広島大学   大学院先端物質科学研究科   研究員

2009年4月 - 2013年9月

日本学術振興会   研究員

2008年4月 - 2009年3月

日本学術振興会   研究員

2007年4月 - 2008年3月

13th International Symposium on Advanced Science and its Application for Nitride and Nanomaterials (ISPlasma2021) / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2021)   Executive Comitiee  

2021年   

「電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第26回）   実行プログラム委員  

2020年2月 - 2021年1月   

12th International Symposium on Advanced Science and its Application for Nitride and Nanomaterials (ISPlasma2020) / 13th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2020)   Executive Comitiee  

2020年   

Japanese Journal of Applied Physics（JJAP）   編集委員  

2019年4月 - 現在   

「電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第25回）   実行プログラム委員  

2019年2月 - 2020年1月   

11th International Symposium on Advanced Science and its Application for Nitride and Nanomaterials (ISPlasma2019) / 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2019)   Executive Comitiee  

2019年   

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials   Steering Committee  

2019年   

「電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第24回）   実行プログラム委員  

2018年2月 - 2019年1月   

9th International Symposium on Advanced Science and its Application for Nitride and Nanomaterials (ISPlasma2017) / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2017)   Executive comitiee  

2017年   

8th International Symposium on Advanced Science and its Application for Nitride and Nanomaterials (ISPlasma2016) / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2016)   Executive comitiee  

2016年   

7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VII)   Steering Committee  

2016年   

8th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016)   Steering Committee  

2016年   

The 6th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)   Steering Committee  

2013年   

The 8th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)   Steering Committee  

2013年   

Study on silicidation reaction of Fe nanodots with SiH4

Furuhata Hiroshi, Makihara Katsunori, Shimura Yosuke, Fujimori Shuntaro, Imai Yuki, Ohta Akio, Taoka Noriyuki, Miyazaki Seiichi

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 5 )   2022年5月

Effect of substrate temperature on plasma-enhanced self-assembling formation of high-density FePt nanodots

Honda Shunsuke, Makihara Katsunori, Taoka Noriyuki, Furuhata Hiroshi, Ohta Akio, Oshima Daiki, Kato Takeshi, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SA )   2022年1月

Segregation control for ultrathin Ge layer in Al/Ge(111) system

Ohta Akio, Kobayashi Masato, Taoka Noriyuki, Ikeda Mistuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SA )   2022年1月

Correlation between structures and vibration properties of germanene grown by Ge segregation

Mizuno Shogo, Ohta Akio, Suzuki Toshiaki, Kageshima Hiroyuki, Yuhara Junji, Hibino Hiroki

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 12 )   2021年12月

Single germanene phase formed by segregation through Al(111) thin films on Ge(111) 査読有り 国際共著

J. Yuhara, H. Muto, M. Araidai, M. Kobayashi, A. Ohta, S. Miyazaki, S. Takakura, M. Nakatake, and G. L. Lay

2D Materials   8 巻 ( 4 ) 頁： 045039   2021年10月

Epitaxial growth of massively parallel germanium nanoribbons by segregation through Ag(110) thin films on Ge(110) 査読有り 国際共著

Yuhara Junji, Shimazu Hiroki, Kobayashi Masato, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi, Takakura Sho-ichi, Nakatake Masashi, Le Lay Guy

APPLIED SURFACE SCIENCE   550 巻   2021年6月

Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal 査読有り

Ohta Akio, Yamada Kenzo, Sugawa Hibiki, Taoka Noriyuki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

Energy band diagram for SiO2/Si system as evaluated from UPS analysis under vacuum ultraviolet with variable incident photon energy

Ohta Akio, Imagawa Takuya, Taoka Noriyuki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SA )   2021年1月

Effect of B-doping on photoluminescence properties of Si quantum dots with Ge core 査読有り

Makihara Katsunori, Fujimori Shuntaro, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   120 巻   2020年12月

Characterization of photoluminescence from Si quantum dots with B delta-doped Ge core 査読有り

Maehara Takuya, Fujimori Shuntaro, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   119 巻   2020年11月

Hydrogen desorption from silicane and germanane crystals: Toward creation of free-standing monolayer silicene and germanene 査読有り

Araidai Masaaki, Itoh Mai, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   128 巻 ( 12 )   2020年9月

Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode 査読有り

T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Electrochemical Society (ECS) Transaction   98 巻 ( 5 ) 頁： 429 - 434   2020年9月

Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe 招待有り 査読有り

J. Wu, H. Zhang, H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazak

Electrochemical Society (ECS) Transaction   98 巻 ( 5 ) 頁： 493 - 498   2020年9月

Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing 査読有り

H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki

Electrochemical Society (ECS) Transaction   98 巻 ( 5 ) 頁： 505 - 511   2020年9月

Complex Dielectric Function of Si Oxide as Evaluated from Photoemission Measurements 査読有り

A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   59 巻 ( SM ) 頁： SMMB04   2020年5月

Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface

Kobayashi Masato, Ohta Akio, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Taoka Noriyuki, Simizu Tomohiro, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

Continuous Growth of Germanene and Stanene Lateral Heterostructures

Ogikubo Tsuyoshi, Shimazu Hiroki, Fujii Yuya, Ito Koichi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Le Lay Guy, Yuhara Junji

ADVANCED MATERIALS INTERFACES     2020年3月

Photoemission-based Characterization of Gate Dielectrics and Stack Interfaces 招待有り 査読有り

S. Miyazaki and A. Ohta

Electrochemical Society Transaction   92 巻 ( 4 ) 頁： 11-19   2019年10月

Comparative study of photoluminescence properties obtained from SiO2/GaN and Al2O3/GaN structures 査読有り

Takada Noriharu, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Yamamoto Taishi, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年8月

Impact of surface pre-treatment on Pt-nanodot formation induced by remote H2-plasma exposure 査読有り

Fujimori Shuntaro, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年8月

Impact of remote plasma oxidation of a GaN surface on photoluminescence properties 査読有り

Takada Noriharu, Taoka Noriyuki, Yamamoto Taishi, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

Photoemission Characterization of Interface Dipoles and Electronic Defect States for Gate Dielectrics 招待有り 査読有り

S. Miyazaki and A. Ohta

Electrochemical Society Transaction   90 巻 ( 1 ) 頁： 113-120   2019年5月

Evaluation of the potential distribution in a multiple stacked Si quantum dots structure by hard X-ray photoelectron spectroscopy

Futamura Yuto, Nakashima Yuta, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SA )   2019年2月

Characterization of electron charging and transport properties of Si-QDs with phosphorus doped Ge core

Nagai Ryo, Yamada Kentaro, Fujimori Shuntaro, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   33 巻 ( 12 )   2018年12月

Germanene Epitaxial Growth by Segregation through Ag(111) Thin Films on Ge(111)

Yuhara Junji, Shimazu Hiroki, Ito Kouichi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Nakatake Masashi, Le Lay Guy

ACS NANO   12 巻 ( 11 ) 頁： 11632-11637   2018年11月

Activation mechanism of TiOx passivating layer on crystalline Si

Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Ohta Akio, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Miyazaki Seiichi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka

APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 10 )   2018年10月

High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots 査読有り

H. Zhang, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   86 巻 ( 7 ) 頁： 131-138   2018年10月

Energy band structure and electrical properties of Ga-oxide/GaN interface formed by remote oxygen plasma

Yamamoto Taishi, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Nakatsuka Osamu, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

Low-temperature formation of Ga-oxide/GaN interface with remote oxygen plasma and its interface properties

Yamamoto Taishi, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

Interface properties of SiO2/GaN structures formed by chemical vapor deposition with remote oxygen plasma mixed with Ar or He

Nguyen Xuan Truyen, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Makihara Katsunori, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N2 ambient

Ito Koichi, Ohta Akio, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

Evaluation of resistive switching properties of Si-rich oxide embedded with Ti nanodots by applying constant voltage and current

Ohta Akio, Kato Yusuke, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年5月

Total photoelectron yield spectroscopy of energy distribution of electronic states density at GaN surface and SiO2/GaN interface

Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Fujimura Nobuyuki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年5月

Segregated SiGe Ultrathin Layer Formation and Surface Planarization on Epitaxial Ag(111) by Annealing of Ag/SiGe(111) with Different Ge/(Si + Ge) Compositions

