論文 - 黒澤 昌志
-
Silicon‐based low-dimensional materials for Thermal Conductivity Suppression: Recent Advances and New Strategies to High Thermoelectric Efficiency 査読有り
H. Lai, Y. Peng, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, T. Takeuchi, and L. Miao
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 60, No. SA, pp. SA0803-1〜15 2020年10月
-
Evaluation of Strain-Shift Coefficients for SiSn by Raman Spectroscopy 査読有り
R. Yokogawa, M. Kurosawa, and A. Ogura
ECS Transactions 頁： Vol. 98, No. 5, pp. 291-300 2020年9月
-
Hydrogen Desorption from Silicane and Germanane Crystals: Toward Creation of Free-Standing Monolayer Silicene and Germanene 査読有り
M. Araidai, M. Itoh, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
Journal of Applied Physics 頁： Vol. 128, Issue 12, pp. 125301-1〜5 2020年9月
-
Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 査読有り
O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita
ECS Transactions 頁： Vol. 98, No. 5, pp. 149-156 2020年9月
-
Realizing high thermoelectric performance in p-type Si1-x-yGexSny thin films at ambient temperature by Sn modulation doping 査読有り
Y. Peng, H. Lai, C. Liu, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, T. Takeuchi, S. Zaima, S. Tanemura, and L. Miao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 117, Issue 5, pp. 053903-1〜5 2020年8月
-
Design of a Planar-type Uni-leg SiGe Thermoelectric Generator 査読有り
S. Koike, R. Yanagisawa, M. Kurosawa, and M. Nomura
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 59, No. 7, pp. 074003-1〜5 2020年7月
-
Continuous Growth of Germanene and Stanene Lateral Heterostructures 査読有り
T. Ogikubo, H. Shimazu, Y. Fujii, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, G. L. Lay, J. Yuhara
Advanced Materials Interfaces 頁： Vol. 7, No. 10, pp. 1902132-1〜7 2020年3月
-
Preparation and thermoelectric characterization of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り
H. Kobayashi, R. Akaishi, S. Kato, M. Kurosawa, N. Usami, and Y. Kurokawa
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 59, No. SG, pp. SGGF09-1〜6 2020年2月
-
Formation of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 査読有り
M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 59, No. SG, pp. SGGK15-1〜6 2020年2月
-
分子線エピタキシー法によるSi1-xSnx薄膜の形成
丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回） 頁： pp. 125-128 2020年1月
-
多結晶Si1-x-yGexSny三元混晶薄膜の熱電特性制御
中塚理, 彭英, 苗蕾, 高杰, 刘呈燕, 黒澤昌志, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回） 頁： pp. 117-120 2020年1月
-
Semi-ballistic thermal conduction in polycrystalline SiGe nanowires 査読有り
N. Okamoto, R. Yanagisawa, A. Roman, Md. M. Alam, K. Sawano, M. Kurosawa, and M. Nomura
Applied Physics Letters 頁： Vol.115, Issue 25, pp. 253101-1〜4 2019年12月
-
Development of Germanium-Tin-Related Semiconductor Heterostructures for Energy Band Design in Electronic and Optoelectronic Applications 査読有り
O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, S. Shibayama, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 92, Issue 4, pp. 41-46 2019年10月
-
Realizing High Thermoelectric Performance at Ambient Temperature by Ternary Alloying in Polycrystalline Si1-x-yGexSny Thin Films with Boron Ion Implantation 査読有り
Y. Peng, L. Miao, J. Gao, C. Liu, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Scientific Reports 頁： Vol. 9, No.1, pp.14342-1〜9 2019年10月
-
ゲルマニウム錫Ⅳ族混晶薄膜の結晶成長と電子物性 招待有り 査読有り
中塚理, 黒澤昌志
応用物理 頁： Vol. 88, No. 9, pp. 597-603 2019年9月
-
Formation and Optoelectronic Property of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double Heterostructure on Boron-Ion-Implanted Ge(001) Substrate 査読有り
M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 58, No. SI, pp. SIIB23-1〜6 2019年7月
-
Operation of thin-film thermoelectric generator of Ge-rich poly-Ge1-xSnx on SiO2 fabricated by a low thermal budget process 査読有り
K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa
Applied Physics Express 頁： Vol. 12, No. 5, pp. 051016-1〜6 2019年5月
-
GaSb(001)基板上に形成したSi1-xSnx薄膜の結晶構造評価
丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 頁： pp. 71-74 2019年1月
-
ノンドープ組成傾斜SiGeワイヤの微小ゼーベック係数測定
熊田剛大, 中村俊貴, 富田基裕, 中田壮哉, 高橋恒太, 黒澤昌志, 渡邉孝信
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 頁： pp. 197-200 2019年1月
-
高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価
福田雅大, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 頁： pp. 265-268 2019年1月