2024/10/04 更新

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クロカワ　ヤスヨシ
黒川　康良
KUROKAWA Yasuyoshi
所属
大学院工学研究科 物質プロセス工学専攻 物質創成工学 准教授
大学院担当
大学院工学研究科
学部担当
工学部 マテリアル工学科
職名
准教授
外部リンク

学位 1

  1. 博士（工学） （ 2009年3月   東京工業大学 ） 

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研究キーワード 8

  1. 光閉じ込め構造

  2. ナノ構造

  3. 太陽電池

  4. 量子効果

  5. ナノ構造

  6. 太陽電池

  7. シリサイド

  8. デバイスシミュレーション

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研究分野 2

  1. ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

  2. ナノテク・材料 / ナノ材料科学

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現在の研究課題とSDGs 4

  1. 水素プラズマ処理による高品質シリコン量子ドット発電層の創製

  2. 長波長感度を極限まで高める光閉じ込め構造の開発

  3. シリコンベース化合物半導体の機能コアを利用した新規高性能薄膜太陽電池構造の開発

  4. 産業廃棄物シリコンの利用技術とエネルギーハーベストデバイスの開発

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経歴 5

  1. 名古屋大学   大学院工学研究科物質プロセス工学専攻   准教授

    2018年4月 - 現在

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  2. 名古屋大学   大学院工学研究科マテリアル理工学専攻   講師

    2015年4月 - 2018年3月

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    国名：日本国

  3. （独）科学技術振興機構   さきがけ研究員（兼任）

    2011年10月 - 2017年3月

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    国名：日本国

  4. 東京工業大学   大学院理工学研究科電子物理工学専攻   助教

    2010年5月 - 2015年3月

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    国名：日本国

  5. 東京工業大学   大学院工学研究科電子物理工学専攻   産学官連携研究員

    2009年4月 - 2010年4月

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    国名：日本国

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学歴 3

  1. 東京工業大学   理工学研究科   電子物理工学専攻

    2007年4月 - 2009年3月

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    国名： 日本国

  2. 東京工業大学   理工学研究科   電子物理工学専攻

    2005年4月 - 2007年3月

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    国名： 日本国

  3. 東京工業大学   工学部   電気電子工学科

    2001年4月 - 2005年3月

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    国名： 日本国

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所属学協会 5

  1. 応用物理学会   本会員

    2004年6月 - 現在

  2. 日本太陽光発電学会   理事（広報）

    2020年10月 - 現在

  3. American Chemical Society   Regular member

    2013年10月 - 現在

  4. IEEE Electron Device Society

    2024年4月 - 現在

  5. Material Research Society   Regular Member

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委員歴 24

  1. 応用物理学会   プログラム編集委員  

    2022年4月 - 現在   

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    団体区分：学協会

  2. 日本太陽光発電学会   理事（広報）  

    2020年10月 - 現在   

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    団体区分：学協会

  3. 太陽光発電国際会議国内諮問委員会   委員  

    2020年4月 - 現在   

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    団体区分：学協会

  4. 第8回太陽光発電世界会議組織委員会   組織委員会委員  

    2021年10月 - 2022年9月   

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    団体区分：学協会

  5. 第35回太陽光発電国際会議組織委員会   組織委員会委員、運営委員会委員  

    2023年3月 - 2025年11月   

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    団体区分：学協会

  6. 第33回太陽光発電国際会議組織委員会   組織委員会委員、運営委員会委員  

    2021年3月 - 2022年11月   

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    団体区分：学協会

  7. 国際固体素子材料コンファレンス論文委員会   論文委員  

    2011年12月 - 2022年12月   

  8. フロンティア太陽電池セミナー組織委員会   世話人  

    2016年8月 - 現在   

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    団体区分：学協会

  9. 第21回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第4回日本太陽光発電学会学術講演会）実行委員会   実行委員・プログラム委員  

    2023年12月 - 2024年7月   

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    団体区分：学協会

  10. 第19回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第2回日本太陽光発電学会学術講演会）実行委員会   実行委員  

    2021年12月 - 2022年7月   

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    団体区分：学協会

  11. 第8回太陽光発電世界会議組織委員会   組織委員会委員  

    2021年10月 - 2022年9月   

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    団体区分：学協会

    researchmap

  12. 第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム実行委員会   Web担当  

    2019年11月 - 2020年10月   

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    団体区分：学協会

  13. 応用物理学会　機関誌企画・編集委員会   委員  

    2019年4月 - 2021年3月   

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    団体区分：学協会

  14. 日本学術振興会第175委員会第16回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム実行委員会   広報担当委員  

    2018年12月 - 2019年7月   

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    団体区分：学協会

  15. 応用物理学会若手チャプター「太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会」   広報担当  

    2018年1月 - 現在   

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    団体区分：学協会

  16. 日本学術振興会第175委員会第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム実行委員会   広報担当委員  

    2017年12月 - 2018年7月   

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    団体区分：学協会

  17. 10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10) Organizing Committee   Organizing Committee member  

    2017年6月 - 2018年4月   

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    団体区分：学協会

  18. 日本学術振興会第175委員会第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム実行委員会   プログラム委員長  

    2016年12月 - 2017年7月   

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    団体区分：学協会

  19. フロンティア太陽電池セミナー組織委員会   世話人  

    2016年8月 - 現在   

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    団体区分：学協会

    researchmap

  20. 低炭素社会実現のための太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会   座長  

    2016年4月 - 2018年3月   

  21. 第27回太陽光発電国際会議組織委員会   組織委員会委員、運営委員会委員  

    2016年4月 - 2017年11月   

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    団体区分：学協会

  22. 日本学術振興会第175委員会   運営委員（幹事）  

    2014年4月 - 2020年10月   

  23. 第6回太陽光発電世界会議組織委員会   総務委員  

    2013年4月 - 2014年11月   

  24. 国際固体素子材料コンファレンス論文委員会   論文委員  

    2011年12月 - 現在   

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受賞 11

  1. 第３８回財団賞（奨励賞）

    2021年3月   公益財団法人　永井科学技術財団   太陽電池の高効率化に向けた革新的光閉じ込め構造作製手法の開発

    黒川　康良

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    受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞  受賞国：日本国

  2. IAAM Scientist Medal

    2022年10月   International Association of Advanced Materials   Nanomaterials & Nanotechnology

    黒川　康良

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    受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：スウェーデン王国

  3. 愛知県若手研究者イノベーション創出奨励事業　第12回「わかしゃち奨励賞」　優秀賞

    2018年1月   愛知県   シリコン系ナノ構造を用いた革新的高出力エネルギーハーベスト用発電デバイスの開発

    黒川康良

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    受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞  受賞国：日本国

  4. Outstanding Contribution in Reviewing

    2018年5月   Elsevier, Amsterdam, The Netherlands   Journal of Crystal Growth

    Yasuyoshi Kuokawa

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    受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：オランダ王国

    researchmap

  5. 平成27年度国際会議誘致・開催貢献賞

    2015年12月   日本政府観光局  

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    受賞国：日本国

  6. 平成21年度手島精一記念研究賞博士論文賞

    2010年2月   東京工業大学  

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    受賞国：日本国

  7. Best Paper Award

    2009年11月   Organizing committee of the 19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  

    Yasuyoshi Kurokawa

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    受賞国：大韓民国

  8. Poster Award

    2009年9月   The 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference  

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    受賞国：ドイツ連邦共和国

  9. Best Presentation Award

    2008年12月   Tokyo Institute of Technology Energy Global COE  

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    受賞国：日本国

  10. Master Student Award

    2006年12月   IEEE Tokyo Yound Researchers Worksop Executive Committee  

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    受賞国：日本国

  11. イノベイティブPV奨励賞

    2006年7月   日本学術振興会産学協力研究委員会　次世代の太陽光発電システム第175委員会  

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    受賞国：日本国

    第3回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、奈良

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論文 154

  1. Bayesian optimization of hydrogen plasma treatment in silicon quantum dot multilayer and application to solar cells 査読有り 国際誌

    Fuga Kumagai, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Shinya Kato, Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    Nanoscale Research Letters   18 巻 ( 1 ) 頁： 43   2023年3月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1186/s11671-023-03821-9

  2. Thermoelectric properties of Mg2Si thin films prepared by thermal evaporation of Mg and face-to-face annealing 査読有り 国際誌

    Y. Kurokawa, K. Sato, K. Shibata, S. Kato, S. Miyamoto, K. Gotoh, T. Itoh, N. Usami

    Materials Science in Semiconductor Processing   163 巻   頁： 107552   2023年8月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.mssp.2023.107552

  3. Preparation and thermoelectric characterization of boron-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り 国際誌

    Keisuke Shibata, Shinya Kato, Masashi Kurosawa, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 巻 ( SC ) 頁： SC1074   2023年2月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/acb779

  4. Application of Bayesian optimization for improved passivation performance in TiOx/SiOy/c-Si heterostructure by hydrogen plasma treatment 査読有り 国際誌

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 2 ) 頁： 025503   2021年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1882-0786/abd869

    Web of Science

    Scopus

  5. Preparation and thermoelectric characterization of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り 国際誌

    Kobayashi Hisayoshi, Akaishi Ryushiro, Kato Shinya, Kurosawa Masashi, Usami Noritaka, Kurokawa Yasuyoshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( SG ) 頁： SGGF09   2020年4月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab6346

    Web of Science

    Scopus

  6. Effect of the Niobium-Doped Titanium Oxide Thickness and Thermal Oxide Layer for Silicon Quantum Dot Solar Cells as a Dopant-Blocking Layer 査読有り 国際誌

    Ryushiro Akaishi, Kohei Kitazawa, Kazuhiro Gotoh, Shinya Kato, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    Nanoscale Research Letters   15 巻 ( 1 ) 頁： 39   2020年

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1186/s11671-020-3272-8

    Scopus

    PubMed

  7. Local Structure of High Performance TiO <inf>x</inf> Electron-Selective Contact Revealed by Electron Energy Loss Spectroscopy 査読有り 国際誌

    Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Yamamoto Takahisa, Usami Noritaka

    Advanced Materials Interfaces   6 巻 ( 3 ) 頁： 1801645   2019年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/admi.201801645

    Scopus

  8. Bandgap tuning of silicon nanowire arrays for application to all-silicon tandem solar cells 査読有り 国際誌

    Y. Kurokawa, M. Yano, S. Miyajima, and A. Yamada

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻   頁： 04CS03   2017年2月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.04CS03

  9. Photoluminescence from silicon quantum dots in Si quantum dots/amorphous SiC superlattice 査読有り 国際誌

    Kurokawa Yasuyoshi, Tomita Shigeki, Miyajima Shinsuke, Yamada Akira, Konagai Makoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   46 巻 ( 33-35 ) 頁： L833 - L835   2007年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.46.L833

    Web of Science

  10. Preparation of nanocrystalline silicon in amorphous silicon carbide matrix 査読有り 国際誌

    Kurokawa Yasuyoshi, Miyajima Shinsuke, Yamada Akira, Konagai Makoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   45 巻 ( 37-41 ) 頁： L1064 - L1066   2006年10月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.45.L1064

    Web of Science

  11. Hydrogenation of silicon-nanocrystals-embedded silicon oxide passivating contacts 査読有り

    Matsumi, M; Gotoh, K; Wilde, M; Kurokawa, Y; Fukutani, K; Usami, N

    NANOTECHNOLOGY   35 巻 ( 10 )   2024年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Nanotechnology  

    We investigate the effect of hydrogen passivation of dangling bonds in silicon oxide passivating contacts with embedded silicon nanocrystals (NAnocrystalline Transport path in Ultra-thin dielectrics for REinforced passivation contact, NATURE contact). We first investigated the differences in electrical properties of the samples after hydrogen gas annealing and hydrogen plasma treatment (HPT). The results show that the NATURE contact was efficiently passivated by hydrogen after HPT owing to the introduction of hydrogen radicals into the structure. Furthermore, we examined the dependence of process parameters such as HPT temperature, duration, and H2 pressure, on the electrical properties and hydrogen depth profiles. As a result, HPT at 500 °C, 15 min, and 0.5 Torr resulted in a large amount of hydrogen inside the NATURE contact and the highest implied open-circuit voltage of 724 mV. Contact resistivity and surface roughness hardly increased when HPT was performed under the optimized condition, which only improved the passivation performance without deteriorating the electron transport properties of the NATURE contact.

    DOI： 10.1088/1361-6528/ad115d

    Web of Science

    Scopus

    PubMed

  12. Core-shell yarn-structured triboelectric nanogenerator for harvesting both waterdrop and biomechanics energies 査読有り

    Wang, HT; Kurokawa, Y; Zhang, JH; Gotoh, K; Liu, X; Miyamoto, S; Usami, N

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   17 巻 ( 1 )   2024年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Applied Physics Express  

    Wearable energy harvesters (WEHs) have garnered significant attention recently due to their promising capabilities in powering wearable devices. In this research, we present a core-shell yarn-structured triboelectric nanogenerator (CY-TENG) that operates in two modes: the single-electrode TENG (SE-TENG) and the droplet-based electricity generator. This design facilitates energy harvesting from both waterdrops and biomechanics. The CY-TENG is fabricated using fluorinated ethylene propylene ultrafine heat-shrink tubes combined with stainless-steel yarns, ensuring its flexibility, durability, and weavability. Such attributes underscore its potential as a dual-function WEH.

    DOI： 10.35848/1882-0786/ad1f06

    Web of Science

    Scopus

  13. Influence of Insertion Position of a LiF Buffer Layer on Passivation Performance of Crystalline Si/SiOy/TiOx/Al Heterostructures 査読有り 国際誌

    Shohei Fukaya, Kazuhiro Gotoh, Takuya Matsui, Hitoshi Sai, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    Proc. 50th IEEE Photovoltaic Specialists Conference     頁： 1 - 3   2023年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC48320.2023.10359948

  14. Numerical Simulation Study for Analysis of Hydrogenated Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterostructure by Reactive Molecular Dynamics Method 査読有り 国際誌

    Proc. 50th IEEE Photovoltaic Specialists Conference     頁： 1 - 3   2023年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC48320.2023.10359660

  15. Free-Standing Electrode and Fixed Surface Tiny Electrode Implemented Tiboelectric Nanogenerator with High Instantaneous Current 査読有り

    Wang, HT; Kurokawa, Y; Wang, J; Cai, WT; Zhang, JH; Kato, S; Usami, N

    SMALL     頁： e2308531   2023年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Small  

    Conventional triboelectric nanogenerators (TENGs) face challenges pertaining to low output current density at low working frequencies and high internal impedance. While strategies, such as surface modification to enhance surface charge density, permittivity regulation of materials, and circuit management, have partially mitigated these issues. However, they have also resulted in increased complexity in the fabrication process. Therefore, there is an urgent demand for a universal and simplified approach to address these challenges. To fulfill this need, this work presents a free-standing electrode and fixed surface tiny electrode implemented triboelectric nanogenerator (FFI-TENG). It is fabricated by a straightforward yet effective method: introducing a tiny electrode onto the surface of the tribo-negative material. This approach yields substantial enhancements in performance, notably a more than tenfold increase in output current density, a reduction in effective working frequencies, and a decrease in matching resistance as compared to vertical contact-separation TENGs (CS-TENGs) or single-electrode TENGs (SE-TENGs). Simultaneously, a comprehensive examination and proposition regarding the operational mechanism of FFI-TENG, highlighting its extensive applicability are also offered. Significantly, FFI-TENG excels in mechanical energy harvesting even under ultra-low working frequencies (0.1 Hz), outperforming similar contact-separation models. This innovation positions it as a practical and efficient solution for the development of low-entropy energy harvesters.

    DOI： 10.1002/smll.202308531

    Web of Science

    Scopus

    PubMed

  16. The effect of room-temperature plastic deformation in darkness on the photoluminescence properties of ZnS 査読有り

    Ogura, Y; Nakamura, A; Kameyama, T; Kurokawa, Y; Tochigi, E; Shibata, N; Torimoto, T; Hoshino, S; Yokoi, T; Matsunaga, K

    JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY   107 巻 ( 4 ) 頁： 2040 - 2047   2023年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Journal of the American Ceramic Society  

    Inorganic semiconductors have been considered to be brittle at room temperature generally, but recently zinc sulfide (ZnS), a II–VI compound semiconductor, was found to exhibit extraordinarily large plasticity even at room temperature if it was deformed in darkness. Room-temperature plastic deformation can achieve high density of glide dislocations in the crystal without significantly changing the point defect structure, and these dislocations themselves have a potential to provide unique functional properties different from those of the bulk. In this study, therefore, undoped ZnS crystals were plastically deformed at room temperature in darkness to generate only a large number of dislocations, and the changes in luminescence properties resulting from this process were investigated for the first time. As a result, we found that ZnS deformed in darkness exhibits characteristic photoluminescence and persistent luminescence emissions with a visible green color. SEM-CL analyses also identified the emissions from the dislocations. Theoretical calculations indicated that individual dislocations in ZnS have the ability to trap photo-excited carriers. Such changes in luminescence properties due to room temperature plastic deformation in darkness can be considered to originate from dislocations rather than point defects. In other words, the dislocations themselves serve as the significant recombination centers, realizing visible light emission.

    DOI： 10.1111/jace.19564

    Web of Science

    Scopus

  17. Improvement of passivation performance of silicon nanocrystal/silicon oxide compound layer by two-step hydrogen plasma treatment 査読有り

    M. Matsumi, K. Gotoh, M. Wilde, Y. Kurokawa, K. Fukutani and N. Usami

    Solar Energy Materials and Solar Cells   262 巻   頁： 112538   2023年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2023.112538

  18. Nanoscale Size Control of Si Pyramid Texture for Perovskite/Si Tandem Solar Cells Enabling Solution-Based Perovskite Top-Cell Fabrication and Improved Si Bottom-Cell Response 査読有り

    Li, YQ; Sai, H; Mcdonald, C; Xu, ZH; Kurokawa, Y; Usami, N; Matsui, T

    ADVANCED MATERIALS INTERFACES   10 巻 ( 35 )   2023年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Advanced Materials Interfaces  

    A monolithic perovskite/silicon tandem solar cell architecture is employed to surpass the single-junction efficiency limit. Recently, there is an increasing need for the double-sided textures in the Si bottom cell to be compatible with the solution-processed perovskite top cell from an industrial perspective. Herein, a silver-assisted alkaline etching method is applied to fabricate nanoscale Si pyramid textures, and the influence of varying pyramid size (400–900 nm) on the interface morphology and the performance of perovskite/Si tandem cells is investigated. It is demonstrated that electrical shunting starts to increase, and the open-circuit voltage (VOC) decreases when the texture size exceeds the perovskite thickness (~500nm) due to the non-uniform top-cell formation on a rough Si surface. However, when the texture size is reduced to 400–500 nm, all spin-coated perovskite top-cell component layers exhibit an even form over the nanopyramid Si, resulting in a high VOC and an enhanced Si bottom cell current (≈1.0 mA cm−2) due to the suppressed reflectance at the top/bottom cell interface without using optical couplers. The double-sided nanopyramid Si texture offers opportunities to increase tandem cell efficiency while reducing its production cost compared with the commonly used single-sided textured Si.

    DOI： 10.1002/admi.202300504

    Web of Science

    Scopus

  19. Impact of B<inf>2</inf>H<inf>6</inf>plasma treatment on contact resistivity in silicon heterojunction solar cells 査読有り

    Gotoh K., Ozaki R., Morimura M., Tanaka A., Iseki Y., Nakamura K., Muramatsu K., Kurokawa Y., Ohshita Y., Usami N.

    Japanese Journal of Applied Physics   62 巻 ( SK )   2023年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics  

    We investigated the effect of the B2H6 plasma treatment on p-type hydrogenated amorphous silicon (p-a-Si:H) surfaces for high-performance silicon heterojunction (SHJ) solar cells. Secondary ion mass spectroscopy measurements revealed that the boron concentration at the p-a-Si:H surface is increased by employing the B2H6 plasma treatment. Furthermore, specific contact resistance is decreased by about one-third after the B2H6 plasma treatment. No degradation of passivation performance is induced by the B2H6 plasma treatment. The power conversion efficiency of the SHJ solar cells with the B2H6 plasma treatment is improved by the increase in fill factor (FF) due to decreased series resistance and increased shunt resistance. From numerical simulations, the upward band bending is enhanced at the heterointerface between transparent conductive oxide (TCO) and p-a-Si:H by the B2H6 plasma treatment, which is responsible for the improved FF owing to facilitated tunneling holes from c-Si to p-a-Si:H layers and the TCO/p-a-Si:H heterointerface.

    DOI： 10.35848/1347-4065/acc953

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  20. Quantitative evaluation of implied open-circuit voltage after metal electrode deposition on TiO <inf>x</inf> /Si heterostructures by photoluminescence imaging: impact of metallization on passivation performance 査読有り

    Fukaya S., Gotoh K., Matsui T., Sai H., Kurokawa Y., Usami N.

    Japanese Journal of Applied Physics   62 巻 ( SK )   2023年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics  

    The degradation of surface passivation performance by metallization is a challenge in realizing highly efficient crystalline Si solar cells that use novel carrier-selective contacts. Here, we report on a simple method to study the effect of metallization on passivation of titanium oxide (TiOx)/Si heterostructures. We investigated the relationship between the implied open-circuit voltage (iV OC) and the photoluminescence (PL) intensity imaging of solar cell precursors before metallization. Based on the relationship obtained, the change of the iV OC before and after metallization on the TiOx was evaluated quantitatively. The results showed that the iV OC predicted by the PL measurement decreases by 23-104 mV after metal deposition and shows a good agreement with the measured V OC in the finished solar cells. These results demonstrate that the iV OC evaluation by PL measurement provides a good prediction of the V OC after metallization, which is useful in analyzing the passivation degradation induced by metallization.

    DOI： 10.35848/1347-4065/acc813

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  21. Fabrication of light trapping structures specialized for near-infrared light by nanoimprinting for the application to thin crystalline silicon solar cells 査読有り

    Kimata Yuto, Gotoh Kazuhiro, Miyamoto Satoru, Kato Shinya, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    DISCOVER NANO   18 巻 ( 1 ) 頁： 72   2023年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Discover Nano  

    Vehicle-integrated photovoltaics (VIPV) are gaining attention to realize a decarbonized society in the future, and the specifications for solar cells used in VIPV are predicated on a low cost, high efficiency, and the ability to be applied to curved surfaces. One way to meet these requirements is to make the silicon substrate thinner. However, thinner substrates result in lower near-infrared light absorption and lower efficiency. To increase light absorption, light trapping structures (LTSs) can be implemented. However, conventional alkali etched pyramid textures are not specialized for near-infrared light and are insufficient to improve near-infrared light absorption. Therefore, in this study, as an alternative to alkaline etching, we employed a nanoimprinting method that can easily fabricate submicron-sized LTSs on solar cells over a large area. In addition, as a master mold fabrication method with submicron-sized patterns, silica colloidal lithography was adopted. As a result, by controlling silica coverage, diameter of silica particles (D), and etching time (t et), the density, height, and size of LTSs could be controlled. At the silica coverage of 40%, D = 800 nm, and t et = 5 min, the reduction of reflectance below 65% at 1100 nm and the theoretical short-circuit current gain of 1.55 mA/cm2 was achieved.

    DOI： 10.1186/s11671-023-03840-6

    Web of Science

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    PubMed

  22. Performance enhancement of droplet-based electricity generator using a CYTOP intermediate layer 査読有り

    Japanese Journal of Applied Physics   62 巻 ( SC ) 頁： SC1032   2023年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics  

    The degradation of surface passivation performance by metallization is a challenge in realizing highly efficient crystalline Si solar cells that use novel carrier-selective contacts. Here, we report on a simple method to study the effect of metallization on passivation of titanium oxide (TiOx)/Si heterostructures. We investigated the relationship between the implied open-circuit voltage (iV OC) and the photoluminescence (PL) intensity imaging of solar cell precursors before metallization. Based on the relationship obtained, the change of the iV OC before and after metallization on the TiOx was evaluated quantitatively. The results showed that the iV OC predicted by the PL measurement decreases by 23-104 mV after metal deposition and shows a good agreement with the measured V OC in the finished solar cells. These results demonstrate that the iV OC evaluation by PL measurement provides a good prediction of the V OC after metallization, which is useful in analyzing the passivation degradation induced by metallization.

    DOI： 10.35848/1347-4065/acaca7

  23. Study on the Etching Characteristics and Thermal Conductivity of Porous Silicon Nanowire Arrays Using Highly Doped Silicon 査読有り

    Li Haibin, Kato Shinya, Kurokawa Yasuyoshi, Soga Tetsuo

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   advpub 巻 ( 0 )   2022年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Vacuum and Surface Science  

    <p>Silicon nanowires (SiNWs) fabricated by metal-assisted chemical etching (MACE) of highly doped silicon are promising thermoelectric materials because of their high conductivity and porosity. However, it is difficult to fabricate long SiNWs using highly doped silicon with doping concentrations higher than 10<sup>19</sup> cm<sup>−3</sup>. In this study, we fabricated SiNWs up to 44 μm in length using highly doped silicon with a doping concentration of 10<sup>20</sup> cm<sup>−3</sup>, analyzed the etching characteristics in SiNWs length and the morphology, and investigated the thermal conductivity. The phenomenon of continuous loss of SiNWs was found, which is a unique phenomenon indicating the presence of loss SiNWs throughout the whole etching process and difficulty of forming long SiNWs with highly doped silicon. On the other hand, the thermal conductivity results showed that the lowest thermal conductivity of the samples reached 2.98 W m<sup>−1</sup> K<sup>−1</sup>, and the mean diameters of pores in these samples were 5−10 nm. Thus, the SiNWs using highly doped silicon is a potential material for thermoelectric device. </p>

    DOI： 10.1380/ejssnt.2023-006

    CiNii Research

  24. A novel self-separating silicon nanowire thin film and application in lithium-ion batteries 査読有り

    Li H., Kato S., Ishii Y., Kurokawa Y., Soga T.

    Nano Express   3 巻 ( 4 )   2022年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Nano Express  

    Nano silicon structures are important materials for modern electronic devices and have been widely researched with regard to photoelectricity, thermoelectricity, and lithium-ion batteries. However, since the nano silicon structures fabricated by conventional methods cannot be separated from silicon substrates, reuse of the substrate is restricted. Here, we propose a simple fabrication method to separate the nano silicon structures from the silicon substrates, which allows the reuse of the substrates. The fabrication was processed at room temperature, which allows large-area fabrication and is not restricted by the substrate thickness. Honeycomb structures of different length scales observed on both the nano silicon structure and the substrate suggest that the separation occurred due to the amplification of the silicon crystal defects. The nano silicon structures comprised porous silicon with an excellent specific surface area of 480 m2 g−1 and a mean pore diameter of 5.7 nm. Moreover, the nano silicon structures show good potential as anode materials for lithium-ion batteries wherein the measured reversible capacity was 1,966 mAh g−1 after 100 cycles. Based on the proposed method and morphological characteristics, the fabricated nano silicon structures can be considered a low-cost material with suitable applications in the energy field.

    DOI： 10.1088/2632-959X/acb807

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  25. Performance enhancement of droplet-based electricity generator using a CYTOP intermediate layer 査読有り 国際誌

    Haitao Wang, Yasuyoshi Kurokawa, Kazuhiro Gotoh, Shinya Kato, Shigeru Yamada, Takashi Itoh, Noritaka Usami

    Ext. Abstr. 2022 International Conference on Solid State Devices and Materals     頁： 145 - 146   2022年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：SSDM2021 Organizing Committee  

  26. Preparation and thermoelectric characterization of boron-doped silicon nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り 国際誌

    Keisuke Shibata, Shinya Kato, Masashi Kurosawa, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    Ext. Abstr. 2022 International Conference on Solid State Devices and Materals     頁： 147 - 148   2022年9月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：SSDM2021 Organizing Committee  

  27. Nanopyramid Texture Formation by One-Step Ag-Assisted Solution Process for High-Efficiency Monocrystalline Si Solar Cells 査読有り

    Li Y., Sai H., Matsui T., Xu Z., Nguyen V.H., Kurokawa Y., Usami N.

    Solar RRL     2022年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Solar RRL  

    In monocrystalline Si solar cells, pyramidal surface textures with the size of a few micrometers (micropyramids) are commonly applied for light in-coupling and trapping. Recently, there is a growing need to reduce the size of pyramids below 1 μm. Herein, an original method to fabricate nanometer-sized pyramids (nanopyramids) featuring an average size of ≈500 nm or even smaller by using a simple one-step Ag-assisted solution process is proposed. The texture size can be controlled by the concentration of AgNO3 in the alkaline etching solution where the generated Ag nanoparticles act as an etching mask as well as promoting the detachment of H2 bubbles from the reacting Si surface. This process enables the formation of uniformly distributed Si nanopyramids with a lower reflectance below 10% and a smaller etching margin less than 1.7 μm compared with the conventional micropyramids. Silicon heterojunction solar cells employing Si nanopyramids outperform those with the conventional micropyramids owing to the reduced optical reflectance while preserving excellent surface passivation and carrier transport properties. These results demonstrate the advantages of our method and the high potential of Si nanopyramids for various applications such as thin crystalline Si solar cells and perovskite/Si tandem solar cells.

    DOI： 10.1002/solr.202200707

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  28. Influence of post-oxidizing treatment on passivation performance on the spin-coated titanium oxide films on crystalline silicon 査読有り

    Hao Luo, Van Hoang Nguyen, Kazuhiro Gotoh, Saya Ajito, Tomohiko Hojo, Yasuyoshi Kurokawa, Eiji Akiyama and Noritaka Usami

    Thin Solid Films   764 巻   頁： 139597   2022年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Solar RRL  

    In monocrystalline Si solar cells, pyramidal surface textures with the size of a few micrometers (micropyramids) are commonly applied for light in-coupling and trapping. Recently, there is a growing need to reduce the size of pyramids below 1 μm. Herein, an original method to fabricate nanometer-sized pyramids (nanopyramids) featuring an average size of ≈500 nm or even smaller by using a simple one-step Ag-assisted solution process is proposed. The texture size can be controlled by the concentration of AgNO3 in the alkaline etching solution where the generated Ag nanoparticles act as an etching mask as well as promoting the detachment of H2 bubbles from the reacting Si surface. This process enables the formation of uniformly distributed Si nanopyramids with a lower reflectance below 10% and a smaller etching margin less than 1.7 μm compared with the conventional micropyramids. Silicon heterojunction solar cells employing Si nanopyramids outperform those with the conventional micropyramids owing to the reduced optical reflectance while preserving excellent surface passivation and carrier transport properties. These results demonstrate the advantages of our method and the high potential of Si nanopyramids for various applications such as thin crystalline Si solar cells and perovskite/Si tandem solar cells.

