受賞区分：国内外の国際的学術賞  受賞国：日本国

受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 

受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：日本国

受賞区分：国内外の国際的学術賞  受賞国：中華人民共和国

受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：日本国

受賞国：日本国

受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：日本国

受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：日本国

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Journal of Physics D: Applied Physics  

Most high-power electric fuses installed in DC distributions of automobiles employ silica sand (chemical formula SiO2) as arc quenching material to implement the limitation and subsequent interruption of high direct currents. This paper on arc quenching material describes the effects of the addition of silicone resin (chemical formula C2H6SiO) on SiO2 sand, based on the resistance of an arc discharge in SiO2 vapor mixed with silicone resin vapor. The measurement results obtained for the fuse operation of a model electric fuse show that the addition of silicone resin, e.g. an even coating of silicone resin on the surface of a Cu fuse element, attains a shorter arc quenching time. This phenomenon is subsequently explained based on the rise effect of an arc column resistance achieved by mixing with silicone vapor decomposition. The chemical compositions of high-temperature SiO2 vapor mixed with C2H6SiO vapor decomposition are evaluated to show the predominant chemical species at 30 000 K-5000 K for several C2H6SiO vapor concentrations, X C H . The results obtained for X C H of 10%-50% reveal that a H atom originating from C2H6SiO is present at high molar fractions above 0.1 over a wide temperature range of 12 000 K-5000 K. Further evaluations of the electrical resistivity ρ R for the high-temperature vapor show that mixing with C2H6SiO vapor contributes to a rise in ρ R at temperatures of 10 000 K-6000 K. A contribution analysis of the ρ R reveals that the rise effect of the ρ R is accomplished chiefly by the presence of a H atom that has dissociated from C2H6SiO.

DOI： 10.1088/1361-6463/acee92

Web of Science

Scopus

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering  

This paper was arranged a polymer cylinder around a Cu fuse-element to increase both an arc resistance (Figure presented.) during a DC arc quenching process and an insulation resistance (Figure presented.) after the DC arc quenching. The used polymer cylinder equips a narrow-section with a width (Figure presented.) made from the polymer. A position of the narrow-section was around an arc-ignition point of the Cu fuse-element. Silica-sand (SiO2-sand) was filled inside the polymer cylinder. Then, a damping DC with a prospective peak of 1000 A was energized to the Cu fuse-element. As an experimental result, (Figure presented.) was successfully increased with (Figure presented.) of the narrow-section. In addition, the rise in (Figure presented.) of the narrow-section also increased (Figure presented.) to more than 10 (Figure presented.) under the DC 1000 V application after the arc quenching. In order to interpret (Figure presented.) rise and high (Figure presented.) under the polymer cylinder arrangement, chemical composition, an electrical resistivity (Figure presented.), and a thermal diffusivity (Figure presented.) of Cu/SiO2/Polymer vapor mixture was also calculated. Based on the experimental result and calculation result, (Figure presented.) rise can be interpreted based on rise in (Figure presented.) and (Figure presented.) due to the polymer vapor admixing into Cu/SiO2 vapor mixture. In addition, increasing (Figure presented.) can also be interpreted by the polymer ablation of the narrow-section of the cylinder. The results are useful to further increase the interruption capacity of the DC fuse. © 2023 Institute of Electrical Engineer of Japan and Wiley Periodicals LLC.

DOI： 10.1002/tee.23911

Web of Science

Scopus

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）  

出版者・発行元：Proceeding - ELTICOM 2022: 6th International Conference on Electrical, Telecommunication and Computer Engineering 2022  

Power protection devices such as gas circuit breaker and current limiting fuse are key component for safety usage of electric system. During fault current breaking process high temperature arc can be formed inside these devices. The arc breaking is neccessary to achieve current interruption. High temperature gas properties of arc is very important factor to simulate the arc breaking process and to design the protection device. This paper briefly introduces calculation procedure of gas properties and discuss the importance of gas property analysis using the arc inside the limiting fuse as typical example. In addition, it is also introduced the relationship between gas property analysis and the quentum chemical calculation as recent trends.

