2021/05/28 更新

写真a

アオキ タカアキ
青木 学聡
AOKI Takaaki
所属
運営支援組織等 情報連携推進本部 情報戦略室 教授
職名
教授

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2000年3月   京都大学 ) 

研究キーワード 3

  1. ナノ精度計測技術

  2. ナノ精度製造技術

  3. 研究情報システム

研究分野 2

  1. 情報通信 / 情報ネットワーク

  2. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

経歴 1

  1. 名古屋大学   情報連携推進本部 情報戦略室   教授

    2020年4月 - 現在

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    国名:日本国

学歴 1

  1. 京都大学   大学院工学研究科   電子物性工学専攻

    1997年4月 - 2000年3月

所属学協会 3

  1. 情報処理学会

    - 現在

  2. 日本MRS

    - 現在

  3. 応用物理学会

委員歴 3

  1. 研究データ利活用協議会   企画委員会委員長  

    2020年4月 - 現在   

  2. 大学ICT推進協議会   研究データマネジメント部会 主査  

    2017年6月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  3. 日本MRS   理事  

    2015年7月 - 現在   

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    団体区分:学協会

 

論文 281

  1. MeV-SIMS measurement of lithium-containing electrolyte 国際誌

    Seki T.

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms   479 巻   頁: 229 - 232   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2020.07.007

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  2. 研究データマネジメントに関する研究者アンケートの設計と実施

    青木学聡, 船守美穂, 松原茂樹, 結城憲司, 宮本貴朗, 西村浩二

    情報処理学会研究報告   2020-IOT-48 巻 ( 14 ) 頁: 1 - 7   2020年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

    オープンサイエンスの推進および研究公正の強化等の社会的要請に従い,学術機関が研究データポリシーの作成,情報インフラ構築,教育の実施,等の組織的な研究データマネジメント (Research Data Management, RDM) 支援体制の整備が求められようになっている.機関による RDM 支援体制整備の端緒として,RDM に対する研究者の理解度の確認と機関に対する要求の取りまとめがある.そこで,複数の機関が共同で研究者アンケートの質問票を作成し,これを雛形として機関毎の調査を実施した.本発表では,質問票の構成や雛形利用ガイドラインの作成の経緯と調査結果を紹介する.あわせて,本アンケートも含め,機関での RDM 推進のためのフレームワーク整備,ベンチ―マークの在り方ついて検討する.

  3. Optimized Alkali-Metal Cationization in Secondary Ion Mass Spectrometry of Polyethylene Glycol Oligomers with up to m/z 10000: Dependence on Cation Species and Concentration

    Gnaser Hubert, Oki Rika, Aoki Takaaki, Seki Toshio, Matsuo Jiro

    ANALYTICAL CHEMISTRY   92 巻 ( 1 ) 頁: 1511-1517   2020年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.analchem.9b04770

    Web of Science

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  4. 京都大学教育研究活動データベースの現状と課題

    梶原 弘貴, 澤田 浩文, 赤坂 浩一, 渥美 紀寿, 青木 学聡

    2019年度大学ICT推進協議会年次大会     頁: .   2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  5. 日本の学術機関における研究データ管理体制整備の課題と試み

    船守 美穂, 青木 学聡, 外山 勝彦, 山地 一禎

    情報処理学会研究報告   2019-IOT-47 巻 ( 17 ) 頁: 1 - 8   2019年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   出版者・発行元:情報処理学会  

    学術研究活動により生み出される研究データを積極的に管理・共有しようという流れが世界的に鮮明となっている.研究データはこれまで研究者により管理されてきたが,近年は効率性および説明責任等の観点から,機関がインフラを整備し,研究者の研究活動を支援するとともに,研究不正防止等の機関としての対応を図る必要性が高まっている.しかし研究データ管理は比較的新しい潮流のため,日本の大学等学術機関における取り組みは,端緒に就いたばかりである.本研究では,国内複数大学と研究会を開催し,各大学における研究データ管理の現状および取り組み促進にあたっての課題を明確にした.研究データ管理において関係する複数部署が共通認識を持つこと,研究データ管理が大学において的確に位置づけられること,研究データの機関にとっての資産価値が評価されること,研究データ管理のためのインフラと支援体制が用意されること,研究データ管理の教育や人材育成がなされることなどが必要であると指摘された.これら課題および考え方をコンパクトにまとめた「学術機関における研究データ管理に関する提言」を大学ICT推進協議会(AXIES)名で草稿した.これに続いて,学内のニーズを把握するためのアンケート雛形および,研究データ管理に関する事例集を作成し,国内大学の参考に供する予定である.

  6. Promoting Common Understanding on Research Data Management using Rubric 査読有り 国際誌

    AOKI Takaaki, KAJITA Shoji, MOTOKI Tamaki, IYEMORI Toshihiko, KAWAGUCHI Tomoko

    Proc. 2019 8th International Congress on Advanced Applied Informatics (IIAI-AAI)     頁: 387 - 390   2019年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Proceedings - 2019 8th International Congress on Advanced Applied Informatics, IIAI-AAI 2019  

    DOI: 10.1109/IIAI-AAI.2019.00085

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  7. 研究データマネジメントルーブリックによる自己評価と共通認識の醸成

    青木 学聡, 梶田 将司, 元木 環, 家森 俊彦, 川口 朋子

    DEIM Forum 2019     頁: C2-1   2019年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  8. 研究データ管理に関するeラーニング教材への反応と、研究支援者向けの新教材の開発について

    芝翔太郎, 林正治, 常川真央, 山地一禎, 尾城孝一, 南山泰之, 青木学聡, 天野絵里子, 西薗由依

    大学ICT推進協議会2018年度年次大会 (AXIES2018) 論文集   TB1-4 巻   頁: 1 - 4   2018年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  9. 招待講演 新しいプローブイオンを用いたSIMSによる有機材料分析 (光・量子デバイス研究会 微細加工技術とバイオ・メディカル応用)

    瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    電気学会研究会資料. OQD = The papers of technical meeting on optical and quantum devices, IEE Japan   2018 巻 ( 22 ) 頁: 29-33   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Article

  10. SIMS技術の飛躍的発展を支える新技術:新奇なイオンビーム開発から先端質量分析法まで

    松尾 二郎, 瀬木 利夫, 青木 学聡

    表面と真空   61 巻 ( 7 ) 頁: 426 - 434   2018年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面真空学会  

    <p>Recent progress of SIMS technique is reported in conjunction with novel primary ion beams and advanced mass spectrometers. Numerous applications of SIMS have been proposed and demonstrated in last decade, covering from organic semiconductors to cells and tissues. One of the biggest problems was "Static-Limit" for analysis of organic molecules, which is very fragile for ion bombardment. After innovation of massive cluster ion beams, the issue of "Static-Limit" has been overcame. This opens a new possibility for SIMS to analyze organic materials. Ultra-high mass resolution mass spectrometer, MS/MS technique, cationization enhancement and future prospects of SIMS are discussed.</p>

    DOI: 10.1380/vss.61.426

    CiNii Article

  11. Cationization and fragmentation of molecular ions sputtered from polyethylene glycol under gas cluster bombardment: An analysis by MS and MS/MS 査読有り 国際誌

    Thopan Prutchayawoot, Gnaser Hubert, Oki Rika, Aoki Takaaki, Seki Toshio, Matsuo Jiro

    INTERNATIONAL JOURNAL OF MASS SPECTROMETRY   430 巻   頁: 149 - 157   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:International Journal of Mass Spectrometry  

    DOI: 10.1016/j.ijms.2018.05.012

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  12. Development and Deployment of Research Data Preservation Policy at a Japanese Research University in 2016 査読有り 国際誌

    Aoki Takaaki, Kajita Shoji, Akasaka Hirokazu, Takeda Hagane

    2017 6TH IIAI INTERNATIONAL CONGRESS ON ADVANCED APPLIED INFORMATICS (IIAI-AAI)     頁: 120 - 123   2017年7月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Proceedings - 2017 6th IIAI International Congress on Advanced Applied Informatics, IIAI-AAI 2017  

    This paper reviews the policy development and deployment for research data preservation at Kyoto University, Japan, during fiscal year (FY) 2016. The universitys regulations and guidelines for research integrity and data preservation were formulated in FY2014 and 2015, in response to statements from the Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology, and supplemental comments by Science Council of Japan (in FY2014). In FY2016, several departments at KU developed a prototype system for research data preservation using open source web frameworks with preference to agility of deployment rather than robustness. The prototype system also worked as the proof of concept for a full-service research data preservation system, which is due to be deployed by KUs central IT department in FY2017 for university-wide use.

    DOI: 10.1109/iiai-aai.2017.129

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  13. 研究ライフサイクルに沿ったアカデミックデータマネジメント支援環境による 全学研究基盤強化構想

    梶田 将司, 青木 学聡

    情報処理学会研究報告   2017-IOT-38 巻 ( 4 ) 頁: 1 - 6   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  14. Angled etching of Si by ClF3–Ar gas cluster injection 査読有り 国際誌

    Toshio Seki, Hiroki Yamamoto, Takahiro Kozawa, Tadashi Shojo, Kunihiko Koike, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Japanese Journal of Applied Physics   56 巻 ( 6S2 ) 頁: 06HB02   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/jjap.56.06hb02

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  15. Fabrication of a Si lever structure made by double-angled etching with reactive gas cluster injection 査読有り 国際誌

    Seki T., Yamamoto H., Kozawa T., Koike K., Aoki T., Matsuo J.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   110 巻 ( 18 )   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    The reactive gas cluster injection process is an etching method that uses a neutral cluster beam without plasma. Low-damage Si etching can be realized with this method because of the very low irradiation energy; the product is free of charge-up problems and vacuum UV light damage. The ClF3-Ar neutral cluster injection system for angled etching was constructed with a nozzle that was placed at 45 degrees from the sample normal. The angled anisotropic Si etching is demonstrated with a high aspect ratio. The lever structure, which is often used in microelectromechanical systems (MEMSs), was fabricated by double-angled etching with reactive gas cluster injection. A simple fabrication process for the lever structure was achieved by double-angled etching with reactive gas cluster injection. These results show that various three-dimensional (3D) structures can be fabricated by repeated anisotropic etching with varying angles and directions. It is expected that the angled anisotropic etching process will enable the creation of unprecedented structures for use in MEMSs or photonic crystals.

    DOI: 10.1063/1.4982970

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  16. BYOD-PCとコース管理システムを活用した電気電子回路演習科目の実施

    青木 学聡, 久門 尚史, 木村 真之, 蛯原 義雄, 下田 宏

    研究報告教育学習支援情報システム(CLE)   2017 巻 ( 3 ) 頁: 1 - 5   2017年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   出版者・発行元:情報処理学会  

    京都大学電気電子工学科は 2016 年度に BYOD-PC を前提とした電気電子回路演習科目を必修科目として開始した.必修科目として演習を成立させるために 「ソフトウェア,ハードウェアの選定」, 「必修科目のためのセーフティネット構築」 を準備段階において検討し, これに合わせて演習カリキュラムを設計した. 一方, 演習の実施時段階においては, 京都大学のコース管理システムを積極的に活用し, 「テキスト, 各種資料の配布」, 「課題提出と個々の進捗確認」 をすべて電子的に行った. BYOD-PC とコース管理システムを活用することで, 演習科目における反転学習の導入, 個人単位のスキルの習得とグループワークによるプロジェクト的活動の連携といった, 新しい形態での演習科目を実現できた.

    CiNii Article

  17. 研究データ管理(RDM)トレーニングツールの構築と展開 査読有り

    常川 真央, 天野 絵里子, 大園 隼彦, 西薗 由依, 前田 翔太, 松本 侑子, 南山 泰之, 三角 太郎, 青木 学聡, 尾城 孝一, 山地 一禎

    情報知識学会誌   27 巻 ( 4 ) 頁: 362 - 365   2017年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:情報知識学会  

    <p> 研究データ管理は,研究プロセスの透明性を高め不正を防止する目的とともに,オープンサイエンスにおける研究データ共有を支える重要なプロセスである.しかし,研究データ管理のスキルを持つ人材はまだまだ少ないのが実状である.そこでオープンアクセスリポジトリ推進協会(JPCOAR)は,研究データタスクフォースを組織し,研究データ管理(RDM)のスキルを習得するためのトレーニングツールを開発し,2017年6月6日にWeb上で公開した.さらに,国立情報学研究所に協力し,オンライン講座「オープンサイエンス時代の研究データ管理」を11月15日に開講する予定である.本発表では,こうしたRDMの習得を支援する一連の活動について紹介したうえで,今後の研究データ管理業務を担当する人材育成について論じる.</p>

    DOI: 10.2964/jsik_2017_042

    CiNii Article

  18. エンタープライズコンテント管理システムと 光ディスクストレージによるデジタルデータ長期保存の検討

    青木 学聡, 梶田 将司, 赤坂 浩一, 武田 鋼

    大学ICT推進協議会2016年度年次大会     2016年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  

  19. 利用者側での CMS の運用改善 -- Sakai における課題ツールを例に

    青木 学聡, 喜多 一

    大学ICT推進協議会2016年度年次大会     2016年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    AXIES: 大学ICT推進協議会 2016年度 年次大会Webベースの情報システムは操作面での改善をユーザサイドでは行いにくいと いう欠点がある.コース管理システム(CMS)も教員が本格的に利用する上では授業を 受講する多くの学生と個々にインタラクションする場合の操作量が相当に多いという 課題があるがこれを実運用するサーバ側で改善することは管理上の問題なども発生す る.本報告では Sakai の課題ツールで回答を一括ダウンロードできることを利用し, 回答を効果的に閲覧するプログラムを作成することでユーザ側での運用を改善する試 みについて報告する.

    CiNii Article

  20. Molecular dynamics simulations study of nano particle migration by cluster impact 査読有り

    Takaaki Aoki, Toshio Seki, Jiro Matsuo

    Surface and Coatings Technology   306 巻   頁: 63 - 68   2016年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier {BV}  

    © 2016 Elsevier B.V.Molecular dynamics (MD) simulations are performed in order to investigate the radiation effects of a huge and slow gas cluster for the surface cleaning process. When a large argon cluster with the size ranging from 20,000 to 300,000 is accelerated with a total of 30. keV, each constituent atom carries very low energy ranging from 1.5. eV/atom to 0.1. eV/atom. In many cases, the cluster does not penetrate the solid target surface but is deflected in a lateral direction. This collisional process results in a high density particle flow spreading along the surface plane due to cohesion of the cluster, which suggests the capability to modify the irregular surface structure, without damage in the target. The MD simulations demonstrate that such a huge cluster sweeps a nano particle (NP, 3. nm in radius) attached on a planar silicon target&#039;s surface. From the investigation of various conditions of cluster impact, it is found that the migration distance is correlated with the kinetic energy applied on the NP by the impact of cluster atoms. Additionally, the MD results suggest the existence of optimized parameters for the maximum migration distance for the offset distance between the cluster and the NP, and the cluster size for constant total energy (equivalent to energy per atom or kinetic energy density). The optimized offset distance was estimated as the summation of radii of the incident cluster and the NP. The optimized energy per atom was suggested around 0.6. eV/atom, where the cluster efficiently spreads in lateral direction keeping higher kinetic energy density of particle flow.

    DOI: 10.1016/j.surfcoat.2016.04.053

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    その他リンク: http://orcid.org/0000-0002-5926-4903

  21. Reactive etching by ClF3–Ar neutral cluster beam with scanning 査読有り

    Toshio Seki, Yu Yoshino, Takehiko Senoo, Kunihiko Koike, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 6S2 ) 頁: 06HB01   2016年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/jjap.55.06hb01

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  22. Development of ambient SIMS using mega-electron-volt-energy ion probe 査読有り

    Masakazu Kusakari, Makiko Fujii, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics   34 巻 ( 3 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Institute of Physics Inc.  

    A new secondary ion mass spectrometry device using an ion probe in the heavy mega-electron-volt (MeV) energy range was developed for detecting large intact molecules with high sensitivity under ambient conditions. The instrument is based on the characteristics induced by the MeV-energy heavy ions, namely, electronic excitation induced in the near-surface region and the high transmission capability under ambient conditions. The secondary ions were transported to the mass analyzer effectively by an electric field and atmospheric gas flow, whereas the chemical impurities from the gas were cleared by using an electric field. In addition, this new ambient analysis approach enables evaluation not only of solid samples, but also of liquid samples that were evaporated under advanced vacuum. In this study, liquid water and samples of a benzoic acid solution were measured under ambient conditions.

    DOI: 10.1116/1.4941724

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  23. Development of ambient SIMS using mega-electron-volt-energy ion probe 査読有り

    Kusakari M.

    Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics   34 巻 ( 3 )   2016年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics  

    DOI: 10.1116/1.4941724

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  24. Secondary ion emission from leucine and isoleucine under argon gas-cluster ion bombardment 査読有り

    Gnaser H.

    Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics   34 巻 ( 3 )   2016年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics  

    DOI: 10.1116/1.4939497

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  25. Development of ambient SIMS using mega-electron-volt-energy ion probe 査読有り

    Masakazu Kusakari, Makiko Fujii, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   34 巻 ( 3 ) 頁: 4   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:A V S AMER INST PHYSICS  

    A new secondary ion mass spectrometry device using an ion probe in the heavy mega-electron-volt (MeV) energy range was developed for detecting large intact molecules with high sensitivity under ambient conditions. The instrument is based on the characteristics induced by the MeV-energy heavy ions, namely, electronic excitation induced in the near-surface region and the high transmission capability under ambient conditions. The secondary ions were transported to the mass analyzer effectively by an electric field and atmospheric gas flow, whereas the chemical impurities from the gas were cleared by using an electric field. In addition, this new ambient analysis approach enables evaluation not only of solid samples, but also of liquid samples that were evaporated under advanced vacuum. In this study, liquid water and samples of a benzoic acid solution were measured under ambient conditions. (C) 2016 American Vacuum Society.

    DOI: 10.1116/1.4941724

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  26. Secondary ion emission from leucine and isoleucine under argon gas-cluster ion bombardment 査読有り

    Hubert Gnaser, Masakazu Kusakari, Makiko Fujii, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   34 巻 ( 3 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:A V S AMER INST PHYSICS  

    The emission of sputtered ions from isoleucine and leucine specimens under bombardment by 10 keV argon gas-cluster ions Ar-1000(+) was investigated by orthogonal time-of-flight secondary ion mass spectrometry, in an attempt to examine the possibility of discriminating these amino acids by means of specific differences in their mass spectra. Apart from of the protonated molecular ions (M+H)(+) a prolific flux of singly charged and doubly charged molecular cluster ions, (M-n+H)(+) (1 &lt;= n &lt;= 15) and (M-n+2H)(2+) (8 &lt;= n &lt;= 29) was observed. The distributions of the cluster yields Y-n as a function of their size n were found to be very similar for both amino acids. In addition, the fraction of emitted fragment and other ion species is typically low, and no distinct differences were detected for isoleucine and leucine. Therefore, the present data seem to indicate that a discrimination of isoleucine and leucine via mass spectrometric means is not possible. (C) 2016 American Vacuum Society.

    DOI: 10.1116/1.4939497

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  27. Observation of Liquid Water with Ambient SIMS

    Kusakari M., Fujii M., Seki T., Aoki T., Matsuo J.

