Organization
Graduate School of Engineering Materials Physics 1 Assistant Professor
Graduate School
Graduate School of Engineering
Undergraduate School
School of Engineering Physical Science and Engineering
Title
Assistant Professor
SHIBAYAMA Shigehisa
Degree 2
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Doctor, Engineering （ 2015.3 Nagoya University ）
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修士（工学） （ 2012.3 名古屋大学 ）
Research Interests 6
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Physics of surface and interface
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半導体工学
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Ⅳ族半導体
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Ferroelectric thin film
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Hetero interface
-
Interface reaction
Research Areas 3
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Nanotechnology/Materials / Thin film/surface and interfacial physical properties
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Nanotechnology/Materials / Crystal engineering
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Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electric and electronic materials
Current Research Project and SDGs 4
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Ge系Ⅳ族半導体のヘテロ接合界面を用いた新規機能性・デバイス開拓
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新奇IV族ナノシートの創出および応用
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物理的固溶限を超越した超々高Sn組成のSn系IV族混晶の創出
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金属/IV族混晶半導体接合の超低抵抗化技術の構築
Research History 4
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Nagoya University Research Group of Nano-Structured Device Engineering, Department of Materials Physics Assistant Professor
2018.6
Country：Japan
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The University of Tokyo Department of Materials Engineering Researcher
2018.4 - 2018.5
Country：Japan
-
The University of Tokyo Department of Materials Engineering Researcher
2015.4 - 2018.3
Country：Japan
-
Nagoya University Department of Crystalline Materials Science Researcher
2013.4 - 2015.3
Country：Japan
Education 3
-
Nagoya University Graduate School of Engineering Department of Crystalline Materials Science, Doctor course
2012.4 - 2015.3
Country： Japan
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Nagoya University Graduate School of Engineering Department of Crystalline Materials Science, Master course
2010.4 - 2012.3
Country： Japan
-
Nagoya University School of Engineering Physical Science and Engineering
2006.4 - 2010.3
Country： Japan
Professional Memberships 2
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The Japan Society of Applied Physics
-
IEEE Electron Device Society
Committee Memberships 2
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2019 International Conference on Solid State Devices and Materials Steering Committee
2019
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Nagoya University Student Chapter, JSAP Chairman
2013.4 - 2014.3
Awards 4
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IWDTF Young Award
2019.11 Ferroelectric Phase Evolution of Undoped ZrO#D2#DR Thin Film by Wet O#D2#DR Annealing Process
Shigehisa Shibayama
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Outstanding Presentation Award
2019.11 Saturation of Activated Sb Atom in Heavily Sb-Doped Ge Epitaxial Thin Films
Jihee Jeon, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima, and Osamu Nakatsuka
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応用物理学会支部学術講演会発表奨励賞
2014.2 応用物理学会東海支部 Al2O3/Ge構造の後熱酸化によるAlGeO形成にともなう界面特性の改善
柴山茂久
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第11回日本表面科学会中部支部研究会 講演奨励賞
2011.12 日本表面科学会中部支部 Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果
柴山茂久
Papers 50
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Ge1−xSnx layers with x~0.25 on InP(001) substrate grown by low-temperature molecular beam epitaxy reaching 70 °C and in-situ Sb doping Reviewed
Shigehisa Shibayama, Komei Takagi, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
Materials Science in Semiconductor Processing Vol. 176 page： 108302-1 - 108302-8 2024.6
-
Layer transfer of epitaxially grown Ge-lattice-matched Si27.8Ge64.2Sn8 films Reviewed
Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
Materials Science in Semiconductor Processing page： 108304-1 - 108304-7 2024.6
-
Impact of oxide/4H-SiC interface state density on field-effect mobility of counter-doped n-channel 4H-SiC MOSFETs Reviewed
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Mitsuaki Shimizu, and Osamu Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 61 page： 021007-1 - 021007-7 2022.2
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Formation of ultra-thin Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny quantum heterostructures and their electrical properties for realizing resonant tunneling diode Reviewed International coauthorship International journal
Galih Ramadana Suwito, Masahiro Fukuda, Edi Suprayoga, Masahiro Ohtsuka, Eddwi Hesky Hasdeo, Ahmad Ridwan Tresna Nugraha, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka
Applied Physics Letters Vol. 117 page： 232104-1 - 232104-5 2020.12
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Thermodynamic control of ferroelectric-phase formation in HfxZr1-xO2 and ZrO2 Reviewed International journal
Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Shinji Migita, Akira Toriumi
Journal of Applied Physics Vol. 124 page： 184101-1 - 184101-7 2018.11
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Lattice-matched growth of a high-Sn-content (x~0.1) Si1-xSnx layers on Si1-yGey buffers using molecular beam epitaxy Reviewed
Kazuaki Fujimoto, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
Applied Physics Express 2023.4
-
Self-organized Ge1-xSnx quantum dots formed on insulators and their room temperature photoluminescence Invited Reviewed
Kaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 62 page： 075506-1 - 075506-8 2023.7
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Heteroepitaxial growth of CaGe2 films on high-resistivity Si(111) substrates and its application for germanane synthesizing Reviewed
Kazuya Okada, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa
Materials Science in Semiconductor Processing Vol. 161 page： 107462 2023.3
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Layer transfer of ultrathin Ge crystals segregated on Al/Ge(111) structure Reviewed
Keigo Matsushita, Akio Ohta, Shigehisa Shibayama, Tomoharu Tokunaga, Noriyuki Taoka, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 62 page： SG1007-1 - SG1007-8 2023.2
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Crystalline and optoelectronic properties of Ge1-xSnx/high-Si-content-SiyGe1-x-ySnx double-quantum wells grown with low-temperature molecular beam epitaxy Reviewed
S. Zhang, S. Shibayama, and O. Nakatsuka
Semiconductor Science and Technology Vol. 38 page： 015018-1 - 015018-10 2022.12
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Visualization of local strain in 4H-SiC trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using synchrotron nanobeam X-ray diffraction Reviewed
Wakana Takeuchi, Eiji Kagoshima, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeru Kimura, Hidemoto Tomita, Tsuyoshi Nishiwaki, and Hirokazu Fujiwara
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 61 page： SC1072-1 - SC1072-10 2022.3
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Interface structures and electrical properties of micro-fabricated epitaxial Hf-digermanide/n-Ge(001) contacts Reviewed
Kentaro Kasahara, Kazuki Senga, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka
IEEE Journal of the Electron Devices Society Vol. 10 page： 744 - 750 2021.12
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Low-temperature formation of Mg/n-type 4H-SiC ohmic contacts with atomically flat interface by lowering of Schottky barrier height Reviewed
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Kazutoshi Kojima, Mitsuaki Shimizu, and Osamu Nakatsuka
Applied Physics Express Vol. 15 page： 015501-1 - 015501-4 2021.12
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Photoluminescence properties of heavily Sb doped Ge1-xSnx and heterostructure design favorable for n+-Ge1-xSnx active layer Reviewed
Shiyu Zhang, Masahiro Fukuda, Jihee Jeon, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 61 page： SA1004-1 - SA1004-8 2021.12
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Lowering of the Schottky barrier height of metal/n-type 4H-SiC contacts using low-work-function metals with thin insulator insertion Reviewed
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, and Osamu Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 60 page： 075503-1 - 075503-6 2021.6
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Improved interface uniformity of epitaxial HfGe2/Ge(001) contact by microfabrication and its electron conduction property
Kentaro Kasahara, Kazuki Senga, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka
The 20th International Workshop on Junction Technology 2021 (IWJT2021) 2021.6
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Impact of Wet Annealing on Ferroelectric Phase Formation and Phase Transition of HfO2-ZrO2 System Reviewed
Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Koji Asaka, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
ACS Applied Electronic Materials Vol. 3 page： 2203 - 2211 2021.4
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Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design Invited Reviewed International journal
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita
ECS Transactions Vol. 98 ( 5 ) page： 149 - 156 2020.9
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Impact of byproducts formed on a 4H-SiC surface on interface state density of Al2O3/4H-SiC(0001) gate stacks Reviewed International journal
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka
Applied Physics Letters Vol. 116 page： 222104-1 - 222104-5 2020.6
