applied Physics   40 巻 ( 12 ) 頁: 6728 - 6731   2001年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  43. 日射量の多地点同時観測に基づく太陽光発電の出力変動に対するLFC容量の評価 査読有り

    柳川茂幸, 加藤丈佳, 呉 カイ, 田畑彰守, 横水康伸, 岡本達生, 鈴置保雄

    電気学会論文誌B   121-B 巻 ( 9 ) 頁: 1094-1102   2001年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  44. The changes of structural and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films by pulse-modulated plasma

    A. Tabata, M. Sekito, Y. Suzuoki, T. Mizutani

    11th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide     頁: 5.5.11   2000年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  45. Effect of the hydrogen partial pressure ratio on the properties of uc-Si:H films prepared by rf magnetron sputtering 査読有り

    H. Makihara, A. Tabata, Y. Suzuoki, T. Mizutani

    Vacuum   59 巻   頁: 785-791   2000年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  46. * Electrical properties before and after light-soaking of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by the hydrogen radical CVD method 査読有り

    A. Tabata, H. Kamijo, Y. Suzuoki, T. Mizutani

    J. Physl D: Appl. Phys.   32 巻 ( 18 ) 頁: 2448-2453   1999年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  47. Fabrication of polyurea thin films for optical socond-harmonic generation by vapor deposition plymerization -Effects of Roling field and monomer structure on reactivity and SHG performance 査読有り

    T. Segi, T. Mizutani, Y. Suzuoki, A. Tabata, K. Takagi

    IEEE Transaction on Dielectrics and Electrical Insutation   5 巻 ( 1 ) 頁: 63-69   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  48. Effect of hydrogen radicals on properties and structure of a-Si1-XCx : H films 査読有り

    A. Tabata, H. Kamijo, Y. Suzuoki, T. Mizutani

    Journal of Non-Crystalline Solids   227-230 巻   頁: 456   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  49. Properties of Hydrogeneted Amorphons Silicon Carbide Films prpared by Pulse-Mochulated Rf Discharge

    A. Tabata, Yonezu, Y. Suzuoki, T. Mizutani

    4th Asian Pasific Conference on Plasma Science and Technology 11th Symposium on Plasma Science for Materials     頁: 107   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  50. Properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by a separately exited plasma CVD method 査読有り

    A. Tabata, Y. Kuno, Y. Suzuoki, T. Mizutani

    J. Phys. D : Appl. Phys.   30 巻 ( 2 ) 頁: 194   1997年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  51. スピロピランLB膜の構造制御と光学的特性(II)-成膜条件と非線形光学特性- 査読有り

    村瀬和也、瀬記武、田畑彰守、鈴置保雄、水谷照吉

    電気学会論文誌A   117-A 巻 ( 2 ) 頁: 167-171   1997年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  52. Transmission Electron Microscopy Observation and Third-Order Optical Nonlinearity of CdSe-doped Glass Thin Films Prepared by Ion-Beam Sputtering Method 査読有り

    A. Tabata. N. Matsuno, Y. Suzuoki, T. Mizutani

    Japanese Journal of Applied Physics   35 巻 ( 5A ) 頁: 2646-2648   1996年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  53. Optical Properties and structure of SiO2 films prepared by ion-beam sputtering 査読有り

    A. Tabata, N. Matsuno, Y. Suzuoki, T. Mizutani

    Thin Solid Films   289 巻   頁: 84-89   1996年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  54. Influence of Poling Field on Polymerization in Polyurea Thin Films for Second-Harmonic Generation Prepared by Vapor Deposition Polymerization 査読有り

    T. Segi, Y. Suzuoki, A. Tabata, T. Mizutani, K. Takagi

    Japaneas Journal of Applied Physics   35 巻 ( 8 ) 頁: 4444-4450   1996年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  55. Properties of the CdSe-Doped Glass Thin Films Prepared by Ion-Beam Sputtering Method 査読有り

    Y. Suzuoki, N. Matsuno, A. Tabata, T. Mizutani

    Japanese Journal of Applied Physics   34 巻 ( 3 ) 頁: 1631-1637   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  56. Preparation of a-SixC1-X : H films by separately-excited-plasma CVD method 査読有り

