2021/10/22 更新

写真a

ノリマツ ワタル
乗松 航
NORIMATSU, Wataru
所属
大学院工学研究科 化学システム工学専攻 材料化学 准教授
大学院担当
大学院工学研究科
学部担当
工学部 マテリアル工学科
職名
准教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2007年9月   早稲田大学 ) 

研究キーワード 5

  1. 電子顕微鏡

  2. 固体物理

  3. カーボンナノチューブ

  4. 2次元物質

  5. グラフェン

研究分野 2

  1. その他 / その他  / 物性Ⅱ

  2. その他 / その他  / 物性Ⅰ

現在の研究課題とSDGs 1

  1. ナノカーボン物質の結晶学的研究

経歴 6

  1. 名古屋大学   未来社会創造機構 マテリアルイノベーション研究所 次世代エネルギー研究部門   研究員

    2018年10月 - 現在

  2. 名古屋大学大学院工学研究科 化学システム工学専攻 准教授   准教授

    2018年4月 - 現在

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    国名:日本国

  3. 名古屋大学大学院工学研究科 化学・生物工学専攻 助教

    2011年4月 - 2018年3月

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    国名:日本国

  4. 名古屋大学エコトピア科学研究所 助教

    2008年5月

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    国名:日本国

  5. 名古屋大学エコトピア科学研究所 研究員

    2007年10月 - 2008年4月

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    国名:日本国

  6. 早稲田大学理工学術院 助手

    2005年4月 - 2007年9月

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    国名:日本国

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学歴 3

  1. 早稲田大学   理工学研究科   環境資源及材料理工学専攻

    2004年4月 - 2007年3月

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    国名: 日本国

  2. 早稲田大学   理工学研究科   環境資源及材料理工学専攻

    2002年4月 - 2004年3月

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    国名: 日本国

  3. 早稲田大学   理工学部   物質開発工学科

    1998年4月 - 2002年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 6

  1. 日本物理学会

  2. 応用物理学会

  3. 日本結晶学会

  4. 日本顕微鏡学会

  5. 日本金属学会

  6. フラーレン・ナノチューブ学会

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委員歴 3

  1. 応用物理学会   プログラム編集委員  

    2015年10月 - 現在   

  2. 第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム   実行委員  

    2014年9月   

  3. 日本セラミックス協会第25回秋季シンポジウム   実行委員  

    2012年9月   

受賞 1

  1. 第52回(平成28年度)東海化学工業会賞学術賞

    2017年5月   東海化学工業会   2次元材料グラフェン合成と構造制御

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    受賞区分:出版社・新聞社・財団等の賞  受賞国:日本国

 

論文 74

  1. [Selected] Synthesis of freestanding graphene on SiC by a rapid-cooling technique 査読有り

    Jianfeng Bao, Wataru Norimatsu, Hiroshi Iwata, Keita Matsuda, Takahiro Ito, and Michiko Kusunoki

    Phys. Rev. Lett.   117 巻   頁: 205501   2016年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.117.205501

  2. [Selected] Sequential control of step-bunching during graphene growth on SiC (0001) 査読有り

    Jianfeng Bao, Osamu Yasui, Wataru Norimatsu, Keita Matsuda, and Michiko Kusunoki

    Appl. Phys. Lett.   109 巻   頁: 081602   2016年8月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4961630

  3. [Selected] Very low Schottky barrier height at carbon nanotube and silicon carbide interface 査読有り

    Masafumi Inaba, Kazuma Suzuki, Megumi Shibuya, Chih-Yu Lee, Yoshiho Masuda, Naoya Tomatsu, Wataru Norimatsu, Atsushi Hiraiwa, Michiko Kusunoki, and Hiroshi Kawarada

    Appl. Phys. Lett.   106 巻   頁: 123501   2015年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4916248

  4. [Selected] Formation of a nitride interface in epitaxial graphene on SiC (0001) 査読有り

    Yoshiho Masuda, Wataru Norimatsu and Michiko Kusunoki

    Phys. Rev. B   91 巻   頁: 075421   2015年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.91.075421

  5. [Selected] Atom-by-atom simulations of graphene growth by decomposition of SiC (0001): Impact of the substrate steps 査読有り

    Masato Morita, Wataru Norimatsu, Hu-Jun Qian, Stephan Irle, and Michiko Kusunoki

    Appl. Phys. Lett.   103 巻   頁: 141602   2013年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4824425

  6. [Selected] High-quality graphene on SiC(000-1) formed through an epitaxial TiC layer 査読有り

    Keisuke Kimura, Kentaro Shoji, Yuta Yamamoto, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    Phys. Rev. B   87 巻   頁: 075431   2013年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.87.075431

  7. [Selected] Band alignment of a carbon nanotube/n-type 6H-SiC heterojunction formed by surface decomposition of SiC using photoelectron spectroscopy 査読有り

    Takahiro Maruyama, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroyuki Yamane, and Nobuhiro Kosugi

    Appl. Phys. Lett.   101 巻   頁: 092106   2012年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4748792

  8. [Selected] Nanoscale stacking faults induced low thermal conductivity in thermoelectric layered metal sulfides 査読有り

    Chunlei Wan, Yifeng Wang, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, and Kunihito Koumoto

    Appl. Phys. Lett.   100 巻   頁: 101913   2012年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3691887

  9. [Selected] Formation mechanism of graphene layers on SiC(000-1) in a high-pressure argon atmosphere 査読有り

    Wataru Norimatsu, Juji Takada, and Michiko Kusunoki

    Phys. Rev. B   84 巻   頁: 035424   2011年7月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.84.035424

  10. [Selected] Selective formation of ABC-stacked graphene layers on SiC(0001) 査読有り

    Wataru Norimatsu and Michiko Kusunoki

    Phys. Rev. B   81 巻   頁: 161410   2010年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.81.161410

  11. [Selected] Crystallographic features of the orbital-ordered, and charge-and-orbital-ordered states in Sr2-xNdxMnO4 査読有り

    Wataru Norimatsu and Yasumasa Koyama

    Phys. Rev. B   75 巻   頁: 235121   2007年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.75.235121

  12. [Selected] Domain-structure relaxation in the tetragonal-to-orthorhombic phase transition of the layered perovskite Sr1.8La0.2Mn1-yFeyO4 査読有り

    Wataru Norimatsu and Yasumasa Koyama

    Phys. Rev. B   75 巻   頁: 104416   2007年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.75.104416

  13. [Selected] Evolution of orthorhombic domain structures during the tetragonal-to-orthorhombic phase transition in the layered perovskite Sr2-xLaxMnO4 査読有り

    Wataru Norimatsu and Yasumasa Koyama

    Phys. Rev. B   74 巻   頁: 085113   2006年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.74.085113

  14. Photoluminescence Enhancement Exceeding 10-Fold from Graphene via an Additional Layer: Photoluminescence from Monolayer and Bilayer Graphene Epitaxially Grown on SiC 査読有り 国際共著

    Saito Kensuke, Koishi Tomonari, Bao Jianfeng, Norimatsu Wataru, Kusunoki Michiko, Kishida Hideo, Koyama Takeshi

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   125 巻 ( 20 ) 頁: 11014 - 11022   2021年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c00380

    Web of Science

  15. Structure of quasi-free-standing graphene on the SiC (0001) surface prepared by the rapid cooling method 査読有り 国際共著

    Sumi Tatsuya, Nagai Kazuki, Bao Jianfeng, Terasawa Tomo-o, Norimatsu Wataru, Kusunoki Michiko, Wakabayashi Yusuke

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 14 ) 頁: 143102-1 - 143102-5   2020年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0021071

    Web of Science

  16. Metal Deposition Using Solutions on High-Density and Well-Aligned CNTs

    Saito Mikiko, Kuwae Hiroyuki, Mizuno Jun, Norimatsu Wataru, Kusunoki Michiko, Nishikawae Hiroshi

    2020 IEEE 8TH ELECTRONICS SYSTEM-INTEGRATION TECHNOLOGY CONFERENCE (ESTC)     2020年

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    記述言語:日本語  

    Web of Science

  17. Controlled growth of boron-doped epitaxial graphene by thermal decomposition of a B4C thin film 査読有り

    Norimatsu Wataru, Matsuda Keita, Terasawa Tomo-o, Takata Nao, Masumori Atsushi, Ito Keita, Oda Koji, Ito Takahiro, Endo Akira, Funahashi Ryoji, Kusunoki Michiko

    NANOTECHNOLOGY   31 巻 ( 14 )   2020年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6528/ab62cf

    Web of Science

  18. A study on formation mechanisms of relief structure formed in situ on the surface of ceramics 査読有り

    Wei Zhang, Seiji Yamashita, Takeshi Kumazawa, Fumihito Ozeki, Hideki Hyuga, Wataru Norimatsu, and Hideki Kita

    Ceram. Int.   45 巻   頁: 23143   2019年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.ceramint.2019.08.008

  19. Longitudinal strain of epitaxial graphene monolayers on SiC substrates evaluated by z-polarization Raman microscopy 査読有り

    Saito Yuika, Tokiwa Kenshiro, Kondo Takahiro, Bao Jianfeng, Terasawa Tomo-o, Norimatsu Wataru, Kusunoki Michiko

    AIP ADVANCES   9 巻 ( 6 )   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5099430

    Web of Science

  20. エピタキシャルグラフェンの構造と物性 招待有り 査読有り

    乗松 航

    日本結晶学会誌   61 巻   頁: 35   2019年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

    DOI: 10.5940/jcrsj.61.35

  21. Acceleration of Photocarrier Relaxation in Graphene Achieved by Epitaxial Growth: Ultrafast Photoluminescence Decay of Monolayer Graphene on SiC 査読有り 国際共著

    Imaeda Hirotaka, Koyama Takeshi, Kishida Hideo, Kawahara Kenji, Ago Hiroki, Sakakibara Ryotaro, Norimatsu Wataru, Terasawa Tomo-o, Bao Jianfeng, Kusunoki Michiko

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   122 巻 ( 33 ) 頁: 19273-19279   2018年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b06845

    Web of Science

  22. エピタキシャルグラフェンと電子顕微鏡 招待有り

    楠 美智子, 増田 由穂, 山本 悠太, 乗松 航

    顕微鏡   53 巻   頁: 62   2018年8月

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    記述言語:日本語  

  23. Electrical contact properties between carbon nanotube ends and a conductive atomic force microscope tip 査読有り

    Inaba Masafumi, Ohara Kazuyoshi, Shibuya Megumi, Ochiai Takumi, Yokoyama Daisuke, Norimatsu Wataru, Kusunoki Michiko, Kawarada Hiroshi

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   123 巻 ( 24 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5027849

    Web of Science

  24. Frequency dependent ac transport of films of close-packed carbon nanotube arrays 査読有り

    Endo A., Katsumoto S., Matsuda K., Norimatsu W., Kusunoki M.

