所属
未来材料・システム研究所 豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門 特任教授
職名
特任教授
カネチカ マサカズ
兼近 将一
KANECHIKA Masakazu
学位 1
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博士（工学） （ 2003年2月 広島大学 ）
論文 11
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Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun
APPLIED PHYSICS LETTERS 115 巻 ( 14 ) 2019年9月
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Evaluation of dislocations under the electrodes of GaN pn diodes by X-ray topography 招待有り 査読有り
Japanese Journal of Applied Physics Vol.58 巻 ( No.SC ) 頁： SCCD22-1 - SCCD22-4 2019年6月
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Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 ( SC ) 2019年6月
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Design and Fabrication of GaN p-n Junction Diodes With Negative Beveled-Mesa Termination
Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 40 巻 ( 6 ) 頁： 941 - 944 2019年6月
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Maeda T.
Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2019-May 巻 頁： 59 - 62 2019年5月
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Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN by Photomulitiplication Measurement Utilizing Franz-Keldysh Effect
Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun
2019 31ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD) 頁： 59 - 62 2019年
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Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diode under high reverse bias voltage
Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun
APPLIED PHYSICS LETTERS 112 巻 ( 25 ) 2018年6月
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Sawada Naoki, Narita Tetsuo, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun
APPLIED PHYSICS EXPRESS 11 巻 ( 4 ) 2018年4月
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Parallel-Plane Breakdown Fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN-on-GaN p-n Junction Diodes with Double-Side-Depleted Shallow Bevel Termination
Maeda T., Narita T., Ueda H., Kanechika M., Uesugi T., Kachi T., Kimoto T., Horita M., Suda J.
2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) 2018年
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Ion implantation technique for conductivity control of GaN
Narita T.
17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017 頁： 87 - 90 2017年6月
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Ion implantation technique for conductivity control of GaN
Narita Tetsuo, Kataoka Keita, Kanechika Masakazu, Kachi Tetsu, Uesugi Tsutomu
2017 17TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY (IWJT) 頁： 87 - 90 2017年