広島大学   ナノデバイス・バイオ融合科学研究所（兼務）

2010年8月 - 現在

名古屋大学   大学院工学研究科（兼務）   副研究科長

2017年4月 - 2019年3月

南京大学   電子科学与工程学院（兼務）   兼職教授

2014年12月 - 2017年11月

南京大学   電子科学与工程学院（兼務）   兼職教授

2010年10月 - 2013年10月

筑波大学   大学院数理物質科学研究科（兼務）   客員教授

2011年9月 - 2015年3月

広島大学   大学院先端物質科学研究科   教授

2002年4月 - 2010年5月

広島大学   大学院先端物質科学研究科   助教授

2001年4月 - 2002年3月

広島大学   工学部   助教授

1992年4月 - 2001年3月

広島大学   工学部   助手

1986年4月 - 1992年3月

応用物理学会   薄膜・表面物理分科会　幹事, 常任幹事 1997-,1998-1999

応用物理学会   代議員, 評議員, 2000-2003,2008-

応用物理学会   シリコンテクノロジー分科会　幹事,　常任幹事, 副幹事長, 幹事長 1999-,2003-2004,2007-2008,2009-2010

The Electrochemical Society

Material Reseach Society

日本MRS

日本真空協会

（公益社団法人）応用物理学会　ISPlasma2021/IC-PLANTS2021組織委員会   組織委員会　委員  

2020年11月 - 2021年3月   

（公益社団法人）応用物理学会　ISPlasma2021/IC-PLANTS2021組織委員会   プログラム委員会　委員  

2020年11月 - 2021年3月   

（公益財団法人）岐阜県産業経済振興センター   研究開発委員会　委員（アドバイザー）  

2020年9月 - 2023年3月   

（独立行政法人）日本学術振興会　R025先進薄膜界面機能創成委員会   委員  

2020年6月 - 現在   

（公益社団法人）応用物理学会　薄膜・表面物理分科会 電子デバイス界面テクノロジー研究会   運営委員  

2020年5月 - 2021年3月   

（公益社団法人）応用物理学会　薄膜・表面物理分科会 2021 IWDTF組織委員会   2021 IWDTF組織委員  

2020年4月 - 2021年11月   

国際会議 Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 3rd 2021(Taipei))   諮問委員  

2020年 - 現在   

第34回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム（JSR2021）(開催日：2021年1月8-10日、開催形態：オンライン)   組織委員  

2020年 - 2021年   

ECS Trans. Vol. 98, No. 5 (2020)   学術論文編集委員  

2020年   

広島大学 HiSIM研究センター   人事選考委員会委員  

2019年8月 - 2020年4月   

（公益財団法人）科学技術交流財団   あいちシンクロトロン光センター運営委員会委員  

2019年5月 - 2021年5月   

（公益社団法人）応用物理学会　薄膜・表面物理分科会   顧問  

2019年4月 - 現在   

東京医科歯科大学   生体医歯工学共同研究拠点運営委員会委員  

2019年4月 - 2022年3月   

第33回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム（JSR2020）(開催日：2020年1月10-12日、開催地：名古屋）   副実行委員長/プログラム委員/組織委員  

2019年 - 2020年   

（公益社団法人）日本工学教育協会   事業企画委員会委員  

2018年6月 - 2020年6月   

（公益社団法人）日本表面真空学会　中部支部   役員  

2018年5月 - 現在   

（独立行政法人）日本学術振興会　協力会   評議員  

2018年5月 - 2020年9月   

（公益財団法人）立松財団   選考委員  

2018年3月 - 2023年6月   

（公益社団法人）応用物理学会　東海支部   諮問委員  

2017年4月 - 2023年3月   

（公益社団法人）応用物理学会   応用物理学学術・教育奨励基金委員会委員  

2015年 - 2021年3月   

（独立行政法人）日本学術振興会　半導体界面制御技術第154委員会   委員長  

2013年4月 - 2020年6月   

応用物理学会　第52期応用物理学委員会   講演会企画運営委員、講演奨励賞委員  

2013年4月 - 2014年4月   

ISPlasma2014組織委員会   組織委員、プログラム委員  

2013年4月 - 2014年3月   

DPS2013第35回ドライプロセスシンポジウム組織委員会   論文委員  

2013年2月 - 2014年11月   

応用物理学会諮問委員会   諮問委員  

2013年2月 - 2014年2月   

2013IWDTF組織委員会   組織委員  

2012年10月 - 2013年11月   

応用物理学会　薄膜・表面物理分科会　第18回ゲートスタック研究会   運営委員  

2012年4月 - 2013年3月   

第34回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2012)   実行副委員長,論文委員  

2012年4月 - 2012年11月   

応用物理学会　   代議員  

2012年2月 - 2014年1月   

高輝度光科学研究センターSPring-8成果審査委員会   査読者  

2012年1月 - 2014年3月   

2012年国際固体素子・材料コンファレンス (SSDM2012)   論文委員長  

2011年12月 - 2012年12月   

ISPlasma2012組織委員会   プログラム委員会委員  

2011年12月 - 2012年4月   

電子情報通信学会　エレクトロニクスソサイエティ英文論文誌編集委員会   編集委員  

2011年9月 - 2012年5月   

日本学術振興会　薄膜第131委員会   企画委員  

2011年7月 - 2012年3月   

SPring-8利用研究課題審査委員会分科会   レフェリー  

2011年6月 - 2013年3月   

応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会   諮問委員  

2011年4月 - 現在   

（公益社団法人）応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会   諮問委員  

2011年4月 - 現在   

応用物理学会 講演会企画・運営委員会、講演奨励賞委員会   委員  

2011年4月 - 2013年3月   

応用物理学会　東海支部   幹事  

2011年4月 - 2013年3月   

応用物理学会　   理事  

2011年4月 - 2013年3月   

日本表面科学会 中部支部   中部支部役員  

2011年4月 - 2012年3月   

第33回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2011)   実行副委員長  

2011年4月 - 2011年11月   

応用物理学会　薄膜・表面物理分科会　第17回ゲートスタック研究会   運営委員  

2011年3月 - 2012年3月   

国際会議諮問委員  

2011年1月 - 2012年3月   

国際会議組織運営委員・国際会議実行委員  

2011年1月 - 2012年3月   

第24回アモルファスおよびナノ結晶半導体国際会議組織運営委員会(ICANS24)   国際会議組織運営委員・出版委員  

2011年1月 - 2011年12月   

国際会議組織運営委員  

2011年1月 - 2011年11月   

第15回薄膜国際会議　組織委員会(ICTF-15)   国際会議組織運営委員  

2011年1月 - 2011年11月   

国際会議 Int. Symp on Dry Process Symp. (DPS; 2005 － 2009, 2011～ )   プログラム委員  

2011年 - 現在   

2011年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2011)   国際会議プログラム委員・副委員長  

2010年12月 - 2011年12月   

日本学術振興会　科学研究費委員会   専門委員  

2010年12月 - 2011年11月   

ISPlasma2011組織委員会   国際会議組織運営委員  

2010年7月 - 2011年4月   

第32回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2010)   国際会議実行委員  

2010年1月 - 2010年12月   

応用物理学会　   2009年度支部学術講演会　実行委員長  

2009年8月   

応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会   幹事長  

2009年4月 - 2011年3月   

応用物理学会　国際委員会   委員  

2009年4月 - 2010年3月   

第31回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2009)   国際会議実行委員  

2009年1月 - 2009年12月   

日本学術振興会　アモルファス・ナノ材料第147委員会   委員  

2008年4月 - 現在   

日本学術振興会　半導体界面制御技術第154委員会   企画幹事長  

2008年4月 - 2013年3月   

応用物理学会　   評議員  

2008年4月 - 2010年3月   

応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会   副幹事長  

2008年4月 - 2010年3月   

国際会議プログラム委員  

2008年4月 - 2009年4月   

国際会議実行委員  

2008年1月 - 2008年12月   

（独立行政法人）日本学術振興会　アモルファス・ナノ材料第147委員会   委員  

2008年 - 現在   

国際会議組織運営委員・国際会議実行委員  

2007年1月 - 2007年12月   

第30回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2008)   国際会議プログラム委員  

2005年4月 - 2009年11月   

プログラム委員  

2005年1月 - 現在   

日本学術振興会　半導体界面制御技術第154委員会   企画副幹事長  

2004年4月 - 2007年3月   

国際会議諮問委員　  

2004年1月 - 2004年12月   

応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会   常任幹事  

2003年4月 - 2005年3月   

電気学会　システム集積プロセス調査専門委員会   委員  

2003年3月 - 2006年3月   

国際会議実行委員  

2003年1月 - 2003年12月   

e-Journal of Surf. Sci. and Nanotechnology, Ed. Board Member   学術論文編集委員  

2003年 - 現在   

日本学術振興会　半導体界面制御技術第154委員会   企画幹事  

2001年4月 - 2003年3月   

プログラム委員  

2000年4月 - 現在   

応用物理学会　   代議員  

2000年4月 - 2003年3月   

電気学会　グローバルインテグレーションプロセス調査専門委員会   委員  

2000年3月 - 2003年3月   

応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会   幹事  

1999年4月 - 2010年3月   

日本学術振興会　薄膜第131委員会   庶務幹事  

1999年4月 - 2003年3月   

応用物理学会　   第59回応用物理学会学術講演会　現地実行委員  

1998年9月   

（一般社団法人）電子情報通信学会　シリコン材料・デバイス研究専門委員会   SDM研究専門委員会　専門委員  

1998年5月 - 2021年6月   

電気情報通信学会　シリコン材料・デバイス研究専門委員会   専門委員  

1998年5月 - 2013年5月   

日本学術振興会　プラズマ材料科学第153委員会   委員  

1998年4月 - 2002年3月   

応用物理学会　薄膜・表面分科会   常任幹事  

1998年4月 - 1999年3月   

応用物理学会　薄膜・表面分科会   幹事  

1997年4月 - 1998年3月   

電気学会　プロセス・インテグレーション調査専門委員会   委員  

1997年3月 - 2000年3月   

応用物理学会　中国四国支部   幹事  

1995年4月 - 2010年3月   

日本学術振興会　薄膜第131委員会   委員  

1993年3月 - 2011年3月   

（独立行政法人）日本学術振興会　薄膜第131委員会   委員  

1993年 - 2020年6月   

井上研究奨励賞

1987年2月   （財）井上科学財団  

Energy band diagram for SiO2/Si system as evaluated from UPS analysis under vacuum ultraviolet with variable incident photon energy 査読有り

