2024/03/27 更新

写真a

ウジハラ トオル
宇治原 徹
UJIHARA, Toru
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 教授
大学院担当
大学院工学研究科
職名
教授
連絡先
メールアドレス
外部リンク

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2000年3月   京都大学 ) 

研究キーワード 1

  1. 結晶成長, 溶液成長, 気相成長, シリコンカーバイド, SiC, パワーデバイス, 太陽電池, 半導体フォトカソード, スピン観察, バイオデバイス, 半導体-生体膜ハイブリッドデバイス, 脂質二重膜

研究分野 3

  1. その他 / その他  / 応用物性・結晶工学

  2. その他 / その他  / 電子・電気材料工学

  3. その他 / その他  / 金属物性

現在の研究課題とSDGs 3

  1. 高品質SiC溶液成長

  2. AlNの高効率合成

  3. プロセスインフォマティクスによる素材開発

経歴 14

  1. 株式会社UJ-Crystal   代表取締役

    2021年6月 - 現在

  2. 国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研)   エレクトロニクス・製造領域 研究戦略部 窒(現:研究企画室)化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ   ラボ長

    2021年4月 - 現在

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    国名:日本国

  3. アイクリスタル株式会社   取締役

    2019年11月 - 現在

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    国名:日本国

  4. 国立研究開発法人理化学研究所   革新知能統合研究センター   客員研究員

    2018年6月 - 現在

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    国名:日本国

  5. 公益財団法人名古屋産業科学研究所(名産研)   非常勤所員

    2018年4月 - 現在

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    国名:日本国

  6. 株式会社U-MAP   取締役 CTO

    2016年11月 - 現在

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    国名:日本国

  7. 国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研)   エレクトロニクス・製造領域 研究戦略部 窒(現:研究企画室)化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ   副ラボ長

    2016年11月 - 2021年3月

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    国名:日本国

  8. 名古屋大学未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター・教授

    2015年10月 - 現在

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    国名:日本国

  9. 名古屋大学グリーンモビリティ連携研究センター・教授

    2014年4月 - 2015年9月

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    国名:日本国

  10. 名古屋大学大学院工学研究科・教授

    2010年10月 - 現在

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    国名:日本国

  11. 名古屋大学大学院工学研究科附属バックキャストテクノロジー材料センター 准教授(兼任)

    2008年10月

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    国名:日本国

  12. 名古屋大学大学院工学研究科 准教授

    2007年4月

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    国名:日本国

  13. 名古屋大学大学院工学研究科 助教授

    2004年3月 - 2007年3月

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    国名:日本国

  14. 東北大学金属材料研究所 助手

    1999年4月 - 2004年2月

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    国名:日本国

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学歴 3

  1. 京都大学   工学研究科   材料工学

    1995年4月 - 1999年3月

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    国名: 日本国

  2. 京都大学   工学研究科   材料工学

    1993年4月 - 1995年3月

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    国名: 日本国

  3. 京都大学   工学部   冶金学科

    1989年4月 - 1993年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 1

  1. 日本表面真空学会

委員歴 45

  1. 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構   技術委員  

    2021年8月 - 2023年3月   

  2. 第8回アジア結晶成長・結晶技術国際会議(CGCT-8)   実行委員  

    2021年3月   

  3. 第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)   プログラム委員  

    2020年11月   

  4. ICMaSS2019プログラム委員会   委員  

    2019年11月   

  5. アジア太平洋ワークショップ(APWS 2019) メンバー   プログラムメンバー  

    2019年11月   

  6. ICSCRM2019 実行委員会   プログラム委員  

    2019年6月 - 2019年10月   

  7. 日本結晶成長学会 理事(副会長(兼)学会賞委員会・バルク成長分科会)   理事(副会長(兼)学会賞委員会・バルク成長分科会)  

    2019年4月 - 2022年3月   

  8. 2019年2020年 日本金属学会・日本鉄鋼協会講演大会   委員  

    2019年4月 - 2021年3月   

  9. 国立研究開発法人 科学技術振興機構(JST) ERATO   選考評価者  

    2018年7月 - 2019年3月   

  10. 一般社団法人電子情報技術産業協会(JEITA)半導体信頼性技術委員会「化合物パワー半導体信頼性技術WG」   客員委員  

    2018年4月 - 2020年3月   

  11. 一般社団法人電子情報技術産業協会(JEITA)半導体信頼性技術委員会「個別半導体(パワー系)信頼性試験規格PG」   客員委員  

    2018年4月 - 2020年3月   

  12. プロセス研究会   会員  

    2017年4月 - 現在   

  13. 公益社団法人日本金属学会分科会   委員  

    2017年4月 - 2019年3月   

  14. NEDO技術委員会   NEDO技術委員   

    2015年9月 - 2017年3月   

  15. 平成27年度地域経済産業活性化対策調査技術審査委員会   審査委員  

    2015年7月 - 2016年3月   

  16. 公益財団法人名古屋産業科学研究所   非常勤所員  

    2014年12月 - 現在   

  17. ICCGE-18実行委員会   委員  

    2014年9月 - 2016年8月   

  18. 第53,54期 応用物理学会   代議員  

    2014年2月 - 2016年1月   

  19. ISPlasma2014/IC-PLANTS2014プログラム委員会   委員  

    2013年5月 - 2014年3月   

  20. ICSCRM2013 実行委員会   実行委員  

    2012年3月 - 2014年3月   

  21. 第51,52期 応用物理学会   代議員  

    2012年2月 - 2014年1月   

  22. SSDM2012 国際固体素子材料コンファレンス   論文委員  

    2012年2月 - 2012年12月   

  23. 日本金属学会東海支部   理事  

    2011年4月 - 2012年3月   

  24. SSDM2011 国際固体素子材料コンファレンス   論文委員  

    2010年12月 - 2011年11月   

  25. 日本学術振興会 水の先進理工学 第183委員会   運営委員  

    2010年10月 - 現在   

  26. 日本学術振興会 結晶成長の科学と技術 第161委員会   運営委員  

    2010年8月 - 現在   

  27. InP関連材料国際会議プログラム   委員  

    2009年9月 - 現在   

  28. 第39回結晶成長国内会議   実行委員  

    2009年6月 - 2009年11月   

  29. 知的クラスター創成事業基礎教育セミナー   企画担当  

    2009年4月 - 現在   

  30. 日本金属学会東海支部   評議委員  

    2009年4月 - 2011年3月   

  31. 第二回おもしろ科学教室実行委員会   メンバー  

    2009年1月   

  32. おもしろ科学館イン瑞浪2008実行委員会   実行メンバー  

    2008年9月 - 2008年10月   

  33. HACCP対応抗菌環境福祉材料開発研究会   委員  

    2008年4月 - 2010年3月   

  34. 「安心・安全・信頼のための抗菌材料」編集委員会   編集委員  

    2008年4月 - 2010年3月   

  35. 「分散量子ドット及び蛍光体を用いた広帯域光源の開発」プロジェクト形成委員会   委員  

    2008年4月 - 2009年3月   

  36. 第69回応用物理学会学術講演会現地実行委員会   委員  

    2007年7月 - 2008年9月   

  37. 公益社団法人応用物理学会東海支部   幹事  

    2007年4月 - 現在   

  38. 2007年日本金属学会・日本鉄鋼協会秋期大会実行委員会   委員  

    2007年3月 - 2007年10月   

  39. 日本結晶成長学会 学会誌編集委員   学会誌編集委員  

    2006年11月 - 2010年3月   

  40. 日本結晶成長学会   理事  

    2006年4月 - 現在   

  41. 名古屋大学21世紀COE「自然に学ぶ材料プロセッシングの創成」教科書編集委員会   編集委員  

    2006年4月 - 2007年3月   

  42. 日本金属学会東海支部若手材料研究会   幹事  

    2005年4月 - 現在   

  43. 日本金属学会会報編集委員会   編集委員  

    2005年4月 - 2007年3月   

  44. 日本学術振興会 次世代の太陽電池システム 第175委員会   学界委員  

    2004年10月 - 現在   

  45. 日本物理学会   世話人  

    2004年5月 - 2005年4月   

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受賞 23

  1. 第41回応用物理学会論文賞「応用物理学会論文奨励賞」

    2019年   応用物理学会講  

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

    小久保信彦

  2. 17th International Conference on Organized Molecular Films(ICOMF17)

    2018年7月   DNA-controlled assembly of 2D nanoparticle lattices on lipid bilayer

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:アメリカ合衆国

  3. 第65回春季学術講演会 「応用物理学会講演奨励賞」

    2018年3月   応用物理学会講   ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

    小久保信彦

  4. 日本結晶成長学会 「講演奨励賞」  " Students Award "

    2017年12月   日本結晶成長学会   機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

    畑佐豪記,角岡洋介,村井良多,村山健太,朱燦,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

  5. 先進パワー半導体分科会 第4回講演会「研究奨励賞」

    2017年11月   先進パワー半導体分科会   ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の刃状成分の解析

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

    小久保信彦,角岡洋介,藤榮文博,大原淳士,原一都,恩田正一,山田永,清水三聡,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

  6. 博士課程教育リーディングプログラム フォーラム2017  " Students Award "

    2017年10月   名古屋大学   SiC 溶液成長における機械学習を用いた溶液温度・流速分布のリアルタイム可視化

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  7. ICSCRM2017 Student Poster Award

    2017年9月   ICSCRM2017   irect Observation of Stacking Faults Expansion in 4H-SiC at High Temperatures by In Situ X-Ray Topography

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:アメリカ合衆国

  8. 日本金属学会第29回「優秀ポスター賞」

    2017年9月   日本金属学会   単結晶Cu集電体を用いた金属Li負極の不均一析出抑制

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

    石川晃平,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

  9. 第40回結晶成長討論会 優秀ポスター賞

    2017年9月   結晶成長討論会   SiC溶液成長における機械学習を用いた閉鎖空間の溶液温度・流速分布の予測

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

    畑佐豪記,角岡洋介,村井良多,村山健太,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

  10. photo contest award the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy

    2016年8月   18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy   Morphology of AlN whiskers grown by reacting N2 gas and Al vapor

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  11. ICSCRM2015 Student Poster Award

    2015年10月   ICSCRM2015   Distribution of nitrogen doping concentration in 4H-SiC grown by solution method

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:イタリア共和国

    Wang Zhenjiang

  12. 社団法人未踏科学技術協会 超伝導科学技術研究会 第15回超伝導科学技術賞

    2011年   社団法人未踏科学技術協会  

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    受賞国:日本国

    生田博志, 宇治原徹, 田渕雅夫, 竹田美和, 「鉄系超伝導体LnFeAs(O,F)の分子線エピキタシー成長に関する先駆的研究」

  13. 第28回応用物理学会講演奨励賞

    2010年9月   応用物理学会  

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    受賞国:日本国

    川口昂彦, 上村彦樹, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志受賞論文「MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価」

  14. 第90春季年会優秀講演賞(学術)、2010年

    2010年3月   日本化学会  

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    受賞国:日本国

    手老龍吾、佐崎元、宇治原徹、宇理須恒雄受賞論文「一分子蛍光追跡法による脂質二重膜中の幅広い時間・空間スケールでの分子拡散挙動のその場観察」

  15. 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部 優秀ポスター賞

    2010年   日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部  

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    受賞国:日本国

    水野恒平, 宇治原徹, 竹田美和, 青木祐一, 竹内幸久, 井上哲, 「液相法によるAlN多結晶体合成とMg添加効果」

  16. 応用物理学会論文賞

    2009年9月   応用物理学会  

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    受賞国:日本国

  17. 19回学生による材料フォーラムで優秀ポスター賞

    2009年   日本金属学会・日本鉄鋼協会 東海支部  

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    受賞国:日本国

    森本海、関和明、徳永智春、宇治原徹、佐々木勝寛、黒田光太郎、溶液成長によってCVD製3C-SiC基板上に成長させた結晶のTEM解析

  18. 日本金属学会2006年春季講演大会 第6回優秀ポスター賞

    2006年   日本金属学会  

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    受賞国:日本国

    共著: 前川諒介, 宇治原徹, 竹田美和

  19. 第3回日本結晶成長学会奨励賞

    2005年   日本結晶成長学会  

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    受賞国:日本国

  20. 第16回応用物理学会講演奨励賞

    2004年   応用物理学会  

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    受賞国:日本国

    佐藤祐輔, 宇治原徹, 藩伍根,藤原航三, 佐崎元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄受賞論文「LPE法により作製したSi結晶の太陽電池特性と低温成長の有効性」

  21. 第43回原田研究奨励賞

    2003年   公益財団法人本多記念会  

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    受賞国:日本国

  22. 第13回日本金属学会奨励賞 「材料プロセッシング分野」

    2003年   日本金属学会  

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    受賞国:日本国

  23. 応用物理学会講演奨励賞

    2002年   応用物理学会  

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    受賞国:日本国

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論文 281

  1. Effect of Solution Components on Solvent Inclusion in SiC Solution Growth 査読有り

    Huiqin Zhou, Hitoshi Miura, Yuma Fukami, Yifan Dang, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Crystal Growth & Design   24 巻 ( 4 ) 頁: 1806 - 1817   2024年2月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語  

  2. Machine Learning for Semiconductor Process Simulation Described by Coupled Partial Differential Equations 査読有り

    Sato, R ; Kutsukake, K ; Harada, S ; Tagawa, M ; Ujihara

    ADVANCED THEORY AND SIMULATIONS     2023年7月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語  

  3. Numerical Modeling of the Cellular Structure Formation Process in SiC Solution Growth for Suppression of Solvent Inclusions 査読有り

    Zhou, HQ (Zhou, Huiqin); Miura, H (Miura, Hitoshi); Dang, YF (Dang, Yifan); Fukami, Y (Fukami, Yuma); Takemoto, H (Takemoto, Hisaki); Harada, S (Harada, Shunta); Tagawa, M (Tagawa, Miho); Ujihara, T (Ujihara, Toru)

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   23 巻 ( 5 ) 頁: 3393 - 3401   2023年5月

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    記述言語:英語  

  4. Modeling-Based Design of the Control Pattern for Uniform Macrostep Morphology in Solution Growth of SiC 査読有り

    Dang, Yifa , Liu, Xinbo,Zhu, Can, Fukami, Yuma,Ma, Shuyang , Zhou, Huiqin ,Liu, Xin ,Kutsukake, Kentaro, Harada, Shunta , Ujihara, Toru

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN     頁: 1023 - 1032   2023年2月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語  

  5. Thermal conduction in titanium-chromium oxide natural superlattices with an ordered arrangement of nearly pristine interfaces 査読有り

    Shunya Sugimoto, Gareoung Kim, Tsunehiro Takeuchi, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Shunta Harada

    Journal of Alloys and Compounds   934 巻   2023年2月

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    記述言語:英語  

  6. 非弾性X線散乱によるルチル型酸化チタンのフォノン分散測定 査読有り

    原田 俊太, 小坂 直輝, 筒井 智嗣, 田中 克志, 田川 美穂, 宇治原 徹

    SPring-8/SACLA利用研究成果集   10 巻 ( 6 ) 頁: 521 - 523   2022年12月

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    担当区分:最終著者   記述言語:日本語  

  7. Bayesian Optimization for Cascade-Type Multistage Processes 査読有り

    Kusakawa, S,Takeno, S , Inatsu, Y, Kutsukake, K, Iwazaki, S,Nakano, T , Ujihara, T,Karasuyama, M ,Takeuchi, I

    NEURAL COMPUTATION   34 巻 ( 12 ) 頁: 2408 - 2431   2022年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  8. Thermal conduction in titanium-chromium oxide natural superlattices with an ordered arrangement of nearly pristine interfaces 査読有り

    Shunya Sugimoto, Gareoung Kim, Tsunehiro Takeuchi, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Shunta Harada

    SSRN     2022年10月

     詳細を見る

    担当区分:最終著者   記述言語:英語  

  9. Optimization of Flow Distribution by Topological Description and Machine Learning in Solution Growth of SiC 査読有り

    Masaru Isono,Shunta Harada,Kentaro Kutsukake,Tomoo Yokoyama,Miho Tagawa,Toru Ujihara

    ADVANCED THEORY AND SIMULATIONS   5 巻 ( 9 )   2022年7月

     詳細を見る

    担当区分:最終著者   記述言語:英語  

  10. A Transfer Learning-Based Method for Facilitating the Prediction of Unsteady Crystal Growth 査読有り

    Yifan Dang,Kentaro Kutsukake,Xin Liu,Yoshiki Inoue,Xinbo Liu,Shota Seki,Can Zhu,Shunta Harada,Miho Tagawa,Toru Ujihara

    ADVANCED THEORY AND SIMULATIONS   5 巻 ( 9 )   2022年7月

     詳細を見る

    担当区分:最終著者   記述言語:英語  

  11. Designing a High-Crystallinity Nano-Gapped Particle Superlattice via DNA-Guided Colloidal Crystallization and Dehydration 査読有り

    Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, and Miho Tagawa

    Crystal Growth&Design   22 巻 ( 6 ) 頁: 3708 - 3718   2022年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  12. Nucleation sites of expanded stacking faults detected by in operando x-ray topography analysis to design epitaxial layers for bipolar-degradation-free SiC MOSFETs 査読有り

    Kumiko Konishi, Ryusei Fujita, Keisuke Kobayashi, Akio Yoneyama, Kotaro Ishiji, Hiroyuki Okino, Akio Shima, Toru Ujihara

    AIP Advances 12     2022年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  13. Crossover from incoherent to coherent thermal conduction in bulk titanium oxide natural superlattices

    Harada Shunta, Kosaka Naoki, Yagi Takashi, Sugimoto Shunya, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    SCRIPTA MATERIALIA   208 巻   2022年2月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1016/j.scriptamat.2021.114326

    Web of Science

  14. Numerical investigation of solute evaporation in crystal growth from solution: A case study of SiC growth by TSSG method

    Yifan Dang, Can Zhu, Xin Liu, Wancheng Yu, Xinbo Liu, Koki Suzuki, Tomoaki Furusho, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Journal of Crystal Growth     2022年2月

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    記述言語:英語  

  15. Data-Driven Optimization and Experimental Validation for the Lab-Scale Mono-Like Silicon Ingot Growth by Directional Solidification 査読有り

    Xin Liu, Yifan Dang, Hiroyuki Tanaka, Yusuke Fukuda, Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Toru Ujihara, Noritaka Usami

    ACS OMEGA   7 巻 ( 8 ) 頁: 6665 - 6673   2022年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  16. Solvent design aiming at solution property induced surface stability: A case study using SiC solution growth

    Liu Xinbo, Dang Yifan, Suzuki Koki, Zhu Can, Yu Wancheng, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   578 巻   2022年1月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126425

    Web of Science

  17. High fracture toughness AlN achieved by addition of AlN whiskers and tape-casting

    Shimizu Hiroki, Kondo Naoki, Shimamura Akihiro, Hotta Mikinori, Harada Shunta, Ujihara Toru, Ohnishi Yoshihiro

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   130 巻 ( 1 ) 頁: 195 - 198   2022年1月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    DOI: 10.2109/jcersj2.21143

    Web of Science

  18. Immobilization of partial dislocations bounding double Shockley stacking faults in 4H-SiC observed by in situ synchrotron X-ray topography

    Fujie Fumihiro, Harada Shunta, Suo Hiromasa, Raghothamachar Balaji, Dudley Michael, Hanada Kenji, Koizumi Haruhiko, Kato Tomohisa, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    MATERIALIA   20 巻   2021年12月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1016/j.mtla.2021.101246

    Web of Science

  19. Bayesian Optimization for Cascade-type Multi-stage Processes 査読有り

    Shunya Kusakawa, Shion Takeno, Yu Inatsu, Kentaro Kutsukake, Shogo Iwazaki, Takashi Nakano, Toru Ujihara, Masayuki Karasuyama, Ichiro Takeuchi

    arXiv:2111     2021年11月

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    記述言語:英語  

  20. In-operando x-ray topography analysis of SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors to visualize stacking fault expansion motions dynamically during operations 査読有り

    Konishi Kumiko, Fujita Ryusei, Kobayashi Keisuke, Yoneyama Akio, Ishiji Kotaro, Okino Hiroyuki, Shima Akio, Ujihara Toru

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   130 巻 ( 14 )   2021年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0063082

    Web of Science

  21. Surface relaxation and photoelectric absorption effects on synchrotron X-ray topographic images of dislocations lying on the basal plane in off-axis 4H-SiC crystals 査読有り

    Ailihumaer Tuerxun, Peng Hongyu, Fujie Fumihiro, Raghothamachar Balaji, Dudley Michael, Harada Shunta, Ujihara Toru

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS   271 巻   2021年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mseb.2021.115281

    Web of Science

  22. Two-Step Nanoparticle Crystallization via DNA-Guided Self-Assembly and the Nonequilibrium Dehydration Process

    Sumi Hayato, Ohta Noboru, Sekiguchi Hiroshi, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tsukamoto Katsuo, Tagawa Miho

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   21 巻 ( 8 ) 頁: 4506 - 4515   2021年8月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.1c00398

    Web of Science

  23. Y Local Atomic Structures for Tunable Ordered Arrangements of Crystallographic Shear Planes in Titanium-Chromium Oxide Natural Superlattices 査読有り

    Harada Shunta, Sugimoto Shunya, Kosaka Naoki, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   125 巻 ( 28 ) 頁: 15730 - 15736   2021年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c04516

    Web of Science

  24. Control of microstructure and mechanical properties of sintered aluminum nitride through addition of aluminum nitride whiskers 査読有り

    Kondo Naoki, Shimamura Akihiro, Hotta Mikinori, Shimizu Hiroki, Ujihara Toru, Ohnishi Yoshihiro

    JOURNAL OF ASIAN CERAMIC SOCIETIES   9 巻 ( 3 ) 頁: 1248 - 1254   2021年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/21870764.2021.1953760

    Web of Science

  25. Ordered Arrangement of Planar Faults with Picoscale Perfection in Titanium Oxide Natural Superlattices 査読有り

    Harada Shunta, Kosaka Naoki, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   125 巻 ( 20 ) 頁: 11175 - 11181   2021年5月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c01831

    Web of Science

  26. Synchrotron X-ray topographic image contrast variation of screw-type basal plane dislocations located at different depths below the crystal surface in 4H-SiC 査読有り

    Fujie Fumihiro, Peng Hongyu, Ailihumaer Tuerxun, Raghothamachar Balaji, Dudley Michael, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ACTA MATERIALIA   208 巻   2021年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.actamat.2021.116746

    Web of Science

  27. Geometrical design of a crystal growth system guided by a machine learning algorithm 査読有り

    Yu Wancheng, Zhu Can, Tsunooka Yosuke, Huang Wei, Dang Yifan, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTENGCOMM   23 巻 ( 14 ) 頁: 2695 - 2702   2021年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d1ce00106j

    Web of Science

  28. Intensity Interference in a Coherent Spin-Polarized Electron Beam

    Kuwahara Makoto, Yoshida Yuya, Nagata Wataru, Nakakura Kojiro, Furui Masato, Ishida Takafumi, Saitoh Koh, Ujihara Toru, Tanaka Nobuo

    PHYSICAL REVIEW LETTERS   126 巻 ( 12 )   2021年3月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.126.125501

    Web of Science

  29. Chiral Optical Force Generated by a Superchiral Near-Field of a Plasmonic Triangle Trimer as Origin of Giant Bias in Chiral Nucleation: A Simulation Study 査読有り

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Cheng An-Chieh, Tagawa Miho, Ujihara Toru, Yoshikawa Hiroshi Y., Kawamura Ryuzo, Nozawa Jun, Okada Junpei T., Uda Satoshi

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   125 巻 ( 11 ) 頁: 6209 - 6221   2021年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c11109

    Web of Science

  30. Adaptive process control for crystal growth using machine learning for high-speed prediction: application to SiC solution growth

    Dang Yifan, Zhu Can, Ikumi Motoki, Takaishi Masaki, Yu Wancheng, Huang Wei, Liu Xinbo, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTENGCOMM   23 巻 ( 9 ) 頁: 1982 - 1990   2021年3月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1039/d0ce01824d

    Web of Science

  31. Detection and classification of dislocations in GaN by optical microscope using birefringence

    Atsushi Tanaka, Shunta Harada, Kenji Hanada, Yoshio Honda, Toru Ujihara, and Hiroshi Amano,

    Proc. SPIE 11706, Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXV   ( 117060Y )   2021年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: https://doi.org/10.1117/12.2577164

  32. Analysis of dislocation line tilt in GaN single crystal by Raman spectroscopy

    Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Inotsume Sho, Fujie Fumihiro, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SA )   2021年1月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abc7a1

    Web of Science

  33. Adaptive process control for crystal growth using machine learning for high-speed prediction: application to SiC solution growth 査読有り

    Dang Yifan, Zhu Can, Ikumi Motoki, Takaishi Masaki, Yu Wancheng, Huang Wei, Liu Xinbo, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CrystEngComm   23 巻 ( (8) )   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1039/D0CE01824D

  34. Geometrical design of a crystal growth system guided by a machine learning algorithm 査読有り

    Wancheng Yu, Can Zhu, Yosuke Tsunooka, Wei Huang, Yifan Dang, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    CrystEngComm     2021年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1039/D1CE00106J

  35. Explainable machine learning for the analysis of transport phenomena in top-seeded solution growth of SiC single crystal 査読有り

    Takehara Yuto, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    JOURNAL OF THERMAL SCIENCE AND TECHNOLOGY   16 巻 ( 1 )   2021年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1299/jtst.2021jtst0009

    Web of Science

  36. Adaptive Bayesian optimization for epitaxial growth of Si thin films under various constraints 査読有り

    Osada Keiichi, Kutsukake Kentaro, Yamamoto Jun, Yamashita Shigeo, Kodera Takashi, Nagai Yuta, Horikawa Tomoyuki, Matsui Kota, Takeuchi Ichiro, Ujihara Toru

    MATERIALS TODAY COMMUNICATIONS   25 巻   2020年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mtcomm.2020.101538

    Web of Science

  37. Optimal Control of SiC Crystal Growth in the RF-TSSG System Using Reinforcement Learning 査読有り

    Wang Lei, Sekimoto Atsushi, Takehara Yuto, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    CRYSTALS   10 巻 ( 9 )   2020年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/cryst10090791

    Web of Science

  38. Plasmonic Manipulation of Sodium Chlorate Chiral Crystallization: Directed Chirality Transfer via Contact-Induced Polymorphic Transformation and Formation of Liquid Precursor 査読有り

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Tagawa Miho, Ujihara Toru, Omatsu Takashige, Miyamoto Katsuhiko, Yoshikawa Hiroshi Y., Kawamura Ryuzo, Nozawa Jun, Okada Junpei T., Uda Satoshi

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   20 巻 ( 8 ) 頁: 5493 - 5507   2020年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.0c00693

    Web of Science

  39. Temperature dependence of double Shockley stacking fault behavior in nitrogen-doped 4H-SiC studied by in-situ synchrotron X-ray topography 査読有り

    Fujie Fumihiro, Harada Shunta, Hanada Kenji, Suo Hiromasa, Koizumi Haruhiko, Kato Tomohisa, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ACTA MATERIALIA   194 巻   頁: 387 - 393   2020年8月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.actamat.2020.04.019

    Web of Science

  40. Demonstration of Observation of Dislocations in GaN by Novel Birefringence Method 査読有り

    Tanaka Atsushi, Inotsume Syo, Harada Shunta, Hanada Kenji, Honda Yoshio, Ujihara Toru, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201900553

    Web of Science

  41. Behavior of Threading Dislocations from GaN Substrate to Epitaxial Layer 査読有り

    Inotsume Sho, Kokubo Nobuhiko, Yamada Hisashi, Onda Shoichi, Kojima Jun, Ohara Junji, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201900527

    Web of Science

  42. Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collectors on Cycling Stability of Li Metal Anodes 査読有り

    Ishikawa Kohei, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   12 巻 ( 8 ) 頁: 9341 - 9346   2020年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsami.9b22157

    Web of Science

  43. Bayesian optimization for a high- and uniform-crystal growth rate in the top-seeded solution growth process of silicon carbide under applied magnetic field and seed rotation 査読有り

    Takehara Yuto, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   532 巻   2020年2月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125437

    Web of Science

  44. Numerical Study of Three-Dimensional Melt Flows during the TSSG Process of SiC Crystal for the Influence of Input Parameters of RF-Coils and an External Rotating Magnetic Field

    Wang Lei, Takehara Yuto, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    CRYSTALS   10 巻 ( 2 )   2020年2月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/cryst10020111

    Web of Science

  45. Chemical Vapor Deposition Growth of BN Thin Films Using B2H6 and NH3 査読有り

    Hisashi Yamada, Sho Inotsume, Naoto Kumagai, Toshikazu Yamada, Mitsuaki Shimizu

    Phys. Status Solidi B   257 巻 ( 2 ) 頁: 1900318   2020年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1002/pssb.201900318

  46. Application of C-face dislocation conversion to 2 inch SiC crystal growth on an off-axis seed crystal 査読有り

    Liu Xinbo, Zhu Can, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTENGCOMM   21 巻 ( 47 ) 頁: 7260 - 7265   2019年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c9ce01338e

    Web of Science

  47. Semi in-situ measurement of zincate ion concentration near zinc anode using background-oriented Schlieren technique 査読有り

    Ito Yasumasa, Liang Xiao, Ishikawa Kohei, Ujihara Toru, Sakai Yasuhiko, Iwano Koji

      1 巻 ( 3 )   2019年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevResearch.1.033162

    Web of Science

  48. Three-dimensional numerical analysis of Marangoni convection occurring during the growth process of SiC by the RF-TSSG method 査読有り

    Wang L., Horiuchi T., Sekimoto A., Okano Y., Ujihara T., Dost S.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   520 巻   頁: 72 - 81   2019年8月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.05.017

    Web of Science

  49. Adjoint-based sensitivity analysis for the optimal crucible temperature profile in the RF-Heating TSSG-SiC crystal growth process 査読有り

    Horiuchi Takashi, Wang Lei, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   517 巻   頁: 59 - 63   2019年7月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.04.001

    Web of Science

  50. In Situ Microscopic Observation on Surface Kinetics in Optical Trapping-Induced Crystal Growth: Step Formation, Wetting Transition, and Nonclassical Growth 査読有り

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Ujihara Toru, Guo Suxia, Nozawa Jun, Okada Junpei, Omatsu Takashige, Uda Satoshi

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   19 巻 ( 7 ) 頁: 4138 - 4150   2019年7月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.9b00600

    Web of Science

  51. Evaluation of Basal Plane Dislocation Behavior in the Epitaxial Layer on a 4HSiC Wafer Fabricated by the Solution Growth Method 査読有り

    Kazuaki Seki, Kazuhiko Kusunoki, Shinsuke Harada, Toru Ujihara

    Mater. Sci. Forum   963 巻   頁: 80-84   2019年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.80

  52. Nondestructive visualization of threading dislocations in GaN by micro raman mapping 査読有り

    Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Fujie Fumihiro, Ohara Junji, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab0acf

    Web of Science

  53. The Effect of Crucible Rotation and Crucible Size in Top-Seeded Solution Growth of Single-Crystal Silicon Carbide

    Horiuchi Takashi, Wang Lei, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Yamamoto Takuya, Ujihara Toru, Dost Sadik

    CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY   54 巻 ( 5 )   2019年5月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/crat.201900014

    Web of Science

  54. Plasmonic Trapping-Induced Crystallization of Acetaminophen 査読有り

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Uda Satoshi, Tagawa Miho, Ujihara Toni, Miyamoto Katsuhiko, Omatsu Takashige

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   19 巻 ( 2 ) 頁: 529-537   2019年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.8b01361

    Web of Science

  55. 機械学習を用いた結晶成長予測モデルの構築とその応用

    宇治原 徹, 角岡 洋介, 畑佐 豪記, 沓掛 健太朗, 石黒 祥生, 村山 健太, 鳴海 大翔, 原田 俊太, 田川 美穂

    表面と真空   62 巻 ( 3 ) 頁: 136-140   2019年

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1380/vss.62.136

  56. 少量添加で樹脂素材の熱伝導率を向上させるAlNウィスカーフィラーの開発

    宇治原 徹

    エレクトロニクス実装学会誌   22 巻 ( 3 ) 頁: 195-198   2019年

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    DOI: 10.5104/jiep.22.195

  57. 結晶成長学的見地による金属負極の析出形態と結晶方位の相関解明

    石川 晃平, 三橋 貴仁, 伊藤 靖仁, 竹内 幸久, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌   46 巻 ( 1 ) 頁: 136-140   2019年

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    DOI: 10.19009/jjacg.46-1-08

  58. Numerical investigation of the effect of static magnetic field on the TSSG growth of SiC 査読有り

    Wang Lei, Horiuchi Takashi, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   498 巻   頁: 140 - 147   2018年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.06.017

    Web of Science

  59. In Situ Observation of Chiral Symmetry Breaking in NaClO3 Chiral Crystallization Realized by Thermoplasmonic Micro-Stirring 査読有り

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Tagawa Miho, Harada Shunta, Ujihara Tom, Uda Satoshi, Miyamoto Katsuhiko, Omatsu Takashige

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   18 巻 ( 8 ) 頁: 4230 - 4239   2018年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.8b00420

    Web of Science

  60. Development of angle-resolved spectroscopy system of electrons emitted from a surface with negative electron affinity state 査読有り

    Ichihashi Fumiaki, Dong Xinyu, Inoue Akito, Kawaguchi Takahiko, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS   89 巻 ( 7 )   2018年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5021116

    Web of Science

  61. Detection of edge component of threading dislocations in GaN by Raman spectroscopy

    Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Fujie Fumihiro, Ohara Junji, Hara Kazukuni, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 6 )   2018年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.061002

    Web of Science

  62. Dislocation Behavior in Bulk Crystals Grown by TSSG Method 査読有り

    K. Seki, K. Kusunoki, Y. Kishida, H. Kaido, K. Moriguchi, M. Kado, H. Daikoku, T. Shirai, M. Akita, A. Seki, H. Saito, S. Harada, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum   924 巻   頁: 39-42   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.39

  63. Suppression of Polytype Transformation with Extremely Low-Dislocation-Density 4H-SiC Crystal in Two-Step Solution Method 査読有り

    K. Murayama, S. Harada, F. Fujie, X. Liu, R. Murai, C. Zhu, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum   924 巻   頁: 60-63   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.60

  64. Direct observation of stacking fault shrinkage in 4H-SiC at high temperatures by in-situ X-ray topography using monochromatic synchrotron radiation 査読有り

    F. Fujie, S. Harada, H. Koizumi, K. Murayama, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Appl. Phys. Lett   113 巻   頁: 012101   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1063/1.5038189

  65. Determination of edge-component Burgers vector of threading dislocations in GaN crystal by using Raman mapping

    N. Kokubo, Y. Tsunooka, F. Fujie, J. Ohara, S. Onda, H. Yamada, M.Shimizu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Appl. Phys. Express   11 巻   頁: 111001   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://iopscience.iop.org/article/10.7567/APEX.11.111001

  66. Improvement mechanism of sputtered AlN films by high-temperature annealing 査読有り

    S. Xiao, R. Suzuki, H. Miyake, S. Harada, T. Ujihara

    J. Cryst. Growth   502 巻   頁: 41-44   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.09.002

  67. High-speed prediction of computational fluid dynamics simulation in crystal growth 査読有り

    Y. Tsunooka, N. Kokubo, G. Hatasa, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    CrystEngComm   20 巻   頁: 6546 - 6550   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1039/C8CE00977E

  68. Importance of Hydration State around Proteins Required to Grow High-Quality Protein Crystals 査読有り

    H. Koizumi, S. Uda, K. Tsukamoto, K. Kojima, M. Tachibana, T. Ujihara

    Cryst. Growth Des   18 巻   頁: 4749-4755   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.8b00798

  69. Coherent pulse beam in spin-polarized TEM using an NEA photocathode 査読有り

    Kuwahara M., Ujihara T., Saitoh K., Tanaka N.

    2018 31ST INTERNATIONAL VACUUM NANOELECTRONICS CONFERENCE (IVNC)     頁: .   2018年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  70. Temperature dependence of carrier relaxation time in gallium phosphide evaluated by photoemission measurements

    Ichihashi Fumiaki, Kawaguchi Takahiko, Dong Xinyu, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    AIP ADVANCES   7 巻 ( 11 )   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4997800

    Web of Science

  71. Numerical investigation of the transport phenomena occurring in the growth of SiC by the induction heating TSSG method 査読有り

    Yamamoto Takuya, Adkar Nikhil, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   474 巻   頁: 50-54   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.086

    Web of Science

  72. Global simulation of the induction heating TSSG process of SiC for the effects of Marangoni convection, free surface deformation and seed rotation 査読有り

    Yamamoto Takuya, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   470 巻   頁: 75-88   2017年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.04.016

    Web of Science

  73. Morphology of AlN whiskers grown by reacting N-2 gas and Al vapor

    Matsumoto M., Saitou H., Takeuchi Y., Harada S., Tagawa M., Ujihara T.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 576-580   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.127

    Web of Science

  74. Two-step SiC solution growth for dislocation reduction

    Murayama K., Hori T., Harada S., Xiao S., Tagawa M., Ujihara T.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 874-878   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.100

    Web of Science

  75. Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer 査読有り

    Isogai Takumi, Nakada Sakiko, Yoshida Naoya, Sumi Hayato, Tero Ryugo, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tagawa Miho

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 88-92   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.09.063

    Web of Science

  76. SiC solution growth on Si face with extremely low density of threading screw dislocations for suppression of polytype transformation 査読有り

    K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum   897 巻   頁: 24-27   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.24

  77. Solvent design for high-purity SiC solution growth 査読有り

    S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum   897 巻   頁: 32-35   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.32

  78. Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during SiC solution growth 査読有り

    T. Hori, K. Murayama, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum   897 巻   頁: 28-31   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.28

  79. Crystal Orientation Dependence of Precipitate Structure of Electrodeposited Li Metal on Cu Current Collectors 査読有り

    Ishikawa Kohei, Ito Yasumasa, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   17 巻 ( 5 ) 頁: 2379-2385   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01710

    Web of Science

  80. Plasmonic Heating-Assisted Laser-Induced Crystallization from a NaCIO3 Unsaturated Mother Solution 査読有り

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Tagawa Miho, Maruyama Mihoko, Ujihara Toru, Omatsu Takashige, Mori Yusuke

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   17 巻 ( 2 ) 頁: 809-818   2017年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01657

    Web of Science

  81. Modification of the surface morphology of 4H-SiC by addition of Sn and Al in solution growth with SiCr solvents 査読有り

    Komatsu Naoyoshi, Mitani Takeshi, Hayashi Yuichiro, Kato Tomohisa, Harada Shunta, Ujihara Toru, Okumura Hajime

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   458 巻   頁: 37-43   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.10.045

    Web of Science

  82. Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer

    "T. Isogai, S. Nakada, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa"

    J. Cryst. Growth   468 巻   頁: 88-92   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.09.063

  83. Septin Interferes with the Temperature-Dependent Domain Formation and Disappearance of Lipid Bilayer Membranes 査読有り

    S. Yamada, T. Isogai, R. Tero, Y. Tanaka-Takiguchi, T. Ujihara, M. Kinoshita, K. Takiguchi

    Langmuir     頁: 12823–12832   2016年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1021/acs.langmuir.6b03452

  84. Conversion behavior of threading screw dislocations on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth 査読有り

    S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, M. Tagawa, T. Ujihara

    Cryst. Growth Des.     頁: 6436–6439   2016年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1021/acs.cgd.6b01107

  85. Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO 3 solution containing Ag nanoparticles 査読有り

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, K. Murayama, S. Harada, T. Ujihara

    CrystEngComm   18 巻 ( 39 ) 頁: 7441-7448   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c6ce01464j

  86. Characterization of V-shaped defects formed during the 4H-SiC solution growth by transmission electron microscopy and X-ray topography analysis

    "S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, T. Ujihara"

    Cryst. Growth Des.   16 巻 ( 9 ) 頁: 5136-5140   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  87. Effect of magnesium ion concentration on two-dimensional structure of DNA-functionalized nanoparticles on supported lipid bilayer 査読有り

    T. Isogai, E. Akada, S. Nakada, N. Yoshida, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 3S2 ) 頁: 03DF11   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  88. Spatial Distribution of Carrier Concentration in 4H-SiC Crystal Grown by Solution Method 査読有り

    Z. Wang, T. Kawaguchi, K. Murayama, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Kato, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum,   858 巻   頁: 57-60   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:MSF.858.57

  89. High-Speed Solution Growth of Single Crystal AlN from Cr-Co-Al Solvent 査読有り

    S. Watanabe, M. Nagaya, Y. Takeuchi, K. Aoyagi, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum,   858 巻   頁: 1210-1213   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:MSF.858.1210

  90. The Boersch effect in a picosecond pulsed electron beam emitted from a semiconductor photocathode 査読有り

    Makoto Kuwahara, Yoshito Nambo, Kota Aoki, Kensuke Sameshima, Xiuguang Jin, Toru Ujihara, Hidefumi Asano, Koh Saitoh, Yoshikazu Takeda and Nobuo Tanaka

    Appl. Phys. Lett.   109 巻   頁: 013108   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1063/www.dx.doi.org/1.4955457

  91. Analysis of the carbon transport near the growth interface with respect to the rotational speed of the seed crystal during top-seeded solution growth of SiC 査読有り

    T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 12 ) 頁: 125601   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  92. Two-step SiC solution growth for dislocation reduction

    "K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara"

    J. Cryst. Growth     2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.100

  93. Morphology of AlN whiskers grown by reacting N 2 gas and Al vapor 査読有り

    M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    J. Cryst. Growth     2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1016/j.jcrysgro.2016.11.127

  94. Plasmonic Heating-Assisted Laser-Induced Crystallization from a NaClO3 Unsaturated Mother Solution 査読有り

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, T. Ujihara, T.Omatsu, Y. Mori

    Cryst. Growth Des.     2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1021/acs.cgd.6b01657

  95. Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO3 solution containing Ag nanoparticles 査読有り

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, S. Harada, T. Ujihara

    CrystEngComm   18 巻   頁: 7441-7448   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  96. Polytype control by activity ratio of silicon to carbon during SiC solution growth using multicomponent solvents 査読有り

    A. Horio, S. Harada, D. Koike, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    Jpn. J. Appl. Phys   55 巻   頁: 01AC01   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://doi.org/10.7567/JJAP.55.01AC01

  97. Research on solvent composition for different surface morphology on C face during 4H-SiC solution growth 査読有り

    Shiyu Xiao, Natsumi Hara, Shunta Harada, Kenta Murayama, Kenta Aoyagi, Takenobu Sakai and Toru Ujihara

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 39-42   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.39

  98. Improvement of Surface Morphology by Solution Flow Control in Solution Growth of SiC on Off-axis Seeds 査読有り

    Tomonori Umezaki, Daiki Koike, Shunta Harada and Toru Ujihara

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 31-34   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.31

  99. Influences of solution flow and lateral temperature distribution on surface morphology in solution growth of SiC 査読有り

    Kuniharu Fujii, Koichi Takei, Masahiro Aoshima, Nachimuthu Senguttuvan, Masahiko Hiratani, Toru Ujihara, Yuji Matsumoto, Tomohisa Kato, Kazuhisa Kurashige and Hajime Okumura

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 35-38   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.35

  100. 4H-SiC Growth from Si-Cr-C Solution under Al and N Co-doping Conditions 査読有り

    Takeshi Mitani, Naoyoshi Komatsu, Tetsuo Takahashi, Tomohisa Kato, Toru Ujihara, Yuji Matsumoto, Kazuhisa Kurashige, and Hajime Okumura

    Mater. Sci. Forum,   821-823 巻   頁: 9-13   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.9

  101. Change in surface morphology by addition of impurity elements in 4H-SiC solution growth with Si solvent 査読有り

    Naoyoshi Komatsu, Takeshi Mitani, Tetsuo Takahashi, Tomohisa Kato, Kazuhisa Kurashige, Yuji Matsumoto, Toru Ujihara, and Hajime Okumura

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 14-17   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.14

  102. 3C-SiC Crystal on Sapphire by Solution Growth Method 査読有り

    Kenji Shibata, Shunta Harada and Toru Ujihara

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 185-188   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.185

  103. バルク結晶成長のこの10年

    宇治原 徹, 島村清史, 宇佐美 徳隆, 太子 敏則, 樋口 幹雄, 吉村 政志

    JOURNAL OF THE JAPANESE ASSOCIATION FOR CRYSTAL GROWTH(日本結晶成長学会誌)   42 巻 ( 1 ) 頁: pp.64-68   2015年

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    記述言語:日本語  

  104. Non-uniform electrodeposition of zinc on the (0001) plane 査読有り

    T. Mitsuhashi, Y. Ito, Y. Takeuchi, S. Harada, T. Ujihara

    Thin Solid Films   590 巻   頁: pp. 207-213   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1016/j.tsf.2015.07.068

  105. Dislocation Conversion during SiC Solution Growth for High-quality Crystals 査読有り

    S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, D. Koike, T. Mutoh, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

      821-823 巻   頁: pp. 3-8   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.3

  106. Control of interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth of SiC Crystal 査読有り

    D. Koike, T. Umezaki, K. Murayama, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara

      821-823 巻   頁: pp. 18-21   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.18

  107. "Effect of forced convection by crucible design in solution growth of SiC single crystal" 査読有り

    K. Kurashige, M. Aoshima, K. Takei, K. Fujii, M. Hiratani, N. Senguttuvan, T. Kato, T. Ujihara, Y. Matsumoto, H. Okumura

      821-823 巻   頁: pp. 22-25   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.22

  108. Effect of aluminum addition on the surface step morphology of 4H SiC grown from Si-Cr-C solution

    T. Mitani, N. Komatsu, T. Takahashi, T. Kato, S. Harada, T. Ujihara, Y. Matsumoto, K. Kurashige, H. Okumura

    J. Cryst. Growth   423 巻   頁: 45-49   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1016/j.jcrysgro.2015.04.032

  109. "Forming two-dimensional structure of DNA-functionalized Au nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers" 査読有り

    Takumi Isogai, Agnes Piednoir, Eri Akada, Yuki Akahoshi, Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    Journal of Crystal Growth   401 巻   頁: 494-498   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  110. "Growth rate and surface morphology of 4H SiC crystals grown from Si-Cr-C and Si-Cr-Al-C solutions under various temperature gradient conditions" 査読有り

    Takeshi Mitani, Naoyoshi Komatsu, Tetsuo Takahashi, Tomohisa Kato, Kuniharu Fujii, Toru Ujihara, Yuji Matsumoto, Kazuhisa Kurashige, Hajime Okumura

    Journal of Crystal Growth   401 巻   頁: 681-685   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  111. "Top-seeded solution growth of three-inch-diameter 4H-SiC using convection control technique" 査読有り

    Kazuhiko Kusunoki, Nobuhiro Okada, Kazuhito Kamei, Koji Moriguchi, Hironori Daikoku, Motohisa Kado, Hidemitsu Sakamoto, Takeshi Bessho, Toru Ujihara

    Journal of Crystal Growth   395 巻   頁: 68-73   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  112. "Emregence and Amplification of Chirality via Achiral-Chiral Polymorphic Transformation in Sodium Chlorate Solution Growth" 査読有り

    Hiromasa Niinomi, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Makio Uwaha, Hiroyasu Katsuno, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto

    Crystal Growth and Design   14 巻 ( 7 ) 頁: 3596-3602   2014年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/cg500527t

  113. "Solubility measurement of a metastable achiral crystal of sodium chlorate in solution growth" 査読有り

