2021/07/03 更新

写真a

ナカツカ オサム
中塚 理
NAKATSUKA, Osamu
所属
名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学 教授
職名
教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 工学(博士) ( 名古屋大学 ) 

研究キーワード 9

  1. 結晶成長

  2. 薄膜

  3. 固体の表面構造

  4. 無機化合物の結晶構造

  5. 電気物性:電子伝導

  6. 固体デバイス

  7. ナノテクノロジー

  8. 半導体

  9. 界面

研究分野 2

  1. その他 / その他  / 工学@応用物理学・工学基礎@表面界面物性

  2. その他 / その他  / 工学@応用物理学・工学基礎@応用物性・結晶工学

現在の研究課題とSDGs 2

  1. 金属/半導体または絶縁物/半導体界面の結晶構造および電子物性制御

  2. IV族系半導体薄膜のエピタキシャル成長および結晶・電子物性制御

経歴 9

  1. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部   教授(兼務)

    2017年4月 - 現在

  2. 名古屋大学大学院工学研究科   教授

    2016年7月 - 現在

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    国名:日本国

  3. スタンフォード大学   電気工学科   客員准教授(兼職)

    2015年4月 - 2016年9月

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    国名:アメリカ合衆国

  4. 名古屋大学大学院工学研究科・准教授

    2010年10月 - 2016年6月

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    国名:日本国

  5. 名古屋大学大学院工学研究科・講師

    2007年5月

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    国名:日本国

  6. 財団法人 高輝度光科学研究センター 外来研究員(兼職)

    2006年1月

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    国名:日本国

  7. 名古屋大学エコトピア科学研究機構(2005年4月よりエコトピア科学研究所)助手

    2004年4月 - 2007年4月

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    国名:日本国

  8. 名古屋大学理工科学総合研究センター助手

    2001年6月 - 2004年3月

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    国名:日本国

  9. 京都大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー非常勤研究員

    2000年4月 - 2001年5月

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    国名:日本国

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学歴 3

  1. 名古屋大学   工学研究科   結晶材料工学専攻

    - 2000年

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    国名: 日本国

  2. 名古屋大学   工学研究科   結晶材料工学専攻

    - 1997年

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    国名: 日本国

  3. 名古屋大学   工学部   応用物理学科

    - 1995年

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    国名: 日本国

所属学協会 5

  1. 応用物理学会   シリコンテクノロジー分科会幹事、薄膜・表面物理分科会幹事、東海支部幹事、代議員、JJAP編集委員

    2010年4月 - 現在

  2. Electrochemical Society   Japan Section Secretary/Treasurer

    2021年4月 - 現在

  3. 日本結晶成長学会

  4. 日本表面科学会

    - 2018年3月

  5. 日本真空協会

    - 2018年3月

委員歴 12

  1. (公社) 応用物理学会   第60,61期代議員  

    2021年2月 - 2023年3月   

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    団体区分:学協会

  2. 2021 Inthernational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)   Program Committee (JJAP Special Issues Editors)  

    2021年1月 - 2021年12月   

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    団体区分:学協会

  3. 13th International Symposium on Advanced Plasma Scienceand its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science, (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021)   Program Committee  

    2021年1月 - 2021年11月   

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    団体区分:学協会

  4. 2020 Inthernational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)   Program Committee (JJAP Special Issues Editors)  

    2020年9月 - 2020年12月   

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    団体区分:学協会

  5. 独立行政法人日本学術振興会 産学協力委員会 R025 先進薄膜界面機能創製委員会   委員  

    2020年4月 - 現在   

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    団体区分:その他

  6. Advanced Metallization Conference 2020 Asian Session, Special Symposium Committee   ADMETA Plus 2020 委員会  

    2020年2月 - 2021年12月   

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    団体区分:学協会

  7. (公社) 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会   常任幹事  

    2019年4月 - 2021年3月   

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    団体区分:学協会

  8. (公社) 応用物理学会   第58,59期代議員  

    2019年2月 - 2021年3月   

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    団体区分:学協会

  9. (公社) 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会   幹事(多層配線システム研究会)  

    2018年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  10. Japanese Journal of Applied Physics   Editorial board member of Japanese Journal of Applied Physics  

    2012年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  11. 電子デバイス界面テクノロジー研究会   実行プログラム委員  

    2012年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  12. (公社) 応用物理学会東海支部   支部幹事  

    2011年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

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受賞 7

  1. The Best Oral Presentation Awards

    2021年3月   13th International Symposium on Advanced Plasma Scienceand its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science, (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021)   Heterostructure design favorable for n+-Ge1−xSnx pseudo-direct transition layer for optoelectronic application

    Shiyu Zhang, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  2. 優秀研究賞 キオクシア奨励研究 2019年度プロセス部門

    2020年11月   キオクシア株式会社   界面ナノ構造制御による超低抵抗金属/IV族半導体コンタクト形成技術

    中塚 理

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    受賞国:日本国

  3. APEX/JJAP Editorial Contribution Award

    2016年4月   Japanese Jouranal Applied Physcis  

    Osamu Nakatsuka

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    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰  受賞国:日本国

  4. ADMETA Technical Achievement Award 2014

    2015年9月   ADMETA Committee   Formation of Epitaxial NiGe Layer on Ge(001) Substrate and Influence of Interface Structure on Schottky Barrier Height

    O. Nakatsuka, Y. Deng, M. Sakashita, and S. Zaima

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  5. SSDM Paper Award 2015

    2015年9月   SSDM Organizing Committee   Operations of CMOS Inverter and Ring Oscillator Composed of Ultra-Thin Body Poly-Ge p- and n-MISFETs for Stacked Channel 3D-IC

    Y. Kamata, M. Koike, E. Kurosawa, M. Kurosawa, H. Ota, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Tezuka

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  6. ISTDM 2008 Best Poster Award

    2008年5月   The fourth International SiGe Technology and Device Meeting  

  7. 第3回 P&I パテントコンテスト:パテント・オブ・ザ・イヤープロセス・テクノロジー部門

    2006年11月  

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    受賞国:日本国

    特許第3733424 号「ニッケルシリコン系薄膜、ニッケルシリコン系多層膜構造及びニッケルシリコン系薄膜の作製方法」に関して。

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論文 256

  1. No external load measurement strategy for micro thermoelectric generator based on high-performance Si1-x-yGexSny film 査読有り

    Peng Ying, Zhu Sijing, Lai Huajun, Gao Jie, Kurosawa Masashi, Nakatsuka Osamu, Tanemura Sakae, Peng Biaolin, Miao Lei

    JOURNAL OF MATERIOMICS   7 巻 ( 4 ) 頁: 665 - 671   2021年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jmat.2020.12.002

    Web of Science

  2. Impact of Wet Annealing on Ferroelectric Phase Formation and Phase Transition of HfO2-ZrO2 System 査読有り

    Shibayama Shigehisa, Nagano Jotaro, Asaka Koji, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu

    ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS   3 巻 ( 5 ) 頁: 2203 - 2211   2021年5月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsaelm.1c00171

    Web of Science

  3. Silicon-based low-dimensional materials for thermal conductivity suppression: recent advances and new strategies to high thermoelectric efficiency 査読有り

    Lai Huajun, Peng Ying, Gao Jie, Kurosawa Masashi, Nakatsuka Osamu, Takeuchi Tsunehiro, Miao Lei

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SA )   2021年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abbb69

    Web of Science

  4. Formation of ultra-thin Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny quantum heterostructures and their electrical properties for realizing resonant tunneling diode 査読有り

    Suwito Galih Ramadana, Fukuda Masahiro, Suprayoga Edi, Ohtsuka Masahiro, Hasdeo Eddwi Hesky, Nugraha Ahmad Ridwan Tresna, Sakashita Mitsuo, Shibayama Shigehisa, Nakatsuka Osamu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 23 )   2020年12月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0024905

    Web of Science

  5. (Invited) Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 招待有り 査読有り

    O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

    ECS Trans.   98 巻   頁: 149 - 156   2020年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1149/09805.0149ecst

  6. Crystal Growth of Epitaxial 3C-SiC Thin Film on Si Substrate by Chemical Vapor Deposition using Single Precursor of Vinylsilane 招待有り 査読有り

    T. Doi, K. Hashimoto, W. Takeuchi, and O. Nakatsuka

    ECS Trans.   98 巻   頁: 169 - 176   2020年10月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1149/09805.0169ecst

  7. Realizing high thermoelectric performance in p-type Si1-x-yGexSny thin films at ambient temperature by Sn modulation doping 査読有り

    Peng Ying, Lai Huajun, Liu Chengyan, Gao Jie, Kurosawa Masashi, Nakatsuka Osamu, Takeuchi Tsunehiro, Zaima Shigeaki, Tanemura Sakae, Miao Lei

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 5 )   2020年8月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0012087

    Web of Science

  8. Ferroelectric phase formation for undoped ZrO2 thin films by wet O-2 annealing 査読有り

    Shibayama Shigehisa, Nagano Jotaro, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab80de

    Web of Science

  9. Saturation of electrically activated Sb concentration in heavily Sb-doped n(+)-Ge1-xSnx epitaxial layers 査読有り

    Jeon Jihee, Shibayama Shigehisa, Nakatsuka Osamu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年7月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab867d

    Web of Science

  10. Impact of byproducts formed on a 4H-SiC surface on interface state density of Al2O3/4H-SiC(0001) gate stacks 査読有り

    Doi Takuma, Shibayama Shigehisa, Takeuchi Wakana, Sakashita Mitsuo, Taoka Noriyuki, Shimizu Mitsuaki, Nakatsuka Osamu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   116 巻 ( 22 )   2020年6月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5143574

    Web of Science

  11. Fermi-level pinning at metal/4H-SiC contact induced by SiCxOy interlayer 査読有り

    Hashimoto Kentaro, Doi Takuma, Shibayama Shigehisa, Nakatsuka Osamu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6e06

    Web of Science

  12. Mobility enhancement by mechanical uniaxial stress on 4H-SiC (0001) lateral metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor 査読有り

    Takeuchi Wakana, Kutsuki Katsuhiro, Kagoshima Eiji, Onishi Toru, Iwasaki Shinya, Sakashita Mitsuo, Fujiwara Hirokazu, Nakatsuka Osamu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6d85

    Web of Science

  13. Realizing High Thermoelectric Performance at Ambient Temperature by Ternary Alloying in Polycrystalline Si1-x-yGexSny Thin Films with Boron Ion Implantation 査読有り

    Peng Ying, Miao Lei, Gao Jie, Liu Chengyan, Kurosawa Masashi, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    SCIENTIFIC REPORTS   9 巻   2019年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-019-50754-4

    Web of Science

  14. Development of Germanium-Tin-Related Semiconductor Heterostructures for Energy Band Design in Electronic and Optoelectronic Applications 招待有り 査読有り

    O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, S. Shibayama, and S. Zaima

    ECS Trans.   92 巻 ( 4 ) 頁: 41-46   2019年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/09204.0041ecst

  15. ゲルマニウムスズⅣ族混晶薄膜の結晶成長と電子物性 招待有り 査読有り

    中塚理, 黒澤昌志

    応用物理   88 巻 ( 9 ) 頁: pp. 597-603   2019年9月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

    DOI: 10.11470/oubutsu.88.9_597

  16. Formation and optoelectronic property of strain-relaxed Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructures on a boron-ion-implanted Ge(001) substrate 査読有り

    Fukuda Masahiro, Rainko Denis, Sakashita Mitsuo, Kurosawa Masashi, Buca Dan, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年8月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab1b62

    Web of Science

  17. Ultra-low resistance contact for n-type Ge1-xSnx with by in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation

    J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

      119 巻 ( 96 ) 頁: 5-9   2019年6月

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    記述言語:英語  

  18. イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について

    祖父江秀隆, 福田雅大, 柴山茂久, 財満鎭明, 中塚理

    信学技報   119 巻 ( 96 ) 頁: 17-20   2019年6月

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    記述言語:英語  

  19. Operation of thin-film thermoelectric generator of Ge-rich poly-Ge1-xSnx on SiO2 fabricated by a low thermal budget process 査読有り

    Takahashi Kouta, Ikenoue Hiroshi, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki, Kurosawa Masashi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 5 )   2019年5月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/ab1969

    Web of Science

  20. Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al2O3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment 査読有り

    Doi Takuma, Takeuchi Wakana, Shibayama Shigehisa, Sakashita Mitsuo, Taoka Noriyuki, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aafb54

    Web of Science

  21. Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al2O3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment (vol 58, SBBD05, 2019) 査読有り

    Doi Takuma, Takeuchi Wakana, Shibayama Shigehisa, Sakashita Mitsuo, Taoka Noriyuki, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab0f24

    Web of Science

  22. Synthesis of heavily Ga-doped Si1-xSnx/Si heterostructures and their valence-band-offset determination 査読有り

    Kurosawa Masashi, Inaishi Yu, Tange Ryuji, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SA )   2019年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aaeb36

    Web of Science

  23. Influence of Sn precursors on Ge1-xSnx growth using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

    Miki Yusuke, Takeuchi Wakana, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SA )   2019年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aaec1a

    Web of Science

  24. Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2 査読有り

    Senga Kazuki, Shibayama Shigehisa, Sakashita Mitsuo, Zaima Shigeaki, Nakatsuka Osamu

    2019 NINETEENTH INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY (IWJT)     頁: .   2019年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  25. Fabrication of Porous Silicon using Photolithography and Reactive Ion Etching (RIE) 査読有り

    Pratiwi Nur'aini Dian, Handayani Mita, Suryana Risa, Nakatsuka Osamu

    MATERIALS TODAY-PROCEEDINGS   13 巻   頁: 92-96   2019年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  26. Patterned Porous Silicon Prepared by Reactive Ion Etching Technique 査読有り

    Suryana R., Pratiwi N. D., Handayani M., Santika M., Nakatsuka O.

    INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS FOR BETTER FUTURE 2018   578 巻   2019年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1757-899X/578/1/012019

    Web of Science

  27. Crystalline and Electrical Properties of Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Quantum Well Structures 査読有り

    Suwito Galih Ramadana, Fukuda Masahiro, Shibayama Shigehisa, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)     2019年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  28. Impact of crystalline structures on the thermal stability and Schottky barrier height of NiGe/Ge contact 査読有り

    Deng Yunsheng, He Dongsheng, Qiu Yang, Gu Rui, He Jiaqing, Nakatsuka Osamu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   113 巻 ( 25 )   2018年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5078558

    Web of Science

  29. Formation of ultra-low resistance contact with nickel stanogermanide/heavily doped n(+)-Ge1-xSnx structure 査読有り

    Jeon Jihee, Suzuki Akihiro, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   33 巻 ( 12 )   2018年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/aae624

    Web of Science

  30. Ultra-thin germanium-tin on insulator structure through direct bonding technique 査読有り

    Maeda Tatsuro, Chang Wen Hsin, Irisawa Toshifumi, Ishii Hiroyuki, Oka Hiroshi, Kurosawa Masashi, Imai Yukihiro, Nakatsuka Osamu, Uchida Noriyuki

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   33 巻 ( 12 )   2018年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/aae620

    Web of Science

  31. Optoelectronic properties of high-Si-content-Gel-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructure 査読有り

    Fukuda Masahiro, Rainko Denis, Sakashita Mitsuo, Kurosawa Masashi, Buca Dan, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   33 巻 ( 12 )   2018年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/aaebb5

    Web of Science

  32. Growth and electrical properties of in situ Sb-doped Ge1-xSnx epitaxial layers for source/drain stressor of strained-Ge transistors 査読有り

    Jeon Jihee, Suzuki Akihiro, Takahashi Kouta, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 12 )   2018年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.121303

    Web of Science

  33. Defect evaluation in strain-relaxed Ge0.947Sn0.053 grown on (001) Si 査読有り

    Gupta S., Shimura Y., Richard O., Douhard B., Simoen E., Bender H., Nakatsuka O., Zaima S., Loo R., Heyns M.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   113 巻 ( 19 )   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5048683

    Web of Science

  34. Formation of epitaxial Hf digermanide/Ge(001) contact and its crystalline properties 査読有り

    Nakatsuka Osamu, Suzuki Akihiro, McVittie James, Nishi Yoshio, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.07MA05

    Web of Science

  35. Energy band structure and electrical properties of Ga-oxide/GaN interface formed by remote oxygen plasma

    Yamamoto Taishi, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Nakatsuka Osamu, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06KA05

    Web of Science

  36. Alleviation of Fermi level pinning at metal/n-Ge interface with lattice-matched SixGe1-x-ySny ternary alloy interlayer on Ge

    Suzuki Akihiro, Nakatsuka Osamu, Sakashita Mitsuo, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.060304

    Web of Science

  37. Dopant behavior in heavily doped polycrystalline Ge1-xSnx layers prepared with pulsed laser annealing in water

    Takahashi Kouta, Kurosawa Masashi, Ikenoue Hiroshi, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FJ02

    Web of Science

  38. High n-type Sb dopant activation in Ge-rich poly-Ge1-xSnx layers on SiO2 using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り

    Takahashi Kouta, Kurosawa Masashi, Ikenoue Hiroshi, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 6 )   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4997369

    Web of Science

  39. Epitaxial growth of heavily doped n(+)-Ge layers using metal-organic chemical vapor deposition with in situ phosphorus doping

    Ike Shinichi, Takeuchi Wakana, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    THIN SOLID FILMS   645 巻   頁: 57-63   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2017.10.013

    Web of Science

  40. Effect of N bonding structure in AlON deposited by plasma-assisted atomic layer deposition on electrical properties of 4H-SiC MOS capacitor

    Takeuchi Wakana, Yamamoto Kensaku, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu, Zaima Sigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.01AE06

    Web of Science

  41. Formation of SiC thin films by chemical vapor deposition with vinylsilane precursor 査読有り

    Doi Takuma, Takeuchi Wakana, Jin Yong, Kokubun Hiroshi, Yasuhara Shigeo, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.01AE08

    Web of Science

  42. Selective growth of Ge1-xSnx epitaxial layer on patterned SiO2/Si substrate by metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

    Takeuchi Wakana, Washizu Tomoya, Ike Shinichi, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.01AC05

    Web of Science

  43. Improved thermoelectric property of B-doped Si/Ge multilayered quantum dot films prepared by RF magnetron sputtering 査読有り

    Peng Ying, Miao Lei, Li Chao, Huang Rong, Urushihara Daisuke, Asaka Toru, Nakatsuka Osamu, Tanemura Sakae

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.01AF03

    Web of Science

  44. The morphological study of porous silicon formed by electrochemical anodization method

    Suryana R., Sandi D. K., Nakatsuka O.

    INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS FOR BETTER FUTURE 2017   333 巻   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1757-899X/333/1/012034

    Web of Science

  45. A New Application of Ge1-xSnx: Thermoelectric Materials 査読有り

    Kurosawa Masashi, Imai Yukihiro, Iwahashi Taisei, Takahashi Kouta, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 8   86 巻 ( 7 ) 頁: 321-328   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/08607.0321ecst

    Web of Science

  46. In situ phosphorus-doped Ge1-xSnx layers grown using low-temperature metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

    Ike Shinichi, Takeuchi Wakana, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   32 巻 ( 12 )   2017年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/aa90d2

    Web of Science

  47. Self-organized lattice-matched epitaxy of Si1-xSnx alloys on (001)-oriented Si, Ge, and InP substrates 査読有り

    Kurosawa Masashi, Kato Motohiro, Takahashi Kouta, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   111 巻 ( 19 )   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4995812

    Web of Science

  48. Si1-xGex Bulk Single Crystals for Substrates of Electronic Devices 査読有り

    K. Kinoshita, Y. Arai, T. Maeda, and O. Nakatsuka

    Mater. Sci. Semicond. Proc.   70 巻 ( 1 ) 頁: 12-16   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  49. Modulation of Fermi level pining position at metal/n-Ge interface by semimetal Ge1-xSnx and Sn interlayers 査読有り

    A. Suzuki, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Mater. Sci. Semicond. Proc.   70 巻 ( 1 ) 頁: 162-166   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  50. Formation and characterization of Ge1-x-ySixSny/ Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructures with strain-controlled Ge1-x-ySixSny layers 査読有り

    M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Mater. Sci. Semicond. Proc.   70 巻 ( 1 ) 頁: 156-161   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  51. Low-temperature crystallization of Ge-rich GeSn layers on Si3N4 substrate 査読有り

    I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Mater. Sci. Semicond. Proc.   70 巻 ( 1 ) 頁: 151-155   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  52. EXAFS study of local structure contributing to Sn stability in SiyGe1-y-zSnz 査読有り

    Y. Shimura, T. Asano, T. Yamaha, M. Fukuda, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Mater. Sci. Semicond. Proc.   70 巻 ( 1 ) 頁: 133-138   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  53. Electrical and optical properties improvement of GeSn layers formed at high temperature under well-controlled Sn migration

    Taoka Noriyuki, Capellini Giovanni, Schlykow Viktoria, Montanari Michele, Zaumseil Peter, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki, Schroeder Thomas

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   70 巻   頁: 139-144   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2017.07.013

    Web of Science

  54. Sii(1-x)Ge(x) bulk single crystals for substrates of electronic devices 査読有り

    Kinoshita Kyoichi, Arai Yasutomo, Maeda Tatsuro, Nakatsuka Osamu

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   70 巻   頁: 12-16   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2016.10.012

    Web of Science

  55. Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 招待有り 査読有り

    M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    ECS Trans.   8 巻 ( 4 ) 頁: 253-258   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  56. Control of Ge1-x-ySixSny layer lattice constant for energy band alignment in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructures

    Fukuda Masahiro, Watanabe Kazuhiro, Sakashita Mitsuo, Kurosawa Masashi, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   32 巻 ( 10 )   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/aa80ce

    Web of Science

  57. Selective epitaxial growth of Ge1-xSnx on Si by using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

    T. Washizu, S. Ike, Y. Inuzuka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    J. Crystal Growth   468 巻   頁: 614-619   2017年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  58. Evaluation of energy band offset of Si1-xSnx semiconductors by numerical calculation using density functional theory

