研究者詳細 - 水口　将輝

2024/04/12 更新

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2024/04/12 更新

写真a

ミズグチ　マサキ

水口　将輝

MIZUGUCHI Masaki

所属

未来材料・システム研究所材料創製部門教授

大学院担当

大学院工学研究科

外部リンク

学位 2

博士（工学）（ 2003年3月東京大学）
修士（工学）（ 2000年3月東京大学）

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研究キーワード 8

薄膜
磁性材料
磁性
熱電変換
熱磁気効果
スピントロニクス
スピンカロリトロニクス
エネルギー材料

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研究分野 10

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
ナノテク・材料 / 金属材料物性
エネルギー / 量子ビーム科学
ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性
ナノテク・材料 / 結晶工学
自然科学一般 / 磁性、超伝導、強相関系
ナノテク・材料 / 無機物質、無機材料化学
ナノテク・材料 / 応用物性
ナノテク・材料 / 基礎物理化学
ナノテク・材料 / ナノ材料科学

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現在の研究課題とSDGs 1

熱磁気効果を利用した環境発電技術の開発

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経歴 12

名古屋大学未来材料・システム研究所教授

2021年4月 - 現在

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名古屋大学大学院工学研究科物質プロセス工学専攻教授

2020年5月 - 現在

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東北大学金属材料研究所准教授

2009年5月 - 2020年4月

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東北大学金属材料研究所助教 (職名変更)

2007年4月 - 2009年4月

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東北大学金属材料研究所助手

2007年3月

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大阪大学大学院基礎工学研究科物質創成専攻特任助手

2004年4月 - 2007年2月

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産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門日本学術振興会特別研究員 (PD)

2003年4月 - 2004年3月

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量子科学技術研究開発機構先端機能材料研究部客員研究員 (兼任)

2020年5月 - 現在

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東京大学大学院工学系研究科非常勤講師 (兼任)

2015年10月 - 2016年3月

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鹿児島大学理工学研究科非常勤講師 (兼任)

2014年11月 - 2015年3月

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科学技術振興機構戦略的創造推進研究事業さきがけ研究員 (兼任)

2011年4月 - 2014年3月

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東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻日本学術振興会特別研究員 (DC1)

2000年4月 - 2003年3月

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学歴 5

東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻博士課程

2000年4月 - 2003年3月

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東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻修士課程

1998年4月 - 2000年3月

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東京大学工学部応用化学科

1996年4月 - 1998年3月

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東京大学教養学部理科一類

1994年4月 - 1996年3月

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開成高等学校

1990年4月 - 1993年3月

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所属学協会 8

米国電気電子学会 (IEEE)

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日本金属学会

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日本表面真空学会

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日本磁気学会

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日本物理学会

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日本放射光学会

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日本化学会

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応用物理学会

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委員歴 17

IEEE MAG-33 Nagoya Secretary & Treasurer

2021年1月 - 現在

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SPRUC ナノスピントロニクス研究会代表

2020年4月 - 現在

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文部科学省科学技術・学術政策研究所科学技術予測センター専門調査員

2019年6月 - 現在

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団体区分：政府

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次世代放射光施設利用検討委員会分科会委員

2019年1月 - 現在

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団体区分：その他

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国際会議: ISSS-9 (9th International Symposium on Surface Science) Program Committee

2019年1月 - 現在

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団体区分：学協会

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SPring-8ユーザー協同体利用委員会委員 (分野融合担当 (ナノデバイス科学))

2017年8月 - 2019年9月

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団体区分：学協会

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国際論文誌: Science and Technology of Advanced Materials (STAM) 編集委員

2017年4月 - 現在

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団体区分：学協会

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日本物理学会領域3 運営委員

2017年4月 - 2018年3月

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団体区分：学協会

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IEEE Magnetics Society Summer School 2016 in Sendai Treasurer

2016年7月

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団体区分：学協会

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International Workshop: Spin Energy Materials Chair

2015年12月

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団体区分：その他

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応用物理学会スピントロニクス研究会幹事

2013年9月 - 現在

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団体区分：学協会

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日本磁気学会スピントロニクス専門研究会世話人

2011年4月 - 現在

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団体区分：学協会

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SPring-8 利用推進協議会先端磁性材料研究会主査

2011年4月 - 2013年3月

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団体区分：学協会

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応用物理学会講演会世話人

2009年6月 - 2013年5月

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団体区分：学協会

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日本磁気学会企画委員

2009年5月 - 2013年5月

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団体区分：学協会

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応用物理学会スピントロニクス研究会企画幹事

2009年1月 - 2010年12月

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団体区分：学協会

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日本磁気学会第32回日本磁気学会学術講演会実行委員

2008年9月

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団体区分：学協会

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受賞 22

永井科学技術財団賞学術賞

2021年3月公益財団法人永井科学技術財団

水口将輝
永井科学技術財団賞学術賞

2021年3月永井科学技術財団

水口将輝

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第５回テクノバ賞

2020年12月株式会社テクノバ

水口将輝

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2019年度矢崎学術賞(功績賞)

2020年3月公益財団法人矢崎科学技術振興記念財団

水口将輝

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2019年度（第9回）RIEC Award 東北大学研究者賞

2019年11月一般財団法人電気通信工学振興会

水口将輝

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日本磁気学会平成27年度「優秀研究賞」

2015年9月日本磁気学会

水口将輝

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受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞受賞国：日本国

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第34回本多記念研究奨励賞

2013年5月本多記念財団

水口将輝

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受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞受賞国：日本国

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インテリジェント・コスモス学術振興財団第12回「インテリジェント・コスモス奨励賞」

2013年5月財団法人インテリジェント・コスモス学術振興財団

水口将輝

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受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞受賞国：日本国

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日本磁気学会平成24年度「論文賞」

2012年10月財団法人日本磁気学会

水口将輝, 小嶋隆幸, 小嗣真人, 小金澤智之, 大坂恵一, 高梨弘毅

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受賞区分：学会誌・学術雑誌による顕彰受賞国：日本国

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船井情報科学振興財団第11回「船井学術賞」

2012年4月公益財団法人船井情報科学振興財団

水口将輝

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受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞受賞国：日本国

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トーキン科学技術振興財団第20回「研究奨励賞」

2010年3月財団法人トーキン科学技術振興財団

水口将輝

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受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞受賞国：日本国

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素材工学研究会第7回「素材工学研究奨励賞」

2009年12月財団法人素材工学研究会

水口将輝

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受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞受賞国：日本国

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青葉工学振興会第14回「研究奨励賞」

2009年1月財団法人青葉工学振興会

水口将輝

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受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞受賞国：日本国

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第48回原田研究奨励賞

2008年7月財団法人本多記念会

水口将輝

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受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞受賞国：日本国

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第29回 (2007年度) 応用物理学会論文賞 JJAP論文賞

2007年9月社団法人応用物理学会

三輪真嗣, 白石誠司, 水口将輝, 新庄輝也, 鈴木義茂

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受賞区分：学会誌・学術雑誌による顕彰受賞国：日本国

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学術講演会優秀講演賞

2006年11月日本応用磁気学会

水口将輝

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第4回船井情報科学奨励賞

2005年3月船井情報科学振興財団

水口将輝

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第6回石井学術奨励賞

2003年3月総合研究奨励会

水口将輝

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第2回東京大学総長賞

2003年3月東京大学

水口将輝

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「独創性を拓く先端技術大賞」フジテレビジョン賞(優秀賞)

2002年7月フジサンケイビジネスアイ

水口将輝

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第10回応用物理学会講演奨励賞

2001年9月社団法人応用物理学会

水口将輝

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JRCAT賞特賞

2000年12月アトムテクノロジー研究体

秋永広幸, 水口将輝

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論文 187

Control of anomalous Nernst effect in spintronic materials (Retracted Article)

Mizuguchi, M

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 9 ) 2018年9月

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DOI： 10.7567/JJAP.57.0902A6

Web of Science
Properties of semiconductor quantum dots and magnetic nanocrystals grown by molecular beam epitaxy

Oshima M, Mano T, Mizuguchi M, Ono K, Fujioka H, Akinaga H, Koguchi N

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 38 巻 ( 4 ) 頁： 396 - 400 2001年4月

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Web of Science
Intermolecular Interaction Induced Magnetic Decoupling at an Organic–Inorganic Interface

Hiroki Ono, Yoshitaka Umeda, Kaito Yoshida, Kenzaburo Tsutsui, Kohei Yamamoto, Osamu Ishiyama, Hiroshi Iwayama, Eiken Nakamura, Toshihiko Yokoyama, Masaki Mizuguchi, Toshio Miyamachi

The Journal of Physical Chemistry C 127 巻 ( 49 ) 頁： 23935 - 23940 2023年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)

DOI： 10.1021/acs.jpcc.3c05966

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Fabrication of L10-ordered FeNi films by denitriding FeNiN(001) and FeNiN(110) films

Keita Ito, Takumi Ichimura, Masahiro Hayashida, Takahiro Nishio, Sho Goto, Hiroaki Kura, Ryusei Sasaki, Masahito Tsujikawa, Masafumi Shirai, Tomoyuki Koganezawa, Masaki Mizuguchi, Yusuke Shimada, Toyohiko J. Konno, Hideto Yanagihara, Koki Takanashi

Journal of Alloys and Compounds 946 巻頁： 169450 - 169450 2023年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier BV

DOI： 10.1016/j.jallcom.2023.169450

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Spin Seebeck effect mediated reversal of vortex-Nernst effect in superconductor-ferromagnet bilayers

Himanshu Sharma, Zhenchao Wen, Masaki Mizuguchi

Scientific Reports 13 巻 ( 1 ) 2023年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC

Abstract

We report on the observation of sign reversal of vortex-Nernst effect in epitaxial NbN/Fe bilayers deposited on MgO (001) substrates. Strong coupling between vortex magnetisation and ferromagnetic magnetisation at the NbN/Fe bilayer interface is presented. In NbN/Fe bilayer thin films an apparent sign reversal of vortex-Nernst signal under a temperature gradient with magnetic field and temperature is observed when the thickness of Fe is increased up to 5 nm. This reversal of the vortex-Nernst effect is associated with the enhancement of the spin Seebeck effects (SSE) near T<sub>c</sub> due to coherence peak effect (CPE) and strong coupling of vortex magnetisation and ferromagnetic magnetisation at the interface of the NbN/Fe bilayer. The observed large SSE via inverse spin Hall effect (ISHE) is due to the CPE below and close to T<sub>C</sub>, highlighting the high spin to charge conversion efficiency of NbN in this region. This work may contribute to the development of superconducting spintronic devices by engineering the coupling of the superconductor/ferromagnet interface.

DOI： 10.1038/s41598-023-31420-2

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その他リンク： https://www.nature.com/articles/s41598-023-31420-2
Enhancement of the anomalous Nernst effect in epitaxial Fe4N films grown on SrTiO3(001) substrates with oxygen deficient layers

Keita Ito, Jian Wang, Yusuke Shimada, Himanshu Sharma, Masaki Mizuguchi, Koki Takanashi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 132 巻 ( 13 ) 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

Anomalous Nernst effect of epitaxial Fe4N films on MgO(001), MgAl2O4(MAO)(001), and SrTiO3(STO)(001) substrates grown by molecular beam epitaxy was investigated. Moderately large anomalous Nernst coefficients (S-ANE) of 1.4 and 1.7 mu V/K were obtained in the Fe4N films on the MgO(001) and MAO(001) substrates, respectively, and large anomalous Hall angles (similar to 0.06) and transverse thermoelectric conductivities [similar to 1.3 A/(m K)] were derived from the experimental results. On the other hand, a large effective S-ANE of 2.8 mu V/K was obtained in the Fe4N film on the STO(001) substrate. The origin of the enhanced effective SANE is the negatively large Seebeck coefficient (S-SE) in an oxygen deficient STO layer near the surface of the STO substrate. This indicates that it is possible to enhance the effective S-ANE of ferromagnetic materials by utilizing adjacent materials with large vertical bar S-SE vertical bar such as the oxygen deficient STO layer. Published under an exclusive license by AIP Publishing.

DOI： 10.1063/5.0102928

Web of Science

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Nanostructure design for high performance thermoelectric materials based on anomalous Nernst effect using metal/semiconductor multilayer

Reona Kitaura, Takafumi Ishibe, Himanshu Sharma, Masaki Mizuguchi, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Express 14 巻 ( 7 ) 頁： 075002 - 075002 2021年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

DOI： 10.35848/1882-0786/ac05db

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ac05db/pdf
MgO template effect for perpendicular magnetic anisotropy in (001)-textured poly-crystalline MnAlGe films 査読有り

Takahide Kubota, Keita Ito, Rie Y. Umetsu, Masaki Mizuguchi, Koki Takanashi

AIP Advances 11 巻 ( 1 ) 頁： 015124 - 015124 2021年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

Magnetic thin films showing high perpendicular magnetic anisotropy, K-u, and low saturation magnetization, M-s, are essential for realizing a small switching current in spintronic devices utilizing the current induced magnetization switching phenomena. The Cu2Sb-type MnAlGe intermetallic compound is a material showing uniaxial magnetocrystalline anisotropy with a relatively low M-s, which is attractive for spintronic application. In this study, the layer thickness dependence of K-u was investigated in poly-crystalline MnAlGe films, and the MgO template effect is discussed to achieve perpendicularly magnetized films in a few-nanometer thickness range. Experimental results suggested that the (001)-texture for the perpendicular magnetization was promoted by the MgO(001) template through the solid-phase epitaxy growth by annealing, which is similar with that in conventionally used CoFeB|MgO layered samples. K-u of about 2 x 10(6) erg/cm(3) was achieved in a 5 nm-thick MnAlGe film using MgO buffer and capping exhibiting a low M-s value of approximately 200 emu/cm(3) at room temperature. Although the magnitude of K-u is still in a moderate range, the low M-s is a promising feature for spintronic application.

DOI： 10.1063/9.0000138

Web of Science

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Synthesis of Ferromagnetic τ-Mn–Al–C by Reactive Sintering 査読有り

Ryota Kobayashi, Yoshifuru Mitsui, Rie Y. Umetsu, Masaki Mizuguchi, Keiichi Koyama

MATERIALS TRANSACTIONS 62 巻 ( 1 ) 頁： 130 - 134 2021年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japan Institute of Metals

Ferromagnetic MnAlC (¸-phase) can be synthesized by a single-route conventional reactive sintering method. The maximum magnetization and coercivity were 75.8 Am2/kg and 57 mT, respectively. The ¸-phase fraction was evaluated to be 81 mass% for Mn55Al45C2 annealed at 1273 K. The ¸-phase of Mn55Al45C2 can be synthesized at an annealing temperature from 873 to 1273 K, whereas that of Mn55Al45 cannot be synthesized. It was indicated that the phase stability of the hcp-phase (¾-phase) was improved by adding carbon, resulting in an ¾¸ transformation.

DOI： 10.2320/matertrans.mt-m2020166

Scopus

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Dual Acceleration of ε-τ Transformation in Mn–Al Induced by Zn-Addition and In-Magnetic-Field Annealing 査読有り

Ryota Kobayashi, Akio Takaki, Yoshifuru Mitsui, Rie Y. Umetsu, Kohki Takahashi, Masaki Mizuguchi, Keiichi Koyama

MATERIALS TRANSACTIONS 62 巻 ( 1 ) 頁： 124 - 129 2021年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japan Institute of Metals

Combined accelerating effects of epsilon-tau phase transformation by in-magnetic-field annealing and Zn-addition were investigated for Mn53Zn2Al45 in magnetic fields up to 15 T. The in-field annealing for Zn-added sample accelerated the epsilon-tau transformation 16 times faster than Mn53Zn2Al45 at annealing temperature of 623 K. The reduction of magnetization after finishing epsilon-tau transformation was also more rapid than that of Mn53Zn2Al45. However, magnetic-field-induced acceleration of epsilon-tau phase transformation and suppression of precipitation of beta-phase were observed for Zn-added alloy Mn53Zn2Al45 annealed at 573 K. The obtained results suggested that the beta-phase stabilized against both alpha- and epsilon-phases by Zn-addition. Therefore, although the epsilon-tau transformation was efficiently accelerated by in-field annealing of Mn53Zn2Al45, more precisely control of annealing time is required for obtaining high fraction of ferromagnetic tau-phase.

DOI： 10.2320/matertrans.mt-m2020235

Web of Science

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Scanning magneto-optical Kerr effect (MOKE) measurement with element-selectivity by using a soft x-ray free-electron laser and an ellipsoidal mirror 査読有り

Kubota Y.

Applied Physics Letters 117 巻 ( 4 ) 頁： 042405 - 042405 2020年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Applied Physics Letters

DOI： 10.1063/5.0012348

Scopus

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Epitaxial L10-FeNi films with high degree of order and large uniaxial magnetic anisotropy fabricated by denitriding FeNiN films 査読有り

Keita Ito, Masahiro Hayashida, Hiroto Masuda, Takahiro Nishio, Sho Goto, Hiroaki Kura, Tomoyuki Koganezawa, Masaki Mizuguchi, Yusuke Shimada, Toyohiko J. Konno, Hideto Yanagihara, Koki Takanashi

Applied Physics Letters 116 巻 ( 24 ) 頁： 242404 - 242404 2020年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

DOI： 10.1063/5.0011875

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Anomalous Nernst effect in Co-x(MgO)(1-x) granular thin films (vol 116, 142403, 2020) 査読有り

P. Sheng, T. Fujita, M. Mizuguchi

APPLIED PHYSICS LETTERS 116 巻 ( 20 ) 2020年5月

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記述言語：英語出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

DOI： 10.1063/5.0012962

Web of Science

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Anomalous Nernst effect in Co<i><sub>x</sub></i>(MgO)<sub>1-<i>x</i></sub> granular thin films 査読有り

Sheng, P; Fujita, T; Mizuguchi, M

APPLIED PHYSICS LETTERS 116 巻 ( 14 ) 頁： 142403 2020年4月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5140461

Web of Science

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Non-chemical fluorination of hexagonal boron nitride by high-energy ion irradiation 査読有り

Entani, S; Larionov, KV; Popov, ZI; Takizawa, M; Mizuguchi, M; Watanabe, H; Li, ST; Naramoto, H; Sorokin, PB; Sakai, S

NANOTECHNOLOGY 31 巻 ( 12 ) 2020年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/1361-6528/ab5bcc

Web of Science

PubMed

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Perpendicular magnetic anisotropy of (001)-textured poly-crystalline MnAlGe films 査読有り

Kubota, T; Kota, Y; Ito, K; Umetsu, RY; Sun, ML; Mizuguchi, M; Takanashi, K

AIP ADVANCES 10 巻 ( 1 ) 2020年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5130388

Web of Science

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Electronic structures of MgO/Fe interfaces with perpendicular magnetization revealed by hard X-ray photoemission with an applied magnetic field 査読有り

Ueda, S; Mizuguchi, M; Tsujikawa, M; Shirai, M

SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS 20 巻 ( 1 ) 頁： 796 - 804 2019年12月

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記述言語：日本語

DOI： 10.1080/14686996.2019.1633687

Web of Science

PubMed

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Magnetization reversal, damping properties and magnetic anisotropy of <i>L</i>1<sub>0</sub>-ordered FeNi thin films 査読有り

Thiruvengadam, V; Singh, BB; Kojima, T; Takanashi, K; Mizuguchi, M; Bedanta, S

APPLIED PHYSICS LETTERS 115 巻 ( 20 ) 2019年11月

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記述言語：日本語

DOI： 10.1063/1.5126324

Web of Science

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Perpendicularly magnetized Cu<sub>2</sub>Sb type (Mn-Cr)AlGe films onto amorphous SiO<sub>2</sub> 査読有り

Kubota, T; Kota, Y; Ito, K; Umetsu, RY; Sun, M; Mizuguchi, M; Takanashi, K

APPLIED PHYSICS EXPRESS 12 巻 ( 10 ) 2019年10月

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記述言語：日本語

DOI： 10.7567/1882-0786/ab3e2d

Web of Science

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Fabrication of L1(0)-FeNi phase by sputtering with rapid thermal annealing (vol 750, pg 164, 2018) 査読有り

Tashiro Takayuki, Mizuguchi Masaki, Kojima Takayuki, Koganezawa Tomoyuki, Kotsugi Masato, Ohtsuki Takumi, Sato Kazuhisa, Konno Toyohiko, Takanashi Koki

JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 785 巻頁： 1293 2019年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jallcom.2019.02.165

Web of Science

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Anomaly in anomalous Nernst effect at low temperature for <i>C</i>1<sub>b</sub>-type NiMnSb half-Heusler alloy thin film 査読有り

Sharma, H; Wen, ZC; Takanashi, K; Mizuguchi, M

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 2019年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/aafe68

Web of Science

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Fabrication of L1<sub>0</sub>-type FeCo ordered structure using a periodic Ni buffer layer 査読有り

Ito, H; Saito, M; Miyamachi, T; Komori, F; Koganezawa, T; Mizuguchi, M; Kotsugi, M

AIP ADVANCES 9 巻 ( 4 ) 2019年4月

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記述言語：日本語

DOI： 10.1063/1.5079982

Web of Science

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Fabrication of <i>L</i>1<sub>0</sub>-FeNi by pulsed-laser deposition 査読有り

Saito, M; Ito, H; Suzuki, Y; Mizuguchi, M; Koganezawa, T; Miyamachi, T; Komori, F; Takanashi, K; Kotsugi, M

APPLIED PHYSICS LETTERS 114 巻 ( 7 ) 2019年2月

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記述言語：日本語

DOI： 10.1063/1.5087041

Web of Science

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Different Magnetic Field Effects on the ε-τ Phase Transformation Between (Mn,Zn)-Al and Mn-Al-C 査読有り

Mitsui, Y; Kobayashi, R; Takanaga, Y; Takaki, A; Umetsu, RY; Takahashi, K; Mizuguchi, M; Koyama, K

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 55 巻 ( 2 ) 2019年2月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TMAG.2018.2860559

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The Accumulation of Heparan Sulfate S-Domains in Kidney Transthyretin Deposits Accelerates Fibril Formation and Promotes Cytotoxicity

Kameyama H.

