2022/08/05 更新

写真a

ホ コウ
蒲 江
PU Jiang
所属
大学院工学研究科 応用物理学専攻 量子物理工学 助教
大学院担当
大学院工学研究科
学部担当
工学部 物理工学科
職名
助教
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2017年3月   早稲田大学 ) 

研究キーワード 4

  1. 電解質

  2. 原子層材料

  3. オプトエレクトロニクス

  4. エレクトロニクス

研究分野 1

  1. ナノテク・材料 / 応用物理一般

学歴 2

  1. 早稲田大学   先進理工学   先進理工学

    2012年4月 - 2017年3月

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    国名: 日本国

  2. 早稲田大学   先進理工   応用物理

    2008年4月 - 2012年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 3

  1. 応用物理学会

  2. 日本物理学会

  3. フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会

受賞 9

  1. MNC 2020 Award for Most Impressive Presentation

    2020年11月   33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020)   Dimensionality of Thermoelectric Properties in Low Dimensional Semiconducting Materials

    Yota Ichinose, Manao Matsubara, Yohei Yomogida, Akari Yoshida, Kan Ueji, Kaito Kanahashi, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Takahiro Yamamoto, Kazuhiro Yanagi

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  2. SSDM Young Researcher Award

    2019年9月   2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)  

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  3. 第14回飯島奨励賞

    2017年9月   フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会  

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  4. Poster Paper Award

    2016年3月   International Thin-Film Transistor Conference (ITC2016)  

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:台湾

  5. 若手奨励賞

    2015年9月   フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会  

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  6. Journal of Materials Chemistry A賞

    2015年9月   フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会  

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  7. Poster Presentation Award

    2015年6月   The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)  

    Jiang Pu

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  8. 講演奨励賞

    2014年9月   応用物理学会   遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた電気二重層トランジスタ

    蒲江

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  9. 修士論文賞(宮部賞)

    2014年3月   早稲田大学 物理学及応用物理学専攻   二次元材料を用いた電気二重層トランジスタ

    蒲江

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    受賞国:日本国

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論文 43

  1. Efficient and Chiral Electroluminescence from In-Plane Heterostructure of Transition Metal Dichalcogenide Monolayers

    Wada Naoki, Pu Jiang, Takaguchi Yuhei, Zhang Wenjin, Liu Zheng, Endo Takahiko, Irisawa Toshifumi, Matsuda Kazunari, Miyauchi Yuhei, Takenobu Taishi, Miyata Yasumitsu

    ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS     2022年7月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1002/adfm.202203602

    Web of Science

  2. Ultrafast Singlet Fission and Efficient Carrier Transport in a Lamellar Assembly of Bis[(trialkoxyphenyl)ethynyl]pentacene

    Sakai Hayato, Yoshino Keisuke, Shoji Yoshiaki, Kajitani Takashi, Pu Jiang, Fukushima Takanori, Takenobu Taishi, Tkachenko Nikolai V, Hasobe Taku

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   126 巻 ( 22 ) 頁: 9396 - 9406   2022年6月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.2c00864

    Web of Science

  3. Electric-field-induced metal-insulator transition and quantum transport in large-area polycrystalline MoS2 monolayers

    Ou Hao, Yamada Tomoyuki, Mitamura Masaya, Edagawa Yusuke, Matsuda Tatsuma D., Yanagi Kazuhiro, Chen Chang-Hsiao, Li Lain-Jong, Takenobu Taishi, Pu Jiang

    PHYSICAL REVIEW MATERIALS   6 巻 ( 6 )   2022年6月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.6.064005

    Web of Science

  4. Formation of a Two-Dimensional Electronic System in Laterally Assembled WTe Nanowires

    Shimizu Hiroshi, Pu Jiang, Liu Zheng, Lim Hong En, Maruyama Mina, Nakanishi Yusuke, Ito Shunichiro, Kikuchi Iori, Endo Takahiko, Yanagi Kazuhiro, Oshima Yugo, Okada Susumu, Takenobu Taishi, Miyata Yasumitsu

    ACS APPLIED NANO MATERIALS     2022年3月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1021/acsanm.2c00377

    Web of Science

  5. Nanowire-to-Nanoribbon Conversion in Transition-Metal Chalcogenides: Implications for One-Dimensional Electronics and Optoelectronics

    Lim Hong En, Liu Zheng, Kim Juan, Pu Jiang, Shimizu Hiroshi, Endo Takahiko, Nakanishi Yusuke, Takenobu Taishi, Miyata Yasumitsu

    ACS APPLIED NANO MATERIALS     2021年12月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1021/acsanm.1c03160

    Web of Science

  6. Recent Advances in Light-Emitting Electrochemical Cells with Low-Dimensional Quantum Materials 招待有り 査読有り

    Jiang Pu, Taishi Takenobu

    Journal of the Imaging Society of Japan   60 巻 ( 6 ) 頁: 656 - 672   2021年12月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.11370/isj.60.656

  7. Room-Temperature Chiral Light-Emitting Diode Based on Strained Monolayer Semiconductors

    Pu Jiang, Zhang Wenjin, Matsuoka Hirofumi, Kobayashi Yu, Takaguchi Yuhei, Miyata Yasumitsu, Matsuda Kazunari, Miyauchi Yuhei, Takenobu Taishi

    ADVANCED MATERIALS   33 巻 ( 36 )   2021年9月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1002/adma.202100601

    Web of Science

  8. Spatial Control of Dynamic p-i-n Junctions in Transition Metal Dichalcogenide LightEmitting Devices

    Ou Hao, Matsuoka Hirofumi, Tempia Juliette, Yamada Tomoyuki, Takahashi Togo, Oi Koshi, Takaguchi Yuhei, Endo Takahiko, Miyata Yasumitsu, Chen Chang-Hsiao, Li Lain-Jong, Pu Jiang, Takenobu Taishi

    ACS NANO   15 巻 ( 8 ) 頁: 12911 - 12921   2021年8月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1021/acsnano.1c01242

    Web of Science

  9. Electric Double Layer Doping of Charge-Ordered Insulators alpha-(BEDT-TTF)(2)I-3 and alpha-(BETS)(2)I-3

    Kawasugi Yoshitaka, Masuda Hikaru, Pu Jiang, Takenobu Taishi, Yamamoto Hiroshi M., Kato Reizo, Tajima Naoya

    CRYSTALS   11 巻 ( 7 )   2021年7月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.3390/cryst11070791

    Web of Science

  10. Air-stable and efficient electron doping of monolayer MoS2 by salt-crown ether treatment

    Ogura Hiroto, Kaneda Masahiko, Nakanishi Yusuke, Nonoguchi Yoshiyuki, Pu Jiang, Ohfuchi Mari, Irisawa Toshifumi, Lim Hong En, Endo Takahiko, Yanagi Kazuhiro, Takenobu Taishi, Miyata Yasumitsu

    NANOSCALE   13 巻 ( 19 ) 頁: 8784 - 8789   2021年5月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1039/d1nr01279g

    Web of Science

  11. Three-dimensional networks of superconducting NbSe2 flakes with nearly isotropic large upper critical field

    Takahashi Togo, Ando Chisato, Saito Mitsufumi, Miyata Yasumitsu, Nakanishi Yusuke, Pu Jiang, Takenobu Taishi

    NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS   5 巻 ( 1 )   2021年3月

  12. One-dimensionality of thermoelectric properties of semiconducting nanomaterials 査読有り

    Ichinose Yota, Matsubara Manaho, Yomogida Yohei, Yoshida Akari, Ueji Kan, Kanahashi Kaito, Pu Jiang, Takenobu Taishi, Yamamoto Takahiro, Yanagi Kazuhiro

    PHYSICAL REVIEW MATERIALS   5 巻 ( 2 ) 頁: 025404-1 - 025404-7   2021年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.5.025404

    Web of Science

  13. Wafer-Scale Growth of One-Dimensional Transition-Metal Telluride Nanowires

    Lim Hong En, Nakanishi Yusuke, Liu Zheng, Pu Jiang, Maruyama Mina, Endo Takahiko, Ando Chisato, Shimizu Hiroshi, Yanagi Kazuhiro, Okada Susumu, Takenobu Taishi, Miyata Yasumitsu

    NANO LETTERS   21 巻 ( 1 ) 頁: 243 - 249   2021年1月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c03456

    Web of Science

  14. Recent Progress on Light-Emitting Electrochemical Cells with Nonpolymeric Materials

    Matsuki Keiichiro, Pu Jiang, Takenobu Taishi

    ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS   30 巻 ( 33 )   2020年8月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1002/adfm.201908641

    Web of Science

  15. A versatile structure of light-emitting electrochemical cells for printed electronics

    Tanaka Yuki, Pu Jiang, Takenobu Taishi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 8 )   2020年8月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.35848/1882-0786/aba56c

    Web of Science

  16. CVD growth of large-area InS atomic layers and device applications

    Tu Chien-Liang, Lin Kuang- I, Pu Jiang, Chung Tsai-Fu, Hsiao Chien-Nan, Huang An-Ci, Yang Jer-Ren, Takenobu Taishi, Chen Chang-Hsiao

    NANOSCALE   12 巻 ( 17 ) 頁: 9366 - 9374   2020年5月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1039/d0nr01104e

    Web of Science

  17. 2D Materials for Large-Area Flexible Thermoelectric Devices

    Kanahashi Kaito, Pu Jiang, Takenobu Taishi

    ADVANCED ENERGY MATERIALS   10 巻 ( 11 )   2020年3月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1002/aenm.201902842

    Web of Science

  18. Electrolyte-Gating-Induced Metal-Like Conduction in Nonstoichiometric Organic Crystalline Semiconductors under Simultaneous Bandwidth Control

    Ito Hiroshi, Edagawa Yusuke, Pu Jiang, Akutsu Hiroki, Suda Masayuki, Yamamoto Hiroshi M., Kawasugi Yoshitaka, Haruki Rie, Kumai Reiji, Takenobu Taishi

    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   13 巻 ( 10 )   2019年10月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1002/pssr.201900162

    Web of Science

  19. Non-Fermi-liquid behavior and doping asymmetry in an organic Mott insulator interface

    Kawasugi Yoshitaka, Seki Kazuhiro, Pu Jiang, Takenobu Taishi, Yunoki Seiji, Yamamoto Hiroshi M., Kato Reizo

    PHYSICAL REVIEW B   100 巻 ( 11 )   2019年9月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.100.115141

    Web of Science

  20. Exciton Polarization and Renormalization Effect for Optical Modulation in Monolayer Semiconductors

    Pu Jiang, Matsuki Keichiro, Chu Leiqiang, Kobayashi Yu, Sasaki Shogo, Miyata Yasumitsu, Eda Goki, Takenobu Taishi

    ACS NANO   13 巻 ( 8 ) 頁: 9218 - 9226   2019年8月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1021/acsnano.9b03563

    Web of Science

  21. Two-dimensional ground-state mapping of a Mott-Hubbard system in a flexible field-effect device

    Kawasugi Yoshitaka, Seki Kazuhiro, Tajima Satoshi, Pu Jiang, Takenobu Taishi, Yunoki Seiji, Yamamoto Hiroshi M., Kato Reizo

    SCIENCE ADVANCES   5 巻 ( 5 )   2019年5月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1126/sciadv.aav7282

    Web of Science

  22. Synthesis of Large-Area InSe Monolayers by Chemical Vapor Deposition

    Chang Han-Ching, Tu Chien-Liang, Lin Kuang-I, Pu Jiang, Takenobu Taishi, Hsiao Chien-Nan, Chen Chang-Hsiao

    SMALL   14 巻 ( 39 )   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/smll.201802351

    Web of Science

  23. Monolayer Transition Metal Dichalcogenides as Light Sources

    Pu Jiang, Takenobu Taishi

    ADVANCED MATERIALS   30 巻 ( 33 )   2018年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.201707627

    Web of Science

  24. Self-Aligned and Scalable Growth of Monolayer WSe2-MoS2 Lateral Heterojunctions 査読有り

    Ming-Yang Li, Jiang Pu, Jing-Kai Huang, Yuhei Miyauchi, Kazunari Matsuda, Taishi Takenobu, Lain-Jong Li

    Advanced Functional Materials   1706860 巻   頁: 1-7   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adfm.201706860

  25. Chemical hole doping into large-area transition metal dichalcogenide monolayers using boron-based oxidant 査読有り

    Matsuoka Hirofumi, Kanahashi Kaito, Tanaka Naoki, Shoji Yoshiaki, Li Lain-Jong, Pu Jiang, Ito Hiroshi, Ohta Hiromichi, Fukushima Takanori, Takenobu Taishi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 2 )   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.02CB15

    Web of Science

  26. A Versatile and Simple Approach to Generate Light Emission in Semiconductors Mediated by Electric Double Layers 査読有り

    Pu Jiang, Fujimoto Taiyo, Ohasi Yuki, Kimura Shota, Chen Chang-Hsiao, Li Lain-Jong, Sakanoue Tomo, Takenobu Taishi

    ADVANCED MATERIALS   29 巻 ( 24 )   2017年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.201606918

    Web of Science

  27. Highly flexible and high-performance complementary inverters of large-area transition metal dichalcogenide monolayers 査読有り

    J. Pu, K. Funahashi, C.-H. Chen, M.-Y. Li, L.-J. Li, T. Takenobu

    Advanced Materials   28 巻   頁: 4111-4119   2016年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.201503872

  28. Simultaneous enhancement of conductivity and Seebeck coefficient in an organic Mott transistors 査読有り

    Y. Kawasugi, K. Seki, Y. Edagawa, Y. Sato, J. Pu, T. Takenobu, S. Yunoki, H. M. Yamamoto, R. Kato

    Applied Physics Letters   109 巻   頁: 233301   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4971310

  29. Photodetection on p-n junction formed by electrolyte-gated transistors of two-dimensional crystals 査読有り

    D. Kozawa, J. Pu, R. Shimizu, S. Kimura, C.-H. Chen, Y. Wada, K. Matsuki, T. Sakanoue, Y. Iwasa, L.-J. Li, T. Takenobu

    Applied Physics Letters   109 巻   頁: 201107   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4967173

