Lattice-matched growth of a high-Sn-content (x~0.1) Si1-xSnx layers on Si1-yGey buffers using molecular beam epitaxy 査読有り

Kazuaki Fujimoto, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

Applied Physics Express     2023年4月

Self-organized Ge1-xSnx quantum dots formed on insulators and their room temperature photoluminescence 招待有り 査読有り

Kaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   62 巻   頁： 075506-1 - 075506-8   2023年7月

Heteroepitaxial growth of CaGe2 films on high-resistivity Si(111) substrates and its application for germanane synthesizing 査読有り

Kazuya Okada, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa

Materials Science in Semiconductor Processing   161 巻   頁： 107462   2023年3月

Layer transfer of ultrathin Ge crystals segregated on Al/Ge(111) structure 査読有り

Keigo Matsushita, Akio Ohta, Shigehisa Shibayama, Tomoharu Tokunaga, Noriyuki Taoka, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   62 巻   頁： SG1007-1 - SG1007-8   2023年2月

Crystalline and optoelectronic properties of Ge1-xSnx/high-Si-content-SiyGe1-x-ySnx double-quantum wells grown with low-temperature molecular beam epitaxy 査読有り

S. Zhang, S. Shibayama, and O. Nakatsuka

Semiconductor Science and Technology   38 巻   頁： 015018-1 - 015018-10   2022年12月

Visualization of local strain in 4H-SiC trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using synchrotron nanobeam X-ray diffraction 査読有り

Wakana Takeuchi, Eiji Kagoshima, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeru Kimura, Hidemoto Tomita, Tsuyoshi Nishiwaki, and Hirokazu Fujiwara

Japanese Journal of Applied Physics   61 巻   頁： SC1072-1 - SC1072-10   2022年3月

Interface structures and electrical properties of micro-fabricated epitaxial Hf-digermanide/n-Ge(001) contacts 査読有り

Kentaro Kasahara, Kazuki Senga, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka

IEEE Journal of the Electron Devices Society   10 巻   頁： 744 - 750   2021年12月

Low-temperature formation of Mg/n-type 4H-SiC ohmic contacts with atomically flat interface by lowering of Schottky barrier height 査読有り

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Kazutoshi Kojima, Mitsuaki Shimizu, and Osamu Nakatsuka

Applied Physics Express   15 巻   頁： 015501-1 - 015501-4   2021年12月

Photoluminescence properties of heavily Sb doped Ge1-xSnx and heterostructure design favorable for n+-Ge1-xSnx active layer 査読有り

Shiyu Zhang, Masahiro Fukuda, Jihee Jeon, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   61 巻   頁： SA1004-1 - SA1004-8   2021年12月

Lowering of the Schottky barrier height of metal/n-type 4H-SiC contacts using low-work-function metals with thin insulator insertion 査読有り

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, and Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   60 巻   頁： 075503-1 - 075503-6   2021年6月

Improved interface uniformity of epitaxial HfGe2/Ge(001) contact by microfabrication and its electron conduction property

Kentaro Kasahara, Kazuki Senga, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka

The 20th International Workshop on Junction Technology 2021 (IWJT2021)     2021年6月

Impact of Wet Annealing on Ferroelectric Phase Formation and Phase Transition of HfO2-ZrO2 System 査読有り

Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Koji Asaka, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

ACS Applied Electronic Materials   3 巻   頁： 2203 - 2211   2021年4月

Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 招待有り 査読有り 国際誌

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita

ECS Transactions   98 巻 ( 5 ) 頁： 149 - 156   2020年9月

Impact of byproducts formed on a 4H-SiC surface on interface state density of Al2O3/4H-SiC(0001) gate stacks 査読有り 国際誌

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka

Applied Physics Letters   116 巻   頁： 222104-1 - 222104-5   2020年6月

Saturation of electrically activated Sb concentration in heavily Sb-doped n+-Ge1-xSnx epitaxial layers 査読有り 国際誌

Jihee Jeon, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   59 巻   頁： SLLF02-1 - SLLF02-6   2020年4月

Ferroelectric phase formation for undoped ZrO2 thin films by wet O2 annealing 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   59 巻   頁： SMMA04-1 - SMMA04-5   2020年4月

Fermi-level pinning at metal/4H-SiC contact induced by SiCxOy interlayer 査読有り 国際誌

Kentaro Hashimoto, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   59 巻   頁： SGGD16-1 - SGGD16-6   2020年2月

Development of Germanium-Tin-Related Semiconductor Heterostructures for Energy Band Design in Electronic and Optoelectronic Applications 招待有り 査読有り 国際誌

Osamu Nakatsuka, Masahiro Fukuda, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima

ECS Transactions   92 巻 ( 4 ) 頁： 41 - 46   2019年7月

Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2 査読有り

Kazuki Senga, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka

2019 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT)     頁： 1 - 2   2019年6月

Erratum: "Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al2O3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment" 国際誌

Takuma Doi, Wakana Takeuchi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   58 巻   頁： SB9401   2019年3月

Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al2O3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment 査読有り 国際誌

Takuma Doi, Wakana Takeuchi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   58 巻   頁： SBBD05-1 - SBBD05-5   2019年2月

Nucleation-driven ferroelectric phase formation in ZrO2 thin films - What is different in ZrO2 from HfO2? 査読有り

Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Shinji Migita, Akira Toriumi

2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)     頁： 116 - 118   2018年3月

Evolution of ferroelectric HfO2 in ultrathin region down to 3 nm 査読有り 国際誌

Xuan Tian, Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

Applied Physics Letters   112 巻   頁： 102902-1 - 102902-5   2018年3月

Sub-nm EOT ferroelectric HfO2 on p+Ge with highly reliable field cycling properties 査読有り

Xuan Tian, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)     頁： 37.1.1 - 37.1.4   2017年12月

Kinetic pathway of the ferroelectric phase formation in doped HfO2 films 査読有り 国際誌

Lun Xu, Tomonori Nishimura, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

Journal of Applied Physics   122 巻   頁： 124104-1 - 124104-7   2017年9月

General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation 査読有り

Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Kazutaka Izukashi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)     頁： 25.2.1 - 25.2.4   2016年12月

Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys 査読有り 国際誌

Yuki Nagae, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Masaaki Araidai, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Kenji Shiraishi, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁： 08PE04-1 - 08PE04-4   2016年7月