    DOI： 10.1016/j.tsf.2022.139597

  29. Enhancement of reflectance reduction of solar cells by a silicon nanoparticle layer on a textured silicon substrate 査読有り

    Shinya Kato, Yasuhoshi Kurakawa, Tetsuo Soga

    Results in Optics   9 巻   頁： 100296   2022年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Solar RRL  

    In monocrystalline Si solar cells, pyramidal surface textures with the size of a few micrometers (micropyramids) are commonly applied for light in-coupling and trapping. Recently, there is a growing need to reduce the size of pyramids below 1 μm. Herein, an original method to fabricate nanometer-sized pyramids (nanopyramids) featuring an average size of ≈500 nm or even smaller by using a simple one-step Ag-assisted solution process is proposed. The texture size can be controlled by the concentration of AgNO3 in the alkaline etching solution where the generated Ag nanoparticles act as an etching mask as well as promoting the detachment of H2 bubbles from the reacting Si surface. This process enables the formation of uniformly distributed Si nanopyramids with a lower reflectance below 10% and a smaller etching margin less than 1.7 μm compared with the conventional micropyramids. Silicon heterojunction solar cells employing Si nanopyramids outperform those with the conventional micropyramids owing to the reduced optical reflectance while preserving excellent surface passivation and carrier transport properties. These results demonstrate the advantages of our method and the high potential of Si nanopyramids for various applications such as thin crystalline Si solar cells and perovskite/Si tandem solar cells.

    DOI： 10.1016/j.rio.2022.100296

  30. Fabrication of Silicon Heterojunction Solar Cells with Light Trapping Structures Specialized for Near-Infrared Light by Nanoimprinting 査読有り 国際誌

    Y. Kimata, K. Gotoh, S. Miyamoto, Y. Kurokawa, N. Usami

    Proc. 8th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion     頁： 230 - 233   2022年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4229/WCPEC-82022-2BO.6.1

  31. Improvement of Passivation Performance of Silicon Nanocrystal/Silicon Oxide Compound Layer by Hydrogen Plasma Treatment 査読有り 国際誌

    M. Matsumi, K. Gotoh, M. Wilde, Y. Kurokawa, K. Fukutani, N. Usami

    Proc. 8th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion     頁： 402 - 405   2022年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4229/WCPEC-82022-2BV.2.6

  32. Improved conversion efficiency of p-type BaSi2/n-type crystalline Si heterojunction solar cells by a low growth rate deposition of BaSi2 査読有り

    Fujiwara Michinobu, Takahashi Kazuma, Nakagawa Yoshihiko, Gotoh Kazuhiro, Itoh Takashi, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    AIP ADVANCES   12 巻 ( 4 )   2022年4月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Advances  

    The effect of low growth rate deposition (LGD) of BaSi2 on the film quality and performance of silicon heterojunction solar cells was investigated. The total thickness of the BaSi2 layer decreased with increasing LGD duration (tLGD). Analysis using Raman spectroscopy indicated that an amorphous Si (a-Si) phase existed on the surface of the BaSi2 layer. The a-Si on the surface was converted into BaSi2 by post-annealing owing to the diffusion of Ba and Si atoms. X-ray diffraction analysis revealed that LGD improved the rate of a-axis orientation and crystallinity. Post-annealing was also observed to have significantly improved these structural properties. Furthermore, the solar cell performance was observed to be strongly dependent on tLGD, and the highest conversion efficiency of 10.62% was achieved by the p-BaSi2/n-c-Si heterojunction solar cells at a tLGD of 6 min. The improved structure and solar cell properties are attributed to improved atom rearrangement during LGD.

    DOI： 10.1063/5.0083812

    Web of Science

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  33. Fabrication of BaSi<inf>2</inf>homojunction diodes on Nb-doped TiO<inf>2</inf>coated glass substrates by aluminum-induced crystallization and two-step evaporation method 査読有り

    Kurokawa Y., Yoshino T., Gotoh K., Miyamoto S., Usami N.

    Japanese Journal of Applied Physics   61 巻 ( SC )   2022年2月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics  

    BaSi2 homojunction diodes on Nb-doped TiO2 (TiO2:Nb) coated glass substrates were fabricated using aluminum-induced crystallization (AIC) and a two-step evaporation method. From Raman scattering spectra, the growth of BaSi2 on TiO2:Nb was confirmed when the thickness of poly-Si grown by AIC (AIC-Si) was more than 150 nm. The partial formation of BaSi2 diodes was confirmed from the samples prepared at temperature during AIC TAIC = 475 °C-525 °C. The long-wavelength edge of photoresponsivity of the diodes was located around 950 nm, which corresponds to the bandgap of BaSi2 of 1.3 eV, suggesting that this photocurrent is derived from BaSi2 thin films. At TAIC = 500 °C, the maximum value of photoresponsivity was obtained. Since the largest grains in AIC-Si were also obtained at TAIC = 500 °C, these results suggest that larger grain of AIC-Si leads to the improvement of the quality of BaSi2 thin films themselves and the performance of BaSi2 diodes.

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac4077

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  34. Silicon Nanocrystals Embedded in Nanolayered Silicon Oxide for Crystalline Silicon Solar Cells 査読有り

    Tsubata R., Gotoh K., Matsumi M., Wilde M., Inoue T., Kurokawa Y., Fukutani K., Usami N.

    ACS Applied Nano Materials     2022年1月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：ACS Applied Nano Materials  

    This study describes the fabrication of silicon nanocrystals (Si NCs) in silicon oxide layers, which led to high-performance passivation and enhanced carrier transport in crystalline silicon (c-Si) solar cells. These Si NCs comprised nanocrystalline transport pathways in ultrathin dielectrics for reinforced passivating contact structures (NAnocrystalline Transport path in Ultrathin dielectrics for Reinforcing (NATURE) contacts). Si NCs were formed in silicon oxide layers by depositing hydrogenated amorphous silicon oxide (a-SiOx:H) with different oxygen concentrations, followed by postdeposition annealing (PDA). Based on microscopic images, the silicon oxide layer was maintained after PDA, and the Si NCs were formed in the silicon oxide matrix, leading to a relatively low recombination current (178.8 fA/cm2) compared with simple a-SiOx:H layer structures. Furthermore, the contact resistivity for the NATURE contact was 13.1 mΩ·cm2, which was comparable to that of a single a-SiOx:H layer with a low oxygen concentration. The developed NATURE contact structure expands the design flexibility scope for various functional devices containing a passivation contact layer. It allows for the production of c-Si solar cells with passivating contacts using thicker dielectric layers for improved reliability and long-term stability.

    DOI： 10.1021/acsanm.1c03355

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  35. Impact of chemically grown silicon oxide interlayers on the hydrogen distribution at hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterointerfaces 査読有り

    Gotoh K., Wilde M., Ogura S., Kurokawa Y., Fukutani K., Usami N.

    Applied Surface Science   567 巻   2021年11月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Applied Surface Science  

    We studied the impact of oxidizing pre-treatments (OPT) and post deposition annealing (PDA) on the passivation performance and the hydrogen distribution near the interface between crystalline silicon (c-Si) and hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), the critical functional region in Si heterojunction solar cells. The OPT prior to deposition of the a-Si:H layer consists of immersing the c-Si substrates into hydrogen peroxide solutions, which forms a silicon oxide interlayer. Spectroscopic ellipsometry (SE) indicates that slightly thicker a-Si:H layers result from OPT. The refractive index and the extinction coefficient are increased by inserting the oxide interlayers, suggesting that less deficient and denser a-Si:H layers can be formed. Under optimum conditions, OPT leads to at least 2-fold improvement of the effective photo-generated carrier lifetime. PDA at 200 °C further improves the passivation performance of samples with an interlayer. Hydrogen profiling with nuclear reaction analysis clarifies that higher hydrogen concentrations are present around the heterointerfaces of samples with an interlayer and that these hydrogen concentrations are maintained after PDA. Our results suggest that the oxide interlayer can suppress hydrogen desorption in the initial growth stage of high-quality a-Si:H layers and during subsequent PDA, resulting in excellent passivation performance.

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2021.150799

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  36. Fabrication of heterojunction crystalline Si solar cells with BaSi2 thin films prepared by a two-step evaporation method 査読有り

    Nakagawa Yoshihiko, Takahashi Kazuma, Fujiwara Michinobu, Hara Kosuke O., Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Itoh Takashi, Suemasu Takashi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 10 )   2021年9月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics  

    We have fabricated p-type BaSi2 (p-BaSi2)/n-type crystalline Si (n-c-Si) heterojunction solar cells using thermal evaporation. To control the defect around the heterointerface, samples were fabricated by two methods using different current profiles during evaporation. The one-step method was designed to avoid supplying Ba-rich vapor, and the two-step method was designed to intentionally introduce Ba-rich vapor at the first step. Deep-level transient spectroscopy measurements revealed that defect densities in the n-c-Si side were almost the same for both samples. Open-circuit voltage (V oc) was successfully improved from 319 to 463 mV by the two-step method. This may be due to the increase of carrier density in p-BaSi2 prepared using a two-step method. As a result of optimization, the conversion efficiency of 6.23% was achieved by the heterojunction solar cells.

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac23ec

    Web of Science

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  37. Application of Bayesian optimization for high-performance TiO<inf>x</inf>/SiO<inf>y</inf>/c-Si passivating contact 査読有り

    Miyagawa S., Gotoh K., Kutsukake K., Kurokawa Y., Usami N.

    Solar Energy Materials and Solar Cells   230 巻   2021年9月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Solar Energy Materials and Solar Cells  

    We report on the application of Bayesian optimization (BO), which could accelerate the time-intensive process optimization of many parameters, to fabrication of the high-performance titanium oxide/silicon oxide/crystalline silicon passivating contact. The process contains pre-deposition treatment to form SiOy interlayer, atomic layer deposition (ALD) of TiOx, and hydrogen plasma treatment (HPT) as post-process. We attempted to optimize seven parameters for ALD and HPT by dealing with samples treated by three kinds of chemical solutions in the same batch. This permits to perform BO for each structure at the same time and determine the superior pre-deposition treatment. Consequently, carrier selectivity S10 estimated by independent measurements of the saturation current density and contact resistance was significantly improved by BO of only 12 cycles and 10 initial random experiments. These results certify that BO could efficiently provide experimental conditions in multidimensional parameter space although we need to consider the impact of the metallization process on the passivation performance.

    DOI： 10.1016/j.solmat.2021.111251

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  38. Fabrication of BaSi2 homojunction diodes on glass substrates by aluminum induced crystallization and two-step evaporation method 査読有り 国際誌

    Takamasa Yoshino, Yasuyoshi Kurokawa, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, and Noritaka Usami

    Ext. Abstr. 2021 International Conference on Solid State Devices and Materals     頁： 341 - 342   2021年9月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：SSDM2021 Organizing Committee  

  39. Study on the Morphology of Silicon Nanowire Arrays by Using Highly Doped Silicon 査読有り 国際誌

    Haibin Li, Shinya Kato, Yasuyoshi Kurokawa, Tetsuo Soga

    Ext. Abstr. 2021 International Conference on Solid State Devices and Materals     頁： 311 - 312   2021年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：SSDM2021 Organizing Committee  

  40. Improved Performance of Titanium Oxide/Silicon Oxide Electron-Selective Contacts by Implementation of Magnesium Interlayers 査読有り

    Nakagawa Y., Gotoh K., Inoue T., Kurokawa Y., Usami N.

    Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science     2021年7月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science  

    The impact of the implementation of magnesium interlayer and the layer thickness (tTiOx) of titanium oxide on the electrical properties of TiOx/SiOy/Si heterojunctions is investigated to improve electron transport for use in silicon heterojunction solar cells. The passivation performance is improved with increasing tTiOx. For the samples with Mg interlayer, ohmic contact can be attained for the thicker TiOx layer compared with the sample without Mg interlayer. Schottky contact is mitigated by the TiOx/SiOy stacking layers and Mg interlayer, attributed to the reduction of interfacial energy level by TiOx/SiOy stacking layers and enhanced downward band bending by Mg interlayer. The open-circuit voltage and fill factor of the solar cells are improved by inserting the TiOx/SiOy stack and the Mg interlayer, indicating that the electron selectivity is enhanced. Excellent surface passivation and transport properties can be achieved by controlling TiOx layer thickness and using the Mg interlayer.

    DOI： 10.1002/pssa.202100296

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  41. Fabrication of silicon nanowire metal-oxide-semiconductor capacitors with al2o3/tio2/al2o3 stacked dielectric films for the application to energy storage devices 査読有り

    Nezasa R., Gotoh K., Kato S., Miyamoto S., Usami N., Kurokawa Y.

    Energies   14 巻 ( 15 )   2021年7月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Energies  

    Silicon nanowire (SiNW) metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors with Al2O3/TiO2/Al2O3 (ATA) stacked dielectric films were fabricated by metal-assisted chemical etching (MACE) and atomic layer deposition (ALD). High-angle annular dark field scanning transmission electron microscopy (HAADF-STEM) images revealed that SiNWs were conformally coated with ATA although the cross-sectional shapes of MACE-SiNWs were non-uniform and sharp spikes can be seen locally. The dielectric capacitance density of 5.9 μF/cm2 at V = −4 V of the perfect accumula-tion region was achieved due to the combination of the large surface area of the SiNW array and the high dielectric constant of ATA. The capacitance changed exponentially with the voltage at V < −4.3 V and the capacitance of 84 μF/cm2 was successfully achieved at V = −10 V. It was revealed that not only 3D structure and high-k material but also local nanostructure of SiNWs and stacked dielectric layers could contribute to the considerable high capacitance.

    DOI： 10.3390/en14154538

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  42. Realization of the Crystalline Silicon Solar Cell Using Nanocrystalline Transport Path in Ultra-thin Dielectrics for Reinforced Passivating Contact 査読有り

    Tsubata R., Gotoh K., Inoue T., Kurokawa Y., Usami N.

    Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference     頁： 908 - 911   2021年6月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  

    We apply NAnocrystalline Transport path in Ultra-thin dielectrics for Reinforced passivating contact (NATURE contact) to crystalline silicon solar cells for simultaneous achievement of passivation and carrier extraction. The Si nanocrystals are formed in silicon oxide by deposition of hydrogenated amorphous silicon oxide with different oxygen concentration and subsequent annealing. NATURE contact with total layer thickness of 8 nm exhibits reasonably good passivation performance. Furthermore, we demonstrate that NATURE contact can be successfully implemented to the both sides of crystalline silicon solar cells. NATURE contact, which permits flexible structural and chemical design of a passivation contact layer, will open a possibility for various functional devices.

    DOI： 10.1109/PVSC43889.2021.9519096

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  43. Versatile fabrication of a passivation material, solute PEDOT:PSS, for a c-Si substrate using alcoholic solvents 査読有り 国際共著 国際誌

    Sustainable Energy and Fuels   5 巻 ( 3 ) 頁： 666 - 670   2021年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1039/d0se01700k

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  44. Passivation mechanism of the high-performance titanium oxide carrier-selective contacts on crystalline silicon studied by spectroscopic ellipsometry 査読有り 国際誌

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB ) 頁： SBBF04   2021年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/abd6dd

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  45. The impact of highly excessive PbI2 on the correlation of MAPbI(3) perovskite morphology and carrier lifetimes 査読有り 国際共著 国際誌

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C   8 巻 ( 41 ) 頁： 14481 - 14489   2020年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1039/d0tc04071a

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  46. Activation energy of hydrogen desorption from high-performance titanium oxide carrier-selective contacts with silicon oxide interlayers 査読有り 国際誌

    CURRENT APPLIED PHYSICS   21 巻   頁： 36 - 42   2020年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.cap.2020.10.002

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  47. Effect of Hydrogen Plasma Treatment on Silicon Quantum Dot Multilayers Using Amorphous SiOx 査読有り 国際誌

    R. Akaishi, K. Gotoh, S. Kato, N. Usami, Y. Kurokawa

    Proc. 37th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition     頁： 83 - 86   2020年9月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4229/EUPVSEC20202020-1BV.4.25

  48. Impact of Ge deposition temperature on parameters of c-Si solar cells with surface texture formed by etching of Si using SiGe islands as a mask 査読有り 国際共著 国際誌

    Nguyen V. H, Novikov A, Shaleev M, Yurasov D, Semma M, Gotoh K, Kurokawa Y, Usami N

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   114 巻   頁： 105065   2020年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.mssp.2020.105065

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  49. Fabrication of silicon-nanocrystals-embedded silicon oxide passivating contacts 査読有り 国際誌

    Proc. 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   2020-June 巻   頁： 0969 - 0972   2020年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC45281.2020.9300609

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  50. Work function of indium oxide thin films on p-type hydrogenated amorphous silicon 査読有り 国際誌

    Proc. 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   2020-June 巻   頁： 0124 - 0127   2020年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC45281.2020.9300380

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  51. Impact of deposition of indium tin oxide double layers on hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterojunction 査読有り 国際誌

    Semma Masanori, Gotoh Kazuhiro, Wilde Markus, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka

    AIP ADVANCES   10 巻 ( 6 ) 頁： 065008   2020年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/5.0009994

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  52. Undoped p-type BaSi2 emitter prepared by thermal evaporation and post-annealing for crystalline silicon heterojunction solar cells 査読有り 国際誌

    Kimura Yuki, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 5 ) 頁： 051002   2020年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1882-0786/ab8727

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  53. Synthesis of Mg2Si thin film by thermal treatment under inert gas atmosphere and evaluation of film quality 査読有り 国際誌

    Horiba Issei, Fujiwara Michinobu, Nakagawa Yoshihiko, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Itoh Takashi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( SF ) 頁： SFFB03   2020年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ab6b79

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  54. Influence of the time-dependent vapor composition on structural properties of the BaSi2 thin films fabricated by vacuum evaporation 査読有り 国際誌

    Yoshino Takamasa, Nakagawa Yoshihiko, Kimura Yuki, Fujiwara Michinobu, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( SF ) 頁： SFFA10   2020年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ab6b78

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  55. Effects of evaporation vapor composition and post-annealing conditions on carrier density of undoped BaSi2 evaporated films 査読有り 国際誌

    Kimura Yuki, Fujiwara Michinobu, Nakagawa Yoshihiko, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( SF ) 頁： SFFA05   2020年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab6418

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  56. Effect of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiOx on crystalline silicon prepared by atomic layer deposition 査読有り 国際誌

    Miyagawa Shinsuke, Gotoh Kazuhiro, Ogura Shohei, Wilde Markus, Kurokawa Yasuyoshi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka

    Journal of Vacuum Science & Technology A   38 巻 ( 2 ) 頁： 022410   2020年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1116/1.5134720

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  57. Effect of forming gas annealing on hydrogen content and surface morphology of titanium oxide coated crystalline silicon heterocontacts 査読有り 国際誌

    Nakagawa Yuta, Gotoh Kazuhiro, Wilde Markus, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka

    Journal of Vacuum Science & Technology A   38 巻 ( 2 ) 頁： 022415   2020年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1116/1.5134719

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  58. Tuning the Electrical Properties of Titanium Oxide Bilayers Prepared by Atomic Layer Deposition at Different Temperatures 査読有り 国際誌

    Gotoh Kazuhiro, Mochizuki Takeya, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   216 巻 ( 22 ) 頁： 1900495   2019年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssa.201900495

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  59. Hydrogen concentration at a-Si:H/c-Si heterointerfaces - The impact of deposition temperature on passivation performance 査読有り 国際誌

    Kazuhiro Gotoh Markus Wilde Shinya Kato Shohei Ogura Yasuyoshi Kurokawa Katsuyuki Fukutani Noritaka Usami

    AIP Advances   9 巻 ( 7 ) 頁： 075115   2019年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.5100086

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  60. Evidence of solute PEDOT:PSS as an efficient passivation material for fabrication of hybrid c-Si solar cells 査読有り 国際誌

    Van Hoang Nguyen, Kato Shinya, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    SUSTAINABLE ENERGY & FUELS   3 巻 ( 6 ) 頁： 1448 - 1454   2019年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1039/c9se00093c

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  61. Electrical properties of TiO TiO<inf>x</inf>bilayer prepared by atomic layer deposition at different temperatures 査読有り 国際誌

    Proc. 46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   2 巻   頁： 3574 - 3576   2019年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC40753.2019.9198984

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  62. Impact of size distributions of Ge islands as etching masks for anisotropic etching on formation of anti-reflection structures 査読有り 国際共著 国際誌

    Ota Yushi, Yurasov Dmitry, Novikov Alexey, Shaleev Mikhail, Gotoh Kazuhiro, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 4 ) 頁： 045505   2019年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab003b

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  63. Epitaxial growth of SiGe on Si substrate by printing and firing of Al–Ge mixed paste 査読有り 国際誌

    S. Fukami, Y. Nakagawa, M. F. Hainey, Jr., K. Gotoh, Y. Kurokawa, M. Nakahara, M. Dhamrin, and N. Usami

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( SG ) 頁： SGGF09   2019年3月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab00e5

  64. Silicon Nanowire Heterojunction Solar Cells with an Al2O3 Passivation Film Fabricated by Atomic Layer Deposition 査読有り 国際誌

    Kato Shinya, Kurokawa Yasuyoshi, Gotoh Kazuhiro, Soga Tetsuo

    NANOSCALE RESEARCH LETTERS   14 巻 ( 1 ) 頁： 99   2019年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1186/s11671-019-2930-1

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  65. Fabrication of a Silicon Nanowire Solar Cell on a Silicon-on-Insulator Substrate 査読有り 国際誌

    Kato Shinya, Kurokawa Yasuyoshi, Gotoh Kazuhiro, Soga Tetsuo

    APPLIED SCIENCES-BASEL   9 巻 ( 5 ) 頁： 818   2019年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.3390/app9050818

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  66. Evaluation of Si Nanowire MOS Capacitor Using High-k Dielectric Materials 査読有り 国際誌

    R. Nezasa, Y. Kurokawa, N Usami

    Proc. 2018 IEEE 18th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO)     頁： 1 - 4   2019年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/NANO.2018.8626356

  67. Improvement of the Electrical Property of Silicon Nanoparticle Films 査読有り 国際誌

    Shinya Kato, Shinsuke Kumagai, Caixeta Bonfim Gabriel, Eiji Ichihara, Naoki Kishi, Tetsuo Soga

    2018 IEEE 7th WCPEC Proceeding     頁： 0333 - 0337   2018年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2018.8547336

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  68. Deposition and Characterization of Si Quantum Dot Multilayers Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition using SiH4 and CO2 Gases 査読有り 国際誌

    Ryushiro Akaishi, Kouhei Kitazawa, Satoshi Ono, Kazuhiro Gotoh, Eiji Ichihara, Shinya Kato, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    2018 IEEE 7th WCPEC Proceeding     頁： 2852 - 2856   2018年11月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2018.8548207

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  69. Local Structure of High Performance TiOxPassivating Layer Revealed by Electron Energy Loss Spectroscopy 査読有り 国際誌

    T. Mochizuki, K. Gotoh, A. Ohta, Y. Kurokawa, S. Miyazaki, T. Yamamoto, N. Usami

    2018 IEEE 7th WCPEC Proceeding     頁： 3896 - 3899   2018年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2018.8547844

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  70. Improving intrinsic silicon nanoparticle film by press treatment for use in p-i-n solar cells 査読有り 国際誌

    Eiji Ichihara, Shinya Kato, Ryushiro Akaishi, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Naoki Kishi, Tetsuo Soga

    2018 IEEE 7th WCPEC Proceeding     頁： 317 - 320   2018年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2018.8547319

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  71. Application of light trapping structure using Ge dot mask by alkaline etching to heterojunction solar cell 査読有り 国際誌

    Atsushi Hombe, Yasuyoshi Kurokawa, Kazuhiro Gotoh, Noritaka Usami

    2018 IEEE 7th WCPEC Proceeding     頁： 3097 - 3101   2018年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2018.8547490

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  72. Structural, Optical and Electrical Characterization of Heterojunction Rib-Si Solar Cells 査読有り 国際誌

    Makoto Konagai, Rei Kondo, Toshiki Otani, Satomi Takahashi, Kentarou Sawano, Yukimi Ichikawa, Kazuyoshi Nakada, Yasuyoshi Kurokawa

    2018 IEEE 7th WCPEC Proceeding   - 巻 ( - ) 頁： - - -   2018年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2018.8548235

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  73. Fabrication and properties characterization of BaSi2 thin-films thermally-evaporated on Ge (100) modified substrates 査読有り 国際誌

    Mai Thi Kieu Lien, Nakagawa Yoshihiko, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    THIN SOLID FILMS   663 巻   頁： 14 - 20   2018年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2018.08.004

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  74. Activation mechanism of TiOx passivating layer on crystalline Si 査読有り 国際誌

    Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Ohta Akio, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Miyazaki Seiichi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 10 ) 頁： 102301   2018年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/APEX.11.102301

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  75. Stacks of a-SiOx:H/a-Si:H Passivation Layer for Low Parasitic Absorption and High Passivation in Silicon Heterojunction Solar Cells 査読有り 国際誌

    K. Gotoh, M. Cui, R. Akaishi, Y. Kurokawa, N. Usami

    Proceedings of the 35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition     頁： 636 - 638   2018年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4229/35thEUPVSEC20182018-2AV.3.3

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  76. Investigation of effective near-infrared light-trapping structure with submicron diameter for crystalline silicon thin film solar cells 査読有り 国際誌

    Sei Miki, Kurokawa Yasuyoshi, Kato Shinya, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 8 ) 頁： 08RB21   2018年8月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.08RB21

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  77. Influence of barrier layer's height on the performance of Si quantum dot solar cells 査読有り 国際誌

    Kitazawa Kouhei, Akaishi Ryushiro, Ono Satoshi, Takahashi Isao, Usami Noritaka, Kurokawa Yasuyoshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 8 ) 頁： 08RF08   2018年8月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.08RF08

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  78. Formation of light-trapping structure using Ge islands grown by gas-source molecular beam epitaxy as etching masks 査読有り 国際共著 国際誌

    Ota Yushi, Hombe Atsushi, Nezasa Ryota, Yurasov Dmitry, Novikov Alexey, Shaleev Mikhail, Baidakova Natalie, Morozova Elena, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 8 ) 頁： 08RB04   2018年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.08RB04

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  79. Fabrication of light-trapping structure by selective etching of thin Si substrates masked with a Ge dot layer and nanomasks 査読有り 国際共著 国際誌

    Hombe Atsushi, Kurokawa Yasuyoshi, Gotoh Kazuhiro, Akagi Seimei, Yamamoto Yuzo, Yurasov Dmitry, Novikov Alexey, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 8 ) 頁： 08RF09   2018年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.08RF09

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  80. Solid State Devices and Materials FOREWORD 査読有り

    Kageshima Hiroyuki, Hosoi Takuji, Iwamoto Satoshi, Arie Takayuki, Fujino Masahisa, Fukuzaki Yuzo, Harada Syunta, Ikegami Masashi, Iwamuro Noriyuki, Johguchi Koh, Kakushima Kuniyuki, Kanaya Haruichi, Kikuchi Akihiko, Kinoshita Kentaro, Kuroda Rihito, Kurokawa Yasuyoshi, Maehashi Kenzo, Maekawa Keiichi, Makino Toshiharu, Matsushima Toshinori, Miyata Toshitaka, Morioka Hiroshi, Morioka Hiroshi, Murugesan Mariappan, Nagashio Kosuke, Nagata Takahiro, Nakatsuka Osamu, Nishiyama Nobuhiko, Oiwa Akira, Okada Hiroyuki, Ono Teruo, Sakamoto Toshitsugu, Sakata Toshiya, Shirao Mizuki, Sukegawa Kazuo, Suzuki Toshikazu, Suzuki Hidetoshi, Taima Tetsuya, Tanaka Tetsu, Tatsuoka Kohichi, Tawara Takehiko, Tsuda Kunio, Yamamoto Kazuhiko

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.04F001

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  81. Formation of black silicon using SiGe self-assembled islands as a mask for selective anisotropic etching of silicon 国際共著 国際誌

    Yurasov D. V., Novikov A. V., Shaleev M. V., Baidakova N. A., Morozova E. E., Skorokhodov E. V., Ota Y., Hombe A., Kurokawa Y., Usami N.

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   75 巻   頁： 143 - 148   2018年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.mssp.2017.11.032

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  82. Fabrication of silicon nanowire based solar cells using TiO2/Al2O3 stack thin films 査読有り 国際誌

    Yasuyoshi Kurokawa, Ryota Nezasa, Shinya Kato, Hisashi Miyazaki, Isao Takahashi, Noritaka Usami

    MRS Advances   3 巻 ( 25 ) 頁： 1419 - 1426   2018年

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Materials Research Society  

    To improve conversion efficiency of silicon nanowire (SiNW) solar cells, it is very important to reduce the surface recombination rate on the surface of SiNWs, since SiNWs have a large surface area. We tried to cover SiNWs with aluminum oxide (Al2O3) and titanium oxide (TiO2) by atomic layer deposition (ALD), since Al2O3 grown by ALD provides an excellent level of surface passivation on silicon wafers and TiO2 has a higher refractive index than Al2O3, leading to the reduction of surface reflectance. The effective minority carrier lifetime in SiNW arrays embedded in a TiO2/Al2O3 stack layer of 94 μsec was obtained, which was comparable to an Al2O3 single layer. The surface reflectance of SiNW solar cells was drastically decreased below around 5% in all of the wavelength range using the Al2O3/TiO2/Al2O3 stack layer. Heterojunction SiNW solar cells with the structure of ITO/p-type hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)/n-type SiNWs embedded in Al2O3 and TiO2 stack layer for passivation/n-type a-Si:H/back electrode was fabricated, and a typical rectifying property and open-circuit voltage of 356 mV were successfully obtained.

    DOI： 10.1557/adv.2018.40

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  83. Alternative simple method to realize p-type BaSi2 thin films for Si heterojunction solar cell applications 査読有り 国際誌

    Kazuma Takahashi, Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Isao Takahashi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    MRS Advances   3 巻 ( 25 ) 頁： 1435 - 1442   2018年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Materials Research Society  

    A novel preparation method of B-doped p-type BaSi2 (p-BaSi2) is proposed to realize heterojunction crystalline Si solar cells with p-BaSi2. The method consists of thermal evaporation of BaSi2 on B-doped amorphous Si (a-Si). In this study, the effect of a-Si interlayers and substrate temperature during BaSi2 evaporation on the electrical characteristics and crystalline quality of the evaporated films were investigated. While no cracks were found in the BaSi2 films formed using hydrogenated a-Si deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), the films formed with sputtered a-Si have cracks. In addition, BaSi2 films formed with a 600 °C substrate temperature using PECVD a-Si showed p-type characteristics. After a post-deposition anneal at 800 °C for 5 minutes, the film hole density was measured at 1.3×1019 cm-3 and boron was found to be uniformly distributed throughout the film. These results show that the proposed method using PECVD is promising to obtain p-BaSi2 thin films with high hole density for p-BaSi2/n-type crystalline Si heterojunction solar cells.