  30. Enhanced thermoelectric power in two-dimensional transition metal dichalcogenide monolayers 査読有り

    J. Pu, K. Kanahashi, N. T. Cuong, C.-H. Chen, L.-J. Li, S. Okada, H. Ohta, T. Takenobu

    Physical Review B   94 巻   頁: 014312   2016年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.94.014312

  31. Electron-hole doping asymmetry of Fermi surface reconstructed in a simple Mott insulator 査読有り

    Y. Kawasugi, K. Seki, Y. Edagawa, Y. Sato, J. Pu, T. Takenobu, S. Yunoki, H. M. Yamamoto, R. Kato

    Nature Communications   7 巻   頁: 12356   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/ncomms12356

  32. Thermoelectric detection of multi-subband density of states in semiconducting and metallic single-walled carbon nanotubes 査読有り

    S. Shimizu, T. Iizuka, K. Kanahashi, J. Pu, K. Yanagi, T. Takenobu, Y. Iwasa

    Small   12 巻   頁: 3388-3392   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/smll.201600807

  33. Effects of electrolyte gating on photoluminescence spectra of large-area WSe2 monolayer films 査読有り

    K. Matsuki, J. Pu, D. Kozawa, K. Matsuda, L.-J. Li, T. Takenobu

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁: 06GB02   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.06GB02

  34. Large-area WSe2 electric double layer transistors on a plastic substrate 査読有り

    K. Funahashi, J. Pu, M.-Y. Li, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    Japanese Journal of Applied Physics   54 巻   頁: 06FF06   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.06FF06

  35. Strategy for improved frequency response of electric double layer capacitors 査読有り

    Y. Wada, J. Pu, and T. Takenobu

    Applied Physics Letters   107 巻   頁: 153505   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4933255

  36. Flexible and stretchable thin-film transistors based on molybdenum disulphide 招待有り 査読有り

    J. Pu, L.-J. Li, T. Takenobu

    Physical Chemistry Chemical Physics   16 巻   頁: 14996-15006   2014年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c3cp55270e

  37. Monolayer MoSe2 grown by chemical vapor deposition for fast photodetection 査読有り

    Y.-H. Chang, W. Zhang, Y. Zhu, Y. Han, J. Pu, J.-K. Chang, W.-T. Hsu, J.-K. Huang, C.-L. Hsu, M.-H. Chiu, T. Takenobu, H. Li, C.-I. Wu, W.-H. Chang, A. T. S. Wee, L.-J. Li

    ACS Nano   8 巻   頁: 8582-8590   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/nn503287m

  38. Charge transport in ion-gated mono-, bi-, and trilayer MoS2 field effect transistors 査読有り

    L. Chu, H. Schmidt, J. Pu, S. Wang, B. Ozyilmaz, T. Takenobu, G. Eda

    Scientific Reports   4 巻   頁: 7293   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep07293

  39. Hole mobility enhancement and p-doping in monolayer WSe2 by gold decoration 査読有り

    C.-H. Chen, C.-L. Wu, J. Pu, M. H. Chiu, P. Kumar, T. Takenobu, L. J. Li

    2D Materials   1 巻   頁: 034001   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/2053-1583/1/3/034001

  40. Large-area synthesis of highly crystalline WSe2 monolayers and device applications 査読有り

    J.-K. Huang, J. Pu, C.-L. Hsu, M.-H. Chiu, Z.-Y. Juang, Y.-H. Chang, W.- H. Chang, Y. Iwasa, T. Takenobu

    ACS Nano   8 巻   頁: 923-930   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/nn405719x

  41. Fabrication of stretchable MoS2 thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics 査読有り

    J. Pu, Y. Zhang, Y. Wada, J. T.-W. Wang, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    Applied Physics Letters   103 巻   頁: 023505   2013年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4813311

  42. Ambipolar organic single-crystal transistors based on ion gels 査読有り

    Y. Yomogida, J. Pu, H. Shimotani, S. Ono, S. Hotta, Y. Iwasa

    Advanced Materials   24 巻   頁: 4392-4397   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.201200655

  43. Highly flexible MoS2 thin-film transistors with ion gel dielectrics 査読有り

    J. Pu, Y. Yomogida, K.-K. Liu, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    Nano Letters   12 巻   頁: 4013-4017   2012年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/nl301335q

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書籍等出版物 5

  1. グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用

    蒲 江, 竹延 大志( 担当: 共著 ,  範囲: イオンゲルによるトランジスタと発光・受光素子)

    エヌ・ティー・エス  2020年3月  ( ISBN:978-4-86043-663-6

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    総ページ数:558   担当ページ:203-210   記述言語:日本語 著書種別:学術書

  2. カーボンナノチューブ・グラフェンの応用研究最前線

    蒲江, 竹延大志( 担当: 共著 ,  範囲: フレキシブルトランジスタ開発)

    エヌ・ティー・エス  2016年9月  ( ISBN:978-4-86043-456-4

  3. カルコゲナイド系層状物質の最新研究

    蒲江, 竹延大志( 担当: 共著 ,  範囲: カルコゲナイド系層状物質を用いた電気二重層トランジスタ)

    シーエムシー出版  2016年7月  ( ISBN:978-4-7813-1166-1

  4. Organic Electronics Materials and Devices

    Jiang Pu, Taishi Takenobu( 担当: 共著 ,  範囲: Functional Nanomaterials Devices)

    Springer  2015年  ( ISBN:978-4-431-55654-1

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    記述言語:英語 著書種別:学術書

    その他リンク: https://www.amazon.co.jp/Organic-Electronics-Materials-Devices-Shuichiro/dp/4431556532

  5. Molybdenum Disulfide Enables Flexible Transistors

    Jiang Pu, Taishi Takenobu, Lain-Jong Li( 範囲: Molybdenum Disulfide Enables Flexible Transistors)

    American Chemical Society  2012年 

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    記述言語:英語

講演・口頭発表等 91

  1. 量子スピン液体候補物質κ-(BEDT-TTF)_2_Cu_2_(CN)_3_に対するひずみ効果と電界効果Ⅱ

    櫻糀大仁, 川椙義高, 蒲江, 竹延大志, 加藤礼三, 山本浩史, 田嶋尚也

    日本物理学会 第77回年次大会  2022年3月15日  日本物理学会

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  2. Intercalation of group-XIII metals in crystalline bundles of WTe atomic wires 国際会議

    Ryusuke Natsui, Hiroshi Shimizu, Zheng Liu, Iori Kikuchi, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Hong En Lim, Takahiko Endo, Yusuke Nakanishi, Yasumitsu Miyata

    2022年3月3日 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  3. Monolayer in-plane heterojunction light-emitting devices with tunable composition distribution 招待有り 国際会議

    Jiang Pu

    9th International Workshop on 2D Materials  2022年2月18日  A3 foresight program

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    開催年月日: 2022年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  4. Electric-Field-Induced Metal-Insulator Transition and Quantum Transport in Large-Area Polycrystalline MoS2 Monolayers 国際会議

    Hao Ou, Jaing Pu, Taishi Takenobu

    9th International Workshop on 2D Materials  2022年2月17日  A3 foresight program

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    開催年月日: 2022年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  5. ゲル状電解質を用いた機能性発光デバイス 招待有り

