2021/08/27 更新

写真a

ウエダ ケンジ
植田 研二
UEDA, Kenji
所属
大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学 准教授
大学院工学研究科
工学部 物理工学科
職名
准教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(理学) ( 2000年3月   大阪大学 ) 

研究キーワード 1

  1. 薄膜機能材料

研究分野 3

  1. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  2. ナノテク・材料 / 応用物性

  3. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

現在の研究課題とSDGs 4

  1. ダイヤモンド/グラフェン(炭素sp3/sp2)接合の光デバイス応用

  2. ダイヤモンド半導体を用いた新規電子デバイスの開発

  3. ホイスラー合金薄膜の磁気特性制御とスピントロニクス応用

  4. トポロジカル薄膜のエレクトロニクス応用

経歴 6

  1. フランスCNRS、ネール研究所 客員研究員   客員研究員

    2011年3月 - 2011年8月

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    国名:フランス共和国

  2. 名古屋大学工学研究科   准教授

    2009年4月 - 現在

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    国名:日本国

  3. NTT物性科学基礎研究所   研究員

    2001年2月 - 2009年3月

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    国名:日本国

  4. 大阪大学産業科学研究所 博士研究員(日本学術振興会特別研究員PD(COE))

    2000年4月 - 2001年1月

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    国名:日本国

  5. 日本学術振興会特別研究員(DC2)

    1998年4月 - 2000年3月

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    国名:日本国

  6. 東芝生産技術研究所 研究員

    1996年4月 - 1997年1月

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    国名:日本国

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学歴 3

  1. 大阪大学   理学研究科   化学専攻

    1997年4月 - 2000年3月

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    国名: 日本国

  2. 大阪大学   理学研究科   無機及び物理化学専攻

    1994年4月 - 1996年3月

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    国名: 日本国

  3. 鹿児島大学   理学部   化学科

    1990年4月 - 1994年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 9

  1. 日本応用物理学会   応用物理学会東海支部幹事

    2014年4月 - 現在

  2. 日本磁気学会   企画委員会委員

    2017年9月 - 現在

  3. 日本金属学会

  4. ニューダイヤモンドフォーラム

  5. 日本応用物理学会   JJAP編集委員

    2010年4月 - 2016年3月

  6. 日本応用物理学会   APEX/JJAP編集委員

    2013年4月 - 2016年3月

  7. 日本真空学会   SP部会(スパッタリング及びプラズマプロセス技術部会)、幹事

    2010年4月 - 2014年3月

  8. 日本真空学会   日本真空学会東海支部幹事

    2013年2月 - 2014年1月

  9. 日本応用物理学会   SSDM論文委員(エリア8)2011-2013

    2011年4月 - 2013年3月

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委員歴 7

  1. 日本応用物理学会東海支部   東海支部幹事  

    2014年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  2. 日本磁気学会 企画委員会   日本磁気学会 企画委員会委員  

    2017年9月 - 2021年3月   

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    団体区分:学協会

  3. 日本応用物理学会 APEX/JJAP編集委員会   日本応用物理学会 APEX/JJAP編集委員  

    2013年4月 - 2016年3月   

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    団体区分:学協会

  4. 日本応用物理学会 JJAP編集委員会   日本応用物理学会 JJAP編集委員  

    2010年4月 - 2016年3月   

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    団体区分:学協会

  5. 日本真空学会 SP部会(スパッタリング及びプラズマプロセス技術部会)   日本真空学会 SP部会(スパッタリング及びプラズマプロセス技術部会)幹事  

    2010年4月 - 2014年3月   

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    団体区分:学協会

  6. 日本真空学会 日本真空学会東海支部   日本真空学会 日本真空学会東海支部幹事  

    2013年2月 - 2014年1月   

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    団体区分:学協会

  7. SSDM国際会議論文委員会(エリア8)   SSDM国際会議論文委員(エリア8)  

    2011年4月 - 2013年3月   

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    団体区分:学協会

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受賞 1

  1. APEX/JJAP編集貢献賞

    2015年4月   日本応用物理学会  

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    受賞国:日本国

 

論文 107

  1. Spin-orbit torque switching of noncollinear antiferromagnetic antiperovskite manganese nitride Mn3GaN 査読有り

    Physical Review Applied   16 巻   頁: 024003-1 - 024003-8   2021年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.16.024003

  2. Optoelectronic synapses using vertically aligned graphene/diamond heterojunctions 査読有り

    Y. Mizuno, Y. Ito, K. Ueda

    Carbon   182 巻   頁: 669 - 676   2021年6月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.carbon.2021.06.060

  3. Multibit optoelectronic memory using graphene/diamond (carbon sp2-sp3) heterojunctions and its arithmetic functions 査読有り

    K. Ueda, Y. Mizuno, and H. Asano

    Appl. Phys. Lett.   117 巻   頁: 092103-1-5   2020年9月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1063/5.0013795

  4. Fabrication of high-quality epitaxial Bi1-xSbx films by two-step growth using molecular beam epitaxy 査読有り

    K. Ueda, Y. Hadate, K. Suzuki, and H. Asano

    Thin Solid Films   713 巻   頁: 138361-1-8   2020年9月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2020.138361

  5. Photomemristors using carbon nanowall/diamond heterojunctions 査読有り

    K. Ueda, H. Itou and H. Asano

    J. Mater. Res.   34 巻   頁: 626-633   2019年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1557/jmr.2018.498

  6. Strain effect on magnetic property of antiferromagnetic insulator SmFeO3 査読有り

    M. Kuroda, N. Tanahashi, T. Hajiri, K. Ueda, and H. Asano

    AIP Advances   8 巻   頁: 055814-1-4   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  7. Ambipolar transport in Mn2CoAl films by ionic liquid gating 査読有り

    K. Ueda, S. Hirose, and H. Asano

    Appllied Physics Letters   110 巻   頁: 202405-1-4   2017年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4983787

  8. Photo-controllable memristive behavior of graphene/diamond heterojunctions 査読有り

    K. Ueda, S. Aichi, and H. Asano

    Appl. Phys. Lett.   108 巻   頁: 222102   2016年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4953200

  9. BaySr1-yTiO3 buffer layers for strain tuning of infinite-layer Sr1-xLaxCuO2 thin films 査読有り

    K. Sakuma, M. Ito, Y. He, T. Hajiri, K. Ueda, and H. Asano

    Thin Solid Films   612 巻   頁: 8   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  10. Magnetization reversal of the domain structure in the anti-perovskite nitride Co3FeN investigated by high-resolution X-ray microscopy 査読有り

    T. Hajiri, S. Finizio, M. Vafaee, Y. Kuroki, H. Ando, H. Sakakibara, A. Kleibert, L. Howald, F. Kronast, K. Ueda, H. Asano, and M. Klaui

    J. Appl. Phys.   119 巻   頁: 183901   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  11. Controlled conductivity in infinite-layer Sr0.875La0.125CuO2 films sputter-deposited on BaySr1-yTiO3 buffer layers 査読有り

    K. Sakuma, M. Ito, T. Hajiri, K. Ueda, and H. Asano

    Applied Physics Express   9 巻   頁: 023101   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  12. Direct formation of graphene layers on diamond by high-temperature annealing with a Cu catalyst 査読有り

    K. Ueda, S. Aichi and H. Asano

    Diamond Relat. Mater.   63 巻   頁: 148   2015年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  13. Magnetic properties and anisotropic magnetoresistance of antiperovskite nitride Mn3GaN/Co3FeN exchange-coupled bilayers 査読有り

    H. Sakakibara, H. Ando, Y. Kuroki, S. Kawai, K. Ueda, and H. Asano

    J. Appl. Phys.   117 巻   頁: 17D725-1-4   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  14. High-temperature and high-voltage characteristics of Cu/diamond Schottky diodes 査読有り

    K. Ueda, K. Kawamoto, and H. Asano

    Diamond Relat. Mater.   57 巻   頁: 28-31   2015年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.diamond.2015.03.006

  15. Low temperature growth of Co2MnSi films on diamond semiconductors by ion-beam assisted sputtering 査読有り

    M. Nishiwaki, K. Ueda, and H. Asano

    J. Appl. Phys.   117 巻   頁: 17D719-1-4   2015年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  16. Deposition and reduction of infinite-layer Sr1-xLaxCuO2 films 査読有り

    K. Sakuma, Y. He, K. Ueda, and H. Asano

    Jpn. J. Appl. Phys.   54 巻   頁: 053101-1-4   2015年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  17. Preparation and properties of Sr0.9La0.1CuO2 thin films grown on BaySr1-yTiO3 layers 査読有り

    Y. He, M. Ito, K. Sakuma, K. Ueda, and H. Asano

    IEEE Trans. Appl. Super.   25 巻   頁: 7501204-1-4   2015年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  18. Strain Effect of a-Axis-Oriented Sr1-xLaxCuO2 Thin Films Grown on LaAlO3 Substrates 査読有り

    Y. He, M. Ito, T. Hajiri, K. Ueda, and H. Asano

    IEEE Trans. Mag.   50 巻   頁: 9000504   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  19. Preparation and properties of ferromagnetic antiperovskite Co3FeN thin films 査読有り

    H. Sakakibara, H. Ando, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    IEEE Trans. Mag.   50 巻   頁: 2600404-1-4   2014年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  20. Fabrication of epitaxial Co2MnSi films on lattice-matched MgAl2O4 substrates by ion-beam assisted sputtering 査読有り

    K. Ueda, M. Nishiwaki, T. Soumiya, and H. Asano

    Thin solid films   570 巻   頁: 134-137   2014年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  21. イオンビームアシストスパッタ法によるCo2MnSi薄膜の低温エピタキシャル成長

    植田研二、浅野秀文

    電子情報通信学会技術研究報告(信学技報)   114 巻 ( 234 ) 頁: MR2014-17   2014年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  22. High-temperature characteristics and stability of Cu/diamond Schottky diodes 査読有り

    K. Ueda, K. Kawamoto, and H. Asano

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻   頁: 04EP05-1-4   2014年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  23. Structural and magnetic properties in Heusler-type ferromagnet/antiferromagnet bilayers 査読有り

    N. Fukatani, K. Inagaki, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    Journal of Applied Physics   113 巻   頁: 17C103-1-3   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  24. Ferromagnetic Schottky junctions using half-metallic Co2MnSi/diamond heterostructures 査読有り

    K. Ueda, T. Soumiya, M. Nishiwaki, and H. Asano

    Applied Physics Letters   103 巻   頁: 052408-1-4   2013年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  25. Reactively sputtered MgAl2O4 barrier layers for Heusler tunnel junctions 査読有り

    K. Inagaki, N. Fukatani, K. Mari, H. Fujita H. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    J. Kor. Phys. Soc.   63 巻   頁: 830-834   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  26. Fabrication and properties of double perovskite SrLaVRuO 査読有り

    R. Zenzai, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    J. Kor. Phys. Soc.   63 巻   頁: 787-790   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  27. Structural and magnetic properties of antiferromagnetic Heusler Ru2MnGe Epitaxial thin films 査読有り

    N. Fukatani, H. Fujita H. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    J. Kor. Phys. Soc.   63 巻   頁: 711-715   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  28. Inversion of magnetoresistance in La1-xSrxMnO3 /Nb-doped SrTiO3/CoFe junctions 査読有り

    K. Ueda, K. Tozawa, and H. Asano

    J. Kor. Phys. Soc.   63 巻   頁: 706-710   2013年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  29. Epitaxial growth and physical properties of Heusler/perovskite heterostructures 査読有り

    K. Kobayashi, K. Ueda, N. Fukatani, H. Kawada, K. Sakuma, and H. Asano

    J. Kor. Phys. Soc.   63 巻   頁: 620-623   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  30. Preparation and properties of inverse perovskite Mn3GaN thin films and heterostructures 査読有り

    H. Tashiro, R. Suzuki, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    J. Kor. Phys. Soc.   63 巻   頁: 299-301   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  31. The effect of magnetocrystalline anisotropy on the domain structure of patterned Fe2CrSi Heusler alloy thin films 査読有り

    T. Miyawaki, M. Foerster, S. Finizio, C. A. F. Vaz, M.-A. Mawass, K. Inagaki, N. Fukatani, L. L. Guyader, F. Nolting, K. Ueda, H. Asano, and M. Klaui

    Journal of Applied Physics   114 巻   頁: 073905-1-5   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  32. High-temperature characteristics of Ag and Ni/diamond Schottky diodes 査読有り

    K. Ueda, K. Kawamoto, T. Soumiya and H. Asano

    Diamond and Related Materials   38 巻   頁: 41-44   2013年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  33. Growth and properties of a-axis oriented thin films of infinite-layer Sr1-xLaxCuO2 査読有り

