2023/09/22 更新

写真a

プリストフセク マーコス
PRISTOVSEK Markus
PRISTOVSEK Markus
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 国際客員部 特任教授
大学院担当
大学院工学研究科
職名
特任教授
連絡先
メールアドレス

学位 2

  1. Habilitation ( 2011年11月   Technische Universität Berlin ) 

  2. 博士 ( 2000年11月   ベルリン工業大学 ) 

経歴 6

  1. ケンブリージ大学

    2012年10月 - 2016年12月

      詳細を見る

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)

  2. ベルリン工業大学

    2003年11月 - 2012年9月

      詳細を見る

    国名:ドイツ連邦共和国

  3. フェルディナンド・ブラウン高周波工業研究所、ベルリン

    2003年3月 - 2003年11月

      詳細を見る

    国名:ドイツ連邦共和国

  4. 国立研究開発法人物質・材料研究機構   JSPS特別研究員

    2001年10月 - 2003年1月

      詳細を見る

    国名:日本国

  5. 国立研究開発法人物質・材料研究機構

    2000年11月 - 2001年10月

      詳細を見る

    国名:日本国

  6. ベルリン工業大学

    1996年4月 - 2000年10月

      詳細を見る

    国名:ドイツ連邦共和国

▼全件表示

受賞 2

  1. Best poster presentation award for IC-MOVPE XX

    2022年7月   Comittee of the IC-MOVPE XX   Strain relaxation of AlGaN/GaN heteroepitaxy on nonpolar m-plane

    Yingying Lin, Hadi Sena, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

     詳細を見る

    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:ドイツ連邦共和国

  2. Best poster presentation award for IC-MOVPE XX

    2022年7月   Comittee of the IC-MOVPE XX   Strain relaxation of AlGaN/GaN heteroepitaxy on nonpolar m-plane

    Yingying Lin, Hadi Sena, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

     詳細を見る

    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:ドイツ連邦共和国

 

論文 149

  1. Impact of graphene state on the orientation of III–nitride 査読有り 国際共著

    Jeong-Hwan Park, Nan Hu, Mun-Do Park, Jia Wang, Xu Yang, Dong-Seon Lee, Hiroshi Amano, Markus Pristovsek

    Applied Physics Letters   123 巻 ( 12 ) 頁: 121601   2023年9月

     詳細を見る

    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0157588

  2. Growth of N-Polar (0001(-)) GaN in Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy on Sapphire 招待有り 査読有り 国際共著

    Pristovsek Markus, Furuhashi Itsuki, Pampili Pietro

      13 巻 ( 7 ) 頁: 1072   2023年7月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/cryst13071072

    Web of Science

  3. Stress relaxation of AlGaN on nonpolar m-plane GaN substrate 査読有り 国際共著

    Lin Yingying, Sena Hadi, Frentrup Martin, Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   133 巻 ( 22 ) 頁: 225702   2023年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0149838

    Web of Science

  4. Dislocation Suppresses Sidewall-Surface Recombination of Micro-LEDs 査読有り 国際共著 国際誌

    Park Jeong-Hwan, Pristovsek Markus, Cai Wentao, Cheong Heajeong, Kang Chang-Mo, Lee Dong-Seon, Seong Tae-Yeon, Amano Hiroshi

    LASER & PHOTONICS REVIEWS     2023年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/lpor.202300199

    Web of Science

  5. Impact of Sidewall Conditions on Internal Quantum Efficiency and Light Extraction Efficiency of Micro-LEDs 国際共著

    Park Jeong-Hwan, Pristovsek Markus, Cai Wentao, Cheong Heajeong, Tanaka Atsushi, Furusawa Yuta, Han Dong-Pyo, Seong Tae-Yeon, Amano Hiroshi

    ADVANCED OPTICAL MATERIALS   11 巻 ( 10 ) 頁: 2370029   2023年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adom.202203128

    Web of Science

  6. 2D-GaN/AlN Multiple Quantum Disks/Quantum Well Heterostructures for High-Power Electron-Beam Pumped UVC Emitters 国際共著

    Jmerik Valentin, Nechaev Dmitrii, Semenov Alexey, Evropeitsev Eugenii, Shubina Tatiana, Toropov Alexey, Yagovkina Maria, Alekseev Prokhor, Borodin Bogdan, Orekhova Kseniya, Kozlovsky Vladimir, Zverev Mikhail, Gamov Nikita, Wang Tao, Wang Xinqiang, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi, Ivanov Sergey

    NANOMATERIALS   13 巻 ( 6 ) 頁: 1077   2023年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/nano13061077

    Web of Science

  7. Red emission from InGaN active layer grown on nanoscale InGaN pseudosubstrates 査読有り

    Wentao Cai, Jia Wang, Jeong-Hwan Park, Yuta Furusawa, Heajeong Cheong, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano

    Japanese Journal of Applied Physics   62 巻 ( 2 ) 頁: 020902   2023年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/acb74c

  8. Direct Determination of the Internal Quantum Efficiency of Light-Emitting Diodes 査読有り

    Pristovsek Markus

    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   17 巻 ( 1 ) 頁: 2200331   2023年1月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者, 最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssr.202200331

    Web of Science

  9. Wurtzite Al1-xGaxPyN1-y barrier layer growth for high electron mobility transistors 査読有り

    Pristovsek Markus

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   600 巻   頁: 126908   2022年12月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者, 最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.126908

    Web of Science

  10. High In content nitride sub-micrometer platelet arrays for long wavelength optical applications

    Cai Wentao, Furusawa Yuta, Wang Jia, Park Jeong-Hwan, Liao Yaqiang, Cheong Hea-Jeong, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 21 )   2022年11月

     詳細を見る

  11. Understanding indium incorporation of InGaN grown on polar, semi-polar, and non-polar orientation by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り 国際共著

    Hu Nan, Avit Geoffrey, Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 8 ) 頁: 082106   2022年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0088908

    Web of Science

  12. Interplay of sidewall damage and light extraction efficiency of micro-LEDs

    Park Jeong-Hwan, Pristovsek Markus, Cai Wentao, Cheong Heajeong, Kumabe Takeru, Lee Dong-Seon, Seong Tae-Yeon, Amano Hiroshi

    OPTICS LETTERS   47 巻 ( 9 ) 頁: 2250 - 2253   2022年5月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1364/OL.456993

    Web of Science

  13. Defect characterization of {10(1)over-bar3) GaN by electron microscopy 査読有り 国際共著 国際誌

    Kusch Gunnar, Frentrup Martin, Hu Nan, Amano Hiroshi, Oliver Rachel A., Pristovsek Markus

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   131 巻 ( 1 )   2022年1月

     詳細を見る

    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0077084

    Web of Science

  14. X-ray characterisation of the basal stacking fault densities of (1122) GaN

    Pristovsek Markus, Frentrup Martin, Zhu Tongtong, Kusch Gunnar, Humphreys Colin J.

