2021/04/01 更新

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ミヤザキ セイイチ
宮﨑 誠一
MIYAZAKI, Seiichi
所属
大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学 教授
シンクロトロン光研究センター 所長(センター長)
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 教授
職名
教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 工学博士 ( 1986年3月   広島大学 ) 

研究キーワード 8

  1. 半導体ナノ構造

  2. 量子ドット

  3. High-k/メタルゲート

  4. 薄膜太陽電池

  5. 薄膜トランジスタ

  6. 抵抗変化メモリ

  7. フローティングゲートメモリデバイス

  8. 極微細MOSトランジスタ

研究分野 2

  1. その他 / その他  / 電子デバイス・電子機器

  2. その他 / その他  / 電子・電気材料工学

現在の研究課題とSDGs 3

  1. 半導体表面・界面の物性制御に関する研究

  2. 極微細MOSトランジスタおよび量子機能デバイスに関する研究

  3. 高効率太陽電池および高性能薄膜トランジスタ開発のためのシリコン系薄膜の研究

経歴 14

  1. 名古屋大学   大学院工学研究科   教授

    2010年6月 - 現在

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    国名:日本国

  2. 名古屋大学   大学院工学研究科(兼務)   工学研究科長

    2021年4月 - 現在

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    国名:日本国

  3. 名古屋大学   シンクロトロン光研究センター(兼務)   所長(センター長)

    2019年4月 - 現在

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    国名:日本国

  4. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター(兼務)   教授

    2017年4月 - 現在

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    国名:日本国

  5. 産業技術総合研究所   窒化物半導体先進デバイスOIL(兼務)   客員研究員

    2017年5月 - 現在

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    国名:日本国

  6. 広島大学   ナノデバイス・バイオ融合科学研究所(兼務)

    2010年8月 - 現在

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    国名:日本国

  7. 名古屋大学   大学院工学研究科(兼務)   副研究科長

    2017年4月 - 2019年3月

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    国名:日本国

  8. 南京大学   電子科学与工程学院(兼務)   兼職教授

    2014年12月 - 2017年11月

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    国名:中華人民共和国

  9. 南京大学   電子科学与工程学院(兼務)   兼職教授

    2010年10月 - 2013年10月

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    国名:中華人民共和国

  10. 筑波大学   大学院数理物質科学研究科(兼務)   客員教授

    2011年9月 - 2015年3月

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    国名:日本国

  11. 広島大学   大学院先端物質科学研究科   教授

    2002年4月 - 2010年5月

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    国名:日本国

  12. 広島大学   大学院先端物質科学研究科   助教授

    2001年4月 - 2002年3月

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    国名:日本国

  13. 広島大学   工学部   助教授

    1992年4月 - 2001年3月

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    国名:日本国

  14. 広島大学   工学部   助手

    1986年4月 - 1992年3月

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    国名:日本国

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学歴 3

  1. 広島大学   工学研究科   材料工学専攻

    1983年4月 - 1986年3月

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    国名: 日本国

  2. 広島大学   工学研究科   材料工学専攻

    1981年4月 - 1983年3月

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    国名: 日本国

  3. 広島大学   工学部   第二類(電気系)

    1977年4月 - 1981年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 12

  1. 日本表面科学会   中部支部役員

    2011年5月 - 2012年3月

  2. 応用物理学会   理事

    2011年4月 - 現在

  3. 応用物理学会   国際委員会委員

    2009年4月 - 現在

  4. 電子情報通信学会   シリコン材料・デバイス研究専門委員会委員

    1998年4月 - 現在

  5. 応用物理学会   中国四国支部幹事

    1995年4月 - 2011年3月

  6. 応用物理学会   薄膜・表面物理分科会 幹事, 常任幹事 1997-,1998-1999

  7. 応用物理学会   代議員, 評議員, 2000-2003,2008-

  8. 応用物理学会   シリコンテクノロジー分科会 幹事, 常任幹事, 副幹事長, 幹事長 1999-,2003-2004,2007-2008,2009-2010

  9. The Electrochemical Society

  10. Material Reseach Society

  11. 日本MRS

  12. 日本真空協会

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委員歴 94

  1. (公益財団法人)立松財団   理事  

    2021年4月 - 2023年3月   

  2. (国立大学法人)東京農工大学   テニュア付与外部審査委員  

    2021年2月 - 2021年3月   

  3. The Electrochemical Society(ECS)日本支部   日本支部長  

    2021年1月 - 2022年12月   

  4. (公益社団法人)応用物理学会 2021年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2021)   組織委員  

    2021年1月 - 2021年12月   

  5. (公益社団法人)応用物理学会 ISPlasma2021/IC-PLANTS2021組織委員会   編集委員会 委員  

    2021年1月 - 2021年11月   

  6. (公益社団法人)応用物理学会 ISPlasma2021/IC-PLANTS2021組織委員会   組織委員会 委員  

    2020年11月 - 2021年3月   

  7. (公益社団法人)応用物理学会 ISPlasma2021/IC-PLANTS2021組織委員会   プログラム委員会 委員  

    2020年11月 - 2021年3月   

  8. (公益財団法人)岐阜県産業経済振興センター   研究開発委員会 委員(アドバイザー)  

    2020年9月 - 2023年3月   

  9. (独立行政法人)日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会   委員  

    2020年6月 - 現在   

  10. (公益社団法人)応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 電子デバイス界面テクノロジー研究会   運営委員  

    2020年5月 - 2021年3月   

  11. (公益社団法人)応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 2021 IWDTF組織委員会   2021 IWDTF組織委員  

    2020年4月 - 2021年11月   

  12. 国際会議 Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 3rd 2021(Taipei))   諮問委員  

    2020年 - 現在   

  13. 第34回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(JSR2021)(開催日:2021年1月8-10日、開催形態:オンライン)   組織委員  

    2020年 - 2021年   

  14. ECS Trans. Vol. 98, No. 5 (2020)   学術論文編集委員  

    2020年   

  15. 広島大学 HiSIM研究センター   人事選考委員会委員  

    2019年8月 - 2020年4月   

  16. (公益財団法人)科学技術交流財団   あいちシンクロトロン光センター運営委員会委員  

    2019年5月 - 2021年5月   

  17. (公益社団法人)応用物理学会 薄膜・表面物理分科会   顧問  

    2019年4月 - 現在   

  18. 東京医科歯科大学   生体医歯工学共同研究拠点運営委員会委員  

    2019年4月 - 2022年3月   

  19. 第33回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(JSR2020)(開催日:2020年1月10-12日、開催地:名古屋)   副実行委員長/プログラム委員/組織委員  

    2019年 - 2020年   

  20. (公益社団法人)日本工学教育協会   事業企画委員会委員  

    2018年6月 - 2020年6月   

  21. (公益社団法人)日本表面真空学会 中部支部   役員  

    2018年5月 - 現在   

  22. (独立行政法人)日本学術振興会 協力会   評議員  

    2018年5月 - 2020年9月   

  23. (公益財団法人)立松財団   選考委員  

    2018年3月 - 2023年6月   

  24. (公益社団法人)応用物理学会 東海支部   諮問委員  

    2017年4月 - 2023年3月   

  25. (公益社団法人)応用物理学会   応用物理学学術・教育奨励基金委員会委員  

    2015年 - 2021年3月   

  26. (独立行政法人)日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会   委員長  

    2013年4月 - 2020年6月   

  27. 応用物理学会 第52期応用物理学委員会   講演会企画運営委員、講演奨励賞委員  

    2013年4月 - 2014年4月   

  28. ISPlasma2014組織委員会   組織委員、プログラム委員  

    2013年4月 - 2014年3月   

  29. DPS2013第35回ドライプロセスシンポジウム組織委員会   論文委員  

    2013年2月 - 2014年11月   

  30. 応用物理学会諮問委員会   諮問委員  

    2013年2月 - 2014年2月   

  31. 2013IWDTF組織委員会   組織委員  

    2012年10月 - 2013年11月   

  32. 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 第18回ゲートスタック研究会   運営委員  

    2012年4月 - 2013年3月   

  33. 第34回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2012)   実行副委員長,論文委員  

    2012年4月 - 2012年11月   

  34. 応用物理学会    代議員  

    2012年2月 - 2014年1月   

  35. 高輝度光科学研究センターSPring-8成果審査委員会   査読者  

    2012年1月 - 2014年3月   

  36. 2012年国際固体素子・材料コンファレンス (SSDM2012)   論文委員長  

    2011年12月 - 2012年12月   

  37. ISPlasma2012組織委員会   プログラム委員会委員  

    2011年12月 - 2012年4月   

  38. 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ英文論文誌編集委員会   編集委員  

    2011年9月 - 2012年5月   

  39. 日本学術振興会 薄膜第131委員会   企画委員  

    2011年7月 - 2012年3月   

  40. SPring-8利用研究課題審査委員会分科会   レフェリー  

    2011年6月 - 2013年3月   

  41. 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会   諮問委員  

    2011年4月 - 現在   

  42. (公益社団法人)応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会   諮問委員  

    2011年4月 - 現在   

  43. 応用物理学会 講演会企画・運営委員会、講演奨励賞委員会   委員  

    2011年4月 - 2013年3月   

  44. 応用物理学会 東海支部   幹事  

    2011年4月 - 2013年3月   

  45. 応用物理学会    理事  

    2011年4月 - 2013年3月   

  46. 日本表面科学会 中部支部   中部支部役員  

    2011年4月 - 2012年3月   

  47. 第33回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2011)   実行副委員長  

    2011年4月 - 2011年11月   

  48. 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 第17回ゲートスタック研究会   運営委員  

    2011年3月 - 2012年3月   

  49. 国際会議諮問委員  

    2011年1月 - 2012年3月   

  50. 国際会議組織運営委員・国際会議実行委員  

    2011年1月 - 2012年3月   

  51. 第24回アモルファスおよびナノ結晶半導体国際会議組織運営委員会(ICANS24)   国際会議組織運営委員・出版委員  

    2011年1月 - 2011年12月   

  52. 国際会議組織運営委員  

    2011年1月 - 2011年11月   

  53. 第15回薄膜国際会議 組織委員会(ICTF-15)   国際会議組織運営委員  

    2011年1月 - 2011年11月   

  54. 国際会議 Int. Symp on Dry Process Symp. (DPS; 2005 - 2009, 2011~ )   プログラム委員  

    2011年 - 現在   

  55. 2011年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2011)   国際会議プログラム委員・副委員長  

    2010年12月 - 2011年12月   

  56. 日本学術振興会 科学研究費委員会   専門委員  

    2010年12月 - 2011年11月   

  57. ISPlasma2011組織委員会   国際会議組織運営委員  

    2010年7月 - 2011年4月   

  58. 第32回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2010)   国際会議実行委員  

    2010年1月 - 2010年12月   

  59. 応用物理学会    2009年度支部学術講演会 実行委員長  

    2009年8月   

  60. 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会   幹事長  

    2009年4月 - 2011年3月   

  61. 応用物理学会 国際委員会   委員  

    2009年4月 - 2010年3月   

  62. 第31回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2009)   国際会議実行委員  

    2009年1月 - 2009年12月   

  63. 日本学術振興会 アモルファス・ナノ材料第147委員会   委員  

    2008年4月 - 現在   

  64. 日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会   企画幹事長  

    2008年4月 - 2013年3月   

  65. 応用物理学会    評議員  

    2008年4月 - 2010年3月   

  66. 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会   副幹事長  

    2008年4月 - 2010年3月   

  67. 国際会議プログラム委員  

    2008年4月 - 2009年4月   

  68. 国際会議実行委員  

    2008年1月 - 2008年12月   

  69. (独立行政法人)日本学術振興会 アモルファス・ナノ材料第147委員会   委員  

    2008年 - 現在   

  70. 国際会議組織運営委員・国際会議実行委員  

    2007年1月 - 2007年12月   

  71. 第30回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2008)   国際会議プログラム委員  

    2005年4月 - 2009年11月   

  72. プログラム委員  

    2005年1月 - 現在   

  73. 日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会   企画副幹事長  

    2004年4月 - 2007年3月   

  74. 国際会議諮問委員   

    2004年1月 - 2004年12月   

  75. 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会   常任幹事  

    2003年4月 - 2005年3月   

  76. 電気学会 システム集積プロセス調査専門委員会   委員  

    2003年3月 - 2006年3月   

  77. 国際会議実行委員  

    2003年1月 - 2003年12月   

  78. e-Journal of Surf. Sci. and Nanotechnology, Ed. Board Member   学術論文編集委員  

    2003年 - 現在   

  79. 日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会   企画幹事  

    2001年4月 - 2003年3月   

  80. プログラム委員  

    2000年4月 - 現在   

  81. 応用物理学会    代議員  

    2000年4月 - 2003年3月   

  82. 電気学会 グローバルインテグレーションプロセス調査専門委員会   委員  

    2000年3月 - 2003年3月   

  83. 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会   幹事  

    1999年4月 - 2010年3月   

  84. 日本学術振興会 薄膜第131委員会   庶務幹事  

    1999年4月 - 2003年3月   

  85. 応用物理学会    第59回応用物理学会学術講演会 現地実行委員  

    1998年9月   

  86. (一般社団法人)電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会   SDM研究専門委員会 専門委員  

    1998年5月 - 2021年6月   

  87. 電気情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会   専門委員  

    1998年5月 - 2013年5月   

  88. 日本学術振興会 プラズマ材料科学第153委員会   委員  

    1998年4月 - 2002年3月   

  89. 応用物理学会 薄膜・表面分科会   常任幹事  

    1998年4月 - 1999年3月   

  90. 応用物理学会 薄膜・表面分科会   幹事  

    1997年4月 - 1998年3月   

  91. 電気学会 プロセス・インテグレーション調査専門委員会   委員  

    1997年3月 - 2000年3月   

  92. 応用物理学会 中国四国支部   幹事  

    1995年4月 - 2010年3月   

  93. 日本学術振興会 薄膜第131委員会   委員  

    1993年3月 - 2011年3月   

  94. (独立行政法人)日本学術振興会 薄膜第131委員会   委員  

    1993年 - 2020年6月   

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受賞 6

  1. ISPlasma2012 Best Presentation Award

    2011年3月   ISPlasma2012 Organizing Committee Chair  

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    受賞国:日本国

  2. 応用物理学会 中国四国支部 貢献賞

    2010年7月   (社)応用物理学会 中国四国支部  

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    受賞国:日本国

  3. 応用物理学会フェロー表彰

    2009年9月   応用物理学会  

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    受賞国:日本国

  4. Selete Achievement Award

    2004年5月   Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.  

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    受賞国:日本国

  5. Jpn. J. Appl. Phys. Editorial Contribution Award

    2003年4月   The Japan Society of Applied Physics  

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    受賞国:日本国

  6. 井上研究奨励賞

    1987年2月   (財)井上科学財団  

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    受賞国:日本国

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論文 399

  1. Epitaxial growth of massively parallel germanium nanoribbons by segregation through Ag(1 1 0) thin films on Ge(1 1 0) 査読有り

    J. Yuhara, H. Shimazu, M. Kobayashi, A. Ohta, S. Miyazaki, S. Takakura, M. Nakatake, and G. L. Lay

    Appl. Surf. Sci.   550 巻   頁: 149236 (7 pages)   2021年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.149236

  2. Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal 査読有り

    A. Ohta, K. Yamada, H. Sugawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   60 巻 ( SB ) 頁: SBBK05 (6 pages)   2021年5月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abdad0

  3. Energy band diagram for SiO2/Si system as evaluated from UPS analysis under vacuum ultraviolet with variable incident photon energy 査読有り

    A. Ohta, T. Imagawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   60 巻 ( SA ) 頁: SAAC02 (6 pages)   2021年1月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abb75b

  4. Effect of B-doping on photoluminescence properties of Si quantum dots with Ge core 査読有り

    K. Makihara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    Materials Science in Semiconductor Processing   120 巻   頁: 105250 (5 pages)   2020年12月

     詳細を見る

    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105250

    Web of Science

  5. Characterization of photoluminescence from Si quantum dots with B δ-doped Ge core 査読有り

    T. Maehara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Materials Science in Semiconductor Processing   119 巻 ( 15 ) 頁: 105215 (4 pages)   2020年11月

     詳細を見る

    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105215

    Web of Science

  6. Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode 査読有り

    T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    ECS Transactions   98 巻 ( 5 ) 頁: 429-434   2020年9月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/09805.0429ecst

  7. Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing 査読有り

    H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    ECS Transactions   98 巻 ( 5 ) 頁: 505-511   2020年9月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/09805.0505ecst

  8. Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe 査読有り

    J. Wu, H. Zhang, H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    ECS Transactions   98 巻 ( 5 ) 頁: 493-498   2020年9月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/09805.0493ecst

  9. Complex dielectric function of Si oxide as evaluated from photoemission measurements 査読有り

    A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   59 巻 ( SM ) 頁: SMMB04 (8 pages)   2020年7月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab8c99

    Web of Science

  10. Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface 査読有り

    M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, N. Taoka, T. Simizu, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   59 巻 ( SG ) 頁: SGGK15 (6 pages)   2020年4月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab69de

    Web of Science

  11. Comparative study of photoluminescence properties obtained from SiO2/GaN and Al2O3/GaN structures 査読有り

    Takada Noriharu, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Yamamoto Taishi, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab26ac

    Web of Science

  12. Impact of surface pre-treatment on Pt-nanodot formation induced by remote H-2-plasma exposure 査読有り

    Fujimori Shuntaro, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab23f9

    Web of Science

  13. Effect of H-2-dilution in Si-cap formation on photoluminescence intensity of Si quantum dots with Ge core 査読有り

    Fujimori Shuntaro, Nagai Ryo, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab0c7a

    Web of Science

  14. Impact of remote plasma oxidation of a GaN surface on photoluminescence properties 査読有り

    Takada Noriharu, Taoka Noriyuki, Yamamoto Taishi, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab09c9

    Web of Science

  15. Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacking Si-Based Quantum Dots 査読有り

    Futamura Yuto, Makihara Katsunori, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Miyazaki Seiichi

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E102C 巻 ( 6 ) 頁: 458-461   2019年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1587/transele.2018FUP0007

    Web of Science

  16. Evaluation of the potential distribution in a multiple stacked Si quantum dots structure by hard X-ray photoelectron spectroscopy 査読有り

    Futamura Yuto, Nakashima Yuta, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SA )   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aaeb38

    Web of Science

  17. Characterization of electron charging and transport properties of Si-QDs with phosphorus doped Ge core 査読有り

    Nagai Ryo, Yamada Kentaro, Fujimori Shuntaro, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   33 巻 ( 12 )   2018年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/aaebbc

    Web of Science

  18. Activation mechanism of TiOx passivating layer on crystalline Si

    Mochizuki Takeya, Gotoh Kazuhiro, Ohta Akio, Ogura Shohei, Kurokawa Yasuyoshi, Miyazaki Seiichi, Fukutani Katsuyuki, Usami Noritaka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 10 )   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.102301

    Web of Science

  19. A Planetary Microlensing Event with an Unusually Red Source Star: MOA-2011-BLG-291

    Bennett David P., Udalski Andrzej, Bond Ian A., Suzuki Daisuke, Ryu Yoon-Hyun, Abe Fumio, Barry Richard K., Bhattacharya Aparna, Donachie Martin, Fukui Akihiko, Hirao Yuki, Kawasaki Kohei, Kondo Iona, Koshimoto Naoki, Li Man Cheung Alex, Matsubara Yutaka, Miyazaki Shota, Muraki Yasushi, Nagakane Masayuki, Ohnishi Koji, Ranc Clement, Rattenbury Nicholas J., Suematsu Haruno, Sumi Takahiro, Tristram Paul J., Yonehara Atsunori, Szymanski Michal K., Soszynski Igor, Wyrzykowski Lukasz, Ulaczyk Krzysztof, Poleski Radek, Kozlowski Szymon, Pietrukowicz Pawel, Skowron Jan, Shvartzvald Yossi, Maoz Dan, Kaspi Shai, Friedmann Matan, Batista Virginie, DePoy Darren, Dong Subo, Gaudi B. Scott, Gould Andrew, Han Cheongho, Pogge Richard W., Tan Thiam-Guan, Yee Jennifer C.

    ASTRONOMICAL JOURNAL   156 巻 ( 3 )   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3847/1538-3881/aad59c

    Web of Science

  20. Airway foreign body manifested as a coin lesion

    Nishinaga Yuko, Miyazaki Shinichi, Yamashita Ryo, Ikeda Takuya

    CLINICAL CASE REPORTS   6 巻 ( 9 ) 頁: 1913-1914   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ccr3.1754

    Web of Science

  21. Low-temperature formation of Ga-oxide/GaN interface with remote oxygen plasma and its interface properties

    Yamamoto Taishi, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06JE01

    Web of Science

  22. Interface properties of SiO2/GaN structures formed by chemical vapor deposition with remote oxygen plasma mixed with Ar or He

    Nguyen Xuan Truyen, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Makihara Katsunori, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06KA01

    Web of Science

  23. Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N-2 ambient

    Ito Koichi, Ohta Akio, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06HD08

    Web of Science

  24. Evaluation of resistive switching properties of Si-rich oxide embedded with Ti nanodots by applying constant voltage and current

    Ohta Akio, Kato Yusuke, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06HD05

    Web of Science

  25. Energy band structure and electrical properties of Ga-oxide/GaN interface formed by remote oxygen plasma

    Yamamoto Taishi, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Nakatsuka Osamu, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06KA05

    Web of Science

  26. Total photoelectron yield spectroscopy of energy distribution of electronic states density at GaN surface and SiO2/GaN interface 査読有り

    Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Fujimura Nobuyuki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06KA08

    Web of Science

  27. Direct evaluation of electrical dipole moment and oxygen density ratio at high-k dielectrics/SiO2 interface by X-ray photoelectron spectroscopy analysis

    Fujimura Nobuyuki, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FB07

    Web of Science

  28. High thermal stability of abrupt SiO2/GaN interface with low interface state density

    Nguyen Xuan Truyen, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Makihara Katsunori, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FG11

    Web of Science

  29. Segregated SiGe ultrathin layer formation and surface planarization on epitaxial Ag(111) by annealing of Ag/SiGe(111) with different Ge/(Si plus Ge) compositions 査読有り

    Ito Koichi, Ohta Akio, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FJ05

    Web of Science

  30. A 16 deg(2) survey of emission-line galaxies at z < 1.5 in HSC-SSP Public Data Release 1

    Hayashi Masao, Tanaka Masayuki, Shimakawa Rhythm, Furusawa Hisanori, Momose Rieko, Koyama Yusei, Silverman John D., Kodama Tadayuki, Komiyama Yutaka, Leauthaud Alexie, Lin Yen-Ting, Miyazaki Satoshi, Nagao Tohru, Nishizawa Atsushi J., Ouchi Masami, Shibuya Takatoshi, Tadaki Ken-ichi, Yabe Kiyoto

    PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN   70 巻   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/pasj/psx088

    Web of Science

  31. Hyper Suprime-Cam: System design and verification of image quality

    Miyazaki Satoshi, Komiyama Yutaka, Kawanomoto Satoshi, Doi Yoshiyuki, Furusawa Hisanori, Hamana Takashi, Hayashi Yusuke, Ikeda Hiroyuki, Kamata Yukiko, Karoji Hiroshi, Koike Michitaro, Kurakami Tomio, Miyama Shoken, Morokuma Tomoki, Nakata Fumiaki, Namikawa Kazuhito, Nakaya Hidehiko, Nariai Kyoji, Obuchi Yoshiyuki, Oishi Yukie, Okada Norio, Okura Yuki, Tait Philip, Takata Tadafumi, Tanaka Yoko, Tanaka Masayuki, Terai Tsuyoshi, Tomono Daigo, Uraguchi Fumihiro, Usuda Tomonori, Utsumi Yousuke, Yamada Yoshihiko, Yamanoi Hitomi, Aihara Hiroaki, Fujimori Hiroki, Mineo Sogo, Miyatake Hironao, Oguri Masamune, Uchida Tomohisa, Tanaka Manobu M., Yasuda Naoki, Takada Masahiro, Murayama Hitoshi, Nishizawa Atsushi J., Sugiyama Naoshi, Chiba Masashi, Futamase Toshifumi, Wang Shiang-Yu, Chen Hsin-Yo, Ho Paul T. P., Liaw Eric J. Y., Chiu Chi-Fang, Ho Cheng-Lin, Lai Tsang-Chih, Lee Yao-Cheng, Jeng Dun-Zen, Iwamura Satoru, Armstrong Robert, Bickerton Steve, Bosch James, Gunn James E., Lupton Robert H., Loomis Craig, Price Paul, Smith Steward, Strauss Michael A., Turner Edwin L., Suzuki Hisanori, Miyazaki Yasuhito, Muramatsu Masaharu, Yamamoto Koei, Endo Makoto, Ezaki Yutaka, Ito Noboru, Kawaguchi Noboru, Sofuku Satoshi, Taniike Tomoaki, Akutsu Kotaro, Dojo Naoto, Kasumi Kazuyuki, Matsuda Toru, Imoto Kohei, Miwa Yoshinori, Suzuki Masayuki, Takeshi Kunio, Yokota Hideo

    PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN   70 巻   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/pasj/psx063

    Web of Science

  32. GOLDRUSH. II. Clustering of galaxies at z similar to 4-6 revealed with the half-million dropouts over the 100 deg(2) area corresponding to 1 Gpc(3)

