Updated on 2024/10/10

写真a

 
UJIHARA, Toru
 
Organization
Institute of Materials and Systems for Sustainability Center for Integrated Research of Future Electronics Innovative Devices Section Professor
Graduate School
Graduate School of Engineering
Title
Professor
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Degree 1

  1. Doctor of Engineering ( 2000.3   Kyoto University ) 

Research Interests 1

  1. crystal growth, Solution growth, Vapor growth, SiC, Power device, Solar cell, Semiconductor photo-cathode, Spin observation, Bio-device, Semiconductor-Plasma membrane hybrid device, Lipid bilayer

Research Areas 3

  1. Others / Others  / Physical Metallurgy

  2. Others / Others  / Electronic and Electric Materials Engineering

  3. Others / Others  / Applied Physics of Property and Crystallography

Current Research Project and SDGs 3

  1. Growth of high-quality SiC crystal by liquid phase epitaxy

  2. AlNの高効率合成

  3. プロセスインフォマティクスによる素材開発

Research History 14

  1. 株式会社UJ-Crystal   代表取締役

    2021.6

  2. 国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研)   エレクトロニクス・製造領域 研究戦略部 (現:研究企画室)窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ   ラボ長

    2021.4

      More details

    Country:Japan

  3. アイクリスタル株式会社   取締役

    2019.11

      More details

    Country:Japan

  4. 国立研究開発法人理化学研究所   革新知能統合研究センター   客員研究員

    2018.6

      More details

    Country:Japan

  5. 公益財団法人名古屋産業科学研究所(名産研)   非常勤所員

    2018.4

      More details

    Country:Japan

  6. 株式会社U-MAP   取締役 CTO

    2016.11

      More details

    Country:Japan

  7. 国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研)   エレクトロニクス・製造領域 研究戦略部 (現:研究企画室)窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ   副ラボ長

    2016.11 - 2021.3

      More details

    Country:Japan

  8. 名古屋大学未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター・教授

    2015.10

      More details

    Country:Japan

  9. 名古屋大学グリーンモビリティ連携研究センター・教授

    2014.4 - 2015.9

      More details

    Country:Japan

  10. 名古屋大学大学院工学研究科・教授

    2010.10

      More details

    Country:Japan

  11. 名古屋大学大学院工学研究科附属バックキャストテクノロジー材料センター 准教授(兼任)

    2008.10

      More details

    Country:Japan

  12. Associate Professor, Graduate School of Engineering, Nagoya University

    2007.4

      More details

    Country:Japan

  13. Associate Professor, Graduate School of Engineering, Nagoya University

    2004.3 - 2007.3

      More details

    Country:Japan

  14. Assistant Professor, Institute for Materials Research, Tohoku University

    1999.4 - 2004.2

      More details

    Country:Japan

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Education 3

  1. Kyoto University   Graduate School, Division of Engineering   Material Science and Engineering

    1995.4 - 1999.3

      More details

    Country: Japan

  2. Kyoto University   Graduate School, Division of Engineering

    1993.4 - 1995.3

      More details

    Country: Japan

  3. Kyoto University   Faculty of Engineering

    1989.4 - 1993.3

      More details

    Country: Japan

Professional Memberships 1

  1. 日本表面真空学会

Committee Memberships 45

  1. 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構   技術委員  

    2021.8 - 2023.3   

  2. 第8回アジア結晶成長・結晶技術国際会議(CGCT-8)   実行委員  

    2021.3   

  3. 第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)   プログラム委員  

    2020.11   

  4. ICMaSS2019プログラム委員会   委員  

    2019.11   

  5. アジア太平洋ワークショップ(APWS 2019) メンバー   プログラムメンバー  

    2019.11   

  6. ICSCRM2019 実行委員会   プログラム委員  

    2019.6 - 2019.10   

  7. 日本結晶成長学会 理事(副会長(兼)学会賞委員会・バルク成長分科会)   理事(副会長(兼)学会賞委員会・バルク成長分科会)  

    2019.4 - 2022.3   

  8. 2019年2020年 日本金属学会・日本鉄鋼協会講演大会   委員  

    2019.4 - 2021.3   

  9. 国立研究開発法人 科学技術振興機構(JST) ERATO   選考評価者  

    2018.7 - 2019.3   

  10. 一般社団法人電子情報技術産業協会(JEITA)半導体信頼性技術委員会「個別半導体(パワー系)信頼性試験規格PG」   客員委員  

    2018.4 - 2020.3   

  11. 一般社団法人電子情報技術産業協会(JEITA)半導体信頼性技術委員会「化合物パワー半導体信頼性技術WG」   客員委員  

    2018.4 - 2020.3   

  12. プロセス研究会   会員  

    2017.4   

  13. 公益社団法人日本金属学会分科会   委員  

    2017.4 - 2019.3   

  14. NEDO技術委員会   NEDO技術委員   

    2015.9 - 2017.3   

  15. 平成27年度地域経済産業活性化対策調査技術審査委員会   審査委員  

    2015.7 - 2016.3   

  16. 公益財団法人名古屋産業科学研究所   非常勤所員  

    2014.12   

  17. ICCGE-18実行委員会   委員  

    2014.9 - 2016.8   

  18. 第53,54期 応用物理学会   代議員  

    2014.2 - 2016.1   

  19. ISPlasma2014/IC-PLANTS2014プログラム委員会   委員  

    2013.5 - 2014.3   

  20. ICSCRM2013 実行委員会   実行委員  

    2012.3 - 2014.3   

  21. 第51,52期 応用物理学会   代議員  

    2012.2 - 2014.1   

  22. SSDM2012 国際固体素子材料コンファレンス   論文委員  

    2012.2 - 2012.12   

  23. 日本金属学会東海支部   理事  

    2011.4 - 2012.3   

  24. SSDM2011 国際固体素子材料コンファレンス   論文委員  

    2010.12 - 2011.11   

  25. 日本学術振興会 水の先進理工学 第183委員会   運営委員  

    2010.10   

  26. 日本学術振興会 結晶成長の科学と技術 第161委員会   運営委員  

    2010.8   

  27. InP関連材料国際会議プログラム   委員  

    2009.9   

  28. 第39回結晶成長国内会議   実行委員  

    2009.6 - 2009.11   

  29. 知的クラスター創成事業基礎教育セミナー   企画担当  

    2009.4   

  30. 日本金属学会東海支部   評議委員  

    2009.4 - 2011.3   

  31. 第二回おもしろ科学教室実行委員会   メンバー  

    2009.1   

  32. おもしろ科学館イン瑞浪2008実行委員会   実行メンバー  

    2008.9 - 2008.10   

  33. HACCP対応抗菌環境福祉材料開発研究会   委員  

    2008.4 - 2010.3   

  34. 「安心・安全・信頼のための抗菌材料」編集委員会   編集委員  

    2008.4 - 2010.3   

  35. 「分散量子ドット及び蛍光体を用いた広帯域光源の開発」プロジェクト形成委員会   委員  

    2008.4 - 2009.3   

  36. 第69回応用物理学会学術講演会現地実行委員会   委員  

    2007.7 - 2008.9   

  37. 公益社団法人応用物理学会東海支部   幹事  

    2007.4   

  38. 2007年日本金属学会・日本鉄鋼協会秋期大会実行委員会   委員  

    2007.3 - 2007.10   

  39. 日本結晶成長学会 学会誌編集委員   学会誌編集委員  

    2006.11 - 2010.3   

  40. 日本結晶成長学会   理事  

    2006.4   

  41. 名古屋大学21世紀COE「自然に学ぶ材料プロセッシングの創成」教科書編集委員会   編集委員  

    2006.4 - 2007.3   

  42. 日本金属学会東海支部若手材料研究会   幹事  

    2005.4   

  43. 日本金属学会会報編集委員会   編集委員  

    2005.4 - 2007.3   

  44. 日本学術振興会 次世代の太陽電池システム 第175委員会   学界委員  

    2004.10   

  45. 日本物理学会   世話人  

    2004.5 - 2005.4   

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Awards 23

  1. 第41回応用物理学会論文賞「応用物理学会論文奨励賞」

    2019   応用物理学会講  

     More details

    Award type:Award from Japanese society, conference, symposium, etc.  Country:Japan

    小久保信彦

  2. 17th International Conference on Organized Molecular Films(ICOMF17)

    2018.7   DNA-controlled assembly of 2D nanoparticle lattices on lipid bilayer

     More details

    Award type:Award from international society, conference, symposium, etc.  Country:United States

  3. 第65回春季学術講演会 「応用物理学会講演奨励賞」

    2018.3   応用物理学会講   ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析

     More details

    Award type:Award from Japanese society, conference, symposium, etc.  Country:Japan

    小久保信彦

  4. 日本結晶成長学会 「講演奨励賞」  " Students Award "

    2017.12   日本結晶成長学会   機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度

     More details

    Award type:Award from Japanese society, conference, symposium, etc.  Country:Japan

    畑佐豪記,角岡洋介,村井良多,村山健太,朱燦,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

  5. 先進パワー半導体分科会 第4回講演会「研究奨励賞」

    2017.11   先進パワー半導体分科会   ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の刃状成分の解析

     More details

    Award type:Award from Japanese society, conference, symposium, etc.  Country:Japan

    小久保信彦,角岡洋介,藤榮文博,大原淳士,原一都,恩田正一,山田永,清水三聡,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

  6. 博士課程教育リーディングプログラム フォーラム2017  " Students Award "

    2017.10   名古屋大学   SiC 溶液成長における機械学習を用いた溶液温度・流速分布のリアルタイム可視化

     More details

    Award type:Award from Japanese society, conference, symposium, etc.  Country:Japan

  7. ICSCRM2017 Student Poster Award

    2017.9   ICSCRM2017   irect Observation of Stacking Faults Expansion in 4H-SiC at High Temperatures by In Situ X-Ray Topography

     More details

    Award type:Award from international society, conference, symposium, etc.  Country:United States

  8. 日本金属学会第29回「優秀ポスター賞」

    2017.9   日本金属学会   単結晶Cu集電体を用いた金属Li負極の不均一析出抑制

     More details

    Award type:Award from Japanese society, conference, symposium, etc.  Country:Japan

    石川晃平,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

  9. 第40回結晶成長討論会 優秀ポスター賞

    2017.9   結晶成長討論会   SiC溶液成長における機械学習を用いた閉鎖空間の溶液温度・流速分布の予測

     More details

    Award type:Award from Japanese society, conference, symposium, etc.  Country:Japan

    畑佐豪記,角岡洋介,村井良多,村山健太,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

  10. photo contest award the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy

    2016.8   18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy   Morphology of AlN whiskers grown by reacting N2 gas and Al vapor

     More details

    Award type:Award from international society, conference, symposium, etc.  Country:Japan

  11. ICSCRM2015 Student Poster Award

    2015.10   ICSCRM2015   Distribution of nitrogen doping concentration in 4H-SiC grown by solution method

     More details

    Award type:Award from international society, conference, symposium, etc.  Country:Italy

    Wang Zhenjiang

  12. 社団法人未踏科学技術協会 超伝導科学技術研究会 第15回超伝導科学技術賞

    2011   社団法人未踏科学技術協会  

     More details

    Country:Japan

    生田博志, 宇治原徹, 田渕雅夫, 竹田美和, 「鉄系超伝導体LnFeAs(O,F)の分子線エピキタシー成長に関する先駆的研究」

  13. 第28回応用物理学会講演奨励賞

    2010.9   応用物理学会  

     More details

    Country:Japan

    川口昂彦, 上村彦樹, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志受賞論文「MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価」

  14. 第90春季年会優秀講演賞(学術)、2010年

    2010.3   日本化学会  

     More details

    Country:Japan

    手老龍吾、佐崎元、宇治原徹、宇理須恒雄受賞論文「一分子蛍光追跡法による脂質二重膜中の幅広い時間・空間スケールでの分子拡散挙動のその場観察」

  15. 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部 優秀ポスター賞

    2010   日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部  

     More details

    Country:Japan

    水野恒平, 宇治原徹, 竹田美和, 青木祐一, 竹内幸久, 井上哲, 「液相法によるAlN多結晶体合成とMg添加効果」

  16. 応用物理学会論文賞

    2009.9   応用物理学会  

     More details

    Country:Japan

  17. 19回学生による材料フォーラムで優秀ポスター賞

    2009   日本金属学会・日本鉄鋼協会 東海支部  

     More details

    Country:Japan

    森本海、関和明、徳永智春、宇治原徹、佐々木勝寛、黒田光太郎、溶液成長によってCVD製3C-SiC基板上に成長させた結晶のTEM解析

  18. 日本金属学会2006年春季講演大会 第6回優秀ポスター賞

    2006   日本金属学会  

     More details

    Country:Japan

    共著: 前川諒介, 宇治原徹, 竹田美和

  19. 第3回日本結晶成長学会奨励賞

    2005   日本結晶成長学会  

     More details

    Country:Japan

  20. 第16回応用物理学会講演奨励賞

    2004   応用物理学会  

     More details

    Country:Japan

    佐藤祐輔, 宇治原徹, 藩伍根,藤原航三, 佐崎元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄受賞論文「LPE法により作製したSi結晶の太陽電池特性と低温成長の有効性」

  21. 第43回原田研究奨励賞

    2003   公益財団法人本多記念会  

     More details

    Country:Japan

  22. 第13回日本金属学会奨励賞 「材料プロセッシング分野」

    2003   日本金属学会  

     More details

    Country:Japan

  23. 応用物理学会講演奨励賞

    2002   応用物理学会  

     More details

    Country:Japan

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Papers 284

  1. The effects of polyethylene glycol on the nucleation and growth of DNA-functionalized gold nanoparticles crystals Reviewed

    Kojima, S; Zhang, LD; Kumar, C; Sumi, H; Ohta, N; Sekiguchi, H; Tsuzuki, K; Harada, S; Ujihara, T; Tsukamoto, K; Tagawa, M

    Journal of Crystal Growth   Vol. 640   2024.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  2. Modulated crystallographic shear structure in titanium–chromium oxides: their structure and phonon-transport properties Reviewed

    S. Harada, T. Hattori, M. Inden, S. Sugimoto, M. Ito, M. Tagawa and T. Ujihara

    Journal of Applied Crystallography   Vol. 57 ( 4 ) page: 1212 - 1216   2024.8

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  3. Analysis of Macrostep Interaction via Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth Reviewed

    Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Journal of Crystal Growth   Vol. 631   2024.4

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  4. Effect of Solution Components on Solvent Inclusion in SiC Solution Growth Reviewed

    Huiqin Zhou, Hitoshi Miura, Yuma Fukami, Yifan Dang, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Crystal Growth & Design   Vol. 24 ( 4 ) page: 1806 - 1817   2024.2

     More details

    Authorship:Last author   Language:English  

  5. Machine Learning for Semiconductor Process Simulation Described by Coupled Partial Differential Equations Reviewed

    Sato, R ; Kutsukake, K ; Harada, S ; Tagawa, M ; Ujihara

    ADVANCED THEORY AND SIMULATIONS     2023.7

     More details

    Authorship:Last author   Language:English  

  6. Numerical Modeling of the Cellular Structure Formation Process in SiC Solution Growth for Suppression of Solvent Inclusions Reviewed

    Zhou, HQ (Zhou, Huiqin); Miura, H (Miura, Hitoshi); Dang, YF (Dang, Yifan); Fukami, Y (Fukami, Yuma); Takemoto, H (Takemoto, Hisaki); Harada, S (Harada, Shunta); Tagawa, M (Tagawa, Miho); Ujihara, T (Ujihara, Toru)

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   Vol. 23 ( 5 ) page: 3393 - 3401   2023.5

     More details

    Language:English  

  7. Modeling-Based Design of the Control Pattern for Uniform Macrostep Morphology in Solution Growth of SiC Reviewed

    Dang, Yifa , Liu, Xinbo,Zhu, Can, Fukami, Yuma,Ma, Shuyang , Zhou, Huiqin ,Liu, Xin ,Kutsukake, Kentaro, Harada, Shunta , Ujihara, Toru

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN     page: 1023 - 1032   2023.2

     More details

    Authorship:Last author   Language:English  

  8. Thermal conduction in titanium-chromium oxide natural superlattices with an ordered arrangement of nearly pristine interfaces Reviewed

    Shunya Sugimoto, Gareoung Kim, Tsunehiro Takeuchi, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Shunta Harada

    Journal of Alloys and Compounds   Vol. 934   2023.2

     More details

    Language:English  

  9. 非弾性X線散乱によるルチル型酸化チタンのフォノン分散測定 Reviewed

    原田 俊太, 小坂 直輝, 筒井 智嗣, 田中 克志, 田川 美穂, 宇治原 徹

    SPring-8/SACLA利用研究成果集   Vol. 10 ( 6 ) page: 521 - 523   2022.12

     More details

    Authorship:Last author   Language:Japanese  

  10. Bayesian Optimization for Cascade-Type Multistage Processes Reviewed

    Kusakawa, S,Takeno, S , Inatsu, Y, Kutsukake, K, Iwazaki, S,Nakano, T , Ujihara, T,Karasuyama, M ,Takeuchi, I

    NEURAL COMPUTATION   Vol. 34 ( 12 ) page: 2408 - 2431   2022.11

     More details

    Language:English  

  11. Thermal conduction in titanium-chromium oxide natural superlattices with an ordered arrangement of nearly pristine interfaces Reviewed

    Shunya Sugimoto, Gareoung Kim, Tsunehiro Takeuchi, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Shunta Harada

    SSRN     2022.10

     More details

    Authorship:Last author   Language:English  

  12. Optimization of Flow Distribution by Topological Description and Machine Learning in Solution Growth of SiC Reviewed

    Masaru Isono,Shunta Harada,Kentaro Kutsukake,Tomoo Yokoyama,Miho Tagawa,Toru Ujihara

    ADVANCED THEORY AND SIMULATIONS   Vol. 5 ( 9 )   2022.7

     More details

    Authorship:Last author   Language:English  

  13. A Transfer Learning-Based Method for Facilitating the Prediction of Unsteady Crystal Growth Reviewed

    Yifan Dang,Kentaro Kutsukake,Xin Liu,Yoshiki Inoue,Xinbo Liu,Shota Seki,Can Zhu,Shunta Harada,Miho Tagawa,Toru Ujihara

    ADVANCED THEORY AND SIMULATIONS   Vol. 5 ( 9 )   2022.7

     More details

    Authorship:Last author   Language:English  

  14. Designing a High-Crystallinity Nano-Gapped Particle Superlattice via DNA-Guided Colloidal Crystallization and Dehydration Reviewed

    Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, and Miho Tagawa

    Crystal Growth&Design   Vol. 22 ( 6 ) page: 3708 - 3718   2022.4

     More details

    Language:English  

  15. Nucleation sites of expanded stacking faults detected by in operando x-ray topography analysis to design epitaxial layers for bipolar-degradation-free SiC MOSFETs Reviewed

    Kumiko Konishi, Ryusei Fujita, Keisuke Kobayashi, Akio Yoneyama, Kotaro Ishiji, Hiroyuki Okino, Akio Shima, Toru Ujihara

    AIP Advances 12     2022.3

     More details

    Language:English  

  16. Crossover from incoherent to coherent thermal conduction in bulk titanium oxide natural superlattices

    Harada Shunta, Kosaka Naoki, Yagi Takashi, Sugimoto Shunya, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    SCRIPTA MATERIALIA   Vol. 208   2022.2

     More details

  17. Numerical investigation of solute evaporation in crystal growth from solution: A case study of SiC growth by TSSG method

    Yifan Dang, Can Zhu, Xin Liu, Wancheng Yu, Xinbo Liu, Koki Suzuki, Tomoaki Furusho, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Journal of Crystal Growth     2022.2

     More details

    Language:English  

  18. Data-Driven Optimization and Experimental Validation for the Lab-Scale Mono-Like Silicon Ingot Growth by Directional Solidification Reviewed

    Xin Liu, Yifan Dang, Hiroyuki Tanaka, Yusuke Fukuda, Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Toru Ujihara, Noritaka Usami

    ACS OMEGA   Vol. 7 ( 8 ) page: 6665 - 6673   2022.2

     More details

    Language:English  

  19. Solvent design aiming at solution property induced surface stability: A case study using SiC solution growth

    Liu Xinbo, Dang Yifan, Suzuki Koki, Zhu Can, Yu Wancheng, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   Vol. 578   2022.1

     More details

  20. High fracture toughness AlN achieved by addition of AlN whiskers and tape-casting

    Shimizu Hiroki, Kondo Naoki, Shimamura Akihiro, Hotta Mikinori, Harada Shunta, Ujihara Toru, Ohnishi Yoshihiro

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   Vol. 130 ( 1 ) page: 195 - 198   2022.1

     More details

    Language:Japanese  

    DOI: 10.2109/jcersj2.21143

    Web of Science

  21. Immobilization of partial dislocations bounding double Shockley stacking faults in 4H-SiC observed by in situ synchrotron X-ray topography

    Fujie Fumihiro, Harada Shunta, Suo Hiromasa, Raghothamachar Balaji, Dudley Michael, Hanada Kenji, Koizumi Haruhiko, Kato Tomohisa, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    MATERIALIA   Vol. 20   2021.12

     More details

  22. Bayesian Optimization for Cascade-type Multi-stage Processes Reviewed

    Shunya Kusakawa, Shion Takeno, Yu Inatsu, Kentaro Kutsukake, Shogo Iwazaki, Takashi Nakano, Toru Ujihara, Masayuki Karasuyama, Ichiro Takeuchi

    arXiv:2111     2021.11

     More details

    Language:English  

  23. In-operando x-ray topography analysis of SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors to visualize stacking fault expansion motions dynamically during operations Reviewed

    Konishi Kumiko, Fujita Ryusei, Kobayashi Keisuke, Yoneyama Akio, Ishiji Kotaro, Okino Hiroyuki, Shima Akio, Ujihara Toru

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 130 ( 14 )   2021.10

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1063/5.0063082

    Web of Science

  24. Surface relaxation and photoelectric absorption effects on synchrotron X-ray topographic images of dislocations lying on the basal plane in off-axis 4H-SiC crystals Reviewed

    Ailihumaer Tuerxun, Peng Hongyu, Fujie Fumihiro, Raghothamachar Balaji, Dudley Michael, Harada Shunta, Ujihara Toru

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS   Vol. 271   2021.9

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.mseb.2021.115281

    Web of Science

  25. Two-Step Nanoparticle Crystallization via DNA-Guided Self-Assembly and the Nonequilibrium Dehydration Process

    Sumi Hayato, Ohta Noboru, Sekiguchi Hiroshi, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tsukamoto Katsuo, Tagawa Miho

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   Vol. 21 ( 8 ) page: 4506 - 4515   2021.8

     More details

    Language:Japanese  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.1c00398

    Web of Science

  26. Y Local Atomic Structures for Tunable Ordered Arrangements of Crystallographic Shear Planes in Titanium-Chromium Oxide Natural Superlattices Reviewed

    Harada Shunta, Sugimoto Shunya, Kosaka Naoki, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   Vol. 125 ( 28 ) page: 15730 - 15736   2021.7

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c04516

    Web of Science

  27. Control of microstructure and mechanical properties of sintered aluminum nitride through addition of aluminum nitride whiskers Reviewed

    Kondo Naoki, Shimamura Akihiro, Hotta Mikinori, Shimizu Hiroki, Ujihara Toru, Ohnishi Yoshihiro

    JOURNAL OF ASIAN CERAMIC SOCIETIES   Vol. 9 ( 3 ) page: 1248 - 1254   2021.7

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1080/21870764.2021.1953760

    Web of Science

  28. Ordered Arrangement of Planar Faults with Picoscale Perfection in Titanium Oxide Natural Superlattices Reviewed

    Harada Shunta, Kosaka Naoki, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   Vol. 125 ( 20 ) page: 11175 - 11181   2021.5

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c01831

    Web of Science

  29. Synchrotron X-ray topographic image contrast variation of screw-type basal plane dislocations located at different depths below the crystal surface in 4H-SiC Reviewed

    Fujie Fumihiro, Peng Hongyu, Ailihumaer Tuerxun, Raghothamachar Balaji, Dudley Michael, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ACTA MATERIALIA   Vol. 208   2021.4

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.actamat.2021.116746

    Web of Science

  30. Geometrical design of a crystal growth system guided by a machine learning algorithm Reviewed

    Yu Wancheng, Zhu Can, Tsunooka Yosuke, Huang Wei, Dang Yifan, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTENGCOMM   Vol. 23 ( 14 ) page: 2695 - 2702   2021.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1039/d1ce00106j

    Web of Science

  31. Intensity Interference in a Coherent Spin-Polarized Electron Beam

    Kuwahara Makoto, Yoshida Yuya, Nagata Wataru, Nakakura Kojiro, Furui Masato, Ishida Takafumi, Saitoh Koh, Ujihara Toru, Tanaka Nobuo

    PHYSICAL REVIEW LETTERS   Vol. 126 ( 12 )   2021.3

     More details

  32. Chiral Optical Force Generated by a Superchiral Near-Field of a Plasmonic Triangle Trimer as Origin of Giant Bias in Chiral Nucleation: A Simulation Study Reviewed

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Cheng An-Chieh, Tagawa Miho, Ujihara Toru, Yoshikawa Hiroshi Y., Kawamura Ryuzo, Nozawa Jun, Okada Junpei T., Uda Satoshi

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   Vol. 125 ( 11 ) page: 6209 - 6221   2021.3

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c11109

    Web of Science

  33. Adaptive process control for crystal growth using machine learning for high-speed prediction: application to SiC solution growth

    Dang Yifan, Zhu Can, Ikumi Motoki, Takaishi Masaki, Yu Wancheng, Huang Wei, Liu Xinbo, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTENGCOMM   Vol. 23 ( 9 ) page: 1982 - 1990   2021.3

     More details

    Language:Japanese  

    DOI: 10.1039/d0ce01824d

    Web of Science

  34. Detection and classification of dislocations in GaN by optical microscope using birefringence

    Atsushi Tanaka, Shunta Harada, Kenji Hanada, Yoshio Honda, Toru Ujihara, and Hiroshi Amano,

    Proc. SPIE 11706, Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXV   ( 117060Y )   2021.3

     More details

    Language:English  

    DOI: https://doi.org/10.1117/12.2577164

  35. Analysis of dislocation line tilt in GaN single crystal by Raman spectroscopy

    Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Inotsume Sho, Fujie Fumihiro, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 60 ( SA )   2021.1

     More details

    Language:Japanese  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abc7a1

    Web of Science

  36. Adaptive process control for crystal growth using machine learning for high-speed prediction: application to SiC solution growth Reviewed

    Dang Yifan, Zhu Can, Ikumi Motoki, Takaishi Masaki, Yu Wancheng, Huang Wei, Liu Xinbo, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CrystEngComm   Vol. 23 ( (8) )   2021.1

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.1039/D0CE01824D

  37. Geometrical design of a crystal growth system guided by a machine learning algorithm Reviewed

    Wancheng Yu, Can Zhu, Yosuke Tsunooka, Wei Huang, Yifan Dang, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    CrystEngComm     2021

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.1039/D1CE00106J

  38. Explainable machine learning for the analysis of transport phenomena in top-seeded solution growth of SiC single crystal Reviewed

    Takehara Yuto, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

      Vol. 16 ( 1 )   2021

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1299/jtst.2021jtst0009

    Web of Science

  39. Adaptive Bayesian optimization for epitaxial growth of Si thin films under various constraints Reviewed

    Osada Keiichi, Kutsukake Kentaro, Yamamoto Jun, Yamashita Shigeo, Kodera Takashi, Nagai Yuta, Horikawa Tomoyuki, Matsui Kota, Takeuchi Ichiro, Ujihara Toru

      Vol. 25   2020.12

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.mtcomm.2020.101538

    Web of Science

  40. Optimal Control of SiC Crystal Growth in the RF-TSSG System Using Reinforcement Learning Reviewed

    Wang Lei, Sekimoto Atsushi, Takehara Yuto, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

      Vol. 10 ( 9 )   2020.9

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.3390/cryst10090791

    Web of Science

  41. Plasmonic Manipulation of Sodium Chlorate Chiral Crystallization: Directed Chirality Transfer via Contact-Induced Polymorphic Transformation and Formation of Liquid Precursor Reviewed

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Tagawa Miho, Ujihara Toru, Omatsu Takashige, Miyamoto Katsuhiko, Yoshikawa Hiroshi Y., Kawamura Ryuzo, Nozawa Jun, Okada Junpei T., Uda Satoshi

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   Vol. 20 ( 8 ) page: 5493 - 5507   2020.8

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.0c00693

    Web of Science

  42. Temperature dependence of double Shockley stacking fault behavior in nitrogen-doped 4H-SiC studied by in-situ synchrotron X-ray topography Reviewed

    Fujie Fumihiro, Harada Shunta, Hanada Kenji, Suo Hiromasa, Koizumi Haruhiko, Kato Tomohisa, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ACTA MATERIALIA   Vol. 194   page: 387 - 393   2020.8

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.actamat.2020.04.019

    Web of Science

  43. Behavior of Threading Dislocations from GaN Substrate to Epitaxial Layer Reviewed

    Inotsume Sho, Kokubo Nobuhiko, Yamada Hisashi, Onda Shoichi, Kojima Jun, Ohara Junji, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   Vol. 257 ( 4 )   2020.4

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1002/pssb.201900527

    Web of Science

  44. Demonstration of Observation of Dislocations in GaN by Novel Birefringence Method Reviewed

    Tanaka Atsushi, Inotsume Syo, Harada Shunta, Hanada Kenji, Honda Yoshio, Ujihara Toru, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   Vol. 257 ( 4 )   2020.4

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1002/pssb.201900553

    Web of Science

  45. Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collectors on Cycling Stability of Li Metal Anodes Reviewed

    Ishikawa Kohei, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   Vol. 12 ( 8 ) page: 9341 - 9346   2020.2

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acsami.9b22157

    Web of Science

  46. Bayesian optimization for a high- and uniform-crystal growth rate in the top-seeded solution growth process of silicon carbide under applied magnetic field and seed rotation Reviewed

    Takehara Yuto, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   Vol. 532   2020.2

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125437

    Web of Science

  47. Numerical Study of Three-Dimensional Melt Flows during the TSSG Process of SiC Crystal for the Influence of Input Parameters of RF-Coils and an External Rotating Magnetic Field

    Wang Lei, Takehara Yuto, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    CRYSTALS   Vol. 10 ( 2 )   2020.2

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.3390/cryst10020111

    Web of Science

  48. Chemical Vapor Deposition Growth of BN Thin Films Using B2H6 and NH3 Reviewed

    Hisashi Yamada, Sho Inotsume, Naoto Kumagai, Toshikazu Yamada, Mitsuaki Shimizu

    Phys. Status Solidi B   Vol. 257 ( 2 ) page: 1900318   2020

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: https://doi.org/10.1002/pssb.201900318

  49. Application of C-face dislocation conversion to 2 inch SiC crystal growth on an off-axis seed crystal Reviewed

    Liu Xinbo, Zhu Can, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTENGCOMM   Vol. 21 ( 47 ) page: 7260 - 7265   2019.12

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1039/c9ce01338e

    Web of Science

  50. Semi in-situ measurement of zincate ion concentration near zinc anode using background-oriented Schlieren technique Reviewed

    Ito Yasumasa, Liang Xiao, Ishikawa Kohei, Ujihara Toru, Sakai Yasuhiko, Iwano Koji

      Vol. 1 ( 3 )   2019.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1103/PhysRevResearch.1.033162

    Web of Science

  51. Three-dimensional numerical analysis of Marangoni convection occurring during the growth process of SiC by the RF-TSSG method Reviewed

    Wang L., Horiuchi T., Sekimoto A., Okano Y., Ujihara T., Dost S.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   Vol. 520   page: 72 - 81   2019.8

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.05.017

    Web of Science

  52. Adjoint-based sensitivity analysis for the optimal crucible temperature profile in the RF-Heating TSSG-SiC crystal growth process Reviewed

    Horiuchi Takashi, Wang Lei, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   Vol. 517   page: 59 - 63   2019.7

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.04.001

    Web of Science

  53. In Situ Microscopic Observation on Surface Kinetics in Optical Trapping-Induced Crystal Growth: Step Formation, Wetting Transition, and Nonclassical Growth Reviewed

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Ujihara Toru, Guo Suxia, Nozawa Jun, Okada Junpei, Omatsu Takashige, Uda Satoshi

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   Vol. 19 ( 7 ) page: 4138 - 4150   2019.7

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.9b00600

    Web of Science

  54. Evaluation of Basal Plane Dislocation Behavior in the Epitaxial Layer on a 4HSiC Wafer Fabricated by the Solution Growth Method Reviewed

    Kazuaki Seki, Kazuhiko Kusunoki, Shinsuke Harada, Toru Ujihara

    Mater. Sci. Forum   Vol. 963   page: 80-84   2019.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.80

  55. Nondestructive visualization of threading dislocations in GaN by micro raman mapping Reviewed

    Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Fujie Fumihiro, Ohara Junji, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   Vol. 58   2019.6

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab0acf

    Web of Science

  56. The Effect of Crucible Rotation and Crucible Size in Top-Seeded Solution Growth of Single-Crystal Silicon Carbide

    Horiuchi Takashi, Wang Lei, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Yamamoto Takuya, Ujihara Toru, Dost Sadik

    CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY   Vol. 54 ( 5 )   2019.5

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1002/crat.201900014

    Web of Science

  57. Plasmonic Trapping-Induced Crystallization of Acetaminophen Reviewed

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Uda Satoshi, Tagawa Miho, Ujihara Toni, Miyamoto Katsuhiko, Omatsu Takashige

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   Vol. 19 ( 2 ) page: 529-537   2019.2

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.8b01361

    Web of Science

  58. 機械学習を用いた結晶成長予測モデルの構築とその応用

    宇治原 徹, 角岡 洋介, 畑佐 豪記, 沓掛 健太朗, 石黒 祥生, 村山 健太, 鳴海 大翔, 原田 俊太, 田川 美穂

    表面と真空   Vol. 62 ( 3 ) page: 136-140   2019

     More details

    Language:Japanese  

    DOI: 10.1380/vss.62.136

  59. 少量添加で樹脂素材の熱伝導率を向上させるAlNウィスカーフィラーの開発

    宇治原 徹

    エレクトロニクス実装学会誌   Vol. 22 ( 3 ) page: 195-198   2019

     More details

    Language:Japanese  

    DOI: 10.5104/jiep.22.195

  60. 結晶成長学的見地による金属負極の析出形態と結晶方位の相関解明

    石川 晃平, 三橋 貴仁, 伊藤 靖仁, 竹内 幸久, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌   Vol. 46 ( 1 ) page: 136-140   2019

     More details

    Language:Japanese  

    DOI: 10.19009/jjacg.46-1-08

  61. Numerical investigation of the effect of static magnetic field on the TSSG growth of SiC Reviewed

    Wang Lei, Horiuchi Takashi, Sekimoto Atsushi, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   Vol. 498   page: 140 - 147   2018.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.06.017

    Web of Science

  62. In Situ Observation of Chiral Symmetry Breaking in NaClO3 Chiral Crystallization Realized by Thermoplasmonic Micro-Stirring Reviewed

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Tagawa Miho, Harada Shunta, Ujihara Tom, Uda Satoshi, Miyamoto Katsuhiko, Omatsu Takashige

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   Vol. 18 ( 8 ) page: 4230 - 4239   2018.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.8b00420

    Web of Science

  63. Development of angle-resolved spectroscopy system of electrons emitted from a surface with negative electron affinity state Reviewed

    Ichihashi Fumiaki, Dong Xinyu, Inoue Akito, Kawaguchi Takahiko, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS   Vol. 89 ( 7 )   2018.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1063/1.5021116

    Web of Science

  64. Detection of edge component of threading dislocations in GaN by Raman spectroscopy

    Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Fujie Fumihiro, Ohara Junji, Hara Kazukuni, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   Vol. 11 ( 6 )   2018.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.061002

    Web of Science

  65. Dislocation Behavior in Bulk Crystals Grown by TSSG Method Reviewed

    K. Seki, K. Kusunoki, Y. Kishida, H. Kaido, K. Moriguchi, M. Kado, H. Daikoku, T. Shirai, M. Akita, A. Seki, H. Saito, S. Harada, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum   Vol. 924   page: 39-42   2018

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.39

  66. Suppression of Polytype Transformation with Extremely Low-Dislocation-Density 4H-SiC Crystal in Two-Step Solution Method Reviewed

    K. Murayama, S. Harada, F. Fujie, X. Liu, R. Murai, C. Zhu, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum   Vol. 924   page: 60-63   2018

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.60

  67. Direct observation of stacking fault shrinkage in 4H-SiC at high temperatures by in-situ X-ray topography using monochromatic synchrotron radiation Reviewed

    F. Fujie, S. Harada, H. Koizumi, K. Murayama, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Appl. Phys. Lett   Vol. 113   page: 012101   2018

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: https://doi.org/10.1063/1.5038189

  68. Improvement mechanism of sputtered AlN films by high-temperature annealing Reviewed

    S. Xiao, R. Suzuki, H. Miyake, S. Harada, T. Ujihara

    J. Cryst. Growth   Vol. 502   page: 41-44   2018

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.09.002

  69. High-speed prediction of computational fluid dynamics simulation in crystal growth Reviewed

    Y. Tsunooka, N. Kokubo, G. Hatasa, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    CrystEngComm   Vol. 20   page: 6546 - 6550   2018

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: https://doi.org/10.1039/C8CE00977E

  70. Importance of Hydration State around Proteins Required to Grow High-Quality Protein Crystals Reviewed

    H. Koizumi, S. Uda, K. Tsukamoto, K. Kojima, M. Tachibana, T. Ujihara

    Cryst. Growth Des   Vol. 18   page: 4749-4755   2018

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.8b00798

  71. Determination of edge-component Burgers vector of threading dislocations in GaN crystal by using Raman mapping

    N. Kokubo, Y. Tsunooka, F. Fujie, J. Ohara, S. Onda, H. Yamada, M.Shimizu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Appl. Phys. Express   Vol. 11   page: 111001   2018

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: http://iopscience.iop.org/article/10.7567/APEX.11.111001

  72. Coherent pulse beam in spin-polarized TEM using an NEA photocathode Reviewed

    Kuwahara M., Ujihara T., Saitoh K., Tanaka N.

    2018 31ST INTERNATIONAL VACUUM NANOELECTRONICS CONFERENCE (IVNC)     page: .   2018

     More details

    Language:English  

    Web of Science

  73. Temperature dependence of carrier relaxation time in gallium phosphide evaluated by photoemission measurements

    Ichihashi Fumiaki, Kawaguchi Takahiko, Dong Xinyu, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    AIP ADVANCES   Vol. 7 ( 11 )   2017.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1063/1.4997800

    Web of Science

  74. Numerical investigation of the transport phenomena occurring in the growth of SiC by the induction heating TSSG method Reviewed

    Yamamoto Takuya, Adkar Nikhil, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   Vol. 474   page: 50-54   2017.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.086

    Web of Science

  75. Global simulation of the induction heating TSSG process of SiC for the effects of Marangoni convection, free surface deformation and seed rotation Reviewed

    Yamamoto Takuya, Okano Yasunori, Ujihara Toru, Dost Sadik

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   Vol. 470   page: 75-88   2017.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.04.016

    Web of Science

  76. Morphology of AlN whiskers grown by reacting N-2 gas and Al vapor

    Matsumoto M., Saitou H., Takeuchi Y., Harada S., Tagawa M., Ujihara T.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   Vol. 468   page: 576-580   2017.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.127

    Web of Science

  77. Two-step SiC solution growth for dislocation reduction

    Murayama K., Hori T., Harada S., Xiao S., Tagawa M., Ujihara T.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   Vol. 468   page: 874-878   2017.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.100

    Web of Science

  78. Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer Reviewed

    Isogai Takumi, Nakada Sakiko, Yoshida Naoya, Sumi Hayato, Tero Ryugo, Harada Shunta, Ujihara Toru, Tagawa Miho

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   Vol. 468   page: 88-92   2017.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.09.063

    Web of Science

  79. SiC solution growth on Si face with extremely low density of threading screw dislocations for suppression of polytype transformation Reviewed

    K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum   Vol. 897   page: 24-27   2017.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.24

  80. Solvent design for high-purity SiC solution growth Reviewed

    S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum   Vol. 897   page: 32-35   2017.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.32

  81. Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during SiC solution growth Reviewed

    T. Hori, K. Murayama, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum   Vol. 897   page: 28-31   2017.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.28

  82. Crystal Orientation Dependence of Precipitate Structure of Electrodeposited Li Metal on Cu Current Collectors Reviewed

    Ishikawa Kohei, Ito Yasumasa, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   Vol. 17 ( 5 ) page: 2379-2385   2017.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01710

    Web of Science

  83. Plasmonic Heating-Assisted Laser-Induced Crystallization from a NaCIO3 Unsaturated Mother Solution Reviewed

    Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Tagawa Miho, Maruyama Mihoko, Ujihara Toru, Omatsu Takashige, Mori Yusuke

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   Vol. 17 ( 2 ) page: 809-818   2017.2

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01657

    Web of Science

  84. Modification of the surface morphology of 4H-SiC by addition of Sn and Al in solution growth with SiCr solvents Reviewed

    Komatsu Naoyoshi, Mitani Takeshi, Hayashi Yuichiro, Kato Tomohisa, Harada Shunta, Ujihara Toru, Okumura Hajime

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   Vol. 458   page: 37-43   2017.1

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.10.045

    Web of Science

  85. Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer

    "T. Isogai, S. Nakada, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa"

    J. Cryst. Growth   Vol. 468   page: 88-92   2017

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.09.063

  86. Septin Interferes with the Temperature-Dependent Domain Formation and Disappearance of Lipid Bilayer Membranes Reviewed

    S. Yamada, T. Isogai, R. Tero, Y. Tanaka-Takiguchi, T. Ujihara, M. Kinoshita, K. Takiguchi

    Langmuir     page: 12823–12832   2016.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.1021/acs.langmuir.6b03452

  87. Conversion behavior of threading screw dislocations on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth Reviewed

    S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, M. Tagawa, T. Ujihara

    Cryst. Growth Des.     page: 6436–6439   2016.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.1021/acs.cgd.6b01107

  88. Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO 3 solution containing Ag nanoparticles Reviewed

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, K. Murayama, S. Harada, T. Ujihara

    CrystEngComm   Vol. 18 ( 39 ) page: 7441-7448   2016.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1039/c6ce01464j

  89. Characterization of V-shaped defects formed during the 4H-SiC solution growth by transmission electron microscopy and X-ray topography analysis

    "S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, T. Ujihara"

    Cryst. Growth Des.   Vol. 16 ( 9 ) page: 5136-5140   2016.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  90. Effect of magnesium ion concentration on two-dimensional structure of DNA-functionalized nanoparticles on supported lipid bilayer Reviewed

    T. Isogai, E. Akada, S. Nakada, N. Yoshida, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 55 ( 3S2 ) page: 03DF11   2016.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  91. Spatial Distribution of Carrier Concentration in 4H-SiC Crystal Grown by Solution Method Reviewed

    Z. Wang, T. Kawaguchi, K. Murayama, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Kato, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum,   Vol. 858   page: 57-60   2016

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:MSF.858.57

  92. High-Speed Solution Growth of Single Crystal AlN from Cr-Co-Al Solvent Reviewed

    S. Watanabe, M. Nagaya, Y. Takeuchi, K. Aoyagi, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Mater. Sci. Forum,   Vol. 858   page: 1210-1213   2016

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:MSF.858.1210

  93. The Boersch effect in a picosecond pulsed electron beam emitted from a semiconductor photocathode Reviewed

    Makoto Kuwahara, Yoshito Nambo, Kota Aoki, Kensuke Sameshima, Xiuguang Jin, Toru Ujihara, Hidefumi Asano, Koh Saitoh, Yoshikazu Takeda and Nobuo Tanaka

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 109   page: 013108   2016

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.1063/www.dx.doi.org/1.4955457

  94. Plasmonic Heating-Assisted Laser-Induced Crystallization from a NaClO3 Unsaturated Mother Solution Reviewed

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, T. Ujihara, T.Omatsu, Y. Mori

    Cryst. Growth Des.     2016

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.1021/acs.cgd.6b01657

  95. Enantioselective amplification on circularly polarized laser-induced chiral nucleation from a NaClO3 solution containing Ag nanoparticles Reviewed

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, S. Harada, T. Ujihara

    CrystEngComm   Vol. 18   page: 7441-7448   2016

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  96. Polytype control by activity ratio of silicon to carbon during SiC solution growth using multicomponent solvents Reviewed

    A. Horio, S. Harada, D. Koike, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    Jpn. J. Appl. Phys   Vol. 55   page: 01AC01   2016

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: http://doi.org/10.7567/JJAP.55.01AC01

  97. Morphology of AlN whiskers grown by reacting N 2 gas and Al vapor Reviewed

    M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    J. Cryst. Growth     2016

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.1016/j.jcrysgro.2016.11.127

  98. Analysis of the carbon transport near the growth interface with respect to the rotational speed of the seed crystal during top-seeded solution growth of SiC Reviewed

    T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 55 ( 12 ) page: 125601   2016

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  99. Two-step SiC solution growth for dislocation reduction

    "K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara"

    J. Cryst. Growth     2016

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.100

  100. Research on solvent composition for different surface morphology on C face during 4H-SiC solution growth Reviewed

    Shiyu Xiao, Natsumi Hara, Shunta Harada, Kenta Murayama, Kenta Aoyagi, Takenobu Sakai and Toru Ujihara

    Materials Science Forum   Vol. 821-823   page: 39-42   2015

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.39

  101. Improvement of Surface Morphology by Solution Flow Control in Solution Growth of SiC on Off-axis Seeds Reviewed

    Tomonori Umezaki, Daiki Koike, Shunta Harada and Toru Ujihara

    Materials Science Forum   Vol. 821-823   page: 31-34   2015

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.31

  102. Influences of solution flow and lateral temperature distribution on surface morphology in solution growth of SiC Reviewed

    Kuniharu Fujii, Koichi Takei, Masahiro Aoshima, Nachimuthu Senguttuvan, Masahiko Hiratani, Toru Ujihara, Yuji Matsumoto, Tomohisa Kato, Kazuhisa Kurashige and Hajime Okumura

    Materials Science Forum   Vol. 821-823   page: 35-38   2015

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.35

  103. Change in surface morphology by addition of impurity elements in 4H-SiC solution growth with Si solvent Reviewed

    Naoyoshi Komatsu, Takeshi Mitani, Tetsuo Takahashi, Tomohisa Kato, Kazuhisa Kurashige, Yuji Matsumoto, Toru Ujihara, and Hajime Okumura

    Materials Science Forum   Vol. 821-823   page: 14-17   2015

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.14

  104. 3C-SiC Crystal on Sapphire by Solution Growth Method Reviewed

    Kenji Shibata, Shunta Harada and Toru Ujihara

    Materials Science Forum   Vol. 821-823   page: 185-188   2015

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.185

  105. 4H-SiC Growth from Si-Cr-C Solution under Al and N Co-doping Conditions Reviewed

    Takeshi Mitani, Naoyoshi Komatsu, Tetsuo Takahashi, Tomohisa Kato, Toru Ujihara, Yuji Matsumoto, Kazuhisa Kurashige, and Hajime Okumura

    Mater. Sci. Forum,   Vol. 821-823   page: 9-13   2015

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.9

  106. "Effect of forced convection by crucible design in solution growth of SiC single crystal" Reviewed

    K. Kurashige, M. Aoshima, K. Takei, K. Fujii, M. Hiratani, N. Senguttuvan, T. Kato, T. Ujihara, Y. Matsumoto, H. Okumura

      Vol. 821-823   page: pp. 22-25   2015

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.22

  107. バルク結晶成長のこの10年

    宇治原 徹, 島村清史, 宇佐美 徳隆, 太子 敏則, 樋口 幹雄, 吉村 政志

    JOURNAL OF THE JAPANESE ASSOCIATION FOR CRYSTAL GROWTH(日本結晶成長学会誌)   Vol. 42 ( 1 ) page: pp.64-68   2015

     More details

    Language:Japanese  

  108. Non-uniform electrodeposition of zinc on the (0001) plane Reviewed

    T. Mitsuhashi, Y. Ito, Y. Takeuchi, S. Harada, T. Ujihara

    Thin Solid Films   Vol. 590   page: pp. 207-213   2015

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.1016/j.tsf.2015.07.068

  109. Dislocation Conversion during SiC Solution Growth for High-quality Crystals Reviewed

    S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, D. Koike, T. Mutoh, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

      Vol. 821-823   page: pp. 3-8   2015

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.3

  110. Control of interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth of SiC Crystal Reviewed

    D. Koike, T. Umezaki, K. Murayama, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara

      Vol. 821-823   page: pp. 18-21   2015

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.18

  111. Effect of aluminum addition on the surface step morphology of 4H SiC grown from Si-Cr-C solution

    T. Mitani, N. Komatsu, T. Takahashi, T. Kato, S. Harada, T. Ujihara, Y. Matsumoto, K. Kurashige, H. Okumura

    J. Cryst. Growth   Vol. 423   page: 45-49   2015

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: doi:10.1016/j.jcrysgro.2015.04.032

  112. "Forming two-dimensional structure of DNA-functionalized Au nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers" Reviewed

    Takumi Isogai, Agnes Piednoir, Eri Akada, Yuki Akahoshi, Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    Journal of Crystal Growth   Vol. 401   page: 494-498   2014.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  113. "Growth rate and surface morphology of 4H SiC crystals grown from Si-Cr-C and Si-Cr-Al-C solutions under various temperature gradient conditions" Reviewed

    Takeshi Mitani, Naoyoshi Komatsu, Tetsuo Takahashi, Tomohisa Kato, Kuniharu Fujii, Toru Ujihara, Yuji Matsumoto, Kazuhisa Kurashige, Hajime Okumura

    Journal of Crystal Growth   Vol. 401   page: 681-685   2014.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  114. "Top-seeded solution growth of three-inch-diameter 4H-SiC using convection control technique" Reviewed

    Kazuhiko Kusunoki, Nobuhiro Okada, Kazuhito Kamei, Koji Moriguchi, Hironori Daikoku, Motohisa Kado, Hidemitsu Sakamoto, Takeshi Bessho, Toru Ujihara

