2025/03/21 更新

写真a

ウジハラ トオル
宇治原 徹
UJIHARA, Toru
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 教授
大学院担当
大学院工学研究科
職名
教授
連絡先
メールアドレス
外部リンク

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2000年3月   京都大学 ) 

研究キーワード 1

  1. 結晶成長, 溶液成長, 気相成長, シリコンカーバイド, SiC, パワーデバイス, 太陽電池, 半導体フォトカソード, スピン観察, バイオデバイス, 半導体-生体膜ハイブリッドデバイス, 脂質二重膜

研究分野 3

  1. その他 / その他  / 金属物性

  2. その他 / その他  / 電子・電気材料工学

  3. その他 / その他  / 応用物性・結晶工学

現在の研究課題とSDGs 3

  1. 高品質SiC溶液成長

  2. AlNの高効率合成

  3. プロセスインフォマティクスによる素材開発

経歴 15

  1. 名古屋大学   ディープテック・シリアルイノベーションセンター   センター長

    2023年4月 - 現在

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    国名:日本国

  2. 株式会社UJ-Crystal   代表取締役

    2021年6月 - 現在

  3. 国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研)   エレクトロニクス・製造領域 研究戦略部 (現:研究企画室)窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ   ラボ長

    2021年4月 - 現在

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    国名:日本国

  4. アイクリスタル株式会社   取締役

    2019年11月 - 現在

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    国名:日本国

  5. 国立研究開発法人理化学研究所   革新知能統合研究センター   客員研究員

    2018年6月 - 現在

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    国名:日本国

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学歴 3

  1. 京都大学   工学研究科   材料工学

    1995年4月 - 1999年3月

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    国名: 日本国

  2. 京都大学   工学研究科   材料工学

    1993年4月 - 1995年3月

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    国名: 日本国

  3. 京都大学   工学部   冶金学科

    1989年4月 - 1993年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 1

  1. 日本表面真空学会

委員歴 46

  1. 日本結晶成長学会   評議員  

    2022年4月 - 現在   

  2. 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構   技術委員  

    2021年8月 - 2023年3月   

  3. 第8回アジア結晶成長・結晶技術国際会議(CGCT-8)   実行委員  

    2021年3月   

  4. 第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)   プログラム委員  

    2020年11月   

  5. ICMaSS2019プログラム委員会   委員  

    2019年11月   

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受賞 23

  1. 第41回応用物理学会論文賞「応用物理学会論文奨励賞」

    2019年   応用物理学会講  

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

    小久保信彦

  2. 17th International Conference on Organized Molecular Films(ICOMF17)

    2018年7月   DNA-controlled assembly of 2D nanoparticle lattices on lipid bilayer

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:アメリカ合衆国

  3. 第65回春季学術講演会 「応用物理学会講演奨励賞」

    2018年3月   応用物理学会講   ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

    小久保信彦

  4. 日本結晶成長学会 「講演奨励賞」  " Students Award "

    2017年12月   日本結晶成長学会   機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

    畑佐豪記,角岡洋介,村井良多,村山健太,朱燦,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

  5. 先進パワー半導体分科会 第4回講演会「研究奨励賞」

    2017年11月   先進パワー半導体分科会   ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の刃状成分の解析

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

    小久保信彦,角岡洋介,藤榮文博,大原淳士,原一都,恩田正一,山田永,清水三聡,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

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論文 285

  1. Modeling and analysis of undoped GaN grown in a horizontal laminar flow MOCVD reactor 査読有り

    Takahiro Gotow, Tsutomu Sonoda, Tokio Takahashi, Hisashi Yamada, Toshihide Ide, Reiko Azumi, Mitsuaki Shimizu, Yosuke Tsunooka, Shota Seki, Kentaro Kutsukake, and Toru Ujihara

    Materials Science in Semiconductor Processing   188 巻   頁: 109258   2025年3月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語  

  2. The effects of polyethylene glycol on the nucleation and growth of DNA-functionalized gold nanoparticles crystals 査読有り