Effect of GeO2 deposition temperature in atomic layer deposition on elecrical properties of Ge gate stack 査読有り 国際誌

Masayuki Kanematsu, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁： 08PC05-1 - 08PC05-5   2016年6月

Study of wake-up and fatigue properties in doped and undoped ferroelectric HfO2 in conjunction with piezo-response force microscopy analysis 査読有り

Shigehisa Shibayama, Lun Xu, Shinji Migita, Akira Toriumi

2016 IEEE Symposium on VLSI Technology     頁： 1 - 2   2016年6月

Ferroelectricity of nondoped thin HfO2 films in TiN/HfO2/TiN stacks 査読有り 国際誌

Tomonori Nishimura, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁： 08PB01-1 - 08PB01-4   2016年6月

Ferroelectric phase stabilization of HfO2 by nitrogen doping 査読有り 国際誌

Lun Xu, Tomonori Nishimura, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

Applied Physics Express   9 巻   頁： 091501-1 - 091501-4   2016年4月

Growth of ultrahigh-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height of metal/Ge contact 査読有り 国際誌

Akihiro Suzuki, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Masashi Kurosawa, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁： 04EB12-1 - 04EB12-6   2016年3月

Experimental observation of type-I energy band alignment in lattice-matched Ge1-x-ySixSny/Ge heterostructures 査読有り 国際誌

Takashi Yamaha, Shigehisa Shibayama, Takanori Asano, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Applied Physics Letters   108 巻   頁： 061909-1 - 061909-5   2016年2月

Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer 査読有り 国際誌

Akihiro Suzuki, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Masashi Kurosawa, Shigeaki Zaima

Applied Physics Letters   107 巻   頁： 212103-1 - 212103-5   2015年11月

Formation of chemically stable GeO2 on the Ge surface with pulsed metal-organic chemical vapor deposition 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Applied Physics Letters   106 巻   頁： 062107-1 - 062107-4   2015年2月

Importance of Ge surface oxidation with high oxidation rate in obtaining low interface state density at oxide/Ge interfaces 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   53 巻   頁： 08LD02-1 - 08LD02-6   2014年6月

Interface properties of Al2O3/Ge structures with thin Ge oxide interfacial layer formed by pulsed metal organic chemical vapor deposition 査読有り 国際誌

Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   53 巻   頁： 08LD03-1 - 08LD03-6   2014年6月

Impacts of AlGeO formation by post thermal oxidation of Al2O3/Ge structure on interfacial properties 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Thin Solid Films   557 巻   頁： 282 - 287   2014年4月

Stabilized formation of tetragonal ZrO2 thin film with high permittivity 査読有り 国際誌

Kimihiko Kato, Takatoshi Saito, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Thin Solid Films   557 巻   頁： 192 - 196   2014年4月

Reduction of Interface State Density Due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

ECS Transactions   58 巻 ( 9 ) 頁： 301 - 308   2013年8月

Understanding of interface structures and reaction mechanisms induced by Ge or GeO diffusion in Al2O3/Ge Structure 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Applied Physics Letters   103 巻   頁： 082114-1 - 082114-4   2013年8月

Interfacial Reaction Mechanisms in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical Process 査読有り 国際誌

Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻   頁： 04AC08-1 - 04AC08-7   2013年4月

Effects of Light Exposure during Plasma Processing on Electrical Properties of GeO2/Ge Structures 査読有り 国際誌

Kusumandari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻   頁： 01AC04-1 - 01AJ01-6   2013年1月

Improvement of Al2O3/Ge interfacial properties by O2-annealing 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3397 - 3401   2012年2月

Characterization of Damage of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation 査読有り 国際誌

Kusumandari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   51 巻   頁： 01AJ01-1 - 01AJ01-5   2012年1月

高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価

福田 雅大、坂下 満男、柴山 茂久、黒澤 昌志、中塚 理、財満 鎭明  

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第24回）   頁： 71 - 74   2019年1月

多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成

橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、中塚 理  

信学技報122 巻 ( 84 ) 頁： 5 - 8   2022年6月

酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 招待有り

柴山 茂久、土井 拓馬、坂下 満男、田岡 紀之、清水 三聡、中塚 理  

信学技報122 巻 ( 84 ) 頁： 1 - 4   2022年6月

低仕事関数金属/4H-SiC界面におけるMIGSの影響

土井拓馬、柴山茂久、坂下満男、清水三聡、中塚理  

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第26回）   頁： 75 - 78   2021年1月

HfO2-ZrO2系の強誘電相発現におけるウェット熱処理の効果

柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理  

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第26回）   頁： 15 - 18   2021年1月

低温ウェット熱処理による強誘電性のアンドープZrO2薄膜の形成

柴山 茂久、永野 丞太郎、坂下 満男、中塚 理  

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第25回）   頁： 5 - 8   2020年1月

低温プロセスによる金属/4H-SiCコンタクトのショットキー障壁高さ制御手法の検討

柴山 茂久、橋本 健太郎、土井 拓馬、中塚 理  

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第25回）   頁： 133 - 136   2020年1月

イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について

祖父江 秀隆、福田 雅大、柴山 茂久、財満 鎭明、中塚 理  

信学技報119 巻 ( 96 ) 頁： 17 - 20   2019年6月

高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge1-xSnxの超低抵抗コンタクト

Jihee Jeon, Akihiro Suzuki, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka  

信学技報119 巻 ( 96 ) 頁： 5 - 9   2019年6月

ポスト酸素ラジカル処理によるAl2O3/SiC界面のSi炭酸化物層の脱炭素化

土井 拓馬、竹内 和歌奈、坂下 満男、柴山 茂久、田岡 紀之、中塚 理、財満 鎭明  

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第24回）   頁： 213 - 215   2019年1月

エピタキシャルHfGe2/Ge(001)界面の形成によるショットキー障壁高さ制御

千賀 一輝、中塚 理、坂下 満男、柴山 茂久、財満 鎭明  

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第24回）   頁： 101 - 104   2019年1月

Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties 招待有り

Xuan Tian, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi  

応用物理シリコンテクノロジー分科会 第204回 研究集会   2018年1月

General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation 招待有り

Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Kazutaka Izukashi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi  

