広島大学   ナノデバイス・バイオ融合科学研究所（兼務）

2010年8月 - 現在

名古屋大学   大学院工学研究科（兼務）   副研究科長

2017年4月 - 2019年3月

南京大学   電子科学与工程学院（兼務）   兼職教授

2014年12月 - 2017年11月

南京大学   電子科学与工程学院（兼務）   兼職教授

2010年10月 - 2013年10月

筑波大学   大学院数理物質科学研究科（兼務）   客員教授

2011年9月 - 2015年3月

広島大学   大学院先端物質科学研究科   教授

2002年4月 - 2010年5月

広島大学   大学院先端物質科学研究科   助教授

2001年4月 - 2002年3月

広島大学   工学部   助教授

1992年4月 - 2001年3月

広島大学   工学部   助手

1986年4月 - 1992年3月

応用物理学会   薄膜・表面物理分科会　幹事, 常任幹事 1997-,1998-1999

応用物理学会   代議員, 評議員, 2000-2003,2008-

応用物理学会   シリコンテクノロジー分科会　幹事,　常任幹事, 副幹事長, 幹事長 1999-,2003-2004,2007-2008,2009-2010

The Electrochemical Society

Material Reseach Society

日本MRS

日本真空協会

（公益社団法人）応用物理学会　ISPlasma2021/IC-PLANTS2021組織委員会   組織委員会　委員  

2020年11月 - 2021年3月   

（公益社団法人）応用物理学会　ISPlasma2021/IC-PLANTS2021組織委員会   プログラム委員会　委員  

2020年11月 - 2021年3月   

（公益財団法人）岐阜県産業経済振興センター   研究開発委員会　委員（アドバイザー）  

2020年9月 - 2023年3月   

（独立行政法人）日本学術振興会　R025先進薄膜界面機能創成委員会   委員  

2020年6月 - 現在   

（公益社団法人）応用物理学会　薄膜・表面物理分科会 電子デバイス界面テクノロジー研究会   運営委員  

2020年5月 - 2021年3月   

（公益社団法人）応用物理学会　薄膜・表面物理分科会 2021 IWDTF組織委員会   2021 IWDTF組織委員  

2020年4月 - 2021年11月   

国際会議 Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 3rd 2021(Taipei))   諮問委員  

2020年 - 現在   

第34回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム（JSR2021）(開催日：2021年1月8-10日、開催形態：オンライン)   組織委員  

2020年 - 2021年   

ECS Trans. Vol. 98, No. 5 (2020)   学術論文編集委員  

2020年   

広島大学 HiSIM研究センター   人事選考委員会委員  

2019年8月 - 2020年4月   

（公益財団法人）科学技術交流財団   あいちシンクロトロン光センター運営委員会委員  

2019年5月 - 2021年5月   

（公益社団法人）応用物理学会　薄膜・表面物理分科会   顧問  

2019年4月 - 現在   

東京医科歯科大学   生体医歯工学共同研究拠点運営委員会委員  

2019年4月 - 2022年3月   

第33回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム（JSR2020）(開催日：2020年1月10-12日、開催地：名古屋）   副実行委員長/プログラム委員/組織委員  

2019年 - 2020年   

（公益社団法人）日本工学教育協会   事業企画委員会委員  

2018年6月 - 2020年6月   

（公益社団法人）日本表面真空学会　中部支部   役員  

2018年5月 - 現在   

（独立行政法人）日本学術振興会　協力会   評議員  

2018年5月 - 2020年9月   

（公益財団法人）立松財団   選考委員  

2018年3月 - 2023年6月   

（公益社団法人）応用物理学会　東海支部   諮問委員  

2017年4月 - 2023年3月   

（公益社団法人）応用物理学会   応用物理学学術・教育奨励基金委員会委員  

2015年 - 2021年3月   

（独立行政法人）日本学術振興会　半導体界面制御技術第154委員会   委員長  

2013年4月 - 2020年6月   

応用物理学会　第52期応用物理学委員会   講演会企画運営委員、講演奨励賞委員  

2013年4月 - 2014年4月   

ISPlasma2014組織委員会   組織委員、プログラム委員  

2013年4月 - 2014年3月   

DPS2013第35回ドライプロセスシンポジウム組織委員会   論文委員  

2013年2月 - 2014年11月   

応用物理学会諮問委員会   諮問委員  

2013年2月 - 2014年2月   

2013IWDTF組織委員会   組織委員  

2012年10月 - 2013年11月   

応用物理学会　薄膜・表面物理分科会　第18回ゲートスタック研究会   運営委員  

2012年4月 - 2013年3月   

第34回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2012)   実行副委員長,論文委員  

2012年4月 - 2012年11月   

応用物理学会　   代議員  

2012年2月 - 2014年1月   

高輝度光科学研究センターSPring-8成果審査委員会   査読者  

2012年1月 - 2014年3月   

2012年国際固体素子・材料コンファレンス (SSDM2012)   論文委員長  

2011年12月 - 2012年12月   

ISPlasma2012組織委員会   プログラム委員会委員  

2011年12月 - 2012年4月   

電子情報通信学会　エレクトロニクスソサイエティ英文論文誌編集委員会   編集委員  

2011年9月 - 2012年5月   

日本学術振興会　薄膜第131委員会   企画委員  

2011年7月 - 2012年3月   

SPring-8利用研究課題審査委員会分科会   レフェリー  

2011年6月 - 2013年3月   

応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会   諮問委員  

2011年4月 - 現在   

（公益社団法人）応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会   諮問委員  

2011年4月 - 現在   

応用物理学会 講演会企画・運営委員会、講演奨励賞委員会   委員  

2011年4月 - 2013年3月   

応用物理学会　東海支部   幹事  

2011年4月 - 2013年3月   

応用物理学会　   理事  

2011年4月 - 2013年3月   

日本表面科学会 中部支部   中部支部役員  

2011年4月 - 2012年3月   

第33回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2011)   実行副委員長  

2011年4月 - 2011年11月   

応用物理学会　薄膜・表面物理分科会　第17回ゲートスタック研究会   運営委員  

2011年3月 - 2012年3月   

国際会議諮問委員  

2011年1月 - 2012年3月   

国際会議組織運営委員・国際会議実行委員  

2011年1月 - 2012年3月   

第24回アモルファスおよびナノ結晶半導体国際会議組織運営委員会(ICANS24)   国際会議組織運営委員・出版委員  

2011年1月 - 2011年12月   

国際会議組織運営委員  

2011年1月 - 2011年11月   

第15回薄膜国際会議　組織委員会(ICTF-15)   国際会議組織運営委員  

2011年1月 - 2011年11月   

国際会議 Int. Symp on Dry Process Symp. (DPS; 2005 － 2009, 2011～ )   プログラム委員  

2011年 - 現在   

2011年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2011)   国際会議プログラム委員・副委員長  

2010年12月 - 2011年12月   

日本学術振興会　科学研究費委員会   専門委員  

2010年12月 - 2011年11月   

ISPlasma2011組織委員会   国際会議組織運営委員  

2010年7月 - 2011年4月   

第32回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2010)   国際会議実行委員  

2010年1月 - 2010年12月   

応用物理学会　   2009年度支部学術講演会　実行委員長  

2009年8月   

応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会   幹事長  

2009年4月 - 2011年3月   

応用物理学会　国際委員会   委員  

2009年4月 - 2010年3月   

第31回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2009)   国際会議実行委員  

2009年1月 - 2009年12月   

日本学術振興会　アモルファス・ナノ材料第147委員会   委員  

2008年4月 - 現在   

日本学術振興会　半導体界面制御技術第154委員会   企画幹事長  

2008年4月 - 2013年3月   

応用物理学会　   評議員  

2008年4月 - 2010年3月   

応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会   副幹事長  

2008年4月 - 2010年3月   

国際会議プログラム委員  

2008年4月 - 2009年4月   

国際会議実行委員  

2008年1月 - 2008年12月   

（独立行政法人）日本学術振興会　アモルファス・ナノ材料第147委員会   委員  

2008年 - 現在   

国際会議組織運営委員・国際会議実行委員  

2007年1月 - 2007年12月   

第30回ドライプロセスシンポジウム組織委員会(DPS2008)   国際会議プログラム委員  

2005年4月 - 2009年11月   

プログラム委員  

2005年1月 - 現在   

日本学術振興会　半導体界面制御技術第154委員会   企画副幹事長  

2004年4月 - 2007年3月   

国際会議諮問委員　  

2004年1月 - 2004年12月   

応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会   常任幹事  

2003年4月 - 2005年3月   

電気学会　システム集積プロセス調査専門委員会   委員  

2003年3月 - 2006年3月   

国際会議実行委員  

2003年1月 - 2003年12月   

e-Journal of Surf. Sci. and Nanotechnology, Ed. Board Member   学術論文編集委員  

2003年 - 現在   

日本学術振興会　半導体界面制御技術第154委員会   企画幹事  

2001年4月 - 2003年3月   

プログラム委員  

2000年4月 - 現在   

応用物理学会　   代議員  

2000年4月 - 2003年3月   

電気学会　グローバルインテグレーションプロセス調査専門委員会   委員  

2000年3月 - 2003年3月   

応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会   幹事  

1999年4月 - 2010年3月   

日本学術振興会　薄膜第131委員会   庶務幹事  

1999年4月 - 2003年3月   

応用物理学会　   第59回応用物理学会学術講演会　現地実行委員  

1998年9月   

（一般社団法人）電子情報通信学会　シリコン材料・デバイス研究専門委員会   SDM研究専門委員会　専門委員  

1998年5月 - 2021年6月   

電気情報通信学会　シリコン材料・デバイス研究専門委員会   専門委員  

1998年5月 - 2013年5月   

日本学術振興会　プラズマ材料科学第153委員会   委員  

1998年4月 - 2002年3月   

応用物理学会　薄膜・表面分科会   常任幹事  

1998年4月 - 1999年3月   

応用物理学会　薄膜・表面分科会   幹事  

1997年4月 - 1998年3月   

電気学会　プロセス・インテグレーション調査専門委員会   委員  

1997年3月 - 2000年3月   

応用物理学会　中国四国支部   幹事  

1995年4月 - 2010年3月   

日本学術振興会　薄膜第131委員会   委員  

1993年3月 - 2011年3月   

（独立行政法人）日本学術振興会　薄膜第131委員会   委員  

1993年 - 2020年6月   

井上研究奨励賞

1987年2月   （財）井上科学財団  

Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode 査読有り

T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

ECS Transactions   98 巻 ( 5 ) 頁： 429-434   2020年9月

Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing 査読有り

H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

ECS Transactions   98 巻 ( 5 ) 頁： 505-511   2020年9月

Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe 査読有り

J. Wu, H. Zhang, H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

ECS Transactions   98 巻 ( 5 ) 頁： 493-498   2020年9月

Complex dielectric function of Si oxide as evaluated from photoemission measurements 査読有り

A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   59 巻 ( SM ) 頁： SMMB04 (8 pages)   2020年7月

Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface 査読有り

M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, N. Taoka, T. Simizu, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   59 巻 ( SG ) 頁： SGGK15 (6 pages)   2020年4月

Comparative study of photoluminescence properties obtained from SiO2/GaN and Al2O3/GaN structures 査読有り

N. Takada, N. Taoka, A. Ohta, T. Yamamoto, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   58 巻 ( SI ) 頁： SIIB22 (5 pages)   2019年8月

Effect of H2-dilution in Si-cap formation on photoluminescence intensity of Si quantum dots with Ge core 査読有り

S. Fujimori, R. Nagai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   58 巻 ( SI ) 頁： SIIA01 (4 pages)   2019年8月

Impact of surface pre-treatment on Pt-nanodot formation induced by remote H2-plasma exposure 査読有り

