シンクロトロン光研究センター 所長(センター長)
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 教授

2021/04/01 更新
工学博士 ( 1986年3月 広島大学 )
半導体ナノ構造
量子ドット
High-k/メタルゲート
薄膜太陽電池
薄膜トランジスタ
抵抗変化メモリ
フローティングゲートメモリデバイス
極微細MOSトランジスタ
その他 / その他 / 電子デバイス・電子機器
その他 / その他 / 電子・電気材料工学
半導体表面・界面の物性制御に関する研究
極微細MOSトランジスタおよび量子機能デバイスに関する研究
高効率太陽電池および高性能薄膜トランジスタ開発のためのシリコン系薄膜の研究
名古屋大学 大学院工学研究科 教授
2010年6月 - 現在
国名:日本国
名古屋大学 大学院工学研究科(兼務) 工学研究科長
2021年4月 - 現在
国名:日本国
名古屋大学 シンクロトロン光研究センター(兼務) 所長(センター長)
2019年4月 - 現在
国名:日本国
名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター(兼務) 教授
2017年4月 - 現在
国名:日本国
産業技術総合研究所 窒化物半導体先進デバイスOIL(兼務) 客員研究員
2017年5月 - 現在
国名:日本国
広島大学 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所(兼務)
2010年8月 - 現在
国名:日本国
名古屋大学 大学院工学研究科(兼務) 副研究科長
2017年4月 - 2019年3月
国名:日本国
南京大学 電子科学与工程学院(兼務) 兼職教授
2014年12月 - 2017年11月
国名:中華人民共和国
南京大学 電子科学与工程学院(兼務) 兼職教授
2010年10月 - 2013年10月
国名:中華人民共和国
筑波大学 大学院数理物質科学研究科(兼務) 客員教授
2011年9月 - 2015年3月
国名:日本国
広島大学 大学院先端物質科学研究科 教授
2002年4月 - 2010年5月
国名:日本国
広島大学 大学院先端物質科学研究科 助教授
2001年4月 - 2002年3月
国名:日本国
広島大学 工学部 助教授
1992年4月 - 2001年3月
国名:日本国
広島大学 工学部 助手
1986年4月 - 1992年3月
国名:日本国
広島大学 工学研究科 材料工学専攻
1983年4月 - 1986年3月
国名: 日本国
広島大学 工学研究科 材料工学専攻
1981年4月 - 1983年3月
国名: 日本国
広島大学 工学部 第二類(電気系)
1977年4月 - 1981年3月
国名: 日本国
日本表面科学会 中部支部役員
2011年5月 - 2012年3月
応用物理学会 理事
2011年4月 - 現在
応用物理学会 国際委員会委員
2009年4月 - 現在
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会委員
1998年4月 - 現在
応用物理学会 中国四国支部幹事
1995年4月 - 2011年3月
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 幹事, 常任幹事 1997-,1998-1999
応用物理学会 代議員, 評議員, 2000-2003,2008-
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 幹事, 常任幹事, 副幹事長, 幹事長 1999-,2003-2004,2007-2008,2009-2010
The Electrochemical Society
Material Reseach Society
日本MRS
日本真空協会
(公益財団法人)立松財団 理事
2021年4月 - 2023年3月
(国立大学法人)東京農工大学 テニュア付与外部審査委員
2021年2月 - 2021年3月
The Electrochemical Society(ECS)日本支部 日本支部長
2021年1月 - 2022年12月
(公益社団法人)応用物理学会 2021年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2021) 組織委員
2021年1月 - 2021年12月
(公益社団法人)応用物理学会 ISPlasma2021/IC-PLANTS2021組織委員会 編集委員会 委員
2021年1月 - 2021年11月
(公益社団法人)応用物理学会 ISPlasma2021/IC-PLANTS2021組織委員会 組織委員会 委員
2020年11月 - 2021年3月
(公益社団法人)応用物理学会 ISPlasma2021/IC-PLANTS2021組織委員会 プログラム委員会 委員
2020年11月 - 2021年3月
(公益財団法人)岐阜県産業経済振興センター 研究開発委員会 委員(アドバイザー)
2020年9月 - 2023年3月
(独立行政法人)日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 委員
2020年6月 - 現在
(公益社団法人)応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 電子デバイス界面テクノロジー研究会 運営委員
2020年5月 - 2021年3月
(公益社団法人)応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 2021 IWDTF組織委員会 2021 IWDTF組織委員
2020年4月 - 2021年11月
国際会議 Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 3rd 2021(Taipei)) 諮問委員
2020年 - 現在
第34回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(JSR2021)(開催日:2021年1月8-10日、開催形態:オンライン) 組織委員
2020年 - 2021年
ECS Trans. Vol. 98, No. 5 (2020) 学術論文編集委員
2020年
広島大学 HiSIM研究センター 人事選考委員会委員
2019年8月 - 2020年4月
(公益財団法人)科学技術交流財団 あいちシンクロトロン光センター運営委員会委員
2019年5月 - 2021年5月
(公益社団法人)応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 顧問
2019年4月 - 現在
東京医科歯科大学 生体医歯工学共同研究拠点運営委員会委員
2019年4月 - 2022年3月
第33回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(JSR2020)(開催日:2020年1月10-12日、開催地:名古屋) 副実行委員長/プログラム委員/組織委員
2019年 - 2020年
(公益社団法人)日本工学教育協会 事業企画委員会委員
2018年6月 - 2020年6月
(公益社団法人)日本表面真空学会 中部支部 役員
2018年5月 - 現在
(独立行政法人)日本学術振興会 協力会 評議員
2018年5月 - 2020年9月
(公益財団法人)立松財団 選考委員
2018年3月 - 2023年6月
(公益社団法人)応用物理学会 東海支部 諮問委員
2017年4月 - 2023年3月
(公益社団法人)応用物理学会 応用物理学学術・教育奨励基金委員会委員
2015年 - 2021年3月
(独立行政法人)日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会 委員長
2013年4月 - 2020年6月
応用物理学会 第52期応用物理学委員会 講演会企画運営委員、講演奨励賞委員
2013年4月 - 2014年4月
ISPlasma2014組織委員会 組織委員、プログラム委員
2013年4月 - 2014年3月
DPS2013第35回ドライプロセスシンポジウム組織委員会 論文委員
2013年2月 - 2014年11月
応用物理学会諮問委員会 諮問委員
2013年2月 - 2014年2月
2013IWDTF組織委員会 組織委員
2012年10月 - 2013年11月
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 第18回ゲートスタック研究会 運営委員
2012年4月 - 2013年3月
第34回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2012) 実行副委員長,論文委員
2012年4月 - 2012年11月
応用物理学会 代議員
2012年2月 - 2014年1月
高輝度光科学研究センターSPring-8成果審査委員会 査読者
2012年1月 - 2014年3月
2012年国際固体素子・材料コンファレンス (SSDM2012) 論文委員長
2011年12月 - 2012年12月
ISPlasma2012組織委員会 プログラム委員会委員
2011年12月 - 2012年4月
電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ英文論文誌編集委員会 編集委員
2011年9月 - 2012年5月
日本学術振興会 薄膜第131委員会 企画委員
2011年7月 - 2012年3月
SPring-8利用研究課題審査委員会分科会 レフェリー
2011年6月 - 2013年3月
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 諮問委員
2011年4月 - 現在
(公益社団法人)応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 諮問委員
2011年4月 - 現在
応用物理学会 講演会企画・運営委員会、講演奨励賞委員会 委員
2011年4月 - 2013年3月
応用物理学会 東海支部 幹事
2011年4月 - 2013年3月
応用物理学会 理事
2011年4月 - 2013年3月
日本表面科学会 中部支部 中部支部役員
2011年4月 - 2012年3月
第33回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2011) 実行副委員長
2011年4月 - 2011年11月
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 第17回ゲートスタック研究会 運営委員
2011年3月 - 2012年3月
国際会議諮問委員
2011年1月 - 2012年3月
国際会議組織運営委員・国際会議実行委員
2011年1月 - 2012年3月
第24回アモルファスおよびナノ結晶半導体国際会議組織運営委員会(ICANS24) 国際会議組織運営委員・出版委員
2011年1月 - 2011年12月
国際会議組織運営委員
2011年1月 - 2011年11月
第15回薄膜国際会議 組織委員会(ICTF-15) 国際会議組織運営委員
2011年1月 - 2011年11月
国際会議 Int. Symp on Dry Process Symp. (DPS; 2005 - 2009, 2011~ ) プログラム委員
2011年 - 現在
2011年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2011) 国際会議プログラム委員・副委員長
2010年12月 - 2011年12月
日本学術振興会 科学研究費委員会 専門委員
2010年12月 - 2011年11月
ISPlasma2011組織委員会 国際会議組織運営委員
2010年7月 - 2011年4月
第32回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2010) 国際会議実行委員
2010年1月 - 2010年12月
応用物理学会 2009年度支部学術講演会 実行委員長
2009年8月
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 幹事長
2009年4月 - 2011年3月
応用物理学会 国際委員会 委員
2009年4月 - 2010年3月
第31回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2009) 国際会議実行委員
2009年1月 - 2009年12月
日本学術振興会 アモルファス・ナノ材料第147委員会 委員
2008年4月 - 現在
日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会 企画幹事長
2008年4月 - 2013年3月
応用物理学会 評議員
2008年4月 - 2010年3月
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 副幹事長
2008年4月 - 2010年3月
国際会議プログラム委員
2008年4月 - 2009年4月
国際会議実行委員
2008年1月 - 2008年12月
(独立行政法人)日本学術振興会 アモルファス・ナノ材料第147委員会 委員
2008年 - 現在
国際会議組織運営委員・国際会議実行委員
2007年1月 - 2007年12月
第30回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2008) 国際会議プログラム委員
2005年4月 - 2009年11月
プログラム委員
2005年1月 - 現在
日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会 企画副幹事長
2004年4月 - 2007年3月
国際会議諮問委員
2004年1月 - 2004年12月
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 常任幹事
2003年4月 - 2005年3月
電気学会 システム集積プロセス調査専門委員会 委員
2003年3月 - 2006年3月
国際会議実行委員
2003年1月 - 2003年12月
e-Journal of Surf. Sci. and Nanotechnology, Ed. Board Member 学術論文編集委員
2003年 - 現在
日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会 企画幹事
2001年4月 - 2003年3月
プログラム委員
2000年4月 - 現在
応用物理学会 代議員
2000年4月 - 2003年3月
電気学会 グローバルインテグレーションプロセス調査専門委員会 委員
2000年3月 - 2003年3月
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 幹事
1999年4月 - 2010年3月
日本学術振興会 薄膜第131委員会 庶務幹事
1999年4月 - 2003年3月
応用物理学会 第59回応用物理学会学術講演会 現地実行委員
1998年9月
(一般社団法人)電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会 SDM研究専門委員会 専門委員
1998年5月 - 2021年6月
電気情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会 専門委員
1998年5月 - 2013年5月
日本学術振興会 プラズマ材料科学第153委員会 委員
1998年4月 - 2002年3月
応用物理学会 薄膜・表面分科会 常任幹事
1998年4月 - 1999年3月
応用物理学会 薄膜・表面分科会 幹事
1997年4月 - 1998年3月
電気学会 プロセス・インテグレーション調査専門委員会 委員
1997年3月 - 2000年3月
応用物理学会 中国四国支部 幹事
1995年4月 - 2010年3月
日本学術振興会 薄膜第131委員会 委員
1993年3月 - 2011年3月
(独立行政法人)日本学術振興会 薄膜第131委員会 委員
1993年 - 2020年6月
ISPlasma2012 Best Presentation Award
2011年3月 ISPlasma2012 Organizing Committee Chair
応用物理学会 中国四国支部 貢献賞
2010年7月 (社)応用物理学会 中国四国支部
応用物理学会フェロー表彰
2009年9月 応用物理学会
Selete Achievement Award
2004年5月 Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.
Jpn. J. Appl. Phys. Editorial Contribution Award
2003年4月 The Japan Society of Applied Physics
井上研究奨励賞
1987年2月 (財)井上科学財団
Epitaxial growth of massively parallel germanium nanoribbons by segregation through Ag(1 1 0) thin films on Ge(1 1 0) 査読有り
J. Yuhara, H. Shimazu, M. Kobayashi, A. Ohta, S. Miyazaki, S. Takakura, M. Nakatake, and G. L. Lay
Appl. Surf. Sci. 550 巻 頁: 149236 (7 pages) 2021年6月
Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal 査読有り
A. Ohta, K. Yamada, H. Sugawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 60 巻 ( SB ) 頁: SBBK05 (6 pages) 2021年5月
Energy band diagram for SiO2/Si system as evaluated from UPS analysis under vacuum ultraviolet with variable incident photon energy 査読有り
A. Ohta, T. Imagawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 60 巻 ( SA ) 頁: SAAC02 (6 pages) 2021年1月
Effect of B-doping on photoluminescence properties of Si quantum dots with Ge core 査読有り
K. Makihara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
Materials Science in Semiconductor Processing 120 巻 頁: 105250 (5 pages) 2020年12月
Characterization of photoluminescence from Si quantum dots with B δ-doped Ge core 査読有り
T. Maehara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
Materials Science in Semiconductor Processing 119 巻 ( 15 ) 頁: 105215 (4 pages) 2020年11月
Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode 査読有り
T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
ECS Transactions 98 巻 ( 5 ) 頁: 429-434 2020年9月
Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing 査読有り
H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
ECS Transactions 98 巻 ( 5 ) 頁: 505-511 2020年9月
Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe 査読有り
J. Wu, H. Zhang, H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
ECS Transactions 98 巻 ( 5 ) 頁: 493-498 2020年9月
Complex dielectric function of Si oxide as evaluated from photoemission measurements 査読有り
A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 59 巻 ( SM ) 頁: SMMB04 (8 pages) 2020年7月
Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface 査読有り
M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, N. Taoka, T. Simizu, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 59 巻 ( SG ) 頁: SGGK15 (6 pages) 2020年4月
Comparative study of photoluminescence properties obtained from SiO2/GaN and Al2O3/GaN structures 査読有り
Takada Noriharu, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Yamamoto Taishi, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 2019年8月
Impact of surface pre-treatment on Pt-nanodot formation induced by remote H-2-plasma exposure 査読有り
Fujimori Shuntaro, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 2019年8月
Effect of H-2-dilution in Si-cap formation on photoluminescence intensity of Si quantum dots with Ge core 査読有り
Fujimori Shuntaro, Nagai Ryo, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 2019年8月
Impact of remote plasma oxidation of a GaN surface on photoluminescence properties 査読有り
Takada Noriharu, Taoka Noriyuki, Yamamoto Taishi, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 2019年6月
Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacking Si-Based Quantum Dots 査読有り
Futamura Yuto, Makihara Katsunori, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Miyazaki Seiichi
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E102C 巻 ( 6 ) 頁: 458-461 2019年6月
Evaluation of the potential distribution in a multiple stacked Si quantum dots structure by hard X-ray photoelectron spectroscopy 査読有り
Futamura Yuto, Nakashima Yuta, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 ( SA ) 2019年2月
Characterization of electron charging and transport properties of Si-QDs with phosphorus doped Ge core 査読有り
Nagai Ryo, Yamada Kentaro, Fujimori Shuntaro, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 33 巻 ( 12 ) 2018年12月
Activation mechanism of TiOx passivating layer on crystalline Si
Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Ohta Akio, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Miyazaki Seiichi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka
APPLIED PHYSICS EXPRESS 11 巻 ( 10 ) 2018年10月
A Planetary Microlensing Event with an Unusually Red Source Star: MOA-2011-BLG-291
Bennett David P., Udalski Andrzej, Bond Ian A., Suzuki Daisuke, Ryu Yoon-Hyun, Abe Fumio, Barry Richard K., Bhattacharya Aparna, Donachie Martin, Fukui Akihiko, Hirao Yuki, Kawasaki Kohei, Kondo Iona, Koshimoto Naoki, Li Man Cheung Alex, Matsubara Yutaka, Miyazaki Shota, Muraki Yasushi, Nagakane Masayuki, Ohnishi Koji, Ranc Clement, Rattenbury Nicholas J., Suematsu Haruno, Sumi Takahiro, Tristram Paul J., Yonehara Atsunori, Szymanski Michal K., Soszynski Igor, Wyrzykowski Lukasz, Ulaczyk Krzysztof, Poleski Radek, Kozlowski Szymon, Pietrukowicz Pawel, Skowron Jan, Shvartzvald Yossi, Maoz Dan, Kaspi Shai, Friedmann Matan, Batista Virginie, DePoy Darren, Dong Subo, Gaudi B. Scott, Gould Andrew, Han Cheongho, Pogge Richard W., Tan Thiam-Guan, Yee Jennifer C.