    Journal of Crystal Growth   Vol. 395   page: 68-73   2014.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  115. "Emregence and Amplification of Chirality via Achiral-Chiral Polymorphic Transformation in Sodium Chlorate Solution Growth" Reviewed

    Hiromasa Niinomi, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Makio Uwaha, Hiroyasu Katsuno, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto

    Crystal Growth and Design   Vol. 14 ( 7 ) page: 3596-3602   2014.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/cg500527t

  116. "Solubility measurement of a metastable achiral crystal of sodium chlorate in solution growth" Reviewed

    Hiromasa Niinomi, Atsushi Horio, Shunta Harada, Toru Ujihara, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Katsuo Tsukamoto

    Journal of Crystal Growth   Vol. 394   page: 106-111   2014.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  117. "Low-dislocation-density 4H-SiC crystal growth utilizing dislocation conversion during solution method" Reviewed

    Yuji Yamamoto, Shunta Harada, Kazuaki Seki, Atsushi Horio, Takato Mitsuhashi, Daiki Koike, Miho Tagawa, and Toru Ujihara

    Applied Physics Express   Vol. 7   page: 065501   2014.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/APEX.7.065501

  118. "Nitrogen doping of 4H- SiC by the top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent" Reviewed

    Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Kazuaki Seki, Shunta Harada, Toru Ujihara

    Journal of Crystal Growth   Vol. 392   page: 60-65   2014.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  119. "The strain effect on the superconducting properties of BaFe2(As, P)2 thin films grown by molecular beam epitaxy" Reviewed

    T. Kawaguchi, A. Sakagami, Y. Mori, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, and H. Ikuta

    Superconductor Science and Technology   Vol. 27   page: 065005 (6pp)   2014.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1088/0953-2048/27/6/065005

  120. "Top-Seeded Solution Growth of 3 Inch Diameter 4H-SiC Bulk Crystal Using Metal Solvents" Reviewed

    Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Nobuhiro Okada, Koji Moriguchi, Hiroshi Kaido, Hironori Daikoku, Motohisa Kado, Katsunori Danno, Hidemitsu Sakamoto, Takeshi Bessho, Toru Ujihara

    Materials Science Forum   Vol. 778-780   page: Pages 79-82   2014.2

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  121. "Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at High Speed during the Solution Growth of SiC" Reviewed

    Tomonori Umezaki, Daiki Koike, Atsushi Horio, Shunta Harada, Toru Ujihara

    Materials Science Forum   Vol. 778-780   page: 63-66   2014.2

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  122. "Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion Behavior during Solution Growth of 4H-SiC Using Al-Si Solvent" Reviewed

    Shunta Harada, Yuji Yamamoto, Shi Yu Xiao, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    Materials Science Forum   Vol. 778-780   page: 67-70   2014.2

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  123. "Growth of a smooth CaF2 layer on NdFeAsO thin film" Reviewed

    N. Sumiya, T. Kawaguchi, M. Chihara, M. Tabuchi, T. Ujihara, A. Ichinose, I. Tsukada and H. Ikuta

    Journal of Physics: Conference Series   Vol. 507 ( 1 ) page: 012047   2014

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  124. "Coherence of a spin-polarized electron beam emitted from a semiconductor photocathode in a transmission electron microscope" Reviewed

    Makoto Kuwahara, Soichiro Kusunoki, Yoshito Nambo, Koh Saitoh, Xiuguang Jin, Toru Ujihara, Hidefumi Asano, Yoshikazu Takeda and Nobuo Tanaka

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 105 ( 193101 )   2014

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4901745

  125. Direct measurement of conduction miniband structure in superlattice by visible-light photoemission spectroscopy

    F. Ichihashi, D. Shimura, K. Nishitani, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, H. Katsuno, M. Tagawa, T.Ujihara

    Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th     page: 2882-2885   2014

     More details

    Language:English  

    DOI: 10.1109/PVSC.2014.6925534

  126. "Critical current density and grain boundary property of BaFe2(As,P)2 thin films" Reviewed

    A. Sakagami, T. Kawaguchi, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, H. Ikuta

    Physica C: Superconductivity,Proceedings of the 25th International Symposium on Superconductivity (ISS 2012) Advances in Superconductivity XXV   Vol. 494   page: 181–184   2013.11

     More details

    Language:English  

    DOI: doi:10.1016/j.physc.2013.04.047

  127. Phase-locking of oscillating images using laser-induced spin-polarized pulse TEM Reviewed

    Makoto Kuwahara,Yoshito Nambo, Soichiro Kusunoki, Xiuguang Jin, Koh Saitoh, Hidefumi Asano, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda, Tsutomu Nakanishi and Nobuo Tanaka

    Microscopy Advance Access     page: pp.1-8   2013.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  128. "Influence of Solution Flow on Step Bunching in Solution Growth of SiC Crystals" Reviewed

    Can Zhu, Shunta Harada, Kazuaki Seki, Huayu Zhang, Hiromasa Niinomi, Miho Tagawa, and Toru Ujihara

    Cryst. Growth Des.   Vol. 13 ( (8) ) page: 3691-3696   2013.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  129. "Effect of Surface Polarity on the Conversion of Threading Dislocations in Solution Growth" Reviewed

    Materials Science Forum   Vol. 740-742   page: pp.15-18   2013.1

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  130. "Reduction of Threading Screw Dislocation Utilizing Defect Conversion during Solution Growth of 4H-SiC" Reviewed

    Materials Science Forum   Vol. 740-742   page: 189-192   2013.1

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  131. "Bulk 3C-SiC Crystal by Top Seeded Solution Growth Method" Reviewed

    Materials Science Forum   Vol. 740-742   page: pp.311-314   2013.1

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  132. Direct Growth of AlN Single Crystal on Sapphire by Solution Growth Method Reviewed

    H. Matsubara, K. Mizuno, Y. Takeuchi, S. Harada, Y. Kitou, E. Okuno, and T. Ujihara,

      Vol. 52   page: 08JE17 (4 pages).   2013

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  133. "Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC" Reviewed

    S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, M. Tagawa, and T. Ujihara

    APL Mater.   Vol. 1 ( 2 ) page: 022109 (7 pages)   2013

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  134. 超高品質SiC溶液成長 Reviewed

    宇治原徹, 原田俊太, 山本祐治, 関和明

    応用物理   Vol. 82 ( 4 ) page: 326-329   2013

     More details

    Language:Japanese  

  135. "Achiral Metastable Crystals of Sodium Chlorate Forming Prior to Chiral Crystals in Solution Growth" Reviewed

    Hiromasa Niinomi, Tomoya Yamazaki, Shunta Harada, Toru Ujihara, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Takahiro Kuribayashi, Makio Uwaha, and Katsuo Tsukamoto

    Cryst. Growth Des.   Vol. 13 ( 12 ) page: pp.5188-5192   2013

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  136. SiC 結晶成長における多形制御 ~速度論的多形制御法の提案(3C-SiC 溶液成長を例に)~ Reviewed

    関 和明、原田 俊太、宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌   Vol. 40 ( 4 ) page: 253-260   2013

     More details

    Language:Japanese  

  137. SiC溶液成長の最近の展開 Reviewed

    原田 俊太、山本 祐治、関 和明、宇治原 徹

    日本結晶成長学会誌   Vol. 40   page: 25-32   2013

     More details

    Language:Japanese  

  138. “Polytype-selective growth of SiC by supersaturation control in solution growth Original Research Article” Reviewed

    Journal of Crystal Growth   Vol. 360   page: 176-180.   2012.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  139. Analysis of thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice by TEM observation Reviewed

    Xiuguang Jin, Hirotaka Nakahara, Koh Saitoh, Takashi Saka, Toru Ujihara, Nobuo Tanaka, Yoshikazu Takeda

    Journal of Crystal Growth   Vol. 353 ( 1 ) page: 84-87   2012.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  140. Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth Reviewed

    Toru Ujihara, Shigeta Kozawa, Kazuaki Seki, Alexander, Yuji Yamamoto, Shunta Harada

    Materials Science Forum   Vol. 717–720   page: 351-354   2012.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  141. Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth Reviewed

    Yuji Yamamoto, Kazuaki Seki, Shigeta Kozawa, Alexander, Shunta Harada, Toru Ujihara

    Materials Science Forum   Vol. 717–720   page: 53-56   2012.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  142. Substrate dependence of the superconducting properties of NdFeAs(O,F) thin films Reviewed

    Hiroki Uemura, Takahiko Kawaguchi, Toshiya Ohno, Masao Tabuchi, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda, Hiroshi Ikuta

    Solid State Communications   Vol. 152 ( 8 ) page: 735-739   2012.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  143. 30-kV spin-polarized transmission electron microscope with GaAs-GaAsP strained superlattice photocathode Reviewed

    M. Kuwahara, S. Kusunoki, X. G. Jin, T. Nakanishi, Y. Takeda, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, and N. Tanaka

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 101   page: 033102   2012

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  144. Polytype Transformation by Replication of Stacking Faults Formed by Two-Dimensional Nucleation on Spiral Steps during SiC Solution Growth Reviewed

    Shunta Harada, Alexander, Kazuaki Seki, Yuji Yamamoto, Can Zhu, Yuta Yamamoto, Shigeo Arai, Jun Yamasaki, Nobuo Tanaka, and Toru Ujihara

    Crystal Growth & Design   Vol. 12 ( (6) ) page: 3209-3214   2012

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  145. “Development of Spin-Polarized and Pulsed TEM “ Reviewed

      Vol. 371   page: 012004   2012

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  146. “High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth” Reviewed

      Vol. 5   page: 115501 (3 pages).   2012

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  147. Formation process of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by low-temperature solution growth in Si-Sc-C system Reviewed

    Kazuaki Seki, Alexander, Shigeta Kozawa, Toru Ujihara, Patrick Chaudouët, Didier Chaussende, Yoshikazu Takeda

    Journal of Crystal Growth   Vol. 335 ( 1 ) page: 94-99   2011.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  148. Development of spin-polarized transmission electron microscope Reviewed

    M. Kuwahara, Y. Takeda, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, T. Nakanishi and N Tanaka

      Vol. 298   page: 012016   2011

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  149. Polytype stability of 4H-SiC seed crystal on solution growth Reviewed

    Alexander, K. Seki, S. Kozawa, Y. Yamamoto, T. Ujihara and Y. Takeda

    Materials Science Forum   Vol. 679-680   page: pp 24-27   2011

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  150. Defect evaluation of SiC crystal grown by solution method: the study by synchrotron X-ray topography and etching method Reviewed

    S. Kozawa, K. Seki, Alexander, Y. Yamamoto, T. Ujihara and Y. Takeda

    Materials Science Forum   Vol. 679-680   page: pp 28-31   2011

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  151. Increase of spectral width of stacked InAs quantum dots on GaAs by controlling spacer layer thickness. Reviewed

    Kazuma Tani, Shingo Fuchi, Ryota Mizutani, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda

    Journal of Crystal Growth   Vol. 318   page: pp 1113-1116   2011

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  152. High-quality and large-area 3C-SiC growth on 6H-SiC(0 0 0 1) seed crystal with top-seeded solution method. Reviewed

    Toru Ujihara, Kazuaki Seki, Ryo Tanaka, Shigeta Kozawa, Alexander, Kai Morimoto, Katsuhiro Sasaki, Yoshikazu Takeda

    Journal of Crystal Growth   Vol. 318   page: pp 389-393.   2011

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  153. Anomalous Diffusion in Supported Lipid Bilayers Induced by Oxide Surface Nanostructures Reviewed

    Ryugo Tero, Gen Sazaki, Toru Ujihara, and Tsuneo Urisu

      Vol. 27   page: 9662-9665   2011

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  154. Molecular Beam Epitaxy Growth of Superconducting NdFeAs(O,F) Thin Films Using a F-Getter and a Novel F-Doping Method Reviewed

    Takahiko Kawaguchi, Hiroki Uemura, Toshiya Ohno, Masao Tabuchi, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda and Hiroshi Ikuta

    Appl. Phys. Express   Vol. 4   page: 083102 (3 pages)   2011

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  155. Epitaxial growth of LaFeAs(O,F) thin films by molecular beam epitaxy Reviewed

    T. Kawaguchi , H. Uemura , T. Ohno , M. Tabuchi , T. Ujihara , K. Takenaka , Y. Takeda , H. Ikuta

    Physica C: Superconductivity   Vol. Volume 471 ( Issues 21-22 ) page: pp. 1174-1176   2011

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  156. Status of the high brightness polarized electron source using transmission photocathode

    N. Yamamoto, X.G.Jin, A. Mano, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, T. Nakanishi, T. Yasue, T. Koshikawa, T.Oshima, T. Saka and H. Horinaka,

      Vol. 298   page: 012017   2011

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  157. Strain of GaAs/GaAsP superlattices used as spin-polarized electron photocathodes, determined by X-ray diffraction Reviewed

    T. Saka, Y. Ishida, M. Kanda, X.G. Jin, Y. Maeda, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Matsuyama, H. Horinaka, T. Kato, N. Yamamoto, A. Mano, Y. Nakagawa, M. Kuwahara, S. Okumi, T. Nakanishi, M. Yamamoto, T. Ohshima, T. Kohashi, M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa

    -Journal of Surface Science and Nanotechnology   Vol. 8   page: 125-130   2010

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  158. Stacking Faults around the hetero-interface Induced by 6H-SiC Polytype Transformation on 3C-SiC with Solution Growth Reviewed

    K. Seki, K. Morimoto, T. Ujihara, T. Tokunaga, K. Sasaki, K. Kuroda, and Y. Takeda

    Mater. Sci. Forum   Vol. 645-648   page: 363-366   2010

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  159. Real time magnetic imaging by spin-polarized low energy electron microscopy with highly spin-polarized and high brightness electron gun Reviewed

    M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa, Y. Nakagawa, T. Konomi, A. Mano, N. Yamamoto, M. Kuwahara, M. Yamamoto, S. Okumi, T. Nakanishi, X.G. Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Kohashi, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, and H. Horinaka

    Appl. Phys. Express   Vol. 3   page: 026601   2010

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  160. Effects of defects and local thickness modulation on spin-polarization in photocathodes based on GaAs/GaAsP strained superlattices. Reviewed

    X.G. Jin, Y. Maeda, T. Sasaki, S. Arai, Y. Ishida, M. Kanda, S. Fuchi, T. Ujihara, T. Saka, and Y. Takeda

    J. Appl. Phys.   Vol. 108 ( 9 ) page: 094509 - 094509-6   2010

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  161. TEM analysis of SiC crystal grown on (001) 3C-SiC CVD substrate by solution growth Reviewed

    K. Morimoto, R.Tanaka, K. Seki, T. Tokunaga, T. Ujihara, K. Sasaki, Y. Takeda, K. Kuroda

    International Journal of Advanced Microscopy and Theoretical Calculations   Vol. Letters 2   page: pp 242-243   2010

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  162. In situ growth of superconducting NdFeAs(O,F) thin films by molecular beam epitaxy Reviewed

    T. Kawaguchi, H. Uemura, T. Ohno, M. Tabuchi, T. Ujihara, K. Takenaka, Y. Takeda, and H. Ikuta

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 97 ( 4 ) page: 042509   2010

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  163. High Temperature Solution Growth on Free-standing (001)3C-SiC Epilayers Reviewed

    R. Tanaka, K. Seki, T. Ujihara, Y. Takeda

    Mater. Sci Forum   Vol. 615-617   page: 37-40   2009

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  164. High Brightness and High Polarization Electron Source Using Transmission Photocathode Reviewed

    N. Yamamoto, X. Jin, A. Mano, Y. Nakagawa, T. Nakanishi, T. Ujihara, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Konomi, Y. Takeda, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, H. Horinaka, T. Yasue, T. Koshikawa

    AIP Proceedings   Vol. 1149   page: 1052-1056   2009

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  165. Status of 200keV Beam Operations at Nagoya University Reviewed

    M. Yamamoto, T. Konomi, S. Okumi, Y. Nakagawa, N. Yamamoto, M.Tanioku, X. Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, F. Fukuta, H. Matsumoto

    AIP Proceedings   Vol. 1149   page: 987-991   2009

     More details

    Language:English  

  166. Shape transformation of adsorbed vesicles on oxide surfaces: Effect of substrate material and photo-irradiation Reviewed

    R. Tero, T. Ujihara and T. Urisu

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   Vol. 34 ( 2 ) page: 183-188   2009

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  167. Effects of Applied Voltage on the Size of Phase-Separated Domains in DMPS-DOPC Lipid Binary Bilayers Supported on SiO2/Si Substrates Reviewed

    Y. Yamauchi, T. Ujihara, R. Tero and Y. Takeda

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   Vol. 34 ( 2 ) page: 217-220   2009

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  168. Local Condensation of Artificial Raft Domains under Light Irradiation in Supported Lipid Bilayer of PSM-DOPC-Cholesterol System Reviewed

    T. Ujihara, S. Suzuki, Y. Yamauchi, R. Tero and Y. Takeda

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   Vol. 34 ( 2 ) page: 179-182   2009

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  169. 次世代のSiC高品質基板結晶作製技術 溶液法によりマイクロパイプ・基底面転位を低減 産学の連携を深め、実用化をめざす

    宇治原徹, 竹田美和

    Semiconductor FPD World   Vol. 11   page: 55-58   2009

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  170. SiC単結晶の溶液成長

    宇治原徹

    Materials Stage   Vol. 9   page: 46-49   2009

     More details

    Language:Japanese  

  171. Epitaxial Growth of NdFeAsO Thin Films by Molecular Beam Epitaxy Reviewed

    Takahiko Kawaguchi, Hiroki Uemura, Toshiya Ohno, Ryotaro Watanabe, Masao Tabuchi, Toru Ujihara, Koshi Takenaka, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Ikuta

    Applied Physics Express   Vol. 2   page: 093002   2009

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  172. Anisotropy of mosaic structure of GaAsP layers grown on GaAs substrates Reviewed

    T. Saka, T. Kato, X.G. Jin, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, H. Horinaka, T. Matsuyama, T. Yasue, and T. Koshikawa

    Phys. Status Solidi   Vol. 8   page: 1785   2009

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  173. *Stability Growth Condition for 3C-SiC Crystals by Solution Technique Reviewed

    T. Ujiahra, R. Maekawa, R. Tanaka, K. Sasaki, K. Kuroda, Y. Takeda,

    Mater. Sci Forum   Vol. 600-603   page: 63-66   2009

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  174. Low temperature solution growth of 3C-SiC crystals in Si-Ge-Ti solvent Reviewed

    R. Tanaka, T. Ujihara, Y. Takeda,

    Mater. Sci Forum   Vol. 600-603   page: 59-62   2009

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  175. Polytype and Crystal Quality of SiC Crystals Grown on 3C-SiC by Seeded Solution Method Reviewed

    K. Seki, R. Tanaka, T. Ujihara, Y. Takeda,

    Mater. Sci Forum   Vol. 615-617   page: 27-30   2009

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  176. Study of minority carrier diffusion length in multicrystalline silicon solar cells using photoassisted Kelvin probe force microscopy Reviewed

    Masaki Takihara, Takuji Takahashi, Toru Ujihara

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 95   page: 19   2009

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  177. High brightness and high polarization electron source using transmission photocathode with GaAs-GaAsP superlattice layers Reviewed

    N. Yamamoto, Y. Nakanishi, A. Mano, Y. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Konomi, X. G. Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, H. Horinaka, T. Yasue, T. Koshikawa, M. Kuwahara

    J. Appl. Phys.   Vol. 103   page: 64905   2008

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  178. 固体表面物性がサポーティッドメンブレンの形成過程と構造に及ぼす影響 Reviewed

    手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄,

    表面 HYOMEN(SURFACE)   Vol. 46   page: 287-299   2008

     More details

    Language:Japanese  

  179. Minority Carrier Lifetime in Polycrystalline Silicon Solar Cells Studied by Phot-assisted Kelvin Probe Force Microscopy Reviewed

    M. Takihara, T. Ujihara, T. Takahashi

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 93   page: 021902   2008

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  180. Local concentration of gel phase domains in supported lipid bilayers under light irradiation in binary mixture of phospholipids doped with dyes for photoinduced activation Reviewed

    T. Ujihara, S. Suzuki, Y. Yamauchi, R. Tero, Y. Takeda,

    Langmuir   Vol. 24   page: 10974-10980   2008

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  181. Lipid Bilayer Membrane with Atomic Step Structure:Supported Bilayer on Step-and-Terrace TiO2(100) Surface Reviewed

    R. Tero, T. Ujihara, T. Urisu,

    Langmuir   Vol. 24   page: 11567-11576   2008

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  182. Highly spin-polarized electron photocathode based on GaAs-GaAsP superlattice grown on mosaic-structured buffer layer Reviewed

    X.G. Jin, Y. Maeda, T. Saka, M. Tanioku, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, and T. Koshikawa

    J. Crystal Gorwth   Vol. 310   page: 5039-5043   2008

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  183. " 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係,"

    "前多悠也, 金秀光, 谷奥雅俊, 渕真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 山本尚人,中川靖英, 山本将博, 奥見正治, 中西彊, 坂貴, 堀中博道, 加藤俊宏, 安江常夫, 越川孝範"

    信学技報   Vol. 108   page: 75-84   2008

     More details

    Language:Japanese  

  184. Effects of absorbed group-V atoms on the size distribution and optical properties of InAsP quantum dots fabricated by the droplet hetero-epitaxy Reviewed

    S. Fuchi, S. Miyake, S. Kawamura, W.S. Lee, T. Ujihara, Y. Takeda

    J. Crystal Gorwth   Vol. 310   page: 2239-2243   2008

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  185. *Solution growth of high-quality 3C-SiC crystals Reviewed

    T. Ujihara, R. Maekawa, R. Tanaka, K. Sasaki, K. Kuroda, and Y. Takeda

    J. Crystal Gorwth   Vol. 310   page: 1438-1442   2008

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  186. *Super-high brightness spin-polarized transmission photocathode based on GaAs-GaAsP strained superlattice structure on GaP substrate Reviewed

    X.G. Jin, N. Yamamoto,Y. Nakagawa, A. Mano, T. Kato, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi11, T. Saka, H. Horinaka, T. Yasue, and T. Koshikawa

    Appl. Phys. Express   Vol. 1   page: 45002   2008

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  187. Supported lipid bilayer membranes on SiO2 and TiO2: substrate effects on membrane formation and shape transformation Reviewed

    R. Tero, T. Ujihara, T. Urisu

    Proceedings of SPIE   Vol. 6769   page: 1-12   2007

     More details

    Language:English  

  188. "Effect of Li doping on photoluminescence from Er, O-codoped GaAs" Reviewed

    D. Uki, H. Ohnishi, T. Yamaguchi, Y. Takemori, A. Koizumi, S. Fuchi, T. Ujihara and Y. Takeda

    J. Crystal Growth   Vol. 298   page: 69-72   2007

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  189. " Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大,"

    宇木大輔, 山口岳宏, 田中雄太, 渕真悟, 宇治原徹, 竹田美和

    信学技報   Vol. 107   page: 29-34   2007

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  190. "歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上,"

    加藤鷹紀, 酒井良介, 谷奥雅俊, 中川靖英, 前田義紀, 金秀光, 渕真悟, 山本将博, 宇治原徹, 中西 彊, 竹田美和

    信学技報   Vol. 107   page: 109-114   2007

     More details

    Language:Japanese  

  191. 生体膜における相分離構造に関する研究

    宇治原徹

    まてりあ   Vol. 46   page: 433   2007

     More details

    Language:Japanese  

  192. Photovoltage mapping on polycrystalline silicon solar cells by Kelvin probe force microscopy with piezoresistive cantilever Reviewed

    M. Takihara, T. Igarashi, T. Ujihara and T. Takahashi

    Jpn. J. Appl. Phys. Part 1   Vol. 46   page: 5548-5551   2007

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  193. Thermal emittance measurements for electron beams produced from bulk and superlattice negative electron affinity photocathods Reviewed

    N. Yamamoto, M. Yamamoto, M. Kuwahara, R. Sakai, T. Morino, K. Tamagaki, A. Mano, A. Utsu, S. Okumi, T. Nakanishi, M. Kuriki, C. Bo, T. Ujihara and Y. Takeda

    J. Appl. Phys.   Vol. 102   page: 24904   2007

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  194. Size uniformity of InAs dots on mesa-structure templates on (001) InP substrates grown by droplet metal-organic vapor phase epitaxy method Reviewed

    "T. Ujihara, Y. Yoshida, W-S. Lee, Y. Takeda"

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 89   page: 083110   2006

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  195. "Growth of SiC single crystal from Si-C-(Co, Fe) ternary solution" Reviewed

    Nobuyoshi Yashiro, Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Mitsuhiro Hasebe, Toru Ujihara and Kazuo Nakajima

    Mater. Sci Forum   Vol. 527-529   page: 115-118   2006

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  196. Solution growth of SiC crystal with high growth rate using accelerated crucible rotation technique Reviewed

    K. Kusunoki, K. Kamei, N. Okada, N. Yashiro, A. Yauchi, T. Ujihara, and K. Nakajima

    Mater. Sci Forum   Vol. 527-529   page: 119-122   2006

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  197. 分散量子ドット構造を利用した広帯域発光素子 Reviewed

    李祐植, 三宅信輔, 渕真悟, 宇治原徹, 竹田美和

    日本結晶成長学会誌   Vol. 33   page: 106-110   2006

     More details

    Language:Japanese  

  198. Photovoltage Mapping on Polycrystalline Silicon Solar Cells through Potential Measurements by AFM with Piezo-resistive Cantilever Reviewed

    T. Igarashi, T. Ujihara, T. Takahashi

    Jpn. J. Appl. Phys. Part 1   Vol. 45   page: 2128-2131   2006

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  199. GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化

    宇治原徹, 陳 博, 安井健一, 酒井良介、山本将博、中西 彊、竹田美和

    信学技報   Vol. 106   page: 79-84   2006

     More details

    Language:English  

  200. Evaluation of Strain Field around SiC Particle in Poly-Crystalline Silicon

    "T. Ujihara, T. Ichitsubo, N. Usami, K. Nakajima, Y. Takeda,"

    Proc. IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC4)     page: 272   2006

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  201. The wideband light emission around 800 nm from ternary InAsP quantum dots with an intentionally broadened size and composition distribution Reviewed

    S. Miyake, W. S. Lee, T. Ujihara and Y. Takeda

        page: p. 208-210   2006

     More details

    Language:English  

  202. Pattern size effect on source supply process for sub-micrometer scale selective-area-growth by organometallic vapor phase epitaxy Reviewed

    T. Ujihara, Y. Yoshida, W-S. Lee, Y. Takeda

    J. Crystal Growth   Vol. 289   page: 89-95   2006

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  203. Crystal quality of a 6H-SiC layer grown over macro-defects by liquid phase epitaxy: a Raman spectroscopic study Reviewed

    T. Ujihara, S. Munetoh, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima

    Thin Solid Films   Vol. 476   page: 206-209   2005

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  204. Influence of growth temperature on minority-carrier lifetime of Si layer grown by liquid phase epitaxy using Ga solvent Reviewed

    Y. Satoh, N. Usami, W. Pan, K. Fujiwara, K. Nakajima, and T. Ujihara

    J. Appl. Phys.   Vol. 98   page: 073708   2005

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  205. メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御

    宇治原 徹, 吉田義浩, 李祐植, 竹田美和

    信学技報   Vol. 105   page: 23-26   2005

     More details

    Language:Japanese  

  206. Structural properties of directionally grown polycrystalline SiGe for solar cells Reviewed

    K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami, K. Sawada, A. Nomura, T. Ujihara, T. Shishido and K. Nakajima

    J.Cryst.Growth.   Vol. 275   page: 467-473   2005

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  207. Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams Reviewed

    K. Nakajima, Y. Azuma, N. Usami, G. Sazaki, T. Ujihara, K. Fujiwara, T. Shishido, Y. Nishijima and T. Kusunoki

    International Journal of Material & Product Technology.   Vol. 22   page: 185-212   2005

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  208. "Effects of vicinal steps on the island growth and orientation of epitaxially grown perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) substrate" Reviewed

    G. Sazaki, T. Fujino, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara and K. Nakajima

    J.Cryst.Growth.   Vol. 273   page: 594-602   2005

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  209. A simple approach to determine preferential growth orientation using multiple seed crystals with random orientations and its utilization for seed optimization to restrain polycrystallization of SiGe bulk crystal Reviewed

    Y. Azuma, N, Usami, K, Fujiwara, T, Ujihara and K, Nakajima

    J.Cryst.Growth   Vol. 276   page: 393-400   2005

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  210. 太陽電池用Si系バルク多結晶の結晶成長及び太陽電池特性 ―多結晶Siの融液成長のその場観察とバルク多結晶SiGeの特性評価― Reviewed

    藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 宇治原徹, 野村明子, 野瀬嘉太郎, 宍戸統悦, 中嶋一雄

    日本結晶成長学会誌   Vol. 32   page: 291-296   2005

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  211. Electrical Properties around Grain Boundary of Poly-Crystalline Silicon for Solar Cell Evaluated Using the Conductive AFM

    T. Ujihara, K. Nakajima, Y. Takeda

    Proc. 15th PVSEC     page: 118-119   2005

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  212. Crystalline quality evaluation of 6H-SiC bulk crystals grown from Si-Ti-C ternary solution Reviewed

    K. Kusunoki, K. Kamei, Y. Ueda, S. Naga, Y. Ito, M. Hasebe, T. Ujihar, K. Nakajima

    Mater. Sci Forum   Vol. 483   page: 13-16   2005

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  213. Analytical evaluation of growth process in a sub-micron scale selective-area growth by OMVPE Reviewed

    Toru Ujihara, Yoshihiro Yoshida, Woo Sik Lee, Ryo Oga, Yoshikazu Takeda

        page: p112   2005

     More details

    Language:English  

  214. Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained-Si layer Reviewed

    U. Noritaka, K. Kutsukake, W. Pan, K. Fujiwara, T. Ujihara, B. Zhang, T. Yokoyama, K. Nakajima

    J. Cryst. Growth   Vol. 275   page: 1203-1207   2005

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  215. Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate Reviewed

    K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, B. P. Zhang, and Y. Segawa

    Appl. Surf. Sci.   Vol. 224   page: 604-607   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  216. Effects of growth temperature on the surface morphology of silicon thin-film on (111) silicon monocrystalline substrate grown by liquid phase epitaxy Reviewed

    T. Ujihara, E. Kanda, K. Obara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, T. Shishido, K. Nakajima

    J. Crystal Growth   Vol. 266   page: 467-474   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  217. Grain growth behaviors of polycrystalline silicon during melt growth processes Reviewed

    K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   Vol. 266   page: 441-448   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  218. Successful growth of InxGa1-xAs (x > 0.18) single bulk crystal directly on GaAs seed crystal with preferential orientation Reviewed

    Y.Azuma, Y. Nishijima, K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. Feb-46   page: L907   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  219. Molten metal flux growth and properties of CrSi2 Reviewed

    T. Shishido, S. Okada, Y. Ishizawa, K. Kudou, K. Iizumi, Y. Sawada, H. Horiuchi, K. Inaba, T. Sekiguchi, J. Ye, S. Miyashita, A. Nomura, T. Sugawara, K. Obara, M. Oku, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, N. Usami, S. Kohiki, Y. Kawazoe and K. Nakajima

    JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS.   Vol. 383   page: 319-321   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  220. Effects of spacer thickness on quantum efficiency of the solar cells with embedded Ge islands in the intrinsic layer Reviewed

    "A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima, K. Sawano and Y Shiraki"

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 84   page: 2802-2804   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  221. In-situ observation of elementary growth steps on the surface of protein crystals by laser confocal microscopy Reviewed

    G. Sazaki, T. Matsui, K. Tsukamoto, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, K. Nakajima

    J. Crystal Growth   Vol. 262   page: 536-542   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  222. Epitaxial relation and island growth of perylene-3.4.9.10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) substrate Reviewed

    G. Sazaki, T. Fujino, J.T. Sadowski, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, H. Takahashi, E. Matsubara, T. Sakurai, K. Nakajima

    J. Crystal Growth   Vol. 262   page: 196-201   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  223. Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime Reviewed

    N. Usami, A. Alguno, K. Sawano, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, Y. Shiraki, and K. Nakajima

    Thin Solid Films   Vol. 451-452   page: 604-607   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  224. In-situ observations of melt growth behavior of polycrystalline silicon Reviewed

    K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   Vol. 262   page: 124   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  225. Phase diagram of growth mode for the SiGe/Si heterostructure system with misfit dislocations Reviewed

    K. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, and T. Shishido

    J. Crystal Growth   Vol. 260   page: 372-383   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  226. On the origin of strain fluctuation in strained-Si grown on SiGe-on-insulator and SiGe virtual substrates Reviewed

    K. Kutsukake, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, and K. Nakajima

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 85   page: 1335-1337   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  227. Relationship between device performance and grain boundary structural configuration in a solar cell based on multicrystalline SiGe Reviewed

    N. Usami, WG. Pan, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki and K.Nakajima

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 43   page: L250-L252   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  228. Ge composition dependence of properties of solar cells based on multicrystalline SiGe with microscopic compositional distribution Reviewed

    W. Pan, K. Fujiwara, N. Usami, T. Ujihara, K. Nakajima, R. Shimokawa

    J. Appl. Phys.   Vol. 96 (2)   page: 1238-1241   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  229. 材料工学からの太陽電池研究

    宇治原徹

    まてりあ   Vol. 43   page: 949-953   2004

     More details

    Language:Japanese  

  230. SiGeバルク単結晶と多結晶の成長技術およびそれらのデバイス応用 : 均一組成のバルク単結晶とミクロ分散的組成分布を有する太陽電池用バルク多結晶

    中嶋一雄, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 佐崎元, 宇治原徹, 宍戸統悦

    日本結晶成長学会誌   Vol. 31   page: 29-37   2004

     More details

    Language:Japanese  

  231. Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy Reviewed

    Toru Ujihara, Shinji Munetoh, Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Noritaka Usami, Kozo Fujiwara, Gen Sazaki, and Kazuo Nakajima

    Mater. Sci Forum   Vol. 457-460   page: 633-637   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  232. Excellent Effect of Gallium Solvent on Preparation of High Lifetime Silicon Crystal by LPE Method Reviewed

    Toru Ujihara, Yusuke Satoh, Kazuo Obara, Kozo Fujiwara, Gen Sazaki, Noritaka Usami, Toetsu Shishido and Kazuo Nakajima

        page: ?   2004

     More details

    Language:English  

  233. TEM studies on the initial stage of seeded solution growth of 6H-SiC using metal solvent Reviewed

    K. Kamei, K. Kusunoki, S. Munetoh, T. Ujihara and K. Nakajima

    Mater. Sci Forum   Vol. 457-460   page: 347-351   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  234. Solution growth of self standing 6H-SiC single crystal using metal solvent Reviewed

    K. Kusunoki, S. Munetoh, K. Kamei, M. Hasebe, T. Ujihara and K. Nakajima

    Mater. Sci Forum   Vol. 457-460   page: 123-126   2004

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  235. Effects of high pressure on the growth kinetics of orthorhombic lysozyme crystals Reviewed

    Y. Nagatoshi, G. Sazaki, Y. Suzuki, S. Miyashita, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami, and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   Vol. 254   page: 188-195   2003

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  236. Stacked Ge islands for photovoltaic applications Reviewed

    N. Usami, A. Alguno, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima, K. Sawano, and Y. Shiraki

    Sci. Tech. Adv. Mat   Vol. 4   page: 367-370   2003

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  237. Hightemperature solution growth and characterization of chromium disilicide Reviewed

    T. Shishido, S. Okada, Y. Ishizawa, K. Kudou, K. Iizumi, Y. Sawada, H. Horiuchi, K. Inaba, T. Sekiguchi, J. Ye, S. Miyashita, A. Nomura, T. Sugawara, K. Obara, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, N. Usami, M. Oku, Y.Yokoyama, S. Kohiki , Y. Kawazoe and K. Nakajima

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 42   page: 7292-7293   2003

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  238. High-Quality Crystalline Silicon Layer Grown by Liquid Phase Epitaxy Method at Low Growth Temperature Reviewed

    T. Ujihara, K. Obara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, T. Shishido, K. Nakajima

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 42   page: L217-L219   2003

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  239. Influence of the elastic strain on the band structure of ellipsoidal SiGe coherently embedded in the Si matrix Reviewed

    N. Usami, T. Ichitsubo, T. Ujihara, T. Takahashi, K. Fujiwara, G. Sazaki, and K. Nakajima

    Journal of Applied Physics   Vol. 94   page: 916-920   2003

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  240. Enhanced quantum efficiency of solar cells with self-assembled Ge dots stacked in multilayer structure Reviewed

    A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, Y. Shiraki, and K. Nakajima

    Applied Physics Letters   Vol. 83   page: 1258-1260   2003

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  241. Fabrication of homogeneous SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate Reviewed

    K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, B. P. Zhang, and Y. Segawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 42   page: L232-L234   2003

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  242. Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by utilizing feedback control system of the crystal-melt interface position for precise control of the growth temperature Reviewed

    Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, Y. Murakami, and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   Vol. 250   page: 298-304   2003

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  243. What is the most important growth parameter on crystal quality of the silicon layer by LPE method? Reviewed

    T. Ujihara, K. Obara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, T. Shishido and K. Nakajima

      ( 2 ) page: 1241 - 1244   2003

     More details

    Language:English  

  244. Improved quantum efficiency of solar cells with ge dots stacked in multilayer structure Reviewed

    A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, K. Sawano*, G. Sazaki, Y. Shiraki* and K. Nakajima

      ( 3 ) page: 2746 - 2749   2003

     More details

    Language:English  

  245. Spatial distribution of composition and strain in multicrystalline SiGe bulk crystal and their impact on solar cell application Reviewed

    N. Usami, T. Takahashi, A. Alguno, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, and K. Nakajima

      ( 1 ) page: 98-101   2003

     More details

    Language:English  

  246. Direct observations of crystal growth from silicon melt Reviewed

    K. Fujiwara, K. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki, H. Hasegawa, S. Mizoguti and K.Nakajima

      ( 1 ) page: 110 - 113   2003

     More details

    Language:English  

  247. Structure and property of directionally grown SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution Reviewed

    K. Fujiwara, T. Takahashi, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki and K. Nakajima

      ( 1 ) page: 158 - 160   2003

     More details

    Language:English  

  248. Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications Reviewed

    K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Murakami, T. Ujihara, G. Sazaki, and T. Shishido

    Sol. Energy Mater. Sol. Cells   Vol. 72   page: 93-100   2002

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  249. *Simultaneous in-situ measurement of solute and temperature distributions in the alloy solutions Reviewed

    T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, K. Nakajima

    J. Crystal Growth   Vol. 242   page: 313-320   2002

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  250. New method for measurement of interdiffusion coefficient in high temperature solutions based on Fick's first law Reviewed

    T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, K. Nakajima

    J. Crystal Growth   Vol. 241   page: 387-394   2002

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  251. Crystal growth of silicon-germanium homogeneous bulk crystal and related measurement

    J. Japanese association for crystal growth   Vol. 29 ( 5 ) page: 339   2002

     More details

    Language:Japanese  

  252. Strain distribution of Si thin film grown on multicrystalline-SiGe with microscopic compositional distribution Reviewed

    N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, and K. Nakajima

    J. Appl. Phys.   Vol. 92   page: 7098-7101   2002

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  253. Evaluation of mutual and intrinsic diffusion coefficients in the liquid GaGe binary system using novel determination method based on Fick's first law Reviewed

    T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, K. Nakajima

    J. Non-Cryst. Solids   Vol. 312-314   page: 196-202   2002

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  254. In situ observation of crystal growth behavior from silicon melt Reviewed

    K. Fujiwara, Ke. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki, H. Hasegawa, S. Mizoguchi, K. Nakajima

    J. Crystal Growth   Vol. 243   page: 275-282   2002

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  255. Compositional variation in Si-rich SiGe single crystals grown by multi-component zone melting method using Si seed and source crystals Reviewed

    K. Nakajima, T. Kusunoki, Y. Azuma, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, and T. Shishido

    J. Crystal Growth   Vol. 240   page: 370-381   2002

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  256. Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for high-efficiency solar cells Reviewed

    K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Murakami, T. Ujihara, G. Sazaki and T. Shishido

    Sol. Energy Mater. Sol. Cells   Vol. 73   page: 305-320   2002

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  257. Evidence for the presence of built-in strain in multicrystalline SiGe with large compositional distribution Reviewed

    N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, and K. Nakajima

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 41   page: 4462-4465   2002

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  258. Fabrication of SiGe bulk crystals with uniform composition as substrates for Si-based heterostructures Reviewed

    N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, Y. Murakami, and K. Nakajima

    Mat. Sci. Eng. B   Vol. 89   page: 364-367   2002

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  259. In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface Reviewed

    G. Sazaki, Y. Azuma, S. Miyashita, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, Y. Murakami, and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   Vol. 236   page: 364-367   2002

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  260. Grain growth of polycrystalline Si thin film for solar cells and its effect on crystal properties Reviewed

    Toru Ujihara, Eiji Kanda, Kozo Fujiwara, Gen Sazaki, Noritaka Usami, Yoshihiro Murakami, Kuninori Kitahara and Kazuo Nakajima

        page: 1339-1342   2002

     More details

    Language:English  

  261. Control of macroscopic absorption coefficient of multicrystalline SiGe by microscopic compositional distribution Reviewed

    N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, K. Nakajima, and H. Yaguchi

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 41   page: L37-L39   2002

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  262. In-situ observation of the Marangoni convection of a NaCl aqueous solutions under microgravity Reviewed

    G. Sazaki, S. Miyashita, M. Nokura, T. Ujihara, N. Usami, and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   Vol. 234   page: 516-522   2002

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  263. Effect of growth temperature on surface morphology and crystal quality of Si thin-film by liquid phase epitaxial growth technique Reviewed

    Toru Ujihara, Eiji Kanda, Kozo Fujiwara, Noritaka Usami, Gen Sazaki, Kazuo Nakajima

        page: 408-411   2002

     More details

    Language:English  

  264. Si/multicrystalline-SiGe heterostructure as a candidate for solar cells with high conversion efficiency Reviewed

    N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, and K. Nakajima

        page: 247-249   2002

     More details

    Language:English  

  265. Assessing composition gradient energy effects due to spin interaction on the spinodal decomposition of Fe-Cr Reviewed

    T. Ujihara, K. Osamura

    Mater. Sci. Eng. A   Vol. 312   page: 128   2001

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  266. Molecular beam epitaxy of GaAs on nearly lattice-matched SiGe substrates grown by the multicomponent zone-melting method Reviewed

    N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, Y. Yakabe, T. Kondo, K.Kawaguchi, S. Koh, Y. Shiraki, B. P. Zhang, Y. Segawa, and S. Kodama

    Semicon. Sci. and Technol.   Vol. 16   page: 699-703   2001

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  267. Effects of misfit dislocation and AlN buffer layer on the GaInN/GaN phase diagram of the growth modes Reviewed

    K. Nakajima, T. Ujihara, and G. Sazaki

    J. Appl. Phys.   Vol. 89   page: 146-153   2001

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  268. Growth of SixGe1-x (x=0.15) Bulk Crystal with Uniform Composition by Utilizing in situ Monitoring of the Crystal-Solution Interface Reviewed

    N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, S. Miyashita, Y. Murakami, and K.Nakajima

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 44   page: 4141-4144   2001

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  269. Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by directly controlling the growth temperature at the crystal-melt interface using in-situ monitoring system Reviewed

    Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, S. Miyashita, K. Fujiwara, and K. Nakajima

    J. Crystal Growth   Vol. 224   page: 204-211   2001

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  270. Physical model for the evaluation of solid-liquid interfacial tension in silicon Reviewed

    T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, N. Usami, K. Nakajima

    J. Appl. Phys.   Vol. 90   page: 750-755   2001

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  271. Kinetic analysis of spinodal decomposition process in Fe-Cr alloys by small angle neutron scattering Reviewed

    T. Ujihara, K. Osamura

    Acta Materialia   Vol. 48   page: 1629-1637   2000

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  272. Effects of the dislocation density and surface energy on phase diagrams of the S-K mode for the GaInN/GaN and GaPSb/GaP systems Reviewed

    K. Nakajima, T. Ujihara, S. Miyashita, and G. Sazaki

    In Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   Vol. 618   page: 285-290   2000

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  273. "Phase diagram calculation for epitaxial growth of GaInAs on InP considering the surface, interfacial and strain energies" Reviewed

    K. Nakajima, T. Ujihara, G. Sazaki, and N. Usami

    J. Crystal Growth   Vol. 220   page: 413-424   2000

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  274. SiGe bulk crystal as a lattice-matched substrate to GaAs for solar cell applications Reviewed

    N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Yakabe, T. Kondo, S. Koh, B. Zhang, Y. Segawa,Y. Shiraki, S. Kodama, and K. Nakajima

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 77   page: 3565-3567   2000

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  275. In Situ Measurement of Composition in High-Temperature Solutions by X-Ray Fluorescence Spectrometry Reviewed

    T. Ujihara, G. Sazaki, S. Miyashita, N. Usami, K. Nakajima

    Jpn J. Appl. Phys   Vol. 39   page: 5981-5982   2000

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  276. Thickness dependence of stable structure of the Stranski-Krastanov mode in the GaPSb/GaP system Reviewed

    K. Nakajima, T. Ujihara, S. Miyashita, G. Sazaki

    Journal of Crystal Growth   Vol. 209   page: 637-647   2000

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  277. "The excess free energy due to composition gradient for ferromagnetic alloys""" Reviewed

    T. Ujihara, K. Osamura

    Acta Materialia   Vol. 47   page: 3041-3048   1999

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  278. Phase diagrams and stable structures for Sranski-Krastanov mode of III-V ternary quantum dots Reviewed

    K. Nakajima, T. Ujihara, S. Miyashita and G. Sazaki

    Journal of Korean Association of Crystal Growth   Vol. 9   page: 387-395   1999

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  279. Magnetic damping of the temperature-driven convection in NaCl aqueous solution using a static and homogenous of 10 T Reviewed

    G. Sazaki, S. D. Drubin, S. Miyashita, T. Ujihara, K. Nakajima, M. Motokawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 38   page: L842-L844   1999

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  280. Kinetics of Spinodal Decomposition with Composition Dependent Mobility Reviewed

    T. Ujihara, K. Osamura

    Proceeding of the International Conference on Solid-Solid Phase Transformation   Vol. 99   page: 117-120   1999

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  281. Effect of nonlinearity of the evolution equation on the spinodal decomposition process in alloys Reviewed

    T. Ujihara, K. Osamura

    Physical Review   Vol. B58 ( 17 ) page: 11371   1998

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  282. Shape Anisotropy of GP Zone in Early Decomposition Process of Al-Zn Binary Alloy Reviewed

    J. Japan Inst. Metals   Vol. 62 ( 2 ) page: 117   1998

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  283. Effect of Third Elements on Cu Precipitation on Fe-Cu Alloys Reviewed

    Toru Ujihara, Kozo Osamura

    Ann. Physiq.   Vol. C3 ( 20 ) page: 3   1995

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  284. Phase Decomposition in Fe-Cr-Mo Alloy Reviewed

    Kozo Osamura Toru Ujihara, Hiroshi Okuda, Michihiro Furusaka

    Proc. Int. Conf. On PTM'94 Solid-Solid Transformation in Inorganic Materials     page: ",377"   1994

     More details

    Language:English  

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Books 11

  1. 「データ駆動型材料開発」オントロジーとマイニング、計測と実験装置の自動制御・マテリアルズ・インフォマティクスを加速化させ実験プロセスを革新する「データ駆動型材料開発」の全貌!・材料探索のオントロジー、文献情報の抽出、計測インフォマティクスから実験装置の自動制御まで!・新規触媒や電池材料など、最新のデータ駆動型材料探索手法も一挙掲載!