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Saturation of electrically activated Sb concentration in heavily Sb-doped n+-Ge1-xSnx epitaxial layers Reviewed International journal
Jihee Jeon, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 59 page： SLLF02-1 - SLLF02-6 2020.4
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Ferroelectric phase formation for undoped ZrO2 thin films by wet O2 annealing Reviewed International journal
Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 59 page： SMMA04-1 - SMMA04-5 2020.4
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Fermi-level pinning at metal/4H-SiC contact induced by SiCxOy interlayer Reviewed International journal
Kentaro Hashimoto, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 59 page： SGGD16-1 - SGGD16-6 2020.2
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Development of Germanium-Tin-Related Semiconductor Heterostructures for Energy Band Design in Electronic and Optoelectronic Applications Invited Reviewed International journal
Osamu Nakatsuka, Masahiro Fukuda, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima
ECS Transactions Vol. 92 ( 4 ) page： 41 - 46 2019.7
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Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2 Reviewed
Kazuki Senga, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka
2019 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT) page： 1 - 2 2019.6
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Erratum: "Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al2O3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment" International journal
Takuma Doi, Wakana Takeuchi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 58 page： SB9401 2019.3
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Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al2O3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment Reviewed International journal
Takuma Doi, Wakana Takeuchi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 58 page： SBBD05-1 - SBBD05-5 2019.2
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Nucleation-driven ferroelectric phase formation in ZrO2 thin films - What is different in ZrO2 from HfO2? Reviewed
Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Shinji Migita, Akira Toriumi
2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM) page： 116 - 118 2018.3
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Evolution of ferroelectric HfO2 in ultrathin region down to 3 nm Reviewed International journal
Xuan Tian, Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi
Applied Physics Letters Vol. 112 page： 102902-1 - 102902-5 2018.3
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Sub-nm EOT ferroelectric HfO2 on p+Ge with highly reliable field cycling properties Reviewed
Xuan Tian, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi
2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) page： 37.1.1 - 37.1.4 2017.12
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Kinetic pathway of the ferroelectric phase formation in doped HfO2 films Reviewed International journal
Lun Xu, Tomonori Nishimura, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi
Journal of Applied Physics Vol. 122 page： 124104-1 - 124104-7 2017.9
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General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation Reviewed
Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Kazutaka Izukashi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi
2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) page： 25.2.1 - 25.2.4 2016.12
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Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys Reviewed International journal
Yuki Nagae, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Masaaki Araidai, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Kenji Shiraishi, Shigeaki Zaima
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 55 page： 08PE04-1 - 08PE04-4 2016.7
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Effect of GeO2 deposition temperature in atomic layer deposition on elecrical properties of Ge gate stack Reviewed International journal
Masayuki Kanematsu, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 55 page： 08PC05-1 - 08PC05-5 2016.6
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Study of wake-up and fatigue properties in doped and undoped ferroelectric HfO2 in conjunction with piezo-response force microscopy analysis Reviewed
Shigehisa Shibayama, Lun Xu, Shinji Migita, Akira Toriumi
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology page： 1 - 2 2016.6
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Ferroelectricity of nondoped thin HfO2 films in TiN/HfO2/TiN stacks Reviewed International journal
Tomonori Nishimura, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 55 page： 08PB01-1 - 08PB01-4 2016.6
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Ferroelectric phase stabilization of HfO2 by nitrogen doping Reviewed International journal
Lun Xu, Tomonori Nishimura, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi
Applied Physics Express Vol. 9 page： 091501-1 - 091501-4 2016.4
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Growth of ultrahigh-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height of metal/Ge contact Reviewed International journal
Akihiro Suzuki, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Masashi Kurosawa, Shigeaki Zaima
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 55 page： 04EB12-1 - 04EB12-6 2016.3
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Experimental observation of type-I energy band alignment in lattice-matched Ge1-x-ySixSny/Ge heterostructures Reviewed International journal
Takashi Yamaha, Shigehisa Shibayama, Takanori Asano, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Applied Physics Letters Vol. 108 page： 061909-1 - 061909-5 2016.2
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Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer Reviewed International journal
Akihiro Suzuki, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Masashi Kurosawa, Shigeaki Zaima
Applied Physics Letters Vol. 107 page： 212103-1 - 212103-5 2015.11
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Formation of chemically stable GeO2 on the Ge surface with pulsed metal-organic chemical vapor deposition Reviewed International journal
Shigehisa Shibayama, Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Applied Physics Letters Vol. 106 page： 062107-1 - 062107-4 2015.2
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Importance of Ge surface oxidation with high oxidation rate in obtaining low interface state density at oxide/Ge interfaces Reviewed International journal
Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 53 page： 08LD02-1 - 08LD02-6 2014.6
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Interface properties of Al2O3/Ge structures with thin Ge oxide interfacial layer formed by pulsed metal organic chemical vapor deposition Reviewed International journal
Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 53 page： 08LD03-1 - 08LD03-6 2014.6
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Impacts of AlGeO formation by post thermal oxidation of Al2O3/Ge structure on interfacial properties Reviewed International journal
Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Thin Solid Films Vol. 557 page： 282 - 287 2014.4
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Stabilized formation of tetragonal ZrO2 thin film with high permittivity Reviewed International journal
Kimihiko Kato, Takatoshi Saito, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Thin Solid Films Vol. 557 page： 192 - 196 2014.4
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Reduction of Interface State Density Due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface Reviewed International journal
Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
ECS Transactions Vol. 58 ( 9 ) page： 301 - 308 2013.8
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Understanding of interface structures and reaction mechanisms induced by Ge or GeO diffusion in Al2O3/Ge Structure Reviewed International journal
Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Applied Physics Letters Vol. 103 page： 082114-1 - 082114-4 2013.8
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Interfacial Reaction Mechanisms in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical Process Reviewed International journal
Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 52 page： 04AC08-1 - 04AC08-7 2013.4
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Effects of Light Exposure during Plasma Processing on Electrical Properties of GeO2/Ge Structures Reviewed International journal
Kusumandari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 52 page： 01AC04-1 - 01AJ01-6 2013.1
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Improvement of Al2O3/Ge interfacial properties by O2-annealing Reviewed International journal
Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Thin Solid Films Vol. 520 ( 8 ) page： 3397 - 3401 2012.2
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Characterization of Damage of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation Reviewed International journal
Kusumandari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 51 page： 01AJ01-1 - 01AJ01-5 2012.1
Books 1
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Ferroelectricity in Doped Hafniunm Oxide: Materials, Properties and Devices
Akira Toriumi, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, and Shinji Migita（ Role： Joint author）
Elsevier 2019.3 （ ISBN:978-0-08-102430-0 ）
MISC 35
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GeSn/GeSiSn二重障壁構造における負性微分抵抗の発現
石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第29回） 2024.2
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In-situ SbドーピングによるInP上n型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル膜の形成
柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第29回） 2024.2
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Al/GeSn(111)構造上への熱処理による極薄・高Sn組成GeSn表面偏析
