2022/01/20 更新

写真a

フルショウ トモアキ
古庄 智明
FURUSHO Tomoaki
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 特任准教授
職名
特任准教授

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2004年3月   京都工芸繊維大学 ) 

 

論文 27

  1. Numerical investigation of solute evaporation in crystal growth from solution: A case study of SiC growth by TSSG method

    Dang Y., Zhu C., Liu X., Yu W., Liu X., Suzuki K., Furusho T., Harada S., Tagawa M., Ujihara T.

    Journal of Crystal Growth   579 巻   2022年2月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    Evaporation of the volatile solute from the liquid phase is a common problem for the crystal grown from solution, especially for the growth under high temperature. In the present study, a numerical model was constructed to quantitatively investigate the evaporation process in crystal growth. This model was applied in top-seeded solution growth (TSSG) of SiC crystal to simulate the transport of aluminum (Al), which is important for crystal surface morphology but easy to vaporize. The transport path of Al in the growth system was determined by analyzing the possible reactions on different boundaries. Accordingly, an improved structure was proposed to suppress the evaporation loss of Al during long-term growth, and was compared with the original case both numerically and experimentally. The simulation results showed that the improved structure could effectively decrease the Al loss by over 70%, and meanwhile had almost no influence on the thermal and flow environment in the solution. For the experimental results, the improved case presented much lower spontaneous nucleation possibilities and higher step height on the crystal surface, which matched well with the features of high Al addition in literatures. Therefore, the improved structure proposed in the present study was proven to be effective to enhance the composition stability of solution during long-term SiC solution growth, and this numerical method could be applied in the growth of other crystals facing the similar problem.

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126448

    Scopus

  2. 大口径SiCバルク結晶成長における主要技術とプロセス・インフォマティクスの活用

    宇治原 徹, 磯野 優, 竹内 一郎, 田川 美穂, 原田 俊太, 朱 燦, 角岡 洋介, 古庄 智明, 鈴木 皓己, 沓掛 健太朗, 高石 将輝, 郁 万成, 黨 一帆

    日本結晶成長学会誌   48 巻 ( 3 )   2021年

     詳細を見る

    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    <p>  We have been developing a SiC crystal growth technique using the solution method. As a result, we have achieved the growth of ultra-high quality crystals with extremely low dislocation density. The key to this is the reduction of dislocation density by utilizing the macro-step dislocation conversion phenomenon and the suppression of surface morphology roughness by controlling the flow in the solution. In order to put these technologies to practical use, we have developed a new machine learning technique for optimizing crystal growth conditions for large-diameter crystals. In this method, a model is constructed in the computer that reproduces the actual experiment quickly and accurately, and then hundreds of thousands or millions of trials are performed using the model to derive the experimental conditions with high efficiency. This means that optimization by surrogate models, which is one of the methods of process informatics, has been realized in crystal growth. By using these techniques, we were able to achieve 6-inch crystal growth in a very short time.</p>

    DOI: 10.19009/jjacg.48-3-04

    CiNii Article

  3. Characteristics of a Schottky Barrier Diode and the SiC Wafers Sliced by Wire Electrical Discharge Machining 査読有り

    Hidetaka Miyake, Nobuyuki Tomita, Yoshiyuki Nakaki, Tomoaki Furusho, Atsushi Itokazu, Takashi Hashimoto, Yoshihiko Toyoda, Satoshi Yamakawa, Hiroaki Sumitani, Takeharu Kuroiwa, Tatsushi Sato

    Materials Science Forum   778-780 巻   頁: 784   2014年2月

     詳細を見る

    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  4. Pair-Generation of the Basal-Plane-Dislocation during Crystal Growth of SiC 査読有り

    Taro Nishiguchi, Tomoaki Furusho, Toshiyuki Isshiki, Koji Nishio, Hiromu Shiomi, Shigehiro Nishino

    Materials Science Forum   600-603 巻   頁: 329   2008年9月

     詳細を見る

    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

    DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.329

  5. Characterization of Schottky Diodes on 4H-SiC with Various Off-Axis Angles Grown by Sublimation Epitaxy 査読有り

    Mitsutaka Nakamura, Yoshikazu Hashino, Tomoaki Furusho, Hiroyuki Kinoshita, Hiromu Shiomi, Masahiro Yoshimoto

    Materials Science Forum   600-603 巻   頁: 967   2008年9月

     詳細を見る

    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  6. Dependence of DAP Emission Properties on Impurity Concentrations in N-/B-co-doped 6H-SiC 査読有り

    Satoshi Murata, Yoshihiro Nakamura, Tomohiko Maeda, Yoko Shibata, Mina Ikuta, Masaaki Sugiura, Shugo Nitta, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Masahiro Yoshimoto, Tomoaki Furusho, Hiroyuki Kinoshita

    Materials Science Forum   556-557 巻   頁: 335   2007年9月

     詳細を見る

    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  7. 6H-SiC Homoepitaxial Growth and Optical Property of Boron- and Nitrogen-Doped Donor-Acceptor Pair (DAP) Emission of 1º-Off Substrate by Closed-Space Sublimation Method 査読有り

    Y. Kawai, Tomohiko Maeda, Yoshihiro Nakamura, Yoji Sakurai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Masahiro Yoshimoto, Tomoaki Furusho, Hiroyuki Kinoshita, Hiromu Shiomi

    Materials Science Forum   527-529 巻   頁: 263   2006年10月

     詳細を見る

    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

    DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.263

  8. Growth of Micropipe Free Crystals on 4H-SiC {03-38} Seeds 査読有り

    Tomoaki Furusho, Ryota Kobayashi, Taro Nishiguchi, M. Sasaki, K. Hirai, Toshihiko Hayashi, Hiroyuki Kinoshita, Hiromu Shiomi