    船津 公人、堀 憲次、山口 徹、髙橋 ローレンニコール、山縣 友紀、櫛田 達矢、松本 裕治、石井 真史、岡 博之、鈴木 晃、坂本 浩一、石垣 達也、加藤 明彦、吉川 友也、進藤 裕之、久米 慧嗣、古崎 晃司 、高下 大貴、小野 直亮、黄 銘、Md.Altaf-Ul-Amin、金谷 重彦、沓掛健太朗、原田 俊太 、宇治原 徹、清水 研一、濱本 信次、蒲池 高志、日沼 洋陽、宮里 一旗、髙橋 啓介、矢田 陽、佐藤 一彦、冨谷 茂隆、山本 寛人、山下 俊介、永村 直佳、松村太郎次郎、安藤 康伸、堀場 弘司、尾嶋 正治、孝橋 照生、石附 直弥、清水 亮太、一杉 太郎 、長田 貴弘、柳生進二郎、松田 翔一、岩﨑 悠真、石田 真彦( Role: Joint author)

    (株)エヌ・ティー・エス  2021.11 

     More details

    Language:Japanese

  2. ポストシリコン半導体―ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果―『第3編 結晶成長・成膜法 第4章 溶液法によるSiC結晶成長法 ~SiCを事例として~』, 株式会社ニッケイ印刷 編

    財満鎮明,佐藤勝昭,押山淳,室田淳一,櫻庭政夫,奥村元,北畠真,石田夕起,矢野裕司,竹内哲也,尾鍋研太郎,鳥海明,酒井朗,中塚理,堀越佳治,杉山弘樹,秦雅彦,高木信一,大友明,東脇正高,佐々木公平,須崎友文,川原田洋,小泉聡,伊藤利道,鈴木一博,山崎聡,竹内大輔,大串秀世,牧野敏晴,小倉政彦,加藤宙光,末光眞希,中辻寛,小森文夫,近藤大雄,熊谷義直,纐纈明伯,森勇介,今出完,丸山美帆子,吉村政志,寒川義裕,宇治原徹,着本享,松畑洋文,幾原雄一,中山隆史,小日向恭祐,山下良之,笹原亮,富取正彦,吉武道子,吉野淳二,伊藤智徳,岡田晋,金山敏彦( Role: Sole author)

    株式会社エヌ・ティー・エス  2013.6 

     More details

    Language:Japanese

  3. 『5 パワー半導体材料』, 「太陽エネルギー社会を築く材料テクノロジー(Ⅰ) -材料デバイス編-」

    宇治原徹, 名古屋大学大学院工学研究科材料バックキャストテクノロジー研究センター 編( Role: Joint author)

    コロナ社  2013 

     More details

    Language:Japanese

  4. SiCパワーデバイスの開発と最新動向―普及に向けたデバイスプロセスと実装技術―

    岩室 憲幸,中野 佑紀,原田 信介,古川 彰彦,今泉 昌之,大森 達夫,矢野 裕司,吉川 正信,先崎 純寿,二本木 直,築野 孝 ,浅野 勝則,辻 崇 富,中山 浩二,匹田 政幸,渡邉 純二,加藤 正史,高尾 和人,徳田 人基,石川 佳寛,門田 健次,大谷 昇,宇治原 徹,藤本 辰雄,高橋 宏和,岩井 利光,星山 豊宏,加藤 智久,山口 桂司,佐藤 誠,佐野 泰久,有馬 健太,山内 和人,石田 夕起,土田 秀一,齋藤 真,伊瀬 敏史( Role: Joint author)

    S&T出版  2012.10  ( ISBN:978-4-907002-06-0

     More details

    Language:Japanese

  5. これで使える 機能性材料パーフェクトガイド

    大竹尚登, 神埼昌郎, 宇治原徹, 髙﨑正也( Role: Joint author)

    講談社サイエンティフィク  2012.3 

     More details

    Language:Japanese

  6. 半導体SiC技術と応用 第2版 3.3.2 六方晶基板上への3C-SiC溶液成長

    松浪弘之, 大谷昇, 木本恒暢, 中村孝 編著 宇治原徹( Role: Joint author)

    日刊工業新聞社  2011 

     More details

    Language:Japanese

  7. 「工学的手法による膜制御」, トランスポートソームの世界-膜輸送研究の源流から未来へ-

    宇治原徹( Role: Sole author)

    京都廣川書店  2011 

     More details

    Language:Japanese

  8. SiCパワーデバイスの最新技術, SiCバルク結晶の溶液成長技術

    宇治原徹( Role: Sole author)

    サイエンス&テクノロジー社  2010 

     More details

    Language:Japanese

  9. 薄膜ハンドブック 第2版, 2.2.1 エピタキシーの基礎

    竹田美和, 宇治原徹( Role: Joint author)

    オーム社  2008 

     More details

    Language:Japanese

  10. 4.1.5. 半導体量子構造の結晶成長と形成過程「自然に学ぶ材料プロセッシング」

    宇治原徹( Role: Sole author)

    三共出版  2007 

     More details

    Language:Japanese

  11. "Effects of a Magnetic Field on the Crystallization of Protein" in "Materials Science in Static High Magnetic Fields"

    G. Sazaki, S. Yanagiya, S.D. Durbin, S. Miyashita, T. Nakata, H. Komatsu, T. Ujihara, K.Nakajima, M. Motokawa( Role: Joint author)

    2002 

     More details

    Language:English

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Presentations 903

  1. First-Principles Molecular Dynamics Simulations of SiC Solution Growth Interface

    Iwasa Ryo, Takumi Fukunaga, Takahiro kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara

    2024.10.2 

     More details

    Event date: 2024.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  2. Molecular Dynamics Simulations of Si-Cr Solutions: Investigation of the Effect of Al Addition on SiC Solution Growth

    Takumi Fukunaga, Ryo Iwasa, Takahiro Kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara

    2024.10.2 

     More details

    Event date: 2024.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  3. Numerical Simulation Study on Different Scales to Suppress Solvent Inclusion Defects in SiC Solution Crystal Growth International conference

    Huiqin Zhou, Hitoshi Miura, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada and Tour Ujihara

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024)  2024.10.3 

     More details

    Event date: 2024.9 - 2024.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Raleigh, U.S.   Country:United States  

  4. 8-Inch Thick SiC Crystals Grown by Solution Growth Method Combined with Digital Twin Invited International conference

    Toru Ujihara, Tomoaki Furusho, Koki Suzuki, Daiki Shimoda, Keiichiro Wakamiya, Takemi Yonaha, Kazuo Kurashige, Hiroyuki Ishibashi, Kenta Murayama and Kazuhito Kamei

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024)  2024.10.3 

     More details

    Event date: 2024.9 - 2024.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:Raleigh, U.S.   Country:United States  

  5. Dynamic deformation modeling for the interfaces of growing, etching, and depositing under the switching flow in TSSG-SiC growth Invited International conference

    Xin Liu and Toru Ujihara

    The 11th International Workshop on Modeling in Crystal Growth(IWMCG11)  2024.9.24 

     More details

    Event date: 2024.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:Timisoara, Romania   Country:Romania  

  6. Data assimilation for crystal growth simulation incorporating multiple uncertainties using machine learning International conference

    Kentaro Kutsukake, Shion Takeno, Masato Ota, Ichiro Takeuchi and Toru Ujihara

    The 11th International Workshop on Modeling in Crystal Growth(IWMCG11)  2024.9.24 

     More details

    Event date: 2024.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:Timisoara, Romania   Country:Romania  

  7. 機械学習を用いた離散不純物によるMOSFET閾値電圧ばらつきの統計的な解析

    関 翔太, 長田 圭一, 髙石 将輝, 笠原 亮太郎, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024.9.20 

     More details

    Event date: 2024.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ他2会場&オンライン(新潟県新潟市)   Country:Japan  

  8. 連続工程の全体最適化のための最適化手法の検討

    笠原 亮太郎,沓掛 健太朗,原田 俊太,宇治原 徹

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024.9.20 

     More details

    Event date: 2024.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ他2会場&オンライン(新潟県新潟市)   Country:Japan  

  9. SiC溶液成長法における潜在空間を利用した長時間プロセスの最適化

    坂本 隆直,沓掛 健太朗,原田 俊太,宇治原 徹

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024.9.20 

     More details

    Event date: 2024.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ他2会場&オンライン(新潟県新潟市)   Country:Japan  

  10. SiC溶液成長法における多結晶生成要因の検討

    杉浦大輝、村山健太、沓掛健太朗、原田俊太、宇治原徹

    第43回 結晶成長討論会  2024.9.12 

     More details

    Event date: 2024.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:登別万世閣(北海道登別市)   Country:Japan  

  11. SiC溶液成長法における溶媒インクルージョンの3次元形状の解明と形成メカニズムの分析

    伊藤貴洋、周惠琴、沓掛健太郎、原田俊太、宇治原徹

    第43回 結晶成長討論会  2024.9.12 

     More details

    Event date: 2024.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:登別万世閣(北海道登別市)   Country:Japan  

  12. SiC溶液成長法の長時間プロセスにおける坩堝の形状変化に対応したシーケンス最適化に向けて

    坂本 隆直, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 宇治原 徹

    第43回 結晶成長討論会  2024.9.12 

     More details

    Event date: 2024.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:登別万世閣(北海道登別市)   Country:Japan  

  13. AI を活用した SiC 溶液成長技術の開発 Invited

    宇治原 徹

    日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウム  2024.9.10 

     More details

    Event date: 2024.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:名古屋大学 東山キャンパス   Country:Japan  

  14. Molecular Dynamics Simulation of Si-Cr-C Solutions: The Effect of Al Addition on SiC Solution Growth International conference

    Takumi Fukunaga, Ryo Iwasa, Takahiro Kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara

    2024 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2024)  2024.9.3 

     More details

    Event date: 2024.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Arcrea HIMEJI   Country:Japan  

  15. Dynamic deformation modeling for the interfaces of growing, etching, and depositing in TSSG-SiC International conference

    Xin Liu and Toru Ujihara

    8th European Conference of Crystal Growth(ECCG8)  2024.7.22 

     More details

    Event date: 2024.7

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Institute of High Pressure Physics , Warsaw, Poland   Country:Poland  

  16. Si-Cr溶液の分子動力学シミュレーション: Al添加がSiC結晶成長に与える影響の検討

    福永拓実, 岩佐零, 河村貴宏, 関翔太, 原田俊太, 宇治原徹

    第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会  2024.5.31 

     More details

    Event date: 2024.5 - 2024.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:高知県立県民文化ホール   Country:Japan  

  17. 人間参加型選好ベイズ最適化の半導体製造プロセス開発への応用

    松田 凌芽, 霜田 大貴, 吉田 拓未, 竹野 思温, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹, 竹内 一郎

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024.3.25 

     More details

    Event date: 2024.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京都市大学 世田谷キャンパス   Country:Japan  

  18. シリコン中の不純物増速拡散の機械学習

    霜田 大貴, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024.3.25 

     More details

    Event date: 2024.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京都市大学 世田谷キャンパス   Country:Japan  

  19. AlNウィスカの耐水性向上に寄与する酸化膜形態の解明

    古川 喜一、原田 俊太、宇治原 徹

    日本セラミックス協会2024年年会  2024.3.16 

     More details

    Event date: 2024.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:熊本大学 黒髪キャンパス   Country:Japan  

  20. AI を活用した SiC 溶液成長技術の開発と今後の展望

    宇治原徹

    データ駆動コンソーシアムセミナー  2024.1.29 

     More details

    Event date: 2024.1

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:産総研臨海副都心センター   Country:Japan  

  21. プロセスインフォマティクスを用いた高品質SiC結晶成長技術の開発と展開 Invited

    宇治原徹

    電子光技術シンポジウム  2023.12.18 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:秋葉原UDXカンファレンス   Country:Japan  

  22. 溶液の組成がDNA修飾ナノ粒子結晶 の品質およびサイズに与える影響

    張力東,小島憧子,周幸儀 ,太田昇,関口博史,原田 俊太,宇治原徹, 塚本勝男,田川美穂

    第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)  2023.12.4 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ウインクあいち(愛知県名古屋市)   Country:Japan  

  23. SiC溶液成長法における実験者の知識 を利用したスケールアップのための最適化手法の構築

    霜田大貴,鈴木皓己,沓掛 健太朗,原田俊太,田川美 穂,宇治原徹

    第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)  2023.12.5 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ウインクあいち(愛知県名古屋市)   Country:Japan  

  24. DNA修飾ナノ粒子の結晶成長におけ る粒子間相互作用に対するPEG添加の影響

    小島憧子,張力東,太田 昇,関口博史,原田俊太, 宇治原徹,塚本勝男,田川 美穂

    第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)  2023.12.4 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ウインクあいち(愛知県名古屋市)   Country:Japan  

  25. SiC溶液成長における溶質と不純物の 結合安定性の第一原理計算による解析

    関翔太,河村貴宏,原田俊 太,田川美穂,宇治原徹

    第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)  2023.12.5 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ウインクあいち(愛知県名古屋市)   Country:Japan  

  26. 4H-SiC溶液成長シミュレーションの機 械学習における転移学習によるデータ数削減

    甘原,党一帆,沓掛健太 朗,原田俊太,田川美穂, 宇治原徹

    第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)  2023.12.6 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:ウインクあいち(愛知県名古屋市)   Country:Japan  

  27. Analysis of the Effect of Solvent Composition on Suppression of Inclusion in SiC Solution Growth International conference

    Huiqin Zhou, Yuma Fukami, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023.12.2 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Nagoya University, Nagoya, Japan   Country:Japan  

  28. Exploring Phonon Localization in TitaniumChromium Oxides with Modulated International conference

    S. Harada, T. Hattori, M. Inden, S. Sugimoto, M. Itoh, M.Tagawa, T.Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023.12.2 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Nagoya University, Nagoya, Japan   Country:Japan  

  29. Optimization of experimental conditions using machine learning for large-diameter crystal growth in solution growth of SiC International conference

    Daiki Shimoda, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023.12.2 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Nagoya University, Nagoya, Japan   Country:Japan  

  30. Numerical Analysis of Macrostep Instability focusing on Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth International conference

    Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023.12.2 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Nagoya University, Nagoya, Japan   Country:Japan  

  31. Effect of Solvent Properties on Growth Process in SiC Solution Growth International conference

    Li Juanheng, Huiqin Zhou, Xin Liu, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023.12.2 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Nagoya University, Nagoya, Japan   Country:Japan  

  32. First-principles analysis of the mechanism of formation of large macrosteps by additive elements in solution growth of SiC International conference

    Shota Seki, Takahiro Kawamura, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023.12.2 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Nagoya University, Nagoya, Japan   Country:Japan  

  33. Effect of macrostep height and solution flow on formation of solvent inclusion in SiC solution growth International conference

    Yuma Fukami, Huiqin Zhou, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023.12.2 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Nagoya University, Nagoya, Japan   Country:Japan  

  34. Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) Surface Stability of Reconstructions on BAs (001) Surface: First-principles calculation International conference

    PeiYang Cai, Toru Akiyama, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023.12.2 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Nagoya University, Nagoya, Japan   Country:Japan  

  35. Polyethylene Glycol Additive controled crystallization of DNA-Functionalized Nanoparticles International conference

    Shoko Kojima, L.D. Zhang, H. Sumi, N. Ohta, H.Sekiguchi, S. Harada, T. Ujihara, K.Tsukamoto, M. Tagawa

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023.12.2 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Nagoya University, Nagoya, Japan   Country:Japan  

  36. Effects of Sodium Chloride and Deuterium Oxide on Crystal Growth of DNAFunctionalized Nanoparticles International conference

    Lidong Zhang, Maasa Yokomori, Hayato Sumi, HsinYi Chou, Shoko Kojima, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, Miho Tagawa

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)  2023.12.2 

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Nagoya University, Nagoya, Japan   Country:Japan  

  37. 機械学習によるマテリアル開発

    宇治原徹

    日本電子材料技術協会 2023年第60回秋期講演⼤会  2023.11.24 

     More details

    Event date: 2023.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (keynote)  

    Venue:名古屋大学 東山キャンパス ES総合館   Country:Japan  

  38. SiC溶液成長における溶媒インクルージョン形成のマルチスケールシミュレーション

    鄭 朗程, 周 惠琴, 黨 一帆, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023.9.20 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:熊本市   Country:Japan  

  39. GaN気相成長における結晶表面状態予測のためのデジタルツインの構築

    関 翔太, 橋爪 優果, 髙石 将輝, 角岡 洋介, 沓掛 健太朗, 園田 勉, 高橋 言緒, 井手 利英, 清水 三聡, 宇治原 徹

    2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023.9.20 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:熊本市   Country:Japan  

  40. GaN気相成長における結晶表面状態予測のための機械学習用特徴量抽出

    園田 勉, 高橋 言緒, 角岡 洋介, 高石 将輝, 関 翔太, 沓掛 健太朗, 井手 利英, 清水 三聡, 宇治原徹

    2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023.9.20 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:熊本市   Country:Japan  

  41. 大口径SiC 溶液成長における基礎技術とその応用

    宇治原徹

    日本金属学会2023年(第173回)秋期講演大会  2023.9.22 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (keynote)  

    Venue:富山市   Country:Japan  

  42. SiC溶液法における溶媒中の溶質-不純物間結合安定性の第一原理計算による解析

    関 翔太、河村 貴宏、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

    日本金属学会2023年(第173回)秋期講演大会  2023.9.22 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:富山市   Country:Japan  

  43. SiC溶液成長における炭素拡散場を介したマクロステップ相互作用の数値解析

    中西 祐貴、沓掛 健太朗、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

    日本金属学会2023年(第173回)秋期講演大会  2023.9.22 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:富山市   Country:Japan  

  44. Analysis of the Effect of Solvent Composition on Suppression of Inclusion in SiC Solution Growth International conference

    Huiqin Zhou, Yuma Fukami, Hitoshi Miura, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada and Toru Ujihara

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)  2023.9.19 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Sorrento,Italy   Country:Italy  

  45. Effects of Solution Properties on Growth Conditions of SiC Solution Growth International conference

    Juanheng Li, Zhou Huiqin, Liu Xin, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho and Ujihara Toru

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)  2023.9.20 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Sorrento,Italy   Country:Italy  

  46. Optimization of Temperature Distribution and Flow Distribution using Machine Learning for 8-Inch SiC Crystal Growth by TSSG Method International conference

    Daiki Shimoda, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa and Toru Ujihara

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)  2023.9.19 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Sorrento,Italy   Country:Italy  

  47. AI を活用した SiC溶液成長技術の開発と今後の展望

    宇治原徹

    一般社団法人ワイドギャップ半導体学会 特別公開シンポジウム  2023.9.7 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:姫路市   Country:Japan  

  48. Modulated crystallographic shear structure in titanium-chromium oxides: their structure and phonon transport properties International conference

    S. Harada, T. Hattori, M. Inden, S. Sugimoto, M. Itoh, M. Tagawa, T. Ujihara

    26TH CONGRESS AND GENERAL ASSEMBLY OF THE INTERNATIONAL UNION OF CRYSTALLOGRAPHY(IUCr2023)  2023.8.29 

     More details

    Event date: 2023.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Melbourne Convention and Exhibition Centre   Country:Australia  

  49. Effects of PEG addition on particle-particle interactions in crystal growth of DNA functionalized nanoparticles International conference

    Shoko Kojima, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, Miho Tagawa

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023.7.31 

     More details

    Event date: 2023.7 - 2023.8

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Naples, Italy   Country:Italy  

  50. Surface Stability of Reconstructions on BAs (001) Surface: An Ab InitioBased Approach International conference

    (DC)Cai Peiyang, Toru Akiyama, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023.8.3 

     More details

    Event date: 2023.7 - 2023.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Naples, Italy   Country:Italy  

  51. Effect of crystallization conditions for the enlargement of the size of DNA-functionalized nanoparticles crystals International conference

    Lidong Zhang, Maasa Yokomori, Hayato Sumi, HsinYi Chou, Shoko Kojima, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, Miho Tagawa

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023.8.2 

     More details

    Event date: 2023.7 - 2023.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Naples, Italy   Country:Italy  

  52. First-principles analysis of the activation energy of solute-additive bonds in the solvent of the SiC solution growth International conference

    Shota Seki, Takahiro Kawamura, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023.8.3 

     More details

    Event date: 2023.7 - 2023.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Naples, Italy   Country:Italy  

  53. Analysis of Macrostep Interaction via Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth International conference

    Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023.8.1 

     More details

    Event date: 2023.7 - 2023.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Naples, Italy   Country:Italy  

  54. Effect of macrostep height on formation of solvent inclusion in SiC solution growth International conference

    Yuma Fukami, Huiqin Zhou, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa,Toru Ujihara

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023.8.1 

     More details

    Event date: 2023.7 - 2023.8

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Naples, Italy   Country:Italy  

  55. Optimization method of crystal growth conditions by tacit knowledge (for large-diameter SiC solution growth) International conference

    Toru Ujihara, Masaru Isono, Kentaro Kutsukake, Ichiro Takeuchi, Koki Suzuki, Tomoaki Furusho, Miho Tagawa, Shunta Harada

    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20)  2023.7.31 

     More details

    Event date: 2023.7 - 2023.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Naples, Italy   Country:Italy  

  56. 連立微分方程式で記述される半導体プロセスシミュレーションの機械学習

    佐藤 陸彌, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023.3.18 

     More details

    Event date: 2023.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  57. SiC溶液成長法におけるパレート解に影響を与えるパラメータの考察

    霜田 大貴, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023.3.15 

     More details

    Event date: 2023.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  58. 連立微分方程式で記述される半導体プロセスシミュレーションの機械学習

    佐藤 陸彌, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023.3.18 

     More details

    Event date: 2023.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  59. 量子アニーリングを用いたプロセス最適化の検討

    眞野 幸希, 沓掛 健太朗, 丹野 航太, 中野 倖太, 丸山 伸伍, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023.3.17 

     More details

    Event date: 2023.3

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

  60. Analysis of the Effect of Solvent Composition on Suppression of Inclusion in SiC Solution Growth by Phase Field Method

    HUIQIN ZHOU, Yuma Fukami, Hisaki Takemoto, Yifan Dang, Miho Tagawa, Shunta Harada, Toru Ujihara

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023.3.15 

     More details

    Event date: 2023.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  61. SiC溶液成長におけるマクロステップ高さがインクルージョン形成に及ぼす影響

    深見 勇馬, 周 惠琴, 竹本 玖生, 黨 一帆, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023.3.15 

     More details

    Event date: 2023.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  62. SiC溶液成長における炭素拡散場を介したステップ相互作用の解析

    中西 祐貴, 沓掛 健太朗, 黨 一帆, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023.3.15 

     More details

    Event date: 2023.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  63. SiC溶液成長における粘度が流体分布、温度分布および成長速度に与える影響

    李 鐫恒, 党 一帆, 太田 壮音, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023.3.15 

     More details

    Event date: 2023.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  64. CFD simulation in solution growth aided by machine learning- Application for SiC top-seeded solution growth International conference

    Toru UJIHARA

    3rd International Symposium on Modeling of Crystal Growth Processes & Devices (MCGPD-2023)   2023.3.6 

     More details

    Event date: 2023.3

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  65. AIとオペレータの『意味』を介したコミュニケーションによる結晶成長技術開発

    宇治原徹

    AI NEXT FORUM 2023  2023.2.16 

     More details

    Event date: 2023.2

    Language:Japanese   Presentation type:Symposium, workshop panel (nominated)  

  66. Large Diameter SiC Crystal Growth assisted by AI technology International conference

    Toru UJIHARA

    33th 2022 International Symposium on Micro-Nano Mechatronics and Human Science (MHS2022)  2022.11.30 

     More details

    Event date: 2022.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (keynote)  

  67. Development of High Thermal Conductive Ceramics and High Thermal Conductive Resins Using Fibrous Aluminum Nitride Filler Invited International conference

    Toru Ujihara

    10th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2021),November 10-12, 2021  2021.11.12 

     More details

    Event date: 2022.11

    Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  68. SiC溶液法における添加元素の溶液局所構造への影響の第一原理計算による解明

    関翔太,河村貴宏,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第51回結晶成長国内会議(JCCG-51)  2022.10.31 

     More details

    Event date: 2022.10 - 2022.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  69. DNA修飾ナノ粒子の結晶成長における重水の影響

    張力東,横森真麻,太田昇,関口博,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    第51回結晶成長国内会議(JCCG-51)  2022.11.1 

     More details

    Event date: 2022.10 - 2022.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  70. SiC溶液成長における溶液の拡散がステップ成長に及ぼす影響の解明

    竹本玖生,周恵琴,深見勇馬,沓掛健太郎,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    第51回結晶成長国内会議(JCCG-51)  2022.11.1 

     More details

    Event date: 2022.10 - 2022.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  71. 大口径SiC溶液成長の現状と課題

    宇治原 徹, 鈴木 皓己, 古庄 智明, 沓掛 健太朗, 黨 一帆, 劉 欣博, 朱 燦, 周 惠琴, 深見 勇馬, 太田 壮音, 関 翔太, 霜田 大貴, 中西 祐貴, 島 颯一, 布野 日奈子, 上松 浩, 原田 俊太, 田川 美穂

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022.9.20 

     More details

    Event date: 2022.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  72. Surface Stability of reconstructions on BAs (111) surface:An Ab Initio-Based Approach

    Peiyang Cai, Toru Akiyama, TomomasaKiyozawa, Takafumi Hatano, Shunta Harada,Miho Tagawa, Hiroshi Ikuta, Toru Ujihara

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022.9.21 

     More details

    Event date: 2022.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  73. 専門家の知識を入れたものづくりのためのデータ同化(ii)-SiC溶液成長シミュレーションへの適用-

    太田 壮音, 沓掛 健太朗, 竹野 思温, 烏山 昌幸, 竹内 一郎, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022.9.22 

     More details

    Event date: 2022.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  74. 専門家の知識を入れたものづくりのためのデータ同化(i)-手法の提案-

    沓掛 健太朗, 竹野 思温, 太田 壮音, 烏山 昌幸, 竹内 一郎, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022.9.22 

     More details

    Event date: 2022.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  75. 機械学習を用いたSiC結晶の転位増殖抑制に向けた降温条件の探索

    熊谷 尚純, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022.9.22 

     More details

    Event date: 2022.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  76. 多段プロセスに対するベイズ最適化の提案 -太陽電池プロセスを例に-

    沓掛 健太朗, 中野 高志, 草川 隼也, 竹内 一郎, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022.9.22 

     More details

    Event date: 2022.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  77. SiC溶液法における溶媒への添加元素効果の第一原理計算による解析

    関 翔太, 河村 貴宏, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022.9.20 

     More details

    Event date: 2022.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  78. SiC溶液成長法における中間メルトバックによる表面平坦性の改善

    馬 叔陽, 朱 燦, 党 一帆, 劉 欣博, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日  2022.9.20 

     More details

    Event date: 2022.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  79. Analysis of Inclusion Defect Generation in SiC Solution Crystal Growth Method Using Phase-Field Model International conference

    HUIQIN ZHOU , YUMA FUKAMI, YIFAN DANG, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    2022.9.20 

     More details

    Event date: 2022.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  80. Simulation of Macrosteps Development and Design of Control Pattern for Solution Growth of SiC

    Yifan Dang, Xinbo Liu, Yuma Fukami, Shuyang Ma, Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa,Toru Ujihara

    2022.9.20 

     More details

    Event date: 2022.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  81. Analysis of effect of additives in solution growth of SiC by first-principles molecular dynamics calculation International conference

    Shota seki, Takahiro Kawamura, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2022)  2022.9.12 

     More details

    Event date: 2022.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  82. Nucleation sites of stacking faults detected by in-operando X-ray topography for designing bipolar-degradation-free SiC MOSFETs International conference

    KUMIKO KONISHI, Ryusei Fujita, Keisuke Kobayashi, Akio Yoneyama, Kotaro Ishiji, Hiroyuki Okino, Toru Ujihara, Akio Shima

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2022)  2022.9.14 

     More details

    Event date: 2022.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  83. デジタルツインを用いた最適化手法によるS iC結晶成長技術開発  Novel optimization method with digital twin for SiC crystal growth system

    宇治原徹

    シンポジウム | イノベーション共創プログラム(CIP) | デジタルトランスフォーメーションがもたらす化学・材料領域のイノベーション「デジタルトランスフォーメーションがもたらす化学・材料領域のイノベーション」、日本化学会 第102春季年会(2022)  2022年3月23日-26日  2022.3.25 

     More details

    Event date: 2022.3

  84. 暗黙知によるプロセス最適化手法の開発(SiC結晶成長プロセスを例に)

    宇治原徹

    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会、2022年 3月 22日-26日  2022.3.22 

     More details

    Event date: 2022.3

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  85. 面欠陥周期配列を含む酸化チタン自然超格子の熱輸送におけるフォノンの粒子性と波動性の定量化

    杉本 峻也、田川 美穂、宇治原 徹、原田 俊太

    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会、2022年 3月 22日-26日  2022.3.24 

     More details

    Event date: 2022.3

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  86. 面欠陥周期配列を含む酸化チタン自然超格子の熱輸送における フォノンの粒子性と波動性の定量化

    杉本 峻也, 田川 美穂, 宇治原 徹, 原田 俊太

    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会、2022年 3月 22日-26日  2022.3.24 

     More details

    Event date: 2022.3

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  87. AlNウィスカー被覆複合粒子を用いた樹脂材料厚み方向の放熱経路形成による高熱伝導化

    岡田 詩歩・ 宇治原 徹・ 田川 美穂・ 原田 俊太

    化学工学会第87年会 2022.3.16(水) - 3.18(金)  2022.3.18 

     More details

    Event date: 2022.3

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  88. 完全性の高い周期界面を含む自然超格子酸化チタンの構造制御と熱輸送特性

    原田 俊太、小坂 直輝、杉本 峻也、八木 貴志、田川 美穂、宇治原 徹

    公益社団法人日本金属学会2022年春期第170回講演大会:2022年3月15日-17日、3月22日  2022.3.16 

     More details

    Event date: 2022.3

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  89. Cr添加酸化チタンにおける面欠陥不規則配列の形成

    位田 麻衣、杉本 峻也、服部 泰河、田川 美穂、宇治原 徹、原田 俊太

    公益社団法人日本金属学会2022年春期第170回講演大会:2022年3月15日-17日、3月22日  2022.3.22 

     More details

    Event date: 2022.3

    Presentation type:Poster presentation  

  90. 畳み込みニューラルネットワークを用いたPhase-Field計算の高速化

    田中悠太、神武孝彦、林宏太郎、名大 高石将輝、沓掛健太朗、宇治原徹

    (一社)日本鉄鋼協会 第183回春季講演大会2022年3月15日-17日  2022.3.17 

     More details

    Event date: 2022.3

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  91. 機械学習による高品質 SiC 溶液成長技術とパワー半導体実装の展望

    宇治原徹

    一般社団法人エレクトロニクス実装学会関西支部 主催 第19回 技術講演会 『脱炭素社会に向けて加速するニュータイプ・パワー半導体材料・実装技術最前線』  2022.3.7 

     More details

    Event date: 2022.3

    Presentation type:Oral presentation (keynote)  

  92. デジタルツインを用いた結晶成長プロセス最適化技術(SiC溶液成長を中心に)

    宇治原徹

    CVD反応分科会第35回シンポジウム「ドライプロセスに対するプロセスインフォマティクス」  2022.1.24 

     More details

    Event date: 2022.1

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  93. 機械学習によるSiCバルク結晶成長の最適化

    宇治原徹

    日本学術振興会 第R032委員会 第5回研究会「R032委員会キックオフ研究会:ワイドギャップ半導体Ⅰ」  2022.1.7 

     More details

    Event date: 2022.1

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  94. 人と共に進化するデジタルツイン素材プロセス最適化技術(SiC溶液成長を例に)

    宇治原徹

    先端エネルギー材料理工共創研究センター 2021年度ワークショップ  2021.12.23 

     More details

    Event date: 2021.12

    Presentation type:Oral presentation (keynote)  

  95. 大口径SiC結晶成長のためのプロセスインフォマティクス技術の開発

    宇治原徹

    先進セラミックス学振124委員会 第166回講演会  2021.12.16 

     More details

    Event date: 2021.12

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  96. Large-diameter SiC crystal grown by solution growth using surrogate model Invited International conference

    Toru Ujihara

    The Material Research Meeting 2021, December 13-16, 2021  2021.12.14 

     More details

    Event date: 2021.12

    Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  97. Microstructure and properties of sintered aluminum nitride (AlN) with AlN whiskers addition International conference

    Naoki Kondo, Akihiro Shimamura, Mikinori Hotta, Hiroki Shimizu, Toru Ujihara, Yoshihiro Ohnishi

    The Material Research Meeting 2021, ,December 13-16, 2021  2021.12.15 

     More details

    Event date: 2021.12

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  98. Process optimization for the seeded directional solidification of Si ingot using CFD and machine learning International conference

    Xin Liu, Yifan Dang, Hiroyuki Tanaka, Kentaro Kutsukake, Toru Ujihara, Noritaka Usami

    The Material Research Meeting 2021, ,December 13-16, 2021  2021.12.14 

     More details

    Event date: 2021.12

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  99. 溶液法による6インチSiC結晶の成長とそれに活用したプロセス・インフォマティクス技術VI-2 Process Informatics for 6 inch SiC Solution Growth

    宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会  2021.12.10 

     More details

    Event date: 2021.12

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  100. SiCバルク結晶成長のプロセスインフォマティクス

    宇治原徹

    第26回結晶工学セミナー, 第3回インフォマティクス応用研究グループ研究会 結晶工学×インフォマティクス  2021.11.16 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

  101. DNA-functionalized colloidal crystals for encapsulating macromolecules Invited International conference

    Maasa Yokomori, Shigeo S. Sugano, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2011  2021.11.5 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  102. DNA-functionalized colloidal crystals for encapsulating macromolecules International conference

    Maasa Yokomori, ‪Shigeo S. Sugano, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, ‬Toru Ujihara, Miho Tagawa

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2021   2021.11.5 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  103. Optimization of crystallization conditions for the enlargement of the size of DNA-functionalized nanoparticles crystals International conference

    LiDong Zhang, Maasa Yokomori, HsinYi Chou, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2021   2021.11.6 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  104. DNA-guided crystallization of nanoparticles: the effect of solvent composition on crystal structure International conference

    Miho Tagawa, Maasa Yokomori, Yuji Maeda, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2021   2021.11.6 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  105. High fracture toughness aluminum nitride (AlN) by AlN-whiskers addition and tape-cast International conference

    Hiroki Shimizu, Naoki Kondo, Akihiro Shimamura, Mikinori Hotta, Shunta Harada, Toru Ujihara, Yoshihiro Ohnishi

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2020  2021.11.5 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  106. Bayesian optimization of process conditions for grinding process of SiC International conference

    Kentaro Kutsukake, Keiichi Osada, Takashi Nakano, Toru Ujihara, Kiyoshi Narita, Ryong-Seok Doi, Yukihisa Takeda

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2019  2021.11.5 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  107. Three-Dimensional Simulation of Flow in a SiC Solution Growth Furnace International conference

    Wancheng Yu, Can Zhu, Yifan Dang, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2018  2021.11.5 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  108. Searching for materials with high temperature coefficient of electrode potential for thermal energy conversion using machine learning International conference

    Kohei Ishikawa, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2017  2021.11.4 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  109. Application of C-face dislocation conversion to 6-inch SiC solution crystal growth International conference

    Can Zhu, Wancheng Yu, Koki Suzuki, Yifan Dang, Xinbo Liu, Tomoaki Furusho, Miho Tagawa, Shunta Harada, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2016  2021.11.5 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Poster presentation  

  110. Practical Cascade Bayesian Optimization for optimization of solar cell process International conference

    Takashi Nakano, Kentaro Kutsukake, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2015  2021.11.5 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  111. DNA-guided crystallization of nanoparticles: the effect of solvent composition on crystal structure International conference

    Miho Tagawa, Maasa Yokomori, Yuji Maeda, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2014  2021.11.6 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  112. Optimization of crystallization conditions for the enlargement of the size ofDNA-functionalized nanoparticles crystals International conference

    Lidong Zhang, Xinyi Zhou, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2013  2021.11.6 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  113. Thermal conduction in titanium oxide natural superlattice with an ordered arrangement of coherent interfaces International conference

    Shunta Harada, Naoki Kosaka, Shunya Sugimoto, Takashi Yagi, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    International Conference on Materials and System (ICMaSS) 2012  2021.11.6 

     More details

    Event date: 2021.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  114. 長時間SiC溶液成長における全面ステップモーフォロジィのシミュレーション

    党一帆、劉欣博、朱燦、郁万成、鈴木皓己、古庄智明、原田俊太、田川美穂、宇治原徹

    第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)、2021年10月27日~10月29日  2021.10.27 

     More details

    Event date: 2021.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  115. 擬単結晶シリコンの一方向凝固プロセスのデータ駆動型最適化と検証

    劉鑫、黨一帆、田中博之、福田祐介、沓掛健太郎、宇治原徹、宇佐美徳隆

    第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)、2021年10月27日~10月29日  2021.10.29 

     More details

    Event date: 2021.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  116. 溶液法による6インチSiC結晶成長

    宇治原徹

    第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)、2021年10月27日~10月29日  2021.10.27 

     More details

    Event date: 2021.10

  117. 完全性の高い界面を周期的に含む自然超格子酸化チタン結晶の構造制御

    原田俊太、杉本峻也、小坂直輝、田川美穂、宇治原徹

    第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)、2021年10月27日~10月29日  2021.10.27 

     More details

    Event date: 2021.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  118. Cr添加酸化チタン自然超格子における面欠陥不規則配列

    服部泰河、杉本峻也、田川美穂、宇治原徹、原田俊太

    第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)、2021年10月27日~10月29日  2021.10.27 

     More details

    Event date: 2021.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  119. Numerical Investigation and Optimization of Long-term Stability for SiC Solution Growth Invited International conference

    Y. DANG, C. ZHU, M. IKUMI, M. TAKAISHI, W. YU, W. HUANG, X. LIU, S. HARADA, T. MIHO, T. UJIHARA

    ECSCRM2021, Vinci International Convention Centre, Tours, France, 24-28 October 2021  2021.10.26 

     More details

    Event date: 2021.10

    Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  120. 6-inch SiC crystal growth by solution method assisted with AI technology Invited International conference

    C. ZHU, W. YU, K. SUZUKI, Y. DANG, T. FURUSHO, S. HARADA, M. TAGAWA, T. UJIHARA

    ECSCRM2021, Vinci International Convention Centre, Tours, France, 24-28 October 2021  2021.10.27 

     More details

    Event date: 2021.10

    Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  121. A solvent design method for SiC solution growth based on solution property induced surface stability International conference

    X. LIU, Y. DANG, S. HARADA, T. UJIHARA,

    ECSCRM2021, Vinci International Convention Centre, Tours, France, 24-28 October 2021  2021.10.27 

     More details

    Event date: 2021.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  122. 結晶成長デジタルツインを用いた大口径高品質SiC結晶の開発

    宇治原徹

    日本化学会第11回CSJ化学フェスタ2021, 産総研特別企画:プロセス・インフォマティクス~進化する材料開発の最前線~ 2021年10月19日~21日  2021.10.19 

     More details

    Event date: 2021.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  123. Controlling Protein Crystallization in Nanoliter Droplets Treated by Electrically Induced Microbubbles International conference

    Naotomo Tottori, Azusa Takao, Akiho Hirao, Akira Shinod, Akiyoshi Nakamura,Yusuke Yamada, Maasa Yokomori, Miho Tagawa, Shigeo S. Sugano, Shinya Sakuma, Yoko Yamanishi

    MicroTAS2021   2021.10.12 

     More details

    Event date: 2021.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  124. Thermal conduction in titanium oxide natural superlattice with an ordered arrangement of planar faults with pico-scale structural perfection International conference

    S. Harada, N.Kosaka, S.Sugimoto, T.Yagi, M.Tagawa, T.Ujihara

    The 2nd Asian Conference on Thermal Sciences   2021.10.5 

     More details

    Event date: 2021.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  125. Coherent thermal conduction in titanium-chrome oxide natural superlattices with an ordered arrangement of planar faults International conference

    S.Sugimoto, G.Kim, T.Takeuchi, M.Tagawa, T.Ujihara, S.Harada

    The 2nd Asian Conference on Thermal Sciences   2021.10.5 

     More details

    Event date: 2021.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  126. 溶液成長法による6インチSiC結晶の育成において活用したプロセス・インフォマティクス技術開発

    宇治原 徹、朱 燦、角岡 洋介、鈴木 皓己、郁 万成、劉 欣博、黨 一帆、古庄 智明、磯野 優、沓掛 健太朗、原田 俊太、田川 美穂

    日本金属学会2021年秋期講演大会  9/14-17  2021.9.16 

     More details

    Event date: 2021.9

  127. AI技術を活用した6インチSiCバルク結晶の溶液成長

    宇治原 徹、朱 燦、角岡 洋介、鈴木 皓己、郁 万成、劉 欣博、黨 一帆、古庄 智明、沓掛 健太朗、原田 俊太、田川 美穂、阿部 舞、田中 謙弥

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 9/10-13   2021.9.10 

     More details

    Event date: 2021.9

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  128. DNA修飾ナノ粒子超格子の結晶サイズ向上のための成長条件最適化

    張 力東、横森 真麻、周 幸儀、鷲見 隼人、太田 昇、関口 博史、原田 俊太、宇治原 徹、田川 美穂

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 9/10-13   2021.9.10 

     More details

    Event date: 2021.9

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  129. トポロジーと機械学習を用いたSiC溶液成長における流れ分布の最適化

    磯野 優、横山 知郎、沓掛 健太朗、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 9/10-13   2021.9.11 

     More details

    Event date: 2021.9

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  130. 電子基板における最大温度低減を目的とした熱源配置の最適化

    佐藤 陸彌、沓掛 健太朗、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 9/10-13   2021.9.11 

     More details

    Event date: 2021.9

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  131. SiC昇華法における機械学習を用いた炉内温度分布最適化

    井上 凱喜、古庄 智明、沓掛 健太朗、原田 俊太、田川 美穂、宇治原 徹

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 9/10-13   2021.9.10 

     More details

    Event date: 2021.9

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  132. DNA修飾ナノ粒子超格子の結晶サイズ向上のための成長条件最適化

    張力東, 横森真麻, 周幸儀, 鷲見隼人, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021.9.10 

     More details

    Event date: 2021.9

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  133. デジタルツインによる素材開発からサイバーファクトリー構想(半導体結晶成長を例にして) Invited

    宇治原徹

    半導体産業人協会SSISフォーラム  2021.9.10 

     More details

    Event date: 2021.9

    Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  134. サイバー結晶成長ファクトリー構想(大口径SiC結晶成長を例に)

    宇治原徹

    第6回IMaSS交流会  2021.9.3 

     More details

    Event date: 2021.9

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  135. IN-SITU STUDIES OF DOUBLE SHOCKLEY STACKING FAULT EXPANSION/SHRINKAGE IN NITROGEN-DOPED 4H-SIC BY SYNCHROTRON X-RAY TOPOGRAPHY International conference

    Fumihiro Fujie, Shunta Harada, Hiromasa Suo, Tomohisa Kato, Toru Ujihara

    22nd American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-22) and 20th US Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-20), AUGUST 2 - 4, 2021  2021.8.2 

     More details

    Event date: 2021.8

    Presentation type:Poster presentation  

  136. ナノ材料・構造による高度な熱制御と新展開 Invited

    宇治原徹

    応用電子物性分科会主催 7月研究例会  2021.7.15 

     More details

    Event date: 2021.7

    Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  137. 高熱伝導窒化アルミニウム繊維状フィラーの開発とその応用

    宇治原徹

    第21回 熱設計・対策技術シンポジウム  2021.6.11 

     More details

    Event date: 2021.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  138. 「調整中」

    宇治原徹

    第1回「厳環境下IoT ワイドギャップ素子研究会」  2021.6.4 

     More details

    Event date: 2021.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  139. Prediction system of CFD simulation in solution growth constructed by machine learning - Application for SiC top-seeded solution growth – Invited International conference

    Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Masaki Takaishi, Yifan Dang, Can Zhu, Koki Suzuki, Wanchang Yu, Shunta Harada, Miho Tagawa

    The Eighth International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies(EM-NANO 2021)6/1-3  2021.6.3 

     More details

    Event date: 2021.6

    Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  140. 機械学習を用いたSiCバルク結晶成長の高度化 Invited

    宇治原徹

    学振162委員会(ワイドギャップ半導体光・電子デバイス)  2021.5.14 

     More details

    Event date: 2021.5

    Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  141. Control of Periodic Structure in a Homologous Series of Titanium Oxide Bulk Crystals in Atomic Scale Invited International conference

    Shunta Harada, Shunya Sugimoto, Miho Tagawa, Toru Ujihara,

    Coherent Phonons / Phase Change / Posters, 2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit April 17-23,2021  2021.4.18 

     More details

    Event date: 2021.4

    Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  142. 面欠陥周期配列を含むCr添加酸化チタン多結晶の熱伝導率の温度依存性

    杉本 峻也, 金 柯怜, 竹内 恒博, 田川 美穂, 宇治原 徹, 原田 俊太

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021.3.16 

     More details

    Event date: 2021.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  143. ダイヤモンド半導体電界効果トランジスタの特性予測モデルの構築

    西部 愛里紗, 蜂谷 涼太, 藤井 茉美, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹, 浦岡 行治

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021.3.19 

     More details

    Event date: 2021.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  144. 放射光トポグラフィーによるSiC中の基底面転位の深さ評価

    藤榮 文博, Hongyu Peng, Tuerxun Ailihumaer, Balaji Raghothamachar, Michael Dudley, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021.3.18 

     More details

    Event date: 2021.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  145. 面欠陥周期配列を含む自然超格子酸化チタンの構造制御と熱輸送特性

    原田 俊太, 小坂 直輝, 杉本 峻也, 八木 貴志, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2021年第68回応用物理学会学術講演会  2021.3.16 

     More details

    Event date: 2021.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  146. DNAガイドのナノ粒子結晶化:構造制御と結晶対称性を維持した収縮制御 Invited

    田川美穂, 鷲見隼人, 横森真麻, 前田勇士, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹

    日本物理学会第76回年次大会(領域9結晶成長)  2021.3.13 

     More details

    Event date: 2021.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  147. Protein crystallization in microdroplets with the aid of electrically induced microbubbles Invited International conference

    A. Hirao, N. Tottori, M. Yokomori, M.Tagawa, S. S. Sugano, S. Sakuma, Y. Yamanishi

    The 34th IEEE Int. Conf. on Micro Electro Mechanical Systems (IEEE MEMS 2021)  2021.1.25 

     More details

    Event date: 2021.1

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  148. 顕微ラマン分光法によるGaN結晶中の貫通転位のひずみイメージングStrain imaging of threading dislocations in GaN crystal by micro-Raman spectroscopy Invited

    小久保 信彦,角岡 洋介, 藤榮文博,恩田正一,山田永,清水三聡,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第7回講演会  2020.12.10 

     More details

    Event date: 2020.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  149. Prediction system of CFD simulation in solution growth constructed by machine learning - Application for SiC top-seeded solution growth – Invited International conference

    Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Tomoki Endo, Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa

    17th China International Forum on Solid State Lighting & 2020 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA&IFWS 2020)  2020.11.24 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:China  

  150. SiC溶液成長の最適化におけるプロセスインフォマティクスの活用

    宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.9 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  151. DNA修飾ナノ粒子コロイド結晶化における結晶性に及ぼす塩濃度の影響

    鷲見隼人, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.11 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  152. DNA修飾ナノ粒子超格子のサイズ・結晶性に及ぼす修飾DNA鎖長の影響

    鈴木康平, 太田昂, 関口博史, 鷲見隼人, 横森真麻, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.11 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  153. DNA修飾ナノ粒子超格子結晶化における塩濃度が粒子間相互作用に与える影響

    楊冰琦, 鷲見隼人, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.11 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  154. CFDによるステップバンチング挙動シミュレーション

    劉欣博, 党一帆, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.11 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  155. Cr添加酸化チタン結晶における面欠陥周期構造の制御

    杉本峻也, 田川美穂, 宇治原徹, 原田俊太

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.10 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  156. SiC結晶成長における機械学習を用いた炉内温度分布の予測

    吉村太一, 岡野泰則, 宇治原徹, Sadik Dost

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.10 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  157. 説明可能機械学習を用いたTSSG-SiC結晶作製時の移動現象解析

    中野高志, 土肥龍錫, 沓掛健太郎, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.10 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  158. SiCウェハ研削におけるデータ解析と人間の知見を反映した制約つきベイズ最適化

    中野高志, 土肥龍錫, 沓掛健太郎, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.10 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  159. 長時間安定SiC溶液成長における経時変化のシミュレーションと最適化

    党一帆, 朱燦, 幾見基希, 郁万成,黄威, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.10 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  160. SiC溶液成長における機械学習を用いた固-液界面形状の時間変化の推定

    高石将輝, 党一帆, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.9 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  161. 放射光トポグラフィー高温その場観察による窒素添加4H-SiC結晶における積層欠陥エネルギーの定量化

    藤榮文博, 原田俊太, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.9 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  162. SiC溶液成長における境界層とステップバンチングの関係

    海野高天, 朱燦, 原田俊太, 劉欣博, 幾見基希, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.9 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  163. Si-Y溶媒を用いたSiC溶液成長中の自然核生成による多結晶析出の抑制

    幾見基希, 朱燦, 原田俊太, 党一帆, 海野高天, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.9 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  164. 溶液法によるBPDフリー3インチSiC結晶の成長

    朱燦, 郁万成, 黄威, 幾見基希, 党一帆, 海野高天, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.9 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  165. 機械学習支援による溶液成長法を用いた6インチSiC作製手法の確立

    郁万成, 朱燦, 角岡洋介, 黄威, 党一帆, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.9 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  166. 機械学習を用いたSiC溶液法の温度・流速分布の次元削減とロバスト性評価

    磯野優, 小山幸典, 沓掛健太郎, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.9 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  167. SiC昇華法におけるベイズ最適化を用いた高品質・高速成長条件の探索

    井上凱喜, 沓掛健太郎, 原田俊太,田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.9 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  168. 高温環境下におけるGaN基板中の貫通転位の構造変化の解明

    水野竜太郎, 藤榮文博, 山田永, 原田俊太, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.9 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  169. 時間的な温度差により熱エネルギーを電気に変換する熱電池の構築

    陳曄, 石川晃平, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.9 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  170. 分子線エピタキシーによるBAs薄膜の成長条件の検討

    蔡沛陽, 畑野敬史, 原田俊太, 生田博志, 宇治原徹

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)  2020.11.9 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  171. Automatic Detection of Dislocation contrasts in Birefringence Image of SiC Wafers Using Variance Filter Method International conference

    Akira Kawata, Kenta Murayama, Shogo Sumitani, Shunta Harada

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)  2020.9.29 

     More details

    Event date: 2020.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  172. 素材プロセスにおける機械学習の応用法

    宇治原徹

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020.9.8 

     More details

    Event date: 2020.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  173. Siエピタキシャル成長プロセスにおける適応的な制約を用いたベイズ最適化

    長田圭一, 沓掛健太朗, 山本純, 山下茂雄, 小寺崇, 永井勇太, 堀川智之, 松井孝太, 竹内一郎, 宇治原徹,

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020.9.10 

     More details

    Event date: 2020.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  174. イオン注入シミュレーションに対する機械学習の適用

    蜂谷涼太, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020.9.9 

     More details

    Event date: 2020.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  175. 溶液法による高品質N型3インチ4H-SiC結晶の成長

    朱 燦, 郁 万成, 幾見 基希, 党 一帆, 安藤 圭理, 海野 高天, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    日本金属学会第166回公演大会 

     More details

    Event date: 2020.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  176. X線トポグラフィー高温その場観察による4H-SiC結晶における積層欠陥エネルギーの直接測定

    藤榮 文博, 原田 俊太, 宇治原 徹

    日本金属学会第166回公演大会 

     More details

    Event date: 2020.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  177. Numerical investigation of optimal control of SiC crystal growth in the RF TSSG system using machine learning International conference

    Wang L, Sekimoto A, Okano Y, Ujihara T

    SCEJ2020(International Chemical Engineering Symposia 2020) 

     More details

    Event date: 2020.3

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  178. 深層強化学習を用いたRF-TSSG法によるSiC結晶成長プロセスの最適化