柴山 茂久、松本 泰河、大田 晃生、横川 凌、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第29回） 2024.2
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Formation of Ultra-Thin GeSiSn/GeSn/GeSiSn Double-Barrier Structures and Their Electrical Properties
page： 187 - 190 2022.1
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Realization of Superior Al2O3/4H-SiC Interface with Suppressing Substrate Oxidation by Ultrathin Metal Layer Oxidation at Room Temperature
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka,f Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka
page： 129 - 132 2020.1
-
Characterization of Energy Band Structure and Optoelectronic Property of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double Heterostructure with High Si Content
Masahiro Fukuda, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
page： 71 - 74 2019.1
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多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成
橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、中塚 理
信学技報 Vol. 122 ( 84 ) page： 5 - 8 2022.6
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酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 Invited
柴山 茂久、土井 拓馬、坂下 満男、田岡 紀之、清水 三聡、中塚 理
信学技報 Vol. 122 ( 84 ) page： 1 - 4 2022.6
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Impact of MIGS on Schottky Barrier Height of Low Work Function Metal/4H-SiC Interface
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka
page： 75 - 78 2021.1
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Effect of wet annealing on ferroelectric phase apperance for HfO2-ZrO2-solid solution system
Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka
page： 15 - 18 2021.1
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Formation of Ferroelectric Undoped ZrO2 Thin Film Using Low Temperature Wet Annealing
Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka
page： 5 - 8 2020.1
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Examination of Controlling Schottky Barrier Height of Metal/4H-SiC Contact Using Low Temperature Process
Shigehisa Shibayama, Kentaro Hashimoto, Takuma Doi, Osamu Nakatsuka
page： 133 - 136 2020.1
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Mechanism of strain relaxation enhancement by ion implantation method for group-IV semiconductor alloy thin film
Hidetaka Sofue, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka
Vol. 119 ( 96 ) page： 17 - 20 2019.6
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Ultra-low resistance contact for n-type Ge1-xSnx with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation
Jihee Jeon, Akihiro Suzuki, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka
Vol. 119 ( 96 ) page： 5 - 9 2019.6
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Decarbonization of SiCxOy interlayer at Al2O3/SiC interface by post oxygen radical treatment
Takuma Doi, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
page： 213 - 215 2019.1
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Engineering Schottky Barrier Height by Formation of Epitaxial HfGe2/Ge Interface
Kazuki Senga, Osamu Nakatsuka, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima
page： 101 - 104 2019.1
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Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties Invited
Xuan Tian, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi
2018.1
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General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation Invited
Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Kazutaka Izukashi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi
2017.1
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Observation of ferroelectric domain for Y-doped HfO2 film by piezo-response force microscopy
Shigehisa Shibayama, Lun Xu, Xuan Tian, Shinji Migita, Akira Toriumi
page： 17 - 20 2017.1
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Study of aging property in ferroelectric HfO2 in conjunction with piezo-response force microscopy (PFM) Invited
Shigehisa Shibayama, Lun Xu, Shinji Migita, Akira Toriumi
2016.8
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Formation of GeO2/Ge Interface Prepared by Using Atomic Layer Deposition and Influence of Deposition Temperature on Defects at the Interface
Masayuki Kanematsu, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
page： 5 - 8 2016.1
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Theoretical and Experimental Analysis of Energy Band Structures of Si1-xSnx Semiconductor
Yuki Nagae, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Masaaki Araidai, Osamu Nakatsuka, Kenji Shiraishi, Shigeaki Zaima
page： 17 - 20 2016.1
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Control of electrical conduction property at metal/Ge interface by introducing ultra-high Sn content SnxGe1-x/Ge interlayer
Akihiro Suzuki, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Vol. 115 ( 108 ) page： 57 - 61 2015.6
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Effect of annealing on defects in Ge1-xSnx epitaxial layers
Takanori Asano, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Vol. 115 ( 108 ) page： 63 - 68 2015.6
-
Improvement on chemical stasbility of GeO2 thin film by formation of tetragonal-phase
Shigehisa Shibayama, Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
page： 185 - 188 2015.1
-
Alleviation of Fermi Level Pinning and Reduction of Schottky Barrier Height at Sn/Ge Contact
Akihiro Suzuki, Yunsheng Deng, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
page： 59 - 62 2015.1
-
Oxidation Condition of Ge Surface for Realizing Ge MOS Interface Structure with Low Interface State Density
Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
page： 13 - 16 2014.1
-
Characterization of Electrical and Structural Properties of Al2O3/GeOx/Ge Structure Using Ultra Thin GeO2 Formed by MOCVD Method
Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
page： 131 - 134 2014.1
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Formation of Ultra Thin GeO2 Film by Tetraethoxy-Germanium
Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Vol. 113 ( 87 ) page： 7 - 11 2013.6
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Clarification of oxidation mechanisms in Al2O3/Ge structure and impact of interface reactions on interface properties
Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Vol. 113 ( 87 ) page： 13 - 18 2013.6
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Clarification of Thermal Oxidation Mechanism of Al2O3/Ge Structure
Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
page： 39 - 42 2013.1
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Clarification of Interfacial Reaction Mechanism in O2 Annealing or O radical Process for Al2O3/Ge Structure
Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Vol. 112 ( 92 ) page： 27 - 32 2012.6
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Effect of O2 Annealing on Electrical Properties and Chemical Bonding States of Al2O3/Ge Structure
Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
page： 129 - 132 2012.1
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Effect of O2 Annealing for Al2O3/Ge Structure on Interfacial Properties
Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Vol. 111 ( 114 ) page： 51 - 56 2011.6
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Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure
Kusuman Dari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
Vol. 111 ( 114 ) page： 41 - 46 2011.6
Presentations 235
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In-situ Sbドーピングによるn型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル層の形成
柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024.3.23
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GeSiSn/GeSn二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析
柴山 茂久、石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024.3.24
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Al/GeSn(111)構造上への熱処理による極薄・高Sn組成GeSn表面偏析
柴山 茂久、松本 泰河、大田 晃生、横川 凌、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回） 2024.2.1
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Experimental observation of negative differential resistance in GeSn/GeSiSn double barrier structure toward resonant tunneling diode applications International conference
Shuto Ishimoto, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7
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Challenge and new opportunity of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx heterostructures for optoelectronic and electronic applications Invited International conference
Shigehisa Shibayama, Shiyu Zhang, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.23
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Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge結晶相の転写
松下 圭吾、大田 晃生、柴山 茂久、田岡 紀之、牧原 克典、宮崎 誠一
2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022.9.21
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GaAs基板に形成したSbドープGe1−x−ySixSny薄膜の低温熱電物性
椙村 樹、中田 壮哉、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024.3.23
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真空中加熱によるGe(111)基板上GeH薄膜の層間距離変化
松本 一歩、洗平 昌晃、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024.3.23
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高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価
加藤 高、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024.3.23
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In-situ SbドーピングによるInP上n型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル膜の形成
柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回） 2024.2.1
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GeSn/GeSiSn二重障壁構造における負性微分抵抗の発現
石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回） 2024.2.2
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A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing Invited International conference
Masashi Kurosawa, Akio Ohta, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.12.14
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Observation of acceptor-type defect levels using low-temperature Hall effect measurement for GeSn layers fabricated by molecular beam epitaxy International conference