    DOI： 10.1557/adv.2018.191

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  84. EFFECT OF NOVEL SUB-MICRON STRUCTURE FABRICATED ONTO CRYSTALLINE SILICON ON OPTICAL PROPERITES AND MINORITY CARRIER LIFETIME 査読有り 国際誌

    Sei Miki, Kurokawa Yasuyoshi, Kato Shinya, Gotoh Kazuhiro, Usami Noritaka

    Proc. Grand Renewable Energy 2018   1 巻 ( 0 )   2018年

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.24752/gre.1.0_46

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  85. Selective Etching of Si, SiGe, Ge and Its Usage for Increasing the Efficiency of Silicon Solar Cells 査読有り 国際共著 国際誌

    N. A. Baidakova, V. A. Verbus, E. E. Morozova, A. V. Novikov, E. V. Skorohodov, M. V. Shaleev, D.V. Yurasov, A. Hombe, Y. Kurokawa, and N. Usami

    Semiconductors   51 巻 ( 12 ) 頁： 1542 - 1546   2017年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1134/S1063782617120028

  86. Development of Spin-coated Copper Iodide Film on Silicon for Use in Hole-selective Contacts 査読有り 国際誌

    K. Gotoh, M. Cui, I. Takahashi, Y. Kurokawa, and N. Usami

    Energy Procedia   124 巻   頁： 598 - 603   2017年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.egypro.2017.09.081

  87. Fabrication of BaSi2 thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source 査読有り 国際誌

    Hara Kosuke O., Cham Thi Trinh, Kurokawa Yasuyoshi, Arimoto Keisuke, Yamanaka Junji, Nakagawa Kiyokazu, Usami Noritaka

    THIN SOLID FILMS   636 巻   頁： 546 - 551   2017年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2017.06.055

    Web of Science

  88. Peeling process of thin-film solar cells using graphene layers 査読有り 国際誌

    R. Ishikawa, Y. Kurokawa, S. Miyajima, and M. Konagai

    Applied Physics Express   10 巻   頁： 082301   2017年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/APEX.10.082301

  89. Effects of surface morphology randomness on optical properties of Si-based photonic nanostructures 査読有り 国際誌

    Yasuyoshi Kurokawa, Osamu Aonuma, Takeshi Tayagaki, Isao Takahashi and Noritaka Usami

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻 ( 8S2 ) 頁： 08MA02   2017年7月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.08MA02

  90. Postannealing effects on undoped BaSi<inf>2</inf>evaporated films grown on Si substrates 査読有り 国際共著 国際誌

    Takamichi Suhara, Koichi Murata, Aryan Navabi, Kosuke O. Hara, Yoshihiko Nakagawa, Cham Thi Trinh, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Suemasu, Kang L. Wang, Noritaka Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   56 巻 ( 5S1 ) 頁： 05DB05   2017年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.05DB05

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  91. Growth of BaSi2 film on Ge(100) by vacuum evaporation and its photoresponse properties 査読有り 国際誌

    Cham Thi Trinh, Nakagawa Yoshihiko, Hara Kosuke O., Kurokawa Yasuyoshi, Takabe Ryota, Suemasu Takashi, Usami Noritaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 5 ) 頁： 05DB06   2017年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.05DB06

    Web of Science

  92. Investigation of p-type emitter layer materials for heterojunction barium disilicide thin film solar cells 査読有り 国際誌

    K. Takahashi, Y. Nakagawa, K. O. Hara, Y. Kurokawa, and N. Usami

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻   頁： 05DB04   2017年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.05DB04

  93. Influence of Fabrication Processes and Annealing Treatment on the Minority Carrier Lifetime of Silicon Nanowire Films 査読有り 国際誌

    S. Kato, T. Yamazaki, Y. Kurokawa, S. Miyajima, and M. Konagai

    Nanoscale Research Letters   12 巻   頁： 242   2017年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1186/s11671-017-2006-z

  94. Post-annealing effects on the surface structure and carrier lifetime of evaporated BaSi2 films 査読有り 国際誌

    K.O.Hara, C.T.Trinh, Y.Kurokawa, K.Arimoto,J.Yamanaka, K.Nakagawa, and N.Usami

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻   頁： 04CS07   2017年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.04CS07

  95. Optical characterization of double-side-textured silicon wafer based on photonic nanostructures for thin-wafer crystalline silicon solar cells 査読有り 国際誌

    T.Tayagaki, D. Furuta, O. Aonuma, I. Takahashi, Y. Hoshi, Y. Kurokawa, and N.Usami

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻   頁： 04CS01   2017年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.04CS01

  96. Preferred Orientation of BaSi2 Thin Films Fabricated by Thermal Evaporation 査読有り 国際誌

    K. O. Hara, C. T. Trinh, Y. Nakagawa, Y. Kurokawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, and N. Usami

    JJAP Conf. Proc.   5 巻   頁： 11202   2017年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  97. Fabrication of CuI/a-Si:H/c-Si Structure for Application to Hole-selective Contacts of Heterojunction Si Solar Cells 査読有り 国際誌

    Gotoh Kazuhiro, Cui Min, Thanh Nguyen Cong, Koyama Koichi, Takahashi Isao, Kurokawa Yasuyoshi, Matsumura Hideki, Usami Noritaka

    PROC. 2017 IEEE 44TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)     頁： 1765 - 1768   2017年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2017.8366710

    Web of Science

  98. Novel light trapping structure by alkaline etching using a Ge dot mask for crystalline Si solar cells 査読有り 国際誌

    Atsushi Hombe, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    PROC. 2016 IEEE 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO)     頁： 357 - 360   2016年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/NANO.2016.7751354.

  99. Control of the electrical properties of BaSi <inf>2</inf> evaporated films for solar cell applications 査読有り 国際誌

    Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Suemasu, Noritaka Usami

    PROC. 2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)     頁： 2786 - 2789   2016年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2016.7750159

    Scopus

  100. Application of new doping techniques to solar cells for low temperature fabrication 査読有り 国際誌

    Isao Takahashi, Yasuhiro Sujihara, Huang Yating, Jefferson A. Wibowo, Sergii Tutashkonko, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    PROC. 43RD IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE     頁： 2522 - 2524   2016年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2016.7750101

  101. Effects of Luminescent Coupling in Perovskite/c-Si Multijunction Solar Cells with Nanostructured Interlayer 査読有り 国際誌

    T. Tayagaki, Y. Kurokawa, N. Usami

    Proc. 32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition     頁： 205 - 208   2016年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4229/EUPVSEC20162016-1BV.6.4

  102. Structure and physical properties of stable isotopic amorphous carbon films 査読有り 国際誌

    Y. Suzuki, Y. Kurokawa, T. Suzuki, K. Kanda, M. Niibe, M. Nakano, N. Ohtake, H. Akasaka

    Diamond and Related Materials   63 巻   頁： 115 - 119   2015年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.diamond.2015.10.024

  103. Flexible Cu(In,Ga)Se-2 solar cells fabricated using a polyimide-coated soda-lime glass substrate 査読有り 国際誌

    Sadono Adiyudha, Hino Masashi, Ichikawa Mitsuru, Yamamoto Kenji, Kurokawa Yasuyoshi, Konagai Makoto, Yamada Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 巻 ( 8 ) 頁： 08KC16   2015年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.08KC16

    Web of Science

  104. Control of valence band offset at CdS/Cu(In,Ga)Se-2 interface by inserting wide-bandgap materials for suppression of interfacial recombination in Cu(In,Ga)Se-2 solar cells 査読有り 国際誌

    Nishimura Takahito, Hirai Yoshiaki, Kurokawa Yasuyoshi, Yamada Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 巻 ( 8 ) 頁： 08KC08   2015年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.08KC08

    Web of Science

  105. Microstructural characterization of Cu2ZnSn(S,Se)(4) solar cells fabricated from nanoparticles 査読有り 国際誌

    Zhang Yiwen, Suyama Naoki, Goto Masanori, Kuwana Jun, Sugimoto Kanta, Satake Tetsuo, Kurokawa Yasuyoshi, Yin Ming, Yamada Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 巻 ( 8 ) 頁： 08KC05   2015年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.08KC05

    Web of Science

  106. Graphene transparent electrode for thin-film solar cells 査読有り 国際誌

    Ishikawa Ryousuke, Kurokawa Yasuyoshi, Miyajima Shinsuke, Konagai Makoto

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 12, NO 6   6 巻   頁： 777 - 780   2015年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssc.201400320

    Web of Science

  107. Improvement of Cu2ZnSn(S,Se)(4) solar cell efficiency by surface treatment 査読有り 国際誌

    Furuta Kento, Sakai Noriyuki, Kato Takuya, Sugimoto Hiroki, Kurokawa Yasuyoshi, Yamada Akira

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS   6 巻   頁： 704 - 707   2015年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssc.201400309

    Web of Science

  108. Fabrication of Cu(In,Ga)Se-2 solar cells with a single graded band profile 査読有り 国際誌

    Nishimura Takahito, Kasashima Shunsuke, Hirai Yoshiaki, Kurokawa Yasuyoshi, Yamada Akira

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   252 巻 ( 6 ) 頁： 1235 - 1238   2015年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssb.201400305

    Web of Science

  109. Theoretical and experimental investigation of the recombination reduction at surface and grain boundaries in Cu(In,Ga)Se2 solar cells by valence band control 査読有り 国際誌

    Takahito Nishimura, Yoshiaki Hirai, Yasuyoshi Kurokawa, Akira Yamada

    MRS Proceedings   1771 巻   頁： 125 - 131   2015年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1557/opl.2015.387

  110. Electrical characterization of Cu(In, Ga)Se-2 thin films peeled off from Mo-coated soda-lime glass substrate by AC Hall measurement 査読有り 国際誌

    Umehara Takeshi, Iinuma Shohei, Sadono Adiyudha, Kurokawa Yasuyoshi, Yamada Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 巻 ( 1 ) 頁： 018001   2015年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.018001

    Web of Science

  111. Silicon nanowire arrays passivated by Al2O3/TiO2 stack layers 査読有り 国際誌

    Yasuharu Yamada, Yasuyoshi Kurokawa, Shinya Kato, Akira Yamada

    PROC. 40TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE     頁： 2903 - 2907   2014年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2014.6925539

  112. Effect of Tapered Shape on Performance of Silicon Nanowire Solar Cells 査読有り 国際誌

    Kurokawa Yasuyoshi, Kato Shinya, Konagai Makoto

    NEXT GENERATION TECHNOLOGIES FOR SOLAR ENERGY CONVERSION V   9178 巻   頁： 91780N   2014年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1117/12.2061291

    Web of Science

  113. Solution of Roll-over-Shaped J-V Characteristics of Ag(In,Ga)Se2 Solar Cells 査読有り 国際誌

    T. Umehara, S. Iinuma, Y. Kurokawa, A. Yamada

    Proc. 29th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition     頁： 1444 - 1447   2014年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4229/EUPVSEC20142014-3AO.6.4

  114. Diameter Reduction of Silicon Nanowires Using Ozone Oxidation Method for the Application to the All-Silicon Tandem Solar Cells 査読有り 国際誌

    Y. Kurokawa, E. Ishida, Y. Yamada, S. Kato, A. Yamada

    Proc. 29th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition     頁： 298 - 302   2014年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4229/EUPVSEC20142014-1BV.7.45

  115. Silicon quantum dot superlattice solar cell structure including silicon nanocrystals in a photogeneration layer 査読有り 国際誌

    Yamada Shigeru, Kurokawa Yasuyoshi, Miyajima Shinsuke, Konagai Makoto

    NANOSCALE RESEARCH LETTERS   9 巻   頁： 246   2014年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1186/1556-276X-9-246

    Web of Science

  116. Investigation of hydrogen plasma treatment for reducing defects in silicon quantum dot superlattice structure with amorphous silicon carbide matrix 査読有り 国際誌

    Yamada Shigeru, Kurokawa Yasuyoshi, Miyajima Shinsuke, Konagai Makoto

    NANOSCALE RESEARCH LETTERS   9 巻   頁： 72   2014年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1186/1556-276X-9-72

    Web of Science

  117. Solid-phase crystallization of amorphous silicon nanowire array and optical properties 査読有り 国際誌

    Ishikawa Ryousuke, Kato Shinya, Yamazaki Tatsuya, Kurokawa Yasuyoshi, Miyajima Shinsuke, Konagai Makoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 2 ) 頁： 02BE09   2014年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.53.02BE09

    Web of Science

  118. Numerical study of Cu(In,Ga)Se-2 solar cell performance toward 23% conversion efficiency 査読有り 国際誌

    Hirai Yoshiaki, Kurokawa Yasuyoshi, Yamada Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 1 ) 頁： 012301   2014年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.53.012301

    Web of Science

  119. Radical-assisted chemical doping for chemically derived graphene 査読有り 国際誌

    Ishikawa Ryousuke, Ko Pil Ju, Bando Masashi, Kurokawa Yasuyoshi, Sandhu Adarsh, Konagai Makoto

    NANOSCALE RESEARCH LETTERS   8 巻   頁： 534   2013年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1186/1556-276X-8-533

    Web of Science

  120. Improvement of carrier diffusion length in silicon nanowire arrays using atomic layer deposition 査読有り 国際誌

    Kato Shinya, Kurokawa Yasuyoshi, Miyajima Shinsuke, Watanabe Yuya, Yamada Akira, Ohta Yoshimi, Niwa Yusuke, Hirota Masaki

    NANOSCALE RESEARCH LETTERS   8 巻   頁： 361   2013年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1186/1556-276X-8-361

    Web of Science

  121. Observation of Light Scattering Properties of Silicon Nanowire Arrays 査読有り 国際誌

    Y. Kurokawa, Y. Watanabe, S. Kato, Y. Yamada, A. Yamada, Y. Ohta, Y. Niwa, M. Hirota

    Proc. IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)     頁： 1880 - 1884   2013年6月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2013.6744510

    Web of Science

  122. Optical assessment of silicon nanowire arrays fabricated by metal-assisted chemical etching 査読有り 国際誌

    Kato Shinya, Kurokawa Yasuyoshi, Watanabe Yuya, Yamada Yasuharu, Yamada Akira, Ohta Yoshimi, Niwa Yusuke, Hirota Masaki

    NANOSCALE RESEARCH LETTERS   8 巻   頁： 216   2013年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1186/1556-276X-8-216

    Web of Science

  123. Deposition of Ag(In,Ga)Se-2 Solar Cells by a Modified Three-Stage Method Using a Low-Temperature- Deposited Ag-Se Cap Layer 査読有り 国際誌

    Zhang Xianfeng, Kobayashi Tsuyoshi, Kurokawa Yasuyoshi, Miyajima Shinsuke, Yamada Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 5 ) 頁： 055801   2013年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.52.055801

    Web of Science

  124. Improvement of Electrical Properties of Silicon Quantum Dot Superlattice Solar Cells with Diffusion Barrier Layers 査読有り 国際誌

    Yamada Shigeru, Kurokawa Yasuyoshi, Miyajima Shinsuke, Konagai Makoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 4 ) 頁： 04CR02   2013年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.52.04CR02

    Web of Science

  125. Laser Scribing of W-textured ZnO Substrates Using Green Laser 査読有り 国際誌

    Ryousuke Ishikawa, Hidetoshi Wada, Yasuyoshi Kurokawa, Porponth Sichanugrist, Makoto Konagai

    MRS Proceedings   1493 巻   頁： 207 - 212   2013年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1557/opl.2013.233

  126. Influence of Surface Recombination on the Performance of SiNW Solar Cells and the Preparation of a Passivation Film 査読有り 国際誌

    Shinya Kato, Yuya Watanabe, Yasuyoshi Kurokawa, Akira Yamada, Yoshimi Ohta, Yusuke Niwa, Masaki Hirota

    MRS Proceedings   1512 巻   頁： Mrsf12-1512-ff17-05   2013年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1557/opl.2012.1747

  127. Numerical Simulation about Effects of Bandgap Grading in Cu(In,Ga)Se-2 with a Bandgap of 1.4 eV on Solar Cell Performance 査読有り 国際誌

    Hirai Yoshiaki, Suzuki Ryotaro, Kurokawa Yasuyoshi, Yamada Akira

    PROC. IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)     頁： 3307 - 3309   2013年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2013.6745158

    Web of Science

  128. Numerical Approach to the Investigation of Performance of Silicon Nanowire Solar Cells Embedded in a SiO2 Matrix 査読有り 国際誌

    Kurokawa Yasuyoshi, Kato Shinya, Watanabe Yuya, Yamada Akira, Konagai Makoto, Ohta Yoshimi, Niwa Yusuke, Hirota Masaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 11 ) 頁： 11PE12   2012年11月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.11PE12

    Web of Science

  129. Layer-by-Layer Assembled Transparent Conductive Graphene Films for Silicon Thin-Film Solar Cells 査読有り 国際誌

    Ishikawa Ryousuke, Bando Masashi, Wada Hidetoshi, Kurokawa Yasuyoshi, Sandhu Adarsh, Konagai Makoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 11 ) 頁： 11PF01   2012年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.11PF01

    Web of Science

  130. Growth of Ag(In,Ga)Se-2 Films by Modified Three-Stage Method and Influence of Annealing on Performance of Solar Cells 査読有り 国際誌

    Zhang Xianfeng, Kobayashi Tsuyoshi, Kurokawa Yasuyoshi, Yamada Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 10 ) 頁： 10NC05   2012年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.10NC05

    Web of Science

  131. Improvement of the Band Profile of Cu(In,Ga)Se-2 Solar Cells with High-Ga Content Prepared Using a Five-Stage Method 査読有り 国際誌

    Hirai Yoshiaki, Hidaka Yukiya, Kurokawa Yasuyoshi, Yamada Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 10 ) 頁： 10NC03   2012年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.10NC03

    Web of Science

  132. Numerical Approach to the Performance of Silicon Quantum Dots Superlattice Solar Cells Taking into Account the Quantum Effect 査読有り 国際誌

    Kurokawa Yasuyoshi, Yamada Shigeru, Konagai Makoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 10 ) 頁： 10NE09   2012年10月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.10NE09

    Web of Science

  133. High Temperature Preparation of Cu(In,Ga)Se2 Thin Films with High Ga Content 査読有り 国際誌

    Y. Hirai, T. Kashima, Y. Kurokawa, A. Yamada

    Proc. 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition     頁： 2321 - 2323   2012年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4229/27thEUPVSEC2012-3CV.1.37

  134. Layer-by-layer assembled transparent conductive graphene films for solar cells application 査読有り 国際誌

    Ryousuke Ishikawa, Masashi Bando, Yasuyoshi Kurokawa, Adarsh Sandhu, Makoto Konagai

    MRS Proceedings   1451 巻   頁： 75 - 81   2012年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1557/opl.2012.1225

  135. Effect of the Quantum Size Effect on the Performance of Solar Cells with a Silicon Nanowire Array Embedded in SiO2 査読有り 国際誌

    Yasuyoshi Kurokawa, Shinsuke Miyajima, Akira Yamada, Makoto Konagai

    MRS Proceedings   1439 巻   頁： 145 - 150   2012年6月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1557/opl.2012.1154

  136. Estimation of the Crystallinity of P-type Hydrogenated Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide by Conductive Atomic Force Microscopy 査読有り 国際誌

    Daisuke Hamashita, Yasuyoshi Kurokawa, Makoto Konagai

    MRS Proceedings   1426 巻   頁： 347 - 352   2012年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1557/opl.2012.837

  137. Characterization of Ag(In, Ga)Se2/CdS interface in AIGS solar cell by HAADF-STEM measurement 査読有り 国際誌

    Zhang Xianfeng, Kobayashi Tsuyoshi, Kurokawa Yasuyoshi, Miyajima Shinsuke, Yamada Akira

    PROC. 37TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE     頁： 149 - 152   2012年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2011.6185865

  138. High thermostable and conductive niobium doped titanium oxide for the application to a diffusion barrier layer of silicon quantum dot superlattice solar cell structure 査読有り 国際誌

    Shigeru Yamada, Yasuyoshi Kurokawa, Makoto Konagai

    PROC. 37TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE     頁： 2113 - 2116   2012年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2011.6186370

  139. Metal-Assisted Chemical Etching Using Silica Nanoparticle for the Fabrication of a Silicon Nanowire Array 査読有り 国際誌

    Kato Shinya, Watanabe Yuya, Kurokawa Yasuyoshi, Yamada Akira, Ohta Yoshimi, Niwa Yusuke, Hirota Masaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 2 ) 頁： 02BP09   2012年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.02BP09

    Web of Science

  140. Experimental and Theoretical Evaluation of Cu(In,Ga)Se-2 Concentrator Solar Cells 査読有り 国際誌

    Hirai Yoshiaki, Nagashima Hiroshi, Kurokawa Yasuyoshi, Yamada Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 1 ) 頁： 014101   2012年1月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.014101

    Web of Science

  141. Comparison of Interface Characterization between Ag(In,Ga)Se-2 and Cu(In,Ga)Se-2 Solar Cells by High-Angle-Annular Dark-Field Scanning Transmission Electron Microscopy 査読有り 国際誌

    Zhang Xianfeng, Kobayashi Tsuyoshi, Kurokawa Yasuyoshi, Tashiro Yoshiyuki, Ohtsuka Masahiro, Yamada Tomoyuki, Yamada Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 12 ) 頁： 126603   2011年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.50.126603

    Web of Science

  142. 第三世代太陽電池研究開発の現状--シリコン量子ドットを用いた次世代太陽電池 (特集 次世代太陽電池開発の最前線) 査読有り

    黒川 康良, 小長井 誠

    ケミカルエンジニヤリング   56 巻 ( 3 ) 頁： 232 - 237   2011年3月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

  143. Size-Controlled Silicon Quantum Dots Superlattice for Thin-Film Solar Cell Applications 査読有り 国際誌

    Yasuyoshi Kurokawa, Shinsuke Miyajima, Akira Yamada, Makoto Konagai

    MRS Proceedings   1101 巻   頁： 1101-KK12-01   2011年2月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1557/PROC-1101-KK12-01

  144. Preparation of p-type Hydrogenated Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide/n-type Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells by VHF-PECVD 査読有り 国際誌

    Hamashita Daisuke, Kurokawa Yasuyoshi, Konagai Makoto

    Energy Procedia   10 巻   頁： 14 - 19   2011年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.egypro.2011.10.145

    Web of Science

  145. Light management of a-Si:H solar cells using textured zinc oxide with adjustable haze values 査読有り 国際誌

    Zhang Liping, Yunaz Ihsanul Afdi, Kasashima Shunsuke, Wada Hidetoshi, Hongsingthong Aswin, Krajangsang Taweewat, Kurokawa Yasuyoshi, Konagai Makoto

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS   8 巻 ( 10 ) 頁： 2998 - 3001   2011年

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssc.201001180

    Web of Science

  146. Introduction of Oxygen into the Barrier Layers in a Si Quantum Dots Superlattice Using a-SiC Matrix to Improve the Solar Cell Performance 査読有り 国際誌

    Y. Kurokawa, S. Yamada, S. Miyajima, A. Yamada, M. Konagai

    Proc. 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition / 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion     頁： 2748 - 2752   2010年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4229/25thEUPVSEC2010-3CO.11.3

  147. Development of SiOx and SiOx/ SiO2 Superlattice for Application in Solar Cells 査読有り 国際共著 国際誌

    S. Ray, S. Mukhopadhyay, Y. Kurokawa, M. Konagai

    Proc. 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition / 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion     頁： 591 - 594   2010年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4229/25thEUPVSEC2010-1DV.3.16

  148. Effects of oxygen addition on electrical properties of silicon quantum dots/amorphous silicon carbide superlattice 査読有り 国際誌

    Kurokawa Yasuyoshi, Yamada Shigeru, Miyajima Shinsuke, Yamada Akira, Konagai Makoto

    CURRENT APPLIED PHYSICS   10 巻 ( 3 ) 頁： S435 - S438   2010年5月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.cap.2010.02.014

    Web of Science

  149. HIGH OPEN-CIRCUIT VOLTAGE OXYGEN-CONTAINING SILICON QUANTUM DOTS SUPERLATTICE SOLAR CELLS 査読有り 国際誌

    Yamada Shigeru, Kurokawa Yasuyoshi, Miyajima Shinsuke, Yamada Akira, Konagai Makoto

    PROC. 35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE     頁： 766 - 769   2010年

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2010.5617097

    Web of Science

  150. Effects of Nitrogen on the Electrical Properties of Si Quantum Dots Superlattice Using a-SiC Matrix 査読有り 国際誌

    Y. Kurokawa, S. Tomita, S. Miyajima, A. Yamada, M. Konagai

    Proc. 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference     頁： 398 - 403   2009年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4229/24thEUPVSEC2009-1CV.3.68

  151. 新概念高性能太陽電池の展開 : 第3世代太陽電池開発の現状(<特集>太陽電池開発の将来展望) 査読有り

    小長井 誠, 黒川 康良

    日本エネルギー学会誌   87 巻 ( 3 ) 頁： 193 - 198   2008年3月

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    担当区分：最終著者   記述言語：日本語  

    Present status of third generation photovoltaics is reviewed. Recently, inter-band solar cells, hot carrier solar cells or all silicon tandem solar cells have been proposed to overcome the efficiency limit of conventional solar cells, and this kind of new concepts is named as "the third generation solar cell". All silicon tandem solar cells are the most promising as the third generation solar cell, since silicon is abundant on the earth and nontoxic. To realize all silicon tandem solar cells, silicon quantum dots superlattice (Si-QDSL) is the most important structure since Si-QDSL enables us to obtain bandgap-controlled materials. Si-QDSL is composed of the aligned silicon quantum dots in a silicon-based wide gap material. In this paper, preparation techniques and preliminary optical properties of Si/SiO, Si/SiN and Si/SiC-QDSL's will be presented.

  152. OBSERVATION OF THE PHOTOVOLTAICS EFFECT FROM THE SOLAR CELLS USING SILICON QUANTUM DOTS SUPERLATTICE AS A LIGHT ABSORPTION LAYER 査読有り 国際誌

    Kurokawa Yasuyoshi, Tomita Shigeki, Miyajima Shinsuke, Yamada Akira, Konagai Makoto

    PROC. 33RD IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE     頁： 858 - 863   2008年

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2008.4922566

    Web of Science

  153. TiO2-Coated Transparent Conductive Oxide (SnO2:F) Films Prepared by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition with High Durability against Atomic Hydrogen. 査読有り

    M. Kambe, K. Sato, D. Kobayashi, Y. Kurokawa, S. Miyajima, M. Fukawa, N. Taneda, A. Yamada, M. Konagai

    Japanese Journal of Applied Physics   45 巻   頁： L291 - L293   2006年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.45.L291

  154. Nanocrystalline silicon in amorphous silicon carbide matrix for Si quantum dots superlattice 査読有り 国際誌

    Kurokawa Yasuyoshi, Miyajima Shinsuke, Yamada Akira, Konagai Makoto

    PROC. 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion     頁： 138 - 141   2006年

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/WCPEC.2006.279383

    Web of Science

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書籍等出版物 10

  1. 超高効率太陽電池・関連材料の最前線≪普及版≫ 4.3 量子ドットを使った薄膜太陽電池

    黒川康良, 山田繁, 小長井誠（ 担当： 共著）

    シーエムシー出版  2017年3月 

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    記述言語：日本語

  2. 太陽光と光電変換機能　－異分野融合から生まれる次世代太陽電池－　量子ナノ構造を利用した新型高効率シリコン系太陽電池の開発

    黒川　康良（ 担当： 共著）

    シーエムシー出版  2016年1月 

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    記述言語：日本語

  3. 工業材料2015年10月号　ナノワイヤ太陽電池の開発

    黒川　康良（ 担当： 単著）

    日刊工業新聞  2015年10月 

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    記述言語：日本語

  4. 太陽電池技術ハンドブック 第11章　第三世代太陽電池

    黒川　康良（ 担当： 共著）

    オーム社  2013年5月  （ ISBN:9784274213991 ）

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    記述言語：日本語

  5. 技術予測レポート2023（下）低炭素社会の実現を目指す日本の技術編

    黒川康良（ 担当： 単著）

    株式会社日本能率協会総合研究所  2013年 

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    記述言語：日本語

  6. 超高効率太陽電池・関連材料の最前線 4.3 量子ドットを使った薄膜太陽電池

    黒川康良, 山田繁, 小長井誠（ 担当： 共著）

    シーエムシー出版  2011年8月 

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    記述言語：日本語

  7. 量子ドットエレクトロニクスの最前線　量子ドットを用いた第三世代太陽電池開発の最新動向と課題

    黒川康良, 小長井誠（ 担当： 単著）

    エヌティーエス出版  2011年3月 

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    記述言語：日本語

  8. 月刊ケミカルエンジニアリング　3. 第三世代太陽電池研究開発の現状　―シリコン量子ドットを用いた次世代太陽電池―

    黒川康良, 小長井誠（ 担当： 単著）

    化学工業社  2011年3月 

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    記述言語：日本語

  9. 太陽電池の基礎と応用 3.8.1 第3世代型太陽電池

    黒川康良, 小長井誠（ 担当： 共著）

    培風館  2010年7月 

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    記述言語：日本語

  10. 日本エネルギー学会誌　新概念高性能太陽電池の展開　―第３世代太陽電池開発の現状

    （ 担当： 単著）

    日本エネルギー学会  2008年3月 

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    記述言語：日本語

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MISC 117

  1. Influence of insertion position of a LiF buffer layer on passivation performance of crystalline Si/SiOy/TiOx/Al heterostructures 査読有り

    S. Fukaya, K. Gotoh, T. Matsui, H. Sai Y. Kurokawa, N. Usami  

    Proc. 50th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   頁： 1 - 3   2023年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC48320.2023.10359948

  2. Numerical simulation study for analysis of hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterostructure by Reactive Molecular Dynamics Method 査読有り

    K. Inoue, N. Uene, K. Gotoh, Y. Kurokawa, T. Tokumasu, N. Usami  

    Proc. 50th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   頁： 1 - 3   2023年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC48320.2023.10359660

  3. 廃棄結晶シリコン太陽電池から作製した高機能シリコンナノ粒子 査読有り

    加藤 慎也, 曽我 哲夫, 宇佐美 徳隆, 土居 大亮, 黒川 康良  

    「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（日本太陽光発電学会学術講演会）予稿集3 巻   頁： PD-5 - PD-5   2023年6月

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    担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.3.0_95

  4. 原子層堆積法で作製したTiOx/c-Siヘテロ構造のパッシベーション性能向上機構 査読有り

    道下 悠登, 後藤 和泰, 深谷 昌平, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆  

    「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（日本太陽光発電学会学術講演会）予稿集3 巻   頁： PD-2 - PD-2   2023年6月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.3.0_92

  5. p型シリコンナノ結晶/酸化シリコン複合膜におけるキャリア選択能の向上 査読有り

    水谷 和嗣, 後藤 和泰, 黒川 康良, 沓掛 健太朗, 宇佐美 徳隆  

    「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（日本太陽光発電学会学術講演会）予稿集3 巻   頁： PD-4 - PD-4   2023年6月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.3.0_94

  6. Improvement of Passivation Performance of Silicon Nano-crystal/Silicon Oxide Compound Layer by Hydrogen Plasma Treatment 査読有り

    M. Matsumi, K. Gotoh, M. Wilde, Y. Kurokawa, K. Fukutani, N. Usami  

    Proc. 8th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-8)   頁： 402 - 405   2022年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.4229/WCPEC-82022-2BV.2.6

  7. Preparation and thermoelectric characterization of boron-doped silicon nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り

    K. Shibata, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, S. Miyamoto, N. Usami, Y. Kurokawa  

    Ext. Abstr. 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)   頁： 147 - 148   2022年9月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2022.C-2-01

  8. Performance enhancement of droplet-based electricity generator using a CYTOP intermediate layer 査読有り

    H. Wang, Y. Kurokawa, K. Gotoh, S. Kato, S. Yamada, T. Itoh, N. Usami  

    Ext. Abstr. 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)   頁： 145 - 146   2022年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2022.C-1-03

  9. Fabrication of Silicon Heterojunction Solar Cells with Light Trapping Structures Specialized for Near-Infrared Light by Nanoimprinting 査読有り