ASTRONOMICAL JOURNAL 156 巻 ( 3 ) 2018年9月
Airway foreign body manifested as a coin lesion
Nishinaga Yuko, Miyazaki Shinichi, Yamashita Ryo, Ikeda Takuya
CLINICAL CASE REPORTS 6 巻 ( 9 ) 頁: 1913-1914 2018年9月
Low-temperature formation of Ga-oxide/GaN interface with remote oxygen plasma and its interface properties
Yamamoto Taishi, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 6 ) 2018年6月
Interface properties of SiO2/GaN structures formed by chemical vapor deposition with remote oxygen plasma mixed with Ar or He
Nguyen Xuan Truyen, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Makihara Katsunori, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 6 ) 2018年6月
Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N-2 ambient
Ito Koichi, Ohta Akio, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 6 ) 2018年6月
Evaluation of resistive switching properties of Si-rich oxide embedded with Ti nanodots by applying constant voltage and current
Ohta Akio, Kato Yusuke, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 6 ) 2018年6月
Energy band structure and electrical properties of Ga-oxide/GaN interface formed by remote oxygen plasma
Yamamoto Taishi, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Nakatsuka Osamu, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 6 ) 2018年6月
Total photoelectron yield spectroscopy of energy distribution of electronic states density at GaN surface and SiO2/GaN interface 査読有り
Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Fujimura Nobuyuki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 6 ) 2018年6月
Direct evaluation of electrical dipole moment and oxygen density ratio at high-k dielectrics/SiO2 interface by X-ray photoelectron spectroscopy analysis
Fujimura Nobuyuki, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 4 ) 2018年4月
High thermal stability of abrupt SiO2/GaN interface with low interface state density
Nguyen Xuan Truyen, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Makihara Katsunori, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 4 ) 2018年4月
Segregated SiGe ultrathin layer formation and surface planarization on epitaxial Ag(111) by annealing of Ag/SiGe(111) with different Ge/(Si plus Ge) compositions 査読有り
Ito Koichi, Ohta Akio, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 4 ) 2018年4月
A 16 deg(2) survey of emission-line galaxies at z < 1.5 in HSC-SSP Public Data Release 1
Hayashi Masao, Tanaka Masayuki, Shimakawa Rhythm, Furusawa Hisanori, Momose Rieko, Koyama Yusei, Silverman John D., Kodama Tadayuki, Komiyama Yutaka, Leauthaud Alexie, Lin Yen-Ting, Miyazaki Satoshi, Nagao Tohru, Nishizawa Atsushi J., Ouchi Masami, Shibuya Takatoshi, Tadaki Ken-ichi, Yabe Kiyoto
PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN 70 巻 2018年1月
Hyper Suprime-Cam: System design and verification of image quality
Miyazaki Satoshi, Komiyama Yutaka, Kawanomoto Satoshi, Doi Yoshiyuki, Furusawa Hisanori, Hamana Takashi, Hayashi Yusuke, Ikeda Hiroyuki, Kamata Yukiko, Karoji Hiroshi, Koike Michitaro, Kurakami Tomio, Miyama Shoken, Morokuma Tomoki, Nakata Fumiaki, Namikawa Kazuhito, Nakaya Hidehiko, Nariai Kyoji, Obuchi Yoshiyuki, Oishi Yukie, Okada Norio, Okura Yuki, Tait Philip, Takata Tadafumi, Tanaka Yoko, Tanaka Masayuki, Terai Tsuyoshi, Tomono Daigo, Uraguchi Fumihiro, Usuda Tomonori, Utsumi Yousuke, Yamada Yoshihiko, Yamanoi Hitomi, Aihara Hiroaki, Fujimori Hiroki, Mineo Sogo, Miyatake Hironao, Oguri Masamune, Uchida Tomohisa, Tanaka Manobu M., Yasuda Naoki, Takada Masahiro, Murayama Hitoshi, Nishizawa Atsushi J., Sugiyama Naoshi, Chiba Masashi, Futamase Toshifumi, Wang Shiang-Yu, Chen Hsin-Yo, Ho Paul T. P., Liaw Eric J. Y., Chiu Chi-Fang, Ho Cheng-Lin, Lai Tsang-Chih, Lee Yao-Cheng, Jeng Dun-Zen, Iwamura Satoru, Armstrong Robert, Bickerton Steve, Bosch James, Gunn James E., Lupton Robert H., Loomis Craig, Price Paul, Smith Steward, Strauss Michael A., Turner Edwin L., Suzuki Hisanori, Miyazaki Yasuhito, Muramatsu Masaharu, Yamamoto Koei, Endo Makoto, Ezaki Yutaka, Ito Noboru, Kawaguchi Noboru, Sofuku Satoshi, Taniike Tomoaki, Akutsu Kotaro, Dojo Naoto, Kasumi Kazuyuki, Matsuda Toru, Imoto Kohei, Miwa Yoshinori, Suzuki Masayuki, Takeshi Kunio, Yokota Hideo
PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN 70 巻 2018年1月
GOLDRUSH. II. Clustering of galaxies at z similar to 4-6 revealed with the half-million dropouts over the 100 deg(2) area corresponding to 1 Gpc(3)
Harikane Yuichi, Ouchi Masami, Ono Yoshiaki, Saito Shun, Behroozi Peter, More Surhud, Shimasaku Kazuhiro, Toshikawa Jun, Lin Yen-Ting, Akiyama Masayuki, Coupon Jean, Komiyama Yutaka, Konno Akira, Lin Sheng-Chieh, Miyazaki Satoshi, Nishizawa Atsushi J., Shibuya Takatoshi, Silverman John
PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN 70 巻 2018年1月
Formation of Mn-germanide nanodots on ultrathin SiO2 induced by remote hydrogen plasma
Wen Yinghui, Makihara Katsunori, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 1 ) 2018年1月
First results on the cluster galaxy population from the Subaru Hyper Suprime-Cam survey. II. Faint end color-magnitude diagrams and radial profiles of red and blue galaxies at 0.1 < z < 1.1
Nishizawa Atsushi J., Oguri Masamune, Oogi Taira, More Surhud, Nishimichi Takahiro, Nagashima Masahiro, Lin Yen-Ting, Mandelbaum Rachel, Takada Masahiro, Bahcall Neta, Coupon Jean, Huang Song, Jian Hung-Yu, Komiyama Yutaka, Leauthaud Alexie, Lin Lihwai, Miyatake Hironao, Miyazaki Satoshi, Tanaka Masayuki
PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN 70 巻 2018年1月
First data release of the Hyper Suprime-Cam Subaru Strategic Program
Aihara Hiroaki, Armstrong Robert, Bickerton Steven, Bosch James, Coupon Jean, Furusawa Hisanori, Hayashi Yusuke, Ikeda Hiroyuki, Kamata Yukiko, Karoji Hiroshi, Kawanomoto Satoshi, Koike Michitaro, Komiyama Yutaka, Lang Dustin, Lupton Robert H., Mineo Sogo, Miyatake Hironao, Miyazaki Satoshi, Morokuma Tomoki, Obuchi Yoshiyuki, Oishi Yukie, Okura Yuki, Price Paul A., Takata Tadafumi, Tanaka Manobu M., Tanaka Masayuki, Tanaka Yoko, Uchida Tomohisa, Uraguchi Fumihiro, Utsumi Yousuke, Wang Shiang-Yu, Yamada Yoshihiko, Yamanoi Hitomi, Yasuda Naoki, Arimoto Nobuo, Chiba Masashi, Finet Francois, Fujimori Hiroki, Fujimoto Seiji, Furusawa Junko, Goto Tomotsugu, Goulding Andy, Gunn James E., Harikane Yuichi, Hattori Takashi, Hayashi Masao, Helminiak Krzysztof G., Higuchi Ryo, Hikage Chiaki, Ho Paul T. P., Hsieh Bau-Ching, Huang Kuiyun, Huang Song, Imanishi Masatoshi, Iwata Ikuru, Jaelani Anton T., Jian Hung-Yu, Kashikawa Nobunari, Katayama Nobuhiko, Kojima Takashi, Konno Akira, Koshida Shintaro, Kusakabe Haruka, Leauthaud Alexie, Lee Chien-Hsiu, Lin Lihwai, Lin Yen-Ting, Mandelbaum Rachel, Matsuoka Yoshiki, Medezinski Elinor, Miyama Shoken, Momose Rieko, More Anupreeta, More Surhud, Mukae Shiro, Murata Ryoma, Murayama Hitoshi, Nagao Tohru, Nakata Fumiaki, Niida Mana, Niikura Hiroko, Nishizawa Atsushi J., Oguri Masamune, Okabe Nobuhiro, Ono Yoshiaki, Onodera Masato, Onoue Masafusa, Ouchi Masami, Pyo Tae-Soo, Shibuya Takatoshi, Shimasaku Kazuhiro, Simet Melanie, Speagle Joshua, Spergel David N., Strauss Michael A., Sugahara Yuma, Sugiyama Naoshi, Suto Yasushi, Suzuki Nao, Tait Philip J., Takada Masahiro, Terai Tsuyoshi, Toba Yoshiki, Turner Edwin L., Uchiyama Hisakazu, Umetsu Keiichi, Urata Yuji, Usuda Tomonori, Yeh Sherry, Yuma Suraphong
PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN 70 巻 2018年1月
Electroluminescence of superatom-like Ge-core/Si-shell quantum dots by alternate field-effect-induced carrier injection
Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Fujimura Nobuyuki, Yamada Kentaro, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi
APPLIED PHYSICS EXPRESS 11 巻 ( 1 ) 2018年1月
Clustering of quasars in a wide luminosity range at redshift 4 with Subaru Hyper Suprime-Cam Wide-field imaging
He Wanqiu, Akiyama Masayuki, Bosch James, Enoki Motohiro, Harikane Yuichi, Ikeda Hiroyuki, Kashikawa Nobunari, Kawaguchi Toshihiro, Komiyama Yutaka, Lee Chien-Hsiu, Matsuoka Yoshiki, Miyazaki Satoshi, Nagao Tohru, Nagashima Masahiro, Niida Mana, Nishizawa Atsushi J., Oguri Masamune, Onoue Masafusa, Oogi Taira, Ouchi Masami, Schulze Andreas, Shirasaki Yuji, Silverman John D., Tanaka Manobu M., Tanaka Masayuki, Toba Yoshiki, Uchiyama Hisakazu, Yamashita Takuji
PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN 70 巻 2018年1月
Clustering of galaxies around AGNs in the HSC Wide survey
Shirasaki Yuji, Akiyama Masayuki, Nagao Tohru, Toba Yoshiki, He Wanqiu, Ohishi Masatoshi, Mizumoto Yoshihiko, Miyazaki Satoshi, Nishizawa Atsushi J., Usuda Tomonori
PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN 70 巻 2018年1月
Characterization of remote O-2-plasma-enhanced CVD SiO2/GaN(0001) structure using photoemission measurements
Nguyen Xuan Truyen, Ohta Akio, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 1 ) 2018年1月
An optically-selected cluster catalog at redshift 0.1 < z < 1.1 from the Hyper Suprime-Cam Subaru Strategic Program S16A data
Oguri Masamune, Lin Yen-Ting, Lin Sheng-Chieh, Nishizawa Atsushi J., More Anupreeta, More Surhud, Hsieh Bau-Ching, Medezinski Elinor, Miyatake Hironao, Jian Hung-Yu, Lin Lihwai, Takada Masahiro, Okabe Nobuhiro, Speagle Joshua S., Coupon Jean, Leauthaud Alexie, Lupton Robert H., Miyazaki Satoshi, Price Paul A., Tanaka Masayuki, Chiu I-Non, Komiyama Yutaka, Okura Yuki, Tanaka Manobu M., Usuda Tomonori
PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN 70 巻 2018年1月
Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials FOREWORD
Naritsuka Shigeya, Miyazaki Seiichi, Fujiwara Yasufumi, Hiramatsu Mineo, Inoue Yasushi, Ishikawa Kenji, Ito Masafumi, Itoh Takashi, Kasu Makoto, Miyake Hideto, Sasaki Minoru, Shirafuji Tatsuru, Suda Yoshiyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 1 ) 2018年1月
A large sample of shear-selected clusters from the Hyper Suprime-Cam Subaru Strategic Program S16A Wide field mass maps
Miyazaki Satoshi, Oguri Masamune, Hamana Takashi, Shirasaki Masato, Koike Michitaro, Komiyama Yutaka, Umetsu Keiichi, Utsumi Yousuke, Okabe Nobuhiro, More Surhud, Medezinski Elinor, Lin Yen-Ting, Miyatake Hironao, Murayama Hitoshi, Ota Naomi, Mitsuishi Ikuyuki
PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN 70 巻 2018年1月
Carrier Conduction in SiO2/GaN Structure with Abrupt Interface
Nguyen Xuan Truyen, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi
2018 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, SYSTEMS AND APPLICATION (VLSI-TSA) 頁: . 2018年
High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots 査読有り
Zhang Hai, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi
SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 8 86 巻 ( 7 ) 頁: 131-138 2018年
First Results on the Cluster Galaxy Population from the Subaru Hyper Suprime-Cam Survey. III. Brightest Cluster Galaxies, Stellar Mass Distribution, and Active Galaxies
Lin Yen-Ting, Hsieh Bau-Ching, Lin Sheng-Chieh, Oguri Masamune, Chen Kai-Feng, Tanaka Masayuki, Chiu I-Non, Huang Song, Kodama Tadayuki, Leauthaud Alexie, More Surhud, Nishizawa Atsushi J., Bundy Kevin, Lin Lihwai, Miyazaki Satoshi
ASTROPHYSICAL JOURNAL 851 巻 ( 2 ) 2017年12月
J-GEM observations of an electromagnetic counterpart to the neutron star merger GW170817
Utsumi Yousuke, Tanaka Masaomi, Tominaga Nozomu, Yoshida Michitoshi, Barway Sudhanshu, Nagayama Takahiro, Zenko Tetsuya, Aoki Kentaro, Fujiyoshi Takuya, Furusawa Hisanori, Kawabata Koji S., Koshida Shintaro, Lee Chien-Hsiu, Morokuma Tomoki, Motohara Kentaro, Nakata Fumiaki, Ohsawa Ryou, Ohta Kouji, Okita Hirofumi, Tajitsu Akito, Tanaka Ichi, Terai Tsuyoshi, Yasuda Naoki, Abe Fumio, Asakura Yuichiro, Bond Ian A., Miyazaki Shota, Sumi Takahiro, Tristram Paul J., Honda Satoshi, Itoh Ryosuke, Itoh Yoichi, Kawabata Miho, Morihana Kumiko, Nagashima Hiroki, Nakaoka Tatsuya, Ohshima Tomohito, Takahashi Jun, Takayama Masaki, Aoki Wako, Baar Stefan, Doi Mamoru, Finet Francois, Kanda Nobuyuki, Kawai Nobuyuki, Kim Ji Hoon, Kuroda Daisuke, Liu Wei, Matsubayashi Kazuya, Murata Katsuhiro L., Nagai Hiroshi, Saito Tomoki, Saito Yoshihiko, Sako Shigeyuki, Sekiguchi Yuichiro, Tamura Yoichi, Tanaka Masayuki, Uemura Makoto, Yamaguchi Masaki S.
PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN 69 巻 ( 6 ) 2017年12月
Kilonova from post-merger ejecta as an optical and near-Infrared counterpart of GW170817
Tanaka Masaomi, Utsumi Yousuke, Mazzali Paolo A., Tominaga Nozomu, Yoshida Michitoshi, Sekiguchi Yuichiro, Morokuma Tomoki, Motohara Kentaro, Ohta Kouji, Kawabata Koji S., Abe Fumio, Aoki Kentaro, Asakura Yuichiro, Baar Stefan, Barway Sudhanshu, Bond Ian A., Doi Mamoru, Fujiyoshi Takuya, Furusawa Hisanori, Honda Satoshi, Itoh Yoichi, Kawabata Miho, Kawai Nobuyuki, Kim Ji Hoon, Lee Chien-Hsiu, Miyazaki Shota, Morihana Kumiko, Nagashima Hiroki, Nagayama Takahiro, Nakaoka Tatsuya, Nakata Fumiaki, Ohsawa Ryou, Ohshima Tomohito, Okita Hirofumi, Saito Tomoki, Sumi Takahiro, Tajitsu Akito, Takahashi Jun, Takayama Masaki, Tamura Yoichi, Tanaka Ichi, Terai Tsuyoshi, Tristram Paul J., Yasuda Naoki, Zenko Tetsuya
PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN 69 巻 ( 6 ) 2017年12月
Oxidation of GaN surface by remote oxygen plasma
T. Yamamoto, N.Taoka, A.Ohta, N.X.Truyen, H.Yamada, T.Takahashi, M.Ikeda, K.Makihara, M.Shimizu, S.Miyazaki
Proceedings of International Symposium on Dry Process 頁: 73-74 2017年11月
An Isolated Microlens Observed from K2, Spitzer, and Earth
Zhu Wei, Udalski A., Huang C. X., Novati S. Calchi, Sumi T., Poleski R., Skowron J., Mroz P., Szymanski M. K., Soszynski I., Pietrukowicz P., Kozlowski S., Ulaczyk K., Pawlak M., Beichman C., Bryden G., Carey S., Gaudi B. S., Gould A., Henderson C. B., Shvartzvald Y., Yee J. C., Bond I. A., Bennett D. P., Suzuki D., Rattenbury N. J., Koshimoto N., Abe F., Asakura Y., Barry R. K., Bhattacharya A., Donachie M., Evans P., Fukui A., Hirao Y., Itow Y., Kawasaki K., Li M. C. A., Ling C. H., Masuda K., Matsubara Y., Miyazaki S., Munakata H., Muraki Y., Nagakane M., Ohnishi K., Ranc C., Saito To., Sharan A., Sullivan D. J., Tristram P. J., Yamada T., Yonehara A.
ASTROPHYSICAL JOURNAL LETTERS 849 巻 ( 2 ) 2017年11月
Ultrathin Ge Growth on Flat Ag Surface in Hetero-Epitaxial Ag/Ge Structure by Annealing
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
Abstracts of MNC2017 頁: 8B-6-3 2017年11月
Evaluation of Resistive Switching Properties of Si-rich Oxide Embedded with Ti Nanodots by Applying Constant Voltage and Constant Current
A. Ohta, Y. Kato, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
Abstracts of MNC2017 頁: 8B-8-6 2017年11月
Impact of phosphorus doping to multiple-stacked Si quantum dots on electron emission properties
Takeuchi Daichi, Makihara Katsunori, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Miyazaki Seiichi
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70 巻 頁: 183-187 2017年11月
Challenges in Si-Based Nanotechnology:Fabrication and Characterization of Multistack Si/Ge Quantum Dots for Novel Functional Devices
S.Miyazaki
Book of Abstracts of ICAMST2017 頁: 2 2017年9月
Ground-based Parallax Confirmed by Spitzer: Binary Microlensing Event MOA-2015-BLG-020
Wang Tianshu, Zhu Wei, Mao Shude, Bond I. A., Gould A., Udalski A., Sumi T., Bozza V., Ranc C., Cassan A., Yee J. C., Han C., Abe F., Asakura Y., Barry R., Bennett D. P., Bhattacharya A., Donachie M., Evans P., Fukui A., Hirao Y., Itow Y., Kawasaki K., Koshimoto N., Li M. C. A., Ling C. H., Masuda K., Matsubara Y., Miyazaki S., Muraki Y., Nagakane M., Ohnishi K., Rattenbury N., Saito To., Sharan A., Shibai H., Sullivan D. J., Suzuki D., Tristram P. J., Yamada T., Yonehara A., Kozlowski S., Mroz P., Pawlak M., Pietrukowicz P., Poleski R., Skowron J., Soszynski I., Szymanski M. K., Ulaczyk K., Beichman C., Bryden G., Novati S. Calchi, Carey S., Fausnaugh M., Gaudi B. S., Henderson C. B., Shvartzvald Y., Wibking B., Albrow M. D., Chung S. -J., Hwang K. -H., Jung Y. K., Ryu Y. -H., Shin I. -G., Cha S. -M., Kim D. -J., Kim H. -W., Kim S. -L., Lee C. -U., Lee Y., Park B. -G., Pogge R. W., Street R. A., Tsapras Y., Hundertmark M., Bachelet E., Dominik M., Horne K., Jaimes R. Figuera, Wambsganss J., Bramich D. M., Schmidt R., Snodgrass C., Steele I. A., Menzies J.
ASTROPHYSICAL JOURNAL 845 巻 ( 2 ) 2017年8月
高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定および SiO2 との界面で生じる電位変化の定量
藤村信幸, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
第37回表面科学学術講演会要旨集 第58回真空に関する連合講演会予稿集 頁: 28 2017年8月
リモート酸素プラズマ支援 CVD による急峻 SiO2/GaN 界面の形成とその電気的特性
NguyenXuanTruyen, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田 弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一
第37回表面科学学術講演会要旨集 第58回真空に関する連合講演会予稿集 頁: 28 2017年8月
Magnetoelectronic transport of double stack FePt nanodots 査読有り
Makihara Katsunori, Kawase Taiga, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Miyazaki Seiichi
APPLIED PHYSICS LETTERS 111 巻 ( 5 ) 2017年7月
Fabrication of Multistack Si/Ge Quantum Dots for Light/Electron Emission Devices
S.Miyazaki, Y.Yamada, Y.Nakashima, K.Makihara, A.Ohta, M.Ikeda
Conference Guide of ISCGC2017 頁: 32 2017年7月
Abrupt SiO2/GaN Interface Properties Formed by Remote Plasma Assisted CVD
N.X.Truyen, A.Ohta, K.Makihara, M.Ikeda, S.Miyazaki, (AIST:N.Taoka, H. Yamada, T.Takahashi, M.Shimizu)
Abstract of AWAD2017 頁: 77-80 2017年7月
Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy
A.Ohta, M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki
Abstruct of INFOS2017 頁: 0-0 2017年6月
Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diodes as Evaluated from HAXPES Analysis
A.Ohta, H.Murakami, M.Ikeda, K.Makihara, E.Ikenaga, S.Miyazaki
Abstruct of INFOS2017 頁: 0-0 2017年6月
Evaluation of energy distribution of filled defects of Si oxide thin films from total photoelectron yield spectroscopy
Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi
MICROELECTRONIC ENGINEERING 178 巻 頁: 85-88 2017年6月
Potential changes and chemical bonding features for Si-MOS structure as evaluated from HAXPES analysis 査読有り
Ohta Akio, Murakami Hideki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Ikenaga Eiji, Miyazaki Seiichi
MICROELECTRONIC ENGINEERING 178 巻 頁: 80-84 2017年6月
定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価
大田晃生, 加藤祐介, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
信学技報 117 巻 ( 101 ) 頁: 25-29 2017年6月
エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
信学技報 117 巻 ( 101 ) 頁: 43-48 2017年6月
XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価
藤村信幸, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
信学技報 117 巻 ( 101 ) 頁: 19-23 2017年6月
エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
信学技報 117 巻 ( 101 ) 頁: 43-48 2017年6月
XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価
藤村信幸, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
信学技報 117 巻 ( 101 ) 頁: 19-23 2017年6月
定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価
大田晃生, 加藤祐介, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
信学技報 117 巻 ( 101 ) 頁: 25-29 2017年6月
Low-temperature formation of crystalline Si:H/Ge:H heterostructures by plasma-enhanced CVD in combination with Ni-nanodots seeding nucleation
Lu Yimin, Makihara Katsunori, Takeuchi Daichi, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 6 ) 2017年6月
Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors
Kato Yusuke, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E100C 巻 ( 5 ) 頁: 468-474 2017年5月
Photoemission study on electrical dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 interfaces 査読有り
Fujimura Nobuyuki, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 4 ) 2017年4月
X線光電子分光法による極薄酸化物積層構造の電位変化・ダイポール評価
藤村 信幸, 大田 晃生, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会予稿集 頁: 187 - 190 2017年1月
光電子分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaNの化学結合状態および電子占有欠陥評価
グェン チュンスァン, 大田 晃生, 牧原 克典, 池田 弥央, 宮崎 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会予稿集 頁: 207 - 210 2017年1月
Effects of remote hydrogen plasma on chemical bonding features and electronic states of 4H-SiC(0001) surface
Truyen Nguyen Xuan, Ohta Akio, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 1 ) 2017年1月
High-density formation of Ta nanodot induced by remote hydrogen plasma
Wang Yaping, Takeuchi Daichi, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 1 ) 2017年1月
Impact Of Mild To Moderate COPD On Prognosis And Feasibility For Chemotherapy In Patients With Lung Cancer
Omote N., Hashimoto N., Morise M., Miyazaki S., Ando A., Hasegawa Y.
