2021/04/02 更新

写真a

ホ コウ
蒲 江
PU Jiang
所属
大学院工学研究科 応用物理学専攻 量子物理工学 助教
職名
助教
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2017年3月   早稲田大学 ) 

研究キーワード 4

  1. 電解質

  2. 原子層材料

  3. オプトエレクトロニクス

  4. エレクトロニクス

研究分野 1

  1. ナノテク・材料 / 応用物理一般

学歴 2

  1. 早稲田大学   先進理工学   先進理工学

    2012年4月 - 2017年3月

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    国名: 日本国

  2. 早稲田大学   先進理工   応用物理

    2008年4月 - 2012年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 3

  1. 応用物理学会

  2. 日本物理学会

  3. フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会

受賞 8

  1. SSDM Young Researcher Award

    2019年9月   2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)  

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  2. 第14回飯島奨励賞

    2017年9月   フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会  

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  3. Poster Paper Award

    2016年3月   International Thin-Film Transistor Conference (ITC2016)  

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:台湾

  4. Journal of Materials Chemistry A賞

    2015年9月   フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会  

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  5. 若手奨励賞

    2015年9月   フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会  

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  6. Poster Presentation Award

    2015年6月   The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)  

    Jiang Pu

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  7. 講演奨励賞

    2014年9月   応用物理学会   遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた電気二重層トランジスタ

    蒲江

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  8. 修士論文賞(宮部賞)

    2014年3月   早稲田大学 物理学及応用物理学専攻   二次元材料を用いた電気二重層トランジスタ

    蒲江

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    受賞国:日本国

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論文 33

  1. Three-dimensional networks of superconducting NbSe2 flakes with nearly isotropic large upper critical field

    Takahashi Togo, Ando Chisato, Saito Mitsufumi, Miyata Yasumitsu, Nakanishi Yusuke, Pu Jiang, Takenobu Taishi

    NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS   5 巻 ( 1 )   2021年3月

  2. One-dimensionality of thermoelectric properties of semiconducting nanomaterials 査読有り

    Yota Ichinose, Manaho Matsubara, Yohei Yomogida, Akari Yoshida, Kan Ueji, Kaito Kanahashi, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Takahiro Yamamoto, Kazuhiro Yanagi

    PHYSICAL REVIEW MATERIALS   5 巻   頁: 025404-1 - 025404-7   2021年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.5.025404

  3. Wafer-Scale Growth of One-Dimensional Transition-Metal Telluride Nanowires

    Lim Hong En, Nakanishi Yusuke, Liu Zheng, Pu Jiang, Maruyama Mina, Endo Takahiko, Ando Chisato, Shimizu Hiroshi, Yanagi Kazuhiro, Okada Susumu, Takenobu Taishi, Miyata Yasumitsu

    NANO LETTERS   21 巻 ( 1 ) 頁: 243 - 249   2021年1月

  4. Recent Progress on Light-Emitting Electrochemical Cells with Nonpolymeric Materials

    Matsuki Keiichiro, Pu Jiang, Takenobu Taishi

    ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS   30 巻 ( 33 )   2020年8月

  5. A versatile structure of light-emitting electrochemical cells for printed electronics

    Tanaka Yuki, Pu Jiang, Takenobu Taishi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 8 )   2020年8月

  6. CVD growth of large-area InS atomic layers and device applications

    Tu Chien-Liang, Lin Kuang- I, Pu Jiang, Chung Tsai-Fu, Hsiao Chien-Nan, Huang An-Ci, Yang Jer-Ren, Takenobu Taishi, Chen Chang-Hsiao

    NANOSCALE   12 巻 ( 17 ) 頁: 9366 - 9374   2020年5月

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  7. 2D Materials for Large-Area Flexible Thermoelectric Devices

    Kanahashi Kaito, Pu Jiang, Takenobu Taishi

    ADVANCED ENERGY MATERIALS   10 巻 ( 11 )   2020年3月

  8. Electrolyte-Gating-Induced Metal-Like Conduction in Nonstoichiometric Organic Crystalline Semiconductors under Simultaneous Bandwidth Control

    Ito Hiroshi, Edagawa Yusuke, Pu Jiang, Akutsu Hiroki, Suda Masayuki, Yamamoto Hiroshi M., Kawasugi Yoshitaka, Haruki Rie, Kumai Reiji, Takenobu Taishi

    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   13 巻 ( 10 )   2019年10月

  9. Non-Fermi-liquid behavior and doping asymmetry in an organic Mott insulator interface

    Kawasugi Yoshitaka, Seki Kazuhiro, Pu Jiang, Takenobu Taishi, Yunoki Seiji, Yamamoto Hiroshi M., Kato Reizo

    PHYSICAL REVIEW B   100 巻 ( 11 )   2019年9月

  10. Exciton Polarization and Renormalization Effect for Optical Modulation in Monolayer Semiconductors

    Pu Jiang, Matsuki Keichiro, Chu Leiqiang, Kobayashi Yu, Sasaki Shogo, Miyata Yasumitsu, Eda Goki, Takenobu Taishi

    ACS NANO   13 巻 ( 8 ) 頁: 9218 - 9226   2019年8月

  11. Two-dimensional ground-state mapping of a Mott-Hubbard system in a flexible field-effect device

    Kawasugi Yoshitaka, Seki Kazuhiro, Tajima Satoshi, Pu Jiang, Takenobu Taishi, Yunoki Seiji, Yamamoto Hiroshi M., Kato Reizo

