2021/12/01 更新

写真a

コンドウ ヒロキ
近藤 博基
KONDO, Hiroki
所属
低温プラズマ科学研究センター プラズマ科学部門 准教授
大学院担当
大学院工学研究科
学部担当
工学部
職名
准教授
連絡先
メールアドレス
外部リンク

学位 1

  1. 博士(工学) ( 1999年3月   名古屋大学 ) 

研究キーワード 6

  1. プラズマプロセス

  2. 表界面物理

  3. 材料科学

  4. 固体デバイス

  5. ナノバイオデバイス

  6. ナノバイオデバイス

研究分野 5

  1. その他 / その他  / プラズマプロセス

  2. その他 / その他  / 工学@応用物理学・工学基礎@表面界面物性

  3. その他 / その他  / 工学@応用物理学・工学基礎@応用物性・結晶工学

  4. その他 / その他  / マイクロ・ナノデバイス

  5. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

現在の研究課題とSDGs 4

  1. 先進プラズマプロセスによるナノ材料合成

  2. カーボンナノウォールのデバイス応用

  3. 高密度窒素ラジカル照射によるInGaNの高速成長

  4. 次世代MOS型電界効果トランジスタ(FET)の実現に向けたメタルゲート/High-k/Geゲートスタック構造の研究

経歴 6

  1. 名古屋大学   低温プラズマ科学研究センター プラズマ科学部門   准教授

    2019年4月 - 現在

  2. 名古屋大学大学院工学研究科 准教授   准教授

    2011年10月 - 現在

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    国名:日本国

  3. 名古屋大学大学院工学研究科 特任准教授   特任准教授

    2009年8月 - 2011年9月

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    国名:日本国

  4. 名古屋大学大学院工学研究科 助教   助教

    2007年4月

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    国名:日本国

  5. 名古屋大学大学院工学研究科 助手   助手

    2002年7月 - 2007年3月

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    国名:日本国

  6. 富士通(株) 富士通研究所研究員   研究員

    1999年4月 - 2002年6月

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    国名:日本国

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学歴 4

  1. 名古屋大学   工学研究科   結晶材料工学専攻

    1996年4月 - 1999年3月

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    国名: 日本国

  2. 名古屋大学   工学研究科   結晶材料工学専攻

    1994年4月 - 1996年3月

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    国名: 日本国

  3. 名古屋大学   工学部   応用物理工学科

    1990年4月 - 1994年3月

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    国名: 日本国

  4. 名古屋大学   工学研究科   結晶材料工学専攻

    1996年4月 - 1999年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 3

  1. 応用物理学会

    2002年9月 - 現在

  2. プラズマ核融合学会

    2020年 - 現在

  3. 日本表面科学会

    - 現在

委員歴 1

  1. 応用物理学会東海支部役員会   幹事  

    2014年4月 - 現在   

受賞 6

  1. 第11回プラズマエレクトロニクス賞

    2013年3月   応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会  

    石川 健治、河野 昭彦、堀邊 英夫、竹田 圭吾、近藤博生、関根 誠、堀 勝

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞 

  2. MNC2004 Award for Outstanding Paper

    2005年10月   MNC organizing commitee  

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  3. The Best Oral Presentation Awards, ISPlasma2019/IC-PLANTS2019

    2019年3月   ISPlasma2019/IC-PLANTS2019   Control of sp2-C Fraction and Hardness of Amorphous Carbon Films by Formation of Precursor Radicals Depending on a Residence Time"

    Hirotsugu Sugiura, Yasuyuki Ohashi, Ligyun Jia, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Takayoshi Tsutsumi, Toshio Hayashi, Keigo Takeda, Makoto Sekine and Masaru Hori

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞 

  4. 第66回日本酸化ストレス学会 優秀演題賞

    2013年6月   日本酸化ストレス学会  

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

    中村 香江, 梶山 広明, 内海史, 田中 宏昌, 水野 正明, 石川 健治, 近藤 博基, 加納 浩之, 堀 勝, 吉川 史隆

  5. ISPlasma2013 Best Poster Presentation Award

    2013年2月   5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2013)  

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  6. LSIとシステムのワークショップ2015 一般部門最優秀ポスター賞

    2015年   電子情報通信学会集積回路研究会   がん細胞カウンティングのための無電解金メッキによる1.2um x 2.05um 1024 x 1024電極アレイ付CMOS集積プラットフォーム

    新津 葵一, 近藤 博基, 堀 勝

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞 

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論文 242

  1. Reaction science of layer-by-layer thinning of graphene with oxygen neutrals at room temperature 査読有り

    Sugiura Hirotsugu, Kondo Hiroki, Higuchi Kimitaka, Arai Shigeo, Hamaji Ryo, Tsutsumi Takayoshi, Ishikawa Kenji, Hori Masaru

    CARBON   170 巻   頁: 93 - 99   2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Carbon  

    DOI: 10.1016/j.carbon.2020.07.052

    Web of Science

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  2. Synthesis of carbon nanowalls on the surface of nanoporous alumina membranes by RI-PECVD method 査読有り 国際共著

    Yerassyl Yerlanuly, Dennis Christy, Ngo Van Nong, Hiroki Kondo, Balaussa Alpysbayeva, Renata Nemkayeva, Meruert Kadyr, Tlekkabul Ramazanov, Maratbek Gabdullin, Didar Batryshev, Masaru Hori

    Applied Surface Science   523 巻   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.146533

    Scopus

  3. In-plane modification of hexagonal boron nitride particles via plasma in solution 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Ito Tsuyohito, Goto Taku, Inoue Kenichi, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Hori Masaru, Shimizu Yoshiki, Hakuta Yukiya, Terashima Kazuo

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 6 )   2020年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  4. Transparent elongation and compressive strain sensors based on aligned carbon nanowalls embedded in polyurethane 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Slobodian Petr, Riha Pavel, Kondo Hiroki, Cvelbar Uros, Olejnik Robert, Matyas Jiri, Sekine Makoto, Hori Masaru

    SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL   306 巻   2020年5月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Sensors and Actuators, A: Physical  

    DOI: 10.1016/j.sna.2020.111946

    Web of Science

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  5. N-Graphene Nanowalls via Plasma Nitrogen Incorporation and Substitution: The Experimental Evidence 査読有り 国際共著

    Neelakandan M. Santhosh, Gregor Filipič, Eva Kovacevic, Andrea Jagodar, Johannes Berndt, Thomas Strunskus, Hiroki Kondo, Masaru Hori, Elena Tatarova & Uroš Cvelbar

    Nano-Micro Letters   12 巻 ( 1 )   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nano-Micro Letters  

    DOI: 10.1007/s40820-020-0395-5

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  6. Temperature dependence on plasma-induced damage and chemical reactions in GaN etching processes using chlorine plasma 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Liu Zecheng, Ishikawa Kenji, Imamura Masato, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Plasma-induced damage (PID) on GaN was optimally reduced by high-temperature chlorine plasma etching. Energetic ion bombardments primarily induced PID involving stoichiometry, surface roughness, and photoluminescence (PL) degradation. Chemical reactions under ultraviolet (UV) irradiation and chlorine radical exposure at temperatures higher than 400 °C can be controlled by taking into account the synergism of simultaneous photon and radical irradiations to effectively reduce PID.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06JD01

    Web of Science

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  7. Effects of gas residence time of CH4/H-2 on sp(2) fraction of amorphous carbon films and dissociated methyl density during radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Sugiura Hirotsugu, Jia Lingyun, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Hayashi Toshio, Takeda Keigo, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Quadruple mass spectrometric measurements of CH3 density during radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition to consider the sp2 fraction of amorphous carbon (a-C) films were performed. The sp2 fraction of the a-C films reached a minimum of 46%, where the CH3 density was maximum for a residence time of 6 ms. The sp2 fraction of the a-C films was tailored with the gaseous phase CH3 density during the deposition. This knowledge is useful for understanding the formation mechanism of bonding structures in the a-C films, which enables the precise control of their electronic properties.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06JE03

    Web of Science

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  8. Impact of helium pressure in arc plasma synthesis on crystallinity of single-walled carbon nanotubes 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Ando Atsushi, Takeda Keigo, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Hiramatsu Mineo, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Suzuki Tomoko, Inoue Sakae, Ando Yoshinori, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Single-walled carbon nanotubes (SWNTs) were synthesized with a high growth rate by an arc plasma method employing the electrodes made from a Ni–Y mixture catalyst. In a previous study, it was reported that the monitoring of high-crystallinity SWNT growth enabled the evaluation of the results of the optical emission spectroscopy (OES) of C2, Ni, and Y. Here, the impact of helium pressure of arc plasma on the high crystallinity of SWNTs was determined by considering the high intensity ratios of catalytic metals over C2 emissions at low helium pressures in the arc plasma.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06JF01

    Web of Science

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  9. Electron behaviors in afterglow of synchronized dc-imposed pulsed fluorocarbon-based plasmas 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Ueyama Toshinari, Fukunaga Yusuke, Tsutsumi Takayoshi, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Iwata Manabu, Ohya Yoshinobu, Sugai Hideo, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 6 )   2017年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Electron behaviors in a pulsed dual radio frequency (RF) capacitively coupled plasma of a mixture of C4F8, O2, and Ar gases, where the DC bias of %300V in the RF-on period was imposed and synchronously increased to %1000V in the RF-off period, were investigated. The synchronous DC bias prolongs the electron density (ne) decay and provides emission of Ar at a wavelength of 750.38nm in early afterglow at 3 μs during the RF-off period of 10 kHz pulse modulation. The rapid ne decay occurred with the electron attachments to the electronegative fluorocarbons, and thus the plasma consisting of positive and negative ions was generated. The DC bias voltage seems to be applied between the electrodes and the positive ions accelerated to the top electrode, and enhanced the secondary electron generation at the top electrode surface in the RF-off period with the ion bombardments, concomitantly with the synchronous emissions.

    DOI: 10.7567/JJAP.56.06HC03

    Web of Science

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  10. Hydrogen peroxide sensor based on carbon nanowalls grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Tomatsu Masakazu, Hiramatsu Mineo, Foord John S., Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Takeda Keigo, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 6 )   2017年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Fabrication of an electrochemical sensor for hydrogen peroxide (H2O4) detection was demonstrated. H4O2 is a major messenger molecule in various redox-dependent cellular signaling transductions. Therefore, sensitive detection of H2O2 is greatly important in health inspection and environmental protection. Carbon nanowalls (CNWs) are composed of few-layer graphenes standing almost vertically on a substrate forming a three-dimensional structure. In this work, CNWs were used as a platform for H2O2 sensing, which is based on the large surface area of conducting carbon and surface decoration with platinum (Pt) nanoparticles (NPs). CNWs were grown on carbon fiber paper (CFP) by inductively coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition to increase the surface area. Then, the CNW surface was decorated with Pt-NPs by the reduction of H2PtCl6. Cyclic voltammetry results indicate that the Pt-decorated CNW/CFP electrode possesses excellent electrocatalytic activity for the reduction of H2O2. Amperometric responses indicate the high-sensitivity detection capability of the Pt-decorated CNW/CFP electrode for H2O2.

    DOI: 10.7567/JJAP.56.06HF03

    Web of Science

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  11. Thermally enhanced formation of photon-induced damage on GaN films in Cl<inf>2</inf> plasma 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Liu Z., Asano A., Imamura M., Ishikawa K., Takeda K., Kondo H., Oda O., Sekine M., Hori M.

    Japanese Journal of Applied Physics   56 巻 ( 9 )   2017年

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Deep ultraviolet (UV) photons emitted from Cl2 plasmas become a critical cause of degradation in both photoluminescence (PL) properties and surface stoichiometry as a result of plasma-induced damage on GaN films in Cl2 plasma etching at high temperatures. The damages were formed thermally by photon-irradiations of plasma UV emissions with wavelengths of >258-306 nm from Cl2 plasma at temperatures greater than 500 °C. The damage were observed with a depth of approximately 3.2 nm. The PL property degraded by the UV emission-induced damage at an early period of plasma etching and reached a constant value.

    DOI: 10.7567/JJAP.56.096501

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  12. Plasma with high electron density and plasma-activated medium for cancer treatment 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Tanaka H., Mizuno M., Ishikawa K., Kondo H., Takeda K., Hashizume H., Nakamura K., Utsumi F., Kajiyama H., Kano H., Okazaki Y., Toyokuni S., Akiyama S., Maruyama S., Yamada S., Kodera Y., Kaneko H., Terasaki H., Hara H., Adachi T., Iida M., Yajima I., Kato M., Kikkawa F., Hori M.

    Clinical Plasma Medicine   3 巻 ( 2 ) 頁: 72 - 76   2015年12月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Clinical Plasma Medicine  

    Cancer treatment using non-thermal atmospheric pressure plasma is a brand new and challenging approach for cancer therapy. Conventional cancer therapies are surgery, radio-therapy, and chemo-therapy. We propose plasma-therapy as the fourth cancer therapy. Plasma cancer therapy involves direct plasma treatment of cancers including melanomas, head and neck cancer, pancreatic cancer and liver metastasis, and indirect plasma treatment of cancers by using plasma irradiated solutions such as plasma-activated medium (PAM).We have been recently studying plasma cancer therapy using target cancers such as ovarian cancers, brain tumors, gastric cancers and skin cancers. We have developed a plasma source with ultrahigh electron density, which we have applied to these cancer cells. In addition, we found that plasma-irradiated medium itself can kill these cancer cells. This medium was termed plasma-activated medium (PAM). In vitro and in vivo studies have suggested that PAM is an important tool for cancer therapy especially for disseminated cancers that are currently untreatable.Although many dramatic therapeutic effects of plasma therapy on cancer cells have been reported, the molecular mechanisms of the anti-tumor effects of plasma remain to be elucidated. The greatest challenge for plasma medical science is to understand the complex system that mediates plasma inputs resulting in physiological outputs such as cell death of cancer cells and proliferation of normal cells. Intracellular molecular mechanisms of PAM are also being intensively studied in order to understand the mode of action of PAM. In this review, we summarize the latest understanding of plasma cancer treatments.

    DOI: 10.1016/j.cpme.2015.09.001

    Web of Science

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  13. Live demonstration: A CMOS sensor platform with 1.2 μm × 2.05 μm electroless-plated 1024 × 1024 microelectrode array for high-sensitivity rapid direct bacteria counting 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Ota S., Niitsu K., Kondo H., Hori M., Nakazato K.

    IEEE 2014 Biomedical Circuits and Systems Conference, BioCAS 2014 - Proceedings     2014年12月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE 2014 Biomedical Circuits and Systems Conference, BioCAS 2014 - Proceedings  

    High-sensitivity rapid direct bacteria counting is an essential key method for point-of-care testing. Counting pathogens (cells, viruses, and bacteria) directly in real time with high sensitivity is useful in maintaining human health and preventing pandemics or bioterrorism. However, conventional counting methods with high sensitivity such as the polymerase chain reaction and cultivation-based biochemical testing are time consuming and require controlled places and well-trained staff. On the other hand, conventional rapid approaches such as immuno-chromatography and ATP bioluminescence schemes are insufficient with respect to sensitivity. As an alternative, electro-chemical sensing approaches using a microelectrode have been intensely investigated because of its high-sensitivity, simplicity, and high-throughput. In this work, a CMOS sensor platform with a bacteria-sized (1.2 μm × 2.05 μm) Au electroless-plated 1024 × 1024 microelectrode array for high-sensitivity rapid direct bacteria counting is demonstrated. For high-sensitivity direct pathogen counting, Au microelectrodes are required to be as small as the target cell. By improving a self-aligned electroless plating technique, the size of microelectrodes on a CMOS sensor chip was successfully reduced to 1.2 μm × 2.05 μm, corresponding to 1/20th of the smallest size reported in literature. Two test chips with 1024 × 1024 and 32 × 32 sensor arrays were fabricated in a 0.6-μm CMOS process and microelectrodes were formed on them using electroless plating. In this demonstration, 2D counting used 32 × 32 sensor arrays with silicone (fig. 1) by CV is introduced.

    DOI: 10.1109/BioCAS.2014.6981688

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  14. Temporal changes in absolute atom densities in H<inf>2</inf> and N <inf>2</inf> mixture gas plasmas by surface modifications of reactor wall 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Suzuki T.

    Japanese Journal of Applied Physics   53 巻 ( 5 ) 頁: 050301:1-4   2014年5月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.050301

    Web of Science

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  15. Surface Chemical Modification of Carbon Nanowalls for Wide-Range Control of Surface Wettability 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Watanabe Hitoshi, Kondo Hiroki, Hiramatsu Mineo, Sekine Makoto, Kumar Shailesh, Ostrikov Kostya, Hori Masaru

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS   10 巻 ( 7 ) 頁: 582 - 592   2013年7月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.201200141

    Web of Science

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  16. Silicon full wafer bonding with atomic layer deposited titanium dioxide and aluminum oxide intermediate films 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Puurunen R. L., Suni T., Ylivaara O. M. E., Kondo H., Ammar M., Ishida T., Fujita H., Bosseboeuf A., Zaima S., Kattelus H.

    SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL   188 巻   頁: 268 - 276   2012年12月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sna.2012.05.006

    Web of Science

  17. Real-time in situ electron spin resonance measurements on fungal spores of Penicillium digitatum during exposure of oxygen plasmas 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Ishikawa Kenji, Mizuno Hiroko, Tanaka Hiromasa, Tamiya Kazuhiro, Hashizume Hiroshi, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Iseki Sachiko, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS LETTERS   101 巻 ( 1 )   2012年7月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4733387

    Web of Science

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  18. Impacts of CF+, CF2+, CF3+, and Ar Ion Beam Bombardment with Energies of 100 and 400 eV on Surface Modification of Photoresist 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Takeuchi Takuya, Amasaki Shinpei, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Toyoda Hirotaka, Sekine Makoto, Kang Song-Yun, Sawada Ikuo, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 8 ) 頁: 08JE05 - 08JE05-5   2011年8月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics  

    Photoresists used in advanced ArF-excimer laser lithography are not tolerant enough for plasma etching processes. Degradation of photoresists during etching processes might cause not only low selectivity, but also line edge roughness (LER) on the sidewalls of etched patterns. For a highly accurate processing, it is necessary to understand the mechanisms of etching photoresists and to construct a new plasma chemistry that realizes a nano scale precise pattern definition. In this study, the modified layers formed on the surface of a photoresist by the bombardment of fluorocarbon ions of CF+, CF<sub>2</sub>+, and CF<sub>3</sub>+, and argon (Ar) ions were analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The etching yield of the modified steady-state surface was almost dependent on the mass of incident ion species. The surface composition was modified with increasing dosage of each ion species, and reached a specific steady state that was dependent on the ion species. The bombardment of F-rich ion species such as CF<sub>2</sub>+ and CF<sub>3</sub>+ resulted in the formation of not only fluorocarbon layers, but also graphite like structures on the surface. On the basis of these results, the surface reaction for the ion-beam-induced modification was discussed.

    DOI: 10.1143/JJAP.50.08JE05

    Web of Science

    CiNii Article

    CiNii Books

  19. Synergistic Formation of Radicals by Irradiation with Both Vacuum Ultraviolet and Atomic Hydrogen: A Real-Time In Situ Electron Spin Resonance Study. 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Ishikawa K, Sumi N, Kono A, Horibe H, Takeda K, Kondo H, Sekine M, Hori M

    The journal of physical chemistry letters   2 巻 ( 11 ) 頁: 1278 - 81   2011年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/jz2002937

    Web of Science

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    PubMed

  20. Laser Scattering Diagnosis of a 60-Hz Non-Equilibrium Atmospheric Pressure Plasma Jet 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Jia Fengdong, Sumi Naoya, Ishikawa Kenji, Kano Hiroyuki, Inui Hirotoshi, Kularatne Jagath, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Kono Akihiro, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 巻 ( 2 )   2011年2月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.4.026101

    Web of Science

  21. Novel method to introduce uniaxial tensile strain in Ge by microfabrication of Ge/Si1-xGex structures on Si(001) substrates 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Mizutani Takuya, Nakatsuka Osamu, Sakai Akira, Kondo Hiroki, Ogawa Masaki, Zaima Shigeaki

    SOLID-STATE ELECTRONICS   53 巻 ( 11 ) 頁: 1198 - 1201   2009年11月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2009.08.001

    Web of Science

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  22. Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate metal-oxcide-semiconductor capacitors 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Furumai Kouhei, Kondo Hiroki, Sakashita Mitsuo, Sakai Akira, Ogawa Masaki, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 巻 ( 4 ) 頁: 2420 - 2424   2008年4月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.47.2420

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  23. Initial growth process of TiN films in ultrahigh-vacuum rapid thermal chemical vapor deposition 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌

    Okuda Y, Naito S, Nakatsuka O, Kondo H, Okuhara T, Sakai A, Zaima S, Yasuda Y

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 巻 ( 1A ) 頁: 49 - 53   2006年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.45.49

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  24. Effects of Carbon Nanowalls (CNWs) Substrates on Soft Ionization of Low-Molecular-Weight Organic Compounds in Surface-Assisted Laser Desorption/Ionization Mass Spectrometry (SALDI-MS) 国際共著 国際誌

    Sakai Ryusei, Ichikawa Tomonori, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Shimizu Naohiro, Ohta Takayuki, Hiramatsu Mineo, Hori Masaru

    NANOMATERIALS   11 巻 ( 2 ) 頁: 1 - 11   2021年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nanomaterials  

    DOI: 10.3390/nano11020262

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    PubMed

  25. Measurements of nitrogen atom density in a microwave-excited plasma jet produced under moderate pressures 査読有り

    Jaeho Kim, Keigo Takeda, Hirotomo Itagaki, Xue‐lun Wang, Shingo Hirose, Hisato Ogiso, Tetsuji Shimizu, Naoto Kumagai, Takayoshi Tsutsumi, Hiroki Kondo, Masaru Hori, Hajime Sakakita

    IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering   15 巻 ( 9 ) 頁: 1281 - 1287   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering  

    DOI: 10.1002/tee.23194

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  26. In situ surface analysis of an ion-energy-dependent chlorination layer on GaN during cyclic etching using Ar+ ions and Cl radicals 査読有り

    Hasegawa Masaki, Tsutsumi Takayoshi, Tanide Atsushi, Nakamura Shohei, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   38 巻 ( 4 )   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films  

    DOI: 10.1116/6.0000124

    Web of Science

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  27. In-Liquid Plasma Synthesis of Nanographene with a Mixture of Methanol and 1-Butanol 査読有り

    Ando Atsushi, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Hiramatsu Mineo, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    CHEMNANOMAT   6 巻 ( 4 ) 頁: 604 - 609   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ChemNanoMat  

    DOI: 10.1002/cnma.201900676

    Web of Science

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  28. Gas-phase and film analysis of hydrogenated amorphous carbon films: Effect of ion bombardment energy flux on sp(2) carbon structures 査読有り

    Sugiura Hirotsugu, Ohashi Yasuyuki, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Kato Toshiaki, Kaneko Toshiro, Takeda Keigo, Tsutsumi Takayoshi, Hayashi Toshio, Sekine Makoto, Hori Masaru

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS   104 巻   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Diamond and Related Materials  

    DOI: 10.1016/j.diamond.2019.107651

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  29. Interaction of oxygen with polystyrene and polyethylene polymer films: A mechanistic study 査読有り 国際共著

    Yusuke Fukunaga, Roberto C. Longo, Peter L. G. Ventzek, Barton Lane, Alok Ranjan, Gyeong S. Hwang, Gregory Hartmann, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori1

    Journal of Applied Physics   127 巻 ( 2 )   2020年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.5127863

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  30. Characterization of a microsecond pulsed non-equilibrium atmospheric pressure Ar plasma using laser scattering and optical emission spectroscopy 査読有り 国際共著

    Fengdong JIA, Yong WU, Qi MIN, Maogen SU, Keigo TAKEDA, Kenji ISHIKAWA, Hiroki KONDO, Makoto SEKINE, Masaru HORI and Zhiping ZHONG

    Plasma Science and Technology   22 巻 ( 6 )   2020年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Plasma Science and Technology  

    DOI: 10.1088/2058-6272/ab84e2

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  31. Simulation-aided design of very-high-frequency excited nitrogen plasma confinement using a shield plate 査読有り

    Yasuhiro Isobe, Takayuki Sakai, Kyoichi Suguro, Naoto Miyashita, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Amalraj Frank Wilson, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   37 巻 ( 6 )   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics  

    DOI: 10.1116/1.5114831

    Web of Science

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  32. Oxidative stress-dependent and -independent death of glioblastoma cells induced by non-thermal plasma-exposed solutions 査読有り

    Tanaka Hiromasa, Mizuno Masaaki, Katsumata Yuko, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Hashizume Hiroshi, Okazaki Yasumasa, Toyokuni Shinya, Nakamura Kae, Yoshikawa Nobuhisa, Kajiyama Hiroaki, Kikkawa Fumitaka, Hori Masaru

    SCIENTIFIC REPORTS   9 巻 ( 1 ) 頁: 13657   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Scientific Reports  

    DOI: 10.1038/s41598-019-50136-w

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    PubMed

  33. Atmospheric Pressure Plasma-Treated Carbon Nanowalls' Surface-Assisted Laser Desorption/Ionization Time-of-Flight Mass Spectrometry (CNW-SALDI-MS) 査読有り 国際共著 国際誌

    Takayuki Ohta, Hironori Ito, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Mineo Hiramatsu, Masaru Hori

    Special Issue "Plasma Processing for Carbon-based Materials   5 巻 ( 3 )   2019年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/c5030040

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  34. Plasma-activated solution alters the morphological dynamics of supported lipid bilayers observed by high-speed atomic force microscopy 査読有り

    Yamaoka Sotaro, Kondo Hiroki, Hashizume Hiroshi, Ishikawa Kenji, Tanaka Hiromasa, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 6 )   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/1882-0786/ab1a58

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  35. Polyethylene terephthalate (PET) surface modification by VUV and neutral active species in remote oxygen or hydrogen plasmas 査読有り

    Zhang Yan, Ishikawa Kenji, Mozetic Miran, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS   16 巻 ( 6 )   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Plasma Processes and Polymers  

    DOI: 10.1002/ppap.201800175

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  36. Effects of plasma shield plate design on epitaxial GaN films grown for large-sized wafers in radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition 査読有り

    Isobe Yasuhiro, Sakai Takayuki, Sugiyama Naoharu, Mizushima Ichiro, Suguro Kyoichi, Miyashita Naoto, Lu Yi, Wilson Amalraj Frank, Kumar Dhasiyan Arun, Ikarashi Nobuyuki, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Shimizu Naohiro, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   37 巻 ( 3 )   2019年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics  

    DOI: 10.1116/1.5083970

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  37. Facile synthesis of SnO2-graphene composites employing nonthermal plasma and SnO2 nanoparticles-dispersed ethanol 査読有り

    Borude Ranjit R., Sugiura Hirotsugu, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 17 )   2019年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Physics D: Applied Physics  

    DOI: 10.1088/1361-6463/ab03c4

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  38. A 65-nm CMOS Fully Integrated Analysis Platform Using an On-Chip Vector Network Analyzer and a Transmission-Line-Based Detection Window for Analyzing Circulating Tumor Cell and Exosome 査読有り

    Niitsu Kiichi, Nakanishi Taiki, Murakami Shunya, Matsunaga Maya, Kobayashi Atsuki, Karim Nissar Mohammad, Ito Jun, Ozawa Naoya, Hase Tetsunari, Tanaka Hiromasa, Sato Mitsuo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Odaka Hidefumi, Hasegawa Yoshinori, Hori Masaru, Nakazato Kazuo

    IEEE TRANSACTIONS ON BIOMEDICAL CIRCUITS AND SYSTEMS   13 巻 ( 2 ) 頁: 470-479 - 479   2019年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems  

    DOI: 10.1109/TBCAS.2018.2882472

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    PubMed

  39. Effects of 3D structure on electrochemical oxygen reduction characteristics of Pt- nanoparticle-supported carbon nanowalls 国際共著 国際誌

    Imai Shun, Naito Kenichi, Kondo Hiroki, Cho Hyung Jun, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Sekine Makoto, Hiramatsu Mineo, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 10 )   2019年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Physics D: Applied Physics  

    For polymer electrolyte fuel cell applications, effects of Pt-nanoparticle-supported 3D carbon nanostructures, i.e. carbon nanowalls (Pt/CNWs), on electrochemical characteristics were determined by alternating current impedance analysis of resistive elements, which contribute to the oxygen reduction reaction. CNWs were fabricated by radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition (RI-PECVD), and Pt catalysts were formed on the template of CNWs by supercritical fluid metalorganic chemical fluid deposition. CNWs of different wall densities were synthesized during RI-PECVD by varying the deposition pressure. The resistive elements can be consisted of three regions with different corresponding frequencies, and the resistive elements of mass diffusion, which showed up in the lowest frequency region of less than 100 Hz, increased as the wall density of CNWs increased. It was found that the wall density of CNWs was one of the essential parameters of Pt/CNWs for the electrochemical reaction involving the fluid flow and the mass transfer of active materials.