American Journal of Pathology 189 巻 ( 2 ) 頁： 308 - 319 2019年2月

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出版者・発行元：American Journal of Pathology

DOI： 10.1016/j.ajpath.2018.09.015

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Energy-harvesting materials based on the anomalous Nernst effect 招待有り査読有り

Mizuguchi, M; Nakatsuji, S

SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS 20 巻 ( 1 ) 頁： 262 - 275 2019年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1080/14686996.2019.1585143

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Fabrication of L10-FeNi films by denitriding FeNiN films 査読有り

K. Ito, M. Hayashida, M. Mizuguchi, T. Suemasu, H. Yanagihara, K. Takanashi

Journal of the Magnetics Society of Japan 2019年

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DOI： 10.3379/msjmag.1907R002

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FeNi and Fe<sub>16</sub>N<sub>2</sub> Magnets Prepared Using Leaching 査読有り

Kojima, T; Kameoka, S; Mizuguchi, M; Takanashi, K; Tsai, AP

MATERIALS TRANSACTIONS 60 巻 ( 6 ) 頁： 1066 - 1071 2019年

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記述言語：日本語

DOI： 10.2320/matertrans.M2019019

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Direct Imaging of Valence-Sensitive X-Ray Fluorescence Holograms of Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub> 査読有り

Ang, AKR; Matsushita, T; Hashimoto, Y; Happo, N; Yamamoto, Y; Mizuguchi, M; Sato-Tomita, A; Shibayama, N; Sasaki, YC; Kimura, K; Taguchi, M; Daimon, H; Hayashi, K

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 255 巻 ( 11 ) 2018年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Physica Status Solidi (B) Basic Research

DOI： 10.1002/pssb.201800100

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Focus on advanced materials for energy harvesting: prospects and approaches of energy harvesting technologies 査読有り

Akinaga, H; Fujita, H; Mizuguchi, M; Mori, T

SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS 19 巻 ( 1 ) 頁： 543 - 544 2018年8月

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記述言語：英語

DOI： 10.1080/14686996.2018.1491165

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Fabrication of <i>L</i>1<sub>0</sub>-FeNi phase by sputtering with rapid thermal annealing 査読有り

Tashiro, T; Mizuguchi, M; Kojima, T; Koganezawa, T; Kotsugi, M; Ohtsuki, T; Sato, K; Konno, T; Takanashi, K

JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 750 巻頁： 164 - 170 2018年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jallcom.2018.02.318

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X-ray magnetic circular dichroism and hard X-ray photoelectron spectroscopy of tetragonal Mn<sub>72</sub>Ge<sub>28</sub> epitaxial thin film 査読有り

Kim, J; Mizuguchi, M; Inami, N; Ueno, T; Ueda, S; Takanashi, K

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 4 ) 2018年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics

DOI： 10.7567/JJAP.57.04FN10

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MYRF is associated with encephalopathy with reversible myelin vacuolization

Kurahashi H.

Annals of Neurology 83 巻 ( 1 ) 頁： 98 - 106 2018年1月

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出版者・発行元：Annals of Neurology

DOI： 10.1002/ana.25125

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Fabrication and characterization of <i>L</i>1<sub>0</sub>-ordered FeNi thin films 査読有り

Takanashi, K; Mizuguchi, M; Kojima, T; Tashiro, T

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 50 巻 ( 48 ) 2017年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/1361-6463/aa8ff6

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Synthesis of single-phase <i>L</i>1<sub>0</sub>-FeNi magnet powder by nitrogen insertion and topotactic extraction 査読有り

Goto, S; Kura, H; Watanabe, E; Hayashi, Y; Yanagihara, H; Shimada, Y; Mizuguchi, M; Takanashi, K; Kita, E

SCIENTIFIC REPORTS 7 巻 2017年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/s41598-017-13562-2

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Dependence of anomalous Nernst effect on crystal orientation in highly ordered γ′-Fe<sub>4</sub>N films with anti-perovskite structure 査読有り

Isogami, S; Takanashi, K; Mizuguchi, M

APPLIED PHYSICS EXPRESS 10 巻 ( 7 ) 2017年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.10.073005

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Effects of Annealing Temperature and Magnetic Field on the ε–τ Phase Transformation in Mn-Al Alloys 査読有り

R. Kobayashi, Y. Mitsui, R. Umetsu, K. Takahashi, M. Mizuguchi, K. Koyama

IEEE Magnetics Letters 8 巻 2017年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/LMAG.2016.2617859

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Magnetic-Field-Induced Acceleration of Phase Formation in τ-Mn-Al 査読有り

Kobayashi, R; Mitsui, Y; Umetsu, RY; Takahashi, K; Mizuguchi, M; Koyama, K

MATERIALS TRANSACTIONS 58 巻 ( 11 ) 頁： 1511 - 1518 2017年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2320/matertrans.MAW201709

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Microstructural evolution and correlated magnetic domain configuration of nanoparticles embedded in a single crystal of Cu<sub>75</sub>-Ni<sub>20</sub>-Fe<sub>5</sub> alloy 査読有り

Kim, JS; Taniuchi, T; Mizuguchi, M; Shin, S; Takanashi, K; Takeda, M

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 49 巻 ( 33 ) 2016年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0022-3727/49/33/335006

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Electronic structure and magnetic anisotropy of L1<sub>o</sub>-FePt thin film studied by hard x-ray photoemission spectroscopy and first-principles calculations 査読有り

Ueda, S; Mizuguchi, M; Miura, Y; Kang, JG; Shirai, M; Takanashi, K

APPLIED PHYSICS LETTERS 109 巻 ( 4 ) 2016年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4959957

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Growth of L1<sub>0</sub>-FeNi thin films on Cu(001) single crystal substrates using oxygen and gold surfactants 査読有り

Kojima, T; Mizuguchi, M; Takanashi, K

THIN SOLID FILMS 603 巻頁： 348 - 352 2016年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2016.02.040

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Temperature dependence of enhanced spin relaxation time in metallic nanoparticles: Experiment and theory 査読有り

Koda, T; Mitani, S; Takahashi, S; Mizuguchi, M; Sato, K; Konno, TJ; Maekawa, S; Takanashi, K

PHYSICAL REVIEW B 93 巻 ( 8 ) 2016年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.93.085402

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Co/Niエピタキシャル多層薄膜における異常ネルンスト効果

水口将輝, 鈴木英伸, 高梨弘毅

日本物理学会講演概要集 71 巻頁： 925 - 925 2016年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

<p>Co/Niエピタキシャル多層薄膜の異常ネルンスト効果を測定した。多層構造における各層の膜厚や膜厚比などを変化した試料について、異常ネルンスト効果の大きさとの関係を調べた結果を報告する。</p>

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_925

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Effective fluorination of single-layer graphene by high-energy ion irradiation through a LiF overlayer 査読有り

Entani, S; Mizuguchi, M; Watanabe, H; Antipina, LY; Sorokin, PB; Avramov, PV; Naramoto, H; Sakai, S

RSC ADVANCES 6 巻 ( 72 ) 頁： 68525 - 68529 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1039/c6ra09631j

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19pBE-4 Electronic structures of Mn-Ge epitaxial ordered thin films with various compositions investigated by X-ray magnetic circular dichroism

Kim Jinhyeok, Mizuguchi Masaki, Inami Nobuhito, Ueno Tetsuro, Ono Kanta, Takanashi Koki

日本物理学会講演概要集 71 巻頁： 2502 - 2502 2016年

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記述言語：英語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2502

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Structural and Magnetic Depth Profile Analysis of L10 FeNi Film by Polarized Neutron Reflectometry 査読有り

Tetsuro Ueno, Kotaro Saito, Nobuhito Inami, Takayuki Kojima, Masaki Mizuguchi, Noboru Miyata, Kazuhiro Akutsu, Masayasu Takeda, Koki Takanashi, Kanta Ono

JPS Conference Proceedings 8 巻頁： 034008 2015年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7566/JPSCP.8.034008

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Material dependence of anomalous Nernst effect in perpendicularly magnetized ordered-alloy thin films 査読有り

Hasegawa, K; Mizuguchi, M; Sakuraba, Y; Kamada, T; Kojima, T; Kubota, T; Mizukami, S; Miyazaki, T; Takanashi, K

APPLIED PHYSICS LETTERS 106 巻 ( 25 ) 2015年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4922901

Web of Science

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Local structure and magnetism of L1<sub>0</sub>-type FeNi alloy films with perpendicular magnetic anisotropy studied through <SUP>57</SUP>Fe nuclear probes 査読有り

Mibu, K; Kojima, T; Mizuguchi, M; Takanashi, K

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 48 巻 ( 20 ) 2015年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0022-3727/48/20/205002

Web of Science

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Structural and magnetic properties of FeNi thin films fabricated on amorphous substrates 査読有り

Tashiro, TY; Mizuguchi, M; Kojima, T; Koganezawa, T; Kotsugi, M; Ohtsuki, T; Takanashi, K

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117 巻 ( 17 ) 2015年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4913935

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Comparison of electrical and optical detection of spin injection in <i>L</i>1<sub>0</sub>-FePt/MgO/GaAs hybrid structures 査読有り

Ohsugi, R; Shiogai, J; Kunihashi, Y; Kohda, M; Sanada, H; Seki, T; Mizuguchi, M; Gotoh, H; Takanashi, K; Nitta, J

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 48 巻 ( 16 ) 2015年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0022-3727/48/16/164003

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Cu75-Ni20-Fe5合金単結晶における微視的組織と磁気特性査読有り

金俊燮, 水口将輝, 竹田真帆人

銅と銅合金 2015年

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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16pPSA-14 Hard X-ray photoemission spectroscopy of Mn-Ge epitaxial ordered alloys with composition dependence

Kim Jinhyeok, Mizuguchi Masaki, Ueda Shigenori, Takanashi Koki

日本物理学会講演概要集 70 巻頁： 826 - 826 2015年

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記述言語：英語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_826

CiNii Books

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Addition of Co to L1<sub>0</sub>-ordered FeNi films: influences on magnetic properties and ordered structures 査読有り

Kojima, T; Mizuguchi, M; Koganezawa, T; Ogiwara, M; Kotsugi, M; Ohtsuki, T; Tashiro, TY; Takanashi, K

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 47 巻 ( 42 ) 2014年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0022-3727/47/42/425001

Web of Science

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Formation of FeNi with <i>L</i>1<sub>0</sub>-ordered structure using high-pressure torsion 査読有り

Lee, S; Edalati, K; Iwaoka, H; Horita, Z; Ohtsuki, T; Ohkochi, T; Kotsugi, M; Kojima, T; Mizuguchi, M; Takanashi, K

PHILOSOPHICAL MAGAZINE LETTERS 94 巻 ( 10 ) 頁： 639 - 646 2014年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1080/09500839.2014.955546

Web of Science

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Detection of spin-resolved electronic structures from a buried ferromagnetic layer utilizing forward Mott scattering 査読有り

Ueda, S; Mizuguchi, M; Kojima, T; Ishimaru, S; Tsujikawa, M; Shirai, M; Takanashi, K

APPLIED PHYSICS LETTERS 104 巻 ( 13 ) 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4868248

Web of Science

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064206Structural, magnetic and electronic state characterization of L1<sub>0</sub>-type ordered FeNi alloy extracted from a natural meteorite 査読有り

Kotsugi, M; Maruyama, H; Ishimatsu, N; Kawamura, N; Suzuki, M; Mizumaki, M; Osaka, K; Matsumoto, T; Ohkochi, T; Ohtsuki, T; Kojima, T; Mizuguchi, M; Takanashi, K; Watanabe, Y

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 26 巻 ( 6 ) 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0953-8984/26/6/064206

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PubMed

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Fe-Ni composition dependence of magnetic anisotropy in artificially fabricated L1<sub>0</sub>-ordered FeNi films 査読有り

Kojima, T; Ogiwara, M; Mizuguchi, M; Kotsugi, M; Koganezawa, T; Ohtsuki, T; Tashiro, TY; Takanashi, K

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 26 巻 ( 6 ) 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0953-8984/26/6/064207

Web of Science

PubMed

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Magnetic domain observation of FeCo thin films fabricated by alternate monoatomic layer deposition 査読有り

Ohtsuki, T; Kojima, T; Kotsugi, M; Ohkochi, T; Mizuguchi, M; Takanashi, K

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 115 巻 ( 4 ) 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4862910

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Significant surface flattening effect by Au addition for Cu growth on Cu<sub>3</sub>Au(001) 査読有り

Kojima, T; Mizuguchi, M; Takanashi, K

SURFACE SCIENCE 619 巻頁： 44 - 48 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.susc.2013.09.021

Web of Science

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Magnetization damping of an <i>L</i>1<sub>0</sub>-FeNi thin film with perpendicular magnetic anisotropy 査読有り

Ogiwara, M; Iihama, S; Seki, T; Kojima, T; Mizukami, S; Mizuguchi, M; Takanashi, K

APPLIED PHYSICS LETTERS 103 巻 ( 24 ) 2013年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4845035

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Ion-irradiation enhancement of materials degradation in Fe-Cr single crystals detected by magnetic technique 査読有り

Kamada, Y; Watanabe, H; Mitani, S; Mohapatra, JN; Kikuchi, H; Kobayashi, S; Mizuguchi, M; Takanashi, K

JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS 442 巻 ( 1-3 ) 頁： S861 - S864 2013年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jnucmat.2012.11.042

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Fabrication of highly L1<sub>0</sub>-ordered FePt thin films by low-temperature rapid thermal annealing 査読有り

Mizuguchi, M; Sakurada, T; Tashiro, TY; Sato, K; Konno, TJ; Takanashi, K

APL MATERIALS 1 巻 ( 3 ) 2013年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4821629

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Relationship between the microstructure and the magnetic properties of nano-scale magnetic particles formed in a Cu-10 at% Ni-5 at% Co alloy 査読有り

Lee, DH; Moriki, T; Takeda, M; Kang, S; Bae, DS; Mizuguchi, M; Takanashi, K

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 63 巻 ( 3 ) 頁： 555 - 558 2013年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3938/jkps.63.555

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Magneto-Optical Properties and Size Effect of Ferromagnetic Metal Nanoparticles 査読有り

Kaihara, T; Mizuguchi, M; Takanashi, K; Shimizu, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 7 ) 2013年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.073003

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Erratum: Anomalous nernst effect in an l10-ordered epitaxial fept thin film (Applied Physics Express (2012) 5 (093002)) 査読有り

Masaki Mizuguchi, Satoko Ohata, Kota Hasegawa, Ken Ichi Uchida, Eiji Saitoh, Koki Takanashi

Applied Physics Express 6 巻 ( 4 ) 2013年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.6.049201

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Anomalous Nernst Effect in L1<sub>0</sub>-FePt/MnGa Thermopiles for New Thermoelectric Applications 査読有り

Sakuraba, Y; Hasegawa, K; Mizuguchi, M; Kubota, T; Mizukami, S; Miyazaki, T; Takanashi, K

APPLIED PHYSICS EXPRESS 6 巻 ( 3 ) 2013年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.6.033003

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Origin of strong magnetic anisotropy in L1<sub>0</sub>-FeNi probed by angular-dependent magnetic circular dichroism 査読有り

Kotsugi, M; Mizuguchi, M; Sekiya, S; Mizumaki, M; Kojima, T; Nakamura, T; Osawa, H; Kodama, K; Ohtsuki, T; Ohkochi, T; Takanashi, K; Watanabe, Y

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 326 巻頁： 235 - 239 2013年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jmmm.2012.09.008

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Synthesis and Characterization of L10-FeNi Powders 査読有り

Y. Hayashi, S. Gotou, M. Mizuguchi, M. Kotsugi, Y. Kitou, E. Okuno, K. Takanashi

Journal of the Magnetics Society of Japan 2013年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3379/msjmag.1303R019

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Direct imaging of atomic clusters in an amorphous matrix: A Co-C granular thin film 査読有り

Sato, K; Mizuguchi, M; Tang, RH; Kang, JG; Ishimaru, M; Takanashi, K; Konno, TJ

APPLIED PHYSICS LETTERS 101 巻 ( 19 ) 2012年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4765362

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Low-Temperature Magnetotransport and Magnetic Properties of Cobalt-Doped Amorphous Carbon Thin Films 査読有り

Tang Ruihe, Liu Wei, Zhang Zhengjun, Yu Ronghai, Liu Xiaofang, Yang Bai, Mizuguchi Masaki, Takanashi Koki

RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING 41 巻 ( 11 ) 頁： 1887 - 1890 2012年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：NORTHWEST INST NONFERROUS METAL RESEARCH

A series of Co-doped amorphous carbon granular thin films with various Co contents (x, at%) were deposited on n-type Si (100) substrates by a magnetron co-sputtering technique at room temperature. The microstructure, magnetotransport and magnetic properties of the Co-C films have been characterized. By optimizing Co content, giant negative magnetoresistances (MRs) were observed at low temperature, with a maximum MR ratio of 27.6% at 2 K under an applied magnetic field of 90x79.6 kA.m(-1) for the film with Co content of 6.4 at%. As Co content increases from 6.4 at% to 16.4 at%, the MR ratio decreases gradually from 27.6% to 2.2%. A linear In rho-T-1/2 relationship indicates that the spin transport in Co6.4C93.6 thin film agrees well with tunneling conductance.