    SCIENCE ADVANCES   5 巻 ( 5 )   2019年5月

  12. Synthesis of Large-Area InSe Monolayers by Chemical Vapor Deposition

    Chang Han-Ching, Tu Chien-Liang, Lin Kuang-I, Pu Jiang, Takenobu Taishi, Hsiao Chien-Nan, Chen Chang-Hsiao

    SMALL   14 巻 ( 39 )   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/smll.201802351

    Web of Science

  13. Monolayer Transition Metal Dichalcogenides as Light Sources

    Pu Jiang, Takenobu Taishi

    ADVANCED MATERIALS   30 巻 ( 33 )   2018年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.201707627

    Web of Science

  14. Self-Aligned and Scalable Growth of Monolayer WSe2-MoS2 Lateral Heterojunctions 査読有り

    Ming-Yang Li, Jiang Pu, Jing-Kai Huang, Yuhei Miyauchi, Kazunari Matsuda, Taishi Takenobu, Lain-Jong Li

    Advanced Functional Materials   1706860 巻   頁: 1-7   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adfm.201706860

  15. Chemical hole doping into large-area transition metal dichalcogenide monolayers using boron-based oxidant 査読有り

    Matsuoka Hirofumi, Kanahashi Kaito, Tanaka Naoki, Shoji Yoshiaki, Li Lain-Jong, Pu Jiang, Ito Hiroshi, Ohta Hiromichi, Fukushima Takanori, Takenobu Taishi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 2 )   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.02CB15

    Web of Science

  16. A Versatile and Simple Approach to Generate Light Emission in Semiconductors Mediated by Electric Double Layers 査読有り

    Pu Jiang, Fujimoto Taiyo, Ohasi Yuki, Kimura Shota, Chen Chang-Hsiao, Li Lain-Jong, Sakanoue Tomo, Takenobu Taishi

    ADVANCED MATERIALS   29 巻 ( 24 )   2017年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.201606918

    Web of Science

  17. Highly flexible and high-performance complementary inverters of large-area transition metal dichalcogenide monolayers 査読有り

    J. Pu, K. Funahashi, C.-H. Chen, M.-Y. Li, L.-J. Li, T. Takenobu

    Advanced Materials   28 巻   頁: 4111-4119   2016年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.201503872

  18. Simultaneous enhancement of conductivity and Seebeck coefficient in an organic Mott transistors 査読有り

    Y. Kawasugi, K. Seki, Y. Edagawa, Y. Sato, J. Pu, T. Takenobu, S. Yunoki, H. M. Yamamoto, R. Kato

    Applied Physics Letters   109 巻   頁: 233301   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4971310

  19. Photodetection on p-n junction formed by electrolyte-gated transistors of two-dimensional crystals 査読有り

    D. Kozawa, J. Pu, R. Shimizu, S. Kimura, C.-H. Chen, Y. Wada, K. Matsuki, T. Sakanoue, Y. Iwasa, L.-J. Li, T. Takenobu

    Applied Physics Letters   109 巻   頁: 201107   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4967173

  20. Enhanced thermoelectric power in two-dimensional transition metal dichalcogenide monolayers 査読有り

    J. Pu, K. Kanahashi, N. T. Cuong, C.-H. Chen, L.-J. Li, S. Okada, H. Ohta, T. Takenobu

    Physical Review B   94 巻   頁: 014312   2016年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.94.014312

  21. Electron-hole doping asymmetry of Fermi surface reconstructed in a simple Mott insulator 査読有り

    Y. Kawasugi, K. Seki, Y. Edagawa, Y. Sato, J. Pu, T. Takenobu, S. Yunoki, H. M. Yamamoto, R. Kato

    Nature Communications   7 巻   頁: 12356   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/ncomms12356

  22. Thermoelectric detection of multi-subband density of states in semiconducting and metallic single-walled carbon nanotubes 査読有り

    S. Shimizu, T. Iizuka, K. Kanahashi, J. Pu, K. Yanagi, T. Takenobu, Y. Iwasa

    Small   12 巻   頁: 3388-3392   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/smll.201600807

  23. Effects of electrolyte gating on photoluminescence spectra of large-area WSe2 monolayer films 査読有り

    K. Matsuki, J. Pu, D. Kozawa, K. Matsuda, L.-J. Li, T. Takenobu

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁: 06GB02   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.06GB02

  24. Large-area WSe2 electric double layer transistors on a plastic substrate 査読有り

    K. Funahashi, J. Pu, M.-Y. Li, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    Japanese Journal of Applied Physics   54 巻   頁: 06FF06   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.06FF06

  25. Strategy for improved frequency response of electric double layer capacitors 査読有り

    Y. Wada, J. Pu, and T. Takenobu

    Applied Physics Letters   107 巻   頁: 153505   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4933255

  26. Flexible and stretchable thin-film transistors based on molybdenum disulphide 招待有り 査読有り

    J. Pu, L.-J. Li, T. Takenobu

    Physical Chemistry Chemical Physics   16 巻   頁: 14996-15006   2014年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c3cp55270e

  27. Charge transport in ion-gated mono-, bi-, and trilayer MoS2 field effect transistors 査読有り

    L. Chu, H. Schmidt, J. Pu, S. Wang, B. Ozyilmaz, T. Takenobu, G. Eda

    Scientific Reports   4 巻   頁: 7293   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep07293