S. Fujimori, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   58 巻 ( SI ) 頁： SIIA15 (4 pages)   2019年8月

Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacking Si-Based Quantum Dots 査読有り

Y. Futamura, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E102.C 巻 ( 6 ) 頁： 458 - 461   2019年6月

Impact of remote plasma oxidation of a GaN surface on photoluminescence properties 査読有り

N. Takada, N. Taoka, T. Yamamoto, A. Ohta, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   58 巻 ( SE ) 頁： SEEC02 (4 pages)   2019年6月

Evaluation of the potential distribution in a multiple stacked Si quantum dots structure by hard X-ray photoelectron spectroscopy 査読有り

Y. Futamura, Y. Nakashima, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   58 巻 ( SA ) 頁： SAAE01 (4 pages)   2019年2月

Photoemission-Based Characterization of Gate Dielectrics and Stack Interfaces 招待有り 査読有り

S. Miyazaki, and A. Ohta

ECS Transactions   92 巻 ( 4 ) 頁： 11 - 19   2019年

Characterization of electron charging and transport properties of Si-QDs with phosphorus doped Ge core 査読有り

R. Nagai, K. Yamada, S. Fujimori, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki

Semiconductor Science and Technology   33 巻 ( 12 ) 頁： 124021   2018年12月

Activation mechanism of TiOx passivating layer on crystalline Si 査読有り

T. Mochizuki, K. Gotoh, A. Ohta, S. Ogura, Y. Kurokawa, S. Miyazaki, K. Fukutani, and N. Usami

Applied Physics Express   11 巻 ( 10 ) 頁： 102301 (4 pages)   2018年10月

Energy band structure and electrical properties of Ga-oxide/GaN interface formed by remote oxygen plasma 査読有り

T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, O. Nakatsuka, M. Shimizu, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 6S3 ) 頁： 06KA05 (5 pages)   2018年6月

Low-temperature formation of Ga-oxide/GaN interface with remote oxygen plasma and its interface properties 査読有り

T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 6S2 ) 頁： 06JE01 (5 pages)   2018年6月

Interface properties of SiO2/GaN structures formed by chemical vapor deposition with remote oxygen plasma mixed with Ar or He 査読有り

N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 6S3 ) 頁： 06KA01 (7 pages)   2018年6月

Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N2 ambient 査読有り

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 6S1 ) 頁： 06HD08 (5 pages)   2018年6月

Evaluation of resistive switching properties of Si-rich oxide embedded with Ti nanodots by applying constant voltage and current 査読有り

A. Ohta, Y. Kato, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 6S1 ) 頁： 06HD05 (4 pages)   2018年6月

Total photoelectron yield spectroscopy of energy distribution of electronic states density at GaN surface and SiO2/GaN interface 査読有り

A. Ohta, N. X. Truyen, N. Fujimura, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 6S3 ) 頁： 06KA08 (6 pages)   2018年6月

High thermal stability of abrupt SiO2/GaN interface with low interface state density 査読有り

N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 4S ) 頁： 04FG11 (5 pages)   2018年4月

Direct evaluation of electrical dipole moment and oxygen density ratio at high-k dielectrics/SiO2 interface by X-ray photoelectron spectroscopy analysis 査読有り

N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 4S ) 頁： 04FB07 (5 pages)   2018年4月

Segregated SiGe ultrathin layer formation and surface planarization on epitaxial Ag(111) by annealing of Ag/SiGe(111) with different Ge/(Si + Ge) compositions 査読有り

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 4S ) 頁： 04FJ05 (6 pages)   2018年4月

Characterization of remote O2-plasma-enhanced CVD SiO2/GaN(0001) structure using photoemission measurements 査読有り

N. X. Truyen, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 1S ) 頁： 01AD02 (5 pages)   2018年1月

Formation of Mn-germanide nanodots on ultrathin SiO2 induced by remote hydrogen plasma 査読有り

Y. Wen, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   57 巻 ( 1S ) 頁： 01AF05 (4 pages)   2018年1月

Electroluminescence of superatom-like Ge-core/Si-shell quantum dots by alternate field-effect-induced carrier injection 査読有り

K. Makihara, M. Ikeda, N. Fujimura, K. Yamada, A. Ohta, and S. Miyazaki

Applied Physics Express   11 巻 ( 1 ) 頁： 011305 (4 pages)   2018年1月

High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots 査読有り

H. Zhang, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

ECS Transactions   86 巻 ( 7 ) 頁： 131 - 138   2018年

Impact of phosphorus doping to multiple-stacked Si quantum dots on electron emission properties 査読有り

D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Materials Science in Semiconductor Processing   70 巻   頁： 183 - 187   2017年11月

Magnetoelectronic transport of double stack FePt nanodots 査読有り

K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Appl. Phys. Lett   111 巻 ( 5 ) 頁： 052403 (4 pages)   2017年7月

Evaluation of energy distribution of filled defects of Si oxide thin films from total photoelectron yield spectroscopy 査読有り

A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazakia

Microelectronic Engineering   178 巻   頁： 85 - 88   2017年6月

Potential changes and chemical bonding features for Si-MOS structure as evaluated from HAXPES analysis 査読有り

A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, and S. Miyazaki

Microelectronic Engineering   178 巻   頁： 80 - 84   2017年6月

Low-temperature formation of crystalline Si:H/Ge:H heterostructures by plasma-enhanced CVD in combination with Ni-nanodots seeding nucleation 査読有り

Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻 ( 6S1 ) 頁： 06GG07 (4 pages)   2017年6月

Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors 査読有り

Y. Kato, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E100.C 巻 ( 5 ) 頁： 468 - 474   2017年5月

Photoemission study on electrical dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 interfaces 査読有り

N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻 ( 4S ) 頁： 04CB04 (6 pages)   2017年4月

Effects of remote hydrogen plasma on chemical bonding features and electronic states of 4H-SiC(0001) surface 査読有り

N. X. Truyen, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻 ( 1S ) 頁： 01AF01 (5 pages)   2017年1月

High-density formation of Ta nanodot induced by remote hydrogen plasma 査読有り

Y. Wang, D. Takeuchi, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻 ( 1S ) 頁： 01AE01 (4 pages)   2017年1月

Characterization of Interfacial Dipoles at Dielectric Stacks by XPS Analysis 招待有り 査読有り

S. Miyazaki, A. Ohta, and N. Fujimura

ECS Transactions   80 巻 ( 1 ) 頁： 229 - 235   2017年

Photoemission Study of Gate Dielectrics on Gallium Nitride 招待有り 査読有り

S. Miyazaki, N. X. Truyen, A. Ohta, and T. Yamamoto

ECS Transactions   79 巻 ( 1 ) 頁： 119 - 127   2017年

Processing and Characterization of High Density Si/Ge Quantum Dots for Electroluminescent Devices 招待有り 査読有り

S. Miyazaki, K. Yamada, K. Makihara, and M. Ikeda

ECS Transactions   80 巻 ( 4 ) 頁： 167 - 172   2017年

Nano spin-diodes using FePt-NDs with huge on/off current ratio at room temperature 査読有り

K. Makihara, T. Kato, Y. Kabeya, Y. Mitsuyuki, A. Ohta, D. Oshima, S. Iwata, Y. Darma, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Scientific Reports   6 巻   頁： 33409 (7 pages)   2016年9月

Evaluation of valence band top and electron affinity of SiO2 and Si-based semiconductors using X-ray photoelectron spectroscopy 査読有り

N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 8S2 ) 頁： 08PC06 (5 pages)   2016年8月

Impact of embedded Mn nanodots on resistive switching characteristics of Si-rich oxides as measured in Ni-electrode metal–insulator–metal diodes 査読有り

T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 6S1 ) 頁： 06GH07 (5 pages)   2016年6月

Bonding and Electron Energy-Level Alignment at Metal/TiO2 Interfaces: A Density Functional Theory Study 査読有り

H. Chen, P. Li, N. Umezawa, H. Abe, J. Ye, K. Shiraishi, A. Ohta, and S. Miyazaki

The Journal of Physical Chemistry   120 巻 ( 10 ) 頁： 5549 - 5556   2016年3月

Evaluation of field emission properties from multiple-stacked Si quantum dots 査読有り

D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Thin Solid Films   602 巻   頁： 68 - 71   2016年3月

Study on electroluminescence from multiply-stacking valency controlled Si quantum dots 査読有り

T. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Thin Solid Films   602 巻   頁： 48 - 51   2016年3月

Photoluminescence study of high density Si quantum dots with Ge core 査読有り

K. Kondo, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Journal of Applied Physics   119 巻 ( 3 ) 頁： 033103 (5 pages)   2016年1月

Formation and characterization of high-density FeSi nanodots on SiO2 induced by remote H2 plasma 査読有り

H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 1S ) 頁： 01AE20 (4 pages)   2016年1月

The interface analysis of GaN grown on 0° off 6H-SiC with an ultra-thin buffer layer 査読有り

Z. Sun, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nagamatsu, H. Lee, M. Olsson, Z. Ye, M. Deki, Y. Honda, and H. Amano

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 1 ) 頁： 010303 (3 pages)   2016年1月

Evaluation of Dielectric Function of Thermally-grown SiO2 and GeO2 from Energy Loss Signals for XPS Core-line Photoelectrons 査読有り

T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

ECS Transactions   75 巻 ( 8 ) 頁： 777 - 783   2016年

Processing and characterization of Si/Ge quantum dots 査読有り

S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda

2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)     頁： 826 (33.2.1) - 830 (33.2.4)   2016年

Effect of Ge Core Size on Photoluminescence from Si Quantum Dots with Ge Core 査読有り

K. Yamada, K. Kondo, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

ECS Transactions   75 巻 ( 8 ) 頁： 695 - 700   2016年

High Density Formation of FePt Alloy Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of their Magnetic Properties 査読有り

R. Fukuoka, K. Makihara, H. Zhang, A. Ohta, T. Kato, S. Iwata, M. Ikeda, and S. Miyazaki

Transactions of the Materials Research Society of Japan   40 巻 ( 4 ) 頁： 347-350   2015年12月

Electronic defect states in thermally-grown SiO2/4H-SiC structure measured by total photoelectron yield spectroscopy 査読有り

A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

Microelectronic Engineering   147 巻   頁： 264-268   2015年11月

Progress in determination method for ultrathin Si-based oxide bandgaps from analysis of energy loss signals for photoelectrons 査読有り

A. Ohta, H. Murakami, K. Makihara, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   54 巻 ( 6S1 ) 頁： 06FH08 (5 pages)   2015年6月

Resistance-Switching Characteristics of Si-rich Oxide Evaluated by Using Ni Nanodots as Electrodes in Conductive AFM Measurements 査読有り

A. Ohta, C. Liu, T. Arai, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E98.C 巻 ( 5 ) 頁： 406-410   2015年5月

High-Resolution Photoemission Study of High-k Dielectric Bilayer Stack on Ge(100) 招待有り 査読有り

S. Miyazaki, and A. Ohta

ECS Transactions   69 巻 ( 10 ) 頁： 165-170   2015年

Resistive Switching Characteristics of Si-Rich Oxides with Embedding Ti Nanodots 査読有り

Y. Kato, T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

ECS Transactions   69 巻 ( 10 ) 頁： 291-298   2015年

Photoemission Study on Chemical Bonding Features and Electronic Defect States of Thermally-Grown SiO2/4H-SiC Structure 査読有り

H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

ECS Transactions   69 巻 ( 10 ) 頁： 179-186   2015年

Application of remote hydrogen plasma to selective processing for Ge-based devices: Crystallization, etching, and metallization 査読有り

K. Makihara, M. Ikeda, T. Okada, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 11S ) 頁： 11RA02 (4 pages)   2014年11月

Effect of electric field concentration using nanopeak structures on the current–voltage characteristics of resistive switching memory 査読有り