DOI： 10.1109/ELTICOM57747.2022.10038272

Scopus

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

担当区分：筆頭著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：日本語   出版者・発行元：ICEPE-ST 2022 - 2022 6th International Conference on Electric Power Equipment - Switching Technology  

It is strongly desired for DC fuse that a compatibility of high arc resistance(rarc) during a DC arc interruption and high insulation resistance(Rins) after the DC arc interruption. This paper describes a trial experiment of DC arc interruption under following conditions. (1) Copper(Cu)-element arrangement in silica-sand filling space(designated as "S-wo"), (2) Arrangement of a polymer fuse-case filled with the silica-sand around the Cu-element(designated as "S-CaseA"), and (3) Arrangement of a polymer narrow-section around an arc-ignition point of Cu-element in the silica-sand filled fuse-case(designated as "S-CaseB"). The damping DC with a prospective peak of 1000 A was energized to the Cu-element to ignite the DC arc. As a result, the compatibility of high rarc and high Rins was successfully achieved only under the S-CaseB condition. These high rarc and high Rins can be interpreted from the shrinking of arc conductive diameter by the silica-sand filled inside the fuse-case and formation of insulation layer by the ablation of the polymer-narrow section.

DOI： 10.1109/ICEPE-ST51904.2022.9757094

Web of Science

Scopus

記述言語：日本語   出版者・発行元：ICEPE-ST 2022 - 2022 6th International Conference on Electric Power Equipment - Switching Technology  

With regard to HFO-1234yf mixed with CO2 as a buffer gas, this paper describes dielectric breakdown properties such as an electron attachment coefficient and a critical reduced electric field strength Ecr/N at 300-3000 K. First, this paper covers predominant molecular products through thermal dissociation and combination reactions for 20%HFO-1234yf/80%CO2 gas mixture. Secondly, dielectric breakdown properties of the mixture in consideration of the predominant gaseous molecular products are described to show that Ecr/N is 87-100 Td at 300-3000 K.

DOI： 10.1109/ICEPE-ST51904.2022.9757102

Web of Science

Scopus

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering  

Concerning DC arc quenching phenomenon in silica sand filling space, we have proposed a new method for raising an arc column resistance (rcol) by use of polymer-material arrangement. This paper reveals physical factors for rcol rise on the bases of experimental results using the following cylinders made of: (i) Quartz (SiO2) and (ii) PMMA ((C5H8O2)n) with various inner diameters ϕ. For ϕ = 2 mm case, rcol measured for a PMMA cylinder arrangement indicated higher rcol at low current region, while almost same rcol around current peak. For ϕ = 3 mm case, rcol for the PMMA cylinder was lower than rcol for the quartz case at high current region, while almost comparable between these conditions at low current region. For ϕ = 5 mm case, rcol were almost same during the arc quenching process. To discuss the effect of the rcol rise, the followings were also performed: (i) observation of cylinders after arc quenching and (ii) calculation of the electron density of SiO2/Cu or PMMA/SiO2 mixture vapors. It is concluded that, at high current region, rcol can increase due to the shrinking of the arc conductive diameter caused by the cylinder hole and the silica sand filled inside the cylinder hole. On the other hand, the admixing of the PMMA ablation vapor increases rcol at low current region in the present experiment. © 2021 Institute of Electrical Engineers of Japan. Published by Wiley Periodicals LLC.

DOI： 10.1002/tee.23462

Web of Science

Scopus

担当区分：筆頭著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering  

In this study, experiments pertaining to direct current (DC) interruptions are performed in an arc-quenching chamber filled with silica sand. First, the arc column resistance is measured during DC arc-quenching to demonstrate the elementary aspects of the arc in the silica-sand-filled space. Subsequently, an arrangement comprising a polymer cylinder between electrodes in the silica-sand-filled space is proposed to increase the arc column resistance during DC arc-quenching. A polymethyl methacrylate (PMMA) cylinder is used in the experiments. Measurement results indicate that the arrangement of the PMMA cylinder causes the arc column resistance to increase approximately twofold in comparison with the no-PMMA cylinder arrangement. Finally, the effect of increasing the arc column resistance is discussed in terms of PMMA and silica vapor. © 2021 Institute of Electrical Engineers of Japan. Published by Wiley Periodicals LLC.

DOI： 10.1002/tee.23368

Web of Science

Scopus

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Journal of Physics D: Applied Physics  