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 4S ) 頁： 04FJ05   2018年3月

Direct Evaluation of Electrical Dipole and Atomic Density Ratio at High-k Dielectrics/SiO2 Interface

N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 4S ) 頁： 04FB07   2018年3月

High Thermal Stability of Abrupt SiO2/GaN Interface with Low Interface State Density 査読有り

N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 4S ) 頁： 04FG11   2018年3月

Characterization of remote O2-plasma-enhanced CVD SiO2/GaN(0001) structure using photoemission measurements

N.Truyen, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

Formation of Mn-germanide nanodots on ultrathin SiO2 induced by remote hydrogen plasma

Y. Wen, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

Electroluminescence of superatom-like Ge-core/Si-shell quantum dots by alternate field-effect-induced carrier injection

K. Makihara, M. Ikeda, N. Fujimura, K. Yamada, A. Ohta, S. Miyazaki

APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 1 )   2018年1月

High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots 査読有り

Zhang Hai, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 8   86 巻 ( 7 ) 頁： 131 - 138   2018年

Local Structure of High Performance TiOx Passivating Layer Revealed by Electron Energy Loss Spectroscopy

Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Ohta Akio, Kurokawa Yasuyoshi, Miyazaki Seiichi, Yamamoto Takahisa, Usami Noritaka

2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC)     頁： 3896 - 3899   2018年

Impact of phosphorus doping to multiple-stacked Si quantum dots on electron emission properties

D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   70 巻   頁： 183-187   2017年11月

Characterization of Interfacial Dipoles at Dielectric Stacks by XPS Analysis

S. Miyazaki, A. Ohta, N. Fujimura

Electrochemical Society Transaction   80 巻 ( 1 ) 頁： 229-235   2017年9月

First-principles study on adsorption structure and electronic state of stanene on alpha-alumina surface

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 9 )   2017年9月

Magnetoelectronic transport of double stack FePt nanodots

K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS   111 巻 ( 5 )   2017年7月

Evaluation of energy distribution of filled defects of Si oxide thin films from total photoelectron yield spectroscopy

A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

MICROELECTRONIC ENGINEERING   178 巻   頁： 85-88   2017年6月

Potential changes and chemical bonding features for Si-MOS structure as evaluated from HAXPES analysis

A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, S. Miyazaki

MICROELECTRONIC ENGINEERING   178 巻   頁： 80-84   2017年6月

Low-temperature formation of crystalline Si:H/Ge:H heterostructures by plasma-enhanced CVD in combination with Ni-nanodots seeding nucleation

Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 6 )   2017年6月

Photoemission Study of Gate dielectrics on Gallim Nitride

S. Miyazaki, N. Truyen, A. Ohta, T. Yamamoto

Electrochemical Society Transaction   79 巻 ( 1 ) 頁： 119-127   2017年5月

Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors

Y. Kato, A. Ohta, M. Ikeda, M. K. Makihara, and S. Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E100C 巻 ( 5 ) 頁： 468-474   2017年5月

Photoemission study on electrical dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 interfaces

N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 4 )   2017年4月

Effects of remote hydrogen plasma on chemical bonding features and electronic states of 4H-SiC(0001) surface

N. Truyen, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

High-density formation of Ta nanodot induced by remote hydrogen plasma

Y. Wang, D. Takeuchi, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

Photoemission Study of Gate Dielectrics on Gallium Nitride

Miyazaki Seiichi, Nguyen Xuan Truyen, Ohta Akio, Yamamoto Taishi

2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUITS AND THIN FILM TRANSISTORS (ULSIC VS. TFT 6)   79 巻 ( 1 ) 頁： 119 - 127   2017年

Effect of Ge Core Size on Photoluminescence from Si Quantum Dots with Ge Core 査読有り

K. Yamada, K. Kondo, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transacton   75 巻 ( 8 ) 頁： 695-700   2016年9月

Nano spin-diodes using FePt-NDs with huge on/off current ratio at room temperature 査読有り

K. Makihara, T. Kato, Y. Kabeya, Y. Mitsuyuki, A. Ohta, D. Oshima, S. Iwata, Y. Darma, M. Ikeda and S. Miyazaki

Scientific Reports   6 巻   頁： 33409(7pages)   2016年9月

Evaluation of Dielectric Function of Thermally-grown SiO2 and GeO2 from Energy Loss Signals for XPS Core-line Photoelectrons 査読有り

T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   75 巻 ( 8 ) 頁： 777-783   2016年9月

Surface-segregated Si and Ge ultrathin films formed by Ag-induced layer exchange process 査読有り

M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 8S1 ) 頁： 08NB07(5pages)   2016年7月

Evaluation of Valence Band Top and Electron Affinity of SiO2 and Si-based Semiconductors Using XPS 査読有り

N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 8S2 ) 頁： 08PC06(5pages)   2016年7月

Impact of Embedded Mn Nanodots on Resistive Switching Characteristics of Si-rich Oxides as Measured in Ni-Electrodes MIM Diodes 査読有り

T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 6S1 ) 頁： 06GH07(5pages)   2016年5月

Evaluation of field emission properties from multiple-stacked Si quantum dots 査読有り

D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Thin Solid Films   602 巻 ( 1 ) 頁： 68-71   2016年3月

Study on electroluminescence from multiply-stacking valency controlled Si quantum dots 査読有り

T. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Thin Solid Films   602 巻 ( 1 ) 頁： 48-51   2016年3月

Bonding and Energy Alignment at Metal/TiO2 interfaces: A Density Functional Theory Study 査読有り

H. Chen, P. Li, N. Umezawa, H. Abe, J. Ye, K. Shiraishi, A. Ohta, and S. Miyazaki

The Journal of Physical Chemistry   120 巻 ( 10 ) 頁： 5549-5556   2016年2月

High Density Formation of FePt Alloy Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of their Magnetic Properties 査読有り

R. Fukuoka, K. Makihara, H. Zhang, A. Ohta, T. Kato, S. Iwata, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Transactions of the Materials Research Society of Japan   40 巻 ( 4 ) 頁： 347-350   2015年12月

Formation and Characterization of High Density FeSi Nanodots on SiO2 Induced by Remote H2 Plasma 査読有り

H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 1S ) 頁： 01AE20 (4pages)   2015年12月

The Interface Analysis of GaN Directly Grown on 0º off 6H-SiC 査読有り

Z. Sun, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nagamatsu, M. Olsson, Z. Ye, M. Deki, Y. Honda, and H. Amano

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 1 ) 頁： 10303   2015年12月

Increase in the work function of W/WO3 by helium plasma irradiation 査読有り

S. Kajita, A. Ohta, T. Ishida, K. Makihara, T. Yoshida, and N. Ohno

Japanese Journal of Applied Physics   54 巻 ( 12 ) 頁： 126201(6pages)   2015年11月

Photoemission Study on Chemical Bonding Features and Electronic Defect States of Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure 査読有り

H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   69 巻 ( 10 ) 頁： 179-186   2015年10月

High-Resolution Photoemission Study of High-k Dielectric Bilayer Stack on Ge(100) 査読有り

S. Miyazaki, and A. Ohta

Electrochemical Society Transaction   69 巻 ( 10 ) 頁： 165-170   2015年10月

Resistive Switching Characteristics of Si-rich Oxides with Embedding Ti Nanodots 査読有り

Y. Kato, T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. MiyazakiY

Electrochemical Society Transaction   69 巻 ( 10 ) 頁： 291-298   2015年10月

Progress in Determination Method of Ultrathin Si-based Oxide Bandgaps from Analysis of Energy Loss Signals for Photoelectrons 査読有り

A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   54 巻 ( 6S1 ) 頁： 06FH08(5pages)   2015年6月

Resistance-Switching Characteristics of Si-rich Oxide Evaluated by Using Ni Nanodots as Electrodes in Conductive AFM Measurements 査読有り

A. Ohta, C. Liu, T. Arai, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara, and S. Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E98-C 巻 ( 5 ) 頁： 406-410   2015年5月

Electronic Defect States in Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure Measured by Total Photoelectron Yield Spectroscopy 査読有り

