2022/11/12 更新

写真a

オオタ アキオ
大田 晃生
OHTA Akio
所属
大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学 助教
大学院担当
大学院工学研究科
学部担当
工学部 電気電子情報工学科
職名
助教
連絡先
メールアドレス

学位 3

  1. 博士(工学) ( 2008年3月   広島大学 ) 

  2. 修士(工学) ( 2005年3月   広島大学 ) 

  3. 学士 ( 2003年3月   広島大学 ) 

研究分野 1

  1. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性  / 半導体

現在の研究課題とSDGs 1

  1. 半導体表面・界面の電子状態分析

経歴 8

  1. 名古屋大学   大学院工学研究科 電子工学専攻   助教

    2017年12月 - 現在

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    国名:日本国

  2. 名古屋大学   高等研究院   助教

    2017年12月 - 2020年3月

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    国名:日本国

  3. 名古屋大学   高等研究院   特任助教

    2015年5月 - 2017年11月

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    国名:日本国

  4. 名古屋大学   大学院工学研究科   特任助教

    2015年5月 - 2017年11月

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    国名:日本国

  5. 名古屋大学   大学院工学研究科   研究員

    2013年10月 - 2015年4月

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    国名:日本国

  6. 広島大学   大学院先端物質科学研究科   研究員

    2009年4月 - 2013年9月

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    国名:日本国

  7. 日本学術振興会   研究員

    2008年4月 - 2009年3月

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    国名:日本国

  8. 日本学術振興会   研究員

    2007年4月 - 2008年3月

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    国名:日本国

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学歴 3

  1. 広島大学   先端物質科学研究科   半導体集積科学専攻

    2005年4月 - 2008年3月

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    国名: 日本国

  2. 広島大学   先端物質科学研究科   量子物質科学専攻

    2003年4月 - 2005年3月

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    国名: 日本国

  3. 広島大学   工学部   第二類(電気系)

    1999年4月 - 2003年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 2

  1. 日本表面科学会   会員

    2016年8月 - 現在

  2. 応用物理学会   会員

    2003年6月 - 現在

委員歴 19

  1. 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films (2023IWDTF)   Program Comitiee  

    2022年9月 - 2023年   

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    団体区分:学協会

  2. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第28回)   実行プログラム委員, 総務  

    2022年2月 - 2023年1月   

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    団体区分:学協会

  3. 14th International Symposium on Advanced Science and its Application for Nitride and Nanomaterials (ISPlasma2022) / 15th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2022)   Executive Comitiee  

    2022年   

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    団体区分:学協会

  4. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第27回)   実行プログラム委員  

    2021年2月 - 2022年1月   

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    団体区分:学協会

  5. 2021 International Workshop on Dielectric Thin Films (2021IWDTF)   Program Comitiee, Chief Editor of JJAP Special Issue  

    2021年   

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    団体区分:学協会

  6. 13th International Symposium on Advanced Science and its Application for Nitride and Nanomaterials (ISPlasma2021) / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2021)   Executive Comitiee  

    2021年   

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    団体区分:学協会

  7. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第26回)   実行プログラム委員  

    2020年2月 - 2021年1月   

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    団体区分:学協会

  8. 12th International Symposium on Advanced Science and its Application for Nitride and Nanomaterials (ISPlasma2020) / 13th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2020)   Executive Comitiee  

    2020年   

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    団体区分:学協会

  9. Japanese Journal of Applied Physics(JJAP)   編集委員  

    2019年4月 - 現在   

  10. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第25回)   実行プログラム委員  

    2019年2月 - 2020年1月   

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    団体区分:学協会

  11. 11th International Symposium on Advanced Science and its Application for Nitride and Nanomaterials (ISPlasma2019) / 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2019)   Executive Comitiee  

    2019年   

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    団体区分:学協会

  12. 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials   Steering Committee  

    2019年   

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    団体区分:学協会

  13. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第24回)   実行プログラム委員  

    2018年2月 - 2019年1月   

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    団体区分:学協会

  14. 9th International Symposium on Advanced Science and its Application for Nitride and Nanomaterials (ISPlasma2017) / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2017)   Executive comitiee  

    2017年   

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    団体区分:学協会

  15. 8th International Symposium on Advanced Science and its Application for Nitride and Nanomaterials (ISPlasma2016) / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2016)   Executive comitiee  

    2016年   

  16. 8th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016)   Steering Committee  

    2016年   

  17. 7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VII)   Steering Committee  

    2016年   

  18. The 6th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)   Steering Committee  

    2013年   

  19. The 8th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)   Steering Committee  

    2013年   

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受賞 3

  1. The Best Oral Presentation Awards / ISPlasma2021 / IC-PLANTS2021

    2021年3月   Control of Ultrathin Segregated Ge Layer Thickness on Al/Ge(111) Structure

    Akio Ohta, Masato Kobayashi, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara and Seiichi Miyazaki

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  2. Outstanding Paper Award, International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC) 2017

    2018年11月   2018 MNC Organizing Committee   /Growth of Two-Dimensional Ge Crystal by Annealing of Heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N2 ambient

    Koichi Ito, Akio Ohta, Masashi Kurosawa, Masaaki Araidai, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara and Seiichi Miyazaki

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  3. Best Paper Award, 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF)

    2017年11月   2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF)   XPS Study on Evaluation of Electrical Dipole and Atomic Density Ratio at High-k Dielectric/SiO2 Interface

    N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

 

論文 138

  1. Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots 査読有り

    J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta, S. Miyazaki

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   105-C 巻 ( 10 ) 頁: 616 - 621   2022年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi.org/10.1587/transele.2021FUP0007

    DOI: doi.org/10.1587/transele.2021FUP0007

  2. Study on Electron Emission from Phosphorus d-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures 査読有り

    K. Makihara, T. Takemoto, S. Obayashi, A. Ohta,, N. Taoka, S. Miyazaki

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   105-C 巻 ( 10 ) 頁: 610 - 615   2022年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi.org/10.1587/transele.2021FUP0006

    DOI: doi.org/10.1587/transele.2021FUP0006

  3. Impact of substrate heating during Al deposition and post annealing on surface morphology, Al crystallinity, and Ge segregation in Al/Ge(111) structure

    Matsushita Keigo, Ohta Akio, Taoka Noriyuki, Hayashi Shohei, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SH )   2022年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac5fbc

    Web of Science

  4. Characterization of electronic charged states of high density self-aligned Si-based quantum dots evaluated with AFM/Kelvin probe technique

    Imai Yuki, Makihara Katsunori, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SD )   2022年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac61aa

    Web of Science

  5. Crystal structure change in multilayer GeH flakes by hydrogen desorption under ultrahigh vacuum environments

    Itoh Mai, Araidai Masaaki, Ohta Akio, Nakatsuka Osamu, Kurosawa Masashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SC )   2022年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac4140

    Web of Science

  6. Study on silicidation reaction of Fe nanodots with SiH4

    Furuhata Hiroshi, Makihara Katsunori, Shimura Yosuke, Fujimori Shuntaro, Imai Yuki, Ohta Akio, Taoka Noriyuki, Miyazaki Seiichi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 5 )   2022年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac6727

    Web of Science

  7. Effect of substrate temperature on plasma-enhanced self-assembling formation of high-density FePt nanodots

    Honda Shunsuke, Makihara Katsunori, Taoka Noriyuki, Furuhata Hiroshi, Ohta Akio, Oshima Daiki, Kato Takeshi, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SA )   2022年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac2036

    Web of Science

  8. Segregation control for ultrathin Ge layer in Al/Ge(111) system

    Ohta Akio, Kobayashi Masato, Taoka Noriyuki, Ikeda Mistuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SA )   2022年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac19ff

    Web of Science

  9. Correlation between structures and vibration properties of germanene grown by Ge segregation

    Mizuno Shogo, Ohta Akio, Suzuki Toshiaki, Kageshima Hiroyuki, Yuhara Junji, Hibino Hiroki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 12 )   2021年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac3185

    Web of Science

  10. Single germanene phase formed by segregation through Al(111) thin films on Ge(111) 査読有り 国際共著

    J. Yuhara, H. Muto, M. Araidai, M. Kobayashi, A. Ohta, S. Miyazaki, S. Takakura, M. Nakatake, and G. L. Lay

    2D Materials   8 巻 ( 4 ) 頁: 045039   2021年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi.org/10.1088/2053-1583/ac2bef

    DOI: doi.org/10.1088/2053-1583/ac2bef

  11. Epitaxial growth of massively parallel germanium nanoribbons by segregation through Ag(110) thin films on Ge(110) 査読有り 国際共著

    Yuhara Junji, Shimazu Hiroki, Kobayashi Masato, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi, Takakura Sho-ichi, Nakatake Masashi, Le Lay Guy

    APPLIED SURFACE SCIENCE   550 巻   2021年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.149236

    Web of Science

  12. Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal 査読有り

    Ohta Akio, Yamada Kenzo, Sugawa Hibiki, Taoka Noriyuki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abdad0

    Web of Science

  13. Energy band diagram for SiO2/Si system as evaluated from UPS analysis under vacuum ultraviolet with variable incident photon energy

    Ohta Akio, Imagawa Takuya, Taoka Noriyuki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SA )   2021年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  14. Effect of B-doping on photoluminescence properties of Si quantum dots with Ge core 査読有り

    Makihara Katsunori, Fujimori Shuntaro, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   120 巻   2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105250

    Web of Science

  15. Characterization of photoluminescence from Si quantum dots with B delta-doped Ge core 査読有り

    Maehara Takuya, Fujimori Shuntaro, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   119 巻   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105215

    Web of Science

  16. Hydrogen desorption from silicane and germanane crystals: Toward creation of free-standing monolayer silicene and germanene 査読有り

    Araidai Masaaki, Itoh Mai, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   128 巻 ( 12 )   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0018855

    Web of Science

  17. Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing 査読有り

    H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki

    Electrochemical Society (ECS) Transaction   98 巻 ( 5 ) 頁: 505 - 511   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi.org/10.1149/09805.0505ecst

  18. Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode 査読有り

    T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society (ECS) Transaction   98 巻 ( 5 ) 頁: 429 - 434   2020年9月

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  19. Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe 招待有り 査読有り

    J. Wu, H. Zhang, H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazak

    Electrochemical Society (ECS) Transaction   98 巻 ( 5 ) 頁: 493 - 498   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi.org/10.1149/09805.0493ecst

  20. Complex Dielectric Function of Si Oxide as Evaluated from Photoemission Measurements 査読有り

    A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻 ( SM ) 頁: SMMB04   2020年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab8c99

  21. Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface

    Kobayashi Masato, Ohta Akio, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Taoka Noriyuki, Simizu Tomohiro, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab69de

    Web of Science

  22. Continuous Growth of Germanene and Stanene Lateral Heterostructures

    Ogikubo Tsuyoshi, Shimazu Hiroki, Fujii Yuya, Ito Koichi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Le Lay Guy, Yuhara Junji

    ADVANCED MATERIALS INTERFACES     2020年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/admi.201902132

    Web of Science

  23. Photoemission-based Characterization of Gate Dielectrics and Stack Interfaces 招待有り 査読有り

    S. Miyazaki and A. Ohta

    Electrochemical Society Transaction   92 巻 ( 4 ) 頁: 11-19   2019年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/09204.0011ecst

  24. Comparative study of photoluminescence properties obtained from SiO2/GaN and Al2O3/GaN structures 査読有り

    Takada Noriharu, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Yamamoto Taishi, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab26ac

    Web of Science

  25. Impact of surface pre-treatment on Pt-nanodot formation induced by remote H2-plasma exposure 査読有り

    Fujimori Shuntaro, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab23f9

    Web of Science

  26. Impact of remote plasma oxidation of a GaN surface on photoluminescence properties 査読有り

    Takada Noriharu, Taoka Noriyuki, Yamamoto Taishi, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab09c9

    Web of Science

  27. Photoemission Characterization of Interface Dipoles and Electronic Defect States for Gate Dielectrics 招待有り 査読有り

    S. Miyazaki and A. Ohta

    Electrochemical Society Transaction   90 巻 ( 1 ) 頁: 113-120   2019年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/09001.0113ecst

  28. Evaluation of the potential distribution in a multiple stacked Si quantum dots structure by hard X-ray photoelectron spectroscopy

    Futamura Yuto, Nakashima Yuta, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SA )   2019年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aaeb38

    Web of Science

  29. Characterization of electron charging and transport properties of Si-QDs with phosphorus doped Ge core

    Nagai Ryo, Yamada Kentaro, Fujimori Shuntaro, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   33 巻 ( 12 )   2018年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/aaebbc

    Web of Science

  30. Germanene Epitaxial Growth by Segregation through Ag(111) Thin Films on Ge(111)

    Yuhara Junji, Shimazu Hiroki, Ito Kouichi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Nakatake Masashi, Le Lay Guy