    Harikane Yuichi, Ouchi Masami, Ono Yoshiaki, Saito Shun, Behroozi Peter, More Surhud, Shimasaku Kazuhiro, Toshikawa Jun, Lin Yen-Ting, Akiyama Masayuki, Coupon Jean, Komiyama Yutaka, Konno Akira, Lin Sheng-Chieh, Miyazaki Satoshi, Nishizawa Atsushi J., Shibuya Takatoshi, Silverman John

    PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN   70 巻   2018年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/pasj/psx097

    Web of Science

  33. Formation of Mn-germanide nanodots on ultrathin SiO2 induced by remote hydrogen plasma

    Wen Yinghui, Makihara Katsunori, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.01AF05

    Web of Science

  34. First results on the cluster galaxy population from the Subaru Hyper Suprime-Cam survey. II. Faint end color-magnitude diagrams and radial profiles of red and blue galaxies at 0.1 < z < 1.1

    Nishizawa Atsushi J., Oguri Masamune, Oogi Taira, More Surhud, Nishimichi Takahiro, Nagashima Masahiro, Lin Yen-Ting, Mandelbaum Rachel, Takada Masahiro, Bahcall Neta, Coupon Jean, Huang Song, Jian Hung-Yu, Komiyama Yutaka, Leauthaud Alexie, Lin Lihwai, Miyatake Hironao, Miyazaki Satoshi, Tanaka Masayuki

    PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN   70 巻   2018年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/pasj/psx106

    Web of Science

  35. First data release of the Hyper Suprime-Cam Subaru Strategic Program

    Aihara Hiroaki, Armstrong Robert, Bickerton Steven, Bosch James, Coupon Jean, Furusawa Hisanori, Hayashi Yusuke, Ikeda Hiroyuki, Kamata Yukiko, Karoji Hiroshi, Kawanomoto Satoshi, Koike Michitaro, Komiyama Yutaka, Lang Dustin, Lupton Robert H., Mineo Sogo, Miyatake Hironao, Miyazaki Satoshi, Morokuma Tomoki, Obuchi Yoshiyuki, Oishi Yukie, Okura Yuki, Price Paul A., Takata Tadafumi, Tanaka Manobu M., Tanaka Masayuki, Tanaka Yoko, Uchida Tomohisa, Uraguchi Fumihiro, Utsumi Yousuke, Wang Shiang-Yu, Yamada Yoshihiko, Yamanoi Hitomi, Yasuda Naoki, Arimoto Nobuo, Chiba Masashi, Finet Francois, Fujimori Hiroki, Fujimoto Seiji, Furusawa Junko, Goto Tomotsugu, Goulding Andy, Gunn James E., Harikane Yuichi, Hattori Takashi, Hayashi Masao, Helminiak Krzysztof G., Higuchi Ryo, Hikage Chiaki, Ho Paul T. P., Hsieh Bau-Ching, Huang Kuiyun, Huang Song, Imanishi Masatoshi, Iwata Ikuru, Jaelani Anton T., Jian Hung-Yu, Kashikawa Nobunari, Katayama Nobuhiko, Kojima Takashi, Konno Akira, Koshida Shintaro, Kusakabe Haruka, Leauthaud Alexie, Lee Chien-Hsiu, Lin Lihwai, Lin Yen-Ting, Mandelbaum Rachel, Matsuoka Yoshiki, Medezinski Elinor, Miyama Shoken, Momose Rieko, More Anupreeta, More Surhud, Mukae Shiro, Murata Ryoma, Murayama Hitoshi, Nagao Tohru, Nakata Fumiaki, Niida Mana, Niikura Hiroko, Nishizawa Atsushi J., Oguri Masamune, Okabe Nobuhiro, Ono Yoshiaki, Onodera Masato, Onoue Masafusa, Ouchi Masami, Pyo Tae-Soo, Shibuya Takatoshi, Shimasaku Kazuhiro, Simet Melanie, Speagle Joshua, Spergel David N., Strauss Michael A., Sugahara Yuma, Sugiyama Naoshi, Suto Yasushi, Suzuki Nao, Tait Philip J., Takada Masahiro, Terai Tsuyoshi, Toba Yoshiki, Turner Edwin L., Uchiyama Hisakazu, Umetsu Keiichi, Urata Yuji, Usuda Tomonori, Yeh Sherry, Yuma Suraphong

    PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN   70 巻   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/pasj/psx081

    Web of Science

  36. Electroluminescence of superatom-like Ge-core/Si-shell quantum dots by alternate field-effect-induced carrier injection

    Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Fujimura Nobuyuki, Yamada Kentaro, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.011305

    Web of Science

  37. Clustering of quasars in a wide luminosity range at redshift 4 with Subaru Hyper Suprime-Cam Wide-field imaging

    He Wanqiu, Akiyama Masayuki, Bosch James, Enoki Motohiro, Harikane Yuichi, Ikeda Hiroyuki, Kashikawa Nobunari, Kawaguchi Toshihiro, Komiyama Yutaka, Lee Chien-Hsiu, Matsuoka Yoshiki, Miyazaki Satoshi, Nagao Tohru, Nagashima Masahiro, Niida Mana, Nishizawa Atsushi J., Oguri Masamune, Onoue Masafusa, Oogi Taira, Ouchi Masami, Schulze Andreas, Shirasaki Yuji, Silverman John D., Tanaka Manobu M., Tanaka Masayuki, Toba Yoshiki, Uchiyama Hisakazu, Yamashita Takuji

    PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN   70 巻   2018年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/pasj/psx129

    Web of Science

  38. Clustering of galaxies around AGNs in the HSC Wide survey

    Shirasaki Yuji, Akiyama Masayuki, Nagao Tohru, Toba Yoshiki, He Wanqiu, Ohishi Masatoshi, Mizumoto Yoshihiko, Miyazaki Satoshi, Nishizawa Atsushi J., Usuda Tomonori

    PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN   70 巻   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/pasj/psx099

    Web of Science

  39. Characterization of remote O-2-plasma-enhanced CVD SiO2/GaN(0001) structure using photoemission measurements

    Nguyen Xuan Truyen, Ohta Akio, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.01AD02

    Web of Science

  40. An optically-selected cluster catalog at redshift 0.1 < z < 1.1 from the Hyper Suprime-Cam Subaru Strategic Program S16A data

    Oguri Masamune, Lin Yen-Ting, Lin Sheng-Chieh, Nishizawa Atsushi J., More Anupreeta, More Surhud, Hsieh Bau-Ching, Medezinski Elinor, Miyatake Hironao, Jian Hung-Yu, Lin Lihwai, Takada Masahiro, Okabe Nobuhiro, Speagle Joshua S., Coupon Jean, Leauthaud Alexie, Lupton Robert H., Miyazaki Satoshi, Price Paul A., Tanaka Masayuki, Chiu I-Non, Komiyama Yutaka, Okura Yuki, Tanaka Manobu M., Usuda Tomonori

    PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN   70 巻   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/pasj/psx042

    Web of Science

  41. Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials FOREWORD

    Naritsuka Shigeya, Miyazaki Seiichi, Fujiwara Yasufumi, Hiramatsu Mineo, Inoue Yasushi, Ishikawa Kenji, Ito Masafumi, Itoh Takashi, Kasu Makoto, Miyake Hideto, Sasaki Minoru, Shirafuji Tatsuru, Suda Yoshiyuki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.01A001

    Web of Science

  42. A large sample of shear-selected clusters from the Hyper Suprime-Cam Subaru Strategic Program S16A Wide field mass maps

    Miyazaki Satoshi, Oguri Masamune, Hamana Takashi, Shirasaki Masato, Koike Michitaro, Komiyama Yutaka, Umetsu Keiichi, Utsumi Yousuke, Okabe Nobuhiro, More Surhud, Medezinski Elinor, Lin Yen-Ting, Miyatake Hironao, Murayama Hitoshi, Ota Naomi, Mitsuishi Ikuyuki

    PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN   70 巻   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/pasj/psx120

    Web of Science

  43. Carrier Conduction in SiO2/GaN Structure with Abrupt Interface

    Nguyen Xuan Truyen, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

    2018 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, SYSTEMS AND APPLICATION (VLSI-TSA)     頁: .   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  44. High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots 査読有り

    Zhang Hai, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

    SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 8   86 巻 ( 7 ) 頁: 131-138   2018年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/08607.0131ecst

    Web of Science

  45. First Results on the Cluster Galaxy Population from the Subaru Hyper Suprime-Cam Survey. III. Brightest Cluster Galaxies, Stellar Mass Distribution, and Active Galaxies

    Lin Yen-Ting, Hsieh Bau-Ching, Lin Sheng-Chieh, Oguri Masamune, Chen Kai-Feng, Tanaka Masayuki, Chiu I-Non, Huang Song, Kodama Tadayuki, Leauthaud Alexie, More Surhud, Nishizawa Atsushi J., Bundy Kevin, Lin Lihwai, Miyazaki Satoshi

    ASTROPHYSICAL JOURNAL   851 巻 ( 2 )   2017年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3847/1538-4357/aa9bf5

    Web of Science

  46. J-GEM observations of an electromagnetic counterpart to the neutron star merger GW170817

    Utsumi Yousuke, Tanaka Masaomi, Tominaga Nozomu, Yoshida Michitoshi, Barway Sudhanshu, Nagayama Takahiro, Zenko Tetsuya, Aoki Kentaro, Fujiyoshi Takuya, Furusawa Hisanori, Kawabata Koji S., Koshida Shintaro, Lee Chien-Hsiu, Morokuma Tomoki, Motohara Kentaro, Nakata Fumiaki, Ohsawa Ryou, Ohta Kouji, Okita Hirofumi, Tajitsu Akito, Tanaka Ichi, Terai Tsuyoshi, Yasuda Naoki, Abe Fumio, Asakura Yuichiro, Bond Ian A., Miyazaki Shota, Sumi Takahiro, Tristram Paul J., Honda Satoshi, Itoh Ryosuke, Itoh Yoichi, Kawabata Miho, Morihana Kumiko, Nagashima Hiroki, Nakaoka Tatsuya, Ohshima Tomohito, Takahashi Jun, Takayama Masaki, Aoki Wako, Baar Stefan, Doi Mamoru, Finet Francois, Kanda Nobuyuki, Kawai Nobuyuki, Kim Ji Hoon, Kuroda Daisuke, Liu Wei, Matsubayashi Kazuya, Murata Katsuhiro L., Nagai Hiroshi, Saito Tomoki, Saito Yoshihiko, Sako Shigeyuki, Sekiguchi Yuichiro, Tamura Yoichi, Tanaka Masayuki, Uemura Makoto, Yamaguchi Masaki S.

    PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN   69 巻 ( 6 )   2017年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/pasj/psx118

    Web of Science

  47. Kilonova from post-merger ejecta as an optical and near-Infrared counterpart of GW170817

    Tanaka Masaomi, Utsumi Yousuke, Mazzali Paolo A., Tominaga Nozomu, Yoshida Michitoshi, Sekiguchi Yuichiro, Morokuma Tomoki, Motohara Kentaro, Ohta Kouji, Kawabata Koji S., Abe Fumio, Aoki Kentaro, Asakura Yuichiro, Baar Stefan, Barway Sudhanshu, Bond Ian A., Doi Mamoru, Fujiyoshi Takuya, Furusawa Hisanori, Honda Satoshi, Itoh Yoichi, Kawabata Miho, Kawai Nobuyuki, Kim Ji Hoon, Lee Chien-Hsiu, Miyazaki Shota, Morihana Kumiko, Nagashima Hiroki, Nagayama Takahiro, Nakaoka Tatsuya, Nakata Fumiaki, Ohsawa Ryou, Ohshima Tomohito, Okita Hirofumi, Saito Tomoki, Sumi Takahiro, Tajitsu Akito, Takahashi Jun, Takayama Masaki, Tamura Yoichi, Tanaka Ichi, Terai Tsuyoshi, Tristram Paul J., Yasuda Naoki, Zenko Tetsuya

    PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN   69 巻 ( 6 )   2017年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1093/pasj/psx121

    Web of Science

  48. Oxidation of GaN surface by remote oxygen plasma

    T. Yamamoto, N.Taoka, A.Ohta, N.X.Truyen, H.Yamada, T.Takahashi, M.Ikeda, K.Makihara, M.Shimizu, S.Miyazaki

    Proceedings of International Symposium on Dry Process     頁: 73-74   2017年11月

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    記述言語:英語  

  49. An Isolated Microlens Observed from K2, Spitzer, and Earth

    Zhu Wei, Udalski A., Huang C. X., Novati S. Calchi, Sumi T., Poleski R., Skowron J., Mroz P., Szymanski M. K., Soszynski I., Pietrukowicz P., Kozlowski S., Ulaczyk K., Pawlak M., Beichman C., Bryden G., Carey S., Gaudi B. S., Gould A., Henderson C. B., Shvartzvald Y., Yee J. C., Bond I. A., Bennett D. P., Suzuki D., Rattenbury N. J., Koshimoto N., Abe F., Asakura Y., Barry R. K., Bhattacharya A., Donachie M., Evans P., Fukui A., Hirao Y., Itow Y., Kawasaki K., Li M. C. A., Ling C. H., Masuda K., Matsubara Y., Miyazaki S., Munakata H., Muraki Y., Nagakane M., Ohnishi K., Ranc C., Saito To., Sharan A., Sullivan D. J., Tristram P. J., Yamada T., Yonehara A.

    ASTROPHYSICAL JOURNAL LETTERS   849 巻 ( 2 )   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3847/2041-8213/aa93fa

    Web of Science

  50. Ultrathin Ge Growth on Flat Ag Surface in Hetero-Epitaxial Ag/Ge Structure by Annealing

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    Abstracts of MNC2017     頁: 8B-6-3   2017年11月

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    記述言語:英語  

  51. Evaluation of Resistive Switching Properties of Si-rich Oxide Embedded with Ti Nanodots by Applying Constant Voltage and Constant Current

    A. Ohta, Y. Kato, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    Abstracts of MNC2017     頁: 8B-8-6   2017年11月

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    記述言語:英語  

  52. Impact of phosphorus doping to multiple-stacked Si quantum dots on electron emission properties

    Takeuchi Daichi, Makihara Katsunori, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Miyazaki Seiichi

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   70 巻   頁: 183-187   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2016.12.015

    Web of Science

  53. Challenges in Si-Based Nanotechnology:Fabrication and Characterization of Multistack Si/Ge Quantum Dots for Novel Functional Devices

    S.Miyazaki

    Book of Abstracts of ICAMST2017     頁: 2   2017年9月

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    記述言語:英語  

  54. Ground-based Parallax Confirmed by Spitzer: Binary Microlensing Event MOA-2015-BLG-020

    Wang Tianshu, Zhu Wei, Mao Shude, Bond I. A., Gould A., Udalski A., Sumi T., Bozza V., Ranc C., Cassan A., Yee J. C., Han C., Abe F., Asakura Y., Barry R., Bennett D. P., Bhattacharya A., Donachie M., Evans P., Fukui A., Hirao Y., Itow Y., Kawasaki K., Koshimoto N., Li M. C. A., Ling C. H., Masuda K., Matsubara Y., Miyazaki S., Muraki Y., Nagakane M., Ohnishi K., Rattenbury N., Saito To., Sharan A., Shibai H., Sullivan D. J., Suzuki D., Tristram P. J., Yamada T., Yonehara A., Kozlowski S., Mroz P., Pawlak M., Pietrukowicz P., Poleski R., Skowron J., Soszynski I., Szymanski M. K., Ulaczyk K., Beichman C., Bryden G., Novati S. Calchi, Carey S., Fausnaugh M., Gaudi B. S., Henderson C. B., Shvartzvald Y., Wibking B., Albrow M. D., Chung S. -J., Hwang K. -H., Jung Y. K., Ryu Y. -H., Shin I. -G., Cha S. -M., Kim D. -J., Kim H. -W., Kim S. -L., Lee C. -U., Lee Y., Park B. -G., Pogge R. W., Street R. A., Tsapras Y., Hundertmark M., Bachelet E., Dominik M., Horne K., Jaimes R. Figuera, Wambsganss J., Bramich D. M., Schmidt R., Snodgrass C., Steele I. A., Menzies J.

    ASTROPHYSICAL JOURNAL   845 巻 ( 2 )   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3847/1538-4357/aa813b

    Web of Science

  55. 高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定および SiO2 との界面で生じる電位変化の定量

    藤村信幸, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    第37回表面科学学術講演会要旨集 第58回真空に関する連合講演会予稿集     頁: 28   2017年8月

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    記述言語:日本語  

  56. リモート酸素プラズマ支援 CVD による急峻 SiO2/GaN 界面の形成とその電気的特性

    NguyenXuanTruyen, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田 弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一

    第37回表面科学学術講演会要旨集 第58回真空に関する連合講演会予稿集     頁: 28   2017年8月

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    記述言語:日本語  

  57. Magnetoelectronic transport of double stack FePt nanodots 査読有り

    Makihara Katsunori, Kawase Taiga, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Miyazaki Seiichi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   111 巻 ( 5 )   2017年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4985603

    Web of Science

  58. Fabrication of Multistack Si/Ge Quantum Dots for Light/Electron Emission Devices

    S.Miyazaki, Y.Yamada, Y.Nakashima, K.Makihara, A.Ohta, M.Ikeda

    Conference Guide of ISCGC2017     頁: 32   2017年7月

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    記述言語:英語  

  59. Abrupt SiO2/GaN Interface Properties Formed by Remote Plasma Assisted CVD

    N.X.Truyen, A.Ohta, K.Makihara, M.Ikeda, S.Miyazaki, (AIST:N.Taoka, H. Yamada, T.Takahashi, M.Shimizu)

    Abstract of AWAD2017     頁: 77-80   2017年7月

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    記述言語:英語  

  60. Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy

    A.Ohta, M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki

    Abstruct of INFOS2017     頁: 0-0   2017年6月

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    記述言語:英語  

  61. Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diodes as Evaluated from HAXPES Analysis

    A.Ohta, H.Murakami, M.Ikeda, K.Makihara, E.Ikenaga, S.Miyazaki

    Abstruct of INFOS2017     頁: 0-0   2017年6月

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    記述言語:英語  

  62. Evaluation of energy distribution of filled defects of Si oxide thin films from total photoelectron yield spectroscopy

    Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    MICROELECTRONIC ENGINEERING   178 巻   頁: 85-88   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mee.2017.05.001

    Web of Science

  63. Potential changes and chemical bonding features for Si-MOS structure as evaluated from HAXPES analysis 査読有り

    Ohta Akio, Murakami Hideki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Ikenaga Eiji, Miyazaki Seiichi

    MICROELECTRONIC ENGINEERING   178 巻   頁: 80-84   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mee.2017.05.002

    Web of Science

  64. 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価

    大田晃生, 加藤祐介, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    信学技報   117 巻 ( 101 ) 頁: 25-29   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  65. エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

    伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    信学技報   117 巻 ( 101 ) 頁: 43-48   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  66. XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価

    藤村信幸, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    信学技報   117 巻 ( 101 ) 頁: 19-23   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  67. エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

    伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    信学技報   117 巻 ( 101 ) 頁: 43-48   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  68. XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価

    藤村信幸, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    信学技報   117 巻 ( 101 ) 頁: 19-23   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  69. 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価

    大田晃生, 加藤祐介, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    信学技報   117 巻 ( 101 ) 頁: 25-29   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  70. Low-temperature formation of crystalline Si:H/Ge:H heterostructures by plasma-enhanced CVD in combination with Ni-nanodots seeding nucleation

    Lu Yimin, Makihara Katsunori, Takeuchi Daichi, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 6 )   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.06GG07

    Web of Science

  71. Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors

    Kato Yusuke, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E100C 巻 ( 5 ) 頁: 468-474   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1587/transele.E100.C.468

    Web of Science

  72. Photoemission study on electrical dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 interfaces 査読有り

    Fujimura Nobuyuki, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 4 )   2017年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.04CB04

    Web of Science

  73. X線光電子分光法による極薄酸化物積層構造の電位変化・ダイポール評価

    藤村 信幸, 大田 晃生, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会予稿集     頁: 187 - 190   2017年1月

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    記述言語:日本語  

  74. 光電子分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaNの化学結合状態および電子占有欠陥評価

    グェン チュンスァン, 大田 晃生, 牧原 克典, 池田 弥央, 宮崎 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会予稿集     頁: 207 - 210   2017年1月

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    記述言語:日本語  

  75. Effects of remote hydrogen plasma on chemical bonding features and electronic states of 4H-SiC(0001) surface

    Truyen Nguyen Xuan, Ohta Akio, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.01AF01

    Web of Science

  76. High-density formation of Ta nanodot induced by remote hydrogen plasma

    Wang Yaping, Takeuchi Daichi, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.01AE01

    Web of Science

  77. Impact Of Mild To Moderate COPD On Prognosis And Feasibility For Chemotherapy In Patients With Lung Cancer

    Omote N., Hashimoto N., Morise M., Miyazaki S., Ando A., Hasegawa Y.

    AMERICAN JOURNAL OF RESPIRATORY AND CRITICAL CARE MEDICINE   195 巻   頁: .   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  78. Impact of mild to moderate COPD on feasibility and prognosis in non-small cell lung cancer patients who received chemotherapy

    Omote Norihito, Hashimoto Naozumi, Morise Masahiro, Sakamoto Koji, Miyazaki Shinichi, Ando Akira, Nakahara Yoshio, Hasegawa Yoshinori

    INTERNATIONAL JOURNAL OF CHRONIC OBSTRUCTIVE PULMONARY DISEASE   12 巻   頁: 3541-3547   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2147/COPD.S149456

    Web of Science

  79. Exogenous Induction Of Unphosphorylated Tumor Suppressor Phosphatase And Tensin Homolog Deleted On Chromosome 10 Modulates Transforming Growth Factor beta-Induced Extracellular Matrix Expression In Lung Fibroblasts

    Omote N., Hashimoto N., Kimura M., Miyazaki S., Ando A., Sakamoto K., Hasegawa Y.

    AMERICAN JOURNAL OF RESPIRATORY AND CRITICAL CARE MEDICINE   195 巻   頁: .   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  80. Exogenous induction of unphosphorylated PTEN reduces TGF beta-induced extracellular matrix expressions in lung fibroblasts

    Kimura Motohiro, Hashimoto Naozumi, Kusunose Masaaki, Aoyama Daisuke, Sakamoto Koji, Miyazaki Shinichi, Ando Akira, Omote Norihiro, Imaizumi Kazuyoshi, Kawabe Tsutomu, Hasegawa Yoshinori

    WOUND REPAIR AND REGENERATION   25 巻 ( 1 ) 頁: 86-97   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1111/wrr.12506

    Web of Science

  81. Characterization of Interfacial Dipoles at Dielectric Stacks by XPS Analysis

    Miyazaki S., Ohta A., Fujimura N.

    SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR   80 巻 ( 1 ) 頁: 229-235   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/08001.0229ecst

    Web of Science

  82. Photoemission Study of Gate Dielectrics on Gallium Nitride 査読有り

    Miyazaki Seiichi, Nguyen Xuan Truyen, Ohta Akio, Yamamoto Taishi

    2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUITS AND THIN FILM TRANSISTORS (ULSIC VS. TFT 6)   79 巻 ( 1 ) 頁: 119-127   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/07901.0119ecst

    Web of Science

  83. Processing and Characterization of High Density Si/Ge Quantum Dots for Electroluminescent Devices 査読有り

    Miyazaki Seiichi, Yamada Kentaro, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa

    SEMICONDUCTOR PROCESS INTEGRATION 10   80 巻 ( 4 ) 頁: 167-172   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/08004.0167ecst

    Web of Science

  84. リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成

    「グェンスァン チュン」「藤村信幸」「竹内大智」「大田晃生」「牧原克典」「池田弥央」「宮崎誠一」

    信学技報   116 巻 ( 118 ) 頁: 49-52   2016年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  85. XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量

    「藤村信幸」「大田晃生」「渡辺浩成」「牧原克典」「宮崎誠一」

    信学技報   116 巻 ( 118 ) 頁: 43-47   2016年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  86. High Density Formation of and Light Emission from Silicon Quantum Dots with Ge Core

    Seiichi Miyazaki

    Abstract of 11th Workshop on Si-based Optoelectronic Materials and Devices     頁: 1   2016年6月

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    記述言語:英語  

  87. Characterization of light emission from Si quantum dots with Ge core

    Seiichi Miyazaki

    ABSTRACTS OF THERMEC'2016 - International Conference on Processing & Manufacturing of advanced Materials     頁: 390   2016年5月

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    記述言語:英語  

  88. High Density Formation and Light Emission Properties of Silicon Quantum Dots with Ge Core

    S.Miyazaki

    Abstract of BIT's 2nd Annual World Congress of Smart Materials-2016     頁: 76   2016年3月

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    記述言語:英語  

  89. SiO2/4H-SiC構造の電子障壁高さの決定と欠陥準位密度の深さ方向分析

    渡辺 浩成, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会研究報告     頁: 185 - 188   2016年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  90. リモートH2プラズマ照射による4H-SiC(0001)の表面の改質

    グェン スァンチュン, 竹内 大智, 大田 晃生, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会研究報告     頁: 217 - 220   2016年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  91. Si, 4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価

    藤村 信幸, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会研究報告     頁: 209 - 212   2016年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  92. SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響

    加藤 祐介, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会研究報告     頁: 205 - 208   2016年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  93. Evaluation of Valence Band Maximum and Electron Affinity of SiO2 and Si-based Semiconductors Using XPS

    Extended Abstracts of 2015 IWDTF     頁: 85 - 86   2015年11月

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    記述言語:英語  

  94. Photoemission Study of Thermally-Grown SiO2/4H-SiC Structure.

    Extended Abstracts of 2015 IWDTF     頁: 45 - 46   2015年11月

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    記述言語:英語  

  95. Formation of High Density Ti Nanodots and Evaluation of Resistive Switching Properties of SiOx-ReRAMs with Ti Nanodots

    Extended Abstracts of 2015 IWDTF     頁: 35 - 36   2015年11月

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    記述言語:英語  

  96. Effect of P-doping on Photoluminescence Properties of Si Quantum Dots with Ge Core

    K.Kondo, K.Makihara, A.Oota, S.Miyazaki

    Abstract of AWAD2015     頁: 389-392   2015年6月

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    記述言語:英語  

  97. Electronic Defect States in Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure Measured by Total Photoelectron Yield Spectroscopy

    A.Ohta, K.Makihara, S.Miyazaki

    Abstract of infos2015     頁: 87-88   2015年6月

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    記述言語:英語  

  98. Electron Transport Properties of High Densuty FePt-NDs Stacked Structures

    Y.Mitsuyuki, K.Makihara, A.Oota, S.Miyazaki

    Abstract of AWAD2015     頁: 76-79   2015年6月

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    記述言語:英語  

  99. Study on Light Emission from Si Quantum Dots with Ge Core

    S.Miyazaki, K.Kondo, K.Makihara

    Abstract of ICSI-9     頁: 45-46   2015年5月

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    記述言語:英語  

  100. Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100)

    H.Murakami, S.Hamada, T.Ono, K.Hashimoto, A.Ohta, H.Hanafusa, S.Higashi, S.Miyazaki

    ECS Transactions   64 巻 ( 6 ) 頁: 423-429   2014年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  101. Photoluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core

    K.Makihara, K.Kondo, M.Ikeda, A.Ohta, S.Miyazaki

    ECS Transactions   64 巻 ( 6 ) 頁: 365-370   2014年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  102. Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack

    A.Ohta, H.Murakami, K.Hashimoto, K.Makihara, S.Miyazaki

    ECS Transactions   64 巻 ( 6 ) 頁: 241-248   2014年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  103. Characterization of Electron Emission from High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy

    D.Takeuchi, K.Makihara, A.Ohta, M.Ikeda,S.Miyazaki

    ECS Transactions   64 巻 ( 6 ) 頁: 923-928   2014年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  104. Resistance-Switching Characteristics of Si-rich Oxide as Evaluated by Using Ni Nanodots as Electrodes in Conductive AFM Measurements

    A.Ohta, C.Liu, T.Arai, D.Takeuchi, H.Zhang, K. Makihara, S.Miyazaki

    AWAD2014 Workshop Digest     頁: 217-221   2014年7月

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    記述言語:英語  

  105. 光電子エネルギー損失信号による極薄酸化物のエネルギーバンドギャップの決定手法の再検討

    大田晃生,村上秀樹,牧原克典,宮崎誠一

    ゲートスタック研究会研究報告     頁: 179-182   2014年1月

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    記述言語:日本語  

  106. HfO2/TaGexOy絶縁膜を用いたGe-MISキャパシタにおける熱処理効果

    橋本 邦明, 大田 晃生, 村上 秀樹, 小野 貴寛, 東 清一郎, 宮崎 誠一

    ゲートスタック研究会研究報告     頁: 139-142   2014年1月

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    記述言語:日本語  

  107. Ge(100)基板への低温As+イオン注入による低抵抗浅接合形成

    小野 貴寛, 村上 秀樹, 大田 晃生, 東 清一郎, 宮崎 誠一

    ゲートスタック研究会研究報告     頁: 183-186   2014年1月

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    記述言語:日本語  

  108. Effect of electric field concentration using nanopeak structures on the current-voltage characteristics of resistive switching memory

    S.Otsuka, T.Shimizu, S.Shingubara, K.Makihara, S.Miyazaki, A.Yamasaki, Y.Tanimoto, K.Takase

    AIP Advances   4 巻 ( 8 )   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4892823

  109. Optoelectronic Response of Metal-Semiconductor Hybrid Nanodots Floating Gate

    S.Miyazaki

    Program&Abstracts of 2013 EMN Fall Meeting     頁: 202-203   2013年12月

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    記述言語:英語  

  110. Impact of Post-Metallization Annealing on Chemical Bonding Features in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Stack

    K. Hashimoto, T. Ono, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Extended Abstracts of 2013 IWDTF     頁: 49 - 50   2013年11月

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    記述言語:英語  

  111. Low Temperature Formation of Crystalline Si/Ge Heterostructures by Plasma Enhanced CVD in Combination with Ni-NDs Seeding Nucleation

    Y. Lu, K. Makihara, D.Takeuchi, K. Sakaike, M. Akazawa, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    Abstracts of ICANS25     頁: 141-143   2013年8月

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    記述言語:英語  

  112. High-Sensitive Detection of Electronic Emission through Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy

    D.Takeuchi, K.Makihara, M.Ikeda, S.Miyazaki, H.Kaki, T.Hayashi

    proceedings of 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices     頁: 275-278   2013年6月

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    記述言語:英語  

  113. Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots

    K.Makihara, M.Ikeda, S.Miyazaki

    proceedings of 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices     頁: 333-336   2013年6月

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    記述言語:英語  

  114. リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価

    牧原克典,福岡 諒,張 海,壁谷悠希,大田晃生,宮崎誠一

    信学技報   113 巻 ( 87 ) 頁: 47-50   2013年6月

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    記述言語:日本語  

  115. スパッタ形成したPt/SiOx/Pt構造の光電子分光分析

    大田 晃生, 牧原 克典, 池田 弥央, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一

    第18回ゲートスタック研究会プログラム     頁: 229 - 232   2013年1月

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    記述言語:日本語  

  116. スパッタ形成したTiN/SiOx/TiNダイオードの電気抵抗スイッチング特性評価

    福島太紀, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一

    第18回ゲートスタック研究会プログラム     頁: 233-236   2013年1月

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    記述言語:日本語  

  117. X線光電子分光によるAs+イオン注入したGeの化学結合状態分析

    小野貴寛、大田晃生, 花房宏明、村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一

    第18回ゲートスタック研究会プログラム     頁: 171-174   2013年1月

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    記述言語:日本語  

  118. Determination of Energy Band Alignment in Ultrathin Hf-based Oxide/Pt System

    A Ohta, H Murakami, S Higashi, S Miyazaki

    Journal of Physics: Conference Series   417 巻   頁: 012012(1-6)   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/417/1/012012

  119. Characterization of Ultrathin Ta-oxide Films Formed on Ge(100) by ALD and Layer-by-Layer Methods

    K Mishima, H Murakami, A Ohta, S K Sahari, T Fujioka, S Higashi, S Miyazaki

    Journal ofPhysics:ConferenceSeries   417 巻   頁: 012013(1-6)   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/417/1/012013

  120. Kinetics of thermally oxidation of Ge(100) surface

    S K Sahari, A Ohta, M Matsui, K Mishima, H Murakami, S Higashi, S Miyazaki

    Journal of Physics: Conference Series   417 巻   頁: 012014(1-6)   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/417/1/012014

  121. Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Application

    S. Miyazaki

    MRS Proceedings   1510 巻   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/opl.2013.272

  122. Characterization of Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots

    H. Takami, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys   52 巻 ( 4 ) 頁: 04CG08 (4 pages)   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  123. High Density Formation of Iron Nanodots on SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma

    H. Zhang, R. Fukuoka, Y. Kabeya, K. Makihara, S. Miyazaki

    Advanced Materials Research Vols 750-752     頁: 1011-1015   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  124. Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Application

    S. Miyazaki

    MRS Proceedings   1510 巻   2013年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.272

  125. XPS Study of Energy Band Alignment between Hf-La Oxides and Si(100)

    A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Trans. of MRS-J   38 巻 ( 3 ) 頁: 353-357   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  126. Temporal Changes of Charge Distribution in High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots as Evaluated by AFM/KFM

    N. Tsunekawa K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki

    Trans. of MRS-J   38 巻 ( 3 ) 頁: 393-396   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  127. Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes

    A. Ohta, K. Makihara, M. Fukusima, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    ECS Trans   58 巻 ( 9 ) 頁: 293-300   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  128. Study on Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate MOS Devices for Their Optoelectronic Application

    S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara

    ECS Trans   58 巻 ( 9 ) 頁: 231-237   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  129. Highly-crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 VHF-ICP -Crystalline Nucleation Initiated by Ni-nanodots-

    K. Makihara, J. Gao, K. Sakaike, S. Hayashi, H. Deki, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys   52 巻   頁: 11NA04 (3 pages)   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  130. Characterization of Resistive Switching Behaviors of RF Sputtered Si Oxide ReRAMs with Ti-based Electrodes

    A. Ohta, M. Fukusima, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys   52 巻   頁: 11NJ06 (5 pages)   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  131. Photoexcited Carrier Transfer in a NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures

    M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    IEICE Trans. on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 694-698   2013年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  132. Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer

    K. Hashimoto, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    IEICE Trans. on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 674-679   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  133. X-ray Photoemission Study of SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si Heterostructures

    A. Ohta. K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba, J. Murota

    IEICE Trans. on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 680-685   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  134. Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior

    A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakamis, S. Higashi, S. Miyazaki

    IEICE Trans. on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 702-707   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  135. Characterization of Resistive Switching of Pt/Si- rich Oxide/TiN System

    M. Fukushima, A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki

    IEICE Trans. on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 708-713   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  136. Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy

    D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki, T. Hayashi

    IEICE Trans. on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁: 718-721   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  137. Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Application

    Seiichi Miyazaki

    2012 MRS Fall Meeting Abstracts     頁: DD6.01   2012年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  138. ナノ構造制御で展開する電子デバイス開発(チュートリアル)

    宮崎誠一

    薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会「薄膜デバイスの未来」     頁: 1-26   2012年11月

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    記述言語:日本語  

  139. Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior

    A.Ohta, K.Makihara, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

    AWAD2012 Workshop Digest     頁: 186-191   2012年6月

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    記述言語:英語  

  140. Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer

    K.Hashimoto, A.Ohta, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

    AWAD2012 Workshop Digest     頁: 219-224   2012年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  141. Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures

    M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki

    AWAD2012 Workshop Digest     頁: 206-209   2012年6月

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    記述言語:英語  

  142. Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy

    D.Takeuchi, K.Makihara, M.Ikeda, A.Ohta, K.Makihara, M.Ikeda, S.Miyazaki, H.Kaki, T.Hayashi

    AWAD2012 Workshop Digest     頁: 202-205   2012年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  143. Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-rich Oxide/TiN System

    M. Fukusima, A.Ohta, K.Makihara, S.Miyazaki

    AWAD2012 Workshop Digest     頁: 192-197   2012年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  144. Study of ElectronTransport Characteristics Through Self-Aligned Si-Based Quantum Dots

    K.Makihara, C.Liu, M.Ikeda, S.Miyazaki

    Proceedings of 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting(ISTDM)     頁: 182-183   2012年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  145. Highly-crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 VHF-ICP-Crystalline Nucleation Initiated by Ni-nanodots-

    K.Makihara, J.Gao, K.Sakaike, S.Hayashi, H.Deki, M.Ikeda, S.Higashi, S.Miyazaki

    Proceedings of 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting(ISTDM)     頁: 138-139   2012年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  146. As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析

    小野貴寛、大田晃生、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一

    信学技報   112 巻 ( 92 ) 頁: 63-67   2012年6月

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    記述言語:日本語  

  147. 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御

    大田晃生、松井真史、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一

    信学技報   112 巻 ( 92 ) 頁: 53-58   2012年6月

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    記述言語:日本語  

  148. TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御

    村上秀樹、三嶋健斗、大田晃生、橋本邦明、東 清一郎、宮崎誠一

    信学技報   112 巻 ( 92 ) 頁: 33-36   2012年6月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

  149. Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動

    池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

    信学技報   112 巻 ( 92 ) 頁: 13-16   2012年6月

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    記述言語:日本語  

  150. Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価

    福嶋太紀、、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

    信学技報   112 巻 ( 92 ) 頁: 1-6   2012年6月

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    記述言語:日本語  

  151. 走査プローブ顕微鏡によるカーボンナノウォールの初期成長過程の解明

    近藤博基,安田幸司,牧原克典,宮崎誠一,平松美根男,関根 誠,堀  勝

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 16a-A3-11   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  152. GeH4 VHF-ICP からの高結晶性Ge:H 薄膜堆積 -Ni ナノドットを用いた結晶核発生制御-

    高  金,牧原克典,酒池耕平,林 将平,出木秀典,池田弥央,東清一郎,宮崎誠一

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 16a-B6-5   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  153. Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートにおける光励起電子のパルス電圧応答

    池田弥央,牧原克典,宮崎誠一

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 18a-GP6-11   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  154. 高濃度As+イオン注入ゲルマニウム層における化学結合状態評価

    小野貴寛,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 18a-A6-9   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  155. ゲルマニウムドライ酸化における温度依存性

    大田晃生,Siti Kudnie Sahari,池田弥央,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 16a-A5-4   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  156. AFM/KFMによる一次元連結・高密度Si系量子ドットの帯電状態の経時変化計測

    牧原克典,恒川直輝,池田弥央,宮崎誠一

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 18p-A1-8   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  157. 一次元縦積み連結Si系量子ドットの室温共鳴トンネル伝導

    牧原克典,池田弥央,宮崎誠一

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 18p-A1-7   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  158. 一次元連結Si系量子ドットのEL特性評価

    高見弘貴,牧原克典,出木秀典,池田弥央,宮崎誠一

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 18p-A1-5   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  159. 極薄層挿入によるAl/p-Ge接合のショットキー障壁制御

    松井真史,大田晃生,村上秀樹,小野貴寛,橋本邦明,東清一郎,宮崎誠一

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 18p-A1-3   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  160. 導電性AFM探針による極薄Au/柱状Siナノ構造の局所電気伝導評価

    竹内大智,牧原克典,池田弥央,宮崎誠一,可貴裕和,林  司

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 18a-A1-4   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  161. 熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPtおよびPtシリサイドナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用

    牧原克典,山根雅人,池田弥央,東清一郎,宮崎誠一

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 18a-B3-1   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  162. Ptナノドット電極を用いたSiOx膜の抵抗変化特性評価

    福嶋太紀,大田晃生,牧原克典,宮崎誠一

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 16p-F6-12   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  163. Pt/SiOx/TiNダイオード構造の抵抗変化特性評価

    福嶋太紀,大田晃生,牧原克典,宮崎誠一

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 16p-F6-11   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  164. Pt/SiOx/Pt構造における抵抗変化特性

    大田晃生,牧原克典,池田弥央,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 16p-F6-10   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  165. 酸化アルミニウムを用いた抵抗変化メモリのスイッチング電圧のばらつき抑制 1

    大塚慎太郎,古屋沙絵子,清水智弘,新宮原正三,牧原克典,宮崎誠一,渡辺忠孝,高野良紀,高瀬浩一

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集     頁: 15a-GP3-11   2012年3月

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    記述言語:日本語  

  166. Ge熱酸化-酸化温度が熱酸化膜構造に及ぼす影響

    大田 晃生, シティ クディニ サハリ, 池田 弥央, 松井 真史, 三嶋 健人, 村上 秀樹, 東 清一郎 , 宮崎 誠一

    特別研究会研究報告(ゲートスタック研究会)     頁: 93-96   2012年1月

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    記述言語:日本語  

  167. HfO2/Ge界面へのTaOx層挿入による界面反応制御

    三嶋 健斗, 村上 秀樹, 大田 晃生, 橋本 邦明, 東 清一郎, 宮崎 誠一

    特別研究会研究報告(ゲートスタック研究会)     頁: 121-124   2012年1月

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    記述言語:日本語  

  168. RFスパッタで形成したSiリッチ酸化薄膜の化学構造分析と抵抗変化特性評価

    大田 晃生, 後藤 優太, 西垣 慎吾, 村上 秀樹, 東 清一郎 , 宮崎 誠一

    特別研究会研究報告(ゲートスタック研究会)     頁: 221-224   2012年1月

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    記述言語:日本語  

  169. 熱処理による金属/GeO2界面化学構造変化-X線光電子分光分析

    松井 真史, 大田 晃生, 村上 秀樹, 小野 貴寛, 東 清一郎, 宮崎 誠一

    特別研究会研究報告(ゲートスタック研究会)     頁: 169-172   2012年1月

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    記述言語:日本語  

  170. Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots with High Areal Dot Density

    K. Makihara, H. Deki, M Ikeda, S, Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻 ( 4 ) 頁: 04DG08(5 pages)   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  171. Evaluation of Charge Trapping Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films by Kelvin Force Microscopy

    K. Makihara, H. Deki, M Ikeda, S, Miyazaki

    J. Non-Cry. Solids   358 巻 ( 17 ) 頁: 2086-2089   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  172. Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes

    K. Makihara, M. Fukushima, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

    ECS Trans.   50 巻 ( 9 ) 頁: 459-464   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  173. Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion

    A. Ohta, M. Matsui, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    ECS Trans.   50 巻 ( 9 ) 頁: 449-457   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  174. Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes

    A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻   頁: 06FF02(6 pages)   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  175. Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering

    A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    IEICE Trans., on Electronics   E95-C 巻 ( 5 ) 頁: 879-884   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  176. Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots with High Areal Dot Density

    K. Makihara, H. Deki, M Ikeda, S, Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys   51 巻 ( 4 ) 頁: 04DG08 (5 pages)   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  177. Evaluation of Charge Trapping Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films by Kelvin Force Microscopy

    K. Makihara, H. Deki, M Ikeda, S, Miyazaki

    J. Non-Cry. Solids   358 巻 ( 17 ) 頁: 2086-2089   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  178. Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes

    K. Makihara, M. Fukushima, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

    ECS Trans   50 巻 ( 9 ) 頁: 459-464   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  179. Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion

    A. Ohta, M. Matsui, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    ECS Trans   50 巻 ( 9 ) 頁: 449-457   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  180. Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes

    A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻   頁: 06FF02 (6 pages)   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  181. 超低消費電力化デバイス開発に向けた材料・プロセス研究

    宮崎誠一

    SPring-8コンファレンス2011 講演概要集     頁: 53   2011年11月

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    記述言語:日本語  

  182. Formation of Metal-Semiconductor Hybrid Nanodots and Its Application to Functional Floating Gate 招待有り

    S.Miyazaki

    Abstract of BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T 2011     頁: 256   2011年10月

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    記述言語:英語  

  183. Formation and Characterization of Silicon-Quantum-Dots/Metal-Silicide-Nanodots Hybrid Stack and Its Application to Floating Gate Functional Devices

    S.Miyazaki

    ECS Transaction   41 巻 ( 7 ) 頁: 93-98   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  184. Evaluation of Chemical Structure and Resistance Switching Characteristics of Undoped Titanium Oxide and Titanium - Yttrium mixed Oxide

    A. Ohta, Y. Goto, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 10 ) 頁: 10PH02(6pages)   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  185. XPS Study of Interfacial Reaction between Metal and Ultrathin Ge Oxide

    A.Ohta, T.Fujioka, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 10 ) 頁: 10PE01 (6pages).   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  186. Characterization of chemical bonding features at metal/GeO2 interfaces by X-ray photoelectron spectroscopy

    M. Matsui, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, S. Higashi, S. Miyazaki

    MICROELECTRONIC ENGINEERING   88 巻 ( 7 ) 頁: 1549-1552   2011年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  187. Impact of insertion of ultrathin TaOx layer at the Pt/TiO2 interface on resistive switching characteristics

    G. Wei, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, Y. Goto, S. Higashi, S. Miyazaki

    MICROELECTRONIC ENGINEERING   88 巻 ( 7 ) 頁: 1152-1154   2011年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  188. Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering

    A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices     頁: 41-46   2011年6月

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    記述言語:英語  

    DOI: 41-46

  189. Electrical Characterization of NiSi-NDs/Si-QDs Hybrid Stacked Floating Gate in MOS Capacitors

    K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki

    2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices     頁: 47-50   2011年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 47-50

  190. Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities

    A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E94-C 巻 ( 5 ) 頁: 717-723   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  191. Impact of Annealing Ambience on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure

    G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E94-C 巻 ( 5 ) 頁: 699-704   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  192. Study on Native Oxidation of Ge (111) and (100) Surfaces

    S. K. Sahari, H. Murakami, T. Fujioka, T. Bando, A. Ohta, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 4 ) 頁: 04DA12 (4 pages)   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  193. Activation of As Atoms in Ultrashallow Junction during Milli- and Microsecond Annealing Induced by Thermal-Plasma-Jet Irradiation

    K. Matsumoto, A. Ohta, S. Miyazaki, S. Higashi

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 4 ) 頁: 04DA07 (4 pages)   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  194. ルテニウムの化学結合および電子状態評価

    三嶋健斗、後藤優太、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催 特別研究会アブストラクト集     頁: 39   2011年1月

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    記述言語:日本語  

  195. X線光電子分光法による金属/GeO₂界面の化学結合状態分析

    松井真史、藤岡知宏、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催 特別研究会アブストラクト集     頁: 41   2011年1月

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    記述言語:日本語  

  196. Formation of Ultra Thin Titanium Oxide on Germanium by Atomic Layer Deposition using TEMAT and O3

    T.Fujioka, A.Ohta, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

    Extended Abstracts of IWDTF2011     頁: 51-52   2011年1月

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    記述言語:英語  

  197. Characterization of Resistance-Switching of SiOx Dielectrics

    Y.Goto, A.Ohta, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

    Extended Abstracts of IWDTF2011     頁: 163-164   2011年1月

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    記述言語:英語  

  198. Impact of Y2O3 Addition of Chemical Bonding Features and Resistance Switching of TiO2

    A.Ohta, Y.Goto, G.Wei, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

    Extended Abstracts of IWDTF2011     頁: 113-114   2011年1月

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    記述言語:英語  

  199. XPS Study of Interfacial Reaction between Metal and Ge Oxide

    A.Ohta, T.Fujioka, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

    Extended Abstracts of IWDTF2011     頁: 25 - 26   2011年1月

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    記述言語:英語  

  200. Study on Native Oxidation of Ge (111) and (100) Surfaces

    S. K. Sahari, H. Murakami, T. Fujioka, T. Bando, A. Ohta, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys   50 巻   頁: 04DA12(4 pages)   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  201. High Density Formation of Ge Quantum Dots on SiO2

    K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Takeuchi, Y. Shimura, S. Zaima, S. Miyazaki

    Solid State Electronics   60 巻   頁: 65-69   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  202. Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor

    M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    IEICE   94-C 巻 ( 5 ) 頁: 730-736   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  203. The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure

    G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    IEICE   94-C 巻 ( 5 ) 頁: 699-704   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  204. Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell

    M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, S. Nomura, K. Shiraishi, T. Endoh

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 4 ) 頁: 04DD04(4 pages)   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  205. Formation of High Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing using Thermal Plasma Jet for Floating Gate Memory

    K. Makihara, K. Matsumoto, M. Yamane, T. Okada, N. Morisawa, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 8 ) 頁: 08KE06(4 pages)   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  206. Optical Response of Si-Quantum-Dots/NiSi-Nanodots Stack Hybrid Floating Gate in MOS Structures

    N. Morisawa, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    Key Engineering Materials   470 巻   頁: 135-139   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  207. The Impact of Y Addition into TiO2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics

    A. Ohta, Y. Goto, M.F. Kazalman, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁: 06GG01(5 pages)   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  208. Application of Thermal Plasma Jet Irradiation to Crystallization and Gate Insulator Improvement for High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication

    S. Higashi, S. Hayashi, Y. Hiroshige, Y. Nishida, H. Murakami, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁: 03CB10(8 pages)   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  209. Application of Thermal Plasma Jet Irradiation to Crystallization and Gate Insulator Improvement for High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication

    S. Higashi, S. Hayashi, Y. Hiroshige, Y. Nishida, H. Murakami, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys   50 巻   頁: 03CB10 (8 pages)   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  210. Optical Response of Si-Quantum-Dots/NiSi-Nanodots Stack Hybrid Floating Gate in MOS Structures

    N. Morisawa, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    Key Engineering Materials   470 巻   頁: 135-139   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  211. High Density Formation of Ge Quantum Dots on SiO2

    K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Takeuchi, Y. Shimura, S. Zaima, S. Miyazaki

    Solid State Electronics   60 巻   頁: 65-69   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  212. Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor

    M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, Y. Shigeta, T. Endoh

    IEICE Trans. on Electronics   94-C 巻 ( 5 ) 頁: 730-736   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  213. The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure

    G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    IEICE Trans. on Electronics   94-C 巻 ( 5 ) 頁: 699-704   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  214. Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell

    M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, S. Nomura, K. Shiraishi, T. Endoh

    Jpn. J. Appl. Phys   50 巻 ( 4 ) 頁: 04DD04 (4 pages)   2011年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  215. Formation of High Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing using Thermal Plasma Jet for Floating Gate Memory

    K. Makihara, K. Matsumoto, M. Yamane, T. Okada, N. Morisawa, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys   50 巻 ( 8 ) 頁: 08KE06 (4pages)   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  216. The Impact of Y Addition into TiO2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics

    A. Ohta, Y. Goto, M. F. Kazalman, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys   50 巻 ( 6 ) 頁: 06GG01 (5 pages)   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  217. Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique 査読有り

    S. Higashi, K. Sugakawa, H. Kaku, T. Okada, and S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   頁: 03CA08 (4 pages)   2010年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The electrical characteristics of thin-film transistors (TFTs) fabricated by thermal plasma jet (TPJ)-crystallized microcrystalline Si (&micro;c-Si) films have been investigated. Amorphous Si (a-Si) films were crystallized with the TPJ under the scanning speed (v) of 350 to 550 mm/s, and &micro;c-Si TFTs were successfully fabricated with a 300 °C process. By reducing v, &micro;FE increases from 3.2 to 17.1 cm2 V-1 s-1, and Vth and S decrease from 9.2 to 5.2 V and 1.3 to 0.6 V/decade, respectively. The variations of &micro;FE, Vth, and S were kept within small values of 1.06 (±4.4%), 0.14 (±1.1%), and 0.04 (±4.0%), respectively. The &micro;c-Si is formed with ∼20-nm-sized randomly oriented small grains, and this isotropic nature results in very small variation of TFT performance. With decreasing v, the fraction of nano sized grains and disordered bonds at the grain boundary decreases, which results in improved TFT performance.