AMERICAN JOURNAL OF RESPIRATORY AND CRITICAL CARE MEDICINE 195 巻 頁: . 2017年
Impact of mild to moderate COPD on feasibility and prognosis in non-small cell lung cancer patients who received chemotherapy
Omote Norihito, Hashimoto Naozumi, Morise Masahiro, Sakamoto Koji, Miyazaki Shinichi, Ando Akira, Nakahara Yoshio, Hasegawa Yoshinori
INTERNATIONAL JOURNAL OF CHRONIC OBSTRUCTIVE PULMONARY DISEASE 12 巻 頁: 3541-3547 2017年
Exogenous Induction Of Unphosphorylated Tumor Suppressor Phosphatase And Tensin Homolog Deleted On Chromosome 10 Modulates Transforming Growth Factor beta-Induced Extracellular Matrix Expression In Lung Fibroblasts
Omote N., Hashimoto N., Kimura M., Miyazaki S., Ando A., Sakamoto K., Hasegawa Y.
AMERICAN JOURNAL OF RESPIRATORY AND CRITICAL CARE MEDICINE 195 巻 頁: . 2017年
Exogenous induction of unphosphorylated PTEN reduces TGF beta-induced extracellular matrix expressions in lung fibroblasts
Kimura Motohiro, Hashimoto Naozumi, Kusunose Masaaki, Aoyama Daisuke, Sakamoto Koji, Miyazaki Shinichi, Ando Akira, Omote Norihiro, Imaizumi Kazuyoshi, Kawabe Tsutomu, Hasegawa Yoshinori
WOUND REPAIR AND REGENERATION 25 巻 ( 1 ) 頁: 86-97 2017年
Characterization of Interfacial Dipoles at Dielectric Stacks by XPS Analysis
Miyazaki S., Ohta A., Fujimura N.
SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR 80 巻 ( 1 ) 頁: 229-235 2017年
Photoemission Study of Gate Dielectrics on Gallium Nitride 査読有り
Miyazaki Seiichi, Nguyen Xuan Truyen, Ohta Akio, Yamamoto Taishi
2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUITS AND THIN FILM TRANSISTORS (ULSIC VS. TFT 6) 79 巻 ( 1 ) 頁: 119-127 2017年
Processing and Characterization of High Density Si/Ge Quantum Dots for Electroluminescent Devices 査読有り
Miyazaki Seiichi, Yamada Kentaro, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa
SEMICONDUCTOR PROCESS INTEGRATION 10 80 巻 ( 4 ) 頁: 167-172 2017年
リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成
「グェンスァン チュン」「藤村信幸」「竹内大智」「大田晃生」「牧原克典」「池田弥央」「宮崎誠一」
信学技報 116 巻 ( 118 ) 頁: 49-52 2016年6月
XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量
「藤村信幸」「大田晃生」「渡辺浩成」「牧原克典」「宮崎誠一」
信学技報 116 巻 ( 118 ) 頁: 43-47 2016年6月
High Density Formation of and Light Emission from Silicon Quantum Dots with Ge Core
Seiichi Miyazaki
Abstract of 11th Workshop on Si-based Optoelectronic Materials and Devices 頁: 1 2016年6月
Characterization of light emission from Si quantum dots with Ge core
Seiichi Miyazaki
ABSTRACTS OF THERMEC'2016 - International Conference on Processing & Manufacturing of advanced Materials 頁: 390 2016年5月
High Density Formation and Light Emission Properties of Silicon Quantum Dots with Ge Core
S.Miyazaki
Abstract of BIT's 2nd Annual World Congress of Smart Materials-2016 頁: 76 2016年3月
SiO2/4H-SiC構造の電子障壁高さの決定と欠陥準位密度の深さ方向分析
渡辺 浩成, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会研究報告 頁: 185 - 188 2016年1月
リモートH2プラズマ照射による4H-SiC(0001)の表面の改質
グェン スァンチュン, 竹内 大智, 大田 晃生, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会研究報告 頁: 217 - 220 2016年1月
Si, 4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価
藤村 信幸, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会研究報告 頁: 209 - 212 2016年1月
SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響
加藤 祐介, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会研究報告 頁: 205 - 208 2016年1月
Evaluation of Valence Band Maximum and Electron Affinity of SiO2 and Si-based Semiconductors Using XPS
Extended Abstracts of 2015 IWDTF 頁: 85 - 86 2015年11月
Photoemission Study of Thermally-Grown SiO2/4H-SiC Structure.
Extended Abstracts of 2015 IWDTF 頁: 45 - 46 2015年11月
Formation of High Density Ti Nanodots and Evaluation of Resistive Switching Properties of SiOx-ReRAMs with Ti Nanodots
Extended Abstracts of 2015 IWDTF 頁: 35 - 36 2015年11月
Effect of P-doping on Photoluminescence Properties of Si Quantum Dots with Ge Core
K.Kondo, K.Makihara, A.Oota, S.Miyazaki
Abstract of AWAD2015 頁: 389-392 2015年6月
Electronic Defect States in Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure Measured by Total Photoelectron Yield Spectroscopy
A.Ohta, K.Makihara, S.Miyazaki
Abstract of infos2015 頁: 87-88 2015年6月
Electron Transport Properties of High Densuty FePt-NDs Stacked Structures
Y.Mitsuyuki, K.Makihara, A.Oota, S.Miyazaki
Abstract of AWAD2015 頁: 76-79 2015年6月
Study on Light Emission from Si Quantum Dots with Ge Core
S.Miyazaki, K.Kondo, K.Makihara
Abstract of ICSI-9 頁: 45-46 2015年5月
Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100)
H.Murakami, S.Hamada, T.Ono, K.Hashimoto, A.Ohta, H.Hanafusa, S.Higashi, S.Miyazaki
ECS Transactions 64 巻 ( 6 ) 頁: 423-429 2014年10月
Photoluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core
K.Makihara, K.Kondo, M.Ikeda, A.Ohta, S.Miyazaki
ECS Transactions 64 巻 ( 6 ) 頁: 365-370 2014年10月
Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack
A.Ohta, H.Murakami, K.Hashimoto, K.Makihara, S.Miyazaki
ECS Transactions 64 巻 ( 6 ) 頁: 241-248 2014年10月
Characterization of Electron Emission from High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy
D.Takeuchi, K.Makihara, A.Ohta, M.Ikeda,S.Miyazaki
ECS Transactions 64 巻 ( 6 ) 頁: 923-928 2014年10月
Resistance-Switching Characteristics of Si-rich Oxide as Evaluated by Using Ni Nanodots as Electrodes in Conductive AFM Measurements
A.Ohta, C.Liu, T.Arai, D.Takeuchi, H.Zhang, K. Makihara, S.Miyazaki
AWAD2014 Workshop Digest 頁: 217-221 2014年7月
光電子エネルギー損失信号による極薄酸化物のエネルギーバンドギャップの決定手法の再検討
大田晃生,村上秀樹,牧原克典,宮崎誠一
ゲートスタック研究会研究報告 頁: 179-182 2014年1月
HfO2/TaGexOy絶縁膜を用いたGe-MISキャパシタにおける熱処理効果
橋本 邦明, 大田 晃生, 村上 秀樹, 小野 貴寛, 東 清一郎, 宮崎 誠一
ゲートスタック研究会研究報告 頁: 139-142 2014年1月
Ge(100)基板への低温As+イオン注入による低抵抗浅接合形成
小野 貴寛, 村上 秀樹, 大田 晃生, 東 清一郎, 宮崎 誠一
ゲートスタック研究会研究報告 頁: 183-186 2014年1月
Effect of electric field concentration using nanopeak structures on the current-voltage characteristics of resistive switching memory
S.Otsuka, T.Shimizu, S.Shingubara, K.Makihara, S.Miyazaki, A.Yamasaki, Y.Tanimoto, K.Takase
AIP Advances 4 巻 ( 8 ) 2014年
Optoelectronic Response of Metal-Semiconductor Hybrid Nanodots Floating Gate
S.Miyazaki
Program&Abstracts of 2013 EMN Fall Meeting 頁: 202-203 2013年12月
Impact of Post-Metallization Annealing on Chemical Bonding Features in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Stack
K. Hashimoto, T. Ono, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Extended Abstracts of 2013 IWDTF 頁: 49 - 50 2013年11月
Low Temperature Formation of Crystalline Si/Ge Heterostructures by Plasma Enhanced CVD in Combination with Ni-NDs Seeding Nucleation
Y. Lu, K. Makihara, D.Takeuchi, K. Sakaike, M. Akazawa, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
Abstracts of ICANS25 頁: 141-143 2013年8月
High-Sensitive Detection of Electronic Emission through Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy
D.Takeuchi, K.Makihara, M.Ikeda, S.Miyazaki, H.Kaki, T.Hayashi
proceedings of 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 頁: 275-278 2013年6月
Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots
K.Makihara, M.Ikeda, S.Miyazaki
proceedings of 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 頁: 333-336 2013年6月
リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価
牧原克典,福岡 諒,張 海,壁谷悠希,大田晃生,宮崎誠一
信学技報 113 巻 ( 87 ) 頁: 47-50 2013年6月
スパッタ形成したPt/SiOx/Pt構造の光電子分光分析
大田 晃生, 牧原 克典, 池田 弥央, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一
第18回ゲートスタック研究会プログラム 頁: 229 - 232 2013年1月
スパッタ形成したTiN/SiOx/TiNダイオードの電気抵抗スイッチング特性評価
福島太紀, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一
第18回ゲートスタック研究会プログラム 頁: 233-236 2013年1月
X線光電子分光によるAs+イオン注入したGeの化学結合状態分析
小野貴寛、大田晃生, 花房宏明、村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一
第18回ゲートスタック研究会プログラム 頁: 171-174 2013年1月
Determination of Energy Band Alignment in Ultrathin Hf-based Oxide/Pt System
A Ohta, H Murakami, S Higashi, S Miyazaki
Journal of Physics: Conference Series 417 巻 頁: 012012(1-6) 2013年
Characterization of Ultrathin Ta-oxide Films Formed on Ge(100) by ALD and Layer-by-Layer Methods
K Mishima, H Murakami, A Ohta, S K Sahari, T Fujioka, S Higashi, S Miyazaki
Journal ofPhysics:ConferenceSeries 417 巻 頁: 012013(1-6) 2013年
Kinetics of thermally oxidation of Ge(100) surface
S K Sahari, A Ohta, M Matsui, K Mishima, H Murakami, S Higashi, S Miyazaki
Journal of Physics: Conference Series 417 巻 頁: 012014(1-6) 2013年
Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Application
S. Miyazaki
MRS Proceedings 1510 巻 2013年
Characterization of Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots
H. Takami, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys 52 巻 ( 4 ) 頁: 04CG08 (4 pages) 2013年
High Density Formation of Iron Nanodots on SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma
H. Zhang, R. Fukuoka, Y. Kabeya, K. Makihara, S. Miyazaki
Advanced Materials Research Vols 750-752 頁: 1011-1015 2013年
Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Application
S. Miyazaki
MRS Proceedings 1510 巻 2013年
XPS Study of Energy Band Alignment between Hf-La Oxides and Si(100)
A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Trans. of MRS-J 38 巻 ( 3 ) 頁: 353-357 2013年
Temporal Changes of Charge Distribution in High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots as Evaluated by AFM/KFM
N. Tsunekawa K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki
Trans. of MRS-J 38 巻 ( 3 ) 頁: 393-396 2013年
Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes
A. Ohta, K. Makihara, M. Fukusima, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
ECS Trans 58 巻 ( 9 ) 頁: 293-300 2013年
Study on Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate MOS Devices for Their Optoelectronic Application
S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara
ECS Trans 58 巻 ( 9 ) 頁: 231-237 2013年
Highly-crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 VHF-ICP -Crystalline Nucleation Initiated by Ni-nanodots-
K. Makihara, J. Gao, K. Sakaike, S. Hayashi, H. Deki, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys 52 巻 頁: 11NA04 (3 pages) 2013年
Characterization of Resistive Switching Behaviors of RF Sputtered Si Oxide ReRAMs with Ti-based Electrodes
A. Ohta, M. Fukusima, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys 52 巻 頁: 11NJ06 (5 pages) 2013年
Photoexcited Carrier Transfer in a NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures
M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
IEICE Trans. on Electronics E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 694-698 2013年
Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer
K. Hashimoto, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
IEICE Trans. on Electronics E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 674-679 2013年
X-ray Photoemission Study of SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si Heterostructures
A. Ohta. K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba, J. Murota
IEICE Trans. on Electronics E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 680-685 2013年
Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior
A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakamis, S. Higashi, S. Miyazaki
IEICE Trans. on Electronics E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 702-707 2013年
Characterization of Resistive Switching of Pt/Si- rich Oxide/TiN System
M. Fukushima, A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki
IEICE Trans. on Electronics E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 708-713 2013年
Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy
D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki, T. Hayashi
IEICE Trans. on Electronics E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 718-721 2013年
Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Application
Seiichi Miyazaki
2012 MRS Fall Meeting Abstracts 頁: DD6.01 2012年11月
ナノ構造制御で展開する電子デバイス開発(チュートリアル)
宮崎誠一
薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会「薄膜デバイスの未来」 頁: 1-26 2012年11月
Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior
A.Ohta, K.Makihara, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
AWAD2012 Workshop Digest 頁: 186-191 2012年6月
Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer
K.Hashimoto, A.Ohta, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
AWAD2012 Workshop Digest 頁: 219-224 2012年6月
Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures
M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki
AWAD2012 Workshop Digest 頁: 206-209 2012年6月
Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy
D.Takeuchi, K.Makihara, M.Ikeda, A.Ohta, K.Makihara, M.Ikeda, S.Miyazaki, H.Kaki, T.Hayashi
AWAD2012 Workshop Digest 頁: 202-205 2012年6月
Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-rich Oxide/TiN System
M. Fukusima, A.Ohta, K.Makihara, S.Miyazaki
AWAD2012 Workshop Digest 頁: 192-197 2012年6月
Study of ElectronTransport Characteristics Through Self-Aligned Si-Based Quantum Dots
K.Makihara, C.Liu, M.Ikeda, S.Miyazaki
Proceedings of 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting(ISTDM) 頁: 182-183 2012年6月
Highly-crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 VHF-ICP-Crystalline Nucleation Initiated by Ni-nanodots-
K.Makihara, J.Gao, K.Sakaike, S.Hayashi, H.Deki, M.Ikeda, S.Higashi, S.Miyazaki
Proceedings of 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting(ISTDM) 頁: 138-139 2012年6月
As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析
小野貴寛、大田晃生、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一
信学技報 112 巻 ( 92 ) 頁: 63-67 2012年6月
極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御
大田晃生、松井真史、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一
信学技報 112 巻 ( 92 ) 頁: 53-58 2012年6月
TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御
村上秀樹、三嶋健斗、大田晃生、橋本邦明、東 清一郎、宮崎誠一
信学技報 112 巻 ( 92 ) 頁: 33-36 2012年6月
Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動
池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
信学技報 112 巻 ( 92 ) 頁: 13-16 2012年6月
Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価
福嶋太紀、、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
信学技報 112 巻 ( 92 ) 頁: 1-6 2012年6月
走査プローブ顕微鏡によるカーボンナノウォールの初期成長過程の解明
近藤博基,安田幸司,牧原克典,宮崎誠一,平松美根男,関根 誠,堀 勝
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 16a-A3-11 2012年3月
GeH4 VHF-ICP からの高結晶性Ge:H 薄膜堆積 -Ni ナノドットを用いた結晶核発生制御-
高 金,牧原克典,酒池耕平,林 将平,出木秀典,池田弥央,東清一郎,宮崎誠一
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 16a-B6-5 2012年3月
Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートにおける光励起電子のパルス電圧応答
池田弥央,牧原克典,宮崎誠一
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 18a-GP6-11 2012年3月
高濃度As+イオン注入ゲルマニウム層における化学結合状態評価
小野貴寛,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 18a-A6-9 2012年3月
ゲルマニウムドライ酸化における温度依存性
大田晃生,Siti Kudnie Sahari,池田弥央,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 16a-A5-4 2012年3月
AFM/KFMによる一次元連結・高密度Si系量子ドットの帯電状態の経時変化計測
牧原克典,恒川直輝,池田弥央,宮崎誠一
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 18p-A1-8 2012年3月
一次元縦積み連結Si系量子ドットの室温共鳴トンネル伝導
牧原克典,池田弥央,宮崎誠一
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 18p-A1-7 2012年3月
一次元連結Si系量子ドットのEL特性評価
高見弘貴,牧原克典,出木秀典,池田弥央,宮崎誠一
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 18p-A1-5 2012年3月
極薄層挿入によるAl/p-Ge接合のショットキー障壁制御
松井真史,大田晃生,村上秀樹,小野貴寛,橋本邦明,東清一郎,宮崎誠一
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 18p-A1-3 2012年3月
導電性AFM探針による極薄Au/柱状Siナノ構造の局所電気伝導評価
竹内大智,牧原克典,池田弥央,宮崎誠一,可貴裕和,林 司
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 18a-A1-4 2012年3月
熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPtおよびPtシリサイドナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用
牧原克典,山根雅人,池田弥央,東清一郎,宮崎誠一
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 18a-B3-1 2012年3月
Ptナノドット電極を用いたSiOx膜の抵抗変化特性評価
福嶋太紀,大田晃生,牧原克典,宮崎誠一
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 16p-F6-12 2012年3月
Pt/SiOx/TiNダイオード構造の抵抗変化特性評価
福嶋太紀,大田晃生,牧原克典,宮崎誠一
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 16p-F6-11 2012年3月
Pt/SiOx/Pt構造における抵抗変化特性
大田晃生,牧原克典,池田弥央,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 16p-F6-10 2012年3月
酸化アルミニウムを用いた抵抗変化メモリのスイッチング電圧のばらつき抑制 1
大塚慎太郎,古屋沙絵子,清水智弘,新宮原正三,牧原克典,宮崎誠一,渡辺忠孝,高野良紀,高瀬浩一
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 頁: 15a-GP3-11 2012年3月
Ge熱酸化-酸化温度が熱酸化膜構造に及ぼす影響
大田 晃生, シティ クディニ サハリ, 池田 弥央, 松井 真史, 三嶋 健人, 村上 秀樹, 東 清一郎 , 宮崎 誠一
特別研究会研究報告(ゲートスタック研究会) 頁: 93-96 2012年1月
HfO2/Ge界面へのTaOx層挿入による界面反応制御
三嶋 健斗, 村上 秀樹, 大田 晃生, 橋本 邦明, 東 清一郎, 宮崎 誠一
特別研究会研究報告(ゲートスタック研究会) 頁: 121-124 2012年1月
RFスパッタで形成したSiリッチ酸化薄膜の化学構造分析と抵抗変化特性評価
大田 晃生, 後藤 優太, 西垣 慎吾, 村上 秀樹, 東 清一郎 , 宮崎 誠一
特別研究会研究報告(ゲートスタック研究会) 頁: 221-224 2012年1月
熱処理による金属/GeO2界面化学構造変化-X線光電子分光分析
松井 真史, 大田 晃生, 村上 秀樹, 小野 貴寛, 東 清一郎, 宮崎 誠一
特別研究会研究報告(ゲートスタック研究会) 頁: 169-172 2012年1月
Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots with High Areal Dot Density
K. Makihara, H. Deki, M Ikeda, S, Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 51 巻 ( 4 ) 頁: 04DG08(5 pages) 2012年
Evaluation of Charge Trapping Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films by Kelvin Force Microscopy
K. Makihara, H. Deki, M Ikeda, S, Miyazaki
J. Non-Cry. Solids 358 巻 ( 17 ) 頁: 2086-2089 2012年
Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes
K. Makihara, M. Fukushima, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki
ECS Trans. 50 巻 ( 9 ) 頁: 459-464 2012年
Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion
A. Ohta, M. Matsui, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
ECS Trans. 50 巻 ( 9 ) 頁: 449-457 2012年
Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes
A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 51 巻 頁: 06FF02(6 pages) 2012年
Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering
A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
IEICE Trans., on Electronics E95-C 巻 ( 5 ) 頁: 879-884 2012年
Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots with High Areal Dot Density
K. Makihara, H. Deki, M Ikeda, S, Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys 51 巻 ( 4 ) 頁: 04DG08 (5 pages) 2012年
Evaluation of Charge Trapping Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films by Kelvin Force Microscopy
K. Makihara, H. Deki, M Ikeda, S, Miyazaki
J. Non-Cry. Solids 358 巻 ( 17 ) 頁: 2086-2089 2012年
Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes
K. Makihara, M. Fukushima, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki
ECS Trans 50 巻 ( 9 ) 頁: 459-464 2012年
Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion
A. Ohta, M. Matsui, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
ECS Trans 50 巻 ( 9 ) 頁: 449-457 2012年
Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes
A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 51 巻 頁: 06FF02 (6 pages) 2012年
超低消費電力化デバイス開発に向けた材料・プロセス研究
宮崎誠一
SPring-8コンファレンス2011 講演概要集 頁: 53 2011年11月
Formation of Metal-Semiconductor Hybrid Nanodots and Its Application to Functional Floating Gate 招待有り
S.Miyazaki
Abstract of BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T 2011 頁: 256 2011年10月
Formation and Characterization of Silicon-Quantum-Dots/Metal-Silicide-Nanodots Hybrid Stack and Its Application to Floating Gate Functional Devices
S.Miyazaki
ECS Transaction 41 巻 ( 7 ) 頁: 93-98 2011年10月
Evaluation of Chemical Structure and Resistance Switching Characteristics of Undoped Titanium Oxide and Titanium - Yttrium mixed Oxide
A. Ohta, Y. Goto, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Japanese Journal of Applied Physics 50 巻 ( 10 ) 頁: 10PH02(6pages) 2011年10月
XPS Study of Interfacial Reaction between Metal and Ultrathin Ge Oxide
A.Ohta, T.Fujioka, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
Japanese Journal of Applied Physics 50 巻 ( 10 ) 頁: 10PE01 (6pages). 2011年10月
Characterization of chemical bonding features at metal/GeO2 interfaces by X-ray photoelectron spectroscopy
M. Matsui, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, S. Higashi, S. Miyazaki
MICROELECTRONIC ENGINEERING 88 巻 ( 7 ) 頁: 1549-1552 2011年7月
Impact of insertion of ultrathin TaOx layer at the Pt/TiO2 interface on resistive switching characteristics
G. Wei, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, Y. Goto, S. Higashi, S. Miyazaki
MICROELECTRONIC ENGINEERING 88 巻 ( 7 ) 頁: 1152-1154 2011年7月
Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering
A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 頁: 41-46 2011年6月
Electrical Characterization of NiSi-NDs/Si-QDs Hybrid Stacked Floating Gate in MOS Capacitors
K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki
2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 頁: 47-50 2011年6月
Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities
A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
IEICE TRANSACTIONS on Electronics E94-C 巻 ( 5 ) 頁: 717-723 2011年5月
Impact of Annealing Ambience on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure
G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
IEICE TRANSACTIONS on Electronics E94-C 巻 ( 5 ) 頁: 699-704 2011年5月
Study on Native Oxidation of Ge (111) and (100) Surfaces
S. K. Sahari, H. Murakami, T. Fujioka, T. Bando, A. Ohta, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki
Japanese Journal of Applied Physics 50 巻 ( 4 ) 頁: 04DA12 (4 pages) 2011年4月
Activation of As Atoms in Ultrashallow Junction during Milli- and Microsecond Annealing Induced by Thermal-Plasma-Jet Irradiation
K. Matsumoto, A. Ohta, S. Miyazaki, S. Higashi
Japanese Journal of Applied Physics 50 巻 ( 4 ) 頁: 04DA07 (4 pages) 2011年4月
ルテニウムの化学結合および電子状態評価
三嶋健斗、後藤優太、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催 特別研究会アブストラクト集 頁: 39 2011年1月
X線光電子分光法による金属/GeO₂界面の化学結合状態分析
松井真史、藤岡知宏、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催 特別研究会アブストラクト集 頁: 41 2011年1月
Formation of Ultra Thin Titanium Oxide on Germanium by Atomic Layer Deposition using TEMAT and O3
T.Fujioka, A.Ohta, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
Extended Abstracts of IWDTF2011 頁: 51-52 2011年1月
Characterization of Resistance-Switching of SiOx Dielectrics
Y.Goto, A.Ohta, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
Extended Abstracts of IWDTF2011 頁: 163-164 2011年1月
Impact of Y2O3 Addition of Chemical Bonding Features and Resistance Switching of TiO2
A.Ohta, Y.Goto, G.Wei, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
Extended Abstracts of IWDTF2011 頁: 113-114 2011年1月
XPS Study of Interfacial Reaction between Metal and Ge Oxide
A.Ohta, T.Fujioka, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
Extended Abstracts of IWDTF2011 頁: 25 - 26 2011年1月
Study on Native Oxidation of Ge (111) and (100) Surfaces
S. K. Sahari, H. Murakami, T. Fujioka, T. Bando, A. Ohta, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys 50 巻 頁: 04DA12(4 pages) 2011年
High Density Formation of Ge Quantum Dots on SiO2
K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Takeuchi, Y. Shimura, S. Zaima, S. Miyazaki
Solid State Electronics 60 巻 頁: 65-69 2011年
Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor
M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
IEICE 94-C 巻 ( 5 ) 頁: 730-736 2011年
The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure
G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
IEICE 94-C 巻 ( 5 ) 頁: 699-704 2011年
Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell
M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, S. Nomura, K. Shiraishi, T. Endoh
Jpn. J. Appl. Phys. 50 巻 ( 4 ) 頁: 04DD04(4 pages) 2011年
Formation of High Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing using Thermal Plasma Jet for Floating Gate Memory
K. Makihara, K. Matsumoto, M. Yamane, T. Okada, N. Morisawa, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 50 巻 ( 8 ) 頁: 08KE06(4 pages) 2011年
Optical Response of Si-Quantum-Dots/NiSi-Nanodots Stack Hybrid Floating Gate in MOS Structures
N. Morisawa, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
Key Engineering Materials 470 巻 頁: 135-139 2011年
The Impact of Y Addition into TiO2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics
A. Ohta, Y. Goto, M.F. Kazalman, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 50 巻 頁: 06GG01(5 pages) 2011年
Application of Thermal Plasma Jet Irradiation to Crystallization and Gate Insulator Improvement for High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication
S. Higashi, S. Hayashi, Y. Hiroshige, Y. Nishida, H. Murakami, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 50 巻 頁: 03CB10(8 pages) 2011年
Application of Thermal Plasma Jet Irradiation to Crystallization and Gate Insulator Improvement for High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication
S. Higashi, S. Hayashi, Y. Hiroshige, Y. Nishida, H. Murakami, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys 50 巻 頁: 03CB10 (8 pages) 2011年
Optical Response of Si-Quantum-Dots/NiSi-Nanodots Stack Hybrid Floating Gate in MOS Structures
N. Morisawa, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
Key Engineering Materials 470 巻 頁: 135-139 2011年
High Density Formation of Ge Quantum Dots on SiO2
K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Takeuchi, Y. Shimura, S. Zaima, S. Miyazaki
Solid State Electronics 60 巻 頁: 65-69 2011年
Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor
M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, Y. Shigeta, T. Endoh
IEICE Trans. on Electronics 94-C 巻 ( 5 ) 頁: 730-736 2011年
The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure
G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
IEICE Trans. on Electronics 94-C 巻 ( 5 ) 頁: 699-704 2011年
Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell
M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, S. Nomura, K. Shiraishi, T. Endoh
Jpn. J. Appl. Phys 50 巻 ( 4 ) 頁: 04DD04 (4 pages) 2011年
Formation of High Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing using Thermal Plasma Jet for Floating Gate Memory
K. Makihara, K. Matsumoto, M. Yamane, T. Okada, N. Morisawa, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys 50 巻 ( 8 ) 頁: 08KE06 (4pages) 2011年
The Impact of Y Addition into TiO2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics
A. Ohta, Y. Goto, M. F. Kazalman, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys 50 巻 ( 6 ) 頁: 06GG01 (5 pages) 2011年
Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique 査読有り
S. Higashi, K. Sugakawa, H. Kaku, T. Okada, and S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 49 巻 頁: 03CA08 (4 pages) 2010年3月
Temperature Dependence of Electron Tunneling between Two Dimensional Electron Gas and Si Quantum Dots 査読有り
Y. Sakurai, J. Iwata, M. Muraguchi, Y. Shigeta, Y. Takada, S. Nomura, T. Endoh, S. Saito, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
49 巻 頁: 014001 (4 pages) 2010年1月
Characterization of Interfaces between Chemically-Cleaned or Thermally-Oxidized Germanium and Metals
H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, T. Bando, S. Higashi and S. Miyazaki
ECS Trans. 33 巻 2010年
Formation and Characterization of Hybrid Nanodot Stack Structure for Floating Gate Application
S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda
Thin Solid Films 518 巻 頁: S30-S34 2010年
Formation of High Density Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Memory Application
S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto
J. of Materials Science Forum 638-642 巻 頁: 1725-1730 2010年
Anomalous temperature dependence of electron tunneling between a two-dimensional electron gas and Si dots
Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
Physica E 42 巻 ( 4 ) 頁: 918–921 2010年
Formation Mechanism of Metal nanodots Induced by Remote Plasma Exposure
K. Makihara, K. Shimanoe, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 12 巻 ( 3 ) 頁: 626-630 2010年
Effect of Chemical Composition of SiOx Films on Rapid Formation of Si Nanocrystals Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, K. Makihara, H. Furukawa, Y. Hiroshige and S. Miyazaki
Physica Status Solidi C 7 巻 ( 3-4 ) 頁: 732-734 2010年
Light Induced Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid FG in MOS Structures
N. Morisawa, M. Ikeda, S. Nakanishi, A. Kawanami, K. Makihara and S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 49 巻 2010年
Activation of B and As in Ultrashallow Junction DuringMillisecond Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation
K. Matsumote, S. Higashi, H. Murakami and S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 49 巻 2010年
Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots
K. Makihara, M. Ikeda, A. Kawanami and S. Miyazaki
Trans. of IEICE E93-C 巻 ( 5 ) 頁: 569-572 2010年
Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe Technique
K. Makihara, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 49 巻 ( 2 ) 2010年
Formation of High Crystallinity Silicon Films by High Speed Scanning of Melting Region Formed by Atmospheric Pressure DC Arc Discharge Micro-Thermal-Plasma-Jet and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication
S. Hayashi, S. Higashi, H. Murakami and S. Miyazaki
Appl. Phys. Exp. 3 巻 2010年
Self-Align Formation of Si Quantum Dots
K. Makihara, M. Ikeda, H. Deki, A. Ohta and S. Miyazaki
ECS Trans. 33 巻 2010年
Formation of Pseudo-Expitaxial Ge Films on Si(100) by Droplet of Microliquid Ge Melt
T. Matsumoto, S. Higashi, K. Makihara, M. Akazawa and S. Miyazaki
ECS Trans. 33 巻 2010年
Formation of Cobalt and Cobalt-silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma
A. Kawanami, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 49 巻 頁: 08JA04 2010年
Importance of Electronic State of Two-Dimensional Electron Gas for Electron Injection Process in Nano-Electronic Devices
M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Takada, Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, Y. Shigeta
Physica E. 42 巻 ( 10 ) 頁: 2602-2605 2010年
Contribution of Carbon to Growth of Boron-Containing Cluster in Heavily Boron-Doped Silicon
H. Itokawa, A. Ohta, M. Ikeda, I. Mizushima, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 49 巻 2010年
Contribution of Carbon to Growth of Boron-Containing Cluster in Heavily Boron-Doped Silicon
H. Itokawa, A. Ohta, M. Ikeda, I. Mizushima, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 49 巻 頁: 081301 (5 pages) 2010年
Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique
K. Sugakawa, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, S. Miyazaki
2009 The Sixteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD'09)(Nara) P-4 巻 頁: 117-120 2009年7月
Characterization of Interfacial Reaction and Chemical Bonding Features of LaOx/HfO2 Stack Structure Formed on Thermally-grown SiO2/Si(100)
A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
16th biannual Conference on Insulating Films on Semiconductors 2009 (INFOS2009),(Cambridge, UK) 頁: 178 2009年6月
Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots
K. Makihara, M. Ikeda, A. Kawanami,S. Miyazaki
2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2009), (Korea) 3A-6 巻 2009年6月
Electrical Detection of Silicon Binding Protein-Protein A using a p-MOSFET Sensor
H. Murakami, S. Mahboob, K. Katayama, K. Makihara, M. Ikeda, Y. Hata, A. Kuroda, S. Higashi, S. Miyazaki
2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2009), (Korea) 2B-8 巻 2009年6月
Electrical Charging Characteristics of NiSi-Nanodots Floating Gate
S. Nakanishi, M. Ikeda, K. Shimanoe, K. Makihara, A. Kawanami, N. Morisawa, A. Fujimoto, S. Higashi, S. Miyazaki
International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, (IMFEDK)(Osaka) C-5 巻 頁: 62-63 2009年5月
Formation of Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 forFloating Gate Application 査読有り
S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto
154 巻 頁: 95-100 2009年4月
Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Induced by High-Power-Density Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Ultrashallow Junction Formation 査読有り
Hirokazu Furukawa, Seiichiro Higashi, Tatsuya Okada, Hideki Murakami, and Seiichi Miyazaki H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, and S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 48 巻 頁: 04C011 (4 pages) 2009年4月
A Novel Millisecond Crystallization Technique Using Si Micro Liquid
N. Koba, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki
The 5th International Thin-Film Transistor Conference 2009(France) 頁: 263-366 2009年3月
Improvement of Bond Structure and Electrical Properties of Low-Temperature Deposited SiO2 Films by Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing
Y. Hiroshige, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa, T. Okada, S. Miyazaki
Plasma Science Symposium 2009 and 26th Symposium on Plasma Processing (PSS-2009/SPP-26)(Nagoya) P3-41 巻 頁: 496-497 2009年2月
Temperature Dependence of Electron Transport between Quantum Dots and Electron Gas
Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
International Symposium on Nanoscale Transport and Technology(Kanagawa) PTu-09 巻 2009年1月
Impact of Remote Plasma Treatment on Formation of Metal Nanodots on Ultrathin SiO2
A. Kawanami, K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, S.Higashi, S. Miyazaki
The 2nd International Conference on Plasma-Nano Technology & Science(Nagoya) P-09 巻 2009年1月
Temperature Dependence of Electron Tunneling between Two Dimensional Electron Gas and Si Quantum Dots
16. Y. Sakurai, J. Iwata, M. Muraguchi, Y. Shigeta, Y. Takada, S. Nomura, T. Endoh, S. Saito, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 49 巻 ( 1 ) 頁: 090435 2009年
Interface Properties and Effective Work Function of Sb-Predoped Fully Silicided NiSi Gate
T. Hosoi, K. Sano, A. Ohta, K. Makihara, H. Kaku, S. Miyazaki, K. Shibahara
Appl. Phys. Lett. 94 巻 頁: 192102 2009年
Temperature Dependence of Capacitance of Si Quantum Dot Floating Gate MOS Capacitor
Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S.Miyazaki
Jour. of Phys.: Cond. Mat. 150 巻 頁: 022071 2009年
Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Its Application to Floating Gate MOS Memories
K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, R. Matsumoto, S. Higashi, S. Miyazaki
IEICE Trans. on Electronics E92-C 巻 ( 5 ) 頁: 616-619 2009年
Electronic Charged States of Pt-silicide Nanodots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique
K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, A. Ohta, S. Higashi, S. Miyazaki
Trans. of MRS-J. 34 巻 ( 2 ) 頁: 309-312 2009年
Photoemission Study of Fully Silicided Pd2Si Gates with Interface Modification Induced by Dopants
T. Hosoi, A. Ohta, S. Miyazaki, H. Shiraish, K. Shibahara
Appl. Phys. Lett. 94 巻 頁: 192102 2009年
Effective-Work-Function Control by Varying the TiN Thickness in Poly-Si/TiN Gate Electrodes for Scaled High-k CMOSFETs
21. M. Kadoshima, T. Matsuki, S. Miyazaki, K. Shiraishi, T. Chikyo, K. Yamada, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji
IEEE Electron Device Lett. 30 巻 ( 5 ) 頁: 466-468 2009年
Charge Strage Characteristics of Hybrid Nanodots Floating Gate
S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda
ECS Trans. 25 巻 ( 7 ) 頁: 433-439 2009年
Physics of Nano-contact Between Si Quantum Dots and Inversion Layer
19. Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, J. Iwata, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
ECS Trans. 25 巻 ( 7 ) 頁: 463-469 2009年
Surface Potential Changes Induced by Physisorption of Si-tagged Protein A on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 Surface
S. Mahboob, K. Makihara, A. Ohta, S. Higashi, Y. Hata, A. Kuroda, S. Miyazaki
ECS Trans. 19 巻 ( 22 ) 頁: 35-43 2009年
Electroluminescence from Si Quantum Dots/SiO2 Multilayers with Ultrathin Oxide Layers due to Bipolar Injection
J. Xu, K. Makihara, H. Dek, S. Miyazaki
Solid State Communications 149 巻 頁: 739-742 2009年
The Influence of Defects and Impurities on Electrical Properties of High-k Dielectrics 査読有り
J. Dąbrowski, S. Miyazaki, S. Inumiya, G. Kozłowski, G. Lippert, G. Łupina, Y. Nara, H.-J. Müssig, A. Ohta, and Y. Pei
Materials Science Forum 608 巻 頁: 55-109 2009年
Generation of High Density Thermal Plasma Jet and Its Application to Millisecond Annealing of Si Wafer Surface for Shallow Junction Formation
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki
30th International Symposium on Dry Process (DPS 2008) (Tokyo) 8-2 巻 頁: 267-268 2008年11月