    ACS NANO   12 巻 ( 11 ) 頁: 11632-11637   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsnano.8b07006

    Web of Science

  31. Activation mechanism of TiOx passivating layer on crystalline Si

    Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Ohta Akio, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Miyazaki Seiichi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 10 )   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.102301

    Web of Science

  32. High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots 査読有り

    H. Zhang, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   86 巻 ( 7 ) 頁: 131-138   2018年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1149/08607.0131ecst

  33. Energy band structure and electrical properties of Ga-oxide/GaN interface formed by remote oxygen plasma

    Yamamoto Taishi, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Nakatsuka Osamu, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06KA05

    Web of Science

  34. Low-temperature formation of Ga-oxide/GaN interface with remote oxygen plasma and its interface properties

    Yamamoto Taishi, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06JE01

    Web of Science

  35. Interface properties of SiO2/GaN structures formed by chemical vapor deposition with remote oxygen plasma mixed with Ar or He

    Nguyen Xuan Truyen, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Makihara Katsunori, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06KA01

    Web of Science

  36. Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N2 ambient

    Ito Koichi, Ohta Akio, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06HD08

    Web of Science

  37. Evaluation of resistive switching properties of Si-rich oxide embedded with Ti nanodots by applying constant voltage and current

    Ohta Akio, Kato Yusuke, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06HD05

    Web of Science

  38. Total photoelectron yield spectroscopy of energy distribution of electronic states density at GaN surface and SiO2/GaN interface

    Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Fujimura Nobuyuki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06KA08

    Web of Science

  39. Segregated SiGe Ultrathin Layer Formation and Surface Planarization on Epitaxial Ag(111) by Annealing of Ag/SiGe(111) with Different Ge/(Si + Ge) Compositions

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 4S ) 頁: 04FJ05   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FJ05

  40. Direct Evaluation of Electrical Dipole and Atomic Density Ratio at High-k Dielectrics/SiO2 Interface

    N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 4S ) 頁: 04FB07   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FB07

  41. High Thermal Stability of Abrupt SiO2/GaN Interface with Low Interface State Density 査読有り

    N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 4S ) 頁: 04FG11   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi.org/10.7567/JJAP.57.04FG11

  42. Characterization of remote O2-plasma-enhanced CVD SiO2/GaN(0001) structure using photoemission measurements

    N.Truyen, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.01AD02

    Web of Science

  43. Formation of Mn-germanide nanodots on ultrathin SiO2 induced by remote hydrogen plasma

    Y. Wen, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.01AF05

    Web of Science

  44. Electroluminescence of superatom-like Ge-core/Si-shell quantum dots by alternate field-effect-induced carrier injection

    K. Makihara, M. Ikeda, N. Fujimura, K. Yamada, A. Ohta, S. Miyazaki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.011305

    Web of Science

  45. High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots 査読有り

    Zhang Hai, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

    SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 8   86 巻 ( 7 ) 頁: 131 - 138   2018年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/08607.0131ecst

    Web of Science

  46. Local Structure of High Performance TiOx Passivating Layer Revealed by Electron Energy Loss Spectroscopy

    Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Ohta Akio, Kurokawa Yasuyoshi, Miyazaki Seiichi, Yamamoto Takahisa, Usami Noritaka

    2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC)     頁: 3896 - 3899   2018年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  47. Impact of phosphorus doping to multiple-stacked Si quantum dots on electron emission properties

    D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   70 巻   頁: 183-187   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2016.12.015

    Web of Science

  48. Characterization of Interfacial Dipoles at Dielectric Stacks by XPS Analysis

    S. Miyazaki, A. Ohta, N. Fujimura

    Electrochemical Society Transaction   80 巻 ( 1 ) 頁: 229-235   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/08001.0229ecst

  49. First-principles study on adsorption structure and electronic state of stanene on alpha-alumina surface

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 9 )   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.095701

    Web of Science

  50. Magnetoelectronic transport of double stack FePt nanodots

    K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   111 巻 ( 5 )   2017年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4985603

    Web of Science

  51. Evaluation of energy distribution of filled defects of Si oxide thin films from total photoelectron yield spectroscopy

    A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    MICROELECTRONIC ENGINEERING   178 巻   頁: 85-88   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mee.2017.05.001

    Web of Science

  52. Potential changes and chemical bonding features for Si-MOS structure as evaluated from HAXPES analysis

    A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, S. Miyazaki

    MICROELECTRONIC ENGINEERING   178 巻   頁: 80-84   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mee.2017.05.002

    Web of Science

  53. Low-temperature formation of crystalline Si:H/Ge:H heterostructures by plasma-enhanced CVD in combination with Ni-nanodots seeding nucleation

    Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 6 )   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.06GG07

    Web of Science

  54. Photoemission Study of Gate dielectrics on Gallim Nitride

    S. Miyazaki, N. Truyen, A. Ohta, T. Yamamoto

    Electrochemical Society Transaction   79 巻 ( 1 ) 頁: 119-127   2017年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.06GG07

  55. Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors

    Y. Kato, A. Ohta, M. Ikeda, M. K. Makihara, and S. Miyazaki

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E100C 巻 ( 5 ) 頁: 468-474   2017年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1587/transele.E100.C.468

    Web of Science

  56. Photoemission study on electrical dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 interfaces

    N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 4 )   2017年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.04CB04

    Web of Science

  57. Effects of remote hydrogen plasma on chemical bonding features and electronic states of 4H-SiC(0001) surface

    N. Truyen, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.01AF01

    Web of Science

  58. High-density formation of Ta nanodot induced by remote hydrogen plasma

    Y. Wang, D. Takeuchi, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.01AE01

    Web of Science

  59. Photoemission Study of Gate Dielectrics on Gallium Nitride

    Miyazaki Seiichi, Nguyen Xuan Truyen, Ohta Akio, Yamamoto Taishi

    2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUITS AND THIN FILM TRANSISTORS (ULSIC VS. TFT 6)   79 巻 ( 1 ) 頁: 119 - 127   2017年

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/07901.0119ecst

    Web of Science

  60. Effect of Ge Core Size on Photoluminescence from Si Quantum Dots with Ge Core 査読有り

    K. Yamada, K. Kondo, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transacton   75 巻 ( 8 ) 頁: 695-700   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  61. Nano spin-diodes using FePt-NDs with huge on/off current ratio at room temperature 査読有り

    K. Makihara, T. Kato, Y. Kabeya, Y. Mitsuyuki, A. Ohta, D. Oshima, S. Iwata, Y. Darma, M. Ikeda and S. Miyazaki

    Scientific Reports   6 巻   頁: 33409(7pages)   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  62. Evaluation of Dielectric Function of Thermally-grown SiO2 and GeO2 from Energy Loss Signals for XPS Core-line Photoelectrons 査読有り

    T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   75 巻 ( 8 ) 頁: 777-783   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  63. Surface-segregated Si and Ge ultrathin films formed by Ag-induced layer exchange process 査読有り

    M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 8S1 ) 頁: 08NB07(5pages)   2016年7月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  64. Evaluation of Valence Band Top and Electron Affinity of SiO2 and Si-based Semiconductors Using XPS 査読有り

    N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 8S2 ) 頁: 08PC06(5pages)   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  65. Impact of Embedded Mn Nanodots on Resistive Switching Characteristics of Si-rich Oxides as Measured in Ni-Electrodes MIM Diodes 査読有り

    T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 6S1 ) 頁: 06GH07(5pages)   2016年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  66. Evaluation of field emission properties from multiple-stacked Si quantum dots 査読有り

    D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    Thin Solid Films   602 巻 ( 1 ) 頁: 68-71   2016年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  67. Study on electroluminescence from multiply-stacking valency controlled Si quantum dots 査読有り

    T. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    Thin Solid Films   602 巻 ( 1 ) 頁: 48-51   2016年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  68. Bonding and Energy Alignment at Metal/TiO2 interfaces: A Density Functional Theory Study 査読有り

    H. Chen, P. Li, N. Umezawa, H. Abe, J. Ye, K. Shiraishi, A. Ohta, and S. Miyazaki

    The Journal of Physical Chemistry   120 巻 ( 10 ) 頁: 5549-5556   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  69. High Density Formation of FePt Alloy Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of their Magnetic Properties 査読有り

    R. Fukuoka, K. Makihara, H. Zhang, A. Ohta, T. Kato, S. Iwata, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   40 巻 ( 4 ) 頁: 347-350   2015年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  70. Formation and Characterization of High Density FeSi Nanodots on SiO2 Induced by Remote H2 Plasma 査読有り

    H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 1S ) 頁: 01AE20 (4pages)   2015年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  71. The Interface Analysis of GaN Directly Grown on 0º off 6H-SiC 査読有り

    Z. Sun, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nagamatsu, M. Olsson, Z. Ye, M. Deki, Y. Honda, and H. Amano

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 1 ) 頁: 10303   2015年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  72. Increase in the work function of W/WO3 by helium plasma irradiation 査読有り

    S. Kajita, A. Ohta, T. Ishida, K. Makihara, T. Yoshida, and N. Ohno

    Japanese Journal of Applied Physics   54 巻 ( 12 ) 頁: 126201(6pages)   2015年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  73. Photoemission Study on Chemical Bonding Features and Electronic Defect States of Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure 査読有り

    H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   69 巻 ( 10 ) 頁: 179-186   2015年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  74. High-Resolution Photoemission Study of High-k Dielectric Bilayer Stack on Ge(100) 査読有り

    S. Miyazaki, and A. Ohta

    Electrochemical Society Transaction   69 巻 ( 10 ) 頁: 165-170   2015年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  75. Resistive Switching Characteristics of Si-rich Oxides with Embedding Ti Nanodots 査読有り

    Y. Kato, T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. MiyazakiY

    Electrochemical Society Transaction   69 巻 ( 10 ) 頁: 291-298   2015年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  76. Progress in Determination Method of Ultrathin Si-based Oxide Bandgaps from Analysis of Energy Loss Signals for Photoelectrons 査読有り

    A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   54 巻 ( 6S1 ) 頁: 06FH08(5pages)   2015年6月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  77. Resistance-Switching Characteristics of Si-rich Oxide Evaluated by Using Ni Nanodots as Electrodes in Conductive AFM Measurements 査読有り

    A. Ohta, C. Liu, T. Arai, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara, and S. Miyazaki

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E98-C 巻 ( 5 ) 頁: 406-410   2015年5月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  78. Electronic Defect States in Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure Measured by Total Photoelectron Yield Spectroscopy 査読有り

    A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Microelectronic Engineering   147 巻   頁: 264-268   2015年5月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  79. Photoluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core 査読有り

    K. Makihara, K. Kondo, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   64 巻 ( 6 ) 頁: 365-370   2014年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  80. Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack 査読有り

    A. Ohta, H. Murakami, K. Hashimoto, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   64 巻 ( 6 ) 頁: 241-248   2014年10月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  81. Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100) 査読有り

    H. Murakami, S. Hamada, T. Ono, K. Hashimoto, A. Ohta, H. Hanafusa, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   64 巻 ( 6 ) 頁: 423-429   2014年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  82. Characterization of Electron Emission from High Density Self-Aligned Si-Based Quantum Dots By Conducting-Probe Atomic Force Microscop 査読有り

    D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   64 巻 ( 6 ) 頁: 923-928   2014年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  83. Properties of Al Ohmic contacts to n-type 4H-SiC employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer 査読有り

    H. Hanafusa, A. Ohta, R. Ashihara, K. Maruyama, T. Mizuno, S. Hayashi, H. Murakami, and S. Higashi

    Materials Science Forum   778-780 巻   頁: 649-652   2014年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  84. Characterization of Resistive Switching Behaviors of RF Sputtered Si Oxide ReRAMs with Ti-based Electrodes 査読有り

    A. Ohta, M. Fukusima, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻   頁: 11NJ06   2013年11月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  85. Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes 査読有り

    A. Ohta, K. Makihara, M. Fukusima, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   58 巻 ( 9 ) 頁: 293-300   2013年10月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  86. Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-rich Oxide/TiN System 査読有り

    M. Fukusima, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 708-713   2013年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  87. Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior 査読有り

    A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 702-707   2013年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  88. X-ray Photoemission Study of SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si Heterostructures

    A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba, and J. Murota

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 680-685   2013年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  89. Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer 査読有り

    K. Hashimoto, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 674-679   2013年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  90. XPS Study of Energy Band Alignment between Hf-La Oxides and Si(100) 査読有り

    A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   38 巻 ( 3 ) 頁: 353-357   2013年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  91. High thermal stability of abrupt SiO2/GaN interface with low interface state density

    N. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 4S ) 頁: 04FG11   2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FG11

  92. Kinetics of thermally oxidation of Ge(100) surface 査読有り

    S. K. Sahari, A. Ohta, M. Matsui, K. Mishima, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Journal of Physics: Conference Series   417 巻 ( 1 ) 頁: 012014(6pages)   2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  93. Determination of Energy Band Alignment in Ultrathin Hf-based Oxide/Pt System 査読有り

