論文 - 黒澤 昌志
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Synthesis of heavily Ga-doped Si1-xSnx/Si heterostructures and their valence-band-offset determination 査読有り
M. Kurosawa, Y. Inaishi, R. Tange, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁: Vol. 58, No. SA, pp. SAAD02-1〜4 2018年11月
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Germanene Epitaxial Growth by Segregation through Ag(111) Thin Films on Ge(111) 査読有り
J. Yuhara, H. Shimazu, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, M. Nakatake, and G. Le Lay
ACS Nano 頁: Vol. 12, Issue 11, pp. 11632-11637 2018年10月
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Optoelectronic properties of High-Si-content-Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-Heterostructure 査読有り
M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Semiconductor Science and Technology 頁: Vol. 33, No. 12, pp. 124018-1〜9 2018年10月
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Ultra-thin Germanium-Tin on Insulator structure through the direct bonding technique 査読有り
T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Oka, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka, and N. Uchida
Semiconductor Science and Technology 頁: Vol. 33, No. 12, pp. 124002-1〜5 2018年10月
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Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices Fabricated by Rapid Melting Growth 査読有り
R. Yokogawa, S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Watanabe, and A. Ogura
ECS Transactions 頁: Vol. 86, Issue 7, pp. 87-93 2018年9月
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A New Application of Ge1-xSnx: Thermoelectric Materials 査読有り
M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS Transactions 頁: Vol. 86, issue 7, pp. 321-328 2018年9月
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エネルギーハーベスティング応用に向けたIV族混晶(Ge1-xSnx)薄膜の結晶成長 招待有り 査読有り
黒澤昌志
日本熱電学会学会誌 頁: Vol. 15, No.1, pp.26-31 2018年8月
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Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N2 ambient 査読有り
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
Japanese Journal of Applied Physics 頁: Vol. 57, No. 6S1, pp. 06HD08-1〜5 2018年5月
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Segregated SiGe Ultrathin Layer Formation and Surface Planarization on Epitaxial Ag(111) by Annealing of Ag/SiGe(111) with Different Ge/(Si+Ge) Compositions 査読有り
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
Japanese Journal of Applied Physics 頁: Vol. 57, No. 4S, pp. 04FJ05-1〜6 2018年3月
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Dopant behavior in heavily doped polycrystalline Ge1-xSnx layers prepared with pulsed laser annealing in water 査読有り
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁: Vol. 57, No. 4S, pp. 04FJ02-1〜6 2018年2月
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High n-type Sb dopant activation in Ge-rich poly-Ge1-xSnx layers on SiO2 using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁: Vol. 112, Issue 6, pp. 062104-1〜5 2018年2月
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Self-organized lattice-matched epitaxy of Si1-xSnx alloys on (001)-oriented Si, Ge, and InP substrates 査読有り
M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁: Vol. 111, Issue 19, pp. 192106-1〜4 2017年11月
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Control of Ge1-x-ySixSny layer lattice constant for energy band alignment in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructures 査読有り
M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Semiconductor Science and Technology 頁: Vol. 32, No. 10, pp. 104008-1〜8 2017年9月
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First-principles study on adsorption structures and electronic states of stanene on α-alumina surface 査読有り
M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
Japanese Journal of Applied Physics 頁: Vol. 56, No. 9, pp. 095701-1〜4 2017年8月
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Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 査読有り
M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS Transactions 頁: Vol. 80, Issue 4, pp. 253-258 2017年8月
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エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
電子情報通信学会 信学技報 頁: Vol. 117, No. 101, pp. 43-48 2017年6月
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Evaluation of energy band offset of Si1-xSnx semiconductors by numerical calculation using density functional theory 査読有り
Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁: Vol. 56, No. 4S, pp.04CR10-1〜5 2017年3月
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Low-temperature crystallization of Ge-rich GeSn layers on Si3N4 substrate 査読有り
I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Materials Science in Semiconductor Processing 頁: Vol. 70, pp. 151-155 2017年1月
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水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化
高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会(第22回) 頁: pp. 67-70 2017年1月
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Hydrogen-surfactant-mediated epitaxy of Ge1-x Snx layer and its effects on crystalline quality and photoluminescence property 査読有り
O. Nakatsuka, S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, H. Kishida, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁: Vol. 56, No. 1S, pp. 01AB05-1〜6 2016年12月