    Nagae Yuki, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Nakatsuka Osamu, Shiraishi Kenji, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 4 )   2017年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.04CR10

    Web of Science

  59. Solid phase crystallization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characterization of its crystalline and optical properties 査読有り

    S. Yano, T. Yamaha, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻 ( 1S ) 頁: 01AB02 (7 pages)   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  60. 4H-SiC MOSキャパシタのAlON絶縁膜のリーク電流特性に窒素結合状態が与える効果

    竹内和歌奈, 山本建策, 三村智博, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会「電子デバイス界面テク ノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第22回)     頁: 127-130   2017年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  61. 水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化

    高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会「電子デバイス界面テク ノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第22回)     頁: 67-70   2017年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  62. 金属/Ge接合へのSixGe1-x-ySny 界面層導入がショットキー障壁高さに及ぼす効果

    鈴木陽洋, 戸田祥太, 中塚理, 坂下満男, 財満鎭明

    特別研究会「電子デバイス界面テク ノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第22回)     頁: 63-66   2017年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  63. Hydrogen-surfactant-mediated epitaxy of Ge1-xSnx layer and its effect on crystalline and photoluminescence properties 査読有り

    O. Nakatsuka, S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, H. Kishida, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻 ( 1S ) 頁: 01AB05 (6 pages)   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  64. Electrical and optical properties improvement of GeSn layers formed at high temperature under well-controlled Sn migration

    Taoka Noriyuki, Capellini Giovanni, Schlykow Viktoria, Montanari Michele, Zaumseil Peter, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki, Schroeder Thomas

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   57 巻   頁: 48-53   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2016.09.040

    Web of Science

  65. Electrical and Optical Properties Improvement of GeSn Layers Formed at High Temperature under Well-controlled Sn Migration 査読有り

    N. Taoka, G. Capellini, V. Schlykow, M. Montanari, P. Zaumseil, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Schroeder

    Mater. Sci. Semicond. Proc.   57 巻   頁: 48-53   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  66. Development of in-situ Sb-Doped Ge1-xSnx Epitaxial Layers for Source/Drain Stressor of Strained Ge Transistors

    Jeon Jihee, Suzuki Akihiro, Takahashi Kouta, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)     頁: 249-251   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  67. Analysis of Microscopic Strain and Crystalline Structure in Ge/Ge1-xSnx Fine Structures by Using Synchrotron X-ray Microdiffraction 査読有り

    S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Inuzuka, T. Washizu, W. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, and S. Zaima

    ECS Trans.   75 巻 ( 8 ) 頁: 769-775   2016年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  68. Influence of GeO2 deposition temperature by in atomic layer deposition on electrical properties of Ge gate stack+K12 査読有り

    M. Kanematsu, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 8S2 ) 頁: 08PC05 (5 pages)   2016年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  69. Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys 査読有り

    Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 8S2 ) 頁: 08PE04 (4 pages)   2016年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  70. Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価

    金田裕一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    信学技報   116 巻 ( 118 ) 頁: 37-41   2016年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  71. Crystalline Structure of TiC Ultra Thin Layers Formed on Highly Oriented Pyrolytic Graphite by Chemical Reaction from Ti/Graphite System 査読有り

    O. Nakatsuka, K. Hisada, S. Oida, A. Sakai, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 6S3 ) 頁: 06JE02 (4 pages)   2016年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  72. Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 招待有り

    志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    信学技報   116 巻 ( 1 ) 頁: 23-26   2016年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  73. Effect of in situ Sb doping on crystalline and electrical characteristics of n-type Ge1-xSnx epitaxial layer 査読有り

    J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 4S ) 頁: 04EB13 (5 pages)   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.04EB13

  74. Influence of Precursor Gas on SiGe Epitaxial Material Quality in Terms of Structural and Electrical Defects 査読有り

    S. Ike, E. Simoen, Y. Shimura, A. Hikavyy, W. Vandervorst, R. Loo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 4S ) 頁: 04EJ11 (5 pages)   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.04EJ11

  75. Effect of Nitridation for SiO2/SiC Interface on Defects Properties near Conduction Band Edge 査読有り

    W. Takeuchi, K. Yamamoto, N. Taoka, M.Sakashita, T. Kanemura, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 4S ) 頁: 04ER13 (5 pages)   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.04ER13

  76. Growth of ultra-high Sn content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface 査読有り

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 4S ) 頁: 04EB12 (6 pages)   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.04ER13

  77. Experimental observation of type-I energy band alignment in lattice matched Ge1-x-y SixSny/Ge heterostructures 査読有り

    T. Yamaha, S. Shibayama, T. Asano, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   108 巻   頁: 061909 (5 pages)   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4941991

  78. Low thermal budget n-type doping into Ge(001) surface using ultraviolet laser irradiation in phosphoric acid solution 査読有り

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   108 巻   頁: 052104 (4 pages)   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4941236

  79. Defect and dislocation structures in low-temperature-grown Ge and Ge1-xSnxepitaxial layers on Si(110) substrates 査読有り

    S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films   598 巻   頁: 72-81   2016年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2015.11.048

  80. Characterization of crystallinity of Ge1-xSnx epitaxial layers grown using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

    Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films   602 巻   頁: 7-12   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2015.10.043

  81. Characterization of Shallow- and Deep-Level Defects of Undoped Ge1-xSnx Epitaxial Layers by Electrical Measurements 査読有り

    W. Takeuchi, T. Asano, Y. Inuzuka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    ECS J. Solid State Sci. Tech.   5 巻 ( 4 ) 頁: P3082-P3086   2015年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/2.0151604jss

  82. Mobility Behavior of Si1-x-yGexSny Polycrystals Grown on Insulators 査読有り

    T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Trans. MRS-J   40 巻 ( 4 ) 頁: 351-354   2015年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  83. Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer 査読有り

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   107 巻   頁: 212103 (5 pages)   2015年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  84. Atom probe tomography study on Ge1-x-ySnxCy hetero-epitaxial film on Ge substrates 査読有り

    E. Kamiyama, K. Sueoka, K. Terasawa, T. Yamaha, O. Nakatsuka, S. Zaima, K. Izunome, K. Kashima, and H. Uchida

    Thin Solid Films   592 巻 ( A ) 頁: 54-58   2015年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  85. Characterization of crystallinity of Ge1-xSnx epitaxial layers grown using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

    Y. Inuzuka, S. Ikea, T. Asanoa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films     頁: in press   2015年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  86. Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits 招待有り 査読有り

    S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita

    ECS Trans.   69 巻 ( 10 ) 頁: 89-98   2015年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  87. Oxygen and germanium migration at low temperature influenced by the thermodynamic nature of the materials used in germanium metal-insulator-semiconductor structures 査読有り

    K. Kato, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   107 巻   頁: 102102 (5 pages)   2015年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  88. Effect of Sn on crystallinity and electronic property of low temperature grown polycrystalline-Si1-x-yGexSny layers on SiO2 査読有り

    T. Yamaha, M. Kurosawa, T. Ohmura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Solid State Electronics   110 巻   頁: 54-58   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  89. Epitaxial formation of Ni germanide on Ge(001) substrate by reactive deposition 査読有り

    Y. Deng, O. Nakatsuka, A. Suzuki, M. Sakashita, and S. Zaima

    Solid State Electronics   110 巻   頁: 44-48   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  90. Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1-x-ySixSny on Ge(001) substrates 査読有り

    T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Solid State Electronics   110 巻   頁: 49-53   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  91. Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials 招待有り 査読有り

    S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kuorsawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita

    Sci. Technol. Adv. Mater.   16 巻   頁: 043502 (22pages)   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  92. Growth of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layer on Si(001) substrate and characterization of its crystalline property 査読有り

    T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   54 巻 ( 8S1 ) 頁: 08KA11   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  93. High-mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization 査読有り

    W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   107 巻   頁: 022103 (4 pages)   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  94. Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果

    浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告   115 巻 ( 108 ) 頁: 63-68   2015年6月

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    記述言語:日本語  

  95. Epitaxial Ge1-xSnx layers grown by metal-organic chemical vapor deposition using Tertiary-butyl-germane and Tri-butyl-vinyl-tin 査読有り

    Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    ECS Solid State Lett.   4 巻 ( 8 ) 頁: P1-P3   2015年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  96. SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 招待有り

    竹内和歌奈, 山本建策, 坂下満男, 金村髙司, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告   115 巻 ( 108 ) 頁: 27-30   2015年6月

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    記述言語:日本語  

  97. 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御

    鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告   115 巻 ( 108 ) 頁: 57-61   2015年6月

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    記述言語:日本語  

  98. Characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge fine structures by synchrotron X-ray microdiffraction 査読有り

    S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   106 巻   頁: 182104 (5 pages)   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  99. 高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ~ 直接遷移構造化を目指して ~ 招待有り

    黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告   115 巻 ( 18 ) 頁: 35-37   2015年4月

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    記述言語:日本語  

  100. Near-infrared light absorption by polycrystalline SiSn alloys grown on insulating layers 査読有り

    M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   106 巻   頁: 171908 (5 pages)   2015年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  101. Influence of Interface Structure on Electrical Properties of NiGe/Ge Contacts 査読有り

    Y. Deng, O. Nakatsuka, M. Sakashita, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   54 巻 ( 5S ) 頁: 05EA01 (6 pages)   2015年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  102. Impact of Hydrogen Surfactant on Crystallinity of Ge1-xSnx Epitaxial Layers 査読有り

    T. Asano, N. Taoka, K. Hozaki, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   54 巻 ( 4S ) 頁: 04DH15 (4 pages)   2015年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  103. エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 招待有り

    中塚理, 鄧云生, 鈴木陽洋, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告   114 巻 ( 469 ) 頁: 17-22   2015年3月

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    記述言語:日本語  

  104. Formation, crystalline structure, and optical properties of Ge1-x-ySnxCy ternary alloy layers 査読有り

    T. Yamaha, K. Terasawa, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys   54 巻 ( 4S ) 頁: 04DH08 (6 pages)   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  105. Formation of chemically stable GeO2 on the Ge surface with pulsed metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

    S. Shibayama, T. Yoshida, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   106 巻   頁: 062107 (4 pages)   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  106. Non-uniform depth distributions of Sn concentration induced by Sn migration and desorption during GeSnSi layer formation 査読有り

    N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, T. Terashima, O. Nakatsuka, I. Costina, P. Zaumseil, G. Capellini, S. Zaima, and T. Schroeder

    Appl. Phys. Lett.   106 巻   頁: 061107 (5 pages)   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  107. GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上

    柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第20回研究会)     頁: 185-188   2015年1月

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    記述言語:日本語  

  108. Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減

    鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第20回研究会)     頁: 59-62   2015年1月

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    記述言語:日本語  

  109. Formation of high-quality oxide/Ge1-xSnx interface with high surface Sn content by controlling Sn migration 査読有り

    K. Kato, N. Taoka, T. Asano, T. Yoshida, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   105 巻   頁: 122103 (5 pages)   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4896146

  110. Robustness of Sn precipitation during thermal oxidation of Ge1-xSnx on Ge(001) 査読有り

    K. Kato, T. Asano, N. Taoka, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 8S1 ) 頁: 08LD04 (8 pages)   2014年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.08LD04

  111. Interface properties of Al2O3/Ge structures with thin Ge oxide interfacial layer formed by pulsed metal organic chemical vapor deposition 査読有り

    T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 8S1 ) 頁: 08LD03 (6 pages)   2014年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.08LD03

  112. Importance of Ge surface oxidation with high oxidation rate in obtaining low interface state density at oxide/Ge interfaces 査読有り

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 8S1 ) 頁: 08LD02 (6 pages)   2014年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.08LD02

  113. 多層セル型太陽電池用IV族多元系混晶の結晶成長と界面構造制御 招待有り 査読有り

    中塚理, 財満鎭明

    日本結晶成長学会誌   41 巻 ( 2 ) 頁: 74-80   2014年7月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  114. [依頼講演] “絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ~ 低融点Snの活用 ~ 招待有り

    黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告   114 巻 ( 88 ) 頁: 91-95   2014年6月

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    記述言語:日本語  

  115. Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減

    鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告   114 巻 ( 88 ) 頁: 11-16   2014年6月

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    記述言語:日本語  

  116. Ge1-xSnxエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御

    浅野孝典, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告   114 巻 ( 88 ) 頁: 21-25   2014年6月

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    記述言語:日本語  

  117. n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用

    竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告   114 巻 ( 57 ) 頁: 113-118   2014年5月

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    記述言語:日本語  

  118. Band alignment at interfaces of amorphous Al2O3 with Ge1-xSnx- and strained Ge-based channels 査読有り

    H.-Y. Chou, V. V. Afanas'ev, M. Houssa, A. Stesmans, B. Vincent, F. Gencarelli, Y. Shimura, C. Merckling, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   104 巻   頁: 202107 (5 pages)   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4878558

  119. Formation of high-quality Ge1-xSnx layer on Ge(110) substrate with strain-induced confinement of stacking faults at Ge1-xSnx/Ge interfaces 査読有り

    T. Asano, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima

    Appl. Phys. Express   7 巻 ( 6 ) 頁: 061301 (3 pages)   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.7.061301

  120. Interaction of Sn atoms with defects introduced by ion implantation in Ge substrate 査読有り

    N. Taoka, M. Fukudome, W. Takeuchi, T. Arahira, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    J. Appl. Phys.   115 巻   頁: 173102 (7 pages).   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4874800

  121. Impacts of AlGeO formation by post thermal oxidation of Al2O3/Ge structure on interfacial properties 査読有り

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 282–287   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.084

  122. Epitaxial formation and electrical properties of Ni germanide/Ge(110) contacts 査読有り

    Y. S. Deng, O. Nakatsuka, J. Yokoi, N. Taoka, and S. Zaima

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 84-89   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.017

  123. Characterization of Crystalline Structures of SiGe Substrate Formed by Traveling Liquidus-Zone Method for Devices with Ge/SiGe 査読有り

    T. Yamaha, O. Nakatsuka, N. Taoka, K. Kinoshita, S. Yoda, and S. Zaima

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 129-134   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.097

  124. Influence of Ge Substrate Orientation on Crystalline Structures of Ge1-xSnx Epitaxial Layers 査読有り

    T. Asano, S. Kidowaki, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 159–163   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.087

  125. Formation and characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge microstructures 査読有り

    S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 164–168   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.08.126

  126. Analysis for positions of Sn atoms in epitaxial Ge1-xSnx film in low temperature depositions 査読有り

    E. Kamiyama, K. Sueoka, O. Nakatsuka, N. Taoka, and S. Zaima, K. Izunome, K. Kashima

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 173–176   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.070

  127. Importance of Control of Oxidant Partial Pressure on Structural and Electrical Properties of Pr-oxide Films 査読有り

    K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 276–281   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.088

  128. Stabilized formation of tetragonal ZrO2 thin film with high permittivity 査読有り

    K. Kato, T. Saito, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 192–196   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2014.01.031

  129. Formation and crystalline structure of Ni silicides on Si(110) substrate 査読有り

    O. Nakatsuka, M. Hasegawa, K. Kato, N. Taoka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 5S2 ) 頁: 05GA12 (5 pages)   2014年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.05GA12

  130. Observation of lattice spacing fluctuation and strain undulation around through-Si vias in wafer-on-wafer structures using X-ray microbeam diffraction 査読有り

    N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Mizushima, H. Kitada, Y. S. Kim, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 5S2 ) 頁: 05GE03 (6 pages)   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.05GE03

  131. Effect of thermal cleaning on formation of epitaxial Ni germanide layer on Ge(110) substrate 査読有り

    Y. Deng, O. Nakatsuka, N. Taoka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 5S2 ) 頁: 05GA06 (6 pages)   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.05GA06

  132. Reduction of Schottky barrier height for n-type Ge contact by using Sn electrode 査読有り

    A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, K. Kato, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 4S ) 頁: 04EA06 (6 pages)   2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.04EA06

  133. Large grain growth of Ge-rich Ge1-x Snx (x~0.02) on insulating surfaces using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り

    M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   104 巻   頁: 061901 (3 pages)   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4864627

  134. Defects Induced by Reactive Ion Etching in Ge Substrate 査読有り

    Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

    Advanced Materials Research   896 巻   頁: 241-244   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.896.241

  135. Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性

    田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第19回研究会)     頁: 205-208   2014年1月

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    記述言語:日本語  

  136. 低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理,財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第19回研究会)     頁: 13-16   2014年1月

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    記述言語:日本語  

  137. 固溶限を超えるSn組成を有するGe1-xSnx層中におけるSn原子の熱安定性

    加藤公彦, 浅野孝典, 田岡紀之, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第19回研究会)     頁: 37-40   2014年1月

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    記述言語:日本語  

  138. MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いた Al2O3/GeOx/Ge 構造の電気的特性および構造評価

    吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第19回研究会)     頁: 131-134   2014年1月

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    記述言語:日本語  

  139. Effect of Sn atoms on incorporation of vacancies in epitaxial Ge1-xSnx film grown at low temperature 査読有り

    E. Kamiyama, S. Nakagawa, K Sueoka, T. Ohmura, T. Asano, O. Nakatsuka, N. Taoka, S. Zaima, K. Izunome, and K. Kashima

    Appl. Phys. Express   7 巻 ( 2 ) 頁: 021302 (3 pages)   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.7.021302

  140. Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性

    田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会)     頁: 205-208   2014年1月

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    記述言語:日本語  

  141. Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会)     頁: 39-42   2014年1月

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    記述言語:日本語  

  142. テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成

    吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会)     頁: 151-154   2014年1月

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    記述言語:日本語  

  143. Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響

    加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会)     頁: 155-158   2014年1月

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    記述言語:日本語  

  144. Reduction of Interface States Density Due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface 査読有り

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    ECS Trans.   58 巻 ( 9 ) 頁: 301-308   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/05809.0301ecst

  145. Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications: Challenges and Opportunities 招待有り 査読有り

    O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima

    ECS Trans.   58 巻 ( 9 ) 頁: 149-155   2013年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/05809.0149ecst

  146. Characterization of Local Strain Structures in Heteroepitaxial Ge1-xSnx/Ge Microstructures by Using Microdiffraction Method 査読有り

    S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima,

    ECS Trans.   58 巻 ( 9 ) 頁: 185-192   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/05809.0185ecst

  147. Liquid-Sn-driven lateral growth of poly-GeSn on insulator assisted by surface oxide layer 査読有り

    M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   103 巻   頁: 101904 (4 pages)   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4820405

  148. Understanding of interface structures and reaction mechanisms induced by Ge or GeO diffusion in Al2O3/Ge structure 査読有り

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   103 巻   頁: 082114 (4 pages)   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4819127

  149. Broad defect depth distribution in germanium substrates induced by CF4 plasma 査読有り

    Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Fukudome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   103 巻   頁: 033511 (4 pages)   2013年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4815925

  150. Effect of gate metal on chemical bonding state in metal/Pr-oxide/Ge gate stack structure 査読有り

    K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Solid-State Electron.   83 巻   頁: 56-60   2013年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2013.01.029

  151. Development of epitaxial growth technology for Ge1-xSnx alloy and study of its properties for Ge nanoelectronics 招待有り 査読有り

    O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka, and S. Zaima

    Solid-State Electron.   83 巻   頁: 82-86   2013年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2013.01.040

  152. Epitaxial growth and anisotropic strain relaxation of Ge1-xSnx layers on Ge(1 1 0) substrates

    T. Asano, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Solid-State Electron.   83 巻   頁: 71-75   2013年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2013.01.039

  153. Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical

    K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   52 巻   頁: 04CA08 (7 pages)   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.04CA08

  154. Influence of Sn Incorporation and Growth Temperature on Crystallinity of Ge1-xSnx Layers Heteroepitaxially Grown on Ge(110) Substrates 査読有り

    T. Asano, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films   531 巻   頁: 504-508   2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2012.12.063

  155. Suppressive Effect of Interface Reaction and Water Absorption by Al Incorporation into Pr-oxide Film 査読有り

    W. Takeuchi, K. Furuta, K .Kato, M. Sakashita, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    J. Phys.: Conf. Ser.   417 巻   頁: 012017 (6 pages)   2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/417/1/012017

  156. Effect of Interfacial Reactions in Radical Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure 査読有り

    K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    J. Phys.: Conf. Ser.   417 巻   頁: 012001   2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/417/1/012001

  157. Effects of Light Exposure during Plasma Processing on Electrical Properties of GeO2/Ge Structures 査読有り

    Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   52 巻   頁: 01AC04   2013年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.01AC04

  158. Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会)     頁: 39-42   2013年1月

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    記述言語:日本語  

  159. Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響

    加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会)     頁: 155-158   2013年1月

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    記述言語:日本語  

  160. テ トラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成

    吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会)     頁: 151-154   2013年1月

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    記述言語:日本語  

  161. Effect of atomic deuterium irradiation on initial growth of Sn and Ge1-xSnx on Ge(0 0 1) substrates 査読有り

    T. Shinoda, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, and S. Zaima

    Appl. Surf. Sci.   259 巻 ( 15 ) 頁: 754-757   2012年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.07.116

  162. Growth and Optical Properties of Ge1-xSnx Alloy Thin Films with a High Sn Content 招待有り 査読有り

    S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Nakamura, W. Takeuchi, Y. Shimura, and N. Taoka

    ECS Trans.   50 巻 ( 9 ) 頁: 897-902   2012年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/05009.0897ecst

  163. Growth and Characterization of Heteroepitaxial Layers of Ge1-x-ySixSny Ternary Alloy 査読有り

    T. Yamaha, O. Nakatsuka, S. Takeuchi, W. Takeuchi, N. Taoka, K. Araki, K. Izunome, and S. Zaima

    ECS Trans.   50 巻 ( 9 ) 頁: 907-913   2012年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  164. Growth of Ge1-xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates 査読有り

    M. Nakamura, Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁: 3201–3205   2012年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.153

  165. Homogeneous Si0.5Ge0.5 bulk crystal growth as substrates for strained Ge thin films by the traveling liquidus-zone method 査読有り

    K. Kinoshita, O. Nakatsuka, S. Yoda, and S. Zaima

    Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁: 3279–3282   2012年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.08.047