A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

Microelectronic Engineering   147 巻   頁： 264-268   2015年5月

Photoluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core 査読有り

K. Makihara, K. Kondo, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   64 巻 ( 6 ) 頁： 365-370   2014年10月

Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack 査読有り

A. Ohta, H. Murakami, K. Hashimoto, K. Makihara, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   64 巻 ( 6 ) 頁： 241-248   2014年10月

Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100) 査読有り

H. Murakami, S. Hamada, T. Ono, K. Hashimoto, A. Ohta, H. Hanafusa, S. Higashi, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   64 巻 ( 6 ) 頁： 423-429   2014年10月

Characterization of Electron Emission from High Density Self-Aligned Si-Based Quantum Dots By Conducting-Probe Atomic Force Microscop 査読有り

D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   64 巻 ( 6 ) 頁： 923-928   2014年10月

Properties of Al Ohmic contacts to n-type 4H-SiC employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer 査読有り

H. Hanafusa, A. Ohta, R. Ashihara, K. Maruyama, T. Mizuno, S. Hayashi, H. Murakami, and S. Higashi

Materials Science Forum   778-780 巻   頁： 649-652   2014年2月

Characterization of Resistive Switching Behaviors of RF Sputtered Si Oxide ReRAMs with Ti-based Electrodes 査読有り

A. Ohta, M. Fukusima, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻   頁： 11NJ06   2013年11月

Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes 査読有り

A. Ohta, K. Makihara, M. Fukusima, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   58 巻 ( 9 ) 頁： 293-300   2013年10月

Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-rich Oxide/TiN System 査読有り

M. Fukusima, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 708-713   2013年5月

Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior 査読有り

A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 702-707   2013年5月

X-ray Photoemission Study of SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si Heterostructures

A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba, and J. Murota

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 680-685   2013年5月

Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer 査読有り

K. Hashimoto, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 674-679   2013年5月

XPS Study of Energy Band Alignment between Hf-La Oxides and Si(100) 査読有り

A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Transactions of the Materials Research Society of Japan   38 巻 ( 3 ) 頁： 353-357   2013年4月

High thermal stability of abrupt SiO2/GaN interface with low interface state density

N. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 4S ) 頁： 04FG11   2013年3月

Kinetics of thermally oxidation of Ge(100) surface 査読有り

S. K. Sahari, A. Ohta, M. Matsui, K. Mishima, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Journal of Physics: Conference Series   417 巻 ( 1 ) 頁： 012014(6pages)   2013年3月

Determination of Energy Band Alignment in Ultrathin Hf-based Oxide/Pt System 査読有り

A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Journal of Physics: Conference Series   417 巻 ( 1 ) 頁： 012012(6pages)   2013年3月

Characterization of Ultrathin Ta-oxide Films Formed on Ge(100) by ALD and Layer-by-Layer Methods 査読有り

K. Mishima, H. Murakami, A. Ohta, S. K. Sahari, T. Fujioka, S. Higashi, and S. Miyazaki

Journal of Physics: Conference Series   417 巻 ( 1 ) 頁： 012013   2013年3月

Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes 査読有り

K. Makihara, M. Fukusima, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   50 巻 ( 9 ) 頁： 459-465   2012年10月

Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion 査読有り

A. Ohta, M. Matsui, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   50 巻 ( 9 ) 頁： 449-457   2012年10月

Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes 査読有り

A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   51 巻 ( 6 ) 頁： 06FF02   2012年6月

Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering 査読有り

A. Ohta, Y, Goto, S. Nishigaki, G. Wei, H. Murakami, S. Higahi, and S. Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E95-C 巻 ( 5 ) 頁： 879-884   2012年5月

Layer Transfer and Simultaneous Activation of Phosphorous Atoms in Silicon Films by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation 査読有り

Y. Kobayashi, K. Sakaike, S. Nakamura, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Higashi

Material Research Society Proceedings   1426 巻   頁： 2012(6 pages)   2012年5月

Evaluation of Chemical Structure and Resistance Switching Characteristics of Undoped Titanium Oxide and Titanium - Yttrium mixed Oxide 査読有り

A. Ohta, Y. Goto, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 10 ) 頁： 10PH02   2011年10月

XPS Study of Interfacial Reactions between Metal and Ultrathin Ge Oxide 査読有り

A. Ohta, T. Fujioka, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 10 ) 頁： 10PE01   2011年10月

Impact of Insertion of Ultrathin TaOx Layer at the Pt/TiO2 Interface on Resistive Switching Characteristics 査読有り

G. Wei, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, Y. Goto, S. Higashi, and S. Miyazaki

Microelectronic Engineering   88 巻 ( 7 ) 頁： 1152–1154   2011年7月

Characterization of Chemical Bonding Features at Metal/GeO2 Interfaces by X-ray Photoelectron Spectroscopy 査読有り

M. Matsui, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, S. Higashi, and S. Miyazaki

Microelectronic Engineering   88 巻 ( 7 ) 頁： 1549–1552   2011年7月

Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities 査読有り

A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E94-C 巻 ( 5 ) 頁： 717-723   2011年6月

The Impact of Y Addition into TiO2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics 査読有り

Japanese Journal of Applied Physics

A. Ohta, Y. Goto, M. F. Kazalman, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki   50 巻 ( 6 ) 頁： 06GG01   2011年6月

High Density Formation of Ge Quantum Dots on SiO2 査読有り

K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Takeuchi, Y. Shimura, S. Zaima, and S. Miyazaki

Solid State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 65-69   2011年6月

Impact of Annealing Ambience on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure 査読有り

G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki,

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   94-C 巻 ( 5 ) 頁： 699-704   2011年5月

Native Oxidation Growth on Ge (111) and (100) Surfaces 査読有り

S. K. Sahari, H. Murakami, T. Fujioka, T. Bando, A. Ohta, K. Makihara, S. Higashi, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 4 ) 頁： 04DA12   2011年4月

Activation of As Atoms in Ultrashallow Junction during Milli- and Microsecond Annealing Induced by Thermal-Plasma-Jet Irradiation 査読有り

K. Matsumoto, A. Ohta, S. Miyazaki, and S. Higashi

Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 4 ) 頁： 04DA07   2011年4月

Electron and hole components of tunneling currents through an interfacial oxide-high-k gate stack in metal-oxide-semiconductor capacitors 査読有り

F. A. Noor, M. Abdullah, Sukirno, Khairurrijal, A. Ohta, and S. Miyazaki

Journal of Applied Physics   108 巻 ( 9 ) 頁： 093711   2010年11月

Characterization of Interfaces between Chemically Cleaned or Thermally Oxidized Germanium and Metals 査読有り

H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, T. Bando, S. Higashi, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   33 巻 ( 3 ) 頁： 253-262   2010年10月

Self-Align Formation of Si Quantum Dots 査読有り

K. Makihara, M. Ikeda, H. Deki, A. Ohta, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   33 巻 ( 6 ) 頁： 661-667   2010年10月

Contribution of Carbon to Growth of Boron-Containing Cluster in Heavily Boron-Doped Silicon 査読有り

H. Itokawa, A. Ohta, M. Ikeda, I. Mizushima, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   49 巻 ( 8 ) 頁： 081301   2010年8月

Characterization of Interfacial Reaction and Chemical Bonding Features of LaOx/HfO2 Stack Structure Formed on Thermally-grown SiO2/Si(100) 査読有り

A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Microelectronic Engineering   86 巻 ( 7-9 ) 頁： 1650-1653   2009年7月

Electronic Charged States of Pt-silicide Nanodots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique 査読有り

K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, A. Ohta, S. Higashi, and S. Miyazaki

Transactions of Materials Research Society of Japan   34 巻 ( 2 ) 頁： 309-312   2009年6月

Surface Potential Changes Induced by Physisorption of Si-tagged Protein A on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 Surface 査読有り

S. Mahboob, K. Makihara, A. Ohta, S. Higashi, Y. Hata, A. Kuroda, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   19 巻 ( 22 ) 頁： 35-43   2009年5月

Photoemission study of fully silicided Pd2Si gates with interface modification induced by dopants 査読有り