    Journal of Physics: Conference Series   969 巻   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/969/1/012129

    Web of Science

  25. Preparation of Stable Silver Nanoparticles Having Wide Red-To-Near-Infrared Extinction 査読有り

    Kawamura Shiori, Matsubara Kazuki, Sakai Sotaro, Sasaki Kazuhisa, Saito Masataro, Saito Kenji, Yagi Masayuki, Norimatsu Wataru, Sasai Ryo, Kusunoki Michiko, Eguchi Miharu, Yin Shu, Asakura Yusuke, Yui Tatsuto

    Global Challenges   2 巻 ( 3 ) 頁: 1700105   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/gch2.201700105

    Web of Science

  26. Selective fabrication of free-standing ABA and ABC trilayer graphene with/without Dirac-cone energy bands 査読有り

    Sugawara Katsuaki, Yamamura Norifumi, Matsuda Keita, Norimatsu Wataru, Kusunoki Michiko, Sato Takafumi, Takahashi Takashi

    NPG Asia Materials   10 巻   頁: e466   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/am.2017.238

    Web of Science

  27. In-plane electrical conduction mechanisms of highly dense carbon nanotube forests on silicon carbide 査読有り

    Matsuda Keita, Norimatsu Wataru, Bao Jianfeng, Kawarada Hiroshi, Kusunoki Michiko

    Journal of Applied Physics   123 巻 ( 4 ) 頁: 045104   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5004507

    Web of Science

  28. 負の熱膨張を利用したグラフェン化 招待有り

    乗松 航

    パリティ   8 巻   頁: 40   2017年8月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  29. Electrical Integrity and Anisotropy in Dielectric Breakdown of Layered h-BN Insulator 招待有り 査読有り

    K. Nagashio, Y. Hattori, N. Takahashi, T. Taniguchi, K. Watanabe, J. Bao, W. Norimatsu, and M. Kusunoki

    ECS Transactions   79 巻   頁: 91   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/07901.0091ecst

  30. Two-carrier model on the magnetotransport of epitaxial graphene containing coexisting single-layer and bilayer areas 査読有り

    Akira Endo, Jianfeng Bao, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Shingo Katsumoto, and Yasuhiro Iye

    Philosophical Magazine   97 巻   頁: 1755   2017年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/14786435.2017.1311429

  31. Photoinduced electron transfer in layer-by-layer thin solid films containing cobalt oxide nanosheets, porphyrin, and methyl viologen 査読有り

    R. Sasai, Y. Kato, W. Soontornchaiyakul, H. Usami, A. Masumori, W. Norimatsu, and S. Takagi

    Phys. Chem. Chem. Phys.   19 巻   頁: 5611   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/C6CP07250J

  32. SiC上エピタキシャルグラフェンの合成と展望 招待有り

    楠 美智子, 乗松 航

    光アライアンス   27 巻   頁: 36   2016年11月

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    記述言語:日本語  

  33. Behavior of oxidized platinum nanoparticles on an aligned carbon nanotube forest 査読有り

    Keita Matsuda, Wataru Norimatsu, Shigeo Arai, and Michiko Kusunoki

    J. Appl. Phys.   120 巻   頁: 142111   2016年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4961721

  34. Thermoelectric properties of Nb-doped (Nd0.55Li0.36)TiO3 bulk ceramics with superlattice structure 査読有り

    Yaoshuai Ba, Yifeng Wang, Chunlei Wan, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Dechun Ba, and Kunihito Koumoto

    J. Alloys and Compounds   664 巻   頁: 487   2016年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jallcom.2015.12.231

  35. Contact conductivity of uncapped carbon nanotubes formed by silicon carbide decomposition 査読有り

    Masafumi Inaba, Chih-Yu Lee, Kazuma Suzuki, Megumi Shibuya, Miho Myodo, Yu Hirano, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, and Hiroshi Kawarada

    J. Phys. Chem. C   120 巻   頁: 6232   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.5b11815

  36. Synthesis of copper nanoparticles within the interlayer space of titania nanosheet transparent films 査読有り

    Kazuhisa Sasaki, Kazuki Matsubara, Shiori Kawamura, Kenji Saito, Masayuki Yagi, Wataru Norimatsu, Ryo Sasai, and Tatsuto Yui

    J. Mater. Chem.   4 巻   頁: 1476   2016年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/C5TC03152D

  37. Growth and Features of Epitaxial Graphene on SiC 招待有り 査読有り

    Michiko Kusunoki, Wataru Norimatsu, Jianfeng Bao, Koichi Morita, and Ulrich Starke

    Journal of the Physical Society of Japan   84 巻   頁: 121014   2015年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7566/JPSJ.84.121014

  38. Application of vertically aligned carbon nanotubes on burnishing slider in cleaning process of magnetic disk surfaces 査読有り

    Hiroshi Tani, Keisuke Konishi, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, and Norio Tagawa

    Microsyst. Technol.   21 巻   頁: 295   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s00542-014-2135-6

  39. SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と優位性 招待有り 査読有り

    楠 美智子, 乗松 航

    顕微鏡   50 巻   頁: 28   2015年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  40. Growth of graphene from SiC and its mechanisms (Invited Review) 招待有り 査読有り

    Wataru Norimatsu and Michiko Kusunoki

    Semicond. Sci. Tech.   29 巻   頁: 064009   2014年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0268-1242/29/6/064009

  41. Growth mechanisms and selectivity for graphene or carbon nanotube formation on SiC (000-1): A density-functional tight-binding molecular dynamics study 査読有り

    Noriyuki Ogasawara, Wataru Norimatsu, Stephan Irle, and Michiko Kusunoki

    Chem. Phys. Lett.   595-596 巻   頁: 266   2014年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cplett.2014.02.019

  42. Structural features of epitaxial graphene on SiC {0001} surfaces (Invited Review) 招待有り 査読有り

    Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    J. Phys. D: Appl. Phys.   47 巻   頁: 094017   2014年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/47/9/094017

  43. Epitaxial graphene on SiC {0001}: advances and perspectives (Invited Review) 招待有り 査読有り

    Wataru Norimatsu and Michiko Kusunoki

    Phys. Chem. Chem. Phys.   16 巻   頁: 3501   2014年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/C3CP54523G

  44. Effects of transition metal substitution on the thermoelectric properties of metallic (BiS)1.2(TiS2)2 misfit layer sulfide 査読有り

    Yulia Eka Putri, Chunlei Wan, Feng Dang, Takao Mori, Yuto Ozawa, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, and Kunihito Koumoto

    J. Elec. Mater.   43 巻   頁: 1870   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s11664-013-2894-3

  45. Enhanced thermoelectric performance of Nb-doped SrTiO3 by nano-inclusion with low thermal conductivity 査読有り

    Ning Wang, Haijun Chen, Hongcai He, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, and Kunihito Koumoto

    Sci. Rep.   3 巻   頁: 3449   2013年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep03449

  46. Glass-like thermal conductivity of Nd2/3-xLi3xTiO3 bulk ceramics with nanochessboard superlattice structure 査読有り

    Yaoshuai Ba, Chunlei Wan, Yifeng Wang, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, and Kunihito Koumoto

    Mater. Lett.   97 巻   頁: 191   2013年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.matlet.2013.01.107

  47. SiC表面上グラフェンの成長とその特徴

    乗松 航, 楠 美智子

    セラミックデータブック2012   40 巻   頁: 128   2012年12月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  48. Thermoelectric properties of n-type Mn3-xCrxSi4Al2 in Air 査読有り

    Ryoji Funahashi, Y. Matsumura, Hi. Tanaka, T. Takeuchi, W. Norimatsu, E. Combe, R. O. Suzuki, Y. Wang, C. Wan, S. Katsuyama, M. Kusunoki, and Kunihito Koumoto

    J. Appl. Phys.   112 巻   頁: 073713   2012年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4755793

  49. SiC表面分解によるカーボンナノチューブ膜の開発と応用

    楠 美智子、乗松 航, 山本 元弘、宇佐美 初彦、三宅 晃司

    トライボロジスト   57 巻   頁: 682   2012年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4139/sfj.57.690

  50. Transport properties of closely-packed zigzag carbon nanotubes on SiC tuned by Si-doping 査読有り

    Wataru Norimatsu, Takehiro Maruyama, Kenta Yoshida, Koichi Takase, and Michiko Kusunoki

    Appl. Phys. Exp.   5 巻   頁: 105102   2012年9月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.5.105102

  51. Plan-view of Few Layer Graphene on 6H-SiC by Transmission Electron Microscopy 査読有り

    Jun Kuroki, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    e-J. Surf. Sci. Nanotech.   10 巻   頁: 396   2012年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1380/ejssnt.2012.396

  52. First Principles Calculations of Close-packed and doped Carbon Nanotubes 査読有り

    Noriyuki Ogasawara, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    e-J. Surf. Sci. Nanotech.   10 巻   頁: 411   2012年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1380/ejssnt.2012.411

  53. Epitaxial growth of boron-doped graphene by thermal decomposition of B4C 査読有り

    Wataru Norimatsu, Koichiro Hirata, Yuta Yamamoto, Shigeo Arai, and Michiko Kusunoki

    J. Phys.: Condens. Matter   24 巻   頁: 314207   2012年7月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0953-8984/24/31/314207

  54. Stacking structures of graphene layers on SiC (0001) and (000-1) 査読有り

    Jun Kuroki, Wataru Norimatsu, J. Takada, and Michiko Kusunoki

    AMTC Lett.   3 巻   頁: 230   2012年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  55. Crystallographic features of boron-doped graphene grown by thermal decomposition of B4C 査読有り

    Wataru Norimatsu, Koichiro Hirata, and Michiko Kusunoki

    AMTC Lett.   3 巻   頁: 202   2012年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 202

  56. Patterning of Aligned CNT Films Using SiO2 Particles Monolayer as a Mask 査読有り

    Keita Matsuda, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    e-J. Surf. Sci. Nanotech.   10 巻   頁: 198   2012年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1380/ejssnt.2012.198

  57. Near-Edge X-Ray Absorption Fine Structure Study of Vertically Aligned Carbon Nanotubes Grown by the Surface Decomposition of SiC 査読有り

    Takahiro Maruyama, Yuki Ishiguro, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Kenta Amemiya, Hideshi Ishii, and Toshiaki Ohta

    Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻   頁: 055102   2012年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.055102

  58. Nitrate-Ion-Selective Exchange Ability of Layered Double Hydroxide Consisting of MgII and FeIII 査読有り

    Ryo Sasai, Wataru Norimatsu, Makoto Ogawa, and Yukitaka Matsumoto

    J. Hazard. Mater.   215 巻   頁: 311   2012年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jhazmat.2012.02.063

  59. Effects of alkaline earth doping on the thermoelectric properties of misfit layer sulfides 査読有り

    Yulia Eka Putri, Chunlei Wan, Yifeng Wang, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, and Kunihito Koumoto

    Scripta Materialia   66 巻   頁: 895   2012年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.scriptamat.2012.02.010

  60. SiC表面へのナノカーボン薄膜制御 招待有り

    楠 美智子, 乗松 航

    化学工業   62 巻   頁: 409   2011年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  61. Intercalation: building a natural superlattice for better thermoelectric performance in layered chalcogenides 査読有り

    Chunlei Wan, Yifeng Wang, Ning Wang, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, and Kunihito Koumoto

    J. Elec. Mater.   40 巻   頁: 1271   2011年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s11664-011-1565-5

  62. SiC表面分解法によるナノカーボン薄膜の構造制御 招待有り

    楠 美智子, 乗松 航

    未来材料   11 巻   頁: 2   2011年4月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 2

  63. Chemical state analysis of Si-doped CNT on SiC by hard x-ray photoelectron spectroscopy 査読有り

    Jin-Young Son, Masatake Machida, Hiroshi Oji, Yoshio Watanabe, Takehiro Maruyama, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    e-J. Surf. Sci. Nanotech.   9 巻   頁: 54   2011年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1380/ejssnt.2011.54

  64. SiC表面分解法によるグラフェンの透過型電子顕微鏡観察 査読有り

    乗松航、楠美智子

    日本結晶成長学会誌   37 巻   頁: 24   2010年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  65. Development of novel thermoelectric materials by reduction of lattice thermal conductivity 査読有り

    Chunlei Wan, Yifeng Wang, Ning Wang, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, and Kunihito Koumoto

    Sci. Technol. Adv. Mater.   11 巻   頁: 044306   2010年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1468-6996/11/4/044306

  66. Transmission Electron Microscope Observation of Interface Structures of Graphene on 6H-SiC 査読有り

    Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    J. Nanosci. Nanotech.   10 巻   頁: 3884   2010年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1166/jnn.2010.1998

  67. Formation process of graphene on SiC (0001) 査読有り

    Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    Physica E   42 巻   頁: 691   2010年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.physe.2009.11.151

  68. Fabrication of a Multi-Layered Carbon Nanotube/SiC Stack Structure 査読有り

    Takehiro Maruyama, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    Physica E   42 巻   頁: 767   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.physe.2009.12.003

  69. SiC表面分解法により生成するグラフェン/SiC界面の構造 招待有り 査読有り

    乗松航、楠美智子

    日本結晶学会誌   51 巻 ( 6 ) 頁: 313-319   2009年12月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