    岡野 泰則, ワン レイ, 竹原 悠人, 関本 敦, 宇治原 徹

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2020.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:上智大学 四谷キャンパス   Country:Japan  

  179. 異なる熱伝導率を有する複数の断熱材を用いたRF-TSSG法によるSiC結晶成長時の温度場制御

    岡野 泰則, 竹原 悠人, ワン レイ, 関本 敦, 宇治原 徹

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2020.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:上智大学 四谷キャンパス   Country:Japan  

  180. In-situ observation of stacking faults expansion in 4H-SiC at high tempera-tures by synchrotron X-ray topography International conference

    Fumihiro Fujie, Shunta Harada, Hiromasa Suo, Tomohisa Kato, Toru Ujihara

    APWS2019 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  181. Effect of polyethylene glycol induced depletion attraction on DNA-functionalized nanoparticle crystalization International conference

    Shoko Kojima, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    OKINAWA COLLOIDS 2019 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  182. DNA-guided crystallization of nanoparticles: optimization of crystallization conditions and structure analysis International conference

    Miho Tagawa, Shoko Kojima, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  183. Thermal Conduction in Magneli Phase Titanium Oxides with an Ordered Arrangement of Planar Faults in Nanoscale International conference

    Shunta Harada, Naoki Kosaka, Takashi Yagi, Katsushi Tanaka, Haruyuki Inui, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  184. Direct Observation of Stacking Fault Expansion Process in 4H-SiC by In-situ Synchrotron X-ray Topography International conference

    F.Fujie, S. Harada, H. Suo, T Kato, T.Ujihara

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  185. Application of C face dislocation conversion technique to 2-inch SiC crystal growth International conference

    X. Liu, C. Zhu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  186. Application of high-quality SiC solution growth to large size crystal International conference

    C. Zhu, T. Endo, T. Unno, H. Koizumi, S.Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  187. Manipulation" of Acetaminophen Crystallization and Discovery of Two- Step Dissolution Process by Plasmonic Optical Tweezers International conference

    Hiromasa Niinomi, Teruki Sugiyama, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Katsuhiko Miyamoto, Takashige Omatsu, Jun Nozawa, Junpei Okada, Satoshi Uda

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  188. Change in thermal conductivity of amorphous WO3 films by lithium intercalation International conference

    Ryota Kobayashi, Tong Shen, Ayano Nakamura,Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  189. Structural stability analysis of DNA-guided nanoparticle superlattice by direct dehydration International conference

    Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  190. Real-time visualization for temperature and fluid flow by using numerical simulation and neural network International conference

    Goki Hatasa, Yosuke Tsunookar, Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  191. Behavior of dislocations in GaN epitaxial layer propagating from substrate International conference

    Sho Inotsume, Nobuhiko Kokubo, Hisashi Yamada, Shoishi Onda, Jun Kojima, Junji Ohara Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  192. Relationship between crystal orientation of Cu collectors and cycling stability of Li metal anodes International conference

    Kohei Ishikawa, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  193. Estimation of Physical Properties Using Machine Learning for Accurate Numerical Modeling of Crystal Growth International conference

    K. Ando, H. Lin, Y. Tsunooka, T. Narumi, C. Zhu, K. Kutsukake, S. Harada, K.Matsui, I. Takeuchi, Y. Koyama, Y. Kawajiri, M. Tagawa, T. Ujihara

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  194. Photoligation based RNA quantification system for high throughput and bias- less transcriptome analysis International conference

    M. Y okomori, M. Tagawa, S. Harada, T. Ujihara, A. Suyama

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  195. High-brightness pulsed electron microscopy toward advanced measurement of time-evolution in nanomaterials International conference

    Makoto Kuwahara, Rina Yokoi, Lila Mizuno, Wataru Nagata, Yuya Yoshida, Takafumi Ishida, Toru Ujihara, Koh Saitoh

    ICMaSS 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  196. 溶液法による高品質N型およびP型3インチ4H-SiC結晶の成長

    朱 燦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第48回結晶成長国内会議(JCCG-48) 

     More details

    Event date: 2019.10 - 2019.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪大学   Country:Japan  

  197. Water resistance of AlN whiskers depending on the shape International conference

    NAKAMURA Akihito, HARADA Shunta, MATSUMOTO Masaki, WATANABE Shota, TAGAWA Miho, UJIHARA Toru

    PACRIM13 

     More details

    Event date: 2019.10 - 2019.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  198. 樹脂の高熱伝導率化を実現する AlNウィスカーフィラーの開発 Invited

    宇治原 徹

    粉体粉末冶金協会 2019年度秋季大会(第124 回講演大会) 

     More details

    Event date: 2019.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:名古屋大学 豊田講堂シンポジオンホール   Country:Japan  

  199. 樹脂の高熱伝導率化を実現する AlNウィスカーフィラーの開発 Invited

    宇治原 徹

    一般社団法人 粉体粉末冶金協会 2019年度秋季大会 

     More details

    Event date: 2019.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:名古屋大学 豊田講堂   Country:Japan  

  200. AI 技術を用いたSiC 溶液成長技術の確立 Invited

    宇治原 徹

    産総研コンソーシアム名古屋工業技術協会 2019年度第1回研究会 

     More details

    Event date: 2019.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:名古屋駅前イノベーションハブ   Country:Japan  

  201. AI技術を用いたSiC溶液成長技術の確立 Invited

    宇治原 徹

    産総研コンソーシアム名古屋工業技術協会 2019年度第1回研究会 「AI、機械学習の応用事例」 

     More details

    Event date: 2019.10

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:名古屋駅前イノベーションハブ 会議室   Country:Japan  

  202. 結晶成長における機械学習活用(SiC溶液成長を例に) Invited

    宇治原 徹

    第53回 化学工学の進歩講習会「最新情報技術活用によるプロセス産業スマート化- AI,IoT,MI の基礎から最前線まで -」 

     More details

    Event date: 2019.10

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:名古屋市工業研究所(名古屋市熱田区六番3-4-41 )第1 会議室   Country:Japan  

  203. 樹脂の高熱伝導率化を実現する AlNウィスカーフィラーの開発 Invited

    宇治原 徹

    粉体粉末冶金協会 2019年度秋季大会(第124 回講演大会) 

     More details

    Event date: 2019.10

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:名古屋大学 豊田講堂   Country:Japan  

  204. The control of conduction type in high quality bulk solution growth of SiC International conference

    Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICSCRM2019 

     More details

    Event date: 2019.9 - 2019.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  205. Threading Screw Dislocations Conversion and Suppression of Inclusions in 3-inch 4° off-axis C-face 4H-SiC Solution Growth with Pure Si International conference

    TAKAMA UNNO, CAN ZHU, SHUNTA HARADA, HARUHIKO KOIZUMI, MIHO TAGAWA, TORU UJIHARA

    ICSCRM2019 

     More details

    Event date: 2019.9 - 2019.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  206. Application of high-quality SiC solution growth to large size crystal International conference

    Can Zhu, Tomoki Endo, Takama Unno, Haruhiko Koizumi, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    ICSCRM2019 

     More details

    Event date: 2019.9 - 2019.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  207. Nitrogen Concentration Dependence of Expansion Behavior of Double Shockley Stacking Faults in 4H-SiC Studied by In-situ Synchrotron X-ray Topography International conference

    Fumihiro Fujie, Shunta Harada, Hiromasa Suo, Tomohisa Kato, Toru Ujihara

    ICSCRM2019 

     More details

    Event date: 2019.9 - 2019.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  208. 機械学習を用いたµビームX線回折マッピングの特徴領域の効率的推定

    穂積 祥太, 沓掛 健太朗, 松井 孝太, 佐々木 拓生, 宇治原 徹, 竹内 一郎

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:北海道大学 札幌キャンパス   Country:Japan  

  209. AlGaN/GaN HEMTのIV特性に対する機械学習 International conference

    蜂谷 涼太, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美 穂, 宇治原 徹

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:北海道大学 札幌キャンパス   Country:Japan  

  210. SiC結晶成長シミュレーションのノンパラメトリック機械学習

    小山 幸典, 角岡 洋介, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:北海道大学 札幌キャンパス   Country:Japan  

  211. SiC溶液成長における温度・流速の局所分布からの全体分布予測

    高石 将輝, 小山 幸典, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:北海道大学 札幌キャンパス   Country:Japan  

  212. X線小角散乱法と回転結晶法を用いたコロイド単結晶中 の格子乱れの解析

    鷲見 隼人, 太田 昇, 関口 博史, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:北海道大学 札幌キャンパス   Country:Japan  

  213. 水素挿入に伴う結晶性WO3薄膜の熱伝導率の変化

    沈 統, 小林 竜大, 石川 晃平, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:北海道大学 札幌キャンパス   Country:Japan  

  214. Determination of edge-component Burgers vector of threading dislocations in GaN crystal by using Raman mapping Invited

     More details

    Event date: 2019.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  215. 結晶成長プロセス最適化における機械学習の活用 Invited

    宇治原徹

    日本物理学会2019秋季大会 

     More details

    Event date: 2019.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:岐阜大学   Country:Japan  

  216. Analysis of Inclined Threading Dislocation from GaN [0001] by Raman mapping International conference

    N. Kokubo, S. Inotsume, Y. Tsunooka, F. Fujie, J. Ohara, S. Onda, H. Yamada, M. Shimizu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    SSDM 2019 

     More details

    Event date: 2019.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  217. 機械学習によるSiC結晶成長プロセスの最適化と大口径化の試み Invited

    宇治原 徹

    ポスト「京」重点課題⑧・重点課題⑥ 第3 回HPC ものづくり統合ワークショップ 

     More details

    Event date: 2019.9

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:東京大学生産技術研究所内An 棟4 階セミナー室   Country:Japan  

  218. HIGH QUALITY AND INCLUSION SUPPRESSION BY SWITCHING FLOW IN 3-INCH SIC SOLUTION GROWTH International conference

    C. Zhu, T. Endo, H. Lin, H. Koizumi, S. Harada, M. Tagawa, T.Ujihara

    ICCGE-19 

     More details

    Event date: 2019.7 - 2019.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   Country:United States  

  219. OPTICAL ANOMALY OF GAN AND SIC CRSYTALS AS OBSERVED BY NEW OPTICAL MAIN AXIS MAPPING International conference

    K. Tsukamoto, M. Imanishi, H. Koizumi, T. Onuma, T. Ujihara, Y. Mori

    ICCGE-19 

     More details

    Event date: 2019.7 - 2019.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   Country:United States  

  220. ESTIMATION OF HIGH-TEMPERATURE PHYSICAL PROPERTIES BY MACHINE LEARNING TOWARD ACCURATE NUMERICAL MODELING OF CRYSTAL GROWTH International conference

    K. Ando, H. Lin, Y. Tsunooka, T. Narumi, C. Zhu, K. Kutsukake, S. Harada, K. Matsui, I. Takeuchi, Y. Koyama, Y. Kawajiri, M. Tagawa, T. Ujihara

    ICCGE-19 

     More details

    Event date: 2019.7 - 2019.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   Country:United States  

  221. THE OPTIMUM DESIGN OF DNA-GUIDED NANOPARTICLE SUPERLATTICES FOR DIRECT DEHYDRATION International conference

    H. Sumi, T. Isogai, S. Kojima, N. Ohta, H. Sekiguchi, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    ICCGE-19 

     More details

    Event date: 2019.7 - 2019.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   Country:United States  

  222. IN-SITU SYNCHROTRON X-RAY TOPOGRAPHY STUDIES OF STACKING FAULTS EXPANSION PROCESS IN N-TYPE 4H-SIC CRYSTALS International conference

    F. Fujie, S. Harada, H. Suo, T. Kato, T. Ujihara

    ICCGE-19 

     More details

    Event date: 2019.7 - 2019.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   Country:United States  

  223. DESIGN OF SIC SOLUTION GROWTH CONDITION UTILIZING PREDICTION MODEL CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING AND MATHEMATICAL OPTIMIZATION International conference

    S. Harada, H. Lin, C. Zhu, T. Narumi, Y. Tsunooka, T. Endo, K. Ando, K. Kutsukake, M. Tagawa, T. Ujihara

    ICCGE-19 

     More details

    Event date: 2019.7 - 2019.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   Country:United States  

  224. PREDICTION MODEL OF COMPUTATIONAL FLUID DYNAMICS BASED ON NEURAL NETWORK CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING AND PROCESS OPTIMIZATION OF SIC SOLUTION GROWTH Invited International conference

    T. Ujihara, Y. Tsunooka, H. Lin, C. Zhu, T. Narumi, K. Kutsukake, S. Harada, M. Tagawa

    ICCGE-19 

     More details

    Event date: 2019.7 - 2019.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   Country:United States  

  225. MANIPULATION OF ACETAMINOPHEN CRYSTALLIZATION AND DISCOVERY OF TWO-STEP DISSOLUTION PROCESS BY PLASMONIC OPTICAL TWEEZERS Invited International conference

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, K. Miyamoto, T.Omatsu, J. Nozawa, J. Okada, S. Uda

    ICCGE-19 

     More details

    Event date: 2019.7 - 2019.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   Country:United States  

  226. VIRTUAL VISUALIZATION SYSTEM FOR INNER STATE IN HIGH-TEMPERATURE SOLUTION GROWTH USING PREDICTION MODEL OF COMPUTATIONAL FLUID DYNAMICS CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING International conference

    T. Ujihara, G. Hatasa, K. Murayama, Y. Tsunooka, S. Harada, M.Tagawa

    ICCGE-19 

     More details

    Event date: 2019.7 - 2019.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Keystone Resort and Conference Center, Colorado   Country:United States  

  227. SiC溶液成⻑法の最適条件予測におけるデータ科学の活⽤ Invited

    宇治原徹

    素材プロセシング第69委員会 第2分科会(新素材関連技術) 第73回研究会 

     More details

    Event date: 2019.7

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:東北大学   Country:Japan  

  228. 機械学習によるSiC溶液成長シミュレーションの代理モデルの構築と成長条件最適化 Invited

    宇治原徹

    応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第217 回研究集会 

     More details

    Event date: 2019.7

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:応物会館   Country:Japan  

  229. Behavior of Dislocations Propagating from GaN Substrate to Epitaxial Layer International conference

    Sho Inotsume, Nobuhiko Kokubo, Hisashi Yamada, Shoichi Onda, Jun Kojima, Junji Ohara, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 

     More details

    Event date: 2019.7

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Hyatt Regency Bellevue Washington   Country:United States  

  230. A Novel Birefringent Observation for Analyzing Dislocations in GaN International conference

    Atsushi Tanaka, Shunta Harada, Kenji Hanada, Yoshio Honda,Toru Ujihara, Hiroshi Amano

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 

     More details

    Event date: 2019.7

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Hyatt Regency Bellevue Washington   Country:United States  

  231. SiC溶液成長法の最適条件予測におけるデータ科学の活用 Invited

    宇治原 徹

    日本学術振興会 素材プロセシング第69委員会 第2分科会(新素材関連技術)第73回研究会 

     More details

    Event date: 2019.7

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:東北大学 多元物質科学研究所大会議室(片平キャンパス E03 1階)   Country:Japan  

  232. 結晶成長実験における機械学習の応用(SiC溶液成長を例に) Invited

    宇治原徹

    日本結晶成長学会 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長分科会講演会 

     More details

    Event date: 2019.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:広島大学   Country:Japan  

  233. プラズモン光ピンセットによる有機分子の結晶化操作と二段階溶解過程の発見

    新家寛正、杉山輝樹、田川美穂、宇治原徹、宮本克彦、尾松考茂、野澤純、岡田純平、宇田聡

    日本地球惑星科学連合(JpGU2019) 

     More details

    Event date: 2019.5

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:幕張メッセ国際会議場,国際展示場   Country:Japan  

  234. DNAガイドのナノ粒子結晶化:結晶化条件の最適化と構造解析 Invited

    田川美穂、小島憧子、鷲見隼人、西部愛里紗、磯貝卓巳、横森真麻、原田俊太、宇治原徹、塚本勝男

    日本地球惑星科学連合(JpGU2019) 

     More details

    Event date: 2019.5

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:幕張メッセ国際会議場,国際展示場   Country:Japan  

  235. Machine Learning for SiC top-seeded solution growth- Prediction, Optimization and Visualization International conference

    Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Goki Hatasa, Can Zhu, Kentaro Kutsukake, Taka Narumi, Shunta Harada, Miho Tagawa

    CS-MANTECH 

     More details

    Event date: 2019.4 - 2019.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Hyatt Regency Minneapolis   Country:United States  

  236. Machine learning for SiC crystal growth (modeling, optimization and visualization) Invited International conference

    T. Ujihara

    International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals(ISSCGF) 

     More details

    Event date: 2019.4 - 2019.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:Convention Hall of Hotel Sakan, Akiu, Sendai, Japan   Country:Japan  

  237. Lithium Intercalation-Induced Thermal Conductivity Change of AmorphousWO3 Films International conference

    Ryuta Kobayashi,Tong Shen,Ayano Nakamura, Shunta Harada,Miho Tagawa, Toru Ujihara

    MRS Spring Meeting & Exhibit 

     More details

    Event date: 2019.4

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Phoenix Convention Center   Country:United States  

  238. Thermal Conduction in Titanium Oxide with an Ordered Arrangement of Planar Faults in Nanoscale International conference

    Shunta Harada, Naoki Kosaka, Takashi Yagi, Katsushi Tanaka, Haruyuki Iuni, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    MRS Spring Meeting & Exhibit 

     More details

    Event date: 2019.4

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Phoenix Convention Center   Country:United States  

  239. 結晶成長実験における機械学習の応用(SiC溶液成長を例に) Invited

    宇治原徹

    平成31年度日本セラミックス協会関東支部 支部大会・支部講演会 

     More details

    Event date: 2019.4

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス、南8号館623教室   Country:Japan  

  240. 結晶成長における機械学習の活用(SiC溶液成長を例にして) Invited

    宇治原 徹

    日本セラミックス協会「マテリアルズ・インフォマティクスを用いた新材料開発」 

     More details

    Event date: 2019.4

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス南8号館623教室   Country:Japan  

  241. 炭化珪素結晶成長シミュレーションに対する機械学習

    小山幸典, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 宇治原徹

    日本金属学会 2019年春期講演大会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京電機大学 東京千住キャンパス   Country:Japan  

  242. 機械学習モデルと実験結果の比較による物性値推定手法のSiC溶液成長における融液物性への適用

    安藤圭理, 林宏益, 角岡洋介, 鳴海大翔, 朱燦, 沓掛健太朗, 原田俊, 松井孝太, 竹内一郎, 小山幸典, 宇治原徹

    日本金属学会 2019年春期講演大会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京電機大学 東京千住キャンパス   Country:Japan  

  243. 機械学習を用いた SiC 溶液成長法の熱流動の高速予測と育成条件の最適化に関する基礎検討

    鳴海大翔, 林宏益, 角岡洋介, 安藤圭理, 朱燦, 沓掛健太朗, 原田俊太, 宇治原徹

    日本金属学会 2019年春期講演大会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京電機大学 東京千住キャンパス   Country:Japan  

  244. SiC 溶液成長過程における転位変換現象を利用した高品質結晶成長

    原田俊太, 朱燦, 遠藤友樹, 小泉晴比古, 鳴海大翔, 田川美穂, 宇治原徹

    日本金属学会 2019年春期講演大会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京電機大学 東京千住キャンパス   Country:Japan  

  245. ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシング

    吉川健, 福山博之, 宇治原徹, 美濃輪武久

    日本金属学会 2019年春期講演大会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京電機大学 東京千住キャンパス   Country:Japan  

  246. 顕微ラマン分光法によるGaN中の転位欠陥解析と機械学習の活用

    宇治原徹, 小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 井爪将, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  247. Doc2Vecを用いた学会発表概要集の検索手法の検討

    石川晃平, 沓掛健太朗 , 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  248. Li挿入によるWO3薄膜の構造及び熱伝導率の変化

    小林竜大, 沈統, 中村彩乃, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  249. 逆解析によるRF-TSSG 法によるSiC 結晶成長時のるつぼ温度最適化

    岡野泰則, 堀内鷹之, 関本敦, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  250. 機械学習による結晶成長シミュレーション回帰モデルの構築とその応用

    宇治原徹, 角岡洋介, 朱燦, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 田川美穂, 原田俊太

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  251. 機械学習を用いた昇華法SiC結晶成長シミュレーションの高速予測

    江逸群, 角岡洋介, 畑佐豪記, 鳴海大翔, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  252. 大口径化にむけた機械学習によるSiC溶液成長の最適成長条件の決定

    宇治原徹, 角岡洋介, 遠藤友樹, 朱燦, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 三谷武志, 加藤智久, 田川美穂, 原田俊太

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  253. 3インチ4度オフ種結晶上へのSiC溶液成長における貫通転位変換とインクルージョン抑制の両立

    海野高天, 朱燦, 原田俊太, 小泉晴比古, 田川美穂, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  254. 高熱伝導樹脂を実現するAlNウィスカーフィラーの開発とベンチャー

    宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  255. 機械学習によって構築した温度分布予測モデルによる熱伝導率推定

    樋口雄介, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  256. SiC結晶成長シミュレーションの機械学習

    小山幸典, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 宇治原徹

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  257. シミュレーションと機械学習を用いた結晶成長プロセスの最適化

    角岡洋介, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    オープンCAEシンポジウム2018 

     More details

    Event date: 2018.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪府立国際会議場   Country:Japan  

  258. Machine Learning for SiC top-seeded solution growth - Prediction, Optimization and Visualization - Invited International conference

    Toru Ujihara

    MSST2018 

     More details

    Event date: 2018.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:Kanto Gakuin University Shonan-Odawara Campus, Odawara Japan   Country:Japan  

  259. Change in thermal conductivity of rutile-type TiO2 by introducing periodic planar faults International conference

    N. Kosaka, T. Yagi, K. Tanaka, H. Inui, M. Tagawa, T. Ujihara, S. Harada

    NMHT-VI: Nanoscale and Microscale Heat Transfer 2018 

     More details

    Event date: 2018.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Finland  

  260. Machine Learning for SiC top-seeded solution growth - Prediction, Optimization and Visualization - Invited International conference

     More details

    Event date: 2018.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  261. 金属 Zn 負極の方位配向がデンドライト状析出の形成に及ぼす影響

    森仁志, 石川晃平, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第59回 電池討論会 

     More details

    Event date: 2018.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪府立国際会議場   Country:Japan  

  262. 金属 Li 負極における単結晶 Cu 集電体の結晶方位とサイクル特性の関係

    石川晃平, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第59回 電池討論会 

     More details

    Event date: 2018.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪府立国際会議場   Country:Japan  

  263. Dehydration stability analysis of DNA-guided nanoparticle superlattices International conference

    H. Sumi, T. Isogai, S. Kojima, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    2018 MRS fall meeting(MATERIALS RESEARCH SOSIETY) 

     More details

    Event date: 2018.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  264. Nondestructive Visualization of Threading Dislocations in GaN by Micro Raman Mapping International conference

    N. Kokubo, Y. Tsunooka, F. Fujie, J. Ohara, S. Onda, H. Yamada, M. Shimizu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018(IWN2018) 

     More details

    Event date: 2018.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  265. ラマン分光法と機械学習によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析 Invited

    小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第5回講演会 

     More details

    Event date: 2018.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:京都テルサ   Country:Japan  

  266. SiC溶液成長における機械学習を用いた成長条件の最適化

    角岡洋介, 鳴海大翔 , 安藤圭理, 沓掛健太朗, 朱燦, 林宏益, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第5回講演会 

     More details

    Event date: 2018.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:京都テルサ   Country:Japan  

  267. Structural change and stability analysis of DNA-guided nanoparticle fcc superlattice by dehydration International conference

    H. Sumi, T. Isogai, S. Kojima, N. Ohta, H. Sekiguchi, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals(ISSCGF) 

     More details

    Event date: 2018.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  268. Machine learning for SiC crystal growth (modeling, optimization and visualization) International conference

    T. Ujihara

    International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals(ISSCGF) 

     More details

    Event date: 2018.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  269. 樹脂の熱伝導率を向上させるAlN ウィスカーフィラーについての開発 Invited

    宇治原 徹

    第26 回フィラーシンポジウム 

     More details

    Event date: 2018.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:ホテルグランテラス富山   Country:Japan  

  270. タンパク質をモデルとした溶液成長における溶媒和構造と結晶性との相関

    小泉晴比古, 宇田聡, 塚本勝男, 橘勝, 小島謙一, 宇治原徹

    第47回結晶成長国内会議 

     More details

    Event date: 2018.10 - 2018.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:仙台市戦災復興記念館   Country:Japan  

  271. DNA修飾ナノ粒子の結晶化における溶媒組成の結晶構造への影響

    磯貝卓巳, 鷲見隼人, 小島憧子, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第47回結晶成長国内会議 

     More details

    Event date: 2018.10 - 2018.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:仙台市戦災復興記念館   Country:Japan  

  272. DNA修飾ナノ粒子を用いたコロイド単結晶の脱水に伴う構造変化と安定性の解析

    鷲見隼人, 磯貝卓巳, 小島憧子, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    第47回結晶成長国内会議 

     More details

    Event date: 2018.10 - 2018.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:仙台市戦災復興記念館   Country:Japan  

  273. TSSG法SiC結晶成長におけるるつぼ温度分布最適化に向けた逆解析

    堀内鷹之, 関本敦, 岡野泰則, 宇治原徹

    第47回結晶成長国内会議 

     More details

    Event date: 2018.10 - 2018.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:仙台市戦災復興記念館   Country:Japan  

  274. 機械学習により最適化されたSiCウエハのX線侵入深さに着眼した深さ方向の歪み分布の定量化

    小泉晴比古, 花田賢志, 長田圭一, 成田潔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第47回結晶成長国内会議 

     More details

    Event date: 2018.10 - 2018.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:仙台市戦災復興記念館   Country:Japan  

  275. Prediction System of CFD Simulation in Solution Growth Constructed by Machine Learningapplication for Sic Top-seeded Solution Growth International conference

    T. Ujihara, Y. Tsunooka, T. Endo, C. Zhu, S. Harada

    International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9) 

     More details

    Event date: 2018.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  276. Numerical Investigation of Optimal Crystal Growth Furnace Design in the RF-heating TSSG Process International conference

    T. Horiuchi, L. Wang, T. Yamamoto, A. Sekimoto, Y. Okano, T. Ujihara

    International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9) 

     More details

    Event date: 2018.10

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  277. Numerical Analysis of Three-dimensional Marangoni Convection During SiC Crystal Growth by the RF-TSSG Method International conference

    L. Wang, T. Horiuchi, A. Sekimoto, Y. Okano, T. Ujihara, S, Dost

    International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9) 

     More details

    Event date: 2018.10

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  278. High-quality SiC crystal grown with solution method by controlling macro-step structure International conference

    T. Ujihara

    Mathematical Aspects of Surface and Interface Dynamics 16 

     More details

    Event date: 2018.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  279. High-quality SiC crystal grown with solution method by controlling macro-step structure Invited International conference

    Ujihara T

    Mathematical Aspects of Surface and Interface Dynamics 14研究集会 

     More details

    Event date: 2018.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  280. Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collectors on Cycling Stability of Li Metal Anodes International conference

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    AiMES 2018 ECS and SMEQ Joint International Meeting 

     More details

    Event date: 2018.9 - 2018.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Mexico  

  281. Change in Thermal Conductivity By Hydrogen Intercalation in Amorphous WO3 Film International conference

    A. Nakamura, S. Harada, R. Kobayashi, M. Tagawa, T. Ujihara

    AiMES 2018 ECS and SMEQ Joint International Meeting 

     More details

    Event date: 2018.9 - 2018.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Mexico  

  282. プロジェクションマッピングと機械学習を用いた結晶成長プロセスにおける熱流動の可視化システムの構築

    畑佐豪記, 角岡洋介, 李相一, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 石黒祥生, 宇治原徹

    第23回日本バーチャルリアリティ学会大会 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東北大学青葉山新キャンパス 青葉山コモンズ   Country:Japan  

  283. 窒素・ボロン共添加SiC結晶における積層欠陥挙動のX線トポグラフィーその場観察

    藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹

    公益社団法人 日本金属学会 2018 年秋期講演(第 163 回) 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東北大学   Country:Japan  

  284. 還元熱処理により作製した Magneli 相酸化チタンの周期構 造と熱伝導特性

    原田俊太, 小坂直輝, 八木貴志, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹

    公益社団法人 日本金属学会 2018 年秋期講演(第 163 回) 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東北大学   Country:Japan  

  285. 随伴感度解析を用いたTSSG法SiC結晶成長におけるるつぼ内熱対流の最適化

    堀内鷹之, 関本敦, 岡野泰則, 宇治原徹

    化学工学会 第50回秋季大会 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:鹿児島大学 郡元キャンパス   Country:Japan  

  286. AI技術で結晶成長研究開発を桁違いに高速にする -SiC結 晶成長を例にして- Invited

    宇治原徹

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  287. High quality and inclusion suppression by switching flow in 3-inch SiC solution growth

    C. Zhu, T. Endo , S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  288. ルチル型TiO2単結晶への周期的な面欠陥導入に伴う熱伝導率の変化

    小坂直輝, 八木貴志, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹, 原田俊太

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  289. ベイズ最適化を用いたSiC研削条件の探索

    長田圭一, 角岡洋介, 成田潔, 小泉晴比古, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  290. SiC溶液成長における熱流体解析の機械学習を用いたパラメータ影響の可視化

    沓掛健太朗, 角岡洋介, 長田圭一, 安藤圭理, 林宏益, 朱燦, 鳴海大翔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  291. 機械学習によるGaN MOVPE結晶成長シミュレーション結果の予測

    富澤巧, 川上賢人, 角岡洋介, 洗平昌晃, 岡本直也, 原田俊太, 芳松克則, 宇治原徹, 白石賢二

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  292. 枯渇効果を利用したDNA修飾ナノ粒子結晶のサイズ向上

    小島憧子, 鷲見隼人, 磯貝卓巳, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  293. ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析 Invited

    小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一,山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  294. GaN基板からエピタキシャル膜へ伝播する転位の分類と挙動の解明

    井爪将, 小久保信彦, 山田永, 恩田正一, 大原淳士, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  295. カチオンによるDNA修飾ナノ粒子の配列制御

    磯貝卓巳, 鷲見隼人, 小島憧子, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  296. AlN分散樹脂における分散剤表面修飾による熱伝導率向上

    安田拓実, 宇治原徹, 原田俊太, 竹内幸久

    日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:名古屋工業大学   Country:Japan  

  297. In-situ synchrotron X-ray topography observation of stacking faults in SiC International conference

    F. Fujie, S. Harada, H. Suo, H. Koizumi, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 14th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (XTOP 2018) 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Italy  

  298. Evaluation of Basal Plane Dislocation Behavior in the Epitaxial Layer on a 4H-SiC Wafer Fabricated by the Solution Growth Method International conference

    K. Seki, K. Kusunoki, S. Harada, T. Ujihara

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United Kingdom  

  299. Application of C face dislocation conversion technique to 2-inch SiC crystal growth International conference

    X. Liu, C. Zhu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United Kingdom  

  300. Efficient search technique of ideal conditions in high quality SiC solution growth using prediction mogel made by machine learing International conference

    Y. Tsunooka, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United Kingdom  

  301. Control of macrostep eight by switching solution flow during solution growth of SiC International conference

    T. Endo, C. Zhu, S. Harada, H. Koizumi, M. Tagawa, T. Ujihara

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United Kingdom  

  302. “AI技術で結晶成長研究開発を桁違いに高速にする”-SiC結晶成長を例にして- Invited

    宇治原 徹

    第79回応用物理学会秋季学術講演会インフォーマルミーティングTIA-EXA若手研究者の集い 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋国際会議場2号館 221A   Country:Japan  

  303. “AI技術で結晶成長研究開発を桁違いに高速にする”-SiC結晶成長を例にして- Invited

    宇治原 徹

    第79回応用物理学会秋季学術講演会インフォーマルミーティングTIA-EXA若手研究者の集い 第1回 “今から学ぶAI・機械学習” 

     More details

    Event date: 2018.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:名古屋国際会議場2号館    Country:Japan  

  304. Present status of machine learning technology for high quality crystal growth and the collaboration with student startups International conference

    T.Ujihara

    he 3rd Academic Seminar on Material Science and Engineering 

     More details

    Event date: 2018.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Singapore  

  305. DNA-controlled assembly of 2D nanoparticle lattices on lipid bilayers International conference

    T. Isogai, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    17th International Conference on Organized Molecular Films(ICOMF17) 

     More details

    Event date: 2018.7

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  306. Process Design of SiC Solution Growth with Machine Learning Technology Invited International conference

    T. Ujihara

    Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials(APCSCRM2018) 

     More details

    Event date: 2018.7

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Korea, Republic of  

  307. 溶液成長法による高品質SiC結晶成長と機械学習の活用 Invited

    宇治原徹

    大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ 

     More details

    Event date: 2018.7

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:大阪電気通信大学   Country:Japan  

  308. 溶液法による高品質SiC結晶成長と機械学習の活用 Invited

    宇治原 徹

    日本結晶成長学会 特別講演会「パワーエレクトロニクス結晶の最前線」 

     More details

    Event date: 2018.7

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:京都国立博物館地下講演会場   Country:Japan  

  309. 溶液成長法による高品質SiC 結晶成長と機械学習の活用 Invited

    宇治原 徹

    大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ 

     More details

    Event date: 2018.7

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  310. 題目:溶液法による高品質SiC結晶成長と機械学習の活用 Invited

    宇治原 徹

    日本結晶成長学会 特別講演会「パワーエレクトロニクス結晶の最前線」 

     More details

    Event date: 2018.7

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:京都国立博物館地下講演会場   Country:Japan  

  311. SiC の結晶成長と加工における機械学習の活用例 Invited

    宇治原 徹

    プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会 第165回研究会 

     More details

    Event date: 2018.4

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:主婦会館プラザエフ(東京都千代田区)   Country:Japan  

  312. 機械学習を活用した最適成長条件の探索と大口径化に向けた検討

    宇治原徹

    日本結晶成長学会第102回バルク成長分科会研究会 

     More details

    Event date: 2018.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:名古屋大学   Country:Japan  

  313. 機械学習による流体シミュレーション結果の高速予測と SiC 溶液成長への応用

    宇治原徹, 角岡洋介, 畑佐豪記, 林宏益, 遠藤友樹, 朱燦, 村井良多, 原田俊太, 田川美穂

    日本金属学会 2018年春期(第162回)講演大会 

     More details

    Event date: 2018.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:千葉工業大学 新習志野キャンパス   Country:Japan  

  314. RF-TSSG法によるSiC結晶成長時の移動現象の3次元解析

    岡野泰則, ワンライ, 堀内鷹之, 関本敦, 宇治原徹

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:早稲田大学 早稲田キャンパス   Country:Japan  

  315. NEA半導体光陰極から放出される電子のもつエミッタン スと高い空間コヒーレンス

    桑原真人, 浅野秀文, 宇治原徹, 田中信夫, 齋藤晃

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:早稲田大学 早稲田キャンパス   Country:Japan  

  316. 還元熱処理により作製した酸化チタン自然超格子の周期構造解析

    原田俊太, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:早稲田大学 早稲田キャンパス   Country:Japan  

  317. ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析

    小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:早稲田大学 早稲田キャンパス   Country:Japan  

  318. SiC溶液成長における成長中の溶液流れ切り替えによる結晶全面のステップフローの安定化

    遠藤友樹, 朱燦, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:早稲田大学 早稲田キャンパス   Country:Japan  

  319. SiC溶液成長における熱流体解析と機械学習を用いた最適化手法の提案

    角岡洋介, 小久保信彦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:早稲田大学 早稲田キャンパス   Country:Japan  

  320. 放射光トポグラフィーによる溶液法ウエハ上へのエピ成長過程における転位伝播挙動の評価

    関和明, 楠一彦, 原田俊太, 宇治原徹

    第65回応用物理学会 春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2018.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:早稲田大学 早稲田キャンパス   Country:Japan  

  321. 焼結助材を用いない窒化アルミニウム基板作製法

    清水啓希, 宇治原徹, 原田俊太, 竹内幸久

    公益社団法人日本セラミックス協会 2018年年会 

     More details

    Event date: 2018.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東北大学   Country:Japan  

  322. 結晶成長プロセスにおける高速最適化と可視化技術 Invited

    宇治原徹

    金属学会シンポジウム 材料評価・プロセスにおける「使える」インフォマティクス 

     More details

    Event date: 2018.2

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:名古屋大学   Country:Japan  

  323. Two-dimensional assembly of DNA-functionalized gold nanoparticles on lipid bilayer International conference

    T. Isogai, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    The first International Workshop by the 174th Committee JSPS  

     More details

    Event date: 2017.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Kyoto Terrsa   Country:Japan  

  324. 機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度

    畑佐豪記, 角岡洋介, 村井良多, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  325. 機械学習を活用したSiC溶液成長プロセス・ビュジュアライゼーション

    宇治原徹, 畑佐豪記, 角岡洋介, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  326. 結晶光学軸方位分布からみたGaNやSiCの光学異常

    塚本勝男, 今西正幸, 村山健太, 森勇介

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  327. キラルな光場中でのキラル結晶化におけるキラリティの偏り

    新家寛正, 杉山輝樹, 田川美穂, 宇治原徹, 丸山美帆子, 森勇介, 宮本克彦, 尾松孝茂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Symposium, workshop panel (public)  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  328. 数値解析を用いた誘導加熱TSSG法によるSiC結晶成長製造装置の最適化条件の探索

    堀内鷹之, Wang Lei, 山本卓也, 宇治原徹, 岡野泰則

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  329. 機械学習による結晶成長条件の予測を用いたSiC溶液成長

    林宏益, 村井良多, 朱燦, 村山健太, 角岡洋介, 畑佐豪記, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  330. 気相法AlNウィスカー成長における形状変化メカニズムの解明

    齊藤廣志, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  331. SiC溶液成長におけるプロセス・インフォマティクス

    宇治原徹,角岡洋介,畑佐豪記,村山健太,村井良多,朱燦,原田俊太,田川美穂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  332. 4H-SiC溶液成長法二段階成長における異種多形の析出抑制

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  333. SiC溶液成長過程における転位伝播方向制御による高品質化

    原田俊太, 村山健太, 村井良多, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  334. 溶液法 SiC 基板を用いて作製した MOS キャパシタの評価

    古庄智明, 川畑直之, 古橋壮之, 渡辺友勝, 渡邊寛, 山川聡, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  335. 貫通らせん転位が極めて少ない 4H-SiC の溶液成長における多形安定化手法

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  336. 溶液成長における溶液状態の高速予測と 網羅的探索により最適化した条件での結晶成長

    村井良多, 村山健太, 原田俊太, 畑佐豪記, 角岡洋介, 林宏益, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  337. SiC 溶液成長法における溶媒中の Cr 組成に対する 成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価

    鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  338. ラマン分光法による GaN 単結晶における貫通転位の刃状成分の解析

    小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 原一都, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  339. X 線トポグラフィーその場観察による 4H-SiC 積層欠陥挙動の窒素濃度依存性評価

    藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  340. Smooth Li Electrodeposition on Single Crystal Cu Current Collectors International conference

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The Electrochemical Society (232nd ECS Meeting) 

     More details

    Event date: 2017.10

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  341. Trial of Informatics in Crystal Growth -SiC Solution Growth- International conference

    T. Ujihara

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (ssdm 2017) 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:English   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Country:Japan  

  342. High-Quality SiC Solution Growth Using Dislocation Conversion on C Face International conference

    S. Xiao, S. Harada, X. Liu, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  343. Two-Step Sic Solution Growth with Extremely Low-Dislocation-Density 4h-SiC Crystal for Suppression of Polytype Transformation International conference

    K. Murayama, S. Harada, F. Fujie, X. Liu, R. Murai, C. Zhu, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  344. High-Speed Prediction Model for Supersaturation and Flow Distribution by CFD Simulation and Machine Learning in SiC Solution Growth International conference

    Y. Tsunooka, N. Kokubo, G. Hatasa, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  345. Real-Time Visualization System for Temperature and Fluid Flow Distributions in SiC Solution Growth Using Prediction Model Constructed by Machine Learning International conference

    G. Hatasa, Y. Tsunooka, S. Lee, K. Murayama, R. Murai, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  346. Direct Observation of Stacking Faults Expansion in 4H-SiC at High Temperatures by In Situ X-Ray Topography International conference

    F. Fujie, S. Harada, K. Murayama, K. Hanada, P. Chen, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  347. Evaluation of 2-Inch Wafer by Solution Growth Method Using Synchrotron X-Ray Topography International conference

    K. Seki, K. Kusunoki, Y. Kishida, H. Kaido, K. Moriguchi, M. Kado, H. Daikoku, T. Shirai, M. Akita, A. Seki, H. Saito, S. Harada, T. Ujihara

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  348. 単結晶Cu集電体を用いた金属Li負極の不均一析出抑制

    石川 晃平, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    日本金属学会 2017年秋期講演会 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:北海道大学   Country:Japan  

  349. SiCにおける積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察

    藤榮 文博, 原田 俊太, 花田 賢志, 村山 健太, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹

    日本金属学会 2017年秋期講演会 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:北海道大学   Country:Japan  

  350. 溶液成長SiC基板上に作製した酸化膜の評価

    古庄 智明, 川畑 直之, 古橋 壮之, 渡辺 友勝, 渡邊 寛, 山川 聡, 村山 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:福岡国際会議場   Country:Japan  

  351. DNA被覆ナノ粒子によるDDAB脂質二重膜の指組みゲル相形成の促進

    磯貝 卓巳, 鷲見 隼人, 手老 龍吾, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:福岡国際会議場   Country:Japan  

  352. Investigation of high-temperature annealing process ofsputtered AlN films

    S. Xiao, Y. Liu, R. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu, S. Harada,T. Ujihara

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  353. 機械学習を用いたSiC結晶成長実験条件の最適化

    村井 良多, 畑佐 豪記, 角岡 洋介, 林 宏益, 村山 健太, 朱 燦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:福岡国際会議場   Country:Japan  

  354. SiC溶液法C面成長における貫通らせん転位の低減

    劉 欣博, 原田 俊太, 村山 健太, 村井 良多, 肖 世玉, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:福岡国際会議場   Country:Japan  

  355. 4H-SiC 溶液成長における積層欠陥との相互作用により生じる貫通らせん転位の変換挙動

    加渡 幹尚, 原田 俊太, 関 和明, 大黒 寛典, 楠 一彦, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:福岡国際会議場   Country:Japan  

  356. X線その場観察によりメニスカス高さ制御したSiC溶液成長

    酒井 武信, 秋田 光俊, 加度 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:福岡国際会議場   Country:Japan  

  357. Li挿入によるWO3薄膜の熱伝導率の変化

    小林 竜大, 中村 彩乃, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:福岡国際会議場   Country:Japan  

  358. SiC溶液成長における機械学習を用いた閉鎖空間の溶液温度・流速分布の予

    畑佐 豪記, 角岡 洋介, 村山 健太, 村井 良太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第40回結晶成長討論会 

     More details

    Event date: 2017.8 - 2017.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:浜名湖ロイヤルホテル   Country:Japan  

  359. Controlling thermal conductivity in tungsten trioxide by ion-intercalation International conference

    T. Ujihara

    The 9th US-Japan Joint Seminar on Nanoscale Transport Phenomena 

     More details

    Event date: 2017.7

    Language:English  

    Country:Japan  

  360. Hydrogen-Induced Thermal Conductivity Change across Metal-Insulator Transition in Amorphous WO3 Film International conference

    A. Nakamura, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    2017 MRS Spring Meeting 

     More details

    Event date: 2017.4

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  361. Numerical simulation of the transport phenomena occurring during the growth of SiC crystals by the RF-heating TSSG method International conference

    T. Yamamoto, J. Sakamoto, Y. Okano, T. Ujihara, and S. Dost

    ACTS-P00078, Asian Conference on Thermal Sciences 2017 (ACTS2017) 

     More details

    Event date: 2017.3

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Korea, Republic of  

  362. 誘導加熱TSSG法によるSiC成長時の融液内対流現象に関する数値解析

    山本 卓也, 岡野 泰則, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:パシフィコ横浜   Country:Japan  

  363. DNA修飾ナノ粒子超格子を前駆体としたウルフ多面体型コロイド結晶の形成

    鷲見 隼人, 磯貝 卓巳, 吉田 直矢, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:パシフィコ横浜   Country:Japan  

  364. SiC溶液成長における最適条件高速探索手法の提案

    角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂,宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:パシフィコ横浜   Country:Japan  

  365. 水素挿入・脱離によるWO3薄膜の熱伝導率制御

    中村 彩乃, 小林 竜太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:パシフィコ横浜   Country:Japan  

  366. 酸化タングステンの酸化還元による可逆的熱伝導率制御

    原田 俊太, 弓削 勇輔, 田川 美穂, 宇治原徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:パシフィコ横浜   Country:Japan  

  367. 4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性

    片平 真哉, 市川 義人, 原田 俊太, 木本 恒暢, 加藤 正史

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:パシフィコ横浜   Country:Japan  

  368. X線透過法により溶液形状制御したSiC溶液成長

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:パシフィコ横浜   Country:Japan  

  369. 後方反射X線トポグラフィによる4H-SiC積層欠陥拡張挙動のその場観察

    藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳鵬磊, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2017.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:パシフィコ横浜   Country:Japan  

  370. TSSG法によるSiC結晶成長の数値シミュレーション

    阪本純基、山本卓也、岡野泰則、宇治原徹

    第19回化学工学会学生発表会 

     More details

    Event date: 2017.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪大学 豊中キャンパス   Country:Japan  

  371. 半導体伝導帯構造を明らかにする可視光電子光電子分光法の提案

    宇治原 徹, 市橋 史朗, 董 キン宇, 井上 明人, 川口 昂彦, 桑原 真人, 伊藤 孝寛, 原田 俊太, 田川 美穂

    2016年真空・表面科学合同講演会 第 36 回表面科学学術講演会 第 57 回真空に関する連合講演会 

     More details

    Event date: 2016.11 - 2016.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  372. 金属 Li 負極における Cu 集電体の結晶方位と析出形状の関係

    石川 晃平, 伊藤 靖仁, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    第57回電池討論会 

     More details

    Event date: 2016.11 - 2016.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:幕張メッセ国際会議場   Country:Japan  

  373. High Quality SiC Single Crystal Grown by Soltion Growth Method International conference

    T. Ujihara

    2016 Fall Meeting of the Korean Ceramics Society 

     More details

    Event date: 2016.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:soul Korea   Country:Korea, Republic of  

  374. Optically induced crystallization of NaClO3 metastable phase on plasmonic gold nanostructures immersed in unsaturated mother solution

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, Y. Mori, S. Harada, K. Murayama, K. Miyamoto, T. Omatsu

    Institute for Global Prominent Research Kickoff Symposium 

     More details

    Event date: 2016.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  375. X線透過法による SiC 溶液成長の溶液流れと溶液形状のその場観察

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

     More details

    Event date: 2016.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:つくば国際会議場   Country:Japan  

  376. 窒素添加した 4H-SiC における積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察

    藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳 鵬磊, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

     More details

    Event date: 2016.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:つくば国際会議場   Country:Japan  

  377. 透過電子顕微鏡による窒素添加 SiC 積層欠陥の高温その場観察

    陳 鵬磊, 原田 俊太, 荒井 重勇, 藤榮 文博, 肖 世玉, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

     More details

    Event date: 2016.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:つくば国際会議場   Country:Japan  

  378. SiC 溶液成長においてルツボ口径が多結晶析出に及ぼす影響

    岡島 鎮記, 村井 良多, 村山 健太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

     More details

    Event date: 2016.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:つくば国際会議場   Country:Japan  

  379. 溶液成長法二段階成長による SiC 結晶内の欠陥密度の低減

    村山 健太, 堀 司紗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    先進パワー半導体分科会 第3回講演会 

     More details

    Event date: 2016.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:つくば国際会議場   Country:Japan  

  380. Crystallization of NaClO3 metastable phase from unsaturated mother solution achieved by excitation of plasmonic Au nanoarray

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, Y. Mori, S. Harada, K. Murayama, K. Miyamoto, T. Omatsu

    Optics & Photonics Japan 2016 

     More details

    Event date: 2016.10 - 2016.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  381. Evaluation of conduction mini-bands in semiconductor superlattice by visible-light photoelectron spectroscopy International conference

    T. Ujihara

    13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces 

     More details

    Event date: 2016.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Rome Italy   Country:Italy  

  382. Trial of Process Informatics in SiC Solution Growth International conference

    T. Ujihara, S. Harada, Y. Tsunooka, N. Kokubo, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa

    The 3rd International Conference on Universal Village (UV 2016) 

     More details

    Event date: 2016.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  383. Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collector on Morphology of Li Electrodeposition International conference

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Nucleation and Growth Research Conference (NGRC 2016) 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  384. Formation Mechanism of AlN Whiskers by Reacting N2 Gas and Al Vapor International conference

    M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    Nucleation and Growth Research Conference (NGRC 2016) 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  385. Reduction of all types of dislocation in 4H-SiC crystal by two-step solution growth International conference

    K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Greece  

  386. In-situ observation during solution growth of SiC by X-ray transmission method International conference

    T. Sakai, M. Kado, H. Daikoku, S. Harada, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Greece  

  387. Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during SiC solution growth International conference

    T. Hori, K. Murayama, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Greece  

  388. Solvent design for high-purity SiC solution growth International conference

    S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Greece  

  389. 半導体光陰極を用いた次世代透過電子顕微鏡の開発

    桑原 真人, 青木 幸太, 鈴木 潤士, 宇治原 徹, 齋藤 晃, 田中 信夫

    2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ   Country:Japan  

  390. AlN 溶液成長における機械学習を用いた溶液流動の高効率予測

    小久保 信彦, 角岡 洋介, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2016年第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ   Country:Japan  

  391. X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長のその場観察

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2016年第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ   Country:Japan  

