2021/11/02 更新

写真a

アンドウ　ユウジ
安藤　裕二
ANDO Yuji
所属
大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学 特任教授
職名
特任教授

学位 1

  1. 博士（科学） （ 2012年3月   東京大学 ） 

学位の先頭へ▲

研究分野 1

  1. ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器

研究分野の先頭へ▲

経歴 5

  1. 京都工芸繊維大学   グリーン・イノベーションセンター   研究員

    2018年4月 - 2018年8月

    　 詳細を見る

    国名：日本国

  2. 滋賀県立大学   工学部   研究員

    2016年6月 - 2018年3月

    　 詳細を見る

    国名：日本国

  3. ルネサスシステムデザイン株式会社   化合物デバイス開発部   技師

    2014年7月 - 2016年5月

    　 詳細を見る

    国名：日本国

  4. ルネサスエレクトロニクス株式会社   化合物デバイス事業部   主任技師

    2010年4月 - 2014年6月

    　 詳細を見る

    国名：日本国

  5. 日本電気株式会社

    1985年4月 - 2010年3月

    　 詳細を見る

    国名：日本国

経歴の先頭へ▲

学歴 1

  1. 東京大学   工学部   物理工学科

    1981年4月 - 1985年3月

    　 詳細を見る

    国名： 日本国

学歴の先頭へ▲

所属学協会 2

  1. アイ・トリプル・イー

  2. 応用物理学会

所属学協会の先頭へ▲

委員歴 1

  1. 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会   企画委員  

    2010年10月 - 2013年1月   

    　 詳細を見る

    団体区分：学協会

委員歴の先頭へ▲
 

論文 8

  1. Electrical characteristics of gated-anode diodes based on normally-off GaN HEMT structures for rectenna applications 査読有り

    Takahashi Hidemasa, Ando Yuji, Tsuchiya Yoichi, Wakejima Akio, Hayashi Hiroaki, Yagyu Eiji, Kikkawa Koichi, Sakai Naoki, Itoh Kenji, Suda Jun

    ELECTRONICS LETTERS   57 巻 ( 21 ) 頁： 810 - 812   2021年10月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語  

    DOI： 10.1049/ell2.12269

    Web of Science

  2. Impact of SiN passivation film stress on electroluminescence characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors 査読有り

    Ma Qiang, Urano Shiyo, Ando Yuji, Tanaka Atsushi, Wakejima Akio

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 9 )   2021年9月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   出版者・発行元：Applied Physics Express  

    This letter reports an impact of SiN film stress on electroluminescence (EL) of AlGaN/GaN HEMTs. The EL color of HEMTs turned from high-intensity white to low-intensity red, as the SiN film stress was increased from -24.2 (compressive) to +11.5 MPa (tensile). The weak reddish EL from the HEMT with a film stress of +11.5 MPa turned bright whitish when a drain-to-source voltage (V ds) was increased. A transient I d response after biasing stress revealed that severe current collapse emerged in the HEMT with a film stress of -24.2 MPa. In addition, the current collapse in HEMTs increased with the increased V ds.

    DOI： 10.35848/1882-0786/ac1f40

    Web of Science

    Scopus

  3. Fabrication of 150-nm AlGaN/GaN field-plated High Electron Mobility Transistors using i-line stepper 査読有り

    Ando Yuji, Makisako Ryutaro, Takahashi Hidemasa, Wakejima Akio, Suda Jun

    ELECTRONICS LETTERS     2021年8月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語  

    DOI： 10.1049/ell2.12303

    Web of Science

  4. Dynamic characteristics after bias stress of GaN HEMTs with field plate on free-standing GaN substrate 査読有り

    Ma Qiang, Ando Yuji, Wakejima Akio

    ELECTRONICS LETTERS   57 巻 ( 15 ) 頁： 591 - 593   2021年7月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語  

    DOI： 10.1049/ell2.12201

    Web of Science

  5. Suppression of the regrowth interface leakage current in AlGaN/GaN HEMTs by unactivated Mg doped GaN layer 査読有り

    Liu T., Watanabe H., Nitta S., Wang J., Yu G., Ando Y., Honda Y., Amano H., Tanaka A., Koide Y.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   118 巻 ( 7 )   2021年2月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   出版者・発行元：Applied Physics Letters  

    The leakage current caused by the Si pileup at the regrowth interface of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) is significantly suppressed by the semi-insulating Mg-doped GaN layer. Mg is unintentionally doped and can be originated from the graphite susceptor of metal organic vapor phase epitaxy. Before regrowth of the AlGaN/GaN heterostructure, the GaN template is treated with hydrochloric acid (HCl) and hydrogen peroxide/potassium hydroxide (H2O2/KOH) solution to promote the adsorption of Mg on the GaN surface. The Mg-doped GaN channel layer is highly resistive due to the passivation of hydrogen. The p-n junction formed by the weakly p-type Mg-doped GaN layer and the n-type Si pileup layer depletes the excess electrons at the regrowth interface. As a result, the off-state drain leakage current of the HEMT device can be decreased by two orders of magnitude at 40 V.

    DOI： 10.1063/5.0034584

    Web of Science

    Scopus

  6. Impact of Film Stress of Field-Plate Dielectric on Electric Characteristics of GaN-HEMTs 査読有り

    Ando Yuji, Takahashi Hidemasa, Ma Qiang, Wakejima Akio, Suda Jun

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   67 巻 ( 12 ) 頁： 5421 - 5426   2020年12月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語   出版者・発行元：IEEE Transactions on Electron Devices  

    This article reports a systematic study focused on the mechanical stress effect of field-plate dielectric film on the electric characteristics of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs). AlGaN/GaN HEMTs were fabricated on SiC substrates, where the stress of a SiN field-plate dielectric film ranged from -252 (compressive) to +26.5 (tensile) MPa. Si-rich and compressive SiN films exhibited a significant increase in the isolation leakage. On the other hand, relatively N-rich and tensile SiN films showed a significant increase in the gate leakage current of HEMTs. In addition, pulsed ${I}$ - ${V}$ measurements showed the suppression in the current collapse by increasing the tensile stress. Consequently, small current collapse and small gate leakage current were obtained simultaneously with good isolation, as the film stress was optimized.

    DOI： 10.1109/TED.2020.3029540

    Web of Science

    Scopus

  7. Transient response of drain current following biasing stress in GaN HEMTs on SiC substrates with a field plate 査読有り

    Ma Qiang, Yoshida Tomoyo, Ando Yuji, Wakejima Akio

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 10 )   2020年10月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語  

    Web of Science

  8. Dependence of electric power flow on solar radiation power in compact photovoltaic system containing SiC-based inverter with spherical Si solar cells. 査読有り

    Ando Y, Oku T, Yasuda M, Ushijima K, Matsuo H, Murozono M

    Heliyon   6 巻 ( 1 ) 頁： e03094   2020年1月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語  

    DOI： 10.1016/j.heliyon.2019.e03094

    PubMed

▼全件表示

論文の先頭へ▲