応用物理シリコンテクノロジー分科会 第197回 研究集会   2017年1月

圧電応答力顕微鏡を用いたYドープHfO2の強誘電性ドメインの観察

柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明  

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第22回）   頁： 17 - 20   2017年1月

圧電応答力顕微鏡を用いた強誘電性HfO2のエージング特性に関する研究 招待有り

柴山 茂久、徐 倫、右田 真司、鳥海 明  

応用物理シリコンテクノロジー分科会 第194回 研究集会「2016 VLSI特別シンポジウム」特集   2016年8月

原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性

兼松 正行、柴山 茂久、坂下 満男、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第21回）   頁： 5 - 8   2016年1月

Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

長江 祐樹、柴山 茂久、黒澤 昌志、洗平 昌晃、中塚 理、白石 賢二、財満 鎭明  

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第21回）   頁： 17 - 20   2016年1月

金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入に依る界面電気伝導特性の制御

鈴木 陽洋、柴山 茂久、坂下 満男、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

信学技報115 巻 ( 108 ) 頁： 57 - 61   2015年6月

Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果

浅野 孝典、柴山 茂久、竹内 和歌奈、坂下 満男、中塚 理、財満 鎭明  

信学技報115 巻 ( 108 ) 頁： 63 - 68   2015年6月

GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上

柴山 茂久、吉田 鉄兵、加藤 公彦、坂下 満男、田岡 紀之、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」（第20回）   頁： 185 - 188   2015年1月

Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減

鈴木 陽洋、鄧 云生、柴山 茂久、黒澤 昌志、坂下 満男、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」（第20回）   頁： 59 - 62   2015年1月

低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件

柴山 茂久、加藤 公彦、坂下 満男、竹内 和歌奈、田岡 紀之、中塚 理、財満 鎭明  

特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」（第19回）   頁： 13 - 16   2014年1月

MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl2O3/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価

吉田 鉄兵、加藤 公彦、柴山 茂久、坂下 満男、田岡 紀之、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」（第19回）   頁： 131 - 134   2014年1月

テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成

吉田 鉄兵、加藤 公彦、柴山 茂久、坂下 満男、田岡 紀之、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

信学技報113 巻 ( 87 ) 頁： 7 - 11   2013年6月

Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響

柴山 茂久、加藤 公彦、坂下 満男、竹内 和歌奈、田岡 紀之、中塚 理、財満 鎭明  

信学技報113 巻 ( 87 ) 頁： 13 - 18   2013年6月

Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明

柴山 茂久、加藤 公彦、坂下 満男、竹内 和歌奈、田岡 紀之、中塚 理、財満 鎭明  

特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」（第18回）   頁： 39 - 42   2013年1月

Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

柴山 茂久、加藤 公彦、坂下 満男、竹内 和歌奈、田岡 紀之、中塚 理、財満 鎭明  

信学技報112 巻 ( 92 ) 頁： 27 - 32   2012年6月

Al2O3/Geに対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果

柴山 茂久、加藤 公彦、坂下 満男、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」（第17回）   頁： 129 - 132   2012年1月

Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果

柴山 茂久、加藤 公彦、坂下 満男、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

信学技報111 巻 ( 114 ) 頁： 51 - 56   2011年6月

Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure

Kusuman Dari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima  

信学技報111 巻 ( 114 ) 頁： 41 - 46   2011年6月

Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge結晶相の転写

松下 圭吾、大田 晃生、柴山 茂久、田岡 紀之、牧原 克典、宮崎 誠一

2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会  2022年9月21日 

GaAs基板に形成したSbドープGe1−x−ySixSny薄膜の低温熱電物性

椙村 樹、中田 壮哉、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志

2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会  2024年3月23日 

真空中加熱によるGe(111)基板上GeH薄膜の層間距離変化

松本 一歩、洗平 昌晃、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志

2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会  2024年3月23日 

高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価

加藤 高、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志

2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会  2024年3月23日 

In-situ SbドーピングによるInP上n型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル膜の形成

柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回）  2024年2月1日 

GeSn/GeSiSn二重障壁構造における負性微分抵抗の発現

石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回）  2024年2月2日 

A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing 招待有り 国際会議

Masashi Kurosawa, Akio Ohta, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年12月14日 

Thermoelectric properties of Sb-doped Ge1-x-ySixSny ternary alloy layers lattice matched to GaAs substrates 国際会議

Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年12月15日 

Electrical activation of implanted phosphorus in GeSn epitaxial layers grown on Si(111) substrate 国際会議

Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年12月15日 

Observation of acceptor-type defect levels using low-temperature Hall effect measurement for GeSn layers fabricated by molecular beam epitaxy 国際会議

Akira Honda, N. Shimizu, Y. J. Feng, K. Yamamoto, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年12月14日 

Pイオン注入によるn型Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成

加藤 芳規、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理

第14回 半導体材料・デバイスフォーラム (SMDF2023)  2023年12月9日 

Crystal Growth Technology of GeSn-related Group-IV Heteroepitaxial Layers 招待有り 国際会議

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita

3rd Nucleation and Growth Research Conference (NGRC)  2023年11月10日 

スパッタリング法によるInP 基板上へのエピタキシャルGe0.75Sn0.25形成

壁谷 汰知、柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理

第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023)  2023年11月3日 

GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードにおける負性微分抵抗の観測

石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久

第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023)  2023年11月3日 

Al/GeSn(111)構造からの偏析を用いた極薄・高Sn組成GeSnの形成

松本 泰河、大田 晃生、横川 凌、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久

第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023)  2023年11月3日 

Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層へのPイオン注入と活性化

加藤 芳規、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理

第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023)  2023年11月3日 

Sputtering Heteroepitaxy of Ge0.75Sn0.25 Layer on InP(001) Substrate 国際会議

Taichi Kabeya, Shigehisa Shibayama, Komei Takagi, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (IWDTF2023)  2023年10月25日 