    DOI: 10.5940/jcrsj.51.313

  70. Novel upgraded method of recycling spent SiC abrasive powders to CNT particles 査読有り

    Ryo Sasai, Takayuki Morishita, Wataru Norimatsu, Motohiro Yamamoto, Akihiko Ichikawa, and Michiko Kusunoki

    J. Ceram. Soc. J.   117 巻   頁: 815   2009年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.117.815

  71. カーボンナノチューブ/SiC複合材料の放熱応用 招待有り

    乗松 航, 楠 美智子

    NEW DIAMOND   93 巻   頁: 30   2009年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  72. Transitional structures of the interface between graphene and 6H-SiC (0001) 査読有り

    Wataru Norimatsu and Michiko Kusunoki

    Chem. Phys. Lett.   468 巻   頁: 52-56   2009年1月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cplett.2008.11.095

  73. Crystallographic features of the orbital-ordered state in the layered perovskite manganite Sr2-xPrxMnO4 査読有り

    Wataru Norimatsu, Go Shindo and Yasumasa Koyama

    Physica B   403 巻   頁: 1585   2008年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.physb.2007.10.323

  74. Stability of electronic states in the layered perovskite Sr2-xNdxMnO4 査読有り

    Wataru Norimatsu and Yasumasa Koyama

    Physica C   463-465 巻   頁: 115   2007年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.physc.2007.05.016

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書籍等出版物 9

  1. Physics and Chemistry of Graphene -Graphene to Nanographene-

    Michiko Kusunoki, and Wataru Norimatsu( 担当: 共著 ,  範囲: Epitaxial graphene)

    Jenny Stanford Publishing  2019年11月  ( ISBN:978-9814800389

  2. Handbook of Graphene, vol. 1: Growth, Synthesis, and Functionalization

    Wataru Norimatsu, Tomo-o Terasawa, Keita Matsuda, Jianfeng Bao, and Michiko Kusunoki( 担当: 共著 ,  範囲: Features and Prospects for Epitaxial Graphene on SiC)

    Wiley Scrivener Publishing  2019年7月  ( ISBN:978-1119468554

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    記述言語:英語 著書種別:学術書

    その他リンク: https://www.amazon.com/Handbook-Graphene-Materials-Ashutosh-Tiwari/dp/1119468558

  3. Epitaxial Graphene on Silicon Carbide: Modelling, Characterization, and Applications

    Wataru Norimatsu, Stephan Irle, and Michiko Kusunoki( 担当: 共著 ,  範囲: Ch. 2 Growth mechanism, structures, and the properties of graphene on SiC {0001} surfaces: theoretical and experimental studies at the atomic scale)

    Pan Stanford Publishing  2018年4月 

     詳細を見る

    記述言語:英語 著書種別:学術書

    その他リンク: https://www.amazon.co.jp/dp/B0797VSXHB/ref=dp-kindle-redirect?_encoding=UTF8&btkr=1

  4. カーボンナノチューブ・グラフェンの応用研究最前線

    楠 美智子, 乗松 航( 担当: 共著 ,  範囲: 第3節第1項SiC上エピタキシャルグラフェンの合成)

    エヌ・ティー・エス  2016年9月 

  5. 技術情報協会編, “コンポジット材料の混練・コンパウンド技術と分散・界面制御”, 第4章第7節 高密度・高配向カーボンナノチューブ膜の高熱伝導化

    乗松 航, 楠 美智子( 担当: 共著)

    技術情報協会  2013年4月 

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    記述言語:日本語

  6. グラフェンの機能と応用展望II 第7章 SiC表面へのナノカーボン薄膜制御

    楠 美智子, 乗松 航( 担当: 共著)

    シーエムシー出版  2012年12月 

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    記述言語:日本語

  7. Layer-Structured Metal Sulfides as Novel Thermoelectric Materials

    Chunlei Wan, Yifeng Wang, Ning Wang, Y.E. Putri, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, and Kunihito Koumoto( 担当: 共著)

    CRC Press, Taylor & Francis Group, edited by D. M. Rowe  2012年3月 

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    記述言語:英語

  8. Electronic Properties of Carbon Nanotubes / 2. A Close-Packed-Carbon-Nanotube Film on SiC for Thermal Interface Material Applications

    Wataru Norimatsu, Chihiro Kawai and Michiko Kusunoki( 担当: 共著)

    Intech OPEN ACCESS PUBLISHER  2011年7月  ( ISBN:978-953-307-499-3

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    記述言語:英語

  9. 放熱・高熱伝導材料、部品の開発と特性および熱対策技術 第3章 第9節 カーボンナノチューブ/SiC複合材料の放熱応用

    乗松航、楠美智子( 担当: 共著)

    技術情報協会  2010年4月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語

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講演・口頭発表等 306

  1. [Invited]SiC上グラフェンを用いた表面構造物性の新展開 招待有り

    乗松航

    第40回電子材料シンポジウム  2021年10月12日 

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    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン  

  2. [Invited]Novel function and its mechanism realized at the graphene/substrate interface 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu

    2021年9月20日 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  3. [Invited]SiC上グラフェン研究の進展と展望 招待有り

    第68回応用物理学会春季学術講演会シンポジウム  2021年3月17日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン  

  4. [Invited]グラフェン/SiC 界面を利用した新機能開拓 招待有り

    乗松航

    第13回九大2D物質研究会  2021年2月23日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン  

  5. [Invited] グラフェン/SiC系における構造制御と電子状態 招待有り

    乗松航

    第12回九大2D物質研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:コープイン京都   国名:日本国  

  6. [Invited] SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と構造・物性制御 招待有り

    乗松航

    グラフェン・酸化グラフェン合同シンポジウム 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:TKPガーデンシティPREMIUM秋葉原   国名:日本国  

  7. [Invited] Growth of functional epitaxial graphene 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu

    Joint 5th International Symposium on Frontiers in Materials Science and 3rd International Symposium on Nano-materials, Technology and Applications 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  8. [Invited] Growth of epitaxial graphene by thermal decomposition of carbides 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Nagoya University   国名:日本国  

  9. [Invited] Functional epitaxial graphene grown by thermal decomposition of carbides 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu

    International Symposium on Epi-Graphene 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:TU Chemnitz, Germany   国名:日本国  

  10. [Plenary] Interface engineering of epitaxial graphene 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu

    1st Tianjin International Symposium on Epitaxial Graphene (TISEG-1) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

    開催地:Tianjin University, Tianjin, China   国名:中華人民共和国  

  11. [Invited] Interface engineering of epitaxial graphene on SiC 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu

    6th International Symposium on Graphene Devices (ISGD-6) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Tianjin University, Tianjin, China   国名:ロシア連邦  

  12. [Invited] Interface Engineering of Epitaxial Graphene Grown on SiC 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu

    Nagoya Univ.-Tsinghua Univ.-Toyota Motor Corp.-Hokkaido Univ. Joint Symposium (NTTH-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  13. [Invited] Interface engineering of epitaxial graphene on SiC 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu

    Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2017 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:International Convention Center Jeju, South Korea   国名:大韓民国  

  14. [Invited] エピタキシャルグラフェンの界面制御 招待有り

    乗松航、楠美智子

    6大学連携プロジェクト「文科省学際国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト」第1回公開討論会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  15. [Invited] エピタキシャルグラフェンの界面制御と角度分解光電子分光測定 招待有り

    乗松航、伊藤孝寛、楠美智子

    第6回名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  16. [Invited] SiC上グラフェンの課題と界面制御 招待有り

    乗松航、楠美智子

    第9回九大2次元物質研究会 

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    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:九州大学応用力学研究所   国名:日本国  

  17. [Invited] Interface modification of epitaxial graphene on SiC 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu

    International Conference on Technologically Advanced Materials and Asian Meeting on Ferroelectrics (ICTAM-AMF10) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:University of Delhi, India   国名:インド  

  18. [Invited] Negative thermal expansion induced graphenization of buffer layer on SiC 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu and Michiko Kusunoki

    EMN Meeting on 2-D Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:San Sebastian, Spain   国名:スペイン  

  19. [Invited] Growth of epitaxial graphene on SiC and its interface modification 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu and Michiko Kusunoki

    2nd Annual World Congress of Smart Materials (WCSM-2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  20. [Invited] 負の熱膨張を利用したバッファー層の急冷処理によるグラフェン化 招待有り

    乗松航

    第8回九大グラフェン研究会「原子層物質の成長と物性」 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  21. [Invited] Growth and functionalization of epitaxial graphene on SiC 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu and Michiko Kusunoki

    Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  22. [Invited] Epitaxial graphene growth and its electronic functionalization 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu and Michiko Kusunoki

    2nd International Symposium on Frontiers in Materials Science 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  23. [Invited] Epitaxial graphene growth on SiC and its interface modification 招待有り

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  24. [Invited] Growth of graphene and novel 2D film on SiC 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu and Michiko Kusunoki

    The Second Symposium on 2D electronic Materials (Joint ACCGE/OMVPE) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  25. [Invited] SiC上グラフェンの構造制御と輸送特性 招待有り

    乗松航、楠美智子

    日本セラミックス協会第49回基礎科学部会セミナー 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  26. [Invited] 精密SiC表面で実現する高品質グラフェン成長とその展開 招待有り

    乗松航、楠美智子

    第3回表面創成工学の新展開研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:ホテルグランド天空、秋田県田沢湖   国名:日本国  

  27. [Invited] Growth and structural/electronic properties of epitaxial graphene on SiC 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu and Michiko Kusunoki

    2014 EMN Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:メキシコ合衆国  

  28. [Invited] エピタキシャルグラフェンの構造解析 招待有り

    乗松航、楠美智子

    東北大学通研共同プロジェクト講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  29. [Invited] 透過型電子顕微鏡によるエピタキシャルグラフェンの結晶学的研究 招待有り

    乗松航、楠美智子

    第6回グラフェン研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  30. [Invited] Epitaxial Graphene Growth by Thermal Decomposition of SiC 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    3rd CAMPUS Asia Symposium on Chemistry and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:大韓民国  

  31. [Invited] Electric properties of closely-packed CNTs film controlled by doping 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu, Takehiro Maruyama, Koji Oda, and Michiko Kusunoki

    IUMRS-ICEM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  32. [Invited] グラフェン研究の最新成果 招待有り

    乗松航、楠美智子

    第6回材料フォーラム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  33. [Invited] Features of Epitaxial Graphene on SiC 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki

    The 2nd Sino-Japan Energy Materials and Devices Joint Workshop (JST-MOST & CREST) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  34. [Invited] Features of Epitaxial Graphene on SiC 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki

    Nagoya Univ.-Tsinghua Univ.-Toyota Motor Corp.-Hokkaido Univ.-Univ. Electron. Sci. Tech. China Joint Symposium (NTTH2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  35. [Invited] Transmission electron microscope observations of epitaxial graphene on SiC 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    3rd International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene (STEG 3) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  36. [Invited] Transmission electron microscope observations of nano-structured materials 招待有り 国際会議

    Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Chunlei Wan, Ning Wang, and Kunihito Koumoto

    JST-MOST Project and CREST-Koumoto Team Joint Workshop 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Jozankei, Hokkaido   国名:日本国  

  37. Enhancement of the superconducting transition temperature of the TaC thin film by graphene coverage 国際会議

    Daito Kondo, Takahiro Ito, Akira Endo, and Wataru Norimatsu

    Graphene Week 2021  2021年9月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  38. Observation of a flat band in millimetre-scale magic angle twisted bilayer graphene 国際共著 国際会議

    Wataru Norimatsu, Takahiro Ito, Keiju Sato, Noriyuki Masago, Mitsuru Moritomo, Takuji Maekawa, Doyoon Lee, Kuan Qiao, Jeehwan Kim, Keisuke Nakagahara, Katsunori Wakabayashi, and Hiroki Hibino

    Graphene Week 2021  2021年9月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:online  

  39. ミリメートルスケール魔法角ツイスト2層グラフェンにおけるフラットバンドの観測 国際共著

    乗松航、伊藤孝寛、佐藤京樹、眞砂紀之、森本満、前川拓滋、Lee Doyoon、Qiao Kuan、Kim Jeehwan、中川原圭祐、若林克法、日比野浩樹

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  40. 固体電解質/大面積単一方位グラフェンにおけるリチウム挿入脱離機構