    A. Tabata, Y. Kuno, Y. Suzuoki, T. Mizutani

    Journal of Non-Crystalline Solids   164-166 巻   頁: 1043-1046   1993年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  57. プラズマCVD法による水素化アモルファス炭化シリコンの構造と電気特性 査読有り

    田畑彰守、冨板健治、鈴置保雄、水谷照吉

    素材物性学雑誌   4 巻 ( 2 ) 頁: 35-45   1991年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  58. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) of hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiX C1-X : H) prepared by the plasma CVD method 査読有り

    A. Tabata, S. Fujii, Y. Suzuoki, T. Mizutani, M. Ieda

    J. Phys. D : Appl. Phys.   23 巻 ( 3 ) 頁: 316-320   1990年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  59. Thermally stimulated current (TSC) in a-Six C1-X : H films prepared by plasma CVD 査読有り

    A. Tabata, T. Mizutani, A. Yoshida, M. Ieda

    J. Phys. D : Appl. Phys.   22 巻 ( 6 ) 頁: 794-797   1989年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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書籍等出版物 2

  1. *触媒CVD(Cat-CVD)の新展開-ラジカルを用いる新プロセス技術-

    ( 担当: 共著)

    シーエムシー出版  2008年10月 

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    記述言語:日本語

  2. Frequency Dependence of Conductivity of Hydrogenated Amorphous SiC Films Prepared by PCVD.

    A. Tabata, K. Tomiita, Y. Suzuoki, T. Mizutani( 担当: 共著)

    Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV  1992年 

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    記述言語:英語

講演・口頭発表等 63

  1. SiC:H薄膜を界面層に用いたヘテロ接合素子の特性

    水谷 凌、田畑 彰守

    第18回 Cat-CVD研究会  2021年7月10日 

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    開催年月日: 2021年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  2. スパッタリング法によるp型アモルファスシリコン薄膜のヘテロ接合素子への応用

    小島弘道、田畑彰守

    電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  3. nc-3C-SiC:H/c-Siヘテロ接合素子に与えるバッファ層納入の影響

    亀山航太、田畑彰守

    第16回Cat-CVD研究会 

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:兵庫県姫路市   国名:日本国  

  4. Admittance characteristics of nanocrystalline SiC:H/crystalline Si heterojunction diodes fabricated by hot-wire chemical vapor deposition 国際会議

    A. Tabata, Y. Imori, H. Ozeki

    8th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  5. nc-3C-SiC:H/c-Siヘテロ接合素子特性に与える電極金属の影響

    尾関浩幸、田畑彰守

    第11回Cat-CVD研究会 

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    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  6. Electrical properties of nc-3C-SiC:H/c-Si heterojunction diodes prepared by HW-CVD 国際会議

    Y. Imori, A. Tabata

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  7. Effect of film thickness on electrical properties of nc-3C-SiC:H/c-Si heterojunction diodes prepared by HW-CVD 国際会議

    Y. Imori, A. Tabata

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:カナダ  

  8. c-Si/nc-3C-SiC:H heterojunction diodes with buffer layer 国際会議

    R. Ushikusa, A. Tabata

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:カナダ  

  9. HW-CVD法によるnc-3C-SiC:H/c-Siヘテロ接合ダイオードの特性に与える水素ガス流量の影響

    井森嘉一、田畑彰守

    第10回Cat-CVD研究会 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  10. Structural and electrical properties of μc-Si:H/nc-3C-SiC:H two-layered thin films prepared by hot-wire CVD methhod 国際会議

    7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  11. Thickness dependence of structural and electrical properties of HWCVD nc-3C-SiC:H/c-Si heterojunctions 国際会議

    7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  12. HW-CVD法を用いたμc-Si:H/nc-3C-SiC:H二層膜の膜構造及び電気的特性

    渡邉卓也、田畑彰守

    第9回Cat-CVD研究会 

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    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:日本大学生産工学部 津田沼校舎   国名:日本国  

  13. Heterojunction diodes of N-doped nanocrystalline 3C-SiC:H prepared on p-type c-Si from SiH4/CH4/N2 with varying H2 dilution ratios 国際会議

    S. Sato, A. Tabata

    24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors  

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    開催年月日: 2011年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  14. ナノ結晶3C-SiC:H薄膜を用いたヘテロ接合の素子特性への水素希釈ガスの与える影響