A. Ohta, T. Imagawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   60 巻 ( SA ) 頁： SAAC02 (6 pages)   2021年1月

Impact of Boron Doping and H2 Annealing on Light Emission from Ge/Si Core-Shell Quantum Dots 招待有り 査読有り

S. Miyazaki, and K. Makihara

ECS Transactions   104 巻 ( 4 ) 頁： 105 - 112   2021年

Effect of B-doping on photoluminescence properties of Si quantum dots with Ge core 査読有り

K. Makihara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

Materials Science in Semiconductor Processing   120 巻   頁： 105250 (5 pages)   2020年12月

Characterization of photoluminescence from Si quantum dots with B δ-doped Ge core 査読有り

T. Maehara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

Materials Science in Semiconductor Processing   119 巻 ( 15 ) 頁： 105215 (4 pages)   2020年11月

Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode 査読有り

T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

ECS Transactions   98 巻 ( 5 ) 頁： 429-434   2020年9月

Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing 査読有り

H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

ECS Transactions   98 巻 ( 5 ) 頁： 505-511   2020年9月

Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe 査読有り

J. Wu, H. Zhang, H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

ECS Transactions   98 巻 ( 5 ) 頁： 493-498   2020年9月

Complex dielectric function of Si oxide as evaluated from photoemission measurements 査読有り

A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   59 巻 ( SM ) 頁： SMMB04 (8 pages)   2020年7月

Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface 査読有り

M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, N. Taoka, T. Simizu, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   59 巻 ( SG ) 頁： SGGK15 (6 pages)   2020年4月

Comparative study of photoluminescence properties obtained from SiO2/GaN and Al2O3/GaN structures 査読有り

N. Takada, N. Taoka, A. Ohta, T. Yamamoto, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   58 巻 ( SI ) 頁： SIIB22 (5 pages)   2019年8月

Impact of surface pre-treatment on Pt-nanodot formation induced by remote H2-plasma exposure 査読有り

S. Fujimori, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   58 巻 ( SI ) 頁： SIIA15 (4 pages)   2019年8月

Effect of H2-dilution in Si-cap formation on photoluminescence intensity of Si quantum dots with Ge core 査読有り

S. Fujimori, R. Nagai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   58 巻 ( SI ) 頁： SIIA01 (4 pages)   2019年8月

Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacking Si-Based Quantum Dots 査読有り

Y. Futamura, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E102.C 巻 ( 6 ) 頁： 458 - 461   2019年6月

Impact of remote plasma oxidation of a GaN surface on photoluminescence properties 査読有り

N. Takada, N. Taoka, T. Yamamoto, A. Ohta, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   58 巻 ( SE ) 頁： SEEC02 (4 pages)   2019年6月

Evaluation of the potential distribution in a multiple stacked Si quantum dots structure by hard X-ray photoelectron spectroscopy 査読有り

Y. Futamura, Y. Nakashima, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   58 巻 ( SA ) 頁： SAAE01 (4 pages)   2019年2月

Photoemission-Based Characterization of Gate Dielectrics and Stack Interfaces 招待有り 査読有り

S. Miyazaki, and A. Ohta

ECS Transactions   92 巻 ( 4 ) 頁： 11 - 19   2019年

Characterization of electron charging and transport properties of Si-QDs with phosphorus doped Ge core 査読有り

R. Nagai, K. Yamada, S. Fujimori, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki

Semiconductor Science and Technology   33 巻 ( 12 ) 頁： 124021   2018年12月

Activation mechanism of TiOx passivating layer on crystalline Si 査読有り

T. Mochizuki, K. Gotoh, A. Ohta, S. Ogura, Y. Kurokawa, S. Miyazaki, K. Fukutani, and N. Usami

Applied Physics Express   11 巻 ( 10 ) 頁： 102301 (4 pages)   2018年10月

Energy band structure and electrical properties of Ga-oxide/GaN interface formed by remote oxygen plasma 査読有り

T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, O. Nakatsuka, M. Shimizu, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 6S3 ) 頁： 06KA05 (5 pages)   2018年6月

Low-temperature formation of Ga-oxide/GaN interface with remote oxygen plasma and its interface properties 査読有り

T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 6S2 ) 頁： 06JE01 (5 pages)   2018年6月

Interface properties of SiO2/GaN structures formed by chemical vapor deposition with remote oxygen plasma mixed with Ar or He 査読有り

N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 6S3 ) 頁： 06KA01 (7 pages)   2018年6月

Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N2 ambient 査読有り

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 6S1 ) 頁： 06HD08 (5 pages)   2018年6月

Evaluation of resistive switching properties of Si-rich oxide embedded with Ti nanodots by applying constant voltage and current 査読有り

A. Ohta, Y. Kato, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 6S1 ) 頁： 06HD05 (4 pages)   2018年6月

Total photoelectron yield spectroscopy of energy distribution of electronic states density at GaN surface and SiO2/GaN interface 査読有り

A. Ohta, N. X. Truyen, N. Fujimura, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 6S3 ) 頁： 06KA08 (6 pages)   2018年6月

Direct evaluation of electrical dipole moment and oxygen density ratio at high-k dielectrics/SiO2 interface by X-ray photoelectron spectroscopy analysis 査読有り

N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 4S ) 頁： 04FB07 (5 pages)   2018年4月

High thermal stability of abrupt SiO2/GaN interface with low interface state density 査読有り

N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 4S ) 頁： 04FG11 (5 pages)   2018年4月

Segregated SiGe ultrathin layer formation and surface planarization on epitaxial Ag(111) by annealing of Ag/SiGe(111) with different Ge/(Si + Ge) compositions 査読有り

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 4S ) 頁： 04FJ05 (6 pages)   2018年4月

Characterization of remote O2-plasma-enhanced CVD SiO2/GaN(0001) structure using photoemission measurements 査読有り

N. X. Truyen, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 1S ) 頁： 01AD02 (5 pages)   2018年1月

Formation of Mn-germanide nanodots on ultrathin SiO2 induced by remote hydrogen plasma 査読有り

Y. Wen, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 1S ) 頁： 01AF05 (4 pages)   2018年1月

Electroluminescence of superatom-like Ge-core/Si-shell quantum dots by alternate field-effect-induced carrier injection 査読有り

K. Makihara, M. Ikeda, N. Fujimura, K. Yamada, A. Ohta, and S. Miyazaki

Applied Physics Express   11 巻 ( 1 ) 頁： 011305 (4 pages)   2018年1月

High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots 査読有り

H. Zhang, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

ECS Transactions   86 巻 ( 7 ) 頁： 131 - 138   2018年

Impact of phosphorus doping to multiple-stacked Si quantum dots on electron emission properties 査読有り

D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Materials Science in Semiconductor Processing   70 巻   頁： 183 - 187   2017年11月

Magnetoelectronic transport of double stack FePt nanodots 査読有り

K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Appl. Phys. Lett   111 巻 ( 5 ) 頁： 052403 (4 pages)   2017年7月

Evaluation of energy distribution of filled defects of Si oxide thin films from total photoelectron yield spectroscopy 査読有り

A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazakia

Microelectronic Engineering   178 巻   頁： 85 - 88   2017年6月

Potential changes and chemical bonding features for Si-MOS structure as evaluated from HAXPES analysis 査読有り

A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, and S. Miyazaki

Microelectronic Engineering   178 巻   頁： 80 - 84   2017年6月

Low-temperature formation of crystalline Si:H/Ge:H heterostructures by plasma-enhanced CVD in combination with Ni-nanodots seeding nucleation 査読有り

Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻 ( 6S1 ) 頁： 06GG07 (4 pages)   2017年6月

Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors 査読有り

Y. Kato, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E100.C 巻 ( 5 ) 頁： 468 - 474   2017年5月

Photoemission study on electrical dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 interfaces 査読有り

N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻 ( 4S ) 頁： 04CB04 (6 pages)   2017年4月

Effects of remote hydrogen plasma on chemical bonding features and electronic states of 4H-SiC(0001) surface 査読有り

N. X. Truyen, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻 ( 1S ) 頁： 01AF01 (5 pages)   2017年1月

High-density formation of Ta nanodot induced by remote hydrogen plasma 査読有り

Y. Wang, D. Takeuchi, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻 ( 1S ) 頁： 01AE01 (4 pages)   2017年1月

Characterization of Interfacial Dipoles at Dielectric Stacks by XPS Analysis 招待有り 査読有り

S. Miyazaki, A. Ohta, and N. Fujimura

ECS Transactions   80 巻 ( 1 ) 頁： 229 - 235   2017年

Photoemission Study of Gate Dielectrics on Gallium Nitride 招待有り 査読有り

S. Miyazaki, N. X. Truyen, A. Ohta, and T. Yamamoto

ECS Transactions   79 巻 ( 1 ) 頁： 119 - 127   2017年

Processing and Characterization of High Density Si/Ge Quantum Dots for Electroluminescent Devices 招待有り 査読有り

S. Miyazaki, K. Yamada, K. Makihara, and M. Ikeda

ECS Transactions   80 巻 ( 4 ) 頁： 167 - 172   2017年

Nano spin-diodes using FePt-NDs with huge on/off current ratio at room temperature 査読有り

K. Makihara, T. Kato, Y. Kabeya, Y. Mitsuyuki, A. Ohta, D. Oshima, S. Iwata, Y. Darma, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Scientific Reports   6 巻   頁： 33409 (7 pages)   2016年9月

Evaluation of valence band top and electron affinity of SiO2 and Si-based semiconductors using X-ray photoelectron spectroscopy 査読有り

N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 8S2 ) 頁： 08PC06 (5 pages)   2016年8月

Impact of embedded Mn nanodots on resistive switching characteristics of Si-rich oxides as measured in Ni-electrode metal–insulator–metal diodes 査読有り

T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 6S1 ) 頁： 06GH07 (5 pages)   2016年6月

Bonding and Electron Energy-Level Alignment at Metal/TiO2 Interfaces: A Density Functional Theory Study 査読有り

H. Chen, P. Li, N. Umezawa, H. Abe, J. Ye, K. Shiraishi, A. Ohta, and S. Miyazaki

The Journal of Physical Chemistry   120 巻 ( 10 ) 頁： 5549 - 5556   2016年3月

Evaluation of field emission properties from multiple-stacked Si quantum dots 査読有り

D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Thin Solid Films   602 巻   頁： 68 - 71   2016年3月