    Kojima, S; Zhang, LD; Kumar, C; Sumi, H; Ohta, N; Sekiguchi, H; Tsuzuki, K; Harada, S; Ujihara, T; Tsukamoto, K; Tagawa, M

    Journal of Crystal Growth   640 巻   2024年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  3. Modulated crystallographic shear structure in titanium–chromium oxides: their structure and phonon-transport properties 査読有り

    S. Harada, T. Hattori, M. Inden, S. Sugimoto, M. Ito, M. Tagawa and T. Ujihara

    Journal of Applied Crystallography   57 巻 ( 4 ) 頁: 1212 - 1216   2024年8月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  4. Analysis of Macrostep Interaction via Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth 査読有り

    Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Journal of Crystal Growth   631 巻   2024年4月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  5. Effect of Solution Components on Solvent Inclusion in SiC Solution Growth 査読有り

    Huiqin Zhou, Hitoshi Miura, Yuma Fukami, Yifan Dang, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Crystal Growth & Design   24 巻 ( 4 ) 頁: 1806 - 1817   2024年2月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語  

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書籍等出版物 11

  1. 「データ駆動型材料開発」オントロジーとマイニング、計測と実験装置の自動制御・マテリアルズ・インフォマティクスを加速化させ実験プロセスを革新する「データ駆動型材料開発」の全貌!・材料探索のオントロジー、文献情報の抽出、計測インフォマティクスから実験装置の自動制御まで!・新規触媒や電池材料など、最新のデータ駆動型材料探索手法も一挙掲載!

    船津 公人、堀 憲次、山口 徹、髙橋 ローレンニコール、山縣 友紀、櫛田 達矢、松本 裕治、石井 真史、岡 博之、鈴木 晃、坂本 浩一、石垣 達也、加藤 明彦、吉川 友也、進藤 裕之、久米 慧嗣、古崎 晃司 、高下 大貴、小野 直亮、黄 銘、Md.Altaf-Ul-Amin、金谷 重彦、沓掛健太朗、原田 俊太 、宇治原 徹、清水 研一、濱本 信次、蒲池 高志、日沼 洋陽、宮里 一旗、髙橋 啓介、矢田 陽、佐藤 一彦、冨谷 茂隆、山本 寛人、山下 俊介、永村 直佳、松村太郎次郎、安藤 康伸、堀場 弘司、尾嶋 正治、孝橋 照生、石附 直弥、清水 亮太、一杉 太郎 、長田 貴弘、柳生進二郎、松田 翔一、岩﨑 悠真、石田 真彦( 担当: 共著)

    (株)エヌ・ティー・エス  2021年11月 

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    記述言語:日本語

  2. ポストシリコン半導体―ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果―『第3編 結晶成長・成膜法 第4章 溶液法によるSiC結晶成長法 ~SiCを事例として~』, 株式会社ニッケイ印刷 編

    財満鎮明,佐藤勝昭,押山淳,室田淳一,櫻庭政夫,奥村元,北畠真,石田夕起,矢野裕司,竹内哲也,尾鍋研太郎,鳥海明,酒井朗,中塚理,堀越佳治,杉山弘樹,秦雅彦,高木信一,大友明,東脇正高,佐々木公平,須崎友文,川原田洋,小泉聡,伊藤利道,鈴木一博,山崎聡,竹内大輔,大串秀世,牧野敏晴,小倉政彦,加藤宙光,末光眞希,中辻寛,小森文夫,近藤大雄,熊谷義直,纐纈明伯,森勇介,今出完,丸山美帆子,吉村政志,寒川義裕,宇治原徹,着本享,松畑洋文,幾原雄一,中山隆史,小日向恭祐,山下良之,笹原亮,富取正彦,吉武道子,吉野淳二,伊藤智徳,岡田晋,金山敏彦( 担当: 単著)

    株式会社エヌ・ティー・エス  2013年6月 

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    記述言語:日本語

  3. 『5 パワー半導体材料』, 「太陽エネルギー社会を築く材料テクノロジー(Ⅰ) -材料デバイス編-」

    宇治原徹, 名古屋大学大学院工学研究科材料バックキャストテクノロジー研究センター 編( 担当: 共著)

