株式会社U-MAP   取締役 CTO

2016年11月 - 現在

国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研)   エレクトロニクス・製造領域　研究戦略部　（現：研究企画室）窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ   副ラボ長

2016年11月 - 2021年3月

名古屋大学未来材料・システム研究所　未来エレクトロニクス集積研究センター・教授

2015年10月 - 現在

名古屋大学グリーンモビリティ連携研究センター・教授

2014年4月 - 2015年9月

名古屋大学大学院工学研究科・教授

2010年10月 - 現在

名古屋大学大学院工学研究科附属バックキャストテクノロジー材料センター　准教授（兼任）

2008年10月

名古屋大学大学院工学研究科　准教授

2007年4月

名古屋大学大学院工学研究科　助教授

2004年3月 - 2007年3月

東北大学金属材料研究所　助手

1999年4月 - 2004年2月

ICSCRM2019　実行委員会   プログラム委員  

2019年6月 - 2019年10月   

日本結晶成長学会 理事（副会長(兼)学会賞委員会・バルク成長分科会）   理事（副会長(兼)学会賞委員会・バルク成長分科会）  

2019年4月 - 2022年3月   

2019年2020年 日本金属学会・日本鉄鋼協会講演大会   委員  

2019年4月 - 2021年3月   

国立研究開発法人 科学技術振興機構(JST) ERATO   選考評価者  

2018年7月 - 2019年3月   

一般社団法人電子情報技術産業協会(JEITA)半導体信頼性技術委員会「個別半導体（パワー系）信頼性試験規格PG」   客員委員  

2018年4月 - 2020年3月   

一般社団法人電子情報技術産業協会(JEITA)半導体信頼性技術委員会「化合物パワー半導体信頼性技術WG」   客員委員  

2018年4月 - 2020年3月   

プロセス研究会   会員  

2017年4月 - 現在   

公益社団法人日本金属学会分科会   委員  

2017年4月 - 2019年3月   

NEDO技術委員会   NEDO技術委員　  

2015年9月 - 2017年3月   

平成27年度地域経済産業活性化対策調査技術審査委員会   審査委員  

2015年7月 - 2016年3月   

公益財団法人名古屋産業科学研究所   非常勤所員  

2014年12月 - 現在   

ICCGE-18実行委員会   委員  

2014年9月 - 2016年8月   

第53,54期　応用物理学会   代議員  

2014年2月 - 2016年1月   

ISPlasma2014/IC-PLANTS2014プログラム委員会   委員  

2013年5月 - 2014年3月   

ICSCRM2013　実行委員会   実行委員  

2012年3月 - 2014年3月   

第51,52期　応用物理学会   代議員  

2012年2月 - 2014年1月   

SSDM2012　国際固体素子材料コンファレンス   論文委員  

2012年2月 - 2012年12月   

日本金属学会東海支部   理事  

2011年4月 - 2012年3月   

SSDM2011　国際固体素子材料コンファレンス   論文委員  

2010年12月 - 2011年11月   

日本学術振興会　水の先進理工学　第183委員会   運営委員  

2010年10月 - 現在   

日本学術振興会　結晶成長の科学と技術　第161委員会   運営委員  

2010年8月 - 現在   

InP関連材料国際会議プログラム   委員  

2009年9月 - 現在   

第39回結晶成長国内会議   実行委員  

2009年6月 - 2009年11月   

知的クラスター創成事業基礎教育セミナー   企画担当  

2009年4月 - 現在   

日本金属学会東海支部   評議委員  

2009年4月 - 2011年3月   

第二回おもしろ科学教室実行委員会   メンバー  

2009年1月   

おもしろ科学館イン瑞浪2008実行委員会   実行メンバー  

2008年9月 - 2008年10月   

HACCP対応抗菌環境福祉材料開発研究会   委員  

2008年4月 - 2010年3月   

「安心・安全・信頼のための抗菌材料」編集委員会   編集委員  

2008年4月 - 2010年3月   

「分散量子ドット及び蛍光体を用いた広帯域光源の開発」プロジェクト形成委員会   委員  

2008年4月 - 2009年3月   

第69回応用物理学会学術講演会現地実行委員会   委員  

2007年7月 - 2008年9月   

公益社団法人応用物理学会東海支部   幹事  

2007年4月 - 現在   

2007年日本金属学会・日本鉄鋼協会秋期大会実行委員会   委員  

2007年3月 - 2007年10月   

日本結晶成長学会　学会誌編集委員   学会誌編集委員  

2006年11月 - 2010年3月   

日本結晶成長学会   理事  

2006年4月 - 現在   

名古屋大学21世紀COE「自然に学ぶ材料プロセッシングの創成」教科書編集委員会   編集委員  

2006年4月 - 2007年3月   

日本金属学会東海支部若手材料研究会   幹事  

2005年4月 - 現在   

日本金属学会会報編集委員会   編集委員  

2005年4月 - 2007年3月   

日本学術振興会　次世代の太陽電池システム　第175委員会   学界委員  

2004年10月 - 現在   

日本物理学会   世話人  

2004年5月 - 2005年4月   

博士課程教育リーディングプログラム フォーラム2017　 " Students Award "

2017年10月   名古屋大学   SiC 溶液成長における機械学習を用いた溶液温度・流速分布のリアルタイム可視化

ICSCRM2017 Student Poster Award

2017年9月   ICSCRM2017   irect Observation of Stacking Faults Expansion in 4H-SiC at High Temperatures by In Situ X-Ray Topography

日本金属学会第29回「優秀ポスター賞」

2017年9月   日本金属学会   単結晶Cu集電体を用いた金属Li負極の不均一析出抑制

第40回結晶成長討論会 優秀ポスター賞

2017年9月   結晶成長討論会   SiC溶液成長における機械学習を用いた閉鎖空間の溶液温度・流速分布の予測

photo contest award the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy

2016年8月   18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy   Morphology of AlN whiskers grown by reacting N2 gas and Al vapor

ICSCRM2015 Student Poster Award

2015年10月   ICSCRM2015   Distribution of nitrogen doping concentration in 4H-SiC grown by solution method

社団法人未踏科学技術協会　超伝導科学技術研究会　第15回超伝導科学技術賞

2011年   社団法人未踏科学技術協会  

第28回応用物理学会講演奨励賞

2010年9月   応用物理学会  

第90春季年会優秀講演賞(学術)、2010年

2010年3月   日本化学会  

日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部　優秀ポスター賞

2010年   日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部  

応用物理学会論文賞

2009年9月   応用物理学会  

１９回学生による材料フォーラムで優秀ポスター賞

2009年   日本金属学会・日本鉄鋼協会　東海支部  

日本金属学会2006年春季講演大会　第6回優秀ポスター賞

2006年   日本金属学会  

第3回日本結晶成長学会奨励賞

2005年   日本結晶成長学会  

第16回応用物理学会講演奨励賞

2004年   応用物理学会  

第43回原田研究奨励賞

2003年   公益財団法人本多記念会  

第13回日本金属学会奨励賞　「材料プロセッシング分野」

2003年   日本金属学会  

応用物理学会講演奨励賞

2002年   応用物理学会  

Numerical Modeling of the Cellular Structure Formation Process in SiC Solution Growth for Suppression of Solvent Inclusions 査読有り

Zhou, HQ (Zhou, Huiqin); Miura, H (Miura, Hitoshi); Dang, YF (Dang, Yifan); Fukami, Y (Fukami, Yuma); Takemoto, H (Takemoto, Hisaki); Harada, S (Harada, Shunta); Tagawa, M (Tagawa, Miho); Ujihara, T (Ujihara, Toru)

CRYSTAL GROWTH & DESIGN   23 巻 ( 5 ) 頁： 3393 - 3401   2023年5月

Modeling-Based Design of the Control Pattern for Uniform Macrostep Morphology in Solution Growth of SiC 査読有り

Dang, Yifa , Liu, Xinbo,Zhu, Can, Fukami, Yuma,Ma, Shuyang , Zhou, Huiqin ,Liu, Xin ,Kutsukake, Kentaro, Harada, Shunta , Ujihara, Toru

CRYSTAL GROWTH & DESIGN     頁： 1023 - 1032   2023年2月

Thermal conduction in titanium-chromium oxide natural superlattices with an ordered arrangement of nearly pristine interfaces 査読有り

Shunya Sugimoto, Gareoung Kim, Tsunehiro Takeuchi, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Shunta Harada

Journal of Alloys and Compounds   934 巻   2023年2月

非弾性Ｘ線散乱によるルチル型酸化チタンのフォノン分散測定 査読有り

原田 俊太, 小坂 直輝, 筒井 智嗣, 田中 克志, 田川 美穂, 宇治原 徹

SPring-8/SACLA利用研究成果集   10 巻 ( 6 ) 頁： 521 - 523   2022年12月

Bayesian Optimization for Cascade-Type Multistage Processes 査読有り

Kusakawa, S,Takeno, S , Inatsu, Y, Kutsukake, K, Iwazaki, S,Nakano, T , Ujihara, T,Karasuyama, M ,Takeuchi, I

NEURAL COMPUTATION   34 巻 ( 12 ) 頁： 2408 - 2431   2022年11月

Thermal conduction in titanium-chromium oxide natural superlattices with an ordered arrangement of nearly pristine interfaces 査読有り

Shunya Sugimoto, Gareoung Kim, Tsunehiro Takeuchi, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Shunta Harada

SSRN     2022年10月

Optimization of Flow Distribution by Topological Description and Machine Learning in Solution Growth of SiC 査読有り

Masaru Isono,Shunta Harada,Kentaro Kutsukake,Tomoo Yokoyama,Miho Tagawa,Toru Ujihara

ADVANCED THEORY AND SIMULATIONS   5 巻 ( 9 )   2022年7月

A Transfer Learning-Based Method for Facilitating the Prediction of Unsteady Crystal Growth 査読有り

Yifan Dang,Kentaro Kutsukake,Xin Liu,Yoshiki Inoue,Xinbo Liu,Shota Seki,Can Zhu,Shunta Harada,Miho Tagawa,Toru Ujihara

ADVANCED THEORY AND SIMULATIONS   5 巻 ( 9 )   2022年7月

Designing a High-Crystallinity Nano-Gapped Particle Superlattice via DNA-Guided Colloidal Crystallization and Dehydration 査読有り

Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, and Miho Tagawa

Crystal Growth＆Design   22 巻 ( 6 ) 頁： 3708 - 3718   2022年4月

Nucleation sites of expanded stacking faults detected by in operando x-ray topography analysis to design epitaxial layers for bipolar-degradation-free SiC MOSFETs 査読有り

Kumiko Konishi, Ryusei Fujita, Keisuke Kobayashi, Akio Yoneyama, Kotaro Ishiji, Hiroyuki Okino, Akio Shima, Toru Ujihara

AIP Advances 12     2022年3月

Crossover from incoherent to coherent thermal conduction in bulk titanium oxide natural superlattices

Harada Shunta, Kosaka Naoki, Yagi Takashi, Sugimoto Shunya, Tagawa Miho, Ujihara Toru

SCRIPTA MATERIALIA   208 巻   2022年2月

Numerical investigation of solute evaporation in crystal growth from solution: A case study of SiC growth by TSSG method

Yifan Dang, Can Zhu, Xin Liu, Wancheng Yu, Xinbo Liu, Koki Suzuki, Tomoaki Furusho, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

Journal of Crystal Growth     2022年2月

Data-Driven Optimization and Experimental Validation for the Lab-Scale Mono-Like Silicon Ingot Growth by Directional Solidification 査読有り

Xin Liu, Yifan Dang, Hiroyuki Tanaka, Yusuke Fukuda, Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Toru Ujihara, Noritaka Usami

ACS OMEGA   7 巻 ( 8 ) 頁： 6665 - 6673   2022年2月

Solvent design aiming at solution property induced surface stability: A case study using SiC solution growth

Liu Xinbo, Dang Yifan, Suzuki Koki, Zhu Can, Yu Wancheng, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   578 巻   2022年1月

High fracture toughness AlN achieved by addition of AlN whiskers and tape-casting

Shimizu Hiroki, Kondo Naoki, Shimamura Akihiro, Hotta Mikinori, Harada Shunta, Ujihara Toru, Ohnishi Yoshihiro

JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   130 巻 ( 1 ) 頁： 195 - 198   2022年1月

Immobilization of partial dislocations bounding double Shockley stacking faults in 4H-SiC observed by in situ synchrotron X-ray topography

Fujie Fumihiro, Harada Shunta, Suo Hiromasa, Raghothamachar Balaji, Dudley Michael, Hanada Kenji, Koizumi Haruhiko, Kato Tomohisa, Tagawa Miho, Ujihara Toru

MATERIALIA   20 巻   2021年12月

Bayesian Optimization for Cascade-type Multi-stage Processes 査読有り

Shunya Kusakawa, Shion Takeno, Yu Inatsu, Kentaro Kutsukake, Shogo Iwazaki, Takashi Nakano, Toru Ujihara, Masayuki Karasuyama, Ichiro Takeuchi

arXiv:2111     2021年11月

In-operando x-ray topography analysis of SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors to visualize stacking fault expansion motions dynamically during operations 査読有り

Konishi Kumiko, Fujita Ryusei, Kobayashi Keisuke, Yoneyama Akio, Ishiji Kotaro, Okino Hiroyuki, Shima Akio, Ujihara Toru