Study on electroluminescence from multiply-stacking valency controlled Si quantum dots 査読有り

T. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Thin Solid Films   602 巻   頁： 48 - 51   2016年3月

Photoluminescence study of high density Si quantum dots with Ge core 査読有り

K. Kondo, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Journal of Applied Physics   119 巻 ( 3 ) 頁： 033103 (5 pages)   2016年1月

Formation and characterization of high-density FeSi nanodots on SiO2 induced by remote H2 plasma 査読有り

H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 1S ) 頁： 01AE20 (4 pages)   2016年1月

The interface analysis of GaN grown on 0° off 6H-SiC with an ultra-thin buffer layer 査読有り

Z. Sun, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nagamatsu, H. Lee, M. Olsson, Z. Ye, M. Deki, Y. Honda, and H. Amano

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 1 ) 頁： 010303 (3 pages)   2016年1月

Evaluation of Dielectric Function of Thermally-grown SiO2 and GeO2 from Energy Loss Signals for XPS Core-line Photoelectrons 査読有り

T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

ECS Transactions   75 巻 ( 8 ) 頁： 777 - 783   2016年

Processing and characterization of Si/Ge quantum dots 査読有り

S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda

2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)     頁： 826 (33.2.1) - 830 (33.2.4)   2016年

Effect of Ge Core Size on Photoluminescence from Si Quantum Dots with Ge Core 査読有り

K. Yamada, K. Kondo, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

ECS Transactions   75 巻 ( 8 ) 頁： 695 - 700   2016年

High Density Formation of FePt Alloy Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of their Magnetic Properties 査読有り

R. Fukuoka, K. Makihara, H. Zhang, A. Ohta, T. Kato, S. Iwata, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Transactions of the Materials Research Society of Japan   40 巻 ( 4 ) 頁： 347-350   2015年12月

Electronic defect states in thermally-grown SiO2/4H-SiC structure measured by total photoelectron yield spectroscopy 査読有り

A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

Microelectronic Engineering   147 巻   頁： 264-268   2015年11月

Progress in determination method for ultrathin Si-based oxide bandgaps from analysis of energy loss signals for photoelectrons 査読有り

A. Ohta, H. Murakami, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   54 巻 ( 6S1 ) 頁： 06FH08 (5 pages)   2015年6月

Resistance-Switching Characteristics of Si-rich Oxide Evaluated by Using Ni Nanodots as Electrodes in Conductive AFM Measurements 査読有り

A. Ohta, C. Liu, T. Arai, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E98.C 巻 ( 5 ) 頁： 406-410   2015年5月

High-Resolution Photoemission Study of High-k Dielectric Bilayer Stack on Ge(100) 招待有り 査読有り

S. Miyazaki, and A. Ohta

ECS Transactions   69 巻 ( 10 ) 頁： 165-170   2015年

Resistive Switching Characteristics of Si-Rich Oxides with Embedding Ti Nanodots 査読有り

Y. Kato, T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

ECS Transactions   69 巻 ( 10 ) 頁： 291-298   2015年

Photoemission Study on Chemical Bonding Features and Electronic Defect States of Thermally-Grown SiO2/4H-SiC Structure 査読有り

H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

ECS Transactions   69 巻 ( 10 ) 頁： 179-186   2015年

Application of remote hydrogen plasma to selective processing for Ge-based devices: Crystallization, etching, and metallization 査読有り

K. Makihara, M. Ikeda, T. Okada, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 11S ) 頁： 11RA02 (4 pages)   2014年11月

Effect of electric field concentration using nanopeak structures on the current–voltage characteristics of resistive switching memory 査読有り

S. Otsuka, T. Shimizu, S. Shingubara, K. Makihara, S. Miyazaki, A. Yamasaki, Y. Tanimoto, and K. Takase

AIP Advances   4 巻 ( 8 ) 頁： 087110 (7 pages)   2014年8月

Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots 査読有り

K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E97.C 巻 ( 5 ) 頁： 393-396   2014年5月

High-Sensitive Detection of Electronic Emission through Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy 査読有り

D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki, and T. Hayashi

IEICE Transactions on Electronics   E97.C 巻 ( 5 ) 頁： 397-400   2014年5月

Characterization of Electron Emission from High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy 査読有り

D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

ECS Transactions   64 巻 ( 6 ) 頁： 923-928   2014年

Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100) 査読有り

H. Murakami, S. Hamada, T. Ono, K. Hashimoto, A. Ohta, H. Hanafusa, S. Higashi, and S. Miyazaki

ECS Transactions   64 巻 ( 6 ) 頁： 423-429   2014年

Photoluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core 査読有り

K. Makihara, K. Kondo, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

ECS Transactions   64 巻 ( 6 ) 頁： 365-370   2014年

Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack 査読有り

A. Ohta, H. Murakami, K. Hashimoto, K. Makihara, and S. Miyazaki

ECS Transactions   64 巻 ( 6 ) 頁： 241-248   2014年

Characterization of Resistive Switching Behaviors of RF Sputtered Si Oxide Resistive Random Access Memories with Ti-Based Electrodes 査読有り

A. Ohta, M. Fukusima, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys   52 巻 ( 11S ) 頁： 11NJ06 (5 pages)   2013年11月

Highly-Crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 Very High Frequency Inductively-Coupled Plasma: Crystalline Nucleation Initiated by Ni Nanodots 査読有り

K. Makihara, J. Gao, K. Sakaike, S. Hayashi, H. Deki, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys   52 巻 ( 11S ) 頁： 11NA04 (3 pages)   2013年11月

Temporal Changes of Charge Distribution in High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots as Evaluated by AFM/KFM 査読有り

N. Tsunekawa K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Trans. of MRS-J   38 巻 ( 3 ) 頁： 393 - 396   2013年9月

XPS Study of Energy Band Alignment between Hf-La Oxides and Si(100) 査読有り

A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Trans. of MRS-J   38 巻 ( 3 ) 頁： 353 - 357   2013年9月

High Density Formation of Iron Nanodots on SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 査読有り

H. Zhang, R. Fukuoka, Y. Kabeya, K. Makihara, and S. Miyazaki

Advanced Materials Research   750-752 巻   頁： 1011 - 1015   2013年8月

Photoexcited Carrier Transfer in a NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures 査読有り

M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 694 - 698   2013年5月

Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer 査読有り

K. Hashimoto, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 674 - 679   2013年5月

X-ray Photoemission Study of SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si Heterostructures 査読有り

A. Ohta. K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba, and J. Murota

IEICE Transactions on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 680 - 685   2013年5月

Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior 査読有り

A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakamis, S. Higashi, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 702 - 707   2013年5月

Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-Rich Oxide/TiN System 査読有り

M. Fukushima, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 708 - 713   2013年5月

Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-Dense Si Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy 査読有り

D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki, and T. Hayashi

IEICE Transactions on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 718 - 721   2013年5月

Characterization of Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots 査読有り

H. Takami, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   52 巻 ( 4S ) 頁： 04CG08 (4 pages)   2013年4月

Determination of Energy Band Alignment in Ultrathin Hf-based Oxide/Pt System 査読有り

A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Journal of Physics: Conference Series   417 巻 ( 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15) 8–11 November 2011, Kyoto, Japan ) 頁： 012012 (6 pages)   2013年3月

Characterization of Ultrathin Ta-oxide Films Formed on Ge(100) by ALD and Layer-by-Layer Methods 査読有り

K. Mishima, H. Murakami, A. Ohta, S. K. Sahari, T. Fujioka, S. Higashi, and S. Miyazaki

Journal of Physics: Conference Series   417 巻 ( 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15) 8–11 November 2011, Kyoto, Japan ) 頁： 012013 (6 pages)   2013年3月

Kinetics of thermally oxidation of Ge(100) surface 査読有り

S. K. Sahari, A. Ohta, M. Matsui, K. Mishima, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Journal of Physics: Conference Series   417 巻 ( 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15) 8–11 November 2011, Kyoto, Japan ) 頁： 012014 (6 pages)   2013年3月

Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Application 査読有り

S. Miyazaki

MRS Online Proceedings Library   1510 巻 ( 2 )   2013年2月

Study on Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate MOS Devices for Their Optoelectronic Application 招待有り 査読有り

S. Miyazaki, M. Ikeda, and K. Makihara

ECS Transactions   58 巻 ( 9 ) 頁： 231 - 237   2013年

Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes 査読有り

A. Ohta, K. Makihara, M. Fukusima, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

ECS Transactions   58 巻 ( 9 ) 頁： 293 - 300   2013年

Study of electron transport characteristics through self-aligned Si-based quantum dots 査読有り

K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

J. Appl. Phys.   112 巻 ( 10 ) 頁： 104301 (5 pages)   2012年11月

Evaluation of Charge Trapping Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films by Kelvin Force Microscopy 査読有り

K. Makihara, H. Deki, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Journal of Non-Crystalline Solids   358 巻 ( 17 ) 頁： 2086-2089   2012年9月

Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes 査読有り

A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻 ( 6S ) 頁： 06FF02 (6 pages)   2012年6月

Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering 査読有り

A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E95.C 巻 ( 5 ) 頁： 879-884   2012年5月

Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots with High Areal Dot Density 査読有り

K. Makihara, H. Deki, M Ikeda, and S, Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys   51 巻 ( 4S ) 頁： 04DG08 (5 pages)   2012年4月

Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion 査読有り

A. Ohta, M. Matsui, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

ECS Transactions   50 巻 ( 9 ) 頁： 449-457   2012年

Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes 査読有り

K. Makihara, M. Fukushima, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

ECS Transactions   50 巻 ( 9 ) 頁： 459-464   2012年

X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Interfacial Reactions between Metal and Ultrathin Ge Oxide 査読有り 国際誌

A. Ohta, T. Fujioka, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 10S ) 頁： 10PE01 (6 pages)   2011年10月

Evaluation of Chemical Structure and Resistance Switching Characteristics of Undoped Titanium Oxide and Titanium–Yttrium Mixed Oxide 査読有り 国際誌

A. Ohta, Y. Goto, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 10S ) 頁： 10PH02 (6 pages)   2011年10月

Formation of High-Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet for Floating Gate Memory 査読有り 国際誌

K. Makihara, K. Matsumoto, M. Yamane, T. Okada, N. Morisawa, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 8S2 ) 頁： 08KE06 (4pages)   2011年8月

Characterization of chemical bonding features at metal/GeO2 Interfaces by X-ray photoelectron spectroscopy 査読有り 国際誌