    H. Akatsuka, K. Sakuma, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    IEEE Trans. Appl. Super.   23 巻   頁: 7501204-1-4   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  34. Antiferromagnetic Heusler Ru2MnGe epitaxial thin films showing Neel temperatures up to 353 K 査読有り

    N. Fukatani, H. Fujita, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    IEEE Trans. Mag.   48 巻   頁: 3211   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  35. Ferromagnetic Schottky junctions using diamond semiconductors 査読有り

    K. Ueda, T. Soumiya and H. Asano

    Diamond Relat. Mater.   25 巻   頁: 159-162   2012年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  36. Structural and electrical properties of half-Heusler La-Pt-Bi thin films grown by 3-source magnetron co-sputtering 査読有り

    T. Miyawaki, N. Sugimoto, N. Fukatani, T. Yoshihara, K. Ueda, N. Tanaka, and H. Asano

    J. Appl. Phys.   111 巻   頁: 07E327-1-3   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  37. Fabrication of MgAl2O4 Thin Films on Ferromagnetic Heusler Alloy Fe2CrSi by Reactive Magnetron Sputtering 査読有り

    N. Fukatani, K. Inagaki, K. Mari, H. Fujita, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻   頁: 02BM04-1-4   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  38. ダイヤモンド半導体を用いた強磁性ショットキー接合の作製 査読有り

    宗宮嵩、植田研二、深谷直人、宮脇哲也、浅野秀文

    J. Magn. Soc. Jpn.   36 巻   頁: 297-300   2012年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  39. ホイスラーペロブスカイト積層構造のマルチフェロイック特性 査読有り

    小林耕平、深谷直人、宮脇哲也、植田研二、浅野秀文

    J. Magn. Soc. Jpn.   36 巻   頁: 213-216   2012年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  40. 逆ペロブスカイトMn3GaN薄膜の構造と電気特性 査読有り

    田代裕樹、宮脇哲也、植田研二、浅野秀文

    J. Magn. Soc. Jpn.   36 巻   頁: 188-191   2012年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  41. 3元同時スパッタリング法によるLa-Pt-Bi薄膜の作製 査読有り

    杉本望実、深谷直人、吉原健彦、宮脇哲也、植田研二、田中信夫、浅野秀文

    J. Magn. Soc. Jpn.,   36 巻   頁: 179-182   2012年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  42. Epitaxial thin films of ordered double perovskite SrLaVMoO6 査読有り

    Katsutoshi. Sanbou, Keita. Sakuma, Tetsuya. Miyawaki, Kenji. Ueda and Hidefumi. Asano

    MRS proceedings   1454 巻   頁: 21-26   2012年

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    記述言語:英語  

  43. Epitaxial strain and antiferromagnetism in Heusler Fe2VSi thin films 査読有り

    N. Fukatani, K. Ueda, H. Asano

    J. Appl. Phys.   109 巻   頁: 073911   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  44. Fabrication and physical properties of double perovskite SrLaVMoO6 thin films 査読有り

    H. Matsushima, H. Gotoh, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    Journal of Applied Physics   109 巻   頁: 07E321.   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  45. Inter-layer exchange coupling in Fe2CrSi/Fe2VSi multilayers fabricated on MgAl2O4 substrates 査読有り

    T. Miyawaki, K. Takahashi, N. Fukatani, K. Ueda, and H. Asano

    IEEE Transactions on Magnetics   47 巻   頁: 2643-2645   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  46. Magnetic and electric properties of double perovskite Sr2-xLaxVMoO6 査読有り

    H. Matsushima, H. Gotoh, Y. Takeda, K. Ueda, and H. Asano

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻   頁: 103004   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  47. Fe2VSi薄膜の歪み効果と電気伝導特性 査読有り

    深谷直人、植田研二、浅野秀文

      35 巻   頁: 260-263   2011年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  48. CoFe2O4/Ba0.7Sr0.3TiO3複合構造のマルチフェロイック特性

    田代裕樹、小林耕平、小林智、宮脇哲也、植田研二、浅野秀文

    電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録   110 巻 ( 2011-03-04 ) 頁: 33-38   2011年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  49. MgAl2O4基板上に成長した格子整合系ホイスラー合金人工格子の結晶構造と磁気特性の相関

    宮脇哲也、高橋一成、深谷直人、植田研二、浅野秀文

    電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録   110 巻 ( 2011-03-04 ) 頁: 27-31   2011年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  50. La0.7Sr0.3MnO3/Bi1-xBaxFeO3接合におけるスピンフィルター効果 査読有り

    小林 智、立木 翔治、吉本 耕助、杉本 靖典、竹田 陽一、植田 研二、浅野 秀文

      34 巻   頁: 499-502   2010年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  51. High temperature operation of diamond field effect transistors 査読有り

    K. Ueda, Y. Yamauchi, M. Kasu

    Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   頁: 04DF16-1-4   2010年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Diamond field effect transistors (FETs) with Pt or Al Schottky gate electrodes were fabricated on high-quality boron (B)-implanted layers formed by combining ion implantation and high-pressure and high-temperature annealing. The high temperature characteristics of these FETs were examined. Pt-gate B-implanted diamond FETs showed maximum drain current (IDS) of 0.16mA/mm at gate voltage of 2 V and drain voltage of 20V at 25C. The IDS increased as temperature increased because of the activation of boron, and it showed maximum value of 3.9mA/mm at 200C. Al-gate FETs showed similar temperature dependence of IDS, though the operation temperature and IDS were higher than those of Ptgate FETs. High-temperature operation of the B-implanted diamond FETs was possible above 550 C without severe drain bulk leakage, though the maximum IDS gradually decreased as temperature increased because of drain bulk leakage above 300C.

  52. MgAl2O4基板上のホイスラー合金薄膜・人工格子の構造と磁性 査読有り

    竹田陽一、深谷直人、高橋一成、藤田裕人、植田研二、浅野秀文

      MR2009-66 巻   頁: 45-51   2010年3月

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    記述言語:日本語  

  53. 格子歪みによるFe2VSi薄膜の反強磁性の安定化 査読有り

    深谷 直人、竹田 陽一、植田 研二、浅野 秀文

      34 巻   頁: 307-310   2010年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  54. 反強磁性体SrLaVMoO6の構造とスピン分極率 査読有り

    松島 宏行、後藤 大尚、J.Zhong、竹田 陽一、植田 研二、浅野 秀文、A. Rajanikanth、宝野 和博

      34 巻   頁: 1-4   2009年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  55. Beryllium-doped single-crystal diamond grown by microwave plasma CVD 査読有り

    K. Ueda, M. Kasu

    Diamond and Related Materials   18 巻   頁: 121-123   2009年2月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We performed beryllium (Be) doping to diamond by inserting a solid Be-rod into the plasma ball during
    microwave plasma CVD growth. The Be concentration can be controlled in the range from∼1016 to ∼1018 cm−3 by
    changing the Be-rod insertion depth in the plasma ball and the microwave power. In cathodoluminescence (CL)
    spectra of Be-doped CVD films,we observed a peak at 4.760 eV and its phonon replica aswell as free-exciton (FE)-
    related emissions. Peak energies of these emissions are close to those of Be-related emissions fromBe-implanted
    diamond films.

  56. Structural and electrical properties of H-terminated diamond field-effect transistor 査読有り

    M. Kubovic, M. Kasu, Y. Yamauchi, K. Ueda and H. Kageshima

    Diamond and Related Materials   18 巻   頁: 796-799   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  57. 水素終端ダイヤモンド高周波電力FETの現状と課題

    嘉数、植田、Kubovic

    ニューダイヤモンド   25 巻 ( 1 ) 頁: 3   2009年

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    記述言語:日本語  

  58. Diamond RF FETs and other approaches to electronics 査読有り

    M. Kasu, K. Ueda, H. Kageshima, Y. Taniyasu

    Physica Status Solidi (c)   5 巻   頁: 3165-3168   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  59. 水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面

    嘉数、植田、影島

    表面科学   29 巻   頁: 159-163   2008年

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    記述言語:日本語  

  60. RF Equivalent-circuit analysis of p-type diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination 査読有り

    M. Kasu, K. Ueda, H. Kageshima, Y. Yamauchi

    IEICE Trans. Electron   E91-C 巻   頁: 1042-1049   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  61. Origin of growth defects in CVD diamond epitaxial films 査読有り

    A. Tallaire, M. Kasu, K. Ueda, T. Makimoto

    Diamond Rel. Mater.   17 巻   頁: 60-65   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  62. Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors 査読有り

    M. Kasu, K. Ueda, H. Kageshima, Y. Yamauchi

    Diamond Rel. Mater.   17 巻   頁: 741-744   2008年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  63. High-pressure and high-temperature annealing effects of boron-implanted diamond 査読有り

    K. Ueda, M. Kasu

    Diamond Rel. Mater.   17 巻   頁: 502-505   2008年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  64. Thick diamond layers angled by polishing to reveal defect and impurity depth profiles 査読有り

    A. Tallaire, M. Kasu, K. Ueda

    Diamond Rel. Mater.   17 巻   頁: 506-510   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  65. High-pressure and high-temperature annealing of diamond ion-implanted with various elements 査読有り

    K. Ueda, M. Kasu

    Diamond Rel. Mater.   17 巻   頁: 1269-1272   2008年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  66. Diamond FETs on boron-implanted and high-pressure and high-temperature annealed homoepitaxial diamond 査読有り

    K. Ueda, Y. Yamauchi, M. Kasu

    Physica Status Solidi (c)   5 巻   頁: 3175-3177   2008年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  67. Diamond-based RF power transistors: Fundamentals and applications 査読有り

    M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, A. Tallaire, T. Makimoto

    Diamond Rel. Mater.   16 巻   頁: 1010-1015   2007年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  68. Terahertz mixing in MgB2 microbolometers 査読有り

    S. Cherednichenko, V. Drakinskiy , K. Ueda , M. Naito

    Appl. Phys. Lett.   90 巻   頁: 023507-1-3   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  69. Gate capacitance-voltage characteristics of submicron-long-gate diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination 査読有り

    M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, T. Makimoto

    Appl. Phys. Lett.   90 巻   頁: 043509-1-3   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  70. Interface microstructure of MgB2/Al-AlOx/MgB2 Josephson junctions studied by cross-sectional transmission electron microscopy 査読有り

    K. Ueda, S. Saito, K. Semba, T. Makimoto, M. Naito

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 巻   頁: L271-L273   2007年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  71. *High-pressure and high-temperature annealing as an activation method for ion-implanted dopants in diamond 査読有り

    K. Ueda, M. Kasu, T. Makimoto

    Appl. Phys. Lett.   90 巻   頁: 122102-1-3   2007年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  72. RF performance of diamond MESFET at elevated temperatures and its equivalent circuit 査読有り

    H. Ye, M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, N. Maeda, S. Sasaki and T. Makimoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻   頁: 3609-3613   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  73. High RF output power for H-terminated diamond FETs 査読有り

    M. Kasu, K. Ueda, H. Ye, Y. Yamauchi, S. Sasaki and T. Makimoto

    Diamond and Related Materials   15 巻   頁: 783-786   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  74. Temperature dependent DC and RF performance of diamond MESFET 査読有り

    H. Ye, M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, N. Maeda, S. Sasaki and T. Makimoto

    Diamond and Related Materials   15 巻   頁: 787-791   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  75. Characterization of high-quality polycrystalline diamond and its high FET performance 査読有り

    K. Ueda, M. Kasu, Y. Yamauchi, T. Makimoto, M. Schwitters, D. J. Twitchen, G. A. Scarsbrook, and S. E. Coe

    Diamond Relat. Mater.   15 巻   頁: 1954-1957   2006年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  76. Low-temperature growth of MgB2 thin films with Tc above 38 K 査読有り

    K. Ueda, T. Makimoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻   頁: 5738-5741   2006年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  77. *Diamond FET using high-quality polycrystalline diamond with fT of 45 GHz and fmax of 120 GHz 査読有り

    K. Ueda, M. Kasu, Y. Yamauchi, T. Makimoto, M. Schwitters, D. J. Twitchen, G. A. Scarsbrook, and S. E. Coe

    IEEE Electron Dev. Lett.   27 巻   頁: 570-572   2006年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  78. High pressure and high temperature annealing effect of CVD homoepitaxial diamond films 査読有り

    K. Ueda, M. Kasu, A. Tallaire, and T. Makimoto

    Diamond Relat. Mater.   15 巻   頁: 1789-1791   2006年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  79. Prospects and problems in fabrication of MgB2 Josephson junctions 招待有り 査読有り