  218. Temperature Dependence of Electron Tunneling between Two Dimensional Electron Gas and Si Quantum Dots 査読有り

    Y. Sakurai, J. Iwata, M. Muraguchi, Y. Shigeta, Y. Takada, S. Nomura, T. Endoh, S. Saito, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

      49 巻   頁: 014001 (4 pages)   2010年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Quantum mechanical electron tunneling has potential applications in both science and technology, such as flash memories in modern LSI technologies and electron transport chains in biosystems. Although it is known that one-dimensional quantum electron tunneling lacks temperature dependence, the behavior of electron tunneling between different dimensional systems is still an open question. Here, we investigated the electron tunneling between a two-dimensional electron gas (2DEG) and zero-dimensional Si quantum dots and discovered an unexpected temperature dependence: At high temperature, the gate voltage necessary for electron injection from 2DEG to Si quantum dots becomes markedly small. This unusual tunneling behavior was phenomenologically explained by considering the geometrical matching of wave functions between different dimensional systems. We assumed that electron tunneling would occur within a finite experimental measurement time. Then, the observed electron tunneling is explained only by the contributions of wave packets below the quantum dot with a finite lifetime rather than the ordinary thermal excited states of 2DEG.

  219. Characterization of Interfaces between Chemically-Cleaned or Thermally-Oxidized Germanium and Metals

    H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, T. Bando, S. Higashi and S. Miyazaki

    ECS Trans.   33 巻   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  220. Formation and Characterization of Hybrid Nanodot Stack Structure for Floating Gate Application

    S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda

    Thin Solid Films   518 巻   頁: S30-S34   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  221. Formation of High Density Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Memory Application

    S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto

    J. of Materials Science Forum   638-642 巻   頁: 1725-1730   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  222. Anomalous temperature dependence of electron tunneling between a two-dimensional electron gas and Si dots

    Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    Physica E   42 巻 ( 4 ) 頁: 918–921   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  223. Formation Mechanism of Metal nanodots Induced by Remote Plasma Exposure

    K. Makihara, K. Shimanoe, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki

    Journal of Optoelectronics and Advanced Materials   12 巻 ( 3 ) 頁: 626-630   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  224. Effect of Chemical Composition of SiOx Films on Rapid Formation of Si Nanocrystals Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation

    T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, K. Makihara, H. Furukawa, Y. Hiroshige and S. Miyazaki

    Physica Status Solidi C   7 巻 ( 3-4 ) 頁: 732-734   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  225. Light Induced Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid FG in MOS Structures

    N. Morisawa, M. Ikeda, S. Nakanishi, A. Kawanami, K. Makihara and S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  226. Activation of B and As in Ultrashallow Junction DuringMillisecond Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation

    K. Matsumote, S. Higashi, H. Murakami and S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  227. Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots

    K. Makihara, M. Ikeda, A. Kawanami and S. Miyazaki

    Trans. of IEICE   E93-C 巻 ( 5 ) 頁: 569-572   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  228. Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe Technique

    K. Makihara, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻 ( 2 )   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  229. Formation of High Crystallinity Silicon Films by High Speed Scanning of Melting Region Formed by Atmospheric Pressure DC Arc Discharge Micro-Thermal-Plasma-Jet and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication

    S. Hayashi, S. Higashi, H. Murakami and S. Miyazaki

    Appl. Phys. Exp.   3 巻   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  230. Self-Align Formation of Si Quantum Dots

    K. Makihara, M. Ikeda, H. Deki, A. Ohta and S. Miyazaki

    ECS Trans.   33 巻   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  231. Formation of Pseudo-Expitaxial Ge Films on Si(100) by Droplet of Microliquid Ge Melt

    T. Matsumoto, S. Higashi, K. Makihara, M. Akazawa and S. Miyazaki

    ECS Trans.   33 巻   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  232. Formation of Cobalt and Cobalt-silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma

    A. Kawanami, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   頁: 08JA04   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  233. Importance of Electronic State of Two-Dimensional Electron Gas for Electron Injection Process in Nano-Electronic Devices

    M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Takada, Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, Y. Shigeta

    Physica E.   42 巻 ( 10 ) 頁: 2602-2605   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  234. Contribution of Carbon to Growth of Boron-Containing Cluster in Heavily Boron-Doped Silicon

    H. Itokawa, A. Ohta, M. Ikeda, I. Mizushima, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 081301

  235. Contribution of Carbon to Growth of Boron-Containing Cluster in Heavily Boron-Doped Silicon

    H. Itokawa, A. Ohta, M. Ikeda, I. Mizushima, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   頁: 081301 (5 pages)   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  236. Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique

    K. Sugakawa, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, S. Miyazaki

    2009 The Sixteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD'09)(Nara)   P-4 巻   頁: 117-120   2009年7月

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    記述言語:英語  

  237. Characterization of Interfacial Reaction and Chemical Bonding Features of LaOx/HfO2 Stack Structure Formed on Thermally-grown SiO2/Si(100)

    A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    16th biannual Conference on Insulating Films on Semiconductors 2009 (INFOS2009),(Cambridge, UK)     頁: 178   2009年6月

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    記述言語:英語  

  238. Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots

    K. Makihara, M. Ikeda, A. Kawanami,S. Miyazaki

    2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2009), (Korea)   3A-6 巻   2009年6月

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    記述言語:英語  

  239. Electrical Detection of Silicon Binding Protein-Protein A using a p-MOSFET Sensor

    H. Murakami, S. Mahboob, K. Katayama, K. Makihara, M. Ikeda, Y. Hata, A. Kuroda, S. Higashi, S. Miyazaki

    2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2009), (Korea)   2B-8 巻   2009年6月

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    記述言語:英語  

  240. Electrical Charging Characteristics of NiSi-Nanodots Floating Gate

    S. Nakanishi, M. Ikeda, K. Shimanoe, K. Makihara, A. Kawanami, N. Morisawa, A. Fujimoto, S. Higashi, S. Miyazaki

    International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, (IMFEDK)(Osaka)   C-5 巻   頁: 62-63   2009年5月

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    記述言語:英語  

  241. Formation of Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 forFloating Gate Application 査読有り

    S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto

      154 巻   頁: 95-100   2009年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We demonstrated a new fabrication method of Pt- and Ni-silicide nanodots with an areal density of the order of ~1011 cm-2 on SiO2 through the process steps of ultrathin metal film deposition on pre-grown Si-QDs and subsequent remote H2 plasma treatments at room temperature.
    Verification of electrical separation among silicide nanodots was made by measuring surface potential changes due to electron injection and extraction using an AFM/Kelvin probe technique.
    Photoemission measurements confirm a deeper potential well of silicide nanodots than Si-QDs and a resultant superior charge retention was also verified by surface potential measurements after charging to and discharging. Also, the advantage in many electron storage per silicide nanodot was demonstrated in C-V characteristics of MIS capacitors with silicide nanodots FGs.

  242. Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Induced by High-Power-Density Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Ultrashallow Junction Formation 査読有り

    Hirokazu Furukawa, Seiichiro Higashi, Tatsuya Okada, Hideki Murakami, and Seiichi Miyazaki H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, and S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   48 巻   頁: 04C011 (4 pages)   2009年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have investigated the generation of high-power-density thermal plasma jet (TPJ) as a heat source for the annealing of a Si wafer surface in a millisecond period and the formation of an ultrashallow junction. The power density of DC arc discharge thermal plasma jet markedly increased from 11.0 to 32.3 kW/cm2 with increasing spacing between an anode and a cathode (ES) from 1.0 to 3.0 mm. The increase in TPJ power density with ES was mainly due to the increase in plasma temperature from about 16000 to 23000 K. By applying this high-power-density TPJ, the Si wafer was heated by more than 700 K within 10 ms. Using this annealing technique, we demonstrated the dopant activation of an arsenic-implanted Si wafer and successfully obtained a low sheet resistance of 262 Ω/sq at an annealing temperature as high as 1207 K without a significantly enhanced diffusion of the implantation profile.

  243. A Novel Millisecond Crystallization Technique Using Si Micro Liquid

    N. Koba, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki

    The 5th International Thin-Film Transistor Conference 2009(France)     頁: 263-366   2009年3月

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    記述言語:英語  

  244. Improvement of Bond Structure and Electrical Properties of Low-Temperature Deposited SiO2 Films by Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing

    Y. Hiroshige, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa, T. Okada, S. Miyazaki

    Plasma Science Symposium 2009 and 26th Symposium on Plasma Processing (PSS-2009/SPP-26)(Nagoya)   P3-41 巻   頁: 496-497   2009年2月

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    記述言語:英語  

  245. Temperature Dependence of Electron Transport between Quantum Dots and Electron Gas

    Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    International Symposium on Nanoscale Transport and Technology(Kanagawa)   PTu-09 巻   2009年1月

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    記述言語:英語  

  246. Impact of Remote Plasma Treatment on Formation of Metal Nanodots on Ultrathin SiO2

    A. Kawanami, K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, S.Higashi, S. Miyazaki

    The 2nd International Conference on Plasma-Nano Technology & Science(Nagoya)   P-09 巻   2009年1月

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    記述言語:英語  

  247. Temperature Dependence of Electron Tunneling between Two Dimensional Electron Gas and Si Quantum Dots

    16. Y. Sakurai, J. Iwata, M. Muraguchi, Y. Shigeta, Y. Takada, S. Nomura, T. Endoh, S. Saito, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻 ( 1 ) 頁: 090435   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  248. Interface Properties and Effective Work Function of Sb-Predoped Fully Silicided NiSi Gate

    T. Hosoi, K. Sano, A. Ohta, K. Makihara, H. Kaku, S. Miyazaki, K. Shibahara

    Appl. Phys. Lett.   94 巻   頁: 192102   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  249. Temperature Dependence of Capacitance of Si Quantum Dot Floating Gate MOS Capacitor

    Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S.Miyazaki

    Jour. of Phys.: Cond. Mat.   150 巻   頁: 022071   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  250. Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Its Application to Floating Gate MOS Memories

    K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, R. Matsumoto, S. Higashi, S. Miyazaki

    IEICE Trans. on Electronics   E92-C 巻 ( 5 ) 頁: 616-619   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  251. Electronic Charged States of Pt-silicide Nanodots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique

    K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, A. Ohta, S. Higashi, S. Miyazaki

    Trans. of MRS-J.   34 巻 ( 2 ) 頁: 309-312   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  252. Photoemission Study of Fully Silicided Pd2Si Gates with Interface Modification Induced by Dopants

    T. Hosoi, A. Ohta, S. Miyazaki, H. Shiraish, K. Shibahara

    Appl. Phys. Lett.   94 巻   頁: 192102   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  253. Effective-Work-Function Control by Varying the TiN Thickness in Poly-Si/TiN Gate Electrodes for Scaled High-k CMOSFETs

    21. M. Kadoshima, T. Matsuki, S. Miyazaki, K. Shiraishi, T. Chikyo, K. Yamada, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji

    IEEE Electron Device Lett.   30 巻 ( 5 ) 頁: 466-468   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  254. Charge Strage Characteristics of Hybrid Nanodots Floating Gate

    S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda

    ECS Trans.   25 巻 ( 7 ) 頁: 433-439   2009年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  255. Physics of Nano-contact Between Si Quantum Dots and Inversion Layer

    19. Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, J. Iwata, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    ECS Trans.   25 巻 ( 7 ) 頁: 463-469   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  256. Surface Potential Changes Induced by Physisorption of Si-tagged Protein A on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 Surface

    S. Mahboob, K. Makihara, A. Ohta, S. Higashi, Y. Hata, A. Kuroda, S. Miyazaki

    ECS Trans.   19 巻 ( 22 ) 頁: 35-43   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  257. Electroluminescence from Si Quantum Dots/SiO2 Multilayers with Ultrathin Oxide Layers due to Bipolar Injection

    J. Xu, K. Makihara, H. Dek, S. Miyazaki

    Solid State Communications   149 巻   頁: 739-742   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  258. The Influence of Defects and Impurities on Electrical Properties of High-k Dielectrics 査読有り

    J. D&#261;browski, S. Miyazaki, S. Inumiya, G. Kozłowski, G. Lippert, G. Łupina, Y. Nara, H.-J. M&uuml;ssig, A. Ohta, and Y. Pei

    Materials Science Forum   608 巻   頁: 55-109   2009年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Electrical properties of thin high-k dielectric films are influenced (or even governed)
    by the presence of macroscopic, microscopic and atomic-size defects. For most applications,
    a structurally perfect dielectric material with moderate parameters would have sufficiently
    low leakage and sufficiently long lifetime. But defects open new paths for carrier
    transport, increasing the currents by orders of magnitude, causing instabilities due to charge
    trapping, and promoting the formation of defects responsible for electrical breakdown events
    and for the failure of the film. We discuss how currents flow across the gate stack and how
    damage is created in the material. We also illustrate the contemporary basic knowledge on
    hazardous defects (including certain impurities) in high-k dielectrics using the example of a
    family of materials based on Pr oxides. As an example of the influence of stoichiometry on
    the electrical parameters of the dielectric, we analyze the effect of nitrogen incorporation into
    ultrathin Hf silicate films.

  259. Generation of High Density Thermal Plasma Jet and Its Application to Millisecond Annealing of Si Wafer Surface for Shallow Junction Formation

    H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki

    30th International Symposium on Dry Process (DPS 2008) (Tokyo)   8-2 巻   頁: 267-268   2008年11月

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    記述言語:英語  

  260. Characterization of Chemical Bonding Features in HfGdxOy film formed by MOCVD using DPM precursors

    D. Kanme, A. Ohta, R. Yougauchi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF)(Tokyo)   P1-4 巻   頁: 25-26   2008年11月

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    記述言語:英語  

  261. XPS Study of TiAlN/HfSiON Gate Stack - Impact of Al Redistribution on Effective Work Function Change-

    A. Ohta, T. Mori, H. Yoshinaga, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Kadoshima, Y. Nara

    2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF)(Tokyo)   S4-4 巻   頁: 75-76   2008年11月

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    記述言語:英語  

  262. Formation of Metallic Nanodots on Ultrathin Gate Oxide Induced by H2-plasma Treatment and Its Application to Floating Gate Memories

    S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe, R. Matsumoto

    4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008)(Sendai)   Z-01 巻   頁: 53-54   2008年9月

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    記述言語:英語  

  263. Formation of Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Application

    S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe

    The European Materials Research Society (E-MRS) 2008 Fall Meeting (Poland)     頁: 66-67   2008年9月

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    記述言語:英語  

  264. Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Induced by High Density Thermal Plasma Jet Irradiation

    H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki

    Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008)(Tsukuba)   A-9-2 巻   頁: 852-853   2008年9月

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    記述言語:英語  

  265. Photoemission Study of Chemical Bonding Features and Electronic States of Ultrathin HfTixOy/Pt System

    A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Tanioku, M. Horikawa, A. Ogishima

    2008 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM2008)(Tsukuba)   A-5-3 巻   頁: 684-685   2008年9月

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    記述言語:英語  

  266. Charge Injection and Emission Characteristics of Hybrid Floating Gate Stack Consisting of NiSi-Nanodots and Silicon-Quantum-Dots

    M. Ikeda, R. Matsumoto, K. Shimanoe, K. Makihara, S. Miyazaki

    2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)(Tsukuba)   H-1-6 巻   頁: 182-183   2008年9月

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    記述言語:英語  

  267. Formation of Ultra High Density Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2

    K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008)(Sendai)   P-08 巻   頁: 37-38   2008年9月

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    記述言語:英語  

  268. AFM/KFM Detection of Si-tagged ProteinA on HF-last Si(100), Thermally Grown SiO2 and Si-QDs Surfaces

    K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, Y. Hata, A. Kuroda, S. Miyazaki

    4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008)(Sendai)   P-09 巻   頁: 39-40   2008年9月

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    記述言語:英語  

  269. Application of Thermal Plasma Jet Annealing to Channel Crystallization and Doping for Thin Film Transistor Fabrication

    H. Kaku, S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H.Furukawa, S. Miyazaki

    2008 The Fifteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD'08)(Tokyo)   3-3 巻   頁: 33-36   2008年8月

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    記述言語:英語  

  270. Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Silicon Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique 査読有り

    T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Matsui1, A. Masuda1, M. Kondo1

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻   頁: 6949-6952   2008年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Defect concentration in polycrystalline silicon (poly-Si) films formed by thermal plasma jet (TPJ) annealing and excimer laser annealing (ELA) has been investigated on basis of the electrical property and spin density (Ns). Phosphorus-doped Si films with an average concentration of 4.3 ×1017 cm-3 and crystallized by TPJ annealing showed electrical conductivity (σ) values of 2.0 ×10-3–7.8 ×10-2 S/cm, whereas ELA Si films show much lower σ values of (1.6–4.5) ×10-6 S/cm regardless of irradiated laser energy density. Ns values in TPJ annealed Si films were (2.3–4.5) ×1017 cm-3, which are roughly one order of magnitude lower than those of ELA films. These results indicate that dangling bonds in crystallized films are the predominant traps and they strongly govern the electrical property. TPJ crystallization offers the possibility of fabricating poly-Si films with a low defect concentration presumably owing to the much lower cooling rate (∼105 K/s) during crystalline growth than that of ELA (∼1010 K/s). By treating TPJ annealed films with hydrogen plasma for 10 min at 250 °C, a defect density as low as 5.0 ×1016 cm-3 is achieved.

  271. Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Its Application to Floating Gate MOS Memories

    K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, R. Matsumoto, S. Higashi, S. Miyazaki

    2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2008) (Hokkaido)   4A.1 巻   頁: 77-80   2008年7月

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    記述言語:英語  

  272. Electrical Properties of Highly Crystallized Ge:H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4

    H. Kaku, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2008), (Sapporo)   5B.3 巻   頁: 155-158   2008年7月

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    記述言語:英語  

  273. Formation of Ni- and Pt-Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Their Application to Floating Gate MOS Memories

    M. Ikeda, K. Shimanoe, R. Matsumoto, K. Makihara, S. Miyazaki

    The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)(Osaka)   B-5 巻   頁: 43-44   2008年5月

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    記述言語:英語  

  274. Characterization of Thermal Stability of HfO2/SiON/Ge(100) Stacked Structure by using Photoemission Spectroscopy

    A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)(Taiwan)   Tsu-S7-04 巻   頁: 88-89   2008年5月

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    記述言語:英語  

  275. Photoemission Study of Ultrathin Germanium Oxide/Ge(100) Interfaces

    H. Murakami, M. Miura, A. Ohta, R. Yougauchi, S. Higashi, S. Miyazaki

    4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)(Taiwan)   Mon-P1-19 巻   頁: 165-166   2008年5月

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    記述言語:英語  

  276. Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots

    K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)(Taiwan)   Mon-P1-10 巻   頁: 147-148   2008年5月

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    記述言語:英語  

  277. Cathode Electron Injection Breakdown Model and Time Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Prediction in High-k/Metal Gate Stack p-Type Metal–Oxide–Silicon Field Effect Transistors 査読有り

    M. Sato1, C. Tamura, K. Yamabe, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamada, R. Hasunuma, . Aoyama1, Y. Nara, and Y. Ohji1

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻   頁: 3326-3331   2008年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have investigated the time dependent dielectric breakdown (TDDB) for a high-k/metal gate p-type metal–oxide–semiconductor field effect transistors (pMOSFETs) under inversion stress. We have found that electrons, injected from the cathode, are minority carriers in the gate leakage current and play an important role in determining TDDB lifetime and that the existence of oxygen vacancies in HfSiON, decide the electron current mechanism in HfSiON. Since electrons from the cathode flow as a tunneling current with the effective barrier height determined by the energy level of the oxygen vacancies in the HfSiON, electron current is strongly dependent on the effective work function of the metal gate. That implies that a higher work function should be effective to suppress of electron current, due to the elevated barrier height for electrons. Therefore, the formation of a high work function metal gate is essential, not only for low threshold voltage of pMOSFETs but also to achieve long TDDB lifetimes.

  278. Self-Assembling Formation of Ni Nanodots on SiO2 Induced by Remote H2 Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics 査読有り

    K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻   頁: 3099-3102   2008年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We fabricated nanometer-scale Ni dots and NiSi dots on an ultrathin SiO2 layer using remote H2 plasma and demonstrated the feasibility of remote H2 plasma treatment for controlling the areal density of the dots. 1.8-nm-thick-Ni/SiO2 and Ni/Si-quantum dots (QDs)/SiO2 layer were treated with remote H2 plasma generated by the inductive coupling between an external single-turn antenna and a 60 MHz generator. When a Ni/SiO2 was treated with remote H2 plasma at room temperature, Ni nanodot density could be controlled in the range of 109 to 1012 cm-2 by adjusting the plasma conditions. After the remote H2 plasma treatment of the Ni/Si-QDs, the formation of electrically isolated NiSi dots with an areal density of ∼1011 cm-2 was confirmed. These results imply that hydrogen radicals generated in H2 plasma play an important role in improving surface diffusion caused by energy reduction at the Ni/SiO2 interface. The surface potential of the Ni nanodots changes stepwise with the tip bias. This is due to the multistep electron injection into and extraction of Ni nanodots. The minimum tip biases for electron injection into Ni nanodots, NiSi dots and Si-QDs were -0.2, -0.7, and -1.0 V, respectively. This reflected the difference in electron affinity among Ni, NiSi and Si.

  279. Comprehensive Analysis of Positive and Negative Bias Temperature Instabilities in High-k/Metal Gate Stack Metal–Oxide–Silicon Field Effect Transistors with Equivalent Oxide Thickness Scaling to Sub-1 nm 査読有り

    M. Sato1, K. Yamabe, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamada, C. Tamura, R. Hasunuma, S. Inumiya, T.Aoyama, Y. Nara1, and Y. Ohji1

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻   頁: 2354-2359   2008年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have undertaken a comprehensive analysis of the positive bias temperature instability (PBTI) and negative bias temperature instability (NBTI) reliabilities of high-k/metal gate stacks. In the case of PBTI, electron traps constituted the main factor in drain current degradation resulting in an initial jump in threshold voltage shift due to fast transient electron traps, which depended only on stress voltage, because of the formation of positive oxygen vacancies near the cathode. However, in the case of NBTI, both interface state degradation (including interface hole traps) and hole traps in bulk HfSiON should be considered. We have clarified that the interface layer quality is related to not only the high transconductance but also the hole traps. The use of a high-quality interfacial layer, such as a wet oxide interface, represents a promising solution for the improvement of NBTI lifetime.

  280. In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer during Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation 査読有り

    H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, and S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻   頁: 2460-2463   2008年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    An in-situ measurement technique for the temperature profile of a Si wafer during millisecond rapid thermal annealing has been developed. By analyzing the oscillation observed in transient reflectivity of the Si wafer during annealing, we obtain a transient temperature profile with a millisecond time resolution. Since this measurement is based on optical interference, a highly sensitive temperature measurement with an accuracy of 2 K is expected. Using this measurement technique, we controlled Si wafer surface temperature during thermal plasma jet irradiation with the heating and cooling rates in the order of 104–105 K/s.

