講演・口頭発表等 - 出来 真斗
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GaN-MOSデバイスにおける界面準位評価とその低減 招待有り
出来真斗、安藤悠人、本田善央、天野浩
第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2022年9月25日
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Evaluation of Switching Characteristics of High Breakdown Voltage GaN-PSJ Transistors at Liquid Nitrogen Temperature 国際会議
Manato Deki, Hirotaka Kawarabayashi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
AIAA AVIATION FORUM 2023年6月16日
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High efficiency and high power electric propulsion system for airplane by superconductivity-6: Demonstration of dynamic characteristics of GaN-PSJ power transistors at low temperatures 国際会議
Kawarabayashi Hirotaka, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
ASC2022 2022年10月25日
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FG構造を用いたGaN-MOSキャパシタのフラットバンド電圧シフト
李 熙根, 出来 真斗, 陸 順, 渡邉 浩崇, 藤元 直樹, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月22日
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貫通転位密度の異なる自立 GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製した p-n 接合ダイオードの電気特性
伊藤 佑太, 權 熊, 川崎 晟也, 渡邉 浩崇, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 田中 敦之, 天野 浩
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月24日
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フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続分極超接合トランジスタの飽和電流増加構造の検討
小久保 瑛斗, 渡邉 浩崇, 出来 真斗, 田中 敦之, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月24日
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Fabrication of GaN Polarization Super Junction (PSJ) FET with built-in freewheeling diode 国際会議
Eito Kokubo, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023） 2023年12月2日
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Electrical characteristics of Al2O3/LT-AlN/GaN MIS capacitors fabricated by in situ growth 国際会議
Ren Obata, Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023） 2023年12月2日
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"Nanoscale Temperature Sensing Using Praseodymium Ions Implanted in Gallium Nitride Semiconductors" 国際会議
Shin-ichiro Sato, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023） 2023年12月2日
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Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題
伊藤 佑太, 渡邉 浩崇, 出来 真斗, 新田 州吾, 田中 敦之, 本田 善夫, 天野 浩
"電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) / 電子デバイス研究会(ED) / 電子部品・材料研究会(CPM) " 2023年11月30日
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Lateral p-type GaN Schottky barrier diode using annealed Mg ohmic contact layer on low-Mg-concentration p-GaN 国際会議
Shun Lu, Manato Deki, Takeru Kumabe, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14) 2023年11月13日
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15 GHz GaN Hi-Lo IMPATT diodes with pulsed peak power of 25.5 W 国際会議
Seiya Kawasaki, Takeru Kumabe, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Manabu Arai and Hiroshi Amano
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14) 2023年11月16日
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HVPE 法及びMOVPE法により成長させた低Mg濃度p型GaNの準位
大原 悠樹, 出来 真斗, 陸 順, 大西 一生, 渡邉 浩崇, 本田 善央, 天野 浩
第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 2023年11月3日
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Highly effective activation of Mg-diffused p-type GaN using Mg/GaN mixed crystal
Yuta Itoh, Masaya Takeda, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Atsushi Tanaka, and Hiroshi Amano
第42回電子材料シンポジウム（EMS42） 2023年10月13日
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Analysis of single ion induced signals in gallium nitrides toward deterministic single-ion implantation 国際会議
T. Fujita, S.-I. Sato, M. Deki, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, and H. Tsuchida
26th International Conference on Ion Beam Analysis, 18th International Conference on Particle Induced X-ray Emission (IBA-PIXE2023) 2023年10月13日
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フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続PSJトランジスタのシミュレーション及び作製
小久保 瑛斗, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月23日
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マイクロ波帯Hi-Lo型GaN IMPATTダイオードにおけるLo層ドナー濃度が入出力特性に与える影響
川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 出来 真斗, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 本田 善央, 新井 学, 天野 浩
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月21日
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Optical Activation of Praseodymium Ions Implanted in GaN after Ultra-High Pressure Annealing 国際会議
Shin Ito, Shinichiro Sato, Michal Boćkowski, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kenichi Yoshida, Hideki Minagawa, Naoto Hagura
21st International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-21) 2023年9月7日
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GaNの表面保護プロセスがGaN/絶縁膜界面特性に与える影響
小幡 蓮, 隈部 岳瑠, 渡邉 浩崇, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩
第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2023年6月15日
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Recess-etching-free GaN p-MOSFET achieved by p-type contact to GaN/AlGaN heterojunction with Mg-annealing process 国際会議