    乗松航、山本智士、本山宗主、入山泰寿

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  41. 水素インターカレーションによる SiC上グラフェン形成のメカニズム

    榊原涼太郎、乗松航

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  42. Hex-Au(001)基板上のグラフェンのエネルギーギャップの起源

    寺澤知潮、保田諭、松永和也、林直輝、田中慎一郎、乗松航、伊藤孝寛、町田真一、朝岡秀人

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  43. 水素インターカレーションによるSiC上グラフェン形成の初期過程

    榊原涼太郎、乗松航

    第19回日本表面真空学会中部支部学術講演会  2020年12月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  44. エピタキシャルグラフェン被覆による超伝導体TaC 薄膜の転移温度向上

    近藤大斗、林直樹、伊藤孝寛、遠藤彰、乗松航

    第19回日本表面真空学会中部支部学術講演会  2020年12月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  45. エピタキシャルグラフェンによる超伝導体薄膜の転移温度向上

    乗松航、近藤大斗、伊藤孝寛

    学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト第5回公開討論会  2020年11月30日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン  

  46. ミリメートルスケールツイスト2層グラフェンにおけるフラットバンド

    佐藤京樹、林直樹、伊藤孝寛、眞砂紀之、森本満、前川拓滋、Kuan Qiao、Jeehwan Kim、若林克法、日比野浩樹、乗松航

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  47. SiC(000-1)面上多層グラフェンの回転角制御

    乗松航、包建峰、林直樹、伊藤孝寛、眞砂紀之、前川拓滋、森本満、日比野浩樹

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  48. 超伝導体TaC薄膜のグラフェン被覆による転移温度向上

    近藤大斗、林直樹、伊藤孝寛、遠藤彰、乗松航

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  49. SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ成長への水の影響

    鈴木航、乗松航

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月8日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  50. Nd-Fe-B系磁石材料の構造・物性相関解析

    乗松航、包建峰、山下誠司、北英紀、川原田洋、井上靖秀、小山泰正、柳内克昭

    学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト第4回公開討論会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  51. B4C熱分解によるグラフェンの成長と物性

    乗松航、川原田洋

    学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト第4回公開討論会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  52. SiC上グラフェンにおける高圧水素インターカレーションとそのメカニズム

    榊原涼太郎、乗松航

    第18回日本表面真空学会中部支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  53. エピタキシャルグラフェンの電子状態に与える界面の影響

    佐藤京樹、榊原涼太郎、河原憲治、吾郷浩樹、林直樹、伊藤孝寛、乗松航

    第18回日本表面真空学会中部支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  54. Functional epitaxial graphene grown by thermal decomposition of carbide materials 国際会議

    Wataru Norimatsu

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  55. Quasi-free-standing graphene formed under high-pressure hydrogen 国際会議

    Ryotaro Sakakibara and Wataru Norimatsu

    International Symposium on Epi-Graphene 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  56. Electronic states of graphene transferred onto the buffer layer on SiC 国際会議

    Keiju Sato, Ryotaro Sakakibara, Kenji Kawahara, Hiroki Ago, Naoki Hayashi, Takahiro Ito, and Wataru Norimatsu

    International Symposium on Epi-Graphene 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  57. Quasi-freestanding epitaxial graphene obtained under high-pressure hydrogen

    Ryotaro Sakakibara and Wataru Norimatsu

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  58. Electronic states of epitaxial graphene and CVD graphene transferred onto the buffer layer

    Keiju Sato, Ryotaro Sakakibara, Kenji Kawahara, Hiroki Ago, Naoki Hayashi, Takahiro Ito, and Wataru Norimatsu

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  59. SiC上グラフェンの移動度に及ぼす界面の影響

    榊原涼太郎、河原憲治、吾郷浩樹、乗松航

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  60. Ni intercalation between graphene and silicon carbide 国際会議

    Wataru Norimatsu, Tomo-o Terasawa, Yutaro Ouchi, Takahiro Ito, and Michiko Kusunoki

    Graphene Week 2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kursaal Conference Center, San Sebastian, Spain   国名:スペイン  

  61. エピタキシャル炭化アルミニウム薄膜の成長及びその熱分解によるグラフェン形成

    松田敬太、福井舞、乗松航、楠美智子

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  62. Visualization of Zero-Dimensional Plasmons in Graphene Quantum Dots with Near-Field Infrared Microscopy 国際会議

    Okamoto T., Sasagawa A., Harada Y., Nakano S., Norimatsu W., Kusunoki M., Kawano Y.

    2018 43RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  63. Epitaxial growth of two-dimensional GaN film on SiC substrates 国際会議

    Seina Nakao, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  64. Formation of zigzag graphene nanoribbons on vicinal SiC (0001) 国際会議

    Yota Harada, Keita Matsuda, K. Higuchi, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  65. Morphology control of epitaxial graphene by Ar flow rate in large-scale 国際会議

    Tomo-o Terasawa, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  66. Fabrication of the carbon nanotubes/graphene composite film on silicon carbide 国際会議

    Yoshito Nagae, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  67. Tuning of Cu intercalation between graphene and SiC (0001) 国際会議

    Tomo-o Terasawa, Masato Imai, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  68. Negative-thermal-expansion-induced graphenization of buffer layer on SiC 国際会議

    Jianfeng Bao, Wataru Norimatsu, Keita Matsuda, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  69. Carrier mobility of graphene on SiC: influence of the substrates 国際会議

    Wataru Norimatsu, Jianfeng Bao, Tomo-o Terawasa, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  70. Step unbunching phenomenon of the SiC surface 国際会議

    Wataru Norimatsu, Keisuke Yuhara, Jianfeng Bao, Tomo-o Terasawa, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  71. Characterization of Ni intercalated graphene film on SiC (0001) 国際会議

    Yutaro Ouchi, Wataru Norimatsu, Takahiro Ito, Ryoji Funahashi, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  72. Characterization of boron doped graphene derived from epitaxial B4C thin film on SiC substrate 国際会議

    Nao Takata, Wataru Norimatsu, Takahiro Ito, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  73. Fabrication of SiC/B4C nano-composite film and subsequent graphitization 国際会議

    Keita Matsuda, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  74. Toward mobility improvement of epitaxial graphene 国際会議

    Ryotaro Sakakibara, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  75. Epitaxial Al4C3 growth on SiC substrate and subsequent graphenization 国際会議

    Keita Matsuda, Mai Fukui, Wataru Norimatsu, Tomo-o Terasawa, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  76. Relation between thermal resistance and deformation of vertically aligned carbon nanotubes on SiC 国際会議

    Yosuke Tsukiyama, Wataru Hoshino, Yusaku Nakamura, Isami Nitta, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  77. Effect of oxygen gas on diameter of carbon nanotubes formed by SiC surface decomposition 国際会議

    Yuka Matsuyama, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  78. Synthesis of epitaxial graphene quantum dots along periodic steps of SiC 国際会議

    Michiko Kusunoki, Satsuki Nakano, Yota Harada, Wataru Norimatsu, and Y. Nishikawa

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  79. Low-temperature magnetotransport of inhomogeneous epitaxial graphene grown on SiC 国際会議

    Akira Endo, Shingo Katsumoto, Jianfeng Bao, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  80. Time-resolved photoluminescence from epitaxial and transferred monolayer graphene on SiC substrate 国際会議

    Hirotaka Imaeda, Takeshi Koyama, Hideo Kishida, Kenji Kawahara, Hiroki Ago, Jianfeng Bao, Tomo-o Terasawa, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  81. Angle-resolved photoemission study of p-doped graphene with Cu-intercalation 国際会議

    Takahiro Ito, Kouki Yamamoto, Masato Imai, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  82. Effect of impurities in Ar gas on growth of epitaxial graphene 国際会議

    Tomo-o Terasawa, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  83. Effect of gas phase conditions on growth of epitaxial graphene 国際会議

    Tomo-o Terasawa, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    Graphene Week 2017 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ギリシャ共和国  

  84. Graphene growth by thermal decomposition of Al4C3 on SiC 国際会議

    Wataru Norimatsu, Mai Fukui, Keita Matsuda, Tomo-o Terasawa, and Michiko Kusunoki

    Graphene Week 2017 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ギリシャ共和国  

  85. Nano-graphene formation by thermal decomposition of sea-island structured SiC/B4C nano-composite 国際会議

    Keita Matsuda, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    Graphene Week 2017 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ギリシャ共和国  

  86. SiC(0001)上グラフェンにおけるNiインターカレーション

    大内勇太郎、乗松航、伊藤孝寛、舟橋良次、楠美智子

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  87. SiC熱分解によるグラフェン成長における不純物の影響

    寺澤知潮、乗松航、楠美智子

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  88. B4C薄膜の熱分解によるホウ素ドープグラフェンの作製

    高田奈央、乗松航、伊藤孝寛、楠美智子

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  89. SiCステップ上グラフェン量子ドットのプラズモン発光現象

    原田頌太、中野さつき、乗松航、西川洋太、河野行雄、楠美智子

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  90. SiC上単層グラフェンの時間分解発光

    今枝寛雄、小山剛史、岸田英生、包建峰、乗松航、楠美智子

    第72回日本物理学会年会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学豊中キャンパス   国名:日本国  

  91. SiC表面分解によるグラフェン成長のAr流量による制御

    寺澤知潮、乗松航、楠美智子

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  92. 海島構造をもつSiC/B4Cナノコンポジット膜の作製とそのナノグラフェン化

    松田敬太、乗松航、楠美智子

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  93. 銅インターカレート処理したSiC(0001)上グラフェンの角度分解光電子分光

    山本功樹、伊藤孝寛、今井雅人、乗松航、楠美智子

    第30回日本放射光学会年会 

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    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神戸芸術センター   国名:日本国  

  94. SiC上へのAl4C3薄膜の作製とグラフェン化

    福井舞、乗松航、楠美智子

    第16回表面科学会中部支部学術講演会 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  95. 炭化アルミニウムの熱分解によるアルミニウムドープグラフェンの作製

    福井舞、乗松航、楠美智子

    第36回表面科学学術講演会 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  96. SiC上グラフェン量子ドットの作製と特性評価

    中野さつき、乗松航、楠美智子

    第36回表面科学学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  97. パルスレーザー堆積法による大面積TiC薄膜のグラフェン化

    鶴田遥香、乗松航、楠美智子

    第36回表面科学学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  98. SiC粉末の表面分会によるCNT合成

    横山理徳、乗松航、楠美智子

    第36回表面科学学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  99. Carrier-type control of close-packed carbon nanotube film on SiC 国際会議

    Wataru Norimatsu, Keita Matsuda, and Michiko Kusunoki

    The International Symposium on Visualization in Joining & Welding Science through Advanced Measurements and Simulation (Visual-JW 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hotel Hankyu Expo Park, Osaka   国名:日本国  

  100. SiC上高濃度ホウ素ドープグラフェンの物性

    乗松航、増森淳史、舟橋良次、遠藤彰、楠美智子

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ, 新潟   国名:日本国  

  101. パルスレーザー堆積法による大面積TiC薄膜の作製とそのグラフェン化

    鶴田遥香、乗松航、楠美智子

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ, 新潟   国名:日本国  

  102. バッファー層急冷グラフェンの電子状態と物性

    乗松航、包建峰、山本功樹、伊藤孝寛、舟橋良次、楠美智子

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ, 新潟   国名:日本国  

  103. Negative-thermal-expansion-induced graphenization of buffer layer on SiC 国際会議

    Wataru Norimatsu, Jianfeng Bao, Takahiro Ito, and Michiko Kusunoki

    5th International Symposium on Graphene Devices (ISGD-5) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Brisbane, Australia   国名:オーストラリア連邦  

  104. Negative-thermal-expansion-induced graphenization of buffer layer on SiC 国際会議

    Wataru Norimatsu, Jianfeng Bao, Takahiro Ito, and Michiko Kusunoki

    Graphene Week 2016 

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    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Warsaw, Poland   国名:ポーランド共和国  