    Materials Science Forum   527-529 巻   頁: 35   2006年10月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

    DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.35

  9. Homoepitaxial Growth on 4H-SiC (03-38) Face by Sublimation Close Space Technique 査読有り

    S. Yoneda, Tomoaki Furusho, H. Takagi, S. Ohta, Shigehiro Nishino

    Materials Science Forum   483-485 巻   頁: 129   2005年5月

     詳細を見る

    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  10. Sublimation Growth of SiC Crystal Using Modified Crucible Design on 4H-SiC {03-38} Substrate and Defect Analysis 査読有り

    Tomoaki Furusho, H. Takagi, S. Ota, Hiromu Shiomi, Shigehiro Nishino

    Materials Science Forum   457-460 巻   頁: 107   2004年6月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

    DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.107

  11. High Quality SiC Bulk Growth by Sublimation Method using Elemental Silicon and Carbon Powder as SiC Source Materials 査読有り

    S. Ota, Tomoaki Furusho, H. Takagi, S. Oshima, Shigehiro Nishino

    Materials Science Forum   457-460 巻   頁: 115   2004年6月

     詳細を見る

    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  12. Crystal Growth of 6H-SiC(01-14) on 3C-SiC(001) Substrate by Sublimation Epitaxy 査読有り

    H. Takagi, Taro Nishiguchi, S. Ohta, Tomoaki Furusho, Satoru Ohshima, Shigehiro Nishino

    Materials Science Forum   457-460 巻   頁: 289   2004年6月

     詳細を見る

    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

    DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.289

  13. 昇華法によるワイドバンドギャップ材料の結晶成長 査読有り

    古庄 智明

    京都工芸繊維大学 博士論文     2004年3月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:学位論文(博士)  

  14. AlN Epitaxial Film on 6H-SiC(0001) Using MOCVD for GHz-Band SAW Devices 査読有り

    K. Uehara, C. -M. Yang, T. Furusho, S.-K, Kim, S. Kamada, H. Nakase, S. Nishino and K. Tsubouchi

    2003 IEEE INTERNATIONAL ULTRASONICS SYMPOSIUM     2003年

     詳細を見る

    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  15. Bulk crystal growth of cubic silicon carbide by sublimation epitaxy 査読有り

    Tomoaki Furusho, Makoto Sasaki, Satoru Ohshima and Shigehiro Nishino

    Journal of Crystal Growth   249 巻   頁: 205   2003年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  16. Growth of p-Type SiC Layer by Sublimation Epitaxy 査読有り

    S. Ohta, T. Furusho, H. Takagi, S. Ohshima and S. Nishino

    Materials Science Forum   433-436 巻   頁: 205   2003年

     詳細を見る

    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  17. Effect of Tantalum in Sublimation Growth of Aluminum Nitride 査読有り

    Tomoaki Furusho, Satoru Ohshima and Shigehiro Nishino

    Materials Science Forum   433-436 巻   頁: 975   2003年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  18. Growth-Mode Control in Sublimation Epitaxy of AlN 査読有り

    Tomoaki Furusho and Shigehiro Nishino

    Sensors and Materials   14 巻   頁: 271   2002年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  19. Crystal growth of silicon carbide in hydrogen atmosphere by sublimation close space technique 査読有り 国際共著

    T. Furusho, S. K. Lilov, S. Ohshima and S. Nishino

    Journal of Crystal Growth   237-239 巻   頁: 1235   2002年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  20. Homoepitaxial Growth of Cubic Silicon Carbide by Sublimation Epitaxy 査読有り

    T. Furusho, T. Miyanagi, Y. Okui, S. Ohshima and S. Nishino

    Materials Science Forum   389-393 巻   頁: 279   2002年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  21. Characterization of 2in SiC As-Grown Bulk by SWBXT at Spring-8 査読有り

    M. Sasaki, A. Hirai, T. Miyanagi, T. Furusho, T. Nishiguchi, H. Shiomi and S. Nishino

    Materials Science Forum   389-393 巻   頁: 407   2002年

     詳細を見る

    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  22. Observation of 2in SiC wafer by SWBXRT at Spring-8 査読有り

    M. Sasaki, A. Hirai, T. Miyanagi, T. Furusho, T. Nishiguchi, H. Shiomi and S. Nishino

    Materials Science Forum   389-393 巻   頁: 411   2002年

     詳細を見る

    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  23. Crystal Growth of Aluminum Nitride by Sublimation Close Space Technique 査読有り

    Tomoaki Furusho, Satoru Ohshima and Shigehiro Nishino

    Materials Science Forum   389-393 巻   頁: 1449   2002年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  24. Effect of Tantalum in Crystal Growth on Silicon Carbide by Sublimation Close Space Technique 査読有り

    Jpn. J. Appl. Phys.   40 巻   頁: 6737   2001年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  25. Micropipe Filling by the Sublimation Close Space Technique 査読有り

    T. Furusho, S. Ohshima and S. Nishino

    Materials Science Forum   353-356 巻   頁: 73   2001年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  26. High Growth Rate Epitaxy of SiC by Sublimation Close Space Technique 査読有り

    T. Furusho, Y. Kame, H. Houki, S. Ohshima and S. Nishino

    Extended abstract of 1st International Workshop on Ultra-Low-Loss Power Device Technology     頁: 163   2000年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  27. Mechanism of Various Defects Formation in Epitaxial Layer Prepared by Sublimation Epitaxy 査読有り

    T. Furusho, K. Matsumoto, H. Harima and S. Nishino

    Materials Science Forum   338-342 巻   頁: 217   2000年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

▼全件表示