    CRYSTENGCOMM   23 巻 ( 35 ) 頁: 6059 - 6069   2021年9月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1039/d1ce00627d

    Web of Science

  15. The Effect of Interface Diffusion on Raman Spectra of Wurtzite Short-Period GaN/AlN Superlattices

    Davydov Valery, Roginskii Evgenii M., Kitaev Yuri, Smirnov Alexander, Eliseyev Ilya, Zavarin Eugene, Lundin Wsevolod, Nechaev Dmitrii, Jmerik Valentin, Smirnov Mikhail, Pristovsek Markus, Shubina Tatiana

    NANOMATERIALS   11 巻 ( 9 )   2021年9月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    DOI: 10.3390/nano11092396

    Web of Science

  16. The stability of graphene and boron nitride for III-nitride epitaxy and post-growth exfoliation

    Park Jeong-Hwan, Yang Xu, Lee Jun-Yeob, Park Mun-Do, Bae Si-Young, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi, Lee Dong-Seon

    CHEMICAL SCIENCE   12 巻 ( 22 ) 頁: 7713 - 7719   2021年6月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1039/d1sc01642c

    Web of Science

  17. A debut for AlPN 招待有り

    Markus Pristovsek

    compound semiconductor   27 巻 ( 3 ) 頁: 40 - 43   2021年5月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者, 最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  18. Strain-induced yellow to blue emission tailoring of axial InGaN/GaN quantum wells in GaN nanorods synthesized by nanoimprint lithography

    Avit Geoffrey, Robin Yoann, Liao Yaqiang, Nan Hu, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    SCIENTIFIC REPORTS   11 巻 ( 1 )   2021年3月

  19. Wurtzite AlPyN1-y: a new III-V compound semiconductor lattice-matched to GaN (0001)

    Pristovsek Markus, van Dinh Duc, Liu Ting, Ikarashi Nobuyuki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 11 )   2020年11月

  20. Limitation of simple np-n tunnel junction based LEDs grown by metal-organic vapor phase epitaxy

    Robin Y., Bournet Q., Avit G., Pristovsek M., Andre Y., Trassoudaine A., Amano H.

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   35 巻 ( 11 )   2020年11月

  21. Epitaxial Combination of Two-Dimensional Hexagonal Boron Nitride with Single-Crystalline Diamond Substrate

    Yang Xu, Pristovsek Markus, Nitta Shugo, Liu Yuhuai, Honda Yoshio, Koide Yasuo, Kawarada Hiroshi, Amano Hiroshi

    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   12 巻 ( 41 ) 頁: 46466 - 46475   2020年10月

  22. Increasing the Luminescence Efficiency of Long-Wavelength (In,Ga)N Quantum Well Structures by Electric Field Engineering Using an (Al,Ga)N Capping Layer

    Vichi Stefano, Robin Yoann, Sanguinetti Stefano, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    PHYSICAL REVIEW APPLIED   14 巻 ( 2 )   2020年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevApplied.14.024018

    Web of Science

  23. Pulsed-flow growth of polar, semipolar and nonpolar AlGaN

    Dinh Duc V, Hu Nan, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C   8 巻 ( 25 ) 頁: 8668 - 8675   2020年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d0tc01369b

    Web of Science

  24. Indium incorporation and optical properties of polar, semipolar and nonpolar InAlN

    Dinh Duc V, Hu Nan, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   35 巻 ( 3 )   2020年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/ab63f1

    Web of Science

  25. Analysis of trimethylgallium decomposition by high-resolution mass spectrometry

    Ye Zheng, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 2 )   2020年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6fb0

    Web of Science

  26. Scalable synthesis of multilayer h-BN on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy: nucleation and growth mechanism

    Yang Xu, Nitta Shugo, Pristovsek Markus, Liu Yuhuai, Liao Yaqiang, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    2D MATERIALS   7 巻 ( 1 )   2020年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/2053-1583/ab46e6

    Web of Science

  27. Untwinned semipolar (10(1)over-bar3) AlxGa1-xN layers grown on m-plane sapphire

    Dinh Duc V., Hu Nan, Amano Hiroshi, Honda Yoshio, Pristovsek Markus

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   34 巻 ( 12 )   2019年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/ab4d2c

    Web of Science

  28. Aluminium incorporation in polar, semi- and non-polar AlGaN layers: a comparative study of x-ray diffraction and optical properties

    Duc V Dinh, Hu Nan, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    SCIENTIFIC REPORTS   9 巻   2019年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-019-52067-y

    Web of Science

  29. Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III - Nitride epitaxial growth

    Ye Zheng, Nitta Shugo, Nagamatsu Kentaro, Fujimoto Naoki, Kushimoto Maki, Deki Manato, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   516 巻   頁: 63 - 66   2019年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.03.025

    Web of Science

  30. Controlling the orientations of directional sputtered non- and semi-polar GaN/AlN layers

    Nan Hu, Dinh Duc V., Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab1252

    Web of Science

  31. Monolithic integration of tricolor micro-LEDs and color mixing investigation by analog and digital dimming

    Robin Yoann, Hemeret Francois, D'Inca Gillian, Pristovsek Markus, Trassoudaine Agnes, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab06ae

    Web of Science

  32. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation (vol 508, pg 58, 2019)

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Sitar Zlatko, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   514 巻   頁: 13 - 13   2019年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.058

    Web of Science

  33. Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE

    Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Kono Tsukasa, Cheong Heajeong, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   512 巻   頁: 78 - 83   2019年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.013

    Web of Science

  34. Nonpolar m-plane AlxGa1-xN layers grown on m-plane sapphire by MOVPE

    Duc V Dinh, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   512 巻   頁: 100 - 104   2019年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.020

    Web of Science

  35. Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Usami Shigeyoshi, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   509 巻   頁: 50 - 53   2019年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.007

    Web of Science

  36. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   508 巻   頁: 58 - 65   2019年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.028

    Web of Science

  37. How to obtain metal-polar untwinned high-quality (10-13) GaN on m-plane sapphire

    Hu Nan, Dinh Duc V., Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   507 巻   頁: 205 - 208   2019年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.11.013

    Web of Science

  38. MOVPE growth and high-temperature annealing of (10(1)over-bar0) AlN layers on (10(1)over-bar0) sapphire

    Dinh Duc V., Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   502 巻   頁: 14 - 18   2018年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.001