    Y. Kimata, K. Gotoh, S. Miyamoto, S. Kato, Y. Kurokawa, N. Usami  

    Proc. 8th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-8)   頁： 230 - 233   2022年9月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.4229/WCPEC-82022-2BO.6.1

  10. ビーズミルによるシリコンスラッジのナノ粒子化および反射防止膜への展開 査読有り

    加藤 慎也, 黒川 康良, 曽我 哲夫  

    「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（日本太陽光発電学会学術講演会）予稿集2 巻   頁： PB-22 - PB-22   2022年6月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.2.0_63

  11. 硼素dopingがaSi:H/cSi界面・cSi表面欠陥に及ぼす影響のFET-TEGによる評価 査読有り

    林 豊, 後藤 和泰, 原 知彦, 神岡 武文, 尾崎 亮, 森村 元勇, 中村 京太郎, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆, 大下 祥雄  

    「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（日本太陽光発電学会学術講演会）予稿集2 巻   頁： PB-10 - PB-10   2022年6月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.2.0_51

  12. シリコン量子ドット積層膜の光導電率評価 査読有り

    熊谷 風雅, 後藤 和泰, 松尾 直紀, 山田 繁, 伊藤 貴司, 宇佐美 徳隆, 黒川 康良  

    「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（日本太陽光発電学会学術講演会）予稿集2 巻   頁： PB-20 - PB-20   2022年6月

    　詳細を見る

    担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.2.0_61

  13. シリコンナノ結晶/酸化シリコン複合膜におけるパッシベーション性能の水素プラズマ処理圧力依存性 査読有り

    松見 優志, 後藤 和泰, ビルデ マーカス, 黒川 康良, 福谷 克之, 宇佐美 徳隆  

    「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（日本太陽光発電学会学術講演会）予稿集2 巻   頁： PB-8 - PB-8   2022年6月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.2.0_49

  14. ボロンデルタドープp型水素化アモルファスシリコンと太陽電池応用 査読有り

    後藤 和泰, 尾崎 亮, 森村 元勇, 田中 亜紀, 伊関 良子, 中村 京太郎, 村松 和郎, 黒川 康良, 大下 祥雄, 宇佐美 徳隆  

    「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（日本太陽光発電学会学術講演会）予稿集2 巻   頁： PB-9 - PB-9   2022年6月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.2.0_50

  15. 太陽電池の高効率化に向けた革新的光閉じ込め構造作製手法の開発

    黒川康良  

    新東技報39 巻   頁： 80 - 81   2022年1月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

  16. TiOx/結晶Siヘテロ構造における電極製膜後のパッシベーション性能の定量的評価の検討 査読有り

    深谷 昌平, 後藤 和泰, 松井 卓矢, 齋 均, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆  

    「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（日本太陽光発電学会学術講演会）予稿集1 巻   頁： 67 - 67   2021年10月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）  

    DOI： https://doi.org/10.57295/jpvsproc.1.0_67

  17. Fabrication of BaSi2 Homojunction Diodes on Glass Substrates by Aluminum Induced Crystallization and Two-step Evaporation Method 査読有り

    T. Yoshino, Y. Kurokawa, K. Gotoh, S. Miyamoto and N. Usami  

    Ext. Abstr. 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)   頁： 341 - 342   2021年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2021.F-4-06

  18. Study on the Morphology of Silicon Nanowire Arrays by Using Highly Doped Silicon 査読有り

    H. Li, S. Kato, Y. Kurokawa, and T. Soga  

    Ext. Abstr. 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)   頁： 311 - 312   2021年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2021.F-1-03

  19. Realization of the Crystalline Silicon Solar Cell Using Nanocrystalline Transport Path in Ultra-thin Dielectrics for Reinforced Passivating Contact. 査読有り

    R. Tsubata, K. Gotoh, T. Inoue, Y. Kurokawa, and N. Usami  

    Proc. 48th IEEE Photovoltaic Specialists   頁： 908 - 911   2021年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC43889.2021.9519096

  20. Fabrication of silicon-nanocrystals-embedded silicon oxide passivating contacts 査読有り

    R. Tsubata, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami  

    Proc. 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   頁： 969 - 972   2021年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC45281.2020.9300609

  21. Work function of indium oxide thin films on p-type hydrogenated amorphous silicon 査読有り

    M. Semma, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami  

    Proc. 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   頁： 124 - 127   2021年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC45281.2020.9300380

  22. Electrical properties of TiOx bilayer prepared by atomic layer deposition at different temperatures 査読有り

    T. Mochizuki, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami  

    Proc. 46th IEEE Photovoltaics Specialist Conference   頁： 1 - 3   2020年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC40753.2019.9198984

  23. Passivation Mechanism of the High-performance Titanium Oxide Passivating Contacts on Crystalline Silicon Studied by Spectroscopic Ellipsometry 査読有り

    K. Gotoh, H. Miura, A. Shimizu, Y. Kurokawa, and N. Usami  

    Ext. Abstr. 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)   頁： 399 - 400   2020年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2020.F-10-02

  24. Fabrication of TiOx thin film on Si using solution-based process and its passivation performance 査読有り

    H. Luo, V. H. Nguyen, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami  

    Ext. Abstr. 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)   頁： 403 - 404   2020年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2020.F-10-04

  25. Size effect of silicon nanocrystals on Seebeck coefficient of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り

    H. Kobayashi, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, N. Usami, and Y. Kurokawa  

    Ext. Abstr. 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)   頁： 355 - 356   2020年9月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2020.F-1-05

  26. Effect of Hydrogen Plasma Treatment on Silicon Quantum Dot Multilayers Using Amorphous SiOx 査読有り

    R. Akaishi, K. Gotoh, N. Usami, and Y. Kurokawa  

    Proc. 37th European PV Solar Energy Conference and Exhibition   頁： 83 - 86   2020年9月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.4229/EUPVSEC20202020-1BV.4.25

  27. Solute PEDOT:PSS as an Excellent Passivation Material of Si Substrate 査読有り

    V. H. Nguyen, S. Kato, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami  

    Ext. Abstr. SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials   頁： 149 - 150   2019年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2019.C-6-03

  28. Preparation and thermoelectric characterization of phosphorous-doped silicon nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り

    H. Kobayashi, R. Akaishi, S. Kato, M. Kurosawa, N. Usami, and Y. Kurokawa  

    Ext. Abstr. SSDM 2019, International Conference on Solid State Devices and Materials   頁： 819 - 820   2019年9月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2019.PS-6-10

  29. Application of light-trapping structure using Ge dot mask by alkaline etching to heterojunction solar cell 査読有り

    A. Hombe, Y. Kurokawa, K. Gotoh, and N. Usami  

    Proc. 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)   頁： 3097 - 3101   2018年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2018.8547490

  30. Local structure of high performance TiOx passivating layer revealed by electron energy loss spectroscopy 査読有り

    T. Mochizuki, K. Gotoh, A. Ohta, Y. Kurokawa, S. Miyazaki, T. Yamamoto, N. Usami  

    Proc. 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)   頁： 3896 - 3899   2018年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2018.8547844

  31. Deposition and Characterization of Si Quantum Dot Multilayers Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition using SiH4 and CO2 Gases 査読有り

    R. Akaishi, K Kitazawa, S. Ono, K. Gotoh, E. Ichihara, S. Kato, N. Usami and Y. Kurokawa  

    Proc. 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)   頁： 2852 - 2856   2018年11月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2018.8548207

  32. Development of the Passivation Layer for p-type CuI Thin Film Fabricated by the 2-step Method as the Novel Hole Selective Contact of Silicon Heterojunction Solar Cells 査読有り

    M. Cui, K. Gotoh, Y. Kurokawa and N. Usami  

    Proc. 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)   頁： 2118 - 2120   2018年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2018.8547776

  33. Structural, Optical and Electrical Characterization of Heterojunction Rib-Si Solar Cells 査読有り

    M. Konagai, R. Kondo, T. Otani, S. Takahashi, K. Sawano, Y. Ichikawa, K. Nakada, and Y. Kurokawa  

    Proc. 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)   頁： 2032 - 2035   2018年11月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2018.8548235

  34. Improving intrinsic silicon nanoparticle film by press treatment for use in p–i–n solar cells 査読有り

    E. Ichihara, S. Kato, R. Akaishi, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Kishi, and T. Soga  

    Proc. 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)   頁： 317 - 320   2018年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2018.8547319

  35. Fabrication of CuI/a-Si:H/c-Si Structure for Application to Hole-selective Contacts of Heterojunction Si Solar Cells 査読有り

    K. Gotoh, M. Cui, N. C. Thanh, K. Koyama, I. Takahashi, Y. Kurokawa, H. Matsumura, and N. Usami  

    Proc. 44th IEEE Photovoltaics Specialist Conference   頁： 1765 - 1768   2018年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2017.8366710

  36. Stacks of a-SiOx:H/a-Si:H Passivation Layer for Low Parasitic Absorption and High Passivation in Silicon Heterojunction Solar Cells 査読有り

    K. Gotoh, M. Cui, R. Akaishi, Y. Kurokawa, N. Usami  

    Proc. 35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition   頁： 636 - 638   2018年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.4229/35thEUPVSEC20182018-2AV.3.3

  37. Evaluation of Si Nanowire MOS Capacitor Using High-k Dielectric Materials 査読有り

    R. Nezasa, Y. Kurokawa and N. Usami  

    Proc. 18th IEEE International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO)   頁： 1 - 4   2018年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  38. Effect of novel sub-micron structure fabricated onto crystalline silicon on optical properties and minority carrier lifetime 査読有り

    M. Sei, Y. Kurokawa, S. Kato, K. Gotoh, and N. Usami  

    Proc. Grand Renewable Energy 2018   頁： OPV-10-1 - OPV-10-1   2018年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  39. Fabrication of a Si Nanowire MOS Capacitor for the Application to Energy Storage Devices 査読有り

    R. Nezasa, Y. Kurokawa, and N. Usami  

    Ext. Abstr. SSDM 2017, International Conference on Solid State Devices and Materials   頁： 1009 - 1010   2017年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2017.PS-13-02

  40. Novel light trapping structure by alkaline etching using a Ge dot mask for crystalline Si solar cells 査読有り

    A. Hombe, Y. Kurokawa, and N.Usami  

    Proc. 16th IEEE International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO)   頁： 357 - 360   2016年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/NANO.2016.7751354

  41. Control of the Electrical Properties of BaSi₂ Evaporated Films for Solar Cell Applications 査読有り

    K. O. Hara, C. T. Trinh, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, Y. Kurokawa, T. Suemasu, and N. Usami  

    Proc. 43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference   頁： 2786 - 2789   2016年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2016.7750159

  42. Application of New Doping Techniques to Solar Cells for Low Temperature Fabrication 査読有り

    I. Takahashi, Y. Sujihara, H. Yating, J. Wibowo, Y. Kurokawa, and N. Usami  

    Proc. 43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference   頁： 2522 - 2524   2016年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2016.7750101

  43. Surface Modification of Evaporated BaSi2 Films by In-situ Post-annealing and Amorphous Silicon Capping 査読有り

    K. O. Hara, C. T. Trinh, Y. Kurokawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami  

    Ext. Abstr. SSDM 2016, International Conference on Solid State Devices and Materials   頁： 357 - 358   2016年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2016.G-6-05L

  44. Optical characterization of double-side textures using photonic nanostructures for thin-wafer c-Si solar cells 査読有り

    T. Tayagaki, D. Furuta, O. Aonuma, I. Takahashi, Y. Hoshi, Y. Kurokawa, and N. Usami  

    Ext. Abstr. SSDM 2016, International Conference on Solid State Devices and Materials   頁： 355 - 356   2016年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2016.G-6-04

  45. Bandgap Tuning of Silicon Nanowire Arrays for the Application to All Silicon Tandem Solar Cells 査読有り

    Y. Kurokawa, M. Yano, S. Miyajima, A. Yamada  

    Ext. Abstr. SSDM 2016, International Conference on Solid State Devices and Materials   頁： 449 - 450   2016年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2016.J-4-04L

  46. Effects of Luminescent Coupling in Perovskite/c-Si Multijunction Solar Cells with Nanostructured Interlayer 査読有り

    T. Tayagaki, Y. Kurokawa, and N. Usami  

    Proc. 32nd European PV Solar Energy Conference and Exhibition   頁： 205 - 208   2016年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.4229/EUPVSEC20162016-1BV.6.4

  47. Structure and physical properties of stable isotopic amorphous carbon films 査読有り

    Y. Suzuki, Y. Kurokawa, T. Suzuki, K. Kanda, M. Niibe, M. Nakano, N. Ohtake, H. Akasaka  

    Proc. 9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons   頁： 115 - 119   2015年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  48. Theoretical and experimental investigation of the recombination reduction at surface and grain boundaries in Cu(In,Ga)Se2 solar cells by valence band control 査読有り

    T. Nishimura, Y. Hirai, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    MRS Proceedings1771 巻   頁： 125 - 131   2015年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1557/opl.2015.387

  49. Cu2ZnSn(S,Se)4 Thin-Film Solar Cells Prepared by Two-Step Annealing 査読有り

    M. Goto, J. Kuwana, N. Suyama, Y. Zhang, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Tech. Dig.. 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)   頁： 461 - 462   2014年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  50. Optical Design for the Performance Improvement of Heterojunction Silicon Nanowire Solar Cells 査読有り

    Y. Kurokawa, Y. Yamada, M. Yano, and A. Yamada  

    Tech. Dig.. 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)   頁： 53 - 54   2014年11月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  51. Graphene Transparent Electrode with Low Contact Barrier in Silicon Thin-Film Solar Cells 査読有り

    R. Ishikawa, Y. Kurokawa, S. Miyajima, and M. Konagai  

    Tech. Dig.. 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)   頁： 231 - 232   2014年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  52. Suppression of Recombination at a CdS/CIGS Interface by Inserting Cu(In,Ga)3Se5 for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells 査読有り

    T. Nishimura, Y. Hirai, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Tech. Dig.. 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)   頁： 313 - 314   2014年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  53. Flexible CIGS Solar Cells Fabricated Using a Polyimide-Coated Soda-Lime Glass Substrate 査読有り

    A. Sadono, M. Hino, M. Ichikawa, K. Yamamoto, Y. Kurokawa, M. Konagai, and A. Yamada  

    Tech. Dig.. 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)   頁： 351 - 352   2014年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  54. Characterization of Cu2ZnSn(S,Se)4 Solar Cells Annealed under Different Atmospheres 査読有り

    Y. Zhang, N. Suyama, M. Goto, J. Kuwana, K. Sugimoto, T. Satake, Y. Kurokawa, M. Yin, and A. Yamada  

    Tech. Dig.. 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)   頁： 377 - 378   2014年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  55. Silicon nanowire arrays passivated by Al2O3/TiO2 stack layers 査読有り

    Y. Yamada, Y. Kurokawa, S. Kato, and A. Yamada  

    Proc. 40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   頁： 2903 - 2907   2014年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2014.6925539

  56. Solution of Roll-over-Shaped J-V Characteristics of Ag(In,Ga)Se2 Solar Cells 査読有り

    Takeshi Umehara, Shohei Iinuma, Yasuyoshi Kurokawa, Akira Yamada  

    Proc. 29th European PV Solar Energy Conference and Exhibition   頁： 1444 - 1447   2014年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.4229/EUPVSEC20142014-3AO.6.4

  57. Diameter Reduction of Silicon Nanowires Using Ozone Oxidation Method for the Application to the All-Silicon Tandem Solar Cells 査読有り

    Y. Kurokawa, E. Ishida, Y. Yamada, S. Kato, and A. Yamada  

    Proc. 29th European PV Solar Energy Conference and Exhibition   頁： 298 - 302   2014年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.4229/EUPVSEC20142014-1BV.7.45

  58. Cu2ZnSn(S,Se)4 Thin-Film Solar Cells Prepared by Ultrasonic Spray 査読有り

    J. Kuwana, M. Goto, N. Suyama, Y. Zhang, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Proc. 19th International Conference on Ternary and Multinary Compounds   頁： P4-082 - P4-082   2014年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  59. Improvement of Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cell efficiency by surface treatment 査読有り

    K. Furuta, N. Sakai, T. Kato, H. Sugimoto, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Proc. 19th International Conference on Ternary and Multinary Compounds   頁： Wed-O-3A - Wed-O-3A   2014年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  60. Graphene Transparent Electrode for Thin-Film Solar Cells 査読有り

    R. Ishikawa, Y. Kurokawa, S. Miyajima, and M. Konagai  

    Proc. 19th International Conference on Ternary and Multinary Compounds   頁： P4-054 - P4-054   2014年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  61. Solution of Roll-over-Shaped J-V Characteristics of Ag(In,Ga)Se2 Solar Cells 査読有り

    T. Nishimura, S. Kasashima, Y. Hirai, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Proc. 19th International Conference on Ternary and Multinary Compounds   頁： Thu-O-2A - Thu-O-2A   2014年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  62. Observation of Light Scattering Properties of Silicon Nanowire Arrays 査読有り

    Y. Kurokawa, Y. Watanabe, S. Kato, Y. Yamada, and A. Yamada  

    Proc. 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   頁： 1880 - 1884   2014年2月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2013.6744510

  63. Numerical Simulation about Effects of Bandgap Grading in Cu(In,Ga)Se2 with a Bandgap of 1.4 eV on Solar Cell 査読有り

    Y. Hirai, R. Suzuki, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Proc. 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   頁： 3307 - 3309   2014年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2013.6745158

  64. Evaluation of Effective Lifetime of Silicon Nanowire Arrays 査読有り

    Y. Yamada, Y. Kurokawa, S. Kato, and A. Yamada  

    Tech. Dig. 23rd International Photovoltaic Science & Engineering Conference (PVSEC-23)   頁： 5-O-10-1 - 5-O-10-4   2013年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  65. Improvement of Effective Lifetime by Surface Passivation of Ge Wafers using Al2O3 Films 査読有り

    N. Kaneko, K. Nakada, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Tech. Dig. 23rd International Photovoltaic Science & Engineering Conference (PVSEC-23)   頁： 1-P-62-1 - 1-P-62-4   2013年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  66. Investigation of silicon nanowire solar cells by using two-dimensional device simulation 査読有り

    S. Kato, Y. Kurokawa, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai  

    Tech. Dig. 23rd International Photovoltaic Science & Engineering Conference (PVSEC-23)   頁： 5-P-69-1 - 5-P-69-4   2013年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  67. Influence of Surface Recombination on the Performance of SiNW Solar Cells and the Preparation of a Passivation Film 査読有り

    S. Kato, Y. Watanabe, Y. Kurokawa, A. Yamada, Y. Ohta, Y. Niwa, and M. Hirota  

    Proc. Materials Research Society Symposium Fall Meeting1512 巻   頁： 5   2013年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1557/opl.2012.1747

  68. Laser Scribing of W-textured ZnO Substrates Using Green Laser 査読有り

    R. Ishikawa, H. Wada, Y. Kurokawa, P. Sichanugrist, and M Konagai  

    Proc. Materials Research Society Symposium Fall Meeting1493 巻   頁： 232 - 237   2013年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1557/opl.2013.233

  69. Improvement of Electrical Properties of Silicon Quantum Dots Superlattice Solar Cells with a Dopant Diffusion Barrier Layer 査読有り

    S. Yamada, Y. Kurokawa, S. Miyajima, and M. Konagai  

    Ext. Abstr. 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)   頁： 999 - 1000   2012年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2012.H-3-2

  70. Direct Bonding using a-Si:H Thin Films for the Fabrication of Chalcopyrite Tandem Solar Cells 査読有り

    S. Oonishi, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Ext. Abstr. 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)   頁： 983 - 984   2012年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2012.H-1-5

  71. High Temperature Preparation of Cu(In,Ga)Se2 Thin Films with High Ga Content 査読有り

    Y. Hirai, T. Kashima, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Proc. 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference   頁： 2321 - 2323   2012年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.4229/27thEUPVSEC2012-3CV.1.37

  72. Theoretical Evaluation of Effect of Cu(In, Ga)Se2 Band Profile on Solar Cell Performance Taking into Account the Novel Absorption Coefficient 査読有り

    Y. Hirai, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Proc. Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (TOP-PV 2012)   頁： 107 - 108   2012年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  73. Improvement of Ag(In, Ga)Se2 Solar Cell Performance by High-Temperature Deposition Method 査読有り

    X. Zhang, T. Umehara, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Proc. Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (TOP-PV 2012)   頁： 109 - 110   2012年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  74. Fabrication of Cu2ZnSn(SSe)4 Solar Cells by Printing of Nanoparticle Precursor Ink 査読有り

    A. Yamada, Y. Zhang, T. Yoshihara, N. Suyama, and Y. Kurokawa  

    Proc. Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (TOP-PV 2012)   頁： 28 - 31   2012年8月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  75. Recent Progress in Silicon Quantum Dots Superlattice Solar Cells 査読有り

    S. Yamada, Y. Kurokawa, S. Miyajima, and M. Konagai  

    Proc. Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (TOP-PV 2012)   頁： 133 - 134   2012年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  76. Numerical Approach to the Performance of Silicon Nanowire Solar Cells with Taking the Quantum Size Effect in Account 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Kato, Y. Watanabe, A. Yamada, M. Konagai, Y. Ohta, Y. Niwa, and M. Hirota  

    Proc. Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (TOP-PV 2012)   頁： 137 - 138   2012年8月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  77. Preparation of Passivation Film-Embedded Silicon Nanowire Arrays using Atomic Layer Deposition and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り

    S. Kato, Y. Watanabe, Y. Kurokawa, A. Yamada, Y. Ohta, Yusuke Niwa, and Masaki Hirota  

    Proc. Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (TOP-PV 2012)   頁： 139 - 140   2012年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  78. p-type Hydrogenated Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide Emitter for n-type Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells 査読有り

    D. Hamashita, Y. Kurokawa, S. Miyajima, and M. Konagai  

    Proc. Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (TOP-PV 2012)   頁： 67 - 68   2012年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  79. Laser Scribing of a-Si:H Solar Cells Fabricated on W-textured Substrates 査読有り

    R. Ishikawa, H. Wada, Y. Kurokawa, P. Sichanugrist, and M. Konagai  

    Proc. Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (TOP-PV 2012)   頁： 93 - 94   2012年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  80. Layer-by-layer Assembled Transparent Conductive Graphene Films for Solar Cells Application 査読有り

    R. Ishikawa, Y. Kurokawa, A. Sandhu, and M. Konagai  

    Proc. Materials Research Society Symposium Spring Meeting1451 巻   頁： 75 - 81   2012年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1557/opl.2012.1225

  81. Effect of the Quantum Size Effect on the Performance of Solar Cells with a Silicon Nanowire Array Embedded in SiO2 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Kato, Y. Watanabe, A. Yamada, M. Konagai, Y. Ohta, Y. Niwa, and M. Hirota  

    Proc. Materials Research Society Symposium Spring Meeting1439 巻   頁： 145 - 150   2012年6月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1557/opl.2012.1154

  82. Estimation of the Crystallinity of p-type Hydrogenated Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide by Conductive Atomic Force Microscopy 査読有り

    D. Hamashita, Y. Kurokawa, and M. Konagai  

    Proc. Materials Research Society Symposium Spring Meeting1426 巻   頁： 347 - 352   2012年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1557/opl.2012.837

  83. Preparation of p-type Hydrogenated Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide / n-type Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells by VHF-PECVD 査読有り

    D. Hamashita, Y. Kurokawa, and M. Konagai  

    Proc. E-MRS ICAM IUMRS 2011 Spring Meeting   頁： 14 - 19   2012年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  84. Characterization of Ag(In, Ga)Se2/CdS interface in AIGS solar cell by HAADF-STEM measurement 査読有り

    Z. Xianfeng, T. Kobayashi, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Proc. 37th IEEE Photovoltaic Specialist Conference   頁： 149 - 152   2012年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2011.6185865

  85. Effects of the Deposition Conditions of p-type Hydrogenated Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide on n-type Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cell Performance 査読有り

    D. Hamashita, Y. Kurokawa, and M. Konagai  

    Proc. 37th IEEE Photovoltaic Specialist Conference   頁： 1433 - 1436   2012年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2011.6186226

  86. High Thermostable and Conductive Niobium Doped Titanium Oxide for the Application to a Diffusion Barrier Layer of Silicon Quantum Dot Superlattice Solar Cell Structure 査読有り

    S. Yamada, Y. Kurokawa, and M. Konagai  

    Proc. 37th IEEE Photovoltaic Specialist Conference   頁： 2113 - 2116   2012年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2011.6186370

  87. Silicon Nanowire Solar Cells Prepared by Metal Assisted Chemical Etching with Silica Nanoparticles 招待有り 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Kato, Y. Watanabe, A. Yamada, M. Konagai, Y. Ohta, Y. Niwa, and M. Hirota  

    Proc. 8th Workshop on the Future Direction of Photovoltaics   頁： 111 - 115   2012年3月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  88. Direct Bonding of ZnO Thin Films for the Fabrication of Chalcopyrite Tandem Solar Cells 査読有り

    Y. Nakajima, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Tech. Dig. 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)   頁： 2D-3P-20-1 - 2D-3P-20-2   2011年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  89. High Transparent and Conductive Nb-doped TiO2 films by RF Sputtering for the Application to Si-based Thin film Solar Cells 査読有り

    D. Hamashita, Y. Kurokawa, and M. Konagai  

    Tech. Dig. 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)   頁： 4D-2P-09-1 - 4D-2P-09-2   2011年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  90. Preparation of Al2O3-embbeded Silicon Nanowire Arrays using Atomic Layer Deposition 査読有り

    S. Kato, Y. Watanabe, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Tech. Dig. 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)   頁： 5C-5O-02-1 - 5C-5O-02-2   2011年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  91. Numerical Approach to the Performance of Silicon Quantum Dots Superlattice Solar Cells Taking into Account the Quantum Effect 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Yamada, and M. Konagai  

    Tech. Dig. 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)   頁： 5C-5O-04-1 - 5C-5O-04-2   2011年11月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  92. Improvement of the Band Profile of Cu(In, Ga)Se2 Solar Cells with High-Ga Content Prepared by a Five-stage Method 査読有り

    Y. Hirai, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Tech. Dig. 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)   頁： 1B-3O-03-1 - 1B-3O-03-2   2011年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  93. High Purity Thiourea Aqueous Solution for Effective Deposition of the Zn(S,O,OH) Buffer Layer in Cu(In1-xGax)Se2 Solar Cells 査読有り

    N. Hirata, S. Ogama, S. Nakahara, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Tech. Dig. 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)   頁： 5B-3O-02-1 - 5B-3O-02-2   2011年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  94. Preparation of a Diameter-controlled Silicon Nanowire Array by Metal Assisted Chemical Etching using Silica Nanoparticles (MACES) 査読有り

    S. Kato, Y. Watanabe, Y. Kurokawa, and A. Yamada  

    Proc. 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)   頁： 1389 - 1390   2011年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  95. Preparation of a Diameter-controlled Silicon Nanowire Array by Metal Assisted Chemical Etching using Silica Nanoparticles (MACES) 査読有り

    S. Kato, Y. Watanabe, Y. Kurokawa, A. Yamada, Y. Ohta, Y. Niwa, M. Hirota  

    Ext. Abstr. 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)   頁： 1389 - 1390   2011年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.7567/SSDM.2011.L-9-5

  96. High Open-Circuit Voltage Oxygen-Containing Si Quantum Dots Superlattice Solar Cells 査読有り

    S. Yamada, Y. Kurokawa, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai  

    Proc. 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   頁： 766 - 769   2010年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2010.5617097

  97. Application of Silicon Quantum Dots to the Third Generation Photovoltaics 査読有り

    Y. Kurokawa  

    Proc. 2nd Japanese-Russian Young Scientists Conference on Nano-materials and Nano-technology   頁： 12 - 12   2010年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  98. Development of SiOx and SiOx/SiO2 Superlattice for Application in Solar Cells 査読有り

    S. Ray, S. Mukhopadhyay, Y. Kurokawa, and M. Konagai  

    Proc. WCPEC-5 & the 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference   頁： 591 - 594   2010年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.4229/25thEUPVSEC2010-1DV.3.16

  99. Introduction of Oxygen into the Barrier Layers in a Si Quantum Dots Superlattice Using a-SiC Matrix to Improve the Solar Cell Performance 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Yamada, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai  

    Proc. WCPEC-5 & the 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference   頁： 2748 - 2752   2010年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.4229/25thEUPVSEC2010-3CO.11.3

  100. Preparation of a Si Quantum Wire (SiQW) for the Next Generation Solar Cells 査読有り

    S. Kato, Y. Watanabe, Y. Kurokawa, A. Yamada, and M. Konagai  

    Proc. Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2010 (Top-PV2010)   頁： 63 - 64   2010年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  101. High Open-Circuit Voltage Oxygen-Containing Silicon Quantum Dots Superlattice Solar Cells 査読有り

    S. Yamada, Y. Kurokawa, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai  

    Proc. Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2010 (Top-PV2010)   頁： 81 - 82   2010年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  102. Effects of Oxygen Addition on Electrical Properties of Silicon Quantum Dots/Amorphous Silicon Carbide Superlattice 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Yamada, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai  

    Tech. Dig. the 19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference   頁： 14 - 15   2009年11月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  103. Effects of Nitrogen on the Electrical Properties of Si Quantum Dots Superlattice using a-SiC Matrix 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Tomita, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai  

    Proc. the 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference   頁： 398 - 403   2009年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  104. Observation of the Photovoltaic Effect from the Solar Cells using Si Quantum Dots Superlattice as a Light Absorption Layer 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Tomita, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai  

    Proc. the 33rd IEEE Photovoltaic Specialist Conference211 巻   頁： 1 - 6   2009年5月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2008.4922566

  105. Fabrication of p-i-n Structure using Si Quantum Dots/Amorphous Si Carbide Superlattice 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Tomita, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai  

    Tech. Dig. the 18th International Photovoltaic Science and Engineering Conference   頁： 6-31 - 6-31   2009年1月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  106. All Si Tandem Solar Cell Application of Si Quantum Dots/Amorphous Si Carbide Superlattice 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Tomita, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai  

    Proc. the 1st Global COE International Forum   頁： 19 - 20   2008年12月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  107. Size-controlled Silicon Quantum Dots Superlattice for Thin-film Solar Cell Applications 招待有り 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai  

    Proc. Materials Research Society Symposium Spring Meeting1101 巻   頁： 1201 - 1211   2008年2月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1557/PROC-1101-KK12-01

  108. Hydrogen Diffusion Process for Size-controlled Silicon Quantum Dots Superlattice 査読有り

    Y. Kurokawa, Shigeki Tomita, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai  

    Tech. Dig. the 17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference   頁： 524 - 525   2007年12月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  109. Preparation of Nanocrystalline Silicon in Amorphous SiC Matrix for Si Quantum Dots Superlattice 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Tomita, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai  

    Proc. the 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference   頁： 233 - 236   2007年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  110. Nano-crystalline Si Dot Superlattice 招待有り 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Tomita, S. Miyajima, A. Yamada, M. Konagai  

    Proc. the 3rd Workshop on the Future Direction of Photovoltaics   頁： 82 - 84   2007年3月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  111. Preparation of Nanocrystalline Silicon in Amorphous SiC Matrix for Si Quantum Dots Superlattice 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai  

    Proc. IEEE the 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion   頁： 138 - 141   2007年1月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/WCPEC.2006.279383

