* Highly-conductive nitrogen-doped hydrogenated nanocrystalline cubic silicon carbide thin films prepared by hot-wire chemical vapor deposition 査読有り

A. Tabata, Y. Hoshide, A. Kondo

Material Science and Engineering B   175 巻   頁： 201-206   2010年

* Influence of hydrogen addition and gas pressure on silicon nitride layer formation on microcrystalline silicon thin films by a hot-wire chemical vapor method using nitrogen gas 査読有り

A. Tabata, K. Mazaki, A. Kondo

Surf. Coat. Technol.   204 巻 ( 16-17 ) 頁： 2559- 2563   2010年

* Film-thickness dependence of structural and electrical properties of boron-doped hydrogenated microcrystalline silicon prepared by radiofrequency magnetron sputtering 査読有り

A. Tabata, J. Nakano, K. Mazaki, K. Fukaya,

J. Non-Cryst. Solids   356 巻   頁： 1131-1134   2010年

Mechanism of hydrogenated microcrystalline Si film deposition by magnetron sputtering employing a Si target and H₂/Ar gas mixture 査読有り

K. Fukaya, A. Tabata, K. Sasaki

Jpn. J. Appl. Phys.   48 巻 ( 3 ) 頁： 035507   2009年

Formation of silicon nitride layer on microcrystalline silicon thin films by hot-wire chemical vapor method using nitrogen and hydrogen gases 査読有り

A. Tabata, K. Mazaki, A. Kondo

ECS Transaction   25 巻 ( 8 ) 頁： 339-342   2009年

Influences of N₂ and H₂ gas flow rates on properties of n-type nanocrystalline 3C-SiC:H thin films prepared by hot-wire chemical vapor deposition 査読有り

A. Tabata, Y. Hoshide, A. Kondo

ECS Transaction   25 巻 ( 8 ) 頁： 207-212   2009年

N₂ decomposition by hot wire and N₂ post-deposition treatment on hydrogenated microcrystalline silicon thin films. 査読有り

K. Mazaki A. Tabata, A. Kitagawa, A. Kondo

Thin Solids Films   517 巻   頁： 3452-3455   2009年

Growth of silicon carbide thin films by hot-wire chemical vapor deposition form SiH₄/CH₄/H₂. 査読有り

A. Tabata, Y. Konura, T. Narita, A. Kondo

Thin Solids Films   517 巻   頁： 3516-3519   2009年

Preparation of n-type nanocrystalline 3C-SiC films by hot-wire CVD using N₂ as doping gas 査読有り

Y. Hoshide, A. Tabata, A. Kitagawa A. Kondo

Thin Solids Films   517 巻   頁： 3524-3527   2009年

Importance of H₂ gas for growth of hot-wire CVD nanocrystalline 3C-SiC from SiH₄/CH₄/H₂ 査読有り

Y. Hoshide, Y. Komura A. Tabata, A. Kitagawa A. Kondo

Thin Solids Films   517 巻   頁： 3520-3523   2009年

Structural Changes of Hot-Wire CVD Silicon Carbide Thin Films Induced by Gas Flow Rates 査読有り

A. Tabata, M. Mori

Thin Solid Films   516, 巻 ( 5 ) 頁： 626-629   2008年1月

Properties of nanocrystalline silicon carbide thin films prepared by hot-wire chemical vapor deposition using SiH₄/CH₄/H₂ at various substrate temperatures 査読有り

A. Tabata,Y. Komura, Y. Hoshide, T. Narita, A. Kondo

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻 ( 1 ) 頁： 561-565   2008年1月

Influence of gas pressure on low-temperature preparation and film properties of nanocrystalline 3C-SiC thin films by HW-CVD using SiH₄/CH₄/H₂ system 査読有り

Y. Komura, A. Tabata, T. Narita, A. Kondo

Thin Solid Films   516 巻 ( 516 ) 頁： 633-636   2008年1月

Influence of ion bombardment on microcrystalline silicon growth during radio-frequency magnetron sputtering 査読有り

A. Tabata, K. Fukaya, T. Mizutani

Vacuum   82 巻   頁： 777-781   2008年

Film properties of nanocrystalline 3C-SiC thin films deposited on glass substrate by hot-wire chemical vapor deposition using CH₄ as a carbon source 査読有り