    Hiromasa Niinomi, Atsushi Horio, Shunta Harada, Toru Ujihara, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Katsuo Tsukamoto

    Journal of Crystal Growth   394 巻   頁: 106-111   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  114. "Low-dislocation-density 4H-SiC crystal growth utilizing dislocation conversion during solution method" 査読有り

    Yuji Yamamoto, Shunta Harada, Kazuaki Seki, Atsushi Horio, Takato Mitsuhashi, Daiki Koike, Miho Tagawa, and Toru Ujihara

    Applied Physics Express   7 巻   頁: 065501   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.7.065501

  115. "Nitrogen doping of 4H- SiC by the top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent" 査読有り

    Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Kazuaki Seki, Shunta Harada, Toru Ujihara

    Journal of Crystal Growth   392 巻   頁: 60-65   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  116. "The strain effect on the superconducting properties of BaFe2(As, P)2 thin films grown by molecular beam epitaxy" 査読有り

    T. Kawaguchi, A. Sakagami, Y. Mori, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, and H. Ikuta

    Superconductor Science and Technology   27 巻   頁: 065005 (6pp)   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0953-2048/27/6/065005

  117. "Top-Seeded Solution Growth of 3 Inch Diameter 4H-SiC Bulk Crystal Using Metal Solvents" 査読有り

    Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Nobuhiro Okada, Koji Moriguchi, Hiroshi Kaido, Hironori Daikoku, Motohisa Kado, Katsunori Danno, Hidemitsu Sakamoto, Takeshi Bessho, Toru Ujihara

    Materials Science Forum   778-780 巻   頁: Pages 79-82   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  118. "Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at High Speed during the Solution Growth of SiC" 査読有り

    Tomonori Umezaki, Daiki Koike, Atsushi Horio, Shunta Harada, Toru Ujihara

    Materials Science Forum   778-780 巻   頁: 63-66   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  119. "Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion Behavior during Solution Growth of 4H-SiC Using Al-Si Solvent" 査読有り

    Shunta Harada, Yuji Yamamoto, Shi Yu Xiao, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Materials Science Forum   778-780 巻   頁: 67-70   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  120. "Growth of a smooth CaF2 layer on NdFeAsO thin film" 査読有り

    N. Sumiya, T. Kawaguchi, M. Chihara, M. Tabuchi, T. Ujihara, A. Ichinose, I. Tsukada and H. Ikuta

    Journal of Physics: Conference Series   507 巻 ( 1 ) 頁: 012047   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  121. "Coherence of a spin-polarized electron beam emitted from a semiconductor photocathode in a transmission electron microscope" 査読有り

    Makoto Kuwahara, Soichiro Kusunoki, Yoshito Nambo, Koh Saitoh, Xiuguang Jin, Toru Ujihara, Hidefumi Asano, Yoshikazu Takeda and Nobuo Tanaka

    Appl. Phys. Lett.   105 巻 ( 193101 )   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4901745

  122. Direct measurement of conduction miniband structure in superlattice by visible-light photoemission spectroscopy

    F. Ichihashi, D. Shimura, K. Nishitani, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, H. Katsuno, M. Tagawa, T.Ujihara

    Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th     頁: 2882-2885   2014年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/PVSC.2014.6925534

  123. "Critical current density and grain boundary property of BaFe2(As,P)2 thin films" 査読有り

    A. Sakagami, T. Kawaguchi, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, H. Ikuta

    Physica C: Superconductivity,Proceedings of the 25th International Symposium on Superconductivity (ISS 2012) Advances in Superconductivity XXV   494 巻   頁: 181–184   2013年11月

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    記述言語:英語  

    DOI: doi:10.1016/j.physc.2013.04.047

  124. Phase-locking of oscillating images using laser-induced spin-polarized pulse TEM 査読有り

    Makoto Kuwahara,Yoshito Nambo, Soichiro Kusunoki, Xiuguang Jin, Koh Saitoh, Hidefumi Asano, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda, Tsutomu Nakanishi and Nobuo Tanaka

    Microscopy Advance Access     頁: pp.1-8   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  125. "Influence of Solution Flow on Step Bunching in Solution Growth of SiC Crystals" 査読有り

    Can Zhu, Shunta Harada, Kazuaki Seki, Huayu Zhang, Hiromasa Niinomi, Miho Tagawa, and Toru Ujihara

    Cryst. Growth Des.   13 巻 ( (8) ) 頁: 3691-3696   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  126. "Effect of Surface Polarity on the Conversion of Threading Dislocations in Solution Growth" 査読有り

    Materials Science Forum   740-742 巻   頁: pp.15-18   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  127. "Reduction of Threading Screw Dislocation Utilizing Defect Conversion during Solution Growth of 4H-SiC" 査読有り

    Materials Science Forum   740-742 巻   頁: 189-192   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  128. "Bulk 3C-SiC Crystal by Top Seeded Solution Growth Method" 査読有り

    Materials Science Forum   740-742 巻   頁: pp.311-314   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  129. Direct Growth of AlN Single Crystal on Sapphire by Solution Growth Method 査読有り

    H. Matsubara, K. Mizuno, Y. Takeuchi, S. Harada, Y. Kitou, E. Okuno, and T. Ujihara,

      52 巻   頁: 08JE17 (4 pages).   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  130. "Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC" 査読有り

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, M. Tagawa, and T. Ujihara

    APL Mater.   1 巻 ( 2 ) 頁: 022109 (7 pages)   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  131. 超高品質SiC溶液成長 査読有り

    宇治原徹, 原田俊太, 山本祐治, 関和明

    応用物理   82 巻 ( 4 ) 頁: 326-329   2013年

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    記述言語:日本語  

  132. SiC 結晶成長における多形制御 ~速度論的多形制御法の提案(3C-SiC 溶液成長を例に)~ 査読有り

    関 和明、原田 俊太、宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌   40 巻 ( 4 ) 頁: 253-260   2013年

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    記述言語:日本語  

  133. SiC溶液成長の最近の展開 査読有り

    原田 俊太、山本 祐治、関 和明、宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌   40 巻   頁: 25-32   2013年

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    記述言語:日本語  

  134. "Achiral Metastable Crystals of Sodium Chlorate Forming Prior to Chiral Crystals in Solution Growth" 査読有り

    Hiromasa Niinomi, Tomoya Yamazaki, Shunta Harada, Toru Ujihara, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Takahiro Kuribayashi, Makio Uwaha, and Katsuo Tsukamoto

    Cryst. Growth Des.   13 巻 ( 12 ) 頁: pp.5188-5192   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  135. “Polytype-selective growth of SiC by supersaturation control in solution growth Original Research Article” 査読有り

    Journal of Crystal Growth   360 巻   頁: 176-180.   2012年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  136. Analysis of thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice by TEM observation 査読有り

    Xiuguang Jin, Hirotaka Nakahara, Koh Saitoh, Takashi Saka, Toru Ujihara, Nobuo Tanaka, Yoshikazu Takeda

    Journal of Crystal Growth   353 巻 ( 1 ) 頁: 84-87   2012年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  137. Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth 査読有り

    Toru Ujihara, Shigeta Kozawa, Kazuaki Seki, Alexander, Yuji Yamamoto, Shunta Harada

    Materials Science Forum   717–720 巻   頁: 351-354   2012年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  138. Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth 査読有り

    Yuji Yamamoto, Kazuaki Seki, Shigeta Kozawa, Alexander, Shunta Harada, Toru Ujihara

    Materials Science Forum   717–720 巻   頁: 53-56   2012年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  139. Substrate dependence of the superconducting properties of NdFeAs(O,F) thin films 査読有り

    Hiroki Uemura, Takahiko Kawaguchi, Toshiya Ohno, Masao Tabuchi, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda, Hiroshi Ikuta

    Solid State Communications   152 巻 ( 8 ) 頁: 735-739   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  140. 30-kV spin-polarized transmission electron microscope with GaAs-GaAsP strained superlattice photocathode 査読有り

    M. Kuwahara, S. Kusunoki, X. G. Jin, T. Nakanishi, Y. Takeda, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, and N. Tanaka

    Appl. Phys. Lett.   101 巻   頁: 033102   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  141. Polytype Transformation by Replication of Stacking Faults Formed by Two-Dimensional Nucleation on Spiral Steps during SiC Solution Growth 査読有り

    Shunta Harada, Alexander, Kazuaki Seki, Yuji Yamamoto, Can Zhu, Yuta Yamamoto, Shigeo Arai, Jun Yamasaki, Nobuo Tanaka, and Toru Ujihara

    Crystal Growth & Design   12 巻 ( (6) ) 頁: 3209-3214   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  142. “High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth” 査読有り

      5 巻   頁: 115501 (3 pages).   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  143. “Development of Spin-Polarized and Pulsed TEM “ 査読有り

      371 巻   頁: 012004   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  144. Formation process of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by low-temperature solution growth in Si-Sc-C system 査読有り

    Kazuaki Seki, Alexander, Shigeta Kozawa, Toru Ujihara, Patrick Chaudouët, Didier Chaussende, Yoshikazu Takeda

    Journal of Crystal Growth   335 巻 ( 1 ) 頁: 94-99   2011年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  145. High-quality and large-area 3C-SiC growth on 6H-SiC(0 0 0 1) seed crystal with top-seeded solution method. 査読有り

    Toru Ujihara, Kazuaki Seki, Ryo Tanaka, Shigeta Kozawa, Alexander, Kai Morimoto, Katsuhiro Sasaki, Yoshikazu Takeda

    Journal of Crystal Growth   318 巻   頁: pp 389-393.   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  146. Anomalous Diffusion in Supported Lipid Bilayers Induced by Oxide Surface Nanostructures 査読有り

    Ryugo Tero, Gen Sazaki, Toru Ujihara, and Tsuneo Urisu

      27 巻   頁: 9662-9665   2011年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  147. Development of spin-polarized transmission electron microscope 査読有り

    M. Kuwahara, Y. Takeda, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, T. Nakanishi and N Tanaka

      298 巻   頁: 012016   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  148. Polytype stability of 4H-SiC seed crystal on solution growth 査読有り

    Alexander, K. Seki, S. Kozawa, Y. Yamamoto, T. Ujihara and Y. Takeda

    Materials Science Forum   679-680 巻   頁: pp 24-27   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  149. Defect evaluation of SiC crystal grown by solution method: the study by synchrotron X-ray topography and etching method 査読有り

    S. Kozawa, K. Seki, Alexander, Y. Yamamoto, T. Ujihara and Y. Takeda

    Materials Science Forum   679-680 巻   頁: pp 28-31   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  150. Increase of spectral width of stacked InAs quantum dots on GaAs by controlling spacer layer thickness. 査読有り

    Kazuma Tani, Shingo Fuchi, Ryota Mizutani, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda

    Journal of Crystal Growth   318 巻   頁: pp 1113-1116   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  151. Molecular Beam Epitaxy Growth of Superconducting NdFeAs(O,F) Thin Films Using a F-Getter and a Novel F-Doping Method 査読有り

    Takahiko Kawaguchi, Hiroki Uemura, Toshiya Ohno, Masao Tabuchi, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda and Hiroshi Ikuta

    Appl. Phys. Express   4 巻   頁: 083102 (3 pages)   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  152. Epitaxial growth of LaFeAs(O,F) thin films by molecular beam epitaxy 査読有り

    T. Kawaguchi , H. Uemura , T. Ohno , M. Tabuchi , T. Ujihara , K. Takenaka , Y. Takeda , H. Ikuta

    Physica C: Superconductivity   Volume 471 巻 ( Issues 21-22 ) 頁: pp. 1174-1176   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  153. Status of the high brightness polarized electron source using transmission photocathode

    N. Yamamoto, X.G.Jin, A. Mano, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, T. Nakanishi, T. Yasue, T. Koshikawa, T.Oshima, T. Saka and H. Horinaka,

      298 巻   頁: 012017   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  154. Strain of GaAs/GaAsP superlattices used as spin-polarized electron photocathodes, determined by X-ray diffraction 査読有り

    T. Saka, Y. Ishida, M. Kanda, X.G. Jin, Y. Maeda, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Matsuyama, H. Horinaka, T. Kato, N. Yamamoto, A. Mano, Y. Nakagawa, M. Kuwahara, S. Okumi, T. Nakanishi, M. Yamamoto, T. Ohshima, T. Kohashi, M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa

    -Journal of Surface Science and Nanotechnology   8 巻   頁: 125-130   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  155. Stacking Faults around the hetero-interface Induced by 6H-SiC Polytype Transformation on 3C-SiC with Solution Growth 査読有り

    K. Seki, K. Morimoto, T. Ujihara, T. Tokunaga, K. Sasaki, K. Kuroda, and Y. Takeda

    Mater. Sci. Forum   645-648 巻   頁: 363-366   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  156. Real time magnetic imaging by spin-polarized low energy electron microscopy with highly spin-polarized and high brightness electron gun 査読有り

    M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa, Y. Nakagawa, T. Konomi, A. Mano, N. Yamamoto, M. Kuwahara, M. Yamamoto, S. Okumi, T. Nakanishi, X.G. Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Kohashi, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, and H. Horinaka

    Appl. Phys. Express   3 巻   頁: 026601   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  157. Effects of defects and local thickness modulation on spin-polarization in photocathodes based on GaAs/GaAsP strained superlattices. 査読有り

    X.G. Jin, Y. Maeda, T. Sasaki, S. Arai, Y. Ishida, M. Kanda, S. Fuchi, T. Ujihara, T. Saka, and Y. Takeda

    J. Appl. Phys.   108 巻 ( 9 ) 頁: 094509 - 094509-6   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  158. TEM analysis of SiC crystal grown on (001) 3C-SiC CVD substrate by solution growth 査読有り

    K. Morimoto, R.Tanaka, K. Seki, T. Tokunaga, T. Ujihara, K. Sasaki, Y. Takeda, K. Kuroda

    International Journal of Advanced Microscopy and Theoretical Calculations   Letters 2 巻   頁: pp 242-243   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  159. In situ growth of superconducting NdFeAs(O,F) thin films by molecular beam epitaxy 査読有り

    T. Kawaguchi, H. Uemura, T. Ohno, M. Tabuchi, T. Ujihara, K. Takenaka, Y. Takeda, and H. Ikuta

    Appl. Phys. Lett.   97 巻 ( 4 ) 頁: 042509   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  160. High Temperature Solution Growth on Free-standing (001)3C-SiC Epilayers 査読有り

    R. Tanaka, K. Seki, T. Ujihara, Y. Takeda

    Mater. Sci Forum   615-617 巻   頁: 37-40   2009年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  161. Polytype and Crystal Quality of SiC Crystals Grown on 3C-SiC by Seeded Solution Method 査読有り

    K. Seki, R. Tanaka, T. Ujihara, Y. Takeda,

    Mater. Sci Forum   615-617 巻   頁: 27-30   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  162. Low temperature solution growth of 3C-SiC crystals in Si-Ge-Ti solvent 査読有り

    R. Tanaka, T. Ujihara, Y. Takeda,

    Mater. Sci Forum   600-603 巻   頁: 59-62   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  163. High Brightness and High Polarization Electron Source Using Transmission Photocathode 査読有り

    N. Yamamoto, X. Jin, A. Mano, Y. Nakagawa, T. Nakanishi, T. Ujihara, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Konomi, Y. Takeda, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, H. Horinaka, T. Yasue, T. Koshikawa

    AIP Proceedings   1149 巻   頁: 1052-1056   2009年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  164. Status of 200keV Beam Operations at Nagoya University 査読有り

    M. Yamamoto, T. Konomi, S. Okumi, Y. Nakagawa, N. Yamamoto, M.Tanioku, X. Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, F. Fukuta, H. Matsumoto

    AIP Proceedings   1149 巻   頁: 987-991   2009年

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    記述言語:英語  

  165. Shape transformation of adsorbed vesicles on oxide surfaces: Effect of substrate material and photo-irradiation 査読有り

    R. Tero, T. Ujihara and T. Urisu

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   34 巻 ( 2 ) 頁: 183-188   2009年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  166. Effects of Applied Voltage on the Size of Phase-Separated Domains in DMPS-DOPC Lipid Binary Bilayers Supported on SiO2/Si Substrates 査読有り

    Y. Yamauchi, T. Ujihara, R. Tero and Y. Takeda

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   34 巻 ( 2 ) 頁: 217-220   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  167. Local Condensation of Artificial Raft Domains under Light Irradiation in Supported Lipid Bilayer of PSM-DOPC-Cholesterol System 査読有り

    T. Ujihara, S. Suzuki, Y. Yamauchi, R. Tero and Y. Takeda

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   34 巻 ( 2 ) 頁: 179-182   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  168. 次世代のSiC高品質基板結晶作製技術 溶液法によりマイクロパイプ・基底面転位を低減 産学の連携を深め、実用化をめざす

    宇治原徹, 竹田美和

    Semiconductor FPD World   11 巻   頁: 55-58   2009年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  169. SiC単結晶の溶液成長

    宇治原徹

    Materials Stage   9 巻   頁: 46-49   2009年

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    記述言語:日本語  

  170. Epitaxial Growth of NdFeAsO Thin Films by Molecular Beam Epitaxy 査読有り

    Takahiko Kawaguchi, Hiroki Uemura, Toshiya Ohno, Ryotaro Watanabe, Masao Tabuchi, Toru Ujihara, Koshi Takenaka, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Ikuta

    Applied Physics Express   2 巻   頁: 093002   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  171. Anisotropy of mosaic structure of GaAsP layers grown on GaAs substrates 査読有り

    T. Saka, T. Kato, X.G. Jin, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, H. Horinaka, T. Matsuyama, T. Yasue, and T. Koshikawa

    Phys. Status Solidi   8 巻   頁: 1785   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  172. *Stability Growth Condition for 3C-SiC Crystals by Solution Technique 査読有り

    T. Ujiahra, R. Maekawa, R. Tanaka, K. Sasaki, K. Kuroda, Y. Takeda,

    Mater. Sci Forum   600-603 巻   頁: 63-66   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  173. Study of minority carrier diffusion length in multicrystalline silicon solar cells using photoassisted Kelvin probe force microscopy 査読有り

    Masaki Takihara, Takuji Takahashi, Toru Ujihara

    Appl. Phys. Lett.   95 巻   頁: 19   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  174. High brightness and high polarization electron source using transmission photocathode with GaAs-GaAsP superlattice layers 査読有り

    N. Yamamoto, Y. Nakanishi, A. Mano, Y. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Konomi, X. G. Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, H. Horinaka, T. Yasue, T. Koshikawa, M. Kuwahara

    J. Appl. Phys.   103 巻   頁: 64905   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  175. " 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係,"

    "前多悠也, 金秀光, 谷奥雅俊, 渕真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 山本尚人,中川靖英, 山本将博, 奥見正治, 中西彊, 坂貴, 堀中博道, 加藤俊宏, 安江常夫, 越川孝範"

    信学技報   108 巻   頁: 75-84   2008年

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    記述言語:日本語  

  176. Effects of absorbed group-V atoms on the size distribution and optical properties of InAsP quantum dots fabricated by the droplet hetero-epitaxy 査読有り

    S. Fuchi, S. Miyake, S. Kawamura, W.S. Lee, T. Ujihara, Y. Takeda

    J. Crystal Gorwth   310 巻   頁: 2239-2243   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  177. *Solution growth of high-quality 3C-SiC crystals 査読有り

    T. Ujihara, R. Maekawa, R. Tanaka, K. Sasaki, K. Kuroda, and Y. Takeda

    J. Crystal Gorwth   310 巻   頁: 1438-1442   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  178. *Super-high brightness spin-polarized transmission photocathode based on GaAs-GaAsP strained superlattice structure on GaP substrate 査読有り

    X.G. Jin, N. Yamamoto,Y. Nakagawa, A. Mano, T. Kato, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi11, T. Saka, H. Horinaka, T. Yasue, and T. Koshikawa

    Appl. Phys. Express   1 巻   頁: 45002   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  179. Highly spin-polarized electron photocathode based on GaAs-GaAsP superlattice grown on mosaic-structured buffer layer 査読有り

    X.G. Jin, Y. Maeda, T. Saka, M. Tanioku, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, and T. Koshikawa

    J. Crystal Gorwth   310 巻   頁: 5039-5043   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  180. 固体表面物性がサポーティッドメンブレンの形成過程と構造に及ぼす影響 査読有り

    手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄,

    表面 HYOMEN(SURFACE)   46 巻   頁: 287-299   2008年

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    記述言語:日本語  

  181. Minority Carrier Lifetime in Polycrystalline Silicon Solar Cells Studied by Phot-assisted Kelvin Probe Force Microscopy 査読有り

    M. Takihara, T. Ujihara, T. Takahashi

    Appl. Phys. Lett.   93 巻   頁: 021902   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  182. Local concentration of gel phase domains in supported lipid bilayers under light irradiation in binary mixture of phospholipids doped with dyes for photoinduced activation 査読有り

    T. Ujihara, S. Suzuki, Y. Yamauchi, R. Tero, Y. Takeda,

    Langmuir   24 巻   頁: 10974-10980   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  183. Lipid Bilayer Membrane with Atomic Step Structure:Supported Bilayer on Step-and-Terrace TiO2(100) Surface 査読有り

    R. Tero, T. Ujihara, T. Urisu,

    Langmuir   24 巻   頁: 11567-11576   2008年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  184. Supported lipid bilayer membranes on SiO2 and TiO2: substrate effects on membrane formation and shape transformation 査読有り

    R. Tero, T. Ujihara, T. Urisu

    Proceedings of SPIE   6769 巻   頁: 1-12   2007年

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    記述言語:英語  

  185. " Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大,"

    宇木大輔, 山口岳宏, 田中雄太, 渕真悟, 宇治原徹, 竹田美和

    信学技報   107 巻   頁: 29-34   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  186. "歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上,"

    加藤鷹紀, 酒井良介, 谷奥雅俊, 中川靖英, 前田義紀, 金秀光, 渕真悟, 山本将博, 宇治原徹, 中西 彊, 竹田美和

    信学技報   107 巻   頁: 109-114   2007年

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

  187. 生体膜における相分離構造に関する研究

    宇治原徹

    まてりあ   46 巻   頁: 433   2007年

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    記述言語:日本語  

  188. Photovoltage mapping on polycrystalline silicon solar cells by Kelvin probe force microscopy with piezoresistive cantilever 査読有り

    M. Takihara, T. Igarashi, T. Ujihara and T. Takahashi

    Jpn. J. Appl. Phys. Part 1   46 巻   頁: 5548-5551   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  189. Thermal emittance measurements for electron beams produced from bulk and superlattice negative electron affinity photocathods 査読有り

    N. Yamamoto, M. Yamamoto, M. Kuwahara, R. Sakai, T. Morino, K. Tamagaki, A. Mano, A. Utsu, S. Okumi, T. Nakanishi, M. Kuriki, C. Bo, T. Ujihara and Y. Takeda

    J. Appl. Phys.   102 巻   頁: 24904   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  190. "Effect of Li doping on photoluminescence from Er, O-codoped GaAs" 査読有り

    D. Uki, H. Ohnishi, T. Yamaguchi, Y. Takemori, A. Koizumi, S. Fuchi, T. Ujihara and Y. Takeda

    J. Crystal Growth   298 巻   頁: 69-72   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  191. 分散量子ドット構造を利用した広帯域発光素子 査読有り

    李祐植, 三宅信輔, 渕真悟, 宇治原徹, 竹田美和

    日本結晶成長学会誌   33 巻   頁: 106-110   2006年

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    記述言語:日本語  

  192. Photovoltage Mapping on Polycrystalline Silicon Solar Cells through Potential Measurements by AFM with Piezo-resistive Cantilever 査読有り

    T. Igarashi, T. Ujihara, T. Takahashi

    Jpn. J. Appl. Phys. Part 1   45 巻   頁: 2128-2131   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  193. Size uniformity of InAs dots on mesa-structure templates on (001) InP substrates grown by droplet metal-organic vapor phase epitaxy method 査読有り

    "T. Ujihara, Y. Yoshida, W-S. Lee, Y. Takeda"

    Appl. Phys. Lett.   89 巻   頁: 083110   2006年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  194. Solution growth of SiC crystal with high growth rate using accelerated crucible rotation technique 査読有り

    K. Kusunoki, K. Kamei, N. Okada, N. Yashiro, A. Yauchi, T. Ujihara, and K. Nakajima

    Mater. Sci Forum   527-529 巻   頁: 119-122   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  195. Evaluation of Strain Field around SiC Particle in Poly-Crystalline Silicon

    "T. Ujihara, T. Ichitsubo, N. Usami, K. Nakajima, Y. Takeda,"

    Proc. IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC4)     頁: 272   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  196. GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化

    宇治原徹, 陳 博, 安井健一, 酒井良介、山本将博、中西 彊、竹田美和

    信学技報   106 巻   頁: 79-84   2006年

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    記述言語:英語  

  197. "Growth of SiC single crystal from Si-C-(Co, Fe) ternary solution" 査読有り

    Nobuyoshi Yashiro, Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Mitsuhiro Hasebe, Toru Ujihara and Kazuo Nakajima

    Mater. Sci Forum   527-529 巻   頁: 115-118   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  198. The wideband light emission around 800 nm from ternary InAsP quantum dots with an intentionally broadened size and composition distribution 査読有り

    S. Miyake, W. S. Lee, T. Ujihara and Y. Takeda

        頁: p. 208-210   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  199. Pattern size effect on source supply process for sub-micrometer scale selective-area-growth by organometallic vapor phase epitaxy 査読有り

    T. Ujihara, Y. Yoshida, W-S. Lee, Y. Takeda

    J. Crystal Growth   289 巻   頁: 89-95   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  200. Crystal quality of a 6H-SiC layer grown over macro-defects by liquid phase epitaxy: a Raman spectroscopic study 査読有り

    T. Ujihara, S. Munetoh, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima

    Thin Solid Films   476 巻   頁: 206-209   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  201. Electrical Properties around Grain Boundary of Poly-Crystalline Silicon for Solar Cell Evaluated Using the Conductive AFM

    T. Ujihara, K. Nakajima, Y. Takeda

    Proc. 15th PVSEC     頁: 118-119   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  202. Crystalline quality evaluation of 6H-SiC bulk crystals grown from Si-Ti-C ternary solution 査読有り

    K. Kusunoki, K. Kamei, Y. Ueda, S. Naga, Y. Ito, M. Hasebe, T. Ujihar, K. Nakajima

    Mater. Sci Forum   483 巻   頁: 13-16   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  203. 太陽電池用Si系バルク多結晶の結晶成長及び太陽電池特性 ―多結晶Siの融液成長のその場観察とバルク多結晶SiGeの特性評価― 査読有り

    藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 宇治原徹, 野村明子, 野瀬嘉太郎, 宍戸統悦, 中嶋一雄

    日本結晶成長学会誌   32 巻   頁: 291-296   2005年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  204. Influence of growth temperature on minority-carrier lifetime of Si layer grown by liquid phase epitaxy using Ga solvent 査読有り

    Y. Satoh, N. Usami, W. Pan, K. Fujiwara, K. Nakajima, and T. Ujihara

    J. Appl. Phys.   98 巻   頁: 073708   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  205. メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御

    宇治原 徹, 吉田義浩, 李祐植, 竹田美和

    信学技報   105 巻   頁: 23-26   2005年

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    記述言語:日本語  

  206. Structural properties of directionally grown polycrystalline SiGe for solar cells 査読有り

    K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami, K. Sawada, A. Nomura, T. Ujihara, T. Shishido and K. Nakajima

    J.Cryst.Growth.   275 巻   頁: 467-473   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  207. Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams 査読有り

    K. Nakajima, Y. Azuma, N. Usami, G. Sazaki, T. Ujihara, K. Fujiwara, T. Shishido, Y. Nishijima and T. Kusunoki

    International Journal of Material & Product Technology.   22 巻   頁: 185-212   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  208. "Effects of vicinal steps on the island growth and orientation of epitaxially grown perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) substrate" 査読有り

    G. Sazaki, T. Fujino, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara and K. Nakajima

    J.Cryst.Growth.   273 巻   頁: 594-602   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  209. A simple approach to determine preferential growth orientation using multiple seed crystals with random orientations and its utilization for seed optimization to restrain polycrystallization of SiGe bulk crystal 査読有り

    Y. Azuma, N, Usami, K, Fujiwara, T, Ujihara and K, Nakajima

    J.Cryst.Growth   276 巻   頁: 393-400   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  210. Analytical evaluation of growth process in a sub-micron scale selective-area growth by OMVPE 査読有り

    Toru Ujihara, Yoshihiro Yoshida, Woo Sik Lee, Ryo Oga, Yoshikazu Takeda

        頁: p112   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  211. Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained-Si layer 査読有り

    U. Noritaka, K. Kutsukake, W. Pan, K. Fujiwara, T. Ujihara, B. Zhang, T. Yokoyama, K. Nakajima

    J. Cryst. Growth   275 巻   頁: 1203-1207   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  212. Relationship between device performance and grain boundary structural configuration in a solar cell based on multicrystalline SiGe 査読有り

    N. Usami, WG. Pan, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki and K.Nakajima

    Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻   頁: L250-L252   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  213. Ge composition dependence of properties of solar cells based on multicrystalline SiGe with microscopic compositional distribution 査読有り

    W. Pan, K. Fujiwara, N. Usami, T. Ujihara, K. Nakajima, R. Shimokawa

    J. Appl. Phys.   96 (2) 巻   頁: 1238-1241   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  214. Successful growth of InxGa1-xAs (x > 0.18) single bulk crystal directly on GaAs seed crystal with preferential orientation 査読有り

    Y.Azuma, Y. Nishijima, K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara

    Jpn. J. Appl. Phys.   Feb-46 巻   頁: L907   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  215. Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate 査読有り

    K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, B. P. Zhang, and Y. Segawa

    Appl. Surf. Sci.   224 巻   頁: 604-607   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  216. Effects of growth temperature on the surface morphology of silicon thin-film on (111) silicon monocrystalline substrate grown by liquid phase epitaxy 査読有り

    T. Ujihara, E. Kanda, K. Obara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, T. Shishido, K. Nakajima

    J. Crystal Growth   266 巻   頁: 467-474   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  217. Grain growth behaviors of polycrystalline silicon during melt growth processes 査読有り

    K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   266 巻   頁: 441-448   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  218. On the origin of strain fluctuation in strained-Si grown on SiGe-on-insulator and SiGe virtual substrates 査読有り

    K. Kutsukake, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, and K. Nakajima

    Appl. Phys. Lett.   85 巻   頁: 1335-1337   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  219. SiGeバルク単結晶と多結晶の成長技術およびそれらのデバイス応用 : 均一組成のバルク単結晶とミクロ分散的組成分布を有する太陽電池用バルク多結晶

    中嶋一雄, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 佐崎元, 宇治原徹, 宍戸統悦

    日本結晶成長学会誌   31 巻   頁: 29-37   2004年

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

  220. 材料工学からの太陽電池研究

    宇治原徹

    まてりあ   43 巻   頁: 949-953   2004年

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

  221. Molten metal flux growth and properties of CrSi2 査読有り

    T. Shishido, S. Okada, Y. Ishizawa, K. Kudou, K. Iizumi, Y. Sawada, H. Horiuchi, K. Inaba, T. Sekiguchi, J. Ye, S. Miyashita, A. Nomura, T. Sugawara, K. Obara, M. Oku, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, N. Usami, S. Kohiki, Y. Kawazoe and K. Nakajima

    JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS.   383 巻   頁: 319-321   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  222. Effects of spacer thickness on quantum efficiency of the solar cells with embedded Ge islands in the intrinsic layer 査読有り

    "A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima, K. Sawano and Y Shiraki"

    Appl. Phys. Lett.   84 巻   頁: 2802-2804   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  223. In-situ observation of elementary growth steps on the surface of protein crystals by laser confocal microscopy 査読有り

    G. Sazaki, T. Matsui, K. Tsukamoto, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, K. Nakajima

    J. Crystal Growth   262 巻   頁: 536-542   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  224. Epitaxial relation and island growth of perylene-3.4.9.10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) substrate 査読有り

    G. Sazaki, T. Fujino, J.T. Sadowski, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, H. Takahashi, E. Matsubara, T. Sakurai, K. Nakajima

    J. Crystal Growth   262 巻   頁: 196-201   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  225. Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime 査読有り

    N. Usami, A. Alguno, K. Sawano, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, Y. Shiraki, and K. Nakajima

    Thin Solid Films   451-452 巻   頁: 604-607   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  226. In-situ observations of melt growth behavior of polycrystalline silicon 査読有り

    K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   262 巻   頁: 124   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  227. Phase diagram of growth mode for the SiGe/Si heterostructure system with misfit dislocations 査読有り

    K. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, and T. Shishido

    J. Crystal Growth   260 巻   頁: 372-383   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  228. Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy 査読有り

    Toru Ujihara, Shinji Munetoh, Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Noritaka Usami, Kozo Fujiwara, Gen Sazaki, and Kazuo Nakajima

    Mater. Sci Forum   457-460 巻   頁: 633-637   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  229. Excellent Effect of Gallium Solvent on Preparation of High Lifetime Silicon Crystal by LPE Method 査読有り

    Toru Ujihara, Yusuke Satoh, Kazuo Obara, Kozo Fujiwara, Gen Sazaki, Noritaka Usami, Toetsu Shishido and Kazuo Nakajima

        頁: ?   2004年

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    記述言語:英語  

  230. TEM studies on the initial stage of seeded solution growth of 6H-SiC using metal solvent 査読有り

    K. Kamei, K. Kusunoki, S. Munetoh, T. Ujihara and K. Nakajima

    Mater. Sci Forum   457-460 巻   頁: 347-351   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  231. Solution growth of self standing 6H-SiC single crystal using metal solvent 査読有り

    K. Kusunoki, S. Munetoh, K. Kamei, M. Hasebe, T. Ujihara and K. Nakajima

    Mater. Sci Forum   457-460 巻   頁: 123-126   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  232. Effects of high pressure on the growth kinetics of orthorhombic lysozyme crystals 査読有り

    Y. Nagatoshi, G. Sazaki, Y. Suzuki, S. Miyashita, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami, and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   254 巻   頁: 188-195   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  233. Influence of the elastic strain on the band structure of ellipsoidal SiGe coherently embedded in the Si matrix 査読有り

    N. Usami, T. Ichitsubo, T. Ujihara, T. Takahashi, K. Fujiwara, G. Sazaki, and K. Nakajima

    Journal of Applied Physics   94 巻   頁: 916-920   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  234. Enhanced quantum efficiency of solar cells with self-assembled Ge dots stacked in multilayer structure 査読有り

    A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, Y. Shiraki, and K. Nakajima

    Applied Physics Letters   83 巻   頁: 1258-1260   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  235. Fabrication of homogeneous SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate 査読有り

    K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, B. P. Zhang, and Y. Segawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   42 巻   頁: L232-L234   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  236. Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by utilizing feedback control system of the crystal-melt interface position for precise control of the growth temperature 査読有り

    Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, Y. Murakami, and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   250 巻   頁: 298-304   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  237. Hightemperature solution growth and characterization of chromium disilicide 査読有り

    T. Shishido, S. Okada, Y. Ishizawa, K. Kudou, K. Iizumi, Y. Sawada, H. Horiuchi, K. Inaba, T. Sekiguchi, J. Ye, S. Miyashita, A. Nomura, T. Sugawara, K. Obara, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, N. Usami, M. Oku, Y.Yokoyama, S. Kohiki , Y. Kawazoe and K. Nakajima

    Jpn. J. Appl. Phys.   42 巻   頁: 7292-7293   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  238. Stacked Ge islands for photovoltaic applications 査読有り

    N. Usami, A. Alguno, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima, K. Sawano, and Y. Shiraki

    Sci. Tech. Adv. Mat   4 巻   頁: 367-370   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  239. High-Quality Crystalline Silicon Layer Grown by Liquid Phase Epitaxy Method at Low Growth Temperature 査読有り

    T. Ujihara, K. Obara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, T. Shishido, K. Nakajima

    Jpn. J. Appl. Phys.   42 巻   頁: L217-L219   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  240. What is the most important growth parameter on crystal quality of the silicon layer by LPE method? 査読有り

    T. Ujihara, K. Obara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, T. Shishido and K. Nakajima

      ( 2 ) 頁: 1241 - 1244   2003年

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    記述言語:英語  

  241. Improved quantum efficiency of solar cells with ge dots stacked in multilayer structure 査読有り

    A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, K. Sawano*, G. Sazaki, Y. Shiraki* and K. Nakajima

      ( 3 ) 頁: 2746 - 2749   2003年

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    記述言語:英語  

  242. Spatial distribution of composition and strain in multicrystalline SiGe bulk crystal and their impact on solar cell application 査読有り

    N. Usami, T. Takahashi, A. Alguno, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, and K. Nakajima

      ( 1 ) 頁: 98-101   2003年

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    記述言語:英語  

  243. Direct observations of crystal growth from silicon melt 査読有り

    K. Fujiwara, K. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki, H. Hasegawa, S. Mizoguti and K.Nakajima

      ( 1 ) 頁: 110 - 113   2003年

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    記述言語:英語  

  244. Structure and property of directionally grown SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution 査読有り

    K. Fujiwara, T. Takahashi, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki and K. Nakajima

      ( 1 ) 頁: 158 - 160   2003年

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    記述言語:英語  

  245. Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications 査読有り

    K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Murakami, T. Ujihara, G. Sazaki, and T. Shishido

    Sol. Energy Mater. Sol. Cells   72 巻   頁: 93-100   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  246. Strain distribution of Si thin film grown on multicrystalline-SiGe with microscopic compositional distribution 査読有り

    N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, and K. Nakajima

    J. Appl. Phys.   92 巻   頁: 7098-7101   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  247. Evaluation of mutual and intrinsic diffusion coefficients in the liquid GaGe binary system using novel determination method based on Fick's first law 査読有り

    T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, K. Nakajima

    J. Non-Cryst. Solids   312-314 巻   頁: 196-202   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  248. In situ observation of crystal growth behavior from silicon melt 査読有り

    K. Fujiwara, Ke. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki, H. Hasegawa, S. Mizoguchi, K. Nakajima

    J. Crystal Growth   243 巻   頁: 275-282   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  249. Compositional variation in Si-rich SiGe single crystals grown by multi-component zone melting method using Si seed and source crystals 査読有り

    K. Nakajima, T. Kusunoki, Y. Azuma, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, and T. Shishido

    J. Crystal Growth   240 巻   頁: 370-381   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  250. Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for high-efficiency solar cells 査読有り

    K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Murakami, T. Ujihara, G. Sazaki and T. Shishido

    Sol. Energy Mater. Sol. Cells   73 巻   頁: 305-320   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  251. Evidence for the presence of built-in strain in multicrystalline SiGe with large compositional distribution 査読有り

    N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, and K. Nakajima

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 巻   頁: 4462-4465   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  252. Fabrication of SiGe bulk crystals with uniform composition as substrates for Si-based heterostructures 査読有り

    N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, Y. Murakami, and K. Nakajima

    Mat. Sci. Eng. B   89 巻   頁: 364-367   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  253. In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface 査読有り

    G. Sazaki, Y. Azuma, S. Miyashita, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, Y. Murakami, and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   236 巻   頁: 364-367   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  254. 均一組成SiGeバルク結晶成長と関連する測定技術

    宇治原徹, 我妻幸長, 宇佐美徳隆, 佐崎 元, 藤原航三, 宍戸統悦, 中嶋一雄

    日本結晶成長学会誌   29 巻 ( 5 ) 頁: 339   2002年

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    記述言語:日本語  

  255. *Simultaneous in-situ measurement of solute and temperature distributions in the alloy solutions 査読有り

    T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, K. Nakajima

    J. Crystal Growth   242 巻   頁: 313-320   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  256. New method for measurement of interdiffusion coefficient in high temperature solutions based on Fick's first law 査読有り

    T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, K. Nakajima

    J. Crystal Growth   241 巻   頁: 387-394   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  257. Grain growth of polycrystalline Si thin film for solar cells and its effect on crystal properties 査読有り

    Toru Ujihara, Eiji Kanda, Kozo Fujiwara, Gen Sazaki, Noritaka Usami, Yoshihiro Murakami, Kuninori Kitahara and Kazuo Nakajima

        頁: 1339-1342   2002年

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    記述言語:英語  

  258. Control of macroscopic absorption coefficient of multicrystalline SiGe by microscopic compositional distribution 査読有り

    N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, K. Nakajima, and H. Yaguchi

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 巻   頁: L37-L39   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  259. In-situ observation of the Marangoni convection of a NaCl aqueous solutions under microgravity 査読有り

    G. Sazaki, S. Miyashita, M. Nokura, T. Ujihara, N. Usami, and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   234 巻   頁: 516-522   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  260. Effect of growth temperature on surface morphology and crystal quality of Si thin-film by liquid phase epitaxial growth technique 査読有り

    Toru Ujihara, Eiji Kanda, Kozo Fujiwara, Noritaka Usami, Gen Sazaki, Kazuo Nakajima

        頁: 408-411   2002年

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    記述言語:英語  

  261. Si/multicrystalline-SiGe heterostructure as a candidate for solar cells with high conversion efficiency 査読有り

    N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, and K. Nakajima

        頁: 247-249   2002年

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    記述言語:英語  

  262. Assessing composition gradient energy effects due to spin interaction on the spinodal decomposition of Fe-Cr 査読有り

    T. Ujihara, K. Osamura

    Mater. Sci. Eng. A   312 巻   頁: 128   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  263. Molecular beam epitaxy of GaAs on nearly lattice-matched SiGe substrates grown by the multicomponent zone-melting method 査読有り

    N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, Y. Yakabe, T. Kondo, K.Kawaguchi, S. Koh, Y. Shiraki, B. P. Zhang, Y. Segawa, and S. Kodama

    Semicon. Sci. and Technol.   16 巻   頁: 699-703   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  264. Effects of misfit dislocation and AlN buffer layer on the GaInN/GaN phase diagram of the growth modes 査読有り

    K. Nakajima, T. Ujihara, and G. Sazaki

    J. Appl. Phys.   89 巻   頁: 146-153   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  265. Growth of SixGe1-x (x=0.15) Bulk Crystal with Uniform Composition by Utilizing in situ Monitoring of the Crystal-Solution Interface 査読有り

    N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, S. Miyashita, Y. Murakami, and K.Nakajima

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 巻   頁: 4141-4144   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  266. Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by directly controlling the growth temperature at the crystal-melt interface using in-situ monitoring system 査読有り

    Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, S. Miyashita, K. Fujiwara, and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   224 巻   頁: 204-211   2001年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  267. Physical model for the evaluation of solid-liquid interfacial tension in silicon 査読有り

    T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, N. Usami, K. Nakajima

    J. Appl. Phys.   90 巻   頁: 750-755   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  268. Kinetic analysis of spinodal decomposition process in Fe-Cr alloys by small angle neutron scattering 査読有り

    T. Ujihara, K. Osamura

    Acta Materialia   48 巻   頁: 1629-1637   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  269. Effects of the dislocation density and surface energy on phase diagrams of the S-K mode for the GaInN/GaN and GaPSb/GaP systems 査読有り

    K. Nakajima, T. Ujihara, S. Miyashita, and G. Sazaki

    In Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   618 巻   頁: 285-290   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  270. "Phase diagram calculation for epitaxial growth of GaInAs on InP considering the surface, interfacial and strain energies" 査読有り

    K. Nakajima, T. Ujihara, G. Sazaki, and N. Usami

    J. Crystal Growth   220 巻   頁: 413-424   2000年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  271. SiGe bulk crystal as a lattice-matched substrate to GaAs for solar cell applications 査読有り

    N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Yakabe, T. Kondo, S. Koh, B. Zhang, Y. Segawa,Y. Shiraki, S. Kodama, and K. Nakajima

    Appl. Phys. Lett.   77 巻   頁: 3565-3567   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  272. In Situ Measurement of Composition in High-Temperature Solutions by X-Ray Fluorescence Spectrometry 査読有り

    T. Ujihara, G. Sazaki, S. Miyashita, N. Usami, K. Nakajima

    Jpn J. Appl. Phys   39 巻   頁: 5981-5982   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  273. Thickness dependence of stable structure of the Stranski-Krastanov mode in the GaPSb/GaP system 査読有り

    K. Nakajima, T. Ujihara, S. Miyashita, G. Sazaki

    Journal of Crystal Growth   209 巻   頁: 637-647   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  274. "The excess free energy due to composition gradient for ferromagnetic alloys""" 査読有り

    T. Ujihara, K. Osamura

    Acta Materialia   47 巻   頁: 3041-3048   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  275. Phase diagrams and stable structures for Sranski-Krastanov mode of III-V ternary quantum dots 査読有り

    K. Nakajima, T. Ujihara, S. Miyashita and G. Sazaki

    Journal of Korean Association of Crystal Growth   9 巻   頁: 387-395   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  276. Magnetic damping of the temperature-driven convection in NaCl aqueous solution using a static and homogenous of 10 T 査読有り

    G. Sazaki, S. D. Drubin, S. Miyashita, T. Ujihara, K. Nakajima, M. Motokawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   38 巻   頁: L842-L844   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  277. Kinetics of Spinodal Decomposition with Composition Dependent Mobility 査読有り

    T. Ujihara, K. Osamura

    Proceeding of the International Conference on Solid-Solid Phase Transformation   99 巻   頁: 117-120   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  278. Effect of nonlinearity of the evolution equation on the spinodal decomposition process in alloys 査読有り

    T. Ujihara, K. Osamura

    Physical Review   B58 巻 ( 17 ) 頁: 11371   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  279. Al-Znの合金における相分解初期過程でのGPゾーンの形状異方性 査読有り

    宇治原 徹, 長村 光造, 雨宮 慶幸

    日本金属学会誌   62 巻 ( 2 ) 頁: 117   1998年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  280. Effect of Third Elements on Cu Precipitation on Fe-Cu Alloys 査読有り

    Toru Ujihara, Kozo Osamura

    Ann. Physiq.   C3 巻 ( 20 ) 頁: 3   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  281. Phase Decomposition in Fe-Cr-Mo Alloy 査読有り

    Kozo Osamura Toru Ujihara, Hiroshi Okuda, Michihiro Furusaka

    Proc. Int. Conf. On PTM'94 Solid-Solid Transformation in Inorganic Materials     頁: ",377"   1994年

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    記述言語:英語  

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書籍等出版物 11

  1. 「データ駆動型材料開発」オントロジーとマイニング、計測と実験装置の自動制御・マテリアルズ・インフォマティクスを加速化させ実験プロセスを革新する「データ駆動型材料開発」の全貌!・材料探索のオントロジー、文献情報の抽出、計測インフォマティクスから実験装置の自動制御まで!・新規触媒や電池材料など、最新のデータ駆動型材料探索手法も一挙掲載!