Epitaxial Growth Technique for Si1-xSnx Binary Alloy Thin Films 招待有り 国際会議

Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

244th ECS Meeting  2023年10月10日 

イオン注入法によるn型無歪Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成

加藤 芳規、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理

2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会  2023年9月22日 

Si1-xSnx薄膜で観測される巨大熱電能の電子濃度依存性

大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志

2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会  2023年9月23日 

Ge格子整合系SixGe1-x-ySny三元混晶とその転写

前田 辰郎、石井 裕之、張 文馨、張 師宇、柴山 茂久、黒澤 昌志、中塚 理

2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会  2023年9月23日 

スパッタリング法によるInP基板上のGe0.75Sn0.25エピタキシャル成長

壁谷 汰知、柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理

2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会  2023年9月23日 

Al/GeSn(111)エピタキシャル層構造からの偏析による極薄GeSn形成

松本 泰河、柴山 茂久、大田 晃生、横川 凌、黒澤 昌志、坂下 満男、中塚 理

2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会  2023年9月22日 

Seed-layer driven solid phase epitaxy of amorphous Ge1-xSnx layers on Si(001) substrates toward in-plane strain control 国際会議

Tatsuma Hiraide, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)  2023年9月7日 

Optoelectronic properties of Ge1−xSnx/high-Si-content SiyGe1−y− zSnz double quantum wells formed by low-temperature MBE growth and post deposition annealing 国際会議

Shigehisa Shibayama, Shiyu Zhang, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)  2023年9月7日 

Low-temperature thermoelectric power-factor enhancement of n-type Ge-rich Ge1-x-ySixSny layers 国際会議

Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)  2023年9月7日 

Giant thermoelectric power of n-type Si1-xSnx layers grown on FZ-Si(001) substrates 国際会議

Tatsuki Oiwa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)  2023年9月7日 

高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜の低温熱電物性評価

大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志

第7回 フォノンエンジニアリング研究会  2023年8月5日 

N-type characteristics of undoped Ge0.967Sn0.033 fabricated on bulk n-Ge 国際会議

N. Shimizu, Y. Wang, A. Honda, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang

The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023)  2023年5月22日 

The layer transfer of Ge-lattice-matched SiGeSn epitaxial films 国際会議

Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen-Hsin Chang, Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023)  2023年5月22日 

Low-temperature Thermoelectric Properties of GeSn Alloys Films 国際会議

M. Kurosawa, T. Katase, Y. Imai, M. Nakata, M. Kimura, T. Kamiya, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023)  2023年5月22日 

Heteroepitaxial Growth of High Substitutional Sn-content Ge1−xSnx Layer Lattice-matched on InP Substrate 国際会議

Osamu Nakatsuka, Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita

The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023)  2023年5月22日 

Epitaxy and heterostructure of germanium tin-related group-IV alloy semiconductors for future electronic and optoelectronic applications 招待有り 国際会議

Osamu Nakatsuka, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, and Mitsuo Sakashita

2023 International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC VS TFT 8)  2023年5月15日 

固相成長法によるSi(001)基板上の伸長歪みGe1-xSnx薄膜の形成

平出 達磨、大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志

2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会  2023年3月16日 

GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作に向けた構造設計

石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久

2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会  2023年3月17日 

高Sn組成Ge1-xSnx(111)エピタキシャル薄膜の高品質形成

森 俊輔、柴山 茂久、加藤 芳規、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理

2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会  2023年3月16日 

高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜で観測された巨大熱電能

大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志

2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会  2023年3月16日 

半絶縁性基板上Ge1-xSnx薄膜の低温熱電物性

今井 志明、中田 壮哉、木村 公俊、片瀬 貴義、神谷 利夫、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志

2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会  2023年3月16日 

Heteroepitaxy of Ge1-xSnx with a high Sn content over 25% on InP(001) toward group-IV infrared detector 国際会議

Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年1月24日 

Epitaxial Germanide/Germanium Contact: Its Impact on Schottky Barrier Height 招待有り 国際会議

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Masashi Kurosawa

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年1月23日 

N-type characteristics of undoped GeSn in the low Sn concentration region 国際会議

N. Shimizu, Y. Wang, A. Honda, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年1月23日 

Arising ferroelectric properties in ZrO2 thin film down to 4 nm 国際会議

Shota Ikeguchi, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年1月24日 

Development of accurate characterization technique of electrical properties in Ge1-xSnx-based group-IV epitaxial layers 国際会議

Taichi Mori, Shigehisa Shibayama, Kohei Nishizawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年1月24日 

Crystalline and electrical properties of Ge1-x-ySixSny epitaxial layers - Effect of Si incorporation and H2 irradiation - 国際会議

Kohei Nishizawa, Shigehisa Shibayama, Taichi Mori, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年1月24日 

EXAFSによるZrO2薄膜の強誘電性発現機構の理解

池口 祥太、永野 丞太郎、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久

11th NUSR Symposium, 名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム(2022)  2023年1月16日 

Ge1-xSnx系Ⅳ族半導体混晶エピタキシャル層の電気的欠陥密度の評価

西澤 康平、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久

第22回 日本表面真空学会中部支部学術講演会  2022年12月17日 

Research and Development of GeSn-related Group-IV Semiconductor Heterostructures for Optoelectronic Applications 招待有り 国際会議

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita

Syposium on Light emission and Photonics of Group IV semiconductor Nanostructures (LPGN)  2022年12月14日 

Synthesis of multilayer two-dimensional group-IV flakes and nanosheets 国際会議

M. Kurosawa, M. Itoh, Y. Ito, K. Okada, A. Ohta, M. Araidai, K. O. Hara, Y. Ando, S. Yamada, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)  2022年11月15日 

Impact of Strain Structure in Epitaxial HfGe2/n-Ge(001) Contact on Morphology and Schottky Barrier Height 国際会議

Osamu Nakatsuka, Kentaro Kasahara, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Masashi Kurosawa

Advanced Metallization Conference 2022  2022年10月14日 

Study on doping by ion implantation of Si1-xSnx epitaxial layers 国際会議

Tatsuki Oiwa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)  2022年9月27日 

Molecular beam epitaxy of Si1-xSnx layers with 10%-Sn content on Si1-yGey buffers 国際会議

Kazuaki Fujimoto, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)  2022年9月27日 

Formation of ferroelectric ZrO2 film in ultra-thin region by sputtering method 国際会議