  392. n 型 4H-SiC 中 SSF 起因フォトルミネッセンスの時間分解測定

    加藤 正史, 片平 真哉, 市川 義人, 市村 正也, 原田 俊太

    2016年第82回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ   Country:Japan  

  393. 機械学習を用いた溶液成長における過飽和度分布の予測

    角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹

    2016年第81回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ   Country:Japan  

  394. X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長の溶液表面形状の経時変化の観察

    酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹

    2016年第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ   Country:Japan  

  395. TSSG 法による SiC 結晶成長炉内移動現象に関する数値シミュレーション

    山本 卓也、岡野 泰則、宇治原 徹

    化学工学第48回秋季大会 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:徳島大学 常三島キャンパス   Country:Japan  

  396. Controlling two-dimensional structuer of DNA-linked Au nanoparticle lattices on supported lipid bilayer International conference

    T. Isogai, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    The 22nd International Conference on DNA Computing and Molecular Programming (DNA22) 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Germany  

  397. Control of Macrostep Structure for High-Quality SiC Grown by Liquid Phase Epitaxy International conference

    T. Ujihara, C. Zhu, K. Murayama, S. Harada, M.Tagawa

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     More details

    Event date: 2016.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  398. Enantioselective bias on circularly polarized laser-induced chiral crystallization from NaClO3 solution with plasmonic Ag nanoparticles International conference

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, T. Omatsu, T. Ujihara, Y. Mori

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     More details

    Event date: 2016.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  399. The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth International conference

    S. Y. Xiao, S. Harada, P. L. Chen, K. Murayama, T.Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     More details

    Event date: 2016.8

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  400. Effect of Crystal Shape on Solution Flow and Surface Morphology in Solution Growth of SiC International conference

    D. Koike, T. Umezaki, K. Murayama, K. Aoyagi, S.Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     More details

    Event date: 2016.8

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  401. Numerical Investigation of Transport Phenomenaduring Crystal Growth of SiC by the Induction Heating TSSG Method International conference

    N. Adkar, T. Yamamoto, Y. Okano, T. Ujihara, S. Dost

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     More details

    Event date: 2016.8

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  402. Two-step growth of SiC solution growth for reduction of dislocations International conference

    K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M.Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     More details

    Event date: 2016.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  403. Threading Screw Dislocation Conversion by Macrosteps during SiC Solution Growth for High-quality Crystals International conference

    S. Harada, K. Murayama, S. Xiao, F. Fujie, T.Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     More details

    Event date: 2016.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  404. Morphology of AlN whiskers grown by reacting N2 gas and Al vapor International conference

    M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     More details

    Event date: 2016.8

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  405. Prediction of solution flow combined with computational fluid dynamics simulation and sparse modeling International conference

    N. Kokubo, Y. Tsunooka, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     More details

    Event date: 2016.8

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  406. Crystal orientation dependence of precipitate structure of electrodeposited Li metal on Cu current collectors International conference

    K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     More details

    Event date: 2016.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  407. Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer International conference

    T. Isogai, S. Nakada, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa

    the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

     More details

    Event date: 2016.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  408. Spectroscopy of electrons emitting from conduction mini-band of semiconductor superlattice through negative-electron-affinity surface International conference

    T. Ujihara

    the 39th International conference on Vacuum Ultraviolet and X-ray Physics (VUVX2016) 

     More details

    Event date: 2016.7

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Switzerland  

  409. 塩素酸ナトリウム水溶液中の銀ナノ粒子円偏光光学捕捉により誘起されるキラル結晶化におけるキラリティの偏り

    新家 寛正, 杉山 輝樹, 田川 美穂, 村山 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹

    日本地球惑星科学連合2016年大会 

     More details

    Event date: 2016.5

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:幕張メッセ   Country:Japan  

  410. Chiral bias on circularly polarized laser-induced chiral crystallization from NaClO3 solution containing plasmonic Ag nanoparticles International conference

    H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, K. Murayama, S. Harada, K. Miyamoto, T. Omatsu, T. Ujihara

    Optical manipulation and its satellite topics (OMC'16) 

     More details

    Event date: 2016.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  411. 溶液法による高品質 SiC 結晶成長とその必要性

    松本 利希,川口 昂彦,畑野 敬史,原田 俊太,飯田 和昌,宇治原 徹,生田 博志

    第27回シリサイド系半導体研究会 

     More details

    Event date: 2016.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:小山台会館   Country:Japan  

  412. 強磁場スパッタ法によるマンガン窒化物薄膜の作製

    松本 利希,川口 昂彦,畑野 敬史,原田 俊太,飯田 和昌,宇治原 徹,生田 博志

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東工大大岡山キャンパス   Country:Japan  

  413. 超格子構造中のDNA被覆金ナノ粒子の融合に向けた粒子間距離収縮とナノ粒子融合

    鷲見 隼人,磯貝 卓巳,中田 咲子,吉田 直矢,原田 俊太,宇治原 徹,田川 美穂

    2016年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東工大大岡山キャンパス   Country:Japan  

  414. DDAB平面脂質二重膜の相転移過程の直接観察

    磯貝 卓巳,中田 咲子,赤田 英里,吉田 直矢,鷲見 隼人,手老 龍吾,原田 俊太,宇治原 徹,田川 美穂

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東工大大岡山キャンパス   Country:Japan  

  415. 溶液法による4H-SiCバルク結晶成長と結晶品質評価

    楠 一彦,関 和明,岸田 豊,海藤 宏志,森口 晃治,岡田 信宏,大黒 寛典,加渡 幹尚,土井 雅喜,旦野 克典,関 章憲,佐藤 和明,別所 毅,原田 俊太,宇治原 徹

    2016年第67回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東工大大岡山キャンパス   Country:Japan  

  416. 可視光励起光電子分光法を用いたGaPにおけるキャリア散乱の温度依存性評価

    市橋 史朗,川口 昂彦,董 キン宇,井上 明人,桑原 真人,伊藤 孝寛,原田 俊太,田川 美穂,宇治原 徹

    2016年第66回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東工大大岡山キャンパス   Country:Japan  

  417. SiC溶液法における溶媒への金属添加による炭素溶解度変化の熱力学計算

    畑佐 豪記,原田 俊太,田川 美穂,村山 健太,加藤 智久,宇治原 徹

    2016年第65回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東工大大岡山キャンパス   Country:Japan  

  418. SiC溶液成長における基底面転位と表面モフォロジーの関係

    堀 司紗,村山 健太,原田 俊太,肖 世玉,田川 美穂,宇治原 徹

    2016年第64回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東工大大岡山キャンパス   Country:Japan  

  419. 超高品質SiC溶液成長法の最前線

    原田 俊太,宇治原 徹

    日本結晶成長学会・バルク成長分科会 第98回研究会「機能性単結晶材料の最新動向--パワーデバイスから光・圧電まで--」 

     More details

    Event date: 2016.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:早稲田大学 西早稲田キャンパス   Country:Japan  

  420. インフォマティクスがもたらす結晶成長プロセスの革新 Invited

    宇治原 徹

    日本金属学会第166回公演大会2017春季第64回応用物理学関連連合講演会・結晶工学分科会シンポジウム 

     More details

    Event date: 2016.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学 大岡山キャンパス   Country:Japan  

  421. Direct observation of electrons transported in second conduction mini-band of a semiconductor superlattice by visible-light photoemission spectroscopy International conference

    F. Ichihashi, K. Nishitani, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    SPIE Photonics West 2016 

     More details

    Event date: 2016.2

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  422. 「成長過程における転位変換現象を利用した高品質 SiC 溶液成長」

    宇治原徹

    材料の微細組織と機能性第133委員会 第230回研究会 

     More details

    Event date: 2016.1

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:東京理科大学 森戸記念館   Country:Japan  

  423. Thermal conductivity changes in WO3 films caused by hydrogen intercalation/deintercalation International conference

    A. Nakamura, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    40th International Conference & Exposition on Advanced Ceramics & Composites(ICACC16) 

     More details

    Event date: 2016.1

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  424. “転位変換現象を利用した超高品質 SiC 結晶の溶液成長”

    宇治原徹

    2015年第35回表面科学学術講演会/第56回真空に関する連合講演会 真空・表面科学合同講演会 合同シンポジウム「パワーデバイスにおけるワイドキャップ半導体の最前線」 

     More details

    Event date: 2015.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:つくば国際会議場   Country:Japan  

  425. 「やるかやらないか~リーダーシップとは何か?~」

    宇治原徹

    名古屋大学リーディング大学院プログラム Joint Symposium 

     More details

    Event date: 2015.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (keynote)  

    Venue:名古屋大学東山キャンパス、ES総合館ESホール   Country:Japan  

  426. "Introduction of SiC Solution Growth‐in comparison with other growth methods" International conference

     More details

    Event date: 2015.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:Giardini Naxos, Italy   Country:Italy  

  427. “可視光励起光電子分光によるGaP中伝導電子分布の温度変化の観測”

    川口昂彦, 市橋史朗, 董キン宇, 桒原真人, 伊藤孝寛, 宇治原徹

    日本物理学会 2015 年秋季大会プログラム 

     More details

    Event date: 2015.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪府, 関西大学千里山キャンパス   Country:Japan  

  428. “可視光励起光電子分光法を用いたGaPにおける伝導電子エネルギー分布の温度依存性評価”

    董キン宇, 市橋史朗, 川口昂彦, 桒原真人, 伊藤孝寛, 宇治原徹

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2015.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:愛知県, 名古屋国際会議場   Country:Japan  

  429. “第6次産業革命とは・・「人と技術の融合」の必要性(趣旨説明)”

    宇治原徹

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2015.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:愛知県, 名古屋国際会議場   Country:Japan  

  430. “NEA表面の利用により実現した可視光励起光電子分光法”

    川口昂彦, 市橋史朗, 董キン宇, 桒原 真人, 伊藤 孝寛, 宇治原 徹

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2015.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:愛知県, 名古屋国際会議場   Country:Japan  

  431. “SiC溶液成長過程における欠陥変換メカニズムの解明と超高品質結晶の実現”

    宇治原徹

    第71回マテリアルズ・テーラリング研究会 

     More details

    Event date: 2015.8

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:長野県, (公財)加藤山崎教育基金 軽井沢研修所   Country:Japan  

  432. "Car Materials and Processing" International conference

    T.Ujihara

    Nagoya University, RWDC Summer School Program in Istanbul Technical University 

     More details

    Event date: 2015.6 - 2015.7

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Turkey  

  433. "Development of Visible-Light Photoemission Spectroscopy for the Evaluation of Conduction Bands in Semiconductors" International conference

    BIT's 4th Annual World Congress of Advanced Materials-2015 (WCAM-2015) 

     More details

    Event date: 2015.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:China  

  434. "Synthesis of polycrystalline AlN with high thickness by an efficient method"

    Pradip Ghosh, Kohei Mizuno, Makoto Hayashi, Yukihisa Takeuchi, Yuichi Aoki, Susumu Sobue, Yasuo Kitou, Jun Hasegawa, Makoto Kobashi, Toru Ujihara

     More details

    Event date: 2015.3

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  435. "4H-SiC溶液成長におけるSiCrAl溶媒へのSn微量添加効果"

    小松 直佳、三谷 武志、高橋 徹夫、加藤 智久、宇治原 徹、松本 祐司、蔵重 和央、奥村 元

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2015.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   Country:Japan  

  436. "High quality SiC crystal grown by solution method" International conference

    T. Ujihara

    International Conference on Chemical, Materials and Bio-Sciences for Sustainable Development(ICCMBSD-2015) 

     More details

    Event date: 2015.1

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:India  

  437. "結晶配向した多結晶タングステン上における金属リチウム負極の析出形状"

    石川 晃平

    日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部 第24回学生による材料フォーラム 

     More details

    Event date: 2014.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:名古屋工業大学, 愛知県   Country:Japan  

  438. "脂質二重膜状におけるDNA被覆金ナノ粒子の拡散現象"

    中田 咲子

    日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部 第24回学生による材料フォーラム 

     More details

    Event date: 2014.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:名古屋工業大学, 愛知県   Country:Japan  

  439. "Al-N 同時添加での4H-SiC溶液成長における成長表面安定性と伝導特性 4H-SiC growth from Si-Cr-C solution under Al and N co-doping conditions"

    三谷武志、小松直佳、高橋徹夫、加藤智久、宇治原徹、松本祐司、蔵重和央、奥村元

    先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」 

     More details

    Event date: 2014.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:ウインクあいち、愛知県   Country:Japan  

  440. "結晶表面の三次元過飽和度および成長速度分布の測定と対流が結晶表面形態に与える影響"

    村山健太,塚本勝男,横山悦郎,宇治原徹

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) 

     More details

    Event date: 2014.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:学習院創立百周年記念会館, 東京都   Country:Japan  

  441. "4H-SiC溶液成長におけるAl-N同時添加が成長表面及び伝導性へ及ぼす影響"

    三谷武志,小松直佳,高橋徹夫,加藤智久,宇治原徹,松本祐司,蔵重和央,奥村元

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) 

     More details

    Event date: 2014.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:学習院創立百周年記念会館, 東京都   Country:Japan  

  442. "4H-SiC溶液成長における各種添加物の成長表面への影響"

    小松直佳,三谷武志,高橋徹夫,加藤智久,蔵重和央,松本祐司,宇治原徹,奥村元

    第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) 

     More details

    Event date: 2014.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:学習院創立百周年記念会館, 東京都   Country:Japan  

  443. "Two-dimensional assembly of Au nanoparticles through DNA hybridization on supported lipid bilayer" International conference

    Takumi Isogai, Eri Akada, Sakiko Nakada, Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara and Miho Tagawa

    20th International Conference on DNA Computing and Molecular Programming(DNA20) 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  444. "Heavily Al doped 4H-SiC growth by the top-seeded solution growth technique using Si-Al-Cu melt as a solvent" International conference

    Kazuhiko KUSUNOKI, Kazuaki SEKI, Kazuhito KAMEI, Yutaka KISHIDA, Koji MORIGUCHI, Hiroshi KAIDOH, Shunta HARADA, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:France  

  445. "Influences of solution flow and lateral temperature distribution on surface morphology in solution growth of SiC" International conference

    Kuniharu FUJII, Koichi TAKEI, Masahiro AOSHIMA, Nachimuthu SENGUTTUVAN, Masahiko HIRATANI, Toru UJIHARA, Yuji MATSUMOTO, Tomohisa KATO, Kazuhisa KURASHIGE, Hajime OKUMURA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  446. "Effect of forced convection by crucible design in solution growth of SiC single crystal" International conference

    Kazuhisa KURASHIGE, Masahiro AOSHIMA, Kouichi TAKEI, Kuniharu FUJII, Masahiko HIRATANI, Nachimuthu SENGUTTUVAN, Tomohisa KATO, Toru UJIHARA, Yuji MATSUMOTO, Hajime OKUMURA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:France  

  447. "Threading screw dislocations conversion behavior on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth" International conference

    Shiyu XIAO, Natsumi HARA, Shunta HARADA, Takenobu SAKAI, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:France  

  448. "4H-SiC growth from Si-Cr-C solution under Al and N co-doping conditions" International conference

    Takeshi MITANI, Naoyoshi KOMATSU, Tetsuo TAKAHASHI, Tomohisa KATO, Toru UJIHARA, Yuji MATSUMOTO, Kazuhisa KURASHIGE, Hajime OKUMURA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:France  

    TU1-OR-04

  449. "Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal" International conference

    Shunta HARADA, Yuji YAMAMOTO, Shiyu XIAO, Natsumi HARA, Daiki KOIKE, Takuya MUTOH, Miho TAGAWA, Takenobu SAKAI, Toru UJIHARA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:France  

  450. "Change in surface morphology by the addition of impurity elements in 4H-SiC solution growth with Si solvent" International conference

    Naoyoshi KOMATSU, Takeshi MITANI, Tetsuo TAKAHASHI, Tomohisa KATO, Kazuhisa KURASHIGE, Yuji MATSUMOTO, Toru UJIHARA, Hajime OKUMURA

    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:France  

  451. "Structure of basal plane defects formed by the conversion of threading screw dislocation during solution growth of SiC" International conference

    S. Harada, S.Y. Xiao, M. Tagawa, Y. Yamamoto, S. Arai, N. Tanaka and T. Ujihara

    SSDM2014 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  452. 「溶液からの窒化アルミニウム材料の作製」

    宇治原徹

    窒化アルミニウム・窒化ケイ素の高性能・低コスト化に向けた生成プロセスの開発~放熱基板等の高性能・低コスト化に向けたAlN・SiNの生成プロセス~ 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:東京・品川区大井町 きゅりあん   Country:Japan  

  453. "Correlation between Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion in Solution Growth of SiC" International conference

    Shunta Harada Shiyu Xiao, Natsumi Hara, Daiki Koike, Takuya Mutoh, Miho Tagawa and Toru Ujihara

    IUMRS-ICA2014 

     More details

    Event date: 2014.8

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  454. "Characterization of Newly Generated Defects during Solution Growth of 4H-SiC" International conference

    Shiyu Xiao, Shunta Harada, Natsumi Hara, Miho Tagawa and Toru Ujihara

    IUMRS-ICA2014 

     More details

    Event date: 2014.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  455. "Defect evolution in high-qualit 4H-SiC grown by solution method" International conference

    S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara

    IUCr 2014 

     More details

    Event date: 2014.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Canada  

  456. "DNA-mediated Nanoparticle Crystallization" International conference

    Miho Tagawa, Oleg Gang, Takumi Isogai, Sakiko Nakada, Eri Akada, Shunta Harada, Toru Ujihara

    The International Symposium on Material Architectonics for Sustainable Action (MASA 2014) 

     More details

    Event date: 2014.7

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  457. "DNAと基板担持脂質二重膜とを用いたナノ粒子の結晶化"

    田川美穂

    応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会 研究会「有機分子・バイオエレクトロニクスが拓く新たな世界」 

     More details

    Event date: 2014.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:キャンパスプラザ京都 会議室、京都府   Country:Japan  

  458. "Direct Measurement of Conduction Miniband Structure in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy" International conference

    Fumiaki Ichihashi, Daiki Shimura, Kenji Nishitani, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Shunta Harada, Hiroyasu Katsuno, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    the 40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference(The PVSC-40) 

     More details

    Event date: 2014.6

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  459. NaClO3 溶液成長におけるアキラル-キラル多形転移を介したキラリティの発生と増幅

    新家寛正, 原田俊太, 宇治原徹, 三浦均, 木村勇気, 上羽牧夫, 塚本勝男

    日本地球惑星科学連合2014年大会 

     More details

    Event date: 2014.4 - 2014.5

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:パシフィコ横浜、神奈川県   Country:Japan  

  460. 可視光励起光電子分光法による半導体中の伝導電子の直接観察

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治, 原真,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    日本物理学会 第69回年次大会 

     More details

    Event date: 2014.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   Country:Japan  

  461. 半導体光陰極を用いたTEMの空間コヒーレンス測定

    桑原真人,南保由人,鮫島健介,楠聡一郎,齋藤晃,宇治原徹,浅野秀文,竹田美和,田中信夫

    日本物理学会 第69回年次大会 

     More details

    Event date: 2014.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東海大学 湘南キャンパス、神奈川県   Country:Japan  

  462. SiC溶液法C面成長におけるTSD変換

    肖世玉,原奈津美,原田俊太,宇治原徹

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2014.3

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県   Country:Japan  

  463. 可視光励起光電子分光法による半導体超格子ミニバンド構造の有効質量評価

    西谷健治,志村大樹,市橋史朗,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2014.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県   Country:Japan  

  464. 4H-SiC溶液成長法における凸形状成長による貫通らせん転位の変換挙動

    古池大輝,梅崎智典,堀尾篤史,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2014.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県   Country:Japan  

  465. SiC溶液成長における貫通らせん転位変換の弾性エネルギーによる考察

    原田俊太,肖世玉,原奈都美,勝野弘康,田川美穂,宇治原徹

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2014.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県   Country:Japan  

  466. Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method International conference

    T.Ujihara

    ICSEM 2014 (International Conference on Science and Engineering of Materials 

     More details

    Event date: 2014.1

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:Sharda University, Greater Noida, India   Country:India  

  467. "Structure of basal plane defects formed by threading screw dislocation conversion during high quality SiC solution growth" International conference

    S.Harada, R.Kunimatsu, Xiao Shiyu, Y.Yamamoto, M.Tagawa, Y.Yamamoto, S.Arai, N.Tanaka, T.Ujihara

    ISETS '13 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  468. "Possibility of time-resolved measurement in spin-polarized TEM" International conference

    M.Kuwahara, Y.Nambo, S.Kusunoki, K.Sameshima, K.Saitoh, T.Ujihara, H.Asano, Y.Takeda, N.Tanaka

    ISETS '13 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  469. "Observation of basal plane dislocations generated during solution growth in 4H-silicon carbide" International conference

    S.Y.Xiao, S.Harada, T.Ujihara

    ISETS '13 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  470. "Two-dimensional crystallization of DNA-functionalized Au nanoparticles using lipid diffusion" International conference

    T.Isogai, E.Akada, A.Piednoir, Y.Akahoshi, R.Tero, S.Harada, T.Ujihara, M.Tagawa

    ISETS '13 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  471. "Direct Observation of Conduction Band Structure and Conduction Electron Distribution in Semiconductor for Intermediate-band Solar Cells" International conference

    F.Ichihashi, D.Shimura, K.Nishitani, M.Kuwahara, S.Harada, T.Ito, M.Tagawa, T.Ujihara

    ISETS '13 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

    P-7-17(1325)

  472. "Aluminum Nitride Whiskers with High Aspect Ratio Grown from Multi-Component Melt" International conference

    M.Y.Chen, H.Matsubara, K.Mizuno, M.Nagaya, Y.Takeuchi, S.Harada, T.Ujihara, Y.Aoki, K.Kohara, T.Kano

    ISETS '13 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  473. "Evaluation of Mini-Bands Formed in Superlattice Structure for Intermediate-Band Solar Cell" International conference

    D.Shimura, F.Ichihashi, K.Nishitani, S.Harada, T.Ito, M.Kuwahara, M.Matsunami, S.Kimura, M.Tagawa, T.Ujihara

    ISETS '13 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  474. "In-situ concentration measurement of zincate ion near zinc anode" International conference

    K.Haginosaki, Y.Ito, T.Mitsuhashi, Y.Sakai, K.Nagata, O.Terashima, T.Ujihara, M.Shikida, H.Hida

    ISETS '13 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  475. SiC溶液成長過程における基底面転位の形成

    肖 世玉、原田俊太、宇治原徹

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:埼玉会館、埼玉県   Country:Japan  

  476. 溶液成長法による高品質3C-SiC(111)結晶の開発

    関和明、山本翔太、原田俊太、宇治原徹

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:埼玉会館、埼玉県   Country:Japan  

  477. 溶液対流および面内温度分布の表面形状への影響

    藤井邦治、武井康一、長井一郎、N. Senguttuvan、平谷正彦、宇治原徹、松本祐司、加藤智久、蔵重和央、奥村元

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:埼玉会館、埼玉県   Country:Japan  

  478. SiCr溶媒へのAl添加による4H-SiC溶液成長結晶表面のステップ形状変化

    三谷武志、小松直佳、高橋徹夫、加藤智久、宇治原徹、松本祐司、蔵重和央、奥村元

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:埼玉会館、埼玉県   Country:Japan  

  479. 溶液成長させた4H-SiC単結晶における放射光X線トポグラフィーによる欠陥分析

    長井 一郎、青嶌真裕、八木康洋、武井康一、藤井邦治、N. Senguttuvan、蔵重和央、加藤智久、宇治原 徹、松本祐司、奥村元

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:埼玉会館、埼玉県   Country:Japan  

  480. 多元溶媒SiC溶液成長における成長多形と活量比aSi/aCの相関

    堀尾篤史、原田俊太、田川美穂、宇治原徹

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:埼玉会館、埼玉県   Country:Japan  

  481. 4H-SiC溶液成長における成長表面のステップ構造と貫通転位変換挙動の相関

    原田俊太、山本祐治、肖世玉、堀尾篤史、田川美穂、宇治原徹

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:埼玉会館、埼玉県   Country:Japan  

  482. 4H-SiC溶液結晶成長における表面マクロ欠陥を抑制する溶媒組成の探索

    小松直佳、三谷武志、岡村雅之、高橋徹夫、加藤智久、宇治原徹、松本祐司、蔵重和央、奥村元

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:埼玉会館、埼玉県   Country:Japan  

  483. SiC溶液成長における過飽和度制御による凸形状成長

    古池大輝、梅崎智典、堀尾篤史、原田俊太、田川美穂、宇治原徹

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:埼玉会館、埼玉県   Country:Japan  

  484. SiC溶液成長におけるSi溶媒の数値解析と成長結晶の表面形状制御

    古池大輝

    一般社団法人オープンCAE学会 オープンCAEシンポジウム2013 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪産業創造館 、大阪府   Country:Japan  

  485. "SiC溶液成長過程における基底面転位の形成"

    肖世玉,朱燦,原田俊太,宇治原徹

    公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013) 

     More details

    Event date: 2013.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋大学 IB電子情報館   Country:Japan  

  486. "脂質二重膜を利用したDNA被覆金ナノ粒子の2次元結晶化"

    磯貝卓巳,赤田英里,Agnes Piednoir,赤星祐樹,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013) 

     More details

    Event date: 2013.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:名古屋大学 IB電子情報館   Country:Japan  

  487. "InGaAs/GaAsP超格子における伝導キャリアの直接観察"

    西谷健治,市橋史朗,志村大樹,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013) 

     More details

    Event date: 2013.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:名古屋大学 IB電子情報館   Country:Japan  

  488. "鉄系超伝導体NdFeAsO薄膜上への平坦なCaF2層成長"

    角谷直紀,千原真志,川口昴彦,田渕雅夫,宇治原徹,一瀬中,塚田一郎,生田博志

    公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013) 

     More details

    Event date: 2013.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋大学 IB電子情報館   Country:Japan  

  489. "第三世代太陽電池開発に向けた伝導電子エネルギーの測定"

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013) 

     More details

    Event date: 2013.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋大学 IB電子情報館   Country:Japan  

  490. 4H-SiC溶液成長過程における貫通転位変換挙動と成長表面モフォロジーの相関

    原田俊太,山本祐治,肖世玉,堀尾篤史,田川美穂,宇治原徹

    日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43) 

     More details

    Event date: 2013.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長野市生涯学習センター (TOiGO内) 、長野県   Country:Japan  

  491. NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相を介したキラル結晶形成過程

    新家寛正,原田俊太,宇治原徹,三浦均,木村勇気,栗林貴弘、上羽牧夫,塚本勝男

    日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43) 

     More details

    Event date: 2013.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長野市生涯学習センター (TOiGO内) 、長野県   Country:Japan  

  492. DNAと脂質二重膜を用いたナノ粒子の2次元結晶化

    磯貝卓巳,赤田英里,Agnes Piednoir,赤星祐樹,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43) 

     More details

    Event date: 2013.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長野市生涯学習センター (TOiGO内) 、長野県   Country:Japan  

  493. ブラウニアン動力学法を用いた2次元2成分結晶の構造形成シミュレーション

    勝野弘康,田川美穂,宇治原徹

    日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43) 

     More details

    Event date: 2013.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長野市生涯学習センター (TOiGO内) 、長野県   Country:Japan  

  494. NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相の溶解度測定

    新家寛正,原田俊太,宇治原徹,三浦均,木村勇気,上羽牧夫,塚本勝男

    日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43) 

     More details

    Event date: 2013.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:長野市生涯学習センター (TOiGO内) 、長野県   Country:Japan  

  495. 多元溶媒を用いたAlNウィスカーの成長

    陳鳴宇,松原弘明,水野恒平,永冶仁,竹内幸久,原田俊太,青木祐一,小原公和,加納豊広,宇治原徹

    日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43) 

     More details

    Event date: 2013.11

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:長野市生涯学習センター (TOiGO内) 、長野県   Country:Japan  

  496. "Observation of Conduction Electrons in Superlattice Structure by Visible Light Photoemission Spectroscopy" International conference

    Kenji Nishitani, Fumiaki Ichihashi, Daiki Shimura, Shunta Harada, Makoto Kuwahara, Miho Tagawa, Takahiro Ito, Toru Ujihara

    the 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC-23) 

     More details

    Event date: 2013.10 - 2013.11

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  497. DNAセルフアセンブリによるナノ粒子超構造制御

    田川 美穂, ガング オレグ, 磯貝 卓巳, 赤田 英里, 宇治原 徹

    第 51 回日本生物物理学会年会 シンポジウム 反応場デザインによる生命現象の再構成 -創って知る生物物理- 

     More details

    Event date: 2013.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:国立京都国際会館、京都府   Country:Japan  

  498. 金属負極蓄電池の実現に向けた配向結晶集電体によるデンドライト抑制

    三橋貴仁, 伊藤靖仁, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原 徹

    第54回電池討論会 

     More details

    Event date: 2013.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪国際会議場、大阪府   Country:Japan  

  499. 亜鉛負極近傍における亜鉛イオン濃度場の評価

    萩ノ崎賢也, 伊藤靖仁, 三橋貴仁, 酒井康彦, 長田孝二, 寺島 修, 宇治原 徹, 式田光宏, 肥田博隆

    第54回電池討論会 

     More details

    Event date: 2013.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪国際会議場、大阪府   Country:Japan  

  500. "Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at a High Speed during the Solution Growth of SiC" International conference

    T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, and T. Ujihara

    the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013) 

     More details

    Event date: 2013.9 - 2013.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  501. "The Suppression of the Trenches by the Control of Solution Flow above Growth Surface in the Solution Growth of SiC" International conference

    C. Zhu, S. Harada, S. Xiao, K. Seki, M. Tagawa, Y. Matsumoto, T. Kato, K. Kurashige, H. Okamura, and T. Ujihara

    the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013) 

     More details

    Event date: 2013.9 - 2013.10

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  502. "Control of Dislocation Conversion during Solution Growth by Changing Surface Step Structure" International conference

    S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, A. Horio, M. Tagawa, and T. Ujihara

    the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013) 

     More details

    Event date: 2013.9 - 2013.10

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  503. "N-Type Doping of 4H-SiC by the Top-Seeded Solution Growth Technique" International conference

    K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada, and T. Ujihara

    the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013) 

     More details

    Event date: 2013.9 - 2013.10

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  504. "Dependence of Growth Rate and Surface Morphology of 4H-SiC Crystals Grown from Si-Cr-C and Si-Cr-Al-C Solutions under Various C Solubility and Supersaturation Conditions" International conference

    T. Mitani, N. Komatsu, T. Takahashi, T. Kato, K. Fujii, I. Nagai, T. Ujihara, Y. Matsumoto, K. Kurashige, and H. Okumura

    the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013) 

     More details

    Event date: 2013.9 - 2013.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  505. 多元溶媒SiC 溶液成長における多形決定機構の解明

    堀尾篤史,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    日本結晶成長学会、第37回 結晶成長討論会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:長野勤労者いこいの村アゼィリア飯綱、長野県   Country:Japan  

  506. 溶液法による超高品質SiC 結晶成長

    宇治原徹,原田俊太

    日本結晶成長学会、第37回 結晶成長討論会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:長野勤労者いこいの村アゼィリア飯綱、長野県   Country:Japan  

  507. 脂質分子をキャリアとしたDNA被覆金ナノ粒子の2次元結晶化

    磯貝卓巳,Agnes Piednoir,赤田英里,赤星祐樹,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   Country:Japan  

  508. 「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)可視光励起光電子分光法による伝導電子の直接観察

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   Country:Japan  

  509. 可視光励起光電子分光法による半導体超格子構造の伝導キャリア観察

    西谷健治,市橋史朗,志村大樹,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   Country:Japan  

  510. 角度分解光電子分光法を用いた半導体超格子のミニバンド評価

    志村大樹,市橋史朗,西谷健治,原田俊太,伊藤孝寛,桒原真人,松波雅治,木村真一,田川美穂,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   Country:Japan  

  511. SiC 溶液成長における流れ制御によるトレンチ形成の抑制

    朱燦,原田俊太,関和明,肖世玉,田川美穂,松本祐司,加藤智久,蔵重和央,奥村元,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   Country:Japan  

  512. SiC溶液成長過程における貫通転位変換と成長表面のステップ構造

    原田俊太,山本祐治,肖世玉,堀尾篤史,田川美穂,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   Country:Japan  

  513. SiC溶液成長過程における基底面転位の形成

    肖世玉,朱燦,原田俊太,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   Country:Japan  

  514. SiCフラックス成長におけるSi-NiフラックスのAl添加効果

    小沼碧海,丸山伸伍,原田俊太,宇治原徹,加藤智久,蔵重和央,奥村元,松本祐司

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   Country:Japan  

  515. IBAD-MgO/金属テープ上へのBaFe2(As,P)2薄膜のMBE成長と評価

    森康博,Kruth Fritz,生田博志,川口昂彦,Hanisch J,Holzapfel B,飯田和昌,Tarantini C,田渕雅夫,宇治原徹,藤本亮祐

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   Country:Japan  

  516. Fe 過剰BaFe2(As,P)2 薄膜の臨界電流密度増大の起源

    森康博,藤本亮祐,坂上彰啓,原田俊太,宇治原徹,田渕雅夫,生田博志

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   Country:Japan  

  517. 多元溶媒を用いた高アスペクト比AlN ウィスカーの成長

    陳鳴宇、松原弘明、水野恒平、永冶仁、竹内幸久、原田俊太、宇治原徹、青木祐一、小原公和、加納豊広

    公益社団法人日本セラミックス協会 第26回秋季シンポジウム 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:信州大学、長野県   Country:Japan  

  518. "Effect of solution flow velocity on the step bunching in solution growth of SiC" International conference

    Can Zhu, Shunta Harada, Kazuaki Seki, Miho Tagawa, Yuji Matsumoto, Tomohisa Kato, Kazuhisa Kurashige, Hajime Okumura, Toru Ujihara

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

     More details

    Event date: 2013.8

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Poland  

  519. "Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC" International conference

    Shunta Harada, Yuji Yamamoto, Kazuaki Seki, Atsushi Horio, Takato Mitsuhashi, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

     More details

    Event date: 2013.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Poland  

  520. "Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method utilizing the conversion from threading dislocations to basal plane defects" International conference

    Toru Ujihara, Yuji Yamamoto, Shunta Harada, Shiyu Xiao, Kazuaki Seki

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

     More details

    Event date: 2013.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Poland  

  521. "Forming two-dimensional structure of DNA-functionalized Au nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers" International conference

    Takumi Isogai, Agnes Piednoir, Eri Akada, Yuki Akahoshi, Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

     More details

    Event date: 2013.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Poland  

  522. "Two Pathways Determining Chirality in NaClO3 Crystals Grown from Solution via Achiral Precursors" International conference

    Hiromasa Niinomi, Hitoshi Miura, Yuki Kimura, Takahiro Kuribayashi, Makio Uwaha, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

     More details

    Event date: 2013.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Poland  

  523. "Growth rate and surface morphology of 4H-SiC crystals grown from Si-Cr-C based solutions under various temperature gradient conditions" International conference

    Takeshi Mitani, Naoyoshi Komatsu, Tetsuo Takahashi, Tomohisa Kato, Toru Ujihara, Yuji Matsumoto, Kazuhisa Kurashige, Hajime Okumura

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

     More details

    Event date: 2013.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Poland  

  524. "Growth of high quality 3C-SiC on hexagonal SiC seed using TSSG method" International conference

    Kazuaki Seki, Shota Yamamoto, Shunta Harada, Toru Ujihara

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 

     More details

    Event date: 2013.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Poland  

  525. "Two-dimensional crystallization of DNA-functionalized nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers" International conference

    Takumi Isogai, Agnes Piednoir, Eri Akada, Yuki Akahoshi, Ryugo Tero, Shunta Harada, Toru Ujihara, Miho Tagawa

    15th International Summer School on Crystal Growth(ISSCG-15) 

     More details

    Event date: 2013.8

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Poland  

  526. 溶液法の現状と課題

    宇治原徹

    応用物理学会 先進パワー半導体研究会 第8回個別討論会 「SiC基板結晶に求められるスペック」 

     More details

    Event date: 2013.7

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:名古屋大学、愛知県   Country:Japan  

  527. "Nanoparticle Assembly mediated by Designed DNA Nanostructures" International conference

    Miho Tagawa, Oleg Gang, Kevin Yager, Takumi Isogai, Eri Akada, Shunta Harada, Toru Ujihara

    Programmable Self-Assembly of Matter Conference 2013 

     More details

    Event date: 2013.6 - 2013.7

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United States  

  528. マクロステップを利用した高品質SiC溶液成長

    宇治原徹

    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2013春季講演会,SiC結晶成長講演会 ~SiC半導体の現在の課題と将来展望~ 

     More details

    Event date: 2013.6

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:大阪大学、銀杏会館3階   Country:Japan  

  529. Solution growth of high quality 3C-SiC on a vicinal 6H-SiC International conference

    T. Ujihara, K. Seki, S. Yamamoto, S. Harada, M. Tagawa

    HeteroSiC-WASMPE2013 

     More details

    Event date: 2013.6

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  530. Ultrahigh-resolution direct observation of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs superlattice International conference

    Daiki Shimura, Fumiaki Ichihashi, Kenji Nishitani, Shunta Harada, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Masaharu Matsunami, Shin-ichi Kimura, Takenobu Sakai, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference 

     More details

    Event date: 2013.6

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  531. Electron Spectroscopy of Conduction Electrons Exited by Visible Light Utilizing NEA Surface International conference

    Fumiaki Ichihashi, Daiki Shimura, Kenji Nishitani, Makoto Kuwahara, Takahiro Ito, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

    39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference 

     More details

    Event date: 2013.6

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  532. 高品質SiC溶液成長

    宇治原徹、原田俊太

    一般社団法人資源・素材学会 平成25年度春季大会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:千葉工業大学津田沼キャンパス、千葉県   Country:Japan  

  533. 酸化タングステンの酸素欠損に伴う熱伝導率の変化

    弓削勇輔,原田俊太,田川美穂,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:神奈川工科大学,神奈川県   Country:Japan  

  534. 「講演奨励賞受賞記念講演」”3C-SiC 溶液成長における多形制御と欠陥抑制”

    関和明,山本翔太,原田俊太,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:神奈川工科大学,神奈川県   Country:Japan  

  535. SiC溶液成長において流速の変化が表面モフォロジーに与える影響

    朱燦,原田俊太,関和明,田川美穂,松本祐司,加藤智久,蔵重和央,奥村元,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:神奈川工科大学,神奈川県   Country:Japan  

  536. 4H-SiC溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する欠陥の微細構造

    原田俊太,國松亮太,田川美穂,山本悠太,荒井重勇,田中信夫,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:神奈川工科大学,神奈川県   Country:Japan  

  537. SiCr系溶媒を用いた2インチ4H-SiCバルク成長

    三谷武志,小松直佳,岡村雅之,高橋徹夫,加藤智久,蔵重和央,宇治原徹,松本祐司,奥村元

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:神奈川工科大学,神奈川県   Country:Japan  

  538. AlGaAs/InGaAs超格子構造におけるミニバンドの超高分解能直接観察

    志村大樹,市橋史朗,原田俊太,桒原真人,伊藤孝寛,松波雅治,木村真一,酒井武信,田川美穂,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:神奈川工科大学,神奈川県   Country:Japan  

  539. NEA表面を利用した伝導電子エネルギーの直接測定

    市橋史朗,志村大樹,西谷健治,原田俊太,桑原真人,伊藤孝寛,田川美穂,宇治原徹

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:神奈川工科大学,神奈川県   Country:Japan  

  540. 脂質分子の拡散によるDNA被覆金ナノ粒子の2次元構造体形成

    磯貝卓巳,Agnes Piednoir,赤田英里,祐樹赤星,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:神奈川工科大学,神奈川県   Country:Japan  

  541. BaFe2(As,P)2薄膜のMBE成長と接合作製

    森康博,坂上彰啓,川口昂彦,田渕雅夫,宇治原徹,生田博志

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:神奈川工科大学,神奈川県   Country:Japan  

  542. NdFeAs(O,F)薄膜上のCaF2層の成長及び接合作製

    角谷直紀,川口昂彦,田渕雅夫,宇治原徹,生田博志

    2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:神奈川工科大学,神奈川県   Country:Japan  

  543. Al融液窒化法を用いたAlN多結晶の作製におけるMgによる窒化促進効果の検証

    水野恒平、松原弘明、永冶仁、竹内幸久、原田俊太、宇治原徹、加納豊広、青木祐一、小原公和

    日本セラミックス協会2013年 年会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学大岡山キャンパス   Country:Japan  

  544. 溶液成長過程における貫通転位変換を利用した高品質4H-SiCの実現

    原田俊太, 山本祐治, 関和明, 田川美穂, 宇治原徹

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

     More details

    Event date: 2012.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪市中央公会堂、大阪府   Country:Japan  

  545. 電流による4H-SiC溶液成長の成長速度制御

    三谷武史,  岡村雅之, 高橋徹夫 小松直佳,  加藤智久,  宇治原徹,  松本祐司, 蔵重和央, 奥村元

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

     More details

    Event date: 2012.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪市中央公会堂、大阪府   Country:Japan  

  546. TSSG法による高品質3C-SiC

    関和明, 原田俊太, 宇治原徹

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

     More details

    Event date: 2012.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪市中央公会堂、大阪府   Country:Japan  

  547. Si-C溶液で成長される4H-SiC結晶の成長レート、表面形態の過飽和度依存性

    小松直佳,  三谷武史, 岡村雅之, 高橋徹夫 加藤智久, 宇治原徹,  松本祐司, 蔵重和央, 奥村元

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

     More details

    Event date: 2012.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪市中央公会堂、大阪府   Country:Japan  

  548. 溶液成長法におけるSiC単結晶のキャリア密度および不純物濃度の測定

    藤井邦治, 武井康一, 長井一郎, 三谷武史, 小松直佳, N.Senguttuvan, 高橋哲夫, 松本祐司, 宇治原徹, 加藤智久, 蔵重和央, 奥村元

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

     More details

    Event date: 2012.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪市中央公会堂、大阪府   Country:Japan  

  549. Si-C-X溶媒を用いたSiC溶液成長における結晶化多形の熱力学的考察

    堀尾篤史, 原田俊太,宇治原徹

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

     More details

    Event date: 2012.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪市中央公会堂、大阪府   Country:Japan  

  550. 透過電子顕微鏡法によるSiC溶液成長における欠陥挙動解析

    原田俊太, 國松亮太, 田川美穂, 山本悠太, 荒井重勇, 田中信夫, 宇治原徹

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会 

     More details

    Event date: 2012.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪市中央公会堂、大阪府   Country:Japan  

  551. 溶液法による高品質SiC結晶成長メカニズム

    原田俊太, 山本祐治, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 田川美穂, 宇治原徹

    第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)  

     More details

    Event date: 2012.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学、福岡県   Country:Japan  

  552. SiC溶液成長における窒素ドープによる積層欠陥の形成

    原田俊太, 関和明, 楠一彦, 田川美穂, 宇治原徹

    第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)  

     More details

    Event date: 2012.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学、福岡県   Country:Japan  

  553. 3C-SiC溶液成長における双晶抑制

    関和明, 原田俊太, 宇治原徹

    第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)  

     More details

    Event date: 2012.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学、福岡県   Country:Japan  

  554. 一方向の溶液流れ下におけるSiCのステップバンチングの挙動

    朱燦, 原田俊太, 関和明, 新家寛正, 田川美穂, 宇治原徹

    第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)  

     More details

    Event date: 2012.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学、福岡県   Country:Japan  

  555. 溶液法によるα-Al2O3上へのAlNヘテロエピタキシャル成長

    松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 木藤泰男, 奥野英一, 宇治原徹

    第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)  

     More details

    Event date: 2012.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学、福岡県   Country:Japan  

  556. 溶液法による3C-SiCバルク結晶成長

    関和明, 原田俊太, 宇治原徹

    第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)  

     More details

    Event date: 2012.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学、福岡県   Country:Japan  

  557. Solution growth of AlN single crystal on sapphia International conference

    Hiroaki. Matsubara, Kohei Mizuno, Yukihisa Takeuchi, Yoshikazu Takeda, Yuichi Aoki, Kimio Kohara, and Toru Ujihara

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012) 

     More details

    Event date: 2012.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  558. Evolution of Threading Edge Dislocation During Solution Growth of SiC International conference

    S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, and T.Ujihara

    2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012) 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  559. 紫外光電子分光法を用いた超格子ミニバンドの直接観察

    市橋史朗, 志村大樹, 桑原真人, 原田俊太, 伊藤孝寛, 松浪雅治, 木村真一, 宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会・東海支部 第19回基礎セミナー「透明導電膜―基礎から応用―」 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:岐阜大学、岐阜県   Country:Japan  

  560. Direct Observation of Mini-bands in AlGaAs/GaAs Superlattice for intermediate Band Solar Cell International conference

    D. Shimura, K. Hashimoto, F. Ichihashi, S. Harada, T. Ito, M. Kuwahara, M. Matsunami, S. Kimura, T. Sakai and T. Ujihara

    International Union of Materials Research Societies International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012) 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  561. Direct Observation of Defect Evolution during Solution Growth of SiC by Synchrotron X-ray Topography International conference

    S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, and T.Ujihara

    International Union of Materials Research Societies International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012) 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  562. VS法による高アスペクト比AlNウィスカーの成長

    松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和

    公益社団法人日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋大学、愛知県   Country:Japan  

  563. Al融液窒化法において成長温度がAlN組織形成に与える影響

    水野恒平, 松原弘明,竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和

    公益社団法人日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋大学、愛知県   Country:Japan  

  564. 溶液法による超高品質SiC結晶成長

    宇治原徹, 原田俊太,山本祐治, 関 和明

    公益社団法人日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:名古屋大学、愛知県   Country:Japan  

  565. 4H-SiC溶液成長における貫通刃状転位の選択的変換

    原田俊太, 山本祐治, 関 和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:愛媛大学城北地区, 愛媛県   Country:Japan  

  566. SiC溶液成長における流れがステップバンチングに及ぼす影響

    Can Zhu, 原田俊太, 関 和明, 新家寛正, 宇治原徹

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:愛媛大学城北地区, 愛媛県   Country:Japan  

  567. TSSG法で育成した4H-SiC結晶の窒素ドーピング挙動

    楠 一彦, 関 和明, 原田俊太, 亀井一人, 矢代将斉, 宇治原徹

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:愛媛大学城北地区, 愛媛県   Country:Japan  

  568. DPBフリー3C-SiCの溶液成長

    関 和明, 原田俊太, 宇治原徹

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:愛媛大学城北地区, 愛媛県   Country:Japan  

  569. 溶液法によるサファイア基板上へのAlN単結晶成長

    松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 木藤泰男, 奥野英一, 宇治原徹

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:愛媛大学城北地区, 愛媛県   Country:Japan  

  570. NdFeAs (O,F)薄膜を用いた超伝導接合の作製

    川口昂彦, 角谷直紀, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:愛媛大学城北地区, 愛媛県   Country:Japan  

  571. BaFe2(As,P)2超伝導薄膜のMBE成長と粒界特性の評価

    森 康博, 坂上彰啓, 川口昂彦, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和,生田博志

    2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:愛媛大学城北地区, 愛媛県   Country:Japan  

  572. Solution growth of DPB-free 3C-SiC International conference

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia   Country:Japan  

  573. Effect of surface polarity on the conversion of threading dislocations in solution growth International conference

    Y.Yamamoto, S.Harada, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara

    The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012) 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  574. Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal: conversion of threading edge dislocations by solution growth International conference

    S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, C.Zhu, M.Tagawa, T.Ujihara

    The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012) 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  575. Influence of solution flow on step bunching in solution growth of SiC International conference

    C.Zhu, K.Seki, S.Harada, H.Niinomi, M.Tagawa, T.Ujihara

    The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012) 

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  576. Reduction of threading screw dislocation density utilizing defect conversion during solution growth of 4H-SiC International conference

    S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, T.Ujihara

     More details

    Event date: 2012.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  577. Spin-polarized and Pulsed TEM Using a Laser-driven Semiconductor Photocathode International conference

    N. Tanaka, M. Kuwahara, K. Saitoh, S. Kusunoki, T. Ujihara, H. Asano, Y. Takeda and T. Nakanishi

    Microscopy & Microanalysis 2012 

     More details

    Event date: 2012.7 - 2012.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  578. レーザー励起半導体電子源を用いた30kVパルスTEMの開発

    田中信夫、桑原真人、楠聡一郎、浅野秀文、宇治原徹、齋藤晃、竹田美和、中西彊

    日本顕微鏡学会第68回学術講演会 

     More details

    Event date: 2012.5

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:つくば国際会議場、茨城県   Country:Japan  

  579. スピン編極TEMにおけるNEAフォトカソードからの低エネルギー分散ビームの生成

    楠聡一郎、桑原真人、宇治原徹、浅野秀文、竹田美和、中西彊、齋藤晃、田中信夫

    日本顕微鏡学会第68回学術講演会 

     More details

    Event date: 2012.5

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:つくば国際会議場、茨城県   Country:Japan  

  580. Spin-polarized TEM using an NEA photocathode International conference

    M. Kuwahara, S. Kusunoki, K. Saitoh, T. Ujihara, and N. Tanaka

    The 3rd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations (AMTC3) 

     More details

    Event date: 2012.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  581. Efficient Process for Ultrahigh Quality 4H-SiC Crystal Utilizing Solution Growth on Off-axis Seed Crystal International conference

    Shunta Harada, Yuji Yamamoto, Kazuaki Seki, Atsushi Horio, Takato Mitsuhashi, Toru Ujihara

    MRS Spring Meeting & Exhibit 

     More details

    Event date: 2012.4

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  582. Reduction of Defects in SiC by Solution Growth for High Performance Power Device International conference

    S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto, T. Ujihara, J. Yamasaki, N. Tanaka

    Interational symposium on role of electron microscopy in industry 

     More details

    Event date: 2012.1

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  583. Solution growth of high-quality SiC crystal International conference

    Toru Ujihara

    INDO-JAPAN Conference on Frontier Nano-Materials for Energy (FNE-2012) 

     More details

    Event date: 2012.1

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  584. Solution growth of high-quality SiC crystal - polytype control and defect elimination - International conference

    Toru Ujihara

    Nagoya Univ.-Tsinghua Univ.-Toyota Motor Corp.-Hokkaido Univ. -Univ. Electro. Sci. Tech. China Joint Symposium -Materials Science and Nanotechnology for the 21th Century- 