  28. Hole mobility enhancement and p-doping in monolayer WSe2 by gold decoration 査読有り

    C.-H. Chen, C.-L. Wu, J. Pu, M. H. Chiu, P. Kumar, T. Takenobu, L. J. Li

    2D Materials   1 巻   頁: 034001   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/2053-1583/1/3/034001

  29. Large-area synthesis of highly crystalline WSe2 monolayers and device applications 査読有り

    J.-K. Huang, J. Pu, C.-L. Hsu, M.-H. Chiu, Z.-Y. Juang, Y.-H. Chang, W.- H. Chang, Y. Iwasa, T. Takenobu

    ACS Nano   8 巻   頁: 923-930   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/nn405719x

  30. Monolayer MoSe2 grown by chemical vapor deposition for fast photodetection 査読有り

    Y.-H. Chang, W. Zhang, Y. Zhu, Y. Han, J. Pu, J.-K. Chang, W.-T. Hsu, J.-K. Huang, C.-L. Hsu, M.-H. Chiu, T. Takenobu, H. Li, C.-I. Wu, W.-H. Chang, A. T. S. Wee, L.-J. Li

    ACS Nano   8 巻   頁: 8582-8590   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/nn503287m

  31. Fabrication of stretchable MoS2 thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics 査読有り

    J. Pu, Y. Zhang, Y. Wada, J. T.-W. Wang, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    Applied Physics Letters   103 巻   頁: 023505   2013年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4813311

  32. Ambipolar organic single-crystal transistors based on ion gels 査読有り

    Y. Yomogida, J. Pu, H. Shimotani, S. Ono, S. Hotta, Y. Iwasa

    Advanced Materials   24 巻   頁: 4392-4397   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.201200655

  33. Highly flexible MoS2 thin-film transistors with ion gel dielectrics 査読有り

    J. Pu, Y. Yomogida, K.-K. Liu, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    Nano Letters   12 巻   頁: 4013-4017   2012年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/nl301335q

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書籍等出版物 5

  1. グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用

    蒲 江, 竹延 大志( 担当: 共著 ,  範囲: イオンゲルによるトランジスタと発光・受光素子)

    エヌ・ティー・エス  2020年3月  ( ISBN:978-4-86043-663-6

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    総ページ数:558   担当ページ:203-210   記述言語:日本語 著書種別:学術書

  2. カーボンナノチューブ・グラフェンの応用研究最前線

    蒲江, 竹延大志( 担当: 共著 ,  範囲: フレキシブルトランジスタ開発)

    エヌ・ティー・エス  2016年9月  ( ISBN:978-4-86043-456-4

  3. カルコゲナイド系層状物質の最新研究

    蒲江, 竹延大志( 担当: 共著 ,  範囲: カルコゲナイド系層状物質を用いた電気二重層トランジスタ)

    シーエムシー出版  2016年7月  ( ISBN:978-4-7813-1166-1

  4. Organic Electronics Materials and Devices

    Jiang Pu, Taishi Takenobu( 担当: 共著 ,  範囲: Functional Nanomaterials Devices)

    Springer  2015年  ( ISBN:978-4-431-55654-1

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    記述言語:英語 著書種別:学術書

    その他リンク: https://www.amazon.co.jp/Organic-Electronics-Materials-Devices-Shuichiro/dp/4431556532

  5. Molybdenum Disulfide Enables Flexible Transistors

    Jiang Pu, Taishi Takenobu, Lain-Jong Li( 範囲: Molybdenum Disulfide Enables Flexible Transistors)

    American Chemical Society  2012年 

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    記述言語:英語

講演・口頭発表等 65

  1. Air-Stable, Efficient Electron Doping of Monolayer MoS2 by Salt-Crown Ether Treatment 国際会議

    Hiroto Ogura, Masahiko Kaneda, Yusuke Nakanishi, Yoshiyuki Nonoguchi, Jiang Pu, Mari Ohfuchi, Toshifumi Irisawa, Hong En Lim, Takahiko Endo, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    2021年3月2日 

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    開催年月日: 2021年3月1日 - 2021年3月3日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  2. Two-dimensional electron gas in laterally-assembled WTe atomic wires 国際会議

    Hiroshi Shimizu, Jiang Pu, Zheng Liu, Hong En Lim, Yusuke Nakanishi, Takahiko Endo, Kazuhiro Yanagi, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    2021年3月2日 

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    開催年月日: 2021年3月1日 - 2021年3月3日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  3. Chiral electroluminescence in monolayer heterojunctions 国際会議

    Jiang Pu

    2020年9月25日 

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    開催年月日: 2020年9月25日 - 2020年9月24日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  4. Electron transport properties of WTe nanowire networks 国際会議

    Hiroshi Shimizu, Jiang Pu, Hong En Lim, Yusuke Nakanishi, Zheng Liu, Takahiko Endo, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    2020年9月18日 

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    開催年月日: 2020年9月16日 - 2020年9月18日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  5. Anomalous electroluminescence from WS2/WSe2 in-plane heterostructures 国際会議

    Naoki Wada, Jiang Pu, Tomoyuki Yamada, Wenjin Zhang, Zheng Liu, Yusuke Nakanishi, Yutaka Maniwa, Kazunari Matsuda, Yuhei Miyauchi, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    2020年9月17日 