    船津 公人、堀 憲次、山口 徹、髙橋 ローレンニコール、山縣 友紀、櫛田 達矢、松本 裕治、石井 真史、岡 博之、鈴木 晃、坂本 浩一、石垣 達也、加藤 明彦、吉川 友也、進藤 裕之、久米 慧嗣、古崎 晃司 、高下 大貴、小野 直亮、黄 銘、Md.Altaf-Ul-Amin、金谷 重彦、沓掛健太朗、原田 俊太 、宇治原 徹、清水 研一、濱本 信次、蒲池 高志、日沼 洋陽、宮里 一旗、髙橋 啓介、矢田 陽、佐藤 一彦、冨谷 茂隆、山本 寛人、山下 俊介、永村 直佳、松村太郎次郎、安藤 康伸、堀場 弘司、尾嶋 正治、孝橋 照生、石附 直弥、清水 亮太、一杉 太郎 、長田 貴弘、柳生進二郎、松田 翔一、岩﨑 悠真、石田 真彦( 担当: 共著)

    (株)エヌ・ティー・エス  2021年11月 

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    記述言語:日本語

  2. ポストシリコン半導体―ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果―『第3編 結晶成長・成膜法 第4章 溶液法によるSiC結晶成長法 ~SiCを事例として~』, 株式会社ニッケイ印刷 編

    財満鎮明,佐藤勝昭,押山淳,室田淳一,櫻庭政夫,奥村元,北畠真,石田夕起,矢野裕司,竹内哲也,尾鍋研太郎,鳥海明,酒井朗,中塚理,堀越佳治,杉山弘樹,秦雅彦,高木信一,大友明,東脇正高,佐々木公平,須崎友文,川原田洋,小泉聡,伊藤利道,鈴木一博,山崎聡,竹内大輔,大串秀世,牧野敏晴,小倉政彦,加藤宙光,末光眞希,中辻寛,小森文夫,近藤大雄,熊谷義直,纐纈明伯,森勇介,今出完,丸山美帆子,吉村政志,寒川義裕,宇治原徹,着本享,松畑洋文,幾原雄一,中山隆史,小日向恭祐,山下良之,笹原亮,富取正彦,吉武道子,吉野淳二,伊藤智徳,岡田晋,金山敏彦( 担当: 単著)

    株式会社エヌ・ティー・エス  2013年6月 

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    記述言語:日本語

  3. 『5 パワー半導体材料』, 「太陽エネルギー社会を築く材料テクノロジー(Ⅰ) -材料デバイス編-」

    宇治原徹, 名古屋大学大学院工学研究科材料バックキャストテクノロジー研究センター 編( 担当: 共著)

    コロナ社  2013年 

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    記述言語:日本語

  4. SiCパワーデバイスの開発と最新動向―普及に向けたデバイスプロセスと実装技術―

    岩室 憲幸,中野 佑紀,原田 信介,古川 彰彦,今泉 昌之,大森 達夫,矢野 裕司,吉川 正信,先崎 純寿,二本木 直,築野 孝 ,浅野 勝則,辻 崇 富,中山 浩二,匹田 政幸,渡邉 純二,加藤 正史,高尾 和人,徳田 人基,石川 佳寛,門田 健次,大谷 昇,宇治原 徹,藤本 辰雄,高橋 宏和,岩井 利光,星山 豊宏,加藤 智久,山口 桂司,佐藤 誠,佐野 泰久,有馬 健太,山内 和人,石田 夕起,土田 秀一,齋藤 真,伊瀬 敏史( 担当: 共著)

    S&T出版  2012年10月  ( ISBN:978-4-907002-06-0

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    記述言語:日本語

  5. これで使える 機能性材料パーフェクトガイド

    大竹尚登, 神埼昌郎, 宇治原徹, 髙﨑正也( 担当: 共著)

    講談社サイエンティフィク  2012年3月 

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    記述言語:日本語

  6. 「工学的手法による膜制御」, トランスポートソームの世界-膜輸送研究の源流から未来へ-

    宇治原徹( 担当: 単著)

    京都廣川書店  2011年 

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    記述言語:日本語

  7. 半導体SiC技術と応用 第2版 3.3.2 六方晶基板上への3C-SiC溶液成長

    松浪弘之, 大谷昇, 木本恒暢, 中村孝 編著 宇治原徹( 担当: 共著)

    日刊工業新聞社  2011年 

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    記述言語:日本語

  8. SiCパワーデバイスの最新技術, SiCバルク結晶の溶液成長技術

    宇治原徹( 担当: 単著)

    サイエンス&テクノロジー社  2010年 

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    記述言語:日本語

  9. 薄膜ハンドブック 第2版, 2.2.1 エピタキシーの基礎

    竹田美和, 宇治原徹( 担当: 共著)

    オーム社  2008年 

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    記述言語:日本語

  10. 4.1.5. 半導体量子構造の結晶成長と形成過程「自然に学ぶ材料プロセッシング」

    宇治原徹( 担当: 単著)

    三共出版  2007年 

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    記述言語:日本語

  11. "Effects of a Magnetic Field on the Crystallization of Protein" in "Materials Science in Static High Magnetic Fields"

    G. Sazaki, S. Yanagiya, S.D. Durbin, S. Miyashita, T. Nakata, H. Komatsu, T. Ujihara, K.Nakajima, M. Motokawa( 担当: 共著)

    2002年 

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    記述言語:英語

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講演・口頭発表等 887

  1. 人間参加型選好ベイズ最適化の半導体製造プロセス開発への応用

    松田 凌芽, 霜田 大貴, 吉田 拓未, 竹野 思温, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹, 竹内 一郎

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月25日 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学 世田谷キャンパス   国名:日本国  

  2. シリコン中の不純物増速拡散の機械学習

    霜田 大貴, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月25日 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学 世田谷キャンパス   国名:日本国  

  3. AlNウィスカの耐水性向上に寄与する酸化膜形態の解明

    古川 喜一、原田 俊太、宇治原 徹

    日本セラミックス協会2024年年会  2024年3月16日 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本大学 黒髪キャンパス   国名:日本国  

  4. AI を活用した SiC 溶液成長技術の開発と今後の展望

    宇治原徹

    データ駆動コンソーシアムセミナー  2024年1月29日 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:産総研臨海副都心センター   国名:日本国  

  5. プロセスインフォマティクスを用いた高品質SiC結晶成長技術の開発と展開 招待有り

    宇治原徹

    電子光技術シンポジウム  2023年12月18日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:秋葉原UDXカンファレンス   国名:日本国  

  6. 溶液の組成がDNA修飾ナノ粒子結晶 の品質およびサイズに与える影響

    張力東,小島憧子,周幸儀 ,太田昇,関口博史,原田 俊太,宇治原徹, 塚本勝男,田川美穂

    第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)  2023年12月4日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ウインクあいち(愛知県名古屋市)   国名:日本国  

  7. 4H-SiC溶液成長シミュレーションの機 械学習における転移学習によるデータ数削減

    甘原,党一帆,沓掛健太 朗,原田俊太,田川美穂, 宇治原徹

    第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)  2023年12月6日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウインクあいち(愛知県名古屋市)   国名:日本国  

  8. SiC溶液成長における溶質と不純物の 結合安定性の第一原理計算による解析

    関翔太,河村貴宏,原田俊 太,田川美穂,宇治原徹

    第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)  2023年12月5日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ウインクあいち(愛知県名古屋市)   国名:日本国  

  9. SiC溶液成長法における実験者の知識 を利用したスケールアップのための最適化手法の構築

    霜田大貴,鈴木皓己,沓掛 健太朗,原田俊太,田川美 穂,宇治原徹

    第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)  2023年12月5日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ウインクあいち(愛知県名古屋市)   国名:日本国  

  10. DNA修飾ナノ粒子の結晶成長におけ る粒子間相互作用に対するPEG添加の影響

    小島憧子,張力東,太田 昇,関口博史,原田俊太, 宇治原徹,塚本勝男,田川 美穂

    第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)  2023年12月4日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ウインクあいち(愛知県名古屋市)   国名:日本国  

  11. Analysis of the Effect of Solvent Composition on Suppression of Inclusion in SiC Solution Growth 国際会議

    Huiqin Zhou, Yuma Fukami, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University, Nagoya, Japan   国名:日本国  

  12. Numerical Analysis of Macrostep Instability focusing on Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth 国際会議

    Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya University, Nagoya, Japan   国名:日本国  

  13. Effect of Solvent Properties on Growth Process in SiC Solution Growth 国際会議

    Li Juanheng, Huiqin Zhou, Xin Liu, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya University, Nagoya, Japan   国名:日本国  

  14. First-principles analysis of the mechanism of formation of large macrosteps by additive elements in solution growth of SiC 国際会議

    Shota Seki, Takahiro Kawamura, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya University, Nagoya, Japan   国名:日本国  

  15. Effect of macrostep height and solution flow on formation of solvent inclusion in SiC solution growth 国際会議

    Yuma Fukami, Huiqin Zhou, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya University, Nagoya, Japan   国名:日本国  

  16. Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) Surface Stability of Reconstructions on BAs (001) Surface: First-principles calculation 国際会議

    PeiYang Cai, Toru Akiyama, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University, Nagoya, Japan   国名:日本国  

  17. Polyethylene Glycol Additive controled crystallization of DNA-Functionalized Nanoparticles 国際会議

    Shoko Kojima, L.D. Zhang, H. Sumi, N. Ohta, H.Sekiguchi, S. Harada, T. Ujihara, K.Tsukamoto, M. Tagawa

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University, Nagoya, Japan   国名:日本国  

  18. Effects of Sodium Chloride and Deuterium Oxide on Crystal Growth of DNAFunctionalized Nanoparticles 国際会議

    Lidong Zhang, Maasa Yokomori, Hayato Sumi, HsinYi Chou, Shoko Kojima, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, Miho Tagawa

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University, Nagoya, Japan   国名:日本国  

  19. Optimization of experimental conditions using machine learning for large-diameter crystal growth in solution growth of SiC 国際会議

    Daiki Shimoda, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya University, Nagoya, Japan   国名:日本国  

  20. Exploring Phonon Localization in TitaniumChromium Oxides with Modulated 国際会議

    S. Harada, T. Hattori, M. Inden, S. Sugimoto, M. Itoh, M.Tagawa, T.Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023年12月2日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University, Nagoya, Japan   国名:日本国  

  21. 機械学習によるマテリアル開発

    宇治原徹

    日本電子材料技術協会 2023年第60回秋期講演⼤会  2023年11月24日 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(基調)  

    開催地:名古屋大学 東山キャンパス ES総合館   国名:日本国  

  22. SiC溶液成長における溶媒インクルージョン形成のマルチスケールシミュレーション

    鄭 朗程, 周 惠琴, 黨 一帆, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月20日 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本市   国名:日本国  

  23. GaN気相成長における結晶表面状態予測のためのデジタルツインの構築

    関 翔太, 橋爪 優果, 髙石 将輝, 角岡 洋介, 沓掛 健太朗, 園田 勉, 高橋 言緒, 井手 利英, 清水 三聡, 宇治原 徹

    2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月20日 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本市   国名:日本国  

  24. GaN気相成長における結晶表面状態予測のための機械学習用特徴量抽出

    園田 勉, 高橋 言緒, 角岡 洋介, 高石 将輝, 関 翔太, 沓掛 健太朗, 井手 利英, 清水 三聡, 宇治原徹

    2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月20日 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本市   国名:日本国  

  25. 大口径SiC 溶液成長における基礎技術とその応用

    宇治原徹

    日本金属学会2023年(第173回)秋期講演大会  2023年9月22日 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(基調)  

    開催地:富山市   国名:日本国  

  26. SiC溶液法における溶媒中の溶質-不純物間結合安定性の第一原理計算による解析

    関 翔太、河村 貴宏、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

    日本金属学会2023年(第173回)秋期講演大会  2023年9月22日 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:富山市   国名:日本国  

  27. SiC溶液成長における炭素拡散場を介したマクロステップ相互作用の数値解析

    中西 祐貴、沓掛 健太朗、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

    日本金属学会2023年(第173回)秋期講演大会  2023年9月22日 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:富山市   国名:日本国  

  28. Analysis of the Effect of Solvent Composition on Suppression of Inclusion in SiC Solution Growth 国際会議

    Huiqin Zhou, Yuma Fukami, Hitoshi Miura, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada and Toru Ujihara

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)  2023年9月19日 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sorrento,Italy   国名:イタリア共和国  

  29. Effects of Solution Properties on Growth Conditions of SiC Solution Growth 国際会議

    Juanheng Li, Zhou Huiqin, Liu Xin, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho and Ujihara Toru

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)  2023年9月20日 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sorrento,Italy   国名:イタリア共和国  

  30. Optimization of Temperature Distribution and Flow Distribution using Machine Learning for 8-Inch SiC Crystal Growth by TSSG Method 国際会議

    Daiki Shimoda, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa and Toru Ujihara

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)  2023年9月19日 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sorrento,Italy   国名:イタリア共和国  

  31. AI を活用した SiC溶液成長技術の開発と今後の展望

    宇治原徹

    一般社団法人ワイドギャップ半導体学会 特別公開シンポジウム  2023年9月7日 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:姫路市   国名:日本国  

  32. Modulated crystallographic shear structure in titanium-chromium oxides: their structure and phonon transport properties 国際会議

    S. Harada, T. Hattori, M. Inden, S. Sugimoto, M. Itoh, M. Tagawa, T. Ujihara

    26TH CONGRESS AND GENERAL ASSEMBLY OF THE INTERNATIONAL UNION OF CRYSTALLOGRAPHY(IUCr2023)  2023年8月29日 

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    開催年月日: 2023年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Melbourne Convention and Exhibition Centre   国名:オーストラリア連邦  

  33. Effects of PEG addition on particle-particle interactions in crystal growth of DNA functionalized nanoparticles 国際会議

    Shoko Kojima, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, Miho Tagawa

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年7月31日 

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    開催年月日: 2023年7月 - 2023年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Naples, Italy   国名:イタリア共和国  

  34. Surface Stability of Reconstructions on BAs (001) Surface: An Ab InitioBased Approach 国際会議

    (DC)Cai Peiyang, Toru Akiyama, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年8月3日 

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    開催年月日: 2023年7月 - 2023年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Naples, Italy   国名:イタリア共和国  

  35. Effect of crystallization conditions for the enlargement of the size of DNA-functionalized nanoparticles crystals 国際会議

    Lidong Zhang, Maasa Yokomori, Hayato Sumi, HsinYi Chou, Shoko Kojima, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, Miho Tagawa

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年8月2日 

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    開催年月日: 2023年7月 - 2023年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Naples, Italy   国名:イタリア共和国  

  36. First-principles analysis of the activation energy of solute-additive bonds in the solvent of the SiC solution growth 国際会議

    Shota Seki, Takahiro Kawamura, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年8月3日 

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    開催年月日: 2023年7月 - 2023年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Naples, Italy   国名:イタリア共和国  

  37. Analysis of Macrostep Interaction via Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth 国際会議

    Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年8月1日 

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    開催年月日: 2023年7月 - 2023年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Naples, Italy   国名:イタリア共和国  

  38. Effect of macrostep height on formation of solvent inclusion in SiC solution growth 国際会議

    Yuma Fukami, Huiqin Zhou, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa,Toru Ujihara

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年8月1日 

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    開催年月日: 2023年7月 - 2023年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Naples, Italy   国名:イタリア共和国  

  39. Optimization method of crystal growth conditions by tacit knowledge (for large-diameter SiC solution growth) 国際会議

    Toru Ujihara, Masaru Isono, Kentaro Kutsukake, Ichiro Takeuchi, Koki Suzuki, Tomoaki Furusho, Miho Tagawa, Shunta Harada

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023年7月31日 

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    開催年月日: 2023年7月 - 2023年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Naples, Italy   国名:イタリア共和国  

  40. 連立微分方程式で記述される半導体プロセスシミュレーションの機械学習

    佐藤 陸彌, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月18日 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  41. SiC溶液成長法におけるパレート解に影響を与えるパラメータの考察

    霜田 大貴, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月15日 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  42. 連立微分方程式で記述される半導体プロセスシミュレーションの機械学習

    佐藤 陸彌, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月18日 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  43. 量子アニーリングを用いたプロセス最適化の検討

    眞野 幸希, 沓掛 健太朗, 丹野 航太, 中野 倖太, 丸山 伸伍, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月17日 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  44. Analysis of the Effect of Solvent Composition on Suppression of Inclusion in SiC Solution Growth by Phase Field Method

    HUIQIN ZHOU, Yuma Fukami, Hisaki Takemoto, Yifan Dang, Miho Tagawa, Shunta Harada, Toru Ujihara

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月15日 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  45. SiC溶液成長におけるマクロステップ高さがインクルージョン形成に及ぼす影響

    深見 勇馬, 周 惠琴, 竹本 玖生, 黨 一帆, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月15日 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  46. SiC溶液成長における炭素拡散場を介したステップ相互作用の解析

    中西 祐貴, 沓掛 健太朗, 黨 一帆, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月15日 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  47. SiC溶液成長における粘度が流体分布、温度分布および成長速度に与える影響

    李 鐫恒, 党 一帆, 太田 壮音, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月15日 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  48. CFD simulation in solution growth aided by machine learning- Application for SiC top-seeded solution growth 国際会議

    Toru UJIHARA

    3rd International Symposium on Modeling of Crystal Growth Processes & Devices (MCGPD-2023)   2023年3月6日 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  49. AIとオペレータの『意味』を介したコミュニケーションによる結晶成長技術開発

    宇治原徹

    AI NEXT FORUM 2023  2023年2月16日 

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    開催年月日: 2023年2月

    記述言語:日本語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(指名)  

  50. Large Diameter SiC Crystal Growth assisted by AI technology 国際会議

    Toru UJIHARA

    33th 2022 International Symposium on Micro-Nano Mechatronics and Human Science (MHS2022)  2022年11月30日 

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    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

  51. Development of High Thermal Conductive Ceramics and High Thermal Conductive Resins Using Fibrous Aluminum Nitride Filler 招待有り 国際会議

    Toru Ujihara

    10th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2021),November 10-12, 2021  2021年11月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  52. SiC溶液法における添加元素の溶液局所構造への影響の第一原理計算による解明

    関翔太,河村貴宏,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第51回結晶成長国内会議(JCCG-51)  2022年10月31日 

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    開催年月日: 2022年10月 - 2022年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  53. DNA修飾ナノ粒子の結晶成長における重水の影響

    張力東,横森真麻,太田昇,関口博,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    第51回結晶成長国内会議(JCCG-51)  2022年11月1日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年10月 - 2022年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  54. SiC溶液成長における溶液の拡散がステップ成長に及ぼす影響の解明

    竹本玖生,周恵琴,深見勇馬,沓掛健太郎,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第51回結晶成長国内会議(JCCG-51)  2022年11月1日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年10月 - 2022年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  55. 大口径SiC溶液成長の現状と課題

    宇治原 徹, 鈴木 皓己, 古庄 智明, 沓掛 健太朗, 黨 一帆, 劉 欣博, 朱 燦, 周 惠琴, 深見 勇馬, 太田 壮音, 関 翔太, 霜田 大貴, 中西 祐貴, 島 颯一, 布野 日奈子, 上松 浩, 原田 俊太, 田川 美穂

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月20日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  56. Surface Stability of reconstructions on BAs (111) surface:An Ab Initio-Based Approach

    Peiyang Cai, Toru Akiyama, TomomasaKiyozawa, Takafumi Hatano, Shunta Harada,Miho Tagawa, Hiroshi Ikuta, Toru Ujihara

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月21日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  57. 専門家の知識を入れたものづくりのためのデータ同化(ii)-SiC溶液成長シミュレーションへの適用-

    太田 壮音, 沓掛 健太朗, 竹野 思温, 烏山 昌幸, 竹内 一郎, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月22日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  58. 専門家の知識を入れたものづくりのためのデータ同化(i)-手法の提案-

    沓掛 健太朗, 竹野 思温, 太田 壮音, 烏山 昌幸, 竹内 一郎, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  59. 機械学習を用いたSiC結晶の転位増殖抑制に向けた降温条件の探索

    熊谷 尚純, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  60. 多段プロセスに対するベイズ最適化の提案 -太陽電池プロセスを例に-

    沓掛 健太朗, 中野 高志, 草川 隼也, 竹内 一郎, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月22日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  61. SiC溶液法における溶媒への添加元素効果の第一原理計算による解析

    関 翔太, 河村 貴宏, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月20日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  62. SiC溶液成長法における中間メルトバックによる表面平坦性の改善

    馬 叔陽, 朱 燦, 党 一帆, 劉 欣博, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022年9月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  63. Analysis of Inclusion Defect Generation in SiC Solution Crystal Growth Method Using Phase-Field Model 国際会議

    HUIQIN ZHOU , YUMA FUKAMI, YIFAN DANG, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    2022年9月20日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  64. Simulation of Macrosteps Development and Design of Control Pattern for Solution Growth of SiC

    Yifan Dang, Xinbo Liu, Yuma Fukami, Shuyang Ma, Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa,Toru Ujihara

    2022年9月20日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  65. Analysis of effect of additives in solution growth of SiC by first-principles molecular dynamics calculation 国際会議

    Shota seki, Takahiro Kawamura, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2022)  2022年9月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  66. Nucleation sites of stacking faults detected by in-operando X-ray topography for designing bipolar-degradation-free SiC MOSFETs 国際会議

    KUMIKO KONISHI, Ryusei Fujita, Keisuke Kobayashi, Akio Yoneyama, Kotaro Ishiji, Hiroyuki Okino, Toru Ujihara, Akio Shima

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2022)  2022年9月14日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  67. デジタルツインを用いた最適化手法によるS iC結晶成長技術開発  Novel optimization method with digital twin for SiC crystal growth system

    宇治原徹

    シンポジウム | イノベーション共創プログラム(CIP) | デジタルトランスフォーメーションがもたらす化学・材料領域のイノベーション「デジタルトランスフォーメーションがもたらす化学・材料領域のイノベーション」、日本化学会 第102春季年会(2022)  2022年3月23日-26日  2022年3月25日 

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    開催年月日: 2022年3月

  68. 暗黙知によるプロセス最適化手法の開発(SiC結晶成長プロセスを例に)

    宇治原徹

    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会、2022年 3月 22日-26日  2022年3月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  69. 面欠陥周期配列を含む酸化チタン自然超格子の熱輸送における フォノンの粒子性と波動性の定量化

    杉本 峻也, 田川 美穂, 宇治原 徹, 原田 俊太

    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会、2022年 3月 22日-26日  2022年3月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  70. 面欠陥周期配列を含む酸化チタン自然超格子の熱輸送におけるフォノンの粒子性と波動性の定量化

    杉本 峻也、田川 美穂、宇治原 徹、原田 俊太

    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会、2022年 3月 22日-26日  2022年3月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  71. AlNウィスカー被覆複合粒子を用いた樹脂材料厚み方向の放熱経路形成による高熱伝導化

    岡田 詩歩・ 宇治原 徹・ 田川 美穂・ 原田 俊太

    化学工学会第87年会 2022.3.16(水) - 3.18(金)  2022年3月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  72. 完全性の高い周期界面を含む自然超格子酸化チタンの構造制御と熱輸送特性

    原田 俊太、小坂 直輝、杉本 峻也、八木 貴志、田川 美穂、宇治原 徹

    公益社団法人日本金属学会2022年春期第170回講演大会:2022年3月15日-17日、3月22日  2022年3月16日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  73. Cr添加酸化チタンにおける面欠陥不規則配列の形成

    位田 麻衣、杉本 峻也、服部 泰河、田川 美穂、宇治原 徹、原田 俊太

    公益社団法人日本金属学会2022年春期第170回講演大会:2022年3月15日-17日、3月22日  2022年3月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:ポスター発表  

  74. 畳み込みニューラルネットワークを用いたPhase-Field計算の高速化

    田中悠太、神武孝彦、林宏太郎、名大 高石将輝、沓掛健太朗、宇治原徹

    (一社)日本鉄鋼協会 第183回春季講演大会2022年3月15日-17日  2022年3月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  75. 機械学習による高品質 SiC 溶液成長技術とパワー半導体実装の展望

    宇治原徹

    一般社団法人エレクトロニクス実装学会関西支部 主催 第19回 技術講演会 『脱炭素社会に向けて加速するニュータイプ・パワー半導体材料・実装技術最前線』  2022年3月7日 

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    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(基調)  

  76. デジタルツインを用いた結晶成長プロセス最適化技術(SiC溶液成長を中心に)

    宇治原徹

    CVD反応分科会第35回シンポジウム「ドライプロセスに対するプロセスインフォマティクス」  2022年1月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年1月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  77. 機械学習によるSiCバルク結晶成長の最適化

    宇治原徹

    日本学術振興会 第R032委員会 第5回研究会「R032委員会キックオフ研究会:ワイドギャップ半導体Ⅰ」  2022年1月7日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年1月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  78. 人と共に進化するデジタルツイン素材プロセス最適化技術(SiC溶液成長を例に)

    宇治原徹

    先端エネルギー材料理工共創研究センター 2021年度ワークショップ  2021年12月23日 

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    開催年月日: 2021年12月

    会議種別:口頭発表(基調)  

  79. 大口径SiC結晶成長のためのプロセスインフォマティクス技術の開発

    宇治原徹

    先進セラミックス学振124委員会 第166回講演会  2021年12月16日 

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    開催年月日: 2021年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  80. Large-diameter SiC crystal grown by solution growth using surrogate model 招待有り 国際会議

    Toru Ujihara

    The Material Research Meeting 2021, December 13-16, 2021  2021年12月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  81. Microstructure and properties of sintered aluminum nitride (AlN) with AlN whiskers addition 国際会議

    Naoki Kondo, Akihiro Shimamura, Mikinori Hotta, Hiroki Shimizu, Toru Ujihara, Yoshihiro Ohnishi

    The Material Research Meeting 2021, ,December 13-16, 2021  2021年12月15日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  82. Process optimization for the seeded directional solidification of Si ingot using CFD and machine learning 国際会議

    Xin Liu, Yifan Dang, Hiroyuki Tanaka, Kentaro Kutsukake, Toru Ujihara, Noritaka Usami

    The Material Research Meeting 2021, ,December 13-16, 2021  2021年12月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  83. 溶液法による6インチSiC結晶の成長とそれに活用したプロセス・インフォマティクス技術VI-2 Process Informatics for 6 inch SiC Solution Growth

    宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会  2021年12月10日 

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    開催年月日: 2021年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  84. SiCバルク結晶成長のプロセスインフォマティクス

    宇治原徹

    第26回結晶工学セミナー, 第3回インフォマティクス応用研究グループ研究会 結晶工学×インフォマティクス  2021年11月16日 

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    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

  85. DNA-functionalized colloidal crystals for encapsulating macromolecules 招待有り 国際会議

    Maasa Yokomori, Shigeo S. Sugano, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2011  2021年11月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  86. DNA-functionalized colloidal crystals for encapsulating macromolecules 国際会議

    Maasa Yokomori, ‪Shigeo S. Sugano, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, ‬Toru Ujihara, Miho Tagawa

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2021   2021年11月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  87. Optimization of crystallization conditions for the enlargement of the size of DNA-functionalized nanoparticles crystals 国際会議

    LiDong Zhang, Maasa Yokomori, HsinYi Chou, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2021   2021年11月6日 

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    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  88. DNA-guided crystallization of nanoparticles: the effect of solvent composition on crystal structure 国際会議

    Miho Tagawa, Maasa Yokomori, Yuji Maeda, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2021   2021年11月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  89. High fracture toughness aluminum nitride (AlN) by AlN-whiskers addition and tape-cast 国際会議

    Hiroki Shimizu, Naoki Kondo, Akihiro Shimamura, Mikinori Hotta, Shunta Harada, Toru Ujihara, Yoshihiro Ohnishi

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2020  2021年11月5日 

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    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  90. Bayesian optimization of process conditions for grinding process of SiC 国際会議

    Kentaro Kutsukake, Keiichi Osada, Takashi Nakano, Toru Ujihara, Kiyoshi Narita, Ryong-Seok Doi, Yukihisa Takeda

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2019  2021年11月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  91. Three-Dimensional Simulation of Flow in a SiC Solution Growth Furnace 国際会議

    Wancheng Yu, Can Zhu, Yifan Dang, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2018  2021年11月5日 

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    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  92. Searching for materials with high temperature coefficient of electrode potential for thermal energy conversion using machine learning 国際会議

    Kohei Ishikawa, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2017  2021年11月4日 

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    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  93. Application of C-face dislocation conversion to 6-inch SiC solution crystal growth 国際会議

    Can Zhu, Wancheng Yu, Koki Suzuki, Yifan Dang, Xinbo Liu, Tomoaki Furusho, Miho Tagawa, Shunta Harada, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2016  2021年11月5日 

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    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:ポスター発表  

  94. Practical Cascade Bayesian Optimization for optimization of solar cell process 国際会議

    Takashi Nakano, Kentaro Kutsukake, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2015  2021年11月5日 

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    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  95. DNA-guided crystallization of nanoparticles: the effect of solvent composition on crystal structure 国際会議

    Miho Tagawa, Maasa Yokomori, Yuji Maeda, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2014  2021年11月6日 

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    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  96. Optimization of crystallization conditions for the enlargement of the size ofDNA-functionalized nanoparticles crystals 国際会議

    Lidong Zhang, Xinyi Zhou, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2013  2021年11月6日 

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    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  97. Thermal conduction in titanium oxide natural superlattice with an ordered arrangement of coherent interfaces 国際会議

    Shunta Harada, Naoki Kosaka, Shunya Sugimoto, Takashi Yagi, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2012  2021年11月6日 

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    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  98. 長時間SiC溶液成長における全面ステップモーフォロジィのシミュレーション

    党一帆、劉欣博、朱燦、郁万成、鈴木皓己、古庄智明、原田俊太、田川美穂、宇治原徹

    第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)、2021年10月27日~10月29日  2021年10月27日 

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    開催年月日: 2021年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  99. 擬単結晶シリコンの一方向凝固プロセスのデータ駆動型最適化と検証

    劉鑫、黨一帆、田中博之、福田祐介、沓掛健太郎、宇治原徹、宇佐美徳隆

    第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)、2021年10月27日~10月29日  2021年10月29日 

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    開催年月日: 2021年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  100. 溶液法による6インチSiC結晶成長

    宇治原徹

    第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)、2021年10月27日~10月29日  2021年10月27日 

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    開催年月日: 2021年10月

  101. 完全性の高い界面を周期的に含む自然超格子酸化チタン結晶の構造制御

    原田俊太、杉本峻也、小坂直輝、田川美穂、宇治原徹

    第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)、2021年10月27日~10月29日  2021年10月27日 

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    開催年月日: 2021年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  102. Cr添加酸化チタン自然超格子における面欠陥不規則配列

    服部泰河、杉本峻也、田川美穂、宇治原徹、原田俊太

    第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)、2021年10月27日~10月29日  2021年10月27日 

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    開催年月日: 2021年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  103. Numerical Investigation and Optimization of Long-term Stability for SiC Solution Growth 招待有り 国際会議

    Y. DANG, C. ZHU, M. IKUMI, M. TAKAISHI, W. YU, W. HUANG, X. LIU, S. HARADA, T. MIHO, T. UJIHARA

    ECSCRM2021, Vinci International Convention Centre, Tours, France, 24-28 October 2021  2021年10月26日 

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    開催年月日: 2021年10月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  104. A solvent design method for SiC solution growth based on solution property induced surface stability 国際会議

    X. LIU, Y. DANG, S. HARADA, T. UJIHARA,

    ECSCRM2021, Vinci International Convention Centre, Tours, France, 24-28 October 2021  2021年10月27日 

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    開催年月日: 2021年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  105. 6-inch SiC crystal growth by solution method assisted with AI technology 招待有り 国際会議

    C. ZHU, W. YU, K. SUZUKI, Y. DANG, T. FURUSHO, S. HARADA, M. TAGAWA, T. UJIHARA

    ECSCRM2021, Vinci International Convention Centre, Tours, France, 24-28 October 2021  2021年10月27日 

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    開催年月日: 2021年10月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  106. 結晶成長デジタルツインを用いた大口径高品質SiC結晶の開発

    宇治原徹

    日本化学会第11回CSJ化学フェスタ2021, 産総研特別企画:プロセス・インフォマティクス~進化する材料開発の最前線~ 2021年10月19日~21日  2021年10月19日 

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    開催年月日: 2021年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  107. Controlling Protein Crystallization in Nanoliter Droplets Treated by Electrically Induced Microbubbles 国際会議

    Naotomo Tottori, Azusa Takao, Akiho Hirao, Akira Shinod, Akiyoshi Nakamura,Yusuke Yamada, Maasa Yokomori, Miho Tagawa, Shigeo S. Sugano, Shinya Sakuma, Yoko Yamanishi

    MicroTAS2021   2021年10月12日 

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    開催年月日: 2021年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  108. Thermal conduction in titanium oxide natural superlattice with an ordered arrangement of planar faults with pico-scale structural perfection 国際会議

    S. Harada, N.Kosaka, S.Sugimoto, T.Yagi, M.Tagawa, T.Ujihara

    The 2nd Asian Conference on Thermal Sciences   2021年10月5日 

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    開催年月日: 2021年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  109. Coherent thermal conduction in titanium-chrome oxide natural superlattices with an ordered arrangement of planar faults 国際会議

    S.Sugimoto, G.Kim, T.Takeuchi, M.Tagawa, T.Ujihara, S.Harada

    The 2nd Asian Conference on Thermal Sciences   2021年10月5日 

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    開催年月日: 2021年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  110. 溶液成長法による6インチSiC結晶の育成において活用したプロセス・インフォマティクス技術開発

    宇治原 徹、朱 燦、角岡 洋介、鈴木 皓己、郁 万成、劉 欣博、黨 一帆、古庄 智明、磯野 優、沓掛 健太朗、原田 俊太、田川 美穂

    日本金属学会2021年秋期講演大会  9/14-17  2021年9月16日 

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    開催年月日: 2021年9月

  111. AI技術を活用した6インチSiCバルク結晶の溶液成長

    宇治原 徹、朱 燦、角岡 洋介、鈴木 皓己、郁 万成、劉 欣博、黨 一帆、古庄 智明、沓掛 健太朗、原田 俊太、田川 美穂、阿部 舞、田中 謙弥

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 9/10-13   2021年9月10日 

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    開催年月日: 2021年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  112. DNA修飾ナノ粒子超格子の結晶サイズ向上のための成長条件最適化

    張 力東、横森 真麻、周 幸儀、鷲見 隼人、太田 昇、関口 博史、原田 俊太、宇治原 徹、田川 美穂

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 9/10-13   2021年9月10日 

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    開催年月日: 2021年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  113. トポロジーと機械学習を用いたSiC溶液成長における流れ分布の最適化

    磯野 優、横山 知郎、沓掛 健太朗、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 9/10-13   2021年9月11日 

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    開催年月日: 2021年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  114. 電子基板における最大温度低減を目的とした熱源配置の最適化

    佐藤 陸彌、沓掛 健太朗、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 9/10-13   2021年9月11日 

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    開催年月日: 2021年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  115. SiC昇華法における機械学習を用いた炉内温度分布最適化

    井上 凱喜、古庄 智明、沓掛 健太朗、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 9/10-13   2021年9月10日 

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    開催年月日: 2021年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  116. DNA修飾ナノ粒子超格子の結晶サイズ向上のための成長条件最適化

    張力東, 横森真麻, 周幸儀, 鷲見隼人, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月10日 

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    開催年月日: 2021年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  117. デジタルツインによる素材開発からサイバーファクトリー構想(半導体結晶成長を例にして) 招待有り

    宇治原徹

    半導体産業人協会SSISフォーラム  2021年9月10日 

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    開催年月日: 2021年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  118. サイバー結晶成長ファクトリー構想(大口径SiC結晶成長を例に)

    宇治原徹

    第6回IMaSS交流会  2021年9月3日 

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    開催年月日: 2021年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  119. IN-SITU STUDIES OF DOUBLE SHOCKLEY STACKING FAULT EXPANSION/SHRINKAGE IN NITROGEN-DOPED 4H-SIC BY SYNCHROTRON X-RAY TOPOGRAPHY 国際会議

    Fumihiro Fujie, Shunta Harada, Hiromasa Suo, Tomohisa Kato, Toru Ujihara

    22nd American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-22) and 20th US Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-20), AUGUST 2 - 4, 2021  2021年8月2日 

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    開催年月日: 2021年8月

    会議種別:ポスター発表  

  120. ナノ材料・構造による高度な熱制御と新展開 招待有り

    宇治原徹

    応用電子物性分科会主催 7月研究例会  2021年7月15日 

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    開催年月日: 2021年7月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  121. 高熱伝導窒化アルミニウム繊維状フィラーの開発とその応用

    宇治原徹

    第21回 熱設計・対策技術シンポジウム  2021年6月11日 

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    開催年月日: 2021年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  122. 「調整中」

    宇治原徹

    第1回「厳環境下IoT ワイドギャップ素子研究会」  2021年6月4日 

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    開催年月日: 2021年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  123. Prediction system of CFD simulation in solution growth constructed by machine learning - Application for SiC top-seeded solution growth – 招待有り 国際会議

    Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Masaki Takaishi, Yifan Dang, Can Zhu, Koki Suzuki, Wanchang Yu, Shunta Harada, Miho Tagawa

    The Eighth International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies(EM-NANO 2021)6/1-3  2021年6月3日 

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    開催年月日: 2021年6月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  124. 機械学習を用いたSiCバルク結晶成長の高度化 招待有り

    宇治原徹

    学振162委員会(ワイドギャップ半導体光・電子デバイス)  2021年5月14日 

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    開催年月日: 2021年5月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  125. Control of Periodic Structure in a Homologous Series of Titanium Oxide Bulk Crystals in Atomic Scale 招待有り 国際会議

    Shunta Harada, Shunya Sugimoto, Miho Tagawa, Toru Ujihara,

    Coherent Phonons / Phase Change / Posters, 2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit April 17-23,2021  2021年4月18日 

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    開催年月日: 2021年4月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  126. 面欠陥周期配列を含むCr添加酸化チタン多結晶の熱伝導率の温度依存性

    杉本 峻也, 金 柯怜, 竹内 恒博, 田川 美穂, 宇治原 徹, 原田 俊太

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021年3月16日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  127. 面欠陥周期配列を含む自然超格子酸化チタンの構造制御と熱輸送特性

    原田 俊太, 小坂 直輝, 杉本 峻也, 八木 貴志, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021年3月16日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  128. ダイヤモンド半導体電界効果トランジスタの特性予測モデルの構築

    西部 愛里紗, 蜂谷 涼太, 藤井 茉美, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹, 浦岡 行治

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021年3月19日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  129. 放射光トポグラフィーによるSiC中の基底面転位の深さ評価

    藤榮 文博, Hongyu Peng, Tuerxun Ailihumaer, Balaji Raghothamachar, Michael Dudley, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021年3月18日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  130. DNAガイドのナノ粒子結晶化:構造制御と結晶対称性を維持した収縮制御 招待有り

    田川美穂, 鷲見隼人, 横森真麻, 前田勇士, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹

    日本物理学会第76回年次大会(領域9結晶成長)  2021年3月13日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  131. Protein crystallization in microdroplets with the aid of electrically induced microbubbles 招待有り 国際会議

    A. Hirao, N. Tottori, M. Yokomori, M.Tagawa, S. S. Sugano, S. Sakuma, Y. Yamanishi

    The 34th IEEE Int. Conf. on Micro Electro Mechanical Systems (IEEE MEMS 2021)  2021年1月25日 

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  132. 顕微ラマン分光法によるGaN結晶中の貫通転位のひずみイメージングStrain imaging of threading dislocations in GaN crystal by micro-Raman spectroscopy 招待有り

    小久保 信彦,角岡 洋介, 藤榮文博,恩田正一,山田永,清水三聡,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第7回講演会  2020年12月10日 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  133. Prediction system of CFD simulation in solution growth constructed by machine learning - Application for SiC top-seeded solution growth – 招待有り 国際会議

    Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Tomoki Endo, Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa

    17th China International Forum on Solid State Lighting & 2020 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA&IFWS 2020)  2020年11月24日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:中華人民共和国  

  134. SiC溶液成長の最適化におけるプロセスインフォマティクスの活用

    宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  135. DNA修飾ナノ粒子コロイド結晶化における結晶性に及ぼす塩濃度の影響

    鷲見隼人, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  136. DNA修飾ナノ粒子超格子のサイズ・結晶性に及ぼす修飾DNA鎖長の影響

    鈴木康平, 太田昂, 関口博史, 鷲見隼人, 横森真麻, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  137. DNA修飾ナノ粒子超格子結晶化における塩濃度が粒子間相互作用に与える影響

    楊冰琦, 鷲見隼人, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  138. CFDによるステップバンチング挙動シミュレーション

    劉欣博, 党一帆, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月11日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  139. Cr添加酸化チタン結晶における面欠陥周期構造の制御

    杉本峻也, 田川美穂, 宇治原徹, 原田俊太

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月10日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  140. SiC結晶成長における機械学習を用いた炉内温度分布の予測

    吉村太一, 岡野泰則, 宇治原徹, Sadik Dost

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月10日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  141. 説明可能機械学習を用いたTSSG-SiC結晶作製時の移動現象解析

    中野高志, 土肥龍錫, 沓掛健太郎, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月10日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  142. SiCウェハ研削におけるデータ解析と人間の知見を反映した制約つきベイズ最適化

    中野高志, 土肥龍錫, 沓掛健太郎, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月10日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  143. 長時間安定SiC溶液成長における経時変化のシミュレーションと最適化

    党一帆, 朱燦, 幾見基希, 郁万成,黄威, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月10日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  144. SiC溶液成長における機械学習を用いた固-液界面形状の時間変化の推定

    高石将輝, 党一帆, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  145. 放射光トポグラフィー高温その場観察による窒素添加4H-SiC結晶における積層欠陥エネルギーの定量化

    藤榮文博, 原田俊太, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  146. SiC溶液成長における境界層とステップバンチングの関係

    海野高天, 朱燦, 原田俊太, 劉欣博, 幾見基希, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  147. Si-Y溶媒を用いたSiC溶液成長中の自然核生成による多結晶析出の抑制

    幾見基希, 朱燦, 原田俊太, 党一帆, 海野高天, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  148. 溶液法によるBPDフリー3インチSiC結晶の成長

    朱燦, 郁万成, 黄威, 幾見基希, 党一帆, 海野高天, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  149. 機械学習支援による溶液成長法を用いた6インチSiC作製手法の確立

    郁万成, 朱燦, 角岡洋介, 黄威, 党一帆, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  150. 機械学習を用いたSiC溶液法の温度・流速分布の次元削減とロバスト性評価

    磯野優, 小山幸典, 沓掛健太郎, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  151. SiC昇華法におけるベイズ最適化を用いた高品質・高速成長条件の探索

    井上凱喜, 沓掛健太郎, 原田俊太,田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  152. 高温環境下におけるGaN基板中の貫通転位の構造変化の解明

    水野竜太郎, 藤榮文博, 山田永, 原田俊太, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  153. 時間的な温度差により熱エネルギーを電気に変換する熱電池の構築

    陳曄, 石川晃平, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  154. 分子線エピタキシーによるBAs薄膜の成長条件の検討

    蔡沛陽, 畑野敬史, 原田俊太, 生田博志, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020年11月9日 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  155. Automatic Detection of Dislocation contrasts in Birefringence Image of SiC Wafers Using Variance Filter Method 国際会議

    Akira Kawata, Kenta Murayama, Shogo Sumitani, Shunta Harada

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)  2020年9月29日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  156. 素材プロセスにおける機械学習の応用法

    宇治原徹

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月8日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  157. Siエピタキシャル成長プロセスにおける適応的な制約を用いたベイズ最適化

    長田圭一, 沓掛健太朗, 山本純, 山下茂雄, 小寺崇, 永井勇太, 堀川智之, 松井孝太, 竹内一郎, 宇治原徹,

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  158. イオン注入シミュレーションに対する機械学習の適用

    蜂谷涼太, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  159. 溶液法による高品質N型3インチ4H-SiC結晶の成長

    朱 燦, 郁 万成, 幾見 基希, 党 一帆, 安藤 圭理, 海野 高天, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    日本金属学会第166回公演大会 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  160. X線トポグラフィー高温その場観察による4H-SiC結晶における積層欠陥エネルギーの直接測定

    藤榮 文博, 原田 俊太, 宇治原 徹

    日本金属学会第166回公演大会 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  161. Numerical investigation of optimal control of SiC crystal growth in the RF TSSG system using machine learning 国際会議

    Wang L, Sekimoto A, Okano Y, Ujihara T

    SCEJ2020(International Chemical Engineering Symposia 2020) 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  162. 深層強化学習を用いたRF-TSSG法によるSiC結晶成長プロセスの最適化

    岡野 泰則, ワン レイ, 竹原 悠人, 関本 敦, 宇治原 徹

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  163. 異なる熱伝導率を有する複数の断熱材を用いたRF-TSSG法によるSiC結晶成長時の温度場制御

    岡野 泰則, 竹原 悠人, ワン レイ, 関本 敦, 宇治原 徹

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  164. In-situ observation of stacking faults expansion in 4H-SiC at high tempera-tures by synchrotron X-ray topography 国際会議

    Fumihiro Fujie, Shunta Harada, Hiromasa Suo, Tomohisa Kato, Toru Ujihara

    APWS2019 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  165. Effect of polyethylene glycol induced depletion attraction on DNA-functionalized nanoparticle crystalization 国際会議

    Shoko Kojima, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    OKINAWA COLLOIDS 2019 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  166. DNA-guided crystallization of nanoparticles: optimization of crystallization conditions and structure analysis 国際会議

    Miho Tagawa, Shoko Kojima, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara

    ICMaSS 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  167. Thermal Conduction in Magneli Phase Titanium Oxides with an Ordered Arrangement of Planar Faults in Nanoscale 国際会議

    Shunta Harada, Naoki Kosaka, Takashi Yagi, Katsushi Tanaka, Haruyuki Inui, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICMaSS 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  168. Direct Observation of Stacking Fault Expansion Process in 4H-SiC by In-situ Synchrotron X-ray Topography 国際会議

    F.Fujie, S. Harada, H. Suo, T Kato, T.Ujihara

    ICMaSS 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  169. Application of C face dislocation conversion technique to 2-inch SiC crystal growth 国際会議

    X. Liu, C. Zhu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    ICMaSS 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  170. Application of high-quality SiC solution growth to large size crystal 国際会議

    C. Zhu, T. Endo, T. Unno, H. Koizumi, S.Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    ICMaSS 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  171. Manipulation" of Acetaminophen Crystallization and Discovery of Two- Step Dissolution Process by Plasmonic Optical Tweezers 国際会議

    Hiromasa Niinomi, Teruki Sugiyama, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Katsuhiko Miyamoto, Takashige Omatsu, Jun Nozawa, Junpei Okada, Satoshi Uda

    ICMaSS 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  172. Change in thermal conductivity of amorphous WO3 films by lithium intercalation 国際会議

    Ryota Kobayashi, Tong Shen, Ayano Nakamura,Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICMaSS 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  173. Structural stability analysis of DNA-guided nanoparticle superlattice by direct dehydration 国際会議

    Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    ICMaSS 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  174. Real-time visualization for temperature and fluid flow by using numerical simulation and neural network 国際会議

    Goki Hatasa, Yosuke Tsunookar, Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICMaSS 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  175. Behavior of dislocations in GaN epitaxial layer propagating from substrate 国際会議

    Sho Inotsume, Nobuhiko Kokubo, Hisashi Yamada, Shoishi Onda, Jun Kojima, Junji Ohara Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICMaSS 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  176. Relationship between crystal orientation of Cu collectors and cycling stability of Li metal anodes 国際会議

    Kohei Ishikawa, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICMaSS 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  177. Estimation of Physical Properties Using Machine Learning for Accurate Numerical Modeling of Crystal Growth 国際会議

    K. Ando, H. Lin, Y. Tsunooka, T. Narumi, C. Zhu, K. Kutsukake, S. Harada, K.Matsui, I. Takeuchi, Y. Koyama, Y. Kawajiri, M. Tagawa, T. Ujihara

    ICMaSS 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  178. Photoligation based RNA quantification system for high throughput and bias- less transcriptome analysis 国際会議

    M. Y okomori, M. Tagawa, S. Harada, T. Ujihara, A. Suyama

    ICMaSS 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  179. High-brightness pulsed electron microscopy toward advanced measurement of time-evolution in nanomaterials 国際会議