Y. Komura A. Tabata T. Narita M. Kanaya A. Kondo T. Mizutani

Jpn J. Appl. Phys.   46 巻 ( 1 ) 頁： 45-50   2007年1月

Preparation of nanocrystalline silicon carbide thin films by hot-wire CVD at various filament-to-substrate distances 査読有り

A. Tabata, Y. Komura

Surf. Coat. Technol.   201 巻   頁： 8986-8990   2007年

Structure of amorphous and microcrystalline silicon thin films prepared at various gas pressures and gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition 査読有り

T. Daimaru, A. Tabata, T. Mizutani

Thin Solid Films   501 巻 ( 1-2 ) 頁： 102-106   2006年

Effect of hot-wire passivation on film properties of hydrogenated microcrystalline silicon films 査読有り

S. Mitsuhashi, A. Tabata, T. Mizutani

J. Non-Cryst. Solids   352 巻   頁： 2943-2946   2006年

Nanocrystalline cubic silicon carbide prepared by hot-wire chemical vapor deposition using SiH₄/CH₄/H₂ at a low substrate temperature 査読有り

Y. Komura, A. Tabata, T. Narita, A. Kondo, T. Mizutani

J. Non-Cryst. Solids   352 巻   頁： 1367-1370   2006年

Properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared at various hydrogen gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition 査読有り

M. Mori, A. Tabata, T. Mizutani

Thin Solid Film   501 巻 ( 1-2 ) 頁： 177-180   2006年

Influence of target direct current bias voltage on the film structure of hydrogenated microcrystalline silicon prepared by direct-current- radiofrequency coupled magnetron sputtering 査読有り

K. Fukaya, A. Tabata, T. Mizutani

Thin Solid Films   478 巻 ( 1-2 ) 頁： 132-136   2005年

Control of crystallinity and deposition rate of hydrogenated silicon thin films prepared by radio frequency magnetron sputtering using layer-by layer growth 査読有り

A. Tabata, K. Okada, T. Mizutani, Y. Suzuoki

Thin Solid Film   491 巻 ( 1-2 ) 頁： 148-152   2005年

Structure of amorphous and microcrystalline silicon thin films prepared at various gas pressures and gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition

T. Daimaru, A. Tabata, T. Mizutani

3rd International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process     頁： 389-392   2004年

Dependence on gas pressure of μc-Si:H prepared by RF magnetron sputtering 査読有り

K. Fukaya, A. Tabata, T. Mizutani

Vacuum   74 巻 ( 3-4 ) 頁： 561-565   2004年

Band-gap control of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by hot-wire chemical vapor deposition 査読有り

A. Tabata, M. Kuroda, M. Mori, T. Mizutani, Y. Suzuoki

Journal of Non-Crystalline Solids   338-340 巻   頁： 521-524   2004年

Properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared at various hydrogen gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition

M. Mori, A. Tabata, T. Mizutani

3rd International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process     頁： 393-395   2004年

Preparation of wide-gap hydrogenated amorphous silicon carbide thin films by hot-wire chemical vapor deposition at a low tungsten temperature 査読有り

A. Tabata, T. Nakajima, T. Mizutani, Y. Suzuoki

Japanese Journal of Applied Physics   42 巻 ( 1AB ) 頁： L10-L12   2003年

日射量の多地点同時観測結果に基づくＰＶシステム出力変動のＬＦＣへの影響評価 査読有り

柳川茂幸, 加藤丈佳, 田畑彰守, 鈴置保雄

電気学会論文誌Ｂ   123 巻 ( 12 ) 頁： 1504-1511   2003年

Band-gap control of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by hot-wire chemical vapor deposition

A. Tabata, M. Kuroda, T. Mizutani, Y. Suzuoki

20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors     頁： P-Th-5/5   2003年

Effect of total gas pressure on hydrogenated amorphous silicon carbide films by hot-wire CVD

A. Tabata, T. Nakajima, T. Mizutani, Y. Suzuoki

3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 13th PV Science and Engineering Conference, 30th IEEE PV Specialists Conference, 18th European PV Solar Energy Conference     2003年

Dependence on gas pressure of μc-Si:H prepared by RF magnetron sputtering

7th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes     頁： 43-46   2003年

Structure of amorphous and microcrystalline silicon films prepared at various gas pressure by hot-wire chemical vapor deposition