For a high voltage SF6 circuit breaker equipped with a boron nitride (BN)-filled polytetrafluoroethylene ((C2F4)n nozzle, the predominant reaction products in a high-temperature SF6 mixture with vapor decomposition of C2F4 and BN at temperatures of 300-3000 K are determined based on calculations of equilibrium composition. The calculation is performed by considering the molecular products obtained by chemical reactions with boron atoms (e.g. BN, BS, BC, BF, BF2 and BF3), nitrogen atoms (e.g. N2, N3, CN, NS, NF, NF2 and NF3) and carbon atoms (e.g. CS, CS2, C2F4, CF2, CF3 and CF4). The results obtained for the C2F4-BN molar fraction X CFBN of 20%-80% reveal that BF3, N2 and CF4, the molecules originating from the nozzle material, are produced at high molar fractions over a range of 300-3000 K. Such an evaluation of the gas composition allows the derivation of a reduced collision ionization coefficient α/N and a reduced electron attachment coefficient η/N of the gas, considering various electron impact processes such as BF3 + e BF2 + F- and CF4 + e CF3 + F-. The evaluation subsequently enables us to determine a critical reduced electric field strength causing . The results suggest that the decomposed C2F4-BN mixture at XCFBN of 80% causes the reduction of to 110 Td in the range of 1000-2000 K at a gas pressure of 1.0 MPa. This strength is 20 Td lower than that determined separately for the SF6 gas mixture with only 80% C2F4 vapor decomposition, because of the CF4 molar fraction reduction in the SF6/C2F4-BN mixture.

DOI： 10.1088/1361-6463/abda80

Web of Science

Scopus

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEJ Transactions on Power and Energy  

The gases used in high voltage electric power equipment are required to withstand against an externally applied electric field strength. It is therefore essential to find out the electrical insulation strength of the gas. However the high temperature gas formed after the current zero through the arc extinction process in a circuit breaker shows different insulation strengths from that at room temperature, because the high temperature gas consists of various molecular products different from the original gas at room temperature. The CF3CFCH2 (called as HFO-1234yf) at room temperature is known to have a remarkable electrical insulation property similar to SF6. After describing the products generated in CO2 gas mixture with O2 and HFO-1234yf decompositions at temperatures below 3000 K, this paper mentions dielectric breakdown properties of the mixtures in view of the molar fractions of the molecular products. Discussions are furthermore made to compare dielectric breakdown properties of CO2 gas and CO2/O2 gas mixture at high temperatures.

DOI： 10.1541/ieejpes.141.700

Scopus

CiNii Research

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEJ Transactions on Power and Energy  

DC arc interruptions were carried out under following two conditions: (1) silica sand filling without any cylinder arrangement (designation: Silica), and (2) The silica sand filling with a quartz cylinder arrangement (designation: SilicaQuartz). During these experiments, optical emission spectroscopy (OES) measurements were carried out to investigate an arc column resistance rise by the quartz cylinder arrangement. An arc temperature T and a Cu vapor concentration were evaluated from the OES results. As a result, T were measured to be around 24 kK for the Silica condition and 17 kK for the SilicaQuartz condition at a current peak. The Cu vapor concentration under the Silica condition gradually decreased with T decaying. On the other hands, the quartz cylinder arrangement in the silica sand filling space drastically decreased the Cu vapor concentration during an arc-quenching process. This drastic decrease in the Cu vapor concentration is one of key factors to increase rcol under the cylinder arrangement in the silica sand filling space. This verification result can be useful to increase an interruption capacity of fuse.

DOI： 10.1541/ieejpes.141.725

Scopus

CiNii Research

担当区分：筆頭著者   記述言語：日本語  

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Journal of Physics D: Applied Physics  

Regarding CO2/O2-based mixture as an arc quenching gas in high-voltage circuit breakers, the predominant component species present in high numbers at temperatures of 300-20 000 K are determined in consideration of addition of CF3CFCH2 (hereinafter written as C3H2F4) gas to the CO2/O2-based mixture. In the determination, not only are 87 gaseous species but also condensed-phase carbon (hereinafter written as C(c)) taken into account as component species. The evaluation results reveal that CO2, O2, CF4 and HF in gaseous phase behave as the predominant component species at 300-1000 K for lower content additive-gas, whereas the species C(c) is also generated as the predominant component at the same temperature for higher content additive-gas. Subsequently, reactions of chemical elements C, O, F and H to form the above-described chemical species are successfully expressed using CO2, O2 and C3H2F4 contents as stoichiometric coefficients. Expressing the reactions furthermore enables us to formulate the prevent condition of the C(c) generation as a function of O2 content and C3H2F4 content. Similar formulations are successfully performed for CO2/O2/C4-FN and CO2/O2/C5-FK mixtures.