    Web of Science

  39. What is red? On the chromaticity of orange-red InGaN/GaN based LEDs

    Robin Y., Pristovsek M., Amano H., Oehler F., Oliver R. A., Humphreys C. J.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   124 巻 ( 18 )   2018年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5047240

    Web of Science

  40. Simultaneous Growth of Various InGaN/GaN Core-Shell Microstructures for Color Tunable Device Applications

    Robin Yoann, Liao Yaqiang, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 21 )   2018年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201800361

    Web of Science

  41. Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy

    Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Ye Zheng, Barry Ousmane, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 10 )   2018年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.105501

    Web of Science

    Scopus

  42. High-temperature thermal annealing of nonpolar (10(1)over-bar0) AlN layers sputtered on (1 0(1)over-bar0) sapphire

    Dinh Duc V, Hu Nan, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   498 巻   頁: 377 - 380   2018年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.07.015

    Web of Science

  43. Reduction of Residual Impurities in Homoepitaxial m-Plane (10(1)over-bar0) GaN by Using N-2 Carrier Gas in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Barry Ousmane I., Lekhal Kaddour, Bae Si-Young, Lee Ho-Jun, Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   12 巻 ( 8 )   2018年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssr.201800124

    Web of Science

  44. Insight into the performance of multi-color InGaN/GaN nanorod light emitting diodes

    Robin Y., Bae S. Y., Shubina T. V., Pristovsek M., Evropeitsev E. A., Kirilenko D. A., Davydov V. Yu., Smirnov A. N., Toropov A. A., Jmerik V. N., Kushimoto M., Nitta S., Ivanov S. V., Amano H.

    SCIENTIFIC REPORTS   8 巻 ( 1 )   2018年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-018-25473-x

    Web of Science

    Scopus

  45. Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Yang Xu, Nitta Shugo, Pristovsek Markus, Liu Yuhuai, Nagamatsu Kentaro, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 5 )   2018年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.051002

    Web of Science

    Scopus

  46. Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Yang Xu, Nitta Shugo, Nagamatsu Kentaro, Bae Si-Young, Lee Ho-Jun, Liu Yuhuai, Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   482 巻   頁: 1 - 8   2018年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.10.036

    Web of Science

  47. Structural and optical properties of Gd implanted GaN with various crystallographic orientations 査読有り

    A. Mackova, P. Malinsky, A. Jagerova, Z. Sofer, K. Klimova, D. Sedmidubsky, M. Pristovsek, M. Mikulics, J. Lorincik, R. Boettger, S. Akhmadaliev

    THIN SOLID FILMS   638 巻   頁: 63 - 72   2017年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE SA  

    Structure, morphology, and optical properties of Gd implanted GaN epitaxial layers were studied for (0001), (11-20), and (11-22) orientations. The GaN layers grown by MOVPE on sapphire were subsequently implanted with 200 keV Gd+ ions using fluences of 5 x 10(15) and 5 x 10(16) cm(-2). Dopant depth profiling was accomplished by Rutherford Back-Scattering spectrometry (RBS). Structural and optical changes during subsequent annealing were characterized by RBS, Raman spectroscopy, and photoluminescence measurements. Post-implantation annealing induced a structural reorganization of GaN structure in the buried layer depending on the introduced disorder level, i.e. depending on the implantation fluence and on crystallographic orientation. The defect density depth distribution was evaluated by RBS. The surface morphology and optical properties depend on particular crystallographic orientation. (C) 2017 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.tsf.2017.07.036

    Web of Science

  48. Surface reconstructions of (0001) AlN during metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Pristovsek Markus, Bellman Konrad, Mehnke Frank, Stellmach Joachim, Wernicke Tim, Kneissl Michael

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   254 巻 ( 8 )   2017年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201600711

    Web of Science

  49. Effects of Wavelength and Defect Density on the Efficiency of (In, Ga) N-Based Light-Emitting Diodes 査読有り

    Pristovsek Markus, Bao An, Oliver Rachel A., Badcock Tom, Ali Muhammad, Shields Andrew

    PHYSICAL REVIEW APPLIED   7 巻 ( 6 )   2017年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevApplied.7.064007

    Web of Science

  50. Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics

    Ogura M., Ando Y., Usami S., Nagamatsu K., Kushimoto M., Deki M., Tanaka A., Nitta S., Honda Y., Pristovsek M., Kawai H., Yagi S., Amano H.

    2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     2017年

     詳細を見る

  51. Radiative recombination mechanisms in polar and non-polar InGaN/GaN quantum well LED structures 査読有り

    Badcock T. J., Ali M., Zhu T., Pristovsek M., Oliver R. A., Shields A. J.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   109 巻 ( 15 )   2016年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4964842

    Web of Science

  52. Determination of axial and lateral exciton diffusion length in GaN by electron energy dependent cathodoluminescence 査読有り

    Hocker Matthias, Maier Pascal, Jerg Lisa, Tischer Ingo, Neusser Gregor, Kranz Christine, Pristovsek Markus, Humphreys Colin J., Leute Robert A. R., Heinz Dominik, Rettig Oliver, Scholz Ferdinand, Thonke Klaus

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   120 巻 ( 8 )   2016年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4961417

    Web of Science

  53. Deoxidation of (001) III-V semiconductors in metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Kaspari Christian, Pristovsek Markus, Richter Wolfgang

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   120 巻 ( 8 )   2016年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4961414

    Web of Science

  54. Structural and optical properties of (11(2)over-bar2) InGaN quantum wells compared to (0001) and (11(2)over-bar0) 査読有り

    Pristovsek Markus, Han Yisong, Zhu Tongtong, Oehler Fabrice, Tang Fengzai, Oliver Rachel A., Humphreys Colin J., Tytko Darius, Choi Pyuck-Pa, Raabe Dierk, Brunner Frank, Weyers Markus

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   31 巻 ( 8 )   2016年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0268-1242/31/8/085007

    Web of Science

  55. The impact of the surface on step-bunching and diffusion of Ga on GaAs (001) in metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Pristovsek Markus, Poser Florian, Richter Wolfgang

    MATERIALS RESEARCH EXPRESS   3 巻 ( 7 )   2016年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/2053-1591/3/7/075902

    Web of Science

  56. Toward defect-free semi-polar GaN templates on pre-structured sapphire 査読有り

    Han Yisong, Caliebe Marian, Hage Fredrik, Ramasse Quentin, Pristovsek Markus, Zhu Tongtong, Scholz Ferdinand, Humphreys Colin

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   253 巻 ( 5 ) 頁: 834-839   2016年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201552636

    Web of Science

  57. Comparative study of (0001) and (11(2)over-bar2) InGaN based light emitting diodes 査読有り

    Pristovsek Markus, Humphreys Colin J., Bauer Sebastian, Knab Manuel, Thonke Klaus, Kozlowski Grzegorz, O'Mahony Donagh, Maaskant Pleun, Corbett Brian

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FJ10

    Web of Science

  58. MOVPE growth and indium incorporation of polar, semipolar (11(2)over-bar2) and (20(2)over-bar21) InGaN 査読有り

    Dinh Duc V., Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   253 巻 ( 1 ) 頁: 93-98   2016年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201552274

    Web of Science

  59. Optimizing GaN (11(2)over-bar2) hetero-epitaxial templates grown on (10(1)over-bar0) sapphire 査読有り

    Pristovsek Markus, Frentrup Martin, Han Yisong, Humphreys Colin J.