  281. Formation of Source and Drain for Polycrystalline Si Thin Film Transistors Using Thermal Plasma Jet Induced Impurity Activation

    H. Kaku, S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Furukawa, H. Murakami, S. Miyazaki

    International TFT Conference 2008(Korea)   9.6 巻   頁: 331-334   2008年1月

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    記述言語:英語  

  282. Characterization of Multistep Electron Charging and Discharging of a Silicon Quantum Dots Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases

    R. Matsumoto, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻 ( 4 ) 頁: 3103-3106   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  283. Nucleation Study of Hydrogenated Microcrystalline Silicon (μc-Si:H) Films Deposited by VHF-ICP

    T. Karakawa, S. Higashi, H. Murakami, S. Miyazaki

    Thin Solid Films   516 巻   頁: 3497-3501   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  284. Effect of He Addition on the Heating Characteristics of Substrate Surface Irradiated by Ar Thermal Plasma Jet

    T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami, S. Miyazaki

    Thin Solid Films   516 巻   頁: 3680-3683   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  285. In-situ Monitoring of Si Wafer Temperature during Millisecond Rapid Thermal Annealing

    H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki

    ECS Trans.   13 巻 ( 1 ) 頁: 31-36   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  286. Formation of Si Nanocrystals in SiOx Films Induced by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory

    T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa, S. Miyazaki

    ECS Trans.   16 巻 ( 9 ) 頁: 177-182   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  287. Low Temperature High-rate Growth of Crystalline Ge Films on Quartz and Crystalline Si Substrates from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4

    T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi, S. Miyazaki

    Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁: 216-218   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  288. Interface Properties and Effective Work Function of Sb-Predoped Fully Silicided NiSi Gate

    T. Hosoi, K. Sano, A. Ohta, K. Makihara, H. Kaku, S. Miyazaki, K. Shibahara

    Surface and Interface Analysis.   40 巻   頁: 1126-1130   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  289. Control of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots for Floating Gate Application

    S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda

    Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁: 41-44   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  290. Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Electrical Charging Characteristics

    K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁: 306-308   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  291. Nucleation Control for High Density Formation of Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2

    K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    ECS Trans.   16 巻 ( 10 ) 頁: 255-260   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  292. Progress on Charge Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots / SiO2 Structure as Evaluated by AFM/KFM

    K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    IEICE Trans. on Electronics   E91-C 巻 ( 5 ) 頁: 712-715   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  293. Crystallization of Amorphous Ge Films Induced by Semiconductor Diode Laser Annealing

    K. Sakaike, S. Higashi, H. Murakami, S. Miyazaki

    Thin Solid Films   516 巻   頁: 3595-3600   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  294. Growth of Si Crystalline in SiOx Films Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet

    T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H. Murakami, S. Miyazaki

    Solid-State Electronics   52 巻   頁: 377-380   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  295. Theoretical Investigation of Metal/Dielectric Interfaces -Breakdown of Schottky Barrier Limits-

    K. Shiraishi, T. Nakayama, T. Nakaoka, A. Ohta, S. Miyazaki

    ECS Trans.   13 巻 ( 2 ) 頁: 21-27   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  296. Photoemission Study of Metal/HfSiON Gate Stack

    S. Miyazaki, H. Yoshinaga, A. Ohta, Y. Akasaka, K. Shiraishi, K. Yamada, S. Inumiya, M. Kadoshima, Y. Nara

    ECS Trans.   13 巻 ( 2 ) 頁: 67-73   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  297. Effect of Annealing on Electronic Characteristics of HfSiON Films fabricated by Damascene Gate Process

    K. Yamabe, K. Murata, T. Hayashi, T. Tamura, M. Sato, A. uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T. Chikyow, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohji, S. Miyazaki, K. Yamada, R. Hasunuma

    ECS Trans.   16 巻 ( 5 ) 頁: 521-526   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  298. Practical dual-metal-gate dual-high-k CMOS integration technology for hp 32 nm LSTP utilizing process-friendly TiAlN metal gate

    M. Kadoshima, T. Matsuki, M. Sato, T. Aminaka, E. Kurosawa, A. Ohta, H. Yoshinaga, S. Miyazaki, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji

    International Electron Device Meeting 2007 (IEDM)(Washington DC)   20.4 巻   頁: 531-534   2007年12月

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    記述言語:英語  

  299. Performance Improvement of HfAlOxN n-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors by Controlling the Bonding Configuration of Nitrogen Atoms Coordinated to Hf Atoms 査読有り

    K. Iwamoto, T. Nishimura1, A. Ohta2, K. Tominaga, T. Nabatame, S. Miyazaki2, and A. Toriumi1,3

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁: 7666-7670   2007年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    A high-temperature oxygen annealing (HiTOA) process has been developed to recover the degradation of the electrical characteristics due to the nitrogen incorporation into the HfAlOx film. The HiTOA process was carried out after the introduction of the nitrogen atoms. This process affected the bonding configuration of the nitrogen atom coordinated to the hafnium atom, and reconverted the nitrogen atom into an oxygen one. Therefore, this substitution markedly recovered the gate leakage current through the HfAlOxN film with a slight increase in the equivalent oxide thickness. Additionally, it significantly improved the effective mobility of n+ polycrystalline silicon (poly-Si) gate n-channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (nMOSFETs).

  300. Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Si Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique

    T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Matsui, A. Masuda, M. Kondo

    2007 Int. Symposium on Dry Process (DPS2007)(Tokyo)   8-03 巻   頁: 157-158   2007年11月

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    記述言語:英語  

  301. High Efficiency Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si Films

    H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, S. Miyazaki

    5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo)   OA1 巻   頁: 51-52   2007年11月

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    記述言語:英語  

  302. Charge Injection Characteristics of NiSi-Dots/Silicon-Quantum-Dots Stacked Floating Gate in MOS Capacitors

    M. Ikeda, R. Matsumoto, K. Shimanoe, T. Okada, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki

    3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007)(Sendai)   P-08 巻   頁: 35-36   2007年11月

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    記述言語:英語  

  303. High Rate Growth of Crystalline Ge Films at Low Temperatures by Controlling 60MHz Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4

    S. Miyazaki, T. Sakata, K. Makihara, M. Ikeda

    3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007)(Sendai)   P-07 巻   頁: 33-34   2007年11月

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    記述言語:英語  

  304. Formation of PtSi Nanodots Induced by Remote H2 Plasma

    K. Shimanoe, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007), Sendai   P-09 巻   頁: 37-38   2007年11月

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    記述言語:英語  

  305. Impact of Low Temperature Anneal on Effective Work Function and Chemical Bonding Features for Ru/HfSiON/SiON Gate Stack

    A. Ohta, H. Yoshinaga, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Kadoshima, Y. Nara

    Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo)   OA3-1 巻   頁: 215-216   2007年11月

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    記述言語:英語  

  306. Evaluation of Effective Work Function in Ru/HfSiON/SiO2 Gate Stack Structures – Thickness Dependence in Bottom SiO2 layer

    H. Yoshinaga, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Kadoshima, Y. Nara,

    Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo)   P.-47 巻   頁: 181-182   2007年11月

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    記述言語:英語  

  307. The Impact of Post Deposition NH3-Anneal on La Oxide Films Formed by MOCVD Using La(DPM)3

    R. Yougauchi, A. Ohta, Y. Munetaka, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, (ISCSI-V)(Tokyo)   OA3-8 巻   頁: 227-228   2007年11月

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    記述言語:英語  

  308. High Rate Growth of Highly-Crystallized Ge Films on Quartzfrom VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4 + H2 査読有り

    T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi and S. Miyazaki

    Materials Science Forum   561-565 巻   頁: 1209-1212   2007年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have studied uniform growth of crystalline Ge films on quartz plate from VHF(60MHz)-ICP of 10% GeH4 diluted with H2 in the temperature range from 150 to 350&ordm;C. By
    optimizing total gas flow rate, gas pressure, VHF power and antenna-substrate distance, the growth
    rate as high as 7.4nm/s was obtained at 150&ordm;C and increased gradually up to ~7.9nm/s at 350&ordm;C. The
    crystallinity, which was evaluated by Raman scattering measurements as an integrated intensity ratio
    of TO phonons in crystalline phase to those in disordered phase, reached a value as high as ~93 % at350&ordm;C, but degraded down to 64% at 150&ordm;C as a result of the formation of a 60~70nm-thick amorphous incubation (A. I.) layer on quartz. By applying a two-step deposition method at 150&ordm;C, in which the GeH4 concentration was selected to be 0.6% for the crystalline nucleation in the first 10s
    deposition, being as thin as 10nm in thickness, and then changed to 10% GeH4 for the high rate growth, the crystallinity was improved to 78% with keeping an effective growth rate as high as 7.5nm/s, because of a significant increase in the growth rate after the crystalline nucleation.

  309. Characterization of Electronic Charged States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/ Kelvin Probe Technique 査読有り

    R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda,H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki

    Materials Science Forum   561-565 巻   頁: 1213-1216   2007年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have formed high density nanodots of nickel silicide (NiSi) on ultrathin SiO2 and characterized their electronic charged states by using an AFM/Kelvin probe technique. Si quantum dots (Si-QDs) with an areal dot density of ~2.5x1011cm-2 were self-assembled on
    ~3.6nm-thick thermally-grown SiO2 by controlling the early stages of LPCVD using pure SiH4 gas. Subsequently, electron beam evaporation of Ni was carried out as thin as ~1.7nm in equivalent thickness at room temperature and followed by 300&ordm;C anneal for 5min in vacuum.
    XPS and AFM measurements confirm the formation of NiSi dots with an average dot height of ~8nm. After removal of Ni residue on SiO2 by a dilute HCl solution, bias conditions required for electron charging to NiSi dots were compared with those to pure Si-QDs dots and Ni dots.
    The surface potential changes stepwise with respect to the tip bias due to multistep electron injection and extraction of NiSi nanodots. In addition, it is confirmed that charge retention characteristics of NiSi dots are superior to those of Si-QDs with the almost same size.

  310. Self-Assembling Formation of Ninanodots on SiO2 Induced by Remote H2-Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics

    K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)(Tsukuba)   I-8-1 巻   頁: 1108-1109   2007年9月

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    記述言語:英語  

  311. In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer During Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation

    H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki

    Solid State Device and Materials (SSDM2007)(Tsukuba)   P-1-27L 巻   頁: 376-377   2007年9月

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    記述言語:英語  

  312. Characterization of Multistep Electron Charging and Discharging of Silicon-Quantum-Dots Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases

    R. Matsumoto, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)(Tsukuba)   I-8-3 巻   頁: 1112-1113   2007年9月

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    記述言語:英語  

  313. Electroluminescence from Multiple-Stacked Structures of Impurity Doped Si Quantum Dots

    K. Okuyama, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)(Tsukuba)   E-1-4 巻   頁: 106-107   2007年9月

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    記述言語:英語  

  314. Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si films

    H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, S. Miyazaki

    The Fourteenth International Workshop on ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAY AND DEVICES(Awaji)   3-3 巻   頁: 33-36   2007年7月

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    記述言語:英語  

  315. Progress on Charge Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots/SiO2 Structure as Evaluated by AFM/KFM

    K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007) (Korea)   J-R22W 巻   頁: 251-254   2007年6月

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    記述言語:英語  

  316. Phosphorus Doping to Si Quantum Dots for Floating Gate Application

    K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, H. Murakami, R. Matsumoto, E. Ikenaga, M. Kobata, J. Kim, S. Higashi, S. Miyazaki

    2007 Silicon Nanoelectronics Workshop(Kyoto)   5-3 巻   頁: 161-162   2007年6月

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    記述言語:英語  

  317. Fermi-level pinning position modulation by Al-containing metal gate for cost-effective dual-metal/dual-high-k CMOS

    M. Kadoshima, Y. Sugita, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji

    The 2008 Symposium on VLSI Technology(Kyoto)   5A-1 巻   頁: 66-67   2007年6月

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    記述言語:英語  

  318. Characterization of Chemical Bonding Features and Defect State Density in HfSiOxNy/SiO2 Gate Stack

    A. Ohta, Y. Munetaka, A. Tsugou, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, Y. Nara

    15th biannual Conference on Insulating Films on Semiconductors 2007 (INFOS2007)(Greece)   session7 7.36 巻   頁: 251-254   2007年6月

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    記述言語:英語  

  319. Impact of Boron Doping to Si Quantum Dots on Light Emission Properties

    K. Okuyama, K. Makihara, A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007) (Korea)   J-R23M 巻   頁: 135-138   2007年6月

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    記述言語:英語  

  320. Hafnium 4f Core-level Shifts Caused by Nitrogen Incorporation in Hf-based High-k Gate Dielectrics 査読有り

    N. Umezawa1, K. Shiraishi2,1, S. Miyazaki3, T. Ohno1, T. Chikyow1, K. Yamada4,1, and Y. Nara5

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁: 3507-3509   2007年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Hafnium (Hf) 4f core-level binding energy shifts caused by Hf–N bond formation in hafnium oxynitride (HfOxNy) have been studied by first-principles calculations. Our computational results clearly showed that the Hf 4f core-level binding energies are reduced by 0.36 and 0.65 eV for Hf–N and N–Hf–N bond formation, respectively. These results are in good agreement with chemical shifts observed in the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) of HfOxNy films deposited on a Si(100) substrate. In the present work, we demonstrate that the first-principles calculation is a useful tool to clarify chemical environments of Hf-based high-k gate dielectrics.

  321. Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Electrical Charging Characteristics

    K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures(France)   22P 2-15 巻   頁: 313-314   2007年5月

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    記述言語:英語  

  322. Characterization of Metal/High-k Structures Using Monoenergetic Positron Beams 査読有り

    Akira Uedono, Tatsuya Naito, Takashi Otsuka, Kenichi Ito, Kenji Shiraishi, Kikuo Yamabe, Seiichi Miyazaki1, Heiji Watanabe2, Naoto Umezawa3, Toyohiro Chikyow3, Toshiyuki Ohdaira4, Ryoichi Suzuki4, Yasushi Akasaka5,, Satoshi Kamiyama5, Yasuo Nara5, and Keisaku Yamada6

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁: 3214-3218   2007年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The impact of TiN deposition on thin high-k (HfO2 and HfSiON) films formed on Si substrates was studied using monoenergetic positron beams. For the predeposition sample, the positrons implanted into Si diffuse toward the high-k/Si interface under the influence of the electric field, suggesting the presence of negative charges in the high-k films. After TiN was deposited on HfO2, positive charges were introduced at the TiN/HfO2 interface, which were associated with the incorporation of nitride into HfO2, resulting in the formation of positively charged oxygen vacancies (VOs). From the isochronal annealing experiments for TiN/HfSiON/Si, it was found that positively charged defects (such as VO) were introduced into HfSiON after annealing at 700–900 °C. These defects were introduced by the interaction between TiN and HfSiON, resulting in the formation of polycrystalline TiO2 at the interface. The positively charged defects were annealed out at 1100 °C, but the dielectric properties of HfSiON degraded.

  323. Low Temperature High-rate Growth of Crystalline Ge Films on Quartz and Crystalline Si Substrates from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4

    T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi, S. Miyazaki

    5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)(France)   21P1-7 巻   頁: 214-215   2007年5月

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    記述言語:英語  

  324. Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots 査読有り

    J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki

    Solid State Phenomena   121-123 巻   頁: 557-560   2007年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Light emitting diode with MOS structures containing multiple-stacked Si quantum dots(QDs)/SiO2 was fabricated and the visible-infrared light emission was observed a room temperature when the negative gate bias exceeded the threshold voltage. The luminescence intensity was
    increased linearly with increasing the injected current density. The possible luminescence mechanism was briefly discussed and the delta P doping was performed to obtain the doped Si QDsand the improvement of EL intensity was demonstrated.

  325. Luminescence Study of Multiply-Stacked Structures Consisting of Impurity-Doped Si Quantum Dots and Ultrathin SiO2

    K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki,

    The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)(Osaka)   PB-5 巻   頁: 121-122   2007年4月

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    記述言語:英語  

  326. Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bonds in HfSiON 査読有り

    Naoto Umezawa, Kenji Shiraishi1, Seiichi Miyazaki2, Akira Uedono1, Yasushi Akasaka3, Seiji Inumiya3, Ryu Hasunuma1, Kikuo Yamabe1, Hiroyoshi Momida4, Takahisa Ohno4, Kenji Ohmori, Toyohiro Chikyow, Yasuo Nara3, and Keisaku Yamada5

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁: 1891-1894   2007年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Silicon dangling bonds (Si-DBs) in HfSiOx have been studied using first-principles calculations. Interestingly, our computational result revealed that the Si-DB-related gap state in HfSiOx locates in a much lower energy region than that in SiOx. This is because Hf atoms enhance the ionic character of the HfSiOx film, which in turn induces a positive charge at the Si site. We consider that the low-lying Si-DB level, which is now very near the N 2p state, contributes to the formation of strong Si–N bonds in HfSiON. The lower shift of the Si-DB level upon cation metal inclusion can be useful information not only for improving the electric properties of high-k gate stacks but also for developing prominent silicon–oxide–nitride–oxide–silicon (SONOS) nonvolatile memories where controllability of the charge trap level is a crucial issue.

  327. Melting and Solidification of Microcrystalline Si Films Induced by Semiconductor Diode Laser Irradiation 査読有り

    Kohei Sakaike, Seiichiro Higashi, Hirotaka Kaku, Hideki Murakami, and Seiichi Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁: 1276-1279   2007年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Rapid thermal annealing of microcrystalline Si (&micro;c-Si) films induced by cw semiconductor diode laser (SDL) irradiation has been investigated. Owing to the higher absorption coefficient of &micro;c-Si than that of amorphous Si (a-Si), 1.2-&micro;m-thick &micro;c-Si films are melted and recrystallized within 3 ms, whereas no phase transformation of a-Si films is observed under the same annealing condition. The annealed Si films show a high crystalline volume fraction of 97% and [111] preferential orientation. Characteristic triangle surface structures aligned to the laser scanning direction, which suggests that the lateral solidification from molten Si is observed.

  328. Ultrarapid Thermal Annealing Induced by DC Arc Discharge Plasma Jet Its Application

    S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki

    5th International Symposium Nanotechnology (JAPAN NANO 2007)(Tokyo)   P3-2 巻   頁: 144-145   2007年2月

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    記述言語:英語  

  329. Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films

    S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki

    3rd International TFT Conference(Italy)   P21 巻   頁: 204-207   2007年1月

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    記述言語:英語  

  330. Growth of Si Crystalline in SiOx Films Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet

    T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H.Murakami, S. Miyazaki

    3rd International TFT Conference(Italy)   5a.3 巻   頁: 82-85   2007年1月

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    記述言語:英語  

  331. Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films, 3rd International TFT Conference, Rome, Italy, Jan.

    S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki,

    3rd International TFT Conference, Rome, Italy, Jan. 25-26, 2007, P21, pp     頁: 204-207.   2007年1月

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    記述言語:英語  

  332. Melting and Solidification of Microcrystalline Si Films Induced by Semiconductor Diode Laser Irradiation

    K. Sakaike, S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻 ( 3B ) 頁: 1276-1279   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  333. Control of Substrate Surface Temperature in Millisecond Annealing Technique Using Thermal Plasma Jet

    T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami, S. Miyazaki

    Thin Solid Films   515 巻   頁: 4897-4900   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  334. Electrical Characteristics of Lightly-Doped Si Films Crystallized by Thermal Plasma Jet Irradiation

    T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Maki, T. Sameshima

    Trans. of MRS-J   32 巻 ( 2 ) 頁: 465-468   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  335. Performance Improvement of HfAlOxN n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by Controlling the Bonding Configuration of Nitrogen Atoms Coordinated to Hf Atoms

    K. Iwamoto, T. Nishimura, A. Ohta, K. Tominaga, T. Nabatame, S. Miyazaki, A. Toriumi

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻 ( 12 ) 頁: 7666-7670   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  336. Theoretical Studies on Metal/High-k Gate Stacks

    K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, A. Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamabe, K. Yamada

    ECS Trans.   6 巻 ( 1 ) 頁: 191-204   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  337. Vacancy-fluorine complexes and their impact on the properties of metal-oxide transistors with high-k gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams

    A. Uedono, S. Inumiya, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki, S. Miyazaki, K. Yamada

    J. Appl. Phys   102 巻   頁: 054511-1 – 054511-7   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  338. Improvement in Fermi-Level Pinning of p-MOS Metal Gate Electodes on HfSiON by Employing Ru Gate Electrodes

    M. Kadoshima, Y. Suginta, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji

    ECS Trans.   11 巻 ( 4 ) 頁: 169-180   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  339. Characterization of Chemical Bonding Features and Defect State Density in HfSiOxNy/SiO2 Gate Stack

    A. Ohta, Y. Munetaka, A. Tsugou, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, Y. Nara

    Microelec. Eng.   84 巻   頁: 2386-2389   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  340. Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots for Floating Gate Application

    S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara

    ECS Trans.   11 巻 ( 6 ) 頁: 233-243   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  341. Characterization of Electronic Charged States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/Kelvin Probe Technique

    R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Materials Science Forum   561-565 巻   頁: 1213-1216   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  342. Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots

    J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Solid State Phenomena   121-123 巻   頁: 557-560   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  343. Vacancy-Type Defects in MOSFETs with High-k Gate Dielectrics Probed by Monoenergetic Positron Beams

    A. Uedono, R. Hasumuma, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Inumiya, Y. Akasaka, S. Kamiyama, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, S. Miyazaki, H. Watanab, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki, K. Yamada

    ECS Trans.   11 巻 ( 4 ) 頁: 81-90   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  344. Role of the Ionicity in Defect Formation in Hf-based Dielectrics

    N. Umezawa, K. Shiraishi, S. Miyazaki, A. Uedono, Y. Akasaka, S. Inumiya, A. Oshiyama, R. Hasunuma, K. Yamabe, H. Momida, T. Ohno, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamada

    ECS Trans.   11 巻 ( 4 ) 頁: 199-211   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  345. Tight distribution of dielectric characteristics of HfSiON in metal gate devices

    R. Hasumuma, T. Naito, C. Tamura, A. Uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Inumiya, M. Sato, Y. Tamura, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohji, S. Miyazaki, K. Yamada, K. Yamabe

    ECS Trans.   11 巻 ( 4 ) 頁: 3-11   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  346. Introduction of defects into HfO2 gate dielectrics by metal-gate deposition studied using x-ray photoelectron spectroscopy and positron annihilation

    1. A. Uedono, T. Naito, T. Otsuka, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, H. Watanabe

    J. Appl. Phys.   100 巻   頁: 064501-1 – 064501-5   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  347. Crystallization of Si in Millisecond Time Domain Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation

    S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 5B ) 頁: 4313-4320   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  348. Analysis of Transient Temperature Profile During Thermal Plasma Jet Annealing of Si Films on Quartz Substrate

    T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 5B ) 頁: 4355-4357   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  349. In-Situ Observation of Rapid Crystalline Growth Induced by Excimer Laser Irradiation to Ge/Si Stacked Structure

    A. Yamashita, Y. Okamoto, S. Higashi, S. Miyazaki, H. Watakabe, T. Sameshima

    Thin Solid Films   508 巻   頁: 53-56   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  350. High-rate Growth of Highly-crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plasma CVD

    N. Kosku, S. Miyazaki

    Thin Solid Films   511-512 巻   頁: 265-270   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  351. The Application of Very High Frequency Inductively-coupled Plasma to High-Rate Growth of Microcrystalline Silicon Films

    N. Kosku, S. Miyazaki

    J. Non-Cryst. Solid   352 巻   頁: 911-914   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  352. Growth of Crystallized Ge Films from VHF-Inductively Coupled Plasma of H2-Diluted GeH4

    T. Sakata, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki

    Thin Solid Films   515 巻 ( 12 ) 頁: 4971-4974   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  353. An Unfavorable Effect of Nitrogen Incorporation on Reduction in the Oxygen Vacancy Formation Energy

    N. Umezawa, K. Shiraishi, Y. Akasaka, S. Inumiya, A. Uedono, S. Miyazaki, T. Chikyow, T.Ohno, Y. Nara, K. Yamada

    Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁: 129-132   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  354. Photoemission Study of Ultrathin HfSiON/Si(100) Systems

    A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, Y. Nara

    Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁: 125-128   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  355. Photoemission Study of Ultrathin GeO2/Ge Heterostructures Formed by UV-O3 Oxidation

    A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Jour. of Sur. Sci. and Nanotech.   4 巻   頁: 174-179   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  356. Impact of Nitrogen Incorporation into Yittrium Oxide on Chemical Bonding Features and Electrical Properties

    H. Abe, H. Nakagawa, M. Taira, A. Ohta, S. Higashi, S. Miyazaki

    Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁: 157-160   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  357. Nitridation of Ge(100) Surfaces by Vacuum-ultra violet (VUV) Irradiation in NH3 Ambience

    H. Nakagawa, A. Ohta, M. Taira, H. Abe, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁: 153-156   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  358. Influence of thermal annealing on defect states and chemical structures in ultrathin Al2O3/SiN/poly-Si

    M. Taira, A. Ohta, H. Nakagawa, S. Miyazaki, K. Yoneda, M. Horikawa, K. Koyama

    Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁: 149-152   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  359. Characterization of FUSI-PtSi Formed on Ultrathin HfO2/Si(100) by Photoelectron Spectroscopy

    Y. Munetaka, F. Takeno, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁: 145-148   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  360. Depth Profiling of Chemical and Electronic Structures and Defects of Ultrathin HfSiON on Si(100)

    S. Miyazaki, A. Ohta, S. Inumiya, Y. Nara, K. Yamada

    ECS Trans.   3 巻 ( 3 ) 頁: 171-180   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  361. Physics of Metal/High-k Interfaces

    T. Nakayama, K. Shiraishi, S. Miyazaki, Y. Akasaka, K. Torii, P. Ahmet, K. Ohmori, N. Umezawa, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, A. Ohta, H. Iwai, K. Yamada, T. Nakaoka

    Physics of Metal/High-k Interfaces   3 巻 ( 3 ) 頁: 129-140   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  362. Multistep Electron Charging to and Discharging from Silicon-Quantum-Dots Floating Gate in nMOSFETs

    T. Nagai, M. Ikeda, Y. Shimizu, S. Higashi, S. Miyazaki

    Trans. of MRS-J   31 巻 ( 1 ) 頁: 137-140   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  363. Study of Charged States of Si Quantum Dots with Ge Core

    K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

    ECS Trans.   3 巻 ( 7 ) 頁: 257-262   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  364. Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots and Their Application to Floating Gate Memories

    S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara

    ECS Trans.   2 巻 ( 1 ) 頁: 157-164   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  365. Fabrication of Multiply-Stacked Si Quantum Dots for Floating Gate MOS Devices

    K. Makihara, M. Ikeda, T. Nagai, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Trans. of MRS-J   31 巻 ( 1 ) 頁: 133-136   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  366. Decay Characteristics of Electronic Charged States of Si Quantum Dots as Evaluated by an AFM/Kelvin Probe Technique

    J. Nishitani, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Thin Solid Films   508 巻 ( 1-2 ) 頁: 190-194   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  367. Characterization of Electronic Charged States of P-doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe

    K. Makihara, J. Xu, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Thin Solid Films   508 巻 ( 1-2 ) 頁: 186-189   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  368. Characterization of HfSiON gate dielectrics using monoenergetic positron beams

    1. A. Uedono, K. Ikeuchi, T. Otsuka, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, N. Umezawa, A. Hamid, T. Chikyow

