論文 - 黒澤 昌志
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Low-Temperature Metal-Induced Crystallization of Orientation-Controlled SiGe on Insulator for Flexible Electronics 査読有り
T. Sadoh, J.-H. Park, M. Kurosawa, and M. Miyao
ECS Transactions 頁： Vol. 58, Issue 9, pp. 213-221 2013年10月
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Liquid-Sn-driven lateral growth of poly-GeSn on insulator assisted by surface oxide layer 査読有り
M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 103, Issue 11, pp. 101904-1〜4 2013年9月
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Nucleation-controlled gold-induced crystallization for selective formation of Ge(100) and (111) on insulator at low-temperature (~250oC) 査読有り
J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh
Applied Physics Letters 頁： Vol. 103, Issue 8, pp. 082102-1〜4 2013年8月
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Temperature dependent Al-induced crystallization of amorphous Ge thin films on SiO2 substrates 査読有り
K. Toko, N. Fukata, K. Nakazawa, M. Kurosawa, N. Usami, M. Miyao, T. Suemasu
Journal of Crystal Growth 頁： Vol. 372, pp. 189–192 2013年6月
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High-quality formation of multiply stacked SiGe-on-insulator structures by temperature-modulated successive rapid-melting-growth 査読有り
Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 102, Issue 2, pp. 092102-1〜4 2013年3月
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Atomically-coherent-coalescence of two growth-fronts in Ge stripes on insulator by rapid-melting lateral-crystallization 査読有り
M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, I. Mizushima, and M. Miyao
ECS Journal of Solid State Science and Technology 頁： Vol. 2, Issue 3, pp. P54-P57 2012年12月
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Growth-rate-dependent laterally graded SiGe profiles on insulator by cooling-rate controlled rapid-melting-growth 査読有り
R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, I. Mizushima, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 101, Issue 24, pp. 241904-1〜5 2012年12月
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Formation of Large Grain SiGe on Insulator by Si Segregation in Seedless-Rapid-Melting Process 査読有り
R. Kato, M. Kurosawa, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
ECS Transactions 頁： Vol. 50, Issue 9, pp. 431-436 2012年10月
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(Invited) Hybrid-Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth --- A Road to Artificial Crystal --- 査読有り
M. Miyao, M. Kurosawa, K. Toko, Y. Tojo, and T. Sadoh
ECS Transactions 頁： Vol. 50, Issue 5, pp. 59-70 2012年10月
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Formation of Graded SiGe on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting- Growth 査読有り
R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
ECS Transactions 頁： Vol. 50, Issue 9, pp. 747-751 2012年10月
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Formation of Large-Grain Ge(111) Films on Insulator by Gold-Induced Layer-Exchange Crystallization at Low Temperature Poster Session 査読有り
J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh
ECS Transactions 頁： Vol. 50, Issue 9, pp. 475-480 2012年10月
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Single-crystalline laterally-graded GeSn on insulator structures by segregation controlled rapid-melting growth 査読有り
M. Kurosawa, Y. Tojo, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 101, Issue 9, pp. 091905-1〜4 2012年8月
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Highly (111)-oriented Ge thin films on insulators formed by Al-induced crystallization 査読有り
K. Toko, M. Kurosawa, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, M. Miyao, and T. Suemasu
Applied Physics Letters 頁： Vol. 101, Issue 7, pp. 072106-1〜3 2012年8月
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Enhanced Interfacial-Nucleation in Al-Induced Crystallization for (111) Oriented Si1-xGex (0<x<1) Films on Insulating Substrates 査読有り
M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
ECS Journal of Solid State Science and Technology 頁： Vol. 1, Issue 3, pp. P144-P147 2012年8月
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SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI（Ge on Insulator）の形成―人工単結晶への道― 招待有り 査読有り
宮尾正信，佐道泰造，都甲薫，黒澤昌志
応用物理 頁： Vol. 81, No. 5, pp. 410-414 2012年5月
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Hybrid-orientation Ge-on-insulator structures on (100) Si platform by Si micro-seed formation combined with rapid-melting growth 査読有り
M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 100, Issue 17, pp. 172107-1〜5 2012年4月
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界面酸化膜挿入型 Au 誘起層交換成長法による大粒径 Ge(111)/絶縁膜の低温成長-界面酸化膜厚依存性-
鈴木恒晴, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 宮尾正信, 佐道泰造
電子情報通信学会 信学技報 頁： vol. 112, no. 18, pp. 71-73 2012年4月
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絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 〜Si偏析効果による大粒径化〜
加藤立奨，黒澤昌志，横山裕之，佐道泰造，宮尾正信
電子情報通信学会 信学技報 頁： vol. 112, no. 18, pp. 61-62 2012年4月
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Enhancement of SiN-Induced Compressive and Tensile Strains in Si Free-Standing Microstructures by Modulation of SiN Network Structures 査読有り
T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, M. Miyao
Thin Solid Films 頁： Vol. 520, Issue 8, pp. 3276–3278 2012年2月
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Low Temperature (~250oC) Layer Exchange Crystallization of Si1-xGex (x= 1-0) on Insulator for Advanced Flexible Devices 査読有り
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
Thin Solid Films 頁： Vol. 520, Issue 8, pp. 3293–3295 2012年2月