    K. Ueda, M. Naito

    IEICE Trans, Electron.   E88-C 巻   頁: 226-231   2005年

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    記述言語:英語  

  80. *All-MgB2 Josephson tunnel junctions 査読有り

    K. Ueda, S. Saito, K. Semba, T. Makimoto, M. Naito

    Appl. Phys. Lett.   86 巻   頁: 172502-1-3   2005年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  81. 2 W/mm output power density at 1GHz for diamond FET's 査読有り

    M. Kasu, K. Ueda, H. Ye, Y. Yamauchi, S. Sasaki and T. Makimoto

    Electronics Letters   41 巻   頁: 1249-1250   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  82. Tunnel junctions on as-grown MgB2 thin films 査読有り

    K. Ueda, M. Naito

    Physica C   408-410 巻   頁: 134-135   2004年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  83. MgB2 thin films for superconducting electronics 査読有り

    M. Naito, K. Ueda

    Superconductor Sci. Tech.   17 巻   頁: R1-R18   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  84. Tunnel junctions on as-grown superconducting MgB2 thin films 査読有り

    K. Ueda, M. Naito

    IEEE trans. Appl. Superconductivity   13 巻   頁: 3249-3252   2003年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  85. In-situ growth of superconducting MgB2 thin films by molecular beam epitaxy 査読有り

    K. Ueda, M. Naito

    J. Appl. Phys.   93 巻   頁: 2113-2120   2003年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  86. Synthesis and photoemission study of as-grown superconducting MgB2 thin films 査読有り

    K. Ueda, H. Yamamoto, M. Naito

    Physica C   378-381 巻   頁: 225-228   2002年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  87. Superconducting thin films of electron-doped infinite-layer Sr1-xLaxCuO2 grown by molecular-beam epitaxy 査読有り

    S. Karimoto, K. Ueda, M. Naito, T. Imai

    Physica C   378-381 巻   頁: 127-130   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  88. *As-grown superconducting MgB2 thin films prepared by molecular-beam epitaxy 査読有り

    K. Ueda, M. Naito

    Appl. Phys. Lett.   79 巻   頁: 2046-2048   2001年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  89. Fabrication of the low-resistive p-type ZnO by co-doping method 査読有り

    M. Joseph, H. Tabata, H. Saeki, K. Ueda, T. Kawai

    Physica B   302-303 巻   頁: 140-148   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  90. Control of magnetic properties in LaCrO3-LaFeO3 artificial superlattices 査読有り

    K. Ueda, H. Tabata and T. Kawai

    J. Appl. Phys.   89 巻   頁: 2847-2851   2001年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  91. Atomic ordering in the LaFe0.5Mn0.5O3 solid solution film 査読有り

    K. Ueda, Y. Muraoka, H. Tabata and T. Kawai

    Appl. Phys. Lett.   78 巻   頁: 512-514   2001年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  92. *Magnetic and Electric Properties of Transition-Metal-Doped ZnO Films 査読有り

    K. Ueda, H. Tabata and T. Kawai

    Appl. Phys. Lett.   79 巻   頁: 988-990   2001年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  93. Single-crystalline superconducting thin films of electron-doped infinite-layer compounds grown by molecular-beam epitaxy 査読有り

    S. Karimoto, K. Ueda, M. Naito, T. Imai

    Appl. Phys. Lett.   79 巻   頁: 2767-2769   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  94. Control of the magnetic and electric properties of the low dimensional SrRuO3-BaTiO3 superlattices 査読有り

    K. Ueda, H. Saeki, H. Tabata and T. Kawai

    Solid State Comm.   116 巻   頁: 221   2000年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  95. Preparation and thickness dependence of magnetic properties of (111)-oriented Mg1.5FeTi0.5O4 spinel films on sapphire by pulsed laser deposition technique 査読有り

    Y. Muraoka, K. Ueda, H. Tabata and T. Kawai

    Vacuum   59 巻   頁: 622-627   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  96. Coexistence of ferroelectricity and ferromagnetism in BiFeO3-BaTiO3 thin films at room temperature 査読有り

    K. Ueda, H. Tabata and T. Kawai

    Appl. Phys. Lett.   75 巻   頁: 555-557   1999年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  97. Artificial control of spin order and magnetic properties in LaCrO3-LaFeO3 superlattices 査読有り

    K. Ueda, H. Tabata and T. Kawai

    Jpn. J. Appl. Phys.   38 巻   頁: 6690-6693   1999年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  98. Atomic arrangement and magnetic properties of LaFeO3-LaMnO3 artificial superlattices 査読有り

    K. Ueda, H. Tabata and T. Kawai

    Phys. Rev. B   60 巻   頁: R12561-12564   1999年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  99. Size effect of ferroelectric and ferromagnetic properties of Bi-based perovskite type materials 査読有り

    H. Tabata, K. Ueda and T. Kawai

    Mater. Res. Soc. Proc.   541 巻   頁: 437   1999年

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    記述言語:英語  

  100. Artificial Control of Magnetic and Magnetoresistive Properties in the Perovskite Manganites Superlattices and Their Multilayers with Organics 査読有り

    H. Tabata, K. Ueda H. Matsui, H. Saeki, and T. Kawai

    Mater. Res. Soc. Proc.   602 巻   頁: 339-348   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  101. Construction of ferroelectric and/or ferromagnetic superlattices by laser MBE and their physical properties 査読有り

    H. Tabata, K. Ueda and T. Kawai

    Mat. Sci. & Eng. B   56 巻   頁: 140-146   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  102. Ferromagnetism in LaFeO3-LaCrO3 superlattices 査読有り

    K. Ueda, H. Tabata and T. Kawai

    Science   280 巻   頁: 1064-1066   1998年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  103. Formation of ferromagnetic/ferroelectric superlattices by a laser MBE and their electric and magnetic properties 査読有り

    H. Tabata, K. Ueda and T. Kawai

    Mater. Res. Soc. Proc.   494 巻   頁: 201-212   1998年

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    記述言語:英語  

  104. Theoretical study and comparison with experiments for atacamite Cu2Cl(OH)3

    K. Ueda, S. Takamizawa, W. Mori S. Kubo and K. Yamaguchi

    Mol. Cryst. Liq. Cryst.   306 巻   頁: 33-40   1997年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  105. Formation of ferroelectric/ferromagnetic functionally grated materials by Laser MBE and their physical properties 査読有り

    H. Tabata, H. Tanaka, K. Ueda and T. Kawai

    Proc. of 9th Functionally Grated Materials Symp.     頁: 247-252   1997年

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    記述言語:英語  

  106. Magnetic properties of basic copper (II) formates

    K. Ueda, S. Takamizawa, W. Mori and K. Yamaguchi

    Mol. Cryst. Liq. Cryst.   286 巻   頁: 17-22   1996年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  107. Calculation of magnetization by path integral method II

    T. Kawakami, H. Nagao, K. Ueda, W. Mori and K. Yamaguchi

    Mol. Cryst. Liq. Cryst.   286 巻   頁: 177-184   1996年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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書籍等出版物 2

  1. New Topics in Josephson Junctions and Superconductivity Research (chapter 5) Low-Temperature Synthesis of Superconducting MgB2 Thin Films for Electronics Applications

    K. Ueda, M. Naito( 担当: 共著)

    Nova Science Publisher Inc.  2007年 

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    記述言語:英語

  2. Studies of high temperature superconductors-Growth of superconducting MgB2 thin films

    K. Ueda, M. Naito( 担当: 共著)

    Nova Science Publishers Inc  2003年 

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    記述言語:英語

MISC 1

  1. Science As Art ナノピースマーク

    伊藤 秀治、植田 研二  

    応用物理89 巻 ( 5 ) 頁: 245 - 245   2020年5月

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    担当区分:責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

講演・口頭発表等 247

  1. Bi1-xSbxトポロジカル薄膜の構造・電気特性の膜厚依存性

    羽立 康浩、森 一将、浅野 秀文、植田 研二

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月19日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  2. 垂直配向グラフェン/ダイヤモンド接合の脳型光記憶機能

    水野 雄基、伊藤 悠河、植田 研二

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月19日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  3. TiNバッファ層を用いた六方晶Mn3Ga薄膜の成長包囲制御と評価

    安藤 優介、羽尻 哲也、松岡 孝輔、植田 研二、浅野秀文

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  4. 異常分散X線回折によるMn2CoAlホイスラー合金薄膜の構造決定 国際共著

    田尻寛男, L.S.R. Kumara, 桜庭裕弥, Z. Chen, B, J. Wang, W. Zhou, K. Varum, 植田研二, 山田晋也, 浜屋宏平, 宝野和博

    日本物理学会第76回年次大会(2021年)  2021年3月15日  日本物理学会

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン会議  

  5. 異常分散X 線回折によるMn2CoAl ホイスラー合金薄膜の構造評価 国際共著

    田尻 寛男、L. S. R. Kumara、桜庭 裕弥、Z. Chen、J. Wang、W. Zhou、K. Varun、 植田 研二、山田 晋也、浜屋 宏平、宝野 和博

    2021年日本放射光学会年会  2021年1月10日  日本放射光学会

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン会議  

  6. 高品質トポロジカルBi1-xSbxエピタキシャル薄膜の作製と特性評価

    羽立 康浩、鈴木 健太、浅野 秀文、植田 研二

    2020日本磁気学会学術講演会  2020年12月15日  日本磁気学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン会議  

  7. Multibit optoelectronic memory using graphene/diamond (carbon sp2-sp3) heterojunctions 国際会議

    K. Ueda, Y. Mizuno, and Y. Ito

    2020 Virtual MRS Spring/Fall Meeting & Exhibit  2020年12月4日  MRS

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    開催年月日: 2020年11月 - 2020年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Virtual conference  

  8. Multibit optoelectronic memory functions of graphene/diamond heterojunctions 国際会議

    K. Ueda, Y. Mizuno, and H. Asano

    SSDM (International Conference on Solid State Device and Materials) 2020  2020年9月30日  JSAP

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:All-virtual conference  

  9. カーボンナノウォール/ダイヤモンド接合のパルス光応答性

    水野 雄貴、伊藤 悠河、浅野 秀文、植田 研二

    第81回日本応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月11日  日本応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン会議  

  10. プラズマアニール法によるグラフェン/ダイヤモンド接合の作製と界面特性

    伊藤 悠河、今井 祐太、水野 雄貴、浅野 秀文、植田 研二

    第81回日本応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月11日  日本応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン会議  

  11. スピントロニクス応用に向けた高品質トポロジカルBi1-xSbx薄膜の作製

    羽立 康浩、鈴木 健太、浅野 秀文、植田 研二

    第81回日本応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月8日  日本応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン会議  

  12. 六方晶Mn3Gaエピタキシャル薄膜作製と磁気特性

    安藤 優介、羽尻 哲也、植田 研二、浅野 秀文

    第81回日本応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月8日  日本応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン会議  

  13. ダイヤモンド/グラフェン(炭素sp3-sp2)接合の作製とデバイス応用 招待有り

    植田研二

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:上智大学   国名:日本国  

  14. トポロジカルデバイス応用に向けたLaBi 薄膜の作製と磁気伝導特性

    鈴木健太,植田研二,羽立康浩,浅野秀文

    第43回日本磁気学会学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:京都大学   国名:日本国  

  15. Structural insight using anomalous XRD into Mn2CoAl inverse Heusler alloy _lms fabricated by magnetron sputtering, IBAS and MBE techniques

    第43回日本磁気学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学   国名:日本国  

  16. プラズマアニール法によるダイヤモンド上グラフェンの作製

    今井 祐太, 植田 研二, 浅野 秀文

    第80回日本応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  17. Graphene/diamond (carbon sp2-sp3) heterojunctions as novel photoelectronic devices 国際会議

    Y. Imai, K. Ueda, Y. Mizuno, and H. Asano

    SSDM2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  18. グラフェン/ダイヤモンド接合の作製と電子デバイス応用

    水野雄貴、今井祐太、植田研二

    第4回表面界面の機能創成とデバイス応用セミナー 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  19. Carbon nanowalls/diamond heterojunctions as novel photo-switching memory devices 国際会議

    Y. Imai, K. Ueda, H. Itou, Y. Mizuno and H. Asano

    CSW (Compound Semiconductor Week) 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nara, Japan   国名:日本国  

  20. Graphene/diamond heterojunctions as novel photo-switching memory devices 招待有り 国際会議

    K. Ueda

    CCMST (Collaborative Conference on Materials Science and Technology) 2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Beijing, China   国名:日本国  