    蒲江

    レーザー学会第 560 回研究会 「有機コヒーレントフォトニクス」  2021年12月18日  レーザー学会

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:奈良   国名:日本国  

  6. 高色純度青色発光低分子ν-DABNA を用いた電気化学発光セル

    田中 友規, 蒲 江, 畠山 琢次, 竹延 大志

    レーザー学会第 560 回研究会 「有機コヒーレントフォトニクス」   2021年12月17日  レーザー学会

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:奈良   国名:日本国  

  7. Ultrapure-blue Light-emitting Electrochemical Cell Using ν-DABNA 国際会議

    Yuki Tanaka, Jiang Pu, Takuji Hatakeyama, Taishi Takenobu

    MNC2021  2021年10月  MNC2021

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    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  8. Air-stable, efficient n-type doping of MoS2 by salt–crown ether treatment 国際会議

    Hiroto Ogura, Masahiko Kaneda, Yusuke Nakanishi, Yoshiyuki Nonoguchi, Jiang Pu, Mari Ohfuchi, Toshifumi Irisawa, Hong En Lim, Takahiko Endo, Kazuhiro Yanagi, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    MNC2021  2021年10月  MNC2021

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    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  9. Air-stable n-type doping of monolayer MoS2 by crown-ether complexe 国際会議

    Hiroto Ogura, Masahiko Kaneda, Yusuke Nakanishi, Yoshiyuki Nonoguchi, Jiang Pu, Mari Ohfuchi, Toshifumi Irisawa, Hong En Lim, Takahiko Endo, Kazuhiro Yanagi, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    RPGR2021  2021年10月10日  RPGR2021

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    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:RPGR2021   国名:大韓民国  

  10. Chiral electroluminescence in monolayer lateral heterojunctions 国際会議

    Jiang Pu1, Naoki Wada, Wenjin Zhang, Yuhei Takaguchi, Kazunari Matsuda, Yuhei, Miyauchi, Yasumitsu Miyata, Taishi Takenobu

    RPGR2021  2021年10月11日  RPGR2021

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    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yonsei University   国名:大韓民国  

  11. Spatial Control of Dynamic p–i–n Junctions in Transition Metal Dichalcogenide Light-Emitting Devices 国際会議

    Hao Ou, Hirofumi Matsuoka, Juliette Tempia, Tomoyuki Yamada, Togo Takahashi, Koshi Oi, Yuhei Takaguchi, Takahiko Endo, Yasumitsu Miyata, Chang-Hsiao Chen, Lain-Jong Li, Jiang Pu1, Taishi Takenobu

    RPGR2021  2021年10月13日  RPGR2021

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    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yonsei University   国名:大韓民国  

  12. Large-area Superconducting NbSe2 Films with Nearly Isotropic Large Upper Critical Field 国際会議

    Togo Takahashi, Chisato Ando, Mitsufumi Saito, Yasumitsu Miyata, Yusuke Nakanishi, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    RPGR2021  2021年10月13日  RPGR2021

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    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yonsei University   国名:大韓民国  

  13. Wafer-Scale Growth of 1D Transition Metal Telluride Atomic Wires 国際会議

    Hong En Lim1, Yusuke Nakanishi, Zheng Liu , Jiang Pu, Mina Maruyama, Takahiko Endo, Chisato Ando, Hiroshi Shimizu, Kazuhiro Yanagi, Susumu Okada, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    RPGR2021  2021年10月10日  RPGR2021

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    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Yonsei University   国名:大韓民国  

  14. Ultrapure-blue Light-emitting Electochemical Cell Using ν-DABNA 国際会議

    Yuki Tanaka, Jiang Pu, Takuji Hatakeyama, Taishi Takenobu

    ICFPE2021  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月 - 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ICFPE2021   国名:日本国  

  15. 歪み印加したWS2/WSe2ファンデルワールスヘテロ構造の光学特性

    福井 遼太郎, 宇佐美 怜, 鈴木 壮磨, 高橋 統吾, 遠藤 尚彦, 宮田 耕充, 北浦 良, 蒲 江, 竹延 大志

    日本物理学会  2021年9月  日本物理学会

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  16. 三次元構造を有する大面積NbSe2薄膜の超伝導特性

    高橋 統吾, 安藤 千里, 斎藤 光史, 宮田 耕充, 中西 勇介, 蒲 江, 竹延 大志

    日本物理学会  2021年9月  日本物理学会

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    開催年月日: 2021年9月

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  17. Light-Emitting Electrochemical Cells for Functional Optoelectronic Device Applications 招待有り

    Jiang Pu

    2021年9月16日 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  18. 遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた微小共振器発光デバイス

    鈴木 壮磨,小椋 友寛1,遠藤 尚彦,宮田 耕充,山下 健一, 蒲 江,竹延 大志

    応用物理学会  2021年9月  応用物理学会

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  19. 気体原料を用いた1T′相WS2の化学気相成長

    岡田 光博,林 永昌,菊地 伊織,岡田 直也,張 文馨,清水 哲夫,久保 利隆,蒲 江,竹延 大志,山田 貴壽,入沢 寿史

    応用物理学会  2021年9月  応用物理学会

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  20. 高色純度青色発光低分子νーDABNA を用いた LEC

    田中友規、 蒲 江、 畠山 琢次、 竹延 大志

    応用物理学会  2021年9月  応用物理学会

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  21. 単層WS2における異常光起電力効果

    高橋 統吾, 蒲 江, 遠藤 尚彦, 宮田 耕充, 竹延 大志

    応用物理学会  2021年9月  応用物理学会

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  22. Electrical Transport Properties of W6Te6 Nanowire Network Films 国際会議

    Iori Kikuchi, Hiroshi Shimizu, Lim Hong En, Takahiko Endo, Yusuke Nakanishi, Yasumitsu Miyata, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    The 61st Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2021年9月1日  The Fullerenes, Nanotubes, Graphene Research Society

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Online   国名:日本国  

  23. Wire-to-Ribbon Conversion in Transition Metal Chalcogenides 国際会議

    Hong En Lim, Zheng Liu, Jiang Pu, Hiroshi Shimizu, Takahiko Endo, Yusuke Nakanishi, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    The 61st Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2021年9月  The Fullerenes, Nanotubes, Graphene Research Society

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Online   国名:日本国  

  24. Electrolyte-based transition metal dichalcogenide light-emitting devices with microcavity 国際会議

    Soma Suzuki, Tomohiro Ogura, Takahiko Endo, Yasumitsu Miyata, Kenichi Yamashita, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    The 61st Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2021年9月3日  The Fullerenes, Nanotubes, Graphene Research Society

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Online   国名:日本国  

  25. Anomalous Photovoltaic Effect in Strained Monolayer WS2 国際会議

    Togo Takahashi, Jiang Pu, Takahiko Endo, Yasumitsu Miyata, Taishi Takenobu

    The 61st Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2021年9月2日  The Fullerenes, Nanotubes, Graphene Research Society

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Online   国名:日本国  

  26. The strain effect of optical properties on hetetostructure 国際会議

    Rei Usami, Ryotaro Fukui, Takahiko Endo, Yasumitsu Miyata, Souma Suzuki, Togo Takahashi, Ryo Kitaura, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    The 61st Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2021年9月1日  The Fullerenes, Nanotubes, Graphene Research Society