    Makoto Kuwahara, Rina Yokoi, Lila Mizuno, Wataru Nagata, Yuya Yoshida, Takafumi Ishida, Toru Ujihara, Koh Saitoh

    ICMaSS 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  180. 溶液法による高品質N型およびP型3インチ4H-SiC結晶の成長

    朱 燦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第48回結晶成長国内会議(JCCG-48) 

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    開催年月日: 2019年10月 - 2019年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  181. Water resistance of AlN whiskers depending on the shape 国際会議

    NAKAMURA Akihito, HARADA Shunta, MATSUMOTO Masaki, WATANABE Shota, TAGAWA Miho, UJIHARA Toru

    PACRIM13 

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    開催年月日: 2019年10月 - 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  182. 樹脂の高熱伝導率化を実現する AlNウィスカーフィラーの開発 招待有り

    宇治原 徹

    粉体粉末冶金協会 2019年度秋季大会(第124 回講演大会) 

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    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋大学 豊田講堂シンポジオンホール   国名:日本国  

  183. 樹脂の高熱伝導率化を実現する AlNウィスカーフィラーの開発 招待有り

    宇治原 徹

    一般社団法人 粉体粉末冶金協会 2019年度秋季大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋大学 豊田講堂   国名:日本国  

  184. AI 技術を用いたSiC 溶液成長技術の確立 招待有り

    宇治原 徹

    産総研コンソーシアム名古屋工業技術協会 2019年度第1回研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋駅前イノベーションハブ   国名:日本国  

  185. AI技術を用いたSiC溶液成長技術の確立 招待有り

    宇治原 徹

    産総研コンソーシアム名古屋工業技術協会 2019年度第1回研究会 「AI、機械学習の応用事例」 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:名古屋駅前イノベーションハブ 会議室   国名:日本国  

  186. 樹脂の高熱伝導率化を実現する AlNウィスカーフィラーの開発 招待有り

    宇治原 徹

    粉体粉末冶金協会 2019年度秋季大会(第124 回講演大会) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:名古屋大学 豊田講堂   国名:日本国  

  187. 結晶成長における機械学習活用(SiC溶液成長を例に) 招待有り

    宇治原 徹

    第53回 化学工学の進歩講習会「最新情報技術活用によるプロセス産業スマート化- AI,IoT,MI の基礎から最前線まで -」 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:名古屋市工業研究所(名古屋市熱田区六番3-4-41 )第1 会議室   国名:日本国  

  188. The control of conduction type in high quality bulk solution growth of SiC 国際会議

    Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICSCRM2019 

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    開催年月日: 2019年9月 - 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  189. Threading Screw Dislocations Conversion and Suppression of Inclusions in 3-inch 4° off-axis C-face 4H-SiC Solution Growth with Pure Si 国際会議

    TAKAMA UNNO, CAN ZHU, SHUNTA HARADA, HARUHIKO KOIZUMI, MIHO TAGAWA, TORU UJIHARA

    ICSCRM2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月 - 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  190. Application of high-quality SiC solution growth to large size crystal 国際会議

    Can Zhu, Tomoki Endo, Takama Unno, Haruhiko Koizumi, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICSCRM2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月 - 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  191. Nitrogen Concentration Dependence of Expansion Behavior of Double Shockley Stacking Faults in 4H-SiC Studied by In-situ Synchrotron X-ray Topography 国際会議

    Fumihiro Fujie, Shunta Harada, Hiromasa Suo, Tomohisa Kato, Toru Ujihara

    ICSCRM2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月 - 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  192. 機械学習を用いたµビームX線回折マッピングの特徴領域の効率的推定

    穂積 祥太, 沓掛 健太朗, 松井 孝太, 佐々木 拓生, 宇治原 徹, 竹内 一郎

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学 札幌キャンパス   国名:日本国  

  193. AlGaN/GaN HEMTのIV特性に対する機械学習 国際会議

    蜂谷 涼太, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美 穂, 宇治原 徹

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:北海道大学 札幌キャンパス   国名:日本国  

  194. SiC結晶成長シミュレーションのノンパラメトリック機械学習

    小山 幸典, 角岡 洋介, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:北海道大学 札幌キャンパス   国名:日本国  

  195. SiC溶液成長における温度・流速の局所分布からの全体分布予測

    高石 将輝, 小山 幸典, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学 札幌キャンパス   国名:日本国  

  196. X線小角散乱法と回転結晶法を用いたコロイド単結晶中 の格子乱れの解析

    鷲見 隼人, 太田 昇, 関口 博史, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:北海道大学 札幌キャンパス   国名:日本国  

  197. 水素挿入に伴う結晶性WO3薄膜の熱伝導率の変化

    沈 統, 小林 竜大, 石川 晃平, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学 札幌キャンパス   国名:日本国  

  198. Determination of edge-component Burgers vector of threading dislocations in GaN crystal by using Raman mapping 招待有り

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  199. 結晶成長プロセス最適化における機械学習の活用 招待有り

    宇治原徹

    日本物理学会2019秋季大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:岐阜大学   国名:日本国  

  200. Analysis of Inclined Threading Dislocation from GaN [0001] by Raman mapping 国際会議

    N. Kokubo, S. Inotsume, Y. Tsunooka, F. Fujie, J. Ohara, S. Onda, H. Yamada, M. Shimizu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    SSDM 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  201. 機械学習によるSiC結晶成長プロセスの最適化と大口径化の試み 招待有り

    宇治原 徹

    ポスト「京」重点課題⑧・重点課題⑥ 第3 回HPC ものづくり統合ワークショップ 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:東京大学生産技術研究所内An 棟4 階セミナー室   国名:日本国  

  202. HIGH QUALITY AND INCLUSION SUPPRESSION BY SWITCHING FLOW IN 3-INCH SIC SOLUTION GROWTH 国際会議

    C. Zhu, T. Endo, H. Lin, H. Koizumi, S. Harada, M. Tagawa, T.Ujihara

    ICCGE-19 

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    開催年月日: 2019年7月 - 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   国名:アメリカ合衆国  

  203. OPTICAL ANOMALY OF GAN AND SIC CRSYTALS AS OBSERVED BY NEW OPTICAL MAIN AXIS MAPPING 国際会議

    K. Tsukamoto, M. Imanishi, H. Koizumi, T. Onuma, T. Ujihara, Y. Mori

    ICCGE-19 

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    開催年月日: 2019年7月 - 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   国名:アメリカ合衆国  

  204. ESTIMATION OF HIGH-TEMPERATURE PHYSICAL PROPERTIES BY MACHINE LEARNING TOWARD ACCURATE NUMERICAL MODELING OF CRYSTAL GROWTH 国際会議

    K. Ando, H. Lin, Y. Tsunooka, T. Narumi, C. Zhu, K. Kutsukake, S. Harada, K. Matsui, I. Takeuchi, Y. Koyama, Y. Kawajiri, M. Tagawa, T. Ujihara

    ICCGE-19 

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    開催年月日: 2019年7月 - 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   国名:アメリカ合衆国  

  205. THE OPTIMUM DESIGN OF DNA-GUIDED NANOPARTICLE SUPERLATTICES FOR DIRECT DEHYDRATION 国際会議

    H. Sumi, T. Isogai, S. Kojima, N. Ohta, H. Sekiguchi, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    ICCGE-19 

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    開催年月日: 2019年7月 - 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   国名:アメリカ合衆国  

  206. IN-SITU SYNCHROTRON X-RAY TOPOGRAPHY STUDIES OF STACKING FAULTS EXPANSION PROCESS IN N-TYPE 4H-SIC CRYSTALS 国際会議

    F. Fujie, S. Harada, H. Suo, T. Kato, T. Ujihara

    ICCGE-19 

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    開催年月日: 2019年7月 - 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   国名:アメリカ合衆国  

  207. DESIGN OF SIC SOLUTION GROWTH CONDITION UTILIZING PREDICTION MODEL CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING AND MATHEMATICAL OPTIMIZATION 国際会議

    S. Harada, H. Lin, C. Zhu, T. Narumi, Y. Tsunooka, T. Endo, K. Ando, K. Kutsukake, M. Tagawa, T. Ujihara

    ICCGE-19 

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    開催年月日: 2019年7月 - 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   国名:アメリカ合衆国  

  208. PREDICTION MODEL OF COMPUTATIONAL FLUID DYNAMICS BASED ON NEURAL NETWORK CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING AND PROCESS OPTIMIZATION OF SIC SOLUTION GROWTH 招待有り 国際会議

    T. Ujihara, Y. Tsunooka, H. Lin, C. Zhu, T. Narumi, K. Kutsukake, S. Harada, M. Tagawa

    ICCGE-19 

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    開催年月日: 2019年7月 - 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   国名:アメリカ合衆国  

  209. MANIPULATION OF ACETAMINOPHEN CRYSTALLIZATION AND DISCOVERY OF TWO-STEP DISSOLUTION PROCESS BY PLASMONIC OPTICAL TWEEZERS 招待有り 国際会議

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, K. Miyamoto, T.Omatsu, J. Nozawa, J. Okada, S. Uda

    ICCGE-19 

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    開催年月日: 2019年7月 - 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   国名:アメリカ合衆国  

  210. VIRTUAL VISUALIZATION SYSTEM FOR INNER STATE IN HIGH-TEMPERATURE SOLUTION GROWTH USING PREDICTION MODEL OF COMPUTATIONAL FLUID DYNAMICS CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING 国際会議

    T. Ujihara, G. Hatasa, K. Murayama, Y. Tsunooka, S. Harada, M.Tagawa

    ICCGE-19 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月 - 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   国名:アメリカ合衆国  

  211. SiC溶液成⻑法の最適条件予測におけるデータ科学の活⽤ 招待有り

    宇治原徹

    素材プロセシング第69委員会 第2分科会(新素材関連技術) 第73回研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  212. 機械学習によるSiC溶液成長シミュレーションの代理モデルの構築と成長条件最適化 招待有り

    宇治原徹

    応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第217 回研究集会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:応物会館   国名:日本国  

  213. Behavior of Dislocations Propagating from GaN Substrate to Epitaxial Layer 国際会議

    Sho Inotsume, Nobuhiko Kokubo, Hisashi Yamada, Shoichi Onda, Jun Kojima, Junji Ohara, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hyatt Regency Bellevue Washington   国名:アメリカ合衆国  

  214. A Novel Birefringent Observation for Analyzing Dislocations in GaN 国際会議

    Atsushi Tanaka, Shunta Harada, Kenji Hanada, Yoshio Honda,Toru Ujihara, Hiroshi Amano

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hyatt Regency Bellevue Washington   国名:アメリカ合衆国  

  215. SiC溶液成長法の最適条件予測におけるデータ科学の活用 招待有り

    宇治原 徹

    日本学術振興会 素材プロセシング第69委員会 第2分科会(新素材関連技術)第73回研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:東北大学 多元物質科学研究所大会議室(片平キャンパス E03 1階)   国名:日本国  

  216. 結晶成長実験における機械学習の応用(SiC溶液成長を例に) 招待有り

    宇治原徹

    日本結晶成長学会 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長分科会講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:広島大学   国名:日本国  

  217. プラズモン光ピンセットによる有機分子の結晶化操作と二段階溶解過程の発見

    新家寛正、杉山輝樹、田川美穂、宇治原徹、宮本克彦、尾松考茂、野澤純、岡田純平、宇田聡

    日本地球惑星科学連合(JpGU2019) 

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    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:幕張メッセ国際会議場,国際展示場   国名:日本国  

  218. DNAガイドのナノ粒子結晶化:結晶化条件の最適化と構造解析 招待有り

    田川美穂、小島憧子、鷲見隼人、西部愛里紗、磯貝卓巳、横森真麻、原田俊太、宇治原徹、塚本勝男

    日本地球惑星科学連合(JpGU2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:幕張メッセ国際会議場,国際展示場   国名:日本国  

  219. Machine Learning for SiC top-seeded solution growth- Prediction, Optimization and Visualization 国際会議

    Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Goki Hatasa, Can Zhu, Kentaro Kutsukake, Taka Narumi, Shunta Harada, Miho Tagawa

    CS-MANTECH 

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    開催年月日: 2019年4月 - 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hyatt Regency Minneapolis   国名:アメリカ合衆国  

  220. Machine learning for SiC crystal growth (modeling, optimization and visualization) 招待有り 国際会議

    T. Ujihara

    International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals(ISSCGF) 

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    開催年月日: 2019年4月 - 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Convention Hall of Hotel Sakan, Akiu, Sendai, Japan   国名:日本国  

  221. Lithium Intercalation-Induced Thermal Conductivity Change of AmorphousWO3 Films 国際会議

    Ryuta Kobayashi,Tong Shen,Ayano Nakamura, Shunta Harada,Miho Tagawa, Toru Ujihara

    MRS Spring Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2019年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Phoenix Convention Center   国名:アメリカ合衆国  

  222. Thermal Conduction in Titanium Oxide with an Ordered Arrangement of Planar Faults in Nanoscale 国際会議

    Shunta Harada, Naoki Kosaka, Takashi Yagi, Katsushi Tanaka, Haruyuki Iuni, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    MRS Spring Meeting & Exhibit 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Phoenix Convention Center   国名:アメリカ合衆国  

  223. 結晶成長実験における機械学習の応用(SiC溶液成長を例に) 招待有り

    宇治原徹

    平成31年度日本セラミックス協会関東支部 支部大会・支部講演会 

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    開催年月日: 2019年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス、南8号館623教室   国名:日本国  

  224. 結晶成長における機械学習の活用(SiC溶液成長を例にして) 招待有り

    宇治原 徹

    日本セラミックス協会「マテリアルズ・インフォマティクスを用いた新材料開発」 

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    開催年月日: 2019年4月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス南8号館623教室   国名:日本国  

  225. 炭化珪素結晶成長シミュレーションに対する機械学習

    小山幸典, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 宇治原徹

    日本金属学会 2019年春期講演大会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京電機大学 東京千住キャンパス   国名:日本国  

  226. 機械学習モデルと実験結果の比較による物性値推定手法のSiC溶液成長における融液物性への適用

    安藤圭理, 林宏益, 角岡洋介, 鳴海大翔, 朱燦, 沓掛健太朗, 原田俊, 松井孝太, 竹内一郎, 小山幸典, 宇治原徹

    日本金属学会 2019年春期講演大会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京電機大学 東京千住キャンパス   国名:日本国  

  227. 機械学習を用いた SiC 溶液成長法の熱流動の高速予測と育成条件の最適化に関する基礎検討

    鳴海大翔, 林宏益, 角岡洋介, 安藤圭理, 朱燦, 沓掛健太朗, 原田俊太, 宇治原徹

    日本金属学会 2019年春期講演大会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京電機大学 東京千住キャンパス   国名:日本国  

  228. SiC 溶液成長過程における転位変換現象を利用した高品質結晶成長

    原田俊太, 朱燦, 遠藤友樹, 小泉晴比古, 鳴海大翔, 田川美穂, 宇治原徹

    日本金属学会 2019年春期講演大会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京電機大学 東京千住キャンパス   国名:日本国  

  229. ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシング

    吉川健, 福山博之, 宇治原徹, 美濃輪武久

    日本金属学会 2019年春期講演大会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京電機大学 東京千住キャンパス   国名:日本国  

  230. 顕微ラマン分光法によるGaN中の転位欠陥解析と機械学習の活用

    宇治原徹, 小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 井爪将, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  231. 機械学習を用いた昇華法SiC結晶成長シミュレーションの高速予測

    江逸群, 角岡洋介, 畑佐豪記, 鳴海大翔, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  232. 大口径化にむけた機械学習によるSiC溶液成長の最適成長条件の決定

    宇治原徹, 角岡洋介, 遠藤友樹, 朱燦, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 三谷武志, 加藤智久, 田川美穂, 原田俊太

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  233. 3インチ4度オフ種結晶上へのSiC溶液成長における貫通転位変換とインクルージョン抑制の両立

    海野高天, 朱燦, 原田俊太, 小泉晴比古, 田川美穂, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  234. 高熱伝導樹脂を実現するAlNウィスカーフィラーの開発とベンチャー

    宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  235. 機械学習によって構築した温度分布予測モデルによる熱伝導率推定

    樋口雄介, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  236. SiC結晶成長シミュレーションの機械学習

    小山幸典, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  237. 機械学習による結晶成長シミュレーション回帰モデルの構築とその応用

    宇治原徹, 角岡洋介, 朱燦, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 田川美穂, 原田俊太

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  238. Doc2Vecを用いた学会発表概要集の検索手法の検討

    石川晃平, 沓掛健太朗 , 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  239. Li挿入によるWO3薄膜の構造及び熱伝導率の変化

    小林竜大, 沈統, 中村彩乃, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  240. 逆解析によるRF-TSSG 法によるSiC 結晶成長時のるつぼ温度最適化

    岡野泰則, 堀内鷹之, 関本敦, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  241. シミュレーションと機械学習を用いた結晶成長プロセスの最適化

    角岡洋介, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    オープンCAEシンポジウム2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪府立国際会議場   国名:日本国  

  242. Machine Learning for SiC top-seeded solution growth - Prediction, Optimization and Visualization - 招待有り 国際会議

    Toru Ujihara

    MSST2018 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Kanto Gakuin University Shonan-Odawara Campus, Odawara Japan   国名:日本国  

  243. Change in thermal conductivity of rutile-type TiO2 by introducing periodic planar faults 国際会議

    N. Kosaka, T. Yagi, K. Tanaka, H. Inui, M. Tagawa, T. Ujihara, S. Harada

    NMHT-VI: Nanoscale and Microscale Heat Transfer 2018 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フィンランド共和国  

  244. Machine Learning for SiC top-seeded solution growth - Prediction, Optimization and Visualization - 招待有り 国際会議

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  245. 金属 Zn 負極の方位配向がデンドライト状析出の形成に及ぼす影響

    森仁志, 石川晃平, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第59回 電池討論会 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪府立国際会議場   国名:日本国  

  246. 金属 Li 負極における単結晶 Cu 集電体の結晶方位とサイクル特性の関係

    石川晃平, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第59回 電池討論会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪府立国際会議場   国名:日本国  

  247. Dehydration stability analysis of DNA-guided nanoparticle superlattices 国際会議

    H. Sumi, T. Isogai, S. Kojima, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    2018 MRS fall meeting(MATERIALS RESEARCH SOSIETY) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  248. Nondestructive Visualization of Threading Dislocations in GaN by Micro Raman Mapping 国際会議

    N. Kokubo, Y. Tsunooka, F. Fujie, J. Ohara, S. Onda, H. Yamada, M. Shimizu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018(IWN2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  249. ラマン分光法と機械学習によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析 招待有り

    小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第5回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都テルサ   国名:日本国  

  250. SiC溶液成長における機械学習を用いた成長条件の最適化

    角岡洋介, 鳴海大翔 , 安藤圭理, 沓掛健太朗, 朱燦, 林宏益, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第5回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:京都テルサ   国名:日本国  

  251. Structural change and stability analysis of DNA-guided nanoparticle fcc superlattice by dehydration 国際会議

    H. Sumi, T. Isogai, S. Kojima, N. Ohta, H. Sekiguchi, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals(ISSCGF) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  252. Machine learning for SiC crystal growth (modeling, optimization and visualization) 国際会議

    T. Ujihara

    International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals(ISSCGF) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  253. 樹脂の熱伝導率を向上させるAlN ウィスカーフィラーについての開発 招待有り

    宇治原 徹

    第26 回フィラーシンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:ホテルグランテラス富山   国名:日本国  

  254. タンパク質をモデルとした溶液成長における溶媒和構造と結晶性との相関

    小泉晴比古, 宇田聡, 塚本勝男, 橘勝, 小島謙一, 宇治原徹

    第47回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2018年10月 - 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市戦災復興記念館   国名:日本国  

  255. DNA修飾ナノ粒子の結晶化における溶媒組成の結晶構造への影響

    磯貝卓巳, 鷲見隼人, 小島憧子, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第47回結晶成長国内会議 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月 - 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市戦災復興記念館   国名:日本国  

  256. DNA修飾ナノ粒子を用いたコロイド単結晶の脱水に伴う構造変化と安定性の解析

    鷲見隼人, 磯貝卓巳, 小島憧子, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第47回結晶成長国内会議 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月 - 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市戦災復興記念館   国名:日本国  

  257. TSSG法SiC結晶成長におけるるつぼ温度分布最適化に向けた逆解析

    堀内鷹之, 関本敦, 岡野泰則, 宇治原徹

    第47回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2018年10月 - 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市戦災復興記念館   国名:日本国  

  258. 機械学習により最適化されたSiCウエハのX線侵入深さに着眼した深さ方向の歪み分布の定量化

    小泉晴比古, 花田賢志, 長田圭一, 成田潔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第47回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2018年10月 - 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市戦災復興記念館   国名:日本国  

  259. Prediction System of CFD Simulation in Solution Growth Constructed by Machine Learningapplication for Sic Top-seeded Solution Growth 国際会議

    T. Ujihara, Y. Tsunooka, T. Endo, C. Zhu, S. Harada

    International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9) 

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    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  260. Numerical Investigation of Optimal Crystal Growth Furnace Design in the RF-heating TSSG Process 国際会議

    T. Horiuchi, L. Wang, T. Yamamoto, A. Sekimoto, Y. Okano, T. Ujihara

    International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  261. Numerical Analysis of Three-dimensional Marangoni Convection During SiC Crystal Growth by the RF-TSSG Method 国際会議

    L. Wang, T. Horiuchi, A. Sekimoto, Y. Okano, T. Ujihara, S, Dost

    International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  262. High-quality SiC crystal grown with solution method by controlling macro-step structure 国際会議

    T. Ujihara

    Mathematical Aspects of Surface and Interface Dynamics 16 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  263. High-quality SiC crystal grown with solution method by controlling macro-step structure 招待有り 国際会議

    Ujihara T

    Mathematical Aspects of Surface and Interface Dynamics 14研究集会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  264. Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collectors on Cycling Stability of Li Metal Anodes 国際会議

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    AiMES 2018 ECS and SMEQ Joint International Meeting 

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    開催年月日: 2018年9月 - 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:メキシコ合衆国  

  265. Change in Thermal Conductivity By Hydrogen Intercalation in Amorphous WO3 Film 国際会議

    A. Nakamura, S. Harada, R. Kobayashi, M. Tagawa, T. Ujihara

    AiMES 2018 ECS and SMEQ Joint International Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月 - 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:メキシコ合衆国  

  266. プロジェクションマッピングと機械学習を用いた結晶成長プロセスにおける熱流動の可視化システムの構築

    畑佐豪記, 角岡洋介, 李相一, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 石黒祥生, 宇治原徹

    第23回日本バーチャルリアリティ学会大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学青葉山新キャンパス 青葉山コモンズ   国名:日本国  

  267. 窒素・ボロン共添加SiC結晶における積層欠陥挙動のX線トポグラフィーその場観察

    藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹

    公益社団法人 日本金属学会 2018 年秋期講演(第 163 回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  268. 還元熱処理により作製した Magneli 相酸化チタンの周期構 造と熱伝導特性

    原田俊太, 小坂直輝, 八木貴志, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹

    公益社団法人 日本金属学会 2018 年秋期講演(第 163 回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  269. 随伴感度解析を用いたTSSG法SiC結晶成長におけるるつぼ内熱対流の最適化

    堀内鷹之, 関本敦, 岡野泰則, 宇治原徹

    化学工学会 第50回秋季大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島大学 郡元キャンパス   国名:日本国  

  270. AI技術で結晶成長研究開発を桁違いに高速にする -SiC結 晶成長を例にして- 招待有り

    宇治原徹

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  271. High quality and inclusion suppression by switching flow in 3-inch SiC solution growth

    C. Zhu, T. Endo , S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  272. ルチル型TiO2単結晶への周期的な面欠陥導入に伴う熱伝導率の変化

    小坂直輝, 八木貴志, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹, 原田俊太

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  273. ベイズ最適化を用いたSiC研削条件の探索

    長田圭一, 角岡洋介, 成田潔, 小泉晴比古, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  274. SiC溶液成長における熱流体解析の機械学習を用いたパラメータ影響の可視化

    沓掛健太朗, 角岡洋介, 長田圭一, 安藤圭理, 林宏益, 朱燦, 鳴海大翔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  275. 機械学習によるGaN MOVPE結晶成長シミュレーション結果の予測

    富澤巧, 川上賢人, 角岡洋介, 洗平昌晃, 岡本直也, 原田俊太, 芳松克則, 宇治原徹, 白石賢二

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  276. 枯渇効果を利用したDNA修飾ナノ粒子結晶のサイズ向上

    小島憧子, 鷲見隼人, 磯貝卓巳, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  277. ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析 招待有り

    小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一,山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  278. GaN基板からエピタキシャル膜へ伝播する転位の分類と挙動の解明

    井爪将, 小久保信彦, 山田永, 恩田正一, 大原淳士, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  279. カチオンによるDNA修飾ナノ粒子の配列制御

    磯貝卓巳, 鷲見隼人, 小島憧子, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  280. AlN分散樹脂における分散剤表面修飾による熱伝導率向上

    安田拓実, 宇治原徹, 原田俊太, 竹内幸久

    日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋工業大学   国名:日本国  

  281. In-situ synchrotron X-ray topography observation of stacking faults in SiC 国際会議

    F. Fujie, S. Harada, H. Suo, H. Koizumi, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 14th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (XTOP 2018) 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:イタリア共和国  

  282. Evaluation of Basal Plane Dislocation Behavior in the Epitaxial Layer on a 4H-SiC Wafer Fabricated by the Solution Growth Method 国際会議

    K. Seki, K. Kusunoki, S. Harada, T. Ujihara

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  283. Application of C face dislocation conversion technique to 2-inch SiC crystal growth 国際会議

    X. Liu, C. Zhu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  284. Efficient search technique of ideal conditions in high quality SiC solution growth using prediction mogel made by machine learing 国際会議

    Y. Tsunooka, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  285. Control of macrostep eight by switching solution flow during solution growth of SiC 国際会議

    T. Endo, C. Zhu, S. Harada, H. Koizumi, M. Tagawa, T. Ujihara

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  286. “AI技術で結晶成長研究開発を桁違いに高速にする”-SiC結晶成長を例にして- 招待有り

    宇治原 徹

    第79回応用物理学会秋季学術講演会インフォーマルミーティングTIA-EXA若手研究者の集い 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場2号館 221A   国名:日本国  

  287. “AI技術で結晶成長研究開発を桁違いに高速にする”-SiC結晶成長を例にして- 招待有り

    宇治原 徹

    第79回応用物理学会秋季学術講演会インフォーマルミーティングTIA-EXA若手研究者の集い 第1回 “今から学ぶAI・機械学習” 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋国際会議場2号館    国名:日本国  

  288. Present status of machine learning technology for high quality crystal growth and the collaboration with student startups 国際会議

    T.Ujihara

    he 3rd Academic Seminar on Material Science and Engineering 

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    開催年月日: 2018年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  289. DNA-controlled assembly of 2D nanoparticle lattices on lipid bilayers 国際会議

    T. Isogai, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    17th International Conference on Organized Molecular Films(ICOMF17) 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  290. Process Design of SiC Solution Growth with Machine Learning Technology 招待有り 国際会議

    T. Ujihara

    Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials(APCSCRM2018) 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:大韓民国  

  291. 溶液成長法による高品質SiC結晶成長と機械学習の活用 招待有り

    宇治原徹

    大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:大阪電気通信大学   国名:日本国  

  292. 溶液法による高品質SiC結晶成長と機械学習の活用 招待有り

    宇治原 徹

    日本結晶成長学会 特別講演会「パワーエレクトロニクス結晶の最前線」 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都国立博物館地下講演会場   国名:日本国  

  293. 溶液成長法による高品質SiC 結晶成長と機械学習の活用 招待有り

    宇治原 徹

    大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  294. 題目:溶液法による高品質SiC結晶成長と機械学習の活用 招待有り

    宇治原 徹

    日本結晶成長学会 特別講演会「パワーエレクトロニクス結晶の最前線」 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:京都国立博物館地下講演会場   国名:日本国  

  295. SiC の結晶成長と加工における機械学習の活用例 招待有り

    宇治原 徹

    プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会 第165回研究会 

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    開催年月日: 2018年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:主婦会館プラザエフ(東京都千代田区)   国名:日本国  

  296. 機械学習を活用した最適成長条件の探索と大口径化に向けた検討

    宇治原徹

    日本結晶成長学会第102回バルク成長分科会研究会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  297. 機械学習による流体シミュレーション結果の高速予測と SiC 溶液成長への応用

    宇治原徹, 角岡洋介, 畑佐豪記, 林宏益, 遠藤友樹, 朱燦, 村井良多, 原田俊太, 田川美穂

    日本金属学会 2018年春期(第162回)講演大会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉工業大学 新習志野キャンパス   国名:日本国  

  298. RF-TSSG法によるSiC結晶成長時の移動現象の3次元解析

    岡野泰則, ワンライ, 堀内鷹之, 関本敦, 宇治原徹

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学 早稲田キャンパス   国名:日本国  

  299. NEA半導体光陰極から放出される電子のもつエミッタン スと高い空間コヒーレンス

    桑原真人, 浅野秀文, 宇治原徹, 田中信夫, 齋藤晃

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学 早稲田キャンパス   国名:日本国  

  300. 還元熱処理により作製した酸化チタン自然超格子の周期構造解析

    原田俊太, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学 早稲田キャンパス   国名:日本国  

  301. ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析

    小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学 早稲田キャンパス   国名:日本国  

  302. SiC溶液成長における成長中の溶液流れ切り替えによる結晶全面のステップフローの安定化

    遠藤友樹, 朱燦, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学 早稲田キャンパス   国名:日本国  

  303. SiC溶液成長における熱流体解析と機械学習を用いた最適化手法の提案

    角岡洋介, 小久保信彦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学 早稲田キャンパス   国名:日本国  

  304. 放射光トポグラフィーによる溶液法ウエハ上へのエピ成長過程における転位伝播挙動の評価

    関和明, 楠一彦, 原田俊太, 宇治原徹

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学 早稲田キャンパス   国名:日本国  

  305. 焼結助材を用いない窒化アルミニウム基板作製法

    清水啓希, 宇治原徹, 原田俊太, 竹内幸久

    公益社団法人日本セラミックス協会 2018年年会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  306. 結晶成長プロセスにおける高速最適化と可視化技術 招待有り

    宇治原徹

    金属学会シンポジウム 材料評価・プロセスにおける「使える」インフォマティクス 

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    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  307. Two-dimensional assembly of DNA-functionalized gold nanoparticles on lipid bilayer 国際会議

    T. Isogai, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    The first International Workshop by the 174th Committee JSPS  

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kyoto Terrsa   国名:日本国  

  308. 機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度

    畑佐豪記, 角岡洋介, 村井良多, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  309. 機械学習を活用したSiC溶液成長プロセス・ビュジュアライゼーション

    宇治原徹, 畑佐豪記, 角岡洋介, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  310. 結晶光学軸方位分布からみたGaNやSiCの光学異常

    塚本勝男, 今西正幸, 村山健太, 森勇介

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  311. キラルな光場中でのキラル結晶化におけるキラリティの偏り

    新家寛正, 杉山輝樹, 田川美穂, 宇治原徹, 丸山美帆子, 森勇介, 宮本克彦, 尾松孝茂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  312. 数値解析を用いた誘導加熱TSSG法によるSiC結晶成長製造装置の最適化条件の探索

    堀内鷹之, Wang Lei, 山本卓也, 宇治原徹, 岡野泰則

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  313. 機械学習による結晶成長条件の予測を用いたSiC溶液成長

    林宏益, 村井良多, 朱燦, 村山健太, 角岡洋介, 畑佐豪記, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  314. 気相法AlNウィスカー成長における形状変化メカニズムの解明

    齊藤廣志, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  315. SiC溶液成長におけるプロセス・インフォマティクス

    宇治原徹,角岡洋介,畑佐豪記,村山健太,村井良多,朱燦,原田俊太,田川美穂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  316. 4H-SiC溶液成長法二段階成長における異種多形の析出抑制

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  317. SiC溶液成長過程における転位伝播方向制御による高品質化

    原田俊太, 村山健太, 村井良多, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  318. 溶液法 SiC 基板を用いて作製した MOS キャパシタの評価

    古庄智明, 川畑直之, 古橋壮之, 渡辺友勝, 渡邊寛, 山川聡, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  319. 貫通らせん転位が極めて少ない 4H-SiC の溶液成長における多形安定化手法

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  320. 溶液成長における溶液状態の高速予測と 網羅的探索により最適化した条件での結晶成長

    村井良多, 村山健太, 原田俊太, 畑佐豪記, 角岡洋介, 林宏益, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  321. SiC 溶液成長法における溶媒中の Cr 組成に対する 成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価

    鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  322. ラマン分光法による GaN 単結晶における貫通転位の刃状成分の解析

    小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 原一都, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  323. X 線トポグラフィーその場観察による 4H-SiC 積層欠陥挙動の窒素濃度依存性評価

    藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  324. Smooth Li Electrodeposition on Single Crystal Cu Current Collectors 国際会議

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The Electrochemical Society (232nd ECS Meeting) 

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    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  325. Trial of Informatics in Crystal Growth -SiC Solution Growth- 国際会議

    T. Ujihara

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (ssdm 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    国名:日本国  

  326. High-Quality SiC Solution Growth Using Dislocation Conversion on C Face 国際会議

    S. Xiao, S. Harada, X. Liu, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  327. Two-Step Sic Solution Growth with Extremely Low-Dislocation-Density 4h-SiC Crystal for Suppression of Polytype Transformation 国際会議

    K. Murayama, S. Harada, F. Fujie, X. Liu, R. Murai, C. Zhu, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  328. High-Speed Prediction Model for Supersaturation and Flow Distribution by CFD Simulation and Machine Learning in SiC Solution Growth 国際会議

    Y. Tsunooka, N. Kokubo, G. Hatasa, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  329. Real-Time Visualization System for Temperature and Fluid Flow Distributions in SiC Solution Growth Using Prediction Model Constructed by Machine Learning 国際会議

    G. Hatasa, Y. Tsunooka, S. Lee, K. Murayama, R. Murai, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  330. Direct Observation of Stacking Faults Expansion in 4H-SiC at High Temperatures by In Situ X-Ray Topography 国際会議

    F. Fujie, S. Harada, K. Murayama, K. Hanada, P. Chen, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  331. Evaluation of 2-Inch Wafer by Solution Growth Method Using Synchrotron X-Ray Topography 国際会議

    K. Seki, K. Kusunoki, Y. Kishida, H. Kaido, K. Moriguchi, M. Kado, H. Daikoku, T. Shirai, M. Akita, A. Seki, H. Saito, S. Harada, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  332. 単結晶Cu集電体を用いた金属Li負極の不均一析出抑制

    石川 晃平, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    日本金属学会 2017年秋期講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  333. SiCにおける積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察

    藤榮 文博, 原田 俊太, 花田 賢志, 村山 健太, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹

    日本金属学会 2017年秋期講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  334. 溶液成長SiC基板上に作製した酸化膜の評価

    古庄 智明, 川畑 直之, 古橋 壮之, 渡辺 友勝, 渡邊 寛, 山川 聡, 村山 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  335. DNA被覆ナノ粒子によるDDAB脂質二重膜の指組みゲル相形成の促進

    磯貝 卓巳, 鷲見 隼人, 手老 龍吾, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  336. Investigation of high-temperature annealing process ofsputtered AlN films

    S. Xiao, Y. Liu, R. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu, S. Harada,T. Ujihara

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  337. 機械学習を用いたSiC結晶成長実験条件の最適化

    村井 良多, 畑佐 豪記, 角岡 洋介, 林 宏益, 村山 健太, 朱 燦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  338. SiC溶液法C面成長における貫通らせん転位の低減

    劉 欣博, 原田 俊太, 村山 健太, 村井 良多, 肖 世玉, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  339. 4H-SiC 溶液成長における積層欠陥との相互作用により生じる貫通らせん転位の変換挙動

    加渡 幹尚, 原田 俊太, 関 和明, 大黒 寛典, 楠 一彦, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  340. X線その場観察によりメニスカス高さ制御したSiC溶液成長

    酒井 武信, 秋田 光俊, 加度 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  341. Li挿入によるWO3薄膜の熱伝導率の変化

    小林 竜大, 中村 彩乃, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  342. SiC溶液成長における機械学習を用いた閉鎖空間の溶液温度・流速分布の予

    畑佐 豪記, 角岡 洋介, 村山 健太, 村井 良太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第40回結晶成長討論会 

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    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:浜名湖ロイヤルホテル   国名:日本国  

  343. Controlling thermal conductivity in tungsten trioxide by ion-intercalation 国際会議

    T. Ujihara

    The 9th US-Japan Joint Seminar on Nanoscale Transport Phenomena 

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    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語  

    国名:日本国  

  344. Hydrogen-Induced Thermal Conductivity Change across Metal-Insulator Transition in Amorphous WO3 Film 国際会議

    A. Nakamura, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    2017 MRS Spring Meeting 

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    開催年月日: 2017年4月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  345. Numerical simulation of the transport phenomena occurring during the growth of SiC crystals by the RF-heating TSSG method 国際会議

    T. Yamamoto, J. Sakamoto, Y. Okano, T. Ujihara, and S. Dost

    ACTS-P00078, Asian Conference on Thermal Sciences 2017 (ACTS2017) 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  346. 誘導加熱TSSG法によるSiC成長時の融液内対流現象に関する数値解析

    山本 卓也, 岡野 泰則, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  347. DNA修飾ナノ粒子超格子を前駆体としたウルフ多面体型コロイド結晶の形成

    鷲見 隼人, 磯貝 卓巳, 吉田 直矢, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  348. SiC溶液成長における最適条件高速探索手法の提案

    角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂,宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  349. 水素挿入・脱離によるWO3薄膜の熱伝導率制御

    中村 彩乃, 小林 竜太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  350. 酸化タングステンの酸化還元による可逆的熱伝導率制御

    原田 俊太, 弓削 勇輔, 田川 美穂, 宇治原徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  351. 4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性

    片平 真哉, 市川 義人, 原田 俊太, 木本 恒暢, 加藤 正史

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  352. X線透過法により溶液形状制御したSiC溶液成長

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  353. 後方反射X線トポグラフィによる4H-SiC積層欠陥拡張挙動のその場観察

    藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳鵬磊, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  354. TSSG法によるSiC結晶成長の数値シミュレーション

    阪本純基、山本卓也、岡野泰則、宇治原徹

    第19回化学工学会学生発表会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学 豊中キャンパス   国名:日本国  

  355. 半導体伝導帯構造を明らかにする可視光電子光電子分光法の提案

    宇治原 徹, 市橋 史朗, 董 キン宇, 井上 明人, 川口 昂彦, 桑原 真人, 伊藤 孝寛, 原田 俊太, 田川 美穂

    2016年真空・表面科学合同講演会 第 36 回表面科学学術講演会 第 57 回真空に関する連合講演会 

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    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  356. 金属 Li 負極における Cu 集電体の結晶方位と析出形状の関係

    石川 晃平, 伊藤 靖仁, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第57回電池討論会 

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    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:幕張メッセ国際会議場   国名:日本国  

  357. High Quality SiC Single Crystal Grown by Soltion Growth Method 国際会議

    T. Ujihara

    2016 Fall Meeting of the Korean Ceramics Society 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:soul Korea   国名:大韓民国  

  358. Optically induced crystallization of NaClO3 metastable phase on plasmonic gold nanostructures immersed in unsaturated mother solution

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, Y. Mori, S. Harada, K. Murayama, K. Miyamoto, T. Omatsu

    Institute for Global Prominent Research Kickoff Symposium 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  359. X線透過法による SiC 溶液成長の溶液流れと溶液形状のその場観察

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  360. 溶液成長法二段階成長による SiC 結晶内の欠陥密度の低減

    村山 健太, 堀 司紗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  361. 窒素添加した 4H-SiC における積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察

    藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳 鵬磊, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  362. 透過電子顕微鏡による窒素添加 SiC 積層欠陥の高温その場観察

    陳 鵬磊, 原田 俊太, 荒井 重勇, 藤榮 文博, 肖 世玉, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  363. SiC 溶液成長においてルツボ口径が多結晶析出に及ぼす影響

    岡島 鎮記, 村井 良多, 村山 健太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  364. Crystallization of NaClO3 metastable phase from unsaturated mother solution achieved by excitation of plasmonic Au nanoarray

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, Y. Mori, S. Harada, K. Murayama, K. Miyamoto, T. Omatsu

    Optics & Photonics Japan 2016 

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    開催年月日: 2016年10月 - 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  365. Evaluation of conduction mini-bands in semiconductor superlattice by visible-light photoelectron spectroscopy 国際会議

    T. Ujihara

    13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Rome Italy   国名:イタリア共和国  

  366. Trial of Process Informatics in SiC Solution Growth 国際会議

    T. Ujihara, S. Harada, Y. Tsunooka, N. Kokubo, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa

    The 3rd International Conference on Universal Village (UV 2016) 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  367. Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collector on Morphology of Li Electrodeposition 国際会議

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Nucleation and Growth Research Conference (NGRC 2016) 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  368. Formation Mechanism of AlN Whiskers by Reacting N2 Gas and Al Vapor 国際会議

    M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Nucleation and Growth Research Conference (NGRC 2016) 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  369. Reduction of all types of dislocation in 4H-SiC crystal by two-step solution growth 国際会議

    K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ギリシャ共和国  

  370. In-situ observation during solution growth of SiC by X-ray transmission method 国際会議

    T. Sakai, M. Kado, H. Daikoku, S. Harada, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ギリシャ共和国  

  371. Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during SiC solution growth 国際会議

    T. Hori, K. Murayama, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ギリシャ共和国  

  372. Solvent design for high-purity SiC solution growth 国際会議

    S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ギリシャ共和国  

  373. 半導体光陰極を用いた次世代透過電子顕微鏡の開発

    桑原 真人, 青木 幸太, 鈴木 潤士, 宇治原 徹, 齋藤 晃, 田中 信夫

    2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  374. n 型 4H-SiC 中 SSF 起因フォトルミネッセンスの時間分解測定

    加藤 正史, 片平 真哉, 市川 義人, 市村 正也, 原田 俊太

    2016年第82回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  375. 機械学習を用いた溶液成長における過飽和度分布の予測

    角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2016年第81回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  376. X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長の溶液表面形状の経時変化の観察

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2016年第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  377. X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長のその場観察

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2016年第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  378. AlN 溶液成長における機械学習を用いた溶液流動の高効率予測

    小久保 信彦, 角岡 洋介, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2016年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ   国名:日本国  

  379. TSSG 法による SiC 結晶成長炉内移動現象に関する数値シミュレーション

    山本 卓也、岡野 泰則、宇治原 徹

    化学工学第48回秋季大会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:徳島大学 常三島キャンパス   国名:日本国  

  380. Controlling two-dimensional structuer of DNA-linked Au nanoparticle lattices on supported lipid bilayer 国際会議

    T. Isogai, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    The 22nd International Conference on DNA Computing and Molecular Programming (DNA22) 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  381. Control of Macrostep Structure for High-Quality SiC Grown by Liquid Phase Epitaxy 国際会議

    T. Ujihara, C. Zhu, K. Murayama, S. Harada, M.Tagawa

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  382. Enantioselective bias on circularly polarized laser-induced chiral crystallization from NaClO3 solution with plasmonic Ag nanoparticles 国際会議

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, T. Omatsu, T. Ujihara, Y. Mori

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  383. The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth 国際会議

    S. Y. Xiao, S. Harada, P. L. Chen, K. Murayama, T.Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  384. Effect of Crystal Shape on Solution Flow and Surface Morphology in Solution Growth of SiC 国際会議

    D. Koike, T. Umezaki, K. Murayama, K. Aoyagi, S.Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  385. Numerical Investigation of Transport Phenomenaduring Crystal Growth of SiC by the Induction Heating TSSG Method 国際会議

    N. Adkar, T. Yamamoto, Y. Okano, T. Ujihara, S. Dost

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  386. Two-step growth of SiC solution growth for reduction of dislocations 国際会議

    K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M.Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  387. Threading Screw Dislocation Conversion by Macrosteps during SiC Solution Growth for High-quality Crystals 国際会議

    S. Harada, K. Murayama, S. Xiao, F. Fujie, T.Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  388. Morphology of AlN whiskers grown by reacting N2 gas and Al vapor 国際会議

    M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  389. Prediction of solution flow combined with computational fluid dynamics simulation and sparse modeling 国際会議

    N. Kokubo, Y. Tsunooka, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  390. Crystal orientation dependence of precipitate structure of electrodeposited Li metal on Cu current collectors 国際会議

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  391. Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer 国際会議

    T. Isogai, S. Nakada, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  392. Spectroscopy of electrons emitting from conduction mini-band of semiconductor superlattice through negative-electron-affinity surface 国際会議

    T. Ujihara

    the 39th International conference on Vacuum Ultraviolet and X-ray Physics (VUVX2016) 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:スイス連邦  

  393. 塩素酸ナトリウム水溶液中の銀ナノ粒子円偏光光学捕捉により誘起されるキラル結晶化におけるキラリティの偏り

    新家 寛正, 杉山 輝樹, 田川 美穂, 村山 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹

    日本地球惑星科学連合2016年大会 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:幕張メッセ   国名:日本国  

  394. Chiral bias on circularly polarized laser-induced chiral crystallization from NaClO3 solution containing plasmonic Ag nanoparticles 国際会議

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, K. Murayama, S. Harada, K. Miyamoto, T. Omatsu, T. Ujihara

    Optical manipulation and its satellite topics (OMC'16) 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  395. 溶液法による高品質 SiC 結晶成長とその必要性

    松本 利希,川口 昂彦,畑野 敬史,原田 俊太,飯田 和昌,宇治原 徹,生田 博志

    第27回シリサイド系半導体研究会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:小山台会館   国名:日本国  

  396. 強磁場スパッタ法によるマンガン窒化物薄膜の作製

    松本 利希,川口 昂彦,畑野 敬史,原田 俊太,飯田 和昌,宇治原 徹,生田 博志

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  397. 超格子構造中のDNA被覆金ナノ粒子の融合に向けた粒子間距離収縮とナノ粒子融合

    鷲見 隼人,磯貝 卓巳,中田 咲子,吉田 直矢,原田 俊太,宇治原 徹,田川 美穂

    2016年第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  398. DDAB平面脂質二重膜の相転移過程の直接観察

    磯貝 卓巳,中田 咲子,赤田 英里,吉田 直矢,鷲見 隼人,手老 龍吾,原田 俊太,宇治原 徹,田川 美穂

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  399. 溶液法による4H-SiCバルク結晶成長と結晶品質評価

    楠 一彦,関 和明,岸田 豊,海藤 宏志,森口 晃治,岡田 信宏,大黒 寛典,加渡 幹尚,土井 雅喜,旦野 克典,関 章憲,佐藤 和明,別所 毅,原田 俊太,宇治原 徹

    2016年第67回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  400. 可視光励起光電子分光法を用いたGaPにおけるキャリア散乱の温度依存性評価

    市橋 史朗,川口 昂彦,董 キン宇,井上 明人,桑原 真人,伊藤 孝寛,原田 俊太,田川 美穂,宇治原 徹

    2016年第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  401. SiC溶液法における溶媒への金属添加による炭素溶解度変化の熱力学計算

    畑佐 豪記,原田 俊太,田川 美穂,村山 健太,加藤 智久,宇治原 徹

    2016年第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  402. SiC溶液成長における基底面転位と表面モフォロジーの関係