Akira Honda, N. Shimizu, Y. J. Feng, K. Yamamoto, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.12.14
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Thermoelectric properties of Sb-doped Ge1-x-ySixSny ternary alloy layers lattice matched to GaAs substrates International conference
Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.12.15
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Electrical activation of implanted phosphorus in GeSn epitaxial layers grown on Si(111) substrate International conference
Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.12.15
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Pイオン注入によるn型Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成
加藤 芳規、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
第14回 半導体材料・デバイスフォーラム (SMDF2023) 2023.12.9
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Crystal Growth Technology of GeSn-related Group-IV Heteroepitaxial Layers Invited International conference
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
3rd Nucleation and Growth Research Conference (NGRC) 2023.11.10
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スパッタリング法によるInP 基板上へのエピタキシャルGe0.75Sn0.25形成
壁谷 汰知、柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023.11.3
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Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層へのPイオン注入と活性化
加藤 芳規、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023.11.3
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Al/GeSn(111)構造からの偏析を用いた極薄・高Sn組成GeSnの形成
松本 泰河、大田 晃生、横川 凌、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023.11.3
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GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードにおける負性微分抵抗の観測
石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023.11.3
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Sputtering Heteroepitaxy of Ge0.75Sn0.25 Layer on InP(001) Substrate International conference
Taichi Kabeya, Shigehisa Shibayama, Komei Takagi, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (IWDTF2023) 2023.10.25
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Epitaxial Growth Technique for Si1-xSnx Binary Alloy Thin Films Invited International conference
Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
244th ECS Meeting 2023.10.10
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イオン注入法によるn型無歪Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成
加藤 芳規、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023.9.22
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Si1-xSnx薄膜で観測される巨大熱電能の電子濃度依存性
大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023.9.23
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Ge格子整合系SixGe1-x-ySny三元混晶とその転写
前田 辰郎、石井 裕之、張 文馨、張 師宇、柴山 茂久、黒澤 昌志、中塚 理
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023.9.23
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スパッタリング法によるInP基板上のGe0.75Sn0.25エピタキシャル成長
壁谷 汰知、柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023.9.23
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Al/GeSn(111)エピタキシャル層構造からの偏析による極薄GeSn形成
松本 泰河、柴山 茂久、大田 晃生、横川 凌、黒澤 昌志、坂下 満男、中塚 理
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023.9.22
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Seed-layer driven solid phase epitaxy of amorphous Ge1-xSnx layers on Si(001) substrates toward in-plane strain control International conference
Tatsuma Hiraide, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7
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Optoelectronic properties of Ge1−xSnx/high-Si-content SiyGe1−y− zSnz double quantum wells formed by low-temperature MBE growth and post deposition annealing International conference
Shigehisa Shibayama, Shiyu Zhang, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7
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Low-temperature thermoelectric power-factor enhancement of n-type Ge-rich Ge1-x-ySixSny layers International conference
Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7
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Giant thermoelectric power of n-type Si1-xSnx layers grown on FZ-Si(001) substrates International conference
Tatsuki Oiwa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7
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高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜の低温熱電物性評価
大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
第7回 フォノンエンジニアリング研究会 2023.8.5
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N-type characteristics of undoped Ge0.967Sn0.033 fabricated on bulk n-Ge International conference
N. Shimizu, Y. Wang, A. Honda, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang
The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023.5.22
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The layer transfer of Ge-lattice-matched SiGeSn epitaxial films International conference
Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen-Hsin Chang, Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023.5.22
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Low-temperature Thermoelectric Properties of GeSn Alloys Films International conference
M. Kurosawa, T. Katase, Y. Imai, M. Nakata, M. Kimura, T. Kamiya, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023.5.22
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Heteroepitaxial Growth of High Substitutional Sn-content Ge1−xSnx Layer Lattice-matched on InP Substrate International conference
Osamu Nakatsuka, Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023.5.22
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Epitaxy and heterostructure of germanium tin-related group-IV alloy semiconductors for future electronic and optoelectronic applications Invited International conference
Osamu Nakatsuka, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, and Mitsuo Sakashita
2023 International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC VS TFT 8) 2023.5.15
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固相成長法によるSi(001)基板上の伸長歪みGe1-xSnx薄膜の形成
平出 達磨、大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023.3.16
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GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作に向けた構造設計
石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023.3.17
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高Sn組成Ge1-xSnx(111)エピタキシャル薄膜の高品質形成
森 俊輔、柴山 茂久、加藤 芳規、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023.3.16
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高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜で観測された巨大熱電能
大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023.3.16
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半絶縁性基板上Ge1-xSnx薄膜の低温熱電物性
今井 志明、中田 壮哉、木村 公俊、片瀬 貴義、神谷 利夫、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023.3.16
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Heteroepitaxy of Ge1-xSnx with a high Sn content over 25% on InP(001) toward group-IV infrared detector International conference
Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.24
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Crystalline and electrical properties of Ge1-x-ySixSny epitaxial layers - Effect of Si incorporation and H2 irradiation - International conference
Kohei Nishizawa, Shigehisa Shibayama, Taichi Mori, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.24
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Epitaxial Germanide/Germanium Contact: Its Impact on Schottky Barrier Height Invited International conference
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Masashi Kurosawa
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.23
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N-type characteristics of undoped GeSn in the low Sn concentration region International conference
N. Shimizu, Y. Wang, A. Honda, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.23
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Arising ferroelectric properties in ZrO2 thin film down to 4 nm International conference
Shota Ikeguchi, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.24
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Development of accurate characterization technique of electrical properties in Ge1-xSnx-based group-IV epitaxial layers International conference
Taichi Mori, Shigehisa Shibayama, Kohei Nishizawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.24
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EXAFSによるZrO2薄膜の強誘電性発現機構の理解
池口 祥太、永野 丞太郎、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
11th NUSR Symposium, 名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム(2022) 2023.1.16
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Ge1-xSnx系Ⅳ族半導体混晶エピタキシャル層の電気的欠陥密度の評価
西澤 康平、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
第22回 日本表面真空学会中部支部学術講演会 2022.12.17
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Research and Development of GeSn-related Group-IV Semiconductor Heterostructures for Optoelectronic Applications Invited International conference
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
Syposium on Light emission and Photonics of Group IV semiconductor Nanostructures (LPGN) 2022.12.14
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Synthesis of multilayer two-dimensional group-IV flakes and nanosheets International conference
M. Kurosawa, M. Itoh, Y. Ito, K. Okada, A. Ohta, M. Araidai, K. O. Hara, Y. Ando, S. Yamada, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33) 2022.11.15
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Impact of Strain Structure in Epitaxial HfGe2/n-Ge(001) Contact on Morphology and Schottky Barrier Height International conference
Osamu Nakatsuka, Kentaro Kasahara, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Masashi Kurosawa
Advanced Metallization Conference 2022 2022.10.14
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Study on doping by ion implantation of Si1-xSnx epitaxial layers International conference
Tatsuki Oiwa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022) 2022.9.27