Characterization of Chemical Bonding Features in HfGdxOy film formed by MOCVD using DPM precursors
D. Kanme, A. Ohta, R. Yougauchi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF)(Tokyo) P1-4 巻 頁: 25-26 2008年11月
XPS Study of TiAlN/HfSiON Gate Stack - Impact of Al Redistribution on Effective Work Function Change-
A. Ohta, T. Mori, H. Yoshinaga, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Kadoshima, Y. Nara
2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF)(Tokyo) S4-4 巻 頁: 75-76 2008年11月
Formation of Metallic Nanodots on Ultrathin Gate Oxide Induced by H2-plasma Treatment and Its Application to Floating Gate Memories
S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe, R. Matsumoto
4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008)(Sendai) Z-01 巻 頁: 53-54 2008年9月
Formation of Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Application
S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe
The European Materials Research Society (E-MRS) 2008 Fall Meeting (Poland) 頁: 66-67 2008年9月
Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Induced by High Density Thermal Plasma Jet Irradiation
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki
Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008)(Tsukuba) A-9-2 巻 頁: 852-853 2008年9月
Photoemission Study of Chemical Bonding Features and Electronic States of Ultrathin HfTixOy/Pt System
A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Tanioku, M. Horikawa, A. Ogishima
2008 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM2008)(Tsukuba) A-5-3 巻 頁: 684-685 2008年9月
Charge Injection and Emission Characteristics of Hybrid Floating Gate Stack Consisting of NiSi-Nanodots and Silicon-Quantum-Dots
M. Ikeda, R. Matsumoto, K. Shimanoe, K. Makihara, S. Miyazaki
2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)(Tsukuba) H-1-6 巻 頁: 182-183 2008年9月
Formation of Ultra High Density Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2
K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008)(Sendai) P-08 巻 頁: 37-38 2008年9月
AFM/KFM Detection of Si-tagged ProteinA on HF-last Si(100), Thermally Grown SiO2 and Si-QDs Surfaces
K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, Y. Hata, A. Kuroda, S. Miyazaki
4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008)(Sendai) P-09 巻 頁: 39-40 2008年9月
Application of Thermal Plasma Jet Annealing to Channel Crystallization and Doping for Thin Film Transistor Fabrication
H. Kaku, S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H.Furukawa, S. Miyazaki
2008 The Fifteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD'08)(Tokyo) 3-3 巻 頁: 33-36 2008年8月
Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Silicon Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique 査読有り
T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Matsui1, A. Masuda1, M. Kondo1
Jpn. J. Appl. Phys. 47 巻 頁: 6949-6952 2008年8月
Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Its Application to Floating Gate MOS Memories
K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, R. Matsumoto, S. Higashi, S. Miyazaki
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2008) (Hokkaido) 4A.1 巻 頁: 77-80 2008年7月
Electrical Properties of Highly Crystallized Ge:H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4
H. Kaku, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2008), (Sapporo) 5B.3 巻 頁: 155-158 2008年7月
Formation of Ni- and Pt-Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Their Application to Floating Gate MOS Memories
M. Ikeda, K. Shimanoe, R. Matsumoto, K. Makihara, S. Miyazaki
The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)(Osaka) B-5 巻 頁: 43-44 2008年5月
Characterization of Thermal Stability of HfO2/SiON/Ge(100) Stacked Structure by using Photoemission Spectroscopy
A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)(Taiwan) Tsu-S7-04 巻 頁: 88-89 2008年5月
Photoemission Study of Ultrathin Germanium Oxide/Ge(100) Interfaces
H. Murakami, M. Miura, A. Ohta, R. Yougauchi, S. Higashi, S. Miyazaki
4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)(Taiwan) Mon-P1-19 巻 頁: 165-166 2008年5月
Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots
K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)(Taiwan) Mon-P1-10 巻 頁: 147-148 2008年5月
Cathode Electron Injection Breakdown Model and Time Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Prediction in High-k/Metal Gate Stack p-Type Metal–Oxide–Silicon Field Effect Transistors 査読有り
M. Sato1, C. Tamura, K. Yamabe, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamada, R. Hasunuma, . Aoyama1, Y. Nara, and Y. Ohji1
Jpn. J. Appl. Phys. 47 巻 頁: 3326-3331 2008年5月
Self-Assembling Formation of Ni Nanodots on SiO2 Induced by Remote H2 Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics 査読有り
K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 47 巻 頁: 3099-3102 2008年4月
Comprehensive Analysis of Positive and Negative Bias Temperature Instabilities in High-k/Metal Gate Stack Metal–Oxide–Silicon Field Effect Transistors with Equivalent Oxide Thickness Scaling to Sub-1 nm 査読有り
M. Sato1, K. Yamabe, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamada, C. Tamura, R. Hasunuma, S. Inumiya, T.Aoyama, Y. Nara1, and Y. Ohji1
Jpn. J. Appl. Phys. 47 巻 頁: 2354-2359 2008年4月
In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer during Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation 査読有り
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, and S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 47 巻 頁: 2460-2463 2008年4月
Formation of Source and Drain for Polycrystalline Si Thin Film Transistors Using Thermal Plasma Jet Induced Impurity Activation
H. Kaku, S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Furukawa, H. Murakami, S. Miyazaki
International TFT Conference 2008(Korea) 9.6 巻 頁: 331-334 2008年1月
Characterization of Multistep Electron Charging and Discharging of a Silicon Quantum Dots Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases
R. Matsumoto, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 47 巻 ( 4 ) 頁: 3103-3106 2008年
Nucleation Study of Hydrogenated Microcrystalline Silicon (μc-Si:H) Films Deposited by VHF-ICP
T. Karakawa, S. Higashi, H. Murakami, S. Miyazaki
Thin Solid Films 516 巻 頁: 3497-3501 2008年
Effect of He Addition on the Heating Characteristics of Substrate Surface Irradiated by Ar Thermal Plasma Jet
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami, S. Miyazaki
Thin Solid Films 516 巻 頁: 3680-3683 2008年
In-situ Monitoring of Si Wafer Temperature during Millisecond Rapid Thermal Annealing
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki
ECS Trans. 13 巻 ( 1 ) 頁: 31-36 2008年
Formation of Si Nanocrystals in SiOx Films Induced by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa, S. Miyazaki
ECS Trans. 16 巻 ( 9 ) 頁: 177-182 2008年
Low Temperature High-rate Growth of Crystalline Ge Films on Quartz and Crystalline Si Substrates from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4
T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi, S. Miyazaki
Thin Solid Films 517 巻 ( 1 ) 頁: 216-218 2008年
Interface Properties and Effective Work Function of Sb-Predoped Fully Silicided NiSi Gate
T. Hosoi, K. Sano, A. Ohta, K. Makihara, H. Kaku, S. Miyazaki, K. Shibahara
Surface and Interface Analysis. 40 巻 頁: 1126-1130 2008年
Control of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots for Floating Gate Application
S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda
Thin Solid Films 517 巻 ( 1 ) 頁: 41-44 2008年
Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Electrical Charging Characteristics
K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
Thin Solid Films 517 巻 ( 1 ) 頁: 306-308 2008年
Nucleation Control for High Density Formation of Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2
K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
ECS Trans. 16 巻 ( 10 ) 頁: 255-260 2008年
Progress on Charge Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots / SiO2 Structure as Evaluated by AFM/KFM
K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
IEICE Trans. on Electronics E91-C 巻 ( 5 ) 頁: 712-715 2008年
Crystallization of Amorphous Ge Films Induced by Semiconductor Diode Laser Annealing
K. Sakaike, S. Higashi, H. Murakami, S. Miyazaki
Thin Solid Films 516 巻 頁: 3595-3600 2008年
Growth of Si Crystalline in SiOx Films Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H. Murakami, S. Miyazaki
Solid-State Electronics 52 巻 頁: 377-380 2008年
Theoretical Investigation of Metal/Dielectric Interfaces -Breakdown of Schottky Barrier Limits-
K. Shiraishi, T. Nakayama, T. Nakaoka, A. Ohta, S. Miyazaki
ECS Trans. 13 巻 ( 2 ) 頁: 21-27 2008年
Photoemission Study of Metal/HfSiON Gate Stack
S. Miyazaki, H. Yoshinaga, A. Ohta, Y. Akasaka, K. Shiraishi, K. Yamada, S. Inumiya, M. Kadoshima, Y. Nara
ECS Trans. 13 巻 ( 2 ) 頁: 67-73 2008年
Effect of Annealing on Electronic Characteristics of HfSiON Films fabricated by Damascene Gate Process
K. Yamabe, K. Murata, T. Hayashi, T. Tamura, M. Sato, A. uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T. Chikyow, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohji, S. Miyazaki, K. Yamada, R. Hasunuma
ECS Trans. 16 巻 ( 5 ) 頁: 521-526 2008年
Practical dual-metal-gate dual-high-k CMOS integration technology for hp 32 nm LSTP utilizing process-friendly TiAlN metal gate
M. Kadoshima, T. Matsuki, M. Sato, T. Aminaka, E. Kurosawa, A. Ohta, H. Yoshinaga, S. Miyazaki, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji
International Electron Device Meeting 2007 (IEDM)(Washington DC) 20.4 巻 頁: 531-534 2007年12月
Performance Improvement of HfAlOxN n-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors by Controlling the Bonding Configuration of Nitrogen Atoms Coordinated to Hf Atoms 査読有り
K. Iwamoto, T. Nishimura1, A. Ohta2, K. Tominaga, T. Nabatame, S. Miyazaki2, and A. Toriumi1,3
Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 頁: 7666-7670 2007年12月
Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Si Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique
T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Matsui, A. Masuda, M. Kondo
2007 Int. Symposium on Dry Process (DPS2007)(Tokyo) 8-03 巻 頁: 157-158 2007年11月
High Efficiency Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si Films
H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, S. Miyazaki
5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo) OA1 巻 頁: 51-52 2007年11月
Charge Injection Characteristics of NiSi-Dots/Silicon-Quantum-Dots Stacked Floating Gate in MOS Capacitors
M. Ikeda, R. Matsumoto, K. Shimanoe, T. Okada, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki
3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007)(Sendai) P-08 巻 頁: 35-36 2007年11月
High Rate Growth of Crystalline Ge Films at Low Temperatures by Controlling 60MHz Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4
S. Miyazaki, T. Sakata, K. Makihara, M. Ikeda
3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007)(Sendai) P-07 巻 頁: 33-34 2007年11月
Formation of PtSi Nanodots Induced by Remote H2 Plasma
K. Shimanoe, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007), Sendai P-09 巻 頁: 37-38 2007年11月
Impact of Low Temperature Anneal on Effective Work Function and Chemical Bonding Features for Ru/HfSiON/SiON Gate Stack
A. Ohta, H. Yoshinaga, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Kadoshima, Y. Nara
Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo) OA3-1 巻 頁: 215-216 2007年11月
Evaluation of Effective Work Function in Ru/HfSiON/SiO2 Gate Stack Structures – Thickness Dependence in Bottom SiO2 layer
H. Yoshinaga, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Kadoshima, Y. Nara,
Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo) P.-47 巻 頁: 181-182 2007年11月
The Impact of Post Deposition NH3-Anneal on La Oxide Films Formed by MOCVD Using La(DPM)3
R. Yougauchi, A. Ohta, Y. Munetaka, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, (ISCSI-V)(Tokyo) OA3-8 巻 頁: 227-228 2007年11月
High Rate Growth of Highly-Crystallized Ge Films on Quartzfrom VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4 + H2 査読有り
T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi and S. Miyazaki
Materials Science Forum 561-565 巻 頁: 1209-1212 2007年10月
Characterization of Electronic Charged States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/ Kelvin Probe Technique 査読有り
R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda,H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki
Materials Science Forum 561-565 巻 頁: 1213-1216 2007年10月
Self-Assembling Formation of Ninanodots on SiO2 Induced by Remote H2-Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics
K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)(Tsukuba) I-8-1 巻 頁: 1108-1109 2007年9月
In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer During Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki
Solid State Device and Materials (SSDM2007)(Tsukuba) P-1-27L 巻 頁: 376-377 2007年9月
Characterization of Multistep Electron Charging and Discharging of Silicon-Quantum-Dots Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases
R. Matsumoto, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)(Tsukuba) I-8-3 巻 頁: 1112-1113 2007年9月
Electroluminescence from Multiple-Stacked Structures of Impurity Doped Si Quantum Dots
K. Okuyama, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)(Tsukuba) E-1-4 巻 頁: 106-107 2007年9月
Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si films
H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, S. Miyazaki
The Fourteenth International Workshop on ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAY AND DEVICES(Awaji) 3-3 巻 頁: 33-36 2007年7月
Progress on Charge Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots/SiO2 Structure as Evaluated by AFM/KFM
K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007) (Korea) J-R22W 巻 頁: 251-254 2007年6月
Phosphorus Doping to Si Quantum Dots for Floating Gate Application
K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, H. Murakami, R. Matsumoto, E. Ikenaga, M. Kobata, J. Kim, S. Higashi, S. Miyazaki
2007 Silicon Nanoelectronics Workshop(Kyoto) 5-3 巻 頁: 161-162 2007年6月
Fermi-level pinning position modulation by Al-containing metal gate for cost-effective dual-metal/dual-high-k CMOS
M. Kadoshima, Y. Sugita, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji
The 2008 Symposium on VLSI Technology(Kyoto) 5A-1 巻 頁: 66-67 2007年6月
Characterization of Chemical Bonding Features and Defect State Density in HfSiOxNy/SiO2 Gate Stack
A. Ohta, Y. Munetaka, A. Tsugou, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, Y. Nara
15th biannual Conference on Insulating Films on Semiconductors 2007 (INFOS2007)(Greece) session7 7.36 巻 頁: 251-254 2007年6月
Impact of Boron Doping to Si Quantum Dots on Light Emission Properties
K. Okuyama, K. Makihara, A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007) (Korea) J-R23M 巻 頁: 135-138 2007年6月
Hafnium 4f Core-level Shifts Caused by Nitrogen Incorporation in Hf-based High-k Gate Dielectrics 査読有り
N. Umezawa1, K. Shiraishi2,1, S. Miyazaki3, T. Ohno1, T. Chikyow1, K. Yamada4,1, and Y. Nara5
Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 頁: 3507-3509 2007年6月
Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Electrical Charging Characteristics
K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures(France) 22P 2-15 巻 頁: 313-314 2007年5月
Characterization of Metal/High-k Structures Using Monoenergetic Positron Beams 査読有り
Akira Uedono, Tatsuya Naito, Takashi Otsuka, Kenichi Ito, Kenji Shiraishi, Kikuo Yamabe, Seiichi Miyazaki1, Heiji Watanabe2, Naoto Umezawa3, Toyohiro Chikyow3, Toshiyuki Ohdaira4, Ryoichi Suzuki4, Yasushi Akasaka5,, Satoshi Kamiyama5, Yasuo Nara5, and Keisaku Yamada6
Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 頁: 3214-3218 2007年5月
Low Temperature High-rate Growth of Crystalline Ge Films on Quartz and Crystalline Si Substrates from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4
T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi, S. Miyazaki
5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)(France) 21P1-7 巻 頁: 214-215 2007年5月
Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots 査読有り
J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki
Solid State Phenomena 121-123 巻 頁: 557-560 2007年5月
Luminescence Study of Multiply-Stacked Structures Consisting of Impurity-Doped Si Quantum Dots and Ultrathin SiO2
K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki,
The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)(Osaka) PB-5 巻 頁: 121-122 2007年4月
Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bonds in HfSiON 査読有り
Naoto Umezawa, Kenji Shiraishi1, Seiichi Miyazaki2, Akira Uedono1, Yasushi Akasaka3, Seiji Inumiya3, Ryu Hasunuma1, Kikuo Yamabe1, Hiroyoshi Momida4, Takahisa Ohno4, Kenji Ohmori, Toyohiro Chikyow, Yasuo Nara3, and Keisaku Yamada5
Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 頁: 1891-1894 2007年4月
Melting and Solidification of Microcrystalline Si Films Induced by Semiconductor Diode Laser Irradiation 査読有り
Kohei Sakaike, Seiichiro Higashi, Hirotaka Kaku, Hideki Murakami, and Seiichi Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 頁: 1276-1279 2007年3月
Ultrarapid Thermal Annealing Induced by DC Arc Discharge Plasma Jet Its Application
S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki
5th International Symposium Nanotechnology (JAPAN NANO 2007)(Tokyo) P3-2 巻 頁: 144-145 2007年2月
Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films
S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki
3rd International TFT Conference(Italy) P21 巻 頁: 204-207 2007年1月
Growth of Si Crystalline in SiOx Films Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H.Murakami, S. Miyazaki
3rd International TFT Conference(Italy) 5a.3 巻 頁: 82-85 2007年1月
Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films, 3rd International TFT Conference, Rome, Italy, Jan.
