2021/03/24 更新

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シュ サン
朱 燦
ZHU Can
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 特任助教
職名
特任助教
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2014年6月   ハルビン工業大学 ) 

研究キーワード 3

  1. SiC

  2. 溶液成長

  3. 結晶成長

 

講演・口頭発表等 9

  1. 機械学習による結晶成長条件の予測を用いたSiC溶液成長

    林宏益, 村井良多, 朱燦, 村山健太, 角岡洋介, 畑佐豪記, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月27日 - 2017年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  2. 機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度

    畑佐豪記, 角岡洋介, 村井良多, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月27日 - 2017年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  3. SiC溶液成長過程における転位伝播方向制御による高品質化

    原田俊太, 村山健太, 村井良多, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月27日 - 2017年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  4. SiC溶液成長におけるプロセス・インフォマティクス

    宇治原徹,角岡洋介,畑佐豪記,村山健太,村井良多,朱燦,原田俊太,田川美穂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月27日 - 2017年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  5. 4H-SiC溶液成長法二段階成長における異種多形の析出抑制

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

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    開催年月日: 2017年11月27日 - 2017年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルコンコルド浜松   国名:日本国  

  6. 貫通らせん転位が極めて少ない 4H-SiC の溶液成長における多形安定化手法

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月1日 - 2017年11月2日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  7. 溶液成長における溶液状態の高速予測と 網羅的探索により最適化した条件での結晶成長

    村井良多, 村山健太, 原田俊太, 畑佐豪記, 角岡洋介, 林宏益, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月1日 - 2017年11月2日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  8. "SiC溶液成長過程における基底面転位の形成"

    肖世玉,朱燦,原田俊太,宇治原徹

    公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013) 

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    開催年月日: 2013年11月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学 IB電子情報館   国名:日本国  

  9. SiC 溶液成長における流れ制御によるトレンチ形成の抑制

    朱燦,原田俊太,関和明,肖世玉,田川美穂,松本祐司,加藤智久,蔵重和央,奥村元,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   国名:日本国  

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産業財産権 5

  1. 結晶製造装置、SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶

    名古屋大学

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    出願人:宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 朱 燦, 長岡 美津也

    出願番号:14/630,607  出願日:2013年8月

    出願国:外国  

  2. SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶

    名古屋大学

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    出願人:宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 朱 燦, 長岡 美津也

    出願番号:13832154.2  出願日:2013年8月

    出願国:外国  

  3. 結晶製造装置、SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶

    名古屋大学

     詳細を見る

    出願人:宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 朱 燦, 長岡 美津也

    出願番号:PCT/JP2013/005017  出願日:2013年8月

    出願国:外国  

  4. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹,原田俊太,朱燦

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2012-185973  出願日:2012年8月26日

    公開番号:2014-043367  公開日:2014年3月13日

    特許番号/登録番号:特許第5975482号  登録日:2016年7月29日 

    出願国:国内  

  5. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹,原田俊太,朱燦

     詳細を見る

    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2012-185975  出願日:2012年8月26日

    公開番号:2014-043369  公開日:2014年3月13日

    特許番号/登録番号:特許第6069758号  登録日:2017年1月13日 

    出願国:国内