    佐藤慎一郎、田畑彰守

    第8回Cat-CVD研究会 

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    開催年月日: 2011年6月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:石川県   国名:日本国  

  15. Structural changes in tungsten wire and their effect on the properties of hydrogenated nanocrystalline cubic silicon carbide thin films 国際会議

    6th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  16. N2 post-deposition treatment on silicon thin films with a hot-wire chemical vapor method at a low wire-temperature 国際会議

    6th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  17. HW-CVD(Cat-CVD)法によるナノ結晶3C-SiC:H薄膜の低温形成(依頼講演)

    田畑彰守

    第7回Cat-CVD研究会 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  18. Formation of silicon nitride layer on microcrystalline silicon thin films by hot-wire chemical vapor method using nitrogen and hydrogen gases 国際会議

    17th European Conference on Chemical Vapor Deposition and CVD-XVII 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  19. Influences of N2 and H2 gas flow rates on properties of n-type nanocrystalline 3C-SiC:H thin films prepared by hot-wire chemical vapor deposition 国際会議

    17th European Conference on Chemical Vapor Deposition and CVD-XVII 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  20. N2ガスを用いたホットワイヤー気相法による微結晶シリコン薄膜への窒化層形成

    間崎耕司、田畑彰守、近藤明弘

    第6回Cat-CVD研究会 

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    開催年月日: 2009年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  21. ガラス基板上へのn型ナノ結晶3C-SiC薄膜の低温堆積とその高品質化

    星出純希、田畑彰守、北川明彦、近藤明弘

    第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  22. Improvement of electrical properties of n-type nanocrystalline 3C-SiC thin films prepared by hot-wire CVD at high H2-dilution 国際会議

    30th International Symposium on Dry Process 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  23. Enhancement of crystal growth in μc-Si:H thin film deposition by H radical-assisted magnetron sputtering and the plasma diagnostics. 国際会議

    AVS 55th International Symposium and Exhibition 

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    開催年月日: 2008年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  24. Enhancement of crystal growth in μc-Si:H thin film deposition by H radical-assisted magnetron sputtering. 国際会議

    1st International Conference on Microelectronics and Plasma Technology 

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  25. Properties of hydrogenated microcrystalline silicon thin films prepared by hot-wire CVD at high gas pressure conditions 国際会議

    5th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  26. N2 decomposition by hot wire and N2 post-deposition treatment on hydrogenated microcrystalline silicon thin films. 国際会議

    5th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  27. Preparation of n-type nanocrystalline 3C-SiC films by hot-wire CVD using N2 as doping gas 国際会議

    5th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  28. Importance of H2 gas for growth of hot-wire CVD nanocrystalline 3C-SiC from SiH4/CH4/H2. 国際会議

    5th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  29. Growth of silicon carbide thin films by hot-wire chemical vapor deposition form SiH4/CH4/H2. 国際会議

    5th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  30. N2ガスをドーピング原料としたn型ナノ結晶3C-SiC薄膜の開発

    星出純希、田畑彰守、北川明彦、近藤明弘

    第5回Cat-CVD研究会 

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    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  31. ホットワイヤーによるN2ガス分解

    間崎耕司、田畑彰守、北川明彦、近藤明弘

    第5回Cat-CVD研究会 

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    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  32. Enhancement of crystal growth in Si thin film deposition by H radical-assisted magnetron sputtering. 国際会議

    1st International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  33. Si sputtering deposition by Ar discharge with H radicals and the film evaluation 国際会議

    18th Symposium of MRS 

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    開催年月日: 2007年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  34. SiH4/CH4/H2を用いたホットワイヤーCVD方によるナノ結晶SiC薄膜の膜構造のH2ガス流量依存性

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  35. Effect of hydrogen radicals on silicon sputtering with argon-hydrogen mixture gas

    6th Asian-European International Conference on Plasma SurfaceEngineering AEPSE 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  36. Preparation of nanocrystalline silicon carbide thin films by hot-wire CVD at various filament-to-substrate distances 国際会議

    16th European Conference on Chemical Vapor Deposition 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  37. フィラメント基板間距離を変えて作製したCat-CVD法によるナノ結晶3C-SiC薄膜の膜特性