S. Otsuka, T. Shimizu, S. Shingubara, K. Makihara, S. Miyazaki, A. Yamasaki, Y. Tanimoto, and K. Takase

AIP Advances   4 巻 ( 8 ) 頁： 087110 (7 pages)   2014年8月

Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots 査読有り

K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

IEICE Transactions on Electronics   E97.C 巻 ( 5 ) 頁： 393-396   2014年5月

High-Sensitive Detection of Electronic Emission through Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy 査読有り

D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki, and T. Hayashi

IEICE Transactions on Electronics   E97.C 巻 ( 5 ) 頁： 397-400   2014年5月

Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100) 査読有り

H. Murakami, S. Hamada, T. Ono, K. Hashimoto, A. Ohta, H. Hanafusa, S. Higashi, and S. Miyazaki

ECS Transactions   64 巻 ( 6 ) 頁： 423-429   2014年

Photoluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core 査読有り

K. Makihara, K. Kondo, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

ECS Transactions   64 巻 ( 6 ) 頁： 365-370   2014年

Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack 査読有り

A. Ohta, H. Murakami, K. Hashimoto, K. Makihara, and S. Miyazaki

ECS Transactions   64 巻 ( 6 ) 頁： 241-248   2014年

Characterization of Electron Emission from High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy 査読有り

D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

ECS Transactions   64 巻 ( 6 ) 頁： 923-928   2014年

Optoelectronic Response of Metal-Semiconductor Hybrid Nanodots Floating Gate

S.Miyazaki

Program&Abstracts of 2013 EMN Fall Meeting     頁： 202-203   2013年12月

Impact of Post-Metallization Annealing on Chemical Bonding Features in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Stack

K. Hashimoto, T. Ono, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Extended Abstracts of 2013 IWDTF     頁： 49 - 50   2013年11月

Low Temperature Formation of Crystalline Si/Ge Heterostructures by Plasma Enhanced CVD in Combination with Ni-NDs Seeding Nucleation

Y. Lu, K. Makihara, D.Takeuchi, K. Sakaike, M. Akazawa, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

Abstracts of ICANS25     頁： 141-143   2013年8月

High-Sensitive Detection of Electronic Emission through Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy

D.Takeuchi, K.Makihara, M.Ikeda, S.Miyazaki, H.Kaki, T.Hayashi

proceedings of 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices     頁： 275-278   2013年6月

Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots

K.Makihara, M.Ikeda, S.Miyazaki

proceedings of 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices     頁： 333-336   2013年6月

リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価

牧原克典,福岡　諒,張　海,壁谷悠希,大田晃生,宮崎誠一

信学技報   113 巻 ( 87 ) 頁： 47-50   2013年6月

スパッタ形成したPt/SiOx/Pt構造の光電子分光分析

大田 晃生, 牧原 克典, 池田 弥央, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一

第18回ゲートスタック研究会プログラム     頁： 229 - 232   2013年1月

スパッタ形成したTiN/SiOx/TiNダイオードの電気抵抗スイッチング特性評価

福島太紀, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一

第18回ゲートスタック研究会プログラム     頁： 233-236   2013年1月

Ｘ線光電子分光によるAs+イオン注入したGeの化学結合状態分析

小野貴寛、大田晃生, 花房宏明、村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一

第18回ゲートスタック研究会プログラム     頁： 171-174   2013年1月

Determination of Energy Band Alignment in Ultrathin Hf-based Oxide/Pt System

A Ohta, H Murakami, S Higashi, S Miyazaki

Journal of Physics: Conference Series   417 巻   頁： 012012(1-6)   2013年

Characterization of Ultrathin Ta-oxide Films Formed on Ge(100) by ALD and Layer-by-Layer Methods

K Mishima, H Murakami, A Ohta, S K Sahari, T Fujioka, S Higashi, S Miyazaki

Journal ofPhysics:ConferenceSeries   417 巻   頁： 012013(1-6)   2013年

Kinetics of thermally oxidation of Ge(100) surface

S K Sahari, A Ohta, M Matsui, K Mishima, H Murakami, S Higashi, S Miyazaki

Journal of Physics: Conference Series   417 巻   頁： 012014(1-6)   2013年

Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Application

S. Miyazaki

MRS Proceedings   1510 巻   2013年

Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer

K. Hashimoto, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 674-679   2013年

X-ray Photoemission Study of SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si Heterostructures

A. Ohta. K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba, J. Murota

IEICE Trans. on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 680-685   2013年

Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior

A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakamis, S. Higashi, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 702-707   2013年

Characterization of Resistive Switching of Pt/Si- rich Oxide/TiN System

M. Fukushima, A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 708-713   2013年

Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy

D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki, T. Hayashi

IEICE Trans. on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 718-721   2013年

Photoexcited Carrier Transfer in a NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures

M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E96-C 巻 ( 5 ) 頁： 694-698   2013年

Characterization of Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots

H. Takami, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys   52 巻 ( 4 ) 頁： 04CG08 (4 pages)   2013年

High Density Formation of Iron Nanodots on SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma

H. Zhang, R. Fukuoka, Y. Kabeya, K. Makihara, S. Miyazaki

Advanced Materials Research Vols 750-752     頁： 1011-1015   2013年

Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Application

S. Miyazaki

MRS Proceedings   1510 巻   2013年

XPS Study of Energy Band Alignment between Hf-La Oxides and Si(100)

A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Trans. of MRS-J   38 巻 ( 3 ) 頁： 353-357   2013年

Temporal Changes of Charge Distribution in High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots as Evaluated by AFM/KFM

N. Tsunekawa K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki

Trans. of MRS-J   38 巻 ( 3 ) 頁： 393-396   2013年

Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes

A. Ohta, K. Makihara, M. Fukusima, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

ECS Trans   58 巻 ( 9 ) 頁： 293-300   2013年

Study on Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate MOS Devices for Their Optoelectronic Application

S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara

ECS Trans   58 巻 ( 9 ) 頁： 231-237   2013年

Highly-crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 VHF-ICP -Crystalline Nucleation Initiated by Ni-nanodots-

K. Makihara, J. Gao, K. Sakaike, S. Hayashi, H. Deki, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys   52 巻   頁： 11NA04 (3 pages)   2013年

Characterization of Resistive Switching Behaviors of RF Sputtered Si Oxide ReRAMs with Ti-based Electrodes

A. Ohta, M. Fukusima, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys   52 巻   頁： 11NJ06 (5 pages)   2013年

Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Application

Seiichi Miyazaki

2012 MRS Fall Meeting Abstracts     頁： DD6.01   2012年11月

ナノ構造制御で展開する電子デバイス開発（チュートリアル）

宮崎誠一

薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会「薄膜デバイスの未来」     頁： 1－26   2012年11月

Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior

A.Ohta, K.Makihara, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

AWAD2012 Workshop Digest     頁： 186-191   2012年6月

Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer

K.Hashimoto, A.Ohta, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

AWAD2012 Workshop Digest     頁： 219-224   2012年6月

Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures

M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki

AWAD2012 Workshop Digest     頁： 206-209   2012年6月

Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy

D.Takeuchi, K.Makihara, M.Ikeda, A.Ohta, K.Makihara, M.Ikeda, S.Miyazaki, H.Kaki, T.Hayashi

AWAD2012 Workshop Digest     頁： 202-205   2012年6月

Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-rich Oxide/TiN System

M. Fukusima, A.Ohta, K.Makihara, S.Miyazaki

AWAD2012 Workshop Digest     頁： 192-197   2012年6月

Study of ElectronTransport Characteristics Through Self-Aligned Si-Based Quantum Dots

K.Makihara, C.Liu, M.Ikeda, S.Miyazaki

Proceedings of 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting(ISTDM)     頁： 182-183   2012年6月

Highly-crystallized Ge:H Film Growth from GeH₄ VHF-ICP-Crystalline Nucleation Initiated by Ni-nanodots-

K.Makihara, J.Gao, K.Sakaike, S.Hayashi, H.Deki, M.Ikeda, S.Higashi, S.Miyazaki

Proceedings of 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting(ISTDM)     頁： 138-139   2012年6月

Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価

福嶋太紀、、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

信学技報   112 巻 ( 92 ) 頁： 1-6   2012年6月

As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析

小野貴寛、大田晃生、村上秀樹、東　清一郎、宮崎誠一

信学技報   112 巻 ( 92 ) 頁： 63-67   2012年6月

極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御

大田晃生、松井真史、村上秀樹、東　清一郎、宮崎誠一

信学技報   112 巻 ( 92 ) 頁： 53-58   2012年6月

TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御

村上秀樹、三嶋健斗、大田晃生、橋本邦明、東　清一郎、宮崎誠一

信学技報   112 巻 ( 92 ) 頁： 33-36   2012年6月

Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動

池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

信学技報   112 巻 ( 92 ) 頁： 13-16   2012年6月

酸化アルミニウムを用いた抵抗変化メモリのスイッチング電圧のばらつき抑制 1

大塚慎太郎，古屋沙絵子，清水智弘，新宮原正三，牧原克典，宮崎誠一，渡辺忠孝，高野良紀，高瀬浩一

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 15a-GP3-11   2012年3月

走査プローブ顕微鏡によるカーボンナノウォールの初期成長過程の解明

近藤博基，安田幸司，牧原克典，宮崎誠一，平松美根男，関根　誠，堀　　勝

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 16a-A3-11   2012年3月

GeH4 VHF-ICP からの高結晶性Ge:H 薄膜堆積 -Ni ナノドットを用いた結晶核発生制御-

高　　金，牧原克典，酒池耕平，林　将平，出木秀典，池田弥央，東清一郎，宮崎誠一

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 16a-B6-5   2012年3月

Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートにおける光励起電子のパルス電圧応答

池田弥央，牧原克典，宮崎誠一

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 18a-GP6-11   2012年3月

高濃度As+イオン注入ゲルマニウム層における化学結合状態評価

小野貴寛，大田晃生，村上秀樹，東清一郎，宮崎誠一

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 18a-A6-9   2012年3月

ゲルマニウムドライ酸化における温度依存性

大田晃生，Siti Kudnie Sahari，池田弥央，村上秀樹，東清一郎，宮崎誠一

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 16a-A5-4   2012年3月

AFM/KFMによる一次元連結・高密度Si系量子ドットの帯電状態の経時変化計測

牧原克典，恒川直輝，池田弥央，宮崎誠一

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 18p-A1-8   2012年3月

一次元縦積み連結Si系量子ドットの室温共鳴トンネル伝導

牧原克典，池田弥央，宮崎誠一

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 18p-A1-7   2012年3月

一次元連結Si系量子ドットのEL特性評価

高見弘貴，牧原克典，出木秀典，池田弥央，宮崎誠一

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 18p-A1-5   2012年3月

極薄層挿入によるAl/p-Ge接合のショットキー障壁制御

松井真史，大田晃生，村上秀樹，小野貴寛，橋本邦明，東清一郎，宮崎誠一

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 18p-A1-3   2012年3月

導電性AFM探針による極薄Au/柱状Siナノ構造の局所電気伝導評価

竹内大智，牧原克典，池田弥央，宮崎誠一，可貴裕和，林　　司

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 18a-A1-4   2012年3月

熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPtおよびPtシリサイドナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用

牧原克典，山根雅人，池田弥央，東清一郎，宮崎誠一

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 18a-B3-1   2012年3月

Ptナノドット電極を用いたSiOx膜の抵抗変化特性評価

福嶋太紀，大田晃生，牧原克典，宮崎誠一

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 16p-F6-12   2012年3月

Pt/SiOx/TiNダイオード構造の抵抗変化特性評価

福嶋太紀，大田晃生，牧原克典，宮崎誠一

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 16p-F6-11   2012年3月

Pt/SiOx/Pt構造における抵抗変化特性

大田晃生，牧原克典，池田弥央，村上秀樹，東清一郎，宮崎誠一

2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集     頁： 16p-F6-10   2012年3月