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   253 巻 ( 1 ) 頁: 61-66   2016年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201552263

    Web of Science

  60. Breakdown of the Green Gap in (0001) InGaN LEDs 査読有り

    Pristovsek Markus, Oliver Rachel A., Badcock Tom, Ali Muhammad, Shields Andrew

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)     頁: .   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  61. Development of semipolar (11-22) LEDs on GaN templates 査読有り

    Corbett B., Quan Z., Dinh D. V., Kozlowski G., O'Mahony D., Akhter M., Schulz S., Parbrook P., Maaskant P., Caliebe M., Hocker M., Thonke K., Scholz F., Pristovsek M., Han Y., Humphreys C. J., Brunner F., Weyers M., Meyer T. M., Lymperakis L.

    LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XX   9768 巻   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1117/12.2204758

    Web of Science

  62. Effect of heterostructure design on carrier injection and emission characteristics of 295 nm light emitting diodes 査読有り

    Mehnke Frank, Kuhn Christian, Stellmach Joachim, Kolbe Tim, Lobo-Ploch Neysha, Rass Jens, Rothe Mark-Antonius, Reich Christoph, Ledentsov Nikolay Jr., Pristovsek Markus, Wernicke Tim, Kneissl Michael

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   117 巻 ( 19 )   2015年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4921439

    Web of Science

  63. Low defect large area semi-polar (11(2)over-bar2) GaN grown on patterned (113) silicon 査読有り

    Pristovsek Markus, Han Yisong, Zhu Tongtong, Frentrup Martin, Kappers Menno J., Humphreys Colin J., Kozlowski Grzegorz, Maaskant Pleun, Corbett Brian

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   252 巻 ( 5 ) 頁: 1104-1108   2015年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201451591

    Web of Science

  64. Origin of faceted surface hillocks on semi-polar (11(2)over-bar2) GaN templates grown on pre-structured sapphire 査読有り

    Han Yisong, Caliebe Marian, Kappers Menno, Scholz Ferdinand, Pristovsek Markus, Humphreys Colin

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   415 巻   頁: 170-175   2015年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.12.040

    Web of Science

  65. Surface and crystal structure of nitridated sapphire substrates and their effect on polar InN layers 査読有り

    Skuridina D., Dinh D. V., Pristovsek M., Lacroix B., Chauvat M. -P., Ruterana P., Kneissl M., Vogt P.

    APPLIED SURFACE SCIENCE   307 巻   頁: 461-467   2014年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2014.04.057

    Web of Science

  66. Polarity determination of polar and semipolar (11(2)over-bar2) InN and GaN layers by valence band photoemission spectroscopy 査読有り

    Skuridina D., Dinh D. V., Lacroix B., Ruterana P., Hoffmann M., Sitar Z., Pristovsek M., Kneissl M., Vogt P.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   114 巻 ( 17 )   2013年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4828487

    Web of Science

  67. Role of nitridation on polarity and growth of InN by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Dinh Duc V., Skuridina D., Solopow S., Pristovsek M., Vogt P., Kneissl M.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   376 巻   頁: 17-22   2013年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.04.034

    Web of Science

  68. Nucleation and Coalescence of Indium Rich InGaN Layers on Nitridated Sapphire in Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Dinh Duc V., Solopow Sergej, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JD03

    Web of Science

  69. Surface Transitions During InGaN Growth on GaN(0001) in Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Pristovsek Markus, Kadir Abdul, Kneissl Michael

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JB23

    Web of Science

  70. Wavelength limits for InGaN quantum wells on GaN 査読有り

    Pristovsek Markus

    APPLIED PHYSICS LETTERS   102 巻 ( 24 )   2013年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4811560

    Web of Science

  71. Growth mode transition and relaxation of thin InGaN layers on GaN (0001) 査読有り

    Pristovsek Markus, Kadir Abdul, Meissner Christian, Schwaner Tilman, Leyer Martin, Stellmach Joachim, Kneissl Michael, Ivaldi Francesco, Kret Slawomir

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   372 巻   頁: 65-72   2013年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.03.012

    Web of Science

  72. Energetics of Quantum Dot Formation and Relaxation of InGaAs on GaAs(001) 査読有り

    Pristovsek Markus, Kremzow Raimund, Kneissl Michael

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 4 )   2013年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.041201

    Web of Science

  73. Structural and optical properties of semipolar (11(2)over-bar2) AlGaN grown on (10(1)over-bar0) sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Stellmach J., Mehnke F., Frentrup M., Reich C., Schlegel J., Pristovsek M., Wernicke T., Kneissl M.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   367 巻   頁: 42-47   2013年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.01.006

    Web of Science

  74. Interface and Surface Dielectric Anisotropies of GaP/Si(100) 査読有り

    Supplie O., Hannappel T., Pristovsek M., Doescher H.

    2012 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)     頁: 137-+   2013年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  75. Influence of group III and group V partial pressures on the size and density of InGaN quantum dots in MOVPE 査読有り

    Kadir Abdul, Bellmann Konrad, Simoneit Tino, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   209 巻 ( 12 ) 頁: 2487-2491   2012年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201228238

    Web of Science

  76. Indium incorporation efficiency and critical layer thickness of (20(2)over-bar1) InGaN layers on GaN 査読有り

    Ploch Simon, Wernicke Tim, Frentrup Martin, Pristovsek Markus, Weyers Markus, Kneissl Michael

    APPLIED PHYSICS LETTERS   101 巻 ( 20 )   2012年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4767336

    Web of Science

  77. Topography of (20(2)over-bar1) AlGaN, GaN and InGaN layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Ploch Simon, Wernicke Tim, Thalmair Johannes, Lohr Matthias, Pristovsek Markus, Zweck Josef, Weyers Markus, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   356 巻   頁: 70-74   2012年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.07.016

    Web of Science

  78. MOVPE growth of semipolar (11(2)over-bar2) AIN on m-plane (10(1)over-bar0) sapphire 査読有り

    Stellmach J., Frentrup M., Mehnke F., Pristovsek M., Wernicke T., Kneissl M.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   355 巻 ( 1 ) 頁: 59-62   2012年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.06.047

