論文 - 堀田　昌宏

Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates 招待有り 査読有り

Horita, M; Suda, J

2017 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)     頁： 86 - 87   2017年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/IMFEDK.2017.7998055

Web of Science

Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates

Horita Masahiro, Suda Jun

2017 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)     頁： 86-87   2017年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）