  21. トポロジカル半金属LaBi薄膜の作製と特性評価

    森 雅斗、植田 研二、鈴木 健太、浅野 秀文

    第79回日本応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  22. カーボンナノウォール/ダイヤモンド光メモリスタの動作機構

    伊藤 秀治、植田 研二、浅野 秀文

    第79回日本応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  23. グラフェン/ダイヤモンド(炭素sp2/sp3)接合を用いた光メモリスタの作製とデバイス応用 招待有り

    植田 研二

    第3回「表面界面の機能創成とデバイス応用」セミナー 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  24. カーボンナノウォール/ダイヤモンド接合における光誘起巨大伝導度変調

    伊藤 秀治, 植田 研二, 浅野 秀文

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  25. Fabrication of carbon nanowalls/ diamond heterojunctions and their electronic properties 国際会議

    K. Ueda, H. Itou, H. Asano

    MRS2017 fall meetings 

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    開催年月日: 2017年11月 - 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston, USA   国名:日本国  

  26. Ambipolar transport in Mn2CoAl spin gapless semiconductors by ionic liquid gating 国際会議

    K. Ueda, S. Hirose, M. Mori, H. Asano

    MRS2017 fall meetings 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月 - 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Boston, USA   国名:日本国  

  27. Multiferroic properties of heterostructures using antiferromagnetic insulator SmFeO3 国際会議

    62nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  28. ホイスラースピンギャップレス半導体Mn2CoAl薄膜の作製とデバイス応用 招待有り

    植田 研二

    第五回ホイスラー化合物熱電素子材料による廃熱発電研究会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  29. Ambipolar transport and modulation of electronic properties of Mn2CoAl films by ionic liquid gating 国際会議

    K. Ueda, S. Hirose, M. Mori, H. Asano

    SSDM2017 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai, Japan   国名:日本国  

  30. ホイスラースピンギャップレス半導体Mn2CoAlにおける電界誘起両極性伝導

    植田 研二、広瀬 慎吾、森 雅斗、浅野 秀文

    日本金属学会2017年秋季講演大会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  31. ノンコリニア型反強磁性絶縁体SmFeO3のエピタキシャル薄膜における磁化のエンハンスメント

    棚橋 直也, 黒田 基規, 羽尻 哲也, 植田 研二, 浅野 秀文

    第78回日本応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  32. カーボンナノウォール/ダイヤモンドヘテロ接合の作製と電気特性

    伊藤 秀治, 植田 研二, 浅野 秀文

    第78回日本応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  33. Photoconductive characteristics of graphene/diamond heterojunctions 招待有り 国際会議

    K. Ueda

    CCMR(Collaborative Conference on Materials Research)2017 

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    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Jezu, Korea   国名:日本国  

  34. 反強磁性絶縁体SmFeO3を用いたマルチフェロイック積層膜の作成と評価

    黒田 基規、棚橋 直也、羽尻 哲也、植田 研二、浅野 秀文

    第64回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  35. Unusual magnetoresistance in heusler compounds antiferromagnet/ferromagnet bilayers 国際会議

    M. Matsushita, T. Hajiri, K. Ueda and H. Asano

    MMM 2016 

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    開催年月日: 2016年10月 - 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:New Orleans, USA   国名:日本国  

  36. Strain tuning and superconducting properties of infinite-layer Sr1-xLaxCuO2 thin films on BaySr1-yTiO3 buffer layers 国際会議

    K. Morioka, K. Sakuma, M. Ito, T. Hajiri, K. Ueda, and H. Asano

    WOE23 (International workshop on oxide electronics) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nanjing, China   国名:日本国  

  37. Strain effect and multiferroic properties of Sr2CrReO6/BaxSr1-xTiO3 Heterostructures 国際会議

    J. So, M. Kuroda, T. Hajiri, K. Ueda, and H. Asano

    WOE23 (International workshop on oxide electronics) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nanjing, China   国名:日本国  

  38. Fabrication of graphene/diamond heterojunctions and their electronic properties 国際会議

    K. Ueda, S.Tanaka, and H. Asano

    SSDM 2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tsukuba, Japan   国名:日本国  

  39. グラフェン/ダイヤモンド接合における光・熱誘起伝導度変化

    植田研二,浅野秀文

    第77回 応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟)   国名:日本国  

  40. 窒素組成制御したMn3GaN薄膜の作製と評価

    ソジョンミン,羽尻哲也,植田研二,浅野秀文

    第77回 応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟)   国名:日本国  

  41. 逆ペロブスカイト窒化物Co3FeN/Mn3GaNヘテロ接合の作製と交換結合特性

    黒木庸次,安藤弘紀,羽尻哲也,植田研二,浅野秀文

    第77回 応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟)   国名:日本国  

  42. 歪による無限層Sr1-xLaxCuO2スパッタ薄膜の超伝導特性制御

    作間啓太,伊藤雅崇,植田研二,三浦 正志,浅野秀文

    第77回 応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟)   国名:日本国  

  43. Photo and/or heat induced large conductivity change in graphene/diamond heterojunctions 国際会議

    K. Ueda, S.Aichi, and H. Asano

    ICDCM (International conference on diamond and carbon materials) 2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Montpelier, France   国名:日本国  

  44. 電子ドープ型無限層超伝導Sr1-xLaxCuO2薄膜における引張歪効果

    伊藤 雅崇,作間 啓太,羽尻 哲也,植田 研二,浅野 秀文

    第158回日本金属学会春季講演大会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  45. 歪制御した無限層Sr0.125La0.875CuO2スパッタ薄膜の超伝導特性

    作間 啓太,伊藤 雅崇,羽尻 哲也,植田 研二,浅野 秀文

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  46. Spin injection from half-metallic Heusler Co2MnSi into diamond semiconductors 国際会議

    K. Ueda , M. Nishiwaki, and H. Asano

    MMM | Intermag 2016 Joint conference 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  47. Magnetic and electronic properties of epitaxial Mn2CoAl films 国際会議

    K. Ueda , S. Hirose, S. Aichi, T. Hajiri, and H. Asano

    SSDM 2015 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  48. Mn2CoAlエピタキシャル薄膜の作製と電気・磁気特性

    広瀬慎吾,植田研二,愛知慎也,羽尻哲也,浅野秀文

    日本金属学会2015年秋期講演大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  49. 異方性磁気抵抗効果を用いたホイスラー合金積層膜Fe2CrSi/Ru2MnGeの研究

    松下将輝,羽尻哲也,植田研二,浅野秀文

    日本金属学会2015年秋期講演大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  50. Sr2CrReO6/BaxSr1-xTiO3 ヘテロ積層構造における歪み効果と電気磁気特性

    伊東 和徳, 作間 啓太, ソ ジョンミン, 羽尻 哲也, 植田 研二, 浅野 秀文

    第76回 応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  51. 銅触媒を用いたアニール法によるダイヤモンド表面のグラフェン形成

    愛知慎也,植田研二,広瀬慎吾,浅野秀文

    第76回 応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  52. Mn2CoAl スピンギャップレス半導体薄膜の作製と特性評価

    広瀬慎吾,植田研二,愛知慎也,羽尻哲也,浅野秀文

    第76回 応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  53. 逆ペロブスカイト窒化物交換結合膜における電流誘起磁化スイッチングの成長方位による影響

    黒木 庸次, 安藤 弘紀, 河合 俊介, 羽尻 哲也, 植田 研二, 浅野 秀文

    第76回 応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  54. 逆ペロブスカイト窒化物交換結合膜における電流駆動磁化スイッチングの成長方位依存性

    安藤弘紀,黒木庸次,羽尻哲也,植田研二,浅野秀文

    第39回 日本磁気学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  55. スピンギャップレス半導体のデバイス応用に向けたMn2CoAl 薄膜の作製

    広瀬慎吾,植田研二,愛知慎也,羽尻哲也,浅野秀文

    第39回 日本磁気学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  56. 異方性磁気抵抗効果を用いたホイスラー合金 ハーフメタル強磁性/反強磁性Fe2CrSi /Ru2MnGe積層膜の研究

    羽尻哲也,松下将輝,植田研二,浅野秀文

    第39回 日本磁気学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  57. Anisotropic magnetoresistance of Heusler-type half-metal ferromagnet and antiferromagnet bilayer thin films 国際会議

    T. Hajiri, M. Matsushita, M. Nishiwaki, H. Tanaka, K. Ueda, and H. Asano

    ICM (International conference on magnetism) 2015 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  58. Fabrication of epitaxial Mn2CoAl films for spintronic applications using spin-gapless semiconductors 国際会議

    K. Ueda , S. Hirose, M. Nishiwaki, T. Hajiri, and H. Asano

    ICM (International conference on magnetism) 2015 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  59. Magnetic and Josephson properties of NbN junctions with a magnetic interlayer 国際会議

    R. Takagi, S. Oh, T. Hajiri, K. Ueda, and H. Asano

    ISEC (15th international superconductive electronics conference) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  60. Direct formation of graphene on diamond by high-temperature annealing method using Cu catalyst 国際会議

    S.Aichi, K. Ueda, and H. Asano

    NDNC (New diamond and nano carbons) 2015 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  61. Current induced magnetization switching in an antiperovskite nitride exchange-coupled bilayer 国際会議

    Y. Kuroki, H. Sakakibara, H. Ando, S. Kawai, T. Hajiri, K. Ueda and H. Asano

    INTERMAG 2015 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  62. Strain effect of a-axis oriented Sr1-xLaxCuO2 thin films grown on LaAlO3 substrates 国際会議

    Y. He, M. Ito,T. Hajiri, K. Ueda and H. Asano

    INTERMAG 2015 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  63. Magnetic and transport properties of antiperovskite nitride Co3FeN films 国際会議

    S. Kawai, H. Ando, H. Sakakibara, Y. Kuroki, T. Hajiri, K. Ueda and H. Asano

    INTERMAG 2015 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  64. Cu diamond Schottky diodes for high-temperature and high-power applications 国際会議

    K. Ohtsuka, K. Ueda, S. Aichi and H. Asano

    ISPlasma2015 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  65. ペロブスカイトハーフメタル/強誘電体ヘテロ構造のマルチフェロイック特性

    浅野秀文、蘇ジョンミン、許方舟、伊東和徳、羽尻哲也、植田研二

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  66. 無限層超伝導Sr1-xLaxCuO2 a軸成長膜における歪効果

    伊藤雅崇、何 軼倫、羽尻哲也、植田研二、浅野秀文

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  67. 逆ペロブスカイトCo3FeN薄膜の異方性磁気抵抗効果とスピン分極率

    榊原英樹、黒木庸次、安藤弘紀、河合俊介、羽尻哲也、植田研二、浅野秀文

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  68. 逆ぺロブスカイト窒化物交換結合膜における電流誘起磁化スイッチング

    安藤弘紀、河合俊介、榊原英樹、黒木庸次、羽尻哲也、植田研二、浅野秀文

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  69. ハーフメタル/BaxSr1-xTiO3ヘテロ積層構造における歪み効果と電気的特性

    蘇ジョンミン、許方舟、伊東和徳、羽尻哲也、植田研二、浅野秀文

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  70. Co2MnSi/diamond Schottky junctions for spintronic applications 国際会議

    K. Ueda, and H. Asano

    EMN-fall meetings 2014 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  71. Magnetic properties and spin polarization of double perovskite SrLaVRuO6 thin films 国際会議

    K. Itou, K. Ueda, T. Shinno and H. Asano

    59th Annual Magnetism & Magnetic Materials conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  72. Epitaxial growth and properties of antiperovskite nitride Mn3GaN/Co3FeN bilayers 国際会議

    H. Sakakibara, H. Ando, Y. Kuroki, S. Kawai, K. Ueda and H. Asano

    59th Annual Magnetism & Magnetic Materials conference 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  73. Low temperature growth of Co2MnSi films on diamond semiconductor by ion beam assisted sputtering 国際会議

    M. Nishiwaki, K. Ueda, S. Aichi and H. Asano

    59th Annual Magnetism & Magnetic Materials conference 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  74. The magneto-optical Kerr effect (MOKE) study of Sr2CrReO6 thin films 国際会議

    J. So, K. Ueda, and H. Asano

    59th Annual Magnetism & Magnetic Materials conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  75. High-temperature and high-voltage characteristics of diamond Schottky diodes 国際会議

    K. Ueda

    2nd French-Japanese Workshop on Diamond Power Devices 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  76. イオンビームアシストスパッタ法によるCo2MnSi薄膜の低温エピタキシャル成長