T. Hosoi, A. Ohta, S. Miyazaki, H. Shiraishi, and K. Shibahara

Applied Physics Letters   94 巻 ( 19 ) 頁： 192102   2009年1月

Interface Properties and Effective Work Function of Sb-Predoped Fully Silicided NiSi Gate 査読有り

T. Hosoi, K. Sano, A. Ohta, K. Makihara, H. Kaku, S. Miyazaki, and K. Shibahara

Surface and Interface Analysis   40 巻 ( 6-7 ) 頁： 1126-1130   2008年6月

Photoemission Study of Metal/HfSiON Gate Stack 査読有り

S. Miyazaki, H. Yoshinaga, A. Ohta, Y. Akasaka, K. Shiraishi, K. Yamada, S. Inumiya, M. Kadoshima, and Y. Nara

Electrochemical Society Transaction   13 巻 ( 2 ) 頁： 67-73   2008年3月

Theory of Metal/Dielectric Interfaces -Breakdown of Schottky Barrier Limits- 査読有り

K. Shiraishi, T. Nakayama, T. Nakaoka, A. Ohta, and S. Miyazaki

Electrochemical Society Transaction   13 巻 ( 2 ) 頁： 21-27   2008年3月

Performance Improvement of HfAlOxN n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by Controlling the Bonding Configuration of Nitrogen Atoms Coordinated to Hf Atoms 査読有り

K. Iwamoto, T. Nishimura, A. Ohta, K. Tominaga, T. Nabatame, S. Miyazaki, and A. Toriumi

Japanese Journal of Applied Physics   46 巻 ( 12 ) 頁： 7666-7670   2007年12月

Characterization of chemical bonding features and defect state density in HfSiOxNy/SiO2 gate stack 査読有り

A. Ohta, Y. Munetaka, A. Tsugou, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, and Y. Nara

Microelectronic Engineering   84 巻 ( 9-10 ) 頁： 169-180   2007年10月

Theoretical Studies on Fermi Level Pining of Hf-Based High-k Gate Stacks Based on Thermodynamics 査読有り

K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, M. Kadoshima, A. Ohta, S. Miyazaki, H. Watanabe, K. Ohmori, T. Chikyow, K. Yamabe,Y. Nara, Y. Ohji, and K. Yamada

Electrochemical Society Transaction   11 巻 ( 4 ) 頁： 125-133   2007年10月

Improvement in Fermi-Level Pinning of p-MOS Metal Gate Electodes on HfSiON by Employing Ru Gate Electrodes 査読有り

M. Kadoshima, Y. Suginta, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, and Y. Ohji

Electrochemical Society Transaction   11 巻 ( 4 ) 頁： 169-180   2007年10月

Theoretical Studies on Metal/High-k Gate Stacks 査読有り

K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, A. Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, and K. Yamabe

Electrochemical Society Transaction   6 巻 ( 1 ) 頁： 191-204   2007年3月

Physics of Metal/High-k Interfaces 査読有り

T. Nakayama, K. Shiraishi, S. Miyazaki, Y. Akasaka, K. Torii, P. Ahmet, K. Ohmori, N. Umezawa, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, A. Ohta, H. Iwai, K. Yamada, and T. Nakaoka

Electrochemical Society Transaction   3 巻 ( 3 ) 頁： 129-140   2006年10月

Depth Profiling of Chemical and Electronic Structures and Defects of Ultrathin HfSiON on Si(100) 査読有り

S. Miyazaki, A. Ohta, S. Inumiya, Y. Nara, and K. Yamada

Electrochemical Society Transaction   3 巻 ( 3 ) 頁： 171-180   2006年10月

Impact of Nitrogen Incorporation into Yittrium Oxide on Chemical Bonding Features and Electrical Properties 査読有り

H. Abe, H. Nakagawa, M. Taira, A. Ohta, S. Higashi, and S. Miyazaki

Transactions of the Materials Research Society of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 157-160   2006年3月

Photoemission Study of Ultrathin HfSiON/Si(100) Systems 査読有り

A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, and Y. Nara

Transactions of the Materials Research Society of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 125-128   2006年3月

Characterization of FUSI-PtSi Formed on Ultrathin HfO2/Si(100) by Photoelectron Spectroscopy 査読有り

Y. Munetaka, F. Takeno, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Transactions of the Materials Research Society of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 145-148   2006年3月

Influence of thermal annealing on defect states and chemical structures in ultrathin Al2O3/SiN/poly-Si 査読有り

M. Taira, A. Ohta, H. Nakagawa, S. Miyazaki, K. Yoneda, M. Horikawa, and K. Koyama

Transactions of the Materials Research Society of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 149-152   2006年3月

Nitridation of Ge(100) Surfaces by Vacuum-ultra violet (VUV) Irradiation in NH3 Ambience 査読有り

H. Nakagawa, A. Ohta, M. Taira, H. Abe, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Transactions of the Materials Research Society of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 153-156   2006年3月

Photoemission Study of Ultrathin GeO2/Ge Heterostructures Formed by UV-O3 Oxidation 査読有り

A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   4 巻   頁： 174-179   2006年2月

Impact of Rapid Thermal Anneal on ALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100) Stack Structures -Photoelectron Spectroscopy 査読有り

F. Takeno, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Komeda, M. Horikawa, and K. Koyama

Transactions of the Materials Research Society of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 213-217   2005年3月

Analysis of Leakage Current through Al/HfAlOx/SiONx/Si(100) MOS Capacitors 査読有り

S. Nagamachi, A. Ohta, F. Takeno, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Kawahara, and K. Torii

Transactions of the Materials Research Society of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 197-200   2005年3月

Characterization of Interfacial Oxide Layers in Heterostructures of Hafnium Oxides Formed on NH3-nitrided Si(100) 査読有り

H. Nakagawa, A. Ohta, F. Takeno, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   43 巻 ( 11B ) 頁： 7890-7894   2004年11月

Impact of Rapid Thermal O2 Anneal on Dielectric Stack Structures of Hafnium Aluminate and Silicon Dioxide Formed on Si(100) 査読有り

A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, T. Kawahara, K. Torii, and S. Miyzaki

Japanese Journal of Applied Physics   43 巻 ( 11B ) 頁： 7831-7836   2004年11月

Photoelectron spectroscopy of ultrathin yttrium oxide films on Si(100) 査読有り

A. Ohta, M. Yamaoka, and S. Miyazaki

Microelectronic Engineering   72 巻 ( 1-4 ) 頁： 154-159   2004年4月

Evaluation of Chemical Structure and Si Segregation of Al/Si(111) 国際会議

. Sakai, A. Ohta, K. Matsushita, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)  2022年9月 

Characterization of Magnesium Channeled Implantation Layers in GaN(0001) 国際会議

A. Suyama, H. Kawanowa, H. Minagawa, J. Maekawa, S. Nagamachi, M. Aoki, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)  2022年9月 

Formation of Ultra-thin NiGe film with Mono-crystalline Phase and Smooth Surface 国際会議

S. Nishimura, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)  2022年9月 

Feシリサイドドットの室温PL特性―ドットサイズ依存性

斎藤 陽斗、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

SiGeナノドット/Si多重集積構造からの電界電子放出

邱 実、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

FePtナノ構造の帯磁特性評価

武 嘉麟、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮崎 誠一

2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

単一結晶相を有する Ni-Germanide 極薄膜の電気特性および電子状態

西村 駿介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

ニッケルシリサイド超薄膜形成におけるSiキャップ層の効果

木村 圭佑、田岡 紀之、西村 駿介、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

偏析法により合成したGeナノシートにおける光電変換の偏光依存性

西嶋 泰樹、松下 圭吾、重松 英、大島 諒、大田 晃生、安藤 裕一郎、白石 誠司

2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge結晶層の転写

松下 圭吾、大田 晃生、柴山 茂久、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一

2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

絶縁膜/GaN 界面の化学・電子状態評価－光電子分光分析からの知見 招待有り

宮﨑 誠一、大田 晃生

2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

高温短時間熱処理による極薄SiO2上に形成したa-Si膜の結晶化

今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

偏析法によるAg(100)薄膜表面上のGe超薄膜の創製 国際共著

大野 誠貴、大田 晃生、宮﨑 誠一、高倉 将一、仲武 昌史、Guy Le Lay、柚原 淳司

一般社団法人 日本物理学会 2022年秋季大会 物性  2022年9月12日 

Surface Modification and Wafer Bonding of Ultrathin Ge Segregated Layer formed on Al/Ge(111) 国際会議