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    開催年月日: 2020年9月16日 - 2020年9月18日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  6. Superconducting properties in three-dimensional networks of NbSe2 films 国際会議

    Togo Takahashi, Chisato Ando, Mitsufumi Saito, Yasumitsu Miyata, Yusuke Nakanishi, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    2020年9月17日 

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    開催年月日: 2020年9月16日 - 2020年9月18日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  7. Wafer-scale synthesis of 1D transition metal chalcogenide nanowires 国際会議

    Hong En Lim, Yusuke Nakanishi, Zheng Liu, Jiang Pu, Takahiko Endo, Chisato Ando, Hiroshi Shimizu, Kazuhiro Yanagi, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    2020年9月17日 

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    開催年月日: 2020年9月16日 - 2020年9月18日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  8. One dimensionality of the thermoelectric properties in semiconducting single walled 国際会議

    Yota Ichinose, Manaho Matsubara, Yohei Yomogida, Akari Yoshida, Kan Ueji, Kaito Kanahashi, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Takahiro Yamamoto, Kazuhiro Yanagi

    2020年9月16日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月16日 - 2020年9月18日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  9. 化学気相成長した大面積 NbSe2薄膜の超伝導特性

    高橋 統吾, 蒲 江, 安藤 千里, 中西 勇介, 斎藤 光史, 宮田 耕充, 竹延 大志

    応用物理学会  2020年9月10日  応用物理学会

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  10. 原子層面内ヘテロ接合を用いた発光デバイス 国際共著

    蒲 江, Ming-Yang Li, Jing-Kai Huang, 和田 尚樹, 高口 裕平, Wenjin Zhang, 宮内 雄平, 松田 一成, 宮田 耕充, Lain-Jong Li, 竹延 大志

    応用物理学会  2020年9月10日  応用物理学会

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  11. 電解質を用いた原子層発光素子の発光特性

    蒲 江, 松岡 拓史, Juliette Tempia, 小林 佑, 宮田 耕充, Chang-Hsiao Chen, Lain-Jong Li, 竹延 大志

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2019年3月14日 - 2019年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  12. 有機モット絶縁体κ-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Clにおける非フェルミ液体的挙動とそのドーピング非対称性

    川椙義高, 関和弘, 蒲江, 竹延大志, 柚木清司, 山本浩史, 加藤礼三

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2019年3月14日 - 2019年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  13. Exciton polarizability and renormalization effects for optical modulation in monolayer semiconductors 国際会議

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    開催年月日: 2019年3月2日 - 2019年3月4日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  14. Interface electroluminescence from in-plane heterostructures based transition metal dichalcogenide monolayers 国際会議

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    開催年月日: 2019年3月2日 - 2019年3月4日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  15. Room-Temperature Valley-Polarized Light-Emitting Devices via strained monolayer semiconductors 国際会議

    2nd International Workshop on 2D Materials 

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    開催年月日: 2019年2月21日 - 2019年2月23日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  16. Electric-field-induced Metal-Insulator Transition and Quantum Transport in Large-Area Polycrystalline MoS2 Monolayers 国際会議

    2nd International Workshop on 2D Materials 

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    開催年月日: 2019年2月21日 - 2019年2月23日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  17. Room temperature valley polarized light-emitting diodes of monolayer transition metal dichalcogenides 国際会議

    MNC2018 

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    開催年月日: 2018年11月13日 - 2018年11月16日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  18. Direct Electroluminescence Imaging of Polycrystalline Monolayer Transition Metal Dichalcogenide Light-emitting Devices 国際会議

    MNC2018 

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    開催年月日: 2018年11月13日 - 2018年11月16日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  19. Electronic and Thermoelectric Devices of CVD-grown Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides

    Workshop on Thermal and Charge Transport across Flexible Nano-Interfaces 

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    開催年月日: 2018年11月11日 - 2018年11月12日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  20. Room Temperature Valley Polarized Light-Emitting Diodes of Monolayer Transition Metal Dichalcogenides 国際会議

    RPGR2018 

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    開催年月日: 2018年10月22日 - 2018年10月25日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  21. Electric Double Layer Transistors of CVD-grown monolayer InS and InSe 国際会議

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    開催年月日: 2018年9月11日 - 2018年9月13日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  22. Electric double layer light emitting diode of WS2/MoS2 in-plane heterostructures 国際会議

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    開催年月日: 2018年9月11日 - 2018年9月13日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  23. Universality in Transition Metal Dichalcogenide Light-Emitting Devices 国際会議

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    開催年月日: 2018年9月11日 - 2018年9月13日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  24. Direct Electroluminescence Imaging of Transition Metal Dichalcogenides 国際会議

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    開催年月日: 2018年9月9日 - 2018年9月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  25. 単層MoS2/WSe2面内ヘテロ接合発光ダイオード

    蒲江, Ming-Yang Li, Jing-Kai Huang, 宮内雄平, 松田一成, Lain-Jong Li, 竹延大志

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2018年3月22日 - 2018年3月25日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京理科大学   国名:日本国  

  26. 電気二重層ドーピングとひずみ制御によるκ型ET塩の超伝導相の探索II

    川椙義高, 関和弘, 蒲江, 竹延大志, 柚木清司, 山本浩史, 加藤礼三

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2018年3月22日 - 2018年3月25日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京理科大学   国名:日本国  