M. Matsui, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, S. Higashi, and S. Miyazaki

Microelectronic Engineering   88 巻 ( 7 ) 頁： 1549-1552   2011年7月

Impact of insertion of ultrathin TaOx layer at the Pt/TiO2 interface on resistive switching characteristics 査読有り 国際誌

G. Wei, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, Y. Goto, S. Higashi, and S. Miyazaki

Microelectronic Engineering   88 巻 ( 7 ) 頁： 1152-1154   2011年7月

The Impact of Y Addition into TiO2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics 査読有り 国際誌

A. Ohta, Y. Goto, M. F. Kazalman, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 6S ) 頁： 06GG01 (5 pages)   2011年6月

High-density formation of Ge quantum dots on SiO2 査読有り 国際誌

K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Takeuchi, Y. Shimura, S. Zaima, and S. Miyazaki

Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 65-69   2011年6月

Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities 査読有り 国際誌

A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E94.C 巻 ( 5 ) 頁： 717-723   2011年5月

Impact of Annealing Ambience on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure 査読有り 国際誌

G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E94.C 巻 ( 5 ) 頁： 699-704   2011年5月

Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor 査読有り 国際誌

M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, Y. Shigeta, and T. Endoh

IEICE Transactions on Electronics   E94.C 巻 ( 5 ) 頁： 730-736   2011年5月

Native Oxidation Growth on Ge(111) and (100) Surfaces 査読有り 国際誌

S. K. Sahari, H. Murakami, T. Fujioka, T. Bando, A. Ohta, K. Makihara, S. Higashi, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 4S ) 頁： 04DA12 (4 pages)   2011年4月

Activation of As Atoms in Ultrashallow Junction during Milli- and Microsecond Annealing Induced by Thermal-Plasma-Jet Irradiation 査読有り 国際誌

K. Matsumoto, A. Ohta, S. Miyazaki, and S. Higashi

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 4S ) 頁： 04DA07 (4 pages)   2011年4月

Collective Tunneling Model in Charge-Trap-Type Nonvolatile Memory Cell 査読有り 国際誌

M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, S. Nomura, K. Shiraishi, and T. Endoh

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 4S ) 頁： 04DD04 (4 pages)   2011年4月

Application of Thermal Plasma Jet Irradiation to Crystallization and Gate Insulator Improvement for High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication 査読有り 国際誌

S. Higashi, S. Hayashi, Y. Hiroshige, Y. Nishida, H. Murakami, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 3S ) 頁： 03CB10 (8 pages)   2011年3月

Optical Response of Si-Quantum-Dots/NiSi-Nanodots Stack Hybrid Floating Gate in MOS Structures 査読有り 国際誌

N. Morisawa, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Key Engineering Materials   470 巻   頁： 135-139   2011年2月

Formation and Characterization of Silicon-Quantum-Dots/Metal-Silicide-Nanodots Hybrid Stack and its Application to Floating Gate Functional Devices 招待有り 査読有り 国際誌

S. Miyazaki

ECS Transactions   41 巻 ( 7 ) 頁： 93-98   2011年

Importance of Electronic State of Two-Dimensional Electron Gas for Electron Injection Process in Nano-Electronic Devices 査読有り 国際誌

M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Takada, Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, and Y. Shigeta

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures   42 巻 ( 10 ) 頁： 2602 - 2605   2010年9月

Formation of Cobalt and Cobalt-silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 査読有り 国際誌

A. Kawanami, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻 ( 8S1 ) 頁： 08JA04 (4 pages)   2010年8月

Contribution of Carbon to Growth of Boron-Containing Cluster in Heavily Boron-Doped Silicon 査読有り 国際誌

H. Itokawa, A. Ohta, M. Ikeda, I. Mizushima, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻 ( 8R ) 頁： 081301 (5 pages)   2010年8月

Formation of High Crystallinity Silicon Films by High Speed Scanning of Melting Region Formed by Atmospheric Pressure DC Arc Discharge Micro-Thermal-Plasma-Jet and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication 査読有り 国際誌

S. Hayashi, S. Higashi, H. Murakami and S. Miyazaki

Applied Physics Express   3 巻 ( 6 ) 頁： 061401 (3 pages)   2010年6月

Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using Atomic Force Microsope/Kelvin Probe Technique 査読有り 国際誌

K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻 ( 6R ) 頁： 065002 (4 pages)   2010年6月

Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots 査読有り 国際誌

K. Makihara, M. Ikeda, A. Kawanami and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E93.C 巻 ( 5 ) 頁： 569 - 572   2010年5月

Activation of B and As in Ultrashallow Junction During Millisecond Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation 査読有り 国際誌

K. Matsumoto, S. Higashi, H. Murakami, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻 ( 4S ) 頁： 04DA02 (4 pages)   2010年4月

Effect of Chemical Composition of SiOx Films on Rapid Formation of Si Nanocrystals Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation 査読有り 国際誌

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, K. Makihara, H. Furukawa, Y. Hiroshige and S. Miyazaki

Phys. Status Solidi C   7 巻 ( 3-4 ) 頁： 732 - 734   2010年4月

Light-Induced Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in Metal–Oxide–Semiconductor Structures 査読有り 国際誌

N. Morisawa, M. Ikeda, S. Nakanishi, A. Kawanami, K. Makihara and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻 ( 4S ) 頁： 04DJ04 (4 pages)   2010年4月

Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique 査読有り 国際誌

S. Higashi, K. Sugakawa, H. Kaku, T. Okada, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻 ( 3S ) 頁： 03CA08 (4 pages)   2010年3月

Formation Mechanism of Metal nanodots Induced by Remote Plasma Exposure 査読有り 国際誌

K. Makihara, K. Shimanoe, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki

Journal of Optoelectronics and Advanced Materials   12 巻 ( 3 ) 頁： 626 - 630   2010年3月

Anomalous temperature dependence of electron tunneling between a two-dimensional electron gas and Si dots 査読有り 国際誌

Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, J. Iwata, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures   42 巻 ( 4 ) 頁： 918 - 921   2010年2月

Formation and Characterization of Hybrid Nanodot Stack Structure for Floating Gate Application 査読有り 国際誌

S. Miyazaki, K. Makihara, and M. Ikeda

Thin Solid Films   518 巻 ( 6 ) 頁： S30 - S34   2010年1月

Temperature Dependence of Electron Tunneling between Two Dimensional Electron Gas and Si Quantum Dots 査読有り 国際誌

Y. Sakurai, J. Iwata, M. Muraguchi, Y. Shigeta, Y. Takada, S. Nomura, T. Endoh, S. Saito, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

  49 巻 ( 1R ) 頁： 014001 (4 pages)   2010年1月

Formation of High Density Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Memory Application 査読有り 国際誌

S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto

J. of Materials Science Forum   638-642 巻   頁： 1725 - 1730   2010年1月

Characterization of Interfaces between Chemically Cleaned or Thermally Oxidized Germanium and Metals 査読有り 国際誌

H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, T. Bando, S. Higashi and S. Miyazaki

ECS Trans.   33 巻 ( 6 ) 頁： 253 - 262   2010年

Self-Align Formation of Si Quantum Dots 査読有り 国際誌

K. Makihara, M. Ikeda, H. Deki, A. Ohta and S. Miyazaki

ECS Trans.   33 巻 ( 6 ) 頁： 661 - 667   2010年

Formation of Pseudo-Expitaxial Ge Films on Si(100) by Droplet of Ge Microliquid 査読有り 国際誌

T. Matsumoto, S. Higashi, K. Makihara, M. Akazawa and S. Miyazaki

ECS Trans.   33 巻 ( 6 ) 頁： 165 - 170   2010年

Characterization of Interfacial Reaction and Chemical Bonding Features of LaOx/HfO2 Stack Structure Formed on Thermally-grown SiO2/Si(100) 査読有り 国際誌

A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

Microelectronic Engineering   86 巻 ( 7-9 ) 頁： 1650 - 1653   2009年7月

Electron Charged States of Pt-silicide Nanodots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique 査読有り 国際誌

K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, A. Ohta, S. Higashi, and S. Miyazaki

Transactions of the Materials Research Society of Japan   34 巻 ( 2 ) 頁： 309 - 312   2009年6月

Photoemission study of fully silicided Pd2Si gates with interface modification induced by dopants 査読有り 国際誌

T. Hosoi, A. Ohta, S. Miyazaki, H. Shiraish, K. Shibahara

Appl. Phys. Lett.   94 巻 ( 19 ) 頁： 192102 (3 pages)   2009年5月

Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Its Application to Floating Gate MOS Memories 査読有り 国際誌

K. Shimanoe K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E92.C 巻 ( 5 ) 頁： 616 - 619   2009年5月

Electroluminescence from Si Quantum Dots/SiO2 Multilayers with Ultrathin Oxide Layers due to Bipolar Injection 査読有り 国際誌

J. Xu, K. Makihara, H. Dek, and S. Miyazaki

Solid State Communications   149 巻 ( 19-20 ) 頁： 739 - 742   2009年5月

Effective-Work-Function Control by Varying the TiN Thickness in Poly-Si/TiN Gate Electrodes for Scaled High-k CMOSFETs 査読有り 国際誌

M. Kadoshima, T. Matsuki, S. Miyazaki, K. Shiraishi, T. Chikyo, K. Yamada, T. Aoyama, Y. Nara, and Y. Ohji

IEEE Electron Device Letters   30 巻 ( 5 ) 頁： 466 - 468   2009年5月

Formation of Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Application 査読有り 国際誌

S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto

Solid State Phenomena   154 巻   頁： 95 - 100   2009年4月

Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Induced by High-Power-Density Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Ultrashallow Junction Formation 査読有り 国際誌

H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   48 巻 ( 4S ) 頁： 04C011 (4 pages)   2009年4月

Temperature Dependence of Capacitance of Si Quantum Dot Floating Gate MOS Capacitor 査読有り 国際誌

Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Journal of Physics: Conference Series   150 巻 ( Electronic Quantum Transport ) 頁： 022071 (4 pages)   2009年3月

Surface Potential Changes Induced by Physisorption of Si-tagged Protein A on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 surfaces 査読有り 国際誌