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   130 巻 ( 14 )   2021年10月

Surface relaxation and photoelectric absorption effects on synchrotron X-ray topographic images of dislocations lying on the basal plane in off-axis 4H-SiC crystals 査読有り

Ailihumaer Tuerxun, Peng Hongyu, Fujie Fumihiro, Raghothamachar Balaji, Dudley Michael, Harada Shunta, Ujihara Toru

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS   271 巻   2021年9月

Two-Step Nanoparticle Crystallization via DNA-Guided Self-Assembly and the Nonequilibrium Dehydration Process

Sumi Hayato, Ohta Noboru, Sekiguchi Hiroshi, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tsukamoto Katsuo, Tagawa Miho

CRYSTAL GROWTH & DESIGN   21 巻 ( 8 ) 頁： 4506 - 4515   2021年8月

Y Local Atomic Structures for Tunable Ordered Arrangements of Crystallographic Shear Planes in Titanium-Chromium Oxide Natural Superlattices 査読有り

Harada Shunta, Sugimoto Shunya, Kosaka Naoki, Tagawa Miho, Ujihara Toru

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   125 巻 ( 28 ) 頁： 15730 - 15736   2021年7月

Control of microstructure and mechanical properties of sintered aluminum nitride through addition of aluminum nitride whiskers 査読有り

Kondo Naoki, Shimamura Akihiro, Hotta Mikinori, Shimizu Hiroki, Ujihara Toru, Ohnishi Yoshihiro

JOURNAL OF ASIAN CERAMIC SOCIETIES   9 巻 ( 3 ) 頁： 1248 - 1254   2021年7月

Ordered Arrangement of Planar Faults with Picoscale Perfection in Titanium Oxide Natural Superlattices 査読有り

Harada Shunta, Kosaka Naoki, Tagawa Miho, Ujihara Toru

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   125 巻 ( 20 ) 頁： 11175 - 11181   2021年5月

Synchrotron X-ray topographic image contrast variation of screw-type basal plane dislocations located at different depths below the crystal surface in 4H-SiC 査読有り

Fujie Fumihiro, Peng Hongyu, Ailihumaer Tuerxun, Raghothamachar Balaji, Dudley Michael, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

ACTA MATERIALIA   208 巻   2021年4月

Geometrical design of a crystal growth system guided by a machine learning algorithm 査読有り

Yu Wancheng, Zhu Can, Tsunooka Yosuke, Huang Wei, Dang Yifan, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

CRYSTENGCOMM   23 巻 ( 14 ) 頁： 2695 - 2702   2021年4月

Intensity Interference in a Coherent Spin-Polarized Electron Beam

Kuwahara Makoto, Yoshida Yuya, Nagata Wataru, Nakakura Kojiro, Furui Masato, Ishida Takafumi, Saitoh Koh, Ujihara Toru, Tanaka Nobuo

PHYSICAL REVIEW LETTERS   126 巻 ( 12 )   2021年3月

Chiral Optical Force Generated by a Superchiral Near-Field of a Plasmonic Triangle Trimer as Origin of Giant Bias in Chiral Nucleation: A Simulation Study 査読有り

Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Cheng An-Chieh, Tagawa Miho, Ujihara Toru, Yoshikawa Hiroshi Y., Kawamura Ryuzo, Nozawa Jun, Okada Junpei T., Uda Satoshi

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   125 巻 ( 11 ) 頁： 6209 - 6221   2021年3月

Adaptive process control for crystal growth using machine learning for high-speed prediction: application to SiC solution growth

Dang Yifan, Zhu Can, Ikumi Motoki, Takaishi Masaki, Yu Wancheng, Huang Wei, Liu Xinbo, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

CRYSTENGCOMM   23 巻 ( 9 ) 頁： 1982 - 1990   2021年3月

Detection and classification of dislocations in GaN by optical microscope using birefringence

Atsushi Tanaka, Shunta Harada, Kenji Hanada, Yoshio Honda, Toru Ujihara, and Hiroshi Amano,

Proc. SPIE 11706, Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXV   ( 117060Y )   2021年3月

Analysis of dislocation line tilt in GaN single crystal by Raman spectroscopy

Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Inotsume Sho, Fujie Fumihiro, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SA )   2021年1月

Adaptive process control for crystal growth using machine learning for high-speed prediction: application to SiC solution growth 査読有り

Dang Yifan, Zhu Can, Ikumi Motoki, Takaishi Masaki, Yu Wancheng, Huang Wei, Liu Xinbo, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

CrystEngComm   23 巻 ( (8) )   2021年1月

Geometrical design of a crystal growth system guided by a machine learning algorithm 査読有り

Wancheng Yu, Can Zhu, Yosuke Tsunooka, Wei Huang, Yifan Dang, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

CrystEngComm     2021年

Explainable machine learning for the analysis of transport phenomena in top-seeded solution growth of SiC single crystal 査読有り

Takehara Yuto, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

JOURNAL OF THERMAL SCIENCE AND TECHNOLOGY   16 巻 ( 1 )   2021年

Adaptive Bayesian optimization for epitaxial growth of Si thin films under various constraints 査読有り

Osada Keiichi, Kutsukake Kentaro, Yamamoto Jun, Yamashita Shigeo, Kodera Takashi, Nagai Yuta, Horikawa Tomoyuki, Matsui Kota, Takeuchi Ichiro, Ujihara Toru

MATERIALS TODAY COMMUNICATIONS   25 巻   2020年12月

Optimal Control of SiC Crystal Growth in the RF-TSSG System Using Reinforcement Learning 査読有り

Wang Lei, Sekimoto Atsushi, Takehara Yuto, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

CRYSTALS   10 巻 ( 9 )   2020年9月

Plasmonic Manipulation of Sodium Chlorate Chiral Crystallization: Directed Chirality Transfer via Contact-Induced Polymorphic Transformation and Formation of Liquid Precursor 査読有り

Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Tagawa Miho, Ujihara Toru, Omatsu Takashige, Miyamoto Katsuhiko, Yoshikawa Hiroshi Y., Kawamura Ryuzo, Nozawa Jun, Okada Junpei T., Uda Satoshi

CRYSTAL GROWTH & DESIGN   20 巻 ( 8 ) 頁： 5493 - 5507   2020年8月

Temperature dependence of double Shockley stacking fault behavior in nitrogen-doped 4H-SiC studied by in-situ synchrotron X-ray topography 査読有り

Fujie Fumihiro, Harada Shunta, Hanada Kenji, Suo Hiromasa, Koizumi Haruhiko, Kato Tomohisa, Tagawa Miho, Ujihara Toru

ACTA MATERIALIA   194 巻   頁： 387 - 393   2020年8月

Behavior of Threading Dislocations from GaN Substrate to Epitaxial Layer 査読有り

Inotsume Sho, Kokubo Nobuhiko, Yamada Hisashi, Onda Shoichi, Kojima Jun, Ohara Junji, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

Demonstration of Observation of Dislocations in GaN by Novel Birefringence Method 査読有り

Tanaka Atsushi, Inotsume Syo, Harada Shunta, Hanada Kenji, Honda Yoshio, Ujihara Toru, Amano Hiroshi

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collectors on Cycling Stability of Li Metal Anodes 査読有り

Ishikawa Kohei, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   12 巻 ( 8 ) 頁： 9341 - 9346   2020年2月

Bayesian optimization for a high- and uniform-crystal growth rate in the top-seeded solution growth process of silicon carbide under applied magnetic field and seed rotation 査読有り

Takehara Yuto, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   532 巻   2020年2月

Numerical Study of Three-Dimensional Melt Flows during the TSSG Process of SiC Crystal for the Influence of Input Parameters of RF-Coils and an External Rotating Magnetic Field

Wang Lei, Takehara Yuto, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

CRYSTALS   10 巻 ( 2 )   2020年2月

Chemical Vapor Deposition Growth of BN Thin Films Using B2H6 and NH3 査読有り

Hisashi Yamada, Sho Inotsume, Naoto Kumagai, Toshikazu Yamada, Mitsuaki Shimizu

Phys. Status Solidi B   257 巻 ( 2 ) 頁： 1900318   2020年

Application of C-face dislocation conversion to 2 inch SiC crystal growth on an off-axis seed crystal 査読有り

Liu Xinbo, Zhu Can, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

CRYSTENGCOMM   21 巻 ( 47 ) 頁： 7260 - 7265   2019年12月

Semi in-situ measurement of zincate ion concentration near zinc anode using background-oriented Schlieren technique 査読有り

Ito Yasumasa, Liang Xiao, Ishikawa Kohei, Ujihara Toru, Sakai Yasuhiko, Iwano Koji

  1 巻 ( 3 )   2019年12月

Three-dimensional numerical analysis of Marangoni convection occurring during the growth process of SiC by the RF-TSSG method 査読有り

Wang L., Horiuchi T., Sekimoto A., Okano Y., Ujihara T., Dost S.

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   520 巻   頁： 72 - 81   2019年8月

Adjoint-based sensitivity analysis for the optimal crucible temperature profile in the RF-Heating TSSG-SiC crystal growth process 査読有り

Horiuchi Takashi, Wang Lei, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   517 巻   頁： 59 - 63   2019年7月

In Situ Microscopic Observation on Surface Kinetics in Optical Trapping-Induced Crystal Growth: Step Formation, Wetting Transition, and Nonclassical Growth 査読有り

Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Ujihara Toru, Guo Suxia, Nozawa Jun, Okada Junpei, Omatsu Takashige, Uda Satoshi

CRYSTAL GROWTH & DESIGN   19 巻 ( 7 ) 頁： 4138 - 4150   2019年7月

Evaluation of Basal Plane Dislocation Behavior in the Epitaxial Layer on a 4HSiC Wafer Fabricated by the Solution Growth Method 査読有り

Kazuaki Seki, Kazuhiko Kusunoki, Shinsuke Harada, Toru Ujihara

Mater. Sci. Forum   963 巻   頁： 80-84   2019年7月

Nondestructive visualization of threading dislocations in GaN by micro raman mapping 査読有り

Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Fujie Fumihiro, Ohara Junji, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

The Effect of Crucible Rotation and Crucible Size in Top-Seeded Solution Growth of Single-Crystal Silicon Carbide

Horiuchi Takashi, Wang Lei, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Yamamoto Takuya, Ujihara Toru, Dost Sadik

CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY   54 巻 ( 5 )   2019年5月

Plasmonic Trapping-Induced Crystallization of Acetaminophen 査読有り

Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Uda Satoshi, Tagawa Miho, Ujihara Toni, Miyamoto Katsuhiko, Omatsu Takashige

CRYSTAL GROWTH & DESIGN   19 巻 ( 2 ) 頁： 529-537   2019年2月

機械学習を用いた結晶成長予測モデルの構築とその応用

宇治原 徹, 角岡 洋介, 畑佐 豪記, 沓掛 健太朗, 石黒 祥生, 村山 健太, 鳴海 大翔, 原田 俊太, 田川 美穂

表面と真空   62 巻 ( 3 ) 頁： 136-140   2019年

少量添加で樹脂素材の熱伝導率を向上させるAlNウィスカーフィラーの開発

宇治原 徹

エレクトロニクス実装学会誌   22 巻 ( 3 ) 頁： 195-198   2019年

結晶成長学的見地による金属負極の析出形態と結晶方位の相関解明

石川 晃平, 三橋 貴仁, 伊藤 靖仁, 竹内 幸久, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

日本結晶成長学会誌   46 巻 ( 1 ) 頁： 136-140   2019年

Numerical investigation of the effect of static magnetic field on the TSSG growth of SiC 査読有り

Wang Lei, Horiuchi Takashi, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   498 巻   頁： 140 - 147   2018年9月

In Situ Observation of Chiral Symmetry Breaking in NaClO3 Chiral Crystallization Realized by Thermoplasmonic Micro-Stirring 査読有り

Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Tagawa Miho, Harada Shunta, Ujihara Tom, Uda Satoshi, Miyamoto Katsuhiko, Omatsu Takashige

CRYSTAL GROWTH & DESIGN   18 巻 ( 8 ) 頁： 4230 - 4239   2018年8月

Development of angle-resolved spectroscopy system of electrons emitted from a surface with negative electron affinity state 査読有り

Ichihashi Fumiaki, Dong Xinyu, Inoue Akito, Kawaguchi Takahiko, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS   89 巻 ( 7 )   2018年7月

Detection of edge component of threading dislocations in GaN by Raman spectroscopy

Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Fujie Fumihiro, Ohara Junji, Hara Kazukuni, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 6 )   2018年6月

Dislocation Behavior in Bulk Crystals Grown by TSSG Method 査読有り

K. Seki, K. Kusunoki, Y. Kishida, H. Kaido, K. Moriguchi, M. Kado, H. Daikoku, T. Shirai, M. Akita, A. Seki, H. Saito, S. Harada, T. Ujihara

Mater. Sci. Forum   924 巻   頁： 39-42   2018年

Suppression of Polytype Transformation with Extremely Low-Dislocation-Density 4H-SiC Crystal in Two-Step Solution Method 査読有り

K. Murayama, S. Harada, F. Fujie, X. Liu, R. Murai, C. Zhu, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara

Mater. Sci. Forum   924 巻   頁： 60-63   2018年

Direct observation of stacking fault shrinkage in 4H-SiC at high temperatures by in-situ X-ray topography using monochromatic synchrotron radiation 査読有り

F. Fujie, S. Harada, H. Koizumi, K. Murayama, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara

Appl. Phys. Lett   113 巻   頁： 012101   2018年

Improvement mechanism of sputtered AlN films by high-temperature annealing 査読有り

S. Xiao, R. Suzuki, H. Miyake, S. Harada, T. Ujihara

J. Cryst. Growth   502 巻   頁： 41-44   2018年

High-speed prediction of computational fluid dynamics simulation in crystal growth 査読有り

Y. Tsunooka, N. Kokubo, G. Hatasa, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

CrystEngComm   20 巻   頁： 6546 - 6550   2018年

Importance of Hydration State around Proteins Required to Grow High-Quality Protein Crystals 査読有り

H. Koizumi, S. Uda, K. Tsukamoto, K. Kojima, M. Tachibana, T. Ujihara

Cryst. Growth Des   18 巻   頁： 4749-4755   2018年

Determination of edge-component Burgers vector of threading dislocations in GaN crystal by using Raman mapping

N. Kokubo, Y. Tsunooka, F. Fujie, J. Ohara, S. Onda, H. Yamada, M.Shimizu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

Appl. Phys. Express   11 巻   頁： 111001   2018年

Coherent pulse beam in spin-polarized TEM using an NEA photocathode 査読有り

Kuwahara M., Ujihara T., Saitoh K., Tanaka N.