    第4回Cat-CVD研究会 

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    開催年月日: 2007年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  38. Properties of nanocrystalline silicon carbide thin films prepared by hot-wire chemical vapor deposition using SiH4/CH4/H2 at various substrate temperatures 国際会議

    2nd International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies 

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    開催年月日: 2007年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  39. Electrical properties of Microcrystalline silicon thin films prepared by RF magnetron sputtering 国際会議

    20th Symposium on Plasma Science for Materials 

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    開催年月日: 2007年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  40. 化学反応支援マグネトロンスパッタリングによる微結晶シリコン成膜とそのプラズマ診断

    深谷康太, 佐々木浩一, 高軍思, 田畑彰守, 豊田浩孝, 岩田聡, 菅井秀郎

    第24 回プラズマプロセシング研究会 

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    開催年月日: 2007年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  41. Influence of gas-pressure on low-temperature preparation and film properties of nanocrystalline 3C-SiC thin films by HW-CVD using SiH4/CH4/H2 system 国際会議

    4th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

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    開催年月日: 2006年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  42. Structural Change of Hot-Wire CVD Silicon Carbide Thin Films by Gas Flow Rates 国際会議

    4th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

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    開催年月日: 2006年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  43. Hydrogenated microcrystalline silicon films by hot wire chemical vapor deposition with very high hydrogen dilution and two-step deposition 国際会議

    4th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

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    開催年月日: 2006年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  44. Cat-CVD法によるナノ結晶SiC薄膜作成時のガス圧力の与える影響

    香村勇介、田畑彰守、成田知岐、近藤明弘

    第3回Cat-CVD研究会 

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    開催年月日: 2006年6月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  45. Preparation of B-doped microcrystalline silicon thin films by RF magnetron sputtering 国際会議

    3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion 

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  46. Influences of filament temperature on the structure and optical properties of nanocrystalline silicon carbide films by hot-wire CVD. 国際会議

    3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion 

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  47. Highly photoconductive hydrogenated amorphous silicon carbide thin films prepared by hot-wire chemical vapor deposition 国際会議

    21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  48. Effect of hot-wire passivation on film properties of hydrogenated microcrystalline silicon films 国際会議

    21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  49. Nanocrystalline cubic silicon carbide prepared by hot-wire chemical vapor deposition using SiH4/CH4/H2 at a low substrate temperature 国際会議

    21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  50. CH4を炭素源に用いたCat-CVD法によるナノ結晶SiC薄膜の作成

    香村勇介、田畑彰守、成田知岐、近藤明弘、水谷照吉

    第2回Cat-CVD研究会 

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    開催年月日: 2005年6月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  51. Properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared at various hydrogen gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition

    3rd International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

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    開催年月日: 2004年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  52. Structure of amorphous and microcrystalline silicon thin films prepared at various gas pressures and gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition 国際会議

    3rd International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

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    開催年月日: 2004年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  53. メタンを炭素源として用いたHW-CVD法によるワイドバンドギャップ炭化シリコン薄膜の作成

    田畑彰守、水谷照吉

    第1回Cat-CVD研究会 

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    開催年月日: 2004年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  54. Preparation of microcrystalline silicon by DC-RF coupled magnetron sputtering

    20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors 

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    開催年月日: 2003年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  55. Structure of amorphous and microcrystalline silicon films prepared at various gas pressure by hot-wire chemical vapor deposition

    20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors 

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    開催年月日: 2003年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  56. Band-gap control of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by hot-wire chemical vapor deposition

    20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors 

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    開催年月日: 2003年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  57. Dependence on gas pressure of μc-Si:H prepared by RF magnetron sputtering 国際会議

    7th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes 

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    開催年月日: 2003年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  58. Effect of total gas pressure on hydrogenated amorphous silicon carbide films by hot-wire CVD 国際会議

    3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 13th PV Science and Engineering Conference, 30th IEEE PV Specialists Conference, 18th European PV Solar Energy Conference 

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    開催年月日: 2003年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  59. 電力需要および日射量の実績からみた太陽光発電システムのkW価値