Ge熱酸化-酸化温度が熱酸化膜構造に及ぼす影響

大田 晃生, シティ クディニ サハリ, 池田 弥央, 松井 真史, 三嶋 健人, 村上 秀樹, 東 清一郎 , 宮崎 誠一

特別研究会研究報告（ゲートスタック研究会）     頁： 93-96   2012年1月

HfO2/Ge界面へのTaOx層挿入による界面反応制御

三嶋 健斗, 村上 秀樹, 大田 晃生, 橋本 邦明, 東 清一郎, 宮崎 誠一

特別研究会研究報告（ゲートスタック研究会）     頁： 121－124   2012年1月

RFスパッタで形成したSiリッチ酸化薄膜の化学構造分析と抵抗変化特性評価

大田 晃生, 後藤 優太, 西垣 慎吾, 村上 秀樹, 東 清一郎 , 宮崎 誠一

特別研究会研究報告（ゲートスタック研究会）     頁： 221－224   2012年1月

熱処理による金属/GeO2界面化学構造変化－X線光電子分光分析

松井 真史, 大田 晃生, 村上 秀樹, 小野 貴寛, 東 清一郎, 宮崎 誠一

特別研究会研究報告（ゲートスタック研究会）     頁： 169－172   2012年1月

Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots with High Areal Dot Density

K. Makihara, H. Deki, M Ikeda, S, Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻 ( 4 ) 頁： 04DG08(5 pages)   2012年

Evaluation of Charge Trapping Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films by Kelvin Force Microscopy

K. Makihara, H. Deki, M Ikeda, S, Miyazaki

J. Non-Cry. Solids   358 巻 ( 17 ) 頁： 2086-2089   2012年

Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes

K. Makihara, M. Fukushima, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

ECS Trans.   50 巻 ( 9 ) 頁： 459-464   2012年

Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion

A. Ohta, M. Matsui, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

ECS Trans.   50 巻 ( 9 ) 頁： 449-457   2012年

Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes

A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻   頁： 06FF02(6 pages)   2012年

Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering

A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

IEICE Trans., on Electronics   E95-C 巻 ( 5 ) 頁： 879-884   2012年

Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots with High Areal Dot Density

K. Makihara, H. Deki, M Ikeda, S, Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys   51 巻 ( 4 ) 頁： 04DG08 (5 pages)   2012年

Evaluation of Charge Trapping Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films by Kelvin Force Microscopy

K. Makihara, H. Deki, M Ikeda, S, Miyazaki

J. Non-Cry. Solids   358 巻 ( 17 ) 頁： 2086-2089   2012年

Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes

K. Makihara, M. Fukushima, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

ECS Trans   50 巻 ( 9 ) 頁： 459-464   2012年

Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion

A. Ohta, M. Matsui, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

ECS Trans   50 巻 ( 9 ) 頁： 449-457   2012年

Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes

A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻   頁： 06FF02 (6 pages)   2012年

超低消費電力化デバイス開発に向けた材料・プロセス研究

宮崎誠一

SPring-8コンファレンス2011　講演概要集     頁： 53   2011年11月

Formation and Characterization of Silicon-Quantum-Dots/Metal-Silicide-Nanodots Hybrid Stack and Its Application to Floating Gate Functional Devices

S.Miyazaki

ECS Transaction   41 巻 ( 7 ) 頁： 93-98   2011年10月

Formation of Metal-Semiconductor Hybrid Nanodots and Its Application to Functional Floating Gate 招待有り

S.Miyazaki

Abstract of BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T 2011     頁： 256   2011年10月

XPS Study of Interfacial Reaction between Metal and Ultrathin Ge Oxide

A.Ohta, T.Fujioka, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 10 ) 頁： 10PE01 (6pages).   2011年10月

Evaluation of Chemical Structure and Resistance Switching Characteristics of Undoped Titanium Oxide and Titanium - Yttrium mixed Oxide

A. Ohta, Y. Goto, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 10 ) 頁： 10PH02(6pages)   2011年10月

Impact of insertion of ultrathin TaOx layer at the Pt/TiO2 interface on resistive switching characteristics

G. Wei, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, Y. Goto, S. Higashi, S. Miyazaki

MICROELECTRONIC ENGINEERING   88 巻 ( 7 ) 頁： 1152-1154   2011年7月

Characterization of chemical bonding features at metal/GeO2 interfaces by X-ray photoelectron spectroscopy

M. Matsui, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, S. Higashi, S. Miyazaki

MICROELECTRONIC ENGINEERING   88 巻 ( 7 ) 頁： 1549-1552   2011年7月

Electrical Characterization of NiSi-NDs/Si-QDs Hybrid Stacked Floating Gate in MOS Capacitors

K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki

2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices     頁： 47-50   2011年6月

Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering

A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices     頁： 41-46   2011年6月

Impact of Annealing Ambience on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure

G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E94-C 巻 ( 5 ) 頁： 699-704   2011年5月

Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities

A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E94-C 巻 ( 5 ) 頁： 717-723   2011年5月

Study on Native Oxidation of Ge (111) and (100) Surfaces

S. K. Sahari, H. Murakami, T. Fujioka, T. Bando, A. Ohta, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 4 ) 頁： 04DA12 (4 pages)   2011年4月

Activation of As Atoms in Ultrashallow Junction during Milli- and Microsecond Annealing Induced by Thermal-Plasma-Jet Irradiation

K. Matsumoto, A. Ohta, S. Miyazaki, S. Higashi

Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 4 ) 頁： 04DA07 (4 pages)   2011年4月

ルテニウムの化学結合および電子状態評価

三嶋健斗、後藤優太、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一

応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催　特別研究会アブストラクト集     頁： 39   2011年1月

X線光電子分光法による金属/GeO₂界面の化学結合状態分析

松井真史、藤岡知宏、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一

応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催　特別研究会アブストラクト集     頁： 41   2011年1月

Formation of Ultra Thin Titanium Oxide on Germanium by Atomic Layer Deposition using TEMAT and O3

T.Fujioka, A.Ohta, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

Extended Abstracts of IWDTF2011     頁： 51-52   2011年1月

Characterization of Resistance-Switching of SiOx Dielectrics

Y.Goto, A.Ohta, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

Extended Abstracts of IWDTF2011     頁： 163-164   2011年1月

Impact of Y2O3 Addition of Chemical Bonding Features and Resistance Switching of TiO2

A.Ohta, Y.Goto, G.Wei, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

Extended Abstracts of IWDTF2011     頁： 113-114   2011年1月

XPS Study of Interfacial Reaction between Metal and Ge Oxide

A.Ohta, T.Fujioka, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki

Extended Abstracts of IWDTF2011     頁： 25 - 26   2011年1月

Study on Native Oxidation of Ge (111) and (100) Surfaces

S. K. Sahari, H. Murakami, T. Fujioka, T. Bando, A. Ohta, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys   50 巻   頁： 04DA12(4 pages)   2011年

High Density Formation of Ge Quantum Dots on SiO2

K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Takeuchi, Y. Shimura, S. Zaima, S. Miyazaki

Solid State Electronics   60 巻   頁： 65-69   2011年

Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor

M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

IEICE   94-C 巻 ( 5 ) 頁： 730-736   2011年

The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure

G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

IEICE   94-C 巻 ( 5 ) 頁： 699-704   2011年

Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell

M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, S. Nomura, K. Shiraishi, T. Endoh

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 4 ) 頁： 04DD04(4 pages)   2011年

Optical Response of Si-Quantum-Dots/NiSi-Nanodots Stack Hybrid Floating Gate in MOS Structures

N. Morisawa, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

Key Engineering Materials   470 巻   頁： 135-139   2011年

Formation of High Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing using Thermal Plasma Jet for Floating Gate Memory

K. Makihara, K. Matsumoto, M. Yamane, T. Okada, N. Morisawa, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 8 ) 頁： 08KE06(4 pages)   2011年

The Impact of Y Addition into TiO2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics

A. Ohta, Y. Goto, M.F. Kazalman, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁： 06GG01(5 pages)   2011年

Application of Thermal Plasma Jet Irradiation to Crystallization and Gate Insulator Improvement for High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication

S. Higashi, S. Hayashi, Y. Hiroshige, Y. Nishida, H. Murakami, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁： 03CB10(8 pages)   2011年

Application of Thermal Plasma Jet Irradiation to Crystallization and Gate Insulator Improvement for High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication

S. Higashi, S. Hayashi, Y. Hiroshige, Y. Nishida, H. Murakami, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys   50 巻   頁： 03CB10 (8 pages)   2011年

Optical Response of Si-Quantum-Dots/NiSi-Nanodots Stack Hybrid Floating Gate in MOS Structures

N. Morisawa, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

Key Engineering Materials   470 巻   頁： 135-139   2011年

High Density Formation of Ge Quantum Dots on SiO2

K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Takeuchi, Y. Shimura, S. Zaima, S. Miyazaki

Solid State Electronics   60 巻   頁： 65-69   2011年

Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor

M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, Y. Shigeta, T. Endoh

IEICE Trans. on Electronics   94-C 巻 ( 5 ) 頁： 730-736   2011年

The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure

G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   94-C 巻 ( 5 ) 頁： 699-704   2011年

Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell

M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, S. Nomura, K. Shiraishi, T. Endoh

Jpn. J. Appl. Phys   50 巻 ( 4 ) 頁： 04DD04 (4 pages)   2011年

Formation of High Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing using Thermal Plasma Jet for Floating Gate Memory

K. Makihara, K. Matsumoto, M. Yamane, T. Okada, N. Morisawa, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys   50 巻 ( 8 ) 頁： 08KE06 (4pages)   2011年

The Impact of Y Addition into TiO2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics

A. Ohta, Y. Goto, M. F. Kazalman, G. Wei, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys   50 巻 ( 6 ) 頁： 06GG01 (5 pages)   2011年

Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique 査読有り

S. Higashi, K. Sugakawa, H. Kaku, T. Okada, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   頁： 03CA08 (4 pages)   2010年3月

Temperature Dependence of Electron Tunneling between Two Dimensional Electron Gas and Si Quantum Dots 査読有り

Y. Sakurai, J. Iwata, M. Muraguchi, Y. Shigeta, Y. Takada, S. Nomura, T. Endoh, S. Saito, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

  49 巻   頁： 014001 (4 pages)   2010年1月

Characterization of Interfaces between Chemically-Cleaned or Thermally-Oxidized Germanium and Metals

H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, T. Bando, S. Higashi and S. Miyazaki

ECS Trans.   33 巻   2010年

Formation of High Crystallinity Silicon Films by High Speed Scanning of Melting Region Formed by Atmospheric Pressure DC Arc Discharge Micro-Thermal-Plasma-Jet and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication

S. Hayashi, S. Higashi, H. Murakami and S. Miyazaki

Appl. Phys. Exp.   3 巻   2010年

Self-Align Formation of Si Quantum Dots

K. Makihara, M. Ikeda, H. Deki, A. Ohta and S. Miyazaki

ECS Trans.   33 巻   2010年

Formation of Pseudo-Expitaxial Ge Films on Si(100) by Droplet of Microliquid Ge Melt

T. Matsumoto, S. Higashi, K. Makihara, M. Akazawa and S. Miyazaki

ECS Trans.   33 巻   2010年

Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe Technique

K. Makihara, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻 ( 2 )   2010年

Formation and Characterization of Hybrid Nanodot Stack Structure for Floating Gate Application

S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda

Thin Solid Films   518 巻   頁： S30-S34   2010年

Formation of High Density Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Memory Application