  112. TiO2-Coated Textured SnO2:F Films for Thin Film Si Solar Cells Fabricated by Hot Wire CVD 査読有り

    M. Kambe, Y. Kurokawa, K. Sato, D. Kobayashi, S. Miyajima, N. Taneda, A. Yamada, and M. Konagai  

    Proc. Renewable Energy 2006   頁： 392 - 394   2006年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  113. TiO2-Coated TCO (SnO2:F) Films Prepared by AP-CVD with High Durability against Hydrogen Radicals 査読有り

    M. Kambe, K. Sato, Y. Kurokawa, S. Miyajima, M. Fukawa, N. Taneda, and M. Konagai  

    Tech. Dig. 15th International Photovoltaic Science & Engineering Conference (PVSEC-15)   頁： 563 - 564   2005年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  114. Ab-initio Method of Designing Artificial Quantum Bits 査読有り

    S. Higashijima, Y. Kurokawa, Y. Tsuchiya, M. Okamoto, H. Mizuta, and S. Oda  

    Proc. 15th Workshop on Modeling and Simulation of Electron Devices   頁： 21 - 22   2005年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  115. Atomistic Simulation of Quantum Transport in Nanoscale Silicon Transistors 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Higashijima, Y. Tsuchiya, M. Okamoto, H. Mizuta, and S. Oda  

    Proc. 15th Workshop on Modeling and Simulation of Electron Devices   頁： 19 - 20   2005年7月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  116. Ab-initio Calculations of Electronic States in Nano-crystalline Si Quantum Dots 査読有り

    S. Higashijima, Y. Kurokawa, Y. Tsuchiya, M. Okamoto, H. Mizuta, and S. Oda  

    Proc. IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop   頁： 134 - 135   2005年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

  117. Electric States and Quantum Transport in Si Nanorod Transistors 査読有り

    Y. Kurokawa, S. Higashijima, Y. Tsuchiya, M. Okamoto, H. Mizuta, and S. Oda  

    Proc. IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop   頁： 136 - 137   2005年6月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

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講演・口頭発表等 316

  1. Effect of TiOx layer thickness and LiF interlayer on the passivation performance of TiOx/Si heterostructure 国際会議

    Shohei Fukaya, Kazuhiro Gotoh, Hitoshi Sai, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami, Takuya Matsui

    35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2024年11月12日 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Numazu, Japan   国名：日本国  

  2. A Study on the Passivation Enhancement Mechanism of TiOx/Si Heterostructure Using Markov Chain Monte Carlo Method 国際会議

    Yuto Michishita, Shohei Fukaya, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa and Noritaka Usami

    35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2024年11月11日 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Numazu, Japan   国名：日本国  

  3. Suppression of film blistering in silicon nano-crystals/silicon oxide composite layer by insertion of intrinsic hydrogenated amorphous silicon layer 国際会議

    Kazushi Mizutani, Kazuhiro Gotoh, Tomihisa Tachibana, Yasuyoshi Kurokawa, Takahiro Ozawa, Markus Wilde, Katsuyuki Fukutani, Noritaka Usami

    35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2024年11月12日 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Numazu, Japan   国名：日本国  

  4. Preparation of silicon nanosheets for solar cell applications 国際会議

    Sota Okochi, Satoru Miyamoto, Shinya Kato, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2024年11月12日 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Numazu, Japan   国名：日本国  

  5. Electrical properties manipulation of nanocrystalline silicon/silicon oxide composite films 国際会議

    Kaori Takagi, Asaki Arata, Yasuyoshi Kurokawa, Atsushi Masuda, Noritaka Usami, Kazuhiro Gotoh

    35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2024年11月12日 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Numazu, Japan   国名：日本国  

  6. Improvement of nano-texture uniformity formed on crystalline silicon surface by anisotropic alkaline etching for perovskite/silicon tandem solar cells 国際会議

    Hiroto Yamaguchi, Shohei Fukaya, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2024年11月12日 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Numazu, Japan   国名：日本国  

  7. Investigation of deposition conditions for multilayer passivation thin films using Bayesian optimization with hydrogen concentration as an index 国際会議

    Soma Kondo, Yasuyoshi Kurokawa, Kazuhiro Gotoh, Kentaro Kutukake, Noritaka Usami

    35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2024年11月12日 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Numazu, Japan   国名：日本国  

  8. Evaluation of Thermoelectric Performance of Mg2Si Synthesized Using Silicon Extracted from Waste PV Modules 国際会議

    Katsumichi Hanzawa, Shinya Kato, Michihiro Kusumoto, Kengo Yamanaka, Taisuke Doi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami, Takashi Itoh

    35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2024年11月12日 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Numazu, Japan   国名：日本国  

  9. Fabrication of Tilted Mg2Si/Metal Multilayer Composite Modules by a New Method and Evaluation of the Thermoelectric Power Generation Performance 国際会議

    Tomohiro Kusumoto, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami and Takashi Itoh

    World PM2024  2024年10月16日 

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    開催年月日： 2024年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Yokohama, Japan   国名：日本国  

  10. Development of porous silicon nanowires with conductive paths and large specific surface area and application to lithium-ion batteries 国際会議

    Shinya Kato, Habin Li, Yosuke Ishii, Yasuyoshi Kurokawa and Tetsuo Soga

    ECS PRiME 2024  2024年10月9日 

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    開催年月日： 2024年10月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Honolulu, Hawaii, USA   国名：アメリカ合衆国  

  11. Hydrogen and point defect introduction into 4H-SiC by plasma treatment 国際会議

    Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Yasuyoshi Kurokawa, Masashi Kato

    ICSCRM 2024  2024年9月30日 

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    開催年月日： 2024年9月 - 2024年10月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Raleigh, North Carolina, USA   国名：アメリカ合衆国  

  12. ポリ乳酸樹脂隔壁型を用いて作製したMg2Si/Ni傾斜積層素子によって構成される熱電発電モジュールの発電性能評価

    楠本 倫大，黒川 康良，宇佐美 徳隆，伊藤 孝至

    第21回日本熱電学会学術講演会  2024年9月25日  日本熱電学会

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    開催年月日： 2024年9月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：AISTつくば   国名：日本国  

  13. Understanding Interface States in TiOx/Si Heterostructure by Analyzing Temperature Dependence of Effective Carrier Lifetime 国際会議

    Yuto Michishita, Shohei Fukaya, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa and Noritaka Usami

    41st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition  2024年9月24日 

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    開催年月日： 2024年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Vienna, Austria   国名：オーストリア共和国  

  14. シリコン界面のパッシベーションに及ぼすPEDOT:PSSの微細構造の影響

    山中 健吾、黒川 康良、加藤 正史、曾我 哲夫、加藤 慎也

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年9月20日  応用物理学会

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    開催年月日： 2024年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：朱鷺メッセ   国名：日本国  

  15. ナノ結晶シリコン/酸化シリコン複合膜の電気的特性の組成依存性

    高木 香、荒田 朝基、黒川 康良、増田 淳、宇佐美 徳隆、後藤 和泰

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年9月20日  応用物理学会

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    開催年月日： 2024年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：朱鷺メッセ   国名：日本国  

  16. Fabrication of Planar Thermoelectric Generators using Phosphorus-doped Silicon Nanocrystals/Amorphous Silicon Composite Films 国際会議

    Y. Kurokawa, K. Shibata, S. Kato, M. Kurosawa, S. Miyamoto, T. Itoh, N. Usami

    International Conference on Solid state devices and materials 2024  2024年9月2日 

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    開催年月日： 2024年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Himeji, Japan   国名：日本国  

  17. ナノ結晶シリコン/酸化シリコン複合膜の組成制御

    高木 香，荒田 朝基，黒川 康良，増田 淳，宇佐美 徳隆，後藤 和泰

    第21回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第4回日本太陽光発電学会学術講演会）  2024年7月11日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2024年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：広島国際会議場   国名：日本国  

  18. シリコンナノ結晶/酸化シリコン複合膜におけるi-a-Si:H層挿入によるブリスタリングの抑制

    水谷 和嗣，後藤 和泰，立花 福久，黒川 康良，宇佐美 徳隆

    第21回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第4回日本太陽光発電学会学術講演会）  2024年7月11日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2024年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：広島国際会議場   国名：日本国  

  19. TiOx/結晶Siヘテロ構造の実効少数キャリアライフタイムの温度依存性とそのパッシベーション機構

    道下 悠登，後藤 和泰，深谷 昌平，黒川 康良，宇佐美 徳隆

    第21回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第4回日本太陽光発電学会学術講演会）  2024年7月11日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2024年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：広島国際会議場   国名：日本国  

  20. 水素濃度を指標としたベイズ最適化を用いた多層パッシベーション膜の製膜条件探索

    近藤 蒼馬，黒川 康良，後藤 和泰，沓掛 健太朗，宇佐美 徳隆

    第21回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第4回日本太陽光発電学会学術講演会）  2024年7月11日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2024年7月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：広島国際会議場   国名：日本国  

  21. 廃棄太陽光パネルから抽出したシリコンを用いた熱電変換Mg2Si 化合物の作製

    半澤 克道，加藤 慎也，楠本 倫大，山中 健吾，土居 大亮，黒川 康良，宇佐美 徳隆，伊藤 孝至

    第21回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第4回日本太陽光発電学会学術講演会）  2024年7月11日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2024年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：広島国際会議場   国名：日本国  

  22. 原子層堆積法により作製した酸化チタンへのNb 添加による電界効果パッシベーションの向上

    深谷 昌平，後藤 和泰，黒川 康良，宇佐美 徳隆

    第21回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第4回日本太陽光発電学会学術講演会）  2024年7月11日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2024年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：広島国際会議場   国名：日本国  

  23. 異方性アルカリエッチングで結晶シリコン表面に形成したナノテクスチュアの均一性向上

    山口 大翔，黒川 康良，宇佐美 徳隆

    第21回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第4回日本太陽光発電学会学術講演会）  2024年7月11日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2024年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：広島国際会議場   国名：日本国  

  24. 太陽電池応用に向けたシリコンナノシートの作製

    大河内 創太，宮本 聡，加藤 慎也，宇佐美 徳隆，黒川 康良

    第21回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第4回日本太陽光発電学会学術講演会）  2024年7月11日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2024年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：広島国際会議場   国名：日本国  

  25. ナノインプリント法を用いたSiヘテロ接合太陽電池用光閉じ込め構造の実装 招待有り

    黒川 康良，伊関 良子, 後藤 和泰，宮本 聡，尾崎 亮, 中村 京太郎, 大下 祥雄, 宇佐美 徳隆

    次世代太陽電池セル・モジュール分科会/WinPVJ分科会 2024年度第1回研究会  2024年7月10日  日本太陽光発電学会次世代太陽電池セル・モジュール分科会/WinPVJ分科会

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    開催年月日： 2024年7月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：長州産業本社   国名：日本国  

  26. Fabrication of tilted Mg2Si/Ni multilayer composite thermoelectric elements using PLA molds and power generation evaluation 国際会議

    Tomohiro Kusumoto, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami and Takashi Itoh

    40th International Conference on Thermoelectrics  2024年7月1日 

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    開催年月日： 2024年6月 - 2024年7月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Krakow, Poland   国名：ポーランド共和国  

  27. Fabrication and Performance Evaluation of Thermoelectric Mg2Si Compounds Synthesized Using Silicon Extracted from waste PV modules 国際会議

    Katsumichi Hanzawa, Shinya Kato, Kengo Yamanaka, Taisuke Doi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami, and Takashi Itoh

    40th International Conference on Thermoelectrics  2024年7月1日 

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    開催年月日： 2024年6月 - 2024年7月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Krakow, Poland   国名：ポーランド共和国  

  28. Enhancement of Near-infrared Light Absorption by Nanoimprinted Light Trapping Structure Implemented into Si Heterojunction Solar Cells 国際会議

    Yasuyoshi Kurokawa, Yoshiko Iseki, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Ryo Ozaki, Kyotaro Nakamura, Yoshio Ohshita, Noritaka Usami

    52nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference  2024年6月11日 

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    開催年月日： 2024年6月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Seattle, USA   国名：アメリカ合衆国  

  29. Improvement for passivation performance of TiOx/SiOy/c-Si heterostructures by capping with Atomic-Layer-Deposited Nb doped TiOx Layer 国際会議

    Shohei Fukaya, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa and Noritaka Usami

    52nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference  2024年6月10日 

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    開催年月日： 2024年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Seattle, USA   国名：アメリカ合衆国  

  30. 4H-SiC へのプラズマ処理による水素導入

    リ トウ, 坂根仁, 原田俊太, 黒川康良, 加藤正史

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月23日  応用物理学会

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    開催年月日： 2024年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都市大学   国名：日本国  

  31. 原子層堆積法で作製したTiOx:Nb層の導入によるTiOx/SiOy/c-Siヘテロ構造のパッシベーション性能の向上

    深谷昌平, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月24日  応用物理学会

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    開催年月日： 2024年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都市大学   国名：日本国  

  32. CYTOP/BaTiO3ナノ粒子複合膜を用いた薄膜系直流水滴発電デバイス

    王海涛, 黒川康良, 王嘉, 宇佐美徳隆

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月24日  応用物理学会

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    開催年月日： 2024年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都市大学   国名：日本国  

  33. Pドープ/Bドープ ナノ結晶Si/アモルファスSi複合薄膜の熱電デバイス応用

    柴田啓介, 加藤慎也, 黒澤昌志, 後藤和泰, 宮本聡, 伊藤孝至, 宇佐美徳隆, 黒川康良

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月24日  応用物理学会

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    開催年月日： 2024年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都市大学   国名：日本国  

  34. ベイズ最適化と水素濃度グルーピングを活用した多層パッシベーション層の製膜条件探索

    近藤 蒼馬, 沓掛 健太朗, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    応用物理学会 若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会 第４回研究会  2024年3月7日 

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    開催年月日： 2024年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：郡山市、福島   国名：日本国  

  35. オージェ電子分光を用いたナノ結晶シリコン/酸化シリコン複合膜の組成分析に関する研究

    高木 香，荒田 朝基， 黒川 康良，増田 淳，宇佐美 徳隆，後藤 和泰

    応用物理学会 若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会 第４回研究会  2024年3月7日 

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    開催年月日： 2024年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：郡山市、福島   国名：日本国  

  36. 原子層堆積法により作製したNbドープTiOx層の新規パッシベーション膜への応用の検討

    深谷 昌平, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    応用物理学会 若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会 第４回研究会  2024年3月7日 

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    開催年月日： 2024年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：郡山市、福島   国名：日本国  

  37. Investigation of deposition conditions for multilayer passivation films ​using Bayesian optimization and hydrogen concentration grouping​ 国際会議

    Shoma Kondo, Yasuyoshi Kurokawa, Kazuhiro Gotoh, Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami

    2024 Korea-Japan PV Joint Workshop  2024年2月19日 

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    開催年月日： 2024年2月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Korea University, Korea   国名：大韓民国  

  38. Fabrication and Performance Evaluation of Thermoelectric Mg2Si Compounds Synthesized Using Silicon Extracted from Discarded Solar Panels 国際会議

    Katsumichi Hanzawa, Shinya Kato, Kengo Yamanaka, Taisuke Doi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami, Takashi Itoh

    2024 Korea-Japan PV Joint Workshop  2024年2月19日 

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    開催年月日： 2024年2月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Korea University, Korea   国名：大韓民国  

  39. 3D reconstruction of mono-like Si structure and analysis of dislocation clusters 国際会議

    Hidetaka Hirono, Hitoshi Matsuo, Hideyoshi Tanabe, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    2024 Korea-Japan PV Joint Workshop  2024年2月19日 

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    開催年月日： 2024年2月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Korea University, Korea   国名：大韓民国  

  40. Higher performance Si heterojunction solar cells 国際会議

    Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    Materials Science and Engineering Workshop  2024年1月23日 

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    開催年月日： 2024年1月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：National University of Singapore   国名：シンガポール共和国  

  41. Thermoelectric properties of P-doped and B-doped polycrystalline silicon thin films 国際会議

    Keisuke Shibata, Shinya Kato, Masashi Kurosawa, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Takashi Itoh, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    2023 MRS Fall Meeting & Exhibit  2023年11月28日 

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    開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Hynes Convension Center, Boston, USA   国名：アメリカ合衆国  

  42. Enhanced triboelectric effect in an N-polar GaN/p-Si dynamic p-n junction for DC generators 国際会議

    Jia Wang, Haitao Wang, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami, Hiroshi Amano

    14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS 14)  2023年11月14日 

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    開催年月日： 2023年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Fukuoka, Japan   国名：日本国  

  43. Improvement of open-circuit voltage and fill factor of silicon quantum dots solar cells by Bayesian optimization process 国際会議

    Yasuyoshi Kurokawa, Fuga Kumagai, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Shiya Kato, Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami

    34th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2023年11月9日 

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    開催年月日： 2023年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Shenzhen, China   国名：中華人民共和国  

  44. Bayesian optimization of carrier selectivity of p-type silicon nano-crystal/silicon oxide compound layer 国際会議

    Kazushi Mizutani, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami

    34th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2023年11月7日 

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    開催年月日： 2023年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Shenzhen, China   国名：中華人民共和国  

  45. Passivation enhancement mechanism of TiOx/c-Si heterostructures prepared by atomic layer deposition 国際会議

    Yuto Michishita, Kazuhiro Gotoh, Shohei Fukaya, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    34th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2023年11月7日 

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    開催年月日： 2023年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Shenzhen, China   国名：中華人民共和国  

  46. 太陽電池応用に向けたシリコンナノシートの 作製と評価に関する研究

    大河内創太, 宇佐美徳隆, 黒川康良

    第33回材料フォーラム TOKAI  2023年11月6日 

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    開催年月日： 2023年11月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：名古屋工業大学   国名：日本国  

  47. TiOx:Nb層の導入によるTiOx/SiOy/Si ヘテロ構造のパッシベーション性能の向上

    深谷昌平, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第10回応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会  2023年11月3日 

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    開催年月日： 2023年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  48. Pドープ/Bドープ poly-Si薄膜の熱電特性評価​

    柴田 啓介, 加藤 慎也, 黒澤 昌志, 後藤 和泰, 宮本 聡, ​伊藤 孝至, 宇佐美 徳隆, 黒川 康良

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月23日  応用物理学会

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本   国名：日本国  

  49. Improved bottom cell current in perovskite/silicon tandem solar cells by double-sided nanopyramid Si texture

    Y. Li, H. Sai, C. McDonald, Z. Xu, Y. Kurokawa, N. Usami, T. Matsui

    2023年9月21日 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  50. 廃棄結晶シリコン太陽電池から作製した高機能シリコンナノ粒子

    加藤 慎也, 曽我 哲夫, 宇佐美 徳隆, 土居 大亮, 黒川 康良

    第20回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第3回日本太陽光発電学会学術講演会）  2023年6月29日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2023年6月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：京都テルサ   国名：日本国  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.3.0_95

  51. 原子層堆積法で作製したTiOx/c-Siヘテロ構造のパッシベーション性能向上機構

    道下 悠登, 後藤 和泰, 深谷 昌平, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第20回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第3回日本太陽光発電学会学術講演会）  2023年6月29日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2023年6月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：京都テルサ   国名：日本国  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.3.0_92

  52. p型シリコンナノ結晶/酸化シリコン複合膜におけるキャリア選択能の向上

    水谷 和嗣, 後藤 和泰, 黒川 康良, 沓掛 健太朗, 宇佐美 徳隆

    第20回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第3回日本太陽光発電学会学術講演会）  2023年6月29日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2023年6月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：京都テルサ   国名：日本国  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.3.0_94

  53. Influence of insertion position of a LiF buffer layer on passivation performance of crystalline Si/SiOy/TiOx/Al heterostrucures 国際会議

    Shohei Fukaya Kazuhiro Gotoh Takuya Matsui Hitoshi Sai Yasuyoshi Kurokawa Noritaka Usami

    50th IEEE Photovoltaic Specialists Conference  2023年6月9日 

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    開催年月日： 2023年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：San Juan, Pueruto Rico   国名：プエルトリコ  

  54. Numerical simulation study for analysis of hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterostructure by Reactive Molecular Dynamics Method 国際会議

    Kazuma Inoue, Naoya Uene, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Tokumasu, Noritaka Usami

    50th IEEE Photovoltaic Specialists Conference  2023年6月9日 

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    開催年月日： 2023年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：San Juan, Pueruto Rico   国名：プエルトリコ  

  55. Impact of Silicon Pyramid Texture Size on Perovskite/Silicon Tandem Solar Cell Performance 国際会議

    Y. Li, H. Sai, C. McDonald, Z. Xu, Y. Kurokawa, N. Usami, T. Matsui

    3rd tandemPV International Workshop  2023年6月7日 

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    開催年月日： 2023年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Chambéry, France   国名：フランス共和国  

  56. Implementation of Nanoimprinted Light Trapping Structure Into Si Heterojunction Solar Cells 国際会議

    Yasuyoshi Kurokawa, Yuto Kimata, Yoshiko Iseki, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Ryo Ozaki, Kyotaro Nakamura, Yoshio Ohshita, Noritaka Usami

    SiliconPV 2023  2023年4月11日 

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    開催年月日： 2023年4月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Delft, The Netherlands   国名：オランダ王国  

  57. Improvement of Passivation Performance of ​ Silicon Nanocrystal/Silicon Oxide Compound Layer ​by Two-step Hydrogen Plasma Treatment​ 国際会議

    Masashi Matsumi, Kazuhiro Gotoh, Markus Wilde, ​ Yasuyoshi Kurokawa, Katsuyuki Fukutani, Noritaka Usami

    SiliconPV 2023  2023年4月13日 

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    開催年月日： 2023年4月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Delft, The Netherlands   国名：オランダ王国  

  58. Mover Electrode/Stater with Double Electrodes Triboelectric Nanogenerator with High Instantaneous Current Triggered by a Surficial Contact Electrode 国際共著 国際会議

    Haitao Wang, Yasuyoshi Kurokawa, Kazuhiro Gotoh, Shinya Kato, Jia-Han Zhang and Noritaka Usami

    2023 MRS Spring Meeting & Exhibit  2023年4月12日 

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    開催年月日： 2023年4月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：San Francisco, California, USA   国名：アメリカ合衆国  

  59. SiGe薄膜における歪み緩和と結晶傾斜への水素局在効果

    加納 光樹, 宮本 聡 , 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月15日  応用物理学会

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    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学   国名：日本国  

  60. コロイダルリソグラフィ法とナノインプリント法による近赤外光に特化した光閉じ込め構造の作製

    木股 佑斗, 後藤 和泰, 宮本 聡, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月17日  応用物理学会

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    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学   国名：日本国  

  61. TiOx/SiOy/結晶Siヘテロ構造におけるAl成膜後のパッシ ベーション性能に及ぼすLiF層の効果

    深谷 昌平, 後藤 和泰, 松井 卓矢, 齋 均, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月17日  応用物理学会

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    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学   国名：日本国  

  62. 2段階水素プラズマ処理によるシリコンナノ結晶/酸化シリコン複合膜のパッベーション性能向上

    松見 優志, 後藤 和泰, ビルデ マーカス, 黒川 康良, 福谷 克之, 宇佐美 徳隆

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月17日  応用物理学会

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    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学   国名：日本国  

  63. ベイズ最適化を援用したシリコン量子ドット積層構造の高品質化と太陽電池応用

    熊谷 風雅, 後藤 和泰 , 加藤 慎也, 宮本 聡 , 沓掛 健太朗, 宇佐美 徳隆, 黒川 康良

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月17日  応用物理学会

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    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学   国名：日本国  

  64. 水素化アモルファスシリコン/結晶シリコンヘテロ構造の解析に向けた反応性力場分子動力学法による数値シミュレーション研究

    井上 和磨, 上根 直也, 後藤 和泰, 黒川 康良, 徳増 崇, 宇佐美 徳隆

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月17日  応用物理学会

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    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学   国名：日本国  

  65. Simulation study of boron delta-doping layer on p-type hydrogenated amorphous silicon in silicon heterojunction solar cells 国際会議

    Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, and Noritaka Usami

    33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2022年11月15日 

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    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

  66. Improvement of contact resistivity by boron delta-doping in p-type amorphous silicon surface 国際会議

    Kazuhiro Gotoh, Ryo Ozaki, Motoo Morimura, Yoshiko Iseki, Kyotaro Nakamura, Yasuyoshi Kurokawa, Yoshio Ohshita and Noritaka Usami

    33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2022年11月14日 

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    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

  67. Post-annealing effects on dual-layered hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterointerfaces 国際会議

    Kazuma Inoue, Kazuhiro Gotoh, Kentaro Kutsukake, Naomi Sawamoto, Tappei Nishihara, Yasuyoshi Kurokawa, Atsushi Ogura, Noritaka Usami

    33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2022年11月15日 

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    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

  68. Study on carrier transport pathways in silicon nanocrystal/silicon oxide composite films 国際会議

    Asaki Arata, Kazuhiro Gotoh, Shigeru Yamada, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Itoh, Noritaka Usami

    33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2022年11月16日 

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    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

  69. Application of hydrogenated silicon nanocrystal/silicon oxide compound layer to crystalline silicon solar cells 国際会議

    Masashi Matsumi, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2022年11月16日 

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    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

  70. Anti-reflection coating of crystalline Si solar cells using stacked structures with silicon nanoparticle layers 国際会議

    Shinya Kato, Yasuyoshi Kurokawa, Tetsuo Soga

    33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2022年11月16日 

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    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

  71. Photoconductivity measurement of silicon quantum dot multilayers for the Bayesian optimization 国際会議

    Fuga Kumagai, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Shinya Kato, Naoki Matsuo, Shigeru Yamada, Takashi Itoh, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2022年11月16日 

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    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

  72. Effect of a lithium fluoride layer on the passivation performance of metalized titanium oxide/silicon oxide/silicon heterostructures 国際会議

    Shohei Fukaya, Kazuhiro Gotoh, Takuya Matsui, Hitoshi Sai, Yasuyoshi Kurokawa, Norikata Usami

    33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2022年11月15日 

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    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

  73. Application of Silicon Nanocrystals to Energy Harvesting Devices 招待有り 国際会議

    Yasuyoshi Kurokawa, Fuga Kumagai, Keisuke Shibata, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Shinya Kato, and Noritaka Usami

    Advanced Materials World Congress  2022年10月13日 

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    開催年月日： 2022年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Stockholm, Sweden   国名：スウェーデン王国  

  74. Improvement of Passivation Performance of Silicon Nano-crystal/Silicon Oxide Compound Layer by Hydrogen Plasma Treatment 国際会議

    Masashi Matsumi, Kazuhiro Gotoh, Markus Wilde, Yasuyoshi Kurokawa, Katsuyuki Fukutani, Noritaka Usami

    8th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion  2022年9月27日 

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Milan, Italy   国名：イタリア共和国  

    DOI： 10.4229/WCPEC-82022-2BV.2.6

  75. Fabrication of Silicon Heterojunction Solar Cells with Light Trapping Structures Specialized for Near-Infrared Light by Nanoimprinting 国際会議

    Yuto Kimata, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Shinya Kato, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    8th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion  2022年9月27日 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Milan, Italy   国名：イタリア共和国  

    DOI： 10.4229/WCPEC-82022-2BO.6.1

  76. Performance enhancement of droplet-based electricity generator using a CYTOP intermediate layer 国際会議

    Haitao Wang, Yasuyoshi Kurokawa, Kazuhiro Gotoh, Shinya Kato, Shigeru Yamada, Takashi Itoh, Noritaka Usami

    International Conference on Solid state devices and materials 2022  2022年9月27日 

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Makuhari, Japan   国名：日本国  

  77. Preparation and thermoelectric characterization of boron-doped silicon nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議

    Keisuke Shibata , Shinya Kato , Masashi Kurosawa , Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    International Conference on Solid state devices and materials 2022  2022年9月27日 

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Makuhari, Japan   国名：日本国  

  78. ボロンドープしたシリコンナノ結晶/シリコン酸化膜積層構造の作製及び熱電特性評価

    柴田 啓介、加藤 慎也、黒澤 昌志、後藤 和泰、宮本 聡、宇佐美 徳隆、黒川 康良

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月21日  応用物理学会

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東北大学   国名：日本国  

  79. 金属製膜後のTiOx/SiOy/結晶Siヘテロ構造のパッシベーション性能におけるLiF中間層の導入による影響

    深谷 昌平、後藤 和泰、松井 卓矢、齋 均、黒川 康良、宇佐美 徳隆

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月21日  応用物理学会

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東北大学   国名：日本国  

  80. Boosting the output of droplet-based energy harvester by a CYTOP intermediate layer

    HAITAO WANG、Yasuyoshi Kurokawa、Kazuhiro Gotoh、Satoru Miyamoto、Shinya Kato、Shigeru Yamada、Takashi Itoh、Noritaka Usami

    2022年9月21日 

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  81. Hydrogen defect clustering in strained SiGe host matrixes 国際会議

    Mitsuki Kano, Satoru Miyamoto, Yasuyoshi Kurokawa, and Noritaka Usami

    22nd International Vacuum Congress   2022年9月13日 

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Sapporo, Japan   国名：日本国  

  82. Hydrogen depth profiles of hydrogenated amorphous silicon double layers on crystalline silicon 国際会議

    Kazuhiro Gotoh, Kazuma Inoue, Naomi Sawamoto, Tappei Nishihara, Markus Wilde, Satoru Miyamoto, Yasuyoshi Kurokawa, Atsuhi Ogura, Katsuyuki Fukutani, and Noritaka Usami

    22nd International Vacuum Congress   2022年9月13日 

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Sapporo, Japan   国名：日本国  

  83. Post-annealing effects on the hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterointerfaces 国際会議

    Kazuma Inoue, Kazuhiro Gotoh, Kentaro Kutsukake, Naomi Sawamoto, Tappei Nishihara, Satoru Miyamoto, Yasuyoshi Kurokawa, Atsushi Ogura, and Noritaka Usami

    22nd International Vacuum Congress   2022年9月14日 

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Sapporo, Japan   国名：日本国  

  84. Thermoelectric properties of Mg2Si thin films prepared by thermal evaporation of Mg on P-doped polycrystalline Si thin films and face-to-face annealing 国際会議

    Kaisei Sato, Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Shibata, Shinya Kato, Satoru Miyamoto, Kazuhiro Gotoh, Takashi Itoh, Noritaka Usami

    9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces  2022年9月5日 

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

  85. Application of Bayesian optimization for high-efficiency silicon quantum dot solar cells 招待有り 国際会議

    Yasuyoshi Kurokawa, Fuga Kumagai, Shinsuke Miyagawa, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Kentaro Kutsukake, Shinya Kato, and Noritaka Usami

    European assembly of Advanced Materials Congress  2022年8月29日 

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    開催年月日： 2022年8月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Stockholm, Sweden   国名：スウェーデン王国  

  86. B-DOPED BaSi2 THIN FILMS PREPARED BY THERMAL EVAPORATION FOR HOLE SELECTIVE CONTACT 国際会議

    Yasuyoshi Kurokawa, Michinobu Fujiwara, Kazuma Takahashi, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, and Noritaka Usami

    Global Photovoltaic Conference 2022  2022年7月6日 

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    開催年月日： 2022年7月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Gwangju, Korea   国名：大韓民国  