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Simple Analysis for Frequency Increase in Spin Torque Oscillation 査読有り

Mitsumata, C; Tomita, S; Seki, T; Mizuguchi, M

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 48 巻 ( 11 ) 頁： 3955 - 3957 2012年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TMAG.2012.2201700

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Anomalous Nernst Effect in an L1<sub>0</sub>-Ordered Epitaxial FePt Thin Film 査読有り

Mizuguchi, M; Ohata, S; Uchida, K; Saitoh, E; Takanashi, K

APPLIED PHYSICS EXPRESS 5 巻 ( 9 ) 2012年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/APEX.5.093002

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Barrier height imaging of magnetic films: Use for studying the initial growth of Co films and the surface structure of FePt films 査読有り

Kawagoe, T; Wakabayashi, E; Murasawa, Y; Sakata, T; Mizuguchi, M; Takanashi, K

SURFACE SCIENCE 606 巻 ( 3-4 ) 頁： 226 - 232 2012年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.susc.2011.09.023

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MgO Layer Thickness Dependence of Structure and Magnetic Properties of <i>L</i>1<sub>0</sub>-FePt/MgO/GaAs Structures 査読有り

Ohsugi, R; Kohda, M; Seki, T; Ohtsu, A; Mizuguchi, M; Takanashi, K; Nitta, J

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 巻 ( 2 ) 2012年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.02BM05

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Magnetic Anisotropy and Chemical Order of Artificially Synthesized L1<sub>0</sub>-Ordered FeNi Films on Au-Cu-Ni Buffer Layers 査読有り

Kojima, T; Mizuguchi, M; Koganezawa, T; Osaka, K; Kotsugi, M; Takanashi, K

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 巻 ( 1 ) 2012年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.010204

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Ferromagnetic resonance study on FePt thin films with in-plane magnetization using coplanar waveguide 査読有り

Kang, JG; Mizuguchi, M; Takanashi, K

MATERIALS INTEGRATION 508 巻頁： 261 - 265 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/KEM.508.261

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Magnetotransport properties of Co-C granular thin films depending on the carbon sputtering power 査読有り

J. G. Kang, M. Mizuguchi, K. Takanashi

Materials Research Society Symposium Proceedings 1458 巻頁： 1 - 6 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

CoxC1-x granular films were deposited on Si substrates by a co-sputtering method. A large negative MR of 30.3% was obtained at 2 K for the sample prepared with the sputtering power of 50 W (C) and 4 W (Co). We have studied structural properties of Co-C granular films by Raman spectroscopy. Two peaks (D and G modes) from carbon bonds were clearly observed, and the intensity ratio of two peaks changed with the sputtering power, suggesting that the graphitization was promoted with the sputtering power. It was also revealed that the transport mechanism changed from tunneling to Mott's variable range hopping and MR decreased with the sputtering power. © 2012 Materials Research Society.

DOI： 10.1557/opl.2012.1467

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High-power rf oscillation induced in half-metallic Co<sub>2</sub>MnSi layer by spin-transfer torque 査読有り

Okura, R; Sakuraba, Y; Seki, T; Izumi, K; Mizuguchi, M; Takanashi, K

APPLIED PHYSICS LETTERS 99 巻 ( 5 ) 2011年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3624470

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Co Content Effect on Magnetic Properties and Magnetoresistance of Co-C Nanocomposite Thin Films 査読有り

Tang Ruihe, Wu Zhangben, Jiang He, Yang Zhigang, Zhang Chi, Mizuguchi Masaki, Takanashi Koki, Yang Bai, Yu Ronghai

RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING 40 巻頁： 89 - 92 2011年6月

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記述言語：中国語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：NORTHWEST INST NONFERROUS METAL RESEARCH

Co-C nanocomposite thin films with Co content of 6.4 at%-16.4 at% were fabricated by magneton co-sputtering. TEM images show that the Co nanoparticles are dispersed uniformly in a carbon matrix, indicating typical granular characteristics. The average Co particle size is enlarged by increasing the Co content. Magnetic hysteresis loops reveal that, as Co content increases, magnetization of Co-C thin films is enhanced distinctly. The samples show high magnetization at low temperature and low magnetization at room temperature. Negative MR of 9.1%, 4.3% and 1.9% were observed for Co-C nanocomposite thin films with Co contents of 6.4 at%, 8.3 at% and 9.6 at%, respectively, at 4.2 K under an applied field of 90x79.6 kA.m(-1). The MR value is decreased with increasing Co content, which can be attributed to the evolution of microstructure.

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Microstructure Affecting Magnetoresistance of a Cu<sub>75</sub>-Fe<sub>5</sub>-Ni<sub>20</sub> Alloy 査読有り

Kang, S; Takeda, M; Bae, DS; Takanashi, K; Mizuguchi, M

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 巻 ( 4 ) 2011年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.50.045807

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Ferromagnetic resonance of epitaxial Fe nanodots grown on MgO measured using coplanar waveguides 招待有り査読有り

Mizuguchi, M; Takanashi, K

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 44 巻 ( 6 ) 2011年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0022-3727/44/6/064007

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Artificial Fabrication and Order Parameter Estimation of L10-ordered FeNi Thin Film Grown on a AuNi Buffer Layer 査読有り

M. Mizuguchi, T. Kojima, M. Kotsugi, T. Koganezawa, K. Osaka, K. Takanashi

Journal of the Magnetics Society of Japan 35 巻 ( 4 ) 頁： 370 - 373 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Magnetics Society of Japan

Epitaxial <i>L</i>1<sub>0</sub>-ordered FeNi thin films were artificially fabricated on a nonmagnetic AuNi buffer layer by using an alternate monatomic layer deposition. A uniaxial magnetic anisotropy energy of the FeNi layer was estimated to be 5.8 × 10<sup>6</sup> erg/cm<sup>3</sup> from magnetization measurements, which is the largest energy among values reported on FeNi thin films grown on nonmagnetic buffers. A long-range order parameter of the FeNi layer was estimated to be 0.330 from a grazing incidence X-ray diffraction (GI-XRD) using synchrotron radiation. We also investigated the relation between the ratio of c-axis lattice constant to a-axis lattice constant (c/a ratio) and the uniaxial magnetic anisotropy energy of FeNi thin films grown on several buffer layers. The uniaxial magnetic anisotropy energy monotonically increased with the increase in the c/a ratio, whereas the anisotropy had no clear relation with the long-range order parameter. Not only the improved long-range order parameter but optimized c/a ratio in FeNi are expected to lead to the enhancement of the perpendicular magnetic anisotropy.

DOI： 10.3379/msjmag.1106R008

CiNii Books

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00373105043?from=CiNii
Determination of local magnetic moment in L1(0)-FeNi using photoelectron emission microscopy (PEEM) 査読有り

Masato Kotsugi, Masaki Mizuguchi, Shigeki Sekiya, Takuo Ohkouchi, Takayuki Kojima, Koki Takanashi, Yoshio Watanabe

2ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ADVANCED MAGNETIC MATERIALS AND APPLICATIONS (ISAMMA 2010) 266 巻 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IOP PUBLISHING LTD

Magnetic domain structure of L1(0)-type FeNi is observed by angular dependent photoelectron emission microscopy. It reveals the perpendicular magnetic component in magnetic domain structure with Bloch wall. The formation of Bloch wall is ascribed to the large magnetic anisotropy energy of L1(0)-FeNi.

DOI： 10.1088/1742-6596/266/1/012095

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L1(0)-ordered FeNi film grown on Cu-Ni binary buffer layer 査読有り

T. Kojima, M. Mizuguchi, K. Takanashi

2ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ADVANCED MAGNETIC MATERIALS AND APPLICATIONS (ISAMMA 2010) 266 巻 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IOP PUBLISHING LTD

An FeNi film with a metastable L1(0)-ordered phase was fabricated by an alternate monatomic layer deposition. An Fe monolayer and a Ni monolayer were alternately grown on a Cu0.6Ni0.4 binary buffer layer. A (001) L1(0)-FeNi superlattice peak, which indicates the formation of a L1(0) phase, was clearly observed by an X-ray diffraction. A long-range order parameter S of L1(0)-FeNi was estimated to be 0.5 +/- 0.1. It was found that the film has a uniaxial magnetic anisotropy along c-axis by magnetization measurement. The uniaxial magnetic anisotropy energy K-u was evaluated to be (5.0 +/- 0.1) x 10(6) erg/cc.

DOI： 10.1088/1742-6596/266/1/012119

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Surface morphology and transport properties of Cr nanoparticles in single electron tunneling regime 査読有り

Tetsunori Koda, Seiji Mitani, Masaki Mizuguchi, Koki Takanashi

2ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ADVANCED MAGNETIC MATERIALS AND APPLICATIONS (ISAMMA 2010) 266 巻 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IOP PUBLISHING LTD

We have carried out an investigation of surface structures of Cr nanoparticles grown on a MgO layer for studying single electron tunneling (SET). Reflection high-energy electron diffraction pattern changes from spotty to streak with decreasing Cr nominal thickness, while Cr forms nano size particles with the size of around 3.5 nm in diameter for all the samples. The double tunnel junctions for the Cr nominal thickness of 0.1 nm show clear Coulomb blockade with the threshold voltage of 50 mV, indicating that this Cr nanoparticle satisfies the condition for the appearance of SET. The relatively large volume of the Cr nanoparticles may be related with the fact that tunnel magnetoresistance due to spin accumulation in Cr nanoparticles is small.

DOI： 10.1088/1742-6596/266/1/012093

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Spin Accumulation in Cr Nanoparticles in Single Electron Tunneling Regime 査読有り

Koda, T; Mitani, S; Mizuguchi, M; Takanashi, K

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 46 巻 ( 6 ) 頁： 2060 - 2062 2010年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TMAG.2010.2044870

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Strong Temperature Dependence of Magnetoresistance in Co-C Granular Thin Films 査読有り

Tang, RH; Mizuguchi, M; Wang, H; Yu, RH; Takanashi, K

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 46 巻 ( 6 ) 頁： 2144 - 2147 2010年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TMAG.2010.2043340

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Characterization of Cu buffer layers for growth of L1<sub>0</sub>-FeNi thin films 査読有り

Mizuguchi, M; Sekiya, S; Takanashi, K

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 107 巻 ( 9 ) 2010年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3337649

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Transmission of electrical signals by spin-wave interconversion in a magnetic insulator 査読有り

Kajiwara, Y; Harii, K; Takahashi, S; Ohe, J; Uchida, K; Mizuguchi, M; Umezawa, H; Kawai, H; Ando, K; Takanashi, K; Maekawa, S; Saitoh, E

NATURE 464 巻 ( 7286 ) 頁： 262 - U141 2010年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/nature08876

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Growth and Characterization of Ultrathin Fe Films on Molecule-Adsorbed MgO Surfaces 査読有り

Kojima, T; Mizuguchi, M; Oka, K; Mitani, S; Takanashi, K

MATERIALS TRANSACTIONS 50 巻 ( 11 ) 頁： 2512 - 2514 2009年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2320/matertrans.M2009218

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Large voltage-induced magnetic anisotropy change in a few atomic layers of iron 査読有り

Maruyama, T; Shiota, Y; Nozaki, T; Ohta, K; Toda, N; Mizuguchi, M; Tulapurkar, AA; Shinjo, T; Shiraishi, M; Mizukami, S; Ando, Y; Suzuki, Y

NATURE NANOTECHNOLOGY 4 巻 ( 3 ) 頁： 158 - 161 2009年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/NNANO.2008.406

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PubMed

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Detection of current-driven magnetic domain wall deformation using anisotropic magnetoresistance effect 査読有り

Maekawa, H; Nozaki, T; Kasai, S; Mizuguchi, M; Shiraishi, M; Ono, T; Suzuki, Y

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 204 巻 ( 12 ) 頁： 3987 - 3990 2007年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssa.200777255

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Tunnel magnetoresistance of C<sub>60</sub>-Co nanocomposites and spin-dependent transport in organic semiconductors 査読有り

Miwa, S; Shiraishi, M; Tanabe, S; Mizuguchi, M; Shinjo, T; Suzuki, Y

PHYSICAL REVIEW B 76 巻 ( 21 ) 頁： 214414-1 - 214414-7 2007年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.76.214414

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Large magnetoresistance in rubrene-Co nano-composites 査読有り

Kusai, H; Miwa, S; Mizuguchi, M; Shinjo, T; Suzuki, Y; Shiraishi, M

CHEMICAL PHYSICS LETTERS 448 巻 ( 1-3 ) 頁： 106 - 110 2007年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.cplett.2007.09.061

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Dependence on annealing temperatures of tunneling spectra in high-resistance CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions 査読有り

Matsumoto, R; Nishiokaa, S; Mizuguchi, M; Shiraishi, M; Maehara, H; Tsunekawa, K; Djayaprawira, DD; Watanabe, N; Otani, Y; Nagahama, T; Fukushima, A; Kubota, H; Yuasa, S; Suzuki, Y

SOLID STATE COMMUNICATIONS 143 巻 ( 11-12 ) 頁： 574 - 578 2007年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.ssc.2007.07.001

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Substantial reduction in the depinning field of vortex domain walls triggered by spin-transfer induced resonance 査読有り

Nozaki, T; Maekawa, H; Mizuguchi, M; Shiraishi, M; Shinjo, T; Suzuki, Y; Maehara, H; Kasai, S; Ono, T

APPLIED PHYSICS LETTERS 91 巻 ( 8 ) 頁： 082502-1 - 082502-3 2007年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2772174

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Spin-dependent transport in nanocomposites of Alq<sub>3</sub> molecules and cobalt nanoparticles 査読有り

Tanabe, S; Miwa, S; Mizuguchi, M; Shinjo, T; Suzuki, Y; Shiraishia, M

APPLIED PHYSICS LETTERS 91 巻 ( 6 ) 頁： 063123-1 - 063123-3 2007年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2769748

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<i>In situ</i> scanning tunneling microscopy observations of polycrystalline MgO(001) tunneling barriers grown on amorphous CoFeB electrode 査読有り

Mizuguchi, M; Suzuki, Y; Nagahama, T; Yuasa, S

APPLIED PHYSICS LETTERS 91 巻 ( 1 ) 頁： 012507-1 - 012507-3 2007年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2754372

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Differential conductance measurements of low-resistance CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions 査読有り

Nishioka, S; Hamada, YV; Matsumoto, R; Mizuguchi, M; Shiraishi, M; Fukushima, A; Kubota, H; Nagahama, T; Yuasa, S; Maehara, H; Nagamine, Y; Tsunekawa, K; Djayaprawira, DD; Watanabe, N; Suzuki, Y

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 310 巻 ( 2 ) 頁： E649 - E651 2007年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jmmm.2006.10.773

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Surface morphology of epitaxial magnetic tunnel junctions 招待有り査読有り

Mizuguchi, M; Suzuki, Y; Nagahama, T; Yuasa, S

JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 7 巻 ( 1 ) 頁： 255 - 258 2007年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1166/jnn.2007.017

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PubMed

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コプレーナウェーブガイドを用いた強磁性共鳴の高感度測定査読有り

戸田順之, 斉藤和広, 太田健太, 前川裕昭, 水口将輝, 白石誠司, 鈴木義茂

日本応用磁気学会誌 31 巻 ( 6 ) 頁： 435 - 438 2007年

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Magnetics Society of Japan

Ferromagnetic resonance (FMR) measurements using coplanar waveguides (CPWs) make it possible to perform highly sensitive magnetization measurements, since a CPW can concentrate electromagnetic waves onto a narrow signal line. In this study, we aimed to perform FMR measurements of a minute individual magnet, and investigated the dependence of the sensitivity on the signal line width. We fabricated CPWs on MgO wafers and placed an individual NiFe dot on each of CPWs. NiFe dots with a thickness of 30 nm and various lateral sizes, i.e. 50 × 100, 50 × 80, 50 × 30, 50 × 20, and 50 × 10 μm, were fabricated. The signal line widths of these samples were 150, 100, 50, 30, and 15 μm, respectively. The external magnetic field dependence of the resonance frequency was well fitted by Kittel's formula. As expected, we obtained larger signals from smaller samples, because narrower signal lines that create larger rf fields were employed for smaller samples.

DOI： 10.3379/jmsjmag.31.435

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Spin-dependent transport in C<sub>60</sub>-Co nano-composites 査読有り

Miwa, S; Shiraishi, M; Mizuguchi, M; Shinjo, T; Suzuki, Y

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 45 巻 ( 24-28 ) 頁： L717 - L719 2006年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.45.L717

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Microscopic structures of MgO barrier layers in single-crystal Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions showing giant tunneling magnetoresistance 査読有り

Mizuguchi, M; Suzuki, Y; Nagahama, T; Yuasa, S

APPLIED PHYSICS LETTERS 88 巻 ( 25 ) 頁： 251901ー1 - 251901ー3 2006年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2213953

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金属スピントロニクス素子の新しい展開ースピントルクダイオードー査読有り

鈴木義茂, Tulapurlar Ashwin, 水口将輝, 久保田均, 福島章雄, 湯浅新治, 前原大樹, 恒川孝二, ダビッド・ジャヤプラウィラ, 渡辺直樹

キャノンアネルバ技報 Vol.12, 巻頁： 5 - 10 2006年5月

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記述言語：日本語出版者・発行元：キヤノンアネルバ

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Scanning tunneling microscopy observations of single-crystal Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions 査読有り

Mizuguchi, M; Suzuki, Y; Nagahama, T; Yuasa, S

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 99 巻 ( 8 ) 頁： 08T308ー1 - 08T308ー3 2006年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2170069

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Tunneling spectroscopy of magnetic tunnel junctions: Comparison between CoFeB/MgO/CoFeB and CoFeB/Al-O/CoFeB 査読有り

Mizuguchi, M; Hamada, Y; Matsumoto, R; Nishioka, S; Maehara, H; Tsunekawa, K; Djayaprawira, DD; Watanabe, N; Nagahama, T; Fukushima, A; Kubota, H; Yuasa, S; Shiraishi, M; Suzuki, Y

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 99 巻 ( 8 ) 頁： 08T309ー1 - 08T309ー3 2006年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2171961

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Fluorescence EXAFS analysis of local structures around Cr atoms in (Ga,Cr)As 査読有り

Ofuchi, H; Yamada, M; Okabayashi, J; Mizuguchi, M; Ono, K; Takeda, Y; Oshima, M; Akinaga, H

PHYSICA B-CONDENSED MATTER 376 巻頁： 651 - 653 2006年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.physb.2005.12.164

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スピン注入磁化反転素子の高周波特性査読有り

鈴木義茂, A. Tulapurlar, 水口将輝, 久保田均, 福島章雄, 湯浅新治, 前原大樹, 恒川孝二, D. Djayaprawira, 渡辺直樹

応磁研究会 145回研究会巻頁： 49 - 55 2006年1月

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記述言語：日本語

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Tunneling spectra of sputter-deposited CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions showing giant tunneling magnetoresistance effect 査読有り

Matsumoto, R; Hamada, Y; Mizuguchi, M; Shiraishi, M; Maehara, H; Tsunekawa, K; Djayaprawira, DD; Watanabe, N; Kurosaki, Y; Nagahama, T; Fukushima, A; Kubota, H; Yuasa, S; Suzuki, Y

SOLID STATE COMMUNICATIONS 136 巻 ( 11-12 ) 頁： 611 - 615 2005年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.ssc.2005.08.032

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Atomically flat aluminum-oxide barrier layers constituting magnetic tunnel junctions observed by <i>in situ</i> scanning tunneling microscopy -: art. no. 171909 査読有り

Mizuguchi, M; Suzuki, Y; Nagahama, T; Yuasa, S

APPLIED PHYSICS LETTERS 87 巻 ( 17 ) 頁： 171909ー1 - 171909ー3 2005年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2108121

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Fluorescence EXAFS analysis of nanoscale zinc-blende MnAs dots grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 査読有り

H. Ofuchi, J. Okabayashi, M. Mizuguchi, M. Yamada, K. Ono, Y. Takeda, M. Oshima, H. Akinaga

PHYSICA SCRIPTA T115 巻頁： 431 - 432 2005年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP PUBLISHING LTD

In this work, geometric structures for ferromagnetic nanoscale zinc-blende MnAs dots grown on a sulfur-passivated GaAs(001) were investigated by using fluorescence EXAFS measurement. EXAFS measurements revealed that MnAs dots grown on GaAs(001) substrate did not form NiAs-type structure but zinc-blende structure. The Mn-As bond length in the MnAs dots is about 2.48 angstrom, which is close to that which was estimated from lattice constant of zinc-blende MnAs obtained by density-functional calculations. Existence of zinc-blende MnS (beta-MnS) phase was also observed by EXAFS measurements.

DOI： 10.1238/Physica.Topical.115a00431

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Magnetoresistive switch effect and its application to magnetic field sensors 査読有り

ZG Sun, M Mizuguchi, H Akinaga

PRICM 5: THE FIFTH PACIFIC RIM INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS AND PROCESSING, PTS 1-5 475-479 巻頁： 2223 - 2226 2005年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：TRANS TECH PUBLICATIONS LTD

Magnetoresistive switch effect (MRS effect) devices containing two gold (Au) electrodes with a gap less than 2 gm were successfully fabricated on semi-insulting GaAs substrates by wet etching method. Huge MRS effect was observed. Magnetoresistance (MR) ratio reached 1,000,000% under the magnetic filed of 1.5 T when the devices were operated just above the threshold voltage. The magnetic field sensitivity at small magnetic fields was significantly improved. MR ratio of more than 1000% was achieved at 0.03 T. A relative high MR ratio of 100,000% under the magnetic filed of 1.5 T was also achieved when the devices operating before the threshold voltage.