    A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Journal of Physics: Conference Series   417 巻 ( 1 ) 頁: 012012(6pages)   2013年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  94. Characterization of Ultrathin Ta-oxide Films Formed on Ge(100) by ALD and Layer-by-Layer Methods 査読有り

    K. Mishima, H. Murakami, A. Ohta, S. K. Sahari, T. Fujioka, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Journal of Physics: Conference Series   417 巻 ( 1 ) 頁: 012013   2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  95. Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes 査読有り

    K. Makihara, M. Fukusima, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   50 巻 ( 9 ) 頁: 459-465   2012年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  96. Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion 査読有り

    A. Ohta, M. Matsui, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   50 巻 ( 9 ) 頁: 449-457   2012年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  97. Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes 査読有り

    A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   51 巻 ( 6 ) 頁: 06FF02   2012年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  98. Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering 査読有り

    A. Ohta, Y, Goto, S. Nishigaki, G. Wei, H. Murakami, S. Higahi, and S. Miyazaki

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E95-C 巻 ( 5 ) 頁: 879-884   2012年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  99. Layer Transfer and Simultaneous Activation of Phosphorous Atoms in Silicon Films by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation 査読有り

    Y. Kobayashi, K. Sakaike, S. Nakamura, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Higashi

    Material Research Society Proceedings   1426 巻   頁: 2012(6 pages)   2012年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  100. Evaluation of Chemical Structure and Resistance Switching Characteristics of Undoped Titanium Oxide and Titanium - Yttrium mixed Oxide 査読有り

    A. Ohta, Y. Goto, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 10 ) 頁: 10PH02   2011年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  101. XPS Study of Interfacial Reactions between Metal and Ultrathin Ge Oxide 査読有り

    A. Ohta, T. Fujioka, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 10 ) 頁: 10PE01   2011年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  102. Impact of Insertion of Ultrathin TaOx Layer at the Pt/TiO2 Interface on Resistive Switching Characteristics 査読有り

    G. Wei, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, Y. Goto, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Microelectronic Engineering   88 巻 ( 7 ) 頁: 1152–1154   2011年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  103. Characterization of Chemical Bonding Features at Metal/GeO2 Interfaces by X-ray Photoelectron Spectroscopy 査読有り

    M. Matsui, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Microelectronic Engineering   88 巻 ( 7 ) 頁: 1549–1552   2011年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  104. Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities 査読有り

    A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E94-C 巻 ( 5 ) 頁: 717-723   2011年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  105. The Impact of Y Addition into TiO2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics 査読有り

    Japanese Journal of Applied Physics

    A. Ohta, Y. Goto, M. F. Kazalman, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki   50 巻 ( 6 ) 頁: 06GG01   2011年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  106. High Density Formation of Ge Quantum Dots on SiO2 査読有り

    K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Takeuchi, Y. Shimura, S. Zaima, and S. Miyazaki

    Solid State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁: 65-69   2011年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  107. Impact of Annealing Ambience on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure 査読有り

    G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki,

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   94-C 巻 ( 5 ) 頁: 699-704   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  108. Native Oxidation Growth on Ge (111) and (100) Surfaces 査読有り

    S. K. Sahari, H. Murakami, T. Fujioka, T. Bando, A. Ohta, K. Makihara, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 4 ) 頁: 04DA12   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  109. Activation of As Atoms in Ultrashallow Junction during Milli- and Microsecond Annealing Induced by Thermal-Plasma-Jet Irradiation 査読有り

    K. Matsumoto, A. Ohta, S. Miyazaki, and S. Higashi

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 4 ) 頁: 04DA07   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  110. Electron and hole components of tunneling currents through an interfacial oxide-high-k gate stack in metal-oxide-semiconductor capacitors 査読有り

    F. A. Noor, M. Abdullah, Sukirno, Khairurrijal, A. Ohta, and S. Miyazaki

    Journal of Applied Physics   108 巻 ( 9 ) 頁: 093711   2010年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  111. Characterization of Interfaces between Chemically Cleaned or Thermally Oxidized Germanium and Metals 査読有り

    H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, T. Bando, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   33 巻 ( 3 ) 頁: 253-262   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  112. Self-Align Formation of Si Quantum Dots 査読有り

    K. Makihara, M. Ikeda, H. Deki, A. Ohta, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   33 巻 ( 6 ) 頁: 661-667   2010年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  113. Contribution of Carbon to Growth of Boron-Containing Cluster in Heavily Boron-Doped Silicon 査読有り

    H. Itokawa, A. Ohta, M. Ikeda, I. Mizushima, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   49 巻 ( 8 ) 頁: 081301   2010年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  114. Characterization of Interfacial Reaction and Chemical Bonding Features of LaOx/HfO2 Stack Structure Formed on Thermally-grown SiO2/Si(100) 査読有り

    A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Microelectronic Engineering   86 巻 ( 7-9 ) 頁: 1650-1653   2009年7月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  115. Electronic Charged States of Pt-silicide Nanodots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique 査読有り

    K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, A. Ohta, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Transactions of Materials Research Society of Japan   34 巻 ( 2 ) 頁: 309-312   2009年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  116. Surface Potential Changes Induced by Physisorption of Si-tagged Protein A on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 Surface 査読有り

    S. Mahboob, K. Makihara, A. Ohta, S. Higashi, Y. Hata, A. Kuroda, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   19 巻 ( 22 ) 頁: 35-43   2009年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  117. Photoemission study of fully silicided Pd2Si gates with interface modification induced by dopants 査読有り

    T. Hosoi, A. Ohta, S. Miyazaki, H. Shiraishi, and K. Shibahara

    Applied Physics Letters   94 巻 ( 19 ) 頁: 192102   2009年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  118. Interface Properties and Effective Work Function of Sb-Predoped Fully Silicided NiSi Gate 査読有り

    T. Hosoi, K. Sano, A. Ohta, K. Makihara, H. Kaku, S. Miyazaki, and K. Shibahara

    Surface and Interface Analysis   40 巻 ( 6-7 ) 頁: 1126-1130   2008年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  119. Photoemission Study of Metal/HfSiON Gate Stack 査読有り

    S. Miyazaki, H. Yoshinaga, A. Ohta, Y. Akasaka, K. Shiraishi, K. Yamada, S. Inumiya, M. Kadoshima, and Y. Nara

    Electrochemical Society Transaction   13 巻 ( 2 ) 頁: 67-73   2008年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  120. Theory of Metal/Dielectric Interfaces -Breakdown of Schottky Barrier Limits- 査読有り

    K. Shiraishi, T. Nakayama, T. Nakaoka, A. Ohta, and S. Miyazaki

    Electrochemical Society Transaction   13 巻 ( 2 ) 頁: 21-27   2008年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  121. Performance Improvement of HfAlOxN n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by Controlling the Bonding Configuration of Nitrogen Atoms Coordinated to Hf Atoms 査読有り

    K. Iwamoto, T. Nishimura, A. Ohta, K. Tominaga, T. Nabatame, S. Miyazaki, and A. Toriumi

    Japanese Journal of Applied Physics   46 巻 ( 12 ) 頁: 7666-7670   2007年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  122. Characterization of chemical bonding features and defect state density in HfSiOxNy/SiO2 gate stack 査読有り

    A. Ohta, Y. Munetaka, A. Tsugou, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, and Y. Nara

    Microelectronic Engineering   84 巻 ( 9-10 ) 頁: 169-180   2007年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  123. Theoretical Studies on Fermi Level Pining of Hf-Based High-k Gate Stacks Based on Thermodynamics 査読有り

    K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, M. Kadoshima, A. Ohta, S. Miyazaki, H. Watanabe, K. Ohmori, T. Chikyow, K. Yamabe,Y. Nara, Y. Ohji, and K. Yamada

    Electrochemical Society Transaction   11 巻 ( 4 ) 頁: 125-133   2007年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  124. Improvement in Fermi-Level Pinning of p-MOS Metal Gate Electodes on HfSiON by Employing Ru Gate Electrodes 査読有り

    M. Kadoshima, Y. Suginta, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, and Y. Ohji

    Electrochemical Society Transaction   11 巻 ( 4 ) 頁: 169-180   2007年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  125. Theoretical Studies on Metal/High-k Gate Stacks 査読有り

    K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, A. Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, and K. Yamabe

    Electrochemical Society Transaction   6 巻 ( 1 ) 頁: 191-204   2007年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  126. Physics of Metal/High-k Interfaces 査読有り

    T. Nakayama, K. Shiraishi, S. Miyazaki, Y. Akasaka, K. Torii, P. Ahmet, K. Ohmori, N. Umezawa, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, A. Ohta, H. Iwai, K. Yamada, and T. Nakaoka

    Electrochemical Society Transaction   3 巻 ( 3 ) 頁: 129-140   2006年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  127. Depth Profiling of Chemical and Electronic Structures and Defects of Ultrathin HfSiON on Si(100) 査読有り

    S. Miyazaki, A. Ohta, S. Inumiya, Y. Nara, and K. Yamada

    Electrochemical Society Transaction   3 巻 ( 3 ) 頁: 171-180   2006年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  128. Impact of Nitrogen Incorporation into Yittrium Oxide on Chemical Bonding Features and Electrical Properties 査読有り

    H. Abe, H. Nakagawa, M. Taira, A. Ohta, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁: 157-160   2006年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  129. Photoemission Study of Ultrathin HfSiON/Si(100) Systems 査読有り

    A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, and Y. Nara

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁: 125-128   2006年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  130. Characterization of FUSI-PtSi Formed on Ultrathin HfO2/Si(100) by Photoelectron Spectroscopy 査読有り

    Y. Munetaka, F. Takeno, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁: 145-148   2006年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  131. Influence of thermal annealing on defect states and chemical structures in ultrathin Al2O3/SiN/poly-Si 査読有り

    M. Taira, A. Ohta, H. Nakagawa, S. Miyazaki, K. Yoneda, M. Horikawa, and K. Koyama

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁: 149-152   2006年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  132. Nitridation of Ge(100) Surfaces by Vacuum-ultra violet (VUV) Irradiation in NH3 Ambience 査読有り

    H. Nakagawa, A. Ohta, M. Taira, H. Abe, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁: 153-156   2006年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  133. Photoemission Study of Ultrathin GeO2/Ge Heterostructures Formed by UV-O3 Oxidation 査読有り

    A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   4 巻   頁: 174-179   2006年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  134. Impact of Rapid Thermal Anneal on ALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100) Stack Structures -Photoelectron Spectroscopy 査読有り

    F. Takeno, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Komeda, M. Horikawa, and K. Koyama

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁: 213-217   2005年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  135. Analysis of Leakage Current through Al/HfAlOx/SiONx/Si(100) MOS Capacitors 査読有り

    S. Nagamachi, A. Ohta, F. Takeno, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Kawahara, and K. Torii

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁: 197-200   2005年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  136. Characterization of Interfacial Oxide Layers in Heterostructures of Hafnium Oxides Formed on NH3-nitrided Si(100) 査読有り

    H. Nakagawa, A. Ohta, F. Takeno, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   43 巻 ( 11B ) 頁: 7890-7894   2004年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  137. Impact of Rapid Thermal O2 Anneal on Dielectric Stack Structures of Hafnium Aluminate and Silicon Dioxide Formed on Si(100) 査読有り

    A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, T. Kawahara, K. Torii, and S. Miyzaki

    Japanese Journal of Applied Physics   43 巻 ( 11B ) 頁: 7831-7836   2004年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  138. Photoelectron spectroscopy of ultrathin yttrium oxide films on Si(100) 査読有り

    A. Ohta, M. Yamaoka, and S. Miyazaki

    Microelectronic Engineering   72 巻 ( 1-4 ) 頁: 154-159   2004年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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書籍等出版物 2

  1. ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線 ~二次元ナノシートの物性評価、構造解析、合成、成膜プロセス技術、応用展開~

    黒澤 昌志、大田 晃生( 担当: 分担執筆 ,  範囲: 第3章 第4節 共晶系で生じる析出現象を応用したIV族系ナノシートの形成技術)

    (株)エヌ・ティー・エス  2020年4月  ( ISBN:978-4-86043-657-5

     詳細を見る

    記述言語:日本語 著書種別:学術書

  2. 2020年版 薄膜作製応用ハンドブック

    宮﨑 誠一, 大田 晃生( 担当: 分担執筆 ,  範囲: 第3編 第8節 光電子分光(XPS,UPS))

    (株)エヌ・ティー・エス  2020年2月  ( ISBN:978-4-86043-631-5

     詳細を見る

    記述言語:日本語 著書種別:学術書

講演・口頭発表等 239

  1. Crystalline Phase Control of Hf-oxide Layer due to Si Surface Orientations 国際会議

    W. Yasuda, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki

    43rd International Symposium on Dry Process  2022年11月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Osaka International Convention Center and Online   国名:日本国  