    J. Appl. Phys.   99 巻   頁: 054507-1 – 054507-6   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  369. Control of the Nucleation Density of Si Quantum Dots by Remote Hydrogen Plasma Treatment

    K. Makihara, H. Deki, H. Murakami, S. Higasi, S. Miyazaki

    Appl. Surf. Sci.   244 巻 ( 1-4 ) 頁: 75-78   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  370. Analysis of Leakage Current through Al/HfAlOx/SiONx/Si(100) MOS Capacitors

    S. Nagamachi, A. Ohta, F. Takeno, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii

    Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁: 197-200   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  371. The Role of Oxygen-related Defects on the Reliabilities of HfO2-based High-k Gate Insulators

    K. Torii, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamabe, M. Boero, T. Chikyow, K. Yamada, H. Kitajima, T. Arikado

    Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁: 191-195   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  372. Impact of Rapid Thermal Anneal on ALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100) Stack Structures-Photoelectron Spectroscopy

    F. Takeno, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Komeda, M. Horikawa, K. Koyama

    Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁: 213-217   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  373. Characterization of Charge Trapping and Dielectric Breakdown of HfAlOX/SiON Dielectric Gate Stack

    Y. Pei, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii, Y. Nara

    ECS Trans.   1 巻 ( 1 ) 頁: 163-172   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  374. Characterization of Aluminum-Oxynitride Stacked Gate Dielectrics Prepared by a Layer-by-Layer Process of Chemical Vapor Deposition and Rapid Thermal Nitridation

    H. Murakami, W. Mizubayashi, H. Yokoi, A. Suyama, S. Miyazaki

    IEICE Trans. on Electronics   E88-C 巻 ( 4 ) 頁: 640-645   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  375. Characterization of Atom Diffusion in Polycrystalline Si/SiGe/Si Stacked Gate

    H. Murakami, Y. Moriwaki, M. Fujitake, D. Azuma, S. Higashi, S. Miyazaki

    IEICE Trans. on Electronics   E88-C 巻 ( 4 ) 頁: 646-650   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  376. Impact of Rapid Thermal Anneal on ALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100) Stack Structures-Photoelectron Spectroscopy

    F. Takeno, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Komeda, M. Horikawa, K. Koyama

    Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁: 213-217   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  377. Analysis of Leakage Current through Al/HfAlOx/SiONx/Si(100) MOS Capacitors

    S. Nagamachi, A. Ohta, F. Takeno, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii

    Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁: 197-200   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  378. Characterization of Electronic Charged States of Silicon Nanocrystals as a Floating Gate in MOS Structures

    S. Miyazaki, T. Shibaguchi, M. Ikeda

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   830 巻   頁: 249-254   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  379. Charging and Discharging Characteristics of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots

    T. Shibaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Miyazaki

    IEICE Trans. on Electronics   E88-C 巻 ( 4 ) 頁: 709-712   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  380. Electrical Characterization of HfAlOx/SiON Dielectric Gate Capacitors

    Y. Pei, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii

    Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁: 205-208   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  381. Crystallization of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet

    S. Higashi, H. Kaku, H. Taniguchi, H. Murakami, S. Miyazaki

    Thin Solid Films   487 巻   頁: 122-125   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  382. Crystallization of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet

    S. Higashi, H. Kaku, H. Taniguchi, H. Murakami, S. Miyazaki

    Thin Solid Films   487 巻   頁: 122-125   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  383. High-Rate Growth of Highly-Crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plasma CVD

    N. Kosku, S. Miyazaki

    Trans. of MRS-J   30 巻 ( 1 ) 頁: 279-282   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  384. Fabrication of Polycrystalline Si Thin Film Transistor Using Plasma Jet Crystalliztion Technique

    H. Kaku, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Asami, H. Watakabe, N. Andoh, T. Sameshima

    Trans. of MRS-J   30 巻 ( 1 ) 頁: 283-286   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  385. Application of Plasma Jet Crystallization Technique to Fabrication of Thin-Film Transistor

    S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki, H. Watakabe, N. Ando, T. Sameshima

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 巻 ( 3 ) 頁: L108-L110   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  386. Influence of Substrate dc Bias on Crystallinity of Silicon Films Grown at a High Rate from Inductively-coupled Plasma CVD

    N. Kosku, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Appl. Surf. Sci.   244 巻 ( 1-4 ) 頁: 39-42   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  387. A New Crystallization Technique of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet

    H. Kaku, S. Higashi, H. Taniguchi, H. Murakami, S. Miyazaki

    Appl. Surf. Sci.   244 巻 ( 1-4 ) 頁: 8-11   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  388. Characterization of Germanium Nanocrystallites Grown on SiO2 by a Conductive AFM Probe Technique

    K. Makihara, Y. Okamoto, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    IEICE Trans. on Electronics   E88-C 巻 ( 4 ) 頁: 705-708   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  389. Formation of Microcrystalline Germanium (mc-Ge:H) Films From Inductively-Coupled Plasma CVD

    Y. Okamoto, K. Makihara, H. Murakami, S. Higasi, S. Miyazaki

    Appl. Surf. Sci.   244 巻 ( 1-4 ) 頁: 12-15   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  390. Influence of Thermal Annealing on Compositional Mixing and Crystallinity of Highly-Selective Grown Si Dots with Ge Core

    Y. Darma, Hideki Murakami, S. Miyazaki

    Appl. Surf. Sci.   224 巻   頁: 156-159   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  391. New Analytical Modeling for Photoinduced Discharge Characteristics of Photoreceptors

    A. Teshima, S. Miyazaki,

    Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 8A ) 頁: 5129-5133   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  392. Electrical Characterization of Ge Microcrystallites by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probe

    K. Makihara, Y. Okamoto, H. Nakagawa, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Thin Solid Films   457 巻   頁: 103-108   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  393. Analysis of Soft Breakdown of 2.6-4.9nm-Thick Gate Oxides

    W. Mizubayashi, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 10 ) 頁: 6925-6929   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  394. Statistical Analysis of Soft and Hard Breakdown in 1.9-4.8nm-thick Gate Oxides, IEEE Electron Device Lett.

    W. Mizubayashi, Y. Yoshida, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Hirose

    IEEE Electron Device Lett   25 巻 ( 5 ) 頁: 305-307   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  395. Praseodymium silicate formed by postdeposition high-temperature annealing

    A. Sakai, S. Sakashita, M. Sakashita, S. Zaima, S. Miyazaki

    Appl. Phys. Lett.   85 巻 ( 22 ) 頁: 5322-5324   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  396. Impact of Rapid Thermal O2 Anneal on Dielectric Stack Structures of Hafnium Aluminate and Silicon Dioxide Formed on Si(100)

    A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, T, Kawahara, K. Torii, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 11B ) 頁: 7831-7836   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  397. Photoelectron Spectroscopy of ultrathin yttrium oxide films on Si(100)

    A. Ohta, M. Yamaoka, S. Miyazaki

    Microelec. Eng.   72 巻   頁: 154-159   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  398. Characterization of Interfacial Oxide Layers in Heterostructures of Hafnium Oxides Formed on NH3-nitrided Si(100)

    H. Nakagawa, A. Ohta, F. Takeno, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 11B ) 頁: 7890-7894   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  399. Influence of Boron and Fluorine Incorporation on the Network Structure of Ultrathin SiO2 査読有り

    S. Miyazaki, K. Morino and M. Hirose

      76-77 巻   頁: 149-152   2001年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Incorporation of boron and fluorine atoms in to an ultrathin SiO2 layer during a p+-polySi gate fabrication process with BF2+ or B+ implantation and its influence on the SiO2 bonding network have been studied by FT-IR and XPS in conjunction with SiO2 thinning by dilute HF etching. The analysis of F1s core spectrum measured at each SiO2 thinning step shows that fluorine atoms pile up in the SiO2 network near the SiO2/Si interface in bonding forms of mainly F-SiO3 or F-BO3 units and partly F-O units. Also, boron pile-up near the interface has been confirmed from the depth profiling of the IR absorption bands due to B-F and B-O bonds. The thickness dependence of the LO phonon frequency for the oxides with B or B/F incorporation indicates that not only fluorine atoms but also three-coordinate boron atoms in the interfacial region relax built-in compressive stress in the oxide network near the interface

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書籍等出版物 12

  1. 化学便覧 第7版 応用化学編

    宮崎誠一( 担当: 共著)

    日本化学会編,丸善出版(株)  2014年 

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    記述言語:日本語

    Ⅱ基礎的化学技術/材料,7章 電子・光材料プロセス技術
    7.3.2 CVD技術

  2. 薄膜工学(第2版)分担執筆 第2章3節「化学気相成長法」

    宮崎誠一( 担当: 単著)

    丸善出版  2011年6月 

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    記述言語:日本語

  3. マイクロ・ナノ領域の超精密技術第3章2節「半導体デバイス」ⅠSi系(極微細化の観点を中心にして)

    宮崎誠一( 担当: 単著)

    オーム社  2011年3月 

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    記述言語:日本語

  4. 実用薄膜プロセス―機能創製・応用展開― 第1編「創製技術」第5章「CVD」

    宮崎誠一( 担当: 単著)

    技術教育出版社  2009年 

     詳細を見る

    記述言語:日本語

  5. プラズマ・核融合学会誌 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3.結晶化・相変化制御への応用」

    東 清一郎, 宮崎 誠一( 担当: 共著)

    2009年 

     詳細を見る

    記述言語:日本語

  6. 次世代半導体メモリの最新技術 第6章分担執筆:「シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発」

    ( 担当: 単著)

    シーエムシー出版  2009年 

     詳細を見る

    記述言語:日本語

  7. プラズマ・核融合学会誌85(3) 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3.結晶化・相変化制御への応用」

    東 清一郎, 宮崎 誠一( 担当: 共著)

    プラズマ・核融合学会  2009年 

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    記述言語:日本語

  8. 実用薄膜プロセス―機能創製・応用展開― 第1編「創製技術」第5章「CVD」

    ( 担当: 単著)

    技術教育出版社  2009年 

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    記述言語:日本語

  9. 究極のかたちをつくる 第1章分担執筆:「ナノサイズのかたちをつくる」

    ( 担当: 単著)

    日刊工業新聞社  2009年 

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    記述言語:日本語

  10. 次世代半導体メモリの最新技術 第6章

    ( 担当: 共著)

    シーエムシー出版  2009年 

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    記述言語:日本語

    シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発

  11. 薄膜ハンドブック 第II編 第1章 1.3.4 CVD(編集・分担執筆 )

    宮崎 誠一( 担当: 単著)

    Ohmsha  2008年 

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    記述言語:日本語

  12. 表面科学の基礎と応用(第3編、第1章・第2節)

    ( 担当: 共著)

    エヌ・ティー・エス  2004年 

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    記述言語:日本語

    Siの熱酸化機構、Si表面の熱酸化、Si酸化膜の構造、極薄Si酸化膜およびSi/SiO2界面の分析

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講演・口頭発表等 722

  1. HCl前洗浄がAl2O3/GaN界面特性に与える影響

    長井 大誠、田岡 紀之、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

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    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  2. XANAMにより測定したGe量子ドット像のX線エネルギー依存性

    鈴木 秀士、向井 慎吾、田 旺帝、野村 昌治、藤森 俊太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、朝倉 清高

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月17日 

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    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  3. XANAMによるSi-Ge量子ドットにおけるX線誘起力変化の調査

    鈴木 秀士、向井 慎吾、田 旺帝、野村 昌治、藤森 俊太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、朝倉 清高

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  4. リモート水素プラズマ支援FePt合金ナノドット自己組織化形成プロセスにおける基板温度が磁化特性に与える影響

    本田 俊輔、古幡 裕志、大田 晃生、池田 弥央、大島 大輝、加藤 剛志、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  5. 低温水素アニール処理がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響

    前原 拓哉、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  6. Segregation Control for Ultrathin Ge Layer in Al/Ge(111) system 国際会議

    A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月7日 - 2021年3月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  7. Influence of Substrate Temperature on Plasma-Enhanced Self-Assembling Formation of High Density FePt-Nanodot 国際会議

    S. Honda, K. Makihara, H. Furuhata, A. Ohta, M. Ikeda, T. Kato, D. Oshima, and S. Miyazaki

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月7日 - 2021年3月11日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  8. High-Density Formation of FeSi2 Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

    H. Zhixue, H, Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月7日 - 2021年3月11日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  9. Magnetoelectronic Transport Characteristics of Fe3Si Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

    W. Jialin, H. Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月7日 - 2021年3月11日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  10. Characterization of Electron Field Emission from Phosphorus δ-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures 国際会議

    T. Takemoto, T. Niibayashi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月7日 - 2021年3月11日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  11. [チュートリアル]組成・状態評価 招待有り

    宮﨑 誠一

    日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 リトリート学習会2021  2021年3月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月5日 - 2021年3月6日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  12. 金属Hf/Zrの熱酸化プロセスが結晶相と強誘電特性に与える影響

    長谷川 遼介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第26回)  2021年1月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月22日 - 2021年1月23日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  13. Sapphire(0001)上アモルファスGe薄膜の固相結晶化

    須川 響、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第26回)  2021年1月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月22日 - 2021年1月23日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  14. Ag/Ge構造の表面偏析制御と平坦化による極薄Ge結晶形成

    大田 晃生、山田 憲蔵、須川 響、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第26回)  2021年1月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月22日 - 2021年1月23日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  15. グラフェン電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電子放出特性評価

    新林 智文、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第20回日本表面真空学会中部支部学術講演会  2020年12月19日  日本表面真空学会中部支部

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  16. Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode 国際会議

    Tomofumi Niibayashi, Tatsuya Takemoto, Katsunori Makihara, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, and Seiichi Miyazaki

    PRiME 2020 (238th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月4日 - 2020年10月9日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:All-VIRTUAL conference   国名:アメリカ合衆国  

  17. Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing 国際会議

    Hibiki Sugawa, Akio Ohta, Masato Kobayashi, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara and Seiichi Miyazaki

    PRiME 2020 (238th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月4日 - 2020年10月9日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:All-VIRTUAL conference   国名:アメリカ合衆国  

  18. Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe 国際会議

    Jialin Wu, Hai Zhang, Hiroshi Furuhata, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta and Seiichi Miyazaki

    PRiME 2020 (238th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月4日 - 2020年10月9日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:All-VIRTUAL conference   国名:アメリカ合衆国  

  19. Growth of Ultrathin Ge Crystal Layer by Surface Segregation and Flattening of Ag/Ge Structure 国際会議

    Akio Ohta, Kenzou Yamada, Hibiki Sugawa, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, an Seiichi Miyazaki

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)  2020年9月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月27日 - 2020年9月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:All-VIRTUAL conference   国名:日本国  

  20. グラフェン上部電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出 ―コレクタ電極電圧依存性評価

    2020年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  21. XANAMによるGe量子ドット像の1次元 元素マッピング

    2020年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  22. 金属Zr/Hf構造の熱酸化によるZrHf酸化物の形成と結晶相制御

    2020年9月10日 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  23. Si-Ge系ナノドットの高密度集積と光・電子物性制御 招待有り

    牧原 克典、宮﨑 誠一

    阪大CSRN 第二回異分野研究交流会 ~半導体ナノカーボン系~  2020年8月28日 

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    開催年月日: 2020年8月28日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  24. Photoemission Study of Chemically-Cleaned GaN Surfaces and GaN-SiO2 Interfaces Formed by Remote Plasma CVD 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki, and A. Ohta

    Material Research Meeting 2019 (MRM 2020) 

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    開催年月日: 2019年12月10日 - 2019年12月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Yokohama   国名:日本国  

  25. Light Emission from Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki

    7th Global Nanotechnology Congress and Expo: Nanotechnology 2019 

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    開催年月日: 2019年12月2日 - 2019年12月4日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Kuala Lumpur   国名:マレーシア  

  26. Formation of High Density Fe-silicide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of Their Magnetic Properties 招待有り 国際会議

    J. Wu, H. Furuhata, H. Zhang, Y. Hashimoto, M. Ikeda, A. Ohta, A. Kohno, K. Makihara, and S. Miyazaki

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

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    開催年月日: 2019年11月27日 - 2019年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  27. Fabrication of Impurity Doped Si Quantum Dots with Ge Core for Light Emission Devices 招待有り 国際会議

    K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月27日 - 2019年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  28. Application of Surface Chemical Imaging by XANAM to Ge Surfaces 招待有り 国際会議

    S. Suzuki, S. Mukai, W. J. Chun, M. Nomura, S. Fujimori, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, and K. Asakura

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

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    開催年月日: 2019年11月27日 - 2019年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  29. Characterization of Photoluminescence from Si-QDs with B δ-Doped Ge Core 招待有り 国際会議

    T. Maehara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

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    開催年月日: 2019年11月27日 - 2019年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  30. High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Magnetic Fe-silicide Nanodots 招待有り 国際会議

    H. Zhang, X. Liu, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月27日 - 2019年11月30日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  31. Formation of High Density PtAl Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Exposure 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki

    41st International Symposium on Dry Process (DPS 2019) 

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    開催年月日: 2019年11月21日 - 2019年11月22日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hiroshima   国名:日本国  

  32. Fabrication and Characterization of Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots for Light Emission 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki

    2nd Int. Conf. on Photonics Research: InterPhotonics 2019 

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    開催年月日: 2019年11月4日 - 2019年11月9日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Antalya   国名:トルコ共和国  

  33. Operand Study of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 招待有り 国際会議

    M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019) 

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    開催年月日: 2019年11月1日 - 2019年11月3日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  34. Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 招待有り 国際会議

    S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019) 

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    開催年月日: 2019年11月1日 - 2019年11月3日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  35. Determination of Complex Dielectric Function of Oxide Film from Photoemission Measurements 招待有り 国際会議

    A. Ohata, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019) 

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    開催年月日: 2019年11月1日 - 2019年11月3日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  36. Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 招待有り 国際会議

    K. Makihara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2019) 

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    開催年月日: 2019年10月28日 - 2019年10月31日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hiroshima   国名:日本国  

  37. Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing 招待有り 国際会議

    M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

    32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月28日 - 2019年10月31日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hiroshima   国名:日本国  

  38. Study on Light Emission from Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki

    World Congress on Lasers, Optics and Photonics 

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    開催年月日: 2019年9月23日 - 2019年9月25日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Barcelona   国名:スペイン  

  39. Impact of Post Deposition Annealing on Chemical Bonding Features and Filled Electronic Defects of AlSiO/GaN(0001) Structure 招待有り 国際会議

    A. Ohta, D. Kikuta, T. Narita, K. Itoh, K. Makihara, T. Kachi, and S. Miyazaki

    2019 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2019) 

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    開催年月日: 2019年9月2日 - 2019年9月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University   国名:日本国  

  40. Characterization of Electron Field Emission from Si Quantum Dots with Ge Core/Si Quantum Dots Hybrid Stacked Structures 招待有り 国際会議

    T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    2019 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2019) 

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    開催年月日: 2019年9月2日 - 2019年9月5日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya University   国名:日本国  

  41. Characterization of Ni/GaN(0001) Interfaces by Photoemission Measurements 招待有り 国際会議

    K. Watanabe, A. Ohta, N. Taoka, H. Yamada, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S.Miyazaki

    2019 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2019) 

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    開催年月日: 2019年9月2日 - 2019年9月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University   国名:日本国  

  42. Growth of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 招待有り 国際会議

    M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2019 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月2日 - 2019年9月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University   国名:日本国  

  43. Formation of high density Fe-silicide nanodots induced by remote H2 plasma and their magnetic properties 招待有り 国際会議

    Y. Hashimoto, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, A. Kohno, and S. Miyazaki

    The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2019 (APAC-Silicide 2019) 

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    開催年月日: 2019年7月20日 - 2019年7月23日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Seagaia Convention Center, Miyazaki   国名:日本国  

  44. [チュートリアル] 薄膜評価法-組成・状態評価 招待有り

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    開催年月日: 2019年7月5日 - 2019年7月6日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  45. Characterization of Electron Field Emission of Multiply-Stacked Si-QDs/SiO2 Structures 招待有り 国際会議

    T. Takemoto, Y. Futamura, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2019) 

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    開催年月日: 2019年7月1日 - 2019年7月3日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Busan   国名:大韓民国  

  46. Effect of B-doping on Photoluminescence Properties of Si-QDs with Ge Core 招待有り 国際会議

    S. Fujimori, R. Nagai, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference; 10th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/ 12th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) 

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    開催年月日: 2019年6月2日 - 2019年6月6日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:University of Wisconsin-Madison   国名:アメリカ合衆国  

  47. Fabrication and Characterization of Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots for Light and Electron Emissions 国際会議

    S. Miyazaki

    World Chemistry Forum 2019 (WCF-2019) 

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    開催年月日: 2019年5月22日 - 2019年5月24日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Catalonia Barcelona Plaza, Barcelona   国名:スペイン  

  48. Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Electroluminescent Devices 招待有り 国際会議

    K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW2019) 

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    開催年月日: 2019年5月19日 - 2019年5月23日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Nara   国名:日本国  

  49. Photoemission Characterization of Interface Dipoles and Electronic Defect States for Gate Dielectrics 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki and A. Ohta

    2019 International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT 7) 

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    開催年月日: 2019年5月19日 - 2019年5月23日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Kyoto   国名:日本国  

  50. 電子デバイス・材料開発に向けたナノスケールスタック構造・界面の光電子分光分析 招待有り

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    開催年月日: 2019年1月24日 - 2019年1月26日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  51. Photoemission Study of Gate Dielectrics and Stack Interfaces 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki, and A. Ohta

    2018 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2018) 

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    開催年月日: 2018年9月9日 - 2018年9月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  52. Formation and Characterization of Si/Ge Quantum Dots for Optoelectronic Application 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda, and A. Ohta

    International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (Thermec' 2018) 

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    開催年月日: 2018年7月8日 - 2018年7月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Paris   国名:フランス共和国  

  53. Si-Geスーパーアトム構造の高密度集積と光・電子物性制御 招待有り

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    開催年月日: 2018年6月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  54. Local Structure of High Performance TiOx Passivating Layer Revealed by Electron Energy Loss Spectroscopy 国際会議

    T. Mochizuki, K. Gotoh, A. Ohta, Y. Kurokawa, S. Miyazaki, T. Yamamoto, N. Usami

    2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC-7) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC) 

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    開催年月日: 2018年6月10日 - 2018年6月15日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:WAIKOLOA, HAWAII   国名:アメリカ合衆国  

  55. Si-Ge系コア・シェル量子構造の高密度集積と光・電子物性制御 招待有り

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    開催年月日: 2018年3月17日 - 2018年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  56. Oxidation of GaN surface by remote oxygen plasma 国際会議

    T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

    The 39th International Symposium on Dry Process (DPS2017)  

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    開催年月日: 2017年11月16日 - 2017年11月17日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo Tech Front (Kuramae Kaikan)   国名:日本国  

  57. Ultrathin Ge Growth on Flat Ag Surface in Hetero-Epitaxial Ag/Ge Structure by Annealing 国際会議

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    The 30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月6日 - 2017年11月9日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:The Ramada Plaza Jeju Hotel (Jeju, Korea)   国名:大韓民国  

  58. Evaluation of Resistive Switching Properties of Si-Rich Oxide Embedded with Ti Nanodots by Applying Constant Voltage and Constant Current 国際会議

    A. Ohta, Y. Kato, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    The 30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2017) 

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    開催年月日: 2017年11月6日 - 2017年11月9日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:The Ramada Plaza Jeju Hotel (Jeju, Korea)   国名:大韓民国  

  59. GaN-MOSデバイス開発に向けたゲート絶縁膜及び界面の光電子分光分析

    宮﨑 誠一

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2017年11月1日 - 2017年11月2日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  60. 硬 X 線光電子分光法による Si 量子ドット多重集積構造のオペランド分析

    中島 裕太、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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    開催年月日: 2017年10月28日 - 2017年10月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学IB電子情報館   国名:日本国  

  61. Ge コア Si 量子ドットの EL 特性評価

    山田 健太郎、池田 弥央、牧原 克典、大田 晃生、宮﨑 誠一

    第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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    開催年月日: 2017年10月28日 - 2017年10月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学IB電子情報館   国名:日本国  

  62. 熱処理によるエピタキシャル Ag 上への Ge 二次元結晶の合成指針の構築

    伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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    開催年月日: 2017年10月28日 - 2017年10月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学IB電子情報館   国名:日本国  

  63. 熱処理がリモートプラズマ CVD SiO2/GaN 構造の化学結合状態及び電気特性に与える影響

    グェンスァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一

    第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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    開催年月日: 2017年10月28日 - 2017年10月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学IB電子情報館   国名:日本国  

  64. リモートプラズマ酸化した GaN の表面構造と電子状態

    山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一

    第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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    開催年月日: 2017年10月28日 - 2017年10月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学IB電子情報館   国名:日本国  

  65. 入射エネルギー可変の真空紫外光電子分光による固体表面の価電子帯上端位置の計測

    今川 拓哉、大田 晃生、田岡 紀之、藤村 信幸、グェンスァン チュン、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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    開催年月日: 2017年10月28日 - 2017年10月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学IB電子情報館   国名:日本国  

  66. 高誘電率絶縁膜/SiO2積層構造の光電子分光分析 -界面ダイポールと酸素密度の相関-

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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    開催年月日: 2017年10月28日 - 2017年10月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学IB電子情報館   国名:日本国  

  67. Ultrathin Ge Growth on Ag Surface by Annealing of Hetero-Epitaxial Ag/Ge(111) 国際会議

    A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8) 