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Online   国名:日本国  

  27. Air-Stable, Efficient Electron Doping of Monolayer MoS2 by Salt-Crown Ether Treatment 国際会議

    Hiroto Ogura, Masahiko Kaneda, Yusuke Nakanishi, Yoshiyuki Nonoguchi, Jiang Pu, Mari Ohfuchi, Toshifumi Irisawa, Hong En Lim, Takahiko Endo, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    2021年3月2日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  28. Two-dimensional electron gas in laterally-assembled WTe atomic wires 国際会議

    Hiroshi Shimizu, Jiang Pu, Zheng Liu, Hong En Lim, Yusuke Nakanishi, Takahiko Endo, Kazuhiro Yanagi, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    2021年3月2日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  29. Chiral electroluminescence in monolayer heterojunctions 国際会議

    Jiang Pu

    2020年9月25日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  30. Electron transport properties of WTe nanowire networks 国際会議

    Hiroshi Shimizu, Jiang Pu, Hong En Lim, Yusuke Nakanishi, Zheng Liu, Takahiko Endo, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    2020年9月18日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  31. Anomalous electroluminescence from WS2/WSe2 in-plane heterostructures 国際会議

    Naoki Wada, Jiang Pu, Tomoyuki Yamada, Wenjin Zhang, Zheng Liu, Yusuke Nakanishi, Yutaka Maniwa, Kazunari Matsuda, Yuhei Miyauchi, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    2020年9月17日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  32. Superconducting properties in three-dimensional networks of NbSe2 films 国際会議

    Togo Takahashi, Chisato Ando, Mitsufumi Saito, Yasumitsu Miyata, Yusuke Nakanishi, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    2020年9月17日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  33. Wafer-scale synthesis of 1D transition metal chalcogenide nanowires 国際会議

    Hong En Lim, Yusuke Nakanishi, Zheng Liu, Jiang Pu, Takahiko Endo, Chisato Ando, Hiroshi Shimizu, Kazuhiro Yanagi, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    2020年9月17日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  34. One dimensionality of the thermoelectric properties in semiconducting single walled 国際会議

    Yota Ichinose, Manaho Matsubara, Yohei Yomogida, Akari Yoshida, Kan Ueji, Kaito Kanahashi, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Takahiro Yamamoto, Kazuhiro Yanagi

    2020年9月16日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  35. 化学気相成長した大面積 NbSe2薄膜の超伝導特性

    高橋 統吾, 蒲 江, 安藤 千里, 中西 勇介, 斎藤 光史, 宮田 耕充, 竹延 大志

    応用物理学会  2020年9月10日  応用物理学会

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  36. 原子層面内ヘテロ接合を用いた発光デバイス 国際共著

    蒲 江, Ming-Yang Li, Jing-Kai Huang, 和田 尚樹, 高口 裕平, Wenjin Zhang, 宮内 雄平, 松田 一成, 宮田 耕充, Lain-Jong Li, 竹延 大志

    応用物理学会  2020年9月10日  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  37. 電解質を用いた原子層発光素子の発光特性

    蒲 江, 松岡 拓史, Juliette Tempia, 小林 佑, 宮田 耕充, Chang-Hsiao Chen, Lain-Jong Li, 竹延 大志

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  38. 有機モット絶縁体κ-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Clにおける非フェルミ液体的挙動とそのドーピング非対称性

    川椙義高, 関和弘, 蒲江, 竹延大志, 柚木清司, 山本浩史, 加藤礼三

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  39. Exciton polarizability and renormalization effects for optical modulation in monolayer semiconductors 国際会議

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  40. Interface electroluminescence from in-plane heterostructures based transition metal dichalcogenide monolayers 国際会議

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  41. Room-Temperature Valley-Polarized Light-Emitting Devices via strained monolayer semiconductors 国際会議

    2nd International Workshop on 2D Materials 

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    開催年月日: 2019年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  42. Electric-field-induced Metal-Insulator Transition and Quantum Transport in Large-Area Polycrystalline MoS2 Monolayers 国際会議

    2nd International Workshop on 2D Materials 

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    開催年月日: 2019年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  43. Room temperature valley polarized light-emitting diodes of monolayer transition metal dichalcogenides 国際会議

    MNC2018 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  44. Direct Electroluminescence Imaging of Polycrystalline Monolayer Transition Metal Dichalcogenide Light-emitting Devices 国際会議

    MNC2018 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  45. Electronic and Thermoelectric Devices of CVD-grown Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides

    Workshop on Thermal and Charge Transport across Flexible Nano-Interfaces 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  46. Room Temperature Valley Polarized Light-Emitting Diodes of Monolayer Transition Metal Dichalcogenides 国際会議

    RPGR2018 

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    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  47. Electric Double Layer Transistors of CVD-grown monolayer InS and InSe 国際会議

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  48. Electric double layer light emitting diode of WS2/MoS2 in-plane heterostructures 国際会議

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  49. Universality in Transition Metal Dichalcogenide Light-Emitting Devices 国際会議

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  50. Direct Electroluminescence Imaging of Transition Metal Dichalcogenides 国際会議

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  51. 単層MoS2/WSe2面内ヘテロ接合発光ダイオード

    蒲江, Ming-Yang Li, Jing-Kai Huang, 宮内雄平, 松田一成, Lain-Jong Li, 竹延大志

    日本物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京理科大学   国名:日本国  

  52. 電気二重層ドーピングとひずみ制御によるκ型ET塩の超伝導相の探索II

    川椙義高, 関和弘, 蒲江, 竹延大志, 柚木清司, 山本浩史, 加藤礼三

    日本物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京理科大学   国名:日本国  

  53. Monolayer WSe2-MoS2 Lateral Heterojunction Light-Emitting Diodes 国際会議

    Jiang Pu, Ming-Yang Li, Jing-Kai Huang, Yuhei Miyauchi, Kazunari Matsuda, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    The 54th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:The University of Tokyo   国名:日本国  

  54. Electric-field-induced Metal-Insulator Transition and Quantum Transport in Large-Area Polycrystalline MoS2 Monolayers 国際会議

    Tomoyuki Yamada, Jiang Pu, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    The 54th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:The University of Tokyo   国名:日本国  

  55. 多結晶遷移金属ダイカルコゲナイド単層膜の電流励起発光イメージング

    松岡拓史, 蒲江, Lain-Jong Li , 坂上知, 竹延大志

    応用物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  56. Electroluminescence Imaging of Large-Area Transition Metal Dichalcogenide Light-emitting Diodes 国際会議

    Hirofumi Matsuoka, Lain-Jong Li, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    The 53rd Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto University   国名:日本国  

  57. Electric Double Layer Light Emitting Diode of WSe2/MoSe2 in-plane heterostructures 国際会議

    Yuhei Takaguchi, Jiang Pu, Yu Kobayashi, Taishi Takenobu, Yutaka Maniwa, Yasumitsu Miyata

    The 53rd Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kyoto University   国名:日本国  

  58. Transport properties of CVD-grown monolayer MoS2 crystals 国際会議

    Tomomi Uchida, Yu Kobayashi, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Takahiko Endo, Yutaka Maniwa, Yasumitsu Miyata

