研究者詳細 - 髙田　尚記

論文 - 髙田　尚記

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AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術) 査読有り

池田賢一, 廣田健, 藤本健資, 杉本陽平, 高田尚記, 井誠一郎, 中島英治, 中島寛

電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 106 巻 ( 7 ) 頁： 13-17 2006年4月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Al誘起結晶化法(AIC法)は,低温で多結晶シリコン(Si)薄膜の作製が可能なプロセスとして注目されている.本研究では,種々の膜厚比で蒸着させたAlとアモルファスSi(a-Si)を対象に低温熱処理による結晶化過程について検討した.その結果,多結晶Siは最初に蒸着したAlの膜厚分だけデンドライト状に成長することが明らかになった.本研究の条件では,a-SiとAlを1:1で蒸着させた試料が多結晶Siの膜の形成状態が良好であった.また,TEM内その場加熱観察を行った結果,a-Si中にAlが固溶している様子が観察され,Siは非平衡状態のa-Si/Al固溶体を経由して結晶化することが示唆された.

Annealing behavior and recrystallized texture in ARB processed copper 査読有り

Takata N, Yamada K, Ikeda K, Yoshida F, Nakashima H, Tsuji N

NANOMATERIALS BY SEVERE PLASTIC DEFORMATION 503-504 巻頁： 919-924 2006年

パラジウム<110>対称傾角粒界の原子構造と電子状態査読有り

水口隆, 高田尚記, 池田賢一, 中島英治

日本金屬學會誌 = Journal of the Japan Institute of Metals 69 巻 ( 11 ) 頁： 1010-1015 2005年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

In this study, the energy and atomic structure of the <110> symmetric tilt boundaries in palladium were calculated using a molecular dynamics (MD) method and the electronic structures of hydrogen in the bulk and at the grain boundaries were calculated using discrete-variational Xα (DV-Xα) molecular orbital cluster calculaion by solving Hartree-Fock-Slater equation. The result of MD simulation revealed that the energy of the <110> symmetric tilt boundary of palladium depended on the misorientation angle and that there were large energy cusps at the misorientation angles which correspond to the {111}Σ3 and {113}Σ11 symmetric tilt boundaries. The atomic structure of all <110> symmetric tilt boundaries could consist of the combination of the {331} Σ19, {111}Σ3 and {113}Σ11 structural units and {110}Σ1 and {001}Σ1 single crystal units. The result of DV-Xα molecular orbital cluster calculation showed that the interstitial hydrogen atoms induced the palladium-hydrogen chemical bond which had a different energy level from the palladium-palladium bond. The component of the palladium-hydrogen bond at the grain boundaries was similar to those in the bulk palladium. It is clarified that electronic structure near the grain boundary is different from that in the perfect crystal.

Low-temperature fabrication of polyerystalline Si thin film using Al-induced crystallization without native Al oxide at amorphous Si/Al interface 査読有り

Sugimoto Y, Takata N, Hirota T, Ikeda K, Yoshida F, Nakashima H, Nakashima H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44 巻 ( 7A ) 頁： 4770-4775 2005年7月

初めての研究論文執筆を通して招待有り

高田尚記

軽金属 55 巻 ( 4 ) 頁： . 2005年4月

Abnormal Grain Growth of off-Cube Grains in High Purity Aluminum Foils with Cube Texture

Naoki Takata, Fuyuki Yoshida, Ken-ichi Ikeda, Hideharu Nakashima and Hiroshi Abe

Materials Transactions 46 巻 ( 12 ) 頁： 2975-2980 2005年

Atomic and Electronic Structure of <110> Symmetric Tilt Boundaries in Palladium

Naoki Takata, Takashi Mizuguchi, Ken-ichi Ikeda and Hideharu Nakashima

Materials Transactions 45 巻 ( 7 ) 頁： 2099-2105 2004年

Grain boundary structure and its energy of < 110 > symmetric tilt boundary in copper 査読有り

Takata N, Ikeda K, Yoshida F, Nakashima H, Abe H

RECRYSTALLIZATION AND GRAIN GROWTH, PTS 1 AND 2 467-470 巻頁： 807-812 2004年

純銅の<110>対称傾角粒界における粒界エネルギーとその構造

高田尚記, 池田賢一，吉田冬樹，中島英治，阿部弘

日本金属学会誌 68 巻 ( 4 ) 頁： 240-246 2004年

Influence of Purity on the Formation of Cube Texture in Aluminum Foils for Electrolytic Capacitors

Naoki Takata, Ken-ichi Ikeda, Fuyuki Yoshida, Hideharu Nakashima and Hiroshi Abe

Materials Transactions 45 巻 ( 5 ) 頁： 1687-1692 2004年

アルミ誘起結晶化法により作製した多結晶シリコン薄膜の組織

廣田健，高田尚記，池田賢一，吉田冬樹，中島英治，阿部弘，杉本陽平，中島寛

九州大学超高圧電顕室研究報告 ( 28 ) 頁： 59-60 2004年

立方体集合組織を有する高純度アルミニウム箔中に存在する非立方体方位粒の特徴

吉田冬樹, 高田尚記, 池田賢一, 中島英治, 阿部弘

大会講演概要 104 巻頁： 157-158 2003年4月

電解コンデンサ用アルミニウム箔の立方体集合組織形成に及ぼす加工熱処理条件の影響

高田尚記, 池田賢一, 吉田冬樹, 中島英治, 阿部弘

大会講演概要 102 巻頁： 79-80 2002年4月

Influence of partial annealing temperature on cube texture in high purity aluminum foils 査読有り

Ikeda K, Takata N, Yoshida F, Nakashima H, Abe H

ALUMINUM ALLOYS 2002: THEIR PHYSICAL AND MECHANICAL PROPERTIES PTS 1-3 396-4 巻頁： 569-574 2002年

3N と 4N アルミニウム箔の立方体集合組織形成過程

池田賢一, 高田尚記, 吉田冬樹, 中島英治, 阿部弘

大会講演概要 100 巻頁： 317-318 2001年4月

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