  2. Synthesis of multilayer two-dimensional group-IV flakes and nanosheets 国際会議

    M. Kurosawa, M. Itoh, Y. Ito, K. Okada, A. Ohta, M. Araidai, K. Hara, Y. Ando, S. Yamada, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka

    33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)  2022年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya Congress Center   国名:日本国  

  3. Layer Transfer of Ultrathin Ge Layer Segregated on Al/Ge(111) 国際会議

    K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, S. Miyazaki

    35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)  2022年11月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:JR Hotel Clement Tokushima   国名:日本国  

  4. Spin Dependent Photocurrent Generation in Germanene-like Structure 国際会議

    T. Nishijima, S. Kawa, Y. Ando, A. Ohta, J. Yuhara, M. Kurosawa, E. Shigematsu, R. Ohshima, and M. Shiraishi

    The 67th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM 2022) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年10月 - 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hyatt Regency Minneapolis   国名:アメリカ合衆国  

  5. Al上に合成したGeナノシートにおける偏光依存光電流の観測

    西嶋 泰樹、松下 圭吾、重松 英、大島 諒、大田 晃生、安藤 裕一郎、白石 誠司

    第13回 半導体材料・デバイスフォーラ  2022年10月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本大学工学部 + オンライン   国名:日本国  

  6. Evaluation of Chemical Structure and Si Segregation of Al/Si(111) 国際会議

    . Sakai, A. Ohta, K. Matsushita, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Makuhari Messe International Conference Hall   国名:日本国  

  7. Characterization of Magnesium Channeled Implantation Layers in GaN(0001) 国際会議

    A. Suyama, H. Kawanowa, H. Minagawa, J. Maekawa, S. Nagamachi, M. Aoki, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Makuhari Messe International Conference Hall   国名:日本国  

  8. Formation of Ultra-thin NiGe film with Mono-crystalline Phase and Smooth Surface 国際会議

    S. Nishimura, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Makuhari Messe International Conference Hall   国名:日本国  

  9. Feシリサイドドットの室温PL特性―ドットサイズ依存性

    斎藤 陽斗、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ハイブリッド(オンライン/東北大学 川内北キャンパス)   国名:日本国  

  10. SiGeナノドット/Si多重集積構造からの電界電子放出

    邱 実、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ハイブリッド(オンライン/東北大学 川内北キャンパス)   国名:日本国  

  11. FePtナノ構造の帯磁特性評価

    武 嘉麟、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮崎 誠一

    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ハイブリッド(オンライン/東北大学 川内北キャンパス)   国名:日本国  

  12. 単一結晶相を有する Ni-Germanide 極薄膜の電気特性および電子状態

    西村 駿介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ハイブリッド(オンライン/東北大学 川内北キャンパス)   国名:日本国  

  13. ニッケルシリサイド超薄膜形成におけるSiキャップ層の効果

    木村 圭佑、田岡 紀之、西村 駿介、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ハイブリッド(オンライン/東北大学 川内北キャンパス)   国名:日本国  

  14. 偏析法により合成したGeナノシートにおける光電変換の偏光依存性

    西嶋 泰樹、松下 圭吾、重松 英、大島 諒、大田 晃生、安藤 裕一郎、白石 誠司

    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ハイブリッド(オンライン/東北大学 川内北キャンパス)   国名:日本国  

  15. Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge結晶層の転写

    松下 圭吾、大田 晃生、柴山 茂久、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ハイブリッド(オンライン/東北大学 川内北キャンパス)   国名:日本国  

  16. 絶縁膜/GaN 界面の化学・電子状態評価-光電子分光分析からの知見 招待有り

    宮﨑 誠一、大田 晃生

    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:ハイブリッド(オンライン/東北大学 川内北キャンパス)   国名:日本国  

  17. 高温短時間熱処理による極薄SiO2上に形成したa-Si膜の結晶化

    今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ハイブリッド(オンライン/東北大学 川内北キャンパス)   国名:日本国  

  18. 偏析法によるAg(100)薄膜表面上のGe超薄膜の創製 国際共著

    大野 誠貴、大田 晃生、宮﨑 誠一、高倉 将一、仲武 昌史、Guy Le Lay、柚原 淳司

    一般社団法人 日本物理学会 2022年秋季大会 物性  2022年9月12日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  19. Surface Modification and Wafer Bonding of Ultrathin Ge Segregated Layer formed on Al/Ge(111) 国際会議

    K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki

    9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-9)  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University   国名:日本国  

  20. Investigation of electric and spin properties in germanium-based post graphene materials 国際会議

    T. Nishijima S. Kawa, Y. Ando, A. Ohta, J. Yuhara, M. Kurosawa, E. Shigematsu, R. Ohshima, and M. Shiraishi

    The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022)  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:A Hybrid Meeting (Centennial Hall, Kyushu University)   国名:日本国  

  21. Dot Size Dependence of Electron Emission from Si-QDs Multiple-Stacked Structure 国際会議

    S. Obayashi, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki

    9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-9)  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University   国名:日本国  

  22. Alignment Control of Self-Assembling Si Quantum Dots 国際会議

    Y. Imai, R. Tsuji, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki

    9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-9)  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University   国名:日本国  

  23. Formation of Ultra-thin Nickel Silicide Layer on SiO2 and Control of Crystalline Phase and Surface Roughness 国際会議

    K. Kimura, S. Nishimura, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-9)  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University   国名:日本国  

  24. Study on Photoluminescence Properties of Fe-silicide-NDs 国際会議

    H. Saito, K. Makihara, Y. Hara, S. Fujimori, Y. Imai, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki

    The 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 2022 (APAC-Silicide 2022)  2022年7月 

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    開催年月日: 2022年7月 - 2022年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Online  

  25. Two-Dimensional Ge Crystal Growth by Ge Surface Segregation of Metal/Ge Stack 招待有り 国際会議

    A. Ohta and S. Miyazaki

    2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2022)  2022年7月7日 

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    開催年月日: 2022年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Hybrid : virtual/Grand Josun Hote in Busan   国名:大韓民国  

  26. Evaluation of Chemical and Electronic States of Mg-doped GaN(0001) Surfaces 国際会議

    X. Tian, W. Liu, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2022)  2022年7月8日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hybrid : virtual/Grand Josun Hote in Busan   国名:大韓民国  

  27. 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響

    安田 航、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会  2022年6月21日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  28. Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御

    酒井 大希、松下 圭吾、大田 晃生、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会  2022年6月21日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  29. SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御

    木村 圭佑、西村 駿介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会  2022年6月21日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  30. Si量子ドットの一次元配列制御

    辻 綾哉、今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮崎 誠一

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン   国名:日本国  

  31. HCl前洗浄したAl2O3/GaN界面の高温電気的特性

    長井 大誠、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン   国名:日本国  

  32. Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出―ドットサイズ依存性

    尾林 秀治、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン   国名:日本国  

  33. Feシリサイドドットの発光特性評価

    古幡 裕志、斎藤 陽斗、牧原 克典、大田 晃生、田岡 紀之、宮﨑 誠一

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン   国名:日本国  

  34. Al/Si(111)上に表面偏析したSiの光電子分光分析

    酒井 大希、松下 圭吾、大田 晃生、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月26日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン   国名:日本国  

  35. SiO2上へのニッケルシリサイド超薄膜の形成と化学結合状態分析

    木村 圭佑、西村 駿介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月26日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン   国名:日本国  

  36. SiO2上に形成したNiGe超薄膜の表面形態と結晶相制御

    西村 駿介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月25日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン   国名:日本国  

  37. Suppression of Ga Diffusion by Interfacial Barrier Layer in AlSiO/p-GaN 国際会議

    X. Tian, W. Liu, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, T. Narita, K. Ito, K. Kataoka, S. Iwasaki, D. Kikuta, K. Tomita, and S. Miyazaki

    14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022)/15th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2022) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Online  

  38. Effects of Cl Passivation on Al2O3/GaN Interface Properties 国際会議

    T. Nagai, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022)/15th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2022) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Online  

  39. Photoemission Study of Mg Doped GaN(0001) Surfaces 国際会議

    W. Liu, X. Tian, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki

    14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022)/15th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2022) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Online  

  40. 基板加熱によるAl/Ge(111)の結晶性・平坦性の制御と熱処理によるGe 表面偏析

    松下 圭吾、大田 晃生、林 将平、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第27回)  2022年1月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン  

  41. HCl による表面洗浄がAl2O3/GaN 界面特性および電気的特性に与える影響

    長井 大誠、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第27回)  2022年1月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン  

  42. AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷分布計測

    今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

    第21回 日本表面真空学会中部支部学術講演会  2021年12月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  43. FeナノドットへのSiH4照射による Feシリサイドナノドットの高密度・一括形成と室温PL特性評価

    斎藤 陽斗、古幡 裕志、牧原 克典、大田 晃生、田岡 紀之、宮﨑 誠一

    第21回 日本表面真空学会中部支部学術講演会  2021年12月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  44. High Density Formation of Fe-based Silicide Nanodots Induced by Remote H2 Plasma 国際会議

    Z. He, J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta, S. Miyazaki

    42nd International Symposium on Dry Process (DPS2021) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Virtual  

  45. Impact of Substrate Heating on Surface Flattening and Ge Segregation of Al/Ge(111) 国際会議

    K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, S. Hayashi, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2021 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices – Science and Technology – (IWDTF 2021) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:On-line virtual  

  46. Roles for Si, Oxygen atoms and Oxygen Vacancy in Crystalline Phase Stabilization of HfZr-oxide Layer 国際会議

    N. Taoka, R. Hasegawa, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2021 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices – Science and Technology – (IWDTF 2021) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:On-line virtual  

  47. Study on Silicidation Reaction of Fe-NDs with SiH4 国際会議

    H. Furuhata, K. Makihara, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki

    34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Online and On-Demand Conference  

  48. Characterization of Electronic Charged States of High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots Evaluated with AFM/Kelvin Probe Technique 国際会議

    Y. Imai, K. Makihara, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki

    34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Online and On-Demand Conference  

  49. Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots 国際共著

    J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta, S. Miyazaki

    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン  

  50. High Density Formation of Fe-based Silicide Nanodots Induced by Remote H2 Plasma 国際共著

    Z. He, J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta, S. Miyazaki

    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン  

  51. 基板加熱がAl/Ge(111)構造の表面平坦化とGe偏析に及ぼす影響

    松下 圭吾、大田 晃生、田岡 紀之、林 将平、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  52. AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷計測

    今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  53. 高密度FeナノドットへのSiH4照射によるシリサイド化反応制御

    古幡 裕志、牧原 克典、大田 晃生、田岡 紀之、宮﨑 誠一

    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  54. 後酸化によって形成したHf酸化物の結晶構造に基板面方位が与える影響

    安田 航、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会,  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  55. Si量子ドット多重集積構造へのP添加による内部ポテンシャル変調と電子放出特性評価

    尾林 秀治、牧原 克典、竹本 竜也、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  56. 透過型粉末X線回折による多層ゲルマナンの結晶構造評価

    伊藤 麻維、洗平 昌晃、大田 晃生、中塚 理、黒澤 昌志

    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  57. Study on Electron Emission from Phosphorus delta-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures 国際会議

    K. Makihara, T. Takemoto, S. Obayashi, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki

    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:All-VIRTUAL Conference  

  58. Hydrogen desorption from multilayer germanane flakes under an ultrahigh vacuum environment 国際会議

    M. Itoh, M. Araidai, A. Ohta, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:All-VIRTUAL Conference  

  59. 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御

    大田 晃生、松下 圭吾、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会  2021年6月22日 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  60. 低温水素アニール処理がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響

    前原 拓哉、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一

    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  61. ゲルマネンの超高真空ラマン分光

    水野 将吾、大田 晃生、鈴木 利明、柚原 淳司、日比野 浩樹

    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  62. リモート水素プラズマ支援FePt合金ナノドット自己組織化形成プロセスにおける基板温度が磁化特性に与える影響

    本田 俊輔、古幡 裕志、大田 晃生、池田 弥央、大島 大輝、加藤 剛志、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  63. HCl前洗浄がAl2O3/GaN界面特性に与える影響

    長井 大誠、田岡 紀之、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  64. Control of Ultrathin Segregated Ge Layer Thickness on Al/Ge(111) Structure 国際会議

    A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki,

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2021)  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  65. High-Density Formation of FeSi2 Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

    H. Zhixue, H. Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, N. Taoka, K. Makihara and S. Miyazaki

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2021)  2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  66. Characterization of Electron Field Emission from Phosphorus δ-Doped SiQDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures 国際会議

    T. Takemoto, T. Niibayashi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2021)  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  67. Influence of Substrate Temperature on Plasma-Enhanced Self-Assembling Formation of High Density FePt-Nanodot 国際会議