    The 53rd Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kyoto University   国名:日本国  

  59. WSe2/MoSe2面内ヘテロ構造を利用した電気二重層発光ダイオード

    高口裕平, 蒲江, 小林佑, 竹延大志, 真庭豊, 宮田耕充

    応用物理学会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:九州国際会議場   国名:日本国  

  60. 大面積MoS2単層膜における電界誘起金属-絶縁体転移

    蒲江, 山田知之, Lain-Jong Li, 松田達磨, 蓬田陽平, 柳和宏, 伊東 裕, 竹延 大志

    応用物理学会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州国際会議場   国名:日本国  

  61. 電解質を用いた単層遷移金属ダイカルコゲナイド発光素子

    蒲江, Wenjin Zhang, 松岡拓史, 小林佑, 高口裕平, 宮田 耕充, Lain-Jong Li, 松田一成, 宮内雄平, 竹延大志

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岩手大学   国名:日本国  

  62. Direct Electroluminescence Imaging of Transition Metal Dichalcogenides

    Jiang Pu, Wenjin Zhang, Hirofumi Matsuoka, Yu Kobayashi, Yuhei Takaguchi, Yasumitsu Miyata, Lain-Jong Li, Kazunari Matsuda, Yuhei Miyauchi, Taishi Takenobu

    The 53th FNTG Symposium 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  63. 電気二重層ドーピングとひずみ制御によるκ型ET塩の超伝導相の探索

    川椙義高, 関和弘, 蒲江, 竹延大志, 柚木清司, 山本浩史, 加藤礼三

    物理学会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岩手大学   国名:日本国  

  64. 多結晶MoS2単層膜における電界誘起金属-絶縁体転移 国際会議

    蒲江, 枝川祐介, 三田村昌哉, 河合英輝, Lain-Jong Li, 蓬田 陽平, 柳 和宏, 伊東 裕, 竹延 大志

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  65. MX2 / Graphiteファンデルワールスヘテロ接合界面におけるシュタルク効果

    蒲江, 松木 啓一郎, 小林佑, 佐々木将吾, 小澤大知, 宮田耕充, 竹延大志

    日本物理学会 第71回年次大会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  66. High-Performance Complementary Inverters of Large-Area Transition Metal Dichalcogenide Monolayers

    Jiang Pu, Kazuma Funahashi, Chang-Hsiao Chen, Ming-Yang Li, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    The 50th FNTG Symposium 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  67. Highly Flexible and Extremely High-gain Complementary Inverters of Transition Metal Dichalcogenide Monolayers 国際会議

    J. Pu, K. Funahashi, C.-H. Chen, M.-Y. Li, L.-J. Li, and T. Takenobu

    ITC2016 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Taiwan   国名:台湾  

  68. Electric double layer light-emitting diodes of transition metal dichalcogenide monolayers 招待有り 国際会議

    Energy Material Nanotechnology (EMN) 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Chengdu, China   国名:中華人民共和国  

  69. Exploring electronic functionalities of transition metal dichalcogenides 招待有り

    The young researcher workshop of the 49th FNTG Symposium 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Kyushu, Japan   国名:日本国  

  70. Carrier-density- and Electric-field-dependent Electroluminescence of Monolayer WSe2

    The 49th FNTG Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyushu, Japan   国名:日本国  

  71. 単層WSe2における電流励起発光の電場依存性

    蒲江, L. Chu, 坂上知, G. Eda, 竹延大志

    日本物理学会 2015年秋季大会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:関西大学   国名:日本国  

  72. Electric Double Layer Light-emitting Diodes of Monolayer WSe2 国際会議

    J. Pu, T. Fujimoto, J.-K. Huang, L.-J. Li, G. Eda, T. Sakanoue, T. Takenobu

    NT15 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  73. Flexible and Stretchable Thin-film Transistors and Inverters Based on Transition Metal Dichalcogenides

    Jiang Pu, Kazuma Funahashi, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    EMS34 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Shiga   国名:日本国  

  74. 単層WSe2を用いた電気二重層発光ダイオード

    蒲江, 藤本太陽, J.-K. Huang, L.-J. Li, 坂上知, 竹延大志

    日本物理学会 第70回年次大会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  75. Novel Functionalities in Electric Double Layer Transistors of CVD-grown Transition Metal Dichalcogenide Monolayers 国際会議

    J. Pu, L.-J. Li, T. Sakanoue, T. Takenobu

    IWEPNM2015 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kirchberg in Tirol, Austria   国名:オーストリア共和国  

  76. Electric Double Layer Light-emitting Diodes of Monolayer WSe2

    J. Pu, T. Fujimoto, J.-K. Huang, L.-J. Li, T. Sakanoue, T. Takenobu

    The 48th FNTG Symposium 

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    開催年月日: 2015年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  77. Flexible and stretchable thin-film transistors of transition metal dichalcogenides 招待有り

    Innovation in R&D of the Flexible Electronics -Toward the Inorganic Flexible Devices- 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  78. Electric Double Layer Transistors of Transition Metal Dichalcogenides 国際会議

    J. Pu, K. Funahashi, C.-H. Chen, Y. Iwasa, L.-J. Li, T. Takenobu

    RPGR2014 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Taiwan   国名:台湾  

  79. 単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける熱電効果の電場変調

    蒲江, 金橋魁利, N. T. Cuong, L.-J. Li, 岡田晋, 太田裕道, 竹延大志

    日本物理学会2014年秋季大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  80. 大面積単層WSe2薄膜を用いたPNフォトダイオード

    蒲江, 清水諒, C.-H. Chen, 岩佐義宏, L.-J. Li, 竹延大志

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  81. High gain CMOS inverters based on transition metal dichalcogenides

    J. Pu, J.-K. Huang, Y. Iwasa, L.-J. Li, T. Takenobu

    The 46th FNTG Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  82. 単層WSe2薄膜を用いた電気二重層トランジスタ

    蒲江, J.-K. Huang, 清水諒, 舟橋一真, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    日本物理学会 2013年秋季大会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:徳島大学   国名:日本国  

  83. 遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた電気二重層トランジスタ

    蒲江, J.-K. Huang, 清水諒, 舟橋一真, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  84. Flexible, stretchable MoS2 thin-film transistors with ion-gel gate dielectrics 国際会議

    J. Pu, Y. Yomogida, K.-K. Liu, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    APPC12 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Chiba, Japan   国名:日本国  

  85. Flexible, stretchable MoS2 thin-film transistors with ion-gel gate dielectrics 国際会議

    J. Pu, Y. Yomogida, K.-K. Liu, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    Flexible Electronics 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Erlangen, Germany   国名:ドイツ連邦共和国  

  86. Fabrication of Stretchable MoS2 Thin-film Transistors Using Elastic Ion-Gel Gate Dielectrics 国際会議

    J. Pu, Y. Zhang, Y. Wada, J. T.-W. Wang, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    NT13 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Espoo, Finland   国名:フィンランド共和国  

  87. MoS2電気二重層トランジスタにおける一軸性歪みの影響

    蒲江, 張奕勁, 和田義史, J. Wang, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    日本物理学会 第68回年次大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:広島大学   国名:日本国  