K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-9)  2022年9月 

Investigation of electric and spin properties in germanium-based post graphene materials 国際会議

T. Nishijima S. Kawa, Y. Ando, A. Ohta, J. Yuhara, M. Kurosawa, E. Shigematsu, R. Ohshima, and M. Shiraishi

The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022)  2022年9月 

Dot Size Dependence of Electron Emission from Si-QDs Multiple-Stacked Structure 国際会議

S. Obayashi, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-9)  2022年9月 

Alignment Control of Self-Assembling Si Quantum Dots 国際会議

Y. Imai, R. Tsuji, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-9)  2022年9月 

Formation of Ultra-thin Nickel Silicide Layer on SiO2 and Control of Crystalline Phase and Surface Roughness 国際会議

K. Kimura, S. Nishimura, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-9)  2022年9月 

Study on Photoluminescence Properties of Fe-silicide-NDs 国際会議

H. Saito, K. Makihara, Y. Hara, S. Fujimori, Y. Imai, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki

The 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 2022 (APAC-Silicide 2022)  2022年7月 

Two-Dimensional Ge Crystal Growth by Ge Surface Segregation of Metal/Ge Stack 招待有り 国際会議

A. Ohta and S. Miyazaki

2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2022)  2022年7月7日 

Evaluation of Chemical and Electronic States of Mg-doped GaN(0001) Surfaces 国際会議

X. Tian, W. Liu, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki

2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2022)  2022年7月8日 

金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響

安田 航、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会  2022年6月21日 

Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御

酒井 大希、松下 圭吾、大田 晃生、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会  2022年6月21日 

SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御

木村 圭佑、西村 駿介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会  2022年6月21日 

Si量子ドットの一次元配列制御

辻 綾哉、今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮崎 誠一

2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

SiO2上に形成したNiGe超薄膜の表面形態と結晶相制御

西村 駿介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月25日 

HCl前洗浄したAl2O3/GaN界面の高温電気的特性

長井 大誠、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日 

Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出―ドットサイズ依存性

尾林 秀治、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日 

Feシリサイドドットの発光特性評価

古幡 裕志、斎藤 陽斗、牧原 克典、大田 晃生、田岡 紀之、宮﨑 誠一

2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日 

Al/Si(111)上に表面偏析したSiの光電子分光分析

酒井 大希、松下 圭吾、大田 晃生、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一

2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月26日 

SiO2上へのニッケルシリサイド超薄膜の形成と化学結合状態分析

木村 圭佑、西村 駿介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月26日 

Suppression of Ga Diffusion by Interfacial Barrier Layer in AlSiO/p-GaN 国際会議

X. Tian, W. Liu, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, T. Narita, K. Ito, K. Kataoka, S. Iwasaki, D. Kikuta, K. Tomita, and S. Miyazaki

14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022)/15th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2022) 

Effects of Cl Passivation on Al2O3/GaN Interface Properties 国際会議

T. Nagai, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022)/15th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2022) 

Photoemission Study of Mg Doped GaN(0001) Surfaces 国際会議

W. Liu, X. Tian, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki

14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022)/15th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2022) 

基板加熱によるAl/Ge(111)の結晶性・平坦性の制御と熱処理によるGe 表面偏析

松下 圭吾、大田 晃生、林 将平、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第27回）  2022年1月28日 

HCl による表面洗浄がAl2O3/GaN 界面特性および電気的特性に与える影響

長井 大誠、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第27回）  2022年1月28日 

AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷分布計測

今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

第21回 日本表面真空学会中部支部学術講演会  2021年12月18日 

FeナノドットへのSiH4照射による Feシリサイドナノドットの高密度・一括形成と室温PL特性評価

斎藤 陽斗、古幡 裕志、牧原 克典、大田 晃生、田岡 紀之、宮﨑 誠一

第21回 日本表面真空学会中部支部学術講演会  2021年12月18日 

High Density Formation of Fe-based Silicide Nanodots Induced by Remote H2 Plasma 国際会議

Z. He, J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta, S. Miyazaki

42nd International Symposium on Dry Process (DPS2021) 

Impact of Substrate Heating on Surface Flattening and Ge Segregation of Al/Ge(111) 国際会議

K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, S. Hayashi, K. Makihara, and S. Miyazaki

2021 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices – Science and Technology – (IWDTF 2021) 

Roles for Si, Oxygen atoms and Oxygen Vacancy in Crystalline Phase Stabilization of HfZr-oxide Layer 国際会議

N. Taoka, R. Hasegawa, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

2021 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices – Science and Technology – (IWDTF 2021) 

Study on Silicidation Reaction of Fe-NDs with SiH4 国際会議

H. Furuhata, K. Makihara, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki

34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021) 

Characterization of Electronic Charged States of High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots Evaluated with AFM/Kelvin Probe Technique 国際会議

Y. Imai, K. Makihara, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki

34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021) 

Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots 国際共著

J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta, S. Miyazaki

2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

High Density Formation of Fe-based Silicide Nanodots Induced by Remote H2 Plasma 国際共著

Z. He, J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta, S. Miyazaki

2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

基板加熱がAl/Ge(111)構造の表面平坦化とGe偏析に及ぼす影響

松下 圭吾、大田 晃生、田岡 紀之、林 将平、牧原 克典、宮﨑 誠一

2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷計測

今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

高密度FeナノドットへのSiH4照射によるシリサイド化反応制御

古幡 裕志、牧原 克典、大田 晃生、田岡 紀之、宮﨑 誠一

2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

後酸化によって形成したHf酸化物の結晶構造に基板面方位が与える影響

安田 航、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会,  2021年9月 

Si量子ドット多重集積構造へのP添加による内部ポテンシャル変調と電子放出特性評価

尾林 秀治、牧原 克典、竹本 竜也、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

透過型粉末X線回折による多層ゲルマナンの結晶構造評価

伊藤 麻維、洗平 昌晃、大田 晃生、中塚 理、黒澤 昌志

2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

Hydrogen desorption from multilayer germanane flakes under an ultrahigh vacuum environment 国際会議

M. Itoh, M. Araidai, A. Ohta, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)  2021年9月 

Study on Electron Emission from Phosphorus delta-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures 国際会議

K. Makihara, T. Takemoto, S. Obayashi, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)  2021年9月 

熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御

大田 晃生、松下 圭吾、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会  2021年6月22日 

低温水素アニール処理がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響

前原 拓哉、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一

2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

ゲルマネンの超高真空ラマン分光

水野 将吾、大田 晃生、鈴木 利明、柚原 淳司、日比野 浩樹

2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

リモート水素プラズマ支援FePt合金ナノドット自己組織化形成プロセスにおける基板温度が磁化特性に与える影響

本田 俊輔、古幡 裕志、大田 晃生、池田 弥央、大島 大輝、加藤 剛志、牧原 克典、宮﨑 誠一

2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

HCl前洗浄がAl2O3/GaN界面特性に与える影響

長井 大誠、田岡 紀之、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

Control of Ultrathin Segregated Ge Layer Thickness on Al/Ge(111) Structure 国際会議

A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki,

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2021)  2021年3月 

Magnetoelectronic Transport Characteristics of Fe3Si Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際共著 国際会議

W. Jialin, H. Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2021)  2021年3月 

High-Density Formation of FeSi2 Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

H. Zhixue, H. Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, N. Taoka, K. Makihara and S. Miyazaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2021)  2021年3月 

Characterization of Electron Field Emission from Phosphorus δ-Doped SiQDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures 国際会議

T. Takemoto, T. Niibayashi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2021)  2021年3月 

Influence of Substrate Temperature on Plasma-Enhanced Self-Assembling Formation of High Density FePt-Nanodot 国際会議

S. Honda, K. Makihara, H. Furuhata, A. Ohta, M. Ikeda, T. Kato, D. Oshima and S. Miyazak

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2021)  2021年3月 

Ag/Ge 構造の表面偏析制御と平坦化による極薄Ge 結晶形成

大田 晃生、山田 憲蔵、須川 響、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第26回）  2021年1月 