    コロナ社  2013年 

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    記述言語:日本語

  4. SiCパワーデバイスの開発と最新動向―普及に向けたデバイスプロセスと実装技術―

    岩室 憲幸,中野 佑紀,原田 信介,古川 彰彦,今泉 昌之,大森 達夫,矢野 裕司,吉川 正信,先崎 純寿,二本木 直,築野 孝 ,浅野 勝則,辻 崇 富,中山 浩二,匹田 政幸,渡邉 純二,加藤 正史,高尾 和人,徳田 人基,石川 佳寛,門田 健次,大谷 昇,宇治原 徹,藤本 辰雄,高橋 宏和,岩井 利光,星山 豊宏,加藤 智久,山口 桂司,佐藤 誠,佐野 泰久,有馬 健太,山内 和人,石田 夕起,土田 秀一,齋藤 真,伊瀬 敏史( 担当: 共著)

    S&T出版  2012年10月  ( ISBN:978-4-907002-06-0

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    記述言語:日本語

  5. これで使える 機能性材料パーフェクトガイド

    大竹尚登, 神埼昌郎, 宇治原徹, 髙﨑正也( 担当: 共著)

    講談社サイエンティフィク  2012年3月 

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    記述言語:日本語

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講演・口頭発表等 919

  1. P型4H-SiC溶液成長法における溶媒インクルージョンおよび結晶の不純物濃度分布の形成要因の分析

    伊藤 貴洋 ,沓掛 健太朗 ,原田 俊太,宇治原 徹

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月14日  公益社団法人 応用物理学会

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    開催年月日: 2025年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京理科大学野田キャンパス&オンライン   国名:日本国  

  2. 半導体熱処理条件の最適化における既存条件を考慮した目的関数の検討

    笠原 亮太郎, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 宇治原 徹, 関 翔太, 高石 将暉, 永井勇太

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月17日  公益社団法人 応用物理学会

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    開催年月日: 2025年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京理科大学野田キャンパス&オンライン   国名:日本国  

  3. 半導体製造における企業間を跨いだデジタルツインによるウェーハ・デバイスプロセスの全体最適化

    関 翔太, 中西 佑児, 松岡 毅, 前田 進, 楠木 琢也, 永井 勇太, 永倉 大樹, 谷川 公一, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月17日  公益社団法人 応用物理学会

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    開催年月日: 2025年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京理科大学野田キャンパス&オンライン   国名:日本国  

  4. 機械学習を用いた超高品質SiC結晶成長技術の開発 招待有り

    宇治原 徹

    資源・素材学会 2025年度 春季大会  2025年3月14日  一般社団法人資源・素材学会

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    開催年月日: 2025年3月

    会議種別:口頭発表(基調)  

    開催地:千葉工大の津田沼キャンパス   国名:日本国  

  5. 絶縁放熱シートにおける形状の異なるAlN フィラーの共添加による高熱伝導化

    山口昂大, 原田俊太, 沓掛健太朗, 宇治原徹

    2025年年会 公益社団法人日本セラミックス協会  2025年3月6日  公益社団法人 日本セラミックス協会

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    開催年月日: 2025年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:静岡大学 浜松キャンパス   国名:日本国  

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Works(作品等) 16

  1. 「革新技術で海外目指せ」(SENTAN「ものづくりミライ塾」)

    2020年1月

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    発表場所:新三河タイムス  

  2. 「次世代半導体材料として注目されるシリコンカーバイドの開発にシミュレーションと機械学習を活用し開発期間の短縮化を実現」

    2019年9月

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    発表場所:計算工学ナビ・ニュースレター2019年秋号VOL.17  

  3. 名古屋の大学研究室から世界の「熱問題」を解決する。素材ベンチャー「U-MAP」

    2019年8月

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    発表場所:Forbes Japan  

  4. 高熱伝導樹脂を実現するAINウィスカーフィラーの開発と起業

    2019年4月

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    発表場所:高分子  

  5. 高熱伝導樹脂を実現するAINウィスカーフィラー

    2019年3月

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    発表場所:FINE CERAMICS REPORT  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 146