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.475-479.2223

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Magnetoresistive switch effect and its application to magnetic field sensors

Sun ZG, Mizuguchi M, Akinaga H

PRICM 5: THE FIFTH PACIFIC RIM INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS AND PROCESSING, PTS 1-5 475-479 巻頁： 2223 - 2226 2005年

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Fluorescence EXAFS analysis of nanoscale zinc-blende MnAs dots grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy

Ofuchi H., Okabayashi J., Mizuguchi M., Yamada M., Ono K., Takeda Y., Oshima M., Akinaga H.

PHYSICA SCRIPTA T115 巻頁： 431 - 432 2005年

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DOI： 10.1238/Physica.Topical.115a00431

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Fluorescence EXAFS analysis of nanoscale zinc-blende MnAs dots grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 査読有り

H. Ofuchi, J. Okabayashi, M. Mizuguchi, M. Yamada, K. Ono, Y. Takeda, M. Oshima, H. Akinaga

Physica Scripta T T115 巻頁： 431 - 432 2005年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

In this work, geometric structures for ferromagnetic nanoscale zinc-blende MnAs dots grown on a sulfur-passivated GaAs(001) were investigated by using fluorescence EXAFS measurement. EXAFS measurements revealed that MnAs dots grown on GaAs(001) substrate did not form NiAs-type structure but zinc-blende structure. The MnAs bond length in the MnAs dots is about 2.48 Å which is close to that which was estimated from lattice constant of zinc-blende MnAs obtained by density-functional calculations. Existence of zinc-blende MnS (β-MnS) phase was also observed by EXAFS measurements. © Physica Scripta 2005.

DOI： 10.1238/Physica.Topical.115a00431

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Zinc-blende CrAs/GaAs multilayers grown by molecular-beam epitaxy 査読有り

Akinaga, H; Mizuguchi, M

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 16 巻 ( 48 ) 頁： S5549 - S5553 2004年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0953-8984/16/48/010

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Magnetic-field-controllable avalanche breakdown and giant magnetoresistive effects in Gold semi-insulating-GaAs Schottky diode 査読有り

Sun, ZG; Mizuguchi, M; Manago, T; Akinaga, H

APPLIED PHYSICS LETTERS 85 巻 ( 23 ) 頁： 5643 - 5645 2004年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1834733

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Density-dependent electronic structure of zinc-blende-type MnAs dots on GaAs(001) studied by <i>in situ</i> photoemission spectroscopy -: art. no. 233305 査読有り

Okabayashi, J; Mizuguchi, M; Ono, K; Oshima, M; Fujimori, A; Kuramochi, H; Akinaga, H

PHYSICAL REVIEW B 70 巻 ( 23 ) 頁： 233305ー1 - 233305ー4 2004年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.70.233305

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Nano-oxide fabrication on thin-films of 3d-metal compounds and alloys 査読有り

Kuramochi, H; Tokizaki, T; Onuki, T; Okabayashi, J; Mizuguchi, M; Takano, F; Oshima, H; Manago, T; Akinaga, H; Yokoyama, H

SURFACE SCIENCE 566 巻頁： 349 - 355 2004年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.susc.2004.05.067

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Dynamic magnetic properties of epitaxial MnAs thin films studied by spin-wave Brillouin scattering 査読有り

Murayama, A; Hyomi, K; Sakuma, M; Oka, Y; Okabayashi, J; Mizuguchi, M; Kuramochi, H; Akinaga, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 95 巻 ( 11 ) 頁： 6619 - 6621 2004年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1682951

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Magnetic properties and domain structures of FeSiB thin films 査読有り

Sun, ZG; Kuramochi, H; Mizuguchi, M; Takano, F; Semba, Y; Akinaga, H

SURFACE SCIENCE 556 巻 ( 1 ) 頁： 33 - 38 2004年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.susc.2004.02.036

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Density dependence of zinc-blende MnAs dots studied by X-ray absorption spectroscopy and X-ray magnetic circular dichroism 査読有り

Okabayashi, J; Mizuguchi, M; Ono, K; Oshima, M; Fujimori, A; Yuri, M; Chen, CT; Akinaga, H

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 272 巻頁： E1553 - E1555 2004年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jmmm.2003.12.803

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Magnetic properties and domain structures of FeSiB thin films prepared by RF-sputtering method 査読有り

Sun, ZG; Kuramochi, H; Mizuguchi, M; Takano, F; Semba, Y; Akinaga, H

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 272 巻頁： 1160 - 1161 2004年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jmmm.2003.12.764

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Room temperature magnetoresistance effect observed in Au/GaAs films processed by focused ion beam 査読有り

Mizuguchi, M; Manago, T; Akinaga, H

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 272 巻頁： E1385 - E1386 2004年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jmmm.2003.12.285

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X-ray absorption spectroscopy of transition-metal doped diluted magnetic semiconductors Zn<sub>1-</sub><i>x</i><sub>M</sub><i>x</i>O 査読有り

Okabayashi, J; Ono, K; Mizuguchi, M; Oshima, M; Gupta, SS; Sarma, DD; Mizokawa, T; Fujimori, A; Yuri, M; Chen, CT; Fukumura, T; Kawasaki, M; Koinuma, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 95 巻 ( 7 ) 頁： 3573 - 3575 2004年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1652248

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Au/GaAs magnetoresistive-switch-effect devices fabricated by wet etching 査読有り

Sun, ZG; Mizuguchi, M; Akinaga, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 43 巻 ( 4B ) 頁： 2101 - 2103 2004年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.43.2101

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Magnetic pole pinning at rectangular defects on MnAs/GaAs(001) 査読有り

Kuramochi, H; Okabayashi, J; Takano, F; Mizuguchi, M; Manago, T; Akinaga, H

SURFACE SCIENCE 550 巻 ( 1-3 ) 頁： 192 - 198 2004年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.susc.2003.12.024

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Electronic and magnetic properties of MnAs nanoclusters studied by x-ray absorption spectroscopy and x-ray magnetic circular dichroism 査読有り

Okabayashi, J; Mizuguchi, M; Oshima, M; Shimizu, H; Tanaka, M; Yuri, M; Chen, CT

APPLIED PHYSICS LETTERS 83 巻 ( 26 ) 頁： 5485 - 5487 2003年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1637430

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Magnetic domain structure of MnAs thin films as a function of temperature

Mizuguchi M, Kuramochi H, Okabayashi J, Manago T, Akinaga H

MATERIALS TRANSACTIONS 44 巻 ( 12 ) 頁： 2578 - 2581 2003年12月

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Magnetic domain structure of MnAs thin films as a function of temperature 査読有り

M Mizuguchi, H Kuramochi, J Okabayashi, T Manago, H Akinaga

MATERIALS TRANSACTIONS 44 巻 ( 12 ) 頁： 2578 - 2581 2003年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：JAPAN INST METALS

We have investigated magnetic domain structures of MnAs thin films grown on GaAs substrates by a magnetic force microscope. We observed, by an atomic force microscope, rectangular defects along GaAs [110] direction which disperse randomly on the surface of MnAs/GaAs (001). The Curie temperature of MnAs is 45degreesC, and it is successfully confirmed directly by the variable temperature magnetic force microscope observation. We also investigated magnetic domain structures of MnAs/GaAs (111)B, and no apparent relation was observed between the topographic structure and the magnetic domain structure.

DOI： 10.2320/matertrans.44.2578

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Fluorescence extended X-ray absorption fine structure analysis of half-metallic ferromagnet "zinc-blende CrAs" grown on GaAs by molecular beam epitaxy

Ofuchi H, Mizuguchi M, Ono K, Oshima M, Akinaga H, Manago T

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 199 巻頁： 227 - 230 2003年1月

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Fluorescence extended X-ray absorption fine structure analysis of half-metallic ferromagnet “zinc-blende CrAs” grown on GaAs by molecular beam epitaxy 査読有り

H. Ofuchi, M. Mizuguchi, K. Ono, M. Oshima, H. Akinaga, T. Manago

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 199 巻頁： 227 - 230 2003年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0168-583X(02)01539-2

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Formation, properties and photoelectron spectroscopy of magnetic nanostructures

Oshima M, Mizuguchi M, Ono K, Akinaga H, Sugiyama M

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA 124 巻 ( 2-3 ) 頁： 165 - 174 2002年7月

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Formation, properties and photoelectron spectroscopy of magnetic nanostructures 査読有り

M Oshima, M Mizuguchi, K Ono, H Akinaga, M Sugiyama

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA 124 巻 ( 2-3 ) 頁： 165 - 174 2002年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE BV

In order to realize magnetic nanocrystals for spin electronic devices, we have successfully grown MnAs and/or MnSb nanocrystals on atomically controlled GaAs(001) substrates by molecular beam epitaxy. Surface structures of sulfur- and antimony-terminated GaAs substrates are characterized by synchrotron radiation soft X-ray standing waves. Then, Mn pnictide nanocrystals are grown by super Volmer-Weber epitaxy, taking advantage of low surface energy. MnAs and/or MnSb nanocrystals grown on sulfur-terminated GaAs(001) substrates show ferromagnetic properties with size of 20-30 nm and surface density of more than 10(10) cm(-2). Photoelectron spectroscopy revealed the electronic structures of these magnetic dots. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

DOI： 10.1016/S0368-2048(02)00052-X

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In-situ photoelectron spectroscopy of magnetic dots and magnetic semiconductor nanostructures

Oshima M, Ono K, Mizuguchi M, Yamada M, Okabayashi J, Fujimori A, Akinaga H, Shirai M

INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B 16 巻 ( 11-12 ) 頁： 1681 - 1690 2002年5月

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Epitaxial growth of zinc-blende CrAs/GaAs multilayer 査読有り

Mizuguchi, M; Akinaga, H; Manago, T; Ono, K; Oshima, M; Shirai, M; Yuri, M; Lin, HJ; Hsieh, HH; Chen, CT

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 91 巻 ( 10 ) 頁： 7917 - 7919 2002年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1455612

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Fabrication, magnetic properties, and electronic structures of nanoscale zinc-blende MnAs dots (invited) 査読有り

Ono, K; Okabayashi, J; Mizuguchi, M; Oshima, M; Fujimori, A; Akinaga, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 91 巻 ( 10 ) 頁： 8088 - 8092 2002年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1456396

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Growth of ferromagnetic semiconductor: (Ga,Cr)As 査読有り

Yamada, M; Ono, K; Mizuguchi, M; Okabayashi, J; Oshima, M; Yuri, M; Lin, HJ; Hsieh, HH; Chen, CT; Akinaga, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 91 巻 ( 10 ) 頁： 7908 - 7910 2002年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1455611

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In-situ photoelectron spectroscopy of magnetic dots and magnetic semiconductor nanostructures 査読有り

M Oshima, K Ono, M Mizuguchi, M Yamada, J Okabayashi, A Fujimori, H Akinaga, M Shirai

INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B 16 巻 ( 11-12 ) 頁： 1681 - 1690 2002年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：WORLD SCIENTIFIC PUBL CO PTE LTD

High resolution angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) has been performed on magnetic nanostructures which were in-situ grown hetero-epitaxially on GaAs substrates by low temperature molecular beam epitaxy. Sulfur termination of GaAs surfaces enabled the formation of NiAs-type MnSb dots and zinc-blende (zb) type MnAs dots, showing huge magnetoresistance at RT and half-metallic behavior, respectively. ARPES analysis revealed that the zb-MnAs dots show unique valence band feature with Mn 3d-related peak at about 4 eV of binding energy which is quite similar to (Ga,Mn)As DMS Films. Zb-CrAs thin films on GaAs with T, higher than RT are found to show the band dispersion within 2 eV near the Fermi edge, which is in good agreement with the FLAPW calculation. We have also found that (Ga,Cr)As DMS thin films have the similar valence band features to zb-CrAs.

DOI： 10.1142/S021797920201110X

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Enchanced magnetooptical response of magnetic nanoclusters embedded in semiconductor

Akinaga H, Mizuguchi M, Manago T, Gan'shina E, Granovsky A, Rodin I, Vinogradov A, Yurasov A

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 242 巻頁： 470 - 472 2002年4月

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Enchanced magnetooptical response of magnetic nanoclusters embedded in semiconductor 査読有り

H Akinaga, M Mizuguchi, T Manago, E Gan'shina, A Granovsky, Rodin, I, A Vinogradov, A Yurasov

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 242 巻頁： 470 - 472 2002年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE BV

In the present work, we report the results of an experimental study of magnetooptical Kerr effect and optical properties in MnAs:GaAs granular films in the spectral range 0.5-4.5 eV at room temperature and at 4.2 K. The possible mechanisms of the giant magnetooptical effect in MnAs:GaAs granular films are discussed on the basis of the obtained results. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

DOI： 10.1016/S0304-8853(01)01067-8

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Growth of Fe(100) on GaAs(100) for tunnel magneto-resistance junctions

Manago T, Mizuguchi M, Akinaga F

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 237 巻頁： 1378 - 1382 2002年4月

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Growth of Fe(100) on GaAs(100) for tunnel magneto-resistance junctions 査読有り

T Manago, M Mizuguchi, F Akinaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 237 巻頁： 1378 - 1382 2002年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE BV

We prepared epitaxially grown Fe films on GaAs (0 0 1) surfaces with different reconstructions. The Ga and As concentrations as a function of the Fe thickness were investigated by Auger electron spectroscopy (AES). The Ga atoms hardly segregated, while the AES signal of As still remained at 20 run under a low deposition rate (0.02 nm/s). The segregation was considerably suppressed by the higher deposition rate (0.08 nm/s). The cross-scetional transmission electron microscopy (TEM) image showed that an interface between GaAs and Fe was atomically flat and the surface of the 20 nm Fe film was very flat. We have succeeded in preparing Co/Al2O3/Fe(0 0 1) tunnel junctions based on an Fe(0 0 1) film. The MR ratio was about 9-11 %. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)02187-X

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Band discontinuity in the GaAs/AlAs interface studied by <i>in situ</i> photoemission spectroscopy 査読有り

Okabayashi, J; Ono, K; Mano, T; Mizuguchi, M; Horiba, K; Nakamura, K; Fujimori, A; Oshima, M

APPLIED PHYSICS LETTERS 80 巻 ( 10 ) 頁： 1764 - 1766 2002年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1455695

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Epitaxial growth of new half-metallic ferromagnet "zinc-blende CrAs" and the substrate temperature dependence

Mizuguchi M, Akinaga H, Manago T, Ono K, Oshima M, Shirai M

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 239 巻 ( 1-3 ) 頁： 269 - 271 2002年2月

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Epitaxial growth of new half-metallic ferromagnet “zinc-blende CrAs” and the substrate temperature dependence 査読有り

M. Mizuguchi, H. Akinaga, T. Manago, K. Ono, M. Oshima, M. Shirai

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 239 巻 ( 1-3 ) 頁： 269 - 271 2002年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0304-8853(01)00568-6

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Thickness dependence of photoemission spectra in zinc-blende CrAs

Mizuguchi M, Ono K, Oshima M, Okabayashi J, Akinaga H, Manago T, Shirai M

SURFACE REVIEW AND LETTERS 9 巻 ( 1 ) 頁： 331 - 334 2002年2月

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Thickness dependence of photoemission spectra in zinc-blende CrAs 査読有り

M Mizuguchi, K Ono, M Oshima, J Okabayashi, H Akinaga, T Manago, M Shirai

SURFACE REVIEW AND LETTERS 9 巻 ( 1 ) 頁： 331 - 334 2002年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：WORLD SCIENTIFIC PUBL CO PTE LTD

The electronic structure of CrAs thin films with nominal thicknesses of 2 nm and 30 nm were studied by angle-resolved photoemission spectroscopy using synchrotron radiation. The CrAs film of 2 nm is expected to form a zinc-blende phase which is predicted to have a half-metallic band structure by theoretical calculation. On the other hand, it is considered that the CrAs film of 30 nm is a polycrystalline compound judging from reflection high-energy electron diffraction patterns. Different valence-band photoemission spectra were obtained for the two films. The photoemission spectra of the CrAs film of 30 nm showed no band dispersion, whereas a band dispersion was observed in that of the CrAs film with the nominal thickness of 2 nm.

DOI： 10.1142/S0218625X02002142

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完全スピン偏極強磁性体CrAsの物質設計および合成査読有り

眞砂卓史, 水口将輝, 秋永広幸, 白井正文, 小野寛太, 尾嶋正治

日本応用磁気学会誌 26 巻 ( 4 ) 頁： 441 - 444 2002年

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Magnetics Society of Japan

New half-metallic ferromagnets have been found in a zinc-blende crystal structure. The zinc-blende CrAs has been designed by <i>ab initio</i> calculations and the calculation predicts the highly spin-polarized electronic band structure. The zinc-blende CrAs thin film has been synthesized on GaAs (001) substrates by molecular-beam epitaxy. The film shows ferromagnetic behavior at room temperature and the magnetic moment per formula unit of CrAs is estimated to be about 3 μ<sub>B</sub>, which agrees well with the theoretical prediction. The photoemission spectra of the CrAs film showed the Fermi edges indicating the metallic characteristics and the small band dispersion derived from Cr-3<i>d</i> bands.

DOI： 10.3379/jmsjmag.26.441

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Automated angle-scanning photoemission end-station with molecular beam epitaxy at KEK-PF BL-1C

Ono K, Yeom HW, Horiba K, Oh JH, Nakazono S, Kihara T, Nakamura K, Mano T, Mizuguchi M, Oshima M, Aiura Y, Kakizaki A

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT 467 巻頁： 1497 - 1501 2001年7月

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Web of Science
Performance of the high-resolution high-flux monochromator for bending magnet beamline BL-1C at the Photon Factory

Ono K, Oh JH, Horiba K, Mizuguchi M, Oshima M, Kiyokura T, Maeda F, Watanabe Y, Kakizaki A, Kikuchi T, Yagishita A, Kato H

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT 467 巻頁： 573 - 576 2001年7月

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Web of Science
Automated angle-scanning photoemission end-station with molecular beam epitaxy at KEK-PF BL-1C 査読有り

K Ono, HW Yeom, K Horiba, JH Oh, S Nakazono, T Kihara, K Nakamura, T Mano, M Mizuguchi, M Oshima, Y Aiura, A Kakizaki

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT 467 巻頁： 1497 - 1501 2001年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE BV

In order to satisfy demands to study the electronic structure of quantum nanostructures, a VUV beamline and a high-resolution and high-throughput photoemission end-station combined with a molecular beam epitaxy (MBE) system have been constructed at the BL-IC of the Photon Factory. An angle-resolved photoemission spectrometer, having high energy- and angular-resolutions; VG Microtech ARUPS10, was installed. The total energy resolution of 31 meV at the 60 eV of photon energy is achieved. For the automated angle-scanning photoemission, the electron spectrometer mounted on a two-axis goniometer can be rotated in vacuum by the computer-cont rolled stepping motors. Another distinctive feature of this end-station is a connection to a MBE chamber in ultahigh vacuum (UHV). In this system, MBE-grown samples can be transferred into the photoemission chamber without breaking UHV. Photoemission spectra of MBE-grown GaAs(001) surfaces were measured with high-resolution and bulk and surface components are clearly resolved. (C) 2001 Elsevier Science B.V, All rights reserved.

