講演・口頭発表等 - 出来 真斗
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空孔誘導Mg熱拡散法を用いたGaNのMg濃度制御
伊藤佑太, 島村健矢, 渡邉浩崇, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 田中敦之, 天野浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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Mg熱拡散を用いたGaNのp型化プロセス
伊藤佑太, 陸順, 渡邉浩崇, 出来真斗, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 天野浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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多光子励起OBICを用いたGaN縦型p-nダイオード駆動中におけるキャリア濃度分布測定手法の提案
八木誠，川崎晟也，隈部岳瑠，安藤悠人，田中敦之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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超⾼圧アニールによるMg拡散を⽤いたp型ゲートAlGaN/GaNHEMTの閾値電圧制御
⼭下 隼平, 渡邉 浩崇, 安藤 悠⼈, ⽥中 敦之, 出来 真⽃, 新⽥ 州吾, 本⽥ 善央, Michal Bockowski, 加地徹, 天野 浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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アニールしたMg層による低濃度p型GaNへの接触抵抗低減
陸 順, 出来 真斗, 王 嘉, 大西 一生, 安藤 悠人, 渡邉 浩崇, 隈部 岳瑠, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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GaN IMPATTダイオードにおける発振特性の接合直径依存性
川崎晟也, 隈部岳瑠, 安藤悠人, 出来真斗, 渡邉 浩崇, 田中敦之, 新田州吾, 本田善央, 新井学, 天野浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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Reduction of Specific Contact Resistance on p-type GaN by Thermal Annealed Mg Layer 国際会議
Shun Lu, Manato Deki, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
ICMaSS2021 2021年11月5日
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GaNへのMgイオン高温注入時におけるビーム電流量が欠陥導入に与える影響
伊藤佑太, 渡邉浩崇, 安藤悠人, 出来真斗, 狩野絵美, 新田州吾, 本田 善央, 五十嵐信行, 田中敦之, 天野浩
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月12日
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窒化ガリウム中プラセオジムの発光を利⽤したナノスケール領域温度計測
佐藤 真⼀郎, 出来 真⽃, ⻄村 智朗, 渡邉 浩崇, 新⽥ 州吾, 本⽥ 善央, 天野 浩, Greentree Andrew, Gibson Brant, ⼤島 武
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日
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“Regrowth-free” Fabrication of AlGaN/GaN HBT with N-p-n Configuration 国際会議
Takeru Kumabe, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
SSDM2021 2021年9月7日
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Influence of Annealing on Sputtered Boron Nitride Film
H. S. Wang, T. Sakai, X. Yang, M. Deki, M. Kushimoto, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano
ISPlasma2019 2019年3月18日
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Effects of Drift Layer Thicknesses in Reverse Conduction Mechanism on Vertical GaN-on-GaN SBDs grown by MOCVD 国際共著 国際会議
S. Abhinay, S. Arulkumaran, G.I. Ng, K. Ranjan, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda and H. Amano
EDTM 2019 2019年3月14日
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Screw dislocations and nanopipe generation in a MOVPE-grown homoepitaxial layer on freestanding GaN substrates and the electrical influence on vertical p−n diodes 国際会議
Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hayata Fukushima, Yuto Ando, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Aman
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 2018年11月15日
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Vertical GaN pn diode with Avalanche capability structure 国際会議
Hayata Fukushima, Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 2018年11月12日
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Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議
Zhibin Liu, Shugo Nitta, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, Ishikawa, Japan
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m面GaN SBDの漏れ電流のファセット依存性
バリー １オースマネー、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩
第64回応用物理学会春季学術講演会
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GaN自立基板上PNダイオードの逆方向リークと転位の関係
宇佐美 茂佳、 安藤 悠人、 田中 敦之、 永松 謙太郎、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩
第64回応用物理学会春季学術講演会
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絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量
宇佐美 茂佳、 小島 一信、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 秩父 重英、 天野 浩
第64回応用物理学会春季学術講演会
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Morphology control of InGaN layer on GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
Zhibin Liu, Ryosuke Miyagoshi, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
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Si基板上半極性(1101)GaNストライプレーザー端面への反射膜作製
鈴木 崇文、 伊藤 大貴、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩
第64回応用物理学会春季学術講演会