    DOI: 10.1088/1361-6463/aaf8e0

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  40. Control of sp(2)-C cluster incorporation of amorphous carbon films grown by H-radical-injection CH4/H-2 plasma-enhanced chemical vapor deposition 査読有り 国際共著 国際誌

    Sugiura Hirotsugu, Jia Lingyun, Ohashi Yasuyuki, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Hayashi Toshio, Takeda Keigo, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 3 )   2019年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Amorphous carbon (a-C) thin films were deposited under the control of C2 radical density using radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition (RI-PECVD) with CH4/H2 plasma. By actinometric monitoring of C2 emission intensities, the plasma parameters were precisely controlled by changing in CH4-containing plasma excitation power independent of H2 plasma excitation. The control of the incorporation of sp2-C clusters in the a-C films during the a-C film depositions is demonstrated by tailoring Raman positions vs. full widths at half maxima for the G band around 1580 cm-1 to the RI-PECVD parameters.

    DOI: 10.7567/1347-4065/aafd49

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  41. Real-time control of a wafer temperature for uniform plasma process 国際共著 国際誌

    T. Tsutsumi, Y. Fuknaga, K. Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    2018 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM)   2018-December 巻   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing Conference Proceedings  

    Our developed non-contact method for measurement of temperature of silicon (Si) wafer by using autocorrelation-type fourier domain low coherence interferometer has advantageous in accuracy and rapid response. We demonstrate measurements in temperature for Si wafer at real-time during plasma process and in estimation of heat flux to the wafer from plasma, involving heats balanced plasma source and conductive loss in Si. The analysis indicated that other heat sources like the chamber parts with relatively high temperature impact on the duty ratio during the process with feedback control of the wafer teperture.

    DOI: 10.1109/ISSM.2018.8651183

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  42. Single-Step, Low-Temperature Simultaneous Formations and in Situ Binding of Tin Oxide Nanoparticles to Graphene Nanosheets by In-Liquid Plasma for Potential Applications in Gas Sensing and Lithium-Ion Batteries 査読有り

    Ranjit R. Borude, Hirotsugu Sugiura, Kenji Ishikawa, Takayoshi Tsutsumi, Hiroki Kondo, Nobuyuki Ikarashi, Masaru Hori

    ACS Applied Nano Materials   2 巻 ( 2 ) 頁: 649 - 654   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  43. Effect of electrical stimulation on proliferation and bone-formation by osteoblast-like cells cultured on carbon nanowalls scaffolds 査読有り 国際共著 国際誌

    Ichikawa Tomonori, Tanaka Suiki, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Sekine Makoto, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 2 )   2019年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    Carbon nanowalls (CNWs) were synthesized by radical injection plasma-enhanced chemical vapor deposition and used as scaffolds for cell culture. The proliferation of osteoblast-like cells (Saos-2) was enhanced on the CNW scaffold upon electrical stimulation (ES) with 10 Hz square pulses at a current of 226 nA. However, after incubation with ES for 10 d, differentiation of the cells toward bone formation was suppressed.

    DOI: 10.7567/1882-0786/aaf469

    Web of Science

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  44. Modifications of surface and bulk properties of magnetron-sputtered carbon films employing a post-treatment of atmospheric pressure plasma 査読有り 国際共著 国際誌

    Borude Ranjit R., Sugiura Hirotsugu, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Han Jeon Geon, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SA )   2019年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Control of the bonding structure in carbon materials is achieved by a post-treatment of atmospheric pressure plasma (APP) for magnetron-sputtered carbon films. The APP post-treatment changes the films morphologically owing to the removal and modification of sp2 bonds on the basis of the near edge X-ray absorption fine structure analysis of sp2 contents. By APP post-treatment, the resulting changes in surface and bulk properties modify the optical and electrical properties of the carbon films. The control of the film properties can be utilized for various applications, such as gas sensors and solar cells.

    DOI: 10.7567/1347-4065/aaec87

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  45. Narrow free-standing features fabricated by top-down self-limited trimming of organic materials using precisely temperature-controlled plasma etching system 査読有り

    Fukunaga Yusuke, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 2 )   2019年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aaf92a

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  46. Effects of Ion Bombardment Energy Flux on Chemical Compositions and Structures of Hydrogenated Amorphous Carbon Films Grown by a Radical-Injection Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り 国際共著 国際誌

    Hirotsugu Sugiura, Hiroki Kondo, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Masaru Hori

    C-Journal of Carbon Research   5 巻 ( 1 )   2019年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/c5010008

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  47. Electrochemical Reaction in Hydrogen Peroxide and Structural Change of Platinum Nanoparticle-Supported Carbon Nanowalls Grown Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り 国際共著 国際誌

    Masakazu Tomatsu, Mineo Hiramatsu, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine, Masaru Hori

    Journal of Carbon Research   5 巻 ( 1 )   2019年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/c5010007

    Web of Science

  48. Pt nanoparticle-supported carbon nanowalls electrode with improved durability for fuel cell applications using C2F6/H-2 plasma-enhanced chemical vapor deposition 査読有り 国際共著 国際誌

    Imai Shun, Kondo Hiroki, Hyungjun Cho, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Sekine Makoto, Hiramatsu Mineo, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 1 )   2019年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    The electrochemical durability of Pt nanoparticles-supported carbon nanowalls (Pt/CNWs) determined from potential cycle tests was 88% performance after 20 000 cycles and 50% performance around 140 000 cycles when the CNWs were fabricated by the C 2 F 6 /H 2 plasma-enhanced chemical vapor deposition system (C 2 F 6 -CNWs). Even after the extended start/stop-simulation tests of fuel cell Pt/C 2 F 6 -CNWs, Pt was aggregated; however, the morphological structure of the CNWs was maintained and no corrosion was evident from scanning electron microscopy observations and Raman analysis. For graphene-based catalyst supports, i.e., the Pt/C 2 F 6 -CNWs, graphene crystallinity is essential to extend electrochemical durability by inhibiting corrosion during fuel cell operation.

    DOI: 10.7567/1882-0786/aaf0ab

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  49. Liquid dynamics in response to an impinging low-temperature plasma jet 査読有り 国際共著 国際誌

    Timothy R. Brubaker, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Takayoshi Tsutsumi, Hiroshi Hashizume, Hiromasa Tanaka, Sean D. Knecht, Sven G. Bilen, Masaru Hori

    Journal of Physics D: Applied Physics   52 巻 ( 7 )   2018年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Physics D: Applied Physics  

    The liquid-phase behavior induced by an atmospheric pressure plasma jet impinging onto water-based solutions was experimentally investigated. An increase in cavity size and circulation size resulting from an increase in impact force of the plasma jet with respect to a helium gas jet were observed through particle image velocimetry and cavity measurements. The increase in circulation size due to plasma discharge was larger than the increase solely due to an increase in jet impact force, suggesting additional shear along the liquid free surface evidenced by schlieren images of plasma-induced gas flow adherence after impingement. Liquid evaporation rate increased and mean liquid temperature decreased due to plasma effects on jet behavior. Plasma-induced decreases in liquid pH and temperature were contained within the circulation flow, leading to strong pH and temperature gradients within the liquid volume. Areas treated by the jet became acidic and remained more acidic than other portions of the liquid due to circulation vortices, highlighting the consequences of jet and liquid vessel parameters for plasma jet-liquid applications.

    DOI: 10.1088/1361-6463/aaf460

    Web of Science

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  50. Effect of N-2/H-2 plasma on GaN substrate cleaning for homoepitaxial GaN growth by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) 査読有り 国際共著 国際誌

    Amalraj Frank Wilson, Dhasiyan Arun Kumar, Lu Yi, Shimizu Naohiro, Oda Osamu, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Ikarashi Nobuyuki, Hori Masaru

    AIP ADVANCES   8 巻 ( 11 )   2018年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Advances  

    We developed a new method of GaN growth using Radical-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition (REMOCVD) technology by which Gallium Nitride (GaN) grows at low temperatures without ammonia gas. In this method, we investigated the effect of N2/H2 plasma on the GaN substrate surface cleaning prior to the growth of homoepitaxial GaN. In-situ reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and atomic force microscope (AFM) were used to investigate the surface morphology of the cleaned GaN substrates. The interface between GaN substrate and homoepitaxially grown GaN by REMOCVD was evaluated by transmission electron microscope and the crystal quality was evaluated by X-ray diffraction. The in-situ N2/H2 plasma cleaning at 600 °C shows a smooth surface morphology with streak diffraction lines observed by RHEED. Since the homoepitaxial growth of GaN was performed at 800 °C, the cleaned GaN substrate temperature was ramped up from 600 °C to 800 °C with and without plasma exposure to compare the effect of plasma. Homoepitaxially grown GaN on GaN substrates whose temperature was ramped up with plasma exposure showed good crystal quality with no threading dislocations at the interface. It was found that N2/H2 plasma plays a significant role in the GaN surface cleaning for good quality crystal growth.

    DOI: 10.1063/1.5050819

    Web of Science

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  51. Oriented Carbon Nanostructures by Plasma Processing: Recent Advances and Future Challenges 査読有り 国際共著

    Santhosh Neelakandan M, Filipic Gregor, Tatarova Elena, Baranov Oleg, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru, Ostrikov Kostya, Ke, Cvelbar Uros

    MICROMACHINES   9 巻 ( 11 )   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Micromachines  

    DOI: 10.3390/mi9110565

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    PubMed

  52. Time Evolution Of Reactive Oxygen Nitrogen Species in Plasma-Activated Essential Media and Water 国際共著

    Brubaker Timothy, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Hashizume Hiroshi, Tanaka Hiromasa, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    2017 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON PLASMA SCIENCE (ICOPS)     2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/PLASMA.2017.8496057

  53. Elevated-temperature etching of gallium nitride (GaN) in dual-frequency capacitively coupled plasma of CH4/H-2 at 300-500 degrees C 査読有り 国際共著 国際誌

    Kako Takashi, Liu Zecheng, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hori Masaru

    VACUUM   156 巻   頁: 219 - 223   2018年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Vacuum  

    Elevated-temperature etching with CH4/H2 plasma chemistry at 300 °C improves damage-less optical properties of GaN, solving issues of degradation on near-band-edge photoluminescence intensity on plasma etching at lower temperatures than 300 °C. Damage-less etching properties in a smooth surface, high photoluminescence intensity, and substantial stoichiometric ratio of gallium and nitrogen were obtained when the CH4/H2 chemistry with substrate temperatures at 300–500 °C.

    DOI: 10.1016/j.vacuum.2018.07.040

    Web of Science

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  54. Reaction mechanisms between chlorine plasma and a spin-on-type polymer mask for high-temperature plasma etching 査読有り 国際共著 国際誌

    Zhang Yan, Imamura Masato, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 10 )   2018年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    To satisfy the requirement for mask materials in high-temperature plasma etching, a novolac-based polymer mask was evaluated during high-temperature Cl2 plasma etching. Although the etch rate of 8 nm/min was rather high at a low temperature of 230 °C, it decreased with the increase in temperature. The aromatic ring structures were significantly modified by vacuum ultraviolet (VUV) and Cl radicals during the processes above 300 °C and transformed to a highly cross-linked amorphous carbon (a-C) layer at the surface confirmed from infrared and Raman spectra. The formation of this a-C layer improved the etching resistance of the polymer mask. On the other hand, surface roughness can also be improved after processes above 300 °C corresponding to the generation of the a-C layer. Therefore, this polymer mask is a promising candidate for high-temperature plasma etching with high etch resistance, and a smooth surface can be obtained during processes above 300 °C.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.106502

    Web of Science

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  55. Oxygen reduction reaction properties of nitrogen-incorporated nanographenes synthesized using in-liquid plasma from mixture of ethanol and iron phthalocyanine 査読有り

    Amano Tomoki, Kondo Hiroki, Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Hiramatsu Mineo, Sekine Makoto, Hori Masaru

      57 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.040303

    Web of Science

  56. Nanographene synthesized in triple-phase plasmas as a highly durable support of catalysts for polymer electrolyte fuel cells 査読有り

    Amano Tomoki, Kondo Hiroki, Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Hiramatsu Mineo, Sekine Makoto, Hori Masaru

      57 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.045101

    Web of Science

  57. Nanographene synthesis employing in-liquid plasmas with alcohols or hydrocarbons 査読有り

    Ando Atsushi, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Tsutsumi Takayoshi, Takeda Keigo, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Hiramatsu Mineo, Sekine Makoto, Hori Masaru

      57 巻 ( 2 )   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.026201

    Web of Science

  58. Rapid growth of micron-sized graphene flakes using in-liquid plasma employing iron phthalocyanine-added ethanol 査読有り

    Amano Tomoki, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Takeda Keigo, Hiramatsu Mineo, Sekine Makoto, Hori Masaru

      11 巻 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.015102

    Web of Science

  59. Dynamic analysis of reactive oxygen nitrogen species in plasma-activated culture medium by UV absorption spectroscopy 査読有り 国際共著

    Brubaker Timothy R., Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Oh Jun-Seok, Kondo Hiroki, Hashizume Hiroshi, Tanaka Hiromasa, Knecht Sean D., Bilen Sven G., Hori Masaru

      122 巻 ( 21 )   2017年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4999256

    Web of Science

  60. Intracellular responses to reactive oxygen and nitrogen species, and lipid peroxidation in apoptotic cells cultivated in plasma-activated medium 査読有り

    Furuta Ryo, Kurake Naoyuki, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Hashizume Hiroshi, Tanaka Hiromasa, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

      14 巻 ( 11 )   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.201700123

    Web of Science

  61. Surface roughening of photoresist after change of the photon/radical and ion treatment sequence 査読有り

    Zhang Yan, Takeuchi Takuya, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

      35 巻 ( 6 )   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.4994218

    Web of Science

  62. High-durability catalytic electrode composed of Pt nanoparticle-supported carbon nanowalls synthesized by radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition 査読有り

    Imai Shun, Kondo Hiroki, Cho Hyungjun, Kano Hiroyuki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hiramatsu Mineo, Ito Masafumi, Hori Masaru

      50 巻 ( 40 )   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aa8131

    Web of Science

  63. Lipid droplets exhaustion with caspases activation in HeLa cells cultured in plasma-activated medium observed by multiplex coherent anti-Stokes Raman scattering microscopy 査読有り

    Furuta Ryo, Kurake Naoyuki, Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Hashizume Hiroshi, Tanaka Hiromasa, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

      12 巻 ( 3 )   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.4997170

    Web of Science

  64. Reduction of chlorine radical chemical etching of GaN under simultaneous plasma-emitted photon irradiation 査読有り

    Liu Zecheng, Imamura Masato, Asano Atsuki, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hori Masaru

      10 巻 ( 8 )   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.10.086502

    Web of Science

  65. Temperature dependence of protection layer formation on organic trench sidewall in H-2/N-2 plasma etching with control of substrate temperature 査読有り

    Fukunaga Yusuke, Tsutsumi Takayoshi, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

      56 巻 ( 7 )   2017年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.076202

    Web of Science

  66. Intracellular-molecular changes in plasma-irradiated budding yeast cells studied using multiplex coherent anti-Stokes Raman scattering microscopy 査読有り

    Furuta Ryo, Kurake Naoyuki, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Hashizume Hiroshi, Kondo Hiroki, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Sekine Makoto, Hori Masaru

      19 巻 ( 21 ) 頁: 13438-13442   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c7cp00489c

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  67. Growth of InN films by radical-enhanced metal organic chemical vapor deposition at a low temperature of 200 degrees C 査読有り 国際共著 国際誌

    Takai Shinnosuke, Lu Yi, Oda Osamu, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 6 )   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    The InN films were deposited on GaN surfaces at a low temperature of 200 °C by radical-enhanced metal organic chemical vapor deposition (REMOCVD). The REMOCVD system can provide N radicals from the plasma of a N2-H2 mixture gas without using ammonia. Two types of GaN substrate, bulk GaN and GaN on Si(111), were used. The growth mode was modeled as a step flow on the basis of surface morphology observation by atomic force microscopy.

    DOI: 10.7567/JJAP.56.06HE08

    Web of Science

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  68. Spatial profiles of interelectrode electron density in direct current superposed dual-frequency capacitively coupled plasmas 査読有り

    Ohya Yoshinobu, Ishikawa Kenji, Komuro Tatsuya, Yamaguchi Tsuyoshi, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

      50 巻 ( 15 )   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aa60f7

    Web of Science

  69. Characteristics of optical emissions of arc plasma processing for high-rate synthesis of highly crystalline single-walled carbon nanotubes 査読有り

    Ando Atsushi, Takeda Keigo, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Hiramatsu Mineo, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Suzuki Tomoko, Inoue Sakae, Ando Yoshinori, Hori Masaru

      56 巻 ( 3 )   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.035101

    Web of Science

  70. Investigation of effects of ion energies on both plasma-induced damage and surface morphologies and optimization of high-temperature Cl-2 plasma etching of GaN 査読有り

    Liu Zecheng, Pan Jialin, Asano Atsuki, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hori Masaru

      56 巻 ( 2 )   2017年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.026502

    Web of Science

  71. Absolute density of precursor SiH3 radicals and H atoms in H-2-diluted SiH4 gas plasma for deposition of microcrystalline silicon films 査読有り

    Abe Yusuke, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Tsutsumi Takayoshi, Fukushima Atsushi, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

      110 巻 ( 4 )   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4974821

    Web of Science

  72. Atomic layer etching of SiO2 by alternating an O-2 plasma with fluorocarbon film deposition 査読有り

    Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Hori Masaru, Zaitsu Masaru, Kobayashi Akiko, Nozawa Toshihisa, Kobayashi Nobuyoshi

      35 巻 ( 1 )   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.4971171

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  73. TIME EVOLUTION OF REACTIVE OXYGEN NITROGEN SPECIES IN PLASMA-ACTIVATED ESSENTIAL MEDIA AND WATER 査読有り 国際共著

    Brubaker Timothy, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Hashizume Hiroshi, Tanaka Hiromasa, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

        頁: .   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  74. Microfluidic Transport Through Microsized Holes Treated by Nonequilibrium Atmospheric-Pressure Plasma 査読有り 国際共著 国際誌

    Ito Takumi, Ishikawa Kenji, Onoshima Daisuke, Kihara Naoto, Tatsukoshi Kentaro, Odaka Hidefumi, Hashizume Hiroshi, Tanaka Hiromasa, Yukawa Hiroshi, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Baba Yoshinobu, Hori Masaru

    IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE   44 巻 ( 12 ) 頁: 3060 - 3065   2016年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Plasma Science  

    In the field of microfluidics, it is possible to facilitate liquid transport through microsized holes with large slip lengths by lowering the friction at the interface between the flow and the inner surface of the holes. In this paper, we discuss the use of nonequilibrium atmospheric-pressure plasma to modify the surface wettability of microsized holes in glass substrates that are similar to those used as flow channels in glass microfiltration devices. In our experiments, liquid transport flows were driven by internal Laplace pressure differences based on the surface tensions of droplets placed on the front and back sides of the tested substrates.

    DOI: 10.1109/TPS.2016.2571721

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  75. Effects of Radical Species on Structural and Electronic Properties of Amorphous Carbon Films Deposited by Radical-Injection Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り 国際共著 国際誌

    Jia Lingyun, Sugiura Hirotsugu, Kondo Hiroki, Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hiramatsu Mineo, Hori Masaru

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS   13 巻 ( 7 ) 頁: 730 - 736   2016年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Plasma Processes and Polymers  

    Amorphous carbon (a-C) films are deposited using a radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition (RI-PECVD) system employing a mixture of H2 and CH4 gases. Variations in the structural and electronic properties of the resulting films with changes in the residence times of radical species and molecules are investigated by varying the total gas flow rate from 50 to 400 sccm. With decreasing residence time, the deposition rate is found to gradually increase, reaching a maximum value at a residence time of 6 ms, after which a decrease was observed. Optical emission spectra showed that the relative intensity of the CH emission increased with decreasing residence time. These results indicate a change in the dominant radical species resulting from suppression of the dissociation of radicals and molecules. Increasing amorphization and an obvious increase in the Tauc gap from 0.6 to 0.9 eV are found with decreasing residence time, while there is little change in the hydrogen content of the films. From these data, it is evident that control over the structural properties and optical bandgap of a-C films can be realized by optimizing the distribution of radical species.

    DOI: 10.1002/ppap.201500229

    Web of Science

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  76. Effect of gas residence time on near-edge X-ray absorption fine structures of hydrogenated amorphous carbon films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition 査読有り 国際共著 国際誌

    Jia Lingyun, Sugiura Hirotsugu, Kondo Hiroki, Takeda Keigo, Ishikawa Kenji, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hiramatsu Mineo, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 4 )   2016年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    In hydrogenated amorphous carbon films, deposited using a radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition system, the chemical bonding structure was analyzed by near-edge X-ray absorption fine-structure spectroscopy. With a change in the residence times of source gases in a reactor, whereby total gas flow rates of H2/CH4 increased from 50 to 400 sccm, sp2-C fractions showed the minimum value at 150 sccm, while H concentration negligibly changed according to the results of secondary ion mass spectroscopy. On the other hand, widths of σ∗ C-C peaks increased with decreasing gas residence time, which indicates an increase in the fluctuation of bonding structures.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.040305

    Web of Science

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  77. Real-time temperature monitoring of Si substrate during plasma processing and its heat-flux analysis 査読有り 国際共著 国際誌

    Tsutsumi Takayoshi, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 1 )   2016年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Actual Si wafer temperatures during plasma etching processes were temporally measured using a real-time wafer-temperature monitoring system with autocorrelation-type frequency-domain low-coherence interferometry. Indeed, the Si wafer temperature, which was 20 °C before the process, rapidly increased in 10 s. Then, the temperature rise gradually slowed, but continued to increase and reached 45 °C after 600 s. This can be due to the fact that there exists a heat source for the wafer other than the plasma. Reasonably, the Si wafer was found to be sensitive to the temperature of the disk covering the area around the wafer, i.e., the focus ring. Usually, the temperature of the focus ring is not controlled and causes the radial distribution of Si wafer temperature. Consequently, the Si wafer temperature should be controlled with the temperature increase of other heat sources, especially the focus ring.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.01AB04

    Web of Science

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  78. Impact of synergism of nitrite and hydrogen peroxide on cell survivals in Plasma-Activated-Medium (PAM) 査読有り

    Naoyuki Kurake, Hiromasa Tanaka, Kenji Ishikawa, Kae Nakamura, Hiroaki Kajiyama, Fumiaki Kikkawa, Takashi Kondo, Masaaki Mizuno, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori

        2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  79. Feedback Control System of Wafer Temperature for Advanced Plasma Processing and its Application to Organic Film Etching 査読有り 国際共著 国際誌

    Tsutsumi Takayoshi, Fukunaga Yusuke, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ohta Takayuki, Ito Masafumi, Sekine Makoto, Hori Masaru

    IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING   28 巻 ( 4 ) 頁: 515 - 520   2015年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  

    A wafer temperature feedback control system during plasma processing with rapid, precise, and real-time temperature monitoring employing frequency-domain low-coherence interferometry was developed. To keep the temperature within a specific range, plasma was actively switched on and off, controlled by signals from a monitoring system. It was applied to an organic film etching process with an H2 and N2 mixture gas plasma. The organic material etching yield from atomic hydrogen has a relatively high sensitivity to temperature, and a constant temperature is required to achieve precise etching profiles. This system maintained the wafer temperature within a few degrees for H2/N2 plasma discharges. Duty ratios per discharge gradually decreased because the temperature of the chamber component parts around the wafer increased. The trench width etched in the organic film increased with increasing wafer temperature. This is because of a temperature dependence balance between the etching reaction and protection film formation on the trench sidewall.

    DOI: 10.1109/TSM.2015.2470554

    Web of Science

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  80. High sensitivity of a carbon nanowall-based sensor for detection of organic vapours 査読有り 国際共著

    P. Slobodian, U. Cvelbar, P. Riha, R. Olejnik, J. Matyas, G. Filipič, H. Watanabe, S. Tajima, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    RSC Advances   5 巻 ( 110 ) 頁: 90515 - 90520   2015年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:RSC Advances  

    DOI: 10.1039/c5ra12000d

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  81. Development of Microelectrode Arrays Using Electroless Plating for CMOS-Based Direct Counting of Bacterial and HeLa Cells 査読有り 国際共著 国際誌

    Niitsu Kiichi, Ota Shoko, Gamo Kohei, Kondo Hiroki, Hori Masaru, Nakazato Kazuo

    IEEE TRANSACTIONS ON BIOMEDICAL CIRCUITS AND SYSTEMS   9 巻 ( 5 ) 頁: 607 - 619   2015年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems  

    The development of two new types of high-density, electroless plated microelectrode arrays for CMOS-based high-sensitivity direct bacteria and HeLa cell counting are presented. For emerging high-sensitivity direct pathogen counting, two technical challenges must be addressed. One is the formation of a bacteria-sized microelectrode, and the other is the development of a high-sensitivity and high-speed amperometry circuit. The requirement for microelectrode formation is that the gold microelectrodes are required to be as small as the target cell. By improving a self-aligned electroless plating technique, the dimensions of the microelectrodes on a CMOS sensor chip in this work were successfully reduced to 1.2 μm × 2.05 μm. This is 1/20th of the smallest size reported in the literature. Since a bacteria-sized microelectrode has a severe limitation on the current flow, the amperometry circuit has to have a high sensitivity and high speed with low noise. In this work, a current buffer was inserted to mitigate the potential fluctuation. Three test chips were fabricated using a 0.6-μm CMOS process: two with 1.2 μm × 2.05 μm (1024 × 1024 and 4 × 4) sensor arrays and one with 6-μm square (16 × 16) sensor arrays; and the microelectrodes were formed on them using electroless plating. The uniformity among the 1024 × 1024 electrodes arranged with a pitch of 3.6 μm × 4.45 μm was optically verified. For improving sensitivity, the trenches on each microelectrode were developed and verified optically and electrochemically for the first time. Higher sensitivity can be achieved by introducing a trench structure than by using a conventional microelectrode formed by contact photolithography. Cyclic voltammetry (CV) measurements obtained using the 1.2 μm × 2.05 μm 4 × 4 and 6-μm square 16 × 16 sensor array with electroless-plated microelectrodes successfully demonstrated direct counting of the bacteria-sized microbeads and HeLa cells.

    DOI: 10.1109/TBCAS.2015.2479656

    Web of Science

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    PubMed

  82. Suppression of plasma-induced damage on GaN etched by a Cl-2 plasma at high temperatures 査読有り 国際共著 国際誌

    Liu Zecheng, Pan Jialin, Kako Takashi, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 巻 ( 6 )   2015年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Plasma-induced damage (PID) during plasma-etching processes was suppressed by the application of Cl2 plasma etching at an optimal temperature of 400 °C, based on results of evaluations of photoluminescence (PL), stoichiometric composition, and surface roughness. The effects of ions, photons, and radicals on damage formation were separated from the effects of plasma using the pallet for plasma evaluation (PAPE) method. The PID was induced primarily by energetic ion bombardments at temperatures lower than 400 °C and decreased with increasing temperature. Irradiations by photons and radicals were enhanced to form the PID and to develop surface roughness at temperatures higher than 400 °C. Consequently, Cl2 plasma etching at 400 °C resulted optimally in low damage and a stoichiometric and smooth GaN surface.

