2021/08/20 更新

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バレンシア ユベルト パトリック アレクサンドロ
VALENCIA Hubert Patrick Alexandre
VALENCIA Hubert Patrick Alexandre
所属
大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学 特任助教
職名
特任助教

学位 1

  1. PhD in Applied Quantum Chemistry ( 2006年12月   Poitiers University ) 

研究分野 2

  1. ナノテク・材料 / 基礎物理化学

  2. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

経歴 5

  1. 名古屋大学   工学研究科物質科学専攻   特任助教

    2021年8月 - 現在

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    国名:日本国

  2. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター   研究員

    2017年4月 - 2021年3月

  3. 九州大学   応用力学研究所 結晶成長学分野   学術研究員

    2012年4月 - 2017年3月

  4. 産業技術総合研究所   ユビキタスエネルギー研究部門   研究員

    2007年11月 - 2012年3月

  5. Poitiers University   Applied Quantum Chemistry Group   Research Engineer

    2007年5月 - 2007年10月

学歴 1

  1. Poitiers University

    2003年9月 - 2006年12月

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    国名: フランス共和国

所属学協会 2

  1. American Chemical Society

  2. 日本結晶成長学会

受賞 1

  1. 研究奨励賞

    2010年12月   一般社団法人 日本MRS  

 

論文 14

  1. New developments in the GDIS simulation package: Integration of VASP and USPEX

    Valencia Hubert Okadome, Wang Busheng, Frapper Gilles, Rohl Andrew Lloyd

    JOURNAL OF COMPUTATIONAL CHEMISTRY   42 巻 ( 22 ) 頁: 1602 - 1626   2021年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Journal of Computational Chemistry  

    A popular first principles simulation code, the Vienna Ab initio Simulation Package (VASP), and a crystal structure prediction (CSP) package, the Universal Structure Predictor: Evolutionary Xtallography (USPEX) have been integrated into the GDIS visualization software. The aim of this integration is to provide users with a unique and simple interface through which most of the steps of a typical crystal optimization or prediction work. This involved, for the latter, not only setting up a CSP calculation with complete support for the latest version of USPEX, but also displaying the many structure results by linking each structure geometry and its energy via interactive graphics. For the optimization part, any structure displayed by GDIS can now be the starting point for VASP calculations, with support for its most commonly used parameters. Atomic and electronic structures can be displayed as well as dynamic properties such as total energy, force, volume, and pressure for each ionic step. It is not only possible to start calculations from the GDIS visualization software, using an in-place task manager, but a running calculation can also be followed, allowing a greater control of the simulation process. The GDIS software is available under the GNU public license in its second version.

    DOI: 10.1002/jcc.26697

    Web of Science

    Scopus

  2. Prediction of Novel Tin Nitride SnxNy Phases Under Pressure 査読有り

    Busheng Wang, Rabii Larhlimi, Hubert Valencia, Frédéric Guégan, Gilles Frapper

    The Journal of Physical Chemistry C   124 巻 ( 15 ) 頁: 8080 - 8093   2020年4月

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  3. Thermodynamic analysis of (0001) and (000(1)over-bar) GaN metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Akira Kusaba , Yoshihiro Kangawa , Pawel Kempisty , Hubert Valencia , Kenji Shiraishi , Yoshinao Kumagai , Koichi Kakimoto , Akinori Koukitu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 7 ) 頁: 070304 - 070304   2017年7月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.070304

  4. Ab initio model for GaAs1−xNxchemical beam epitaxy using GaAs(100) surface stability over As2, H2, and N2 査読有り

    Hubert Valencia, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto

    Japanese Journal of Applied Physics   56 巻 ( 6 ) 頁: 060306 - 060306   2017年6月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/jjap.56.060306

  5. Chemical beam epitaxy of GaAs1-xNx using MMHy and DMHy precursors, modeled by ab initio study of GaAs(100) surfaces stability over As-2, H-2 and N-2 査読有り

    Hubert Valencia, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 557 - 561   2017年6月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.056

  6. Ab initio study of GaAs(100) surface stability over AS(2), H-2 and N-2 as a model for vapor-phase epitaxy of GaAs1-xNx 査読有り

    Hubert Valencia , Yoshihiro Kangawa , Koichi Kakimoto

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   432 巻   頁: 6 - 14   2015年12月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.09.005

  7. Trends in the Hydrogen Activation and Storage by Adsorbed 3d Transition Metal Atoms onto Graphene and Nanotube Surfaces: A DFT Study and Molecular Orbital Analysis 査読有り

    Hubert Valencia, Adria Gil, Gilles Frapper

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   119 巻 ( 10 ) 頁: 5506 - 5522   2015年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1021/jp512920f

  8. イオン液体/Li金属界面の第一原理計算 査読有り

    Hubert VALENCIA, 香山 正憲, 田中 真悟, 松本 一

    表面科学   34 巻 ( 12 ) 頁: 650 - 655   2013年

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  9. First-Principles Study of EMIM-FAFSA Molecule Adsorption on a Li(100) Surface as a Model for Li-Ion Battery Electrodes 査読有り

    Hubert Valencia, Masanori Kohyama, Shingo Tanaka, Hajime Matsumoto

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   116 巻 ( 15 ) 頁: 8493 - 8509   2012年4月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1021/jp2109797

  10. イオン液体/Li金属界面の第一原理計算:リチウムイオン電池の電解質設計に向けて 査読有り

    香山 正憲, VALENCIA Hubert, 田中 真悟, 松本 一

      80 巻 ( 11 ) 頁: 920 - 924   2012年

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  11. Trends in the Adsorption of 3d Transition Metal Atoms onto Graphene and Nanotube Surfaces: A DFT Study and Molecular Orbital Analysis 査読有り

    Hubert Valencia, Adria Gil, Gilles Frapper

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   114 巻 ( 33 ) 頁: 14141 - 14153   2010年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1021/jp103445v

  12. Ab initio study of EMIM-BF4 crystal interaction with a Li (100) surface as a model for ionic liquid/Li interfaces in Li-ion batteries 査読有り

    Hubert Valencia , Masanori Kohyama , Shingo Tanaka , Hajime Matsumoto

    JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS   131 巻 ( 24 )   2009年12月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.3273087

  13. Ab initio study of EMIM-BF(4) molecule adsorption on Li surfaces as a model for ionic liquid/Li interfaces in Li-ion batteries 査読有り

    Hubert Valencia , Masanori Kohyama , Shingo Tanaka , Hajime Matsumoto

    PHYSICAL REVIEW B   78 巻 ( 20 )   2008年11月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.78.205402

  14. Effect of palladium on the reducibility of Mn based materials: correlation with methane oxidation activity 査読有り

    A. Baylet, S. Royer, C. Labrugere, H. Valencia, P. Marecot, J. M. Tatibouet, D. Duprez

    PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS   10 巻 ( 39 ) 頁: 5983 - 5992   2008年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1039/b808289h

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