論文 - 黒澤 昌志
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Solid-phase crystallization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characterization of their crystalline and optical properties 査読有り
S. Yano, T. Yamaha, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 56, No. 1S, pp. 01AB02-1〜7 2016年11月
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Large single-crystal Ge-on-insulator by thermally-assisted (~400C) Si-seeded-pulse-laser annealing 査読有り
T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, and M. Miyao
Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Vol. 70, pp. 8-11 2016年11月
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Formation and characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructures with strain-controlled Ge1-x-ySixSny layers 査読有り
M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Vol. 70, pp. 156-161 2016年10月
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Thermoelectric Properties of Ge-Rich GeSn Films Grown on Insulators 査読有り
M. Kurosawa, K. Liu, M. Izawa, I. Tsunoda, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 75, Issue 8, pp. 481-487 2016年9月
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金属誘起層交換法によるAg上Si, Ge極薄膜の形成 ーシリセン, ゲルマネンの創製を目指してー 招待有り 査読有り
黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明
表面科学 頁： Vol. 37, No. 8, pp. 374-379 2016年8月
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Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys 査読有り
Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 55, No. 8S2, pp. 08PE04-1〜4 2016年7月
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Surface-segregated Si and Ge ultrathin films formed by Ag-induced layer exchange process 査読有り
M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 55, No. 8S1, pp. 08NB07-1〜5 2016年7月
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Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価
志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会 信学技報 頁： Vol. 116, No. 1, pp. 23-26 2016年4月
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Growth of ultrahigh-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height of metal/Ge contact 査読有り
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 55, No. 4S, pp. 04EB12-1〜6 2016年3月
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Effect of in situ Sb doping on crystalline and electrical characteristics of n-type Ge1-xSnx epitaxial layer 査読有り
J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 55, No. 4S, pp. 04EB13-1〜5 2016年3月
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Low thermal budget n-type doping into Ge(001) surface using ultraviolet laser irradiation in phosphoric acid solution 査読有り
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 108, Issue 5, pp. 052104-1〜4 2016年2月
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界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長
吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 頁： pp. 21-24 2016年1月
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Si1–xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析
長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 頁： pp. 17-20 2016年1月
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Mobility Behavior of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Grown on Insulators 査読有り
T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Transaction of the Materials Research Society of Japan 頁： Vol. 40, No. 4, pp. 351-354 2015年12月
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Defect and dislocation structures in low-temperature-grown Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers on Si(110) substrates 査読有り
S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 頁： Vol. 598, 1 January 2016, pp. 72–81 2015年12月
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Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer 査読有り
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 107, Issue 21, pp. 212103-1〜5 2015年11月
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Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits 査読有り
S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawaa, W. Takeuchi, M. Sakashita
ECS Transactions 頁： Vol. 69, Issue 10, pp. 89-98 2015年10月
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High hole mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization 査読有り
W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 107, Issue 2, pp.022103-1〜4 2015年7月
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Growth and Application of GeSn-Related Group-IV Semiconductor Materials 招待有り 査読有り
S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita
Science and Technology of Advanced Materials 頁： Vol.16, Issue 4, pp. 043502-1〜22 2015年7月
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Characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge fine structures by synchrotron X-ray microdiffraction 査読有り
S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 106, Issue 18, pp. 182104-1〜5 2015年5月