Shun Lu, Manato Deki, Jia Wang, Hirotaka Watanabe, Eito Kokubo, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
GaN Marathon 2024 2023年6月11日
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Fabrication of GaN Hi-Lo IMPATT diode 国際会議
Seiya Kawasaki, Takeru Kumabe, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Manabu Arai and Hiroshi Amano
WOCSDICE-EXMATEC 2023 2023年5月25日
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窒化ガリウム半導体における単一イオンヒット検出条件の検討
藤田 泰樹, 佐藤 真一郎, 出来 真斗, 渡邊 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 土田 秀次
第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023年3月17日
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希土類イオン注入したGaNの超高圧熱処理による発光特性および結晶構造の変化
伊藤 慎, 佐藤 真一郎, Michal Bockowski, 出来 真斗, 渡邊 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 吉田 謙一, 南川 英輝, 羽倉 尚人
第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023年3月17日
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GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの動作電圧低減・高電流密度化
岩田大暉，隈部岳瑠，渡邉浩崇，出来真斗，本田善央，天野浩
第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023年3月18日
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マイクロ波帯Hi Lo型GaN IMPATTダイオードの設計および作製
川崎晟也, 隈部岳瑠, 出来真斗, 渡邉浩崇, 田中敦之, 本田善央, 新井学, 天野 浩
第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023年3月18日
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K-Ka帯GaN IMPATTダイオードの作製
川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 出来 真斗, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 本田 善央, 新井 学, 天野 浩
2024 年 電子情報通信学会 総合大会 2023年3月6日
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GaN縦型pnダイオード駆動中の多光子励起OBICを用いたキャリア密度分布測定手法の模索
八木誠，川崎晟也，隈部岳瑠，安藤悠人，田中敦之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩
第9回 応用物理学会 名古屋大学SC東海地区学術講演会 2022年12月10日
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MOVPE法を用いたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製
岩田大暉, 隈部岳瑠, 渡邉浩崇, 出来真斗, 久志本真希, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 天野浩
第9回 応用物理学会 名古屋大学SC東海地区学術講演会 2022年12月10日
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Highly effective activation of Mg-diffused p-type GaN using MgGaN 国際会議
IWN2022 2022年10月12日
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Fabrication of GaN/AlN Resonant tunneling diodes by MOVPE 国際会議
IWN2022 2022年10月12日
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GaN IMPATT diode with pulsed watt-class microwave oscillation 国際会議
IWN2022 2022年10月13日
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コロナCV法を用いたAl2O3/AlGaN/GaN構造の非接触電気特性評価
竹村亮太, 渡邉浩崇, 出来真斗, 本田善央, 天野浩
第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2022年9月24日
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Mg熱拡散法を用いた縦型GaNp-n接合ダイオードの作製
伊藤佑太, 川崎 晟也, 権熊, 島村 健矢, 成田 周平, 渡邉浩崇, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 田中敦之, 天野浩
第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022年9月22日
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p型分極ドープAlGaN層中のShockley-Read-Hall寿命
隈部岳瑠, 川崎晟也, 渡邉浩崇, 出来真斗, 本田善央, 天野浩
第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022年9月22日
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異なるキャリア濃度を有するn型GaNに対する多光子励起 PECエッチングの調査
丹羽 ののか，川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 渡邉 浩崇, 古澤 優太, 田中 敦之, 出来 真斗, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩
第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022年9月23日
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熱拡散法を用いて形成されたp-GaN中のMgの拡散
島村健矢, 伊藤佑太, 隈部岳瑠, 川崎晟也, 渡邉浩崇, 出来真斗, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 天野浩
第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022年9月22日
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For 3D Processing of GaN by Photo Enhanced Chemical Etching Method Utilizing Multi-photon Excitation 国際会議
LEDIA2022 2022年4月21日
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多光子励起を用いた光化学エッチングによるGaN3次元加工の検討
丹羽 ののか，川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 田中 敦之, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田善央, 天野 浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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III族窒化物半導体検出器の⾼温耐性評価
林 幸佑, 中川 央也, 川崎 晟也, 出来 真⽃, 本⽥ 善央, 天野 浩, 井上 翼, ⻘⽊ 徹, 中野 貴之
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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縦型p-n接合ダイオードにおける貫通転位による耐圧近傍での微小電流増加
權 熊, 川崎 晟也, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 池田 宏隆, 磯 憲司, 天野 浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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空孔誘導Mg熱拡散法を用いたGaNのMg濃度制御
伊藤佑太, 島村健矢, 渡邉浩崇, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 田中敦之, 天野浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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Mg熱拡散を用いたGaNのp型化プロセス
伊藤佑太, 陸順, 渡邉浩崇, 出来真斗, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 天野浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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多光子励起OBICを用いたGaN縦型p-nダイオード駆動中におけるキャリア濃度分布測定手法の提案
八木誠，川崎晟也，隈部岳瑠，安藤悠人，田中敦之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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超⾼圧アニールによるMg拡散を⽤いたp型ゲートAlGaN/GaNHEMTの閾値電圧制御