  87. 硼素dopingがaSi:H/cSi界面・cSi表面欠陥に及ぼす影響のFET-TEGによる評価

    林 豊, 後藤 和泰, 原 知彦, 神岡 武文, 尾崎 亮, 森村 元勇, 中村 京太郎, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆, 大下 祥雄

    第19回次世代の太陽光発電シンポジウム  2022年6月28日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2022年6月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：金沢市文化ホール   国名：日本国  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.2.0_51

  88. シリコン量子ドット積層膜の光導電率評価

    熊谷 風雅，後藤 和泰，山田 繁，伊藤 貴司，宇佐美 徳隆，黒川 康良

    第19回次世代の太陽光発電シンポジウム  2022年6月28日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2022年6月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：金沢市文化ホール   国名：日本国  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.2.0_61

  89. シリコンナノ結晶/酸化シリコン複合膜におけるパッシベーション性能の水素プラズマ処理圧力依存性

    松見優志，後藤和泰，ビルデ マーカス， 黒川康良，福谷克之，宇佐美徳隆

    第19回次世代の太陽光発電シンポジウム  2022年6月28日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2022年6月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：金沢市文化ホール   国名：日本国  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.2.0_49

  90. ビーズミルによるシリコンスラッジのナノ粒子化および反射防止膜への展開

    加藤 慎也, 黒川 康良, 曽我 哲夫

    第19回次世代の太陽光発電シンポジウム  2022年6月28日  日本太陽光発電学会

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    開催年月日： 2022年6月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：金沢市文化ホール   国名：日本国  

    DOI： 10.57295/jpvsproc.2.0_63

  91. Fabrication of nanoimprinted light confinement structures for near-infrared light 招待有り 国際会議

    Yuto Kimata, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    8th Korea-Japan Joint Seminar on PV  2022年5月27日 

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    開催年月日： 2022年5月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Jeju, Korea   国名：大韓民国  

  92. Boron delta-doped hydrogenated amorphous silicon for improvement of contact resistivity 招待有り 国際会議

    Kazuhiro Gotoh, Ryo Ozaki, Motoo Morimura, Aki Tanaka, Yoshiko Iseki, Kyotaro Nakamura, Kazuo Muramatsu, Yasuyoshi Kurokawa, Yoshio Ohshita, Noritaka Usami

    8th Korea-Japan Joint Seminar on PV  2022年5月27日 

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    開催年月日： 2022年5月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Jeju, Korea   国名：大韓民国  

  93. Spatially resolved implied open-circuit voltage of titania/silicon heterostructures after electrode deposition by using PL imaging 国際会議

    Shohei Fukaya, Kazuhiro Gotoh, Takuya Matsui, Hitoshi Sai, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    8th Korea-Japan Joint Seminar on PV  2022年5月27日 

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    開催年月日： 2022年5月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Jeju, Korea   国名：大韓民国  

  94. Suppressed Degradation of Passivation Performance in Titanium Oxide/Crystalline Silicon Heterostructure by Metallization using Titanium Nitride Interlayer 国際会議

    Tetsuya Inoue, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    12th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics 

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    開催年月日： 2022年3月 - 2022年4月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Konstanz   国名：ドイツ連邦共和国  

  95. Quantitative Evaluation of Passivation Performance after Electrode Deposition on TiOx/Si Heterostructures 国際会議

    Shohei Fukaya, Kazuhiro Gotoh, Takuya Matsui, Hitoshi Sai, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    12th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics 

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    開催年月日： 2022年3月 - 2022年4月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Konstanz   国名：ドイツ連邦共和国  

  96. 窒化チタン/酸化チタン積層膜を用いた結晶シリコンヘテロ構造の電気的特性向上

    井上徹哉，後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第69回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2022年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  97. Fabrication of Bulk-type Silicon Thermoelectric Material Using Silicon Nanowire

    Haibin Li, Shinya Kato, Yasuyoshi Kurokawa, Tetsuo Soga

    2022年3月24日 

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    開催年月日： 2022年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Online   国名：日本国  

  98. Bayesian optimization of hydrogen plasma treatment for reducing defects in silicon quantum dot multilayers 国際会議

    Fuga Kumagai, Shinsuke Miyagawa, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Kentaro Kutsukake, Shinya Kato, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    31st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-31) 

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    開催年月日： 2021年12月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Online   国名：オーストラリア連邦  

  99. Effect of hydrogenation process on passivation performance of silicon nano-crystal/silicon oxide compound layer 国際会議

    Masashi Matsumi, Kazuhiro Gotoh, Markus Wilde, Yasuyoshi Kurokawa, Katsuyuki Fukutani and Noritaka Usami

    31st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-31) 

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    開催年月日： 2021年12月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Online   国名：オーストラリア連邦  

  100. Fabrication of all-solid-state semiconductor battery using TiOx:Nb for energy storage 国際会議

    Kenta Watanabe, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Munekazu Motoyama, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    31st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-31) 

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    開催年月日： 2021年12月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Online   国名：オーストラリア連邦  

  101. Design and fabrication of nanoimprinted optical confinement structure specialized for near-infrared light 国際会議

    Yuto Kimata,Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    31st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-31) 

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    開催年月日： 2021年12月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Online   国名：オーストラリア連邦  

  102. TiOx:Nbを用いた全固体型半導体電池の作製と評価

    渡邊健太、後藤和泰、宮本聡、本山宗主、宇佐美徳隆、黒川康良

    第31回材料フォーラム TOKAI 

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    開催年月日： 2021年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  103. 窒化チタンを用いた酸化チタン/結晶シリコンヘテロ構造のパッシベーション性能劣化抑制

    井上 徹哉, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第31回材料フォーラム TOKAI 

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    開催年月日： 2021年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  104. 真空蒸着法により作製したMg2Si薄膜の高品質化に向けたface-to-faceアニール（FTFA）効果及びラマン散乱解析

    佐藤 海誓, 宮本 聡, 後藤 和泰, 黒川 康良, 伊藤 孝至, 宇佐美 徳隆

    第31回材料フォーラム TOKAI 

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    開催年月日： 2021年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  105. TiOx/結晶Siヘテロ構造における電極製膜後のパッシベーション性能の定量的評価の検討

    深谷昌平, 後藤和泰, 松井卓矢, 齋均, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第18回次世代の太陽光発電システムシンポジウム（第1回日本太陽光発電学会学術講演会） 

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    開催年月日： 2021年10月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  106. 真空蒸着法により作製したMg₂Si薄膜の高品質化に向けたface-to-faceアニール効果

    佐藤 海誓，宮本 聡，後藤 和泰, 黒川 康良, 伊藤 孝至, 宇佐美 徳隆

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2021年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  107. シリコンナノ結晶/酸化シリコン複合膜におけるキャリア選択能の水素プラズマ処理温度依存性

    松見優志，後藤和泰，ビルデ マーカス，黒川康良，福谷克之，宇佐美徳隆

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2021年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  108. ベイズ最適化を援用したシリコン量子ドット積層構造の欠陥低減

    熊谷風雅，宮川晋輔, 後藤和泰, 沓掛健太朗, 加藤慎也, 宇佐美徳隆, 黒川康良

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2021年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  109. Fabrication of BaSi2 homojunction diodes on Nb-doped TiO2 coated glass substrates by aluminum-induced crystallization and two-step evaporation method 国際会議

    Y. Kurokawa, T. Yoshino, K. Gotoh, S. Miyamoto and N. Usami

    International Conference on Solid state devices and materials 2021 

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    開催年月日： 2021年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Online   国名：日本国  

  110. Study on the Morphology of Silicon Nanowire Arrays by Using Highly Doped Silicon 国際会議

    Haibin Li, Shinya Kato, Yasuyoshi Kurokawa, Tetsuo Soga

    International Conference on Solid state devices and materials 2021 

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    開催年月日： 2021年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Online   国名：日本国  

  111. Face-to-faceアニールを用いて作製したMg₂Si薄膜のラマン散乱解析

    佐藤海誓，宮本聡，後藤和泰, 黒川康良, 伊藤孝至, 宇佐美徳隆

    第19回シリサイド系半導体・夏の学校 

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    開催年月日： 2021年8月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    国名：日本国  

  112. 真空蒸着法によるステンレス基板上へのBaSi2薄膜の作製

    陳 嘉坤，宮本 聡，後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第19回シリサイド系半導体・夏の学校 

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    開催年月日： 2021年8月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    国名：日本国  

  113. NANOCRYSTALS-EMBEDDED SILICON OXIDE PASSIVATING CONTACTS FOR USE IN CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS 招待有り 国際会議

    K. Gotoh, R. Tsubata, M. Matsumi, M. Wilde, T. Inoue, Y. Kurokawa, K. Fukutani and N. Usami

    Global Photovoltaic Conference 2021 (GPVC 2021) 

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    開催年月日： 2021年7月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Kimdaejung Convention Center, Gwangju   国名：大韓民国  

  114. Basic Photovoltaic Principles and Fabrication Methods 招待有り 国際会議

    Yasuyoshi Kurokawa

    28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices   2021年6月29日 

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    開催年月日： 2021年6月 - 2021年7月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Online   国名：日本国  

  115. Improved Performance of Titanium Oxide Electron-Selective Contact by Implementation of Magnesium Interlayer 国際会議

    Yuta Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    11th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics 

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    開催年月日： 2021年4月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Online   国名：中華人民共和国  

  116. Application of Bayesian Optimization for Improved Passivation Performance in TiOx/SiOy/c-Si Heterostructure by Hydrogen Plasma Treatment 国際会議

    Shinsuke Miyagawa, Kazuhiro Gotoh, Kentaro Kutsukake, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    11th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics 

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    開催年月日： 2021年4月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Online   国名：中華人民共和国  

  117. ベイズ最適化を援用した高性能パッシベーティングコンタクトの実現 ～TiOx/結晶Siヘテロ構造への適用～

    宮川晋輔, 後藤和泰, 沓掛健太朗, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日 

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    開催年月日： 2021年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  118. シリコンナノ結晶/酸化シリコンを複合化した導電性パッシベーション膜の太陽電池応用

    津幡亮平, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日 

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    開催年月日： 2021年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  119. シリコンナノ結晶/酸化シリコン複合膜に対する水素化処理の検討

    松見優志, 後藤和泰, ビルデマーカス, 黒川康良, 福谷克之, 宇佐美徳隆

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日 

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    開催年月日： 2021年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  120. 成長速度の二段階制御による真空蒸着BaSi2薄膜の高品質化

    吉野孝政, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第3回結晶工学×ISYSE合同研究会  2020年12月23日 

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    開催年月日： 2020年12月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：オンライン開催  

  121. ベイズ最適化を用いたTiOx/SiOｙ結晶Siへテロ構造における水素プラズマ処理条件の最適化

    宮川晋輔, 後藤和泰, 沓掛健太朗, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第3回結晶工学×ISYSE合同研究会  2020年12月23日 

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    開催年月日： 2020年12月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：オンライン開催  

  122. 新規シリコンベース化合物半導体の欠陥制御と高性能薄膜太陽電池の開発

    黒川　康良

    新学術領域研究「機能コアの材料科学」第６回機能コア・遠隔連携会議  2020年12月21日 

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    開催年月日： 2020年12月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  123. Passivation Mechanism of the High-performance Titanium Oxide Passivating Contacts on Crystalline Silicon Studied by Spectroscopic Ellipsometry 国際会議

    K. Gotoh, H. Miura, A. Shimizu, Y. Kurokawa, and N. Usami

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)  2020年9月30日 

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    開催年月日： 2020年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

  124. Fabrication of TiOx thin film on Si using solution-based process and its passivation performance 国際会議

    H. Luo, V. H. Nguyen, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)  2020年9月30日 

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    開催年月日： 2020年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

  125. Size effect of silicon nanocrystals on Seebeck coefficient of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議

    H. Kobayashi, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, N. Usami, and Y. Kurokawa

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)  2020年9月28日 

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    開催年月日： 2020年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

  126. Impact of Ge deposition temperature on fabrication of surface texture using SiGe islands as a mask 国際会議

    V. H. Nguyen, A. Novikov, M. Shaleev, D. Yurasov, Y. Kurokawa, and N. Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30)  2020年11月10日 

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    開催年月日： 2020年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  127. DEPENDENCE OF ELECTRICAL PROPERTIES OF STACKED SN-DOPED IN2O3 FILMS ON OXYGEN PARTIAL PRESSURE 国際会議

    Tetsuya Inoue, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, and Noritaka Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30)  2020年11月11日 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2020年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  128. CARBON DIOXIDE/ SILANE GAS FLOW RATE DEPENDENCY ON ELECTRICAL PROPERTIES IN SILICON-NANOCRYSTALS-EMBEDDED SILICON OXIDE PASSIVATING CONTACTS 国際会議

    Ryohei Tsubata, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30)  2020年11月11日 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2020年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  129. Impact of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiOx prepared on crystalline silicon by atomic layer deposition 国際会議

    Shinsuke Miyagawa, Kazuhiro Gotoh, Shohei Ogura, Markus Wilde, Yasuyoshi Kurokawa, Katsuyuki Fukutani, Noritaka Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30)  2020年11月11日 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2020年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

  130. Effect of forming gas annealing on hydrogen content and surface morphology of titanium oxide-coated crystalline silicon heterocontacts 国際会議

    Yuta Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Markus Wilde, Shohei Ogura, Yasuyoshi Kurokawa, Katsuyuki Fukutani, Noritaka Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30)  2020年11月11日 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2020年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

  131. Improvement of BaSi2 thin film quality by two-step growth rate control of vacuum evaporation 国際会議

    Takamasa Yoshino, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30)  2020年11月10日 

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    開催年月日： 2020年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  132. Impact of excess PbI2 on controlling one-dimensional MAPbI3 perovskites for high carrier lifetimes 国際会議

    V. H. Nguyen, Y. Kurokawa, and N. Usami

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30)  2020年11月10日 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2020年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

  133. 成長速度の二段階制御による真空蒸着BaSi2薄膜の高品質化

    吉野孝政, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2020年10月16日 

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    開催年月日： 2020年10月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：オンライン開催  

  134. 積層Sn添加In2O3薄膜における電気的特性の酸素分圧依存性

    井上徹哉, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2020年10月16日 

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    開催年月日： 2020年10月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：オンライン開催  

  135. シリコンナノ結晶/酸化シリコン復合膜における炭酸ガス/シランガス流量比依存性

    津幡亮平, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2020年10月16日 

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    開催年月日： 2020年10月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：オンライン開催  

  136. ベイズ最適化を用いたTiOx/SiOｙ結晶Siへテロ構造における水素プラズマ処理条件の最適化

    宮川晋輔, 後藤和泰, 沓掛健太朗, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2020年10月16日 

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    開催年月日： 2020年10月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：オンライン開催  

  137. Mg層を挿入したTiOx/SiOy/Si構造の接合特性のTiOｘ膜厚依存性

    中川裕太, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2020年10月16日 

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    開催年月日： 2020年10月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：オンライン開催  

  138. Mg層挿入によるTiOx/Siヘテロ接合の接合特性の向上

    中川 裕太, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

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    開催年月日： 2020年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  139. 溶液プロセスによる酸化チタン薄膜の作製とパッシベーション性能の評価

    羅 昊, Van Hoang Nguyen, 後藤 和泰, ⿊川 康良, 宇佐美 徳隆

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

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    開催年月日： 2020年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  140. シリコンナノ結晶/酸化シリコンを複合化した導電性パッシベーション膜の検討

    津幡 亮平, 後藤 和泰, ⿊川 康良, 宇佐美 徳隆

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

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    開催年月日： 2020年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  141. ベイズ最適化を用いた酸化チタンパッシベーション膜における水素プラズマ処理条件の最適化

    宮川　晋輔, 後藤 和泰, 沓掛 健太朗,　 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

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    開催年月日： 2020年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  142. Formation of p-Type BaSi2 Thin Film and its Application to Silicon-Based Heterojunction Solar Cells 国際会議

    Yuki Kimura, Michinobu Fujiwara, Kazuma Takahashi, Yoshihiko Nakagawa, Takamasa Yoshino, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, and Noritaka Usami

    37th European PV Solar Eneregy Conference and Exhibition  2020年9月8日 

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    開催年月日： 2020年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

  143. Effect of Hydrogen Plasma Treatment on Silicon Quantum Dot Multilayers Using Amorphous SiOx 国際会議

    R. Akaishi, K. Gotoh, N. Usami & Y. Kurokawa

    EU PVSEC 2020 online  2020年9月8日 

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    開催年月日： 2020年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  144. Work function of indium oxide thin films on p-type hydrogenated amorphous silicon 国際会議

    Masanori Semma, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 47)  2020年6月15日 

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    開催年月日： 2020年6月 - 2020年8月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  145. Fabrication of silicon-nanocrystals-embedded silicon oxide passivating contacts 国際会議

    Ryohei Tsubata, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 47)  2020年6月15日 

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    開催年月日： 2020年6月 - 2020年8月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  146. ポストアニール処理を用いたアンドープp-BaSi2/n-Siヘテロ接合太陽電池の作製

    木村 裕希, 吉野 孝政, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2020年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学、東京   国名：日本国  

  147. 核反応解析法と原⼦間⼒顕微鏡を⽤いたTiOx/SiOx/Siヘテロ 構造におけるパッシベーション性能の⽀配要因

    中川 裕太, 後藤 和泰, ビルデ マーカス, ⼩倉 正平, ⿊川 康良, 福⾕ 克之, 宇佐美 徳隆

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2020年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学、東京   国名：日本国  

  148. 酸化チタン/結晶シリコンヘテロ構造における水素プラズマ処理の効果

    宮川 晋輔, 後藤 和泰, Markus Wilde,小倉 正平, 黒川 康良, 福谷 克之, 宇佐美 徳隆

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2020年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学、東京   国名：日本国  

  149. 不活性ガス雰囲気下での熱処理を⽤いたクラックフリーMg2Si厚膜 の合成

    堀場 ⼀成, 後藤 和泰, ⿊川 康良, 伊藤 孝⾄, 宇佐美　徳隆

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2020年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学、東京   国名：日本国  

  150. ギガソーラー発電所視察報告 招待有り

    黒川　康良

    応用物理学会　若手チャプター 「太陽光エネルギー変換材料・デバイス研究会」 第３回研究会  

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    開催年月日： 2019年12月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：東京   国名：日本国  

  151. 中国のギガソーラー発電所の最新事情 －視察報告－ 招待有り

    黒川　康良

    第157回総研セミナー 

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    開催年月日： 2019年12月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：東京   国名：日本国  

  152. Activation energy of hydrogen effusion of high performance TiOx/SiOx/c-Si heterocontacts 国際会議

    Kazuhiro Gotoh, Takeya Mochizuki, Tomohiko Hojo, Yasuyoshi Kurokawa, Eiji Akiyama, Noritaka Usami

    MRS-J The 30th Anniversary Material Research Meeting 2019 

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    開催年月日： 2019年12月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Yokohama, Japan   国名：日本国  

  153. Role of the Interlayer in Improving Passivating Contact with Atomic Layer Deposited TiOx on Crystalline Si 国際会議

    Takeya Mochizuki, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Takahisa Yamamoto, Tomohiko Hojo, Eiji Akiyama, Noritaka Usami

    2019 MRS Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日： 2019年12月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Boston, USA   国名：アメリカ合衆国  

  154. Impact of Growth Temperature of Ge Islands on Anti-Reflection Texture Formation 国際会議

    Van Hoang Nguyen, Yuki Kimura, Alexey Novikov, Mikhail V Shaleev, Satoru Miyamoto, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

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    開催年月日： 2019年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Sendai, Japan   国名：日本国  

  155. 分光エリプソメトリーを用いた酸化チタン パッシベーション膜のポストアニール効果に関する研究

    後藤　和泰、 三浦　裕之、 清水　彩子、 宮川　晋輔、 中川　裕太、 黒川　康良、 宇佐　美徳隆

    第4回フロンティア太陽電池セミナー 

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    開催年月日： 2019年11月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：広島   国名：日本国  

  156. 酸化チタン/結晶シリコンヘテロ構造における水素プラズマ処理の影響

    宮川 晋輔, 後藤 和泰, Markus Wilde,小倉 正平, 黒川 康良, 福谷 克之, 宇佐美 徳隆

    第２回ハイドロジェノミクス研究会 

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    開催年月日： 2019年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京   国名：日本国  

  157. 不活性ガス雰囲気下での熱処理を用いたMg2Si薄膜の作製とその膜質評価

    堀場　一成、 藤原　道信、 中川　慶彦、 後藤　和泰、 黒川　康良、 伊藤　孝至、 宇佐美　徳隆

    第2回結晶工学×ISYSE合同研究会 

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    開催年月日： 2019年11月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：東京   国名：日本国  

  158. ポストアニール条件がアンドープBaSi2薄膜のキャリア密度に与える影響

    藤原 道信, 中川 慶彦, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第2回結晶工学×ISYSE合同研究会 

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    開催年月日： 2019年11月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：東京   国名：日本国  

  159. Characterization of Silicon Quantum Dot Solar Cell with the Phosphorus Blocking Layer 国際会議

    Ryushiro Akaishi, Kazuhiro Gotoh, Shinya Kato, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日： 2019年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Xi'an, China   国名：中華人民共和国  

  160. Impact of indium tin oxide double layers deposition on the passivation performance of a-Si:H/c-Si heterocontact 国際会議

    Masanori Semma, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日： 2019年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Xi'an, China   国名：中華人民共和国  

  161. 塑性変形による閃亜鉛鉱型ZnS結晶の発光特性変化

    大島優, 中村篤智, 亀山達矢，黒川康良，鳥本司，横井達矢，松永克志

    日本金属学会2019年秋期（第165回）講演大会 

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    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：岡山大学津島キャンパス、岡山   国名：日本国  

  162. Evidence of Solute PEDOT:PSS as an Efficient Passivation Material 国際会議

    V. H. Nguyen, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami, S. Kato

    36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition 

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    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Marseille, France   国名：フランス共和国  

  163. Preparation and thermoelectric characterization of phosphorous-doped silicon nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議

    Hisayoshi Kobayashi, Ryushiro Akaishi, Shinya Kato, Masashi Kurosawa, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    SSDM 2019 

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    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

  164. Solute PEDOT:PSS as an Excellent Passivation Material of Si Substrate 国際会議

    V.H. Nguyen, S. Kato, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami

    SSDM 2019 

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    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

  165. 酸化チタン/結晶シリコンヘテロ構造における水素プラズマ処理の検討

    宮川　晋輔、後藤　和泰、黒川　康良、 宇佐美　徳隆

    新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール 

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    開催年月日： 2019年8月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：岡崎、愛知   国名：日本国  

  166. TiOx/SiOx/結晶Siヘテロ界面における水素の脱離エネルギー

    後藤 和泰、望月　健矢、北條　智彦、黒川　康良、秋山　英二、宇佐美　徳隆

    新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール 

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    開催年月日： 2019年8月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：岡崎、愛知   国名：日本国  

  167. 水素プラズマ処理によるシリコン量子ドット積層構造の欠陥密度低減と構造特性評価

    赤石　龍士郎、後藤　和泰、黒川　康良,　宇佐美　徳隆

    新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール 

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    開催年月日： 2019年8月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：岡崎、愛知   国名：日本国  

  168. 原子層堆積法による結晶Si/SiOx/TiOx構造の作製と熱処理の効果

    中川　裕太、後藤　和泰、宮本　聡、黒川　康良、宇佐美　徳隆

    新学術「ハイドロジェノミクス」第4回若手育成スクール 

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    開催年月日： 2019年8月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：岡崎、愛知   国名：日本国  

  169. 誰でもはじめられる太陽電池デバイスシミュレーション

    黒川　康良

    応用物理学会 若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会第1回サマーセミナー 

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    開催年月日： 2019年8月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：松山市、愛媛   国名：日本国  

  170. キャリア輸送径路にナノドットを用いたパッシベーション膜の作製と評価

    津幡　亮平、後藤　和泰、黒川　康良、宇佐美　徳隆

    応用物理学会 若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会第1回サマーセミナー 

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    開催年月日： 2019年8月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：松山市、愛媛   国名：日本国  

  171. TiOx/結晶Siの電気的特性における光照射効果

    宮川　晋輔、後藤　和泰、黒川　康良、 宇佐美　徳隆

    応用物理学会 若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会第1回サマーセミナー 

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    開催年月日： 2019年8月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：松山市、愛媛   国名：日本国  

  172. Influence of Post Annealing Conditions on Carrier Density of Undoped Evaporated BaSi2 Films 国際会議

    Yuki Kimura, Michinobu Fujiwara, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    APAC Silicide 2019 

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    開催年月日： 2019年7月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Miyazaki, Japan   国名：日本国  

  173. Synthesis of Mg2Si thin film by thermal treatment under inert gas atmosphere and evaluation of film quality 国際会議

    Issei Horiba, Michinobu Fujiwara, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Itoh, Noritaka Usami

    APAC Silicide 2019 

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    開催年月日： 2019年7月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Miyazaki, Japan   国名：日本国  

  174. Influence of the time-dependent vapor composition on structural properties of the BaSi2 thin films fabricated by vacuum evaporation 国際会議

    Takamasa Yoshino, Yuki Kimura, Michinobu Fujiwara, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    APAC Silicide 2019 

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    開催年月日： 2019年7月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Miyazaki, Japan   国名：日本国  

  175. a-Si:H/c-Siヘテロ構造のパッシベーション性能と水素分布における製膜温度の影響

    後藤 和泰、ビルデ マーカス、加藤 慎也、小倉 正平、黒川 康良、福谷 克之、宇佐美 徳隆

    学振175委員会 第16回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2019年7月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：宮崎市民プラザ、宮崎   国名：日本国  

  176. ITO積層化のa-Si:H/c-Si界面パッシベーション性能に及ぼす影響

    扇間　政典、後藤　和泰、黒川　康良、宇佐美　徳隆

    学振175委員会 第16回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2019年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：宮崎市民プラザ、宮崎   国名：日本国  

  177. Silicon Nanostructures for Energy Harvesting Applications 国際会議

    Y. Kurokawa

    EM-NANO 2019 

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    開催年月日： 2019年6月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Nagano, Japan   国名：日本国  

  178. Electrical properties of TiOx bilayer prepared by atomic layer deposition at different temperatures 国際会議

    Takeya Mochizuki, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    64th IEEE Photovoltaics Specialist Conference 

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    開催年月日： 2019年6月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Chicago, USA   国名：アメリカ合衆国  

  179. Impact of pre-oxidation on hydrogen depth profiles around a-Si:H/c-Si heterointerface 国際会議

    Kazuhiro Gotoh, Shohei Ogura, Yasuyoshi Kurokawa, Markus Wilde, Katsuyuki Fukutani, Noritaka Usami

    SiliconPV 2019 

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    開催年月日： 2019年4月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Leuven, Belgium   国名：ベルギー王国  

  180. Silicon Nanostructure for Solar Cell Applications 招待有り 国際会議

    Y. Kurokawa

    Advanced Functional Materials Spectroscopy & Electrochemistry Congress 

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    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Stockholm, Sweden   国名：スウェーデン王国  

  181. Impact of textured structure on performance of PEDOT:PSS hybrid Si solar cells 国際会議

    V.H. Nguyen, Y. Ota, A. Novikov, M. Shaleev, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami

    XXIII International symposium "Nanophysics & Nanoelectronics" 

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    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地： Nizhny Novogorod, Russia   国名：ロシア連邦  

  182. Using Ge (Si) islands to increase the efficiency of thin crystalline solar cells 国際会議

    Mv Shaleev, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, N.A. Baidakova, E.E. Morozova, Y. Ota, V.H. Nguyen, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami

    XXIII International symposium "Nanophysics & Nanoelectronics" 

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    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地： Nizhny Novogorod, Russia   国名：ロシア連邦  

  183. SiOxを障壁層としたSi量⼦ドット太陽電池の作製

    赤石 龍士郎, 北沢 宏平, 加藤 慎也, 後藤 和泰, 宇佐美 徳 隆, 黒川 康良

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学、東京   国名：日本国  

  184. ALD 法で作製したTiOx 電子選択層の積層化による電気的特性の制御

    望月 健矢, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学、東京   国名：日本国  

  185. ALD法で作製した法で作製したTiOx/SiOx/結晶Siヘテロ界面のパッシベーョン効果発現メカニズム〜水素原子脱離の影響〜

    望月 健矢, 後藤 和泰, 北條 智彦, 黒川 康良, 秋山 英二, 宇佐美 徳隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学、東京   国名：日本国  

  186. 印刷と焼成によるSi基板上へのSiGe層のエピタキシャル成長におけるSi基板方位の影響

    中原　正博、深見　昌吾、Mel F. Hainey, Jr.、中川　慶彦、有元　圭介、後藤　和泰、 黒川　康良、前田　健作、藤原　航三、ダムリン　マルワン、宇佐美　徳隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学、東京   国名：日本国  

  187. ポストアニール条件がBaSi2薄膜のキャリア密度に与える影響

    木村 裕希, 藤原 道信, 中川 慶彦, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学、東京   国名：日本国  

  188. 薄型基板上へのGeドットマスクを用いた光閉じ込め構造の作製と太陽電池への応用

    太田 湧士，後藤 和泰，黒川 康良，宇佐美 徳隆 Dmitrij Yurasoｖ, Alexey Novikov, Mikhail Shaleev

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学、東京   国名：日本国  

  189. シリコン酸化膜を用いたシリコン量子ドット積層構造における構造・電気的特性評価

    赤石 龍士郎, 北沢 宏平, 後藤 和泰, 加藤 慎也, 宇佐美 徳隆, 黒川 康良

    第3回フロンティア太陽電池セミナー 

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    開催年月日： 2018年12月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：宮崎   国名：日本国  

  190. 超薄膜TiOx/結晶Si界面における酸素・水素原子の挙動

    望月健矢,後藤和泰,黒川康良,山本剛久,宇佐美徳隆

    第12回　物性科学領域横断研究会 

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    開催年月日： 2018年11月 - 2018年12月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：奈良先端科学技術大学院大学、奈良   国名：日本国  

  191. Epitaxial growth of SiGe on Si substrate by printing and firing of Al-Ge mixed paste 国際会議

    Shogo Fukami, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Masahiro Nakahara, Marwan Dhamrin, Noritaka Usami

    2018 MRS Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Hynes Convension Center, Boston, USA   国名：アメリカ合衆国  

  192. Effect of slow-speed evaporation of BaSi2 on the performance of p-type BaSi2/n-type crystalline Si solar cells 国際会議

    Michinobu Fujiwara, Kazuma Takahashi, Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    2018 MRS Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Hynes Convension Center, Boston, USA   国名：アメリカ合衆国  

  193. Degradation of passivation performance of crystalline silicon solar cells employing stacksof ultrathin oxide and polycrystalline Si formed by aluminum induced crystallization

    Yuqing Li, Kazuhiro Gotoh, Takeya Mochizuki, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

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    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  194. ポストアニール温度によるBaSi2薄膜のキャリア密度への影響

    木村 裕希, 藤原 道信, 中川 慶彦, 後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第6回応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  195. Local analysis of TiOx/SiOx stack with excellent electrical properties for carrier selective contact

    Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Takahisa Yamamoto, Noritaka Usami

    The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 

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    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Okayama,Japan   国名：日本国  

