Updated on 2021/03/24

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ZHU Can
 
Organization
Institute of Materials and Systems for Sustainability Center for Integrated Research of Future Electronics Innovative Devices Section Designated assistant professor
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Designated assistant professor
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Degree 1

  1. Doctor (Engineering) ( 2014.6   Harbin Institute of Technology ) 

Research Interests 3

  1. SiC

  2. Solution growth

  3. Crystal growth

 

Presentations 9

  1. 機械学習による結晶成長条件の予測を用いたSiC溶液成長

    林宏益, 村井良多, 朱燦, 村山健太, 角岡洋介, 畑佐豪記, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11.27 - 2017.11.29

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  2. 機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度

    畑佐豪記, 角岡洋介, 村井良多, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11.27 - 2017.11.29

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  3. SiC溶液成長過程における転位伝播方向制御による高品質化

    原田俊太, 村山健太, 村井良多, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11.27 - 2017.11.29

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  4. SiC溶液成長におけるプロセス・インフォマティクス

    宇治原徹,角岡洋介,畑佐豪記,村山健太,村井良多,朱燦,原田俊太,田川美穂

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11.27 - 2017.11.29

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  5. 4H-SiC溶液成長法二段階成長における異種多形の析出抑制

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 

     More details

    Event date: 2017.11.27 - 2017.11.29

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ホテルコンコルド浜松   Country:Japan  

  6. 貫通らせん転位が極めて少ない 4H-SiC の溶液成長における多形安定化手法

    村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

     More details

    Event date: 2017.11.1 - 2017.11.2

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  7. 溶液成長における溶液状態の高速予測と 網羅的探索により最適化した条件での結晶成長

    村井良多, 村山健太, 原田俊太, 畑佐豪記, 角岡洋介, 林宏益, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

     More details

    Event date: 2017.11.1 - 2017.11.2

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:名古屋国際会議場   Country:Japan  

  8. "SiC溶液成長過程における基底面転位の形成"

    肖世玉,朱燦,原田俊太,宇治原徹

    公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013) 

     More details

    Event date: 2013.11.16

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋大学 IB電子情報館   Country:Japan  

  9. SiC 溶液成長における流れ制御によるトレンチ形成の抑制

    朱燦,原田俊太,関和明,肖世玉,田川美穂,松本祐司,加藤智久,蔵重和央,奥村元,宇治原徹

    公益社団法人応用物理学会 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9.16 - 2013.9.20

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:同志社大学京田辺キャンパス、京都府   Country:Japan  

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Industrial property rights 5

  1. 結晶製造装置、SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶

    名古屋大学

     More details

    Applicant:宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 朱 燦, 長岡 美津也

    Application no:14/630,607  Date applied:2013.8

    Country of applicant:1  

  2. SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶

    名古屋大学

     More details

    Applicant:宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 朱 燦, 長岡 美津也

    Application no:13832154.2  Date applied:2013.8

    Country of applicant:1  

  3. 結晶製造装置、SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶

    名古屋大学

     More details

    Applicant:宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 朱 燦, 長岡 美津也

    Application no:PCT/JP2013/005017  Date applied:2013.8

    Country of applicant:1  

  4. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹,原田俊太,朱燦

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2012-185973  Date applied:2012.8.26

    Announcement no:2014-043367  Date announced:2014.3.13

    Patent/Registration no:特許第5975482号  Date registered:2016.7.29 

    Country of applicant:1  

  5. SiC単結晶の製造方法

    宇治原徹,原田俊太,朱燦

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋大学

    Application no:2012-185975  Date applied:2012.8.26

    Announcement no:2014-043369  Date announced:2014.3.13

    Patent/Registration no:特許第6069758号  Date registered:2017.1.13 

    Country of applicant:1