T. Daimaru, A. Tabata, T. Mizutani, Y. Suzuoki

20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors     頁： P-Tu-1/9   2003年

Preparation of microcrystalline silicon by DC-RF coupled magnetron sputtering

K. Fukaya, A. Tabata, T. Mizutani

20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors     頁： P-Tu-1/5   2003年

電力需要および日射量の実績からみた太陽光発電システムのｋＷ価値 査読有り

加藤丈佳, 長江宣久, 田畑彰守, 横水康伸, 岡本達生, 鈴置保雄

電気学会論文誌B   122-B 巻 ( 1 ) 頁： 77-83   2002年

Dependence on substrate temperature of the film structure of μc-Si:H prepared by RF magnetron sputtering 査読有り

J. Kondo, A. Tabata, T. Kawamura, T. Mizutani

Vacuum   66 巻   頁： 409-413   2002年

電力需要および日射量の実績からみた太陽光発電システムのｋＷ価値

加藤丈佳, 長江宣久, 田畑彰守, 横水康伸, 岡本達生, 鈴置保雄

電気学会論文誌B   122-B 巻 ( 1-2 ) 頁： 77-83   2002年

Effect of Plasma Off Time on Structure and Electrical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Films 査読有り

A. Tabata, M. Sekito, Y. Suzuoki, T. Mizutani

Japanese Journal of Applied Physics   40 巻 ( 12 ) 頁： 6728 - 6731   2001年

日射量の多地点同時観測に基づく太陽光発電の出力変動に対するLFC容量の評価 査読有り

柳川茂幸, 加藤丈佳, 呉　カイ, 田畑彰守, 横水康伸, 岡本達生, 鈴置保雄

電気学会論文誌B   121-B 巻 ( 9 ) 頁： 1094-1102   2001年

The changes of structural and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films by pulse-modulated plasma

A. Tabata, M. Sekito, Y. Suzuoki, T. Mizutani

11th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide     頁： 5.5.11   2000年

Effect of the hydrogen partial pressure ratio on the properties of uc-Si:H films prepared by rf magnetron sputtering 査読有り

H. Makihara, A. Tabata, Y. Suzuoki, T. Mizutani

Vacuum   59 巻   頁： 785-791   2000年

* Electrical properties before and after light-soaking of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by the hydrogen radical CVD method 査読有り

A. Tabata, H. Kamijo, Y. Suzuoki, T. Mizutani

J. Physl D: Appl. Phys.   32 巻 ( 18 ) 頁： 2448-2453   1999年

Fabrication of polyurea thin films for optical socond-harmonic generation by vapor deposition plymerization -Effects of Roling field and monomer structure on reactivity and SHG performance 査読有り

T. Segi, T. Mizutani, Y. Suzuoki, A. Tabata, K. Takagi

IEEE Transaction on Dielectrics and Electrical Insutation   5 巻 ( 1 ) 頁： 63-69   1998年

Effect of hydrogen radicals on properties and structure of a-Si_1-XC_x : H films 査読有り

A. Tabata, H. Kamijo, Y. Suzuoki, T. Mizutani

Journal of Non-Crystalline Solids   227-230 巻   頁： 456   1998年

Properties of Hydrogeneted Amorphons Silicon Carbide Films prpared by Pulse-Mochulated Rf Discharge

A. Tabata, Yonezu, Y. Suzuoki, T. Mizutani

4th Asian Pasific Conference on Plasma Science and Technology 11th Symposium on Plasma Science for Materials     頁： 107   1998年

Properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by a separately exited plasma CVD method 査読有り

A. Tabata, Y. Kuno, Y. Suzuoki, T. Mizutani

J. Phys. D : Appl. Phys.   30 巻 ( 2 ) 頁： 194   1997年

スピロピランLB膜の構造制御と光学的特性(II)-成膜条件と非線形光学特性- 査読有り

村瀬和也、瀬記武、田畑彰守、鈴置保雄、水谷照吉

電気学会論文誌A   117-A 巻 ( 2 ) 頁： 167-171   1997年

Transmission Electron Microscopy Observation and Third-Order Optical Nonlinearity of CdSe-doped Glass Thin Films Prepared by Ion-Beam Sputtering Method 査読有り

A. Tabata. N. Matsuno, Y. Suzuoki, T. Mizutani

Japanese Journal of Applied Physics   35 巻 ( 5A ) 頁： 2646-2648   1996年

Optical Properties and structure of SiO₂ films prepared by ion-beam sputtering 査読有り