     More details

    Event date: 2011.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  585. Formation of Different Polytypes during 4H-SiC Solution Growth International conference

    Shunta Harada, Alexander, Kazuaki Seki, Yuji Yamamoto, Toru Ujihara, Jun Yamasaki, Nobuo Tanaka

    International Symposium on EcoTopia Science 2011 (ISETS '11) 

     More details

    Event date: 2011.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  586. 溶液法を用いた4H-SiC結晶における貫通らせん転位の消滅

    山本祐治, 原田俊太, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会 

     More details

    Event date: 2011.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:愛知県   Country:Japan  

  587. SiC 溶液成長における貫通転位の変換過程 ーUltra-High Quality の可能性ー

    宇治原徹,原田俊太,山本祐治,関和明,堀尾篤史,三橋貴仁

    公益社団法人応用物理学会 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会 

     More details

    Event date: 2011.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:愛知県   Country:Japan  

  588. 成長速度論的多形選択成長を用いた3C-SiCバルク結晶の実現

    関和明, 山本祐治, 原田俊太, 宇治原徹, 竹田美和

    公益社団法人応用物理学会 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会 

     More details

    Event date: 2011.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:愛知県   Country:Japan  

  589. Solution growth of high-quality SiC crystal for next-generation power device materials International conference

    Shunta Harada, Toru Ujihara

    1st Global Conference on Materials and Technology for the Future "Green Vehicle" 

     More details

    Event date: 2011.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  590. MBE法によるNdFeAs(O,F)上へのCaF2絶縁膜成長

    上村彦樹, 川口昴彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志

    日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41) 

     More details

    Event date: 2011.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:茨城県   Country:Japan  

  591. AlN溶液成長においてMg蒸気圧が融液の窒化に与える影響

    水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和

    日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41) 

     More details

    Event date: 2011.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:茨城県   Country:Japan  

  592. 6H-SiC上への3C-SiC溶液成長における速度論的多形選択メカニズム

    関和明, 山本祐治, 原田俊太, 宇治原徹, 竹田美和

    日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41) 

     More details

    Event date: 2011.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:茨城県   Country:Japan  

  593. SiC溶液成長における転位変換過程

    宇治原徹, 小澤茂太, 山本祐治, 関和明, 原田俊太

    日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41) 

     More details

    Event date: 2011.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:茨城県   Country:Japan  

  594. 溶液成長における4H-SiC上での多形変化挙動

    原田俊太, アレキサンダー, 関和明, 山本祐治, 宇治原徹

    日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41) 

     More details

    Event date: 2011.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:茨城県   Country:Japan  

  595. Polytype transformation path on 4H-SiC during top-seeded solution growth International conference

    S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto and T. Ujihara

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) 

     More details

    Event date: 2011.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  596. Dissociation of Screw Dislocations Assisted by Step-flow Process in SiC Solution Growth International conference

    T.Ujihara, S.Kozawa, K.Seki, Y.Yamamoto, Alexander and S.Harada

     More details

    Event date: 2011.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  597. Al融液窒化法における高密度AlN形成メカニズム

    水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和

    公益社団法人日本セラミックス協会 第24回秋季シンポジウム 

     More details

    Event date: 2011.9

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Country:Japan  

  598. Polytype-Controlled Solution Growth of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by Supersaturation in Si-Sc-C Ternary System International conference

    September 12, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16  

     More details

    Event date: 2011.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  599. Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation During SiC Solution Growth International conference

    September 14, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16 

     More details

    Event date: 2011.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  600. Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth International conference

    September 12, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16  

     More details

    Event date: 2011.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  601. 過飽和度制御による6H-SiC(0001)上への3C-SiC溶液成長

    関 和明,山本祐治,原田俊太,宇治原徹,竹田美和

    8月30日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 30a-ZB-1 

     More details

    Event date: 2011.8 - 2011.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  602. AlGaAs中間層及びSi3N4反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上

    市橋史朗,金 秀光,山本尚人,真野篤志,桑原真人,渕 真悟,宇治原徹,竹田美和

    8月31日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZA-13 

     More details

    Event date: 2011.8 - 2011.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  603. MBE成長したNdFeAsO薄膜へのフッ素ドーピング

    川口昂彦,上村彦樹,大野俊也,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志

    8月31日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-10 

     More details

    Event date: 2011.8 - 2011.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  604. NdFeAs(O,F)薄膜の超伝導特性の基板依存性

    上村彦樹,川口昂彦,大野俊也,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志

    8月31日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-9 

     More details

    Event date: 2011.8 - 2011.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  605. MBE法によるBaFe2(As,P)2超伝導薄膜の成長

    上彰啓,川口昂彦,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志

    8月31日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-8 

     More details

    Event date: 2011.8 - 2011.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  606. SiC溶液成長における貫通らせん転位分解メカニズム

    宇治原徹,小澤茂太,関 和明,山本祐治,原田俊太

    8月30日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 30a-ZB-2 

     More details

    Event date: 2011.8 - 2011.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  607. Improvement of reaction rate in AlN solution growth by Mg vapor supply International conference

    July 11, 9th International Conference on Nitride Semiconductors, Glasgow, UK, July 10-15 

     More details

    Event date: 2011.7

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Country:United Kingdom  

  608. 酸化物基板表面上の細胞膜モデルシステム:支持平面脂質膜のダイナミクスと基板表面の影響

    手老龍吾,佐崎 元, 宇治原徹, 宇理須恒雄

    応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会 研究会, 神戸大学, 2011年6月24-25日 

     More details

    Event date: 2011.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  609. T6/16 Polytype-Selective Growth of SiC by Supersaturation Control in Solution Growth International conference

    June 29, 5th International Workshop on Crystal Growth Technology(IWCGT-5), Berlin, Germany, June 26-30 (2011) 

     More details

    Event date: 2011.6

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Germany  

  610. スピン偏極パルスTEM用電子源と照射系の開発

    桑原真人, 中西 彊, 竹田美和, 浅野秀文, 齋藤晃, 宇治原徹, 田中信夫

    福岡国際会議場, 福岡県, 5月16日, 日本顕微鏡学会第67回学術講演会, 2011年5月16-18日 

     More details

    Event date: 2011.5

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  611. Mg気相供給を用いた多結晶AlNの溶液成長

    水野恒平, 松原弘明, 宇治原徹, 竹田美和, 青木祐一, 竹内幸久

    日本セラミックス協会 2011年 年会, 静岡大学, 浜松キャンパス, 2011年3月16-18日 

     More details

    Event date: 2011.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  612. MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と評価

    上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志

    第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日 

     More details

    Event date: 2011.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  613. TEM法による超格子の層厚変調のメカニズムの解析

    金 秀光, 中原弘貴, 斎藤 晃, 坂 貴, 宇治原徹, 田中信夫, 竹田美和

    第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日 

     More details

    Event date: 2011.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  614. 溶液成長における4H-SiC(0001)面上の成長多形変化過程の観察

    アレキサンダー, 関 和明, 小澤茂太, 山本裕治, 宇治原徹, 竹田美和

    第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日 

     More details

    Event date: 2011.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  615. 溶液成長により作製したSiC結晶の転位挙動解析

    小澤茂太, 関 和明, 山本祐治, Alexander, 宇治原徹, 竹田美和

    第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日 

     More details

    Event date: 2011.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  616. 溶液法によるSiC結晶成長 ー多形制御・結晶性ー

    宇治原徹

    第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日 

     More details

    Event date: 2011.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  617. 放射光トポグラフィーによるSiC溶液成長における転位挙動解析

    小澤 茂太, 関 和明, 山本祐治, Alexander, 宇治原徹, 山口博隆, 竹田美和

    PF研究会「X線トポグラフィーの現状と展望」, 高エネルギー加速器研究機構, つくば, 2011年1月11-12日 

     More details

    Event date: 2011.1

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  618. Hierarchic lipid diffusion in supported lipid bilayers on oxide surfaces International conference

    The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies (Pacifichem), Honolulu, Hawaii, USA, December 15-20 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  619. Laser light patterning on phase-separated domain in supported lipid bilayer International conference

    The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies (Pacifichem), Honolulu, Hawaii, USA, 15-20 December (2010) 

     More details

    Event date: 2010.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  620. 液相法によるAlN多結晶体合成とMg添加効果

    水野恒平, 宇治原徹, 竹田美和, 青木祐一, 竹内幸久, 井上 哲

    第20回学生による材料フォーラム, 名古屋大学豊田講堂, 名古屋市, 2010年11月25日 

     More details

    Event date: 2010.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  621. 6H-SiC上への3C-SiC溶液成長における成長多形と過飽和度の関係

    関 和明, アレキサンダー, 小澤茂太, 山本祐治, 宇治原徹, 竹田美和

    第20回学生による材料フォーラム, 名古屋大学豊田講堂, 名古屋市, 2010年11月25日 

     More details

    Event date: 2010.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  622. 溶液成長で作製したSiC結晶における欠陥挙動の評価

    小澤茂太, 関 和明, アレキサンダー, 山本祐治, 宇治原徹, 竹田美和

    第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, つくば国際会議場, つくば市, 2010年10月20-22日 

     More details

    Event date: 2010.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  623. 6H-SiC(0001)上への溶液成長における3C-SiC優先成長メカニズム

    関 和明, アレキサンダー, 小澤茂太, 山本祐治, 宇治原徹, 竹田美和

    第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, つくば国際会議場, つくば市, 2010年10月20-22日 

     More details

    Event date: 2010.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  624. 溶液成長における4H-SiCの成長多形安定性

    アレキサンダー, 関 和明, 小澤茂太, 山本祐治, 宇治原徹, 竹田美和

    第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, つくば国際会議場, つくば市, 2010年10月20-22日 

     More details

    Event date: 2010.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  625. 液相法による AlN 多結晶体合成とMg 添加効果

    水野恒平, 宇治原徹, 竹田美和, 青木祐一, 竹内幸久, 井上 哲

    日本金属学会2010年秋期(第147回)大会, 北海道大学, 2010年9月25-27日 

     More details

    Event date: 2010.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  626. Pulsed spin-polarized electron source toward a transmission electron microscope International conference

    17th International Microscopy Congress I1501, Rio de Janeiro, Brazil, September 19-24 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Brazil  

  627. Development of a Spin-Polarized and Short-Pulsed Transmission Electron Microscope International conference

    17th International Microscopy Congress I1501, Rio de Janeiro, Brazil, September 19-24 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Brazil  

  628. High brightness electron gun test facility at KEK International conference

    Workshop on Sources of Polarized Leptons and High Brightness Electron Beams, Bonn, Germany, September 21-24 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Germany  

  629. Elimination of local thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattices for high spin-polarization photocathodes International conference

    Workshop on Sources of Polarized Leptons and High Brightness Electron Beams, Bonn, Germany, September 21-24 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Germany  

  630. AlGaAs中間層の導入による透過型 GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極フォトカソードの高量子効率化

    市橋史朗, 金 秀光, 桑原真人, 山本尚人, 前多悠也, 橋本和弥, 渕 真悟, 奥見正治, 宇治原徹, 中西 彊, 竹田美和

    第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日 

     More details

    Event date: 2010.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  631. MBE法によるGaAs基板上のLnFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長

    川口昂彦, 上村彦樹, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志

    第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日 

     More details

    Event date: 2010.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  632. MBE法によるMgO基板上へのNdFeAs(O,F)薄膜の成長

    上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志

    第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日 

     More details

    Event date: 2010.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  633. GaAs上InAs積層量子ドットの発光のスペーサー層厚さ制御による広帯域化

    谷 和馬, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和

    第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日 

     More details

    Event date: 2010.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  634. 6H-SiC上への3C-SiCヘテロ成長における多形変換過程

    関 和明, アレキサンダー, 小澤茂太, 宇治原徹, Patrick Chaudouet, Didier Chaussende, 竹田美和

    第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日 

     More details

    Event date: 2010.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  635. MBE法によるLnFeAs(O,F)超伝導薄膜(Ln=La,Nd)の成長と物性評価

    大野俊也, 川口昂彦, 上村彦樹, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志

    日本物理学会 2010年秋季大会, 2010年9月23-26日 

     More details

    Event date: 2010.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  636. Defect evaluation of SiC crystal grown by solution method: The study bysynchrotron X-ray topography and etching method International conference

    8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oslo, Norway, August 29-September 2 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.8 - 2010.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Norway  

  637. SiC polytype grown on {0001} seed crystal by solution growth International conference

    8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oslo, Norway, August 29- September 2 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.8 - 2010.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Norway  

  638. Effects of GaAs inter-layer on uniformity of GaAs/GaAsP strained superlattice for spin-polarized photocathodes International conference

    The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), HE6 Beijing International Convention Center, Beijing China, August 8-13 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:China  

  639. Formation mechanism of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by solution growth International conference

    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:China  

  640. Solution growth of high-quality and large-area 3C-SiC International conference

    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:China  

  641. Improvement of quantum efficiency by introduction of AlGaAs inter-layer in transmission-type spin-polarized photocathode International conference

    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:China  

  642. Increase of Spectral Width of Stacked InAs Quantum Dots on GaAs by Controlling Spacer Layer Thickness International conference

    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:China  

  643. MBE growth and characterization of superconducting NdFeAs(O,F) epitaxial films on GaAs(001) International conference

    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:China  

  644. Effects of defects and local thickness modulation on spin-polarization in photocathodes based on GaAs/GaAsP strained superlattices International conference

    The 23rd International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC 2010), 8.5, Palo Alto, California, USA, July 26-30 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.6

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  645. TEM analysis of SiC crystal grown on (001) 3C-SiC CVD substrate by solution growth International conference

    The 2nd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations, June 24-26 (2010) 

     More details

    Event date: 2010.6

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  646. スピン偏極パルス透過電子顕微鏡の開発1

    田中信夫, 中西 彊, 竹田美和, 浅野秀文, 斎藤 晃, 宇治原徹, 桑原真人

    日本顕微鏡学会 第66回学術講演会, 2010年5月23-26日 

     More details

    Event date: 2010.5

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  647. スピン偏極パルスTEM用電子銃の特性評価

    桑原真人, 中西 彊, 田中信夫, 竹田美和, 浅野秀文, 斎藤晃, 宇治原徹

    日本顕微鏡学会 第66回学術講演会, 2010年5月23-26日 

     More details

    Event date: 2010.5

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  648. 500kV Gun development at KEK International conference

    48th ICFA Advanced Beam Dynamics Workshop on Future Light Sources, 1-5 March 2010, SLAC National Accelerator Laboratory, USA 

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  649. 脂質二重膜内の階層的な分子拡散挙動その場観察のための蛍光顕微鏡

    手老龍吾,佐崎元,宇治原徹,宇理須恒雄

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  650. MBEによるGaAs(001)基板上へのNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長

    上村彦樹,川口昂彦,大野俊也,田渕雅夫, 宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  651. MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価

    川口昂彦,上村彦樹,大野俊也,田渕雅夫, 宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  652. ミュオニウムスピン交換法による半導体(Si,GaAs)中の伝導電 子スピン偏極測定

    鳥養映子,白木一郎,永嶺謙忠,下村浩一郎,Pavel Bacule,石田勝彦,大石一城,竹田美和,宇治原徹,坂貴, 加藤俊宏,横山浩司,Harry Tom,Roland Kawakami,Francis Pratt

    日本物理学会第65回年会、2010年3月20~23日、岡山大学津島キャンパス 

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  653. スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察

    中西彊,桑原真人,奥見正治,真野篤志,中川靖英, 山本尚人,金秀光,宇治原徹,竹田美和,鈴木雅彦, 安江常夫,越川孝範,孝橋照生,大嶋卓,坂貴, 堀中博道,加藤俊宏,山本将博

    日本物理学会第65回年会、2010年3月20~23日、岡山大学津島キャンパス 

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  654. MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価

    川口昂彦,上村彦樹, 大野俊也,田渕雅夫,宇治原徹,竹中康司, 竹田美和,生田博志

    日本物理学会第65回年会、2010年3月20~23日、岡山大学津島キャンパス 

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  655. 一分子蛍光追跡法による脂質二重膜中の幅広い時間・空間スケールでの分子拡散挙動のその場観察

    手老龍吾・佐崎元・宇治原徹・宇理須恒雄

    日本化学会第90回春季年会、2C5-16、2010年3月26~29日、近畿大学本部キャンパス 

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  656. 人工脂質二重膜における膜欠陥の低減と相分離ドメイン凝集への影響

    内田昌志,宇治原徹,手老龍吾,竹田美和

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  657. 溶液成長で成長したSiC結晶における放射光トポグラフィーとエッチングによる欠陥評価

    小澤茂太,関 和明,アレキサンダー,宇治原徹,竹田美和

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  658. 溶液成長における種結晶の極性面と成長多形の関係

    アレキサンダー,関 和明,小澤茂太,宇治原徹,竹田美和

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  659. 溶液法による6H-SiC{0001}上への3C-SiCヘテロ成長メカニズム

    関和明,小澤茂太,宇治原徹,竹田美和

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  660. スピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子フォトカソードにおける欠陥と層厚変調の偏極度への影響

    金秀光,前多悠也,市橋史朗,橋本和弥,渕真悟,宇治原徹,竹田美和

    第57回応用物理学関係連合講演会、2010年3月17-20日、東海大学湘南キャンパス 

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  661. 次世代パワーデバイス半導体SiCの溶液成長

    宇治原徹

    日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部学術討論会「次世代自動車の普及と地球温暖化対策を目指す最先端材料研究」、2010年2月23日、名古屋大学 

     More details

    Event date: 2010.2

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  662. Growth of Transmission-type photocathode based on a GaAs-GaAsP strained superlattice for real time SPLEEM International conference

    7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), 6-11 December 2009, Hawaii, USA 

     More details

    Event date: 2009.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  663. 6H-SiC(0001)上に溶液成長した3C-SiC の表面モフォロジー

    関和明, アレキサンダー, 小澤茂太, 宇治原徹, 竹田美和

    第18回(2009年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会 

     More details

    Event date: 2009.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  664. Real time observation of growth process of magnetic thin films by SPLEEM with high brightness and high spin-polarized electron source International conference

    7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), 6-11 December 2009, Hawaii, USA 

     More details

    Event date: 2009.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

  665. High brightness and highly polarized electron beam for real-time measurement in SPLEEM International conference

    7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), 6-11 December 2009, Hawaii, USA 

     More details

    Event date: 2009.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

  666. Strain of GaAs/GaAsP superlattices used as spin-polarized electron photocathodes, determined by X-ray diffraction International conference

    7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), 6-11 December 2009, Hawaii, USA 

     More details

    Event date: 2009.12

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

  667. Development of high brightness and highly spin polarized low energy electron microscope International conference

    7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), 6-11 December 2009, Hawaii, USA 

     More details

    Event date: 2009.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  668. MBEによるGaAs基板(001)面上へのNdFeAs(O,F)超伝導薄成長

    上村彦樹,川口昂彦,大野俊也,渡邉諒太郎,田渕雅夫,宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    第39回結晶成長国内会議、2009年11月12~14日、名古屋大学 

     More details

    Event date: 2009.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  669. 溶液成長によってCVD製3C-SiC基板上に成長させた結晶のTEM解析

    森本海, 関和明, 徳永智春, 宇治原徹, 佐々木勝寛, 黒田光太郎

    日本金属学会東海支部 第19回学生による材料フォーラム、2009年11月13日、豊橋サイエンスコア、愛知県 

     More details

    Event date: 2009.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  670. MBE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF NdFeAsO THIN FILMS International conference

    22nd INTERNATIONAL SYMPOSIUM OF SUPERCONDUCTIVITY (ISS22), 2-4 November 2009, Tsukuba, Japan 

     More details

    Event date: 2009.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  671. CHARACTERIZATION AND THE PHYSICAL PROPERTIES OF MBE GROWN NdFeAsO THIN FILMS International conference

    22nd INTERNATIONAL SYMPOSIUM OF SUPERCONDUCTIVITY (ISS22), 2-4 November 2009, Tsukuba, Japan 

     More details

    Event date: 2009.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  672. 6H-SiC(0001)面上への3C-SiC溶液成長

    小澤茂太,関和明,アレキサンダー,宇治原徹,竹田美和

    第39回結晶成長国内会議、2009年11月12~14日、名古屋大学 

     More details

    Event date: 2009.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  673. TEMによるスピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子構造の結晶性の評価

    金 秀光, 前多悠也, 渕 真悟, 宇治原 徹, 竹田美和

    第39回結晶成長国内会議、2009年11月12~14日、名古屋大学 

     More details

    Event date: 2009.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  674. 一方向に優先的に成長する樹枝状二次元島の研究- Kinetic Monte-Carlo Simulationによる再現 -

    菊田翔平,神部拓也,西田幸司,高岸洋一,平井豪,宇治原徹,中田俊隆

    第39回結晶成長国内会議、2009年11月12~14日、名古屋大学 

     More details

    Event date: 2009.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  675. Stacking Faults Induced by Polytype Transformation in 6H-SiC Grown on 3C-SiC with Solution Growth International conference

    13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM2009), 11-16 October 2009, Nuremberg, Germany 

     More details

    Event date: 2009.10

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

  676. Development of super-high brightness and high spin-polarization photocathodes for SPLEEM, ERL, and ILC International conference

    Second HOPE Meeting,27September-1 October 2009, Hakone, Japan 

     More details

    Event date: 2009.10

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

  677. Polytype-Stabilized Solution Growth of 3C-SiC International conference

    2009 International Conference on. Solid State Devices and Materials. (SSDM 2009), 7-9 October 2009,Sendai, Japan 

     More details

    Event date: 2009.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  678. Large-area 3C-SiC crystal grown on 6H-SiC substrate by solution growth International conference

    13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM2009), 11-16 October 2009, Nuremberg, Germany 

     More details

    Event date: 2009.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  679. Growth of Epitaxial NdFeAsO Thin Films by Molecular Beam Epitaxy and their Characterization International conference

    9th International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductoivity, Sptember 7-12, 2009, Tokyo Japan 

     More details

    Event date: 2009.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  680. TEM investigation on structural perfection of GaAs/GaAsP strained superlattice for high-performance spin-polarized electron source International conference

    10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-10), Wed1245, Granada, Spain 

     More details

    Event date: 2009.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  681. MBE法による鉄ヒ素系薄膜の作製

    川口昂彦,上村彦樹,大野俊也,渡邉諒太郎,田渕雅夫,宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    日本物理学会2009年秋季大会、26aPS-108、2009年9月10日~13日、熊本大学黒髪キャンパス 

     More details

    Event date: 2009.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  682. 3C/6H-SiCヘテロ界面に誘起された積層欠陥のTEM観察

    関 和明,森本 海,宇治原徹,徳永智春,佐々木勝寛,黒田光太郎,竹田美和

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

     More details

    Event date: 2009.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  683. スピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子構造における層厚の変調と偏極度への影響

    金秀光,前多悠也,渕 真悟,宇治原徹,竹田美和

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

     More details

    Event date: 2009.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  684. 超高輝度・高スピン偏極度フォトカソード

    金 秀光, 山本尚人, 中川靖英, 真野篤志, 加藤鷹紀, 谷奥雅俊, 宇治原 徹, 竹田美和, 山本将博, 奥見正治, 中西 彊, 坂 貴, 堀中博道, 加藤俊宏, 安江常夫, 越川孝範

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

     More details

    Event date: 2009.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  685. 光照射による人工脂質二重膜相分離ドメイン凝集制御における光強度の影響

    内田昌志,宇治原徹,手老龍吾,竹田美和

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

     More details

    Event date: 2009.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  686. MBE法によるNdFeAsO薄膜の成長と評価(II)

    上村彦樹,川口昂彦,大野俊也,渡邉諒太郎,田渕雅夫,宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

     More details

    Event date: 2009.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  687. MBE法によるNdFeAsO薄膜の成長と評価(I)

    川口昂彦,上村彦樹,大野俊也,渡邉諒太郎,田渕雅夫,宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

     More details

    Event date: 2009.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  688. 高偏極度・高輝度電子源を用いたSPLEEMによる実時間磁区観察

    鈴木雅彦,橋本道廣,安江常夫,越川孝範,中川靖英,真野篤志,山本尚人,山本将博,許斐太郎,桑原真人,奥見正治,中西 彊,金 秀光,加藤鷹紀,谷奥雅俊,宇治原徹,竹田美和,孝橋照生,大島 卓,坂 貴,加藤俊宏,堀中博道

    第70回応用物理学会学術講演会、2009年9月8日~11日、富山大学 

     More details

    Event date: 2009.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  689. 溶液成長法の基礎とSiC結晶成長への応用

    宇治原徹

    「SiC単結晶成長、基板の開発・加工技術」セミナー 

     More details

    Event date: 2009.8

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  690. 溶液法の基礎とSiC結晶成長への応用

    宇治原徹

    第14回東海支部基礎セミナー「先端材料開発のための結晶成長の基礎と応用」 

     More details

    Event date: 2009.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  691. MBE法によるNdFeAsO薄膜の作製

    川口昂彦,田渕雅夫,宇治原徹,竹中康司,竹田美和,生田博志

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

     More details

    Event date: 2009.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  692. 4H-SiC溶液成長における固液界面エネルギーの面方位依存性と成長多形との関係

    宇治原徹,田中 亮,関 和明,竹田美和

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

     More details

    Event date: 2009.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  693. SiC溶液成長におけるSi溶媒への第三元素(Al, Sc)添加と多形変化

    関和明,田中 亮,宇治原徹,竹田美和

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

     More details

    Event date: 2009.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  694. 6H-SiC(0001)基板上への3C-SiC(111)バルク結晶の溶液成長

    関和明,田中 亮,宇治原徹,竹田美和

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

     More details

    Event date: 2009.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  695. TEMとAFMによるスピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子の結晶性の評価

    金秀光,谷奥雅俊,前多悠也,渕真悟,宇治原徹,竹田美和,山本尚人,中川靖英,山本将博,奥見正治,中西彊

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

     More details

    Event date: 2009.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  696. 単結晶TiO2(100)表面上での吸着脂質ベシクルの形状変化への基板材料および光照射の影響

    手老龍吾,宇治原徹,宇理須恒雄

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

     More details

    Event date: 2009.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  697. 固体基板上脂質二重膜における光照射による相分離ドメイン局所形成メカニズムの検討

    宇治原徹,山内庸詞,内田昌志,手老龍吾,竹田美和

    第56回応用物理学関係連合講演会、2009年3月30日?4月2日、筑波大学、茨城県 

     More details

    Event date: 2009.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  698. 協同現象の観点からの生体膜相分離の制御

    宇治原徹

    「G蛋白質シグナル」&「膜輸送複合体」合同若手ワークショップ2009、神戸 

     More details

    Event date: 2009.1

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  699. Active Control of Gel-Phase and Raft Domain Condensation in Supported Lipid Bilayer International conference

    2nd International Symposium on Nanomedicine (ISNM2009) Asian Core Symposium -Nano and Biomedical Molecular Science-, February 5-7, 2009, Okazaki, Japan 

     More details

    Event date: 2009.1

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  700. Shape Transformation of Absorbed Vesicles on Step-and-Terrace TiO2(100) Surfece International conference

    nternational Union of Materials Research Societies International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2008), December 9-13, 2008, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan 

     More details

    Event date: 2008.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  701. Local Condensation of Artificial Raft Domains in Supported Lipid Bilayer under Light Irradiation in PSM-DOPC-Cholesterol System International conference

    nternational Union of Materials Research Societies International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2008), December 9-13, 2008, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan 

     More details

    Event date: 2008.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  702. Effect of Applied Voltage on the Size of Phase Separated Domains in Lipid Binary Bilayers Supported on SiO2/Si substrates International conference

    nternational Union of Materials Research Societies International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2008), December 9-13, 2008, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan 

     More details

    Event date: 2008.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  703. 3C-SiC種結晶(001)面上への高品質3C-SiC低温溶液成長

    田中亮,関和明,宇治原徹,竹田美和

    第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会、2008年12月8日?9日、大田区産業プラザ、東京都 

     More details

    Event date: 2008.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  704. VLS法によるSiC単結晶の成長

    小宮山 聰、吉川和男、田中 亮、関 和明、宇治原 徹

    第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会、2008年12月8日?9日、大田区産業プラザ、東京都 

     More details

    Event date: 2008.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  705. 3C-SiC(111)面への溶液成長における多形変化と高密度積層欠陥の生成

    関 和明、田中 亮、宇治原 徹、森本 海、徳永智春、佐々木勝寛、黒田光太郎、竹田美和

    第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会、2008年12月8日?9日、大田区産業プラザ、東京都 

     More details

    Event date: 2008.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  706. 一方向に優先的に成長するベヘン酸の樹枝状二次元結晶

    菊田翔平,神部拓也,西田幸司,高岸洋一,宇治原徹,中田俊隆

    第38回結晶成長国内会議、2008年11月4日?6日、仙台市戦災復興記念館、宮城県 

     More details

    Event date: 2008.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  707. GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極電子源における歪み解析とその偏極度への影響

    金秀光,谷奥雅俊,前多悠也,坂貴,渕真悟,宇治原徹,竹田美和,山本尚人,中川靖俊,山本将博,奥見正治,中西 彊,堀中博道,加藤俊宏,安江常夫,越川孝範

    第38回結晶成長国内会議、2008年11月4日?6日、仙台市戦災復興記念館、宮城県 

     More details

    Event date: 2008.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  708. 3C-SiC上の溶液成長における結晶方位と結晶内欠陥の成長多形への影響

    関和明,田中亮,宇治原徹,竹田美和

    第38回結晶成長国内会議、2008年11月4日?6日、仙台市戦災復興記念館、宮城県 

     More details

    Event date: 2008.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  709. 半導体歪み超格子構造による高偏極度・高輝度スピン偏極電子

    宇治原徹

    第38回結晶成長国内会議、2008年11月4日?6日、仙台市戦災復興記念館、宮城県 

     More details

    Event date: 2008.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  710. Super-high brightness and high-spin-polarization electrons source based on a novel transmission-type GaAs/GaAsP strained superlattice Defects and polarization International conference

    Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), October 1-3, 2008, Jefferson Lab, Newport News, USA 

     More details

    Event date: 2008.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  711. Status of 200keV beam operations at Nagoya University International conference

    Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), October 1-3, 2008, Jefferson Lab, Newport News, USA 

     More details

    Event date: 2008.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  712. High Brightness and High Polarization Electron Source Using Transmission Photocathode International conference

    Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), October 1-3, 2008, Jefferson Lab, Newport News, USA 

     More details

    Event date: 2008.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  713. New transmission-type photocathode structure based on strain-compensated superlattice International conference

    Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), October 1-3, 2008, Jefferson Lab, Newport News, USA 

     More details

    Event date: 2008.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  714. Polytype transformation during solution growth on 3C-SiC seed crystals International conference

    7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 7-11, 2008, Barcelona, Spain 

     More details

    Event date: 2008.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  715. Solution growth on free-standing (001) 3C-SiC epilayers International conference

    7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 7-11, 2008, Barcelona, Spain 

     More details

    Event date: 2008.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  716. 無転位歪み補償半導体超格子による高品質スピン偏極電子源の設計と作製

    谷奥雅俊,金 秀光,前多悠也,許斐太郎,中川靖英,渕 真悟,山本将博,宇治原徹,中西 彊,竹田美和

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

     More details

    Event date: 2008.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  717. Si基板/SiO2薄膜上二元系脂質二重膜相分離ドメイン・サイズの電圧印加効果

    山内 庸詞, 宇治原 徹, 手老 龍吾, 竹田 美和

    第61回コロイドおよび界面化学討論会、2008年9月7日?9日、九州大学、福岡県 

     More details

    Event date: 2008.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  718. ステップ&テラスTiO2(100)表面上に吸着したリン脂質ベシクルの形状変化

    手老 龍吾, 宇治原 徹, 宇理須 恒雄

    第61回コロイドおよび界面化学討論会、2008年9月7日?9日、九州大学、福岡県 

     More details

    Event date: 2008.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  719. (001)3C-SiC自立基板上への溶液成長における多形変化

    田中 亮,関 和明,宇治原徹,佐々木勝寛,黒田光太郎,竹田美和

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

     More details

    Event date: 2008.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  720. 3C-SiC種結晶上への溶液成長における多形変化

    関 和明,田中 亮,宇治原徹,徳永智春,佐々木勝寛,黒田光太郎,竹田美和

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

     More details

    Event date: 2008.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  721. GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源におけるGaAsPバッファ層の結晶性と偏極度の関係

    金 秀光,谷奥雅俊,前多悠也,坂  貴,渕 真悟,宇治原徹,竹田美和,山本尚人,真野篤志,中川靖俊,山本将博,奥見正治,中西 彊,堀中博道,加藤俊宏,安江常夫,越川孝範

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

     More details

    Event date: 2008.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  722. SiO2/Si基板上人工脂質膜相分離構造のドメインサイズにおける電圧印加効果

    山内庸詞,宇治原徹,手老龍吾,竹田美和

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

     More details

    Event date: 2008.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  723. 酸化物材料表面上に担持した脂質二重膜内の分子拡散挙動のその場観察:基板材料を選ばない1分子追跡法による解析

    手老龍吾,佐崎 元,宇治原徹,宇理須恒雄

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

     More details

    Event date: 2008.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  724. 実時間観察可能なSPLEEMに向けた高輝度偏極電子源の開発と性能評価

    中川靖英,真野篤志,山本将博,奥見正治,許斐太郎,斉藤 光,中西 彊,孝橋照生,大嶋 卓,金 秀光,前多悠也,宇治原徹,竹田美和,鈴木雅彦,津野勝重,安江常夫,越川孝範

    第69回応用物理学会学術講演会、2008年9月2日?5日、中部大学、愛知県 

     More details

    Event date: 2008.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  725. Highly spin-polarized electron photocathode based on GaAs/GaAsP superlattice grown on mosaic-structured buffer layer International conference

    14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE2008), 1-6 June 2008, Metz, France 

     More details

    Event date: 2008.6

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  726. “光KFMによる多結晶Si太陽電池の少数キャリア拡散長及び移動度測定”

    瀧原昌輝,宇治原徹,高橋琢二

    第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学理工学部船橋キャンパス、27p-ZN-2 

     More details

    Event date: 2008.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  727. “透過型スピン偏極電子源のための半導体超格子構造と結晶成長”

    宇治原徹

    第1回 フォトカソード研究会 表面ナノ構造とフォトカソード 

     More details

    Event date: 2008.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  728. “GaAs/GaAsP歪み超格子構造電子源による超高輝度・高スピン偏極度の実現”

    金 秀光,前多悠也,加藤鷹紀,谷奥雅俊,渕 真悟,宇治原 徹,竹田美和,山本尚人,真野篤志,中川靖英,山本将博,奥見正治,中西 彊,坂 貴,堀中博道,加藤俊宏,安江常夫,越川孝範

    第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学理工学部船橋キャンパス、27p-ZN-2 

     More details

    Event date: 2008.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  729. “高偏極度・高輝度・高効率電子源用無欠陥歪み補償半導体超格子構造の設計”

    谷奥雅俊,加藤鷹紀,中川靖英,許斐太郎,金 秀光,前多悠也,渕 真悟,山本将博,宇治原 徹,中西 彊,竹田美和

    第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学理工学部船橋キャンパス、27p-ZN-2 

     More details

    Event date: 2008.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  730. “光KFMによる多結晶Si太陽電池の少数キャリアライフタイム測定”

    瀧原昌輝,宇治原徹,高橋琢二

    第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学理工学部船橋キャンパス、27p-ZN-2 

     More details

    Event date: 2008.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  731. “シングルステップTiO2 表面上でのリン脂質吸着ベシクルから平面二重膜への形状変化”

    手老龍吾、宇治原徹、宇理須 恒雄

    日本化学会第88春季年会、立教大学池袋キャンパスおよび立教池袋中学校・高等学校 3L3-15 

     More details

    Event date: 2008.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  732. “電圧印加による人工脂質膜相分離ドメインのアクティブ制御”

    山内庸詞、鈴木翔也、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学理工学部船橋キャンパス、27p-ZN-2 

     More details

    Event date: 2008.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  733. “SiO2/Si基板上PSM-DOPC-Cholesterol系脂質二重膜における相分離ドメインの観察と制御」”

    鈴木翔也、山内庸詞、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学理工学部船橋キャンパス、27p-ZN-2 

     More details

    Event date: 2008.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  734. Fabrication of DMPC-DOPC Lipid Binary Bilayers Supported on SiO2/Al/Si Substrate for Electrical Control of Phase-Separated Structure

     More details

    Event date: 2007.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  735. “3C-SiC溶液成長における結晶多形安定性”

    宇治原徹、田中亮、関和明、竹田美和

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会、愛知県女性総合センター(ウィルあいち) 

     More details

    Event date: 2007.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  736. Polarization improvement of spin-polarized electrons from strain-compensated GaAs/GaAsP superlattice photocathode International conference

    "9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Tokyo, Japan, November 11 - 15 (2007)." 

     More details

    Event date: 2007.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  737. Super-high brightness spin-polarized transmission photocathode based on GaAs-GaAsP strained superlattice structure on GaP substrate International conference

    "9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Tokyo, Japan, November 11 - 15 (2007)." 

     More details

    Event date: 2007.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  738. “SiO2/Si上に形成した脂質二重膜相分離ドメインの光照射輸送制御”

    宇治原徹、鈴木翔也、山内庸詞、手老龍吾、竹田美和

    第1回サポーティッドメンブランワークショップ(WSM2007)、蒲郡温泉「天の丸」愛知県額田郡 

     More details

    Event date: 2007.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  739. “サポーティッドメンブレンへの形成過程、構造、物性への固体基板表面の影響”

    手老 龍吾、宇治原 徹、宇理須 恒雄

    第1回サポーティッドメンブランワークショップ(WSM2007)、蒲郡温泉「天の丸」愛知県額田郡 

     More details

    Event date: 2007.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  740. “半導体基板上脂質二重膜の形成およびゲル相ドメイン制御とそのラフト構造への応用”

    鈴木翔也、山内庸詞、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    第1回サポーティッドメンブランワークショップ(WSM2007)、蒲郡温泉「天の丸」愛知県額田郡 

     More details

    Event date: 2007.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  741. “半導体基板上のDMPS-DOPC二元系脂質膜の電界印加による相分離ドメインのサイズ変化”

    山内庸詞、鈴木翔也、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    第1回サポーティッドメンブランワークショップ(WSM2007)、蒲郡温泉「天の丸」愛知県額田郡 

     More details

    Event date: 2007.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  742. Low Temperature Solution Growth of 3C-SiC Crystals in Si-Ge-Ti Solvent International conference

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu, Japan October 15-19 (2007)." 

     More details

    Event date: 2007.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  743. Stability Growth Condition for 3C-SiC Crystals by Solution Technique International conference

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu, Japan October 15-19 (2007)." 

     More details

    Event date: 2007.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  744. "“分離閉じ込め構造による電流注入型Er, O共添加GaAs発光デバイスの発光強度増大”"

    "田中雄太, 宇木大輔, 山口岳宏, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和"

    第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学 5p-P8-13 

     More details

    Event date: 2007.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  745. Supported lipid bilayers membranes on SiO2 and TiO2:Substrate effects on membrane formation and shape transformation International conference

    "SPIE Optics East, Boston, MA USA,September 8-12(2007)." 

     More details

    Event date: 2007.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  746. 高濃度Ca2+緩衝液を用いたベシクル展開法による平面状脂質二重膜の形成

    鈴木翔也、山内庸詞、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学 5p-P8-13 

     More details

    Event date: 2007.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  747. “Supported planar lipid bilayerのドメイン形状への基板表面構造の影響”

    手老 龍吾、宇治原 徹、宇理須 恒雄

    第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学 5p-P8-13 

     More details

    Event date: 2007.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  748. “SiCの溶液成長速度向上におけるSi-Ti溶媒の効果”

    田中亮、前川諒介、宇治原徹、竹田美和

    第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学 5p-P8-13 

     More details

    Event date: 2007.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  749. Effect of absorbed group-V atoms on the size distribution and optical properties of InAsP quantum dots fabricated by the droplet hetero-epitaxy International conference

    "15th International Conference on Crystal Growth, Salt Lake City, Utah, USA, August 12-17 (2007)." 

     More details

    Event date: 2007.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  750. Effect of Si-Ti solvent on growth rate improvement in SiC solution growth International conference

    "15th International Conference on Crystal Growth, Salt Lake City, Utah, USA, August 12-17 (2007)." 

     More details

    Event date: 2007.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  751. Solution growht of high quality 3C-SiC crystals International conference

    "15th International Conference on Crystal Growth, Salt Lake City, Utah, USA, August 12-17 (2007)." 

     More details

    Event date: 2007.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  752. “歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上”

    加藤鷹紀、酒井良介、谷奥雅俊、中川靖英、前田義紀、金秀光、渕真悟、山本将博、宇治原徹、中西彊、竹田美和

    "電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品・材料/シリコン材料・デバイス研究会, 静岡県浜松市, 静岡大学浜松キャンパス, 2007年5月24日-25日." 

     More details

    Event date: 2007.5

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  753. Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering International conference

    "19th International Conference on Indium Posphide and Related Materials (IPRM07), PB29, Kunibiki Messe, Matsue, Japan, May 14-18 (2007)." 

     More details

    Event date: 2007.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  754. "“Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5 μm帯の電流注入による発光強度の増大”"

    宇木大輔、山口岳宏、田中雄太、渕 真悟、宇治原徹、 竹田美和

    "電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品・材料/シリコン材料・デバイス研究会, 静岡県浜松市, 静岡大学浜松キャンパス, 2007年5月24日-25日." 

     More details

    Event date: 2007.5

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  755. Supported planar lipid bilayers on step-and-terrace TiO2 surfaces International conference

    "American Chemical Society 233rd National Meeting and Exposition, Chicago, IL US,March 25-29(2007)." 

     More details

    Event date: 2007.3

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  756. Supported planar lipid bilayers on TiO2 and SiO2 surfaces: Effects of surface atomic structures and chemical species International conference

    "American Chemical Society 233rd National Meeting and Exposition, Chicago, IL US,March 25-29(2007)." 

     More details

    Event date: 2007.3

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  757. ケルビンプローブフォース顕微鏡による多結晶シリコン太陽電池の少数キャリア拡散長測定

    瀧原昌輝,五十嵐考俊,宇治原徹,高橋琢二

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

     More details

    Event date: 2007.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  758. “SiO2/Si基板上DMPC-DOPC脂質二重膜における相分離ドメインの光照射による形成位置制御”

    鈴木翔也、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    日本化学会第87春期年会 関西大学 千里山キャンパス 2K5-40 

     More details

    Event date: 2007.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  759. “3C-SiC 種結晶上への溶液成長と成長面による結晶多形変化”

    田中亮、前川諒介、宇治原徹、竹田美和

    日本金属学会、2007年春期講演大会、千葉工業大学津田沼キャンパス 

     More details

    Event date: 2007.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  760. “高輝度・高スピン偏極度を有する電子源の開発”

    山本尚人,真野篤志,玉垣邦秋,奥見正治,山本将博,桑原真人,酒井良介,森野貴典,宇津輝,中西 彊,大嶋卓,金秀光,宇治原徹,竹田美和,安江常夫,越川孝範,堀中博道,坂貴,加藤俊

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

     More details

    Event date: 2007.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  761. “歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源のバンド構造と偏極度への影響”

    加藤鷹紀,酒井良介,谷奥雅俊,中川靖英,前田義紀,金秀光,渕真悟,山本将博,宇治原徹,中西彊,竹田美和

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

     More details

    Event date: 2007.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  762. “SiO2/Si上に形成した脂質二重膜相分離ドメインのその場選択形成-光による局所加熱-“

    鈴木翔也,宇治原徹,手老龍吾,竹田美和

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

     More details

    Event date: 2007.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  763. “液滴ヘテロエピタキシーにより作製したInAsP量子ドットの発光特性 -ガスフローシーケンスの影響-“

    三宅信輔,河村真一,渕真悟,宇治原徹,竹田美和

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

     More details

    Event date: 2007.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  764. 断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布:InP層厚依存性 II

    叶保明,山川市朗,李祐植,渕真悟,宇治原徹,竹田美和,中村新男

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

     More details

    Event date: 2007.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  765. “基板表面原子レベル構造がsupported planar lipid bilayerの構造に及ぼす効果”

    手老龍吾,宇治原 徹,宇理須恒雄

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

     More details

    Event date: 2007.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  766. ケルビンプローブフォース顕微鏡による多結晶シリコン太陽電池の局所的光起電力評価

    瀧原昌輝,五十嵐考俊,宇治原徹,高橋琢二

    第54回応用物理学関係連合講演会 青山学院大学相模原キャンパス 29p-ZV-10 

     More details

    Event date: 2007.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  767. Supported planar lipid bilayers on TiO2 and SiO2 surfaces: Effects of surface atomic structures and chemical species International conference

    "American Chemical Society 233rd National Meeting & Exposition, Chicago, IL USA, March 25-29 (2007)" 

     More details

    Event date: 2007.3

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  768. “GaAs基板上に成長した有機薄膜に対する表面酸化物の影響”

    神部拓也、西田幸司、本同宏成、久保貴資、宇治原徹、中田俊隆

    第36回結晶成長国内会議(NCCG-36) 大阪大学 吹田キャンパス 03aD01 

     More details

    Event date: 2006.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  769. Formation of domains in fluorescent lipids doped DMPC-DOPC binary bilayers supported on SiO2/Si substrates under local light irradiation International conference

    "Fifth East Asian Biophysics Symposium & Forty-Fourth Annual Meeting of the Biophysical Society of Japan (EABS & BSJ 2006), Okinawa, Japan, November 12-16 (2006)" 

     More details

    Event date: 2006.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  770. Supported phospholipid bilayers on SiO2 and TiO2 surfaces: Effects of surface chemical species and atomic structures International conference

    "Fifth East Asian Biophysics Symposium & Forty-Fourth Annual Meeting of the Biophysical Society of Japan (EABS & BSJ 2006), Okinawa, Japan, November 12-16 (2006)" 

     More details

    Event date: 2006.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  771. High density beam extraction from GaAs/GaAsP superlattice photocathode International conference

    " 17th International Spin Physics Symposium (SPIN2006), Kyoto, Japan, 2-7 October (2006)." 

     More details

    Event date: 2006.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  772. Local Characterization of Photovoltage on Polycrystalline Silicon Solar Cells by KFM with Piezo-resistive Cantilever International conference

    "2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), Yokohama, Japan, 12-15 September (2006)" 

     More details

    Event date: 2006.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  773. 単原子ステップTiO2表面上のsupported lipid bilayer形成

    手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄

    第59回コロイドおよび界面化学討論会, 北海道大学, 2006年9月13-15日 

     More details

    Event date: 2006.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  774. “温度勾配を利用した高品質3C-SiC結晶の溶液成長”

    前川諒介,渡辺賢司,宇治原徹,黒田光太郎,竹田美和

    第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス 30a-Y-9 

     More details

    Event date: 2006.8

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  775. “自己検知型カンチレバーを用いたKFMによる多結晶シリコン太陽電池の局所的光起電力評価”

    瀧原昌輝,五十嵐孝俊,宇治原 徹,高橋琢二

    第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス 30a-Y-9 

     More details

    Event date: 2006.8

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  776. “SiO2/Al/Si基板上への脂質二重膜の形成と基板表面ラフネスの影響”

    鈴木翔也,宇治原徹,手老龍吾,竹田美和

    第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス 30a-Y-9 

     More details

    Event date: 2006.8

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  777. “シングルステップ二酸化チタン表面上へのリン脂質二重膜堆積”

    手老龍吾,宇治原徹,宇理須恒雄

    第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス 30a-Y-9 

     More details

    Event date: 2006.8

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  778. “断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布”

    叶保明,山川市朗,李祐植,宇治原徹,竹田美和,中村新男

    第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス 30a-Y-9 

     More details

    Event date: 2006.8

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  779. “InAsP量子ドットによる広帯域発光の波長チューニング”

    三宅信輔,李祐植,河村真一,渕真悟,宇治原徹,竹田美和

    第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス 30a-Y-9 

     More details

    Event date: 2006.8

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  780. “GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化”

    宇治原 徹、陳 博、安井健一、酒井良介、山本将博、中西 彊、竹田美和

    "電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品・材料/シリコン材料・デバイス研究会, 愛知県豊橋市, 豊橋技術科学大学, 2006年5月18日-19日." 