S. Mahboob, K. Makihara, A. Ohta, S. Higashi, Y. Hata, A. Kuroda, and S. Miyazaki

ECS Trans.   19 巻 ( 22 ) 頁： 35 - 43   2009年

Charge Storage Characteristics of Hybrid Nanodots Floating Gate 査読有り 国際誌

S. Miyazaki, K. Makihara, and M. Ikeda

ECS Trans.   25 巻 ( 7 ) 頁： 433 - 439   2009年

Physics of Nano-contact between Si Quantum Dots and Inversion Layer 査読有り 国際誌

Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, J. Iwata, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Shigeta, M. Ikeda, and K. Makihara

ECS Trans.   25 巻 ( 7 ) 頁： 463 - 469   2009年

The Influence of Defects and Impurities on Electrical Properties of High-k Dielectrics 査読有り 国際共著 国際誌

J. Dąbrowski, S. Miyazaki, S. Inumiya, G. Kozłowski, G. Lippert, G. Łupina, Y. Nara, H. J. Müssig, A. Ohta, and Y. Pei

Materials Science Forum   608 巻   頁： 55 - 109   2008年12月

Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Electrical Charging Characteristics 査読有り 国際誌

K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki

Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁： 306 - 308   2008年11月

Control of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots for Floating Gate Application 査読有り 国際誌

S. Miyazaki, K. Makihara, and M. Ikeda

Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁： 41 - 44   2008年11月

Low Temperature High-rate Growth of Crystalline Ge Films on Quartz and Crystalline Si Substrates from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4 査読有り 国際誌

T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi, and S. Miyazaki

Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁： 216 - 218   2008年11月

Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Silicon Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique 査読有り 国際誌

T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Matsui, A. Masuda, and M. Kondo

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻 ( 8S2 ) 頁： 6949 - 6952   2008年8月

Interface Properties and Effective Work Function of Sb-Predoped Fully Silicided NiSi Gate 査読有り 国際誌

T. Hosoi, K. Sano, A. Ohta, K. Makihara, H. Kaku, S. Miyazaki, and K. Shibahara

Surface and Interface Analysis   40 巻 ( 6-7 ) 頁： 1126 - 1130   2008年6月

Progress on Charge Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots/SiO2 Structure as Evaluated by AFM/KFM 査読有り 国際誌

K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E91.C 巻 ( 5 ) 頁： 712 - 715   2008年5月

Cathode Electron Injection Breakdown Model and Time Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Prediction in High-k/Metal Gate Stack p-Type Metal–Oxide–Silicon Field Effect Transistors 査読有り 国際誌

M. Sato, C. Tamura, K. Yamabe, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamada, R. Hasunuma, T. Aoyama, Y. Nara, and Y. Ohji

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻 ( 5R ) 頁： 3326 - 3331   2008年5月

Effect of He Addition on the Heating Characteristics of Substrate Surface Irradiated by Ar Thermal Plasma Jet 査読有り 国際誌

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami, and S. Miyazaki

Thin Solid Films   516 巻 ( 11 ) 頁： 3680 - 3683   2008年4月

Crystallization of Amorphous Ge Films Induced by Semiconductor Diode Laser Annealing 査読有り 国際誌

K. Sakaike, S. Higashi, H. Murakami, and S. Miyazaki

Thin Solid Films   516 巻 ( 11 ) 頁： 3595 - 3600   2008年4月

Nucleation Study of Hydrogenated Microcrystalline Silicon (μc-Si:H) Films Deposited by VHF-ICP 査読有り 国際誌

T. Karakawa, S. Higashi, H. Murakami, and S. Miyazaki

Thin Solid Films   516 巻 ( 11 ) 頁： 3497 - 3501   2008年4月

Characterization of Multistep Electron Charging and Discharging of a Silicon Quantum Dots Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases 査読有り 国際誌

R. Matsumoto, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻 ( 4S ) 頁： 3103 - 3106   2008年4月

Self-Assembling Formation of Ni Nanodots on SiO2 Induced by Remote H2 Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics 査読有り 国際誌

K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻 ( 4S ) 頁： 3099 - 3102   2008年4月

Comprehensive Analysis of Positive and Negative Bias Temperature Instabilities in High-k/Metal Gate Stack Metal–Oxide–Silicon Field Effect Transistors with Equivalent Oxide Thickness Scaling to Sub-1 nm 査読有り 国際誌

M. Sato, K. Yamabe, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamada, C. Tamura, R. Hasunuma, S. Inumiya, T. Aoyama, Y. Nara, and Y. Ohji

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻 ( 4S ) 頁： 2354 - 2359   2008年4月

In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer during Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation 査読有り 国際誌

H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻 ( 4S ) 頁： 2460 - 2463   2008年4月

Growth of Si crystalline in SiOx films induced by millisecond rapid thermal annealing using thermal plasma jet 査読有り 国際誌

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H. Murakami, and S. Miyazaki

Solid-State Electronics   52 巻 ( 3 ) 頁： 377 - 380   2008年3月

Nucleation Control for High Density Formation of Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2 査読有り 国際誌

K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki

ECS Trans.   16 巻 ( 10 ) 頁： 255 - 260   2008年

Formation of Si Nanocrystals in SiOx Films Induced by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory 査読有り 国際誌

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa, and S. Miyazaki

ECS Trans.   16 巻 ( 9 ) 頁： 177 - 182   2008年

In-situ Monitoring of Si Wafer Temperature during Millisecond Rapid Thermal Annealing 査読有り 国際誌

H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, and S. Miyazaki

ECS Trans.   13 巻 ( 1 ) 頁： 31 - 36   2008年

Theory of Metal/Dielectric Interfaces -Breakdown of Schottky Barrier Limits- 査読有り 国際誌

K. Shiraishi, T. Nakayama, T. Nakaoka, A. Ohta, and S. Miyazaki

ECS Trans.   13 巻 ( 2 ) 頁： 21 - 27   2008年

Photoemission Study of Metal/HfSiON Gate Stack 査読有り 国際誌

S. Miyazaki, H. Yoshinaga, A. Ohta, Y. Akasaka, K. Shiraishi, K. Yamada, S. Inumiya, M. Kadoshima, and Y. Nara

ECS Trans.   13 巻 ( 2 ) 頁： 67 - 73   2008年

Effect of Annealing on Electronic Characteristics of HfSiON Films fabricated by Damascene Gate Process 査読有り 国際誌

K. Yamabe, K. Murata, T. Hayashi, T C. Tamura, M. Sato, A. Uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T. Chikyow, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohji, S. Miyazaki, K. Yamada, and R. Hasunuma

ECS Trans.   16 巻 ( 5 ) 頁： 521 - 526   2008年

Practical dual-metal-gate dual-high-k CMOS integration technology for hp 32 nm LSTP utilizing process-friendly TiAlN metal gate

M. Kadoshima, T. Matsuki, M. Sato, T. Aminaka, E. Kurosawa, A. Ohta, H. Yoshinaga, S. Miyazaki, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji

International Electron Device Meeting 2007 (IEDM)(Washington DC)   20.4 巻   頁： 531-534   2007年12月

Performance Improvement of HfAlOxN n-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors by Controlling the Bonding Configuration of Nitrogen Atoms Coordinated to Hf Atoms 査読有り

K. Iwamoto, T. Nishimura1, A. Ohta2, K. Tominaga, T. Nabatame, S. Miyazaki2, and A. Toriumi1,3

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁： 7666-7670   2007年12月

Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Si Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique

T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Matsui, A. Masuda, M. Kondo

2007 Int. Symposium on Dry Process (DPS2007)(Tokyo)   8-03 巻   頁： 157-158   2007年11月

Charge Injection Characteristics of NiSi-Dots/Silicon-Quantum-Dots Stacked Floating Gate in MOS Capacitors

M. Ikeda, R. Matsumoto, K. Shimanoe, T. Okada, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki

3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007)(Sendai)   P-08 巻   頁： 35-36   2007年11月

High Rate Growth of Crystalline Ge Films at Low Temperatures by Controlling 60MHz Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4

S. Miyazaki, T. Sakata, K. Makihara, M. Ikeda

3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007)(Sendai)   P-07 巻   頁： 33-34   2007年11月

Formation of PtSi Nanodots Induced by Remote H2 Plasma

K. Shimanoe, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007), Sendai   P-09 巻   頁： 37-38   2007年11月

Impact of Low Temperature Anneal on Effective Work Function and Chemical Bonding Features for Ru/HfSiON/SiON Gate Stack

A. Ohta, H. Yoshinaga, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Kadoshima, Y. Nara

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo)   OA3-1 巻   頁： 215-216   2007年11月

Evaluation of Effective Work Function in Ru/HfSiON/SiO2 Gate Stack Structures – Thickness Dependence in Bottom SiO2 layer

H. Yoshinaga, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Kadoshima, Y. Nara,

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo)   P.-47 巻   頁： 181-182   2007年11月

The Impact of Post Deposition NH3-Anneal on La Oxide Films Formed by MOCVD Using La(DPM)3

R. Yougauchi, A. Ohta, Y. Munetaka, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, (ISCSI-V)(Tokyo)   OA3-8 巻   頁： 227-228   2007年11月

High Efficiency Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si Films

H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, S. Miyazaki

5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo)   OA1 巻   頁： 51-52   2007年11月

High Rate Growth of Highly-Crystallized Ge Films on Quartzfrom VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4 + H2 査読有り

T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi and S. Miyazaki

Materials Science Forum   561-565 巻   頁： 1209-1212   2007年10月

Characterization of Electronic Charged States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/ Kelvin Probe Technique 査読有り

R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda,H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki

Materials Science Forum   561-565 巻   頁： 1213-1216   2007年10月

Self-Assembling Formation of Ninanodots on SiO2 Induced by Remote H2-Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics

K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)(Tsukuba)   I-8-1 巻   頁： 1108-1109   2007年9月

In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer During Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation

H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki

Solid State Device and Materials (SSDM2007)(Tsukuba)   P-1-27L 巻   頁： 376-377   2007年9月

Characterization of Multistep Electron Charging and Discharging of Silicon-Quantum-Dots Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases

R. Matsumoto, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)(Tsukuba)   I-8-3 巻   頁： 1112-1113   2007年9月

Electroluminescence from Multiple-Stacked Structures of Impurity Doped Si Quantum Dots

K. Okuyama, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)(Tsukuba)   E-1-4 巻   頁： 106-107   2007年9月

Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si films

H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, S. Miyazaki

The Fourteenth International Workshop on ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAY AND DEVICES(Awaji)   3-3 巻   頁： 33-36   2007年7月

Progress on Charge Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots/SiO2 Structure as Evaluated by AFM/KFM

K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007) (Korea)   J-R22W 巻   頁： 251-254   2007年6月