    植田研二 浅野秀文

    電子情報通信学会、磁気記録・情報ストレージ研究会(MR) 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  77. 反応性スパッタ法によるMgAl2O4バリアを用いたトンネル接合の作製と界面構造

    田中秀和、稲垣圭真、深谷直人、植田研二,浅野秀文

    日本金属学会、2014年秋季講演大会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  78. c軸成長無限層超伝導体Sr1-xLaxCuO2におけるバッファ層BaxSr1-xTiO3による歪効果

    伊藤雅崇,何 軼倫,作間啓太,宮脇哲也,植田研二,浅野秀文

    日本金属学会、2014年秋季講演大会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  79. 二重ペロブスカイトSrLaVRuO6薄膜の磁性とスピン分極率

    伊東和徳,新野貴士,植田研二,浅野秀文

    日本金属学会、2014年秋季講演大会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  80. 反応性スパッタ法で作製したCo3FeN薄膜の異方性磁気抵抗効果

    河合俊介,榊原英樹,安藤弘紀,植田研二,浅野秀文

    日本金属学会、2014年秋季講演大会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  81. Cu/ダイヤモンドショットキーダイオードの高温耐電圧特性

    植田研二、河本圭太、西脇雅人、浅野秀文

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  82. High-Temperature and High-Voltage Characteristics of Cu/Diamond Schottky Diodes 国際会議

    K. Ueda, K. Kawamoto, S. Aichi, M. Nishiwaki, H. Asano

    SSDM 2014 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  83. High-temperature and high-voltage operation of Cu/diamond Schottky diodes 国際会議

    K. Ueda, K. Kawamoto, H. Asano

    ICDCM (International conference on diamond and carbon materials) 2014 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スペイン  

  84. 逆ペロブスカイトCo3FeN薄膜の異方性磁気抵抗効果

    安藤弘紀,榊原英樹,河合俊介,植田研二,浅野秀文

    第38回 日本磁気学会学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  85. Half-metallic Heusler/diamond heterojunctions for spintronic applications 国際会議

    K. Ueda, H. Asano

    IUMRS-ICA 2014 

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  86. The response to the magnetic field of critical current of NbN Josephson junctions with a ferromagnetic ultra thin layer 国際会議

    R. Takagi, M. Itou, T. Miyawaki, K. Ueda, H. Asano

    ASC (Applied superconductivity conference )2014 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  87. Preparation and properties of Sr1-xLaxCuO2 thin films grown on BaxSr1-xTiO3 layers 国際会議

    Y. He, K. Sakuma, T. Miyawaki, K. Ueda, H. Asano

    ASC (Applied superconductivity conference )2014 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  88. Preparation and properties of ferromagnetic antiperovskite Co3FeN thin films 国際会議

    H. Sakakibara, H. Ando , T. Miyawaki , K. Ueda , H. Asano

    Intermag 2014 

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    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  89. Low temperature growth of epitaxial Co2MnSi films on lattice-matched MgAl2O4 substrates by ion-beam assisted sputtering 国際会議

    M. Nishiwaki, K. Ueda, S. Aichi, T. Miyawaki, H. Asano

    Intermag 2014 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  90. 反応性スパッタ法による逆ペロブスカイト型窒化物Co3FeN薄膜の作製

    安藤弘紀、榊原英樹, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  91. イオンビームアシストスパッタリング法を用いた格子整合MgAl2O4基板上へのCo2MnSi薄膜の成長

    西脇雅人, 植田研二, 河本圭太, 愛知慎也, 浅野秀文

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  92. Ba1-xSrxTiO3上の無限層Sr1-xLaxCuO2薄膜の歪み効果

    何軼倫、作間啓太, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  93. 規則型二重ペロブスカイトSrLaVRuO6の磁性とスピン分極率

    伊東和徳, 新野貴士, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    IEEE Magnetics Society 名古屋支部若手研究会 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  94. Strain Effects and Applications of Antiferromagnetic Heusler-alloy Thin Films 国際会議

    H. Asano, N. Fukatani, T. Miyawaki, and K. Ueda

    The Seven International Conference on Materials Engineering for Resources 2013 (ICMR) 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  95. Magnetic Schottky junctions using heterostructures of half-metallic Co2MnSi/diamond semiconductors 国際会議

    K. Ueda, T. Soumiya, M. Nishiwaki, K. Kawamoto, T. Miyawaki, H. Asano

    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  96. Fabrication of half-metallic Co2MnSi/diamond Schottky junctions 国際会議

    K. Ueda, M. Nishiwaki, T. Soumiya, K. Kawamoto and H. Asano

    International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  97. Preparation and Characterization of Ordered Double Perovskite SrLaVMoO6 Thin Films 国際会議

    T. Shinno, K. Sanbou, K. Sakuma, T . Miyawaki, K. Ueda and H. Asano

    International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  98. Structural and transport properties in epitaxial Fe2CrSi/MgAl2Ox/Fe2CrSi structures 国際会議

    K. Inagaki, N. Fukatani, H. Tanaka, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  99. High-temperature characteristics of diamond Schottky diodes using various Schottky metals 国際会議

    K. Kawamoto, K. Ueda, M. Nishiwaki, and H. Asano

    International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  100. Ferromagnetic Schottky junctions using half-metallic Co2MnSi/diamond heterostructures

    K. Ueda, M. Nishiwaki, T. Soumiya, K. Kawamoto and H. Asano

    2013 JSAP-MRS Joint symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  101. 無限層構造Sr1-xLaxCuO2薄膜の a軸成長化とその特性

    何軼倫 赤塚寛之 作間啓太 宮脇哲也 植田研二 浅野秀文

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  102. 強磁性CoFeを挿入した NbNジョセフソン接合の電気的特性

    髙木涼真, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  103. 逆ペロブスカイト窒化物Mn3GaN薄膜の電気的・磁気的特性

    榊原英樹, 小林洸, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  104. 二重ペロブスカイトSrLaVRuO6薄膜の磁気・伝導物性

    伊東和徳, 新野貴士, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  105. SrLaVMoO6 as a Strong Candidate for a Half-metallic Antiferromagnet

    2013 JSAP-MRS joint symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  106. イオンビームアシストスパッタ法を用いたダイヤモンド半導体上へのハーフメタルCo2MnSi薄膜の低温成長

    西脇雅人,植田研二,宗宮嵩,河本圭太,宮脇哲也,浅野秀文

    第37回日本磁気学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  107. High temperature characteristics of diamond devices 国際会議

    K. Ueda and H. Asano

    1st French-Japanese Workshop on Diamond power devices 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  108. Epitaxial growth of half-metallic Heusler alloy Co2MnSi on diamond semiconductors and their interfacial characteristics 国際会議

    K. Ueda, T. Soumiya, M. Nishiwaki, K. Kawamoto, and H. Asano

    NDNC (New Diamond and Nano Carbon conference) 2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  109. High temperature stability of diamond Schottky junctions 国際会議

    K. Ueda, K. Kawamoto, T. Soumiya, and H. Asano

    NDNC (New Diamond and Nano Carbon conference) 2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  110. ダイヤモンド半導体/ハーフメタルCo2MnSiショットキー接合の作製

    宗宮嵩,植田研二,西脇雅人,河本圭太,宮脇哲也,浅野秀文

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  111. ダイヤモンドショットキー接合の高温安定性評価

    河本圭太, 植田研二, 宗宮嵩, 西脇雅人, 宮脇哲也, 浅野秀文

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  112. 超伝導NbN薄膜上に作製した交換結合膜の磁気特性

    吉原健彦, 髙木涼真, 深谷直人, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  113. 規則型二重ペロブスカイトSrLaVMoO6のスピン分極率

    新野貴士, 三宝勝利, 松島宏行, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  114. ホイスラー強磁性/反強磁性積層膜における構造と界面磁性

    深谷直人, 榊原英樹, 稲垣圭真, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  115. Fabrication of diamond/Heusler heterojunctions for spintronic applications 国際会議

    T. Soumiya, K. Ueda, K. Kawamoto, N. Fukatani, and H. Asano

    ISPlasma2013 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  116. High temperature characteristics of Schottky diodes using diamond 国際会議

    K. Ueda, K. Kawamoto, T. Soumiya, M. Nishiwaki, and H. Asano

    ISPlasma2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  117. Structural and magnetic properties in Heusler-type ferromagnet/antiferromagnet bilayers 国際会議

    N. Fukatani, K. Inagaki, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    12th Joint MMM/Intermag Conference 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  118. Growth and properties of a-axis oriented thin films of infinite-layer Sr1-xLaxCuO2 国際会議

    H. Akatsuka, K. Sakuma, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    Applied Superconductivity Conference (ASC2012) 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  119. Structure and valence band spectra of half-Heusler La-Pt-Bi thin films 国際会議

    Y. Niimi, N. Sugimoto, T. Miyawaki, T. Yoshihara, N. Fukatani, K. Ueda, N. Tanaka, and H. Asano

    International Conference of the Asian Union of Magnetics Societies (ICAUMS2012) 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  120. Preparation and properties of Ba0.7Sr0.3TiO3 / Mn3GaN heterostructures 国際会議

    R. Suzuki, H. Tashiro, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    International Conference of the Asian Union of Magnetics Societies (ICAUMS2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  121. Growth and properties of epitaxial Fe2CrSi / AFM Ru2MnGe Heusler multilayers 国際会議

    K. Inagaki, N. Fukatani, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    International Conference of the Asian Union of Magnetics Societies (ICAUMS2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  122. Epitaxial thin films of ordered double perovskite SrLaVMoO6 国際会議

    T. Shinno, K. Sanbou, K. Sakuma, T. Miyawaki, K. Ueda and H. Asano

    International Conference of the Asian Union of Magnetics Societies (ICAUMS2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  123. Epitaxial growth of half-metallic ferromagnets Co2MnSi on diamond semiconductors 国際会議

    T. Soumiya, K. Ueda, K. Kawamoto, N. Fukatani and H. Asano

    International Conference of the Asian Union of Magnetics Societies (ICAUMS2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  124. High temperature operation of diamond Schottky diodes above 750degree 国際会議

    K. Ueda, K. Kawamoto, T. Soumiya, E. Bustarret, and H. Asano

    International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  125. 反強磁性ホイスラー合金Ru2MnGe薄膜の歪効果によるネール温度の上昇

    深谷直人, 藤田裕人, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    2012秋期第151回金属学会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学   国名:日本国  

  126. 無限層構造 Sr1-xLaxCuO2

    赤塚寛之, 作間啓太, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    2012秋季第73回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:松山大学   国名:日本国  

  127. ホイスラー合金 / NbN接合の作製と電気的特性

    吉原健彦, 深谷直人, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    2012秋季第73回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:松山大学   国名:日本国  

  128. ハーフメタル/Ba0.7Sr0.3TiO3/Fe2CrSi構造のマルチフェロイック特性

    川田浩憲, 小林耕平, 三宝勝利, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    2012秋季第73回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:松山大学   国名:日本国  

  129. ダイヤモンド半導体/金属ショットキー接合の高温特性

    河本圭太, 植田研二, 宗宮嵩, 浅野秀文

    2012秋季第73回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:松山大学   国名:日本国  

  130. 二重ペロブスカイトSrLaVRuO6の作製と磁気・伝導特性

    善戝良介, 松島宏行, 宮脇哲也,植田研二,浅野秀文

    2012秋季第73回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:松山大学   国名:日本国  

  131. ハーフメタル/Ba0.7Sr0.3TiO3 ヘテロ構造の歪みとマルチフェロイック特性

    三宝勝利, 小林耕平, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    2012秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:松山大学   国名:日本国  

  132. Ferromagnetic Heusler/diamond heterostructures for spintronic applications 国際会議

    K. Ueda, T. Soumiya, K. Kawamoto, N. Fukatani, and H. Asano

    International Conference on Diamond and Carbon Materials(ICDCM2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スペイン  

  133. High-temperature characteristics of diamond Schottky diodes above 600°C 国際会議

    K. Ueda, K. Kawamoto, T. Soumiya, and H. Asano

    International Conference on Diamond and Carbon Materials(ICDCM2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スペイン  

  134. Structural and magnetic properties of antiferromagnetic Heusler Ru2MnGe epitaxial thin films 国際会議

    N. Fukatani, H. Fujita, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    ICM2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  135. Fabrication and Characterization of Heusler-alloy/Perovskite Heterostructures 国際会議

    K. Kobayashi, K. Ueda, N. Fukatani, H. Kawada, K. Sakuma, and H. Asano

    ICM2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  136. Preparation and properties of inverse perovskite Mn3GaN thin films and heterostructures 国際会議