金属Hf/Zr の熱酸化プロセスが結晶相と強誘電特性に与える影響

長谷川 遼介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）  2021年1月 

Sapphire(0001)上アモルファスGe 薄膜の固相結晶化

須川 響、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）  2021年1月 

Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode 国際会議

T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)  2020年10月 

Growth of Ultrathin Ge Crystal Layer by Surface Segregation and Flattening of Ag/Ge Structure 国際会議

A. Ohta, K. Yamada, H. Sugawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)  2020年9月 

偏析法によるAl(111)薄膜表面上のゲルマネンの創製 国際共著

武藤 寛明、柚原 淳司、小林 征登、大田 晃生、宮崎 誠一、Guy Le Lay

2020年 日本物理学会 秋季大会  2020年9月 

多層ゲルマナンフレークからの水素脱離

伊藤 麻維、洗平 昌晃、大田 晃生、中塚 理、黒澤 昌志

2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

グラフェン上部電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出 ―コレクタ電極電圧依存性評価

新林 智文、竹本 竜也、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

金属Zr/Hf構造の熱酸化によるZrHf酸化物の形成と結晶相制御

長谷川 遼介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing 国際会議

1. H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)  2020年9月 

Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots By Using a Magnetic AFM Probe 国際共著 国際会議

2. J. Wu, H. Zhang , H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)  2020年9月 

磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価

武 嘉麟、張 海、古幡 裕志、牧原 克典、池田 弥央、大田 晃生、宮崎 誠一

2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 

Al/Ge(111)の表面偏析制御による極薄Ge結晶形成

小林 征登、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 

Evaluation of Valence Band Top of Si Surface by Vacuum Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy with Variable Incident Photon Energy 国際会議

A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2020)/13th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2020) 

Study on Electron Field Emission from Si-Quantum-Dots with Ge-Core/Si-Quantum-Dots Hybrid Stacked Structures 国際会議

T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2020)/13th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2020) 

グラフェン電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出

新林 智文、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 

Sapphire(0001)上にスパッタ形成したGe薄膜の結晶化

須川 響、大田 晃生、小林 征登、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 

XPSによるSi系材料の複素誘電関数・光学定数の評価

大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第25回） 

Al/Ge(111)構造で生じる表面偏析を利用した極薄Ge結晶形成

小林 征登、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

第19回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

Fe3Siナノドットの高密度形成と磁化特性評価

古幡 裕志、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、香野 淳、宮崎 誠一

第19回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

高密度B添加GeコアSi量子ドットの室温PL特性

前原 拓哉、藤森 俊太郎、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一

第19回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

Formation of High Density PtAl Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Exposure 国際会議

K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

41st International Symposium on Dry Process 

Photoemission Study of Chemically-Cleaned GaN Surfaces and GaN-SiO2 Interfaces Formed by Remote Plasma CVD 招待有り 国際会議

S. Miyazaki and A. Ohta

Material Research Meeting 2019 

High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Magnetic Fe-silicide Nanodots 国際会議

H. Zhang, X. Liu, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

Characterization of Photoluminescence from Si-QDs with B δ-Doped Ge Core 国際会議

T. Maehara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

Complex Dielectric Function of Si Oxide as Evaluated from Photoemission Measurements 国際会議

A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

2019 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices 

Operand Study of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 

Formation of High Density Fe-silicide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of Their Magnetic Properties 国際会議

J. Wu, H. Furuhata, H. Zhang, Y. Hashimoto, M. Ikeda, A. Ohta, A. Kohno, K. Makihara, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

Determination of Complex Dielectric Function of Oxide Film from Photoemission Measurements 国際会議

A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 

Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 国際会議

S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 

Photoemission Based Characterization pf Gate Dielectrics and Stack Interfaces 招待有り 国際会議

S. Miyazaki and A. Ohta

236th The Electrochemical Scociety Meeting 

Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing 国際会議

M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

32th International Microprocesses and Nanotechnology Conference 

Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 国際会議

K. Makihara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

32th International Microprocesses and Nanotechnology Conference 

リモート水素プラズマ支援による磁性合金FeSiナノドットの高密度・一括形成 国際会議

橋本 靖司、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、香野 淳、宮崎 誠一

2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 

光電子エネルギー損失信号によるSi系材料の複素誘電関数評価

大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 

B添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響 国際会議

前原 拓哉、藤森 俊太郎、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一

2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 

First-Principles Study on Formation of Freestanding Silicene and Germanene 国際会議

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

2019 International Conference of Solid State of Device and Materials 

Impact of Post Deposition Annealing on Chemical Bonding Features and Filled Electronic Defects of AlSiO/GaN(0001) Structure 国際会議

A. Ohta, D. Kikuta, T. Narita, K. Itoh, K. Makihara, T. Kachi, S. Miyazaki

2019 International Conference of Solid State of Device and Materials 

Growth of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 国際会議

M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

2019 International Conference of Solid State of Device and Materials 

Characterization of Ni/GaN(0001) Interfaces by Photoemission Measurements 国際会議

K. Watanabe, A. Ohta, N. Taoka, H. Yamada, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S.Miyazaki

2019 International Conference of Solid State of Device and Materials 

Characterization of Electron Field Emission from Si Quantum Dots with Ge Core/Si Quantum Dots Hybrid Stacked Structures 国際会議

T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

2019 International Conference of Solid State of Device and Materials 

Germanene epitaxial growth by a segregation method on Ag(111) thin films 国際会議

J. Yuhara, H. Shimazu, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, M. Nakatake, G. Le Lay

From the Nano World to Star Dust International Conference 

Formation of high density Fe-silicide nanodots induced by remote H2 plasma and their magnetic properties 国際会議

Y. Hashimoto, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, A. Kohno, S. Miyazaki

The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 2019 

Characterization of Electron Field Emission of Multiply-Stacked Si-QDs/SiO2 Structures 国際会議

T. Takemoto, Y. Futamura, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki

2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 

熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成

小林 征登、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析

大田 晃生、牧原 克典、生田目 俊秀、塩﨑 宏司、宮﨑 誠一

シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

Effect of B-doping on Photoluminescence Properties of Si-QDs with Ge Core 国際会議

S. Fujimori, R. Nagai, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference; 10th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/ 12th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) 

Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Electroluminescent Devices 招待有り 国際会議

K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

Compound Semiconductor Week (CSW) 2019 

Photoemission Characterization of Interface Dipoles and Electronic Defect States for Gate Dielectrics 招待有り 国際会議

Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors VII (ULSIC vs. TFT 7) 

Study of GaN(0001) Surface Cleaning Using HCl-based Solutions 国際会議

Y. Xu, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, N. Taoka, T. Narita, D. Kikuta, K. Shiozaki, T. Kachi, and S. Miyazaki

11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2019)/12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2019) 

Si量子ドット多重連結構造からの電界電子放出特性 -積層数依存性

竹本 竜也、二村 湧斗、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

B添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響

永井 僚、藤森 俊太郎、前原 拓哉、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一

2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重連結構造からの電界電子放 出特性および電子放出エネルギー評価

二村 湧斗、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

Hf/(Si+Hf)組成の異なるHfSiOx/GaN(0001)の光電子分光分析

大田 晃生、牧原 克典、生田目 俊秀、塩﨑 宏司、宮﨑 誠一

2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

GaN 洗浄表面および絶縁膜 /GaNGaN 界面の化学結合・欠陥準位密度評価 招待有り

大田 晃生、宮﨑 誠一

NPFセミナー　省エネルギー社会に貢献するGaN材料の将来とそのキープロセス技術 

Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 国際会議

R. Nagai, S. Fujimori, T. Maehara, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki

11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2019)/ 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2019) 

Electron Field Emission from Multiply-Stacked Structures consisting of Ge-Core Si Quantum Dots and Si Quantum Dots 国際会議

Y. Futamura, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki

11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2019)/ 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2019) 

Study on HCl-based Wet Chemical Cleaning of Epitaxial GaN(0001) Surfaces

Y. Xu, A. Ohta, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, T. Narita, D. Kikuta, K. Shiozaki, T. Kachi, and S. Miyazaki