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    開催年月日: 2017年10月22日 - 2017年10月26日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tsukuba International Congress Center   国名:日本国  

  68. Processing and Characterization of High Density Si/Ge Quantum Dots for Electroluminescent Devices 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki, K. Yamada, K. Makihara, and M. Ikeda

    The 232nd Meeting of The Electrochemical Society (ECS Meeting) 

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    開催年月日: 2017年10月1日 - 2017年10月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:National Harbor MD   国名:アメリカ合衆国  

  69. Characterization of Interfacial Dipoles at Dielectric Stacks by XPS Analysis 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki, A. Ohta, and N. Fujimura

    The 232nd Meeting of The Electrochemical Society (ECS Meeting) 

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    開催年月日: 2017年10月1日 - 2017年10月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:National Harbor MD   国名:アメリカ合衆国  

  70. Direct Observation of Electrical Dipole and Atomic Density at High-k Dielectrics/SiO2 Interface 国際会議

    N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    SSDM2017 

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    開催年月日: 2017年9月19日 - 2017年9月22日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  71. High Thermal Stability of Abrupt SiO2/GaN Interface with Low Interface State Density 国際会議

    T. X. Nguyen, N. Taoka, A. Ohta , K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

    SSDM2017 

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    開催年月日: 2017年9月19日 - 2017年9月22日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  72. Growth of 2D Crystal of Group-IV Elements on Epitaxial Ag (111) 国際会議

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    SSDM2017 

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    開催年月日: 2017年9月19日 - 2017年9月22日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  73. Challenges in Si-Based Nanotechnology:Fabrication and Characterization of Multistack Si/Ge Quantum Dots for Novel Functional Devices 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki

    The 5th International Conference on Advanced Materials Science and Technology 2017 (ICAMST 2017) 

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    開催年月日: 2017年9月19日 - 2017年9月20日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Makassar   国名:インドネシア共和国  

  74. リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の熱安定性

    グェンスァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス   国名:日本国  

  75. 熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御

    伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス   国名:日本国  

  76. Study of Wet Chemical Treatments of Epitaxial GaN(0001) Surface

    L. Peng, A. Ohta, N. X. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, N. Taoka, T.Narita, K. Itoh, D. Kikuta, K. Shiozaki, T.Kachi, S. Miyazaki

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    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  77. 電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造の発光特性

    牧原 克典、池田 弥央、藤村 信幸、大田 晃生、宮﨑 誠一

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス   国名:日本国  

  78. 真空紫外光電子分光によるGaNの電子親和力評価

    今川 拓哉、大田 晃生、藤村 信幸、グェン スァン チュン、池田 弥央、牧原 克典、加地 徹、塩崎 宏司、宮﨑 誠一

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス   国名:日本国  

  79. XPSによるHigh-k/SiO2界面のダイポール定量と酸素密度比との相関

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス   国名:日本国  

  80. リモート酸素プラズマで形成したGa酸化物/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的特性

    山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェン スァチュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月5日 - 2017年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス   国名:日本国  

  81. グリーンナノエレクトロニクスのための材料・プロセスインテグレーション - 超低消費電力次世代トランジスタ開発 -

    宮﨑 誠一

    SPring-8シンポジウム2017 

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    開催年月日: 2017年9月4日 - 2017年9月5日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:広島大学 東千田未来創生センター   国名:日本国  

  82. 高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定および SiO2 との界面で生じる電位変化の定量

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2017年真空・表面科学合同講演会 

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    開催年月日: 2017年8月17日 - 2017年8月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市立大学金沢八景キャンパス   国名:日本国  

  83. リモート酸素プラズマ支援 CVD による急峻 SiO2/GaN 界面の形成とその電気的特性

    N. X. Truyen、田岡 紀之、大田 晃生、 山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一

    2017年真空・表面科学合同講演会 

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    開催年月日: 2017年8月17日 - 2017年8月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市立大学金沢八景キャンパス   国名:日本国  

  84. [チュートリアル] 組成・状態分析 招待有り

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    開催年月日: 2017年7月28日 - 2017年7月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  85. Fabrication of Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots for Light/Electron Emission Devices 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki, K. Yamada, Y. Nakashima, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda

    The 1st International Semiconductor Conference for Global Challenges (ISCGC-2017) 

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    開催年月日: 2017年7月16日 - 2017年7月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Nanjing   国名:中華人民共和国  

  86. Study of Light Emission from Si Quantum Dots with Ge Core 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki, K. Yamada, M. Ikeda, and K. Makihara

    Frontiers in Materials Processing Applications, Research and Technology (FiMPART'17) 

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    開催年月日: 2017年7月9日 - 2017年7月12日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Bordeaux   国名:フランス共和国  

  87. Abrupt SiO2/GaN Interface Properties Formed by Remote Plasma Assisted CVD 国際会議

    N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

    AWAD2017(2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices) 

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    開催年月日: 2017年7月3日 - 2017年7月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hotel Hyundai (Gyeongju), Gyeongju-si, Korea   国名:大韓民国  

  88. Magnetoelectronic Transport of Double Stack FePt Nanodots 国際会議

    K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    AWAD2017(2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月3日 - 2017年7月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hotel Hyundai (Gyeongju), Gyeongju-si, Korea   国名:大韓民国  

  89. Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy 国際会議

    A. Ohta

    INFOS 2017(20th Conference on Insulating Films on Semiconductors) 

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    開催年月日: 2017年6月27日 - 2017年6月30日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Seminaris SeeHotel Potsdam(Potsdam, Germany)   国名:ドイツ連邦共和国  

  90. Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diodes as Evaluated from HAXPES Analysis 国際会議

    A. Ohta

    INFOS 2017(20th Conference on Insulating Films on Semiconductors) 

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    開催年月日: 2017年6月27日 - 2017年6月30日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Seminaris SeeHotel Potsdam(Potsdam, Germany)   国名:ドイツ連邦共和国  

  91. 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価

    大田 晃生、加藤 祐介、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 

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    開催年月日: 2017年6月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:キャンパス・イノベーションセンター東京   国名:日本国  

  92. エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

    伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 

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    開催年月日: 2017年6月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:キャンパス・イノベーションセンター東京   国名:日本国  

  93. XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 

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    開催年月日: 2017年6月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:キャンパス・イノベーションセンター東京   国名:日本国  

  94. Photoemission study of gate dielectrics on gallium nitride 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki, N. X. Truyen, and A. Ohta

    ULSIC vs TFT: 6th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors 

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    開催年月日: 2017年5月21日 - 2017年5月25日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Schloss Hernstein Seminar Hotel, Schloss Hernstein, Hernstein   国名:オーストリア共和国  

  95. Characterization of Electroluminescence from Si-QDs with Ge Core 国際会議

    K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    ICSI-10(The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月14日 - 2017年5月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:The University of Warwick(Coventry, UK)   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  96. Fabrication and Magnetoelectronic Transport Fe3Si-Nanodots on Ultrathin SiO2 国際会議

    K. Makihara, H. Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    ICSI-10(The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures) 

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    開催年月日: 2017年5月14日 - 2017年5月19日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:The University of Warwick(Coventry, UK)   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  97. Evaluation of Potential Distribution in Multiple Stacked Si Quantum Dots Structure by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

    Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    ICSI-10(The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月14日 - 2017年5月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:The University of Warwick(Coventry, UK)   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  98. High Density Formation of and Light Emission from Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議

    S. Miyazaki, K. Yamada, M. Ikeda, and K. Makihara

    2017MRS SPRING MEETING 

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    開催年月日: 2017年4月17日 - 2017年4月21日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:PHOENIX CONVENTION CENTER   国名:アメリカ合衆国  

  99. Si 細線構造への高密度 Si 量子ドット形成と発光特性

    高 磊、池田 弥央、山田 健太郎、牧原 克典、大田 晃生、宮﨑 誠一

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  100. XPSによるHfO2の電子親和力と界面ダイポールの定量

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  101. ドライおよびN2O酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電 子占有欠陥評価

    渡辺 浩成、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、森 大輔、寺尾 豊、宮﨑 誠一

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  102. Ge上にエピタキシャル成長したAg(111)表面の平坦化お よび化学構造評価

    伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  103. リモートプラズマ支援 CVD SiO2/GaN の界面特性

    グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山本 泰史、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  104. リモート酸素プラズマによるGaN表面酸化

    山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェンスァ ン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮﨑 誠一

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  105. 硬X線光電子分光法によるSi-MOSダイオードのオペラ ンド分析 -電位変化および化学結合状態評価-

    大田 晃生、村上 秀樹、池田 弥央、牧原 克典、池永 英司、宮﨑 誠一

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  106. Ge コアSi 量子ドットの発光特性評価

    山田 健太郎、牧原 克典、池田 弥央、大田 晃生、宮﨑 誠一

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  107. 硬X線光電子分光を用いたSi量子ドット多重集積構造の 電位分布評価

    中島 裕太、竹内 大智、 牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月14日 - 2017年3月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  108. Impact of Thermal Annealing on Mophology and Chemical Bonding Features at Epitaxial Ag(111) Surface Grown on Ge(111) 招待有り 国際会議

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 

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    開催年月日: 2017年3月1日 - 2017年3月5日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kasugai   国名:日本国  

  109. Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of GaN Surface 国際会議

    A. Ohta

    ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 

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    開催年月日: 2017年3月1日 - 2017年3月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  110. Evaluation of Dielectric Function of Oxide Thin Films from Photoemission Measurements 国際会議

    T. Yamamoto, A. Ohta, M.Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar 

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    開催年月日: 2017年2月13日 - 2017年2月14日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  111. Potential Change and Electrical Dipole at Ultrathin Oxide/Semiconductor Interfaces as Evaluated by XPS 国際会議

    N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar 

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    開催年月日: 2017年2月13日 - 2017年2月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  112. Characterization of Remote Plasma CVD SiO2 on GaN(0001) 国際会議

    N. X. Truyen, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar 

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    開催年月日: 2017年2月13日 - 2017年2月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  113. Formation of Si-based Quantum Dots on Sub-micron patterned Si Substrates 国際会議

    M. Ikeda, L. Gao, K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki

    10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年2月13日 - 2017年2月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  114. Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of Oxide Thin Films and Wide Bandgap Semiconductors 国際会議

    A. Ohta, T. Yamamoto, N. X. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年2月13日 - 2017年2月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  115. Characterization of Field Electron Emission from Multiply-Stacking Si Quantum Dots 国際会議

    Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar 

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    開催年月日: 2017年2月13日 - 2017年2月14日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  116. Chemical Analysis of Epitaxial Ag(111) Surface formed on Group-IV Semiconductors 国際会議

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar 

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    開催年月日: 2017年2月13日 - 2017年2月14日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  117. Luminescence Studies of High Density Si Quantum Dots with Ge core 国際会議

    K. Yamada, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSJP Core-to-Core Program Joint Seminar 

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    開催年月日: 2017年2月13日 - 2017年2月14日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  118. 光電子分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaNの化学結合状態および電子占有欠陥評価

    グェン チュンスァン、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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    開催年月日: 2017年1月20日 - 2017年1月21日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ研修センター(静岡県三島市)   国名:日本国  

  119. X線光電子分光法による極薄酸化物積層構造の電位変化・ダイポール評価

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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    開催年月日: 2017年1月20日 - 2017年1月21日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ研修センター(静岡県三島市)   国名:日本国  

  120. 熱酸化SiO₂/4H-SiCSi面およびC面の電子専有欠陥および化学構造評価

    渡辺 浩成、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、森 大輔、寺尾 豊、宮﨑 誠一

    第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会 

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    開催年月日: 2016年12月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  121. HfO₂/SiO₂/Si構造の光電子分光分析ー界面ダイポールの定量ー

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会 

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    開催年月日: 2016年12月17日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  122. Characterization of Magnetoelectronic Transport through Double Stack FePt Nanodots on Ultrathin SiO2/c-Si by Conductive-probe AFM 国際会議

    S. Miyazaki

    ICSPM24 

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    開催年月日: 2016年12月14日 - 2016年12月16日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  123. Processing and Characterization of Si/Ge Quantum Dots 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda

    2016 IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting) 

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    開催年月日: 2016年12月3日 - 2016年12月7日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Hilton San Francisco Union Square(San Francisco, CA)   国名:アメリカ合衆国  

  124. シリコン酸化薄膜の電気抵抗スイッチングおよび欠陥準位密度評価 国際会議

    加藤 祐介、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2016 真空・表面科学合同講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月29日 - 2016年12月1日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場 (名古屋市熱田区)   国名:日本国  

  125. Si細線構造への高密度Si量子ドット形成 国際会議

    高 磊、竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

    2016 真空・表面科学合同講演会 

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    開催年月日: 2016年11月29日 - 2016年12月1日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場 (名古屋市熱田区)   国名:日本国  

  126. Si系量子ドット多重集積構造からの電界電子放出特性 国際会議

    中島 裕太、竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

    2016 真空・表面科学合同講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月29日 - 2016年12月1日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場 (名古屋市熱田区)   国名:日本国  

  127. HAXPESによるSi-MOSキャパシタの化学結合状態および内部電位の深さ方向分析 国際会議

    大田 晃生、村上 秀樹、池田 弥央、牧原 克典、池永 英司、宮﨑 誠一

    2016 真空・表面科学合同講演会 

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    開催年月日: 2016年11月29日 - 2016年12月1日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場 (名古屋市熱田区)   国名:日本国  

  128. IV族半導体上に蒸着したAg薄膜の化学構造評価と反応制御 国際会議

    伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    2016 真空・表面科学合同講演会 

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    開催年月日: 2016年11月29日 - 2016年12月1日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場 (名古屋市熱田区)   国名:日本国  

  129. Magnetoelectronic Transport and Resistive Switching in Double Stack FePt Nanodots on Ultrathin SiO2/c-Si 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki

    JSPS Core-to-Core Program Workshop 

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    開催年月日: 2016年11月24日 - 2016年11月26日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Julich   国名:ドイツ連邦共和国  

  130. High Density Formation of Ta/TaOxide Core-Shell Nanodots 国際会議

    Y. Wang, D. Takeuchi, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2016) 

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    開催年月日: 2016年11月8日 - 2016年11月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ANA Crowne Plaza, Kyoto, Japan   国名:日本国  

  131. Low Temperature Formation of Crystalline Si:H/Ge:H Heterostructures by Plasma Enhanced CVD in Combination with Ni-NDs Seeding Nucleation 国際会議

    K. Makihara, D. Takeuchi, M. Ikeda, A. Ohta, and S.Miyazaki

    29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月8日 - 2016年11月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ANA Crowne Plaza, Kyoto, Japan   国名:日本国  

  132. Evaluation of Potential Change and Electrical Dipole in HfO2/ SiO2/Si Structure 国際会議

    N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    SSDM 2016 

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    開催年月日: 2016年9月26日 - 2016年9月29日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba   国名:日本国  

  133. Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Functional Devices 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki, D. Takeuchi, M. Ikeda, and K. Makihara

    SSDM 2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月26日 - 2016年9月29日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Tsukuba   国名:日本国  

  134. Magnetotransport Properties of FePt Alloy-NDs Stacked Structures 招待有り 国際会議

    K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    SSDM 2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月26日 - 2016年9月29日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba   国名:日本国  

  135. 4H-SiCSi面およびC面上に成長した熱酸化膜の光電子収率分光法による電子占有欠陥評価

    渡辺 浩成、大田 晃生、 池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月13日 - 2016年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名:日本国  

  136. FePtナノドットスタック構造における磁場印加後の電気伝導特性評価

    河瀬 平雅、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月13日 - 2016年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名:日本国  

  137. Ta酸化物ナノドットの高密度・一括形成(II)

    王 亜萍、竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月13日 - 2016年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名:日本国  

  138. GeコアSi量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性

    山田 健太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月13日 - 2016年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名:日本国  

  139. HfO2/SiO2/Si(100)構造における内部電位分布、界面ダイポールの定量評価

    藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月13日 - 2016年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名:日本国  

  140. X線光電子分光法による熱酸化SiO2およびGeO2薄膜の誘電関数評価

    山本 泰史、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月13日 - 2016年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名:日本国  

  141. リモートプラズマCVDSiO2/GaN界面の光電子分光分析

    グェン スァン チュン、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月13日 - 2016年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名:日本国  

  142. GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造のEL特性

    竹内 大智、山田 健太郎、牧原 克典、池田 弥央、大田 晃生、 宮﨑 誠一

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月13日 - 2016年9月16日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名:日本国  

  143. Formation of Fe3Si-Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by H2-plasma Treatment and Their Magnetic-Field Dependent Electron Transport Properties 国際会議

    H. Zhang, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    APAC Silicide 2016  

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年7月16日 - 2016年7月18日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  144. Embedding of Ti nanodots into SiOx and its impact on resistance switching behaviors 国際会議

    Y. Kato, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    AWAD2016(2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices) 

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    開催年月日: 2016年7月4日 - 2016年7月6日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  145. Formation and electron transport properties of Fe3Si nanodots on ultrathin SiO2 国際会議

    H. Zhang, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki

    AWAD2016(2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年7月4日 - 2016年7月6日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  146. XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量

    藤村 信幸、大田 晃生、渡辺 浩成、牧原 克典、宮﨑 誠一

    SDM研究会/シリコンテクノロジー分科会 

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    開催年月日: 2016年6月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:キャンパス・イノベーションセンター東京   国名:日本国  

  147. リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成

    グェンスァン チュン、藤村 信幸、竹内 大智、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    SDM研究会/シリコンテクノロジー分科会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:キャンパス・イノベーションセンター東京   国名:日本国  

  148. High Density Formation of and Light Emission from Silicon Quantum Dots with Ge Core 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki

    11th Workshop on Si-based Optoelectronic Materials and Devices 

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    開催年月日: 2016年6月16日 - 2016年6月19日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:中華人民共和国  

  149. Electron Transport Properties of High Density FePt-NDs Stacked Structures 国際会議

    T. Kawase, Y. Mitsuyuki, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    ISCSI-VII/ISTDM 2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月7日 - 2016年6月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  150. Impact of Phosphorus Doping to Multiply-Stacking Si Quantum Dots on Electron Emission Properties 国際会議

    D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    ISCSI-VII/ISTDM 2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月7日 - 2016年6月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  151. Determination of Energy Band Profile of Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure Using XPS 国際会議

    H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    ISCSI-VII/ISTDM 2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月7日 - 2016年6月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  152. [チュートリアル]組成・状態分析

    宮﨑 誠一

    薄膜工学セミナー2016~薄膜の基礎から応用まで~ 

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    開催年月日: 2016年6月3日 - 2016年6月4日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:キャンパスイノベーションセンター東京   国名:日本国  

  153. Characterization of light emission from Si quantum dots with Ge core 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki

    Intern. Conf. on Processing and Manufacturing of Advanced Materials 2016 (THERMEC'2016) 

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    開催年月日: 2016年5月29日 - 2016年6月3日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Granz   国名:オーストリア共和国  

  154. FePtナノドットスタック構造における磁気伝導特性

    河瀬 平雅、満行 優介、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

    応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月19日 - 2016年3月22日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  155. Ti系薄膜およびTiナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性評価

    加藤 祐介、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月19日 - 2016年3月22日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  156. 磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価

    張 海、満行 優介、牧原 克典、池田 弥央、大田 晃生、宮﨑 誠一

    応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月19日 - 2016年3月22日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  157. ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子状態評価(II)

    渡辺 浩成、大田 晃生、藤村 信行、牧原 克典、宮﨑 誠一

    応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月19日 - 2016年3月22日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  158. GeコアSi量子ドットにおけるGeコアサイズがPL特性に及ぼす影響

    山田 健太郎、近藤 圭悟、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月19日 - 2016年3月22日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  159. GeコアSi量子ドットの発光メカニズム

    近藤 圭悟、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月19日 - 2016年3月22日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  160. Cleaning of 4H-SiC(0001) Surface by using Remote Hydrogen Plasma 国際会議

    T. xuan Nguyen, D. Takeuchi, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    ISPlasma2016 & IC-PLANTS2016 

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    開催年月日: 2016年3月6日 - 2016年3月10日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  161. Effect of Ge Stacked Layer on Ti Nanodots Formation From Metal Thin Films by Remote Hydrogen Plasma Exposure 国際会議

    Y. Kato, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    ISPlasma2016 & IC-PLANTS2016 

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    開催年月日: 2016年3月6日 - 2016年3月10日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  162. Formation of High Density Ta Oxide Nanodots 国際会議

    Y. Wang, D. Takeuchi, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    ISPlasma2016 & IC-PLANTS2016 

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    開催年月日: 2016年3月6日 - 2016年3月10日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  163. Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method 国際会議

    A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, and S. Miyazaki

    ISPlasma2016 & IC-PLANTS2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月6日 - 2016年3月10日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  164. Self-assembling Formation of Ta Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma from Ge/Ta Bi-layer Stack 国際会議

    Y. Wang, D. Takeuchi, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    ISPlasma2016 & IC-PLANTS2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月6日 - 2016年3月10日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  165. Impact of Magnetic-Field Application on Electron Charging Characteristics of FePt Nanodots 国際会議

    T. Kawase, Y. Mitsuyuki, A. Ohta, K. Makihara, T. Katou, S. Iwata, and S. Miyazaki

    ISPlasma2016 & IC-PLANTS2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月6日 - 2016年3月10日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  166. High Density Formation and Light Emission Properties of Silicon Quantum Dots with Ge Core 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki

    BIT's 2nd Annual World Congress of Smart Materials-2016 

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    開催年月日: 2016年3月4日 - 2016年3月6日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:シンガポール共和国  

  167. SiO2/4H-SiC構造の電子障壁高さの決定と欠陥準位密度の深さ方向分析

    渡辺 浩成、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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    開催年月日: 2016年1月21日 - 2016年1月23日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ総合研修センター(静岡県三島市)   国名:日本国  

  168. リモートH2プラズマ照射による4H-SiC(0001)の表面の改質

    グェン スァンチュン、竹内 大智、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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    開催年月日: 2016年1月21日 - 2016年1月23日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ総合研修センター(静岡県三島市)   国名:日本国  

  169. Si,4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価

    藤村 信幸、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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    開催年月日: 2016年1月21日 - 2016年1月23日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ総合研修センター(静岡県三島市)   国名:日本国  

  170. SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響

    加藤 祐介、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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    開催年月日: 2016年1月21日 - 2016年1月23日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ総合研修センター(静岡県三島市)   国名:日本国  

  171. Fabrication and Magnetoelectronic Transport of Double Stack FePt Nanodots on Ultrathin SiO2 国際会議

    S. Miyazaki, Y. Kabeya, Y. Mitsuyuki, and K. Makihara

    2015 MRS Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2015年11月29日 - 2015年12月4日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  172. Impact of Embedded MnNanodots on Resistive Switching Properties of Si-rich Oxides 国際会議

    T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2015) 

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    開催年月日: 2015年11月10日 - 2015年11月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  173. Formation of High Density Ti Nanodots and Evaluation of Resistive Switching Properties of SiOx-ReRAMs with Ti Nanodots 国際会議

    Y. Kato, A. Ohta, T. Arai, K. Makihara, and S. Miyazaki

    The 2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2015 IWDTF) 

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    開催年月日: 2015年11月2日 - 2015年11月4日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  174. Evaluation of Valence Band Maximum and Electron Affinity of SiO2 and Si-based Semiconductors Using XPS 国際会議

    N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    The 2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2015 IWDTF) 

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    開催年月日: 2015年11月2日 - 2015年11月4日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  175. Photoemission Study of Thermally-Grown SiO2/4H-SiC Structure. 国際会議

    H. Watanabe, A. Ohta, N. Fujimura, K. Makihara, and S. Miyazaki

    The 2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2015 IWDTF) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月2日 - 2015年11月4日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  176. High Density Formation of Ta Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

    Y. Wang, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki

    68th Annual Gaseous Electronics Conference/9th International Conference on Reactive Plasmas/33rd Symposium on Plasma Processing 

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    開催年月日: 2015年10月12日 - 2015年10月16日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  177. Photoemission Study on Chemical Bonding Features and Electronic Defect States of Thermally-Grown SiO2/4H-SiC Structure 国際会議

    H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    The 228th ECS Meeting  

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月11日 - 2015年10月15日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  178. Resistive Switching Characteristics of Si-Rich Oxides with Embedding Ti Nanodots 国際会議

    Y. Kato, T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    The 228th ECS Meeting  

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月11日 - 2015年10月15日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  179. High-Resolution Photoemission Study of High-k Dielectric Bilayer Stack on Ge(100) 国際会議

    S. Miyazaki

    The 228th ECS Meeting  

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月11日 - 2015年10月15日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  180. グリーンナノエレクトロニクスのための材料・プロセスインテグレーション ~超低消費電力次世代トランジスタ開発~ 招待有り

    宮﨑 誠一、大田 晃生、他

    SPring-8シンポジウム2015 放射光が先導するグリーンイノベーション ~グローバルな視点からの発信~ 

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    開催年月日: 2015年9月13日 - 2015年9月14日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:九州大学 伊都キャンパス カーボンニュートラル・エネルギー国際研究所/I2CNER(アイスナー) 大ホール他   国名:日本国  

  181. [チュートリアル] CVD1(シリコン系) 招待有り

    宮﨑 誠一

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    開催年月日: 2015年7月1日 - 2015年7月3日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:サンパーク犬山   国名:日本国  

  182. Electronic Defect States in Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure Measured by Total Photoelectron Yield Spectroscopy 国際会議

    A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    The 19th Conference on "Insulating Films on Semiconductors"(INFOS 2015) 

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    開催年月日: 2015年6月29日 - 2015年7月2日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:イタリア共和国  

