2021/05/25 更新

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ブイ シ キエウ ミ
BUI Thi kieu my
BUI Thi kieu my
所属
名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター マルチフィジックスシミュレーション部 特任助教
職名
特任助教

学位 1

  1. 博士(理学) ( 2016年3月   筑波大学 ) 

経歴 1

  1. 名古屋大学未来材料・システム研究所   附属未来エレクトロニクス集積研究センター   特任助教

    2020年9月 - 現在

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    国名:日本国

学歴 1

  1. 筑波大学   数物科学研究科

    - 2016年3月

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    国名: 日本国

 

論文 11

  1. Gallium-gallium weak bond that incorporates nitrogen at atomic steps during GaN epitaxial growth 査読有り

    Kieu My Bui, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama

    Applied Surface Science   557 巻   頁: 149542   2021年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.149542

  2. Computics Approach toward Clarification of Atomic Reactions during Epitaxial Growth of GaN 査読有り

    Atsushi Oshiyama, Kieu My Bui, Mauro Boero, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi

    IEEE     頁: 11 - 14   2020年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.23919/SISPAD49475.2020.9241682

  3. A two-dimensional liquid-like phase on Ga-rich GaN (0001) surfaces evidenced by first principles molecular dynamics 査読有り

    Kieu My Bui, Mauro Boero, Kenji Shiraishi, and Atsushi Oshiyama

    Jpn. J. Appl. Phys.   59 巻   頁: SGGK04   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab650b

  4. First-Principle Study of Ammonia Decomposition and Nitrogen Incorporation on the GaN Surface in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Kieu My Bui, Jun-Ichi Iwata, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Yasuteru Shigeta, and Atsushi Oshiyama

    J. Cryst. Growth   507 巻   頁: 421-424   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.11.031

  5. Atom-Scale Dynamics in Surface-Catalyzed Nitrogen Incorporation in Epitaxial Growth of Gallium Nitride

    KM Bui, M Boero, K Shiraishi, A Oshiyama

    APS     頁: B45. 011   2019年

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    記述言語:英語  

  6. Reaction Pathway of Surface-Catalyzed Ammonia Decomposition and Nitrogen Incorporation in Epitaxial Growth of Gallium Nitride 査読有り

    Kieu My Bui, Jun-Ichi Iwata, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Yasuteru Shigeta, and Atsushi Oshiyama

    J. Phys. Chem. C   122 巻 ( 43 ) 頁: 24665-24671   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b05682

  7. Na-ion diffusion in a NASICON-type solid electrolyte: a density functional study 査読有り

    Kieu My Bui, Van An Dinh, Susumu Okada, and Takahisa Ohno

    Phys. Chem. Chem. Phys.   18 巻   頁: 27226-27231   2016年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/C6CP05164B

  8. Hybrid functional study of the NASICON-type Na3V2(PO4)3: Crystal and electronic structures, and polaron-Na vacancy complex diffusion 査読有り

    Kieu My Bui, Van An Dinh, Susumu Okada, and Takahisa Ohno

    Phys. Chem. Chem. Phys.   17 巻   頁: 30433-30439   2015年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c5cp05323d

  9. High ionic conductivity NASICON based materials for Na-ion batteries: a density functional approach

    KM Bui, VA Dinh, S Okada, T Ohno

    Bulletin of the American Physical Society   60 巻 ( 1 ) 頁: -   2015年3月

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    記述言語:英語  

  10. Hybrid functional study on diffusion of silicate cathode material Li2NiSiO4

    Kieu My Bui, Van An Dinh, Susumu Okada, and Takahisa Ohno

    J. Phys.: Conf. Ser.   454 巻   頁: 012061   2013年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1088/1742-6596/454/1/012061

  11. Diffusion mechanism of polaron - Li vacancy complex in cathode material Li2FeSiO4 査読有り

    Kieu My Bui, Van An Dinh, and Takahisa Ohno

    Appl. Phys. Express   5 巻 ( 12 ) 頁: 125802   2012年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.5.125802

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講演・口頭発表等 7

  1. Computics Approach toward Clarification of Microscopic Mechanisms of Epitaxial Growth of Gallium Nitride 国際会議

    Kieu My Bui, Mauro Boero, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  2. A density functional study of atomic step edge on GaN surface

    Kieu My Bui, Jun-Ichi Iwata, Mauro Boero, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama

    The 80th JSAP Autumn meeting 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  3. Gallium Diffusion and Ammonia Decomposition on Growing GaN Surface: First Principles Molecular Dynamics Simulations 国際会議

    Kieu My Bui, Mauro Boero, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  4. Reaction Pathway of Surface-Catalyzed Ammonia Decomposition and Nitrogen Incorporation in Epitaxial Growth of Gallium Nitride 国際会議

    Kieu My Bui, Mauro Boero, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama

    APS March Meeting 2019 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  5. First-Principle Study of Nitrogen substitution on the GaN Surface in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    Kieu My Bui, Junichi Iwata, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Yasuteru Shigeta, Atsushi Oshiyama

    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  6. First-principle study of ammonia decomposition and nitrogen incorporation on the GaN surface in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    Kieu My Bui, Junichi Iwata, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Yasuteru Shigeta, Atsushi Oshiyama

    The 18th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVIII) 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  7. First principle analysis of ammonia adsorption and desorption on GaN surface 国際会議

    Kieu My Bui, Junichi Iwata, and Yasuteru Shigeta

    The 56th Sanibel Symposium 

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    開催年月日: 2017年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

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