  166. Improvement of Al2O3/Ge interfacial properties by O2-annealing 査読有り

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁: 3397–3401   2012年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.103

  167. Low temperature formation of Si1-x-yGexSny-on-insulator structures by using solid-phase mixing of Ge1-zSnz/Si-on-insulator substrates 査読有り

    O. Nakatsuka, M. Mochizuki, Y. Shimura, T. Yamaha, and S. Zaima

    Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁: 3288–3292   2012年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.120

  168. Homogeneous Si0.5Ge0.5 bulk crystal growth as substrates for strained Ge thin films by the traveling liquidus-zone method 査読有り

    K. Kinoshita, O. Nakatsuka, S. Yoda, and S. Zaima

    Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁: 3279–3282   2012年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.08.047

  169. In-situ Ga doping of fully strained Ge1-xSnx heteroepitaxial layers grown on Ge(001) substrates 査読有り

    Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, W. Vandervorst, M. Caymax, R. Loo, A. Jensen, D.H. Petersen, and S. Zaima

    Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁: 3206–3210   2012年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.084

  170. Crystallinity Improvement of Epitaxial Ge Grown on a Ge(110) Substrate by Incorporation of Sn 査読有り

    Y. Shimura, T. Asano, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Appl. Phys. Express   5 巻   頁: 015501   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.5.015501

  171. Characterization of Damage of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation 査読有り

    Kusumandari, W.Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻   頁: 01AJ01   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.01AJ01

  172. Control of Interfacial Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure using Radical Nitridation Technique 査読有り

    K. Kato, S. Kyogoku, M. Sakashita, W. Takeuchi, H. Kondo, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 10 ) 頁: 10PE02 (7 pages)   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.10PE02

  173. Structural Analysis of Si-Based Nanodot Arrays Self-Organized by Selective Etching of SiGe/Si Films 査読有り

    M. Takahashi, Y. Nakamura, J. Kikkawa, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Akira Sakai

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 8 ) 頁: 08LB11 (4 pages)   2011年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.08LB11

  174. Formation of Ni(Ge1-xSnx) Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ge1-xSnx/Ge Systems 査読有り

    T. Nishimura, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁: 46-52   2011年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2011.01.025

  175. Control of Strain Relaxation Behavior of Ge1-xSnx Layers 査読有り

    Y. Shimura, S. Takeuchi, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

    Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁: 84-88   2011年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2011.01.023

  176. Control of Interfacial Properties of Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure by Introduction of Nitrogen 査読有り

    K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁: 70-74   2011年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2011.01.029

  177. Ge1-xSnx stressors for strained-Ge CMOS 招待有り 査読有り

    S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁: 53-57   2011年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2011.01.022

  178. Crystalline orientation dependence of electrical properties of Mn Germanide/Ge(1 1 1) and (0 0 1) Schottky contacts 査読有り

    T. Nishimura, O. Nakatsuka, S. Akimoto, W. Takeuchi, and S. Zaima

    Microelectron. Eng.   88 巻 ( 5 ) 頁: 605-609   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mee.2010.08.014

  179. Characterization of Local Strain around Through-Silicon Via Interconnects by using X-ray Microdiffraction 査読有り

    O. Nakatsuka, H. Kitada, Y. S. Kim, Y. Mizushima, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima

    pn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁: 05ED03   2011年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.05ED03

  180. Formation of Palladium Silicide Thin Layers on Si(110) Substrates 査読有り

    R. Suryana, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁: 05EA09   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.05EA09

  181. Molecular beam deposition of Al2O3 on p-Ge(001)/Ge0.95Sn0.05 heterostructure and impact of a Ge-cap interfacial layer 査読有り

    C. Merckling, X. Sun, Y. Shimura, A. Franquet, B. Vincent, S. Takeuchi, W. Vandervorst, O. Nakatsuka, S. Zaima, R. Loo, and M. Caymax

    Appl. Phys. Lett.   98 巻   頁: 192110   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3589992

  182. Characterization of GeSn materials for future Ge pMOSFETs source/drain stressors 査読有り

    B. Vincent, Y. Shimura, S. Takeuchi, T. Nishimura, G. Eneman, A. Firrincieli, J. Demeulemeester, A. Vantomme, T. Clarysse, O. Nakatsuka, S. Zaima, J. Dekoster, M. Caymax, and R. Loo

    ,Microelectron. Eng.   88 巻 ( 4 ) 頁: 342-346   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mee.2010.10.025

  183. Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy 査読有り

    M. Adachi, M. Sakashita, H. Kondo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁: 04DA08   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.04DA08

  184. Effect of Pr Valence State on Interfacial Structure and Electrical Properties of Pr-oxide/PrON/Ge Gate Stack Structure 査読有り

    K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁: 04DA17   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.04DA17

  185. Pr酸化膜/Si構造へのAl導入による界面反応抑制効果

    古田和也, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第16回研究会     頁: 51-54   2011年1月

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    記述言語:日本語  

  186. 電流検出型原子間力顕微鏡を 用いた欠陥に起因するPr酸化膜のリーク電流機構の解明

    足立正樹, 加藤雄三, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第16回研究会     頁: 123-126   2011年1月

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    記述言語:日本語  

  187. Pr酸化膜/PrON/Ge構造におけるPrの化学結合状態が電気的特性に及ぼす影響

    加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第16回研究会     頁: 99-102   2011年1月

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    記述言語:日本語  

  188. Al2O3界 面層およびラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造および電気的特性の制御

    加藤公彦, 京極真也, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第16回研究会     頁: 55-58   2011年1月

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    記述言語:日本語  

  189. GeSn Technology: Impact of Sn on Ge CMOS Applications 招待有り 査読有り

    S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, M. Caymax, and R. Loo

    ECS Trans.   41 巻 ( 7 ) 頁: 231-238   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/1.3633303

  190. Low temperature growth of Ge1-xSnx buffer layers for tensile-strained Ge layers 査読有り

    Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

    Thin Solid Films   518 巻 ( 6 ) 頁: S2-S5   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  191. Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si(001) Substrates Using Ti Intermediate Layer 査読有り

    R. Suruyana, O. Nakatsuka, S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   頁: 05FA09 (5 pages)   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  192. Mobility Behavior of Ge1-xSnx Layers Grown on Silicon-on-Insulator Substrates 査読有り

    O. Nakatsuka, N. Tsutsui, Y. Shimura, S. Takeuchi, A. Sakai, S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   頁: 04DA10 (4 pages)   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  193. Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing 査読有り

    T. Kato, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, E. Toyoda, K. Izunome, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata

    Thin Solid Films   518 巻 ( 6 ) 頁: S147-W150   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  194. Novel Method to Introduce Uniaxial Tensile Strain in Ge by Microfabrication of Ge/Si1-xGex Structures on Si(001) Substrates 査読有り

    T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, M. Ogawa, and S. Zaima

    Solid-State Electronics   53 巻 ( 11 ) 頁: 1198-1201   2009年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  195. Microstructures in directly bonded Si substrates 査読有り

    Y. Ohara, T. Ueda, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, H. Tajiri, O. Sakata, S. Kimura, T. Sakata, H. Mori

    Solid-State Electronics   53 巻 ( 8 ) 頁: 837-840   2009年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  196. Control of Sn Precipitation and Strain Relaxation in Compositionally Step-Graded Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-Strained Ge Layers 査読有り

    Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys. 48   48 巻   頁: 04C130   2009年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  197. Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates 査読有り

    E. Toyoda, A. Sakai, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, K. Omote, O. Nakatsuka, S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   48 巻   頁: 021208   2009年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We investigated the interface structure of directly bonded Si(011)/Si(001) substrates prepared by conventional bonding and grind-back. The interfacial structure was analyzed by transmission electron microscopy (TEM) and in-plane X-ray diffraction (XRD). The plan-view and cross-sectional TEM observations provided evidence that screw dislocation lines were localized to the interfacial plane and that threading dislocations were absent. Grazing-incidence in-plane XRD analyses confirmed the existence of mosaic structures at the interface. These structures were formed because of the deformation field produced by the screw dislocations. This allowed a high level of crystallinity to be maintained in regions away from the interface in both the Si(011) layer and the Si(001) wafer.

  198. Mechanical Properties and Chemical Reactions at the Directly Bonded Si-Si Interface 査読有り

    E. Toyoda, A. Sakai, T. Senda, H. Isogai, K. Izunome, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaim

    Jpn. J. Appl. Phys.   48 巻   頁: 011202-1-5   2009年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Directly bonded interfaces of hydrophilic and hydrophobic Si(100) wafers were studied from the viewpoint of bonding energy and chemical products as a function of the annealing temperature. The experimental results indicated that for both hydrophilic and hydrophobic Si/Si bonded wafer pairs, the behavior of the bubbles at the bonding interface and the bonding energy were closely related to the behavior of the hydrogen and oxygen atoms at the bonding interface. The bonding mechanisms for both cases have been discussed on the basis of the chemical reactions induced by the annealing temperature.

  199. Control of Dislocations and Sn Precipitations for Fabrication of Tensile-strained Ge on Ge1-xSnx Buffer Layer 査読有り

    Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

    Trans. MRS-J   34 巻 ( 2 ) 頁: 301-304   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  200. Plasma surface treatment of polymers with inductivity-coupled RF plasmas driven by low-inductance antenna units 査読有り

    Y. Setsuhara, K. Cho, K. Takenaka, A. Ebe, M. Shiratani, M. Sekine, M. Hori, E. Ikenaga, H. Kondo, O. Nakatsuka, S. Zaima

    Thin Solid Films   518 巻 ( 3 ) 頁: 1006-1011   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  201. Ferromagnetism and Electronic structures of Nonstoichiometric Heusler-Alloy Fe3-xMnxSi Epilayers Grown on Ge(111) 査読有り

    K. Hamaya, H. Itoh, O. Nakatsuka, K. Ueda, K. Yamamoto, M. Itakura, T. Taniyama, T. Ono, M. Miyao

    Phys. Rev. Lett.   102 巻   頁: 137204 (4 pages)   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  202. Formation of Uniaxial Tensile-strained Ge by Using Micro-patterning of Ge/Si1-xGe x/Si Structures 査読有り

    T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, and S. Zaima

    Trans. MRS-J   34 巻 ( 2 ) 頁: 305-308   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  203. *Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications 招待有り 査読有り

    S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, and M. Ogawa

    Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁: 80-83   2008年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  204. Characterization of bonding structures of directly bonded hybrid crystal orientation substrates 査読有り

    E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, M. Ogawa, and S. Zaima

    Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁: 323-326   2008年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  205. Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge1-xSnx/virtual Ge substrates 査読有り

    S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima

    Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁: 159-162   2008年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  206. Growth of highly strain-relaxed Ge1-xSnx/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method 査読有り

    S. Takeuchi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa, and A. Sakai

    Appl. Phys. Lett.   92 巻   頁: 231916   2008年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  207. Epitaxial Ag Layers on Si Substrates as a Buffer Layer for Carbon Nanotube Growth 査読有り

    S. Oida, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima

    Appl. Surf. Sci.   47 巻   頁: 3742-3747   2008年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  208. Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structures of Epitaxial NiSi2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System 査読有り

    O. Nakatsuka, A. Suzuki, S. Akimoto, A. Sakai, M. Ogawa and S. Zaima

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻 ( 4 ) 頁: 2402-2406   2008年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  209. Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge1-xSnx Layers on Ge(001) Substrates 査読有り

    M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

    Appl. Surf. Sci.   254 巻 ( 19 ) 頁: 6048-60651   2008年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  210. Effect of alcohol sources on synthesis of single-walled carbon nanotubes 査読有り

    S. Oida, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa and S. Zaima

    Appl. Surf. Sci.   254 巻 ( 23 ) 頁: 7697-7702   2008年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  211. Ge基板上に作製したPr酸化膜の評価 査読有り

    坂下満男, 鬼頭伸幸, 加藤亮祐, 近藤博基, 中塚理, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第13回研究会)     頁: 237-242   2008年2月

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    記述言語:日本語  

  212. Contact properties of epitaxial NiSi2/heavily doped Si structures formed from Ni/Ti/Si systems 査読有り

    S. Akimoto, O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

    Advanced Metallization Conference (AMC)     頁: 101-105   2008年

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    記述言語:英語  

  213. Interface and defect control for group IV channel engineering

    A. Sakai, Y. Ohara, T. Ueda, E. Toyoda, K. Izunome, S. Takeuchi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, S. Kimura

    ECS Transactions   16 巻 ( 10 ) 頁: 687-698   2008年

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    記述言語:英語  

  214. パルスレーザー蒸着法によるGe基板上へのPr酸化膜の作製とその構造及び電気的特性評価

    鬼頭伸幸, 坂下満男, 酒井朗, 中塚理, 近藤博基, 小川正毅, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理-”(第12回研究会)     頁: 251-256   2007年2月

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    記述言語:日本語  

  215. Strain relaxation of patterned Ge and SiGe layers on Si(001) substrates

    S. Mochizuki, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Kondo, K. Yukawa, K. Izunome, T. Senda, E. Toyoda, M. Ogawa, and S. Zaima

    Semicond. Sci. Tech.   22 巻 ( 1 ) 頁: S132-S136   2007年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have investigated dislocation morphology and strain relaxation mechanisms of SiGe and Ge sub-micron wide striped mesa lines patterned on Si(0 0 1) substrates. The patterning of SiGe and Ge layers principally leads to asymmetric elastic strain relaxation. Post-patterning anneal induces 60° dislocation introduction to relax the strain but the narrower the line width the more dominant is the elastic strain relaxation. In the case of 250 nm wide SiGe lines, 60° dislocation introduction along the line is critically suppressed so that asymmetric strain distribution is realized. On the other hand, for the Ge line structure, pre-formed pure edge dislocations elongate along both orthogonal directions at the heterointerface independent of the line geometry even with the line width of 250 nm. Thus strain relaxation occurs symmetrically and rigidly. These results can be explained by deference of the introduction and propagation mechanisms of 60° and pure-edge dislocations.

  216. Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価

    山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 竹内正太郎, 小川正毅, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理-”(第12回研究会)     頁: 197-202   2007年1月

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    記述言語:日本語  

  217. Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge1-xSnx buffer layers grown on various types of substrates 査読有り

    S. Takeuchi, A. Sakai, K. Yamamoto, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima

    Semicond. Sci. Tech.   22 巻 ( 1 ) 頁: S231-S235   2007年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have performed growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge1-xSnx buffer layers grown on Si(0 0 1), virtual Ge(0 0 1) and bulk Ge(0 0 1) substrates. In the case of Si(0 0 1), amorphous Ge1-xSnx phases are partially formed as well as many threading dislocations in Ge0.98Sn0.02 layers. Employing virtual Ge substrates to reduce the lattice mismatch at the interface leads to epitaxial Ge0.978Sn0.022 layers with a flat surface. Most of threading dislocations in the Ge0.978Sn0.022 layer comes from pre-existing ones in the virtual Ge substrate and propagates laterally, leaving misfit segments at the Ge0.978Sn0.022/virtual Ge interface, after post-deposition annealing (PDA). This simultaneously results in the reduction of threading dislocation density and the promotion of strain relaxation. In the case of bulk Ge(0 0 1), although low threading dislocation density can be achieved, less than 106 cm-2, the film exhibits surface undulation and a lesser degree of strain relaxation even after PDA.

  218. Silicide and germanide technology for contacts and metal gates in MOSFET applications

    S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa

    ECS Transactions   11 巻 ( 6 ) 頁: 197-205   2007年

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    記述言語:英語  

  219. Impact of Pt incorporation on thermal stability of NiGe layers on Ge(001) substrates

    O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

    Extended Abstracts of the 7th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2007     頁: 87-88   2007年

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    記述言語:英語  

  220. Electrical properties of epitaxial NiSi2/Si contacts with extremely flat interface formed in Ni/Ti/Si(0 0 1) system 査読有り

    O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

    Microelectron. Eng.   83 巻 ( 11-12 ) 頁: 2272-2276   2006年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  221. Ni-Silicide/Si and SiGe(C) Contact Technology for ULSI Applications 招待有り

    O. Nakastuka, S. Zaima, A. Sakai, and M. Ogawa

    Proceedings of the 14th annual IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors     頁: 31-37   2006年10月

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    記述言語:英語  

  222. Control of misfit dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates 査読有り

    N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, O. Nakatsuka, M. Ogawa and S. Zaima

    Thin Solid Films   508 巻 ( 1-2 ) 頁: 147-151   2006年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    A thin strain-relaxed SiGe buffer layer with pure-edge dislocations has been grown on a silicon-on-insulator (SOI) substrate by using low-temperature epitaxy of Ge and subsequent high-temperature annealing. The dislocation morphology and crystalline mosaicity of the strain-relaxed SiGe layers has been measured, and the influence of the thickness of the SiGe and SOI layers on these features has been investigated. Behavior of the dislocations introduced from the interface between the SiGe and the buried oxide layers during high-temperature annealing shows a high dependence on the thickness of the SOI layer. This SOI thickness dependence can be explained by considering the effects of the image force exerted on the dislocations. A higher temperature anneal and a thinner SOI layer are both found to reduce the crystalline mosaicity.

  223. *Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction 査読有り

    S. Mochizuki, A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Takeda, S. Kimura, M. Ogawa, and S. Zaima

    Thin Solid Films   508 巻 ( 1-2 ) 頁: 128-131   2006年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have investigated, using X-ray microdiffraction, local strain and crystalline texture in SiGe layers fabricated under various growth conditions on Si(001) substrates. Two-dimensional reciprocal space maps and contour maps in a series of the X-ray rocking curves were taken from the SiGe layers with misfit dislocations having either a 60 degrees or pure-edge character. Quantitative analysis for fine structures observed in the diffraction peak revealed that crystal domains with sizes ranging from 50 nm to 200 nm at tilt angles from 0.00 degrees to 0.42 degrees with respect to the Si[001] direction are formed in the layer relaxed with 60 degrees dislocations. Furthermore, nonuniformity of crystalline texture having a size of 2 to 4 μm was also detected. On the other hand, no remarkable domain structures were detected from diffraction profiles when the sample is predominantly strain-relaxed by pure-edge dislocations. In this case, homogeneous strain distribution with reduced mosaicity is realized in the micrometer-sized regions.

  224. Initial Growth Process of TiN Films in Ultrahigh-Vacuum Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition 査読有り

    Y. Okuda, S. Naito, O. Nakatsuka, H. Kondo, T. Okuhara, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 1A ) 頁: 49-53   2006年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have investigated the crystalline and electrical properties of Ni silicide/Si and SiGeC contacts for ULSI applications. NiSi/Si contacts promises the contact resistivity as low as 10-8 ohm-cm2 for both n+- and p+-Si. Degradation of the sheet resistance of NiSi layers critically depends on the annealing time particularly at temperatures ranging from 650 deg.C to 750 deg.C. The enlargement of the Si-exposed region concomitant with the NiSi agglomeration is a dominant factor responsible for the increase in sheet resistance and the activation energy of this process is estimated to be 2.8±0.4 eV. Incorporation of Ge into Ni/Si systems is effective in raising the transformation temperature from NiSi to NiSi2. Incorporation of C into NiSi/Si system effectively suppresses the NiSi agglomeration. C introduction also causes the pile-up of B atoms at the NiSi/Si interface, which promises the reduction of the contact resistivity.

  225. Dislocation morphology and crystalline mosaicity in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI

    A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima

    IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems   126 巻 ( 9 ) 頁: 1083-1087   2006年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  226. Ni silicide and germanide technology for contacts and metal gates in MOSFET applications

    S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa

    ICSICT-2006: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings     頁: 322-325   2006年

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    記述言語:英語  

  227. Scanning tunneling microscopy study on the reaction of oxygen with clean Ge(001) surfaces

    A. Sakai, Y. Wakazono, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa

    ECS Transactions   2 巻 ( 7 ) 頁: 1197-1203   2006年

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    記述言語:英語  

  228. Thermal stability and electrical properties of Ni-silicide on C-incorporated Si 査読有り

    O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima, J. Murota, and Y. Yasuda

    Proc. of Advanced Metallization Conference 2004 (AMC2004)     頁: 293-298   2005年10月

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    記述言語:英語  

  229. *Low Temperature Formation of Epitaxial NiSi2 Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ti/Si(001) Systems 査読有り

    O. Nakatsuka, K. Okubo, Y. Tsuchiya, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 巻 ( 5A ) 頁: 2945-2947   2005年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The solid-phase epitaxial growth of NiSi2 in Ni/Ti/Si systems has been investigated. Continuous epitaxial NiSi2 layers consisting of pyramidal domains with {111} facets at the Ni-silicide/Si interface can be formed by annealing at a temperature (350 deg.C) lower than that for conventional Ni/Si systems. This NiSi2 layer is transformed to a uniform epitaxial NiSi2 layer with an atomically flat silicide/Si interface by additional annealing at 850deg.C, while the {111} facets at the NiSi2/Si interface remains in the Ni/Si system under the same annealing conditions. Moreover, the epitaxial NiSi2 layer formed at 350 deg.C exhibits a high thermal robustness even after annealing at higher than 750 deg.C, in contrast to the polycrystalline NiSi layer.

