産業財産権 - 原田　俊太

３Ｃ－ＳｉＣ単結晶およびその製造方法

宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明

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出願人：名古屋大学

出願番号：2014-532782  出願日：2013年8月

公表番号：WO2014-034080  公表日：2014年3月

出願国：国内  

J-GLOBAL

結晶製造装置、ＳｉＣ単結晶の製造方法およびＳｉＣ単結晶

宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 朱 燦, 長岡 美津也

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出願人：名古屋大学

出願番号：PCT/JP2013/005017  出願日：2013年8月

公開番号：WO 2014/034081 

出願国：外国  

結晶製造装置、ＳｉＣ単結晶の製造方法およびＳｉＣ単結晶

宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 朱 燦, 長岡 美津也

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出願人：名古屋大学

出願番号：14/630,607  出願日：2013年8月

出願国：外国  

結晶製造装置、ＳｉＣ単結晶の製造方法およびＳｉＣ単結晶

宇治原　徹,　原田　俊太,　関　和明,　朱　燦,　長岡　美津也

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出願人：名古屋大学

出願番号：PCT/JP2013/005017  出願日：2013年8月

公開番号：WO 2014/034081 

出願国：外国  

結晶製造装置、ＳｉＣ単結晶の製造方法およびＳｉＣ単結晶

宇治原　徹,　原田　俊太,　関　和明,　朱　燦,　長岡　美津也

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出願人：名古屋大学

出願番号：14/630,607  出願日：2013年8月

出願国：外国  

結晶製造装置、ＳｉＣ単結晶の製造方法およびＳｉＣ単結晶

宇治原　徹,　原田　俊太,　関　和明,　朱　燦,　長岡　美津也

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出願人：名古屋大学

出願番号：13832154.2  出願日：2013年8月

公開番号：2889397 

出願国：外国  

３Ｃ－ＳｉＣ単結晶およびその製造方法

宇治原　徹, 原田　俊太, 関　和明

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出願人：名古屋大学

出願番号：PCT/JP2013/005016  出願日：2013年8月

公開番号：WO 2014/034080 

出願国：外国  

３Ｃ－ＳｉＣ単結晶およびその製造方法

宇治原　徹, 原田　俊太, 関　和明

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出願人：名古屋大学

出願番号：2014-532782  出願日：2013年8月

出願国：国内  

結晶製造装置、ＳｉＣ単結晶の製造方法およびＳｉＣ単結晶

宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明, 朱 燦, 長岡 美津也

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出願人：名古屋大学

出願番号：13832154.2  出願日：2013年8月

公開番号：2889397 

出願国：外国  

3C-SiC単結晶およびその製造方法

宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明

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出願人：国立大学法人名古屋大学

出願番号：JP2013005016  出願日：2013年8月

公表番号：WO2014-034080  公表日：2014年3月

J-GLOBAL

3C-SiC単結晶およびその製造方法

宇治原 徹, 原田 俊太, 関 和明

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出願人：国立大学法人名古屋大学

出願番号：特願2014-532782  出願日：2013年8月

特許番号/登録番号：特許第6296394号  登録日：2018年3月 

J-GLOBAL

SiC結晶の結晶成長方法およびSiC結晶基板

柴田顕次, 市川慎一郎, 宇治原徹, 原田俊太, 関和明

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出願人：株式会社豊田自動織機

出願番号：TW101147322  出願日：2012年12月

公開番号：WO2013/088948  公開日：2013年6月

特許番号/登録番号：特許第5829508号  登録日：2015年10月 

出願国：外国  

J-GLOBAL

SiC結晶の成長方法

柴田顕次、市川慎一郎、宇治原徹、原田俊太、関和明

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出願人：株式会社豊田自動織機

出願番号：TW101147316  出願日：2012年12月

公開番号：WO2013/088947 

出願国：外国  

SiC結晶の結晶成長方法およびSiC結晶基板

柴田顕次、市川慎一郎、宇治原徹、原田俊太、関和明

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出願人：株式会社豊田自動織機

出願番号：TW101147322  出願日：2012年12月

公開番号：WO2013/088948 

出願国：外国  

SiC結晶の成長方法

柴田顕次, 市川慎一郎, 宇治原徹, 原田俊太, 関和明

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出願人：株式会社豊田自動織機

出願番号：TW101147316  出願日：2012年12月

公開番号：WO2013/088947 

出願国：外国  

ＳｉＣ単結晶の製造方法

宇治原徹, 原田俊太, 朱燦

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出願人：国立大学法人名古屋大学

出願番号：2012-185975  出願日：2012年8月

公開番号：2014-043369  公開日：2014年3月

特許番号/登録番号：特許第6069758号  登録日：2017年1月  発行日：2017年1月

出願国：国内  

J-GLOBAL

ＳｉＣ単結晶の製造方法

宇治原徹, 原田俊太, 関和明

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出願人：名古屋大学

出願番号：2012-185974  出願日：2012年8月

公開番号：2014-043368  公開日：2014年3月

特許番号/登録番号：特許第6069757号  登録日：2017年1月  発行日：2017年1月

J-GLOBAL

結晶製造装置

宇治原徹, 原田俊太, 朱燦, 長岡美津也

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出願人：日新技研株式会社、名古屋大学

出願番号：2012-185971  出願日：2012年8月

公開番号：2014-043366  公開日：2014年3月

特許番号/登録番号：特許第6122265号  登録日：2017年4月  発行日：2017年4月

J-GLOBAL

ＳｉＣ単結晶の製造方法

宇治原徹,原田俊太,朱燦

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出願人：国立大学法人名古屋大学

出願番号：2012-185975  出願日：2012年8月

公開番号：2014-043369  公開日：2014年3月

特許番号/登録番号：特許第6069758号  登録日：2017年1月 

出願国：国内  

ＳｉＣ単結晶の製造方法

宇治原徹,原田俊太,朱燦

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出願人：国立大学法人名古屋大学

出願番号：2012-185973  出願日：2012年8月

公開番号：2014-043367  公開日：2014年3月

特許番号/登録番号：特許第5975482号  登録日：2016年7月 

出願国：国内