  88. Ambipolar organic single-crystal transistors based on ion gels 国際会議

    J. Pu, Y. Yomogida, H. Shimotani, S. Ono, S. Hotta, Y. Iwasa, T. Takenobu

    ICFPE2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  89. イオンゲルを用いたMoS2薄膜トランジスタ

    蒲江, 蓬田陽平, K.-K. Liu, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    日本物理学会 2012年秋季大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜国立大学   国名:日本国  

  90. フレキシブルMoS2薄膜トランジスタ

    蒲江, 蓬田陽平, K.-K. Liu, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学   国名:日本国  

  91. イオンゲルを用いた単結晶両極性電気二重層トランジスタ

    蒲江, 蓬田陽平, 下谷秀和, 山雄健史, 堀田収, 岩佐義宏, 竹延大志

    日本物理学会 第67回年次大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:関西学院大学   国名:日本国  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 2

  1. IoTセンシングのためのフレキシブル近赤外光デバイス

    2021年4月 - 2022年3月

    牧誠記念研究助成 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:その他

    配分額:1000000円

  2. ナノカーボン原子層材料による高機能・高性能熱電変換デバイスの創出

    2020年9月 - 2022年9月

    公益財団法人近藤記念財団研究助成 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:1300000円

科研費 9

  1. 歪みによる原子層モアレ構造の制御とモアレ光機能デバイスの創製

    研究課題/研究課題番号:22H01899  2022年4月 - 2026年3月

    科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    蒲 江

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:17420000円 ( 直接経費:13400000円 、 間接経費:4020000円 )

    本研究の目標は、原子層ヘテロ構造に生じるモアレパターンを新たなデバイス機能発現の自由度とみなし、モアレ構造を外場操作(回転角と歪み)により連続制御する技術を構築することで、新しい発光・受光機能を有するデバイス(オプト・ツイストロニクス)の実現を目指す。特に、近年急加速しているヘテロ・モアレ構造の光物性探索に、歪みによる新たな構造制御手法を導入することで、モアレ励起子を活かした光機能デバイスの創製を行う。本研究を通して、原子層ヘテロ構造のモアレパターンをデバイス機能に昇華する技術が構築され、材料科学と量子情報分野に新潮流を生み出すベンチマークとなることを期待する。

  2. 歪んだ原子層物質における室温純粋円偏光発光と電気的円偏光制御の実現

    研究課題/研究課題番号:22H00280  2022年4月 - 2026年3月

    科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    竹延 大志, 蒲 江, 宮田 耕充

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

    近年、様々な分野において円偏光光源の必要性が急速に高まっている。しかしながら、既存技術による円偏光発光(右回り・左回り)の電気的な制御は極めて困難であり、円偏光を用いた次世代技術の可能性を大幅に狭めている。本研究は、全く新しい原理を用いた 室温における電流励起円偏光発光素子と、その電気的な偏光方向の切り替えの実現に挑戦する。

  3. 2.5次元構造の新奇物性開拓

    研究課題/研究課題番号:21H05236  2021年9月 - 2026年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  学術変革領域研究(A)

    越野 幹人, 山田由起子, 笹川 崇男, 蒲 江

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  4. ナノ構造体の局所力学場制御によるバレートロニクスデバイスの創製

    研究課題/研究課題番号:20H05189  2020年4月 - 2022年3月

    科学研究費助成事業  新学術領域研究(研究領域提案型)

    蒲 江

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    配分額:5980000円 ( 直接経費:4600000円 、 間接経費:1380000円 )

    本研究の目標は、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)において力学特性がもたらす局所電子構造変化を解明・制御することで、全く新しい電子機能(バレートロニクス)デバイスの実現を目指す。具体的には、TMDCが有するバレー構造の力学的制御手法を基軸とし、バレー自由度を機能化した電子・光デバイスを作製する。まず、機械的変形に対する結晶構造と局所電子構造の相関を解明する。次に、力学制御されたTMDCにおいて電気的に純バレー流を生成する手法を確立する。最終的には、これら力学的アプローチと電解質によるデバイス技術を融合することで、電気的に光―バレー変換機能を有する円偏光発光・受光デバイスを実現する。

  5. 原子層遷移金属ダイカルコゲナイドによる室温円偏光レーザー素子の創出

    研究課題/研究課題番号:19K15383  2019年4月 - 2022年3月

    科学研究費助成事業  若手研究

    蒲 江

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    配分額:4160000円 ( 直接経費:3200000円 、 間接経費:960000円 )

    本研究の目標は、次世代光量子通信を担う円偏光光源の創出である。具体的には、空間反転対称性が破れた原子層材料、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)、が有する特異な電子構造(バレー分極)を利用することで、室温において円偏光発光の電気的制御法を確立する。さらに、光共振器の導入を行うことで、最終的には世界初となる室温円偏光レーザー素子の作製を目指す。本研究を通して、円偏光光源創出に向けた物性・素子・機能の統一的な基盤技術を確立する。
    本研究の目標は、次世代光量子通信を担う円偏光光源の創出である。具体的には、空間反転対称性が破れた原子層物質、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)、が有する特異な電子構造(バレー分極)を利用することで、室温において円偏光発光の電気的制御法を確立する。さらに、光共振器の導入を行うことで、最終的には室温円偏光レーザー素子の作製を目指す。
    本研究目的に対し、本年度はTMDCヘテロ構造を用いた発光素子を作製し(I)ヘテロ界面歪みによる高効率な室温円偏光発光の生成・制御と、(II)光共振器導入による励起子-ポラリトン発光観測の2項目について取り組んだ。以下にそれぞれの項目に関して研究実績の概要を示す。
    (I)ヘテロ接合を用いた室温円偏光発光素子
    まず化学成長したWS2/WSe2面内ヘテロ単層膜を用いて電解質発光素子を作製し、ヘテロ界面からの電流励起発光を直接観測した。次に、界面発光の円偏光分解発光分光を測定したところ、室温において10%以上の高い円偏光分極が観測された。最後、ヘテロ界面の原子配列を電子顕微鏡で評価した結果、界面歪みが室温円偏光発光生成の起源であると明らかになった。本手法により、化学合成による大面積化やパターニングも可能となり、高効率なTMDC円偏光発光素子応用が期待できる。
    (II)光共振器による励起子-ポラリトン発光の観測
    室温円偏光レーザー発振を目指し、光共振器を導入して励起子-ポラリトン発光観測を行った。励起子-ポラリトンはバレー分極(円偏光)を維持したまま、極めて閾値の低いレーザー発振が期待されている。そこで、電解質発光素子にミラー型共振器を作りこみ、光励起発光による角度分解分光評価を行った。その結果、励起子-ポラリトン発光特有の分散関係を室温で観測した。したがって、今後は本素子に高電流密度を誘起することで、電流励起による円偏光(ポラリトン)レーザー発振が期待できる。
    本研究の目的は、原子層遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)を用いた室温円偏光レーザー素子の創出である。具体的には、空間反転対称性の破れに起因するTMDCの特異な電子構造(バレー分極)と独自考案した電解質発光素子を組み合わせる。これに加え、歪みを用いたバレー分極制御を導入することで、室温において電気的に円偏光発光を制御する手法を確立する。さらに、光共振器の導入も行うことで、世界初となる電流励起円偏光レーザー発振の実現を目指す。
    これに対し、本年度の目標は、昨年度確立したバレー制御手法を用いて高性能な室温円偏光素子を作製し、光共振器の導入を行い電流励起による共振器発光観測が当初の予定であった。実際に、ヘテロ接合試料を導入することで、ヘテロ界面歪みに起因した高効率な室温円偏光発光素子の作製に成功した。これにより、外部からの応力印可なしに円偏光発光素子の作製が可能となり、化学合成の利点を活かした素子応用可能性が高まった。また、電解質発光素子に光共振器の作りこみも容易となり、室温において円偏光レーザー発振が期待できる励起子-ポラリトン発光の観測にも成功した。
    以上の結果を踏まえ、来年度は本年度に確立した素子構造に高電流密度印可やパルス印可等の測定手法を組み合わせることで、本研究提案の目標である電流励起による室温円偏光レーザー発振の実現が期待できる。
    本年度の研究成果である、高効率ヘテロ円偏光発光素子と光共振器による励起子-ポラリトン発光を組み合わせることで、今後は室温における円偏光レーザー素子の創出を試みる。
    具体的にはまず、共振器を導入した電解質発光素子において、世界で初めて原子層TMDCにおいて電流励起レーザー発振を行う。特に、レーザー発振を行うためには十分な電流(励起子)密度を注入する必要があり、パルス測定等を活用することで、TMDC発光素子への高電流密度注入を試みる。さらに、デバイスシミュレーター等を利用して共振器構造の最適化を行い、より低電圧かつ低電流密度でのレーザー発振も狙う。
    次に、歪み印可試料及びヘテロ接合試料と共振器発光素子を組み合わせ、歪みを利用した円偏光レーザー発振の実現を行う。円偏光レーザー発振は共振器媒質・設計や検出方法等の条件最適化が必須と考えられ、適宜条件出しや素子性能のフィードバックを通して、電流励起における発振特性の解明に取り組む。最後、高電流密度下においてレーザー素子の円偏光発光特性評価を行うことで、室温において円偏光レーザー発振を目指す。