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   41 巻 ( 3 ) 頁: 309 - 311   2016年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本MRS  

    <p>  Secondary ion mass spectrometry (SIMS) is powerful method for obtaining component information from solid samples, such as semiconductor devices and biological tissue. Moreover, SIMS has high surface sensitivity because of the use of a primary ion probe. The keV-energy ion probe is, however, unstable under low vacuum conditions and this makes evaluation of volatile liquid samples difficult. A new SIMS technique that uses an MeV-energy heavy ion probe, called ambient SIMS, enables measuring volatile liquid samples under ambient conditions by high transmission capability of the primary probe. In this study, water in liquid form, which has a relatively high vapor pressure (2,339 Pa at 20℃), was evaluated by ambient SIMS and gave some cluster ions with high intensity. This result suggests that ambient SIMS has significant potential for evaluating both solid and liquid samples with high sensitivity.</p>

    DOI: 10.14723/tmrsj.41.309

    CiNii Article

  28. Ambient analysis of liquid materials with Wet-SIMS 査読有り

    Toshio Seki, Masakazu Kusakari, Makiko Fujii, Takaaki Aoki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms   371 巻   頁: 189 - 193   2016年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    © 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.Secondary ion mass spectrometry (SIMS) is a method with high surface sensitivity that allows both elemental and molecular analysis. However, volatile liquid (wet) samples are difficult to measure using conventional SIMS, because samples must be dried and introduced into a high vacuum chamber. The mean free path of ions with energy in the keV range is very short in low vacuum and these ions cannot penetrate the surface. In contrast, ions in the MeV-energy range have high transmission capability in low vacuum and wet samples can be measured using heavy ions without dry sample preparation. Ion beams in the MeV-energy range also excite electrons near the surface and enhance the ionization of high-mass molecules and thus fragment-suppressed SIMS spectra of ionized molecules can be obtained. We have developed an ambient analysis system with secondary ion mass spectrometry for wet samples (Wet-SIMS) that operates from low vacuum to 30 kPa using MeV-energy heavy ion beams. The system is equipped with fine apertures that avoid vacuum degradation at both the primary beam incidence and the secondary ion measurement sides, even when the target chamber is filled with He gas at 30 kPa. Water evaporation was suppressed in a He atmosphere of 16.5 kPa and a solution of benzoic acid could be measured using MeV-energy heavy ions.

    DOI: 10.1016/j.nimb.2015.09.046

    Web of Science

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  29. Development of ambient SIMS using mega-electron-volt-energy ion probe 査読有り

    Masakazu Kusakari, Makiko Fujii, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena   34 巻 ( 3 )   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.4941724

    Web of Science

  30. Development of Low-vacuum SIMS instruments with large cluster Ion beam 査読有り

    Suzuki K, Kusakari M, Fujii M, Seki T, Aoki T, Matsuo J

    Surface and Interface Analysis   48 巻 ( 11 ) 頁: 1121 - 1121   2016年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Interface Analysis  

    DOI: 10.1002/sia.6121

    Web of Science

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    J-GLOBAL

  31. Development of ambient SIMS using mega-electron-volt-energy ion probe 査読有り

    Kusakari Masakazu, Fujii Makiko, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   34 巻 ( 3 )   2016年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.4941724

    Web of Science

  32. Secondary ion emission from leucine and isoleucine under argon gas-cluster ion bombardment 査読有り

    Gnaser Hubert, Kusakari Masakazu, Fujii Makiko, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   34 巻 ( 3 )   2016年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.4939497

    Web of Science

  33. Secondary ion emission from leucine and isoleucine under argon gas-cluster ion bombardment 査読有り

    Hubert Gnaser, Hubert Gnaser, Masakazu Kusakari, Makiko Fujii, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics   34 巻 ( 3 ) 頁: 5   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    © 2016 American Vacuum Society.The emission of sputtered ions from isoleucine and leucine specimens under bombardment by 10 keV argon gas-cluster ions Ar 1000 + was investigated by orthogonal time-of-flight secondary ion mass spectrometry, in an attempt to examine the possibility of discriminating these amino acids by means of specific differences in their mass spectra. Apart from of the protonated molecular ions (M+H)+ a prolific flux of singly charged and doubly charged molecular cluster ions, (Mn+H)+ (1 ≤ n ≤ 15) and (Mn+2H)2+ (8 ≤ n ≤ 29) was observed. The distributions of the cluster yields Yn as a function of their size n were found to be very similar for both amino acids. In addition, the fraction of emitted fragment and other ion species is typically low, and no distinct differences were detected for isoleucine and leucine. Therefore, the present data seem to indicate that a discrimination of isoleucine and leucine via mass spectrometric means is not possible.

    DOI: 10.1116/1.4939497

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    J-GLOBAL

  34. Yields and images of secondary ions from organic materials by different primary Bi ions in time-of-flight secondary ion mass spectrometry 査読有り

    Rie Shishido, Makiko Fujii, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo, Shigeru Suzuki

    Rapid Communications in Mass Spectrometry   30 巻 ( 4 ) 頁: 476 - 482   2016年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Rapid Communications in Mass Spectrometry  

    © 2016 John Wiley &amp; Sons, Ltd.Rationale Bi cluster ions are used as a source of primary ions for time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), and it has been recognized that secondary ion yields of macromolecules are higher with Bi cluster ions than with monomer ions or other cluster ions such as Cs+, Ga+ and Aun+. However, the analysis conditions of Bi cluster TOF-SIMS are not sufficiently established. This study provides information on the secondary ion yields, damage cross-section and spatial resolution obtained with different primary Bi ions. Methods We investigated the secondary ion yields, damage cross-section and spatial resolution using three different primary Bi ions in TOF-SIMS. The primary ions selected were Bi1+, Bi3+ and Bi32+ that were accelerated with 25 kV and the positively charged secondary ions were analyzed. The samples were 1, 2-distearoyl-sn-glycero-3-phosphocholine (C44H88NO8P, DSPC), which is a typical lipid, and N,N&#039;-di(1-naphthyl)-N,N&#039;-diphenylbenzidine (C44H32N2, NPD) and 4,4&#039;,4&quot;-tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine (C66H48N4, 2-TNATA), which are organic functional materials. Results Although the secondary ion yields of DSPC were highest when measured with Bi3+, the spatial resolution obtained from all DSPC analyses could not be evaluated because of the low intensity of the secondary molecular ions. On the other hand, for both NPD and 2-TNATA, the secondary ion yields were highest when imaged with Bi32+. Also, we obtained the highest spatial resolution using Bi32+. In the analysis of all molecules, the damage cross-section obtained with Bi32+ was also the highest. Conclusions When secondary ions were sensitively detected, images of the high spatial resolution were obtained by using Bi32+. On the other hand, when the secondary ion sensitivity was low, the spatial resolution depended on the yields of secondary ions, implying that the selection of the primary ion species is crucial for SIMS analysis of large molecules.

    DOI: 10.1002/rcm.7455

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    PubMed

    J-GLOBAL

  35. クラスタービーム技術の新展開 査読有り

    松尾 二郎, 藤井 麻樹子, 瀬木 利夫, 青木 学聡

    精密工学会誌   82 巻 ( 4 ) 頁: 309 - 314   2016年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:精密工学会  

    DOI: 10.2493/jjspe.82.309

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    CiNii Article

    その他リンク: http://orcid.org/0000-0002-5926-4903

  36. クラスターイオンビーム技術の最近の進展&mdash;ナノ加工からバイオ材料評価まで&mdash;

    松尾 二郎, 藤井 麻樹子, 瀬木 利夫, 青木 学聡

    Journal of the Vacuum Society of Japan   59 巻 ( 5 ) 頁: 113 - 120   2016年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本真空学会  

    &amp;emsp;Recent progress of cluster ion beam was overviewed. Various applications, such as nano-fabrication and biological material analysis, have been developed by using cluster effects, which are due to high-density and multiple collision between cluster ion and surface. Control of size and energy of cluster beam is essential. High speed etching with high anisotropy is realized with neutral cluster beam, which has very low energy/atom. Both molecular depth profiling of organic multilayer and high resolution molecular imaging were demonstrated by using cluster ions. These new XPS and SIMS techniques provide new opportunities for polymer, molecular electronics, biological materials and life science.&lt;br&gt;

    DOI: 10.3131/jvsj2.59.113

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    CiNii Article

  37. Molecular cluster emission in sputtering of amino acids by argon gas-cluster ions

    Kusakari Masakazu, Gnaser Hubert, Fujii Makiko, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    INTERNATIONAL JOURNAL OF MASS SPECTROMETRY   383 巻 ( 1 ) 頁: 31 - 37   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:International Journal of Mass Spectrometry  

    DOI: 10.1016/j.ijms.2015.04.003

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  38. Progress and applications of cluster ion beam technology 査読有り

    Yamada I., Matsuo J., Toyoda N., Aoki T., Seki T.

    CURRENT OPINION IN SOLID STATE & MATERIALS SCIENCE   19 巻 ( 1 ) 頁: 12 - 18   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Current Opinion in Solid State and Materials Science  

    DOI: 10.1016/j.cossms.2014.11.002

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  39. クラスターSIMS法を用いた生体試料分析の現状と課題

    藤井 麻樹子, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    表面科学学術講演会要旨集   35 巻 ( 0 )   2015年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    近年、クラスターSIMS法を用いた有機材料分析が盛んに行われている。しかしながら、一般に複雑な組成や構造を持つ生体試料に対しては、その高精細な分析は未だ困難である。我々の研究グループでは、独自に作製した種々の有機モデル試料を用いて、クラスターSIMS法を用いた生体試料分析における質量分解能、空間分解能、検出限界や定量性に関する評価を行った。本発表では現在の課題と将来展望に関する議論を行う。

    DOI: 10.14886/sssj2008.35.0_346

    CiNii Article

  40. クラスターSIMS法による生体分子の高空間分解能イメージング

    松尾 二郎, 鈴木 敢士, 草刈 将一, 藤井 麻樹子, 青木 学聡, 瀬木 利夫

    表面科学学術講演会要旨集   35 巻 ( 0 )   2015年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    脂肪酸や脂質分子は、細胞膜の主要構成分子だけでなく様々なシグナル伝達物質としての役目も負っている興味深い分子である。クラスターSIMS法では多数の脂質分子イオンを同時に高感度に検出でき、その分布を可視化する分子イメージングできるという利点がある。脂質分子の高感度検出とその分子イメージングへの応用について、実サンプルの評価結果交えて議論する。

    DOI: 10.14886/sssj2008.35.0_347

    CiNii Article

  41. BiクラスターTOF-SIMSによる有機材料のイメージング分析に関する研究

    宍戸 理恵, 藤井 麻樹子, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎, 鈴木 茂

    表面科学学術講演会要旨集   35 巻 ( 0 )   2015年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    一次イオンにクラスターを用いたStaticタイプのSIMSが市販化されるようになると、分析の対象が無機材料から生体材料、ポリマー材料などのソフトマテリアルへと広がった。更に、LMIGを用いた電界放射でのイオン化により、高輝度なイオンビーム照射が実現し、高空間分解能でのイメージング分析が可能になってきた。本発表では、一次イオンにBiクラスターを採用したTOF-SIMSを用いて、一次イオン種がイメージ分解能に与える影響について議論する。

    DOI: 10.14886/sssj2008.35.0_245

    CiNii Article

  42. Analysis of liquid materials in low vacuum with Wet-SIMS 査読有り

    Seki Toshio, Fujii Makiko, Kusakari Masakazu, Nakagawa Shunichiro, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS   46 巻 ( 12-13 ) 頁: 1133 - 1136   2014年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Interface Analysis  

    DOI: 10.1002/sia.5528

    Web of Science

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  43. Quantitative analysis of lipids with argon gas cluster ion beam secondary ion mass spectrometry

    Fujii Makiko, Nakagawa Shunichirou, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS   46 巻 ( 12-13 ) 頁: 1129 - 1132   2014年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Interface Analysis  

    DOI: 10.1002/sia.5518

    Web of Science

    Scopus

  44. Lipid compounds analysis with MeV-SIMS apparatus for biological applications

    Fujii Makiko, Kusakari Masakazu, Matsuda Kazuhiro, Man Naoki, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS   46 巻 ( S1 ) 頁: 353 - 356   2014年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Interface Analysis  

    DOI: 10.1002/sia.5524

    Web of Science

    Scopus

  45. Biomaterial imaging with MeV-energy heavy ion beams 査読有り

    Seki Toshio, Wakamatsu Yoshinobu, Nakagawa Shunichiro, Aoki Takaaki, Ishihara Akihiko, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   332 巻   頁: 326 - 329   2014年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2014.02.088

    Web of Science

    Scopus

  46. Novel SIMS system with focused massive cluster ion source for mass imaging spectrometry with high lateral resolution 査読有り

    Matsuo Jiro, Torii Souta, Yamauchi Kazuki, Wakamoto Keisuke, Kusakari Masakazu, Nakagawa Shunichiro, Fujii Makiko, Aoki Takaaki, Seki Toshio

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   7 巻 ( 5 ) 頁: 1 - 56602   2014年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.7.056602

    Web of Science

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    J-GLOBAL

  47. Study on the detection limits of a new argon gas cluster ion beam secondary ion mass spectrometry apparatus using lipid compound samples 査読有り

    Fujii Makiko, Nakagawa Shunichirou, Matsuda Kazuhiro, Man Naoki, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    RAPID COMMUNICATIONS IN MASS SPECTROMETRY   28 巻 ( 8 ) 頁: 917 - 920   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Rapid Communications in Mass Spectrometry  

    DOI: 10.1002/rcm.6867

    Web of Science

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    PubMed

  48. Molecular dynamics simulations of cluster impacts on solid targets: implantation, surface modification, and sputtering 査読有り

    Aoki Takaaki

    JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS   13 巻 ( 1 ) 頁: 108 - 121   2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Computational Electronics  

    DOI: 10.1007/s10825-013-0504-5

    Web of Science

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    その他リンク: http://orcid.org/0000-0002-5926-4903

  49. Prolific cluster emission in sputtering of phenylalanine by argon-cluster ion bombardment 査読有り

    Gnaser Hubert, Fujii Makiko, Nakagawa Shunichirou, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    INTERNATIONAL JOURNAL OF MASS SPECTROMETRY   360 巻 ( 1 ) 頁: 54 - 57   2014年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:International Journal of Mass Spectrometry  

    DOI: 10.1016/j.ijms.2013.12.024

    Web of Science

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  50. クラスターSIMS法による脂質分子の高感度検出とイメージングへの応用

    藤井 麻樹子, 宍戸 理恵, 鳥居 聡太, 中川 駿一郎, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 鈴木 茂, 松尾 二郎

    表面科学   35 巻 ( 7 ) 頁: 351 - 355   2014年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    In recent years, the analysis of biological samples has been extensively performed in pharmacokinetic and metabolic studies. The use of Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) with conventional monomer ion beams, such as Ar<sup>+</sup>, Cs<sup>+</sup> or Ga<sup>+</sup>, in biological applications is difficult because of the low secondary ion yield of large organic molecules and the complicated fragment ion signals. The use of cluster ions as primary projectiles in SIMS has spread dramatically in the past decade. Bismuth (Bi) cluster ions are now the most familiarized primary ions in cluster SIMS because of the high convergence property and the high molecular ion yield. Argon gas cluster ion beam (Ar-GCIB) is also one of the most attractive primary projectiles for biological application because of the soft sputtering without damage accumulation. However, our knowledge of detection limit and sensitivity is still insufficient for the practical analysis of complex biological samples with cluster SIMS. In addition, imaging mass spectrometry with high spatial resolution is crucially essential for tissue and cell analysis. In this study, lipid standard samples were measured in order to examine the detection limit and the spatial resolution of our Ar-GCIB SIMS, and the results were compared with those of the commercial Bi cluster SIMS. The results indicated that Ar-GCIB SIMS has a capability to obtain the valuable information in biological analysis, however, the improvement on spatial resolution and sensitivity is still required.

    DOI: 10.1380/jsssj.35.351

    CiNii Article

  51. Low Vacuum SIMS Measurements of Higher Alcohols with MeV-energy Heavy Ion Beam

    Kusakari Masakazu, Fujii Makiko, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   39 巻 ( 3 ) 頁: 265 - 268   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本MRS  

    The technique of secondary ion mass spectrometry (SIMS) using an ion beam with MeV-energy has been developed to visualize the spatial distribution of biological tissues and cells with high spatial resolution. In this analytical technique, low vacuum is essential for keeping the samples wet. The effect of evaporation of volatile samples on the SIMS spectra was investigated under vacuum pressures of 50 and 500 Pa by using two higher alcohols, 1-decanol and 1-dodecanol. The results indicated that secondary ions of monomer and multimer species were generated by different phases in the sample. Moreover, the comparison of mass spectra obtained under the vacuum conditions of 50 and 500 Pa separately demonstrated that the secondary ion yields were affected by the gas flow adjusting the vacuum, whereas analysis at lower vacuum conditions allowed obtaining constant secondary ion intensity from volatile samples. The results clearly indicated the advantage of ambient analysis with the MeV-SIMS apparatus.

    DOI: 10.14723/tmrsj.39.265

    CiNii Article

  52. An electrostatic quadrupole doublet focusing system for MeV heavy ions in MeV-SIMS 査読有り

    Seki T., Shitomoto S., Nakagawa S., Aoki T., Matsuo J.

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   315 巻   頁: 356 - 359   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2013.05.069

    Web of Science

    Scopus

  53. Ultrafine particle removal using gas cluster ion beam technology 査読有り

    Dobashi K.

    IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing   26 巻 ( 3 ) 頁: 328 - 334   2013年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  

    DOI: 10.1109/TSM.2013.2268871

    Scopus

  54. Ultrafine Particle Removal Using Gas Cluster Ion Beam Technology 査読有り

    Dobashi Kazuya, Inai Kensuke, Saito Misako, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING   26 巻 ( 3 ) 頁: 328 - 334   2013年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TSM.2013.2268871

    Web of Science

  55. Molecular dynamics simulation study of damage formation and sputtering with huge fluorine cluster impact on silicon 査読有り

    Aoki Takaaki, Seki Toshio, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   303 巻   頁: 170 - 173   2013年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2012.10.040

    Web of Science

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    その他リンク: http://orcid.org/0000-0002-5926-4903

  56. Development of gas cluster ion beam irradiation system with an orthogonal acceleration TOF instrument 査読有り

    Ichiki K., Tamura J., Seki T., Aoki T., Matsuo J.