DOI： 10.1016/S0168-9002(01)00734-3

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Performance of the high-resolution high-flux monochromator for bending magnet beamline BL-1C at the Photon Factory 査読有り

K Ono, JH Oh, K Horiba, M Mizuguchi, M Oshima, T Kiyokura, F Maeda, Y Watanabe, A Kakizaki, T Kikuchi, A Yagishita, H Kato

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT 467 巻頁： 573 - 576 2001年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE BV

A grazing incidence varied line spacing plane grating monochromator (VLS-PGM) has been designed and installed at the Photon Factory bending magnet beamline, BL-1C. The monochromator is designed to cover 20 to 250eV with a high resolving power as well as a high photon flux and intended for a high-resolution angle-resolved photoemission study of quantum nano-structures. The resolving power of the beamline is observed to be more than 16,000 at around 65 eV and exceeds 10,000 at all the covered energy ranges of the monochromator with photon flux over 10(9) photons/s which shows that this monochromator reaches the expected design goals. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

DOI： 10.1016/S0168-9002(01)00415-6

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Magnetic properties of MnSb granular films

Mizuguchi M, Akinaga H, Ono K, Oshima M

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 226 巻頁： 1838 - 1839 2001年5月

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Magnetoresistive switch effect in MnSb granular films grown on sulfur-passivated GaAs: more-than 10 000% magnetoresistance effect at room-temperature 査読有り

H Akinaga, M Mizuguchi, T Manago, T Sato, H Kuramochi, K Ono, H Ofuchi, M Oshima

PHYSICA E 10 巻 ( 1-3 ) 頁： 447 - 451 2001年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE BV

A huge positive magnetoresistance effect, more than 10 000% at room temperature, has been discovered in MnSb granular films. Granular films consisting of nanoscale MnSb dots were fabricated on a sulfur-passivated GaAs (001) substrate by molecular-beam epitaxy, then covered with an Sb thin layer. The MnSb granular films exhibit a strong in-plane anisotropy of the magnetic-field-sensitive current-voltage characteristics. When a constant voltage, above the threshold value, is applied in the [1 1 0] direction of the GaAs (0 0 1) surface, a steep change in the current, which we term magnetoresistive switch (MRS), is driven by the huge magnetoresistance effect under a relatively low magnetic field (less than about 0.2 T). On the other hand, less than 1% magnetoresistance effect was observed when the voltage was applied in thr [1 10] direction of the GaAs surface. The origin of the anisotropy is discussed in terms of the microscopic structural anisotropy at the heterointerface. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

DOI： 10.1016/S1386-9477(01)00135-7

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Magnetoresistive switch effect in MnSb granular films grown on sulfur-passivated GaAs: more-than 10 000% magnetoresistance effect at room-temperature

Akinaga H, Mizuguchi M, Manago T, Sato T, Kuramochi H, Ono K, Ofuchi H, Oshima M

PHYSICA E 10 巻 ( 1-3 ) 頁： 447 - 451 2001年5月

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Magnetic properties of MnSb granular films 査読有り

M Mizuguchi, H Akinaga, K Ono, M Oshima

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 226 巻頁： 1838 - 1839 2001年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE BV

Magnetoresistance (MR) effects were investigated on MnSb granular films. These films were composed of GaAs substrates, deposited MnSb dots, and Sb capping layers. With increasing nominal thickness of MnSb, a sudden increase in the magnetic circular dichroism intensity was observed over 0.7 nm. The extra-huge positive MR effect more than 10,000% was observed for the sample with the nominal thickness of 0.2 = at room temperature. I-V curve analysis showed the jump from the high-resistance state to the low-resistance state at the critical voltage. It is considered that the coalescence among dots which occurs at a certain nominal thickness plays an important role in the extra-huge MR effect. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

DOI： 10.1016/S0304-8853(00)00619-3

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Properties of semiconductor quantum dots and magnetic nanocrystals grown by molecular beam epitaxy 査読有り

M Oshima, T Mano, M Mizuguchi, K Ono, H Fujioka, H Akinaga, N Koguchi

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 38 巻 ( 4 ) 頁： 396 - 400 2001年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：KOREAN PHYSICAL SOC

In order to realize a combined system of semiconductor and magnetic nanocrystals fur advanced nanoelectronics, we tried tu heteroepitaxially grow both InGaAs quantum dots on GaAs(001) substrates for laser applications and MnAs and/or MnSb nanocrystals for high-density magnetic recording media by using molecular beam epitaxy. InGaAs and Mn pnictide clots were grown by using modified droplet epitaxy and super Volmer-Weber epitaxy, respectively, taking advantages of self-organization, solid-phase crystallization and low surface energy, respectively. The InGaAs quantum dots exhibited a very sharp PL emission at 946 nm with a full width at half maximum of 21.6 meV, suggesting a drastic improvement in dot size uniformity and crystalline quality over the conventional Stranski-Krastanov dots. On the other hand, the MnAs and/or MnSL nanocrystals grown on sulfur-passivated GaAs(001) substrates show ferromagnetic properties with a size of 16 nm and a surface density of about 10(11) cm(-2).

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MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果査読有り

水口将輝, 秋永広幸, 小野寛太, 尾嶋正治

日本応用磁気学会誌 25 巻 ( 4 ) 頁： 502 - 506 2001年

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：公益社団法人日本磁気学会

Nano-size MnSb clusters with a nominal thickness of 3 ML were grown on GaAs(111)B substrates by molecular beam epitaxy. The films were capped with GaAs, and the magnetoresistance effect was investigated at room temperature. A large positive magnetoresistance effect of over 50% was observed. The dependency on the sweep rate of magnetic field and an effect of Cr-doping in GaAs capping layers were investigated. The photoinduced MR effect was also observed under laser-irradiation with a photon energy above the band gap of GaAs. It is shown that these phenomena can be attributed to the enhancement of the conductivity by photogenerated carriers.

DOI： 10.3379/jmsjmag.25.502

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Electron localization in nanoscale MnAs dots on GaAs: a photoemission study

Ono K, Mizuguchi M, Uragami T, Akinaga H, Fujioka H, Oshima M

PHYSICA B 284 巻頁： 1778 - 1779 2000年7月

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Electron localization in nanoscale MnAs dots on GaAs: a photoemission study 査読有り

K Ono, M Mizuguchi, T Uragami, H Akinaga, H Fujioka, M Oshima

PHYSICA B 284 巻頁： 1778 - 1779 2000年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE BV

We have investigated the electronic structure of MnAs dots on GaAs (100) by photoemission spectroscopy. MnAs dots are grown on the S-passivated GaAs by MBE. The size of the dots is 15 nm. In the valence band photoemission spectra of MnAs dots, the Fermi edge disappears, and there is no spectral intensity at the Fermi level. In the Mn 2p core level spectra of MnAs dots, we have observed a satellite structure which also reflects the 3d electron localization in the MnAs dots. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

DOI： 10.1016/S0921-4526(99)02967-1

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Fabrication and magnetotransport properties of nanoscaled MnSb dots

Mizuguchi M, Akinaga H, Ono K, Oshima M

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 87 巻 ( 9 ) 頁： 5639 - 5641 2000年5月

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Room-temperature photoinduced magnetoresistance effect in GaAs including MnSb nanomagnets

Akinaga H, Mizuguchi M, Ono K, Oshima M

APPLIED PHYSICS LETTERS 76 巻 ( 18 ) 頁： 2600 - 2602 2000年5月

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Fabrication and magnetotransport properties of nanoscaled MnSb dots 査読有り

M Mizuguchi, H Akinaga, K Ono, M Oshima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 87 巻 ( 9 ) 頁： 5639 - 5641 2000年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

We report the fabrication and magnetotransport properties of nanoscaled clusters of manganese antimonide (MnSb) grown on sulfur-passivated GaA(001) substrates by molecular-beam-epitaxy (MBE). The typical diameter and height of dots were about 22 nm and 4 nm, respectively. Uniform dots in size were formed in a self-assembled mode. Magnetotransport properties of MnSb granular films were investigated, and the anisotropic magnetoresistance were observed at room temperature. Large jumps appeared at 9 K in magnetoresistance curves, and the jump structure depends on the sweep rate of the magnetic field. These magnetotransport properties describe well the magnetic behavior of MnSb dots. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0021-8979(00)38308-6].

DOI： 10.1063/1.372475

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Room-temperature photoinduced magnetoresistance effect in GaAs including MnSb nanomagnets 査読有り

H Akinaga, M Mizuguchi, K Ono, M Oshima

APPLIED PHYSICS LETTERS 76 巻 ( 18 ) 頁： 2600 - 2602 2000年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

We show a photoinduced positive magnetoresistance (MR) effect (about 20%) under a low magnetic field (less than 0.1 T) at room temperature. The photoinduced MR effect has been observed in GaAs including nanoscale MnSb islands, when photons with the energy above the band gap of GaAs irradiated the sample. The photoinduced phenomena are due to an enhancement of tunneling probability between MnSb islands by photogenerated carriers in the GaAs matrix. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)02718-2].

DOI： 10.1063/1.126421

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Crystallographic and magneto-optical studies of nanoscaled MnSb dots grown on GaAs

Mizuguchi M, Akinaga H, Ono K, Oshima M

APPLIED PHYSICS LETTERS 76 巻 ( 13 ) 頁： 1743 - 1745 2000年3月

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Crystallographic and magneto-optical studies of nanoscaled MnSb dots grown on GaAs 査読有り

M Mizuguchi, H Akinaga, K Ono, M Oshima

APPLIED PHYSICS LETTERS 76 巻 ( 13 ) 頁： 1743 - 1745 2000年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

MnSb ultrathin films with the nominal thickness of 0-1.40 nm were grown on sulfur passivated GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Atomic force microscopy analysis showed that MnSb formed nanosize clusters on the substrate, and the coalescence of the clusters occurred at the nominal thickness between 0.70 and 1.05 nm. The intensity of the polar magnetic circular dichroism of MnSb clusters suddenly increased when the nominal thickness reached the critical value of 1.05 nm. The coalescence among the dots can be correlated with the sharp increase of the magnetic circular dichroism intensity. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)01013-5].

DOI： 10.1063/1.126153

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Formation and structural investigation of MnSb dots on S-passivated GaAs(001) substrates

Mizuguchi M, Akinaga H, Ono K, Oshima M

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 209 巻 ( 2-3 ) 頁： 552 - 555 2000年2月

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Molecular beam epitaxy of MnSb/MnAs multilayers on GaAs

Ono K, Uragami T, Mizuguchi M, Fujioka H, Oshima M, Tanaka M, Akinaga H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 209 巻 ( 2-3 ) 頁： 556 - 560 2000年2月

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The effect of S- and Se-passivation on MBE growth of MnAs thin films on GaAs(100) substrates

Uragami T, Ono K, Mizuguchi M, Fujioka H, Tanaka M, Oshima M

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 209 巻 ( 2-3 ) 頁： 561 - 565 2000年2月

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Formation and structural investigation of MnSb dots on S-passivated GaAs(001) substrates 査読有り

M Mizuguchi, H Akinaga, K Ono, M Oshima

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 209 巻 ( 2-3 ) 頁： 552 - 555 2000年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE BV

We have succeeded in fabricating nanoscale manganese antimonide (MnSb) dots on GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Sulfur passivated surfaces were used to decrease the surface energy and to form MnSb dots on the substrate. Morphologies of the dots were investigated by atomic force microscopy, Different growth modes which arose from a difference in growth temperatures were observed, (C) 2000 Elsevier Science B.V, All rights reserved.

DOI： 10.1016/S0022-0248(99)00618-1

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Molecular beam epitaxy of MnSb/MnAs multilayers on GaAs 査読有り

K Ono, T Uragami, M Mizuguchi, H Fujioka, M Oshima, M Tanaka, H Akinaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 209 巻 ( 2-3 ) 頁： 556 - 560 2000年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE BV

We have investigated the initial growth of MnSb and MnAs films and multilayers on GaAs(1 0 0) and (1 1 1)B substrates by molecular beam epitaxy (MBE) and successfully grown epitaxial MnSb/MnAs multilayers on GaAs(1 1 1)B. We propose a possibility of the novel heat-induced giant magnetoresistance (GMR) effect in the MnSb/MnAs multilayer system. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

DOI： 10.1016/S0022-0248(99)00619-3

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The effect of S- and Se-passivation on MBE growth of MnAs thin films on GaAs(100) substrates 査読有り

T Uragami, K Ono, M Mizuguchi, H Fujioka, M Tanaka, M Oshima

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 209 巻 ( 2-3 ) 頁： 561 - 565 2000年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE BV

Ferromagnetic MnAs thin films were grown on clean, S- and Se-passivated GaAs(1 0 0) substrates by molecular beam epitaxy (MBE). Growth modes of MnAs films on GaAs substrates depend on the surface treatment. On the clean and the Se-passivated surfaces MnAs films grow by a layer-by-layer mode, whereas on the S-passivated surface MnAs films grow by an island growth mode, and as a result polycrystalline films are obtained. Photoelectron spectroscopy study revealed that the Se overlayer on the Se-passivated GaAs substrates prevented Ga interdiffusion. We also found that the saturation magnetization of MnAs films on the Se-passivated surface was slightly larger than that on the clean and the S-passivated surfaces. This difference can be explained by the role of Se overlayer in preventing interdiffusion between MnAs and GaAs. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

DOI： 10.1016/S0022-0248(99)00620-X

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Room-temperature thousandfold magnetoresistance change in MnSb granular films: Magnetoresistive switch effect

Akinaga H, Mizuguchi M, Ono K, Oshima M

APPLIED PHYSICS LETTERS 76 巻 ( 3 ) 頁： 357 - 359 2000年1月

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Room-temperature thousandfold magnetoresistance change in MnSb granular films: Magnetoresistive switch effect 査読有り

H Akinaga, M Mizuguchi, K Ono, M Oshima

APPLIED PHYSICS LETTERS 76 巻 ( 3 ) 頁： 357 - 359 2000年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

A huge positive magnetoresistance effect has been discovered in MnSb granular films. Granular film consisting of nanoscale MnSb dots that are grown on a sulfur-passivated GaAs (001) substrate by molecular-beam epitaxy, then covered with an Sb thin layer, exhibits magnetic-field-sensitive current-voltage characteristics. When a constant voltage, above the threshold value, is applied to the film, more than 1000% change in the current, which we term magnetoresistive switch, is driven by the magnetoresistance effect under a relatively low magnetic field (less than 0.5 T) at room temperature. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)04303-5].

DOI： 10.1063/1.125753

Web of Science

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Enormous magnetoresistance effect in hybrid ferromagnetic-nanocluster/semiconductor films 査読有り

H. Akinaga, M. Mizuguchi, K. Ono, M. Oshima

Transactions of Materials Research Society of Japan 25 巻頁： 1119 - 1122 2000年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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MnSbグラニュラー構造における室温超巨大磁気抵抗効果査読有り

秋永広幸, 水口将輝, 小野寛太, 尾嶋正治

日本応用磁気学会誌 24 巻 ( 4 ) 頁： 451 - 454 2000年

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Magnetics Society of Japan

A huge positive magnetoresistance effect in a relatively low magnetic field (less than 0.5 T) at room temperature was discovered in MnSb granular films. A granular film consisting of nano-scale MnSb clusters was grown on a sulfur-passivated GaAs(001) substrate by molecular beam epitaxy, then covered with an Sb thin layer. The granular film shows magnetic-field-sensitive current-voltage characteristics. When a constant voltage, above the threshold value, is applied to the film, a more than 1000 percent change in the current, which we term a <i>magnetoresistive switch</i>, is driven by the magnetoresistance effect. A possible mechanism for the magnetoresistive switch effect is discussed.

DOI： 10.3379/jmsjmag.24.451

CiNii Books

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その他リンク： http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10464945
MnSbグラニュラー薄膜の作製と磁気光学特性査読有り

水口将輝, 秋永広幸, 小野寛太, 尾嶋正治

日本応用磁気学会誌 24 巻 ( 4 ) 頁： 499 - 502 2000年

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Magnetics Society of Japan

MnSb ultra-thin films with nominal thicknesses of 0.35, 0.70, 1.05, and 1.40 nm were grown on sulfur-passivated GaAs (001) substrates by molecular beam epitaxy. Atomic force microscopy analyses showed that MnSb formed nanosized dots on the substrate, and that coalescence of the clusters occurred at nominal thicknesses between 0.70 and 1.05 nm. The intensity of the polar magnetic circular dichroism of MnSb clusters and the saturation magnetization suddenly increased when the nominal thickness reached the critical value of 1.05 nm. The coalescence of the dots can be correlated with the sharp increase in the MCD intensity.

DOI： 10.3379/jmsjmag.24.499

CiNii Books

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その他リンク： http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10464957
Enhanced Kerr rotation in electrodeposited nickel films

Attenborough K, De Boeck J, Celis JP, Mizuguchi M, Akinaga H

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 35 巻 ( 5 ) 頁： 2985 - 2987 1999年9月

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Enhanced Kerr rotation in electrodeposited nickel films 査読有り

K Attenborough, J De Boeck, JP Celis, M Mizuguchi, H Akinaga

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 35 巻 ( 5 ) 頁： 2985 - 2987 1999年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC

High quality nickel films were electrodeposited directly onto n-GaAs using galvanostatic control. It was seen that by varying the current density the crystallographic orientation of the films could be controlled. For a current density of 15 mA/cm(2), a highly dominant (220) crystallographic orientation was obtained, Magnetic measurements revealed a strong uniaxial anisotropy in these films, Moreover, Kerr spectroscopy measurements (1.4 to 4.5 eV) showed an enhanced Kerr rotation of -0.17 degrees at 3.2 eV, which may be attributed to the strong magnetic anisotropy and the exceptional crystal quality of the films.

DOI： 10.1109/20.801055

Web of Science

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Formation of low-dimensional structures of manganese pnictides 査読有り

K. Ono, T. Uragami, M. Mizuguchi, H. Fujioka, M. Oshima, M. Tanaka, H. Akinaga, Y. Watanabe

Journal of the Magnetics Society of Japan 23 巻 ( 1 ) 頁： 688 - 690 1999年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Magnetics Society of Japan

We have successfully grown manganese pnictides epitaxial multilayers [MnSb/MnAs]5 on GaAs by molecular beam epitaxy. The structural and magnetic properties of the multilayers have been investigated by reflection high energy electron diffraction, X-ray diffraction, and superconducting quantum interference device.

DOI： 10.3379/jmsjmag.23.688

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Photoelectron spectroscopy and magnetic properties of manganese pnictides nanocrystals formed on passivated GaAs substrates

Oshima M, Ono K, Mizuguchi M, Uragami T, Fujioka H, Tanaka M, Watanabe Y

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 38 巻頁： 373 - 376 1999年

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M-2,M-3 edge core-level magnetic circular dichroism measurements of Cu/Co multilayers 査読有り

S Kawaguchi, K Ono, K Horiba, M Mizuguchi, S Hayakawa, H Fujioka, T Koide, H Miyauchi, N Nakajima, H Takenaka, M Oshima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 38 巻頁： 419 - 422 1999年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：JAPAN J APPLIED PHYSICS

We have carried out the magnetic circular dichroism (MCD) measurements in the VUV region near M-2,M-3 absorption edges of Cu and Co for Cu/Co multilayers in order to investigate the perpendicular magnetization of the system. Circularly polarized SR light was incident almost normal to the sample surface and the reflected light was detected, corresponding to the information about perpendicular magnetic moments. The MCD spectrum of the magnetic layers at Co M-2,M-3 edges showed one negative peak. Although Cu is non-magnetic, a similar MCD profile was obtained for Cu M-2,M-3 edges. These results indicate that the perpendicular magnetic moments of non-magnetic Cu are induced near the Cu/Co interfaces of multilayers and the directions of the magnetic moments in Cu and Co layers are parallel with each other along the direction of applied magnetic field.

DOI： 10.7567/JJAPS.38S1.419

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M-2,M-3 edge core-level magnetic circular dichroism measurements of Cu/Co multilayers

Kawaguchi S, Ono K, Horiba K, Mizuguchi M, Hayakawa S, Fujioka H, Koide T, Miyauchi H, Nakajima N, Takenaka H, Oshima M

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 38 巻頁： 419 - 422 1999年

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Growth of MnAs on S- and Se-passivated GaAs substrates 査読有り

T. Uragami, K. Ono, M. Mizuguchi, T. Mano, H. Fujioka, M. Oshima, M. Tanaka, Y. Watanabe

Journal of the Magnetics Society of Japan 23 巻 ( 1 ) 頁： 694 - 696 1999年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Magnetics Society of Japan

We have grown ferromagnetic MnAs thin films on S- and Se-passivated GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE). Growth modes of MnAs films on GaAs(100) substrates were changed by the surface treatment. We found that on the clean and the Se-passivated surfaces, MnAs films grow by a layer-by-layer mode. In contrast, on the S-passivated surface MnAs grows by an island growth mode. and polycrystalline films are obtained. We also found that the magnetization of the MnAs film on Se-passivated surface is larger than that on clean and S-passivated surfaces

DOI： 10.3379/jmsjmag.23.694

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Formation of MnAs dots on S-passivated GaAs(100) substrates 査読有り

K. Ono, M. Mizuguchi, T. Uragami, T. Mano, H. Fujioka, M. Oshima, M. Tanaka, Y. Watanabe

Journal of the Magnetics Society of Japan 23 巻 ( 1 ) 頁： 691 - 693 1999年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Magnetics Society of Japan

We report the formation of nanosize ferromagnetic MnAs dots on S-passivated GaAs by molecular beam epitaxy. The structural and magnetic properties of the dots have been characterized by high resolution scanning electron microscopy, and superconducting quantum interference device magnetometer. The average size and the density of these MnAs dots were 16.3nm and 2.3×10<sup>10</sup>/cm<sup>3</sup> respectively. These dots show ferromagnetism at low temperature and the Curie temperature is lower than the bulk value.

