共同研究・競争的資金等の研究課題 - 宇治原　徹

「多結晶シリコンの粒界における酸素・炭素偏析と太陽電池特性」

2004年4月 - 2006年3月

溶液成長法による高品質SiC単結晶育成技術の開発

2004年4月 - 2005年3月

企業からの受託研究 

太陽電池プロセスに最適な熱耐性多結晶シリコン基板の開発

2003年10月 - 2006年9月

新エネルギー・産業技術総合開発機構　産業技術研究助成事業 

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資金種別：競争的資金

“Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003), October 5-10, Lyon, France

2003年10月

「“Prediction of strain induced poly-crystallization during crystal growth”, Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, July 20 - 24 (2003) Keystone, Colorado.」

2003年8月

「Effect of growth temperature on surface morphology and crystal quality of Si thin-film by liquid phase epitaxial growth technique”, PV in Europe from PV Technology to Energy Solutions Conference and Exhibition, Palazzo dei Congressi, Roma, Italy, 7-11 October 2002」

2002年10月

「Fickの第一法則に基づいた高温溶液拡散係数の新測定法」

2002年2月 - 2003年1月

「高効率太陽電池を目指した粒成長制御による多結晶Si薄膜の結晶性の最適化―――　粒成長メカニズムからのアプローチ　―――」

2001年10月

「融液成長における多結晶化メカニズムの相転移としての新解釈」

2001年4月 - 2002年3月

「対流を抑制した化合物半導体溶液成長における成長界面近傍の組成分布「その場」測定」

2000年7月 - 2001年6月

「過冷却度制御を用いたゾーンメルト法による多結晶Si薄膜の粒界欠陥の改善」

2000年1月 - 2000年12月