2018 31ST INTERNATIONAL VACUUM NANOELECTRONICS CONFERENCE (IVNC)     頁： .   2018年

Temperature dependence of carrier relaxation time in gallium phosphide evaluated by photoemission measurements

Ichihashi Fumiaki, Kawaguchi Takahiko, Dong Xinyu, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

AIP ADVANCES   7 巻 ( 11 )   2017年11月

Numerical investigation of the transport phenomena occurring in the growth of SiC by the induction heating TSSG method 査読有り

Yamamoto Takuya, Adkar Nikhil, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   474 巻   頁： 50-54   2017年9月

Global simulation of the induction heating TSSG process of SiC for the effects of Marangoni convection, free surface deformation and seed rotation 査読有り

Yamamoto Takuya, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   470 巻   頁： 75-88   2017年7月

Morphology of AlN whiskers grown by reacting N-2 gas and Al vapor

Matsumoto M., Saitou H., Takeuchi Y., Harada S., Tagawa M., Ujihara T.

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 576-580   2017年6月

Two-step SiC solution growth for dislocation reduction

Murayama K., Hori T., Harada S., Xiao S., Tagawa M., Ujihara T.

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 874-878   2017年6月

Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer 査読有り

Isogai Takumi, Nakada Sakiko, Yoshida Naoya, Sumi Hayato, Tero Ryugo, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tagawa Miho

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 88-92   2017年6月

SiC solution growth on Si face with extremely low density of threading screw dislocations for suppression of polytype transformation 査読有り

K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

Mater. Sci. Forum   897 巻   頁： 24-27   2017年5月

Solvent design for high-purity SiC solution growth 査読有り

S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

Mater. Sci. Forum   897 巻   頁： 32-35   2017年5月

Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during SiC solution growth 査読有り

T. Hori, K. Murayama, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

Mater. Sci. Forum   897 巻   頁： 28-31   2017年5月

Crystal Orientation Dependence of Precipitate Structure of Electrodeposited Li Metal on Cu Current Collectors 査読有り

Ishikawa Kohei, Ito Yasumasa, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

CRYSTAL GROWTH & DESIGN   17 巻 ( 5 ) 頁： 2379-2385   2017年5月

Plasmonic Heating-Assisted Laser-Induced Crystallization from a NaCIO3 Unsaturated Mother Solution 査読有り

Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Tagawa Miho, Maruyama Mihoko, Ujihara Toru, Omatsu Takashige, Mori Yusuke

CRYSTAL GROWTH & DESIGN   17 巻 ( 2 ) 頁： 809-818   2017年2月

Modification of the surface morphology of 4H-SiC by addition of Sn and Al in solution growth with SiCr solvents 査読有り

Komatsu Naoyoshi, Mitani Takeshi, Hayashi Yuichiro, Kato Tomohisa, Harada Shunta, Ujihara Toru, Okumura Hajime

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   458 巻   頁： 37-43   2017年1月

Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer

"T. Isogai, S. Nakada, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa"

J. Cryst. Growth   468 巻   頁： 88-92   2017年

Septin Interferes with the Temperature-Dependent Domain Formation and Disappearance of Lipid Bilayer Membranes 査読有り

S. Yamada, T. Isogai, R. Tero, Y. Tanaka-Takiguchi, T. Ujihara, M. Kinoshita, K. Takiguchi

Langmuir     頁： 12823–12832   2016年11月

Conversion behavior of threading screw dislocations on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth 査読有り

S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, M. Tagawa, T. Ujihara

Cryst. Growth Des.     頁： 6436–6439   2016年10月

Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO 3 solution containing Ag nanoparticles 査読有り

H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, K. Murayama, S. Harada, T. Ujihara

CrystEngComm   18 巻 ( 39 ) 頁： 7441-7448   2016年7月

Characterization of V-shaped defects formed during the 4H-SiC solution growth by transmission electron microscopy and X-ray topography analysis

"S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, T. Ujihara"

Cryst. Growth Des.   16 巻 ( 9 ) 頁： 5136-5140   2016年7月

Effect of magnesium ion concentration on two-dimensional structure of DNA-functionalized nanoparticles on supported lipid bilayer 査読有り

T. Isogai, E. Akada, S. Nakada, N. Yoshida, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 3S2 ) 頁： 03DF11   2016年3月

Spatial Distribution of Carrier Concentration in 4H-SiC Crystal Grown by Solution Method 査読有り

Z. Wang, T. Kawaguchi, K. Murayama, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Kato, T. Ujihara

Mater. Sci. Forum,   858 巻   頁： 57-60   2016年

High-Speed Solution Growth of Single Crystal AlN from Cr-Co-Al Solvent 査読有り

S. Watanabe, M. Nagaya, Y. Takeuchi, K. Aoyagi, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

Mater. Sci. Forum,   858 巻   頁： 1210-1213   2016年

The Boersch effect in a picosecond pulsed electron beam emitted from a semiconductor photocathode 査読有り

Makoto Kuwahara, Yoshito Nambo, Kota Aoki, Kensuke Sameshima, Xiuguang Jin, Toru Ujihara, Hidefumi Asano, Koh Saitoh, Yoshikazu Takeda and Nobuo Tanaka

Appl. Phys. Lett.   109 巻   頁： 013108   2016年

Plasmonic Heating-Assisted Laser-Induced Crystallization from a NaClO3 Unsaturated Mother Solution 査読有り

H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, T. Ujihara, T.Omatsu, Y. Mori

Cryst. Growth Des.     2016年

Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO3 solution containing Ag nanoparticles 査読有り

H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, S. Harada, T. Ujihara

CrystEngComm   18 巻   頁： 7441-7448   2016年

Polytype control by activity ratio of silicon to carbon during SiC solution growth using multicomponent solvents 査読有り

A. Horio, S. Harada, D. Koike, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

Jpn. J. Appl. Phys   55 巻   頁： 01AC01   2016年

Morphology of AlN whiskers grown by reacting N 2 gas and Al vapor 査読有り

M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

J. Cryst. Growth     2016年

Analysis of the carbon transport near the growth interface with respect to the rotational speed of the seed crystal during top-seeded solution growth of SiC 査読有り

T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 12 ) 頁： 125601   2016年

Two-step SiC solution growth for dislocation reduction

"K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara"

J. Cryst. Growth     2016年

Research on solvent composition for different surface morphology on C face during 4H-SiC solution growth 査読有り

Shiyu Xiao, Natsumi Hara, Shunta Harada, Kenta Murayama, Kenta Aoyagi, Takenobu Sakai and Toru Ujihara

Materials Science Forum   821-823 巻   頁： 39-42   2015年

Improvement of Surface Morphology by Solution Flow Control in Solution Growth of SiC on Off-axis Seeds 査読有り

Tomonori Umezaki, Daiki Koike, Shunta Harada and Toru Ujihara

Materials Science Forum   821-823 巻   頁： 31-34   2015年

Influences of solution flow and lateral temperature distribution on surface morphology in solution growth of SiC 査読有り

Kuniharu Fujii, Koichi Takei, Masahiro Aoshima, Nachimuthu Senguttuvan, Masahiko Hiratani, Toru Ujihara, Yuji Matsumoto, Tomohisa Kato, Kazuhisa Kurashige and Hajime Okumura

Materials Science Forum   821-823 巻   頁： 35-38   2015年

4H-SiC Growth from Si-Cr-C Solution under Al and N Co-doping Conditions 査読有り

Takeshi Mitani, Naoyoshi Komatsu, Tetsuo Takahashi, Tomohisa Kato, Toru Ujihara, Yuji Matsumoto, Kazuhisa Kurashige, and Hajime Okumura

Mater. Sci. Forum,   821-823 巻   頁： 9-13   2015年

Change in surface morphology by addition of impurity elements in 4H-SiC solution growth with Si solvent 査読有り

Naoyoshi Komatsu, Takeshi Mitani, Tetsuo Takahashi, Tomohisa Kato, Kazuhisa Kurashige, Yuji Matsumoto, Toru Ujihara, and Hajime Okumura

Materials Science Forum   821-823 巻   頁： 14-17   2015年

3C-SiC Crystal on Sapphire by Solution Growth Method 査読有り

Kenji Shibata, Shunta Harada and Toru Ujihara

Materials Science Forum   821-823 巻   頁： 185-188   2015年

"Effect of forced convection by crucible design in solution growth of SiC single crystal" 査読有り

K. Kurashige, M. Aoshima, K. Takei, K. Fujii, M. Hiratani, N. Senguttuvan, T. Kato, T. Ujihara, Y. Matsumoto, H. Okumura

  821-823 巻   頁： pp. 22-25   2015年

バルク結晶成長のこの10年

宇治原 徹, 島村清史, 宇佐美 徳隆, 太子 敏則, 樋口 幹雄, 吉村 政志

JOURNAL OF THE JAPANESE ASSOCIATION FOR CRYSTAL GROWTH(日本結晶成長学会誌)   42 巻 ( 1 ) 頁： pp.64-68   2015年

Non-uniform electrodeposition of zinc on the (0001) plane 査読有り

T. Mitsuhashi, Y. Ito, Y. Takeuchi, S. Harada, T. Ujihara

Thin Solid Films   590 巻   頁： pp. 207-213   2015年

Dislocation Conversion during SiC Solution Growth for High-quality Crystals 査読有り

S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, D. Koike, T. Mutoh, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

  821-823 巻   頁： pp. 3-8   2015年

Control of interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth of SiC Crystal 査読有り

D. Koike, T. Umezaki, K. Murayama, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara

  821-823 巻   頁： pp. 18-21   2015年

Effect of aluminum addition on the surface step morphology of 4H SiC grown from Si-Cr-C solution

T. Mitani, N. Komatsu, T. Takahashi, T. Kato, S. Harada, T. Ujihara, Y. Matsumoto, K. Kurashige, H. Okumura

J. Cryst. Growth   423 巻   頁： 45-49   2015年

"Forming two-dimensional structure of DNA-functionalized Au nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers" 査読有り

Takumi Isogai, Agnes Piednoir, Eri Akada, Yuki Akahoshi, Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

Journal of Crystal Growth   401 巻   頁： 494-498   2014年9月

"Growth rate and surface morphology of 4H SiC crystals grown from Si-Cr-C and Si-Cr-Al-C solutions under various temperature gradient conditions" 査読有り

Takeshi Mitani, Naoyoshi Komatsu, Tetsuo Takahashi, Tomohisa Kato, Kuniharu Fujii, Toru Ujihara, Yuji Matsumoto, Kazuhisa Kurashige, Hajime Okumura

Journal of Crystal Growth   401 巻   頁： 681-685   2014年9月

"Top-seeded solution growth of three-inch-diameter 4H-SiC using convection control technique" 査読有り

Kazuhiko Kusunoki, Nobuhiro Okada, Kazuhito Kamei, Koji Moriguchi, Hironori Daikoku, Motohisa Kado, Hidemitsu Sakamoto, Takeshi Bessho, Toru Ujihara

Journal of Crystal Growth   395 巻   頁： 68-73   2014年6月

"Emregence and Amplification of Chirality via Achiral-Chiral Polymorphic Transformation in Sodium Chlorate Solution Growth" 査読有り

Hiromasa Niinomi, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Makio Uwaha, Hiroyasu Katsuno, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto

Crystal Growth and Design   14 巻 ( 7 ) 頁： 3596-3602   2014年6月

"Solubility measurement of a metastable achiral crystal of sodium chlorate in solution growth" 査読有り

Hiromasa Niinomi, Atsushi Horio, Shunta Harada, Toru Ujihara, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Katsuo Tsukamoto

Journal of Crystal Growth   394 巻   頁： 106-111   2014年5月

"Low-dislocation-density 4H-SiC crystal growth utilizing dislocation conversion during solution method" 査読有り

Yuji Yamamoto, Shunta Harada, Kazuaki Seki, Atsushi Horio, Takato Mitsuhashi, Daiki Koike, Miho Tagawa, and Toru Ujihara

Applied Physics Express   7 巻   頁： 065501   2014年5月

"Nitrogen doping of 4H- SiC by the top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent" 査読有り

Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Kazuaki Seki, Shunta Harada, Toru Ujihara