ヘテロエピタキシャルAl/Ge(111)上に偏析した極薄Geの化学分析

小林 征登、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

リモートO2プラズマ支援MOCVDによるHf酸化物ナノドットの高密度一括形成

長谷川 遼介、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

GaN 洗浄表面および絶縁膜 /GaNGaN 界面の化学結合・欠陥準位密度評価 招待有り

大田 晃生

NPFセミナー　省エネルギー社会に貢献するGaN材料の将来とそのキープロセス技術 

光電子分光法による絶縁酸化膜の誘電関数・光学定数の決定

大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第24回） 

熱酸化SiO2/Si(111)の真空紫外光によるUPS分析

今川 拓哉、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第24回） 

Photoemission Study of Gate Dielectrics - Quantitative Characterizations of Dielectric Functions, Interface Dipoles and Electronic Defect States 招待有り 国際会議

S. Miyazaki and A. Ohta

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出

二村 湧斗、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

第17回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

偏析法によりAg(111)表面上に創製されたゲルマネンの構造評価

志満津 宏樹、柚原 淳司、仲武 昌史、伊藤 公一、大田 晃生、洗平 昌晃、黒澤 昌志

第17回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

Ge 2D Crystal Growth on Hetero-epitaxial Ag/Ge(111) by N2 Annealing 国際会議

A. Ohta K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 

Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacked Ge Core Si-QDs 国際会議

Y. Futamura, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Formation and Magnetic Characterization of High Density FePt Nanodots Induced by Remote H2 Plasma 国際会議

Y. Hashimoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Impact of Remote Plasma Oxidation of GaN Surface on Photoluminescence Properties 国際会議

N. Takada, N. Taoka, T. Yamamoto, A. Ohta, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

40th International Symposium on Dry Process (DPS) 

GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造からの弾道電子放出

二村 湧斗、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2018 

エピタキシャルAl/Ge(111)の形成と真空中熱処理による表面平坦化およびGe析出

小林 征登、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2018 

リモート水素プラズマ支援によって高密度形成されたFePt合金ナノドットの磁化特性評価

橋本 靖司、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2018 

P添加GeコアSis量子ドットの帯電および局所電気特性評価

永井 僚、藤森 俊太郎、池田 弥央、牧原 克典、大田 晃生、宮崎 誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2018 

High Density Formation of FePt Nanodots and Their Magnetic Properties 国際会議

Y. Hashimoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

40th International Symposium on Dry Process (DPS) 

Photoluminescence from Insulator/GaN Structures Formed with Remote Plasma 国際会議

N. Takada, N. Taoka, A. Ohta, T. Yamamoto, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

Two Dimensional Ge Crystal Growth by Annealing of Metal/Ge Stack 招待有り

High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots 国際会議

H. Zhang, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

AiMES 2018 Meeting, ECS and SMEQ Joint International Meeting 

Vacuum Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy Study of GaN(0001) Surfaces 国際会議

T. Imagawa, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, T. Narita, K. Itoh, D. Kikuta, T. Kachi, K. Shiozaki, and S. Miyazaki

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

First-Principles Study on Hydrogen Adsorption and Desorption of Silicene and Germanene 国際会議

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

Impact of Surface Pre-Treatment on Metal Migration Induced by Remote H2-Plasma Treatment 国際会議

K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

Wet-chemical Cleaning of Epitaxial GaN(0001) Surfaces 国際会議

L. Peng, A. Ohta, N.X. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, N. Taoka, T. Narita, K. Itoh, D. Kikuta, K. Shiozaki, T. Kachi, S. Miyazaki

2018 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM) 

リモートプラズマによる表面洗浄とSiO2/GaN構造のin-situ形成

田岡 紀之、グェンスァン チュン、山本 泰史、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、清水 三聡

2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

リモートプラズマを用いて形成したSiO2/Ga2O3/GaN構造のPL特性

高田 昇治、田岡 紀之、大田 晃生、山本 泰史、グェンスァン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価

橋本 靖司、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出

二村 湧斗、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

真空蒸着によるGe(111)上のAlヘテロエピタキシャル成長

小林 征登、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

光電子エネルギー損失信号による絶縁酸化膜の誘電関数評価

大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造

志満津 宏樹、柚原 淳司、仲武 昌史、伊藤 公一、大田 晃生、洗平 昌晃、黒澤 昌志

物理学会 2018年秋季大会 

Characterization of Electron Charging and Local Electron Transport Properties of Si-QDs with Phosphorus Doped Ge Core 国際会議

R. Nagai, S. Fujimori, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki

Japan Student Chapter Meeting 2018 in Osaka (JSCM2018) 

Photoemission Study of Gate Dielectrics and Stack Interfaces 招待有り 国際会議

S. Miyazaki, and A. Ohta

2018 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM) 

Modulation of GaN MOS Interface Properties with Excess Ozone Exposure During Atomic Layer Deposition 国際会議

N. Taoka, T. Kobyashi, M. Nakamura, T. Sagawa, N. X. Truyen, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, S. Miyazaki, S. Motoyama, M. Shimizu

2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2018) 

Characterization of Electron Field Emission from Multiple-stacked Si Quantum Dots with Ge core 国際会議

Y. Futamura, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2018) 

Local structure of high performance TiOx passivating layer revealed by electron energy loss spectroscopy 国際会議

T. Mochizuki, K. Gotoh, A. Ohta, Y. Kurokawa, S. Miyazaki, T. Yamamoto, N. Usami

World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7) 

リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価

松田 亮平、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較

グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価

藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

化学溶液洗浄したGaN 表面および絶縁膜/GaN 界面の化学構造・欠陥準位密度評価 招待有り

大田 晃生、宮﨑 誠一

応用物理学会・先進パワー半導体分科会第4回個別討論会 

Electroluminescence from Multiply Stacked Si Quantum Dots with Ge Core by Alternate Carrier Injection 国際会議

K. Makihara, M. Ikda, A. Ohta, and S. Miyazaki

1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference : 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) / 11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) 

Characterization of Electron Charging and Transport Properties of Si-QDs with Phosphorus Doped Ge Core 国際会議

R. Nagai, K. Yamada, S. Fujimori, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki

1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference : 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) / 11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) 

Formation Mechanism of SiO2/GaN Interface without Significant Ga -oxidation 国際会議

N. Taoka, N. X. Truyen, T. Yamamoto, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, M. Shimizu

1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference : 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) / 11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) 

Carrier Conduction in SiO2/GaN Structure with Abrupt Interface 国際会議

N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

The 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (2018 VLSI-TSA) 

Operand Study of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

Y. Nakashima, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

10th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2018) / 11th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2018) 

Control of Surface Segregated Ultrathin Ge Layer Formation on Ag Surface 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

10th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2018) / 11th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2018) 

電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造からのエレクトロルミネッセンス

牧原 克典、池田 弥央、藤村 信幸、大田 晃生、宮﨑 誠一

2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

熱処理によるエピタキシャルAg/Ge(111)構造の表面平坦化とGe析出量制御

伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

GaN(0001)面上へのHe希釈リモート酸素プラズマ支援によるSiO2 CVD -Ar希釈リモート酸素プラズマ支援との違い

グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

リモートプラズマによって酸化されたn-GaNのPL特性

高田 昇治、山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

XPSによるY2O3/SiO2界面の化学結合状態および内部電位評価

藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

光電子収率分光法による熱酸化SiO2/Si構造の電子状態計測

大田 晃生、今川 拓哉、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

SiO2/Si構造の真空紫外光電子分光分析

今川 拓哉、大田 晃生、田岡 紀之、藤村 信幸、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

P添加GeコアSi量子ドットの帯電および電子輸送特性評価

永井 僚、山田 健太郎、藤森 俊太郎、池田 弥央、牧原 克典、大田 晃生、宮崎 誠一

2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

Insulator/GaN Interface Control for Intelligent Power Integrated Circuit 国際会議

N. Taoka, T. Kobayashi, M. Nakamura, T. Sagawa, N. X. Truyen, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, S. Miyazaki, S. Motoyama, and M. Shimizu

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Evaluation of Potential Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structure by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

Y. Futamura, Y. Nakashima, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Electroluminescence from Si-QDs with Ge Core 国際会議

R. Nagai, K. Yamada, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

XPS Study on High-k/SiO2 Interface -Correlation between Electrical Dipole and Oxygen Density- 国際会議