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)  2022年9月27日 

高抵抗Si(111)基板上における多層シリカンナノシートの形成

伊藤 善常、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志

2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会  2022年9月21日 

熱安定性の高いGe1-xSnx量子ドットの自己形成

橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、黒澤 昌志、坂下 満男、中塚 理

2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会  2022年9月21日 

Si(111)上における直接遷移Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル層の形成

森 俊輔、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理

2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会  2022年9月21日 

InP基板上の超高Sn組成Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル層の結晶性改善

高木 孝明、柴山 茂久、黒澤 昌志、坂下 満男、中塚 理

2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会  2022年9月21日 

電子・光デバイス応用に向けたPt/GeSn接合のショットキー特性調査

清水 昇、王 一、山本 圭介、張 師宇、柴山 茂久、中塚 理、王 冬

2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会  2022年9月21日 

Molecular Beam Epitaxy of CaGe2 Layers on Si(111) Substrate 国際会議

Kazuya Okada, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces  2022年9月7日 

Sn-drivevn Self-formation of GeSn Nanodots on Insulator for Multi-layered Quantum Dots Structure 国際会議

Kaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Masashi Kurosawa, and Osamu NakatsukaKaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces  2022年9月7日 

Electrical characteristics of metal/GeSn contacts in lateral Schottky diodes 国際会議

N. Shimizu, Y. Wang, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang

The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials  2022年8月3日 

Substrate engineering for strain-controlled high-Sn-content Ge1-xSnx epitaxy 国際会議

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita

The 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2022 (APAC-Silicide 2022)  2022年8月1日 

多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成

橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、中塚 理

シリコン材料・デバイス研究会(SDM)  2022年6月21日 

酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 招待有り

柴山 茂久、土井 拓馬、坂下 満男、田岡 紀之、清水 三聡、中塚 理

シリコン材料・デバイス研究会(SDM)  2022年6月21日 

量子ドット実現に向けた超高Sn組成GeSnの自己組織化形成

橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、中塚 理

2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会  2022年3月25日 

4H-SiC(0001)トレンチMOSFETへの機械的応力による移動度変化

彦坂 直利、籠島 瑛二、柴山 茂久、坂下満男、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理、竹内 和歌奈

2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会  2022年3月24日 

Formation of Ge1-xSnx/SixGe1-x-ySny double quantum wells structure and its photoluminescence mechanism

Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka

2022年3月26日 

スパッタリング法による強誘電性ZrO2極薄膜の形成

永野 丞太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理

2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会  2022年3月24日 

極薄GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重障壁構造の形成およびその電気的特性

柴山 茂久、Galih lamadana Suwito、中塚 理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第27回）  2022年1月28日 

シンクロトロンナノビームX線回折を用いた4H-SiC(0001)トレンチMOSFETの局所歪の可視化

竹内 和歌奈、籠島 瑛二、隅谷 和嗣、今井 康彦、柴山 茂久、坂下満男、木村 滋、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理

先進パワー半導体分科会　第8回講演会  2021年12月10日 

機械的な応力が4H-SiC(0001)トレンチMOSFETの移動度に与える影響

彦坂 直利、竹内 和歌奈、籠島 瑛二、柴山 茂久、坂下満男、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理

先進パワー半導体分科会　第8回講演会  2021年12月10日 

Enhancement of the Field -effect Mobility of 4H-SiC Buried Channel n-MOSFETs by Using Al2O3 as a Gate Insulator 国際会議

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Noriyuki Taoka, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka

2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2021)  2021年11月16日 

Schottky barrier height lowering for metal/n-type 4H-SiC contacts using low work function metals 国際会議

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021)  2021年11月5日 

金属堆積後熱処理による低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBH低減

土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理

2021年第82回 応用物理学会 秋季学術講演会  2021年9月12日 

エピタキシャルHfGe2/n-Ge(001)コンタクトの微細化による界面平坦性および電気伝導特性の均一性向上

笠原 健太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理

2021年第82回 応用物理学会 秋季学術講演会  2021年9月10日 

Characterization of Local Strain in 4H-SiC Trench MOSFET by Synchrotron Nanobeam X-ray Diffraction 国際会議

Wakana Takeuchi, Eiji Kagoshima, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeru Kimura, Hidemoto Tomita, Tsuyoshi Nishiwaki, Hirokazu Fujiwara, and Osamu Nakatsuka

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)  2021年9月8日 

Improved interface uniformity of epitaxial HfGe2/Ge(001) contact by microfabrication and its electron conduction property 国際会議

Kentaro Kasahara, Kazuki Senga, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka

The 20th International Workshop on Junction Technology 2021 (IWJT2021)  2021年6月11日 

Effects of post-formation teratment on electrical properties in 4H-SiC MOS capacitors 招待有り 国際会議

Wakana Takeuchi, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

THERMEC'2021 - International Conference on Processing & Manufacturing of advanced Materials  2021年6月 

ウェット熱処理によるZrO2薄膜の強誘電相発現機構

柴山 茂久、永野 丞太郎、安坂 幸師、坂下 満男、中塚 理

2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

界面層挿入が低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBHに与える影響

土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理

2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日 

高温堆積におけるZrO2薄膜結晶相の下地依存性

永野 丞太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理

2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

Epitaxial growth of strain-relaxed and high-Sn-content n-Ge1-xSnx on Si(111) substrate with Ge buffer layer 国際会議

An Huang, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT)  2021年3月10日 

Heterostructure design favorable for n+-Ge1-xSnx pseudo-direct transition layer for optoelectronic application 国際共著 国際会議

Shiyu Zhang, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021)  2021年3月10日 

HfO2-ZrO2系の強誘電相発現におけるウェット熱処理の効果

柴山 茂久、永野 丞太郎、坂下 満男、中塚 理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回）  2021年1月22日 

低仕事関数金属/4H-SiC界面におけるMIGSの影響

土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回）  2021年1月23日 

低仕事関数金属を用いたn型4H-SiCに対する低ショットキー障壁コンタクトの実現

土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理

先進パワー半導体分科会　第7回講演会  2020年12月9日 

Understanding wet annealing effect on phase transition and ferroelectric phase formation for Hf1-xZrxO2 film 国際会議

Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, O. Nakatsuka

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)  2020年9月28日 

コンタクト抵抗率低減のための金属/Ⅳ族半導体界面制御技術 招待有り

中塚 理、柴山 茂久、坂下 満男

第84回半導体・集積回路技術シンポジウム  2020年9月16日 

Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 招待有り 国際会議

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mistuo Sakashita

Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME2020)  2020年8月 

ウェット熱処理によるZrO2薄膜の特異な強誘電相発現機構

柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 

エピタキシャル HfGe2形成による金属/n-Geコンタクト抵抗率の低減

千賀一輝、柴山茂久、中塚理

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 

界面平坦性から見た極薄金属酸化Al2O3/4H-SiC構造の有用性

土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 

低温ウェット熱処理による強誘電性のアンドープZrO2薄膜の形成

柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回） 

低温プロセスによる金属/4H-SICコンタクトのショットキー障壁高さ制御手法の検討

柴山茂久、橋本健太郎、土井拓馬、中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回） 

室温での極薄金属膜酸化法による基板酸化を抑制した良質なAl2O3/4H-SiC界面の実現

土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回） 

(Invited) heteroepitaxy and strain engineering of germanium-silicon-tin ternary alloy semiconductor thin films for energy band design

Nakatsuka O.

ECS Transactions 

ウェット酸素熱処理による強誘電性ZrO2薄膜の形成

柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理

第19回日本表面真空学会中部支部 学術講演会 

良質なAl2O3/4H-SiC MOS界面形成における4H-SiC表面構造の重要性

土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理

先進パワー半導体分科会　第6回講演会 

In-situ Sb Doping into Ge1-xSnx Epitaxial Layer toward Enhancement of Photoluminescence Intensity 国際会議

Masahiro Fukuda, Jihee Jeon, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)  2019年11月29日 

Crystal Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductor Heterostructures for Future Electronic Devices 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and S. Zaima

The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 

Ferroelectric Phase Evolution of Undoped ZrO2 Thin Films by Wet O2 Annealing Process 国際会議

Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka

2019 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2019) 

Saturation of Activated Sb Atom in Heavily Sb-Doped Ge Epitaxial Layers 国際会議

Jihee Jeon, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)  2019年11月3日 

Development of in-situ cyclic metal layer oxidation to form abrupt Al2O3/4H-SiC interface 国際会議

T. Doi, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, M. Shimizu, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

Model development of MOCVD growth for realizing high-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer ~ What physical properties are required for precursors? ~ 国際会議

Y. Miki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

Optoelectronic Property of GeSn and GeSiSn Heterostructure 国際会議

M. Fukuda, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, S. Zaima, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

金属薄膜酸化法によるAl2O3/4H-SiC(0001)界面特性の改善

土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理

第7回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2019 （JSAP SCTS 2019） 

SiCxOy界面層導入による金属/4H-SiCコンタクトのSBH制御 Control

橋本健太郎、土井拓馬、柴山茂久、中塚理

第7回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2019 （JSAP SCTS 2019） "名古屋大 （名古屋）" 

Saturation of Sb1+ Concentration in Heavily Sb-doped n+-Ge Epitaxial Layers 国際会議

J. Jeon, S. Shibayama, and O. Nakatsuka

Advanced Metallization Conference 2019 (ADMETA2019): 29th Asian Session Conference 

高濃度SbドープによるGe1-xSnxのフォトルミネッセンス発光強度の増大

福田雅大、全智禧、坂下満男、柴山茂久、黒澤昌志、中塚理

第78回 応用物理学会秋季学術講演会 

In-situ cyclic metal layer oxidation for future improving interface properties of Al2O3/4H-SiC(0001) gate stacks 国際会議

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials  2019年9月5日 

Strain Relaxation Enhancement of Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer on Ge Substrate Using Ion-Implantation Method 国際会議

H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 

Fermi level pinninng at metal/4H-SiC contact induced by SiCxOy interalyer 国際会議

Kentaro Hashimoto, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials  2019年9月4日 

GeSn and GeSiSn Heterostructures for Optoelectronic Applications 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, M. Sakashita, S. Shibayama, and S. Zaima

2019 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series (IEEE/SUM) 

Ultra-low resistance contact for n-type Ge1-xSnx with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation

J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について

祖父江秀隆、福田雅大、柴山茂久、財満鎭明、中塚理

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2 国際会議

K. Senga, S. Shibayama, M. Sakashita, S. Zaima, and O. Nakatsuka

19th International Workshop on Junction Technology 2019 

Development and challenges of group-IV semiconductors for nanoelectronic applications 招待有り 国際会議

S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Shibayama

The 11th International Conference on High Performance Ceramics (CICC-11) 

Formation of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer using Ion-implanted Ge Substrate 国際会議

H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science ISPlasma2019/IC-PLANTS2019 

Raman分光法を用いたイオン注入Ge基板の結晶損傷評価

祖父江秀隆、福田雅大、柴山茂久、中塚理、財満鎭明

2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会 

HfO2-ZrO2系薄膜の反強誘電性の発現過程について

柴山茂久、坂下満男、中塚理、財満鎭明

2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会 

Saturated concentration of activated Sb in Sb-doped Ge epitaxial thin films

J. Jeon, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

ポスト酸素ラジカル処理によるAl2O3/SiC界面のSi炭酸化物の脱炭素化

土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回） 

高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および電子特性評価

福田雅大、坂下満男、柴山茂久、黒澤昌志、中塚理、財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回） 

エピタキシャルHfGe2/Ge(001)界面の形成によるショットキー障壁高さ制御

千賀一輝、中塚理、坂下満男、柴山茂久、財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回） 

Development of germanium-tin-related semiconductor heterostructures for energy band design in electronic and optoelectronic applications

Nakatsuka O.