S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto

J. of Materials Science Forum   638-642 巻   頁： 1725-1730   2010年

Anomalous temperature dependence of electron tunneling between a two-dimensional electron gas and Si dots

Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

Physica E   42 巻 ( 4 ) 頁： 918–921   2010年

Formation Mechanism of Metal nanodots Induced by Remote Plasma Exposure

K. Makihara, K. Shimanoe, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki

Journal of Optoelectronics and Advanced Materials   12 巻 ( 3 ) 頁： 626-630   2010年

Effect of Chemical Composition of SiOx Films on Rapid Formation of Si Nanocrystals Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, K. Makihara, H. Furukawa, Y. Hiroshige and S. Miyazaki

Physica Status Solidi C   7 巻 ( 3-4 ) 頁： 732-734   2010年

Light Induced Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid FG in MOS Structures

N. Morisawa, M. Ikeda, S. Nakanishi, A. Kawanami, K. Makihara and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   2010年

Activation of B and As in Ultrashallow Junction DuringMillisecond Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation

K. Matsumote, S. Higashi, H. Murakami and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   2010年

Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots

K. Makihara, M. Ikeda, A. Kawanami and S. Miyazaki

Trans. of IEICE   E93-C 巻 ( 5 ) 頁： 569-572   2010年

Formation of Cobalt and Cobalt-silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma

A. Kawanami, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   頁： 08JA04   2010年

Importance of Electronic State of Two-Dimensional Electron Gas for Electron Injection Process in Nano-Electronic Devices

M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Takada, Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, Y. Shigeta

Physica E.   42 巻 ( 10 ) 頁： 2602-2605   2010年

Contribution of Carbon to Growth of Boron-Containing Cluster in Heavily Boron-Doped Silicon

H. Itokawa, A. Ohta, M. Ikeda, I. Mizushima, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   2010年

Contribution of Carbon to Growth of Boron-Containing Cluster in Heavily Boron-Doped Silicon

H. Itokawa, A. Ohta, M. Ikeda, I. Mizushima, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   頁： 081301 (5 pages)   2010年

Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique

K. Sugakawa, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, S. Miyazaki

2009 The Sixteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD'09)(Nara)   P-4 巻   頁： 117-120   2009年7月

Electrical Detection of Silicon Binding Protein-Protein A using a p-MOSFET Sensor

H. Murakami, S. Mahboob, K. Katayama, K. Makihara, M. Ikeda, Y. Hata, A. Kuroda, S. Higashi, S. Miyazaki

2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2009), (Korea)   2B-8 巻   2009年6月

Characterization of Interfacial Reaction and Chemical Bonding Features of LaOx/HfO2 Stack Structure Formed on Thermally-grown SiO2/Si(100)

A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

16th biannual Conference on Insulating Films on Semiconductors 2009 (INFOS2009),(Cambridge, UK)     頁： 178   2009年6月

Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots

K. Makihara, M. Ikeda, A. Kawanami,S. Miyazaki

2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2009), (Korea)   3A-6 巻   2009年6月

Electrical Charging Characteristics of NiSi-Nanodots Floating Gate

S. Nakanishi, M. Ikeda, K. Shimanoe, K. Makihara, A. Kawanami, N. Morisawa, A. Fujimoto, S. Higashi, S. Miyazaki

International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, (IMFEDK)(Osaka)   C-5 巻   頁： 62-63   2009年5月

Formation of Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 forFloating Gate Application 査読有り

S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto

  154 巻   頁： 95-100   2009年4月

Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Induced by High-Power-Density Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Ultrashallow Junction Formation 査読有り

Hirokazu Furukawa, Seiichiro Higashi, Tatsuya Okada, Hideki Murakami, and Seiichi Miyazaki H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   48 巻   頁： 04C011 (4 pages)   2009年4月

A Novel Millisecond Crystallization Technique Using Si Micro Liquid

N. Koba, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki

The 5th International Thin-Film Transistor Conference 2009(France)     頁： 263-366   2009年3月

Improvement of Bond Structure and Electrical Properties of Low-Temperature Deposited SiO2 Films by Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing

Y. Hiroshige, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa, T. Okada, S. Miyazaki

Plasma Science Symposium 2009 and 26th Symposium on Plasma Processing (PSS-2009/SPP-26)(Nagoya)   P3-41 巻   頁： 496-497   2009年2月

Impact of Remote Plasma Treatment on Formation of Metal Nanodots on Ultrathin SiO2

A. Kawanami, K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, S.Higashi, S. Miyazaki

The 2nd International Conference on Plasma-Nano Technology & Science(Nagoya)   P-09 巻   2009年1月

Temperature Dependence of Electron Transport between Quantum Dots and Electron Gas

Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

International Symposium on Nanoscale Transport and Technology(Kanagawa)   PTu-09 巻   2009年1月

Temperature Dependence of Electron Tunneling between Two Dimensional Electron Gas and Si Quantum Dots

16. Y. Sakurai, J. Iwata, M. Muraguchi, Y. Shigeta, Y. Takada, S. Nomura, T. Endoh, S. Saito, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻 ( 1 ) 頁： 090435   2009年

The Influence of Defects and Impurities on Electrical Properties of High-k Dielectrics 査読有り

J. Dąbrowski, S. Miyazaki, S. Inumiya, G. Kozłowski, G. Lippert, G. Łupina, Y. Nara, H.-J. Müssig, A. Ohta, and Y. Pei

Materials Science Forum   608 巻   頁： 55-109   2009年

Interface Properties and Effective Work Function of Sb-Predoped Fully Silicided NiSi Gate

T. Hosoi, K. Sano, A. Ohta, K. Makihara, H. Kaku, S. Miyazaki, K. Shibahara

Appl. Phys. Lett.   94 巻   頁： 192102   2009年

Temperature Dependence of Capacitance of Si Quantum Dot Floating Gate MOS Capacitor

Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S.Miyazaki

Jour. of Phys.: Cond. Mat.   150 巻   頁： 022071   2009年

Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Its Application to Floating Gate MOS Memories

K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, R. Matsumoto, S. Higashi, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E92-C 巻 ( 5 ) 頁： 616-619   2009年

Electronic Charged States of Pt-silicide Nanodots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique

K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, A. Ohta, S. Higashi, S. Miyazaki

Trans. of MRS-J.   34 巻 ( 2 ) 頁： 309-312   2009年

Photoemission Study of Fully Silicided Pd2Si Gates with Interface Modification Induced by Dopants

T. Hosoi, A. Ohta, S. Miyazaki, H. Shiraish, K. Shibahara

Appl. Phys. Lett.   94 巻   頁： 192102   2009年

Effective-Work-Function Control by Varying the TiN Thickness in Poly-Si/TiN Gate Electrodes for Scaled High-k CMOSFETs

21. M. Kadoshima, T. Matsuki, S. Miyazaki, K. Shiraishi, T. Chikyo, K. Yamada, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji

IEEE Electron Device Lett.   30 巻 ( 5 ) 頁： 466-468   2009年

Charge Strage Characteristics of Hybrid Nanodots Floating Gate

S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda

ECS Trans.   25 巻 ( 7 ) 頁： 433-439   2009年

Physics of Nano-contact Between Si Quantum Dots and Inversion Layer

19. Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, J. Iwata, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

ECS Trans.   25 巻 ( 7 ) 頁： 463-469   2009年

Surface Potential Changes Induced by Physisorption of Si-tagged Protein A on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 Surface

S. Mahboob, K. Makihara, A. Ohta, S. Higashi, Y. Hata, A. Kuroda, S. Miyazaki

ECS Trans.   19 巻 ( 22 ) 頁： 35-43   2009年

Electroluminescence from Si Quantum Dots/SiO2 Multilayers with Ultrathin Oxide Layers due to Bipolar Injection

J. Xu, K. Makihara, H. Dek, S. Miyazaki

Solid State Communications   149 巻   頁： 739-742   2009年

Generation of High Density Thermal Plasma Jet and Its Application to Millisecond Annealing of Si Wafer Surface for Shallow Junction Formation

H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki

30th International Symposium on Dry Process (DPS 2008) (Tokyo)   8-2 巻   頁： 267-268   2008年11月

Characterization of Chemical Bonding Features in HfGdxOy film formed by MOCVD using DPM precursors

D. Kanme, A. Ohta, R. Yougauchi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF)(Tokyo)   P1-4 巻   頁： 25-26   2008年11月

XPS Study of TiAlN/HfSiON Gate Stack - Impact of Al Redistribution on Effective Work Function Change-

A. Ohta, T. Mori, H. Yoshinaga, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Kadoshima, Y. Nara

2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF)(Tokyo)   S4-4 巻   頁： 75-76   2008年11月

Formation of Metallic Nanodots on Ultrathin Gate Oxide Induced by H2-plasma Treatment and Its Application to Floating Gate Memories

S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe, R. Matsumoto

4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008)(Sendai)   Z-01 巻   頁： 53-54   2008年9月

Formation of Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Application

S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe

The European Materials Research Society (E-MRS) 2008 Fall Meeting (Poland)     頁： 66-67   2008年9月

Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Induced by High Density Thermal Plasma Jet Irradiation

H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki

Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008)(Tsukuba)   A-9-2 巻   頁： 852-853   2008年9月

Photoemission Study of Chemical Bonding Features and Electronic States of Ultrathin HfTixOy/Pt System

A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Tanioku, M. Horikawa, A. Ogishima

2008 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM2008)(Tsukuba)   A-5-3 巻   頁： 684-685   2008年9月

Charge Injection and Emission Characteristics of Hybrid Floating Gate Stack Consisting of NiSi-Nanodots and Silicon-Quantum-Dots

M. Ikeda, R. Matsumoto, K. Shimanoe, K. Makihara, S. Miyazaki

2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)(Tsukuba)   H-1-6 巻   頁： 182-183   2008年9月

Formation of Ultra High Density Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2

K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008)(Sendai)   P-08 巻   頁： 37-38   2008年9月

AFM/KFM Detection of Si-tagged ProteinA on HF-last Si(100), Thermally Grown SiO2 and Si-QDs Surfaces

K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, Y. Hata, A. Kuroda, S. Miyazaki

4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008)(Sendai)   P-09 巻   頁： 39-40   2008年9月

Application of Thermal Plasma Jet Annealing to Channel Crystallization and Doping for Thin Film Transistor Fabrication

H. Kaku, S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H.Furukawa, S. Miyazaki

2008 The Fifteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD'08)(Tokyo)   3-3 巻   頁： 33-36   2008年8月

Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Silicon Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique 査読有り

T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Matsui1, A. Masuda1, M. Kondo1

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻   頁： 6949-6952   2008年8月

Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Its Application to Floating Gate MOS Memories

K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, R. Matsumoto, S. Higashi, S. Miyazaki

2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2008) (Hokkaido)   4A.1 巻   頁： 77-80   2008年7月

Electrical Properties of Highly Crystallized Ge:H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4

H. Kaku, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2008), (Sapporo)   5B.3 巻   頁： 155-158   2008年7月

Formation of Ni- and Pt-Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Their Application to Floating Gate MOS Memories

M. Ikeda, K. Shimanoe, R. Matsumoto, K. Makihara, S. Miyazaki

The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)(Osaka)   B-5 巻   頁： 43-44   2008年5月

Characterization of Thermal Stability of HfO2/SiON/Ge(100) Stacked Structure by using Photoemission Spectroscopy

A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)(Taiwan)   Tsu-S7-04 巻   頁： 88-89   2008年5月

Photoemission Study of Ultrathin Germanium Oxide/Ge(100) Interfaces

H. Murakami, M. Miura, A. Ohta, R. Yougauchi, S. Higashi, S. Miyazaki

4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)(Taiwan)   Mon-P1-19 巻   頁： 165-166   2008年5月

Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots

K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)(Taiwan)   Mon-P1-10 巻   頁： 147-148   2008年5月

Cathode Electron Injection Breakdown Model and Time Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Prediction in High-k/Metal Gate Stack p-Type Metal–Oxide–Silicon Field Effect Transistors 査読有り

M. Sato1, C. Tamura, K. Yamabe, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamada, R. Hasunuma, . Aoyama1, Y. Nara, and Y. Ohji1

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻   頁： 3326-3331   2008年5月

Self-Assembling Formation of Ni Nanodots on SiO2 Induced by Remote H2 Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics 査読有り

K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻   頁： 3099-3102   2008年4月

Comprehensive Analysis of Positive and Negative Bias Temperature Instabilities in High-k/Metal Gate Stack Metal–Oxide–Silicon Field Effect Transistors with Equivalent Oxide Thickness Scaling to Sub-1 nm 査読有り

M. Sato1, K. Yamabe, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamada, C. Tamura, R. Hasunuma, S. Inumiya, T.Aoyama, Y. Nara1, and Y. Ohji1

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻   頁： 2354-2359   2008年4月

In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer during Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation 査読有り

H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻   頁： 2460-2463   2008年4月

Formation of Source and Drain for Polycrystalline Si Thin Film Transistors Using Thermal Plasma Jet Induced Impurity Activation

H. Kaku, S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Furukawa, H. Murakami, S. Miyazaki

International TFT Conference 2008(Korea)   9.6 巻   頁： 331-334   2008年1月

Characterization of Multistep Electron Charging and Discharging of a Silicon Quantum Dots Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases

R. Matsumoto, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻 ( 4 ) 頁： 3103-3106   2008年

Growth of Si Crystalline in SiOx Films Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H. Murakami, S. Miyazaki

Solid-State Electronics   52 巻   頁： 377-380   2008年

Crystallization of Amorphous Ge Films Induced by Semiconductor Diode Laser Annealing

K. Sakaike, S. Higashi, H. Murakami, S. Miyazaki

Thin Solid Films   516 巻   頁： 3595-3600   2008年

Nucleation Study of Hydrogenated Microcrystalline Silicon (μc-Si:H) Films Deposited by VHF-ICP

T. Karakawa, S. Higashi, H. Murakami, S. Miyazaki

Thin Solid Films   516 巻   頁： 3497-3501   2008年

Effect of He Addition on the Heating Characteristics of Substrate Surface Irradiated by Ar Thermal Plasma Jet

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami, S. Miyazaki

Thin Solid Films   516 巻   頁： 3680-3683   2008年

In-situ Monitoring of Si Wafer Temperature during Millisecond Rapid Thermal Annealing

H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki

ECS Trans.   13 巻 ( 1 ) 頁： 31-36   2008年

Formation of Si Nanocrystals in SiOx Films Induced by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa, S. Miyazaki

ECS Trans.   16 巻 ( 9 ) 頁： 177-182   2008年

Low Temperature High-rate Growth of Crystalline Ge Films on Quartz and Crystalline Si Substrates from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4

T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi, S. Miyazaki

Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁： 216-218   2008年

Interface Properties and Effective Work Function of Sb-Predoped Fully Silicided NiSi Gate

T. Hosoi, K. Sano, A. Ohta, K. Makihara, H. Kaku, S. Miyazaki, K. Shibahara

Surface and Interface Analysis.   40 巻   頁： 1126-1130   2008年

Control of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots for Floating Gate Application

S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda

Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁： 41-44   2008年

Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Electrical Charging Characteristics

K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁： 306-308   2008年

Nucleation Control for High Density Formation of Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2

K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

ECS Trans.   16 巻 ( 10 ) 頁： 255-260   2008年

Progress on Charge Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots / SiO2 Structure as Evaluated by AFM/KFM

K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E91-C 巻 ( 5 ) 頁： 712-715   2008年

Effect of Annealing on Electronic Characteristics of HfSiON Films fabricated by Damascene Gate Process

K. Yamabe, K. Murata, T. Hayashi, T. Tamura, M. Sato, A. uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T. Chikyow, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohji, S. Miyazaki, K. Yamada, R. Hasunuma

ECS Trans.   16 巻 ( 5 ) 頁： 521-526   2008年

Theoretical Investigation of Metal/Dielectric Interfaces -Breakdown of Schottky Barrier Limits-

K. Shiraishi, T. Nakayama, T. Nakaoka, A. Ohta, S. Miyazaki

ECS Trans.   13 巻 ( 2 ) 頁： 21-27   2008年

Photoemission Study of Metal/HfSiON Gate Stack

S. Miyazaki, H. Yoshinaga, A. Ohta, Y. Akasaka, K. Shiraishi, K. Yamada, S. Inumiya, M. Kadoshima, Y. Nara

ECS Trans.   13 巻 ( 2 ) 頁： 67-73   2008年

Practical dual-metal-gate dual-high-k CMOS integration technology for hp 32 nm LSTP utilizing process-friendly TiAlN metal gate

M. Kadoshima, T. Matsuki, M. Sato, T. Aminaka, E. Kurosawa, A. Ohta, H. Yoshinaga, S. Miyazaki, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji

International Electron Device Meeting 2007 (IEDM)(Washington DC)   20.4 巻   頁： 531-534   2007年12月

Performance Improvement of HfAlOxN n-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors by Controlling the Bonding Configuration of Nitrogen Atoms Coordinated to Hf Atoms 査読有り

K. Iwamoto, T. Nishimura1, A. Ohta2, K. Tominaga, T. Nabatame, S. Miyazaki2, and A. Toriumi1,3

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁： 7666-7670   2007年12月

Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Si Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique

T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Matsui, A. Masuda, M. Kondo

2007 Int. Symposium on Dry Process (DPS2007)(Tokyo)   8-03 巻   頁： 157-158   2007年11月

Charge Injection Characteristics of NiSi-Dots/Silicon-Quantum-Dots Stacked Floating Gate in MOS Capacitors

M. Ikeda, R. Matsumoto, K. Shimanoe, T. Okada, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki

3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007)(Sendai)   P-08 巻   頁： 35-36   2007年11月

High Rate Growth of Crystalline Ge Films at Low Temperatures by Controlling 60MHz Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4

S. Miyazaki, T. Sakata, K. Makihara, M. Ikeda

3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007)(Sendai)   P-07 巻   頁： 33-34   2007年11月

Formation of PtSi Nanodots Induced by Remote H2 Plasma

K. Shimanoe, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007), Sendai   P-09 巻   頁： 37-38   2007年11月

Impact of Low Temperature Anneal on Effective Work Function and Chemical Bonding Features for Ru/HfSiON/SiON Gate Stack

A. Ohta, H. Yoshinaga, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Kadoshima, Y. Nara

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo)   OA3-1 巻   頁： 215-216   2007年11月

Evaluation of Effective Work Function in Ru/HfSiON/SiO2 Gate Stack Structures – Thickness Dependence in Bottom SiO2 layer

H. Yoshinaga, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Kadoshima, Y. Nara,

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo)   P.-47 巻   頁： 181-182   2007年11月

The Impact of Post Deposition NH3-Anneal on La Oxide Films Formed by MOCVD Using La(DPM)3

R. Yougauchi, A. Ohta, Y. Munetaka, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, (ISCSI-V)(Tokyo)   OA3-8 巻   頁： 227-228   2007年11月

High Efficiency Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si Films

H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, S. Miyazaki

5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo)   OA1 巻   頁： 51-52   2007年11月

High Rate Growth of Highly-Crystallized Ge Films on Quartzfrom VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4 + H2 査読有り

T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi and S. Miyazaki

Materials Science Forum   561-565 巻   頁： 1209-1212   2007年10月

Characterization of Electronic Charged States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/ Kelvin Probe Technique 査読有り

R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda,H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki

Materials Science Forum   561-565 巻   頁： 1213-1216   2007年10月

Self-Assembling Formation of Ninanodots on SiO2 Induced by Remote H2-Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics

K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)(Tsukuba)   I-8-1 巻   頁： 1108-1109   2007年9月

In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer During Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation

H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki

Solid State Device and Materials (SSDM2007)(Tsukuba)   P-1-27L 巻   頁： 376-377   2007年9月

Characterization of Multistep Electron Charging and Discharging of Silicon-Quantum-Dots Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases

R. Matsumoto, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)(Tsukuba)   I-8-3 巻   頁： 1112-1113   2007年9月

Electroluminescence from Multiple-Stacked Structures of Impurity Doped Si Quantum Dots

K. Okuyama, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)(Tsukuba)   E-1-4 巻   頁： 106-107   2007年9月

Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si films

H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, S. Miyazaki

The Fourteenth International Workshop on ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAY AND DEVICES(Awaji)   3-3 巻   頁： 33-36   2007年7月

Progress on Charge Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots/SiO2 Structure as Evaluated by AFM/KFM

K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007) (Korea)   J-R22W 巻   頁： 251-254   2007年6月

Phosphorus Doping to Si Quantum Dots for Floating Gate Application

K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, H. Murakami, R. Matsumoto, E. Ikenaga, M. Kobata, J. Kim, S. Higashi, S. Miyazaki

2007 Silicon Nanoelectronics Workshop(Kyoto)   5-3 巻   頁： 161-162   2007年6月

Fermi-level pinning position modulation by Al-containing metal gate for cost-effective dual-metal/dual-high-k CMOS

M. Kadoshima, Y. Sugita, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji

The 2008 Symposium on VLSI Technology(Kyoto)   5A-1 巻   頁： 66-67   2007年6月

Characterization of Chemical Bonding Features and Defect State Density in HfSiOxNy/SiO2 Gate Stack

A. Ohta, Y. Munetaka, A. Tsugou, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, Y. Nara

15th biannual Conference on Insulating Films on Semiconductors 2007 (INFOS2007)(Greece)   session7 7.36 巻   頁： 251-254   2007年6月

Impact of Boron Doping to Si Quantum Dots on Light Emission Properties

K. Okuyama, K. Makihara, A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007) (Korea)   J-R23M 巻   頁： 135-138   2007年6月

Hafnium 4f Core-level Shifts Caused by Nitrogen Incorporation in Hf-based High-k Gate Dielectrics 査読有り

N. Umezawa1, K. Shiraishi2,1, S. Miyazaki3, T. Ohno1, T. Chikyow1, K. Yamada4,1, and Y. Nara5

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁： 3507-3509   2007年6月

Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Electrical Charging Characteristics

K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures(France)   22P 2-15 巻   頁： 313-314   2007年5月

Characterization of Metal/High-k Structures Using Monoenergetic Positron Beams 査読有り

Akira Uedono, Tatsuya Naito, Takashi Otsuka, Kenichi Ito, Kenji Shiraishi, Kikuo Yamabe, Seiichi Miyazaki1, Heiji Watanabe2, Naoto Umezawa3, Toyohiro Chikyow3, Toshiyuki Ohdaira4, Ryoichi Suzuki4, Yasushi Akasaka5,, Satoshi Kamiyama5, Yasuo Nara5, and Keisaku Yamada6

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁： 3214-3218   2007年5月

Low Temperature High-rate Growth of Crystalline Ge Films on Quartz and Crystalline Si Substrates from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4

T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi, S. Miyazaki

5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)(France)   21P1-7 巻   頁： 214-215   2007年5月

Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots 査読有り

J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki

Solid State Phenomena   121-123 巻   頁： 557-560   2007年5月

Luminescence Study of Multiply-Stacked Structures Consisting of Impurity-Doped Si Quantum Dots and Ultrathin SiO2

K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki,

The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)(Osaka)   PB-5 巻   頁： 121-122   2007年4月

Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bonds in HfSiON 査読有り

Naoto Umezawa, Kenji Shiraishi1, Seiichi Miyazaki2, Akira Uedono1, Yasushi Akasaka3, Seiji Inumiya3, Ryu Hasunuma1, Kikuo Yamabe1, Hiroyoshi Momida4, Takahisa Ohno4, Kenji Ohmori, Toyohiro Chikyow, Yasuo Nara3, and Keisaku Yamada5

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁： 1891-1894   2007年4月

Melting and Solidification of Microcrystalline Si Films Induced by Semiconductor Diode Laser Irradiation 査読有り

Kohei Sakaike, Seiichiro Higashi, Hirotaka Kaku, Hideki Murakami, and Seiichi Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁： 1276-1279   2007年3月

Ultrarapid Thermal Annealing Induced by DC Arc Discharge Plasma Jet Its Application

S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki

5th International Symposium Nanotechnology (JAPAN NANO 2007)(Tokyo)   P3-2 巻   頁： 144-145   2007年2月

Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films

S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki

3rd International TFT Conference(Italy)   P21 巻   頁： 204-207   2007年1月

Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films, 3rd International TFT Conference, Rome, Italy, Jan.