A. Tabata, N. Matsuno, Y. Suzuoki, T. Mizutani

Thin Solid Films   289 巻   頁： 84-89   1996年

Influence of Poling Field on Polymerization in Polyurea Thin Films for Second-Harmonic Generation Prepared by Vapor Deposition Polymerization 査読有り

T. Segi, Y. Suzuoki, A. Tabata, T. Mizutani, K. Takagi

Japaneas Journal of Applied Physics   35 巻 ( 8 ) 頁： 4444-4450   1996年

Properties of the CdSe-Doped Glass Thin Films Prepared by Ion-Beam Sputtering Method 査読有り

Y. Suzuoki, N. Matsuno, A. Tabata, T. Mizutani

Japanese Journal of Applied Physics   34 巻 ( 3 ) 頁： 1631-1637   1995年

Preparation of a-Si_xC_1-X : H films by separately-excited-plasma CVD method 査読有り

A. Tabata, Y. Kuno, Y. Suzuoki, T. Mizutani

Journal of Non-Crystalline Solids   164-166 巻   頁： 1043-1046   1993年

プラズマCVD法による水素化アモルファス炭化シリコンの構造と電気特性 査読有り

田畑彰守、冨板健治、鈴置保雄、水谷照吉

素材物性学雑誌   4 巻 ( 2 ) 頁： 35-45   1991年

X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) of hydrogenated amorphous silicon carbide (a-Si_X C_1-X : H) prepared by the plasma CVD method 査読有り

A. Tabata, S. Fujii, Y. Suzuoki, T. Mizutani, M. Ieda

J. Phys. D : Appl. Phys.   23 巻 ( 3 ) 頁： 316-320   1990年

Thermally stimulated current (TSC) in a-Si_x C_1-X : H films prepared by plasma CVD 査読有り

A. Tabata, T. Mizutani, A. Yoshida, M. Ieda

J. Phys. D : Appl. Phys.   22 巻 ( 6 ) 頁： 794-797   1989年

nc-3C-SiC:H/c-Siヘテロ接合素子特性に与える電極金属の影響

尾関浩幸、田畑彰守

第11回Cat-CVD研究会 

Electrical properties of nc-3C-SiC:H/c-Si heterojunction diodes prepared by HW-CVD 国際会議

Y. Imori, A. Tabata

Effect of film thickness on electrical properties of nc-3C-SiC:H/c-Si heterojunction diodes prepared by HW-CVD 国際会議

Y. Imori, A. Tabata

c-Si/nc-3C-SiC:H heterojunction diodes with buffer layer 国際会議

R. Ushikusa, A. Tabata

HW-CVD法によるnc-3C-SiC:H/c-Siヘテロ接合ダイオードの特性に与える水素ガス流量の影響

井森嘉一、田畑彰守

第10回Cat-CVD研究会 

Structural and electrical properties of μc-Si:H/nc-3C-SiC:H two-layered thin films prepared by hot-wire CVD methhod 国際会議

7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition 

Thickness dependence of structural and electrical properties of HWCVD nc-3C-SiC:H/c-Si heterojunctions 国際会議

7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition 

HW-CVD法を用いたμc-Si:H/nc-3C-SiC:H二層膜の膜構造及び電気的特性

渡邉卓也、田畑彰守

第９回Cat-CVD研究会 

Heterojunction diodes of N-doped nanocrystalline 3C-SiC:H prepared on p-type c-Si from SiH₄/CH₄/N₂ with varying H₂ dilution ratios 国際会議

S. Sato, A. Tabata

24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors  

ナノ結晶3C-SiC:H薄膜を用いたヘテロ接合の素子特性への水素希釈ガスの与える影響

佐藤慎一郎、田畑彰守

第８回Cat-CVD研究会 

N₂ post-deposition treatment on silicon thin films with a hot-wire chemical vapor method at a low wire-temperature 国際会議

6th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

Structural changes in tungsten wire and their effect on the properties of hydrogenated nanocrystalline cubic silicon carbide thin films 国際会議

6th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

HW-CVD（Cat-CVD）法によるナノ結晶3C-SiC:H薄膜の低温形成（依頼講演）

田畑彰守

第7回Cat-CVD研究会 

Formation of silicon nitride layer on microcrystalline silicon thin films by hot-wire chemical vapor method using nitrogen and hydrogen gases 国際会議