⼭下 隼平, 渡邉 浩崇, 安藤 悠⼈, ⽥中 敦之, 出来 真⽃, 新⽥ 州吾, 本⽥ 善央, Michal Bockowski, 加地徹, 天野 浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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アニールしたMg層による低濃度p型GaNへの接触抵抗低減
陸 順, 出来 真斗, 王 嘉, 大西 一生, 安藤 悠人, 渡邉 浩崇, 隈部 岳瑠, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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GaN IMPATTダイオードにおける発振特性の接合直径依存性
川崎晟也, 隈部岳瑠, 安藤悠人, 出来真斗, 渡邉 浩崇, 田中敦之, 新田州吾, 本田善央, 新井学, 天野浩
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
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Reduction of Specific Contact Resistance on p-type GaN by Thermal Annealed Mg Layer 国際会議
Shun Lu, Manato Deki, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
ICMaSS2021 2021年11月5日
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GaNへのMgイオン高温注入時におけるビーム電流量が欠陥導入に与える影響
伊藤佑太, 渡邉浩崇, 安藤悠人, 出来真斗, 狩野絵美, 新田州吾, 本田 善央, 五十嵐信行, 田中敦之, 天野浩
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月12日
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窒化ガリウム中プラセオジムの発光を利⽤したナノスケール領域温度計測
佐藤 真⼀郎, 出来 真⽃, ⻄村 智朗, 渡邉 浩崇, 新⽥ 州吾, 本⽥ 善央, 天野 浩, Greentree Andrew, Gibson Brant, ⼤島 武
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日
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“Regrowth-free” Fabrication of AlGaN/GaN HBT with N-p-n Configuration 国際会議
Takeru Kumabe, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
SSDM2021 2021年9月7日
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Influence of Annealing on Sputtered Boron Nitride Film
H. S. Wang, T. Sakai, X. Yang, M. Deki, M. Kushimoto, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano
ISPlasma2019 2019年3月18日
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Effects of Drift Layer Thicknesses in Reverse Conduction Mechanism on Vertical GaN-on-GaN SBDs grown by MOCVD 国際共著 国際会議
S. Abhinay, S. Arulkumaran, G.I. Ng, K. Ranjan, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda and H. Amano
EDTM 2019 2019年3月14日
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Screw dislocations and nanopipe generation in a MOVPE-grown homoepitaxial layer on freestanding GaN substrates and the electrical influence on vertical p−n diodes 国際会議
Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hayata Fukushima, Yuto Ando, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Aman
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 2018年11月15日
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Vertical GaN pn diode with Avalanche capability structure 国際会議
Hayata Fukushima, Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 2018年11月12日
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Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議
Zhibin Liu, Shugo Nitta, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, Ishikawa, Japan
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m面GaN SBDの漏れ電流のファセット依存性
バリー １オースマネー、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩
第64回応用物理学会春季学術講演会
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GaN自立基板上PNダイオードの逆方向リークと転位の関係
宇佐美 茂佳、 安藤 悠人、 田中 敦之、 永松 謙太郎、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩
第64回応用物理学会春季学術講演会
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絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量
宇佐美 茂佳、 小島 一信、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 秩父 重英、 天野 浩
第64回応用物理学会春季学術講演会
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Morphology control of InGaN layer on GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
Zhibin Liu, Ryosuke Miyagoshi, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
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Si基板上半極性(1101)GaNストライプレーザー端面への反射膜作製
鈴木 崇文、 伊藤 大貴、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩
第64回応用物理学会春季学術講演会
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2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型 GaNHBT の作製
安藤 悠人、 小倉 昌也、 松下 淳矢、 宇佐美 茂佳、 田中 敦之、 永松 謙太郎、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩
第64回応用物理学会春季学術講演会
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O2プラズマ処理およびO3酸化処理を行ったAl2O3/GaN構造の界面準位密度評価
曾根 和詩、 松下 淳矢、 安藤 悠人、 永松 謙太郎、 田中 敦之、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩
第64回応用物理学会春季学術講演会
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窒化ホウ素を用いたGaN-MISキャパシタの作製と電気特性評価
松下 淳矢、永松 謙太郎、Xu Yang、田中 敦之、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩
先進パワー半導体分科会第3回講演会
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自立基板上のn--GaN へのMg イオン注入によるp 型層の形成
HE Shang、曾根和詩、田中敦之、宇佐美茂佳、永松謙太郎、宮本直樹、永山勉、出来真斗、本田善央、天野浩
先進パワー半導体分科会第3回講演会
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2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaN-HBTの作製
安藤 悠人、小倉 昌也、松下 淳矢、宇佐美 茂佳、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩
先進パワー半導体分科会第三回講演会
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Facet distribution of leakage current and carrier concentration in m-plane
Atsushi Tanaka, Ousmane 1 Barry, Kentaro Nagamatsu, Junya Matsushita, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
IWN2016
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Effect of dislocation on the growth of p-type GaN and device characteristics
Shigeyoshi Usami, Ryosuke Miyagoshi, Kentaro Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
IWN2016