Journal of Crystal Growth   392 巻   頁： 60-65   2014年4月

"The strain effect on the superconducting properties of BaFe2(As, P)2 thin films grown by molecular beam epitaxy" 査読有り

T. Kawaguchi, A. Sakagami, Y. Mori, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, and H. Ikuta

Superconductor Science and Technology   27 巻   頁： 065005 (6pp)   2014年4月

"Top-Seeded Solution Growth of 3 Inch Diameter 4H-SiC Bulk Crystal Using Metal Solvents" 査読有り

Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Nobuhiro Okada, Koji Moriguchi, Hiroshi Kaido, Hironori Daikoku, Motohisa Kado, Katsunori Danno, Hidemitsu Sakamoto, Takeshi Bessho, Toru Ujihara

Materials Science Forum   778-780 巻   頁： Pages 79-82   2014年2月

"Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at High Speed during the Solution Growth of SiC" 査読有り

Tomonori Umezaki, Daiki Koike, Atsushi Horio, Shunta Harada, Toru Ujihara

Materials Science Forum   778-780 巻   頁： 63-66   2014年2月

"Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion Behavior during Solution Growth of 4H-SiC Using Al-Si Solvent" 査読有り

Shunta Harada, Yuji Yamamoto, Shi Yu Xiao, Miho Tagawa, Toru Ujihara

Materials Science Forum   778-780 巻   頁： 67-70   2014年2月

"Growth of a smooth CaF2 layer on NdFeAsO thin film" 査読有り

N. Sumiya, T. Kawaguchi, M. Chihara, M. Tabuchi, T. Ujihara, A. Ichinose, I. Tsukada and H. Ikuta

Journal of Physics: Conference Series   507 巻 ( 1 ) 頁： 012047   2014年

"Coherence of a spin-polarized electron beam emitted from a semiconductor photocathode in a transmission electron microscope" 査読有り

Makoto Kuwahara, Soichiro Kusunoki, Yoshito Nambo, Koh Saitoh, Xiuguang Jin, Toru Ujihara, Hidefumi Asano, Yoshikazu Takeda and Nobuo Tanaka

Appl. Phys. Lett.   105 巻 ( 193101 )   2014年

Direct measurement of conduction miniband structure in superlattice by visible-light photoemission spectroscopy

F. Ichihashi, D. Shimura, K. Nishitani, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, H. Katsuno, M. Tagawa, T.Ujihara

Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th     頁： 2882-2885   2014年

"Critical current density and grain boundary property of BaFe2(As,P)2 thin films" 査読有り

A. Sakagami, T. Kawaguchi, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, H. Ikuta

Physica C: Superconductivity,Proceedings of the 25th International Symposium on Superconductivity (ISS 2012) Advances in Superconductivity XXV   494 巻   頁： 181–184   2013年11月

Phase-locking of oscillating images using laser-induced spin-polarized pulse TEM 査読有り

Makoto Kuwahara,Yoshito Nambo, Soichiro Kusunoki, Xiuguang Jin, Koh Saitoh, Hidefumi Asano, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda, Tsutomu Nakanishi and Nobuo Tanaka

Microscopy Advance Access     頁： pp.1-8   2013年6月

"Influence of Solution Flow on Step Bunching in Solution Growth of SiC Crystals" 査読有り

Can Zhu, Shunta Harada, Kazuaki Seki, Huayu Zhang, Hiromasa Niinomi, Miho Tagawa, and Toru Ujihara

Cryst. Growth Des.   13 巻 ( (8) ) 頁： 3691-3696   2013年6月

"Effect of Surface Polarity on the Conversion of Threading Dislocations in Solution Growth" 査読有り

Materials Science Forum   740-742 巻   頁： pp.15-18   2013年1月

"Reduction of Threading Screw Dislocation Utilizing Defect Conversion during Solution Growth of 4H-SiC" 査読有り

Materials Science Forum   740-742 巻   頁： 189-192   2013年1月

"Bulk 3C-SiC Crystal by Top Seeded Solution Growth Method" 査読有り

Materials Science Forum   740-742 巻   頁： pp.311-314   2013年1月

Direct Growth of AlN Single Crystal on Sapphire by Solution Growth Method 査読有り

H. Matsubara, K. Mizuno, Y. Takeuchi, S. Harada, Y. Kitou, E. Okuno, and T. Ujihara,

  52 巻   頁： 08JE17 (4 pages).   2013年

"Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC" 査読有り

S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, M. Tagawa, and T. Ujihara

APL Mater.   1 巻 ( 2 ) 頁： 022109 (7 pages)   2013年

超高品質SiC溶液成長 査読有り

宇治原徹,　原田俊太,　山本祐治, 関和明

応用物理   82 巻 ( 4 ) 頁： 326-329   2013年

"Achiral Metastable Crystals of Sodium Chlorate Forming Prior to Chiral Crystals in Solution Growth" 査読有り

Hiromasa Niinomi, Tomoya Yamazaki, Shunta Harada, Toru Ujihara, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Takahiro Kuribayashi, Makio Uwaha, and Katsuo Tsukamoto

Cryst. Growth Des.   13 巻 ( 12 ) 頁： pp.5188-5192   2013年

SiC 結晶成長における多形制御 ～速度論的多形制御法の提案（3C-SiC 溶液成長を例に）～ 査読有り

関 和明、原田 俊太、宇治原　徹

日本結晶成長学会誌   40 巻 ( 4 ) 頁： 253-260   2013年

SiC溶液成長の最近の展開 査読有り

原田 俊太、山本 祐治、関 和明、宇治原 徹

日本結晶成長学会誌   40 巻   頁： 25-32   2013年

“Polytype-selective growth of SiC by supersaturation control in solution growth Original Research Article” 査読有り

Journal of Crystal Growth   360 巻   頁： 176-180.   2012年12月

Analysis of thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice by TEM observation 査読有り

Xiuguang Jin, Hirotaka Nakahara, Koh Saitoh, Takashi Saka, Toru Ujihara, Nobuo Tanaka, Yoshikazu Takeda

Journal of Crystal Growth   353 巻 ( 1 ) 頁： 84-87   2012年8月

Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth 査読有り

Toru Ujihara, Shigeta Kozawa, Kazuaki Seki, Alexander, Yuji Yamamoto, Shunta Harada

Materials Science Forum   717–720 巻   頁： 351-354   2012年5月

Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth 査読有り

Yuji Yamamoto, Kazuaki Seki, Shigeta Kozawa, Alexander, Shunta Harada, Toru Ujihara

Materials Science Forum   717–720 巻   頁： 53-56   2012年5月

Substrate dependence of the superconducting properties of NdFeAs(O,F) thin films 査読有り

Hiroki Uemura, Takahiko Kawaguchi, Toshiya Ohno, Masao Tabuchi, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda, Hiroshi Ikuta

Solid State Communications   152 巻 ( 8 ) 頁： 735-739   2012年4月

30-kV spin-polarized transmission electron microscope with GaAs-GaAsP strained superlattice photocathode 査読有り

M. Kuwahara, S. Kusunoki, X. G. Jin, T. Nakanishi, Y. Takeda, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, and N. Tanaka

Appl. Phys. Lett.   101 巻   頁： 033102   2012年

Polytype Transformation by Replication of Stacking Faults Formed by Two-Dimensional Nucleation on Spiral Steps during SiC Solution Growth 査読有り

Shunta Harada, Alexander, Kazuaki Seki, Yuji Yamamoto, Can Zhu, Yuta Yamamoto, Shigeo Arai, Jun Yamasaki, Nobuo Tanaka, and Toru Ujihara

Crystal Growth & Design   12 巻 ( (6) ) 頁： 3209-3214   2012年

“Development of Spin-Polarized and Pulsed TEM “ 査読有り

  371 巻   頁： 012004   2012年

“High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth” 査読有り

  5 巻   頁： 115501 (3 pages).   2012年

Formation process of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by low-temperature solution growth in Si-Sc-C system 査読有り

Kazuaki Seki, Alexander, Shigeta Kozawa, Toru Ujihara, Patrick Chaudouët, Didier Chaussende, Yoshikazu Takeda

Journal of Crystal Growth   335 巻 ( 1 ) 頁： 94-99   2011年11月

Anomalous Diffusion in Supported Lipid Bilayers Induced by Oxide Surface Nanostructures 査読有り

Ryugo Tero, Gen Sazaki, Toru Ujihara, and Tsuneo Urisu

  27 巻   頁： 9662-9665   2011年

Development of spin-polarized transmission electron microscope 査読有り

M. Kuwahara, Y. Takeda, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, T. Nakanishi and N Tanaka

  298 巻   頁： 012016   2011年

Polytype stability of 4H-SiC seed crystal on solution growth 査読有り

Alexander, K. Seki, S. Kozawa, Y. Yamamoto, T. Ujihara and Y. Takeda

Materials Science Forum   679-680 巻   頁： pp 24-27   2011年

Defect evaluation of SiC crystal grown by solution method: the study by synchrotron X-ray topography and etching method 査読有り

S. Kozawa, K. Seki, Alexander, Y. Yamamoto, T. Ujihara and Y. Takeda

Materials Science Forum   679-680 巻   頁： pp 28-31   2011年

Increase of spectral width of stacked InAs quantum dots on GaAs by controlling spacer layer thickness. 査読有り

Kazuma Tani, Shingo Fuchi, Ryota Mizutani, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda

Journal of Crystal Growth   318 巻   頁： pp 1113-1116   2011年

High-quality and large-area 3C-SiC growth on 6H-SiC(0 0 0 1) seed crystal with top-seeded solution method. 査読有り

Toru Ujihara, Kazuaki Seki, Ryo Tanaka, Shigeta Kozawa, Alexander, Kai Morimoto, Katsuhiro Sasaki, Yoshikazu Takeda

Journal of Crystal Growth   318 巻   頁： pp 389-393.   2011年

Molecular Beam Epitaxy Growth of Superconducting NdFeAs(O,F) Thin Films Using a F-Getter and a Novel F-Doping Method 査読有り

Takahiko Kawaguchi, Hiroki Uemura, Toshiya Ohno, Masao Tabuchi, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda and Hiroshi Ikuta

Appl. Phys. Express   4 巻   頁： 083102 (3 pages)   2011年

Epitaxial growth of LaFeAs(O,F) thin films by molecular beam epitaxy 査読有り

T. Kawaguchi , H. Uemura , T. Ohno , M. Tabuchi , T. Ujihara , K. Takenaka , Y. Takeda , H. Ikuta

Physica C: Superconductivity   Volume 471 巻 ( Issues 21-22 ) 頁： pp. 1174-1176   2011年

Status of the high brightness polarized electron source using transmission photocathode

N. Yamamoto, X.G.Jin, A. Mano, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, T. Nakanishi, T. Yasue, T. Koshikawa, T.Oshima, T. Saka and H. Horinaka,

  298 巻   頁： 012017   2011年

Strain of GaAs/GaAsP superlattices used as spin-polarized electron photocathodes, determined by X-ray diffraction 査読有り

T. Saka, Y. Ishida, M. Kanda, X.G. Jin, Y. Maeda, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Matsuyama, H. Horinaka, T. Kato, N. Yamamoto, A. Mano, Y. Nakagawa, M. Kuwahara, S. Okumi, T. Nakanishi, M. Yamamoto, T. Ohshima, T. Kohashi, M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa

-Journal of Surface Science and Nanotechnology   8 巻   頁： 125-130   2010年

Stacking Faults around the hetero-interface Induced by 6H-SiC Polytype Transformation on 3C-SiC with Solution Growth 査読有り

K. Seki, K. Morimoto, T. Ujihara, T. Tokunaga, K. Sasaki, K. Kuroda, and Y. Takeda

Mater. Sci. Forum   645-648 巻   頁： 363-366   2010年

Real time magnetic imaging by spin-polarized low energy electron microscopy with highly spin-polarized and high brightness electron gun 査読有り

M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa, Y. Nakagawa, T. Konomi, A. Mano, N. Yamamoto, M. Kuwahara, M. Yamamoto, S. Okumi, T. Nakanishi, X.G. Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Kohashi, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, and H. Horinaka

Appl. Phys. Express   3 巻   頁： 026601   2010年

Effects of defects and local thickness modulation on spin-polarization in photocathodes based on GaAs/GaAsP strained superlattices. 査読有り

X.G. Jin, Y. Maeda, T. Sasaki, S. Arai, Y. Ishida, M. Kanda, S. Fuchi, T. Ujihara, T. Saka, and Y. Takeda

J. Appl. Phys.   108 巻 ( 9 ) 頁： 094509 - 094509-6   2010年

TEM analysis of SiC crystal grown on (001) 3C-SiC CVD substrate by solution growth 査読有り

K. Morimoto, R.Tanaka, K. Seki, T. Tokunaga, T. Ujihara, K. Sasaki, Y. Takeda, K. Kuroda

International Journal of Advanced Microscopy and Theoretical Calculations   Letters 2 巻   頁： pp 242-243   2010年

In situ growth of superconducting NdFeAs(O,F) thin films by molecular beam epitaxy 査読有り

T. Kawaguchi, H. Uemura, T. Ohno, M. Tabuchi, T. Ujihara, K. Takenaka, Y. Takeda, and H. Ikuta

Appl. Phys. Lett.   97 巻 ( 4 ) 頁： 042509   2010年

High Temperature Solution Growth on Free-standing (001)3C-SiC Epilayers 査読有り

R. Tanaka, K. Seki, T. Ujihara, Y. Takeda

Mater. Sci Forum   615-617 巻   頁： 37-40   2009年

High Brightness and High Polarization Electron Source Using Transmission Photocathode 査読有り