     More details

    Event date: 2006.5

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  781. The Wideband Light Emission around 800 nm from Ternary InAsP Quantum Dots with an Intentionally Broadened Size and Composition Distribution International conference

    Internation Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM 2006), WP6, Princeton University, May 7th-11th (2006) 

     More details

    Event date: 2006.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  782. Evaluation of Strain Field around SiC Particle in Poly-Crystalline Silicon" International conference

    2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC4), Waikoloa , Hawaii, USA, 7-12 May (2006) 

     More details

    Event date: 2006.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  783. Effect of Li doping on photoluminescence from Er,O-codoped GaAs International conference

     More details

    Event date: 2006.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  784. Room-temperature optical gain at 1.54μm from Er,O-codoped GaAs with laser pumping International conference

     More details

    Event date: 2006.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  785. 「サイズ分布とAs/P組成分布に広がりを持つInAsP量子ドットによる850 nm帯広帯域発光」

    三宅信輔、李祐植、宇治原徹、竹田美和

    第53回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、 

     More details

    Event date: 2006.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  786. 温度勾配を設けた溶液成長による低温安定相 3C-SiC 結晶の大量成長

    前川諒介、宇治原徹、竹田美和

    第138回日本金属学会2006年春期大会、早稲田大学、大久保キャンパス 

     More details

    Event date: 2006.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  787. "「Er, Li共添加GaAsにおけるLiのPL発光に及ぼす影響」"

    宇木大輔、大西宏幸、山口岳彦、武森祐貴、小泉淳、宇治原徹、竹田美和

    第53回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、 

     More details

    Event date: 2006.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  788. "「光励起型VSL法によるEr, O共添加GaAsの利得測定」"

    山口岳彦、武森祐貴、大西宏幸、小泉淳、宇治原徹、竹田美和

    第53回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、 

     More details

    Event date: 2006.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  789. 「Si/SiO2基板上に形成した二元系脂質二重膜のゲル相_液晶相相分離構造の観察と制御」

    鈴木翔也、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和

    第53回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、 

     More details

    Event date: 2006.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  790. 「GaAs 基板上の脂質二重膜の形成における基板表面状態の影響」

    宇治原徹、手老龍吾、鈴木翔也、三宅信輔、李祐植、宇理須恒雄、竹田美和

    第53回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、 

     More details

    Event date: 2006.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  791. 「断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布:井戸層厚依存性」

    赤沼泰彦、山川市朗、李祐植、宇治原徹、竹田美和、中村新男

    第53回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、 

     More details

    Event date: 2006.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  792. Observation and control of phase separation in binary lipid bilayer membranes on semiconductor substrate International conference

    "the 6th International Symposium on Biomimetic Materials Processing (BMMP-6), Nagoya, Japan, 25-26 January (2006) " 

     More details

    Event date: 2006.1

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  793. Electrical Properties around Grain Boundary of Poly-Crystalline Silicon for Solar Cell Evaluated Using the Conductive AFM International conference

    15th PVSEC, Shanghai, China, 11-15 October (2005) 

     More details

    Event date: 2005.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  794. "Growth of SiC single crystal from Si-C-(Co, Fe) ternary solution" International conference

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (ICSCRM2005), Pittsburgh, PA USA, September 18-23 (2005) " 

     More details

    Event date: 2005.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  795. Solution growth of SiC crystal with high growth rate using accelerated crucible rotation technique International conference

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (ICSCRM2005), Pittsburgh, PA USA, September 18-23 (2005) " 

     More details

    Event date: 2005.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  796. “高効率スピン偏極度電子源のための高品質半導体超格子構造の設計と成長”

    陳博、渡辺修、李祐植、宇治原徹、竹田美和、山本将博、中西彊

    第66回応用物理学関係連合講演会 徳島大学 10a-ZA-11 

     More details

    Event date: 2005.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  797. “液滴ヘテロエピタキシーにより作製したInP量子ドット積層構造のスペーサ膜厚による発光特性の変化”

    李祐植、陳博、三宅信輔、宇治原徹、竹田美和

    第66回応用物理学関係連合講演会 徳島大学 10a-ZA-11 

     More details

    Event date: 2005.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  798. “As/P置換を施したGaAs上へのErPの成長と表面平坦性”

    大西宏幸、小泉淳、山川市朗、宇治原徹、中村新男、竹田美和

    第66回応用物理学関係連合講演会 徳島大学 10a-ZA-11 

     More details

    Event date: 2005.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  799. “選択成長により形成したInPメサ構造へのドットの形成とサイズ均一性の向上”

    宇治原徹、吉田義浩、李祐植、竹田美和

    第66回応用物理学関係連合講演会 徳島大学 10a-ZA-11 

     More details

    Event date: 2005.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  800. Analytical evaluation of growth process in a sub-micron scale selective-area growth by OMVPE International conference

    "The 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM05), Glasgow, Scotland, UK, 8-12 May (2005)" 

     More details

    Event date: 2005.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  801. ACRTを用いた溶液成長法によるSiC結晶成長

    楠一彦,亀井一人,岡田信宏,矢代将斉,八内昭博,宇治原徹,中嶋一雄

    第52回応用物理学関係連合講演会 埼玉大学 31p-T-9 

     More details

    Event date: 2005.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  802. “OMVPE成長したEr添加GaInPの光学特性に与える成長温度の影響”

    武森祐貴、小泉淳、大西宏幸、山口岳宏、宇治原徹、竹田美和

    第52回応用物理学関係連合講演会 埼玉大学 31p-T-9 

     More details

    Event date: 2005.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  803. “OMVPE法によるInP選択成長における分子供給メカニズム”

    吉田義浩、李祐植、宇治原徹、竹田美和

    第52回応用物理学関係連合講演会 埼玉大学 31p-T-9 

     More details

    Event date: 2005.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  804. 自己検知AFMプローブを用いた多結晶シリコン太陽電池の局所光起電力測定

    五十嵐考俊,宇治原徹,中嶋一雄,高橋琢二

    第52回応用物理学関係連合講演会 埼玉大学 31p-T-9 

     More details

    Event date: 2005.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  805. Analytical evaluation of growth process in a sub-micron scale selective-area growth by OMVPE International conference

    The 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM05), Glasgow, Scotland, UK, 8-12 May (2005) 

     More details

    Event date: 2005

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United Kingdom  

  806. Si-Ti-C3元系溶液を用いた6H-SiC結晶の溶液成長

    矢代将斉, 楠 一彦, 亀井一人, 長谷部光弘, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大泉キャンパス, 2004年9月1-4日 

     More details

    Event date: 2004.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  807. 液滴ヘテロエピタキシー法によるGaInP上InP量子ドットの形成と光学的特性の評価

    李 祐植, 大賀 涼, 内田夏苗, 吉田義浩, 宇治原徹, 竹田美和

    2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大泉キャンパス, 2004年9月1-4日 

     More details

    Event date: 2004.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  808. SiGe多結晶太陽電池の効率増加の要因に関して

    宇佐美徳隆, 藤原航三, 藩 伍根, 宇治原徹, 下川隆一, 中嶋一雄

    2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大泉キャンパス, 2004年9月1-4日 

     More details

    Event date: 2004.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  809. 有機半導体薄膜結晶の粒成長制御について

    佐崎 元, 郡司 敦, 西方 督, 宇佐美徳隆, 藩 伍根, 宇治原徹, 藤原航三, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  810. PTCDA薄膜の形態に及ぼす基板-有機薄膜間相互作用力の効果

    西方 督, 佐崎 元, 郡司 敦, 藩 伍根, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 藤原航三, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  811. HOPG基板上の銅フタロシアニンエピタキシャル薄膜結晶に及ぼすアニーリング効果

    郡司 敦, 西方 督, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 佐崎 元, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  812. 太陽電池用多結晶Siの方位制御

    藤原航三, 澤田幸平, 宇治原徹, 藩 伍根, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  813. コンダクティブAFMを用いた太陽電池用多結晶シリコン粒界近傍の電気特性評価

    宇治原徹, 寺山剛司, 渡 元, 藩 伍根, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  814. 太陽電池用ミクロ分散的組成分布を有する多結晶SiGeの成長

    藤原航三, 藩 伍根, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  815. ミクロ分散的組成分布を有する高効率多結晶SiGe太陽電池の実現

    藩 伍根, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  816. LPE法により作製したSi結晶の太陽電池特性と低温成長の有効性

    佐藤祐輔, 宇治原徹, 藩 伍根, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  817. 優先方位種結晶を利用することによるSiGeバルク結晶の多結晶化の抑制

    我妻幸長, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  818. GaAs(110)種結晶を利用したInGaAsバルク単結晶の成長

    我妻幸長, 西嶋由人, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  819. 空間分解ラマン分光によるSGOI上Siの歪み分布の解析

    沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 佐崎 元, 藤原航三, 横山敬志, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  820. 太陽電池効率改善におけるGe島状結晶の効果

    アルグノアーノルド, 宇佐美徳隆, 藩 伍根, 宇治原徹, 藤原航三, 佐崎 元, 澤野憲太郎, 白木靖寛, 横山敬志, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  821. SiGe多結晶の局所構造と太陽電池特性との相関

    宇佐美徳隆, 藤原航三, 藩 伍根, ウルブリヒトロナウド, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  822. 金属溶媒を用いた6H-SiC自立結晶の溶液成長

    楠 一彦, 宗藤伸治, 亀井一人, 長谷部光弘, 宇治原徹, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  823. 液相エピタキシャル法によりマイクロパイプ上に成長した6H-SiCホモエピ層の結晶性評価

    宇治原徹, 宗藤伸治, 楠 一彦, 亀井一人, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄

    2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日 

     More details

    Event date: 2004.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  824. Local Photovoltage Mapping on Polycrystalline Silicon Solar Cells through Electrostatic Force Detected by AFM with Piezoresistive Cantilever International conference

    "12th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM12), Izu, Japan, 9-11 Dec. (2004)" 

     More details

    Event date: 2004

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  825. Growth and properties of SiGe multicrystal with microscopic compositional distribution and their applications for high efficiency solar cells International conference

    "14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, 9-13 August (2004)" 

     More details

    Event date: 2004

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  826. Direct observation of melt growth behavior of polycrystalline silicon for solar cells International conference

    "14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, 9-13 August (2004)" 

     More details

    Event date: 2004

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  827. Restraining polycrystallization of multicomponent semiconductors using seed crystals with preferential orientation determined by the growth with seed crystals of random orientations International conference

    "14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, 9-13 August (2004)" 

     More details

    Event date: 2004

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  828. Control of the grain orientations of organic semiconductor PTCDA thin film crystals epitaxially grown on H-Si(111) substrate using vicinal steps International conference

    "14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, 9-13 August (2004)" 

     More details

    Event date: 2004

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  829. Low growth temperature avoiding the degradation of solar cell property on silicon crystals by LPE method International conference

    "19th European Photovoltaic Solar Energy Conference (EUPVSEC19), Paris France, 7-11 June (2004)" 

     More details

    Event date: 2004

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  830. Systematic Variation of Si Spacer Width in Solar Cells with Stacked Ge Islands and its Effect on Photovoltaic Performance International conference

    "19th European Photovoltaic Solar Energy Conference (EUPVSEC19), Paris France, 7-11 June (2004)" 

     More details

    Event date: 2004

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  831. Low growth temperature and proper solvent improving silicon crystals grown by LPE method for photovoltaic materials International conference

    "14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, 9-13 August (2004)" 

     More details

    Event date: 2004

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  832. Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained-Si layer International conference

    "14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, 9-13 August (2004)" 

     More details

    Event date: 2004

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  833. 積層Geドットを利用した太陽電池のSiスペーサ層厚が量子効率に及ぼす影響

    アルグノアーノルド, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 澤野憲太郎, 佐崎 元, 白木靖寛, 中嶋一雄

    第64回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日 

     More details

    Event date: 2003.8 - 2003.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  834. 多結晶シリコンの融液成長過程のその場観察と方位決定メカニズム

    藤原航三, 大日方善一, 宇治原徹, 宇佐美徳隆, 佐崎 元, 中嶋一雄

    第64回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日 

     More details

    Event date: 2003.8 - 2003.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  835. SiGeバルク結晶の面方位競合関係の観察及びその多結晶化の抑制への応用

    我妻幸長, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 佐崎 元, 村上義弘, 中嶋一雄

    第64回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日 

     More details

    Event date: 2003.8 - 2003.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  836. 多結晶SiGeおよび多結晶Siの融液成長過程のその場観察

    藤原航三, 大日方善一, 宇治原徹, 宇佐美徳隆, 佐崎 元, 中嶋一雄

    第64回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日 

     More details

    Event date: 2003.8 - 2003.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  837. Ga溶媒を用いた太陽電池用LPE-Si結晶のライフタイム成長温度依存性

    佐藤祐輔, 宇治原徹, 小原和夫, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 宍戸統悦, 中嶋一雄

    第64回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日 

     More details

    Event date: 2003.8 - 2003.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  838. 空間分解ラマン分光によるSGOI中HF欠陥の解析

    沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 藤原航三, 佐崎 元, 中嶋一雄

    第64回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日 

     More details

    Event date: 2003.8 - 2003.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  839. TEM studies on the initial stage of seeded solution growth of 6H-SiC using metal solvent International conference

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003), Lyon, France, October 5-10 (2003)" 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  840. Way to choose appropriate solvents to prepare high-quality crystalline-silicon layers by LPE method for photovoltaic materials International conference

    "Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20 - 24 (2003)" 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  841. In situ observation of solid-liquid interface during crystal growth from silicon melt International conference

    "Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20 - 24 (2003)" 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  842. Way to choose appropriate solvents to prepare high-quality crystalline-silicon layers by LPE method for photovoltaic materials International conference

    "Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20 - 24 (2003)" 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  843. Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for new Si/SiGe heterostructural solar cells International conference

    "Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20 - 24 (2003)" 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  844. Observation of geometrical selection of SiGe bulk crystal using EBSP measurement and its utilization for restraining polycrystallization International conference

    "Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20 - 24 (2003)" 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  845. Melt Growth of SiGe Bulk Crystals with Uniform Composition and SiGe Multicrystals with Microscopic Compositional Distribution for New Si/SiGe Heterostructural Solar Cells International conference

    "The Fourth Romanian Conference on Advanced Materials, Constanta, Romania, September 15-18, 2003." 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  846. Control of the Grain Orientations of Organic Semiconductor PTCDA Thin Film Crystals Epitaxially Grown on Hydrogen-Terminated Si(111) Substrate International conference

    "The Fourth Romanian Conference on Advanced Materials, Constanta, Romania, September 15-18, 2003." 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  847. How to grow a protein crystal of better quality: proposals from crystal growth physics International conference

    "Crystallogenesis and Protein Crystallography, Mexico City, Mexico, June 23-26, 2003" 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  848. Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy International conference

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003), Lyon, France, October 5-10 (2003)" 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  849. Solution growth of self standing 6H-SiC single crystal using metal solvent International conference

    "International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003), Lyon, France, October 5-10 (2003)" 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  850. Prediction of strain induced poly-crystallization during crystal growth International conference

    "Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20 - 24 (2003)" 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  851. Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge thin film on Si-on-insulator substrate International conference

    "First International SiGe Technology and Device Meeting, Nagoya, Japan, 15-17 January (2003)." 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  852. Impact of the annealing temperature on the homogeneity of SiGe-on-insulator International conference

    "The Third International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, Santa Fe, New Mexico, U.S.A, March 9-12 (2003)." 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  853. Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime International conference

    "in European Materials Research Society 2003 Spring Meeting, Strasbourg, France, June 10-13 (2003)" 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  854. Structure and property of directionally grown SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution International conference

    "3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, May 11-18 (2003)." 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  855. Direct observations of crystal growth from silicon International conference

    "3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, May 11-18 (2003)." 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  856. What is the most important growth parameter on crystal quality of the silicon layer by LPE method? International conference

    "3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, May 11 - 18, 2003Osaka International Convention Center (Grand Cube, Osaka) Osaka, Japan" 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  857. Spatial distribution of composition and strain in multicrystalline SiGe bulk crystal and their impact on solar cell application International conference

    "3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, May 11-18 (2003)" 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  858. Epitaxial structure and growth behavior of organic semiconductor thin film crystals on hydrogen terminated Si(111) substrate International conference

    "First Kyoto Workshop on Computational Materials Science, Kyoto University, March 1-4 (2003)." 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  859. Local strain in multicrystalline-SiGe and its impact on the band structure International conference

    "First Kyoto Workshop on Computational Materials Science, Kyoto University, March 1-4 (2003)." 

     More details

    Event date: 2003

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  860. Mechanism of improvement in the quality of protein crystals by applying homogeneous magnetic field during the crystal growth International conference

    "in the 2nd Japan-Netherlands Seminor on Crystal Growth: Theory and In-Situ Measurements, Akiu, Sendai, Japan, January 14-17 (2002)." 

     More details

    Event date: 2002

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  861. Mechanism of improvement in the quality of protein crystals by a homogeneous magnetic field International conference

    "in the 9th International Conference on Crystallization of Biological Macromolecules, Jena, Germany, March 23-28 (2002)." 

     More details

    Event date: 2002

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  862. In-situ Measurement of the Marangoni Convection in a NaCl Aqueous Solution under Microgravity International conference

    "in the 9th International Conference on Crystallization of Biological Macromolecules, Jena, Germany, March 23-28 (2002)." 

     More details

    Event date: 2002

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  863. Estimation of the quality of lysozyme crystal grown under controlled driving force International conference

    "in the 9th International Conference on Crystallization of Biological Macromolecules, Jena, Germany, March 23-28 (2002)." 

     More details

    Event date: 2002

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  864. Melt growth of SiGe bulk crystals with uniform composition and SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for heterostructure device applications International conference

    "in International Forum on Science and Technology of Crystal Growth, Sendai, Japan, March 3-4 (2002)." 

     More details

    Event date: 2002

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  865. Si/multicrystalline-SiGe heterostructure as a candidate for solar cells with high conversion efficiency International conference

    "in 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, Louisiana, USA, May 20-24 (2002)." 

     More details

    Event date: 2002

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  866. Grain growth of polycrystalline Si thin film for solar cells and its crystal properties International conference

    "in 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, Louisiana, USA, May 20-24 (2002)." 

     More details

    Event date: 2002

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  867. Growth and optical properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for new Si/SiGe heterostructural solar cells International conference

    "in PV in Europe from PV Technology to Energy Solutions Conference and Exhibition, Palazzo dei Congressi, Rome, Italy, October 7-11 (2002)" 

     More details

    Event date: 2002

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  868. Effect of growth temperature on surface morphology and crystal quality of Si thin-film by liquid phase epitaxial growth technique International conference

    "PV in Europe from PV Technology to Energy Solutions Conference and Exhibition, Palazzo dei Congressi, Roma, Italy, 7-11 October 2002" 

     More details

    Event date: 2002

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  869. Fabrication of SiGe substrate with uniform composition and its application to strain-controlled epitaxy for group-IV heterostructures International conference

    "in the second international workshop on new group-IV semiconductors, Kofu, Japan, June 2-4 (2002)" 

     More details

    Event date: 2002

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  870. Built-in strain modulation in multicrystalline SiGe with microscopic compositional distribution International conference

    "26 th International Conference on Physics of Semiconductors, Edinburgh, UK, July 29-August 2 (2002)" 

     More details

    Event date: 2002

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  871. Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by utilizing in situ monitoring of the crytal-solution interface International conference

    "in the First International Symposium on Crystal Science and Technology, Yamanashi Univ.,Kofu, Japan, June 5 (2002)" 

     More details

    Event date: 2002

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  872. Impurity effect on the quality of protein crystals evaluated by the X-ray diffraction method: dependency on the supersaturation International conference

    "in the 5th China-Japan Workshop on Microgravity Sciences, Dunhuang, Gansu Province, China, Sep. 03-06 (2002)." 

     More details

    Event date: 2002

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  873. In-situ observation of the Marangoni convection in a NaCl aqueous soution under microgravity International conference

    in The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, July 30-August 4 (2001) 

     More details

    Event date: 2001.7 - 2011.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  874. Control of the compositional distribution of SiGe bulk crystal for ptoelectronic Applications International conference

    "in The 17th Korean Association of Crystal Growth Fall meeting, Hanseo University, Seosan, Korea, November 8-10 (2001)." 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  875. Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications International conference

    "in European Materials Research Society 2001 Spring Meeting, Strasbourg, France, June 5-8 (2001)" 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  876. Fabrication of SiGe bulk crystals with uniform composition as substrates for Si-based heterostructures International conference

    "in European Materials Research Society 2001 Spring Meeting, Strasbourg, France, June 4-8 (2001)" 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  877. Realization of SiGe bulk crystal with compositional uniformity over 20mm by controlling the growth temperature utilizing in situ monitoring system International conference

    "in the Thirteenth International conference on Crystal Growth in Conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, July 30-August 4 (2001)." 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  878. Optical and structural characterizations of SiGe bulk crystal grown by the multicomponent zone-melting method as a substrate for strain-controlled Si-based functional films International conference

    "in the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, July 30-August 4 (2001)" 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  879. New method for determination of mutual diffusion coefficient in metal and semiconductor solutions using in-situ composition measurement technique International conference

    "in The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, July 30-August 4 (2001)." 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  880. Effects of a magnetic field on crystal growth processes of biological molecules International conference

    "in The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, July 30-August 4 (2001)." 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  881. In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface International conference

    "in The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, July 30-August 4 (2001)." 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  882. Growth of SiGe bulk crystal with compositional uniformity over 20mm by controlling the growth temperature utilizing in situ monitoring system International conference

    "in Thirteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Burlington, Vermont, USA, August 12-16 (2001)." 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  883. New determination method for mutual diffusion coefficient of metal and semiconductor solutions based on Fick's first law International conference

    "in Eleventh International Conference on Liquid and Amorphous Metals (LAM11), Yokohama, Japan, September 9-14 (2001)." 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  884. Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by the muticomponent zone-melting method International conference

    "in The University of Tokyo and National Cheng Kung University Joint Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices, Tainan, Taiwan, March 15 (2001)." 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  885. Successful fabrication of SiGe bulk crystal with uniform composition as a substrate for Si-based heterostructures International conference

    "in First International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices, Sendai, Japan, January 21-23 (2001)." 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  886. Growth of SiGebulk crystal with uniform composition International conference

    "in UK-Japan Co-operative seminar on Electronic Materials and Devices, St. Albains, UK, March 7-9 (2001)." 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  887. In-situ measurement of concentration distributions in a high temperature solution International conference

    "in The University of Tokyo and National Cheng Kung University Joint Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices, Tainan, Taiwan, March 15 (2001)." 

     More details

    Event date: 2001

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  888. In-situmeasurement of concentration distribution of zinc in a gallium solution using the X-ray fluorescence spectrometry International conference

    "The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Sendai, Japan, August 29-September 1, (2000)." 

     More details

    Event date: 2000

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  889. Effects of the dislocation density and surface energy on phase diagrams of the S-K mode for the GaInN/GaN and GaPSb/GaP systems International conference

    "in Materials Research Society 2000 Spring Meeting, San Francisco, California, USA, April 24-28 (2000)." 

     More details

    Event date: 2000

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  890. Novel approach to control convection in an aqueous solution using a homogeneous magnetic field International conference

    "the Fourth Japan-Canada Microgravity Workshop, Dunsmuir Lodge, Victoria, Canada, May 11-12, 2000." 

     More details

    Event date: 2000

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  891. Effects of a magnetic field on the growth and dissolution rates of protein crystals: magnetic damping of natural convection International conference

    "the Eighth International Conference on Crystallization of Biological Macromolecules, Sandestin, Florida, USA, May 14-19, 2000." 

     More details

    Event date: 2000

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  892. "Phase diagram calculation for epitaxial growth of GaInAs on InP considering the surface, interface and strain energies" International conference

    "in Twelfth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Vail , Colorado, USA, August 13-18 (2000)." 

     More details

    Event date: 2000

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  893. Magnetic damping of the convection in an "aqueous" solution and enhancement in protein crystal perfection under magnetic field" International conference

    The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Sendai, Japan, August 29-September 1, 2000." 

     More details

    Event date: 2000

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  894. Development of in-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface International conference

    "The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Sendai, Japan, August 29-September 1, (2000)" 

     More details

    Event date: 2000

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  895. Effects of a magnetic field on the convection ina NaCl aqueous solution International conference

    "the International Workshop on Chemical, Physical and Biological Processes under High Magnetic Fields, Omiya, Saitama, Japan, November 24-26, 1999." 

     More details

    Event date: 1999

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  896. Phase diagrams and stable structures for Stranski-Krastanov mode of III-V ternary quantum dots International conference

    "in the '99 International Conference of The Korean Association of Crystal Growth (KACG) and 6th Korea-Japan Electronic Materials Growth Symposium (K-J EMGS)Seoul, Korea, June 6-9 (1999)" 

     More details

    Event date: 1999

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  897. Effects of a magnetic field on the protein crystallization International conference

    "in Recent Advancement in the Macromolecular Crystallization, San Diego, California, USA, August 22-25 (1999)." 

     More details

    Event date: 1999

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  898. Effects of hydrostatic pressure on the growth kinetics of tetragonal and orthorhombic lysozyme crystals International conference

    "in Recent Advancement in the Macromolecular Crystallization, San Diego, California, USA, August 22-25 (1999)." 

     More details

    Event date: 1999

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  899. Phase diagrams of the Stranski-Krastanov mode for III-V ternary quantum dots International conference

    "in 1999 Xianshan Science Conferences on Photonics and Nonlinear Optical Crystals, Beijing, China, November 1-4 (1999)." 

     More details

    Event date: 1999

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

  900. AI技術を活用した高品質6インチSIC結晶成長技術の開発

    宇治原徹

    中部イノベネット第1回 技術シーズ発表会  2022.6.24 

     More details

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  901. Large diameter SiC solution growth assisted by AI technology International conference

    Toru UJIHARA

    The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials  2022.11.7 

     More details

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  902. 溶液成長法による大口径SiC溶液成長におけるデータサイエンスの活用

    宇治原 徹

    化学⼯学会 材料・界⾯部会 共通基盤技術シンポジウム 2023   2023.1.27 

     More details

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

  903. 8インチに向けた SiC 溶液成長の開発

    宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第 23 回研究会 ワイドバンドギャップ半導体ーバルク結晶成長最前線ー  2022.11.18 

     More details

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

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Works 16

  1. 「革新技術で海外目指せ」(SENTAN「ものづくりミライ塾」)

    2020.1

  2. 「次世代半導体材料として注目されるシリコンカーバイドの開発にシミュレーションと機械学習を活用し開発期間の短縮化を実現」

    2019.9

  3. 名古屋の大学研究室から世界の「熱問題」を解決する。素材ベンチャー「U-MAP」

    2019.8

  4. 高熱伝導樹脂を実現するAINウィスカーフィラーの開発と起業

    2019.4

  5. 高熱伝導樹脂を実現するAINウィスカーフィラー

    2019.3

  6. 溶液法による高品質SiC結晶成長

    2018.12

  7. 待ったなし!AIで材料開発_第2部

    2018.10

  8. 窒化ガリウム半導体 結晶欠陥を非破壊で発見 産総研が評価技術

    2018.5

  9. 放熱性高く加工容易

    2018.4

  10. 活用広がるプロジェクションマッピング 医療や技術開発

    2017.12

  11. プロジェクションマッピング先端研究に次々

    2017.12

  12. 半導体合成 AIで解析

    2017.10

  13. SiC高品質結晶の開発

    2012.11

  14. 溶液成長によるキュービックSiC結晶成長技術の確立

    2010.3

  15. シーズ=宇治原徹・名古屋大学准教授

    2009.6

  16. 立方晶SiC 溶液法で大型化

    2008.4

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Research Project for Joint Research, Competitive Funding, etc. 146

  1. スポット溶接電極用銅基傾斜機能材料の研究

    2019.5 - 2020.4

    国内共同研究 

  2. AlNウィスカー技術の実製品適用に向けた基礎検討②

    2018.10 - 2019.3

    国内共同研究 

  3. AINウィスカー(窒化アルミニウム針状結晶)を用いた次世代高機能放熱材料の研究開発

    2018.9 - 2021.3

    その他 

    宇治原 徹

      More details

    Grant type:Competitive

    AINウィスカー(窒化アルミニウム針状結晶)を用いた次世代高機能放熱材料の研究開発

  4. 機械学習を用いた結晶成長炉内部品の物性値の高温領域におけるその場推定法に関する研究

    2018.9 - 2019.8

    国内共同研究 

  5. 融液法を用いたSiC単結晶の育成

    2018.8 - 2019.3

    国内共同研究 

  6. SiC溶液法基板・エピ特性の相関に関する研究

    2018.8 - 2019.3

    国内共同研究 

  7. 戦略的省エネルギー技術革新プログラム/インキュベーション研究開発/高熱伝導高強度高靱性窒化アルミニウムの開発

    2018.7 - 2019.3

    企業からの受託研究 

  8. 窒化アルミニウムに関する研究

    2018.6 - 2019.5

    国内共同研究 

  9. 材料情報分野における機械学習と人工知能に関する研究

    2018.6 - 2019.3

    国内共同研究 

  10. 大口経SiC接合基板生産技術の開発

    2018.4 - 2019.3

    国内共同研究 

  11. 溶液成長法によるSiCバルク基板技術の開発

    2018.4 - 2019.3

    国内共同研究 

  12. 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発(パワーデバイス・システム領域)

    2018.4 - 2019.3

    国内共同研究 

  13. デバイス実装用高熱伝導部材およびデバイス材料研削砥石の開発

    2018.4 - 2019.3

    国内共同研究 

  14. 低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクス

    2018.4 - 2019.2

    企業からの受託研究 

  15. 機械学習を用いた結晶成長炉内部品の物性値のその場推定法に関する研究

    2018.3 - 2018.6

    国内共同研究 

  16. SiC溶液成長における転位伝播挙動に関する基礎検討

    2017.11 - 2018.3

    国内共同研究 

  17. 可視光励起光電子分光法によるGaN中の欠陥と電子挙動との相関解明の研究

    2017.10 - 2018.8

    国内共同研究 

  18. 戦略的省エネルギー技術革命プログラム/実用化開発/大口経SiC接合基板生産技術の開発

    2017.6 - 2018.3

    国内共同研究 

  19. 窒化ガリウム等次世代半導体の社会実装加速 平成29年度地域中核企業創出・支援事業

    2017.6 - 2018.3

    企業からの受託研究 

  20. 金属負極用新規集電箔に関する研究

    2017.5 - 2018.3

    企業からの受託研究 

  21. 溶液法SiC結晶とデバイス開発

    2017.4 - 2018.3

    国内共同研究 

  22. 高機能セラミックス材料の研究

    2017.4 - 2018.3

    国内共同研究 

  23. 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導

    2017.4 - 2018.3

    企業からの受託研究 

  24. 「次世代SiCウェハの技術開発」のうち、「溶液法によるSiC結晶欠陥制御/成長安定化技術の原理実証」

    2017.4 - 2018.3

    企業からの受託研究 

  25. デバイス実装用高熱伝導部材およびデバイス材料研削砥石の開発

    2017.4 - 2018.3

    国内共同研究 

  26. 溶液成長法によるバルク基板技術の開発

    2017.4 - 2018.3

    国内共同研究 

  27. サーマルマネジメント用AlN結晶とデバイス開発

    2017.4 - 2018.3

    国内共同研究 

  28. パワーデバイス実装用超高熱伝導接着剤フィルムの開発

    2017.4 - 2018.2

    国内共同研究 

  29. 低炭素社会を実現する次世代パワーエレクト

    2017.4 - 2018.2

    企業からの受託研究 

  30. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2016.4 - 2017.3

    国内共同研究 

  31. 高機能セラミックス材料の研究

    2016.4 - 2017.3

    国内共同研究 

  32. AlNウィスカーに関する研究

    2016.4 - 2017.3

    国内共同研究 

  33. サーマルマネジメント用AlN結晶とデバイス開発

    2016.4 - 2017.3

    国内共同研究 

  34. 溶液成長法によるバルク基板技術の開発

    2016.4 - 2017.3

    国内共同研究 

  35. 溶液法SiC結晶とデバイス開発

    2016.4 - 2017.3

    国内共同研究 

  36. パワーデバイス実装用超高熱伝導接着剤フィルムの開発

    2016.4 - 2017.3

    国内共同研究 

  37. 3C SiCに関するコンサルティング協定

    2015.9 - 2016.8

  38. 溶液法を用いた低欠陥SiC単結晶作製の技術開発

    2015.8 - 2016.3

    国内共同研究 

  39. 溶液成長法によるバルク基板技術の開発

    2015.8 - 2016.3

    国内共同研究 

  40. 溶液成長した半導体結晶の分析・解析に関する研究

    2015.6 - 2016.3

    国内共同研究 

  41. AIN多晶体作製に関する研究

    2015.4 - 2016.3

    国内共同研究 

  42. パワーデバイス実装用超高熱伝導接着剤フィルムの開発

    2015.4 - 2016.3

    国内共同研究 

  43. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2015.4 - 2016.3

    国内共同研究 

  44. 高性能熱伝導フィラー材に関する研究開発

    2015.4 - 2016.3

    国内共同研究 

      More details

    ta

  45. 炭化珪素溶液成長における表面モフォロジーへの溶媒の影響

    2014.10 - 2015.9

    学内共同研究 

  46. LEDの素子特性および信頼性に及ぼす結晶欠陥の影響に関する研究

    2014.10 - 2015.3

    学内共同研究 

  47. パワーデバイス実装用高熱伝導絶縁接着剤フィルムの開発

    2014.8 - 2017.3

    国内共同研究 

  48. SiC溶液成長における転位挙動メカニズムの基礎的研究

    2014.8 - 2015.3

    学内共同研究 

  49. 低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト

    2014.4 - 2015.3

    FUPET 

      More details

    Grant type:Competitive

  50. AlN多結晶体作製に関する研究

    2014.4 - 2015.3

    学内共同研究 

  51. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2014.4 - 2015.3

    学内共同研究 

  52. サーマルマネージメント用新規材料の可能性調査

    2014.4 - 2015.3

    学内共同研究 

  53. SiC単結晶の研究

    2014.4 - 2015.3

    学内共同研究 

  54. 半導体溶液からの結晶成長挙動に関する研究

    2014.4 - 2015.3

    学内共同研究 

  55. 炭素材料及び異種基板上へのSiC形成技術に関する研究

    2014.4 - 2015.3

    学内共同研究 

  56. 先進ナノツールによるエネルギー・イノベーション・クラスター

    2013.12 - 2018.3

    科学技術交流財団 スーパークラスター事業 

      More details

    Grant type:Competitive

  57. 半導体溶液からの結晶成長挙動に関する研究

    2013.11 - 2014.3

    学内共同研究 

  58. 太陽電池伝導キャリア分光システムの開発

    2013.10 - 2017.3

    JST研究成果展開事業(先端計測分析技術・機器開発プログラム) 

      More details

    Grant type:Competitive

  59. LEDの素子特性および信頼性に及ぼす結晶欠陥の影響に関する技術情報

    2013.10 - 2014.3

    学内共同研究 

  60. SiC溶液成長における転位変換挙動の基礎的研究

    2013.9 - 2014.3

    学内共同研究 

  61. 高品質立方晶SiC溶液成長

    2013.8 - 2014.3

    研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 

      More details

    Grant type:Competitive

  62. 溶液法による超高品質SiC結晶安定成長技術の開発

    2013.4 - 2015.3

    科学技術交流財団 共同研究事業 

      More details

    Grant type:Competitive

  63. AlN多結晶体および単結晶作製手法に関する研究

    2013.4 - 2014.3

    学内共同研究 

  64. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2013.4 - 2014.3

    学内共同研究 

  65. 炭素材料及び異種基板上へのβ型SiC形成技術に関する研究

    2013.4 - 2014.3

    学内共同研究 

  66. 溶液法を利用した炭化珪素粉末(SiC)の合成技術の開発

    2013.4 - 2014.3

    国内共同研究 

  67. SiC単結晶の研究

    2013.4 - 2014.3

    学内共同研究 

  68. 立方晶SiC溶液成長における双晶界面欠陥の完全抑制

    2012.11 - 2013.7

    研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 

      More details

    Grant type:Competitive

  69. 炭化珪素溶液成長における表面モフォロジーへの溶媒の影響

    2012.10 - 2014.9

    学内共同研究 

  70. SiCウェハ溶液成長の高速成長に関する基礎的研究

    2012.5 - 2013.3

    国内共同研究 

  71. 炭素材料及び異種基板上へのβ型SiC形成技術に関する研究

    2012.5 - 2013.3

    企業からの受託研究 

  72. 半導体の組成変動によるバンドギャップ乱れの影響の研究

    2012.5 - 2013.3

    国内共同研究 

  73. SiCウエハ平滑面を得るプロセスの研究開発

    2012.5 - 2013.3

    国内共同研究 

  74. 表面機能化による先進ナノ部材の開発

    2012.4 - 2013.3

    知的クラスター創成事業 

      More details

    Grant type:Competitive

  75. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2012.4 - 2013.3

    企業からの受託研究 

  76. LEDの素子特性および信頼性に及ぼす結晶欠陥の影響に関する研究

    2012.4 - 2013.3

    国内共同研究 

  77. シリカ(SiO2)の高機能化の調査・研究

    2012.4 - 2013.3

    国内共同研究 

  78. AlN多結晶体および単結晶作製手法に関する研究

    2012.4 - 2013.3

    企業からの受託研究 

  79. SiC単結晶の研究

    2012.4 - 2013.3

    企業からの受託研究 

  80. LEDの素子特性および信頼性に及ぼす結晶欠陥の影響に関する研究

    2012.1 - 2012.3

    国内共同研究 

  81. 立方晶SiC高速成長技術の確立

    2011.12 - 2012.7

    研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 

      More details

    Grant type:Competitive

  82. SiC単結晶溶液成長における成長界面形態の平坦性制御技術開発

    2011.9 - 2012.3

    国内共同研究 

  83. 低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト

    2011.4 - 2013.3

  84. 表面機能化による先進ナノ部材の開発

    2011.4 - 2012.3

    知的クラスター創成事業 

      More details

    Grant type:Competitive

  85. AlN多結晶体作成手法に関する研究

    2011.4 - 2012.3

    企業からの受託研究 

  86. SiC単結晶の研究

    2011.4 - 2012.3

    企業からの受託研究 

  87. 炭素材料及び異種基板上へのβ型SiC形成技術に関する研究

    2011.4 - 2012.3

    企業からの受託研究 

  88. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2011.4 - 2012.3

    企業からの受託研究 

  89. 横方向成長による高品質SiC結晶の実現

    2011.4 - 2012.3

    出資金による受託研究 

  90. 溶液成長SiC結晶の成長界面形態の安定化技術開発

    2010.10 - 2011.3

    企業からの受託研究 

  91. 新材料パワー半導体技術開発/革新的SiC結晶成長技術開発/結晶成長の表面形成過程の解析及び実験的検証

    2010.8 - 2014.3

    FUPET 

      More details

    Grant type:Competitive

  92. 次世代パワーデバイス半導体SiC溶液成長における多形選択メカニズム

    2010.4 - 2012.3

    日本学術振興会 日仏交流促進事業<SAKURA>共同研究 

      More details

    Grant type:Competitive

  93. SiC結晶の溶液成長とその結晶品質評価に関する研究

    2010.4 - 2012.3

    企業からの受託研究 

  94. 表面機能化による先進ナノ部材の開発

    2010.4 - 2011.3

    知的クラスター創成事業 

      More details

    Grant type:Competitive

  95. AlN多結晶体作製手法に関する研究

    2010.4 - 2011.3

    企業からの受託研究 

  96. SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究

    2010.4 - 2011.3

    企業からの受託研究 

  97. 炭素材料及び酸化アルミニウム上へのβ型SiC形成技術に関する研究

    2010.4 - 2011.3

    企業からの受託研究 

  98. 高品質SiC単結晶の成長機構の解明

    2010.4 - 2011.3

    企業からの受託研究 

  99. 低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト

    2010.4 - 2011.3

  100. 気相原料供給型溶液法によるSiCバルク結晶成長

    2009.7 - 2010.3

    JSTシーズ発掘 

      More details

    Grant type:Competitive

  101. AlN多結晶体作製手法に関する研究

    2009.4 - 2010.3

    企業からの受託研究 

  102. 「SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究」

    2009.4 - 2010.3

    企業からの受託研究 

  103. 高温ソリューションプラズマ成長法の提案と高品質SiC結晶成長

    2009.4 - 2010.3

  104. 無欠陥歪み超格子半導体によるスピン偏極電子源の高効率化

    2009.4 - 2010.3

  105. ポリタイプヘテロエピタキシャル成長による3C-SiCの大型結晶の実現

    2009.4 - 2010.3

  106. SiC溶液成長における多形制御

    2009.4 - 2009.12

    企業からの受託研究 

  107. 高品質SiC結晶連続安定成長法の顕在化

    2008.12 - 2009.11

    JST産学共同シーズイノベーション化事業 

      More details

    Grant type:Competitive

  108. SiC溶液成長における多形制御

    2008.12 - 2009.3

    企業からの受託研究 

  109. AlN多結晶体作製手法に関する研究

    2008.4 - 2009.3

    企業からの受託研究 

  110. 「SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究」

    2008.4 - 2009.3

    企業からの受託研究 

  111. 名大パルス型電子顕微鏡研究開発プレプロジェクト

    2008.4 - 2009.3

    学内共同研究 

  112. 「多元機能溶媒を用いた低温安定相SiC基板結晶の溶液成長」

    2007.10 - 2011.9

  113. 多元機能溶媒を用いた低温安定相SiC基板結晶の溶液成長

    2007.10 - 2011.8

    新エネルギー・産業技術総合開発機構 産業技術研究助成事業 

      More details

    Grant type:Competitive

  114. 機能溶媒によるSiC低温溶液成長

    2007.10 - 2008.9

  115. AlN多結晶体作製手法に関する研究

    2007.9 - 2008.3

    企業からの受託研究 

  116. 「多元系溶媒を用いた高品質3C-SiCバルク結晶の溶液成長」

    2007.9 - 2008.2

  117. 多元系溶媒による3C-SiC結晶の低温溶液成長

    2007.7 - 2008.3

    JSTシーズ発掘 

      More details

    Grant type:Competitive

  118. 「SiC単結晶の結晶成長手法に関する研究」

    2007.4 - 2008.3

    企業からの受託研究 

  119. 「発光デバイスによる人工生体膜ラフト構造の形成・輸送制御」

    2006.9 - 2008.3

  120. 急峻温度勾配法による高品質SiCバルク結晶の高速溶液成長

    2006.9 - 2007.2

    JSTシーズ発掘 

      More details

    Grant type:Competitive

  121. 第15回(ICCG)での研究発表と関連研究動向調査

    2006.9 - 2007.2

  122. 「太陽電池用多結晶シリコンにおける炭化物析出の電気的特性への影響」

    2006.5

  123. 「半導体デバイス上に形成した生体膜の相分離構造とキャリア注入による制御」

    2006.4 - 2009.3

  124. 「生体膜相分離構造の制御を目指した半導体アクティブデバイスの提案」

    2006.4 - 2008.3

  125. 「CVD-SiC膜の諸特性に及ぼす微細結晶組織構造とその出現機構に関する研究」

    2006.4 - 2007.3

    企業からの受託研究 

  126. 量子構造を有する半導体基板上に形成した脂質膜

    2006.4 - 2007.3

  127. 高品質3C-SiCバルク結晶の溶液成長

    2005.11 - 2006.3

    JSTシーズ育成 

      More details

    Grant type:Competitive

  128. 「ナノ構造を有する半導体基板上への生体膜の形成とアクティブ制御」

    2005.10 - 2007.9

  129. 「環境モニター用バイオデバイスを目指した電子デバイス上の機能性脂質膜の形成」

    2005.10 - 2006.9

  130. 高品質3C-SiCバルク結晶の溶液成長

    2005.10 - 2006.3

  131. “Electrical properties around grain boundary of poly-crystalline silicon for solar cell evaluated using the conductive AFM” , 15th International Photovoltaic Science and Engineering Conference & Solar Energy Exhibition (China Solar Energy Society, Shanghai, China)

    2005.10

  132. 「CVD-SiC膜の諸特性に及ぼす微細結晶組織構造とその出現機構に関する研究」

    2005.4 - 2006.3

    企業からの受託研究 

  133. 「量子構造を有する半導体基板上に形成した脂質膜」

    2005.4 - 2006.3

  134. 「雫を模倣した自己組織化量子ドットの成長と多準位光吸収素子・高効率太陽電池への応用」

    2004.10 - 2005.3

  135. “Low growth temperature and proper solvent improving silicon crystals grown by LPE method for photovoltaic materials”, 14th International Conference on Crystal Growth (ICCG14), August 9-13, Grenoble, France

    2004.10

  136. 「多結晶シリコンの粒界における酸素・炭素偏析と太陽電池特性」

    2004.4 - 2006.3

  137. Crystal growth for high-quality silicon carbide bulk crystal

    2004.4 - 2005.3

    Funded Research from Enterprise 

  138. 太陽電池プロセスに最適な熱耐性多結晶シリコン基板の開発

    2003.10 - 2006.9

    新エネルギー・産業技術総合開発機構 産業技術研究助成事業 

      More details

    Grant type:Competitive

  139. “Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003), October 5-10, Lyon, France

    2003.10

  140. 「“Prediction of strain induced poly-crystallization during crystal growth”, Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, July 20 - 24 (2003) Keystone, Colorado.」

    2003.8

  141. 「Effect of growth temperature on surface morphology and crystal quality of Si thin-film by liquid phase epitaxial growth technique”, PV in Europe from PV Technology to Energy Solutions Conference and Exhibition, Palazzo dei Congressi, Roma, Italy, 7-11 October 2002」

    2002.10

  142. 「Fickの第一法則に基づいた高温溶液拡散係数の新測定法」

    2002.2 - 2003.1

  143. 「高効率太陽電池を目指した粒成長制御による多結晶Si薄膜の結晶性の最適化――― 粒成長メカニズムからのアプローチ ―――」

    2001.10

  144. 「融液成長における多結晶化メカニズムの相転移としての新解釈」

    2001.4 - 2002.3

  145. 「対流を抑制した化合物半導体溶液成長における成長界面近傍の組成分布「その場」測定」

    2000.7 - 2001.6

  146. 「過冷却度制御を用いたゾーンメルト法による多結晶Si薄膜の粒界欠陥の改善」

    2000.1 - 2000.12

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KAKENHI (Grants-in-Aid for Scientific Research) 24

  1. 酸化物へのインターカレーションによる熱伝導可変素子の開発

    Grant number:22K18985  2022.6 - 2024.3

    挑戦的研究(萌芽)

    宇治原 徹

      More details

    Authorship:Principal investigator 

    本研究では、非晶質をベースにイオンの挿入・脱離で熱伝導率が大きく変化する新たな機能性材料分野の開拓を目指す。学術的にはいまだ未知な部分が多い非結晶物質の物性を熱特性の観点から新たな解釈に挑むものであり、工学的には電子機器・デバイスで大きな課題である熱制御に新たな方法論を提示する。また、熱伝導可変物質を活用し熱スイッチを試作する。熱伝導可変物質とイオン供給層を積層させ、イオンが移動する程度に電圧を短時間印加する。それで高熱伝導状態(on)と断熱状態(off)を切り替える。また、ペルチエ、蓄熱材と熱スイッチを組み合わせることで、熱制御のための基本的な熱デバイス動作を実現できる。

  2. 潜在空間における複雑な結晶成長モデルの構築とプロセス設計

    Grant number:22H00300  2022.4 - 2025.3

    基盤研究(A)

    宇治原 徹

      More details

    Authorship:Principal investigator 


    我々はSiC溶液成長において、高温溶液内部の温度や流れの状態を即座に予測できるサロゲートモデルを機械学習技術により構築し、それを活用してプロセス設計を行い、6インチの大口径成長を早期に実現してきた。ところで、欠陥の形成や低減においてはステップバンチングやステップの湾曲や蛇行などによって形成される複雑な結晶表面構造が重要となる。本研究では、その時間発展を6インチ全面にわたって正確かつ高速に予測する代理モデルを構築し、大口径と究極の高品質を両立させたプロセス設計を行う。

  3. Thermal switching device based on thermal properties change by intercalation

    Grant number:20K21081  2020.7 - 2022.3

    Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

      More details

    Authorship:Principal investigator 

    Grant amount:\6500000 ( Direct Cost: \5000000 、 Indirect Cost:\1500000 )

  4. Revolution of semiconductor bulk crystal growth technique by transport phenomena combined with information technology

    Grant number:20H00320  2020.4 - 2025.3

    Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s) 

  5. 結晶成長インフォマティクスの方法論の構築

    2018.4 - 2021.3

    科学研究費補助金  基盤研究(A)

    宇治原徹

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  6. Method of Crystal Growth Informatics

    Grant number:18H03839  2018.4 - 2021.3

      More details

    Authorship:Principal investigator 

    Grant amount:\44200000 ( Direct Cost: \34000000 、 Indirect Cost:\10200000 )

  7. 可視光励起光電子分光法による伝導バンド高速・高精度測定

    2015.4 - 2017.3

    科学研究費補助金 

    宇治原徹

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  8. 高品質化の鍵となるSiC貫通転位変換過程のその場観察

    2014.4 - 2017.3

    科学研究費補助金  基盤研究(A)

    宇治原徹

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  9. 可視光励起光電子分光法による伝導バンド高速・高精度測定

    2014.4 - 2015.3

    科学研究費補助金 

    宇治原徹

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  10. 高品質・低抵抗SiC結晶の実現

    2013.4 - 2017.3

    科学研究費補助金  基盤研究(A)

    亀井一人

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s) 

  11. 量子構造太陽電池中を伝導する電子のエネルギー分光

    2013.4 - 2014.3

    科学研究費補助金 

    宇治原徹

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  12. 無転位SiC結晶の実現

    2011.4 - 2014.3

    科学研究費補助金  基盤研究(A)

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  13. 超高輝度・高偏極度電子源の高効率化

    2011.4 - 2014.3

    科学研究費補助金  基盤研究(A)

    竹田美和

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s) 

  14. 生体膜/半導体アクティブデバイス基本構造の提案

    2010.4 - 2012.3

    科学研究費補助金 

    宇治原徹

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  15. 材料工学的アプローチによる人工生体膜ラフト構造の再現

    2008.4 - 2010.3

    科学研究費補助金  特定領域研究

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  16. プラズマVLS法によるハイスピードSiC溶液成長

    2008.4 - 2010.3

    科学研究費補助金  若手研究(A)

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  17. 発光デバイスを用いた膜タンパク質アクティブ輸送制御

    2008.4 - 2010.3

    科学研究費補助金 

    宇治原徹

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  18. 人工生体膜におけるラフト構造膜内輸送制御システムの提案

    2006.4 - 2008.3

    科学研究費補助金  特定領域研究

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  19. 半導体デバイスを利用した生体膜相分離構造のアクティブ制御

    2006.4 - 2008.3

    科学研究費補助金 

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  20. 結晶成長で達成する世界最高性能偏極電子ビーム源の開発

    2005.4 - 2007.3

    科学研究費補助金  若手研究(A)

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  21. 押す・引っ張る・ねじ曲げる「力」によるナノ=ファブリケーション

    2004.4 - 2006.3

    科学研究費補助金 

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  22. 歪みを内在したバンドギャップ分散半導体複合結晶の創製

    2002.4 - 2004.3

    科学研究費補助金  若手研究(A)

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  23. 高温融液中における拡散係数のその場測定法

    2000.4 - 2002.3

    科学研究費補助金  科学研究費補助金奨励研究(A)

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  24. 合金の相分解現象に伴うパターン形成とその非線型性

    1997.4 - 1999.3

    科学研究費補助金  科学研究費補助金日本学術振興会特別研究員(DC2)

      More details

    Authorship:Principal investigator 

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Industrial property rights 92

  1. スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

    桑原真人,田中信夫,宇治原徹,齋藤晃

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:15/516,976  Date applied:2015.9