    堀 司紗,村山 健太,原田 俊太,肖 世玉,田川 美穂,宇治原 徹

    2016年第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大大岡山キャンパス   国名:日本国  

  403. 超高品質SiC溶液成長法の最前線

    原田 俊太,宇治原 徹

    日本結晶成長学会・バルク成長分科会 第98回研究会「機能性単結晶材料の最新動向--パワーデバイスから光・圧電まで--」 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学 西早稲田キャンパス   国名:日本国  

  404. インフォマティクスがもたらす結晶成長プロセスの革新 招待有り

    宇治原 徹

    日本金属学会第166回公演大会2017春季第64回応用物理学関連連合講演会・結晶工学分科会シンポジウム 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  405. Direct observation of electrons transported in second conduction mini-band of a semiconductor superlattice by visible-light photoemission spectroscopy 国際会議

    F. Ichihashi, K. Nishitani, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    SPIE Photonics West 2016 

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    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  406. 「成長過程における転位変換現象を利用した高品質 SiC 溶液成長」

    宇治原徹

    材料の微細組織と機能性第133委員会 第230回研究会 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京理科大学 森戸記念館   国名:日本国  

  407. Thermal conductivity changes in WO3 films caused by hydrogen intercalation/deintercalation 国際会議

    A. Nakamura, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    40th International Conference & Exposition on Advanced Ceramics & Composites(ICACC16) 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  408. “転位変換現象を利用した超高品質 SiC 結晶の溶液成長”

    宇治原徹

    2015年第35回表面科学学術講演会/第56回真空に関する連合講演会 真空・表面科学合同講演会 合同シンポジウム「パワーデバイスにおけるワイドキャップ半導体の最前線」 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  409. 「やるかやらないか~リーダーシップとは何か?~」

    宇治原徹

    名古屋大学リーディング大学院プログラム Joint Symposium 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(基調)  

    開催地:名古屋大学東山キャンパス、ES総合館ESホール   国名:日本国  

  410. "Introduction of SiC Solution Growth‐in comparison with other growth methods" 国際会議

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Giardini Naxos, Italy   国名:イタリア共和国  

  411. “可視光励起光電子分光によるGaP中伝導電子分布の温度変化の観測”

    川口昂彦, 市橋史朗, 董キン宇, 桒原真人, 伊藤孝寛, 宇治原徹

    日本物理学会 2015 年秋季大会プログラム 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪府, 関西大学千里山キャンパス   国名:日本国  

  412. “可視光励起光電子分光法を用いたGaPにおける伝導電子エネルギー分布の温度依存性評価”

    董キン宇, 市橋史朗, 川口昂彦, 桒原真人, 伊藤孝寛, 宇治原徹

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知県, 名古屋国際会議場   国名:日本国  

  413. “第6次産業革命とは・・「人と技術の融合」の必要性(趣旨説明)”

    宇治原徹

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知県, 名古屋国際会議場   国名:日本国  

  414. “NEA表面の利用により実現した可視光励起光電子分光法”

    川口昂彦, 市橋史朗, 董キン宇, 桒原 真人, 伊藤 孝寛, 宇治原 徹

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知県, 名古屋国際会議場   国名:日本国  

  415. “SiC溶液成長過程における欠陥変換メカニズムの解明と超高品質結晶の実現”

    宇治原徹

    第71回マテリアルズ・テーラリング研究会 

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    開催年月日: 2015年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:長野県, (公財)加藤山崎教育基金 軽井沢研修所   国名:日本国  

  416. "Car Materials and Processing" 国際会議

    T.Ujihara

    Nagoya University, RWDC Summer School Program in Istanbul Technical University 

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    開催年月日: 2015年6月 - 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:トルコ共和国  

  417. "Development of Visible-Light Photoemission Spectroscopy for the Evaluation of Conduction Bands in Semiconductors" 国際会議

    BIT's 4th Annual World Congress of Advanced Materials-2015 (WCAM-2015) 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:中華人民共和国  

  418. "Synthesis of polycrystalline AlN with high thickness by an efficient method"

    Pradip Ghosh, Kohei Mizuno, Makoto Hayashi, Yukihisa Takeuchi, Yuichi Aoki, Susumu Sobue, Yasuo Kitou, Jun Hasegawa, Makoto Kobashi, Toru Ujihara

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  419. "4H-SiC溶液成長におけるSiCrAl溶媒へのSn微量添加効果"

    小松 直佳、三谷 武志、高橋 徹夫、加藤 智久、宇治原 徹、松本 祐司、蔵重 和央、奥村 元

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  420. "High quality SiC crystal grown by solution method" 国際会議

    T. Ujihara

    International Conference on Chemical, Materials and Bio-Sciences for Sustainable Development(ICCMBSD-2015) 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:インド  

  421. "結晶配向した多結晶タングステン上における金属リチウム負極の析出形状"

    石川 晃平

    日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部 第24回学生による材料フォーラム 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋工業大学, 愛知県   国名:日本国  

  422. "脂質二重膜状におけるDNA被覆金ナノ粒子の拡散現象"

    中田 咲子

    日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部 第24回学生による材料フォーラム 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋工業大学, 愛知県   国名:日本国  

  423. "Al-N 同時添加での4H-SiC溶液成長における成長表面安定性と伝導特性 4H-SiC growth from Si-Cr-C solution under Al and N co-doping conditions"

    三谷武志、小松直佳、高橋徹夫、加藤智久、宇治原徹、松本祐司、蔵重和央、奥村元

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウインクあいち、愛知県   国名:日本国  

  424. "結晶表面の三次元過飽和度および成長速度分布の測定と対流が結晶表面形態に与える影響"

    村山健太,塚本勝男,横山悦郎,宇治原徹

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:学習院創立百周年記念会館, 東京都   国名:日本国  

  425. "4H-SiC溶液成長におけるAl-N同時添加が成長表面及び伝導性へ及ぼす影響"

    三谷武志,小松直佳,高橋徹夫,加藤智久,宇治原徹,松本祐司,蔵重和央,奥村元

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:学習院創立百周年記念会館, 東京都   国名:日本国  

  426. "4H-SiC溶液成長における各種添加物の成長表面への影響"

    小松直佳,三谷武志,高橋徹夫,加藤智久,蔵重和央,松本祐司,宇治原徹,奥村元

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:学習院創立百周年記念会館, 東京都   国名:日本国  

  427. "Two-dimensional assembly of Au nanoparticles through DNA hybridization on supported lipid bilayer" 国際会議

    Takumi Isogai, Eri Akada, Sakiko Nakada, Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara and Miho Tagawa

    20th International Conference on DNA Computing and Molecular Programming(DNA20) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  428. "Heavily Al doped 4H-SiC growth by the top-seeded solution growth technique using Si-Al-Cu melt as a solvent" 国際会議

    Kazuhiko KUSUNOKI, Kazuaki SEKI, Kazuhito KAMEI, Yutaka KISHIDA, Koji MORIGUCHI, Hiroshi KAIDOH, Shunta HARADA, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  429. "Influences of solution flow and lateral temperature distribution on surface morphology in solution growth of SiC" 国際会議

    Kuniharu FUJII, Koichi TAKEI, Masahiro AOSHIMA, Nachimuthu SENGUTTUVAN, Masahiko HIRATANI, Toru UJIHARA, Yuji MATSUMOTO, Tomohisa KATO, Kazuhisa KURASHIGE, Hajime OKUMURA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  430. "Effect of forced convection by crucible design in solution growth of SiC single crystal" 国際会議

    Kazuhisa KURASHIGE, Masahiro AOSHIMA, Kouichi TAKEI, Kuniharu FUJII, Masahiko HIRATANI, Nachimuthu SENGUTTUVAN, Tomohisa KATO, Toru UJIHARA, Yuji MATSUMOTO, Hajime OKUMURA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  431. "Threading screw dislocations conversion behavior on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth" 国際会議

    Shiyu XIAO, Natsumi HARA, Shunta HARADA, Takenobu SAKAI, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  432. "4H-SiC growth from Si-Cr-C solution under Al and N co-doping conditions" 国際会議

    Takeshi MITANI, Naoyoshi KOMATSU, Tetsuo TAKAHASHI, Tomohisa KATO, Toru UJIHARA, Yuji MATSUMOTO, Kazuhisa KURASHIGE, Hajime OKUMURA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

    TU1-OR-04

  433. "Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal" 国際会議

    Shunta HARADA, Yuji YAMAMOTO, Shiyu XIAO, Natsumi HARA, Daiki KOIKE, Takuya MUTOH, Miho TAGAWA, Takenobu SAKAI, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:フランス共和国  

  434. "Change in surface morphology by the addition of impurity elements in 4H-SiC solution growth with Si solvent" 国際会議

    Naoyoshi KOMATSU, Takeshi MITANI, Tetsuo TAKAHASHI, Tomohisa KATO, Kazuhisa KURASHIGE, Yuji MATSUMOTO, Toru UJIHARA, Hajime OKUMURA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  435. "Structure of basal plane defects formed by the conversion of threading screw dislocation during solution growth of SiC" 国際会議

    S. Harada, S.Y. Xiao, M. Tagawa, Y. Yamamoto, S. Arai, N. Tanaka and T. Ujihara

    SSDM2014 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  436. 「溶液からの窒化アルミニウム材料の作製」

    宇治原徹

    窒化アルミニウム・窒化ケイ素の高性能・低コスト化に向けた生成プロセスの開発~放熱基板等の高性能・低コスト化に向けたAlN・SiNの生成プロセス~ 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京・品川区大井町 きゅりあん   国名:日本国  

  437. "Correlation between Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion in Solution Growth of SiC" 国際会議

    Shunta Harada Shiyu Xiao, Natsumi Hara, Daiki Koike, Takuya Mutoh, Miho Tagawa and Toru Ujihara

    IUMRS-ICA2014 

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  438. "Characterization of Newly Generated Defects during Solution Growth of 4H-SiC" 国際会議

    Shiyu Xiao, Shunta Harada, Natsumi Hara, Miho Tagawa and Toru Ujihara

    IUMRS-ICA2014 

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  439. "Defect evolution in high-qualit 4H-SiC grown by solution method" 国際会議

    S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    IUCr 2014 

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:カナダ  

  440. "DNA-mediated Nanoparticle Crystallization" 国際会議

    Miho Tagawa, Oleg Gang, Takumi Isogai, Sakiko Nakada, Eri Akada, Shunta Harada, Toru Ujihara

    The International Symposium on Material Architectonics for Sustainable Action (MASA 2014) 

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    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  441. "DNAと基板担持脂質二重膜とを用いたナノ粒子の結晶化"

    田川美穂

    応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会 研究会「有機分子・バイオエレクトロニクスが拓く新たな世界」 

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:キャンパスプラザ京都 会議室、京都府   国名:日本国  

  442. "Direct Measurement of Conduction Miniband Structure in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy" 国際会議

    Fumiaki Ichihashi, Daiki Shimura, Kenji Nishitani, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Shunta Harada, Hiroyasu Katsuno, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    the 40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference(The PVSC-40) 

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  443. NaClO3 溶液成長におけるアキラル-キラル多形転移を介したキラリティの発生と増幅

    新家寛正, 原田俊太, 宇治原徹, 三浦均, 木村勇気, 上羽牧夫, 塚本勝男

    日本地球惑星科学連合2014年大会 

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    開催年月日: 2014年4月 - 2014年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜、神奈川県   国名:日本国  

  444. 可視光励起光電子分光法による半導体中の伝導電子の直接観察

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治, 原真,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    日本物理学会 第69回年次大会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  445. 半導体光陰極を用いたTEMの空間コヒーレンス測定

    桑原真人,南保由人,鮫島健介,楠聡一郎,齋藤晃,宇治原徹,浅野秀文,竹田美和,田中信夫

    日本物理学会 第69回年次大会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  446. SiC溶液法C面成長におけるTSD変換

    肖世玉,原奈津美,原田俊太,宇治原徹

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  447. 可視光励起光電子分光法による半導体超格子ミニバンド構造の有効質量評価

    西谷健治,志村大樹,市橋史朗,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  448. 4H-SiC溶液成長法における凸形状成長による貫通らせん転位の変換挙動

    古池大輝,梅崎智典,堀尾篤史,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  449. SiC溶液成長における貫通らせん転位変換の弾性エネルギーによる考察

    原田俊太,肖世玉,原奈都美,勝野弘康,田川美穂,宇治原徹

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県   国名:日本国  

  450. Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method 国際会議

    T.Ujihara

    ICSEM 2014 (International Conference on Science and Engineering of Materials 

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    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Sharda University, Greater Noida, India   国名:インド  

  451. "Structure of basal plane defects formed by threading screw dislocation conversion during high quality SiC solution growth" 国際会議

    S.Harada, R.Kunimatsu, Xiao Shiyu, Y.Yamamoto, M.Tagawa, Y.Yamamoto, S.Arai, N.Tanaka, T.Ujihara

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  452. "Possibility of time-resolved measurement in spin-polarized TEM" 国際会議

    M.Kuwahara, Y.Nambo, S.Kusunoki, K.Sameshima, K.Saitoh, T.Ujihara, H.Asano, Y.Takeda, N.Tanaka

    ISETS '13 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  453. "Observation of basal plane dislocations generated during solution growth in 4H-silicon carbide" 国際会議

    S.Y.Xiao, S.Harada, T.Ujihara

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  454. "Two-dimensional crystallization of DNA-functionalized Au nanoparticles using lipid diffusion" 国際会議

    T.Isogai, E.Akada, A.Piednoir, Y.Akahoshi, R.Tero, S.Harada, T.Ujihara, M.Tagawa

    ISETS '13 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  455. "Direct Observation of Conduction Band Structure and Conduction Electron Distribution in Semiconductor for Intermediate-band Solar Cells" 国際会議

    F.Ichihashi, D.Shimura, K.Nishitani, M.Kuwahara, S.Harada, T.Ito, M.Tagawa, T.Ujihara

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

    P-7-17(1325)

  456. "Aluminum Nitride Whiskers with High Aspect Ratio Grown from Multi-Component Melt" 国際会議

    M.Y.Chen, H.Matsubara, K.Mizuno, M.Nagaya, Y.Takeuchi, S.Harada, T.Ujihara, Y.Aoki, K.Kohara, T.Kano

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  457. "Evaluation of Mini-Bands Formed in Superlattice Structure for Intermediate-Band Solar Cell" 国際会議

    D.Shimura, F.Ichihashi, K.Nishitani, S.Harada, T.Ito, M.Kuwahara, M.Matsunami, S.Kimura, M.Tagawa, T.Ujihara

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  458. "In-situ concentration measurement of zincate ion near zinc anode" 国際会議

    K.Haginosaki, Y.Ito, T.Mitsuhashi, Y.Sakai, K.Nagata, O.Terashima, T.Ujihara, M.Shikida, H.Hida

    ISETS '13 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  459. SiC溶液成長過程における基底面転位の形成

    肖 世玉、原田俊太、宇治原徹

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉会館、埼玉県   国名:日本国  

  460. 溶液成長法による高品質3C-SiC(111)結晶の開発

    関和明、山本翔太、原田俊太、宇治原徹

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:埼玉会館、埼玉県   国名:日本国  

  461. 溶液対流および面内温度分布の表面形状への影響

    藤井邦治、武井康一、長井一郎、N. Senguttuvan、平谷正彦、宇治原徹、松本祐司、加藤智久、蔵重和央、奥村元

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉会館、埼玉県   国名:日本国  

  462. SiCr溶媒へのAl添加による4H-SiC溶液成長結晶表面のステップ形状変化

    三谷武志、小松直佳、高橋徹夫、加藤智久、宇治原徹、松本祐司、蔵重和央、奥村元

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉会館、埼玉県   国名:日本国  

  463. 溶液成長させた4H-SiC単結晶における放射光X線トポグラフィーによる欠陥分析

    長井 一郎、青嶌真裕、八木康洋、武井康一、藤井邦治、N. Senguttuvan、蔵重和央、加藤智久、宇治原 徹、松本祐司、奥村元

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉会館、埼玉県   国名:日本国  

  464. 多元溶媒SiC溶液成長における成長多形と活量比aSi/aCの相関

    堀尾篤史、原田俊太、田川美穂、宇治原徹

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉会館、埼玉県   国名:日本国  

  465. 4H-SiC溶液成長における成長表面のステップ構造と貫通転位変換挙動の相関

    原田俊太、山本祐治、肖世玉、堀尾篤史、田川美穂、宇治原徹

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉会館、埼玉県   国名:日本国  

  466. 4H-SiC溶液結晶成長における表面マクロ欠陥を抑制する溶媒組成の探索

    小松直佳、三谷武志、岡村雅之、高橋徹夫、加藤智久、宇治原徹、松本祐司、蔵重和央、奥村元

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉会館、埼玉県   国名:日本国  

  467. SiC溶液成長における過飽和度制御による凸形状成長

    古池大輝、梅崎智典、堀尾篤史、原田俊太、田川美穂、宇治原徹

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉会館、埼玉県   国名:日本国  

  468. SiC溶液成長におけるSi溶媒の数値解析と成長結晶の表面形状制御

    古池大輝

    一般社団法人オープンCAE学会 オープンCAEシンポジウム2013 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪産業創造館 、大阪府   国名:日本国  

  469. "SiC溶液成長過程における基底面転位の形成"

    肖世玉,朱燦,原田俊太,宇治原徹

    公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013) 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学 IB電子情報館   国名:日本国  

  470. "脂質二重膜を利用したDNA被覆金ナノ粒子の2次元結晶化"

    磯貝卓巳,赤田英里,Agnes Piednoir,赤星祐樹,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋大学 IB電子情報館   国名:日本国  

  471. "InGaAs/GaAsP超格子における伝導キャリアの直接観察"

    西谷健治,市橋史朗,志村大樹,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋大学 IB電子情報館   国名:日本国  

  472. "鉄系超伝導体NdFeAsO薄膜上への平坦なCaF2層成長"

    角谷直紀,千原真志,川口昴彦,田渕雅夫,宇治原徹,一瀬中,塚田一郎,生田博志

    公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学 IB電子情報館   国名:日本国  

  473. "第三世代太陽電池開発に向けた伝導電子エネルギーの測定"

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学 IB電子情報館   国名:日本国  

  474. 4H-SiC溶液成長過程における貫通転位変換挙動と成長表面モフォロジーの相関

    原田俊太,山本祐治,肖世玉,堀尾篤史,田川美穂,宇治原徹

    日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43) 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長野市生涯学習センター (TOiGO内) 、長野県   国名:日本国  

  475. NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相を介したキラル結晶形成過程

    新家寛正,原田俊太,宇治原徹,三浦均,木村勇気,栗林貴弘、上羽牧夫,塚本勝男

    日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長野市生涯学習センター (TOiGO内) 、長野県   国名:日本国  

  476. DNAと脂質二重膜を用いたナノ粒子の2次元結晶化

    磯貝卓巳,赤田英里,Agnes Piednoir,赤星祐樹,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長野市生涯学習センター (TOiGO内) 、長野県   国名:日本国  

  477. ブラウニアン動力学法を用いた2次元2成分結晶の構造形成シミュレーション

    勝野弘康,田川美穂,宇治原徹

    日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長野市生涯学習センター (TOiGO内) 、長野県   国名:日本国  

  478. NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相の溶解度測定

    新家寛正,原田俊太,宇治原徹,三浦均,木村勇気,上羽牧夫,塚本勝男

    日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43) 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:長野市生涯学習センター (TOiGO内) 、長野県   国名:日本国  

  479. 多元溶媒を用いたAlNウィスカーの成長

    陳鳴宇,松原弘明,水野恒平,永冶仁,竹内幸久,原田俊太,青木祐一,小原公和,加納豊広,宇治原徹

    日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:長野市生涯学習センター (TOiGO内) 、長野県   国名:日本国  

  480. "Observation of Conduction Electrons in Superlattice Structure by Visible Light Photoemission Spectroscopy" 国際会議

    Kenji Nishitani, Fumiaki Ichihashi, Daiki Shimura, Shunta Harada, Makoto Kuwahara, Miho Tagawa, Takahiro Ito, Toru Ujihara

    the 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC-23) 

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  481. DNAセルフアセンブリによるナノ粒子超構造制御

    田川 美穂, ガング オレグ, 磯貝 卓巳, 赤田 英里, 宇治原 徹

    第 51 回日本生物物理学会年会 シンポジウム 反応場デザインによる生命現象の再構成 -創って知る生物物理- 

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    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:国立京都国際会館、京都府   国名:日本国  

  482. 金属負極蓄電池の実現に向けた配向結晶集電体によるデンドライト抑制

    三橋貴仁, 伊藤靖仁, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原 徹

    第54回電池討論会 

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    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪国際会議場、大阪府   国名:日本国  

  483. 亜鉛負極近傍における亜鉛イオン濃度場の評価

    萩ノ崎賢也, 伊藤靖仁, 三橋貴仁, 酒井康彦, 長田孝二, 寺島 修, 宇治原 徹, 式田光宏, 肥田博隆

    第54回電池討論会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪国際会議場、大阪府   国名:日本国  

  484. "Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at a High Speed during the Solution Growth of SiC" 国際会議

    T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, and T. Ujihara

    the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013) 

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    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  485. "The Suppression of the Trenches by the Control of Solution Flow above Growth Surface in the Solution Growth of SiC" 国際会議

    C. Zhu, S. Harada, S. Xiao, K. Seki, M. Tagawa, Y. Matsumoto, T. Kato, K. Kurashige, H. Okamura, and T. Ujihara

    the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  486. "Control of Dislocation Conversion during Solution Growth by Changing Surface Step Structure" 国際会議

    S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, A. Horio, M. Tagawa, and T. Ujihara

    the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  487. "N-Type Doping of 4H-SiC by the Top-Seeded Solution Growth Technique" 国際会議

    K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada, and T. Ujihara

    the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  488. "Dependence of Growth Rate and Surface Morphology of 4H-SiC Crystals Grown from Si-Cr-C and Si-Cr-Al-C Solutions under Various C Solubility and Supersaturation Conditions" 国際会議

    T. Mitani, N. Komatsu, T. Takahashi, T. Kato, K. Fujii, I. Nagai, T. Ujihara, Y. Matsumoto, K. Kurashige, and H. Okumura

    the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013) 

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    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  489. 多元溶媒SiC 溶液成長における多形決定機構の解明

    堀尾篤史,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    日本結晶成長学会、第37回 結晶成長討論会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:長野勤労者いこいの村アゼィリア飯綱、長野県   国名:日本国  

  490. 溶液法による超高品質SiC 結晶成長

    宇治原徹,原田俊太

    日本結晶成長学会、第37回 結晶成長討論会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:長野勤労者いこいの村アゼィリア飯綱、長野県   国名:日本国  

  491. 脂質分子をキャリアとしたDNA被覆金ナノ粒子の2次元結晶化

    磯貝卓巳,Agnes Piednoir,赤田英里,赤星祐樹,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   国名:日本国  

  492. 「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)可視光励起光電子分光法による伝導電子の直接観察

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   国名:日本国  

  493. 可視光励起光電子分光法による半導体超格子構造の伝導キャリア観察

    西谷健治,市橋史朗,志村大樹,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   国名:日本国  

  494. 角度分解光電子分光法を用いた半導体超格子のミニバンド評価

    志村大樹,市橋史朗,西谷健治,原田俊太,伊藤孝寛,桒原真人,松波雅治,木村真一,田川美穂,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   国名:日本国  

  495. SiC 溶液成長における流れ制御によるトレンチ形成の抑制

    朱燦,原田俊太,関和明,肖世玉,田川美穂,松本祐司,加藤智久,蔵重和央,奥村元,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   国名:日本国  

  496. SiC溶液成長過程における貫通転位変換と成長表面のステップ構造

    原田俊太,山本祐治,肖世玉,堀尾篤史,田川美穂,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   国名:日本国  

  497. SiC溶液成長過程における基底面転位の形成

    肖世玉,朱燦,原田俊太,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   国名:日本国  

  498. SiCフラックス成長におけるSi-NiフラックスのAl添加効果

    小沼碧海,丸山伸伍,原田俊太,宇治原徹,加藤智久,蔵重和央,奥村元,松本祐司

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   国名:日本国  

  499. IBAD-MgO/金属テープ上へのBaFe2(As,P)2薄膜のMBE成長と評価

    森康博,Kruth Fritz,生田博志,川口昂彦,Hanisch J,Holzapfel B,飯田和昌,Tarantini C,田渕雅夫,宇治原徹,藤本亮祐

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   国名:日本国  

  500. Fe 過剰BaFe2(As,P)2 薄膜の臨界電流密度増大の起源

    森康博,藤本亮祐,坂上彰啓,原田俊太,宇治原徹,田渕雅夫,生田博志

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   国名:日本国  

  501. 多元溶媒を用いた高アスペクト比AlN ウィスカーの成長

    陳鳴宇、松原弘明、水野恒平、永冶仁、竹内幸久、原田俊太、宇治原徹、青木祐一、小原公和、加納豊広

    公益社団法人日本セラミックス協会 第26回秋季シンポジウム 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:信州大学、長野県   国名:日本国  

  502. "Effect of solution flow velocity on the step bunching in solution growth of SiC" 国際会議

    Can Zhu, Shunta Harada, Kazuaki Seki, Miho Tagawa, Yuji Matsumoto, Tomohisa Kato, Kazuhisa Kurashige, Hajime Okumura, Toru Ujihara

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ポーランド共和国  

  503. "Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC" 国際会議

    Shunta Harada, Yuji Yamamoto, Kazuaki Seki, Atsushi Horio, Takato Mitsuhashi, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  504. "Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method utilizing the conversion from threading dislocations to basal plane defects" 国際会議

    Toru Ujihara, Yuji Yamamoto, Shunta Harada, Shiyu Xiao, Kazuaki Seki

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  505. "Forming two-dimensional structure of DNA-functionalized Au nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers" 国際会議

    Takumi Isogai, Agnes Piednoir, Eri Akada, Yuki Akahoshi, Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  506. "Two Pathways Determining Chirality in NaClO3 Crystals Grown from Solution via Achiral Precursors" 国際会議

    Hiromasa Niinomi, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Takahiro Kuribayashi, Makio Uwaha, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  507. "Growth rate and surface morphology of 4H-SiC crystals grown from Si-Cr-C based solutions under various temperature gradient conditions" 国際会議

    Takeshi Mitani, Naoyoshi Komatsu, Tetsuo Takahashi, Tomohisa Kato, Toru Ujihara, Yuji Matsumoto, Kazuhisa Kurashige, Hajime Okumura

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  508. "Growth of high quality 3C-SiC on hexagonal SiC seed using TSSG method" 国際会議

    Kazuaki Seki, Shota Yamamoto, Shunta Harada, Toru Ujihara

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  509. "Two-dimensional crystallization of DNA-functionalized nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers" 国際会議

    Takumi Isogai, Agnes Piednoir, Eri Akada, Yuki Akahoshi, Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    15th International Summer School on Crystal Growth(ISSCG-15) 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ポーランド共和国  

  510. 溶液法の現状と課題

    宇治原徹

    応用物理学会 先進パワー半導体研究会 第8回個別討論会 「SiC基板結晶に求められるスペック」 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋大学、愛知県   国名:日本国  

  511. "Nanoparticle Assembly mediated by Designed DNA Nanostructures" 国際会議

    Miho Tagawa, Oleg Gang, Kevin Yager, Takumi Isogai, Eri Akada, Shunta Harada, Toru Ujihara

    Programmable Self-Assembly of Matter Conference 2013 

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    開催年月日: 2013年6月 - 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  512. マクロステップを利用した高品質SiC溶液成長

    宇治原徹

    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2013春季講演会,SiC結晶成長講演会 ~SiC半導体の現在の課題と将来展望~ 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:大阪大学、銀杏会館3階   国名:日本国  

  513. Solution growth of high quality 3C-SiC on a vicinal 6H-SiC 国際会議

    T. Ujihara, K. Seki, S. Yamamoto, S. Harada, M. Tagawa

    HeteroSiC-WASMPE2013 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  514. Ultrahigh-resolution direct observation of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs superlattice 国際会議

    Daiki Shimura, Fumiaki Ichihashi, Kenji Nishitani, Shunta Harada, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Masaharu Matsunami, Shin-ichi Kimura, Takenobu Sakai, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  515. Electron Spectroscopy of Conduction Electrons Exited by Visible Light Utilizing NEA Surface 国際会議

    Fumiaki Ichihashi, Daiki Shimura, Kenji Nishitani, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  516. 高品質SiC溶液成長

    宇治原徹、原田俊太

    一般社団法人資源・素材学会 平成25年度春季大会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:千葉工業大学津田沼キャンパス、千葉県   国名:日本国  

  517. 酸化タングステンの酸素欠損に伴う熱伝導率の変化

    弓削勇輔,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学,神奈川県   国名:日本国  

  518. 「講演奨励賞受賞記念講演」”3C-SiC 溶液成長における多形制御と欠陥抑制”

    関和明,山本翔太,原田俊太,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:神奈川工科大学,神奈川県   国名:日本国  

  519. SiC溶液成長において流速の変化が表面モフォロジーに与える影響

    朱燦,原田俊太,関和明,田川美穂,松本祐司,加藤智久,蔵重和央,奥村元,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学,神奈川県   国名:日本国  

  520. 4H-SiC溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する欠陥の微細構造

    原田俊太,國松亮太,田川美穂,山本悠太,荒井重勇,田中信夫,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学,神奈川県   国名:日本国  

  521. SiCr系溶媒を用いた2インチ4H-SiCバルク成長

    三谷武志,小松直佳,岡村雅之,高橋徹夫,加藤智久,蔵重和央,宇治原徹,松本祐司,奥村元

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学,神奈川県   国名:日本国  

  522. AlGaAs/InGaAs超格子構造におけるミニバンドの超高分解能直接観察

    志村大樹,市橋史朗,原田俊太,桒原真人,伊藤孝寛,松波雅治,木村真一,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学,神奈川県   国名:日本国  

  523. NEA表面を利用した伝導電子エネルギーの直接測定

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治,原田俊太,桑原真人,伊藤孝寛,田川美穂,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学,神奈川県   国名:日本国  

  524. 脂質分子の拡散によるDNA被覆金ナノ粒子の2次元構造体形成

    磯貝卓巳,Agnes Piednoir,赤田英里,祐樹赤星,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学,神奈川県   国名:日本国  

  525. BaFe2(As,P)2薄膜のMBE成長と接合作製

    森康博,坂上彰啓,川口昂彦,田渕雅夫,宇治原徹,生田博志

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学,神奈川県   国名:日本国  

  526. NdFeAs(O,F)薄膜上のCaF2層の成長及び接合作製

    角谷直紀,川口昂彦,田渕雅夫,宇治原徹,生田博志

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学,神奈川県   国名:日本国  

  527. Al融液窒化法を用いたAlN多結晶の作製におけるMgによる窒化促進効果の検証

    水野恒平、松原弘明、永冶仁、竹内幸久、原田俊太、宇治原徹、加納豊広、青木祐一、小原公和

    日本セラミックス協会2013年 年会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学大岡山キャンパス   国名:日本国  

  528. 溶液成長過程における貫通転位変換を利用した高品質4H-SiCの実現

    原田俊太, 山本祐治, 関和明, 田川美穂, 宇治原徹

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪市中央公会堂、大阪府   国名:日本国  

  529. 電流による4H-SiC溶液成長の成長速度制御

    三谷武史,  岡村雅之, 高橋徹夫 小松直佳,  加藤智久,  宇治原徹,  松本祐司, 蔵重和央, 奥村元

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪市中央公会堂、大阪府   国名:日本国  

  530. TSSG法による高品質3C-SiC

    関和明, 原田俊太, 宇治原徹

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪市中央公会堂、大阪府   国名:日本国  

  531. Si-C溶液で成長される4H-SiC結晶の成長レート、表面形態の過飽和度依存性

    小松直佳,  三谷武史, 岡村雅之, 高橋徹夫 加藤智久, 宇治原徹,  松本祐司, 蔵重和央, 奥村元

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪市中央公会堂、大阪府   国名:日本国  

  532. 溶液成長法におけるSiC単結晶のキャリア密度および不純物濃度の測定

    藤井邦治, 武井康一, 長井一郎, 三谷武史, 小松直佳, N.Senguttuvan, 高橋哲夫, 松本祐司, 宇治原徹, 加藤智久, 蔵重和央, 奥村元

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪市中央公会堂、大阪府   国名:日本国  

  533. Si-C-X溶媒を用いたSiC溶液成長における結晶化多形の熱力学的考察

    堀尾篤史, 原田俊太,宇治原徹

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪市中央公会堂、大阪府   国名:日本国  

  534. 透過電子顕微鏡法によるSiC溶液成長における欠陥挙動解析

    原田俊太, 國松亮太, 田川美穂, 山本悠太, 荒井重勇, 田中信夫, 宇治原徹

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪市中央公会堂、大阪府   国名:日本国  

  535. 溶液法による高品質SiC結晶成長メカニズム

    原田俊太, 山本祐治, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 田川美穂, 宇治原徹

    第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)  

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学、福岡県   国名:日本国  

  536. SiC溶液成長における窒素ドープによる積層欠陥の形成

    原田俊太, 関和明, 楠一彦, 田川美穂, 宇治原徹

    第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学、福岡県   国名:日本国  

  537. 3C-SiC溶液成長における双晶抑制

    関和明, 原田俊太, 宇治原徹

    第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学、福岡県   国名:日本国  

  538. 一方向の溶液流れ下におけるSiCのステップバンチングの挙動

    朱燦, 原田俊太, 関和明, 新家寛正, 田川美穂, 宇治原徹

    第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学、福岡県   国名:日本国  

  539. 溶液法によるα-Al2O3上へのAlNヘテロエピタキシャル成長

    松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 木藤泰男, 奥野英一, 宇治原徹

    第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学、福岡県   国名:日本国  

  540. 溶液法による3C-SiCバルク結晶成長

    関和明, 原田俊太, 宇治原徹

    第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学、福岡県   国名:日本国  

  541. Solution growth of AlN single crystal on sapphia 国際会議

    Hiroaki. Matsubara, Kohei Mizuno, Yukihisa Takeuchi, Yoshikazu Takeda, Yuichi Aoki, Kimio Kohara, and Toru Ujihara

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  542. Evolution of Threading Edge Dislocation During Solution Growth of SiC 国際会議

    S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, and T.Ujihara

    2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  543. 紫外光電子分光法を用いた超格子ミニバンドの直接観察

    市橋史朗, 志村大樹, 桑原真人, 原田俊太, 伊藤孝寛, 松浪雅治, 木村真一, 宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会・東海支部 第19回基礎セミナー「透明導電膜―基礎から応用―」 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:岐阜大学、岐阜県   国名:日本国  

  544. Direct Observation of Mini-bands in AlGaAs/GaAs Superlattice for intermediate Band Solar Cell 国際会議

    D. Shimura, K. Hashimoto, F. Ichihashi, S. Harada, T. Ito, M. Kuwahara, M. Matsunami, S. Kimura, T. Sakai and T. Ujihara

    International Union of Materials Research Societies International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012) 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  545. Direct Observation of Defect Evolution during Solution Growth of SiC by Synchrotron X-ray Topography 国際会議

    S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, and T.Ujihara

    International Union of Materials Research Societies International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  546. VS法による高アスペクト比AlNウィスカーの成長

    松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和

    公益社団法人日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学、愛知県   国名:日本国  

  547. Al融液窒化法において成長温度がAlN組織形成に与える影響

    水野恒平, 松原弘明,竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和

    公益社団法人日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学、愛知県   国名:日本国  

  548. 溶液法による超高品質SiC結晶成長

    宇治原徹, 原田俊太,山本祐治, 関 和明

    公益社団法人日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋大学、愛知県   国名:日本国  

  549. 4H-SiC溶液成長における貫通刃状転位の選択的変換

    原田俊太, 山本祐治, 関 和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区, 愛媛県   国名:日本国  

  550. SiC溶液成長における流れがステップバンチングに及ぼす影響

    Can Zhu, 原田俊太, 関 和明, 新家寛正, 宇治原徹

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区, 愛媛県   国名:日本国  

  551. TSSG法で育成した4H-SiC結晶の窒素ドーピング挙動

    楠 一彦, 関 和明, 原田俊太, 亀井一人, 矢代将斉, 宇治原徹

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区, 愛媛県   国名:日本国  

  552. DPBフリー3C-SiCの溶液成長

    関 和明, 原田俊太, 宇治原徹

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区, 愛媛県   国名:日本国  

  553. 溶液法によるサファイア基板上へのAlN単結晶成長

    松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 木藤泰男, 奥野英一, 宇治原徹

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区, 愛媛県   国名:日本国  

  554. NdFeAs (O,F)薄膜を用いた超伝導接合の作製

    川口昂彦, 角谷直紀, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区, 愛媛県   国名:日本国  

  555. BaFe2(As,P)2超伝導薄膜のMBE成長と粒界特性の評価

    森 康博, 坂上彰啓, 川口昂彦, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和,生田博志

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区, 愛媛県   国名:日本国  

  556. Solution growth of DPB-free 3C-SiC 国際会議

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia   国名:日本国  

  557. Effect of surface polarity on the conversion of threading dislocations in solution growth 国際会議

    Y.Yamamoto, S.Harada, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara

    The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  558. Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal: conversion of threading edge dislocations by solution growth 国際会議

    S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, C.Zhu, M.Tagawa, T.Ujihara

    The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  559. Influence of solution flow on step bunching in solution growth of SiC 国際会議

    C.Zhu, K.Seki, S.Harada, H.Niinomi, M.Tagawa, T.Ujihara

    The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  560. Reduction of threading screw dislocation density utilizing defect conversion during solution growth of 4H-SiC 国際会議

    S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, T.Ujihara

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  561. Spin-polarized and Pulsed TEM Using a Laser-driven Semiconductor Photocathode 国際会議

    N. Tanaka, M. Kuwahara, K. Saitoh, S. Kusunoki, T. Ujihara, H. Asano, Y. Takeda and T. Nakanishi

    Microscopy & Microanalysis 2012 

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    開催年月日: 2012年7月 - 2012年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  562. レーザー励起半導体電子源を用いた30kVパルスTEMの開発

    田中信夫、桑原真人、楠聡一郎、浅野秀文、宇治原徹、齋藤晃、竹田美和、中西彊

    日本顕微鏡学会第68回学術講演会 

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    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば国際会議場、茨城県   国名:日本国  

  563. スピン編極TEMにおけるNEAフォトカソードからの低エネルギー分散ビームの生成

    楠聡一郎、桑原真人、宇治原徹、浅野秀文、竹田美和、中西彊、齋藤晃、田中信夫

    日本顕微鏡学会第68回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば国際会議場、茨城県   国名:日本国  

  564. Spin-polarized TEM using an NEA photocathode 国際会議

    M. Kuwahara, S. Kusunoki, K. Saitoh, T. Ujihara, and N. Tanaka

    The 3rd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations (AMTC3) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  565. Efficient Process for Ultrahigh Quality 4H-SiC Crystal Utilizing Solution Growth on Off-axis Seed Crystal 国際会議

    Shunta Harada, Yuji Yamamoto, Kazuaki Seki, Atsushi Horio, Takato Mitsuhashi, Toru Ujihara

    MRS Spring Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  566. Reduction of Defects in SiC by Solution Growth for High Performance Power Device 国際会議

    S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto, T. Ujihara, J. Yamasaki, N. Tanaka

    Interational symposium on role of electron microscopy in industry 

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    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  567. Solution growth of high-quality SiC crystal 国際会議

    Toru Ujihara

    INDO-JAPAN Conference on Frontier Nano-Materials for Energy (FNE-2012) 

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    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  568. Solution growth of high-quality SiC crystal - polytype control and defect elimination - 国際会議

    Toru Ujihara

    Nagoya Univ.-Tsinghua Univ.-Toyota Motor Corp.-Hokkaido Univ. -Univ. Electro. Sci. Tech. China Joint Symposium -Materials Science and Nanotechnology for the 21th Century- 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  569. Formation of Different Polytypes during 4H-SiC Solution Growth 国際会議

    Shunta Harada, Alexander, Kazuaki Seki, Yuji Yamamoto, Toru Ujihara, Jun Yamasaki, Nobuo Tanaka

    International Symposium on EcoTopia Science 2011 (ISETS '11) 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  570. 溶液法を用いた4H-SiC結晶における貫通らせん転位の消滅

    山本祐治, 原田俊太, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知県   国名:日本国  

  571. SiC 溶液成長における貫通転位の変換過程 ーUltra-High Quality の可能性ー

    宇治原徹,原田俊太,山本祐治,関和明,堀尾篤史,三橋貴仁

    公益社団法人応用物理学会 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知県   国名:日本国  

  572. 成長速度論的多形選択成長を用いた3C-SiCバルク結晶の実現

    関和明, 山本祐治, 原田俊太, 宇治原徹, 竹田美和

    公益社団法人応用物理学会 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知県   国名:日本国  

  573. Solution growth of high-quality SiC crystal for next-generation power device materials 国際会議

    Shunta Harada, Toru Ujihara

    1st Global Conference on Materials and Technology for the Future "Green Vehicle" 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  574. MBE法によるNdFeAs(O,F)上へのCaF2絶縁膜成長

    上村彦樹, 川口昴彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志

    日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:茨城県   国名:日本国  

  575. AlN溶液成長においてMg蒸気圧が融液の窒化に与える影響

    水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和

    日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:茨城県   国名:日本国  

  576. 6H-SiC上への3C-SiC溶液成長における速度論的多形選択メカニズム

    関和明, 山本祐治, 原田俊太, 宇治原徹, 竹田美和

    日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:茨城県   国名:日本国  

  577. SiC溶液成長における転位変換過程

    宇治原徹, 小澤茂太, 山本祐治, 関和明, 原田俊太

    日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:茨城県   国名:日本国  

  578. 溶液成長における4H-SiC上での多形変化挙動

    原田俊太, アレキサンダー, 関和明, 山本祐治, 宇治原徹

    日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:茨城県   国名:日本国  

  579. Polytype transformation path on 4H-SiC during top-seeded solution growth 国際会議

    S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto and T. Ujihara

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  580. Dissociation of Screw Dislocations Assisted by Step-flow Process in SiC Solution Growth 国際会議

    T.Ujihara, S.Kozawa, K.Seki, Y.Yamamoto, Alexander and S.Harada

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  581. Al融液窒化法における高密度AlN形成メカニズム

    水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和

    公益社団法人日本セラミックス協会 第24回秋季シンポジウム 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  582. Polytype-Controlled Solution Growth of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by Supersaturation in Si-Sc-C Ternary System 国際会議

    September 12, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16  

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  583. Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth 国際会議

    September 12, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16  

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  584. Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation During SiC Solution Growth 国際会議

    September 14, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  585. 過飽和度制御による6H-SiC(0001)上への3C-SiC溶液成長

    関 和明,山本祐治,原田俊太,宇治原徹,竹田美和

    8月30日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 30a-ZB-1 

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    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  586. AlGaAs中間層及びSi3N4反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上

    市橋史朗,金 秀光,山本尚人,真野篤志,桑原真人,渕 真悟,宇治原徹,竹田美和

    8月31日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZA-13 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  587. MBE成長したNdFeAsO薄膜へのフッ素ドーピング

    川口昂彦,上村彦樹,大野俊也,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志

    8月31日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-10 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  588. NdFeAs(O,F)薄膜の超伝導特性の基板依存性

    上村彦樹,川口昂彦,大野俊也,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志

    8月31日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-9 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  589. MBE法によるBaFe2(As,P)2超伝導薄膜の成長

    上彰啓,川口昂彦,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志

    8月31日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-8 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  590. SiC溶液成長における貫通らせん転位分解メカニズム

    宇治原徹,小澤茂太,関 和明,山本祐治,原田俊太

    8月30日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 30a-ZB-2 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  591. Improvement of reaction rate in AlN solution growth by Mg vapor supply 国際会議

    July 11, 9th International Conference on Nitride Semiconductors, Glasgow, UK, July 10-15 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  592. 酸化物基板表面上の細胞膜モデルシステム:支持平面脂質膜のダイナミクスと基板表面の影響

    手老龍吾,佐崎 元, 宇治原徹, 宇理須恒雄

    応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会 研究会, 神戸大学, 2011年6月24-25日 

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    開催年月日: 2011年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  593. T6/16 Polytype-Selective Growth of SiC by Supersaturation Control in Solution Growth 国際会議

    June 29, 5th International Workshop on Crystal Growth Technology(IWCGT-5), Berlin, Germany, June 26-30 (2011) 

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    開催年月日: 2011年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  594. スピン偏極パルスTEM用電子源と照射系の開発

    桑原真人, 中西 彊, 竹田美和, 浅野秀文, 齋藤晃, 宇治原徹, 田中信夫

    福岡国際会議場, 福岡県, 5月16日, 日本顕微鏡学会第67回学術講演会, 2011年5月16-18日 

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    開催年月日: 2011年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  595. Mg気相供給を用いた多結晶AlNの溶液成長

    水野恒平, 松原弘明, 宇治原徹, 竹田美和, 青木祐一, 竹内幸久

    日本セラミックス協会 2011年 年会, 静岡大学, 浜松キャンパス, 2011年3月16-18日 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  596. MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と評価

    上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志

    第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  597. TEM法による超格子の層厚変調のメカニズムの解析

    金 秀光, 中原弘貴, 斎藤 晃, 坂 貴, 宇治原徹, 田中信夫, 竹田美和

    第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  598. 溶液成長における4H-SiC(0001)面上の成長多形変化過程の観察

    アレキサンダー, 関 和明, 小澤茂太, 山本裕治, 宇治原徹, 竹田美和

    第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  599. 溶液成長により作製したSiC結晶の転位挙動解析

    小澤茂太, 関 和明, 山本祐治, Alexander, 宇治原徹, 竹田美和

    第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  600. 溶液法によるSiC結晶成長 ー多形制御・結晶性ー

    宇治原徹

    第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  601. 放射光トポグラフィーによるSiC溶液成長における転位挙動解析

    小澤 茂太, 関 和明, 山本祐治, Alexander, 宇治原徹, 山口博隆, 竹田美和

    PF研究会「X線トポグラフィーの現状と展望」, 高エネルギー加速器研究機構, つくば, 2011年1月11-12日 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  602. Hierarchic lipid diffusion in supported lipid bilayers on oxide surfaces 国際会議

    The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies (Pacifichem), Honolulu, Hawaii, USA, December 15-20 (2010) 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  603. Laser light patterning on phase-separated domain in supported lipid bilayer 国際会議

    The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies (Pacifichem), Honolulu, Hawaii, USA, 15-20 December (2010) 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  604. 液相法によるAlN多結晶体合成とMg添加効果

    水野恒平, 宇治原徹, 竹田美和, 青木祐一, 竹内幸久, 井上 哲

    第20回学生による材料フォーラム, 名古屋大学豊田講堂, 名古屋市, 2010年11月25日 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  605. 6H-SiC上への3C-SiC溶液成長における成長多形と過飽和度の関係

    関 和明, アレキサンダー, 小澤茂太, 山本祐治, 宇治原徹, 竹田美和

    第20回学生による材料フォーラム, 名古屋大学豊田講堂, 名古屋市, 2010年11月25日 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  606. 溶液成長で作製したSiC結晶における欠陥挙動の評価

    小澤茂太, 関 和明, アレキサンダー, 山本祐治, 宇治原徹, 竹田美和

    第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, つくば国際会議場, つくば市, 2010年10月20-22日 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  607. 6H-SiC(0001)上への溶液成長における3C-SiC優先成長メカニズム

    関 和明, アレキサンダー, 小澤茂太, 山本祐治, 宇治原徹, 竹田美和

    第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, つくば国際会議場, つくば市, 2010年10月20-22日 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  608. 溶液成長における4H-SiCの成長多形安定性