    S. Honda, K. Makihara, H. Furuhata, A. Ohta, M. Ikeda, T. Kato, D. Oshima and S. Miyazak

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2021)  2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  68. Magnetoelectronic Transport Characteristics of Fe3Si Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際共著 国際会議

    W. Jialin, H. Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2021)  2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  69. Ag/Ge 構造の表面偏析制御と平坦化による極薄Ge 結晶形成

    大田 晃生、山田 憲蔵、須川 響、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第26回)  2021年1月 

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  70. 金属Hf/Zr の熱酸化プロセスが結晶相と強誘電特性に与える影響

    長谷川 遼介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第26回)  2021年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  71. Sapphire(0001)上アモルファスGe 薄膜の固相結晶化

    須川 響、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第26回)  2021年1月 

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  72. Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode 国際会議

    T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)  2020年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  73. Growth of Ultrathin Ge Crystal Layer by Surface Segregation and Flattening of Ag/Ge Structure 国際会議

    A. Ohta, K. Yamada, H. Sugawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  74. 偏析法によるAl(111)薄膜表面上のゲルマネンの創製 国際共著

    武藤 寛明、柚原 淳司、小林 征登、大田 晃生、宮崎 誠一、Guy Le Lay

    2020年 日本物理学会 秋季大会  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  75. 多層ゲルマナンフレークからの水素脱離

    伊藤 麻維、洗平 昌晃、大田 晃生、中塚 理、黒澤 昌志

    2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  76. グラフェン上部電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出 ―コレクタ電極電圧依存性評価

    新林 智文、竹本 竜也、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

    2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  77. 金属Zr/Hf構造の熱酸化によるZrHf酸化物の形成と結晶相制御

    長谷川 遼介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  78. Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing 国際会議

    1. H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  79. Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots By Using a Magnetic AFM Probe 国際共著 国際会議

    2. J. Wu, H. Zhang , H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  80. 磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価

    武 嘉麟、張 海、古幡 裕志、牧原 克典、池田 弥央、大田 晃生、宮崎 誠一

    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語  

    国名:日本国  

  81. Al/Ge(111)の表面偏析制御による極薄Ge結晶形成

    小林 征登、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語  

    国名:日本国  

  82. Evaluation of Valence Band Top of Si Surface by Vacuum Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy with Variable Incident Photon Energy 国際会議

    A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2020)/13th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2020) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:英語  

    国名:日本国  

  83. Study on Electron Field Emission from Si-Quantum-Dots with Ge-Core/Si-Quantum-Dots Hybrid Stacked Structures 国際会議

    T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2020)/13th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2020) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:英語  

    国名:日本国  

  84. グラフェン電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出

    新林 智文、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語  

    国名:日本国  

  85. Sapphire(0001)上にスパッタ形成したGe薄膜の結晶化

    須川 響、大田 晃生、小林 征登、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:英語  

    国名:日本国  

  86. XPSによるSi系材料の複素誘電関数・光学定数の評価

    大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第25回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  87. Al/Ge(111)構造で生じる表面偏析を利用した極薄Ge結晶形成

    小林 征登、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第19回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  88. High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Magnetic Fe-silicide Nanodots 国際会議

    H. Zhang, X. Liu, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  89. Characterization of Photoluminescence from Si-QDs with B δ-Doped Ge Core 国際会議

    T. Maehara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  90. Complex Dielectric Function of Si Oxide as Evaluated from Photoemission Measurements 国際会議

    A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2019 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  91. Formation of High Density PtAl Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Exposure 国際会議

    K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    41st International Symposium on Dry Process 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  92. Fe3Siナノドットの高密度形成と磁化特性評価

    古幡 裕志、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、香野 淳、宮崎 誠一

    第19回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  93. 高密度B添加GeコアSi量子ドットの室温PL特性

    前原 拓哉、藤森 俊太郎、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一

    第19回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  94. Photoemission Study of Chemically-Cleaned GaN Surfaces and GaN-SiO2 Interfaces Formed by Remote Plasma CVD 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki and A. Ohta

    Material Research Meeting 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  95. Operand Study of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

    M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  96. Determination of Complex Dielectric Function of Oxide Film from Photoemission Measurements 国際会議

    A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  97. Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 国際会議

    S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  98. Formation of High Density Fe-silicide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of Their Magnetic Properties 国際会議

    J. Wu, H. Furuhata, H. Zhang, Y. Hashimoto, M. Ikeda, A. Ohta, A. Kohno, K. Makihara, and S. Miyazaki

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  99. Photoemission Based Characterization pf Gate Dielectrics and Stack Interfaces 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki and A. Ohta

    236th The Electrochemical Scociety Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  100. Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing 国際会議

    M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

    32th International Microprocesses and Nanotechnology Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  101. Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 国際会議

    K. Makihara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    32th International Microprocesses and Nanotechnology Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  102. リモート水素プラズマ支援による磁性合金FeSiナノドットの高密度・一括形成 国際会議

    橋本 靖司、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、香野 淳、宮崎 誠一

    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  103. Impact of Post Deposition Annealing on Chemical Bonding Features and Filled Electronic Defects of AlSiO/GaN(0001) Structure 国際会議

    A. Ohta, D. Kikuta, T. Narita, K. Itoh, K. Makihara, T. Kachi, S. Miyazaki

    2019 International Conference of Solid State of Device and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  104. Growth of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 国際会議

    M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2019 International Conference of Solid State of Device and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  105. Characterization of Ni/GaN(0001) Interfaces by Photoemission Measurements 国際会議

    K. Watanabe, A. Ohta, N. Taoka, H. Yamada, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S.Miyazaki

    2019 International Conference of Solid State of Device and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  106. Characterization of Electron Field Emission from Si Quantum Dots with Ge Core/Si Quantum Dots Hybrid Stacked Structures 国際会議

    T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

    2019 International Conference of Solid State of Device and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  107. First-Principles Study on Formation of Freestanding Silicene and Germanene 国際会議

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

    2019 International Conference of Solid State of Device and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  108. 光電子エネルギー損失信号によるSi系材料の複素誘電関数評価

    大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  109. B添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響 国際会議

    前原 拓哉、藤森 俊太郎、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一

    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  110. Formation of high density Fe-silicide nanodots induced by remote H2 plasma and their magnetic properties 国際会議

    Y. Hashimoto, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, A. Kohno, S. Miyazaki

    The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  111. Characterization of Electron Field Emission of Multiply-Stacked Si-QDs/SiO2 Structures 国際会議

    T. Takemoto, Y. Futamura, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki

    2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  112. Germanene epitaxial growth by a segregation method on Ag(111) thin films 国際会議

    J. Yuhara, H. Shimazu, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, M. Nakatake, G. Le Lay

    From the Nano World to Star Dust International Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  113. 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成

    小林 征登、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  114. Effect of B-doping on Photoluminescence Properties of Si-QDs with Ge Core 国際会議

    S. Fujimori, R. Nagai, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference; 10th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/ 12th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  115. HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析

    大田 晃生、牧原 克典、生田目 俊秀、塩﨑 宏司、宮﨑 誠一

    シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  116. Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Electroluminescent Devices 招待有り 国際会議

    K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    Compound Semiconductor Week (CSW) 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  117. Photoemission Characterization of Interface Dipoles and Electronic Defect States for Gate Dielectrics 招待有り 国際会議

    Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors VII (ULSIC vs. TFT 7) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  118. Study of GaN(0001) Surface Cleaning Using HCl-based Solutions 国際会議

    Y. Xu, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, N. Taoka, T. Narita, D. Kikuta, K. Shiozaki, T. Kachi, and S. Miyazaki

    11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2019)/12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya Institute of Technology   国名:日本国  

  119. ヘテロエピタキシャルAl/Ge(111)上に偏析した極薄Geの化学分析

    小林 征登、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  120. リモートO2プラズマ支援MOCVDによるHf酸化物ナノドットの高密度一括形成

    長谷川 遼介、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  121. Study on HCl-based Wet Chemical Cleaning of Epitaxial GaN(0001) Surfaces

    Y. Xu, A. Ohta, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, T. Narita, D. Kikuta, K. Shiozaki, T. Kachi, and S. Miyazaki

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  122. Si量子ドット多重連結構造からの電界電子放出特性 -積層数依存性

    竹本 竜也、二村 湧斗、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  123. B添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響

    永井 僚、藤森 俊太郎、前原 拓哉、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  124. GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重連結構造からの電界電子放 出特性および電子放出エネルギー評価

    二村 湧斗、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  125. Hf/(Si+Hf)組成の異なるHfSiOx/GaN(0001)の光電子分光分析

    大田 晃生、牧原 克典、生田目 俊秀、塩﨑 宏司、宮﨑 誠一

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  126. GaN 洗浄表面および絶縁膜 /GaNGaN 界面の化学結合・欠陥準位密度評価 招待有り

    大田 晃生、宮﨑 誠一

    NPFセミナー 省エネルギー社会に貢献するGaN材料の将来とそのキープロセス技術 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:産業技術総合研究所臨海副都心センター別館   国名:日本国  

  127. Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 国際会議

    R. Nagai, S. Fujimori, T. Maehara, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki

    11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2019)/ 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  128. Electron Field Emission from Multiply-Stacked Structures consisting of Ge-Core Si Quantum Dots and Si Quantum Dots 国際会議

    Y. Futamura, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki

    11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2019)/ 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya Institute of Technology   国名:日本国  

  129. GaN 洗浄表面および絶縁膜 /GaNGaN 界面の化学結合・欠陥準位密度評価 招待有り

    大田 晃生

    NPFセミナー 省エネルギー社会に貢献するGaN材料の将来とそのキープロセス技術 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  130. 光電子分光法による絶縁酸化膜の誘電関数・光学定数の決定

    大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第24回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  131. 熱酸化SiO2/Si(111)の真空紫外光によるUPS分析

    今川 拓哉、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第24回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  132. Photoemission Study of Gate Dielectrics - Quantitative Characterizations of Dielectric Functions, Interface Dipoles and Electronic Defect States 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki and A. Ohta

    11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  133. GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出

    二村 湧斗、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

    第17回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  134. 偏析法によりAg(111)表面上に創製されたゲルマネンの構造評価

    志満津 宏樹、柚原 淳司、仲武 昌史、伊藤 公一、大田 晃生、洗平 昌晃、黒澤 昌志

    第17回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  135. Ge 2D Crystal Growth on Hetero-epitaxial Ag/Ge(111) by N2 Annealing 国際会議

    A. Ohta K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  136. Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacked Ge Core Si-QDs 国際会議

    Y. Futamura, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  137. Formation and Magnetic Characterization of High Density FePt Nanodots Induced by Remote H2 Plasma 国際会議

    Y. Hashimoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  138. Impact of Remote Plasma Oxidation of GaN Surface on Photoluminescence Properties 国際会議

    N. Takada, N. Taoka, T. Yamamoto, A. Ohta, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

    40th International Symposium on Dry Process (DPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  139. GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造からの弾道電子放出

    二村 湧斗、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  140. エピタキシャルAl/Ge(111)の形成と真空中熱処理による表面平坦化およびGe析出

    小林 征登、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  141. リモート水素プラズマ支援によって高密度形成されたFePt合金ナノドットの磁化特性評価

    橋本 靖司、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  142. P添加GeコアSis量子ドットの帯電および局所電気特性評価

    永井 僚、藤森 俊太郎、池田 弥央、牧原 克典、大田 晃生、宮崎 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  143. High Density Formation of FePt Nanodots and Their Magnetic Properties 国際会議

    Y. Hashimoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    40th International Symposium on Dry Process (DPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  144. Photoluminescence from Insulator/GaN Structures Formed with Remote Plasma 国際会議

    N. Takada, N. Taoka, A. Ohta, T. Yamamoto, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  145. Two Dimensional Ge Crystal Growth by Annealing of Metal/Ge Stack 招待有り

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  146. High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots 国際会議

    H. Zhang, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    AiMES 2018 Meeting, ECS and SMEQ Joint International Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  147. Vacuum Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy Study of GaN(0001) Surfaces 国際会議

    T. Imagawa, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, T. Narita, K. Itoh, D. Kikuta, T. Kachi, K. Shiozaki, and S. Miyazaki

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  148. First-Principles Study on Hydrogen Adsorption and Desorption of Silicene and Germanene 国際会議

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

    国名:日本国  

  149. Impact of Surface Pre-Treatment on Metal Migration Induced by Remote H2-Plasma Treatment 国際会議

    K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  150. Wet-chemical Cleaning of Epitaxial GaN(0001) Surfaces 国際会議

    L. Peng, A. Ohta, N.X. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, N. Taoka, T. Narita, K. Itoh, D. Kikuta, K. Shiozaki, T. Kachi, S. Miyazaki

    2018 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  151. 光電子エネルギー損失信号による絶縁酸化膜の誘電関数評価

    大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  152. Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造