    Announcement no:US 2017/0309446  Date announced:2017.10

    Patent/Registration no:9881767  Date registered:2018.1 

    Country of applicant:Foreign country  

  2. スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

    桑原真人, 田中信夫, 宇治原徹, 齋藤晃

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:15/516,976  Date applied:2015.9

    Announcement no:US 2017/0309446  Date announced:2017.10

    Patent/Registration no:9881767  Date registered:2018.1 

    Country of applicant:Domestic  

  3. スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

    桑原真人, 田中信夫, 宇治原徹, 齋藤晃

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:PCT/JP2015/077393  Date applied:2015.9

    Announcement no:WO2016/056425  Date announced:2016.4

    Country of applicant:Domestic  

  4. スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

    桑原真人,田中信夫,宇治原徹,齋藤晃

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:PCT/JP2015/077393  Date applied:2015.9

    Announcement no:WO2016/056425  Date announced:2016.4

    Country of applicant:Domestic  

  5. 炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

    宇治原徹,原田俊太,古池大輝,梅崎智典

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学,セントラル硝子株式会社

    Application no:10-2017-7009689  Date applied:2015.9

    Announcement no:10-2017-0051512  Date announced:2017.5

    Patent/Registration no:10-1911455  Date registered:2018.10 

    Country of applicant:Foreign country  

  6. 炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

    宇治原徹, 原田俊太, 古池大輝, 梅崎智典

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学,セントラル硝子株式会社

    Application no:10-2017-7009689  Date applied:2015.9

    Announcement no:10-2017-0051512  Date announced:2017.5

    Patent/Registration no:10-1911455  Date registered:2018.10 

    Country of applicant:Domestic  

  7. AIN結晶の作製方法、AIN結晶、及びAIN結晶を含む有機化合物

    宇治原徹,竹内幸久,陳鳴宇,永冶仁

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:15800171.9  Date applied:2015.5

    Announcement no:3150749  Date announced:2017.4

    Country of applicant:Domestic  

  8. AIN結晶の作製方法、AIN結晶、及びAIN結晶を含む有機化合物

    宇治原徹, 竹内幸久, 陳鳴宇, 永冶仁

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:15800171.9  Date applied:2015.5

    Announcement no:3150749  Date announced:2017.4

    Country of applicant:Domestic  

  9. AIN結晶の作製方法、AIN結晶、及びAIN結晶を含む有機化合物

    宇治原徹, 竹内幸久, 陳鳴宇, 永冶仁

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:PCT/JP2015/064605  Date applied:2015.5

    Announcement no:WO2015/182477  Date announced:2015.12

    Country of applicant:Domestic  

  10. AIN結晶の作製方法、AIN結晶、及びAIN結晶を含む有機化合物

    宇治原徹,竹内幸久,陳鳴宇,永冶仁

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:PCT/JP2015/064605  Date applied:2015.5

    Announcement no:WO2015/182477  Date announced:2015.12

    Country of applicant:Domestic  

  11. AlN単結晶の作製方法及びAlN単結晶

    宇治原徹,永冶仁,渡邉将太,陳鳴宇,竹内幸久

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2015-035214  Date applied:2015.2

    Announcement no:2016-050165  Date announced:2016.4

    Patent/Registration no:6534030  Date registered:2019.6 

    Country of applicant:Domestic  

  12. AlN単結晶の作製方法及びAlN単結晶

    宇治原徹, 永冶仁, 渡邉将太, 陳鳴宇, 竹内幸久

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2015-035214  Date applied:2015.2

    Announcement no:2016-050165  Date announced:2016.4

    Patent/Registration no:6534030  Date registered:2019.6 

    Country of applicant:Domestic  

  13. 炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

    宇治原徹,原田俊太,古池大輝,梅崎智典

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学,セントラル硝子

    Application no:2014-184978  Date applied:2014.9

    Announcement no:2016-056071  Date announced:2016.4

    Patent/Registration no:特許第6259740号  Date registered:2017.12 

    Country of applicant:Domestic  

  14. 炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

    宇治原徹, 原田俊太, 古池大輝, 梅崎智典

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学,セントラル硝子

    Application no:2014-184978  Date applied:2014.9

    Announcement no:2016-056071  Date announced:2016.4

    Patent/Registration no:特許第6259740号  Date registered:2017.12 

    Country of applicant:Domestic  

  15. AlN単結晶とその製造方法

    宇治原徹, 永冶仁, 渡邉将太, 陳鳴宇, 竹内幸久

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2014-174171  Date applied:2014.8

    Country of applicant:Domestic  

  16. AlN単結晶とその製造方法

    宇治原徹、永冶仁、渡邉将太、陳鳴宇、竹内幸久

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2014-174171  Date applied:2014.8

    Country of applicant:Domestic  

  17. AlN結晶の作製方法、AlN結晶、及びAlN結晶を含む有機化合物

    宇治原徹, 竹内幸久, 陳鳴宇, 永冶仁

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2014-112691  Date applied:2014.5

    Country of applicant:Domestic  

  18. AlN結晶の作製方法、AlN結晶、及びAlN結晶を含む有機化合物

    宇治原徹、竹内幸久、陳鳴宇、永冶仁

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2014-112691  Date applied:2014.5

    Country of applicant:Domestic  

  19. 太陽光で励起された電子のエネルギーの測定方法と測定装置

    宇治原徹,桑原真人,原田俊太,志村大樹,市橋史朗

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2014-554458  Date applied:2013.12

    Patent/Registration no:特許第5991556号  Date registered:2016.8 

    Country of applicant:Domestic  

  20. 太陽光で励起された電子のエネルギーの測定方法と測定装置

    宇治原徹, 桑原真人, 原田俊太, 志村大樹, 市橋史朗

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2014-554458  Date applied:2013.12

    Patent/Registration no:特許第5991556号  Date registered:2016.8 

    Country of applicant:Domestic  

  21. 炭化珪素粉粒体の製造方法

    宇治原 徹, 増田 賢太, 一坪 幸輝, 鈴木 将和, 野中 潔, 山﨑 広樹

     More details

    Applicant:名古屋大学, 太平洋セメント

    Application no:2013-252666  Date applied:2013.12

    Announcement no:2015-107901  Date announced:2015.6

    Patent/Registration no:特許第6337389号  Date registered:2018.5 

    Country of applicant:Domestic  

  22. 炭化珪素粉粒体の製造方法

    宇治原 徹, 増田 賢太, 一坪 幸輝, 鈴木 将和, 野中 潔, 山﨑 広樹

     More details

    Applicant:名古屋大学, 太平洋セメント

    Application no:2013-252666  Date applied:2013.12

    Announcement no:2015-107901  Date announced:2015.6

    Patent/Registration no:特許第6337389号  Date registered:2018.5 

    Country of applicant:Domestic  

  23. 化合物半導体結晶の製造方法

    宇治原徹,柴田顕次,

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学,豊田自動織機

    Application no:2013-227879  Date applied:2013.11

    Announcement no:2015-086122  Date announced:2015.5

    Patent/Registration no:特許第6207014号  Date registered:2017.9 

    Country of applicant:Domestic  

  24. 化合物半導体結晶の製造方法

    宇治原徹, 柴田顕次

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学,豊田自動織機

    Application no:2013-227879  Date applied:2013.11

    Announcement no:2015-086122  Date announced:2015.5

    Patent/Registration no:特許第6207014号  Date registered:2017.9 

    Country of applicant:Domestic  

  25. 炭化珪素粉粒体及びその製造方法

    宇治原 徹, 増田 賢太, 一坪 幸輝, 鈴木 将和, 野中 潔, 山﨑 広樹

     More details

    Applicant:名古屋大学, 太平洋セメント

    Application no:2013-182798  Date applied:2013.9

    Announcement no:2015-048294  Date announced:2015.3

    Patent/Registration no:特許第6304477号  Date registered:2018.3 

    Country of applicant:Domestic  

  26. 炭化珪素粉粒体及びその製造方法

    宇治原 徹, 増田 賢太, 一坪 幸輝, 鈴木 将和, 野中 潔, 山﨑 広樹

     More details

    Applicant:名古屋大学, 太平洋セメント

    Application no:2013-182798  Date applied:2013.9

    Announcement no:2015-048294  Date announced:2015.3

    Patent/Registration no:特許第6304477号  Date registered:2018.3 

    Country of applicant:Domestic  

  27. 2次元ナノ粒子構造体及びその製造方法。

    田川美穂、宇治原徹、磯貝卓巳、赤田英里

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2013-126144(JP)  Date applied:2013.6

    Announcement no:2015-000450 

    Patent/Registration no:6086595  Date registered:2017.2 

    Country of applicant:Domestic  

  28. 2次元ナノ粒子構造体及びその製造方法。

    田川美穂, 宇治原徹, 磯貝卓巳, 赤田英里

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2013-126144(JP)  Date applied:2013.6

    Announcement no:2015-000450 

    Patent/Registration no:6086595  Date registered:2017.2 

    Country of applicant:Domestic  

  29. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹,原田俊太,朱燦

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2012-185973  Date applied:2012.8

    Announcement no:2014-043367  Date announced:2014.3

    Patent/Registration no:特許第5975482号  Date registered:2016.7 

    Country of applicant:Domestic  

  30. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹,原田俊太,朱燦

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2012-185975  Date applied:2012.8

    Announcement no:2014-043369  Date announced:2014.3

    Patent/Registration no:特許第6069758号  Date registered:2017.1 

    Country of applicant:Domestic  

  31. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹, 原田俊太, 朱燦

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2012-185973  Date applied:2012.8

    Announcement no:2014-043367  Date announced:2014.3

    Patent/Registration no:特許第5975482号  Date registered:2016.7 

    Country of applicant:Domestic  

  32. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹, 原田俊太, 朱燦

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2012-185975  Date applied:2012.8

    Announcement no:2014-043369  Date announced:2014.3

    Patent/Registration no:特許第6069758号  Date registered:2017.1 

    Country of applicant:Domestic  

  33. SiC結晶の成長方法、SiC結晶の製造装置、および結晶基板

    宇治原徹,原田俊太,関和明,柴田顕次,市川慎一郎

     More details

    Applicant:豊田自動織機,国立大学法人名古屋大学

    Application no:2011-275587  Date applied:2011.12

    Announcement no:2013-124213  Date announced:2013.6

    Patent/Registration no:特許第5936343号  Date registered:2016.5 

    Country of applicant:Domestic  

  34. SiC結晶の成長方法およびSiC結晶の製造装置

    宇治原徹,原田俊太,関和明,柴田顕次,市川慎一郎,今岡功

     More details

    Applicant:豊田自動織機,国立大学法人名古屋大学

    Application no:2011-275588  Date applied:2011.12

    Announcement no:2013-124214  Date announced:2013.6

    Patent/Registration no:特許第5936344号  Date registered:2016.5 

    Country of applicant:Domestic  

  35. SiC結晶の成長方法およびSiC結晶の製造装置

    宇治原徹, 原田俊太, 関和明, 柴田顕次, 市川慎一郎, 今岡功

     More details

    Applicant:豊田自動織機,国立大学法人名古屋大学

    Application no:2011-275588  Date applied:2011.12

    Announcement no:2013-124214  Date announced:2013.6

    Patent/Registration no:特許第5936344号  Date registered:2016.5 

    Country of applicant:Domestic  

  36. SiC結晶の成長方法、SiC結晶の製造装置、および結晶基板

    宇治原徹, 原田俊太, 関和明, 柴田顕次, 市川慎一郎

     More details

    Applicant:豊田自動織機,国立大学法人名古屋大学

    Application no:2011-275587  Date applied:2011.12

    Announcement no:2013-124213  Date announced:2013.6

    Patent/Registration no:特許第5936343号  Date registered:2016.5 

    Country of applicant:Domestic  

  37. 窒化アルミニウム材料の製造方法、窒化アルミニウム材料の製造装置、窒化アルミニウム材料及び熱交換器

    青木祐一, 竹内幸久, 宇治原徹, 水野恒平

     More details

    Applicant:株式会社デンソー

    Application no:2011-55418  Date applied:2011.3

    Announcement no:2012‐188333 

    Country of applicant:Domestic  

  38. 窒化アルミニウム材料の製造方法、窒化アルミニウム材料の製造装置、窒化アルミニウム材料及び熱交換器

    青木祐一, 竹内幸久, 宇治原徹, 水野恒平

     More details

    Applicant:株式会社デンソー

    Application no:2011-55418  Date applied:2011.3

    Announcement no:2012‐188333 

    Country of applicant:Domestic  

  39. 窒化アルミニウム材料の製造方法、窒化アルミニウム材料及び熱交換器

    宇治原徹, 水野恒平

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学, 株式会社デンソー

    Application no:2010-213932  Date applied:2010.9

    Announcement no:2012-66975 

    Country of applicant:Domestic  

  40. 窒化アルミニウム材料の製造方法、窒化アルミニウム材料及び熱交換器

    宇治原徹, 水野恒平

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学, 株式会社デンソー

    Application no:2010-213932  Date applied:2010.9

    Announcement no:2012-66975 

    Country of applicant:Domestic  

  41. 半導体積層構造及びこれを備えた光学素子並びに半導体積層構造における光学スペクトルの広帯域化方法

    渕 真悟, 竹田 美和, 宇治原 徹, 水谷 亮太, 谷 和馬

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2010-176135  Date applied:2010.8

    Announcement no:2012-38845 

    Country of applicant:Domestic  

  42. 半導体積層構造及びこれを備えた光学素子並びに半導体積層構造における光学スペクトルの広帯域化方法

    渕 真悟、竹田 美和、宇治原 徹、水谷 亮太、谷 和馬

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2010-176135  Date applied:2010.8

    Announcement no:2012-38845 

    Country of applicant:Domestic  

  43. 薄膜製造方法

    生田博志, 竹田美和, 田渕雅夫, 宇治原徹, 上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学

    Application no:2010-170763  Date applied:2010.7

    Announcement no:2012-31461 

    Country of applicant:Domestic  

  44. 薄膜製造方法

    生田博志, 竹田美和, 田渕雅夫, 宇治原徹, 上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学

    Application no:2010-170763  Date applied:2010.7

    Announcement no:2012-31461 

    Country of applicant:Domestic  

  45. 電子顕微鏡

    田中信夫, 中西彊, 竹田美和, 浅野秀文, 齋藤晃, 宇治原徹, 桑原真人

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学

    Application no:2010-074008  Date applied:2010.3

    Announcement no:WO2011/122171 

    Country of applicant:Domestic  

  46. 電子顕微鏡

    田中信夫, 中西彊, 竹田美和, 浅野秀文, 齋藤晃, 宇治原徹, 桑原真人

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学

    Application no:2010-074008  Date applied:2010.3

    Announcement no:WO2011/122171 

    Country of applicant:Domestic  

  47. 炭化珪素単結晶の製造方法

    宇治原徹, 吉川和男, 小宮山聰

     More details

    Applicant:東海カーボン株式会社

    Application no:2009-234325  Date applied:2009.10

    Announcement no:2010-111569 

    Patent/Registration no:特許第5120758号  Date registered:2012.11 

    Country of applicant:Domestic  

  48. 炭化珪素単結晶の製造方法

    宇治原徹、吉川和男、小宮山聰

     More details

    Applicant:東海カーボン株式会社

    Application no:2009-234325  Date applied:2009.10

    Announcement no:2010-111569 

    Patent/Registration no:特許第5120758号  Date registered:2012.11 

    Country of applicant:Domestic  

  49. 超伝導体構造、その製造方法、及び電子素子

    生田 博志, 竹田 美和, 宇治原 徹, 田渕 雅夫, 竹中 康司, 川口 昴彦, 上村 彦樹, 大野 俊也

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2009-227635  Date applied:2009.9

    Announcement no:2011-73926 

    Country of applicant:Domestic  

  50. 超伝導体構造、その製造方法、及び電子素子

    生田 博志、竹田 美和、宇治原 徹、田渕 雅夫、竹中 康司、川口 昴彦、上村 彦樹、大野 俊也

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2009-227635  Date applied:2009.9

    Announcement no:2011-73926 

    Country of applicant:Domestic  

  51. 3C-SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹, 田中亮、関和明、竹田美和

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学

    Application no:2009-075974  Date applied:2009.3

    Announcement no:2010-228939 

    Patent/Registration no:特許第5244007号  Date registered:2013.4 

    Country of applicant:Domestic  

  52. 3C-SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹, 田中亮, 関和明, 竹田美和

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学

    Application no:2009-075974  Date applied:2009.3

    Announcement no:2010-228939 

    Patent/Registration no:特許第5244007号  Date registered:2013.4 

    Country of applicant:Domestic  

  53. スピン偏極電子発生素子

    宇治原徹, 金秀光, 竹田美和, 中西彊, 山本尚人, 坂貴, 加藤俊宏

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学, 大同工業大学, 大同特殊鋼

    Application no:2009-073929  Date applied:2009.3

    Announcement no:2009-266809 

    Country of applicant:Domestic  

  54. スピン偏極電子発生素子

    宇治原徹, 金秀光, 竹田美和, 中西彊, 山本尚人, 坂貴, 加藤俊宏

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学, 大同工業大学, 大同特殊鋼

    Application no:2009-073929  Date applied:2009.3

    Announcement no:2009-266809 

    Country of applicant:Domestic  

  55. 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶

    宇治原徹, 吉川和男 小宮山聰

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学, 東海カーボン株式会社

    Application no:特願2008-262078  Date applied:2008.10

    Country of applicant:Domestic  

  56. 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶

    宇治原徹, 吉川和男, 小宮山聰

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学, 東海カーボン株式会社

    Application no:特願2008-262078  Date applied:2008.10

    Country of applicant:Domestic  

  57. 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶

    宇治原徹, 小宮山聰

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学, 東海カーボン株式会社

    Application no:2008-85798  Date applied:2008.3

    Announcement no:2008-273819 

    Country of applicant:Domestic  

  58. 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶

    宇治原徹, 小宮山聰

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学, 東海カーボン株式会社

    Application no:2008-85798  Date applied:2008.3

    Announcement no:2008-273819 

    Country of applicant:Domestic  

  59. 量子ドット及びその製造方法

    渕真悟, 竹田美和, 宇治原徹, 三宅信輔, 河村真一

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学

    Application no:特願2007- 209362  Date applied:2007.8

    Announcement no:特開2009-44052 

    Patent/Registration no:特許第5187884号  Date registered:2013.2 

    Country of applicant:Domestic  

  60. 量子ドット及びその製造方法

    渕真悟, 竹田美和, 宇治原徹, 三宅信輔, 河村真一

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学

    Application no:特願2007- 209362  Date applied:2007.8

    Announcement no:特開2009-44052 

    Patent/Registration no:特許第5187884号  Date registered:2013.2 

    Country of applicant:Domestic  

  61. 分離閉じ込め構造を用いた発光素子用希土類元素添加半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード、光増幅器

    渕真悟, 竹田美和, 宇治原徹, 山口岳宏, 宇木大輔, 田中雄太

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学

    Application no:特願2007- 205161  Date applied:2007.8

    Announcement no:特開2009-43807 

    Country of applicant:Domestic  

  62. 分離閉じ込め構造を用いた発光素子用希土類元素添加半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード、光増幅器

    渕真悟, 竹田美和, 宇治原徹, 山口岳宏, 宇木大輔, 田中雄太

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学

    Application no:特願2007- 205161  Date applied:2007.8

    Announcement no:特開2009-43807 

    Country of applicant:Domestic  

  63. 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶

    宇治原徹, 小宮山聰

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学, 東海カーボン株式会社

    Application no:特願2007- 91440  Date applied:2007.3

    Announcement no:特開2008-273819 

    Country of applicant:Domestic  

  64. 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶

    宇治原徹, 小宮山聰

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学, 東海カーボン株式会社

    Application no:特願2007- 91440  Date applied:2007.3

    Announcement no:特開2008-273819 

    Country of applicant:Domestic  

  65. スピン偏極電子発生素子

    宇治原徹、竹田美和、中西彊、山本将博、陳博

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学

    Application no:特願2006-60673  Date applied:2006.3

    Announcement no:特開2008-198360 

    Patent/Registration no:特許第4769941号  Date registered:2011.7 

    Country of applicant:Domestic  

  66. スピン偏極電子発生素子

    宇治原徹, 竹田美和, 中西彊, 山本将博, 陳博

     More details

    Applicant:国立大学名古屋大学

    Application no:特願2006-60673  Date applied:2006.3

    Announcement no:特開2008-198360 

    Patent/Registration no:特許第4769941号  Date registered:2011.7 

    Country of applicant:Domestic  

  67. Si系結晶の成長方法、Si系結晶、Si系結晶基板及び太陽電池

    中嶋 一雄, 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 藤原 航三, 我妻幸長

     More details

    Applicant:国立大学東北大学

    Application no:PCT/JP2004/010213  Date applied:2004.7

    Announcement no:WO2005/007938 

    Country of applicant:Domestic  

  68. Si系結晶の成長方法、Si系結晶、Si系結晶基板及び太陽電池

    中嶋 一雄、宇佐美 徳隆、宇治原 徹、藤原 航三、我妻幸長

     More details

    Applicant:国立大学東北大学

    Application no:PCT/JP2004/010213   Date applied:2004.7

    Announcement no:WO2005/007938  

    Country of applicant:Domestic  

  69. 結晶成長方法、及び結晶成長装置

    藤原航三、中嶋一雄、宇治原 徹、宇佐美 徳隆

     More details

    Applicant:国立大学東北大学

    Application no:特願2004-089326  Date applied:2004.3

    Announcement no:特開2005-272230 

    Country of applicant:Domestic  

  70. 結晶成長方法、及び結晶成長装置

    藤原航三, 中嶋一雄, 宇治原 徹, 宇佐美 徳隆

     More details

    Applicant:国立大学東北大学

    Application no:特願2004-089326  Date applied:2004.3

    Announcement no:特開2005-272230 

    Country of applicant:Domestic  

  71. 結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク予備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法

    中嶋 一雄、我妻 幸長、宇佐美 徳隆、藤原 航三、宇治原 徹

     More details

    Applicant:国立大学東北大学

    Application no:2003-355443  Date applied:2003.10

    Announcement no:2005-119900 

    Patent/Registration no:特許第4122382号  Date registered:2008.5 

    Country of applicant:Domestic  

  72. 結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク予備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法

    中嶋 一雄, 我妻 幸長, 宇佐美 徳隆, 藤原 航三, 宇治原 徹

     More details

    Applicant:国立大学東北大学

    Application no:2003-355443  Date applied:2003.10

    Announcement no:2005-119900 

    Patent/Registration no:特許第4122382号  Date registered:2008.5 

    Country of applicant:Domestic  

  73. 光起電力素子、太陽電池、及び光起電力素子の製造方法

    宇佐美 徳隆、中嶋 一雄、宇治原 徹、藤原 航三

     More details

    Applicant:国立大学東北大学

    Application no:2003-298784  Date applied:2003.8

    Announcement no:2005-072192 

    Patent/Registration no:特許第3893466号  Date registered:2006.12 

    Country of applicant:Domestic  

  74. 光起電力素子、太陽電池、及び光起電力素子の製造方法

    宇佐美 徳隆, 中嶋 一雄, 宇治原 徹, 藤原 航三

     More details

    Applicant:国立大学東北大学

    Application no:2003-298784  Date applied:2003.8

    Announcement no:2005-072192 

    Patent/Registration no:特許第3893466号  Date registered:2006.12 

    Country of applicant:Domestic  

  75. Ge系結晶の成長方法、Ge系結晶、Ge系結晶基板及び太陽電池

    中嶋 一雄、藤原 航三、宇佐美 徳隆、宇治原 徹、我妻幸長

     More details

    Applicant:国立大学東北大学

    Application no:特願2003-198417  Date applied:2003.7

    Announcement no:特開2005-035817 

    Patent/Registration no:特許第3855059  Date registered:2006.9 

    Country of applicant:Domestic  

  76. Si系結晶の成長方法、Si系結晶、Si系結晶基板及び太陽電池

    中嶋 一雄、宇佐美 徳隆、宇治原 徹、藤原 航三、我妻幸長

     More details

    Applicant:国立大学東北大学

    Application no:特願2003-198490  Date applied:2003.7

    Announcement no:特開2007-22815 

    Patent/Registration no:特許第4054873  Date registered:2007.12 

    Country of applicant:Domestic  

  77. Ge系結晶の成長方法、Ge系結晶、Ge系結晶基板及び太陽電池

    中嶋 一雄, 藤原 航三, 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 我妻幸長

     More details

    Applicant:国立大学東北大学

    Application no:特願2003-198417  Date applied:2003.7

    Announcement no:特開2005-035817 

    Patent/Registration no:特許第3855059  Date registered:2006.9 

    Country of applicant:Domestic  

  78. Si系結晶の成長方法、Si系結晶、Si系結晶基板及び太陽電池

    中嶋 一雄, 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 藤原 航三, 我妻幸長

     More details

    Applicant:国立大学東北大学

    Application no:特願2003-198490  Date applied:2003.7

    Announcement no:特開2007-22815 

    Patent/Registration no:特許第4054873  Date registered:2007.12 

    Country of applicant:Domestic  

  79. Si薄膜の作製方法、Si薄膜、及び太陽電池

    中嶋 一雄、宇佐美 徳隆、宇治原 徹、藤原 航三

     More details

    Applicant:国立大学法人東北大学

    Application no:特願2003-167493  Date applied:2003.6

    Announcement no:特開2005-001945 

    Patent/Registration no:特許第3978494  Date registered:2007.7 

    Country of applicant:Domestic  

  80. Si薄膜の作製方法、Si薄膜、及び太陽電池

    中嶋 一雄, 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 藤原 航三

     More details

    Applicant:国立大学法人東北大学

    Application no:特願2003-167493  Date applied:2003.6

    Announcement no:特開2005-001945 

    Patent/Registration no:特許第3978494  Date registered:2007.7 

    Country of applicant:Domestic  

  81. 太陽電池

    宇治原 徹、宇佐美 徳隆、藤原 航三、中嶋 一雄

     More details

    Applicant:国立大学法人東北大学

    Application no:特願2003-20743  Date applied:2003.1

    Announcement no:特開2004-235325 

    Patent/Registration no:特許 第3787629  Date registered:2006.4 

    Country of applicant:Domestic  

    科学技術振興事業団整理番号:U2002P199

  82. 太陽電池

    宇治原 徹, 宇佐美 徳隆, 藤原 航三, 中嶋 一雄

     More details

    Applicant:国立大学法人東北大学

    Application no:特願2003-20743  Date applied:2003.1

    Announcement no:特開2004-235325 

    Patent/Registration no:特許 第3787629  Date registered:2006.4 

    Country of applicant:Domestic  

    科学技術振興事業団整理番号:U2002P199

  83. 絶縁体上歪み半導体単結晶の作製方法

    宇佐美 徳隆、宇治原 徹、藤原 航三、中嶋 一雄

     More details

    Applicant:東北大学長

    Application no:特願2002-355674  Date applied:2002.12

    Announcement no:特開2004-189505 

    Patent/Registration no:特許 第3837527  Date registered:2006.8 

    Country of applicant:Domestic  

  84. 絶縁体上歪み半導体単結晶の作製方法

    宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 藤原 航三, 中嶋 一雄

     More details

    Applicant:東北大学長

    Application no:特願2002-355674  Date applied:2002.12

    Announcement no:特開2004-189505 

    Patent/Registration no:特許 第3837527  Date registered:2006.8 

    Country of applicant:Domestic  

  85. 太陽電池及びその製造方法

    中嶋一雄、宇佐美徳隆、藤原航三、宇治原徹

     More details

    Applicant:東北大学長

    Application no:特願2002-67331  Date applied:2002.3

    Announcement no:特開2003-273373 

    Patent/Registration no:特許 第3472837  Date registered:2003.9 

    Country of applicant:Domestic  

    科学技術振興事業団整理番号:U2001P227(国内)

  86. 太陽電池及びその製造方法

    中嶋一雄, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹

     More details

    Applicant:東北大学長

    Application no:特願2002-67331  Date applied:2002.3

    Announcement no:特開2003-273373 

    Patent/Registration no:特許 第3472837  Date registered:2003.9 

    Country of applicant:Domestic  

    科学技術振興事業団整理番号:U2001P227(国内)

  87. 水素生成光装置

    中嶋一雄、宇佐美徳隆、佐崎元、宇治原徹

     More details

    Applicant:東北大学長

    Application no:特願2002-40388  Date applied:2002.2

    Announcement no:特開2003-238104 

    Country of applicant:Domestic  

    科学技術振興事業団整理番号:U2001P123

  88. 水素生成光装置

    中嶋一雄, 宇佐美徳隆, 佐崎元, 宇治原徹

     More details

    Applicant:東北大学長

    Application no:特願2002-40388  Date applied:2002.2

    Announcement no:特開2003-238104 

    Country of applicant:Domestic  

    科学技術振興事業団整理番号:U2001P123

  89. 液体拡散係数の測定法

    宇治原徹、藤原航三、宇佐美徳隆、中嶋一雄

     More details

    Applicant:東北大学長

    Application no:特願2001-298343  Date applied:2001.9

    Announcement no:特開2003-106974 

    Patent/Registration no:特許 第3491042  Date registered:2003.11 

    Country of applicant:Domestic  


     
    科学技術振興事業団整理番号:U2001P116

  90. 液体拡散係数の測定法

    宇治原徹, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄

     More details

    Applicant:東北大学長

    Application no:特願2001-298343  Date applied:2001.9

    Announcement no:特開2003-106974 

    Patent/Registration no:特許 第3491042  Date registered:2003.11 

    Country of applicant:Domestic  

    科学技術振興事業団整理番号:U2001P116

  91. Aln crystal preparation method, aln crystals, and organic compound including aln crystals

    Toru Ujihara, Yukihisa Takeuchi, Mingyu Chen, Masashi Nagaya

     More details

    Applicant:Nagoya University

    Announcement no:US20210009885A1  Date announced:2021.1

  92. 熱伝導率推定方法、熱伝導率推定装置、半導体結晶製品の製造方法、熱伝導率演算装置、熱伝導率演算プログラム、および、熱伝導率演算方法

    横山 竜介、藤原 俊幸、樋口 雄介、宇治原 徹

     More details

    Applicant:株式会社SUMCO

    Announcement no:特開2020-085737  Date announced:2020.6

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Teaching Experience (On-campus) 21

  1. 機能材料学(材料機能物性学)

    2020

  2. 化学熱力学2・相平衡論

    2020

  3. 凝固・結晶成長

    2020

  4. 凝固・結晶成長

    2019

  5. 化学熱力学2・相平衡論

    2019

  6. 機能材料学(材料機能物性学)

    2019

  7. 半導体材料学

    2019

  8. 材料物性学

    2018

  9. 化学熱力学2・相平衡論

    2018

  10. 半導体材料学・光機能材科学

    2018

  11. 凝固・結晶成長

    2018

  12. 材料工学総論

    2017

  13. 化学熱力学2・応用熱力学

    2017

  14. 半導体材料学・光機能材科学

    2017

  15. 材料物性学

    2017

  16. 凝固・結晶成長

    2017

  17. 材料工学総論

    2016

  18. 半導体材料学・光機能材科学

    2016

  19. 化学熱力学2・応用熱力学

    2016

  20. 材料物性学

    2016

  21. 結晶成長工学特論

    2016

▼display all

Teaching Experience (Off-campus) 3

  1. デザイン実技ⅠA

    2018.4 - 2019.3 Aichi Prefectural University of fine Arts and Music)

  2. デザイン実技ⅠA

    2017.4 - 2018.3 Aichi Prefectural University of fine Arts and Music)

  3. 特別講義第三A(機能性セラミックス)

    2013.4 - 2014.3 University of Yamanashi)

 

Social Contribution 68

  1. 株式会社サイオクス社内講演

    Role(s):Lecturer

    株式会社サイオクス  株式会社サイオクス  2022.3

     More details

    Audience: Company

    Type:Lecture

    結晶成長に関する講義

  2. SSH運営指導委員会

    Role(s):Lecturer, Advisor

    三重県立津高等学校  オンライン  2022.2

     More details

    Audience: High school students

    Type:Research consultation

    三重県立津高等学校SSH事業に対する指導・助言

  3. 津高等学校SSH研修会

    Role(s):Lecturer, Advisor

    三重県立津高等学校  名古屋大学 C-TECs  2021.12

     More details

    Audience: High school students

    Type:Lecture

  4. 三菱電機株式会社先端技術総合研究所社内講演

    Role(s):Lecturer

    三菱電機株式会社  オンライン  2021.12

     More details

    Audience: Company

    Type:Lecture

    プロセンスインフォマティクス技術に関する社内講演

  5. 愛知県立半田高等学校

    Role(s):Lecturer

    愛知県立半田高等学校  愛知県立半田高等学校  2021.10

     More details

    Audience: High school students

    Type:Visiting lecture

    脱炭素社会のための半導体やセラミクス開発

  6. 愛知県立天白高等学校模擬授業

    Role(s):Lecturer

    愛知県立天白高等学校  愛知県立天白高等学校  2021.10

     More details

    Audience: High school students

    Type:Visiting lecture

    大学模擬授業

  7. SSH運営指導委員会

    Role(s):Lecturer, Advisor

    三重県立津高等学校  名古屋大学 C-TECs  2021.6

     More details

    Audience: High school students

    Type:Research consultation

    三重県立津高等学校SSH事業に対する指導・助言

  8. 大陽日酸株式会社講演

    Role(s):Lecturer

    大陽日酸株式会社  オンライン  2021.5

     More details

    Audience: Company

    Type:Lecture

    機械学習を用いた結晶成長モデルベース開発(SiC融液成長を例に)

  9. 株式会社SUMCO社内講演

    Role(s):Lecturer

    株式会社SUMCO  2024.3

     More details

    Audience: General

    Type:Lecture

  10. トヨタ産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!雪の結晶を観察しよう」

    Role(s):Planner, Organizing member

    トヨタ産業技術記念館  2023.12

     More details

    Audience: Schoolchildren, Guardians

  11. 『Meet up Chubu 』vol.23「半導体素材開発におけるデジタルツインの活用と横展開」

    Role(s):Lecturer

    中部経済産業局・中部経済連合会  2023.8

     More details

    Audience: General

    Type:Lecture

  12. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!雪の結晶を観察しよう」

    Role(s):Planner, Organizing member

    トヨタ産業技術記念館  2022.12

     More details

    Audience: Schoolchildren, Guardians

    Type:Seminar, workshop

  13. 株式会社SUMCO社内講演

    Role(s):Lecturer

    株式会社SUMCO  2022.4

     More details

    Audience: General

    Type:Lecture

  14. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!雪の結晶を観察しよう」

    Role(s):Planner, Organizing member

    トヨタ産業技術記念館  2021.11

     More details

    Audience: Schoolchildren, Guardians

    Type:Seminar, workshop

  15. 高分子同友会 140回研究開発部会

    Role(s):Lecturer

    高分子同友会  オンライン  2021.3

     More details

    Audience: General

    Type:Seminar, workshop

  16. テクノブリッジフェアin中部-未来モビリティ カーボンニュートラルに向けた材料開発-

    Role(s):Lecturer

    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 中部センター  国立研究開発法人 産業技術総合研究所 中部センター  2021.3

     More details

    Audience: Researchesrs, General

    Type:Lecture

  17. 令和 2 年度 津高等学校 SSH 児童・生徒研究発表会

    Role(s):Advisor

    オンライン  2021.2

     More details

    Audience: High school students

  18. 科学技術未来戦略ワークショップ「材料創製技術を革新するプロセス・インフォマティクス」

    Role(s):Lecturer

    国立研究開発法人科学技術振興機構 研究開発戦略センター(CRDS)   オンライン  2021.1

     More details

    Audience: Researchesrs, General

  19. 津高等学校SSH研修会

    Role(s):Advisor

    名古屋大学 C-TECs  2020.12

     More details

    Audience: High school students

  20. 20-1有機エレクトロニクス研究会

    Role(s):Lecturer

    龍谷大学響都ホール校友会館 大ホール  2020.12

     More details

    Audience: Researchesrs, General

  21. 名古屋市工業研究所 スタートアップ講演

    Role(s):Lecturer

    名古屋市工業研究所 ホール(名古屋市熱田区六番三丁目4-41)  2020.11

     More details

    Audience: General

  22. 愛知県立天白高等学校模擬授業

    Role(s):Lecturer

    愛知県立天白高等学校  2020.11

     More details

    Audience: High school students, General

  23. えきなが講座

    Role(s):Lecturer

    山口県防府  2019.11

     More details

    Audience: Schoolchildren, Junior students, High school students

    Type:Visiting lecture

  24. テクノ・シンポジウム名大 「次世代サーマルマネージメントのための熱流体物性計測と制御」

    Role(s):Lecturer

    名古屋大学工学研究科  名古屋大学ES総合館ESホール  2019.10

     More details

    Audience: General, Company

    Type:Lecture

    題目「熱対策用窒化アルミニウムウィスカーの開発」

  25. 第53回 化学工学の進歩講習会「最新情報技術活用によるプロセス産業スマート化- AI,IoT,MI の基礎から最前線まで -」

    Role(s):Lecturer

    化学工学会東海支部  名古屋市工業研究所(名古屋市熱田区六番3-4-41 )第1 会議室  2019.10

     More details

    Audience: General, Company

    Type:Lecture

    題目「結晶成長における機械学習活用(SiC溶液成長を例に)」

  26. テクサポネットセミナー第7弾(テクサポネット×名大協力会)

    Role(s):Interviewer

    名古屋大学協力会・中部経済産業局  名古屋大学 アジア法交流館2階 アジアコミュニティフォーラム  2019.10

     More details

    Audience: General, Company

    Type:Lecture

    題目「起業のススメ ―大学発ベンチャーの利点と可能性―」

  27. 産総研コンソーシアム名古屋工業技術協会 2019年度第1回研究会 「AI、機械学習の応用事例」

    Role(s):Lecturer

    産総研コンソーシアム名古屋工業技術協会  名古屋駅前イノベーションハブ 会議室  2019.10

     More details

    Audience: General, Company

    Type:Lecture

    題目「AI技術を用いたSiC溶液成長技術の確立」

  28. 三重県立津高等学校 模擬授業

    Role(s):Lecturer

    三重県立津高等学校  2019.10

     More details

    Audience: High school students

    Type:Visiting lecture

  29. 技術セミナー「パワーデバイス封止材」

    Role(s):Lecturer

    技術情報協会  東京都五反田・日幸五反田ビル8F 技術情報協会 セミナールーム  2019.9

     More details

    Audience: General, Company

    Type:Lecture

    題目「少量添加で樹脂素材の熱伝導率を向上させるフィラーの開発」

  30. ポスト「京」重点課題⑧・重点課題⑥ 第3 回HPC ものづくり統合ワークショップ

    Role(s):Lecturer

    東京大学生産技術研究所 革新的シミュレーション研究センター  東京大学生産技術研究所内An 棟4 階セミナー室  2019.9

     More details

    Audience: General, Company

    Type:Lecture

    題目「機械学習によるSiC結晶成長プロセスの最適化と大口径化の試み」

  31. 第2回 住友理工株式会社―名古屋大学 探索型共同研究テーマ検討会

    Role(s):Lecturer

    名古屋大学  名古屋大学NIC館  2019.9

     More details

    Audience: Company

    Type:Lecture

    題目「少量添加で樹脂素材の熱伝導率を向上させるフィラーの開発」

  32. キャリアブリッジ2019(NPO法人アスクネット)

    Role(s):Lecturer

    NPO法人アスクネット  名古屋大学 工学部5号館 522講義室  2019.8

     More details

    Audience: High school students

    Type:Visiting lecture

    「大学での学びについて」「材料工学」に関する講義

  33. 日本学術振興会 素材プロセシング第69委員会 第2分科会(新素材関連技術)第73回研究会

    Role(s):Lecturer

    日本学術振興会  東北大学 多元物質科学研究所大会議室(片平キャンパス E03 1階)  2019.7

     More details

    Audience: General, Company

    Type:Lecture

    題目「SiC溶液成長法の最適条件予測におけるデータ科学の活用」

  34. 日本セラミックス協会「マテリアルズ・インフォマティクスを用いた新材料開発」

    Role(s):Lecturer

    日本セラミックス協会関東支部  東京工業大学 大岡山キャンパス南8号館623教室  2019.4

     More details

    Audience: General, Company

    Type:Lecture

    題目「結晶成長における機械学習の活用(SiC溶液成長を例にして)」

  35. 中部イノべネット平成30年度 第2回窓口コーディネーター会議

    Role(s):Lecturer

    公益財団法人中部科学技術センター  名古屋栄ビルディング特別会議室  2019.2

     More details

    Audience: Teachers, General, Scientific, Company

    Type:Lecture

  36. トヨタ産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!雪の結晶を観察しよう」

    Role(s):Planner, Organizing member

    トヨタ産業技術記念館  2018.12

     More details

    Audience: Schoolchildren, Guardians

  37. 結晶成長解析セミナー 2018

    Role(s):Lecturer

    STR Japan株式会社  横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階大会議室  2018.12

     More details

    Audience: Teachers, General, Scientific, Company

    Type:Lecture

    題目:機械学習による結晶成長モデリングと最適条件自動取得(SiC溶液成長を例に)

  38. 国際シンポジウムMSST2018

    Role(s):Lecturer

    関東学院大学  関東学院大学小田原キャンパス  2018.12

     More details

    Audience: Teachers, General, Scientific, Company

    Type:Lecture

    題目:Machine Learning for SiC top-seeded solution growth
    - Prediction, Optimization and Visualization -

  39. 第26 回フィラーシンポジウム

    Role(s):Lecturer

    フィラー研究会  ホテルグランテラス富山  2018.11

     More details

    Audience: Teachers, General, Scientific, Company

    Type:Lecture

    題目:樹脂の熱伝導率を向上させるAlN ウィスカーフィラーについての開発

  40. 三重県立津高等学校 模擬授業

    Role(s):Lecturer

    三重県立津高等学校  2018.10

     More details

    Audience: High school students

    Type:Visiting lecture

  41. Mathematical Aspects of Surface and Interface Dynamics 14研究集会

    Role(s):Lecturer

    日本結晶成長学会  東大駒場数理科学  2018.10

     More details

    Audience: Teachers, General, Scientific, Company

    Type:Lecture

    題目:High-quality SiC crystal grown with solution method by controlling macro-step structure

  42. えきなが講座

    Role(s):Lecturer

    山口県防府  2018.9

     More details

    Audience: Schoolchildren, Junior students, High school students

    Type:Visiting lecture

  43. 大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ

    Role(s):Lecturer

    大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所  大阪電気通信大学 駅前キャンパス1 階101 教室  2018.7

     More details

    Audience: Teachers, General, Scientific, Company

    Type:Lecture

    題目:溶液成長法による高品質SiC 結晶成長と機械学習の活用

  44. 研究交流クラブ 第189回定例会

    Role(s):Lecturer

    公益社団法人科学技術交流財団  名古屋銀行協会 2階 1号室  2018.7

     More details

    Audience: Teachers, General, Scientific, Company

    Type:Lecture

    題目:AI技術を活用した新素材合成プロセスの高速最適化と可視化

  45. 第305回 新規事業研究会

    Role(s):Lecturer

    新規事業研究会  東工大(大岡山)  2018.4

     More details

    Audience: Teachers, General, Scientific, Company

    Type:Lecture

    題目:超高品質SiC溶液成長法の開発と機械学習を用いた高度化

  46. プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会 第165回研究会

    Role(s):Lecturer

    公益社団法人精密工学会  主婦会館プラザエフ(東京都千代田区)  2018.4

     More details

    Audience: Teachers, General, Scientific, Company

    Type:Lecture

    題目:SiC の結晶成長と加工における機械学習の活用例

  47. 社外アドバイザー(株式会社キスモ)

    Role(s):Advisor

    2018.1 - 2018.12

     More details

    Audience: General

    Type:Other

  48. トヨタ産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!雪の結晶を観察しよう」

    Role(s):Planner, Organizing member

    トヨタ産業技術記念館  2017.12

     More details

    Audience: Schoolchildren, Guardians

  49. 三重県立津高等学校 模擬授業

    Role(s):Lecturer

    三重県立津高等学校  2017.10

     More details

    Audience: High school students

    Type:Visiting lecture

  50. 津西高等学校 模擬授業「津西一日大学」

    Role(s):Lecturer

    三重県立津西高等学校  2017.9

     More details

    Audience: High school students

  51. 共感からはじまる!アイデアのつくり方講座

    Role(s):Lecturer

    一般社団法人未来マトリクス  2017.4

     More details

    Audience: College students, Graduate students, Teachers, Researchesrs, General, Company

    講師

  52. 産総研・名大窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ(GaN-OIL)

    Role(s):Media coverage

    産総研・名大  2016.12

     More details

    Type:Promotional material

    「産総研・名大窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ(GaN-OIL)」 紹介動画が公開

  53. 第18回えきなが講座

    2016.11

  54. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!雪の結晶を観察しよう」

    2016.11

  55. 津高等学校模擬授業「身の回りのいろいろな結晶 ~氷から太陽電池まで~」

    2016.10

  56. インフォマティクスがもたらす結晶成長プロセスの革新

    Role(s):Presenter

    2017春季第64回応用物理学関連連合講演会・結晶工学分科会シンポジウム  2016.3

     More details

    Audience: Teachers, Company

    Type:Seminar, workshop

  57. 第16回えきなが講座

    2015.12

  58. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!ストームグラスをつくろう!」

    2015.11

  59. 津高等学校模擬授業「身の回りのいろいろな結晶 ~氷から太陽電池まで~」

    2015.10

  60. TEDxNagoyaU

    Role(s):Advisor, Organizing member

    2015.7

     More details

    Audience: College students, Graduate students, Teachers, Researchesrs, General, Scientific, Company

  61. 津高等学校模擬授業「身の回りのいろいろな結晶 ~氷から太陽電池まで~」

    2014.10

  62. 理系女子進路選択支援シンポジウム

    2014.9

     More details

    パネルディスカッションコーディネーター

  63. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!金属を溶かしてメダルストラップをつくろう」

    2014.5

  64. 津高等学校模擬授業「身の回りのいろいろな結晶 ~氷から太陽電池まで~」

    2013.10

  65. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!金属をとかしてメダルをつくろう!」

    2013.5

  66. 第10回えきなが講座

    2013.3

     More details

    結晶成長講座

  67. 津高等学校模擬授業「身の回りのいろいろな結晶 ~氷から太陽電池まで~」

    2012.7

  68. 産業技術記念館週末ワークショップ 実験教室「はかせとあそぼ!金属をとかしてメダルをつくろう!」

    2012.5

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Media Coverage 24

  1. 日本ガイシや名古屋大など、AI活用したセラミック製品の解析手法を開発 Newspaper, magazine

    日刊自動車新聞  朝刊 3面 1段  2024.6

  2. 名大などとAI活用したセラミック解析手法開発 日本ガイシ Newspaper, magazine

    中部経済新聞  朝刊 3面 1段  2024.6

  3. AI解析で大幅時短 Newspaper, magazine

    電氣新聞  朝刊 4面 3段  2024.6

  4. 起業のチカラ 第1部人材編 Newspaper, magazine

    読売新聞  2024.6

  5. パワー半導体 安価に製造 Newspaper, magazine

    日本経済新聞  2024.3

  6. スタートアップ育成へ、ナゴヤで厚み増す『生態系』、シンポジウム、マインド変える 最先端・異質の風 Newspaper, magazine

    日本経済新聞  2023.12

  7. 日経名古屋支社シンポジウム Newspaper, magazine

    日本経済新聞 朝刊中部経済面  2023.12

  8. 名大発UJ-Crystal、生成AIでSiC製法改良 27年量産へ Newspaper, magazine

    NIKKEI Tech Foresight  2023.12

  9. 「スタートアップ育成へ、ナゴヤで厚み増す『生態系』」 Internet

    テレビ愛知  2023.12

  10. 起業家精神 学生に根付け Newspaper, magazine

    中日新聞  2023.10

  11. 大学の知 社会還元加速 Newspaper, magazine

    読売新聞  2023.9

  12. 失敗作から新放熱材 Newspaper, magazine

    読売新聞  2022.9

  13. 新興で次世代パワー半導体 「研究の軸は仮想空間で」 Newspaper, magazine

    日本経済新聞  2022.4

  14. 次世代半導体、AIで欠陥100分の1に 名大が手法開発 Newspaper, magazine

    日本経済新聞  2021.11

  15. STORY OF MOBILITY TV or radio program

    ZIP-FM  2021.3

  16. 製造プロセスにAI活用 3年でSiC6インチにめど Newspaper, magazine

    電子デバイス産業新聞  2021.1

  17. M&A目的に技術追及 Newspaper, magazine

    日刊工業新聞  2020.12

  18. 究極の材料と加工技術による技術革新を Promotional material

    トヨタ社内報  TES MAGAZINE vol.71,2020  2020.12

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    U-MAP

  19. 大田高と名大、連携授業 ーオンラインで対談。進路選択へ、大学生に聞く Newspaper, magazine

    山陰中央新報、日日新聞  2020.12

  20. 10年先の未来を見通し、革新的新素材で世界を変える Promotional material

    名古屋商工会議所  NAGOYA   2020.12

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    U-MAP

  21. 放熱新素材の開拓加速 Newspaper, magazine

    化学工業日報  2020.9

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    U-MAP

  22. 大学発のロールモデルに Newspaper, magazine

    中部経済新聞  2020.7

     More details

    U-MAP

  23. 放熱性高める独自素材量産へ Newspaper, magazine

    中部経済新聞  2020.6

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    U-MAP

  24. 第15回 名古屋大学ホームカミングデイ

    名古屋大学Development Office 事業G 事業推進係  ES総合館・ESホール  2019.10

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Academic Activities 3

  1. 駒場東邦中学校・高等学校名古屋大学見学会

    駒場東邦中学校・高等学校  ( 名古屋大学 工学部5号館 522講義室 ) 2019.8

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    NIC5階見学(プロジェクションマッピング+研究ポスター紹介)、C-TECs見学

  2. 県立津高等学校スーパーサイエンスハイスクルール運営指導委員

    三重県教育委員会  2018.4

  3. メッセナゴヤ2016

    愛知県、名古屋市、名古屋商工会議所  2016.12

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    「具現化ソン」の事例が、 科学技術振興機構(JST)の「産学官連携ジャーナル」にて紹介