DOI： 10.3379/jmsjmag.23.691

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Photoelectron spectroscopy and magnetic properties of manganese pnictides nanocrystals formed on passivated GaAs substrates 査読有り

M Oshima, K Ono, M Mizuguchi, T Uragami, H Fujioka, M Tanaka, Y Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 38 巻頁： 373 - 376 1999年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：JAPAN J APPLIED PHYSICS

We first report the formation and magnetic properties of MnAs and MnSb nanocrystals by "super Volmer-Weber epitaxy" utilizing very low surface energy substrates such as sulfur-passivated GaAs substrates. On the S-passivated GaAs surface MnAs dots with the size of about 16 nm and the density of 2x10(10) cm(-2) were successfully grown. SQUID analysis of these dots showed partly vertical easy magnetization axis. However, on the Se-GaAs surface, no MnAs dots were grown. SRPES revealed that Se atoms were segregated to the MnAs surface, probably playing a role of surfactant for the layer growth mode.

DOI： 10.7567/JJAPS.38S1.373

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書籍等出版物 6

Magnetic nanostructures for energy harvesting using magnetothermoelectric effects 査読有り

Masaki Mizuguchi（担当：単著）

Elsevier 2021年

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総ページ数：13 担当ページ： 750-762 記述言語：英語著書種別：学術書
Energy harvesting and generation system - Overview 査読有り

Masaki Mizuguchi（担当：単著）

Elsevier 2021年

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総ページ数：2 担当ページ：713-714 記述言語：英語
Nanomagnetic Materials - Fabrication, Characterization and Application

Masaki Mizuguchi（担当：単著）

Elsevier 2021年

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"L10-FeNi超格子材料の磁気特性", 次世代永久磁石の開発最前線

水口将輝, 小嶋隆幸, 高梨弘毅（担当：共著）

エヌ・ティー・エス 2019年

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単原子交互積層法による新規磁気異方性材料L10-FeNi薄膜の作製と特性評価, 磁性材料・部品の最新開発事例と応用技術

高梨弘毅, 水口将輝, 藏裕彰, 後藤翔（担当：共著）

技術情報協会 2018年

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Lecture Notes in Physics

Akinaga, M. Mizuguchi, K. Nagao, Y. Miura, M. Shirai（担当：共著 , 範囲: "Materials Design and Molecular-Beam Epitaxy of Half-Metallic Zinc-Blende CrAs and the Heterostructures" (pp. 293-311)）

Springer-Verlag GmbH 2005年

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記述言語：英語著書種別：学術書

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MISC 93

ナノ構造における異常ネルンスト効果の物理と応用の新展開招待有り査読有り

水口将輝

応用物理 2021年2月

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担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者記述言語：日本語
熱磁気効果をベースとした熱電材料の新展開招待有り査読有り

水口将輝

まてりあ60 巻頁： 558 - 561 2021年

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担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
新分野創成利用課題報告「ナノスケール実スピンデバイス開発に向けた新しい放射光利用」

小野輝男、岡本聡、千葉大地、水口将輝、壬生攻

SPring-8/SACLA 利用者情報／2021 年春号 2021年

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記述言語：日本語
磁場中熱処理によるMn<sub>53</sub>Zn<sub>2</sub>Al<sub>45</sub>の強磁性相生成

三井好古, 小林領太, 梅津理恵, 高橋弘紀, 水口将輝, 小山佳一

東北大学金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター年次報告2019 巻 2020年

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J-GLOBAL

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強磁性材料合成に対する磁場効果の評価

小林領太, 高永悠大, 三井好古, 高木観雄, 小山佳一, 高橋弘紀, 梅津理恵, 水口将輝

東北大学金属材料研究所新素材共同研究開発センター共同利用研究報告書(CD-ROM)2018 巻 2019年

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J-GLOBAL

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強磁性体における異常ネルンスト効果の物理 (光・熱・電気伝導に関する磁気物理の進展)

水口将輝, 長谷川浩太, 高梨弘毅

社団法人日本磁気学会研究会資料 = Bulletin of Topical Symposium of the Magnetics Society of Japan220 巻頁： 1 - 5 2018年11月

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）出版者・発行元：日本磁気学会

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強磁性材料合成に対する磁場効果の評価

三井好古, 高木観雄, 小林領太, 小山佳一, 梅津理恵, 高橋弘紀, 水口将輝

東北大学金属材料研究所新素材共同研究開発センター共同利用研究報告書(CD-ROM)2017 巻 2018年

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J-GLOBAL

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Mn-Al-Znに対する磁場中熱処理効果

小林領太, 高木観雄, 三井好古, 梅津理恵, 高橋弘紀, 水口将輝, 小山佳一

東北大学金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター年次報告2017 巻 2018年

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J-GLOBAL

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パルスレーザー蒸着(PLD)法を用いたMgO基板上L1<sub>0</sub>-FeNiの作製

齊藤真博, 伊藤久晃, 落合順也, 森あゆみ, 鈴木雄太, 富田正樹, 宮町俊生, 小森文夫, 小金澤智之, 水口将輝, 高梨弘毅, 小嗣真人

日本磁気学会学術講演概要集41st 巻 2017年

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J-GLOBAL

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磁場中熱処理したas-melt Mn-Alの磁気特性

三井好古, 小林領太, 小山佳一, 梅津理恵, 高橋弘紀, 水口将輝

東北大学金属材料研究所新素材共同研究開発センター共同利用研究報告書(CD-ROM)2016 巻 2017年

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J-GLOBAL

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単原子交互積層法による新規磁気異方性材料L10-FeNi薄膜の作製と特性評価

水口将輝, 小嶋隆幸, 田代敬之, 高梨弘毅

2017年

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

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トポタクティック反応による高規則度L1<sub>0</sub>-FeNi粉末の創製

後藤翔, 藏裕彰, 林靖, 渡部英治, 柳原英人, 嶋田雄介, 水口将輝, 今野豊彦, 高梨弘毅, 喜多英治, 喜多英治

日本金属学会講演概要(CD-ROM)160th 巻 2017年

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L1<sub>0</sub>型FeNi規則合金の作製と評価

水口将輝, 高梨弘毅, 堀田善治, 白井正文, 小嗣真人

電気学会マグネティックス研究会資料MAG-16 巻 ( 178-196 ) 頁： 85‐88 2016年11月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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磁場中熱処理したMn基磁性材料の磁気特性評価

三井好古, 小林領太, 小山佳一, 梅津理恵, 高橋弘紀, 水口将輝

東北大学金属材料研究所新素材共同研究開発センター共同利用研究報告書2015 巻 2016年

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第三元素を添加したFe/Ni薄膜の規則化現象

田代敬之, 水口将輝, 小金澤智之, 鈴木英伸, 三浦良雄, 辻川雅人, 白井正文, 高梨弘毅

日本磁気学会学術講演概要集40th 巻 2016年

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[Fe-X/Ni](X=Ti,V)多層膜のL1<sub>0</sub>規則化

田代敬之, 水口将輝, 小金澤智之, 鈴木英伸, 三浦良雄, 辻川雅人, 白井正文, 高梨弘毅

日本金属学会講演概要(CD-ROM)159th 巻 2016年

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磁性ナノ超構造の創製とスピンデバイスへの応用

水口将輝

まぐね 2016年

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

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CoとNiの膜厚比を変えたCo/Niエピタキシャル多層膜における異常ネルンスト効果

鈴木英伸, 水口将輝, 小金澤智之, 高梨弘毅

日本金属学会講演概要(CD-ROM)159th 巻 2016年

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Ti添加によるL1<sub>0</sub>-FeNi規則合金薄膜の作製と評価

田代敬之, 水口将輝, 小金澤智之, 三浦良雄, 辻川雅人, 白井正文, 鈴木英伸, 高梨弘毅

日本金属学会講演概要(CD-ROM)158th 巻 2016年

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J-GLOBAL

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スパッタ法と急速昇温熱処理によるL1<sub>0</sub>-FeNi相の形成

田代敬之, 水口将輝, 小金澤智之, 佐藤和久, 今野豊彦, 高梨弘毅

日本磁気学会学術講演概要集39th 巻 2015年

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J-GLOBAL

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酸化物基板上にスパッタ成膜したFeNi薄膜

田代敬之, 水口将輝, 高梨弘毅, 小金澤智之, 小嗣真人, 佐藤和久, 今野豊彦

日本金属学会講演概要(CD-ROM)156th 巻 2015年

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J-GLOBAL

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Anomalous Nernst effect in L1(0) type Mn-Ga alloy thin films.

M. Mizuguchi, M. Inoue, S. Mizukami, K. Takanashi

2015 IEEE MAGNETICS CONFERENCE (INTERMAG) 2015年

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記述言語：英語掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）出版者・発行元：IEEE

Web of Science

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規則合金スピントロニクス材料の最近の発展

窪田崇秀, 関剛斎, 水口将輝, 高梨弘毅

電気学会マグネティックス研究会 2015年

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）

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Artificial fabrication and characterization of L1(0)-ordered FeNi thin films.

K. Takanashi, M. Mizuguchi, T. Kojima, T. Tashiro

2015 IEEE MAGNETICS CONFERENCE (INTERMAG) 2015年

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記述言語：英語掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）出版者・発行元：IEEE

Web of Science

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30aAY-3 光電子分光によるFeNi規則合金薄膜の電子状態解析(30aAY 領域9,領域3合同表面磁性,領域3(磁性))

水口将輝, 上田茂典, 三浦良雄, 小嶋隆幸, 白井正文, 高梨弘毅

日本物理学会講演概要集69 巻 ( 1 ) 頁： 537 - 537 2014年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

CiNii Books

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30aAY-3 光電子分光によるFeNi規則合金薄膜の電子状態解析(30aAY 領域9,領域3合同表面磁性,領域9(表面・界面・結晶成長))

水口将輝, 上田茂典, 三浦良雄, 小嶋隆幸, 白井正文, 高梨弘毅

日本物理学会講演概要集69 巻 ( 1 ) 頁： 904 - 904 2014年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

CiNii Books

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スパッタ法により作製したFe/Ni多層膜への急速昇温熱処理によるL1<sub>0</sub>相の形成

田代敬之, 水口将輝, 高梨弘毅, 小金澤智之, 小嗣真人

日本金属学会講演概要(CD-ROM)155th 巻 2014年

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J-GLOBAL

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スパッタ法によるMgO(001)単結晶基板上へのL10-FeNi規則合金薄膜の作製

田代敬之, 田代敬之, 水口将輝, 小嶋隆幸, 佐藤和久, 今野豊彦, 高梨弘毅, 小金澤智之, 小嗣真人, 大槻匠

日本金属学会講演概要(CD-ROM)154th 巻 2014年

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強磁性金属薄膜における熱磁気効果

水口将輝, 長谷川浩太, 桜庭裕弥, 内田健一, 齋藤英治, 窪田崇秀, 水上成美, 宮崎照宣, 高梨弘毅

日本磁気学会研究会資料193rd 巻頁： 7 - 11 2013年12月

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記述言語：日本語

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26aKF-7 垂直磁化金属薄膜における異常ネルンスト効果の温度依存性(スピントロニクス(スピン流),領域3(磁性,磁気共鳴))

水口将輝, 長谷川浩太, 内田健一, 齊藤英治, 高梨弘毅

日本物理学会講演概要集68 巻 ( 2 ) 頁： 401 - 401 2013年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

CiNii Books

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28pDB-3 硬X線を用いた新しいスピン分解光電子分光(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))

上田茂典, 水口将輝, 小嶋隆幸, 石丸哲, 辻川雅人, 白井正文, 高梨弘毅, 坂田修身

日本物理学会講演概要集68 巻 ( 2 ) 頁： 700 - 700 2013年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

CiNii Books

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高い磁気異方性を有するL10型FePtおよびL10型FeNi規則合金薄膜

小嶋隆幸, 関剛斎, 水口将輝, 高梨弘毅

セラミックス 2013年

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

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L1<sub>0</sub>型FeNi規則合金(tetrataenite)の磁気異方性

小嶋隆幸, 荻原美沙子, 水口将輝, 田代敬之, 高梨弘毅, 小嗣真人, 小金澤智之, 大槻匠

日本金属学会講演概要(CD-ROM)153rd 巻 2013年

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19aCC-6 強磁性金属薄膜における異常ネルンスト効果の系統的測定と特性評価(19aCC スピントロニクス(熱・力学的スピン・磁化制御),領域3(磁性,磁気共鳴))

長谷川浩太, 水口将輝, 内田健一, 齊藤英治, 高梨弘毅

日本物理学会講演概要集67 巻 ( 2 ) 頁： 412 - 412 2012年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

CiNii Books

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貴金属フリー垂直磁気異方性材料「L1₀型FeNi」 (日本磁気学会と元素戦略)

水口将輝, 小嶋隆幸, 荻原美沙子

社団法人日本磁気学会研究会資料 = Bulletin of Topical Symposium of the Magnetics Society of Japan185 巻頁： 17 - 21 2012年7月

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記述言語：日本語出版者・発行元：日本磁気学会

CiNii Books

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24pBG-9 強磁性金属薄膜における異常ネルンスト効果の微視的解析(24pBG スピントロニクス(熱・スピン流),領域3(磁性,磁気共鳴))

水口将輝, 長谷川浩太, 内田健一, 齊藤英治, 高梨弘毅

日本物理学会講演概要集67 巻 ( 1 ) 頁： 506 - 506 2012年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

CiNii Books

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人工合成L1<sub>0</sub>型FeNi薄膜の磁気異方性と構造

小嶋隆幸, 荻原美沙子, 水口将輝, 高梨弘毅, 小嗣真人, 小金澤智之, 大槻匠

日本金属学会講演概要(CD-ROM)151st 巻 2012年

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単原子層制御交互蒸着により作製したL1<sub>0</sub>型FeNi規則合金薄膜の磁気異方性

小嶋隆幸, 荻原美沙子, 水口将輝, 田代敬之, 高梨弘毅, 小嗣真人, 小金澤智之, 大槻匠, 大河内拓雄

表面科学学術講演会講演要旨集32nd 巻 2012年

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貴金属フリー高磁気異方性材料L10 型FeNi 規則合金の作製と評価

水口将輝, 小嶋隆幸, 高梨弘毅, 小嗣真人, 白井正文

まてりあ 2012年

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

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22pED-6 単原子交互積層法によるL1_0-FeNi薄膜の作製と磁気異方性(22pED 領域3,領域9,領域5合同シンポジウム:垂直磁気異方性はどこまで理解されてきたか,領域9(表面・界面,結晶成長))

水口将輝, 小嶋隆幸, 高梨弘毅

日本物理学会講演概要集66 巻 ( 2 ) 頁： 919 - 919 2011年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

CiNii Books

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人工合成L1<sub>0</sub>型FeNi薄膜の規則度評価および磁気異方性との関係

小嶋隆幸, 小嶋隆幸, 水口将輝, 小金澤智之, 大坂恵一, 小嗣真人, 高梨弘毅

日本金属学会講演概要148th 巻 2011年

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単原子層交互積層法により作製したL1<sub>0</sub>型FeNi薄膜の構造と磁気特性の関係

小嶋隆幸, 小嶋隆幸, 小嶋隆幸, 水口将輝, 小金澤智之, 大坂恵一, 小嗣真人, 高梨弘毅

日本金属学会講演概要(CD-ROM)149th 巻 2011年

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L10型FeNi薄膜の創製とその特性評価

水口将輝, 小嶋隆幸, 関谷茂樹, 高梨弘毅

日本磁気学会第177回研究会資料頁： 13 - 17 2011年

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

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金属スピントロニクスと表面科学

水口将輝

表面科学 2011年

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

DOI： 10.1380/jsssj.32.145

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貴金属フリー高磁気異方性材料L10 型FeNi 規則合金の作製と評価

水口将輝, 小嶋隆幸, 高梨弘毅, 小嗣真人, 白井正文

まてりあ50 巻 ( 9 ) 頁： 389 - 392 2011年

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）出版者・発行元：The Japan Institute of Metals and Materials

DOI： 10.2320/materia.50.389

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25pWL-4 L1_0型FePt垂直磁化膜における異常ネルンスト効果と異常ホール効果の相関(25pWL ナノ粒子・薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

大畑量子, 水口将輝, 内田健一, 齊藤英治, 高梨弘毅

日本物理学会講演概要集65 巻 ( 2 ) 頁： 423 - 423 2010年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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格子不整合を用いた磁性ナノ粒子集合体の創製

水口将輝, 大道悟, 高梨弘毅

日本磁気学会第172会研究会資料「ナノ磁性体・磁性素子の作製〜トップダウンとボトムアップ〜」頁： 31 - 35 2010年5月

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

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21aGC-7 単原子層制御蒸着法により作製されたL1_0型FeNi合金薄膜の垂直磁気異方性と局所構造・局所磁性(21aGC 微小領域磁性(薄膜,人工格子,ナノ粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))

壬生攻, 小嶋隆幸, 水口将輝, 高梨弘毅

日本物理学会講演概要集65 巻 ( 1 ) 頁： 470 - 470 2010年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

CiNii Books

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20aPS-25 FePt垂直磁化膜における異常ネルンスト効果の測定(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))

大畑量子, 水口将輝, 内田健一, 齊藤英治, 高梨弘毅, Ota Takeru

日本物理学会講演概要集65 巻 ( 1 ) 頁： 454 - 454 2010年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

CiNii Books

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21aGC-5 単原子層交互積層法によるL1_0型FeNi合金薄膜の人工合成(21aGC 微小領域磁性(薄膜,人工格子,ナノ粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))

水口将輝, 小嶋隆幸, 高梨弘毅

日本物理学会講演概要集65 巻 ( 1 ) 頁： 470 - 470 2010年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

CiNii Books

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21aGC-6 磁気円二色性(MCD)および光電子顕微鏡(PEEM)を用いたL1_0-FeNiの磁性研究(21aGC 微小領域磁性(薄膜,人工格子,ナノ粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))

小嗣真人, 水口将輝, 小嶋隆幸, 高梨弘毅, 渡辺義夫

日本物理学会講演概要集65 巻 ( 1 ) 頁： 470 - 470 2010年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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単原子層交互積層法により作製したL1<sub>0</sub>型FeNi規則合金の結晶構造解析

水口将輝, 小嶋隆幸, 高梨弘毅, 小金澤智之, 大坂恵一, 小嗣真人, 渡辺義夫

日本物理学会講演概要集65 巻 ( 2 ) 2010年

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L1<sub>0</sub>型FeNi規則合金の創製および規則度と磁気特性の相関

水口将輝, 小嶋隆幸, 高梨弘毅, 小金澤智之, 大坂恵一, 小嗣真人

日本磁気学会学術講演概要集34th 巻 2010年

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25pRA-10 人工創製されたL1_0-FeNi超格子薄膜の磁区構造観察(領域3,領域9合同表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)

小嗣真人, 水口将輝, 高梨弘毅, 渡辺義夫

日本物理学会講演概要集64 巻 ( 2 ) 頁： 335 - 335 2009年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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22aQG-1 ナノサイズ二次元ドット集合体の構造と磁気伝導特性の評価(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

水口将輝, 三谷誠司, 高梨弘毅

日本物理学会講演概要集63 巻 ( 2 ) 頁： 416 - 416 2008年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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24aWL-2 MgO上に成長したナノサイズ二次元ドットアレイの結晶構造と伝導特性(24aWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

水口将輝, 三谷誠司, 高梨弘毅

日本物理学会講演概要集63 巻 ( 1 ) 頁： 474 - 474 2008年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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19aZC-7 GaAs(110)/Fe/Cr/Feの交換結合とダイオード特性(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

太田健太, 戸田順之, 丸山拓人, 水口将輝, 新庄輝也, 白石誠司, 鈴木義茂

日本物理学会講演概要集62 巻 ( 1 ) 頁： 453 - 453 2007年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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18pRG-10 強磁性電極を用いた超薄膜グラファイト素子の伝導評価(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)