    アレキサンダー, 関 和明, 小澤茂太, 山本祐治, 宇治原徹, 竹田美和

    第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, つくば国際会議場, つくば市, 2010年10月20-22日 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  609. 液相法による AlN 多結晶体合成とMg 添加効果

    水野恒平, 宇治原徹, 竹田美和, 青木祐一, 竹内幸久, 井上 哲

    日本金属学会2010年秋期(第147回)大会, 北海道大学, 2010年9月25-27日 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  610. Elimination of local thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattices for high spin-polarization photocathodes 国際会議

    Workshop on Sources of Polarized Leptons and High Brightness Electron Beams, Bonn, Germany, September 21-24 (2010) 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  611. AlGaAs中間層の導入による透過型 GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極フォトカソードの高量子効率化

    市橋史朗, 金 秀光, 桑原真人, 山本尚人, 前多悠也, 橋本和弥, 渕 真悟, 奥見正治, 宇治原徹, 中西 彊, 竹田美和

    第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  612. MBE法によるGaAs基板上のLnFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長

    川口昂彦, 上村彦樹, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志

    第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  613. MBE法によるMgO基板上へのNdFeAs(O,F)薄膜の成長

    上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志

    第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  614. GaAs上InAs積層量子ドットの発光のスペーサー層厚さ制御による広帯域化

    谷 和馬, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和

    第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  615. 6H-SiC上への3C-SiCヘテロ成長における多形変換過程

    関 和明, アレキサンダー, 小澤茂太, 宇治原徹, Patrick Chaudouet, Didier Chaussende, 竹田美和

    第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  616. MBE法によるLnFeAs(O,F)超伝導薄膜(Ln=La,Nd)の成長と物性評価

    大野俊也, 川口昂彦, 上村彦樹, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志

    日本物理学会 2010年秋季大会, 2010年9月23-26日 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  617. High brightness electron gun test facility at KEK 国際会議

    Workshop on Sources of Polarized Leptons and High Brightness Electron Beams, Bonn, Germany, September 21-24 (2010) 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  618. Pulsed spin-polarized electron source toward a transmission electron microscope 国際会議

    17th International Microscopy Congress I1501, Rio de Janeiro, Brazil, September 19-24 (2010) 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ブラジル連邦共和国  

  619. Development of a Spin-Polarized and Short-Pulsed Transmission Electron Microscope 国際会議

    17th International Microscopy Congress I1501, Rio de Janeiro, Brazil, September 19-24 (2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ブラジル連邦共和国  

  620. Defect evaluation of SiC crystal grown by solution method: The study bysynchrotron X-ray topography and etching method 国際会議

    8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oslo, Norway, August 29-September 2 (2010) 

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    開催年月日: 2010年8月 - 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ノルウェー王国  

  621. SiC polytype grown on {0001} seed crystal by solution growth 国際会議

    8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oslo, Norway, August 29- September 2 (2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年8月 - 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ノルウェー王国  

  622. Effects of GaAs inter-layer on uniformity of GaAs/GaAsP strained superlattice for spin-polarized photocathodes 国際会議

    The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), HE6 Beijing International Convention Center, Beijing China, August 8-13 (2010) 

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    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  623. Formation mechanism of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by solution growth 国際会議

    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010) 

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    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  624. Solution growth of high-quality and large-area 3C-SiC 国際会議

    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  625. Improvement of quantum efficiency by introduction of AlGaAs inter-layer in transmission-type spin-polarized photocathode 国際会議

    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  626. Increase of Spectral Width of Stacked InAs Quantum Dots on GaAs by Controlling Spacer Layer Thickness 国際会議

    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010) 

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    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  627. MBE growth and characterization of superconducting NdFeAs(O,F) epitaxial films on GaAs(001) 国際会議

    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  628. Effects of defects and local thickness modulation on spin-polarization in photocathodes based on GaAs/GaAsP strained superlattices 国際会議

    The 23rd International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC 2010), 8.5, Palo Alto, California, USA, July 26-30 (2010) 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  629. TEM analysis of SiC crystal grown on (001) 3C-SiC CVD substrate by solution growth 国際会議

    The 2nd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations, June 24-26 (2010) 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  630. スピン偏極パルス透過電子顕微鏡の開発1

    田中信夫, 中西 彊, 竹田美和, 浅野秀文, 斎藤 晃, 宇治原徹, 桑原真人

    日本顕微鏡学会 第66回学術講演会, 2010年5月23-26日 

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    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  631. スピン偏極パルスTEM用電子銃の特性評価

    桑原真人, 中西 彊, 田中信夫, 竹田美和, 浅野秀文, 斎藤晃, 宇治原徹

    日本顕微鏡学会 第66回学術講演会, 2010年5月23-26日 

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    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  632. 500kV Gun development at KEK 国際会議

    48th ICFA Advanced Beam Dynamics Workshop on Future Light Sources, 1-5 March 2010, SLAC National Accelerator Laboratory, USA 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  633. 脂質二重膜内の階層的な分子拡散挙動その場観察のための蛍光顕微鏡

    手老龍吾,佐崎元,宇治原徹,宇理須恒雄

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  634. MBEによるGaAs(001)基板上へのNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長

    上村彦樹,川口昂彦,大野俊也,田渕雅夫, 宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  635. MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価

    川口昂彦,上村彦樹,大野俊也,田渕雅夫, 宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  636. ミュオニウムスピン交換法による半導体(Si,GaAs)中の伝導電 子スピン偏極測定

    鳥養映子,白木一郎,永嶺謙忠,下村浩一郎,Pavel Bacule,石田勝彦,大石一城,竹田美和,宇治原徹,坂貴, 加藤俊宏,横山浩司,Harry Tom,Roland Kawakami,Francis Pratt

    日本物理学会第65回年会、2010年3月20~23日、岡山大学津島キャンパス 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  637. スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察

    中西彊,桑原真人,奥見正治,真野篤志,中川靖英, 山本尚人,金秀光,宇治原徹,竹田美和,鈴木雅彦, 安江常夫,越川孝範,孝橋照生,大嶋卓,坂貴, 堀中博道,加藤俊宏,山本将博

    日本物理学会第65回年会、2010年3月20~23日、岡山大学津島キャンパス 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  638. MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価

    川口昂彦,上村彦樹, 大野俊也,田渕雅夫,宇治原徹,竹中康司, 竹田美和,生田博志

    日本物理学会第65回年会、2010年3月20~23日、岡山大学津島キャンパス 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  639. 一分子蛍光追跡法による脂質二重膜中の幅広い時間・空間スケールでの分子拡散挙動のその場観察

    手老龍吾・佐崎元・宇治原徹・宇理須恒雄

    日本化学会第90回春季年会、2C5-16、2010年3月26~29日、近畿大学本部キャンパス 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  640. 人工脂質二重膜における膜欠陥の低減と相分離ドメイン凝集への影響

    内田昌志,宇治原徹,手老龍吾,竹田美和

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  641. 溶液成長で成長したSiC結晶における放射光トポグラフィーとエッチングによる欠陥評価

    小澤茂太,関 和明,アレキサンダー,宇治原徹,竹田美和

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  642. 溶液成長における種結晶の極性面と成長多形の関係

    アレキサンダー,関 和明,小澤茂太,宇治原徹,竹田美和

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  643. 溶液法による6H-SiC{0001}上への3C-SiCヘテロ成長メカニズム

    関和明,小澤茂太,宇治原徹,竹田美和

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  644. スピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子フォトカソードにおける欠陥と層厚変調の偏極度への影響

    金秀光,前多悠也,市橋史朗,橋本和弥,渕真悟,宇治原徹,竹田美和

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  645. 次世代パワーデバイス半導体SiCの溶液成長

    宇治原徹

    日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部学術討論会「次世代自動車の普及と地球温暖化対策を目指す最先端材料研究」、2010年2月23日、名古屋大学 

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    開催年月日: 2010年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  646. Growth of Transmission-type photocathode based on a GaAs-GaAsP strained superlattice for real time SPLEEM 国際会議

    7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), 6-11 December 2009, Hawaii, USA 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  647. 6H-SiC(0001)上に溶液成長した3C-SiC の表面モフォロジー

    関和明, アレキサンダー, 小澤茂太, 宇治原徹, 竹田美和

    第18回(2009年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  648. Real time observation of growth process of magnetic thin films by SPLEEM with high brightness and high spin-polarized electron source 国際会議

    7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), 6-11 December 2009, Hawaii, USA 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  649. High brightness and highly polarized electron beam for real-time measurement in SPLEEM 国際会議

    7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), 6-11 December 2009, Hawaii, USA 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  650. Strain of GaAs/GaAsP superlattices used as spin-polarized electron photocathodes, determined by X-ray diffraction 国際会議

    7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), 6-11 December 2009, Hawaii, USA 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  651. Development of high brightness and highly spin polarized low energy electron microscope 国際会議

    7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), 6-11 December 2009, Hawaii, USA 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  652. MBEによるGaAs基板(001)面上へのNdFeAs(O,F)超伝導薄成長

    上村彦樹,川口昂彦,大野俊也,渡邉諒太郎,田渕雅夫,宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    第39回結晶成長国内会議、2009年11月12~14日、名古屋大学 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  653. 溶液成長によってCVD製3C-SiC基板上に成長させた結晶のTEM解析

    森本海, 関和明, 徳永智春, 宇治原徹, 佐々木勝寛, 黒田光太郎

    日本金属学会東海支部 第19回学生による材料フォーラム、2009年11月13日、豊橋サイエンスコア、愛知県 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  654. MBE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF NdFeAsO THIN FILMS 国際会議

    22nd INTERNATIONAL SYMPOSIUM OF SUPERCONDUCTIVITY (ISS22), 2-4 November 2009, Tsukuba, Japan 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  655. CHARACTERIZATION AND THE PHYSICAL PROPERTIES OF MBE GROWN NdFeAsO THIN FILMS 国際会議

    22nd INTERNATIONAL SYMPOSIUM OF SUPERCONDUCTIVITY (ISS22), 2-4 November 2009, Tsukuba, Japan 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  656. 6H-SiC(0001)面上への3C-SiC溶液成長

    小澤茂太,関和明,アレキサンダー,宇治原徹,竹田美和

    第39回結晶成長国内会議、2009年11月12~14日、名古屋大学 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  657. TEMによるスピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子構造の結晶性の評価

    金 秀光, 前多悠也, 渕 真悟, 宇治原 徹, 竹田美和

    第39回結晶成長国内会議、2009年11月12~14日、名古屋大学 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  658. 一方向に優先的に成長する樹枝状二次元島の研究- Kinetic Monte-Carlo Simulationによる再現 -

    菊田翔平,神部拓也,西田幸司,高岸洋一,平井豪,宇治原徹,中田俊隆

    第39回結晶成長国内会議、2009年11月12~14日、名古屋大学 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  659. Stacking Faults Induced by Polytype Transformation in 6H-SiC Grown on 3C-SiC with Solution Growth 国際会議

    13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM2009), 11-16 October 2009, Nuremberg, Germany 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  660. Development of super-high brightness and high spin-polarization photocathodes for SPLEEM, ERL, and ILC 国際会議

    Second HOPE Meeting,27September-1 October 2009, Hakone, Japan 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  661. Polytype-Stabilized Solution Growth of 3C-SiC 国際会議

    2009 International Conference on. Solid State Devices and Materials. (SSDM 2009), 7-9 October 2009,Sendai, Japan 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  662. Large-area 3C-SiC crystal grown on 6H-SiC substrate by solution growth 国際会議

    13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM2009), 11-16 October 2009, Nuremberg, Germany 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  663. Growth of Epitaxial NdFeAsO Thin Films by Molecular Beam Epitaxy and their Characterization 国際会議

    9th International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductoivity, Sptember 7-12, 2009, Tokyo Japan 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  664. TEM investigation on structural perfection of GaAs/GaAsP strained superlattice for high-performance spin-polarized electron source 国際会議

    10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-10), Wed1245, Granada, Spain 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  665. MBE法による鉄ヒ素系薄膜の作製

    川口昂彦,上村彦樹,大野俊也,渡邉諒太郎,田渕雅夫,宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    日本物理学会2009年秋季大会、26aPS-108、2009年9月10日~13日、熊本大学黒髪キャンパス 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  666. 3C/6H-SiCヘテロ界面に誘起された積層欠陥のTEM観察

    関 和明,森本 海,宇治原徹,徳永智春,佐々木勝寛,黒田光太郎,竹田美和

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  667. スピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子構造における層厚の変調と偏極度への影響

    金秀光,前多悠也,渕 真悟,宇治原徹,竹田美和

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  668. 超高輝度・高スピン偏極度フォトカソード

    金 秀光, 山本尚人, 中川靖英, 真野篤志, 加藤鷹紀, 谷奥雅俊, 宇治原 徹, 竹田美和, 山本将博, 奥見正治, 中西 彊, 坂 貴, 堀中博道, 加藤俊宏, 安江常夫, 越川孝範

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  669. 光照射による人工脂質二重膜相分離ドメイン凝集制御における光強度の影響

    内田昌志,宇治原徹,手老龍吾,竹田美和

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  670. MBE法によるNdFeAsO薄膜の成長と評価(II)

    上村彦樹,川口昂彦,大野俊也,渡邉諒太郎,田渕雅夫,宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  671. MBE法によるNdFeAsO薄膜の成長と評価(I)

    川口昂彦,上村彦樹,大野俊也,渡邉諒太郎,田渕雅夫,宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  672. 高偏極度・高輝度電子源を用いたSPLEEMによる実時間磁区観察

    鈴木雅彦,橋本道廣,安江常夫,越川孝範,中川靖英,真野篤志,山本尚人,山本将博,許斐太郎,桑原真人,奥見正治,中西 彊,金 秀光,加藤鷹紀,谷奥雅俊,宇治原徹,竹田美和,孝橋照生,大島 卓,坂 貴,加藤俊宏,堀中博道

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  673. 溶液成長法の基礎とSiC結晶成長への応用

    宇治原徹

    「SiC単結晶成長、基板の開発・加工技術」セミナー 

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  674. 溶液法の基礎とSiC結晶成長への応用

    宇治原徹

    第14回東海支部基礎セミナー「先端材料開発のための結晶成長の基礎と応用」 

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    開催年月日: 2009年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  675. MBE法によるNdFeAsO薄膜の作製

    川口昂彦,田渕雅夫,宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  676. 4H-SiC溶液成長における固液界面エネルギーの面方位依存性と成長多形との関係

    宇治原徹,田中 亮,関 和明,竹田美和

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  677. SiC溶液成長におけるSi溶媒への第三元素(Al, Sc)添加と多形変化

    関和明,田中 亮,宇治原徹,竹田美和

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  678. 6H-SiC(0001)基板上への3C-SiC(111)バルク結晶の溶液成長

    関和明,田中 亮,宇治原徹,竹田美和

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  679. TEMとAFMによるスピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子の結晶性の評価

    金秀光,谷奥雅俊,前多悠也,渕真悟,宇治原徹,竹田美和,山本尚人,中川靖英,山本将博,奥見正治,中西彊

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  680. 単結晶TiO2(100)表面上での吸着脂質ベシクルの形状変化への基板材料および光照射の影響

    手老龍吾,宇治原徹,宇理須恒雄

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  681. 固体基板上脂質二重膜における光照射による相分離ドメイン局所形成メカニズムの検討

    宇治原徹,山内庸詞,内田昌志,手老龍吾,竹田美和

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  682. 協同現象の観点からの生体膜相分離の制御

    宇治原徹

    「G蛋白質シグナル」&「膜輸送複合体」合同若手ワークショップ2009、神戸 

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    開催年月日: 2009年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  683. Active Control of Gel-Phase and Raft Domain Condensation in Supported Lipid Bilayer 国際会議

    2nd International Symposium on Nanomedicine (ISNM2009) Asian Core Symposium -Nano and Biomedical Molecular Science-, February 5-7, 2009, Okazaki, Japan 

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    開催年月日: 2009年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  684. Shape Transformation of Absorbed Vesicles on Step-and-Terrace TiO2(100) Surfece 国際会議

    nternational Union of Materials Research Societies International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2008), December 9-13, 2008, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  685. VLS法によるSiC単結晶の成長

    小宮山 聰、吉川和男、田中 亮、関 和明、宇治原 徹

    第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会、2008年12月8日?9日、大田区産業プラザ、東京都 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  686. 3C-SiC(111)面への溶液成長における多形変化と高密度積層欠陥の生成

    関 和明、田中 亮、宇治原 徹、森本 海、徳永智春、佐々木勝寛、黒田光太郎、竹田美和

    第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会、2008年12月8日?9日、大田区産業プラザ、東京都 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  687. 3C-SiC種結晶(001)面上への高品質3C-SiC低温溶液成長

    田中亮,関和明,宇治原徹,竹田美和

    第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会、2008年12月8日?9日、大田区産業プラザ、東京都 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  688. Local Condensation of Artificial Raft Domains in Supported Lipid Bilayer under Light Irradiation in PSM-DOPC-Cholesterol System 国際会議

    nternational Union of Materials Research Societies International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2008), December 9-13, 2008, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  689. Effect of Applied Voltage on the Size of Phase Separated Domains in Lipid Binary Bilayers Supported on SiO2/Si substrates 国際会議

    nternational Union of Materials Research Societies International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2008), December 9-13, 2008, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  690. 一方向に優先的に成長するベヘン酸の樹枝状二次元結晶

    菊田翔平,神部拓也,西田幸司,高岸洋一,宇治原徹,中田俊隆

    第38回結晶成長国内会議、2008年11月4日?6日、仙台市戦災復興記念館、宮城県 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  691. GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極電子源における歪み解析とその偏極度への影響

    金秀光,谷奥雅俊,前多悠也,坂貴,渕真悟,宇治原徹,竹田美和,山本尚人,中川靖俊,山本将博,奥見正治,中西 彊,堀中博道,加藤俊宏,安江常夫,越川孝範

    第38回結晶成長国内会議、2008年11月4日?6日、仙台市戦災復興記念館、宮城県 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  692. 3C-SiC上の溶液成長における結晶方位と結晶内欠陥の成長多形への影響

    関和明,田中亮,宇治原徹,竹田美和

    第38回結晶成長国内会議、2008年11月4日?6日、仙台市戦災復興記念館、宮城県 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  693. 半導体歪み超格子構造による高偏極度・高輝度スピン偏極電子

    宇治原徹

    第38回結晶成長国内会議、2008年11月4日?6日、仙台市戦災復興記念館、宮城県 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  694. Super-high brightness and high-spin-polarization electrons source based on a novel transmission-type GaAs/GaAsP strained superlattice Defects and polarization 国際会議

    Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), October 1-3, 2008, Jefferson Lab, Newport News, USA 

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    開催年月日: 2008年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  695. Status of 200keV beam operations at Nagoya University 国際会議

    Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), October 1-3, 2008, Jefferson Lab, Newport News, USA 

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    開催年月日: 2008年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  696. High Brightness and High Polarization Electron Source Using Transmission Photocathode 国際会議

    Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), October 1-3, 2008, Jefferson Lab, Newport News, USA 

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    開催年月日: 2008年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  697. New transmission-type photocathode structure based on strain-compensated superlattice 国際会議

    Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), October 1-3, 2008, Jefferson Lab, Newport News, USA 

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    開催年月日: 2008年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  698. Polytype transformation during solution growth on 3C-SiC seed crystals 国際会議

    7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 7-11, 2008, Barcelona, Spain 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  699. 3C-SiC種結晶上への溶液成長における多形変化

    関 和明,田中 亮,宇治原徹,徳永智春,佐々木勝寛,黒田光太郎,竹田美和

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  700. GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源におけるGaAsPバッファ層の結晶性と偏極度の関係

    金 秀光,谷奥雅俊,前多悠也,坂  貴,渕 真悟,宇治原徹,竹田美和,山本尚人,真野篤志,中川靖俊,山本将博,奥見正治,中西 彊,堀中博道,加藤俊宏,安江常夫,越川孝範

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  701. SiO2/Si基板上人工脂質膜相分離構造のドメインサイズにおける電圧印加効果

    山内庸詞,宇治原徹,手老龍吾,竹田美和

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  702. 酸化物材料表面上に担持した脂質二重膜内の分子拡散挙動のその場観察:基板材料を選ばない1分子追跡法による解析

    手老龍吾,佐崎 元,宇治原徹,宇理須恒雄

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  703. 実時間観察可能なSPLEEMに向けた高輝度偏極電子源の開発と性能評価

    中川靖英,真野篤志,山本将博,奥見正治,許斐太郎,斉藤 光,中西 彊,孝橋照生,大嶋 卓,金 秀光,前多悠也,宇治原徹,竹田美和,鈴木雅彦,津野勝重,安江常夫,越川孝範

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  704. 無転位歪み補償半導体超格子による高品質スピン偏極電子源の設計と作製

    谷奥雅俊,金 秀光,前多悠也,許斐太郎,中川靖英,渕 真悟,山本将博,宇治原徹,中西 彊,竹田美和

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  705. Solution growth on free-standing (001) 3C-SiC epilayers 国際会議

    7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 7-11, 2008, Barcelona, Spain 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  706. (001)3C-SiC自立基板上への溶液成長における多形変化

    田中 亮,関 和明,宇治原徹,佐々木勝寛,黒田光太郎,竹田美和

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  707. Si基板/SiO2薄膜上二元系脂質二重膜相分離ドメイン・サイズの電圧印加効果

    山内 庸詞, 宇治原 徹, 手老 龍吾, 竹田 美和

    第61回コロイドおよび界面化学討論会、2008年9月7日?9日、九州大学、福岡県 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  708. ステップ&テラスTiO2(100)表面上に吸着したリン脂質ベシクルの形状変化

    手老 龍吾, 宇治原 徹, 宇理須 恒雄

    第61回コロイドおよび界面化学討論会、2008年9月7日?9日、九州大学、福岡県 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  709. Highly spin-polarized electron photocathode based on GaAs/GaAsP superlattice grown on mosaic-structured buffer layer 国際会議

    14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE2008), 1-6 June 2008, Metz, France 

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    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  710. “光KFMによる多結晶Si太陽電池の少数キャリア拡散長及び移動度測定”

    瀧原昌輝,宇治原徹,高橋琢二

    第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学理工学部船橋キャンパス、27p-ZN-2 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  711. “透過型スピン偏極電子源のための半導体超格子構造と結晶成長”

    宇治原徹

    第1回 フォトカソード研究会 表面ナノ構造とフォトカソード 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  712. “GaAs/GaAsP歪み超格子構造電子源による超高輝度・高スピン偏極度の実現”

    金 秀光,前多悠也,加藤鷹紀,谷奥雅俊,渕 真悟,宇治原 徹,竹田美和,山本尚人,真野篤志,中川靖英,山本将博,奥見正治,中西 彊,坂 貴,堀中博道,加藤俊宏,安江常夫,越川孝範

    第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学理工学部船橋キャンパス、27p-ZN-2 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  713. “高偏極度・高輝度・高効率電子源用無欠陥歪み補償半導体超格子構造の設計”

    谷奥雅俊,加藤鷹紀,中川靖英,許斐太郎,金 秀光,前多悠也,渕 真悟,山本将博,宇治原 徹,中西 彊,竹田美和

    第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学理工学部船橋キャンパス、27p-ZN-2 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  714. “光KFMによる多結晶Si太陽電池の少数キャリアライフタイム測定”

    瀧原昌輝,宇治原徹,高橋琢二

    第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学理工学部船橋キャンパス、27p-ZN-2 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  715. “シングルステップTiO2 表面上でのリン脂質吸着ベシクルから平面二重膜への形状変化”

    手老龍吾、宇治原徹、宇理須 恒雄

    日本化学会第88春季年会、立教大学池袋キャンパスおよび立教池袋中学校・高等学校 3L3-15 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  716. “電圧印加による人工脂質膜相分離ドメインのアクティブ制御”

    山内庸詞、鈴木翔也、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学理工学部船橋キャンパス、27p-ZN-2 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  717. “SiO2/Si基板上PSM-DOPC-Cholesterol系脂質二重膜における相分離ドメインの観察と制御」”

    鈴木翔也、山内庸詞、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学理工学部船橋キャンパス、27p-ZN-2 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  718. Fabrication of DMPC-DOPC Lipid Binary Bilayers Supported on SiO2/Al/Si Substrate for Electrical Control of Phase-Separated Structure

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    開催年月日: 2007年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  719. “3C-SiC溶液成長における結晶多形安定性”

    宇治原徹、田中亮、関和明、竹田美和

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会、愛知県女性総合センター(ウィルあいち) 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  720. Polarization improvement of spin-polarized electrons from strain-compensated GaAs/GaAsP superlattice photocathode 国際会議

    "9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Tokyo, Japan, November 11 - 15 (2007)." 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  721. Super-high brightness spin-polarized transmission photocathode based on GaAs-GaAsP strained superlattice structure on GaP substrate 国際会議

    "9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Tokyo, Japan, November 11 - 15 (2007)." 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  722. “SiO2/Si上に形成した脂質二重膜相分離ドメインの光照射輸送制御”

    宇治原徹、鈴木翔也、山内庸詞、手老龍吾、竹田美和

    第1回サポーティッドメンブランワークショップ(WSM2007)、蒲郡温泉「天の丸」愛知県額田郡 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  723. “サポーティッドメンブレンへの形成過程、構造、物性への固体基板表面の影響”

    手老 龍吾、宇治原 徹、宇理須 恒雄

    第1回サポーティッドメンブランワークショップ(WSM2007)、蒲郡温泉「天の丸」愛知県額田郡 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  724. “半導体基板上脂質二重膜の形成およびゲル相ドメイン制御とそのラフト構造への応用”

    鈴木翔也、山内庸詞、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    第1回サポーティッドメンブランワークショップ(WSM2007)、蒲郡温泉「天の丸」愛知県額田郡 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  725. “半導体基板上のDMPS-DOPC二元系脂質膜の電界印加による相分離ドメインのサイズ変化”

    山内庸詞、鈴木翔也、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    第1回サポーティッドメンブランワークショップ(WSM2007)、蒲郡温泉「天の丸」愛知県額田郡 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  726. Low Temperature Solution Growth of 3C-SiC Crystals in Si-Ge-Ti Solvent 国際会議

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu, Japan October 15-19 (2007)." 

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    開催年月日: 2007年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  727. Stability Growth Condition for 3C-SiC Crystals by Solution Technique 国際会議

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu, Japan October 15-19 (2007)." 

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    開催年月日: 2007年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  728. "“分離閉じ込め構造による電流注入型Er, O共添加GaAs発光デバイスの発光強度増大”"

    "田中雄太, 宇木大輔, 山口岳宏, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和"

    第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学 5p-P8-13 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  729. Supported lipid bilayers membranes on SiO2 and TiO2:Substrate effects on membrane formation and shape transformation 国際会議

    "SPIE Optics East, Boston, MA USA,September 8-12(2007)." 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  730. 高濃度Ca2+緩衝液を用いたベシクル展開法による平面状脂質二重膜の形成

    鈴木翔也、山内庸詞、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学 5p-P8-13 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  731. “Supported planar lipid bilayerのドメイン形状への基板表面構造の影響”

    手老 龍吾、宇治原 徹、宇理須 恒雄

    第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学 5p-P8-13 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  732. “SiCの溶液成長速度向上におけるSi-Ti溶媒の効果”

    田中亮、前川諒介、宇治原徹、竹田美和

    第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学 5p-P8-13 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  733. Effect of absorbed group-V atoms on the size distribution and optical properties of InAsP quantum dots fabricated by the droplet hetero-epitaxy 国際会議

    "15th International Conference on Crystal Growth, Salt Lake City, Utah, USA, August 12-17 (2007)." 

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  734. Effect of Si-Ti solvent on growth rate improvement in SiC solution growth 国際会議

    "15th International Conference on Crystal Growth, Salt Lake City, Utah, USA, August 12-17 (2007)." 

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  735. Solution growht of high quality 3C-SiC crystals 国際会議

    "15th International Conference on Crystal Growth, Salt Lake City, Utah, USA, August 12-17 (2007)." 

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  736. “歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上”

    加藤鷹紀、酒井良介、谷奥雅俊、中川靖英、前田義紀、金秀光、渕真悟、山本将博、宇治原徹、中西彊、竹田美和

    "電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品・材料/シリコン材料・デバイス研究会, 静岡県浜松市, 静岡大学浜松キャンパス, 2007年5月24日-25日." 

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    開催年月日: 2007年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  737. Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering 国際会議

    "19th International Conference on Indium Posphide and Related Materials (IPRM07), PB29, Kunibiki Messe, Matsue, Japan, May 14-18 (2007)." 

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    開催年月日: 2007年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  738. "“Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5 μm帯の電流注入による発光強度の増大”"

    宇木大輔、山口岳宏、田中雄太、渕 真悟、宇治原徹、 竹田美和

    "電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品・材料/シリコン材料・デバイス研究会, 静岡県浜松市, 静岡大学浜松キャンパス, 2007年5月24日-25日." 

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    開催年月日: 2007年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  739. Supported planar lipid bilayers on step-and-terrace TiO2 surfaces 国際会議

    "American Chemical Society 233rd National Meeting and Exposition, Chicago, IL US,March 25-29(2007)." 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  740. Supported planar lipid bilayers on TiO2 and SiO2 surfaces: Effects of surface atomic structures and chemical species 国際会議

    "American Chemical Society 233rd National Meeting and Exposition, Chicago, IL US,March 25-29(2007)." 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  741. ケルビンプローブフォース顕微鏡による多結晶シリコン太陽電池の少数キャリア拡散長測定

    瀧原昌輝,五十嵐考俊,宇治原徹,高橋琢二

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  742. Supported planar lipid bilayers on TiO2 and SiO2 surfaces: Effects of surface atomic structures and chemical species 国際会議

    "American Chemical Society 233rd National Meeting & Exposition, Chicago, IL USA, March 25-29 (2007)" 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  743. “SiO2/Si基板上DMPC-DOPC脂質二重膜における相分離ドメインの光照射による形成位置制御”

    鈴木翔也、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    日本化学会第87春期年会 関西大学 千里山キャンパス 2K5-40 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  744. “3C-SiC 種結晶上への溶液成長と成長面による結晶多形変化”

    田中亮、前川諒介、宇治原徹、竹田美和

    日本金属学会、2007年春期講演大会、千葉工業大学津田沼キャンパス 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  745. “高輝度・高スピン偏極度を有する電子源の開発”

    山本尚人,真野篤志,玉垣邦秋,奥見正治,山本将博,桑原真人,酒井良介,森野貴典,宇津輝,中西 彊,大嶋卓,金秀光,宇治原徹,竹田美和,安江常夫,越川孝範,堀中博道,坂貴,加藤俊

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  746. “歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源のバンド構造と偏極度への影響”

    加藤鷹紀,酒井良介,谷奥雅俊,中川靖英,前田義紀,金秀光,渕真悟,山本将博,宇治原徹,中西彊,竹田美和

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  747. “SiO2/Si上に形成した脂質二重膜相分離ドメインのその場選択形成-光による局所加熱-“

    鈴木翔也,宇治原徹,手老龍吾,竹田美和

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  748. “液滴ヘテロエピタキシーにより作製したInAsP量子ドットの発光特性 -ガスフローシーケンスの影響-“

    三宅信輔,河村真一,渕真悟,宇治原徹,竹田美和

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  749. 断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布:InP層厚依存性 II

    叶保明,山川市朗,李祐植,渕真悟,宇治原徹,竹田美和,中村新男

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  750. “基板表面原子レベル構造がsupported planar lipid bilayerの構造に及ぼす効果”

    手老龍吾,宇治原 徹,宇理須恒雄

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  751. ケルビンプローブフォース顕微鏡による多結晶シリコン太陽電池の局所的光起電力評価

    瀧原昌輝,五十嵐考俊,宇治原徹,高橋琢二

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  752. “GaAs基板上に成長した有機薄膜に対する表面酸化物の影響”

    神部拓也、西田幸司、本同宏成、久保貴資、宇治原徹、中田俊隆

    第36回結晶成長国内会議(NCCG-36) 大阪大学 吹田キャンパス 03aD01 

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    開催年月日: 2006年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  753. Supported phospholipid bilayers on SiO2 and TiO2 surfaces: Effects of surface chemical species and atomic structures 国際会議

    "Fifth East Asian Biophysics Symposium & Forty-Fourth Annual Meeting of the Biophysical Society of Japan (EABS & BSJ 2006), Okinawa, Japan, November 12-16 (2006)" 

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    開催年月日: 2006年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  754. Formation of domains in fluorescent lipids doped DMPC-DOPC binary bilayers supported on SiO2/Si substrates under local light irradiation 国際会議

    "Fifth East Asian Biophysics Symposium & Forty-Fourth Annual Meeting of the Biophysical Society of Japan (EABS & BSJ 2006), Okinawa, Japan, November 12-16 (2006)" 

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    開催年月日: 2006年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  755. High density beam extraction from GaAs/GaAsP superlattice photocathode 国際会議

    " 17th International Spin Physics Symposium (SPIN2006), Kyoto, Japan, 2-7 October (2006)." 

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    開催年月日: 2006年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  756. Local Characterization of Photovoltage on Polycrystalline Silicon Solar Cells by KFM with Piezo-resistive Cantilever 国際会議

    "2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), Yokohama, Japan, 12-15 September (2006)" 

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    開催年月日: 2006年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  757. 単原子ステップTiO2表面上のsupported lipid bilayer形成

    手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄

    第59回コロイドおよび界面化学討論会, 北海道大学, 2006年9月13-15日 

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    開催年月日: 2006年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  758. “温度勾配を利用した高品質3C-SiC結晶の溶液成長”

    前川諒介,渡辺賢司,宇治原徹,黒田光太郎,竹田美和

    第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス 30a-Y-9 

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  759. “自己検知型カンチレバーを用いたKFMによる多結晶シリコン太陽電池の局所的光起電力評価”

    瀧原昌輝,五十嵐孝俊,宇治原 徹,高橋琢二

    第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス 30a-Y-9 

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  760. “SiO2/Al/Si基板上への脂質二重膜の形成と基板表面ラフネスの影響”

    鈴木翔也,宇治原徹,手老龍吾,竹田美和

    第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス 30a-Y-9 

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  761. “シングルステップ二酸化チタン表面上へのリン脂質二重膜堆積”

    手老龍吾,宇治原徹,宇理須恒雄

    第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス 30a-Y-9 

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  762. “断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布”

    叶保明,山川市朗,李祐植,宇治原徹,竹田美和,中村新男

    第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス 30a-Y-9 

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  763. “InAsP量子ドットによる広帯域発光の波長チューニング”

    三宅信輔,李祐植,河村真一,渕真悟,宇治原徹,竹田美和

    第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス 30a-Y-9 

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  764. “GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化”

    宇治原 徹、陳 博、安井健一、酒井良介、山本将博、中西 彊、竹田美和

    "電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品・材料/シリコン材料・デバイス研究会, 愛知県豊橋市, 豊橋技術科学大学, 2006年5月18日-19日." 

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  765. Evaluation of Strain Field around SiC Particle in Poly-Crystalline Silicon" 国際会議

    2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC4), Waikoloa , Hawaii, USA, 7-12 May (2006) 

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  766. The Wideband Light Emission around 800 nm from Ternary InAsP Quantum Dots with an Intentionally Broadened Size and Composition Distribution 国際会議

    Internation Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM 2006), WP6, Princeton University, May 7th-11th (2006) 

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  767. Effect of Li doping on photoluminescence from Er,O-codoped GaAs 国際会議

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  768. Room-temperature optical gain at 1.54μm from Er,O-codoped GaAs with laser pumping 国際会議

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  769. 「サイズ分布とAs/P組成分布に広がりを持つInAsP量子ドットによる850 nm帯広帯域発光」

    三宅信輔、李祐植、宇治原徹、竹田美和

    第53回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  770. 温度勾配を設けた溶液成長による低温安定相 3C-SiC 結晶の大量成長

    前川諒介、宇治原徹、竹田美和

    第138回日本金属学会2006年春期大会、早稲田大学、大久保キャンパス 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  771. "「Er, Li共添加GaAsにおけるLiのPL発光に及ぼす影響」"

    宇木大輔、大西宏幸、山口岳彦、武森祐貴、小泉淳、宇治原徹、竹田美和

    第53回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  772. "「光励起型VSL法によるEr, O共添加GaAsの利得測定」"

    山口岳彦、武森祐貴、大西宏幸、小泉淳、宇治原徹、竹田美和

    第53回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  773. 「Si/SiO2基板上に形成した二元系脂質二重膜のゲル相_液晶相相分離構造の観察と制御」

    鈴木翔也、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    第53回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  774. 「GaAs 基板上の脂質二重膜の形成における基板表面状態の影響」

    宇治原徹、手老龍吾、鈴木翔也、三宅信輔、李祐植、宇理須恒雄、竹田美和

    第53回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  775. 「断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布:井戸層厚依存性」

    赤沼泰彦、山川市朗、李祐植、宇治原徹、竹田美和、中村新男

    第53回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  776. Observation and control of phase separation in binary lipid bilayer membranes on semiconductor substrate 国際会議

    "the 6th International Symposium on Biomimetic Materials Processing (BMMP-6), Nagoya, Japan, 25-26 January (2006) " 

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    開催年月日: 2006年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  777. Electrical Properties around Grain Boundary of Poly-Crystalline Silicon for Solar Cell Evaluated Using the Conductive AFM 国際会議

    15th PVSEC, Shanghai, China, 11-15 October (2005) 

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    開催年月日: 2005年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  778. "Growth of SiC single crystal from Si-C-(Co, Fe) ternary solution" 国際会議

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (ICSCRM2005), Pittsburgh, PA USA, September 18-23 (2005) " 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  779. Solution growth of SiC crystal with high growth rate using accelerated crucible rotation technique 国際会議

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (ICSCRM2005), Pittsburgh, PA USA, September 18-23 (2005) " 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  780. “高効率スピン偏極度電子源のための高品質半導体超格子構造の設計と成長”

    陳博、渡辺修、李祐植、宇治原徹、竹田美和、山本将博、中西彊

    第66回応用物理学関係連合講演会 徳島大学 10a-ZA-11 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  781. “液滴ヘテロエピタキシーにより作製したInP量子ドット積層構造のスペーサ膜厚による発光特性の変化”

    李祐植、陳博、三宅信輔、宇治原徹、竹田美和

    第66回応用物理学関係連合講演会 徳島大学 10a-ZA-11 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  782. “As/P置換を施したGaAs上へのErPの成長と表面平坦性”

    大西宏幸、小泉淳、山川市朗、宇治原徹、中村新男、竹田美和

    第66回応用物理学関係連合講演会 徳島大学 10a-ZA-11 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  783. “選択成長により形成したInPメサ構造へのドットの形成とサイズ均一性の向上”

    宇治原徹、吉田義浩、李祐植、竹田美和

    第66回応用物理学関係連合講演会 徳島大学 10a-ZA-11 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  784. Analytical evaluation of growth process in a sub-micron scale selective-area growth by OMVPE 国際会議

    "The 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM05), Glasgow, Scotland, UK, 8-12 May (2005)" 

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    開催年月日: 2005年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  785. ACRTを用いた溶液成長法によるSiC結晶成長

    楠一彦,亀井一人,岡田信宏,矢代将斉,八内昭博,宇治原徹,中嶋一雄

    第52回応用物理学関係連合講演会 埼玉大学 31p-T-9 

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  786. “OMVPE成長したEr添加GaInPの光学特性に与える成長温度の影響”

    武森祐貴、小泉淳、大西宏幸、山口岳宏、宇治原徹、竹田美和

    第52回応用物理学関係連合講演会 埼玉大学 31p-T-9 

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  787. “OMVPE法によるInP選択成長における分子供給メカニズム”

    吉田義浩、李祐植、宇治原徹、竹田美和

    第52回応用物理学関係連合講演会 埼玉大学 31p-T-9 

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  788. 自己検知AFMプローブを用いた多結晶シリコン太陽電池の局所光起電力測定

    五十嵐考俊,宇治原徹,中嶋一雄,高橋琢二

    第52回応用物理学関係連合講演会 埼玉大学 31p-T-9 

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  789. Analytical evaluation of growth process in a sub-micron scale selective-area growth by OMVPE 国際会議

    The 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM05), Glasgow, Scotland, UK, 8-12 May (2005) 

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    開催年月日: 2005年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  790. Si-Ti-C3元系溶液を用いた6H-SiC結晶の溶液成長

    矢代将斉, 楠 一彦, 亀井一人, 長谷部光弘, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大泉キャンパス, 2004年9月1-4日 

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    開催年月日: 2004年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  791. 液滴ヘテロエピタキシー法によるGaInP上InP量子ドットの形成と光学的特性の評価

    李 祐植, 大賀 涼, 内田夏苗, 吉田義浩, 宇治原徹, 竹田美和

    2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大泉キャンパス, 2004年9月1-4日 

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    開催年月日: 2004年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  792. SiGe多結晶太陽電池の効率増加の要因に関して

    宇佐美徳隆, 藤原航三, 藩 伍根, 宇治原徹, 下川隆一, 中嶋一雄

    2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大泉キャンパス, 2004年9月1-4日 

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    開催年月日: 2004年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  793. 有機半導体薄膜結晶の粒成長制御について

    佐崎 元, 郡司 敦, 西方 督, 宇佐美徳隆, 藩 伍根, 宇治原徹, 藤原航三, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  794. PTCDA薄膜の形態に及ぼす基板-有機薄膜間相互作用力の効果

    西方 督, 佐崎 元, 郡司 敦, 藩 伍根, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 藤原航三, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  795. HOPG基板上の銅フタロシアニンエピタキシャル薄膜結晶に及ぼすアニーリング効果

    郡司 敦, 西方 督, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 佐崎 元, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  796. 太陽電池用多結晶Siの方位制御

    藤原航三, 澤田幸平, 宇治原徹, 藩 伍根, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  797. コンダクティブAFMを用いた太陽電池用多結晶シリコン粒界近傍の電気特性評価

    宇治原徹, 寺山剛司, 渡 元, 藩 伍根, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  798. 太陽電池用ミクロ分散的組成分布を有する多結晶SiGeの成長

    藤原航三, 藩 伍根, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  799. ミクロ分散的組成分布を有する高効率多結晶SiGe太陽電池の実現

    藩 伍根, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  800. LPE法により作製したSi結晶の太陽電池特性と低温成長の有効性

    佐藤祐輔, 宇治原徹, 藩 伍根, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  801. 優先方位種結晶を利用することによるSiGeバルク結晶の多結晶化の抑制

    我妻幸長, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  802. GaAs(110)種結晶を利用したInGaAsバルク単結晶の成長

    我妻幸長, 西嶋由人, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  803. 空間分解ラマン分光によるSGOI上Siの歪み分布の解析

    沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 佐崎 元, 藤原航三, 横山敬志, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  804. 太陽電池効率改善におけるGe島状結晶の効果

    アルグノアーノルド, 宇佐美徳隆, 藩 伍根, 宇治原徹, 藤原航三, 佐崎 元, 澤野憲太郎, 白木靖寛, 横山敬志, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  805. SiGe多結晶の局所構造と太陽電池特性との相関

    宇佐美徳隆, 藤原航三, 藩 伍根, ウルブリヒトロナウド, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  806. 金属溶媒を用いた6H-SiC自立結晶の溶液成長

    楠 一彦, 宗藤伸治, 亀井一人, 長谷部光弘, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  807. 液相エピタキシャル法によりマイクロパイプ上に成長した6H-SiCホモエピ層の結晶性評価

    宇治原徹, 宗藤伸治, 楠 一彦, 亀井一人, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  808. Local Photovoltage Mapping on Polycrystalline Silicon Solar Cells through Electrostatic Force Detected by AFM with Piezoresistive Cantilever 国際会議

    "12th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM12), Izu, Japan, 9-11 Dec. (2004)" 

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    開催年月日: 2004年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  809. Low growth temperature avoiding the degradation of solar cell property on silicon crystals by LPE method 国際会議

    "19th European Photovoltaic Solar Energy Conference (EUPVSEC19), Paris France, 7-11 June (2004)" 

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    開催年月日: 2004年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  810. Systematic Variation of Si Spacer Width in Solar Cells with Stacked Ge Islands and its Effect on Photovoltaic Performance 国際会議

    "19th European Photovoltaic Solar Energy Conference (EUPVSEC19), Paris France, 7-11 June (2004)" 

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    開催年月日: 2004年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  811. Low growth temperature and proper solvent improving silicon crystals grown by LPE method for photovoltaic materials 国際会議

    "14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, 9-13 August (2004)" 

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    開催年月日: 2004年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  812. Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained-Si layer 国際会議

    "14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, 9-13 August (2004)" 

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    開催年月日: 2004年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  813. Control of the grain orientations of organic semiconductor PTCDA thin film crystals epitaxially grown on H-Si(111) substrate using vicinal steps 国際会議

    "14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, 9-13 August (2004)" 

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    開催年月日: 2004年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  814. Growth and properties of SiGe multicrystal with microscopic compositional distribution and their applications for high efficiency solar cells 国際会議

    "14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, 9-13 August (2004)" 

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    開催年月日: 2004年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  815. Direct observation of melt growth behavior of polycrystalline silicon for solar cells 国際会議

    "14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, 9-13 August (2004)" 

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    開催年月日: 2004年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  816. Restraining polycrystallization of multicomponent semiconductors using seed crystals with preferential orientation determined by the growth with seed crystals of random orientations 国際会議

    "14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, 9-13 August (2004)" 

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    開催年月日: 2004年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  817. 積層Geドットを利用した太陽電池のSiスペーサ層厚が量子効率に及ぼす影響

    アルグノアーノルド, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 澤野憲太郎, 佐崎 元, 白木靖寛, 中嶋一雄

    第64回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日 

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    開催年月日: 2003年8月 - 2003年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  818. 多結晶シリコンの融液成長過程のその場観察と方位決定メカニズム

    藤原航三, 大日方善一, 宇治原徹, 宇佐美徳隆, 佐崎 元, 中嶋一雄

    第64回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日 

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    開催年月日: 2003年8月 - 2003年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  819. SiGeバルク結晶の面方位競合関係の観察及びその多結晶化の抑制への応用

    我妻幸長, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 佐崎 元, 村上義弘, 中嶋一雄

    第64回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日 

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    開催年月日: 2003年8月 - 2003年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  820. 多結晶SiGeおよび多結晶Siの融液成長過程のその場観察

    藤原航三, 大日方善一, 宇治原徹, 宇佐美徳隆, 佐崎 元, 中嶋一雄

    第64回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日 

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    開催年月日: 2003年8月 - 2003年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  821. Ga溶媒を用いた太陽電池用LPE-Si結晶のライフタイム成長温度依存性

    佐藤祐輔, 宇治原徹, 小原和夫, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 宍戸統悦, 中嶋一雄

    第64回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日 

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    開催年月日: 2003年8月 - 2003年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  822. 空間分解ラマン分光によるSGOI中HF欠陥の解析

    沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 藤原航三, 佐崎 元, 中嶋一雄

    第64回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日 

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    開催年月日: 2003年8月 - 2003年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  823. TEM studies on the initial stage of seeded solution growth of 6H-SiC using metal solvent 国際会議

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003), Lyon, France, October 5-10 (2003)" 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  824. Control of the Grain Orientations of Organic Semiconductor PTCDA Thin Film Crystals Epitaxially Grown on Hydrogen-Terminated Si(111) Substrate 国際会議

    "The Fourth Romanian Conference on Advanced Materials, Constanta, Romania, September 15-18, 2003." 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  825. How to grow a protein crystal of better quality: proposals from crystal growth physics 国際会議

    "Crystallogenesis and Protein Crystallography, Mexico City, Mexico, June 23-26, 2003" 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  826. Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy 国際会議

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003), Lyon, France, October 5-10 (2003)" 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  827. Solution growth of self standing 6H-SiC single crystal using metal solvent 国際会議

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003), Lyon, France, October 5-10 (2003)" 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  828. Melt Growth of SiGe Bulk Crystals with Uniform Composition and SiGe Multicrystals with Microscopic Compositional Distribution for New Si/SiGe Heterostructural Solar Cells 国際会議

    "The Fourth Romanian Conference on Advanced Materials, Constanta, Romania, September 15-18, 2003." 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  829. Way to choose appropriate solvents to prepare high-quality crystalline-silicon layers by LPE method for photovoltaic materials 国際会議

    "Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20 - 24 (2003)" 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  830. In situ observation of solid-liquid interface during crystal growth from silicon melt 国際会議

    "Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20 - 24 (2003)" 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  831. Way to choose appropriate solvents to prepare high-quality crystalline-silicon layers by LPE method for photovoltaic materials 国際会議

    "Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20 - 24 (2003)" 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  832. Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for new Si/SiGe heterostructural solar cells 国際会議

    "Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20 - 24 (2003)" 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  833. Observation of geometrical selection of SiGe bulk crystal using EBSP measurement and its utilization for restraining polycrystallization 国際会議

    "Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20 - 24 (2003)" 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  834. Prediction of strain induced poly-crystallization during crystal growth 国際会議

    "Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20 - 24 (2003)" 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  835. Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge thin film on Si-on-insulator substrate 国際会議

    "First International SiGe Technology and Device Meeting, Nagoya, Japan, 15-17 January (2003)." 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  836. Impact of the annealing temperature on the homogeneity of SiGe-on-insulator 国際会議

    "The Third International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, Santa Fe, New Mexico, U.S.A, March 9-12 (2003)." 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  837. Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime 国際会議

    "in European Materials Research Society 2003 Spring Meeting, Strasbourg, France, June 10-13 (2003)" 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  838. Structure and property of directionally grown SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution 国際会議

    "3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, May 11-18 (2003)." 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  839. Direct observations of crystal growth from silicon 国際会議

    "3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, May 11-18 (2003)." 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  840. What is the most important growth parameter on crystal quality of the silicon layer by LPE method? 国際会議

    "3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, May 11 - 18, 2003Osaka International Convention Center (Grand Cube, Osaka) Osaka, Japan" 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  841. Spatial distribution of composition and strain in multicrystalline SiGe bulk crystal and their impact on solar cell application 国際会議

    "3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, May 11-18 (2003)" 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  842. Epitaxial structure and growth behavior of organic semiconductor thin film crystals on hydrogen terminated Si(111) substrate 国際会議

    "First Kyoto Workshop on Computational Materials Science, Kyoto University, March 1-4 (2003)." 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  843. Local strain in multicrystalline-SiGe and its impact on the band structure 国際会議

    "First Kyoto Workshop on Computational Materials Science, Kyoto University, March 1-4 (2003)." 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  844. Mechanism of improvement in the quality of protein crystals by applying homogeneous magnetic field during the crystal growth 国際会議

    "in the 2nd Japan-Netherlands Seminor on Crystal Growth: Theory and In-Situ Measurements, Akiu, Sendai, Japan, January 14-17 (2002)." 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  845. Mechanism of improvement in the quality of protein crystals by a homogeneous magnetic field 国際会議

    "in the 9th International Conference on Crystallization of Biological Macromolecules, Jena, Germany, March 23-28 (2002)." 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  846. In-situ Measurement of the Marangoni Convection in a NaCl Aqueous Solution under Microgravity 国際会議

    "in the 9th International Conference on Crystallization of Biological Macromolecules, Jena, Germany, March 23-28 (2002)." 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  847. Estimation of the quality of lysozyme crystal grown under controlled driving force 国際会議

    "in the 9th International Conference on Crystallization of Biological Macromolecules, Jena, Germany, March 23-28 (2002)." 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  848. Melt growth of SiGe bulk crystals with uniform composition and SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for heterostructure device applications 国際会議

    "in International Forum on Science and Technology of Crystal Growth, Sendai, Japan, March 3-4 (2002)." 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  849. Si/multicrystalline-SiGe heterostructure as a candidate for solar cells with high conversion efficiency 国際会議

    "in 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, Louisiana, USA, May 20-24 (2002)." 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  850. Grain growth of polycrystalline Si thin film for solar cells and its crystal properties 国際会議

    "in 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, Louisiana, USA, May 20-24 (2002)." 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  851. Growth and optical properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for new Si/SiGe heterostructural solar cells 国際会議

    "in PV in Europe from PV Technology to Energy Solutions Conference and Exhibition, Palazzo dei Congressi, Rome, Italy, October 7-11 (2002)" 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  852. Effect of growth temperature on surface morphology and crystal quality of Si thin-film by liquid phase epitaxial growth technique 国際会議

    "PV in Europe from PV Technology to Energy Solutions Conference and Exhibition, Palazzo dei Congressi, Roma, Italy, 7-11 October 2002" 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  853. Fabrication of SiGe substrate with uniform composition and its application to strain-controlled epitaxy for group-IV heterostructures 国際会議

    "in the second international workshop on new group-IV semiconductors, Kofu, Japan, June 2-4 (2002)" 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  854. Built-in strain modulation in multicrystalline SiGe with microscopic compositional distribution 国際会議

    "26 th International Conference on Physics of Semiconductors, Edinburgh, UK, July 29-August 2 (2002)" 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  855. Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by utilizing in situ monitoring of the crytal-solution interface 国際会議

    "in the First International Symposium on Crystal Science and Technology, Yamanashi Univ.,Kofu, Japan, June 5 (2002)" 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  856. Impurity effect on the quality of protein crystals evaluated by the X-ray diffraction method: dependency on the supersaturation 国際会議

    "in the 5th China-Japan Workshop on Microgravity Sciences, Dunhuang, Gansu Province, China, Sep. 03-06 (2002)." 