  230. SiGeバッファ層の歪緩和および転位構造制御 査読有り

    田岡紀之, 酒井朗, 望月省吾, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明

    日本結晶成長学会誌   32 巻   頁: 89-98   2005年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  231. Analysis of microstructures in SiGe buffer layers on silicon-on-insulator substrates 査読有り

    N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, T. Tezuka, N. Sugiyama, and S. Takagi

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 巻 ( 10 ) 頁: 7356-7363   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  232. *Improvement in NiSi/Si contact properties with C-implantation 査読有り

    O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, M. Ogawa, Y. Yasuda, and S. Zaima

    Microelectronic Engineering   82 巻 ( 3-4 ) 頁: 479-484   2005年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  233. Pure-edge dislocation network for strain-relaxed SiGe/Si(001) systems 査読有り

    A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Yukio Yasuda

    Appl. Phys. Lett.   86 巻   頁: 221916-221918   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  234. Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition 査読有り

    S. Takeuchi, O. Nakatsuka, Y. Wakazono, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Materials Science in Semiconductor Processing   8 巻 ( 1-3 ) 頁: 5-9   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  235. Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with pure-edge misfit dislocations 査読有り

    N. Taoka, A. Sakai, T. Egawa, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Materials Science in Semiconductor Processing   8 巻 ( 1-3 ) 頁: 131-135   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  236. Influence of structural variation of Ni silicide thin films on electrical property for contact materials 査読有り

    K. Okubo, Y. Tsuchiya, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 4B ) 頁: 1896-1900   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    K. Okubo, Y. Tsuchiya, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

  237. Si及びSi1-x-yGexCy上のNiシリサイド形成 招待有り

    中塚理, 酒井朗, 財満鎭明

    電気学会研究会資料 電子材料研究会   EFM-04 巻 ( 41-48 ) 頁: 25-30   2004年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  238. Influence of C incorporation on the initial growth of epitaxial NiSi2 on Si(100) 査読有り

    E. Okada, O. Nakatsuka, S. Oida, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Appl. Surf. Sci.   237 巻 ( 1-4 ) 頁: 150-155   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The initial growth of NiSi2 on Si(1 0 0) surfaces with a thin C layer by scanning tunneling microscopy has been investigated. The surface roughening with the formation of epitaxial NiSi2 domains is effectively suppressed even by the introduction of a submonolayer thick C layer. The reduction of an average size of epitaxial NiSi2 islands and the increase in the nucleation density of NiSi2 islands are caused by incorporating of C atoms into the surface before the 4.8-monolayer thick Ni deposition. The adsorption condition of C atoms on the surface more strongly influences the density and the average size of epitaxial NiSi2 islands rather than the total amount of deposited C atoms does.

  239. Interfacial reaction and electrical properties in Ni/Si and Ni/SiGe(C) contacts 査読有り

    S. Zaima, O. Nakatsuka, A. Sakai, J. Murota, and Y. Yasuda

    Appl. Surf. Sci.   224 巻 ( 1-4 ) 頁: 215-221   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have investigated the interfacial solid-phase reaction and electrical properties of Ni/Si and Ni/SiGeC systems with various Ge and C compositions. The incorporation of Ge into Si substrates raised the transition temperature from the NiSi phase to the NiSi2 phase. The incorporation of C effectively suppresses the agglomeration of NiSi and the formation of {1 1 1} facets at NiSi2/Si interface, which provides the low sheet resistance even after high temperature annealing. NiSi/Si systems show the contact resistivity as low as 1E-8 Ω sq.cm for both n+- and p+-type contacts. This is accounted by the pile-up of P at the NiSi/Si interface for n+-type and the low Schottky barrier height for p+-type contact. The pile-up of B at the NiSi/p+-Si0.996C0.004 interface after the annealing at 750deg.C is also found.

  240. Influence of Si1-xGex interlayer on the initial growth of SiGeC on Si(100) 査読有り

    S. Ariyoshi, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Appl. Surf. Sci.   224 巻 ( 1-4 ) 頁: 117-121   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  241. Dislocation structures and strain-relaxation in SiGe buffer layers on Si (0 0 1) substrates with an ultra-thin Ge interlayer 査読有り

    T. Yamamoto, A. Sakai, T. Egawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Y. Yasuda,

    Appl. Surf. Sci.   224 巻 ( 1-4 ) 頁: 108-112   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  242. Strain-relaxation mechanisms of SiGe layers formed by two-step growth on Si(0 0 1) substrates 査読有り

    T. Egawa, A. Sakai, T. Yamamoto, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima and Y. Yasuda

    Appl. Surf. Sci.   224 巻 ( 1-4 ) 頁: 104-107   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  243. High resolution-high energy x-ray photoelectron spectroscopy using third-generation synchrotron radiation source, and its application to Si-high k insulator systems 査読有り

    K. Kobayashi, M. Yabashi, Y. Takata, T. Tokushima, S. Shin, K. Tamasaku, D. Miwa, T. Ishikawa, H. Nohira, T. Hattori, Y. Sugita, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

    Appl. Phys. Lett.   83 巻 ( 5 ) 頁: 1005-1007   2003年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  244. Scanning Tunneling Microscopy of Initial Nitridation Processes on Oxidized Si(100) Surface with Radical Nitrogen 査読有り

    R. Takahashi, Y. Kobayashi, H. Ikeda, M. Sakashita, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Jpn. J. Appl. Phys.   42 巻 ( 4B ) 頁: 1966-1970   2003年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  245. Development of Ni/Al and MUM ohmic contact materials for p-type 4H-SiC 査読有り

    R. Konishi, R. Yasukochi, O. Nakatsuka, Y. Koide, M. Moriyama and M. Murakami

    Mater. Sci. Eng. B   98 巻 ( 3 ) 頁: 286-293   2003年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  246. Effect of Al interlayers on Two-Step Epitaxial Growth of CoSi2 on Si(100) 査読有り

    O. Nakatsuka, H. Onoda , E. Okada, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Appl. Surf. Sci.   216 巻 ( 1-4 ) 頁: 174-180   2003年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  247. Ultra-high vacuum rapid thermal chemical vapor deposition for formation of TiN as barrier metals 査読有り

    S. Naito, M. Okada, O. Nakatsuka, T. Okuhara, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda,

    Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices     頁: 29-35   2003年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  248. Electrical properties and solid-phase reactions in Ni/Si(100) contacts 査読有り

    Y. Tsuchiya, A. Tobioka, O. Nakatsuka, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 巻 ( 4B ) 頁: 2450-2454   2002年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  249. Low resistance TiAl ohmic contacts with multi-layered structure for p-type 4H-SiC 査読有り

    O. Nakatsuka, T. Takei, Y. Koide, and M. Murakami

    Mater. Trans.   43 巻 ( 7 ) 頁: 1684-1688   2002年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  250. CoAl ohmic contact materials with improved surface morphology for p-type 4H-SiC 査読有り

    O. Nakatsuka, Y. Koide, and M. Murakami

    Proc. of Silicon Carbide and Related Materials 2001 (MATERIALS SCIENCE FORUM)   389 巻 ( 3 ) 頁: 885-888   2002年

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  251. Electrical properties of Ni silicide/Si contact 査読有り

    Y. Tsuchiya, O. Nakatsuka, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Proc. of Advanced Metallization Conference 2001 (AMC2001)     頁: 679-684   2001年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  252. Dependence of contact resistivity on impurity concentration in Co/Si systems 査読有り

    O. Nakatsuka, T. Ashizawa, K. Nakai, A. Tobioka, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Appl. Surf. Sci.   159-160 巻   頁: 149-153   2000年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  253. Interfacial reactions of Ti/ and Zr/Si1-xGex/Si contacts with rapid thermal annealing 招待有り 査読有り

    Y. Yasuda, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films   373 巻   頁: 73-78   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  254. Contact resistivities and electrical properties of Co/Si contacts by rapid thermal annealing 査読有り

    O. Nakatsuka, T. Ashizawa, H. Iwano, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Proc. of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1998     頁: 605-611   1999年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  255. Effect of Ge atoms on interfacial reactions of Ti/ and Zr/Si1-xGex/Si contacts 査読有り

    H. Iwano, H. Hayashi, M. Yoshinaga, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Y. Yasuda

    Proc. of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1998     頁: 599-604   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  256. Conductance oscillations in hopping conduction systems fabricated by focus ion beam implantation 査読有り

    H. Kondo, H. Iwano, O. Nakatsuka, K. Kaga, S. Zaima, and Y Yasuda

    Jpn. J. Appl. Phys.   36 巻 ( 6B ) 頁: 4046-4048   1997年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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書籍等出版物 4

  1. 第3章,第3節,Geエピタキシャル成長と薄膜構造制御

    中塚理( 担当: 単著)

    株式会社エヌ・ティー・エス  2013年 

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    記述言語:日本語

  2. Chapter 1.4: Heterostructure Interfaces and Strain

    O. Nakatsuka and S. Zaima (edited by L. Vivien and L. Pavesi)( 担当: 共著)

    CRC Press  2013年 

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    記述言語:英語

  3. Chapter 17: Slicide and germanide technology for interconnections in ultra-large-scale integrated (ULSI) applications

    S. Zaima and O. Nakatsuka( 担当: 共著)

    Woodhead Publishing  2011年 

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    記述言語:英語

  4. Chapter 8, Silicide in "Advanced Nanoscale ULSI Interconnects: Fundamentals and Applications"

    O. Nakatsuka and S. Zaima (編集) Yosi Shacham-Diamand, Tetsuya Osaka, Madhav Datta, Takayuki Ohba( 担当: 共著)

    Springer  2009年10月 

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    記述言語:英語

講演・口頭発表等 421

  1. Si(001)基板上におけるSi1−xSnx薄膜のエピタキシャル成長

    黒澤昌志, 丹下龍志, 中塚理

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  2. 界面層挿入が低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBHに与える影響

    土井拓馬, 柴山茂久, 坂下満男, 清水三聡, 中塚理

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  3. ウェット熱処理によるZrO2薄膜の強誘電相発現機構

    柴山茂久, 永野丞太郎, 安坂幸師, 坂下満男, 中塚理

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  4. 高温堆積におけるZrO2薄膜結晶相の下地依存性

    永野丞太郎, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  5. Heterostructure design favorable for n+-Ge1−xSnx pseudo-direct transition layer for optoelectronic application 招待有り 国際会議

    S. Zhang, M. Fukuda, S. Shibayama, and O. Nakatsuka

    13th International Symposium on Advanced Plasma Scienceand its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science, (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Virtual symposium   国名:日本国  

  6. Epitaxial growth of strain‐relaxed and high-Sn-content n-Ge1-xSnx on Si(111) substrate with Ge buffer layer 招待有り 国際会議

    A. Huang, S. Shibayama, and O. Nakatsuka

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:On-Line Conference   国名:日本国  

  7. 低仕事関数金属/4H-SiC界面におけるMIGSの影響

    土井拓馬, 柴山茂久, 坂下満男, 清水三聡, 中塚理

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第26回)  2021年1月26日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  8. HfO2-ZrO2系の強誘電相発現におけるウェット熱処理の効果

    柴山茂久, 永野丞太郎, 坂下満男, 中塚理

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第26回)  2021年1月23日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  9. 低仕事関数金属を用いたn型4H-SiCに対する低ショットキー障壁コンタクトの実現

    土井拓馬, 柴山茂久, 坂下満男, 清水三聡, 中塚理

    先進パワー半導体分科会第7回講演会  2021年1月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  10. GeSn系Ⅳ族混晶半導体の創製と結晶・電子物性制御 招待有り

    中塚理

    第5回TIA-EXA広域エレクトロニクス融合セミナー ~革新デバイスに向けた新材料と集積技術~  2020年12月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  11. Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

    Pacificrim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2020) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Online event   国名:アメリカ合衆国  

  12. Crystal Growth of Epitaxial 3C-SiC Thin Film on Si Substrate By Chemical Vapor Deposition using Single Precursor of Vinylsilane 国際会議

    T. Doi, K. Hashimoto, W. Takeuchi, and O. Nakatsuka

    Pacificrim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2020) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Online event   国名:アメリカ合衆国  

  13. Understanding wet annealing effect on phase transition and ferroelectric phase formation for Hf1-xZrxO2 film 国際会議

    S. Shibayama, J. Nagano, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

    2020 Inthernational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ALL-viertual conference   国名:日本国  

  14. コンタクト抵抗率低減のための金属/IV族半導体界面制御技術 招待有り

    中塚理, 柴山茂久, 坂下満男

    第84回半導体・集積回路技術シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  15. 絶縁膜上における極薄Ge薄膜の固相成長

    大石遼, 黒澤昌志, 中塚理

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  16. 多層ゲルマナンフレークからの水素脱離

    伊藤麻維, 洗平昌晃, 大田晃生, 中塚理, 黒澤昌志

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  17. GaAs(001)基板上におけるGe1−x−ySixSny薄膜のエピタキシャル成長

    中田壮哉, 詹天卓, 富田基裕, 渡邉孝信, 中塚理, 黒澤昌志

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  18. Ge1-xSnx溶融成長時に生じる偏析現象の理解

    中尾天哉, 西島泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  19. GeSn系IV族混晶ヘテロ構造の結晶成長と光電物性制御 招待有り

    中塚 理

    阪大CSRN 第二回異分野研究交流会 「半導体・ナノカーボン系」  2020年8月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年8月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  20. In-situ Sb Doping into Ge1−xSnx Epitaxial Layer toward Enhancement of Photoluminescence Intensity 国際会議

    M. Fukuda, J. Jeon, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

    The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  21. Crystal Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductor Heterostructures for Future Electronic Devices 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, S. Shibayama, and M. Sakashita, S. Zaima

    The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  22. Ferroelectric Phase Evolution of Undoped ZrO2 Thin Film by Wet O2 Annealing Process 国際会議

    S. Shibayama, J. Nagano, M. Sakashita, O. Nakatsuka

    2019 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (IWDTF2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  23. Saturation of Activated Sb Atom in Heavily Sb-Doped Ge Epitaxial Thin Films 国際会議

    J. Jeon, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  24. Thermoelectric properties of silicon germanium wires with a composition gradient 国際会議

    M. Nakata, O. Nakatsuka, M. Tomita, T. Watanabe, and M. Kurosawa

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  25. Theoretical Investigation of Self-organization Behavior of Si0.5Sn0.5 Nano-particles 国際会議

    Y. Nagae, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  26. Development of in-situ cyclic metal layer oxidation to form abrupt Al2O3/4H-SiC interface 国際会議

    T. Doi, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, M. Shimizu, and O. Nakatsuka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  27. Optoelectronic Property of GeSn and GeSiSn Heterostructure 国際会議

    M. Fukuda, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, S. Zaima, and O. Nakatsuka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  28. Improvement of thermoelectric properties of Si1-x-yGexSny thin films by ion implantation and rapid thermal annealing 国際会議

    Y. Peng, L. Miao, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  29. Model development of MOCVD growth for realizing high-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer ~ What physical properties are required for precursors? ~ 国際会議

    Y. Miki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  30. Saturation of Sb1+ Concentration in Heavily Sb-doped n+-Ge Epitaxial Layers 国際会議

    J. Jeon, S. Shibayama, and O. Nakatsuka

    Advanced Metallization Conference 2019: 29th Asian Session (ADMETA Plus 2019) 

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    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  31. Influence of Dopant on Thermoelectric Properties of Si-rich Poly-Si1-xSnx Layers Grown on Insulators 国際会議

    K. Sato, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  32. Impact of Mechanical Uniaxial Stress on Mobility Enhancement of 4H-SiC (0001) MOSFET 国際会議

    W. Takeuchi, K. Kutsuki, E. Kagoshima, T. Onishi, S. Iwasaki, M. Sakashita, H. Fujiwara, and O. Nakatsuka

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  33. In-situ Cyclic Metal Layer Oxidation for Further Improving Interface Properties of Al2O3/4H-SiC(0001) Gate Stacks 国際会議

    T. Doi, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, M. Shimizu, and O. Nakatsuka

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  34. Strain Relaxation Enhancement of Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer on Ge Substrate Using Ion-Implantation Method 国際会議

    H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  35. Fermi Level Pinning at Metal/4H-SiC Contact Induced by SiCxOy Interlayer 国際会議

    K. Hashimoto, T. Doi, S. Shibayama, and O. Nakatsuka

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  36. GeSn and GeSiSn Heterostructures for Optoelectronic Applications 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and S. Zaima

    2019 IEEE Photonics Society Summer Topicals Meeting Series 

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Fort Lauderdale   国名:アメリカ合衆国  

  37. Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2 国際会議

    K. Senga, S. Shibayama, M. Sakashita, S. Zaima, and O. Nakatsuka

    19th International Workshop on Junction Technology 2019 (IWJT2019) 

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    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto   国名:日本国  

  38. Development and challenges of group-IV alloy semiconductors for nanoelectronic applications 招待有り 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Shibayama

    The Eleventh International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-11) 

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    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

    開催地:Kunming   国名:中華人民共和国  

  39. Tin-incorporation effect on thermoelectric properties of p-type polycrystalline Si1-xGex layers grown on SiO2 国際会議

    Y. Peng, L. Miao, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The Eleventh International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-11) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kunming   国名:中華人民共和国  

  40. Crystalline and Electrical Properties of Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny QuantumWell Structures 国際会議

    G. R. Suwito, M. Fukuda, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Compoud Semiconductor Week 2019 (CSW 2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nara   国名:日本国  

  41. Formation of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer using Ionimplanted Ge Substrate 国際会議

    H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    11th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 12th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2019 / IC-PLANTS 2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  42. GeSn-related group-IV semiconductor heterostructures for electronic and optoelectronic applications 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima

    12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  43. Formation of Nickel Stanogermanide/Heavily Doped n+-Ge1-xSnx Structure with Ultra-Low Contact Resistivity 国際会議

    J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  44. Study of factors to limit increasing Sn content in Ge1-xSnx for MOCVD method 国際会議

    Y. Miki, W. Takeuchi, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  45. Formation and Optoelectronic Characterization of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-heterostructure 国際会議

    M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  46. Thermoelectric Performance of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Ternary Alloy Layer Prepared with Ion Implantation 国際会議

    Y. Peng, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, L. Miao, J. Gao, and S. Zaima

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  47. Impact of Crystalline Property of SixGe1-x-ySny Ternary Alloy Interlayer on Schottky Barrier Height Engineering of Metal/Ge Contact 国際会議

    O. Nakatsuka, A. Suzuki, M. Sakashita, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2018: 28th Asian Session (ADMETA Plus 2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Beijing   国名:中華人民共和国  

  48. Composition and Strain Engineering of New Group-IV Thermoelectric Materials 招待有り 国際会議

    M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    AiMES 2018 Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月 - 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Cancun   国名:メキシコ合衆国  

  49. Formation of laterally graded SixGe1-x stripes for thermoelectric generator 国際会議

    M. Nakata, K. Takahashi, T. Nishijima, S. Shimizu, I. Tsunoda, O. Nakatsuka, S. Zaima, T. Watanabe, and M. Kurosawa

    The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  50. Growth and electronic properties of GeSn-related group-IV alloy semicondcutor thin films 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

    2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  51. Impact of Oxygen Radical Treatment on Improvement of Al2O3/SiC Interface 国際会議

    T. Doi, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  52. Thin Film Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductors for Future Nanoelectronic Applications 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, and S. Zaima

    The 9th International Conference on Physics and Its Applications (ICOPIA) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

    開催地:Surakarta   国名:インドネシア共和国  

  53. Engineering optoelectronic properties of high-Sn-content GeSn, GeSiSn, and SiSn thin films 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Fukuda, M. Sakashita, W. Takeuchi, and S. Zaima

    IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series 2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Hawaii   国名:アメリカ合衆国  

  54. Engineering electronic properties of GeSn-related group-IV thin films for nanoelectronic applications 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

    European Materials Research Society (2018 E-MRS Spring Meeting) 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Strasbourg   国名:フランス共和国  

  55. GeSn-based thin film thermoelectric generators 招待有り 国際会議

    M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC'2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Paris   国名:フランス共和国  

  56. Formation of Ultra-Low Resistance Contact with Nickel Stanogermanide/Heavily Doped n+-Ge1-xSnx Structure 国際会議

    J. Jihee, A. Suzuki, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    1st Joint Conference ICSI / ISTDM 2018 

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    開催年月日: 2018年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Potsdam   国名:ドイツ連邦共和国  

  57. Ultra-thin GeSn on Insulator structure through the direct bonding technique 国際会議

    T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka, and N. Uchida

    1st Joint Conference ICSI / ISTDM 2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Potsdam   国名:ドイツ連邦共和国  

  58. Optoelectronic Characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-Heterostructure with High-Si-Content Ge1-x-ySixSny Layer 国際会議

    M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    1st Joint Conference ICSI / ISTDM 2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Potsdam   国名:ドイツ連邦共和国  

  59. Domain size effects on thermoelectric properties of p-type Ge0.95Sn0.05 layers grown on GaAs and Si substrates 国際会議

    Y. Imai, K. Takahashi, N. Uchida, T. Maeda, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa

    The 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM 2018) 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kobe   国名:日本国  

  60. Low thermal budget fabrication of poly-Ge1-xSnx thin film thermoelectric generator 国際会議

    K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa

    The 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM 2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kobe   国名:日本国  

  61. Heavily p-type Doping to Si1-xSnx Layers Grown on SOI Substrates 国際会議

    Y. Inaishi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    10th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 11th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2018 / IC-PLANTS 2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  62. Growth of Ge1-xSnx Layer by Metal-organic Chemical Vapor Deposition Method using Tetrakis Dimethylamino Tin 国際会議

    Y. Miki, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    10th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 11th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2018 / IC-PLANTS 2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  63. Heterostructure Engineering of GeSn and SiGeSn Group-IV Alloy Semiconductor Layers 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

    11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  64. Low-Temperature Chemical Vapor Deposition of SiC Thin Film Using Vinylsilane for Metal Surface Coating 国際会議

    T. Doi, W. Takeuchi, Y. Jin, H. Kokubun, S. Yasuhara, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  65. Crystal growth of GeSn-based materials and its application for thin-film thermoelectric generators 招待有り 国際会議

    M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 2017 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2017) 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

    開催地:Taipei   国名:台湾  

  66. Energy Band Structure of Ga-oxide/GaN Interface Formed by Remote O2 Plasma 国際会議

    T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, T. X. Nguyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, O. Nakatsuka, M. Shimizu, and S. Miyazaki

    2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (2017 IWDTF) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nara   国名:日本国  

  67. Characterization of Defects in Ge1-xSnx Gate Stack Structure 国際会議

    Y. Kaneda, S. Ike, M. Kanematsu, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (2017 IWDTF) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nara   国名:日本国  

  68. Development of GeSn-Related Group-IV Semiconductor Thin Films for Future Si Nanoelectronic Applications 招待有り 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita

    the 4th International Symposium on Hybrid Materials and Processing (HyMaP 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

    開催地:Busan   国名:大韓民国  

  69. GeSn and related group-IV alloy thin films for future Si nanoelectronics 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita and S. Zaima