S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki,
3rd International TFT Conference, Rome, Italy, Jan. 25-26, 2007, P21, pp 頁: 204-207. 2007年1月
Melting and Solidification of Microcrystalline Si Films Induced by Semiconductor Diode Laser Irradiation
K. Sakaike, S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 ( 3B ) 頁: 1276-1279 2007年
Control of Substrate Surface Temperature in Millisecond Annealing Technique Using Thermal Plasma Jet
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami, S. Miyazaki
Thin Solid Films 515 巻 頁: 4897-4900 2007年
Electrical Characteristics of Lightly-Doped Si Films Crystallized by Thermal Plasma Jet Irradiation
T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Maki, T. Sameshima
Trans. of MRS-J 32 巻 ( 2 ) 頁: 465-468 2007年
Performance Improvement of HfAlOxN n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by Controlling the Bonding Configuration of Nitrogen Atoms Coordinated to Hf Atoms
K. Iwamoto, T. Nishimura, A. Ohta, K. Tominaga, T. Nabatame, S. Miyazaki, A. Toriumi
Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 ( 12 ) 頁: 7666-7670 2007年
Theoretical Studies on Metal/High-k Gate Stacks
K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, A. Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamabe, K. Yamada
ECS Trans. 6 巻 ( 1 ) 頁: 191-204 2007年
Vacancy-fluorine complexes and their impact on the properties of metal-oxide transistors with high-k gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams
A. Uedono, S. Inumiya, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki, S. Miyazaki, K. Yamada
J. Appl. Phys 102 巻 頁: 054511-1 – 054511-7 2007年
Improvement in Fermi-Level Pinning of p-MOS Metal Gate Electodes on HfSiON by Employing Ru Gate Electrodes
M. Kadoshima, Y. Suginta, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji
ECS Trans. 11 巻 ( 4 ) 頁: 169-180 2007年
Characterization of Chemical Bonding Features and Defect State Density in HfSiOxNy/SiO2 Gate Stack
A. Ohta, Y. Munetaka, A. Tsugou, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, Y. Nara
Microelec. Eng. 84 巻 頁: 2386-2389 2007年
Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots for Floating Gate Application
S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara
ECS Trans. 11 巻 ( 6 ) 頁: 233-243 2007年
Characterization of Electronic Charged States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/Kelvin Probe Technique
R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Materials Science Forum 561-565 巻 頁: 1213-1216 2007年
Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots
J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Solid State Phenomena 121-123 巻 頁: 557-560 2007年
Vacancy-Type Defects in MOSFETs with High-k Gate Dielectrics Probed by Monoenergetic Positron Beams
A. Uedono, R. Hasumuma, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Inumiya, Y. Akasaka, S. Kamiyama, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, S. Miyazaki, H. Watanab, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki, K. Yamada
ECS Trans. 11 巻 ( 4 ) 頁: 81-90 2007年
Role of the Ionicity in Defect Formation in Hf-based Dielectrics
N. Umezawa, K. Shiraishi, S. Miyazaki, A. Uedono, Y. Akasaka, S. Inumiya, A. Oshiyama, R. Hasunuma, K. Yamabe, H. Momida, T. Ohno, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamada
ECS Trans. 11 巻 ( 4 ) 頁: 199-211 2007年
Tight distribution of dielectric characteristics of HfSiON in metal gate devices
R. Hasumuma, T. Naito, C. Tamura, A. Uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Inumiya, M. Sato, Y. Tamura, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohji, S. Miyazaki, K. Yamada, K. Yamabe
ECS Trans. 11 巻 ( 4 ) 頁: 3-11 2007年
Introduction of defects into HfO2 gate dielectrics by metal-gate deposition studied using x-ray photoelectron spectroscopy and positron annihilation
1. A. Uedono, T. Naito, T. Otsuka, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, H. Watanabe
J. Appl. Phys. 100 巻 頁: 064501-1 – 064501-5 2006年
Crystallization of Si in Millisecond Time Domain Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation
S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 ( 5B ) 頁: 4313-4320 2006年
Analysis of Transient Temperature Profile During Thermal Plasma Jet Annealing of Si Films on Quartz Substrate
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 ( 5B ) 頁: 4355-4357 2006年
In-Situ Observation of Rapid Crystalline Growth Induced by Excimer Laser Irradiation to Ge/Si Stacked Structure
A. Yamashita, Y. Okamoto, S. Higashi, S. Miyazaki, H. Watakabe, T. Sameshima
Thin Solid Films 508 巻 頁: 53-56 2006年
High-rate Growth of Highly-crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plasma CVD
N. Kosku, S. Miyazaki
Thin Solid Films 511-512 巻 頁: 265-270 2006年
The Application of Very High Frequency Inductively-coupled Plasma to High-Rate Growth of Microcrystalline Silicon Films
N. Kosku, S. Miyazaki
J. Non-Cryst. Solid 352 巻 頁: 911-914 2006年
Growth of Crystallized Ge Films from VHF-Inductively Coupled Plasma of H2-Diluted GeH4
T. Sakata, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki
Thin Solid Films 515 巻 ( 12 ) 頁: 4971-4974 2006年
An Unfavorable Effect of Nitrogen Incorporation on Reduction in the Oxygen Vacancy Formation Energy
N. Umezawa, K. Shiraishi, Y. Akasaka, S. Inumiya, A. Uedono, S. Miyazaki, T. Chikyow, T.Ohno, Y. Nara, K. Yamada
Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan 31 巻 ( 1 ) 頁: 129-132 2006年
Photoemission Study of Ultrathin HfSiON/Si(100) Systems
A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, Y. Nara
Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan 31 巻 ( 1 ) 頁: 125-128 2006年
Photoemission Study of Ultrathin GeO2/Ge Heterostructures Formed by UV-O3 Oxidation
A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Jour. of Sur. Sci. and Nanotech. 4 巻 頁: 174-179 2006年
Impact of Nitrogen Incorporation into Yittrium Oxide on Chemical Bonding Features and Electrical Properties
H. Abe, H. Nakagawa, M. Taira, A. Ohta, S. Higashi, S. Miyazaki
Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan 31 巻 ( 1 ) 頁: 157-160 2006年
Nitridation of Ge(100) Surfaces by Vacuum-ultra violet (VUV) Irradiation in NH3 Ambience
H. Nakagawa, A. Ohta, M. Taira, H. Abe, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan 31 巻 ( 1 ) 頁: 153-156 2006年
Influence of thermal annealing on defect states and chemical structures in ultrathin Al2O3/SiN/poly-Si
M. Taira, A. Ohta, H. Nakagawa, S. Miyazaki, K. Yoneda, M. Horikawa, K. Koyama
Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan 31 巻 ( 1 ) 頁: 149-152 2006年
Characterization of FUSI-PtSi Formed on Ultrathin HfO2/Si(100) by Photoelectron Spectroscopy
Y. Munetaka, F. Takeno, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan 31 巻 ( 1 ) 頁: 145-148 2006年
Depth Profiling of Chemical and Electronic Structures and Defects of Ultrathin HfSiON on Si(100)
S. Miyazaki, A. Ohta, S. Inumiya, Y. Nara, K. Yamada
ECS Trans. 3 巻 ( 3 ) 頁: 171-180 2006年
Physics of Metal/High-k Interfaces
T. Nakayama, K. Shiraishi, S. Miyazaki, Y. Akasaka, K. Torii, P. Ahmet, K. Ohmori, N. Umezawa, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, A. Ohta, H. Iwai, K. Yamada, T. Nakaoka
Physics of Metal/High-k Interfaces 3 巻 ( 3 ) 頁: 129-140 2006年
Multistep Electron Charging to and Discharging from Silicon-Quantum-Dots Floating Gate in nMOSFETs
T. Nagai, M. Ikeda, Y. Shimizu, S. Higashi, S. Miyazaki
Trans. of MRS-J 31 巻 ( 1 ) 頁: 137-140 2006年
Study of Charged States of Si Quantum Dots with Ge Core
K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
ECS Trans. 3 巻 ( 7 ) 頁: 257-262 2006年
Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots and Their Application to Floating Gate Memories
S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara
ECS Trans. 2 巻 ( 1 ) 頁: 157-164 2006年
Fabrication of Multiply-Stacked Si Quantum Dots for Floating Gate MOS Devices
K. Makihara, M. Ikeda, T. Nagai, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Trans. of MRS-J 31 巻 ( 1 ) 頁: 133-136 2006年
Decay Characteristics of Electronic Charged States of Si Quantum Dots as Evaluated by an AFM/Kelvin Probe Technique
J. Nishitani, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Thin Solid Films 508 巻 ( 1-2 ) 頁: 190-194 2006年
Characterization of Electronic Charged States of P-doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe
K. Makihara, J. Xu, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Thin Solid Films 508 巻 ( 1-2 ) 頁: 186-189 2006年
Characterization of HfSiON gate dielectrics using monoenergetic positron beams
1. A. Uedono, K. Ikeuchi, T. Otsuka, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, N. Umezawa, A. Hamid, T. Chikyow
J. Appl. Phys. 99 巻 頁: 054507-1 – 054507-6 2006年
Control of the Nucleation Density of Si Quantum Dots by Remote Hydrogen Plasma Treatment
K. Makihara, H. Deki, H. Murakami, S. Higasi, S. Miyazaki
Appl. Surf. Sci. 244 巻 ( 1-4 ) 頁: 75-78 2005年
Analysis of Leakage Current through Al/HfAlOx/SiONx/Si(100) MOS Capacitors
S. Nagamachi, A. Ohta, F. Takeno, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii
Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan 30 巻 ( 1 ) 頁: 197-200 2005年
The Role of Oxygen-related Defects on the Reliabilities of HfO2-based High-k Gate Insulators
K. Torii, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamabe, M. Boero, T. Chikyow, K. Yamada, H. Kitajima, T. Arikado
Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan 30 巻 ( 1 ) 頁: 191-195 2005年
Impact of Rapid Thermal Anneal on ALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100) Stack Structures-Photoelectron Spectroscopy
F. Takeno, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Komeda, M. Horikawa, K. Koyama
Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan 30 巻 ( 1 ) 頁: 213-217 2005年
Characterization of Charge Trapping and Dielectric Breakdown of HfAlOX/SiON Dielectric Gate Stack
Y. Pei, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii, Y. Nara
ECS Trans. 1 巻 ( 1 ) 頁: 163-172 2005年
Characterization of Aluminum-Oxynitride Stacked Gate Dielectrics Prepared by a Layer-by-Layer Process of Chemical Vapor Deposition and Rapid Thermal Nitridation
H. Murakami, W. Mizubayashi, H. Yokoi, A. Suyama, S. Miyazaki
IEICE Trans. on Electronics E88-C 巻 ( 4 ) 頁: 640-645 2005年
Characterization of Atom Diffusion in Polycrystalline Si/SiGe/Si Stacked Gate
H. Murakami, Y. Moriwaki, M. Fujitake, D. Azuma, S. Higashi, S. Miyazaki
IEICE Trans. on Electronics E88-C 巻 ( 4 ) 頁: 646-650 2005年
Impact of Rapid Thermal Anneal on ALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100) Stack Structures-Photoelectron Spectroscopy
F. Takeno, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Komeda, M. Horikawa, K. Koyama
Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan 30 巻 ( 1 ) 頁: 213-217 2005年
Analysis of Leakage Current through Al/HfAlOx/SiONx/Si(100) MOS Capacitors
S. Nagamachi, A. Ohta, F. Takeno, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii
Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan 30 巻 ( 1 ) 頁: 197-200 2005年
Characterization of Electronic Charged States of Silicon Nanocrystals as a Floating Gate in MOS Structures
S. Miyazaki, T. Shibaguchi, M. Ikeda
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 830 巻 頁: 249-254 2005年
Charging and Discharging Characteristics of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots
T. Shibaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Miyazaki
IEICE Trans. on Electronics E88-C 巻 ( 4 ) 頁: 709-712 2005年
Electrical Characterization of HfAlOx/SiON Dielectric Gate Capacitors
Y. Pei, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii
Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan 30 巻 ( 1 ) 頁: 205-208 2005年
Crystallization of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet
S. Higashi, H. Kaku, H. Taniguchi, H. Murakami, S. Miyazaki
Thin Solid Films 487 巻 頁: 122-125 2005年
Crystallization of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet
S. Higashi, H. Kaku, H. Taniguchi, H. Murakami, S. Miyazaki
Thin Solid Films 487 巻 頁: 122-125 2005年
High-Rate Growth of Highly-Crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plasma CVD
N. Kosku, S. Miyazaki
Trans. of MRS-J 30 巻 ( 1 ) 頁: 279-282 2005年
Fabrication of Polycrystalline Si Thin Film Transistor Using Plasma Jet Crystalliztion Technique
H. Kaku, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Asami, H. Watakabe, N. Andoh, T. Sameshima
Trans. of MRS-J 30 巻 ( 1 ) 頁: 283-286 2005年
Application of Plasma Jet Crystallization Technique to Fabrication of Thin-Film Transistor
S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki, H. Watakabe, N. Ando, T. Sameshima
Jpn. J. Appl. Phys. 44 巻 ( 3 ) 頁: L108-L110 2005年
Influence of Substrate dc Bias on Crystallinity of Silicon Films Grown at a High Rate from Inductively-coupled Plasma CVD
N. Kosku, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Appl. Surf. Sci. 244 巻 ( 1-4 ) 頁: 39-42 2005年
A New Crystallization Technique of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet
H. Kaku, S. Higashi, H. Taniguchi, H. Murakami, S. Miyazaki
Appl. Surf. Sci. 244 巻 ( 1-4 ) 頁: 8-11 2005年
Characterization of Germanium Nanocrystallites Grown on SiO2 by a Conductive AFM Probe Technique
K. Makihara, Y. Okamoto, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
IEICE Trans. on Electronics E88-C 巻 ( 4 ) 頁: 705-708 2005年
Formation of Microcrystalline Germanium (mc-Ge:H) Films From Inductively-Coupled Plasma CVD
Y. Okamoto, K. Makihara, H. Murakami, S. Higasi, S. Miyazaki
Appl. Surf. Sci. 244 巻 ( 1-4 ) 頁: 12-15 2005年
Influence of Thermal Annealing on Compositional Mixing and Crystallinity of Highly-Selective Grown Si Dots with Ge Core
Y. Darma, Hideki Murakami, S. Miyazaki
Appl. Surf. Sci. 224 巻 頁: 156-159 2004年
New Analytical Modeling for Photoinduced Discharge Characteristics of Photoreceptors
A. Teshima, S. Miyazaki,
Jpn. J. Appl. Phys. 43 巻 ( 8A ) 頁: 5129-5133 2004年
Electrical Characterization of Ge Microcrystallites by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probe
K. Makihara, Y. Okamoto, H. Nakagawa, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Thin Solid Films 457 巻 頁: 103-108 2004年
Analysis of Soft Breakdown of 2.6-4.9nm-Thick Gate Oxides
W. Mizubayashi, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 43 巻 ( 10 ) 頁: 6925-6929 2004年
Statistical Analysis of Soft and Hard Breakdown in 1.9-4.8nm-thick Gate Oxides, IEEE Electron Device Lett.
W. Mizubayashi, Y. Yoshida, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Hirose
IEEE Electron Device Lett 25 巻 ( 5 ) 頁: 305-307 2004年
Praseodymium silicate formed by postdeposition high-temperature annealing
A. Sakai, S. Sakashita, M. Sakashita, S. Zaima, S. Miyazaki
Appl. Phys. Lett. 85 巻 ( 22 ) 頁: 5322-5324 2004年
Impact of Rapid Thermal O2 Anneal on Dielectric Stack Structures of Hafnium Aluminate and Silicon Dioxide Formed on Si(100)
A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, T, Kawahara, K. Torii, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 43 巻 ( 11B ) 頁: 7831-7836 2004年
Photoelectron Spectroscopy of ultrathin yttrium oxide films on Si(100)
A. Ohta, M. Yamaoka, S. Miyazaki
Microelec. Eng. 72 巻 頁: 154-159 2004年
Characterization of Interfacial Oxide Layers in Heterostructures of Hafnium Oxides Formed on NH3-nitrided Si(100)
H. Nakagawa, A. Ohta, F. Takeno, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys. 43 巻 ( 11B ) 頁: 7890-7894 2004年
Influence of Boron and Fluorine Incorporation on the Network Structure of Ultrathin SiO2 査読有り
S. Miyazaki, K. Morino and M. Hirose
76-77 巻 頁: 149-152 2001年
化学便覧 第7版 応用化学編
宮崎誠一( 担当: 共著)
日本化学会編,丸善出版(株) 2014年
薄膜工学(第2版)分担執筆 第2章3節「化学気相成長法」
宮崎誠一( 担当: 単著)
丸善出版 2011年6月
マイクロ・ナノ領域の超精密技術第3章2節「半導体デバイス」ⅠSi系(極微細化の観点を中心にして)
宮崎誠一( 担当: 単著)
オーム社 2011年3月
実用薄膜プロセス―機能創製・応用展開― 第1編「創製技術」第5章「CVD」
宮崎誠一( 担当: 単著)
技術教育出版社 2009年
プラズマ・核融合学会誌 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3.結晶化・相変化制御への応用」
東 清一郎, 宮崎 誠一( 担当: 共著)
2009年
次世代半導体メモリの最新技術 第6章分担執筆:「シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発」
( 担当: 単著)
シーエムシー出版 2009年
プラズマ・核融合学会誌85(3) 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3.結晶化・相変化制御への応用」
東 清一郎, 宮崎 誠一( 担当: 共著)
プラズマ・核融合学会 2009年
実用薄膜プロセス―機能創製・応用展開― 第1編「創製技術」第5章「CVD」
( 担当: 単著)
技術教育出版社 2009年
究極のかたちをつくる 第1章分担執筆:「ナノサイズのかたちをつくる」
( 担当: 単著)
日刊工業新聞社 2009年
次世代半導体メモリの最新技術 第6章
( 担当: 共著)
シーエムシー出版 2009年
薄膜ハンドブック 第II編 第1章 1.3.4 CVD(編集・分担執筆 )
宮崎 誠一( 担当: 単著)
Ohmsha 2008年
表面科学の基礎と応用(第3編、第1章・第2節)
( 担当: 共著)
エヌ・ティー・エス 2004年
HCl前洗浄がAl2O3/GaN界面特性に与える影響
長井 大誠、田岡 紀之、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
XANAMにより測定したGe量子ドット像のX線エネルギー依存性
鈴木 秀士、向井 慎吾、田 旺帝、野村 昌治、藤森 俊太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、朝倉 清高
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月17日
XANAMによるSi-Ge量子ドットにおけるX線誘起力変化の調査
鈴木 秀士、向井 慎吾、田 旺帝、野村 昌治、藤森 俊太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、朝倉 清高
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
リモート水素プラズマ支援FePt合金ナノドット自己組織化形成プロセスにおける基板温度が磁化特性に与える影響
本田 俊輔、古幡 裕志、大田 晃生、池田 弥央、大島 大輝、加藤 剛志、牧原 克典、宮﨑 誠一
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月19日
低温水素アニール処理がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響
前原 拓哉、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月17日
Segregation Control for Ultrathin Ge Layer in Al/Ge(111) system 国際会議
A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021) 2021年3月10日
Influence of Substrate Temperature on Plasma-Enhanced Self-Assembling Formation of High Density FePt-Nanodot 国際会議
S. Honda, K. Makihara, H. Furuhata, A. Ohta, M. Ikeda, T. Kato, D. Oshima, and S. Miyazaki
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021) 2021年3月9日
High-Density Formation of FeSi2 Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議
H. Zhixue, H, Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021) 2021年3月9日
Magnetoelectronic Transport Characteristics of Fe3Si Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議
W. Jialin, H. Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021) 2021年3月9日
Characterization of Electron Field Emission from Phosphorus δ-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures 国際会議
T. Takemoto, T. Niibayashi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021) 2021年3月9日
[チュートリアル]組成・状態評価 招待有り
宮﨑 誠一
日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 リトリート学習会2021 2021年3月6日
金属Hf/Zrの熱酸化プロセスが結晶相と強誘電特性に与える影響
長谷川 遼介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第26回) 2021年1月22日
Sapphire(0001)上アモルファスGe薄膜の固相結晶化
須川 響、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第26回) 2021年1月22日
Ag/Ge構造の表面偏析制御と平坦化による極薄Ge結晶形成
大田 晃生、山田 憲蔵、須川 響、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第26回) 2021年1月22日
グラフェン電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電子放出特性評価
新林 智文、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一
第20回日本表面真空学会中部支部学術講演会 2020年12月19日 日本表面真空学会中部支部
Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode 国際会議
Tomofumi Niibayashi, Tatsuya Takemoto, Katsunori Makihara, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, and Seiichi Miyazaki
PRiME 2020 (238th Meeting of The Electrochemical Society (ECS))
Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing 国際会議
Hibiki Sugawa, Akio Ohta, Masato Kobayashi, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara and Seiichi Miyazaki
PRiME 2020 (238th Meeting of The Electrochemical Society (ECS))
Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe 国際会議
Jialin Wu, Hai Zhang, Hiroshi Furuhata, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta and Seiichi Miyazaki
PRiME 2020 (238th Meeting of The Electrochemical Society (ECS))
Growth of Ultrathin Ge Crystal Layer by Surface Segregation and Flattening of Ag/Ge Structure 国際会議
Akio Ohta, Kenzou Yamada, Hibiki Sugawa, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, an Seiichi Miyazaki
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020) 2020年9月28日
グラフェン上部電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出 ―コレクタ電極電圧依存性評価
2020年9月9日
XANAMによるGe量子ドット像の1次元 元素マッピング
2020年9月9日
金属Zr/Hf構造の熱酸化によるZrHf酸化物の形成と結晶相制御
2020年9月10日
Si-Ge系ナノドットの高密度集積と光・電子物性制御 招待有り
牧原 克典、宮﨑 誠一
阪大CSRN 第二回異分野研究交流会 ~半導体ナノカーボン系~ 2020年8月28日
Photoemission Study of Chemically-Cleaned GaN Surfaces and GaN-SiO2 Interfaces Formed by Remote Plasma CVD 招待有り 国際会議
S. Miyazaki, and A. Ohta
Material Research Meeting 2019 (MRM 2020)
Light Emission from Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots 招待有り 国際会議
S. Miyazaki
7th Global Nanotechnology Congress and Expo: Nanotechnology 2019
Formation of High Density Fe-silicide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of Their Magnetic Properties 招待有り 国際会議
J. Wu, H. Furuhata, H. Zhang, Y. Hashimoto, M. Ikeda, A. Ohta, A. Kohno, K. Makihara, and S. Miyazaki
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8)
Fabrication of Impurity Doped Si Quantum Dots with Ge Core for Light Emission Devices 招待有り 国際会議
K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8)
Application of Surface Chemical Imaging by XANAM to Ge Surfaces 招待有り 国際会議
S. Suzuki, S. Mukai, W. J. Chun, M. Nomura, S. Fujimori, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, and K. Asakura
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8)
Characterization of Photoluminescence from Si-QDs with B δ-Doped Ge Core 招待有り 国際会議
T. Maehara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8)