ECS Transactions 

Al2O3/4H-SiC界面層への酸素ラジカル照射における反応機構

土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明

第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会 

Formation of Nickel Stanogermanide/Heavily Doped n+-Ge1-xSnx Structure with Ultra-Low Contact Resistivity 国際会議

J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration" 

Study of factors to limit increasing Sn content in Ge1-xSnx for MOCVD method 国際会議

Y. Miki, W. Takeuchi, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration" 

Understanding of ferroelectric phase formation mechanism for un-doped ZrO2 招待有り 国際会議

S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration" 

Al2O3/SiCに対する酸素ラジカル処理による界面反応機構

土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明

第6回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2018 （JSAP SCTS 2018） 

インピーダンス解析による強誘電性HfO2における分極反転過程の観察

安田脩平、柴山茂久、西村知紀、矢嶋赳彬、右田真司、鳥海明

2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会 

Al2O3/SiC形成後の酸素ラジカル処理による界面特性の改善

土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明

2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会 

Effect of internal-strain caused by monoclinic phase foramtion on ferroelectric phase formation of ZrO2 国際会議

S. Shibayama, T. Nishimura, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials 

Junctionless ferroelectric FET with doped HfO2 on n+-TiO2 for three-terminal nonvolatile switch 国際会議

L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials 

High on/off ratio (>10) ferroelectric tunnel junctions (FTJs) with ultrathin Y-doped HfO2 国際会議

X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials 

Atomically flat interface formation on Ge(111) in oxidation process 国際会議

T. Nishimura, S. Takemura, X. Wang, S. Shibayama, T. Yajima, and A. Toriumi

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials 

Ferroelectric and anti-ferroelectric phase control of un-doped ZrO2 国際会議

S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi

2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference (IFAAP 2018) 

Ge酸化に伴う表面平坦性の劣化と酸化機構の変化

竹村 千里、柴山 茂久、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明

第65回応用物理学会春季学術講演会 

Improvement of Remanent Polarization and Endurance Characteristics in Thin Ferroelectric Y-doped HfO2

X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

HfxZr1-xO2が広い濃度領域で強誘電性を示す起源について

柴山 茂久、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明

第65回応用物理学会春季学術講演会 

アンドープZrO2薄膜における強誘電性の実現

柴山 茂久、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明

第65回応用物理学会春季学術講演会 

パルスレーザーアニールによるHfO2薄膜の非平衡結晶化

森 優樹、柴山 茂久、矢嶋 赳彬、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明

第65回応用物理学会春季学術講演会 

Nucleation-Driven Ferroelectric Phase Formation in ZrO2 Thin Films -What is Different in ZrO2 from HfO2 ?- 国際会議

S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi

2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2018 

Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties 招待有り

X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties 国際会議

X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2017 IEEE International Electron Devices Meeting 

Thickness-dependent ferroelectric phase evolution in doped HfO2 国際会議

L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 

Direct Evidence of 3-nm-thick Ferroelectric HfO2 国際会議

X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 

Dopant-independent maximum Pr of doped ferroelectric HfO2

L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

Ferroelectric tunnel junctions with ultrathin Y2O3-doped HfO2

X. Tian, S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi

HfO2膜の強誘電相形成における熱履歴の重要性

柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明

第64回応用物理学会春季学術講演会 

General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation 招待有り

L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

圧電応答力顕微鏡を用いたYドープHfO2の強誘電性ドメインの観察

柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第22回） 

Ferroelectric HfO2 MIS Capacitor and MISFET on Oxide Semiconductors 国際会議

L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference  

General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation 国際会議

L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2016 IEEE International Electron Devices Meeting 

Opportunity of Ferroelectric Phase Formation in Nitrogen-doped HfO2 国際会議

L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials 

Depolarization Process in Ferroelectric HfO2 Probed by Piezo-response Force Microscopy (PFM) 国際会議

S. Shibayama, L. Xu, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials 

Tunneling Electro-resistance Effect in Ultra-thin Ferroelectric HfO2 Junctions 国際会議

X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials 

Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO2 招待有り

L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO2 by piezo-response force microscopy

L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

強誘電性HfO2膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性

柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明

第77回 応用物理学会秋季学術講演会 

圧電応答力顕微鏡を用いた強誘電性HfO2のエージング特性に関する研究 招待有り

柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明

応用物理シリコンテクノロジー分科会 第194回　研究集会「2016 VLSI特別シンポジウム」特集 

Study of Wake-up and Fatigue Properties in Doped and Undoped Ferroelectric HfO2 in Conjunction with Piezo-Response Force Microscopy Analysis 国際会議

S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi

2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits 

10-nm-Scale Ferroelectric Domain Distribution in Ferroelectric HfO2 Observed by Using Piezo-Response Force Microscopy 国際会議

S. Shibayama, L. Xu, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi

7th International Symposium on control of semiconductor interfaces (ISCSI-VII)/International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016) 

多相HfO2膜における均一強誘電相の発現

柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明

2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 

ラマン分光測定及びXRDによる強誘電性YドープHfO2の構造解析

厳樫一孝, 柴山茂久, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 右田真司, 鳥海明

第63回応用物理学会 春季学術講演会 

New finding of ferroelectricity of N doped HfO2 films

L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

強誘電性HfO2膜における分極ドメインの減衰

柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明

第63回応用物理学会 春季学術講演会 

原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性

兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第21回） 

Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第21回） 

Study of local polarization in ferroelectric HfO2 films with piezo-response force microscope (PFM) 国際会議

S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectonics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration" 

Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of GexSn1-x layer 国際会議

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectonics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration" 

Control of Schottky Barrier Height at Metal/Ge Interface by SnxGe1-x Interlayer 国際会議

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15) 

Calculation of Si1-xSnx Energy Band Structures by using Density Functional Theory Considering Atomic Configuration 国際会議

Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15) 

超高Sn組成Sn1-xGexエピタキシャル層の形成および金属/Sn1-xGex/Geコンタクトの電気伝導特性の制御

鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015 (JSAP SCTS 2015) 

密度汎関数法によるSi1-xSnx価電子帯端準位の理論予測および実験的妥当性

長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015 (JSAP SCTS 2015) 

Influence of atomic layer deposition temperature of GeO2 layer on electrical properties of Ge gate stack 国際会議

M. Kanematsu, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2015) 

Evaluation of energy band structure of Si1-xSnx by density functional theory calculation and photoelectron spectroscopy 国際会議

Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2015) 

Ge基板上への超高Sn組成Ge1-xSnxエピタキシャル層の形成およびGe1-xSnx界面層が金属/Geコンタクトのショットキー障壁高さに及ぼす影響

鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明

第4回結晶工学未来塾 

Impact of ultra-high Sn content SnxGe1-x interlayer on reducing Schottky barrier height at metal/n-Ge interface 国際会議

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) 