    志満津 宏樹、柚原 淳司、仲武 昌史、伊藤 公一、大田 晃生、洗平 昌晃、黒澤 昌志

    物理学会 2018年秋季大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  153. Characterization of Electron Charging and Local Electron Transport Properties of Si-QDs with Phosphorus Doped Ge Core 国際会議

    R. Nagai, S. Fujimori, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki

    Japan Student Chapter Meeting 2018 in Osaka (JSCM2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  154. Photoemission Study of Gate Dielectrics and Stack Interfaces 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki, and A. Ohta

    2018 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  155. 真空蒸着によるGe(111)上のAlヘテロエピタキシャル成長

    小林 征登、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  156. リモートプラズマによる表面洗浄とSiO2/GaN構造のin-situ形成

    田岡 紀之、グェンスァン チュン、山本 泰史、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、清水 三聡

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  157. リモートプラズマを用いて形成したSiO2/Ga2O3/GaN構造のPL特性

    高田 昇治、田岡 紀之、大田 晃生、山本 泰史、グェンスァン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  158. リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価

    橋本 靖司、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  159. GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出

    二村 湧斗、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

    2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  160. Modulation of GaN MOS Interface Properties with Excess Ozone Exposure During Atomic Layer Deposition 国際会議

    N. Taoka, T. Kobyashi, M. Nakamura, T. Sagawa, N. X. Truyen, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, S. Miyazaki, S. Motoyama, M. Shimizu

    2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2018) 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  161. Characterization of Electron Field Emission from Multiple-stacked Si Quantum Dots with Ge core 国際会議

    Y. Futamura, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

    2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2018) 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  162. Local structure of high performance TiOx passivating layer revealed by electron energy loss spectroscopy 国際会議

    T. Mochizuki, K. Gotoh, A. Ohta, Y. Kurokawa, S. Miyazaki, T. Yamamoto, N. Usami

    World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7) 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  163. 化学溶液洗浄したGaN 表面および絶縁膜/GaN 界面の化学構造・欠陥準位密度評価 招待有り

    大田 晃生、宮﨑 誠一

    応用物理学会・先進パワー半導体分科会第4回個別討論会 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  164. リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価

    松田 亮平、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  165. ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較

    グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  166. X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  167. Electroluminescence from Multiply Stacked Si Quantum Dots with Ge Core by Alternate Carrier Injection 国際会議

    K. Makihara, M. Ikda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference : 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) / 11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) 

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    開催年月日: 2018年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  168. Characterization of Electron Charging and Transport Properties of Si-QDs with Phosphorus Doped Ge Core 国際会議

    R. Nagai, K. Yamada, S. Fujimori, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki

    1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference : 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) / 11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) 

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    開催年月日: 2018年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  169. Formation Mechanism of SiO2/GaN Interface without Significant Ga -oxidation 国際会議

    N. Taoka, N. X. Truyen, T. Yamamoto, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, M. Shimizu

    1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference : 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) / 11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) 

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    開催年月日: 2018年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  170. Carrier Conduction in SiO2/GaN Structure with Abrupt Interface 国際会議

    N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

    The 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (2018 VLSI-TSA) 

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    開催年月日: 2018年4月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  171. Operand Study of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

    Y. Nakashima, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    10th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2018) / 11th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2018) 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  172. Control of Surface Segregated Ultrathin Ge Layer Formation on Ag Surface 国際会議

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    10th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2018) / 11th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  173. 電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造からのエレクトロルミネッセンス

    牧原 克典、池田 弥央、藤村 信幸、大田 晃生、宮﨑 誠一

    2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  174. 熱処理によるエピタキシャルAg/Ge(111)構造の表面平坦化とGe析出量制御

    伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  175. GaN(0001)面上へのHe希釈リモート酸素プラズマ支援によるSiO2 CVD -Ar希釈リモート酸素プラズマ支援との違い

    グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  176. リモートプラズマによって酸化されたn-GaNのPL特性

    高田 昇治、山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  177. XPSによるY2O3/SiO2界面の化学結合状態および内部電位評価

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  178. 光電子収率分光法による熱酸化SiO2/Si構造の電子状態計測

    大田 晃生、今川 拓哉、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  179. SiO2/Si構造の真空紫外光電子分光分析

    今川 拓哉、大田 晃生、田岡 紀之、藤村 信幸、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  180. P添加GeコアSi量子ドットの帯電および電子輸送特性評価

    永井 僚、山田 健太郎、藤森 俊太郎、池田 弥央、牧原 克典、大田 晃生、宮崎 誠一

    2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  181. Insulator/GaN Interface Control for Intelligent Power Integrated Circuit 国際会議

    N. Taoka, T. Kobayashi, M. Nakamura, T. Sagawa, N. X. Truyen, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, S. Miyazaki, S. Motoyama, and M. Shimizu

    11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  182. Evaluation of Potential Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structure by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

    Y. Futamura, Y. Nakashima, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  183. Electroluminescence from Si-QDs with Ge Core 国際会議

    R. Nagai, K. Yamada, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  184. XPS Study on High-k/SiO2 Interface -Correlation between Electrical Dipole and Oxygen Density- 国際会議

    N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  185. Insights into Growth of Two-Dimensional Ge Crystal on Epitaxial Ag/Ge(111) by Thermal Annealing 国際会議

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  186. ALD-Al2O3/GaN界面における伝導帯端近傍の界面準位密度の低減

    田岡 紀之、小林 貴之、中村 昌幸、佐川 達郎、グェン スァンチュン、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、久保 俊晴、山田 寿一、江川 孝志、宮崎 誠一、本山 愼一、清水 三聡

    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (第23回) 

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    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  187. 二次元結晶合成に向けたAg上Ge極薄膜の形成

    伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (第23回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  188. XPSによる極薄high-k/SiO2ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (第23回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  189. プラズマ酸化で形成したGa酸化物薄膜/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的界面特性

    山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェン スァンチュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (第23回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  190. Relationships between Al2O3/GaN Interface Properties near Conduction Band Edge and Post-Deposition Annealing Temperatures 国際会議

    N. Taoka, T. Kobayashi, M. Nakamura, T. Sagawa, N. X. Truyen, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, S. Miyazaki, S. Motoyama, and M. Shimizu

    48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  191. リモートO2プラズマ支援CVDによるSiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価

    グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    第17回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  192. 高密度GeコアSi量子ドットの室温EL特性評価

    山田 健太郎、池田 弥央、牧原 克典、大田 晃生、宮崎 誠一

    第17回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  193. 高誘電率絶縁膜/SiO2界面のダイポール形成と化学構造の関係

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    第17回 日本表面科学会中部支部・学術講演会 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  194. Evaluation of Filled Electronic States of Epitaxial GaN(0001) Surface by Total Photoelectron Yield Spectroscopy 国際会議

    A. Ohta, N. Truyen, N. Fujimura, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    2017 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2017) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  195. Ultrathin Ge Growth on Flat Ag Surface in Hetero-Epitaxial Ag/Ge Structure by Annealing 国際会議

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  196. Evaluation of Resistive Switching Properties of Si-rich Oxide Embedded with Ti Nanodots by Applying Constant Voltage and Constant Current 国際会議

    A. Ohta, Y. Kato, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  197. Oxidation of GaN surface by remote oxygen plasma 国際会議

    T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, N. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

    39th International Symposium on Dry Process (DPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  198. Energy Band Structure of Ga-oxide/GaN Interface Formed by Remote O2 Plasma 国際会議

    T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, X. Nguyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, O. Nakatsuka, M. Shimizu, S. Miyazaki

    2017 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  199. Electrical Properties of SiO2/GaN Interfaces Formed by Remote Oxygen Plasma Mixed with He or Ar 国際会議

    T. Nguyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, S. Miyazaki

    2017 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  200. XPS Study on Evaluation of Electrical Dipole and Atomic Density Ratio at Ultrathin High-k Dielectrics/SiO2 Interface 国際会議

    N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    2017 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2017) 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  201. リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価

    グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    電子情報通信学会 電子デバイス研究会(ED)窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  202. リモート酸素プラズマによって酸化した GaN の表面構造

    山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    先進パワー半導体分科会 代4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  203. Ultrathin Ge Growth on Ag Surface by Annealing of Hetero-Epitaxial Ag/Ge(111) 国際会議

    A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    The 8th International Symposium on Surface Science -Toward Clean & Green Innovation Driven by Surface Science- (ISSS8) 

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    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  204. Characterization of Interfacial Dipoles at Dielectric Stacks By XPS Analysis 国際会議

    S. Miyazaki, A. Ohta, and N. Fujimura

    232nd The Electrochemical Scociety (ECS) Meeting 

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    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  205. 硬 X線光電子分法によるSi 量子ドット多重集積構造のオペランド分析

    中島 裕太、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

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    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  206. 高誘電率絶縁膜/SiO2積層構造の光電子分光分析 -界面ダイポールと酸素密度の相関-

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

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    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  207. 入射エネルギー可変の真空紫外光電子分光による固体表面の価電子帯上端位置の計測

    今川 拓哉、大田 晃生、田岡 紀之、藤村 信幸、グェン スァン チュン、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

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    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  208. リモートプラズマ酸化したGaNの表面構造と電子状態

    山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェン スァン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  209. 熱処理がリモートプラズマCVD SiO2/GaN構造の化学結合状態及び電気特性に与える影響

    グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

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    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  210. 熱処理によるエピタキシャルAg上へのGe 二次元結晶の合成指針の構築

    伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

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    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  211. GeコアSi量子ドットのEL特性評価

    山田 健太郎、池田 弥央、牧原 克典、大田 晃生、宮崎 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2017 

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    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  212. Growth of 2D Crystal of Group-IV Elements on Epitaxial Ag(111) 国際会議

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2017 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  213. Direct Observation of Electrical Dipole and Atomic Density at High-k Dielectrics/SiO2 Interface 国際会議

    N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2017 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  214. ALD-Al2O3/GaN 構造における伝導帯端近傍の界面特性と熱処理温度の関係

    田岡 紀之、小林 貴之、中村 昌幸、佐川 達郎、グェンスァン チュン、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、久保 俊晴、山田 寿一、江川 孝志、宮﨑 誠一、本山 愼一、清水 三聡

    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  215. 電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造の発光特性

    牧原 克典、池田 弥央、藤村 信幸、大田 晃生、宮崎 誠一

    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  216. リモート酸素プラズマで形成したGa酸化物/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的特性

    山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、 山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  217. リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の熱安定性

    グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  218. XPSによるHigh-k/SiO2界面のダイポール定量と酸素密度比との相関

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  219. 熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御

    伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  220. Study of Wet Chemical Treatments of Epitaxial GaN(0001) Surface

    L. Peng, A. Ohta, N. X. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, N. Taoka, T. Narita, K. Itoh, D. Kikuta, K. Shiozaki, T. Kachi, and S. Miyazaki

    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  221. 真空紫外光電子分光によるGaNの電子親和力評価

    今川 拓哉、大田 晃生、藤村 信幸、グェン スァン チュン、池田 弥央、牧原 克典、加地 徹、塩崎 宏司、宮崎 誠一

    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  222. High Density Formation of Fe-Silicide Nanodots and Their Magnetic Properties 国際会議

    S. Ishida, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki

    The 15th International Conference on Advanced Materiasls (IU-MRS ICAM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  223. Formation of Si-based Quantum Dots on Sub-micron Si Wire Structures and Their Electroluminescence 国際会議

    M. Ikeda, L. Gao, K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki

    The 15th International Conference on Advanced Materiasls (IU-MRS ICAM 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  224. Electroluminescence of Super-atom-like Si-Ge based Quantum Dots Floating Gate 国際会議

    K. Makihara, M. Ikeda, N. Fujimura, A. Ohta, S. Miyazaki

    2017 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  225. High Thermal Stability of Abrupt SiO2/GaN Interface with Low Interface State Density 国際会議

    N. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

    2017 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM) 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  226. Synthesis of p- and n-type Ge1-xSnx Thin Films toward New Group-IV Thermoelectric Materials 国際会議

    M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, A. Ohta, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, S. Zaima

    36th International Conference on Thermoelectrics - ICT2017 

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    開催年月日: 2017年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  227. リモート酸素プラズマ支援CVD による急峻SiO2/GaN 界面の形成とその電気的特性

    Nguyen Xuan Truyen、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一

    2017 年真空・表面科学合同講演会 第37 回表面科学学術講演会・第58 回真空に関する連合講演会 

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    開催年月日: 2017年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  228. 高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定およびSiO2 との界面で生じる電位変化の定量

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    2017 年真空・表面科学合同講演会 第37 回表面科学学術講演会・第58 回真空に関する連合講演会 

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    開催年月日: 2017年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  229. Magnetoelectronic Transport of Double Stack FePt Nanodots 国際会議

    K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2017) 

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    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  230. Interface Properties of SiO2/GaN Formed by Remote-Plasma-Assisted CVD 国際会議

    N. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

    2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2017) 

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    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  231. Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy 国際会議

    A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2017) 