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS   45 巻 ( 1 ) 頁: 522 - 524   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Interface Analysis  

    DOI: 10.1002/sia.5092

    Web of Science

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  57. Ion-induced damage evaluation with Ar cluster ion beams 査読有り

    Yamamoto Yasuyuki, Ichiki Kazuya, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS   45 巻 ( 1 ) 頁: 167 - 170   2013年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Interface Analysis  

    DOI: 10.1002/sia.5014

    Web of Science

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    その他リンク: http://orcid.org/0000-0002-5926-4903

  58. クラスターSIMS法による脂質分子の高感度検出とイメージングへの応用

    松尾 二郎, 中川 俊一郎, 鳥居 聡太, 藤井 麻樹子, 瀬木 利夫, 青木 学聡

    表面科学学術講演会要旨集   33 巻 ( 0 )   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    <br>脂肪酸や脂質分子は、細胞膜の主要構成分子だけでなく様々なシグナル伝達物質としての役目も負っている興味深い分子である。クラスターSIMS法では多数の脂質分子イオンを同時に高感度に検出でき、その分布を可視化する分子イメージングできるという利点がある。脂質分子の高感度検出とその分子イメージングへの応用について、実サンプルの評価結果交えて議論する。

    DOI: 10.14886/sssj2008.33.0_18

    CiNii Article

  59. Peptide dissociation patterns in secondary ion mass spectrometry under large argon cluster ion bombardment 査読有り

    Gnaser Hubert, Fujii Makiko, Nakagawa Shunichirou, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    RAPID COMMUNICATIONS IN MASS SPECTROMETRY   27 巻 ( 13 ) 頁: 1490 - 1496   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Rapid Communications in Mass Spectrometry  

    DOI: 10.1002/rcm.6599

    Web of Science

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    PubMed

    その他リンク: http://orcid.org/0000-0002-5926-4903

  60. Ultrafine particle removal using gas cluster ion beam technology

    Kazuya Dobashi, Kensuke Inai, Misako Saito, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing   26 巻 ( 3 ) 頁: 328 - 334   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    In this paper, the ultrafine particle removal using CO2 gas cluster ion beam (GCIB) technology is investigated. The CO2 GCIB is irradiated the sample at an angle of 0 with respect to the surface normal. The higher particle removal efficiency can be achieved at the higher kinetic energy of the gas cluster, and the inside space of line and space pattern particles can be removed. We also suggested that the CO2 GCIB process has the high particle removal uniformity without redeposition of the removed particles. It is possible to remove the ultrafine particle as small as 12 nm in diameter (which is required for 2014 by ITRS 2011). The pattern damage is not observed for 45 nm poly-Si pattern. Moreover, the molecular dynamics simulation is performed to investigate the mechanisms of the particle removal by GCIB irradiation. © 1988-2012 IEEE.

    DOI: 10.1109/TSM.2013.2268871

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  61. Ultrafine particle removal using gas cluster ion beam technology 査読有り

    Kazuya Dobashi, Kensuke Inai, Misako Saito, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing   26 巻 ( 3 ) 頁: 328 - 334   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC  

    In this paper, the ultrafine particle removal using CO2 gas cluster ion beam (GCIB) technology is investigated. The CO2 GCIB is irradiated the sample at an angle of 0 with respect to the surface normal. The higher particle removal efficiency can be achieved at the higher kinetic energy of the gas cluster, and the inside space of line and space pattern particles can be removed. We also suggested that the CO2 GCIB process has the high particle removal uniformity without redeposition of the removed particles. It is possible to remove the ultrafine particle as small as 12 nm in diameter (which is required for 2014 by ITRS 2011). The pattern damage is not observed for 45 nm poly-Si pattern. Moreover, the molecular dynamics simulation is performed to investigate the mechanisms of the particle removal by GCIB irradiation. © 1988-2012 IEEE.

    DOI: 10.1109/TSM.2013.2268871

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  62. Molecular dynamics study of crater formation by core-shell structured cluster impact 査読有り

    Aoki Takaaki, Seki Toshio, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   282 巻   頁: 29 - 32   2012年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2011.08.061

    Web of Science

    Scopus

  63. Depth profiling analysis of damaged arginine films with Ar cluster ion beams 査読有り

    Matsuo J., Ichiki K., Yamamoto Y., Seki T., Aoki T.

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS   44 巻 ( 6 ) 頁: 729 - 731   2012年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Interface Analysis  

    DOI: 10.1002/sia.4856

    Web of Science

    Scopus

  64. クラスターSIMS法による脂質薄膜の構造評価

    松尾 二郎, 中川 駿一郎, 志戸本 祥, 鳥居 聡太, 瀬木 利夫, 青木 学聡

    表面科学学術講演会要旨集   32 巻 ( 0 )   2012年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    細胞膜などで普遍的にみられる脂質薄膜をクラスターSIMS法で評価した。ソフトなイオン化法であるクラスターSIMS法は、脂質分子を壊すことなくイオン化でき、構造評価に適した手法である。また、ラットの脳切片などへの応用も示す。

    DOI: 10.14886/sssj2008.32.0_262

    CiNii Article

  65. Etching of metallic materials with Cl-2 gas cluster ion beam 査読有り

    Seki T., Aoki T., Matsuo J.

    SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY   206 巻 ( 5 ) 頁: 789 - 791   2011年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Coatings Technology  

    DOI: 10.1016/j.surfcoat.2011.04.054

    Web of Science

    Scopus

  66. Low-damage milling of an amino acid thin film with cluster ion beam 査読有り

    Hada Masaki, Ibuki Sachi, Hontani Yusaku, Yamamoto Yasuyuki, Ichiki Kazuya, Ninomiya Satoshi, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   110 巻 ( 9 )   2011年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3658220

    Web of Science

    Scopus

  67. Highly sensitive molecular detection with swift heavy ions 査読有り

    Wakamatsu Yoshinobu, Yamada Hideaki, Ninomiya Satoshi, Jones Brian N., Seki Toshio, Aoki Takaaki, Webb Roger, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   269 巻 ( 20 ) 頁: 2251 - 2253   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2011.02.069

    Web of Science

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  68. The effects of cluster size on sputtering and surface smoothing of PMMA with gas cluster ion beams 査読有り 国際誌

    Kazuya Ichiki, Satoshi Ninomiya, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   36 巻 ( 3 ) 頁: 309 - 312   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Materials Research Society of Japan  

    We investigated the sputtering rate and surface morphology of polymethylmethacrylate (PMMA) samples bombarded with Ar cluster ion beam with selected energy of 12.5 eV/atom. The incident cluster energy range was 10–60 keV/ion. The incident cluster ion was selected before irradiation by using the time-of-flight (TOF) method. Both the sputtering rates and the average surface roughness increased rapidly with increasing incident cluster size under bombardment with small cluster ion. Under bombardment with large cluster ion, the average surface roughness does not increase rapidly, although sputtering rates increased nonlinearly. It suggests that a cluster ion beam with large size would be effective for high speed etching without roughing the surface.

    DOI: 10.14723/tmrsj.36.309

    CiNii Article

  69. Molecular dynamics simulations of large fluorine cluster impact on silicon with supersonic velocity 査読有り

    Aoki Takaaki, Seki Toshio, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   269 巻 ( 14 ) 頁: 1582 - 1585   2011年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2010.12.013

    Web of Science

    Scopus

  70. Analysis of organic semiconductor multilayers with Ar cluster secondary ion mass spectrometry 査読有り

    Ninomiya Satoshi, Ichiki Kazuya, Yamada Hideaki, Nakata Yoshihiko, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS   43 巻 ( 1-2 ) 頁: 95 - 98   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Interface Analysis  

    DOI: 10.1002/sia.3587

    Web of Science

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  71. MeV-energy probe SIMS imaging of major components in washed and fractured animal cells 査読有り

    Yamada H., Nakata Y., Ninomiya S., Seki T., Aoki T., Tamura J., Matsuo J.

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS   43 巻 ( 1-2 ) 頁: 363 - 366   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Interface Analysis  

    DOI: 10.1002/sia.3408

    Web of Science

    Scopus

  72. Surface morphology of PMMA surfaces bombarded with size-selected gas cluster ion beams 査読有り

    Ichiki K., Ninomiya S., Nakata Y., Yamada H., Seki T., Aoki T., Matsuo J.

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS   43 巻 ( 1-2 ) 頁: 120 - 122   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Interface Analysis  

    DOI: 10.1002/sia.3444

    Web of Science

    Scopus

  73. Using ellipsometry for the evaluation of surface damage and sputtering yield in organic films with irradiation of argon cluster ion beams 査読有り

    Hada Masaki, Ninomiya Satoshi, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS   43 巻 ( 1-2 ) 頁: 84 - 87   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Interface Analysis  

    DOI: 10.1002/sia.3452

    Web of Science

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  74. The effect of incident energy on molecular depth profiling of polymers with large Ar cluster ion beams 査読有り

    Ninomiya Satoshi, Ichiki Kazuya, Yamada Hideaki, Nakata Yoshihiko, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS   43 巻 ( 1-2 ) 頁: 221 - 224   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Interface Analysis  

    DOI: 10.1002/sia.3656

    Web of Science

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  75. Evaluation of damage depth on arginine films with molecular depth profiling by Ar cluster ion beam

    Yamamoto Yasuyuki, Ichiki Kazuya, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   36 巻 ( 3 ) 頁: 313 - 316   2011年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本MRS  

    Ion-induced damage on organic materials has been evaluated with secondary ion mass spectrometry (SIMS). However, conventional sputter beams, such as SF<sub>5</sub><sup>+</sup>, C<sub>60</sub><sup>+</sup> cannot etch the organic materials without inducing damage, and it is difficult to evaluate the depth distribution of the damage in these materials. Large gas cluster ion can etch organic materials without damage, and in this study the damaged layer thickness was evaluated by molecular depth profiling with Ar cluster ion beam. Arginine films were irradiated with 10 keV Ga<sup>+</sup> at a dose of 1.0 × 10<sup>14</sup> ions/cm<sup>2</sup> with the aim of forming a damaged layer on the surface. The chemical structure of arginine was seriously damaged, as indicated by the non-detection of protonated arginine molecular ions after Ga<sup>+</sup> ions irradiation. The peak intensity of the protonated arginine ion increased with increasing sputtering depth and saturated at the depth of about 30 nm. This value agreed with the projection range of the Ga<sup>+</sup> ion indicating that the depth of the ion-induced damage was the same as projection range of the ion. Ion-induced damage layer thickness on arginine films were accurately evaluated by molecular depth profiling with Ar cluster ion beam.

    DOI: 10.14723/tmrsj.36.313

    CiNii Article

  76. 2次イオン質量分析法(SIMS法)によるバイオイメー ジング

    松尾 二郎, 市木 和弥, 瀬木 利夫, 青木 学聡

    表面科学学術講演会要旨集   31 巻 ( 0 ) 頁: 171 - 171   2011年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    二次イオン質量分析法の持つ高い空間分解能を活かし、培養細胞や生体組織切片への応用を進めており、細胞一個を観察することが可能となっている。最新のSIMS法の生命科学への応用を、我々の研究成果を中心に実例を交えながら紹介し、高分解質量イメージング法としての今後の課題や展望について議論する。

    DOI: 10.14886/sssj2008.31.0.171.0

    CiNii Article

  77. Anisotropic Etching Using Reactive Cluster Beams

    Koike Kunihiko, Yoshino Yu, Senoo Takehiko, SEKI Toshio, NINOMIYA Satoshi, AOKI Takaaki, MATSUO Jiro

    Applied physics express   3 巻 ( 12 ) 頁: "126501 - 1"-"126501-3"   2010年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    CiNii Article

  78. 18<sup>th</sup> International Conference on Ion Implantation Technology 査読有り

    Matsuo J.

    AIP Conference Proceedings   1321 巻   2010年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Conference Proceedings  

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  79. Anisotropic etching using reactive cluster beams

    Koike K.

    Applied Physics Express   3 巻 ( 12 )   2010年12月

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.3.126501

    Scopus

  80. Nano processing with gas cluster ion beams

    Matsuo J.

    Toraibarojisuto/Journal of Japanese Society of Tribologists   55 巻 ( 11 ) 頁: 776 - 782   2010年12月

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Toraibarojisuto/Journal of Japanese Society of Tribologists  

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  81. SIMS Depth Profiling of Organic Materials with Ar Cluster Ion Beam 査読有り 国際誌

    Satoshi Ninomiya, Kazuya Ichiki, Hideaki Yamada, Yoshihiko Nakata, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   35 巻 ( 4 ) 頁: 785 - 788   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本MRS  

    Depth profiling has been rarely used with secondary ion mass spectrometry (SIMS) of organic materials, because the primary keV atomic ions produce weak signals for large molecules and often damage them during the etching process. In previous studies, we have found extremely low-damage secondary ion emission from organic materials bombarded with large Ar cluster ions, and proposed to use large gas cluster ions as primary ions for SIMS. In this study, secondary ions were measured with a linear type time-of-flight (TOF) technique, and the application of large Ar cluster ion beams to molecular depth profiling of organic films is demonstrated. The intensities of molecular ions were kept constant, though the primary ion beam fluence exceeded the static SIMS limit. These results indicate that large Ar cluster ion beams could be used as powerful tools for SIMS depth profiling.

    DOI: 10.14723/tmrsj.35.785

    CiNii Article

  82. Processing Techniques of Biomaterials: Using Gas Cluster Ion Beam for Imaging Mass Spectrometry 査読有り 国際誌

    H Yamada, K Ichiki, Y Nakata, S Ninomiya, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   35 巻 ( 4 ) 頁: 793 - 796   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本MRS  

    We investigated secondary ion mass spectrometry (SIMS) for cellular imaging with high spatial resolution. Cellular level imaging would require nanoscale processing techniques for removal of contamination from cell surfaces and exposing the inner matter of cells. In this study, we applied gas cluster ion beams to the etching of biological samples. Molecular ions were detected with high-intensity from cholesterol samples etched with Ar cluster ions. Additionally, the intensity of secondary molecular ions with gas cluster ion irradiation was compared to that with Au<sub>3</sub><sup>+</sup> or C<sub>60</sub><sup>+</sup> beam irradiation and we demonstrated the advantage of using gas cluster ions as etching beams for biological samples with low damage. Finally, we performed etching of animal cells with Ar cluster ions and SIMS analysis of the etched cells. We demonstrated that the cell surfaces were etched with low damage by using gas cluster ion beam.

    DOI: 10.14723/tmrsj.35.793

    CiNii Article

  83. Sputtering Properties of Si by Size-Selected Ar Gas Cluster Ion Beam 査読有り 国際誌

    K Ichiki, S Ninomiya, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   35 巻 ( 4 ) 頁: 789 - 792   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本MRS  

    Large gas cluster ion beam technology answers expectations in the field of material modification, because it provides unique capabilities, such as atomic-scale surface smoothing, shallow implantation and high sputtering yield. The relationship between incident cluster size and irradiation effects observed with large gas cluster ion beam is not yet clearly understood, and in this work we used size-selected Ar cluster ion beam to study the effects of incident energy-per-atom and cluster size on sputtering and secondary ion emission. Incident Ar cluster ions were size-selected by using the time-of-flight (TOF) method. It was found that the secondary ion yields decreased more rapidly with decreasing incident energy-per-atom and that the threshold energy-per-atom for sputtering of Si and Si<sup>+</sup> were different, because the ionization energy of Si was higher than the surface binding energy of Si. It indicates that cluster ion irradiation sputtered only neutral Si from the surface by under the specific conditions.

    DOI: 10.14723/tmrsj.35.789

    CiNii Article

  84. クラスターイオンビーム技術の最近の進展

    松尾 二郎, 瀬木 利夫, 青木 学聡

    表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan   31 巻 ( 11 ) 頁: 564 - 571   2010年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本表面科学会  

    CiNii Article

  85. ガスクラスタイオンビームによるナノ加工技術 査読有り 国際誌

    松尾 二郎, 北川 晃幸, 瀬木 利夫, 青木 学聡

    トライボロジスト   55 巻 ( 11 ) 頁: 776 - 782   2010年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本トライボロジー学会  

    CiNii Article

  86. SIMS with highly excited primary beams for molecular depth profiling and imaging of organic and biological materials 査読有り

    Matsuo Jiro, Ninomiya Satoshi, Yamada Hideaki, Ichiki Kazuya, Wakamatsu Yoshinobu, Hada Masaki, Seki Toshio, Aoki Takaaki

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS   42 巻 ( 10-11 ) 頁: 1612 - 1615   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Interface Analysis  

    DOI: 10.1002/sia.3585

    Web of Science

    Scopus

  87. MeV-energy probe SIMS imaging of major components in animal cells etched using large gas cluster ions 査読有り

    Yamada Hideaki, Ichiki Kazuya, Nakata Yoshihiko, Ninomiya Satoshi, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   268 巻 ( 11-12 ) 頁: 1736 - 1740   2010年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2010.02.038

    Web of Science

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  88. Sputtering yield measurements with size-selected gas cluster ion beams 査読有り

    Ichiki K.

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1181 巻   頁: 135 - 140   2010年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium Proceedings  

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  89. クラスタイオンビームによる平坦化加工技術

    松尾 二郎, 瀬木 利夫, 二宮 啓, 青木 学聡

    砥粒加工学会誌 = Journal of the Japan Society of Grinding Engineers   54 巻 ( 5 ) 頁: 272 - 275   2010年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:砥粒加工学会  

    CiNii Article

  90. Molecular dynamics simulations for gas cluster ion beam processes 査読有り

    Aoki Takaaki, Seki Toshio, Matsuo Jiro

    VACUUM   84 巻 ( 8 ) 頁: 994 - 998   2010年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Vacuum  

    DOI: 10.1016/j.vacuum.2009.11.018

    Web of Science

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  91. クラスターイオンビーム技術の最近の進展

    松尾 二郎, 瀬木 利夫, 青木 学聡

    表面科学   31 巻 ( 11 ) 頁: 564 - 571   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    A brief overview for recent progress of cluster ion beams is presented in conjunction with atomistic collision dynamics, cluster size effects and nano-process developments. Unique characteristics of cluster ion beam are utilized not only for nano-processing but also metrology for organic materials. Molecular dynamics study on cluster-solid interactions and size dependence of sputtering with Ar or Cl<Sub>2</Sub> cluster ions reveal that both incident energy and chemical potential energy are effectively transfer to the surface to enhance the sputtering yield. In addition to these, less damage was remained on organic surface bombarded with cluster ions. Organic depth profiling of XPS or SIMS are realized with cluster ion beams.

    DOI: 10.1380/jsssj.31.564

    CiNii Article

  92. ArクラスターSIMSを用いたToF型質量イメージング装置の開発

    山本 恭千, 市木 和弥, 二宮 啓, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    表面科学学術講演会要旨集   30 巻 ( 0 ) 頁: 308 - 308   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    二次イオン質量分析法(SIMS)を用いた質量イメージングは工業や医学への応用が期待されている。しかし、従来の数keVのモノマーイオンを用いたSIMS分析では有機試料の分子構造を破壊してしまうという問題がある。我々は低損傷での照射が可能なクラスターイオンを用いたSIMSについて研究しており、今回の研究ではArクラスターSIMSを用いた高面分解能の質量イメージングを取得するための装置開発を行った。

    DOI: 10.14886/sssj2008.30.0.308.0

    CiNii Article

  93. Anisotropic Etching Using Reactive Cluster Beams 査読有り

    Koike Kunihiko, Yoshino Yu, Senoo Takehiko, Seki Toshio, Ninomiya Satoshi, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   3 巻 ( 12 )   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.3.126501

    Web of Science

  94. MD simulation of small boron cluster implantation

    Aoki T.

    IWJT-2010: Extended Abstracts - 2010 International Workshop on Junction Technology     頁: 114 - 115   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IWJT-2010: Extended Abstracts - 2010 International Workshop on Junction Technology  

    DOI: 10.1109/IWJT.2010.5474974

    Scopus

  95. High speed Si etching with ClF<inf>3</inf> cluster injection

    Seki T.

    AIP Conference Proceedings   1321 巻   頁: 317 - +   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:AIP Conference Proceedings  

    DOI: 10.1063/1.3548393

    Web of Science

    Scopus

  96. High Speed Si Etching with ClF3 Cluster Injection 査読有り 国際誌

    Seki T., Yoshino Y., Senoo T., Koike K., Ninomiya S., Aoki T., Matsuo J.

    ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2010   1321 巻   頁: 317 - +   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  97. Evaluation of surface damage on organic materials irradiated with Ar cluster ion beam

    Yamamoto Y.

    AIP Conference Proceedings   1321 巻   頁: 298 - +   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:AIP Conference Proceedings  

    DOI: 10.1063/1.3548386

    Web of Science

    Scopus

  98. Evaluation of surface damage on organic materials irradiated with Ar cluster ion beam 査読有り 国際誌

    Yamamoto Y., Ichiki K., Ninomiya S., Seki T., Aoki T., Matsuo J.

    ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2010   1321 巻   頁: 298 - +   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  99. Evaluation of surface damage of organic films due to irradiation with energetic ion beams

    Hada M.

    AIP Conference Proceedings   1321 巻   頁: 314 - +   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:AIP Conference Proceedings  

    DOI: 10.1063/1.3548390

    Web of Science

    Scopus

  100. Evaluation of Damage Layer in an Organic Film with Irradiation of Energetic Ion Beams 査読有り

    Hada Masaki, Ibuki Sachi, Ninomiya Satoshi, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 巻 ( 3 )   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.036503

    Web of Science

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  101. Energy effects on the sputtering yield of Si bombarded with gas cluster ion beams

    Ichiki K.

    AIP Conference Proceedings   1321 巻   頁: 294 - +   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:AIP Conference Proceedings  

    DOI: 10.1063/1.3548384

    Web of Science

    Scopus

  102. Energy effects on the sputtering yield of Si bombarded with gas cluster ion beams 査読有り 国際誌

    Ichiki K., Ninomiya S., Seki T., Aoki T., Matsuo J.

    ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2010   1321 巻   頁: 294 - +   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  103. Biomolecular emission by swift heavy ion bombardment

    Wakamatsu Y.

    AIP Conference Proceedings   1321 巻   頁: 233 - +   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:AIP Conference Proceedings  

    DOI: 10.1063/1.3548357

    Web of Science

    Scopus

  104. Biomolecular Emission by Swift Heavy Ion Bombardment 査読有り 国際誌

    Wakamatsu Yoshinobu, Yamada Hideaki, Ninomiya Satoshi, Jones Brian N., Seki Toshio, Aoki Takaaki, Webb Roger, Matsuo Jiro

    ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2010   1321 巻   頁: 233 - +   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  105. Anisotropic Etching Using Reactive Cluster Beams

    Kunihiko Koike, Yu Yoshino, Takehiko Senoo, Toshio Seki, Satoshi Ninomiya, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   3 巻 ( 12 )   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS  

    The characteristics of Si etching using nonionic cluster beams with highly reactive chlorine-trifluoride (ClF(3)) gas were examined. An etching rate of 40 mu m/min or higher was obtained even at room temperature when a ClF(3) molecular cluster was formed and irradiated on a single-crystal Si substrate in high vacuum. The etching selectivity of Si with respect to a photoresist and SiO(2) was at least 1 : 1000. We also succeeded in highly anisotropic etching with an aspect ratio of 10 or higher. Moreover, this etching method has a great advantage of low damage, compared with the conventional plasma process. (C) 2010 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.1143/APEX.3.126501

    Web of Science

    Scopus

  106. Anisotropic Etching Using Reactive Cluster Beams 査読有り

    Kunihiko Koike, Yu Yoshino, Takehiko Senoo, Toshio Seki, Satoshi Ninomiya, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   3 巻 ( 12 )   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS  

    The characteristics of Si etching using nonionic cluster beams with highly reactive chlorine-trifluoride (ClF(3)) gas were examined. An etching rate of 40 mu m/min or higher was obtained even at room temperature when a ClF(3) molecular cluster was formed and irradiated on a single-crystal Si substrate in high vacuum. The etching selectivity of Si with respect to a photoresist and SiO(2) was at least 1 : 1000. We also succeeded in highly anisotropic etching with an aspect ratio of 10 or higher. Moreover, this etching method has a great advantage of low damage, compared with the conventional plasma process. (C) 2010 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.1143/APEX.3.126501

    Web of Science

  107. Nano Processing with Gas Cluster Ion Beams 国際誌

    Jiro Matsuo, Teruyuki Kitagawa, Toshio Seki, Takaaki Aoki

    JOURNAL OF JAPANESE SOCIETY OF TRIBOLOGISTS   55 巻 ( 11 ) 頁: 776 - 782   2010年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:JAPAN SOC TRIBOLOGISTS  

    Web of Science

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  108. Nano Processing with Gas Cluster Ion Beams 査読有り 国際誌

    Matsuo Jiro, Kitagawa Teruyuki, Seki Toshio, Aoki Takaaki

    JOURNAL OF JAPANESE SOCIETY OF TRIBOLOGISTS   55 巻 ( 11 ) 頁: 776 - 782   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  109. Sputtering yield measurements with size-selected gas cluster ion beams 査読有り 国際誌

    Ichiki Kazuya, Ninomiya Satoshi, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    ION BEAMS AND NANO-ENGINEERING   1181 巻   頁: 135 - +   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  110. Evaluation of Surface Damage of Organic Films due to Irradiation with Energetic Ion Beams

    Hada Masaki, Hontani Yusaku, Ibuki Sachi, Ichiki Kazuya, Ninomiya Satoshi, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2010   1321 巻   頁: 314 - +   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  111. Molecular depth profiling of multilayer structures of organic semiconductor materials by secondary ion mass spectrometry with large argon cluster ion beams 査読有り

    Ninomiya Satoshi, Ichiki Kazuya, Yamada Hideaki, Nakata Yoshihiko, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    RAPID COMMUNICATIONS IN MASS SPECTROMETRY   23 巻 ( 20 ) 頁: 3264 - 3268   2009年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Rapid Communications in Mass Spectrometry  

    DOI: 10.1002/rcm.4250

    Web of Science

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    PubMed

  112. Study of density effect of large gas cluster impact by molecular dynamics simulations 査読有り

    Aoki Takaaki, Seki Toshio, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   267 巻 ( 18 ) 頁: 2999 - 3001   2009年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2009.06.019

    Web of Science

    Scopus

  113. The emission process of secondary ions from solids bombarded with large gas cluster ions 査読有り

    Ninomiya Satoshi, Ichiki Kazuya, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   267 巻 ( 16 ) 頁: 2601 - 2604   2009年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2009.05.019

    Web of Science

    Scopus

  114. Imaging mass spectrometry with nuclear microprobes for biological applications 査読有り

    Nakata Y., Yamada H., Honda Y., Ninomiya S., Seki T., Aoki T., Matsuo J.

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   267 巻 ( 12-13 ) 頁: 2144 - 2148   2009年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2009.03.094

    Web of Science

    Scopus

  115. Precise and fast secondary ion mass spectrometry depth profiling of polymer materials with large Ar cluster ion beams 査読有り

    Ninomiya Satoshi, Ichiki Kazuya, Yamada Hideaki, Nakata Yoshihiko, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    RAPID COMMUNICATIONS IN MASS SPECTROMETRY   23 巻 ( 11 ) 頁: 1601 - 1606   2009年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Rapid Communications in Mass Spectrometry  

    DOI: 10.1002/rcm.4046

    Web of Science

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    PubMed

  116. Study of damage accumulation and annealing process at low energy boron implantation using molecular dynamics simulations 査読有り

    T. Aoki, J. Matsuo

    Extended Abstracts of the 9th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2009     頁: 131 - 132   2009年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Extended Abstracts of the 9th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2009  

    DOI: 10.1109/IWJT.2009.5166237

    Scopus

  117. High-speed processing with Cl-2 cluster ion beam 査読有り

    Seki T., Aoki T., Matsuo J.

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   267 巻 ( 8-9 ) 頁: 1444 - 1446   2009年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2009.01.069

    Web of Science

    Scopus

  118. Study of crater formation and sputtering process with large gas cluster impact by molecular dynamics simulations 査読有り

    Aoki Takaaki, Seki Toshio, Ninomiya Satoshi, Ichiki Kazuya, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   267 巻 ( 8-9 ) 頁: 1424 - 1427   2009年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2009.01.162

    Web of Science

    Scopus

  119. Low Damage Etching of Polymer Materials for Depth Profile Analysis Using Large Ar Cluster Ion Beam 査読有り 国際誌

    Satoshi Ninomiya, Kazuya Ichiki, Hideaki Yamada, Yoshihiko Nakata, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Journal of Surface Analysis   15 巻 ( 3 )   2009年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  120. A Processing Technique for Cell Surfaces Using Gas Cluster Ions for Imaging Mass Spectrometry 査読有り 国際誌

    Hideaki Yamada, Kazuya Ichiki, Yoshihiko Nakata, Satoshi Ninomiya, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Journal of the Mass Spectrometry Society of Japan   57 巻 ( 3 ) 頁: 117 - 121   2009年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本質量分析学会  

    We developed a processing technique for biological samples, that is, animal cells, for imaging mass spectrometry using gas cluster ion beams. Secondary ion mass spectrometry has been investigated for cellular imaging with high spatial resolution. Nanoscale processing techniques are needed for cellular level imaging, for example, for removing contamination from cell surfaces and exposing the insides of cells. In this study, we compared the mass spectrum of the unetched cell sample to that of the cell irradiated with an Ar cluster ion beam. The contamination was removed from the sample surface and the signals of intracellular components were detected. The results indicate that the cells were etched with low damage using the gas cluster ion beam. Finally, we compared the ion image of an unetched cell to that of an etched cell and demonstrated that the technique of cluster ion irradiation could be applied to the processing of samples for cellular level imaging mass spectrometry.

    DOI: 10.5702/massspec.57.117

    CiNii Article

  121. Matrix-free high-resolution imaging mass spectrometry with high-energy ion projectiles 査読有り

    Nakata Yoshihiko, Honda Yoshiro, Ninomiya Satoshi, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    JOURNAL OF MASS SPECTROMETRY   44 巻 ( 1 ) 頁: 128 - 136   2009年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Mass Spectrometry  

    DOI: 10.1002/jms.1482

    Web of Science

    Scopus

    PubMed

  122. 高速重イオンを用いた低真空SIMSの開発

    若松 慶信, 山田 英丙, 中田 由彦, 二宮 啓, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    表面科学学術講演会要旨集   29 巻 ( 0 ) 頁: 35 - 35   2009年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    近年、生体試料における質量イメージング技術の発展が期待されている。SIMSは高真空下での分析手法であるが、高速重イオンをプローブとすることにより低真空下でのSIMSに成功した。本発表では、数千Pa程度の低真空下で質量イメージングを行うための分析系の開発とその結果について報告する。

    DOI: 10.14886/sssj2008.29.0.35.0

    CiNii Article

  123. Stress measurement of carbon cluster implanted layers with in-plane diffraction technique 査読有り

    Matsuo J.

    Extended Abstracts of the 9th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2009     頁: 84 - 85   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Extended Abstracts of the 9th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2009  

    DOI: 10.1109/IWJT.2009.5166225

    Scopus

  124. A fragment-free ionization technique for organic mass spectrometry with large Ar cluster ions 査読有り

    Ninomiya Satoshi, Nakata Yoshihiko, Honda Yoshiro, Ichiki Kazuya, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    APPLIED SURFACE SCIENCE   255 巻 ( 4 ) 頁: 1588 - 1590   2008年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.05.004

    Web of Science

    Scopus

  125. High sputtering yields of organic compounds by large gas cluster ions 査読有り

    Ichiki K., Ninomiya S., Nakata Y., Honda Y., Seki T., Aoki T., Matsuo J.

    APPLIED SURFACE SCIENCE   255 巻 ( 4 ) 頁: 1148 - 1150   2008年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.05.032

    Web of Science

    Scopus

  126. Low Damage Etching and SIMS Depth Profiling with Large Ar Cluster Ions 査読有り 国際誌

    Satoshi Ninomiya, Jiro Matsuo, Kazuya Ichiki, Hideaki Yamada, Yoshihiko Nakata, Yoshiro Honda, Toshio Seki, Takaaki Aoki

    Transactions of the MRS-J   33 巻 ( 4 )   2008年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  127. High-Speed Nano-Processing with Cluster Ion Beams 査読有り 国際誌

    Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Transactions of the MRS-J   33 巻 ( 4 )   2008年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  128. MD simulation study of the sputtering process by high-energy gas cluster impact 査読有り

    Aoki Takaaki, Seki Toshio, Ninomiya Satoshi, Matsuo Jiro

    APPLIED SURFACE SCIENCE   255 巻 ( 4 ) 頁: 944 - 947   2008年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.05.008

    Web of Science

    Scopus

  129. SIMS Analysis of Biological Mixtures with Fast Heavy Ion Irradiation 査読有り 国際誌

    Yoshiro Honda, Yoshihiko Nakata, Satoshi Ninomiya, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    Transactions of the MRS-J   33 巻 ( 4 )   2008年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  130. Secondary ion emission from Si bombarded with large Ar cluster ions under UHV conditions 査読有り

    Ninomiya Satoshi, Ichiki Kazuya, Nakata Yoshihiko, Honda Yoshiro, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    APPLIED SURFACE SCIENCE   255 巻 ( 4 ) 頁: 880 - 882   2008年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.05.063

    Web of Science

    Scopus

  131. What size of cluster is most appropriate for SIMS? 査読有り

    Matsuo Jiro, Ninomiya Satoshi, Nakata Yoshihiko, Honda Yoshiro, Ichiki Kazuya, Seki Toshio, Aoki Takaaki

    APPLIED SURFACE SCIENCE   255 巻 ( 4 ) 頁: 1235 - 1238   2008年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.05.057

    Web of Science

    Scopus

  132. Yield enhancement of molecular ions with MeV ion-induced electronic excitation 査読有り

    Nakata Y., Honda Y., Ninomiya S., Seki T., Aoki T., Matsuo J.

    APPLIED SURFACE SCIENCE   255 巻 ( 4 ) 頁: 1591 - 1594   2008年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.05.108

    Web of Science

    Scopus

  133. Computer modeling of cluster ion impacts 査読有り

    Aoki T.

    IWJT-2008 - Extended Abstracts 2008 International Workshop on Junction Technology     頁: 49 - 54   2008年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IWJT-2008 - Extended Abstracts 2008 International Workshop on Junction Technology  

    DOI: 10.1109/IWJT.2008.4540016

    Scopus

  134. 高速重イオンを利用したイメージング質量分析

    中田 由彦, 山田 英丙, 本田 善郎, 二宮 啓, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    質量分析 = Mass spectroscopy   56 巻 ( 4 ) 頁: 201 - 208   2008年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本質量分析学会  

    In this paper, we describe mass spectrometric techniques using swift heavy ions, for biological application. Desorption of large biomolecular ions due to irradiation by swift heavy ions was first observed in 1974, and the time-of-flight mass spectrometry using fission fragments from a <sup>252</sup>Cf source is called plasma desorption mass spectrometry (PDMS). PDMS has been successfully applied in the detection of large biomolecules up to 20 kDa. However, the number of PDMS studies decreased after the emergence of fast atom bombardment (FAB). In recent years, a new mass spectrometric technique, which is called imaging mass spectrometry, has attracted attention, and numerous studies have been conducted on matrix assisted laser desorption/ionization (MALDI) and secondary ion mass spectrometry (SIMS). We have developed a new system for imaging mass spectrometry using MeV-ion beams, which is termed MeV-SIMS. High-resolution MeV-SIMS imaging requires high secondary ion yields, beam focusing, and careful sample preparation. Here, we present our results on MeV-SIMS imaging and future prospects.

    DOI: 10.5702/massspec.56.201

    CiNii Article

  135. Carbon Nanotubes from a Divided Catalyst : the Carbon Transmission Method

    Hikata Takeshi, Hayashi Kazuhiko, Mizukoshi Tomoyuki, SAKURAI Yoshiaki, ISHIGAMI Itsuo, AOKI Takaaki, SEKI Toshio, MATSUO Jiro

    Applied physics express   1 巻 ( 3 ) 頁: "34002 - 1"-"34002-3"   2008年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    CiNii Article

  136. Carbon nanotubes from a divided catalyst: the carbon transmission method 査読有り

    Hikata Takeshi, Hayashi Kazuhiko, Mizukoshi Tomoyuki, Sakurai Yoshiaki, Ishigami Itsuo, Aoki Takaaki, Seki Toshio, Matsuo Jiro

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   1 巻 ( 3 ) 頁: 0340021 - 0340023   2008年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.1.034002

    Web of Science

    Scopus

  137. クラスターイオンの新しい展開:~ナノプロセスから先端分析応用~

    松尾 二郎, 二宮 啓, 青木 学聡, 瀬木 利夫

    Journal of Surface Analysis   14 巻 ( 3 ) 頁: 196 - 203   2008年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 表面分析研究会  

    <p> 原子・分子が同時に同じ場所に多数衝突するクラスターイオンでは,非線形照射効果と呼ばれる新しい現象が起こる.これを利用し様々な分野で画期的な成果が報告されており,従来のイオンビーム技術の限界を打破する新しい原理に基づく新技術として期待されている.ここでは,クラスターイオン特有の非線形現象について述べるとともに,そのナノプロセスへの応用やクラスターイオンを1次イオンとして用いるクラスターSIMSなどの分析技術についても概観する.</p>

    DOI: 10.1384/jsa.14.196

    CiNii Article

  138. Computer modeling of cluster ion impacts 査読有り 国際誌

    Aoki Takaaki, Seki Toshio, Matsuo Jiro

    EXTENDED ABSTRACTS 2008 INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY     頁: 49 - 54   2008年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  139. Investigation of damage with cluster ion beam irradiation using HR-RBS 査読有り

    Seki T.

    AIP Conference Proceedings   1066 巻   頁: 423 - 426   2008年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Conference Proceedings  

    DOI: 10.1063/1.3033653

    Scopus

  140. Investigation of Damage with Cluster Ion Beam Irradiation Using HR-RBS 査読有り 国際誌

    Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsu Jiro

    ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2008   1066 巻   頁: 423 - +   2008年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  141. Cluster ion implantation - Prospects and challenges 査読有り

    Matsuo J.

    Extended Abstracts of the 7th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2007     頁: 53 - 54   2007年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Extended Abstracts of the 7th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2007  

    DOI: 10.1109/IWJT.2007.4279945

    Scopus

  142. MD study of damage structures with poly-atomic boron cluster implantation 査読有り

    Aoki T.

    Extended Abstracts of the 7th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2007     頁: 23 - 24   2007年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Extended Abstracts of the 7th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2007  

    DOI: 10.1109/IWJT.2007.4279937

    Scopus

  143. Low damage smoothing of magnetic materials using off-nonnal gas cluster ion beam irradiation 査読有り

    Kakuta S., Sasaki S., Furusawa K., Seki T., Aoki T., Matsuo J.

    SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY   201 巻 ( 19-20 ) 頁: 8632 - 8636   2007年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Coatings Technology  

    DOI: 10.1016/j.surfcoat.2006.03.064

    Web of Science

    Scopus

  144. Molecular dynamics study of glancing angle gas cluster irradiation on irregular-structured surfaces 査読有り

    Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   261 巻 ( 1-2 ) 頁: 639 - 642   2007年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2007.04.005

    Web of Science

    Scopus

  145. Molecular dynamics study of monomer and dimer emission processes with high energy gas cluster ion impact 査読有り

    Aoki Takaaki, Seki Toshio, Ninomiya Satoshi, Matsuo Jiro

    SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY   201 巻 ( 19-20 ) 頁: 8427 - 8430   2007年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Coatings Technology  

    DOI: 10.1016/j.surfcoat.2006.09.325

    Web of Science

    Scopus

  146. Molecular dynamics simulations of surface smoothing and sputtering process with glancing-angle gas cluster ion beams 査読有り

    Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   257 巻 ( 1-2 SPEC. ISS. ) 頁: 645 - 648   2007年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2007.01.048

    Web of Science

    Scopus

  147. Size effect in cluster collision on solid surfaces 査読有り

    Matsuo Jiro, Ninomiya Satoshi, Nakata Yoshihiko, Ichiki Kazuya, Aoki Takaaki, Seki Toshio

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   257 巻 ( 1-2 SPEC. ISS. ) 頁: 627 - 631   2007年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2007.01.164

    Web of Science

    Scopus

  148. Measurements of secondary ions emitted from organic compounds bombarded with large gas cluster ions 査読有り

    Ninomiya Satoshi, Nakata Yoshihiko, Ichiki Kazuya, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   256 巻 ( 1 ) 頁: 493 - 496   2007年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2006.12.047

    Web of Science

    Scopus

  149. Surface oxidation of Si assisted by irradiation with large gas cluster ion beam in an oxygen atmosphere 査読有り

    Ichiki K., Ninomiya S., Seki T., Aoki T., Matsuo J.

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   256 巻 ( 1 ) 頁: 350 - 353   2007年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2006.12.026

    Web of Science

    Scopus

  150. The effect of incident cluster ion energy and size on secondary ion yields emitted from Si 査読有り

    Ninomiya Satoshi, Ichiki Kazuya, Nakata Yoshihiko, Seki Toshio, Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   256 巻 ( 1 ) 頁: 528 - 531   2007年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2006.12.074

    Web of Science

    Scopus

  151. Molecular dynamics study of surface modification with a glancing angle gas cluster ion beam 査読有り

    Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   255 巻 ( 1 ) 頁: 265 - 268   2007年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2006.11.071

    Web of Science

    Scopus

  152. The effect of incident cluster ion size on secondary ion yields produced from Si 査読有り

    Satoshi Ninomiya, Kazuya Ichiki, Yoshihiko Nakata, Toshio Seki, Takaaki Aoki, Jiro Matsuo

    TRANSACTIONS OF THE MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN, VOL 32, NO 4   32 巻 ( 4 ) 頁: 895 - 898   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:MATERIALS RESEARCH SOCIETY JAPAN-MRS-J  

    Secondary ions emitted from a Si target have been investigated under large Ar cluster ion bombardment. Incident ion beams with energies from 10 to 30 keV were used and the mean size of the Ar cluster ion beam was about 1000 atoms per cluster. Secondary Si(n)(+)(n=1-11) ions were measured from Si under Ar cluster ion bombardment, while only atomic ions were measured under Ar monomer ion bombardment. In this study, we Succeeded to accurately measure the incident size dependence of secondary ion spectra for Si under large Ar cluster ion bombardment using a time-of-flight technique combined a primary-ion beam deflector and a secondary-ion deflector. When the total incident ion energy was kept constant, the yields of secondary cluster ions such as Si(6)(+) relative to those of Si(+) increased with size. On the other hand, when the incident Ar cluster size was kept constant, the yields of secondary cluster ions relative to those of Si(+) decreased with energy. The effect of incident cluster size on secondary ion yields is discussed.

    Web of Science

  153. High-intensity Si cluster ion emission from a silicon target bombarded with large Ar cluster ions 査読有り

    Ninomiya Satoshi, Aoki Takaaki, Seki Toshio, Matsuo Jiro

    APPLIED SURFACE SCIENCE   252 巻 ( 19 ) 頁: 6550 - 6553   2006年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.02.100

    Web of Science

    Scopus

  154. Molecular dynamics study of particle emission by reactive cluster ion impact 査読有り

    Aoki Takaaki, Matsuo Jiro

    APPLIED SURFACE SCIENCE   252 巻 ( 19 ) 頁: 6466 - 6469   2006年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.02.195

    Web of Science

    Scopus

  155. Secondary ion measurements for oxygen cluster ion SIMS 査読有り

    Ninomiya Satoshi, Aoki Takaaki, Seki Toshio, Matsuo Jiro

    APPLIED SURFACE SCIENCE   252 巻 ( 19 ) 頁: 7290 - 7292   2006年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.02.138

    Web of Science

    Scopus

  156. Molecular dynamics simulations of surface modification and damage formation by gas cluster ion impacts 査読有り

    Aoki T, Matsuo J

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   242 巻 ( 1-2 ) 頁: 517 - 519   2006年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2005.09.011

    Web of Science

    Scopus

  157. クラスターイオン照射における二次イオン収率の入射サイズ依存性

    市木 和弥, 二宮 啓, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    表面科学講演大会講演要旨集   26 巻 ( 0 ) 頁: 108 - 108   2006年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    クラスターイオンは単原子イオンと比較して、低速で高エネルギー密度での照射が容易であるため、高精度かつ高効率な表面分析、表面改質が可能とされている。しかし、クラスターと固体表面との相互作用は十分に理解されていない。よって本研究では、クラスターイオン照射によりSi試料から放出される二次イオン収率の入射サイズ依存性を飛行時間型質量分析法を用いて分析し、クラスター照射効果について考察する。

    DOI: 10.14886/sssj.26.0.108.0

    CiNii Article

  158. Arクラスターイオン衝撃により生体高分子薄膜から放出される二次イオン収率の入射サイズ依存性

    二宮 啓, 市木 和弥, 中田 由彦, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    表面科学講演大会講演要旨集   26 巻 ( 0 ) 頁: 106 - 106   2006年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    クラスターイオンをプローブとする有機物の二次イオン質量分析は、単原子イオンと比較して収率が高く試料の損傷も少ない。しかしクラスター照射での収率増加機構や最大収率を与えるための入射サイズの最適化については、ほとんど研究されていない。そこで本研究ではサイズ選別したArクラスターをアミノ酸薄膜に照射し、二次イオンを飛行時間型質量分析法を用いて測定することにより収率の入射サイズ依存性について調べた。

    DOI: 10.14886/sssj.26.0.106.0

    CiNii Article

  159. High-speed nano-processing with cluster ion beams 査読有り 国際誌

    Seki T., Matsuo J.

    ION IMPLANTATION TECHNOLOGY   866 巻   頁: 214 - +   2006年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  160. Molecular dynamics simulations of the cluster-size effect on the sputtering process with reactive gas cluster ions 査読有り

    T. Aoki, J. Matsuo

    Materials Research Society Symposium Proceedings   908 巻   頁: 18 - 24   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium Proceedings  

    DOI: 10.1557/proc-0908-oo05-07

    Scopus

  161. Exprimental study of cluster size effect with size-selected cluster ion beam 査読有り

    Toyoda N.

    Novel Materials Processing by Advanced Electromagnetic Energy Sources     頁: 219 - 222   2005年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Novel Materials Processing by Advanced Electromagnetic Energy Sources  

    DOI: 10.1016/B978-008044504-5/50044-1

    Scopus

  162. Gas cluster ion beam source for secondary ion emission measurements 査読有り

    Ono L.

    Novel Materials Processing by Advanced Electromagnetic Energy Sources     頁: 227 - 230   2005年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Novel Materials Processing by Advanced Electromagnetic Energy Sources  

    DOI: 10.1016/B978-008044504-5/50046-5

    Scopus

  163. Molecular dynamics study of the angular dependence of reactive cluster impacts 査読有り

    Aoki T, Matsuo J

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   241 巻 ( 1-4 ) 頁: 594 - 598   2005年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2005.07.108

    Web of Science

    Scopus

  164. Surface structure dependence of impact processes of gas cluster ions 査読有り

    Aoki T.

    Novel Materials Processing by Advanced Electromagnetic Energy Sources     頁: 231 - 234   2005年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Novel Materials Processing by Advanced Electromagnetic Energy Sources  

    DOI: 10.1016/B978-008044504-5/50047-7

    Scopus

  165. Size and energy distribution of gas cluster ion beam measured by energy resolved time of flight mass spectroscopy 査読有り

    Kakuta S, Seki T, Sasaki S, Furusawa K, Aoki T, Matsuo J

    SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY   196 巻 ( 1-3 ) 頁: 198 - 202   2005年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface and Coatings Technology  

    DOI: 10.1016/j.surfcoat.2004.08.129

    Web of Science

    Scopus

  166. Low damage smoothing of magnetic materials using oblique irradiation of gas cluster ion beam 査読有り

    Kakuta S.

    Materials Research Society Symposium Proceedings   843 巻   頁: 183 - 188   2005年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium Proceedings  

    Scopus

  167. Molecular dynamics study of suface structure and sputtering process by sequencial fluorine cluster impacts 査読有り

    Aoki T.

    Materials Research Society Symposium Proceedings   843 巻   頁: 189 - 194   2005年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium Proceedings  

    Scopus

  168. A Comparison of Ions with Neutrals Emitted from Semiconductors Bombarded by MeV Si Ions 査読有り 国際誌

    Yoshihiko Nakata, Satoshi Ninomiya, Takaaki Aoki, Hidetsugu Tsuchida, Jiro Matsuo, Akio Itoh

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   30 巻 ( 3 ) 頁: 797 - 800   2005年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Materials Research Society of Japan  

  169. Secondary neutral and ionized particle measurements under MeV-energy ion bombardment 査読有り

    Nakata Y, Ninomiya S, Imada C, Nagai M, Aoki T, Matsuo J, Imanishi N

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   230 巻 ( 1-4 ) 頁: 489 - 494   2005年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2004.12.089

    Web of Science

    Scopus

  170. Total sputtering yields of solids under MeV-energy Si ion bombardment 査読有り

    Ninomiya S, Imada C, Nagai M, Nakata Y, Aoki T, Matsuo J, Imanishi N

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   230 巻 ( 1-4 ) 頁: 483 - 488   2005年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2004.12.088

    Web of Science

    Scopus

  171. Molecular dynamics simulations of sequential cluster ion impacts 国際誌

    Aoki T, Matsuo J

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   228 巻 ( 1-4 SPEC. ISS. ) 頁: 46 - 50   2005年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2004.10.021

    Web of Science

    Scopus

  172. Low damage smoothing of magnetic materials using oblique irradiation of gas cluster ion beam 査読有り 国際誌

    Kakuta S, Sasaki S, Furusawa K, Seki T, Aoki T, Matsuo J

    Surface Engineering 2004 - Fundamentals and Applications   843 巻   頁: 183 - 188   2005年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  173. Molecular dynamics study of suface structure and sputtering process by sequencial fluorine cluster impacts 査読有り 国際誌

    Aoki T, Matsuo J

    SURFACE ENGINEERING 2004 - FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS   843 巻   頁: 189 - 194   2005年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  174. Molecular dynamics study of suface structure and sputtering process by sequencial fluorine cluster impacts 査読有り

    T Aoki, J Matsuo

    Surface Engineering 2004 - Fundamentals and Applications   843 巻   頁: 189 - 194   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:MATERIALS RESEARCH SOCIETY  

    In order to study the surface reaction process under cluster ion impact, molecular dynamics simulations of sequential cluster impacts of fluorine and neon clusters were performed. (F-2)(300) and Ne-600 clusters were accelerated with totally 6keV and irradiated on bare Si(100) target. By iterating impact simulation sequentially, change of surface morphology and composition of desorbed materials were studied. In the case of fluorine cluster impact, the rough surface structure was made compared with neon cluster impact because fluorine atoms adsorb on the target, which work to keep pillar structure on the surface, whereas Ne atoms evaporate immediately leaving spherical mound structure on the surface. From the study of desorption process, it was observed that large number of Si atoms are desorbed in the form of silicon fluorides. The major sputtered material was SiF2, but various types of silicon-fluorides, including the molecules consists of several tens to hundreds silicon and fluorine atoms, were observed. The distribution of clusters in desorbed materials obeyed the classical model of cluster emission from quasi-liquid phase excited with ion bombardment. From these results, the irradiation effects of reactive cluster ions were discussed.

    DOI: 10.1557/proc-843-t5.7

    Web of Science

  175. A new secondary ion mass spectrometry (SIMS) system with high-intensity cluster ion source 査読有り 国際誌

    Matsuo J, Okubo C, Seki T, Aoki T, Toyoda N, Yamada I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   219 巻 ( 1-4 ) 頁: 463 - 467   2004年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2004.01.103

    Web of Science

    Scopus

  176. 低温プロセスを用いたCdTeピクセル高エネルギー放射線検出器の作製

    中村 篤志, Niraula Madan, 畑中 義式, 石田 悠, 坂下 大祐, 青木 徹, 天明 二郎

    放射線   30 巻 ( 2 ) 頁: 127 - 133   2004年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:応用物理学会放射線分科会  

    CiNii Article

  177. Surface structure dependence of impact processes of gas cluster ions 国際誌

    Aoki T, Matsuo J

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   216 巻 ( 1-4 ) 頁: 185 - 190   2004年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2003.11.077

    Web of Science

    Scopus

  178. Experimental study of cluster size effect with size-selected cluster ion beam system 査読有り 国際誌

    Toyoda N, Houzumi S, Aoki T, Yamada I

    RADIATION EFFECTS AND ION-BEAM PROCESSING OF MATERIALS   792 巻   頁: 623 - 628   2004年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  179. Fast neutral Ar penetration during gas cluster ion beam irradiation into magnetic thin films 査読有り 国際誌

    Kakuta S, Seki T, Sasaki S, Furusawa K, Aoki T, Matsuo J

    RADIATION EFFECTS AND ION-BEAM PROCESSING OF MATERIALS   792 巻   頁: 599 - 604   2004年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  180. Molecular dynamics study of surface morphological evolution by cluster impacts 査読有り 国際誌

    Aoki T, Matsuo J, Yamada I

    RADIATION EFFECTS AND ION-BEAM PROCESSING OF MATERIALS   792 巻   頁: 497 - 502   2004年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  181. Molecular Dynamics Study Of Surface Morphological Evolution By Cluster Impacts 査読有り

    Takaaki Aoki, Jiro Matsuo, Isao Yamada

    MRS Proceedings   792 巻   頁: 497 - 502   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    DOI: 10.1557/proc-792-r4.7

    Scopus

  182. Molecular effect on projected range in ultralow-energy ion implantation

    Kimura K, Oota Y, Nakajima K, Suzuki M, Aoki T, Matsuo J, Agarwal A, Freer B, Stevenson A, Ameen M

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   211 巻 ( 2 ) 頁: 206 - 210   2003年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(03)01249-7

    Web of Science

    Scopus

  183. クラスターイオン衝突における非線形照射効果とそのプロセス応用

    松尾 二郎, 瀬木 利夫, 青木 学聡

    高温学会誌   29 巻 ( 5 ) 頁: 201 - 206   2003年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:高温学会  

    CiNii Article

  184. Study of Cluster-size Effect on Damage Formation

    Aoki T.

    AIP Conference Proceedings   680 巻   頁: 741 - 744   2003年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Conference Proceedings  

    DOI: 10.1063/1.1619820

    Scopus

  185. Atomistic study of cluster collision on solid surfaces 査読有り 国際誌

    Matsuo J, Seki T, Aoki T, Yamada I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   206 巻   頁: 838 - 841   2003年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(03)00874-7

    Web of Science

    Scopus

  186. Defect characteristics by boron cluster ion implantation 国際誌

    Aoki T, Matsuo J, Takaoka G, Toyoda N, Yamada I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   206 巻   頁: 855 - 860   2003年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(03)00878-4

    Web of Science

    Scopus

  187. Cluster species and cluster size dependence of damage formation by cluster ion impact 査読有り 国際誌

    Aoki T, Matsuo J, Takaoka G, Yamada I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   206 巻   頁: 861 - 865   2003年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(03)00879-6

    Web of Science

    Scopus

  188. Modeling of surface smoothing process by cluster ion beam irradiation 査読有り 国際誌

    Nakai A, Aoki T, Seki T, Matsuo J, Takaoka GH, Yamada I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   206 巻   頁: 842 - 845   2003年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(03)00875-9

    Web of Science

    Scopus

  189. Molecular dynamics study of damage formation characteristics by large cluster ion impacts 査読有り 国際誌

    Aoki T, Matsuo J, Takaoka G

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   202 巻   頁: 278 - 282   2003年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(02)01869-4

    Web of Science

    Scopus

  190. Secondary ion mass spectrometry with gas cluster ion beams 査読有り 国際誌

    Toyoda N, Matsuo J, Aoki T, Yamada I, Fenner DB

    APPLIED SURFACE SCIENCE   203 巻   頁: 214 - 218   2003年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  191. Secondary ion mass spectrometry with gas cluster ion beams

    Toyoda N.

    Applied Surface Science   203-204 巻   頁: 214 - 218   2003年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/S0169-4332(02)00628-1

    Scopus

  192. Study of cluster-size effect on damage formation 査読有り 国際誌

    Aoki T, Seki T, Nakai A, Matsuo J, Takaoka G

    APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY   680 巻   頁: 741 - 744   2003年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  193. Threshold energy for generating damage with cluster ion irradiation 査読有り 国際誌

    Seki T, Aoki T, Nakai A, Matsuo J, Takaoka GH

    MORPHOLOGICAL AND COMPOSITIONAL EVOLUTION OF THIN FILMS   749 巻   頁: 335 - 340   2003年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  194. Study of surface morphological evolution by cluster ion irradiation on solid targets 査読有り 国際誌

    Aoki T, Nakai A, Matsuo J, Takaoka G

    MORPHOLOGICAL AND COMPOSITIONAL EVOLUTION OF THIN FILMS   749 巻   頁: 311 - 316   2003年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  195. Study of damage formation by low-energy boron cluster ion implantation 査読有り 国際誌

    Aoki T, Matsuo J, Takaoka G

    IIT2002: ION IMPLANTATION TECHNOLOGY, PROCEEDINGS     頁: 560 - 563   2003年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  196. クラスターイオン衝突における非線形照射効果とそのプロセス応用 査読有り

    松尾 二郎, 瀬木 利夫, 青木 学聡

    高温学会誌   29 巻 ( 5 )   2003年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:高温学会  

  197. Experimental study of cluster size effect with size-selected cluster ion beam system

    Toyoda N.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   792 巻   頁: 623 - 628   2003年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    DOI: 10.1557/proc-792-r10.8

    Scopus

  198. Fast neutral Ar penetration during gas cluster ion beam irradiation into magnetic thin films

    Kakuta S.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   792 巻   頁: 599 - 604   2003年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    DOI: 10.1557/proc-792-r9.36

    Scopus

  199. 低エネルギーホウ素イオン注入におけるホウ素の蓄積・脱離過程のシミュレーション

    青木 学聡, 松尾 二郎, 高岡 義寛

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   102 巻 ( 540 ) 頁: 25 - 28   2002年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    次世代以降の微小CMOSデバイスの作製には,エネルギーが数百eVという低エネルギーイオン注入が必要となる.しかしながら,入射エネルギーの低下によりイオンの注入レンジが低下すると,入射イオン種の表面への析出やセルフスパッタリング等が生じ,実効的なイオンドーズ量の低下や,ドーズ量の制御が困難になるといわれている.今回,入射イオンの蓄積・脱離過程を調べるために,ホウ素イオンを連続的にシリコン表面に注入する分子動力学シミュレーションを行った.