17th European Conference on Chemical Vapor Deposition and CVD-XVII 

Influences of N₂ and H₂ gas flow rates on properties of n-type nanocrystalline 3C-SiC:H thin films prepared by hot-wire chemical vapor deposition 国際会議

17th European Conference on Chemical Vapor Deposition and CVD-XVII 

N₂ガスを用いたホットワイヤー気相法による微結晶シリコン薄膜への窒化層形成

間崎耕司、田畑彰守、近藤明弘

第6回Cat-CVD研究会 

ガラス基板上へのｎ型ナノ結晶3C-SiC薄膜の低温堆積とその高品質化

星出純希、田畑彰守、北川明彦、近藤明弘

第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 

Improvement of electrical properties of n-type nanocrystalline 3C-SiC thin films prepared by hot-wire CVD at high H₂-dilution 国際会議

30th International Symposium on Dry Process 

Enhancement of crystal growth in μc-Si:H thin film deposition by H radical-assisted magnetron sputtering and the plasma diagnostics. 国際会議

AVS 55th International Symposium and Exhibition 

Enhancement of crystal growth in μc-Si:H thin film deposition by H radical-assisted magnetron sputtering. 国際会議

1st International Conference on Microelectronics and Plasma Technology 

Properties of hydrogenated microcrystalline silicon thin films prepared by hot-wire CVD at high gas pressure conditions 国際会議

5th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

N₂ decomposition by hot wire and N₂ post-deposition treatment on hydrogenated microcrystalline silicon thin films. 国際会議

5th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

Preparation of n-type nanocrystalline 3C-SiC films by hot-wire CVD using N₂ as doping gas 国際会議

5th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

Importance of H₂ gas for growth of hot-wire CVD nanocrystalline 3C-SiC from SiH₄/CH₄/H₂. 国際会議

5th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

Growth of silicon carbide thin films by hot-wire chemical vapor deposition form SiH₄/CH₄/H₂. 国際会議

5th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

N₂ガスをドーピング原料としたn型ナノ結晶3C-SiC薄膜の開発

星出純希、田畑彰守、北川明彦、近藤明弘

第5回Cat-CVD研究会 

ホットワイヤーによるN₂ガス分解

間崎耕司、田畑彰守、北川明彦、近藤明弘

第5回Cat-CVD研究会 

Enhancement of crystal growth in Si thin film deposition by H radical-assisted magnetron sputtering. 国際会議

1st International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science 

Si sputtering deposition by Ar discharge with H radicals and the film evaluation 国際会議

18th Symposium of MRS 

SiH₄/CH₄/H₂を用いたホットワイヤーCVD方によるナノ結晶SiC薄膜の膜構造のH₂ガス流量依存性

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 

Effect of hydrogen radicals on silicon sputtering with argon-hydrogen mixture gas

6th Asian-European International Conference on Plasma SurfaceEngineering AEPSE 

Preparation of nanocrystalline silicon carbide thin films by hot-wire CVD at various filament-to-substrate distances 国際会議

16th European Conference on Chemical Vapor Deposition 

フィラメント基板間距離を変えて作製したCat-CVD法によるナノ結晶3C-SiC薄膜の膜特性

第4回Cat-CVD研究会 

Properties of nanocrystalline silicon carbide thin films prepared by hot-wire chemical vapor deposition using SiH₄/CH₄/H₂ at various substrate temperatures 国際会議

2nd International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies 

Electrical properties of Microcrystalline silicon thin films prepared by RF magnetron sputtering 国際会議

20th Symposium on Plasma Science for Materials 

化学反応支援マグネトロンスパッタリングによる微結晶シリコン成膜とそのプラズマ診断

深谷康太, 佐々木浩一, 高軍思, 田畑彰守, 豊田浩孝, 岩田聡, 菅井秀郎

第24 回プラズマプロセシング研究会 

Influence of gas-pressure on low-temperature preparation and film properties of nanocrystalline 3C-SiC thin films by HW-CVD using SiH₄/CH₄/H₂ system 国際会議

4th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

Structural Change of Hot-Wire CVD Silicon Carbide Thin Films by Gas Flow Rates 国際会議

4th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

Hydrogenated microcrystalline silicon films by hot wire chemical vapor deposition with very high hydrogen dilution and two-step deposition 国際会議