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    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  232. 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価

    大田 晃生、加藤 祐介、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

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    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  233. XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎誠一

    電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

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    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  234. Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diodes as Evaluated from HAXPES Analysis 国際会議

    A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, S. Miyazaki

    20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2017) 

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    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  235. エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

    伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 

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    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  236. Photoemission Study of Gate dielectrics on Gallim Nitride 国際会議

    S. Miyazaki, N. Truyen, and A. Ohta

    ULSIC vs TFT: 6th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors 

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    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:オーストリア共和国  

  237. Fabrication and Magnetoelectronic Transport Fe3Si-Nanodots on Ultrathin SiO2 国際会議

    H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures 

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    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  238. Evaluation of Potential Distribution in Multiple Stacked Si Quantum Dots Structure by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

    Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures 

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    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  239. Characterization of Electroluminescence from Si-QDs with Ge Core 国際会議

    K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures 

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    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 14

  1. 拡散・偏析制御によるゲルマニウム二次元結晶の形成に関する研究

    2022年5月 - 2023年3月

    公益財団法人 日比科学技術振興財団  公益財団法人 日比科学技術振興財団 研究助成 (一般課題) 

    大田 晃生

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  2. 絶縁膜で覆われたゲルマニウム二次元結晶の形成と結晶成長機構の解明

    研究課題番号:M20助自022  2020年7月 - 2021年6月

    公益財団法人 村田学術振興財団 研究助成 

    大田 晃生

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  3. ゲルマニウム濃縮による二次元結晶の創製と電子物性の解明

    2020年4月 - 2021年3月

    公益財団法人 立松財団  公益財団法人 立松財団 (B) 一般研究助成 

    大田 晃生

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  4. X線光電子分光法による電子デバイス材料の複素誘電関数の決定

    2019年4月 - 2020年3月

    公益財団法人 内藤科学技術振興財団 第31回研究助成金 

    大田 晃生

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  5. IV 族元素による新奇二次物質創成ユニット

    2018年4月 - 2020年3月

    平成 30 年度研究大学強化促進事業 「若手新分野創成研究ユニット ・フロンティア」 

    黒澤 昌志、大田 晃生、洗平 昌晃

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    担当区分:研究分担者  資金種別:その他

  6. ゲルマニウムフロンティア探求ユニット

    2018年1月 - 2019年3月

    未来エレクトロニクス研究センター・若手研究ユニット 

    洗平 昌晃、黒澤 昌志、大田 晃生

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  7. 光電子分光法によるGaN表界面の高感度電子状態計測と酸化膜界面設計の研究

    2016年12月 - 2018年8月

    第15回「トヨタ先端技術共同研究公募」 

    宮崎 誠一、白石 賢二、大田 晃生、塩﨑 宏司

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  8. 光電子収率分光によるSiO2/SiC界面の欠陥評価

    2016年4月 - 2021年3月

    国内共同研究 

    宮崎 誠一、大田 晃生、牧原 克典

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    担当区分:研究分担者  資金種別:産学連携による資金

  9. IV族二次元結晶の成長メカニズム解明とスイッチング動作実証

    研究課題番号:H27助自41  2015年7月 - 2016年6月

    公益財団法人 村田学術振興財団 研究助成 

    黒澤 昌志、大田 晃生、洗平 昌晃

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  10. IV族元素による新奇二次元物質創生ユニット

    2015年5月 - 2018年3月

    平成27年度 研究大学強化促進事業 若手新分野創成研究ユニット 

    黒澤 昌志、大田 晃生、洗平 昌晃

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    担当区分:研究分担者  資金種別:その他

  11. 理工農系:サステナブル社会の実現に貢献する自然科学系国際的若手研究者の育成プログラム

    2012年10月

    日本学術振興会 研究者海外派遣基金助成金「組織的な若手研究者等海外派遣プログラム」 

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    資金種別:競争的資金

  12. 超低消費電力化・微細化に向けたSi 酸化物を用いた抵抗変化型メモリの研究

    2012年4月 - 2013年3月

    公益財団法人 中国電力技術研究財団 試験研究-(A)  試験研究-(A)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  13. 次世代LSI に向けたゲルマニウム系高移動度デバイスの界面構造分析に基づく伝導特性制御

    2012年4月 - 2013年3月

    広島大学 特別研究員  理工系

    大田晃生

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    担当区分:研究代表者  資金種別:その他

  14. 次世代MOSトランジスタ用Hf系高誘電率ゲート絶縁膜の研究

    研究課題番号:196060  2007年4月 - 2009年3月

    日本学術振興会特別研究員(DC2)  日本学術振興会特別研究員(DC2)

    大田 晃生

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

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科研費 12

  1. ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御

    研究課題/研究課題番号:22H01524  2022年4月 - 2025年3月

    科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    大田 晃生, 柚原 淳司, 田岡 紀之, 牧原 克典

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:17680000円 ( 直接経費:13600000円 、 間接経費:4080000円 )

    14族元素であるゲルマニウムとシリコンに対して共晶型の状態図をとるアルミニウムに注目し、熱処理による表面偏析を精密に制御することで、アルミニウム薄膜表面にゲルマニウム二次元結晶と極薄シリコン結晶のヘテロ構造を形成する方法を探求する。その化学構造や電子状態を調べることで、ヘテロ構造の形成制御に関する知見を得ることに加えて、異種材料との化学反応や電子障壁高さなどを明らかにすることに取り組む。

  2. ハイブリッドスーパーアトム創成による量子物性制御と新機能デバイス開発

    研究課題/研究課題番号:21H04559  2021年4月 - 2024年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    宮崎 誠一, 牧原 克典, 大田 晃生

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    従来の半導体ナノドットあるいは均質な量子ドットには見られない異なる物性を有するナノ構造の結合による電子状態の融合や新規電子状態が実現可能な「ハイブリッドスーパーアトム」形成プロセスを構築し、これらの特異な電子物性をデバイス特性・機能に直接反映させた少数電子・光子で動作する新原理機能デバイスの開発を推進する。これにより、均質の量子ドットでは原理的に実現不可能な多数電子の安定保持能力と多値性の両立とともに内部分極の非線形性・多段階性およびシリサイド・ジャーマナイド内核の特異物性(スピン自由度/光との相互作用)をデバイスの入出力・多値記憶機能に直接反映した光・電子融合デバイスの開発への展開を図る。

  3. シリコン酸化膜に覆われたゲルマネンを用いた超高速エレクトロニクスの開発

    研究課題/研究課題番号:20K21142  2020年7月 - 2022年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究(萌芽)

    大田 晃生, 牧原 克典, 田岡 紀之, 洗平 昌晃

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:6500000円 ( 直接経費:5000000円 、 間接経費:1500000円 )

    ゲルマニウム原子の二次元結晶であるゲルマネンは、グラフェンと同様のハニカム格子を取ることから非常に特殊な電子状態を有し、グラフェンと同等の高いキャリア移動度に加えて、強いスピン軌道相互作用を持つという特徴が理論的に明らかにされている。しかしながら、現在、その特殊な電子状態をデバイスに展開するには至っていない。そこで、本申請では、ゲルマネンをはじめとするゲルマニウム原子の二次元結晶の電子状態を引き出すと伴に化学的安定性を高めるために、シリコン酸化膜で覆われた状態で形成する方法を確立することを目指す。その後、ゲルマニウム二次元結晶のキャリア輸送特性を実験及び理論の両面から精査する。
    初年度は、表面偏析を利用した極薄Ge結晶の形成について、基板面方位による結晶構造制御、基板加熱によるGe層表面偏析制御、極薄Ge結晶の熱安定性に注力して、研究を推進した。
    基板面方位が異なるGe(100)およびGe(111)構造上にAgを形成し、熱処理温度を最適化することにより、四回もしくは三回回転対称な構造を持つ非常に平坦な表面を形成することができた。Ag表面が結晶成長のテンプレ―トとなることを考慮すると、表面偏析するGeの結晶構造を基板の面方位で制御できることが示唆された。Ag/Ge(100)構造の表面平坦化は300 度の熱処理で進行し、その温度はAl/Ge(111)の場合に比べ~150度ほど低い。さらに、Ag/Ge(111)では、熱処理により表面平坦化することにより、安定性が向上する。熱処理により表面平坦化した試料表面には、高結晶性のGe薄膜が成長することも明らかにできた。
    また、Al/Ge(111)構造において、真空蒸着によるAl堆積時に基板加熱することで、Al薄膜上に極薄Ge結晶が偏析できることが分かった。基板加熱により表面平坦化が進むが、200度以上では表面荒れが生じた。また、基板温度の制御により原子数層分程度の極薄Ge結晶を形成できることが明らかになった。さらに、表面偏析により形成した極薄Ge結晶を窒素雰囲気中で追加熱処理を行うことで熱安定性を評価した。400度以上は一部のGeが酸化するものの、300度まで安定であった。さらに、極薄Ge結晶をPMMAによる保護膜と化学薬品を用いて、SiO2/Si基板上に転写を試みた。光電子分光測定より、転写したSiO2/Si上で表面に形成したAl酸化物とGeを転写できたが、酸化抑制などのため今後、保護膜形成などのプロセス中に改善が必要であることが分かった。
    表面偏析を利用した極薄Ge結晶の形成について、下記の成果を得ることができた。Ge(100)およびGe(111)上に形成したAgでは、どちらの場合も熱処理により表面平坦化が可能であり、同時に表面偏析するGe結晶の結晶構造を基板面方位で制御できることが示唆された。Al/Ge(111)構造では、真空蒸着によるAl堆積時に基板加熱することで、原子数層分程度の極薄Ge結晶が形成し、基板温度の制御によりその厚さを調整できることが分かった。また、極薄Ge結晶は窒素雰囲気中300度の熱処理においても安定であった。さらに、Al上に形成した極薄Ge結晶を、一部酸化した状態ではあるが、SiO2/Si基板上に転写することができた。
    今後は、反射分光や反射高速電子線回折などにより熱処理に伴う試料表面の化学構造変化をリアルタイムに観測することで、二次元結晶の形成を精密に制御する。加えて、第一原理計算により極薄Ge膜の膜厚に対する電子状態の変化を明らかにする。また、保護膜の形成プロセスや化学薬品の調整することで、析出した極薄Ge膜のSiO2/Si基板上への転写技術を確立することに取り組む。さらに、素子分離や電極形成を行うことで、極薄Ge膜のキャリア輸送特性や電界効果による変調などを精査する。

  4. Si-Ge系スーパーアトムの内部ポテンシャル変調による量子機能材料創成

    研究課題/研究課題番号:19H00762  2019年4月 - 2023年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    牧原 克典, 大田 晃生, 洗平 昌晃

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    本研究では、Si-Ge系スーパーアトム(コア/シェル量子ドット)において、電子および正孔の波動関数制御技術を確立し、均質ナノドットにない固有の物性・機能を実現する。具体的には、GeコアSi量子ドットにおいて、計算科学、半導体プロセスおよび物性評価の各研究者が、それぞれの分野の専門性を生かした相互・有機的連携による新しい視点からナノ構造界面を有する量子井戸に閉じ込めた電子・正孔の波動関数を深考し、スーパーアトム内での電子・正孔の結合・分離状態制御を実現する。これにより、真の量子力学に基づいた波動関数カップリングを実現し、高効率キャリア再結合を実現するSi系エレクトロルミネッセンス材料を創成する。
    本年度は、SiO2膜上に自己組織化形成したGeコア/Siシェル量子ドットにおいて、量子ドット形成後の低温水素アニールがGeコアからの発光特性に及ぼす影響を評価した。
    Geコア/Siシェル量子ドットは、以下の手順で作成した。先ず、n-Si(100)基板を1000℃で酸化することにより~3.0nmのSiO2膜を形成し、希釈HF処理した後、pure SiH4ガスとH2希釈5%GeH4ガスのLPCVDにより、GeコアSi量子ドットを高密度・一括形成した。その後、リモートプラズマ酸化により、ドット表面に~1.0nmの酸化膜を形成した。GeコアSi量子ドット形成後、H2雰囲気350℃のアニール処理を行った。比較としてN2雰囲気中においても同様のアニール処理を行った。
    GeコアSi量子ドットの室温PLスペクトル測定では、0.60~0.85 eVにブロードな発光が認められ、Siクラッドの伝導帯の量子準位からGeコアの価電子帯の量子準位への電子遷移に伴った発光成分(Comp. 1 : ~0.66 eV)とGeコアの量子準位間の発光再結合に起因する3成分(Comp. 2 :~0.70 eV, Comp. 3 :~0.74 eV, Comp. 4 :~0.79 eV)で分離できる。350℃でH2アニールした場合、PL強度の大幅な増大が認められ、アニール処理無しの場合と同じ成分(ピーク位置および半値幅)で分離できることが分った。波形分離した各成分のPL積分強度まとめた結果、Comp.1に比べてComp. 2~4の増加率が顕著であった。尚、350℃のN2アニールではPLスペクトルに顕著な変化は認められなかった。この結果は、Geコア内部およびSiクラッド/Geコア界面の欠陥が、水素パッシベーションされることによって非発光再結合レートが減少し、発光効率が向上したとして解釈できる。
    新型コロナウィルスによる緊急事態宣言もあり、研究が進まない時期もあったが、宣言解除後には、試料作成や評価は当初の予定通り進めることができた。
    今年度は、新たに電子系に対する深い閉じ込めポテンシャル井戸が実現できるGe合金(ジャーマナイド)コア/Siシェル量子ドット(ジャーマナイドコアSi量子ドット)を新たに創成し、均質ナノドットにない固有の物性・機能を探索する。これにより、特異な非線形誘電応答、多段階電荷輸送特性を示す新ナノ材料の創成を目指す。具体的な形成プロセスを下記に示す。SiO2上にP添加Si量子ドットを形成する。ドットへの不純物デルタドーピングは、SiH4-LPCVD中にPH3をパルス供給により行う。尚、Pデルタドーピング条件は既に得ている。次に、GeH4ガスの熱分解で、Si量子ドット上にGeを選択成長する。Ge内核形成後、金属(NiおよびW)のハロゲン化ガスまたは有機錯体を用いたCVD反応を精密制御して、金属(NiおよびW)をGe上に選択成長・合金化する。その後、SiH4-LPCVD を施して、NiGe表面をSiで被覆することでNiGe内核を有するSi量子ドット構造を形成する。これにより、電子に対する深い閉じ込めポテンシャルを有するショットキ型コア/シェル量子ドットが実現できる。