N. Yamamoto, X. Jin, A. Mano, Y. Nakagawa, T. Nakanishi, T. Ujihara, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Konomi, Y. Takeda, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, H. Horinaka, T. Yasue, T. Koshikawa

AIP Proceedings   1149 巻   頁： 1052-1056   2009年

Status of 200keV Beam Operations at Nagoya University 査読有り

M. Yamamoto, T. Konomi, S. Okumi, Y. Nakagawa, N. Yamamoto, M.Tanioku, X. Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, F. Fukuta, H. Matsumoto

AIP Proceedings   1149 巻   頁： 987-991   2009年

Shape transformation of adsorbed vesicles on oxide surfaces: Effect of substrate material and photo-irradiation 査読有り

R. Tero, T. Ujihara and T. Urisu

Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   34 巻 ( 2 ) 頁： 183-188   2009年

Effects of Applied Voltage on the Size of Phase-Separated Domains in DMPS-DOPC Lipid Binary Bilayers Supported on SiO2/Si Substrates 査読有り

Y. Yamauchi, T. Ujihara, R. Tero and Y. Takeda

Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   34 巻 ( 2 ) 頁： 217-220   2009年

Local Condensation of Artificial Raft Domains under Light Irradiation in Supported Lipid Bilayer of PSM-DOPC-Cholesterol System 査読有り

T. Ujihara, S. Suzuki, Y. Yamauchi, R. Tero and Y. Takeda

Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   34 巻 ( 2 ) 頁： 179-182   2009年

次世代のＳｉＣ高品質基板結晶作製技術　溶液法によりマイクロパイプ・基底面転位を低減　産学の連携を深め、実用化をめざす

宇治原徹, 竹田美和

Semiconductor FPD World   11 巻   頁： 55-58   2009年

ＳｉＣ単結晶の溶液成長

宇治原徹

Materials Stage   9 巻   頁： 46-49   2009年

Epitaxial Growth of NdFeAsO Thin Films by Molecular Beam Epitaxy 査読有り

Takahiko Kawaguchi, Hiroki Uemura, Toshiya Ohno, Ryotaro Watanabe, Masao Tabuchi, Toru Ujihara, Koshi Takenaka, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Ikuta

Applied Physics Express   2 巻   頁： 093002   2009年

Anisotropy of mosaic structure of GaAsP layers grown on GaAs substrates 査読有り

T. Saka, T. Kato, X.G. Jin, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, H. Horinaka, T. Matsuyama, T. Yasue, and T. Koshikawa

Phys. Status Solidi   8 巻   頁： 1785   2009年

*Stability Growth Condition for 3C-SiC Crystals by Solution Technique 査読有り

T. Ujiahra, R. Maekawa, R. Tanaka, K. Sasaki, K. Kuroda, Y. Takeda,

Mater. Sci Forum   600-603 巻   頁： 63-66   2009年

Low temperature solution growth of 3C-SiC crystals in Si-Ge-Ti solvent 査読有り

R. Tanaka, T. Ujihara, Y. Takeda,

Mater. Sci Forum   600-603 巻   頁： 59-62   2009年

Polytype and Crystal Quality of SiC Crystals Grown on 3C-SiC by Seeded Solution Method 査読有り

K. Seki, R. Tanaka, T. Ujihara, Y. Takeda,

Mater. Sci Forum   615-617 巻   頁： 27-30   2009年

Study of minority carrier diffusion length in multicrystalline silicon solar cells using photoassisted Kelvin probe force microscopy 査読有り

Masaki Takihara, Takuji Takahashi, Toru Ujihara

Appl. Phys. Lett.   95 巻   頁： 19   2009年

High brightness and high polarization electron source using transmission photocathode with GaAs-GaAsP superlattice layers 査読有り

N. Yamamoto, Y. Nakanishi, A. Mano, Y. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Konomi, X. G. Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, H. Horinaka, T. Yasue, T. Koshikawa, M. Kuwahara

J. Appl. Phys.   103 巻   頁： 64905   2008年

固体表面物性がサポーティッドメンブレンの形成過程と構造に及ぼす影響 査読有り

手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄,

表面 HYOMEN(SURFACE)   46 巻   頁： 287-299   2008年

Minority Carrier Lifetime in Polycrystalline Silicon Solar Cells Studied by Phot-assisted Kelvin Probe Force Microscopy 査読有り

M. Takihara, T. Ujihara, T. Takahashi

Appl. Phys. Lett.   93 巻   頁： 021902   2008年

Local concentration of gel phase domains in supported lipid bilayers under light irradiation in binary mixture of phospholipids doped with dyes for photoinduced activation 査読有り

T. Ujihara, S. Suzuki, Y. Yamauchi, R. Tero, Y. Takeda,

Langmuir   24 巻   頁： 10974-10980   2008年

Lipid Bilayer Membrane with Atomic Step Structure:Supported Bilayer on Step-and-Terrace TiO2(100) Surface 査読有り

R. Tero, T. Ujihara, T. Urisu,

Langmuir   24 巻   頁： 11567-11576   2008年

Highly spin-polarized electron photocathode based on GaAs-GaAsP superlattice grown on mosaic-structured buffer layer 査読有り

X.G. Jin, Y. Maeda, T. Saka, M. Tanioku, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, and T. Koshikawa

J. Crystal Gorwth   310 巻   頁： 5039-5043   2008年

" 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係,"

"前多悠也, 金秀光, 谷奥雅俊, 渕真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 山本尚人,中川靖英, 山本将博, 奥見正治, 中西彊, 坂貴, 堀中博道, 加藤俊宏, 安江常夫, 越川孝範"

信学技報   108 巻   頁： 75-84   2008年

Effects of absorbed group-V atoms on the size distribution and optical properties of InAsP quantum dots fabricated by the droplet hetero-epitaxy 査読有り

S. Fuchi, S. Miyake, S. Kawamura, W.S. Lee, T. Ujihara, Y. Takeda

J. Crystal Gorwth   310 巻   頁： 2239-2243   2008年

*Solution growth of high-quality 3C-SiC crystals 査読有り

T. Ujihara, R. Maekawa, R. Tanaka, K. Sasaki, K. Kuroda, and Y. Takeda

J. Crystal Gorwth   310 巻   頁： 1438-1442   2008年

*Super-high brightness spin-polarized transmission photocathode based on GaAs-GaAsP strained superlattice structure on GaP substrate 査読有り

X.G. Jin, N. Yamamoto,Y. Nakagawa, A. Mano, T. Kato, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi11, T. Saka, H. Horinaka, T. Yasue, and T. Koshikawa

Appl. Phys. Express   1 巻   頁： 45002   2008年

Supported lipid bilayer membranes on SiO2 and TiO2: substrate effects on membrane formation and shape transformation 査読有り

R. Tero, T. Ujihara, T. Urisu

Proceedings of SPIE   6769 巻   頁： 1-12   2007年

Thermal emittance measurements for electron beams produced from bulk and superlattice negative electron affinity photocathods 査読有り

N. Yamamoto, M. Yamamoto, M. Kuwahara, R. Sakai, T. Morino, K. Tamagaki, A. Mano, A. Utsu, S. Okumi, T. Nakanishi, M. Kuriki, C. Bo, T. Ujihara and Y. Takeda

J. Appl. Phys.   102 巻   頁： 24904   2007年

"Effect of Li doping on photoluminescence from Er, O-codoped GaAs" 査読有り

D. Uki, H. Ohnishi, T. Yamaguchi, Y. Takemori, A. Koizumi, S. Fuchi, T. Ujihara and Y. Takeda

J. Crystal Growth   298 巻   頁： 69-72   2007年

Photovoltage mapping on polycrystalline silicon solar cells by Kelvin probe force microscopy with piezoresistive cantilever 査読有り

M. Takihara, T. Igarashi, T. Ujihara and T. Takahashi

Jpn. J. Appl. Phys. Part 1   46 巻   頁： 5548-5551   2007年

" Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大,"

宇木大輔, 山口岳宏, 田中雄太, 渕真悟, 宇治原徹, 竹田美和

信学技報   107 巻   頁： 29-34   2007年

"歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上,"

加藤鷹紀, 酒井良介, 谷奥雅俊, 中川靖英, 前田義紀, 金秀光, 渕真悟, 山本将博, 宇治原徹, 中西 彊, 竹田美和

信学技報   107 巻   頁： 109-114   2007年

生体膜における相分離構造に関する研究

宇治原徹

まてりあ   46 巻   頁： 433   2007年

Size uniformity of InAs dots on mesa-structure templates on (001) InP substrates grown by droplet metal-organic vapor phase epitaxy method 査読有り

"T. Ujihara, Y. Yoshida, W-S. Lee, Y. Takeda"

Appl. Phys. Lett.   89 巻   頁： 083110   2006年

"Growth of SiC single crystal from Si-C-(Co, Fe) ternary solution" 査読有り

Nobuyoshi Yashiro, Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Mitsuhiro Hasebe, Toru Ujihara and Kazuo Nakajima

Mater. Sci Forum   527-529 巻   頁： 115-118   2006年

Solution growth of SiC crystal with high growth rate using accelerated crucible rotation technique 査読有り

K. Kusunoki, K. Kamei, N. Okada, N. Yashiro, A. Yauchi, T. Ujihara, and K. Nakajima

Mater. Sci Forum   527-529 巻   頁： 119-122   2006年

分散量子ドット構造を利用した広帯域発光素子 査読有り

李祐植, 三宅信輔, 渕真悟, 宇治原徹, 竹田美和

日本結晶成長学会誌   33 巻   頁： 106-110   2006年

Photovoltage Mapping on Polycrystalline Silicon Solar Cells through Potential Measurements by AFM with Piezo-resistive Cantilever 査読有り

T. Igarashi, T. Ujihara, T. Takahashi

Jpn. J. Appl. Phys. Part 1   45 巻   頁： 2128-2131   2006年

GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化

宇治原徹, 陳　博,　安井健一,　酒井良介、山本将博、中西　彊、竹田美和

信学技報   106 巻   頁： 79-84   2006年

Evaluation of Strain Field around SiC Particle in Poly-Crystalline Silicon

"T. Ujihara, T. Ichitsubo, N. Usami, K. Nakajima, Y. Takeda,"

Proc. IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC4)     頁： 272   2006年

The wideband light emission around 800 nm from ternary InAsP quantum dots with an intentionally broadened size and composition distribution 査読有り

S. Miyake, W. S. Lee, T. Ujihara and Y. Takeda

    頁： p. 208-210   2006年

Pattern size effect on source supply process for sub-micrometer scale selective-area-growth by organometallic vapor phase epitaxy 査読有り

T. Ujihara, Y. Yoshida, W-S. Lee, Y. Takeda

J. Crystal Growth   289 巻   頁： 89-95   2006年

Crystal quality of a 6H-SiC layer grown over macro-defects by liquid phase epitaxy: a Raman spectroscopic study 査読有り

T. Ujihara, S. Munetoh, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima

Thin Solid Films   476 巻   頁： 206-209   2005年

Influence of growth temperature on minority-carrier lifetime of Si layer grown by liquid phase epitaxy using Ga solvent 査読有り

Y. Satoh, N. Usami, W. Pan, K. Fujiwara, K. Nakajima, and T. Ujihara

J. Appl. Phys.   98 巻   頁： 073708   2005年

メサ構造ＩｎＰテンプレート基板へのＩｎＡｓ量子ドットの成長とサイズ制御

宇治原 徹, 吉田義浩,　李祐植,　竹田美和

信学技報   105 巻   頁： 23-26   2005年

Structural properties of directionally grown polycrystalline SiGe for solar cells 査読有り

K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami, K. Sawada, A. Nomura, T. Ujihara, T. Shishido and K. Nakajima

J.Cryst.Growth.   275 巻   頁： 467-473   2005年

Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams 査読有り

K. Nakajima, Y. Azuma, N. Usami, G. Sazaki, T. Ujihara, K. Fujiwara, T. Shishido, Y. Nishijima and T. Kusunoki

International Journal of Material & Product Technology.   22 巻   頁： 185-212   2005年

"Effects of vicinal steps on the island growth and orientation of epitaxially grown perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) substrate" 査読有り

G. Sazaki, T. Fujino, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara and K. Nakajima

J.Cryst.Growth.   273 巻   頁： 594-602   2005年

A simple approach to determine preferential growth orientation using multiple seed crystals with random orientations and its utilization for seed optimization to restrain polycrystallization of SiGe bulk crystal 査読有り

Y. Azuma, N, Usami, K, Fujiwara, T, Ujihara and K, Nakajima

J.Cryst.Growth   276 巻   頁： 393-400   2005年

太陽電池用Si系バルク多結晶の結晶成長及び太陽電池特性　―多結晶Siの融液成長のその場観察とバルク多結晶SiGeの特性評価― 査読有り

藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 宇治原徹, 野村明子, 野瀬嘉太郎, 宍戸統悦, 中嶋一雄

日本結晶成長学会誌   32 巻   頁： 291-296   2005年

Electrical Properties around Grain Boundary of Poly-Crystalline Silicon for Solar Cell Evaluated Using the Conductive AFM