  1. スポット溶接電極用銅基傾斜機能材料の研究

    2019年5月 - 2020年4月

    国内共同研究 

  2. AlNウィスカー技術の実製品適用に向けた基礎検討②

    2018年10月 - 2019年3月

    国内共同研究 

  3. AINウィスカー(窒化アルミニウム針状結晶)を用いた次世代高機能放熱材料の研究開発

    2018年9月 - 2021年3月

    その他 

    宇治原 徹

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    資金種別:競争的資金

    AINウィスカー(窒化アルミニウム針状結晶)を用いた次世代高機能放熱材料の研究開発

  4. 機械学習を用いた結晶成長炉内部品の物性値の高温領域におけるその場推定法に関する研究

    2018年9月 - 2019年8月

    国内共同研究 

  5. 融液法を用いたSiC単結晶の育成

    2018年8月 - 2019年3月

    国内共同研究 

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科研費 25

  1. インターカレーションによる熱伝導可変メカニズムの解明と新規デバイス構造の提案

    研究課題/研究課題番号:24K21740  2024年6月 - 2026年3月

    挑戦的研究(萌芽)

    宇治原 徹

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:6370000円 ( 直接経費:4900000円 、 間接経費:1470000円 )

    本研究では、非晶質をベースにイオンの挿入・脱離で熱伝導率が大きく変化する新たな機能性材料分野の開拓を目指す。熱伝導可変物質を活用し熱スイッチを試作する。熱伝導可変物質とイオン供給層を積層させ、イオンが移動する程度に電圧を短時間印加する。それで高熱伝導状態(on)と断熱状態(off)を切り替える。また、ペルチエ、蓄熱材と熱スイッチを組み合わせることで、熱制御のための基本的な熱デバイス動作を実現できる。本研究では、ホスト非晶質酸化物へのイオン挿入・脱離による熱伝導率変化を例にして、非晶質における熱伝導率変化のメカニズム解明と機能設計のための指導原理の確立を行う。

  2. 酸化物へのインターカレーションによる熱伝導可変素子の開発

    研究課題/研究課題番号:22K18985  2022年6月 - 2024年3月

    挑戦的研究(萌芽)

    宇治原 徹

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    担当区分:研究代表者 

    本研究では、非晶質をベースにイオンの挿入・脱離で熱伝導率が大きく変化する新たな機能性材料分野の開拓を目指す。学術的にはいまだ未知な部分が多い非結晶物質の物性を熱特性の観点から新たな解釈に挑むものであり、工学的には電子機器・デバイスで大きな課題である熱制御に新たな方法論を提示する。また、熱伝導可変物質を活用し熱スイッチを試作する。熱伝導可変物質とイオン供給層を積層させ、イオンが移動する程度に電圧を短時間印加する。それで高熱伝導状態(on)と断熱状態(off)を切り替える。また、ペルチエ、蓄熱材と熱スイッチを組み合わせることで、熱制御のための基本的な熱デバイス動作を実現できる。

  3. 潜在空間における複雑な結晶成長モデルの構築とプロセス設計

    研究課題/研究課題番号:22H00300  2022年4月 - 2025年3月

    基盤研究(A)

    宇治原 徹

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    担当区分:研究代表者 


    我々はSiC溶液成長において、高温溶液内部の温度や流れの状態を即座に予測できるサロゲートモデルを機械学習技術により構築し、それを活用してプロセス設計を行い、6インチの大口径成長を早期に実現してきた。ところで、欠陥の形成や低減においてはステップバンチングやステップの湾曲や蛇行などによって形成される複雑な結晶表面構造が重要となる。本研究では、その時間発展を6インチ全面にわたって正確かつ高速に予測する代理モデルを構築し、大口径と究極の高品質を両立させたプロセス設計を行う。

  4. インターカレーションによる熱物性変化を活用した熱スイッチ素子の提案

    研究課題/研究課題番号:20K21081  2020年7月 - 2022年3月

    科学研究費助成事業  挑戦的研究(萌芽)

