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SiC 溶液成長法における溶媒中の Cr 組成に対する 成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価
鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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ラマン分光法による GaN 単結晶における貫通転位の刃状成分の解析
小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 原一都, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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X 線トポグラフィーその場観察による 4H-SiC 積層欠陥挙動の窒素濃度依存性評価
藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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Smooth Li Electrodeposition on Single Crystal Cu Current Collectors International conference
K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara
The Electrochemical Society (232nd ECS Meeting)
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Trial of Informatics in Crystal Growth -SiC Solution Growth- International conference
T. Ujihara
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (ssdm 2017)
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High-Quality SiC Solution Growth Using Dislocation Conversion on C Face International conference
S. Xiao, S. Harada, X. Liu, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa, T. Ujihara
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
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Two-Step Sic Solution Growth with Extremely Low-Dislocation-Density 4h-SiC Crystal for Suppression of Polytype Transformation International conference
K. Murayama, S. Harada, F. Fujie, X. Liu, R. Murai, C. Zhu, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
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High-Speed Prediction Model for Supersaturation and Flow Distribution by CFD Simulation and Machine Learning in SiC Solution Growth International conference
Y. Tsunooka, N. Kokubo, G. Hatasa, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
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Real-Time Visualization System for Temperature and Fluid Flow Distributions in SiC Solution Growth Using Prediction Model Constructed by Machine Learning International conference
G. Hatasa, Y. Tsunooka, S. Lee, K. Murayama, R. Murai, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
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Direct Observation of Stacking Faults Expansion in 4H-SiC at High Temperatures by In Situ X-Ray Topography International conference
F. Fujie, S. Harada, K. Murayama, K. Hanada, P. Chen, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
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Evaluation of 2-Inch Wafer by Solution Growth Method Using Synchrotron X-Ray Topography International conference
K. Seki, K. Kusunoki, Y. Kishida, H. Kaido, K. Moriguchi, M. Kado, H. Daikoku, T. Shirai, M. Akita, A. Seki, H. Saito, S. Harada, T. Ujihara
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
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単結晶Cu集電体を用いた金属Li負極の不均一析出抑制
石川 晃平, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
日本金属学会 2017年秋期講演会
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SiCにおける積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察
藤榮 文博, 原田 俊太, 花田 賢志, 村山 健太, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹
日本金属学会 2017年秋期講演会
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溶液成長SiC基板上に作製した酸化膜の評価
古庄 智明, 川畑 直之, 古橋 壮之, 渡辺 友勝, 渡邊 寛, 山川 聡, 村山 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
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DNA被覆ナノ粒子によるDDAB脂質二重膜の指組みゲル相形成の促進
磯貝 卓巳, 鷲見 隼人, 手老 龍吾, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
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Investigation of high-temperature annealing process ofsputtered AlN films
S. Xiao, Y. Liu, R. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu, S. Harada,T. Ujihara
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機械学習を用いたSiC結晶成長実験条件の最適化
村井 良多, 畑佐 豪記, 角岡 洋介, 林 宏益, 村山 健太, 朱 燦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
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SiC溶液法C面成長における貫通らせん転位の低減
劉 欣博, 原田 俊太, 村山 健太, 村井 良多, 肖 世玉, 田川 美穂, 宇治原 徹
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
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4H-SiC 溶液成長における積層欠陥との相互作用により生じる貫通らせん転位の変換挙動
加渡 幹尚, 原田 俊太, 関 和明, 大黒 寛典, 楠 一彦, 宇治原 徹
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
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X線その場観察によりメニスカス高さ制御したSiC溶液成長
酒井 武信, 秋田 光俊, 加度 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会