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    開催年月日: 2002年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  857. In-situ observation of the Marangoni convection in a NaCl aqueous soution under microgravity 国際会議

    in The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, July 30-August 4 (2001) 

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    開催年月日: 2001年7月 - 2011年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  858. Control of the compositional distribution of SiGe bulk crystal for ptoelectronic Applications 国際会議

    "in The 17th Korean Association of Crystal Growth Fall meeting, Hanseo University, Seosan, Korea, November 8-10 (2001)." 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  859. Successful fabrication of SiGe bulk crystal with uniform composition as a substrate for Si-based heterostructures 国際会議

    "in First International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices, Sendai, Japan, January 21-23 (2001)." 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  860. Growth of SiGebulk crystal with uniform composition 国際会議

    "in UK-Japan Co-operative seminar on Electronic Materials and Devices, St. Albains, UK, March 7-9 (2001)." 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  861. In-situ measurement of concentration distributions in a high temperature solution 国際会議

    "in The University of Tokyo and National Cheng Kung University Joint Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices, Tainan, Taiwan, March 15 (2001)." 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  862. Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by the muticomponent zone-melting method 国際会議

    "in The University of Tokyo and National Cheng Kung University Joint Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices, Tainan, Taiwan, March 15 (2001)." 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  863. Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications 国際会議

    "in European Materials Research Society 2001 Spring Meeting, Strasbourg, France, June 5-8 (2001)" 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  864. Fabrication of SiGe bulk crystals with uniform composition as substrates for Si-based heterostructures 国際会議

    "in European Materials Research Society 2001 Spring Meeting, Strasbourg, France, June 4-8 (2001)" 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  865. Realization of SiGe bulk crystal with compositional uniformity over 20mm by controlling the growth temperature utilizing in situ monitoring system 国際会議

    "in the Thirteenth International conference on Crystal Growth in Conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, July 30-August 4 (2001)." 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  866. Optical and structural characterizations of SiGe bulk crystal grown by the multicomponent zone-melting method as a substrate for strain-controlled Si-based functional films 国際会議

    "in the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, July 30-August 4 (2001)" 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  867. New method for determination of mutual diffusion coefficient in metal and semiconductor solutions using in-situ composition measurement technique 国際会議

    "in The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, July 30-August 4 (2001)." 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  868. Effects of a magnetic field on crystal growth processes of biological molecules 国際会議

    "in The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, July 30-August 4 (2001)." 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  869. In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface 国際会議

    "in The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, July 30-August 4 (2001)." 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  870. Growth of SiGe bulk crystal with compositional uniformity over 20mm by controlling the growth temperature utilizing in situ monitoring system 国際会議

    "in Thirteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Burlington, Vermont, USA, August 12-16 (2001)." 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  871. New determination method for mutual diffusion coefficient of metal and semiconductor solutions based on Fick's first law 国際会議

    "in Eleventh International Conference on Liquid and Amorphous Metals (LAM11), Yokohama, Japan, September 9-14 (2001)." 

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    開催年月日: 2001年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  872. In-situmeasurement of concentration distribution of zinc in a gallium solution using the X-ray fluorescence spectrometry 国際会議

    "The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Sendai, Japan, August 29-September 1, (2000)." 

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    開催年月日: 2000年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  873. Novel approach to control convection in an aqueous solution using a homogeneous magnetic field 国際会議

    "the Fourth Japan-Canada Microgravity Workshop, Dunsmuir Lodge, Victoria, Canada, May 11-12, 2000." 

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    開催年月日: 2000年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  874. Effects of a magnetic field on the growth and dissolution rates of protein crystals: magnetic damping of natural convection 国際会議

    "the Eighth International Conference on Crystallization of Biological Macromolecules, Sandestin, Florida, USA, May 14-19, 2000." 

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    開催年月日: 2000年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  875. "Phase diagram calculation for epitaxial growth of GaInAs on InP considering the surface, interface and strain energies" 国際会議

    "in Twelfth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Vail , Colorado, USA, August 13-18 (2000)." 

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    開催年月日: 2000年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  876. Magnetic damping of the convection in an "aqueous" solution and enhancement in protein crystal perfection under magnetic field" 国際会議

    The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Sendai, Japan, August 29-September 1, 2000." 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  877. Development of in-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface 国際会議

    "The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Sendai, Japan, August 29-September 1, (2000)" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  878. Effects of the dislocation density and surface energy on phase diagrams of the S-K mode for the GaInN/GaN and GaPSb/GaP systems 国際会議

    "in Materials Research Society 2000 Spring Meeting, San Francisco, California, USA, April 24-28 (2000)." 

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    開催年月日: 2000年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  879. Effects of a magnetic field on the convection ina NaCl aqueous solution 国際会議

    "the International Workshop on Chemical, Physical and Biological Processes under High Magnetic Fields, Omiya, Saitama, Japan, November 24-26, 1999." 

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    開催年月日: 1999年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  880. Phase diagrams and stable structures for Stranski-Krastanov mode of III-V ternary quantum dots 国際会議

    "in the '99 International Conference of The Korean Association of Crystal Growth (KACG) and 6th Korea-Japan Electronic Materials Growth Symposium (K-J EMGS)Seoul, Korea, June 6-9 (1999)" 

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    開催年月日: 1999年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  881. Effects of a magnetic field on the protein crystallization 国際会議

    "in Recent Advancement in the Macromolecular Crystallization, San Diego, California, USA, August 22-25 (1999)." 

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    開催年月日: 1999年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  882. Effects of hydrostatic pressure on the growth kinetics of tetragonal and orthorhombic lysozyme crystals 国際会議

    "in Recent Advancement in the Macromolecular Crystallization, San Diego, California, USA, August 22-25 (1999)." 

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    開催年月日: 1999年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  883. Phase diagrams of the Stranski-Krastanov mode for III-V ternary quantum dots 国際会議

    "in 1999 Xianshan Science Conferences on Photonics and Nonlinear Optical Crystals, Beijing, China, November 1-4 (1999)." 

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    開催年月日: 1999年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  884. AI技術を活用した高品質6インチSIC結晶成長技術の開発

    宇治原徹

    中部イノベネット第1回 技術シーズ発表会  2022年6月24日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  885. 8インチに向けた SiC 溶液成長の開発

    宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第 23 回研究会 ワイドバンドギャップ半導体ーバルク結晶成長最前線ー  2022年11月18日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  886. Large diameter SiC solution growth assisted by AI technology 国際会議

    Toru UJIHARA

    The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials  2022年11月7日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  887. 溶液成長法による大口径SiC溶液成長におけるデータサイエンスの活用

    宇治原 徹

    化学⼯学会 材料・界⾯部会 共通基盤技術シンポジウム 2023   2023年1月27日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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Works(作品等) 16

  1. 「革新技術で海外目指せ」(SENTAN「ものづくりミライ塾」)

    2020年1月

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    発表場所:新三河タイムス  

  2. 「次世代半導体材料として注目されるシリコンカーバイドの開発にシミュレーションと機械学習を活用し開発期間の短縮化を実現」

    2019年9月

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    発表場所:計算工学ナビ・ニュースレター2019年秋号VOL.17  

  3. 名古屋の大学研究室から世界の「熱問題」を解決する。素材ベンチャー「U-MAP」

    2019年8月

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    発表場所:Forbes Japan  

  4. 高熱伝導樹脂を実現するAINウィスカーフィラーの開発と起業

    2019年4月

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    発表場所:高分子  

  5. 高熱伝導樹脂を実現するAINウィスカーフィラー

    2019年3月

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    発表場所:FINE CERAMICS REPORT  

  6. 溶液法による高品質SiC結晶成長

    2018年12月

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    発表場所:セラミックス  

  7. 待ったなし!AIで材料開発_第2部

    2018年10月

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    発表場所:日経エレクトロニクス  

  8. 窒化ガリウム半導体 結晶欠陥を非破壊で発見 産総研が評価技術

    2018年5月

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    発表場所:日刊工業新聞  

  9. 放熱性高く加工容易

    2018年4月

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    発表場所:日刊工業新聞  

  10. 活用広がるプロジェクションマッピング 医療や技術開発

    2017年12月

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    発表場所:朝日新聞 DIGITAL  

  11. プロジェクションマッピング先端研究に次々

    2017年12月

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    発表場所:朝日新聞(夕刊)  

  12. 半導体合成 AIで解析

    2017年10月

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    発表場所:日経産業新聞  

  13. SiC高品質結晶の開発

    2012年11月

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    発表場所:中部経済新聞  

  14. 溶液成長によるキュービックSiC結晶成長技術の確立

    2010年3月

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    発表場所:NEDOプレスリリース  

  15. シーズ=宇治原徹・名古屋大学准教授

    2009年6月

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    発表場所:中部経済新聞  

  16. 立方晶SiC 溶液法で大型化

    2008年4月

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    発表場所:化学工業日報  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 146

  1. スポット溶接電極用銅基傾斜機能材料の研究

    2019年5月 - 2020年4月

    国内共同研究 

  2. AlNウィスカー技術の実製品適用に向けた基礎検討②

    2018年10月 - 2019年3月

    国内共同研究 

  3. AINウィスカー(窒化アルミニウム針状結晶)を用いた次世代高機能放熱材料の研究開発

    2018年9月 - 2021年3月

    その他 

    宇治原 徹

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    資金種別:競争的資金

    AINウィスカー(窒化アルミニウム針状結晶)を用いた次世代高機能放熱材料の研究開発

  4. 機械学習を用いた結晶成長炉内部品の物性値の高温領域におけるその場推定法に関する研究

    2018年9月 - 2019年8月

    国内共同研究 

  5. 融液法を用いたSiC単結晶の育成

    2018年8月 - 2019年3月

    国内共同研究 

  6. SiC溶液法基板・エピ特性の相関に関する研究

    2018年8月 - 2019年3月

    国内共同研究 

  7. 戦略的省エネルギー技術革新プログラム/インキュベーション研究開発/高熱伝導高強度高靱性窒化アルミニウムの開発

    2018年7月 - 2019年3月

    企業からの受託研究 

  8. 窒化アルミニウムに関する研究

    2018年6月 - 2019年5月

    国内共同研究 

  9. 材料情報分野における機械学習と人工知能に関する研究

    2018年6月 - 2019年3月

    国内共同研究 

  10. 大口経SiC接合基板生産技術の開発

    2018年4月 - 2019年3月

    国内共同研究 

  11. 溶液成長法によるSiCバルク基板技術の開発

    2018年4月 - 2019年3月

    国内共同研究 

  12. 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発(パワーデバイス・システム領域)

    2018年4月 - 2019年3月

    国内共同研究 

  13. デバイス実装用高熱伝導部材およびデバイス材料研削砥石の開発

    2018年4月 - 2019年3月

    国内共同研究 

  14. 低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクス

    2018年4月 - 2019年2月

    企業からの受託研究 

  15. 機械学習を用いた結晶成長炉内部品の物性値のその場推定法に関する研究

    2018年3月 - 2018年6月

    国内共同研究 

  16. SiC溶液成長における転位伝播挙動に関する基礎検討

    2017年11月 - 2018年3月

    国内共同研究 

  17. 可視光励起光電子分光法によるGaN中の欠陥と電子挙動との相関解明の研究

    2017年10月 - 2018年8月

    国内共同研究 

  18. 戦略的省エネルギー技術革命プログラム/実用化開発/大口経SiC接合基板生産技術の開発

    2017年6月 - 2018年3月

    国内共同研究 

  19. 窒化ガリウム等次世代半導体の社会実装加速 平成29年度地域中核企業創出・支援事業

    2017年6月 - 2018年3月

    企業からの受託研究 

  20. 金属負極用新規集電箔に関する研究

    2017年5月 - 2018年3月

    企業からの受託研究 

  21. 溶液法SiC結晶とデバイス開発

    2017年4月 - 2018年3月

    国内共同研究 

  22. 高機能セラミックス材料の研究

    2017年4月 - 2018年3月

    国内共同研究 

  23. 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導

    2017年4月 - 2018年3月

    企業からの受託研究 

  24. 「次世代SiCウェハの技術開発」のうち、「溶液法によるSiC結晶欠陥制御/成長安定化技術の原理実証」

    2017年4月 - 2018年3月

    企業からの受託研究 

  25. デバイス実装用高熱伝導部材およびデバイス材料研削砥石の開発

    2017年4月 - 2018年3月

    国内共同研究 

  26. 溶液成長法によるバルク基板技術の開発

    2017年4月 - 2018年3月

    国内共同研究 

  27. サーマルマネジメント用AlN結晶とデバイス開発

    2017年4月 - 2018年3月

    国内共同研究 

  28. パワーデバイス実装用超高熱伝導接着剤フィルムの開発

    2017年4月 - 2018年2月

    国内共同研究 

  29. 低炭素社会を実現する次世代パワーエレクト

    2017年4月 - 2018年2月

    企業からの受託研究 

  30. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2016年4月 - 2017年3月

    国内共同研究 

  31. 溶液法SiC結晶とデバイス開発

    2016年4月 - 2017年3月

    国内共同研究 

  32. パワーデバイス実装用超高熱伝導接着剤フィルムの開発

    2016年4月 - 2017年3月

    国内共同研究 

  33. 溶液成長法によるバルク基板技術の開発

    2016年4月 - 2017年3月

    国内共同研究 

  34. 高機能セラミックス材料の研究

    2016年4月 - 2017年3月

    国内共同研究 

  35. AlNウィスカーに関する研究

    2016年4月 - 2017年3月

    国内共同研究 

  36. サーマルマネジメント用AlN結晶とデバイス開発

    2016年4月 - 2017年3月

    国内共同研究 

  37. 3C SiCに関するコンサルティング協定

    2015年9月 - 2016年8月

  38. 溶液法を用いた低欠陥SiC単結晶作製の技術開発

    2015年8月 - 2016年3月

    国内共同研究 

  39. 溶液成長法によるバルク基板技術の開発

    2015年8月 - 2016年3月

    国内共同研究 

  40. 溶液成長した半導体結晶の分析・解析に関する研究

    2015年6月 - 2016年3月

    国内共同研究 

  41. AIN多晶体作製に関する研究

    2015年4月 - 2016年3月

    国内共同研究 

  42. パワーデバイス実装用超高熱伝導接着剤フィルムの開発

    2015年4月 - 2016年3月

    国内共同研究 

  43. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2015年4月 - 2016年3月

    国内共同研究 

  44. 高性能熱伝導フィラー材に関する研究開発

    2015年4月 - 2016年3月

    国内共同研究 

      詳細を見る

    ta

  45. 炭化珪素溶液成長における表面モフォロジーへの溶媒の影響

    2014年10月 - 2015年9月

    学内共同研究 

  46. LEDの素子特性および信頼性に及ぼす結晶欠陥の影響に関する研究

    2014年10月 - 2015年3月

    学内共同研究 

  47. パワーデバイス実装用高熱伝導絶縁接着剤フィルムの開発

    2014年8月 - 2017年3月

    国内共同研究 

  48. SiC溶液成長における転位挙動メカニズムの基礎的研究

    2014年8月 - 2015年3月

    学内共同研究 

  49. 低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト

    2014年4月 - 2015年3月

    FUPET 

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  50. AlN多結晶体作製に関する研究

    2014年4月 - 2015年3月

    学内共同研究 

  51. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2014年4月 - 2015年3月

    学内共同研究 

  52. サーマルマネージメント用新規材料の可能性調査

    2014年4月 - 2015年3月

    学内共同研究 

  53. SiC単結晶の研究

    2014年4月 - 2015年3月

    学内共同研究 

  54. 半導体溶液からの結晶成長挙動に関する研究

    2014年4月 - 2015年3月

    学内共同研究 

  55. 炭素材料及び異種基板上へのSiC形成技術に関する研究

    2014年4月 - 2015年3月

    学内共同研究 

  56. 先進ナノツールによるエネルギー・イノベーション・クラスター

    2013年12月 - 2018年3月

    科学技術交流財団 スーパークラスター事業 

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  57. 半導体溶液からの結晶成長挙動に関する研究

    2013年11月 - 2014年3月

    学内共同研究 

  58. 太陽電池伝導キャリア分光システムの開発

    2013年10月 - 2017年3月

    JST研究成果展開事業(先端計測分析技術・機器開発プログラム) 

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  59. LEDの素子特性および信頼性に及ぼす結晶欠陥の影響に関する技術情報

    2013年10月 - 2014年3月

    学内共同研究 

  60. SiC溶液成長における転位変換挙動の基礎的研究

    2013年9月 - 2014年3月

    学内共同研究 

  61. 高品質立方晶SiC溶液成長

    2013年8月 - 2014年3月

    研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 

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    資金種別:競争的資金

  62. 溶液法による超高品質SiC結晶安定成長技術の開発

    2013年4月 - 2015年3月

    科学技術交流財団 共同研究事業 

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    資金種別:競争的資金

  63. AlN多結晶体および単結晶作製手法に関する研究

    2013年4月 - 2014年3月

    学内共同研究 

  64. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2013年4月 - 2014年3月

    学内共同研究 

  65. 炭素材料及び異種基板上へのβ型SiC形成技術に関する研究

    2013年4月 - 2014年3月

    学内共同研究 

  66. 溶液法を利用した炭化珪素粉末(SiC)の合成技術の開発

    2013年4月 - 2014年3月

    国内共同研究 

  67. SiC単結晶の研究

    2013年4月 - 2014年3月

    学内共同研究 

  68. 立方晶SiC溶液成長における双晶界面欠陥の完全抑制

    2012年11月 - 2013年7月

    研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  69. 炭化珪素溶液成長における表面モフォロジーへの溶媒の影響

    2012年10月 - 2014年9月

    学内共同研究 

  70. SiCウェハ溶液成長の高速成長に関する基礎的研究

    2012年5月 - 2013年3月

    国内共同研究 

  71. 炭素材料及び異種基板上へのβ型SiC形成技術に関する研究

    2012年5月 - 2013年3月

    企業からの受託研究 

  72. 半導体の組成変動によるバンドギャップ乱れの影響の研究

    2012年5月 - 2013年3月

    国内共同研究 

  73. SiCウエハ平滑面を得るプロセスの研究開発

    2012年5月 - 2013年3月

    国内共同研究 

  74. 表面機能化による先進ナノ部材の開発

    2012年4月 - 2013年3月

    知的クラスター創成事業 

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  75. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2012年4月 - 2013年3月

    企業からの受託研究 

  76. LEDの素子特性および信頼性に及ぼす結晶欠陥の影響に関する研究

    2012年4月 - 2013年3月

    国内共同研究 

  77. シリカ(SiO2)の高機能化の調査・研究

    2012年4月 - 2013年3月

    国内共同研究 

  78. AlN多結晶体および単結晶作製手法に関する研究

    2012年4月 - 2013年3月

    企業からの受託研究 

  79. SiC単結晶の研究

    2012年4月 - 2013年3月

    企業からの受託研究 

  80. LEDの素子特性および信頼性に及ぼす結晶欠陥の影響に関する研究

    2012年1月 - 2012年3月

    国内共同研究 

  81. 立方晶SiC高速成長技術の確立

    2011年12月 - 2012年7月

    研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 

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    資金種別:競争的資金

  82. SiC単結晶溶液成長における成長界面形態の平坦性制御技術開発

    2011年9月 - 2012年3月

    国内共同研究 

  83. 低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト

    2011年4月 - 2013年3月

  84. 表面機能化による先進ナノ部材の開発

    2011年4月 - 2012年3月

    知的クラスター創成事業 

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    資金種別:競争的資金

  85. AlN多結晶体作成手法に関する研究

    2011年4月 - 2012年3月

    企業からの受託研究 

  86. SiC単結晶の研究

    2011年4月 - 2012年3月

    企業からの受託研究 

  87. 炭素材料及び異種基板上へのβ型SiC形成技術に関する研究

    2011年4月 - 2012年3月

    企業からの受託研究 

  88. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2011年4月 - 2012年3月

    企業からの受託研究 

  89. 横方向成長による高品質SiC結晶の実現

    2011年4月 - 2012年3月

    出資金による受託研究 

  90. 溶液成長SiC結晶の成長界面形態の安定化技術開発

    2010年10月 - 2011年3月

    企業からの受託研究 

  91. 新材料パワー半導体技術開発/革新的SiC結晶成長技術開発/結晶成長の表面形成過程の解析及び実験的検証

    2010年8月 - 2014年3月

    FUPET 

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  92. 次世代パワーデバイス半導体SiC溶液成長における多形選択メカニズム

    2010年4月 - 2012年3月

    日本学術振興会 日仏交流促進事業<SAKURA>共同研究 

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    資金種別:競争的資金

  93. SiC結晶の溶液成長とその結晶品質評価に関する研究

    2010年4月 - 2012年3月

    企業からの受託研究 

  94. 表面機能化による先進ナノ部材の開発

    2010年4月 - 2011年3月

    知的クラスター創成事業 

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  95. 高品質SiC単結晶の成長機構の解明

    2010年4月 - 2011年3月

    企業からの受託研究 

  96. AlN多結晶体作製手法に関する研究

    2010年4月 - 2011年3月

    企業からの受託研究 

  97. 炭素材料及び酸化アルミニウム上へのβ型SiC形成技術に関する研究

    2010年4月 - 2011年3月

    企業からの受託研究 

  98. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2010年4月 - 2011年3月

    企業からの受託研究 

  99. 低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト

    2010年4月 - 2011年3月

  100. 気相原料供給型溶液法によるSiCバルク結晶成長

    2009年7月 - 2010年3月

    JSTシーズ発掘 

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    資金種別:競争的資金

  101. AlN多結晶体作製手法に関する研究

    2009年4月 - 2010年3月

    企業からの受託研究 

  102. 「SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究」

    2009年4月 - 2010年3月

    企業からの受託研究 

  103. 高温ソリューションプラズマ成長法の提案と高品質SiC結晶成長

    2009年4月 - 2010年3月

  104. ポリタイプヘテロエピタキシャル成長による3C-SiCの大型結晶の実現

    2009年4月 - 2010年3月

  105. 無欠陥歪み超格子半導体によるスピン偏極電子源の高効率化

    2009年4月 - 2010年3月

  106. SiC溶液成長における多形制御

    2009年4月 - 2009年12月

    企業からの受託研究 

  107. 高品質SiC結晶連続安定成長法の顕在化

    2008年12月 - 2009年11月

    JST産学共同シーズイノベーション化事業 

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  108. SiC溶液成長における多形制御

    2008年12月 - 2009年3月

    企業からの受託研究 

  109. AlN多結晶体作製手法に関する研究

    2008年4月 - 2009年3月

    企業からの受託研究 

  110. 「SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究」

    2008年4月 - 2009年3月

    企業からの受託研究 

  111. 名大パルス型電子顕微鏡研究開発プレプロジェクト

    2008年4月 - 2009年3月

    学内共同研究 

  112. 「多元機能溶媒を用いた低温安定相SiC基板結晶の溶液成長」

    2007年10月 - 2011年9月

  113. 多元機能溶媒を用いた低温安定相SiC基板結晶の溶液成長

    2007年10月 - 2011年8月

    新エネルギー・産業技術総合開発機構 産業技術研究助成事業 

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  114. 機能溶媒によるSiC低温溶液成長

    2007年10月 - 2008年9月

  115. AlN多結晶体作製手法に関する研究

    2007年9月 - 2008年3月

    企業からの受託研究 

  116. 「多元系溶媒を用いた高品質3C-SiCバルク結晶の溶液成長」

    2007年9月 - 2008年2月

  117. 多元系溶媒による3C-SiC結晶の低温溶液成長

    2007年7月 - 2008年3月

    JSTシーズ発掘 

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  118. 「SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究」

    2007年4月 - 2008年3月

    企業からの受託研究 

  119. 「発光デバイスによる人工生体膜ラフト構造の形成・輸送制御」

    2006年9月 - 2008年3月

  120. 急峻温度勾配法による高品質SiCバルク結晶の高速溶液成長

    2006年9月 - 2007年2月

    JSTシーズ発掘 

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  121. 第15回(ICCG)での研究発表と関連研究動向調査

    2006年9月 - 2007年2月

  122. 「太陽電池用多結晶シリコンにおける炭化物析出の電気的特性への影響」

    2006年5月

  123. 「半導体デバイス上に形成した生体膜の相分離構造とキャリア注入による制御」

    2006年4月 - 2009年3月

  124. 「生体膜相分離構造の制御を目指した半導体アクティブデバイスの提案」

    2006年4月 - 2008年3月

  125. 「CVD-SiC膜の諸特性に及ぼす微細結晶組織構造とその出現機構に関する研究」

    2006年4月 - 2007年3月

    企業からの受託研究 

  126. 量子構造を有する半導体基板上に形成した脂質膜

    2006年4月 - 2007年3月

  127. 高品質3C-SiCバルク結晶の溶液成長

    2005年11月 - 2006年3月

    JSTシーズ育成 

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  128. 「ナノ構造を有する半導体基板上への生体膜の形成とアクティブ制御」

    2005年10月 - 2007年9月

  129. 「環境モニター用バイオデバイスを目指した電子デバイス上の機能性脂質膜の形成」

    2005年10月 - 2006年9月

  130. 高品質3C-SiCバルク結晶の溶液成長

    2005年10月 - 2006年3月

  131. “Electrical properties around grain boundary of poly-crystalline silicon for solar cell evaluated using the conductive AFM” , 15th International Photovoltaic Science and Engineering Conference & Solar Energy Exhibition (China Solar Energy Society, Shanghai, China)

    2005年10月

  132. 「CVD-SiC膜の諸特性に及ぼす微細結晶組織構造とその出現機構に関する研究」

    2005年4月 - 2006年3月

    企業からの受託研究 

  133. 「量子構造を有する半導体基板上に形成した脂質膜」

    2005年4月 - 2006年3月

  134. 「雫を模倣した自己組織化量子ドットの成長と多準位光吸収素子・高効率太陽電池への応用」

    2004年10月 - 2005年3月

  135. “Low growth temperature and proper solvent improving silicon crystals grown by LPE method for photovoltaic materials”, 14th International Conference on Crystal Growth (ICCG14), August 9-13, Grenoble, France

    2004年10月

  136. 「多結晶シリコンの粒界における酸素・炭素偏析と太陽電池特性」

    2004年4月 - 2006年3月

  137. 溶液成長法による高品質SiC単結晶育成技術の開発

    2004年4月 - 2005年3月

    企業からの受託研究 

  138. 太陽電池プロセスに最適な熱耐性多結晶シリコン基板の開発

    2003年10月 - 2006年9月

    新エネルギー・産業技術総合開発機構 産業技術研究助成事業 

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    資金種別:競争的資金

  139. “Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003), October 5-10, Lyon, France

    2003年10月

  140. 「“Prediction of strain induced poly-crystallization during crystal growth”, Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, July 20 - 24 (2003) Keystone, Colorado.」

    2003年8月

  141. 「Effect of growth temperature on surface morphology and crystal quality of Si thin-film by liquid phase epitaxial growth technique”, PV in Europe from PV Technology to Energy Solutions Conference and Exhibition, Palazzo dei Congressi, Roma, Italy, 7-11 October 2002」

    2002年10月

  142. 「Fickの第一法則に基づいた高温溶液拡散係数の新測定法」

    2002年2月 - 2003年1月

  143. 「高効率太陽電池を目指した粒成長制御による多結晶Si薄膜の結晶性の最適化――― 粒成長メカニズムからのアプローチ ―――」

    2001年10月

  144. 「融液成長における多結晶化メカニズムの相転移としての新解釈」

    2001年4月 - 2002年3月

  145. 「対流を抑制した化合物半導体溶液成長における成長界面近傍の組成分布「その場」測定」

    2000年7月 - 2001年6月

  146. 「過冷却度制御を用いたゾーンメルト法による多結晶Si薄膜の粒界欠陥の改善」

    2000年1月 - 2000年12月

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科研費 24

  1. 酸化物へのインターカレーションによる熱伝導可変素子の開発

    研究課題/研究課題番号:22K18985  2022年6月 - 2024年3月

    挑戦的研究(萌芽)

    宇治原 徹

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    担当区分:研究代表者 

    本研究では、非晶質をベースにイオンの挿入・脱離で熱伝導率が大きく変化する新たな機能性材料分野の開拓を目指す。学術的にはいまだ未知な部分が多い非結晶物質の物性を熱特性の観点から新たな解釈に挑むものであり、工学的には電子機器・デバイスで大きな課題である熱制御に新たな方法論を提示する。また、熱伝導可変物質を活用し熱スイッチを試作する。熱伝導可変物質とイオン供給層を積層させ、イオンが移動する程度に電圧を短時間印加する。それで高熱伝導状態(on)と断熱状態(off)を切り替える。また、ペルチエ、蓄熱材と熱スイッチを組み合わせることで、熱制御のための基本的な熱デバイス動作を実現できる。

  2. 潜在空間における複雑な結晶成長モデルの構築とプロセス設計

    研究課題/研究課題番号:22H00300  2022年4月 - 2025年3月

    基盤研究(A)

    宇治原 徹

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    担当区分:研究代表者 


    我々はSiC溶液成長において、高温溶液内部の温度や流れの状態を即座に予測できるサロゲートモデルを機械学習技術により構築し、それを活用してプロセス設計を行い、6インチの大口径成長を早期に実現してきた。ところで、欠陥の形成や低減においてはステップバンチングやステップの湾曲や蛇行などによって形成される複雑な結晶表面構造が重要となる。本研究では、その時間発展を6インチ全面にわたって正確かつ高速に予測する代理モデルを構築し、大口径と究極の高品質を両立させたプロセス設計を行う。

  3. インターカレーションによる熱物性変化を活用した熱スイッチ素子の提案

    研究課題/研究課題番号:20K21081  2020年7月 - 2022年3月

    科学研究費助成事業  挑戦的研究(萌芽)

    宇治原 徹, 原田 俊太

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:6500000円 ( 直接経費:5000000円 、 間接経費:1500000円 )

    熱エネルギーは扱いにくいエネルギーである。最近、熱を制御するためのデバイスが提案され、熱スイッチもその一つである。本研究では、具体的には、非晶質酸化物をベースにイオンの挿入・脱離で熱伝導率が大きく変化する熱伝導可変物質を活用し、熱伝導可変物質とイオン供給層を積層させ、イオンが移動する程度に電圧を短時間印加する。それで高熱伝導状態(on)と断熱状態(off)を切り替える。
    本研究では、非晶質をベースにイオンの挿入・脱離で熱伝導率が大きく変化する新たな機能性材料分野の開拓を目指す。具体的には、熱伝導可変物質を活用し熱スイッチを試作する。熱伝導可変物質とイオン供給層を積層させ、イオンが移動する程度に電圧を短時間印加する。それで高熱伝導状態(on)と断熱状態(off)を切り替える。また、ペルチエ、蓄熱材と熱スイッチを組み合わせることで、熱制御のための基本的な熱デバイス動作を実現できる。本研究では、ホスト非晶質酸化物へのイオン挿入・脱離による熱伝導率変化を例にして、非晶質における熱伝導率変化のメカニズム解明と機能設計のための指導原理の確立を行う。我々はすでに、非晶質の酸化タングステン(WO3)への水素イオン挿入脱離で30倍近くの熱伝導率変化を確認しており、これをベースにする。
    当初、WO3を中心として、V2O5、SnOをホスト酸化物にイオン挿入を試してみる予定だったが、当該年度は、それ以外にNiOを選択しイオン挿入を行い、熱伝導率の変化を実験的に確認した。熱伝導率変化のメカニズムの解明としては、WO3中へのLi挿入における構造変化をラマン分光によって分析し、構造と熱伝導率変化に相関があることを突き止めた。また、全固体型を実現するための構造設計を行い、実際にプロトタイプを作成した。さらに、実際にイオンのインターカレーションを行うことで、熱伝導率が変化することも確認した。また、逆向きに電流を流すことで可逆的に熱伝導率が変化することも確認した。
    全固体型の素子にするうえで重要となる材料を見出し、スパッタリングにより積層構造を形成し、さらに熱伝導の変化も確認した。これは当初予定していた通りの成果である。
    基本となる物質と構造を見出すことはできたので、今後メカニズム解明と、さらに熱伝導率変化を大きくするために、構造の最適化などを行っていく。

  4. 情報学を融合した移動速度論に基づく半導体バルク結晶成長技術の革新

    研究課題/研究課題番号:20H00320  2020年4月 - 2025年3月

    科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    岡野 泰則, 稲富 裕光, 宇治原 徹

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    担当区分:研究分担者 

    これまで研究代表者が長年取り組んできた移動現象論と近年進歩の著しい情報学とを融合することにより、これまでの「ノウハウは人から人へ」といったモノづくりの概念を根底から覆し、「ノウハウはコンピューターから人へ」とパラダイムシフトする。具体的に本研究では、ノウハウの塊であるバルク単結晶作製技術に着目し、製造現場において「長年培ってきた経験」に基づく「勘」による操作(暗黙知)を数値化、定式化(形式知化)することにより、経験の浅い技術者でも最小限の試行錯誤で再現性良く高品質な結晶育成を可能とする手法の構築に取り組む。さらに「なぜその条件が最適なのか?」を解明することにより、技術の普遍化を図る。

  5. 結晶成長インフォマティクスの方法論の構築

    2018年4月 - 2021年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(A)

    宇治原徹

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    担当区分:研究代表者 

  6. 結晶成長インフォマティクスの方法論の構築

    研究課題/研究課題番号:18H03839  2018年4月 - 2021年3月

    宇治原 徹

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:44200000円 ( 直接経費:34000000円 、 間接経費:10200000円 )

    当該年度は、次のことを行った。
    (1)成長表面のマクロステップ構造を予測するためにKineticモンテカルロシミュレーションによるステップのダイナミクスの計算手法について確立した。また、溶液の流れを成長界面沖合の原子の進行方向にバイアスをかけることで実現した。さらに、成長速度などを予測することも実現できるようになった。
    (2)熱流体計算と実験によって、結晶成長界面近傍の温度分布・組成分布・流れ分布とステップ高さとの相関を明らかにした。その結果、溶液の流れ分布がステップ高さに大きな影響を与えることが分かった。さらに、ステップの進行方向と溶液流れとの角度とステップ高さの発展との相関を得ることも行った。その結果、ステップ高さが時間に対して発展する場合と、時間に対して減少する場合があることが明らかになった。
    (3)ステップ高さを適度なサイズに維持するためには、(2)の結果によるとステップの進行方向に対する流れ方向を時間に対して変化させる必要がある。しかし、時々刻々と変化する成長条件を実験だけで最適化することは困難である。そこで、結晶表面近傍の流れ方向を予測するモデルを機械学習で構築し、最適な流れ分布の時間変化を実現するための成長条件を半自動的に求めることを行った。その結果、平坦性を維持しつつ成長することが可能となった。最終的には、当初予定の2インチ径を大きく上回る85mm口径の結晶成長にも成功した。
    当初予定では、モンテカルロシミュレーションによって、ステップ高さの時間発展を明らかにし、それをも考慮した予測モデルを構築してから、次年度以降に大口径化に進む予定であったが、モンテカルロシミュレーションによる予測モデルの構築を待たずして、実験と熱流体計算によるマクロステップ高さの予測を可能とし、その結果、最終的に実現する予定であった2インチ以上の結晶成長を前倒しに実現することに成功した。(実際は3インチ以上)しかしながら、モンテカルロシミュレーションの結果のモデル化が、最終的には必要となるため、引き続き開発は行う。また、当初予定を超えた更なる大口径化も推進する。
    今後は以下の3つについて行う。
    (1)Kineticモンテカルロシミュレーションによるマクロステップの予測: 当該年度は基礎技術に関しては構築したので、実際に計算を行う。
    (2)6インチに向けた結晶成長条件の最適化: 当該年度までで、機械学習による予測モデルの構築方法を確立し、最適化のための目的関数も設定できるようになった。今後は、さらに大口径化のための目的関数を構築し、最終的には6インチの結晶成長を目指す。
    (3)マクロステップの予測も含めた機械学習モデルの構築: モンテカルロシミュレーションと実際の実験から、実験条件からステップ高さを予測するモデルを構築する。

  7. 可視光励起光電子分光法による伝導バンド高速・高精度測定

    2015年4月 - 2017年3月

    科学研究費補助金 

    宇治原徹

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    担当区分:研究代表者 

  8. 高品質化の鍵となるSiC貫通転位変換過程のその場観察

    2014年4月 - 2017年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(A)

    宇治原徹

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    担当区分:研究代表者 

  9. 可視光励起光電子分光法による伝導バンド高速・高精度測定

    2014年4月 - 2015年3月

    科学研究費補助金 

    宇治原徹

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    担当区分:研究代表者 

  10. 高品質・低抵抗SiC結晶の実現

    2013年4月 - 2017年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(A)

    亀井一人

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    担当区分:研究分担者 

  11. 量子構造太陽電池中を伝導する電子のエネルギー分光

    2013年4月 - 2014年3月

    科学研究費補助金 

    宇治原徹

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    担当区分:研究代表者 

  12. 無転位SiC結晶の実現

    2011年4月 - 2014年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(A)

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    担当区分:研究代表者 

  13. 超高輝度・高偏極度電子源の高効率化

    2011年4月 - 2014年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(A)

    竹田美和

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    担当区分:研究分担者 

  14. 生体膜/半導体アクティブデバイス基本構造の提案

    2010年4月 - 2012年3月

    科学研究費補助金 

    宇治原徹

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    担当区分:研究代表者 

  15. 材料工学的アプローチによる人工生体膜ラフト構造の再現

    2008年4月 - 2010年3月

    科学研究費補助金  特定領域研究

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    担当区分:研究代表者 

  16. プラズマVLS法によるハイスピードSiC溶液成長

    2008年4月 - 2010年3月

    科学研究費補助金  若手研究(A)

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    担当区分:研究代表者 

  17. 発光デバイスを用いた膜タンパク質アクティブ輸送制御

    2008年4月 - 2010年3月

    科学研究費補助金 

    宇治原徹

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    担当区分:研究代表者 

  18. 半導体デバイスを利用した生体膜相分離構造のアクティブ制御

    2006年4月 - 2008年3月

    科学研究費補助金 

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    担当区分:研究代表者 

  19. 人工生体膜におけるラフト構造膜内輸送制御システムの提案

    2006年4月 - 2008年3月

    科学研究費補助金  特定領域研究

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    担当区分:研究代表者 

  20. 結晶成長で達成する世界最高性能偏極電子ビーム源の開発

    2005年4月 - 2007年3月

    科学研究費補助金  若手研究(A)

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    担当区分:研究代表者 

  21. 押す・引っ張る・ねじ曲げる「力」によるナノ=ファブリケーション

    2004年4月 - 2006年3月

    科学研究費補助金 

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    担当区分:研究代表者 

  22. 歪みを内在したバンドギャップ分散半導体複合結晶の創製

    2002年4月 - 2004年3月

    科学研究費補助金  若手研究(A)

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    担当区分:研究代表者 

  23. 高温融液中における拡散係数のその場測定法

    2000年4月 - 2002年3月

    科学研究費補助金  科学研究費補助金奨励研究(A)

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    担当区分:研究代表者 

  24. 合金の相分解現象に伴うパターン形成とその非線型性

    1997年4月 - 1999年3月

    科学研究費補助金  科学研究費補助金日本学術振興会特別研究員(DC2)

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    担当区分:研究代表者 

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産業財産権 92

  1. スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

    桑原真人,田中信夫,宇治原徹,齋藤晃

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:15/516,976  出願日:2015年9月

    公開番号:US 2017/0309446  公開日:2017年10月

    特許番号/登録番号:9881767  登録日:2018年1月 

    出願国:外国  

  2. スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

    桑原真人, 田中信夫, 宇治原徹, 齋藤晃

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:15/516,976  出願日:2015年9月

    公開番号:US 2017/0309446  公開日:2017年10月

    特許番号/登録番号:9881767  登録日:2018年1月 

    出願国:国内  

  3. スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

    桑原真人, 田中信夫, 宇治原徹, 齋藤晃

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:PCT/JP2015/077393  出願日:2015年9月

    公開番号:WO2016/056425  公開日:2016年4月

    出願国:国内  

  4. スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

    桑原真人,田中信夫,宇治原徹,齋藤晃

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:PCT/JP2015/077393  出願日:2015年9月

    公開番号:WO2016/056425  公開日:2016年4月

    出願国:国内  

  5. 炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

    宇治原徹,原田俊太,古池大輝,梅崎智典

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    出願人:国立大学法人名古屋大学,セントラル硝子株式会社

    出願番号:10-2017-7009689  出願日:2015年9月

    公開番号:10-2017-0051512  公開日:2017年5月

    特許番号/登録番号:10-1911455  登録日:2018年10月 

    出願国:外国  

  6. 炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

    宇治原徹, 原田俊太, 古池大輝, 梅崎智典

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    出願人:国立大学法人名古屋大学,セントラル硝子株式会社

    出願番号:10-2017-7009689  出願日:2015年9月

    公開番号:10-2017-0051512  公開日:2017年5月

    特許番号/登録番号:10-1911455  登録日:2018年10月 

    出願国:国内  

  7. AIN結晶の作製方法、AIN結晶、及びAIN結晶を含む有機化合物

    宇治原徹,竹内幸久,陳鳴宇,永冶仁

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:15800171.9  出願日:2015年5月

    公開番号:3150749  公開日:2017年4月

    出願国:国内  

  8. AIN結晶の作製方法、AIN結晶、及びAIN結晶を含む有機化合物

    宇治原徹, 竹内幸久, 陳鳴宇, 永冶仁

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:15800171.9  出願日:2015年5月

    公開番号:3150749  公開日:2017年4月

    出願国:国内  

  9. AIN結晶の作製方法、AIN結晶、及びAIN結晶を含む有機化合物

    宇治原徹, 竹内幸久, 陳鳴宇, 永冶仁

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:PCT/JP2015/064605  出願日:2015年5月