  105. SiC基板上高密度CNT配向膜における電気伝導機構の解明

    松田敬太、乗松航、楠美智子

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大   国名:日本国  

  106. SiC上均質グラフェンの特性と今後の展望

    楠美智子、乗松航

    Nano Tech 2016 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  107. 負の熱膨張率を利用したSiC基板上フリースタンディンググラフェンの形成

    包建峰、乗松航、楠美智子

    第15回日本表面科学会中部支部学術講演会 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  108. SiC(000-1)上B4C薄膜の熱分解によるホウ素ドープグラフェンの創製

    増森淳史、乗松航、楠美智子

    第15回日本表面科学会中部支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  109. SiC上へのB4C薄膜の形成と特性評価

    増森淳史、乗松航、楠美智子

    平成27年度日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  110. TiC/SiC単結晶の表面分解によるグラフェンの作製と観察

    宮本玄生、乗松航、楠美智子

    平成27年度日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  111. SiC上CNT配向膜の伝導特性

    松田敬太、乗松航、楠美智子

    平成27年度日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  112. Novel interface modification in epitaxial graphene on SiC 国際会議

    Michiko Kusunoki and Wataru Norimatsu

    EMN Hong Kong Meeting 2015 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  113. Electrical Transport Properties of Close-Packed and Well-aligned Carbon Nanotube Films Depending on Length 国際会議

    Keita Matsuda, Wataru Norimatsu and Michiko Kusunoki

    2nd International Symposium on Frontiers in Materials Science 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  114. SiC(000-1)上B4C薄膜の熱分解によるホウ素ドープグラフェンの創製

    増森淳史、乗松航、楠美智子

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  115. 銅インターカレーションしたSiC(0001)上グラフェンのTEM観察

    今井雅人、乗松航、楠美智子

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  116. SiC上グラフェン量子ドットの作製と特性評価

    中野さつき、乗松航、楠美智子

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  117. SiC 上カーボンナノチューブフォレストのメタルフリーCVD 成長におけるCNT 端面の調査

    平野優、稲葉優文、鈴木和真、費文茜、乗松航、楠美智子、川原田洋

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  118. カーボンナノチューブ間の接触抵抗

    稲葉優文、李智宇、鈴木和真、平野優、費文茜、乗松航、楠美智子、川原田洋

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  119. Novel Interface Structure of Epitaxial Graphene on SiC 国際会議

    M. Kusunoki and W. Norimatsu

    EMN Hong Kong Meeting 2015 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  120. Novel Interface modification in epitaxial graphene on SiC 国際会議

    Michiko Kusunoki and Wataru Norimatsu

    The 8th Nagoya Univ.-Tsinghua Univ.-Toyota Motor Corp.-Hokkaido Univ.- XinJiang Normal Univ.(NTTHX) Joint Symposium 

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    開催年月日: 2015年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  121. Electronic properties of the closely-packed aligned carbon nanotube film 国際会議

    Wataru Norimatsu, Hayato Fujita, Koji Oda, and Michiko Kusunoki

    The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT16) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  122. Creation of Boron-Doped Graphene by thermal decomposition of B4C 国際会議

    Atsushi Masumori, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT16) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  123. Interface modifications in epitaxial graphene on SiC (0001) 国際会議

    Yoshiho Masuda, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT16) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  124. Quasi-free-standing graphene formation on SiC (0001) by the post-growth rapid-cooling 国際会議

    Jianfeng Bao, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT16) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  125. Intercalation of copper atoms under graphene film on SiC (0001) 国際会議

    Masato Imai, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT16) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  126. TEM observation of copper intercalation in graphene on SiC (0001) 国際会議

    Masato Imai, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    Graphene Week 2015 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  127. Buffer-layer-free graphene on SiC (0001) by rapid cooling 国際会議

    Jianfeng Bao, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    Graphene Week 2015 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  128. Interplay between step-bunching and graphene growth on 6H-SiC (0001) 国際会議

    Wataru Norimatsu, Osamu Yasui, Jianfeng Bao, and Michiko Kusunoki

    Graphene Week 2015 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  129. SiC上の高均質グラフェン・ナノチューブ膜の可能性

    楠美智子、乗松航

    第19回液晶化学研究会シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  130. ホウ素ドープ最密充填カーボンナノチューブ膜の電気伝導測定

    乗松航、小田晃司、藤田隼人、楠美智子

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  131. 無触媒CVD成長したカーボンナノチューブの評価

    平野優、稲葉優文、渋谷恵、鈴木和真、李智宇、明道三穂、平岩篤、乗松航、楠美智子、川原田洋

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  132. 急冷法によるSiC(0001)上バッファ層フリーグラフェンの作製

    包建峰、乗松航、楠美智子

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  133. SiCグラフェン成長とステップバンチングの関係

    安井理、乗松航、楠美智子

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  134. SiC上のカーボンナノチューブのパターニング形成のための耐超高温ZnO/Cマスク

    稲葉優文、李智宇、鈴木和真、渋谷恵、明道三穂、平野優、乗松航、楠美智子、川原田洋

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  135. SiC(0001)基板の様々なステップ高さにおけるグラフェン形成メカニズム

    安井理、乗松航、楠美智子

    第53回セラミックス基礎科学討論会 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  136. SiC初期酸化膜の周期構造とそのグラフェン化

    宮田将大、乗松航、楠美智子

    第53回セラミックス基礎科学討論会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  137. グラフェン成長におけるSiC基板のステップ方位及びoff角依存性

    柚原敬介、乗松航、楠美智子

    第14回日本表面科学会中部支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  138. SiC初期酸化膜の周期制御とそのグラフェン化に与える影響

    宮田将大、乗松航、楠美智子

    第14回日本表面科学会中部支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  139. SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの形状評価と電気特性

    内山貴文、乗松航、楠美智子

    平成26年度日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  140. 熱分解グラフェン成長におけるSiC基板off角依存性

    柚原敬介、乗松航、楠美智子

    平成26年度日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  141. Nitrogen induced modification of interface in epitaxial graphene on SiC 国際会議

    Wataru Norimatsu, Yoshiho Masuda and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Graphene Devices 2014 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  142. SiC上のカーボンナノチューブを下地としたカーボンナノチューブフォレストのクローニング成長

    平野優、稲葉優文、渋谷恵、鈴木和真、李智宇、明道三穂、平岩篤、乗松航、楠美智子、川原田洋

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  143. SiC上に形成した稠密カーボンナノチューブフォレストの面内方向伝導性評価

    稲葉優文、李智宇、鈴木和真、渋谷恵、明道三穂、平野優、平岩篤、乗松航、楠美智子、川原田洋

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  144. SiC (000-1)上B4C薄膜のエピタキシャル成長

    増森淳史、乗松航、楠美智子

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  145. グラフェンナノパターニングに向けたSiC初期酸化膜の周期構造

    宮田将大、乗松航、楠美智子

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  146. TiCマスクをしたSiC基板の表面分解によるグラフェン形成

    宮本玄生、乗松航、楠美智子

    第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会総合シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  147. Nitrogen-induced interface improvement in epitaxial graphene on SiC

    乗松航、増田佳穂、楠美智子

    第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会総合シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  148. Electronic and structural properties of B-doped carbon-nanotube film on SiC

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  149. SiC上カーボンナノチューブフォレスト向け高温マスクパターニング

    稲葉優文、李智宇、鈴木和真、渋谷恵、平野優、明道三穂、平岩篤、乗松航、楠美智子、川原田洋

    第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会総合シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  150. トップコンタクト電極を用いたCNT/SiC界面の接触抵抗及びSchottky障壁高さの評価

    鈴木和真、稲葉優文、李智宇、鈴木和真、渋谷恵、平野優、明道三穂、平岩篤、乗松航、楠美智子、川原田洋

    第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会総合シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  151. SiC上グラフェンへの銅インターカレーション

    今井雅人、乗松航、楠美智子

    第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会総合シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  152. Homogeneous graphene growth on SiC (000-1) 国際会議

    Wataru Norimatsu, Honami Ohara and Michiko Kusunoki

    IUMRS-ICA 2014 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  153. Interface modification by nitrogen in epitaxial graphene on SiC 国際会議

    Wataru Norimatsu, Yoshiho Masuda and Michiko Kusunoki

    IUMRS-ICA 2014 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  154. Interface improvement by nitrogen in epitaxial graphene on SiC 国際会議

    Wataru Norimatsu, Yoshiho Masuda and Michiko Kusunoki

    7th NTTH Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  155. Interface modification by nitrogen in epitaxial graphene on SiC 国際会議

    Wataru Norimatsu, Yoshiho Masuda and Michiko Kusunoki

    Graphene Week 2014 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:スウェーデン王国  

  156. SiC表面上グラフェンの窒素処理による界面構造改質

    乗松航、増田佳穂、楠美智子

    日本顕微鏡学会第70回記念学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  157. トップコンタクト電極を用いたCNT/SiC界面の接触抵抗及びSchottky障壁高さの評価

    鈴木和真、稲葉優文、渋谷恵、李智宇、明道三穂、平岩篤、増田佳穂、乗松航、楠美智子、川原田洋

    応用物理学会第61回春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  158. 高配向・高密度カーボンナノチューブへのカルボラン内包

    藤田隼、乗松航、楠美智子

    応用物理学会第61回春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  159. 半絶縁性シリコンカーバイド上の高密度カーボンナノチューブフォレストの面内電導

    稲葉優文、李智宇、鈴木和真、平岩篤、増田佳穂、乗松航、楠美智子、川原田洋

    第46回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会総合シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  160. 窒素雰囲気下で形成されるグラフェン/SiCの界面構造

    増田佳穂、乗松航、楠美智子

    第46回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会総合シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  161. カーボンナノチューブ/シリコンカーバイド界面の接触抵抗及びSchottky障壁高さの評価

    鈴木和真、李智宇、稲葉優文、平岩篤、増田佳穂、乗松航、楠美智子、川原田洋

    第46回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会総合シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  162. 高配向・高密度カーボンナノチューブ膜へのカルボラン内包

    藤田隼、乗松航、楠美智子

    第46回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会総合シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  163. 高配向・高密度カーボンナノチューブ膜へのカルボラン内包とその評価

    藤田隼、乗松航、楠美智子

    第13回日本表面科学会中部支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  164. SiC(000-1)C面を用いた均一な大面積グラフェンの作製

    大原穂波、乗松航、楠美智子

    平成25年度日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  165. 高配向・高密度カーボンナノチューブへのカルボラン内包とその評価

    藤田隼、乗松航、楠美智子

    平成25年度日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  166. Structures and Transport Properties of Zigzag-Type CNT Films Doped by Si 国際会議

    Michiko Kusunoki, Naoya Tomatsu, Wataru Norimatsu, Koichi Takase

    2013 MRS Fall Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  167. Graphene growth from solid-state amorphous carbon on various substrates 国際会議

    Fumitaka Asai, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    3rd CAMPUS Asia Symposium on Chemistry and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  168. 高濃度ドープによるCNT/SiC界面の接触抵抗の低減

    鈴木和真、稲葉優文、渋谷恵、明道三穂、平岩篤、増田佳穂、乗松航、楠美智子、川原田洋

    応用物理学会第74回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  169. SiC(000-1)上グラフェンのTEMによる面内構造解析

    乗松航、黒木淳、楠美智子

    応用物理学会第74回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  170. 窒素ガス雰囲気下におけるSiC上グラフェン形成とその界面構造

    増田佳穂、乗松航、楠美智子

    応用物理学会第74回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  171. Homogeneous graphene on SiC (000-1) formed via an epitaxial TiC layer 国際会議

    K. Kimura, K. Shoji, W. Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research 2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  172. In-plane structural features of graphene on SiC revealed by TEM observations 国際会議

    Jun Kuroki, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    20th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-10) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  173. Growth of boron-doped graphene by thermal decomposition of B4C 国際会議

    Wataru Norimatsu, K. Hirata and Michiko Kusunoki

    20th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-10) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  174. In-plane structural properties of graphene on SiC revealed by TEM observations 国際会議

