産業財産権 - 宇佐美 徳隆
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歪み半導体単結晶の作製方法
宇佐美 徳隆、宇治原 徹、藤原 航三、中嶋 一雄
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Ge系結晶の成長方法、Ge系結晶、Ge系結晶基板及び太陽電池
中嶋 一雄、藤原 航三、宇佐美 徳隆、宇治原 徹、我妻 幸長
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光起電力素子、太陽電池、及び光起電力素子の製造方法
宇佐美 徳隆、中嶋 一雄、宇治原 徹、藤原 航三
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Si薄膜の作製方法
中嶋 一雄、宇佐美 徳隆、宇治原 徹、藤原 航三
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Si系結晶の製造方法
中嶋 一雄、藤原 航三、宇佐美 徳隆、宇治原 徹、我妻 幸長
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結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク予備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法
中嶋 一雄、我妻 幸長、宇佐美 徳隆、藤原 航三、宇治原 徹