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Molecular beam epitaxy of Si1-xSnx layers with 10%-Sn content on Si1-yGey buffers International conference
Kazuaki Fujimoto, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022) 2022.9.27
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Formation of ferroelectric ZrO2 film in ultra-thin region by sputtering method International conference
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022) 2022.9.27
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高抵抗Si(111)基板上における多層シリカンナノシートの形成
伊藤 善常、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志
2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022.9.21
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熱安定性の高いGe1-xSnx量子ドットの自己形成
橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、黒澤 昌志、坂下 満男、中塚 理
2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022.9.21
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Si(111)上における直接遷移Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル層の形成
森 俊輔、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022.9.21
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InP基板上の超高Sn組成Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル層の結晶性改善
高木 孝明、柴山 茂久、黒澤 昌志、坂下 満男、中塚 理
2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022.9.21
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電子・光デバイス応用に向けたPt/GeSn接合のショットキー特性調査
清水 昇、王 一、山本 圭介、張 師宇、柴山 茂久、中塚 理、王 冬
2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022.9.21
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Molecular Beam Epitaxy of CaGe2 Layers on Si(111) Substrate International conference
Kazuya Okada, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022.9.7
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Sn-drivevn Self-formation of GeSn Nanodots on Insulator for Multi-layered Quantum Dots Structure International conference
Kaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Masashi Kurosawa, and Osamu NakatsukaKaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022.9.7
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Electrical characteristics of metal/GeSn contacts in lateral Schottky diodes International conference
N. Shimizu, Y. Wang, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang
The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials 2022.8.3
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Substrate engineering for strain-controlled high-Sn-content Ge1-xSnx epitaxy International conference
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
The 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2022 (APAC-Silicide 2022) 2022.8.1
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多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成
橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、中塚 理
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 2022.6.21
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酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 Invited
柴山 茂久、土井 拓馬、坂下 満男、田岡 紀之、清水 三聡、中塚 理
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 2022.6.21
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量子ドット実現に向けた超高Sn組成GeSnの自己組織化形成
橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、中塚 理
2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会 2022.3.25
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4H-SiC(0001)トレンチMOSFETへの機械的応力による移動度変化
彦坂 直利、籠島 瑛二、柴山 茂久、坂下満男、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理、竹内 和歌奈
2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会 2022.3.24
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Formation of Ge1-xSnx/SixGe1-x-ySny double quantum wells structure and its photoluminescence mechanism
Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka
2022.3.26
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スパッタリング法による強誘電性ZrO2極薄膜の形成
永野 丞太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理
2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会 2022.3.24
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極薄GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重障壁構造の形成およびその電気的特性
柴山 茂久、Galih lamadana Suwito、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第27回） 2022.1.28
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シンクロトロンナノビームX線回折を用いた4H-SiC(0001)トレンチMOSFETの局所歪の可視化
竹内 和歌奈、籠島 瑛二、隅谷 和嗣、今井 康彦、柴山 茂久、坂下満男、木村 滋、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理
先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021.12.10
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機械的な応力が4H-SiC(0001)トレンチMOSFETの移動度に与える影響
彦坂 直利、竹内 和歌奈、籠島 瑛二、柴山 茂久、坂下満男、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理
先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021.12.10
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Enhancement of the Field -effect Mobility of 4H-SiC Buried Channel n-MOSFETs by Using Al2O3 as a Gate Insulator International conference
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Noriyuki Taoka, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka
2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2021) 2021.11.16
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Schottky barrier height lowering for metal/n-type 4H-SiC contacts using low work function metals International conference
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 2021.11.5
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金属堆積後熱処理による低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBH低減
土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理
2021年第82回 応用物理学会 秋季学術講演会 2021.9.12
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エピタキシャルHfGe2/n-Ge(001)コンタクトの微細化による界面平坦性および電気伝導特性の均一性向上
笠原 健太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理
2021年第82回 応用物理学会 秋季学術講演会 2021.9.10
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Characterization of Local Strain in 4H-SiC Trench MOSFET by Synchrotron Nanobeam X-ray Diffraction International conference
Wakana Takeuchi, Eiji Kagoshima, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeru Kimura, Hidemoto Tomita, Tsuyoshi Nishiwaki, Hirokazu Fujiwara, and Osamu Nakatsuka
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) 2021.9.8
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Improved interface uniformity of epitaxial HfGe2/Ge(001) contact by microfabrication and its electron conduction property International conference
Kentaro Kasahara, Kazuki Senga, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka
The 20th International Workshop on Junction Technology 2021 (IWJT2021) 2021.6.11
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Effects of post-formation teratment on electrical properties in 4H-SiC MOS capacitors Invited International conference
Wakana Takeuchi, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
THERMEC'2021 - International Conference on Processing & Manufacturing of advanced Materials 2021.6
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ウェット熱処理によるZrO2薄膜の強誘電相発現機構
柴山 茂久、永野 丞太郎、安坂 幸師、坂下 満男、中塚 理
2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会 2021.3.16
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高温堆積におけるZrO2薄膜結晶相の下地依存性
永野 丞太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理
2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会 2021.3.16
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界面層挿入が低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBHに与える影響
土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理
2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会 2021.3.18
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Epitaxial growth of strain-relaxed and high-Sn-content n-Ge1-xSnx on Si(111) substrate with Ge buffer layer International conference
An Huang, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT) 2021.3.10
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Heterostructure design favorable for n+-Ge1-xSnx pseudo-direct transition layer for optoelectronic application International coauthorship International conference
Shiyu Zhang, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021) 2021.3.10
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HfO2-ZrO2系の強誘電相発現におけるウェット熱処理の効果
柴山 茂久、永野 丞太郎、坂下 満男、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回） 2021.1.22
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低仕事関数金属/4H-SiC界面におけるMIGSの影響
土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回） 2021.1.23
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低仕事関数金属を用いたn型4H-SiCに対する低ショットキー障壁コンタクトの実現
土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理
先進パワー半導体分科会 第7回講演会 2020.12.9
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Understanding wet annealing effect on phase transition and ferroelectric phase formation for Hf1-xZrxO2 film International conference
Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, O. Nakatsuka
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) 2020.9.28
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コンタクト抵抗率低減のための金属/Ⅳ族半導体界面制御技術 Invited
中塚 理、柴山 茂久、坂下 満男
第84回半導体・集積回路技術シンポジウム 2020.9.16
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Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design Invited International conference
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mistuo Sakashita
Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME2020) 2020.8
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ウェット熱処理によるZrO2薄膜の特異な強誘電相発現機構
柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
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エピタキシャル HfGe2形成による金属/n-Geコンタクト抵抗率の低減
千賀一輝、柴山茂久、中塚理
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
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界面平坦性から見た極薄金属酸化Al2O3/4H-SiC構造の有用性
土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
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低温ウェット熱処理による強誘電性のアンドープZrO2薄膜の形成
柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回）
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低温プロセスによる金属/4H-SICコンタクトのショットキー障壁高さ制御手法の検討
柴山茂久、橋本健太郎、土井拓馬、中塚理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回）
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室温での極薄金属膜酸化法による基板酸化を抑制した良質なAl2O3/4H-SiC界面の実現
土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回）
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Nakatsuka O.