    Jun Kuroki, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    Graphene Week 2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  175. High quality graphene growth on SiC (000-1) via an epitaxial TiC layer 国際会議

    Wataru Norimatsu, K. Shoji, K. Kimura and Michiko Kusunoki

    Graphene Week 2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  176. SiC(000-1)表面上グラフェンの成長機構解明

    乗松航、楠美智子

    第3回6大学6研究所連携プロジェクト公開討論会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  177. 窒素ガスがSiC上エピタキシャルグラフェン形成に及ぼす影響

    増田佳穂、乗松航、楠美智子

    日本表面科学会中部支部第12回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  178. 窒素ガスがSiC表面分解反応に及ぼす影響

    増田佳穂、乗松航、楠美智子

    日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  179. TEM観察によるSiC表面分解グラフェンの面内構造解析

    黒木淳、乗松航、楠美智子

    日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  180. SiC(000-1)C面上における均一な大面積グラフェンの作製

    大原穂波、乗松航、楠美智子

    日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  181. Homogeneous Graphene Growth on SiC (0001) with Step-height Lower Than 1 nm 国際会議

    Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    3rd International Symposium on Graphene Devices (ISGD-2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  182. In-plane Structural Analysis of Graphene Layers on SiC by TEM Observation 国際会議

    Jun Kuroki, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    The 5th International Symposium on Designing, Processing, and Properties of Advanced Engineering Materials and The 3rd International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials (ISAEM-2012 and AMDI-3) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  183. Growth of boron doped graphene by thermal decomposition of boron carbide 国際会議

    Wataru Norimatsu, Koichiro Hirata, and Michiko Kusunoki

    3rd International Symposium on Graphene Devices (ISGD-2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  184. Early stage of CNT formation by surface decomposition of SiC revealed by DFTB/MD simulations 国際会議

    Noriyuki Ogasawara, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, and S. Irle

    The 5th International Symposium on Designing, Processing, and Properties of Advanced Engineering Materials and The 3rd International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials (ISAEM-2012 and AMDI-3) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  185. Formation Mechanism of CNTs by Surface Decomposition of SiC Revealed by DFTB/MD Simulations 国際会議

    Noriyuki Ogasawara, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki, Stephan Irle

    IUMRS-ICEM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  186. SiC surface decomposition in the N2 atmosphere 国際会議

    Yoshiho Masuda, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    IUMRS-ICEM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  187. In-plane Structural Analysis of Graphene Layers on SiC (0001) and (000-1) 国際会議

    Jun Kuroki, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    IUMRS-ICEM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  188. Growth of graphene on C-face (000-1) of SiC with the controlled number of layers in large area 国際会議

    Honami Ohara, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    IUMRS-ICEM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  189. Interaction of metal nano-particles with graphene on SiC 国際会議

    Tomohiro Sakashita, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    IUMRS-ICEM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  190. Epitaxial growth of graphene on various carbides 国際会議

    Wataru Norimatsu, Koichiro Hirata, Keisuke Kimura, and Michiko Kusunoki

    IUMRS-ICEM 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  191. 窒素ガス雰囲気下におけるSiC表面分解反応

    増田佳穂、乗松航、楠美智子

    日本セラミックス協会第25回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  192. 金属ナノ粒子とSiC上グラフェンの相互作用

    坂下智啓、乗松航、楠美智子

    日本セラミックス協会第25回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  193. デバイス応用に適したSiC(0001)表面上グラフェン成長条件の探索

    乗松航、楠美智子

    応用物理学会第73回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  194. DFTB/MDシミュレーションによるSiC表面分解グラフェンの成長機構解析

    小笠原徳之、乗松航、楠美智子、Stephan Irle

    応用物理学会第73回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  195. 層数制御された大面積SiC(000-1)C面上グラフェンの作製

    大原穂波、乗松航、楠美智子

    応用物理学会第73回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  196. Epitaxial growth of boron-doped graphene by thermal decomposition of B4C 国際会議

    Wataru Norimatsu, Koichiro Hirata, Yuta Yamamoto, Shigeo Arai, and Michiko Kusunoki

    Graphene Week 2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  197. SiC表面上カーボンナノチューブ配向膜へのボロンドープ

    乗松航、小田晃司、山本悠太、荒井重勇、楠美智子

    日本顕微鏡学会第68回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  198. 炭化ホウ素の熱分解によるグラフェン成長とその特徴

    乗松航、平田浩一郎、山本悠太、荒井重勇、楠美智子

    日本顕微鏡学会第68回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  199. 高配向カーボンナノチューブ膜の真実接触面観察

    月山陽介、小島傑、新田勇、乗松航、楠美智子

    トライボロジー会議2012春 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  200. Crystallographic features of boron-doped graphene grown by thermal decomposition of B4C 国際会議

    Wataru Norimatsu, Koichiro Hirata, and Michiko Kusunoki

    The 3rd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations (AMTC3) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  201. Stacking structures of graphene layers on SiC (0001) and (000-1) 国際会議

    Jun Kuroki, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki,

    The 3rd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations (AMTC3) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  202. B4Cの熱分解によるグラフェン成長とその特徴

    乗松航、平田浩一郎、楠美智子

    日本物理学会第67回年次大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  203. SiC上カーボンナノチューブ配向膜へのホウ素ドープ

    小田晃司、乗松航、楠美智子

    第59回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  204. SiC表面分解法による数層グラフェンの面内構造解析

    黒木淳、乗松航、楠美智子

    第59回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  205. n型Mn3Si4Al3系材料の熱電特性と元素置換効果

    舟橋良次、松村葉子、田中秀明、竹内友成、鈴木亮輔、王一峰、乗松航、河本邦人

    第59回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  206. Structural features of graphene layers on SiC (000-1) revealed by transmission electron microscopy 国際会議

    Wataru Norimatsu, Juji Takada, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Role of Electron Microscopy in Industry 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  207. TEM Observations of B-doped Well-aligned Carbon Nanotube Films on SiC Substrate 国際会議

    Koji Oda, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    International Symposium on Role of Electron Microscopy in Industry 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  208. Diameter control of carbon nanotubes synthesized by SiC surface decomposition 国際会議

    Naoya Toumatsu, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki

    Nagoya Univ.-Tsinghua Univ.-Toyota Motor Corp.-Hokkaido Univ.-Univ. Electron. Sci. Tech. China Joint Symposium (NTTH2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  209. First Principles Calculations of Close-packed and Doped Carbon Nanotubes 国際会議

    Noriyuki Ogasawara, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki

    The 6th International Symposium on Surface Science (ISSS-6) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  210. Plan-view of Few Layer Graphene on 6H-SiC by Transmission Electron Microscopy 国際会議

    Jun Kuroki, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki

    The 6th International Symposium on Surface Science (ISSS-6) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  211. Atomistic mechanism of graphene formation as predicted by nonequilibrium quantum chemical molecular dynamics simulations 国際会議

    Stephan Irle, Ying Wang, Yoshio Nishimoto, Hu-Jun Qian, Masato Morita, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Alister J. Page, Keiji Morokuma

    International Symposium on EcoTopia Science 2011 (ISETS `11) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  212. Diameter control of carbon nanotubes synthesized by SiC surface decomposition 国際会議

    Naoya Toumatsu, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki

    International Symposium on EcoTopia Science 2011 (ISETS `11) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  213. Patterning of Aligned CNT Films using SiO2 Particles Monolayer as a Mask 国際会議

    Keita Matsuda, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki

    The 6th International Symposium on Surface Science (ISSS-6) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  214. Observations of Platinum Nanoparticles Supported on Well-aligned CNT Films at High Temperatures 国際会議

    Keita Matsuda, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki

    International Symposium on EcoTopia Science 2011 (ISETS `11) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  215. TEM Observations of B-doped Well-aligned Carbon Nanotube Films on SiC Substrate 国際会議

    Koji Oda, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki

    International Symposium on EcoTopia Science 2011 (ISETS `11) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  216. The size effect and the shape effect of ferroelectric domain structures in BaTiO3 国際会議

    Koichi Morita, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki

    International Symposium on EcoTopia Science 2011 (ISETS `11) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  217. Doping of Boron into Well-aligned Carbon Nanotube Films on SiC Substrate 国際会議

    Koji Oda, Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    15th International Conference on Thin Films (ICTF-15) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  218. Features of epitaxial graphene on silicon carbide {0001} 国際会議

    Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    15th International Conference on Thin Films (ICTF-15) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  219. Nanocarbon thin films grown on silicon carbide 国際会議

    Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    15th International Conference on Thin Films (ICTF-15) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  220. Epitaxial graphene produced by thermal decomposition of TiC 国際会議

    Wataru Norimatsu, Keisuke Kimura, and Michiko Kusunoki

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  221. SiC(0001)表面グラフェン形成の分子動力学シミュレーション

    乗松航、盛田壮登、楠美智子、Irle Stephan

    日本物理学会 2011年秋季大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  222. 放射光X 線吸収分光によるSi ドープカーボンナノチューブの化学結合状態分析

    泉雄大,室隆桂之,木下豊彦,乗松航,楠美智子,渡辺義夫

    応用物理学会 第72回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  223. SiC(000-1)表面上グラフェンの形成機構

    乗松航、高田重治、楠美智子

    応用物理学会 第72回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  224. SiC上グラフェンの成長と構造選択性

    楠美智子、乗松航

    応用物理学会 第72回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  225. Influence of Alkaline Earth Substitution on The Thermoelectric Properties of (BiS)1.2(TiS2)2 Misfit Layered Sulfides

    Yulia Eka Putri, Chunlei Wan, Yifeng Wang, Wataru Norimatsu, Kunihito Koumoto

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  226. Features of graphene layers on SiC (0001) 国際会議

    Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    2nd International Conference on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials (STAC5-AMDI2) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  227. Tribological Properties of Vertically-Aligned Carbon Nano-Tube with Perfluoro-polyether Lubricant 国際会議

    H. Tani, K. Konishi, W. Norimatsu, M. Kusunoki, and N. Tagawa

    3rd European Conference on Tribology (ECOTRIB 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  228. 白金担持カーボンナノチューブ膜の酸素ガス中高温その場観察

    乗松航、松田敬太、浅井文崇、荒井重勇、楠美智子

    日本顕微鏡学会 第67回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  229. Features of graphene on SiC (000-1) revealed by transmission electron microscopy 国際会議

    Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    Graphene 2011 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年4月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  230. SiC(0001)表面上グラフェン形成の分子動力学シミュレーション

    乗松航、盛田壮登、楠美智子、Stephan Irle

    応用物理学会 第58回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  231. SiC(0001)表面上グラフェンの結晶学的特徴

    乗松航、楠美智子

    第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名城大学   国名:日本国  

  232. カーボンナノチューブ

    楠美智子、乗松航

    日本セラミックス協会東海支部講演会 

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    開催年月日: 2011年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:JFCC   国名:日本国  

  233. SiC上高密度CNT配向膜のパターニング

    松田敬太、乗松航、楠美智子

    日本セラミックス協会 第49回セラミックス基礎科学討論会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡山コンベンションセンター   国名:日本国  

  234. カーボンナノチューブ/SiC複合材料の放熱材料への応用

    大森恒、乗松航、楠美智子、番場達也、南谷靖、市川琢也

    日本セラミックス協会東海支部 平成22年度学術研究発表会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名城大学   国名:日本国  

  235. SiC表面分解法におけるカーボンナノチューブの直径制御

    東松直哉、吉川奈保子、乗松航、楠美智子

    日本表面科学会中部支部 第10回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋工業大学   国名:日本国  

  236. QM/MDシミュレーションによるSiCステップ表面におけるグラフェン各形成過程の解明

    盛田壮登、乗松航、楠美智子、Stephan Irle

    日本表面科学会中部支部 第10回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋工業大学   国名:日本国  

  237. 球状酸化物粒子を用いたCNT配向膜のパターニング

    松田敬太、乗松航、楠美智子

    日本セラミックス協会東海支部 平成22年度学術研究発表会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名城大学   国名:日本国  