1T-TaS2の相転移に対する温度およびゲートバイアス変調効果

柴山茂久, 方楠, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明

第76回 応用物理学会秋季学術講演会 

原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面の低温形成と電気的特性評価

兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第76回 応用物理学会秋季学術講演会 

Ge1-xSnxエピタキシャル層中における欠陥形成に対するSn組成の影響

浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第76回 応用物理学会秋季学術講演会 

Reduction of Schottky barrier height with Sn/Ge contact 国際会議

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

JSPS International Workshop Core-to-Core Program Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 

金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御

鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果

浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

Formation of Type-I Energy Band Alignment of Ge1-x-ySixSny/Ge Heterostructure 国際会議

T. Yamaha, K. Kato, S. Shibayama, T. Asano, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)  

Control of Electrically Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers 国際会議

T. Asano, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)  

Ge1-x-ySixSny/Geヘテロ構造におけるエネルギーバンド構造の解明

山羽隆, 加藤公彦, 柴山茂久, 浅野孝典, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会 春季学術講演会 

リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe 基板面方位の効果

高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会 春季学術講演会 

金属/Ge 界面への高Sn組成Ge1−xSnx層挿入によるショットキー障壁高さの低減

鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会 春季学術講演会 

Al2O3/Ge構造に対する熱酸化にともなうGe表面からのGe原子放出過程

柴山茂久, 中嶋薫, 坂下満男, 中塚理, 木村健二, 財満鎭明

第62回応用物理学会 春季学術講演会　 

Ge1−xSnxエピタキシャル層中の欠陥の電気的特性

浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会 春季学術講演会 

GGA+U法によるSi1-xSnx材料物性の精密予測

長江祐樹, 黒澤昌志, 加藤元太, 柴山茂久, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会 春季学術講演会 

GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上

柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第20回研究会） 

Sn/Ge コンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減

鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第20回研究会） 

Devolepment of metal/Ge contacts for engineering Schottky barriers 国際会議

O. Nakatsuka, Y. Deng, A. Suzuki, S. Shibayama, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 

パルス MOCVD 法を用いた Ge(001)基板上における正方晶 GeO2 膜の形成

柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 （JSAP SCTS 2014） 

Sn/Ge界面の結晶構造およびショットキー障壁高さのGe面方位依存性

鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 （JSAP SCTS 2014） 

Low Schottky barrier height contacts with Sn electrode for various orientation n-Ge substrates 国際会議

A. Suzuki, D. Yunsheng, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Advanced Metallization Conference 2014 

パルスMOCVD法により作製したGeO2薄膜を用いたゲートスタック構造の界面構造と電気的特性

柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第75回応用物理学会秋季学術講演会 

Si1-xSnx薄膜におけるバンドギャップナローウィングの初観測

黒澤昌志, 柴山茂久, 加藤元太, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第75回応用物理学会秋季学術講演会 

酸化プロセスにおける絶縁膜/Ge界面の界面準位密度を決定づける物理的要因

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第61回応用物理学会 春季学術講演会　 

MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl2O3/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第19回研究会） 

低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第19回研究会） 

Al2O3/Ge構造の後熱酸化によるAlGeO形成にともなう界面特性の改善

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会 2013 (JSAP SCTS 2013) 

Interface Properties of Al2O3/Ge MOS Structures with Thin Ge Oxide Interfacial Layer Formed by Pulsed MOCVD 国際会議

T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices-Science and Technology- (2013 IWDTF) 

Quantitative Guideline for Formation of Ge MOS Interface with Low Interface State Density 国際会議

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices-Science and Technology- (2013 IWDTF) 

Reduction of Interface State Density due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface 国際会議

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

224th The Electrochemical Society (ECS) Meeting 

界面反応機構に基づくAl2O3/Ge界面構造制御

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第74回応用物理学会秋季学術講演会 

テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

Impacts of AlGeO Formation by Post Thermal Oxidation of Al2O3/Ge Structure on Interface Properties 国際会議

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VI)  

Al2O3/Ge構造の熱酸化による界面構造変化と界面特性との相関関係

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第60回応用物理学会 春季学術講演会 

AlGeO Formation near Al2O3/Ge Interface with Post Thermal Oxidation 国際会議

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Feasibility of Ge Device Fabrication by Low Temperature Processes on ULSI Circuits 招待有り 国際会議

N. Taoka, M. Kurosawa, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Control of Al2O3/Ge Interfacial Structures by Post Oxidation Technique Using Oxygen Radical 国際会議

K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第18回研究会） 

Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第18回研究会） 

Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical 国際会議

K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012) 

Thermal Oxidation Mechanism of Ge through Al2O3 Layer Formed on Ge Substrate 国際会議

S. Shibayama, K. Kato M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

IUMRS-International Conference on Electronic Materials 

テトラエトキシゲルマニウムを用いた原子層堆積法によるGe酸化膜の形成

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会 

Effect of Light Exposure and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures 国際会議

Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012) 

Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理温度依存性およびその界面反応機構

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第59回応用物理学会関係連合講演会 

Al2O3/Geに対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第17回研究会） 

Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第11回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

Effect of Light Exposure during Plasma Process on Electrical Properties of Au/Al2O3/Ge MOS Capacitor

Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Improvement of Al2O3/Ge Interfacial Properties by O2 Annealing 国際会議

S. Shibayama, K. Kato M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)  

Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure

Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

熱処理によるAl2O3/Ge界面構造制御

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第58回応用物理学会関係連合講演会 

結晶デバイスセミナー1B

2020

結晶デバイスセミナー1A

2020

結晶デバイス工学特別実験及び演習B

2020

結晶デバイス工学特別実験及び演習A

2020

物理工学実験第3

2020

物理工学実験第2

2020

物理工学実験第1

2020

結晶デバイスセミナー2A

2020

結晶デバイスセミナー2B

2020

結晶デバイスセミナー2C

2020

結晶デバイスセミナー2D

2020

物理工学実験第3

2019

物理工学実験第2

2019

物理工学実験第1

2019

結晶デバイス工学特別実験及び演習A

2019

結晶デバイスセミナー1D

2019

結晶デバイスセミナー1C

2019

結晶デバイスセミナー1B

2019

結晶デバイスセミナー1A

2019

結晶デバイス工学特別実験及び演習B

2019

結晶デバイスセミナー2D

2019

結晶デバイスセミナー2A

2019

結晶デバイスセミナー2B

2019

結晶デバイスセミナー2C

2019