    DOI: 10.7567/JJAP.54.06GB04

    Web of Science

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  83. シリコン薄膜形成プロセスにおけるプラズマ中の水素原子の計測とその挙動 査読有り

    堀勝, 阿部祐介, 竹田圭吾, 石川健治, 近藤博基, 関根誠, 韓銓建

    プラズマ・核融合学会誌   91 巻 ( 5 ) 頁: 317   2015年5月

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    記述言語:日本語  

  84. シリコン薄膜形成プロセスにおけるプラズマ中の水素原子の計測とその挙動 (小特集 シリコン系太陽電池の高効率化に向けたプラズマCVDの科学) -- (気相の物理・化学) 査読有り

    堀 勝, 阿部 祐介, 竹田 圭吾, 石川 健治, 近藤 博基, 関根 誠, 韓 銓建

    プラズマ・核融合学会誌   91 巻 ( 5 ) 頁: 317-322   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    プラズマプロセスによるシリコン薄膜太陽電池の工業化がなされて以来,約35年が経つ.多くの研究者が,シリコン薄膜太陽電池を構成するアモルファスシリコン薄膜や微結晶シリコン薄膜を形成するために,プラズマ中の活性種の反応機構の構築に取り組んできた.しかしながら,シランと水素ガスを混合したプラズマによる薄膜形成に極めて重要な役割を演じている水素原子の絶対密度やその表面損失確率に関する情報はほとんど明らかにされていない.本節では,プラズマを用いたシリコン薄膜形成プロセスにおいて,真空紫外吸収分光法を用いて,水素原子の密度とその挙動を定量的に明らかにした.これらの情報の集積は,試行錯誤的なプラズマプロセスの開発から科学を基軸としたプロセス(プロセス科学)へのパラダイムシフトをもたらすことが期待される.

    CiNii Article

  85. CF3+ fragmentation by electron impact ionization of perfluoro-propyl-vinyl-ethers, C5F10O, in gas phase 査読有り 国際共著 国際誌

    Kondo Yusuke, Ishikawa Kenji, Hayashi Toshio, Miyawaki Yudai, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 巻 ( 4 )   2015年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    The gas phase fragmentations of perfluoro-propyl-vinyl ether (PPVE, C5F10O) are studied experimentally. Dominant fragmentations of PPVE are found to be the result of a dissociative ionization reaction, i.e., CF3+ via direct bond cleavage, and C2F3O- and C3F7O- via electron attachment. Regardless of the appearance energy of around 14.5 eV for the dissociative ionization of CF3+, the observed ion efficiency for the CF3+ ion was extremely large the order of 10-20cm-2, compared with only 10-21cm-2 for the other channels. PPVE characteristically generated CF3+ as the largest abundant ion are advantageous for use of feedstock gases in plasma etching processes.

    DOI: 10.7567/JJAP.54.040301

    Web of Science

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  86. Silicon nitride etching performance of CH2F2 plasma diluted with argon or krypton 査読有り 国際共著 国際誌

    Kondo Yusuke, Ishikawa Kenji, Hayashi Toshio, Miyawaki Yudai, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 巻 ( 4 )   2015年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Etching rates of silicon nitrides (SiN), SiO2, and poly-Si films for CH2F2 plasmas diluted with rare gases are presented by comparing the effects of flow rates of CH2F2 and dilution gases (Ar and Kr). The SiO2 etching rate was considered to be controlled by ion fluxes of the incident CHF2+ and CH2F+ under the conditions for the selective etching of SiO2 and SiN over poly-Si. Interestingly, the SiN etching rate was considerably affected by the dilution gas used. The SiN surface reaction was promoted by F-rich chemistry in the Ar-diluted CH2F2 plasma with a relatively high density of F atoms.

    DOI: 10.7567/JJAP.54.040303

    Web of Science

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  87. Hydrofluorocarbon ion density of argon- or krypton-diluted CH2F2 plasmas: generation of CH2F+ and CHF2+ by dissociative-ionization in charge exchange collisions 査読有り 国際共著 国際誌

    Kondo Yusuke, Miyawaki Yudai, Ishikawa Kenji, Hayashi Toshio, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   48 巻 ( 4 )   2015年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Physics D: Applied Physics  

    Ion densities of CH2F+ and CHF2+ were determined by dissociative ionization pathways in channels of charge exchange collisions, i.e. CH2F2 + M+→CH2F+ + F + M∗ and CHF2+ + H +M∗ [M = Ar, Kr] in CH2F2 plasmas diluted by a rare gas [M]. These channels simultaneously generated counter fragments of charge-neutral H and F atoms of interest for plasma etching processes. In Ar-diluted plasmas, CH2F+ ions predominated due to dissociative ionization between Ar+ [ca. 15.8 eV] and C-F appearance [dissociative ionization] energy [ca. 16 eV] to form CH2F+. In contrast, for Kr-diluted plasmas, C-H appearance energy [ca. 13.8 eV] predominated to produce a larger amount of CHF2+ ions due to a similar channel for charge exchange collisions between Kr+ [ca. 14 eV] and CH2F2. Thus, adding the ratio of Ar and Kr gas to CH2F2 plasmas provided control over the fraction of CH2F+ and CHF2+ ion densities.

    DOI: 10.1088/0022-3727/48/4/045202

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  88. Robust characteristics of semiconductor-substrate temperature measurement by autocorrelation-type frequency-domain low-coherence interferometry 査読有り 国際共著 国際誌

    Tsutsumi Takayoshi, Ohta Takayuki, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hori Masaru, Ito Masafumi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 巻 ( 1 )   2015年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    We have compared in detail the robust characteristics of an autocorrelation-type frequency-domain low-coherence interferometry (ACT-FD-LCI) system without a reference mirror with those of the conventional frequency-domain low-coherence interferometry (FD-LCI) system with a reference mirror. The standard deviation of temperature measurement was less than 0.04 °C at temperatures below 550 °C for a typical thickness of 480 μm, as determined from the measured optical path length. The robustness of performance against disturbances has been markedly improved, as compared with a precision of 0.28 °C in the conventional FD-LCI system with the reference mirror. In particular, we have confirmed that the ACTFD-LCI system has a large tolerance to disturbances due to dispersion and changes in the polarization of the signal light owing to the removal of the reference mirror.

    DOI: 10.7567/JJAP.54.01AB03

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  89. Carbon nanowall scaffold to control culturing of cervical cancer cells 査読有り

    Hitoshi Watanabe, Hiroki Kondo, Yukihiro Okamoto, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine, Yoshinobu Baba, and Masaru Hori

      105 巻   2014年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4902054

  90. Recovery of atom density drift caused by change in reactor wall conditions by real-time autonomous control 査読有り

    Toshiya Suzuki, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine and Masaru Hori

      47 巻 ( 42 )   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/47/42/422002

  91. Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N2/H2 excited plasma - effect of TMG flow rate and VHF power 査読有り

    Yi Lu, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Osamu Oda, Keigo Takeda, Makoto Sekine, Hiroshi Amano, and Masaru Hori

      391 巻   頁: 97-103   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.01.014

  92. Hierarchical regrowth of flowerlike nanographene sheets on oxygen-plasma-treated carbon nanowalls 査読有り

    Hironao Shimoeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine, and Masaru Hori

      7 巻 ( 4 ) 頁: 046201   2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.7.046201

  93. Effects of nitrogen plasma post-treatment on electrical conduction of carbon nanowalls 査読有り

    Hyung Jun Cho, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Mineo Hiramatsu, and Masaru Hori

      53 巻 ( 4 ) 頁: 040307   2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.040307

  94. Nanostructure modification to carbon nanowall surface employing hydrogen peroxide solution 査読有り

    Hironao Shimoeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine, and Masaru Hori

      53 巻 ( 4 ) 頁: 040305:1-4   2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.040305

  95. Spatiotemporal behaviors of absolute density of atomic oxygen in a planar type of Ar/O2 non-equilibrium atmospheric pressure plasma jet 査読有り

    Fengdong Jia, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroyuki Kano, Jagath Kularatne, Hiroki Kondo, Makoto Sekine and Masaru Hori

        2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0963-0252/23/2/025004

  96. A CMOS Sensor Platform with 1.2 mu m x 2.05 mu m Electroless-Plated 1024 x 1024 Microelectrode Array for High-Sensitivity Rapid Direct Bacteria Counting 査読有り

    Ota Shoko, Niitsu Kiichi, Kondo Hiroki, Hori Masaru, Nakazato Kazuo

        頁: 460-463   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Web of Science

  97. Live Demonstration: A CMOS Sensor Platform with 1.2 mu m x 2.05 mu m Electroless-Plated 1024 x 1024 Microelectrode Array for High-Sensitivity Rapid Direct Bacteria Counting 査読有り

    Shoko Ota, Kiichi Niitsu, Hiroki Kondo, Masaru Hori, Kazuo Nakazato

        頁: 185 - 185   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Web of Science

  98. Chemical reactions during plasma-enhanced atomic layer deposition of SiO2 films employing aminosilane and O2/Ar plasma at 50°C 査読有り

    Yi Lu, Akiko Kobayashi, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

      53 巻 ( 1 ) 頁: 010305:1-4   2013年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.010305

  99. Effect of Indirect Nonequilibrium Atmospheric Pressure Plasma on Anti-Proliferative Activity against Chronic Chemo-Resistant Ovarian Cancer Cells In Vitro and In Vivo 査読有り

    Fumi Utsumi, Hiroaki Kajiyama, Kae Nakamura, Hiromasa Tanaka, Masaaki Mizuno, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Hiroyuki Kano, Masaru Hori, and Fumitaka Kikkawa

        2013年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1371/journal.pone.0081576

  100. High H Radical Density Produced by 1-m-length Atmospheric Pressure Microwave Plasma System 査読有り

    Hitoshi Itoh, Yusuke Kubota, Yusaku Kashiwagi, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Hirotaka Toyoda, and Masaru Hori

        2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.11NE01

  101. Field Emissions from Organic Nanorods Armored with Metal Nanoparticles 査読有り

    Toshiya Suzuki, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

        頁: 1-4   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.120203

  102. Density Control of Carbon Nanowalls Grown by CH4/H2 plasma and Their Electrical Properties 査読有り

    Hyung Jun Cho, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Mineo Hiramatsu, and Masaru Hori

      68 巻   頁: 380-388   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.carbon.2013.11.014

  103. Rapid measurement of substrate temperatures by frequency-domain low-coherence interferometry 査読有り

    Takayoshi Tsutsumi, Takayuki Ohta, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori, and Masafumi Ito

        2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4827426

  104. Atomic Oxygen Etching from the Top Edges of Carbon Nanowalls 査読有り

    Shimoeda Hironao, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, HIRAMATSU Mineo, SEKINE Makoto, HORI Masaru

      6 巻 ( 9 ) 頁: "095201-1"-"095201-4"   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Article

  105. A Development of Atmospheric Pressure Plasma Equipment and Its Applications for Treatment of Ag Films Formed from Nano-Particle Ink 査読有り

    H Itoh, Y Kubota, Y Kashiwagi, K Takeda, K Ishikawa, H Kondo, M Sekine, H Toyoda and M Hori

      441 巻   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: doi:10.1088/1742-6596/441/1/012019

  106. Surface morphology on high-temperature plasma-etched gallium nitride 査読有り

    Ryosuke Kometani, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

        頁: 325-328   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.14723/tmrsj.38.325

  107. A High-Temperature Nitrogen Plasma Etching for Preserving Smooth and Stoichiometric GaN Surface 査読有り

    Kometani Ryosuke, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, KONDO Hiroki, SEKINE Makoto, HORI Masaru

      6 巻 ( 5 ) 頁: 056201-1 - 056201-4   2013年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Article

  108. Wavelength Dependence of Photon-Induced Interface Defects in Hydrogenated Silicon Nitride/Si Structure during Plasma Etching Processes 査読有り

    Fukasawa Masanaga, Matsugai Hiroyasu, Honda Takahiro, Miyawaki Yudai, Kondo Yusuke, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Nagahata Kazunori, Uesawa Fumikatsu, Hori Masaru, Tatsumi Tetsuya

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 5 )   2013年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.05ED01

    Web of Science

    Scopus

  109. Supercritical Fluid Deposition of High-Density Nanoparticles of Photocatalytic TiO₂ on Carbon Nanowalls 査読有り

    Horibe Takeyoshi, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, KANO Hiroyuki, SEKINE Makoto, HIRAMATSU Mineo, HORI Masaru

      6 巻 ( 4 ) 頁: 045103-1 - 045103-3   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Article

  110. Graphene Nanowalls 招待有り 査読有り

    Mineo Hiramatsu, Hiroki Kondo and Masaru Hori

        2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.5772/3358

  111. Etching-Enhancement Followed by Nitridation on Low-k SiOCH Film in Ar/C5F10O Plasma 査読有り

    Y. Miyawaki, E. Shibata, Y. Kondo, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, H. Okamoto, M. Sekine, M. Hori

      52 巻 ( 2 ) 頁: pp.020204:1-4   2013年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.020204

  112. Surface roughness development on ArF-photoresist studied by beam-irradiation of CF4 plasma 査読有り

    T. Takeuchi, K. Ishikawa, Y. Setsuhara, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

      46 巻   頁: pp. 102001:1-5   2013年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/46/10/102001

  113. Development of High-Density Nitrogen Radical Source for Low Mosaicity and High Rate Growth of InGaN Films in Molecular Beam Epitaxy 査読有り

    Chen Shang, Kawai Yohjiro, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Takeda Keigo, Kano Hiroyuki, Sekine Makoto, Amano Hiroshi, Hori Masaru

      52 巻 ( 2 ) 頁: 021001-1 - 021001-5   2013年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.021001

    Web of Science

    Scopus

  114. Fabrication of Graphene-Based Films Using Microwave-Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り

    M. Hiramatsu, M. Naito, H. Kondo, and M. Hori

        2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.01AK04

  115. Nucleation Control of Carbon Nanowalls Using Inductively Coupled Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り

    M. Hiramatsu, Y. Nihashi, H. Kondo, and M. Hori

        2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.01AK05

  116. Impact of hydrogen radical-injection plasma on fabrication of microcrystalline silicon thin film for solar cells 査読有り

    Abe Yusuke, Kawashima Sho, Fukushima Atsushi, Lu Ya, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

      113 巻 ( 3 ) 頁: 033304:1 - 033304:6   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4778608

    Web of Science

    Scopus

  117. Development of the sputtering yields of ArF photoresist after the onset of argon ion bombardment 査読有り

    T. Takeuchi, C. Corbella, S. Grosse-Kreul, A. von Keudell, K. Ishikawa, H. Kondo, K. Takeda, M. Sekine, M. Hori

      113 巻   頁: P.014306:1-6   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  118. Fabrication of Carbon Nanowalls on Carbon Fiber Paper for Fuel Cell Application 査読有り 国際共著 国際誌

    Hiramatsu Mineo, Mitsuguchi Shinji, Horibe Takeyoshi, Kondo Hiroki, Hori Masaru, Kano Hiroyuki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 1 )   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.01AK03

    Web of Science

    Scopus

  119. Surface loss probability of H radicals on silicon thin films in SiH4/H-2 plasma 国際共著 国際誌

    Abe Yusuke, Fukushima Atsushi, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   113 巻 ( 1 )   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4773104

    Web of Science

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  120. I-1-2 高密度ラジカル源を用いた分子線エピタキシー法によるIII族窒化物エピタキシャル成長(窒化物半導体デバイスの精密加工プロセス-窒化物LEDに関わる先端デバイスプロセシング-,口頭発表) 査読有り

    河合 洋次郎, 堀 勝, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 近藤 博基, 平松 美根男, 加納 浩之, 山川 晃司, 田 昭治

    IIP情報・知能・精密機器部門講演会講演論文集   2013 巻 ( 0 ) 頁: 5-7   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Although plasma-assisted molecular beam epitaxy(PA-MBE) is a promising technique for GaN growth,the growth rate obtained by this technique is lower than that obtained by metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE).In order to improve the growth rate of the technique,high density radical source(HDRS) was developed.By vacuum ultraviolet absorption spectroscopy(VUVAS) measurement,two orders of magnitude higher radical density was confirmed in a comparison of the HDRS and a conventional radical source(CRS).While faster growth rate of 1.4μm/h in GaN homoepitaxy was achieved,better crystalline quality of InxGa_<(1-x)>N(x=0.03〜0.16) epilayers with approximately 1.4μm thickness were also achieved by introducing the HDRS in PA-MBE.

    DOI: 10.1299/jsmeiip.2013.5

    CiNii Article

  121. Suppressive Effect of Interface Reaction and Water Absorption by Al Incorporation into Pr-oxide Film 査読有り 国際共著 国際誌

    Takeuchi W., Furuta K., Kato K., Sakashita M., Kondo H., Nakatsuka O., Zaima S.

    15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILMS (ICTF-15)   417 巻 ( 1 ) 頁: 012017 (6 pages)   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/417/1/012017

    Web of Science

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  122. Individual Roles of Atoms and Ions during Hydrogen Plasma Passivation of Surface Defects on GaN Created by Plasma Etching 査読有り

    Chen Shang, Ishikawa Kenji, Lu Yi, Kometani Ryosuke, Kondo Hiroki, Tokuda Yutaka, Egawa Takashi, Amano Hiroshi, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 11 ) 頁: 111002-1:5   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.111002

    Web of Science

  123. Critical flux ratio of hydrogen radical to film precursor in microcrystalline silicon deposition for solar cells 査読有り

    Yusuke Abe, Atsushi Fukushima, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori

      Vol.101 巻   頁: pp.172109-1:4   2012年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4764065

  124. プラズマナノテクノロジーによる10mmサイズ、超高アスペクト比有機ナノピラーの室温近傍形成とフレキシブルディスプレイへの応用

    堀 勝、鈴木 俊哉、竹田 圭吾、近藤 博基、石川 健治、関根 誠

    名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリーニュース/2012, Summer, No.33   17 巻 ( 1 ) 頁: 研究紹介(1)   2012年8月

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    記述言語:日本語  

  125. 電子顕微鏡分光と第一原理計算によるリチウム電池正極の機能元素電子状態解析 査読有り

    巽 一厳, 武藤 俊介, 近藤 広規, 佐々木 厳, 右京 良雄

    セラミックス   47 巻 ( 7 ) 頁: 528 - 533   2012年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:日本セラミックス協会  

    CiNii Article

  126. Photoluminescence recovery by in-situ exposure of plasma-damaged n-GaN to atomic hydrogen at room temperature 査読有り

    Chen Shang, Lu Yi, Kometani Ryosuke, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Tokuda Yutaka, Sekine Makoto, Hori Masaru

      2 巻 ( 2 ) 頁: pp.022149-1:6   2012年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4729448

    Web of Science

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  127. Ultrahigh-Speed Synthesis of Nanographene Using Alcohol In-Liquid Plasma 査読有り

    Hagino Tatsuya, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Kano Hiroyuki, Sekine Makoto, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   5 巻 ( 3 ) 頁: pp. 035101-1:3   2012年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.5.035101

    Web of Science

  128. Selective killing of ovarian cancer cells through induction of apoptosis by nonequilibrium atmospheric pressure plasma 国際共著 国際誌

    Iseki Sachiko, Nakamura Kae, Hayashi Moemi, Tanaka Hiromasa, Kondo Hiroki, Kajiyama Hiroaki, Kano Hiroyuki, Kikkawa Fumitaka, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS LETTERS   100 巻 ( 11 ) 頁: 10.1063/1.3694928   2012年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3694928

    Web of Science

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  129. Vacuum Ultraviolet and Ultraviolet Radiation-Induced Effect of Hydrogenated Silicon Nitride Etching: Surface Reaction Enhancement and Damage Generation 査読有り 国際共著 国際誌

    Fukasawa Masanaga, Miyawaki Yudai, Kondo Yusuke, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Matsugai Hiroyasu, Honda Takayoshi, Minami Masaki, Uesawa Fumikatsu, Hori Masaru, Tatsumi Tetsuya

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 2 )   2012年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.026201

    Web of Science

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  130. Direct current superposed dual-frequency capacitively coupled plasmas in selective etching of SiOCH over SiC 査読有り 国際共著 国際誌

    Yamaguchi Tsuyoshi, Komuro Tatsuya, Koshimizu Chishio, Takashima Seigo, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   45 巻 ( 2 )   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/45/2/025203

    Web of Science

  131. Highly selective etching of SiO2 over Si3N4 and Si in capacitivlly coupled plasma employing C5HF7 gas 査読有り

    Y.Miyawaki, Y. Kondo, M. Sekine, K. Ishikawa, T. Hayashi, K. Takeda, H. Kondo, M. Hori

      52 巻   頁: pp. 016201:1-9   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.016201

  132. Control of Super Hydrophobic and Super Hydrophilic Surfaces of Carbon Nanowalls Using Atmospheric Pressure Plasma Treatments 査読有り 国際共著 国際誌

    Watanabe Hitoshi, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Hiramatsu Mineo, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 1 )   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.01AJ07

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  133. Novel diffraction gratings fabricated by means of plasma nano-technologies 査読有り

    Ebizuka N., Sekine M., Ishikawa K., Kondo H., Hori M., Sasaki M., Bianco A., Zerbi F. Maria, Hirahara Y., Aoki W.

    MODERN TECHNOLOGIES IN SPACE-AND GROUND-BASED TELESCOPES AND INSTRUMENTATION II   8450 巻   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.925869

    Web of Science

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  134. Electron Spin Resonance (ESR) observation of radicals on biological organism interacted with plasmas 査読有り

    Kenji Ishikawa, Hiroko Moriyama, Kazuhiro Tamiya, Hiroshi Hashizume, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Sachiko Iseki, Hiromasa Tanaka, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1469 巻   頁: 39 - 42   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    We report the kinetic analysis of radicals on fungal spores of Penicillium digitatum interacted with charged-neutral oxygen species (Oz.ast
    ) generated plasma discharge using real time in situ electron spin resonance (ESR) measurements. The ESR signal from the spores was observed at a g-value of around 2.004 with a line width of approximately 5G. We have successfully obtained information regarding the reaction mechanism with free radicals and realtime in situ ESR has proven to be a useful method to elucidate plasma-induced surface reactions on biological specimens. ©2012 Materials Research Society.

    DOI: 10.1557/opl.2012.928

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  135. Selective Killing of Ovarian Cancer Cells through Induction of Apoptosis by a Nonequilibrium Atmospheric Pressure Plasma 査読有り

    Hiromasa Tanaka, Sachiko Iseki, Kae Nakamura, Moemi Hayashi, Hiroki Kondo, Hiroaki Kajiyama, Hiroyuki Kano, Fumitaka Kikkawa, Masaru Hori

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1469 巻   頁: 33 - 38   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Two independent ovarian cancer cell lines and fibroblast controls were treated with nonequilibrium atmospheric pressure plasma (NEAPP). Most ovarian cancer cells were detached from the culture dish by continuous plasma treatment to a single spot on the dish. Next, the plasma source was applied over the whole dish using a robot arm. In vitro cell proliferation assays showed that plasma treatments significantly decreased proliferation rates of ovarian cancer cells compared to fibroblast cells. FACS and Western blot analysis showed that plasma treatment of ovarian cancer cells induced apoptosis. NEAPP could be a promising tool for therapy for ovarian cancers. © 2012 Materials Research Society.

    DOI: 10.1557/opl.2012.927

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  136. Feature Profiles on Plasma Etch of Organic Films by a Temporal Control of Radical Densities and Real-Time Monitoring of Substrate Temperature 査読有り

    Hiroshi Yamamoto, Hiroki Kuroda, Masafumi Ito, Takayuki Ohta, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)     2011年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.016202

  137. Chemical bond modification in porous SiOCH films by H-2 and H-2/N-2 plasmas investigated by in situ infrared reflection absorption spectroscopy 査読有り

    Yamamoto Hiroshi, Asano Kohei, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hayashi Hisataka, Sakai Itsuko, Ohiwa Tokuhisa, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Hori Masaru

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   110 巻 ( 12 )   2011年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3671547

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  138. High-Performance Decomposition and Fixation of Dry Etching Exhaust Perfluoro-Compound Gases and Study of Their Mechanism 査読有り

    Kei Hattori, Masaaki Osato, Takeshi Maeda, Katsuya Okumura, Makoto Sekine, Masaru Hori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 11 )   2011年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    We report on the high-performance decomposition and fixation of perfluoro compounds (PFCs) exhausted from dry etching processes and their reaction mechanism with the fixation material prepared from Ca(OH)(2) and Al(OH)(3) mixture. Using gas chromatography-mass spectrometry (GCMS), powder X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and other analysis methods, it was found that PFCs were successfully decomposed and fixated by the reaction only with calcium compounds, resulting in calcium fluoride (CaF2). Aluminum compounds existing very close to calcium compounds work as a catalyst so that the reaction progresses at much lower temperatures, in the range of 650 to 750 degrees C, compared with the direct decomposition by combustion. The reaction mechanism is discussed on the basis of the proposed microscopic reaction model. These results are useful for the development of more efficient abatement systems for the greenhouse gases in the exhaust of dry etching processes. (C) 2011 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.1143/JJAP.50.117301

    Web of Science

  139. Synchrotron x-ray analyses of crystalline and electronic structures of carbon nanowalls 査読有り

    Hiroki Kondo, Wakana Takeuchi, Masaru Hori, Shigeru Kimura, Yukako Kato, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Osami Sakata, Hiroo Tajiri, Mineo Hiramatsu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   99 巻 ( 21 )   2011年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    The electronic and crystal structures of carbon nanowalls (CNWs) were analyzed using synchrotron x-rays. Although they have branchless graphene sheets with high crystallinities comparable to those of highly oriented pyrolytic graphite, they also have small amount of fluorine atoms and slightly large interlayer spacing of basal plane. Soft x-ray emission spectra indicate that CNWs have similar but not identical electronic structures to HOPG. Such the chemical and crystallographic structures might be one of factors to induce characteristic electrical features of the CNWs. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3659470]

    DOI: 10.1063/1.3659470

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  140. Control of Interfacial Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Using Radical Nitridation Technique 査読有り 国際共著 国際誌

    Kato Kimihiko, Kyogoku Shinya, Sakashita Mitsuo, Takeuchi Wakana, Kondo Hiroki, Takeuchi Shotaro, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 10 )   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.10PE02

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  141. Nucleation and Vertical Growth of Nano-Graphene Sheets 査読有り

    Hiroki Kondo, Masaru Hori and Mineo Hiramatsu

    Graphene - Synthesis, Characterization, Properties and Applications     2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.5772/23703

  142. Reactive Ion Etching of Carbon Nanowalls 査読有り

    Shingo Kondo, Hiroki Kondo, Yudai Miyawaki, Hajime Sasaki, Hiroyuki Kano, Mineo Hiramatsu, Masaru Hori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 7 )   2011年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    Two-dimensionally standing graphene sheets, i.e., carbon nanowalls (CNWs), were synthesized on a Si substrate employing a capacitively coupled fluorocarbon plasma-enhanced chemical vapor deposition system together with H radical injection. To apply CNWs in electronic devices and/or membrane filters, we have demonstrated the reactive ion etching (RIE) of CNWs. RIE employing H-2/N-2 gases showed that the CNW films were anisotropically etched at a relatively high rate of more than 250 nm/min. However, the 10-nm-thick interface layer between a CNW film and the Si substrate remained and the interface layer was not completely etched. In contrast, RIE employing Ar/H-2 gases enabled us to completely remove the interface layer. Ar/H-2 RIE was also carried out from the bottom surface of CNW films after exfoliating them from the Si substrate. As a result, a free-standing CNW film of 550 nm thickness without an interface layer as a membrane filter was successfully formed. (C) 2011 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.1143/JJAP.50.075101

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  143. Achieving high-growth-rate in GaN homoepitaxy using high-density nitrogen radical source 査読有り

    Yohjiro Kawai, Shang Chen1, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano, Hiroki Kondo, Mineo Hiramatsu, Hiroyuki Kano, Koji Yamakawa, Shoji Den, Masaru Hori

    Physica status solidi (c)   8 巻 ( 7-8 ) 頁: 2089-2091   2011年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201000969