大石恵, 白石誠司, 水口将輝, 新庄輝也, 鈴木義茂

日本物理学会講演概要集62 巻 ( 1 ) 頁： 816 - 816 2007年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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18pZC-3 トンネル磁気抵抗素子の磁気共鳴ノイズ特性(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

水口将輝, 福島章雄, 久保田均, 湯浅新治, 前原大樹, 恒川孝二, ジャヤプラウィラダビッド, 渡辺直樹, 鈴木義茂

日本物理学会講演概要集62 巻 ( 1 ) 頁： 442 - 442 2007年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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スピトルクダイオードと負性抵抗効果

前原大樹, 久保田均, 大石恵, 永峰佳紀, 恒川孝二, ダビッドジャヤプラウィラ, 福島章雄, 水口将輝, 白石誠司, 湯浅新治, 安藤功兒, 鈴木義茂

日本応用磁気学会研究会資料153 巻頁： 31 - 35 2007年2月

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記述言語：日本語

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26aYF-6 Alq_3-Coナノコンポジット素子におけるスピン依存伝導(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))

田邉真一, 三輪真嗣, 西岡真吾, 水口将輝, 新庄輝也, 鈴木義茂, 白石誠司

日本物理学会講演概要集61 巻 ( 2 ) 頁： 706 - 706 2006年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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23aXH-6 GaAs(110)上のFe/Cr/Fe層間交換相互作用(23aXH 薄膜,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

太田健太, 戸田順之, 丸山拓人, 水口将輝, 新庄輝也, 白石誠司, 鈴木義茂

日本物理学会講演概要集61 巻 ( 2 ) 頁： 310 - 310 2006年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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23pXH-11 C_<60>-Coナノコンポジット素子におけるスピン依存伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

三輪真嗣, 西岡真吾, 太田健太, 水口将輝, 新庄輝也, 鈴木義茂, 白石誠司

日本物理学会講演概要集61 巻 ( 2 ) 頁： 346 - 346 2006年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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23pXH-9 微小磁性体のFMR測定II(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

戸田順之, 太田健太, 斎藤和広, 前川裕昭, 福島章雄, 湯浅新治, 水口将輝, 白石誠司, 鈴木義茂

日本物理学会講演概要集61 巻 ( 2 ) 頁： 346 - 346 2006年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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26aYF-4 C_<60>を介した室温におけるスピン依存伝導の観測(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))

白石誠司, 三輸真嗣, 西岡真吾, 水口将輝, 新庄輝也, 鈴木義茂

日本物理学会講演概要集61 巻 ( 2 ) 頁： 705 - 705 2006年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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26aYF-5 ルブレン/Coグラニュラー膜におけるスピン依存伝導の観測(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))

草井悠, 三輪真嗣, 西岡真吾, 水口将輝, 新庄輝也, 鈴木義茂, 白石誠司

日本物理学会講演概要集61 巻 ( 2 ) 頁： 706 - 706 2006年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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28pSC-9 微小磁性体のFMR測定(28pSC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

戸田順之, 太田健太, 斎藤和広, 前川裕昭, 福島章雄, 湯浅新治, 水口将輝, 白石誠司, 鈴木義茂

日本物理学会講演概要集61 巻 ( 1 ) 頁： 481 - 481 2006年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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19aXA-7 ケルビンプローブ法による強磁性体/単層カーボンナノチューブ系における電子構造の検討(II)(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))

武部幸三郎, 松岡健太, 斎藤和広, 戸田順之, 片浦弘道, 水口将輝, 白石誠司, 鈴木義茂

日本物理学会講演概要集60 巻 ( 2 ) 頁： 674 - 674 2005年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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24aYN-5 ケルビンプローブ法による強磁性体/単層カーボンナノチュ-ブ系における電子構造の検討(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))

武部幸三郎, 斎藤和広, 戸田順之, 水口将輝, 白石誠司, 鈴木義茂, 片浦弘道

日本物理学会講演概要集60 巻 ( 1 ) 頁： 773 - 773 2005年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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室温強磁性閃亜鉛鉱型CrAs単結晶薄膜のMBE成長

水口将輝, 秋永広幸

日本結晶成長学会誌 = Journal of the Japanese Association for Crystal Growth31 巻 ( 3 ) 頁： 217 - 217 2004年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：日本結晶成長学会

Recently half-metallic ferromagnetic materials have attracted great attentions due to the possibility of applications to 'spintronic' devices. In this contribution, an epitaxial growth of zinc-blende type CrAs film which is predicted by theoretical calculations to possess a half-metallic band structure is reported. The CrAs thin film shows a ferromagnetic behavior at room temperature. Fabrication of a superlattice including zinc-blende CrAs and GaAs is also reported.

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28aXQ-7 MnAsナノ構造の内殻磁気円二色性(放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光)(領域5)

岡林潤, 水口将輝, 小野寛太, 尾嶋正治, 秋永広幸, 由利正忠, Chen C.T.

日本物理学会講演概要集59 巻 ( 1 ) 頁： 732 - 732 2004年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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27aYA-6 MnAsエピタキシャル薄膜のスピン波ブリルアン散乱(磁性半導体)(領域4)

氷見恭子, 村山明宏, 佐久間実緒, 岡泰夫, 岡林潤, 水口将輝, 倉持宏実, 秋永広幸

日本物理学会講演概要集59 巻 ( 1 ) 頁： 666 - 666 2004年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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Au/GaAs超構造における磁気抵抗スイッチ効果

水口将輝, SUN Zhigang, 眞砂卓史, 秋永広幸

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan27 巻頁： 262 - 262 2003年9月

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記述言語：日本語

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7pWA-6 強磁性体/GaAsヘテロ接合におけるスピン偏極電子注入とその高効率化(主題:強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域4)

秋永広幸, 眞砂卓史, 水口将輝, 白井正文, 樽茶清悟, 本田元就, 佐藤俊彦

日本物理学会講演概要集57 巻 ( 2 ) 頁： 576 - 576 2002年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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7pSB-10 X線吸収分光による希薄磁性半導体ZnO:TM(TM=Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu)の電子構造(磁性半導体,領域4)

岡林潤, 小野寛太, 水口将輝, 山田素久, 尾嶋正治, 溝川貴司, 藤森淳, 由利正忠, Chen C.T., 福村知昭, 川崎雅司

日本物理学会講演概要集57 巻 ( 2 ) 頁： 574 - 574 2002年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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完全スピン偏極強磁性体の物質設計と合成

秋永広幸, 水口将輝, 眞砂卓史, 小野寛太, 尾嶋正治, 白井正文

日本応用磁気学会誌26 巻頁： 67 - 72 2002年

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

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Material Design and Growth of "Zinc-Blende CrAs"

MIZUGUCHI Masaki, AKINAGA Hiro, MANAGO Takashi, ONO Kanta, OSHIMA Masaharu, SHIRAI Masafumi

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials2001 巻頁： 130 - 131 2001年9月

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記述言語：英語

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17aYH-10 閃亜鉛鉱型MnAsドットの作製と光電子分光

岡林潤, 小野寛太, 水口将輝, 藤森淳, 尾嶋正治, 秋永広幸

日本物理学会講演概要集56 巻 ( 2 ) 頁： 523 - 523 2001年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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強磁性半導体(Ga,Cr)Asの成長と磁気特性

山田素久, 小野寛太, 間野高明, 水口将輝, 岡林潤, 秋永広幸, 尾嶋正治

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan25 巻頁： 268 - 268 2001年9月

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記述言語：日本語

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30aXE-6 MBE成長したGaAs再構成表面のin situ放射光光電子分光

小野寛太, 間野高明, 中村健哉, 水口将輝, 中園晋輔, 木綿秀行, 堀場弘司, 木原隆幸, 岡林潤, Yeom H. W., 柿崎明人, 尾嶋正治

日本物理学会講演概要集56 巻 ( 1 ) 頁： 828 - 828 2001年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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28aTB-3 MBE作製III-V族希薄磁性半導体のin situ光電子分光

岡林潤, 小野寛太, 間野高明, 水口将輝, 堀場弘司, 中園晋輔, 木原隆幸, 中村健哉, 木綿秀行, 山田素久, 藤森淳, 尾嶋正治

日本物理学会講演概要集56 巻 ( 1 ) 頁： 607 - 607 2001年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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GaAs/MnSbグラニュラー構造における磁気抵抗スイッチ効果

秋永広幸, 水口将輝, 小野寛太, 尾嶋正治

応用物理70 巻 ( 3 ) 頁： 313 - 316 2001年

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）出版者・発行元：応用物理学会

DOI： 10.11470/oubutsu1932.70.313

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金属 / 半導体ハイブリッド超薄膜で出現した超巨大磁気抵抗効果ー磁気抵抗スイッチ効果ー

秋永広幸, 水口将輝

化学と工業54 巻頁： 814 - 816 2001年

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

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新完全スピン偏極強磁性体ー閃亜鉛鉱型CrAs

秋永広幸, 水口将輝, 眞砂卓史, 小野寛太, 尾嶋正治, 白井正文

固体物理36 巻 ( 9 ) 頁： 587 - 592 2001年

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）出版者・発行元：アグネ技術センタ-

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MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果

水口将輝, 秋永広幸, 小野寛太, 尾嶋正治

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan24 巻頁： 373 - 373 2000年9月

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記述言語：日本語

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半導体表面への磁性ナノ構造の成長と物性

尾嶋正治, 小野寛太, 水口将輝, 藤岡洋, 田中雅明, 秋永広幸

日本応用磁気学会誌24 巻頁： 67 - 73 2000年

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

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MnSbグラニュラー薄膜の作製と基礎物性評価

水口将輝, 秋永広幸, 小野寛太, 尾嶋正治

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan23 巻頁： 128 - 128 1999年10月

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記述言語：日本語

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LaMn_<1-x>Cr_xO_3の磁気特性

中園晋輔, 小野寛太, 木原隆幸, 水口将輝, 中村吉伸, 宮山勝, 藤岡洋, 尾嶋正治, 岡本淳, 小出常晴

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan23 巻頁： 224 - 224 1999年10月

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記述言語：日本語

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MnSbグラニュラー構造における室温超巨大磁気抵抗効果

秋永広幸, 水口将輝, 小野寛太, 尾嶋正治

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan23 巻頁： 58 - 58 1999年10月

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記述言語：日本語

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26pPSA-54 (111)B GaAs基板上MnSb薄膜の作製とその磁気特性

宮西晋太郎, 眞砂卓史, 水口将輝, 秋永広幸, 田村英一, 田中一宣

日本物理学会講演概要集54 巻 ( 2 ) 頁： 422 - 422 1999年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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29a-ZH-3 GaAs上に成長したMnAsドットの光電子分光

小野寛太, 水口将揮, 浦上武, 田中雅明, 渡辺義夫, 秋永広幸, 藤岡洋, 尾嶋正治

日本物理学会講演概要集54 巻 ( 1 ) 頁： 197 - 197 1999年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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29a-ZH-1 量子ナノ分光ビームラインPF BL-1C

小野寛太, 呉鎮浩, 鈴木哲, 清倉孝規, 柿崎明人, 堀場弘司, 水口将輝, 菊地貴司, 前田文彦, 柳下明, 加藤博雄, 渡辺義夫, 藤岡洋, 尾嶋正治

日本物理学会講演概要集54 巻 ( 1 ) 頁： 197 - 197 1999年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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26p-YJ-2 GaAs基板上に成長したMnAsドットの磁性

小野寛太, 水口将輝, 浦上武, 藤岡洋, 尾嶋正治, 田中雅明, 渡辺義夫

日本物理学会講演概要集53 巻 ( 2 ) 頁： 505 - 505 1998年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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科研費 36

スピン整流を用いた電磁波吸収発電素子の創成

研究課題/研究課題番号：23K17875 2023年6月 - 2025年3月

科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽)

水口将輝

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担当区分：研究代表者

配分額：6500000円（直接経費：5000000円、間接経費：1500000円）

クリーンで経済的なエネルギーシステムの構築が喫緊の課題とされており、エネルギーの変換効率や輸送方式について高い性能を持ったエネルギー材料の創成が必要不可欠である。エネルギー源としての電磁波の利用が注目されているが、その実用研究の歴史は長くない。本研究では、環境電磁波のエネルギーを吸収し、スピン流の整流効果を利用して発電する「電磁波吸収発電素子」を創成する。
ナノ超構造がもたらす熱・スピン機能変革

研究課題/研究課題番号：21H05016 2021年7月 - 2026年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S)

水口将輝, 小野新平, 大江純一郎, 小野寛太

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担当区分：研究代表者

配分額：193570000円（直接経費：148900000円、間接経費：44670000円）

スピンと熱の相関を扱う「スピンカロリトロニクス」とよばれる新しい研究分野が注目を集めている。この研究は、スピン角運動量の流れとして定義される「スピン流」と熱の相互作用を扱うものであり、興味深い物理が豊富にあるのに加え、スピンの概念を取り入れることによる新しい熱電変換素子や冷却素子などへの応用展開が期待されている。そこで、本研究ではナノメートルサイズの磁性構造を作製し、熱とスピンの相関現象に関連する革新的な物理を解明し、その機能を極限まで引き出す。
本研究の目的は、ナノスケールの磁性ナノ超構造を基軸とし、熱とスピンの相関現象に係る革新的な物理を解明しその機能を極限まで引き出すことである。今年度は、スパッタリング法によりさまざまな組成比を有するCo-Ge薄膜を作製し、異常ホール効果および異常ネルンスト効果を室温で測定した。Geの添加量を増加させたところ、異常ホール効果、異常ネルンスト効果ともに組成に依存して大きな変化が見られた。特に異常ネルンスト効果は650 nV/Kまで上昇した。この値はCo単層膜よりも大きな値であり、ナノ構造が異常ネルンスト効果を上昇させたと考えられる。また、Nb単層膜及びNb/Fe 2層膜を作製し、薄膜面直に熱勾配を、薄膜面内に外部磁場を印加した状態で、超伝導転移温度付近およびそれ以下の温度でのネルンスト効果を測定した。Nb単層膜では、温度の上昇に従い、ネルンスト効果に起因すると思われるピーク構造が消失していく傾向が見られた。一方、Nb/Fe 2層膜ではNb単層膜とは異なる電圧プロファイルが観測された。これはFeからNbへスピン流が注入されることにより生じた逆スピンホール効果が重畳しているためであることが分かった。さらに、磁気フラストレーション系におけるスカーミオン構造の特徴量である「トポロジカルチャージ」を円偏光照射によって制御できること理論的に示した。円偏光によって、磁気スカーミオン構造のトポロジカルチャージの符号を揃えることができることが分かった。
グラニュラー構造や多層構造などのナノ超構造における熱電機能の制御や増大化などの研究がおおむね計画通りに進んでいる。また、今年度の目標であった異常ネルンスト効果の電圧制御に関する研究も順調に進んでいる。さらに、磁性体中の熱電効果の理論的解析や、計測とマテリアルズインフォマティクスとの組み合わせによる解析の効率化も着実に進んでおり、その進捗度もおおむね順調であるため。
今後は、ポーラス構造のデザインと創製に着手する。気相成長法あるいは金属溶湯脱成分法を適用することにより、多孔質薄膜あるいは多孔質バルク構造を作製する。成長条件を変化させることにより、さまざまな気孔率を有した多孔質構造の作製を進める。また、化学的手法により、磁性半導体量子ドット集合体の作製を行う。作製条件を最適化することにより、量子ドットのサイズの分散が小さな集合体を得る。作製した磁性ナノ超構造の結晶性、微細構造、および構成組成を、X線回折、走査電子顕微鏡、電子線マイクロアナライザなどにより解析する。これらの磁性ナノ超構造に用いる材料や微細構造の選定のための設計指針を、VASPを用いた第一原理計算や、LLG方程式に基づいた磁化ダイナミクスのシミュレーションにより構築し、得られた指針や知見をナノ超構造の作製ノウハウにフィードバックする。磁気特性や磁化構造が明らかになったナノ超構造について、異常ネルンスト効果などの熱磁気効果の測定を行い、構造・磁気パラメータと熱磁気機能の相関を明らかにする。

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スピンカロリトロニクスを基軸とした高効率テラヘルツ波発生機能の開拓

2019年2月 - 2022年3月

日本学術振興会国際共同研究加速基金 (国際共同研究強化（A）)

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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スピンカロリトロニクスを基軸とした高効率テラヘルツ波発生機能の開拓

研究課題/研究課題番号：18KK0377 2019年 - 2023年

科学研究費助成事業国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(A))

水口将輝

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担当区分：研究代表者

配分額：15600000円（直接経費：12000000円、間接経費：3600000円）

超短パルスレーザーを用いたスピンダイナミクスの研究手法を取り入れることにより、スピンカロリトロニクスを基軸とした高効率テラヘルツ波の発生機能の開拓を目指す。成熟期に入ったスピントロニクスの発展分野の一つとして、電流・スピン流と熱流との相関を取り扱う「スピンカロリトロニクス」とよばれる新しい研究が注目を集めている。この分野で注目されている異常ネルンスト効果を基軸とした、全く新しいテラヘルツ波の発生原理を実証し、その高効率化を図る。
本研究の目的は、超短パルスレーザーを用いたスピンダイナミクスの研究手法を取り入れることにより、スピンカロリトロニクスを基軸とした高効率テラヘルツ波の発生機能の開拓を目指すことである。具体的には、熱磁気効果を用いて全く新しいテラヘルツ波の発生原理を実証し、その高効率化を図ることを目的とする。今年度は、渡航前の予備実験として、熱スピン流から異常ネルンスト電圧への変換過程について考察を深めるため、テラヘルツ波の発生用に利用するナノスケールの磁性ナノ超構造における熱磁気効果を詳細に調べた。スパッタリング法によりさまざまな組成比を有するCo-Ge薄膜を作製し、異常ホール効果および異常ネルンスト効果を室温で測定した。Geの添加量を増加させたところ、異常ホール効果、異常ネルンスト効果ともに組成に依存して大きな変化が見られた。また、熱励起によるスピン波制御を目的とし、Feガーネット薄膜に対してコプレーナウェーブガイドから高周波を印加した場合の、熱励起によるスピン波集中効果を調べた。シミュレーションにより、明確な集中効果を観測することができた。これらの結果は、高効率なテラヘルツ波の発生機能の創出に大きく寄与するものであると考えられる。また、国内外の学会や研究会に参加することにより、テラヘルツ波の発生原理などについての多くの関連した知見や情報を得ることができた。さらに、渡航時の具体的な測定の手法や測定時期などについて、渡航先の研究者と詳細な議論を行った。これにより、今後の研究の方向性と研究計画を立案することができた。
渡航後の研究の展開に向けて、準備と予備実験がおおむね順調に進んでいる。渡航先の研究者とは、具体的な試料の構造や測定の手順などについて議論を重ねており、渡航後の綿密な研究計画が立ちつつある。また、研究計画に沿った試料の準備や、情報収集、渡航中の国内での代替要員の確保も行い、渡航に向けた準備が整った。
今後は、渡航前に全ての試料の準備と渡航後の研究スケジュールの立案を完成させる。その後、渡航計画を立案し、実際に渡航して研究を開始する。まず、多層構造やナノスケールの磁性ナノ超構造に対してフェムト秒レーザーを照射することにより高速な熱勾配を局所的に生じさせる。短パルス熱流が金属内で伝播することにより、超高速な熱磁気効果の電圧信号が得られるため、テラヘルツ波が発生すると考えている。帰国後は、得られたデータを元に、データの整理と解析を行う。同時に、この原理の理論的な解釈を行い、実験への効率的なフィードバックを図る。
ナノ超構造体を基盤とした革新的ナノスピンカロリトロニクス機能の創出

2017年4月 - 2021年3月

日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究 (A)

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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ナノ超構造体を基盤とした革新的ナノスピンカロリトロニクス機能の創出

研究課題/研究課題番号：17H01052 2017年4月 - 2020年3月

科学研究費助成事業基盤研究(A)