  5. 絶縁性基板上のゲルマニウム二次元結晶の創製と電子物性の解明

    研究課題/研究課題番号:19H02169  2019年4月 - 2022年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    大田 晃生

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:17160000円 ( 直接経費:13200000円 、 間接経費:3960000円 )

    ゲルマネンなどゲルマニウム二次元結晶の卓越した電子物性や新機能を明らかにすることを目指す。研究の第一段階として、シリコンとゲルマニウムの化学的性質を利用し、絶縁性基板上でゲルマニウム二次元結晶を合成する方法を確立に取り組む。そして、絶縁層で挟まれた二次元結晶を作成した後、ゲルマニウム二次元結晶の電子物性を実験的に明らかにする。さらに、ゲルマニウム二次元結晶への不純物添加などによる電子物性の変調や合成技術を発展させ、新物性や新機能の発現を目指す。
    二年度目は、サファイア基板上のGe薄膜の結晶化に注力して、研究を推進した。アセトンによる超音波洗浄と窒素雰囲気中熱処理により、原子レベルで平坦なサファイア表面を形成した後、RFマグネトロンスパッタリング法によりGe薄膜を堆積した。まず、基板表面温度を変化させてGe薄膜を堆積し、ラマン散乱分光法と原子間力顕微鏡により結晶性および表面形状を評価した。室温で堆積した場合は、Ge薄膜はアモルファスであったが、基板温度420度で堆積した場合は結晶化率が9割を超えた。しかし、その表面形状は島状であり、基板温度の増大により、結晶化と同時にGe原子の表面マイグレーションが促進することが分かった。そこで、Ge原子のマイグレーションを抑制し、熱安定性を向上させるために、SiO2を保護膜として形成した。SiO2/Ge/サファイア構造に対して、Geの融点である938度以下の熱処理で固相結晶化を行った。サファイア基板上のアモルファスGe薄膜は、窒素雰囲気中650度以上で結晶核が生じることが分かった。また、650度以上の熱処理による結晶核発生と、それ以下の温度での長時間の熱処理を組み合わせる二段階の熱処理により、表面平坦性を大きく乱すことなく、Geの結晶化が進行することを明らかにした。さらに、熱酸化をすることでGe薄膜の更なる薄膜化が可能である。また、SiO2/Ge/サファイア構造に対して、940度の熱処理による溶融結晶化を試みた。SapphireとGeの熱膨張係数差から生じるき裂を防ぐため、昇温・降温レートを系統的に変化させた。Ge薄膜を結晶化するには、その厚さが薄いと昇温・降温レートを大きくしなければならいことが分かった。低温熱処理によって固相結晶化を行った試料と比較して、残留アモルファス成分が認められず、高結晶性のGe薄膜が得られた。
    絶縁性単結晶基板であるサファイア(0001)を原子レベルで表面平坦化し、その上にスパッタ形成したGe薄膜において、SiO2保護膜の形成に加えて、結晶核生成を制御する二段階の温度での熱処理することで、表面平坦性を大きく乱すことなくGe薄膜を固相結晶化できることが分かった。さらに、Geの融点を超える940度の熱処理において、昇温・降温レートを高めることで溶融結晶化でき、高結晶性のGe薄膜が得られることが分かった。上述の様に、サファイア基板上のGe薄膜において、熱処理による結晶化の指針を示すことができた。
    最終年度は、極薄Ge膜の単結晶化と均一に薄膜化する方法を探究することに取り組む。作成した極薄Ge膜において、X線回折法や、透過型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡などを用いて結晶構造や平坦性を評価し、サファイア基板との配向性を明らかにする。また、極薄Ge膜の熱酸化や初期膜厚の制御により、厚さをサブナノメートルまで薄膜化することによって、絶縁性基板上の二次元結晶の形成に向けた指針を構築する。光電子分光測定により電子状態を明らかにすることに加えて、素子分離や電極形成により、キャリア輸送特性などを評価することを目指す。

  6. ゲルマニウム系二次元ハニカム結晶の自己組織化形成と結晶構造・電子状態制御

    研究課題/研究課題番号:18K19020  2018年6月 - 2020年3月

    日本学術振興会  科学研究費補助金  挑戦的研究(萌芽)

    大田 晃生

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:6240000円 ( 直接経費:4800000円 、 間接経費:1440000円 )

    金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶と偏析を制御することで、Ge原子の二次元結晶を形成することを目指して研究を推進した。Geと共晶反応を示すAlを二次元結晶成長のテンプレートとし、Al蒸着時の堆積速度や膜厚を制御することによりGe(111)ウェハ上にAlをヘテロエピタキシャル成長できることが分かった。さらに、Al蒸着時の基板温度やAl蒸着後の真空中熱処理における処理温度や時間が試料表面の平坦化とGe原子の表面偏析に与える影響を系統的に調べ、サブナノメートルの極薄Ge結晶層を成長できることを明らかにした。
    ポストグラフェン材料として注目されているGe原子の二次元結晶の形成は、これまでに清浄化した単結晶金属表面上へのGe原子の蒸着により行われてきた。これに対して、本研究では、Geと共晶反応を示すAl薄膜をGeウェハ上にヘテロエピタキシャル成長し、基板加熱や熱処理に伴うGe原子のAl薄層中への固溶と表面偏析を制御することで、サブナノメートルのGe結晶を成長できることを明らかにすることができた。

  7. Si-Ge系スーパーアトム構造のセルフアライン集積による光・電子物性制御

    研究課題/研究課題番号:15H05762  2015年5月 - 2019年3月

    日本学術振興会  科学研究費補助金 

    宮崎 誠一

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    本研究では、Si極薄熱酸化膜上にGeコアSi量子ドットを高密度・一括形成し、PL発光において、Geコアの量子準位間での電子-正孔再結合が支配的であることを明らかにした。また、PをGeコアに添加することで、真性GeコアSi量子ドットに比べ正帯電を低電圧化できることが分かった。発光デバイスを作製し、室温発光特性を評価した結果、GeコアSi量子ドット内に電子・正孔を交互あるいは同時注入することで、量子準位間での電子-正孔再結合に起因する発光が起こることを明らかにした。さらには、Si細線上にGeコアSi量子ドットを高密度形成した場合、細線構造に起因した発光波長の狭帯化が生じることも実証した。
    本研究で得られた成果は、シリコンULSIプロセスとの整合性が高く、シリコン・フォトニクスにおいて実現が極めて困難であると考えられていた電流注入型シリコン系レーザの開発に繋がると期待できる。さらには、飛躍的な進歩を遂げているシリコンULSI 技術をベースにSi 系量子ドットトランジスタやフローティングメモリデバイスを組み合わせて、将来の少数電子・少数光子を使った大規模な高度情報処理へと発展する可能性が高い。

  8. Si系酸化薄膜抵抗変化材料における欠陥分布の高感度計測および精密制御

    研究課題/研究課題番号:15H05520  2015年4月 - 2018年3月

    日本学術振興会  科学研究費補助金  若手研究(A)

    大田 晃生

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:23270000円 ( 直接経費:17900000円 、 間接経費:5370000円 )

    低消費電力化・高集積化可能なナノスケールメモリデバイスの創製を目指し、既存のSiプロセスと親和性が高いSi酸化膜を抵抗変化誘起材料に用いた抵抗変化型メモリを探求した。その成果として、真空準位を基準として3eVから10eVまでの幅広いエネルギー帯を分析可能な光電子収率分光(PYS)システムを構築し、Si酸化膜のエネルギーバンドギャップ内に存在する電子占有欠陥密度を高感度に定量した。また、Si酸化膜をNi電極で挟み込んだダイオードを作製し、電気抵抗スイッチング動作およびその高性能化を調べた。特に、Tiナノドットの埋め込みによる導電性パスの制御に力点を置き研究を進めた。

  9. シリコン系二次元ハニカム結晶の創製と電子物性の解明

    研究課題/研究課題番号:15K13943  2015年4月 - 2017年3月

    日本学術振興会  科学研究費補助金  挑戦的萌芽研究

    大田晃生

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  10. 磁性合金ナノドットハイブリッド集積によるスピン物性制御と新機能メモリ応用

    研究課題/研究課題番号:15H02239  2015年4月 - 2015年6月

    日本学術振興会  科学研究費補助金  基盤研究(A)

    宮崎誠一

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  11. シリコン酸化薄膜を用いた微細抵抗変化型メモリの研究

    研究課題/研究課題番号:25790058  2013年4月 - 2015年3月

    日本学術振興会  科学研究費補助金  若手研究(B)

    大田晃生

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  12. Ti系酸化膜を用いた抵抗変化型メモリの化学結合状態と抵抗変化現象の相関の解明

    研究課題/研究課題番号:21860062  2009年4月 - 2011年3月

    日本学術振興会  科学研究費補助金  若手研究(スタートアップ)

    大田晃生

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

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担当経験のある科目 (本学) 34

  1. 機能集積デバイスセミナー2E

    2022

  2. 機能集積デバイスセミナー2C

    2022

  3. 機能集積デバイスセミナー2A

    2022

  4. 機能集積デバイスセミナー1C

    2022

  5. 機能集積デバイスセミナー1A

    2022

  6. 機能集積デバイスセミナー2E

    2021

  7. 機能集積デバイスセミナー2C

    2021

  8. 機能集積デバイスセミナー2A

    2021

  9. 機能集積デバイスセミナー1C

    2021

  10. 機能集積デバイスセミナー1A

    2021

  11. 電気・電子情報工学実験第1

    2021

  12. 電気・電子情報工学実験第2

    2021

  13. 自動車工学実験1

    2021

  14. 機能集積デバイスセミナー2D

    2021

  15. 機能集積デバイスセミナー2B

    2021

  16. 機能集積デバイスセミナー1D

    2021

  17. 機能集積デバイスセミナー1B

    2021

  18. 線形回路論及び演習

    2021

  19. 熱・統計力学

    2021

  20. 電気・電子情報工学実験第1

    2020

  21. 線形回路論及び演習

    2020

  22. 熱・統計力学

    2020

  23. 物理学実験

    2020

  24. 自動車工学実験1

    2020

  25. 機能集積デバイスセミナー

    2020

  26. 電気電子情報工学実験第1

    2019

  27. 線形回路論および演習

    2019

  28. 熱・統計力学

    2019

  29. 機能集積デバイスセミナー

    2019

  30. 電気・電子情報工学実験第2

    2018

  31. 電気・電子情報工学実験第1

    2018

  32. 線形回路論および演習

    2018

  33. 熱・統計力学

    2018

  34. 機能集積デバイスセミナー

    2018

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社会貢献活動 4

  1. 第6回 真空技術 超入門講座

    役割:講師

    日本真空学会東海支部  名古屋大学  2019年10月

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    対象: 大学生, 大学院生

    種別:講演会

  2. 第5回 真空技術 超入門講座

    役割:講師

    日本真空学会東海支部  名古屋大学  2018年5月

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    対象: 大学生, 大学院生

    種別:講演会

  3. 第3回 真空技術 超入門講座

    役割:講師

    日本真空学会東海支部  名古屋大学  2016年4月

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    対象: 大学生, 大学院生

    種別:講演会

  4. 第2回 真空技術 超入門講座

    役割:講師

    日本真空学会東海支部  2015年4月

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    対象: 大学生, 大学院生

    種別:講演会