  27. Monolayer WSe2-MoS2 Lateral Heterojunction Light-Emitting Diodes 国際会議

    Jiang Pu, Ming-Yang Li, Jing-Kai Huang, Yuhei Miyauchi, Kazunari Matsuda, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    The 54th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium 

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    開催年月日: 2018年3月10日 - 2018年3月12日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:The University of Tokyo   国名:日本国  

  28. Electric-field-induced Metal-Insulator Transition and Quantum Transport in Large-Area Polycrystalline MoS2 Monolayers 国際会議

    Tomoyuki Yamada, Jiang Pu, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    The 54th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium 

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    開催年月日: 2018年3月10日 - 2018年3月12日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:The University of Tokyo   国名:日本国  

  29. 多結晶遷移金属ダイカルコゲナイド単層膜の電流励起発光イメージング

    松岡拓史, 蒲江, Lain-Jong Li , 坂上知, 竹延大志

    応用物理学会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  30. Electroluminescence Imaging of Large-Area Transition Metal Dichalcogenide Light-emitting Diodes 国際会議

    Hirofumi Matsuoka, Lain-Jong Li, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    The 53rd Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium 

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    開催年月日: 2017年9月13日 - 2017年9月15日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto University   国名:日本国  

  31. Electric Double Layer Light Emitting Diode of WSe2/MoSe2 in-plane heterostructures 国際会議

    Yuhei Takaguchi, Jiang Pu, Yu Kobayashi, Taishi Takenobu, Yutaka Maniwa, Yasumitsu Miyata

    The 53rd Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium 

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    開催年月日: 2017年9月13日 - 2017年9月15日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kyoto University   国名:日本国  

  32. Transport properties of CVD-grown monolayer MoS2 crystals 国際会議

    Tomomi Uchida, Yu Kobayashi, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Takahiko Endo, Yutaka Maniwa, Yasumitsu Miyata

    The 53rd Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium 

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    開催年月日: 2017年9月12日 - 2017年9月15日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kyoto University   国名:日本国  

  33. WSe2/MoSe2面内ヘテロ構造を利用した電気二重層発光ダイオード

    高口裕平, 蒲江, 小林佑, 竹延大志, 真庭豊, 宮田耕充

    応用物理学会 

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    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:九州国際会議場   国名:日本国  

  34. 大面積MoS2単層膜における電界誘起金属-絶縁体転移

    蒲江, 山田知之, Lain-Jong Li, 松田達磨, 蓬田陽平, 柳和宏, 伊東 裕, 竹延 大志

    応用物理学会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州国際会議場   国名:日本国  

  35. 電解質を用いた単層遷移金属ダイカルコゲナイド発光素子

    蒲江, Wenjin Zhang, 松岡拓史, 小林佑, 高口裕平, 宮田 耕充, Lain-Jong Li, 松田一成, 宮内雄平, 竹延大志

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岩手大学   国名:日本国  

  36. Direct Electroluminescence Imaging of Transition Metal Dichalcogenides

    Jiang Pu, Wenjin Zhang, Hirofumi Matsuoka, Yu Kobayashi, Yuhei Takaguchi, Yasumitsu Miyata, Lain-Jong Li, Kazunari Matsuda, Yuhei Miyauchi, Taishi Takenobu

    The 53th FNTG Symposium 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  37. 電気二重層ドーピングとひずみ制御によるκ型ET塩の超伝導相の探索

    川椙義高, 関和弘, 蒲江, 竹延大志, 柚木清司, 山本浩史, 加藤礼三

    物理学会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岩手大学   国名:日本国  

  38. 多結晶MoS2単層膜における電界誘起金属-絶縁体転移 国際会議

    蒲江, 枝川祐介, 三田村昌哉, 河合英輝, Lain-Jong Li, 蓬田 陽平, 柳 和宏, 伊東 裕, 竹延 大志

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  39. MX2 / Graphiteファンデルワールスヘテロ接合界面におけるシュタルク効果

    蒲江, 松木 啓一郎, 小林佑, 佐々木将吾, 小澤大知, 宮田耕充, 竹延大志

    日本物理学会 第71回年次大会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  40. Highly Flexible and Extremely High-gain Complementary Inverters of Transition Metal Dichalcogenide Monolayers 国際会議

    J. Pu, K. Funahashi, C.-H. Chen, M.-Y. Li, L.-J. Li, and T. Takenobu

    ITC2016 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Taiwan   国名:台湾  

  41. High-Performance Complementary Inverters of Large-Area Transition Metal Dichalcogenide Monolayers

    Jiang Pu, Kazuma Funahashi, Chang-Hsiao Chen, Ming-Yang Li, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    The 50th FNTG Symposium 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  42. Electric double layer light-emitting diodes of transition metal dichalcogenide monolayers 招待有り 国際会議

    Energy Material Nanotechnology (EMN) 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Chengdu, China   国名:中華人民共和国  

  43. Exploring electronic functionalities of transition metal dichalcogenides 招待有り

    The young researcher workshop of the 49th FNTG Symposium 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Kyushu, Japan   国名:日本国  

  44. Carrier-density- and Electric-field-dependent Electroluminescence of Monolayer WSe2

    The 49th FNTG Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyushu, Japan   国名:日本国  

  45. 単層WSe2における電流励起発光の電場依存性

    蒲江, L. Chu, 坂上知, G. Eda, 竹延大志

    日本物理学会 2015年秋季大会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:関西大学   国名:日本国  