    The Tenth International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-10) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Nanchang   国名:中華人民共和国  

  70. Crystalline and electrical properties of epitaxial HfGe2/Ge contact for lowering Schottky barrier height 国際会議

    O. Nakatsuka, A. Suzuki, J. McVittie, Y. Nishi, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2017: 27th Asian Session (ADMETA Plus 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  71. Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 招待有り 国際会議

    M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 232th Electrochemical Society Meeting (232nd ECS MEETING) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:MD   国名:アメリカ合衆国  

  72. Numerical calculation of energy band offset of Si1-xSnx by density functional calculation 国際会議

    Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

    The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  73. Heavy n- and p-type doping for polycrystalline Ge1-xSnx layers using pulsed laser annealing in water 国際会議

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  74. Control of Electrical Property at Metal/Ge Interface with Group-IV Alloy Interlayer 国際会議

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, M. Sakashita, and S. Zaima

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月 - 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  75. Characterization of Crystallinity and Energy Band Alignment of Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Heterostructure 国際会議

    M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月 - 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  76. Strain measurement of simulated finFET structures of Ge and GeSn prepared by MOCVD 国際会議

    K. Saitoh, S. Ou, S. Ike, O. Nakatsuka and, S. Zaima

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月 - 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  77. Thermal Stability Study of in-situ Sb-Doped n- Ge1-xSnx Epitaxial Layers for Source/Drain Stressor of Strained Ge Transistors 国際会議

    J. Jeon, A. Suzuki, O. Nakatsuka and, S. Zaima

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月 - 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  78. Fabrication and Thermoelectric Mechanism Study of Flexible Si1-xGex Superlattice Films 国際会議

    Y. Peng, L. Miao, C. Li, R. Huang, D. Urushihara, T. Asaka, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月 - 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  79. Sb-doping effect on thermal and electrical properties of Ge-rich Ge1-xSnx layers 国際会議

    T. Iwahashi, M. Kurosawa, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  80. Dopants behavior in polycrystallization of heavily doped Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water 国際会議

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  81. Synthesis of p- and n-type Ge1-xSnx Thin Films toward New Group-IV Thermoelectric Materials 国際会議

    M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, A. Ohta, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    36th Annual International Conference on Thermoelectrics (2017 ICT) 

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    開催年月日: 2017年7月 - 2017年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Pasadena   国名:アメリカ合衆国  

  82. Characterization of energy band structure of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers prepared with solid-phase crystallization 国際会議

    S. Yano, O. Nakatsuka, C. Lim, M. Sakashita, M. Kurosawa, and S. Zaima

    29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017) 

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    開催年月日: 2017年7月 - 2017年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Matsue   国名:日本国  

  83. Research and development of GeSn-related thin-film semiconductors for nanoelectronic and optoelectronic applications 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

    Frontiers in Materials Processing Applications, Research and Technology (FiMPART 2017) 

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    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Bordeaux   国名:フランス共和国  

  84. Formation of Epitaxial Hf Germanide/Ge Contacts for Schottky Barrier Height Engineering 国際会議

    O. Nakatsuka, A. Suzuki, J. McVittie, Y. Nishi, and S. Zaima

    17th International Workshop on Junction Technology 2017 (IWJT 2017) 

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    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto   国名:日本国  

  85. Development of GeSn and related semiconductor thin films for next generation optoelectronic applications 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

    2017 Global Conference on Polymer and Composite Materials (PCM 2017) 

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    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tianhe District, Guangzhou   国名:中華人民共和国  

  86. Alleviation of Fermi level pinning at metal/Ge interface using lattice-matching group-IV ternary alloy interlayer 国際会議

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Toda, M. Sakashita, and S. Zaima

    The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Coventry   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  87. Control of lattice constant of Ge1-x-ySixSny layer for energy band engineering in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructure 国際会議

    M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Coventry   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  88. Formation of heavily Sb and Ga doped poly-Ge1-xSnx layers on insulator using pulsed laser annealing in water 国際会議

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Coventry   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  89. Solid phase epitaxy of Si1-xSnx layers on various substrates 国際会議

    M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Coventry   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  90. Epitaxial growth of n+-Ge1-xSnxlayerswith in situ phosphorus doping using low-temperature metal-organic chemical vapor deposition method 国際会議

    S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Coventry   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  91. Formation of SiC and SiCN Films by Chemical Vapor Deposition using Vinylsilane 国際会議

    T. Doi, W. Takeuchi, Y. Jin, H. Kokubun, S. Yasuhara, O. Nakatsuka and S. Zaima

    9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2017 / IC-PLANTS 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  92. Electrical Properties of AlON/4H-SiC MOS Capacitor Prepared by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition 国際会議

    W. Takeuchi, K. Yamamoto, T. Mimura, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and , S. Zaima

    9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2017 / IC-PLANTS 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  93. Selective Growth of Ge1-xSnx Epitaxial Layer on Patterned Si Substrate using Metal-organic Chemical Vapor Deposition Method 国際会議

    T. Washizu, S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

    9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2017 / IC-PLANTS 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  94. Development of in-situ Sb-Doped Ge1-xSnx Epitaxial Layers for Source/Drain Stressor of Strained GeTransistors 国際会議

    J. Jeon, A. Suzuki, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年2月 - 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Toyama   国名:日本国  

  95. Effect of Oxynitridation Annealing for SiO2/SiC Interface on Defects Properties 招待有り 国際会議

    W. Takeuchi, K. Yamamoto, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima

    10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  96. Influence of atomic layer deposition temperature of GeO2 layer on electrical properties of Ge and Ge1-xSnx gate stack 国際会議

    Y. Kaneda, M. Kanematsu, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka and S. Zaima

    10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  97. Solid phase crystallization of Ge0.98Sn0.02 layers on various insulating substrates 国際会議

    I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima

    10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  98. In situ phosphorus doping of Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers by low-temperature metal-organic chemical vapor deposition 国際会議

    S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka and S. Zaima

    10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  99. Growth of Si1-xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates 国際会議

    JSPS Meeting 2016 : Workshop on "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration" 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  100. Formation of heavily Sb doped poly-Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water 国際会議

    JSPS Meeting 2016 : Workshop on "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  101. Control of Schottky barrier height of metal/Ge contact using group-IV alloy interlayers 国際会議

    JSPS Meeting 2016 : Workshop on "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  102. Characterization of Deep-Level Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers using Deep Level Transient Spectroscopy 国際会議

    The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (7th JSPS Silicon Symposium) 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  103. Microwave Annealing for Low-Thermal Budget Process of Nickel Monogermanide/Germanium Contact Formation 国際会議

    Advanced Metallization Conference 2016: 26th Asian Session (ADMETA Plus 2016) 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  104. Low Temperature Crystallization of SiSn Binary Alloys 招待有り 国際会議

    The 1st International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-1) 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  105. Analysis of Microscopic Strain and Crystalline Structure in Ge/Ge1-xSnx Fine Structures By Using Synchrotron X-Ray Microdiffraction 国際会議

    Pacific Rim Meeting 2016 Joint The 230th Electrochemical Society Meeting (PRiME 2016/230th ECS Meeting) 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  106. Growth of Heavily Doped n-Ge Epitaxial Layer by In situ Phosphorus-doping with Low-temperature Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 国際会議

    2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  107. Effect of N bonding structure in AlON on leakage current of 4H-SiC MOS capacitor 国際会議

    2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  108. Investigation of effects of inner stress with Sn incorporation on energy band of Si1-xSnx using density functional theory and photoelectron spectroscopy 国際会議

    2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  109. Heavy Sb-doping for poly-GeSn on insulator using pulsed laser annealing in water 国際会議

    2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  110. Impact of SixGe1-x-ySny interlayer on reduction in Schottky barrier height of metal/n-Ge contact 国際会議

    2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  111. Challenges in Engineering Materials Properties for GeSn Nanoelectronics 招待有り 国際会議

    The 2016 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:ポーランド共和国  

  112. Low-Temperature Selective Epitaxial Growth of Ge on Si by using Metal Organic Chemical Vapor Deposition 国際会議

    The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  113. Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials 招待有り 国際会議

    IEEE 2016 Summer Topicals Meeting Series 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  114. Control of the Fermi level pinning position at metal/Ge interface by using Ge1-xSnx interlayer 国際会議

    7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  115. Direct Measurement of Anisotropic Local Strain in Ge Nanostructures Strained with MOCVD-grown Ge1-xSnx by using Microdiffraction 国際会議

    7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  116. Electrical and Optical Properties Improvement of GeSn Layers Formed at High Temperature under Well-controlled Sn Migration 国際会議

    7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  117. Effect of local and global strain on thermal stability of Sn in GeSn based film 国際会議

    7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  118. Si1-xGex Bulk Single Crystals for Substrates of Electronic Devices 国際会議

    7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  119. Formation and Characterization of GeSiSn/GeSn/GeSiSn Double-Heterostructure with Strain-controlled GeSiSn layer 国際会議

    7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  120. Interfacial Energy Control for Low-Temperature Crystallization of Ge-rich GeSn Layers on Insulating Substrate 国際会議

    7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  121. Development of GeSn thin film technology for electronic and optoelectronic applications 招待有り 国際会議

    2016 Energy Materials Nanotechnology (EMN) Summer Meeting and Photodetectors Meeting 

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    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:メキシコ合衆国  

  122. International collaboration: the path to breakthroughs in (Si)GeSn material development 国際会議

    12th International Nanotechnology Conference on Communication ans Cooperation (INC12) 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ベルギー王国  

  123. Solid phase crystallization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characterization of its crystalline and optical properties 国際会議

    8th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2016 / IC-PLANTS 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  124. Impact of Atomic Hydrogen Irradiation on Epitaxial Growth of Ge1-xSnx and its Crystalline Property 国際会議

    8th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2016 / IC-PLANTS 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  125. Structural and Electrical Properties of Low Temperature CVD-Grown SiGe Epitaxial Layers 国際会議

    9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  126. Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of Ge1-xSnx layer 国際会議

    9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  127. Formation of poly-Si1-x-ySnxCy ternary alloy layer and characterization of its crystalline and optical properties 国際会議

    9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  128. Formation of GeSn layer sandwiched with strain-controlled GeSiSn layers 国際会議

    9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  129. Crystalline and Electrical Properties of in-situ Sb-Doped Ge1-xSnx Epitaxial Layers 国際会議

    9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  130. Phosphorus doping into Ge with low electrical damage by liquid immersion laser doping 国際会議

    9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  131. Strain measurement of heteroepitaxial GeSn/Ge with a finFET structure 国際会議

    K. Saitoh, K. Doi, N. Tanaka, S. Ike, O. Nakatsuka, S. Zaima

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  132. Schottky Barrier Engineering by Epitaxial Metal Germanide/Germanium Contacts 国際会議

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  133. X-ray Microdiffraction Characterization of Local Strain Distribution in GeSn/Ge Nanostructures 国際会議

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  134. Silicon-tin semiconductors for near-infrared optoelectronic device applications 国際会議

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  135. Calculation of Si1-xSnx Energy Band Structures by using Density Functional Theory Considering Atomic Configuration 国際会議

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  136. Characterization of electrically active defects in epitaxial GeSn/n-Ge junctions 国際会議

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  137. Control of Schottky Barrier Height at Metal/Ge Interface by SnxGe1-x Interlayer 国際会議

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  138. Electrical Characteristics of Ge pn-junction Diodes Prepared by Using Liquid Immersion Laser Doping 国際会議

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  139. Recent Progress of Silicon Tin Alloys for Advanced Semiconductor Devices 国際会議

    M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN 2015) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  140. Crystal growth and energy band engineering of group-IV semiconductor thin films for nanoelectronic applications 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, M. Sakashita, and S. Zaima

    International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN 2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  141. Influence of Atomic Layer Deposition Temperature of GeO2 Layer on Electrical Properties of Ge Gate Stack 国際会議

    M. Kanematsu, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

    2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (2015 IWDTF) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  142. Evaluation of Energy Band Structure of Si1-xSnx by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy 国際会議

    Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima

    2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (2015 IWDTF) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  143. Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits 招待有り 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita

    The 228th Electrochemical Society Meeting 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Phoenix   国名:アメリカ合衆国  

  144. Crystal Growth of GeSn-related Group-IV Thin Films for Integrating on Si Nanoelectronics Platform 招待有り 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi and M. Sakashita

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Sapporo   国名:日本国  

  145. Impact of Ultra-high Sn Content SnxGe1-x Interlayer on Reducing Schottky Barrier Height at Metal/n-Ge Interface 国際会議

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa and S. Zaima

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015) 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sapporo   国名:日本国  

  146. Influence of in-situ Sb-Doping on Crystalline and Electrical Characteristics of n-type Ge1-xSnx Epitaxial Layer 国際会議

    J. Jeon, T. Asano, W. Takeuchi, M. Kurosawa, O. Nakatsuka and S. Zaima

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015) 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sapporo   国名:日本国  

  147. Effect of Nitridation for SiO2/SiC Interface on Defects Properties near Conduction Band Edge 国際会議

    W. Takeuchi, K. Yamamoto, M. Sakashita, T. Kanemura, O. Nakatsuka and S. Zaima

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sapporo   国名:日本国  

  148. Influence of Precursor Gas on SiGe Epitaxial Material Quality in Terms of Structural and Electrical Defects 国際会議

    S. Ike, E. Simoen, Y. Shimura, A. Hikavyy, W. Vandervorst, R. Loo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka and S. Zaima

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sapporo   国名:日本国  

  149. Crystalline Structure and Chemical Reaction of Ti Thin Layer on Highly Oriented Pyrolytic Graphite 国際会議

    O. Nakatsuka, K. Hisada, S. Oida, A. Sakai, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2015: 25th Asian Session (ADMETA Plus 2015) 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Seoul   国名:大韓民国  

  150. Characterization of Deep-level Defects in Epitaxial Ge1-xSnx/Ge structure 招待有り 国際会議

    W. Takeuchi, T. Asano, Y. Inuzuka, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima

    JSPS International Core-to-Core Program Workshop Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Marseille   国名:フランス共和国  

  151. Reduction of Schottky barrier height with Sn/Ge contact 国際会議

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, S. Zaima

    JSPS International Core-to-Core Program Workshop Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Marseille   国名:フランス共和国  

  152. Development of polycrystalline Sn-related group-IV semiconductor thin films - Aiming for 3D-IC 招待有り 国際会議

    M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015) 

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    開催年月日: 2015年6月 - 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Jeju island   国名:大韓民国  

  153. Formation of Ge pn-junction diode by phosphorus doping with liquid immersion laser irradiation 国際会議

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

    15th International Workshop on Junction Technology 2015 (IWJT 2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto   国名:日本国  

  154. Formation of type-I energy band alignment of Ge1-x-ySixSny/Ge hetero structure 国際会議

    T. Yamaha, K. Kato, S. Shibayama, T. Asano, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 9th International Conference On Silicon Epitaxy And Heterostructures (ICSI-9) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Montreal   国名:カナダ  

  155. Thermophysical characterizations of Ge1-xSnx epitaxial layers aiming for thermoelectric devices 国際会議

    M. Kurosawa, M. Fukuda, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 9th International Conference On Silicon Epitaxy And Heterostructures (ICSI-9) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Montreal   国名:カナダ  

  156. Characterization of Crystallinity of Ge1-xSnx Epitaxial Layers Grown by using Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 国際会議

    Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 9th International Conference On Silicon Epitaxy And Heterostructures (ICSI-9) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Montreal   国名:カナダ  

  157. Control of Electrically Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers 国際会議

    T. Asano, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

    The 9th International Conference On Silicon Epitaxy And Heterostructures (ICSI-9) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Montreal   国名:カナダ  

  158. Solid Phase Epitaxy of High Sn Content Si1-xSnx layer (x>0.2) on Ge Substrates for Optical Communication Applications 国際会議

    M. Kato, M. Kurosawa, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 9th International Conference On Silicon Epitaxy And Heterostructures (ICSI-9) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Montreal   国名:カナダ  

  159. Electrically-Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxtial Layer 国際会議

    W. Takeuchi, T. Asano, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

    7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 8th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2015 / IC-PLANTS 2015) 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  160. Solid phase epitaxy of Ge1-x-ySnxCy ternary alloy layers 国際会議

    H. Oda, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

    7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 8th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2015 / IC-PLANTS 2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  161. Crystal growth of Si1-xSnx alloys with high Sn contents 国際会議

    M. Kurosawa, M. Kato, Y. Nagae, T. Yamaha, O. Nakatsuka and S. Zaima

    8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  162. Epitaxial Growth of Ge1-xSnx Thin Films by using Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 国際会議

    Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  163. Formation of strain-free Si1-x-yGexSny layers on Ge surfaces by using solid-liquid coexisting annealing 国際会議

    M. Kato, M. Kurosawa, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima

    8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  164. Photoluminescence Property of Ge1-xSnx Epitaxial Layers Grown on Ge(001) substrates 国際会議

    T. Asano, K. Hozaki, T. Koyama, N. Taoka, O. Nakatsuka, H. Kishida and S. Zaima

    8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  165. Behaviors of tin related defects in Sb doped n-type germanium 国際会議

    W. Takeuchi, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima

    8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  166. Crystalline and Optical Properties of Ge1-x-ySixSny Ternary Alloy Layers for Solar Cell Application 国際会議

    T. Yamaha, S. Asaba, T. Terashima, T. Asano, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  167. Growth and Characterization of Si1-x-ySnxCy Ternary Alloy Thin Films for Solar Cell Application 国際会議

    T. Yamaha, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 6th World Conferenceon Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kyoto   国名:日本国  

  168. Development of metal/Ge contacts for engineering Schottky barriers 国際会議

    O. Nakatsuka, Y. Deng, A. Suzuki, S. Shibayama, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

    JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Leuven(imec)   国名:ベルギー王国  

  169. Hydrogen Surfactant Epitaxy of Ge1-xSnx Layers 国際会議

    T. Asano, N. Taoka, K. Hozaki, W. Takeuchi,M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Leuven(imec)   国名:ベルギー王国  

  170. Growth and Characterization of Ternary Alloy Ge1-x-ySnxCy Layers 国際会議

    T. Yamaha, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Leuven(imec)   国名:ベルギー王国  

  171. Study of Local Strain Distribution in Ge1-xSnx/Ge Fine Structure by using Synchrotron X-ray Microdiffraction 国際会議

    S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

    JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Leuven(imec)   国名:ベルギー王国  

  172. Formation of Epitaxial NiGe Layer on Ge(001) Substrate and Influence of Interface Structure on Schottky Barrier Height 国際会議

    O. Nakatsuka, Y. Deng, M. Sakashita, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2014: 24th Asian Session (ADMETA Plus 2014) in conjunction with the 3rd International Workshop on Advanced Packaging & System Technology (IWAPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  173. Low Schottky barrier height contacts with Sn electrode for various orientation n-Ge substrates 国際会議

    A. Suzuki, D. Yunsheng, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2014: 24th Asian Session (ADMETA Plus 2014) in conjunction with the 3rd International Workshop on Advanced Packaging & System Technology (IWAPS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  174. Poly & Epitaxial Crystallization of Silicon-tin Binary Alloys for Future Optoelectronics 国際会議

    M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    16th International Conference on Thin Films (ICTF16) 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Dubrovnik   国名:クロアチア共和国  

  175. Challenges and Developments in GeSn Process Technology for Si Nanoelectronics 招待有り 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, K. Kato, W. Takeuchi, and M. Sakashita

    226th Meeting of The Electrochemical Society (ECS) and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Cancun   国名:メキシコ合衆国  

  176. Epitaxial Growth of GeSn Layers on (001), (110), and (111) Si and Ge Substrates 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and S. Zaima

    226th Meeting of The Electrochemical Society (ECS) and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Cancun   国名:メキシコ合衆国  

  177. Operations of CMOS Inverter and Ring Oscillator Composed of Ultra-Thin Body Poly-Ge p- and n-MISFETs for Stacked Channel 3D-IC 国際会議

    Y. Kamata, M. Koike, E. Kurosawa, M. Kurosawa, H. Ota, O. Nakatsuka, S. Zaima and T. Tezuka

    2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba   国名:日本国  

  178. Growth of Two Inch Si0.5Ge0.5 Bulk Single Crystals 国際会議

    K. Kinoshita, Y. Arai, O. Nakatsuka, K. Taguchi, H. Tomioka, R. Tanaka and S. Yoda

    2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba   国名:日本国  

  179. Impact of Hydrogen Surfactant Epitaxy and Annealing on Crystallinity of Epitaxial Ge1-xSnx Layers 国際会議

    T. Asano, N. Taoka, K. Hozaki, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima

    2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba   国名:日本国  

  180. Formation and Energy Band Engineering of Ternary Alloy Ge1-x-ySnxCy Layers 国際会議

    T. Yamaha, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima

    2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba   国名:日本国  

  181. Electrically Active Defects in GeSnSi/Ge Junctions Formed at Low Temperature 国際会議

    N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, T. Terashima, S. Asaba, O. Nakatsuka, P. Zaumseil, G. Capellini, T. Schroeder and S. Zaima

    2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tsukuba   国名:日本国  

  182. Sub-300C fabrication of poly-GeSn junctionless tri-gate p-FETs enabling sequential 3D integration of CMOS circuits 国際会議

    M. Kurosawa, Y. Kamata, H. Ikenoue, N. Taoka, O. Nakatsuka, T. Tezuka and S. Zaima

    2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba   国名:日本国  

  183. Mobility behavior of Si1-x-yGexSny polycrystals grown on insulators 国際会議

    T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Union of Materials Research Societies - International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014) 

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  184. Transformation of Defects Structure in Germanium by Sn Ion Implantation 国際会議

    W. Takeuchi, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Union of Materials Research Societies - International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014) 

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  185. Crystalline Growth and Characterization of Group-IV Ternary Alloy Thin Films for Solar Cell 国際会議

    T. Yamaha, K. Terasawa, T. Terashima, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Grand Renewable Energy 2014 International Conference and Exhibition 

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    開催年月日: 2014年7月 - 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  186. Low temperature growth of SiSn polycrystals with high Sn contents on insulating layers 国際会議