Phosphorus Doping to Si Quantum Dots for Floating Gate Application

K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, H. Murakami, R. Matsumoto, E. Ikenaga, M. Kobata, J. Kim, S. Higashi, S. Miyazaki

2007 Silicon Nanoelectronics Workshop(Kyoto)   5-3 巻   頁： 161-162   2007年6月

Fermi-level pinning position modulation by Al-containing metal gate for cost-effective dual-metal/dual-high-k CMOS

M. Kadoshima, Y. Sugita, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji

The 2008 Symposium on VLSI Technology(Kyoto)   5A-1 巻   頁： 66-67   2007年6月

Characterization of Chemical Bonding Features and Defect State Density in HfSiOxNy/SiO2 Gate Stack

A. Ohta, Y. Munetaka, A. Tsugou, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, Y. Nara

15th biannual Conference on Insulating Films on Semiconductors 2007 (INFOS2007)(Greece)   session7 7.36 巻   頁： 251-254   2007年6月

Impact of Boron Doping to Si Quantum Dots on Light Emission Properties

K. Okuyama, K. Makihara, A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007) (Korea)   J-R23M 巻   頁： 135-138   2007年6月

Hafnium 4f Core-level Shifts Caused by Nitrogen Incorporation in Hf-based High-k Gate Dielectrics 査読有り

N. Umezawa1, K. Shiraishi2,1, S. Miyazaki3, T. Ohno1, T. Chikyow1, K. Yamada4,1, and Y. Nara5

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁： 3507-3509   2007年6月

Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Electrical Charging Characteristics

K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures(France)   22P 2-15 巻   頁： 313-314   2007年5月

Characterization of Metal/High-k Structures Using Monoenergetic Positron Beams 査読有り

Akira Uedono, Tatsuya Naito, Takashi Otsuka, Kenichi Ito, Kenji Shiraishi, Kikuo Yamabe, Seiichi Miyazaki1, Heiji Watanabe2, Naoto Umezawa3, Toyohiro Chikyow3, Toshiyuki Ohdaira4, Ryoichi Suzuki4, Yasushi Akasaka5,, Satoshi Kamiyama5, Yasuo Nara5, and Keisaku Yamada6

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁： 3214-3218   2007年5月

Low Temperature High-rate Growth of Crystalline Ge Films on Quartz and Crystalline Si Substrates from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4

T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi, S. Miyazaki

5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)(France)   21P1-7 巻   頁： 214-215   2007年5月

Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots 査読有り

J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki

Solid State Phenomena   121-123 巻   頁： 557-560   2007年5月

Luminescence Study of Multiply-Stacked Structures Consisting of Impurity-Doped Si Quantum Dots and Ultrathin SiO2

K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki,

The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)(Osaka)   PB-5 巻   頁： 121-122   2007年4月

Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bonds in HfSiON 査読有り

Naoto Umezawa, Kenji Shiraishi1, Seiichi Miyazaki2, Akira Uedono1, Yasushi Akasaka3, Seiji Inumiya3, Ryu Hasunuma1, Kikuo Yamabe1, Hiroyoshi Momida4, Takahisa Ohno4, Kenji Ohmori, Toyohiro Chikyow, Yasuo Nara3, and Keisaku Yamada5

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁： 1891-1894   2007年4月

Melting and Solidification of Microcrystalline Si Films Induced by Semiconductor Diode Laser Irradiation 査読有り

Kohei Sakaike, Seiichiro Higashi, Hirotaka Kaku, Hideki Murakami, and Seiichi Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁： 1276-1279   2007年3月

Ultrarapid Thermal Annealing Induced by DC Arc Discharge Plasma Jet Its Application

S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki

5th International Symposium Nanotechnology (JAPAN NANO 2007)(Tokyo)   P3-2 巻   頁： 144-145   2007年2月

Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films

S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki

3rd International TFT Conference(Italy)   P21 巻   頁： 204-207   2007年1月

Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films, 3rd International TFT Conference, Rome, Italy, Jan.

S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki,

3rd International TFT Conference, Rome, Italy, Jan. 25-26, 2007, P21, pp     頁： 204-207.   2007年1月

Growth of Si Crystalline in SiOx Films Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H.Murakami, S. Miyazaki

3rd International TFT Conference(Italy)   5a.3 巻   頁： 82-85   2007年1月

Theoretical Studies on Metal/High-k Gate Stacks

K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, A. Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamabe, K. Yamada

ECS Trans.   6 巻 ( 1 ) 頁： 191-204   2007年

Electrical Characteristics of Lightly-Doped Si Films Crystallized by Thermal Plasma Jet Irradiation

T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Maki, T. Sameshima

Trans. of MRS-J   32 巻 ( 2 ) 頁： 465-468   2007年

Performance Improvement of HfAlOxN n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by Controlling the Bonding Configuration of Nitrogen Atoms Coordinated to Hf Atoms

K. Iwamoto, T. Nishimura, A. Ohta, K. Tominaga, T. Nabatame, S. Miyazaki, A. Toriumi

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻 ( 12 ) 頁： 7666-7670   2007年

Control of Substrate Surface Temperature in Millisecond Annealing Technique Using Thermal Plasma Jet

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami, S. Miyazaki

Thin Solid Films   515 巻   頁： 4897-4900   2007年

Melting and Solidification of Microcrystalline Si Films Induced by Semiconductor Diode Laser Irradiation

K. Sakaike, S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻 ( 3B ) 頁： 1276-1279   2007年

Vacancy-fluorine complexes and their impact on the properties of metal-oxide transistors with high-k gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams

A. Uedono, S. Inumiya, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki, S. Miyazaki, K. Yamada

J. Appl. Phys   102 巻   頁： 054511-1 – 054511-7   2007年

Improvement in Fermi-Level Pinning of p-MOS Metal Gate Electodes on HfSiON by Employing Ru Gate Electrodes

M. Kadoshima, Y. Suginta, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji

ECS Trans.   11 巻 ( 4 ) 頁： 169-180   2007年

Characterization of Chemical Bonding Features and Defect State Density in HfSiOxNy/SiO2 Gate Stack

A. Ohta, Y. Munetaka, A. Tsugou, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, Y. Nara

Microelec. Eng.   84 巻   頁： 2386-2389   2007年

Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots for Floating Gate Application

S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara

ECS Trans.   11 巻 ( 6 ) 頁： 233-243   2007年

Characterization of Electronic Charged States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/Kelvin Probe Technique

R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Materials Science Forum   561-565 巻   頁： 1213-1216   2007年

Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots

J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Solid State Phenomena   121-123 巻   頁： 557-560   2007年

Vacancy-Type Defects in MOSFETs with High-k Gate Dielectrics Probed by Monoenergetic Positron Beams

A. Uedono, R. Hasumuma, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Inumiya, Y. Akasaka, S. Kamiyama, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, S. Miyazaki, H. Watanab, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki, K. Yamada

ECS Trans.   11 巻 ( 4 ) 頁： 81-90   2007年

Role of the Ionicity in Defect Formation in Hf-based Dielectrics

N. Umezawa, K. Shiraishi, S. Miyazaki, A. Uedono, Y. Akasaka, S. Inumiya, A. Oshiyama, R. Hasunuma, K. Yamabe, H. Momida, T. Ohno, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamada

ECS Trans.   11 巻 ( 4 ) 頁： 199-211   2007年

Tight distribution of dielectric characteristics of HfSiON in metal gate devices

R. Hasumuma, T. Naito, C. Tamura, A. Uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Inumiya, M. Sato, Y. Tamura, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohji, S. Miyazaki, K. Yamada, K. Yamabe

ECS Trans.   11 巻 ( 4 ) 頁： 3-11   2007年

Introduction of defects into HfO2 gate dielectrics by metal-gate deposition studied using x-ray photoelectron spectroscopy and positron annihilation

1. A. Uedono, T. Naito, T. Otsuka, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, H. Watanabe

J. Appl. Phys.   100 巻   頁： 064501-1 – 064501-5   2006年

Depth Profiling of Chemical and Electronic Structures and Defects of Ultrathin HfSiON on Si(100)

S. Miyazaki, A. Ohta, S. Inumiya, Y. Nara, K. Yamada

ECS Trans.   3 巻 ( 3 ) 頁： 171-180   2006年

Physics of Metal/High-k Interfaces

T. Nakayama, K. Shiraishi, S. Miyazaki, Y. Akasaka, K. Torii, P. Ahmet, K. Ohmori, N. Umezawa, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, A. Ohta, H. Iwai, K. Yamada, T. Nakaoka

Physics of Metal/High-k Interfaces   3 巻 ( 3 ) 頁： 129-140   2006年

Multistep Electron Charging to and Discharging from Silicon-Quantum-Dots Floating Gate in nMOSFETs

T. Nagai, M. Ikeda, Y. Shimizu, S. Higashi, S. Miyazaki

Trans. of MRS-J   31 巻 ( 1 ) 頁： 137-140   2006年

Study of Charged States of Si Quantum Dots with Ge Core

K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

ECS Trans.   3 巻 ( 7 ) 頁： 257-262   2006年

Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots and Their Application to Floating Gate Memories

S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara

ECS Trans.   2 巻 ( 1 ) 頁： 157-164   2006年

Fabrication of Multiply-Stacked Si Quantum Dots for Floating Gate MOS Devices

K. Makihara, M. Ikeda, T. Nagai, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Trans. of MRS-J   31 巻 ( 1 ) 頁： 133-136   2006年

Decay Characteristics of Electronic Charged States of Si Quantum Dots as Evaluated by an AFM/Kelvin Probe Technique

J. Nishitani, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Thin Solid Films   508 巻 ( 1-2 ) 頁： 190-194   2006年

Characterization of Electronic Charged States of P-doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe

K. Makihara, J. Xu, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Thin Solid Films   508 巻 ( 1-2 ) 頁： 186-189   2006年

Characterization of HfSiON gate dielectrics using monoenergetic positron beams

1. A. Uedono, K. Ikeuchi, T. Otsuka, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, N. Umezawa, A. Hamid, T. Chikyow

J. Appl. Phys.   99 巻   頁： 054507-1 – 054507-6   2006年

Characterization of FUSI-PtSi Formed on Ultrathin HfO2/Si(100) by Photoelectron Spectroscopy

Y. Munetaka, F. Takeno, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 145-148   2006年

Crystallization of Si in Millisecond Time Domain Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation

S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 5B ) 頁： 4313-4320   2006年

Analysis of Transient Temperature Profile During Thermal Plasma Jet Annealing of Si Films on Quartz Substrate

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 5B ) 頁： 4355-4357   2006年

In-Situ Observation of Rapid Crystalline Growth Induced by Excimer Laser Irradiation to Ge/Si Stacked Structure

A. Yamashita, Y. Okamoto, S. Higashi, S. Miyazaki, H. Watakabe, T. Sameshima

Thin Solid Films   508 巻   頁： 53-56   2006年

High-rate Growth of Highly-crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plasma CVD

N. Kosku, S. Miyazaki

Thin Solid Films   511-512 巻   頁： 265-270   2006年

The Application of Very High Frequency Inductively-coupled Plasma to High-Rate Growth of Microcrystalline Silicon Films

N. Kosku, S. Miyazaki

J. Non-Cryst. Solid   352 巻   頁： 911-914   2006年

Growth of Crystallized Ge Films from VHF-Inductively Coupled Plasma of H2-Diluted GeH4

T. Sakata, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki

Thin Solid Films   515 巻 ( 12 ) 頁： 4971-4974   2006年

An Unfavorable Effect of Nitrogen Incorporation on Reduction in the Oxygen Vacancy Formation Energy

N. Umezawa, K. Shiraishi, Y. Akasaka, S. Inumiya, A. Uedono, S. Miyazaki, T. Chikyow, T.Ohno, Y. Nara, K. Yamada

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 129-132   2006年

Photoemission Study of Ultrathin HfSiON/Si(100) Systems

A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, Y. Nara

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 125-128   2006年

Photoemission Study of Ultrathin GeO2/Ge Heterostructures Formed by UV-O3 Oxidation

A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Jour. of Sur. Sci. and Nanotech.   4 巻   頁： 174-179   2006年

Impact of Nitrogen Incorporation into Yittrium Oxide on Chemical Bonding Features and Electrical Properties

H. Abe, H. Nakagawa, M. Taira, A. Ohta, S. Higashi, S. Miyazaki

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 157-160   2006年

Nitridation of Ge(100) Surfaces by Vacuum-ultra violet (VUV) Irradiation in NH3 Ambience

H. Nakagawa, A. Ohta, M. Taira, H. Abe, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 153-156   2006年

Influence of thermal annealing on defect states and chemical structures in ultrathin Al2O3/SiN/poly-Si

M. Taira, A. Ohta, H. Nakagawa, S. Miyazaki, K. Yoneda, M. Horikawa, K. Koyama

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 149-152   2006年

Control of the Nucleation Density of Si Quantum Dots by Remote Hydrogen Plasma Treatment

K. Makihara, H. Deki, H. Murakami, S. Higasi, S. Miyazaki

Appl. Surf. Sci.   244 巻 ( 1-4 ) 頁： 75-78   2005年

Crystallization of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet

S. Higashi, H. Kaku, H. Taniguchi, H. Murakami, S. Miyazaki

Thin Solid Films   487 巻   頁： 122-125   2005年

Crystallization of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet

S. Higashi, H. Kaku, H. Taniguchi, H. Murakami, S. Miyazaki

Thin Solid Films   487 巻   頁： 122-125   2005年

High-Rate Growth of Highly-Crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plasma CVD

N. Kosku, S. Miyazaki

Trans. of MRS-J   30 巻 ( 1 ) 頁： 279-282   2005年

Fabrication of Polycrystalline Si Thin Film Transistor Using Plasma Jet Crystalliztion Technique

H. Kaku, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Asami, H. Watakabe, N. Andoh, T. Sameshima

Trans. of MRS-J   30 巻 ( 1 ) 頁： 283-286   2005年

Application of Plasma Jet Crystallization Technique to Fabrication of Thin-Film Transistor

S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki, H. Watakabe, N. Ando, T. Sameshima

Jpn. J. Appl. Phys.   44 巻 ( 3 ) 頁： L108-L110   2005年

Influence of Substrate dc Bias on Crystallinity of Silicon Films Grown at a High Rate from Inductively-coupled Plasma CVD

N. Kosku, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Appl. Surf. Sci.   244 巻 ( 1-4 ) 頁： 39-42   2005年

A New Crystallization Technique of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet

H. Kaku, S. Higashi, H. Taniguchi, H. Murakami, S. Miyazaki

Appl. Surf. Sci.   244 巻 ( 1-4 ) 頁： 8-11   2005年

Characterization of Germanium Nanocrystallites Grown on SiO2 by a Conductive AFM Probe Technique

K. Makihara, Y. Okamoto, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E88-C 巻 ( 4 ) 頁： 705-708   2005年

Formation of Microcrystalline Germanium (mc-Ge:H) Films From Inductively-Coupled Plasma CVD

Y. Okamoto, K. Makihara, H. Murakami, S. Higasi, S. Miyazaki

Appl. Surf. Sci.   244 巻 ( 1-4 ) 頁： 12-15   2005年

Electrical Characterization of HfAlOx/SiON Dielectric Gate Capacitors

Y. Pei, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 205-208   2005年

Analysis of Leakage Current through Al/HfAlOx/SiONx/Si(100) MOS Capacitors

S. Nagamachi, A. Ohta, F. Takeno, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 197-200   2005年

The Role of Oxygen-related Defects on the Reliabilities of HfO2-based High-k Gate Insulators

K. Torii, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamabe, M. Boero, T. Chikyow, K. Yamada, H. Kitajima, T. Arikado

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 191-195   2005年

Impact of Rapid Thermal Anneal on ALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100) Stack Structures-Photoelectron Spectroscopy

F. Takeno, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Komeda, M. Horikawa, K. Koyama

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 213-217   2005年

Characterization of Charge Trapping and Dielectric Breakdown of HfAlOX/SiON Dielectric Gate Stack

Y. Pei, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii, Y. Nara

ECS Trans.   1 巻 ( 1 ) 頁： 163-172   2005年

Characterization of Aluminum-Oxynitride Stacked Gate Dielectrics Prepared by a Layer-by-Layer Process of Chemical Vapor Deposition and Rapid Thermal Nitridation

H. Murakami, W. Mizubayashi, H. Yokoi, A. Suyama, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E88-C 巻 ( 4 ) 頁： 640-645   2005年

Characterization of Atom Diffusion in Polycrystalline Si/SiGe/Si Stacked Gate

H. Murakami, Y. Moriwaki, M. Fujitake, D. Azuma, S. Higashi, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E88-C 巻 ( 4 ) 頁： 646-650   2005年

Impact of Rapid Thermal Anneal on ALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100) Stack Structures-Photoelectron Spectroscopy

F. Takeno, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Komeda, M. Horikawa, K. Koyama

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 213-217   2005年

Analysis of Leakage Current through Al/HfAlOx/SiONx/Si(100) MOS Capacitors

S. Nagamachi, A. Ohta, F. Takeno, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 197-200   2005年

Characterization of Electronic Charged States of Silicon Nanocrystals as a Floating Gate in MOS Structures

S. Miyazaki, T. Shibaguchi, M. Ikeda

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   830 巻   頁： 249-254   2005年

Charging and Discharging Characteristics of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots

T. Shibaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E88-C 巻 ( 4 ) 頁： 709-712   2005年

Influence of Thermal Annealing on Compositional Mixing and Crystallinity of Highly-Selective Grown Si Dots with Ge Core

Y. Darma, Hideki Murakami, S. Miyazaki

Appl. Surf. Sci.   224 巻   頁： 156-159   2004年

New Analytical Modeling for Photoinduced Discharge Characteristics of Photoreceptors

A. Teshima, S. Miyazaki,

Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 8A ) 頁： 5129-5133   2004年

Electrical Characterization of Ge Microcrystallites by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probe

K. Makihara, Y. Okamoto, H. Nakagawa, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Thin Solid Films   457 巻   頁： 103-108   2004年

Analysis of Soft Breakdown of 2.6-4.9nm-Thick Gate Oxides

W. Mizubayashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 10 ) 頁： 6925-6929   2004年

Statistical Analysis of Soft and Hard Breakdown in 1.9-4.8nm-thick Gate Oxides, IEEE Electron Device Lett.

W. Mizubayashi, Y. Yoshida, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Hirose

IEEE Electron Device Lett   25 巻 ( 5 ) 頁： 305-307   2004年

Praseodymium silicate formed by postdeposition high-temperature annealing

A. Sakai, S. Sakashita, M. Sakashita, S. Zaima, S. Miyazaki

Appl. Phys. Lett.   85 巻 ( 22 ) 頁： 5322-5324   2004年

Impact of Rapid Thermal O2 Anneal on Dielectric Stack Structures of Hafnium Aluminate and Silicon Dioxide Formed on Si(100)

A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, T, Kawahara, K. Torii, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 11B ) 頁： 7831-7836   2004年

Photoelectron Spectroscopy of ultrathin yttrium oxide films on Si(100)

A. Ohta, M. Yamaoka, S. Miyazaki

Microelec. Eng.   72 巻   頁： 154-159   2004年

Characterization of Interfacial Oxide Layers in Heterostructures of Hafnium Oxides Formed on NH3-nitrided Si(100)

H. Nakagawa, A. Ohta, F. Takeno, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 11B ) 頁： 7890-7894   2004年

Influence of Boron and Fluorine Incorporation on the Network Structure of Ultrathin SiO2 査読有り

S. Miyazaki, K. Morino and M. Hirose

  76-77 巻   頁： 149-152   2001年

プラズマ・核融合学会誌 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス　3．結晶化・相変化制御への応用」

東　清一郎, 宮崎　誠一（ 担当： 共著）

2009年 

次世代半導体メモリの最新技術 第6章分担執筆：「シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発」

（ 担当： 単著）

シーエムシー出版  2009年 

プラズマ・核融合学会誌85(3) 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス　3．結晶化・相変化制御への応用」

東　清一郎, 宮崎　誠一（ 担当： 共著）

プラズマ・核融合学会  2009年 

実用薄膜プロセス―機能創製・応用展開― 第1編「創製技術」第5章「CVD」

（ 担当： 単著）

技術教育出版社  2009年 

究極のかたちをつくる 第1章分担執筆：「ナノサイズのかたちをつくる」

（ 担当： 単著）

日刊工業新聞社  2009年 

薄膜ハンドブック 第II編 第1章　1.3.4 CVD(編集・分担執筆　)

宮崎 誠一（ 担当： 単著）

Ohmsha  2008年 

表面科学の基礎と応用(第3編、第1章・第2節)