  196. Diffusion suppression of phosphorus into a Si quantum dots absorption layer using Nb-doped TiO2 国際会議

    Kouhei Kitazawa, Ryushiro Akaishi, Shinya Kato, Noritaka Usami, Yasuyoshi Kurokawa

    7th Korea-Japan Joint Seminar on PV 

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    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Seoul, Korea   国名：大韓民国  

  197. Influence of illumination during ITO sputtering on passivation performance at a-Si:H/c-Si interface 国際会議

    Masanori Semma, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    7th Korea-Japan Joint Seminar on PV 

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    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Seoul, Korea   国名：大韓民国  

  198. Enhancing conductivity of PEDOT:PSS thin film for fabrication of c-Si solar cell 国際会議

    Hoang Van Nguyen, Shinya Kato, Kazuhiro Goto, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    Emerging Material Technologies Summit 

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    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Ha Noi, Viet Nam   国名：ベトナム社会主義共和国  

  199. Stacks of a-SiOx:H/a-Si:H Passivation Layer for Low Parasitic Absorption and High Passivation in Silicon Heterojunction Solar Cells 国際会議

    K. Gotoh, M, Cui, R. Akaishi, Y. Kurokawa, and N. Usami

    35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition 

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Brussels, Belgium   国名：ベルギー王国  

  200. 真空蒸着法による透明導電膜上へのBaSi2 薄膜作製と評価

    中川　慶彦,　望月　健矢,後藤 和泰, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  201. 印刷と焼成によるSi基板上へのSiGe層のエピタキシャル成長における熱処理条件の効果

    深見 昌吾、中川　慶彦、後藤　和泰、黒川　康良、中原　正博、ダムリン　マルワン、宇佐美　徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  202. 不活性ガス雰囲気下での熱処理を用いたMg2Si薄膜の合成と膜質評価

    堀場 一成, 藤原 道信, 中川 慶彦, 後藤 和泰, 黒川 康良, 伊藤 孝至, 宇佐美 徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  203. p型BaSi2/n型結晶Siヘテロ接合形成におけるBaSi2低速蒸着の効果

    藤原 道信，高橋 一真，中川 慶彦，後藤 和泰，黒川 康良，伊藤 孝至，宇佐美 徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  204. The influence of Ge substrate modification on photoresponse properties of evaporated BaSi2 films for thin-film solar cells application

    Mai Thi Kieu Lien、中川 慶彦、黒川 康良、宇佐美 徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  205. 電子エネルギー損失分光法を用いた高パッシベーション性能TiOx/SiOxヘテロ界面の局所構造の解明

    望月健矢,後藤和泰,黒川康良,山本剛久,宇佐美徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  206. ITO製膜時の光照射がa-Si:H/c-Si界面におけるパッシベーション性能に及ぼす影響

    扇間政典,後藤和泰,黒川康良,山本剛久,宇佐美徳隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  207. シリコン酸化膜を用いたシリコン量子ドット積層構造における構造・電気的特性評価

    赤石 龍士郎, 北沢 宏平, 後藤 和泰, 加藤 慎也, 宇佐美 徳隆, 黒川 康良

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  208. Geドットマスクを用いた光閉じ込め構造の作製とa-Si:Hパッシベーション：Ge成長温度の効果

    太田 湧士，後藤 和泰，黒川 康良，宇佐美 徳隆 Dmitrij Yurasoｖ, Alexey Novikov, Mikhail Shaleev

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  209. Conductivity enhancement of PEDOT:PSS thin film for ITO-free hybrid c-Si solar cell

    Hoang Van Nguyen,Shinya Kato,Kazuhiro Goto,Yasuyoshi Kurokawa,Noritaka Usami

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  210. Evaluation of Si Nanowire MOS Capacitor Using High-k Dielectric Materials 国際会議

    R. Nezasa, Y. Kurokawa, N. Usami

    IEEE NANO 2018 

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    開催年月日： 2018年7月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Cork, Ireland   国名：アイルランド  

  211. 薄型 Rib-Si 太陽電池の特性分布測定

    岩田 龍門，石河 泰明，黒川 康良，小長井 誠

    第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2018年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：ホテルさっぽろ芸文館、札幌   国名：日本国  

  212. SiOxを障壁層としたSi量子ドット太陽電池構造作製のためのTiO2:NbによるP拡散抑制

    北沢宏平, 赤石龍士郎, 小野聖, 加藤慎也, 後藤和泰, 宇佐美徳隆, 黒川康良

    第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2018年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：ホテルさっぽろ芸文館、札幌   国名：日本国  

  213. ボトムアップ手法による室温下でのシリコン量子ドットの作製

    加藤慎也，櫟原瑛士，黒川康良，岸直希，曾我哲夫

    第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2018年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：ホテルさっぽろ芸文館、札幌   国名：日本国  

  214. FORMATION OF BLACK-Si FOR SOLAR CELLS BY SELECTIVE ETCHING STRUCTURES WITH GeSi ISLANDS

    M.V. Shaleev, A.V. Novikov, N.A. Baydakova, D.V. Yurasov, E.E. Morozova, V.A. Verbus, E.V. Skorokhodov, Y. Ota, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami

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    開催年月日： 2018年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    国名：日本国  

  215. 薄型結晶Si太陽電池応用に向けたサブミクロンSiナノワイヤ構造の作製と評価

    根笹良太, 清美樹, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2018年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：ホテルさっぽろ芸文館、札幌   国名：日本国  

  216. 太陽光発電のイノベーションはこれだ！ 招待有り

    新船　幸二、黒川　康良、佐久間　俊行、松川　洋、若宮　淳志

    第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2018年7月

    記述言語：日本語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（指名）  

    開催地：ホテルさっぽろ芸文館、札幌   国名：日本国  

  217. Evaluation of impurity diffusion for Si Quantum Dot Multilayers 国際会議

    R. Miyagawa, S. Kato, R. Akaishi, K. Kitazawa, Y. Kurokawa, N. Kishi, T. Soga and O. Eryu

    The Scientific International Symposium on SIMS and Related Techniques Based on Ion-Solid Interactions (SISS-20)  

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    開催年月日： 2018年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Tokyo, Japan   国名：日本国  

  218. EFFECT OF NOVEL SUB-MICRON STRUCTURE FABRICATED ONTO CRYSTALLINE SILICON ON OPTICAL PROPERITES AND MINORITY CARRIER LIFETIME 国際会議

    Miki Sei, Yasuyoshi Kurokawa, Shinya Kato, Kazuhiro Gotoh, Noritaka Usami

    Grand Renewable Energy 2018 

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    開催年月日： 2018年6月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Yokohama, Japan   国名：日本国  

  219. Development of the Passivation Layer for p-type CuI Thin Film Fabricated by the 2-step Method as the Novel Hole Selective Contact of Silicon Heterojunction Solar Cells 国際会議

    M. Cui, K. Gotoh, Y. Kurokawa and N. Usami

    7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7) 

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    開催年月日： 2018年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Waikoloa, Hawaii, USA   国名：日本国  

  220. Improving intrinsic silicon nanoparticle film by press treatment for use in p-i-n solar cells 国際会議

    Eiji Ichihara, Shinya Kato, Ryushiro Akaishi, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Naoki Kishi, Tetsuo Soga

    7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7) 

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    開催年月日： 2018年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Waikoloa, Hawaii, USA   国名：アメリカ合衆国  

  221. Structural, Optical and Electrical Characterization of Heterojunction Rib-Si Solar Cells 国際会議

    Makoto Konagai, Rei Kondo, Toshiki Otani, Satomi Takahashi, Kentarou Sawano, Yukimi Ichikawa, Kazuyoshi Nakada, Yasuyoshi Kurokawa

    7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7) 

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    開催年月日： 2018年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Waikoloa, Hawaii, USA   国名：アメリカ合衆国  

  222. Local structure of high performance TiOx passivating layer revealed by electron energy loss spectroscopy 国際会議

    T. Mochizuki, K. Gotoh, A. Ohta, Y. Kurokawa, S. Miyazaki, T. Yamamoto, N. Usami

    7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7) 

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    開催年月日： 2018年6月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Waikoloa, Hawaii, USA   国名：アメリカ合衆国  

  223. Deposition and Characterization of Si Quantum Dot Multilayers Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition using SiH4 and CO2 Gases 国際会議

    R. Akaishi, K. Kitazawa, S. Ono, K. Gotoh, E. Ichihara, S. Kato, N. Usami and Y. Kurokawa

    7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7) 

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    開催年月日： 2018年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Waikoloa, Hawaii, USA   国名：アメリカ合衆国  

  224. Application of light-trapping structure using Ge dot mask by alkaline etching to heterojunction solar cell 国際会議

    Atsushi Hombe, Yasuyoshi Kurokawa, Kazuhiro Gotoh, Noritaka Usami

    7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7) 

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    開催年月日： 2018年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Waikoloa, Hawaii, USA   国名：アメリカ合衆国  

  225. Nb-doped TiO2 for silicon quantum dot solar cells as a carrier selective contact layer 国際会議

    Y. Kurokawa, K. Gotoh, and N. Usami

    10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells 

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    開催年月日： 2018年4月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Sendai, Miyagi, Japan   国名：日本国  

  226. Fabrication of Ultra-small Silicon Nanoparticles by Etching using HF and HNO3 Solution 国際会議

    S. Kato, E. Ichihara, Y. Kurokawa, N. Kishi, T. Soga

    10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells 

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    開催年月日： 2018年4月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Sendai, Miyagi, Japan   国名：日本国  

  227. Characterization of hydrogen around a-Si:H/c-Si interface by resonance nuclear reaction analysis 国際会議

    K. Gotoh, S. Ogura, S. Kato, Y. Kurokawa, K. Fukutani, and N. Usami

    10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells 

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    開催年月日： 2018年4月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Sendai, Miyagi, Japan   国名：日本国  

  228. Impact of interlayers on thermal stability of TiOx passivating layer deposited by atomic layer deposition 国際会議

    T. Mochizuki, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami

    10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells 

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    開催年月日： 2018年4月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Sendai, Miyagi, Japan   国名：日本国  

  229. Investigation on the thermal stability of p-type CuI as hole selective contact for the silicon heterojunction solar cells 国際会議

    Min Cui, K. Gotoh, Y. Kurokawa, and N. Usami

    10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells 

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    開催年月日： 2018年4月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Sendai, Miyagi, Japan   国名：日本国  

  230. Effect of substrate modification on the optical and electrical properties of thermally-evaporated barium disilicide thin-films for solar cell applications 国際会議

    Lien T.K. Mai, Y. Nakagawa, R. Akaishi, Y. Kurokawa, and N. Usami

    10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells 

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    開催年月日： 2018年4月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Sendai, Miyagi, Japan   国名：日本国  

  231. Development of spin-coated copper iodide film on silicon for use in hole-selective contacts 国際会議

    Kazuhiro Gotoh, Min Cui, Isao Takahashi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    SiliconPV 2018 

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    開催年月日： 2018年3月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Lausanne, Switzerland   国名：スイス連邦  

  232. Voc、IscマッピングによるRib型Si太陽電池の評価

    小長井誠、市川幸美、黒川康良

    第65回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2018年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：早稲田大学、東京   国名：日本国  

  233. マイクロテクスチャガラス上へのBaSi2薄膜の作製と光学評価

    中川　慶彦，Robin Vismara, 後藤　和泰, 黒川　康良, Olindo Isabella,宇佐美　徳隆

    第65回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2018年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：早稲田大学、東京   国名：日本国  

  234. PECVD法を用いたシリコン量子ドット積層構造作製におけるバリア層の構造・光学特性評価

    赤石 龍士郎，北沢 宏平, 小野 聖, 加藤 慎也, 後藤 和泰, 宇佐美 徳隆, 黒川 康良

    第65回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2018年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：早稲田大学、東京   国名：日本国  

  235. 高誘電率材料を用いたSiナノワイヤMOSキャパシタの特性評価

    根笹良太, 黒川康良 宇佐美徳隆

    第65回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2018年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：早稲田大学、東京   国名：日本国  

  236. 障壁高さのSi量子ドット太陽電池へ与える影響

    北沢宏平、赤石龍士郎、小野聖、宇佐美徳隆、黒川康良

    第2回フロンティア太陽電池セミナー 

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    開催年月日： 2017年11月 - 2017年12月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：金沢大学、金沢   国名：日本国  

  237. Alternative Simple Method to Realize P-Type BaSi2 Thin Films for Si Heterojunction Solar Cells Application 国際会議

    Kazuma Takahashi , Yoshihiko Nakagawa, Kosuke Hara, Isao Takahashi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    2017 MRS Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日： 2017年11月 - 2017年12月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Hynes Convension Center, Boston, USA   国名：アメリカ合衆国  

  238. Performance Improvement of Silicon Nanowire Based Solar Cells Using Al2O3/TiO2 Passivation Films 国際会議

    Yasuyoshi Kurokawa, Ryota Nezasa, Shinya Kato, Hisashi Miyazaki, Isao Takahashi, Noritaka Usami

    2017 MRS Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日： 2017年11月 - 2017年12月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Hynes Convension Center, Boston, USA   国名：アメリカ合衆国  

  239. Surface Passivation Quality of Atomic Layer Deposited TiO2 Thin Layer for Carrier Selective Contact on Crystalline Silicon 国際会議

    Takeya Mochizuki , Kazuhiro Gotoh, Isao Takahashi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    2017 MRS Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日： 2017年11月 - 2017年12月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Hynes Convension Center, Boston, USA   国名：アメリカ合衆国  

  240. INFLUENCE OF BARRIER LAYER'S HEIGHT ON THE PERFORMANCE OF Si QUANTUM DOTS SOLAR CELLS 国際会議

    K. Kitazawa, R. Akaishi, S. Ono, I. Takahashi, N. Usami, and Y. Kurokawa

    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日： 2017年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Otsu   国名：日本国  

  241. FABRICATION OF LIGHT TRAPPING STRUCTURE BY SELECTIVE ETCHING OF THIN Si SUBSTRATES MASKED WITH A Ge DOTS LAYER 国際会議

    A. Hombe, Y. Kurokawa, S. Akagi, Y. Yamamoto, D. Yurasov, A. Novikov, and Noritaka Usami

    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日： 2017年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Otsu   国名：日本国  

  242. MODULATION OF DEPOSITION TEMPERATURE OF TIO2 FOR PASSIVATIING ELECTRON SELECTIVE CONTACT FOR SILICON HETEROJUNTION SOLAR CELL 国際会議

    T. Mochizuki, K. Gotoh, I. Takahashi, Y. Kurokawa, and N. Usami

    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日： 2017年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Otsu   国名：日本国  

  243. INVESTIGATION OF EFFECTIVE LIGHT TRAPPING STRUCTURE WITH SUB-MICRON SIZE FOR CRYSTALLINE SILICON THIN FILM SOLAR CELLS 国際会議

    M. Sei, Y. Kurokawa, I. Takahashi, and N. Usami

    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日： 2017年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Otsu   国名：日本国  

  244. FABRICATION OF SILICON HETEROJUNCTION SOLAR CELLS WITH BARIUM DISILICIDE THIN FILMS PREPARATED BY THERMAL EVAPORATION 国際会議

    K. Takahashi, Y. Nakagawa, K. Goto, K. O. Hara, I. Takahashi, Y. Kurokawa, and N. Usami

    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日： 2017年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Otsu   国名：日本国  

  245. FABRICATION OF COPPER IODIDE BY 2-STEP METHOD AS HOLE SELECTIVE CONTACT FOR CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELL -A POTENTIAL ALTERNATIVE TO AMORPHOUS SILICON HETEROJUNCTION- 国際会議

    M. Cui, K. Gotoh, I. Takahashi, Y. Kurokawa, and N. Usami

    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日： 2017年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Otsu   国名：日本国  

  246. FORMATION OF BLACK SILICON USING THE SIGE SELF-ASSEMBLED ISLANDS AS A MASK FOR SELECTIVE ETCHING 国際会議

    Y. Ota, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, A. Novikov, M. Shaleev, D. Yurasov, N. Baidakova, E. Morozova, E. Skorokhodov, and V. Verbus

    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 

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    開催年月日： 2017年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Otsu   国名：日本国  

  247. p型BaSi2/n型テクスチャ構造Si太陽電池の太陽電池特性評価

    藤原道信、高橋一真、中川慶彦、後藤和泰、高橋勲、黒川康良、宇佐美徳隆

    第5回応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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    開催年月日： 2017年10月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  248. Si基板上へのSiGe層の高速エピタキシャル成長に向けて

    深見昌吾、増田翔太、本部惇史、中川慶彦、後藤和泰、黒川康良、ダムリン マルワン、宇佐美徳隆

    第5回応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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    開催年月日： 2017年10月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  249. ガラス基板上へのBaSi2/TiO₂膜ヘテロ構造の作製と評価

    中川慶彦、望月健矢、後藤和泰、黒川康良、宇佐美徳隆

    第5回応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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    開催年月日： 2017年10月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  250. Effect of sputtered a-Si on effective carrier lifetime of c-Si with ultra-thin SiO2 structure 国際会議

    K. Gotoh, I. Takahashi, Y. Kurokawa, and N. Usami

    33rd European PV Solar Energy Conference and Exhibition 

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    開催年月日： 2017年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Amsterdam, The Netherlands   国名：オランダ王国  

  251. Fabrication of a Si Nanowire MOS Capacitor for the Application to Energy Storage Devices 国際会議

    R. Nezasa, Y. Kurokawa, and N. Usami

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017) 

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    開催年月日： 2017年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Sandai, Miyagi, Japan   国名：日本国  

  252. 単層Geドットマスクを用いた選択エッチングによる結晶Si太陽電池用光閉じ込め構造の薄型基板への作製

    本部惇史、黒川康良、赤木成明、山本裕三、宇佐美徳隆

    第78回 応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2017年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：福岡国際会議場、福岡   国名：日本国  

  253. ヘテロ接合型Si系太陽電池の新規正孔選択輸送層p型Cuｌの熱安定性

    崔敏、後藤和泰、髙橋勲、黒川康良、宇佐美徳隆

    第78回 応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2017年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：福岡国際会議場、福岡   国名：日本国  

  254. ヘテロ接合型Si系太陽電池の新規正孔選択輸送層p型Culの作製と評価

    崔敏、後藤和泰、髙橋勲、黒川康良、中村京太郎、大下祥雄、宇佐美徳隆

    第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2017年7月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  255. BaSi2蒸着膜中の酸素濃度低減と結晶配向への影響

    本部惇史、黒川康良、赤木成明、山本裕三、宇佐美徳隆

    第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2017年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  256. p型BaSi2/n型テクスチャSiのダイオード特性評価

    藤原道信、高橋一真、中川慶彦、後藤和泰、髙橋勲、黒川康良、宇佐美徳隆

    第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2017年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  257. ｐ型BaSi2薄膜を用いたヘテロ接合型Si太陽電池の作製

    高橋一真、中川慶彦、原康祐、髙橋勲、黒川康良、宇佐美徳隆

    第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2017年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  258. BaSi2蒸着膜のa-Si被膜による表面酸化抑制

    原康祐、Cham Thi Trinh、 黒川康良、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆

    第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2017年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  259. 大容量蓄電デバイス応用に向けたSiナノワイヤMOSキャパシタの作製

    根笹良太、黒川康良、宇佐美徳隆

    第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  260. Geドットマスクを利用して作製した新型光閉じ込め構造への原子層堆積法によるアルミナパッシベーション

    太田湧士、本部惇史、黒川康良、後藤和泰、髙橋勲、宇佐美徳隆

    第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2017年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  261. キャリア選択接合層応用に向けたNbドープTiO₂薄膜の作製と物性評価

    望月健矢、後藤和泰、髙橋勲、黒川康良、宇佐美徳隆

    第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  262. Geドットマスクを用いたアンモニア溶液エッチングによる太陽電池用新規光閉じ込め構造の開発

    本部惇史、黒川康良、Dmitriｊ Yuasov, Alexey Novikov, 宇佐美徳隆

    第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2017年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  263. FDTD法を用いたシリコンナノワイヤ構造の光散乱シミュレーション

    清美樹、黒川康良、髙橋勲、宇佐美徳隆

    第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2017年7月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：名古屋大学、名古屋   国名：日本国  

  264. BaSi2/Si heterostructures for photovoltaic applications 招待有り 国際会議

    N. Usami, K. Takahashi, J. A. Wibowo, Y. Nakagawa, and Y. Kurokawa

    European Materials Research Society 2017 Spring Meeting 

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    開催年月日： 2017年5月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Strasbourg, France   国名：フランス共和国  

  265. Toward bandgap widening of BaSi2 by carbon substitution using 3C-SiC-on-Si heteroepitaxial wafer 国際会議

    Y. Nakagawa, Y. Kurokawa, and N. Usami

    European Materials Research Society 2017 Spring Meeting 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年5月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Strasbourg, France   国名：フランス共和国  

  266. Realization of p-type BaSi2 by simple thermal evaporation on Si grown by aluminium induced crystallization 国際会議

    J. A. Wibowo, Y. Nakagawa, Y. Kurokawa, and N. Usami

    10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures 

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    開催年月日： 2017年5月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Coventry, UK   国名：オランダ王国  

  267. Development of Spin-coated Copper Iodide Film on Silicon for Use in Hole-selective Contacts 国際会議

    K. Gotoh, M. Cui, I. Takahashi, Y. Kurokawa, and N. Usami

    7th Internationl Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics 

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    開催年月日： 2017年4月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Freiburg, Germany   国名：ドイツ連邦共和国  

  268. 3C-SiC 膜上に成長したBaSi2 膜の結晶構造の評価

    中川慶彦、黒川康良、宇佐美徳隆

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2017年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：パシフィコ横浜   国名：日本国  

  269. BaSi2蒸着膜中の酸素不純物に関する調査

    原康祐、山本千綾、山中淳二、有元圭介、中川清和、黒川康良、宇佐美徳隆

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：パシフィコ横浜   国名：日本国  

  270. テクスチャSi上に真空蒸着法で形成したBaSi₂薄膜の評価

    藤原道信、高橋一真、中川慶彦、後藤和泰、黒川康良、宇佐美徳隆

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2017年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：パシフィコ横浜   国名：日本国  

  271. スピンコート法で作製したCuIのヘテロ接合型太陽電池のホール選択層への検討

    後藤和泰、崔敏、高橋勲、黒川康良、宇佐美徳隆

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：パシフィコ横浜   国名：日本国  

  272. Siヘテロ接合太陽電池応用に向けたp型BaSi₂の作製技術開発

    高橋一真、中川慶彦、原康祐、黒川康良、宇佐美徳隆

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2017年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：パシフィコ横浜   国名：日本国  

  273. 真空蒸着法により作製したa-Si/BaSi2の接触抵抗低減効果

    須原貴道、中川慶彦、原康祐、黒川康良、末益崇、宇佐美徳隆

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2017年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：パシフィコ横浜   国名：日本国  

  274. Surface Morphology of Light Trapping Structure for Si Crystalline Thin Film Solar Cells formed using a Ge(Si) Dot Mask Grown by SS MBE 国際会議

    A. Hombe, Y. Kurokawa, D. V. Yurasov, M. V. Shaleev, E. E. Morozova, A. V. Novikov, and N. Usami

    XXI International symposium "Nanophysics & Nanoelectronics" 

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    開催年月日： 2017年3月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Nizhny Novgorod, Russia   国名：日本国  

  275. シリコン系材料を利用した次世代太陽電池の開発

    黒川　康良

    第60回サイエンスカフェ講演会 

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    開催年月日： 2017年2月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    国名：日本国  

  276. Zn3P2/BaSi2ヘテロ接合太陽電池に向けたダイオード特性評価

    高橋一真、勝部涼司、黒川康良、野瀬嘉太郎、宇佐美徳隆

    第1回フロンティア太陽電池セミナー 

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    開催年月日： 2016年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：京都大学化学研究所   国名：日本国  

  277. シリコン系太陽電池の未来技術 招待有り

    黒川康良

    第1回フロンティア太陽電池セミナー 

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    開催年月日： 2016年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：京都大学化学研究所   国名：日本国  

  278. 薄膜Si太陽電池応用のための新規光閉じ込め構造に関する光学シミュレーション 国際会議

    清美樹, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第１回フロンティア太陽電池セミナー 

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    開催年月日： 2016年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：京都大学化学研究所   国名：日本国  

  279. Effect of Surface Morphology Randomness on Optical Properties of Si-based Photonic Nanostructures 国際会議

    Y. Kurokawa, O. Aonuma, T. Tayagaki, I. Takahashi, N. Usami

    26th International Photovoltaic Solar Energy Conference (PVSEC-26) 

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    開催年月日： 2016年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Singapore   国名：日本国  

  280. Geometry control of silicon-based photonic nanostructures by modulated stacking conditions of germanium dots 国際会議

    D. Furuta, O. Aonuma, Y. Kurokawa, N. Usami

    26th International Photovoltaic Solar Energy Conference (PVSEC-26) 

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    開催年月日： 2016年10月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    国名：日本国  

  281. Optical characterization of double-side textures using photonic nanostructures for thin-wafer c-Si solar cells 国際会議

    T.Tayagaki, D. Furuta, O. Aonuma, I. Takahashi, Y.Hoshi, Y. Kurokawa, and N.Usami

    SSDM 2016 

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    開催年月日： 2016年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  282. Bandgap Tuning of Silicon Nanowire Arrays for the Application to All Silicon Tandem Solar Cells 国際会議

    Y. Kurokawa, M. Yano, S. Miyajima, A. Yamada

    SSDM2016  

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    開催年月日： 2016年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  283. Siヘテロ接合太陽電池におけるホール選択層としてのBaSi2の検討

    高橋一真、中川慶彦、原康祐、黒川康良、宇佐美徳隆

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2016年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：朱鷺メッセ、新潟   国名：日本国  

  284. 固体ソースMBE法で作製した単層Geドットマスクを用いた結晶Si太陽電池用光閉じ込め構造の表面形態

    本部惇史、黒川康良、Dmitrij Yuasov、Alexey Novikov、宇佐美徳隆

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：朱鷺メッセ、新潟   国名：日本国  

  285. 単一原料の蒸着によるa-Si/BaSi₂積層構造の作製

    原康祐、Cham Thi Trinh、黒川康良、有元圭介、山中淳二、中川清和

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：朱鷺メッセ、新潟   国名：日本国  

  286. Novel light trapping structure by alkaline etching using a Ge dot mask for crystalline Si solar cells 国際会議

    A.Hombe, Y.Kurokawa, and N.Usami

    IEEE Nano2016 

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    開催年月日： 2016年8月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  287. 太陽光発電技術の現状と課題

    黒川康良

    （公財）科学技術交流財団 第１回「低炭素社会実現のための 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会」 

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    開催年月日： 2016年8月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：名古屋大学   国名：日本国  

  288. Proposal of a Method to Realize BaSi₂ Thin Films with Uniform Orientation using Reactivity of Excessive Ba in the Film and Si Substrate in Vacuum Evaporation 国際会議

    Y. Nakagawa, C. T. Trinh, K. O. Hara, Y. Kurokawa, T. Suemasu and N. Usami

    APAC Silicide 2016 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年7月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  289. Preferred Orientation of BaSi2 Thin Films Fabricated by Thermal Evaporation 国際会議

    K. O. Hara, C. T. Trinh, Y. Nakagawa, Y. Kurokawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, and N. Usami

    APAC Silicide 2016 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年7月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    国名：日本国  

  290. Post-annealing Effects on BaSi2 Evaporated Films Grown on Si Substrates 国際会議

    T. Suhara, K. Murata, A. Navabi, K. O. Hara, Y. Nakagawa, C. T. Trinh, Y. Kurokawa, T. Suemasu, K. L. Wang, and N. Usami

    APAC Silicide 2016 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年7月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  291. Investigation of p-type Emitter Layer Materials for Heterojunction Barium Silicide Thin Film Solar Cells 国際会議

    K. Takahashi, Y. Nakagawa, K. O. Hara, Y. Kurokawa, and N. Usami

    APAC Silicide 2016 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年7月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Fukuoka, Japan   国名：日本国  

  292. Effects of Luminescent Coupling in Perovskite/c-Si Multijunction Solar Cells with Nanostructured Interlayer 国際会議

    T.Tayagaki, Y.Kurokawa, and N.Usami

    32nd EUPVSEC 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    国名：ドイツ連邦共和国  

  293. 太陽光発電技術の現状と課題

    黒川康良

    （公財）科学技術交流財団 第１回「半導体による太陽光―水素エネルギー変換技術研究会」 

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    開催年月日： 2016年6月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：名古屋工業大学   国名：日本国  

  294. Application of New Doping Techniques to Solar Cells for Low Temperature Fabrication 国際会議

    I.Takahashi, Y.Kurokawa, and N.Usami

    43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference 

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    開催年月日： 2016年6月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：アメリカ合衆国  

  295. Control of the Electrical Properties of BaSi2 Evaporated Films for Solar Cell Applications 国際会議

    K. O. Hara, C. T. Trinh, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, Y. Kurokawa, T. Suemasu, and N. Usami

    43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年6月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：アメリカ合衆国  

  296. トコトンやさしい太陽電池デバイスシミュレーション

    黒川　康良

    第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年5月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（基調）  

    開催地：アオーレ長岡   国名：日本国  

  297. フォトニックナノ構造とMetal AssistedChemical Etchingを用いた新規光閉じ込め構造の作製と光学特性 国際会議

    清美樹, 黒川康良, 宇佐美徳隆

    第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年5月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：アオーレ長岡   国名：日本国  

  298. 高性能結晶シリコン太陽電池の実現に向けた新規ヘテロ接合用材料と高品質シリコン結晶に関する研究

    宇佐美徳隆、高橋勲、黒川康良、中塚理

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2016年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学   国名：日本国  

  299. MACES法で作製したシリコンナノワイヤの細線化

    矢野貢、黒川康良、宮島晋介、山田明

    第63回応用物理学会春季学術講演会  

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学   国名：日本国  

  300. シリコンナノワイヤ太陽電池のキャリア収集特性の改善

    加藤慎也、阿部祐介、白柳 裕介、黒川康良、宮島晋介、小長井誠

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学   国名：日本国  

  301. 単層Geドットマスクを用いたアルカリエッチングによる結晶Si太陽電池用新規光閉じ込め構造

    本部惇史、黒川康良、宇佐美徳隆

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学   国名：日本国  

  302. 表面形状のランダムネスを有するフォトニックナノ構造の光学特性解析

    青沼理、黒川康良、太野垣健、宇佐美徳隆

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2016年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学   国名：日本国  

  303. Geドット積層条件の変調によるフォトニックナノ構造の形状制御

    古田大知、青沼理、黒川康良、宇佐美徳隆

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学   国名：日本国  

  304. フォトニックナノ構造とMetal Assisted Chemical Etching 法を用いた新規光閉じ込め構造の作製

    清美樹、黒川康良、宇佐美 徳隆

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学   国名：日本国  

  305. 高速成膜によるBaSi₂蒸着膜の構造・特性変化

    原康祐、Trinh Thi Cham、⿊川康良、有元圭介、山中 淳⼆、中川清和、末益崇、宇佐美徳隆

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日： 2016年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学   国名：日本国  