High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Magnetic Fe-silicide Nanodots 招待有り 国際会議
H. Zhang, X. Liu, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8)
Formation of High Density PtAl Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Exposure 招待有り 国際会議
S. Miyazaki
41st International Symposium on Dry Process (DPS 2019)
Fabrication and Characterization of Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots for Light Emission 招待有り 国際会議
S. Miyazaki
2nd Int. Conf. on Photonics Research: InterPhotonics 2019
Operand Study of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 招待有り 国際会議
M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019)
Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 招待有り 国際会議
S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019)
Determination of Complex Dielectric Function of Oxide Film from Photoemission Measurements 招待有り 国際会議
A. Ohata, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019)
Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 招待有り 国際会議
K. Makihara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2019)
Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing 招待有り 国際会議
M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki
32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2019)
Study on Light Emission from Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots 招待有り 国際会議
S. Miyazaki
World Congress on Lasers, Optics and Photonics
Impact of Post Deposition Annealing on Chemical Bonding Features and Filled Electronic Defects of AlSiO/GaN(0001) Structure 招待有り 国際会議
A. Ohta, D. Kikuta, T. Narita, K. Itoh, K. Makihara, T. Kachi, and S. Miyazaki
2019 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2019)
Characterization of Electron Field Emission from Si Quantum Dots with Ge Core/Si Quantum Dots Hybrid Stacked Structures 招待有り 国際会議
T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
2019 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2019)
Characterization of Ni/GaN(0001) Interfaces by Photoemission Measurements 招待有り 国際会議
K. Watanabe, A. Ohta, N. Taoka, H. Yamada, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S.Miyazaki
2019 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2019)
Growth of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 招待有り 国際会議
M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki
2019 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2019)
Formation of high density Fe-silicide nanodots induced by remote H2 plasma and their magnetic properties 招待有り 国際会議
Y. Hashimoto, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, A. Kohno, and S. Miyazaki
The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2019 (APAC-Silicide 2019)
[チュートリアル] 薄膜評価法-組成・状態評価 招待有り
Characterization of Electron Field Emission of Multiply-Stacked Si-QDs/SiO2 Structures 招待有り 国際会議
T. Takemoto, Y. Futamura, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2019)
Effect of B-doping on Photoluminescence Properties of Si-QDs with Ge Core 招待有り 国際会議
S. Fujimori, R. Nagai, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference; 10th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/ 12th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)
Fabrication and Characterization of Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots for Light and Electron Emissions 国際会議
S. Miyazaki
World Chemistry Forum 2019 (WCF-2019)
Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Electroluminescent Devices 招待有り 国際会議
K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW2019)
Photoemission Characterization of Interface Dipoles and Electronic Defect States for Gate Dielectrics 招待有り 国際会議
S. Miyazaki and A. Ohta
2019 International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT 7)
電子デバイス・材料開発に向けたナノスケールスタック構造・界面の光電子分光分析 招待有り
Photoemission Study of Gate Dielectrics and Stack Interfaces 招待有り 国際会議
S. Miyazaki, and A. Ohta
2018 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2018)
Formation and Characterization of Si/Ge Quantum Dots for Optoelectronic Application 招待有り 国際会議
S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda, and A. Ohta
International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (Thermec' 2018)
Si-Geスーパーアトム構造の高密度集積と光・電子物性制御 招待有り
Local Structure of High Performance TiOx Passivating Layer Revealed by Electron Energy Loss Spectroscopy 国際会議
T. Mochizuki, K. Gotoh, A. Ohta, Y. Kurokawa, S. Miyazaki, T. Yamamoto, N. Usami
2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC-7) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC)
Si-Ge系コア・シェル量子構造の高密度集積と光・電子物性制御 招待有り
Oxidation of GaN surface by remote oxygen plasma 国際会議
T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki
The 39th International Symposium on Dry Process (DPS2017)
Ultrathin Ge Growth on Flat Ag Surface in Hetero-Epitaxial Ag/Ge Structure by Annealing 国際会議
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
The 30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2017)
Evaluation of Resistive Switching Properties of Si-Rich Oxide Embedded with Ti Nanodots by Applying Constant Voltage and Constant Current 国際会議
A. Ohta, Y. Kato, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
The 30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2017)
GaN-MOSデバイス開発に向けたゲート絶縁膜及び界面の光電子分光分析
宮﨑 誠一
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第4回講演会
硬 X 線光電子分光法による Si 量子ドット多重集積構造のオペランド分析
中島 裕太、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一
第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
Ge コア Si 量子ドットの EL 特性評価
山田 健太郎、池田 弥央、牧原 克典、大田 晃生、宮﨑 誠一
第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
熱処理によるエピタキシャル Ag 上への Ge 二次元結晶の合成指針の構築
伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
熱処理がリモートプラズマ CVD SiO2/GaN 構造の化学結合状態及び電気特性に与える影響
グェンスァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一
第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
リモートプラズマ酸化した GaN の表面構造と電子状態
山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一
第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
入射エネルギー可変の真空紫外光電子分光による固体表面の価電子帯上端位置の計測
今川 拓哉、大田 晃生、田岡 紀之、藤村 信幸、グェンスァン チュン、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
高誘電率絶縁膜/SiO2積層構造の光電子分光分析 -界面ダイポールと酸素密度の相関-
藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
Ultrathin Ge Growth on Ag Surface by Annealing of Hetero-Epitaxial Ag/Ge(111) 国際会議
A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)
Processing and Characterization of High Density Si/Ge Quantum Dots for Electroluminescent Devices 招待有り 国際会議
S. Miyazaki, K. Yamada, K. Makihara, and M. Ikeda
The 232nd Meeting of The Electrochemical Society (ECS Meeting)
Characterization of Interfacial Dipoles at Dielectric Stacks by XPS Analysis 招待有り 国際会議
S. Miyazaki, A. Ohta, and N. Fujimura
The 232nd Meeting of The Electrochemical Society (ECS Meeting)
Direct Observation of Electrical Dipole and Atomic Density at High-k Dielectrics/SiO2 Interface 国際会議
N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
SSDM2017
High Thermal Stability of Abrupt SiO2/GaN Interface with Low Interface State Density 国際会議
T. X. Nguyen, N. Taoka, A. Ohta , K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki
SSDM2017
Growth of 2D Crystal of Group-IV Elements on Epitaxial Ag (111) 国際会議
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
SSDM2017
Challenges in Si-Based Nanotechnology:Fabrication and Characterization of Multistack Si/Ge Quantum Dots for Novel Functional Devices 招待有り 国際会議
S. Miyazaki
The 5th International Conference on Advanced Materials Science and Technology 2017 (ICAMST 2017)
リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の熱安定性
グェンスァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一
第78回応用物理学会秋季学術講演会
熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御
伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
第78回応用物理学会秋季学術講演会
Study of Wet Chemical Treatments of Epitaxial GaN(0001) Surface
L. Peng, A. Ohta, N. X. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, N. Taoka, T.Narita, K. Itoh, D. Kikuta, K. Shiozaki, T.Kachi, S. Miyazaki
電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造の発光特性
牧原 克典、池田 弥央、藤村 信幸、大田 晃生、宮﨑 誠一
第78回応用物理学会秋季学術講演会
真空紫外光電子分光によるGaNの電子親和力評価
今川 拓哉、大田 晃生、藤村 信幸、グェン スァン チュン、池田 弥央、牧原 克典、加地 徹、塩崎 宏司、宮﨑 誠一
第78回応用物理学会秋季学術講演会
XPSによるHigh-k/SiO2界面のダイポール定量と酸素密度比との相関
藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
第78回応用物理学会秋季学術講演会
リモート酸素プラズマで形成したGa酸化物/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的特性
山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェン スァチュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一
第78回応用物理学会秋季学術講演会
グリーンナノエレクトロニクスのための材料・プロセスインテグレーション - 超低消費電力次世代トランジスタ開発 -
宮﨑 誠一
SPring-8シンポジウム2017
高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定および SiO2 との界面で生じる電位変化の定量
藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
2017年真空・表面科学合同講演会
リモート酸素プラズマ支援 CVD による急峻 SiO2/GaN 界面の形成とその電気的特性
N. X. Truyen、田岡 紀之、大田 晃生、 山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一
2017年真空・表面科学合同講演会
[チュートリアル] 組成・状態分析 招待有り
Fabrication of Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots for Light/Electron Emission Devices 招待有り 国際会議
S. Miyazaki, K. Yamada, Y. Nakashima, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda
The 1st International Semiconductor Conference for Global Challenges (ISCGC-2017)
Study of Light Emission from Si Quantum Dots with Ge Core 招待有り 国際会議
S. Miyazaki, K. Yamada, M. Ikeda, and K. Makihara
Frontiers in Materials Processing Applications, Research and Technology (FiMPART'17)
Abrupt SiO2/GaN Interface Properties Formed by Remote Plasma Assisted CVD 国際会議
N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki
AWAD2017(2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Magnetoelectronic Transport of Double Stack FePt Nanodots 国際会議
K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
AWAD2017(2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy 国際会議
A. Ohta
INFOS 2017(20th Conference on Insulating Films on Semiconductors)
Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diodes as Evaluated from HAXPES Analysis 国際会議
A. Ohta
INFOS 2017(20th Conference on Insulating Films on Semiconductors)
定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価
大田 晃生、加藤 祐介、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価
藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
Photoemission study of gate dielectrics on gallium nitride 招待有り 国際会議
S. Miyazaki, N. X. Truyen, and A. Ohta
ULSIC vs TFT: 6th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors
Characterization of Electroluminescence from Si-QDs with Ge Core 国際会議
K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
ICSI-10(The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures)
Fabrication and Magnetoelectronic Transport Fe3Si-Nanodots on Ultrathin SiO2 国際会議
K. Makihara, H. Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
ICSI-10(The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures)
Evaluation of Potential Distribution in Multiple Stacked Si Quantum Dots Structure by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議
Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
ICSI-10(The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures)
High Density Formation of and Light Emission from Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議
S. Miyazaki, K. Yamada, M. Ikeda, and K. Makihara
2017MRS SPRING MEETING
Si 細線構造への高密度 Si 量子ドット形成と発光特性
高 磊、池田 弥央、山田 健太郎、牧原 克典、大田 晃生、宮﨑 誠一
第64回応用物理学会春季学術講演会
XPSによるHfO2の電子親和力と界面ダイポールの定量
藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
第64回応用物理学会春季学術講演会
ドライおよびN2O酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電 子占有欠陥評価
渡辺 浩成、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、森 大輔、寺尾 豊、宮﨑 誠一
第64回応用物理学会春季学術講演会
Ge上にエピタキシャル成長したAg(111)表面の平坦化お よび化学構造評価
伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
第64回応用物理学会春季学術講演会
リモートプラズマ支援 CVD SiO2/GaN の界面特性
グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山本 泰史、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一
第64回応用物理学会春季学術講演会
リモート酸素プラズマによるGaN表面酸化
山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェンスァ ン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一
第64回応用物理学会春季学術講演会
硬X線光電子分光法によるSi-MOSダイオードのオペラ ンド分析 -電位変化および化学結合状態評価-
大田 晃生、村上 秀樹、池田 弥央、牧原 克典、池永 英司、宮﨑 誠一
第64回応用物理学会春季学術講演会
Ge コアSi 量子ドットの発光特性評価
山田 健太郎、牧原 克典、池田 弥央、大田 晃生、宮﨑 誠一
第64回応用物理学会春季学術講演会
硬X線光電子分光を用いたSi量子ドット多重集積構造の 電位分布評価
中島 裕太、竹内 大智、 牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一
第64回応用物理学会春季学術講演会
Impact of Thermal Annealing on Mophology and Chemical Bonding Features at Epitaxial Ag(111) Surface Grown on Ge(111) 招待有り 国際会議
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
ISPlasma2017/IC-PLANTS2017
Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of GaN Surface 国際会議
A. Ohta
ISPlasma2017/IC-PLANTS2017
Evaluation of Dielectric Function of Oxide Thin Films from Photoemission Measurements 国際会議
T. Yamamoto, A. Ohta, M.Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar
Potential Change and Electrical Dipole at Ultrathin Oxide/Semiconductor Interfaces as Evaluated by XPS 国際会議
N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar
Characterization of Remote Plasma CVD SiO2 on GaN(0001) 国際会議
N. X. Truyen, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar
Formation of Si-based Quantum Dots on Sub-micron patterned Si Substrates 国際会議
M. Ikeda, L. Gao, K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki
10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar
Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of Oxide Thin Films and Wide Bandgap Semiconductors 国際会議
A. Ohta, T. Yamamoto, N. X. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar
Characterization of Field Electron Emission from Multiply-Stacking Si Quantum Dots 国際会議
Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar
Chemical Analysis of Epitaxial Ag(111) Surface formed on Group-IV Semiconductors 国際会議
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar
Luminescence Studies of High Density Si Quantum Dots with Ge core 国際会議
K. Yamada, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar
光電子分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaNの化学結合状態および電子占有欠陥評価
グェン チュンスァン、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会
X線光電子分光法による極薄酸化物積層構造の電位変化・ダイポール評価
藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会
熱酸化SiO₂/4H-SiCSi面およびC面の電子専有欠陥および化学構造評価
渡辺 浩成、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、森 大輔、寺尾 豊、宮﨑 誠一
第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会
HfO₂/SiO₂/Si構造の光電子分光分析ー界面ダイポールの定量ー
藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会
Characterization of Magnetoelectronic Transport through Double Stack FePt Nanodots on Ultrathin SiO2/c-Si by Conductive-probe AFM 国際会議
S. Miyazaki
ICSPM24
Processing and Characterization of Si/Ge Quantum Dots 招待有り 国際会議
S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda
2016 IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)
シリコン酸化薄膜の電気抵抗スイッチングおよび欠陥準位密度評価 国際会議
加藤 祐介、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
2016 真空・表面科学合同講演会
Si細線構造への高密度Si量子ドット形成 国際会議
高 磊、竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一
2016 真空・表面科学合同講演会
Si系量子ドット多重集積構造からの電界電子放出特性 国際会議
中島 裕太、竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一
2016 真空・表面科学合同講演会
HAXPESによるSi-MOSキャパシタの化学結合状態および内部電位の深さ方向分析 国際会議
大田 晃生、村上 秀樹、池田 弥央、牧原 克典、池永 英司、宮﨑 誠一
2016 真空・表面科学合同講演会
IV族半導体上に蒸着したAg薄膜の化学構造評価と反応制御 国際会議
伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
2016 真空・表面科学合同講演会
Magnetoelectronic Transport and Resistive Switching in Double Stack FePt Nanodots on Ultrathin SiO2/c-Si 招待有り 国際会議
S. Miyazaki
JSPS Core-to-Core Program Workshop
High Density Formation of Ta/TaOxide Core-Shell Nanodots 国際会議
Y. Wang, D. Takeuchi, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2016)
Low Temperature Formation of Crystalline Si:H/Ge:H Heterostructures by Plasma Enhanced CVD in Combination with Ni-NDs Seeding Nucleation 国際会議
K. Makihara, D. Takeuchi, M. Ikeda, A. Ohta, and S.Miyazaki
29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2016)
Evaluation of Potential Change and Electrical Dipole in HfO2/ SiO2/Si Structure 国際会議
N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
SSDM 2016
Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Functional Devices 招待有り 国際会議
S. Miyazaki, D. Takeuchi, M. Ikeda, and K. Makihara
SSDM 2016
Magnetotransport Properties of FePt Alloy-NDs Stacked Structures 招待有り 国際会議
K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
SSDM 2016
4H-SiCSi面およびC面上に成長した熱酸化膜の光電子収率分光法による電子占有欠陥評価
渡辺 浩成、大田 晃生、 池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
FePtナノドットスタック構造における磁場印加後の電気伝導特性評価
河瀬 平雅、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
Ta酸化物ナノドットの高密度・一括形成(II)
王 亜萍、竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
GeコアSi量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性
山田 健太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
HfO2/SiO2/Si(100)構造における内部電位分布、界面ダイポールの定量評価
藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
X線光電子分光法による熱酸化SiO2およびGeO2薄膜の誘電関数評価
山本 泰史、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
リモートプラズマCVDSiO2/GaN界面の光電子分光分析
グェン スァン チュン、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造のEL特性
竹内 大智、山田 健太郎、牧原 克典、池田 弥央、大田 晃生、 宮﨑 誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
Formation of Fe3Si-Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by H2-plasma Treatment and Their Magnetic-Field Dependent Electron Transport Properties 国際会議
H. Zhang, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
APAC Silicide 2016
Embedding of Ti nanodots into SiOx and its impact on resistance switching behaviors 国際会議
Y. Kato, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
AWAD2016(2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Formation and electron transport properties of Fe3Si nanodots on ultrathin SiO2 国際会議
H. Zhang, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki
AWAD2016(2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量
藤村 信幸、大田 晃生、渡辺 浩成、牧原 克典、宮﨑 誠一
SDM研究会/シリコンテクノロジー分科会
リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成
グェンスァン チュン、藤村 信幸、竹内 大智、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一
SDM研究会/シリコンテクノロジー分科会
High Density Formation of and Light Emission from Silicon Quantum Dots with Ge Core 招待有り 国際会議
S. Miyazaki
11th Workshop on Si-based Optoelectronic Materials and Devices
Electron Transport Properties of High Density FePt-NDs Stacked Structures 国際会議
T. Kawase, Y. Mitsuyuki, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
ISCSI-VII/ISTDM 2016
Impact of Phosphorus Doping to Multiply-Stacking Si Quantum Dots on Electron Emission Properties 国際会議
D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
ISCSI-VII/ISTDM 2016
Determination of Energy Band Profile of Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure Using XPS 国際会議
H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
ISCSI-VII/ISTDM 2016
[チュートリアル]組成・状態分析
宮﨑 誠一
薄膜工学セミナー2016~薄膜の基礎から応用まで~
Characterization of light emission from Si quantum dots with Ge core 招待有り 国際会議
S. Miyazaki
Intern. Conf. on Processing and Manufacturing of Advanced Materials 2016 (THERMEC'2016)
FePtナノドットスタック構造における磁気伝導特性
河瀬 平雅、満行 優介、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一
応用物理学会春季学術講演会
Ti系薄膜およびTiナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性評価
加藤 祐介、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一
応用物理学会春季学術講演会
磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価
張 海、満行 優介、牧原 克典、池田 弥央、大田 晃生、宮﨑 誠一
応用物理学会春季学術講演会
ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子状態評価(II)
渡辺 浩成、大田 晃生、藤村 信行、牧原 克典、宮﨑 誠一
応用物理学会春季学術講演会
GeコアSi量子ドットにおけるGeコアサイズがPL特性に及ぼす影響
山田 健太郎、近藤 圭悟、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
応用物理学会春季学術講演会
GeコアSi量子ドットの発光メカニズム
近藤 圭悟、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
応用物理学会春季学術講演会
Cleaning of 4H-SiC(0001) Surface by using Remote Hydrogen Plasma 国際会議
T. xuan Nguyen, D. Takeuchi, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
ISPlasma2016 & IC-PLANTS2016
Effect of Ge Stacked Layer on Ti Nanodots Formation From Metal Thin Films by Remote Hydrogen Plasma Exposure 国際会議
Y. Kato, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
ISPlasma2016 & IC-PLANTS2016
Formation of High Density Ta Oxide Nanodots 国際会議
Y. Wang, D. Takeuchi, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
ISPlasma2016 & IC-PLANTS2016
Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method 国際会議
A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, and S. Miyazaki
ISPlasma2016 & IC-PLANTS2016
Self-assembling Formation of Ta Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma from Ge/Ta Bi-layer Stack 国際会議
Y. Wang, D. Takeuchi, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki
ISPlasma2016 & IC-PLANTS2016
Impact of Magnetic-Field Application on Electron Charging Characteristics of FePt Nanodots 国際会議
T. Kawase, Y. Mitsuyuki, A. Ohta, K. Makihara, T. Katou, S. Iwata, and S. Miyazaki
ISPlasma2016 & IC-PLANTS2016
High Density Formation and Light Emission Properties of Silicon Quantum Dots with Ge Core 招待有り 国際会議
S. Miyazaki
BIT's 2nd Annual World Congress of Smart Materials-2016
SiO2/4H-SiC構造の電子障壁高さの決定と欠陥準位密度の深さ方向分析
渡辺 浩成、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会
リモートH2プラズマ照射による4H-SiC(0001)の表面の改質
グェン スァンチュン、竹内 大智、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会
Si,4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価
藤村 信幸、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会
SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響