    M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014) 

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:シンガポール共和国  

  187. Impact of Sn incorporation on low temperature growth of polycrystalline-Si1-xGex layers on insulators 国際会議

    T. Yamaha, T. Ohmura, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014) 

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  188. Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1-x-ySixSny Layers on Ge(001) Substrates 国際会議

    T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014) 

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  189. Crystal growth of Sn-related group-IV alloy thin films for advanced silicon nanoelectronics 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, T. Asano, T. Yamaha, and W. Takauchi

    International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014) 

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:シンガポール共和国  

  190. Growth and crystalline properties of Ge1-x-ySnxCy ternary alloy thin films on Ge(001) substrate 国際会議

    K. Terasawa, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, E. Kamiyama, R. Matsutani, R. Suwa, K. Kashima, K. Izunome, K. Sueoka, and S. Zaima

    International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014) 

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  191. Impact of crystalline structure on electrical property of NiGe/Ge contact 国際会議

    Y. Deng, O. Nakatsuka, N. Taoka, S. Zaima

    International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:シンガポール共和国  

  192. Formation and Electrical Properties of Metal/Ge1-xSnx Contacts 国際会議

    O. Nakatsuka, T. Nishimura, A. Suzuki, K. Kato, Y. Deng, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

    14th International Workshop on Junction Technology (IWJT 2014) 

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    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  193. Strain Distributions at Edge of Corner in Bonded Si in Chip-on-Wafer Structures 国際会議

    N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Mizushima, H. Kitada, Y. S. Kim, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima

    Materials for Advanced metallization (MAM 2014) 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  194. Formation and Electrical Property of Epitaxial NiGe/Ge(110) Schottky Contacts 国際会議

    Y. Deng, O. Nakatsuka, N. Taoka and S. Zaima

    7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar 

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    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  195. Sn-assisted low temperature crystallization of polycrystalline Ge1-xSnx thin-films on insulating surfaces 国際会議

    M. Kurosawa, T. Yamaha, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, H. Ikenoue, and S. Zaima

    7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar 

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    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  196. Substrate Orientation Dependence of Crystalline Structures of Epitaxial GeSn Layers 国際会議

    T. Asano, S. Kidowaki, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima

    7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  197. Characterization of Crystalline Structures of SiGe Substrate Formed by Traveling Liquidus-Zone Method and Fabrication of Strained Ge Layer 国際会議

    T. Yamaha, O. Nakatsuka, N. Taoka, K. Kinoshita, S. Yoda and S. Zaima

    7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  198. Sn-related Group-IV semiconductor materials for electronic and optoelectronic applications 国際会議

    O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

    3rd international Conference on Nanotek and Expo (Nanotek-2013) 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  199. Development of Ge1-xSn and Ge1-x-ySixSny thin film materials for future electronic applications 国際会議

    O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, K. Kato, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

    8th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (THERMEC' 2013) 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  200. Quantitative Guideline for Formation of Ge MOS Interface with Low Interface State Density 国際会議

    S. Shibayama, K. Kato, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

    2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (IWDTF 2013) 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  201. Robustness of Sn Precipitation During Thermal Process of Ge1-xSnx 国際会議

    K. Kato, T. Asano, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

    2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (IWDTF 2013) 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  202. Interface Properties of Al2O3/Ge MOS Structures with Thin Ge Oxide Interfacial Layer Formed by Pulsed MOCVD 国際会議

    T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

    2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (IWDTF 2013) 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  203. Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials On Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications: Challenges and Opportunities 国際会議

    O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita and S. Zaima

    The 224th Electrochemical Society Meeting 

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  204. Reduction of Interface States Density due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface 国際会議

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima

    The 224th Electrochemical Society Meeting 

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  205. Characterization of Local Strain Structures in Heteroepitaxial Ge1-xSnx/Ge Microstructures by using Microdiffraction Method 国際会議

    S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

    The 224th Electrochemical Society Meeting 

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  206. Interaction between Sn atoms and Defects Introduced by Ion Implantation in Ge Substrate 国際会議

    N. Taoka, M. Fukudome, T. Arahira, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    JSPS Core-to-Core Program Workshop - Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration - 

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    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  207. Stabilization for Higher-k Films with Meta-Stable Crystalline Structure 国際会議

    K. Kato, T. Saito, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    JSPS Core-to-Core Program Workshop - Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration - 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  208. Fluctuation of Lattice Spacing around Trough Si Vias in Wafer -on -wafer Structures 国際会議

    N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Mizushima, H. Kitada, Y. S. Kim, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2013 (AMC 2013) 30th Edition 

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    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  209. Formation and Crystalline Structure of Ni Silicides on Si(110) Substrate 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Hasegawa, K. Kato, N. Taoka, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2013:23rd Asian Session (ADMETA Plus 2013) 

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    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  210. Fluctuation of Lattice Spacing around Trough Si Vias in Wafer -on -wafer Structures 国際会議

    N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Mizushima, H. Kitada, Y. S. Kim, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2013:23rd Asian Session (ADMETA Plus 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  211. Thermal Stability of Epitaxial NiGe Layers Formed on Ge(110) Substrate 国際会議

    Y. Deng, O. Nakatsuka, N. Taoka, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2013:23rd Asian Session (ADMETA Plus 2013) 

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    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  212. Reduction of Schottky Barrier Height for n-type Ge Contact by using Sn Electrode 国際会議

    A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, K. Kato, M. Sakashita, N. Taoka and S. Zaima

    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013) 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  213. Engineering of Energy Band Structure with Epitaxial Ge1-x-ySixSny/n-Ge Hetero Junctions for Solar Cell Applications 国際会議

    S. Asaba, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima

    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013) 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  214. Interaction of Sn atoms with Defects Introduced by Ion Implantation in Ge Substrate 国際会議

    T. Arahira, M. Fukudome, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima

    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013) 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  215. Large grain growth of poly-GeSn on insulator by pulsed laser annealing in water 国際会議

    M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka and S. Zaima

    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013) 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  216. Strain Undulation around Through Si Vias in Wafer-On-Wafer Structures 国際会議

    N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Mizushima, H. Kitada, Y. S. Kim, T. Nakamura, T. Ohba and S. Zaima

    2nd international Workshop Advanced Packaging & System Technology (IWAPS 2013) 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  217. Function of Additional Element Incorporation for Tetragonal ZrO2 Formation 国際会議

    K. Kato, T. Saito, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima

    NIMS Conference 2013 -Structure Control of Atomic/Molecular Thin Films and Their Applications- 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  218. Crystalline Structures and Electrical Property of Epitaxial Ni Germanide Layers Formed on Ge(110) Substrate 国際会議

    Y. Deng, J. Yokoi, O. Nakatsuka, N. Taoka, S. Zaima

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  219. Incorporation of a Vacancy with an Sn Atom in Epitaxial Ge1-xSnx Film Growth at Lower Temperature 国際会議

    E. Kamiyama, K. Sueoka, O. Nakatsuka, N. Taoka, S. Zaima, K. Izunome, K. Kashima

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  220. Lateral Growth Enhancement of Poly-Ge1-xSnx on SiO2 using a Eutectic Reaction 国際会議

    M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, S. Zaima

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  221. Electrical Activity of Threading Dislocations and Defect Complexes in GeSn Epitaxial Layers 国際会議

    S. Gupta, E. Simoen, T. Asano, O. Nakatsuka, F. Gencarelli, Y. Shimura, A. Moussa, R. Loo, S. Zaima, B. Baert, A. Dobri, N. D. Nguyen, M. Heyns

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  222. Impacts of AlGeO Formation by Post Thermal Oxidation of Al2O3/Ge Structure on Interface Properties 国際会議

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  223. Formation of Tetragonal ZrO2 Thin Film by ALD Method 国際会議

    K. Kato, T. Saito, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  224. Influence of Ge Substrate Orientation on Crystalline Structures of Ge1-xSnx Epitaxial Layers 国際会議

    T. Asano, S. Kidowaki, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  225. Epitaxial Growth of Strained Ge Layer on Si1-xGex Substrate Formed with Traveling Liquidus-Zone Method 国際会議

    T. Yamaha, O. Nakatsuka, N. Taoka, K. Kinoshita, S. Yoda, S. Zaima

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  226. Crystalline Phase Control of Pr-Oxide Films by Regulating Oxidant Partial Pressure and Si Diffusion 国際会議

    K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  227. Formation and Characterization of Locally Strained Ge1-xSnx/Ge Microstructures 国際会議

    S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, S. Zaima

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  228. Control of Al2O3/Ge interfacial structures by post oxidation technique using oxygen radical 国際会議

    K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima

    5rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  229. Defects introduced in germanium substrate by reactive ion etching 国際会議

    Kusumandari, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima

    5rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  230. Formation and Stress Characterization of NiGe/Ge(110) and Ge(001) Contacts 国際会議

    Y. Deng, J. Yokoi, O. Nakatsuka and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2012: 22nd Asian Session (ADMETA Plus 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  231. Impedance Spectroscopy of GeSn/Ge Heterostructures by a Numerical Method 国際会議

    B. Baert, O. Nakatsuka, S. Zaima and N. Nguyen

    The Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012) Joint International 222nd ECS Meeting 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  232. Growth and Characterization of Heteroepitaxial Layers of Ge1-x-ySixSny Ternary Alloy 国際会議

    T. Yamaha, O. Nakatsuka, S. Takeuchi, W. Takeuchi, N. Taoka, K. Araki, K. Izunome and S. Zaima

    The Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012) Joint International 222nd ECS Meeting 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  233. Growth and Optical Properties of Ge1-xSnx Alloy Thin Films with a High Sn Content 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Nakamura, W. Takeuchi, Y. Shimura and N. Taoka

    The Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012) Joint International 222nd ECS Meeting 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  234. Potential of GeSn Alloys for Application to Future Nanoelectronics 国際会議

    O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 6th Kentingan Physics Forum (the 6th KPF): International Conference on Physics and Its Applications (ICOPIA) 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:インドネシア共和国  

  235. Increase of Si0.5Ge0.5 Bulk Single Crystal Size as Substrates for Strained Ge Epitaxial Layers 国際会議

    K. Kinoshita, O. Nakatsuka, Y. Arai, K. Taguchi, H. Tomioka, R. Tanaka and S. Yoda

    2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  236. Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical 国際会議

    K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  237. High Mobility Poly-GeSn Layer Formed by Low Temperature Solid Phase Crystallization 国際会議

    W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Fukutome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  238. Impact of Sn corporation on Epitaxial Growth of Ge Layers on Si(110) Substrates 国際会議

    S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima

    2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  239. In situ Sb doping in Ge1-xSnx Epitaxial Layers with High Sn Contents 国際会議

    K. Hozaki, M. Nakamura, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Union of Materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  240. Electrical Properties of Epitaxially Grown p+-Ge1-xSnx/n-Ge Diodes 国際会議

    S. Asaba, J. Yokoi, H. Matsuhita, Y. Deng, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Union of Materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  241. Importance of Si Bandbending at Zero Bias Condition for Schottky Barrier Height Control at Metal/Si Interfaces with Ultra-thin Al2O3 Layer 国際会議

    H. Matsushita, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima

    International Union of Materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  242. Thermal Oxidation Mechanism of Ge through Al2O3 Layer Formed on Ge Substrate 国際会議

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Union of Materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  243. Epitaxial Growth of Ge1-xSnx Layers on (110)-oriented Si and Ge Substrates 国際会議

    T. Asano, S. Kidowaki, Y. Shimura, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Union of Materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  244. Epitaxial Growth and Characterizations of Ge1-xSnx and Ge1-x-ySixSny Thin Layers for Nanoelectronic and Optoelectronic Applications 国際会議

    O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Sakashita, W. Takeuchi, S. Zaima

    University of Vigo and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スペイン  

  245. Effects of Light and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures 国際会議

    Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  246. Potential of GeSn Alloys for Application to Si Nanoelectronics 国際会議

    S. Zaima, Y. Shimura, M. Nakamura, W. Takeuchi, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

    2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  247. Control of Interfacial and Electrical Properties of Metal/Pr-oxide/Ge Gate Stack Structures 国際会議

    K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima

    CNSE and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  248. GeSn Alloy for Nanoelectronic and Optoelectronic Devices 国際会議

    O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka and S. Zaima

    CNSE and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  249. Epitaxial Growth and Characterization of GeSn Layers on Ge(110) and Si(110) Substrates 国際会議

    T. Asano, S. Kidowaki, Y. Shimura, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima

    CNSE and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  250. Epitaxial Growth and Anisotropic Strain Relaxation of Ge1-xSnx Layers on Ge(110) Substrates 国際会議

    T. Asano, Y. Shimura, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International SiGe Technology and Device Meeting 2012 (ISTDM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  251. Electrical Characterization of p-Ge1-xSnx/p-Ge and p-Ge1-xSnx/n-Ge Heterostructures by Numerical Simulation of Admittance Spectroscopy 国際会議

    B. Baert, D. Y. N. Truong, O. Nakatsuka, S. Zaima, and N. D. Nguyen

    International SiGe Technology and Device Meeting 2012 (ISTDM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  252. Material properties and applications of Ge1-xSnx alloys for Ge Nanoelectronics 国際会議

    O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, and S. Zaima

    International SiGe Technology and Device Meeting 2012 (ISTDM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  253. Optical Properties of Ge1-xSnx Epitaxial Layers with Very High Sn Contents 国際会議

    M. Nakamura, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International SiGe Technology and Device Meeting 2012 (ISTDM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  254. Effect of Gate Metal Electrode on Chemical Bonding State in Metal/Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure 国際会議

    K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International SiGe Technology and Device Meeting 2012 (ISTDM 2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  255. Comprehensive Study of Local Strain Structures with High Strain Resolution for Through-Silicon Via Interconnects 国際会議

    O. Nakatsuka, H. Kitada, Y. S. Kim, Y. Mizushima, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima

    12th International Workshop on Stress-Induced Phenomena in Metallization 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  256. Periodic Strain Undulation around Through Si Vias in Wafer-On-Wafer Structures 国際会議

    N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Mizushima, H. Kitada, Y. S. Kim, T. Nakamura, T. Ohba and S. Zaima

    Materials for Advanced Metallization 2013 (MAM 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ベルギー王国  

  257. A comparative study of metal germanide formation on Ge1-xSnx 国際会議

    J. Demeulemeester, A. Schrauwen, K. Van Stiphout, O. Nakatsuka, M. Adachi, Y. Shimura, S. Zaima, C. M. Comrie, C. Detavernier, K. Temst, and A. Vantommea

    Materials for Advanced Metallization 2013 (MAM 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ベルギー王国  

  258. Feasibility of Ge Device Fabrication by Low Temperature Processes on ULSI Circuits 国際会議

    N. Taoka, M. Kurosawa, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima

    6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  259. Crystalline and Electrical Properties of Ni germanium/Ge(110) Contacts 国際会議

    O. Nakatsuka, J. Yokoi, Y. Deng, N. Taoka and S. Zaima

    6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  260. Growth and Characterization of Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layers for Solar Cell 国際会議

    T. Yamaha, O. Nakatsuka, N. Taoka, W. Takeuchi and S. Zaima

    6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  261. Crystalline Properties of Ge1-xSnx Epitaxial Layers on Ge(110) 国際会議

    T. Asano, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima

    6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  262. Control of Interfacial Reactions in Al2O3/Ge Structures 国際会議

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima

    6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  263. Low temperature crystallization of group-IV semiconductors induced by eutectic metals (Al, Sn) 国際会議

    M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao and S. Zaima

    6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  264. Characterization of Local Strain around Trough Silicon Via Interconnects in Wafer-on-wafer Structures 国際会議

    O. Nakatsuka, H. Kitada, Y. S. Kim, Y. Mizushima, T. Nakamura, T. Ohba and S. Zaima

    IEEE International 3D System Integration Conference 2011 (IEEE 3DIC 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月 - 2012年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  265. Analysis of Strain Structures for Semiconductor Integrated Circuits with Micro Raman Spectroscopy 国際会議

    O. Nakatsuka

    The latest applications by the Modern Laser Raman Microscopy 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:台湾  

  266. Materials Innovation in Si Nanoelectronics 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka

    2011 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS'11) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  267. Electrical Properties of Ultrathin-Nickel-Silicide Schottky Diodes on Si (100) 国際会議

    Y. Tamura, K. Kakushima, O. Nakatsuka, P. Ahmet, H. Nohira, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, and R. Yoshihara

    15th The International Conference on Thin Films, 2011 (ICTF-15) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  268. Effect of Interfacial Reactions in Radical Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure 国際会議

    K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    15th The International Conference on Thin Films, 2011 (ICTF-15) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  269. Suppressive Effect of Interface Reaction and Water Absorption by Al Incorporation into Pr-Oxide Film 国際会議

    W. Takeuchi, K. Furuta, K. Kato, M. Sakashita, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    15th The International Conference on Thin Films, 2011 (ICTF-15) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  270. GeSn Technology: Impact of Sn on Ge CMOS Applications 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, M. Adachi, M. Nakamura, S. Takeuchi, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, M. Caymax, and R. Loo

    220th The Electrochemical Society meeting (ECS 220th Meeting) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  271. Comprehensive Study of Local Strain Structures with High Strain Resolution for Through-Silicon Via Interconnects 国際会議

    O. Nakatsuka, H. Kitada, Y. S. Kim, Y. Mizushima, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima

    28th Annual Advanced Metallization Conference 2011 (AMC 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  272. Control of Defect Properties in Ge Heteroepitaxial Layers by Sn Incorporation and H2-Annealing 国際会議

    M. Adachi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  273. Formation and Properties of Epitaxial NiGe/Ge(110) Contacts 国際会議

    J. Yokoi, O. Nakatsuka, and S. Zaima,

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  274. Strain and Dislocation Structures of Ge1-xSnx Heteroepitaxial Layers Grown on Ge(110) Substrates 国際会議

    T. Asano, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  275. Strained Ge Layers on SiGe(Sn) Buffer Layers Formed by Solid-phase Mixing Method 国際会議

    T. Yamaha, K. Mochizuki, Y. Shimura, O.Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  276. Comprehensive Study of Local Strain Structures with High Strain Resolution for Through-Silicon Via Interconnects 国際会議

    O. Nakatsuka, H. Kitada, Y. S. Kim, Y. Mizushima, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2011 (ADMETA plus 2011): 21st Asian Session 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  277. Electrical and optical properties of GeSn alloys 国際会議

    O. Nakatsuka, Y. Shimura, M. Adachi, M. Nakamura, and S. Zaima

    2nd GeSnWorkshop: GeSn Development and Future Applications 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ベルギー王国  

  278. Improvement of Al2O3 Interfacial Properties by O2 Annealing 国際会議

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (iCSi-7 2011&GeSnWorkshop) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ベルギー王国  

  279. Homogeneous Si0.5Ge0.5 Bulk Crystal Growth as Substrates for Strained Ge Thin Films by the Traveling Liquidus-Zone Method 国際会議

    K. Kinoshita, O. Nakatsuka, S. Yoda, and S. Zaima

    7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (iCSi-7 2011&GeSnWorkshop) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ベルギー王国  

  280. Growth of Ge1-xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates 国際会議

    M. Nakamura, Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (iCSi-7 2011&GeSnWorkshop) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ベルギー王国  

  281. In-situ Ga Doping to Fully Strained Ge1-xSnx Heteroepitaxial Layers Grown on Ge(001) Substrates 国際会議

    Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, W. Vandervorst, M. Caymax, R. Loo, and S. Zaima

    7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (iCSi-7 2011&GeSnWorkshop) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ベルギー王国  

  282. Low Temperature Formation of Si1-x-yGexSny-on-Insulator Structures by Using Solid-Phase Mixing of Ge1-zSnz/Si-on-Insulator Substrates 国際会議

    K. Mochizuki, T. Yamaha, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (iCSi-7 2011&GeSnWorkshop) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ベルギー王国  

  283. Epitaxial Growth of Ge1-xSnx for Strained Ge CMOS Devices 国際会議

    S. Zaima, Y. Shimura, S. Takeuchi and O. Nakatsuka

    International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (THERMEC' 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:カナダ  

  284. Control of Surface and Interfacial Structure by Radical Nitridation Technique for Ge MOS Transistors 国際会議

    K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 4th International Conference on PLAsma-NanoTechnology & Science (IC-PLANTS 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  285. Characterization of Damages of Al2O3/Ge Gate Stacks Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation 国際会議

    Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

    3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPLasma 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  286. Control of Interfacial Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure using Radical Nitridation Technique 国際会議

    K. Kato, S. Kyogoku, M. Sakashita, W. Takeuchi, H. Kondo, O. Nakatsuka, S. Zaima

    2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF 2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  287. Influence of Light Radiation on Electrical Properties of Al2O3/Ge and GeO2/Ge Gate Stacks in Nitrogen Plasma 国際会議

    Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

    2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF 2011) 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  288. Theory of Workfunction Control of Silicides by Doping for Future Si-Nano-devices based on Fundamental Physics of Why Silicides Exist in Nature 国際会議

    T.Nakayama, K. Kakushima, O. Nakatsuka, Y. Machida, S. Sotome, T. Matsuki, K. Ohmori, H. Iwai, S. Zaima, T. Chikyow, K. Shiraishi, and K. Yamada

    2010  IEEE International Electron Devices Meeting 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  289. Study of Ge Surface Passivation using Radical Nitridation Technique for Ge Channel MOS Transistors 国際会議

    K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

    The 1st Korea-Japan Symposium on Surface Technology 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  290. Tensile-Strained Ge and Ge1-xSnx Layers for High-Mobility Channels in Future CMOS Devices 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi

    International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT 2010) 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:中華人民共和国  

  291. Formation of Palladium Silicide Thin Layers on Si (110) Substrates 国際会議

    R. Suryana, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2010: 20th Asian Session (ADMETA 2010) 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  292. Characterization of Local Strain around Through-Silicon Via Interconnects by using X-ray Microdiffraction 国際会議

    O. Nakatsuka, H. Kitada, Y. S. Kim, Y. Mizushima, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2010: 20th Asian Session (ADMETA 2010) 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  293. Control of Strain Relaxation Behavior of Ge1-xSnx Layers for Tensile Strained Ge Layers 国際会議

    Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    218th ECS Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  294. Assessment of Ge1-xSnx Alloys for Strained Ge CMOS Devices 国際会議

    S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

    218th ECS Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  295. Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy 国際会議

    M. Adachi, M. Sakashita, H. Kondo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010) 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  296. Effects of Al Incorporation into Pr-oxides Formed by Atomic Layer Deposition 国際会議

    K. Furuta, W. Takeuchi, M. Sakashita, K. Kato, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  297. Growth and Characterization of GeSn and Tensile-Strained Ge Layers for High Mobility Channels of CMOS Devices 国際会議

    O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, and S. Zaima

    The 7th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing 

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    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  298. Microscopic structure of directly bonded silicon substrates

    T. Kato, Y. Ohara, T. Ueda, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, H. Tajiri, O. Sakata, and S. Kimura

    International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano Electronics (ISTESNE) 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  299. Control of strain structure by microfabrication of Ge/Si1-xGex layers on Si(001) Substrates

    K. Mochizuki, T. Mizutani, O. Nakatsuka, H. Kondo, and S. Zaima

    International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano Electronics (ISTESNE) 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  300. Dependence of electrical properties on crystalline structures of Mn5Ge3/Ge Schottky contacts 国際会議

    T. Nishimura, O. Nakatsuka, S. Akimoto, and S. Zaima

    International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano Electronics (ISTESNE) 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  301. Impact of nitride interfacial layer on electrical properties of high-k/Ge stacked structures

    K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano Electronics (ISTESNE) 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  302. Crystalline and electrical properties of PrAlO gate insulator films formed by atomic layer deposition

    K. Furuta, W. Takeuchi, M. Sakashita, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano Electronics (ISTESNE) 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  303. Nitrogen content dependence of crystalline and electrical properties of ternary transition metal gate electrodes

    H. Matsushita, K. Miyamoto, K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano Electronics (ISTESNE) 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  304. Structural change during the formation of directly bonded silicon substrates

    T. Kato, T. Ueda, Y. Ohara, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, Y. Imai, S. Kimura, and O. Sakata

    International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano Electronics (ISTESNE) 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  305. Formation of Ge1-xSnx heteroepitaxial layers with high Sn content 国際会議

    Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

    International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano Electronics (ISTESNE) 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  306. Strained Ge and Ge1-xSnx technology for future CMOS devices

    S. Zaima, O. Nakatsuka, S. Takeuchi, Y. Shimura, A. Sakai, H. Kondo, and M. Sakashita

    International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano Electronics (ISTESNE) 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  307. Material Assessment for uni-axial strained Ge pMOS -1: Characterization of GeSn(B) material 国際会議

    B. Vincent, Y. Shimura, S. Takeuchi, T. Nishimura, J. Demeulemeester, G. Eneman, T. Clarysse, W. Vandervorst, A. Vantomme, O. Nakatsuka, S. Zaima, J. Dekoster, M. Caymax, and R. Loo

    International Workshop of GeSn Developments and Future Applications 

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    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  308. GeSn: future applications and strategy 国際会議

    R. Loo, M. Caymax, B. Vincent, J. Dekoster, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima, K. Temst, A. Vantomme

    International Workshop of GeSn Developments and Future Applications 

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    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  309. (Si)GeSn requirements for optical device applications and solar cells 国際会議

    S. Takeuchi, B. Vincent, K. Temst, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, S. Zaima

    International Workshop of GeSn Developments and Future Applications 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  310. Material Assessment for uni-axial strained Ge pMOS-2: Formation of Ni(GeSn) Layers with Solid-Phase Reactor 国際会議

    T. Nishimura, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Workshop of GeSn Developments and Future Applications 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  311. Bi-axially strained Ge grown on GeSn SRBs 国際会議

    O. Nakatsuka, S. Takeuchi, Y. Shimura, A. Sakai, and S. Zaima

    International Workshop of GeSn Developments and Future Applications 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  312. Control of Interfacial Properties of Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure by Introduction of Nitrogen 国際会議

    K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

    5th International SiGe Technology Device Meeting 2010 (ISTDM2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  313. Ge1-xSnx stressors for strained-Ge CMOS 国際会議

    S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, S. Zaima,

    5th International SiGe Technology Device Meeting 2010 (ISTDM2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  314. Control of Strain Relaxation Behavior of Ge1-xSnx Layers: Toward Tensile-Strained Ge Layers with Strain Value over 1% 国際会議

    Y. Shimura, S. Takeuchi, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

    5th International SiGe Technology Device Meeting 2010 (ISTDM2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  315. Formation of Ni(Ge1-xSnx) Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ge1-xSnx/Ge Systems 国際会議

    T. Nishimura, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, S. Zaima

    5th International SiGe Technology Device Meeting 2010 (ISTDM2010) 

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    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  316. Crystalline Orientation Dependence of Electrical Properties on Mn Germanide/Ge(111) and (001) Schottky Contacts 国際会議

    T. Nishimura, O. Nakatsuka, S. Zaima

    Materials for Advanced Metallization Conference 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  317. Strain Relaxation Behavior of Ge1-xSnx Buffer Layers on Si and Virtual Ge Substrates 国際会議

    Y. Shimura, S. Takeuchi, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

    5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, pp. 43-44, Sendai, Japan, Jan. 29-30, 2010. 

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    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  318. Potential of Ge1-xSnx alloys as high mobility channel materials and stressors 国際会議

    S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

    5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  319. Microscopic characterization of Si(011)/Si(001) direct silicon bonding substrates 国際会議

    T. Kato, T. Ueda, Y. Ohara, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, Y. Imai, S. Kimura, and O. Sakata

    5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  320. Control of Local Strain Structures by Microfabricated Shapes of Ge/Si1-xGex Layers 国際会議

    K. Mochizuki, T. Mizutani, O. Nakatsuka, H. Kondo, S. Zaima

    5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  321. Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si (001) Substrates Using Ti Intermediate Layer 国際会議

    R. Suryana, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2009 (ADMETA): 19th Asian Session 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  322. Mobility Behavior in Ge1-xSnx Layers Grown on SOI Substrates 国際会議

    N. Tsutsui, Y. Shimura, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima,

    2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  323. Influence of Interfacial Structure on Electrical Properties of Metal/Ge Schottky Contacts 国際会議

    O. Nakatsuka, S. Akimoto, T. Nishimura and S. Zaima

    The 9th International Workshop on Junction Technology (IWJT2009) 

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    開催年月日: 2009年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  324. Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing 国際会議

    T. Kato, T. Ueda, Y. Ohara, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, Y. Imai, S. Kimura, and O. Sakata

    The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  325. Formation and characterization of tensile-strained Ge layers on Ge1-xSnx buffer layers 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, N. Tsutsui, and A. Sakai

    The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  326. Low Temperature Growth of Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers 国際会議

    Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

    The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  327. Analysis of Local Strain in Ge1-xSnx /Ge/Si(001) Heterostructures by X-ray Microdiffraction 国際会議

    O. Nakatsuka, Y. Shimura, N. Tsutsui, A. Sakai, Y. Imai, H. Tajiri, O. Sakata, S. Kimura, and S. Zaima

    The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  328. Effect of Atomic Deuterium Irradiation on Initial Growth of Sn and Ge1-xSnx on Ge(001) Substrates 国際会議

    T. Shinoda, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  329. Direct Silicon Bonding (DSB) 基板の接合界面欠陥解析

    豊田英二,酒井朗,中塚理,財満鎭明,磯貝宏道,仙田剛士,泉妻宏治

    第56回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  330. Ge/Si1-xGex/Siマイクロ構造形成による局所歪および転位挙動の制御

    水谷卓也,望月健太,中塚理,近藤博基,酒井朗,財満鎭明

    第56回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  331. Direct Si Bonding基板の界面酸化膜消滅熱処理過程における結晶性変化

    加藤哲司,大原悠司,吉川純,中村芳明,酒井朗,中塚理,財満鎭明,豊田英二,泉妻宏治,木村滋,坂田修身

    第56回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  332. Ge(001)表面上のSnおよびGe1-xSnx初期成長に及ぼす原子状重水素照射の効果

    篠田竜也,中塚理,財満鎭明

    第56回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  333. 低温成長による高Sn組成Ge1-xSnxバッファ層の形成

    志村洋介,筒井宣匡,中塚理,酒井朗,財満鎭明

    第56回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  334. 原子状水素照射によるGe(001)表面上SnおよびGe1-xSnx初期成長構造の制御

    篠田竜也,山崎理弘,中塚理,財満鎭明

    第8回・日本表面科学会中部支部・学術講演会 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  335. 伸長歪Ge層実現のための高Sn組成Ge1-xSnxバッファ層成長

    志村洋介,筒井宣匡,中塚理,酒井朗,財満鎭明

    第8回・日本表面科学会中部支部・学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  336. Atomistic analysis of directly bonded Si substrate interface 国際会議

    T. Ueda, Y. Ohara, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, T. Sakata, and H. Mori

    The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008) 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  337. Formation of Uniaxial Tensile-strained Ge by using Micro-patterning of Ge/Si1-xGex/Si Structures 国際会議

    T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, and S. Zaima

    The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  338. Formation and Characterization of Tensile-strained Ge layers on Ge1-xSnx Buffer Layers 国際会議

    Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

    The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  339. Strain and interfacial defects in directly bonded Si substrates 国際会議

    Y. Ohara, T. Ueda, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, H. Tajiri, O. Sakata and S. Kimura

    The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008) 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  340. Characterization and analyses of interface structures in directly bonded Si(011)/Si(001) substrates 国際会議

    E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, K. Omote, and S. Zaima

    The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  341. Crystalline and Electrical Properties of Thin Pd Silicide Layer/Si Contacts 国際会議

    R. Suryana, S. Akimoto, O. Nakatsuka and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2008 (ADMETA): 18th Asian Session 

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    開催年月日: 2008年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  342. Formation of Tensile-Strained Ge Layers on Ge1-xSnx Buffer Layers and Control of Strain and Dislocation Structures 国際会議

    O. Nakatsuka, Y. Shimura, A. Sakai, and S. Zaima

    4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  343. Analysis of Uniaxial Tensile Strain in Microfabricated Ge/Si1-x Gex Structures on Si(001) Substrates 国際会議

    T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, and S. Zaima

    4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  344. Formation and Characterization of Compositionally Step-graded Ge1-x Snx Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers 国際会議

    Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

    4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, pp. 27-28, Sendai, Japan, Sept. 25-27, 2008. 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  345. Control of Sn Precipitation and Strain relaxation in Compositionally Step-graded Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers 国際会議

    Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

    2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  346. Direct Silicon Bonding基板接合界面の原子レベル観察と評価

    酒井朗,上田貴哉,大原悠司,中塚理,財満鎭明,豊田英二,泉妻宏治,坂田孝夫,森博太郎

    第69回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  347. 金属シリサイド・ジャーマナイド/半導体コンタクトの界面構造および電子物性制御

    中塚理,酒井朗,財満鎭明

    第69回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  348. 伸張歪Ge形成に向けたGe1-xSnxバッファ層のSn組成及び転位構造制御

    志村洋介,筒井宣匡,中塚理,酒井朗,財満鎭明

    第69回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  349. Ge(001)表面上のSnおよびGe1-xSnx初期成長に及ぼす原子状水素照射の効果

    篠田竜也,山崎理弘,中塚理,財満鎭明

    第69回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  350. Direct Silicon Bonding (DSB) 基板の結晶性の評価

    豊田英二,酒井朗,中塚理,財満鎭明,磯貝宏道,泉妻宏治,仙田剛士,表一彦,今井康彦,木村滋

    第69回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  351. Direct Si Bonding基板の微細構造

    大原悠司,上田貴哉,酒井朗,中塚理,財満鎭明,豊田英二,泉妻宏治,木村滋,坂田孝夫,森博太郎

    第69回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  352. Microstructures in Directly Bonded Si Substrates 国際会議

    A. Sakai, Y. Ohara, T. Ueda, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda

    The fourth International SiGe Technology and Device Meeting, pp. 153-154, HsinChu, Taiwan, May 11-14, 2008. 

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    開催年月日: 2008年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  353. Effect of Hydrogen on Initial Growth of Sn and Ge1-xSnx on Ge(001) substrates 国際会議

    M. Yamazaki, O. Nakatsuka, T. Shinoda, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

    The fourth International SiGe Technology and Device Meeting 

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    開催年月日: 2008年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  354. Novel Method to Introduce Uniaxial Tensile Strain in Ge by Microfabrication of Ge/Si1-xGex Structures on Si(001) Substrates 国際会議

    T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, M. Ogawa, and S. Zaima

    The fourth International SiGe Technology and Device Meeting, pp. 149-150, HsinChu, Taiwan, May 11-14, 2008. 

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    開催年月日: 2008年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  355. Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates 国際会議

    E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatuka, S. Zaima, M. Ogawa, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, and K. Omote

    The fourth International SiGe Technology and Device Meeting 

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    開催年月日: 2008年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  356. 高不純物濃度Si(001)基板上におけるNi/Ti/Si系の固相反応および電気特性評価

    秋元信吾,中塚理,スルヤナリサ,鈴木敦之,酒井朗,小川正毅,財満鎭明

    第55回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  357. X線マイクロ回折によるIV族半導体薄膜の局所歪構造評価

    中塚理,酒井朗,小川正毅,財満鎭明

    第55回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  358. Ge MOSゲートスタックにおける界面反応の評価および制御技術

    財満鎭明,近藤博基,坂下満男,中塚理,酒井朗,小川正毅

    第55回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  359. アルコール原料ホットフィラメントCVD法による単層カーボンナノチューブ成長機構の解明

    種田智,酒井朗,中塚理,小川正毅,財満鎭明

    第55回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  360. 走査トンネル顕微鏡によるTi/Highly oriented pyrolytic graphite界面反応の評価

    久田憲司,種田智,中塚理,酒井朗,小川正毅,財満鎭明

    第55回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  361. パターン加工されたGe/Si1-xGex/Si(001)構造におけるGe層一軸性伸張歪構造の評価

    水谷卓也,湯川勝規,中塚理,近藤博基,酒井朗,小川正毅,財満鎭明

    第55回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  362. Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge1-xSnx Layers on Ge(001) Substrates 国際会議

    M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

    Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  363. Defect Control for Ge/Si and Ge1-xSnx/Ge/Si Heterostructures 国際会議

    A. Sakai, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima,

    Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  364. Characterization of Local Strains in Si1-xGex Hetero-mesa Structures on Si(001) Substrates by Using X-ray Microdiffraction 国際会議

    O. Nakatsuka, K. Yukawa, S. Mochizuki, A. Sakai, K. Fukuda, S. Kimura, O. Sakata, K. Izunome, T. Senda, E. Toyoda, M. Ogawa, and S. Zaima

    Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  365. Controlling Interface Properties of Silicide/Si Contacts for Si ULSI Applications 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, A. Sakai, and M. Ogawa

    9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  366. Effect of alcohol sources on synthesis of single-walled carbon nanotubes 国際会議

    S. Oida, A. Sakai, O. Nakatuska, M. Ogawa, and S. Zaima

    9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  367. Growth and Characterization of Tensile-Strained Ge Layers on Strain Relaxed Ge1-xSnx Buffer Layers 国際会議

    O. Nakatsuka, S. Takeuchi, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

    The 3nd international workshop on new group IV semiconductor nanoelectronics 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  368. Tensile Strained Ge Layers Grown on Compositionally Step-Graded Ge1-xSnx Buffer Layers 国際会議

    Y. Shimura, S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima

    The 3nd international workshop on new group IV semiconductor nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  369. Electrical and Crystalline Properties of Epitaxial NiSi2/Si Contacts Fromed in Ni/Ti/Si(001) Systems 国際会議

    O. Nakatsuka, A. Suzuki, S. Akimoto, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

    The Sixth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  370. Contact Propeties of Epitaxial NiSi2/Heavily Doped Si Structures Formed from Ni/Ti/Si Systems 国際会議

    S. Akimoto, O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2007: 17th Asian Session 

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    開催年月日: 2007年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  371. Silicide and Germanide Technology for Contacts and Metal Gates in MOSFET Applications 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, and M. Ogawa

    212th Electrochemical Society Meeting 

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    開催年月日: 2007年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  372. Pr-Oxide-Based Dielectric Films on Ge Substrates 国際会議

    M. Sakashita, N. Kito, A. Sakai, H. Kondo, O. Nakatsuka, M. Ogawa and S. Zaima

    2007 International Conference on Solid State Devices and Materials 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  373. Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structures of Epitaxial NiSi2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System 国際会議

    O. Nakatsuka, A. Suzuki, S. Akimoto, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

    2007 International Conference on Solid State Devices and Materials 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  374. Strain and dislocations in group IV semiconductor heterostructures 国際会議

    A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima

    Materials Research Society 2007 Spring Meeting 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  375. Si1-xGex/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術

    中塚理,酒井朗,近藤博基,小川正毅,財満鎭明

    2007年 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ大会 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  376. Direct Silicon Bonding (DSB) 基板の接合界面および結晶性の評価

    豊田英二,酒井朗3,磯貝宏道,仙田剛士,泉妻宏治,表和彦,中塚理,小川正毅,財満鎭明

    第68回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  377. ホットフィラメントCVD法による単層カーボンナノチューブ成長様式のアルコール種依存性

    種田智,酒井朗,中塚理,小川正毅,財満鎭明

    第68回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  378. Ge(001)基板上におけるGe1-xSnx初期成長形態の走査トンネル顕微鏡評価

    山崎理弘,竹内正太郎1,中塚理,酒井朗,小川正毅,財満鎭明

    第68回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  379. 階段状組成傾斜法を用いた伸張歪Ge/歪緩和Ge1-xSnx層/仮想Ge基板構造の形成

    志村洋介,竹内正太郎,酒井朗,中塚理,小川正毅,財満鎭明

    第68回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  380. Impact of Pt Incorporation on Thermal Stability of NiGe Layers on Ge(001) Substrates 国際会議

    O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

    7th International Workshop on Junction Technology 2007, pp. 87-88, Kyoto, Japan, June 8-9, 2007. 

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    開催年月日: 2007年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  381. Characterization of bonding structures of directly bonded hybrid crystal orientation substrates 国際会議

    E. Toyoda, A. Sakai, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima

    5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures 

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    開催年月日: 2007年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  382. Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge1-xSnx/virtual Ge substrates 国際会議

    S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima

    5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures 

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    開催年月日: 2007年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  383. Ge(001)表面の酸素エッチングおよび酸化過程の走査トンネル顕微鏡による観察評価

    山崎理弘,若園恭伸,酒井朗,中塚理,小川正毅,財満鎭明

    第6回・日本表面科学会中部支部・学術講演会 

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    開催年月日: 2007年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  384. ダイレクトSiウェーハボンディングにおける接合特性の評価

    豊田英二,磯貝宏道,仙田剛士,泉妻宏治,中塚理,酒井朗,小川正毅,財満鎭明

    第54回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  385. パターン加工されたSiGe/Siヘテロメサ構造における局所歪のX線マイクロ回折評価

    湯川勝規,望月省吾,中塚理,酒井朗,福田一徳,木村滋,坂田修身,泉妻宏治,仙田剛士,豊田英二,小川正毅,財満鎭明

    第54回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  386. Hybrid Orientation Technology (HOT) 基板の接合界面および結晶性の評価

    豊田英二,磯貝宏道,仙田剛士,泉妻宏治,中塚理,酒井朗,小川正毅,財満鎭明

    第54回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  387. Ge(001)基板上NiGe薄膜のPt添加による熱的安定性向上

    鈴木敦之,中塚理,酒井朗,小川正毅,財満鎭明

    第54回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  388. Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価

    山崎理弘,若園恭伸,酒井朗,中塚理,竹内正太郎,小川正毅,財満鎭明

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第12回研究会) 

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    開催年月日: 2007年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  389. Scanning Tunneling Microscopy Study on the Reaction of Oxygen with Clean Ge(001) Surfaces 国際会議

    A. Sakai, Y. Wakazono, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Ogawa

    210th Meeting of The Electrochemical Society 

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    開催年月日: 2006年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  390. Ni-Silicide/Si and SiGe(C) Contact Technology for ULSI Applications 国際会議

    O. Nakastuka, S. Zaima, A. Sakai, and M. Ogawa

    The 14th annual IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors 

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    開催年月日: 2006年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  391. Buffer layer technology with misfit dislocation engineering 国際会議

    A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima

    The 2nd International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2006年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  392. Mosaicity and Dislocations in Strain-Relaxed SiGe Buffer Layers on SOI Substrates 国際会議

    O. Nakatsuka, N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, M. Ogawa, and S. Zaima

    The 2nd International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, pp. 71-72, Oct. 2-3, 2006, Sendai, Japan. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  393. Dislocation Structure and Strain Relaxation of SiGe and Ge Sub-micron Stripe Lines on Si(001) Substrates 国際会議

    O. Nakatsuka, S. Mochizuki, A. Sakai, H. Kondo, K. Yukawa, M. Ogawa, and S. Zaima

    The 2nd International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  394. Interfacial Structure of HfON/SiN/Si Gate Stacks 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Sakashita, H. Kondo, E. Ikenaga, M. Kobata, J.-J. Kim, H. Nohira, T. Hattori, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

    The 2nd International Workshop on Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 

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    開催年月日: 2006年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  395. Ni/Ti/Si積層構造より形成したエピタキシャルNiSi2/Si(001)超平坦界面の電気特性評価

    鈴木敦之,中塚理,酒井朗,小川正毅,財満鎭明

    第67回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  396. Ge1-xSnx層の歪緩和および転位構造に及ぼすGe基板の効果

    竹内正太郎,酒井朗,中塚理,小川正毅,財満鎭明

    第67回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  397. 仮想Ge(001)基板上における歪緩和Ge1-xSnxバッファ層の成長と構造評価

    竹内正太郎,酒井朗,山本幸司,中塚理,小川正毅,財満鎭明

    第67回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  398. Ge(001)表面の初期酸化およびエッチング過程の走査トンネル顕微鏡評価