ECS Transactions
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ウェット酸素熱処理による強誘電性ZrO2薄膜の形成
柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理
第19回日本表面真空学会中部支部 学術講演会
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良質なAl2O3/4H-SiC MOS界面形成における4H-SiC表面構造の重要性
土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理
先進パワー半導体分科会 第6回講演会
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In-situ Sb Doping into Ge1-xSnx Epitaxial Layer toward Enhancement of Photoluminescence Intensity International conference
Masahiro Fukuda, Jihee Jeon, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka
The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 2019.11.29
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Crystal Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductor Heterostructures for Future Electronic Devices Invited International conference
O. Nakatsuka, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and S. Zaima
The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)
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Ferroelectric Phase Evolution of Undoped ZrO2 Thin Films by Wet O2 Annealing Process International conference
Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka
2019 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2019)
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Saturation of Activated Sb Atom in Heavily Sb-Doped Ge Epitaxial Layers International conference
Jihee Jeon, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 2019.11.3
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Development of in-situ cyclic metal layer oxidation to form abrupt Al2O3/4H-SiC interface International conference
T. Doi, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, M. Shimizu, and O. Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)
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Model development of MOCVD growth for realizing high-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer ~ What physical properties are required for precursors? ~ International conference
Y. Miki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)
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Optoelectronic Property of GeSn and GeSiSn Heterostructure International conference
M. Fukuda, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, S. Zaima, and O. Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)
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金属薄膜酸化法によるAl2O3/4H-SiC(0001)界面特性の改善
土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理
第7回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2019 （JSAP SCTS 2019）
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SiCxOy界面層導入による金属/4H-SiCコンタクトのSBH制御 Control
橋本健太郎、土井拓馬、柴山茂久、中塚理
第7回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2019 （JSAP SCTS 2019） "名古屋大 （名古屋）"
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Saturation of Sb1+ Concentration in Heavily Sb-doped n+-Ge Epitaxial Layers International conference
J. Jeon, S. Shibayama, and O. Nakatsuka
Advanced Metallization Conference 2019 (ADMETA2019): 29th Asian Session Conference
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高濃度SbドープによるGe1-xSnxのフォトルミネッセンス発光強度の増大
福田雅大、全智禧、坂下満男、柴山茂久、黒澤昌志、中塚理
第78回 応用物理学会秋季学術講演会
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In-situ cyclic metal layer oxidation for future improving interface properties of Al2O3/4H-SiC(0001) gate stacks International conference
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019.9.5
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Strain Relaxation Enhancement of Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer on Ge Substrate Using Ion-Implantation Method International conference
H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Fermi level pinninng at metal/4H-SiC contact induced by SiCxOy interalyer International conference
Kentaro Hashimoto, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019.9.4
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GeSn and GeSiSn Heterostructures for Optoelectronic Applications Invited International conference
O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, M. Sakashita, S. Shibayama, and S. Zaima
2019 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series (IEEE/SUM)
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Ultra-low resistance contact for n-type Ge1-xSnx with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation
J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka
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イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について
祖父江秀隆、福田雅大、柴山茂久、財満鎭明、中塚理
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2 International conference
K. Senga, S. Shibayama, M. Sakashita, S. Zaima, and O. Nakatsuka
19th International Workshop on Junction Technology 2019
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Development and challenges of group-IV semiconductors for nanoelectronic applications Invited International conference
S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Shibayama
The 11th International Conference on High Performance Ceramics (CICC-11)
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Formation of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer using Ion-implanted Ge Substrate International conference
H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science ISPlasma2019/IC-PLANTS2019
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Raman分光法を用いたイオン注入Ge基板の結晶損傷評価
祖父江秀隆、福田雅大、柴山茂久、中塚理、財満鎭明
2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会
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HfO2-ZrO2系薄膜の反強誘電性の発現過程について
柴山茂久、坂下満男、中塚理、財満鎭明
2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会
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Saturated concentration of activated Sb in Sb-doped Ge epitaxial thin films
J. Jeon, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
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ポスト酸素ラジカル処理によるAl2O3/SiC界面のSi炭酸化物の脱炭素化
土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回）
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高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および電子特性評価
福田雅大、坂下満男、柴山茂久、黒澤昌志、中塚理、財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回）
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エピタキシャルHfGe2/Ge(001)界面の形成によるショットキー障壁高さ制御
千賀一輝、中塚理、坂下満男、柴山茂久、財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回）
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Nakatsuka O.