    H. Tashiro, R. Suzuki, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    ICM2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  137. Reactively sputtered MgAl2O4 barrier layers for Heusler tunnel junctions 国際会議

    K. Inagaki, N. Fukatani, K. Mari, H. Fujita, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    ICM2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  138. Structural and electrical properties of (111) oriented half-Heusler LaPtBi thin films 国際会議

    N. Sugimoto, Y. Niimi, T. Miyawaki, T. Yoshihara, N. Fukatani, K. Ueda, N. Tanaka, and H. Asano

    ICM2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  139. Fabrication and properties of double perovskite SrLaVRuO6 国際会議

    R. Zenzai, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    ICM2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  140. Inversion of magnetoresistance in La1-xSrxMnO3 /Nb-doped SrTiO3/CoFe junctions 国際会議

    K. Ueda, K. Tozawa, and H. Asano

    ICM2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  141. Growth of a-axis oriented thin films of infinite-layer Sr1-xLaxCuO2 国際会議

    H. Akatsuka, K. Sakuma, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    ICM2012 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  142. Antiferromagnetic Heusler Ru2MnGe Epitaxial thin films showing Neel temperatures up to 353 K 国際会議

    N. Fukatani, H. Fujita, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    INTERMAG 2012 

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    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:カナダ  

  143. X-ray photoelectron spectroscopy of half-Heusler La-Pt-Bi thin films 国際会議

    N. Sugimoto, T. Miyawaki, Y. Niimi, T. Yoshihara, N. Fukatani, K. Ueda, N. Tanaka , and H. Asano

    INTERMAG 2012  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:カナダ  

  144. Epitaxial thin films of ordered double perovskite SrLaVMoO6 国際会議

    K. Sanbou, K. Sakuma, T. Miyawaki, K. Ueda and H. Asano

    Materials Research Society (2012 MRS Spring Meeting) 

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    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  145. 銅酸化物超伝導体Sr0.9La0.1CuO2薄膜の面内構造評価

    赤塚寛之, 作間啓太, 植田研二, 浅野秀文

    平成23年度ナノネット報告会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:分子科学研究所   国名:日本国  

  146. 超伝導NbN / 磁性接合の界面スピン分極率測定

    吉原健彦, 新野貴士, 北條貴之, 作間啓太, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    平成23年度ナノネット報告会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:分子科学研究所   国名:日本国  

  147. MgAl2O4障壁層を有する強磁性トンネル接合の結晶構造解析

    真利研一郎, 稲垣圭真, 藤田裕人, 深谷直人, 宮脇哲也, 植田研二,浅野秀文

    日本金属学会2012春期(第150回)大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜国立大学   国名:日本国  

  148. MgAl2O4障壁層を有する強磁性トンネル接合の結晶構造解析

    真利研一郎, 稲垣圭真, 藤田裕人, 深谷直人, 宮脇哲也, 植田研二,浅野秀文

    日本金属学会2012春期(第150回)大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜国立大学   国名:日本国  

  149. 中間層に酸化物半導体を用いた接合における 磁気抵抗効果と電気伝導メカニズム

    戸澤克倫, 植田研二, 作間 啓太, 小林耕平, 鈴木亮佑, 宮脇哲也, 浅野秀文

    2012春季第59回応用物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  150. ホイスラー/強誘電体積層構造のマルチフェロイック特性

    小林 耕平, 鈴木 亮佑, 宮脇 哲也, 植田 研二, 浅野 秀文

    2012春季第59回応用物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  151. 三元同時スパッタリング法によるLa-Pt-Bi薄膜の作製

    杉本 望実,深谷 直人,吉原 健彦,宮脇 哲也,植田 研二,田中 信夫,浅野 秀文

    2012春季第59回応用物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  152. 反応性スパッタを用いたFe2CrSi/MgAl2O4積層構造の作製

    深谷直人,稲垣圭真,真利研一郎,藤田裕人,宮脇哲也,植田研二,浅野秀文

    IEEE Magnetics Society 名古屋支部若手研究会 

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    開催年月日: 2012年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  153. 二重交換相互作用による反強磁性ハーフメタルの発現

    三宝 勝利,作間 啓太,松島 宏行,宮脇 哲也,植田 研二,浅野 秀文

    IEEE Magnetics Society 名古屋支部若手研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  154. Growth of half-Heusler alloy LaPtBi thin films by 3-source magnetron sputtering 国際会議

    N. Sugimoto, N. Fukatani, T. Yoshihara, T. Miyawaki, K. Ueda, N. Tanaka, H. Asano

    International Symposium on EcoTopia Science(ISETS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  155. Fabrication of Schottky junctions using diamond/ferromagnet heterostructures 国際会議

    T. Soumiya, K. Ueda, and H. Asano

    International Symposium on EcoTopia Science(ISETS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  156. 格子整合系Fe2CrSi/MgAl2O4/Fe2CrSiトンネル接合の作製

    真利研一郎, 稲垣圭真, 藤田裕人, 深谷直人, 宮脇哲也, 植田研二,浅野秀文

    日本金属学会2011秋期(弟149回)大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:沖縄   国名:日本国  

  157. Multiferroic properties in Heusler-alloy/perovskite layered structures 国際会議

    K.Kobayashi, T.Miyawaki, K.Ueda, and H.Asano

    56th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年10月 - 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  158. Structural and electrical properties of half-Heusler LaPtBi thin films grown by 3-source magnetron co-sputtering 国際会議

    T. Miyawaki, N. Sugimoto, N. Fukatani, T. Yoshihara, K. Ueda, N. Tanaka, H. Asano

    56th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年10月 - 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  159. Electron-doped Sr1-xLaxCuO2 thin films grown on LaAlO3 substrates with and without BaxSr1-xTiO3 buffer layer 国際会議

    K. Sakuma, H.Akatsuka, K. Ueda, and H. Asano

    24th International Symposium on Superconductivity (ISS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  160. Magnetoresistance effects in La1-xSrxMnO3/Nb-SrTiO3/Co junctions 国際会議

    K. Tozawa, K. Kobayashi, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  161. Fabrication of MgAl2O4 thin films on ferromagnetic Heusler alloy Fe2CrSi by reactive magnetron sputtering 国際会議

    N. Fukatani, K. Inagaki, K. Mari, H. Fujita, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  162. Quasiparticle Tunneling Spectroscopy in Fe4N/MgO/NbN Junctions 国際会議

    K. Sakuma, T. Hohjo, T. Miyawaki, K. Ueda, H. Asano, Y. Komasaki and M. Tsunoda

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  163. ダイヤモンド半導体を用いた強磁性ショットキー接合の作製

    宗宮 嵩,深谷 直人,宮脇 哲也,植田 研二,浅野 秀文

    第35回日本磁気学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟、朱鷺メッセ   国名:日本国  

  164. 反応性スパッタを用いたMgAl2O4積層構造の作製

    稲垣圭真, 真利研一郎, 藤田裕人, 深谷直人, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    第35回日本磁気学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟、朱鷺メッセ   国名:日本国  

  165. 逆ペロブスカイトMn3GaN薄膜の構造と電気的特性

    田代裕樹, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文

    第35回日本磁気学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟、朱鷺メッセ   国名:日本国  

  166. ペロブスカイト/ホイスラー積層構造のマルチフェロイック特性

    小林耕平, 植田研二, 浅野秀文

    第35回日本磁気学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟、朱鷺メッセ   国名:日本国  

  167. Ferromagnetic Schottky junctions using diamond semiconductors 国際会議

    K. Ueda, T.Soumiya, K.Tozawa, and H. Asano

    Diamond2011 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  168. BaxSr1-xTiO3格子整合バッファ層を用いた無限層Sr1-xLaxCuO2 薄膜の作製とその特性

    作間 啓太, 赤塚 寛之, 植田 研二, 浅野 秀文

    2011秋季第72回応用物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山形大学   国名:日本国  

  169. ホイスラー合金/MgAl2O4積層膜のコヒーレントエピタキシー

    藤田裕人,真利研一郎,稲垣 圭真,深谷 直人,宮脇 哲也,植田 研二,浅野 秀文

    2011秋季第72回応用物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山形大学   国名:日本国  

  170. Transport and local magnetic properties in strained Fe2VSi thin film 国際会議

    N. Fukatani, K. Ueda , H. Asano and K.Mibu

    INTERMAG 2011 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年4月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  171. Inter-layer exchange coupling in Fe2CrSi/Fe2VSi multilayers fabricated on MgAl2O4 substrates 国際会議

    T. Miyawaki, K. Takahashi, N. Fukatani, K. Ueda, and H. Asano

    INTERMAG 2011 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年4月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  172. 格子整合系MgAl2O4/ホイスラー合金積層構造の結晶構造評価

    宮脇哲也,真利研一郎,高橋一成,藤田裕人、深谷直人、植田研二,浅野秀文

    磁気記録・情報ストレージ研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  173. Spin polarization measurements in Fe4N/MgO/NbN tunnel junctions using quasiparticle tunneling spectroscopy 国際会議

    T. Hohjo, K. Sakuma, T. Miyawaki, K. Ueda, H. Asano, Y. Komasaki, M. Tsunoda

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  174. 超伝導NbNを用いた強磁性Fe4Nのスピン分極率解析

    北條貴之, 作間啓太, 宮脇哲也, 植田研二, 浅野秀文, 駒崎洋亮, 角田匡清

    IEEE Magnetics Society 名古屋支部若手研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  175. 反強磁性ホイスラー合金Fe2VSi薄膜の歪効果と電気伝導特性

    深谷直人,植田研二,浅野秀文

    IEEE Magnetics Society 名古屋支部若手研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  176. BiFeO3系マルチフェロイック薄膜の極薄膜化とスピンフィルター素子への応用

    浅野秀文, 小林智, 立木翔治, 小林耕平, 宮脇哲也, 植田研二

    第12回金属/酸化物スピントロニクスセミナー 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  177. ReBa2Cu307-8 Thin Films Grown on A-plane Sapphire Substrates with CeO2 Buffer Layers 国際会議

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  178. Fabrication of semiconducting cubic boron nitride films on CVD diamond by ion-beam assisted sputtering 国際会議

    K. Ueda and H. Asano

    Materials Research Society (2010 MRS Fall Meeting) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  179. Epitaxial Bi0.75Ba0.25FeO3/Ba0.7Sr0.3TiO3 Structures for Multiferroic Junctions 国際会議

    S. Tachiki, K. Yoshimoto, S. Kobayashi, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    The 55th Magnetism and Magnetic Materials Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  180. Fabrication and properties of double perovskite SrLaVMoO6 epitaxial thin films 国際会議

    H. Matsushima, H. Gotoh, T. Miyawaki, K. Ueda, and H. Asano

    The 55th Magnetism and Magnetic Materials Conference 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  181. Fe2CrSi/Fe2VSi多層膜の磁気特性と磁気抵抗効果

    宮脇哲也,高橋一成,藤田裕人竹田陽一、植田研二,浅野秀文

    第34回日本磁気学会学術講演会 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  182. Fe2VSi薄膜の歪効果と電気伝導特性

    深谷直人,植田研二,浅野秀文

    第34回日本磁気学会学術講演会 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  183. ハーフメタルFe2CrSi/MgAl2O4接合のヘテロエピタキシーとトンネル磁気抵抗効果

    藤田裕人,真利研一郎,深谷直人,宮脇哲也,植田研二,浅野秀文

    2010秋季第71回応用物理学会 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  184. ReBa2Cu307-8 Thin Films Grown on A-plane Sapphire Substrates with Oxide Buffer Layers 国際会議

    K. Sakuma, K. Ueda, H. Asano, and O. Michikami

    International Workshop on Oxide (WOE17) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  185. Fabrication and physical properties of antiferromagnetic double perovskite compound Sr2-xLaxVMoO6 国際会議

    K. Ueda, H. Matsushima, T. Hojiyo, H. Gotoh, T. Miyawaki, and H. Asano

    International Workshop on Oxide (WOE17) 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  186. イオンビームアシストスパッタ法によるCVDダイヤモンド上への立方晶窒化ホウ素薄膜の作製

    植田研二,浅野秀文

    2010秋季第71回応用物理学会 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  187. 半導体NbドープSrTiO3を中間層に持つ磁気抵抗効果素子の作製

    戸澤 克倫, 立木 翔治, 宮脇 哲也, 植田 研二, 浅野 秀文

    2010秋季第71回応用物理学会 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  188. マグネトロンスパッタリング法を用いた無限層超伝導 Sr1-xLaxCuO2薄膜のエピタキシャル成長

