論文 - 黒澤 昌志
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Near-infrared light absorption by polycrystalline SiSn alloys grown on insulating layers 査読有り
M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁: Vol. 106, Issue 17, pp. 171908-1〜5 2015年4月
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高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 〜直接遷移構造化を目指して〜
黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会 信学技報 頁: Vol. 115, No. 18, pp. 35-37 2015年4月
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Formation, crystalline structure, and optical properties of Ge1-x-ySnxCy ternary alloy layers 査読有り
T. Yamaha, K. Terasawa, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁: Vol. 54, Issue 4S, pp. 04DH08-1〜6 2015年2月
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Effect of Sn on crystallinity and electronic property of low temperature grown polycrystalline-Si1-x-yGexSny layers on SiO2 査読有り
T. Yamaha, M. Kurosawa, T. Ohmura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid State Electronics 頁: Vol. 110, pp. 54-58 2015年2月
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Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1-x-ySixSny layers on Ge(001) substrates 査読有り
T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid State Electronics 頁: Vol. 110, pp. 49-53 2015年2月
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Sn/Ge コンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第20回研究会) 頁: pp. 59-62 2015年1月
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Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS 査読有り
Y. Kamata, M. Koike, E. Kurosawa, M. Kurosawa, H. Ota, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Tezuka
Applied Physics Express 頁: Vol. 7, No. 12, pp.121302-1〜4 2014年11月
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Comprehensive study of Al-induced layer-exchange growth for orientation-controlled Si crystals on SiO2 substrates 査読有り
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Journal of Applied Physics 頁: Vol. 116, Issue17, pp.173510-1〜8 2014年11月
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Epitaxial Growth of GeSn Layers on (001), (110), and (111) Si and Ge Substrates 査読有り
O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and S. Zaima
ECS Transactions 頁: Vol. 64, Issue 6, pp. 793-799 2014年10月
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Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減
鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 中塚理, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明
電子情報通信学会 信学技報 頁: vol. 114, no. 88, pp. 11-16 2014年6月
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絶縁膜上における IV 族半導体の低温形成 〜低融点 Sn の活用〜
黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会 信学技報 頁: vol. 114, no. 88, pp. 91-95 2014年6月
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Dynamics Analysis of Rapid-Melting Growth Using SiGe on Insulator 査読有り
R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Thin Solid Films 頁: Vol. 557, pp. 125–128 2014年4月
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Coherent Lateral-Growth of Ge over Insulating Film by Rapid-Melting-Crystallization 査読有り
T. Sadoh, M. Kurosawa, K. Toko, and M. Miyao
Thin Solid Films 頁: Vol. 557, pp. 135–138 2014年4月
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Influence of Ge Substrate Orientation on Crystalline Structures of Ge1-xSnx Epitaxial Layers 査読有り
T. Asano, S. Kidowaki, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 頁: Vol. 557, pp. 159–163 2014年4月
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Formation and characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge microstructures 査読有り
S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 頁: Vol. 557, pp. 164–168 2014年4月
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Reduction of Schottky Barrier Height for n-type Ge Contact by using Sn Electrode 査読有り
A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, K. Kato, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁: Vol. 53, Issue 4S, pp. 04EA06-1〜5 2014年3月
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Giant-lateral-growth of SiGe stripes on insulating-substrate by self-organized-seeding and melt-back-growth in solid-liquid coexisting region 査読有り
R. Matsumura, R. Kato, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Electrochemical and Solid-State Letters 頁: Vol. 3, Isuue 5, pp. P61-P64 2014年3月
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Large grain growth of Ge-rich Ge1-xSnx (x=0.02) on insulating surfaces using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り
M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁: Vol. 104, Issue 6, pp. 061901-1〜4 2014年2月
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Characterization of Local Strain Structures in Heteroepitaxial Ge1-xSnx/Ge Microstructures by using Microdiffraction Method 査読有り
S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
ECS Transactions 頁: Vol. 58, Issue 9, pp. 185-192 2013年10月
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Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications: Challenges and Opportunitiesi 査読有り
O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima
ECS Transactions 頁: Vol. 58, Issue 9, pp. 149-155 2013年10月