講演・口頭発表等 - 本田 善央
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MOVPE選択成長法によるGaN微細構造の作製と評価 国際会議
本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦
第 9 回VBLシンポジウム 2005年10月24日
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MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御 国際会議
本田善央, 大竹洋一, 川口靖利, 山口雅史, 澤木宣彦
信学会電子デバイス(ED)研究会 2000年2月9日
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MOVPE選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaNの作製 国際会議
本田善央, 黒岩洋佑, 山口雅史, 澤木宣彦
第48回応用物理学関係連合講演会 2001年3月28日
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MOVPE法によるInGaN加圧成長とLAS法によるその場観察 国際会議
本田善央, 田村彰, 山本哲也, 久志本真希, 天野浩
日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2015年春季講演会 2015年5月7日
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MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長(2) 国際会議
本田善央, 川口靖利, 平松和政, 澤木宣彦
第46回応用物理学関係連合講演会 1999年3月28日
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MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長 国際会議
本田善央, 川口靖利, 平松和政, 澤木宣彦
第59回応用物理学会学術講演会 1998年9月15日
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MOVPE成長したGaN/AlN/Siの電流電圧特性(Ⅱ) 国際会議
近藤広幸, 加藤智志, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦
第52回応用物理学関係連合講演会 2005年3月29日
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MOVPE 法による Si 基板上への GaN/AlN ピラミッド構造の作製 国際会議
本田善央, 中村剛, 山口雅史, 澤木宣彦
信学会電子デバイス(ED)研究会 2004年5月13日
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MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GaN microcrystal co-doped with Zn and Si
Y. honda, Y. Yanase, M. Tsuji, M. Yamaguchi, N. Sawaki
MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GaN microcrystal co-doped with Zn and Si 2006年1月4日
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InGaN成長中の光散乱を用いたin situ観察と成長機構 国際会議
本田善央, 田村彰, 山本哲也, 久志本真希, 天野浩
第23回シンポジウム「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解 2015年5月22日
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InGaN 系光デバイスの成長と特性評価 国際会議
本田善央, 田村彰, 山本哲也, 李 昇我, 久志本真希, 天野浩
STR 結晶成長 結晶成長 とデバイス 解析 2015年6月26日
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InGaN growth mechanism evaluation by In-situ monitoring based on LAS
Yoshio Honda, Akira Tamura, Tetsuya Yamamoto, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano
2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop 2015年7月13日
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In-situ monitoring of Laser absorption and scattering method during InGaN growth by MOVPE 招待有り
Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano
The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silocon Material 2016年11月21日
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In-situ monitoring of InGaN MOVPE-growth by Laser Absorption and Scattering method
Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, AkiraTamura, Tadashi Mitsunari, Hiroshi Amano
The 1st International Workshop on Quantum Nanostructure; Physics and Solar Cell Applications and Special Meeting of Samukawa-Project in CREST 2015年2月20日
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In-situ monitoring of InGaN growth by Laser absorption and scattering method 招待有り
Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano
SPIE 2016年2月16日
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HVPE growth of GaN on a GaN templated (111) Si substrate
Y. honda, T. Ishikawa, Y. Nishimura, M. Yamaguchi, N. Sawaki
HVPE growth of GaN on a GaN templated (111) Si substrate 2002年7月22日
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High pressure InGaN growth on Sapphire substrate by MOVPE
Yoshio Honda, Tomohiro Doi, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium J(18p-M6-1) 2013年9月16日
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Growth of a GaN crystal free from cracks on a (111)Si substrate by selective MOVPE
Y. honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Growth of a GaN crystal free from cracks on a (111)Si substrate by selective MOVPE 2001年7月30日
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Growth of (1-101)GaN on a 7 degree off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE
Y. honda, N. Kameshiro, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Growth of (1-101)GaN on a 7 degree off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 2001年7月30日
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GaN基板上GaN系パワーデバイス開発 国際会議
本田 善央, 出来 真斗, 天野浩
JST懇話会 2014年12月17日