    作間啓太,植田研二,浅野秀文宮脇哲也

    2010秋季第71回応用物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  189. ダブルペロブスカイトSrLaVMoO6薄膜の作製と評価

    松島宏行,後藤大尚,松島宏行後藤大尚,宮脇哲也,植田研二浅野秀文

    2010秋季第71回応用物理学会 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  190. Bi0.75 Ba0.25FeO3/Ba0.7Sr0.3TiO3 bilayered structures for multiferroic tunnel junctions 国際会議

    International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA2010) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  191. Carrier doping effects in the antiferromagnetic double perovskite Sr2-xLaxVMoO6 国際会議

    International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA2010) 

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    開催年月日: 2010年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  192. 反強磁性ホイスラー合金薄膜の歪み効果と電子構造 国際会議

    深谷直人,植田研二,藤田裕人高橋一成,竹田陽一,浅野秀文

    第34回 日本磁気学会ナノマグネティクス専門研究会 

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    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  193. ハーフメタル/Bi1-xBaxFeO3接合のスピンフィルター効果

    小林智,吉本耕助,立木翔治,竹田陽一,植田研二,浅野秀文

    平成21年度中部地区ナノテク総合支援報告会 

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    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  194. High-temperature Operation of Boron-implanted Diamond FETs 国際会議

    2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009) 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  195. Structual and electrical properties of H-terminated diamond field-effect transistor 国際会議

    Diamond 2008 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  196. マイクロ波プラズマCVD法によるBeドープダイヤモンドの作製

    植田研二、嘉数誠

    日本応用物理学会 秋季第69回学術講演会 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  197. Challenges of diamond-based electronic devises. 国際会議

    IUMRS-ICEM2008 

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    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  198. Beryllium-doped single-crystal diamond grown by microwave plasma CVD 国際会議

    New Diamond & Nano Carbon (NDNC) 2008, Taipei, Taiwan 

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    開催年月日: 2008年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  199. ダイヤモンド半導体表面・界面研究の最近の進展

    第28回表面科学学術講演会 

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    開催年月日: 2008年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

    嘉数誠、植田研二、影島博之

  200. 水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属蒸着法依存性

    嘉数誠、植田研二、影島博之、山内義晴

    応用物理学関係学術講演会 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  201. 高純度単結晶CVDダイヤモンド自立膜の成長とFETの作製

    嘉数誠、アレックステレア、植田研二、山内義晴

    応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  202. イオン注入と高温高圧アニール法による単結晶ダイヤモンドへのBeドーピング

    植田研二、嘉数誠

    応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  203. 様々の元素をイオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニール

    植田研二、嘉数誠

    第21回ダイヤモンドシンポジウム 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  204. Diamond RF FETs and other applications in electronics 国際会議

    International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) 2007 

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    開催年月日: 2007年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  205. High-pressure and high-temperature annealing effect of B-implanted diamond and its FET applications 国際会議

    International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) 2007, Kyoto, Japan 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  206. Be-doped diamond and its cathodoluminescence properties 国際会議

    International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) 2007, Kyoto, Japan 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  207. High-purity thick single crystal diamond layers grown at high microwave-power densities 国際会議

    Diamond2007 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  208. High-pressure and high-temperature annealing of diamond ion-implanted with various elements 国際会議

    18th European Conference on Diamond, Diamond- Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (Diamond 2007), Berlin, Germany. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  209. 水素終端ダイヤモンドFETの遮断周波数のバイアス依存性

    嘉数誠、植田研二、影島博之、山内義晴

    秋季応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  210. イオン注入と高温高圧アニール法で作製したダイヤモンドFET

    植田研二、嘉数誠、山内義晴、牧本俊樹

    秋季応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  211. RF equivalent circuit analysis of submicron-gate diamond FETs

    TWHM2007 

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  212. Diamond Transistors for RF Power Amplifiers

    International Microwave Symposium (IMS) 2007, Honolulu, Hawai. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  213. Diamond doping by combining ion implantation and high-pressure and high-temperature annealing 国際会議

    New Diamond & Nano Carbon (NDNC), Osaka, Japan 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  214. 水素終端ダイヤモンドFETのゲート界面層

    嘉数誠、植田研二、影島博之、アレックステレア、山内義晴、牧本俊樹

    応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  215. 水素終端ダイヤモンドFETの高周波ゲート特性

    アレックステレア、嘉数誠、植田研二、山内義晴、牧本俊樹

    応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  216. 高温高圧アニールしたイオン注入ダイヤモンドの電気的特性評価

    植田研二、嘉数誠、アレックステレア、牧本俊樹

    応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  217. 斜め研磨法によるダイヤモンド厚膜の深さ方向不純物分布評価

    アレックステレア、嘉数誠、植田研二、牧本俊樹

    応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  218. Influence of HPHT diamond defects on CVD homoepitaxial diamond growth 国際会議

    Materials Research Society meeting 2006 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  219. Influence of HPHT diamond defects on CVD homoepitaxial diamond growth 国際会議

    Materials Research Society meeting 2006 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  220. Improved diamond FET characteristics by H2-O2 plasma pretreatments of HPHT diamond substrates 国際会議

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  221. 高周波等価回路解析によるダイヤモンドFETの動作機構解明

    嘉数誠、植田研二、山内義晴、アレックステレア、牧本俊樹

    第20回ダイヤモンドシンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  222. イオン注入と高温高圧アニールを組合せたダイヤモンドへのドーピング

    植田研二、嘉数誠、牧本俊樹

    第20回ダイヤモンドシンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  223. Hydrogen/oxygen plasma treatment effect on CVD diamond epitaxial growth

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  224. ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析

    嘉数誠、植田研二、アレックステレア、山内義晴、牧本俊樹

    電子情報通信学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  225. Diamond-based RF Power Transistors 国際会議

    17th European Conference on Diamond (Diamond2006) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  226. 水素終端ダイヤモンドFETの高周波ゲート特性

    嘉数誠、アレックステレア、植田研二、山内義晴、牧本俊樹

    応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  227. 水素・酸素プラズマ処理によるダイヤモンドFET特性の向上

    アレックステレア、嘉数誠、植田研二、山内義晴、牧本俊樹

    応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  228. イオン注入と高圧高温を用いたダイヤモンドへのドーピング

    植田研二、嘉数誠、牧本俊樹

    応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  229. 水素・酸素プラズマによる高温高圧合成ダイヤモンド基板処理のCVDダイヤモンドへの成長効果

    アレックステレア、嘉数誠、植田研二、牧本俊樹

    応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  230. Diamond Field Effect Transistors: Prospects of Millimeter-Wave-Range Power Amplifiers 国際会議

    25th Electronic Materials Symposium 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  231. High frequency performance of H-terminated poly-crystalline diamond FETs 国際会議

    International Conference on New Diamond Science and Technology & Applied Diamond Conference (ICNDST & ADC) 2006, North Carolina, USA 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  232. HPHT annealing effect of CVD homoepitaxial diamond films 国際会議

    International Conference on New Diamond Science and Technology & Applied Diamond Conference (ICNDST & ADC) 2006, North Carolina, USA. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  233. 2W/mm RF Power Density at 1GHz for Diamond Field Effect Transistor 国際会議

    2006 IMFEDK 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  234. Diamond RF Power Transistor: Present Status and Prospects 国際会議

    Materials Congress 2006 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  235. Diamond field-effect transistor for RF power application 国際会議

    1st Industrial Diamond Conference (invited), Barcelona, Spain 

     詳細を見る

    開催年月日: 2005年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  236. 2 W/mm Output-Power Density at 1 GHz for Diamond MESFETs 国際会議

    16th European conference on Diamond (Diamond 2005) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  237. Fabrication of sandwich-type MgB2 Josephson junctions using as-grown MgB2 国際会議

    International Symposium on Superconductivity (ISS) 2004, Tsukuba, Japan 

     詳細を見る

    開催年月日: 2004年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  238. Fabrication of Josephson tunnel junctions by using as-grown MgB2 thin films 国際会議

    International Symposium on Superconductivity (ISS) 2003, Tsukuba, Japan 

     詳細を見る

    開催年月日: 2003年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  239. Tunnel junctions on as-grown MgB2 films 国際会議

    7th Materials and Mechanisms of Superconductivity High Temperature Superconductors (M2S-HTSC-VII), Rio de Janeiro, Brazil, May 27, 2003. 

     詳細を見る

    開催年月日: 2003年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  240. Thin film tunnel junctions on superconducting MgB2

    International Symposium on Superconductivity 2002 (ISS 2002) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  241. Tunnel junctions on as-grown superconducting MgB2 thin films 国際会議

    Applied Superconductivity Conference (ASC) 2002, Houston, USA, Aug. 6, 2002 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  242. Synthesis and photoemission study of as-grown superconducting MgB2 thin films 国際会議

    International Symposium on Superconductivity (ISS) 2001, Tsukuba, Japan, Sep. 26, 2001 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  243. Preparation and magnetic properties of LaMnO3/LaFeO3 superlattices on LaAlO3 substrates 国際会議

    American Physical Society March Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  244. Discovery of atomic order in LaMn0.5Fe0.5O3 film 国際会議

    American Physical Society March Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  245. Atomic scale control of magnetic order in LaFeO3-LaCrO3 and LaFeO3-LaMnO3 superlattices 国際会議

    American Physical Society March Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  246. Size effect of ferroelectric and ferromagnetic properties of (1-x)BiFeO3-xBaTiO3 国際会議

    American Physical Society March Meeting 

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    開催年月日: 1998年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  247. Creation of a new spin ordered state on magnetic artificial superlattice 国際会議

    American Physical Society March Meeting 

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    開催年月日: 1998年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 21

  1. ダイヤモンド/グラフェン接合を用いた脳型記憶撮像デバイスの作製

    2021年4月 - 2022年3月

    池谷科学技術振興財団 2021年度研究助成 

  2. グラフェン/ダイヤモンド接合を用いた新規光イメージングメモリの作製

    2020年10月 - 2022年3月

    住友電工グループ社会貢献基金研究助成 

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  3. グラフェン/ダイヤモンド接合を用いた新規高効率パワーデバイスの開発

    2020年4月 - 2021年3月

    岩谷科学技術研究助成金  

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  4. カーボン光メモリスタを用いた新規光デバイスの開発

    2019年4月 - 2020年4月

    日本板硝子財団工学助成会研究助成 

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  5. ダイヤモンド/グラフェン接合を用いた光検出と記憶を同時に行う新規受光素子の作製

    2018年1月 - 2019年12月

    光科学技術研究振興財団研究助成金 

    植田研二

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  6. ダイヤモンド/グラフェン接合を用いた新規受光・記憶素子の開発

    2017年9月 - 2018年8月

    立松財団研究助成 

    植田 研二

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  7. ダイヤモンド/グラフェン接合を用いた記憶機能を有する新規イメージセンサの創製

    2017年8月 - 2018年7月

    村田学術振興財団研究助成 

    植田 研二

      詳細を見る

    資金種別:競争的資金

  8. グラフェン/ダイヤモンド接合を用いた高性能光検出デバイスの作製と動作機構の解明

    2016年10月 - 2017年9月

    豊秋奨学会研究助成金 

    植田 研二

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    資金種別:競争的資金

  9. Spin injection from half-metallic Heusler Co2MnSi into diamond semiconductors

    2016年1月

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    資金種別:競争的資金

  10. ダイヤモンド半導体を用いた高性能耐高温パワーデバイスの開発

    2015年4月 - 2016年3月

    伊藤忠兵衛基金 学術研究助成 

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    資金種別:競争的資金

  11. Half-metallic Co2MnSi/diamond Schottky junctions for spintronic applications

    2014年11月

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    資金種別:競争的資金

  12. High-temperature and high-voltage operation of Cu/diamond Schottky diodes

    2014年9月

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    資金種別:競争的資金

  13. 不揮発性記憶演算デバイスの実現に向けたダイヤモンド半導体への高効率スピン注入技術の開発

    2014年4月 - 2015年3月

    倉田記念日立科学技術財団倉田奨励金 

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    資金種別:競争的資金

  14. ダイヤモンド高周波高出力デバイスの実現に向けた新規ドーピング技術の開発

    2013年4月 - 2015年3月

    SCAT研究費助成 

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    資金種別:競争的資金

  15. 超低消費電力ダイヤモンドパワーデバイスの実現に向けた新規ドーピング技術の開発

    2013年4月 - 2014年3月

    中部電気利用基礎研究振興財団研究助成金 

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    資金種別:競争的資金

  16. ダイヤモンド半導体を用いた耐高温トランジスタの開発

    2013年4月 - 2014年3月

    日本板硝子材料工学助成会研究費助成 

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    資金種別:競争的資金

  17. ダイヤモンド半導体を用いた新規スピン機能デバイスの創製

    2012年8月 - 2013年7月

    立松財団研究助成金 

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    資金種別:競争的資金

  18. ダイヤモンド半導体/強磁性体ハイブリッド構造を用いた新規スピン機能素子の開発

    2012年4月 - 2013年3月

    豊田理研スカラー 

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    資金種別:競争的資金

  19. ダイヤモンド半導体を用いた高温電子デバイスの創製

    2011年4月 - 2012年3月

    材料科学研究助成基金 

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    資金種別:競争的資金

  20. ダイヤモンド/窒化ホウ素ヘテロ接合の作製と電子デバイス応用

    2010年1月 - 2010年12月

    研究シーズ探索プログラム 

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    資金種別:競争的資金

    ダイヤモンドはその優れた特性から次世代高周波高出力デバイスとして期待されている。しかし、室温で十分なキャリア濃度と信頼性を併せ持つドーピング技術が無いため、実用化に至っていない。本研究ではこのドーピング問題解決のために、ダイヤモンドより広い禁制帯幅を有し、格子整合性も良好な立方晶窒化ホウ素とダイヤモンドのヘテロ接合を作製し、窒化ホウ素へ変調ドーピングすることによりヘテロ接合界面でのキャリア生成を図る。