  144. Control of interfacial properties of Pr-oxide/Ge gate stack structure by introduction of nitrogen 査読有り 国際共著 国際誌

    Kato Kimihiko, Kondo Hiroki, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

    SOLID-STATE ELECTRONICS   60 巻 ( 1 ) 頁: 70 - 74   2011年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2011.01.029

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  145. 液中プラズマを用いたナノグラフェンの高速合成技術 (特集 「グラフェン」の実務的な視点での開発トレンド) 招待有り

    近藤博基、加納 浩之、堀 勝

    マテリアルステージ 11(2)     頁: 57-59   2011年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  146. プラズマCVD法によるカーボンナノウォールの制御合成 招待有り

    近藤博基、平松美根男、堀 勝

    マテリアルステージ 11(2)     頁: 19-21   2011年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  147. Formation and mechanism of ultrahigh density platinum nanoparticles on vertically grown graphene sheets by metal-organic chemical supercritical fluid deposition 査読有り

    Kota Mase, Hiroki Kondo, Shingo Kondo, Masaru Hori, Mineo Hiramatsu, Hiroyuki Kano

    APPLIED PHYSICS LETTERS   98 巻 ( 19 )   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    An ultrahigh density over 10(13) cm(-2) of 2 nm diameter Pt nanoparticles was obtained by metal-organic chemical supercritical fluid deposition over the entire surface of vertically standing stacked graphene sheets (carbon nanowalls) on a substrate. The correlation between the surface defect density of graphene sheets and the density of Pt nanoparticles were investigated to clarify the support mechanism. The density of Pt nanoparticles increased with increase in the surface defect density. In addition, the semispherical cross-sectional shape of the nanoparticles indicated nucleation at the surface defects on the graphene sheets (98/100). (C) 2011 American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3583672]

    DOI: 10.1063/1.3583672

    Web of Science

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  148. Radical-controlled plasma processing for nanofabrication 査読有り 国際共著 国際誌

    Hori Masaru, Kondo Hiroki, Hiramatsu Mineo

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   44 巻 ( 17 ) 頁: 174027:1 - 174027:15   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/44/17/174027

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  149. Spatial Distributions of Electron, CF, and CF2 Radical Densities and Gas Temperature in DC-Superposed Dual-Frequency Capacitively Coupled Plasma Etch Reactor Employing Cyclic-C4F8/N-2/Ar Gas 査読有り

    Yamaguchi Tsuyoshi, Kimura Tetsuya, Koshimizu Chishio, Takeda Keigo, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 5 )   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.056101

    Web of Science

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  150. Analysis of Local Leakage Current of Pr-Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy 査読有り

    Masaki Adachi, Yuzo Kato, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Hiroki Kondo, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka and Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 4S )   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.04DA08

  151. Effect of Pr Valence State on Interfacial Structure and Electrical Properties of Pr Oxide/PrON/Ge Gate Stack Structure 査読有り

    Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Hiroki Kondo, Osamu Nakatsuka and Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 4S )   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.04DA17

  152. Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy 査読有り 国際共著

    Wu Z. H., Kawai Y., Fang Y. -Y., Chen C. Q., Kondo H., Hori M., Honda Y., Yamaguchi M., Amano H.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   98 巻 ( 14 )   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3574607

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  153. Electron field emission enhancement of carbon nanowalls by plasma surface nitridation 査読有り

    Takeuchi Wakana, Kondo Hiroki, Obayashi Tomomi, Hiramatsu Mineo, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS LETTERS   98 巻 ( 12 )   2011年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3532114

    Web of Science

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  154. Laser Scattering Diagnosis of a 60-Hz Non-Equilibrium Atmospheric Pressure Plasma Jet 査読有り

    Jia Fengdong, Sumi Naoya, Ishikawa Kenji, KANO Hiroyuki, INUI Hirotoshi, KULARATNE Jagath, TAKEDA Keigo, KONDO Hiroki, SEKINE Makoto, KONO Akihiro, HORI Masaru

    Applied physics express   4 巻 ( 2 ) 頁: 026101-1 - 026101-3   2011年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Article

  155. Pr(EtCp)_3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性 査読有り

    近藤 博基, 坂下 満男, 財満 鎭明

    真空   54 巻 ( 2 ) 頁: 110 - 113   2011年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本真空学会  

    &nbsp;&nbsp;Growth properties and electrical properties of Pr oxide films by an atomic layer deposition (ALD) technique using Pr(EtCp)<sub>3</sub> are discussed in this paper. Slef-limiting growth of Pr oxide films at a rate of 0.07 nm/cycle and a thickness variation of less than 2% on 3-in. Si wafers were obtained. Polycrystalline cubic Pr<sub>2</sub>O<sub>3</sub> films were grown on Si(001) substrates, while epitaxial growth of the cubic Pr<sub>2</sub>O<sub>3</sub> film was found on a Si(111) substrate. Relatively fine capacitance-voltage curves were obtained for the Al/ALD-Pr oxide/Si(001) capacitors. The interface state density between the 130&deg;C-grown ALD-Pr oxide film and the Si(001) substrate is about 1&times;10<sup>11</sup> cm<sup>&minus;2</sup> eV<sup>&minus;1</sup>. The dielectric constant of the ALD-Pr oxide film grown at 250&deg;C was determined to be about 18, assuming that the dielectric constant of the interlayer is similar to that of SiO<sub>2</sub>.<br>

    DOI: 10.3131/jvsj2.54.110

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    CiNii Article

    CiNii Books

  156. Laser Scattering Diagnosis of a 60-Hz Non-Equilibrium Atmospheric Pressure Plasma Jet 査読有り 国際共著 国際誌

    Fengdong Jia, Naoya Sumi, Kenji Ishikawa, Hiroyuki Kano, Hirotoshi Inui, Jagath Kularatne, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Akihiro Kono, Masaru Hori

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 巻 ( 2 )   2011年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    A non-equilibrium atmospheric pressure plasma jet excited by 60-Hz ac power was diagnosed by laser Thomson and laser Raman scattering. We obtained the spatial distributions of the electron density, electron temperature, and gas temperature. The results show that the plasma can generate an electron density of up to 10(21) m(-3), an electron temperature of approximately 1 eV, and a gas temperature as low as approximately 700 K, indicating that the plasma is in the non-equilibrium state. The laser scattering diagnostic method and the obtained data are useful in the application of the non-equilibrium atmospheric pressure plasma jet. (C) 2011 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.1143/APEX.4.026101

    Web of Science

  157. Behaviors of Absolute Densities of N, H, and NH3 at Remote Region of High-Density Radical Source Employing N-2-H-2 Mixture Plasmas 査読有り

    Shang Chen, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Makoto Sekine, Hiroyuki Kano, Shoji Den, Masaru Hori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 1 ) 頁: 01AE03   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    For an innovation of molecular-beam-epitaxial (MBE) growth of gallium nitride (GaN), the measurements of absolute densities of N, H, and NH3 at the remote region of the radical source excited by plasmas have become absolutely imperative. By vacuum ultraviolet absorption spectroscopy (VUVAS) at a relatively low pressure of about 1 Pa, we obtained a N atom density of 9 x 10(12) cm(-3) for a pure nitrogen gas used, a H atom density of 7 x 10(12) cm(-3) for a gas composition of 80% hydrogen mixed with nitrogen gas were measured. The maximum density 2 x 10(13) cm(-3) of NH3 was measured by quadruple mass spectrometry (QMS) at H-2/(N-2 + H-2) = 60%. Moreover, we found that N atom density was considerably affected by processing history, where the characteristic instability was observed during the pure nitrogen plasma discharge sequentially after the hydrogen-containing plasma discharge. These results indicate imply the importance of establishing radical-based processes to control precisely the absolute densities of N, H, and NH3 at the remote region of the radical source. (C) 2011 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.1143/JJAP.50.01AE03

    Web of Science

  158. Al2O3界 面層およびラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造および電気的特性の制御

    加藤公彦, 京極真也, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第16回研究会     頁: 55-58   2011年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  159. Pr酸化膜/Si構造へのAl導入による界面反応抑制効果

    古田和也, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第16回研究会     頁: 51-54   2011年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  160. Pr酸化膜/PrON/Ge構造におけるPrの化学結合状態が電気的特性に及ぼす影響

    加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第16回研究会     頁: 99-102   2011年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  161. 電流検出型原子間力顕微鏡を 用いた欠陥に起因するPr酸化膜のリーク電流機構の解明

    足立正樹, 加藤雄三, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第16回研究会     頁: 123-126   2011年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  162. Controlled Synthesis of Carbon Nanowalls for Carbon Channel Engineering 査読有り

    Hiroki Kondo, Masaru Hori, Wakana Takeuchi, Mineo Hiramatsu

    Key Engineering Materials   470 巻   頁: 85-91   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  163. Sticking coefficient of hydrogen radicals on ArF photoresist estimated by parallel plate structure in conjunction with numerical analysis 査読有り 国際共著

    Arkadiusz Malinowski, Makoto Sekine, Masaru Hori, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Toshiya Suzuki, Takuya Takeuchi, Hiroshi Yamamoto, Andrzej Jakubowski, Lidia Lukasiak, Daniel Tomaszewski

    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD     頁: 235 - 238   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Investigation of radicals kinetic behavior and estimation of radical sticking coefficient become indispensable for establishing plasma processing control by its internal parameters. This approach is required for plasma processing of single-nanometer gate length field effect transistors and 3-diemnsional gates in particular. In our works we have developed new technique for radicals kinetic behavior investigation and its sticking coefficient estimation. Our approach is based on application of parallel plate structure in conjunction with numerical analysis. This approach allows for radicals behavior investigation apart from ions and ultraviolet photons. Moreover this approach allows for analysis role of radical direct and indirect fluxes. By comparison of measured profile thickness and simulated stuck radicals profile we were able to estimate hydrogen radical sticking probability to ArF photoresist. © 2011 IEEE.

    DOI: 10.1109/SISPAD.2011.6035090

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  164. 原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性 査読有り

    古田 和也, 竹内 和歌奈, 坂下 満男, 近藤 博基, 中塚 理, 財満 鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   110 巻 ( 90 ) 頁: 39-42   2010年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    本研究ではSi基板上にPr(EtCp)_3,トリメチルアルミニウム(TMA)およびH_2Oを用いた原子層堆積(ALD)法を用いてPrAlO(PAO)膜を形成し,その電気的特性を明らかにした.X線光電子分光(XPS)法から,膜中に界面反応を引き起こしたSiが表面付近に偏析していることが分かり,Al導入によってそれが減少していることが分かった.このことは,Al導入によって界面反応が抑制されていることを示唆している.一方,Deep level transient spectroscopy (DLTS)の結果,Al導入によって浅い準位において界面準位密度が減少した.従って,浅い準位の界面準位密度は,界面反応に起因していると推測される.Alの導入によって界面反応の制御が可能であることを明らかにした.

    CiNii Article

  165. Optical Properties of Evolutionary Grown Layers of Carbon Nanowalls Analyzed by Spectroscopic Ellipsometry 査読有り

    Shinji Kawai, Shingo Kondo, Wakana Takeuchi, Hiroki Kondo, Mineo Hiramatsu, Masaru Hori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 巻 ( 6 ) 頁: 060220   2010年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS  

    Carbon nanowalls (CNWs), vertically standing graphene sheets, grown by the radical injection plasma-enhanced chemical vapor deposition system were analyzed by spectroscopic ellipsometry. The refractive indexes (n), extinction coefficients (k), and optical band gaps (E(g)) of evolutionary growth layers were evaluated using the Tauc-Lorentz model with the effective medium approximation. It was observed that an amorphous carbon interfacial layer with n of 1.9-2.0 was formed prior to the growth of CNWs with n of 1.2-1.5. Moreover, the imaginary parts of complex dielectric functions analyzed using the Tauc-Lorentz model indicate the possibility that the CNWs have semiconducting features. (C) 2010 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.1143/JJAP.49.060220

    Web of Science

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  166. Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor 査読有り

    Kondo Hiroki, Sakurai Shinnya, Sakashita Mitsuo, Sakai Akira, Ogawa Masaki, Zaima Shigeaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   96 巻 ( 1 ) 頁: 012105   2010年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3275706

    Web of Science

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  167. Formation processes of Ge3N4 films by radical nitridation and their electrical properties 査読有り

    Kato Kimihiko, Kondo Hiroki, Sakashita Mitsuo, Zaima Shigeaki

    THIN SOLID FILMS   518 巻 ( 6 ) 頁: S226 - S230   2010年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2009.10.094

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  168. 1.2 nm-SiONゲート絶縁膜における局所劣化現象の電流検出型原子間力顕微鏡を用いたナノスケール観察

    加藤雄三, 平安座朝誠, 坂下満男, 近藤博基, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第15回研究会),     頁: 105-108   2010年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  169. Pr(EtCp)3を用いたPr酸化膜の原子層堆積とその結晶構造及び電気的特性

    古田和也, 松井裕高, 近藤博基, 坂下満男, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第15回研究会)     頁: 125-128   2010年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  170. ALD-Pr酸化膜/Ge3N4/Ge構造における界面構造と電気的特性

    加藤公彦, 近藤博基, 坂下満男, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第15回研究会)     頁: 121-124   2010年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  171. ミクタミクト高窒素組成Hf-Si-Nの結晶構造および電気的特性

    宮本和明, 近藤博基, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第15回研究会)     頁: 173-176   2010年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  172. Measurement of Hydrogen Radical Density and Its Impact on Reduction of Copper Oxide in Atmospheric-Pressure Remote Plasma Using H-2 and Ar Mixture Gases 査読有り

    Hirotoshi Inui, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Hiroyuki Kano, Naofumi Yoshida, Masaru Hori

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   3 巻 ( 12 ) 頁: 126101:1 - 126101:3   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS  

    A 60 Hz alternating current excited atmospheric-pressure plasma with an ultrahigh electron density of over 10(16) cm(-3) employing H-2/Ar [p(H-2)/p(H-2 + Ar) 1-3%] gases was used to reduce copper oxides on copper. The remote plasma reduced CuO and Cu2O at room temperature. The ground-state hydrogen (H) radical density in the atmospheric-pressure plasma was measured by vacuum ultraviolet absorption spectroscopy using a micro hollow cathode lamp. The ratio of reduction of amount of CuO flux to the H radical flux was determined from the measured H radical density and gas temperature. (C) 2010 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.1143/APEX.3.126101

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  173. Critical Factors for Nucleation and Vertical Growth of Two Dimensional Nano-Graphene Sheets Employing a Novel Ar+ Beam with Hydrogen and Fluorocarbon Radical Injection 査読有り

    Kondo Shingo, Kondo Hiroki, Hiramatsu Mineo, Sekine Makoto, Hori Masaru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   3 巻 ( 4 ) 頁: 045102   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.3.045102

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  174. Formation of Pr Oxide Films by Atomic Layer Deposition Using Pr(EtCp)(3) Precursor 査読有り

    Kondo Hiroki, Matsui Hirotaka, Furuta Kazuya, Sakashita Mitsuo, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 巻 ( 4 ) 頁: 04DA14   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.04DA14

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  175. Crystalline Structures and Electrical Properties of High-Nitrogen-Content Hf-Si-N Films 査読有り

    Miyamoto Kazuaki, Kondo Hiroki, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 巻 ( 4 ) 頁: 04DA11   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.04DA11

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  176. Control of crystalline and electronic structures of carbon nanowalls for their device applications 査読有り

    Hiroki Kondo, Masaru Hori, Mineo Hiramatsu

    TENCON 2010: 2010 IEEE REGION 10 CONFERENCE     頁: 972 - 975   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IEEE  

    Controlling factors of crystalline and electronic structures of carbon nanowalls were investigated in this study. Precise measurements and controls of radicals and ions in the plasma make the controlled syntheses of CNWs possible. For example, density ratios of hydrogen (H) and carbon atoms are essential to determine the density and height of CNWs. Ar+ ion irradiation is also important for vertical-growth of graphene sheets. Vertical-growth of graphene sheets could occur only under Ar+ ion irradiation with suitable energy and flux for each process. On the other hand, by N-2 gas addition to C2F6/H-2/Ar mixture ambient, the CNWs with n-type conducting properties can be formed. These results obtained in this study suggest that the CNWs are promising as new functional device materials in various applications.

    DOI: 10.1109/TENCON.2010.5686534

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  177. HARD X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY ANALYSIS FOR ORGANIC-INORGANIC HYBRID MATERIALS FORMATION 査読有り

    Ken Cho, Kosuke Takenaka, Yuichi Setsuhara, Masaharu Shiratani, Makoto Sekine, Masaru Hori, Eiji Ikenaga, Hiroki Kondo, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    CHARACTERIZATION AND CONTROL OF INTERFACES FOR HIGH QUALITY ADVANCED MATERIALS III   219 巻   頁: 183 - +   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:AMER CERAMIC SOC  

    Interactions of nitrogen plasmas with polymer surfaces were investigated using hard x-ray photoelectron spectroscopy (HXPES) to complete depth analyses of the chemical bonding states in the nano-surface layer of polymethylmethacrylate (PMMA) films via. The PMMA films were exposed to the nitrogen plasmas sustained via inductive coupling of radio-frequency (RF) power with multiple low-inductance antenna (LIA) modules. The etching rate of the PMMA films was 38 nm/min. The surface roughness of PMMA increased from 0.3 rim to 0.7 urn with increased exposure time. The HXPES was carried out for non-destructive depth analysis of chemical bonding states in the nano-surface layer of PMMA films. The HXPES results indicated that nitrogen functionalities were formed in the shallower regions up to about 27 nm from the surface without showing significant degradation of the molecular structure of PMMA due to nitrogen plasma exposure.

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  178. Plasma surface treatment of polymers with inductivity-coupled RF plasmas driven by low-inductance antenna units 査読有り

    Yuichi Setsuhara, Ken Cho, Kosuke Takenaka, Akinori Ebe, Masaharu Shiratani, Makoto Sekine, Masaru Hori, Eiji Ikenaga, Hiroki Kondo, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    THIN SOLID FILMS   518 巻 ( 3 ) 頁: 1006 - 1011   2009年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE SA  

    Plasma surface treatment of polymers has been carried out with argon/oxygen mixture plasmas driven by multiple low-inductance antenna units. Kinetic energy distribution of argon ions from the argon/oxygen mixture plasmas onto polymers showed considerable suppression of ion energies sufficiently less than 10 eV. Polyethyleneterephthalate (PET) films were exposed to argon/oxygen mixture plasma for 1-5 min on a water-cooled substrate holder. The etching depth of PET surface increased with increasing plasma-exposure time and the etching rate was 118 nm/min. Surface roughness of PET surface (root-mean-square value) increased from 0.5 nm to 2.7 nm with increasing plasma-exposure time from 0 min (original sample) to states of the PET surface. The HXPES analyses exhibited nano-surface modification of the PET surface without suffering degradation of molecular structures beneath. (C) 2009 Elsevier B.V. all rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.tsf.2009.07.161

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  179. ラジカル窒化法による High-k/Ge 界面構造制御 査読有り

    加藤 公彦, 近藤 博基, 坂下 満男, 財満 鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   109 巻 ( 87 ) 頁: 39-44   2009年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    高移動度Geチャネルを有するmetal-oxide-semiconductor(MOS)型トランジスタの実現に向け、熱処理や溶液処理に対してロバストな高誘電率金属酸化膜/Ge構造の構築が求められている。本研究では、高誘電率金属酸化膜/Ge構造における界面層として期待されるGe_3N_4膜に関し、ラジカル窒化法による形成過程を明らかにし、更にPr酸化膜/Ge_3N_4/Ge構造の電気的特性を評価した。ラジカル窒化法では、50-600℃の広い温度範囲でStoichiometryなGe_3N_4が形成された。一方、飽和膜厚の窒化温度依存性は窒化温度によって異なり、Ge_3N_4形成に支配的な拡散種が異なると考えられる。またAu/Ge_3N_4/Ge構造におけるリーク電流密度は、窒化温度300℃において最も小さいことがわかった。ラジカル窒化法と原子層堆積法によってPr酸化膜/Ge_3N_4/Ge構造を作製した場合、Pr酸化膜/Ge界面にはPr酸窒化膜が形成される。またAl/Pr酸化膜/Ge_3N_4/Ge MOSキャパシタでは、H_2およびN_2雰囲気での熱処理によって界面準位密度が大幅に減少することが分かった。

    CiNii Article

  180. LaAlO/Ge構造へのALD-Al_2O_3界面制御層挿入の効果 査読有り

    坂下 満男, 加藤 亮祐, 京極 真也, 近藤 博基, 財満 鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   109 巻 ( 87 ) 頁: 61-66   2009年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜はEOTの低減に有効であり、high-k/Ge構造のMOSFETは次世代デバイスとして有望視されている。しかしながら、high-kゲート絶縁膜とGe基板との界面反応によって、ゲート絶縁膜の誘電率は低下し、また、界面準位密度は増加する。そこで、high-kゲート絶縁膜とGe基板との界面にALD法によって形成した極薄のAl_2O_3界面制御層を挿入し、その効果について検討した。なお、本研究ではhigh-kゲート絶縁膜としてLaAlO膜を用いた。厚さ1nm以下のAl_2O_3界面制御層によってGe界面での界面反応は効果的に抑制でき、界面反応によって形成されたGe-oxide層はAl_2O_3界面制御層の厚さの増加とともに減少することが分かった。また、0.4nm程度の厚さのAl_2O_3界面制御層において界面準位密度の低減効果を確認した。さらに、600℃の熱処理に対しても構造は変化せず、熱的にも安定であることが分かった。

    CiNii Article

  181. Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成 査読有り

    近藤 博基, 古田 和也, 松井 裕高, 坂下 満男, 財満 鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   109 巻 ( 87 ) 頁: 81-85   2009年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法(ALD)によるPr酸化膜の成長手法について研究を行い,ウェハー面内での膜厚ばらつきが2%以下であるPr酸化膜のALD成長を実現した.同ALDでは主として立方晶のPr_2O_3が形成したが,Si(100)基板上のPr_2O_3膜が多結晶構造であるのに対し,Si(111)基板上では立方晶Pr_2O_3がエピタキシャル成長することがわかった.一方,Al/ALD-Pr_2O_3/Si(100)およびAl/ALD-Pr_2O_3/Si(111)MOSキャパシタの容量-電圧特性によれば,ALDによって成長した立方晶Pr_2O_3の比誘電率は12.3〜16.8であった.電子銃蒸着法や化学気相蒸着法(CVD)で成長したPr酸化膜の結晶構造および成長条件との比較から,ALDプロセスにおいてH_2O分圧を最適化することにより,Pr酸化膜の結晶構造が制御可能であると考えられる。

    CiNii Article

  182. ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御

    加藤公彦, 近藤博基, 坂下満男, 財満鎭明

    信学技報   109 巻 ( 87 ) 頁: 39-44   2009年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  183. LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果

    坂下満男, 加藤亮祐, 京極真也, 近藤博基, 財満鎭明

    信学技報   109 巻 ( 87 ) 頁: 61-66   2009年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  184. Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成

    近藤博基, 古田和也, 松井裕高, 坂下満男, 財満鎭明

    信学技報   109 巻 ( 87 ) 頁: 81-85   2009年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  185. Effects of Atomic Layer Deposition-Al2O3 Interface Layers on Interfacial Properties of Ge Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors 査読有り

    Kato Ryosuke, Kyogoku Shinya, Sakashita Mitsuo, Kondo Hiroki, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 巻 ( 5 ) 頁: 05DA04   2009年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.48.05DA04

    Web of Science

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  186. Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti-Si-N Metal-Oxide-Semiconductor Gate Electrodes 査読有り

    Kondo Hiroki, Furumai Kouhei, Sakashita Mitsuo, Sakai Akira, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 巻 ( 4 ) 頁: 04C012   2009年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.48.04C012

    Web of Science

    Scopus

  187. Nitrogen-Content Dependence of Crystalline Structures and Resistivity of Hf-Si-N Gate Electrodes for Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors 査読有り

    Miyamoto Kazuaki, Furumai Kouhei, Urban Ben E., Kondo Hiroki, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 巻 ( 4 ) 頁: 045505   2009年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.48.045505

    Web of Science

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  188. アモルファスTi-Si-N MOSゲート電極の熱的安定性およびスケーラビリティ

    宮本和明,古米孝平,近藤博基,坂下満男,財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第14回研究会)     頁: 89-92   2009年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  189. アモルファスTi-Si-NおよびHf-Si-N MOSゲート電極の結晶構造と抵抗率の窒素濃度依存性

    近藤博基,宮本和明,古米孝平,坂下満男,財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第14回研究会)     頁: 191-194   2009年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  190. ラジカル窒化法によるGe3N4/Ge構造の形成過程

    加藤公彦,小田繁尚,近藤博基,財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第14回研究会)     頁: 163-166   2009年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  191. Al2O3界面層挿入によるLaAlO3/Ge 界面制御効果

    加藤亮祐,京極真也,坂下満男,近藤博基,財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第14回研究会)     頁: 133-136   2009年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  192. Pr(EtCp)3を用いたMOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性の評価

    松井裕高,櫻井晋也,近藤博基,坂下満男,財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第14回研究会)     頁: 125-128   2009年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  193. Analyses on Crystalline Structures of Carbon Nanowalls by Grazing-Incidence X-Ray Diffraction Using Synchrotron Light Source 招待有り 査読有り

    Wakana Takeuchi, Hiroki Kondo, Masaru Hori

    SPring-8 Research Frontier 2009     頁: 62-63   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  194. Formation of Uniaxial Tensile-strained Ge by Using Micro-patterning of Ge/Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si Structures 査読有り

    Mizutani Takuya, Nakatsuka Osamu, Sakai Akira, Kondo Hiroki, Zaima Shigeaki

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   34 巻 ( 2 ) 頁: 305 - 308   2009年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本MRS  

    We have investigated the anisotropic strain structure of micro-patterned Ge/Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> mesa lines. The elastic strain-relaxation of a Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> layer by micro-patterning induces an uniaxial tensile strain into a Ge layer only for the direction perpendicular to the line. The pattern size dependence on the behavior of the elastic strain-relaxation of Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> layers is analyzed by FEM. Additionally, the XRD results for micro-patterned samples suggest that the overetching depth of the Si substrate also influenced the strain-relaxation of the Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> layers and the tensile-strain value of the Ge layers.

    DOI: 10.14723/tmrsj.34.305

    CiNii Article

  195. Formation of high-density Si nanodots by agglomeration of ultra-thin amorphous Si films 査読有り

    Kondo Hiroki, Ueyama Tomonori, Ikenaga Eiji, Kobayashi Keisuke, Sakai Akira, Ogawa Masaki, Zaima Shigeaki

    THIN SOLID FILMS   517 巻 ( 1 ) 頁: 297 - 299   2008年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2008.08.079

    Web of Science

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  196. Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications 招待有り 査読有り

    Zaima Shigeaki, Nakatsuka Osamu, Kondo Hiroki, Sakashita Mitsuo, Sakai Akira, Ogawa Masaki

    THIN SOLID FILMS   517 巻 ( 1 ) 頁: 80 - 83   2008年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2008.08.097

    Web of Science

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  197. Analysis of Uniaxial Tensile Strain in Microfabricated Ge/Si1-x Gex Structures on Si(001) Substrates

    T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, S. Zaima

    4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics     2008年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  198. MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価 査読有り

    近藤博基, 櫻井晋也, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

    信学技報   108 巻 ( 80 ) 頁: 71-75   2008年6月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  199. MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価 招待有り 査読有り

    近藤博基, 櫻井晋也, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

    信学技報   108 巻 ( 80 ) 頁: 71-75   2008年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  200. Ge表面酸化および窒化処理と High-k ゲートスタック構造形成プロセス 査読有り

    近藤 博基, 坂下 満男, 中塚 理, 小川 正毅, 財満 鎭明

    電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会   2008 巻 ( 1 ) 頁: 17-22   2008年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Article

  201. Development of high-density radical source for radical nitridation process in ULSI technology development of high-density radical source for radical nitridation process in ULSI technology 査読有り

    H. Kondo, S. Oda, S. Takashima, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima, M. Hori, S. Den, H. Kano

    The International Conference on Plasma-NanoTechnology and Science     2008年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  202. Ge基板上に作製したPr酸化膜の評価 査読有り

    坂下満男, 鬼頭伸幸, 加藤亮祐, 近藤博基, 中塚理, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

    ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-(第13回研究会)     2008年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  203. ミクタミクトTiSiNゲートMOSキャパシタの結晶構造及び電気的特性の評価 査読有り

    古米孝平, 近藤博基, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

    ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-(第13回研究会)     2008年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  204. 窒素ラジカル暴露によるGe(001)表面処理 査読有り

    近藤博基, 藤田美里, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

    ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-(第13回研究会)     2008年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  205. Formation of Ge3N4/Ge structures using nitrogen radicals and their thermal stability 査読有り

    Kondo H., Oda S., Ogawa M., Zaima S.

    SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 3: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES   16 巻 ( 10 ) 頁: 717 - +   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1149/1.2986828

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  206. シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドキャップの形成 招待有り 査読有り

    近藤博基, 財満鎭明, 堀勝, 酒井朗, 小川正毅

    真空   50 巻   頁: 665-671   2007年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  207. Structural and Electrical Properties of Metal-germanide MOS Gate Electrodes 査読有り

    H. Kondo, D. Ikeno, Y. Kaneko, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

    The Sixth Pacific Rim Inernational Conference on Advanced Materials and Processing     2007年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  208. Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors 査読有り

    FURUMAI Kouhei, KONDO Hiroki, SAKASHITA Mitsuo, SAKAI Akira, OGAWA Masaki, ZAIMA Shigeaki

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials   2007 巻   頁: 342-343   2007年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    CiNii Article

  209. Pr-oxide-based dielectric films on Ge substrates 査読有り

    M. Sakashita, N. Kito, A. Sakai, H. Kondo, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima

    Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Device and Materials   2007 巻 ( 85 ) 頁: 330 - 331   2007年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  210. Surface treatment of Ge(001) surface by radical nitridation 査読有り

    H. Kondo, M. Fujita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

    Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Device and Materials   2007 巻   頁: 1036-1037   2007年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  211. Si_<1-X>Ge_X/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)

    中塚 理, 酒井 朗, 近藤 博基, 小川 正毅, 財満 鎭明

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2007 巻 ( 2 ) 頁: "S-12"-"S-13"   2007年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Article

  212. Development of new high-density radical sources and its application to radical nitridation of Ge surfaces

    H. Kondo, S. Oda, S. Takashima, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima, M. Hori, S. Den, H. Kano

    The 20th Symposium on Plasma Science for Materials     2007年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  213. Composition dependence of work function in metal (Ni,Pt)-germanide gate electrodes 査読有り

    Ikeno Daisuke, Kaneko Yukihiro, Kondo Hiroki, Sakashita Mitsuo, Sakai Akira, Ogawa Masaki, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   46 巻 ( 4B ) 頁: 1865 - 1869   2007年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.46.1865

    Web of Science

    Scopus

  214. Growth and energy bandgap formation of silicon nitride films in radical nitridation 査読有り

    Kondo Hiroki, Kawaai Keigo, Sakai Akira, Hori Masaru, Zaima Shigeaki, Yasuda Yukio

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   46 巻 ( 1 ) 頁: 71 - 75   2007年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.46.71

    Web of Science

    Scopus

  215. Strain relaxation of patterned Ge and SiGe layers on Si(001) substrates 査読有り

    Mochizuki Shogo, Sakai Akira, Nakatsuka Osamu, Kondo Hiroki, Yukawa Katsunori, Izunome Koji, Senda Takeshi, Toyoda Eiji, Ogawa Masaki, Zaima Shigeaki

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   22 巻 ( 1 ) 頁: S132 - S136   2007年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0268-1242/22/1/S31

    Web of Science

    Scopus

  216. Pt-germanideゲート電極の結晶構造及び電気的特性の評価”

    池野大輔, 古米孝平, 近藤博基, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理-”(第12回研究会)     2007年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  217. パルスレーザー蒸着法によるGe基板上へのPr酸化膜の作製とその構造及び電気的特性評価

    鬼頭伸幸, 坂下満男, 酒井朗, 中塚理, 近藤博基, 小川正毅, 財満鎭明

    特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理-”(第12回研究会)     2007年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  218. Initial stage of processes and energy bandgap formation in nitridation of silicon surface using nitrogen radicals 査読有り

    Kondo H.

    Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   50 巻 ( 11 ) 頁: 665-671   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    &nbsp;&nbsp;Initial stage of processes and energy bandgap formation in nitridation of silicon surfaces using nitrogen radicals have been studied. According to scanning tunneling microscopy observations and scanning tunneling spectroscopy measurements, at the initial stage of nitridation, linear defects perpendicular to dimmer rows were formed to coincide with an initial nitridation reaction preferentially at backbonds of surface Si atoms. After the nitride formation, the surface roughness depends only on substrate temperature regardless of radio frequency (RF) power, which means that the growth mode of nitrides is attributed to the surface migration. Contrary, the energy bandgap of silicon nitrides is significantly affected by not only substrate temperature but also RF power. Absorption and emission spectroscopy results suggest that the contribution of the excited-state nitrogen atoms to the nitridation increases with increasing the RF power. Control of surface migration and radical species is crucial to form the monolayer-thick nitride layer with both an atomically flat surface and a wide energy bandgap.<br>

    DOI: 10.3131/jvsj.50.665

    Scopus

    CiNii Article

  219. Silicide and germanide technology for contacts and metal gates in MOSFET applications 査読有り

    S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa

    ECS Transactions   11 巻 ( 6 ) 頁: 197 - 205   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    We report silicide and germanide technology for ohmic contacts and metal gates of MOSFET applications. We have investigated control of crystalline and electrical properties of NiSi/Si contacts by the incorporation of third elements. Thermal stability and electrical properties of NiSi/Si contacts are effectively controlled by the incorporation of Ge and C. We have also systematically investigated the work function and the resistivity of various Ni and Pt germanides as metal gate materials. The low resistivity and tunable work function of these germanides and silcides are desirable for future CMOS devices. © The Electrochemical Society.

    DOI: 10.1149/1.2778377

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  220. Dislocation structure and strain relaxation of SiGe and Ge sub-micron stripe lines on Si(001) substrates

    O. Nakatsuka, S. Mochizuki, A. Sakai, H. Kondo, K. Yukawa, M. Ogawa, S. Zaima

        2006年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  221. Interfacial structure of HfON/SiN/Si gate stacks

    O. Nakatsuka, M. Sakashita, H. Kondo, E. Ikenaga, M. Kobata, J.-J. Kim, H. Nohira, T. Hattori, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

    The 2nd International Workshop on Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy     2006年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  222. Systematic characterization of Ni full silicide in sub-100 nm gate regions 査読有り

    D. Ito, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Kondo, Y. Akasaka, M. Ogawa, S. Zaima

        2006年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  223. Study of the gate insulator/silicon interface utilizing soft and hard X-ray photoelectron spectroscopy at Spring-8 査読有り

    T. Hattori, H. Nohira, K. Azuma, K. W. Sakai, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, Y. Sugita, E. Ikenaga, K. Kobayashi, Y. Takata, H. Kondo, S. Zaima

    International Journal of High Speed Electronics and Systems   16 巻 ( 1 ) 頁: 353 - 364   2006年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    The chemical structures of SiO2/Si interfaces were studied by photoelectron spectroscopy using high-brilliance soft X-ray with photon energy ranging from 500 to 1500 eV at Super Photon ring 8 GeV(SPring-8) and it is able to probe a depth of about 1.2 to 3 nm with energy resolution of 100 meV. On the other hand, high-brilliance hard X-ray with photon energy ranging from 6 to 10 keV is able to probe a depth of about 8.5 to 12.5 nm with energy resolution of 100 meV. Hard photoelectron spectroscopy are particularly useful for studying the composition and the chemical structure of transition layer at high-k dielectric/silicon interface. © World Scientific Publishing Company.

    DOI: 10.1142/S0129156406003680

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  224. Therapeutic effects of the combination of methotrexate and bucillamine in early rheumatoid arthritis: A multicenter, double-blind, randomized controlled study 査読有り

    Ichikawa Y.

    Modern Rheumatology   15 巻 ( 5 ) 頁: 323-328   2005年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s10165-005-0420-z

    Scopus

  225. Nanoscale Observations for Degradation Phenomena in SiO_2 and High-k Gate Insulators Using Conductive-Atomic Force Microscopy 査読有り

    ZAIMA Shigeaki, SEKO Akiyoshi, WATANABE Yukihiko, SAGO Toshifumi, SAKASHITA Mitsuo, KONDO Hiroki, SAKAI Akira, OGAWA Masaki

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials   2005 巻   頁: 236-237   2005年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Article

  226. Fabrication and evaluation of floating gate memories with surface-nitrided Si nanocrystals 査読有り

    Naito S, Ueyama T, Kondo H, Sakashita M, Sakai A, Ogawa M, Zaima S

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 巻 ( 7B ) 頁: 5687 - 5691   2005年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    A floating-gate memory with surface-nitrided Si nanocrystals buried in a SiO<SUB>2</SUB> matrix has been fabricated employing radical nitridation. Si nanocrystals with a number density higher than 1&times;10<SUP>12</SUP> cm<SUP>&minus;2</SUP> and an average grain size smaller than 6 nm have been grown using an ultrathin amorphous Si layer predeposited on the SiO<SUB>2</SUB> surface. Since the radical nitridation of the formed Si nanocrystals effectively suppresses excess oxidation of nanocrystals during the control oxide formation, the Si nanocrystals have been successfully buried in the SiO<SUB>2</SUB> matrix without losing their number density, grain size and fine spherical shape. Electrical properties of the floating-gate memory were also examined. A flat band voltage shift larger than 1 V, which is consistent with the number density of Si nanocrystals, was observed in capacitance&ndash;voltage measurements.

    DOI: 10.1143/JJAP.44.5687

    Web of Science

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    CiNii Article

  227. Analysis of stressed-gate SiO2 films with electron injection by conductive atomic force microscopy 査読有り

    A. Seko, Y. Watanabe, H. Kondo, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

    Electronics and Communications in Japan Part Ii-Electronics   88 巻 ( 6 ) 頁: 18-26   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  228. Analysis of Local Breakdown Process in Stressed Gate SiO2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy 査読有り

    Seko Akiyoshi, Watanabe Yukihiko, Kondo Hiroki, Sakai Akira, Zaima Shigeaki, Yasuda Yukio

    Japanese Journal of Applied Physics   44 巻 ( 10 ) 頁: 7582 - 7587   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics  

    We have studied the processes of local degradation through current leakage leading to breakdown in gate SiO<SUB>2</SUB> films by conductive atomic force microscopy (C-AFM). Electrical stress was applied to the SiO<SUB>2</SUB> films in the form of metal&ndash;oxide&ndash;semiconductor capacitors. Leakage current spots caused by holes trapped at stress-induced defects appeared in current images of the stressed SiO<SUB>2</SUB> films. During the C-AFM observation at the same area with a high electric field, currents at these leakage spots gradually increased and the breakdown finally occurred at these sites, whereas at background regions other than the leakage spots, leakage currents gradually decreased. In contrast, in the case of nonstressed SiO<SUB>2</SUB> films, the breakdown occurs without showing any predictive signs. Degradation and breakdown mechanisms depending on the stress condition are discussed.

    DOI: 10.1143/JJAP.44.7582

    CiNii Article

  229. 電流注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 招待有り 査読有り

    世古 明義, 渡辺 行彦, 近藤 博基, 酒井 朗, 財満 鎭明, 安田 幸夫

    電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C   J87-C 巻 ( 8 ) 頁: 616-624   2004年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  230. 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価 査読有り

    世古 明義, 渡辺 行彦, 近藤 博基, 酒井 朗, 財満 鎭明, 安田 幸夫

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   104 巻 ( 135 ) 頁: 31-36   2004年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    電流検出型原子間力顕微鏡法(Conductive Atomic Force Microscopy : C-AFM)を用いて、ゲート絶縁膜における局所リ-ク電流をナノスケール観察し、絶縁膜の信頼性劣化機構を解明した。MOSキャパシタにおいてストレス印加したゲートSiO_2膜をC-AFM観察したところ、電流像に局所なりーク電流スポットを観測がされ、その電流-電圧特性の解析などからストレス誘起欠陥に起因する局所リーク電流であることがわかった。更に、ストレス誘起欠陥における電荷充放電現象とマクロなデバイス特性劣化との相関、局所リーク電流と絶縁破壊現象との関連が明らかになった。また、高誘電率絶縁膜において、電流リークパスと結晶構造との相関を明らかにした。

    CiNii Article

  231. ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析 査読有り

    近藤 博基, 河合 圭吾, 宮崎 香代子, 酒井 朗, 財満 鎭明, 安田 幸夫

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   104 巻 ( 134 ) 頁: 27-32   2004年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    次世代ゲート絶縁膜として期待されるシリコン窒化膜について、ラジカル窒化法における初期成膜過程をSTMならびにSTSによって解析した。ラジカル窒化過程では、成膜様式(層状成長または島状成長)は窒化種に依存せず、成膜温度のみに依存するが、エネルギーバンドギャップはラジカルガンの高周波電源電力の変化に伴う窒化種の変化に強く依存することがわかった。原子レベルで平坦で、大きなエネルギーバンドギャップを持つラジカル窒化膜の形成には、窒化種の制御が重要であることがわかった。

    CiNii Article

  232. Growth of silicon nanocrystal dots with high number density by ultra-high-vacuum chemical vapor deposition 査読有り

    Naito S, Satake M, Kondo H, Sakashita M, Sakai A, Zaima S, Yasuda Y

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   43 巻 ( 6B ) 頁: 3779 - 3783   2004年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    Si nanocrystal growth using an amorphous Si (a-Si) layer pre-deposited on a SiO<SUB>2</SUB> surface has been performed by ultra-high-vacuum chemical vapor deposition (UHV-CVD). It has been shown that high-density Si nanocrystals are formed by Si<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB> irradiation on to an a-Si surface and that Si atoms supplied from the a-Si layer contribute to the growth of Si nanocrystals. By changing the thickness of the a-Si layer, the number density and size of Si nanocrystals can be controlled systematically. A number density of 1.0&times;10<SUP>12</SUP> cm<SUP>&minus;2</SUP> and an average diameter of 9.1 nm were achieved for Si nanocrystals on the SiO<SUB>2</SUB>/Si substrate in the case of using a 0.3-nm-thick a-Si layer. Si nanocrystals were successfully buried in a SiO<SUB>2</SUB> matrix by post deposition processes and their diameters were found to range from 6 to 10 nm.

    DOI: 10.1143/JJAP.43.3779

    Web of Science

    Scopus

    CiNii Article

  233. Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films 査読有り

    Watanabe Yukihiko, Seko Akiyoshi, Kondo Hiroki, SAKAI Akira, ZAIMA Shigeaki, YASUDA Yukio

    Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes   43 巻 ( 4 ) 頁: 1843 - 1847   2004年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics  

    We have investigated microscopically the current leakage characteristics of SiO<SUB>2</SUB> gate films in metal-oxide-semiconductor structure capacitors subjected to the Fowler-Nordheim (FN) constant current stress using a conductive atomic force microscope (C-AFM). Current images of C-AFM clearly reveal the leakage current spots in the samples in which the stress induced leakage current was confirmed by the macroscopic current-voltage (<I>I</I>-<I>V</I>) measurement. On the other hand, in the sample after the repeated macroscopic <I>I</I>-<I>V</I> measurement, there is a shift in threshold voltage for the appearance of current spots and its value directly corresponds to the voltage shift observed in the macroscopic capacitance-voltage measurements for this sample. The total number of current spots observable in the C-AFM scanned area critically depends on the substrate voltage: the spot number initially increases with the voltage to a certain value then decreases. The visibility of the current spot is well explained by the holes trapped locally at defect sites created in the stressed SiO<SUB>2</SUB>.

    DOI: 10.1143/JJAP.43.1843

    Web of Science

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    CiNii Article

  234. Microscopic Analysis of Stress-Induced Leakage Current in Stressed Gate SiO_2 Films Using Conductive Atomic Force Microscopy 査読有り

    Watanabe Yukihiko, Seko Akiyoshi, Kondo Hiroki, SAKAI Akira, ZAIMA Shigeaki, YASUDA Yukio

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters   43 巻 ( 2 ) 頁: L144 - L147   2004年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    We have developed a method of microscopically analyzing the degradation of gate SiO<SUB>2</SUB> films in actual metal-oxide-semiconductor (MOS) devices by conductive atomic force microscopy (C-AFM). In C-AFM images of electrically stressed SiO<SUB>2</SUB> films, leakage current spots on a nanometer scale were successfully observed. The observed current spots show characteristic behaviors similar to the transient stress-induced leakage current which can be detected by macroscopic electrical measurements using MOS capacitors. The appearance of the current spots is discussed on the basis of the mechanism by which holes are trapped and detrapped by stress-induced defects in SiO<SUB>2</SUB> films.

    DOI: 10.1143/JJAP.43.L144

    Web of Science

    CiNii Article

  235. Behavior of Local Current Leakage in Stressed Gate SiO2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy 査読有り

    Seko Akiyoshi, Watanabe Yukihiko, Kondo Hiroki, Sakai Akira, Zaima Shigeaki, Yasuda Yukio

    Japanese Journal of Applied Physics   43 巻 ( 7 ) 頁: 4683 - 4686   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    We studied local leakage currents induced in stressed gate SiO<SUB>2</SUB> films and their time dependence by conductive atomic force microscopy (C-AFM). The current-voltage characteristics of the leakage currents detected in the C-AFM observations indicate Fowler-Nordheim tunneling currents enhanced by holes trapped in the stressed SiO<SUB>2</SUB> films. By repeated C-AFM observations at the same area, it was found that individual spot currents decrease at different rates. This result indicates hole detrapping with different time constants from the stress-induced defects that have different features.

    DOI: 10.1143/JJAP.43.4683

    Web of Science

    Scopus

    CiNii Article

  236. Detection and Characterization of Stress-Induced Defects in Gate SiO2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy 査読有り

    Watanabe Yukihiko, Seko Akiyoshi, Kondo Hiroki, Sakai Akira, Zaima Shigeaki, Yasuda Yukio

    Japanese Journal of Applied Physics   43 巻 ( 7 ) 頁: 4679 - 4682   2004年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    We have demonstrated the detection of nanometer-scale current-leakage sites in electrically stressed gate SiO<SUB>2</SUB> films using a conductive atomic force microscope (C-AFM). Prior to C-AFM observations, the gate SiO<SUB>2</SUB> films in metal-oxide-semiconductor capacitors were subjected to constant-current Fowler-Nordheim (FN) stress. Details of image contrasts and the relationship between the surface topography and the current image of the SiO<SUB>2</SUB> films were examined. Two types of contrast were clearly observed in the current image: a sharp bright spot reflecting local current leakage were caused by hole trapping at stress-induced defects and a fuzzy bright contrasts originating from the SiO<SUB>2</SUB> thickness fluctuation. The dependence of C-AFM images on the electron injection direction during FN stress application and the SiO<SUB>2</SUB> film thickness clearly reveals that the stress-induced defects are distributed in the region within 2.6 nm from the SiO<SUB>2</SUB>/Si substrate interface.

    DOI: 10.1143/JJAP.43.4679

    Web of Science

    Scopus

    CiNii Article

  237. 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価 査読有り

    世古 明義, 渡辺 行彦, 近藤 博基, 酒井 朗, 財満 鎭明, 安田 幸夫

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   103 巻 ( 148 ) 頁: 1-6   2003年6月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    電流検出型原子間力顕微鏡法(Conducting Atomic Force Microscopy :C-AFM)を用いて、Metal-Oxide-Semiconductor(MOS)キャパシタで観測される絶縁膜劣化を、ナノスケールで直接観察する手法を開発した。定電流ストレスを印加したシリコン酸化膜を本手法によって観察した結果、Transient Stress-Induced Leakage Current (Transient-SILC)と考えられる局所リーク電流スポットが観測された。これにより、ストレス誘起される膜中欠陥の局所性と分布、それらに起因した局所的なリーク伝導機構が実験的に明らかになった。

    CiNii Article

  238. Direct detection of single nucleotide polymorphism (SNP) with genomic DNA by the ferrocenylnaphthalene diimide-based electrochemical hybridization assay (FND-EHA). 査読有り

    Nojima T, Yamashita K, Takagi A, Takagi M, Ikeda Y, Kondo H, Takenaka S

    Analytical sciences : the international journal of the Japan Society for Analytical Chemistry   19 巻 ( 1 ) 頁: 79 - 83   2003年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2116/analsci.19.79

    PubMed

  239. Coulomb Blockade Phenomena in Si Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Nano-Scale Channels Fabricated Using Focused-Ion Beam Implantation 査読有り

    Kondo Hiroki, Izumikawa Kenta, Sakurai Masakazu, BABA Shin-ichi, IWANO Hirotaka, ZAIMA Shigeaki, YASUDA Yukio

    Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes   38 巻 ( 12 ) 頁: 7222-7226   1999年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.38.7222

    CiNii Article

  240. 高不純物濃度低次元系におけるホッピング伝導とクーロンブロッケード現象 査読有り

    近藤 博基

    博士号学位論文     1999年3月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

    DOI: 10.11501/3152127

  241. Conductance Oscillations in Low-Dimensional Ion Implanted Regions Annealed by Rapid Thermal Annealing. 査読有り

    Kondo Hiroki, Kaga Kazutaka, Baba Shin&ndash;ichi, Iwano Hirotaka, Zaima Shigeaki, Yasuda Yukio

    Japanese Journal of Applied Physics   38 巻 ( 4 ) 頁: 1843 - 1846   1999年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.38.1843

    CiNii Article

  242. Conductance oscillations in hopping conduction systems fabricated by focused ion beam implantation 査読有り

    Kondo H, Iwano H, Nakatsuka O, Kaga K, Zaima S, Yasuda Y

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   36 巻 ( 6B ) 頁: 4046 - 4048   1997年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

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書籍等出版物 4

  1. Nucleation and Vertical Growth of Nano-Graphene Sheets

    Hiroki Kondo, Masaru Hori and Mineo Hiramatsu ( 担当: 共著)

    Intech  2011年9月  ( ISBN:978-953-307-292-0

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    記述言語:英語

  2. New Progress on Graphene Research/Graphene Nanowalls

    Mineo Hiramatsu, Hiroki Kondo, Masaru Hori( 担当: 共著)

    InTech  2013年3月  ( ISBN:9789535110910

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    担当ページ:10.5772/3358,Chapter9   記述言語:英語

  3. 単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明

    近藤 博基( 担当: 共著)

    名古屋大学  2005年3月 

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    記述言語:日本語 著書種別:調査報告書

    CiNii Books

  4. 高不純物濃度低次元系におけるホッピング伝導とクーロンブロッケード現象 査読有り

    近藤 博基( 担当: 共著)

    名古屋大学  1999年3月 

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    記述言語:日本語 著書種別:学術書

    CiNii Books

MISC 2

  1. レーザ脱離/イオン化質量分析のためのカーボンナノウォール表面の最適化特性【JST・京大機械翻訳】

    SAKAI Ryusei, ICHIKAWA Tomonori, IMAI Shun, KONDO Hiroki, ISHIKAWA Kenji, OHTA Takayuki, HIRAMATSU Mineo, SEKINE Makoto, HORI Masaru  

    プラズマプロセシング研究会プロシーディングス(CD-ROM)37th 巻   2019年

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  2. 大気圧プラズマ処理による異種材料接合

    近藤博基, 堤隆嘉, 石川健治, 関根 誠, 堀 勝  

    化学工学(公益社団法人 化学工学会)82 巻 ( 9 ) 頁: 487-490   2018年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

講演・口頭発表等 702

  1. Arイオン照射窒化ガリウム表面の塩素吸着層のイオンエネルギー依存性 (2) 招待有り

    谷川 将希, 堤 隆嘉, 谷出 敦, 近藤 博基, 関根 誠, 石川 健治, 堀 勝

    第67回応用物理学関係連合講演会  2020年3月14日  応用物理学会

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京都, 上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  2. Effect of multiphase plasma irradiation on alcohols for functional nanographene materials 招待有り 国際会議

    Hiroki Kondo and Masaru Hori

    Gaseous Electronics Symposium 3  2020年2月3日 

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    開催年月日: 2020年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Rogla   国名:スロベニア共和国  

  3. Gene expression analyses revealed the differences of intracellular molecular mechanisms of PAM- and PAL-induced cell death 招待有り 国際会議

    Hiromasa Tanaka, Masaaki Mizuno, Yuko Katsumata, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Hiroshi Hashizume, Yasumasa Okazaki, Shinya Toyokuni, Kae Nakamura, Nobuhisa Yoshikawa, Hiroaki Kajiyama, Fumitaka Kikkawa, and Masaru Hori

    12th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering  2019年9月1日 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Jeju   国名:大韓民国  

  4. Plasma-assisted Synthesis and Modification of Carbon Nanowalls for Emerging Applications 招待有り 国際会議

    Hiroki Kondo, Takayoshi Tsutsumi, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori, Mineo Hiramatsu

    International Conference Nano-M&D 2019: "Properties, Fabrication and Applications of Nano-Materials and Nano-Devices"  2019年6月8日 

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    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Paestum   国名:イタリア共和国  

  5. Synthesis mechanism and electrochemical properties of nanographene materials obtained by in-liquid plasma method 招待有り 国際会議

    Hiroki Kondo, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine, Mineo Hiramatsu, and Masaru Hori

    Global Conference on Carbon Nanotubes and Graphene Technologies  2019年3月29日 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Milano   国名:イタリア共和国  

  6. Nano-composite innovation based on carbon nanowalls and advanced plasma processes 招待有り 国際会議

    Hiroki Kondo, Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, Mineo Hiramatsu

    7th International Conference on Advanced Plasma Technologies (ICAPT-7)  2019年2月25日 

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    開催年月日: 2019年2月 - 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Hue   国名:ベトナム社会主義共和国  

  7. カーボンナノウォールの構造制御とナノバイオ応用 招待有り

    近藤博基、堀勝、平松美根男(名古屋大学大学院工学研究科付属プラズマナノ工学研究センター、名城大学理工学部)

    仙台“プラズマフォーラム’’ 

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    開催年月日: 2015年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東北大学 大学院工学研究科 電子情報システム・応物系 1号館別館 451・453会議室   国名:日本国  

  8. High-density nitrogen plasma source for growing high In content InGaN by plasma-assisted MBE 国際会議

    Hiroki Kondo, Masaru Hori, Hiroshi Amano

    SPIE Photonics west 2015  2015年2月9日 

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    開催年月日: 2015年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  9. 液中プラズマを用いたナノグラフェン合成における活性種の効果[II]

    近藤 博基, 濱地 遼, 堤 隆嘉, 石川 健治, 関根 誠, 堀 勝

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月19日  応用物理学会

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  10. リモート酸素ラジカルによるグラフェンのエッチング反応の分析

    胡 留剛、堤 隆嘉、蕭 世男、近藤 博基、石川 健治、関根 誠、堀 勝

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月19日  応用物理学会

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  11. 塩素吸着を用いた窒化ガリウムの原子層エッチングプロセス特性のArイオンエネルギー依存性

    堤 隆嘉、長谷川 将希、中村 昭平、谷出 敦、近藤 博基、関根 誠、石川 健治、堀 勝

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日  応用物理学会

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  12. Dependence of Nitrogen Concentrations on Cytotoxicity of Air-Free Ar-N2 Mixed Atmospheric Pressure Plasma-activeted Lactated Solutions 国際会議

    Daiki Ito, Kenji Ishikawa, Hiroshi Hashizume, Hiromasa Tanaka, Takayoshi Tsutsumi, Hiroki Kondo, Makoto Sekine and Masaru Hori

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021)  2021年3月10日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Virtual Meeting  

  13. Effect of Wall-to-Wall Distance of Carbon Nanowalls on Survival Yield in Surface-Assisted Laser Desorption/Ionization Mass Spectrometry 国際会議

    Ryusei Sakai, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Takayuki Ohta, Mineo Hiramatsu, Naohiro Shimizu and Masaru Hori