4th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

Cat-CVD法によるナノ結晶SiC薄膜作成時のガス圧力の与える影響

香村勇介、田畑彰守、成田知岐、近藤明弘

第3回Cat-CVD研究会 

Preparation of B-doped microcrystalline silicon thin films by RF magnetron sputtering 国際会議

3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion 

Influences of filament temperature on the structure and optical properties of nanocrystalline silicon carbide films by hot-wire CVD. 国際会議

3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion 

Highly photoconductive hydrogenated amorphous silicon carbide thin films prepared by hot-wire chemical vapor deposition 国際会議

21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors 

Effect of hot-wire passivation on film properties of hydrogenated microcrystalline silicon films 国際会議

21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors 

Nanocrystalline cubic silicon carbide prepared by hot-wire chemical vapor deposition using SiH₄/CH₄/H₂ at a low substrate temperature 国際会議

21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors 

CH₄を炭素源に用いたCat-CVD法によるナノ結晶SiC薄膜の作成

香村勇介、田畑彰守、成田知岐、近藤明弘、水谷照吉

第2回Cat-CVD研究会 

Properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared at various hydrogen gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition

3rd International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

Structure of amorphous and microcrystalline silicon thin films prepared at various gas pressures and gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition 国際会議

3rd International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) process 

メタンを炭素源として用いたHW-CVD法によるワイドバンドギャップ炭化シリコン薄膜の作成

田畑彰守、水谷照吉

第1回Cat-CVD研究会 

Preparation of microcrystalline silicon by DC-RF coupled magnetron sputtering

20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors 

Band-gap control of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by hot-wire chemical vapor deposition

20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors 

Structure of amorphous and microcrystalline silicon films prepared at various gas pressure by hot-wire chemical vapor deposition

20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors 

Dependence on gas pressure of μc-Si:H prepared by RF magnetron sputtering 国際会議

7th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes 

Effect of total gas pressure on hydrogenated amorphous silicon carbide films by hot-wire CVD 国際会議

3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 13th PV Science and Engineering Conference, 30th IEEE PV Specialists Conference, 18th European PV Solar Energy Conference 

電力需要および日射量の実績からみた太陽光発電システムのｋＷ価値

加藤丈佳, 長江宣久, 田畑彰守, 横水康伸, 岡本達生, 鈴置保雄

電気学会論文誌B 

Structure of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by hot-wire chemical vapor deposition method 国際会議

12th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide 

Tungsten-Temperature Dependence of the Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Films Prepared by Hot-Wire CVD Method 国際会議

19th International Conference on Amorphous and Micro- crystalline Semiconductors 

Substrate-temperature-dependence of film structure of μc-Si:H prepared by rf magnetron sputtering 国際会議

6th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes 

The changes of structural and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films by pulse-modulated plasma

11th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide 

企業・研究所見学A

2019

機能電気・情報材料セミナー

2019

データ解析処理論

2019

電気工学通論第１

2019

企業・研究所見学B

2019

機能電気・情報材料セミナー

2019

エネルギー材料工学特論

2019

機能電気・情報材料セミナー

2018

機能電気・情報材料セミナー

2018

データ解析処理論

2018

電気工学通論第１

2018

機能電気・情報材料セミナー

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エネルギー材料工学特論

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機能電気・情報材料セミナー

2017

電気工学通論第１

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データ解析処理論

2017

電気工学通論第１

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データ解析処理論

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エネルギーシステムセミナー

2016

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2016

エネルギーシステムセミナー

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電気工学通論第１

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電気・電子工学実験第１

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データ解析処理論

2015

エネルギーシステムセミナー

2015

エネルギー材料工学特論

2015

電気工学通論第１

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エネルギーシステムセミナー

2014

データ解析処理論

2014

エネルギーシステムセミナー

2014

電気・電子工学実験第１

2013

エネルギーシステムセミナー

2013

エネルギー材料工学特論

2013

電気工学通論第１

2013

電気工学通論第１

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エネルギーシステムセミナー

2012

物理学実験

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電気電子情報先端工学概論

2011

電気工学通論第１

2011

エネルギーシステムセミナー

2011

物理学実験

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エネルギーシステムセミナー

2010

エネルギー材料工学特論

2010

エネルギー材料工学特論

2009

電気工学通論第1

2009