講演・口頭発表等 - 本田 善央
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MOVPE選択成長法によるSi(001)7度オフ基板上への(1-101)面GaNの成長
本田善央,亀代典史,山口雅史,澤木宣彦
第48回応用物理学関係連合講演会
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Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 国際会議
Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE
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Selective area growth and epitaxial lateral over growth of GaN on (111)Si by MOVPE 国際会議
The 10th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御
本田善央,大竹洋一,川口靖利,山口雅史,澤木宣彦
信学会電子デバイス(ED)研究会
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MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長(2)
本田善央,川口靖利,平松和政,澤木宣彦
第46回応用物理学関係連合講演会
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MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長
本田善央,川口靖利,平松和政,澤木宣彦
第59回応用物理学会学術講演会
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Photocurrent and Photoluminescence measurements for InGaN Based LED 招待有り
Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
LEDIA'17 2017年4月19日
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選択MOVPE法による(111)Si基板上へのAlN/GaNピラミッド構造の作製 国際会議
本田善央, 鳥飼正幸, 山口雅史, 澤木宣彦
第50回応用物理学関係連合講演会 2003年3月27日
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Ⅲ族窒化物半導体の結晶成長技術とデバイス応用 国際会議
本田善央, 久志本真希, 光成正, 山下康平, 山口雅史, 天野浩
第18回VBLシンポジウム 2014年11月17日
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Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE
Y. honda, M. Okano, Y. Nishimura, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 2004年7月19日
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The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE
Y. honda, M. Torikai, T. Nakamura, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki
The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 2003年5月25日
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Surface morphology of (1-101) GaN/AlGaN/GaN heterostructure grown on (001)Si substrate by MOVPE 国際会議
Y. Honda, T. Hikosaka, E. H.Kim, M. Yamaguchi, N. Sawaki
第24 回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS-24) 2005年7月4日
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Si基板上半極性面GaN上光デバイスとInGaN結晶成長のその場観察
本田善央, 田村彰, 宇佐美茂佳, 久志本真希, 光成正, 山口雅史, 天野浩
第5回フォトニックデバイス・応用技術研究会 2015年3月4日
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Series Resistance of s-Si/AlGaN/GaN Structure Grown by MOVPE
Y. honda, S. Kato, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Series Resistance of s-Si/AlGaN/GaN Structure Grown by MOVPE 2006年10月22日
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Semi-polar GaN growth on patterned (001)Si substrate by MOVPE
Y. Honda, M. Kushimoto, H. Amano
2015 MRS Spring Meeting & Exhibit 2015年4月8日
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Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE
Y. honda, Y. Kawaguchi, T. Kato, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 2000年9月24日
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Selective area growth and epitaxial lateral over growth of GaN on (111)Si by MOVPE
Y. honda, Y. Kawaguchi, Y. Ohtake, M. Yamaguchi, N. Sawaki
The 10th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2000年6月5日
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Pressurized MOVPE of high-In-content InGaN
A.Tamura, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda, H. Amano
ICMOVPE-17(Tue-Oral-1-1 ) 2014年7月13日
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Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate
Y. honda, E. H. Kim, T. Hikosaka, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 2005年12月5日
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MOVPE選択成長法によるSi(001)7度オフ基板上への(1-101)面GaNの成長 国際会議
本田善央, 亀代典史, 山口雅史, 澤木宣彦
第48回応用物理学関係連合講演会 2001年3月28日