    Web of Science

  79. In situ access to the dielectric anisotropy of buried III-V/Si(100) heterointerfaces 査読有り

    Supplie Oliver, Hannappel Thomas, Pristovsek Markus, Doescher Henning

    PHYSICAL REVIEW B   86 巻 ( 3 )   2012年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.86.035308

    Web of Science

  80. Growth and characterizations of semipolar (11(2)over-bar2) InN 査読有り

    Dinh Duc V., Skuridina D., Solopow S., Frentrup M., Pristovsek M., Vogt P., Kneissl M., Ivaldi F., Kret S., Szczepanska A.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   112 巻 ( 1 )   2012年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4733997

    Web of Science

  81. Surface diffusion and layer morphology of (11(2)over-bar2) GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Ploch Simon, Wernicke Tim, Dinh Duc V., Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   111 巻 ( 3 )   2012年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3682513

    Web of Science

  82. Comparison study of N- and In-polar {0001} InN layers grown by MOVPE 査読有り

    Dinh Duc V., Pristovsek M., Solopow S., Skuridina D., Kneissl M.

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4   9 巻 ( 3-4 ) 頁: 977-981   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201100093

    Web of Science

  83. Growth mechanism of InGaN quantum dots during metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Kadir Abdul, Meissner Christian, Schwaner Tilman, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   334 巻 ( 1 ) 頁: 40-45   2011年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.08.003

    Web of Science

  84. Surface transition induced island formation on thin strained InGaN layers on GaN (0001) in metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Pristovsek Markus, Kadir Abdul, Meissner Christian, Schwaner Tilman, Leyer Martin, Kneissl Michael

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   110 巻 ( 7 )   2011年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3647782

    Web of Science

  85. Single phase {11(2)over-bar2} GaN on (10(1)over-bar0) sapphire grown by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Ploch Simon, Park Jae Bum, Stellmach Joachim, Schwaner Tilman, Frentrup Martin, Niermann Tore, Wernicke Tim, Pristovsek Markus, Lehmann Michael, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   331 巻 ( 1 ) 頁: 25-28   2011年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.06.057

    Web of Science

  86. Influence of a GaN Cap Layer on the Morphology and the Physical Properties of Embedded Self-Organized InN Quantum Dots on GaN(0001) Grown by Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy 査読有り

    Ivaldi Francesco, Meissner Christian, Domagala Jaroslaw, Kret Slawomir, Pristovsek Markus, Hoegele Michael, Kneissl Michael

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 3 )   2011年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.031004

    Web of Science

  87. Crystal orientation of GaN layers on (10(1)over-bar0) m-plane sapphire 査読有り

    Frentrup Martin, Ploch Simon, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   248 巻 ( 3 ) 頁: 583-587   2011年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201046489

    Web of Science

  88. High aluminium content and high growth rates of AlGaN in a close-coupled showerhead MOVPE reactor 査読有り

    Stellmach J., Pristovsek M., Savas Oe, Schlegel J., Yakovlev E. V., Kneissl M.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   315 巻 ( 1 ) 頁: 229-232   2011年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.06.036

    Web of Science

  89. Determination of the complex linear electro-optic coefficient of GaAs and InP 査読有り

    Pristovsek Markus

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   247 巻 ( 8 ) 頁: 1974-1978   2010年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.200983950

    Web of Science

  90. Orientation control of GaN {1 1 (2)over-bar 2} and {1 0 (1)over-bar (3)over-bar} grown on (1 0 (1)over-bar 0) sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Ploch Simon, Frentrup Martin, Wernicke Tim, Pristovsek Markus, Weyers Markus, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   312 巻 ( 15 ) 頁: 2171-2174   2010年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.04.043

    Web of Science

  91. Metalorganic vapor phase epitaxy of InN on GaN using tertiary-butylhydrazine as nitrogen source 査読有り

    Kremzow Raimund, Pristovsek Markus, Stellmach Joachim, Savas Oezguer, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   312 巻 ( 12-13 ) 頁: 1983-1985   2010年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.03.019

    Web of Science

  92. Growth of semipolar (10(1)over-bar(3)over-bar) InN on m-plane sapphire using MOVPE 査読有り

    Dinh Duc V., Pristovsek M., Kremzow R., Kneissl M.

    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   4 巻 ( 5-6 ) 頁: 127-129   2010年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssr.201004043

    Web of Science

  93. Shape of indium nitride quantum dots and nanostructures grown by metal organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Ploch Simon, Meissner Christian, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2   6 巻   頁: S574-S577   2009年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.200880938

    Web of Science

  94. Growth mode of InGaN on GaN (0001) in MOVPE 査読有り

    Pristovsek M., Stellmach J., Leyer M., Kneissl M.

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2   6 巻   頁: S565-S569   2009年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.200880915

    Web of Science

  95. Volmer-Weber growth mode of InN quantum dots on GaN by MOVPE 査読有り

    Meissner Christian, Ploch Simon, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2   6 巻   頁: S545-S548   2009年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.200880872

    Web of Science

  96. Growth and characterization of manganese-doped InAsP 査読有り

    Pristovsek M., Meissner Ch., Kneissl M., Jakomin R., Vantaggio S., Tarricone L.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   310 巻 ( 23 ) 頁: 5028-5031   2008年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.08.020

    Web of Science

  97. Ripening of InAs quantum dots on GaAs (001) investigated with in situ scanning tunneling microscopy in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Kremzow Raimund, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   310 巻 ( 23 ) 頁: 4751-4753   2008年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.047

    Web of Science

  98. The critical thickness of InGaN on (0001)GaN 査読有り

    Leyer M., Stellmach J., Meissner Ch., Pristovsek M., Kneissl M.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   310 巻 ( 23 ) 頁: 4913-4915   2008年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.08.021

    Web of Science

  99. Indium nitride quantum dot growth modes in metalorganic vapour phase epitaxy 査読有り

    Meissner Christian, Ploch Simon, Leyer Martin, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   310 巻 ( 23 ) 頁: 4959-4962   2008年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.066

    Web of Science

  100. Properties of InMnP (001) grown by MOVPE 査読有り

    Pristovsek M., Philippou A., Raehmer B., Richter W.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   310 巻 ( 18 ) 頁: 4046-4049   2008年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.06.069

    Web of Science

  101. In-Situ Monitoring for Nano-Structure Growth in MOVPE 査読有り

    Pristovsek Markus, Richter Wolfgang

    SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES     頁: 67-86   2008年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  102. Segregation and desorption of antimony in InP (001) in MOVPE 査読有り