    CiNii Article

  200. Secondary ion mass spectrometry with gas cluster ion beams 査読有り 国際誌

    Toyoda N, Matsuo J, Aoki T, Yamada I, Fenner DB

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   190 巻   頁: 860 - 864   2002年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  201. Secondary ion mass spectrometry with gas cluster ion beams 査読有り

    Toyoda N.

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms   190 巻 ( 1-4 ) 頁: 860 - 864   2002年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00463-9

    Web of Science

    Scopus

  202. Threshold Energy for Generating Damage with Cluster Ion Irradiation

    Seki T.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   749 巻   頁: 335 - 340   2002年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    DOI: 10.1557/proc-749-w17.13

    Scopus

  203. Study of damage formation by low-energy boron cluster ion implantation

    Aoki T.

    Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology   22-27-September-2002 巻   頁: 560 - 563   2002年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology  

    DOI: 10.1109/IIT.2002.1258066

    Scopus

  204. Study of Surface Morphological Evolution by Cluster Ion Irradiation on Solid Targets

    Aoki T.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   749 巻   頁: 311 - 316   2002年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    DOI: 10.1557/proc-749-w17.9

    Scopus

  205. Cluster size effect on reactive sputtering by fluorine cluster impact using molecular dynamics simulation 査読有り 国際誌

    Aoki T, Matsuo J, Yamada I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   180 巻   頁: 164 - 170   2001年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  206. Molecular dynamics and Monte-Carlo simulation of sputtering and mixing by ion irradiation 査読有り 国際誌

    Aoki T, Chiba S, Matsuo J, Yamada I, Biersack JP

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   180 巻   頁: 312 - 316   2001年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  207. Molecular dynamics simulation of fluorine ion etching of silicon 査読有り 国際誌

    Chiba S, Aoki T, Matsuo J

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   180 巻   頁: 317 - 321   2001年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  208. Cluster size effect on reactive sputtering by fluorine cluster impact using molecular dynamics simulation 査読有り

    T Aoki, J Matsuo, Yamada, I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   180 巻   頁: 164 - 170   2001年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    The mechanism of high-yield sputtering induced by reactive cluster impact was investigated using molecular dynamics (MD) simulations. Various sizes of fluorine clusters were radiated on clean silicon surface. At an incident energy of 1 eV/atom. F atom and F-2 molecule are only adsorbed on the surface and sputtering of Si atom does not occur. However, fluorine cluster. which consists of more than several tens molecules causes sputtering. In this case, most of Si atoms are sputtered as fluorinated material such as SiFx. This effect is due to the fact that cluster impact induces high-density particle and energy deposition, which enhances both formation of precursors and desorption of etching products. The deposition of atoms and energy becomes denser as the incident cluster size increases, so that larger clusters have shown higher sputtering yield. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

    Web of Science

  209. Molecular dynamics simulation of fluorine ion etching of silicon

    Chiba S.

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms   180 巻 ( 1-4 ) 頁: 317 - 321   2001年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00438-4

    Scopus

  210. Molecular dynamics simulation of fluorine ion etching of silicon 査読有り

    S Chiba, T Aoki, J Matsuo

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   180 巻   頁: 317 - 321   2001年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    Formation of precursors and desorption of etching products by fluorine ion irradiation were studied using molecular dynamics (MD) simulation. When F atoms impact sequentially on a Si substrate, a mixed layer of F and Si atoms is formed on the surface. When the incident energy is below 30 eV, the fluorine coverage reaches steady state after 1.0 x 10(16) atoms/cm(2) irradiation. The ratio of F to Si in the mixed layer is about 1:1. At an incident energy of 15 eV, the mixed layer at steady state consists of 4.5 ML of fluorine with a depth of 20 Angstrom and the main etching products are SiF3 and SiF4. At 30 eV incident energy, the mixed layer at steady state is 6.5 ML with a depth of 30 A and the main etching products are SiF2 and SiF3. When F atoms were irradiated onto a Si substrate heated at 1000 K, a significant reduction of F coverage was observed due to diffusion of F atoms. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

    Web of Science

  211. Molecular dynamics and Monte-Carlo simulation of sputtering and mixing by ion irradiation

    Aoki T.

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms   180 巻 ( 1-4 ) 頁: 312 - 316   2001年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00437-2

    Scopus

  212. Molecular dynamics and Monte-Carlo simulation of sputtering and mixing by ion irradiation 査読有り

    T Aoki, S Chiba, J Matsuo, Yamada, I, JP Biersack

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   180 巻   頁: 312 - 316   2001年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    Molecular dynamics (MD) and Monte-Carlo (MC) simulations of low-energy (&lt; 500 eV) Ar ion irradiation on Si substrates were performed in order to investigate the mixing and sputtering effects. Both MD and MC simulation show similar results in sputtering yield. depth profile of projectile and mixing of substrate. For these incident energies, the depth of the mixed region is determined by the implant range of incident ions. For example, when the incident energy is 500 eV, the Ar ions reach a depth of 40 Angstrom so that the Si atoms that reside shallower than 40 Angstrom are fully mixed at an ion dose of about 5.0 x 10(16) atoms/cm(2). The resolution of secondary ion mass spectrometry (SIMS) was also studied. It was found that the resolution of SIMS depends on the depth of mixing, which depends in turn on the implant range of the probe ions. This is because the mixing of substrate atoms occurs more frequently than sputtering, so that the information about the depth profile in the mixing region is disturbed. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

    Web of Science

  213. Cluster size effect on reactive sputtering by fluorine cluster impact using molecular dynamics simulation

    Aoki T.

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms   180 巻 ( 1-4 ) 頁: 164 - 170   2001年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00413-X

    Scopus

  214. Molecular dynamics simulations of cluster ion implantation for shallow junction formation 査読有り 国際誌

    Aoki T, Takaoka JMG, Yamada I

    APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY   576 巻   頁: 967 - 970   2001年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  215. Ar cluster ion bombardment effects on semiconductor surfaces

    Seki T.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   647 巻   2001年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    Scopus

  216. Molecular dynamics simulations of cluster ion implantation for shallow junction formation 査読有り

    T Aoki, JMG Takaoka, Yamada, I

    APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY   576 巻   頁: 967 - 970   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    Cluster ion implantation is a useful technique for low energy implantation. In order to investigate the implant and damage formation by cluster ions, molecular dynamics simulations of boron monomer (B-1) and cluster with the size ranging from 2 (B-2) to 10 (B-10) impacting on silicon substrate were performed. When atom/clusters with the same energy per atom of 230eV/atom, all impacts show a similar implant profile, except for a vertical chain-like cluster with the size larger than 4. The latter finding is attributed to the clearing way effect. B-10 impact induces displacements several times larger than B-1; this is because the high-density particle and energy deposition by B-10 causes more knocked-on substrate atoms in the shallow substrate region and these knocked-on atoms tend to remain as displacements, an effect which is not observed in impacts of B-1. This higher displacement yield by B-10 is believed to avoid the formation of point defects at low ion dose and to suppress transient enhanced diffusion.

    Web of Science

  217. Molecular dynamics simulations of cluster ion impact on diamond surface

    Aoki T.

    Materials Research Society Symposium-Proceedings   650 巻   頁: [d]R3.40.1 - R3.40.1   2001年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium-Proceedings  

    Scopus

  218. Molecular dynamics simulations of cluster ion impact on diamond surface

    Aoki T.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   650 巻   2001年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    Scopus

  219. Characterization of damage induced by cluster ion implantation

    Aoki T.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   669 巻   頁: J451 - J456   2001年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    DOI: 10.1557/proc-669-j4.5

    Scopus

  220. Photoluminescence study of defects induced by B<inf>10</inf>H<inf>14</inf> ions

    Toyoda N.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   669 巻   頁: J4201 - J4206   2001年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    DOI: 10.1557/proc-669-j20.4

    Scopus

  221. Secondary ion mass spectrometry with gas cluster ion beams

    Toyoda N.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   647 巻   頁: O5.1.1 - O5.1.6   2001年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    Scopus

  222. Secondary ion mass spectrometry with gas cluster ion beams

    Toyoda N.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   647 巻   2001年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    Scopus

  223. 分子動力学法を用いたFイオン照射によるSi表面エッチングのシミュレーション

    千葉 俊一, 青木 学聡, 松尾 二郎, 高岡 義寛

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   100 巻 ( 517 ) 頁: 23 - 28   2000年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    反応性イオンエッチングにおいてイオン照射が果たす役割を解明するため, FイオンをSi表面に連続的に照射する分子動力学シミュレーションを行った.Fイオンの照射に伴い基板表面にSi原子とF原子の混合層が形成され, 一部がフッ化シリコン(Si_xF_y)として脱離した.平衡状態における基板表面やエッチング生成物が照射エネルギーの違いにより異なることが示され, 反応性イオンエッチングにおけるイオン照射の役割が明らかになった.

    CiNii Article

  224. Molecular dynamics simulation of fluorine cluster ion impact 査読有り 国際誌

    Aoki T, Matsuo J, Yamada I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   164 巻   頁: 546 - 552   2000年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  225. STM observation of surface vacancies created by ion impact 査読有り 国際誌

    Seki T, Aoki T, Matsuo J, Yamada I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   164 巻   頁: 650 - 655   2000年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  226. STM observation of surface vacancies created by ion impact 査読有り

    Seki T.

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms   164 巻   頁: 650 - 655   2000年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(99)01112-X

    Web of Science

    Scopus

  227. Molecular dynamics simulation of fluorine cluster ion impact

    Aoki T.

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms   164 巻   頁: 546 - 552   2000年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(99)01146-5

    Scopus

  228. Molecular dynamics simulation of fluorine cluster ion impact 査読有り

    T Aoki, J Matsuo, Yamada, I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   164 巻   頁: 546 - 552   2000年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    Molecular dynamics (MD) simulations of fluorine atoms, molecules and clusters impacting a silicon substrate were performed in order to investigate the impact process of a reactive cluster ion. This result shows that when the incident energy of the impacting fluorine atom or molecule is less than 10 eV/atom, the species are only adsorbed on the surface and sputtering of substrate atoms does not occur. On the other hand, a fluorine cluster consisting of 30 molecules produces sputtering even at a low incident energy of 1 eV/atom. At these conditions, the surface atoms are desorbed as fluorine-containing species, such as SiF or SiF2, indicating that chemical desorption is enhanced by irradiation with fluorine clusters. As the incident energy of the cluster increases to values as high as 100 eV/atom, almost all the fluorine atoms penetrate the surface and a crater-shaped damage is formed. The incident F atoms reside at the bottom region of the crater. In this case, silicon atoms leave the surface as monomers, dimers or clusters without F atoms, i.e., in this regime physical sputtering through atomic collisions has a higher probability than chemical reactions, like in the case of Ne or Ar cluster impact. (C) 2000 Elsevier Science B.V.zd All rights reserved.

    Web of Science

  229. Nano-processing with gas cluster ion beams

    Yamada I, Matsuo J, Insepov Z, Aoki T, Seki T, Toyoda N

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   164 巻   頁: 944 - 959   2000年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  230. Nano-processing with gas cluster ion beams 査読有り

    Yamada I.

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms   164 巻   頁: 944 - 959   2000年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(99)01163-5

    Web of Science

    Scopus

  231. Boron diffusion in ultra low-energy (&lt;1 keV/atom) decaborane (B<inf>10</inf>H<inf>14</inf>) ion implantation

    Kusaba T.

    Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology   2 巻   頁: 1258 - 1261   1999年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology  

    Scopus

  232. Computer simulation of decaborane implantation and rapid thermal annealing

    Insepov Z.

    Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology   2 巻   頁: 807 - 810   1999年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology  

    Scopus

  233. Molecular dynamics study of implant and damage formation in low-energy boron cluster ion implantation

    Aoki T.

    Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology   2 巻   頁: 1254 - 1257   1999年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology  

    Scopus

  234. Cluster size dependence of the impact process on a carbon substrate

    Aoki T, Seki T, Matsuo J, Insepov Z, Yamada I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   153 巻 ( 1-4 ) 頁: 264 - 269   1999年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  235. Cluster size dependence of the impact process on a carbon substrate 査読有り

    Aoki T.

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms   153 巻 ( 1-4 ) 頁: 264 - 269   1999年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(99)00201-3

    Web of Science

    Scopus

  236. Applications of cluster ion implantation in microelectronics devices 査読有り 国際誌

    Yamada I, Matsuo J, Toyoda N, Aoki T

    APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY, PTS 1 AND 2   475 巻   頁: 379 - 382   1999年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  237. Novel analysis techniques using cluster ion beams 査読有り 国際誌

    Matsuo J, Toyoda N, Saito M, Aoki T, Seki T, Yamada I

    APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY, PTS 1 AND 2   475 巻   頁: 429 - 432   1999年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  238. Applications of cluster ion implantation in microelectronics devices 査読有り

    Yamada, I, J Matsuo, N Toyoda, T Aoki

    APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY, PTS 1 AND 2   475 巻   頁: 379 - 382   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    Ultra-shallow ion implantation by gas cluster ion beams has been demonstrated experimentally and confirmed by molecular dynamics simulations. Implantation of B10H14 in Si (100) at 2keV does not cause transient enhanced diffusion (TED) of boron atoms during annealing at 900 degrees C for 10sec. In order to reveal the diffusion mechanism of B atoms, the diffusivity of B atoms in ultra low-energy B10H14 ion implantation was measured by Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS). B10H14 ions were implanted at 2, 3, 5 and 10keV. Subsequent annealing was performed at 900 degrees C and 1000 degrees C for 10 sec, respectively. In the case of the 900 degrees C annealing, TED was suppressed as the implant energy decreased and at energy less than 3keV, the TED of B atoms no longer occurred during annealing. High performance 40nm p-MOSFETs with ultra shallow junctions have been fabricated using B10H14 cluster ion implantation. The unique characteristics of gas cluster ion beam processes for sputtering has also been applied to very high-rate etching. Yields more than two orders of magnitude higher than those by monomer ions having the same energy and atomic scale smoothing of surfaces to average roughness less than 0.2nm have been demonstrated. This paper will discuss the status of cluster ion beam processes based upon our recent experimental and molecular dynamics simulation results.

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  239. Molecular dynamics simulation of fullerene cluster ion impact

    Aoki T.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   504 巻   頁: 81 - 86   1999年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

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  240. Size dependence of bombardment characteristics produced by cluster ion beams

    Seki T.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   504 巻   頁: 93 - 98   1999年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

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  241. デカボランイオン注入による損傷の形成とその増速拡散への影響

    草場 拓也, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎, 加勢 正隆, 後藤 賢一, 杉井 寿博, 山田 公

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   98 巻 ( 445 ) 頁: 97 - 104   1998年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    低エネルギーデカボランイオン注入における損傷の形成とその増速拡散への影響について検討をおこなった。デカボランの注入エネルギーの低下に伴い、増速拡散は抑制される。また、3keVのデカボランイオン注入においてドーズ量1×10^14〜10^15atoms/cm^2の範囲では、基板表面近傍にアモルファス層が形成されているために、拡散距離は注入ドーズ量に依存しないことが明らかとなった。さらに、デカボランイオン注入においては、実効注入エネルギーの等しい単原子ボロンよりも多くの損傷を形成できることが分かった。約65%の注入効率が得られることが明らかとなった。

    CiNii Article

  242. Non-linear processes in the gas cluster ion beam modification of solid surfaces 査読有り 国際誌

    Yamada I, Matsuo J, Toyoda N, Aoki T, Jones E, Insepov Z

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING   253 巻 ( 1-2 ) 頁: 249 - 257   1998年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  243. Non-linear processes in the gas cluster ion beam modification of solid surfaces 査読有り

    Yamada I.

    Materials Science and Engineering A   253 巻 ( 1-2 ) 頁: 249 - 257   1998年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science and Engineering A  

    DOI: 10.1016/S0921-5093(98)00733-3

    Web of Science

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  244. Angular distributions of the particles sputtered with Ar cluster ions 査読有り 国際誌

    Toyoda N, Kitani H, Hagiwara N, Aoki T, Matsuo J, Yamada I

    MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 262 - 265   1998年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  245. Energy dependence of a single trace created by C-60 ion impact 査読有り 国際誌

    Seki T, Aoki T, Tanomura M, Matsuo J, Yamada I

    MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 143 - 146   1998年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  246. Low-temperature formation of perovskite PbTiO3 films by O-2 cluster ion-assisted deposition 査読有り 国際誌

    Akizuki M, Matsuo J, Qin W, Aoki T, Harada M, Ogasawara S, Yodoshi K, Yamada I

    MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 255 - 257   1998年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  247. Reduction of boron transient enhanced diffusion in silicon by low-energy cluster ion implantation 査読有り 国際誌

    Shimada N, Aoki T, Matsuo J, Yamada I, Goto K, Sugui T

    MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 80 - 83   1998年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  248. Angular distributions of the particles sputtered with Ar cluster ions 査読有り

    Toyoda N.

    Materials Chemistry and Physics   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 262 - 265   1998年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Chemistry and Physics  

    DOI: 10.1016/S0254-0584(98)00101-1

    Web of Science

    Scopus

  249. Molecular dynamics simulation of a carbon cluster ion impacting on a carbon surface 査読有り

    Aoki T.

    Materials Chemistry and Physics   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 139 - 142   1998年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Chemistry and Physics  

    DOI: 10.1016/S0254-0584(98)00096-0

    Web of Science

    Scopus

  250. Molecular dynamics simulation of a carbon cluster ion impacting on a carbon surface

    Aoki T, Seki T, Matsuo J, Insepov Z, Yamada I

    MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 139 - 142   1998年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  251. Low-temperature formation of perovskite PbTiO<inf>3</inf> films by O<inf>2</inf> cluster ion-assisted deposition

    Akizuki M.

    Materials Chemistry and Physics   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 255 - 257   1998年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Chemistry and Physics  

    DOI: 10.1016/S0254-0584(98)00100-X

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  252. Low-temperature formation of perovskite PbTiO3 films by O-2 cluster ion-assisted deposition 査読有り

    M Akizuki, J Matsuo, W Qin, T Aoki, M Harada, S Ogasawara, K Yodoshi, Yamada, I

    MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 255 - 257   1998年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE SA  

    The formation of PbTiO3 films on Pt films using O-2 cluster ions, Pb and Ti(i-OC3H7)(4), was examined. Perovskite-PbTiO3 films could be formed at a substrate temperature of 400 degrees C, which was about 100 degrees C lower than that which is possible with CVD and sol-gel methods. An acceleration energy of 1 keV was sufficient to form the perovskite structure. These films were obtained owing to a high oxidant Aux to the surface and high-density energy deposition during growth. Another feature of the O-2 cluster ion assisted deposition was that no pyrochlore structure was observed at lower substrate temperatures. This might be due to surface reactions in the high vacuum (3 X 10(-5) Torr). (C) 1998 Elsevier Science S.A. All rights reserved.

    Web of Science

  253. Energy dependence of a single trace created by C<inf>60</inf> ion impact 査読有り

    Seki T.

    Materials Chemistry and Physics   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 143 - 146   1998年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Chemistry and Physics  

    DOI: 10.1016/S0254-0584(98)00097-2

    Web of Science

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  254. Cluster ion bombardment on atomically flat Au(111) solid surfaces

    Takeuchi D, Seki T, Aoki T, Matsuo J, Yamada I

    MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 76 - 79   1998年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  255. Cluster ion bombardment on atomically flat Au (111) solid surfaces 査読有り

    Takeuchi D.