    宇治原 徹, 原田 俊太

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:6500000円 ( 直接経費:5000000円 、 間接経費:1500000円 )

    熱エネルギーは扱いにくいエネルギーである。最近、熱を制御するためのデバイスが提案され、熱スイッチもその一つである。本研究では、具体的には、非晶質酸化物をベースにイオンの挿入・脱離で熱伝導率が大きく変化する熱伝導可変物質を活用し、熱伝導可変物質とイオン供給層を積層させ、イオンが移動する程度に電圧を短時間印加する。それで高熱伝導状態(on)と断熱状態(off)を切り替える。
    本研究では、非晶質をベースにイオンの挿入・脱離で熱伝導率が大きく変化する新たな機能性材料分野の開拓を目指す。具体的には、熱伝導可変物質を活用し熱スイッチを試作する。熱伝導可変物質とイオン供給層を積層させ、イオンが移動する程度に電圧を短時間印加する。それで高熱伝導状態(on)と断熱状態(off)を切り替える。また、ペルチエ、蓄熱材と熱スイッチを組み合わせることで、熱制御のための基本的な熱デバイス動作を実現できる。本研究では、ホスト非晶質酸化物へのイオン挿入・脱離による熱伝導率変化を例にして、非晶質における熱伝導率変化のメカニズム解明と機能設計のための指導原理の確立を行う。我々はすでに、非晶質の酸化タングステン(WO3)への水素イオン挿入脱離で30倍近くの熱伝導率変化を確認しており、これをベースにする。
    当初、WO3を中心として、V2O5、SnOをホスト酸化物にイオン挿入を試してみる予定だったが、当該年度は、それ以外にNiOを選択しイオン挿入を行い、熱伝導率の変化を実験的に確認した。熱伝導率変化のメカニズムの解明としては、WO3中へのLi挿入における構造変化をラマン分光によって分析し、構造と熱伝導率変化に相関があることを突き止めた。また、全固体型を実現するための構造設計を行い、実際にプロトタイプを作成した。さらに、実際にイオンのインターカレーションを行うことで、熱伝導率が変化することも確認した。また、逆向きに電流を流すことで可逆的に熱伝導率が変化することも確認した。
    全固体型の素子にするうえで重要となる材料を見出し、スパッタリングにより積層構造を形成し、さらに熱伝導の変化も確認した。これは当初予定していた通りの成果である。
    基本となる物質と構造を見出すことはできたので、今後メカニズム解明と、さらに熱伝導率変化を大きくするために、構造の最適化などを行っていく。

  5. 情報学を融合した移動速度論に基づく半導体バルク結晶成長技術の革新

    研究課題/研究課題番号:20H00320  2020年4月 - 2025年3月

    科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    岡野 泰則, 稲富 裕光, 宇治原 徹

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    担当区分:研究分担者 

    これまで研究代表者が長年取り組んできた移動現象論と近年進歩の著しい情報学とを融合することにより、これまでの「ノウハウは人から人へ」といったモノづくりの概念を根底から覆し、「ノウハウはコンピューターから人へ」とパラダイムシフトする。具体的に本研究では、ノウハウの塊であるバルク単結晶作製技術に着目し、製造現場において「長年培ってきた経験」に基づく「勘」による操作(暗黙知)を数値化、定式化(形式知化)することにより、経験の浅い技術者でも最小限の試行錯誤で再現性良く高品質な結晶育成を可能とする手法の構築に取り組む。さらに「なぜその条件が最適なのか?」を解明することにより、技術の普遍化を図る。

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産業財産権 92

  1. スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

    桑原真人,田中信夫,宇治原徹,齋藤晃

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:15/516,976  出願日:2015年9月

    公開番号:US 2017/0309446  公開日:2017年10月

    特許番号/登録番号:9881767  登録日:2018年1月 

    出願国:外国  

  2. スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

    桑原真人, 田中信夫, 宇治原徹, 齋藤晃

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:15/516,976  出願日:2015年9月

    公開番号:US 2017/0309446  公開日:2017年10月

    特許番号/登録番号:9881767  登録日:2018年1月 

    出願国:国内  

  3. スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

    桑原真人, 田中信夫, 宇治原徹, 齋藤晃

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:PCT/JP2015/077393  出願日:2015年9月