DOI： 10.1088/1361-6463/ab66d5

Web of Science

Scopus

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

出版者・発行元：Proceedings of the 2019 5th International Conference on Electric Power Equipment - Switching Technology: Frontiers of Switching Technology for a Future Sustainable Power System, ICEPE-ST 2019  

This report describes experimental results on DC interruption for three experiments: (1) silica-sand filling (designation: Silica), (2) polymer cylinder installation without silica-sand filling (designation: P5-Air), and (3) polymer cylinder installation with silica-sand filling (designation: P5-Silica). The shape of polymer cylinder was fixed at an inner diameter of 5 mm and a length of 15 mm. A damping DC with a peak current of 750 A was supplied to an established experimental system. A current and a voltage between electrodes were measured during the current supplying period. As experimental results, the arc resistance between electrodes were measured to be 0.15 for Silica, 0.20 for P5-Air and 0.56 for P5-Silica at a peak current, respectively. This implies that silica-sand confined in the polymer cylinder effectively contributes to the arc voltage rise at around a peak current. During a current decaying periods, the arc resistance for P5-Air was measured to be almost same value for P5-Silica. This also implies that an interaction between the polymer and the arc rises the arc resistance during the current decaying period.

DOI： 10.1109/ICEPE-ST.2019.8928816

Scopus

出版者・発行元：Proceedings of the 2019 5th International Conference on Electric Power Equipment - Switching Technology: Frontiers of Switching Technology for a Future Sustainable Power System, ICEPE-ST 2019  

The following three experiments were conducted as an attempt to raise the DC arc voltage during current interrupting process in silica sand. The purpose of the first experiment is to examine the influence of the interelectrode distance of the graphite electrode on the arc length. The three types of interelectrode distance were set in the arc quenching chamber and supplied a damping DC current. As experimental results, voltage between electrodes was not effectively rose with elongation in interelectrode distance in the silica sand. The purpose of the second experiment is to achieve further rise in the arc voltage. In this experiment, PA66-cylinder was arranged between electrodes. As the experiment result, arrangement of PA66-cylinder effectively increases the arc voltage. This may be because the expansion of the arc diameter was restricted to the interaction between the arc and the inner wall of the cylinder. The purpose of the third experiment is to investigate the influence of arc voltage rise effect on the inner diameter of the cylinder. The main factors causing the arc voltage rise are the effect of limiting the arc diameter by the inner diameter and the effect of ablating of silica sand.

DOI： 10.1109/ICEPE-ST.2019.8928782

Scopus

担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1088/1361-6463/ab1c9f

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

The spatial distribution of the Ti vapor admixture ratio (X Ti) was determined together with Ti excitation temperature () from two-dimensional (2D) optical emission spectroscopy (OES) during Ti feedstock injection into an Ar induction thermal plasma (ICTP) torch for Ti nanoparticle synthesis. The X Ti is one important parameter affecting ICTP properties such as its electrical conductivity. The value of X Ti was estimated from the radiation intensity ratio of the Ar atomic line to the Ti atomic line, and obtained from 2D OES observation. Furthermore the electron density (n e) was also determined from the estimated results of and X Ti through the equilibrium composition. These 2D OES results revealed as 2500-4000 K at around the central axis of the ICTP torch, although it was higher than 4000 K in the off-axis region. In the off-axis region, X Ti and n e were much higher than in the on-axis region.

DOI： 10.7567/JJAP.57.036101

Scopus

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP PUBLISHING LTD  

Using 20kW Ar-H-2 pulse-modulated induction thermal plasma (PMITP) with time-controlled feeding of feedstock (TCFF), numerous Si nanowires were synthesized rapidly at 1,000mgh(-1) without the intentional addition of catalysts. The PMITP + TCFF method is our original method for nanomaterial synthesis. The PMITP periodically provides a unique field including higher-temperature plasma during "on-time" and a lower-temperature plasma during "off-time". For rapid and efficient evaporation, metal-grade Si powder feedstock was intermittently injected synchronously into the generated Ar-H-2 PMITP. The synthesized products were analyzed using various analytical techniques. The synthesized products were Si nanowires 10-30 nm in diameter with a SiOx surface layer. (C) 2017 The Japan Society of Applied Physics

DOI： 10.7567/APEX.10.096201

Web of Science

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1088/1361-6595/aa73ca

担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： doi:10.1088/0022-3727/49/30/305501

担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： doi:10.1088/0022-3727/47/19/195304

担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： doi:10.1088/1742-6596/550/1/012026

記述言語：日本語   出版者・発行元：電気学会  

CiNii Books

開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：徳島   国名：日本国  

開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：徳島   国名：日本国  

開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：徳島   国名：日本国  

開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：徳島   国名：日本国  

開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：徳島   国名：日本国  

開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：徳島   国名：日本国  

開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：徳島   国名：日本国  

開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：徳島   国名：日本国  

開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：徳島   国名：日本国  

開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：徳島   国名：日本国  

開催年月日： 2024年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Nagoya   国名：日本国  

開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：姫路   国名：日本国  

開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：姫路   国名：日本国  

開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：姫路   国名：日本国  

開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：放電・プラズマ・パルスパワー/開閉保護/高電圧 合同研究会   国名：日本国  