  183. Effect of P-doping on Photoluminescence Properties of Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議

    K. Kondo

    2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015)  

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    開催年月日: 2015年6月29日 - 2015年7月1日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  184. Electron Transport Properties of High Densuty FePt-NDs Stacked Structures 国際会議

    Y. Mitsuyuki, K. Makihara, A. Oota, and S. Miyazaki

    2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015)  

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    開催年月日: 2015年6月29日 - 2015年7月1日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  185. High Density Formation and Characterization of CoPt and FePt Nanodots on SiO2 国際会議

    S. Miyazaki

    International Conference on Frontiers in Materials Processing Applications Research & Technology (FiMPART'15) 

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    開催年月日: 2015年6月12日 - 2015年6月15日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:インド  

  186. Impact of Phosphorus Doping to Multiply-Stacking Si Quantum Dots on Electron Field Emission Properties 国際会議

    D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9) 

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    開催年月日: 2015年5月18日 - 2015年5月22日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  187. Study on Light Emission from Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議

    S. Miyazaki, K. Kondo, and K. Makihara

    The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月18日 - 2015年5月22日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:カナダ  

  188. Study on Electroluminescence from Multiply-Stacking Valency Controlled Si Quantum Dots 国際会議

    T. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月18日 - 2015年5月22日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  189. Formation and Characterization of High Density FeSi Nanodots on SiO2 Induced by Remote H2 Plasma 国際会議

    K. Makihara, H. Zhang, A. Ohta, and S. Miyazaki

    ISPlasma2015/IC-PLANTS2015 

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    開催年月日: 2015年3月26日 - 2015年3月31日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  190. Characterization of Electron Field Emission from High Density Self-Aligned Si-Based Quantum Dots 国際会議

    D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    ISPlasma2015/IC-PLANTS2015 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月26日 - 2015年3月31日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  191. リモート水素プラズマ支援によるTaナノドットの高密度一括形成

    王 亜萍、牧原 克典、大田 晃生、竹内 大智、宮﨑 誠一

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学(神奈川県平塚市)   国名:日本国  

  192. リモートH2プラズマ処理した4H-SiC表面の化学構造および電子状態分析

    グェンスァン チュン、大田 晃生、竹内 大智、張 海牧原 克典、宮﨑 誠一

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学(神奈川県平塚市)   国名:日本国  

  193. 光電子収率分光法によるSiO2/SiC構造の電子状態計測(2)

    大田 晃生、渡邉 浩成、グェンスァン チュン、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学(神奈川県平塚市)   国名:日本国  

  194. リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度一括形成と磁化特性評価

    張 海、牧原 克典、大田 晃生、壁谷 悠希、宮﨑 誠一

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学(神奈川県平塚市)   国名:日本国  

  195. 外部磁場がFePt合金ナノドットへの電子注入特性に及ぼす影響

    満行 優介、壁谷 悠希、張 海、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学(神奈川県平塚市)   国名:日本国  

  196. 高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性

    壁谷 悠希、満行 優介、張 海、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学(神奈川県平塚市)   国名:日本国  

  197. P添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響

    近藤 圭悟、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学(神奈川県平塚市)   国名:日本国  

  198. Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価

    竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学(神奈川県平塚市)   国名:日本国  

  199. 不純物添加がSi量子ドット多重集積構造のEL特性に及ぼす影響

    山田 敬久、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月11日 - 2015年3月14日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学(神奈川県平塚市)   国名:日本国  

  200. Si-rich酸化膜へのMnナノドット埋め込みが抵抗変化特性へ及ぼす影響

    荒井 崇、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年1月29日 - 2015年1月31日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ研修センター(静岡県三島市)   国名:日本国  

  201. Formation and Characterization of High Density FePt Nanodots on SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

    S. Miyazaki, Y. Kabeya, R. Fukuoka, H. Zhang, K. Makihara, T. Kato, and S. Iwata

    2014 MRS Fall Meeting&Exhibit 

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    開催年月日: 2014年11月30日 - 2014年12月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  202. Photoemission Study of High-k Dielectrics Stack on Ge(100) - Determination of Energy Bandgaps and Band Alignments 国際会議

    S. Miyazaki

    JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration (imec) 

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    開催年月日: 2014年11月13日 - 2014年11月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:ベルギー王国  

  203. Luminescence Studies of High Density Si-based Quantum Dots 国際会議

    K. Makihara

    JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration (imec) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月13日 - 2014年11月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ベルギー王国  

  204. Study of Electron Field Emission from High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots 国際会議

    D. Takeuchi

    JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration (imec) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月13日 - 2014年11月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ベルギー王国  

  205. High Density formation of Fe-Silicide Nanodots on SiO2 Induced by Remote H2 Plasma 国際会議

    H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    MNC 2014  

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    開催年月日: 2014年11月4日 - 2014年11月7日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  206. Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack 国際会議

    A. Ohta, H. Murakami, K. Hashimoto, K. Makihara, and S. Miyazaki

    The 2014 ECS and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting  

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    開催年月日: 2014年10月5日 - 2014年10月9日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:メキシコ合衆国  

  207. Characterization of Electron Emission from High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy 国際会議

    D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    The 2014 ECS and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting  

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月5日 - 2014年10月9日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:メキシコ合衆国  

  208. Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100) 国際会議

    H. Murakami, S. Hamada, T. Ono, K. Hashimoto, A. Ohta, H. Hanafusa, S. Higashi, and S. Miyazaki

    The 2014 ECS and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting  

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月5日 - 2014年10月9日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:メキシコ合衆国  

  209. Photoluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議

    K. Makihara, K. Kondo, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

    The 2014 ECS and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting  

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月5日 - 2014年10月9日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:メキシコ合衆国  

  210. Materials and Interfaces Characterization for Advanced Ge-Channel Devices: Soft and Hard X-ray Photoemission Measurements 招待有り 国際会議

    S. Miyazaki

    The 1st Material Research Society of Indonesia (MRS-Id) Meeting 2014  

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    開催年月日: 2014年9月26日 - 2014年9月28日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:インドネシア共和国  

  211. Mnナノドット埋め込みSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性

    荒井 崇、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  212. 光電子収率分光法によるSiO2/SiC界面の電子状態計測

    大田 晃生、竹内 大智、チュン グェンスァン、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  213. 不純物添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス

    山田 敬久、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  214. P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性

    竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  215. FePtナノドット/極薄SiO2層における電子輸送特性の外部磁場依存性

    壁谷 悠希、牧原 克典、大田 晃生、宮﨑 誠一

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  216. リモート水素プラズマ支援によるMn-Ge系ナノドットの高密度一括形成

    温 映輝、牧原 克典、大田 晃生、宮﨑 誠一

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月17日 - 2014年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  217. Electroluminescence from Multiply-Stack of Doped Si Quantum Dots 国際会議

    T. Yamada, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    international conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS (SSDM2014) 

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    開催年月日: 2014年9月8日 - 2014年9月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  218. Impact of Magnetic-Field Application on Electron Transport Through CoPt Alloy Nanodots 国際会議

    Y. Kabeya

    The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)  

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    開催年月日: 2014年8月24日 - 2014年8月30日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  219. Characterization of Resistance-Switching of Ni Nano-dot/SiOx/Ni Diodes 国際会議

    A. Ohta

    The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)  

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    開催年月日: 2014年8月24日 - 2014年8月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  220. Impact of Remote H2 Plasma on Surface Roughness of 4H-SiC(0001) 国際会議

    T. Nguyen

    The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月24日 - 2014年8月30日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  221. High Density Formation of Mn and Mn-germanide Nanodots 国際会議

    Y. WEN

    The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月24日 - 2014年8月30日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  222. Local Electrical Properties of Si-rich Oxides with Embedding Mn-nanodots by Atomic Force Microscopy Using Conducting-Probe 国際会議

    T. Arai

    The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月24日 - 2014年8月30日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  223. Resistance-Switching Characteristics of Si-rich Oxide as Evaluated by Using Ni Nanodots as Electrodes in Conductive AFM Measurements 国際会議

    A. Ohta, C. Liu, T. Arai, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2014) 

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    開催年月日: 2014年7月1日 - 2014年7月3日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  224. Impact of embedded Mn-nanodots on resistive switching in Si-rich oxides 国際会議

    T. Arai, C. Liu, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (2014 ISTDM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年6月2日 - 2014年6月4日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:シンガポール共和国  

  225. Characterization of electronic charged states of self-aligned coupled Si quantum dots by AFM/KFM Probe Technique 国際会議

    K. Makihara, N. Tsunekawa, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (2014 ISTDM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年6月2日 - 2014年6月4日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:シンガポール共和国  

  226. XPS Study of Energy Band Alignment of High-k Dielectric Gate Stack on Ge(100) 国際会議

    S. Miyazaki, and A. Ohta

    2014 MRS Spring Meetings & Exhibit 

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    開催年月日: 2014年4月21日 - 2014年4月25日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  227. 磁性AFM探針を用いたCoPt合金ナノドットの電子輸送特性評価-外部磁場依存性

    壁谷 悠希、張 海、福岡 諒、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月17日 - 2014年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)   国名:日本国  

  228. Mnナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性

    荒井 崇、劉 冲、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月17日 - 2014年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)   国名:日本国  

  229. 導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価(II)

    竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月17日 - 2014年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)   国名:日本国  

  230. P/N制御Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス

    山田 敬久、牧原 克典、鈴木 善久、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月17日 - 2014年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)   国名:日本国  

  231. P添加GeコアSi量子ドットのフォトルミネッセンス特性評価

    近藤 圭悟、鈴木 善久、牧原 克典、池田 弥央、小山 剛史、岸田 英夫、宮﨑 誠一

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月17日 - 2014年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)   国名:日本国  

  232. リモート水素プラズマ支援によるMnおよびMnジャーマナイドナノドットの高密度一括形成

    温 映輝、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月17日 - 2014年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)   国名:日本国  

  233. リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度形成

    張 海、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月17日 - 2014年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)   国名:日本国  

  234. AFM/KFMによる自己整合一次元連結Si量子ドットの局所帯電評価

    恒川 直輝、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月17日 - 2014年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)   国名:日本国  

  235. Mnナノドットを埋め込んだSiOxMIM構造の局所電気伝導解析

    荒井 崇、劉冲、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月17日 - 2014年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)   国名:日本国  

  236. FePt合金ナノドットの構造および磁化特性評価

    福岡 諒、張 海、牧原 克典、大田 晃生、徳岡 良浩、加藤 剛志、岩田 聡、宮﨑 誠一

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月17日 - 2014年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)   国名:日本国  

  237. Niナノドット電極を用いたSiOx薄膜の抵抗変化特性

    劉 冲、荒井 崇、大田 晃生、竹内 大智、張 海、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月17日 - 2014年3月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)   国名:日本国  

  238. Study on Si/Ge Heterodtructures Formed by PECVD in Combination with Ni-Nds Seeding Nucleation 国際会議

    Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, K. Sakaike, M. Akazawa, S. Higashi, and S. Miyazaki

    ISPlasma2014/IC-PLANTS2014 

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    開催年月日: 2014年3月2日 - 2014年3月6日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  239. Study on Formation of High Density Fe-Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote H2 Plasma Exposure 国際会議

    H. Zhang, K. Makihara, R. Fukuoka, Y. Kabeya, and S. Miyazaki

    ISPlasma2014/IC-PLANTS2014 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月2日 - 2014年3月6日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  240. Selective Crystallization and Metallizatioin of a-Ge:H Thin Films by Pt-coating and Exposing to Remote H2 Plasma 国際会議

    K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2014) 

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    開催年月日: 2014年3月2日 - 2014年3月6日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  241. 金属合金化反応制御による強磁性ナノドットの高密度・自己組織化形成

    牧原 克典、宮﨑 誠一

    名古屋大学ナノテクノロジープラットフォーム第1回合同シンポジウム~中部ものづくりは名大から~ 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  242. High Density Formation of FePt Alloy Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of Their Magnetic Properties 国際会議

    R. Fukuoka, H. Zhang, K. Makihara, Y. Tokuoka, T. Kato, S. Iwata, and S. Miyazaki

    7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月27日 - 2014年1月28日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  243. Alignment Control and Electrical Coupling of Si-based Quantum Dots 国際会議

    K. Makihara, and S. Miyazaki

    7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月27日 - 2014年1月28日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  244. Formation of High-Density Magnetic Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote H2 Plasma 国際会議

    Y. Kabeya, H. Zhang, R. Fukuoka, K. Makihara, and S. Miyazaki

    7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月27日 - 2014年1月28日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  245. Electroluminescence from Multiply-Stacking B-doped Si Quantum Dots 国際会議

    T. Yamada, K. Makihara, Y. Suzuki, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月27日 - 2014年1月28日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  246. Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistive Switching in TiOx/SiOx Stack in Ti Electrode MIM Diodes 国際会議

    T. Arai, C. Liu, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

    7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月27日 - 2014年1月28日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  247. Impact of Pulsed Bias Application on Electroluminescence Properties from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots 国際会議

    Y. Suzuki, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月27日 - 2014年1月28日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  248. Characterization of Local Electronic Transport through Si-Nanocrystals/ Si-Nanocolumnar Structures by Non-contact Conductive Atomic ForceMicroscopy 国際会議

    D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月27日 - 2014年1月28日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  249. 光電子エネルギー損失信号による極薄酸化物のエネルギーバンドギャップの決定手法の再検討

    大田 晃生、村上 秀樹 、牧原 克典、宮﨑 誠一

    ゲートスタック研究会 

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    開催年月日: 2014年1月24日 - 2014年1月25日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ニューウェルシティー湯河原 (静岡県熱海市)   国名:日本国  

  250. Ge(100)基板への低温As+イオン注入による低抵抗浅接合形成

    小野 貴寛、村上 秀樹、大田 晃生、東 清一郎、宮﨑 誠一

    ゲートスタック研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月24日 - 2014年1月25日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ニューウェルシティー湯河原 (静岡県熱海市)   国名:日本国  

  251. HfO2/TaGexOy絶縁膜を用いたGe-MISキャパシタにおける熱処理効果

    橋本 邦明、大田 晃生、村上 秀樹、小野 貴寛、東 清一郎、宮﨑 誠一

    ゲートスタック研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月24日 - 2014年1月25日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ニューウェルシティー湯河原 (静岡県熱海市)   国名:日本国  

  252. SiOx/TiO₂積層したTi電極MIMダイオードの抵抗スイッチング

    荒井 崇、大田 晃生、福嶋 太紀、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第12回日本表面科学会中部支部・学術講演会 

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    開催年月日: 2013年12月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋工業大学   国名:日本国  

  253. リモート水素プラズマ支援によるSiO₂上へのFeナノドットの高密度・一括形成

    張 海、福岡 涼、壁谷 悠希、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第12回日本表面科学会中部支部・学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋工業大学   国名:日本国  

  254. 半導体ーメタル接触界面の構造について

    宮﨑 誠一

    第13回日本表面科学会中部支部・学術講演会 

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    開催年月日: 2013年12月21日

    記述言語:日本語  

    開催地:名古屋工業大学   国名:日本国  

  255. Optoelectronic Response of Metal-Semiconductor Hybrid Nanodots Floating Gate 国際会議

    S. Miyazaki

    2013 Energy Materials Nanotechnology Fall Meeting (2013 EMN Fall Meeting) 

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    開催年月日: 2013年12月7日 - 2013年12月10日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  256. Formation and characterization of hybrid nanodots embedded in gate dielectric for optoelectronic application 国際会議

    S. Miyazaki

    International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials 2013 (THERMEC'2013) 

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    開催年月日: 2013年12月2日 - 2013年12月6日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  257. High density formation of FePt alloy nanodots on SiO2 induced by remote hydrogen plasma 国際会議

    R. Fukuoka, H. Zhang, K. Makihara, Y. Tokuoka, T. Kato, S. Iwata, and S. Miyazaki

    MORIS2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月2日 - 2013年12月5日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  258. Study on As+ Ion Implantation into Ge at Different Substrate Temperatures 国際会議

    T. Ono, K. Hashimoto, A. Ohta, H. Murakami, H. Hanafusa, S. Higashi, and S. Miyazaki

    2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月7日 - 2013年11月9日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  259. Impact of Post-Metallization Annealing on Chemical Bonding Features in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Stack 国際会議

    K. Hashimoto, T. Ono, A. Ohta, H Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月7日 - 2013年11月9日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  260. Formation of One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots and Its Application to Light Emitting Diodes 国際会議

    K. Makihara, and S. Miyazaki

    26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月5日 - 2013年11月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  261. Characterization of Electron Emission from Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Non-contact Conductive Atomic Force Microscopy 国際会議

    D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki, and T. Hayashi

    ACSIN-12&ICSPM21 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月4日 - 2013年11月8日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  262. B添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス

    山田 敬久、牧原 克典、鈴木 善久、宮﨑 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  263. 導電性AFM探針によるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出特性評価

    竹内 大智、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一、可貴 裕和、林 司

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  264. AFM/KFMによる一次元連結・高密度Si系量子ドットにおける帯電電荷の経時変化計測

    恒川 直輝、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  265. リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度・一括形成と磁化特性評価

    福岡 諒、張 海、牧原 克典、宮﨑 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  266. リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度・一括形成

    張 海、福岡 諒、壁谷 悠希、牧原 克典、宮﨑 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  267. ゲルマニウムへの低温As+イオン注入による活性化率向上

    恒川 直輝、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  268. 一次元連結Si系量子ドットの電界発光減衰特性

    鈴木 善久、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  269. 外部磁場印加がCoPt合金ナノドットの電気伝導特性に及ぼす影響

    壁谷 悠希、張 海、福岡 諒、牧原 克典、宮﨑 誠一

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  270. Study On Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate Mos Devices for Their Optoelectronic Application 国際会議

    S. Miyazaki

    The 224th Electrochemical Society (ECS) Meeting 

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    開催年月日: 2013年10月27日 - 2013年11月1日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  271. Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-Electrode MIM Diodes 国際会議

    A. Ohta

    224th ECS Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年10月27日 - 2013年11月1日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  272. Characterization of Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate MOS Devices for Their Optoelectronic Application 国際会議

    S. Miyazaki

    JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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    開催年月日: 2013年10月24日 - 2013年10月25日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  273. Study on Electronic Emission through Si-Nanocrystals/ Si-Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy 国際会議

    D. Takeuchi

    JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年10月24日 - 2013年10月25日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  274. Transient Characteristics of Electroluminescence from Self-aligned Si-based Quantum Dots 国際会議

    Y. Suzuki, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月24日 - 2013年9月27日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  275. Characterization of Electron Transport Through Ultra High Density Array of One- dimensionally Aligned Si-based Quantum Dots 国際会議

    H. Niimi, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月24日 - 2013年9月27日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  276. HfO2/TaGexOyを用いたGe-MIS構造の熱処理による化学構造変化

    橋本 邦明、大田 晃生、村上 秀樹、東 清一郎、宮﨑 誠一

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:同志社大学(京都)   国名:日本国  

  277. ゲルマニウムへの低温As+イオン注入による活性化率向上

    小野 貴寛、大田 晃生、花房 宏明、村上 秀樹、東 清一郎、宮﨑 誠一

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学(京都)   国名:日本国  

  278. 導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価

    竹内 大智、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学(京都)   国名:日本国  

  279. バイアス印加が一次元連結Si系量子ドットのPL特性に及ぼす影響

    鈴木 善久、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学(京都)   国名:日本国  

  280. リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度形成

    張 海、福岡 諒、壁谷 悠希、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学(京都)   国名:日本国  

  281. 外部磁場印加がCoPt合金ナノドットの電子輸送特性に及ぼす影響

    壁谷 悠希、福岡 諒、張 海、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学(京都)   国名:日本国  

  282. リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価

    福岡 諒、張 海、壁谷 悠希、恒川 直輝、牧原 克典、大田 晃生、宮﨑 誠一

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月16日 - 2013年9月20日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学(京都)   国名:日本国  

  283. 次世代MISトランジスタ実現に向けた材料プロセスインテグレーション~金属/高誘電率絶縁膜/Geチャネルゲートスタック構造の硬X線光電子分光~

    宮﨑 誠一

    SPring-8シンポジウム2013 

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    開催年月日: 2013年9月7日 - 2013年9月8日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:京都大学宇治おうばくプラザ   国名:日本国  

  284. Formation of High Density Fe-Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote H2 Plasma 国際会議

    H. Zhang, R. Fukuoka, Y. Kabeya, K. Makihara, and S. Miyazaki

    2013 International Symposium on Dry Process (DPS 2013) 

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    開催年月日: 2013年8月29日 - 2013年8月30日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  285. Low Temperature Formation of Crystalline Si/Ge Heterostructures by Plasma Enhanced CVD in Combination with Ni-NDs Seeding Nucleation 国際会議

    Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, K. Sakaike, M. Akazawa, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki

    The 25th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors(ICANS25) 

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    開催年月日: 2013年8月18日 - 2013年8月23日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  286. Characterization of Ultrathin Ta-oixde Films as an Interfacial Control Layer Formed on Ge(100) by ALD and Layer-by-layer Methods 国際会議

    H. Murakami, K. Hashimoto, A. Ohta, K. Mishima, S. Higashi, and S. Miyazaki

    2013 NIMS Conference -Structure Control of Atomic/ Molecular Thin Films and Their Applications- 

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    開催年月日: 2013年7月1日 - 2013年7月3日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  287. Selective Growth of Self Assembling Si and SiGe Quantum DotsAssembl 国際会議

    K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices  

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    開催年月日: 2013年6月26日 - 2013年6月28日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  288. High-Sensitive Detection of Electronic Emission through Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy 国際会議

    D. Takeuchi, Makihara,M,Ikeda, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki, and T. Hayashi

    2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices  

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    開催年月日: 2013年6月26日 - 2013年6月28日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  289. リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価

    牧原 克典、福岡 諒、張 海、壁谷 悠希、大田 晃生、宮﨑 誠一

    SDM研究会「ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催)  

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    開催年月日: 2013年6月18日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地: 機械振興会館   国名:日本国  

  290. SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価

    大田 晃生、福嶋 太紀、牧原 克典、村上 秀樹、東 清一郎、宮﨑 誠一

    SDM研究会「ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催)  

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    開催年月日: 2013年6月18日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地: 機械振興会館   国名:日本国  

  291. HAXPES Studies of Chemical Bonding Features of Buried Interfaces for Advanced Ge-channel MIS Devices 国際会議

    S. Miyazaki

    5th International conference on hard X-ray photoelectron spectroscopy(HAXPES 2013) 

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    開催年月日: 2013年6月17日 - 2013年6月20日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:スウェーデン王国  

  292. Characterization of Electroluminescence from Self-Aligned Si-Based Quantum Dots Stack by Intermittent Bias Application 国際会議

    K. Makihara, H. Takami, Y. Suzuki, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and 

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    開催年月日: 2013年6月2日 - 2013年6月7日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  293. High Density Formation of CoPt Alloy Nanodots Induced by Remote H2 Plasma 国際会議

    R. Fukuoka, H. Zhang, Y. Kabeya, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and 

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    開催年月日: 2013年6月2日 - 2013年6月7日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  294. Determination of Bandgap Energy of Thermally-Grown Si- and Ge- Oxides from Energy Loss Spectra of Photoelectrons 国際会議

    A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and 

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    開催年月日: 2013年6月2日 - 2013年6月7日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  295. Characterization of Electroluminescence from Multiply-Stacked B-doped Si Quantum Dots 国際会議

    T. Yamada, K. Makihara, H. Takami, Y. Suzuki, M. Ikeda, and S. Miyazaki

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and 

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    開催年月日: 2013年6月2日 - 2013年6月7日

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  296. Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Devices 国際会議

    S. Miyazaki, K. Makihara, and M. Ikeda

    JSPS Core-to Core Program Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  297. High Density Formation of Iron Nanodots on SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

    H. Zhang, R. Fukuoka, Y. Kabeya, K. Makihara, and S. Miyazaki

    3rd International Conference on Advanced Engineering Materials and Technology(2013) 

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    開催年月日: 2013年5月11日 - 2013年5月12日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  298. 多重集積したB添加量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性評価

    山田 敬久、牧原 克典、高見 弘貴、鈴木 善久、池田 弥央、宮﨑 誠一

    第60回春季応用物理学会 

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    開催年月日: 2013年3月27日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  299. 導電性AFM探針を用いたSiナノ結晶/柱状Siナノ構造の電子放出特性評価

    竹内 大智、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一、可貴 裕和、林 司

    第60回春季応用物理学会 

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    開催年月日: 2013年3月27日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  300. リモート水素プラズマ支援によるCoPt合金ナノドットの高密度形成

    福岡 諒、張 海、壁谷 悠希、牧原 克典、大田 晃生、宮﨑 誠一

    第60回春季応用物理学会 

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    開催年月日: 2013年3月27日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  301. CoPt合金ナノドットの帯磁特性評価

    壁谷 悠希、張 海、福岡 諒、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第60回春季応用物理学会 

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    開催年月日: 2013年3月27日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  302. Ti電極MIMダイオードにおけるSiOx/TiO2多重積層の抵抗変化特性評価

    福嶋 太紀、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

    第60回春季応用物理学会 

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    開催年月日: 2013年3月27日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  303. Niナノドットによる初期核発生制御を活用した高結晶性Si:H/Ge:Hヘテロ結合の低温堆積

    盧 義敏、高 金、牧原 克典、酒池 耕平、藤田 悠二、池田 弥央、大田 晃生、東 清一郎、宮﨑 誠一

    第60回春季応用物理学会 

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    開催年月日: 2013年3月27日 - 2013年3月30日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)