    公開番号:WO2016/056425  公開日:2016年4月

    出願国:国内  

  4. スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

    桑原真人,田中信夫,宇治原徹,齋藤晃

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:PCT/JP2015/077393  出願日:2015年9月

    公開番号:WO2016/056425  公開日:2016年4月

    出願国:国内  

  5. 炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

    宇治原徹,原田俊太,古池大輝,梅崎智典

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    出願人:国立大学法人名古屋大学,セントラル硝子株式会社

    出願番号:10-2017-7009689  出願日:2015年9月

    公開番号:10-2017-0051512  公開日:2017年5月

    特許番号/登録番号:10-1911455  登録日:2018年10月 

    出願国:外国  

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担当経験のある科目 (本学) 21

  1. 機能材料学(材料機能物性学)

    2020

  2. 化学熱力学2・相平衡論

    2020

  3. 凝固・結晶成長

    2020

  4. 凝固・結晶成長

    2019

  5. 化学熱力学2・相平衡論

    2019

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担当経験のある科目 (本学以外) 3

  1. デザイン実技ⅠA

    2018年4月 - 2019年3月 愛知県立芸術大学)

  2. デザイン実技ⅠA

    2017年4月 - 2018年3月 愛知県立芸術大学)

  3. 特別講義第三A(機能性セラミックス)

    2013年4月 - 2014年3月 山梨大学)

 

社会貢献活動 71

  1. 株式会社サイオクス社内講演

    役割:講師

    株式会社サイオクス  株式会社サイオクス  2022年3月

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    対象: 企業

    種別:講演会

    結晶成長に関する講義

  2. SSH運営指導委員会

    役割:講師, 助言・指導

    三重県立津高等学校  オンライン  2022年2月

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    対象: 高校生

    種別:研究指導

    三重県立津高等学校SSH事業に対する指導・助言

  3. 津高等学校SSH研修会

    役割:講師, 助言・指導

    三重県立津高等学校  名古屋大学 C-TECs  2021年12月

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    対象: 高校生

    種別:講演会

  4. 三菱電機株式会社先端技術総合研究所社内講演

    役割:講師

    三菱電機株式会社  オンライン  2021年12月

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    対象: 企業

    種別:講演会

    プロセンスインフォマティクス技術に関する社内講演

  5. 愛知県立半田高等学校

    役割:講師

    愛知県立半田高等学校  愛知県立半田高等学校  2021年10月

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    対象: 高校生

    種別:出前授業

    脱炭素社会のための半導体やセラミクス開発

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メディア報道 24

  1. 日本ガイシや名古屋大など、AI活用したセラミック製品の解析手法を開発 新聞・雑誌

    日刊自動車新聞  朝刊 3面 1段  2024年6月

  2. 名大などとAI活用したセラミック解析手法開発 日本ガイシ 新聞・雑誌

    中部経済新聞  朝刊 3面 1段  2024年6月

  3. AI解析で大幅時短 新聞・雑誌

    電氣新聞  朝刊 4面 3段  2024年6月

  4. 起業のチカラ 第1部人材編 新聞・雑誌

    読売新聞  2024年6月

  5. パワー半導体 安価に製造 新聞・雑誌

    日本経済新聞  2024年3月

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学術貢献活動 3

  1. 駒場東邦中学校・高等学校名古屋大学見学会

    駒場東邦中学校・高等学校  ( 名古屋大学 工学部5号館 522講義室 ) 2019年8月

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    NIC5階見学(プロジェクションマッピング+研究ポスター紹介)、C-TECs見学

  2. 県立津高等学校スーパーサイエンスハイスクルール運営指導委員

    三重県教育委員会  2018年4月 - 現在

  3. メッセナゴヤ2016

    愛知県、名古屋市、名古屋商工会議所  2016年12月

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    「具現化ソン」の事例が、 科学技術振興機構(JST)の「産学官連携ジャーナル」にて紹介