  238. SiC表面分解からの高密度ナノカーボンの直接合成とその応用

    楠美智子、乗松航

    第19回ポリマー材料フォーラム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  239. Structure Control of Carbon Nanotube Films and Graphene on SiC 国際会議

    Michiko Kusunoki, and Wataru Norimatsu

    2010 Materials Research Society Fall Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  240. Nano-Carbon Structures on SiC 国際会議

    Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    The International Symposium on Visualization in Joining & Welding Science through Advanced Measurements and Simulation (Visual JW2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  241. グラフェン/SiCの結晶成長と構造評価

    楠美智子、乗松航

    (財)科学技術戦略推進機構 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:JCII戦略推進部   国名:日本国  

  242. SiC表面分解によるCNT/グラフェンの構造制御

    楠美智子、乗松航

    第4回CPC研究会講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:新御茶ノ水総評会館   国名:日本国  

  243. SiCからのCNT/グラフェンの合成と電子顕微鏡による構造評価

    楠美智子、乗松航

    電子情報技術産業協会JEITA「ナノカーボンエレクトロニクス技術分科会」 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  244. Siドープカーボンナノチューブ配向膜の電気的および結晶学的特徴

    乗松航、丸山雄大、笹井亮、高瀬浩一、楠美智子

    日本物理学会 2010年秋季大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:大阪府立大学   国名:日本国  

  245. SiC表面分解によるナノチューブ・グラフェンの合成と評価

    楠美智子、乗松航

    科学技術交流会ナノ粒子研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名大シンポジオンホール   国名:日本国  

  246. Siを注入したCNT配向膜/SiCの硬X線光電子分光法による化学状態分析

    町田雅武、孫珍永、陰地宏、広沢一郎、丸山雄大、乗松航、楠美智子、渡辺義夫

    応用物理学会 第71回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  247. Formation of ABC-stacked graphene layers on SiC (0001) 国際会議

    Wataru Norimatsu, and Michiko Kusunoki

    2nd International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene (STEG2) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  248. SiC-C面上グラフェン膜の作製と透過型電子顕微鏡観察

    高田重治、乗松航、楠美智子

    応用物理学会 第71回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  249. SiC表面分解法により作製した配向性カーボンナノチューブの直径制御

    乗松航、吉川奈保子、楠美智子

    日本顕微鏡学会 第66回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  250. SiC(0001)表面上グラフェンの結晶学的特徴

    乗松航、楠美智子

    日本顕微鏡学会 第66回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  251. 垂直高配向カーボンナノチューブのバーニッシュヘッドへの応用

    小西圭祐、谷弘詞、楠美智子、乗松航、多川則男

    トライボロジー会議 2010春 東京 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立オリンピック記念青少年総合センター   国名:日本国  

  252. Formation mechanism of graphene on SiC (0001) 国際会議

    Graphene Week 2010 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年4月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  253. SiC上グラフェンの結晶学的特徴

    乗松航、楠美智子

    日本物理学会 第65回年次大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  254. SiドープCNT配向膜の電気特性評価と高分解能TEMによる構造解析

    丸山雄大、乗松航、楠美智子

    応用物理学会 第57回関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  255. SiC表面分解法により作製したグラフェンの結晶学的特徴

    乗松航、楠美智子

    応用物理学会 第57回関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  256. High Thermal Conductivity of Carbon Nanotube and SiC Composites Synthesized by Surface Decomposition 国際会議

    34th International Conference and Exposition on Advanced Ceramics and Composites 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  257. Application of Carbon Nanotube and SiC composites for a thermal interface material 国際会議

    34th International Conference and Exposition on Advanced Ceramics and Composites 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  258. TiC表面分解による波状グラフェンの形成

    木村佳祐、乗松航、楠美智子

    第9回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  259. SiC(0001)上グラフェンの形成過程

    乗松航、楠美智子

    第9回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  260. Design of High-functional Nano-Carbon Structures on SiC Surface 国際会議

    NTTH Joint Symposium on Advanced Materials Science 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  261. Wavy graphene formed by surface decomposition of TiC 国際会議

    NTTH Joint Symposium on Advanced Materials Science 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  262. SiC表面分解法による高配向カーボンナノチューブの直径制御

    吉川奈保子、乗松航、楠美智子

    日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  263. Application of close-packed-carbon-nanotube films on SiC for heat-release devices 国際会議

    The International Conference on Carbon Nanostructured Materials (Cnano `09) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  264. SiC上グラフェンの高分解能透過型電子顕微鏡観察

    乗松航、楠美智子

    日本物理学会 秋季大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  265. Heat-release Application of the Carbon-nanotube/silicon-carbide Composite Materials Made From Used-SiC Abrasive Powders 国際会議

    R'09 Twin World Congress 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  266. Si Doping into Densely-Aligned Carbon Nanotube Films on SiC 国際会議

    R'09 Twin World Congress 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  267. Upgrade Conversion of Spent SiC Abrasive Powder to CNT particles 国際会議

    R'09 Twin World Congress 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  268. SiC表面分解法によるグラフェンの高分解能透過型電子顕微鏡観察

    乗松航、楠美智子

    応用物理学会 第70回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  269. Siドープカーボンナノチューブ配向膜の作製

    用物理学会 第70回学術講演会

    応用物理学会 第70回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  270. 高配向CNT/SiC複合体の高効率放熱材料への応用

    乗松航、楠美智子

    第4回3大学3研究所連携プロジェクト公開討論会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  271. Doping of Si into Aligned Carbon Nanotube Films on SiC 国際会議

    The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  272. Atomic structures of the interface between homogeneous graphene and 6H-SiC (0001) 国際会議

    The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  273. TiC表面分解法による波上グラフェンの形成過程

    木村佳祐、乗松航、楠美智子

    第38回東海若手セラミスト懇話会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  274. SiC表面分解法を用いたCNT膜の合成と電気的特性評価

    盛田壮登、乗松航、楠美智子

    第38回東海若手セラミスト懇話会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  275. 炭化アルミニウム表面分解過程の透過型電子顕微鏡による観察

    高田重治、乗松航、楠美智子

    第38回東海若手セラミスト懇話会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  276. SiC表面分解法により作製したグラフェン/SiC界面の透過型電子顕微鏡観察

    乗松航、楠美智子

    日本顕微鏡学会 第65回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  277. TiC表面分解法によるグラフェンの形成過程

    木村佳祐、乗松航、楠美智子

    日本顕微鏡学会 第65回学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  278. グラフェン/SiC界面の透過型電子顕微鏡観察

    乗松航、楠美智子

    応用物理学会 第56回関係連合講演会 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  279. SiC表面分解グラフェンにおける界面の構造

    乗松航、楠美智子

    日本物理学会 第64回年次大会 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  280. Transmission electron microscope observation of the interface between graphene and 6H-SiC (0001) 国際会議

    Graphene Week 2009 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  281. 高密度・高配向CNT膜へのSiドープ

    丸山雄大、吉田健太、乗松航、楠美智子

    第36回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  282. SiドープCNT配向膜の作製とTEMによる構造・組成評価

    丸山雄大、吉田健太、乗松航、楠美智子

    第8回日本表面科学会中部支部学術講演会若手講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  283. SiC表面グラフェンにおける界面の構造

    乗松航、楠美智子

    第8回日本表面科学会中部支部学術講演会若手講演会 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  284. Application of carbon-nanotube/silicon-carbide composite materials for heat-release devices 国際会議

    The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008) 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  285. Formation of uniform carbon nanotube films and graphene on SiC 国際会議

    The 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSSN) 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  286. Interface Structure Of Graphene On Silicon Carbide 国際会議

    Nagoya Univ.-Tshinghua Univ.-Toyota Joint Symposium (N-T-T) 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  287. SiC表面分解法によるカーボンナノチューブの放熱応用

    乗松航、楠美智子、河合千尋

    応用物理学会 2008年第69回学術講演会 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  288. SiC上グラフェンにおける界面の構造

    乗松航、楠美智子

    応用物理学会 2008年第69回学術講演会 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  289. SiC表面分解法により作製したカーボンナノチューブの放熱応用

    乗松航、河合千尋、楠美智子

    第35回記念フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  290. SiドープCNT配向膜の作製とTEMによる構造・組成評価

    丸山雄大、吉田健太、乗松航、楠美智子

    第36回東海若手セラミスト懇話会(岐阜ホテルパーク) 

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    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  291. SiドープCNT配向膜の作製とTEMによる構造・組成評価

    丸山雄大、吉田健太、乗松航、楠美智子

    日本顕微鏡学会 2008年第64回学術講演会 

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    開催年月日: 2008年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  292. Sr1.5La0.5MnO4における軌道変調・電荷密度波状態の結晶学的特徴

    乗松航、小山泰正

    日本物理学会 2008年第63回年次大会 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  293. Mechanical Characteristics of Closed-Packed Carbon Nanotubes on SiC 国際会議

    International Carbon nanotube conference in NU (ICNTC) 

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    開催年月日: 2008年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  294. Sr2-xNdxMnO4における軌道・電荷変調状態の結晶学的特徴

    乗松航、小山泰正

    日本物理学会 2007年第62回年次大会 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  295. Crystallographic features of the orbital-ordered state in the layered perovskite manganite Sr2-xPrxMnO4 国際会議

    The International Conference on Strongly Correlated Electron Systems (SCES'07) 

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    開催年月日: 2007年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  296. 層状ペロブスカイトSr2-xNdxMnO4における軌道整列状態の特徴

    乗松航、小山泰正

    日本物理学会 2007年春季大会 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  297. Stability of electronic states in the layered perovskite Sr2-xNdxMnO4 国際会議

    19th International Symposium on Superconductivity (ISS2006) 

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    開催年月日: 2006年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  298. Sr2-xNdxMnO4における軌道整列および電荷・軌道整列状態の安定性

    乗松航、小山泰正

    日本物理学会 2006年秋季大会 

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    開催年月日: 2006年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  299. 層状ペロブスカイト型酸化物(Sr,La)2MnO4における低温斜方晶相の透過型電子顕微鏡観察

    乗松航、小山泰正

    日本金属学会 2005年秋期大会 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  300. 層状ペロブスカイト(Sr,La)2MnO4における低温斜方晶相の透過型電子顕微鏡観察

    乗松航、小山泰正

    日本物理学会 2005年秋季大会 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  301. Crystallographic features of the low-temperature orthorhombic state in Sr2-xLaxMnO4 around x=0.15 国際会議

    The International Conference on Strongly Correlated Electron Systems 2005 (SCES05) 

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    開催年月日: 2005年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  302. 層状ペロブスカイト(Sr,La)2MnO4における低温斜方晶相の結晶学的特徴

    乗松航、小山泰正

    日本物理学会 第60回年次大会 

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  303. 層状ペロブスカイト型Mn酸化物(Sr,La)2MnO4における強誘電相転移の特徴

    乗松航、小山泰正

    日本金属学会 2004年秋期大会 

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    開催年月日: 2004年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  304. (Sr,La)2MnO4における強誘電相転移の結晶学的特徴

    乗松航、小山泰正

    日本物理学会 2004年秋季大会 

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    開催年月日: 2004年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  305. Dielectric and crystallographic features of the orthorhombic phase in Sr2-xLaxMnO4 around x=0.15 国際会議

    The 5th Korea-Japan Conference on Ferroelectricity (KJCFE2004) 

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    開催年月日: 2004年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  306. Sr2-xLaxMnO4における強誘電相の特徴

    乗松航、小山泰正

    日本物理学会 第59回年次大会 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 6

  1. 【代表】低環境負荷ナノカーボン材料の作製と評価

    2019年4月 - 2021年3月

    早稲田大学各務記念材料技術研究所環境整合材料基盤技術共同研究 

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    資金種別:競争的資金

  2. 【代表】カーボンナノチューブ/SiCヘテロ構造における光誘起電子物性研究

    2017年8月 - 2018年3月

    立松財団 

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    資金種別:競争的資金

  3. 【代表】超高移動度・高機能SiC表面上グラフェンの研究

    2012年7月 - 2015年3月

    旭硝子財団若手継続グラント 

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    資金種別:競争的資金

  4. 【代表】強誘電ナノ物質の分域構造に対するサイズおよび形状効果の研究

    2010年4月 - 2011年3月

    村田学術振興財団 

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    資金種別:競争的資金

  5. 【代表】SiC(000-1)面上グラフェンの創製と構造解析

    2010年4月 - 2011年3月

    立松財団 

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    資金種別:競争的資金

  6. 【代表】SiC表面分解によるグラフェンの形成過程の研究

    2009年4月 - 2011年3月

    旭硝子財団 

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    資金種別:競争的資金

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科研費 4

  1. 固体電解質/高品質単一方位グラフェンによるリチウム挿入脱離現象の解明

    研究課題/研究課題番号:20H05287  2020年4月 - 2022年3月

    科学研究費助成事業  新学術領域研究(研究領域提案型)

    乗松 航

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:3900000円 ( 直接経費:3000000円 、 間接経費:900000円 )

    研究期間全体の計画としては、(1)大面積単一方位グラフェンと固体電解質酸化物を用いたセルの作製とその電気化学特性評価、および(2)グラフェンの層数、結晶粒界、および欠陥が電気化学特性に及ぼす効果の解明である。初年度には主に(1)に取り組み、大面積単層グラフェンをモデル試料として、固体電解質との界面における電気化学反応の詳細を明らかにする。次年度には、初年度の内容を継続するとともに、グラフェンの層数を変えた試料、多結晶多層グラフェン試料、意図的にグラフェン中に欠陥を導入した試料についても同様の実験を行い、それらが電気化学特性に及ぼす効果を明らかにする。

  2. 【代表】半絶縁性SiC上ウェハスケールグラフェンはエレクトロニクス応用に最適なのか?

