2021/12/06 更新

写真a

ハシヅメ タモツ
橋詰 保
HASHIZUME Tamotsu
所属
未来材料・システム研究所 トヨタ先端パワーエレクトロニクス寄附研究部門 特任教授
職名
特任教授

学位 1

  1. 工学博士 ( 1991年   北海道大学 ) 

 

論文 5

  1. Interface characterization of Al2O3/m-plane GaN structure 招待有り 査読有り

    S. Kaneki and T. Hashizume

    AIP Advances   11 巻   2021年

     詳細を見る

  2. Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate and surface passivation 招待有り 査読有り

    Joel T. Asubar, Zenji Yatabe, Dagmar Gregusova and Tamotsu Hashizume, (Invited Tutorial)

    J. Appl. Phys.     2021年

     詳細を見る

  3. Reduction of plasma-induced damage in n-type GaN by multistep-bias etching in inductively coupled plasma reactive ion etching 招待有り 査読有り

    S. Yamada, M. Omori, H. Sakurai, Y. Osada, R. Kamimura, T. Hashizume, J. Suda, and T. Kachi

    Appl. Phys. Express   13 巻   2020年

     詳細を見る

  4. Gate controllability of HfSiOx/AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistor 招待有り 査読有り

    R. Ochi, E. Maeda, T. Nabatame, K. Shiozaki, T. Sato and T. Hashizume

    AIP Advances   10 巻   2020年

     詳細を見る

  5. Improved operation stability of Al2O3/AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistors grown on GaN substrates 招待有り 査読有り

    Y. Ando, S. Kaneki and T. Hashizume

    Appl. Phys. Express   12 巻   2019年

     詳細を見る