T. Ujihara, K. Nakajima, Y. Takeda

Proc. 15th PVSEC     頁： 118-119   2005年

Crystalline quality evaluation of 6H-SiC bulk crystals grown from Si-Ti-C ternary solution 査読有り

K. Kusunoki, K. Kamei, Y. Ueda, S. Naga, Y. Ito, M. Hasebe, T. Ujihar, K. Nakajima

Mater. Sci Forum   483 巻   頁： 13-16   2005年

Analytical evaluation of growth process in a sub-micron scale selective-area growth by OMVPE 査読有り

Toru Ujihara, Yoshihiro Yoshida, Woo Sik Lee, Ryo Oga, Yoshikazu Takeda

    頁： p112   2005年

Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained-Si layer 査読有り

U. Noritaka, K. Kutsukake, W. Pan, K. Fujiwara, T. Ujihara, B. Zhang, T. Yokoyama, K. Nakajima

J. Cryst. Growth   275 巻   頁： 1203-1207   2005年

Ge composition dependence of properties of solar cells based on multicrystalline SiGe with microscopic compositional distribution 査読有り

W. Pan, K. Fujiwara, N. Usami, T. Ujihara, K. Nakajima, R. Shimokawa

J. Appl. Phys.   96 (2) 巻   頁： 1238-1241   2004年

Successful growth of InxGa1-xAs (x > 0.18) single bulk crystal directly on GaAs seed crystal with preferential orientation 査読有り

Y.Azuma, Y. Nishijima, K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara

Jpn. J. Appl. Phys.   Feb-46 巻   頁： L907   2004年

Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate 査読有り

K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, B. P. Zhang, and Y. Segawa

Appl. Surf. Sci.   224 巻   頁： 604-607   2004年

Effects of growth temperature on the surface morphology of silicon thin-film on (111) silicon monocrystalline substrate grown by liquid phase epitaxy 査読有り

T. Ujihara, E. Kanda, K. Obara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, T. Shishido, K. Nakajima

J. Crystal Growth   266 巻   頁： 467-474   2004年

Grain growth behaviors of polycrystalline silicon during melt growth processes 査読有り

K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki and K. Nakajima

J. Crystal Growth   266 巻   頁： 441-448   2004年

Relationship between device performance and grain boundary structural configuration in a solar cell based on multicrystalline SiGe 査読有り

N. Usami, WG. Pan, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki and K.Nakajima

Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻   頁： L250-L252   2004年

Molten metal flux growth and properties of CrSi2 査読有り

T. Shishido, S. Okada, Y. Ishizawa, K. Kudou, K. Iizumi, Y. Sawada, H. Horiuchi, K. Inaba, T. Sekiguchi, J. Ye, S. Miyashita, A. Nomura, T. Sugawara, K. Obara, M. Oku, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, N. Usami, S. Kohiki, Y. Kawazoe and K. Nakajima

JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS.   383 巻   頁： 319-321   2004年

Effects of spacer thickness on quantum efficiency of the solar cells with embedded Ge islands in the intrinsic layer 査読有り

"A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima, K. Sawano and Y Shiraki"

Appl. Phys. Lett.   84 巻   頁： 2802-2804   2004年

In-situ observation of elementary growth steps on the surface of protein crystals by laser confocal microscopy 査読有り

G. Sazaki, T. Matsui, K. Tsukamoto, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, K. Nakajima

J. Crystal Growth   262 巻   頁： 536-542   2004年

Epitaxial relation and island growth of perylene-3.4.9.10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) substrate 査読有り

G. Sazaki, T. Fujino, J.T. Sadowski, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, H. Takahashi, E. Matsubara, T. Sakurai, K. Nakajima

J. Crystal Growth   262 巻   頁： 196-201   2004年

Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime 査読有り

N. Usami, A. Alguno, K. Sawano, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, Y. Shiraki, and K. Nakajima

Thin Solid Films   451-452 巻   頁： 604-607   2004年

In-situ observations of melt growth behavior of polycrystalline silicon 査読有り

K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki and K. Nakajima

J. Crystal Growth   262 巻   頁： 124   2004年

Phase diagram of growth mode for the SiGe/Si heterostructure system with misfit dislocations 査読有り

K. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, and T. Shishido

J. Crystal Growth   260 巻   頁： 372-383   2004年

On the origin of strain fluctuation in strained-Si grown on SiGe-on-insulator and SiGe virtual substrates 査読有り

K. Kutsukake, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, and K. Nakajima

Appl. Phys. Lett.   85 巻   頁： 1335-1337   2004年

材料工学からの太陽電池研究

宇治原徹

まてりあ   43 巻   頁： 949-953   2004年

SiGeバルク単結晶と多結晶の成長技術およびそれらのデバイス応用 : 均一組成のバルク単結晶とミクロ分散的組成分布を有する太陽電池用バルク多結晶

中嶋一雄, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 佐崎元, 宇治原徹, 宍戸統悦

日本結晶成長学会誌   31 巻   頁： 29-37   2004年

Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy 査読有り

Toru Ujihara, Shinji Munetoh, Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Noritaka Usami, Kozo Fujiwara, Gen Sazaki, and Kazuo Nakajima

Mater. Sci Forum   457-460 巻   頁： 633-637   2004年

Excellent Effect of Gallium Solvent on Preparation of High Lifetime Silicon Crystal by LPE Method 査読有り

Toru Ujihara, Yusuke Satoh, Kazuo Obara, Kozo Fujiwara, Gen Sazaki, Noritaka Usami, Toetsu Shishido and Kazuo Nakajima

    頁： ?   2004年

TEM studies on the initial stage of seeded solution growth of 6H-SiC using metal solvent 査読有り

K. Kamei, K. Kusunoki, S. Munetoh, T. Ujihara and K. Nakajima

Mater. Sci Forum   457-460 巻   頁： 347-351   2004年

Solution growth of self standing 6H-SiC single crystal using metal solvent 査読有り

K. Kusunoki, S. Munetoh, K. Kamei, M. Hasebe, T. Ujihara and K. Nakajima

Mater. Sci Forum   457-460 巻   頁： 123-126   2004年

Effects of high pressure on the growth kinetics of orthorhombic lysozyme crystals 査読有り

Y. Nagatoshi, G. Sazaki, Y. Suzuki, S. Miyashita, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami, and K. Nakajima

J. Crystal Growth   254 巻   頁： 188-195   2003年

Stacked Ge islands for photovoltaic applications 査読有り

N. Usami, A. Alguno, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima, K. Sawano, and Y. Shiraki

Sci. Tech. Adv. Mat   4 巻   頁： 367-370   2003年

Hightemperature solution growth and characterization of chromium disilicide 査読有り

T. Shishido, S. Okada, Y. Ishizawa, K. Kudou, K. Iizumi, Y. Sawada, H. Horiuchi, K. Inaba, T. Sekiguchi, J. Ye, S. Miyashita, A. Nomura, T. Sugawara, K. Obara, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, N. Usami, M. Oku, Y.Yokoyama, S. Kohiki , Y. Kawazoe and K. Nakajima

Jpn. J. Appl. Phys.   42 巻   頁： 7292-7293   2003年

High-Quality Crystalline Silicon Layer Grown by Liquid Phase Epitaxy Method at Low Growth Temperature 査読有り

T. Ujihara, K. Obara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, T. Shishido, K. Nakajima

Jpn. J. Appl. Phys.   42 巻   頁： L217-L219   2003年

Influence of the elastic strain on the band structure of ellipsoidal SiGe coherently embedded in the Si matrix 査読有り

N. Usami, T. Ichitsubo, T. Ujihara, T. Takahashi, K. Fujiwara, G. Sazaki, and K. Nakajima

Journal of Applied Physics   94 巻   頁： 916-920   2003年

Enhanced quantum efficiency of solar cells with self-assembled Ge dots stacked in multilayer structure 査読有り

A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, Y. Shiraki, and K. Nakajima

Applied Physics Letters   83 巻   頁： 1258-1260   2003年

Fabrication of homogeneous SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate 査読有り

K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, B. P. Zhang, and Y. Segawa

Jpn. J. Appl. Phys.   42 巻   頁： L232-L234   2003年

Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by utilizing feedback control system of the crystal-melt interface position for precise control of the growth temperature 査読有り

Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, Y. Murakami, and K. Nakajima

J. Crystal Growth   250 巻   頁： 298-304   2003年

What is the most important growth parameter on crystal quality of the silicon layer by LPE method? 査読有り

T. Ujihara, K. Obara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, T. Shishido and K. Nakajima

  ( 2 ) 頁： 1241 - 1244   2003年

Improved quantum efficiency of solar cells with ge dots stacked in multilayer structure 査読有り

A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, K. Sawano*, G. Sazaki, Y. Shiraki* and K. Nakajima

  ( 3 ) 頁： 2746 - 2749   2003年

Spatial distribution of composition and strain in multicrystalline SiGe bulk crystal and their impact on solar cell application 査読有り

N. Usami, T. Takahashi, A. Alguno, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, and K. Nakajima

  ( 1 ) 頁： 98-101   2003年

Direct observations of crystal growth from silicon melt 査読有り

K. Fujiwara, K. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki, H. Hasegawa, S. Mizoguti and K.Nakajima

  ( 1 ) 頁： 110 - 113   2003年

Structure and property of directionally grown SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution 査読有り

K. Fujiwara, T. Takahashi, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki and K. Nakajima

  ( 1 ) 頁： 158 - 160   2003年

Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications 査読有り

K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Murakami, T. Ujihara, G. Sazaki, and T. Shishido

Sol. Energy Mater. Sol. Cells   72 巻   頁： 93-100   2002年

*Simultaneous in-situ measurement of solute and temperature distributions in the alloy solutions 査読有り

T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, K. Nakajima

J. Crystal Growth   242 巻   頁： 313-320   2002年

New method for measurement of interdiffusion coefficient in high temperature solutions based on Fick's first law 査読有り

T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, K. Nakajima

J. Crystal Growth   241 巻   頁： 387-394   2002年

均一組成SiGeバルク結晶成長と関連する測定技術

宇治原徹, 我妻幸長, 宇佐美徳隆, 佐崎 元, 藤原航三, 宍戸統悦, 中嶋一雄

日本結晶成長学会誌   29 巻 ( 5 ) 頁： 339   2002年

Strain distribution of Si thin film grown on multicrystalline-SiGe with microscopic compositional distribution 査読有り

N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, and K. Nakajima

J. Appl. Phys.   92 巻   頁： 7098-7101   2002年

Evaluation of mutual and intrinsic diffusion coefficients in the liquid GaGe binary system using novel determination method based on Fick's first law 査読有り

T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, K. Nakajima

J. Non-Cryst. Solids   312-314 巻   頁： 196-202   2002年

In situ observation of crystal growth behavior from silicon melt 査読有り

K. Fujiwara, Ke. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki, H. Hasegawa, S. Mizoguchi, K. Nakajima

J. Crystal Growth   243 巻   頁： 275-282   2002年

Compositional variation in Si-rich SiGe single crystals grown by multi-component zone melting method using Si seed and source crystals 査読有り

K. Nakajima, T. Kusunoki, Y. Azuma, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, and T. Shishido

J. Crystal Growth   240 巻   頁： 370-381   2002年

Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for high-efficiency solar cells 査読有り

K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Murakami, T. Ujihara, G. Sazaki and T. Shishido

Sol. Energy Mater. Sol. Cells   73 巻   頁： 305-320   2002年

Evidence for the presence of built-in strain in multicrystalline SiGe with large compositional distribution 査読有り

N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, and K. Nakajima

Jpn. J. Appl. Phys.   41 巻   頁： 4462-4465   2002年

Fabrication of SiGe bulk crystals with uniform composition as substrates for Si-based heterostructures 査読有り

N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, Y. Murakami, and K. Nakajima

Mat. Sci. Eng. B   89 巻   頁： 364-367   2002年

In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface 査読有り

G. Sazaki, Y. Azuma, S. Miyashita, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, Y. Murakami, and K. Nakajima

J. Crystal Growth   236 巻   頁： 364-367   2002年

Grain growth of polycrystalline Si thin film for solar cells and its effect on crystal properties 査読有り

Toru Ujihara, Eiji Kanda, Kozo Fujiwara, Gen Sazaki, Noritaka Usami, Yoshihiro Murakami, Kuninori Kitahara and Kazuo Nakajima

    頁： 1339-1342   2002年

Control of macroscopic absorption coefficient of multicrystalline SiGe by microscopic compositional distribution 査読有り

N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, K. Nakajima, and H. Yaguchi

Jpn. J. Appl. Phys.   41 巻   頁： L37-L39   2002年

In-situ observation of the Marangoni convection of a NaCl aqueous solutions under microgravity 査読有り

G. Sazaki, S. Miyashita, M. Nokura, T. Ujihara, N. Usami, and K. Nakajima

J. Crystal Growth   234 巻   頁： 516-522   2002年

Effect of growth temperature on surface morphology and crystal quality of Si thin-film by liquid phase epitaxial growth technique 査読有り

Toru Ujihara, Eiji Kanda, Kozo Fujiwara, Noritaka Usami, Gen Sazaki, Kazuo Nakajima

    頁： 408-411   2002年

Si/multicrystalline-SiGe heterostructure as a candidate for solar cells with high conversion efficiency 査読有り

N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, and K. Nakajima

    頁： 247-249   2002年

Assessing composition gradient energy effects due to spin interaction on the spinodal decomposition of Fe-Cr 査読有り

