2026/07/30 更新

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トラン グエン トラン
TRAN Nguyen trung
TRAN Nguyen trung
所属
低温プラズマ科学研究センター プラズマ科学部門 特任助教
職名
特任助教

学位 1

  1. 博士 ( 2022年9月 ) 

研究キーワード 1

  1. Plasma Processing, Plasma Etching,

 

論文 8

  1. Recent progress in atomic-scale controlled plasma processing 招待有り 査読有り 国際共著 Open Access

    Kenji Ishikawa, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenichi Inoue, Airah P Osonio, Tran Trung Nguyen, Takayoshi Tsutsumi, Lan Li, Kazunori Shinoda, Mi-Young Song, Yong Sup Choi, Igor Kaganovich and Yevgeny Raitses

    Japanese Journal of Applied Physics   65 巻 ( 12 )   2026年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ae65a4

    Open Access

  2. Photodissociation and electron-collision induced dissociation of C5H2F10 using photoelectron–photoion coincidence spectroscopy and quantum chemistry 査読有り Open Access

    Nguyen Trung Tran, Toshio Hayashi, Hiroshi Iwayama & Kenji Ishikawa

    scientific reports   16 巻 ( 5312 )   2026年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語  

    DOI: 10.1038/s41598-026-36140-x

    Open Access

  3. Reaction surface analysis of plasma etching of SiN, SiO2, and poly-Si films using low-global warming potential CF3CHCF2 gas 査読有り Open Access

    Trung Nguyen Tran, Kenji Ishikawa

    Applied Surface Science   710 巻 ( 163955 )   2025年7月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2025.163955

    Open Access

  4. Valence fragmentation dynamics of a promising low global warming etching gas CF3CHCF2 査読有り Open Access

    Tran Trung Nguyen, Toshio Hayashi, Hiroshi Iwayama & Kenji Ishikawa

    scientific reports   15 巻 ( 9507 )   2025年3月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-025-94119-6

    Open Access

  5. Hydrofluoroethane plasma etching of SiN, SiO2, and poly-Si films with CHF2CF3, CF3CH3, and CHF2CH3 査読有り Open Access

    Trung Nguyen Tran*, Toshio Hayashi, Hiroshi Iwayama, Makoto Sekine, Masaru Hori,Kenji Ishikawa

    Applied Surface Science   684 巻 ( 161815 )   2025年3月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.161815

    Open Access

  6. Transient behaviors of radicals and ions of CxFy and SFx during alternative injections C4F8 and SF6 in Ar plasma 査読有り Open Access

    Taito Yoshie a , Tran Trung Nguyen b , Thi-Thuy-Nga Nguyen b , Kenichi Inoue b , Takayoshi Tsutsumi b , Kenji Ishikawa b

    Vacuum   253 巻   2026年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.vacuum.2026.115543

    Open Access

  7. Etch profiles in silicon in SF6 and O2 plasma based on etch-depth-dependent O/F transport gradient model 査読有り Open Access

    Shuto Tsuchioka, Tran Trung Nguyen, Kenichi Inoue, Takayoshi Tsutsumi, Thi-Thuy-Nga Nguyen and Kenji Ishikawa

    Japanese Journal of Applied Physics   65 巻 ( 8 )   2026年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ae5ab3

    Open Access

  8. Formation of SCF+, SCF2+, and CS2+ ions during gas modulation cycles associated with interference between alternating C4F8 and SF6 in Ar plasma 査読有り Open Access

    Taito Yoshie, Tran Trung Nguyen, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenichi Inoue, Takayoshi Tsutsumi and Kenji Ishikawa

    Japanese Journal of Applied Physics   65 巻 ( 3 )   2026年2月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ae3bc4

    Open Access

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