研究者詳細 - 髙田　尚記

論文 - 髙田　尚記

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6000系アルミニウム合金の立方体方位粒形成過程

宮田幸昌, 吉原隆浩, 高田尚記, 池田賢一, 波多聰, 中島英治

大会講演概要 113 巻頁： 45-46 2007年10月

Change in microstructure and texture during annealing of pure copper heavily deformed by accumulative roll bonding 査読有り

Takata Naoki, Yamada Kousuke, Ikeda Ken-ichi, Yoshida Fuyuki, Nakashima Hideharu, Tsuji Nobuhiro

MATERIALS TRANSACTIONS 48 巻 ( 8 ) 頁： 2043-2048 2007年8月

6000系アルミニウム合金における立方体方位粒形成に及ぼす加工熱処理の影響

宮田幸昌, 吉原隆浩, 高田尚記, 池田賢一, 中島英治

大会講演概要 112 巻頁： 199-200 2007年4月

その場加熱EBSP法を用いた純アルミニウム箔の再結晶過程の解析

池田賢一, 高田尚記, 宮田幸昌, 中島英治

大会講演概要 112 巻頁： 63-64 2007年4月

アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン薄膜形成挙動のその場加熱観察査読有り

池田賢一, 廣田健, 藤本健資, 杉本陽平, 高田尚記, 井誠一郎, 中島英治, 中島寛

日本金屬學會誌 = Journal of the Japan Institute of Metals 71 巻 ( 2 ) 頁： 158-163 2007年2月

In-situ heating observation for formation behavior of polycrystalline silicon thin films fabricated using aluminum induced crystallization 査読有り

Ikeda Ken-ichi, Hirota Takeshi, Fujimoto Kensuke, Sugimoto Youhei, Takata Naoki, Ii Seiichiro, Nakashima Hideharu, Nakashima Hiroshi

JOURNAL OF THE JAPAN INSTITUTE OF METALS 71 巻 ( 2 ) 頁： 158-163 2007年2月

In-situ EBSP analysis of grain boundary migration during recrystallization in pure aluminum foils 査読有り

Takata Naoki, Ikeda Ken-ichi, Nakashima Hideharu, Tsuji Nobuhiro

Recrystallization and Grain Growth III, Pts 1 and 2 558-559 巻頁： 351-356 2007年

Relation between ridging and texture components in Al-Mg-Si alloy 査読有り

Ikeda Ken-ichi, Yoshihara Takahiro, Takata Naoki, Nakashima Hideharu

RECRYSTALLIZATION AND GRAIN GROWTH III, PTS 1 AND 2 558-559 巻頁： 71-76 2007年

ARB法により強ひずみ加工したCu-Cr-Zr合金の組織と機械的特性

大竹祐輔，北川和夫，北和久，高田尚記，辻伸泰，青木庄治

銅と銅合金 46 巻 ( 1 ) 頁： 142-147 2007年

アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン薄膜形成挙動のその場加熱観察

池田賢一, 高田尚記, 廣田健, 井誠一郎, 杉本陽平, 中島英治, 中島寛

日本金属学会誌 71 巻 ( 2 ) 頁： 158-163 2007年

アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン形成過程のその場加熱観察

池田賢一, 中島英治, 廣田健, 藤本健資, 杉本陽平, 高田尚記, 井誠一郎, 中島寛

まてりあ : 日本金属学会会報 45 巻 ( 12 ) 頁： . 2006年12月

6111アルミニウム合金のリジング特性と集合組織の関係

池田賢一, 吉原隆浩, 高田尚記, 中島英治

大会講演概要 110 巻頁： 207-208 2006年4月

AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術) 査読有り

池田賢一, 廣田健, 藤本健資, 杉本陽平, 高田尚記, 井誠一郎, 中島英治, 中島寛

電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 106 巻 ( 7 ) 頁： 13-17 2006年4月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Al誘起結晶化法(AIC法)は,低温で多結晶シリコン(Si)薄膜の作製が可能なプロセスとして注目されている.本研究では,種々の膜厚比で蒸着させたAlとアモルファスSi(a-Si)を対象に低温熱処理による結晶化過程について検討した.その結果,多結晶Siは最初に蒸着したAlの膜厚分だけデンドライト状に成長することが明らかになった.本研究の条件では,a-SiとAlを1:1で蒸着させた試料が多結晶Siの膜の形成状態が良好であった.また,TEM内その場加熱観察を行った結果,a-Si中にAlが固溶している様子が観察され,Siは非平衡状態のa-Si/Al固溶体を経由して結晶化することが示唆された.

Annealing behavior and recrystallized texture in ARB processed copper 査読有り

Takata N, Yamada K, Ikeda K, Yoshida F, Nakashima H, Tsuji N

NANOMATERIALS BY SEVERE PLASTIC DEFORMATION 503-504 巻頁： 919-924 2006年

パラジウム<110>対称傾角粒界の原子構造と電子状態査読有り

水口隆, 高田尚記, 池田賢一, 中島英治

日本金屬學會誌 = Journal of the Japan Institute of Metals 69 巻 ( 11 ) 頁： 1010-1015 2005年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

In this study, the energy and atomic structure of the <110> symmetric tilt boundaries in palladium were calculated using a molecular dynamics (MD) method and the electronic structures of hydrogen in the bulk and at the grain boundaries were calculated using discrete-variational Xα (DV-Xα) molecular orbital cluster calculaion by solving Hartree-Fock-Slater equation. The result of MD simulation revealed that the energy of the <110> symmetric tilt boundary of palladium depended on the misorientation angle and that there were large energy cusps at the misorientation angles which correspond to the {111}Σ3 and {113}Σ11 symmetric tilt boundaries. The atomic structure of all <110> symmetric tilt boundaries could consist of the combination of the {331} Σ19, {111}Σ3 and {113}Σ11 structural units and {110}Σ1 and {001}Σ1 single crystal units. The result of DV-Xα molecular orbital cluster calculation showed that the interstitial hydrogen atoms induced the palladium-hydrogen chemical bond which had a different energy level from the palladium-palladium bond. The component of the palladium-hydrogen bond at the grain boundaries was similar to those in the bulk palladium. It is clarified that electronic structure near the grain boundary is different from that in the perfect crystal.

Low-temperature fabrication of polyerystalline Si thin film using Al-induced crystallization without native Al oxide at amorphous Si/Al interface 査読有り

Sugimoto Y, Takata N, Hirota T, Ikeda K, Yoshida F, Nakashima H, Nakashima H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44 巻 ( 7A ) 頁： 4770-4775 2005年7月

初めての研究論文執筆を通して招待有り

高田尚記

軽金属 55 巻 ( 4 ) 頁： . 2005年4月

Abnormal Grain Growth of off-Cube Grains in High Purity Aluminum Foils with Cube Texture

Naoki Takata, Fuyuki Yoshida, Ken-ichi Ikeda, Hideharu Nakashima and Hiroshi Abe

Materials Transactions 46 巻 ( 12 ) 頁： 2975-2980 2005年

Atomic and Electronic Structure of <110> Symmetric Tilt Boundaries in Palladium

Naoki Takata, Takashi Mizuguchi, Ken-ichi Ikeda and Hideharu Nakashima

Materials Transactions 45 巻 ( 7 ) 頁： 2099-2105 2004年

Grain boundary structure and its energy of < 110 > symmetric tilt boundary in copper 査読有り

Takata N, Ikeda K, Yoshida F, Nakashima H, Abe H

RECRYSTALLIZATION AND GRAIN GROWTH, PTS 1 AND 2 467-470 巻頁： 807-812 2004年

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