  306. アンドープBaSi₂蒸着膜へのポストアニール効果

    須原貴道、村田晃⼀、Navabi Aryan、Che Xiaoyu、中川慶彦、原康祐、黒川康良、末益崇、Wang Kang、宇佐美徳隆

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京工業大学   国名：日本国  

  307. BaSi₂薄膜太陽電池におけるp型エミッタ層材料の探索

    高橋一真、中川慶彦、原康祐、黒川康良、宇佐美徳隆

    第63回応用物理学会春季学術講演会  

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  308. Silicon nanowire solar cells for the application to the next generation photovoltaics 国際会議

    Yasuyoshi Kurokawa

    11th China SoG Silicon and PV Power Conference (11th CSPV) 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2015年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    国名：日本国  

  309. 水素プラズマ処理による多結晶シリコンナノワイヤ薄膜の欠陥密度とキャリアライフタイムへの影響

    加藤慎也,山崎竜也,黒川 康良,宮島晋介,小長井誠

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2015年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋国際会議場   国名：日本国  

  310. 真空蒸着法で作製したBaSi₂膜の面方位の形成メカニズムの検討

    中川慶彦、原康祐、黒川康良、末益崇、宇佐美徳隆

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2015年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋国際会議場   国名：日本国  

  311. シリコンナノ構造を利用した次世代太陽電池の開発

    黒川康良

    日本真空学会　機能薄膜部会　ナノ構造機能創成専門部会　第３回研究会　＜薄膜ナノ構造制御と機能性の創成＞ 

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    開催年月日： 2015年6月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：東京工業大学   国名：日本国  

  312. シリコンナノワイヤの細線化とバンドギャップ評価

    矢野貢,黒川康良,宮島晋介,山田明

    第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

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    開催年月日： 2015年5月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：郡山市 ホテル華の湯   国名：日本国  

  313. シリコンナノワイヤ/Al2O3薄膜のキャリアライフタイムのアニール温度依存性評価

    加藤慎也, 山崎竜也, 黒川康良, 宮島晋介, 小長井誠

    第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2015年5月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：郡山市 ホテル華の湯   国名：日本国  

  314. 量子ナノ構造を利用したシリコン系太陽電池

    黒川康良

    名古屋大学シリコンフロンティア研究会シンポジウム 

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    開催年月日： 2015年4月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名古屋大学フロンティアプラザ   国名：日本国  

  315. Theoretical and experimental investigation of the recombination reduction at surface and grain boundaries in Cu(In,Ga)Se2 solar cells by valence band control 国際会議

    T.Nishimura, Y.Hirai, Y.Kurokawa and A.Yamada

    2015 MRS Spring Meeting & Exhibit 

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    開催年月日： 2015年4月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  316. Fukushima recovery PV project 国際会議

    Makoto Konagai, Yasuyoshi Kurokawa

    Singapore-Japan Joint Workshop on Photovoltaics 2014 

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    開催年月日： 2014年12月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    国名：シンガポール共和国  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 14

  1. セキュアでユビキタスな資源・エネルギー共創拠点

    2022年11月 - 現在

    科学技術振興機構  共創の場形成支援プログラム　COI-NEXT 

    黒川　康良

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    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

  2. 実用化に資するプロセスで創出するリチウムイオン電池の結晶シリコン負極の開発 国際共著

    2022年9月 - 2023年9月

    国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構  官民による若手研究者発掘支援事業／マッチングサポートフェーズ(環境・エネルギー分野) 

    黒川康良

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    担当区分：研究分担者  資金種別：競争的資金

  3. 元素戦略上優位なシリコン系ナノ材料を利用した高効率オールシリコンンタンデム太陽電池の開発

    2016年10月 - 2019年3月

    科学技術振興機構  先端的低炭素化技術開発　ALCA 

    黒川　康良

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    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

  4. 量子ナノ構造を利用した新型高効率シリコン系太陽電池の開発

    2011年10月 - 2017年3月

    さきがけ 「太陽光と光電変換機能」 

    黒川　康良

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    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

  5. 超高効率モジュール技術開発／超高効率多段接合モジュール開発 国際共著

    2020年10月 - 現在

    太陽光発電主力電源化推進技術開発／太陽光発電の新市場創造技術開発／移動体用太陽電池の研究開発 

    黒川康良

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    担当区分：研究分担者  資金種別：競争的資金

    配分額：9064825円 （ 直接経費：7882825円 、 間接経費：1182000円 ）

  6. 太陽電池セル、モジュールの共通基盤技術開発/先端複合技術シリコン太陽電池プロセス共通基盤に関する研究開発 国際共著

    2016年10月 - 2020年3月

    高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 

    黒川康良

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    担当区分：その他  資金種別：競争的資金

  7. 低炭素社会実現のための太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会

    2016年4月 - 2018年3月

    研究会事業 

    黒川康良

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    担当区分：研究代表者  資金種別：その他

  8. 光とキャリアを完全利用するナノ構造体・結晶シリコン融合太陽電池

    2015年4月 - 2017年3月

    独立行政法人科学技術振興機構  先端的低炭素化技術開発　ALCA 

    黒川　康良

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    担当区分：研究分担者  資金種別：競争的資金

  9. シリサイド半導体pn接合によるSiベース薄膜結晶太陽電池

    2015年4月 - 2016年3月

    独立行政法人科学技術振興機構  戦略的創造研究推進事業　CREST 

    黒川　康良

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    担当区分：研究分担者  資金種別：競争的資金

  10. CZTS薄膜太陽電池の高効率化技術の研究開発 国際共著

    2012年10月 - 2015年3月

    太陽エネルギー技術研究開発　太陽光発電システム次世代高性能技術の開発 

    黒川康良

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    担当区分：研究分担者  資金種別：競争的資金

  11. 非真空プロセスによる未来型化合物薄膜太陽電池の高性能化技術開発

    2011年11月 - 2015年3月

    独立行政法人科学技術振興機構  先端的低炭素化技術開発　ALCA 

    黒川　康良

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    担当区分：研究分担者  資金種別：競争的資金

  12. 量子効果トップセル

    2011年10月 - 2017年3月

    革新的次世代エネルギー研究開発拠点事業 

    黒川　康良

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    担当区分：連携研究者  資金種別：競争的資金

  13. 表面凹凸構造制御・高ヘイズZnO透明導電膜を用いた高効率アモルファスシリコン太陽電池の研究開発 国際共著

    2010年10月 - 2015年3月

    次世代多接合薄膜シリコン太陽電池の産学官協力体制による研究開発 

    黒川康良

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    担当区分：研究分担者  資金種別：競争的資金

  14. 低倍率集光型薄膜フルスペクトル太陽電池の研究開発 国際共著

    2008年10月 - 2015年3月

    新エネルギー技術研究開発革新的太陽光発電技術研究開発 

    小長井誠

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    担当区分：その他  資金種別：競争的資金

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共同研究・競争的資金等の研究課題の先頭へ▲

科研費 7

  1. 水素プラズマ処理による高品質シリコン量子ドット発電層の創製

    研究課題/研究課題番号：20K05075  2020年4月 - 2023年3月

    独立行政法人日本学術振興会  科学研究費補助金   基盤研究(C)

    黒川 康良

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    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

    配分額：4420000円 （ 直接経費：3400000円 、 間接経費：1020000円 ）

    本研究では，次世代の太陽電池材料として注目されるシリコン量子ドット積層膜を高品質化するアプローチとして，水素プラズマ処理を採用する．シリコン量子ドット積層膜を水素プラズマに曝露することで，水素が膜中にどのように入っていき，拡散し，シリコン原子と結合を形成するか多角的な評価手法により解明する．これにより，水素が効率的にシリコン量子ドット積層膜中の欠陥を終端する条件を見出す．最終的にはシミュレーションにて太陽電池の高変換効率が得られている1e16cm-3台の欠陥密度を目指す．

  2. シリコンベース化合物半導体の機能コアを利用した新規高性能薄膜太陽電池構造の開発

    研究課題/研究課題番号：20H05187  2020年4月 - 2022年3月

    独立行政法人日本学術振興会  科学研究費補助金   新学術領域研究(研究領域提案型)

    黒川 康良

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    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

    配分額：5980000円 （ 直接経費：4600000円 、 間接経費：1380000円 ）

    本研究では，シリコンベース化合物半導体中の点欠陥や粒界を機能コアとして利用することにより，新しい高性能な薄膜太陽電池材料を開発する．この材料は熱処理温度を変化させるだけで，p型半導体とn型半導体のいずれにも変化させることが可能であることがわかっている．熱処理時に形成する点欠陥や粒界がキャリア生成に寄与していると考えられるが，その詳細は不明である．このような機能コアによるキャリア生成メカニズムを解明するため，格子欠陥や粒界の構造と機能に関して多角的な測定を行う．これにより得られた知見を利用し，キャリア濃度を最適値に制御し，太陽電池構造の作製を試み，高性能化につながる知見を得る．

  3. シリコンナノワイヤアレイを用いた革新的大容量蓄電デバイスの開発

    研究課題/研究課題番号：16K14546  2016年4月 - 2019年3月

    独立行政法人日本学術振興会  科学研究費補助金  挑戦的萌芽研究

    黒川 康良

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    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

    配分額：3770000円 （ 直接経費：2900000円 、 間接経費：870000円 ）

    Metal assisted chemical etching法により作製したシリコンナノワイヤ（SiNW）アレイと原子層堆積法による誘電膜を組み合わせることで、新規大容量蓄電デバイスの開発を行った。高誘電率および低リーク電流をねらい、Al2O3/TiO2/Al2O3（ATA）積層膜を用い、SiNW MOSキャパシタ構造を作製した。透過電子顕微鏡像からATA積層膜の各層の膜厚が3.7nm/15.2nm/3.6nmであることがわかり，ATAはSiNW表面を完全に被覆していることを確認した。C-V特性より、長さ8μmで84μF/cm2の静電容量を得ることができ、これまでにない大容量化に成功した。
    Siナノワイヤ(SiNW) MOSキャパシタは、3次元ナノ構造の非常に大きな表面積を利用することにより、平板のMOSキャパシタと比べて大きな静電容量を得ることができる。また、電解液を使用しないため、長寿命・メンテナンスフリーである。しかし、作製方法の問題から最大で18μF/cm2の静電容量に留まっていた。本研究にて新たに高誘電率および低リーク電流をねらったAl2O3/TiO2/Al2O3（ATA）積層膜をSiNW MOSキャパシタに導入し、84μF/cm2のこれまでにない高い静電容量を得ることができた。金属電極構造の最適化によりさらなる大容量化が可能であり、実用化に近づく大きな成果である。

  4. Si量子ナノワイヤーを用いた革新的太陽電池の研究

    研究課題/研究課題番号：24656203  2012年4月 - 2014年3月

    独立行政法人日本学術振興会  科学研究費補助金  挑戦的萌芽研究

    黒川康良

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    担当区分：研究分担者  資金種別：競争的資金

  5. ナノ粒子を用いた高効率カルコパイライト系太陽電池の研究

    研究課題/研究課題番号：22360006  2010年4月 - 2013年3月

    独立行政法人日本学術振興会  科学研究費補助金  基盤研究(B)

    黒川康良

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    担当区分：研究分担者  資金種別：競争的資金

  6. シリコン量子ワイヤを用いた次世代太陽電池材料の開発

    研究課題/研究課題番号：22860022  2010年4月 - 2012年3月

    独立行政法人日本学術振興会  科学研究費補助金  研究活動スタート支援

    黒川康良

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    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

  7. シリコン量子ドット超格子構造を用いた次世代太陽電池の作製

    研究課題/研究課題番号：07J10348  2007年4月 - 2009年3月

    独立行政法人日本学術振興会  科学研究費補助金  特別研究員奨励費（DC1）

    黒川康良

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    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

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科研費の先頭へ▲

産業財産権 4

  1. 積層構造体、キャリア選択層、太陽電池および積層構造体の製造方法

    宇佐美徳隆、水谷和嗣、黒川康良、後藤和泰、立花福久

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    出願人：国立大学法人東海国立大学機構

    出願番号：特願2024-107457  出願日：2024年7月

    出願国：国内   取得国：国内

  2. 発電素子

    宇佐美徳隆、天野浩、王海涛、王嘉、黒川康良

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    出願人：国立大学法人東海国立大学機構

    出願番号：特願2023-186908  出願日：2023年10月

    出願国：国内   取得国：国内

  3. 光吸収体

    黒川康良

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    出願人：国立大学法人名古屋大学

    出願番号：特願2017-70019  出願日：2017年3月

    公開番号：特開2018-173462  公開日：2018年11月

    出願国：国内   取得国：国内

  4. 太陽電池およびその製造方法

    山田明, 黒川康良, 加藤　慎也, 太田最実, 丹羽勇介, 福本貴文

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    出願人：山田明, 黒川康良, 加藤　慎也, 太田最実, 丹羽勇介, 福本貴文

    出願番号：特願2012-127359  出願日：2012年6月

    公開番号：特開2013-016787 

    特許番号/登録番号：JP-2011128544  登録日：2013年1月 

    出願国：国内  

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担当経験のある科目 (本学) 96

  1. マテリアル工学演習

    2023

  2. 卒業研究B

    2023

  3. 卒業研究A

    2023

  4. 学生実験２

    2023

  5. プロダクト開発実習II

    2023

  6. プロダクト開発実習 I

    2023

  7. 先端マテリアル工学概論１

    2023

  8. 先端マテリアル工学概論１

    2021

  9. 学生実験１

    2021

  10. プロダクト開発実習 I

    2021

  11. マテリアル工学概論

    2021

  12. マテリアル工学演習

    2021

  13. 卒業研究B

    2021

  14. 卒業研究A

    2021

  15. 学生実験２

    2021

  16. プロダクト開発実習II

    2021

  17. 材料工学実験基礎

    2021

  18. 化学工学序論

    2021

  19. 物理化学実験

    2021

  20. 物質創製工学セミナー１A

    2020

  21. プロダクト開発実習 I

    2020

  22. 先端マテリアル工学概論１

    2020

  23. 物質創製工学セミナー１B

    2020

  24. 化学工学序論

    2020

  25. 物理化学実験

    2020

  26. 材料工学実験基礎

    2020

  27. 機能材料学

    2020

  28. 材料物性学

    2020

  29. 固体電子論

    2020

  30. マテリアル工学概論

    2020

  31. 材料機能物性学

    2020

  32. 学生実験１

    2020

  33. マテリアル固体物理２及び演習

    2020

  34. マテリアル固体物理１

    2020

  35. 機能材料プロセス

    2020

  36. 学生実験２

    2020

  37. プロダクト開発実習II

    2020

  38. 物質創製工学セミナー１C

    2020

  39. 物質創製工学セミナー１D

    2020

  40. 物質創製工学セミナー2A

    2020

  41. 物質創製工学セミナー2B

    2020

  42. 物質創製工学特別実験及び演習1

    2020

  43. 物質創製工学特別実験及び演習2

    2020

  44. 物質創製工学セミナー2E

    2020

  45. マテリアル工学演習

    2020

  46. 卒業研究B

    2020

  47. 卒業研究A

    2020

  48. 材料機能物性学

    2019

  49. 先端マテリアル工学概論１

    2019

  50. プロダクト開発実習

    2019

  51. マテリアル固体物理2および演習

    2019

  52. マテリアル固体物理１

    2019

  53. マテリアル工学科概論

    2019

  54. 学生実験第２

    2019

  55. 学生実験第１

    2019

  56. 物質プロセス工学セミナー1のA,C

    2019

  57. 物質プロセス工学セミナー1のB,D

    2019

  58. プロダクト開発実習

    2019

  59. 物質プロセス工学セミナー1のA,C

    2018

  60. マテリアル固体物理2および演習

    2018

  61. マテリアル工学科概論

    2018

  62. 材料工学実験および演習１

    2018

  63. 機能材料プロセス

    2018

  64. マテリアル固体物理１

    2018

  65. 材料工学実験および演習２

    2018

  66. 物質プロセス工学セミナー1のB,D

    2018

  67. 先端マテリアル工学概論１

    2018

  68. 先進モビリティ学

    2018

  69. 材料工学実験基礎

    2017

  70. 物質プロセス工学セミナー1のB,D

    2017

  71. 物質プロセス工学セミナー1のA,C

    2017

  72. 機能材料プロセス

    2017

  73. 基礎セミナーA

    2017

  74. 数学１および演習

    2017

  75. 材料工学実験および演習１

    2017

  76. 材料工学実験および演習２

    2017

  77. 材料工学序論

    2017

  78. マテリアル工学科概論

    2017

  79. 半導体結晶工学特論

    2016

  80. マテリアル工学１

    2016

  81. 基礎セミナーA

    2016

  82. 数学１および演習

    2016

  83. 材料工学実験および演習１

    2016

  84. 材料工学序論

    2016

  85. 物理工学科概論

    2016

  86. フォトニクス材料工学セミナー1のA,C

    2016

  87. フォトニクス材料工学セミナー1のB,D

    2016

  88. 材料工学実験および演習２

    2016

  89. 基礎セミナーA

    2015

  90. フォトニクス材料工学特論

    2015

  91. 材料工学実験基礎

    2015

  92. 材料工学序論

    2015

  93. 物理工学科概論

    2015

  94. フォトニクス材料工学セミナー1のA,C

    2015

  95. フォトニクス材料工学セミナー1のB,D

    2015

  96. 材料工学実験および演習２

    2015

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担当経験のある科目 (本学)の先頭へ▲

担当経験のある科目 (本学以外) 23

  1. 材料生産システム特別講義I

    2019年4月 - 2020年3月 （新潟大学）

  2. 物質創製工学特別実験及び演習2

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：大学院専門科目 

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  3. マテリアル固体物理２及び演習

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：学部専門科目 

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  4. マテリアル工学概論

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：学部専門科目 

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  5. 固体電子論

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：学部専門科目 

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  6. 材料物性学

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：学部専門科目 

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  7. 機能材料学

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：学部専門科目 

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  8. 物質創製工学セミナー2A

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：大学院専門科目 

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  9. 物質創製工学セミナー2B

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：大学院専門科目 

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  10. 物質創製工学セミナー2E

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：大学院専門科目 

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  11. 物質創製工学セミナー１A

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：大学院専門科目 

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  12. 物質創製工学セミナー１B

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：大学院専門科目 

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  13. 物質創製工学セミナー１C

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：大学院専門科目 

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  14. 物質創製工学セミナー１D

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：大学院専門科目 

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  15. 物質創製工学特別実験及び演習1

    2020年 （名古屋大学）

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    科目区分：大学院専門科目 

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  16. 材料生産システム特別講義I

    （新潟大学）

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  17. 材料工学序論

    （名古屋大学）

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  18. プロダクト開発実習

    （名古屋大学）

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  19. 先進モビリティ学

    （名古屋大学）

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  20. 基礎セミナーA

    （名古屋大学）

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  21. 学生実験第１

    （名古屋大学）

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  22. 学生実験第２

    （名古屋大学）

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  23. 数学１および演習

    （名古屋大学）

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担当経験のある科目 (本学以外)の先頭へ▲
 

社会貢献活動 18

  1. 第18回再生可能エネルギー世界展示会＆フォーラム

    役割：情報提供,　実演

    (株)シー・エヌ・ティ  2024年1月 - 2024年2月

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    種別：講演会

    アカデミックブースにて研究内容を展示会参加者にポスターにて説明

  2. 第17回再生可能エネルギー世界展示会＆フォーラム

    役割：情報提供,　実演

    (株)シー・エヌ・ティ  2023年2月

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    種別：講演会

    アカデミックブースにて研究内容を展示会参加者にポスターにて説明

  3. 第16回再生可能エネルギー世界展示会＆フォーラム

    役割：情報提供,　実演

    (株)シー・エヌ・ティ  2022年1月

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    種別：講演会

    アカデミックブースにて研究内容を展示会参加者にポスターにて説明

  4. 名古屋大学博物館サイエンスアカデミー第５回交流会

    役割：情報提供,　実演

    名古屋大学博物館  名古屋大学  2023年12月

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    対象： 中学生,　高校生,　大学生,　大学院生,　教育関係者,　保護者,　研究者,　社会人・一般,　学術団体,　企業

    種別：講演会

    アウトリーチ活動の一環で研究内容の一般公開と情報提供

  5. テクノ・フェア名大2023

    役割：情報提供,　実演

    名古屋大学  名古屋大学  2023年10月

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    対象： 中学生,　高校生,　大学生,　大学院生,　教育関係者,　保護者,　研究者,　社会人・一般,　学術団体,　企業

    種別：講演会

    アウトリーチ活動の一環で研究内容の一般公開と情報提供

  6. 清風南海高等学校研究室見学

    役割：情報提供,　実演

    名古屋大学  名古屋大学  2023年8月

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    対象： 中学生,　高校生,　大学生,　大学院生,　教育関係者,　保護者,　研究者,　社会人・一般,　学術団体,　企業

    種別：講演会

    アウトリーチ活動の一環で研究内容の一般公開と情報提供

  7. シンガポール国立大学短期プログラム研究室見学

    役割：情報提供,　実演

    名古屋大学  名古屋大学  2023年6月

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    対象： 中学生,　高校生,　大学生,　大学院生,　教育関係者,　保護者,　研究者,　社会人・一般,　学術団体,　企業

    種別：講演会

    アウトリーチ活動の一環で研究内容の一般公開と情報提供

  8. テクノ・フェア名大2022

    役割：情報提供

    名古屋大学  名古屋大学  2022年10月

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    対象： 中学生,　高校生,　大学生,　大学院生,　教育関係者,　保護者,　研究者,　社会人・一般,　学術団体,　企業

    種別：その他

    アウトリーチ活動の一環で研究内容の一般公開と情報提供

  9. 静岡県立磐田南高等学校「ミニ大学」

    役割：講師

    静岡県立磐田南高等学校  ナノマテリアルってなんなの？  2019年9月

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    対象： 高校生

    種別：出前授業

  10. 2019年度名古屋大学テクノサイエンスセミナー

    役割：講師,　運営参加・支援

    名古屋大学工学部マテリアル工学科  テクノサイエンスセミナー  2019年8月

  11. テクノ・フェア名大2017

    役割：情報提供

    名古屋大学  名古屋大学  2017年10月

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    対象： 中学生,　高校生,　大学生,　大学院生,　教育関係者,　保護者,　研究者,　社会人・一般,　学術団体,　企業

    種別：その他

    アウトリーチ活動の一環で研究内容の一般公開と情報提供

  12. JST太陽電池キャラバン　太陽電池学で語る未来

    2014年2月

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    「10億分の1mのナノワイヤ革命」という題目で講演

  13. JST主催　中学生のための太陽電池教室

    役割：講師

    JST  2013年9月 - 2014年9月

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    種別：講演会

    太陽光スペクトルと太陽電池の関係について実験を交えて説明

  14. 女子高校生のための研究室ツアー

    2011年10月 - 2013年10月

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    女子高校生に実験室を体験

  15. 「女子中高生 夏の学校 2011 〜科学・技術者のたまごたちへ〜」

    2011年8月

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    女子中高生に対してポスターによる研究説明

  16. 応用物理学会薄膜・表面物理分科会　第39回薄膜・表面物理基礎講座

    2010年11月

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    「第三世代太陽電池研究開発の現状―シリコン量子ドット・ワイヤを用いた新世代太陽電池―」という題目で講演

  17. 静岡県掛川市第16回 環境を考える市民の集い　太陽光発電スクール

    2010年3月

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    小中学生を対象に太陽電池に関する実験

  18. 太陽光発電に関する総合イベント　PV JAPAN

    役割：情報提供,　実演

    2009年 - 2019年

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    アカデミックブースにて研究内容を展示会参加者にポスターにて説明

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メディア報道 22

  1. Scientists fabricate novel electrical component to improve stability of solar cells インターネットメディア

    List Solar  https://list.solar/news/scientists-fabricate/  2022年3月

  2. Study Explores Relationship Between Passivation and Conductivity of Electrical Contact in Solar Cells インターネットメディア

    AZO MATERIALS  https://www.azom.com/news.aspx?newsID=58525  2022年3月

  3. Scientists fabricate novel electrical component to improve stability of solar cells インターネットメディア

    SOLAR DAILY  https://www.solardaily.com/reports/Scientists_fabricate_novel_electrical_component_to_improve_stability_of_solar_cells_999.html?fbclid=IwAR2vHtCu0tgn0ZTpdz4cvkHLFQqvUzAmbV2pGniy-WM5HgOsduQWA-GBNSs  2022年3月

  4. Scientists fabricate novel electrical component to improve stability of solar cells インターネットメディア

    SmartechEnergy  https://smartech.energy/scientists-fabricate-novel-electrical-component-to-improve-stability-of-solar-cells/?utm_source=rss&utm_medium=rss&utm_campaign=scientists-fabricate-novel-electrical-component-to-improve-stability-of-solar-cells  2022年3月

  5. Scientists fabricate novel electrical component to improve stability of solar cells インターネットメディア

    Science X Network  Tech Xplore  https://techxplore.com/news/2022-03-scientists-fabricate-electrical-component-stability.html?fbclid=IwAR19EU6XUF7yGkse3Aac9QwJ9nVdw5_3N-x3ZQNWMfIRrZyMzd3kYZUdWQ0  2022年3月

  6. Scientists fabricate novel electrical component to improve stability of solar cells インターネットメディア

    American Association for the Advancement of Science (AAAS)  EurekAlert!  https://www.eurekalert.org/news-releases/946164  2022年3月

  7. 次世代太陽電池に生かせる、電子通しつつ表面保護する酸化ケイ素膜が生まれた インターネットメディア

    株式会社日刊工業新聞社  ニュースイッチ  https://newswitch.jp/p/30743  2022年2月

  8. 名大ら，導電性の高い酸化シリコン保護膜を実現 インターネットメディア

    (株)オプトロニクス社  OPTRONICS ONLINE  2022年1月

  9. ナノ結晶を電子の通り道とする酸化シリコン保護膜を実現 ～次世代シリコン系太陽電池の開発に期待 インターネットメディア

    BioImpact  日本の研究.com  2022年1月

  10. 財団賞12件　奨励金14件　永井科学技術財団研究助成 新聞・雑誌

    日刊工業新聞  日刊工業新聞  第8面  2021年3月

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    執筆者：本人 

  11. 財団賞の受賞者決定　永井科学技術財団 新聞・雑誌

    中部経済新聞  中部経済新聞  第2面  2021年3月

    　詳細を見る

    執筆者：本人 

  12. 結晶シリコン太陽電池の⾼性能化を実現、名古屋⼤が新材料 インターネットメディア

    ITmedia Inc.  スマートジャパン  2019年1月

  13. 名⼤、シリコン太陽電池で新材料、⾼効率化に期待 インターネットメディア

    日経BP社  日経XTECH  2019年1月

  14. 太陽電池の変換効率、酸化チタンで向上へ 新聞・雑誌

    日本経済新聞  日本経済新聞　朝刊  2019年1月

  15. 【ニュース】名古屋⼤、太陽電池の⾼性能化に有⽤な新材料を開発－ 太陽光発電の普及に期待－ インターネットメディア

    科学技術.com  2018年12月

  16. 【ニュース】名古屋⼤、太陽電池の⾼性能化に有⽤な新材料を開発－ 太陽光発電の普及に期待－ インターネットメディア

    名古屋大学  2018年12月

  17. 探訪・先端研究／ナノワイヤ太陽電池−福島で国際ブランド構築 新聞・雑誌

    日刊工業新聞  日刊工業新聞  24面  2012年5月

  18. 太陽光発電　どれくらい使える？ テレビ・ラジオ番組

    テレビ東京  トコトンハテナ  2011年11月

  19. 東工大がシリコン量子ドット発表 新聞・雑誌

    半導体産業新聞  半導体産業新聞  7面  2010年4月

  20. 東工大、シリコン量子ドット太陽電池の開放電圧で世界最高値を記録 新聞・雑誌

    日刊工業新聞  日刊工業新聞電子版  https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00109322  2010年3月

  21. 【応物学会プレビュー】Si量子ドット太陽電池，東工大が一歩進展 インターネットメディア

    日経BP社  Tech-On！  http://tech.nikkeibp.co.jp/dm/article/NEWS/20100310/180988/  2010年3月

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    執筆者：本人 

  22. 神秘月光虹＆月光発電 テレビ・ラジオ番組

    日本テレビ  所さんの目がテン  2009年9月

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    執筆者：本人 

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学術貢献活動 17

  1. 日本太陽光発電学会　広報委員会 国際学術貢献

    役割：企画立案・運営等

    日本太陽光発電学会  2020年10月 - 現在

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    種別：学会・研究会等 

  2. 第71回応用物理学会春季講演会

    役割：企画立案・運営等,　審査・評価

    応用物理学会  2024年3月

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    種別：学会・研究会等 

  3. 第５回フロンティア太陽電池セミナー

    役割：企画立案・運営等,　パネル司会・セッションチェア等,　審査・評価

    フロンティア太陽電池セミナー実行委員会  2023年12月

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    種別：学会・研究会等 

  4. 第21回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム

    役割：企画立案・運営等,　審査・評価,　査読

    日本太陽光発電学会  2023年12月 - 2024年7月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  5. 第84回応用物理学会秋季講演会

    役割：企画立案・運営等,　パネル司会・セッションチェア等,　審査・評価

    応用物理学会  2023年9月

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    種別：学会・研究会等 

  6. 第35回太陽光発電国際会議組織委員会 国際学術貢献

    役割：企画立案・運営等

    山田明  2023年3月 - 2025年3月

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    種別：学会・研究会等 

  7. 第70回応用物理学会春季講演会

    役割：企画立案・運営等

    応用物理学会  2023年3月

    　詳細を見る

    種別：学会・研究会等 

  8. 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022) 国際学術貢献

    役割：企画立案・運営等,　パネル司会・セッションチェア等,　審査・評価,　査読

    SSDM2022 Organizing committee  2022年9月

    　詳細を見る

    種別：学会・研究会等 

  9. 第83回応用物理学会秋季講演会

    役割：企画立案・運営等

    応用物理学会  2022年9月

    　詳細を見る

    種別：学会・研究会等 

  10. 第69回応用物理学会春季講演会

    役割：パネル司会・セッションチェア等,　審査・評価

    応用物理学会  2022年3月

    　詳細を見る

    種別：学会・研究会等 

  11. 第19回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム

    役割：企画立案・運営等

    日本太陽光発電学会  2021年12月 - 2022年6月

    　詳細を見る

    種別：大会・シンポジウム等 

  12. 第8回太陽光発電世界会議組織委員会 国際学術貢献

    役割：企画立案・運営等

    2021年10月 - 2022年9月

    　詳細を見る

    種別：学会・研究会等 

  13. 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) 国際学術貢献

    役割：企画立案・運営等,　パネル司会・セッションチェア等,　審査・評価,　査読

    SSDM2021 Organizing committee  2021年9月

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    種別：学会・研究会等 

  14. 第33回太陽光発電国際会議組織委員会 国際学術貢献

    役割：企画立案・運営等

    宇佐美徳隆  2021年3月 - 2023年3月

    　詳細を見る

    種別：学会・研究会等 

  15. 第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム

    役割：企画立案・運営等

    日本太陽光発電学会  2020年10月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  16. 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) 国際学術貢献

    役割：企画立案・運営等,　パネル司会・セッションチェア等,　審査・評価,　査読

    SSDM2020 Organizing committee  2020年9月

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    種別：学会・研究会等 

  17. 応用物理学会　機関誌企画・編集委員会

    役割：企画立案・運営等,　査読

    応用物理学会  2019年4月 - 2021年3月

    　詳細を見る

    種別：査読等 

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