開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：姫路   国名：日本国  

開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Greifswald   国名：ドイツ連邦共和国  

開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Greifswald   国名：ドイツ連邦共和国  

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：豊橋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：豊橋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：豊橋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：豊橋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：豊橋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：豊橋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：豊橋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：金沢   国名：日本国  

開催年月日： 2023年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：金沢   国名：日本国  

開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：金沢   国名：日本国  

開催年月日： 2023年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：金沢   国名：日本国  

開催年月日： 2023年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Kyoto   国名：日本国  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京   国名：日本国  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

開催年月日： 2022年11月

会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Medan   国名：インドネシア共和国  

開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Okinawa, Japan   国名：日本国  

開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Okinawa, Japan   国名：日本国  

開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Okinawa, Japan   国名：日本国  

開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Okinawa, Japan   国名：日本国  

開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Okinawa, Japan   国名：日本国  

開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福井大学文京キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Fukuoka/Hybrid   国名：日本国  

開催年月日： 2022年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋大学   国名：日本国  

開催年月日： 2022年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋大学   国名：日本国  

開催年月日： 2022年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋大学   国名：日本国  

開催年月日： 2022年6月 - 2022年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Korea/Hybrid   国名：大韓民国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Korea/Hybrid   国名：大韓民国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：大韓民国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Korea/Hybrid   国名：大韓民国  

開催年月日： 2021年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2020年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京電機大学  

開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京電機大学  

開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京電機大学  

開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京電機大学  

開催年月日： 2019年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2019年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2019年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2019年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

DOI： 10.1109/ICEPE-ST.2019.8928816

Scopus

開催年月日： 2019年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

DOI： 10.1109/ICEPE-ST.2019.8928782

Scopus

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2019年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2019年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2018年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2018年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Kanazawa   国名：日本国  

開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2018年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Toulouse   国名：フランス共和国  

開催年月日： 2018年7月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Toulouse   国名：フランス共和国  

開催年月日： 2018年3月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Nagoya   国名：日本国  

開催年月日： 2017年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Chung Yuan Christian University   国名：中華人民共和国  

開催年月日： 2017年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

開催年月日： 2017年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Taoyuan   国名：台湾  

開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：福岡国際会議場   国名：日本国  

開催年月日： 2017年7月 - 2017年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Montreal, Canada   国名：カナダ  

開催年月日： 2017年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Montreal   国名：カナダ  

開催年月日： 2016年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Brisbane   国名：オーストラリア連邦  

開催年月日： 2016年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Munich   国名：ドイツ連邦共和国  

開催年月日： 2016年6月 - 2016年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Kaohsiung convention center   国名：中華人民共和国  

開催年月日： 2016年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Shanghai   国名：中華人民共和国  

開催年月日： 2016年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya   国名：日本国  

開催年月日： 2015年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagasaki   国名：日本国  

開催年月日： 2015年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagasaki   国名：日本国  

開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Hawaii, USA   国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Honolulu   国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2015年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東広島市   国名：日本国  

開催年月日： 2015年7月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Antwerp   国名：ベルギー王国  

開催年月日： 2015年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya   国名：日本国  

開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：平塚市   国名：日本国  

開催年月日： 2014年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Adelaide   国名：オーストラリア連邦  

開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：札幌市   国名：日本国  

開催年月日： 2014年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：大阪市   国名：日本国  

開催年月日： 2014年7月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Toulouse   国名：フランス共和国  

開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Toulouse   国名：フランス共和国  

開催年月日： 2014年3月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Nagoya   国名：日本国  

開催年月日： 2014年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Morroco   国名：モロッコ王国  

開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：相模原市   国名：日本国  

開催年月日： 2014年2月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Fukuoka   国名：日本国  

開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Fukuoka   国名：日本国  

開催年月日： 2013年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：京都市   国名：日本国  

開催年月日： 2013年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Cairns   国名：オーストラリア連邦  

開催年月日： 2013年8月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Cairns   国名：オーストラリア連邦  

開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋大学   国名：日本国  

開催年月日： 2013年2月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Gero   国名：日本国  

開催年月日： 2012年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Kyoto   国名：日本国  

開催年月日： 2012年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：富山県立大学   国名：日本国