  46. Electric Double Layer Light-emitting Diodes of Monolayer WSe2 国際会議

    J. Pu, T. Fujimoto, J.-K. Huang, L.-J. Li, G. Eda, T. Sakanoue, T. Takenobu

    NT15 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  47. Flexible and Stretchable Thin-film Transistors and Inverters Based on Transition Metal Dichalcogenides

    Jiang Pu, Kazuma Funahashi, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    EMS34 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Shiga   国名:日本国  

  48. 単層WSe2を用いた電気二重層発光ダイオード

    蒲江, 藤本太陽, J.-K. Huang, L.-J. Li, 坂上知, 竹延大志

    日本物理学会 第70回年次大会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  49. Novel Functionalities in Electric Double Layer Transistors of CVD-grown Transition Metal Dichalcogenide Monolayers 国際会議

    J. Pu, L.-J. Li, T. Sakanoue, T. Takenobu

    IWEPNM2015 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kirchberg in Tirol, Austria   国名:オーストリア共和国  

  50. Electric Double Layer Light-emitting Diodes of Monolayer WSe2

    J. Pu, T. Fujimoto, J.-K. Huang, L.-J. Li, T. Sakanoue, T. Takenobu

    The 48th FNTG Symposium 

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    開催年月日: 2015年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  51. Flexible and stretchable thin-film transistors of transition metal dichalcogenides 招待有り

    Innovation in R&D of the Flexible Electronics -Toward the Inorganic Flexible Devices- 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  52. 単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける熱電効果の電場変調

    蒲江, 金橋魁利, N. T. Cuong, L.-J. Li, 岡田晋, 太田裕道, 竹延大志

    日本物理学会2014年秋季大会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  53. Electric Double Layer Transistors of Transition Metal Dichalcogenides 国際会議

    J. Pu, K. Funahashi, C.-H. Chen, Y. Iwasa, L.-J. Li, T. Takenobu

    RPGR2014 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Taiwan   国名:台湾  

  54. 大面積単層WSe2薄膜を用いたPNフォトダイオード

    蒲江, 清水諒, C.-H. Chen, 岩佐義宏, L.-J. Li, 竹延大志

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  55. High gain CMOS inverters based on transition metal dichalcogenides

    J. Pu, J.-K. Huang, Y. Iwasa, L.-J. Li, T. Takenobu

    The 46th FNTG Symposium 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  56. 単層WSe2薄膜を用いた電気二重層トランジスタ

    蒲江, J.-K. Huang, 清水諒, 舟橋一真, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    日本物理学会 2013年秋季大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:徳島大学   国名:日本国  

  57. 遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた電気二重層トランジスタ

    蒲江, J.-K. Huang, 清水諒, 舟橋一真, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  58. Flexible, stretchable MoS2 thin-film transistors with ion-gel gate dielectrics 国際会議

    J. Pu, Y. Yomogida, K.-K. Liu, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    APPC12 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Chiba, Japan   国名:日本国  

  59. Flexible, stretchable MoS2 thin-film transistors with ion-gel gate dielectrics 国際会議

    J. Pu, Y. Yomogida, K.-K. Liu, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    Flexible Electronics 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Erlangen, Germany   国名:ドイツ連邦共和国  

  60. Fabrication of Stretchable MoS2 Thin-film Transistors Using Elastic Ion-Gel Gate Dielectrics 国際会議

    J. Pu, Y. Zhang, Y. Wada, J. T.-W. Wang, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    NT13 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Espoo, Finland   国名:フィンランド共和国  

  61. MoS2電気二重層トランジスタにおける一軸性歪みの影響

    蒲江, 張奕勁, 和田義史, J. Wang, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    日本物理学会 第68回年次大会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:広島大学   国名:日本国  

  62. Ambipolar organic single-crystal transistors based on ion gels 国際会議

    J. Pu, Y. Yomogida, H. Shimotani, S. Ono, S. Hotta, Y. Iwasa, T. Takenobu

    ICFPE2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  63. イオンゲルを用いたMoS2薄膜トランジスタ

    蒲江, 蓬田陽平, K.-K. Liu, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    日本物理学会 2012年秋季大会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜国立大学   国名:日本国  

  64. フレキシブルMoS2薄膜トランジスタ

    蒲江, 蓬田陽平, K.-K. Liu, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学   国名:日本国  

  65. イオンゲルを用いた単結晶両極性電気二重層トランジスタ

    蒲江, 蓬田陽平, 下谷秀和, 山雄健史, 堀田収, 岩佐義宏, 竹延大志

    日本物理学会 第67回年次大会 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:関西学院大学   国名:日本国  

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科研費 6

  1. ナノ構造体の局所力学場制御によるバレートロニクスデバイスの創製

    研究課題/研究課題番号:20H05189  2020年04月 - 2022年03月

    新学術領域研究(研究領域提案型)

    蒲 江

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:5980000円 ( 直接経費:4600000円 、 間接経費:1380000円 )

    本研究の目標は、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)において力学特性がもたらす局所電子構造変化を解明・制御することで、全く新しい電子機能(バレートロニクス)デバイスの実現を目指す。具体的には、TMDCが有するバレー構造の力学的制御手法を基軸とし、バレー自由度を機能化した電子・光デバイスを作製する。まず、機械的変形に対する結晶構造と局所電子構造の相関を解明する。次に、力学制御されたTMDCにおいて電気的に純バレー流を生成する手法を確立する。最終的には、これら力学的アプローチと電解質によるデバイス技術を融合することで、電気的に光―バレー変換機能を有する円偏光発光・受光デバイスを実現する。