    Weeke S., Leyer M., Pristovsek M., Brunner F., Weyers M., Richter W.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   298 巻   頁: 159-162   2007年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.213

    Web of Science

  103. In situ scanning tunnelling microscopy during metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Pristovsek M., Raehmer B., Breusig M., Kremzow R., Richter W.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   298 巻   頁: 8-11   2007年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.061

    Web of Science

  104. Homoepitaxial growth rate measurement using in situ reflectance anisotropy spectroscopy 査読有り

    Kaspari Christian, Pristovsek Markus, Richter Wolfgang

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   298 巻   頁: 46-49   2007年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.039

    Web of Science

  105. In situ scanning tunneling microscopy during metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Raehmer Bert, Pristovsek Markus, Breusing Markus, Kremzow Raimund, Richter Wolfgang

    APPLIED PHYSICS LETTERS   89 巻 ( 6 )   2006年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2335580

    Web of Science

  106. InN growth on sapphire using different nitridation procedures 査読有り

    Drago M, Werner C, Pristovsek M, Pohl UW, Pichter W

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   203 巻 ( 7 ) 頁: 1622-1625   2006年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.200565414

    Web of Science

  107. Development of InN metalorganic vapor phase epitaxy using in-situ spectroscopic ellipsometry 査読有り

    Drago M, Werner C, Pristovsek M, Pohl UW, Richter W

    CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY   40 巻 ( 10-11 ) 頁: 993-996   2005年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/crat.200410474

    Web of Science

  108. A fast reflectance anisotropy spectrometer for in situ growth monitoring 査読有り

    Kaspari C, Pristovsek M, Richter W

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   242 巻 ( 13 ) 頁: 2561-2569   2005年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.200541143

    Web of Science

  109. Growth of strained GaAsSb layers on GaAs(001) by MOVPE 査読有り

    Pristovsek M, Zorn M, Zeimer U, Weyers M

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   276 巻 ( 3-4 ) 頁: 347-353   2005年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.420

    Web of Science

  110. InN growth and annealing investigations using in-situ spectroscopic ellipsometry 査読有り

    Drago M, Schmidtling T, Werner C, Pristovsek M, Pohl UW, Richter W

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   272 巻 ( 1-4 ) 頁: 87-93   2004年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.040

    Web of Science

  111. Nitrogen-arsenic exchange process and investigation of the nitrided GaAs surfaces in MOVPE 査読有り

    Hoffmann V, Poser F, Kaspari C, Weeke S, Pristovsek M, Richter W

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   272 巻 ( 1-4 ) 頁: 30-36   2004年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.10.029

    Web of Science

  112. Structural analysis by reflectance anisotropy spectroscopy: As and Sb on GaAs(110) 査読有り

    Pulci O, Fleischer K, Pristovsek M, Tsukamoto S, Del Sole R, Richter W

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   16 巻 ( 39 ) 頁: S4367-S4374   2004年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1081/0953-8984/16/39/011

    Web of Science

  113. In situ study of low-temperature growth and Mn, Si, Sn doping of GaAs (001) in molecular beam epitaxy 査読有り

    Pristovsek M, Tsukamoto S

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   265 巻 ( 3-4 ) 頁: 425-433   2004年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.02.101

    Web of Science

  114. In situ study of GaAs growth mechanisms using tri-methyl gallium and tri-ethyl gallium precursors in metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Pristovsek M, Zorn M, Weyers M

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   262 巻 ( 1-4 ) 頁: 78-83   2004年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.10.044

    Web of Science

  115. Lateral short range ordering of step bunches in InGaAs/GaAs superlattices 査読有り

    Hanke M, Schmidbauer M, Kohler R, Kirmse H, Pristovsek M

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   95 巻 ( 4 ) 頁: 1736-1739   2004年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1640786

    Web of Science

  116. Gallium-rich reconstructions on GaAs(001) 査読有り

    Pristovsek M, Tsukamoto S, Ohtake A, Koguchi N, Orr BG, Schmidt WG, Bernholc J

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   240 巻 ( 1 ) 頁: 91-98   2003年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  117. In situ scanning tunneling microscopy of InAs quantum dots on GaAs(001) during molecular beam epitaxial growth 査読有り

    Bell GR, Pristovsek M, Tsukamoto S, Orr BG, Arakawa Y, Koguchi N

    SURFACE SCIENCE   544 巻 ( 2-3 ) 頁: 234-240   2003年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2003.08.021

    Web of Science

  118. Structure of Ga-stabilized GaAs(001) surfaces at high temperatures 査読有り

    Ohtake A, Tsukamoto S, Pristovsek M, Koguchi N

    APPLIED SURFACE SCIENCE   212 巻   頁: 146-150   2003年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0169-4332(03)00039-4

    Web of Science

  119. Ga-rich GaAs(001) surfaces observed by STM during high-temperature annealing in MBE 査読有り

    Tsukamoto S, Pristovsek M, Ohtake A, Orr BG, Bell GR, Ohno T, Koguchi N

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   251 巻 ( 1-4 ) 頁: 46-50   2003年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  120. Influence of the reconstruction of GaAs (001) on the electro-optical bulk properties 査読有り

    Pristovsek M, Tsukamoto S, Han B, Zettler JT, Richter W

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   248 巻   頁: 254-258   2003年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  121. Novel organopalladium material formed on a sulfur-terminated GaAs(001) surface 査読有り

    Arisawa M, Tsukamoto S, Shimoda M, Pristovsek M, Nishida A

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   41 巻 ( 11A ) 頁: L1197-L1199   2002年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.41.L1197

    Web of Science

  122. Structure analysis of the Ga-stabilized GaAs(001)-c(8x2) surface at high temperatures 査読有り

    Ohtake A, Tsukamoto S, Pristovsek M, Koguchi N, Ozeki M

    PHYSICAL REVIEW B   65 巻 ( 23 )   2002年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.65.233311

    Web of Science

  123. Real-time calibration of wafer temperature, growth rate and composition by optical in-situ techniques during AlxGa1-xAs growth in MOVPE 査読有り

    Haberland K, Kaluza A, Zorn M, Pristovsek M, Hardtdegen H, Weyers M, Zettler JT, Richter W

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   240 巻 ( 1-2 ) 頁: 87-97   2002年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  124. In-situ determination of the carrier concentration of (001) GaAs by Reflectance Anisotropy Spectroscopy 査読有り

    Pristovsek M, Tsukamoto S, Koguchi N, Han B, Haberland K, Zettler JT, Richter W, Zorn M, Weyers M

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH   188 巻 ( 4 ) 頁: 1423-1429   2001年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  125. In situ investigation of GaAs (001) intrinsic carbon p-doping in metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Pristovsek M, Han B, Zettler JT, Richter W