ECS Transactions
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Al2O3/4H-SiC界面層への酸素ラジカル照射における反応機構
土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会
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Formation of Nickel Stanogermanide/Heavily Doped n+-Ge1-xSnx Structure with Ultra-Low Contact Resistivity International conference
J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration"
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Study of factors to limit increasing Sn content in Ge1-xSnx for MOCVD method International conference
Y. Miki, W. Takeuchi, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration"
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Understanding of ferroelectric phase formation mechanism for un-doped ZrO2 Invited International conference
S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi
12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration"
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Al2O3/SiCに対する酸素ラジカル処理による界面反応機構
土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
第6回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2018 （JSAP SCTS 2018）
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インピーダンス解析による強誘電性HfO2における分極反転過程の観察
安田脩平、柴山茂久、西村知紀、矢嶋赳彬、右田真司、鳥海明
2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会
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Al2O3/SiC形成後の酸素ラジカル処理による界面特性の改善
土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会
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Effect of internal-strain caused by monoclinic phase foramtion on ferroelectric phase formation of ZrO2 International conference
S. Shibayama, T. Nishimura, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Junctionless ferroelectric FET with doped HfO2 on n+-TiO2 for three-terminal nonvolatile switch International conference
L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
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High on/off ratio (>10) ferroelectric tunnel junctions (FTJs) with ultrathin Y-doped HfO2 International conference
X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Atomically flat interface formation on Ge(111) in oxidation process International conference
T. Nishimura, S. Takemura, X. Wang, S. Shibayama, T. Yajima, and A. Toriumi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Ferroelectric and anti-ferroelectric phase control of un-doped ZrO2 International conference
S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi
2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference (IFAAP 2018)
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Ge酸化に伴う表面平坦性の劣化と酸化機構の変化
竹村 千里、柴山 茂久、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
第65回応用物理学会春季学術講演会
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Improvement of Remanent Polarization and Endurance Characteristics in Thin Ferroelectric Y-doped HfO2
X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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HfxZr1-xO2が広い濃度領域で強誘電性を示す起源について
柴山 茂久、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明
第65回応用物理学会春季学術講演会
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アンドープZrO2薄膜における強誘電性の実現
柴山 茂久、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明
第65回応用物理学会春季学術講演会
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パルスレーザーアニールによるHfO2薄膜の非平衡結晶化
森 優樹、柴山 茂久、矢嶋 赳彬、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明
第65回応用物理学会春季学術講演会
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Nucleation-Driven Ferroelectric Phase Formation in ZrO2 Thin Films -What is Different in ZrO2 from HfO2 ?- International conference
S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi
2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2018
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Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties Invited
X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties International conference
X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2017 IEEE International Electron Devices Meeting
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Thickness-dependent ferroelectric phase evolution in doped HfO2 International conference
L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Direct Evidence of 3-nm-thick Ferroelectric HfO2 International conference
X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Dopant-independent maximum Pr of doped ferroelectric HfO2
L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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Ferroelectric tunnel junctions with ultrathin Y2O3-doped HfO2
X. Tian, S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi
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HfO2膜の強誘電相形成における熱履歴の重要性
柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明
第64回応用物理学会春季学術講演会
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General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation Invited
L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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圧電応答力顕微鏡を用いたYドープHfO2の強誘電性ドメインの観察
柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第22回）
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Ferroelectric HfO2 MIS Capacitor and MISFET on Oxide Semiconductors International conference
L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
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General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation International conference
L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2016 IEEE International Electron Devices Meeting
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Opportunity of Ferroelectric Phase Formation in Nitrogen-doped HfO2 International conference
L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Depolarization Process in Ferroelectric HfO2 Probed by Piezo-response Force Microscopy (PFM) International conference
S. Shibayama, L. Xu, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi
2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
-
Tunneling Electro-resistance Effect in Ultra-thin Ferroelectric HfO2 Junctions International conference
X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO2 Invited
L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
-
Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO2 by piezo-response force microscopy
L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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強誘電性HfO2膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性
柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明
第77回 応用物理学会秋季学術講演会
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圧電応答力顕微鏡を用いた強誘電性HfO2のエージング特性に関する研究 Invited
柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明
応用物理シリコンテクノロジー分科会 第194回 研究集会「2016 VLSI特別シンポジウム」特集
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Study of Wake-up and Fatigue Properties in Doped and Undoped Ferroelectric HfO2 in Conjunction with Piezo-Response Force Microscopy Analysis International conference
S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi
2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits
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10-nm-Scale Ferroelectric Domain Distribution in Ferroelectric HfO2 Observed by Using Piezo-Response Force Microscopy International conference
S. Shibayama, L. Xu, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi
7th International Symposium on control of semiconductor interfaces (ISCSI-VII)/International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016)
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多相HfO2膜における均一強誘電相の発現
柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
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ラマン分光測定及びXRDによる強誘電性YドープHfO2の構造解析
厳樫一孝, 柴山茂久, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 右田真司, 鳥海明
第63回応用物理学会 春季学術講演会
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New finding of ferroelectricity of N doped HfO2 films
L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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強誘電性HfO2膜における分極ドメインの減衰
柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明
第63回応用物理学会 春季学術講演会
-
原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性
兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第21回）
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Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析
長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第21回）
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Study of local polarization in ferroelectric HfO2 films with piezo-response force microscope (PFM) International conference
S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectonics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration"
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Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of GexSn1-x layer International conference
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectonics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration"
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Control of Schottky Barrier Height at Metal/Ge Interface by SnxGe1-x Interlayer International conference
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
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Calculation of Si1-xSnx Energy Band Structures by using Density Functional Theory Considering Atomic Configuration International conference
Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
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超高Sn組成Sn1-xGexエピタキシャル層の形成および金属/Sn1-xGex/Geコンタクトの電気伝導特性の制御
鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015 (JSAP SCTS 2015)
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密度汎関数法によるSi1-xSnx価電子帯端準位の理論予測および実験的妥当性
長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015 (JSAP SCTS 2015)
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Influence of atomic layer deposition temperature of GeO2 layer on electrical properties of Ge gate stack International conference
M. Kanematsu, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2015)
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Evaluation of energy band structure of Si1-xSnx by density functional theory calculation and photoelectron spectroscopy International conference
Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2015)
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Ge基板上への超高Sn組成Ge1-xSnxエピタキシャル層の形成およびGe1-xSnx界面層が金属/Geコンタクトのショットキー障壁高さに及ぼす影響
鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明
第4回結晶工学未来塾
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Impact of ultra-high Sn content SnxGe1-x interlayer on reducing Schottky barrier height at metal/n-Ge interface International conference
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)
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1T-TaS2の相転移に対する温度およびゲートバイアス変調効果
柴山茂久, 方楠, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
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原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面の低温形成と電気的特性評価
兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
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Ge1-xSnxエピタキシャル層中における欠陥形成に対するSn組成の影響
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
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Reduction of Schottky barrier height with Sn/Ge contact International conference
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
JSPS International Workshop Core-to-Core Program Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
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金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Formation of Type-I Energy Band Alignment of Ge1-x-ySixSny/Ge Heterostructure International conference
T. Yamaha, K. Kato, S. Shibayama, T. Asano, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)
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Control of Electrically Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers International conference