  21. ダイヤモンド・高周波電力デバイスの開発とマイクロ波・ミリ波帯電力増幅器への応用

    2006年4月 - 2009年3月

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    ダイヤモンド高周波トランジスタの開発(総務省SCOPE)

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科研費 9

  1. グラフェン/ダイヤモンド接合の巨大光伝導度変調機構の解明とデバイス応用

    2021年4月 - 2024年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(B)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:17680000円 ( 直接経費:13600000円 、 間接経費:4080000円 )

  2. ダイヤモンド半導体への高効率スピン注入と低損失スピン輸送

    2016年4月 - 2019年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(B)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:17160000円 ( 直接経費:13200000円 、 間接経費:3960000円 )

  3. 完全スピン偏極ゼロギャップ半導体の創製とスピンデバイス応用

    2015年4月 - 2017年3月

    科学研究費補助金 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:3900000円 ( 直接経費:3000000円 、 間接経費:900000円 )

  4. 強磁性ハーフメタル/ダイヤモンド半導体ヘテロ接合を用いた新規スピンデバイスの開発

    2012年4月 - 2015年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(C)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:5330000円 ( 直接経費:4100000円 、 間接経費:1230000円 )

  5. スピン三重項高温超伝導電子対の研究

    2011年4月 - 2013年3月

    科学研究費補助金 

    浅野秀文

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    担当区分:研究分担者 

    配分額:600000円

  6. ダイヤモンド半導体/強磁性体ハイブリッド構造による新規スピンデバイスの創製

    2010年4月 - 2012年3月

    科学研究費補助金  若手研究(B)

    植田 研二

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:4160000円 ( 直接経費:3200000円 、 間接経費:960000円 )

  7. 高機能スピン制御材料の創製

    2008年4月 - 2011年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(B)

    浅野 秀文

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    配分額:600000円

  8. 有機無機機能調和人工格子による光誘起磁性体の創製

    2000年4月 - 2001年3月

    日本学術振興会  科学研究費補助金  特別研究員奨励費

    植田 研二

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:1200000円

  9. 強磁性、強誘電性を併せ持つ遷移金属酸化物人工格子の創製とその物性発現機構の研究

    1998年4月 - 2000年3月

    日本学術振興会  科学研究費補助金  特別研究員奨励費

    植田 研二

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:1800000円

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産業財産権 7

  1. ダイヤモンド半導体及び作製方法

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    出願番号:特願2009-033277  出願日:2009年2月

    出願国:国内  

  2. ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作製方法

    嘉数誠、植田研二、影島博之

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    出願人:日本電信電話株式会社

    出願番号:特願2008-228654  出願日:2008年9月

    出願国:国内  

  3. Diamond semiconductor device and its fabrication method

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    出願番号:PCT/JP2006/312334  出願日:2006年6月

    公開番号:WO2006/137401 

    出願国:外国  

  4. 超伝導体積層構造及びその製造方法

    植田研二、牧本俊樹

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    出願人:日本電信電話株式会社

    出願番号:特願2005-094511  出願日:2005年3月

    公開番号:特開2006-278105 

    出願国:国内  

  5. 超伝導体積層構造及びその作製方法

    植田研二、牧本俊樹、斉藤志郎、仙場浩一

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    出願人:日本電信電話株式会社

    出願番号:特願2004-331557  出願日:2004年11月

    公開番号:特開2006-147619 

    出願国:国内  

  6. ホウ化物超伝導体薄膜の作製方法

    植田研二、内藤方夫

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    出願人:日本電信電話株式会社

    出願番号:特願2002-260867  出願日:2002年9月

    公開番号:特開2007-99347 

    出願国:国内  

  7. ホウ化物超伝導体薄膜の作製方法

    植田研二、内藤方夫

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    出願人:日本電信電話株式会社

    出願番号:特願2001-255904  出願日:2001年8月

    公開番号:特開2003-63817 

    出願国:国内  

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担当経験のある科目 (本学) 42

  1. 卒業研究

    2020

  2. スピン物性工学セミナー

    2020

  3. スピン物性工学特別実験及び演習

    2020

  4. 物質科学特別輪講(スピン物性工学)

    2020

  5. 先端材料と物性物理

    2019

  6. 薄膜プロセス工学

    2019

  7. 薄膜プロセス工学

    2018

  8. 先端材料と物性物理

    2018

  9. 機能材料学

    2018

  10. 結晶材料学基礎

    2017

  11. 先端材料と物性物理

    2017

  12. 機能材料学

    2017

  13. 薄膜プロセス工学

    2017

  14. 量子力学1

    2017

  15. スピン物性工学特論

    2017

  16. 先端材料と物性物理

    2016

  17. 機能材料学

    2016

  18. 薄膜プロセス工学

    2016

  19. 量子力学1

    2016

  20. 結晶材料学基礎

    2015

  21. スピン物性工学特論II

    2015

  22. 機能材料学

    2015

  23. 先端材料と物性物理

    2015

  24. 薄膜プロセス工学

    2015

  25. 量子力学1

    2015

  26. 量子力学1

    2014

  27. 結晶材料学基礎

    2014

  28. 先端材料と物性物理

    2014

  29. 機能材料学

    2014

  30. スピン物性工学特論II

    2013

  31. 磁性材料学

    2013

  32. 薄膜・結晶成長論

    2013

  33. 量子力学1

    2013

  34. 結晶材料学基礎

    2012

  35. 先端材料と物性物理

    2012

  36. 薄膜・結晶成長論

    2012

  37. 磁性材料学

    2012

  38. 物理学実験

    2011

  39. 先端材料と物性物理

    2011

  40. スピン物性工学特論II

    2011

  41. 薄膜・結晶成長論

    2011

  42. 磁性材料学

    2011

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社会貢献活動 11

  1. 第44回日本磁気学会学術講演会実行委員

    役割:企画, 運営参加・支援

    日本磁気学会  2020年12月

  2. 日本磁気学会 第229回研究会 テラヘルツ領域におけるスピントロニクス研究の現状と展望

    役割:司会, 企画

    オンライン開催  2020年11月

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    対象: 大学生, 大学院生, 研究者, 社会人・一般, 企業

    種別:講演会

  3. 第43回日本磁気学会学術講演会実行委員

    役割:企画, 運営参加・支援

    2019年9月

  4. 第4回 表面界面の機能創成とデバイス応用セミナー

    役割:司会, 企画

    名古屋大学  2019年8月

     詳細を見る

    対象: 大学生, 大学院生, 研究者, 社会人・一般

    種別:講演会

  5. 日本磁気学会 第224回研究会 磁気キャパシタンス効果の新展開

    役割:司会, 企画

    中央大学駿河台記念館  2019年7月

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    対象: 大学生, 大学院生, 研究者, 社会人・一般, 企業

    種別:講演会

  6. 第42回日本磁気学会学術講演会実行委員

    役割:企画, 運営参加・支援

    2018年9月

  7. 第39回日本磁気学会学術講演会実行委員

    役割:企画, 運営参加・支援

    2015年9月

  8. 応用物理学会・東海支部第26回基礎セミナー企画

    役割:企画

    名古屋大学  2015年8月

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    対象: 大学生, 大学院生, 研究者, 社会人・一般, 企業

  9. 高校訪問授業

    役割:講師

    2014年12月

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    岐阜県立可児高校への出張講義

  10. 日本金属学会2014年秋期(第155回)講演大会実行委員

    役割:企画, 運営参加・支援

    2014年9月

  11. 高校訪問授業

    役割:講師

    2010年12月

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    愛知県西尾高校への訪問授業

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メディア報道 22

  1. 重要な情報を選択的に覚える記憶素子 インターネットメディア

    つくばサイエンスニュース  わかる科学  2021年8月

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    執筆者:本人以外 

  2. Mimicking brain functions with graphene-diamond junctions インターネットメディア

    PHYS ORG  2021年8月

     詳細を見る

    執筆者:本人以外 

  3. Graphene-Diamond Junctions Mimic Human Perception, Memory; Leads Way for New Class of Computers

    THE SCIENCE TIMES  2021年8月

  4. Towards next-gen computers: Mimicking brain functions with graphene-diamond junctions, Scientists mimic the brain’s functions with junctions between vertically aligned graphene and diamond インターネットメディア

    Science Daily  2021年8月

     詳細を見る

    執筆者:本人以外 

  5. Towards next-gen computers: Mimicking brain functions with graphene-diamond junctions

    2021年8月

     詳細を見る

    執筆者:本人 

  6. Towards next-gen computers インターネットメディア

    EurekAlert! Releases  2021年8月

  7. 名古屋大 脳型光記憶素子を発見、重要な光情報だけを検出・記憶 新聞・雑誌

    電波新聞(DEMPA DIGITAL)  2021年7月

  8. 名大、ヒトの眼と脳の機能を併せ持った光記憶素子の開発に成功 インターネットメディア

    マイナビニュースTECH+  2021年7月

  9. 名大、ヒトの眼と脳の機能を併せ持った光記憶素子の開発に成功 インターネットメディア

    dmenu ニュース(NTTドコモ)  2021年7月

  10. 名大,重要な情報だけ検出・記憶する光素子を発見 インターネットメディア

    OPTRONICS online  2021年7月

  11. 名大、ヒトの眼と脳の機能を併せ持った光記憶素子の開発に成功 インターネットメディア

    グノシーサイエンスニュース  2021年7月

  12. 名大、ヒトの眼と脳の機能を併せ持った光記憶素子の開発に成功 インターネットメディア

    楽天Infoseekニュース  2021年7月

  13. 名大、ヒトの眼と脳の機能を併せ持った光記憶素子の開発に成功 インターネットメディア

    Mapionニュース  2021年7月

  14. 名大、ヒトの眼と脳の機能を併せ持った光記憶素子の開発に成功 インターネットメディア

    exciteニュース  2021年7月

  15. 重要な情報を選択的に記憶するグラフェン/ダイヤモンド光記憶素子を発見-脳型イメージセンサーや記憶するカメラに期待 名古屋大学 インターネットメディア

    fabcross for エンジニア  2021年7月

  16. 名大、ヒトの眼と脳の機能を併せ持った光記憶素子の開発に成功 インターネットメディア

    BIGLOBEニュース  2021年7月

  17. 重要な情報だけを検出・記憶する脳型光記憶素子を発見 ~脳の様に動く新型光コンピュータやカメラの開発に期待~ インターネットメディア

    バイオインパクト社、日本の研究.com  2021年7月

  18. 重要な情報だけを検出・記憶する脳型光記憶素子を発見 ~脳の様に動く新型光コンピュータやカメラの開発に期待~

    名古屋大学プレスリリース  2021年7月

  19. Featured article, "Ferromagnetic Schottky junctions using half-metallic Co2MnSi/diamond heterostructure" インターネットメディア

    Advances in Engineering  2014年6月

  20. ダイヤ製トランジスタ 最速120ギガヘルツで動作NTTなど車レーダー向け 新聞・雑誌

    日経産業新聞  2008年1月

  21. MgB2接合で最高温度更新 新聞・雑誌

    日経産業新聞  2005年4月

  22. Graphene-diamond junctions could aid in the realization of neuromorphic optical computers simulating human visual memory systems インターネットメディア

    Amity source 

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    執筆者:本人以外 

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