（ 担当： 共著）

エヌ・ティー・エス  2004年 

Roles for Si, Oxygen atoms and Oxygen Vacancy in Crystalline Phase Stabilization of HfZr-oxide Layer 国際会議

N. Taoka, R. Hasegawa, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (2021 IWDTF)  2021年11月15日 

Impact of Substrate Heating on Surface Flattening and Ge Segregation of Al/Ge(111) 国際会議

K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, S. Hayashi, K. Makihara, and S. Miyazaki

2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (2021 IWDTF)  2021年11月14日 

Characterization of Electronic Charged States of High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots Evaluated with AFM/Kelvin Probe Technique 国際会議

Y. Imai, K. Makihara, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki

34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)  2021年10月27日 

Study on Silicidation Reaction of Fe-NDs with SiH4 国際会議

H. Furuhata, K. Makihara, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki

34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)  2021年10月26日 

Impact of Boron Doping and H2 Annealing on Light Emission from Ge/Si Core-Shell Quantum Dots 招待有り 国際会議

S. Miyazaki, K. Makihara

240th ECS Meeting (Symposium G02 - Semiconductor Process Integration 12)  2021年10月14日 

Remote Hydrogen Plasma-Assisted Formation and Characterization of High-Density Fe-Silicide Nanodots 国際会議

J. Wu, Z. He, H. Furuhata, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki

The 2nd International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2021 (IWAN2021)  2021年9月24日 

High Density Formation and Light Emission Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core 招待有り 国際会議

K. Makihara, and S. Miyazaki

The 2nd International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2021 (IWAN2021)  2021年9月24日 

Study on Silicidation Reaction of Fe-NDs with SiH4 for Light Emission Devices 国際会議

H. Furuhata, K. Makihara, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki

The 2nd International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2021 (IWAN2021)  2021年9月24日 

Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots 国際共著

J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki

2021年9月23日 

High Density Formation of Fe-based Silicide Nanodots Induced by Remote H2 Plasma 国際共著

Z. He, J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki

2021年9月23日 

Si量子ドット多重集積構造へのP添加による内部ポテンシャル変調と電子放出特性評価

尾林 秀治、牧原 克典、竹本 竜也、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月13日 

後酸化によって形成したHf酸化物の結晶構造に基板面方位が与える影響

安田 航、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

基板加熱がAl/Ge(111)構造の表面平坦化とGe偏析に及ぼす影響

松下 圭吾、大田 晃生、田岡 紀之、林 将平、牧原 克典、宮﨑 誠一

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月10日 

高密度FeナノドットへのSiH4照射によるシリサイド化反応制御

古幡 裕志、牧原 克典、大田 晃生、田岡 紀之、宮﨑 誠一

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月10日 

AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷計測

今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月10日 

Study on Electron Emission from Phosphorus delta-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures 国際会議

K. Makihara, T. Takemoto, S. Obayashi, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)  2021年9月7日 

Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots 国際共著 国際会議

J. Wu. K. Makihara, H. Zhang, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki

2021 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2021)  2021年8月26日 

[チュートリアル]組成・状態評価 招待有り

宮﨑 誠一

日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 リトリート学習会  2021年7月31日 

Fabrication and Characterization of Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots for Light/Electron Emission Devices 招待有り 国際会議

S. Miyazaki

13th International Conference And Expo On Nanotechnology & Nanomaterials (iNanotech 2021)  2021年7月13日 

熱処理による金属/Ge構造上の極薄Ge結晶形成

大田 晃生、松下 圭吾、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）「MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術」（応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催）  2021年6月22日 

Photoemission-based Characterization of Interface Dipoles and Defect States for Gate Dielectrics 招待有り 国際会議

S. Miyazaki

11th International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials (Thermec'2021)  2021年6月 

ナノドットによる量子物性制御デバイスの開発 招待有り

牧原 克典、宮﨑 誠一

放射線科学とその応用第186委員会 第38回研究会  2021年5月18日  日本学術振興会産学協力研究委員会 放射線科学とその応用第186委員会

リモート水素プラズマ支援FePt合金ナノドット自己組織化形成プロセスにおける基板温度が磁化特性に与える影響

本田 俊輔、古幡 裕志、大田 晃生、池田 弥央、大島 大輝、加藤 剛志、牧原 克典、宮﨑 誠一

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月19日 

低温水素アニール処理がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響

前原 拓哉、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月17日 

XANAMにより測定したGe量子ドット像のX線エネルギー依存性

鈴木 秀士、向井 慎吾、田 旺帝、野村 昌治、藤森 俊太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、朝倉 清高

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月17日 

HCl前洗浄がAl2O3/GaN界面特性に与える影響

長井 大誠、田岡 紀之、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

XANAMによるSi-Ge量子ドットにおけるX線誘起力変化の調査

鈴木 秀士、向井 慎吾、田 旺帝、野村 昌治、藤森 俊太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、朝倉 清高

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

Segregation Control for Ultrathin Ge Layer in Al/Ge(111) system 国際会議

A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月10日 

Characterization of Electron Field Emission from Phosphorus δ-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures 国際会議

T. Takemoto, T. Niibayashi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月9日 

Influence of Substrate Temperature on Plasma-Enhanced Self-Assembling Formation of High Density FePt-Nanodot 国際会議

S. Honda, K. Makihara, H. Furuhata, A. Ohta, M. Ikeda, T. Kato, D. Oshima, and S. Miyazaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月9日 

High-Density Formation of FeSi2 Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

H. Zhixue, H, Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月9日 

Magnetoelectronic Transport Characteristics of Fe3Si Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

W. Jialin, H. Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月9日 

[チュートリアル]組成・状態評価 招待有り

宮﨑 誠一

日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 リトリート学習会  2021年3月6日 

金属Hf/Zrの熱酸化プロセスが結晶相と強誘電特性に与える影響

長谷川 遼介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）  2021年1月22日 

Sapphire(0001)上アモルファスGe薄膜の固相結晶化

須川 響、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）  2021年1月22日 

Ag/Ge構造の表面偏析制御と平坦化による極薄Ge結晶形成

大田 晃生、山田 憲蔵、須川 響、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）  2021年1月22日 

グラフェン電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電子放出特性評価

新林 智文、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

第20回日本表面真空学会中部支部学術講演会  2020年12月19日  日本表面真空学会中部支部

Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode 国際会議

Tomofumi Niibayashi, Tatsuya Takemoto, Katsunori Makihara, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, and Seiichi Miyazaki

PRiME 2020 (238th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)) 

Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing 国際会議

Hibiki Sugawa, Akio Ohta, Masato Kobayashi, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara and Seiichi Miyazaki

PRiME 2020 (238th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)) 

Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe 国際会議

Jialin Wu, Hai Zhang, Hiroshi Furuhata, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta and Seiichi Miyazaki

PRiME 2020 (238th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)) 

Growth of Ultrathin Ge Crystal Layer by Surface Segregation and Flattening of Ag/Ge Structure 国際会議

Akio Ohta, Kenzou Yamada, Hibiki Sugawa, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, an Seiichi Miyazaki

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)  2020年9月28日 

金属Zr/Hf構造の熱酸化によるZrHf酸化物の形成と結晶相制御

2020年9月10日 

グラフェン上部電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出 ―コレクタ電極電圧依存性評価

2020年9月9日 

XANAMによるGe量子ドット像の1次元 元素マッピング

2020年9月9日 

Si-Ge系ナノドットの高密度集積と光・電子物性制御 招待有り

牧原 克典、宮﨑 誠一

阪大CSRN 第二回異分野研究交流会 ~半導体ナノカーボン系~  2020年8月28日 

Photoemission Study of Chemically-Cleaned GaN Surfaces and GaN-SiO2 Interfaces Formed by Remote Plasma CVD 招待有り 国際会議

S. Miyazaki, and A. Ohta

Material Research Meeting 2019 (MRM 2020) 

Light Emission from Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots 招待有り 国際会議

S. Miyazaki

7th Global Nanotechnology Congress and Expo: Nanotechnology 2019 

Formation of High Density Fe-silicide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of Their Magnetic Properties 招待有り 国際会議

J. Wu, H. Furuhata, H. Zhang, Y. Hashimoto, M. Ikeda, A. Ohta, A. Kohno, K. Makihara, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

Fabrication of Impurity Doped Si Quantum Dots with Ge Core for Light Emission Devices 招待有り 国際会議

K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

Application of Surface Chemical Imaging by XANAM to Ge Surfaces 招待有り 国際会議

S. Suzuki, S. Mukai, W. J. Chun, M. Nomura, S. Fujimori, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, and K. Asakura

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

Characterization of Photoluminescence from Si-QDs with B δ-Doped Ge Core 招待有り 国際会議

T. Maehara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Magnetic Fe-silicide Nanodots 招待有り 国際会議

H. Zhang, X. Liu, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

Formation of High Density PtAl Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Exposure 招待有り 国際会議

S. Miyazaki

41st International Symposium on Dry Process (DPS 2019) 

Fabrication and Characterization of Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots for Light Emission 招待有り 国際会議

S. Miyazaki

2nd Int. Conf. on Photonics Research: InterPhotonics 2019 

Operand Study of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 招待有り 国際会議

M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019) 

Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 招待有り 国際会議

S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019) 

Determination of Complex Dielectric Function of Oxide Film from Photoemission Measurements 招待有り 国際会議

A. Ohata, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019) 

Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 招待有り 国際会議

K. Makihara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2019) 

Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing 招待有り 国際会議

M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2019) 

Study on Light Emission from Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots 招待有り 国際会議

S. Miyazaki

World Congress on Lasers, Optics and Photonics 

Impact of Post Deposition Annealing on Chemical Bonding Features and Filled Electronic Defects of AlSiO/GaN(0001) Structure 招待有り 国際会議

A. Ohta, D. Kikuta, T. Narita, K. Itoh, K. Makihara, T. Kachi, and S. Miyazaki

2019 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2019) 

Characterization of Electron Field Emission from Si Quantum Dots with Ge Core/Si Quantum Dots Hybrid Stacked Structures 招待有り 国際会議

T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

2019 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2019) 

Characterization of Ni/GaN(0001) Interfaces by Photoemission Measurements 招待有り 国際会議

K. Watanabe, A. Ohta, N. Taoka, H. Yamada, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S.Miyazaki

2019 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2019) 

Growth of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 招待有り 国際会議

M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

2019 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2019)