  2. 原子層遷移金属ダイカルコゲナイドによる室温円偏光レーザー素子の創出

    研究課題/研究課題番号:19K15383  2019年04月 - 2022年03月

    若手研究

    蒲 江

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:4160000円 ( 直接経費:3200000円 、 間接経費:960000円 )

    本研究の目標は、次世代光量子通信を担う円偏光光源の創出である。具体的には、空間反転対称性が破れた原子層材料、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)、が有する特異な電子構造(バレー分極)を利用することで、室温において円偏光発光の電気的制御法を確立する。さらに、光共振器の導入を行うことで、最終的には世界初となる室温円偏光レーザー素子の作製を目指す。本研究を通して、円偏光光源創出に向けた物性・素子・機能の統一的な基盤技術を確立する。
    本研究の目標は、次世代光量子通信を担う円偏光光源の創出である。具体的には、空間反転対称性が破れた原子層材料、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)、が有する特異な電子構造(バレー分極)を利用することで、室温において円偏光発光の電気的制御法を確立する。さらに、光共振器の導入を行うことで、最終的には室温円偏光レーザー素子の作製を目指す。
    本研究目的に対し、本年度はTMDC発光素子を作製し(I)歪みによる室温円偏光発光制御と、(II)発光素子への共振器導入を具体的な項目として取り組んだ。以下にそれぞれの項目に関して研究実績の概要を示す。
    (I)歪みによる室温円偏光発光制御
    歪みを電流に垂直に導入することで誘起される有効磁場により、室温において円偏光制御可能な発光素子作製を行った。まず、化学成長したTMDC単層膜を可塑性基板上に転写し、柔軟性を有する発光素子を作製した。次に、一軸性歪みを印加しながら電流励起発光の円偏光発光特性を評価した。その結果、室温において円偏光発光が生成していることを明らかにし、理論計算の結果を基に円偏光発光制御の物理的メカニズムを解明した。最後、歪みを利用することで電気的に右巻き及び左巻き円偏光を切り替え可能な発光素子作製にも成功した。
    (II)TMDC発光素子への共振器導入
    レーザー発振を目指し、TMDC発光素子への共振器導入及び共振器発光の観測を行った。ミラー型共振器及び微小球を用いた共振器をTMDC単層膜上に作製し、光励起発光による評価を行った。その結果、微小球共振器を導入したTMDCでは発光の先鋭化が見られ、レーザー発振の前駆状態が明らかになった。特に、TMDC発光素子においても微小球共振器を導入することで、電流励起による共振器発光の観測にも成功した。これにより、今後は高電流密度やパルス駆動を導入することで電流励起によるレーザー発振が期待できる。
    本研究の目的は、原子層遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)を用いた室温円偏光レーザー素子の創出である。具体的には、空間反転対称性の破れに起因するTMDCの特異な電子構造(バレー分極)と独自考案した電解質発光素子を組み合わせる。これに加え、歪みを用いたバレー分極制御を導入することで、室温において電気的に円偏光発光を制御する手法を確立する。さらに、光共振器の作製も行うことで、世界初となる電流励起円偏光レーザー発振の実現を目指す。
    これに対し、本年度の目標はTMDCと電解質を用いた発光素子の組み合わせを基軸として、室温において電気的な円偏光発光生成とその制御法を確立することが当初の予定であった。実際にTMDCに歪みを印可可能な発光素子を作製し、その電流励起発光の円偏光特性を評価したところ室温円偏光発光の観測に成功した。これにより、理論計算との検証から歪みによる円偏光発光生成の原理を解明し、電気的に制御する手法も確立した。
    以上の結果に加え、本年度はTMDC発光素子への光共振器導入も行い、実際に共振器発光素子の作製に成功した。これにより当初の予定より早く、電流励起によるレーザー発振の実現が期待でき、上述の円偏光制御法と組み合わせることで、本研究提案の最終目標である室温円偏光レーザーの創出が更に加速する見込みである。
    本年度の研究成果である、室温円偏光発光素子と共振器発光素子を組み合わせることで、今後は室温における円偏光レーザー素子の創出を試みる。
    具体的にはまず、微小球共振器を導入した発光素子において、世界で初めて原子層遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)において電流励起レーザー発振を行う。特に、レーザー発振を行うためには十分な励起子密度を注入する必要があり、素子のパルス駆動等を活用することで、TMDC発光素子への高電流密度注入を試みる。さらに、計算シミュレーション等を利用して共振器構造の最適化を行い、より低電圧・低電流密度でのレーザー発振も狙う。
    次に、共振器発光素子を可塑基板上に作製し、歪みを印可可能なレーザー素子の実現を行う。特に、本年度の成果として柔軟な基板上に素子作製する技術を構築しており、微小球を素子上に積層するのみで作製可能となる。基板がかわることでレーザー発振の最適条件が変化すると考えられ、適宜条件出しや素子性能のフィードバックを通して、柔軟な基板上において電流励起によるレーザー発振を目指す。
    最後、柔軟な基板上で歪みを印可しながらレーザー素子の円偏光発光特性評価を行う。室温での円偏光発光が弱い場合は低温実験等で特性解明を行ってから、室温での円偏光レーザー発振を目指す。歪みによりレーザー発振特性が劇的に劣化する場合は、共振器部分のみ歪みの影響を軽減可能な素子構造の導入も検討する。