S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki,

3rd International TFT Conference, Rome, Italy, Jan. 25-26, 2007, P21, pp     頁： 204-207.   2007年1月

Growth of Si Crystalline in SiOx Films Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H.Murakami, S. Miyazaki

3rd International TFT Conference(Italy)   5a.3 巻   頁： 82-85   2007年1月

Theoretical Studies on Metal/High-k Gate Stacks

K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, A. Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamabe, K. Yamada

ECS Trans.   6 巻 ( 1 ) 頁： 191-204   2007年

Melting and Solidification of Microcrystalline Si Films Induced by Semiconductor Diode Laser Irradiation

K. Sakaike, S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻 ( 3B ) 頁： 1276-1279   2007年

Control of Substrate Surface Temperature in Millisecond Annealing Technique Using Thermal Plasma Jet

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami, S. Miyazaki

Thin Solid Films   515 巻   頁： 4897-4900   2007年

Electrical Characteristics of Lightly-Doped Si Films Crystallized by Thermal Plasma Jet Irradiation

T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Maki, T. Sameshima

Trans. of MRS-J   32 巻 ( 2 ) 頁： 465-468   2007年

Performance Improvement of HfAlOxN n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by Controlling the Bonding Configuration of Nitrogen Atoms Coordinated to Hf Atoms

K. Iwamoto, T. Nishimura, A. Ohta, K. Tominaga, T. Nabatame, S. Miyazaki, A. Toriumi

Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻 ( 12 ) 頁： 7666-7670   2007年

Vacancy-fluorine complexes and their impact on the properties of metal-oxide transistors with high-k gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams

A. Uedono, S. Inumiya, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki, S. Miyazaki, K. Yamada

J. Appl. Phys   102 巻   頁： 054511-1 – 054511-7   2007年

Improvement in Fermi-Level Pinning of p-MOS Metal Gate Electodes on HfSiON by Employing Ru Gate Electrodes

M. Kadoshima, Y. Suginta, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji

ECS Trans.   11 巻 ( 4 ) 頁： 169-180   2007年

Characterization of Chemical Bonding Features and Defect State Density in HfSiOxNy/SiO2 Gate Stack

A. Ohta, Y. Munetaka, A. Tsugou, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, Y. Nara

Microelec. Eng.   84 巻   頁： 2386-2389   2007年

Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots for Floating Gate Application

S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara

ECS Trans.   11 巻 ( 6 ) 頁： 233-243   2007年

Characterization of Electronic Charged States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/Kelvin Probe Technique

R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Materials Science Forum   561-565 巻   頁： 1213-1216   2007年

Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots

J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Solid State Phenomena   121-123 巻   頁： 557-560   2007年

Vacancy-Type Defects in MOSFETs with High-k Gate Dielectrics Probed by Monoenergetic Positron Beams

A. Uedono, R. Hasumuma, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Inumiya, Y. Akasaka, S. Kamiyama, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, S. Miyazaki, H. Watanab, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki, K. Yamada

ECS Trans.   11 巻 ( 4 ) 頁： 81-90   2007年

Role of the Ionicity in Defect Formation in Hf-based Dielectrics

N. Umezawa, K. Shiraishi, S. Miyazaki, A. Uedono, Y. Akasaka, S. Inumiya, A. Oshiyama, R. Hasunuma, K. Yamabe, H. Momida, T. Ohno, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamada

ECS Trans.   11 巻 ( 4 ) 頁： 199-211   2007年

Tight distribution of dielectric characteristics of HfSiON in metal gate devices

R. Hasumuma, T. Naito, C. Tamura, A. Uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Inumiya, M. Sato, Y. Tamura, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohji, S. Miyazaki, K. Yamada, K. Yamabe

ECS Trans.   11 巻 ( 4 ) 頁： 3-11   2007年

Introduction of defects into HfO2 gate dielectrics by metal-gate deposition studied using x-ray photoelectron spectroscopy and positron annihilation

1. A. Uedono, T. Naito, T. Otsuka, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, H. Watanabe

J. Appl. Phys.   100 巻   頁： 064501-1 – 064501-5   2006年

Photoemission Study of Ultrathin GeO2/Ge Heterostructures Formed by UV-O3 Oxidation

A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Jour. of Sur. Sci. and Nanotech.   4 巻   頁： 174-179   2006年

Impact of Nitrogen Incorporation into Yittrium Oxide on Chemical Bonding Features and Electrical Properties

H. Abe, H. Nakagawa, M. Taira, A. Ohta, S. Higashi, S. Miyazaki

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 157-160   2006年

Nitridation of Ge(100) Surfaces by Vacuum-ultra violet (VUV) Irradiation in NH3 Ambience

H. Nakagawa, A. Ohta, M. Taira, H. Abe, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 153-156   2006年

Influence of thermal annealing on defect states and chemical structures in ultrathin Al2O3/SiN/poly-Si

M. Taira, A. Ohta, H. Nakagawa, S. Miyazaki, K. Yoneda, M. Horikawa, K. Koyama

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 149-152   2006年

Characterization of FUSI-PtSi Formed on Ultrathin HfO2/Si(100) by Photoelectron Spectroscopy

Y. Munetaka, F. Takeno, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 145-148   2006年

Depth Profiling of Chemical and Electronic Structures and Defects of Ultrathin HfSiON on Si(100)

S. Miyazaki, A. Ohta, S. Inumiya, Y. Nara, K. Yamada

ECS Trans.   3 巻 ( 3 ) 頁： 171-180   2006年

Physics of Metal/High-k Interfaces

T. Nakayama, K. Shiraishi, S. Miyazaki, Y. Akasaka, K. Torii, P. Ahmet, K. Ohmori, N. Umezawa, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, A. Ohta, H. Iwai, K. Yamada, T. Nakaoka

Physics of Metal/High-k Interfaces   3 巻 ( 3 ) 頁： 129-140   2006年

Multistep Electron Charging to and Discharging from Silicon-Quantum-Dots Floating Gate in nMOSFETs

T. Nagai, M. Ikeda, Y. Shimizu, S. Higashi, S. Miyazaki

Trans. of MRS-J   31 巻 ( 1 ) 頁： 137-140   2006年

Study of Charged States of Si Quantum Dots with Ge Core

K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki

ECS Trans.   3 巻 ( 7 ) 頁： 257-262   2006年

Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots and Their Application to Floating Gate Memories

S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara

ECS Trans.   2 巻 ( 1 ) 頁： 157-164   2006年

Fabrication of Multiply-Stacked Si Quantum Dots for Floating Gate MOS Devices

K. Makihara, M. Ikeda, T. Nagai, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Trans. of MRS-J   31 巻 ( 1 ) 頁： 133-136   2006年

Decay Characteristics of Electronic Charged States of Si Quantum Dots as Evaluated by an AFM/Kelvin Probe Technique

J. Nishitani, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Thin Solid Films   508 巻 ( 1-2 ) 頁： 190-194   2006年

Characterization of Electronic Charged States of P-doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe

K. Makihara, J. Xu, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Thin Solid Films   508 巻 ( 1-2 ) 頁： 186-189   2006年

Characterization of HfSiON gate dielectrics using monoenergetic positron beams

1. A. Uedono, K. Ikeuchi, T. Otsuka, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, N. Umezawa, A. Hamid, T. Chikyow

J. Appl. Phys.   99 巻   頁： 054507-1 – 054507-6   2006年

Photoemission Study of Ultrathin HfSiON/Si(100) Systems

A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya, Y. Nara

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 125-128   2006年

Crystallization of Si in Millisecond Time Domain Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation

S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 5B ) 頁： 4313-4320   2006年

Analysis of Transient Temperature Profile During Thermal Plasma Jet Annealing of Si Films on Quartz Substrate

T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 5B ) 頁： 4355-4357   2006年

In-Situ Observation of Rapid Crystalline Growth Induced by Excimer Laser Irradiation to Ge/Si Stacked Structure

A. Yamashita, Y. Okamoto, S. Higashi, S. Miyazaki, H. Watakabe, T. Sameshima

Thin Solid Films   508 巻   頁： 53-56   2006年

High-rate Growth of Highly-crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plasma CVD

N. Kosku, S. Miyazaki

Thin Solid Films   511-512 巻   頁： 265-270   2006年

The Application of Very High Frequency Inductively-coupled Plasma to High-Rate Growth of Microcrystalline Silicon Films

N. Kosku, S. Miyazaki

J. Non-Cryst. Solid   352 巻   頁： 911-914   2006年

Growth of Crystallized Ge Films from VHF-Inductively Coupled Plasma of H2-Diluted GeH4

T. Sakata, K. Makihara, S. Higashi, S. Miyazaki

Thin Solid Films   515 巻 ( 12 ) 頁： 4971-4974   2006年

An Unfavorable Effect of Nitrogen Incorporation on Reduction in the Oxygen Vacancy Formation Energy

N. Umezawa, K. Shiraishi, Y. Akasaka, S. Inumiya, A. Uedono, S. Miyazaki, T. Chikyow, T.Ohno, Y. Nara, K. Yamada

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   31 巻 ( 1 ) 頁： 129-132   2006年

Control of the Nucleation Density of Si Quantum Dots by Remote Hydrogen Plasma Treatment

K. Makihara, H. Deki, H. Murakami, S. Higasi, S. Miyazaki

Appl. Surf. Sci.   244 巻 ( 1-4 ) 頁： 75-78   2005年

Crystallization of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet

S. Higashi, H. Kaku, H. Taniguchi, H. Murakami, S. Miyazaki

Thin Solid Films   487 巻   頁： 122-125   2005年

Crystallization of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet

S. Higashi, H. Kaku, H. Taniguchi, H. Murakami, S. Miyazaki

Thin Solid Films   487 巻   頁： 122-125   2005年

High-Rate Growth of Highly-Crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plasma CVD

N. Kosku, S. Miyazaki

Trans. of MRS-J   30 巻 ( 1 ) 頁： 279-282   2005年

Fabrication of Polycrystalline Si Thin Film Transistor Using Plasma Jet Crystalliztion Technique

H. Kaku, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Asami, H. Watakabe, N. Andoh, T. Sameshima

Trans. of MRS-J   30 巻 ( 1 ) 頁： 283-286   2005年

Application of Plasma Jet Crystallization Technique to Fabrication of Thin-Film Transistor

S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki, H. Watakabe, N. Ando, T. Sameshima

Jpn. J. Appl. Phys.   44 巻 ( 3 ) 頁： L108-L110   2005年

Influence of Substrate dc Bias on Crystallinity of Silicon Films Grown at a High Rate from Inductively-coupled Plasma CVD

N. Kosku, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Appl. Surf. Sci.   244 巻 ( 1-4 ) 頁： 39-42   2005年

A New Crystallization Technique of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet

H. Kaku, S. Higashi, H. Taniguchi, H. Murakami, S. Miyazaki

Appl. Surf. Sci.   244 巻 ( 1-4 ) 頁： 8-11   2005年

Characterization of Germanium Nanocrystallites Grown on SiO2 by a Conductive AFM Probe Technique

K. Makihara, Y. Okamoto, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E88-C 巻 ( 4 ) 頁： 705-708   2005年

Formation of Microcrystalline Germanium (mc-Ge:H) Films From Inductively-Coupled Plasma CVD

Y. Okamoto, K. Makihara, H. Murakami, S. Higasi, S. Miyazaki

Appl. Surf. Sci.   244 巻 ( 1-4 ) 頁： 12-15   2005年

Electrical Characterization of HfAlOx/SiON Dielectric Gate Capacitors

Y. Pei, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 205-208   2005年

Analysis of Leakage Current through Al/HfAlOx/SiONx/Si(100) MOS Capacitors

S. Nagamachi, A. Ohta, F. Takeno, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 197-200   2005年

The Role of Oxygen-related Defects on the Reliabilities of HfO2-based High-k Gate Insulators

K. Torii, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamabe, M. Boero, T. Chikyow, K. Yamada, H. Kitajima, T. Arikado

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 191-195   2005年

Impact of Rapid Thermal Anneal on ALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100) Stack Structures-Photoelectron Spectroscopy

F. Takeno, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Komeda, M. Horikawa, K. Koyama

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 213-217   2005年

Characterization of Charge Trapping and Dielectric Breakdown of HfAlOX/SiON Dielectric Gate Stack

Y. Pei, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii, Y. Nara

ECS Trans.   1 巻 ( 1 ) 頁： 163-172   2005年

Characterization of Aluminum-Oxynitride Stacked Gate Dielectrics Prepared by a Layer-by-Layer Process of Chemical Vapor Deposition and Rapid Thermal Nitridation

H. Murakami, W. Mizubayashi, H. Yokoi, A. Suyama, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E88-C 巻 ( 4 ) 頁： 640-645   2005年

Characterization of Atom Diffusion in Polycrystalline Si/SiGe/Si Stacked Gate

H. Murakami, Y. Moriwaki, M. Fujitake, D. Azuma, S. Higashi, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E88-C 巻 ( 4 ) 頁： 646-650   2005年

Impact of Rapid Thermal Anneal on ALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100) Stack Structures-Photoelectron Spectroscopy

F. Takeno, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Komeda, M. Horikawa, K. Koyama

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 213-217   2005年

Analysis of Leakage Current through Al/HfAlOx/SiONx/Si(100) MOS Capacitors

S. Nagamachi, A. Ohta, F. Takeno, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii

Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan   30 巻 ( 1 ) 頁： 197-200   2005年

Characterization of Electronic Charged States of Silicon Nanocrystals as a Floating Gate in MOS Structures

S. Miyazaki, T. Shibaguchi, M. Ikeda

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   830 巻   頁： 249-254   2005年

Charging and Discharging Characteristics of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots

T. Shibaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Miyazaki

IEICE Trans. on Electronics   E88-C 巻 ( 4 ) 頁： 709-712   2005年

Influence of Thermal Annealing on Compositional Mixing and Crystallinity of Highly-Selective Grown Si Dots with Ge Core

Y. Darma, Hideki Murakami, S. Miyazaki

Appl. Surf. Sci.   224 巻   頁： 156-159   2004年

New Analytical Modeling for Photoinduced Discharge Characteristics of Photoreceptors

A. Teshima, S. Miyazaki,

Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 8A ) 頁： 5129-5133   2004年

Electrical Characterization of Ge Microcrystallites by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probe

K. Makihara, Y. Okamoto, H. Nakagawa, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Thin Solid Films   457 巻   頁： 103-108   2004年

Analysis of Soft Breakdown of 2.6-4.9nm-Thick Gate Oxides

W. Mizubayashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 10 ) 頁： 6925-6929   2004年

Statistical Analysis of Soft and Hard Breakdown in 1.9-4.8nm-thick Gate Oxides, IEEE Electron Device Lett.

W. Mizubayashi, Y. Yoshida, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Hirose

IEEE Electron Device Lett   25 巻 ( 5 ) 頁： 305-307   2004年

Praseodymium silicate formed by postdeposition high-temperature annealing

A. Sakai, S. Sakashita, M. Sakashita, S. Zaima, S. Miyazaki

Appl. Phys. Lett.   85 巻 ( 22 ) 頁： 5322-5324   2004年

Impact of Rapid Thermal O2 Anneal on Dielectric Stack Structures of Hafnium Aluminate and Silicon Dioxide Formed on Si(100)

A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, T, Kawahara, K. Torii, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 11B ) 頁： 7831-7836   2004年

Photoelectron Spectroscopy of ultrathin yttrium oxide films on Si(100)

A. Ohta, M. Yamaoka, S. Miyazaki

Microelec. Eng.   72 巻   頁： 154-159   2004年

Characterization of Interfacial Oxide Layers in Heterostructures of Hafnium Oxides Formed on NH3-nitrided Si(100)

H. Nakagawa, A. Ohta, F. Takeno, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 11B ) 頁： 7890-7894   2004年

Influence of Boron and Fluorine Incorporation on the Network Structure of Ultrathin SiO2 査読有り

S. Miyazaki, K. Morino and M. Hirose

  76-77 巻   頁： 149-152   2001年

プラズマ・核融合学会誌 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス　3．結晶化・相変化制御への応用」

東　清一郎, 宮崎　誠一（ 担当： 共著）

2009年 

次世代半導体メモリの最新技術 第6章分担執筆：「シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発」

（ 担当： 単著）

シーエムシー出版  2009年 

プラズマ・核融合学会誌85(3) 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス　3．結晶化・相変化制御への応用」

東　清一郎, 宮崎　誠一（ 担当： 共著）

プラズマ・核融合学会  2009年 

実用薄膜プロセス―機能創製・応用展開― 第1編「創製技術」第5章「CVD」

（ 担当： 単著）

技術教育出版社  2009年 

究極のかたちをつくる 第1章分担執筆：「ナノサイズのかたちをつくる」

（ 担当： 単著）

日刊工業新聞社  2009年 

薄膜ハンドブック 第II編 第1章　1.3.4 CVD(編集・分担執筆　)

宮崎 誠一（ 担当： 単著）

Ohmsha  2008年 

表面科学の基礎と応用(第3編、第1章・第2節)

（ 担当： 共著）

エヌ・ティー・エス  2004年 

リモート水素プラズマ支援FePt合金ナノドット自己組織化形成プロセスにおける基板温度が磁化特性に与える影響

本田 俊輔、古幡 裕志、大田 晃生、池田 弥央、大島 大輝、加藤 剛志、牧原 克典、宮﨑 誠一

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月19日 

低温水素アニール処理がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響

前原 拓哉、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月17日 

Segregation Control for Ultrathin Ge Layer in Al/Ge(111) system 国際会議

A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月10日 

Influence of Substrate Temperature on Plasma-Enhanced Self-Assembling Formation of High Density FePt-Nanodot 国際会議

S. Honda, K. Makihara, H. Furuhata, A. Ohta, M. Ikeda, T. Kato, D. Oshima, and S. Miyazaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月9日 

High-Density Formation of FeSi2 Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

H. Zhixue, H, Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月9日 

Magnetoelectronic Transport Characteristics of Fe3Si Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

W. Jialin, H. Zhang, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月9日 

Characterization of Electron Field Emission from Phosphorus δ-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures 国際会議

T. Takemoto, T. Niibayashi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2021 / IC-PLANTS 2021)  2021年3月9日 

[チュートリアル]組成・状態評価 招待有り

宮﨑 誠一

日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 リトリート学習会2021  2021年3月6日 

金属Hf/Zrの熱酸化プロセスが結晶相と強誘電特性に与える影響

長谷川 遼介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）  2021年1月22日 

Sapphire(0001)上アモルファスGe薄膜の固相結晶化

須川 響、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）  2021年1月22日 

Ag/Ge構造の表面偏析制御と平坦化による極薄Ge結晶形成

大田 晃生、山田 憲蔵、須川 響、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）  2021年1月22日 

グラフェン電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電子放出特性評価

新林 智文、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮﨑 誠一

第20回日本表面真空学会中部支部学術講演会  2020年12月19日  日本表面真空学会中部支部

Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode 国際会議

Tomofumi Niibayashi, Tatsuya Takemoto, Katsunori Makihara, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, and Seiichi Miyazaki

PRiME 2020 (238th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)) 

Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing 国際会議

Hibiki Sugawa, Akio Ohta, Masato Kobayashi, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara and Seiichi Miyazaki

PRiME 2020 (238th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)) 

Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe 国際会議

Jialin Wu, Hai Zhang, Hiroshi Furuhata, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta and Seiichi Miyazaki

PRiME 2020 (238th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)) 

Growth of Ultrathin Ge Crystal Layer by Surface Segregation and Flattening of Ag/Ge Structure 国際会議

Akio Ohta, Kenzou Yamada, Hibiki Sugawa, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, an Seiichi Miyazaki

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)  2020年9月28日 

グラフェン上部電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出 ―コレクタ電極電圧依存性評価

2020年9月9日 

XANAMによるGe量子ドット像の1次元 元素マッピング

2020年9月9日 

金属Zr/Hf構造の熱酸化によるZrHf酸化物の形成と結晶相制御

2020年9月10日 

Si-Ge系ナノドットの高密度集積と光・電子物性制御 招待有り

牧原 克典、宮﨑 誠一

阪大CSRN 第二回異分野研究交流会 ~半導体ナノカーボン系~  2020年8月28日 

Photoemission Study of Chemically-Cleaned GaN Surfaces and GaN-SiO2 Interfaces Formed by Remote Plasma CVD 招待有り 国際会議

S. Miyazaki, and A. Ohta

Material Research Meeting 2019 (MRM 2020) 

Light Emission from Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots 招待有り 国際会議

S. Miyazaki

7th Global Nanotechnology Congress and Expo: Nanotechnology 2019 

Formation of High Density Fe-silicide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of Their Magnetic Properties 招待有り 国際会議

J. Wu, H. Furuhata, H. Zhang, Y. Hashimoto, M. Ikeda, A. Ohta, A. Kohno, K. Makihara, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

Fabrication of Impurity Doped Si Quantum Dots with Ge Core for Light Emission Devices 招待有り 国際会議

K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

Application of Surface Chemical Imaging by XANAM to Ge Surfaces 招待有り 国際会議

S. Suzuki, S. Mukai, W. J. Chun, M. Nomura, S. Fujimori, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, and K. Asakura

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

Characterization of Photoluminescence from Si-QDs with B δ-Doped Ge Core 招待有り 国際会議

T. Maehara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Magnetic Fe-silicide Nanodots 招待有り 国際会議

H. Zhang, X. Liu, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8) 

Formation of High Density PtAl Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Exposure 招待有り 国際会議

S. Miyazaki

41st International Symposium on Dry Process (DPS 2019) 

Fabrication and Characterization of Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots for Light Emission 招待有り 国際会議

S. Miyazaki

2nd Int. Conf. on Photonics Research: InterPhotonics 2019 

Operand Study of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 招待有り 国際会議

M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019) 

Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 招待有り 国際会議

S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019) 

Determination of Complex Dielectric Function of Oxide Film from Photoemission Measurements 招待有り 国際会議

A. Ohata, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019) 

Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 招待有り 国際会議

K. Makihara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2019) 

Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing 招待有り 国際会議

M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2019) 

Study on Light Emission from Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots 招待有り 国際会議

S. Miyazaki

World Congress on Lasers, Optics and Photonics