水口将輝, 小野新平, 大江純一郎

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担当区分：研究代表者

配分額：44070000円（直接経費：33900000円、間接経費：10170000円）

本研究の目的は、固体金属材料において、巨大熱電効果などの革新的な熱磁気機能を創出することである。単結晶薄膜結晶における熱磁気効果の電界制御を試みた結果、異常ネルンスト効果を電圧で制御できることを実証した。また、Fe4N強磁性薄膜において異常ネルンスト効果に大きな異方性があることを発見した。さらに、グラニュラー構造において異常ネルンスト角の大きな増大効果が確認され、同構造が熱磁気効果の増大のために有効であることが明らかになった。これらの成果により、ナノスピンカロリトロニクスの包括的な物理解明・学理の構築が図られ、これまでにない機能が創出され、デバイス応用までの道筋が示された。
本研究では、試料をナノスケールまで微小化することにより熱とスピンの相関が顕わになり、効率的にスピンカロリトロニクス機能を引き出すことが可能となった。そのため、熱流とスピン流の相関に係る包括的な物理の解明・学理の構築が図られ、学術的意義があった。また、本研究で得られた成果を応用することにより、スピン熱電素子やスピン冷却素子、スピン発振素子などへの応用展開が実現されることが見込まれる。そのため、現行の様々なシリコンデバイス技術が抱える壁を突破し、新たなデバイス創成へのパラダイムを拓くことが見込まれ、社会的意義も大きいと考えられる。
ナノ超空間を利用した熱・スピン・電界交差相関による高効率エネルギー変換材料の創製

2015年10月 - 2021年3月

科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 (CREST)

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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ナノ自己組織化を用いたスピン注入型超高効率熱電素子の開発

2011年4月 - 2014年3月

科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 (さきがけ)

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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垂直磁気異方性およびスピンモードロックを利用した周波数変調型新規発振素子の開発

2008年4月 - 2011年3月

日本学術振興会科学研究費補助金若手研究 (A)

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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熱磁気効果を活用した革新的環境発電技術の研究開発

2019年12月 - 2020年11月

公益財団法人カシオ科学振興財団研究助成特別テーマ

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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スピンを基軸とした熱電変換現象における電界変調法の確立と熱電素子への応用

2019年10月 - 2020年3月

村田学術振興財団研究助成

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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スピントロニクスデバイスを基盤とした局所原子配列と磁気機能の相関解明

研究課題/研究課題番号：17H05208 2017年4月 - 2019年3月

新学術領域研究(研究領域提案型)

水口将輝

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担当区分：研究代表者

配分額：6500000円（直接経費：5000000円、間接経費：1500000円）

本研究の目的は、スピントロニクスデバイスにおいて極めて重要なテーマである、“局所原子配列と磁気機能の相関”を解明するため、その場・非破壊観察技術を通した三次元活性サイトの局所的なイメージングを行うことである。金属多層膜などのヘテロ界面における局所的な原子配列は、磁気機能に対する活性サイトであり、特異な磁気異方性が発現していると考えられる。そのため、多層膜の深さ方向に対して原子分解能を有する各種ホログラフィー技術を駆使し、最表面から埋もれた界面の情報を取得することにより、磁気異方性のミクロなメカニズムの解明が期待される。実際のスピントロニクス素子における局所イメージングを駆使することにより、元素ごとの特性に立脚したスピントロニクスの学理の構築を図るだけでなく、より応用に即したデバイス特性の向上を目指す。今年度は、トンネル磁気抵抗素子に電圧を印加した状態で蛍光X線ホログラフィを測定した。電圧を印加することにより、磁気異方性が変化するメカニズムを解明することを試みた。その結果、1 Vの電圧を印加したときのホログラフィパターンに、電圧印加に起因すると思われる変化が観測された。これは、電圧の印加により、試料のFe原子周辺の局所的な原子配置が変化したことを示唆する結果である。また、高い磁気抵抗比を示すトンネル磁気抵抗素子の障壁層材料である、スピネル薄膜の電子線ホログラフィを測定した。その結果、O 1s、Mg 2s、Al 2sの光電子ホログラムパターンの強度分布が異なることが明らかになった。
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
スピントロニクスデバイスを基盤とした局所原子配列と磁気機能の相関解明

2017年4月 - 2019年3月

日本学術振興会科学研究費補助金新学術領域研究（研究領域提案型）

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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革新的磁性材料L10-FeCoの創成研究

研究課題/研究課題番号：16H03873 2016年4月 - 2019年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B)

小嗣真人, 三浦良雄, 水口将輝, 小森文夫

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担当区分：研究分担者

本研究では、L10-FeCoの作製を目標に、(1) PLD装置の自動制御技術の構築と、(2) 基礎的なL10-FeNiにおけるモフォロジーと磁気特性の関係性の調査、(3) 周期的バッファー層を用いたL10-FeCo相の作製および機能解析、を順次実施した。その結果、PLDの安定的な成膜が可能となり、PLD-L10-FeNiにおける形成メカニズムを明らかにすることができた。そしてL10-FeCoではバッファ層の利用によりL10相を維持できることが明らかとなり、Niへの置換によって磁気機能が向上することが確認できた。
本研究では、レアメタルフリーで高い磁気機能を有する新しい磁性材料の創製を行った。本研究では特にパルスレーザー蒸着装置を精密に制御しながら、FeとCoを単原子毎に交互に積層させることでL10型のFeCo規則合金をはじめて作製することに成功した。

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ナノ磁性材料の3次元磁気特性解析のためのX線強磁性共鳴顕微鏡の開発

研究課題/研究課題番号：15K17458 2015年4月 - 2017年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B)

上野哲朗, 小野寛太, 井波暢人, 武市泰男, 水口将輝, 橋本愛, 日野英逸

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本研究ではナノ磁性材料の3次元磁気特性を解析するためのX線強磁性共鳴顕微鏡を開発することを目的とした。本装置によってナノ磁性材料において重要な異方性磁界、飽和磁化、磁気ダンピング定数の3次元空間分布を定量評価することが可能になる。各要素技術の検討と研究開発を行った結果、機械学習を用いた計測効率化など、将来的なX線強磁性共鳴顕微鏡の実現に向けた一定の成果を得た。

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ナノスピンイオニクスの開拓

2014年4月 - 2017年3月

日本学術振興会科学研究費補助金挑戦的萌芽研究

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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ナノスピンイオニクスの開拓

研究課題/研究課題番号：26600069 2014年4月 - 2017年3月

水口将輝

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担当区分：研究代表者

配分額：3900000円（直接経費：3000000円、間接経費：900000円）

本研究では、ナノスピンイオニクスの学理を探究し、機能性に富んだエレクトロニクスの創出に向けた基盤の構築を目指した。磁性イオンを含んだ固体電解質におけるイオン伝導と局在スピン系の磁気的相互作用を明らかにするため、固体電解質の電界効果について調べた結果、磁性元素に起因する明確な吸収スペクトルを取得することができた。また、炭素系物質におけるイオンと磁性発現の相関を調べるため、窒化ホウ素をモデルとしてCuイオンとの相互作用を調べる実験を行った結果、炭素系物質のエッジやトポロジカルな欠陥を通した磁性発現にイオンの導入が有効なことを示唆する結果が得られた。
規則合金スピントロニクス材料の新展開

研究課題/研究課題番号：25220910 2013年5月 - 2018年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S)

高梨弘毅, BAUER Gerrit, 白井正文, 水口将輝, 桜庭裕弥, 関剛斎, 窪田崇秀

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担当区分：連携研究者

次世代の情報通信技術を担う新しいエレクトロニクスとしてスピントロニクスが注目されている。我々は、高スピン分極材料としてL21およびC1b型ホイスラー合金、高磁気異方性材料としてL10およびL11型規則合金を用いて、スピントロニクス機能の探求を行ってきた。主な成果として、L21型Co2(FeMn)Siを有するGMR素子の特性向上、C1b型NiMnSbを用いた室温でのGMR効果の観測、およびL11型に積層制御されたCoNi薄膜において高磁気異方性と低ダンピングの両立に成功した。さらに、異常ネルンスト効果の材料依存性を明らかにし、高いスピンカロリトロニクス機能を得るための指導原理を得た。

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垂直磁化薄膜における異常ネルンスト効果の微視的な機構解明

研究課題/研究課題番号：24656002 2012年4月 - 2014年3月

水口将輝

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担当区分：研究代表者

配分額：4030000円（直接経費：3100000円、間接経費：930000円）

本研究では、異常ネルンスト効果の物理的機構解明と異常ネルンスト効果に基づく熱電効果の実証を行った。その結果、磁気異方性と異常ネルンスト電圧の関係や、異常ネルンスト電圧の温度依存性などの基本的な物理パラメータの検証に成功した。また、異常ネルンスト効果を用いた熱電変換デバイスへの応用に向けたFePt細線の連結素子を試作し、同効果を用いた高効率熱電変換素子の実現が期待される結果が得られた。
垂直磁化薄膜における異常ネルンスト効果の微視的な機構解明

2012年4月 - 2014年3月

日本学術振興会科学研究費補助金挑戦的萌芽研究

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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ナノスピン超構造を用いた位相同期型高出力発振・高感度検波素子の創製

研究課題/研究課題番号：23360004 2011年4月 - 2014年3月

水口将輝

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担当区分：研究代表者

配分額：20930000円（直接経費：16100000円、間接経費：4830000円）

本研究では、非常に高いQ値を有したまま発振強度がサブミリワット程度となる究極的スピン発振・検波素子を実現することを目指した。そのために、可能な限り構造制御したナノサイズの強磁性ドットの集合体、すなわちナノスピン超構造の作製を行った。同時に、これらの構造における磁気共鳴に起因したスピントルク発振モデルの構築を行った。また、実際に高い磁気抵抗効果を示すナノメートルサイズのGMR素子の発振現象の測定を行うことにより、これまでにない究極的なスピン発振素子を完成させることに挑戦した。
走査スピン注入プローブを用いた局所磁気共鳴励起

研究課題/研究課題番号：23360017 2011年4月 - 2014年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B)

AN TOSHU, 齊藤英治, 水口将輝, 藤川安仁, 安藤和也

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担当区分：連携研究者

局所的にスピンを注入してスピントルクを磁性体に印加して発振現象を誘起する走査マイクロ波プローブの開発を行った。この際に、極細の高周波同軸線（外径0.33ミリメートル）をプローブ探針として水晶振動子に接着したマイクロ波源付水晶振動子型AFMを開発して用いた。これにより試料が絶縁体であっても表面を精細に走査しながら10 ギガヘルツまでの高周波を印加できる高周波プローブ顕微鏡を開発し、走査磁気共鳴検出プローブを用いて、MTJ(磁気トンネル接合)積層薄膜からのスピン注入発振の計測の実現に注力した。

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ナノスピン超構造を用いた位相同期型高出力発振・高感度検波素子の創製

2011年4月 - 2014年3月

日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究 (B)

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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単原子層積層制御による複合機能型磁性規則合金の創製

研究課題/研究課題番号：22246087 2010年 - 2012年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A)

高梨弘毅, 白井正文, 桜庭裕弥, 水口将輝

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担当区分：連携研究者

規則合金と呼ばれる物質群はさまざまな優れた磁気機能性を示し、次世代のエレクトロニクス材料としてきわめて有望である。磁気ストレージ技術の観点からも、複合機能を有する規則合金の創製が望まれている。そこで、本研究では単原子層積層技術を用いて、高い磁気異方性、高いスピン分極、低い磁気緩和定数といった様々な機能を兼ね備えた新しい規則合金の創製を目指した。その結果、L1_0型FePt合金/Co_2MnSi積層膜、L1_0型CoPt合金/Co_2MnSi積層膜やL1_0型FeNi規則合金薄膜の作製に成功し、その諸特性を明らかにした。

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室温で巨大な異常ネルンスト効果を示す材料の探索

研究課題/研究課題番号：22656002 2010年 - 2011年

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究

高梨弘毅, 齊藤英治, 桜庭裕弥, 水口将輝

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担当区分：連携研究者

本研究では、異常ネルンスト効果は温度勾配によって発生したスピン流の逆スピンホール効果であるという仮説に基づいて、室温で巨大な異常ネルンスト効果を示す材料の探索を行った。具体的には、高い磁気異方性を示すFePtに代表されるL10型規則合金と高いスピン分極率を有するハーフメタルホイスラー合金に着目した。これらの材料の異常ネルンスト効果およびスピンゼーベック効果を測定してその結果を系統的に整理することにより、2つの効果の関係を明らかにし、室温で巨大な異常ネルンスト効果を示す材料創製の指針を得た。

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低次元ナノ構造化によるスピン緩和時間の増大と面内構造3端子素子への応用

研究課題/研究課題番号：20360002 2008年 - 2010年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B)

三谷誠司, 桜庭裕弥, 水口将輝, 新関智彦

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担当区分：研究分担者

伝導電子スピンの緩和現象の理解は、スピントロニクス素子の開発に関する重要な課題であり、本研究ではナノ粒子や超薄膜等の低次元系におけるスピン緩和に関して、トンネル磁気抵抗測定等の実験を行った。ナノ粒子では離散準位に起因すると思われるスピン緩和時間の増大が見られるが、超薄膜ではそれを示唆する挙動は得られなかった。超薄膜では、面内方向が量子化されていないためと考えられる。また、スピン緩和時間が増大した場合における2重トンネル素子の設計に関するモデル計算を行った。

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垂直磁気異方性およびスピンモードロックを利用した周波数変換型新規発振素子の開発

研究課題/研究課題番号：20686001 2008年 - 2010年

水口将輝

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担当区分：研究代表者

配分額：19110000円（直接経費：14700000円、間接経費：4410000円）

本研究では、外部磁場を必要とせず、非常に高いQ値を有したまま周波数変調が可能な究極的スピン発振素子を実現することを目指した。そのために、可能な限り構造を制御したナノサイズの磁性構造体、すなわち完全エピタキシャル結晶からなる微小素子の作製を行った。続いて、これらの素子の高周波スピン応答を測定し、発振条件を探究した。また、実際に高い磁気抵抗効果を示すナノメートルサイズの素子の発振現象の測定を行うことにより、これまでにない究極的なスピン発振素子を完成させることに挑戦した。
ナノグラニュラーシステムを用いたスピン共鳴現象の解明

2007年4月 - 2009年3月

日本学術振興会科学研究費補助金萌芽研究

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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ナノ構造制御による高効率スピン源の探索と創製

研究課題/研究課題番号：19048004 2007年 - 2010年

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究

高梨弘毅, 水口将輝, 三谷誠司

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担当区分：研究分担者

スピン角運動量の流れであるスピン流の創出と制御において、高偏極・高効率スピン源を創製することが重要課題の一つである。本研究では、ナノ構造制御によって高偏極・高効率スピン源を創製することが重要課題の一つである。本研究では、ナノ構造制御によって高偏極・高効率スピン源を創製することを目指した。その結果、Co_2MnSiホイスラー合金層を有する巨大磁気抵抗素子において室温で高い磁気抵抗効果比を実現した。また、非磁性AuホールクロスとFePt垂直スピン源から成るナノ構造において巨大スピンホール効果を観測し、不純物添加効果などを系統的に調べた。さらに、FeやCr、Auナノ粒子を介した磁気伝導特性を調べ、ナノ粒子におけるスピン緩和時間の増大の観測に成功した。

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単原子層制御による希少金属フリー高磁気異方性L10型規則合金の創製

研究課題/研究課題番号：19360311 2007年 - 2009年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B)

高梨弘毅, 水口将輝, 三谷誠司, 嶋敏之

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担当区分：研究分担者

PCに内蔵されたハードディスク等の磁気記録媒体では、その記録密度が飛躍的に上昇しており、一つの情報を記録する磁石の体積が非常に小さくなってきている。そのため、磁化が安定して一方向を向く性質を備えた安価な磁性材料が必要である。そこで、本研究では鉄およびニッケルという比較的ありふれた元素を用いた高性能な新規磁性材料の開発を試み、L1_0型FeNi合金薄膜という材料の開発に成功し、その諸特性を明らかにした。

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ナノグラニュラーシステムを用いたスピン共鳴現象の解明

研究課題/研究課題番号：19656182 2007年 - 2008年

萌芽研究

水口将輝

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担当区分：研究代表者

配分額：3300000円（直接経費：3300000円）

金属微粒子を絶縁体、あるいは半導体中に分散したグラニュラーシステムに関する様々な研究が古くから行われている。グラニュラー系では興味深い伝導現象が観測されるが、未だ、その伝導機構やスピンダイナミクスに未解明の部分が多い。そこで、本研究では様々な形態のナノサイズグラニュラーシステムにおけるスピンダイナミクスを共鳴現象から明らかにすることを目的とした。本年度は、昨年度得られたグラニュラーシステムの創製方法に関する知見を生かし、微粒子径や微粒子間距離などを様々に変化させたグラニュラー構造を系統的に創製し、共鳴現象を利用したナノサイズグラニュラーシステムの共鳴現象の測定を行い、スピンダイナミクスの解明に着手した。まず、Fe連続膜のFMR測定を行った結果、磁場の印加に従って周波数がシフトする共鳴ピークが観測され、その強度は膜厚の増加に比例することが確認された。続いて、膜厚3nmのFeナノドットを含有するグラニュラー薄膜では共鳴ピークが観測されたのに対し、同膜厚のFe連続膜では明確な共鳴ピークが観測されなかった。蒸着量が等しく構造のみが異なる2種類のFe薄膜において、異なる共鳴現象が観測されたのは非常に興味深い結果である。Feの形状磁気異方性が両者で異なることがその起源として考えられるが、詳細は明らかでない。Feナノ粒子が整列した膜厚0.3nmの試料についても測定を行ったが、明確な共鳴ピークは観測されなかった。これは、Feのスピン数が本手法の検出限界以下であることを示唆している。今後、これを観測するためには、試料をウェーブガイドの中に埋め込むなどの感度を向上させる工夫が必要であると考えられる。
単結晶磁性ナノ構造におけるスピン注入とそれに伴う新現象の解明

2005年4月 - 2008年3月

東電記念科学技術研究所研究助成(基礎研究)

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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絶縁体上の超平担表面誘起強磁性層の創成とそのスピン依存伝導特性に関する研究

2005年4月 - 2007年3月

日本学術振興会科学研究費補助金若手研究 (B)

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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絶縁体上の超平担表面誘起強磁性層の創成とそのスピン依存伝導特性に関する研究

研究課題/研究課題番号：17760011 2005年 - 2006年

水口将輝

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担当区分：研究代表者

配分額：3300000円（直接経費：3300000円）

絶縁体である酸化マグネシウム基板上に強磁性鉄薄膜および酸化マグネシウム超薄膜を積層成長し、その構造と輸送特性の相関を調べた。薄膜の成長は分子線エピタキシ法を用いて行った。酸化マグネシウム基板上に酸化マグネシウム緩衝層を成長した後、強磁性鉄薄膜(膜厚50ナノメートル)を成長し、続いて酸化マグネシウム超薄膜を成長した。強磁性鉄薄膜および酸化マグネシウム超薄膜のエピタキシャル成長を反射高速電子回折により確認した。製膜後の試料を超高真空のまま走査型トンネル顕微鏡を備えたチャンバに搬送し、その表面構造を観察した。顕微鏡観察はタングステン探針を用い、室温、一定電流モードで行った。走査型トンネル顕微鏡による観察の結果、酸化マグネシウム絶縁膜の膜厚が3原子層から5原子層まで増加するに従い、表面の平坦性が増すことが確認された。また、製膜後の熱処理により、表面平坦性が向上することも確認された。これは、強磁性鉄薄膜/酸化マグネシウム超薄膜/強磁性鉄薄膜の強磁性トンネル接合において、熱処理によりトンネル磁気抵抗比が大きく上昇するという実験事実と一致し、この上昇が熱処理による界面構造の平坦化によるものであることを示唆している。さらに、酸化マグネシウム超薄膜の伝導特性を走査型トンネル分光により調べた結果、膜厚3原子層と5原子層の間に一様バリアが形成される臨海膜厚が存在することが分かった。これらの結果により、超平坦な表面有機強磁性層の創成へのてがかりを得ることができた。
分子エレクトロニクスを応用したスピンコヒーレンス制御素子の開発

2003年4月 - 2004年3月

日本学術振興会科学研究費補助金特別研究員奨励費

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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半導体上への強磁性ナノドットの作製とその磁気輸送特性及び電子状態の研究

2000年4月 - 2003年3月

日本学術振興会科学研究費補助金特別研究員奨励費

研究代表者: 水口将輝

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担当区分：研究代表者資金種別：競争的資金

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