T. Ujihara, K. Osamura

Mater. Sci. Eng. A   312 巻   頁： 128   2001年

Molecular beam epitaxy of GaAs on nearly lattice-matched SiGe substrates grown by the multicomponent zone-melting method 査読有り

N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, Y. Yakabe, T. Kondo, K.Kawaguchi, S. Koh, Y. Shiraki, B. P. Zhang, Y. Segawa, and S. Kodama

Semicon. Sci. and Technol.   16 巻   頁： 699-703   2001年

Effects of misfit dislocation and AlN buffer layer on the GaInN/GaN phase diagram of the growth modes 査読有り

K. Nakajima, T. Ujihara, and G. Sazaki

J. Appl. Phys.   89 巻   頁： 146-153   2001年

Growth of SixGe1-x (x=0.15) Bulk Crystal with Uniform Composition by Utilizing in situ Monitoring of the Crystal-Solution Interface 査読有り

N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, S. Miyashita, Y. Murakami, and K.Nakajima

Jpn. J. Appl. Phys.   44 巻   頁： 4141-4144   2001年

Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by directly controlling the growth temperature at the crystal-melt interface using in-situ monitoring system 査読有り

Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, S. Miyashita, K. Fujiwara, and K. Nakajima

J. Crystal Growth   224 巻   頁： 204-211   2001年

Physical model for the evaluation of solid-liquid interfacial tension in silicon 査読有り

T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, N. Usami, K. Nakajima

J. Appl. Phys.   90 巻   頁： 750-755   2001年

Kinetic analysis of spinodal decomposition process in Fe-Cr alloys by small angle neutron scattering 査読有り

T. Ujihara, K. Osamura

Acta Materialia   48 巻   頁： 1629-1637   2000年

Effects of the dislocation density and surface energy on phase diagrams of the S-K mode for the GaInN/GaN and GaPSb/GaP systems 査読有り

K. Nakajima, T. Ujihara, S. Miyashita, and G. Sazaki

In Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   618 巻   頁： 285-290   2000年

"Phase diagram calculation for epitaxial growth of GaInAs on InP considering the surface, interfacial and strain energies" 査読有り

K. Nakajima, T. Ujihara, G. Sazaki, and N. Usami

J. Crystal Growth   220 巻   頁： 413-424   2000年

SiGe bulk crystal as a lattice-matched substrate to GaAs for solar cell applications 査読有り

N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Yakabe, T. Kondo, S. Koh, B. Zhang, Y. Segawa,Y. Shiraki, S. Kodama, and K. Nakajima

Appl. Phys. Lett.   77 巻   頁： 3565-3567   2000年

In Situ Measurement of Composition in High-Temperature Solutions by X-Ray Fluorescence Spectrometry 査読有り

T. Ujihara, G. Sazaki, S. Miyashita, N. Usami, K. Nakajima

Jpn J. Appl. Phys   39 巻   頁： 5981-5982   2000年

Thickness dependence of stable structure of the Stranski-Krastanov mode in the GaPSb/GaP system 査読有り

K. Nakajima, T. Ujihara, S. Miyashita, G. Sazaki

Journal of Crystal Growth   209 巻   頁： 637-647   2000年

"The excess free energy due to composition gradient for ferromagnetic alloys""" 査読有り

T. Ujihara, K. Osamura

Acta Materialia   47 巻   頁： 3041-3048   1999年

Phase diagrams and stable structures for Sranski-Krastanov mode of III-V ternary quantum dots 査読有り

K. Nakajima, T. Ujihara, S. Miyashita and G. Sazaki

Journal of Korean Association of Crystal Growth   9 巻   頁： 387-395   1999年

Magnetic damping of the temperature-driven convection in NaCl aqueous solution using a static and homogenous of 10 T 査読有り

G. Sazaki, S. D. Drubin, S. Miyashita, T. Ujihara, K. Nakajima, M. Motokawa

Jpn. J. Appl. Phys.   38 巻   頁： L842-L844   1999年

Kinetics of Spinodal Decomposition with Composition Dependent Mobility 査読有り

T. Ujihara, K. Osamura

Proceeding of the International Conference on Solid-Solid Phase Transformation   99 巻   頁： 117-120   1999年

Effect of nonlinearity of the evolution equation on the spinodal decomposition process in alloys 査読有り

T. Ujihara, K. Osamura

Physical Review   B58 巻 ( 17 ) 頁： 11371   1998年

Al-Znの合金における相分解初期過程でのGPゾーンの形状異方性 査読有り

宇治原 徹, 長村 光造, 雨宮 慶幸

日本金属学会誌   62 巻 ( 2 ) 頁： 117   1998年

Effect of Third Elements on Cu Precipitation on Fe-Cu Alloys 査読有り

Toru Ujihara, Kozo Osamura

Ann. Physiq.   C3 巻 ( 20 ) 頁： 3   1995年

Phase Decomposition in Fe-Cr-Mo Alloy 査読有り

Kozo Osamura Toru Ujihara, Hiroshi Okuda, Michihiro Furusaka

Proc. Int. Conf. On PTM'94 Solid-Solid Transformation in Inorganic Materials     頁： ",377"   1994年

半導体SiC技術と応用　第2版　3.3.2 六方晶基板上への3C-SiC溶液成長

松浪弘之, 大谷昇, 木本恒暢, 中村孝　編著　宇治原徹（ 担当： 共著）

日刊工業新聞社  2011年 

「工学的手法による膜制御」, トランスポートソームの世界－膜輸送研究の源流から未来へ－

宇治原徹（ 担当： 単著）

京都廣川書店  2011年 

SiCパワーデバイスの最新技術, SiCバルク結晶の溶液成長技術

宇治原徹（ 担当： 単著）

サイエンス&テクノロジー社  2010年 

薄膜ハンドブック　第2版, 2．2．1　エピタキシーの基礎

竹田美和, 宇治原徹（ 担当： 共著）

オーム社  2008年 

4.1.5. 半導体量子構造の結晶成長と形成過程「自然に学ぶ材料プロセッシング」

宇治原徹（ 担当： 単著）

三共出版  2007年 

"Effects of a Magnetic Field on the Crystallization of Protein" in "Materials Science in Static High Magnetic Fields"

G. Sazaki, S. Yanagiya, S.D. Durbin, S. Miyashita, T. Nakata, H. Komatsu, T. Ujihara, K.Nakajima, M. Motokawa（ 担当： 共著）

2002年 

Data assimilation for crystal growth simulation incorporating multiple uncertainties using machine learning 国際会議

Kentaro Kutsukake, Shion Takeno, Masato Ota, Ichiro Takeuchi and Toru Ujihara

The 11th International Workshop on Modeling in Crystal Growth(IWMCG11)  2024年9月24日 

機械学習を用いた離散不純物によるMOSFET閾値電圧ばらつきの統計的な解析

関 翔太, 長田 圭一, 髙石 将輝, 笠原 亮太郎, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹

第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年9月20日 

連続工程の全体最適化のための最適化手法の検討

笠原 亮太郎，沓掛 健太朗，原田 俊太，宇治原 徹

第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年9月20日 

SiC溶液成長法における潜在空間を利用した長時間プロセスの最適化

坂本 隆直，沓掛 健太朗，原田 俊太，宇治原 徹

第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年9月20日 

SiC溶液成長法における多結晶生成要因の検討

杉浦大輝、村山健太、沓掛健太朗、原田俊太、宇治原徹

第43回 結晶成長討論会  2024年9月12日 

SiC溶液成長法における溶媒インクルージョンの３次元形状の解明と形成メカニズムの分析

伊藤貴洋、周惠琴、沓掛健太郎、原田俊太、宇治原徹

第43回 結晶成長討論会  2024年9月12日 

SiC溶液成長法の長時間プロセスにおける坩堝の形状変化に対応したシーケンス最適化に向けて

坂本 隆直, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 宇治原 徹

第43回 結晶成長討論会  2024年9月12日 

AI を活用した SiC 溶液成長技術の開発 招待有り

宇治原　徹

日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウム  2024年9月10日 

Molecular Dynamics Simulation of Si-Cr-C Solutions: The Effect of Al Addition on SiC Solution Growth 国際会議

Takumi Fukunaga, Ryo Iwasa, Takahiro Kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2024)  2024年9月3日 

Dynamic deformation modeling for the interfaces of growing, etching, and depositing in TSSG-SiC 国際会議

Xin Liu and Toru Ujihara

8th European Conference of Crystal Growth(ECCG8)  2024年7月22日 

Si-Cr溶液の分子動力学シミュレーション： Al添加がSiC結晶成長に与える影響の検討

福永拓実, 岩佐零, 河村貴宏, 関翔太, 原田俊太, 宇治原徹

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会  2024年5月31日 

人間参加型選好ベイズ最適化の半導体製造プロセス開発への応用

松田 凌芽, 霜田 大貴, 吉田 拓未, 竹野 思温, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹, 竹内 一郎

第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月25日 

シリコン中の不純物増速拡散の機械学習

霜田 大貴, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹

第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月25日 

AlNウィスカの耐水性向上に寄与する酸化膜形態の解明

古川 喜一、原田 俊太、宇治原 徹

日本セラミックス協会2024年年会  2024年3月16日 

AI を活用した SiC 溶液成長技術の開発と今後の展望

宇治原徹

データ駆動コンソーシアムセミナー  2024年1月29日 

プロセスインフォマティクスを用いた高品質SiC結晶成長技術の開発と展開 招待有り

宇治原徹

電子光技術シンポジウム  2023年12月18日 

溶液の組成がDNA修飾ナノ粒子結晶 の品質およびサイズに与える影響

張力東，小島憧子，周幸儀 ，太田昇，関口博史，原田 俊太，宇治原徹， 塚本勝男，田川美穂

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）  2023年12月4日 

4H-SiC溶液成長シミュレーションの機 械学習における転移学習によるデータ数削減

甘原，党一帆，沓掛健太 朗，原田俊太，田川美穂， 宇治原徹

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）  2023年12月6日 

SiC溶液成長における溶質と不純物の 結合安定性の第一原理計算による解析

関翔太，河村貴宏，原田俊 太，田川美穂，宇治原徹

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）  2023年12月5日 

SiC溶液成長法における実験者の知識 を利用したスケールアップのための最適化手法の構築

霜田大貴，鈴木皓己，沓掛 健太朗，原田俊太，田川美 穂，宇治原徹

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）  2023年12月5日 

DNA修飾ナノ粒子の結晶成長におけ る粒子間相互作用に対するPEG添加の影響

小島憧子，張力東，太田 昇，関口博史，原田俊太， 宇治原徹，塚本勝男，田川 美穂

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）  2023年12月4日 

Analysis of the Effect of Solvent Composition on Suppression of Inclusion in SiC Solution Growth 国際会議

Huiqin Zhou, Yuma Fukami, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

Exploring Phonon Localization in TitaniumChromium Oxides with Modulated 国際会議

S. Harada, T. Hattori, M. Inden, S. Sugimoto, M. Itoh, M.Tagawa, T.Ujihara

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

Optimization of experimental conditions using machine learning for large-diameter crystal growth in solution growth of SiC 国際会議

Daiki Shimoda, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

Numerical Analysis of Macrostep Instability focusing on Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth 国際会議

Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

Effect of Solvent Properties on Growth Process in SiC Solution Growth 国際会議

Li Juanheng, Huiqin Zhou, Xin Liu, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

First-principles analysis of the mechanism of formation of large macrosteps by additive elements in solution growth of SiC 国際会議

Shota Seki, Takahiro Kawamura, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

Effect of macrostep height and solution flow on formation of solvent inclusion in SiC solution growth 国際会議

Yuma Fukami, Huiqin Zhou, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) Surface Stability of Reconstructions on BAs (001) Surface: First-principles calculation 国際会議

PeiYang Cai, Toru Akiyama, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

Polyethylene Glycol Additive controled crystallization of DNA-Functionalized Nanoparticles 国際会議

Shoko Kojima, L.D. Zhang, H. Sumi, N. Ohta, H.Sekiguchi, S. Harada, T. Ujihara, K.Tsukamoto, M. Tagawa

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

Effects of Sodium Chloride and Deuterium Oxide on Crystal Growth of DNAFunctionalized Nanoparticles 国際会議

Lidong Zhang, Maasa Yokomori, Hayato Sumi, HsinYi Chou, Shoko Kojima, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, Miho Tagawa

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

機械学習によるマテリアル開発

宇治原徹

日本電子材料技術協会　2023年第60回秋期講演⼤会  2023年11月24日 

SiC溶液成長における溶媒インクルージョン形成のマルチスケールシミュレーション

鄭 朗程, 周 惠琴, 黨 一帆, 沓掛 健太朗, 原田　俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月20日 

GaN気相成長における結晶表面状態予測のためのデジタルツインの構築

関 翔太, 橋爪 優果, 髙石 将輝, 角岡 洋介, 沓掛 健太朗, 園田 勉, 高橋 言緒, 井手 利英, 清水 三聡, 宇治原 徹

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月20日 

GaN気相成長における結晶表面状態予測のための機械学習用特徴量抽出

園田 勉, 高橋 言緒, 角岡 洋介, 高石 将輝, 関 翔太, 沓掛 健太朗, 井手 利英, 清水 三聡, 宇治原徹

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月20日 

大口径SiC 溶液成長における基礎技術とその応用

宇治原徹

日本金属学会2023年(第173回)秋期講演大会  2023年9月22日 

SiC溶液法における溶媒中の溶質-不純物間結合安定性の第一原理計算による解析

関 翔太、河村 貴宏、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

日本金属学会2023年(第173回)秋期講演大会  2023年9月22日 

ＳｉＣ溶液成長における炭素拡散場を介したマクロステップ相互作用の数値解析

中西 祐貴、沓掛 健太朗、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

日本金属学会2023年(第173回)秋期講演大会  2023年9月22日 

Analysis of the Effect of Solvent Composition on Suppression of Inclusion in SiC Solution Growth 国際会議