    公開番号:WO2015/182477  公開日:2015年12月

    出願国:国内  

  10. AIN結晶の作製方法、AIN結晶、及びAIN結晶を含む有機化合物

    宇治原徹,竹内幸久,陳鳴宇,永冶仁

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:PCT/JP2015/064605  出願日:2015年5月

    公開番号:WO2015/182477  公開日:2015年12月

    出願国:国内  

  11. AlN単結晶の作製方法及びAlN単結晶

    宇治原徹,永冶仁,渡邉将太,陳鳴宇,竹内幸久

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2015-035214  出願日:2015年2月

    公開番号:2016-050165  公開日:2016年4月

    特許番号/登録番号:6534030  登録日:2019年6月 

    出願国:国内  

  12. AlN単結晶の作製方法及びAlN単結晶

    宇治原徹, 永冶仁, 渡邉将太, 陳鳴宇, 竹内幸久

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2015-035214  出願日:2015年2月

    公開番号:2016-050165  公開日:2016年4月

    特許番号/登録番号:6534030  登録日:2019年6月 

    出願国:国内  

  13. 炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

    宇治原徹,原田俊太,古池大輝,梅崎智典

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    出願人:国立大学法人名古屋大学,セントラル硝子

    出願番号:2014-184978  出願日:2014年9月

    公開番号:2016-056071  公開日:2016年4月

    特許番号/登録番号:特許第6259740号  登録日:2017年12月 

    出願国:国内  

  14. 炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

    宇治原徹, 原田俊太, 古池大輝, 梅崎智典

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    出願人:国立大学法人名古屋大学,セントラル硝子

    出願番号:2014-184978  出願日:2014年9月

    公開番号:2016-056071  公開日:2016年4月

    特許番号/登録番号:特許第6259740号  登録日:2017年12月 

    出願国:国内  

  15. AlN単結晶とその製造方法

    宇治原徹, 永冶仁, 渡邉将太, 陳鳴宇, 竹内幸久

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2014-174171  出願日:2014年8月

    出願国:国内  

  16. AlN単結晶とその製造方法

    宇治原徹、永冶仁、渡邉将太、陳鳴宇、竹内幸久

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2014-174171  出願日:2014年8月

    出願国:国内  

  17. AlN結晶の作製方法、AlN結晶、及びAlN結晶を含む有機化合物

    宇治原徹, 竹内幸久, 陳鳴宇, 永冶仁

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2014-112691  出願日:2014年5月

    出願国:国内  

  18. AlN結晶の作製方法、AlN結晶、及びAlN結晶を含む有機化合物

    宇治原徹、竹内幸久、陳鳴宇、永冶仁

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2014-112691  出願日:2014年5月

    出願国:国内  

  19. 太陽光で励起された電子のエネルギーの測定方法と測定装置

    宇治原徹,桑原真人,原田俊太,志村大樹,市橋史朗

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2014-554458  出願日:2013年12月

    特許番号/登録番号:特許第5991556号  登録日:2016年8月 

    出願国:国内  

  20. 太陽光で励起された電子のエネルギーの測定方法と測定装置

    宇治原徹, 桑原真人, 原田俊太, 志村大樹, 市橋史朗

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2014-554458  出願日:2013年12月

    特許番号/登録番号:特許第5991556号  登録日:2016年8月 

    出願国:国内  

  21. 炭化珪素粉粒体の製造方法

    宇治原 徹, 増田 賢太, 一坪 幸輝, 鈴木 将和, 野中 潔, 山﨑 広樹

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    出願人:名古屋大学, 太平洋セメント

    出願番号:2013-252666  出願日:2013年12月

    公開番号:2015-107901  公開日:2015年6月

    特許番号/登録番号:特許第6337389号  登録日:2018年5月 

    出願国:国内  

  22. 炭化珪素粉粒体の製造方法

    宇治原 徹, 増田 賢太, 一坪 幸輝, 鈴木 将和, 野中 潔, 山﨑 広樹

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    出願人:名古屋大学, 太平洋セメント

    出願番号:2013-252666  出願日:2013年12月

    公開番号:2015-107901  公開日:2015年6月

    特許番号/登録番号:特許第6337389号  登録日:2018年5月 

    出願国:国内  

  23. 化合物半導体結晶の製造方法

    宇治原徹,柴田顕次,

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    出願人:国立大学法人名古屋大学,豊田自動織機

    出願番号:2013-227879  出願日:2013年11月

    公開番号:2015-086122  公開日:2015年5月

    特許番号/登録番号:特許第6207014号  登録日:2017年9月 

    出願国:国内  

  24. 化合物半導体結晶の製造方法

    宇治原徹, 柴田顕次

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    出願人:国立大学法人名古屋大学,豊田自動織機

    出願番号:2013-227879  出願日:2013年11月

    公開番号:2015-086122  公開日:2015年5月

    特許番号/登録番号:特許第6207014号  登録日:2017年9月 

    出願国:国内  

  25. 炭化珪素粉粒体及びその製造方法

    宇治原 徹, 増田 賢太, 一坪 幸輝, 鈴木 将和, 野中 潔, 山﨑 広樹

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    出願人:名古屋大学, 太平洋セメント

    出願番号:2013-182798  出願日:2013年9月

    公開番号:2015-048294  公開日:2015年3月

    特許番号/登録番号:特許第6304477号  登録日:2018年3月 

    出願国:国内  

  26. 炭化珪素粉粒体及びその製造方法

    宇治原 徹, 増田 賢太, 一坪 幸輝, 鈴木 将和, 野中 潔, 山﨑 広樹

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    出願人:名古屋大学, 太平洋セメント

    出願番号:2013-182798  出願日:2013年9月

    公開番号:2015-048294  公開日:2015年3月

    特許番号/登録番号:特許第6304477号  登録日:2018年3月 

    出願国:国内  

  27. 2次元ナノ粒子構造体及びその製造方法。

    田川美穂、宇治原徹、磯貝卓巳、赤田英里

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2013-126144(JP)  出願日:2013年6月

    公開番号:2015-000450 

    特許番号/登録番号:6086595  登録日:2017年2月 

    出願国:国内  

  28. 2次元ナノ粒子構造体及びその製造方法。

    田川美穂, 宇治原徹, 磯貝卓巳, 赤田英里

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2013-126144(JP)  出願日:2013年6月

    公開番号:2015-000450 

    特許番号/登録番号:6086595  登録日:2017年2月 

    出願国:国内  

  29. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹,原田俊太,朱燦

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2012-185973  出願日:2012年8月

    公開番号:2014-043367  公開日:2014年3月

    特許番号/登録番号:特許第5975482号  登録日:2016年7月 

    出願国:国内  

  30. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹,原田俊太,朱燦

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2012-185975  出願日:2012年8月

    公開番号:2014-043369  公開日:2014年3月

    特許番号/登録番号:特許第6069758号  登録日:2017年1月 

    出願国:国内  

  31. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹, 原田俊太, 朱燦

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2012-185975  出願日:2012年8月

    公開番号:2014-043369  公開日:2014年3月

    特許番号/登録番号:特許第6069758号  登録日:2017年1月 

    出願国:国内  

  32. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹, 原田俊太, 朱燦

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2012-185973  出願日:2012年8月

    公開番号:2014-043367  公開日:2014年3月

    特許番号/登録番号:特許第5975482号  登録日:2016年7月 

    出願国:国内  

  33. SiC結晶の成長方法、SiC結晶の製造装置、および結晶基板

    宇治原徹,原田俊太,関和明,柴田顕次,市川慎一郎

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    出願人:豊田自動織機,国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2011-275587  出願日:2011年12月

    公開番号:2013-124213  公開日:2013年6月

    特許番号/登録番号:特許第5936343号  登録日:2016年5月 

    出願国:国内  

  34. SiC結晶の成長方法およびSiC結晶の製造装置

    宇治原徹,原田俊太,関和明,柴田顕次,市川慎一郎,今岡功

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    出願人:豊田自動織機,国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2011-275588  出願日:2011年12月

    公開番号:2013-124214  公開日:2013年6月

    特許番号/登録番号:特許第5936344号  登録日:2016年5月 

    出願国:国内  

  35. SiC結晶の成長方法およびSiC結晶の製造装置

    宇治原徹, 原田俊太, 関和明, 柴田顕次, 市川慎一郎, 今岡功

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    出願人:豊田自動織機,国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2011-275588  出願日:2011年12月

    公開番号:2013-124214  公開日:2013年6月

    特許番号/登録番号:特許第5936344号  登録日:2016年5月 

    出願国:国内  

  36. SiC結晶の成長方法、SiC結晶の製造装置、および結晶基板

    宇治原徹, 原田俊太, 関和明, 柴田顕次, 市川慎一郎

     詳細を見る

    出願人:豊田自動織機,国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2011-275587  出願日:2011年12月

    公開番号:2013-124213  公開日:2013年6月

    特許番号/登録番号:特許第5936343号  登録日:2016年5月 

    出願国:国内  

  37. 窒化アルミニウム材料の製造方法、窒化アルミニウム材料の製造装置、窒化アルミニウム材料及び熱交換器

    青木祐一, 竹内幸久, 宇治原徹, 水野恒平

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    出願人:株式会社デンソー

    出願番号:2011-55418  出願日:2011年3月

    公開番号:2012‐188333 

    出願国:国内  

  38. 窒化アルミニウム材料の製造方法、窒化アルミニウム材料の製造装置、窒化アルミニウム材料及び熱交換器

    青木祐一, 竹内幸久, 宇治原徹, 水野恒平

     詳細を見る

    出願人:株式会社デンソー

    出願番号:2011-55418  出願日:2011年3月

    公開番号:2012‐188333 

    出願国:国内  

  39. 窒化アルミニウム材料の製造方法、窒化アルミニウム材料及び熱交換器

    宇治原徹, 水野恒平

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    出願人:国立大学名古屋大学, 株式会社デンソー

    出願番号:2010-213932  出願日:2010年9月

    公開番号:2012-66975 

    出願国:国内  

  40. 窒化アルミニウム材料の製造方法、窒化アルミニウム材料及び熱交換器

    宇治原徹, 水野恒平

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    出願人:国立大学名古屋大学, 株式会社デンソー

    出願番号:2010-213932  出願日:2010年9月

    公開番号:2012-66975 

    出願国:国内  

  41. 半導体積層構造及びこれを備えた光学素子並びに半導体積層構造における光学スペクトルの広帯域化方法

    渕 真悟, 竹田 美和, 宇治原 徹, 水谷 亮太, 谷 和馬

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2010-176135  出願日:2010年8月

    公開番号:2012-38845 

    出願国:国内  

  42. 半導体積層構造及びこれを備えた光学素子並びに半導体積層構造における光学スペクトルの広帯域化方法

    渕 真悟、竹田 美和、宇治原 徹、水谷 亮太、谷 和馬

     詳細を見る

    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2010-176135  出願日:2010年8月

    公開番号:2012-38845 

    出願国:国内  

  43. 薄膜製造方法

    生田博志, 竹田美和, 田渕雅夫, 宇治原徹, 上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也

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    出願人:国立大学名古屋大学

    出願番号:2010-170763  出願日:2010年7月

    公開番号:2012-31461 

    出願国:国内  

  44. 薄膜製造方法

    生田博志, 竹田美和, 田渕雅夫, 宇治原徹, 上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也

     詳細を見る

    出願人:国立大学名古屋大学

    出願番号:2010-170763  出願日:2010年7月

    公開番号:2012-31461 

    出願国:国内  

  45. 電子顕微鏡

    田中信夫, 中西彊, 竹田美和, 浅野秀文, 齋藤晃, 宇治原徹, 桑原真人

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    出願人:国立大学名古屋大学

    出願番号:2010-074008  出願日:2010年3月

    公開番号:WO2011/122171 

    出願国:国内  

  46. 電子顕微鏡

    田中信夫, 中西彊, 竹田美和, 浅野秀文, 齋藤晃, 宇治原徹, 桑原真人

     詳細を見る

    出願人:国立大学名古屋大学

    出願番号:2010-074008  出願日:2010年3月

    公開番号:WO2011/122171 

    出願国:国内  

  47. 炭化珪素単結晶の製造方法

    宇治原徹, 吉川和男, 小宮山聰

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    出願人:東海カーボン株式会社

    出願番号:2009-234325  出願日:2009年10月

    公開番号:2010-111569 

    特許番号/登録番号:特許第5120758号  登録日:2012年11月 

    出願国:国内  

  48. 炭化珪素単結晶の製造方法

    宇治原徹、吉川和男、小宮山聰

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    出願人:東海カーボン株式会社

    出願番号:2009-234325  出願日:2009年10月

    公開番号:2010-111569 

    特許番号/登録番号:特許第5120758号  登録日:2012年11月 

    出願国:国内  

  49. 超伝導体構造、その製造方法、及び電子素子

    生田 博志, 竹田 美和, 宇治原 徹, 田渕 雅夫, 竹中 康司, 川口 昴彦, 上村 彦樹, 大野 俊也

     詳細を見る

    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2009-227635  出願日:2009年9月

    公開番号:2011-73926 

    出願国:国内  

  50. 超伝導体構造、その製造方法、及び電子素子

    生田 博志、竹田 美和、宇治原 徹、田渕 雅夫、竹中 康司、川口 昴彦、上村 彦樹、大野 俊也

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2009-227635  出願日:2009年9月

    公開番号:2011-73926 

    出願国:国内  

  51. 3C-SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹, 田中亮、関和明、竹田美和

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    出願人:国立大学名古屋大学

    出願番号:2009-075974  出願日:2009年3月

    公開番号:2010-228939 

    特許番号/登録番号:特許第5244007号  登録日:2013年4月 

    出願国:国内  

  52. 3C-SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹, 田中亮, 関和明, 竹田美和

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    出願人:国立大学名古屋大学

    出願番号:2009-075974  出願日:2009年3月

    公開番号:2010-228939 

    特許番号/登録番号:特許第5244007号  登録日:2013年4月 

    出願国:国内  

  53. スピン偏極電子発生素子

    宇治原徹, 金秀光, 竹田美和, 中西彊, 山本尚人, 坂貴, 加藤俊宏

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    出願人:国立大学名古屋大学, 大同工業大学, 大同特殊鋼

    出願番号:2009-073929  出願日:2009年3月

    公開番号:2009-266809 

    出願国:国内  

  54. スピン偏極電子発生素子

    宇治原徹, 金秀光, 竹田美和, 中西彊, 山本尚人, 坂貴, 加藤俊宏

     詳細を見る

    出願人:国立大学名古屋大学, 大同工業大学, 大同特殊鋼

    出願番号:2009-073929  出願日:2009年3月

    公開番号:2009-266809 

    出願国:国内  

  55. 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶

    宇治原徹, 吉川和男 小宮山聰

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    出願人:国立大学名古屋大学, 東海カーボン株式会社

    出願番号:特願2008-262078  出願日:2008年10月

    出願国:国内  

  56. 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶

    宇治原徹, 吉川和男, 小宮山聰

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    出願人:国立大学名古屋大学, 東海カーボン株式会社

    出願番号:特願2008-262078  出願日:2008年10月

    出願国:国内  

  57. 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶

    宇治原徹, 小宮山聰

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    出願人:国立大学名古屋大学, 東海カーボン株式会社

    出願番号:2008-85798  出願日:2008年3月

    公開番号:2008-273819 

    出願国:国内  

  58. 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶

    宇治原徹, 小宮山聰

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    出願人:国立大学名古屋大学, 東海カーボン株式会社

    出願番号:2008-85798  出願日:2008年3月

    公開番号:2008-273819 

    出願国:国内  

  59. 量子ドット及びその製造方法

    渕真悟, 竹田美和, 宇治原徹, 三宅信輔, 河村真一

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    出願人:国立大学名古屋大学

    出願番号:特願2007- 209362  出願日:2007年8月

    公開番号:特開2009-44052 

    特許番号/登録番号:特許第5187884号  登録日:2013年2月 

    出願国:国内  

  60. 量子ドット及びその製造方法

    渕真悟, 竹田美和, 宇治原徹, 三宅信輔, 河村真一

     詳細を見る

    出願人:国立大学名古屋大学

    出願番号:特願2007- 209362  出願日:2007年8月

    公開番号:特開2009-44052 

    特許番号/登録番号:特許第5187884号  登録日:2013年2月 

    出願国:国内  

  61. 分離閉じ込め構造を用いた発光素子用希土類元素添加半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード、光増幅器

    渕真悟, 竹田美和, 宇治原徹, 山口岳宏, 宇木大輔, 田中雄太

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    出願人:国立大学名古屋大学

    出願番号:特願2007- 205161  出願日:2007年8月

    公開番号:特開2009-43807 

    出願国:国内  

  62. 分離閉じ込め構造を用いた発光素子用希土類元素添加半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード、光増幅器

    渕真悟, 竹田美和, 宇治原徹, 山口岳宏, 宇木大輔, 田中雄太

     詳細を見る

    出願人:国立大学名古屋大学

    出願番号:特願2007- 205161  出願日:2007年8月

    公開番号:特開2009-43807 

    出願国:国内  

  63. 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶

    宇治原徹, 小宮山聰

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    出願人:国立大学名古屋大学, 東海カーボン株式会社

    出願番号:特願2007- 91440  出願日:2007年3月

    公開番号:特開2008-273819 

    出願国:国内  

  64. 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶

    宇治原徹, 小宮山聰

     詳細を見る

    出願人:国立大学名古屋大学, 東海カーボン株式会社

    出願番号:特願2007- 91440  出願日:2007年3月

    公開番号:特開2008-273819 

    出願国:国内  

  65. スピン偏極電子発生素子

    宇治原徹、竹田美和、中西彊、山本将博、陳博

     詳細を見る

    出願人:国立大学名古屋大学

    出願番号:特願2006-60673  出願日:2006年3月

    公開番号:特開2008-198360 

    特許番号/登録番号:特許第4769941号  登録日:2011年7月 

    出願国:国内  

  66. スピン偏極電子発生素子

    宇治原徹, 竹田美和, 中西彊, 山本将博, 陳博

     詳細を見る

    出願人:国立大学名古屋大学

    出願番号:特願2006-60673  出願日:2006年3月

    公開番号:特開2008-198360 

    特許番号/登録番号:特許第4769941号  登録日:2011年7月 

    出願国:国内  

  67. Si系結晶の成長方法、Si系結晶、Si系結晶基板及び太陽電池

    中嶋 一雄, 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 藤原 航三, 我妻幸長

     詳細を見る

    出願人:国立大学東北大学

    出願番号:PCT/JP2004/010213  出願日:2004年7月

    公開番号:WO2005/007938 

    出願国:国内  

  68. Si系結晶の成長方法、Si系結晶、Si系結晶基板及び太陽電池

    中嶋 一雄、宇佐美 徳隆、宇治原 徹、藤原 航三、我妻幸長

     詳細を見る

    出願人:国立大学東北大学

    出願番号:PCT/JP2004/010213   出願日:2004年7月

    公開番号:WO2005/007938  

    出願国:国内  

  69. 結晶成長方法、及び結晶成長装置

    藤原航三、中嶋一雄、宇治原 徹、宇佐美 徳隆

     詳細を見る

    出願人:国立大学東北大学

    出願番号:特願2004-089326  出願日:2004年3月

    公開番号:特開2005-272230 

    出願国:国内  

  70. 結晶成長方法、及び結晶成長装置

    藤原航三, 中嶋一雄, 宇治原 徹, 宇佐美 徳隆

     詳細を見る

    出願人:国立大学東北大学

    出願番号:特願2004-089326  出願日:2004年3月

    公開番号:特開2005-272230 

    出願国:国内  

  71. 結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク予備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法

    中嶋 一雄、我妻 幸長、宇佐美 徳隆、藤原 航三、宇治原 徹

     詳細を見る

    出願人:国立大学東北大学

    出願番号:2003-355443  出願日:2003年10月

    公開番号:2005-119900 

    特許番号/登録番号:特許第4122382号  登録日:2008年5月 

    出願国:国内  

  72. 結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク予備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法

    中嶋 一雄, 我妻 幸長, 宇佐美 徳隆, 藤原 航三, 宇治原 徹

     詳細を見る

    出願人:国立大学東北大学

    出願番号:2003-355443  出願日:2003年10月

    公開番号:2005-119900 

    特許番号/登録番号:特許第4122382号  登録日:2008年5月 

    出願国:国内  

  73. 光起電力素子、太陽電池、及び光起電力素子の製造方法

    宇佐美 徳隆、中嶋 一雄、宇治原 徹、藤原 航三

     詳細を見る

    出願人:国立大学東北大学

    出願番号:2003-298784  出願日:2003年8月

    公開番号:2005-072192 

    特許番号/登録番号:特許第3893466号  登録日:2006年12月 

    出願国:国内  

  74. 光起電力素子、太陽電池、及び光起電力素子の製造方法

    宇佐美 徳隆, 中嶋 一雄, 宇治原 徹, 藤原 航三

     詳細を見る

    出願人:国立大学東北大学

    出願番号:2003-298784  出願日:2003年8月

    公開番号:2005-072192 

    特許番号/登録番号:特許第3893466号  登録日:2006年12月 

    出願国:国内  

  75. Ge系結晶の成長方法、Ge系結晶、Ge系結晶基板及び太陽電池

    中嶋 一雄、藤原 航三、宇佐美 徳隆、宇治原 徹、我妻幸長

     詳細を見る

    出願人:国立大学東北大学

    出願番号:特願2003-198417  出願日:2003年7月

    公開番号:特開2005-035817 

    特許番号/登録番号:特許第3855059  登録日:2006年9月 

    出願国:国内  

  76. Si系結晶の成長方法、Si系結晶、Si系結晶基板及び太陽電池

    中嶋 一雄、宇佐美 徳隆、宇治原 徹、藤原 航三、我妻幸長

     詳細を見る

    出願人:国立大学東北大学

    出願番号:特願2003-198490  出願日:2003年7月

    公開番号:特開2007-22815 

    特許番号/登録番号:特許第4054873  登録日:2007年12月 

    出願国:国内  

  77. Ge系結晶の成長方法、Ge系結晶、Ge系結晶基板及び太陽電池

    中嶋 一雄, 藤原 航三, 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 我妻幸長

     詳細を見る

    出願人:国立大学東北大学

    出願番号:特願2003-198417  出願日:2003年7月

    公開番号:特開2005-035817 

    特許番号/登録番号:特許第3855059  登録日:2006年9月 

    出願国:国内  

  78. Si系結晶の成長方法、Si系結晶、Si系結晶基板及び太陽電池

    中嶋 一雄, 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 藤原 航三, 我妻幸長

     詳細を見る

    出願人:国立大学東北大学

    出願番号:特願2003-198490  出願日:2003年7月

    公開番号:特開2007-22815 

    特許番号/登録番号:特許第4054873  登録日:2007年12月 

    出願国:国内  

  79. Si薄膜の作製方法、Si薄膜、及び太陽電池

    中嶋 一雄、宇佐美 徳隆、宇治原 徹、藤原 航三

     詳細を見る

    出願人:国立大学法人東北大学

    出願番号:特願2003-167493  出願日:2003年6月

    公開番号:特開2005-001945 

    特許番号/登録番号:特許第3978494  登録日:2007年7月 

    出願国:国内  

  80. Si薄膜の作製方法、Si薄膜、及び太陽電池

    中嶋 一雄, 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 藤原 航三

     詳細を見る

    出願人:国立大学法人東北大学

    出願番号:特願2003-167493  出願日:2003年6月

    公開番号:特開2005-001945 

    特許番号/登録番号:特許第3978494  登録日:2007年7月 

    出願国:国内  

  81. 太陽電池

    宇治原 徹、宇佐美 徳隆、藤原 航三、中嶋 一雄

     詳細を見る

    出願人:国立大学法人東北大学

    出願番号:特願2003-20743  出願日:2003年1月

    公開番号:特開2004-235325 

    特許番号/登録番号:特許 第3787629  登録日:2006年4月 

    出願国:国内  

    科学技術振興事業団整理番号:U2002P199

  82. 太陽電池

    宇治原 徹, 宇佐美 徳隆, 藤原 航三, 中嶋 一雄

     詳細を見る

    出願人:国立大学法人東北大学

    出願番号:特願2003-20743  出願日:2003年1月

    公開番号:特開2004-235325 

    特許番号/登録番号:特許 第3787629  登録日:2006年4月 

    出願国:国内  

    科学技術振興事業団整理番号:U2002P199

  83. 絶縁体上歪み半導体単結晶の作製方法

    宇佐美 徳隆、宇治原 徹、藤原 航三、中嶋 一雄

     詳細を見る

    出願人:東北大学長

    出願番号:特願2002-355674  出願日:2002年12月

    公開番号:特開2004-189505 

    特許番号/登録番号:特許 第3837527  登録日:2006年8月 

    出願国:国内  

  84. 絶縁体上歪み半導体単結晶の作製方法

    宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 藤原 航三, 中嶋 一雄

     詳細を見る

    出願人:東北大学長

    出願番号:特願2002-355674  出願日:2002年12月

    公開番号:特開2004-189505 

    特許番号/登録番号:特許 第3837527  登録日:2006年8月 

    出願国:国内  

  85. 太陽電池及びその製造方法

    中嶋一雄、宇佐美徳隆、藤原航三、宇治原徹

     詳細を見る

    出願人:東北大学長

    出願番号:特願2002-67331  出願日:2002年3月

    公開番号:特開2003-273373 

    特許番号/登録番号:特許 第3472837  登録日:2003年9月 

    出願国:国内  

    科学技術振興事業団整理番号:U2001P227(国内)

  86. 太陽電池及びその製造方法

    中嶋一雄, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹

     詳細を見る

    出願人:東北大学長

    出願番号:特願2002-67331  出願日:2002年3月

    公開番号:特開2003-273373 

    特許番号/登録番号:特許 第3472837  登録日:2003年9月 

    出願国:国内  

    科学技術振興事業団整理番号:U2001P227(国内)

  87. 水素生成光装置

    中嶋一雄、宇佐美徳隆、佐崎元、宇治原徹

     詳細を見る

    出願人:東北大学長

    出願番号:特願2002-40388  出願日:2002年2月

    公開番号:特開2003-238104 

    出願国:国内  

    科学技術振興事業団整理番号:U2001P123

  88. 水素生成光装置

    中嶋一雄, 宇佐美徳隆, 佐崎元, 宇治原徹

     詳細を見る

    出願人:東北大学長

    出願番号:特願2002-40388  出願日:2002年2月

    公開番号:特開2003-238104 

    出願国:国内  

    科学技術振興事業団整理番号:U2001P123

  89. 液体拡散係数の測定法

    宇治原徹、藤原航三、宇佐美徳隆、中嶋一雄

     詳細を見る

    出願人:東北大学長

    出願番号:特願2001-298343  出願日:2001年9月

    公開番号:特開2003-106974 

    特許番号/登録番号:特許 第3491042  登録日:2003年11月 

    出願国:国内  


     
    科学技術振興事業団整理番号:U2001P116

  90. 液体拡散係数の測定法

    宇治原徹, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄

     詳細を見る

    出願人:東北大学長

    出願番号:特願2001-298343  出願日:2001年9月

    公開番号:特開2003-106974 

    特許番号/登録番号:特許 第3491042  登録日:2003年11月 

    出願国:国内  

    科学技術振興事業団整理番号:U2001P116

  91. Aln crystal preparation method, aln crystals, and organic compound including aln crystals

    Toru Ujihara, Yukihisa Takeuchi, Mingyu Chen, Masashi Nagaya

     詳細を見る

    出願人:Nagoya University

    公開番号:US20210009885A1  公開日:2021年1月

  92. 熱伝導率推定方法、熱伝導率推定装置、半導体結晶製品の製造方法、熱伝導率演算装置、熱伝導率演算プログラム、および、熱伝導率演算方法

    横山 竜介、藤原 俊幸、樋口 雄介、宇治原 徹

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    出願人:株式会社SUMCO

    公開番号:特開2020-085737  公開日:2020年6月

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担当経験のある科目 (本学) 21

  1. 機能材料学(材料機能物性学)

    2020

  2. 化学熱力学2・相平衡論

    2020

  3. 凝固・結晶成長

    2020

  4. 凝固・結晶成長

    2019

  5. 化学熱力学2・相平衡論

    2019

  6. 機能材料学(材料機能物性学)

    2019

  7. 半導体材料学

    2019

  8. 化学熱力学2・相平衡論

    2018

  9. 半導体材料学・光機能材科学

    2018

  10. 材料物性学

    2018

  11. 凝固・結晶成長

    2018

  12. 化学熱力学2・応用熱力学

    2017

  13. 半導体材料学・光機能材科学

    2017

  14. 材料物性学

    2017

  15. 凝固・結晶成長

    2017

  16. 材料工学総論

    2017

  17. 材料工学総論

    2016

  18. 化学熱力学2・応用熱力学

    2016

  19. 材料物性学

    2016

  20. 結晶成長工学特論

    2016

  21. 半導体材料学・光機能材科学

    2016

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担当経験のある科目 (本学以外) 3

  1. デザイン実技ⅠA

    2018年4月 - 2019年3月 愛知県立芸術大学)

  2. デザイン実技ⅠA

    2017年4月 - 2018年3月 愛知県立芸術大学)

  3. 特別講義第三A(機能性セラミックス)

    2013年4月 - 2014年3月 山梨大学)

 

社会貢献活動 68

  1. 株式会社サイオクス社内講演

    役割:講師

    株式会社サイオクス  株式会社サイオクス  2022年3月

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    対象: 企業

    種別:講演会

    結晶成長に関する講義

  2. SSH運営指導委員会

    役割:講師, 助言・指導

    三重県立津高等学校  オンライン  2022年2月

     詳細を見る

    対象: 高校生

    種別:研究指導

    三重県立津高等学校SSH事業に対する指導・助言

  3. 津高等学校SSH研修会

    役割:講師, 助言・指導

    三重県立津高等学校  名古屋大学 C-TECs  2021年12月

     詳細を見る

    対象: 高校生

    種別:講演会

  4. 三菱電機株式会社先端技術総合研究所社内講演

    役割:講師

    三菱電機株式会社  オンライン  2021年12月

     詳細を見る

    対象: 企業

    種別:講演会

    プロセンスインフォマティクス技術に関する社内講演

  5. 愛知県立半田高等学校

    役割:講師

    愛知県立半田高等学校  愛知県立半田高等学校  2021年10月

     詳細を見る

    対象: 高校生

    種別:出前授業

    脱炭素社会のための半導体やセラミクス開発

  6. 愛知県立天白高等学校模擬授業

    役割:講師

    愛知県立天白高等学校  愛知県立天白高等学校  2021年10月

     詳細を見る

    対象: 高校生

    種別:出前授業

    大学模擬授業

  7. SSH運営指導委員会

    役割:講師, 助言・指導

    三重県立津高等学校  名古屋大学 C-TECs  2021年6月

     詳細を見る

    対象: 高校生

    種別:研究指導

    三重県立津高等学校SSH事業に対する指導・助言

  8. 大陽日酸株式会社講演

    役割:講師

    大陽日酸株式会社  オンライン  2021年5月

     詳細を見る

    対象: 企業

    種別:講演会

    機械学習を用いた結晶成長モデルベース開発(SiC融液成長を例に)

  9. 株式会社SUMCO社内講演

    役割:講師

    株式会社SUMCO  2024年3月

     詳細を見る

    対象: 社会人・一般

    種別:講演会

  10. トヨタ産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!雪の結晶を観察しよう」

    役割:企画, 運営参加・支援

    トヨタ産業技術記念館  2023年12月

     詳細を見る

    対象: 小学生, 保護者

  11. 『Meet up Chubu 』vol.23「半導体素材開発におけるデジタルツインの活用と横展開」

    役割:講師

    中部経済産業局・中部経済連合会  2023年8月

     詳細を見る

    対象: 社会人・一般

    種別:講演会

  12. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!雪の結晶を観察しよう」

    役割:企画, 運営参加・支援

    トヨタ産業技術記念館  2022年12月

     詳細を見る

    対象: 小学生, 保護者

    種別:セミナー・ワークショップ

  13. 株式会社SUMCO社内講演

    役割:講師

    株式会社SUMCO  2022年4月

     詳細を見る

    対象: 社会人・一般

    種別:講演会

  14. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!雪の結晶を観察しよう」

    役割:企画, 運営参加・支援

    トヨタ産業技術記念館  2021年11月

     詳細を見る

    対象: 小学生, 保護者

    種別:セミナー・ワークショップ

  15. 高分子同友会 140回研究開発部会

    役割:講師

    高分子同友会  オンライン  2021年3月

     詳細を見る

    対象: 社会人・一般

    種別:セミナー・ワークショップ

  16. テクノブリッジフェアin中部-未来モビリティ カーボンニュートラルに向けた材料開発-

    役割:講師

    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 中部センター  国立研究開発法人 産業技術総合研究所 中部センター  2021年3月

     詳細を見る

    対象: 研究者, 社会人・一般

    種別:講演会

  17. 令和 2 年度 津高等学校 SSH 児童・生徒研究発表会

    役割:助言・指導

    オンライン  2021年2月

     詳細を見る

    対象: 高校生

  18. 科学技術未来戦略ワークショップ「材料創製技術を革新するプロセス・インフォマティクス」

    役割:講師

    国立研究開発法人科学技術振興機構 研究開発戦略センター(CRDS)   オンライン  2021年1月

     詳細を見る

    対象: 研究者, 社会人・一般

  19. 津高等学校SSH研修会

    役割:助言・指導

    名古屋大学 C-TECs  2020年12月

     詳細を見る

    対象: 高校生

  20. 20-1有機エレクトロニクス研究会

    役割:講師

    龍谷大学響都ホール校友会館 大ホール  2020年12月

     詳細を見る

    対象: 研究者, 社会人・一般

  21. 名古屋市工業研究所 スタートアップ講演

    役割:講師

    名古屋市工業研究所 ホール(名古屋市熱田区六番三丁目4-41)  2020年11月

     詳細を見る

    対象: 社会人・一般

  22. 愛知県立天白高等学校模擬授業

    役割:講師

    愛知県立天白高等学校  2020年11月

     詳細を見る

    対象: 高校生, 社会人・一般

  23. えきなが講座

    役割:講師

    山口県防府  2019年11月

     詳細を見る

    対象: 小学生, 中学生, 高校生

    種別:出前授業

  24. テクノ・シンポジウム名大 「次世代サーマルマネージメントのための熱流体物性計測と制御」

    役割:講師

    名古屋大学工学研究科  名古屋大学ES総合館ESホール  2019年10月

     詳細を見る

    対象: 社会人・一般, 企業

    種別:講演会

    題目「熱対策用窒化アルミニウムウィスカーの開発」

  25. 第53回 化学工学の進歩講習会「最新情報技術活用によるプロセス産業スマート化- AI,IoT,MI の基礎から最前線まで -」

    役割:講師

    化学工学会東海支部  名古屋市工業研究所(名古屋市熱田区六番3-4-41 )第1 会議室  2019年10月

     詳細を見る

    対象: 社会人・一般, 企業

    種別:講演会

    題目「結晶成長における機械学習活用(SiC溶液成長を例に)」

  26. テクサポネットセミナー第7弾(テクサポネット×名大協力会)

    役割:インタビュアー

    名古屋大学協力会・中部経済産業局  名古屋大学 アジア法交流館2階 アジアコミュニティフォーラム  2019年10月

     詳細を見る

    対象: 社会人・一般, 企業

    種別:講演会

    題目「起業のススメ ―大学発ベンチャーの利点と可能性―」

  27. 産総研コンソーシアム名古屋工業技術協会 2019年度第1回研究会 「AI、機械学習の応用事例」

    役割:講師

    産総研コンソーシアム名古屋工業技術協会  名古屋駅前イノベーションハブ 会議室  2019年10月

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    対象: 社会人・一般, 企業

    種別:講演会

    題目「AI技術を用いたSiC溶液成長技術の確立」

  28. 三重県立津高等学校 模擬授業

    役割:講師

    三重県立津高等学校  2019年10月

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    対象: 高校生

    種別:出前授業

  29. 技術セミナー「パワーデバイス封止材」

    役割:講師

    技術情報協会  東京都五反田・日幸五反田ビル8F 技術情報協会 セミナールーム  2019年9月

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    対象: 社会人・一般, 企業

    種別:講演会

    題目「少量添加で樹脂素材の熱伝導率を向上させるフィラーの開発」

  30. ポスト「京」重点課題⑧・重点課題⑥ 第3 回HPC ものづくり統合ワークショップ

    役割:講師

    東京大学生産技術研究所 革新的シミュレーション研究センター  東京大学生産技術研究所内An 棟4 階セミナー室  2019年9月

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    対象: 社会人・一般, 企業

    種別:講演会

    題目「機械学習によるSiC結晶成長プロセスの最適化と大口径化の試み」

  31. 第2回 住友理工株式会社―名古屋大学 探索型共同研究テーマ検討会

    役割:講師

    名古屋大学  名古屋大学NIC館  2019年9月

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    対象: 企業

    種別:講演会

    題目「少量添加で樹脂素材の熱伝導率を向上させるフィラーの開発」

  32. キャリアブリッジ2019(NPO法人アスクネット)

    役割:講師

    NPO法人アスクネット  名古屋大学 工学部5号館 522講義室  2019年8月

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    対象: 高校生

    種別:出前授業

    「大学での学びについて」「材料工学」に関する講義

  33. 日本学術振興会 素材プロセシング第69委員会 第2分科会(新素材関連技術)第73回研究会

    役割:講師

    日本学術振興会  東北大学 多元物質科学研究所大会議室(片平キャンパス E03 1階)  2019年7月

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    対象: 社会人・一般, 企業

    種別:講演会

    題目「SiC溶液成長法の最適条件予測におけるデータ科学の活用」

  34. 日本セラミックス協会「マテリアルズ・インフォマティクスを用いた新材料開発」

    役割:講師

    日本セラミックス協会関東支部  東京工業大学 大岡山キャンパス南8号館623教室  2019年4月

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    対象: 社会人・一般, 企業

    種別:講演会

    題目「結晶成長における機械学習の活用(SiC溶液成長を例にして)」

  35. 中部イノべネット平成30年度 第2回窓口コーディネーター会議

    役割:講師

    公益財団法人中部科学技術センター  名古屋栄ビルディング特別会議室  2019年2月

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    対象: 教育関係者, 社会人・一般, 学術団体, 企業

    種別:講演会

  36. トヨタ産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!雪の結晶を観察しよう」

    役割:企画, 運営参加・支援

    トヨタ産業技術記念館  2018年12月

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    対象: 小学生, 保護者

  37. 結晶成長解析セミナー 2018

    役割:講師

    STR Japan株式会社  横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階大会議室  2018年12月

     詳細を見る

    対象: 教育関係者, 社会人・一般, 学術団体, 企業

    種別:講演会

    題目:機械学習による結晶成長モデリングと最適条件自動取得(SiC溶液成長を例に)

  38. 国際シンポジウムMSST2018

    役割:講師

    関東学院大学  関東学院大学小田原キャンパス  2018年12月

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    対象: 教育関係者, 社会人・一般, 学術団体, 企業

    種別:講演会

    題目:Machine Learning for SiC top-seeded solution growth
    - Prediction, Optimization and Visualization -

  39. 第26 回フィラーシンポジウム

    役割:講師

    フィラー研究会  ホテルグランテラス富山  2018年11月

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    対象: 教育関係者, 社会人・一般, 学術団体, 企業

    種別:講演会

    題目:樹脂の熱伝導率を向上させるAlN ウィスカーフィラーについての開発

  40. 三重県立津高等学校 模擬授業

    役割:講師

    三重県立津高等学校  2018年10月

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    対象: 高校生

    種別:出前授業

  41. Mathematical Aspects of Surface and Interface Dynamics 14研究集会

    役割:講師

    日本結晶成長学会  東大駒場数理科学  2018年10月

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    対象: 教育関係者, 社会人・一般, 学術団体, 企業

    種別:講演会

    題目:High-quality SiC crystal grown with solution method by controlling macro-step structure

  42. えきなが講座

    役割:講師

    山口県防府  2018年9月

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    対象: 小学生, 中学生, 高校生

    種別:出前授業

  43. 大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ

    役割:講師

    大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所  大阪電気通信大学 駅前キャンパス1 階101 教室  2018年7月

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    対象: 教育関係者, 社会人・一般, 学術団体, 企業

    種別:講演会

    題目:溶液成長法による高品質SiC 結晶成長と機械学習の活用

  44. 研究交流クラブ 第189回定例会

    役割:講師

    公益社団法人科学技術交流財団  名古屋銀行協会 2階 1号室  2018年7月

     詳細を見る

    対象: 教育関係者, 社会人・一般, 学術団体, 企業

    種別:講演会

    題目:AI技術を活用した新素材合成プロセスの高速最適化と可視化

  45. 第305回 新規事業研究会

    役割:講師

    新規事業研究会  東工大(大岡山)  2018年4月

     詳細を見る

    対象: 教育関係者, 社会人・一般, 学術団体, 企業

    種別:講演会

    題目:超高品質SiC溶液成長法の開発と機械学習を用いた高度化

  46. プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会 第165回研究会

    役割:講師

    公益社団法人精密工学会  主婦会館プラザエフ(東京都千代田区)  2018年4月

     詳細を見る

    対象: 教育関係者, 社会人・一般, 学術団体, 企業

    種別:講演会

    題目:SiC の結晶成長と加工における機械学習の活用例

  47. 社外アドバイザー(株式会社キスモ)

    役割:助言・指導

    2018年1月 - 2018年12月

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    対象: 社会人・一般

    種別:その他

  48. トヨタ産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!雪の結晶を観察しよう」

    役割:企画, 運営参加・支援

    トヨタ産業技術記念館  2017年12月

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    対象: 小学生, 保護者

  49. 三重県立津高等学校 模擬授業

    役割:講師

    三重県立津高等学校  2017年10月

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    対象: 高校生

    種別:出前授業

  50. 津西高等学校 模擬授業「津西一日大学」

    役割:講師

    三重県立津西高等学校  2017年9月

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    対象: 高校生

  51. 共感からはじまる!アイデアのつくり方講座

    役割:講師

    一般社団法人未来マトリクス  2017年4月

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    対象: 大学生, 大学院生, 教育関係者, 研究者, 社会人・一般, 企業

    講師

  52. 産総研・名大窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ(GaN-OIL)

    役割:取材協力

    産総研・名大  2016年12月

     詳細を見る

    種別:会誌・広報誌

    「産総研・名大窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ(GaN-OIL)」 紹介動画が公開

  53. 第18回えきなが講座

    2016年11月

  54. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!雪の結晶を観察しよう」

    2016年11月

  55. 津高等学校模擬授業「身の回りのいろいろな結晶 ~氷から太陽電池まで~」

    2016年10月

  56. インフォマティクスがもたらす結晶成長プロセスの革新

    役割:司会

    2017春季第64回応用物理学関連連合講演会・結晶工学分科会シンポジウム  2016年3月

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    対象: 教育関係者, 企業

    種別:セミナー・ワークショップ

  57. 第16回えきなが講座

    2015年12月

  58. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!ストームグラスをつくろう!」

    2015年11月

  59. 津高等学校模擬授業「身の回りのいろいろな結晶 ~氷から太陽電池まで~」

    2015年10月

  60. TEDxNagoyaU

    役割:助言・指導, 運営参加・支援

    2015年7月

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    対象: 大学生, 大学院生, 教育関係者, 研究者, 社会人・一般, 学術団体, 企業

  61. 津高等学校模擬授業「身の回りのいろいろな結晶 ~氷から太陽電池まで~」

    2014年10月

  62. 理系女子進路選択支援シンポジウム

    2014年9月

     詳細を見る

    パネルディスカッションコーディネーター

  63. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!金属を溶かしてメダルストラップをつくろう」

    2014年5月

  64. 津高等学校模擬授業「身の回りのいろいろな結晶 ~氷から太陽電池まで~」

    2013年10月

  65. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!金属をとかしてメダルをつくろう!」

    2013年5月

  66. 第10回えきなが講座

    2013年3月

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    結晶成長講座

  67. 津高等学校模擬授業「身の回りのいろいろな結晶 ~氷から太陽電池まで~」

    2012年7月

  68. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!金属をとかしてメダルをつくろう!」

    2012年5月

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メディア報道 20

  1. パワー半導体 安価に製造 新聞・雑誌

    日本経済新聞  2024年3月

  2. スタートアップ育成へ、ナゴヤで厚み増す『生態系』、シンポジウム、マインド変える 最先端・異質の風 新聞・雑誌

    日本経済新聞  2023年12月

  3. 日経名古屋支社シンポジウム 新聞・雑誌

    日本経済新聞 朝刊中部経済面  2023年12月

  4. 名大発UJ-Crystal、生成AIでSiC製法改良 27年量産へ 新聞・雑誌

    NIKKEI Tech Foresight  2023年12月

  5. 「スタートアップ育成へ、ナゴヤで厚み増す『生態系』」 インターネットメディア

    テレビ愛知  2023年12月

  6. 起業家精神 学生に根付け 新聞・雑誌

    中日新聞  2023年10月

  7. 大学の知 社会還元加速 新聞・雑誌

    読売新聞  2023年9月

  8. 失敗作から新放熱材 新聞・雑誌

    読売新聞  2022年9月

  9. 新興で次世代パワー半導体 「研究の軸は仮想空間で」 新聞・雑誌

    日本経済新聞  2022年4月

  10. 次世代半導体、AIで欠陥100分の1に 名大が手法開発 新聞・雑誌

    日本経済新聞  2021年11月

  11. STORY OF MOBILITY テレビ・ラジオ番組

    ZIP-FM  2021年3月

  12. 製造プロセスにAI活用 3年でSiC6インチにめど 新聞・雑誌

    電子デバイス産業新聞  2021年1月

  13. M&A目的に技術追及 新聞・雑誌

    日刊工業新聞  2020年12月

  14. 究極の材料と加工技術による技術革新を 会誌・広報誌

    トヨタ社内報  TES MAGAZINE vol.71,2020  2020年12月

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    U-MAP

  15. 大田高と名大、連携授業 ーオンラインで対談。進路選択へ、大学生に聞く 新聞・雑誌

    山陰中央新報、日日新聞  2020年12月

  16. 10年先の未来を見通し、革新的新素材で世界を変える 会誌・広報誌

    名古屋商工会議所  NAGOYA   2020年12月

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    U-MAP

  17. 放熱新素材の開拓加速 新聞・雑誌

    化学工業日報  2020年9月

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    U-MAP

  18. 大学発のロールモデルに 新聞・雑誌

    中部経済新聞  2020年7月

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    U-MAP

  19. 放熱性高める独自素材量産へ 新聞・雑誌

    中部経済新聞  2020年6月

     詳細を見る

    U-MAP

  20. 第15回 名古屋大学ホームカミングデイ

    名古屋大学Development Office 事業G 事業推進係  ES総合館・ESホール  2019年10月

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学術貢献活動 3

  1. 駒場東邦中学校・高等学校名古屋大学見学会

    駒場東邦中学校・高等学校  ( 名古屋大学 工学部5号館 522講義室 ) 2019年8月

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    NIC5階見学(プロジェクションマッピング+研究ポスター紹介)、C-TECs見学

  2. 県立津高等学校スーパーサイエンスハイスクルール運営指導委員

    三重県教育委員会  2018年4月 - 現在

  3. メッセナゴヤ2016

    愛知県、名古屋市、名古屋商工会議所  2016年12月

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    「具現化ソン」の事例が、 科学技術振興機構(JST)の「産学官連携ジャーナル」にて紹介