    Materials Chemistry and Physics   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 76 - 79   1998年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Chemistry and Physics  

    DOI: 10.1016/S0254-0584(98)00052-2

    Web of Science

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  256. Reduction of boron transient enhanced diffusion in silicon by low-energy cluster ion implantation 査読有り

    N Shimada, T Aoki, J Matsuo, Yamada, I, K Goto, T Sugui

    MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 80 - 83   1998年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE SA  

    Future integrated circuits require shallow pn junctions with a depth below 50 nm and, therefore, low energy ion beams are necessary. Cluster ions can realize both goals of low-energy and high-current ion beams quite easily, because the kinetic energy of a cluster is shared among constituent atoms. Another advantage of cluster ion implantation is that the substrate damage induced by ion bombardment can be controlled by changing the cluster size. As a consequence, the transient enhanced diffusion (TED) of the dopant during annealing can be controlled in cluster ion implantation. We have used the polyatomic cluster, decaborane (B10H14) to form very shallow p(+) junctions. During 900 degrees C annealing, the diffusion of boron atoms implanted at 3 keV was strongly suppressed compared with that implanted at 10 keV implantation. The difference in defect distribution between 10 and 3 keV implantation caused the different annealing behavior. (C) 1998 Elsevier Science S.A. All rights reserved.

    Web of Science

  257. Reduction of boron transient enhanced diffusion in silicon by low-energy cluster ion implantation

    Shimada N.

    Materials Chemistry and Physics   54 巻 ( 1-3 ) 頁: 80 - 83   1998年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Chemistry and Physics  

    DOI: 10.1016/S0254-0584(98)00108-4

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  258. Cluster Ion Implantation and Device Processes

    Yamada I.

    Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   41 巻 ( 11 ) 頁: 932 - 939   1998年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan  

    DOI: 10.3131/jvsj.41.932

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    CiNii Article

  259. Computer simulation of annealing after cluster ion implantation 査読有り 国際誌

    Insepov Z, Aoki T, Matsuo J, Yamada I

    SILICON FRONT-END TECHNOLOGY-MATERIALS PROCESSING AND MODELLING   532 巻   頁: 147 - 152   1998年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  260. Gas cluster ion beam processing 査読有り 国際誌

    Yamada I, Matsuo J, Toyoda N, Aoki T, Jones E, Insepov Z

    SIMILARITIES AND DIFFERENCES BETWEEN ATOMIC NUCLEI AND CLUSTERS   ( 416 ) 頁: 310 - 329   1998年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  261. Molecular dynamics simulation of fullerene cluster ion impact 査読有り 国際誌

    Aoki T, Seki T, Tanomura M, Matsuo J, Insepov Z, Yamada I

    ATOMISTIC MECHANISMS IN BEAM SYNTHESIS AND IRRADIATION OF MATERIALS   504 巻   頁: 81 - 86   1998年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  262. Size dependence of bombardment characteristics produced by cluster ion beams 査読有り 国際誌

    Seki T, Tanomura M, Aoki T, Matsuo J, Yamada I

    ATOMISTIC MECHANISMS IN BEAM SYNTHESIS AND IRRADIATION OF MATERIALS   504 巻   頁: 93 - 98   1998年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  263. Ultra shallow junction formation by cluster ion implantation 査読有り 国際誌

    Matsuo J, Aoki T, Goto K, Sugii T, Yamada I

    SILICON FRONT-END TECHNOLOGY-MATERIALS PROCESSING AND MODELLING   532 巻   頁: 17 - 22   1998年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  264. Ultra shallow junction formation by cluster ion implantation

    Matsuo J.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   532 巻   頁: 17 - 22   1998年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    DOI: 10.1557/proc-532-17

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  265. Computer simulation of annealing after cluster ion implantation

    Insepov Z.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   532 巻   頁: 147 - 152   1998年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    DOI: 10.1557/proc-532-147

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  266. Gas cluster ion beam processing 査読有り

    Yamada, I, J Matsuo, N Toyoda, T Aoki, E Jones, Z Insepov

    SIMILARITIES AND DIFFERENCES BETWEEN ATOMIC NUCLEI AND CLUSTERS   ( 416 ) 頁: 310 - 329   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    Unique characteristics of gas cluster ion beam processing are reviewed. Cluster ion beams consisting of a few hundreds to thousands of atoms have been generated from various kinds of gas materials. Multi-collisions during the impact of accelerated cluster ions upon the substrate surfaces produce fundamentally low energy bombarding effects in a range of a few eV to hundreds of eV per atom at very high density. These bombarding characteristics can be applied to shallow ion implantation high yield sputtering and smoothing, surface cleaning and low temperature thin film formation.

    Web of Science

  267. ガスクラスターイオンビームによる表面エッチング

    山田 公, 松尾 二郎, 豊田 紀章, 青木 学聡, INSEPOV Zinetulla

    表面科学   18 巻 ( 12 ) 頁: 743 - 751   1997年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本表面科学会  

    CiNii Article

  268. ガスクラスターイオンビームプロセッシング

    山田 公, 松尾 二郎, 豊田 紀章, 青木 学聡

    電気学会研究会資料. MC, 金属・セラミックス研究会   1997 巻 ( 1 ) 頁: 27 - 34   1997年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Article

  269. Molecular dynamics simulation of damage formation by cluster ion impact

    Aoki T, Matsuo J, Insepov Z, Yamada I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   121 巻 ( 1-4 ) 頁: 49 - 52   1997年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  270. Molecular dynamics simulation of damage formation by cluster ion impact

    Aoki T.

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms   121 巻 ( 1-4 ) 頁: 49 - 52   1997年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00698-2

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  271. Molecular dynamics simulation of damage formation by cluster ion impact 査読有り

    T Aoki, J Matsuo, Z Insepov, Yamada, I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   121 巻 ( 1-4 ) 頁: 49 - 52   1997年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    The irradiation of a surface with a cluster ion beam is known to give superior surface modification effects compared with monomer ions. Surface smoothing processes and sputtering yield are both better off. The irradiation process by cluster ions has proved to be quite different from that by monomer ions. We have examined the process of cluster impacts on a solid surface by molecular dynamics simulation to investigate these differences. We simulated an Ar cluster, with size from 13 to 3000 atoms, impacting on a Si(100) substrate, with acceleration energies from 0.5 keV to 55 keV. The Ar cluster atoms penetrate into the Si substrate keeping the cluster state, and the penetration depth is deeper than that of a monomer ion of the same velocity. Si atoms around the Ar cluster are displaced, some of them recover, and the Ar atoms of the cluster are reflected back into the vacuum. Consequently, the displaced Si atoms concentrate in a shallow surface area, and crater-like damage remains. The radius and the depth of the crater are almost the same and are proportional to the cube root of the acceleration energy of the cluster ion. This means that the peculiar damage formation process, created by a cluster ion impact, is caused by an isotropic energy transportation through many interactions between cluster and surface atoms.

    Web of Science

  272. STM observation of HOPG surfaces irradiated with Ar cluster ions

    Seki T, Kaneko T, Takeuchi D, Aoki T, Matsuo J, Insepov Z, Yamada I

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   121 巻 ( 1-4 ) 頁: 498 - 502   1997年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  273. STM observation of HOPG surfaces irradiated with Ar cluster ions 査読有り

    Seki T.

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms   121 巻 ( 1-4 ) 頁: 498 - 502   1997年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00557-5

    Web of Science

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  274. ガスクラスターイオンビームによる表面エッチング

    山田 公, 松尾 二郎, 豊田 紀章, 青木 学聡, INSEPOV Zinetulla

    表面科学   18 巻 ( 12 ) 頁: 743 - 751   1997年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    Sputtering with gas cluster ions, which are aggregates of a few thousands of atoms, has been investigated experimentally and theoretically. Cluster ion beam etching is equivalent to low-energy high-current ion etchings with very low damage. Interesting new phenomena resulting from multiple collisions of incoming atoms in a very localized area were found. A surface smoothing effect is one of the typical phenomena, which is caused by lateral sputtering in which many atoms are ejected from the substrate in a lateral direction. Molecular dynamics simulation clearly shows that these sputtered atoms are ejected from the edge of craters formed by cluster ion impact.

    DOI: 10.1380/jsssj.18.743

    CiNii Article

  275. Cluster ion implantation for shallow junction formation 査読有り 国際誌

    Matsuo J, Takeuchi D, Aoki T, Yamada I

    ION IMPLANTATION TECHNOLOGY - 96     頁: 768 - 771   1997年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  276. Non-linear effects in high energy cluster ion implantation 査読有り 国際誌

    Takeuchi D, Aoki T, Matsuo J, Yamada I

    APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY - PROCEEDINGS OF THE FOURTEENTH INTERNATIONAL CONFERENCE, PTS 1 AND 2   ( 392 ) 頁: 491 - 494   1997年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  277. Range and damage distribution in cluster ion implantation 査読有り 国際誌

    Yamada I, Matsuo J, Jones EC, Takeuchi D, Aoki T, Goto K, Sugii T

    MATERIALS MODIFICATION AND SYNTHESIS BY ION BEAM PROCESSING   438 巻   頁: 363 - 374   1997年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  278. Non-linear effects in high energy cluster ion implantation 査読有り

    D Takeuchi, T Aoki, J Matsuo, Yamada, I

    APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY - PROCEEDINGS OF THE FOURTEENTH INTERNATIONAL CONFERENCE, PTS 1 AND 2   ( 392 ) 頁: 491 - 494   1997年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:AIP PRESS  

    Cluster ion implantation realizes ultra-shallow (&lt;50nm) junction formation. Cluster ions can provide a low-energy and high-current beam, because each constituent atom in the cluster, with sizes of a few thousands, has an energy of only a few eV. Non-linear effects of high energy cluster ion implantation caused by multiple-collisions and high-density energy deposition within a local surface region, have been investigated. Decaborane (B(10)G(14)), C-60 and large A cluster ions with sizes of from 100 to 3000 were implanted into Si and sapphire substrates at energies up to 300keV. The number of disordered substrate atoms per atom in a cluster ion was much larger than the damage done by a monomer ion with the same velocity. Single traces of cluster ions on solid surfaces were observed by STM and AFM to investigate the mechanism of the non-linear effects. Those of large At cluster ions looked like crater shapes where the crater diameter was proportional to one-third of the cluster ion energy.

    Web of Science

  279. 分子動力学法によるホウ素クラスターイオン注入のシミュレーション

    青木 学聡, 島田 規広, 竹内 大輔, 松尾 二郎, Insepov Zinetulla, 山田 公

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   96 巻 ( 396 ) 頁: 49 - 54   1996年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    数十から数千の原子集団であるクラスターをイオン化し,照射するクラスターイオンビーム法は,等価的に低エネルギーのイオン照射を可能とする.サイズ13のBクラスターに1原子あたり230eVのエネルギーを与え,Si(100)表面に衝突させるシミュレーションを行った結果,230eVの単原子Bと同様の注入分布が得られた.またクラスターサイズを13,43,169と大きくするに従い,等しい総加速エネルギーでありながら,Bの注入深さが浅くなり,チャネリングを生じるB原子の割合が減少することが分かった. これらの事からクラスターイオンビーム法が浅い注入層形成に対する有効な手法であることが示された.

    CiNii Article

  280. Cluster ion implantation for shallow junction formation

    Matsuo J.

    Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology     頁: 768 - 771   1996年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology  

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  281. Range and damage distribution in cluster ion implantation

    Yamada I.

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   438 巻   頁: 363 - 374   1996年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium - Proceedings  

    DOI: 10.1557/proc-438-363

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書籍等出版物 3

  1. ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2010: 18th International Conference on Ion Implantation Technology IIT 2010 (AIP conference proceedings CP1321)

    Eds. Jiro Matsuo, Masataka Kase, Takaaki Aoki, Toshio Seki( 担当: 共編者(共編著者))

    American Institute of Physics  2011年1月 

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    記述言語:英語

  2. クラスターイオンビーム基礎と応用-次世代ナノ加工プロセス技術-

    山田公( 担当: 分担執筆 ,  範囲: 執筆(3.1, 3.4.2,3.6, 3.7)及び第3章責任編集)

    日刊工業新聞社  2006年10月  ( ISBN:978-4526057656

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    総ページ数:223   記述言語:日本語

  3. クラスターイオンビーム基礎と応用-次世代ナノ加工プロセス技術-

    山田公監修( 担当: 分担執筆 ,  範囲: 執筆(3.1, 3.4.2,3.6, 3.7)及び第3章責任編集)

    日刊工業新聞社  2006年10月 

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    記述言語:日本語 著書種別:学術書

MISC 1

  1. 京都大学教育研究活動データベースの現状と課題

    梶原 弘貴, 澤田 浩文, 赤坂 浩一, 渥美 紀寿, 青木 学聡  

    2019年度大学ICT推進協議会年次大会   2019年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

講演・口頭発表等 54

  1. ナノ科学から見たRDM

    青木学聡

    第4回京都大学研究データマネジメントワークショップ  2020年9月19日  京都大学アカデミックデータ・イノベーションユニット

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(指名)  

    国名:日本国  

  2. A Campus-wide Survey of Consciousness on Research Datasets 国際会議

    Toshihiko Iyemori, Takaaki Aoki, Shoji Kajita, Tamaki Motoki, Tomoko Kawaguchi, Eriko Amano

    2020 9th International Congress on Advanced Applied Informatics (IIAI-AAI)  2020年9月8日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  3. ORCIDと研究者情報流通 招待有り

    青木学聡

    ORCID日本コンソーシアム・キックオフミーティング  2020年2月28日  ORCID日本コンソーシアム

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    開催年月日: 2020年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学+遠隔会議  

    その他リンク: https://orcid-jp.net/2020/01/22/orcid-kickoff/

  4. 研究データ管理に関するアンケート共同実施の取り組み

    青木学聡, 船守美穂, 松原茂樹, 結城憲司, 宮本貴朗, 西村浩二

    第3回京都大学研究データマネジメントワークショップ  2020年2月27日  京都大学アカデミックデータ・イノベーションユニット

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    開催年月日: 2020年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学理学研究科セミナーハウス  

  5. 京都大学での研究データ公開に関するアンケートと個別調査

    家森 俊彦, 青木 学聡, 梶田 将司, 元木 環, 川口 朋子, 天野 絵里子

    第3回京都大学研究データマネジメントワークショップ  2020年2月27日  京都大学アカデミックデータ・イノベーションユニット

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    開催年月日: 2020年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学理学研究科セミナーハウス  

  6. Research Ecosystem and legendary scientific software 国際会議

    Aoki Takaaki

    ELEVENTH INTERNATIONAL MEETING ON RECENT DEVELOPMENTS IN THE STUDY OF RADIATION EFFECTS IN MATTER  2020年1月15日 

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    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:メキシコ合衆国  

  7. 機関研究情報システムの内外展開とこれからの課題 招待有り

    青木 学聡

    第2回 SPARC Japan セミナー2019 「オープンサイエンスを支える研究者情報サービスとその展望」  2019年12月20日 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    情報のデジタル化,ネットワーク化のトレンドは研究情報においても例外ではなく,構成員及び組織の現況を収集,整理,提供するための研究情報システムは,機関の重要な情報インフラとして認識されつつある。その背景には,外部環境として著作物や知的財産に関する情報流通網の整備,内的な動機としてデータに基づく機関のパフォーマンスとポテンシャル評価の重視等,様々な要因がある。本講演では,京都大学の研究情報システム(教育研究活動データベース)の事例を中心に,機関内外双方の横断的な研究情報流通システムの構築と利活用の展開を紹介するとともに,これからの機関研究情報システムに求められる機能,制度,効果について議論を深める。

  8. イオンビーム研究のための研究データマネジメント環境の設計 国際会議

    青木 学聡

    第29回日本MRS年次大会  2019年11月  日本MRS

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:産業貿易センター   国名:日本国  

  9. 大学での研究データマネジメントの全学的取組み 招待有り

    青木 学聡

    研究・実験データの保管・共有の推進方策Ⅱ  2019年7月26日 

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

  10. 京都大学とORCID(2019年度版) 招待有り

    青木 学聡

    ORCID Japan Workshop  2019年6月28日 

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    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    その他リンク: https://dx.doi.org/10.6084/m9.figshare.11368031

  11. 研究データマネジメントに対する共通理解 招待有り

    青木 学聡

    Japan Open Science Summit 2019 「研究データマネジメント人材の育成を展望する」  2019年5月28日 

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    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:日本語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(指名)  

    その他リンク: https://dx.doi.org/10.6084/m9.figshare.8251517

  12. 京都大学研究データマップ (2019.02.28初版)

    家森 俊彦, 川口 朋子, 元木 環, 青木 学聡, 梶田 将司, 天野 絵里子

    第2回京都大学研究データマネジメントワークショップ  2019年2月28日  京都大学アカデミックデータ・イノベーションユニット

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    開催年月日: 2019年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学理学研究科セミナーハウス  

  13. 京都大学の研究データ保存環境のこれまで

    青木 学聡

    第2回京都大学研究データマネジメントワークショップ  2019年2月28日  京都大学アカデミックデータ・イノベーションユニット

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    開催年月日: 2019年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学理学研究科セミナーハウス  

  14. ルーブリックによるRDMへの共通理解

    青木 学聡

    第2回京都大学研究データマネジメントワークショップ  2019年2月28日  京都大学アカデミックデータ・イノベーションユニット

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    開催年月日: 2019年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学理学研究科セミナーハウス  

  15. 京都大学におけるデータマネジネントの現状 : アンケート調査・ヒアリング調査報告

    川口 朋子, 家森 俊彦, 元木 環, 青木 学聡, 梶田 将司

    第2回京都大学研究データマネジメントワークショップ  2019年2月28日  京都大学アカデミックデータ・イノベーションユニット

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    開催年月日: 2019年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学理学研究科セミナーハウス  

  16. 大学でのオープンサイエンスと研究データ管理 招待有り

    青木 学聡

    平成30年度大阪大学職員研修「オープンサイエンスの基礎知識:大学と研究データ」  2019年2月15日 

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    開催年月日: 2019年2月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:大阪大学サイバーメディアセンター(大阪府茨木市)  

  17. 倫理審査申請システムと連携した臨床研究情報(必須文書/臨床研究データ)の 長期保管システムと臨床研究マスターファイルを組み合わせた臨床研究情報の 統合管理システムの構築

    多田 春江, 竹之内 沙弥香, 青木 学聡, 船越 千尋, 吉田 寿志, 黒田 知宏, 森田 智視

    日本臨床試験学会第10回学術集会総会  2019年1月25日 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:TFTホール(東京都江東区)  

  18. 京都大学アカデミックデータ・イノベーションユニット - ボトムアップによる多様な学術データマネジメント 環境整備への提言 国際会議

    青木 学聡, 梶田 将司

    International Workshop on Data Science  2018年11月15日 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:三島市民文化会館(静岡県三島市)  

  19. Engaging Academia with Japan-wide Data Platforms and RDM CHarter 国際会議

    MIho FUNAMORI, Takaaki AOKI, Katsuhiko TOYAMA

    FORCE2018 meeting  2018年10月12日 

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    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:New Residence Hall Conference Center (Montréal, QC, Canada)  