    若園恭伸,山崎理弘,酒井朗,中塚理,竹内正太郎,小川正毅,財満鎭明

    第67回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  399. Control and characterization of strain in SiGe/Si heterostructures with engineered misfit dislocations 国際会議

    A. Sakai, N. Taoka, S. Mochizuki, K. Yukawa, O. Nakatsuka, S. Takeda, S. Kimura, M. Ogawa, and S. Zaima

    The third International SiGe Technology and Device Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  400. Strain relaxation of patterned Ge and SiGe structures on Si(001) substrates 国際会議

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    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  401. Systematic Characterization of Ni Full Silicide in Sub-100 nm Gate Regions 国際会議

    D. Ito, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Kondo, Y. Akasaka, M. Ogawa, and S. Zaima

    2006 MRS Spring Meeting 

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    開催年月日: 2006年4月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  402. エピタキシャルAgテンプレート層上における触媒金属CVD法に よるカーボンナノチューブ成長

    種田智,酒井朗,中塚理,小川正毅,財満鎭明

    第5回日本表面科学会中部支部学術講演会 

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    開催年月日: 2006年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  403. Sub-100 nmゲート領域におけるNiシリサイド形成反応の観察

    伊東大介,酒井朗,中塚理,近藤博基,赤坂泰志,奈良安雄,小川正毅,財満鎭明

    第53回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  404. エピタキシャルAg/Si(111)上における触媒金属CVD法によるカーボンナノチューブ成長

    種田智,酒井朗,中塚理,小川正毅,財満鎭明

    第53回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  405. 仮想Ge(001)基板上における歪緩和Ge1-xSnxバッファ層の成長と構造評価

    竹内正太郎,酒井朗,山本幸司,中塚理,小川正毅,財満鎭明

    第53回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  406. 極薄Ge中間層を用いた歪緩和Ge/Si(001)界面の転位構造制御

    湯川勝規,望月省吾,中塚理,酒井朗,竹田晋吾,木村滋,坂田修身,隅谷和嗣,泉妻宏治,仙田剛士,豊田英二,小川正毅,財満鎭明

    第53回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  407. Si(001)基板上にパターン加工されたGeおよびSiGe層の歪緩和評価と制御

    望月省吾,湯川勝規,中塚理,近藤博基,酒井朗,泉妻宏治,仙田剛士,豊田英二,小川正毅,財満鎭明

    第53回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  408. Electrical properties of epitaxial NiSi2/Si contacts with extremely flat interface formed in Ni/Ti/Si(001) system 国際会議

    O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

    Materials for Advanced Metallization Conference 2006 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  409. Epitaxial NiSi2 layers with extremely flat interfaces in Ni/Ti/Si(001) system 国際会議

    A. Suzuki, K. Okubo, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2005: 15th Asian Session 

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    開催年月日: 2005年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  410. Dislocation and strain engineering for SiGe buffer layers on Si 国際会議

    A. Sakai, S. Mochizuki, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Takeda, S. Kimura, M. Ogawa, and S. Zaima

    Symposium on Crystalline Defects and Contamination: Their Impact and Control in Device Manufacturing IV (joint with 35th European Solid State Device Research Conference) 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  411. Ni/Ti/Si(001)系におけるエピタキシャルNiSi2超平坦界面の低温形成

    鈴木敦之、大久保和哉、中塚理、酒井朗、小川正毅、財満鎭明

    第66回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  412. Impact of C implantation on electrical properties of NiSi/Si contact 国際会議

    O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

    The 5th International Workshop on Junction Technology 

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    開催年月日: 2005年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  413. Surface structures in the initial growth of epitaxial Si1-x-yGexCy layers in SiGe and C alternate deposition 国際会議

    S. Takeuchi, O. Nakatsuka, Y. Wakazono, A. Sakai, M. Ogawa, Y. Yasuda, and S. Zaima

    First International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2005年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  414. Control of Solid-Phase Reaction and Electrical Properties of Ni silicide/Si Contacts by Ge and C Incorporation 国際会議

    O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, J. Murota, Y. Yasuda, M. Ogawa, and S. Zaima

    First International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2005年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  415. Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy for HfON/SiN/Si System 国際会議

    O. Nakatsuka, R. Takahishi, M. Sakashita, E. Ikenaga, K. Kobayashi, H. Nohira, T. Hattori, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

    Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures 

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    開催年月日: 2005年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  416. Cイオン注入を用いたNiSi界面固相反応制御

    中塚理、大久保和哉、酒井朗、小川正毅、安田幸夫、財満鎭明

    第4回・日本表面科学会中部支部学術講演会 

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    開催年月日: 2005年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  417. Improvement on NiSi/Si contact properties with C-implantation 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, M. Ogawa, and Y. Yasuda

    Materials for Advanced Metallization Conference 2005 

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  418. Transmission electron microscopy analysis of dislocation structures in the strain-relaxed SiGe films on Si and silicon-on-insulator substrates 国際会議

    N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, and Y. Yasuda

    International Symposium on Characterization of Real Materials and Real Processing by Transmission Electron Microscopy 

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    開催年月日: 2005年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  419. Control of initial growth of epitaxial NiSi2 on Si(001) with C incorporation 国際会議

    O. Nakatsuka, E. Okada, D. Ito, A. Sakai, S.Zaima, M. Ogawa, and Y. Yasuda,

    Third International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Application to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices, 

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    開催年月日: 2004年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  420. Thermal stability and electrical properties of Ni-silicide on C-incorporation 国際会議

    ", O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima, J. Murota, and Y. Yasuda,

    Advanced Metallization Conference 2004: Asian Session 

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    開催年月日: 2004年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  421. Growth mechanism of epitaxial NiSi2 layer in the Ni/Ti/Si(001) contact for atomically flat interfaces 国際会議

    O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

    The 4th International Workshop on Junction Technology 

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 3

  1. 多層セル型太陽電池用IV族多元系混晶の結晶成長と界面構造制御

    2011年11月 - 2016年3月

    先端的低炭素化技術開発 

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    資金種別:競争的資金

  2. 極限CMOSの研究開発

    2009年 - 2011年

    NEDO/省エネルギー革新技術開発事業/挑戦研究 

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    資金種別:競争的資金

  3. Geエレクトロニクスに向けた低抵抗・超平坦金属/Geコンタクト形成技術

    2006年4月 - 2009年3月

科研費 8

  1. 非平衡系Ⅳ族混晶薄膜の規則/不規則構造制御に基づくバンドデザイン

    研究課題/研究課題番号:21H01809  2021年4月 - 2024年3月

    中塚 理

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:17550000円 ( 直接経費:13500000円 、 間接経費:4050000円 )

  2. 原子レベルの欠陥制御に資する計算手法の開発とパワーデバイス用半導体への適用

    研究課題/研究課題番号:19K05294  2019年4月 - 2022年3月

    末岡 浩治

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    担当区分:研究分担者 

    本研究の概要は,点欠陥の熱平衡濃度に与えるドーパントと不純物の影響,さらに各要素間の結合エネルギーについて,実験パラメータを用いることなく算出可能な手法として我々が開発した“箱庭法”を用いて計算し,その結果を結晶成長の連続体シミュレーションに組み込むことで形成しうる欠陥種と濃度を予測可能な計算手法へと発展させるとともに,これを適用してパワーデバイス用半導体の高品位化に貢献することである.
    本研究の全体構想は,点欠陥の熱平衡濃度に与えるドーパントと不純物の影響,さらに各要素間の結合エネルギーについて,実験パラメータを用いることなく算出可能な手法として開発した“箱庭法”により計算し,その結果を結晶成長の連続体シミュレーションに組み込むことで形成しうる欠陥種と濃度を予測可能な計算手法へと発展させ,それを適用してSi,SiC,GaNなどパワーデバイス用半導体の高品位化に貢献することである.
    2019年度は,Si結晶中の窒素(N),水素(H)が点欠陥(原子空孔Vと格子間Si I)濃度に与える影響と各要素間の結合エネルギーについて箱庭法により計算し,その結果を結晶成長の連続体シミュレーションであるSTR社製CGSimへインストールすることで,生成しうる欠陥種と濃度を予測可能な計算手法を開発した.得られた主要な結果は以下の通りである.(1)Nドープ,HドープのいずれにおいてもSi結晶はV-richとなる.(2)その効果はNドープの方が大きく,ドープ量の約10%の濃度分のVを増加させる.本研究成果に関係する数件の論文発表を行うとともに,新型コロナウイルスのために中止となったが,2020年5月に開催予定であった欧州材料学会において2件の論文が採択された.
    なお,次の2つの課題については,予定通り次年度に実施する.(i) IGBT用MCZ-Si結晶として,NとHを同時添加した無欠陥Si結晶の可能性を示す.(ii) SiパワーMOSFET用超高濃度Pドープn型Si結晶において,ボイド欠陥の消滅に伴うP析出物の形成過程の解明と抑制技術を提案する.
    2019年度には「Si結晶中で生成しうる欠陥種と濃度を予測可能な計算手法の開発」を目指していたが,作業は順調に進行した.
    さらにこのプログラムを用い,Si結晶中の窒素(N),水素(H)が点欠陥(原子空孔Vと格子間Si I)濃度に与える影響について研究を行った.得られた主要な結果は以下の通りである.
    (1)Nドープ,HドープのいずれにおいてもSi結晶はV-richとなる.
    (2)その効果はNドープの方が大きく,ドープ量の約10%の濃度分のVを増加させる.
    本研究成果に関係する数件の論文発表を行うとともに,新型コロナウイルスのために中止となったが,2020年5月に開催予定であった欧州材料学会において2件の論文が採択された.さらに次年度からの研究に向けて,SiCとGaNに関する予備計算を行った.
    このように,研究はおおむね順調に進展している.
    2020年度は開発した計算手法を用い,以下の2つの課題に取り組む.
    (i) IGBT用MCZ-Si結晶として,NとHを同時添加した無欠陥Si結晶の可能性を示す.
    (ii) SiパワーMOSFET用超高濃度Pドープn型Si結晶において,ボイド欠陥の消滅に伴うP析出物の形成過程の解明と抑制技術を提案する.
    さらに,2020年度の後半からは,4H-SiCとGaNにおける不純物や点欠陥制御も視野に入れ,六方晶構造についても計算可能なプログラムを開発する.とくに,SiCとGaN結晶について点欠陥の物性やドーパントの活性化,さらにこれらの複合体形成などの基礎データを得る.
    なお,現在の新型コロナウイルスのため,学内での研究活動は制限を受けている.今後の状況にもよるが,必要に応じて,学外からの計算機アクセスを可能とするなどの対策を検討する.

  3. 実現する原子配置と材料物性値の計算手法の開発とIV族半導体結晶の高品位化への適用

    研究課題/研究課題番号:16K04950  2016年10月 - 2019年3月

    末岡 浩治

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    担当区分:研究分担者 

    本研究の目的は,実現する原子配置と材料物性値を計算により求める手法を開発し,この計算手法を適用することにより,現代の電子デバイスの主流材料であるSi結晶を中心とするIV族半導体の高品位化に貢献することである.
    得られた主要な成果は(1)置換位置と格子間位置の両方を考慮した,独立な原子配置と各配置における等価な配置数を算出するプログラムを作成し,(2)第一原理計算の結果を統計力学的に扱うことによる,実現する原子配置と材料物性値の算出手法を開発し,(3)本手法をSi結晶などIV族半導体の3つの研究課題に適用し,成長中の大口径CZ-Si結晶中の点欠陥濃度分布の予測を可能としたことなどである.
    本研究により開発した材料物性に関する計算手法はこれまで報告はなく独創性が高い.この手法は汎用性が高く,ダイヤモンド構造を有するIV族半導体の諸問題に適用可能である.とくに,450 mm直径無欠陥Si結晶について提示した育成条件は,わが国のSi結晶メーカにとって極めて有益なデータとなる.また,パワーデバイス用Si結晶中のライフタイム制御欠陥の構造変化機構の解明や太陽電池用IV族混晶系半導体における置換位置を占める添加元素の割合とバンドギャップの予測についての成果は,IV族半導体を用いた電子デバイスの高性能化につながる主要な成果であり,産業界において結晶の品質改善や製品の開発加速に寄与する.

  4. フェルミレベルピニング軽減による金属/ゲルマニウム系材料低抵抗コンタクト

    2015年4月 - 2018年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(B)

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    担当区分:研究代表者 

  5. 新規IV族系二次元物質の創製

    研究課題/研究課題番号:15H03564  2015年4月 - 2018年3月

    白石 賢二

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    担当区分:連携研究者 

    シリセン、ゲルマネンの電子構造と原子構造を第一原理計算で行った。まず、絶縁体であるAl2O3上のシリセンとゲルマネンの電子構造を計算した。その結果、バンド構造はK点でディラックコーンを持つフリースタンディングのシリセン、ゲルマネンのバンド構造を保存することがわかった。しかし、細かく見ると表面への吸着構造に依存してシリセン、ゲルマネンのバンド構造が微妙に変わることを明らかにした。

  6. フェルミレベルピニング軽減による金属/ゲルマニウム系材料低抵抗コンタクト

    研究課題/研究課題番号:15H03565  2015年4月 - 2018年3月

    中塚 理

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:17030000円 ( 直接経費:13100000円 、 間接経費:3930000円 )

    高移動度半導体であるGeデバイス実用化のために、金属/Ge界面におけるコンタクト抵抗の低減技術を開発した。GeSnやSiGeSn等も含む新規Ge系混晶材料のエレクトロニクス応用に向けて、金属/Ge(Sn)コンタクトにおける界面物性解明と電気伝導特性の制御技術構築を目的とした。その結果、GeSnやSiGeSn界面層の導入あるいは金属ジャーマナイドエピタキシャル層/Ge接合の形成によって、Schottky障壁の適切な制御を実証した。また、超高濃度アンチモンSbドープGe(Sn)エピタキシャル層の形成技術を開発し、3E-8Ωcm2以下の低コンタクト抵抗率金属/n-Ge(Sn)接合の形成を実証した。

  7. 多機能融合・省電力エレクトロニクスのためのSn系Ⅳ族半導体の工学基盤構築

    研究課題/研究課題番号:26220605  2014年5月 - 2019年3月

    財満 鎭明

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    担当区分:その他 

    本研究においては、次世代エレクトロニクスへの活用が期待されるトンネル電界効果トランジスタや光電融合多機能デバイスへの応用に向けて、ゲルマニウム錫(GeSn)やゲルマニウムシリコン錫(GeSiSn)など、新しいSn系Ⅳ族混晶薄膜の結晶成長および電子物性制御技術を開発した。結晶薄膜および様々な界面物性やエネルギーバンド構造の制御技術、材料・プロセス技術を開拓し、省電力トランジスタや多機能集積電子・光電子デバイスの実現に資するSn系IV族混晶半導体の工学基盤を構築した。
    これまで未開拓であった新規Sn系IV族混晶半導体の結晶成長の学術を構築するとともに、エレクトロニクス応用上重要な様々な界面制御、プロセス技術の研究開発を推進し、新世代の電子・光電子デバイスの進展に資する多数の知見を獲得した。GeSnをはじめとするIV族半導体は次世代の省電力・高速・多機能集積・大容量エレクトロニクスの進歩に貢献できる材料であり、Society 5.0に代表される持続可能な省エネルギー産業や安全・安心な生活環境を実現できる超高度情報ネットワーク社会構築への寄与が期待できる。

  8. Geエレクトロニクスに向けた低抵抗・超平坦金属/Geコンタクト形成技術

    2006年4月 - 2009年3月

    科学研究費補助金  若手研究(A)

    中塚理

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    担当区分:研究代表者 

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産業財産権 15

  1. 多層膜構造体およびその形成方法

    中塚理、酒井朗、小川正毅、財満鎭明、近藤博基、湯川勝規、水谷卓也

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2008-122891  出願日:2008年5月

    公開番号:特開2009-272504. 

    出願国:国内  

  2. ジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体

    中塚理、酒井朗、鈴木敦之、小川正毅、財満鎭明

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2007-247138  出願日:2007年9月

    公開番号:特開2009-081159 

    出願国:国内  

  3. 伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体

    竹内正太郎、酒井朗、中塚理、小川正毅、財満鎭明

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2007-132189  出願日:2007年5月

    公開番号:特開2008-288395 

    出願国:国内  

  4. 歪み緩和ゲルマニウム膜及びその製造方法並びに多層膜構造体

    酒井朗、湯川勝則、中塚理、小川正毅、財満鎭明

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2005-355102  出願日:2005年12月

    出願国:国内  

  5. カーボンナノチューブ形成用基材及びその製造方法並びにカーボンナノチューブ

    酒井朗、種田智、中塚理、小川正毅、財満鎭明

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2005-199338  出願日:2005年7月

    公開番号:特開2007-15890 

    出願国:国内  

  6. エピタキシャル成長用基材及びその製造方法並びに多層膜構造体

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    出願番号:特願2004-207782  出願日:2004年7月

    公開番号:特開2006-32575 

    出願国:国内  

  7. シリサイド膜の作製方法、多層膜中間構造体及び多層膜構造体

    中塚理,酒井朗,財満鎭明,安田幸夫,大久保和哉,土屋義規

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2004-051790  出願日:2004年2月

    公開番号:特開2005-243923 

    特許番号/登録番号:特許第3879003号  登録日:2006年11月 

    出願国:国内  

  8. コバルトシリサイド膜の作製方法、コバルトシリサイド膜、及び多層膜中間構造体

    財満鎭明,安田幸夫,酒井朗,中塚理

     詳細を見る

    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2003-042521  出願日:2003年2月

    公開番号:特開2004-253621 

    特許番号/登録番号:特許第3700004号  登録日:2005年7月 

    出願国:国内  

  9. ニッケルシリサイド膜の作製方法、及び多層構造体

    財満鎭明,酒井朗,中塚理,安田幸夫

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2003-042270  出願日:2003年2月

    公開番号:特開2004-253606 

    特許番号/登録番号:特許第4009719号  登録日:2006年9月 

    出願国:国内  

  10. 細線構造の作製方法、多層膜構造体、及び多層膜中間構造体

    酒井朗,財満鎭明,安田幸夫,中塚理

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2003-042275  出願日:2003年2月

    公開番号:特開2004-253607 

    特許番号/登録番号:特許第3878997号  登録日:2006年9月 

    出願国:国内  

  11. シリコンゲルマニウム膜の作製方法、エピタキシャル成長用基板、及び多層膜構造体

    酒井朗,中塚理,財満鎭明,安田幸夫

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    出願番号:特願2002-335165  出願日:2002年11月

    公開番号:特開2004-172276 

    特許番号/登録番号:特許第3851950号  登録日:2006年9月 

    出願国:国内  

  12. ニッケルシリコン系薄膜、ニッケルシリコン系多層膜構造及びニッケルシリコン系薄膜の作製方法

    財満鎭明,安田幸夫,酒井朗,中塚理,土屋義規

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    出願人:名古屋大学長 松尾稔

    出願番号:特願2002-198369  出願日:2002年7月

    公開番号:特開2004-40013 

    特許番号/登録番号:特許第3733424号  登録日:2006年1月 

    出願国:国内  

    ・本特許が評価され、『第3回 P&I パテントコンテスト:パテント・オブ・ザ・イヤープロセス・テクノロジー部門』の受賞に結びついた。(学内共同研究者:財満鎭明)

  13. 素子電極用のニッケルシリコン系薄膜の作製方法、及び素子電極用の多層膜構造

    安田幸夫,財満鎭明,酒井朗,中塚理,土屋義規

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    出願番号:特願2002-130561  出願日:2002年5月

    公開番号:特開2003-324078 

    特許番号/登録番号:特許第3876307号  登録日:2006年11月 

    出願国:国内  

  14. p型SiC用電極

    中塚理、小西亮平、安河内隆一、小出康夫、村上 正紀、柴田直樹

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    出願人:豊田合成株式会社

    出願番号:特願2001-270771  出願日:2001年9月

    公開番号:特開2003-77860 

    特許番号/登録番号:特許第4026339号  登録日:2007年10月 

    出願国:国内  

  15. 半導体混晶膜の形成法

    安田幸夫,財満鎭明,酒井朗,山中章,中塚理

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    出願人:名古屋大総長

    出願番号:特願2000-172876  出願日:2000年6月

    公開番号:特開2001-351862 

    特許番号/登録番号:特許第3378912号  登録日:2002年12月 

    出願国:国内  

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担当経験のある科目 (本学) 16

  1. 応用物理学実験第3

    2011

  2. 応用物理学実験第2

    2011

  3. 結晶デバイスセミナー

    2011

  4. 結晶材料学基礎

    2011

  5. 応用物理学実験第1

    2011

  6. 光・半導体物性

    2009

  7. 応用物理学実験第3

    2009

  8. 応用物理学実験第1

    2009

  9. 応用物理学実験第2

    2009

  10. 結晶デバイスセミナー

    2009

  11. 結晶デバイスセミナー

    2008

  12. 応用物理学実験第一

    2008

  13. 半導体物性工学特論

    2008

  14. 光・半導体物性

    2008

  15. 結晶デバイスセミナー

    2007

  16. 光・半導体物性

    2007

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メディア報道 1

  1. 次世代機能性薄膜の動向(1) 新聞・雑誌

    株式会社矢野経済研究所  Yano E plus  2020年10月15日発行号、pp. 34-48  2020年10月

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    執筆者:本人以外 

学術貢献活動 4

  1. 常任幹事

    役割:企画立案・運営等

    (公社) 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会  2019年4月 - 2021年3月

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    種別:学会・研究会等 

  2. 幹事(多層配線システム研究会)

    役割:企画立案・運営等

    (公社) 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会  2018年4月 - 現在

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    種別:学会・研究会等 

  3. JJAP編集委員 国際学術貢献

    役割:企画立案・運営等

    (公社) 応用物理学会 JJAP編集運営委員会  2012年4月 - 現在

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    種別:学会・研究会等 

  4. 実行プログラム委員

    役割:企画立案・運営等

    電子デバイス界面テクノロジー研究会  2012年4月 - 現在

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    種別:学会・研究会等