  6. 原子層遷移金属ダイカルコゲナイドによる室温円偏光レーザー素子の創出

    2019年4月 - 2021年3月

    科学研究費補助金 

    蒲 江

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    本研究の目標は、次世代光量子通信を担う円偏光光源の創出である。具体的には、空間反転対称性が破れた原子層材料、遷移金属ダイカルコゲ
    ナイド(TMDC)、が有する特異な電子構造(バレー分極)を利用することで、室温において円偏光発光の電気的制御法を確立する。さらに、光
    共振器の導入を行うことで、最終的には世界初となる室温円偏光レーザー素子の作製を目指す。本研究を通して、円偏光光源創出に向けた物性
    ・素子・機能の統一的な基盤技術を確立する。

  7. 原子層遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた高機能・高性能光デバイスの創出

    2017年9月 - 2019年3月

    科学研究費補助金  研究活動スタート支援

    蒲 江

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    担当区分:研究代表者 

    本研究では、Internet of Things(IoT)を体現する革新的光機能デバイスを実現する。具体的には、多彩な(可視―赤外)発光領域を有する原子層遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)と電気化学に立脚したドーピング技術を組み合わせることで、原子層近赤外発光・受光デバイスの作製及びその高機能化と高性能化を目的とする。特に、応募者は原子層TMDCに電解質を用いたユニークな構造を導入することで、極めて簡易な構造と簡便なプロセスで発光及び受光を創出する手法を開発している。このノウハウを活かし、世界に先駆けて原子層TMDCにおける高柔軟性・高伸縮性(高機能)と高効率・高感度(高性能)を両立する発光・受光デバイスを実現する。本研究を通して、IoT社会を下支えする環境・生体センシングに特化した、機能性光デバイスの材料物性とデバイス物理両面の基礎技術を構築する。

  8. 原子層遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた高機能・高性能光デバイスの創出

    研究課題/研究課題番号:17H06736  2017年8月 - 2019年3月

    蒲 江

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:2990000円 ( 直接経費:2300000円 、 間接経費:690000円 )

    本研究では、原子層遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)と電解質によるユニークな素子構造を組み合わせることで、高機能かつ高性能な原子層発光デバイスの作製を目的とした。これに対し、まず、様々な(可視―近赤外)発光領域を有するTMDC及びそれらのヘテロ構造を用いた発光デバイスを作製し、その基礎的な発光特性を評価した。次に、TMDCを可塑性基板上に転写する技術を構築し、柔軟性に優れた発光デバイスの作製に成功した。最後に、共振器導入による発光効率の向上や、TMDCの特殊な電子構造に由来した円偏光発光デバイスの作製にも取り組み、TMDCによる光デバイスの更なる機能化と応用可能性を見出した。
    原子層遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は低次元系特有の光物性と多彩な発光色、優れた可塑性を有しており、Internet of Thingsを体現する次世代光デバイスを担う材料であると期待されている。しかしながら、従来のTMDCを用いた発光デバイス作製技術は汎用性に乏しく、高機能化や高性能化の研究は皆無であった。これに対し、本研究では独自の素子技術を開発することで様々なTMDC発光デバイスを容易に作製でき、高柔軟性や共振器導入可能なデバイスを実現した。ここで構築した素子技術及び材料物性はTMDCの光デバイス応用へのベンチマークを築くものであり、その学術的・産業的インパクトは極めて大きい。

  9. 二次元材料によるプリンテッド・アンビエントエレクトロニクスの実現

    研究課題/研究課題番号:14J07485  2014年4月 - 2017年3月

    科学研究費補助金  特別研究員(DC1)

    蒲江

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    担当区分:研究代表者 

    本研究の目的は印刷による二次元材料を用いた柔軟な論理回路の実現であり、材料及びデバイス両面を相補的に理解することによって、最終的には世界初の印刷型アンビエントエレクトロニクスを実現する。これまでの研究によって、化学気相成長(CVD法)で合成した遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)を用いて高移動度・高電流オンオフ比・高柔軟性を実現し、本材料における素子応用の最低限の条件が満たされたとは言え、今後柔軟な論理回路実現に向けては解決すべき問題が残されている。ポイントとしては、CMOS論理回路構築のためのトランジスタの高性能化・極性制御、設備投資を激減させる印刷技術の導入、具体的な集積化の導入があげられる。そこで本研究において取り組むべき研究項目として、(i)様々なTMDC材料の合成技術を確立し、それらを用いたトランジスタの高性能化と極性制御、(ii)薄膜加工および印刷技術の確立、(iii)ウエハースケールでの論理回路作製、の三項目を通して柔軟性・伸縮性を有する最低限の電子素子作製に不可欠な基盤技術を構築し、世界初の印刷によるウェアラブル・コンピューティング実現の足がかりとする。

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担当経験のある科目 (本学) 7

  1. 物理工学実験第2

    2020

  2. 物理工学実験第1

    2020

  3. 物理工学実験第2

    2019

  4. 物理工学実験第1

    2019

  5. 応用物理学実験第2及び第3

    2018

  6. 応用物理学実験第1

    2018

  7. 応用物理学実験第2及び第3

    2017

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