T. Asano, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)
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Ge1-x-ySixSny/Geヘテロ構造におけるエネルギーバンド構造の解明
山羽隆, 加藤公彦, 柴山茂久, 浅野孝典, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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GGA+U法によるSi1-xSnx材料物性の精密予測
長江祐樹, 黒澤昌志, 加藤元太, 柴山茂久, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化にともなうGe表面からのGe原子放出過程
柴山茂久, 中嶋薫, 坂下満男, 中塚理, 木村健二, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe 基板面方位の効果
高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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金属/Ge 界面への高Sn組成Ge1−xSnx層挿入によるショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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Ge1−xSnxエピタキシャル層中の欠陥の電気的特性
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第20回研究会）
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Sn/Ge コンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第20回研究会）
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Devolepment of metal/Ge contacts for engineering Schottky barriers International conference
O. Nakatsuka, Y. Deng, A. Suzuki, S. Shibayama, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima
JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
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パルス MOCVD 法を用いた Ge(001)基板上における正方晶 GeO2 膜の形成
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 （JSAP SCTS 2014）
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Sn/Ge界面の結晶構造およびショットキー障壁高さのGe面方位依存性
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 （JSAP SCTS 2014）
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Low Schottky barrier height contacts with Sn electrode for various orientation n-Ge substrates International conference
A. Suzuki, D. Yunsheng, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Advanced Metallization Conference 2014
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パルスMOCVD法により作製したGeO2薄膜を用いたゲートスタック構造の界面構造と電気的特性
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第75回応用物理学会秋季学術講演会
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Si1-xSnx薄膜におけるバンドギャップナローウィングの初観測
黒澤昌志, 柴山茂久, 加藤元太, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第75回応用物理学会秋季学術講演会
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酸化プロセスにおける絶縁膜/Ge界面の界面準位密度を決定づける物理的要因
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第61回応用物理学会 春季学術講演会
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MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl2O3/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第19回研究会）
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低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第19回研究会）
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Al2O3/Ge構造の後熱酸化によるAlGeO形成にともなう界面特性の改善
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2013 (JSAP SCTS 2013)
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Interface Properties of Al2O3/Ge MOS Structures with Thin Ge Oxide Interfacial Layer Formed by Pulsed MOCVD International conference
T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices-Science and Technology- (2013 IWDTF)
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Quantitative Guideline for Formation of Ge MOS Interface with Low Interface State Density International conference
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices-Science and Technology- (2013 IWDTF)
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Reduction of Interface State Density due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface International conference
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
224th The Electrochemical Society (ECS) Meeting
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界面反応機構に基づくAl2O3/Ge界面構造制御
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第74回応用物理学会秋季学術講演会
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テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Impacts of AlGeO Formation by Post Thermal Oxidation of Al2O3/Ge Structure on Interface Properties International conference
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VI)
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Al2O3/Ge構造の熱酸化による界面構造変化と界面特性との相関関係
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第60回応用物理学会 春季学術講演会
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AlGeO Formation near Al2O3/Ge Interface with Post Thermal Oxidation International conference
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Feasibility of Ge Device Fabrication by Low Temperature Processes on ULSI Circuits Invited International conference
N. Taoka, M. Kurosawa, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Control of Al2O3/Ge Interfacial Structures by Post Oxidation Technique Using Oxygen Radical International conference
K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)
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テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第18回研究会）
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第18回研究会）
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Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical International conference
K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012)
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Thermal Oxidation Mechanism of Ge through Al2O3 Layer Formed on Ge Substrate International conference
S. Shibayama, K. Kato M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
IUMRS-International Conference on Electronic Materials
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テトラエトキシゲルマニウムを用いた原子層堆積法によるGe酸化膜の形成
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
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Effect of Light Exposure and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures International conference
Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
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Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理温度依存性およびその界面反応機構
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第59回応用物理学会関係連合講演会
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Al2O3/Geに対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第17回研究会）
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Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第11回 日本表面科学会中部支部 学術講演会
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Effect of Light Exposure during Plasma Process on Electrical Properties of Au/Al2O3/Ge MOS Capacitor
Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
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Improvement of Al2O3/Ge Interfacial Properties by O2 Annealing International conference
S. Shibayama, K. Kato M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)
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Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure
Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
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熱処理によるAl2O3/Ge界面構造制御
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第58回応用物理学会関係連合講演会
Works 1
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次世代高駆動力集積回路に向けたGeO2膜の原子層堆積手法の開発
2014
Research Project for Joint Research, Competitive Funding, etc. 4
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GeSnスピンデバイス応用に向けた基盤技術構築
2022.4 - 2023.3
集積システム材料産学連携コンソーシアム共同研究
Authorship：Principal investigator Grant type：Collaborative (industry/university)
Grant amount：\1400000 （ Direct Cost: \1077000 、 Indirect Cost：\323000 ）
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非平衡系Ⅳ族混晶半導体の光集積実現に向けた基盤技術開発
2021.6 - 2022.3
2021年度 牧誠記念研究助成
柴山 茂久
Grant type：Other
Grant amount：\1000000
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金属の低仕事関数化に着目した金属/4H-SiCコンタクトの界面構造制御指針の提案
2021.2 - 2022.3
2020年度 パワーアカデミー研究助成「萌芽研究」
柴山茂久
Authorship：Principal investigator Grant type：Other
2720000514
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界面ナノ構造制御による超低抵抗率金属/Ⅳ族半導体コンタクト形成技術
2020.6 - 2021.3
2020年度キオクシア奨励研究
中塚理、柴山茂久、坂下満男、笠原健太郎
Authorship：Collaborating Investigator(s) (not designated on Grant-in-Aid) Grant type：Collaborative (industry/university)
2720J0012c
KAKENHI (Grants-in-Aid for Scientific Research) 4
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Al-Sn共晶を媒介とした拡散・偏析法を用いたスズハニカムナノシート合成への挑戦
Grant number：23K17745 2023.4 - 2025.3
日本学術振興会 科学研究費補助金 挑戦的研究(萌芽)
柴山茂久
Authorship：Principal investigator Grant type：Competitive
Grant amount：\6500000 （ Direct Cost: \5000000 、 Indirect Cost：\1500000 ）
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二元系遷移金属酸化物の強誘電性に関する研究
2016.4 - 2019.3
科学研究費補助金 挑戦的萌芽研究
柴山茂久
Authorship：Principal investigator
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次世代超低消費電力トンネルＦＥＴの実現に向けたゲルマニウムスズの電子物性制御
2015.4 - 2018.3
科学研究費補助金
柴山茂久
Authorship：Principal investigator
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ULSIの高速化に向けた高誘電率ゲート絶縁膜/ゲルマニウム界面構造制御
2013.4 - 2015.3
科学研究費補助金
Authorship：Principal investigator
Industrial property rights 1
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MOSキャパシタ及びMOSFET
坂下満男, 財満鎭明,中塚理,竹内和歌奈,柴山茂久,田岡紀之,加藤公彦,吉田鉄兵
Teaching Experience (On-campus) 29
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Physical Science and Engineering Laboratory 1
2021
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Physical Science and Engineering Laboratory 2
2021
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Physical Science and Engineering Laboratory 3
2021
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結晶デバイスセミナー1D
2020
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結晶デバイスセミナー1B
2020
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結晶デバイスセミナー1A
2020
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結晶デバイス工学特別実験及び演習B
2020
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結晶デバイス工学特別実験及び演習A
2020
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Physical Science and Engineering Laboratory 3
2020
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Physical Science and Engineering Laboratory 2
2020
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Physical Science and Engineering Laboratory 1
2020
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結晶デバイスセミナー1C
2020
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結晶デバイスセミナー2A
2020
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結晶デバイスセミナー2B
2020
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結晶デバイスセミナー2C
2020
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結晶デバイスセミナー2D
2020
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Physical Science and Engineering Laboratory 3
2019
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Physical Science and Engineering Laboratory 2
2019
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Physical Science and Engineering Laboratory 1
2019
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結晶デバイスセミナー1D
2019
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結晶デバイスセミナー1C
2019
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結晶デバイスセミナー1B
2019
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結晶デバイスセミナー1A
2019
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結晶デバイス工学特別実験及び演習B
2019
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結晶デバイス工学特別実験及び演習A
2019
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結晶デバイスセミナー2A
2019
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結晶デバイスセミナー2B
2019
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結晶デバイスセミナー2C
2019
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結晶デバイスセミナー2D
2019
Social Contribution 4
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SSDM2023実行委員会
Role(s)：Organizing member
2022.8 - 2023.11
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SSDM2019実行委員会
Role(s)：Organizing member
2018.8 - 2019.11
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The JSAP Student Chapter Tokai Symposium
Role(s)：Advisor, Planner, Organizing member, Report writing, Contribution
JSAP SC Nagoya university 2013.11
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名古屋大学スチューデントチャプター サイエンスカフェ
Role(s)：Planner, Organizing member
応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 2013.6