Huiqin Zhou, Yuma Fukami, Hitoshi Miura, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada and Toru Ujihara

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2023）  2023年9月19日 

Effects of Solution Properties on Growth Conditions of SiC Solution Growth 国際会議

Juanheng Li, Zhou Huiqin, Liu Xin, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho and Ujihara Toru

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2023）  2023年9月20日 

Optimization of Temperature Distribution and Flow Distribution using Machine Learning for 8-Inch SiC Crystal Growth by TSSG Method 国際会議

Daiki Shimoda, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa and Toru Ujihara

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2023）  2023年9月19日 

AI を活用した SiC溶液成長技術の開発と今後の展望

宇治原徹

一般社団法人ワイドギャップ半導体学会　特別公開シンポジウム  2023年9月7日 

Modulated crystallographic shear structure in titanium-chromium oxides: their structure and phonon transport properties 国際会議

S. Harada, T. Hattori, M. Inden, S. Sugimoto, M. Itoh, M. Tagawa, T. Ujihara

26TH CONGRESS AND GENERAL ASSEMBLY OF THE INTERNATIONAL UNION OF CRYSTALLOGRAPHY(IUCr2023)  2023年8月29日 

Effects of PEG addition on particle-particle interactions in crystal growth of DNA functionalized nanoparticles 国際会議

Shoko Kojima, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, Miho Tagawa

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年7月31日 

Surface Stability of Reconstructions on BAs (001) Surface: An Ab InitioBased Approach 国際会議

(DC)Cai Peiyang, Toru Akiyama, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年8月3日 

Effect of crystallization conditions for the enlargement of the size of DNA-functionalized nanoparticles crystals 国際会議

Lidong Zhang, Maasa Yokomori, Hayato Sumi, HsinYi Chou, Shoko Kojima, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, Miho Tagawa

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年8月2日 

First-principles analysis of the activation energy of solute-additive bonds in the solvent of the SiC solution growth 国際会議

Shota Seki, Takahiro Kawamura, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年8月3日 

Analysis of Macrostep Interaction via Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth 国際会議

Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年8月1日 

Effect of macrostep height on formation of solvent inclusion in SiC solution growth 国際会議

Yuma Fukami, Huiqin Zhou, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa,Toru Ujihara

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年8月1日 

Optimization method of crystal growth conditions by tacit knowledge (for large-diameter SiC solution growth) 国際会議

Toru Ujihara, Masaru Isono, Kentaro Kutsukake, Ichiro Takeuchi, Koki Suzuki, Tomoaki Furusho, Miho Tagawa, Shunta Harada

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年7月31日 

連立微分方程式で記述される半導体プロセスシミュレーションの機械学習

佐藤 陸彌, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月18日 

SiC溶液成長法におけるパレート解に影響を与えるパラメータの考察

霜田 大貴, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月15日 

連立微分方程式で記述される半導体プロセスシミュレーションの機械学習

佐藤 陸彌, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月18日 

量子アニーリングを用いたプロセス最適化の検討

眞野 幸希, 沓掛 健太朗, 丹野 航太, 中野 倖太, 丸山 伸伍, 宇治原 徹

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月17日 

Analysis of the Effect of Solvent Composition on Suppression of Inclusion in SiC Solution Growth by Phase Field Method

HUIQIN ZHOU, Yuma Fukami, Hisaki Takemoto, Yifan Dang, Miho Tagawa, Shunta　Harada, Toru Ujihara

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月15日 

SiC溶液成長におけるマクロステップ高さがインクルージョン形成に及ぼす影響

深見 勇馬, 周 惠琴, 竹本 玖生, 黨 一帆, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月15日 

SiC溶液成長における炭素拡散場を介したステップ相互作用の解析

中西 祐貴, 沓掛 健太朗, 黨 一帆, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月15日 

SiC溶液成長における粘度が流体分布、温度分布および成長速度に与える影響

李 鐫恒, 党 一帆, 太田 壮音, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月15日 

CFD simulation in solution growth aided by machine learning- Application for SiC top-seeded solution growth 国際会議

Toru UJIHARA

3rd International Symposium on Modeling of Crystal Growth Processes & Devices (MCGPD-2023)   2023年3月6日 

AIとオペレータの『意味』を介したコミュニケーションによる結晶成長技術開発

宇治原徹

AI NEXT FORUM 2023  2023年2月16日 

Large Diameter SiC Crystal Growth assisted by AI technology 国際会議

Toru UJIHARA

33th 2022 International Symposium on Micro-Nano Mechatronics and Human Science (MHS2022)  2022年11月30日 

Development of High Thermal Conductive Ceramics and High Thermal Conductive Resins Using Fibrous Aluminum Nitride Filler 招待有り 国際会議

Toru Ujihara

10th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2021),November 10-12, 2021  2021年11月12日 

SiC溶液法における添加元素の溶液局所構造への影響の第一原理計算による解明

関翔太，河村貴宏，原田俊太，田川美穂，宇治原徹

第51回結晶成長国内会議(JCCG-51)  2022年10月31日 

DNA修飾ナノ粒子の結晶成長における重水の影響

張力東，横森真麻，太田昇，関口博，原田俊太，宇治原徹，田川美穂

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）  2022年11月1日 

SiC溶液成長における溶液の拡散がステップ成長に及ぼす影響の解明

竹本玖生，周恵琴，深見勇馬，沓掛健太郎，原田俊太，田川美穂，宇治原徹

第51回結晶成長国内会議(JCCG-51)  2022年11月1日 

大口径SiC溶液成長の現状と課題

宇治原 徹, 鈴木 皓己, 古庄 智明, 沓掛 健太朗, 黨 一帆, 劉 欣博, 朱 燦, 周 惠琴, 深見 勇馬, 太田 壮音, 関 翔太, 霜田 大貴, 中西 祐貴, 島 颯一, 布野 日奈子, 上松 浩, 原田 俊太, 田川 美穂

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月20日 

Surface Stability of reconstructions on BAs (111) surface:An Ab Initio-Based Approach

Peiyang Cai, Toru Akiyama, TomomasaKiyozawa, Takafumi Hatano, Shunta Harada,Miho Tagawa, Hiroshi Ikuta, Toru Ujihara

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月21日 

専門家の知識を入れたものづくりのためのデータ同化（ii）-SiC溶液成長シミュレーションへの適用-

太田 壮音, 沓掛 健太朗, 竹野 思温, 烏山 昌幸, 竹内 一郎, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原　徹

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月22日 

専門家の知識を入れたものづくりのためのデータ同化（i）-手法の提案-

沓掛 健太朗, 竹野 思温, 太田 壮音, 烏山 昌幸, 竹内 一郎, 宇治原 徹

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月22日 

機械学習を用いたSiC結晶の転位増殖抑制に向けた降温条件の探索

熊谷 尚純, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月22日 

多段プロセスに対するベイズ最適化の提案 -太陽電池プロセスを例に-

沓掛 健太朗, 中野 高志, 草川 隼也, 竹内 一郎, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月22日 

SiC溶液法における溶媒への添加元素効果の第一原理計算による解析

関 翔太, 河村 貴宏, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月20日 

SiC溶液成長法における中間メルトバックによる表面平坦性の改善

馬 叔陽, 朱 燦, 党 一帆, 劉 欣博, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月20日 

Analysis of Inclusion Defect Generation in SiC Solution Crystal Growth Method Using Phase-Field Model 国際会議

HUIQIN ZHOU , YUMA FUKAMI, YIFAN DANG, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

2022年9月20日 

Simulation of Macrosteps Development and Design of Control Pattern for Solution Growth of SiC

Yifan Dang, Xinbo Liu, Yuma Fukami, Shuyang Ma, Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa,Toru Ujihara

2022年9月20日 

Analysis of effect of additives in solution growth of SiC by first-principles molecular dynamics calculation 国際会議

Shota seki, Takahiro Kawamura, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2022）  2022年9月12日 

Nucleation sites of stacking faults detected by in-operando X-ray topography for designing bipolar-degradation-free SiC MOSFETs 国際会議

KUMIKO KONISHI, Ryusei Fujita, Keisuke Kobayashi, Akio Yoneyama, Kotaro Ishiji, Hiroyuki Okino, Toru Ujihara, Akio Shima

19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2022）  2022年9月14日 

デジタルツインを用いた最適化手法によるＳ iＣ結晶成長技術開発 　Novel optimization method with digital twin for SiC crystal growth system

宇治原徹

シンポジウム | イノベーション共創プログラム（CIP） | デジタルトランスフォーメーションがもたらす化学・材料領域のイノベーション「デジタルトランスフォーメーションがもたらす化学・材料領域のイノベーション」、日本化学会 第102春季年会(2022)　 2022年3月23日-26日  2022年3月25日 

暗黙知によるプロセス最適化手法の開発（SiC結晶成長プロセスを例に）

宇治原徹

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会、2022年 3月 22日-26日  2022年3月22日 

面欠陥周期配列を含む酸化チタン自然超格子の熱輸送における　フォノンの粒子性と波動性の定量化

杉本 峻也, 田川 美穂, 宇治原 徹, 原田 俊太

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会、2022年 3月 22日-26日  2022年3月24日 

面欠陥周期配列を含む酸化チタン自然超格子の熱輸送におけるフォノンの粒子性と波動性の定量化

杉本 峻也、田川 美穂、宇治原 徹、原田 俊太

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会、2022年 3月 22日-26日  2022年3月24日 

AlNウィスカー被覆複合粒子を用いた樹脂材料厚み方向の放熱経路形成による高熱伝導化

岡田 詩歩・ 宇治原 徹・ 田川 美穂・ 原田 俊太

化学工学会第87年会 2022.3.16(水) - 3.18(金)  2022年3月18日 

完全性の高い周期界面を含む自然超格子酸化チタンの構造制御と熱輸送特性

原田 俊太、小坂 直輝、杉本 峻也、八木 貴志、田川 美穂、宇治原 徹

公益社団法人日本金属学会2022年春期第170回講演大会：2022年3月15日-17日、3月22日  2022年3月16日 

Cr添加酸化チタンにおける面欠陥不規則配列の形成

位田 麻衣、杉本 峻也、服部 泰河、田川 美穂、宇治原 徹、原田 俊太

公益社団法人日本金属学会2022年春期第170回講演大会：2022年3月15日-17日、3月22日  2022年3月22日 

畳み込みニューラルネットワークを用いたPhase-Field計算の高速化

田中悠太、神武孝彦、林宏太郎、名大　高石将輝、沓掛健太朗、宇治原徹

（一社）日本鉄鋼協会　第183回春季講演大会2022年3月15日-17日  2022年3月17日 

機械学習による高品質 SiC 溶液成長技術とパワー半導体実装の展望

宇治原徹

一般社団法人エレクトロニクス実装学会関西支部 主催　第19回 技術講演会　『脱炭素社会に向けて加速するニュータイプ・パワー半導体材料・実装技術最前線』  2022年3月7日 

デジタルツインを用いた結晶成長プロセス最適化技術（SiC溶液成長を中心に）

宇治原徹

CVD反応分科会第35回シンポジウム「ドライプロセスに対するプロセスインフォマティクス」  2022年1月24日 

機械学習によるSiCバルク結晶成長の最適化

宇治原徹

日本学術振興会　第R032委員会　第5回研究会「R032委員会キックオフ研究会：ワイドギャップ半導体Ⅰ」  2022年1月7日 

人と共に進化するデジタルツイン素材プロセス最適化技術（SiC溶液成長を例に）

宇治原徹

先端エネルギー材料理工共創研究センター　2021年度ワークショップ  2021年12月23日 

大口径SiC結晶成長のためのプロセスインフォマティクス技術の開発

宇治原徹

先進セラミックス学振124委員会　第166回講演会  2021年12月16日 

Large-diameter SiC crystal grown by solution growth using surrogate model 招待有り 国際会議

Toru Ujihara

The Material Research Meeting 2021, December 13-16, 2021  2021年12月14日 

Microstructure and properties of sintered aluminum nitride (AlN) with AlN whiskers addition 国際会議

Naoki Kondo, Akihiro Shimamura, Mikinori Hotta, Hiroki Shimizu, Toru Ujihara, Yoshihiro Ohnishi

The Material Research Meeting 2021, ,December 13-16, 2021  2021年12月15日 

Process optimization for the seeded directional solidification of Si ingot using CFD and machine learning 国際会議

Xin Liu, Yifan Dang, Hiroyuki Tanaka, Kentaro Kutsukake, Toru Ujihara, Noritaka Usami

The Material Research Meeting 2021, ,December 13-16, 2021  2021年12月14日 

溶液法による6インチSiC結晶の成長とそれに活用したプロセス・インフォマティクス技術VI-2 Process Informatics for 6 inch SiC Solution Growth

宇治原徹

公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会  2021年12月10日