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   221 巻   頁: 149-155   2000年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  126. Surface structure of ordered InGaP(001): The (2x4) reconstruction 査読有り

    Vogt P, Ludge K, Zorn M, Pristovsek M, Braun W, Richter W, Esser N

    PHYSICAL REVIEW B   62 巻 ( 19 ) 頁: 12601-12604   2000年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  127. Diffusion of Ga on the GaAs (113) surface in the [1(1)over-bar-0] direction during MOVPE growth 査読有り

    Pristovsek M, Menhal H, Zettler JT, Richter W

    APPLIED SURFACE SCIENCE   166 巻 ( 1-4 ) 頁: 433-436   2000年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  128. Dynamic study of the surfaces of (001) gallium arsenide in metal-organic vapor-phase epitaxy during arsenic desorption 査読有り

    Pristovsek M, Trepk T, Klein M, Zettler JT, Richter W

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   87 巻 ( 3 ) 頁: 1245-1250   2000年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  129. Atomic structure and composition of the (2X4) reconstruction of InGaP(001) 査読有り

    Vogt P, Ludge K, Zorn M, Pristovsek M, Braun W, Richter W, Esser N

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   18 巻 ( 4 ) 頁: 2210-2214   2000年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  130. (2x4) GaP(001) surface: Atomic structure and optical anisotropy 査読有り

    Frisch AM, Schmidt WG, Bernholc J, Pristovsek M, Esser N, Richter W

    PHYSICAL REVIEW B   60 巻 ( 4 ) 頁: 2488-2494   1999年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  131. GaP(001) and InP(001): Reflectance anisotropy and surface geometry 査読有り

    Esser N, Schmidt WG, Bernholc J, Frisch AM, Vogt P, Zorn M, Pristovsek M, Richter W, Bechstedt F, Hannappel T, Visbeck S

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   17 巻 ( 4 ) 頁: 1691-1696   1999年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  132. Comparative study of the GaAs (113), (115), (001), ((1)over-bar(1)over-bar(5)over-bar), ((1)over-bar(1)over-bar(3)over-bar), and (110) surfaces by atomic force microscopy, low energy electron diffraction, and reflectance anisotropy spectroscopy 査読有り

    Pristovsek M, Menhal H, Schmidtling T, Esser N, Richter W

    MICROELECTRONICS JOURNAL   30 巻 ( 4-5 ) 頁: 449-453   1999年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  133. Photoluminescence scanning near-field optical microscopy on III-V quantum dots 査読有り

    Pahlke D, Poser F, Steimetz E, Pristovsek M, Esser N, Richter W

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH   170 巻 ( 2 ) 頁: 401-410   1998年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  134. Real-time monitoring of MOVPE device growth by reflectance anisotropy spectroscopy and related optical techniques 査読有り

    Zettler JT, Haberland K, Zorn M, Pristovsek M, Richter W, Kurpas P, Weyers M

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   195 巻 ( 1-4 ) 頁: 151-162   1998年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  135. Reconstructions of the GaAs (1 1 3) surface 査読有り

    Pristovsek M, Menhal H, Wehnert T, Zettler JT, Schmidtling T, Esser N, Richter W, Setzer C, Platen J, Jacobi K

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   195 巻 ( 1-4 ) 頁: 1-5   1998年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  136. In situ characterization of GaAs growth in nitrogen atmosphere during MOVPE: a comparison to hydrogen atmosphere 査読有り

    Hardtdegen H, Pristovsek M, Menhal H, Zettler JT, Richter W, Schmitz D

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   195 巻 ( 1-4 ) 頁: 211-216   1998年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  137. Atomic structure of InP(001)-(2x4): A dimer reconstruction 査読有り

    Schmidt WG, Bechstedt F, Esser N, Pristovsek M, Schultz C, Richter W

    PHYSICAL REVIEW B   57 巻 ( 23 ) 頁: 14596-14599   1998年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  138. Response of the surface dielectric function to dynamic surface modifications: application of reflectance anisotropy spectroscopy and spectroscopic ellipsometry 査読有り

    Zettler JT, Pristovsek M, Trepk T, Shkrebtii A, Steimetz E, Zorn M, Richter W

    THIN SOLID FILMS   313 巻   頁: 537-543   1998年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  139. Ellipsometric and reflectance-anisotropy measurements on rotating samples 査読有り

    Haberland K, Hunderi O, Pristovsek M, Zettler JT, Richter W

    THIN SOLID FILMS   313 巻   頁: 620-624   1998年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  140. Structure of InP (001) surfaces prepared by decapping and by ion bombardment and annealing 査読有り

    Pahlke D, Kinsky J, Schultz C, Pristovsek M, Zorn M, Esser N, Richter W

    PHYSICAL REVIEW B   56 巻 ( 4 ) 頁: R1661-R1663   1997年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  141. Optical anisotropies of InP(001) surfaces 査読有り

    Goletti C, Esser N, ReschEsser U, Wagner V, Foeller J, Pristovsek M, Richter W

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   81 巻 ( 8 ) 頁: 3611-3615   1997年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  142. In situ surface passivation of III-V semiconductors in MOVPE by amorphous As and P layers 査読有り

    Knorr K, Pristovsek M, ReschEsser U, Esser N, Zorn M, Richter W

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   170 巻 ( 1-4 ) 頁: 230-236   1997年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  143. Scanning-tunneling-microscopy study of InP(001) surfaces prepared by UHV decapping of metal-organic vapor-phase-epitaxy-grown samples 査読有り

    Esser N, ReschEsser U, Pristovsek M, Richter W

    PHYSICAL REVIEW B   53 巻 ( 20 ) 頁: 13257-13259   1996年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  144. Real time diagnostics of semiconductor surface modifications by reflectance anisotropy spectroscopy 査読有り

    Zettler JT, Richter W, Ploska K, Zorn M, Rumberg J, Meyne C, Pristovsek M

    SEMICONDUCTOR CHARACTERIZATION     頁: 537-543   1996年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  145. Growth oscillations with monolayer periodicity monitored by ellipsometry during metalorganic vapor phase epitaxy of GaAs(001) 査読有り

    Zettler JT, Wethkamp T, Zorn M, Pristovsek M, Meyne C, Ploska K, Richter W

    APPLIED PHYSICS LETTERS   67 巻 ( 25 ) 頁: 3783-3785   1995年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  146. Reflectance anisotropy oscillations during MOCVD and MBE growth of GaAs (001) 査読有り

    Zettler JT, Rumberg J, Ploska K, Stahrenberg K, Pristovsek M, Richter W, Wassermeier M, Schutzendube P, Behrend J, Daweritz L