  20. 画像分析技術のイメージングSIMS分析への応用

    青木 学聡, 瀬木 利夫, 松尾 二郎

    2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月21日  応用物理学会

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場(名古屋市熱田区)  

  21. 液体材料の大気圧MeV-SIMS測定

    瀬木 利夫, 石井 健太, 青木 学聡, 松尾 二郎

    2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月21日  応用物理学会

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場(名古屋市熱田区)  

  22. ミスト法を用いたセシウム付加によるPEG表面の次イオン検出感度の向上

    松田 大輝, 松尾 二郎, 瀬木 利夫, 青木 学聡

    2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月21日  応用物理学会

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場(名古屋市熱田区)  

  23. 大学での研究データ管理 招待有り

    青木 学聡

    第4回RA協議会年次大会、「私たちがオープンサイエンスを進めるためにすべきこと」  2018年9月20日  RA協議会年次大会実行委員会

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神戸国際会議場(神戸市中央区)  

  24. 大学での研究データマネジメントの進め方 招待有り

    青木 学聡

    Cloud week 2018@Hokkaido University  2018年9月3日  北海道大学基盤情報センター

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学学術交流会館小講堂(札幌市北区)  

  25. 全学的な研究データ保存システムの構築と運用 招待有り

    青木 学聡

    平成30年度国立大学法人等情報化発表会  2018年8月31日  国立大学法人等情報化連絡協議会

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    開催年月日: 2018年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学川内キャンパス(仙台市青葉区)  

  26. 研究データ長期保存サービスの試行と推進方策 招待有り

    青木 学聡

    研究・実験データの保管・共有の推進方策  2018年8月21日  地域科学研究会・高等教育情報センター

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    開催年月日: 2018年8月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:剛堂会館(東京都千代田区)  

  27. 京都大学でのORCID導入 招待有り

    青木 学聡

    ORCID Japan Member Meeting  2018年4月17日 

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    開催年月日: 2018年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立情報学研究所, 東京都千代田区  

  28. 固液界面分析に向けたAmbient SIMS法の開発

    石井 健太, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月20日 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学西早稲田キャンパス, 東京都  

  29. 反応性ガスクラスターインジェクションを用いた斜め2方向エッチングによる3D構造の作成

    瀬木 利夫, 山本 洋揮, 古澤 孝弘, 荘所 正, 小池 国彦, 青木 学聡, 松尾 二郎

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月20日 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学西早稲田キャンパス, 東京都  

  30. 二次電子増倍管(CEM)を用いたビーム径測定システムの開発

    山田 周平, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月20日 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学西早稲田キャンパス, 東京都  

  31. ミスト法を用いたナトリウム付加によるPEG表面の2次イオン検出感度の向上

    松田 大輝, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学西早稲田キャンパス, 東京都  

  32. イオンビーム研究におけるデータマネジメント方針の予備的検討

    青木 学聡

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月18日 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:早稲田大学西早稲田キャンパス, 東京都  

  33. 京都大学のオープンサイエンス動向

    青木 学聡

    第5回オープンサイエンスデータ推進ワークショップ  2018年3月1日 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学理学研究科セミナーハウス  

  34. 研究データ管理を大学でどのように進めるか? 招待有り

    青木 学聡

    図書館総合展フォーラム「あなたもなれるデータライブラリアン」  2017年11月17日 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(指名)  

    開催地:パシフィコ横浜, 横浜市  

  35. Long-term archive system for university-wide research data preservation 国際会議

    青木 学聡, 梶田 将司, 赤坂 浩一, 武田 鋼

    WDS Asia-Oceania Conference, 2017  2017年9月26日 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:京都大学, 京都市  

  36. 大学での研究データマネジメントを考える 招待有り

    青木 学聡

    大学図書館問題研究会第48階全国大会  2017年9月11日 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:同志社大学, 京都市  

  37. パイプ型ノズルを用いた湿潤環境下SIMS測定

    石井 健太, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月6日 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡県  

  38. ClF3中性クラスターエッチング表面の凹凸構造

    瀬木 利夫, 荘所 正, 小池 国彦, 青木 学聡, 松尾 二郎

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月6日 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡県  

  39. PEG表面へのナトリウム付加による2次イオン検出感度向上

    松田 大輝, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月6日 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡県  

  40. Chemical analysis under ambient conditions using swift heavy ion beams 国際会議

    J.Matsuo, M.Kusakari, M.Fujii, T.Seki, T.Aoki

    12th European Conference on Acceleratorsin Applied Research and Technology  2016年7月7日 

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    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  41. 研究データマネジメントと日本の大学 招待有り

    青木 学聡

    第2回 SPARC Japan セミナー2016 (オープンアクセス・サミット2016)「研究データオープン化推進に向けて : インセンティブとデータマネジメント」  2016年10月26日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  42. 研究データ管理と日本の大学 招待有り

    青木 学聡

    京都オープンサイエンス勉強会 第5回勉強会  2016年10月19日 

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    記述言語:日本語  

  43. 大気圧分析を目指した高速重イオンプローブによる二次イオン質量分析法の開発

    草刈 将一, 藤井 麻樹子, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月14日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学湘南キャンパス, 神奈川県  

  44. ガスクラスターイオンビームを用いた有機材料の三次元質量イメージング技術の開発

    若本 恵佑, 中川 駿一郎, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月14日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学湘南キャンパス, 神奈川県  

  45. 低真空下におけるArクラスターイオンビームの輸送特性

    鈴木 敢士, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月14日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学湘南キャンパス, 神奈川県  

  46. ClF3中性クラスタービームによる微細パターンエッチング

    瀬木 利夫, 山本 洋揮, 古澤 孝弘, 吉野 裕, 妹尾 武彦, 小池 国彦, 青木 学聡, 松尾 二郎

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月14日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学湘南キャンパス, 神奈川県  

  47. MARLOWE二体衝突シミュレータのプリ・ポストプロセス

    青木 学聡, 瀬木 利夫, 松尾 二郎

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月14日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学湘南キャンパス, 神奈川県  

  48. ケミカルアシスト法を用いた高感度MeV-SIMS分析に関する研究

    藤井麻樹子, 草刈将一, 瀬木利夫, 青木学聡, 松尾二郎

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月18日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス, 北海道  

  49. Ar ガスクラスターイオンビームを用いた有機試料の三次元質量イメージング法の確立

    若本恵佑, 中川駿一郎, 瀬木利夫, 青木学聡, 松尾二郎

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月18日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス, 北海道  

  50. MeV重イオンを用いた揮発性混合試料の低真空二次イオン質量分析

    草刈将一, 藤井麻樹子, 瀬木利夫, 青木学聡, 松尾二郎

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月18日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス, 北海道  

  51. He 混合によるClF3 中性クラスター速度制御

    瀬木利夫, 吉野裕, 妹尾武彦, 小池国彦, 唐橋一浩, 青木学聡, 松尾二郎

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月18日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス, 北海道  

  52. Recent Progress in Cluster Beam -- from Semiconductor to Soft Materials 国際会議

    J. Matsuo, T. Seki, T. Aoki, M. Fujii

    The 19th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM 2014)  2014年9月17日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Leuven, Belgium  

  53. Highly Accurate Biological Analysis using Ar-GCIB SIMS with Chemical Assist Ionization 国際会議

    M. Fujii, S. Nakagawa, T. Seki, T. Aoki, J. Matsuo

    The 15th IUMRS-International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2014)  2014年8月25日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Fukuoka, Japan  

  54. Molecular Dynamics Simulation of Gas Cluster Impact on Coner-shaped Target 国際会議

    T. Aoki, T. Seki, J. Matsuo

    The 15th IUMRS-International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2014)  2014年8月25日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Fukuoka, Japan  

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科研費 5

  1. 多様な学術研究活動を育むアカデミックデータ・イノベーション成熟度モデルの開発

    研究課題/研究課題番号:20H00099  2020年4月 - 2023年3月

    梶田 将司

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    担当区分:研究分担者 

    大学における研究データの蓄積・共有・公開及び長期保管を通じて,研究者自らが研究データマネジメントスキル (RDMスキル) を高められるとともに,研究データを軸とした研究コミュニティ形成や異分野連携を可能にするアカデミックデータ・イノベーション成熟度モデルを開発する.本モデルは,研究者が日常的に行う基本RDMスキル,分野ごとに特有のRDMスキル,分野横断型のイノベーションを創発するRDMスキルの3スキル及びこれらのスキル開発方法論により構成される.本研究では,多様な分野の研究者が集う京都大学を実証フィールドとして開発することにより,イノベーションの可能性に満ちた土壌を我が国の学術研究現場に育む.

  2. 手書きプロセスデータ流通基盤の構築と大学教育における利活用アプリケーション

    研究課題/研究課題番号:17H06288  2017年6月 - 2020年3月

    挑戦的研究(開拓)

    喜多 一

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    担当区分:研究分担者 

    本課題で人が手で文章や図などを書くプロセス(手書きプロセス)の教育上の意義に着目し,ソニー社製電子ペーパ端末を用いて,手書きプロセスデータの収集のシステム化,収集したデータのアニメーション形式での可視化のシステムを試作するとともに,京都大学の 4 つの教育現場を想定した例題を用いてシステム評価のためのデータ収集を行った.また,これに加え手書きプロセスデータの流通基盤の創出のために,国際標準規格を見据えたデータ流通について検討した.
    手書きデータの情報処理については,これまで「何が書かれているのか」を自動認識する研究開発は大量に行われてきたが,人の思考プロセスへの接近の視点から手書きするプロセスそのものに着目した研究は少ない.本研究では、教育への応用を見据えて,手書きプロセスのデータ取得,可視化のプロトタイプ開発,利活用領域と流通基盤の創出の検討などを行った.教育への ICT の利活用が推進される中,その質的向上を期待する手法として基礎的な検討が行えた.

  3. 大気圧SIMS法の開発とその固液界面評価への応用

    研究課題/研究課題番号:17H01058  2017年4月 - 2021年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(A)  基盤研究(A)

    松尾 二郎, 瀬木 利夫, 青木 学聡

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    担当区分:研究分担者 

    大気圧下で液体が存在する表面を評価することが可能である高速重イオンを用いる2次イオン質量分析法(MeV-SIMS法)を使い、固体と液体との界面状態の探査的研究を行う。細胞、触媒、電池など様々な分野で固液界面は極めて重要な役割を担っているが、真空を基礎とする表面分析技術では限界があり、固液界面はいまだに十分解明されていない。これまでの分析手法では困難であった固液界面のダイナミクスの解明などを試み、固体と液相との界面で起こる特異な現象の解明を行える革新的な評価技術を実現する。
    様々な手法を使って形成した固液界面の2次イオンスペクトルを測定した。一つは昨年度から引き続き行っている水滴をキャストして液相(液滴)を固体表面に形成したものである。液相の膜厚はサブmmと極めて厚く、液滴が存在するときには液相表面からの飛び出してきた2次イオンであることが保証されている。もう一つの方法は、気相から液体分子を吸着させて液相を形成する手法である。吸着量が少ない時には極めて薄い液体層が表面に形成できる。水分子を使い吸着層のSIMS測定を大気圧下で行ったところ、液滴からの2次イオンスペクトルと極めて類似したスペクトルが得られた。このことは極めて薄い液体層でも厚い液体層と同様の構造を持っていることを示している。レーザーを用いた結果でも多量体が多く検出されており、水分子の液相中に多くの水クラスターが形成されており、それが観察されたと考えられる。2次イオンスペクトルを詳細二階席嗣、水表面特有の構造を調べていく。

  4. クラスター衝突過程のシミュレーションと大規模原子座標データ協働モデルの研究

    研究課題/研究課題番号:17K05003  2017年4月 - 2020年3月

    青木 学聡

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:4680000円 ( 直接経費:3600000円 、 間接経費:1080000円 )

    オープンサイエンス、研究データ管理の視点から、イオンビーム科学・工学における巨大原子座標を中心とした各種データを扱うための共通基盤の研究を行った。長年の歴史を持つ古典的なイオン衝突シミュレーションの互換性の維持と利便性の向上のため、入出力データに対するプリ・ポストプロセスの開発を行った。また、従来と単原子イオンビームとは異なるクラスターイオンの衝突シミュレーションの事例を収集、整理し、クラスターイオン衝突における解析手法を提示した。
    他の分野と同様、イオンビーム科学・工学分野においても計算機シミュレーションは、衝突素過程解析の為のモデル化から、製造工程におけるプロセス最適化まで、各々の目的に応じて広く用いられており、得られるデータを効率的に整理し、多様な実験や、他のシミュレーション結果との比較、検討を有機的に実施できる環境構築がより重要視されるようになっている。本研究では、FAIR原則に従い、古くからあるシミュレーションプログラムの互換性と利便性の向上、複雑な衝突過程を有するクラスターイオンのシミュレーションの可視化と解析手法を通じて、オープンサイエンス時代における研究データ管理手法の事例を示した。

  5. 巨大クラスターイオンによる機能性有機材料評価技術の研究

    研究課題/研究課題番号:23246012  2011年4月 - 2014年3月

    松尾 二郎

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    担当区分:研究分担者 

    大きなサイズのArクラスターイオンは有機材料を低ダメージにスパッタリングできるため、SIMS法やXPS法での実用化が始まった。クラスターイオン銃を供えた表面分析装置が市販され、クラスターイオンが有機材料分析のデファクトスタンダードとなった。深さ方向分析だけでなくArクラスターイオンを収束し、SIMS法の1次イオンとして用いることにより、質量イメージングを実現した。これまで、Arクラスターイオンを収束させることは困難であると考えられてきたが、約1ミクロンに収束させることに成功した。これにより、収束Arクラスターイオンビームを使った分子イメージング法への道が開拓できた。

産業財産権 1

  1. 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理装置

    松尾 二郎, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 土橋 和也, 井内 健介, 斉藤 美佐子

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    出願人:国立大学法人京都大学, 東京エレクトロン株式会社

    出願番号:特願2012-040647  出願日:2012年2月

    公開番号:特開2013-175681  公開日:2013年9月

    特許番号/登録番号:特許第5984424号  発行日:2016年8月

    J-GLOBAL

 

担当経験のある科目 (本学以外) 4

  1. プログラミング(クラウド計算)

    2017年10月 - 2020年3月 京都大学)

  2. ILASセミナー(情報リテラシのためのソーシャルプログラミング)

    2017年4月 - 2019年7月 京都大学)

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    科目区分:学部教養科目 

  3. 電気電子回路演習

    2016年4月 - 2019年7月 京都大学)

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    科目区分:学部専門科目  国名:日本国

  4. 電気電子計算工学及演習

    2007年10月 - 2020年3月 京都大学)

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    科目区分:学部専門科目  国名:日本国

 

学術貢献活動 27

  1. AXIES-JPCOAR 研究データワークショップ

    役割:企画立案・運営等, パネル司会・セッションチェア等

    オープンアクセスリポジトリ推進協会 研究データ作業部会, 大学ICT推進協議会研究データマネジメント部会  2021年2月

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    種別:学会・研究会等 

  2. 第30回日本MRS年次大会, シンポジウムF「イオンビームを利用した革新的材料(国際シンポジウム)」

    役割:企画立案・運営等

    日本MRS  2020年12月

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    種別:学会・研究会等 

  3. 第30回日本MRS年次大会

    役割:企画立案・運営等

    日本MRS  2020年12月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  4. 大学ICT推進協議会 2020年度年次大会

    役割:企画立案・運営等

    大学ICT推進協議会  2020年12月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  5. 大学ICT推進協議会 2020年度年次大会 企画セッション「大学におけるRDM支援体制の構築」

    役割:企画立案・運営等

    大学ICT推進協議会  2020年12月

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    種別:学会・研究会等 

  6. MRMフォーラム2020

    役割:企画立案・運営等

    日本MRS  2020年12月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  7. 2020年度 RDUF公開シンポジウム

    役割:企画立案・運営等

    研究データ利活用協議会  2020年12月

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    種別:学会・研究会等 

  8. 9th International Conference on Data Science and Institutional Research (DSIR 2020), Special Session “Design of Open Science and Citizen Science with Research Data Management”

    役割:企画立案・運営等

    2020年9月

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    種別:学会・研究会等 

  9. 学術基盤オープンフォーラム AXIE研究データマネジメント部会合同トラック「学術機関における研究データ管理フレームワーク」

    役割:企画立案・運営等

    2020年1月

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    種別:学会・研究会等 

  10. 大学ICT推進協議会年次大会

    役割:企画立案・運営等

    大学ICT推進協議会  2019年12月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  11. 第29回日本MRS年次大会

    役割:企画立案・運営等

    日本MRS  2019年11月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  12. Matesials Research Meeting 2019

    役割:企画立案・運営等

    2019年11月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  13. 第29回日本MRS年次大会, シンポジウムD1「イオンビームを利用した革新的材料(国際シンポジウム)」

    役割:企画立案・運営等

    日本MRS  2019年11月

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    種別:学会・研究会等 

  14. 8th International Conference on Data Science and Institutional Research (DSIR 2020), Special Session “Developments in Open Science and Research Data Management”

    役割:企画立案・運営等

    2019年7月

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    種別:学会・研究会等 

  15. 第28回日本MRS年次大会, シンポジウムD1「イオンビームを利用した革新的材料(国際シンポジウム)」

    役割:企画立案・運営等

    日本MRS  2018年12月

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    種別:学会・研究会等 

  16. 大学ICT推進協議会年次大会

    役割:企画立案・運営等

    大学ICT推進協議会  2018年11月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  17. International Union of Materials Research Societies International Conference of Advanced Materials

    役割:企画立案・運営等

    2017年8月

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    種別:学会・研究会等 

  18. 第25回日本MRS年次大会, シンポジウムD1「イオンビームを利用した革新的材料(国際シンポジウム)」

    役割:企画立案・運営等

    日本MRS  2015年12月

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    種別:学会・研究会等 

  19. International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia 2014, Symposium D-1 “Innovative Material Technologies Utilizing Ion Beams”

    役割:企画立案・運営等

    2014年8月

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    種別:学会・研究会等 

  20. 第23回日本MRS年次大会, シンポジウムQ「イオンビームを利用した革新的材料(国際シンポジウム)」

    役割:企画立案・運営等

    日本MRS  2013年12月

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    種別:学会・研究会等 

  21. 13th International Workshop on Junction Technology

    役割:企画立案・運営等

    2013年6月

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    種別:学会・研究会等 

  22. International Union of Materials Research Societies International Conference Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM2012), Symposium D-3 “Innovative Material Technologies Utilizing Ion Beams”

    役割:企画立案・運営等

    2012年9月

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    種別:学会・研究会等 

  23. 第21回日本MRS学術シンポジウム, セッションB「イオンビームを利用した革新的材料(国際セッション)」

    役割:企画立案・運営等

    日本MRS  2011年12月

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    種別:学会・研究会等 

  24. 11th International Workshop on Junction Technology

    役割:企画立案・運営等

    2011年6月

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    種別:学会・研究会等 

  25. 第20回日本MRS学術シンポジウム, セッションS「イオンビームを利用した革新的材料(国際セッション)」

    役割:企画立案・運営等

    日本MRS  2010年12月

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    種別:学会・研究会等 

  26. 18th International Conference on Ion Implantation Technology

    役割:企画立案・運営等

    2010年6月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  27. 9th International Workshop on Junction Technology

    役割:企画立案・運営等

    2009年6月

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    種別:学会・研究会等 

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