    加藤丈佳, 長江宣久, 田畑彰守, 横水康伸, 岡本達生, 鈴置保雄

    電気学会論文誌B 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  60. Structure of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by hot-wire chemical vapor deposition method 国際会議

    12th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide 

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    開催年月日: 2001年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  61. Tungsten-Temperature Dependence of the Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Films Prepared by Hot-Wire CVD Method 国際会議

    19th International Conference on Amorphous and Micro- crystalline Semiconductors 

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    開催年月日: 2001年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  62. Substrate-temperature-dependence of film structure of μc-Si:H prepared by rf magnetron sputtering 国際会議

    6th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes 

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    開催年月日: 2001年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  63. The changes of structural and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films by pulse-modulated plasma

    11th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide 

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    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 2

  1. 低温プロセスによるナノ結晶炭化シリコンの開発とその電子デバイスへの応用

    2006年10月 - 2008年3月

    財団法人立松財団 

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    資金種別:競争的資金

  2. ホットワイヤーCVD法によるワイドギャップ炭化シリコンの作製と高品質化に関する研究

    2003年10月 - 2005年12月

    財団法人日東学術振興財団 

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    資金種別:競争的資金

科研費 1

  1. ラジカル源を併用したHW-CVD技術の開発と不純物転化ナノ結晶薄膜作成への応用

    2007年4月 - 2009年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(C)(一般),課題番号:19560314

    田畑 彰守

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    担当区分:研究代表者 

 

担当経験のある科目 (本学) 50

  1. エネルギー材料工学特論

    2021

  2. 機能電気・情報材料セミナー

    2020

  3. データ解析処理論

    2020

  4. 電気工学通論第1

    2020

  5. 電気電子情報工学実験第1

    2019

  6. 企業・研究所見学A

    2019

  7. 機能電気・情報材料セミナー

    2019

  8. データ解析処理論

    2019

  9. 電気工学通論第1

    2019

  10. 企業・研究所見学B

    2019

  11. 機能電気・情報材料セミナー

    2019

  12. エネルギー材料工学特論

    2019

     詳細を見る

    太陽電池および太陽電池用材料についての講義

  13. 機能電気・情報材料セミナー

    2018

  14. 機能電気・情報材料セミナー

    2018

  15. データ解析処理論

    2018

  16. 電気工学通論第1

    2018

  17. 機能電気・情報材料セミナー

    2017

  18. エネルギー材料工学特論

    2017

     詳細を見る

    太陽電池および太陽電池用材料についての講義

  19. 機能電気・情報材料セミナー

    2017

  20. 電気工学通論第1

    2017

  21. データ解析処理論

    2017

  22. 電気工学通論第1

    2016

  23. データ解析処理論

    2016

  24. エネルギーシステムセミナー

    2016

  25. エネルギーシステムセミナー

    2016

  26. 電気・電子工学実験第1

    2015

  27. 電気工学通論第1

    2015

  28. エネルギーシステムセミナー

    2015

  29. データ解析処理論

    2015

  30. エネルギーシステムセミナー

    2015

  31. エネルギー材料工学特論

    2015

     詳細を見る

    太陽電池および太陽電池用材料についての講義

  32. 電気工学通論第1

    2014

  33. エネルギーシステムセミナー

    2014

  34. データ解析処理論

    2014

  35. エネルギーシステムセミナー

    2014

  36. 電気・電子工学実験第1

    2013

  37. エネルギーシステムセミナー

    2013

  38. エネルギー材料工学特論

    2013

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    太陽電池および太陽電池用材料についての講義

  39. 電気工学通論第1

    2013

  40. エネルギーシステムセミナー

    2012

  41. 電気工学通論第1

    2012

  42. 物理学実験

    2011

  43. 電気電子情報先端工学概論

    2011

  44. 電気工学通論第1

    2011

  45. エネルギーシステムセミナー

    2011

  46. エネルギー材料工学特論

    2010

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    太陽電池および太陽電池用材料についての講義

  47. エネルギーシステムセミナー

    2010

  48. 物理学実験

    2010

  49. エネルギー材料工学特論

    2009

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    太陽電池および太陽電池用材料についての講義

  50. 電気工学通論第1

    2009

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    物理工学科の学生を対象に、基礎的な電気回路ついての講義及び演習

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