    研究課題/研究課題番号:18H01889  2018年4月 - 2021年3月

    科学研究費補助金 

    乗松 航

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:17550000円 ( 直接経費:13500000円 、 間接経費:4050000円 )

    SiC上エピタキシャルグラフェンおよびCVDグラフェンを、SiC上、バッファー層/SiC上、およびSiO2/Si上に転写した試料の電子状態について、それぞれ複数回の電気伝導測定および角度分解光電子分光(ARPES)測定を行った。その結果、低真空中で行った電気伝導測定でp型を示し、超高真空中で行ったARPES測定でn型を示す原因については、試料を大気中に置いた際のグラフェンへの酸素や水によるホールドープが原因である可能性が高いことがわかった。グラフェン転写技術について、研究室所属学生が米国MITの共同研究グループに出向いて習得を行い、5x5mm2のグラフェンをクリーンに転写することが可能となった。実際、極めてクリアなARPESイメージを得られるようになり、基板および界面由来の強い電子ドープが観測された。基板効果および界面効果についての詳細を明らかにできる試料を得られたため、今後は電気伝導測定と合わせてより精密に解析を行っていく。
    高圧水素インターカレーションによりバッファー層をグラフェン化した試料について、顕微ラマン分光測定によるマッピングを行った。ラマンスペクトルにおける2Dバンドのマッピングの結果から、基板表面のステップに平行なコントラストが得られた。一方、Dバンドマッピングの結果から、水素欠損に対応すると考えられる欠陥は、ステップに対して下側のテラスには少なく、上側のテラスに多いことがわかった。これらの結果は、インターカレートされた水素が、ステップをまたいで拡散することはないことを示唆している。
    本年度の主な実績として、SiC上グラフェンのラマン分光測定と界面構造改質についての論文を2報出版した。
    2019年度に計画していた内容として、電気伝導測定とARPES測定における矛盾の原因については、大気中の酸素と測定における真空度の問題であると解明することができた。また、これまでのグラフェン転写技術を劇的に向上させ、5x5mm2サイズのグラフェンをクリーンに転写することができるようになった。これにより、電気伝導およびARPES測定の結果がさらにクリアになり、グラフェンの電気伝導に及ぼすグラフェンの質、SiC基板、界面の効果をより詳細に調べられるようになった。
    高圧水素インターカレーションによるバッファー層のグラフェン化および高移動度化について、顕微ラマン分光測定によってインターカレーションメカニズムが徐々に明らかになっている。現時点では、水素インターカレーションによって得られたグラフェンは、SiC上エピタキシャルグラフェンより高い移動度は得られていないものの、インターカレーションメカニズムの解明によって、その原因が水素欠損とそれに伴うグラフェンの欠陥であること、欠陥には試料表面形態と関係した分布があることが明らかになりつつある。
    また、当初予想していなかった結果として2019年度後半に、SiC上に成長した2層グラフェンを引き剥がし、別のSiC上バッファー層試料の上に貼り付けたところ、大面積のtwisted bilayer grapheneが得られることがわかった。
    転写の技術が向上してきたため、SiC上グラフェンおよびCVDグラフェンを、SiC上、バッファー層/SiC上、およびSiO2/Si上に転写した各種試料を用いて、グラフェンの移動度に及ぼすグラフェンの質、SiC基板、界面の効果を定量的に解析する。また、SiC上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)転写し、その上にグラフェンを転写することで、界面の効果について詳細を明らかにするとともに、SiC上グラフェンにおける最高の移動度の到達を目指す。
    SiC基板の効果に関しては、グラフェン成長はSiCからのSiの脱離を伴うため、グラフェン形成後のSiC表面付近にSi欠損が存在する可能性がある。これがグラフェンの移動度低下の原因になりうる。そこで、この基板効果を明らかにするため、X線反射率測定を行う。表面付近のSiCにおいて、Si欠損の存在を仮定した解析を行い、欠損の程度と移動度低下の関係を探る。
    高圧水素インターカレーションについては、メカニズムが明らかになってきており、複数の試料を用いた実験により、水素が試料表面のどこから侵入してどのように拡散するのかのさらなる詳細を明らかにする。その知見に基づいて、高品質グラフェンの作製を行う。また、並行して透過型電子顕微鏡による水素欠損の観察も行い、水素欠損の原子レベルでの詳細を明らかにする。より高純度での水素中加熱実験を行うために、水素ガスフィルターを導入し、高圧水素インターカレーション条件の最適化を行うことで、グラフェンの移動度向上を目指す。
    さらに、2019年度後半に明らかになった大面積twisted bilayer grapheneの電子状態について、その詳細を角度分解光電子分光測定を行うことで明らかにする。

  3. 【代表】ポストグラフェンを目指した新規二次元Al-C物質AlCeneの実験的・理論的研究

    研究課題/研究課題番号:16K13674  2016年4月 - 2018年3月

    科学研究費補助金 

    乗松 航

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:3770000円 ( 直接経費:2900000円 、 間接経費:870000円 )

    本研究では、2次元炭化アルミニウムの成長に挑戦した。理論計算の結果、2次元炭化アルミニウム(AlCene、アルセン)は、約2.18eVの間接ギャップを持つ半導体であることがわかった。また実験の結果、パルスレーザー堆積法によってSiC(000-1)基板上に、結晶性の高い極薄の炭化アルミニウム膜をエピタキシャル成長できることがわかった。その界面の高分解能透過型電子顕微鏡観察の結果、SiC最表面の炭素原子と、炭化アルミニウムにおけるAl2C層のアルミニウムが結合していることも明らかとなった。

  4. 【代表】SiCをプラットフォームとする新規グラフェン成長手法の確立

    研究課題/研究課題番号:26706014  2014年4月 - 2017年3月

    科学研究費補助金  若手研究(A)

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    担当区分:研究代表者 

産業財産権 11

  1. グラフェン/SiC複合材料の製造方法

    楠美智子,乗松航,包建峰

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    出願番号:特願2015-35117  出願日:2015年2月

    出願国:国内  

  2. グラフェン/SiC複合材料の製造方法及びそれにより得られるグラフェン/SiC複合材料

    楠美智子、木村佳祐、庄司健太郎、乗松航

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2013-21076  出願日:2013年2月

    公開番号:特開2014-152051  公開日:2014年8月

    出願国:国内  

  3. ヒートフロースイッチ

    高橋知典、大塚春男、楠美智子、乗松航

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    出願人:日本碍子株式会社、国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2011-88535  出願日:2012年1月

    公開番号:WO2012/140927  公開日:2012年10月

    出願国:国内  

  4. グラフェン/SiC複合材料の製造方法及びそれにより得られるグラフェン/SiC複合材料

    楠 美智子、乗松 航

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:PCT/JP2009/004200  出願日:2009年8月

    公開番号:WO/2010/023934 

    出願国:外国  

  5. 放熱構造、該放熱構造の製造方法及び該放熱構造を用いた放熱装置、ダイヤモンドヒートシンク、該ダイヤモンドヒートシンクの製造方法及び該ダイヤモンドヒートシンクを用いた放熱装置、並びに放熱方法

    河合 千尋、楠 美智子、乗松 航

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    出願人:住友電気工業株式会社、国立大学法人名古屋大学、財団法人ファインセラミックスセンター

    出願番号:PCT/JP2008/071512  出願日:2008年11月

    公開番号:WO 2009/069684 

    出願国:外国  

  6. グラフェンの製造方法

    楠 美智子、乗松 航

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2008-220179  出願日:2008年8月

    出願国:国内  

  7. 放熱構造とその製造方法及び該放熱構造を用いた放熱装置

    河合 千尋、楠 美智子、乗松 航

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    出願人:住友電気工業株式会社、国立大学法人名古屋大学、財団法人ファインセラミックスセンター

    出願番号:特願2008-075143  出願日:2008年3月

    出願国:国内  

  8. 放熱構造、その製造方法及び該放熱構造を用いた放熱装置

    河合 千尋、楠 美智子、乗松 航

     詳細を見る

    出願人:住友電気工業株式会社、国立大学法人名古屋大学、財団法人ファインセラミックスセンター

    出願番号:特願2008-075328  出願日:2008年3月

    出願国:国内  

  9. 放熱方法

    河合 千尋、楠 美智子、乗松 航

     詳細を見る

    出願人:住友電気工業株式会社、国立大学法人名古屋大学、財団法人ファインセラミックスセンター

    出願番号:特願2008-020092  出願日:2008年1月

    出願国:国内  

  10. ダイヤモンドヒートシンク、放熱装置及びダイヤモンドヒートシンクの製造方法

    河合 千尋、楠 美智子、乗松 航

     詳細を見る

    出願人:住友電気工業株式会社、国立大学法人名古屋大学、財団法人ファインセラミックスセンター

    出願番号:特願2008-020093  出願日:2008年1月

    出願国:国内  

  11. 放熱構造及び該放熱構造を用いた放熱装置

    河合 千尋、楠 美智子、乗松 航

     詳細を見る

    出願人:住友電気工業株式会社、国立大学法人名古屋大学、財団法人ファインセラミックスセンター

    出願番号:特願2007-308263  出願日:2007年11月

    出願国:国内  

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担当経験のある科目 (本学) 29

  1. 電磁気学II

    2020

  2. 学生実験1

    2020

  3. 学生実験2

    2020

  4. マテリアル工学概論

    2020

  5. 先端マテリアル工学概論

    2020

  6. 電磁気学II

    2019

  7. 物理化学4

    2019

  8. 学生実験1

    2019

  9. 学生実験2

    2019

  10. マテリアル工学概論

    2019

  11. 先端マテリアル工学概論

    2019

  12. 先端物理化学演習

    2019

  13. Chemistry Tutorial I

    2016

  14. 無機・物理化学演習第1

    2016

  15. 無機物理化学実験

    2016

  16. 無機物理化学実験

    2015

  17. 無機・物理化学演習第1

    2015

  18. Chemistry Tutorial I

    2015

  19. Chemistry Tutorial I

    2014

  20. 無機・物理化学演習第1

    2014

  21. 無機物理化学実験

    2014

  22. 無機物理化学実験

    2013

  23. 無機・物理化学演習第1

    2013

  24. 無機・物理化学演習第1

    2012

  25. 無機物理化学実験

    2012

  26. 無機・物理化学演習第1

    2011

  27. 無機物理化学実験

    2011

  28. 無機・物理化学演習第1

    2009

  29. 無機物理化学実験

    2009

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