2021/03/24 更新

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オンダ ショウイチ
恩田 正一
ONDA Shoichi
所属
名古屋大学 未来材料・システム研究所 デンソー自動車用パワーエレクトロニクス産学協同研究部門 特任教授
職名
特任教授

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2013年5月   筑波大学 ) 

研究分野 1

  1. ナノテク・材料 / 応用物理一般

経歴 1

  1. 株式会社デンソー

    1982年4月 - 2016年4月

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    国名:日本国

学歴 1

  1. 名古屋大学   物理学研究科

    - 1982年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 1

  1. 応用物理学会

 

論文 5

  1. Transmission electron microscope study of a threading dislocation with b=[0001]+< > and its effect on leakage in a 4H-SiC MOSFET 査読有り

      93 巻 ( 8 ) 頁: 439   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  2. The dissociation modes of threading screw dislocations in 4H-SiC 査読有り

    S.Onda, H.Watanabe, Y.Kitou, H.Kondo, H.Uehigashi, K.Shiraishi, H.Saka

    Philosophical magazine Letters   93 巻 ( 10 ) 頁: 591   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  3. First Principles Theoretical Study of 4H-SiC/SiO2 Interfacial Electronic States on (0001), (000-1), and (11-20) 査読有り

    E.Okuno, T.Sakakibara, S.Onda

    Appl. Phys. Express Vol. 1(6), pp. 061401 (2008).   1 巻   頁: 061401   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  4. Ultrahigh-quality silicon carbide single crystals 査読有り

    D.Nakamura, K.Katori, S.Onda

    Nature, Vol. 43, pp. 1009-1012 (2004)   43 巻   頁: 1009-1012   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  5. Mechanism of Nitrogen Incorporation in Sublimation Growth of SiC 査読有り

    M.Naitoh, K.Hara, F. Hirose, S.Onda

    Journal of Crystal Growth   237 巻   頁: 1192-1195   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

講演・口頭発表等 13

  1. Characterization of Threading Screw Dislocations of Burgers Vectors with A-Components in 4H-SiC 国際会議

    CSCRM2015  

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:イタリア共和国  

  2. パワーエレクトロニクスの最新動向 招待有り

    恩田正一

    学術振興会154委員会 第7回講演会 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  3. パワーデバイスにむけてのSiC結晶成長技術の理解と課題

    恩田正一

    応用電子物性分科会6月研究会 

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  4. 企業が求める研究者像 招待有り

    恩田正一

    つくばナノテク拠点シンポジウム 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(基調)  

    国名:日本国  

  5. 次世代自動車向けSiCパワーデバイスの開発状況と課題 招待有り

    恩田正一

    セミコンジャパン2012 技術セミナー 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  6. SiC技術の進展 SiC半導体の基礎技術 招待有り

    恩田正一

    第40回 薄膜・表面物理セミナー 

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    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  7. SiCパワーデバイスの現状と課題 招待有り

    恩田正一

    学術振興会161委員会第71回技術研究会 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  8. 高品質SiCウエハの作製とパワーデバイス応用 招待有り

    恩田正一

    学術振興会162委員会技術セミナー 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  9. 自動車用パワーデバイスの最新動向 招待有り

    恩田正一

    第12回半導体パッケージング技術展 技術セミナー, 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  10. SiC crystal growth with high temperature gas method 国際会議

    VASSCAA-4, Matsue 

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    開催年月日: 2008年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  11. ガス結晶成長法によるSiC結晶成長 国際会議

    恩田正一、木藤泰男、原一都

    SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  12. SiC基板・デバイスのハイパワー応用 国際会議

    恩田正一、奥野英一

    第23回人工結晶工学会特別講演会 

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    開催年月日: 2005年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  13. SiC基板・デバイスのハイパワー応用 招待有り

    恩田正一

    SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会 

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    開催年月日: 2004年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

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産業財産権 2

  1. 炭化珪素単結晶の製造方法

    恩田正一

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    出願番号:9163087  出願日:1997年

    公開番号:11-12096 

    特許番号/登録番号:3876488  登録日:2008年 

    出願国:国内  

  2. EL表示装置

    恩田正一

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    出願番号:25564  出願日:1996年

    公開番号:9-218652 

    特許番号/登録番号:3577821  登録日:2008年 

    出願国:国内