加藤 祐介、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会
Fabrication and Magnetoelectronic Transport of Double Stack FePt Nanodots on Ultrathin SiO2 国際会議
S. Miyazaki, Y. Kabeya, Y. Mitsuyuki, and K. Makihara
2015 MRS Fall Meeting & Exhibit
Impact of Embedded MnNanodots on Resistive Switching Properties of Si-rich Oxides 国際会議
T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2015)
Formation of High Density Ti Nanodots and Evaluation of Resistive Switching Properties of SiOx-ReRAMs with Ti Nanodots 国際会議
Y. Kato, A. Ohta, T. Arai, K. Makihara, and S. Miyazaki
The 2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2015 IWDTF)
Evaluation of Valence Band Maximum and Electron Affinity of SiO2 and Si-based Semiconductors Using XPS 国際会議
N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
The 2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2015 IWDTF)
Photoemission Study of Thermally-Grown SiO2/4H-SiC Structure. 国際会議
H. Watanabe, A. Ohta, N. Fujimura, K. Makihara, and S. Miyazaki
The 2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2015 IWDTF)
High Density Formation of Ta Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議
Y. Wang, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki
68th Annual Gaseous Electronics Conference/9th International Conference on Reactive Plasmas/33rd Symposium on Plasma Processing
Photoemission Study on Chemical Bonding Features and Electronic Defect States of Thermally-Grown SiO2/4H-SiC Structure 国際会議
H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
The 228th ECS Meeting
Resistive Switching Characteristics of Si-Rich Oxides with Embedding Ti Nanodots 国際会議
Y. Kato, T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
The 228th ECS Meeting
High-Resolution Photoemission Study of High-k Dielectric Bilayer Stack on Ge(100) 国際会議
S. Miyazaki
The 228th ECS Meeting
グリーンナノエレクトロニクスのための材料・プロセスインテグレーション ~超低消費電力次世代トランジスタ開発~ 招待有り
宮﨑 誠一、大田 晃生、他
SPring-8シンポジウム2015 放射光が先導するグリーンイノベーション ~グローバルな視点からの発信~
[チュートリアル] CVD1(シリコン系) 招待有り
宮﨑 誠一
Electronic Defect States in Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure Measured by Total Photoelectron Yield Spectroscopy 国際会議
A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
The 19th Conference on "Insulating Films on Semiconductors"(INFOS 2015)
Effect of P-doping on Photoluminescence Properties of Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議
K. Kondo
2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015)
Electron Transport Properties of High Densuty FePt-NDs Stacked Structures 国際会議
Y. Mitsuyuki, K. Makihara, A. Oota, and S. Miyazaki
2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015)
High Density Formation and Characterization of CoPt and FePt Nanodots on SiO2 国際会議
S. Miyazaki
International Conference on Frontiers in Materials Processing Applications Research & Technology (FiMPART'15)
Impact of Phosphorus Doping to Multiply-Stacking Si Quantum Dots on Electron Field Emission Properties 国際会議
D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)
Study on Light Emission from Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議
S. Miyazaki, K. Kondo, and K. Makihara
The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)
Study on Electroluminescence from Multiply-Stacking Valency Controlled Si Quantum Dots 国際会議
T. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)
Formation and Characterization of High Density FeSi Nanodots on SiO2 Induced by Remote H2 Plasma 国際会議
K. Makihara, H. Zhang, A. Ohta, and S. Miyazaki
ISPlasma2015/IC-PLANTS2015
Characterization of Electron Field Emission from High Density Self-Aligned Si-Based Quantum Dots 国際会議
D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
ISPlasma2015/IC-PLANTS2015
リモート水素プラズマ支援によるTaナノドットの高密度一括形成
王 亜萍、牧原 克典、大田 晃生、竹内 大智、宮﨑 誠一
第62回応用物理学会春季学術講演会
リモートH2プラズマ処理した4H-SiC表面の化学構造および電子状態分析
グェンスァン チュン、大田 晃生、竹内 大智、張 海牧原 克典、宮﨑 誠一
第62回応用物理学会春季学術講演会
光電子収率分光法によるSiO2/SiC構造の電子状態計測(2)
大田 晃生、渡邉 浩成、グェンスァン チュン、牧原 克典、宮﨑 誠一
第62回応用物理学会春季学術講演会
リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度一括形成と磁化特性評価
張 海、牧原 克典、大田 晃生、壁谷 悠希、宮﨑 誠一
第62回応用物理学会春季学術講演会
外部磁場がFePt合金ナノドットへの電子注入特性に及ぼす影響
満行 優介、壁谷 悠希、張 海、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一
第62回応用物理学会春季学術講演会
高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性
壁谷 悠希、満行 優介、張 海、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一
第62回応用物理学会春季学術講演会
P添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響
近藤 圭悟、牧原 克典、宮﨑 誠一
第62回応用物理学会春季学術講演会
Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価
竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一
第62回応用物理学会春季学術講演会
不純物添加がSi量子ドット多重集積構造のEL特性に及ぼす影響
山田 敬久、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一
第62回応用物理学会春季学術講演会
Si-rich酸化膜へのMnナノドット埋め込みが抵抗変化特性へ及ぼす影響
荒井 崇、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一
「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回)
Formation and Characterization of High Density FePt Nanodots on SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議
S. Miyazaki, Y. Kabeya, R. Fukuoka, H. Zhang, K. Makihara, T. Kato, and S. Iwata
2014 MRS Fall Meeting&Exhibit
Photoemission Study of High-k Dielectrics Stack on Ge(100) - Determination of Energy Bandgaps and Band Alignments 国際会議
S. Miyazaki
JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration (imec)
Luminescence Studies of High Density Si-based Quantum Dots 国際会議
K. Makihara
JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration (imec)
Study of Electron Field Emission from High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots 国際会議
D. Takeuchi
JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration (imec)
High Density formation of Fe-Silicide Nanodots on SiO2 Induced by Remote H2 Plasma 国際会議
H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
MNC 2014
Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack 国際会議
A. Ohta, H. Murakami, K. Hashimoto, K. Makihara, and S. Miyazaki
The 2014 ECS and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting
Characterization of Electron Emission from High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy 国際会議
D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
The 2014 ECS and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting
Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100) 国際会議
H. Murakami, S. Hamada, T. Ono, K. Hashimoto, A. Ohta, H. Hanafusa, S. Higashi, and S. Miyazaki
The 2014 ECS and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting
Photoluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議
K. Makihara, K. Kondo, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
The 2014 ECS and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting
Materials and Interfaces Characterization for Advanced Ge-Channel Devices: Soft and Hard X-ray Photoemission Measurements 招待有り 国際会議
S. Miyazaki
The 1st Material Research Society of Indonesia (MRS-Id) Meeting 2014
Mnナノドット埋め込みSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性
荒井 崇、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一
第75回応用物理学会秋季学術講演会
光電子収率分光法によるSiO2/SiC界面の電子状態計測
大田 晃生、竹内 大智、チュン グェンスァン、牧原 克典、宮﨑 誠一
第75回応用物理学会秋季学術講演会
不純物添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス
山田 敬久、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一
第75回応用物理学会秋季学術講演会
P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性
竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一
第75回応用物理学会秋季学術講演会
FePtナノドット/極薄SiO2層における電子輸送特性の外部磁場依存性
壁谷 悠希、牧原 克典、大田 晃生、宮﨑 誠一
第75回応用物理学会秋季学術講演会
リモート水素プラズマ支援によるMn-Ge系ナノドットの高密度一括形成
温 映輝、牧原 克典、大田 晃生、宮﨑 誠一
第75回応用物理学会秋季学術講演会
Electroluminescence from Multiply-Stack of Doped Si Quantum Dots 国際会議
T. Yamada, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki
international conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS (SSDM2014)
Impact of Magnetic-Field Application on Electron Transport Through CoPt Alloy Nanodots 国際会議
Y. Kabeya
The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
Characterization of Resistance-Switching of Ni Nano-dot/SiOx/Ni Diodes 国際会議
A. Ohta
The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
Impact of Remote H2 Plasma on Surface Roughness of 4H-SiC(0001) 国際会議
T. Nguyen
The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
High Density Formation of Mn and Mn-germanide Nanodots 国際会議
Y. WEN
The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
Local Electrical Properties of Si-rich Oxides with Embedding Mn-nanodots by Atomic Force Microscopy Using Conducting-Probe 国際会議
T. Arai
The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
Resistance-Switching Characteristics of Si-rich Oxide as Evaluated by Using Ni Nanodots as Electrodes in Conductive AFM Measurements 国際会議
A. Ohta, C. Liu, T. Arai, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara, and S. Miyazaki
2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2014)
Impact of embedded Mn-nanodots on resistive switching in Si-rich oxides 国際会議
T. Arai, C. Liu, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (2014 ISTDM)
Characterization of electronic charged states of self-aligned coupled Si quantum dots by AFM/KFM Probe Technique 国際会議
K. Makihara, N. Tsunekawa, M. Ikeda, and S. Miyazaki
7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (2014 ISTDM)
XPS Study of Energy Band Alignment of High-k Dielectric Gate Stack on Ge(100) 国際会議
S. Miyazaki, and A. Ohta
2014 MRS Spring Meetings & Exhibit
磁性AFM探針を用いたCoPt合金ナノドットの電子輸送特性評価-外部磁場依存性
壁谷 悠希、張 海、福岡 諒、牧原 克典、宮﨑 誠一
第61回応用物理学会春季学術講演会
Mnナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性
荒井 崇、劉 冲、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一
第61回応用物理学会春季学術講演会
導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価(II)
竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一
第61回応用物理学会春季学術講演会
P/N制御Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス
山田 敬久、牧原 克典、鈴木 善久、池田 弥央、宮﨑 誠一
第61回応用物理学会春季学術講演会
P添加GeコアSi量子ドットのフォトルミネッセンス特性評価
近藤 圭悟、鈴木 善久、牧原 克典、池田 弥央、小山 剛史、岸田 英夫、宮﨑 誠一
第61回応用物理学会春季学術講演会
リモート水素プラズマ支援によるMnおよびMnジャーマナイドナノドットの高密度一括形成
温 映輝、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一
第61回応用物理学会春季学術講演会
リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度形成
張 海、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一
第61回応用物理学会春季学術講演会
AFM/KFMによる自己整合一次元連結Si量子ドットの局所帯電評価
恒川 直輝、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一
第61回応用物理学会春季学術講演会
Mnナノドットを埋め込んだSiOxMIM構造の局所電気伝導解析
荒井 崇、劉冲、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一
第61回応用物理学会春季学術講演会
FePt合金ナノドットの構造および磁化特性評価
福岡 諒、張 海、牧原 克典、大田 晃生、徳岡 良浩、加藤 剛志、岩田 聡、宮﨑 誠一
第61回応用物理学会春季学術講演会
Niナノドット電極を用いたSiOx薄膜の抵抗変化特性
劉 冲、荒井 崇、大田 晃生、竹内 大智、張 海、牧原 克典、宮﨑 誠一
第61回応用物理学会春季学術講演会
Study on Si/Ge Heterodtructures Formed by PECVD in Combination with Ni-Nds Seeding Nucleation 国際会議
Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, K. Sakaike, M. Akazawa, S. Higashi, and S. Miyazaki
ISPlasma2014/IC-PLANTS2014
Study on Formation of High Density Fe-Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote H2 Plasma Exposure 国際会議
H. Zhang, K. Makihara, R. Fukuoka, Y. Kabeya, and S. Miyazaki
ISPlasma2014/IC-PLANTS2014
Selective Crystallization and Metallizatioin of a-Ge:H Thin Films by Pt-coating and Exposing to Remote H2 Plasma 国際会議
K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki
6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2014)
金属合金化反応制御による強磁性ナノドットの高密度・自己組織化形成
牧原 克典、宮﨑 誠一
名古屋大学ナノテクノロジープラットフォーム第1回合同シンポジウム~中部ものづくりは名大から~
High Density Formation of FePt Alloy Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of Their Magnetic Properties 国際会議
R. Fukuoka, H. Zhang, K. Makihara, Y. Tokuoka, T. Kato, S. Iwata, and S. Miyazaki
7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
Alignment Control and Electrical Coupling of Si-based Quantum Dots 国際会議
K. Makihara, and S. Miyazaki
7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
Formation of High-Density Magnetic Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote H2 Plasma 国際会議
Y. Kabeya, H. Zhang, R. Fukuoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
Electroluminescence from Multiply-Stacking B-doped Si Quantum Dots 国際会議
T. Yamada, K. Makihara, Y. Suzuki, M. Ikeda, and S. Miyazaki
7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistive Switching in TiOx/SiOx Stack in Ti Electrode MIM Diodes 国際会議
T. Arai, C. Liu, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
Impact of Pulsed Bias Application on Electroluminescence Properties from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots 国際会議
Y. Suzuki, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki
7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
Characterization of Local Electronic Transport through Si-Nanocrystals/ Si-Nanocolumnar Structures by Non-contact Conductive Atomic ForceMicroscopy 国際会議
D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki
7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
光電子エネルギー損失信号による極薄酸化物のエネルギーバンドギャップの決定手法の再検討
大田 晃生、村上 秀樹 、牧原 克典、宮﨑 誠一
ゲートスタック研究会
Ge(100)基板への低温As+イオン注入による低抵抗浅接合形成
小野 貴寛、村上 秀樹、大田 晃生、東 清一郎、宮﨑 誠一
ゲートスタック研究会
HfO2/TaGexOy絶縁膜を用いたGe-MISキャパシタにおける熱処理効果
橋本 邦明、大田 晃生、村上 秀樹、小野 貴寛、東 清一郎、宮﨑 誠一
ゲートスタック研究会
SiOx/TiO₂積層したTi電極MIMダイオードの抵抗スイッチング
荒井 崇、大田 晃生、福嶋 太紀、牧原 克典、宮﨑 誠一
第12回日本表面科学会中部支部・学術講演会
リモート水素プラズマ支援によるSiO₂上へのFeナノドットの高密度・一括形成
張 海、福岡 涼、壁谷 悠希、牧原 克典、宮﨑 誠一
第12回日本表面科学会中部支部・学術講演会
半導体ーメタル接触界面の構造について
宮﨑 誠一
第13回日本表面科学会中部支部・学術講演会
Optoelectronic Response of Metal-Semiconductor Hybrid Nanodots Floating Gate 国際会議
S. Miyazaki
2013 Energy Materials Nanotechnology Fall Meeting (2013 EMN Fall Meeting)
Formation and characterization of hybrid nanodots embedded in gate dielectric for optoelectronic application 国際会議
S. Miyazaki
International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials 2013 (THERMEC'2013)
High density formation of FePt alloy nanodots on SiO2 induced by remote hydrogen plasma 国際会議
R. Fukuoka, H. Zhang, K. Makihara, Y. Tokuoka, T. Kato, S. Iwata, and S. Miyazaki
MORIS2013
Study on As+ Ion Implantation into Ge at Different Substrate Temperatures 国際会議
T. Ono, K. Hashimoto, A. Ohta, H. Murakami, H. Hanafusa, S. Higashi, and S. Miyazaki
2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF 2013)
Impact of Post-Metallization Annealing on Chemical Bonding Features in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Stack 国際会議
K. Hashimoto, T. Ono, A. Ohta, H Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki
2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF 2013)
Formation of One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots and Its Application to Light Emitting Diodes 国際会議
K. Makihara, and S. Miyazaki
26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
Characterization of Electron Emission from Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Non-contact Conductive Atomic Force Microscopy 国際会議
D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki, and T. Hayashi
ACSIN-12&ICSPM21
B添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス
山田 敬久、牧原 克典、鈴木 善久、宮﨑 誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2013
導電性AFM探針によるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出特性評価
竹内 大智、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一、可貴 裕和、林 司
応用物理学会SC東海地区学術講演会2013
AFM/KFMによる一次元連結・高密度Si系量子ドットにおける帯電電荷の経時変化計測
恒川 直輝、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2013
リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度・一括形成と磁化特性評価
福岡 諒、張 海、牧原 克典、宮﨑 誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2013
リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度・一括形成
張 海、福岡 諒、壁谷 悠希、牧原 克典、宮﨑 誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2013
ゲルマニウムへの低温As+イオン注入による活性化率向上
恒川 直輝、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2013
一次元連結Si系量子ドットの電界発光減衰特性
鈴木 善久、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2013
外部磁場印加がCoPt合金ナノドットの電気伝導特性に及ぼす影響
壁谷 悠希、張 海、福岡 諒、牧原 克典、宮﨑 誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2013
Study On Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate Mos Devices for Their Optoelectronic Application 国際会議
S. Miyazaki
The 224th Electrochemical Society (ECS) Meeting
Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-Electrode MIM Diodes 国際会議
A. Ohta
224th ECS Meeting
Characterization of Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate MOS Devices for Their Optoelectronic Application 国際会議
S. Miyazaki
JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
Study on Electronic Emission through Si-Nanocrystals/ Si-Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy 国際会議
D. Takeuchi
JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
Transient Characteristics of Electroluminescence from Self-aligned Si-based Quantum Dots 国際会議
Y. Suzuki, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki
2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
Characterization of Electron Transport Through Ultra High Density Array of One- dimensionally Aligned Si-based Quantum Dots 国際会議
H. Niimi, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki
2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
HfO2/TaGexOyを用いたGe-MIS構造の熱処理による化学構造変化
橋本 邦明、大田 晃生、村上 秀樹、東 清一郎、宮﨑 誠一
第74回応用物理学会秋季学術講演会
ゲルマニウムへの低温As+イオン注入による活性化率向上
小野 貴寛、大田 晃生、花房 宏明、村上 秀樹、東 清一郎、宮﨑 誠一
第74回応用物理学会秋季学術講演会
導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価
竹内 大智、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一
第74回応用物理学会秋季学術講演会
バイアス印加が一次元連結Si系量子ドットのPL特性に及ぼす影響
鈴木 善久、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一
第74回応用物理学会秋季学術講演会
リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度形成
張 海、福岡 諒、壁谷 悠希、牧原 克典、宮﨑 誠一
第74回応用物理学会秋季学術講演会
外部磁場印加がCoPt合金ナノドットの電子輸送特性に及ぼす影響
壁谷 悠希、福岡 諒、張 海、牧原 克典、宮﨑 誠一
第74回応用物理学会秋季学術講演会
リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価
福岡 諒、張 海、壁谷 悠希、恒川 直輝、牧原 克典、大田 晃生、宮﨑 誠一
第74回応用物理学会秋季学術講演会
次世代MISトランジスタ実現に向けた材料プロセスインテグレーション~金属/高誘電率絶縁膜/Geチャネルゲートスタック構造の硬X線光電子分光~
宮﨑 誠一
SPring-8シンポジウム2013
Formation of High Density Fe-Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote H2 Plasma 国際会議
H. Zhang, R. Fukuoka, Y. Kabeya, K. Makihara, and S. Miyazaki
2013 International Symposium on Dry Process (DPS 2013)
Low Temperature Formation of Crystalline Si/Ge Heterostructures by Plasma Enhanced CVD in Combination with Ni-NDs Seeding Nucleation 国際会議
Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, K. Sakaike, M. Akazawa, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki
The 25th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors(ICANS25)
Characterization of Ultrathin Ta-oixde Films as an Interfacial Control Layer Formed on Ge(100) by ALD and Layer-by-layer Methods 国際会議
H. Murakami, K. Hashimoto, A. Ohta, K. Mishima, S. Higashi, and S. Miyazaki
2013 NIMS Conference -Structure Control of Atomic/ Molecular Thin Films and Their Applications-
Selective Growth of Self Assembling Si and SiGe Quantum DotsAssembl 国際会議
K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki
2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
High-Sensitive Detection of Electronic Emission through Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy 国際会議
D. Takeuchi, Makihara,M,Ikeda, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki, and T. Hayashi
2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価
牧原 克典、福岡 諒、張 海、壁谷 悠希、大田 晃生、宮﨑 誠一
SDM研究会「ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催)
SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価
大田 晃生、福嶋 太紀、牧原 克典、村上 秀樹、東 清一郎、宮﨑 誠一
SDM研究会「ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催)
HAXPES Studies of Chemical Bonding Features of Buried Interfaces for Advanced Ge-channel MIS Devices 国際会議
S. Miyazaki
5th International conference on hard X-ray photoelectron spectroscopy(HAXPES 2013)
Characterization of Electroluminescence from Self-Aligned Si-Based Quantum Dots Stack by Intermittent Bias Application 国際会議
K. Makihara, H. Takami, Y. Suzuki, M. Ikeda, and S. Miyazaki
The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and
High Density Formation of CoPt Alloy Nanodots Induced by Remote H2 Plasma 国際会議
R. Fukuoka, H. Zhang, Y. Kabeya, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and
Determination of Bandgap Energy of Thermally-Grown Si- and Ge- Oxides from Energy Loss Spectra of Photoelectrons 国際会議
A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki
The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and
Characterization of Electroluminescence from Multiply-Stacked B-doped Si Quantum Dots 国際会議
T. Yamada, K. Makihara, H. Takami, Y. Suzuki, M. Ikeda, and S. Miyazaki
The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and
Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Devices 国際会議
S. Miyazaki, K. Makihara, and M. Ikeda
JSPS Core-to Core Program Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
High Density Formation of Iron Nanodots on SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議
H. Zhang, R. Fukuoka, Y. Kabeya, K. Makihara, and S. Miyazaki
3rd International Conference on Advanced Engineering Materials and Technology(2013)
多重集積したB添加量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性評価
山田 敬久、牧原 克典、高見 弘貴、鈴木 善久、池田 弥央、宮﨑 誠一
第60回春季応用物理学会
導電性AFM探針を用いたSiナノ結晶/柱状Siナノ構造の電子放出特性評価
竹内 大智、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一、可貴 裕和、林 司
第60回春季応用物理学会
リモート水素プラズマ支援によるCoPt合金ナノドットの高密度形成
福岡 諒、張 海、壁谷 悠希、牧原 克典、大田 晃生、宮﨑 誠一
第60回春季応用物理学会
CoPt合金ナノドットの帯磁特性評価
壁谷 悠希、張 海、福岡 諒、牧原 克典、宮﨑 誠一
第60回春季応用物理学会
Ti電極MIMダイオードにおけるSiOx/TiO2多重積層の抵抗変化特性評価
福嶋 太紀、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一
第60回春季応用物理学会
Niナノドットによる初期核発生制御を活用した高結晶性Si:H/Ge:Hヘテロ結合の低温堆積
盧 義敏、高 金、牧原 克典、酒池 耕平、藤田 悠二、池田 弥央、大田 晃生、東 清一郎、宮﨑 誠一
第60回春季応用物理学会