  3. 原子層遷移金属ダイカルコゲナイドによる室温円偏光レーザー素子の創出

    2019年04月 - 2021年03月

    科学研究費補助金 

    蒲 江

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    担当区分:研究代表者 

    本研究の目標は、次世代光量子通信を担う円偏光光源の創出である。具体的には、空間反転対称性が破れた原子層材料、遷移金属ダイカルコゲ
    ナイド(TMDC)、が有する特異な電子構造(バレー分極)を利用することで、室温において円偏光発光の電気的制御法を確立する。さらに、光
    共振器の導入を行うことで、最終的には世界初となる室温円偏光レーザー素子の作製を目指す。本研究を通して、円偏光光源創出に向けた物性
    ・素子・機能の統一的な基盤技術を確立する。

  4. 原子層遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた高機能・高性能光デバイスの創出

    2017年09月 - 2019年03月

    科学研究費補助金  研究活動スタート支援

    蒲 江

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    担当区分:研究代表者 

    本研究では、Internet of Things(IoT)を体現する革新的光機能デバイスを実現する。具体的には、多彩な(可視―赤外)発光領域を有する原子層遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)と電気化学に立脚したドーピング技術を組み合わせることで、原子層近赤外発光・受光デバイスの作製及びその高機能化と高性能化を目的とする。特に、応募者は原子層TMDCに電解質を用いたユニークな構造を導入することで、極めて簡易な構造と簡便なプロセスで発光及び受光を創出する手法を開発している。このノウハウを活かし、世界に先駆けて原子層TMDCにおける高柔軟性・高伸縮性(高機能)と高効率・高感度(高性能)を両立する発光・受光デバイスを実現する。本研究を通して、IoT社会を下支えする環境・生体センシングに特化した、機能性光デバイスの材料物性とデバイス物理両面の基礎技術を構築する。

  5. 原子層遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた高機能・高性能光デバイスの創出

    研究課題/研究課題番号:17H06736  2017年08月 - 2019年03月

    蒲 江

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:2990000円 ( 直接経費:2300000円 、 間接経費:690000円 )

    本研究では、原子層遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)と電解質によるユニークな素子構造を組み合わせることで、高機能かつ高性能な原子層発光デバイスの作製を目的とした。これに対し、まず、様々な(可視―近赤外)発光領域を有するTMDC及びそれらのヘテロ構造を用いた発光デバイスを作製し、その基礎的な発光特性を評価した。次に、TMDCを可塑性基板上に転写する技術を構築し、柔軟性に優れた発光デバイスの作製に成功した。最後に、共振器導入による発光効率の向上や、TMDCの特殊な電子構造に由来した円偏光発光デバイスの作製にも取り組み、TMDCによる光デバイスの更なる機能化と応用可能性を見出した。
    原子層遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は低次元系特有の光物性と多彩な発光色、優れた可塑性を有しており、Internet of Thingsを体現する次世代光デバイスを担う材料であると期待されている。しかしながら、従来のTMDCを用いた発光デバイス作製技術は汎用性に乏しく、高機能化や高性能化の研究は皆無であった。これに対し、本研究では独自の素子技術を開発することで様々なTMDC発光デバイスを容易に作製でき、高柔軟性や共振器導入可能なデバイスを実現した。ここで構築した素子技術及び材料物性はTMDCの光デバイス応用へのベンチマークを築くものであり、その学術的・産業的インパクトは極めて大きい。

  6. 二次元材料によるプリンテッド・アンビエントエレクトロニクスの実現

    研究課題/研究課題番号:14J07485  2014年04月 - 2017年03月

    科学研究費補助金  特別研究員(DC1)

    蒲江

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    担当区分:研究代表者 

    本研究の目的は印刷による二次元材料を用いた柔軟な論理回路の実現であり、材料及びデバイス両面を相補的に理解することによって、最終的には世界初の印刷型アンビエントエレクトロニクスを実現する。これまでの研究によって、化学気相成長(CVD法)で合成した遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)を用いて高移動度・高電流オンオフ比・高柔軟性を実現し、本材料における素子応用の最低限の条件が満たされたとは言え、今後柔軟な論理回路実現に向けては解決すべき問題が残されている。ポイントとしては、CMOS論理回路構築のためのトランジスタの高性能化・極性制御、設備投資を激減させる印刷技術の導入、具体的な集積化の導入があげられる。そこで本研究において取り組むべき研究項目として、(i)様々なTMDC材料の合成技術を確立し、それらを用いたトランジスタの高性能化と極性制御、(ii)薄膜加工および印刷技術の確立、(iii)ウエハースケールでの論理回路作製、の三項目を通して柔軟性・伸縮性を有する最低限の電子素子作製に不可欠な基盤技術を構築し、世界初の印刷によるウェアラブル・コンピューティング実現の足がかりとする。

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担当経験のある科目 (本学) 7

  1. 物理工学実験第2

    2020

  2. 物理工学実験第1

    2020

  3. 物理工学実験第2

    2019

  4. 物理工学実験第1

    2019

  5. 応用物理学実験第2及び第3

    2018

  6. 応用物理学実験第1

    2018

  7. 応用物理学実験第2及び第3

    2017

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