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021)  2021年3月9日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Virtual Meeting  

  14. Fablication of Pt-Supported Carbon Nanowalls for Polymer Electrolyte Fuel Cell 国際会議

    Takayuki Ohta, Hiroaki Iwata, Mineo Hiramatsu, Hiroki Kondo and Masaru Hori

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021)  2021年3月9日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Virtual Meeting  

  15. Synthesis of Carbon Nanowalls on Different Metallic Substrates by RI- PECVD 国際会議

    Ngo Van Nong, Dennis Christy, Swapnil Ghodke, Hiroki Kondo, Osamu Oda and Masaru Hori

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021)  2021年3月9日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Virtual Meeting  

  16. Reversible Change in Surface Morphology of Lipid Bilayer Induced by Indirect Plasma Irradiation 国際会議

    Hiroki Kondo, Takuya Tonami, Sotaro Yamaoka, Hiromasa Tanaka, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masafumi Ito and Masaru Hori

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021)  2021年3月9日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Virtual Meeting  

  17. Crystalline Structures and Local Electrical Conductivity at Crossing Points of Carbon Nanowalls 国際会議

    Atsushi Ozaki, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine, Mineo Hiramatsu and Masaru Hori

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021)  2021年3月8日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Virtual Meeting  

  18. Quantitative Analyses of Graphene Layer Etching Using Oxygen Radicals Generated in Remote Plasma for Realization of Atomic Layer Etching 国際会議

    Liugang Hu, Takayoshi Tsutsumi, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Shih-Nan Hsiao, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine and Masaru Hori

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021)  2021年3月8日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Virtual Meeting  

  19. Initial Growth Kinetics of Hydrogenated Amorphous Carbon Films Observed by Real- Time Ellipsometry 国際会議

    Jumpei Kurokawa, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine and Masaru Hori

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021)  2021年3月8日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Virtual Meeting  

  20. Antitumor effect of plasma-activated Ringer’s acetate solution 国際会議

    Yuki Suda, Kenji Ishikawa, Hiroshi Hashizume, Hiromasa Tanaka, Takayoshi Tsutsumi, Hiroki Kondo, Makoto

    30th Annual Meeting of Material Research Society of Japan (MRS-J)  2020年12月10日 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Virtual Meeting  

  21. Penetration of hydrogen atoms and termination of dangling bonds in amorphous carbon films 国際会議

    Hiroki Kondo, Yasuyuki Ohashi, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    73th Annual Gaseous Electronics Virtual Conference, Virtual Conference  2020年10月9日 

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    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Virtual Meeting  

  22. Structure control of self-supporting graphene nanowalls synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition 国際会議

    Keigo Takeda, Motoaki Ishikawa, Mineo Hiramatsu, Hiroki Kondo, and Masaru Hori

    73th Annual Gaseous Electronics Virtual Conference  2020年10月7日 

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    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Virtual Meeting  

  23. 表面支援レーザー脱離/イオン化質量分析法に向けたカーボンナノウォールの壁間隔依存性

    酒井 流星、近藤 博基、石川 健治、清水 尚博、太田 貴之、平松 美根男、堀 勝

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日  応用物理学会

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  24. 液中プラズマを用いたナノグラフェン合成における活性種の効果

    近藤 博基、濱地 遼、堤 隆嘉、石川 健治、関根 誠、堀 勝

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日  応用物理学会

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  25. カーボンナノウォールの局所電気伝導特性の解明

    尾崎 敦士、近藤 博基、石川 健治、堤 隆嘉、平松 美根男、関根 誠、堀 勝

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日  応用物理学会

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  26. Analysis of Ion Energy Dependence of Depth Profile of GaN by In-situ Surface Analysis 国際会議

    Masaki Hasagawa‚ Takayoshi Tsutsumi, Atsushi Tanide‚ Shohei Nakamura, Hiroki Kondo‚ Kenji Ishikawa‚ and Masaru Hori

    20th International Conference on Atomic Layer Deposition  2020年6月29日 

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    開催年月日: 2020年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Virtual Meeting  

  27. 水素プラズマによる欠陥終端処理後のa-C:H膜に対する表面増強ラマン分光法による分析

    古橋 未悠, 野老山 貴行, 大橋 靖之, 近藤 博基, 上坂 裕之, 中島 悠也, 古木 辰也, 石川 健治, 堀 勝, 梅原 徳次

    第67回応用物理学関係連合講演会  2020年3月15日  応用物理学会

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都, 上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  28. プラズマプロセス中の基板温度分布の経時変化の解析

    堤 隆嘉, 石川 健治, 近藤 博基, 関根 誠, 堀 勝

    第67回応用物理学関係連合講演会  2020年3月15日  応用物理学会

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都, 上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  29. 液中プラズマを用いたナノグラフェン合成における照射時間依存性[Ⅰ]

    濱地 遼, 近藤 博基, 堤 隆嘉, 石川 健治, 関根 誠, 堀 勝

    第67回応用物理学関係連合講演会  2020年3月12日  応用物理学会

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都, 上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  30. 液中プラズマ表面改質六方晶BN微粒子のESR測定

    伊藤 剛仁, 後藤 拓, 井上 健一, 石川 健治, 近藤 博基, 堀 勝, 清水 禎樹, 伯田 幸也, 寺嶋 和夫

    第67回応用物理学関係連合講演会  2020年3月12日  応用物理学会

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都, 上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  31. 液中プラズマを用いたナノグラフェン合成における照射時間依存性 [II]

    近藤 博基, 濱地 遼, 堤 隆嘉, 石川 健治, 関根 誠, 堀 勝

    第67回応用物理学関係連合講演会  2020年3月12日  応用物理学会

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都, 上智大学 四谷キャンパス   国名:日本国  

  32. Termination of Dangling Bonds in Amorphous Carbon Films by Hydrogen Atoms 国際会議

    Yasuyuki Ohashi, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Takayoshi Tsutsumi, and Masaru Hori

    12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/13th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2020/IC-PLANTS2020)  2020年3月11日 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  33. Dynamic Morphological Change of Lipid Bilayer Induced by Indirect Plasma Irradiation 国際会議

    Hiroki Kondo, Takuya Tonami, Sotaro Yamaoka, Hiromasa Tanaka, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masafumi Ito, and Masaru Hori

    12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/13th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2020/IC-PLANTS2020)  2020年3月11日 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  34. Measurement of Spatial Distribution of Absolute Hydrogen Radical Density in NonEquilibrium Atmospheric Pressure Plasma by Vacuum Ultraviolet Absorption Spectroscopy 国際会議

    Kaede Katsuno, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Hiroshi Hashizume, Hiromasa Tanaka, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/13th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2020/IC-PLANTS2020)  2020年3月11日 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  35. In-Liquid Plasma Synthesis of Iron-Nitrogen-Doped Carbon Nanoflakes with Highly Catalytic Activity 国際会議

    Ryo Hamaji, Tomoki Amano, Hiroki Kondo, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Keigo Takeda, Mineo Hiramatsu, and Masaru Hori

    12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/13th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2020/IC-PLANTS2020)  2020年3月11日 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  36. Effect of Chamber Pressure on the Crystal Quality of InN Growth by Radical-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition (REMOCVD) 国際会議

    Frank Wilson Amalraj, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, and Masaru Hori

    12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/13th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2020/IC-PLANTS2020)  2020年3月11日 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  37. Ionization Enhancement Using CNWs in Laser Desorption / Ionization Mass Spectrometry 国際会議

    Ryusei Sakai, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Takayuki Ohta, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/13th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2020/IC-PLANTS2020)  2020年3月11日 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  38. Fluctuation of Local Electrical Conductivity in Carbon Nanowalls Observed by Conductive Atomic Force Microscopy 国際会議

    Atsushi Ozaki, Hiroki Kondo, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/13th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2020/IC-PLANTS2020)  2020年3月11日 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  39. In-plane distribution of electrical conductivity of carbon nanowalls perpendicular to substrate measured by conductive atomic force microscopy 国際会議

    Atsushi Ozaki, Hiroki Kondo, Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine, Masaru Hori, and Mineo Hiramatsu

    7th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2020 and 4th International Symposium on Energy Research and Application  2020年1月10日 

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    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Gyeong Gi-do   国名:大韓民国  

  40. Improvement of wool surface charging properties by plasma surface modification process 国際会議

    Tatsuyuki Moriyama, Takayoshi Tsutsumi, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Kenji Ishikawa, and Masaru Hori

    7th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2020 and 4th International Symposium on Energy Research and Application  2020年1月10日 

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    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Gyeong Gi-do   国名:大韓民国  

  41. Changes of resistive elements during degradation of carbon nanowalls electrodes for fuel cell synthesized employing a CH4/H2 mixture gas plasma 国際会議

    Hiroki Kondo, Shun Imai, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Mineo Hiramatsu, and Masaru Hori

    2019 Fall Meeting of Material Research Society (MRS)  2019年12月13日 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  42. Synthesis of Carbon Nanostrucures using Microwave-Exited Atmospheric Pressure Plasma 招待有り 国際会議

    M. Hiramatsu, K. Miyashita, T. Oyama, K. Takeda, H. Kondo, M. Hori

    2019 Fall Meeting of Material Research Society (MRS)  2019年12月12日 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  43. Physics and chemistry in low-temperature plasma bioapplications 招待有り 国際会議

    Kenji Ishikawa, Hiroshi Hashizume, Hiromasa Tanaka, Takayoshi Tsutsumi, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Fumitaka Kikkawa, Masaaki Mizuno, and Masaru Hori

    7th East Asia Joint Symposium on Plasma and Electrostatics Technologies for Environmental Applications (EAPETEA-7)  2019年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Okinawa   国名:日本国  

  44. Electrical, optical, and physicochemical behaviors of atmospheric pressure plasma jet generated in open air 招待有り

    Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Takayuki Tsutsumi, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori

    3rd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2019)  2019年11月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Hefei   国名:中華人民共和国  

  45. Plasma Processing with Feedback Control of Wafer Temperature By Non-Contact Temperature Measurement System 国際会議

    T. Tsutsumi, H. Kondo, K. Ishikawa , K. Takeda, T. Ohta, M. Sekine, M. Ito, and M. Hori

    236th Fall Meeting of the Electrochemical Society (ECS)  2019年10月16日 

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    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Atlanta   国名:アメリカ合衆国  

  46. Synthesis of carbon nanomaterials employing in-liquid plasma 招待有り 国際会議

    Makoto Sekine, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, and Mineo Hiramatsu

    7th International Conference on Advanced Plasma Technologies  2019年2月25日 

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    開催年月日: 2019年2月 - 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Hue   国名:ベトナム社会主義共和国  

  47. Real-time control of a wafer temperature for uniform plasma process 国際会議

    Tsutsumi T.

    IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing Conference Proceedings 

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    開催年月日: 2019年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    DOI: 10.1109/ISSM.2018.8651183

    Scopus

  48. Control of internal plasma parameters toward atomic level processing 国際会議

    Sekine M.

    ECS Transactions 

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    開催年月日: 2016年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    DOI: 10.1149/07506.0021ecst

    Scopus

  49. 半導体ディバイス・プロセスの信頼性工学

    近藤博基

    第10回日本安全学教育研究会 

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    開催年月日: 2015年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  50. Electrocatalytic Characteristic of Pt Nanoparticles-Supported Carbon Nanowalls for Fuel Cell Applications 国際会議

    Hiroki Kondo

    2015 MRS Spring Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2015年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  51. Electrocatalytic Property and Durability of Pt Nanoparticles-Supported Nanographene Synthesized by In-Liquid Plasma 国際会議

    Hiroki Kondo

    2015 MRS Spring Meeting and Exhibit 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  52. 次世代窒化ガリウム系デバイスのためのラジカル励起MOCVDによるGaN-ヘテロエピタキシャル成長に関する研究

    盧翌、岩本一希、小田修、石川健治、近藤博基、関根誠、堀勝(名大)

    ゲートスタック研究会ー材料・プロセス・評価の物理ー (第20回) 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ研修センター   国名:日本国  

  53. ラジカル励起MOCVD法によるGaNホモエピタキシャル成長に関する研究

    岩本一希、盧翌、小田修、近藤博基、石川健治、関根誠、堀勝(名大)

    ゲートスタック研究会ー材料・プロセス・評価の物理ー (第20回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ研修センター   国名:日本国  

  54. Selective and oriented growth of carbon nanowalls by plasma-enhanced chemical vapor deposition 国際会議

    H.Kondo

    The 75th IUVSTA Workshop on Sheath Phenomena in Plasma Processing of Advanced Materials(19th-23rd 2015,Slovenia) 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:スロベニア共和国  

  55. 地域イノベーションプラットフォーム概略紹介

    近藤博基

    大気圧プラズマによる超高速・超機能化異種材料接合オープンプラットフォーム 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  56. Live demonstration: A CMOS sensor platform with 1.2 μm × 2.05 μm electroless-plated 1024 × 1024 microelectrode array for high-sensitivity rapid direct bacteria counting 国際会議

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    DOI: 10.1109/BioCAS.2014.6981688

    Scopus

  57. Growth Mechanism of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt Catalysts by Alcohol Catalytic CVD 国際会議

    Takahiro Maruyama, Hiroki Kondo, Akinari Kozawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka and Sumio Iijima

    2014 MRS Fall Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2014年11月 - 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  58. Electron spin Resonance Study of Plasma-Activated-Media (PAM) 国際会議

    Masaru Hori, Naoyuki Kurake, Kenji Ishikawa, Hiromasa Tanaka, Takashi Kondo, Kae Nakamura, Hiroaki Kajiyama, Fumitaka Kikkawa, Masaaki Mizuno, Keigo Takeda, Hiroki Kondo and Makoto Sekine

    2014 MRS Fall Meeting & Exhibit 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月 - 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  59. Plasma-Enhanced Synthesis and Edge-Modification of Carbon Nanowalls for Nano-Bio Applications 国際会議

    Hiroki Kondo, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine and Masaru Hori

    2014 MRS Fall Meeting & Exhibit 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月 - 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  60. Controlled synthesis and electrocatalytic characteristics of Pt nanoparticles-supported nanographene synthesized by in-liquid plasma 国際会議

    Hiroki Kondo, Tomoki Amano, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori, Mineo Hiramatsu

    67th Annual Gaseous Electronics Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  61. Growth of graphene-based films using aftergrow of inductively coupled plasma 国際会議

    Mineo Hiramatsu, Masakazu Tomatsu, Hiroki Kondo, Masaru Hori

    67th Annual Gaseous Electronics Conference 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  62. プラズマ誘起ナノプロセスの進展と放射光実験への期待

    近藤博基、堀勝

    平成26年度前期短期研究会「真空紫外・軟X戦放射光物性研究のパラダイムシフトに向けて」 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京大学物性研究所   国名:日本国  

  63. プラズマCVDによって形成したカーボンナノウォールを用いた燃料電池の作製 国際会議

    大慶 亮佑,岩本 翔太,太田 貴之,伊藤 昌文,平松 美根男,近藤 博基,堀 勝

    第75回秋季応用物理学会学術講演会  

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  64. Anisotropic etching and structural modification of carbon nanowalls by oxygen-related radicals 国際会議

    HIROKI KONDO, Hironao Shimoeda, Kenji Ishikawa, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine, Masaru Hori

    14th International Conference on Plasma Surface Engineering 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  65. Diagnostic studies for synthesis of Al doped ZnO film by magnetron sputtering 国際会議

    Jun Suck Lee, JayBum Kim, Su B. Jin, B.B. Sahu, Jeon G. Han, H. Kondo, M. Hori

    14th International Conference on Plasma Surface Engineering 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  66. Surface modification of carbon nanowalls for their nano-bio applications 国際会議

    Masaru Hori, HIROKI KONDO, Mineo Hiramatsu

    14th International Conference on Plasma Surface Engineering 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  67. Controlled Synthesis of Carbon Nanomaterials Employing Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Future Green Energy Applications 国際会議

    Hiroki Kondo, Mineo Hiramatsu, Masaru Hori

    IUMRS-ICA 2014  

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  68. Dawning of Plasma Life Sciences ~ Diagnostics and Control of Reactive Species in Plasma Bio Processing ~ 国際会議

    Masaru Hori, Masahiro Tanaka, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Keigo Takeda, Makoto Sekine, Fumitaka Kikkawa, Kae Nakamura, Hiroaki Kajiyama, Masaaki Mizuno, Hiroyuki Ohta, Masafumi Ito and Hiroyuki Kano

    The 4th International Symposium for Plasma Biosciences (ISPB 2014) 

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  69. Interactions between Plasma and Biological Material: Analysis by Electron spin resonance (ESR) technique 国際会議

    Hiromasa Tanaka, Keigo Takeda, Hiroshi Hashizume, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori

    Plasma Processing Science, Gordon Research Conference 

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    開催年月日: 2014年7月 - 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  70. 高密度窒素ラジカル源を用いたRF-MBE法による(111)Si基板上GaNナノワイヤ高速成長

    堤裕理, 水谷駿介, 木津良祐, 近藤博基, 堀勝, 本田善央, 天野浩

    日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2014春季講演会 第6回 窒化物半導体結晶成長講演会 

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    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名城大学天白キャンパス   国名:日本国  

  71. Temporal Changes in H and N Atom Densities in Plasmas Caused by Reactor Surface Modifications 国際会議

    Toshiya Suzuki, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    The XXII Europhysics Conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases (ESCAMPIG) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  72. Plasma-Biological Material Interactions Studied by Employing Electron Spin Resonance (ESR) Technique 国際会議

    Kenji Ishikawa, Hiroshi Hashizume, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Hiromasa Tanaka, Keigo Takeda, Satomi Tajima, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    The XXII Europhysics Conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases (ESCAMPIG) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  73. Synthesis and electrocatalytic properties of Pt nanoparticles-supported nanographene synthesized employing in-liquid plasma 国際会議

    Hiroki Kondo, Tomoaki Amano, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori, Masafumi Ito, and Mineo Hiramatsu

    International Conference on Microelectronics and Plasma Technology 2014 (ICMAP 2014) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  74. Nano-Bio applications of carbon-nano materials synthesized and modified by plasma 国際会議

    Hiroki Kondo, Mineo Hiramatsu, and Masaru Hori

    19th Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & 6th Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:大韓民国  

  75. High Density Radical Source 国際会議

    Y. Kiheda, H. Kano, H. Kondo, M. Hori, H. Amano, M. Hiramatsu

    19th Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & 6th Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  76. Chemical analysis of plasma-activated-medium for understanding mechanism of its antitumor effect 国際会議

    Naoyuki Kurake, Hiromasa Tanaka, Kenji Ishikawa, Kae Nakamura, Hiroaki Kajiyama, Fumiaki Kikkawa, Takashi Kondo, Masaaki Mizuno, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    19th Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & 6th Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  77. Diagnostics of Non-equilibrium Atmospheric Pressure Plasma for Agricultural Applications 国際会議

    Takumi Kumakura, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiromasa Tanaka, Hiroki Kondo, Hiroyuki Kano, Yoshihiro Nakai, Makoto Sekine, Masaru Hori

    19th Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & 6th Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  78. Modifications of Photoresists Surface on Photon Irradiations in HBr Plasmas 国際会議

    Yan Zhang, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori

    19th Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & 6th Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  79. Study on Reaction Mechanism of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of SiO2 Films by In-Situ Fourier Transform Infrared Spectroscopy 国際会議

    14th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2014) 

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  80. In situ analysis of the surface reactions in PE-ALD SiO2 films for advanced litho applications 国際会議

    14th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2014) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  81. Charactaristics of AC excited Non-equilibrium Atomospheric Pressure Helium Plasma Jet for Medical Application 国際会議

    K. Takeda, T. Kumakura, K. Ishikawa, H. Tanaka, H. Kondo, H. Kano, Y. Nakai, M. Sekine, M. Hori

    5th International Conference on Plasma Medicine 

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    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  82. Electron Spin Resonance Study of Plasma-Activated-Medium 国際会議

    K. Ishikawa, N. Kurake, H. Tanaka, T. Kondo, K. Nakamura, H. Kajiyama, F. Kikkawa, M. Mizuno, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, and M. Hori

    The 5th International Conference on Plasma Medicine (ICPM5) 

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    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  83. Electron Spin Resonance Study of Plasma-Biological Surface Interactions under Atmospheric Pressure Plasmas 国際会議

    K. Ishikawa, H. Hashizume, T. Ohta, M. Ito, H. Tanaka, K. Takeda, S. Tajima, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    5th International Conference on Plasma Medicine 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  84. Diagnostics of SiH4/H2 Plasma and Surface Reaction in Microcrystalline Silicon Deposition 国際会議

    Kenji Ishikawa, Yusuke Abe, Atsushi Fukushima, Ya Lu, Sho Kawashima, Keita Miwa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori

    The International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF) 

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    開催年月日: 2014年4月 - 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  85. Advanced plasma-nano processes for controls of crystallographic and electrical properties of carbon nanomaterials 国際会議

    Hiroki Kondo

    The International Symposium on Plasma-Nano Materials and Processes 

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    開催年月日: 2014年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  86. Electron spin resonance study of radical generation during non-thermal plasma blood coagulation 国際会議

    Kenji Ishikawa, Hiroshi Hashizume, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Hiromasa Tanaka, Keigo Takeda, Satomi Tajima, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    The 17th Biennial Meeting for the Society for Free Radical Research International (SFRRI 2014) 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  87. カーボンナノウォールの結晶構造に対するラジカル酸化効果(Ⅲ)

    近藤博基,下枝弘尚,石川健治,平松美根男,関根誠,堀勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  88. 大気圧プラズマ化学気相堆積法による超撥水薄膜の形成

    孫昿達,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根誠,堀勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  89. CH4/H2プラズマによるGaNの高温エッチング

    加古隆,劉沢セイ,石川健治,小田修,竹田圭吾,近藤博基,関根誠,堀勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  90. CHxFyプラズマにおける活性種生成過程とエッチング機構の解明(IV)

    近藤祐介,宮脇雄大,竹田圭吾,近藤博基,田嶋聡美,石川健治,林俊雄,関根誠,堀勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  91. プロセス履歴のチャンバー壁表面損失確率への影響とH2/N2プラズマ中のラジカル密度の時間変化

    鈴木俊哉,福永裕介,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  92. プラズマ照射した食肉血液成分の電子スピン共鳴解析

    坂倉崚亮,石川健治,田中宏昌,橋爪博司,太田貴之,伊藤昌文,竹田圭吾,近藤博基,関根誠,堀勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  93. 大気圧プラズマ照射培養液の電子スピン共鳴(ESR)による解析

    倉家尚之, 田中宏昌, 石川健治, 中村香江, 梶山広明, 吉川史隆, 近藤隆, 水野正明, 竹田圭吾, 近藤博基, 関根誠, 堀勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  94. プラズマプロセス中のポリメタクリル酸メチル(PMMA)表面の実時間・その場電子スピン共鳴法による反応解析

    宮脇雄大,王浩然,石川健治,近藤祐介,竹田圭吾,近藤博基,堀邊英夫,関根誠,堀勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  95. AC 励起大気圧非平衡 Ar プラズマ生成における 大気ガス巻込みの影響

    梁 思潔, 竹田 圭吾, 近藤 博基, 加納 浩之, 石川 健治 , 関根 誠, 堀 勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  96. AC励起アルコール液中プラズマにおけるナノグラフェン合成機構の解析

    安藤 睦,小島 和晃,竹田 圭吾,近藤 博基,石川 健治,関根 誠,太田 貴之,伊藤 昌文,平松 美根男,加納 浩之,堀 勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  97. Mechanism of Surface Roughness of ArF Photoresist During HBr PlasmaEtching Processes (2)

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  98. プラズマ光と表面の相互作用の解明

    張 彦, 石川 健治, 関根 誠, 深沢 正永, 長畑 和典, 冨谷 茂隆, 辰巳 哲也, 竹田 圭吾, 近藤 博基, 堀 勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  99. 高温における窒化ガリウム(GaN)のエッチング機構(4)

    劉沢セイ,加古隆,石川健治,小田 修,竹田圭吾,近藤博基,関根 誠,堀勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  100. 医療・バイオ用AC励起大気圧非平衡プラズマジェットの気相診断

    熊倉匠, 竹田圭吾, 石川健治, 田中宏昌, 近藤博基, 加納浩之, 中井義浩, 関根誠, 堀勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  101. 液中プラズマで合成したナノグラフェンを用いた燃料電池用電極の安定性

    天野智貴,近藤博基,竹田圭吾,石川健治,太田貴之,伊藤昌文,平松美根男,加納浩之,関根誠,堀勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  102. 非接触基板温度計測システムを用いたプラズマプロセス中の基板温度および熱流速計測

    堤 隆嘉, 竹田 圭吾,石川 健治,近藤 博基,太田 貴之,伊藤 昌文,関根 誠,堀 勝

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス   国名:日本国  

  103. Measurement of Heat Fluxes of Si Substrate from Plasma by Using Frequency Low CoherenceInterferometer, 03pP29 国際会議

    T. Tsutsu, K. Ishikawa, K. Takeda, T. Ohta, M. Ito, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  104. Electro catalytic properties of Pt-supported nanographene synthesis using in-liquid plasma, 05aB06O 国際会議

    T. Amano, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, T. Ohta, M. Ito, H. Kano, M. Hiramatsu, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  105. Study on a novel radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) for GaN epitaxial growth, 03pC12O 国際会議

    Y. Lu, K. Ishikawa, H. Kondo, O. Oda, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  106. Fabrication of graphene films on Ni layer by microwave plasma-enhanced CVD, 03pP38 国際会議

    Y. Kashima, M. Hiramatsu, H. Kondo, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  107. Nucleation control of carbon nanowalls using plasma-enhanced CVD with re-duced ion bombardment, 03pP42 国際会議

    R. Tsukada, M. Hiramatsu, H. Kondo, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  108. Biosensing properties of carbon nanowalls grown using plasma enhanced CVD, 03pP51LN 国際会議

    M. Tomatsu, R. Tsukada, M. Nagashima, M. Hiramastu, H. Kondo, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  109. Emission charateristics of metallic elements in solution using non-equilibrium atmospheric pressure microplasma, 04pP07 国際会議

    J. Kularatne, T. Ohta, J. Jolibois, M. Ito, H. Takemura, H. Kano, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  110. Synthesis of nanographene/Pt composite using alcohol in-liquid plasma, 04pP72LN 国際会議

    K. Yoshida, M. Ito, M. Hiramatsu, T. Saida, H. Kano, H. Kondo, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  111. Silicon thin film solar cells fabricated by H radical injection plasma, 05pP49 国際会議

    K. Miwa, K. Takeda, K. Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  112. Observation of Dangling Bonds in Silicon Nitride Films during Exposure of F Atoms At Down-Flow of CF4 Plsmas Using Real-time / in-situ Electron Spin Resonance, 06aB02O 国際会議

    Y. Miyawaki, K. Ishikawa, Y. Kondo, K. Takeda, S. Tajima, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  113. A high temperature etching of GaN employing CH4/H2 gases, 06aP02 国際会議

    T. Kako, Z. Liu, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, O. Oda, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  114. Effect of Ar flow rate on the synthesis of nanographene produced from in-liquid plasma, 06aP12 国際会議

    J. Jolibois, J. Kularatne, H. Kondo, M. Ito, H. Kano, K. Ishikawa, M. Hiramatsu, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  115. Spectroscopic analysis of gas-liquid plasma for nanographene synthesis, 06aD03O 国際会議

    A. Ando, T. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine T. Ohta, M. Ito, M. Hiramatsu, H. Kano, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  116. Effect of Gas Flow Rate on Crystalline Structures of Amorphous Carbon Films Employing Radical-Injection Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, 05pP34 国際会議

    D. Xu, L. Jia, M. Nakamura, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  117. Effects of residence time on electronic and electricalthe optical properties of amorphous carbon films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition, 05pP72 国際会議

    L. Jia, D. Xu, M. Nakamura,K. Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  118. Control of Edge and Surface Oxidation of Carbon Nanowalls by Argon Ion Irradiation, 03pD08O 国際会議