N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Insights into Growth of Two-Dimensional Ge Crystal on Epitaxial Ag/Ge(111) by Thermal Annealing 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

ALD-Al2O3/GaN界面における伝導帯端近傍の界面準位密度の低減

田岡 紀之、小林 貴之、中村 昌幸、佐川 達郎、グェン スァンチュン、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、久保 俊晴、山田 寿一、江川 孝志、宮崎 誠一、本山 愼一、清水 三聡

電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (第23回) 

二次元結晶合成に向けたAg上Ge極薄膜の形成

伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (第23回) 

XPSによる極薄high-k／SiO2ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価

藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (第23回) 

プラズマ酸化で形成したGa酸化物薄膜/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的界面特性

山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェン スァンチュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (第23回) 

Relationships between Al2O3/GaN Interface Properties near Conduction Band Edge and Post-Deposition Annealing Temperatures 国際会議

N. Taoka, T. Kobayashi, M. Nakamura, T. Sagawa, N. X. Truyen, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, S. Miyazaki, S. Motoyama, and M. Shimizu

48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 

リモートO2プラズマ支援CVDによるSiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価

グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

第17回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

高密度GeコアSi量子ドットの室温EL特性評価

山田 健太郎、池田 弥央、牧原 克典、大田 晃生、宮崎 誠一

第17回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

高誘電率絶縁膜/SiO2界面のダイポール形成と化学構造の関係

藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

第17回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

Evaluation of Filled Electronic States of Epitaxial GaN(0001) Surface by Total Photoelectron Yield Spectroscopy 国際会議

A. Ohta, N. Truyen, N. Fujimura, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

2017 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2017) 

Ultrathin Ge Growth on Flat Ag Surface in Hetero-Epitaxial Ag/Ge Structure by Annealing 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC) 

Evaluation of Resistive Switching Properties of Si-rich Oxide Embedded with Ti Nanodots by Applying Constant Voltage and Constant Current 国際会議

A. Ohta, Y. Kato, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC) 

Oxidation of GaN surface by remote oxygen plasma 国際会議

T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, N. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

39th International Symposium on Dry Process (DPS) 

Energy Band Structure of Ga-oxide/GaN Interface Formed by Remote O2 Plasma 国際会議

T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, X. Nguyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, O. Nakatsuka, M. Shimizu, S. Miyazaki

2017 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2017) 

Electrical Properties of SiO2/GaN Interfaces Formed by Remote Oxygen Plasma Mixed with He or Ar 国際会議

T. Nguyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, S. Miyazaki

2017 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2017) 

XPS Study on Evaluation of Electrical Dipole and Atomic Density Ratio at Ultrathin High-k Dielectrics/SiO2 Interface 国際会議

N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

2017 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2017) 

リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価

グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

電子情報通信学会 電子デバイス研究会(ED)窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 

リモート酸素プラズマによって酸化した GaN の表面構造

山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

先進パワー半導体分科会 代4回講演会 

Ultrathin Ge Growth on Ag Surface by Annealing of Hetero-Epitaxial Ag/Ge(111) 国際会議

A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

The 8th International Symposium on Surface Science -Toward Clean & Green Innovation Driven by Surface Science- (ISSS8) 

Characterization of Interfacial Dipoles at Dielectric Stacks By XPS Analysis 国際会議

S. Miyazaki, A. Ohta, and N. Fujimura

232nd The Electrochemical Scociety (ECS) Meeting 

硬 X線光電子分法によるSi 量子ドット多重集積構造のオペランド分析

中島 裕太、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

高誘電率絶縁膜/SiO2積層構造の光電子分光分析 -界面ダイポールと酸素密度の相関-

藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

入射エネルギー可変の真空紫外光電子分光による固体表面の価電子帯上端位置の計測

今川 拓哉、大田 晃生、田岡 紀之、藤村 信幸、グェン スァン チュン、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

リモートプラズマ酸化したGaNの表面構造と電子状態

山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェン スァン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

熱処理がリモートプラズマCVD SiO2/GaN構造の化学結合状態及び電気特性に与える影響

グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

熱処理によるエピタキシャルAg上へのGe 二次元結晶の合成指針の構築

伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

GeコアSi量子ドットのEL特性評価

山田 健太郎、池田 弥央、牧原 克典、大田 晃生、宮崎 誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

Growth of 2D Crystal of Group-IV Elements on Epitaxial Ag(111) 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

2017 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM) 

Direct Observation of Electrical Dipole and Atomic Density at High-k Dielectrics/SiO2 Interface 国際会議

N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

2017 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM) 

ALD-Al2O3/GaN 構造における伝導帯端近傍の界面特性と熱処理温度の関係

田岡 紀之、小林 貴之、中村 昌幸、佐川 達郎、グェンスァン チュン、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、久保 俊晴、山田 寿一、江川 孝志、宮﨑 誠一、本山 愼一、清水 三聡

2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造の発光特性

牧原 克典、池田 弥央、藤村 信幸、大田 晃生、宮崎 誠一

2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

リモート酸素プラズマで形成したGa酸化物/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的特性

山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、 山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の熱安定性

グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

XPSによるHigh-k/SiO2界面のダイポール定量と酸素密度比との相関

藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御

伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

Study of Wet Chemical Treatments of Epitaxial GaN(0001) Surface

L. Peng, A. Ohta, N. X. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, N. Taoka, T. Narita, K. Itoh, D. Kikuta, K. Shiozaki, T. Kachi, and S. Miyazaki

2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

真空紫外光電子分光によるGaNの電子親和力評価

今川 拓哉、大田 晃生、藤村 信幸、グェン スァン チュン、池田 弥央、牧原 克典、加地 徹、塩崎 宏司、宮崎 誠一

2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

High Density Formation of Fe-Silicide Nanodots and Their Magnetic Properties 国際会議

S. Ishida, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki

The 15th International Conference on Advanced Materiasls (IU-MRS ICAM 2017) 

Formation of Si-based Quantum Dots on Sub-micron Si Wire Structures and Their Electroluminescence 国際会議

M. Ikeda, L. Gao, K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki

The 15th International Conference on Advanced Materiasls (IU-MRS ICAM 2017) 

Electroluminescence of Super-atom-like Si-Ge based Quantum Dots Floating Gate 国際会議

K. Makihara, M. Ikeda, N. Fujimura, A. Ohta, S. Miyazaki

2017 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM) 

High Thermal Stability of Abrupt SiO2/GaN Interface with Low Interface State Density 国際会議

N. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

2017 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM) 

Synthesis of p- and n-type Ge1-xSnx Thin Films toward New Group-IV Thermoelectric Materials 国際会議

M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, A. Ohta, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, S. Zaima

36th International Conference on Thermoelectrics - ICT2017 

リモート酸素プラズマ支援CVD による急峻SiO2/GaN 界面の形成とその電気的特性

Nguyen Xuan Truyen、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

2017 年真空・表面科学合同講演会 第37 回表面科学学術講演会・第58 回真空に関する連合講演会 

高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定およびSiO2 との界面で生じる電位変化の定量

藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

2017 年真空・表面科学合同講演会 第37 回表面科学学術講演会・第58 回真空に関する連合講演会 

Magnetoelectronic Transport of Double Stack FePt Nanodots 国際会議

K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2017) 

Interface Properties of SiO2/GaN Formed by Remote-Plasma-Assisted CVD 国際会議

N. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2017) 

Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy 国際会議

A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2017) 

定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価

大田 晃生、加藤 祐介、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価

藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diodes as Evaluated from HAXPES Analysis 国際会議

A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, S. Miyazaki

20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2017) 

エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

Photoemission Study of Gate dielectrics on Gallim Nitride 国際会議

S. Miyazaki, N. Truyen, and A. Ohta

ULSIC vs TFT: 6th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors 

Fabrication and Magnetoelectronic Transport Fe3Si-Nanodots on Ultrathin SiO2 国際会議

H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures 

Evaluation of Potential Distribution in Multiple Stacked Si Quantum Dots Structure by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures 

Characterization of Electroluminescence from Si-QDs with Ge Core 国際会議

K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures 

ゲルマニウムフロンティア探求ユニット