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH   152 巻 ( 1 ) 頁: 35-47   1995年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  147. Metalorganic vapour phase epitaxial growth on vicinal GaAs (001) surfaces studied by reflectance anisotropy spectroscopy 査読有り

    Ploska K, Pristovsek M, Richter W, Jonsson J, Kamiya I, Zettler JT

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH   152 巻 ( 1 ) 頁: 49-59   1995年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  148. SURFACE PROCESSES BEFORE AND DURING GROWTH OF GAAS(001) 査読有り

    PLOSKA K, ZETTLER JT, RICHTER W, JONSSON J, REINHARDT F, RUMBERG J, PRISTOVSEK M, ZORN M, WESTWOOD D, WILLIAMS RH

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   145 巻 ( 1-4 ) 頁: 44-52   1994年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  149. EFFICIENCY OF ARSENIC AND PHOSPHORUS PRECURSORS INVESTIGATED BY REFLECTANCE ANISOTROPY SPECTROSCOPY 査読有り

    KURPAS P, JONSSON J, RICHTER W, GUTSCHE D, PRISTOVSEK M, ZORN M

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   145 巻 ( 1-4 ) 頁: 36-43   1994年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

▼全件表示

講演・口頭発表等 18

  1. Growth of AlPyN1-y on GaN by Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy 招待有り 国際会議

    Markus Pristovsek, Xu Yang

    International Conference on Crystal Growth and Epitaxy  2023年8月3日  Scientific Communication srl

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年7月 - 2323年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:イタリア共和国  

  2. Wurtzite AlPyN1-y: A new member of the III-Nitride Family 招待有り 国際会議

    Markus Pristovsek

    semiconNano 2021 (virtual)  University di Milano Bicocca, Italy

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年8月 - 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:virtual   国名:イタリア共和国  

  3. AlPN on GaN: Extending the III-Nitride Semiconductor Family 招待有り 国際会議

    Markus Pristovsek

    Angeltech Virtual Live 2021  2021年4月12日  Angel Business Communications Limited

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:virtual   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  4. Where have all the carriers gone? The last barrier bound state model of LEDs 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    Seminar Friday at Osram Semiconductors 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Osram Semiconductors, Regensburg, Germany   国名:ドイツ連邦共和国  

  5. Can semipolar LEDs realise their promise? 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    PolarCoN Winter School 2015 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Reisenburg   国名:ドイツ連邦共和国  

  6. When the surface rules: topography, defects or facets, and the limit of in-situ monitoring 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Warzaw   国名:ポーランド共和国  

  7. Low-cost high-efficiency GaN LEDs grown on 6-inch silicon 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  8. Growth of In(Ga)As and In(Ga)N Nanostructures by Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    Nichia Course 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  9. Growth of InN by Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    Spring meeting of the European Material Research Society 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nice   国名:フランス共和国  

  10. In-situ Monitoring of Doping with Reflectance Anisotropy Spectroscopy 招待有り

    PRISTOVSEK Markus

    3rd NanoCharm Workshop on Non-Destructive Real Time Process Control 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  11. Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy of Nitride Semiconductors 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    IInd Rainbow-Workshop 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スペイン  

  12. Advanced In-situ Monitoring of MOVPE 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    SemiconNano 2009 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  13. Surface and thin film analysis during vapour phase epitaxial growth 招待有り

    PRISTOVSEK Markus

    13th International Summer School on Crystal Growth 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Park City, Utah   国名:アメリカ合衆国  

  14. State of the Art of in-situ Monitoring in Metal Organic Vapour Phase Epitaxy 招待有り

    PRISTOVSEK Markus

    Anan Special Seminar 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  15. In-situ STM in MOVPE: realtime, realspace in-situ monitoring 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    13th International Conference for Metal-organic Vapor Phase Epitaxy 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  16. In-situ Scanning Tunneling Microscopy in MOVPE - Promises, Challenges, Results 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    11th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy 

     詳細を見る

    開催年月日: 2005年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Lausanne   国名:スイス連邦  

  17. In-situ Determination of the Carrier Concentration of (001) GaAs by Reflectance Anisotropy Spectroscopy 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    1st Optics of Surfaces and Interfaces 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Bad Honnef   国名:ドイツ連邦共和国  

  18. Wurtzite AlPN: A new member of the III-Nitride Family 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK, Markus

    semiconNano 2021 (virtual)  2021年9月1日  University di Milano Bicocca, Italy

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:virtual   国名:イタリア共和国  

▼全件表示

共同研究・競争的資金等の研究課題 3

  1. 新ヘテロ接合Al PN/GaNによる次世代超高効率大電力・高周波デバイス 国際共著

    研究課題番号:JSPSJRP 22030161  2022年12月 - 2025年11月

    国際共同研究事業  電気電子材料工学関連

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:27900000円

  2. AlGaN系ワイドギャップ二次元ナノヘテロ構造の光学的及びキャリア輸送特性

    研究課題番号:JPJSBP120214806  2021年4月 - 2022年3月

    日本学術振興会  二国間交流事 業共同研究・ セミ ナー 

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    直接経費:4870000円 )

  3. Reversed-polarity III-nitride Sensors for Enhanced UV-detection (ReSensE) 国際共著

    研究課題番号:898704 - ReSensE  2020年12月 - 2022年9月

    European Commission  Marie Curie Outgoing Fellowship 

    Pietro Pampili

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    配分額:24400000円 ( 直接経費:1934455円 、 間接経費:247000円 )

科研費 1

  1. Development of the novel next generation III-Nitride semiconductor wurtzite AlPN

    研究課題/研究課題番号:21K03418  2021年4月 - 2024年3月

    PRISTOVSEK M.

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    配分額:4160000円 ( 直接経費:3200000円 、 間接経費:960000円 )

産業財産権 1

  1. 高電子移動度トランジスタ装置、半導体多層膜ミラーおよび縦型ダイオード

    プリストフセクマーコス

     詳細を見る

    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:2020-009453  出願日:2020年1月

    公開番号:2021-118232  公開日:2021年8月

    公表番号:JP,2021-118232,A  公表日:2021年8月

    特許番号/登録番号:JP 2021 118232  登録日:2020年1月 

 

担当経験のある科目 (本学) 2

  1. G30 半導体デバイス工学特論

    2022

  2. G30 半導体デバイス工学特論

    2020

担当経験のある科目 (本学以外) 1

  1. G30 半導体デバイス工学特論

    2020年 名古屋大学)

     詳細を見る

    科目区分:学部専門科目  国名:日本国

 

メディア報道 1

  1. 名大、GaN結晶に格子整合する新たな窒化物半導体「AIPN」の合成に成功 インターネットメディア

    マイナビニュース  2020年11月