    H. Shimoeda, H. Kondo, K. Takeda, K. Ishikawa, M. Hiramatsu, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  119. GaN etching at high temperature employing N2 added Cl2 Plasma, 06aP04 国際会議

    Z. Liu, T. Kako, K. Ishikawa, O. Oda, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  120. Effect of Ambient Air Engulfment on Generation of Activated Species in 60 Hz Non-Equilibrium Atmospheric Pressure Ar Plasma Jet (Poster), 03pP15 国際会議

    S. Liang, T. Tsutsumi, A. Ando, K. Sun, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, H. Kano, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  121. Effects of Low RF Bias Power on Optoelectrical Properties of Amorphous Carbon Films Grown byPlasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, 05pP71 国際会議

    M. Nakamura, L. Jia, D. Xu, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  122. Mechanism of Generating Active Species and Etch Reaction in CHxFy Plasma, 06aP03 国際会議

    Y. Kondo, Y. Miyawaki, K. Takeda, S. Tajima, H. Kondo, K. Ishikawa, T. Hayashi, M. Sekine, M. Hori

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  123. Behaviors of activated species in SiH4/H2 plasma for µc-Si:H thin film deposition 国際会議

    K. Takeda, Y. Abe, K. Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  124. Plasma Induced Surface Roughness of Polymeric Materials 国際会議

    K. Ishikawa, T. Takeuchi, Y. Zhang, Y. Setsuhara, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  125. Chemical analyses of edible meat irradiated atmospherics-pressure-plasmas, 5A-PM-01 国際会議

    K. Ishikawa, H. Hashizume, T. Ohta, M. Ito, H. Tanaka, K. Takeda, S. Tajima, H. Kondo, M. Sekine, and M. Hori

    8th International Conference on Reactive Plasmas 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  126. Large-scale synthesis of nanographene using in-liquid plasma and chemical reduction process, 6P-PM-S09-P11 国際会議

    J. Jolibois, J. Kularatne, H. Kano, M. Ito, M. Hiramatsu, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Hori

    8th International Conference on Reactive Plasmas 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  127. Fabrication of graphene films using microwave plasma-enhanced CVD in surface wave mode, 6P-AM-S08-P28 国際会議

    Y. Kashima, M. Hiramatsu, H. Kondo, M. Hori

    8th International Conference on Reactive Plasmas 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  128. Nucleation control of carbon nanowalls for device application, 5P-PM-S08-P09 国際会議

    R. Tsukada, M. Hiramatsu, H. Kondo, M. Hori

    8th International Conference on Reactive Plasmas 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  129. Carbon nanowalls: plasma synthesis and applications, 3C-WS-07 国際会議

    M. Hiramatsu, H. Kondo, M. Hori

    8th International Conference on Reactive Plasmas 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  130. Effect of Power supply on metal emission intensity induced by non-equilibium atmospheric pressure plasma, 6P-PM-S09-P12 国際会議

    J. Kularatne, J. Jolibois, . Ohta, M. Ito, H. Kano, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    8th International Conference on Reactive Plasmas 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  131. Electron spin resonance analysis of plasma-biological material interactions in atmospheric pressure plasma, 3B-WS-07 国際会議

    K. Ishikawa, H. Hashizume, T. Ohta, M. Ito, H. Tanaka, K. Takeda, S. Tajima, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    International workshop on control of fluctuation of plasma processes -Joint International Workshop between "Frontier science of interactions between plasmas and nano-interfaces" and "Plasma medical innovation" 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  132. Recovery of Plasma-induced Damage in GaN by In situ Radical Exposure , 6P-AM-S06-P18 国際会議

    M. Sekine, Z. Liu, S. Chen, Y. Lu, R. Kometani, K. Ishikawa, H. Kano, K. Takeda, H. Kondo, and M. Hori

    8th International Conference on Reactive Plasmas 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  133. Effect of spiral microwave antenna configuration on the production of nano-crystalline film by chemical sputtering in ECR plasma, 4P-PM-SPD-P05 国際会議

    H. Kondo, L. Jia, D. Xu, M. Nakamura, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    8th International Conference on Reactive Plasmas 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  134. Effect of HBr plasma cure for reduction of roughness formation on ArF photoresist surface during plasma etching process, 4B-PM-03 国際会議

    M. Sekine, Y. ZhangTakeuchi, H. Nagano, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, and M. Hori

    8th International Conference on Reactive Plasmas 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  135. Rapid non-contact measurements of heat fluxes to substrate in nitorogen plasmas, 5B-PM-02 国際会議

    T. Tsutsumi, K. Ishikawa, K. Takeda, T. Ohta, M. Ito, H. Kondo, M. Sekine, and M. Hori

    8th International Conference on Reactive Plasmas 31st Symposium on Plasma Processing,Fukuoka Convention Center 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  136. Electron spin resonance analyses of plasma-biological material interactions in atmospheric pressure plasmas, 3B-WS-07 国際会議

    K. Ishikawa, H. Hashizume, T. Ohta, M. Ito, H. Tanaka, K. Takeda, S. Tajima, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    8th International Conference on Reactive Plasmas 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  137. Plasma nano-interface with organic materials for surface-roughness formation 国際会議

    M. Sekine, Y. Zhang, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, M. Hori

    The 9th EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing 

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    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:スロベニア共和国  

  138. Carbon Nanowalls: Growth Control and their Clean Applications 国際会議

    M. Hiramatsu, H. Kondo, M. Hori

    8th Asia-Pacfic International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

  139. Carbon nanowalls: synthesis and application 国際会議

    M. Hiramatsu, H. Kondo, M. Hori

    The 1st International Conference on Surface Engineering (ICSE2013) 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:大韓民国  

  140. Rapid precise measurements of film-covered-substrate temperatures during plasma processes 国際会議

    M. Ito, T. Tsutsumi, T. Ohta, K. Takeda, K. Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine, and M. Hori

    The 1st International Conference on Surface Engineering (ICSE2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:大韓民国  

  141. Advanced Surface Engineering on Material Processing Employing Ultrahigh Density Atmospheric Pressure Plasma 国際会議

    Masaru Hori, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M.Sekine

    The 1st International Conference on Surface Engineering (ICSE2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:大韓民国  

  142. カーボンナノウォールの核発生制御に関する研究

    塚田僚介、平松美根男、近藤博基、堀勝

    応用物理学会SC東海地区学術講演会 2013 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  143. Non-contact measurements of substrate-temperature by frequency-domain low coherence interferometry 国際会議

    T. Tsutsumi, T. Ohta, K. Ishikawa, K Takeda, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori, M. Ito

    AVS 60th International Symposium & Exhibition 

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  144. PlasmaInduced Surface Roughness of ArF Photoresist Examined by Plasma-Beam Processes 国際会議

    T. Takeuchi, Y. Zhang, K. Ishikawa, M. Sekine, Y. Setsuhara, K. Takeda, H. Kondo, M. Hori

    AVS 60th International Symposium & Exhibition 

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  145. Etching Characterristics of AlGaN and GaN in Inductively Coupled Cl2 Prasma 国際会議

    D. Cao, Y. Lu, R. Kometani, J. Park, K. Ishikawa, K Takeda, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    AVS 60th International Symposium & Exhibition 

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  146. High Temperature Etching of GaN Preserving Smooth and Stoichiometric GaN Surface 国際会議

    R. Kometani, K. Ishikawa, K Takeda, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    AVS 60th International Symposium & Exhibition 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  147. Reaction Mechanism at the Sidewall of Through Si via (TSV) Etching by SF6/O2/SiF4 Plasma 国際会議

    I. Sakai, S. Amasaki, T. Takeuchi, K. Takeda, K. Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine N. Sakurai, H. Hayashi, T. Ohiwa, M. Hori

    AVS 60th International Symposium & Exhibition 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  148. Reduction of Mechanism of Surface Roughness on ArF-Photoresist Using C5HF7 Gas Plasma 国際会議

    Y. Miyawaki, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, A. Ito, H. Matsumoto, M. Hori

    66th Annual Gaseous Electronic Conference (GEC2013) 

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    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  149. Etching Characteristics of Gallium Nitride based compound semiconductors with Inductively Coupled Cl2 Plasma

    Jia-dong Cao, Yi Lu, Jong-yun Park, Ze-cheng Liu, Takashi Kako,Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine and Masaru Hori

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  150. Electrical properties of microcrystalline silicon thin films deposited by employing hydrogen radical-injection plasma-enhanced CVD method

    Keita Miwa, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  151. CH4 /H2 plasma etching on gallium nitride at high temperature

    Takashi Kako, Ze-cheng Liu, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Osamu Oda, Makoto Sekine and Masaru Hori

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  152. カーボンナノウォールに対する酸素原子及びアルゴンイオンの同時照射効果

    下枝弘尚,近藤博基,石川健治,平松美根男,関根誠,堀勝

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  153. Real-time / In-situ Electron Spin Resonance Analysis of Chemical Reactions on Silicon-Nitride with CF4 Gas Plasma

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  154. CHxFyプラズマにおける活性種生成過程とエッチング機構の解明(III)

    近藤祐介,宮脇雄大,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,林俊雄,関根誠,堀勝

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  155. An Inhibition Mechanism for Surface Roughening of Photoresist During Plasma Etching Process with Plasma Cure

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  156. ラジカル注入型プラズマ励起化学気相堆積法で成長したアモルファスカーボン膜の結晶構造及びラジカル密度に対するガス流量効果

    徐達,賈凌雲,中村将之,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  157. プラズマ励起化学気相堆積法で成長したアモルファスカーボン膜の膜構造に対する基板バイアス印加効果

    中村将之,賈凌雲,徐達,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  158. ラジカル注入型プラズマ励起化学気相堆積法で成長したアモルファスカーボン膜の結晶構造及び電気特性に対するボロン注入効果

    賈凌雲,九鬼淳,于楽泳,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  159. 大気圧プラズマを用いたミスト化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の低温形成

    孫昿達,竹田圭吾,伊藤仁,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  160. プラズマ-表面相互作用の実時間その場電子スピン共鳴分光研究

    石川健治,鷲見直也,河野昭彦,堀邊英夫,竹田圭吾,近藤博基,関根 誠,堀  勝

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  161. プラズマプロセス中における有機薄膜表面反応の実時間・その場観察電子スピン共鳴(ESR)解析(5)

    王浩然,石川健治,堀邉英夫,竹田圭吾,近藤博基,関根誠,堀勝

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  162. プラズマによるHとNラジカルの表面損失確率の変化

    鈴木俊哉,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  163. カーボンナノウォールの表面化学修飾とナノバイオ応用

    近藤博基,渡邊均,石川健治,関根誠,堀勝,平松美根男

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  164. 液中プラズマで合成したナノグラフェンを用いた燃料電池用白金触媒電極の特性評価

    天野智貴,加納浩之,竹田圭吾,近藤博基,太田貴之,伊藤昌文,平松美根男,石川健治,関根誠,堀勝

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  165. ナノグラフェン合成中の液中プラズマの分光診断

    安藤睦,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,関根誠,太田貴之,伊藤昌文,平松美根男,加納浩之,堀勝

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  166. AC励起非平衡大気圧プラズマの放電機構の解明に向けた時空間計測

    梁思潔,孫昿達,竹田圭吾,近藤博基,加納浩之,石川健治,関根誠,堀勝

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  167. 塩素ガスプラズマによるGaNエッチングにおける窒素ガス添加の効果

    劉沢セイ,朴鐘胤,曹佳棟,加古隆,石川健治,小田修,竹田圭吾,近藤博基,関根誠,堀勝

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学 京田辺キャンパス   国名:日本国  

  168. プラズマ-表面相互作用の実時間その場電子スピン共鳴分光研究

    石川健治(記念講演)、鷲見直也、河野昭彦、堀邊英夫、竹田圭吾、近藤博基、関根 誠、堀 勝

    プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演、平成25年秋季第74回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:同志社大学京田辺キャンパス   国名:日本国  

  169. Gradual transition of chemical structures at initial growth stage of carbon nanowalls 国際会議

    H. Kondo, K. Yasuda, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hiramatsu, and M. Hori

    The European Materials Conference European Materials Research Society Fall Meeting Scientific/Technical Symposia & Exhibition 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  170. Nucleation control of self-organized vertical nano-graphenes using inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition 国際会議

    M. Hiramatsu, Y. Nihashi, H. Kondo, M. Hori

    The European Materials Conference European Materials Research Society Fall Meeting Scientific/Technical Symposia & Exhibition 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  171. 先進プラズマ技術による産業イノベーション

    堀勝、関根誠、近藤博基、竹田圭吾

    テクノ・フェア名大2013 -工学が挑む新時代の科学・技術- 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋大学豊田講堂・シンポジオンホール   国名:日本国  

  172. 非平衡大気圧プラズマによる先端グリーン・ライフイノベーション

    豊田 浩孝、石川 健治、堀 勝、関根 誠、近藤 博基、竹田 圭吾

    テクノ・フェア名大2013 -工学が挑む新時代の科学・技術- 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋大学豊田講堂・シンポジオンホール   国名:日本国  

  173. Analysis of Fluorocarbon Gas Plasma Surface Interactions Using Real-time/In-situ Electron Spin Resonance 国際会議

    Y. Miyawaki, H. Wang, Y. Kondo, K. Ishikawa, K. Takeda, S. Tajima, H. Kondo, M. Sekine, H. Horibe, M. Hori

    Dry Process Symposium 2013 (DPS2013) 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  174. Plasma Etching of Ga-based Compound Semiconductor 国際会議

    J. Park, J. Cao, Z. Liu, T. Kako, K. Ishikawa, Y. Setsuhara, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    Dry Process Symposium 2013 (DPS2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  175. Control of Gas Phase Reaction in Etching Plasmas Employing Hydro-fluorocarbon Gases 国際会議

    Y. Kondo, Y. Miyawaki, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, T. Hayashi, M. Sekine, M. Hori

    Dry Process Symposium 2013 (DPS2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  176. Low-temperature Insulating Film Formation with Plasma Enhanced Mist Chemical Vapor Deposition 国際会議

    K. Sun, K. Takeda, H. Itoh, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    Dry Process Symposium 2013 (DPS2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  177. Effect of Hydrogen Peroxide on Carbon Materials Produced by Gas-liquid Plasma 国際会議

    J. Jolibois, J. Kularatne, H. Kano, M. Ito, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Hori

    Dry Process Symposium 2013 (DPS2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  178. Non-contact Temperature Monitoring of Substrates Using Optical Interferometry on Plasma Processing 国際会議

    T. Ohta, T. Takayoshi, K. Takeda, K. Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori, M. Ito

    Dry Process Symposium 2013 (DPS2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  179. In-situ ESR Measurements for Plasma Materials Interactions 国際会議

    Kenji ISHIKAWA, Hiromasa TANAKA, Hiroshi HASHIZUME, Takayuki OHTA, Masafumi ITO, Keigo TAKEDA, Hiroki KONDO, Makoto SEKINE and Masaru HORI

    The 9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2013)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:大韓民国  

  180. In-situ ESR measurements for Plasma Materials Interractions 国際会議

    Kenji Ishikawa, H. Tanaka, H. Hashizume, T. Ohta, M. Ito, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, and M. Hori

    9th Asian-european International Conference On Plasma Surface Enginnering, Conference and Exhibition 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:大韓民国  

  181. Recovery of Plasma-Damaged GaN by in situ Radical Exposure 国際会議

    Makoto Sekine, Zecheng Liu, Shang Chen, Ryosuke Kometani, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Masaru Hori

    10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS10) 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  182. Surface Analysis of GaN at Elevated Substrate Temperature 国際会議

    Kenji Ishikawa, Ryosuke Kometani, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS10) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  183. Hydrogen radical-injection plasma fabricated microcrystalline silicon thin film for solar cells 国際会議

    Masaru Hori, Yusuke Abe, Atsushi Fukushima, Ya Lu, Sho Kawashima, Keita Miwa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine

    21th International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:オーストラリア連邦  

  184. Detection of metal elements in soil using atmospheric pressure plasma 国際会議

    J. Kularatne, J. Jolibois, H. Kano, M. Ito, T. Ohta, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    The 12th Asia Pacific Physics Conference of AAPPS (AAPC12) 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  185. Effect of thin films on wafer temperature during plasma processes investigated by non-contact temperature measurement technique 国際会議

    T. Tsutsumi, K Takeda, K. Ishikawa, T. Ohta, M. Ito, H. Kondo, M. Sekine, M.Hori.

    XXXI International Conference on Phenomena in Ionized Gases 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:スペイン  

  186. Cell-culturing scaffold application of carbon nanowall(CNW) 国際会議

    M. Hori, H. Watanabe, H. Kondo, Y. Okamoto, M. Hiramatsu, M. Sekine, Y. Baba

    XXXI International Conference on Phenomena in Ionized Gases 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:スペイン  

  187. Crystallographic and chemical modification of carbon nanowalls by radical oxidation 国際会議

    H. Shimoeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Hiramatsu, M. Sekine, M. Hori

    The 12th Asia Pacific Physics Conference of AAPPS (AAPC12) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  188. Effect of Hexane on the synthesis of nanographene using liquid plasma 国際会議

    J. Jolibois, J. Kularatne, H. Kano, M. Ito, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Hori

    The 12th Asia Pacific Physics Conference of AAPPS (AAPC12) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  189. ミドリカビ胞子からの実時間その場ESR信号観察

    石川 健治,水野 寛子,田中 宏昌,橋爪 博司,太田 貴之, 伊藤 昌文,竹田 圭吾,近藤 博基,関根 誠,堀 勝

    第66回日本酸化ストレス学会学術集会 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:WINCあいち,名古屋   国名:日本国  

  190. 卵巣癌細胞におけるプラズマの抗腫瘍効果とROSの関与

    中村 香江, 梶山 広明, 内海史, 田中 宏昌, 水野 正明, 石川 健治, 近藤 博基, 加納 浩之, 堀 勝, 吉川 史隆

    第66回日本酸化ストレス学会学術集会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:WINCあいち,名古屋   国名:日本国  

  191. Reduction of surface roughness on ArF-photoresist by C5HF7 gas plasma 国際会議

    Yudai Miyawaki, Yusuke Kondo, Keigo Takeda, Satomi Tajima, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Toshio Hayashi, Makoto Sekine, Azumi Ito, Hirokazu Matsumoto, and Masaru Hori

    17th Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & 4th Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials 

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    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:大韓民国  

  192. Chemical modification and nano-bio applications of carbon nanowalls 国際会議

    Hiroki Kondo, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    17th Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & 4th Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials 

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    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:大韓民国  

  193. Effect of boron doping on amorphous carbon films grown by radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition 国際会議

    Lingyun Jia, Jun Kuki, Leyong Yu, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    17th Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & 4th Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials 

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    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  194. 窒化ガリウム(GaN)向けたサファイア基板の周波数領域型低コヒーレンス干渉計による温度計測(Ⅱ)

    堤隆嘉、竹田圭吾、石川健治、近藤博基、太田貴之、伊藤昌文、関根誠、堀勝

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  195. Identification of ESR signals arisen from Penicillium digitatum spores-3

    37.H Mizuno, K Ishikawa, H Tanaka, H Hashizume, T Ohta, M Ito, K Takeda, H Kondo, M Sekine, and M Hori

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  196. カーボンナノウォールの結晶構造に対するラジカル酸化効果(Ⅱ)

    下枝弘尚,近藤博基,石川健治,平松美根男,関根誠,堀勝

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  197. 窒素プラズマを用いた化学修飾によるカーボンナノウォールの構造および電気的特性の制御

    趙亨峻,近藤博基,石川健治,関根誠,平松美根男,堀勝

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  198. 混合ガスプラズマ培養液によるグリオーマ脳腫瘍培養細胞に対する抗腫瘍効果の解析 国際会議

    権田亮,田中宏昌,竹田圭吾,田嶋聡美,近藤博樹,石川健治,関根誠,加納浩之,水野正明,堀勝

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  199. 超臨界流体を用いた2 段階担持プロセスによるカーボンナノウォールへのPtナノ微粒子の超高密度担持および粒径分布制御

    堀部剛良,近藤博基,加納浩之,石川健治,関根誠,平松美根男,堀勝

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  200. In situ Surface analysis of GaAs irradiated by Cl plasma beams

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  201. Study on mechanism of gallium nitride growth employing a plasma-enhanced metal-organic chemical vapor deposition

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  202. プリンタブルエレクトロニクスに向けたプラズマ励起ミスト化学気相堆積技術に関する研究

    孫昿達,竹田圭吾,伊藤仁,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  203. 水素ラジカル注入型プラズマCVDによる微結晶シリコン膜の特性解析

    阿部祐介,三輪佳大,福島敦史,陸雅,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  204. プラズマプロセスによるArFフォトレジスト表面凹凸の解析

    竹内拓也,石川健治,節原裕一,竹田圭吾,近藤博基,関根誠,堀勝

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  205. プラズマプロセス中における有機薄膜表面反応の実時間・その場観察電子スピン共鳴(ESR)解析(4)

    石川健治,堀邉英夫,竹田圭吾,近藤博基,関根誠,堀勝,王浩然

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  206. CHxFyプラズマにおける活性種生成過程とエッチング機構の解明(II)

    近藤祐介,宮脇雄大,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,林俊雄,関根誠,堀勝

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  207. AlGaNのプラズマエッチング機構に関する研究

    曹佳棟,米谷亮佑,盧翌,朴鐘胤,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  208. H2/N2プラズマ中のラジカル密度へ前のプロセスが与える影響とその制御

    鈴木俊哉,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  209. ガスデザインに基づいた高選択絶縁膜エッチングの検討

    宮脇雄大、浅野高平、近藤祐介、竹田圭吾、田嶋聡美、近藤博基、石川健治、林俊雄、関根誠、伊東安曇、松本裕一、堀勝

    第156回シリコンテクノロジー研究集会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京大学本郷キャンパス   国名:日本国  

  210. Influence of N2 inclusion to Ar AP plasma in atomization 国際会議

    J. S.Kularatne, H. Kano, M. Ito, T. Ohta, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa,M. Sekine, M. Hori

    The 6th International Conference on PLAsma Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  211. Temperature measurement of carbon nanowall / silicon substrateusing super-continuum light source on low-coherence interferometry 国際会議

    T. Hiraoka, H. Kato, T. Tsutsumi, T. Ohta, M. Ito, K. Takeda, H. Kondo,M. Hori,

    The 6th International Conference on PLAsma Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  212. Chlorine plasma etching of GaN at high temperature 国際会議

    R. Kometani, L.Michael, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, H. Amano, M. Sekine, M.Hori,

    The 6th International Conference on PLAsma Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  213. Effects of hydrogen contained in fluorocarbon gas molecules fordielectric film etching process 国際会議

    Y. Kondo, Y. Miyawaki, K. Takeda, K.Ishikawa, H. Kondo, T. Hayashi, M. Sekine, M. Hori,

    The 6th International Conference on PLAsma Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  214. Plasma-mediated modulation of element distribution in skin and skin cancer 国際会議

    I. Yajima, M. Iida, K. Nakagawa, H. Kondo, M. Kumasaka, K. Takeda, M. Hori, H. Kano, M. Kato

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  215. Effects of carbon nanowall scaffold and their chemical termination on cell culturing 国際会議

    H. Watanabe, H. Kondo, Y. Okamoto, M. Sekine, M. Hiramatsu, Y. Baba, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  216. Cavity ring down measurements of SiH3-behavior in SiH4/H2 plasma 国際会議

    Y. Abe, A. Fukushima, Y. Kim, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  217. Absolute density of fluorine atom in capacitively coupled plasma employing hydro-fluorocarbon gases for highly selective SiO2 etching 国際会議

    T. Komuro, K. Takeda, K. Ishikawa, M. Sekine, H. Kondo, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  218. Measurement of carbon nanowalls / silicon substrate temperature by fourier-domain low-coherence interferometry 国際会議

    T. Hiraoka, T. Tsutsumi, H. Kato, K. Takeda, T. Ohta, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Ito, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  219. Real time temperature measurements of film-covered-substrate employing fourier domain low coherence interferometer during plasma processes 国際会議

    T. Tsutsumi, T. Hiraoka, K. Takeda, K. Ishikawa, T. Ohta, M. Ito, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  220. The atmospheric pressure plasmas 国際会議

    H. Kano, K. Takeda, H. Kondo, S. Den, Y. Higashijima, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  221. High H radical density produced by 1-m-length atmospheric pressure microwave plasma system 国際会議

    H. Itoh, Y. Kubota, Y. Kashiwagi, K. Takeda, K. Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine, H. Toyoda, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  222. Application of atmospheric pressure plasma in element analysis of agricultural products 国際会議

    J. Kularatne, H. Kano, M. Ito, T. Ohta, K. Takeda, K. Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  223. High temperature plasma etching of GaN 国際会議

    R. Kometani, S. Chen, M. Liu, K. Ishikawa, H. Kondo, K. Takeda, T. Egawa, H. Amano, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  224. Study on mechanism of ultrahigh speed synthesis of high crystallinity nanographene employing in-liquid plasma 国際会議

    H. Kondo, T. Hagino, K. Ishikawa, H. Kano, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  225. Nonequilibrium atmospheric pressure plasma selectively killed ovarian cancer cells and induced apoptosis 国際会議

    H. Tanaka, S. Iseki, K. Nakamura, M. Hayashi, H. Kondo, H. Kajiyama, H. Kano, F. Kikkawa, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  226. Formation and characteristics of Pt-Au nanoparticles supported on carbon nanowalls (CNWs) employing a supercritical fluid 国際会議

    T. Horibe, H. Kondo, H. Kano, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hiramatsu, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  227. Plasma-biological surface interaction investigated by electron spin resonance 国際会議

    H. Mizuno, K. Ishikawa, H. Tanaka, H. Hashizume, T. Ohta, M. Ito, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  228. Electron spin resonance study of plasma-biological surface interaction for food hygiene 国際会議

    K. Ishikawa, H. Mizuno, H. Tanaka, H. Hashizume, T. Ohta, M. Ito, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  229. Low-damage, high-accuracy plasma etching of Ga-compound semiconductors 国際会議

    J. Cao, R. Kometani, J. Park, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  230. Mechanism for degradation of porous SiOCH low-K films by O2 plasma 国際会議

    K. Asano, K. Ishikawa, M. Sekine, K. Takeda, H. Kondo, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  231. Gas-phase reaction model of Ar-diluted CHxFy plasmas 国際会議

    Y. Kondo, Y. Miyawaki, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, T. Hayashi, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  232. Subsequent temporal change of gaseous H and N radical density in H2/N2 plasma after air exposure and its control 国際会議

    T. Suzuki, K. Takeda, K. Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  233. Real-time variation of sputtering yield of Ar ion for ArF photoresist during Ar plasma exposure 国際会議

    T. Takeuchi, C. Corbella, S. Grosse-Kreul, A. Keudell, K. Ishikawa, H. Kondo, K. Takeda, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  234. Sequential exposure of N and H atoms for recovery of plasma-damaged GaN 国際会議

    Z. Liu, S. Chen, Y. Lu, R. Kometani, K. Ishikawa, H. Kano, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, T. Egawa, H. Amano, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  235. Investigation of Si etch reaction with F and O radicals using SF6/O2 plasma 国際会議

    M. Sekine, S. Amasaki, T. Takeuchi, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, M.Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  236. Effect of boron doping on crystalline structures and electrical properties of amorphous carbon films grown by radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition 国際会議

    J. Kuki, L. Yu, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  237. Study on precursor adsorption and reaction within SiO2 growth cycle of low temperature plasma-enhanced atomic layer deposition using in-situ ATR-FTIR 国際会議

    Y. Lu, A. Kobayashi, Y. Kim, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  238. Hydrogen radical injection plasma deposition of (110)-preferentially oriented microcrystalline silicon films 国際会議

    L. Ya, A. Fukushima, Y. Abe, Y. Kim, K. Takeda, K. Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  239. Relation between gaseous radicals and μc-Si film property in SiH4/H2 plasma CVD 国際会議

    A. Fukushima, Y. Lu, Y. Abe, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  240. Construction of atmospheric pressure mist chemical vapor deposition technology for the all-printed electronic technology 国際会議

    K. Sun, K. Takeda, S. Tajima, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori, H. Itoh

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  241. Superior properties of carbon nanowalls as cell scaffolds 国際会議

    Y. Okamoto, H. Watanabe, K. Kubo, H. Kondo, N. Kaji, M. Tokeshi, M. Hori,Y. Baba

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  242. Effect of Ar gas addition on photoconductive characteristics of amorphous carbon films synthesized by plasma-enhanced chemicalvapor deposition 国際会議

    L. Yu, J. Kuki, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  243. Crystallographic and electrical properties of vertically-grown graphene sheets by CH4/H2 plasma 国際会議

    H. Cho, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hiramatsu, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  244. Effects of morphological changes induced by hydrogen peroxide treatment on electrical properties of carbon nanowalls 国際会議

    H. Shimoeda, H. Kondo, K. Takeda, K. Ishikawa, M. Hiramatsu, M. Sekine, M. Hori

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  245. Radical Density Control in H2/N2 Plasma Based on In-situ Monitoring with Vacuum Ultra Violet Absorption Spectroscopy 国際会議

    The 16th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  246. Real-time / in-situ electron spin resonance analysis of plasma surface interactions 国際会議

    H. Wang, K. Ishikawa, H. Horibe, K. Takeda, H. Kondo, M, Sekine, and M. Hori

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  247. Etching characteristics of AlGaN in inductively coupled Cl2 plasmas 国際会議

    J.-D. Cao, Y. Lu, R. Kometani, J. -Y. Park, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, M, Sekine, and M. Hori

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  248. Effects of Hydroxyl Radicals on Crystallographic and Electrinic Structures of Carbon Nanowalls 国際会議

    H. Shimoeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Hiramatsu, M.Sekine and M. Hori

    The 16th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  249. Plasma-surface intertactions in plasma etching of future device fabrication 国際会議

    The 16th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  250. Plasma-surface intertactions in plasma etching of future device fabrication 国際会議

    The 16th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  251. プラズマ医療科学の創成とその展望

    堀 勝、井関 紗千子、田中 昌弘、石川 健治、近藤 博基、竹田 圭吾、関根 誠、中村 香江、林 萌美、梶山 広明、加納 浩之、吉川 史隆

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  252. マイクロ波励起表面波プラズマCVD法を用いたカーボン膜の作製

    加島 洋平、平松 美根男、近藤 博基、堀 勝

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  253. プラズマ化学気相堆積法を用いたナノグラフェンの核発生によるカーボンナノウォールの選択成長

    塚田 僚介、平松 美根男、近藤 博基、堀 勝

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  254. ハイドロフルオロカーボンプラズマによるArFフォトレジストの低ラフネスエッチング機構

    浅野 高平、宮脇 雄大、石川 健治、関根 誠、伊東 安曇、松本 裕一、竹田 圭吾、近藤 博基、堀 勝

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  255. プラズマ励気ミスト化学気相成長法を用いた絶縁膜合成

    孫 昿達、竹田 圭吾、近藤 博基、田嶋 聡美、石川 健治、関根 誠、堀 勝、伊藤 仁

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  256. プラズマCVDを用いて作製したカーボンナノウォールのバイオセンサ特性

    永島 三千弥、渡邊 均、平松 美根男、近藤 博基、堀 勝

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  257. プラズマ医療科学の創成とその展望

    堀勝 、井関紗千子、田中昌弘、石川健治、近藤博基、竹田圭吾、関根誠、中村香江、林萌美、梶山広明、加納浩之、吉川史隆

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センターS会場   国名:日本国  

  258. H2/N2プラズマ中のラジカル密度へ前のプロセスが与える影響とその制御

    鈴木俊哉,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝

    第60回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  259. プラズマCVDを用いて作製したカーボンナノウォールのバイオセンサ特性

    永島三千弥、渡邊均、平松美根男、近藤博基、堀勝

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  260. マイクロ波励起表面波プラズマCVD法を用いたカーボン膜の作製

    加島洋平、平松美根男、近藤博基、堀勝

    第30回プラズマプロセシング研究会 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  261. プラズマ化学気相堆積法を用いたナノグラフェンの核発生によるカーボンナノウォールの選択成長

    塚田僚介、平松美根男、近藤博基、堀勝

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  262. ハイドロフルオロカーボンプラズマによるArFフォトレジストの低ラフネスエッチング機構

    浅野高平、宮脇雄大、石川健治、関根誠、伊東安曇、松本裕一、竹田圭吾、近藤博基、堀勝

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  263. 超臨界流体を用いた2段階担持法によるカーボンナノウォールへの超高密度Pt-Auナノ微粒子担持

    堀部剛良、近藤博基、加納浩之、石川健治、平松美根男、関根誠、堀勝

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  264. 電気二重層キャパシタに用いるカーボンナノウォール電極の電気化学評価

    吉田 圭祐、平松 美根男、近藤 博基、堀 勝

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  265. プラズマ励気ミスト化学気相成長法を用いた絶縁膜合成

    孫昿達、竹田圭吾、近藤博基、田嶋聡美、石川健治、関根誠、堀勝、伊藤仁

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  266. 塩素ガスプラズマによる窒素ガリウムの高温エッチング

    米谷亮祐、陳尚、曹佳棟、劉沢せい、石川健治、竹田圭吾、近藤博基、関根誠、天野浩、堀勝

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  267. 塩素ガスプラズマによる窒素ガリウムの高温エッチング

    米谷 亮祐、陳 尚、曹 佳棟、劉 沢铖、石川 健治、竹田 圭吾、近藤 博基、関根 誠、天野 浩、堀 勝

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  268. 超臨界流体を用いた2段階担持法によるカーボンナノウォールへの超高密度Pt-Auナノ微粒子担持

    堀部 剛良、近藤 博基、加納 浩之、石川 健治、平松 美根男、関根 誠、堀 勝

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター S会場   国名:日本国  

  269. Comprehensive study of atmospheric pressure plasma 国際会議

    M. Hori, K. Ishikawa, H. Kondo, K. Takeda, M. Tanaka, S. Makoto, T. Ohta, M. Ito,

    69th IUVSTA Workshop on Oxidation of Organic Materials by Excited Radicals Created in Non-equilibrium Gaseous Plasma  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:スロベニア共和国  

  270. Electron Spin Resonance (ESR) observation of radicals on biological organism interacted with plasmas 国際会議

    Ishikawa K.

    Materials Research Society Symposium Proceedings 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    DOI: 10.1557/opl.2012.928

    Scopus

  271. Silicon full wafer bonding with atomic layer deposited titanium dioxide and aluminum oxide intermediate films 国際会議

    Puurunen R.

    Sensors and Actuators, A: Physical 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    DOI: 10.1016/j.sna.2012.05.006

    Scopus

  272. Selective killing of ovarian cancer cells through induction of apoptosis by a nonequilibrium atmospheric pressure plasma 国際会議

    Tanaka H.

    Materials Research Society Symposium Proceedings 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    DOI: 10.1557/opl.2012.927

    Scopus

  273. Plasma-Biological Surface Interaction for Food Hygiene: Real-time in situ Electron Spin Resonance Measurements 国際会議

    K. Ishikawa, H. Mizuno, H. Tanaka, H. Hashizume, T. Ohta, M. Ito, K. Taked, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    34th International Symposium on Dry Process (DPS2012) 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  274. Plasma surface modification of carbon nanowalls for biosensor application 国際会議

    M. Nagashima, T. Maeda, M. Hiramatsu, H. Watanabe, H. Kondo, M. Hori

    34th International Symposium on Dry Process (DPS2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  275. A High Temperature Plasma Etching of GaN and Its Reaction Mechanism 国際会議

    R. Kometani, S. Chen1, M. Liu, K. Ishikawa, H. Kondo, K. Takeda, T. Egawa, H. Amano, M. Sekine, M. Hori

    34th International Symposium on Dry Process (DPS2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  276. Nucleation mechanism of self-organized vertical nano-graphenes grown using inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition 国際会議

    R. Tsukada, Y. Nihashi, M. Hiramatsu, H. Kondo, M. Hori

    34th International Symposium on Dry Process (DPS2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  277. A reduction of degradation on ArF photoresist by C5HF7 plasma etching and its mechanism 国際会議

    K. Asano, Y. Miyawaki, K. Ishikawa, M. Sekine, K. Takeda, A. Ito, H. Matsumoto, H. Kondo, M. Hori

    34th International Symposium on Dry Process (DPS2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  278. Highly selective etching of gap-fill dielectrics over SiC and SiN by the dc-bias superposed dual-frequency CCP 国際会議

    T. Komuro, K. Takeda, K. Ishikawa, M. Sekine, Y. Ohya, H. Kondo, M. Hori

    34th International Symposium on Dry Process (DPS2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  279. An in-situ sequential H and N radical exposure process for recovery of plasma-damaged GaN 国際会議

    H. Kano, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, T. Egawa, H. Amano, M. Hori

    34th International Symposium on Dry Process (DPS2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  280. Photon-stimulated surface reaction and generation of damage to hydrogenated silicon nitride in fluorocarbon plasma 国際会議

    M. Fukasawa, H. Matsugai, T. Honda, Y. Miyawaki, Y. Kondo, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, K. Nagahata, F. Uesawa, M. Hori, T. Tatsumi

    34th International Symposium on Dry Process (DPS2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  281. High performances of microcrystalline Si thin film formation for a solar cell by measurement and control of hydrogen radicals in the SiH4/H2 plasma 国際会議

    Y. Abe, A. Fukushima, Y. Lu, Y. Kim, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    34th International Symposium on Dry Process (DPS2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  282. Mechanism of Generating Ions and Radicals in Fluorocarbon Plasma Investigated by Reaction Model Analysis 国際会議

    Y. Kondo, Y. Miyawaki, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, T. Hayashi, M. Sekine, M. Hori

    59th AVS International Symposium and Exhibition 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  283. Control of Surface Properties on Plasma-Etched Gallium Nitride (GaN) 国際会議

    R. Kometani, S. Chen, J. Park, J. Cao, Y. Lu, K.Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, H. Amano, M. Sekine, M. Hori

    59th AVS International Symposium and Exhibition 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  284. Crystalline and Electrical Properties of Vertically-Laminated Carbon Nanowalls formed by Two-Step Growth Method 国際会議

    H. Kondo, T. Kanda, M. Hiramatsu K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    59th AVS International Symposium and Exhibition 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  285. Investigation of Plasma-Surface Interactions Between Hydrogen Radical and Chemically Amplified Photoresist 国際会議

    A.Malinowski, M. Sekine, M. Hori, K. Ishikawa, H. Kondo, T. Takeuchi, T. Suzuki, A. Jakubowski, L. Lukasiak, D.Tomaszewski

    59th AVS International Symposium and Exhibition 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  286. Interface Trap Generation by VUV/UV Radiation from Fluorocarbon Plasma 国際会議

    M. Fukasawa,Y.Miyawaki, Y. Kondo, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, H. Matsugai, T. Honda, M. Minami, F. Uesawa, M. Hori, T. Tatsumi

    59th AVS International Symposium and Exhibition 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  287. Subsequent Temporal Change of Gaseous H and N Radical Density in Plasma after Different Processes 国際会議

    T. Suzuki, A. Malinowski, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, Y. Setsuhara, M. Shiratani, M. Sekine, M. Hori,

    59th AVS International Symposium and Exhibition 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  288. AC励起大気圧プラズマを用いた下水モニタリング装置の開発 国際会議

    J.S KULARATNE、加納 浩之、伊藤 昌文、太田 貴之、竹田 圭吾、石川 健治、近藤 博基、関根 誠、堀 勝

    第5回プラズマ技術産業応用センター(PLACIA)&プラズマが拓くものづくり研究会(PLAM)国際シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:なごやサイエンスパーク、サイエンス交流プラザ大会議室   国名:日本国  

  289. Temperature measurement of substrate with a thin film using low-coherence interference 国際会議

    Takayoshi Tsutsumi, Takehiro Hiraoka, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Makoto Sekine, Masaru Hori

    65th Annual Gaseous Electronics Conference  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  290. Fabrication of graphene-based films using remote plasma CVD 国際会議

    Mineo Hiramatsu, Ryosuke Tsukada, Yohei Kashima, Masateru Naito, Hiroki Kondo, Masaru Hori

    65th Annual Gaseous Electronics Conference  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  291. Healing Process of Plasma-damaged Gallium Nitride (GaN) 国際会議

    Kenji Ishikawa(invited),Shang Chen, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine Masaru Hori

    the 1st International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN),  

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:オーストラリア連邦  

  292. Evaluation of Relationship between μC-Si Film Property and Flux Ratio of H Radicals to Film Precursors 国際会議

    A. Fukushima, Y. Abe, Y. Lu, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  293. Effect of Nitrogen Doping on Photoconductivity of Amorphous Carbon Films Grown by Radical-injection Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition 国際会議

    Leyong Yu, Jun Kuki, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  294. Effects of Pulse Bias on Crystallographic Properties of Amorphous Carbon Films Grown by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition 国際会議

    Jun Kuki, Leyong Yu, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  295. Reconsideration on Effects of H Radicals on Thin Film Surfaces in Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition employing SiH4/H2 Gases 国際会議

    Masaru Hori, Yusuke Abe, Atsushi Fukushima, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Young Joon Kim, Makoto Sekine

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  296. Low Temperature Deposition and Characteristics of GaN Thin Film by HF-PECVD 国際会議

    Youn Joon Kim, Yi Lu, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  297. Optical Properties of Carbon Nano Walls in Terahertz Frequencies Region 国際会議

    Takehiro Hiraoka, Keigo Takeda, Takayuki Ohta, Noboru Ebitsuka, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Kodo Kawase, Masafumi Ito, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  298. Influence of Last Condition in Plasma Reactor on Gaseous Radical Density 国際会議

    Toshiya Suzuki, Arkadiusz Malinowski, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Yuichi Setsuhara, Masaharu Shiratani, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  299. Recovery of Plasma-Damaged GaN by Employing Exposure of Radicals 国際会議

    Z. Liu, S. Chen, Y. Lu, R. Kometani, K. Ishikawa, Hiroyuki Kano, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, T. Egawa, H. Amano, M. Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  300. Observation of Plasma-Exposed GaN Surface at High Temperature 国際会議

    Ryosuke Kometani, Shang Chen, Yi Lu, David Cao, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Takashi Egawa, Horishi Amano, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  301. Change of GaAs Surface Properties by Irradiation of Cl2 Ions 国際会議

    Jongyun Park, Takuya Takeuchi, Jiadong Cao, Kenji Ishikawa, Yuichi Setsuhara, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  302. Generation Mechanism of Ions and Radicals in CHxFy Etching Plasmas 国際会議

    Yusuke Kondo, Yudai Miyawaki, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Toshio Hayashi, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  303. Studies on Plasma Etching of Si3N4 Employing New Alternative Gas, C5HF7 国際会議

    Yudai Miyawaki, Yusuke Kondo, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Azumi Ito, Hirokazu Matsumoto, M. Sekine, M. Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  304. Mechanism and Control of Roughness Formation on ArF Photoresist by C5HF7 Etching Plasma 国際会議

    Kohei Asano, Yudai Miyawaki, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Keigo Takeda, Azumi Ito, Hirokazu Matsumoto, Hiroki Kondo, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  305. Highly Selective Etching of Dielectrics over SiC Film by DC Superposed Dual-Frequency CCP 国際会議

    T. Komuro, K. Takeda, K. Ishikawa, M. Sekine, Y. Ohya, H. Kondo, M. Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  306. The Formation of the Insulating Film with Atmospheric Pressure Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition by Hexamethyldisiloxan Mist 国際会議

    Kuangda Sun, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Satomi Tajima, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori, Hitoshi Itoh

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  307. Microcrystal Orientation of Silicon Thin Film Deposited with Hydrogen Radical Injection Plasma Enhanced CVD 国際会議

    Lu Ya, Astushi Fukushima, Yusuke Abe, Youn J. Kim, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  308. Two-Step Supporting of High-Density Metal Nanoparticle Catalysts on Carbon Nanowalls using Supercritical Fluid 国際会議

    Takeyoshi Horibe, Hiroki Kondo, Hiroyuki Kano, Kenji Ishikawa, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  309. Non-Contact Temperature Measurement of Sapphire Substrate for GaN using Frequency Domain Low Coherence Interferometry 国際会議

    Takayoshi Tsutsumi, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  310. Spectroscopic Determination of Radical Densities in SiH4/H2 Plasma 国際会議

    Yusuke Abe, Atsushi Fukushima, Ya Lu, Youn Joon Kim, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  311. Effects of Carbon Nanowall Scaffold on HeLa Cell Culture 国際会議

    Hitoshi Watanabe, Hiroki Kondo, Yukihiro Okamoto, Makoto Sekine, Mineo Hiramatsu, Yoshinobu Baba, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  312. Effects of Hydroxyl Radical on Nanographene Surfaces in Carbon Nanowalls 国際会議

    Hironao Shimoeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the 11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  313. Edge Termination on Electrical Properties of Vertically-grown Graphene Sheets Employing N2/H2 Mixture Plasma 国際会議

    H. J. Cho, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hiramatsu and M. Hori,

    2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  314. Advanced Plasma Science and Technologies for Nanostructure Control of Carbon Nanomaterials 国際会議

    Hiroki Kondo, Mineo Hiramatsu, Masaru Hori

    International Union of Materials Research Societies - Internet Conference on Electronic Materials 2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  315. Real-time / In-situ Electron Spin Resonance Analysis of Surface Reactions on Organic / Biological Materials Interacted with Plasmas 国際会議

    K. Ishikawa, H. Moriyama, N. Sumi, K. Tamiya, H. Hashizume, T. Ohta, M. Ito, A. Kono, H. Horibe, H. Tanaka, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, and M. Hori

    International Union of Materials Research Societies - Internet Conference on Electronic Materials 2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  316. Surface Roughness on Plasma-Etched Gallium Nitride (GaN) 国際会議

    Kenji Ishiwaka, Ryosuke Kometani, Shang Chen, Yi Lu, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori

    International Union of Materials Research Societies - Internet Conference on Electronic Materials 2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  317. In Situ XPS Analysis of ArF Photoresist Modification Caused by Fluorocarbon Ions and Radicals 国際会議

    T. Takeuchi, S. Amasaki, K. Takeda, K. Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

    International Union of Materials Research Societies - Internet Conference on Electronic Materials 2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  318. Investigation of Hydrogen Radical Kinetics during ArF 193nm Photoresist Processing for Ultimate CMOS Technology Development 国際会議

    Arkadiusz Malinowski, Makoto Sekine, Masaru Hori, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Takuya Takeuchi, Toshiya Suzuki, Andrzej Jakubowski, Lidia Lukasiak

    International Union of Materials Research Societies - Internet Conference on Electronic Materials 2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  319. Field Electron Emitter Fabricated by Plasma Etching of Organic Material 国際会議

    Toshiya Suzuki, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Yuichi Setsuhara, Seiji Shiratani, Makoto Sekine, Masaru Hori

    International Union of Materials Research Societies - Internet Conference on Electronic Materials 2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  320. Effects of Hydrogen Peroxide Treatment on Nanostructures in Carbon Nanowalls 国際会議

    Hironao Shimoeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine, Masaru Hori

    International Union of Materials Research Societies - Internet Conference on Electronic Materials 2012 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  321. Nucleation control of self-organized vertical nano-graphenes using inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition 国際会議

    Mineo Hiramatsu, Yuki Nihashi, Hiroki Kondo, Masaru Hori

    The European Materials Conference European Materials Research Society Fall Meeting Scientific/Technical Symposia & Exhibition (E-MRS 2012 FALL MEETING) 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  322. Effects of Edge Termination on Crystalline and Electronic Structures of Carbon Nanowalls by Post-growth Nitrogen Plasma Treatment 国際会議

    Hyung Jun Cho, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Mineo Hiramatsu, Masaru Hori

    The European Materials Conference European Materials Research Society Fall Meeting Scientific/Technical Symposia & Exhibition (E-MRS 2012 FALL MEETING) 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  323. Gradual transition of chemical structures at initial growth stage of carbon nanowalls 国際会議

    Hiroki Kondo, Koji Yasuda, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Mineo Hiramatsu and Masaru Hori

    The European Materials Conference European Materials Research Society Fall Meeting Scientific/Technical Symposia & Exhibition (E-MRS 2012 FALL MEETING) 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  324. 超臨界流体を用いたカーボンナノウォール(CNWs)へのPt, Au微粒子の2段階担持における微粒子相互作用

    堀部剛良,近藤博基,加納浩之,石川健治,関根 誠,平松美根男,堀  勝

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  325. Study on synthesis mechanisms of nano-graphene materials employing alcohol in-liquid plasma

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  326. 窒素/水素混合ガスプラズマを用いたグラフェンエッジ化学修飾によるカーボンナノウォールの電気的特性制御

    趙 亨峻,近藤博基,石川健治,関根 誠,平松美根男,堀  勝

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  327. カーボンナノウォールのテラヘルツ時間領域分光計測による光学特性評価

    平岡丈弘,竹田圭吾,太田貴之,海老塚昇,近藤博基,石川健治,伊藤昌文,川瀬晃道,関根 誠,堀  勝

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  328. カーボンナノウォールの結晶構造に対するラジカル酸化効果

    下枝弘尚,近藤博基,石川健治,平松美根男,関根 誠,堀  勝

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  329. 細胞培養に対するカーボンナノウォール足場の効果

    渡邊 均,近藤博基,岡本行広,関根 誠,平松美根男,堀  勝,馬場嘉信

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  330. GaNにおけるプラズマダメージのラジカル修復(3)

    Zecheng Liu,陳  尚,盧  翌,米谷亮祐,石川健治,加納浩之,竹田圭吾,近藤博基,関根 誠,江川孝志,堀  勝,天野 浩

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  331. 二周波容量結合型プラズマへのDCバイアス重畳によるSiC膜に対する高選択比絶縁膜エッチング

    古室達也,竹田圭吾,石川健治,関根 誠,大矢欣伸,近藤博基,堀  勝

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  332. 高温における窒化ガリウム(GaN)のエッチング機構(3)

    米谷亮祐,陳  尚,曹 佳棟,Michael Liu,石川健冶,竹田圭吾,近藤博基,関根 誠,江川孝志,天野 浩,堀  勝

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  333. C5HF7ガスプラズマによるArFフォトレジストの表面ラフネス形成の低減機構

    浅野高平,宮脇雄大,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,伊東安曇,松本裕一,関根 誠,堀  勝

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  334. プリンタブルエレクトロニクスに向けた大気圧ミスト化学気相堆積技術の構築

    孫 昿達,竹田圭吾,近藤博基,田嶋聡美,石川健治,関根 誠,堀  勝,伊藤 仁

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  335. プラズマ励起化学気相堆積法で成長したアモルファスカーボン膜の膜構造に対するパルスバイアス印加効果

    九鬼 淳,于 楽泳,近藤博基,関根 誠,堀  勝

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  336. SiH4/H2プラズマ化学気相堆積法におけるHラジカル・成膜前駆体フラックス比とシリコン薄膜膜質の関係性

    福島敦史,阿部祐介,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,関根 誠,堀  勝,陸  雅

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  337. 水素ラジカル注入型プラズマ源を用いた微結晶シリコン成膜のRFパワーによる膜質変化

    陸  雅,福島敦史,阿部祐介,金 淵俊,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,関根 誠,堀  勝

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  338. 窒化ガリウム(GaN)向けサファイア基板の周波数領域型低コヒーレンス干渉計による温度計

    堤 隆嘉,竹田圭吾,石川健治,近藤博基,太田貴之,伊藤昌文,関根 誠,堀  勝

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  339. 「講演奨励賞受賞記念講演」有機材料エッチングによる電界電子放出ナノピラーの作成(II)  

    Arkadiusz Malinowski,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,節原裕一,白谷正治,関根 誠,堀  勝

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  340. プラズマからの紫外線照射によるSiNx:H/Si界面準位生成

    深沢正永,松谷弘康,本多孝好,宮脇雄大,近藤祐介,竹田圭吾,近藤博基,石川健治,関根 誠,南 正樹,上澤史且,堀  勝,辰巳哲也

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  341. Measurement of SiH3 Radicals in SiH4/H2 Plasma for Silicon Thin-Film Solar Cells

    Yusuke Abe,Atsushi Fukushima,Ya Lu,Youn Joon Kim,Keigo Takeda,Hiroki Kondo,Kenji Ishikawa,Makoto Sekine,Masaru Hori

    平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス   国名:日本国  

  342. Measuring Metal Elements in Food Products Using Ar Atmospheric Pressure Plasma

    Jagath Kularatne,Hiroyuki Kano,Masafumi Ito,Takayuki Ohta,Keigo Takeda,Hiroki Kondo,Kenji Ishikawa,Makoto Sekine,Masaru Hori

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  343. Vibrational Sum-Frequency-Generation (SFG))Spectroscopic study-2

    Kenji Ishikawa,Hiroko Mizuno,Hiromasa Tanaka,Keigo Takeda,Hiroki Kondo,Makoto Sekine,Masaru Hori

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  344. Identification of ESR signals arisen from Penicillium digitatum spores-2

    Hiroko Mizuno, Hiroshi Hashizume, Hiromasa Tanaka, Kenji Ishikawa, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  345. Properties of GaAs surface by ion irradiation of chlorine

    Jongyun Park,Takuya Takeuchi,Jiadong Cao,Kenji Ishikawa,Yuichi Setsuhara,Keigo Takeda,Hiroki Kondo,Makoto Sekine,Masaru Hori

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  346. Impact of Last Reactor Condition to Radical Density in Subsequent H2/N2 plasma and its Control

    Toshiya Suzuki,Arkadiusz Malinowski,Keigo Takeda,Hiroki Kondo,Kenji Ishikawa,Yuiti Setsuhara,Masaharu Shiratani,Makoto Sekine,Masaru Hori

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  347. Mechanism of Etching and Generating Active Species in CHxFy Plasma

    Yusuke Kondo,Yudai Miyawaki,Keigo Takeda,Hiroki Kondo,Kenji Ishikawa,Toshio Hayashi,Makoto Sekine,Masaru Hori

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  348. Relationship between Ion Energy and Highly Selective SiO2 Etching Characteristics using C5HF7 Gas

    Yudai Miyawaki,Yusuke Kondo,Keigo Takeda,Hiroki Kondo,Ishikawa Kenji,Azumi Ito,Hirikazu Matsumoto,Makoto Sekine,Masaru Hori

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  349. Study on reaction mechanism of plasma-enhanced atomic layer deposition of SiO2 using in-situ ATR-FTIR

    Yi Lu,Akiko Kobayashi,Youn Joon Kim,Kenji Ishikawa,Hiroki Kond1,Makoto Sekine,Masaru Hori

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  350. Effect of nitrogen doping on photoconductivity of amorphous carbon films grown by radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition

    Leyong Yu,Jun Kuki,Hiroki Kondo,Kenji Ishikawa,Makoto Sekine,Masaru Hori

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  351. Investigation of modification of ArF photoresist during plasma etching processes 国際会議

    K.Takeuchi, M.Sekine, K.Ishikawa, H.Kondo, K.Takeda, M.Hori

    14th Annual TECHCON Conference Technology&Talent for the 21st Century 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  352. Investigation of Hydrogen Radical Kinetics during ArF 193nm Photoresist Processing for Ultimate CMOS Technology Development 国際会議

    Arkadiusz Malinowski, Makoto Sekine, Masaru Hori, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Takuya Takeuchi, Toshiya Suzuki, Andrzej Jakubowski, Lidia Lukasiak

    the International Union of Materials Research Society-International Conference in Asia-2012 (IUMRS-ICA-2012)  

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    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  353. Effects of Hydrogen Peroxide Treatment on Nanostructures in Carbon Nanowalls 国際会議

    Hironao Shimoeda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Mineo Hiramatsu, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the International Union of Materials Research Society-International Conference in Asia-2012 (IUMRS-ICA-2012)  

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    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  354. Field Electron Emitter Fabricated by Plasma Etching of Organic Material 国際会議

    Toshiya Suzuki, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Yuichi Setsuhara, Seiji Shiratani, Makoto Sekine, Masaru Hori

    the International Union of Materials Research Society-International Conference in Asia-2012 (IUMRS-ICA-2012)  

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